めっき方法、半導体装置の製造方法及び回路基板の製造方法
【課題】めっき膜が広範囲に形成される樹脂層に対して、デスミア処理等を行うことなく、密着性の良好なめっき膜を簡易に形成し得るめっき方法を提供する。
【解決手段】支持基板上に樹脂層１０を形成する工程と、樹脂層の表層部をバイト１２により切削する工程と、樹脂層上に無電解めっき法によりシード層を形成する工程と、シード層上に電気めっき法によりめっき膜を形成する工程とを有している。樹脂層の表面を適度な粗さにすることができるため、シード層と樹脂層との密着性を十分に確保することができる。また、デスミア処理を行った場合のような過度に深い穴が樹脂層表面に生ずることがないため、樹脂層上にフォトレジスト膜より成る微細なパターンを形成することができる。従って、高い信頼性を確保しつつ、樹脂層上に極めて狭いピッチで配線等を形成することができる。
【解決手段】支持基板上に樹脂層１０を形成する工程と、樹脂層の表層部をバイト１２により切削する工程と、樹脂層上に無電解めっき法によりシード層を形成する工程と、シード層上に電気めっき法によりめっき膜を形成する工程とを有している。樹脂層の表面を適度な粗さにすることができるため、シード層と樹脂層との密着性を十分に確保することができる。また、デスミア処理を行った場合のような過度に深い穴が樹脂層表面に生ずることがないため、樹脂層上にフォトレジスト膜より成る微細なパターンを形成することができる。従って、高い信頼性を確保しつつ、樹脂層上に極めて狭いピッチで配線等を形成することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき方法、並びにそのめっき法を用いた半導体装置の製造方法及び回路基板の製造方法に関し、高い信頼性を実現しうるめっき方法、並びに、そのめっき方法を用いた半導体装置の製造方法及び回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板や回路基板上に形成される多層配線には、配線層間を電気的に絶縁するために、層間絶縁膜が必要である。
【０００３】
上記のような層間絶縁膜を形成する工程において、近時では、半導体基板や回路基板上に樹脂製のシート（以下、「樹脂シート」という。）を、真空プレスを用いて貼り付けることにより、層間絶縁膜を形成する技術が注目されている。樹脂シートを用いて層間絶縁膜を形成した場合には、スピンコート法によって層間絶縁膜を形成した場合と比べて材料の無駄が大幅に抑えられる。その結果、低コストで層間絶縁膜を形成することが可能となる。
【０００４】
このように樹脂シートを用いて形成された樹脂層上に配線を形成する場合には、例えば、以下のような方法で配線を形成することが可能である。
【０００５】
まず、レーザ等を用いて、樹脂層にコンタクトホールを形成する。次に、デスミア処理を行う。デスミア処理とは、レーザ等を用いて樹脂層にコンタクトホールを形成する際に生じる樹脂の燃えかす（スミア）を、薬液により除去する処理のことである。デスミア処理を行うと、コンタクトホール内からスミアが除去されるとともに、樹脂層の表面に凹凸が形成される。デスミア処理は、例えば、５０〜９０℃のアルカリ性過マンガン酸溶液に、樹脂層を、数分〜数十分程度浸漬することにより行われる。次に、デスミア処理を施して表面に凹凸が形成された樹脂層上に、めっき膜を形成するためのシード層を、無電解めっき法により形成する。そして、シード層が、樹脂層表面に形成された凹部、即ち、多数の微小な孔の中にも食い込んだ状態で形成され、樹脂層とめっき膜との密着性が十分に確保される。このような現象は、アンカー効果と称される。次に、樹脂層の全面にフォトレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィ技術を用いて、フォトレジスト膜に開口部を形成する。次に、電気めっき法により、開口部内のシード層上にめっき膜を形成する。シード層と樹脂層との密着性が十分に確保されているため、めっき膜はシード層を介して樹脂層に確実に固定される。最後に、フォトレジスト膜を剥離することにより、樹脂層上に配線が形成される。
【０００６】
特許文献１には、樹脂基板上にめっき被膜を形成する製法に関して、紫外線照射された樹脂基板層をアルカリ溶液に浸漬し、樹脂基板にデスミア処理を施すことにより、樹脂基板とめっき被膜との密着性を強固に保つ技術が開示されている。
【０００７】
また、特許文献２には、射出成形して得られた成形品に導体回路パターンを形成する製法に関して、射出成形品の表面にコーディングしたレジストを除去する際に、レーザを射出成形品の表面にも照射し、射出成形品の表面を粗面化することにより、射出成形品粗面化工程を削減する技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００３−２７２５０号公報
【特許文献２】特開平１１−６０７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１に記載されたように、めっき膜が形成される対象物（樹脂基板）を、アルカリ溶液に浸漬することによりデスミア処理を行った場合には、樹脂層の表面に数μｍ〜十数μｍの深い孔が形成されてしまうため、樹脂基板の表面にフォトレジスト膜を用いて微細な配線パターンを形成することは困難である。樹脂基板に形成された配線間が狭いピッチの場合、短絡等を招く可能性が高くなる。
【０００９】
また、特許文献２に記載されたように、めっき膜が形成される対象物（樹脂基板）の表面を、レーザ照射することにより粗面化する処理の場合には、めっき膜を形成する面が広範囲の場合に、レーザ照射の処理に長時間を要するという問題がある。
【００１０】
本発明の目的は、めっき膜が広範囲に形成される樹脂層に対して、デスミア処理等を行うことなく、密着性の良好なめっき膜を簡易に形成し得るめっき方法、並びに、そのめっき方法を用いた半導体装置の製造方法及び回路基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一観点によれば、支持基板上に樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層の表層部をバイトにより切削する工程と、前記樹脂層上に無電解めっき法によりシード層を形成する工程と、前記シード層上に電気めっき法によりめっき膜を形成する工程とを有することを特徴とするめっき方法が提供される。
【００１２】
また、本発明の他の観点によれば、支持基板上に樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記樹脂層の表層部をバイトにより切削する工程と、前記樹脂層上にシード層を形成する工程と、前記シード層上に電気めっき法によりめっき膜を形成する工程とを有するめっき方法が提供される。
【００１３】
また、本発明の更に他の観点によれば、半導体基板上に樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記樹脂層の表層部をバイトにより切削する工程と、前記樹脂層上にシード層を形成する工程と、前記シード層上に電気めっき法により配線を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。
【００１４】
また、本発明の更に他の観点によれば、支持基板上に樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記樹脂層の表層部をバイトにより切削する工程と、前記樹脂層上にシード層を形成する工程と、前記シード層上に電気めっき法によりめっき膜より成る配線を形成する工程とを有する回路基板の製造方法が提供される。
【００１５】
また、本発明の更に他の観点によれば、支持基板と、前記支持基板上に形成された下部電極と；前記下部電極上に形成された誘電体膜と；前記誘電体膜上に形成された上部電極とを有するキャパシタとを有する回路基板の製造方法であって、支持基板上に下部電極を形成する工程と、少なくとも前記下部電極上に樹脂を含む誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記誘電体膜の表層部をバイトにより切削する工程と、前記誘電体膜上にシード層を形成する工程と、前記シード層上に電気めっき法により上部電極を形成する工程とを有する回路基板の製造方法が提供される。
【００１６】
また、本発明の更に他の観点によれば、支持基板と、前記支持基板上に形成された第１の電極と、前記第１の電極上に形成された抵抗器と、前記抵抗器上に形成された第２の電極とを有する回路基板の製造方法であって、支持基板上に、第１の電極を形成する工程と、前記第１の電極上に、前記樹脂を含む抵抗層を形成する工程と、前記抵抗層の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記抵抗層の表層部を切削する工程と、前記抵抗層上にシード層を形成する工程と、前記シード層上に電気めっき法により電極を形成する工程とを有する回路基板の製造方法が提供される。
【００１７】
また、本発明の更に他の観点によれば、支持基板と、前記支持基板上に形成されたインダクタとを有する回路基板の製造方法であって、支持基板上に樹脂を含む絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記絶縁層の表層部をバイトにより切削する工程と、前記絶縁層上にシード層を形成する工程と、前記シード層上にインダクタを電気めっき法により形成する工程とを有する回路基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、めっき処理用のシード層を形成する前処理として、樹脂層の表層部をバイトにより切削することにより、樹脂層の表面を適度な粗さにする。このような処理を加えることにより、樹脂層とシード層との密着性を十分に且つ簡易に確保することができる。また、本発明によれば、デスミア処理を行った場合のような過度に深い穴が樹脂層表面に生ずることがないため、樹脂層上に微細なパターンを形成することが可能となる。また、本発明によれば、広い範囲の粗面化処理を短時間で行うことにより、広範囲の微細パターンを短時間で形成することが可能となる。従って、本発明によれば、高い信頼性を確保しつつ、樹脂層上に極めて狭いピッチの配線等を簡易に形成することが可能となる。
【００１９】
また、本発明によれば、樹脂シートを用いてキャパシタの誘電体膜を形成し、当該誘電体膜の表層部をバイトにより切削する。このような処理を加えることにより、樹脂より成る誘電体膜の表面を適度な粗さに調整することができるため、誘電体膜と上部電極との密着性を十分に確保することができる。また、本発明では、デスミア処理を行うことを要しないため、誘電体膜の表面に過度に深い孔が形成されることがない。このため、誘電体膜の膜厚を十分に薄くした場合であっても、上部電極と下部電極との間の絶縁性が十分に確保される。従って、本発明によれば、信頼性が高く、静電容量の大きいキャパシタを有する回路基板を提供することが可能となる。
【００２０】
また、本発明では、樹脂より成る抵抗層の表層部をバイトにより切削するため、樹脂より成る抵抗層の表面が適度な粗さになる。このため、抵抗層と電極との密着性を十分に確保することができる。また、デスミア処理を行うことを要しないため、樹脂より成る抵抗層の表面に過度に深い孔が形成されない。このため、抵抗層の厚さを薄くした場合であっても、電極と電極との間の絶縁性が十分に確保される。このため、抵抗層の厚さを適宜設定することにより、抵抗値を所望の値に設定することが可能となる。また、抵抗層の表面に過度に深い孔が形成されないため、抵抗値のばらつきを小さくすることができる。従って、本発明によれば、信頼性の高い抵抗器を有する回路基板を製造することが可能となる。
【００２１】
また、本発明では、樹脂フィルムより成る高透磁率層の表層部をバイトにより切削するため、樹脂フィルムより成る高透磁率層の表面が適度な粗さになる。このため、樹脂より成る高透磁率層とインダクタの密着性を十分に確保することができる。また、デスミア処理を行うことを要しないため、樹脂より成る高透磁率層の表面に過度に深い孔が形成されない。このため、高透磁率層上にフォトレジスト膜より成る微細なパターンを形成することができる。従って、本発明によれば、巻線のピッチが極めて狭い信頼性の高いインダクタを形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本願発明者らは、上述した課題を解決すべく鋭意検討した結果、樹脂層の表層部をダイヤモンドより成るバイトにより切削することにより、デスミア処理を行うことなく、樹脂層の表面を適度な粗さに設定すること想到した。
【００２３】
図１は、樹脂層の表層部をバイトにより切削する場合を示す側面図である。
【００２４】
図１（ａ）に示すように、比較的小さい切り込み量で樹脂層（加工前の樹脂フィルム）１０の表層部をバイト１２により切削した場合には、切削面に加わる力が比較的小さいため、樹脂層１０の表面における粗さは極めて小さくなる。なお、切り込み量とは、切削を行う際における１回当たりのバイトの切り込みの深さのことである。
【００２５】
これに対し、図１（ｂ）に示すように、比較的大きい切り込み量で樹脂層１０の表層部を切削した場合には、切削面に加わる力が比較的大きいため、樹脂層１０の表面に適度な粗さの凹凸１４が形成される。
【００２６】
このように、バイト１２により切削条件を適宜設定することにより、樹脂層１０の表面の粗さを適度な粗さにすることが可能であるため、デスミア処理を行うことなく、樹脂層１０上に良好な密着性を有するめっき膜を形成することが可能となる。しかも、樹脂層１０の表面をバイト１２により切削する場合には、樹脂層１０の表面をデスミア処理する場合のような深い孔が樹脂層１０表面に形成されることはないため、樹脂層１０上にフォトレジスト膜より成る微細なパターンを形成することが可能となる。このため、本発明によれば、めっき膜より成る配線を狭いピッチで形成することが可能となる。
【００２７】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態によるめっき方法及びそのめっき方法を用いた半導体装置の製造方法を、図２乃至図１３及び図２９を用いて説明する。図２乃至図１２は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図である。図２乃至図６及び図８乃至図１２は断面図であり、図７は平面図である。
【００２８】
まず、図２（ａ）に示すように、半導体基板１６を用意する。半導体基板１６としては、例えばシリコンウェハを用いる。半導体基板１６には、トランジスタ（図示せず）等が形成されている。トランジスタが形成された半導体基板１６上には、例えばシリコン酸化膜より成る層間絶縁膜１８が形成されている。層間絶縁膜１８は、例えばＣＶＤ法により形成されたものである。層間絶縁膜１８は、半導体基板１６上に多数形成されているが、図２（ａ）においては１層のみ示している。層間絶縁膜１８には、導体プラグ２０が埋め込まれている。導体プラグ２０は、例えばトランジスタのソース／ドレイン拡散層（図示せず）やゲート電極（図示せず）等に電気的に接続されている。
【００２９】
半導体基板１６のＴＴＶ（Total Thickness Variation）は、例えば５μｍとなっている。ＴＴＶとは、ウェハの平坦度を示すものであり、ウェハ全面におけるウェハの厚さの最大値ｄｍａｘと最小値ｄｍｉｎとの差のことである。
【００３０】
次に、図２（ｂ）に示すように、全面に、例えばスパッタ法により、膜厚５００ｎｍの銅又はニッケルより成るシード層２２を形成する。
【００３１】
次に、図３（ａ）に示すように、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜２４を形成する。
【００３２】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、シード層２２に達する開口部２６をフォトレジスト膜２４に形成する。開口部２６は、配線２８（図３（ｂ）参照）を形成するためのものである。
【００３３】
次に、図３（ｂ）に示すように、電気めっき法により、開口部２６内にＣｕより成る配線２８を形成する。この後、フォトレジスト膜２４を剥離する（図４（ａ）参照）。
【００３４】
次に、図４（ｂ）に示すように、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜３０を形成する。
【００３５】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、配線２８に達する開口部３２をフォトレジスト膜３０に形成する。開口部３２は、導体プラグ３４（図５（ａ）参照）を形成するためのものである。
【００３６】
次に、図５（ａ）に示すように、電気めっき法により、開口部３２内にＣｕより成る導体プラグ３４を形成する。この後、フォトレジスト膜３０を剥離する。
【００３７】
次に、図５（ｂ）に示すように、導体プラグ３４の周囲に表出している部分のシード層２２をウエットエッチングにより除去する。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層２２をエッチング除去する際には、配線２８や導体プラグ３４の表面も若干エッチングされる。但し、シード層２２の厚さは、配線２８や導体プラグ３４のサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることが可能である。このため、シード層２２をエッチングする際に、配線２８や導体プラグ３４が過度にエッチングされてしまうことはない。
【００３８】
次に、半導体基板１６上に樹脂フィルム８を載置する。樹脂フィルム８としては、味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルム（商品名：味の素ビルドアップフィルム、ＡＢＦ）を用いる。味の素ビルドアップフィルムは、エポキシ樹脂よりなる基材中にシリカより成る無機フィラーを混合した樹脂フィルムである。樹脂フィルム８の厚さは、３０μｍとする。
【００３９】
なお、樹脂フィルムとしては、上記の他に、株式会社クラレ製の液晶ポリマーフィルム（商品名：ベクスター）、或いは帝人デュポンフィルム株式会社のポリエチレンナフタレートフィルム（商品名：テオネックス(R) PENフィルム）が適用可能である。
【００４０】
なお、ここでは、樹脂フィルム８の厚さを３０μｍとする場合を例に説明したが、樹脂フィルム８の厚さは３０μｍに限定されるものではない。但し、半導体基板１６のＴＴＶより薄い樹脂フィルム８を用いた場合には、樹脂フィルム８の一部に切削されない箇所が生じてしまうため、樹脂フィルム８の厚さは少なくとも半導体基板１６のＴＴＶより大きいことが必要である。
【００４１】
次に、真空プレス装置を用いて、層間絶縁膜１８等が形成された半導体基板１６上に樹脂フィルム８を貼り付ける（図６（ａ）参照）。真空プレスを行う際の条件は、例えば１００℃、１ＭＰａとする。こうして、半導体基板１６上に樹脂フィルム８が形成される。
【００４２】
次に、熱処理を行うことにより、樹脂フィルム８を硬化させる。熱処理条件は、例えば、１７０℃、１時間とする。こうして、半導体基板１６上に樹脂フィルム８より成る樹脂層１０が形成される。
【００４３】
次に、半導体基板１６をチャックテーブル（図示せず）上に真空吸着により固定する。チャックテーブルとは、ウェハ等を加工する際に、ウェハ等を固定するための台のことである。半導体基板１６をチャックテーブル上に固定する際には、半導体基板１６の裏面側、即ち、樹脂層１０が形成されていない側の面をチャックテーブルに固定する。なお、半導体基板１６をチャックテーブル上に固定する際には、ピンチャックを用いることが好ましい。
【００４４】
次に、半導体基板１６を回転させながら、ダイヤモンドより成るバイト１２を用いて、樹脂層１０の厚さが１０μｍ程度になるまで、樹脂層１０の表層部及び導体プラグ３４の上部を切削する（図１（ｂ）及び図６（ｂ）参照）。
【００４５】
樹脂層１０の表層部等を切削する際の条件は、例えば以下の通りとする。
【００４６】
バイト１２のすくい角を０度とする。なお、すくい角とは、被切削物の切削面に対して垂直な面と、工具刃先の進行方向の前面（すくい面）とのなす角度のことである。一般に、すくい角が大きくなる程切れ具合は良くなるが、その反面で刃先へのダメージが大きくなり刃先の寿命が短くなる傾向がある。すくい角としては、０度〜３０度の設定であれば適用可能であるが、本実施形態では、切削の対象が比較的柔らかい樹脂材料であるため、すくい角を上記のような値とした。
【００４７】
チャックテーブルの回転数は、例えば１０００ｒｐｍ程度とする。このような回転数に設定すると、回転半径が５ｃｍ程度の際には、切削速度が５ｍ／秒程度となる。バイト１２の切り込み量は、例えば５μｍ程度とする。なお、切り込み量とは、上述したように、切削を行う際におけるバイトの切り込み深さのことである。バイト１２の送りは、例えば５０μｍ／秒とする。なお、送りとは、切削を行う際にチャックテーブルの半径方向、即ち、チャックテーブルにおける外縁の一点と回転中心とを結ぶ方向にバイトを進めていく速度のことである。
【００４８】
このような条件で樹脂層１０の表層部を切削すると、切削後の樹脂層１０ａ（以下、切削後の樹脂層を樹脂層１０ａと表示し、切削前の樹脂層１０と区別する。）の表面における十点平均粗さＲｚは、例えば１〜２μｍ程度となる。一方、導体プラグの表面における十点平均粗さＲｚは、例えば５〜１５ｎｍ程度となる。
【００４９】
十点平均粗さＲｚとは、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さだけ抜き取り、この抜き取り部分の平均線から縦倍率の方向に測定した、最も高い山頂から５番目までの山頂の標高の絶対値の平均値と、最も低い谷底から５番目までの谷底の標高の絶対値の平均値との和を求め、マイクロメートル（μｍ）で表したもののことである（ＪＩＳ Ｂ ０６０１−１９９４参照）。即ち、十点平均粗さＲｚとは、粗さ曲線で最高の山頂から高い順に５番目までの山高さの平均と、最深の谷底から深い順に５番目までの谷深さの平均との和のことである。
【００５０】
図７は、樹脂層及び導体プラグの表面をバイトにより切削した場合を示す図である。図７（ａ）は光学顕微鏡写真を示す図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）の模式図である。
【００５１】
図７から分かるように、樹脂層１０ａの表面には適度な凹凸がほぼ均等に形成されている。一方、導体プラグ３４の上部は、鏡面状態となっている。
【００５２】
樹脂層１０の表層部の切削が終了した後においては、半導体基板１６の裏面から樹脂層１０ａの表面までの厚さのＴＴＶは１μｍ以下となる。ＴＴＶの値は小さければ小さい程望ましいが、１μｍ以下であれば特に問題は無い。
【００５３】
なお、ここでは、樹脂層１０ａの表面における十点平均粗さＲｚを１〜２μｍ程度とする場合を例に説明したが、樹脂層１０ａの表面における十点平均粗さＲｚは１〜２μｍ程度に限定されるものではない。
【００５４】
図２９は、樹脂層の表面における十点平均粗さと、めっき膜の引っ張り強度と、短絡を招くことなく形成可能な配線のギャップの最小値との関係を示すグラフである。図２９において、横軸は樹脂層の表面における十点平均粗さを示しており、左側の縦軸はめっき膜の引っ張り強度を示しており、右側の縦軸は短絡を招くことなく形成可能な配線のギャップの最小値を示している。
【００５５】
配線が容易に剥がれないようにするためには、配線の引っ張り強度は少なくとも０．２ｋｇ／ｃｍ２程度は必要である。図２９に示すように、樹脂層１０ａの表面における十点平均粗さＲｚが０．５μｍ以上であれば、０．２ｋｇ／ｃｍ２以上の引っ張り強度を確保することが可能であり、樹脂層１０ａとめっき膜との密着性を十分に確保することが可能である。一方、樹脂層１０ａの表面における十点平均粗さＲｚを０．５μｍ未満とした場合には、配線の引っ張り強度は著しく低くなる。樹脂層１０ａの表面の凹部１４の深さが浅すぎて、シード層３６及びめっき膜４４が樹脂層１０中に十分に食い込まず、十分なアンカー効果が得られないためである。従って、樹脂層１０ａの表面における十点平均粗さＲｚを０．５μｍ以上とすることが望ましい。
【００５６】
また、樹脂層１０ａの表面における十点平均粗さＲｚが５μｍ以下であれば、樹脂層１０ａ上に形成したフォトレジスト膜を微細にパターニングすることが可能であり、極めて狭いピッチでめっき膜より成る配線を形成することが可能である。図２９に示すように、十点平均粗さＲｚが５μｍ以下であれば、短絡を招くことなく配線間ギャップを１５μｍ以下にまで狭めることが可能である。また、半導体装置の高集積化を図るためには樹脂層１０ａの厚さを１０μｍ程度にまで薄くすることが望ましいが、樹脂層１０ａの表面における十点平均粗さＲｚを５μｍより大きくした場合には、樹脂層１０ａに埋め込まれた下層側の配線２２と樹脂層１０ａ上に形成される上層側の配線４４（図１０（ａ）参照）とが短絡してしまう虞がある。また、樹脂層１０ａの表面における十点平均粗さＲｚが５μｍ以上になるように切削を行うことは、必ずしも容易ではない。従って、樹脂層１０ａの表面における十点平均粗さＲｚを５μｍ以下とすることが望ましい。
【００５７】
このような理由により、樹脂層１０ａの表面における十点平均粗さＲｚが０．５〜５μｍとなるように、樹脂層１０の表層部を切削することが望ましい。なお、樹脂層１０の表層部を切削する際の条件を適宜設定することにより、樹脂層１０ａの表面を所望の粗さに設定することが可能である。
【００５８】
また、樹脂層１０の材料として樹脂より成る基材中にフィラーを混入させた樹脂フィルムを用いる場合には、樹脂層１０の表層部を切削する際に、樹脂層１０中からフィラー（図示せず）が掘り出され、フィラーが掘り出された部分に孔が形成される場合がある。しかし、フィラーの直径は２〜５μｍと比較的小さいため、過度に深い孔が樹脂層１０ａの表面に形成されることはなく、特段の問題はない。
【００５９】
こうして、樹脂層１０ａの表面に適度な粗さの凹凸１４が形成される（図８（ａ）参照）。
【００６０】
なお、ここでは、エポキシ系の樹脂より成る基材中に無機フィラーを含有させた樹脂フィルム８を用いる場合を例に説明したが、フィラーの材料は無機系の材料に限定されるものではなく、有機系の材料を用いてもよい。例えば、エポキシ系の樹脂より成る基材中にゴム系の有機フィラーを含有させた樹脂フィルムを用いてもよい。
【００６１】
図１３は、エポキシ系の樹脂より成る基材中にゴム系フィラーを含有させた樹脂フィルムをバイトにより切削した場合を示す図である。図１３（ａ）は光学顕微鏡写真を示す図であり、図１３（ｂ）は図１３（ａ）の模式図である。
【００６２】
図１３から分かるように、フィラーの材料としてゴム系の材料を用いた場合にも、樹脂層１０ｂの表面には適度な凹凸１４ａが形成される。一方、導体プラグ３４の上部は、鏡面状態となる。
【００６３】
このように、樹脂より成る基材中に含有させるフィラーの材料として、有機系の材料を用いてもよい。
【００６４】
また、ここでは、半導体基板１６を回転させながらバイト１２を一方向に直進させることにより切削処理を行う場合を例に説明したが、半導体基板１６を一方向に直進させながら、バイト１２を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させることにより切削処理を行うことも可能である（図示せず）。
【００６５】
次に、無電解めっき法により、樹脂層１０ａ上に、銅又はニッケルより成るシード層３６（図８（ｃ）及び図９（ａ）参照）を形成する。シード層３６は、例えば以下のようにして形成する。
【００６６】
まず、コンディショニング装置を用いて、樹脂層１０ａのコンディショニングを行う。コンディショニングとは、樹脂層１０ａの表面から汚れを除去するとともに、樹脂層１０ａの表面を触媒が付着しやすい状態にする薬液処理のことである。コンディショニング装置としては、例えば、テクラン社製のコンディショニング装置（型番：３３２０）を用いる。コンディショニングを行う際の温度は、例えば５０℃とする。コンディショニング時間は、例えば５分間とする。この後、樹脂層１０ａの表面を水洗する。
【００６７】
次に、図８（ｂ）に示すように、無電解めっき膜を形成する際に核となる触媒３８を、樹脂層１０ａ表面に付着させる。
【００６８】
具体的には、前処理用の薬液に樹脂層１０ａを浸漬した後、前処理用の薬液を水洗することなく、樹脂層１０ａをキャタリスト液に浸漬する。前処理用の薬液としては、例えば、シプレイ・ファーイースト株式会社製の前処理用の薬液（型番：Cataprep 404）を用いる。樹脂層１０ａを浸漬する際における前処理用の薬液の温度は、例えば室温とする。前処理用の薬液に樹脂層１０ａを浸漬する時間は、９０秒とする。キャタリスト液としては、Ｐｄ−Ｓｎ錯体を含む溶液を用いる。例えば、シプレイ・ファーイースト株式会社製のキャタリスト液（型番：Cataposit 44）を用いる。樹脂層１０ａを浸漬する際におけるキャタリスト液の温度は、例えば５５℃とする。樹脂層１０ａをキャタリスト液に浸漬する時間は、例えば３分とする。こうして、樹脂層１０ａの表面にＰｄ−Ｓｎ化合物が付着した状態となる。この後、樹脂層１０ａの表面を水洗する。この後、アクセレレータ（加速）処理を行う。具体的には、樹脂層１０ａを促進剤に浸漬する。これにより、スズ塩が溶解し、酸化還元反応により金属パラジウムより成る触媒３８が生成される。促進剤としては、シプレイ・ファーイースト株式会社製の促進剤（型番：Acceleator 19E）を用いる。
【００６９】
こうして、無電解めっき膜を形成する際に核となる触媒３８が樹脂層１０ａ表面に付着する。
【００７０】
次に、無電解めっき液に樹脂層１０ａを浸漬する。無電解めっき液としては、例えば、シプレイ・ファーイースト株式会社製の無電解めっき液（型番：Cuposit 328）を用いる。これにより、無電解めっき液中の還元剤が触媒（パラジウム）３８表面で酸化されるときに放出される電子によって、銅イオンが還元され、銅より成る無電解めっき膜３６が形成される。
【００７１】
こうして、例えば膜厚０．３〜０．５μｍの無電解めっき膜より成るシード層３６が形成される。
【００７２】
表面に凹部が形成された樹脂層１０ａ上に比較的薄いシード層３６を形成するため、シード層３６のうちの凹部１４内に形成された部分が、凹部１４内において確実に固定される。このため、シード層３６と樹脂層１０ａとの密着性が十分に確保される。
【００７３】
次に、図９（ｂ）に示すように、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜４０を形成する。
【００７４】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、シード層３６に達する開口部４２をフォトレジスト膜４０に形成する。開口部４２は、配線４４（図８（ａ）参照）を形成するためのものである。樹脂層１０ａの表面に過度に深い孔が形成されていないため、シード層３６の表面にも過度に深い凹部は形成されていない。このため、フォトレジスト膜４０を微細にパターニングする場合であっても、フォトレジスト膜４０より成る良好なパターンを形成することができる。
【００７５】
次に、図１０（ａ）に示すように、電気めっき法により、フォトレジスト膜４０の開口部４２内のシード層３６上にＣｕより成る配線４４を形成する。上述したように、フォトレジスト膜を微細にパターニングした場合であっても良好なパターンが形成されているため、非常に狭いピッチで配線４４を形成することが可能である。シード層３６と樹脂層１０ａとの密着性が十分に確保されているため、配線４４はシード層３６を介して樹脂層１０ａに確実に固定される。
【００７６】
この後、図１０（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜４０を剥離する。
【００７７】
次に、スピンコート法により、配線４４が形成された樹脂層１０ａ上の全面に、フォトレジスト膜４６を形成する。
【００７８】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、図１１（ａ）に示すように、フォトレジスト膜４６に配線４４に達する開口部４８を形成する。開口部４８は、導体プラグ５０（図１１（ｂ）参照）を形成するためのものである。
【００７９】
次に、図１１（ｂ）に示すように、電気めっき法により、開口部４８内にＣｕより成る導体プラグ５０を形成する。この後、フォトレジスト膜４６を剥離する。
【００８０】
次に、図１２（ａ）に示すように、配線４４の周囲に表出しているシード層３６をウエットエッチングにより除去する。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層３６をエッチング除去する際には、配線４４や導体プラグ４８の表面も若干エッチングされる。但し、シード層３６の厚さは、配線４４や導体プラグ４８のサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることが可能である。このため、シード層３６をエッチングする際に、配線４４や導体プラグ４８が過度にエッチングされてしまうことはない。
【００８１】
次に、樹脂フィルム５１を用意する。樹脂フィルム５１は、上述した樹脂フィルム８と同様の樹脂フィルム（味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルムＡＢＦ）を用いる。
【００８２】
次に、真空プレス装置を用いて、樹脂フィルム５１を樹脂層１０ａ上に貼り付ける（図１２（ｂ）参照）。真空プレスを行う際の条件は、樹脂フィルム８を真空プレスする際の条件と同様に、例えば１００℃、１ＭＰａとする。こうして、配線４４及び導体プラグ５０等が形成された樹脂層１０ａ上に、樹脂フィルム５１が形成される。
【００８３】
次に、熱処理を行うことにより、樹脂フィルム５１を硬化させる。熱処理条件は、樹脂フィルム８を硬化させる際の上述した条件と同様に、例えば、１７０℃、１時間とする。こうして、配線４４及び導体プラグ５０等が形成された樹脂層１０ａ上に、樹脂フィルム５１より成る樹脂層５２が形成される。
【００８４】
次に、樹脂層５２の表層部を切削する。樹脂層５２の表層部を切削する際の条件は、例えば、樹脂層１０の表層部を切削する際の条件と同様とする。即ち、バイト１２のすくい角を、０度とする。チャックテーブルの回転数は、例えば１０００ｒｐｍ程度とする。このような回転数に設定すると、回転半径が５ｃｍ程度の際には、切削速度が５ｍ／秒程度となる。バイト１２の切り込み量は、例えば５μｍ程度とする。バイト１２の送りは、例えば５０μｍ／秒とする。このような条件で切削を行うと、樹脂層５２の表面には、適度な凹凸５３が形成される。こうして、樹脂層５２の表面における十点平均粗さＲｚが、例えば１〜２μｍ程度となる。
【００８５】
なお、ここでは、樹脂層５２の表面における十点平均粗さＲｚを１〜２μｍ程度とする場合を例に説明したが、樹脂層５２の表面における十点平均粗さＲｚは１〜２μｍ程度に限定されるものではない。樹脂層５２の表面における十点平均粗さＲｚが例えば０．５〜５μｍとなるように、樹脂層５２の表層部を切削すればよい。
【００８６】
また、ここでは、半導体基板１６を回転させながらバイト１２を一方向に直進させることにより切削処理を行う場合を例に説明したが、半導体基板１６を一方向に直進させながら、バイト１２を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させることにより切削処理を行うことも可能である（図示せず）。
【００８７】
次に、無電解めっき法により、樹脂層５２上及び導体プラグ５０上にシード層（図示せず）を形成する。シード層の形成方法は、例えば上述したシード層３６の形成方法と同様とする。即ち、コンディショニング、樹脂層表面への触媒の付着等を行った後、無電解めっき法によりシード層を形成する。
【００８８】
次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【００８９】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜にシード層に達する開口部（図示せず）を形成する。
【００９０】
次に、電気めっき法により、フォトレジスト膜の開口部内にＣｕより成る配線５４を形成する。この後、フォトレジスト膜を剥離する。
【００９１】
次に、配線５４の周囲に表出しているシード層をウエットエッチングにより除去する。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層をエッチング除去する際には、配線５４の表面も若干エッチングされる。但し、シード層の厚さは、配線５４のサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることが可能である。このため、シード層をエッチングする際に、配線５４が過度にエッチングされてしまうことはない。
【００９２】
この後、樹脂層と金属配線層とを更に積層するようにしてもよい。
【００９３】
こうして、本実施形態によるめっき方法を用いて、本実施形態による半導体装置が製造される。
【００９４】
本実施形態によるめっき方法及び半導体装置の製造方法は、樹脂層の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、樹脂層の表層部をバイトにより切削することに主な特徴がある。
【００９５】
従来のめっき方法では、上述したように、樹脂層の表面をデスミア処理により粗くしていた。樹脂層の表面をデスミア処理により粗くした場合には、上述したように、十数μｍ程度の孔が形成されてしまう場合があった。十数μｍの孔が形成された樹脂層上には、フォトレジスト膜より成る微細なパターンを形成するのは困難であった。このため、めっき膜より成る配線を、短絡等を招くことなく、極めて狭いピッチで樹脂層上に形成するのは困難であった。
【００９６】
これに対し、本実施形態では、樹脂層の表層部をバイトにより切削することにより、樹脂層の表面を適度な粗さに設定する。本実施形態によれば、樹脂層の表面を適度な粗さにすることができるため、シード層と樹脂層との密着性を十分に確保することができる。また、デスミア処理を行った場合のような過度に深い穴が樹脂層表面に生ずることがないため、樹脂層上にフォトレジスト膜より成る微細なパターンを形成することが可能となる。従って、本実施形態によれば、高い信頼性を確保しつつ、樹脂層上に極めて狭いピッチでめっき膜より成る配線等を形成することができる。
【００９７】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態による回路基板の製造方法を図１４乃至図２３を用いて説明する。図１４乃至図２３は、本実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図である。図１乃至図１２に示す第１実施形態によるめっき方法及び半導体装置の製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【００９８】
本実施形態による回路基板の製造方法は、樹脂シートを用いてキャパシタの誘電体膜を形成し、樹脂シートより成る誘電体膜の表層部をバイトにより切削することに主な特徴がある。
【００９９】
まず、図１４（ａ）に示すように、コア層５６を用意する。コア層５６は、例えば以下のような構成になっている。即ち、例えばエポキシ樹脂より成る支持基板５８の上面及び下面には、配線６０等が形成されている。配線６０等が形成された支持基板５８の上面側及び下面側には、例えばエポキシ樹脂より成る絶縁層６２がそれぞれ形成されている。支持基板５８及び絶縁層６２には、貫通孔６４が形成されている。貫通孔６４内には、導電膜６６が形成されている。また、絶縁層６２上にも、導電膜６６が形成されている。導電膜６６が形成された貫通孔６４内には、ビア６８が埋め込まれている。ビア６８上、導電膜６６上には、導電膜７０が形成されている。導電膜６６及び導電膜７０により、配線が構成されている。
【０１００】
次に、エポキシ樹脂より成る樹脂フィルムをコア層５６上に載置する。かかる樹脂フィルムは、樹脂層７２（図１４（ｂ）参照）を形成するためのものである。樹脂フィルムとしては、味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルムＡＢＦを用いる。樹脂フィルムの厚さは６０μｍとする。
【０１０１】
次に、真空プレス装置を用いて、樹脂フィルムをコア層５６に貼り付ける。樹脂フィルムを真空プレスする際の条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルム８を真空プレスする際の条件と同様に、例えば１００℃、１ＭＰａとする。
【０１０２】
次に、熱処理を行うことにより、樹脂フィルムを硬化させる。熱処理条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルム８を硬化させる際の条件と同様に、例えば、１７０℃、１時間とする。こうして、支持基板５８上に樹脂フィルムより成る樹脂層（絶縁層）７２が形成される（図１４（ｂ）参照）。
【０１０３】
次に、樹脂層７２の表層部をバイトを用いて切削する。樹脂層７２の表層部を切削する際の条件は、樹脂層１０の表層部を切削する際の上述した条件と同様とする。即ち、バイト１２のすくい角を、０度とする。チャックテーブルの回転数は、例えば１０００ｒｐｍ程度とする。このような回転数に設定すると、回転半径が５ｃｍ程度の際には、切削速度が５ｍ／秒程度となる。バイト１２の切り込み量は、例えば５μｍ程度とする。バイト１２の送りは、例えば５０μｍ／秒とする。このような条件で切削を行うと、樹脂層７２の表面における十点平均粗さＲｚは、例えば１〜２μｍ程度となる。
【０１０４】
なお、ここでは、樹脂層７２の表面における十点平均粗さＲｚを１〜２μｍ程度とする場合を例に説明したが、樹脂層７２の表面における十点平均粗さＲｚは１〜２μｍ程度に限定されるものではない。樹脂層７２の表面における十点平均粗さＲｚが例えば０．５〜５μｍとなるように、樹脂層７２の表層部を切削すればよい。
【０１０５】
また、ここでは、支持基板５８を回転させながらバイト１２を一方向に直進させることにより切削処理を行う場合を例に説明したが、支持基板５８を一方向に直進させながら、バイト１２を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させることにより切削処理を行うことも可能である（図示せず）。
【０１０６】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、配線７０に達するコンタクトホール７４を樹脂層７２に形成する。
【０１０７】
次に、全面に、無電解めっき法により、銅又はニッケルより成るシード層（図示せず）を形成する。シード層の形成方法は、例えば第１実施形態において記載したシード層３６の形成方法と同様とする。即ち、コンディショニング、樹脂層表面への触媒の付着等を行った後、無電解めっき法によりシード層を形成する。
【０１０８】
次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【０１０９】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜にシード層に達する開口部（図示せず）を形成する。開口部は、配線７６を形成するためのものである。
【０１１０】
次に、電気めっき法により、フォトレジスト膜の開口部内にＣｕより成る配線７６を形成する。この後、フォトレジスト膜を剥離する。
【０１１１】
次に、配線７６の周囲に表出している部分のシード層をウエットエッチングにより除去する（図１５（ａ）参照）。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層をエッチング除去する際には、配線７６の表面も若干エッチングされる。但し、シード層の厚さは、配線７６のサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることが可能である。このため、シード層をエッチングする際に、配線７６が過度にエッチングされてしまうことはない。
【０１１２】
次に、真空プレス装置を用いて、樹脂フィルムを支持基板５８に貼り付ける。かかる樹脂フィルムは、樹脂層７８を形成するためのものである。樹脂フィルムとしては、味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルムＡＢＦを用いる。樹脂フィルムの厚さは６０μｍとする。真空プレスを行う際の条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルム８を真空プレスする際の条件と同様に、例えば１００℃、１ＭＰａとする。
【０１１３】
次に、熱処理を行うことにより、樹脂フィルムを硬化させる。熱処理条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルム８を硬化させる際の条件と同様に、例えば、１７０℃、１時間とする。こうして、支持基板５８上に樹脂フィルムより成る樹脂層（絶縁層）７８が形成される（図１５（ｂ）参照）。
【０１１４】
次に、樹脂層７８の表層部をバイトを用いて切削する。樹脂層７８の表層部を切削する際の条件は、樹脂層１０の表層部を切削する際の上述した条件と同様とする。即ち、バイト１２のすくい角を、０度とする。チャックテーブルの回転数は、例えば１０００ｒｐｍ程度とする。このような回転数に設定すると、回転半径が５ｃｍ程度の際には、切削速度が５ｍ／秒程度となる。バイト１２の切り込み量は、例えば５μｍ程度とする。バイト１２の送りは、例えば５０μｍ／秒とする。このような条件で切削を行うと、樹脂層７８の表面における十点平均粗さＲｚは、例えば１〜２μｍ程度となる。
【０１１５】
なお、ここでは、樹脂層７８の表面における十点平均粗さＲｚを１〜２μｍ程度とする場合を例に説明したが、樹脂層７８の表面における十点平均粗さＲｚは１〜２μｍ程度に限定されるものではない。樹脂層７８の表面における十点平均粗さＲｚが例えば０．５〜５μｍとなるように、樹脂層７８の表層部を切削すればよい。
【０１１６】
また、ここでは、支持基板５８を回転させながらバイト１２を一方向に直進させることにより切削処理を行う場合を例に説明したが、支持基板５８を一方向に直進させながら、バイト１２を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させることにより切削処理を行うことも可能である（図示せず）。
【０１１７】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、配線７６に達するコンタクトホール８０を樹脂層７８に形成する。
【０１１８】
次に、全面に、無電解めっき法により、銅又はニッケルより成るシード層（図示せず）を形成する。シード層の形成方法は、例えば第１実施形態において記載したシード層３６の形成方法と同様とする。即ち、コンディショニング、樹脂層表面への触媒の付着等を行った後、無電解めっき法によりシード層を形成する。
【０１１９】
次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【０１２０】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、シード層に達する開口部（図示せず）を形成する。開口部は、キャパシタの下部電極８２を形成するためのものである。
【０１２１】
次に、電気めっき法により、開口部内にＣｕより成る下部電極８２を形成する。この後、フォトレジスト膜を剥離する。
【０１２２】
次に、下部電極８２の周囲に表出している部分のシード層をウエットエッチングにより除去する（図１６（ａ）参照）。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層をエッチング除去する際には、下部電極８２の表面も若干エッチングされる。但し、シード層の厚さは、下部電極８２のサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることが可能である。このため、シード層をエッチングする際に、下部電極８２が過度にエッチングされてしまうことはない。
【０１２３】
次に、樹脂フィルム８３を用意する。かかる樹脂フィルム８３は、樹脂層８４を形成するためのものである。樹脂フィルム８３としては、エポキシ系の樹脂より成る基材中に、樹脂より比誘電率の高い高誘電体より成るフィラーを混合した樹脂フィルムを用いる。高誘電体より成るフィラーは、例えばＢａＴｉＯ３より成るものである。なお、基材として用いられる樹脂の比誘電率は、３〜５程度である。樹脂フィルム８３の厚さは６０μｍとする。
【０１２４】
なお、ここでは、高誘電体より成るフィラーとして、ＢａＴｉＯ３を用いる場合を例に説明したが、高誘電体より成るフィラーは、ＢａＴｉＯ３に限定されるものではない。基材として用いられる樹脂より比誘電率の高い材料を、フィラーの材料として適宜用いることができる。例えば、フィラーとして、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＺｎＴｉＯ３、ＰｂＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＰｂＺｒＯ３、ＢａＸＳｒ１−ＸＴｉＯ３、ＢａＴｉＸＺｒ１−ＸＯ３、ＰｂＺｒＸＴｉ１−ＸＯ３、ＰｂＸＬａ１−ＸＺｒＹＴｉ１−ＹＯ３、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７又はＮｄ２Ｔｉ２Ｏ７等の高誘電体を適宜用いてもよい。また、フィラーとして、これらの混合物を用いてもよい。
【０１２５】
次に、図１６（ｂ）に示すように、真空プレス装置を用いて、樹脂フィルム８３を支持基板５８上に貼り付ける。真空プレスを行う際の条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルム８を真空プレスする際の条件と同様に、例えば１００℃、１ＭＰａとする。こうして、支持基板５８上に樹脂フィルム８３が形成される。
【０１２６】
次に、熱処理を行うことにより、樹脂フィルム８３を硬化させる。熱処理条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルム８を硬化させる際の条件と同様に、例えば、１７０℃、１時間とする。この熱処理は、樹脂フィルム８３自体を硬化させるための熱処理である。従って、樹脂フィルム８を硬化させる際の上述した条件と同様の条件で熱処理を行えばよい。こうして、支持基板５８上に樹脂フィルム８３より成る樹脂層（誘電体膜）８４が形成される。
【０１２７】
次に、図１７に示すように、樹脂層８４の表層部をバイト１２を用いて切削する。樹脂層８４の表層部を切削する際の条件は、例えば樹脂層１０の表層部を切削する際の上述した条件と同様とする。即ち、バイト１２のすくい角を、０度とする。チャックテーブルの回転数は、例えば１０００ｒｐｍ程度とする。このような回転数に設定すると、回転半径が５ｃｍ程度の際には、切削速度が５ｍ／秒程度となる。バイト１２の切り込み量は、例えば５μｍ程度とする。バイト１２の送りは、例えば５０μｍ／秒とする。このような条件で切削を行うと、表層部を切削した後における樹脂層８４ａの表面における十点平均粗さＲｚは、例えば１〜２μｍ程度となる。樹脂層８４の表層部を切削する際の条件を適宜設定することにより、切削後の樹脂層８４ａの表面を所望の粗さに設定することが可能である。樹脂層８４の表層部を切削する際には、下部電極８２上に存在する樹脂層８４の厚さが例えば４μｍになるまで、樹脂層８４の表層部を切削する。こうして、図１７に示すように、膜厚が例えば４μｍの樹脂層より成る誘電体膜８４ａが形成される。
【０１２８】
なお、ここでは、樹脂層８４ａの表面における十点平均粗さＲｚを１〜２μｍ程度とする場合を例に説明したが、樹脂層８４ａの表面における十点平均粗さＲｚは１〜２μｍ程度に限定されるものではない。樹脂層８４ａの表面における十点平均粗さＲｚが例えば０．５〜５μｍとなるように、樹脂層８４の表層部を切削すればよい。
【０１２９】
また、ここでは、下部電極８２上に存在する樹脂層８４の厚さが例えば４μｍになるまで、樹脂層８４の表層部を切削する場合を例に説明したが、切削後の樹脂層８４の厚さは４μｍに限定されるものではない。但し、静電容量が十分に大きいキャパシタ９２（図２０（ａ）参照）を形成するためには、下部電極８２上に存在する樹脂層８４の厚さをある程度まで薄くすることが必要である。下部電極８２上に存在する樹脂層８４の厚さが５μｍ以下であれば、静電容量の比較的大きいキャパシタ９２を得ることが可能である。従って、下部電極８２上に存在する樹脂層８４の厚さが５μｍ以下となるまで、樹脂層８４の表層部を切削することが好ましい。
【０１３０】
また、ここでは、支持基板５８を回転させながらバイト１２を一方向に直進させることにより切削処理を行う場合を例に説明したが、支持基板５８を一方向に直進させながら、バイト１２を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させることにより切削処理を行うことも可能である（図示せず）。
【０１３１】
図１８（ａ）は、図１８（ｂ）の円Ｓ内を拡大して表した図である。
図１８（ａ）に示すように、樹脂層８４ａの表面には、凹凸１４が形成されている。
【０１３２】
次に、図１９に示すように、全面に、無電解めっき法により、銅又はニッケルより成るシード層８８を形成する。シード層８８の形成方法は、例えば第１実施形態において記載したシード層３６の形成方法と同様とする。即ち、コンディショニング、樹脂層表面への触媒の付着等を行った後、無電解めっき法によりシード層８８を形成する。なお、図１９（ａ）は、図１９（ｂ）の円Ｓ内を拡大して表した図である。
【０１３３】
次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【０１３４】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜にシード層に達する開口部（図示せず）を形成する。開口部は、上部電極９０を形成するためのものである。
【０１３５】
次に、電気めっき法により、フォトレジスト膜の開口部内にＣｕより成る上部電極９０を形成する。この後、フォトレジスト膜を剥離する。
【０１３６】
次に、上部電極９０から露出している部分のシード層８８をウエットエッチングにより除去する。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層をエッチング除去する際には、上部電極９０の表面も若干エッチングされる。但し、シード層の厚さは、上部電極９０のサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることが可能である。このため、シード層をエッチングする際に、上部電極９０が過度にエッチングされてしまうことはない。
【０１３７】
こうして、下部電極８２と誘電体膜８４ａと上部電極９０とを有するキャパシタ９２が形成される（図２０（ａ）参照）。
【０１３８】
次に、真空プレス装置を用いて、樹脂フィルムを基板に貼り付ける。かかる樹脂フィルムは、樹脂層９４（図２０（ｂ）参照）を形成するためのものである。樹脂フィルムとしては、味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルムＡＢＦを用いる。樹脂フィルムの厚さは、６０μｍとする。真空プレスを行う際の条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルム８を真空プレスする際の条件と同様に、例えば１００℃、１ＭＰａとする。こうして、支持基板５８上に樹脂フィルムが形成される。
【０１３９】
次に、熱処理を行うことにより、樹脂フィルムを硬化させる。熱処理条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルム８を硬化させる際の条件と同様に、例えば、１７０℃、１時間とする。こうして、支持基板５８上に樹脂フィルムより成る樹脂層９４が形成される（図２０（ｂ）参照）。
【０１４０】
次に、樹脂層９４の表層部をバイトを用いて切削する。樹脂層９４の表層部を切削する際の条件は、樹脂層１０の表層部を切削する際の上述した条件と同様とする。即ち、バイト１２のすくい角を、０度とする。チャックテーブルの回転数は、例えば１０００ｒｐｍ程度とする。このような回転数に設定すると、回転半径が５ｃｍ程度の際には、切削速度が５ｍ／秒程度となる。バイト１２の切り込み量は、例えば５μｍ程度とする。バイト１２の送りは、例えば５０μｍ／秒とする。このような条件で切削を行うと、樹脂層９４の表面における十点平均粗さＲｚは、例えば１〜２μｍ程度となる。
【０１４１】
なお、ここでは、樹脂層９４の表面における十点平均粗さＲｚを１〜２μｍ程度とする場合を例に説明したが、樹脂層９４の表面における十点平均粗さＲｚは１〜２μｍ程度に限定されるものではない。樹脂層９４の表面における十点平均粗さＲｚが例えば０．５〜５μｍとなるように、樹脂層９４の表層部を切削すればよい。
【０１４２】
また、ここでは、支持基板５８を回転させながらバイト１２を一方向に直進させることにより切削処理を行う場合を例に説明したが、支持基板５８を一方向に直進させながら、バイト１２を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させることにより切削処理を行うことも可能である（図示せず）。
【０１４３】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、キャパシタ９２の上部電極９０に達するコンタクトホール９６を樹脂層９４に形成する。
【０１４４】
次に、全面に、無電解めっき法により、銅又はニッケルより成るシード層（図示せず）を形成する。シード層の形成方法は、例えば第１実施形態において記載したシード層３６の形成方法と同様とする。即ち、コンディショニング、樹脂層表面への触媒の付着等を行った後、無電解めっき法によりシード層を形成する。
【０１４５】
次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【０１４６】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、シード層に達する開口部（図示せず）を形成する。開口部は、配線９８を形成するためのものである。
【０１４７】
次に、電気めっき法により、開口部内にＣｕより成る配線９８を形成する。この後、フォトレジスト膜を剥離する。
【０１４８】
次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【０１４９】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜に配線９８に達する開口部（図示せず）を形成する。開口部は、導体プラグ１００を形成するためのものである。
【０１５０】
次に、電気めっき法により、フォトレジスト膜の開口部内にＣｕより成る導体プラグ１００を形成する。この後、フォトレジスト膜を剥離する。
【０１５１】
次に、導体プラグ１００の周囲に表出している部分のシード層をエッチング除去する（図２１（ａ）参照）。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層をエッチング除去する際に、導体プラグ１００の表面も若干エッチングされるが、シード層の厚さは、導体プラグ１００のサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることができ、導体プラグ１００が過度にエッチングされてしまうことはない。
【０１５２】
次に、真空プレス装置を用いて、樹脂フィルムを支持基板５８上に貼り付ける。かかる樹脂フィルムは、樹脂層１０２（図２１（ｂ）参照）を形成するためのものである。樹脂フィルムとしては、味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルムＡＢＦを用いる。真空プレスを行う際の条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルムを真空プレスする際の条件と同様に、例えば１００℃、１ＭＰａとする。こうして、配線９８及び導体プラグ１００が形成された樹脂層９４上に、樹脂フィルムが形成される。
【０１５３】
次に、熱処理を行うことにより、樹脂フィルムを硬化させる。熱処理条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルム８を硬化させる際の条件と同様に、例えば、１７０℃、１時間とする。こうして、配線９８及び導体プラグ１００が形成された樹脂層９４上に、樹脂フィルムより成る樹脂層１０２が形成される（図２１（ｂ）参照）。
【０１５４】
次に、樹脂層１０２の表層部及び導体プラグ１００の上部を、バイト１２により切削する。樹脂層１０２の表層部及び導体プラグ１００の上部を切削する際の条件は、例えば、樹脂層１０の表層部を切削する際の上述した条件と同様とする。即ち、バイト１２のすくい角を、０度とする。チャックテーブルの回転数は、例えば１０００ｒｐｍ程度とする。このような回転数に設定すると、回転半径が５ｃｍ程度の際には、切削速度が５ｍ／秒程度となる。バイト１２の切り込み量は、例えば５μｍ程度とする。バイト１２の送りは、例えば５０μｍ／秒とする。樹脂層１０２の表面における十点平均粗さＲｚは、例えば１〜２μｍ程度となる。導体プラグ１００の表面における十点平均粗さＲｚは、例えば５〜１５ｎｍ程度となる（図２１（ｂ）参照）。
【０１５５】
なお、ここでは、樹脂層１０２の表面における十点平均粗さＲｚを１〜２μｍ程度とする場合を例に説明したが、樹脂層１０２の表面における十点平均粗さＲｚは１〜２μｍ程度に限定されるものではない。樹脂層１０２の表面における十点平均粗さＲｚが例えば０．５〜５μｍとなるように、樹脂層１０２の表層部を切削すればよい。
【０１５６】
また、ここでは、支持基板５８を回転させながらバイト１２を一方向に直進させることにより切削処理を行う場合を例に説明したが、支持基板５８を一方向に直進させながら、バイト１２を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させることにより切削処理を行うことも可能である（図示せず）。
【０１５７】
次に、全面に、無電解めっき法により、銅又はニッケルより成るシード層（図示せず）を形成する。シード層の形成方法は、例えば第１実施形態において記載したシード層３６の形成方法と同様とする。即ち、コンディショニング、樹脂層表面への触媒の付着等を行った後、無電解めっき法によりシード層を形成する。
【０１５８】
次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【０１５９】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、シード層に達する開口部（図示せず）を形成する。開口部は、配線１０４を形成するためのものである。
【０１６０】
次に、電気めっき法により、開口部内にＣｕより成る配線１０４を形成する。この後、フォトレジスト膜を剥離する。
【０１６１】
次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【０１６２】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜に配線１０４に達する開口部（図示せず）を形成する。開口部は、導体プラグ１０６を形成するためのものである。
【０１６３】
次に、電気めっき法により、フォトレジスト膜の開口部内にＣｕより成る導体プラグ１０６を形成する。この後、フォトレジスト膜を剥離する。
【０１６４】
次に、露出している部分のシード層をエッチング除去する（図２２（ａ）参照）。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層をエッチング除去する際に、導体プラグ１０６の表面も若干エッチングされるが、シード層の厚さは、導体プラグ１０６のサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることができ、導体プラグ１０６が過度にエッチングされてしまうことはない。
【０１６５】
次に、真空プレス装置を用いて、樹脂フィルムを支持基板５８上に貼り付ける。かかる樹脂フィルムは樹脂層１０８（図２２（ｂ）参照）を形成するためのものである。樹脂フィルムとしては、味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルムＡＢＦを用いる。真空プレスを行う際の条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルム８を真空プレスする際の条件と同様に、例えば１００℃、１ＭＰａとする。こうして、配線１０４及び導体プラグ１０６が形成された樹脂層１０２上に、樹脂フィルムが形成される。
【０１６６】
次に、熱処理を行うことにより、樹脂フィルムを硬化させる。熱処理条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルム８を硬化させる際の条件と同様に、例えば、１７０℃、１時間とする。こうして、配線１０４及び導体プラグ１０６が形成された樹脂層１０２上に、樹脂フィルムより成る樹脂層１０８が形成される（図２２（ｂ）参照）。
【０１６７】
次に、樹脂層１０８の表層部及び導体プラグ１０６の上部を、バイト１２により切削する。樹脂層１０８の表層部及び導体プラグ１０６の上部を切削する際の条件は、例えば樹脂層１０の表層部を切削する際の上述した条件と同様とする。即ち、バイト１２のすくい角を、０度とする。チャックテーブルの回転数は、例えば１０００ｒｐｍ程度とする。このような回転数に設定すると、回転半径が５ｃｍ程度の際には、切削速度が５ｍ／秒程度となる。バイト１２の切り込み量は、例えば５μｍ程度とする。バイト１２の送りは、例えば５０μｍ／秒とする。このような条件で切削を行うと、樹脂層１０８の表面における十点平均粗さＲｚは、例えば１〜２μｍ程度となる。
【０１６８】
なお、ここでは、樹脂層１０８の表面における十点平均粗さＲｚを１〜２μｍ程度とする場合を例に説明したが、樹脂層１０８の表面における十点平均粗さＲｚは１〜２μｍ程度に限定されるものではない。樹脂層１０８の表面における十点平均粗さＲｚが例えば０．５〜５μｍとなるように、樹脂層１０８の表層部を切削すればよい。
【０１６９】
また、ここでは、支持基板５８を回転させながらバイト１２を一方向に直進させることにより切削処理を行う場合を例に説明したが、支持基板５８を一方向に直進させながら、バイト１２を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させることにより切削処理を行うことも可能である（図示せず）。
【０１７０】
次に、全面に、無電解めっき法により、銅又はニッケルより成るシード層（図示せず）を形成する。シード層の形成方法は、例えば第１実施形態において記載したシード層３６の形成方法と同様とする。即ち、コンディショニング、樹脂層表面への触媒の付着等を行った後、無電解めっき法によりシード層を形成する。
【０１７１】
次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【０１７２】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、シード層に達する開口部（図示せず）を形成する。開口部は、配線１１０を形成するためのものである。
【０１７３】
次に、電気めっき法により、開口部内にＣｕより成る配線１１０を形成する。この後、フォトレジスト膜を剥離する。
【０１７４】
次に、配線１１０の周囲に表出しているシード層をウエットエッチングにより除去する。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層をエッチング除去する際には、配線１１０の表面も若干エッチングされる。但し、シード層の厚さは、配線１１０のサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることが可能である。このため、シード層をエッチングする際に、配線１１０が過度にエッチングされてしまうことはない。
【０１７５】
こうして、本実施形態による回路基板が構成される。かかる状態を、図２３に示す。
【０１７６】
本実施形態による回路基板は、上述したように、樹脂シートを用いてキャパシタの誘電体膜８４を形成し、樹脂シートより成る誘電体膜８４の表層部をバイトにより切削することに主な特徴がある。
【０１７７】
従来の回路基板の製造方法では、樹脂層をデスミア処理する必要があったため、デスミア処理の際に形成される十数μｍの孔によって上部電極と下部電極との絶縁性が損なわれるのを防止すべく、樹脂層の厚さを３０μｍ以上に設定せざるをえなかった。キャパシタの静電容量は誘電体膜の膜厚に反比例するため、静電容量の大きいキャパシタを有する回路基板を製造することが困難であった。
【０１７８】
これに対し、本実施形態では、樹脂シートを用いてキャパシタの誘電体膜８４を形成し、樹脂シートより成る誘電体膜８４の表層部をバイト１２により切削する。本実施形態によれば、切削後の誘電体膜８４ａの表面が適度な粗さになるため、誘電体膜８４ａと上部電極９０との密着性を十分に確保することができる。また、本実施形態では、デスミア処理を行うことを要しないため、誘電体膜８４ａの表面に過度に深い孔が形成されることがない。このため、誘電体膜８４ａの膜厚を十分に薄くした場合であっても、上部電極８２と下部電極９０との間の絶縁性が十分に確保される。従って、本実施形態によれば、信頼性が高く、静電容量の大きいキャパシタを有する回路基板を提供することができる。
【０１７９】
［第３実施形態］
本発明の第３実施形態による回路基板の製造方法を図２４及び図２５を用いて説明する。図２４及び図２５は、本実施形態による回路基板の製造方法を示す工程断面図である。図１乃至図２３に示す第１又は第２実施形態によるめっき方法、半導体装置の製造方法又は回路基板の製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【０１８０】
本実施形態による回路基板の製造方法は、抵抗器を構成する抵抗層を樹脂フィルムを用いて形成し、抵抗層の表層部をバイトにより切削することに主な特徴がある。
【０１８１】
まず、電極８２を形成するまでの工程は、図１４（ａ）乃至図１６（ａ）を用いて上述した第２実施形態による回路基板の製造方法と同様であるので説明を省略する。
【０１８２】
次に、樹脂フィルム１１２を用意する。樹脂フィルム１１２としては、エポキシ系の樹脂より成る基材中に、導電体より成るフィラーを混合した樹脂フィルムを用いる。導電体より成るフィラーは、例えばニッケル−クロム合金の粉末より成るものである。
【０１８３】
なお、ここでは、導電体より成るフィラーとして、ニッケル−クロム合金の粉末を用いる場合を例に説明したが、導電体より成るフィラーは、ニッケル−クロム合金の粉末に限定されるものではない。基材として用いる樹脂より透磁率の高い材料を、フィラーの材料として適宜用いることができる。例えば、導電体より成るフィラーとして、炭素の粉末や炭化珪素の粉末等を用いてもよい。また、導電体より成るフィラーとして、これらの混合物を用いてもよい。
【０１８４】
次に、樹脂フィルム１１１を支持基板５８上に載置する。この際、抵抗層となる樹脂フィルム１１１が互いに電気的に短絡するのを防止すべく、隣接する樹脂フィルム１１１を互いに離間させる（図２４（ａ）参照）。
【０１８５】
次に、真空プレス装置を用いて、樹脂フィルム１１１を支持基板５８上に貼り付ける。樹脂フィルム１１１は、樹脂層１１２（図２４（ｂ）参照）を形成するためのものである。真空プレスを行う際の条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルム８を真空プレスする際の条件と同様に、例えば１００℃、１ＭＰａとする。こうして、支持基板５８上に樹脂フィルム１１１が形成される。
【０１８６】
次に、熱処理を行うことにより、樹脂フィルム１１１を硬化させる。熱処理条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルム８を硬化させる際の条件と同様に、例えば、１７０℃、１時間とする。この熱処理は、樹脂層１１２自体を硬化させるための熱処理である。従って、樹脂フィルム８を硬化させる際の上述した条件と同様の条件で熱処理を行えばよい。こうして、支持基板５８上に樹脂フィルム１１１より成る樹脂層１１２（図２４（ｂ）参照）が形成される。
【０１８７】
次に、図２４（ｂ）に示すように、樹脂層１１２の表層部をバイト１２を用いて切削する。樹脂層１１２の表層部を切削する際の条件は、樹脂層１０の表層部を切削する際の上述した条件と同様とする。即ち、バイト１２のすくい角を、０度とする。チャックテーブルの回転数は、例えば１０００ｒｐｍ程度とする。このような回転数に設定すると、回転半径が５ｃｍ程度の際には、切削速度が５ｍ／秒程度となる。バイト１２の切り込み量は、例えば５μｍ程度とする。バイト１２の送りは、例えば５０μｍ／秒とする。このような条件で切削を行うと、切削後の樹脂層１１２ａの表面における十点平均粗さＲｚは、例えば１〜２μｍ程度となる。樹脂層１１２の表層部を切削する際の条件を適宜設定することにより、切削後の樹脂層１１２ａの表面を所望の粗さに設定することが可能である。樹脂層１１２の表層部を切削する際には、電極８２上に存在する樹脂層１１２の厚さが例えば１０μｍになるまで、樹脂層１１２の表層部を切削する。こうして、膜厚が例えば１０μｍの樹脂層より成る抵抗層１１２ａが形成される。
【０１８８】
なお、ここでは、樹脂層１１２ａの表面における十点平均粗さＲｚを１〜２μｍ程度とする場合を例に説明したが、樹脂層１１２ａの表面における十点平均粗さＲｚは１〜２μｍ程度に限定されるものではない。樹脂層１１２ａの表面における十点平均粗さＲｚが例えば０．５〜５μｍとなるように、樹脂層１１２ａの表層部を切削すればよい。
【０１８９】
また、ここでは、支持基板５８を回転させながらバイト１２を一方向に直進させることにより切削処理を行う場合を例に説明したが、支持基板５８を一方向に直進させながら、バイト１２を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させることにより切削処理を行うことも可能である（図示せず）。
【０１９０】
次に、全面に、無電解めっき法により、抵抗層１１２ａ上にシード層（図示せず）を形成する。シード層の形成方法は、例えば第１実施形態において記載したシード層３６の形成方法と同様とする。即ち、コンディショニング、樹脂層表面への触媒の付着等を行った後、無電解めっき法によりシード層を形成する。
【０１９１】
次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【０１９２】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜にシード層に達する開口部（図示せず）を形成する。開口部は、電極９０を形成するためのものである。
【０１９３】
次に、電気めっき法により、フォトレジスト膜の開口部内にＣｕより成る電極９０を形成する。この後、フォトレジスト膜を剥離する。
【０１９４】
次に、電極９０の周囲に表出している部分のシード層をウエットエッチングにより除去する。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層１３８をエッチング除去する際には、電極９０の表面も若干エッチングされる。但し、シード層の厚さは、電極９０のサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることが可能である。このため、シード層９０をエッチングする際に、電極９０が過度にエッチングされてしまうことはない。
【０１９５】
こうして、電極８２と電極９０との間に樹脂より成る抵抗器１１２ａが形成されることとなる。
【０１９６】
この後の回路基板の製造方法は、図２０（ｂ）乃至図２３に示す第２実施形態による回路基板の製造方法と同様であるので、説明を省略する。
【０１９７】
本実施形態による回路基板は、抵抗器を構成する抵抗層１１２を樹脂フィルムを用いて形成し、抵抗層１１２の表層部をバイト１２により切削することに主な特徴がある。
【０１９８】
本実施形態では、樹脂より成る抵抗層１１２の表層部をバイト１２により切削するため、切削後の抵抗層１１２ａの表面が適度な粗さになる。このため、抵抗層１１２ａと電極９０との密着性を十分に確保することができる。また、デスミア処理を行うことを要しないため、樹脂より成る抵抗層１１２ａの表面に過度に深い孔が形成されない。このため、抵抗層１１２ａの厚さを薄くした場合であっても、電極８２と電極９０との間の絶縁性が十分に確保される。このため、抵抗層１１２ａの厚さを適宜設定することにより、抵抗値を所望の値に設定することが可能となる。また、抵抗層１１２ａの表面に過度に深い孔が形成されないため、抵抗値のばらつきを小さくすることができる。従って、本実施形態によれば、信頼性の高い抵抗器を有する回路基板を製造することができる。
【０１９９】
［第４実施形態］
本発明の第４実施形態による回路基板の製造方法を図２６乃至図２８を用いて説明する。図２６乃至図２８は、本実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図である。図１乃至図２５に示す第１乃至第３実施形態によるめっき方法、半導体装置の製造方法及び回路基板の製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【０２００】
本実施形態による回路基板の製造方法は、樹脂フィルムを用いて高透磁率層１１４を形成した後、高透磁率層１１４の表層部をバイトを用いて切削し、この後、高透磁率層１１４ａ上にインダクタ１１６を形成することに主な特徴がある。
【０２０１】
まず、電極８２を形成するまでの工程は、図１４（ａ）乃至図１６（ａ）を用いて上述した第２実施形態による回路基板の製造方法と同様であるので説明を省略する。
【０２０２】
次に、樹脂フィルム１１３を用意する。樹脂フィルム１１３は、樹脂層１１４を形成するためのものである。樹脂フィルム１１３としては、エポキシ系の樹脂より成る基材中に、樹脂より透磁率の高い高透磁率のフィラーを含有させた樹脂フィルムを用いる。高透磁率のフィラーは、例えばＭｎ−Ｚｎ系フェライトよりなるものである。
【０２０３】
なお、ここでは、高透磁率のフィラーとして、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトの粉末を用いる場合を例に説明したが、高透磁率のフィラーはＭｎ−Ｚｎ系フェライトの粉末に限定されるものではない。基材として用いられる樹脂より透磁率の高い材料を、フィラーの材料として適宜用いることができる。例えば、フィラーの材料として、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトの粉末を用いてもよい。また、これらの混合物をフィラーとして用いてもよい。
【０２０４】
基材として用いられるエポキシ系の樹脂の透磁率は、１程度である。これに対し、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトの透磁率は、１０程度である。また、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトの透磁率は２０程度である。このような高透磁率のフィラーを樹脂に含有させることにより、高い透磁率を有する樹脂フィルム１１３が得られる。
【０２０５】
次に、樹脂フィルム１１３を支持基板５８上に載置する。
【０２０６】
次に、真空プレス装置を用いて、樹脂フィルム１１３を支持基板５８に貼り付ける。真空プレスを行う際の条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルム８を真空プレスする際の条件と同様に、例えば１００℃、１ＭＰａとする。こうして、支持基板５８上に樹脂フィルム１１３が形成される（図２６（ａ）参照）。
【０２０７】
次に、熱処理を行うことにより、樹脂フィルム１１３を硬化させる。熱処理条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルム８を硬化させる際の条件と同様に、例えば、１７０℃、１時間とする。この熱処理は、樹脂フィルム１１３自体を硬化させるための熱処理である。従って、樹脂フィルム８を硬化させる際の上述した条件と同様の条件で熱処理を行えばよい。こうして、支持基板５８上に樹脂フィルム１１３より成る樹脂層１１４（図２６（ｂ）参照）が形成される。
【０２０８】
次に、図２６（ｂ）に示すように、樹脂層１１４の表層部をバイト１２を用いて切削する。樹脂層１１４の表層部を切削する際の条件は、樹脂層１０の表層部を切削する際の上述した条件と同様とする。即ち、バイト１２のすくい角を、０度とする。チャックテーブルの回転数は、例えば１０００ｒｐｍ程度とする。このような回転数に設定すると、回転半径が５ｃｍ程度の際には、切削速度が５ｍ／秒程度となる。バイト１２の切り込み量は、例えば５μｍ程度とする。バイト１２の送りは、例えば５０μｍ／秒とする。このような条件で切削を行うと、切削後の樹脂層１１４ａの表面における十点平均粗さＲｚは、例えば１〜２μｍ程度となる。樹脂層１１４ａの表層部を切削する際の条件を適宜設定することにより、樹脂層１１４ａの表面を所望の粗さに設定することが可能である。こうして、膜厚が例えば１０μｍの樹脂より成る高透磁率層１１４ａが形成される。
【０２０９】
なお、ここでは、樹脂層１１４ａの表面における十点平均粗さＲｚを１〜２μｍ程度とする場合を例に説明したが、樹脂層１１４ａの表面における十点平均粗さＲｚは１〜２μｍ程度に限定されるものではない。樹脂層１１４ａの表面における十点平均粗さＲｚが例えば０．５〜５μｍとなるように、樹脂層１１４の表層部を切削すればよい。
【０２１０】
また、ここでは、支持基板５８を回転させながらバイト１２を一方向に直進させることにより切削処理を行う場合を例に説明したが、支持基板５８を一方向に直進させながら、バイト１２を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させることにより切削処理を行うことも可能である（図示せず）。
【０２１１】
次に、全面に、無電解めっき法により、銅又はニッケルより成るシード層（図示せず）を形成する。シード層の形成方法は、例えば第１実施形態において記載したシード層３６の形成方法と同様とする。即ち、コンディショニング、樹脂層表面への触媒の付着等を行った後、無電解めっき法によりシード層を形成する。
【０２１２】
次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【０２１３】
次に、フォトリソグラフィ技術を適用して、このフォトレジスト膜をパターニングし、インダクタ１１６及び配線１１８を形成するための開口部（図示せず）を形成する。
【０２１４】
次に、電気めっき法により、前記フォトレジスト膜の開口部内にＣｕを被着し、インダクタ１１６及び配線１１８を形成する。
【０２１５】
しかる後、フォトレジスト膜を剥離し、更に露出している部分のシード層をエッチング除去する。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層をエッチング除去する際には、インダクタ１１６及び配線１１８の表面も若干エッチングされる。但し、シード層の厚さは、インダクタ１１６や配線１１８のサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることが可能である。このため、シード層をエッチングする際に、インダクタ１１６や配線１１８が過度にエッチングされてしまうことはない。
【０２１６】
こうして、図２７に示すように、樹脂より成る高透磁率層１１４ａ上に、平面コイル状のインダクタ１１６、ならびに配線１１８が形成される。
【０２１７】
なお、上記のような選択めっき法による形成方法の他に、最初に電気めっき法によりシード層上にＣｕ層を全面に形成し、その後で上記Ｃｕ層を選択的にエッチングすることによりインダクタ１１６及び配線１１８を形成することも可能である。
【０２１８】
図２７（ｂ）は、本実施形態による回路基板上のインダクタの平面形状を示し、図２７（ａ）は、図２７（ｂ）のＡ−Ａ′線に於ける断面を示す。
【０２１９】
次に、図２８に示すように、真空プレス装置を用いて、樹脂フィルム９４を基板に貼り付ける。樹脂フィルム９４としては、味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルムＡＢＦを用いる。樹脂フィルム９４の厚さは６０μｍとする。真空プレスを行う際の条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルム１０を真空プレスする際の条件と同様に、例えば１００℃、１ＭＰａとする。こうして、支持基板５８上に樹脂フィルムより成る樹脂層９４が形成される。
【０２２０】
次に、熱処理を行うことにより、樹脂層９４を硬化させる。熱処理条件は、第１実施形態において記載した樹脂層１０を硬化させる際の上述した条件と同様に、例えば、１７０℃、１時間とする。
【０２２１】
次に、樹脂層９４の表層部をバイト１２を用いて切削する。樹脂層９４の表層部を切削する際の条件は、樹脂層１０の表層部を切削する際の上述した条件と同様とする。即ち、バイト１２のすくい角を、０度とする。チャックテーブルの回転数は、例えば１０００ｒｐｍ程度とする。このような回転数に設定すると、回転半径が５ｃｍ程度の際には、切削速度が５ｍ／秒程度となる。バイト１２の切り込み量は、例えば５μｍ程度とする。バイト１２の送りは、例えば５０μｍ／秒とする。このような条件で切削を行うと、樹脂層９４の表面における十点平均粗さＲｚは、例えば１〜２μｍ程度となる。
【０２２２】
なお、ここでは、樹脂層９４の表面における十点平均粗さＲｚを１〜２μｍ程度とする場合を例に説明したが、樹脂層９４の表面における十点平均粗さＲｚは１〜２μｍ程度に限定されるものではない。樹脂層９４の表面における十点平均粗さＲｚが例えば０．５〜５μｍとなるように、樹脂層９４の表層部を切削すればよい。
【０２２３】
また、ここでは、支持基板５８を回転させながらバイト１２を一方向に直進させることにより切削処理を行う場合を例に説明したが、支持基板５８を一方向に直進させながら、バイト１２を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させることにより切削処理を行うことも可能である（図示せず）。
【０２２４】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、配線１１８に達するコンタクトホール９６を樹脂層９４に形成する。
【０２２５】
次に、全面に、無電解めっき法により、銅又はニッケルより成るシード層（図示せず）を形成する。シード層の形成方法は、例えば第１実施形態において記載したシード層３６の形成方法と同様とする。即ち、コンディショニング、樹脂層表面への触媒の付着等を行った後、無電解めっき法によりシード層を形成する。
【０２２６】
次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【０２２７】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜にシード層に達する開口部（図示せず）を形成する。開口部は、配線９８を形成するためのものである。
【０２２８】
次に、電気めっき法により、フォトレジスト膜の開口部内にＣｕより成る配線９８を形成する。この後、フォトレジスト膜を剥離する。
【０２２９】
次に、配線９８から露出している部分のシード層をウエットエッチングにより除去する（図２８参照）。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層をエッチング除去する際には、配線９８の表面も若干エッチングされる。但し、シード層の厚さは、配線９８のサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることが可能である。このため、シード層をエッチングする際に、配線９８が過度にエッチングされてしまうことはない。
【０２３０】
この後の回路基板の製造方法は、第２実施形態による回路基板の製造方法と同様であるので、説明を省略する。
【０２３１】
本実施形態による回路基板は、樹脂フィルムを用いて高透磁率層１１４を形成した後、高透磁率層１１４の表層部をバイト１２を用いて切削し、この後、高透磁率層１１４ａ上にインダクタ１１６を形成することに主な特徴がある。
【０２３２】
本実施形態では、樹脂フィルムより成る高透磁率層１１４の表層部をバイト１２により切削するため、切削後の高透磁率層１１４ａの表面が適度な粗さになる。このため、樹脂より成る高透磁率層１１４ａとインダクタ１１６の密着性を十分に確保することができる。また、デスミア処理を行うことを要しないため、樹脂より成る高透磁率層１１４ａの表面に過度に深い孔が形成されない。このため、高透磁率層１１４ａ上にフォトレジスト膜より成る微細なパターンを形成することができる。従って、本実施形態によれば、巻線のピッチが極めて狭い信頼性の高いインダクタ１１６を形成することができる。
【０２３３】
［第５実施形態］
本発明の第５実施形態による半導体装置の製造方法を図３０乃至図３７を用いて説明する。図３０乃至図３７は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【０２３４】
上述した図１乃至図２９に示す第１乃至第４実施形態によるめっき方法、半導体装置の製造方法及び回路基板の製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【０２３５】
本実施形態による半導体装置の製造方法は、ボールボンディング法により形成されたバンプ電極１２８、即ち、スタッドバンプ１２８を埋め込むように樹脂層１３２を形成し、樹脂層１３２の表層部及びバンプ電極１２８の上部をバイト１２を用いて切削し、しかる後、切削が施された樹脂層１３２ａ上及びバンプ電極１２８上にシード層１３８を形成することに主な特徴がある。
【０２３６】
まず、図３０（ａ）に示すように、半導体基板１２０を用意する。半導体基板１２０としては、例えばシリコンウェハを用いる。半導体基板１２０には、ＭＯＳトランジスタなどの機能素子、容量素子等の受動素子等を用いて構成される論理回路及び／或いは記憶回路等（図示せず）が形成されている。かかる半導体基板１２０上には、例えばシリコン酸化膜より成る絶縁膜１２２が形成されている。絶縁膜１２２は、例えばＣＶＤ法により形成されたものである。絶縁膜１２２は、半導体基板１２０上に複数層形成されているが、図３０（ａ）においては１層のみ示している。図３０（ａ）に示すように、絶縁膜１２２には、開口部１２４が形成されている。かかる開口部１２４には、上述した論理回路及び／或いは記憶回路等に電気的に接続された、例えばアルミニウム（Ａｌ）より成る電極パッド１２６が配置されている。
【０２３７】
なお、本実施形態では、製造コストを低く抑えるために、半導体基板１２０を個々の半導体素子（半導体チップ）に切断しない状態で以下の工程を行うことを想定しているが、半導体基板１２０を個々の半導体素子に切断・分離した後に、以下の工程を行ってもよい。
【０２３８】
次に、図３０（ｂ）に示すように、電極パッド１２６上に、例えば金（Ａｕ）又は銅（Ｃｕ）等より成るスタッドバンプ１２８を形成する。スタッドバンプ１２８は、ワイヤボンディング技術に用いられるボールボンディング方式を用いて電極パッド１２６上に形成されるバンプ電極のことである。スタッドバンプ１２８は、金（Ａｕ）等より成るワイヤの先端に放電によってボールを形成後、ワイヤボンディング用のキャピラリを用いてボールをアルミニウム等より成る電極パッド１２６上に熱圧着し、ワイヤを固定したままの状態でキャピラリを上部に引き上げ、ワイヤをボール上端部で切断することにより、形成される。
【０２３９】
なお、スタッドバンプ１２８を形成する前に、半導体基板１２０に形成された各々の半導体チップ１２０ａ（図３１参照）に対して検査或いは試験を行い、検査或いは試験に合格した半導体チップ１２０ａの電極パッド１２６上にのみスタッドバンプ１２８を形成するようにしてもよい。良品でない半導体チップ１２０ａの電極パッド１２６上にスタッドバンプ１２８を形成しないようにすれば、製造コストを低減することが可能となる。
【０２４０】
次に、図３０（ｃ）に示すように、半導体基板１２０上に樹脂フィルム１３０を載置する。樹脂フィルム１３０としては、第１実施形態で用いた樹脂フィルム８と同様に、例えば、味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルムＡＢＦを用いる。樹脂フィルム１３０の厚さは、例えば６０μｍとする。
【０２４１】
次に、真空プレス装置を用い、層間絶縁膜１２２等が形成された半導体基板１２０上に樹脂フィルム１３０を貼り付ける（図３０（ｄ）参照）。具体的には、樹脂フィルム１３０を加熱して溶解させるとともに、減圧することにより、層間絶縁膜１２２上に樹脂フィルム１３０を貼り付ける。樹脂フィルム１３０を溶解させる際の温度は、例えば１５０℃とする。こうして、層間絶縁膜１２２等が形成された半導体基板１２０上に樹脂フィルム１３０より成る樹脂層１３２が形成される。スタッドバンプ１２８は、樹脂層１３２により埋め込まれた状態となる。
【０２４２】
この後、熱処理を行うことにより、樹脂層１３２を硬化させる。熱処理条件は、例えば１７０℃、１時間とする。
【０２４３】
次に、図３１（ａ）に示すように、半導体基板１２０を、超精密旋盤１３４のチャックテーブル１３６上に、真空吸着により固定する。
【０２４４】
図３１（ａ）は、半導体基板１２０を超精密旋盤に固定した状態を示す斜視図である。半導体基板１２０をチャックテーブル１３６上に固定する際には、半導体基板１２０の裏面側、即ち、スタッドバンプ１２８等が形成されていない側の面をチャックテーブル１３６に固定する。なお、半導体基板１２０をチャックテーブル１３６上に固定する際には、ピンチャックを用いることが好ましい。
【０２４５】
次に、半導体基板１２０を回転させながら、ダイヤモンドよりなるバイト１２を用いて、樹脂層１３２の表層部及びスタッドバンプ１２８の上部を切削する（図３１（ｂ）参照）。
【０２４６】
樹脂層１３２の表層部及びスタッドバンプ１２８の上部を切削する際の条件は、以下の通りとする。
【０２４７】
切削に用いるバイト１２の刃先角は、例えば８０度とする。バイト１２のすくい角を、０度とする。チャックテーブルの回転数は、例えば１０００ｒｐｍ程度とする。このような回転数に設定すると、回転半径が５ｃｍ程度の際には、切削速度が５ｍ／秒程度となる。バイト１２の切り込み量は、例えば５μｍ程度とする。バイト１２の送りは、例えば５０μｍ／秒とする。
【０２４８】
このような条件で切削を行うと、樹脂層１３２ａ（以下、切削後の樹脂層を樹脂層１３２ａと表示し、切削前の樹脂層１３２と区別する。）の表面における十点平均粗さＲｚは、例えば１〜２μｍ程度となる。一方、スタッドバンプ１２８の表面における十点平均粗さＲｚは、例えば２０ｎｍ程度となる。
【０２４９】
なお、ここでは、樹脂層１３２ａの表面における十点平均粗さＲｚを１〜２μｍ程度とする場合を例に説明したが、樹脂層１３２ａの表面における十点平均粗さＲｚは１〜２μｍ程度に限定されるものではない。樹脂層１３２ａの表面における十点平均粗さＲｚが例えば０．５〜５μｍとなるように、樹脂層１３２の表層部を切削すればよい。
【０２５０】
こうして、樹脂層１３２の表層部及びスタッドバンプ１２８の上部が切削される。この結果、樹脂層１３２（ａ）の被切削面には、スタッドバンプ１２８の上端面が表出される（図３２（ａ）参照）。
【０２５１】
図３２（ｂ）は、図３２（ａ）の円Ｓ内を拡大して表した図である。図３２（ｂ）に示すように、樹脂層１３２ａの表面には、凹凸１４が形成されている。
【０２５２】
なお、ここでは、半導体基板１２０を回転させながらバイト１２を一方向に直進させることにより切削処理を行う場合を例に説明したが、半導体基板１２０を一方向に直進させながら、バイト１２を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させることにより切削処理を行うことも可能である（図示せず）。
【０２５３】
次に、図３２（ｃ）に示すように、全面に、無電解めっき法により、銅又はニッケルより成るシード層１３８を形成する。シード層１３８の形成方法は、例えば第１実施形態において記載したシード層３６の形成方法と同様とする。即ち、コンディショニング、樹脂層１３２ａ表面への触媒の付着等を行った後、無電解めっき法によりシード層１３８を形成する。こうして、例えば膜厚０．３〜０．５μｍの無電解めっき膜より成るシード層１３８が形成される。
【０２５４】
図３２（ｄ）は、図３２（ｂ）の円Ｓ内を拡大して表した図である。図３２（ｄ）に示すように、表面に凹部１４が形成された樹脂層１３２ａ上にシード層１３８を形成するため、シード層１３８のうちの凹部１４内に形成された部分が、凹部１４内において確実に固定される。このため、シード層１３８と樹脂層１３２ａとの密着性が十分に確保される。
【０２５５】
かかるシード層１３８は、上述したスタッドバンプ１２８の端面表出部と機械的に接触して形成され、電気的導通を可能とする。
【０２５６】
次に、図３３（ａ）に示すように、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜１４０を形成する。
【０２５７】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、シード層１３８に達する開口部１４２をフォトレジスト膜１４０に形成する。開口部１４２は、配線１４４を形成するためのものである。樹脂層１３２ａの表面に過度に深い孔が形成されていないため、シード層１３８の表面にも過度に深い凹部は形成されていない。このため、フォトレジスト膜１４０を微細にパターニングする場合であっても、フォトレジスト膜１４０より成る良好なパターンを形成することができる。
【０２５８】
次に、図３３（ｂ）に示すように、電気めっき法により、フォトレジスト膜１４０の開口部内のシード層１３８上にＣｕより成る配線１４４を形成する。上述したように、フォトレジスト膜１４０を微細にパターニングした場合であっても良好なパターンが形成されているため、非常に狭いピッチで配線１４４を形成することが可能である。シード層１３８と樹脂層１３２ａとの密着性が十分に確保されているため、配線１４４はシード層１３８を介して樹脂層１３２ａに確実に固定される。
【０２５９】
この後、図３３（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜１４０を剥離する。
【０２６０】
次に、図３４（ａ）に示すように、配線１４４及びシード層１３８上の全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜１４６を形成する。
【０２６１】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、配線１４４に達する開口部１４８を形成する。開口部１４８は、導体プラグ１５０を形成するためのものである。
【０２６２】
次に、図３４（ｂ）に示すように、電気めっき法により、開口部１４８内にＣｕより成る導体プラグ１５０を形成する。
【０２６３】
この後、図３４（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜１４６を剥離する。
【０２６４】
次に、図３５（ａ）に示すように、配線１４４の周囲に表出するシード層１３８をウエットエッチングにより除去する。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層１３８をエッチング除去する際には、配線１４４や導体プラグ１５０の表面も若干エッチングされる。但し、シード層１３８の厚さは、配線１４４や導体プラグ１５０のサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることが可能である。このため、シード層１３８をエッチングする際に、配線１４４や導体プラグ１５０が過度にエッチングされてしまうことはない。
【０２６５】
次に、図３５（ｂ）に示すように、半導体基板１２０上に樹脂フィルム１５２を載置する。樹脂フィルム１５２としては、例えば、図３０（ｃ）を用いて上述した樹脂フィルム１３０と同様に、味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルムＡＢＦを用いる。
【０２６６】
次に、真空プレス装置を用い、配線１４４及び導体プラグ１５０が形成された樹脂層１３２ａ上に樹脂フィルム１５２を貼り付ける（図３５（ｃ）参照）。具体的には、樹脂フィルム１５２を加熱して溶解させるとともに、減圧することにより、層間絶縁膜１３２ａ上に樹脂フィルム１５４を貼り付ける。樹脂フィルム１５４を溶解させる際の温度は、例えば１５０℃とする。こうして、樹脂層１３２ａ上に樹脂フィルム１５２より成る樹脂層１５４が形成される。配線１４４及び導体プラグ１５０は、樹脂層１５４により埋め込まれた状態となる。
【０２６７】
次に、熱処理を行うことにより、樹脂層１５４を硬化させる。熱処理条件は、例えば、１７０℃、１時間とする。
【０２６８】
次に、図３６（ａ）に示すように、半導体基板１２０を、超精密旋盤１３４のチャックテーブル１３６上に、真空吸着により固定する。
【０２６９】
図３６（ａ）は、半導体基板１２０を超精密旋盤に固定した状態を示す斜視図である。半導体基板１２０をチャックテーブル１３６上に固定する際には、半導体基板１２０の裏面側、即ち、導体プラグ１５０等が形成されていない側の面をチャックテーブル１３６に固定する。なお、半導体基板１２０をチャックテーブル１３６上に固定する際には、ピンチャックを用いることが好ましい。
【０２７０】
次に、半導体基板１２０を回転させながら、ダイヤモンドよりなるバイト１２を用いて、樹脂層１５４の表層部及び導体プラグ１５０の上部を切削する（図３６（ｂ）参照）。
【０２７１】
樹脂層１５４の表層部及び導体プラグ１５０の上部を切削する際の条件は、図３１を用いて上述した樹脂層１３２の表層部及びスタッドバンプ１２８の上部を切削する際の条件と同様としてもよいし、樹脂層１３２の表層部及びスタッドバンプ１２８の上部を切削する際の条件と異ならせてもよい。樹脂層１５４ａ（以下、切削後の樹脂層を樹脂層１５４ａと表示し、切削前の樹脂層１５４と区別する。）上にはシード層を形成する必要がないため、樹脂層１５４ａの表面を適度な粗さに設定する必要がないためである。樹脂層１５４ａの表面を滑らかにしたい場合には、バイト１２のすくい角を例えば１０度程度に設定して切削を行えばよい。バイト１２のすくい角を大きめに設定すれば、樹脂層１５４ａの表面を滑らかにすることが可能である。チャックテーブル１３６の回転数は、例えば１０００ｒｐｍ程度とする。切削を数回に分けて行う場合、最終回の切削におけるバイト１２の切り込み量は、例えば２μｍ程度とする。バイト１２の送りは、例えば７０μｍ／秒とする。このような条件で切削を行えば、樹脂層１５４ａの表面を非常に滑らかにすることが可能である。
【０２７２】
こうして、樹脂層１５４の表層部及び導体プラグ１５０の上部が切削される（図３７（ａ）参照）。
【０２７３】
また、ここでは、半導体基板１２０を回転させながらバイト１２を一方向に直進させることにより切削処理を行う場合を例に説明したが、半導体基板１２０を一方向に直進させながら、バイト１２を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させることにより切削処理を行うことも可能である（図示せず）。
【０２７４】
次に、図３７（ｂ）に示すように、導体プラグ１５０上に、例えばＳｎ系はんだより成る半田バンプ１５６を形成する。
【０２７５】
なお、ここでは、導体プラグ１５０上に半田バンプ１５６を直接形成する場合を例に説明したが、導体プラグ１５０上に、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等よりなるバリアメタル膜（図示せず）を形成するようにしてもよい。バリアメタル膜を導体プラグ１５０上に形成し、かかるバリアメタル膜上に半田バンプ１５６を形成するようにすれば、導体プラグ１５０の材料が半田バンプ１５６中に拡散するのを防止することができる。
【０２７６】
次に、ダイヤモンド粒子などを結合材で固めて形成した薄刃のブレードを用いて、半導体基板を個々の半導体素子（半導体チップ）に切断・分離する。なお、予め半導体基板を個々の半導体素子に切断・分離しておいた場合には、かかる処理は当然必要としない。
【０２７７】
こうして、本実施形態による半導体装置が製造される。
【０２７８】
かかる構造にあっては、半導体基板１２０の電極パッド１２６は、スタッドバンプ１２８、シード層１３８を含む配線１４４、導体プラグ１５０、及び、半田バンプ１５６を介して、外部に電気的に接続される。
【０２７９】
本実施形態による半導体装置の製造方法は、上述したように、ボールボンディング法により形成されたバンプ電極（スタッドバンプ）１２８を埋め込むように樹脂層１３２を形成し、樹脂層１３２の表層部及びスタッドバンプ１２８の上部をバイト１２を用いて切削し、しかる後、樹脂層１３２ａ上及びスタッドバンプ１２８上にシード層１３８を形成することに主な特徴がある。
【０２８０】
めっき法によりバンプ電極を形成する場合には、バンプ電極の数にかかわらず、一定のコストがかかる。このため、バンプ電極の数が非常に多い場合には、一つ当たりのバンプ電極の単価は比較的安くなるが、バンプ電極の数があまり多くない場合には、一つ当たりのバンプ電極の単価は比較的高くなる。一方、スタッドバンプ１２８を形成する場合、即ち、ボールボンディングによりバンプ電極１２８を形成する場合には、バンプ電極１２８の数に応じてコストがかかる。このため、バンプ電極１２８の数が比較的少ない場合には、ボールボンディングにより形成した場合の方が、めっき法により形成した場合より低コストになる場合がある。従って、本実施形態のように、ボールボンディングによりバンプ電極を適宜形成するようにすれば、低コスト化を図ることが可能となる。
【０２８１】
［第６実施形態］
本発明の第６実施形態による半導体装置の製造方法を図３８乃至図４６を用いて説明する。図３８乃至図４６は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【０２８２】
上述した図１乃至図３７に示す第１乃至第５実施形態によるめっき方法、半導体装置の製造方法及び回路基板の製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【０２８３】
本実施形態による半導体装置の製造方法は、半導体基板１５８上に半導体チップ１６６を実装し、半導体基板１５８上及び半導体チップ１６６上にそれぞれボールボンディングによりワイヤ電極１７４及びバンプ電極１７６を形成し、これらワイヤ電極１７４及びバンプ電極１７６を埋め込むように樹脂層１８０を形成し、しかる後、この樹脂層１８０の表層部をバイト１２を用いて切削し、切削が施された樹脂層１８０ａ上にワイヤ電極１７４及びバンプ電極１７６に接してシード層１８２を形成することに主な特徴がある。
【０２８４】
まず、図３８（ａ）に示すように、半導体基板１５８を用意する。半導体基板１５８としては、例えばシリコンウェハを用いる。半導体基板１５８には、ＭＯＳトランジスタなどの機能素子、容量素子などの受動素子などを用いて構成される論理回路及び／或いは記憶回路など（図示せず）が形成されている。かかる半導体基板１５８上には、例えばシリコン酸化膜より成る絶縁膜１６０が形成されている。絶縁膜１６０は、例えばＣＶＤ法により形成されたものである。絶縁膜１６０は、半導体基板１５８上に複数層形成されているが、図３８（ａ）においては１層のみ示している。
【０２８５】
絶縁膜１６０には、開口部１６４ａ、１６４ｂが形成されている。かかる開口部１６４ａには、上述した論理回路等に電気的に接続された、例えばアルミニウム（Ａｌ）より成る電極パッド１６４ａが配されている。
【０２８６】
開口部１６４ｂには、上述した論理回路等に電気的に接続されていない、例えばアルミニウム（Ａｌ）より成るダミーパッド１６４ｂが配されている。ダミーパッド１６４ｂは、後述するバンプ電極のワイヤを切断する際に用いられるものである。ダミーパッド１６４ｂは、チップ内にダミーパッド１６４ｂを形成するスペースがあれば当該チップ内に設置するが、当該チップ内にダミーパッド１６４ｂを形成するスペースがなければ、隣接するチップに設置することも可能である。図３８（ａ）は隣接するチップにダミーパッドを設置した例である。図３８（ａ）における破線は、後工程において半導体基板１５８を半導体素子（半導体チップ）に切断する際における切断面を示している。図３８（ａ）に示すように、ダミーパッド１６４ｂは、互いに隣接するチップに配されている。
【０２８７】
次に、半導体チップ１６６を用意する（図３８（ｂ）参照）。半導体チップ１６６の一方の主面（半導体基板１５８に対向する面とは反対側の面）には、ＭＯＳトランジスタなどの機能素子、容量素子などの受動素子などを用いて構成される他の論理回路及び／或いは他の記憶回路など（図示せず）が形成されている。半導体チップ１６６の一方の主面（半導体基板１５８に対向する面とは反対側の面）には、例えばシリコン酸化膜より成る絶縁膜１６８が形成されている。絶縁膜１６８は、例えばＣＶＤ法により形成されたものである。絶縁膜１６８は、半導体チップ１６６上に多数形成されているが、図３８（ｂ）においては１層のみ示している。絶縁膜１６８には、開口部１７０が形成されている。かかる開口部１７０には、上述した論理回路等に電気的に接続された、例えばアルミニウム（Ａｌ）より成る電極パッド１７２が配されている。
【０２８８】
次に、半導体基板１５８上に形成された絶縁膜１６０上に、半導体チップ１６６を実装する。この際、半導体チップ１６６の他方の主面と半導体基板１５８とが対向するように、半導体チップ１６６を実装する。半導体チップ１６６を半導体基板１５８上に実装する際、即ち、半導体チップ１６６を半導体基板１５８上に固定する際には、接着剤１６７を用いて半導体チップ１６６を半導体基板１５８上に固定する。こうして、半導体チップ１６６が接着層１６７により固定された状態となる。
【０２８９】
次に、ボールボンディング法により、半導体基板１５８上に形成された電極パッド１６４ａとダミーパッド１６４ｂとをワイヤボンディングで結んでワイヤ電極１７４を形成するとともに、半導体チップ１６６上に形成された電極パッド１７２上に他のバンプ電極（スタッドバンプ）１７６を形成する。ワイヤ電極１７４及びスタッドバンプ１７６の材料としては、例えば金（Ａｕ）又は銅（Ｃｕ）を用いる。ワイヤ電極１７４を形成する際には、少なくとも半導体チップ１６６の一方の主面（半導体基板１５８に対向する面とは反対側の面）より上方まで突出するように、ワイヤ電極１７４を形成する。
【０２９０】
具体的には、放電によって金（Ａｕ）等より成るワイヤ１７４ｂの先端にボール１７４ａを形成後、ワイヤボンディング用のキャピラリを用いてボール１７４ａをアルミニウム等より成る電極パッド１６４ａ上に熱圧着し、ワイヤ１７４ｂを固定したままの状態でキャピラリを上部に引き上げ、この後、ワイヤ１７４ｂをダミーパッド１６４ｂに熱圧着し、ワイヤ１７４ｂを切断することにより、ワイヤ電極１７４を形成する。なお、ワイヤ電極１７４を形成する際には、後述するスタッドバンプ１７６の上端より上方まで突出するように、ワイヤ電極１７４を形成することが好ましい。
【０２９１】
一方、スタッドバンプ１７６は、放電によって金（Ａｕ）等よりなるワイヤの先端にボールを形成後、ワイヤボンディング用のキャピラリを用いてボールをアルミニウム等よりなる電極パッド１７２上に熱圧着し、ワイヤを固定したままの状態でキャピラリを上部に引き上げ、ワイヤをボール上端部で切断することにより、形成する。
【０２９２】
ワイヤ電極１７４を半導体チップ１６６の一方の主面（半導体基板１５８に対向する面とは反対側の面）より上方まで突出するように形成するのは、後述する工程においてワイヤ電極１７４とスタッドバンプ１７６とを配線１８８（図４２（ｂ）参照）により接続し得るようにするためである。
【０２９３】
なお、ワイヤ電極１７４及びスタッドバンプ１７６を形成する前に、半導体基板１５８に形成された各々の半導体チップ１５８ａ（図４０（ａ）参照）に対して検査或いは試験を行い、検査或いは試験に合格した半導体チップ１５８ａ上にのみワイヤ電極１７４及びスタッドバンプ１７６を形成するようにしてもよい。良品でない半導体チップ１５８ａ上にワイヤ電極１７４及びスタッドバンプ１７６を形成しないようにすれば、製造コストを低減することが可能となる。
【０２９４】
次に、図３９（ａ）に示すように、半導体基板１５８上に樹脂フィルム１７８を載置する。樹脂フィルム１７８としては、第１実施形態で用いた樹脂フィルム８と同様に、例えば、味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルムＡＢＦを用いる。樹脂フィルム１７８の厚さは、例えば１５０μｍとする。
【０２９５】
次に、真空プレス装置を用い、層間絶縁膜１６０等が形成された半導体基板１５８上に樹脂フィルム１７８を貼り付ける（図３０（ｄ）参照）。具体的には、樹脂フィルム１７８を加熱して溶解させるとともに、減圧することにより、層間絶縁膜１６０上に樹脂フィルム１７８を貼り付ける。樹脂フィルム１７８を溶解させる際の温度は、通常の１５０℃より高い例えば１６０℃とすることで、ワイヤを曲げずに樹脂はワイヤ間に充填される。こうして、層間絶縁膜１６０等が形成された半導体基板１５８上に樹脂フィルム１７８より成る樹脂層１８０が形成される。即ち、ワイヤ電極１７４及びスタッドバンプ１７６は、樹脂層１８０により埋め込まれた状態となる。
【０２９６】
なお、樹脂フィルムに代えて、液状の樹脂を用いてワイヤ電極１７４及びスタッドバンプ１７６を埋め込むことも可能である。
【０２９７】
この後、熱処理を行うことにより、樹脂層１８０を硬化させる。熱処理条件は、例えば１７０℃、１時間とする。
【０２９８】
次に、図４０（ａ）に示すように、半導体基板１５８を、超精密旋盤１３４のチャックテーブル１３６上に、真空吸着により固定する。
【０２９９】
図４０（ａ）は、半導体基板１５８を超精密旋盤に固定した状態を示す斜視図である。半導体基板１５８をチャックテーブル１３６上に固定する際には、半導体基板１５８の裏面側、即ち、ワイヤ電極１７４及びスタッドバンプ１７６等が形成されていない側の面をチャックテーブル１３６に固定する。なお、半導体基板１５８をチャックテーブル１３６上に固定する際には、ピンチャックを用いることが好ましい。
【０３００】
次に、半導体基板１５８を回転させながら、ダイヤモンドよりなるバイト１２を用いて、樹脂層１８０の表層部、並びに、ワイヤ電極１７４及びスタッドバンプ１７６の上部を切削する（図４０（ｂ）参照）。
【０３０１】
樹脂層１８０の表層部、並びに、ワイヤ電極１７４及びスタッドバンプ１７６の上部を切削する際の条件は、以下の通りとする。
【０３０２】
バイト１２のすくい角を、０度とする。チャックテーブルの回転数は、例えば１０００ｒｐｍ程度とする。バイト１２の切り込み量は、例えば５μｍ程度とする。バイト１２の送りは、例えば５０μｍ／秒とする。このような条件で切削を行うと、樹脂層１８０ａ（以下、切削後の樹脂層を樹脂層１８０ａと表示し、切削前の樹脂層１８０と区別する。）の表面における十点平均粗さＲｚは、例えば１〜２μｍ程度となる。ワイヤ電極１７４及びスタッドバンプ１７６の表面における十点平均粗さＲｚは、例えば２０ｎｍ程度となる。
【０３０３】
なお、ここでは、樹脂層１８０ａの表面における十点平均粗さＲｚを１〜２μｍ程度とする場合を例に説明したが、樹脂層１８０ａの表面における十点平均粗さＲｚは１〜２μｍ程度に限定されるものではない。樹脂層１８０ａの表面における十点平均粗さＲｚが例えば０．５〜５μｍとなるように、樹脂層１８０ａの表層部を切削すればよい。
【０３０４】
こうして、樹脂層１８０の表層部、並びに、ワイヤ電極１７４及びスタッドバンプ１７６の上部が切削される。この結果、樹脂層１８０ａの被切削面には、ワイヤ電極１７４及びスタッドバンプ１７６の上端面が表出される（図４１（ａ）参照）
図４１（ｂ）は、図４１（ａ）の円Ｓ内を拡大して表した図である。図４１（ｂ）に示すように、樹脂層１８０ａの表面には、凹凸１４が形成されている。
【０３０５】
また、ここでは、半導体基板１５８を回転させながらバイト１２を一方向に直進させることにより切削処理を行う場合を例に説明したが、半導体基板１５８を一方向に直進させながら、バイト１２を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させることにより切削処理を行うことも可能である（図示せず）。
【０３０６】
次に、図４１（ｃ）に示すように、無電解めっき法により、全面に、銅又はニッケルより成るシード層１８２を形成する。シード層１８２の形成方法は、例えば第１実施形態において記載したシード層３６の形成方法と同様とする。即ち、コンディショニング、樹脂層１８０ａ表面への触媒の付着等を行った後、無電解めっき法によりシード層１８２を形成する。こうして、例えば膜厚０．３〜０．５μｍの無電解めっき膜より成るシード層１８２が形成される。
【０３０７】
図４１（ｄ）は、図４１（ｃ）の円Ｓ内を拡大して表した図である。図４１（ｄ）に示すように、表面に凹部１４が形成された樹脂層１８０ａ上にシード層１８２を形成するため、シード層１８２のうちの凹部１４内に形成された部分が、凹部１４内において確実に固定される。このため、シード層１８２と樹脂層１８０ａとの密着性が十分に確保される。
【０３０８】
かかるシード層１８２は、上述したワイヤ電極１７４及びスタッドバンプ１７６の上端面と機械的に接触して形成され、電気的導通を可能とする。
【０３０９】
次に、図４２（ａ）に示すように、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜１８４を形成する。
【０３１０】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、シード層１８２に達する開口部１８６をフォトレジスト膜１８４に形成する。開口部１８６は、配線１８８を形成するためのものである。樹脂層１８０ａの表面に過度に深い孔が形成されていないため、シード層１８２の表面にも過度に深い凹部は形成されていない。このため、フォトレジスト膜１８４を微細にパターニングする場合であっても、フォトレジスト膜１８４より成る良好なパターンを形成することができる。
【０３１１】
次に、図４２（ｂ）に示すように、電気めっき法により、フォトレジスト膜１８４の開口部１８６内のシード層１８２上に、Ｃｕより成る配線１８８を形成する。上述したように、フォトレジスト膜１８４を微細にパターニングした場合であっても良好なパターンが形成されているため、非常に狭いピッチで配線１８８を形成することが可能である。シード層１８２と樹脂層１８０ａとの密着性が十分に確保されているため、配線１８８はシード層１８２を介して樹脂層１８０ａに確実に固定される。
【０３１２】
この後、図４２（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜１８４を剥離する。
【０３１３】
次に、図４３（ａ）に示すように、配線１８８上及びシード層１８２上の全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜１９０を形成する。
【０３１４】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜１９０に配線１８８に達する開口部１９２を形成する。開口部１９２は、導体プラグ１９４（図４３（ｂ）参照）を形成するためのものである。
【０３１５】
次に、図４３（ｂ）に示すように、電気めっき法により、開口部１９２内にＣｕより成る導体プラグ１９４を形成する。
【０３１６】
この後、図４３（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜１９０を剥離する。
【０３１７】
次に、図４４（ａ）に示すように、配線１８８の周囲に表出するシード層１８２をウエットエッチングにより除去する。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層１８２をエッチング除去する際には、配線１８８や導体プラグ１９４の表面も若干エッチングされる。但し、シード層１８２の厚さは、配線１８８や導体プラグ１９４のサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることが可能である。このため、シード層１８２をエッチングする際に、配線１８８や導体プラグ１９４が過度にエッチングされてしまうことはない。
【０３１８】
次に、図４４（ｂ）に示すように、半導体基板１５８上に樹脂フィルム１９６を載置する。樹脂フィルム１９６としては、例えば、図３９（ａ）を用いて上述した樹脂フィルム１７８と同様に、味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルムＡＢＦを用いる。
【０３１９】
次に、真空プレス装置を用い、配線１８８及び導体プラグ１９４が形成された樹脂層１８０ａ上に樹脂フィルム１９６を貼り付ける（図４４（ｃ）参照）。具体的には、樹脂フィルム１９６を加熱して溶解させるとともに、減圧することにより、層間絶縁膜１８０ａ上に樹脂フィルム１９６を貼り付ける。樹脂フィルム１９６を溶解させる際の温度は、例えば１５０℃とする。こうして、樹脂層１８０ａ上に樹脂フィルム１９６より成る樹脂層１９８が形成される。この結果、配線１８８及び導体プラグ１９４は、樹脂層１９８により埋め込まれた状態となる。
【０３２０】
次に、熱処理を行うことにより、樹脂層１９８を硬化させる。熱処理条件は、例えば、１７０℃、１時間とする。
【０３２１】
次に、図４５（ａ）に示すように、半導体基板１５８を、超精密旋盤１３４のチャックテーブル１３６上に、真空吸着により固定する。
【０３２２】
図４５（ａ）は、半導体基板１５８を超精密旋盤に固定した状態を示す斜視図である。半導体基板１５８をチャックテーブル１３６上に固定する際には、半導体基板１５８の裏面側、即ち、導体プラグ１９４等が形成されていない側の面をチャックテーブル１３６に固定する。なお、半導体基板１５８をチャックテーブル１３６上に固定する際には、ピンチャックを用いることが好ましい。
【０３２３】
次に、半導体基板１５８を回転させながら、ダイヤモンドよりなるバイト１２を用いて、樹脂層１９８の表層部及び導体プラグ１９４の上部を切削する（図４５（ｂ）参照）。
【０３２４】
樹脂層１９８の表層部及び導体プラグ１９４の上部を切削する際の条件は、図４０を用いて上述した樹脂層１８０の表層部、ワイヤ電極１７４の上部及びスタッドバンプ１７６の上部を切削する際の条件と同様としてもよいし、樹脂層１８０の表層部、ワイヤ電極１７４の上部及びスタッドバンプ１７６の上部を切削する際の条件と異ならせてもよい。樹脂層１９８ａ（以下、切削後の樹脂層を樹脂層１９８ａと表示し、切削前の樹脂層１９８と区別する。）上にはシード層を形成する必要がないため、樹脂層１９８ａの表面を適度な粗さに設定する必要がないためである。樹脂層１９８ａの表面を滑らかにしたい場合には、バイト１２のすくい角を例えば１０度程度に設定して切削を行えばよい。バイト１２のすくい角を大きめに設定すれば、樹脂層１９８の表面を滑らかにすることが可能である。チャックテーブル１３６の回転数は、例えば１０００ｒｐｍ程度とする。切削を数回に分けて行う場合、最終回の切削におけるバイト１２の切り込み量は、例えば２μｍ程度とする。バイト１２の送りは、例えば７０μｍ／秒とする。このような条件で切削を行えば、樹脂層１９８ａの表面を非常に滑らかにすることが可能である。
【０３２５】
こうして、樹脂層１９８の表層部及び導体プラグ１９４の上部が切削される（図４６（ａ）参照）。
【０３２６】
また、ここでは、半導体基板１５８を回転させながらバイト１２を一方向に直進させることにより切削処理を行う場合を例に説明したが、半導体基板１５８を一方向に直進させながら、バイト１２を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させることにより切削処理を行うことも可能である（図示せず）。
【０３２７】
次に、樹脂層１９８の表面に表出された導体プラグ１９４の端部上に、図４６（ｂ）に示すように、例えばＳｎ系はんだより成る半田バンプ２００を形成する。
【０３２８】
なお、ここでは、導体プラグ１９４上に半田バンプ２００を直接形成する場合を例に説明したが、導体プラグ１９４上に、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等よりなるバリアメタル膜（図示せず）を形成するようにしてもよい。バリアメタル膜を導体プラグ１９４上に形成し、かかるバリアメタル膜上に半田バンプ２００を形成するようにすれば、導体プラグ１９４の材料が半田バンプ２００中に拡散するのを防止することができる。
【０３２９】
次に、ダイヤモンド粒子などを結合材で固めて形成した薄刃のブレードを用いて、半導体基板を個々の半導体素子（半導体チップ）に切断する（図４６（ｃ）参照）。このとき、上述したダミーパッド１６４ｂとダミーパッド１６４ｂに接続されたワイヤ部１７４ｂとを含む半導体基板１５８の部分は、他の半導体チップ上に存在する（図示せず）。
【０３３０】
こうして、本実施形態による半導体装置が製造される。
【０３３１】
かかる構造にあっては、半導体基板１５８の電極と半導体素子１６６の電極は、ワイヤ電極１７４ｂ、シード層１８２を含む配線１８８及びスタッドバンプ１７４を介して相互に接続される。
【０３３２】
また、配線１８８からは、導体プラグ１９４、半田バンプ２００を介して、外部への接続が可能とされる。
【０３３３】
本実施形態による半導体装置の製造方法は、上述したように、半導体基板１５８上に半導体チップ１６６を実装し、半導体基板１５８上及び半導体チップ１６６上にそれぞれボールボンディングによりバンプ電極１７４及びバンプ電極１７６とを形成し、これらワイヤ電極１７４及びスタッドバンプ１７６を埋め込むように樹脂層１８０を形成し、しかる後、この樹脂層１８０の表層部をバイト１２を用いて切削し、切削が施された樹脂層１８０ａ上にシード層１８２を形成することに主な特徴がある。
【０３３４】
上述したように、めっき法によりバンプ電極を形成する場合には、バンプ電極の数にかかわらず、一定のコストがかかる。このため、バンプ電極の数が非常に多い場合には、一つ当たりのバンプ電極の単価は比較的安くなるが、バンプ電極の数があまり多くない場合には、一つ当たりのバンプ電極の単価は比較的高くなる。一方、ワイヤ電極１７４、スタッドバンプ１７６を形成する場合、即ち、ボールボンディングによりワイヤ電極１７４及びスタッドバンプ１７６を形成する場合には、ワイヤ電極１７４、スタッドバンプ１７６の数に応じてコストがかかる。このため、ワイヤ電極１７４、スタッドバンプ１７６の数が比較的少ない場合には、ボールボンディングにより形成した場合の方が、めっき法により形成した場合より低コストになる場合がある。従って、本実施形態のように、ボールボンディングによりワイヤ電極１７４、スタッドバンプ１７６を適宜形成するようにすれば、低コスト化を図ることが可能となる。
【０３３５】
［変形実施形態］
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
【０３３６】
例えば、上記実施形態では、シード層を無電解めっき法により形成する場合を例に説明したが、シード層をスパッタ法により形成してもよい。樹脂層をバイトにより切削することにより樹脂層の表面が適度な粗さになるため、シード層をスパッタ法により形成する場合であっても、樹脂層とシード層との密着性を十分に確保することができる。このため、シード層をスパッタ法により形成する場合であっても、樹脂層とめっき膜との密着性を十分に確保することができる。
【０３３７】
以上詳述したように、本発明の特徴をまとめると以下のようになる。
【０３３８】
（付記１）
支持基板上に樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層の表層部をバイトにより切削する工程と、
前記樹脂層上に無電解めっき法によりシード層を形成する工程と、
前記シード層上に電気めっき法によりめっき膜を形成する工程と
を有することを特徴とするめっき方法。
【０３３９】
（付記２）
支持基板上に樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記樹脂層の表層部をバイトにより切削する工程と、
前記樹脂層上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上に電気めっき法によりめっき膜を形成する工程と
を有することを特徴とするめっき方法。
【０３４０】
（付記３）
付記２記載のめっき方法において、
前記樹脂層を形成する工程では、樹脂シートを前記支持基板上に貼り付けることにより、前記樹脂シートより成る樹脂層を形成する
ことを特徴とするめっき方法。
【０３４１】
（付記４）
付記２又は３記載のめっき方法において、
前記バイトは、ダイヤモンドより成る
ことを特徴とするめっき方法。
【０３４２】
（付記５）
付記２乃至４のいずれかに記載のめっき方法において、
前記シード層を形成する工程では、無電解めっき法又はスパッタ法により前記シード層を形成する
ことを特徴とするめっき方法。
【０３４３】
（付記６）
付記２乃至５のいずれかに記載のめっき方法において、
前記樹脂層の厚さは、前記支持基板の面内における厚さの最大値と最小値との差より大きい
ことを特徴とするめっき方法。
【０３４４】
（付記７）
付記２乃至６のいずれかに記載のめっき方法において、
前記シード層は、銅又はニッケルより成る
ことを特徴とするめっき方法。
【０３４５】
（付記８）
半導体基板上に樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記樹脂層の表層部をバイトにより切削する工程と、
前記樹脂層上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上に電気めっき法によりめっき膜より成る配線を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０３４６】
（付記９）
付記８記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂層を形成する工程の前に、前記半導体基板上に導体プラグを形成する工程を更に有し、
前記樹脂層を形成する工程では、前記導体プラグを埋め込むように前記樹脂層を形成し、
前記樹脂層の表層部を切削する工程では、前記導体プラグの上部をも前記バイトにより切削し、
前記シード層を形成する工程では、前記導体プラグ上にも前記シード層を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０３４７】
（付記１０）
付記８記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂層を形成する工程の前に、ボールボンディングによりバンプ電極を形成する工程とを更に有し、
前記樹脂層を形成する工程では、前記バンプ電極を埋め込むように前記樹脂層を形成し、
前記樹脂層の表層部を切削する工程では、前記バンプ電極の上部をも前記バイトにより切削し、
前記シード層を形成する工程では、前記バンプ電極上にも前記シード層を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０３４８】
（付記１１）
付記８記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂層を形成する工程の前に、前記半導体基板上に半導体チップを実装する工程と；前記半導体基板上に、前記半導体チップの上面より上方に突出するように、ボールボンディングによりワイヤ電極を形成し、前記半導体チップ上にボールボンディングによりバンプ電極を形成する電極形成工程とを更に有し、
前記樹脂層を形成する工程では、前記ワイヤ電極及び前記バンプ電極を埋め込むように前記樹脂層を形成し、
前記樹脂層の表層部を切削する工程では、前記ワイヤ電極の上部及び前記バンプ電極の上部をも前記バイトにより切削し、
前記シード層を形成する工程では、前記ワイヤ電極上及び前記バンプ電極上にも前記シード層を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０３４９】
（付記１２）
支持基板上に樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記樹脂層の表層部をバイトにより切削する工程と、
前記樹脂層上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上に電気めっき法により配線を形成する工程と
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【０３５０】
（付記１３）
支持基板と、前記支持基板上に形成された下部電極と；前記下部電極上に形成された誘電体膜と；前記誘電体膜上に形成された上部電極とを有するキャパシタとを有する回路基板の製造方法であって、
支持基板上に下部電極を形成する工程と、
少なくとも前記下部電極上に樹脂を含む誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記誘電体膜の表層部をバイトにより切削する工程と、
前記誘電体膜上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上に電気めっき法により上部電極を形成する工程と
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【０３５１】
（付記１４）
付記１３記載の回路基板の製造方法において、
前記誘電体膜の表層部を切削する工程では、前記下部電極上に存在する前記誘電体膜の厚さが５μｍ以下となるように、前記誘電体膜の表層部を切削する
ことを特徴とする回路基板の製造方法。
【０３５２】
（付記１５）
付記１３又は１４記載の回路基板の製造方法において、
前記誘電体膜は、前記樹脂より比誘電率の高い材料より成るフィラーを更に含む
ことを特徴とする回路基板の製造方法。
【０３５３】
（付記１６）
付記１５記載の回路基板の製造方法において、
前記フィラーは、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＺｎＴｉＯ３、ＰｂＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＰｂＺｒＯ３、ＢａＸＳｒ１−ＸＴｉＯ３、ＢａＴｉＸＺｒ１−ＸＯ３、ＰｂＺｒＸＴｉ１−ＸＯ３、ＰｂＸＬａ１−ＸＺｒＹＴｉ１−ＹＯ３、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７及びＮｄ２Ｔｉ２Ｏ７のうちのいずれか、又はこれらの混合物より成る
ことを特徴とする回路基板の製造方法。
【０３５４】
（付記１７）
支持基板と、前記支持基板上に形成された第１の電極と、前記第１の電極上に形成された抵抗器と、前記抵抗器上に形成された第２の電極とを有する回路基板の製造方法であって、
支持基板上に、第１の電極を形成する工程と、
前記第１の電極上に、前記樹脂を含む抵抗層を形成する工程と、
前記抵抗層の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記抵抗層の表層部を切削する工程と、
前記抵抗層上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上に電気めっき法により電極を形成する工程と
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【０３５５】
（付記１８）
付記１７記載の回路基板の製造方法において、
前記抵抗層は、導電体より成るフィラーを含む
ことを特徴とする回路基板の製造方法。
【０３５６】
（付記１９）
付記１８記載の回路基板の製造方法において、
前記フィラーは、炭素、炭化珪素及びニッケル−クロム合金のうちのいずれか、又は、これらの混合物より成る
ことを特徴とする回路基板の製造方法。
【０３５７】
（付記２０）
支持基板と、前記支持基板上に形成されたインダクタとを有する回路基板の製造方法であって、
支持基板上に樹脂を含む絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記絶縁層の表層部をバイトにより切削する工程と、
前記絶縁層上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上にインダクタを電気めっき法により形成する工程と
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【０３５８】
（付記２１）
付記２０記載の回路基板の製造方法において、
前記絶縁層は、前記樹脂より透磁率の高い材料より成るフィラーを更に含む
ことを特徴とする回路基板の製造方法。
【０３５９】
（付記２２）
付記２１記載の回路基板の製造方法において、
前記フィラーは、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト及びＮｉ−Ｚｎ系フェライトのうちのいずれか、又は、これらの混合物より成る
ことを特徴とする回路基板の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【０３６０】
【図１】樹脂層の表層部をバイトにより切削する場合を示す側面図である。
【図２】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その１）である。
【図３】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その２）である。
【図４】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その３）である。
【図５】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その４）である。
【図６】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その５）である。
【図７】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その６）である。
【図８】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その７）である。
【図９】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その８）である。
【図１０】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その９）である。
【図１１】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その１０）である。
【図１２】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その１１）である。
【図１３】エポキシ系樹脂より成る基材中にゴム系フィラーを含有させた樹脂フィルムをバイトにより切削した場合を示す図である。
【図１４】本発明の第２実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図（その１）である。
【図１５】本発明の第２実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図（その２）である。
【図１６】本発明の第２実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図（その３）である。
【図１７】本発明の第２実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図（その４）である。
【図１８】本発明の第２実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図（その５）である。
【図１９】本発明の第２実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図（その６）である。
【図２０】本発明の第２実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図（その７）である。
【図２１】本発明の第２実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図（その８）である。
【図２２】本発明の第２実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図（その９）である。
【図２３】本発明の第２実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図（その１０）である。
【図２４】本発明の第３実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図（その１）である。
【図２５】本発明の第３実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図（その２）である。
【図２６】本発明の第４実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図（その１）である。
【図２７】本発明の第４実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図（その２）である。
【図２８】本発明の第４実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図（その３）である。
【図２９】樹脂層の表面における十点平均粗さと、めっき膜の引っ張り強度と、短絡を招くことなく形成可能な配線のギャップの最小値との関係を示すグラフである。
【図３０】本発明の第５実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その１）である。
【図３１】本発明の第５実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その２）である。
【図３２】本発明の第５実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その３）である。
【図３３】本発明の第５実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その４）である。
【図３４】本発明の第５実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その５）である。
【図３５】本発明の第５実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その６）である。
【図３６】本発明の第５実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その７）である。
【図３７】本発明の第５実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その８）である。
【図３８】本発明の第６実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その１）である。
【図３９】本発明の第６実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その２）である。
【図４０】本発明の第６実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その３）である。
【図４１】本発明の第６実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その４）である。
【図４２】本発明の第６実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その５）である。
【図４３】本発明の第６実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その６）である。
【図４４】本発明の第６実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その７）である。
【図４５】本発明の第６実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その８）である。
【図４６】本発明の第６実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その９）である。
【符号の説明】
【０３６１】
８…樹脂フィルム
１０…樹脂層（加工前の樹脂フィルム）
１０ａ…樹脂層（切削後の樹脂層）
１２…バイト
１４…凹凸
１６…半導体基板
１８…層間絶縁膜
２０…導体プラグ
２２…シード層
２４…フォトレジスト膜
２６…開口部
２８…配線
３０…フォトレジスト膜
３２…開口部
３４…導体プラグ
３６…シード層
３８…触媒
４０…フォトレジスト膜
４２…開口部
４４…配線
４６…フォトレジスト膜
４８…開口部
５０…導体プラグ
５１…樹脂フィルム
５２…樹脂層
５３…凹凸
５４…配線
５６…コア層
５８…支持基板
６０…配線
６２…絶縁層
６４…貫通孔
６６…導電膜
６８…ビア
７０…導電膜
７２…樹脂層
７４…コンタクトホール
７６…配線
７８…樹脂層
８０…コンタクトホール
８２…下部電極
８３…樹脂フィルム
８４…樹脂層（加工前の樹脂フィルム）
８４ａ…樹脂層（切削後の樹脂層）、誘電体膜
８８…シード層
９０…上部電極
９２…キャパシタ
９４…樹脂層
９６…コンタクトホール
９８…配線
１００…導体プラグ
１０２…樹脂層
１０４…配線
１０６…導体プラグ
１０８…樹脂層
１１０…配線
１１１…樹脂フィルム
１１２…樹脂層（加工前の樹脂フィルム）
１１２ａ…樹脂層（切削後の樹脂層）、抵抗層
１１３…樹脂フィルム
１１４…樹脂層（加工前の樹脂フィルム）
１１４ａ…樹脂層（切削後の樹脂層）、高透磁率層
１１６…インダクタ
１１８…配線
１２０…半導体基板
１２０ａ…半導体チップ
１２２…絶縁膜
１２４…開口部
１２６…電極パッド
１２８…バンプ電極、スタッドバンプ
１３０…樹脂フィルム
１３２…樹脂層（加工前の樹脂フィルム）
１３２ａ…樹脂層（切削後の樹脂層）
１３４…超精密旋盤
１３６…チャックテーブル
１３８…シード層
１４０…フォトレジスト膜
１４２…開口部
１４４…配線
１４６…フォトレジスト膜
１４８…開口部
１５０…導体プラグ
１５２…樹脂フィルム
１５４…樹脂層（加工前の樹脂フィルム）
１５４ａ…樹脂層（切削後の樹脂層）
１５６…半田バンプ
１５８…半導体基板
１５８ａ…半導体チップ
１６０…層間絶縁膜
１６２ａ、１６２ｂ…開口部
１６４ａ…電極パッド
１６４ｂ…ダミーパッド
１６６…半導体チップ
１６７…接着層
１６８…層間絶縁膜
１７０…開口部
１７２…電極パッド
１７４…ワイヤ電極
１７４ａ…ボール
１７４ｂ…ワイヤ
１７６…バンプ電極、スタッドバンプ
１７８…樹脂フィルム
１８０…樹脂層（加工前の樹脂フィルム）
１８０ａ…樹脂層（切削後の樹脂層）
１８２…シード層
１８４…フォトレジスト膜
１８６…開口部
１８８…配線
１９０…フォトレジスト膜
１９２…開口部
１９４…導体プラグ
１９６…樹脂フィルム
１９８…樹脂層（加工前の樹脂フィルム）
１９８ａ…樹脂層（切削後の樹脂層）
２００…半田バンプ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき方法、並びにそのめっき法を用いた半導体装置の製造方法及び回路基板の製造方法に関し、高い信頼性を実現しうるめっき方法、並びに、そのめっき方法を用いた半導体装置の製造方法及び回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板や回路基板上に形成される多層配線には、配線層間を電気的に絶縁するために、層間絶縁膜が必要である。
【０００３】
上記のような層間絶縁膜を形成する工程において、近時では、半導体基板や回路基板上に樹脂製のシート（以下、「樹脂シート」という。）を、真空プレスを用いて貼り付けることにより、層間絶縁膜を形成する技術が注目されている。樹脂シートを用いて層間絶縁膜を形成した場合には、スピンコート法によって層間絶縁膜を形成した場合と比べて材料の無駄が大幅に抑えられる。その結果、低コストで層間絶縁膜を形成することが可能となる。
【０００４】
このように樹脂シートを用いて形成された樹脂層上に配線を形成する場合には、例えば、以下のような方法で配線を形成することが可能である。
【０００５】
まず、レーザ等を用いて、樹脂層にコンタクトホールを形成する。次に、デスミア処理を行う。デスミア処理とは、レーザ等を用いて樹脂層にコンタクトホールを形成する際に生じる樹脂の燃えかす（スミア）を、薬液により除去する処理のことである。デスミア処理を行うと、コンタクトホール内からスミアが除去されるとともに、樹脂層の表面に凹凸が形成される。デスミア処理は、例えば、５０〜９０℃のアルカリ性過マンガン酸溶液に、樹脂層を、数分〜数十分程度浸漬することにより行われる。次に、デスミア処理を施して表面に凹凸が形成された樹脂層上に、めっき膜を形成するためのシード層を、無電解めっき法により形成する。そして、シード層が、樹脂層表面に形成された凹部、即ち、多数の微小な孔の中にも食い込んだ状態で形成され、樹脂層とめっき膜との密着性が十分に確保される。このような現象は、アンカー効果と称される。次に、樹脂層の全面にフォトレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィ技術を用いて、フォトレジスト膜に開口部を形成する。次に、電気めっき法により、開口部内のシード層上にめっき膜を形成する。シード層と樹脂層との密着性が十分に確保されているため、めっき膜はシード層を介して樹脂層に確実に固定される。最後に、フォトレジスト膜を剥離することにより、樹脂層上に配線が形成される。
【０００６】
特許文献１には、樹脂基板上にめっき被膜を形成する製法に関して、紫外線照射された樹脂基板層をアルカリ溶液に浸漬し、樹脂基板にデスミア処理を施すことにより、樹脂基板とめっき被膜との密着性を強固に保つ技術が開示されている。
【０００７】
また、特許文献２には、射出成形して得られた成形品に導体回路パターンを形成する製法に関して、射出成形品の表面にコーディングしたレジストを除去する際に、レーザを射出成形品の表面にも照射し、射出成形品の表面を粗面化することにより、射出成形品粗面化工程を削減する技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００３−２７２５０号公報
【特許文献２】特開平１１−６０７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１に記載されたように、めっき膜が形成される対象物（樹脂基板）を、アルカリ溶液に浸漬することによりデスミア処理を行った場合には、樹脂層の表面に数μｍ〜十数μｍの深い孔が形成されてしまうため、樹脂基板の表面にフォトレジスト膜を用いて微細な配線パターンを形成することは困難である。樹脂基板に形成された配線間が狭いピッチの場合、短絡等を招く可能性が高くなる。
【０００９】
また、特許文献２に記載されたように、めっき膜が形成される対象物（樹脂基板）の表面を、レーザ照射することにより粗面化する処理の場合には、めっき膜を形成する面が広範囲の場合に、レーザ照射の処理に長時間を要するという問題がある。
【００１０】
本発明の目的は、めっき膜が広範囲に形成される樹脂層に対して、デスミア処理等を行うことなく、密着性の良好なめっき膜を簡易に形成し得るめっき方法、並びに、そのめっき方法を用いた半導体装置の製造方法及び回路基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一観点によれば、支持基板上に樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層の表層部をバイトにより切削する工程と、前記樹脂層上に無電解めっき法によりシード層を形成する工程と、前記シード層上に電気めっき法によりめっき膜を形成する工程とを有することを特徴とするめっき方法が提供される。
【００１２】
また、本発明の他の観点によれば、支持基板上に樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記樹脂層の表層部をバイトにより切削する工程と、前記樹脂層上にシード層を形成する工程と、前記シード層上に電気めっき法によりめっき膜を形成する工程とを有するめっき方法が提供される。
【００１３】
また、本発明の更に他の観点によれば、半導体基板上に樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記樹脂層の表層部をバイトにより切削する工程と、前記樹脂層上にシード層を形成する工程と、前記シード層上に電気めっき法により配線を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。
【００１４】
また、本発明の更に他の観点によれば、支持基板上に樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記樹脂層の表層部をバイトにより切削する工程と、前記樹脂層上にシード層を形成する工程と、前記シード層上に電気めっき法によりめっき膜より成る配線を形成する工程とを有する回路基板の製造方法が提供される。
【００１５】
また、本発明の更に他の観点によれば、支持基板と、前記支持基板上に形成された下部電極と；前記下部電極上に形成された誘電体膜と；前記誘電体膜上に形成された上部電極とを有するキャパシタとを有する回路基板の製造方法であって、支持基板上に下部電極を形成する工程と、少なくとも前記下部電極上に樹脂を含む誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記誘電体膜の表層部をバイトにより切削する工程と、前記誘電体膜上にシード層を形成する工程と、前記シード層上に電気めっき法により上部電極を形成する工程とを有する回路基板の製造方法が提供される。
【００１６】
また、本発明の更に他の観点によれば、支持基板と、前記支持基板上に形成された第１の電極と、前記第１の電極上に形成された抵抗器と、前記抵抗器上に形成された第２の電極とを有する回路基板の製造方法であって、支持基板上に、第１の電極を形成する工程と、前記第１の電極上に、前記樹脂を含む抵抗層を形成する工程と、前記抵抗層の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記抵抗層の表層部を切削する工程と、前記抵抗層上にシード層を形成する工程と、前記シード層上に電気めっき法により電極を形成する工程とを有する回路基板の製造方法が提供される。
【００１７】
また、本発明の更に他の観点によれば、支持基板と、前記支持基板上に形成されたインダクタとを有する回路基板の製造方法であって、支持基板上に樹脂を含む絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記絶縁層の表層部をバイトにより切削する工程と、前記絶縁層上にシード層を形成する工程と、前記シード層上にインダクタを電気めっき法により形成する工程とを有する回路基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、めっき処理用のシード層を形成する前処理として、樹脂層の表層部をバイトにより切削することにより、樹脂層の表面を適度な粗さにする。このような処理を加えることにより、樹脂層とシード層との密着性を十分に且つ簡易に確保することができる。また、本発明によれば、デスミア処理を行った場合のような過度に深い穴が樹脂層表面に生ずることがないため、樹脂層上に微細なパターンを形成することが可能となる。また、本発明によれば、広い範囲の粗面化処理を短時間で行うことにより、広範囲の微細パターンを短時間で形成することが可能となる。従って、本発明によれば、高い信頼性を確保しつつ、樹脂層上に極めて狭いピッチの配線等を簡易に形成することが可能となる。
【００１９】
また、本発明によれば、樹脂シートを用いてキャパシタの誘電体膜を形成し、当該誘電体膜の表層部をバイトにより切削する。このような処理を加えることにより、樹脂より成る誘電体膜の表面を適度な粗さに調整することができるため、誘電体膜と上部電極との密着性を十分に確保することができる。また、本発明では、デスミア処理を行うことを要しないため、誘電体膜の表面に過度に深い孔が形成されることがない。このため、誘電体膜の膜厚を十分に薄くした場合であっても、上部電極と下部電極との間の絶縁性が十分に確保される。従って、本発明によれば、信頼性が高く、静電容量の大きいキャパシタを有する回路基板を提供することが可能となる。
【００２０】
また、本発明では、樹脂より成る抵抗層の表層部をバイトにより切削するため、樹脂より成る抵抗層の表面が適度な粗さになる。このため、抵抗層と電極との密着性を十分に確保することができる。また、デスミア処理を行うことを要しないため、樹脂より成る抵抗層の表面に過度に深い孔が形成されない。このため、抵抗層の厚さを薄くした場合であっても、電極と電極との間の絶縁性が十分に確保される。このため、抵抗層の厚さを適宜設定することにより、抵抗値を所望の値に設定することが可能となる。また、抵抗層の表面に過度に深い孔が形成されないため、抵抗値のばらつきを小さくすることができる。従って、本発明によれば、信頼性の高い抵抗器を有する回路基板を製造することが可能となる。
【００２１】
また、本発明では、樹脂フィルムより成る高透磁率層の表層部をバイトにより切削するため、樹脂フィルムより成る高透磁率層の表面が適度な粗さになる。このため、樹脂より成る高透磁率層とインダクタの密着性を十分に確保することができる。また、デスミア処理を行うことを要しないため、樹脂より成る高透磁率層の表面に過度に深い孔が形成されない。このため、高透磁率層上にフォトレジスト膜より成る微細なパターンを形成することができる。従って、本発明によれば、巻線のピッチが極めて狭い信頼性の高いインダクタを形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本願発明者らは、上述した課題を解決すべく鋭意検討した結果、樹脂層の表層部をダイヤモンドより成るバイトにより切削することにより、デスミア処理を行うことなく、樹脂層の表面を適度な粗さに設定すること想到した。
【００２３】
図１は、樹脂層の表層部をバイトにより切削する場合を示す側面図である。
【００２４】
図１（ａ）に示すように、比較的小さい切り込み量で樹脂層（加工前の樹脂フィルム）１０の表層部をバイト１２により切削した場合には、切削面に加わる力が比較的小さいため、樹脂層１０の表面における粗さは極めて小さくなる。なお、切り込み量とは、切削を行う際における１回当たりのバイトの切り込みの深さのことである。
【００２５】
これに対し、図１（ｂ）に示すように、比較的大きい切り込み量で樹脂層１０の表層部を切削した場合には、切削面に加わる力が比較的大きいため、樹脂層１０の表面に適度な粗さの凹凸１４が形成される。
【００２６】
このように、バイト１２により切削条件を適宜設定することにより、樹脂層１０の表面の粗さを適度な粗さにすることが可能であるため、デスミア処理を行うことなく、樹脂層１０上に良好な密着性を有するめっき膜を形成することが可能となる。しかも、樹脂層１０の表面をバイト１２により切削する場合には、樹脂層１０の表面をデスミア処理する場合のような深い孔が樹脂層１０表面に形成されることはないため、樹脂層１０上にフォトレジスト膜より成る微細なパターンを形成することが可能となる。このため、本発明によれば、めっき膜より成る配線を狭いピッチで形成することが可能となる。
【００２７】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態によるめっき方法及びそのめっき方法を用いた半導体装置の製造方法を、図２乃至図１３及び図２９を用いて説明する。図２乃至図１２は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図である。図２乃至図６及び図８乃至図１２は断面図であり、図７は平面図である。
【００２８】
まず、図２（ａ）に示すように、半導体基板１６を用意する。半導体基板１６としては、例えばシリコンウェハを用いる。半導体基板１６には、トランジスタ（図示せず）等が形成されている。トランジスタが形成された半導体基板１６上には、例えばシリコン酸化膜より成る層間絶縁膜１８が形成されている。層間絶縁膜１８は、例えばＣＶＤ法により形成されたものである。層間絶縁膜１８は、半導体基板１６上に多数形成されているが、図２（ａ）においては１層のみ示している。層間絶縁膜１８には、導体プラグ２０が埋め込まれている。導体プラグ２０は、例えばトランジスタのソース／ドレイン拡散層（図示せず）やゲート電極（図示せず）等に電気的に接続されている。
【００２９】
半導体基板１６のＴＴＶ（Total Thickness Variation）は、例えば５μｍとなっている。ＴＴＶとは、ウェハの平坦度を示すものであり、ウェハ全面におけるウェハの厚さの最大値ｄｍａｘと最小値ｄｍｉｎとの差のことである。
【００３０】
次に、図２（ｂ）に示すように、全面に、例えばスパッタ法により、膜厚５００ｎｍの銅又はニッケルより成るシード層２２を形成する。
【００３１】
次に、図３（ａ）に示すように、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜２４を形成する。
【００３２】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、シード層２２に達する開口部２６をフォトレジスト膜２４に形成する。開口部２６は、配線２８（図３（ｂ）参照）を形成するためのものである。
【００３３】
次に、図３（ｂ）に示すように、電気めっき法により、開口部２６内にＣｕより成る配線２８を形成する。この後、フォトレジスト膜２４を剥離する（図４（ａ）参照）。
【００３４】
次に、図４（ｂ）に示すように、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜３０を形成する。
【００３５】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、配線２８に達する開口部３２をフォトレジスト膜３０に形成する。開口部３２は、導体プラグ３４（図５（ａ）参照）を形成するためのものである。
【００３６】
次に、図５（ａ）に示すように、電気めっき法により、開口部３２内にＣｕより成る導体プラグ３４を形成する。この後、フォトレジスト膜３０を剥離する。
【００３７】
次に、図５（ｂ）に示すように、導体プラグ３４の周囲に表出している部分のシード層２２をウエットエッチングにより除去する。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層２２をエッチング除去する際には、配線２８や導体プラグ３４の表面も若干エッチングされる。但し、シード層２２の厚さは、配線２８や導体プラグ３４のサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることが可能である。このため、シード層２２をエッチングする際に、配線２８や導体プラグ３４が過度にエッチングされてしまうことはない。
【００３８】
次に、半導体基板１６上に樹脂フィルム８を載置する。樹脂フィルム８としては、味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルム（商品名：味の素ビルドアップフィルム、ＡＢＦ）を用いる。味の素ビルドアップフィルムは、エポキシ樹脂よりなる基材中にシリカより成る無機フィラーを混合した樹脂フィルムである。樹脂フィルム８の厚さは、３０μｍとする。
【００３９】
なお、樹脂フィルムとしては、上記の他に、株式会社クラレ製の液晶ポリマーフィルム（商品名：ベクスター）、或いは帝人デュポンフィルム株式会社のポリエチレンナフタレートフィルム（商品名：テオネックス(R) PENフィルム）が適用可能である。
【００４０】
なお、ここでは、樹脂フィルム８の厚さを３０μｍとする場合を例に説明したが、樹脂フィルム８の厚さは３０μｍに限定されるものではない。但し、半導体基板１６のＴＴＶより薄い樹脂フィルム８を用いた場合には、樹脂フィルム８の一部に切削されない箇所が生じてしまうため、樹脂フィルム８の厚さは少なくとも半導体基板１６のＴＴＶより大きいことが必要である。
【００４１】
次に、真空プレス装置を用いて、層間絶縁膜１８等が形成された半導体基板１６上に樹脂フィルム８を貼り付ける（図６（ａ）参照）。真空プレスを行う際の条件は、例えば１００℃、１ＭＰａとする。こうして、半導体基板１６上に樹脂フィルム８が形成される。
【００４２】
次に、熱処理を行うことにより、樹脂フィルム８を硬化させる。熱処理条件は、例えば、１７０℃、１時間とする。こうして、半導体基板１６上に樹脂フィルム８より成る樹脂層１０が形成される。
【００４３】
次に、半導体基板１６をチャックテーブル（図示せず）上に真空吸着により固定する。チャックテーブルとは、ウェハ等を加工する際に、ウェハ等を固定するための台のことである。半導体基板１６をチャックテーブル上に固定する際には、半導体基板１６の裏面側、即ち、樹脂層１０が形成されていない側の面をチャックテーブルに固定する。なお、半導体基板１６をチャックテーブル上に固定する際には、ピンチャックを用いることが好ましい。
【００４４】
次に、半導体基板１６を回転させながら、ダイヤモンドより成るバイト１２を用いて、樹脂層１０の厚さが１０μｍ程度になるまで、樹脂層１０の表層部及び導体プラグ３４の上部を切削する（図１（ｂ）及び図６（ｂ）参照）。
【００４５】
樹脂層１０の表層部等を切削する際の条件は、例えば以下の通りとする。
【００４６】
バイト１２のすくい角を０度とする。なお、すくい角とは、被切削物の切削面に対して垂直な面と、工具刃先の進行方向の前面（すくい面）とのなす角度のことである。一般に、すくい角が大きくなる程切れ具合は良くなるが、その反面で刃先へのダメージが大きくなり刃先の寿命が短くなる傾向がある。すくい角としては、０度〜３０度の設定であれば適用可能であるが、本実施形態では、切削の対象が比較的柔らかい樹脂材料であるため、すくい角を上記のような値とした。
【００４７】
チャックテーブルの回転数は、例えば１０００ｒｐｍ程度とする。このような回転数に設定すると、回転半径が５ｃｍ程度の際には、切削速度が５ｍ／秒程度となる。バイト１２の切り込み量は、例えば５μｍ程度とする。なお、切り込み量とは、上述したように、切削を行う際におけるバイトの切り込み深さのことである。バイト１２の送りは、例えば５０μｍ／秒とする。なお、送りとは、切削を行う際にチャックテーブルの半径方向、即ち、チャックテーブルにおける外縁の一点と回転中心とを結ぶ方向にバイトを進めていく速度のことである。
【００４８】
このような条件で樹脂層１０の表層部を切削すると、切削後の樹脂層１０ａ（以下、切削後の樹脂層を樹脂層１０ａと表示し、切削前の樹脂層１０と区別する。）の表面における十点平均粗さＲｚは、例えば１〜２μｍ程度となる。一方、導体プラグの表面における十点平均粗さＲｚは、例えば５〜１５ｎｍ程度となる。
【００４９】
十点平均粗さＲｚとは、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さだけ抜き取り、この抜き取り部分の平均線から縦倍率の方向に測定した、最も高い山頂から５番目までの山頂の標高の絶対値の平均値と、最も低い谷底から５番目までの谷底の標高の絶対値の平均値との和を求め、マイクロメートル（μｍ）で表したもののことである（ＪＩＳ Ｂ ０６０１−１９９４参照）。即ち、十点平均粗さＲｚとは、粗さ曲線で最高の山頂から高い順に５番目までの山高さの平均と、最深の谷底から深い順に５番目までの谷深さの平均との和のことである。
【００５０】
図７は、樹脂層及び導体プラグの表面をバイトにより切削した場合を示す図である。図７（ａ）は光学顕微鏡写真を示す図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）の模式図である。
【００５１】
図７から分かるように、樹脂層１０ａの表面には適度な凹凸がほぼ均等に形成されている。一方、導体プラグ３４の上部は、鏡面状態となっている。
【００５２】
樹脂層１０の表層部の切削が終了した後においては、半導体基板１６の裏面から樹脂層１０ａの表面までの厚さのＴＴＶは１μｍ以下となる。ＴＴＶの値は小さければ小さい程望ましいが、１μｍ以下であれば特に問題は無い。
【００５３】
なお、ここでは、樹脂層１０ａの表面における十点平均粗さＲｚを１〜２μｍ程度とする場合を例に説明したが、樹脂層１０ａの表面における十点平均粗さＲｚは１〜２μｍ程度に限定されるものではない。
【００５４】
図２９は、樹脂層の表面における十点平均粗さと、めっき膜の引っ張り強度と、短絡を招くことなく形成可能な配線のギャップの最小値との関係を示すグラフである。図２９において、横軸は樹脂層の表面における十点平均粗さを示しており、左側の縦軸はめっき膜の引っ張り強度を示しており、右側の縦軸は短絡を招くことなく形成可能な配線のギャップの最小値を示している。
【００５５】
配線が容易に剥がれないようにするためには、配線の引っ張り強度は少なくとも０．２ｋｇ／ｃｍ２程度は必要である。図２９に示すように、樹脂層１０ａの表面における十点平均粗さＲｚが０．５μｍ以上であれば、０．２ｋｇ／ｃｍ２以上の引っ張り強度を確保することが可能であり、樹脂層１０ａとめっき膜との密着性を十分に確保することが可能である。一方、樹脂層１０ａの表面における十点平均粗さＲｚを０．５μｍ未満とした場合には、配線の引っ張り強度は著しく低くなる。樹脂層１０ａの表面の凹部１４の深さが浅すぎて、シード層３６及びめっき膜４４が樹脂層１０中に十分に食い込まず、十分なアンカー効果が得られないためである。従って、樹脂層１０ａの表面における十点平均粗さＲｚを０．５μｍ以上とすることが望ましい。
【００５６】
また、樹脂層１０ａの表面における十点平均粗さＲｚが５μｍ以下であれば、樹脂層１０ａ上に形成したフォトレジスト膜を微細にパターニングすることが可能であり、極めて狭いピッチでめっき膜より成る配線を形成することが可能である。図２９に示すように、十点平均粗さＲｚが５μｍ以下であれば、短絡を招くことなく配線間ギャップを１５μｍ以下にまで狭めることが可能である。また、半導体装置の高集積化を図るためには樹脂層１０ａの厚さを１０μｍ程度にまで薄くすることが望ましいが、樹脂層１０ａの表面における十点平均粗さＲｚを５μｍより大きくした場合には、樹脂層１０ａに埋め込まれた下層側の配線２２と樹脂層１０ａ上に形成される上層側の配線４４（図１０（ａ）参照）とが短絡してしまう虞がある。また、樹脂層１０ａの表面における十点平均粗さＲｚが５μｍ以上になるように切削を行うことは、必ずしも容易ではない。従って、樹脂層１０ａの表面における十点平均粗さＲｚを５μｍ以下とすることが望ましい。
【００５７】
このような理由により、樹脂層１０ａの表面における十点平均粗さＲｚが０．５〜５μｍとなるように、樹脂層１０の表層部を切削することが望ましい。なお、樹脂層１０の表層部を切削する際の条件を適宜設定することにより、樹脂層１０ａの表面を所望の粗さに設定することが可能である。
【００５８】
また、樹脂層１０の材料として樹脂より成る基材中にフィラーを混入させた樹脂フィルムを用いる場合には、樹脂層１０の表層部を切削する際に、樹脂層１０中からフィラー（図示せず）が掘り出され、フィラーが掘り出された部分に孔が形成される場合がある。しかし、フィラーの直径は２〜５μｍと比較的小さいため、過度に深い孔が樹脂層１０ａの表面に形成されることはなく、特段の問題はない。
【００５９】
こうして、樹脂層１０ａの表面に適度な粗さの凹凸１４が形成される（図８（ａ）参照）。
【００６０】
なお、ここでは、エポキシ系の樹脂より成る基材中に無機フィラーを含有させた樹脂フィルム８を用いる場合を例に説明したが、フィラーの材料は無機系の材料に限定されるものではなく、有機系の材料を用いてもよい。例えば、エポキシ系の樹脂より成る基材中にゴム系の有機フィラーを含有させた樹脂フィルムを用いてもよい。
【００６１】
図１３は、エポキシ系の樹脂より成る基材中にゴム系フィラーを含有させた樹脂フィルムをバイトにより切削した場合を示す図である。図１３（ａ）は光学顕微鏡写真を示す図であり、図１３（ｂ）は図１３（ａ）の模式図である。
【００６２】
図１３から分かるように、フィラーの材料としてゴム系の材料を用いた場合にも、樹脂層１０ｂの表面には適度な凹凸１４ａが形成される。一方、導体プラグ３４の上部は、鏡面状態となる。
【００６３】
このように、樹脂より成る基材中に含有させるフィラーの材料として、有機系の材料を用いてもよい。
【００６４】
また、ここでは、半導体基板１６を回転させながらバイト１２を一方向に直進させることにより切削処理を行う場合を例に説明したが、半導体基板１６を一方向に直進させながら、バイト１２を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させることにより切削処理を行うことも可能である（図示せず）。
【００６５】
次に、無電解めっき法により、樹脂層１０ａ上に、銅又はニッケルより成るシード層３６（図８（ｃ）及び図９（ａ）参照）を形成する。シード層３６は、例えば以下のようにして形成する。
【００６６】
まず、コンディショニング装置を用いて、樹脂層１０ａのコンディショニングを行う。コンディショニングとは、樹脂層１０ａの表面から汚れを除去するとともに、樹脂層１０ａの表面を触媒が付着しやすい状態にする薬液処理のことである。コンディショニング装置としては、例えば、テクラン社製のコンディショニング装置（型番：３３２０）を用いる。コンディショニングを行う際の温度は、例えば５０℃とする。コンディショニング時間は、例えば５分間とする。この後、樹脂層１０ａの表面を水洗する。
【００６７】
次に、図８（ｂ）に示すように、無電解めっき膜を形成する際に核となる触媒３８を、樹脂層１０ａ表面に付着させる。
【００６８】
具体的には、前処理用の薬液に樹脂層１０ａを浸漬した後、前処理用の薬液を水洗することなく、樹脂層１０ａをキャタリスト液に浸漬する。前処理用の薬液としては、例えば、シプレイ・ファーイースト株式会社製の前処理用の薬液（型番：Cataprep 404）を用いる。樹脂層１０ａを浸漬する際における前処理用の薬液の温度は、例えば室温とする。前処理用の薬液に樹脂層１０ａを浸漬する時間は、９０秒とする。キャタリスト液としては、Ｐｄ−Ｓｎ錯体を含む溶液を用いる。例えば、シプレイ・ファーイースト株式会社製のキャタリスト液（型番：Cataposit 44）を用いる。樹脂層１０ａを浸漬する際におけるキャタリスト液の温度は、例えば５５℃とする。樹脂層１０ａをキャタリスト液に浸漬する時間は、例えば３分とする。こうして、樹脂層１０ａの表面にＰｄ−Ｓｎ化合物が付着した状態となる。この後、樹脂層１０ａの表面を水洗する。この後、アクセレレータ（加速）処理を行う。具体的には、樹脂層１０ａを促進剤に浸漬する。これにより、スズ塩が溶解し、酸化還元反応により金属パラジウムより成る触媒３８が生成される。促進剤としては、シプレイ・ファーイースト株式会社製の促進剤（型番：Acceleator 19E）を用いる。
【００６９】
こうして、無電解めっき膜を形成する際に核となる触媒３８が樹脂層１０ａ表面に付着する。
【００７０】
次に、無電解めっき液に樹脂層１０ａを浸漬する。無電解めっき液としては、例えば、シプレイ・ファーイースト株式会社製の無電解めっき液（型番：Cuposit 328）を用いる。これにより、無電解めっき液中の還元剤が触媒（パラジウム）３８表面で酸化されるときに放出される電子によって、銅イオンが還元され、銅より成る無電解めっき膜３６が形成される。
【００７１】
こうして、例えば膜厚０．３〜０．５μｍの無電解めっき膜より成るシード層３６が形成される。
【００７２】
表面に凹部が形成された樹脂層１０ａ上に比較的薄いシード層３６を形成するため、シード層３６のうちの凹部１４内に形成された部分が、凹部１４内において確実に固定される。このため、シード層３６と樹脂層１０ａとの密着性が十分に確保される。
【００７３】
次に、図９（ｂ）に示すように、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜４０を形成する。
【００７４】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、シード層３６に達する開口部４２をフォトレジスト膜４０に形成する。開口部４２は、配線４４（図８（ａ）参照）を形成するためのものである。樹脂層１０ａの表面に過度に深い孔が形成されていないため、シード層３６の表面にも過度に深い凹部は形成されていない。このため、フォトレジスト膜４０を微細にパターニングする場合であっても、フォトレジスト膜４０より成る良好なパターンを形成することができる。
【００７５】
次に、図１０（ａ）に示すように、電気めっき法により、フォトレジスト膜４０の開口部４２内のシード層３６上にＣｕより成る配線４４を形成する。上述したように、フォトレジスト膜を微細にパターニングした場合であっても良好なパターンが形成されているため、非常に狭いピッチで配線４４を形成することが可能である。シード層３６と樹脂層１０ａとの密着性が十分に確保されているため、配線４４はシード層３６を介して樹脂層１０ａに確実に固定される。
【００７６】
この後、図１０（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜４０を剥離する。
【００７７】
次に、スピンコート法により、配線４４が形成された樹脂層１０ａ上の全面に、フォトレジスト膜４６を形成する。
【００７８】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、図１１（ａ）に示すように、フォトレジスト膜４６に配線４４に達する開口部４８を形成する。開口部４８は、導体プラグ５０（図１１（ｂ）参照）を形成するためのものである。
【００７９】
次に、図１１（ｂ）に示すように、電気めっき法により、開口部４８内にＣｕより成る導体プラグ５０を形成する。この後、フォトレジスト膜４６を剥離する。
【００８０】
次に、図１２（ａ）に示すように、配線４４の周囲に表出しているシード層３６をウエットエッチングにより除去する。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層３６をエッチング除去する際には、配線４４や導体プラグ４８の表面も若干エッチングされる。但し、シード層３６の厚さは、配線４４や導体プラグ４８のサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることが可能である。このため、シード層３６をエッチングする際に、配線４４や導体プラグ４８が過度にエッチングされてしまうことはない。
【００８１】
次に、樹脂フィルム５１を用意する。樹脂フィルム５１は、上述した樹脂フィルム８と同様の樹脂フィルム（味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルムＡＢＦ）を用いる。
【００８２】
次に、真空プレス装置を用いて、樹脂フィルム５１を樹脂層１０ａ上に貼り付ける（図１２（ｂ）参照）。真空プレスを行う際の条件は、樹脂フィルム８を真空プレスする際の条件と同様に、例えば１００℃、１ＭＰａとする。こうして、配線４４及び導体プラグ５０等が形成された樹脂層１０ａ上に、樹脂フィルム５１が形成される。
【００８３】
次に、熱処理を行うことにより、樹脂フィルム５１を硬化させる。熱処理条件は、樹脂フィルム８を硬化させる際の上述した条件と同様に、例えば、１７０℃、１時間とする。こうして、配線４４及び導体プラグ５０等が形成された樹脂層１０ａ上に、樹脂フィルム５１より成る樹脂層５２が形成される。
【００８４】
次に、樹脂層５２の表層部を切削する。樹脂層５２の表層部を切削する際の条件は、例えば、樹脂層１０の表層部を切削する際の条件と同様とする。即ち、バイト１２のすくい角を、０度とする。チャックテーブルの回転数は、例えば１０００ｒｐｍ程度とする。このような回転数に設定すると、回転半径が５ｃｍ程度の際には、切削速度が５ｍ／秒程度となる。バイト１２の切り込み量は、例えば５μｍ程度とする。バイト１２の送りは、例えば５０μｍ／秒とする。このような条件で切削を行うと、樹脂層５２の表面には、適度な凹凸５３が形成される。こうして、樹脂層５２の表面における十点平均粗さＲｚが、例えば１〜２μｍ程度となる。
【００８５】
なお、ここでは、樹脂層５２の表面における十点平均粗さＲｚを１〜２μｍ程度とする場合を例に説明したが、樹脂層５２の表面における十点平均粗さＲｚは１〜２μｍ程度に限定されるものではない。樹脂層５２の表面における十点平均粗さＲｚが例えば０．５〜５μｍとなるように、樹脂層５２の表層部を切削すればよい。
【００８６】
また、ここでは、半導体基板１６を回転させながらバイト１２を一方向に直進させることにより切削処理を行う場合を例に説明したが、半導体基板１６を一方向に直進させながら、バイト１２を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させることにより切削処理を行うことも可能である（図示せず）。
【００８７】
次に、無電解めっき法により、樹脂層５２上及び導体プラグ５０上にシード層（図示せず）を形成する。シード層の形成方法は、例えば上述したシード層３６の形成方法と同様とする。即ち、コンディショニング、樹脂層表面への触媒の付着等を行った後、無電解めっき法によりシード層を形成する。
【００８８】
次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【００８９】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜にシード層に達する開口部（図示せず）を形成する。
【００９０】
次に、電気めっき法により、フォトレジスト膜の開口部内にＣｕより成る配線５４を形成する。この後、フォトレジスト膜を剥離する。
【００９１】
次に、配線５４の周囲に表出しているシード層をウエットエッチングにより除去する。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層をエッチング除去する際には、配線５４の表面も若干エッチングされる。但し、シード層の厚さは、配線５４のサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることが可能である。このため、シード層をエッチングする際に、配線５４が過度にエッチングされてしまうことはない。
【００９２】
この後、樹脂層と金属配線層とを更に積層するようにしてもよい。
【００９３】
こうして、本実施形態によるめっき方法を用いて、本実施形態による半導体装置が製造される。
【００９４】
本実施形態によるめっき方法及び半導体装置の製造方法は、樹脂層の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、樹脂層の表層部をバイトにより切削することに主な特徴がある。
【００９５】
従来のめっき方法では、上述したように、樹脂層の表面をデスミア処理により粗くしていた。樹脂層の表面をデスミア処理により粗くした場合には、上述したように、十数μｍ程度の孔が形成されてしまう場合があった。十数μｍの孔が形成された樹脂層上には、フォトレジスト膜より成る微細なパターンを形成するのは困難であった。このため、めっき膜より成る配線を、短絡等を招くことなく、極めて狭いピッチで樹脂層上に形成するのは困難であった。
【００９６】
これに対し、本実施形態では、樹脂層の表層部をバイトにより切削することにより、樹脂層の表面を適度な粗さに設定する。本実施形態によれば、樹脂層の表面を適度な粗さにすることができるため、シード層と樹脂層との密着性を十分に確保することができる。また、デスミア処理を行った場合のような過度に深い穴が樹脂層表面に生ずることがないため、樹脂層上にフォトレジスト膜より成る微細なパターンを形成することが可能となる。従って、本実施形態によれば、高い信頼性を確保しつつ、樹脂層上に極めて狭いピッチでめっき膜より成る配線等を形成することができる。
【００９７】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態による回路基板の製造方法を図１４乃至図２３を用いて説明する。図１４乃至図２３は、本実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図である。図１乃至図１２に示す第１実施形態によるめっき方法及び半導体装置の製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【００９８】
本実施形態による回路基板の製造方法は、樹脂シートを用いてキャパシタの誘電体膜を形成し、樹脂シートより成る誘電体膜の表層部をバイトにより切削することに主な特徴がある。
【００９９】
まず、図１４（ａ）に示すように、コア層５６を用意する。コア層５６は、例えば以下のような構成になっている。即ち、例えばエポキシ樹脂より成る支持基板５８の上面及び下面には、配線６０等が形成されている。配線６０等が形成された支持基板５８の上面側及び下面側には、例えばエポキシ樹脂より成る絶縁層６２がそれぞれ形成されている。支持基板５８及び絶縁層６２には、貫通孔６４が形成されている。貫通孔６４内には、導電膜６６が形成されている。また、絶縁層６２上にも、導電膜６６が形成されている。導電膜６６が形成された貫通孔６４内には、ビア６８が埋め込まれている。ビア６８上、導電膜６６上には、導電膜７０が形成されている。導電膜６６及び導電膜７０により、配線が構成されている。
【０１００】
次に、エポキシ樹脂より成る樹脂フィルムをコア層５６上に載置する。かかる樹脂フィルムは、樹脂層７２（図１４（ｂ）参照）を形成するためのものである。樹脂フィルムとしては、味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルムＡＢＦを用いる。樹脂フィルムの厚さは６０μｍとする。
【０１０１】
次に、真空プレス装置を用いて、樹脂フィルムをコア層５６に貼り付ける。樹脂フィルムを真空プレスする際の条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルム８を真空プレスする際の条件と同様に、例えば１００℃、１ＭＰａとする。
【０１０２】
次に、熱処理を行うことにより、樹脂フィルムを硬化させる。熱処理条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルム８を硬化させる際の条件と同様に、例えば、１７０℃、１時間とする。こうして、支持基板５８上に樹脂フィルムより成る樹脂層（絶縁層）７２が形成される（図１４（ｂ）参照）。
【０１０３】
次に、樹脂層７２の表層部をバイトを用いて切削する。樹脂層７２の表層部を切削する際の条件は、樹脂層１０の表層部を切削する際の上述した条件と同様とする。即ち、バイト１２のすくい角を、０度とする。チャックテーブルの回転数は、例えば１０００ｒｐｍ程度とする。このような回転数に設定すると、回転半径が５ｃｍ程度の際には、切削速度が５ｍ／秒程度となる。バイト１２の切り込み量は、例えば５μｍ程度とする。バイト１２の送りは、例えば５０μｍ／秒とする。このような条件で切削を行うと、樹脂層７２の表面における十点平均粗さＲｚは、例えば１〜２μｍ程度となる。
【０１０４】
なお、ここでは、樹脂層７２の表面における十点平均粗さＲｚを１〜２μｍ程度とする場合を例に説明したが、樹脂層７２の表面における十点平均粗さＲｚは１〜２μｍ程度に限定されるものではない。樹脂層７２の表面における十点平均粗さＲｚが例えば０．５〜５μｍとなるように、樹脂層７２の表層部を切削すればよい。
【０１０５】
また、ここでは、支持基板５８を回転させながらバイト１２を一方向に直進させることにより切削処理を行う場合を例に説明したが、支持基板５８を一方向に直進させながら、バイト１２を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させることにより切削処理を行うことも可能である（図示せず）。
【０１０６】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、配線７０に達するコンタクトホール７４を樹脂層７２に形成する。
【０１０７】
次に、全面に、無電解めっき法により、銅又はニッケルより成るシード層（図示せず）を形成する。シード層の形成方法は、例えば第１実施形態において記載したシード層３６の形成方法と同様とする。即ち、コンディショニング、樹脂層表面への触媒の付着等を行った後、無電解めっき法によりシード層を形成する。
【０１０８】
次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【０１０９】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜にシード層に達する開口部（図示せず）を形成する。開口部は、配線７６を形成するためのものである。
【０１１０】
次に、電気めっき法により、フォトレジスト膜の開口部内にＣｕより成る配線７６を形成する。この後、フォトレジスト膜を剥離する。
【０１１１】
次に、配線７６の周囲に表出している部分のシード層をウエットエッチングにより除去する（図１５（ａ）参照）。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層をエッチング除去する際には、配線７６の表面も若干エッチングされる。但し、シード層の厚さは、配線７６のサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることが可能である。このため、シード層をエッチングする際に、配線７６が過度にエッチングされてしまうことはない。
【０１１２】
次に、真空プレス装置を用いて、樹脂フィルムを支持基板５８に貼り付ける。かかる樹脂フィルムは、樹脂層７８を形成するためのものである。樹脂フィルムとしては、味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルムＡＢＦを用いる。樹脂フィルムの厚さは６０μｍとする。真空プレスを行う際の条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルム８を真空プレスする際の条件と同様に、例えば１００℃、１ＭＰａとする。
【０１１３】
次に、熱処理を行うことにより、樹脂フィルムを硬化させる。熱処理条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルム８を硬化させる際の条件と同様に、例えば、１７０℃、１時間とする。こうして、支持基板５８上に樹脂フィルムより成る樹脂層（絶縁層）７８が形成される（図１５（ｂ）参照）。
【０１１４】
次に、樹脂層７８の表層部をバイトを用いて切削する。樹脂層７８の表層部を切削する際の条件は、樹脂層１０の表層部を切削する際の上述した条件と同様とする。即ち、バイト１２のすくい角を、０度とする。チャックテーブルの回転数は、例えば１０００ｒｐｍ程度とする。このような回転数に設定すると、回転半径が５ｃｍ程度の際には、切削速度が５ｍ／秒程度となる。バイト１２の切り込み量は、例えば５μｍ程度とする。バイト１２の送りは、例えば５０μｍ／秒とする。このような条件で切削を行うと、樹脂層７８の表面における十点平均粗さＲｚは、例えば１〜２μｍ程度となる。
【０１１５】
なお、ここでは、樹脂層７８の表面における十点平均粗さＲｚを１〜２μｍ程度とする場合を例に説明したが、樹脂層７８の表面における十点平均粗さＲｚは１〜２μｍ程度に限定されるものではない。樹脂層７８の表面における十点平均粗さＲｚが例えば０．５〜５μｍとなるように、樹脂層７８の表層部を切削すればよい。
【０１１６】
また、ここでは、支持基板５８を回転させながらバイト１２を一方向に直進させることにより切削処理を行う場合を例に説明したが、支持基板５８を一方向に直進させながら、バイト１２を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させることにより切削処理を行うことも可能である（図示せず）。
【０１１７】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、配線７６に達するコンタクトホール８０を樹脂層７８に形成する。
【０１１８】
次に、全面に、無電解めっき法により、銅又はニッケルより成るシード層（図示せず）を形成する。シード層の形成方法は、例えば第１実施形態において記載したシード層３６の形成方法と同様とする。即ち、コンディショニング、樹脂層表面への触媒の付着等を行った後、無電解めっき法によりシード層を形成する。
【０１１９】
次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【０１２０】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、シード層に達する開口部（図示せず）を形成する。開口部は、キャパシタの下部電極８２を形成するためのものである。
【０１２１】
次に、電気めっき法により、開口部内にＣｕより成る下部電極８２を形成する。この後、フォトレジスト膜を剥離する。
【０１２２】
次に、下部電極８２の周囲に表出している部分のシード層をウエットエッチングにより除去する（図１６（ａ）参照）。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層をエッチング除去する際には、下部電極８２の表面も若干エッチングされる。但し、シード層の厚さは、下部電極８２のサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることが可能である。このため、シード層をエッチングする際に、下部電極８２が過度にエッチングされてしまうことはない。
【０１２３】
次に、樹脂フィルム８３を用意する。かかる樹脂フィルム８３は、樹脂層８４を形成するためのものである。樹脂フィルム８３としては、エポキシ系の樹脂より成る基材中に、樹脂より比誘電率の高い高誘電体より成るフィラーを混合した樹脂フィルムを用いる。高誘電体より成るフィラーは、例えばＢａＴｉＯ３より成るものである。なお、基材として用いられる樹脂の比誘電率は、３〜５程度である。樹脂フィルム８３の厚さは６０μｍとする。
【０１２４】
なお、ここでは、高誘電体より成るフィラーとして、ＢａＴｉＯ３を用いる場合を例に説明したが、高誘電体より成るフィラーは、ＢａＴｉＯ３に限定されるものではない。基材として用いられる樹脂より比誘電率の高い材料を、フィラーの材料として適宜用いることができる。例えば、フィラーとして、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＺｎＴｉＯ３、ＰｂＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＰｂＺｒＯ３、ＢａＸＳｒ１−ＸＴｉＯ３、ＢａＴｉＸＺｒ１−ＸＯ３、ＰｂＺｒＸＴｉ１−ＸＯ３、ＰｂＸＬａ１−ＸＺｒＹＴｉ１−ＹＯ３、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７又はＮｄ２Ｔｉ２Ｏ７等の高誘電体を適宜用いてもよい。また、フィラーとして、これらの混合物を用いてもよい。
【０１２５】
次に、図１６（ｂ）に示すように、真空プレス装置を用いて、樹脂フィルム８３を支持基板５８上に貼り付ける。真空プレスを行う際の条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルム８を真空プレスする際の条件と同様に、例えば１００℃、１ＭＰａとする。こうして、支持基板５８上に樹脂フィルム８３が形成される。
【０１２６】
次に、熱処理を行うことにより、樹脂フィルム８３を硬化させる。熱処理条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルム８を硬化させる際の条件と同様に、例えば、１７０℃、１時間とする。この熱処理は、樹脂フィルム８３自体を硬化させるための熱処理である。従って、樹脂フィルム８を硬化させる際の上述した条件と同様の条件で熱処理を行えばよい。こうして、支持基板５８上に樹脂フィルム８３より成る樹脂層（誘電体膜）８４が形成される。
【０１２７】
次に、図１７に示すように、樹脂層８４の表層部をバイト１２を用いて切削する。樹脂層８４の表層部を切削する際の条件は、例えば樹脂層１０の表層部を切削する際の上述した条件と同様とする。即ち、バイト１２のすくい角を、０度とする。チャックテーブルの回転数は、例えば１０００ｒｐｍ程度とする。このような回転数に設定すると、回転半径が５ｃｍ程度の際には、切削速度が５ｍ／秒程度となる。バイト１２の切り込み量は、例えば５μｍ程度とする。バイト１２の送りは、例えば５０μｍ／秒とする。このような条件で切削を行うと、表層部を切削した後における樹脂層８４ａの表面における十点平均粗さＲｚは、例えば１〜２μｍ程度となる。樹脂層８４の表層部を切削する際の条件を適宜設定することにより、切削後の樹脂層８４ａの表面を所望の粗さに設定することが可能である。樹脂層８４の表層部を切削する際には、下部電極８２上に存在する樹脂層８４の厚さが例えば４μｍになるまで、樹脂層８４の表層部を切削する。こうして、図１７に示すように、膜厚が例えば４μｍの樹脂層より成る誘電体膜８４ａが形成される。
【０１２８】
なお、ここでは、樹脂層８４ａの表面における十点平均粗さＲｚを１〜２μｍ程度とする場合を例に説明したが、樹脂層８４ａの表面における十点平均粗さＲｚは１〜２μｍ程度に限定されるものではない。樹脂層８４ａの表面における十点平均粗さＲｚが例えば０．５〜５μｍとなるように、樹脂層８４の表層部を切削すればよい。
【０１２９】
また、ここでは、下部電極８２上に存在する樹脂層８４の厚さが例えば４μｍになるまで、樹脂層８４の表層部を切削する場合を例に説明したが、切削後の樹脂層８４の厚さは４μｍに限定されるものではない。但し、静電容量が十分に大きいキャパシタ９２（図２０（ａ）参照）を形成するためには、下部電極８２上に存在する樹脂層８４の厚さをある程度まで薄くすることが必要である。下部電極８２上に存在する樹脂層８４の厚さが５μｍ以下であれば、静電容量の比較的大きいキャパシタ９２を得ることが可能である。従って、下部電極８２上に存在する樹脂層８４の厚さが５μｍ以下となるまで、樹脂層８４の表層部を切削することが好ましい。
【０１３０】
また、ここでは、支持基板５８を回転させながらバイト１２を一方向に直進させることにより切削処理を行う場合を例に説明したが、支持基板５８を一方向に直進させながら、バイト１２を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させることにより切削処理を行うことも可能である（図示せず）。
【０１３１】
図１８（ａ）は、図１８（ｂ）の円Ｓ内を拡大して表した図である。
図１８（ａ）に示すように、樹脂層８４ａの表面には、凹凸１４が形成されている。
【０１３２】
次に、図１９に示すように、全面に、無電解めっき法により、銅又はニッケルより成るシード層８８を形成する。シード層８８の形成方法は、例えば第１実施形態において記載したシード層３６の形成方法と同様とする。即ち、コンディショニング、樹脂層表面への触媒の付着等を行った後、無電解めっき法によりシード層８８を形成する。なお、図１９（ａ）は、図１９（ｂ）の円Ｓ内を拡大して表した図である。
【０１３３】
次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【０１３４】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜にシード層に達する開口部（図示せず）を形成する。開口部は、上部電極９０を形成するためのものである。
【０１３５】
次に、電気めっき法により、フォトレジスト膜の開口部内にＣｕより成る上部電極９０を形成する。この後、フォトレジスト膜を剥離する。
【０１３６】
次に、上部電極９０から露出している部分のシード層８８をウエットエッチングにより除去する。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層をエッチング除去する際には、上部電極９０の表面も若干エッチングされる。但し、シード層の厚さは、上部電極９０のサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることが可能である。このため、シード層をエッチングする際に、上部電極９０が過度にエッチングされてしまうことはない。
【０１３７】
こうして、下部電極８２と誘電体膜８４ａと上部電極９０とを有するキャパシタ９２が形成される（図２０（ａ）参照）。
【０１３８】
次に、真空プレス装置を用いて、樹脂フィルムを基板に貼り付ける。かかる樹脂フィルムは、樹脂層９４（図２０（ｂ）参照）を形成するためのものである。樹脂フィルムとしては、味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルムＡＢＦを用いる。樹脂フィルムの厚さは、６０μｍとする。真空プレスを行う際の条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルム８を真空プレスする際の条件と同様に、例えば１００℃、１ＭＰａとする。こうして、支持基板５８上に樹脂フィルムが形成される。
【０１３９】
次に、熱処理を行うことにより、樹脂フィルムを硬化させる。熱処理条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルム８を硬化させる際の条件と同様に、例えば、１７０℃、１時間とする。こうして、支持基板５８上に樹脂フィルムより成る樹脂層９４が形成される（図２０（ｂ）参照）。
【０１４０】
次に、樹脂層９４の表層部をバイトを用いて切削する。樹脂層９４の表層部を切削する際の条件は、樹脂層１０の表層部を切削する際の上述した条件と同様とする。即ち、バイト１２のすくい角を、０度とする。チャックテーブルの回転数は、例えば１０００ｒｐｍ程度とする。このような回転数に設定すると、回転半径が５ｃｍ程度の際には、切削速度が５ｍ／秒程度となる。バイト１２の切り込み量は、例えば５μｍ程度とする。バイト１２の送りは、例えば５０μｍ／秒とする。このような条件で切削を行うと、樹脂層９４の表面における十点平均粗さＲｚは、例えば１〜２μｍ程度となる。
【０１４１】
なお、ここでは、樹脂層９４の表面における十点平均粗さＲｚを１〜２μｍ程度とする場合を例に説明したが、樹脂層９４の表面における十点平均粗さＲｚは１〜２μｍ程度に限定されるものではない。樹脂層９４の表面における十点平均粗さＲｚが例えば０．５〜５μｍとなるように、樹脂層９４の表層部を切削すればよい。
【０１４２】
また、ここでは、支持基板５８を回転させながらバイト１２を一方向に直進させることにより切削処理を行う場合を例に説明したが、支持基板５８を一方向に直進させながら、バイト１２を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させることにより切削処理を行うことも可能である（図示せず）。
【０１４３】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、キャパシタ９２の上部電極９０に達するコンタクトホール９６を樹脂層９４に形成する。
【０１４４】
次に、全面に、無電解めっき法により、銅又はニッケルより成るシード層（図示せず）を形成する。シード層の形成方法は、例えば第１実施形態において記載したシード層３６の形成方法と同様とする。即ち、コンディショニング、樹脂層表面への触媒の付着等を行った後、無電解めっき法によりシード層を形成する。
【０１４５】
次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【０１４６】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、シード層に達する開口部（図示せず）を形成する。開口部は、配線９８を形成するためのものである。
【０１４７】
次に、電気めっき法により、開口部内にＣｕより成る配線９８を形成する。この後、フォトレジスト膜を剥離する。
【０１４８】
次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【０１４９】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜に配線９８に達する開口部（図示せず）を形成する。開口部は、導体プラグ１００を形成するためのものである。
【０１５０】
次に、電気めっき法により、フォトレジスト膜の開口部内にＣｕより成る導体プラグ１００を形成する。この後、フォトレジスト膜を剥離する。
【０１５１】
次に、導体プラグ１００の周囲に表出している部分のシード層をエッチング除去する（図２１（ａ）参照）。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層をエッチング除去する際に、導体プラグ１００の表面も若干エッチングされるが、シード層の厚さは、導体プラグ１００のサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることができ、導体プラグ１００が過度にエッチングされてしまうことはない。
【０１５２】
次に、真空プレス装置を用いて、樹脂フィルムを支持基板５８上に貼り付ける。かかる樹脂フィルムは、樹脂層１０２（図２１（ｂ）参照）を形成するためのものである。樹脂フィルムとしては、味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルムＡＢＦを用いる。真空プレスを行う際の条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルムを真空プレスする際の条件と同様に、例えば１００℃、１ＭＰａとする。こうして、配線９８及び導体プラグ１００が形成された樹脂層９４上に、樹脂フィルムが形成される。
【０１５３】
次に、熱処理を行うことにより、樹脂フィルムを硬化させる。熱処理条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルム８を硬化させる際の条件と同様に、例えば、１７０℃、１時間とする。こうして、配線９８及び導体プラグ１００が形成された樹脂層９４上に、樹脂フィルムより成る樹脂層１０２が形成される（図２１（ｂ）参照）。
【０１５４】
次に、樹脂層１０２の表層部及び導体プラグ１００の上部を、バイト１２により切削する。樹脂層１０２の表層部及び導体プラグ１００の上部を切削する際の条件は、例えば、樹脂層１０の表層部を切削する際の上述した条件と同様とする。即ち、バイト１２のすくい角を、０度とする。チャックテーブルの回転数は、例えば１０００ｒｐｍ程度とする。このような回転数に設定すると、回転半径が５ｃｍ程度の際には、切削速度が５ｍ／秒程度となる。バイト１２の切り込み量は、例えば５μｍ程度とする。バイト１２の送りは、例えば５０μｍ／秒とする。樹脂層１０２の表面における十点平均粗さＲｚは、例えば１〜２μｍ程度となる。導体プラグ１００の表面における十点平均粗さＲｚは、例えば５〜１５ｎｍ程度となる（図２１（ｂ）参照）。
【０１５５】
なお、ここでは、樹脂層１０２の表面における十点平均粗さＲｚを１〜２μｍ程度とする場合を例に説明したが、樹脂層１０２の表面における十点平均粗さＲｚは１〜２μｍ程度に限定されるものではない。樹脂層１０２の表面における十点平均粗さＲｚが例えば０．５〜５μｍとなるように、樹脂層１０２の表層部を切削すればよい。
【０１５６】
また、ここでは、支持基板５８を回転させながらバイト１２を一方向に直進させることにより切削処理を行う場合を例に説明したが、支持基板５８を一方向に直進させながら、バイト１２を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させることにより切削処理を行うことも可能である（図示せず）。
【０１５７】
次に、全面に、無電解めっき法により、銅又はニッケルより成るシード層（図示せず）を形成する。シード層の形成方法は、例えば第１実施形態において記載したシード層３６の形成方法と同様とする。即ち、コンディショニング、樹脂層表面への触媒の付着等を行った後、無電解めっき法によりシード層を形成する。
【０１５８】
次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【０１５９】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、シード層に達する開口部（図示せず）を形成する。開口部は、配線１０４を形成するためのものである。
【０１６０】
次に、電気めっき法により、開口部内にＣｕより成る配線１０４を形成する。この後、フォトレジスト膜を剥離する。
【０１６１】
次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【０１６２】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜に配線１０４に達する開口部（図示せず）を形成する。開口部は、導体プラグ１０６を形成するためのものである。
【０１６３】
次に、電気めっき法により、フォトレジスト膜の開口部内にＣｕより成る導体プラグ１０６を形成する。この後、フォトレジスト膜を剥離する。
【０１６４】
次に、露出している部分のシード層をエッチング除去する（図２２（ａ）参照）。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層をエッチング除去する際に、導体プラグ１０６の表面も若干エッチングされるが、シード層の厚さは、導体プラグ１０６のサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることができ、導体プラグ１０６が過度にエッチングされてしまうことはない。
【０１６５】
次に、真空プレス装置を用いて、樹脂フィルムを支持基板５８上に貼り付ける。かかる樹脂フィルムは樹脂層１０８（図２２（ｂ）参照）を形成するためのものである。樹脂フィルムとしては、味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルムＡＢＦを用いる。真空プレスを行う際の条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルム８を真空プレスする際の条件と同様に、例えば１００℃、１ＭＰａとする。こうして、配線１０４及び導体プラグ１０６が形成された樹脂層１０２上に、樹脂フィルムが形成される。
【０１６６】
次に、熱処理を行うことにより、樹脂フィルムを硬化させる。熱処理条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルム８を硬化させる際の条件と同様に、例えば、１７０℃、１時間とする。こうして、配線１０４及び導体プラグ１０６が形成された樹脂層１０２上に、樹脂フィルムより成る樹脂層１０８が形成される（図２２（ｂ）参照）。
【０１６７】
次に、樹脂層１０８の表層部及び導体プラグ１０６の上部を、バイト１２により切削する。樹脂層１０８の表層部及び導体プラグ１０６の上部を切削する際の条件は、例えば樹脂層１０の表層部を切削する際の上述した条件と同様とする。即ち、バイト１２のすくい角を、０度とする。チャックテーブルの回転数は、例えば１０００ｒｐｍ程度とする。このような回転数に設定すると、回転半径が５ｃｍ程度の際には、切削速度が５ｍ／秒程度となる。バイト１２の切り込み量は、例えば５μｍ程度とする。バイト１２の送りは、例えば５０μｍ／秒とする。このような条件で切削を行うと、樹脂層１０８の表面における十点平均粗さＲｚは、例えば１〜２μｍ程度となる。
【０１６８】
なお、ここでは、樹脂層１０８の表面における十点平均粗さＲｚを１〜２μｍ程度とする場合を例に説明したが、樹脂層１０８の表面における十点平均粗さＲｚは１〜２μｍ程度に限定されるものではない。樹脂層１０８の表面における十点平均粗さＲｚが例えば０．５〜５μｍとなるように、樹脂層１０８の表層部を切削すればよい。
【０１６９】
また、ここでは、支持基板５８を回転させながらバイト１２を一方向に直進させることにより切削処理を行う場合を例に説明したが、支持基板５８を一方向に直進させながら、バイト１２を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させることにより切削処理を行うことも可能である（図示せず）。
【０１７０】
次に、全面に、無電解めっき法により、銅又はニッケルより成るシード層（図示せず）を形成する。シード層の形成方法は、例えば第１実施形態において記載したシード層３６の形成方法と同様とする。即ち、コンディショニング、樹脂層表面への触媒の付着等を行った後、無電解めっき法によりシード層を形成する。
【０１７１】
次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【０１７２】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、シード層に達する開口部（図示せず）を形成する。開口部は、配線１１０を形成するためのものである。
【０１７３】
次に、電気めっき法により、開口部内にＣｕより成る配線１１０を形成する。この後、フォトレジスト膜を剥離する。
【０１７４】
次に、配線１１０の周囲に表出しているシード層をウエットエッチングにより除去する。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層をエッチング除去する際には、配線１１０の表面も若干エッチングされる。但し、シード層の厚さは、配線１１０のサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることが可能である。このため、シード層をエッチングする際に、配線１１０が過度にエッチングされてしまうことはない。
【０１７５】
こうして、本実施形態による回路基板が構成される。かかる状態を、図２３に示す。
【０１７６】
本実施形態による回路基板は、上述したように、樹脂シートを用いてキャパシタの誘電体膜８４を形成し、樹脂シートより成る誘電体膜８４の表層部をバイトにより切削することに主な特徴がある。
【０１７７】
従来の回路基板の製造方法では、樹脂層をデスミア処理する必要があったため、デスミア処理の際に形成される十数μｍの孔によって上部電極と下部電極との絶縁性が損なわれるのを防止すべく、樹脂層の厚さを３０μｍ以上に設定せざるをえなかった。キャパシタの静電容量は誘電体膜の膜厚に反比例するため、静電容量の大きいキャパシタを有する回路基板を製造することが困難であった。
【０１７８】
これに対し、本実施形態では、樹脂シートを用いてキャパシタの誘電体膜８４を形成し、樹脂シートより成る誘電体膜８４の表層部をバイト１２により切削する。本実施形態によれば、切削後の誘電体膜８４ａの表面が適度な粗さになるため、誘電体膜８４ａと上部電極９０との密着性を十分に確保することができる。また、本実施形態では、デスミア処理を行うことを要しないため、誘電体膜８４ａの表面に過度に深い孔が形成されることがない。このため、誘電体膜８４ａの膜厚を十分に薄くした場合であっても、上部電極８２と下部電極９０との間の絶縁性が十分に確保される。従って、本実施形態によれば、信頼性が高く、静電容量の大きいキャパシタを有する回路基板を提供することができる。
【０１７９】
［第３実施形態］
本発明の第３実施形態による回路基板の製造方法を図２４及び図２５を用いて説明する。図２４及び図２５は、本実施形態による回路基板の製造方法を示す工程断面図である。図１乃至図２３に示す第１又は第２実施形態によるめっき方法、半導体装置の製造方法又は回路基板の製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【０１８０】
本実施形態による回路基板の製造方法は、抵抗器を構成する抵抗層を樹脂フィルムを用いて形成し、抵抗層の表層部をバイトにより切削することに主な特徴がある。
【０１８１】
まず、電極８２を形成するまでの工程は、図１４（ａ）乃至図１６（ａ）を用いて上述した第２実施形態による回路基板の製造方法と同様であるので説明を省略する。
【０１８２】
次に、樹脂フィルム１１２を用意する。樹脂フィルム１１２としては、エポキシ系の樹脂より成る基材中に、導電体より成るフィラーを混合した樹脂フィルムを用いる。導電体より成るフィラーは、例えばニッケル−クロム合金の粉末より成るものである。
【０１８３】
なお、ここでは、導電体より成るフィラーとして、ニッケル−クロム合金の粉末を用いる場合を例に説明したが、導電体より成るフィラーは、ニッケル−クロム合金の粉末に限定されるものではない。基材として用いる樹脂より透磁率の高い材料を、フィラーの材料として適宜用いることができる。例えば、導電体より成るフィラーとして、炭素の粉末や炭化珪素の粉末等を用いてもよい。また、導電体より成るフィラーとして、これらの混合物を用いてもよい。
【０１８４】
次に、樹脂フィルム１１１を支持基板５８上に載置する。この際、抵抗層となる樹脂フィルム１１１が互いに電気的に短絡するのを防止すべく、隣接する樹脂フィルム１１１を互いに離間させる（図２４（ａ）参照）。
【０１８５】
次に、真空プレス装置を用いて、樹脂フィルム１１１を支持基板５８上に貼り付ける。樹脂フィルム１１１は、樹脂層１１２（図２４（ｂ）参照）を形成するためのものである。真空プレスを行う際の条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルム８を真空プレスする際の条件と同様に、例えば１００℃、１ＭＰａとする。こうして、支持基板５８上に樹脂フィルム１１１が形成される。
【０１８６】
次に、熱処理を行うことにより、樹脂フィルム１１１を硬化させる。熱処理条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルム８を硬化させる際の条件と同様に、例えば、１７０℃、１時間とする。この熱処理は、樹脂層１１２自体を硬化させるための熱処理である。従って、樹脂フィルム８を硬化させる際の上述した条件と同様の条件で熱処理を行えばよい。こうして、支持基板５８上に樹脂フィルム１１１より成る樹脂層１１２（図２４（ｂ）参照）が形成される。
【０１８７】
次に、図２４（ｂ）に示すように、樹脂層１１２の表層部をバイト１２を用いて切削する。樹脂層１１２の表層部を切削する際の条件は、樹脂層１０の表層部を切削する際の上述した条件と同様とする。即ち、バイト１２のすくい角を、０度とする。チャックテーブルの回転数は、例えば１０００ｒｐｍ程度とする。このような回転数に設定すると、回転半径が５ｃｍ程度の際には、切削速度が５ｍ／秒程度となる。バイト１２の切り込み量は、例えば５μｍ程度とする。バイト１２の送りは、例えば５０μｍ／秒とする。このような条件で切削を行うと、切削後の樹脂層１１２ａの表面における十点平均粗さＲｚは、例えば１〜２μｍ程度となる。樹脂層１１２の表層部を切削する際の条件を適宜設定することにより、切削後の樹脂層１１２ａの表面を所望の粗さに設定することが可能である。樹脂層１１２の表層部を切削する際には、電極８２上に存在する樹脂層１１２の厚さが例えば１０μｍになるまで、樹脂層１１２の表層部を切削する。こうして、膜厚が例えば１０μｍの樹脂層より成る抵抗層１１２ａが形成される。
【０１８８】
なお、ここでは、樹脂層１１２ａの表面における十点平均粗さＲｚを１〜２μｍ程度とする場合を例に説明したが、樹脂層１１２ａの表面における十点平均粗さＲｚは１〜２μｍ程度に限定されるものではない。樹脂層１１２ａの表面における十点平均粗さＲｚが例えば０．５〜５μｍとなるように、樹脂層１１２ａの表層部を切削すればよい。
【０１８９】
また、ここでは、支持基板５８を回転させながらバイト１２を一方向に直進させることにより切削処理を行う場合を例に説明したが、支持基板５８を一方向に直進させながら、バイト１２を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させることにより切削処理を行うことも可能である（図示せず）。
【０１９０】
次に、全面に、無電解めっき法により、抵抗層１１２ａ上にシード層（図示せず）を形成する。シード層の形成方法は、例えば第１実施形態において記載したシード層３６の形成方法と同様とする。即ち、コンディショニング、樹脂層表面への触媒の付着等を行った後、無電解めっき法によりシード層を形成する。
【０１９１】
次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【０１９２】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜にシード層に達する開口部（図示せず）を形成する。開口部は、電極９０を形成するためのものである。
【０１９３】
次に、電気めっき法により、フォトレジスト膜の開口部内にＣｕより成る電極９０を形成する。この後、フォトレジスト膜を剥離する。
【０１９４】
次に、電極９０の周囲に表出している部分のシード層をウエットエッチングにより除去する。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層１３８をエッチング除去する際には、電極９０の表面も若干エッチングされる。但し、シード層の厚さは、電極９０のサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることが可能である。このため、シード層９０をエッチングする際に、電極９０が過度にエッチングされてしまうことはない。
【０１９５】
こうして、電極８２と電極９０との間に樹脂より成る抵抗器１１２ａが形成されることとなる。
【０１９６】
この後の回路基板の製造方法は、図２０（ｂ）乃至図２３に示す第２実施形態による回路基板の製造方法と同様であるので、説明を省略する。
【０１９７】
本実施形態による回路基板は、抵抗器を構成する抵抗層１１２を樹脂フィルムを用いて形成し、抵抗層１１２の表層部をバイト１２により切削することに主な特徴がある。
【０１９８】
本実施形態では、樹脂より成る抵抗層１１２の表層部をバイト１２により切削するため、切削後の抵抗層１１２ａの表面が適度な粗さになる。このため、抵抗層１１２ａと電極９０との密着性を十分に確保することができる。また、デスミア処理を行うことを要しないため、樹脂より成る抵抗層１１２ａの表面に過度に深い孔が形成されない。このため、抵抗層１１２ａの厚さを薄くした場合であっても、電極８２と電極９０との間の絶縁性が十分に確保される。このため、抵抗層１１２ａの厚さを適宜設定することにより、抵抗値を所望の値に設定することが可能となる。また、抵抗層１１２ａの表面に過度に深い孔が形成されないため、抵抗値のばらつきを小さくすることができる。従って、本実施形態によれば、信頼性の高い抵抗器を有する回路基板を製造することができる。
【０１９９】
［第４実施形態］
本発明の第４実施形態による回路基板の製造方法を図２６乃至図２８を用いて説明する。図２６乃至図２８は、本実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図である。図１乃至図２５に示す第１乃至第３実施形態によるめっき方法、半導体装置の製造方法及び回路基板の製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【０２００】
本実施形態による回路基板の製造方法は、樹脂フィルムを用いて高透磁率層１１４を形成した後、高透磁率層１１４の表層部をバイトを用いて切削し、この後、高透磁率層１１４ａ上にインダクタ１１６を形成することに主な特徴がある。
【０２０１】
まず、電極８２を形成するまでの工程は、図１４（ａ）乃至図１６（ａ）を用いて上述した第２実施形態による回路基板の製造方法と同様であるので説明を省略する。
【０２０２】
次に、樹脂フィルム１１３を用意する。樹脂フィルム１１３は、樹脂層１１４を形成するためのものである。樹脂フィルム１１３としては、エポキシ系の樹脂より成る基材中に、樹脂より透磁率の高い高透磁率のフィラーを含有させた樹脂フィルムを用いる。高透磁率のフィラーは、例えばＭｎ−Ｚｎ系フェライトよりなるものである。
【０２０３】
なお、ここでは、高透磁率のフィラーとして、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトの粉末を用いる場合を例に説明したが、高透磁率のフィラーはＭｎ−Ｚｎ系フェライトの粉末に限定されるものではない。基材として用いられる樹脂より透磁率の高い材料を、フィラーの材料として適宜用いることができる。例えば、フィラーの材料として、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトの粉末を用いてもよい。また、これらの混合物をフィラーとして用いてもよい。
【０２０４】
基材として用いられるエポキシ系の樹脂の透磁率は、１程度である。これに対し、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトの透磁率は、１０程度である。また、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトの透磁率は２０程度である。このような高透磁率のフィラーを樹脂に含有させることにより、高い透磁率を有する樹脂フィルム１１３が得られる。
【０２０５】
次に、樹脂フィルム１１３を支持基板５８上に載置する。
【０２０６】
次に、真空プレス装置を用いて、樹脂フィルム１１３を支持基板５８に貼り付ける。真空プレスを行う際の条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルム８を真空プレスする際の条件と同様に、例えば１００℃、１ＭＰａとする。こうして、支持基板５８上に樹脂フィルム１１３が形成される（図２６（ａ）参照）。
【０２０７】
次に、熱処理を行うことにより、樹脂フィルム１１３を硬化させる。熱処理条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルム８を硬化させる際の条件と同様に、例えば、１７０℃、１時間とする。この熱処理は、樹脂フィルム１１３自体を硬化させるための熱処理である。従って、樹脂フィルム８を硬化させる際の上述した条件と同様の条件で熱処理を行えばよい。こうして、支持基板５８上に樹脂フィルム１１３より成る樹脂層１１４（図２６（ｂ）参照）が形成される。
【０２０８】
次に、図２６（ｂ）に示すように、樹脂層１１４の表層部をバイト１２を用いて切削する。樹脂層１１４の表層部を切削する際の条件は、樹脂層１０の表層部を切削する際の上述した条件と同様とする。即ち、バイト１２のすくい角を、０度とする。チャックテーブルの回転数は、例えば１０００ｒｐｍ程度とする。このような回転数に設定すると、回転半径が５ｃｍ程度の際には、切削速度が５ｍ／秒程度となる。バイト１２の切り込み量は、例えば５μｍ程度とする。バイト１２の送りは、例えば５０μｍ／秒とする。このような条件で切削を行うと、切削後の樹脂層１１４ａの表面における十点平均粗さＲｚは、例えば１〜２μｍ程度となる。樹脂層１１４ａの表層部を切削する際の条件を適宜設定することにより、樹脂層１１４ａの表面を所望の粗さに設定することが可能である。こうして、膜厚が例えば１０μｍの樹脂より成る高透磁率層１１４ａが形成される。
【０２０９】
なお、ここでは、樹脂層１１４ａの表面における十点平均粗さＲｚを１〜２μｍ程度とする場合を例に説明したが、樹脂層１１４ａの表面における十点平均粗さＲｚは１〜２μｍ程度に限定されるものではない。樹脂層１１４ａの表面における十点平均粗さＲｚが例えば０．５〜５μｍとなるように、樹脂層１１４の表層部を切削すればよい。
【０２１０】
また、ここでは、支持基板５８を回転させながらバイト１２を一方向に直進させることにより切削処理を行う場合を例に説明したが、支持基板５８を一方向に直進させながら、バイト１２を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させることにより切削処理を行うことも可能である（図示せず）。
【０２１１】
次に、全面に、無電解めっき法により、銅又はニッケルより成るシード層（図示せず）を形成する。シード層の形成方法は、例えば第１実施形態において記載したシード層３６の形成方法と同様とする。即ち、コンディショニング、樹脂層表面への触媒の付着等を行った後、無電解めっき法によりシード層を形成する。
【０２１２】
次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【０２１３】
次に、フォトリソグラフィ技術を適用して、このフォトレジスト膜をパターニングし、インダクタ１１６及び配線１１８を形成するための開口部（図示せず）を形成する。
【０２１４】
次に、電気めっき法により、前記フォトレジスト膜の開口部内にＣｕを被着し、インダクタ１１６及び配線１１８を形成する。
【０２１５】
しかる後、フォトレジスト膜を剥離し、更に露出している部分のシード層をエッチング除去する。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層をエッチング除去する際には、インダクタ１１６及び配線１１８の表面も若干エッチングされる。但し、シード層の厚さは、インダクタ１１６や配線１１８のサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることが可能である。このため、シード層をエッチングする際に、インダクタ１１６や配線１１８が過度にエッチングされてしまうことはない。
【０２１６】
こうして、図２７に示すように、樹脂より成る高透磁率層１１４ａ上に、平面コイル状のインダクタ１１６、ならびに配線１１８が形成される。
【０２１７】
なお、上記のような選択めっき法による形成方法の他に、最初に電気めっき法によりシード層上にＣｕ層を全面に形成し、その後で上記Ｃｕ層を選択的にエッチングすることによりインダクタ１１６及び配線１１８を形成することも可能である。
【０２１８】
図２７（ｂ）は、本実施形態による回路基板上のインダクタの平面形状を示し、図２７（ａ）は、図２７（ｂ）のＡ−Ａ′線に於ける断面を示す。
【０２１９】
次に、図２８に示すように、真空プレス装置を用いて、樹脂フィルム９４を基板に貼り付ける。樹脂フィルム９４としては、味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルムＡＢＦを用いる。樹脂フィルム９４の厚さは６０μｍとする。真空プレスを行う際の条件は、第１実施形態において記載した樹脂フィルム１０を真空プレスする際の条件と同様に、例えば１００℃、１ＭＰａとする。こうして、支持基板５８上に樹脂フィルムより成る樹脂層９４が形成される。
【０２２０】
次に、熱処理を行うことにより、樹脂層９４を硬化させる。熱処理条件は、第１実施形態において記載した樹脂層１０を硬化させる際の上述した条件と同様に、例えば、１７０℃、１時間とする。
【０２２１】
次に、樹脂層９４の表層部をバイト１２を用いて切削する。樹脂層９４の表層部を切削する際の条件は、樹脂層１０の表層部を切削する際の上述した条件と同様とする。即ち、バイト１２のすくい角を、０度とする。チャックテーブルの回転数は、例えば１０００ｒｐｍ程度とする。このような回転数に設定すると、回転半径が５ｃｍ程度の際には、切削速度が５ｍ／秒程度となる。バイト１２の切り込み量は、例えば５μｍ程度とする。バイト１２の送りは、例えば５０μｍ／秒とする。このような条件で切削を行うと、樹脂層９４の表面における十点平均粗さＲｚは、例えば１〜２μｍ程度となる。
【０２２２】
なお、ここでは、樹脂層９４の表面における十点平均粗さＲｚを１〜２μｍ程度とする場合を例に説明したが、樹脂層９４の表面における十点平均粗さＲｚは１〜２μｍ程度に限定されるものではない。樹脂層９４の表面における十点平均粗さＲｚが例えば０．５〜５μｍとなるように、樹脂層９４の表層部を切削すればよい。
【０２２３】
また、ここでは、支持基板５８を回転させながらバイト１２を一方向に直進させることにより切削処理を行う場合を例に説明したが、支持基板５８を一方向に直進させながら、バイト１２を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させることにより切削処理を行うことも可能である（図示せず）。
【０２２４】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、配線１１８に達するコンタクトホール９６を樹脂層９４に形成する。
【０２２５】
次に、全面に、無電解めっき法により、銅又はニッケルより成るシード層（図示せず）を形成する。シード層の形成方法は、例えば第１実施形態において記載したシード層３６の形成方法と同様とする。即ち、コンディショニング、樹脂層表面への触媒の付着等を行った後、無電解めっき法によりシード層を形成する。
【０２２６】
次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【０２２７】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜にシード層に達する開口部（図示せず）を形成する。開口部は、配線９８を形成するためのものである。
【０２２８】
次に、電気めっき法により、フォトレジスト膜の開口部内にＣｕより成る配線９８を形成する。この後、フォトレジスト膜を剥離する。
【０２２９】
次に、配線９８から露出している部分のシード層をウエットエッチングにより除去する（図２８参照）。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層をエッチング除去する際には、配線９８の表面も若干エッチングされる。但し、シード層の厚さは、配線９８のサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることが可能である。このため、シード層をエッチングする際に、配線９８が過度にエッチングされてしまうことはない。
【０２３０】
この後の回路基板の製造方法は、第２実施形態による回路基板の製造方法と同様であるので、説明を省略する。
【０２３１】
本実施形態による回路基板は、樹脂フィルムを用いて高透磁率層１１４を形成した後、高透磁率層１１４の表層部をバイト１２を用いて切削し、この後、高透磁率層１１４ａ上にインダクタ１１６を形成することに主な特徴がある。
【０２３２】
本実施形態では、樹脂フィルムより成る高透磁率層１１４の表層部をバイト１２により切削するため、切削後の高透磁率層１１４ａの表面が適度な粗さになる。このため、樹脂より成る高透磁率層１１４ａとインダクタ１１６の密着性を十分に確保することができる。また、デスミア処理を行うことを要しないため、樹脂より成る高透磁率層１１４ａの表面に過度に深い孔が形成されない。このため、高透磁率層１１４ａ上にフォトレジスト膜より成る微細なパターンを形成することができる。従って、本実施形態によれば、巻線のピッチが極めて狭い信頼性の高いインダクタ１１６を形成することができる。
【０２３３】
［第５実施形態］
本発明の第５実施形態による半導体装置の製造方法を図３０乃至図３７を用いて説明する。図３０乃至図３７は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【０２３４】
上述した図１乃至図２９に示す第１乃至第４実施形態によるめっき方法、半導体装置の製造方法及び回路基板の製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【０２３５】
本実施形態による半導体装置の製造方法は、ボールボンディング法により形成されたバンプ電極１２８、即ち、スタッドバンプ１２８を埋め込むように樹脂層１３２を形成し、樹脂層１３２の表層部及びバンプ電極１２８の上部をバイト１２を用いて切削し、しかる後、切削が施された樹脂層１３２ａ上及びバンプ電極１２８上にシード層１３８を形成することに主な特徴がある。
【０２３６】
まず、図３０（ａ）に示すように、半導体基板１２０を用意する。半導体基板１２０としては、例えばシリコンウェハを用いる。半導体基板１２０には、ＭＯＳトランジスタなどの機能素子、容量素子等の受動素子等を用いて構成される論理回路及び／或いは記憶回路等（図示せず）が形成されている。かかる半導体基板１２０上には、例えばシリコン酸化膜より成る絶縁膜１２２が形成されている。絶縁膜１２２は、例えばＣＶＤ法により形成されたものである。絶縁膜１２２は、半導体基板１２０上に複数層形成されているが、図３０（ａ）においては１層のみ示している。図３０（ａ）に示すように、絶縁膜１２２には、開口部１２４が形成されている。かかる開口部１２４には、上述した論理回路及び／或いは記憶回路等に電気的に接続された、例えばアルミニウム（Ａｌ）より成る電極パッド１２６が配置されている。
【０２３７】
なお、本実施形態では、製造コストを低く抑えるために、半導体基板１２０を個々の半導体素子（半導体チップ）に切断しない状態で以下の工程を行うことを想定しているが、半導体基板１２０を個々の半導体素子に切断・分離した後に、以下の工程を行ってもよい。
【０２３８】
次に、図３０（ｂ）に示すように、電極パッド１２６上に、例えば金（Ａｕ）又は銅（Ｃｕ）等より成るスタッドバンプ１２８を形成する。スタッドバンプ１２８は、ワイヤボンディング技術に用いられるボールボンディング方式を用いて電極パッド１２６上に形成されるバンプ電極のことである。スタッドバンプ１２８は、金（Ａｕ）等より成るワイヤの先端に放電によってボールを形成後、ワイヤボンディング用のキャピラリを用いてボールをアルミニウム等より成る電極パッド１２６上に熱圧着し、ワイヤを固定したままの状態でキャピラリを上部に引き上げ、ワイヤをボール上端部で切断することにより、形成される。
【０２３９】
なお、スタッドバンプ１２８を形成する前に、半導体基板１２０に形成された各々の半導体チップ１２０ａ（図３１参照）に対して検査或いは試験を行い、検査或いは試験に合格した半導体チップ１２０ａの電極パッド１２６上にのみスタッドバンプ１２８を形成するようにしてもよい。良品でない半導体チップ１２０ａの電極パッド１２６上にスタッドバンプ１２８を形成しないようにすれば、製造コストを低減することが可能となる。
【０２４０】
次に、図３０（ｃ）に示すように、半導体基板１２０上に樹脂フィルム１３０を載置する。樹脂フィルム１３０としては、第１実施形態で用いた樹脂フィルム８と同様に、例えば、味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルムＡＢＦを用いる。樹脂フィルム１３０の厚さは、例えば６０μｍとする。
【０２４１】
次に、真空プレス装置を用い、層間絶縁膜１２２等が形成された半導体基板１２０上に樹脂フィルム１３０を貼り付ける（図３０（ｄ）参照）。具体的には、樹脂フィルム１３０を加熱して溶解させるとともに、減圧することにより、層間絶縁膜１２２上に樹脂フィルム１３０を貼り付ける。樹脂フィルム１３０を溶解させる際の温度は、例えば１５０℃とする。こうして、層間絶縁膜１２２等が形成された半導体基板１２０上に樹脂フィルム１３０より成る樹脂層１３２が形成される。スタッドバンプ１２８は、樹脂層１３２により埋め込まれた状態となる。
【０２４２】
この後、熱処理を行うことにより、樹脂層１３２を硬化させる。熱処理条件は、例えば１７０℃、１時間とする。
【０２４３】
次に、図３１（ａ）に示すように、半導体基板１２０を、超精密旋盤１３４のチャックテーブル１３６上に、真空吸着により固定する。
【０２４４】
図３１（ａ）は、半導体基板１２０を超精密旋盤に固定した状態を示す斜視図である。半導体基板１２０をチャックテーブル１３６上に固定する際には、半導体基板１２０の裏面側、即ち、スタッドバンプ１２８等が形成されていない側の面をチャックテーブル１３６に固定する。なお、半導体基板１２０をチャックテーブル１３６上に固定する際には、ピンチャックを用いることが好ましい。
【０２４５】
次に、半導体基板１２０を回転させながら、ダイヤモンドよりなるバイト１２を用いて、樹脂層１３２の表層部及びスタッドバンプ１２８の上部を切削する（図３１（ｂ）参照）。
【０２４６】
樹脂層１３２の表層部及びスタッドバンプ１２８の上部を切削する際の条件は、以下の通りとする。
【０２４７】
切削に用いるバイト１２の刃先角は、例えば８０度とする。バイト１２のすくい角を、０度とする。チャックテーブルの回転数は、例えば１０００ｒｐｍ程度とする。このような回転数に設定すると、回転半径が５ｃｍ程度の際には、切削速度が５ｍ／秒程度となる。バイト１２の切り込み量は、例えば５μｍ程度とする。バイト１２の送りは、例えば５０μｍ／秒とする。
【０２４８】
このような条件で切削を行うと、樹脂層１３２ａ（以下、切削後の樹脂層を樹脂層１３２ａと表示し、切削前の樹脂層１３２と区別する。）の表面における十点平均粗さＲｚは、例えば１〜２μｍ程度となる。一方、スタッドバンプ１２８の表面における十点平均粗さＲｚは、例えば２０ｎｍ程度となる。
【０２４９】
なお、ここでは、樹脂層１３２ａの表面における十点平均粗さＲｚを１〜２μｍ程度とする場合を例に説明したが、樹脂層１３２ａの表面における十点平均粗さＲｚは１〜２μｍ程度に限定されるものではない。樹脂層１３２ａの表面における十点平均粗さＲｚが例えば０．５〜５μｍとなるように、樹脂層１３２の表層部を切削すればよい。
【０２５０】
こうして、樹脂層１３２の表層部及びスタッドバンプ１２８の上部が切削される。この結果、樹脂層１３２（ａ）の被切削面には、スタッドバンプ１２８の上端面が表出される（図３２（ａ）参照）。
【０２５１】
図３２（ｂ）は、図３２（ａ）の円Ｓ内を拡大して表した図である。図３２（ｂ）に示すように、樹脂層１３２ａの表面には、凹凸１４が形成されている。
【０２５２】
なお、ここでは、半導体基板１２０を回転させながらバイト１２を一方向に直進させることにより切削処理を行う場合を例に説明したが、半導体基板１２０を一方向に直進させながら、バイト１２を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させることにより切削処理を行うことも可能である（図示せず）。
【０２５３】
次に、図３２（ｃ）に示すように、全面に、無電解めっき法により、銅又はニッケルより成るシード層１３８を形成する。シード層１３８の形成方法は、例えば第１実施形態において記載したシード層３６の形成方法と同様とする。即ち、コンディショニング、樹脂層１３２ａ表面への触媒の付着等を行った後、無電解めっき法によりシード層１３８を形成する。こうして、例えば膜厚０．３〜０．５μｍの無電解めっき膜より成るシード層１３８が形成される。
【０２５４】
図３２（ｄ）は、図３２（ｂ）の円Ｓ内を拡大して表した図である。図３２（ｄ）に示すように、表面に凹部１４が形成された樹脂層１３２ａ上にシード層１３８を形成するため、シード層１３８のうちの凹部１４内に形成された部分が、凹部１４内において確実に固定される。このため、シード層１３８と樹脂層１３２ａとの密着性が十分に確保される。
【０２５５】
かかるシード層１３８は、上述したスタッドバンプ１２８の端面表出部と機械的に接触して形成され、電気的導通を可能とする。
【０２５６】
次に、図３３（ａ）に示すように、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜１４０を形成する。
【０２５７】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、シード層１３８に達する開口部１４２をフォトレジスト膜１４０に形成する。開口部１４２は、配線１４４を形成するためのものである。樹脂層１３２ａの表面に過度に深い孔が形成されていないため、シード層１３８の表面にも過度に深い凹部は形成されていない。このため、フォトレジスト膜１４０を微細にパターニングする場合であっても、フォトレジスト膜１４０より成る良好なパターンを形成することができる。
【０２５８】
次に、図３３（ｂ）に示すように、電気めっき法により、フォトレジスト膜１４０の開口部内のシード層１３８上にＣｕより成る配線１４４を形成する。上述したように、フォトレジスト膜１４０を微細にパターニングした場合であっても良好なパターンが形成されているため、非常に狭いピッチで配線１４４を形成することが可能である。シード層１３８と樹脂層１３２ａとの密着性が十分に確保されているため、配線１４４はシード層１３８を介して樹脂層１３２ａに確実に固定される。
【０２５９】
この後、図３３（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜１４０を剥離する。
【０２６０】
次に、図３４（ａ）に示すように、配線１４４及びシード層１３８上の全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜１４６を形成する。
【０２６１】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、配線１４４に達する開口部１４８を形成する。開口部１４８は、導体プラグ１５０を形成するためのものである。
【０２６２】
次に、図３４（ｂ）に示すように、電気めっき法により、開口部１４８内にＣｕより成る導体プラグ１５０を形成する。
【０２６３】
この後、図３４（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜１４６を剥離する。
【０２６４】
次に、図３５（ａ）に示すように、配線１４４の周囲に表出するシード層１３８をウエットエッチングにより除去する。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層１３８をエッチング除去する際には、配線１４４や導体プラグ１５０の表面も若干エッチングされる。但し、シード層１３８の厚さは、配線１４４や導体プラグ１５０のサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることが可能である。このため、シード層１３８をエッチングする際に、配線１４４や導体プラグ１５０が過度にエッチングされてしまうことはない。
【０２６５】
次に、図３５（ｂ）に示すように、半導体基板１２０上に樹脂フィルム１５２を載置する。樹脂フィルム１５２としては、例えば、図３０（ｃ）を用いて上述した樹脂フィルム１３０と同様に、味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルムＡＢＦを用いる。
【０２６６】
次に、真空プレス装置を用い、配線１４４及び導体プラグ１５０が形成された樹脂層１３２ａ上に樹脂フィルム１５２を貼り付ける（図３５（ｃ）参照）。具体的には、樹脂フィルム１５２を加熱して溶解させるとともに、減圧することにより、層間絶縁膜１３２ａ上に樹脂フィルム１５４を貼り付ける。樹脂フィルム１５４を溶解させる際の温度は、例えば１５０℃とする。こうして、樹脂層１３２ａ上に樹脂フィルム１５２より成る樹脂層１５４が形成される。配線１４４及び導体プラグ１５０は、樹脂層１５４により埋め込まれた状態となる。
【０２６７】
次に、熱処理を行うことにより、樹脂層１５４を硬化させる。熱処理条件は、例えば、１７０℃、１時間とする。
【０２６８】
次に、図３６（ａ）に示すように、半導体基板１２０を、超精密旋盤１３４のチャックテーブル１３６上に、真空吸着により固定する。
【０２６９】
図３６（ａ）は、半導体基板１２０を超精密旋盤に固定した状態を示す斜視図である。半導体基板１２０をチャックテーブル１３６上に固定する際には、半導体基板１２０の裏面側、即ち、導体プラグ１５０等が形成されていない側の面をチャックテーブル１３６に固定する。なお、半導体基板１２０をチャックテーブル１３６上に固定する際には、ピンチャックを用いることが好ましい。
【０２７０】
次に、半導体基板１２０を回転させながら、ダイヤモンドよりなるバイト１２を用いて、樹脂層１５４の表層部及び導体プラグ１５０の上部を切削する（図３６（ｂ）参照）。
【０２７１】
樹脂層１５４の表層部及び導体プラグ１５０の上部を切削する際の条件は、図３１を用いて上述した樹脂層１３２の表層部及びスタッドバンプ１２８の上部を切削する際の条件と同様としてもよいし、樹脂層１３２の表層部及びスタッドバンプ１２８の上部を切削する際の条件と異ならせてもよい。樹脂層１５４ａ（以下、切削後の樹脂層を樹脂層１５４ａと表示し、切削前の樹脂層１５４と区別する。）上にはシード層を形成する必要がないため、樹脂層１５４ａの表面を適度な粗さに設定する必要がないためである。樹脂層１５４ａの表面を滑らかにしたい場合には、バイト１２のすくい角を例えば１０度程度に設定して切削を行えばよい。バイト１２のすくい角を大きめに設定すれば、樹脂層１５４ａの表面を滑らかにすることが可能である。チャックテーブル１３６の回転数は、例えば１０００ｒｐｍ程度とする。切削を数回に分けて行う場合、最終回の切削におけるバイト１２の切り込み量は、例えば２μｍ程度とする。バイト１２の送りは、例えば７０μｍ／秒とする。このような条件で切削を行えば、樹脂層１５４ａの表面を非常に滑らかにすることが可能である。
【０２７２】
こうして、樹脂層１５４の表層部及び導体プラグ１５０の上部が切削される（図３７（ａ）参照）。
【０２７３】
また、ここでは、半導体基板１２０を回転させながらバイト１２を一方向に直進させることにより切削処理を行う場合を例に説明したが、半導体基板１２０を一方向に直進させながら、バイト１２を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させることにより切削処理を行うことも可能である（図示せず）。
【０２７４】
次に、図３７（ｂ）に示すように、導体プラグ１５０上に、例えばＳｎ系はんだより成る半田バンプ１５６を形成する。
【０２７５】
なお、ここでは、導体プラグ１５０上に半田バンプ１５６を直接形成する場合を例に説明したが、導体プラグ１５０上に、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等よりなるバリアメタル膜（図示せず）を形成するようにしてもよい。バリアメタル膜を導体プラグ１５０上に形成し、かかるバリアメタル膜上に半田バンプ１５６を形成するようにすれば、導体プラグ１５０の材料が半田バンプ１５６中に拡散するのを防止することができる。
【０２７６】
次に、ダイヤモンド粒子などを結合材で固めて形成した薄刃のブレードを用いて、半導体基板を個々の半導体素子（半導体チップ）に切断・分離する。なお、予め半導体基板を個々の半導体素子に切断・分離しておいた場合には、かかる処理は当然必要としない。
【０２７７】
こうして、本実施形態による半導体装置が製造される。
【０２７８】
かかる構造にあっては、半導体基板１２０の電極パッド１２６は、スタッドバンプ１２８、シード層１３８を含む配線１４４、導体プラグ１５０、及び、半田バンプ１５６を介して、外部に電気的に接続される。
【０２７９】
本実施形態による半導体装置の製造方法は、上述したように、ボールボンディング法により形成されたバンプ電極（スタッドバンプ）１２８を埋め込むように樹脂層１３２を形成し、樹脂層１３２の表層部及びスタッドバンプ１２８の上部をバイト１２を用いて切削し、しかる後、樹脂層１３２ａ上及びスタッドバンプ１２８上にシード層１３８を形成することに主な特徴がある。
【０２８０】
めっき法によりバンプ電極を形成する場合には、バンプ電極の数にかかわらず、一定のコストがかかる。このため、バンプ電極の数が非常に多い場合には、一つ当たりのバンプ電極の単価は比較的安くなるが、バンプ電極の数があまり多くない場合には、一つ当たりのバンプ電極の単価は比較的高くなる。一方、スタッドバンプ１２８を形成する場合、即ち、ボールボンディングによりバンプ電極１２８を形成する場合には、バンプ電極１２８の数に応じてコストがかかる。このため、バンプ電極１２８の数が比較的少ない場合には、ボールボンディングにより形成した場合の方が、めっき法により形成した場合より低コストになる場合がある。従って、本実施形態のように、ボールボンディングによりバンプ電極を適宜形成するようにすれば、低コスト化を図ることが可能となる。
【０２８１】
［第６実施形態］
本発明の第６実施形態による半導体装置の製造方法を図３８乃至図４６を用いて説明する。図３８乃至図４６は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【０２８２】
上述した図１乃至図３７に示す第１乃至第５実施形態によるめっき方法、半導体装置の製造方法及び回路基板の製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【０２８３】
本実施形態による半導体装置の製造方法は、半導体基板１５８上に半導体チップ１６６を実装し、半導体基板１５８上及び半導体チップ１６６上にそれぞれボールボンディングによりワイヤ電極１７４及びバンプ電極１７６を形成し、これらワイヤ電極１７４及びバンプ電極１７６を埋め込むように樹脂層１８０を形成し、しかる後、この樹脂層１８０の表層部をバイト１２を用いて切削し、切削が施された樹脂層１８０ａ上にワイヤ電極１７４及びバンプ電極１７６に接してシード層１８２を形成することに主な特徴がある。
【０２８４】
まず、図３８（ａ）に示すように、半導体基板１５８を用意する。半導体基板１５８としては、例えばシリコンウェハを用いる。半導体基板１５８には、ＭＯＳトランジスタなどの機能素子、容量素子などの受動素子などを用いて構成される論理回路及び／或いは記憶回路など（図示せず）が形成されている。かかる半導体基板１５８上には、例えばシリコン酸化膜より成る絶縁膜１６０が形成されている。絶縁膜１６０は、例えばＣＶＤ法により形成されたものである。絶縁膜１６０は、半導体基板１５８上に複数層形成されているが、図３８（ａ）においては１層のみ示している。
【０２８５】
絶縁膜１６０には、開口部１６４ａ、１６４ｂが形成されている。かかる開口部１６４ａには、上述した論理回路等に電気的に接続された、例えばアルミニウム（Ａｌ）より成る電極パッド１６４ａが配されている。
【０２８６】
開口部１６４ｂには、上述した論理回路等に電気的に接続されていない、例えばアルミニウム（Ａｌ）より成るダミーパッド１６４ｂが配されている。ダミーパッド１６４ｂは、後述するバンプ電極のワイヤを切断する際に用いられるものである。ダミーパッド１６４ｂは、チップ内にダミーパッド１６４ｂを形成するスペースがあれば当該チップ内に設置するが、当該チップ内にダミーパッド１６４ｂを形成するスペースがなければ、隣接するチップに設置することも可能である。図３８（ａ）は隣接するチップにダミーパッドを設置した例である。図３８（ａ）における破線は、後工程において半導体基板１５８を半導体素子（半導体チップ）に切断する際における切断面を示している。図３８（ａ）に示すように、ダミーパッド１６４ｂは、互いに隣接するチップに配されている。
【０２８７】
次に、半導体チップ１６６を用意する（図３８（ｂ）参照）。半導体チップ１６６の一方の主面（半導体基板１５８に対向する面とは反対側の面）には、ＭＯＳトランジスタなどの機能素子、容量素子などの受動素子などを用いて構成される他の論理回路及び／或いは他の記憶回路など（図示せず）が形成されている。半導体チップ１６６の一方の主面（半導体基板１５８に対向する面とは反対側の面）には、例えばシリコン酸化膜より成る絶縁膜１６８が形成されている。絶縁膜１６８は、例えばＣＶＤ法により形成されたものである。絶縁膜１６８は、半導体チップ１６６上に多数形成されているが、図３８（ｂ）においては１層のみ示している。絶縁膜１６８には、開口部１７０が形成されている。かかる開口部１７０には、上述した論理回路等に電気的に接続された、例えばアルミニウム（Ａｌ）より成る電極パッド１７２が配されている。
【０２８８】
次に、半導体基板１５８上に形成された絶縁膜１６０上に、半導体チップ１６６を実装する。この際、半導体チップ１６６の他方の主面と半導体基板１５８とが対向するように、半導体チップ１６６を実装する。半導体チップ１６６を半導体基板１５８上に実装する際、即ち、半導体チップ１６６を半導体基板１５８上に固定する際には、接着剤１６７を用いて半導体チップ１６６を半導体基板１５８上に固定する。こうして、半導体チップ１６６が接着層１６７により固定された状態となる。
【０２８９】
次に、ボールボンディング法により、半導体基板１５８上に形成された電極パッド１６４ａとダミーパッド１６４ｂとをワイヤボンディングで結んでワイヤ電極１７４を形成するとともに、半導体チップ１６６上に形成された電極パッド１７２上に他のバンプ電極（スタッドバンプ）１７６を形成する。ワイヤ電極１７４及びスタッドバンプ１７６の材料としては、例えば金（Ａｕ）又は銅（Ｃｕ）を用いる。ワイヤ電極１７４を形成する際には、少なくとも半導体チップ１６６の一方の主面（半導体基板１５８に対向する面とは反対側の面）より上方まで突出するように、ワイヤ電極１７４を形成する。
【０２９０】
具体的には、放電によって金（Ａｕ）等より成るワイヤ１７４ｂの先端にボール１７４ａを形成後、ワイヤボンディング用のキャピラリを用いてボール１７４ａをアルミニウム等より成る電極パッド１６４ａ上に熱圧着し、ワイヤ１７４ｂを固定したままの状態でキャピラリを上部に引き上げ、この後、ワイヤ１７４ｂをダミーパッド１６４ｂに熱圧着し、ワイヤ１７４ｂを切断することにより、ワイヤ電極１７４を形成する。なお、ワイヤ電極１７４を形成する際には、後述するスタッドバンプ１７６の上端より上方まで突出するように、ワイヤ電極１７４を形成することが好ましい。
【０２９１】
一方、スタッドバンプ１７６は、放電によって金（Ａｕ）等よりなるワイヤの先端にボールを形成後、ワイヤボンディング用のキャピラリを用いてボールをアルミニウム等よりなる電極パッド１７２上に熱圧着し、ワイヤを固定したままの状態でキャピラリを上部に引き上げ、ワイヤをボール上端部で切断することにより、形成する。
【０２９２】
ワイヤ電極１７４を半導体チップ１６６の一方の主面（半導体基板１５８に対向する面とは反対側の面）より上方まで突出するように形成するのは、後述する工程においてワイヤ電極１７４とスタッドバンプ１７６とを配線１８８（図４２（ｂ）参照）により接続し得るようにするためである。
【０２９３】
なお、ワイヤ電極１７４及びスタッドバンプ１７６を形成する前に、半導体基板１５８に形成された各々の半導体チップ１５８ａ（図４０（ａ）参照）に対して検査或いは試験を行い、検査或いは試験に合格した半導体チップ１５８ａ上にのみワイヤ電極１７４及びスタッドバンプ１７６を形成するようにしてもよい。良品でない半導体チップ１５８ａ上にワイヤ電極１７４及びスタッドバンプ１７６を形成しないようにすれば、製造コストを低減することが可能となる。
【０２９４】
次に、図３９（ａ）に示すように、半導体基板１５８上に樹脂フィルム１７８を載置する。樹脂フィルム１７８としては、第１実施形態で用いた樹脂フィルム８と同様に、例えば、味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルムＡＢＦを用いる。樹脂フィルム１７８の厚さは、例えば１５０μｍとする。
【０２９５】
次に、真空プレス装置を用い、層間絶縁膜１６０等が形成された半導体基板１５８上に樹脂フィルム１７８を貼り付ける（図３０（ｄ）参照）。具体的には、樹脂フィルム１７８を加熱して溶解させるとともに、減圧することにより、層間絶縁膜１６０上に樹脂フィルム１７８を貼り付ける。樹脂フィルム１７８を溶解させる際の温度は、通常の１５０℃より高い例えば１６０℃とすることで、ワイヤを曲げずに樹脂はワイヤ間に充填される。こうして、層間絶縁膜１６０等が形成された半導体基板１５８上に樹脂フィルム１７８より成る樹脂層１８０が形成される。即ち、ワイヤ電極１７４及びスタッドバンプ１７６は、樹脂層１８０により埋め込まれた状態となる。
【０２９６】
なお、樹脂フィルムに代えて、液状の樹脂を用いてワイヤ電極１７４及びスタッドバンプ１７６を埋め込むことも可能である。
【０２９７】
この後、熱処理を行うことにより、樹脂層１８０を硬化させる。熱処理条件は、例えば１７０℃、１時間とする。
【０２９８】
次に、図４０（ａ）に示すように、半導体基板１５８を、超精密旋盤１３４のチャックテーブル１３６上に、真空吸着により固定する。
【０２９９】
図４０（ａ）は、半導体基板１５８を超精密旋盤に固定した状態を示す斜視図である。半導体基板１５８をチャックテーブル１３６上に固定する際には、半導体基板１５８の裏面側、即ち、ワイヤ電極１７４及びスタッドバンプ１７６等が形成されていない側の面をチャックテーブル１３６に固定する。なお、半導体基板１５８をチャックテーブル１３６上に固定する際には、ピンチャックを用いることが好ましい。
【０３００】
次に、半導体基板１５８を回転させながら、ダイヤモンドよりなるバイト１２を用いて、樹脂層１８０の表層部、並びに、ワイヤ電極１７４及びスタッドバンプ１７６の上部を切削する（図４０（ｂ）参照）。
【０３０１】
樹脂層１８０の表層部、並びに、ワイヤ電極１７４及びスタッドバンプ１７６の上部を切削する際の条件は、以下の通りとする。
【０３０２】
バイト１２のすくい角を、０度とする。チャックテーブルの回転数は、例えば１０００ｒｐｍ程度とする。バイト１２の切り込み量は、例えば５μｍ程度とする。バイト１２の送りは、例えば５０μｍ／秒とする。このような条件で切削を行うと、樹脂層１８０ａ（以下、切削後の樹脂層を樹脂層１８０ａと表示し、切削前の樹脂層１８０と区別する。）の表面における十点平均粗さＲｚは、例えば１〜２μｍ程度となる。ワイヤ電極１７４及びスタッドバンプ１７６の表面における十点平均粗さＲｚは、例えば２０ｎｍ程度となる。
【０３０３】
なお、ここでは、樹脂層１８０ａの表面における十点平均粗さＲｚを１〜２μｍ程度とする場合を例に説明したが、樹脂層１８０ａの表面における十点平均粗さＲｚは１〜２μｍ程度に限定されるものではない。樹脂層１８０ａの表面における十点平均粗さＲｚが例えば０．５〜５μｍとなるように、樹脂層１８０ａの表層部を切削すればよい。
【０３０４】
こうして、樹脂層１８０の表層部、並びに、ワイヤ電極１７４及びスタッドバンプ１７６の上部が切削される。この結果、樹脂層１８０ａの被切削面には、ワイヤ電極１７４及びスタッドバンプ１７６の上端面が表出される（図４１（ａ）参照）
図４１（ｂ）は、図４１（ａ）の円Ｓ内を拡大して表した図である。図４１（ｂ）に示すように、樹脂層１８０ａの表面には、凹凸１４が形成されている。
【０３０５】
また、ここでは、半導体基板１５８を回転させながらバイト１２を一方向に直進させることにより切削処理を行う場合を例に説明したが、半導体基板１５８を一方向に直進させながら、バイト１２を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させることにより切削処理を行うことも可能である（図示せず）。
【０３０６】
次に、図４１（ｃ）に示すように、無電解めっき法により、全面に、銅又はニッケルより成るシード層１８２を形成する。シード層１８２の形成方法は、例えば第１実施形態において記載したシード層３６の形成方法と同様とする。即ち、コンディショニング、樹脂層１８０ａ表面への触媒の付着等を行った後、無電解めっき法によりシード層１８２を形成する。こうして、例えば膜厚０．３〜０．５μｍの無電解めっき膜より成るシード層１８２が形成される。
【０３０７】
図４１（ｄ）は、図４１（ｃ）の円Ｓ内を拡大して表した図である。図４１（ｄ）に示すように、表面に凹部１４が形成された樹脂層１８０ａ上にシード層１８２を形成するため、シード層１８２のうちの凹部１４内に形成された部分が、凹部１４内において確実に固定される。このため、シード層１８２と樹脂層１８０ａとの密着性が十分に確保される。
【０３０８】
かかるシード層１８２は、上述したワイヤ電極１７４及びスタッドバンプ１７６の上端面と機械的に接触して形成され、電気的導通を可能とする。
【０３０９】
次に、図４２（ａ）に示すように、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜１８４を形成する。
【０３１０】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、シード層１８２に達する開口部１８６をフォトレジスト膜１８４に形成する。開口部１８６は、配線１８８を形成するためのものである。樹脂層１８０ａの表面に過度に深い孔が形成されていないため、シード層１８２の表面にも過度に深い凹部は形成されていない。このため、フォトレジスト膜１８４を微細にパターニングする場合であっても、フォトレジスト膜１８４より成る良好なパターンを形成することができる。
【０３１１】
次に、図４２（ｂ）に示すように、電気めっき法により、フォトレジスト膜１８４の開口部１８６内のシード層１８２上に、Ｃｕより成る配線１８８を形成する。上述したように、フォトレジスト膜１８４を微細にパターニングした場合であっても良好なパターンが形成されているため、非常に狭いピッチで配線１８８を形成することが可能である。シード層１８２と樹脂層１８０ａとの密着性が十分に確保されているため、配線１８８はシード層１８２を介して樹脂層１８０ａに確実に固定される。
【０３１２】
この後、図４２（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜１８４を剥離する。
【０３１３】
次に、図４３（ａ）に示すように、配線１８８上及びシード層１８２上の全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜１９０を形成する。
【０３１４】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜１９０に配線１８８に達する開口部１９２を形成する。開口部１９２は、導体プラグ１９４（図４３（ｂ）参照）を形成するためのものである。
【０３１５】
次に、図４３（ｂ）に示すように、電気めっき法により、開口部１９２内にＣｕより成る導体プラグ１９４を形成する。
【０３１６】
この後、図４３（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜１９０を剥離する。
【０３１７】
次に、図４４（ａ）に示すように、配線１８８の周囲に表出するシード層１８２をウエットエッチングにより除去する。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層１８２をエッチング除去する際には、配線１８８や導体プラグ１９４の表面も若干エッチングされる。但し、シード層１８２の厚さは、配線１８８や導体プラグ１９４のサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることが可能である。このため、シード層１８２をエッチングする際に、配線１８８や導体プラグ１９４が過度にエッチングされてしまうことはない。
【０３１８】
次に、図４４（ｂ）に示すように、半導体基板１５８上に樹脂フィルム１９６を載置する。樹脂フィルム１９６としては、例えば、図３９（ａ）を用いて上述した樹脂フィルム１７８と同様に、味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルムＡＢＦを用いる。
【０３１９】
次に、真空プレス装置を用い、配線１８８及び導体プラグ１９４が形成された樹脂層１８０ａ上に樹脂フィルム１９６を貼り付ける（図４４（ｃ）参照）。具体的には、樹脂フィルム１９６を加熱して溶解させるとともに、減圧することにより、層間絶縁膜１８０ａ上に樹脂フィルム１９６を貼り付ける。樹脂フィルム１９６を溶解させる際の温度は、例えば１５０℃とする。こうして、樹脂層１８０ａ上に樹脂フィルム１９６より成る樹脂層１９８が形成される。この結果、配線１８８及び導体プラグ１９４は、樹脂層１９８により埋め込まれた状態となる。
【０３２０】
次に、熱処理を行うことにより、樹脂層１９８を硬化させる。熱処理条件は、例えば、１７０℃、１時間とする。
【０３２１】
次に、図４５（ａ）に示すように、半導体基板１５８を、超精密旋盤１３４のチャックテーブル１３６上に、真空吸着により固定する。
【０３２２】
図４５（ａ）は、半導体基板１５８を超精密旋盤に固定した状態を示す斜視図である。半導体基板１５８をチャックテーブル１３６上に固定する際には、半導体基板１５８の裏面側、即ち、導体プラグ１９４等が形成されていない側の面をチャックテーブル１３６に固定する。なお、半導体基板１５８をチャックテーブル１３６上に固定する際には、ピンチャックを用いることが好ましい。
【０３２３】
次に、半導体基板１５８を回転させながら、ダイヤモンドよりなるバイト１２を用いて、樹脂層１９８の表層部及び導体プラグ１９４の上部を切削する（図４５（ｂ）参照）。
【０３２４】
樹脂層１９８の表層部及び導体プラグ１９４の上部を切削する際の条件は、図４０を用いて上述した樹脂層１８０の表層部、ワイヤ電極１７４の上部及びスタッドバンプ１７６の上部を切削する際の条件と同様としてもよいし、樹脂層１８０の表層部、ワイヤ電極１７４の上部及びスタッドバンプ１７６の上部を切削する際の条件と異ならせてもよい。樹脂層１９８ａ（以下、切削後の樹脂層を樹脂層１９８ａと表示し、切削前の樹脂層１９８と区別する。）上にはシード層を形成する必要がないため、樹脂層１９８ａの表面を適度な粗さに設定する必要がないためである。樹脂層１９８ａの表面を滑らかにしたい場合には、バイト１２のすくい角を例えば１０度程度に設定して切削を行えばよい。バイト１２のすくい角を大きめに設定すれば、樹脂層１９８の表面を滑らかにすることが可能である。チャックテーブル１３６の回転数は、例えば１０００ｒｐｍ程度とする。切削を数回に分けて行う場合、最終回の切削におけるバイト１２の切り込み量は、例えば２μｍ程度とする。バイト１２の送りは、例えば７０μｍ／秒とする。このような条件で切削を行えば、樹脂層１９８ａの表面を非常に滑らかにすることが可能である。
【０３２５】
こうして、樹脂層１９８の表層部及び導体プラグ１９４の上部が切削される（図４６（ａ）参照）。
【０３２６】
また、ここでは、半導体基板１５８を回転させながらバイト１２を一方向に直進させることにより切削処理を行う場合を例に説明したが、半導体基板１５８を一方向に直進させながら、バイト１２を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させることにより切削処理を行うことも可能である（図示せず）。
【０３２７】
次に、樹脂層１９８の表面に表出された導体プラグ１９４の端部上に、図４６（ｂ）に示すように、例えばＳｎ系はんだより成る半田バンプ２００を形成する。
【０３２８】
なお、ここでは、導体プラグ１９４上に半田バンプ２００を直接形成する場合を例に説明したが、導体プラグ１９４上に、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等よりなるバリアメタル膜（図示せず）を形成するようにしてもよい。バリアメタル膜を導体プラグ１９４上に形成し、かかるバリアメタル膜上に半田バンプ２００を形成するようにすれば、導体プラグ１９４の材料が半田バンプ２００中に拡散するのを防止することができる。
【０３２９】
次に、ダイヤモンド粒子などを結合材で固めて形成した薄刃のブレードを用いて、半導体基板を個々の半導体素子（半導体チップ）に切断する（図４６（ｃ）参照）。このとき、上述したダミーパッド１６４ｂとダミーパッド１６４ｂに接続されたワイヤ部１７４ｂとを含む半導体基板１５８の部分は、他の半導体チップ上に存在する（図示せず）。
【０３３０】
こうして、本実施形態による半導体装置が製造される。
【０３３１】
かかる構造にあっては、半導体基板１５８の電極と半導体素子１６６の電極は、ワイヤ電極１７４ｂ、シード層１８２を含む配線１８８及びスタッドバンプ１７４を介して相互に接続される。
【０３３２】
また、配線１８８からは、導体プラグ１９４、半田バンプ２００を介して、外部への接続が可能とされる。
【０３３３】
本実施形態による半導体装置の製造方法は、上述したように、半導体基板１５８上に半導体チップ１６６を実装し、半導体基板１５８上及び半導体チップ１６６上にそれぞれボールボンディングによりバンプ電極１７４及びバンプ電極１７６とを形成し、これらワイヤ電極１７４及びスタッドバンプ１７６を埋め込むように樹脂層１８０を形成し、しかる後、この樹脂層１８０の表層部をバイト１２を用いて切削し、切削が施された樹脂層１８０ａ上にシード層１８２を形成することに主な特徴がある。
【０３３４】
上述したように、めっき法によりバンプ電極を形成する場合には、バンプ電極の数にかかわらず、一定のコストがかかる。このため、バンプ電極の数が非常に多い場合には、一つ当たりのバンプ電極の単価は比較的安くなるが、バンプ電極の数があまり多くない場合には、一つ当たりのバンプ電極の単価は比較的高くなる。一方、ワイヤ電極１７４、スタッドバンプ１７６を形成する場合、即ち、ボールボンディングによりワイヤ電極１７４及びスタッドバンプ１７６を形成する場合には、ワイヤ電極１７４、スタッドバンプ１７６の数に応じてコストがかかる。このため、ワイヤ電極１７４、スタッドバンプ１７６の数が比較的少ない場合には、ボールボンディングにより形成した場合の方が、めっき法により形成した場合より低コストになる場合がある。従って、本実施形態のように、ボールボンディングによりワイヤ電極１７４、スタッドバンプ１７６を適宜形成するようにすれば、低コスト化を図ることが可能となる。
【０３３５】
［変形実施形態］
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
【０３３６】
例えば、上記実施形態では、シード層を無電解めっき法により形成する場合を例に説明したが、シード層をスパッタ法により形成してもよい。樹脂層をバイトにより切削することにより樹脂層の表面が適度な粗さになるため、シード層をスパッタ法により形成する場合であっても、樹脂層とシード層との密着性を十分に確保することができる。このため、シード層をスパッタ法により形成する場合であっても、樹脂層とめっき膜との密着性を十分に確保することができる。
【０３３７】
以上詳述したように、本発明の特徴をまとめると以下のようになる。
【０３３８】
（付記１）
支持基板上に樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層の表層部をバイトにより切削する工程と、
前記樹脂層上に無電解めっき法によりシード層を形成する工程と、
前記シード層上に電気めっき法によりめっき膜を形成する工程と
を有することを特徴とするめっき方法。
【０３３９】
（付記２）
支持基板上に樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記樹脂層の表層部をバイトにより切削する工程と、
前記樹脂層上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上に電気めっき法によりめっき膜を形成する工程と
を有することを特徴とするめっき方法。
【０３４０】
（付記３）
付記２記載のめっき方法において、
前記樹脂層を形成する工程では、樹脂シートを前記支持基板上に貼り付けることにより、前記樹脂シートより成る樹脂層を形成する
ことを特徴とするめっき方法。
【０３４１】
（付記４）
付記２又は３記載のめっき方法において、
前記バイトは、ダイヤモンドより成る
ことを特徴とするめっき方法。
【０３４２】
（付記５）
付記２乃至４のいずれかに記載のめっき方法において、
前記シード層を形成する工程では、無電解めっき法又はスパッタ法により前記シード層を形成する
ことを特徴とするめっき方法。
【０３４３】
（付記６）
付記２乃至５のいずれかに記載のめっき方法において、
前記樹脂層の厚さは、前記支持基板の面内における厚さの最大値と最小値との差より大きい
ことを特徴とするめっき方法。
【０３４４】
（付記７）
付記２乃至６のいずれかに記載のめっき方法において、
前記シード層は、銅又はニッケルより成る
ことを特徴とするめっき方法。
【０３４５】
（付記８）
半導体基板上に樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記樹脂層の表層部をバイトにより切削する工程と、
前記樹脂層上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上に電気めっき法によりめっき膜より成る配線を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０３４６】
（付記９）
付記８記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂層を形成する工程の前に、前記半導体基板上に導体プラグを形成する工程を更に有し、
前記樹脂層を形成する工程では、前記導体プラグを埋め込むように前記樹脂層を形成し、
前記樹脂層の表層部を切削する工程では、前記導体プラグの上部をも前記バイトにより切削し、
前記シード層を形成する工程では、前記導体プラグ上にも前記シード層を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０３４７】
（付記１０）
付記８記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂層を形成する工程の前に、ボールボンディングによりバンプ電極を形成する工程とを更に有し、
前記樹脂層を形成する工程では、前記バンプ電極を埋め込むように前記樹脂層を形成し、
前記樹脂層の表層部を切削する工程では、前記バンプ電極の上部をも前記バイトにより切削し、
前記シード層を形成する工程では、前記バンプ電極上にも前記シード層を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０３４８】
（付記１１）
付記８記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂層を形成する工程の前に、前記半導体基板上に半導体チップを実装する工程と；前記半導体基板上に、前記半導体チップの上面より上方に突出するように、ボールボンディングによりワイヤ電極を形成し、前記半導体チップ上にボールボンディングによりバンプ電極を形成する電極形成工程とを更に有し、
前記樹脂層を形成する工程では、前記ワイヤ電極及び前記バンプ電極を埋め込むように前記樹脂層を形成し、
前記樹脂層の表層部を切削する工程では、前記ワイヤ電極の上部及び前記バンプ電極の上部をも前記バイトにより切削し、
前記シード層を形成する工程では、前記ワイヤ電極上及び前記バンプ電極上にも前記シード層を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０３４９】
（付記１２）
支持基板上に樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記樹脂層の表層部をバイトにより切削する工程と、
前記樹脂層上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上に電気めっき法により配線を形成する工程と
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【０３５０】
（付記１３）
支持基板と、前記支持基板上に形成された下部電極と；前記下部電極上に形成された誘電体膜と；前記誘電体膜上に形成された上部電極とを有するキャパシタとを有する回路基板の製造方法であって、
支持基板上に下部電極を形成する工程と、
少なくとも前記下部電極上に樹脂を含む誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記誘電体膜の表層部をバイトにより切削する工程と、
前記誘電体膜上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上に電気めっき法により上部電極を形成する工程と
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【０３５１】
（付記１４）
付記１３記載の回路基板の製造方法において、
前記誘電体膜の表層部を切削する工程では、前記下部電極上に存在する前記誘電体膜の厚さが５μｍ以下となるように、前記誘電体膜の表層部を切削する
ことを特徴とする回路基板の製造方法。
【０３５２】
（付記１５）
付記１３又は１４記載の回路基板の製造方法において、
前記誘電体膜は、前記樹脂より比誘電率の高い材料より成るフィラーを更に含む
ことを特徴とする回路基板の製造方法。
【０３５３】
（付記１６）
付記１５記載の回路基板の製造方法において、
前記フィラーは、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＺｎＴｉＯ３、ＰｂＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＰｂＺｒＯ３、ＢａＸＳｒ１−ＸＴｉＯ３、ＢａＴｉＸＺｒ１−ＸＯ３、ＰｂＺｒＸＴｉ１−ＸＯ３、ＰｂＸＬａ１−ＸＺｒＹＴｉ１−ＹＯ３、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７及びＮｄ２Ｔｉ２Ｏ７のうちのいずれか、又はこれらの混合物より成る
ことを特徴とする回路基板の製造方法。
【０３５４】
（付記１７）
支持基板と、前記支持基板上に形成された第１の電極と、前記第１の電極上に形成された抵抗器と、前記抵抗器上に形成された第２の電極とを有する回路基板の製造方法であって、
支持基板上に、第１の電極を形成する工程と、
前記第１の電極上に、前記樹脂を含む抵抗層を形成する工程と、
前記抵抗層の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記抵抗層の表層部を切削する工程と、
前記抵抗層上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上に電気めっき法により電極を形成する工程と
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【０３５５】
（付記１８）
付記１７記載の回路基板の製造方法において、
前記抵抗層は、導電体より成るフィラーを含む
ことを特徴とする回路基板の製造方法。
【０３５６】
（付記１９）
付記１８記載の回路基板の製造方法において、
前記フィラーは、炭素、炭化珪素及びニッケル−クロム合金のうちのいずれか、又は、これらの混合物より成る
ことを特徴とする回路基板の製造方法。
【０３５７】
（付記２０）
支持基板と、前記支持基板上に形成されたインダクタとを有する回路基板の製造方法であって、
支持基板上に樹脂を含む絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記絶縁層の表層部をバイトにより切削する工程と、
前記絶縁層上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上にインダクタを電気めっき法により形成する工程と
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【０３５８】
（付記２１）
付記２０記載の回路基板の製造方法において、
前記絶縁層は、前記樹脂より透磁率の高い材料より成るフィラーを更に含む
ことを特徴とする回路基板の製造方法。
【０３５９】
（付記２２）
付記２１記載の回路基板の製造方法において、
前記フィラーは、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト及びＮｉ−Ｚｎ系フェライトのうちのいずれか、又は、これらの混合物より成る
ことを特徴とする回路基板の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【０３６０】
【図１】樹脂層の表層部をバイトにより切削する場合を示す側面図である。
【図２】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その１）である。
【図３】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その２）である。
【図４】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その３）である。
【図５】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その４）である。
【図６】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その５）である。
【図７】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その６）である。
【図８】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その７）である。
【図９】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その８）である。
【図１０】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その９）である。
【図１１】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その１０）である。
【図１２】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その１１）である。
【図１３】エポキシ系樹脂より成る基材中にゴム系フィラーを含有させた樹脂フィルムをバイトにより切削した場合を示す図である。
【図１４】本発明の第２実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図（その１）である。
【図１５】本発明の第２実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図（その２）である。
【図１６】本発明の第２実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図（その３）である。
【図１７】本発明の第２実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図（その４）である。
【図１８】本発明の第２実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図（その５）である。
【図１９】本発明の第２実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図（その６）である。
【図２０】本発明の第２実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図（その７）である。
【図２１】本発明の第２実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図（その８）である。
【図２２】本発明の第２実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図（その９）である。
【図２３】本発明の第２実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図（その１０）である。
【図２４】本発明の第３実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図（その１）である。
【図２５】本発明の第３実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図（その２）である。
【図２６】本発明の第４実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図（その１）である。
【図２７】本発明の第４実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図（その２）である。
【図２８】本発明の第４実施形態による回路基板の製造方法を示す工程図（その３）である。
【図２９】樹脂層の表面における十点平均粗さと、めっき膜の引っ張り強度と、短絡を招くことなく形成可能な配線のギャップの最小値との関係を示すグラフである。
【図３０】本発明の第５実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その１）である。
【図３１】本発明の第５実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その２）である。
【図３２】本発明の第５実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その３）である。
【図３３】本発明の第５実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その４）である。
【図３４】本発明の第５実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その５）である。
【図３５】本発明の第５実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その６）である。
【図３６】本発明の第５実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その７）である。
【図３７】本発明の第５実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その８）である。
【図３８】本発明の第６実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その１）である。
【図３９】本発明の第６実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その２）である。
【図４０】本発明の第６実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その３）である。
【図４１】本発明の第６実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その４）である。
【図４２】本発明の第６実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その５）である。
【図４３】本発明の第６実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その６）である。
【図４４】本発明の第６実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その７）である。
【図４５】本発明の第６実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その８）である。
【図４６】本発明の第６実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その９）である。
【符号の説明】
【０３６１】
８…樹脂フィルム
１０…樹脂層（加工前の樹脂フィルム）
１０ａ…樹脂層（切削後の樹脂層）
１２…バイト
１４…凹凸
１６…半導体基板
１８…層間絶縁膜
２０…導体プラグ
２２…シード層
２４…フォトレジスト膜
２６…開口部
２８…配線
３０…フォトレジスト膜
３２…開口部
３４…導体プラグ
３６…シード層
３８…触媒
４０…フォトレジスト膜
４２…開口部
４４…配線
４６…フォトレジスト膜
４８…開口部
５０…導体プラグ
５１…樹脂フィルム
５２…樹脂層
５３…凹凸
５４…配線
５６…コア層
５８…支持基板
６０…配線
６２…絶縁層
６４…貫通孔
６６…導電膜
６８…ビア
７０…導電膜
７２…樹脂層
７４…コンタクトホール
７６…配線
７８…樹脂層
８０…コンタクトホール
８２…下部電極
８３…樹脂フィルム
８４…樹脂層（加工前の樹脂フィルム）
８４ａ…樹脂層（切削後の樹脂層）、誘電体膜
８８…シード層
９０…上部電極
９２…キャパシタ
９４…樹脂層
９６…コンタクトホール
９８…配線
１００…導体プラグ
１０２…樹脂層
１０４…配線
１０６…導体プラグ
１０８…樹脂層
１１０…配線
１１１…樹脂フィルム
１１２…樹脂層（加工前の樹脂フィルム）
１１２ａ…樹脂層（切削後の樹脂層）、抵抗層
１１３…樹脂フィルム
１１４…樹脂層（加工前の樹脂フィルム）
１１４ａ…樹脂層（切削後の樹脂層）、高透磁率層
１１６…インダクタ
１１８…配線
１２０…半導体基板
１２０ａ…半導体チップ
１２２…絶縁膜
１２４…開口部
１２６…電極パッド
１２８…バンプ電極、スタッドバンプ
１３０…樹脂フィルム
１３２…樹脂層（加工前の樹脂フィルム）
１３２ａ…樹脂層（切削後の樹脂層）
１３４…超精密旋盤
１３６…チャックテーブル
１３８…シード層
１４０…フォトレジスト膜
１４２…開口部
１４４…配線
１４６…フォトレジスト膜
１４８…開口部
１５０…導体プラグ
１５２…樹脂フィルム
１５４…樹脂層（加工前の樹脂フィルム）
１５４ａ…樹脂層（切削後の樹脂層）
１５６…半田バンプ
１５８…半導体基板
１５８ａ…半導体チップ
１６０…層間絶縁膜
１６２ａ、１６２ｂ…開口部
１６４ａ…電極パッド
１６４ｂ…ダミーパッド
１６６…半導体チップ
１６７…接着層
１６８…層間絶縁膜
１７０…開口部
１７２…電極パッド
１７４…ワイヤ電極
１７４ａ…ボール
１７４ｂ…ワイヤ
１７６…バンプ電極、スタッドバンプ
１７８…樹脂フィルム
１８０…樹脂層（加工前の樹脂フィルム）
１８０ａ…樹脂層（切削後の樹脂層）
１８２…シード層
１８４…フォトレジスト膜
１８６…開口部
１８８…配線
１９０…フォトレジスト膜
１９２…開口部
１９４…導体プラグ
１９６…樹脂フィルム
１９８…樹脂層（加工前の樹脂フィルム）
１９８ａ…樹脂層（切削後の樹脂層）
２００…半田バンプ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層の表層部をバイトにより切削する工程と、
前記樹脂層上に無電解めっき法によりシード層を形成する工程と、
前記シード層上に電気めっき法によりめっき膜を形成する工程と
を有することを特徴とするめっき方法。
【請求項２】
支持基板上に樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記樹脂層の表層部をバイトにより切削する工程と、
前記樹脂層上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上に電気めっき法によりめっき膜を形成する工程と
を有することを特徴とするめっき方法。
【請求項３】
請求項２記載のめっき方法において、
前記シード層を形成する工程では、無電解めっき法又はスパッタ法により前記シード層を形成する
ことを特徴とするめっき方法。
【請求項４】
半導体基板上に樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記樹脂層の表層部をバイトにより切削する工程と、
前記樹脂層上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上に電気めっき法によりめっき膜より成る配線を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
支持基板上に樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記樹脂層の表層部をバイトにより切削する工程と、
前記樹脂層上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上に電気めっき法により配線を形成する工程と
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項６】
支持基板と、前記支持基板上に形成された下部電極と；前記下部電極上に形成された誘電体膜と；前記誘電体膜上に形成された上部電極とを有するキャパシタとを有する回路基板の製造方法であって、
支持基板上に下部電極を形成する工程と、
少なくとも前記下部電極上に樹脂を含む誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記誘電体膜の表層部をバイトにより切削する工程と、
前記誘電体膜上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上に電気めっき法により上部電極を形成する工程と
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項７】
支持基板と、前記支持基板上に形成された第１の電極と、前記第１の電極上に形成された抵抗器と、前記抵抗器上に形成された第２の電極とを有する回路基板の製造方法であって、
支持基板上に、第１の電極を形成する工程と、
前記第１の電極上に、前記樹脂を含む抵抗層を形成する工程と、
前記抵抗層の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記抵抗層の表層部を切削する工程と、
前記抵抗層上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上に電気めっき法により電極を形成する工程と
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の回路基板の製造方法において、
前記抵抗層は、前記導電体より成るフィラーを含む
ことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項９】
支持基板と、前記支持基板上に形成されたインダクタとを有する回路基板の製造方法であって、
支持基板上に樹脂を含む絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記絶縁層の表層部をバイトにより切削する工程と、
前記絶縁層上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上にインダクタを電気めっき法により形成する工程と
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の回路基板の製造方法において、
前記絶縁層は、前記樹脂より透磁率の高い材料より成るフィラーを更に含む
ことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項１】
支持基板上に樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層の表層部をバイトにより切削する工程と、
前記樹脂層上に無電解めっき法によりシード層を形成する工程と、
前記シード層上に電気めっき法によりめっき膜を形成する工程と
を有することを特徴とするめっき方法。
【請求項２】
支持基板上に樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記樹脂層の表層部をバイトにより切削する工程と、
前記樹脂層上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上に電気めっき法によりめっき膜を形成する工程と
を有することを特徴とするめっき方法。
【請求項３】
請求項２記載のめっき方法において、
前記シード層を形成する工程では、無電解めっき法又はスパッタ法により前記シード層を形成する
ことを特徴とするめっき方法。
【請求項４】
半導体基板上に樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記樹脂層の表層部をバイトにより切削する工程と、
前記樹脂層上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上に電気めっき法によりめっき膜より成る配線を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
支持基板上に樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記樹脂層の表層部をバイトにより切削する工程と、
前記樹脂層上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上に電気めっき法により配線を形成する工程と
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項６】
支持基板と、前記支持基板上に形成された下部電極と；前記下部電極上に形成された誘電体膜と；前記誘電体膜上に形成された上部電極とを有するキャパシタとを有する回路基板の製造方法であって、
支持基板上に下部電極を形成する工程と、
少なくとも前記下部電極上に樹脂を含む誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記誘電体膜の表層部をバイトにより切削する工程と、
前記誘電体膜上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上に電気めっき法により上部電極を形成する工程と
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項７】
支持基板と、前記支持基板上に形成された第１の電極と、前記第１の電極上に形成された抵抗器と、前記抵抗器上に形成された第２の電極とを有する回路基板の製造方法であって、
支持基板上に、第１の電極を形成する工程と、
前記第１の電極上に、前記樹脂を含む抵抗層を形成する工程と、
前記抵抗層の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記抵抗層の表層部を切削する工程と、
前記抵抗層上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上に電気めっき法により電極を形成する工程と
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の回路基板の製造方法において、
前記抵抗層は、前記導電体より成るフィラーを含む
ことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項９】
支持基板と、前記支持基板上に形成されたインダクタとを有する回路基板の製造方法であって、
支持基板上に樹脂を含む絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の表面における十点平均粗さが０．５〜５μｍとなるように、前記絶縁層の表層部をバイトにより切削する工程と、
前記絶縁層上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上にインダクタを電気めっき法により形成する工程と
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の回路基板の製造方法において、
前記絶縁層は、前記樹脂より透磁率の高い材料より成るフィラーを更に含む
ことを特徴とする回路基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図４４】
【図４５】
【図４６】
【図７】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図４４】
【図４５】
【図４６】
【図７】
【図１３】
【公開番号】特開２００６−１４８０６２（Ｐ２００６−１４８０６２Ａ）
【公開日】平成１８年６月８日（２００６．６．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２３５２２９（Ｐ２００５−２３５２２９）
【出願日】平成１７年８月１５日（２００５．８．１５）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年６月８日（２００６．６．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年８月１５日（２００５．８．１５）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
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