半導体装置の保管方法
【課題】 余分に材料を使用することなくコストを抑え、工程を増やさず、環境にも影響の少ない状態で、更にアルミ電極の腐食や変色をさせることなく長期保管することができる半導体装置の保管方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置１０に形成されたアルミ電極側の面に、紫外線を照射することで硬化する保護テープ１４を貼り付ける貼付工程と、半導体装置１０の裏面を研磨する研磨工程と、半導体装置１０に保護テープ１４を貼り付けた状態で保管する保管工程と、保護テープ１４を剥離する紫外線照射工程とを行う。これにより、保管中の、アルミ電極と半導体装置１０の周囲に滞留する大気中の湿気および有害ガスとの接触を防ぐことができ、アルミ電極の腐食や変色を抑制することが可能になる。
【解決手段】 半導体装置１０に形成されたアルミ電極側の面に、紫外線を照射することで硬化する保護テープ１４を貼り付ける貼付工程と、半導体装置１０の裏面を研磨する研磨工程と、半導体装置１０に保護テープ１４を貼り付けた状態で保管する保管工程と、保護テープ１４を剥離する紫外線照射工程とを行う。これにより、保管中の、アルミ電極と半導体装置１０の周囲に滞留する大気中の湿気および有害ガスとの接触を防ぐことができ、アルミ電極の腐食や変色を抑制することが可能になる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の保管方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置であるウエハは、配線や電極などの製造工程を終了したあと、すぐに出荷する見込みがなく長期間保管するとき、ウエハを保管容器に入れて保管していた。保管容器に入れる理由は、ウエハ上に形成された、例えばアルミ電極と大気中の湿気および有害ガスとが反応して、アルミ電極に腐蝕が発生するのを防止するためである。ウエハの保管方法は、まず、ウエハを保管容器に収納し、次に、保管容器全体をガスバリア性の高い柔軟な防湿袋の中に入れ、次に、防湿袋の中に脱水材を入れたり、防湿袋の中を脱気したりしてアルミ電極が腐蝕するのを防いでいた。
【０００３】
しかしながら、防湿袋の中を脱気しても保管容器の中の湿気および有害ガスが十分に取りきれず、ウエハに形成されたアルミ電極と湿気および有害ガスとが反応して腐食や変色する可能性があった。そこで、電極が腐食や変色することを解決するため、アルミ電極が形成されたウエハの表面に、スピンコート法によって保護膜を形成し、アルミ電極と大気中の湿気および有害ガスとが触れないようにする方法が開示されている（特許文献１）。
【０００４】
【特許文献１】特開昭５９−１２１９４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のウエハの保管方法では、スピンコート法によって保護膜を形成するので、専用の装置を用意する必要があり、更に、保護膜を形成する工程、保護膜を剥離する工程が必要になり、費用や時間がかかってしまうという問題があった。また、スピンコート法は、塗布する材料の利用効率が低くムダにしてしまう割合が多い、更に、スピンコート時に保護膜として利用されなかった材料が廃棄されると、環境に好ましくないなどの問題もあった。
【０００６】
本発明は、このような従来の技術の有する未解決な課題に着目してなされたものであって、余分に材料を使用せずにコストを抑え、工程を増やさず、環境にも影響の少ない状態で、更にアルミ電極の腐食や変色をさせることなく長期保管することができる半導体装置の保管方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記問題を解決するために、本発明に係る半導体装置の保管方法は、アルミ電極が形成された半導体装置の表面に保護テープを貼り付ける貼付工程と、前記半導体装置の裏面を研磨する研磨工程と、前記半導体装置に前記保護テープを貼った状態で出荷するまで保管する保管工程とを有する。
【０００８】
この構成によれば、裏面研磨のときに半導体装置の表面に貼った保護テープを、裏面研磨後も剥がさずに保管容器に保管するので、半導体装置に形成されたアルミ電極と大気中の湿気および有害ガスとを触れないようにすることができる。よって、アルミ電極の腐食や変色を防止することが可能になる。また、製造工程を増やさないのでコストを抑えて保管することが可能になる。
【０００９】
本発明に係る半導体装置の保管方法では、前記保管工程のあとであって出荷する前に、前記半導体装置に貼った前記保護テープを紫外線（ＵＶ）照射によって取り除く紫外線照射工程を有することが望ましい。
【００１０】
この構成によれば、ＵＶ照射によって半導体装置に貼った保護テープを取り除くので、保護テープの粘着層が硬化し、半導体装置上に粘着層を残さないようにすることができる。よって、ゴミの付着を防止することが可能になる。
【００１１】
本発明に係る半導体装置の保管方法では、前記保管工程は、前記半導体装置を収納した保管容器を、防湿性を有する袋に入れて脱気処理していることが望ましい。
【００１２】
この構成によれば、保護テープに加えて、防湿性を有する袋に入れて脱気処理をしているので、半導体装置に形成されたアルミ電極と空気中の湿気および有害ガスとの接触を更に防止することが可能になる。
【００１３】
本発明に係る半導体装置の保管方法では、前記保管工程は、前記研磨工程終了後から出荷までの期間が、所定期間以内であれば前記保護テープを取り除き、前記所定期間以上であれば前記保護テープを貼ったまま保管することが望ましい。
【００１４】
この構成によれば、出荷までの期間によって保護テープを取り除いたり残したりするので、所定期間経過したものであっても、半導体装置に形成されたアルミ電極と空気中の湿気および有害ガスとの接触を防止することができ、腐食や変色を抑制することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明に係る半導体装置の保管方法の実施形態について図面を参照して説明する。図１は、本実施形態の半導体装置を模式的に示す斜視図である。以下、本実施形態の半導体装置について、図１を参照しながら説明する。
【００１６】
図１に示すように、半導体装置１０は、例えば、シリコン基板１１上に複数の製品チップ１２が並んで形成されている。製品チップ１２は、シリコン基板１１の有効チップ領域（図示せず）に形成されている。この有効チップ領域は、良品の製品チップ１２が取れる範囲である。製品チップ１２には、製品チップ１２内部に構成される半導体素子（図示せず）と外部とを電気的に接続するために、複数の電極（パッド）１３が形成されている。電極１３は、例えば、アルミで構成されている。以下、電極をアルミ電極１３という。
【００１７】
図２、図３は、半導体装置を保管する保管方法を工程別に示す模式断面図である。以下、半導体装置を保管する工程を、図２、図３を参照しながら説明する。
図２（ａ）は、製造プロセスを終了した半導体装置（図１参照）を示している。半導体装置１０は、上述したように、複数の製品チップ１２を有し、それぞれに複数のアルミ電極１３（図１参照）が形成されている。アルミ電極１３の形成方法は、まず、公知の方法により、シリコン基板１１上に、層間絶縁膜（図示せず）を堆積し、この層間絶縁膜上にスパッタ法によりアルミ合金膜（図示せず）を堆積する。次に、このアルミ合金膜をパターニングすることにより、層間絶縁膜上には、アルミ電極１３が形成される。次に、アルミ電極１３上にパッシベーション膜（図示せず）を堆積し、このパッシベーション膜をエッチングする。これにより、パッシベーション膜にアルミ電極１３の上に位置する開口部が形成され、この開口部によりアルミ電極１３と外部とが電気的に接続可能になっている。
【００１８】
図２（ｂ）は、半導体装置の表面に保護テープを貼っている状態を示している。本実施形態では、半導体装置１０に形成されたアルミ電極１３が露出している側の面を表面１０ａとし、対向する面を裏面１０ｂとする。保護テープ１４は、次工程で行う半導体装置１０の裏面１０ｂを研磨するとき、半導体装置１０の表面１０ａに形成されたアルミ電極１３や回路（図示せず）等を保護するために貼られている。
保護テープ１４は、例えば、紫外線（ＵＶ（Ultra Violet））照射硬化型テープであり、基材フィルム（図示せず）と、粘着層（図示せず）とから構成されている。基材フィルムの材質は、例えば、ポリオレフィンで構成されており、アルミ電極１３を湿気および有害ガスから保護できる湿気非透過性を有する。基材フィルムの厚みは、例えば、１００μｍで構成されている。粘着層は、例えば、アクリルであり、半導体装置１０とアルミ電極１３との段差が包み込める吸収性を有する。粘着層の厚みは、例えば２０μｍである。この粘着層により、半導体装置１０とアルミ電極１３とを、隙間なく密着できるようになっている。
【００１９】
図２（ｃ）は、半導体装置の裏面を研磨している状態を示している。半導体装置１０は、例えば、機械研磨装置（以下、グラインダ１５という）によって研磨される。グラインダ１５は、半導体装置１０（図２（ｃ）において、保護テープ１４側）を真空によって吸着する真空吸着盤１６と、半導体装置１０を研磨するスピンドル１７とを有する。真空吸着盤１６には、真空吸着によって半導体装置１０を保持する保持機構（図示せず）と、研磨するときに半導体装置１０を回転させる回転機構（図示せず）とが備えられている。スピンドル１７は、研磨する砥石が備えられており、この砥石が回転機構によって回転するようになっている。つまり、スピンドル１７の回転と、半導体装置１０の回転とが合わさることによって、半導体装置１０の裏面１０ｂを研磨するようになっている。
【００２０】
また、グラインダ１５は、半導体装置１０の裏面１０ｂを研磨する際に生じる研削熱の除去、および、発生するシリコン屑の洗い流しのため、純水を半導体装置１０とスピンドル１７にかけながら研磨処理を行っている。半導体装置１０の表面１０ａに保護テープ１４を貼ったことにより、これらの水からアルミ電極１３等を保護することが可能になっている。
【００２１】
図２（ｄ）は、半導体装置を洗浄している状態を示している。半導体装置１０の洗浄は、ノズル１８からかけられた純水１９によって行われる。半導体装置１０は、洗浄のあと乾燥が行われる。
【００２２】
図３（ｅ）は、半導体装置を保管容器に収納した状態を示している。保管容器２１は、本体２２と蓋２３とを有し、例えばポリプロピレンで構成されている。本体２２には、基板ガイド部２４が形成されており、基板ガイド部２４の溝２４ａに沿って半導体装置１０が立てかけられて収納されている。収納された半導体装置１０には、保護テープ１４が貼られたままの状態になっている。蓋２３は、本体２２に半導体装置１０が収納し終わったあとに本体２２に被せされる。
【００２３】
図３（ｆ）は、半導体装置が収納された保管容器を防湿性を有する防湿袋に入れた状態を示している。防湿袋２５は、防湿性に優れた例えばアルミラミネートで構成されている。半導体装置１０を収納した保管容器２１を防湿袋２５に入れ、防湿袋２５内の脱気２６を行っている。防湿袋２５内の脱気は、例えば、ガス置換式の包装機（図示せず）が用いられる。また、防湿袋２５内を不活性ガスとしての窒素（Ｎ２）ガスに置換したあと、防湿袋２５の開口を加熱溶着などで密封する方法が知られている。
【００２４】
図３（ｇ）は、半導体装置に貼り付けた保護テープに紫外線（ＵＶ）を照射している状態を示している。紫外線２７の照射は、例えば、紫外線照射装置（図示せず）を用いて行われる。
【００２５】
図３（ｈ）は、半導体装置から保護テープを剥離した状態を示している。保護テープ１４は、紫外線２７が照射されて粘着層が硬化することにより、半導体装置１０から保護テープ１４が剥離しやすくなっている。
【００２６】
図４は、半導体装置の保管方法を工程順に示す工程図である。以下、半導体装置の保管方法を、図４及び図２，３を参照しながら説明する。図４に示すように、工程Ｐ１では、半導体装置１０にアルミ電極１３等を形成し、製造プロセスを終了する（図２（ａ）参照）。製造プロセス終了後、例えば、電気特性試験を行い、製品チップ１２の品質評価を行っている。
【００２７】
工程Ｐ２では、半導体装置１０の表面に保護テープを貼り付ける（図２（ｂ）参照）。このとき、保護テープ１４のうち半導体装置１０の端面１０ｃ（図２（ｂ）参照）からはみ出た部分は、カッターなどを用いて切断してもよい。保護テープ１４を貼ることにより、半導体装置１０に形成されたアルミ電極１３や回路を保護することが可能になる。
【００２８】
工程Ｐ３では、半導体装置１０の裏面１０ｂを研磨する（図２（ｃ）参照）。まず、半導体装置１０の保護テープ１４側（半導体装置１０の表面１０ａ側）の面を、グラインダ１５に備えられた真空吸着盤１６の吸着面に真空吸着することによって半導体装置１０を保持する。次に、半導体装置１０とスピンドル１７とを回転し、スピンドル１７を半導体装置１０の裏面１０ｂに押圧しながら研磨を行う。そして、所定時間研磨を行い、半導体装置１０を任意の厚みに形成する。
【００２９】
工程Ｐ４では、半導体装置１０を洗浄する（図２（ｄ）参照）。半導体装置１０を純水１９で洗浄することにより、半導体装置１０の裏面１０ｂを研磨したときに付着した研磨屑を除去することが可能になる。
【００３０】
工程Ｐ５では、半導体装置１０を乾燥する。前述した工程Ｐ４で洗浄した半導体装置１０を、例えば、スピン運動させて純水１９を弾き飛ばし、乾燥を行う。
【００３１】
工程Ｐ６では、半導体装置１０を保管容器２１に収納する（図３（ｅ）参照）。この保管容器２１に収納する半導体装置１０は、長期間、出荷の予定がないものである。まず、長期間保管する予定の半導体装置１０を、保管容器２１の容器本体２２に形成された基板ガイド部２４に沿って挿入する。このときの半導体装置１０は、保護テープ１４が貼られたままの状態である。容器本体２２に半導体装置１０を収納し終わったあと、容器本体２２に蓋２３を被せて遮断する。
【００３２】
工程Ｐ７では、保管容器の中の脱気を行う。まず、半導体装置１０を収納した保管容器２１を、防湿袋２５に入れる（図３（ｆ）参照）。次に、脱気装置（図示せず）によって、防湿袋２５の中の脱気２６を行う。また、置換装置（図示せず）によって、防湿袋２５の中の酸素を不活性ガスに置換するようにしてもよい。このとき、保管容器２１の中まで十分に脱気を行うことは難しいため、わずかな酸素が防湿袋２５の中に残っている状態である。しかしながら、半導体装置１０のアルミ電極１３が形成された表面１０ａには、保護テープ１４が貼り付けられているため、アルミ電極１３と、防湿袋２５の中に残った空気中の酸素との接触を抑制することができる。よって、アルミ電極１３は、空気中に含まれる湿気および有害ガスとの接触がない状態を長期間維持することが可能になる。
【００３３】
工程Ｐ８では、半導体装置に貼った保護テープに紫外線（ＵＶ）を照射する（図３（ｇ）参照）。まず、保管容器２１に保管されている半導体装置１０の出荷日が決定したとする。これに合わせて、半導体装置１０に貼った保護テープ１４を除去する準備を行う。保管容器２１から半導体装置１０を取り出し、保護テープ１４に紫外線２７を照射する。これにより、保護テープ１４の粘着層が硬化する。
【００３４】
工程Ｐ９では、半導体装置から保護テープを剥離する（図３（ｈ）参照）。保護テープ１４は、粘着層が硬化したことにより、半導体装置１０からの剥離が容易になっている。
【００３５】
工程Ｐ１０では、半導体装置を出荷する。このときの半導体装置１０に形成されたアルミ電極１３は、長期間、大気中に含まれている湿気および有害ガスとの接触がなかったので、腐食や変色のない状態になっている。
【００３６】
以上詳述したように、本実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
（１）本実施形態によれば、半導体装置１０に形成されたアルミ電極１３側の面（表面１０ａ）に保護テープ１４を貼り保管容器２１に保管するので、アルミ電極１３と、保管容器２１の中に滞留する湿気および有害ガスとが接触しない状態を長期間、維持することが可能になる。よって、アルミ電極１３の腐食や変色を抑制することができる。更に、半導体装置１０の裏面１０ｂを研磨するときに貼り付けた保護テープをそのままの状態で保管するので、製造工程を増やすことなく、従来のスピンコートで利用されない材料を廃棄することがないので、材料コストを抑え、環境にも影響の少ない製造工程で半導体装置１０を保管することができる。
（２）本実施形態によれば、半導体装置１０に貼り付けた保護テープ１４は、紫外線２７を照射することによって粘着層が硬化するので、半導体装置１０から剥離することが可能になる。よって、半導体装置１０を汚したり、負荷を与えたりすることなく、綺麗な状態を維持することができ、これにより、洗浄するなどの工程が必要なく、コストを抑えることができる。
（３）本実施形態によれば、半導体装置１０を保管容器２１に収納し、更に、防湿性を有する防湿袋２５に入れて脱気２６をしているので、半導体装置１０同士の接触がなく、半導体装置１０に形成された回路などを破壊することなく、保管することができる。
【００３７】
なお、本実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
（変形例１）前記実施形態では、半導体装置１０の表面１０ａを保護する保護テープ１４は、ＵＶテープを使用した。これを、少なくとも基材フィルムに粘着層が備えられた保護テープであれば、他の構成の保護テープを使用するようにしてもよい。これによれば、前記実施形態と同様に、半導体装置１０に形成されたアルミ電極１３と、大気中の湿気および有害ガスとの接触を防止することが可能になり、アルミ電極１３の腐食や変色を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】一実施形態である、半導体装置を模式的に示す斜視図。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、半導体装置の保管方法を模式的に示す工程断面図。
【図３】（ｅ）〜（ｈ）は、半導体装置の保管方法を模式的に示す工程断面図。
【図４】半導体装置の保管方法を工程順に示す工程図。
【符号の説明】
【００３９】
１０…半導体装置、１１…シリコン基板、１２…製品チップ、１３…アルミ電極、１４…保護テープ、１５…グラインダ、１６…真空吸着盤、１７…スピンドル、１８…ノズル、１９…純水、２１…保管容器、２２…容器本体、２３…蓋、２４…基板ガイド部、２５…防湿袋、２６…脱気、２７…紫外線（ＵＶ）。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の保管方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置であるウエハは、配線や電極などの製造工程を終了したあと、すぐに出荷する見込みがなく長期間保管するとき、ウエハを保管容器に入れて保管していた。保管容器に入れる理由は、ウエハ上に形成された、例えばアルミ電極と大気中の湿気および有害ガスとが反応して、アルミ電極に腐蝕が発生するのを防止するためである。ウエハの保管方法は、まず、ウエハを保管容器に収納し、次に、保管容器全体をガスバリア性の高い柔軟な防湿袋の中に入れ、次に、防湿袋の中に脱水材を入れたり、防湿袋の中を脱気したりしてアルミ電極が腐蝕するのを防いでいた。
【０００３】
しかしながら、防湿袋の中を脱気しても保管容器の中の湿気および有害ガスが十分に取りきれず、ウエハに形成されたアルミ電極と湿気および有害ガスとが反応して腐食や変色する可能性があった。そこで、電極が腐食や変色することを解決するため、アルミ電極が形成されたウエハの表面に、スピンコート法によって保護膜を形成し、アルミ電極と大気中の湿気および有害ガスとが触れないようにする方法が開示されている（特許文献１）。
【０００４】
【特許文献１】特開昭５９−１２１９４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のウエハの保管方法では、スピンコート法によって保護膜を形成するので、専用の装置を用意する必要があり、更に、保護膜を形成する工程、保護膜を剥離する工程が必要になり、費用や時間がかかってしまうという問題があった。また、スピンコート法は、塗布する材料の利用効率が低くムダにしてしまう割合が多い、更に、スピンコート時に保護膜として利用されなかった材料が廃棄されると、環境に好ましくないなどの問題もあった。
【０００６】
本発明は、このような従来の技術の有する未解決な課題に着目してなされたものであって、余分に材料を使用せずにコストを抑え、工程を増やさず、環境にも影響の少ない状態で、更にアルミ電極の腐食や変色をさせることなく長期保管することができる半導体装置の保管方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記問題を解決するために、本発明に係る半導体装置の保管方法は、アルミ電極が形成された半導体装置の表面に保護テープを貼り付ける貼付工程と、前記半導体装置の裏面を研磨する研磨工程と、前記半導体装置に前記保護テープを貼った状態で出荷するまで保管する保管工程とを有する。
【０００８】
この構成によれば、裏面研磨のときに半導体装置の表面に貼った保護テープを、裏面研磨後も剥がさずに保管容器に保管するので、半導体装置に形成されたアルミ電極と大気中の湿気および有害ガスとを触れないようにすることができる。よって、アルミ電極の腐食や変色を防止することが可能になる。また、製造工程を増やさないのでコストを抑えて保管することが可能になる。
【０００９】
本発明に係る半導体装置の保管方法では、前記保管工程のあとであって出荷する前に、前記半導体装置に貼った前記保護テープを紫外線（ＵＶ）照射によって取り除く紫外線照射工程を有することが望ましい。
【００１０】
この構成によれば、ＵＶ照射によって半導体装置に貼った保護テープを取り除くので、保護テープの粘着層が硬化し、半導体装置上に粘着層を残さないようにすることができる。よって、ゴミの付着を防止することが可能になる。
【００１１】
本発明に係る半導体装置の保管方法では、前記保管工程は、前記半導体装置を収納した保管容器を、防湿性を有する袋に入れて脱気処理していることが望ましい。
【００１２】
この構成によれば、保護テープに加えて、防湿性を有する袋に入れて脱気処理をしているので、半導体装置に形成されたアルミ電極と空気中の湿気および有害ガスとの接触を更に防止することが可能になる。
【００１３】
本発明に係る半導体装置の保管方法では、前記保管工程は、前記研磨工程終了後から出荷までの期間が、所定期間以内であれば前記保護テープを取り除き、前記所定期間以上であれば前記保護テープを貼ったまま保管することが望ましい。
【００１４】
この構成によれば、出荷までの期間によって保護テープを取り除いたり残したりするので、所定期間経過したものであっても、半導体装置に形成されたアルミ電極と空気中の湿気および有害ガスとの接触を防止することができ、腐食や変色を抑制することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明に係る半導体装置の保管方法の実施形態について図面を参照して説明する。図１は、本実施形態の半導体装置を模式的に示す斜視図である。以下、本実施形態の半導体装置について、図１を参照しながら説明する。
【００１６】
図１に示すように、半導体装置１０は、例えば、シリコン基板１１上に複数の製品チップ１２が並んで形成されている。製品チップ１２は、シリコン基板１１の有効チップ領域（図示せず）に形成されている。この有効チップ領域は、良品の製品チップ１２が取れる範囲である。製品チップ１２には、製品チップ１２内部に構成される半導体素子（図示せず）と外部とを電気的に接続するために、複数の電極（パッド）１３が形成されている。電極１３は、例えば、アルミで構成されている。以下、電極をアルミ電極１３という。
【００１７】
図２、図３は、半導体装置を保管する保管方法を工程別に示す模式断面図である。以下、半導体装置を保管する工程を、図２、図３を参照しながら説明する。
図２（ａ）は、製造プロセスを終了した半導体装置（図１参照）を示している。半導体装置１０は、上述したように、複数の製品チップ１２を有し、それぞれに複数のアルミ電極１３（図１参照）が形成されている。アルミ電極１３の形成方法は、まず、公知の方法により、シリコン基板１１上に、層間絶縁膜（図示せず）を堆積し、この層間絶縁膜上にスパッタ法によりアルミ合金膜（図示せず）を堆積する。次に、このアルミ合金膜をパターニングすることにより、層間絶縁膜上には、アルミ電極１３が形成される。次に、アルミ電極１３上にパッシベーション膜（図示せず）を堆積し、このパッシベーション膜をエッチングする。これにより、パッシベーション膜にアルミ電極１３の上に位置する開口部が形成され、この開口部によりアルミ電極１３と外部とが電気的に接続可能になっている。
【００１８】
図２（ｂ）は、半導体装置の表面に保護テープを貼っている状態を示している。本実施形態では、半導体装置１０に形成されたアルミ電極１３が露出している側の面を表面１０ａとし、対向する面を裏面１０ｂとする。保護テープ１４は、次工程で行う半導体装置１０の裏面１０ｂを研磨するとき、半導体装置１０の表面１０ａに形成されたアルミ電極１３や回路（図示せず）等を保護するために貼られている。
保護テープ１４は、例えば、紫外線（ＵＶ（Ultra Violet））照射硬化型テープであり、基材フィルム（図示せず）と、粘着層（図示せず）とから構成されている。基材フィルムの材質は、例えば、ポリオレフィンで構成されており、アルミ電極１３を湿気および有害ガスから保護できる湿気非透過性を有する。基材フィルムの厚みは、例えば、１００μｍで構成されている。粘着層は、例えば、アクリルであり、半導体装置１０とアルミ電極１３との段差が包み込める吸収性を有する。粘着層の厚みは、例えば２０μｍである。この粘着層により、半導体装置１０とアルミ電極１３とを、隙間なく密着できるようになっている。
【００１９】
図２（ｃ）は、半導体装置の裏面を研磨している状態を示している。半導体装置１０は、例えば、機械研磨装置（以下、グラインダ１５という）によって研磨される。グラインダ１５は、半導体装置１０（図２（ｃ）において、保護テープ１４側）を真空によって吸着する真空吸着盤１６と、半導体装置１０を研磨するスピンドル１７とを有する。真空吸着盤１６には、真空吸着によって半導体装置１０を保持する保持機構（図示せず）と、研磨するときに半導体装置１０を回転させる回転機構（図示せず）とが備えられている。スピンドル１７は、研磨する砥石が備えられており、この砥石が回転機構によって回転するようになっている。つまり、スピンドル１７の回転と、半導体装置１０の回転とが合わさることによって、半導体装置１０の裏面１０ｂを研磨するようになっている。
【００２０】
また、グラインダ１５は、半導体装置１０の裏面１０ｂを研磨する際に生じる研削熱の除去、および、発生するシリコン屑の洗い流しのため、純水を半導体装置１０とスピンドル１７にかけながら研磨処理を行っている。半導体装置１０の表面１０ａに保護テープ１４を貼ったことにより、これらの水からアルミ電極１３等を保護することが可能になっている。
【００２１】
図２（ｄ）は、半導体装置を洗浄している状態を示している。半導体装置１０の洗浄は、ノズル１８からかけられた純水１９によって行われる。半導体装置１０は、洗浄のあと乾燥が行われる。
【００２２】
図３（ｅ）は、半導体装置を保管容器に収納した状態を示している。保管容器２１は、本体２２と蓋２３とを有し、例えばポリプロピレンで構成されている。本体２２には、基板ガイド部２４が形成されており、基板ガイド部２４の溝２４ａに沿って半導体装置１０が立てかけられて収納されている。収納された半導体装置１０には、保護テープ１４が貼られたままの状態になっている。蓋２３は、本体２２に半導体装置１０が収納し終わったあとに本体２２に被せされる。
【００２３】
図３（ｆ）は、半導体装置が収納された保管容器を防湿性を有する防湿袋に入れた状態を示している。防湿袋２５は、防湿性に優れた例えばアルミラミネートで構成されている。半導体装置１０を収納した保管容器２１を防湿袋２５に入れ、防湿袋２５内の脱気２６を行っている。防湿袋２５内の脱気は、例えば、ガス置換式の包装機（図示せず）が用いられる。また、防湿袋２５内を不活性ガスとしての窒素（Ｎ２）ガスに置換したあと、防湿袋２５の開口を加熱溶着などで密封する方法が知られている。
【００２４】
図３（ｇ）は、半導体装置に貼り付けた保護テープに紫外線（ＵＶ）を照射している状態を示している。紫外線２７の照射は、例えば、紫外線照射装置（図示せず）を用いて行われる。
【００２５】
図３（ｈ）は、半導体装置から保護テープを剥離した状態を示している。保護テープ１４は、紫外線２７が照射されて粘着層が硬化することにより、半導体装置１０から保護テープ１４が剥離しやすくなっている。
【００２６】
図４は、半導体装置の保管方法を工程順に示す工程図である。以下、半導体装置の保管方法を、図４及び図２，３を参照しながら説明する。図４に示すように、工程Ｐ１では、半導体装置１０にアルミ電極１３等を形成し、製造プロセスを終了する（図２（ａ）参照）。製造プロセス終了後、例えば、電気特性試験を行い、製品チップ１２の品質評価を行っている。
【００２７】
工程Ｐ２では、半導体装置１０の表面に保護テープを貼り付ける（図２（ｂ）参照）。このとき、保護テープ１４のうち半導体装置１０の端面１０ｃ（図２（ｂ）参照）からはみ出た部分は、カッターなどを用いて切断してもよい。保護テープ１４を貼ることにより、半導体装置１０に形成されたアルミ電極１３や回路を保護することが可能になる。
【００２８】
工程Ｐ３では、半導体装置１０の裏面１０ｂを研磨する（図２（ｃ）参照）。まず、半導体装置１０の保護テープ１４側（半導体装置１０の表面１０ａ側）の面を、グラインダ１５に備えられた真空吸着盤１６の吸着面に真空吸着することによって半導体装置１０を保持する。次に、半導体装置１０とスピンドル１７とを回転し、スピンドル１７を半導体装置１０の裏面１０ｂに押圧しながら研磨を行う。そして、所定時間研磨を行い、半導体装置１０を任意の厚みに形成する。
【００２９】
工程Ｐ４では、半導体装置１０を洗浄する（図２（ｄ）参照）。半導体装置１０を純水１９で洗浄することにより、半導体装置１０の裏面１０ｂを研磨したときに付着した研磨屑を除去することが可能になる。
【００３０】
工程Ｐ５では、半導体装置１０を乾燥する。前述した工程Ｐ４で洗浄した半導体装置１０を、例えば、スピン運動させて純水１９を弾き飛ばし、乾燥を行う。
【００３１】
工程Ｐ６では、半導体装置１０を保管容器２１に収納する（図３（ｅ）参照）。この保管容器２１に収納する半導体装置１０は、長期間、出荷の予定がないものである。まず、長期間保管する予定の半導体装置１０を、保管容器２１の容器本体２２に形成された基板ガイド部２４に沿って挿入する。このときの半導体装置１０は、保護テープ１４が貼られたままの状態である。容器本体２２に半導体装置１０を収納し終わったあと、容器本体２２に蓋２３を被せて遮断する。
【００３２】
工程Ｐ７では、保管容器の中の脱気を行う。まず、半導体装置１０を収納した保管容器２１を、防湿袋２５に入れる（図３（ｆ）参照）。次に、脱気装置（図示せず）によって、防湿袋２５の中の脱気２６を行う。また、置換装置（図示せず）によって、防湿袋２５の中の酸素を不活性ガスに置換するようにしてもよい。このとき、保管容器２１の中まで十分に脱気を行うことは難しいため、わずかな酸素が防湿袋２５の中に残っている状態である。しかしながら、半導体装置１０のアルミ電極１３が形成された表面１０ａには、保護テープ１４が貼り付けられているため、アルミ電極１３と、防湿袋２５の中に残った空気中の酸素との接触を抑制することができる。よって、アルミ電極１３は、空気中に含まれる湿気および有害ガスとの接触がない状態を長期間維持することが可能になる。
【００３３】
工程Ｐ８では、半導体装置に貼った保護テープに紫外線（ＵＶ）を照射する（図３（ｇ）参照）。まず、保管容器２１に保管されている半導体装置１０の出荷日が決定したとする。これに合わせて、半導体装置１０に貼った保護テープ１４を除去する準備を行う。保管容器２１から半導体装置１０を取り出し、保護テープ１４に紫外線２７を照射する。これにより、保護テープ１４の粘着層が硬化する。
【００３４】
工程Ｐ９では、半導体装置から保護テープを剥離する（図３（ｈ）参照）。保護テープ１４は、粘着層が硬化したことにより、半導体装置１０からの剥離が容易になっている。
【００３５】
工程Ｐ１０では、半導体装置を出荷する。このときの半導体装置１０に形成されたアルミ電極１３は、長期間、大気中に含まれている湿気および有害ガスとの接触がなかったので、腐食や変色のない状態になっている。
【００３６】
以上詳述したように、本実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
（１）本実施形態によれば、半導体装置１０に形成されたアルミ電極１３側の面（表面１０ａ）に保護テープ１４を貼り保管容器２１に保管するので、アルミ電極１３と、保管容器２１の中に滞留する湿気および有害ガスとが接触しない状態を長期間、維持することが可能になる。よって、アルミ電極１３の腐食や変色を抑制することができる。更に、半導体装置１０の裏面１０ｂを研磨するときに貼り付けた保護テープをそのままの状態で保管するので、製造工程を増やすことなく、従来のスピンコートで利用されない材料を廃棄することがないので、材料コストを抑え、環境にも影響の少ない製造工程で半導体装置１０を保管することができる。
（２）本実施形態によれば、半導体装置１０に貼り付けた保護テープ１４は、紫外線２７を照射することによって粘着層が硬化するので、半導体装置１０から剥離することが可能になる。よって、半導体装置１０を汚したり、負荷を与えたりすることなく、綺麗な状態を維持することができ、これにより、洗浄するなどの工程が必要なく、コストを抑えることができる。
（３）本実施形態によれば、半導体装置１０を保管容器２１に収納し、更に、防湿性を有する防湿袋２５に入れて脱気２６をしているので、半導体装置１０同士の接触がなく、半導体装置１０に形成された回路などを破壊することなく、保管することができる。
【００３７】
なお、本実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
（変形例１）前記実施形態では、半導体装置１０の表面１０ａを保護する保護テープ１４は、ＵＶテープを使用した。これを、少なくとも基材フィルムに粘着層が備えられた保護テープであれば、他の構成の保護テープを使用するようにしてもよい。これによれば、前記実施形態と同様に、半導体装置１０に形成されたアルミ電極１３と、大気中の湿気および有害ガスとの接触を防止することが可能になり、アルミ電極１３の腐食や変色を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】一実施形態である、半導体装置を模式的に示す斜視図。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、半導体装置の保管方法を模式的に示す工程断面図。
【図３】（ｅ）〜（ｈ）は、半導体装置の保管方法を模式的に示す工程断面図。
【図４】半導体装置の保管方法を工程順に示す工程図。
【符号の説明】
【００３９】
１０…半導体装置、１１…シリコン基板、１２…製品チップ、１３…アルミ電極、１４…保護テープ、１５…グラインダ、１６…真空吸着盤、１７…スピンドル、１８…ノズル、１９…純水、２１…保管容器、２２…容器本体、２３…蓋、２４…基板ガイド部、２５…防湿袋、２６…脱気、２７…紫外線（ＵＶ）。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミ電極が形成された半導体装置の表面に保護テープを貼り付ける貼付工程と、
前記半導体装置の裏面を研磨する研磨工程と、
前記半導体装置に前記保護テープを貼った状態で出荷するまで保管する保管工程と
を有する半導体装置の保管方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の保管方法であって、
前記保管工程のあとであって出荷する前に、前記半導体装置に貼った前記保護テープを紫外線（ＵＶ）照射によって取り除く紫外線照射工程を有することを特徴とする半導体装置の保管方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体装置の保管方法であって、
前記保管工程は、前記半導体装置を収納した保管容器を、防湿性を有する袋に入れて脱気処理していることを特徴とする半導体装置の保管方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の保管方法であって、
前記保管工程は、前記研磨工程終了後から出荷までの期間が、所定期間以内であれば前記保護テープを取り除き、前記所定期間以上であれば前記保護テープを貼ったまま保管することを特徴とする半導体装置の保管方法。
【請求項１】
アルミ電極が形成された半導体装置の表面に保護テープを貼り付ける貼付工程と、
前記半導体装置の裏面を研磨する研磨工程と、
前記半導体装置に前記保護テープを貼った状態で出荷するまで保管する保管工程と
を有する半導体装置の保管方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の保管方法であって、
前記保管工程のあとであって出荷する前に、前記半導体装置に貼った前記保護テープを紫外線（ＵＶ）照射によって取り除く紫外線照射工程を有することを特徴とする半導体装置の保管方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体装置の保管方法であって、
前記保管工程は、前記半導体装置を収納した保管容器を、防湿性を有する袋に入れて脱気処理していることを特徴とする半導体装置の保管方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の保管方法であって、
前記保管工程は、前記研磨工程終了後から出荷までの期間が、所定期間以内であれば前記保護テープを取り除き、前記所定期間以上であれば前記保護テープを貼ったまま保管することを特徴とする半導体装置の保管方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２００６−２４７６９（Ｐ２００６−２４７６９Ａ）
【公開日】平成１８年１月２６日（２００６．１．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−２０１８８５（Ｐ２００４−２０１８８５）
【出願日】平成１６年７月８日（２００４．７．８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１月２６日（２００６．１．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年７月８日（２００４．７．８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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