塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
【課題】露光装置の生産効率を落とさない塗布、現像装置を提供すること。
【解決手段】塗布膜が形成された、露光前の基板を一旦仮置きする仮置き部と、基板の搬送経路における、基板が置かれるモジュールについてメンテナンスを行うために、当該上流側の基板の搬送を停止する時間の長さを設定するための停止時間設定部と、前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達したか否かを監視し、達した後に仮置き部の上流側の基板の搬送を停止するように制御信号を出力する制御部と、を備えるように塗布、現像装置を構成する。
【解決手段】塗布膜が形成された、露光前の基板を一旦仮置きする仮置き部と、基板の搬送経路における、基板が置かれるモジュールについてメンテナンスを行うために、当該上流側の基板の搬送を停止する時間の長さを設定するための停止時間設定部と、前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達したか否かを監視し、達した後に仮置き部の上流側の基板の搬送を停止するように制御信号を出力する制御部と、を備えるように塗布、現像装置を構成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板にレジストを塗布し、現像を行う塗布、現像装置、塗布、現像方法及びこの方法を実行するコンピュータプログラムを含んだ記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面にレジストを塗布し、このレジストを所定のパターンで露光した後に現像してレジストパターンを形成している。このレジストパターンの形成は、レジストなどの各種の塗布膜の形成処理及び現像処理を行う塗布、現像装置に露光処理を行う露光装置を接続したシステムにより行っている。
【０００３】
ところで、塗布、現像装置においてはウエハを処理するモジュールの状態の確認や部品の交換などの各種のメンテナンスを行うことがあり、そのために塗布、現像装置の稼働を停止させる場合があった。上記のように塗布、現像装置と露光装置との間でウエハが搬送されるため、塗布、現像装置の稼働を停止させた場合には、露光装置の稼働も停止させていた。しかし、そのようにシステム全体の動作を停止することにより、半導体製品の生産効率が低下してしまう。
【０００４】
特許文献１には、上記のように露光前のウエハを塗布、現像装置に設けられたバッファモジュールに溜めて、バッファモジュールの前段側で行われる処理を一旦止めてメンテナンスを行うことが記載されている。そして、メンテナンス中にバッファモジュールからはウエハを搬送して、後段側の処理を継続することが示されているが、メンテナンス中にバッファモジュール内のウエハがすべて払い出されて、後段側の処理が行えなくなるおそれがある。露光装置の運用には比較的高いコストを要するため、このように後段側の処理が行えない場合、半導体製品の生産コストが高くなってしまうおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２７７５２８（段落００４６など）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、露光装置の生産効率を落とさない塗布、現像装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の塗布、現像装置は、キャリアブロックに載置されたキャリアから取り出された基板を処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、露光装置に受け渡し、露光後の基板に対して処理ブロックにて現像処理を行い、キャリアに受け渡すように構成され、基板の処理枚数が露光装置よりも多い塗布、現像装置において、
前記塗布膜が形成された、露光前の基板を一旦仮置きする仮置き部と、
基板の搬送経路における基板が置かれるモジュールについてメンテナンスを行うために、当該上流側の基板の搬送を停止する時間の長さを設定するための停止時間設定部と、
前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達したか否かを監視し、達した後に前記上流側の基板の搬送を停止するように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
「前記停止時間に応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数」とは、停止時間の間で処理できる基板の処理枚数そのものだけに限らず、停止時間の間で処理できる基板の処理枚数の例えば９５％の枚数も特許請求の範囲に含まれる。例えば停止時間を３０分に設定し、単位時間当たりの基板の処理枚数が３０秒であった場合には、処理枚数は６０枚となるが、仮置き部に５７枚溜まったときに基板の搬送を停止してもよい。この場合には、５７枚の基板を露光装置に搬送したときに、処理ブロックでは基板の処理を再開できないので、露光装置は、処理ブロックにおける基板の３枚分の処理時間である１分３０秒だけ処理が途切れることになる。しかしながらこのような場合でも本発明の手法の効果が実質得られることから、特許請求の範囲に含まれる。即ち、基板の搬送を停止する時間を設定し、仮置き部に置かれた基板の枚数が所定の処理枚数に達したか否かを監視するように装置を構成した場合、前記「所定の処理枚数」は、業界において効果が得られると判断される限り、停止時間の間で処理できる基板の処理枚数そのものだけに限らないということである。また、ここでいう「モジュール」には基板を搬送する搬送手段も含まれる。
【０００９】
前記、塗布、現像装置の具体的な態様としては例えば下記の通りである。
（ａ）前記制御部は、前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達した後、キャリアブロック側から処理ブロックヘの基板の払い出しを停止するための制御信号を出力し、その後、前記上流側の基板の搬送を停止するように制御信号を出力するように構成されている。
（ｂ）前記制御部は、前記上流側の基板の搬送を停止するように制御信号を出力する前に、処理ブロック内に存在する基板を前記仮置き部に退避させるように制御信号を出力する。
【００１０】
（ｃ）前記制御部は、前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達した後、その時点で処理ブロック内に存在する基板が属するロットの最終基板がキャリアブロック側から処理ブロックヘ払い出された後、後続の基板の払い出しを停止すると共に、当該最終基板が処理ブロックを通過した後、前記上流側の基板の搬送を停止するように制御信号を出力するように構成されている。
（ｄ）前記停止時間の長さに応じた枚数の露光前の基板が仮置き部に置かれるまでの待ち時間を、仮置き部に置かれている露光前の基板の枚数と、塗布、現像装置の基板の処理枚数とに基づいて演算する演算手段と、演算された前記待ち時間を表示する表示部と、を備える。
【００１１】
（ｅ）前記メンテナンスを開始するタイミングを設定するタイミング設定部を備え、前記制御部は前記タイミングの経過後に上流側の基板の搬送を停止するように制御信号を出力する。
（ｆ）前記モジュールは、基板に塗布膜を形成するための薬液を供給するノズルと、前記ノズルに洗浄液を供給するノズル洗浄機構と、を含み、
前記制御部は、前記停止時間に前記ノズルを洗浄するために、ノズル洗浄機構から洗浄液を供給するように制御信号を出力する。
（ｇ）前記モジュールは、基板の載置部と、基板に塗布膜を形成するための薬液を供給するノズルと、前記載置部に載置された基板を囲むカップと、前記カップ内に洗浄液を供給する洗浄機構と、を備え、前記制御部は、前記停止時間にカップを洗浄するために洗浄液を供給するように制御信号を出力する。
（ｈ）前記モジュールにおいて基板を処理するときにはカップの外部に設けられた待機部に待機し、前記停止時間に前記カップに搬送される治具を備え、前記載置部は前記冶具を保持すると共に回転させることと、前記洗浄機構は前記治具に洗浄液を吐出し、飛散させてカップ内を洗浄する。
【００１２】
（ｉ）前記制御部は、最後に前記キャリアブロックから前記塗布、現像装置にて処理済みの基板を格納したキャリアが搬出されてから、次のキャリアが前記キャリアブロックに搬送されるまでの間に、モジュールにてメンテナンスが行われるように制御信号を出力する。
（ｊ）前記制御部は、キャリアから基板を払い出す時刻を制御するための信号を当該制御部に送信するホストコンピュータに接続され、
前記制御部は、キャリアが前記キャリアブロックに搬入されてから、当該キャリアから前記基板を払い出す時刻までの間にモジュールにてメンテナンスが行われるように制御信号を出力する。
（ｋ）前記処理ブロックに前段側モジュールと、基板のロットに応じて処理状態を切り替える後段側モジュールとが設けられ、
前記制御部は、先発ロットのすべての基板が前記後段側モジュールにて処理された後、且つ後発ロットの基板が前段側モジュールに搬送される前に、前記後段側モジュールの処理状態の切り替えに並行して、前記前段側モジュールにてメンテナンスを行うように制御信号を出力する。
（ｌ）先発ロットが前段側モジュールに搬送されずに後段側モジュールに搬送されるように設定され、且つ後発ロットが前段側モジュール及び後段側モジュールに搬送されるように設定され、
前記制御部は先発ロットのすべての基板が後段側モジュールで処理された後、後発ロットの基板が後段側モジュールに搬送される前に当該後段側モジュールでメンテナンスを行うために制御信号を出力する。
【００１３】
本発明の塗布、現像方法は、キャリアブロックに載置されたキャリアから取り出された基板を処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、露光装置に受け渡し、露光後の基板に対して処理ブロックにて現像処理を行い、キャリアに受け渡すように構成され、基板の処理枚数が露光装置よりも多い塗布、現像装置を用いた塗布、現像方法において、
前記塗布膜が形成された、露光前の基板を仮置き部に一旦仮置きする工程と、
基板の搬送経路において前記仮置き部よりも上流側における、基板が置かれるモジュールについてメンテナンスを行うために、停止時間設定部により当該上流側の基板の搬送を停止する時間の長さを設定する工程と、
前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達したか否かを監視し、達した後に前記上流側の基板の搬送を停止する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１４】
前記塗布、現像方法の具体的な態様としては、例えば下記の通りである。
（ｍ）前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達した後、キャリアブロック側から処理ブロックヘの基板の払い出しを停止する工程と、
次いで、前記上流側の基板の搬送を停止する工程と、を備える。
（ｎ）前記上流側の基板の搬送を停止する前に、処理ブロック内に存在する基板を前記仮置き部に退避させる工程を備える。
（ｏ）前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達した後、その時点で処理ブロック内に存在する基板が属するロットの最終基板がキャリアブロック側から処理ブロックヘ払い出された後、後続の基板の払い出しを停止する工程と、
前記最終基板が処理ブロックを通過した後、前記上流側の基板の搬送を停止する工程と、を備える。
【００１５】
（ｐ）前記停止時間に、前記モジュールに設けられた基板に塗布膜を形成するための薬液を供給するノズルに洗浄液を供給して洗浄する工程を備える。
（ｑ）前記停止時間に、前記モジュールに設けられた基板の載置部を囲むカップに洗浄液を供給して洗浄する工程を備える。
（ｒ）前記カップを洗浄する工程は、前記停止時間にカップの外部に設けられた待機部から前記カップに冶具を搬送する工程と、前記載置部に冶具を保持し、回転させる工程と、洗浄機構から前記治具に洗浄液を吐出し、カップ内に飛散させる工程を含む。
（ｓ）前記カップに洗浄液を供給する工程は、カップに設けられた洗浄機構により行われる。
【００１６】
本発明の記憶媒体は、塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記コンピュータプログラムは、上述の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、仮置き部に置かれた露光前の基板の枚数がメンテナンスを行うための停止時間の長さに応じた枚数に達した後に、仮置き部の前記上流側の基板の搬送を停止する。従って、停止時間の間に露光前の基板を露光装置へ搬送し続けて露光処理を行える。従って、露光装置の生産効率の低下を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の塗布、現像装置の平面図である。
【図２】前記塗布、現像装置の斜視図である。
【図３】前記塗布、現像装置の縦断側面図である。
【図４】インターフェイスブロックの縦断正面図である。
【図５】バッファモジュールにおける待機領域の斜視図である。
【図６】塗布、現像装置及び露光装置の搬送の概要を示した説明図である。
【図７】塗布、現像装置及び露光装置の搬送の概要を示した説明図である。
【図８】塗布、現像装置に設けられる制御部の説明図である。
【図９】前記制御部の記憶領域を示す説明図である。
【図１０】前記制御部の記憶領域を示す説明図である。
【図１１】制御部の記憶領域を示す説明図である。
【図１２】制御部の記憶領域を示す説明図である。
【図１３】塗布、現像装置で自動メンテナンスが開始されるフロー図である。
【図１４】予約メンテナンスを行うフロー図である。
【図１５】手動メンテナンスを行うフロー図である。
【図１６】塗布、現像装置及び露光装置の搬送の概要を示した説明図である。
【図１７】自動カップ洗浄に用いるディスクの斜視図である。
【図１８】自動カップ洗浄時のレジスト塗布モジュールの縦断側面図である。
【図１９】ウエハが搬送される様子を示した模式図である。
【図２０】ウエハが搬送される様子を示した模式図である。
【図２１】ウエハが搬送される様子を示した模式図である。
【図２２】ウエハが搬送される様子を示した模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明に係る塗布、現像装置１について説明する。図１は、前記塗布、現像装置の平面図、図２は同概略斜視図、図３は同概略側面図である。この塗布、現像装置１は、キャリアブロックＳ１と、処理ブロックＳ２と、インターフェイスブロックＳ３と、を直線状に接続して構成されている。インターフェイスブロックＳ３にはさらに露光装置Ｓ４が接続されている。以降の説明ではブロックＳ１〜Ｓ３の配列方向を前後方向とする。
【００２０】
キャリアブロックＳ１は、同一のロットの基板であるウエハＷを複数枚含むキャリアＣを塗布、現像装置１に搬入出する役割を有し、キャリアＣの載置台１１と、開閉部１２と、開閉部１２を介してキャリアＣからウエハＷを搬送するための搬送機構である受け渡しアーム１３とを備えている。また、キャリアブロックＳ１は、載置台１１上に棚１４を備えており、キャリア搬送機構１５により載置台１１と棚１４との間でキャリアＣが受け渡される。載置台１１に置かれてウエハＷを払い出したキャリアＣは、ウエハＷが戻るまで棚１４で待機することで、前記キャリアＣによる載置台１１の占有を防ぎ、複数のキャリアＣのウエハＷを続けて塗布、現像装置１に搬入することができる。
【００２１】
処理ブロックＳ２は、ウエハＷに液処理を行う第１〜第６の単位ブロックＢ１〜Ｂ６が下から順に積層されて構成されており、各単位ブロックＢは、下層側から２つずつ、同様に構成されている。つまり、単位ブロックＢ１、Ｂ２が同じ構成であり、単位ブロックＢ３、Ｂ４が同じ構成であり、単位ブロックＢ３、Ｂ４が同じ構成である。
【００２２】
図１に示す第１の単位ブロックＢ１について説明すると、キャリアブロックＳ１からインターフェイスブロックＳ３へ向かう搬送領域Ｒ１の左右には液処理ユニット２０、棚ユニットＵ１〜Ｕ６が夫々配置され、液処理ユニット２０には、反射防止膜形成モジュールＢＣＴと、レジスト膜形成モジュールＣＯＴとが設けられている。反射防止膜形成モジュールＢＣＴは夫々ウエハＷを処理するための２つのカップ２１と、カップ２１内でウエハＷの裏面を支持すると共にウエハＷを鉛直軸回りに回転させるスピンチャック２２と、２つのカップ２１で共用の薬液供給ノズル２３とを備え、スピンコーティングにより反射防止膜形成用の薬液をウエハＷに塗布する。また、図１では省略しているが反射防止膜形成モジュールＢＣＴは、スピンチャック２２に保持されたウエハＷの裏面に溶剤を供給して、当該ウエハＷの裏面を洗浄する裏面洗浄ノズル２６を備えている。
【００２３】
レジスト膜形成モジュールＣＯＴは、前記薬液がレジストである他は反射防止膜形成モジュールＢＣＴと同様に構成されている。図中２０はカップ状の待機部である。待機部２４では、薬液供給ノズル２３を待機させると共に待機した薬液供給ノズル２３に洗浄液を供給して薬液供給ノズル２３を洗浄する。
【００２４】
前記搬送領域Ｒ１には、ウエハＷの搬送機構である搬送アームＡ１が設けられている。この搬送アームＡ１は、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、且つ搬送領域Ｒ１の長さ方向に移動自在に構成されており、単位ブロックＢ１の全てのモジュール間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。図中２４はウエハＷの外周を囲むフォーク部であり、ウエハＷの裏面を支持する爪部２５を備えている。また、前記棚ユニットＵ１〜Ｕ６は、搬送領域Ｒ１の長さ方向に沿って配列され、棚ユニットＵ１〜Ｕ５は、ウエハＷの加熱処理を行う加熱モジュールが例えば２段に積層されて構成されている。棚ユニットＵ６は、互いに積層された周縁露光モジュールＷＥＥ１、ＷＥＥ２により構成される。この周縁露光モジュールＷＥＥ１、ＷＥＥ２は、光源としてランプを備え、レジスト塗布後のウエハＷの周縁部を露光する。
【００２５】
単位ブロックＢ３〜Ｂ６は、液処理ユニット２０でウエハＷに供給する薬液が異なること及び周縁露光モジュールの代わりに加熱モジュールが設けられることを除き、単位ブロックＢ１、Ｂ２と同様に構成される。単位ブロックＢ３、Ｂ４は、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ及びレジスト塗布モジュールＣＯＴの代わりに保護膜形成モジュールＴＣＴ１、ＴＣＴ２を備えている。反射防止膜形成モジュールＢＣＴ、レジスト塗布モジュールＣＯＴ及び保護膜形成モジュールＴＣＴを塗布膜形成モジュールとする。単位ブロックＢ５、Ｂ６は、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ及びレジスト膜形成モジュールＣＯＴの代わりに現像モジュールＤＥＶ１、ＤＥＶ２を備える。
【００２６】
保護膜形成モジュールＴＣＴ、現像モジュールＤＥＶはウエハＷに供給する薬液の違いを除いて反射防止膜形成モジュールＢＣＴと略同様に構成されている。保護膜形成モジュールＴＣＴは液浸露光時にウエハＷの表面を保護する保護膜形成用の薬液を、現像モジュールは現像液を夫々ウエハＷに供給する。なお、各単位ブロックＢ１〜Ｂ６の搬送アームはＡ１〜Ａ６として図３に示している。
【００２７】
搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１側には、各単位ブロックＢに跨った棚ユニットＵ７が設けられている。棚ユニットＵ７は、互いに積層された複数のモジュールにより構成されている。これらのモジュールとしては、各単位ブロックの高さ位置に設けられた受け渡しモジュールＣＰＬ１１〜ＣＰＬ１３と、受け渡しモジュールＣＰＬ１４と、バッファモジュールＢＵ１１と、疎水化処理モジュールＡＤＨとがある。
【００２８】
説明中、ＣＰＬと記載した受け渡しモジュールは、載置したウエハＷを冷却する冷却ステージを備えている。バッファモジュールは、複数枚のウエハＷを格納できるように構成されている。また、疎水化処理モジュールＡＤＨは、ウエハＷに処理ガスを供給し、ウエハＷ表面を疎水化させる。棚ユニットＵ７の近傍には、昇降自在且つ棚ユニットＵ７に対して進退自在な受け渡しアーム３０が設けられ、棚ユニットＵ７の各モジュール間でウエハＷを搬送する。
【００２９】
続いて、図４も参照しながらインターフェイスブロックＳ３の構成について説明する。図４は、処理ブロックＳ２側へ向かって見たインターフェイスブロックＳ３の縦断正面図である。インターフェイスブロックＳ３は棚ユニットＵ８を備えており、棚ユニットＵ８は、受け渡しモジュールＴＲＳ０〜ＴＲＳ２、受け渡しモジュールＣＰＬ１、バッファモジュール群３が互いに積層されて構成されている。
【００３０】
ウエハＷの仮置き部であるバッファモジュール群３は互いに積層されたバッファモジュールＢＵ１〜ＢＵ４により構成されている。受け渡しモジュールＴＲＳ１は、第３の単位ブロックＢ３及び第４の単位ブロックＢ４の各高さ位置に設けられている。受け渡しモジュールＴＲＳ２は第５の単位ブロックＢ５及び第６の単位ブロックＢ６の各高さ位置に設けられている。受け渡しモジュールＴＲＳ１、ＴＲＳ２及びバッファモジュール群３の下方側には、受け渡しモジュールＴＲＳ０及び受け渡しモジュールＣＰＬ１が設けられている。
【００３１】
バッファモジュールＢＵ１について説明する。バッファモジュールＢＵ１は左右の側面が開口した筐体を備えており、筐体内には図５に示すように対をなす立て板３６、３６と各立て板３６から内側方向に伸びる水平板３７とが設けられている。各水平板３７上はウエハＷの待機領域３８をなし、水平板３７の表面に設けられた支持ピン３９上にウエハＷが支持される。一つのバッファモジュールＢＵに立て板３６は複数設けられ、バッファモジュールＢＵ１に待機領域３８は、例えば２０個設けられる、つまり、バッファモジュールＢＵ１にはウエハＷを例えば最大２０枚待機させることができる。バッファモジュールＢＵ２〜ＢＵ４もバッファモジュールＢＵ１と同様に構成されている。
【００３２】
図４に戻って棚ユニットＵ８を左右方向から挟むように棚ユニットＵ９、Ｕ１０が設けられている。棚ユニットＵ９は、露光前にウエハＷの裏面をブラシにより洗浄する裏面洗浄モジュールＢＳＴが６基積層されて構成されている。棚ユニットＵ１０は、露光後にウエハＷの表面を洗浄する露光後洗浄モジュールＰＩＲが４基積層されて構成されている。
【００３３】
棚ユニットＵ８、Ｕ９間には第１のインターフェイスアーム３Ａが設けられている。第１のインターフェイスアーム３Ａは、昇降軸３１に沿って昇降自在な基台３２と、基台３２上を鉛直軸回りに回転自在な回転台３３と、回転台３３上を進退自在なウエハ支持部３４と、を備えている。棚ユニットＵ８、Ｕ１０間には第２のインターフェイスアーム３Ｂが設けられており、この第２のインターフェイスアーム３Ｂは第１のインターフェイスアーム３Ａと同様に構成されている。また、第２のインターフェイスアーム３Ｂの下方には、第３のインターフェイスアーム３Ｃが設けられており、水平移動部３５により昇降軸３１が左右方向に移動自在に構成されることを除き、第２のインターフェイスアーム３Ｂと同様に構成される。
【００３４】
インターフェイスアーム３Ａ、３Ｂは、基台３２の高さ、回転台３３の向き及びウエハ支持部３４の位置により、夫々異なる信号を後述の制御部１００に出力する。つまり、露光前洗浄モジュールＢＳＴにアクセスするとき、各受け渡しモジュールＴＲＳにアクセスするとき、露光後洗浄モジュールＰＩＲにアクセスするとき、受け渡しモジュールＣＰＬにアクセスするとき、バッファモジュールＢＵにアクセスするときで夫々異なる信号を制御部１００に出力する。また、バッファモジュールＢＵにアクセスするときは、アクセスする待機領域３８毎に異なる信号を出力する。このようにインターフェイスアーム３Ａ、３Ｂから出力される信号によって、制御部１００は、どのバッファモジュールＢＵのどの待機領域３８に露光前のウエハＷが待機しているか、どの待機領域３８に露光後のウエハＷが待機しているかを識別することができる。
【００３５】
この塗布、現像装置１及び露光装置Ｓ４からなるシステムの通常時におけるウエハＷの搬送経路について説明する。例えばウエハＷは単位ブロックＢ１→Ｂ３→Ｂ５を通過する経路１と、単位ブロックＢ２→Ｂ４→Ｂ６とを通過する経路２とによって搬送され、各経路で同様の処理を受ける。一のキャリアＣのウエハＷがすべて払い出されてから、次のキャリアＣからウエハＷが払い出される。また、例えばウエハＷは、キャリアＣから払い出された順に経路１、経路２へ交互に振り分けられ、払い出されたキャリアＣに戻される。以下、前記経路１の搬送について詳細に説明する。
【００３６】
ウエハＷは、キャリアＣ→受け渡しアーム１３→バッファモジュールＢＵ１１→受け渡しアーム３０→疎水化処理モジュールＡＤＨ→搬送アームＡ１→反射防止膜形成モジュールＢＣＴ→搬送アームＡ１→加熱モジュール→搬送アームＡ１→レジスト塗布モジュールＣＯＴ→搬送アームＡ１→加熱モジュールＨＰ→周縁露光モジュールＷＥＥ→搬送アームＡ１→受け渡しモジュールＣＰＬ１１の順で搬送され、ウエハＷの表面に反射防止膜、レジスト膜の順に下層側から塗布膜が積層される。
【００３７】
その後、ウエハＷは、受け渡しアーム３０→受け渡しモジュールＣＰＬ１２→搬送アームＡ３→保護膜形成モジュールＴＣＴ→搬送アームＡ３→加熱モジュールＨＰ→搬送アームＡ３→受け渡しモジュールＴＲＳ１の順に搬送される。これによってレジスト膜の上層に保護膜が形成されると共にウエハＷがインターフェイスブロックＳ３へと搬入される。
【００３８】
前記ウエハＷは、第１のインターフェイスアーム３Ａ→露光前洗浄モジュールＢＳＴ→第１のインターフェイスアーム３Ａ→バッファモジュール群３→第２のインターフェイスアーム３Ｂ→受け渡しモジュールＣＰＬ１→第３のインターフェイスアーム３Ｃ→露光装置Ｓ４の順で搬送され、裏面洗浄処理に続いて液浸露光処理を受ける。
【００３９】
露光済みのウエハＷは、第３のインターフェイスアーム３Ｃ→受け渡しモジュールＴＲＳ０→第２のインターフェイスアーム３Ｂ→露光後洗浄モジュールＰＩＲ→バッファモジュール群３→第２のインターフェイスアーム３Ｂ→受け渡しモジュールＴＲＳ２の順に搬送される。その後、搬送アームＡ５→加熱モジュールＨＰ→現像モジュールＤＥＶ→搬送アームＡ５→加熱モジュールＨＰ→搬送アームＡ５→受け渡しモジュールＣＰＬ１３→受け渡しアーム３０→受け渡しモジュールＣＰＬ１４→受け渡しアーム３０→キャリアＣの順に搬送される。第２の経路で搬送されるウエハＷは、通過する単位ブロックが異なる他は、この第１の経路と同様にモジュール間を搬送されて処理を受ける。
【００４０】
続いて、この実施の形態におけるウエハＷの搬送方式の変更の概略について、ウエハＷの搬送経路を矢印で示した図６、図７を用いて説明する。図６は、上記の通常時のウエハＷの搬送（通常搬送）を極めて簡略化して示している。図中、キャリアＣから払い出された露光前のウエハＷがバッファモジュール群３に向かう搬送を往路側搬送Ｆ１、露光済みのウエハＷがバッファモジュール群３からキャリアＣに向かう搬送を復路側搬送Ｆ２として、夫々矢印で示している。また、バッファモジュール群３から露光装置Ｓ４を経た後にバッファモジュール群３に戻される搬送を、露光搬送Ｆ３として矢印で示している。
【００４１】
この塗布、現像装置１のスループット（所定の時間におけるウエハＷの処理枚数）は、露光装置Ｓ４のスループットよりも高い。従って、上記の通常搬送が続けられると、塗布、現像装置１と露光装置とのスループット差に応じた早さで露光前のウエハＷがバッファモジュール群３に蓄積される。このようにバッファモジュール群３に一旦蓄積したウエハＷを露光装置Ｓ４に搬入するのは、露光装置Ｓ４に連続してウエハＷを搬送し、露光処理を滞りなく行うためである。なお、往路側搬送Ｆ１のスループットと復路側搬送Ｆ２のスループットとは同じであってもよいし、互いに異なっていてもよい。この例ではこれら各搬送Ｆ１、Ｆ２のスループットが同じであるものとする。また、キャリアＣからはバッファモジュール群３の待機領域３８の数を超える枚数のウエハＷは払い出されないものとする。
【００４２】
往路側搬送Ｆ１に用いられる処理ブロックＳ２のモジュールのメンテナンスを行う場合がある。この場合、キャリアＣからのウエハＷの払い出しが停止し、往路側搬送Ｆ１の搬送が停止する。その一方で、図７に示すように露光搬送Ｆ３及び復路側搬送Ｆ２は継続される。このときに露光装置Ｓ４の処理が途切れないように、バッファモジュール群３にメンテナンスを行うために必要な時間の長さに対応した枚数のウエハＷが蓄積されたときに、往路側搬送Ｆ１が停止するように制御される。なお、モジュールとはウエハＷが置かれる場所であり、ここではウエハＷを搬送する搬送機構もモジュールに含まれる。
【００４３】
前記メンテナンスとしては、自動メンテナンス、予約メンテナンス、手動メンテナンスがある。自動メンテナンスは、定期的に繰り返し自動で行われるメンテナンスであり、具体的には各塗布膜形成モジュールにおけるカップ２１を不図示の洗浄機構が自動で洗浄する自動カップ洗浄と、各塗布膜形成モジュールの待機部２４で薬液供給ノズル２３を自動で洗浄する自動ノズル洗浄とがある。
【００４４】
予約メンテナンスは、メンテナンスを行う予定日時を予めユーザが設定し、ユーザが装置を操作して行うメンテナンスである。この予約メンテナンスとして、具体的にはレジスト塗布モジュールＣＯＴのカップ２１の交換、周縁露光モジュールＷＥＥのランプ交換、各搬送アームＡ１〜Ａ４の爪部２５の交換がある。
【００４５】
手動メンテナンスは、ユーザが任意のタイミングで開始を指示するメンテナンスである。手動メンテナンスとしては、具体的には例えばレジスト塗布モジュールＣＯＴの薬液供給ノズル２３からレジストを吐出させ、吐出量及び吐出状態の適否をユーザが確認するメンテナンスがある。
【００４６】
塗布、現像装置１に設けられる制御部１００について説明する。制御部１００はコンピュータからなり、図８にその構成を示している。図中４１はバスであり、バス４１には、各種の演算を行うＣＰＵ４２、プログラム４３を格納したプログラム格納部４４、メモリ４５、ワークメモリ４６、設定部４７及び表示部４８が接続されている。前記プログラム４３には、制御部１００から塗布、現像装置１の各部に制御信号を送り、既述の各処理を行い、ウエハＷの搬送を制御できるように命令（各ステップ）が組み込まれている。前記プログラム４３は、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）メモリーカードなどにより格納されて制御部１００にインストールされ、前記プログラム格納部４４に格納される。また、設定部４７はキーボードやタッチパネルなどにより構成され、ユーザが、当該設定部４７で設定した内容がメモリ４５に記憶される。ワークメモリ４６ではＣＰＵ４２により、後述のように各種の演算が行われる。
【００４７】
続いて、メモリ４５について説明する。メモリ４５には、スループット記憶領域５１と、バッファ状態記憶領域５２と、メンテナンス設定記憶領域５３とが設けられる。スループット記憶領域５１には塗布、現像装置１のスループット及び露光装置Ｓ４のスループットが記憶される。また、このスループット記憶領域５１には、１時間あたりにバッファモジュール群３に溜まるウエハＷ枚数である蓄積レートが記憶される。この蓄積レートは、下記の式１により演算される。
［式１］蓄積レート（枚／分）＝［往路側スループット（枚／時間）−露光装置Ｓ４のスループット（枚／時間）］／６０
【００４８】
バッファ状態記憶領域５２は、バッファモジュール群３の待機領域３８毎に露光前ウエハＷの有無が記憶される待機状態記憶領域５２ａと、露光前ウエハＷ枚数記憶領域５２ｂとからなる。図９は、バッファ状態記憶領域５２に記憶されるデータを示している。待機状態記憶領域５２ａに記憶されるデータに基づいて、ＣＰＵ４２がバッファモジュール群３で待機する露光前ウエハＷの合計枚数を演算し、露光前ウエハＷ枚数記憶領域５２ｂに演算値を記憶する。
【００４９】
メンテナンス設定記憶領域５３は、自動メンテナンス、予約メンテナンス、手動メンテナンスについての設定が夫々記憶される設定記憶領域６１、６２、６３を備えている。図１０〜図１２は、これらの設定記憶領域６１〜６３に記憶されるデータを示している。自動メンテナンスの設定記憶領域６１では、自動カップ洗浄、自動ノズル洗浄の夫々についてＢＣＴ、ＣＯＴ、ＴＣＴの塗布処理モジュール毎にメンテナンスに必要な時間（メンテナンス必要時間）と、メンテナンスを行う時間間隔（メンテナンス時間間隔）と、メンテナンス必要時間に対応してバッファモジュール群３に溜める必要がある露光前ウエハ枚数（必要ウエハ枚数）と、バッファモジュール群３において必要ウエハ枚数に不足しているウエハ枚数（不足ウエハ枚数）と、バッファモジュール群３に必要ウエハ枚数が溜まるまでの予測待ち時間と、が互いに対応付けられて記憶される。
【００５０】
前記メンテナンス必要時間及びメンテナンス時間間隔は、ユーザが設定した設定値である。必要ウエハ枚数は、前記メンテナンス必要時間とスループット記憶領域５１に記憶される露光装置Ｓ４のスループットとを用いて、下記の式２により演算される。
［式２］必要ウエハ枚数（枚）＝メンテナンス必要時間（分）×露光装置Ｓ４のスループット（枚／分）
不足ウエハ枚数は、式２で演算された必要ウエハ枚数とバッファ状態記憶領域５２に記憶される露光前ウエハの合計枚数とを用いて、下記の式３により演算される。
［式３］不足ウエハ枚数（枚）＝必要ウエハ枚数（枚）−露光前ウエハＷ合計枚数（枚）
予測待ち時間は、式３で演算された不足ウエハ枚数と、スループット記憶領域５１に記憶される蓄積レートとを用いて、下記の式４により演算される。
［式４］予測待ち時間（分）＝不足ウエハ枚数（枚）／蓄積レート（枚／分）
【００５１】
自動メンテナンスの一つであるレジスト塗布モジュールＣＯＴの自動カップ洗浄について、具体的に数値の例を挙げて、設定記憶領域６１の各演算値が演算される工程を説明する。塗布、現像装置１のスループットが３３０枚／時間、露光装置Ｓ４のスループットが３００枚／時間であり、メンテナンス必要時間が２分に設定されているものとする。またバッファモジュール群３の露光前ウエハＷの合計枚数は４枚とする。この場合、
［式１］より蓄積レート＝［３３０（枚／時間）−３００（枚／時間）］／６０＝０．５枚／分である。
［式２］より、必要ウエハ枚数＝２（分）×３００／６０（枚／分）＝１０枚である。［式３］より、不足ウエハ枚数＝１０枚−４枚＝６枚である。［式４］より、予測待ち時間＝６枚／０．５（枚／分）＝１２分である。
【００５２】
続いて、予約メンテナンスの設定記憶領域６２について説明する。この設定記憶領域６２には、自動メンテナンスの設定記憶領域６１と同様にメンテナンス毎にメンテナンス必要時間、必要ウエハ枚数、不足ウエハ枚数及び予測待ち時間が互いに対応付けられて記憶される。また、この設定記憶領域６２には、各メンテナンス毎に設定されたメンテナンス開始日時が記憶される。
【００５３】
予約メンテナンスの一つである周縁露光モジュールＷＥＥのランプ交換について、前記設定記憶領域６２の各演算値が演算される工程について具体的に数値の例を挙げて説明する。メンテナンス必要時間は例えば１０分に設定されたものとする。バッファモジュール群３の露光前ウエハＷ合計枚数は、先の例と同じく４枚とする。この場合、
［式２］より、必要ウエハ枚数＝１０（分）×３００／６０（枚／分）＝５０枚である。［式３］より、不足ウエハ枚数＝５０枚−４枚＝４６枚である。［式４］より、予測待ち時間＝４６枚／０．５（枚／分）＝９２分である。
【００５４】
手動メンテナンスの設定記憶領域６３には、自動メンテナンスの設定記憶領域６１と同様にメンテナンス毎にメンテナンス必要時間、必要ウエハ枚数、不足ウエハ枚数及び予測待ち時間が互いに対応付けられて記憶される。手動メンテナンスの一つであるレジスト吐出量及び吐出状態の確認作業について、前記設定記憶領域６３の各演算値が演算される工程について具体的に数値の例を挙げて説明する。メンテナンス必要時間は、例えば５分に設定されたものとする。往路側スループット、露光装置Ｓ４のスループット、バッファモジュール群３の露光前ウエハＷ合計枚数は夫々、先の例と同じく３３０枚／時間、３００枚／時間、４枚とする。この場合、
［式２］より、必要ウエハ枚数＝５（分）×３００／６０（枚／分）＝２５枚である。［式３］より、不足ウエハ枚数＝２５枚−４枚＝２１枚である。［式４］より、予測待ち時間＝２１枚／０．５（枚／分）＝４２分である。
【００５５】
図８に戻って、表示部４８について説明する。表示部４８は例えばディスプレイにより構成され、メモリ４５に記憶されたバッファモジュール群３の露光前ウエハの合計枚数や、各メンテナンスにおけるメンテナンス必要時間、メンテナンス開始日時、蓄積レート、必要ウエハ枚数、不足ウエハ枚数及び予測待ち時間が表示される。具体的には、図１０〜図１２で示した表が表示部４８に表示される。この表示部４８の表示は、ウエハＷの処理中にリアルタイムで更新される。
【００５６】
ユーザは、塗布、現像装置１でウエハＷの処理を開始する前に、各自動メンテナンスについてメンテナンス必要時間、メンテナンス時間間隔を設定する。また、ユーザは、各予約メンテナンスについて、メンテナンス必要時間及びメンテナンス開始日時を設定する。ユーザの設定に基づいて制御部１００が蓄積レートを演算し、さらに各メンテナンス毎に必要ウエハ枚数、不足ウエハ枚数及び予測待ち時間を演算する。そして、これら設定値及び演算値が表示部４８に表示される。
【００５７】
上記の自動メンテナンス及び予約メンテナンスに属する各メンテナンスは、メンテナンスを行う際のウエハＷの待機手法の違いにより、ブロック退避メンテナンスとモジュール退避メンテナンスとに分類される。ブロック退避メンテナンスでは、メンテナンスを行うために単位ブロックＢ１〜Ｂ４を搬送中のすべてのウエハＷをバッファモジュール群３へと退避させる必要があるメンテナンスである。モジュール退避メンテナンスは、そのような退避を行う必要が無いメンテナンスであり、メンテナンスを行うモジュールよりも前段側のモジュール及び後段側のモジュールにウエハＷが待機した状態で前記モジュールのメンテナンスが行われる。
【００５８】
例えば自動メンテナンスの例として挙げた自動カップ洗浄及び自動ノズル洗浄はモジュール退避メンテナンスに該当する。予約メンテナンスの例として挙げたレジスト塗布モジュールＣＯＴのカップ交換及び周縁露光モジュールＷＥＥのランプ交換はモジュール退避メンテナンスに該当する。また、予約メンテナンスの例として挙げた搬送アームＡ１〜Ａ４の爪部２５の交換は、ブロック退避メンテナンスに該当する。
【００５９】
以降、図１３のフローチャートを参照しながら、モジュール退避メンテナンスの例としてレジスト塗布モジュールＣＯＴで自動カップ洗浄が行われる工程について説明する。ウエハＷの通常搬送及び処理が開始されると、制御部１００は処理の開始時点からメンテナンス時間間隔として設定した時間が経過したか否かを判定し（ステップＤ１）、経過していない場合は通常搬送が続けられる。そして、前記設定時間が経過したと判定した場合は、制御部１００は続けてバッファモジュール群３に必要ウエハ枚数が溜まっているか否かを判定する（ステップＤ２）。
【００６０】
必要ウエハ枚数が溜まっていないと判定した場合は、通常搬送が続けられる。必要ウエハ枚数が溜まったと判定した場合は、メンテナンス対象のレジスト塗布モジュールＣＯＴで処理を受けて搬出されるウエハＷが、一のロットのウエハＷであり、且つその次に当該レジスト塗布モジュールＣＯＴに搬送されるウエハＷが次のロットのウエハＷであるか否かを判定する。つまり、前記レジスト塗布モジュールＣＯＴにロットの切れ目がかかっているか否かを判定する（ステップＤ３）。前記ロットの切れ目になっていないと判定した場合は通常搬送が続けられ、前記ロットの切れ目になったと判定された場合は、キャリアＣからのウエハＷの払い出しが停止し、往路側搬送Ｆ１が停止する。それによって、このレジスト塗布モジュールＣＯＴが空になり、先行ロットはこのレジスト塗布モジュールよりも前段のモジュールに、後続のロットはこのレジスト塗布モジュールＣＯＴの後段に留まることになる（ステップＤ４）。そして、空になった前記レジスト塗布モジュールＣＯＴではカップ２１の洗浄が行われる（ステップＤ５）。
【００６１】
カップ２１の洗浄が行われる間、図７で説明したように露光後搬送Ｆ３及び復路側搬送Ｆ２が継続されるため、バッファモジュール群３に蓄えられた露光前ウエハＷは、露光装置Ｓ４及び単位ブロックＢ５、Ｂ６に搬送されて処理を受け、キャリアＣに戻される。カップ２１の洗浄が終了し、前記往路側搬送Ｆ１が停止してから設定したメンテナンス必要時間が経過すると、キャリアＣから後続のロットのウエハＷの払い出しと、処理ブロックＳ２における往路側搬送Ｆ１とが再開され、メンテナンスを終えたレジスト塗布モジュールＣＯＴに後続のロットのウエハＷが搬入される。続けて、制御部１００は、このメンテナンス終了時刻から設定したメンテナンス時間間隔が経過したか否かを判定する。つまり、上記のステップＤ１〜Ｄ５が繰り返し実行され、レジスト塗布モジュールＣＯＴのカップ洗浄が周期的に繰り返し行われる。他の塗布膜形成モジュールにおいても、同様にステップＤ１〜Ｄ５に従ってカップ洗浄が行われる。また、自動ノズル洗浄が行われる場合も自動カップ洗浄が行われる場合と同様にステップＤ１〜Ｄ５に従って動作が進行する。
【００６２】
モジュール退避メンテナンスのフローを説明するにあたり、自動メンテナンスである自動カップ洗浄の例について説明したが、予約メンテナンスである場合にも同様に図１３のステップＤ１〜Ｄ４に従って処理が進行し、メンテナンス対象となるモジュールへのウエハＷの搬送が停止した後、作業者がメンテナンスを行う。例えば周縁露光モジュールＷＥＥのランプ交換を行う場合について説明すると、ステップＤ１ではメンテナンスを行うように設定した日時になったか否かが判定される。そして、ステップＤ４で周縁露光モジュールＷＥＥへの搬送が停止した後、作業者が前記ランプの交換を行う。そして、後述のように作業者が指示すると、搬送が再開される。レジスト塗布モジュールＣＯＴのカップ２１の交換を行う場合にも同様にステップＤ１〜Ｄ４に従って処理が進行し、レジスト塗布モジュールＣＯＴへのウエハＷの搬送が停止する。
【００６３】
続いて、ブロック退避メンテナンスの例として、搬送アームＡ１の爪部２５の交換を行う工程について図１４のフローを参照しながら自動メンテナンスのフローとの差異点を中心に説明する。塗布、現像装置１が起動し、ウエハＷの通常搬送及び処理が開始されてから、制御部１００はメンテナンス開始日時として設定した時間になったか否かを判定し（ステップＥ１）、設定時間になっていない場合は通常搬送が続けられる。そして、前記設定した時間になったと判定された場合、制御部１００は続けてバッファモジュール群３に必要ウエハ枚数が溜まっているか否かを判定する（ステップＥ２）。
【００６４】
必要ウエハ枚数が溜まっていないと判定した場合は、通常搬送が続けられる。必要ウエハ枚数が溜まったと判定した場合は、表示部４８にそのように必要ウエハ枚数が溜まったことを示すサインを表示し、続いてキャリアＣから払い出し中のロットのウエハＷが、当該ロットの最終ウエハＷであるか否かを判定する。つまり、キャリアＣからの払い出しがロットの切れ目にかかっているか否かを判定する（ステップＥ３）。ロットの最終ウエハＷではないと判定した場合はキャリアＣからの払い出しを続ける。ロットの最終ウエハＷであると判定した場合は、キャリアＣから後続のロットのウエハＷの払い出しを停止する（ステップＥ４）。
【００６５】
そして、処理ブロックＳ２に払い出されたロットの最終ウエハＷが処理ブロックＳ２を通過し、バッファモジュール群３へ搬入されると（ステップＥ５）、図７で示したように処理ブロックＳ２では往路側搬送Ｆ１が停止する（ステップＥ６）。この往路側搬送Ｆ１が停止している間にユーザは搬送アームＡ１の爪部２５の交換を行う。バッファモジュール群３の露光前ウエハＷが予め設定された枚数以下になる、即ちメンテナンス時間が終了に近づくと、制御部１００は不図示のアラーム発生器からアラーム音を発生させる。作業者がメンテナンス作業を終え、設定部４７において所定の操作を行い、通常搬送の再開を指示することで、通常搬送が再開される。往路側搬送Ｆ１が停止してからメンテナンス必要時間が経過しても、このような作業者の指示があるまで通常搬送は再開されない。搬送アームＡ２〜Ａ４の爪部２５の交換を行う場合もステップＥ１〜Ｅ６に従って処理が行われる。
【００６６】
続いて、手動メンテナンスの例としてレジスト吐出量及び吐出状態の確認を行う工程について図１５のフローを参照しながら説明する。塗布、現像装置１が起動し、ウエハＷの通常搬送が開始されているときに、ユーザは任意のタイミングで、メンテナンス必要時間を設定し、それに基づいて必要ウエハ枚数、不足ウエハ枚数及び予測待ち時間が演算され、これらの設定値及び演算値が表示部４８に表示される。そして、制御部１００は必要ウエハ枚数がバッファモジュール群３に溜まっているか否かを判定する（ステップＦ１）。溜まっていない場合には通常搬送が継続され、溜まっている場合にはキャリアＣからの払い出しが停止し、ステップＦ２）、処理ブロックＳ２における往路側搬送Ｆ１が停止する（ステップＦ３）。その間にユーザは、レジスト塗布モジュールＣＯＴのレジスト吐出量及び吐出状態を確認する。往路側搬送Ｆ１の停止時点からメンテナンス必要時間が経過すると、通常搬送が再開される。
【００６７】
例えばこの手動メンテナンスは、自動メンテナンス及び予約メンテナンスに優先して行われ、手動メンテナンスを行うためにメンテナンス必要時間を入力してから上記のように通常搬送が再開されるまでの間、自動メンテナンス及び予約メンテナンスを行うためにキャリアＣからウエハＷの払い出しの停止が起こらない。また、自動メンテナンスと、手動メンテナンスについてもいずれかを優先して行うようにしてもよい。
【００６８】
この塗布、現像装置１によれば、処理ブロックＢ２で行われるメンテナンスに要するメンテナンス時間に対応した枚数の露光前ウエハＷが、バッファモジュール群３に蓄積されたか否かを制御部１００が判定し、蓄積されたと判定されたときに、キャリアＣからのウエハＷの払い出し及び処理ブロックＳ２の往路側搬送が停止する。その一方で、バッファモジュール群３から露光装置Ｓ４を経てキャリアＣに戻されるウエハＷの搬送が継続される。従って、露光装置Ｓ４の露光処理が停止しないため、露光装置Ｓ４の処理効率が低下することを防ぐことができる。その結果として、ウエハＷのスループットの低下を防ぐことができる。また、各メンテナンスにおいて、必要ウエハ枚数が溜まるまでの待ち時間が表示部４８に表示される。ユーザはこの表示を見て、いつからメンテナンスが開始されるか知ることができるので、メンテナンス中は塗布、現像装置１へのキャリアＣの搬送を抑え、他の塗布、現像装置１に搬送するというキャリアＣの搬送計画を予め立てることができるし、上記の手動メンテナンスを行う場合に他のメンテナンスに影響を与えない適切なときに行うことができるので、結果として製品の生産性の向上に寄与する。また、この塗布、現像装置１では各メンテナンス毎に必要ウエハ枚数が溜まると、表示部４８にその旨を示すサインが表示され、ユーザの注意を確実に促すようになっている。
【００６９】
また、塗布、現像装置１ではロットの最後のウエハＷが処理ブロックＳ２を通過するか、あるいはメンテナンス対象となるモジュールを通過してからメンテナンスが行われるようになっている。これによって、同じロットのウエハＷを処理する環境が異なることが防がれるので、同じロット内の製品の品質がばらつくことが抑えられる。従って、歩留りの低下を防ぐことができる。また、モジュール退避メンテナンスを行う場合には、メンテナンス対象となるモジュール以外のモジュールにウエハＷが待機するので、メンテナンス終了後に速やかに処理を再開できる。従って、スループットの低下をより確実に抑えることができる。
【００７０】
メンテナンスの種類としては上記の例に限られない。例えば予約メンテナンスの一つとして、モジュールの検査がある。これはモジュール検査用のウエハＷが格納されたキャリアＣをキャリアブロックＳ１に搬送し、当該検査用ウエハＷをキャリアブロックＳ１及び処理ブロックＳ２の各搬送手段を用いて所望のモジュールに搬送し、所定の検査を行った後でキャリアＣに戻す。検査用ウエハＷは例えば装置１の外部の検査機構に搬送されて、モジュールの動作が検査される。また、単位ブロックＢ３、Ｂ４に各々２基設けられる保護膜形成モジュールＴＣＴのうちの１基を裏面洗浄モジュールＢＳＴとする。そして、予約メンテナンスとして当該裏面洗浄モジュールＢＳＴのブラシの交換を行ってもよい。
【００７１】
メンテナンスの開始のタイミングとしては、上記の例に限られない。例えば、ロットの最後のウエハＷが処理ブロックＳ２を通過した後、バッファモジュール群３に搬入される前に処理ブロックＳ２の搬送を停止し、メンテナンスを開始してもよい。また、例えば自動メンテナンスを行う場合、メンテナンスが行われるモジュールをロットの最後のウエハＷが通過した時点でメンテナンスを開始してもよい。
【００７２】
塗布、現像装置１ではバッファモジュール群３にウエハＷを溜める。従って、装置内のウエハＷ枚数が多く、また、塗布、現像装置１に搬入するキャリア数が不足すると、各モジュールへウエハＷの供給ができなくなり、生産性が低下するおそれがある。従って、前記バッファモジュール群３の前記蓄積レートを考慮した上で、キャリアブロックＳ１に搬入するキャリアＣの数を設定することになる。また、キャリアブロックＳ１の棚に載置できるキャリアＣの数を増やすことも有効である。また、制御部１００は、塗布、現像装置１の外部の搬送機構の動作を制御するコンピュータに信号を出力し、ウエハＷが塗布、現像装置１に搬入され、空の状態で棚１４に搬送されたキャリアＣを前記搬送機構により塗布、現像装置１の外部に退避させてもよい。それによって、キャリアブロックＳ１におけるキャリアＣの数を、当該キャリアＣが載置可能な数に収めるように制御する。
【００７３】
ところで、処理ブロックＳ２における往路側搬送経路Ｆ１のモジュールをメンテナンスする場合について説明してきたが、処理ブロックＳ２の復路側搬送経路Ｆ２のモジュールのメンテナンスを行う場合にも本発明が適用できる。図１６は、このように復路側のメンテナンスを行う場合の搬送の概略を示しており、この図に示すように復路側搬送Ｆ２及び往路側搬送Ｆ１の両方の搬送を停止する。そして、搬送Ｆ１及びＦ２を停止させている間に露光搬送Ｆ３を継続する。
【００７４】
予約メンテナンスであり、ブロック退避メンテナンスである搬送アームＡ６の爪部２５の交換を行う場合の例を挙げて、通常搬送から図１６のメンテナンス時の搬送への切り替わりを具体的に説明する。この説明では露光済みウエハのロットをＡ、Ｂとし、ロットＢはロットＡの次のロットである。上述したブロック退避メンテナンスのフローのステップＥ１、Ｅ２が進行し、バッファモジュール群３に必要ウエハ枚数が溜まったと判定されると、バッファモジュール群３から搬出中のロットＡについては、復路側搬送Ｆ２による搬送が継続される。ロットＡの最後のウエハＷが搬出された後、バッファモジュール群３からの露光済みウエハＷの搬出が停止する。つまり、ロットＢについては、バッファモジュール群３から搬出されず、バッファモジュール群３に滞留する。
【００７５】
そして、ロットＡの最後のウエハＷがキャリアＣに戻されると、復路側搬送Ｆ２が停止する。また、往路側搬送Ｆ１は、上記のステップＥ３〜Ｅ６に従って停止する。この間にバッファモジュール群３では、露光前のウエハＷが露光装置Ｓ４へ搬送されてその枚数が減少すると共に、露光装置Ｓ４から搬送された露光済みのウエハＷが蓄積していく。復路側搬送Ｆ２の停止時点からメンテナンス設定時間が経過すると、ロットＢがバッファモジュール３から搬出されると共にキャリアＣからのウエハＷの払い出しが行われる。つまり通常搬送が再開する。このように搬送を行う場合にも露光装置Ｓ４は露光処理を続けることができるので、上記の効果が得られる。なお、往路側搬送Ｆ１のモジュールのメンテナンスを行う場合に、同様に復路側搬送Ｆ２及び往路側搬送Ｆ１の両方を停止させてもよい。
【００７６】
また、上記の自動カップ洗浄は、カップ２１に備え付けられている洗浄機構をなすノズルから直接カップ２１に洗浄液を供給してもよいが、洗浄用の冶具を用いてカップ２１に洗浄液を供給してもよい。図１７は、その洗浄用の冶具であるディスク７１を示している。円板状の中心部７２の外周を囲うように円形のリング部７３が設けられている。図１８に示すようにリング部７３の周端部は上方向に突出し、リング部７３の外周面７４は起立している。例えば棚ユニットＵ１〜Ｕ６の一の棚がこのディスク７１を格納する待機部として構成され、ウエハＷの処理時にディスク７１は当該待機部にて待機する。
【００７７】
上記のレジスト塗布モジュールＣＯＴのカップ洗浄を行う場合について説明すると、既述のフローＤ１〜Ｄ４が進行すると、搬送アームＡ１が前記棚からディスク７１をレジスト塗布モジュールＣＯＴに搬送し、ディスク７１のリング部７３がスピンチャック２２に吸着される。スピンチャック２２が回転し、ウエハＷの裏面を洗浄するための裏面洗浄ノズル２６から、例えばシンナーからなる溶剤がディスク７１のリング部７３の裏面に吐出される。図１８では点線の矢印で溶剤の流れを示しており、吐出された溶剤は遠心力によりリング部７３の裏面を外側に向かった後、表面張力及び粘性により前記外周面７４を上り、カップ２１の内周面へ飛散する。そして、飛散した溶剤はカップ２１の内周面を伝わって、当該カップ２１に付着したレジストを洗い流しながら下降し、不図示の排液路に流れ込んで廃液される。この洗浄作業が終了するとディスク７１は前記待機部に戻され、ウエハＷの通常搬送が再開される。
【００７８】
他の塗布膜形成モジュールにおいても、メンテナンス時に同様にカップ２１の自動洗浄が行われる。また、待機部としてはこの例に限られない。例えばバッファモジュール群３に単位ブロックＢ１〜Ｂ４のウエハＷを全て退避させた後、キャリアＣによりこのディスク７１を塗布、現像装置１に搬送する。つまりキャリアＣを待機部としてもよい。
【００７９】
ところで、塗布、現像装置１は既述したタイミング以外のタイミングにおいても自動メンテナンスを実行することができる。このタイミングを説明するために塗布、現像装置１の構成についてさらに説明する。前記制御部１００は、塗布、現像装置１が設置される工場のホストコンピュータ（上位コンピュータ）に接続されている。このホストコンピュータは、キャリアＣの塗布、現像装置１への搬送を制御しており、キャリアＣの搬送前に当該キャリアＣの塗布、現像装置１への搬送時刻についての情報を前記制御部１００に送信し、その情報が制御部１００のメモリに記憶される。
【００８０】
前記キャリアＣは図示しない搬送機構により前記工場内を搬送されて、前記時刻にキャリアブロックＳ１に搬送され、キャリア搬送機構１５により載置台１１に載置される。後述のようにメンテナンスを行うタイミングを管理するために、前記載置台１１へのキャリアＣの載置時刻及び当該載置台１１からのキャリアＣの搬出時刻は前記メモリに記憶される。そして、前記ホストコンピュータから制御部１００へ前記キャリアＣ内のロットの処理開始指示が送信されると、制御部１００は塗布、現像装置１の各部へ所定の制御信号を出力し、載置台１１に載置されたキャリアＣから前記ロットが払い出されて塗布、現像装置１内で処理される。つまり、ホストコンピュータは塗布、現像装置１におけるロットの処理開始タイミングを制御している。前記ロットの処理開始指示としては、ロットの処理開始のトリガーとなる制御信号及びロットの処理を開始する予定時刻について設定するための信号のいずれであってもよい。つまり速やかにロットの処理を開始するように指示するものであってもよいし、送信後、所定の時間経過後に処理を開始するように指示するものであってもよい。
【００８１】
また、図３に示す棚ユニットＵ７において搬送アームＡ１、Ａ２がアクセスできる高さには、液処理モジュールにウエハＷを搬送する前にウエハＷの温度調整を行うための受け渡しモジュールＣＰＬ（ＣＰＬ２１、２２とする）が設けられている。つまり、上記の単位ブロックＢ１、Ｂ２においてウエハは、疎水化処理モジュールＡＤＨ→受け渡しモジュールＣＰＬ２１→反射防止膜形成モジュールＢＣＴ→加熱モジュール→受け渡しモジュールＣＰＬ２２→レジスト塗布モジュールＣＯＴ→加熱モジュールＨＰという順番で搬送される。
【００８２】
互いに異なるロットＡ、Ｂで加熱モジュールＨＰによる加熱温度が互いに異なる場合、加熱モジュールＨＰにおいてはロットＡを処理後に、当該モジュールＨＰ内の熱板の温度調整が行われ、前記温度調整を終了した後に、ロットＢが加熱モジュールＨＰに搬送される。従って、レジスト塗布後の加熱モジュールＨＰで前記温度調整が行われる場合、ロットＢは受け渡しモジュールＣＰＬ２２及びその前段側のモジュールで待機することになる。つまり、同じロット内のウエハＷ間で受け渡しモジュールＣＰＬ２２による温度調整後、レジスト塗布及び加熱処理を行うまでの時間が揃うようになっている。そのようにロットＢを待機させるために、例えば棚ユニットＵ７には待機用のモジュールとして複数枚のウエハＷを載置可能なバッファモジュールが設けられる。
【００８３】
また、ウエハＷのロットによっては、反射防止膜を形成せずにレジスト膜の形成処理を行う。その場合は、単位ブロックＢ１、Ｂ２を前記ウエハＷは、例えば疎水化処理モジュールＡＤＨ→受け渡しモジュールＣＰＬ２２→レジスト塗布モジュールＣＯＴ→加熱モジュールＨＰの順で搬送される。
【００８４】
また、上記の自動ノズル洗浄処理を行う場合には、洗浄後にノズル内における薬液の乾燥を防ぐために、ノズルから空気の吸引及び図示しない貯留部に貯留されたシンナーの吸引を行うことで、ノズルの薬液の流路の先端側に前記シンナーの層及び空気の層を形成する処理も行われる。レジスト塗布モジュールＣＯＴは、ウエハＷのレシピによって夫々異なる種類のレジストを吐出する複数のノズルを備えている。従ってレジスト塗布モジュールＣＯＴに搬送されるウエハＷのロットが切り替わり、これらのロットが互いに異なるレジストを塗布するように設定されている場合は、先のロットを処理して使用済みのノズルに前記空気層及びシンナー層を形成するために自動ノズル洗浄を行う。先のロットと後続のロットの夫々に同じレジストを塗布する場合には、この自動ノズル洗浄を行わずにレジスト塗布処理を継続して行うことができる。
【００８５】
続いて、モジュールのメンテナンスを行う各タイミングについて説明する。
ケース１として、キャリアブロックＳ１に次に塗布、現像装置１で処理するロットを格納したキャリアＣが到着しておらず、当該装置１にウエハＷが払い出される予定がないときが挙げられる。
つまり、前記載置台１１にキャリアＣが載置されない間は、塗布、現像装置１へウエハＷの払い出しが行われないので、その間隔を利用して自動メンテナンスを行う。具体的には、例えば最後に装置１で処理済みのウエハＷを格納したキャリアＣが載置台１１から搬出された時刻から予め設定された待機時間が経過しても次のキャリアＣが載置台１１に搬送されていない場合に、前記待機時間経過後に制御部１００は各液処理モジュールへカップ洗浄及びノズル洗浄を行うように制御信号を送信し、自動メンテナンスが開始される。
【００８６】
さらに、前記待機時間において、制御部１００がホストコンピュータから、次のキャリアＣが塗布、現像装置１に搬送される予定時刻を受信すると、この受信時刻から前記予定時刻までの時間（到着待ち時間とする）を算出する。そして制御部１００は、自動メンテナンス設定記憶領域６１に記憶される各メンテナンスの必要時間と、前記到着待ち時間とを比較する。そして、前記必要時間が到着待ち時間と同じかそれよりも短いメンテナンスについては実行し、必要時間が到着待ち時間よりも長いメンテナンスについては実行しないように制御信号を出力する。
【００８７】
ケース２として、キャリアブロックＳ１に次のロットを格納したキャリアＣが到着しているが、塗布、現像装置１に当該ロットが払い出される予定がないときが挙げられる。つまり、載置台１１にキャリアＣが載置されているが、ホストコンピュータからロットの処理を開始する指示がなされていないときである。
【００８８】
具体的に、載置台１１に前記キャリアＣが載置された時刻から、予め設定された時間が経過するまでの間に前記ロットの開始指示がなされない場合、前記設定時間経過後に制御部１００は各モジュールへ制御信号を出力し、ケース１と同様に各モジュールにおいて自動メンテナンスが開始される。また、キャリアＣが載置台１１に載置された後、ホストコンピュータから当該キャリアＣのロットを処理するための予定時刻についてのデータを受信したときに、その受信時刻から前記予定時刻までの時間（処理前待機時間）が所定の時間よりも長い場合には、ケース１と同様に自動メンテナンスが開始されるようにしてもよい。この場合には、ケース１と同様に処理前待機時間と各メンテナンスの必要時間とを比較し、前記必要時間が処理前待機時間と同じかそれよりも短いメンテナンスについては実行し、長いメンテナンスについては実行しないように制御信号を出力してもよい。
【００８９】
このようにケース１、２においては一のキャリアＣのロットを処理後、後続のキャリアＣのロットの処理を開始するまでの時間を利用してメンテナンスを行う。従って、塗布、現像装置１に搬入済みのウエハＷの処理を中断してメンテナンスを行うことを防ぐことができ、スループットの向上を図ることができる。
【００９０】
ケース３として、先のロットと次のロットとで異なる処理を行うが、メンテナンスを行うモジュールでは先のロットと次のロットとに同じ処理を行うとき、先のロットの処理後、次のロットの処理前に前記モジュールにおいてメンテナンスを行う場合を説明する。具体的には先発のロットＡ及び後続のロットＢにレジスト塗布モジュールＣＯＴでは同じレシピで処理を行い、加熱モジュールＨＰではロットＡＢを互いに異なる温度で加熱する場合である。この場合、例えば図１９に示すようにロットＢの先頭のウエハＷがＣＰＬ２２に搬送されると、制御部１００はこのロットＢのＣＰＬ２２の下流側への搬送を停止する。
【００９１】
レジスト塗布モジュールＣＯＴではロットＡの最後のウエハＷを処理し終えると、図２０に示すように制御部１００は、自動メンテナンスを行うように制御信号を送信する。ロットＡ、ロットＢは同じレシピであるため、上記のようにノズル洗浄を行う必要が無いので、ここで行われる自動メンテナンスはカップ洗浄である。また、加熱モジュールでは前記ロットＡを処理後、制御部１００からの制御信号に基づいて熱板の温度が例えば１００℃から１５０℃へと変更される。図２１に示すように、熱板の温度変更と前記自動メンテナンスとが並行して行われ、これら温度変更及び自動メンテナンスが終了すると、ロットＢのこれらレジスト塗布モジュールＣＯＴ及び加熱モジュールＨＰに搬送される（図２２）。つまり、この例では加熱モジュールＨＰの温度変更を行うために後続のロットを待機させるための待機時間を利用して、レジスト塗布モジュールＣＯＴで自動メンテナンスを行う。
【００９２】
ケース４として、前のロットと次のロットのウエハの処理が異なることにより、メンテナンスを行うモジュールにウエハＷが到着するまでの時間が空くとき、先のロットの処理後、次のロットの処理前に前記モジュールにおいてメンテナンスを行う。例えば先発のロットＡが反射防止膜を形成せずにレジスト膜だけを形成するように設定され、後続のロットＢが反射防止膜及びレジスト膜の両方を形成するように設定されている場合、レジスト塗布モジュールＣＯＴにおいては、ロットＡの最後のウエハＷを処理後、ロットＢの先頭のウエハＷが搬送されるまでに比較的長い時間を要するので、前記ロットＢのウエハＷが到着するまでの間に既述の自動メンテナンスを行う。
【００９３】
ケース３、４では、レジスト塗布モジュールＣＯＴにて先発ロットの処理後、後発ロットを搬入するまでに要する時間を利用してメンテナンスを行っている。従って、当該レジスト塗布モジュールＣＯＴにおいてメンテナンスを行うために装置内のウエハＷの搬送を停止する時間を短縮したり、前記搬送を停止する頻度を少なくすることができるので、スループットの向上を図ることができる。
【００９４】
ところで、上記のカップ洗浄については、既述のディスク７１やノズルから洗浄液を吐出する例の他に、カップ２１に洗浄機構を設け、この洗浄機構を用いて行うことができる。この洗浄機構の具体的な例を説明すると、既述の図１８に示したカップ２１の上部側開口部付近の内周面において、開口縁に沿ってシンナー（洗浄液）の吐出口を複数設ける。そして、各吐出口から前記内周面にシンナーを流下させて当該内周面を洗浄する。また、この内周面の洗浄前あるいは洗浄後に、当該内周面を洗浄するよりも高い吐出圧でシンナーを前記吐出口から吐出させる。それによって、図１８でスピンチャック２２の外側且つカップ２１の内側に設けられる山型の縦断面を備える山型部と、当該山型部の外縁から下方に伸びるガイド部にシンナーを供給する。そのようにして、前記山型部及びガイド部からなる内カップ及びカップ２１（外カップ）の両方について洗浄を行うことができる。
【００９５】
なお、上記の各実施形態において、自動メンテナンスの実行記録を取得してもよい。例えば、制御部１００のメモリ４５に、モジュール毎に行われた自動メンテナンスと時刻を記憶する記憶領域を設ける。その記憶に基づいて、制御部１００は自動メンテナンスを開始できるタイミングになったときに優先して行うメンテナンスを決定するようにしてもよい。優先されるメンテナンスは例えば、最後にメンテナンスを行った時刻が古い順である。具体的には例えばレジスト塗布モジュールＣＯＴ、反射防止膜形成モジュールＢＣＴがいずれもメンテナンス可能で、前回のメンテナンス時にレジスト塗布モジュールＣＯＴのメンテナンスを行っていたら反射防止膜形成モジュールＢＣＴのメンテナンスが行われるようにする。また、例えばレジスト塗布モジュールＣＯＴで自動カップ洗浄と自動ノズル洗浄とがいずれも実行可能であり、前回のメンテナンス時に自動カップ洗浄が行われていたら自動ノズル洗浄を優先して行う。このように制御を行い、特定のメンテナンスを行う間隔が開きすぎることを防いでも良い。
【符号の説明】
【００９６】
Ｗ ウエハ
Ａ１〜Ａ６ 搬送アーム
ＢＣＴ 反射防止膜形成モジュール
ＢＵ バッファモジュール
ＣＯＴ レジスト膜形成モジュール
ＤＥＶ 現像モジュール
ＴＣＴ 保護膜形成モジュール
Ｓ１ キャリアブロック
Ｓ２ 処理ブロック
Ｓ３ インターフェイスブロック
Ｓ４ 露光装置
ＷＥＥ 周縁露光モジュール
１ 塗布、現像装置
１００ 制御部
３ バッファモジュール群
４５ メモリ
４７ 設定部
４８ 表示部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板にレジストを塗布し、現像を行う塗布、現像装置、塗布、現像方法及びこの方法を実行するコンピュータプログラムを含んだ記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面にレジストを塗布し、このレジストを所定のパターンで露光した後に現像してレジストパターンを形成している。このレジストパターンの形成は、レジストなどの各種の塗布膜の形成処理及び現像処理を行う塗布、現像装置に露光処理を行う露光装置を接続したシステムにより行っている。
【０００３】
ところで、塗布、現像装置においてはウエハを処理するモジュールの状態の確認や部品の交換などの各種のメンテナンスを行うことがあり、そのために塗布、現像装置の稼働を停止させる場合があった。上記のように塗布、現像装置と露光装置との間でウエハが搬送されるため、塗布、現像装置の稼働を停止させた場合には、露光装置の稼働も停止させていた。しかし、そのようにシステム全体の動作を停止することにより、半導体製品の生産効率が低下してしまう。
【０００４】
特許文献１には、上記のように露光前のウエハを塗布、現像装置に設けられたバッファモジュールに溜めて、バッファモジュールの前段側で行われる処理を一旦止めてメンテナンスを行うことが記載されている。そして、メンテナンス中にバッファモジュールからはウエハを搬送して、後段側の処理を継続することが示されているが、メンテナンス中にバッファモジュール内のウエハがすべて払い出されて、後段側の処理が行えなくなるおそれがある。露光装置の運用には比較的高いコストを要するため、このように後段側の処理が行えない場合、半導体製品の生産コストが高くなってしまうおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２７７５２８（段落００４６など）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、露光装置の生産効率を落とさない塗布、現像装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の塗布、現像装置は、キャリアブロックに載置されたキャリアから取り出された基板を処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、露光装置に受け渡し、露光後の基板に対して処理ブロックにて現像処理を行い、キャリアに受け渡すように構成され、基板の処理枚数が露光装置よりも多い塗布、現像装置において、
前記塗布膜が形成された、露光前の基板を一旦仮置きする仮置き部と、
基板の搬送経路における基板が置かれるモジュールについてメンテナンスを行うために、当該上流側の基板の搬送を停止する時間の長さを設定するための停止時間設定部と、
前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達したか否かを監視し、達した後に前記上流側の基板の搬送を停止するように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
「前記停止時間に応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数」とは、停止時間の間で処理できる基板の処理枚数そのものだけに限らず、停止時間の間で処理できる基板の処理枚数の例えば９５％の枚数も特許請求の範囲に含まれる。例えば停止時間を３０分に設定し、単位時間当たりの基板の処理枚数が３０秒であった場合には、処理枚数は６０枚となるが、仮置き部に５７枚溜まったときに基板の搬送を停止してもよい。この場合には、５７枚の基板を露光装置に搬送したときに、処理ブロックでは基板の処理を再開できないので、露光装置は、処理ブロックにおける基板の３枚分の処理時間である１分３０秒だけ処理が途切れることになる。しかしながらこのような場合でも本発明の手法の効果が実質得られることから、特許請求の範囲に含まれる。即ち、基板の搬送を停止する時間を設定し、仮置き部に置かれた基板の枚数が所定の処理枚数に達したか否かを監視するように装置を構成した場合、前記「所定の処理枚数」は、業界において効果が得られると判断される限り、停止時間の間で処理できる基板の処理枚数そのものだけに限らないということである。また、ここでいう「モジュール」には基板を搬送する搬送手段も含まれる。
【０００９】
前記、塗布、現像装置の具体的な態様としては例えば下記の通りである。
（ａ）前記制御部は、前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達した後、キャリアブロック側から処理ブロックヘの基板の払い出しを停止するための制御信号を出力し、その後、前記上流側の基板の搬送を停止するように制御信号を出力するように構成されている。
（ｂ）前記制御部は、前記上流側の基板の搬送を停止するように制御信号を出力する前に、処理ブロック内に存在する基板を前記仮置き部に退避させるように制御信号を出力する。
【００１０】
（ｃ）前記制御部は、前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達した後、その時点で処理ブロック内に存在する基板が属するロットの最終基板がキャリアブロック側から処理ブロックヘ払い出された後、後続の基板の払い出しを停止すると共に、当該最終基板が処理ブロックを通過した後、前記上流側の基板の搬送を停止するように制御信号を出力するように構成されている。
（ｄ）前記停止時間の長さに応じた枚数の露光前の基板が仮置き部に置かれるまでの待ち時間を、仮置き部に置かれている露光前の基板の枚数と、塗布、現像装置の基板の処理枚数とに基づいて演算する演算手段と、演算された前記待ち時間を表示する表示部と、を備える。
【００１１】
（ｅ）前記メンテナンスを開始するタイミングを設定するタイミング設定部を備え、前記制御部は前記タイミングの経過後に上流側の基板の搬送を停止するように制御信号を出力する。
（ｆ）前記モジュールは、基板に塗布膜を形成するための薬液を供給するノズルと、前記ノズルに洗浄液を供給するノズル洗浄機構と、を含み、
前記制御部は、前記停止時間に前記ノズルを洗浄するために、ノズル洗浄機構から洗浄液を供給するように制御信号を出力する。
（ｇ）前記モジュールは、基板の載置部と、基板に塗布膜を形成するための薬液を供給するノズルと、前記載置部に載置された基板を囲むカップと、前記カップ内に洗浄液を供給する洗浄機構と、を備え、前記制御部は、前記停止時間にカップを洗浄するために洗浄液を供給するように制御信号を出力する。
（ｈ）前記モジュールにおいて基板を処理するときにはカップの外部に設けられた待機部に待機し、前記停止時間に前記カップに搬送される治具を備え、前記載置部は前記冶具を保持すると共に回転させることと、前記洗浄機構は前記治具に洗浄液を吐出し、飛散させてカップ内を洗浄する。
【００１２】
（ｉ）前記制御部は、最後に前記キャリアブロックから前記塗布、現像装置にて処理済みの基板を格納したキャリアが搬出されてから、次のキャリアが前記キャリアブロックに搬送されるまでの間に、モジュールにてメンテナンスが行われるように制御信号を出力する。
（ｊ）前記制御部は、キャリアから基板を払い出す時刻を制御するための信号を当該制御部に送信するホストコンピュータに接続され、
前記制御部は、キャリアが前記キャリアブロックに搬入されてから、当該キャリアから前記基板を払い出す時刻までの間にモジュールにてメンテナンスが行われるように制御信号を出力する。
（ｋ）前記処理ブロックに前段側モジュールと、基板のロットに応じて処理状態を切り替える後段側モジュールとが設けられ、
前記制御部は、先発ロットのすべての基板が前記後段側モジュールにて処理された後、且つ後発ロットの基板が前段側モジュールに搬送される前に、前記後段側モジュールの処理状態の切り替えに並行して、前記前段側モジュールにてメンテナンスを行うように制御信号を出力する。
（ｌ）先発ロットが前段側モジュールに搬送されずに後段側モジュールに搬送されるように設定され、且つ後発ロットが前段側モジュール及び後段側モジュールに搬送されるように設定され、
前記制御部は先発ロットのすべての基板が後段側モジュールで処理された後、後発ロットの基板が後段側モジュールに搬送される前に当該後段側モジュールでメンテナンスを行うために制御信号を出力する。
【００１３】
本発明の塗布、現像方法は、キャリアブロックに載置されたキャリアから取り出された基板を処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、露光装置に受け渡し、露光後の基板に対して処理ブロックにて現像処理を行い、キャリアに受け渡すように構成され、基板の処理枚数が露光装置よりも多い塗布、現像装置を用いた塗布、現像方法において、
前記塗布膜が形成された、露光前の基板を仮置き部に一旦仮置きする工程と、
基板の搬送経路において前記仮置き部よりも上流側における、基板が置かれるモジュールについてメンテナンスを行うために、停止時間設定部により当該上流側の基板の搬送を停止する時間の長さを設定する工程と、
前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達したか否かを監視し、達した後に前記上流側の基板の搬送を停止する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１４】
前記塗布、現像方法の具体的な態様としては、例えば下記の通りである。
（ｍ）前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達した後、キャリアブロック側から処理ブロックヘの基板の払い出しを停止する工程と、
次いで、前記上流側の基板の搬送を停止する工程と、を備える。
（ｎ）前記上流側の基板の搬送を停止する前に、処理ブロック内に存在する基板を前記仮置き部に退避させる工程を備える。
（ｏ）前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達した後、その時点で処理ブロック内に存在する基板が属するロットの最終基板がキャリアブロック側から処理ブロックヘ払い出された後、後続の基板の払い出しを停止する工程と、
前記最終基板が処理ブロックを通過した後、前記上流側の基板の搬送を停止する工程と、を備える。
【００１５】
（ｐ）前記停止時間に、前記モジュールに設けられた基板に塗布膜を形成するための薬液を供給するノズルに洗浄液を供給して洗浄する工程を備える。
（ｑ）前記停止時間に、前記モジュールに設けられた基板の載置部を囲むカップに洗浄液を供給して洗浄する工程を備える。
（ｒ）前記カップを洗浄する工程は、前記停止時間にカップの外部に設けられた待機部から前記カップに冶具を搬送する工程と、前記載置部に冶具を保持し、回転させる工程と、洗浄機構から前記治具に洗浄液を吐出し、カップ内に飛散させる工程を含む。
（ｓ）前記カップに洗浄液を供給する工程は、カップに設けられた洗浄機構により行われる。
【００１６】
本発明の記憶媒体は、塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記コンピュータプログラムは、上述の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、仮置き部に置かれた露光前の基板の枚数がメンテナンスを行うための停止時間の長さに応じた枚数に達した後に、仮置き部の前記上流側の基板の搬送を停止する。従って、停止時間の間に露光前の基板を露光装置へ搬送し続けて露光処理を行える。従って、露光装置の生産効率の低下を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の塗布、現像装置の平面図である。
【図２】前記塗布、現像装置の斜視図である。
【図３】前記塗布、現像装置の縦断側面図である。
【図４】インターフェイスブロックの縦断正面図である。
【図５】バッファモジュールにおける待機領域の斜視図である。
【図６】塗布、現像装置及び露光装置の搬送の概要を示した説明図である。
【図７】塗布、現像装置及び露光装置の搬送の概要を示した説明図である。
【図８】塗布、現像装置に設けられる制御部の説明図である。
【図９】前記制御部の記憶領域を示す説明図である。
【図１０】前記制御部の記憶領域を示す説明図である。
【図１１】制御部の記憶領域を示す説明図である。
【図１２】制御部の記憶領域を示す説明図である。
【図１３】塗布、現像装置で自動メンテナンスが開始されるフロー図である。
【図１４】予約メンテナンスを行うフロー図である。
【図１５】手動メンテナンスを行うフロー図である。
【図１６】塗布、現像装置及び露光装置の搬送の概要を示した説明図である。
【図１７】自動カップ洗浄に用いるディスクの斜視図である。
【図１８】自動カップ洗浄時のレジスト塗布モジュールの縦断側面図である。
【図１９】ウエハが搬送される様子を示した模式図である。
【図２０】ウエハが搬送される様子を示した模式図である。
【図２１】ウエハが搬送される様子を示した模式図である。
【図２２】ウエハが搬送される様子を示した模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明に係る塗布、現像装置１について説明する。図１は、前記塗布、現像装置の平面図、図２は同概略斜視図、図３は同概略側面図である。この塗布、現像装置１は、キャリアブロックＳ１と、処理ブロックＳ２と、インターフェイスブロックＳ３と、を直線状に接続して構成されている。インターフェイスブロックＳ３にはさらに露光装置Ｓ４が接続されている。以降の説明ではブロックＳ１〜Ｓ３の配列方向を前後方向とする。
【００２０】
キャリアブロックＳ１は、同一のロットの基板であるウエハＷを複数枚含むキャリアＣを塗布、現像装置１に搬入出する役割を有し、キャリアＣの載置台１１と、開閉部１２と、開閉部１２を介してキャリアＣからウエハＷを搬送するための搬送機構である受け渡しアーム１３とを備えている。また、キャリアブロックＳ１は、載置台１１上に棚１４を備えており、キャリア搬送機構１５により載置台１１と棚１４との間でキャリアＣが受け渡される。載置台１１に置かれてウエハＷを払い出したキャリアＣは、ウエハＷが戻るまで棚１４で待機することで、前記キャリアＣによる載置台１１の占有を防ぎ、複数のキャリアＣのウエハＷを続けて塗布、現像装置１に搬入することができる。
【００２１】
処理ブロックＳ２は、ウエハＷに液処理を行う第１〜第６の単位ブロックＢ１〜Ｂ６が下から順に積層されて構成されており、各単位ブロックＢは、下層側から２つずつ、同様に構成されている。つまり、単位ブロックＢ１、Ｂ２が同じ構成であり、単位ブロックＢ３、Ｂ４が同じ構成であり、単位ブロックＢ３、Ｂ４が同じ構成である。
【００２２】
図１に示す第１の単位ブロックＢ１について説明すると、キャリアブロックＳ１からインターフェイスブロックＳ３へ向かう搬送領域Ｒ１の左右には液処理ユニット２０、棚ユニットＵ１〜Ｕ６が夫々配置され、液処理ユニット２０には、反射防止膜形成モジュールＢＣＴと、レジスト膜形成モジュールＣＯＴとが設けられている。反射防止膜形成モジュールＢＣＴは夫々ウエハＷを処理するための２つのカップ２１と、カップ２１内でウエハＷの裏面を支持すると共にウエハＷを鉛直軸回りに回転させるスピンチャック２２と、２つのカップ２１で共用の薬液供給ノズル２３とを備え、スピンコーティングにより反射防止膜形成用の薬液をウエハＷに塗布する。また、図１では省略しているが反射防止膜形成モジュールＢＣＴは、スピンチャック２２に保持されたウエハＷの裏面に溶剤を供給して、当該ウエハＷの裏面を洗浄する裏面洗浄ノズル２６を備えている。
【００２３】
レジスト膜形成モジュールＣＯＴは、前記薬液がレジストである他は反射防止膜形成モジュールＢＣＴと同様に構成されている。図中２０はカップ状の待機部である。待機部２４では、薬液供給ノズル２３を待機させると共に待機した薬液供給ノズル２３に洗浄液を供給して薬液供給ノズル２３を洗浄する。
【００２４】
前記搬送領域Ｒ１には、ウエハＷの搬送機構である搬送アームＡ１が設けられている。この搬送アームＡ１は、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、且つ搬送領域Ｒ１の長さ方向に移動自在に構成されており、単位ブロックＢ１の全てのモジュール間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。図中２４はウエハＷの外周を囲むフォーク部であり、ウエハＷの裏面を支持する爪部２５を備えている。また、前記棚ユニットＵ１〜Ｕ６は、搬送領域Ｒ１の長さ方向に沿って配列され、棚ユニットＵ１〜Ｕ５は、ウエハＷの加熱処理を行う加熱モジュールが例えば２段に積層されて構成されている。棚ユニットＵ６は、互いに積層された周縁露光モジュールＷＥＥ１、ＷＥＥ２により構成される。この周縁露光モジュールＷＥＥ１、ＷＥＥ２は、光源としてランプを備え、レジスト塗布後のウエハＷの周縁部を露光する。
【００２５】
単位ブロックＢ３〜Ｂ６は、液処理ユニット２０でウエハＷに供給する薬液が異なること及び周縁露光モジュールの代わりに加熱モジュールが設けられることを除き、単位ブロックＢ１、Ｂ２と同様に構成される。単位ブロックＢ３、Ｂ４は、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ及びレジスト塗布モジュールＣＯＴの代わりに保護膜形成モジュールＴＣＴ１、ＴＣＴ２を備えている。反射防止膜形成モジュールＢＣＴ、レジスト塗布モジュールＣＯＴ及び保護膜形成モジュールＴＣＴを塗布膜形成モジュールとする。単位ブロックＢ５、Ｂ６は、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ及びレジスト膜形成モジュールＣＯＴの代わりに現像モジュールＤＥＶ１、ＤＥＶ２を備える。
【００２６】
保護膜形成モジュールＴＣＴ、現像モジュールＤＥＶはウエハＷに供給する薬液の違いを除いて反射防止膜形成モジュールＢＣＴと略同様に構成されている。保護膜形成モジュールＴＣＴは液浸露光時にウエハＷの表面を保護する保護膜形成用の薬液を、現像モジュールは現像液を夫々ウエハＷに供給する。なお、各単位ブロックＢ１〜Ｂ６の搬送アームはＡ１〜Ａ６として図３に示している。
【００２７】
搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１側には、各単位ブロックＢに跨った棚ユニットＵ７が設けられている。棚ユニットＵ７は、互いに積層された複数のモジュールにより構成されている。これらのモジュールとしては、各単位ブロックの高さ位置に設けられた受け渡しモジュールＣＰＬ１１〜ＣＰＬ１３と、受け渡しモジュールＣＰＬ１４と、バッファモジュールＢＵ１１と、疎水化処理モジュールＡＤＨとがある。
【００２８】
説明中、ＣＰＬと記載した受け渡しモジュールは、載置したウエハＷを冷却する冷却ステージを備えている。バッファモジュールは、複数枚のウエハＷを格納できるように構成されている。また、疎水化処理モジュールＡＤＨは、ウエハＷに処理ガスを供給し、ウエハＷ表面を疎水化させる。棚ユニットＵ７の近傍には、昇降自在且つ棚ユニットＵ７に対して進退自在な受け渡しアーム３０が設けられ、棚ユニットＵ７の各モジュール間でウエハＷを搬送する。
【００２９】
続いて、図４も参照しながらインターフェイスブロックＳ３の構成について説明する。図４は、処理ブロックＳ２側へ向かって見たインターフェイスブロックＳ３の縦断正面図である。インターフェイスブロックＳ３は棚ユニットＵ８を備えており、棚ユニットＵ８は、受け渡しモジュールＴＲＳ０〜ＴＲＳ２、受け渡しモジュールＣＰＬ１、バッファモジュール群３が互いに積層されて構成されている。
【００３０】
ウエハＷの仮置き部であるバッファモジュール群３は互いに積層されたバッファモジュールＢＵ１〜ＢＵ４により構成されている。受け渡しモジュールＴＲＳ１は、第３の単位ブロックＢ３及び第４の単位ブロックＢ４の各高さ位置に設けられている。受け渡しモジュールＴＲＳ２は第５の単位ブロックＢ５及び第６の単位ブロックＢ６の各高さ位置に設けられている。受け渡しモジュールＴＲＳ１、ＴＲＳ２及びバッファモジュール群３の下方側には、受け渡しモジュールＴＲＳ０及び受け渡しモジュールＣＰＬ１が設けられている。
【００３１】
バッファモジュールＢＵ１について説明する。バッファモジュールＢＵ１は左右の側面が開口した筐体を備えており、筐体内には図５に示すように対をなす立て板３６、３６と各立て板３６から内側方向に伸びる水平板３７とが設けられている。各水平板３７上はウエハＷの待機領域３８をなし、水平板３７の表面に設けられた支持ピン３９上にウエハＷが支持される。一つのバッファモジュールＢＵに立て板３６は複数設けられ、バッファモジュールＢＵ１に待機領域３８は、例えば２０個設けられる、つまり、バッファモジュールＢＵ１にはウエハＷを例えば最大２０枚待機させることができる。バッファモジュールＢＵ２〜ＢＵ４もバッファモジュールＢＵ１と同様に構成されている。
【００３２】
図４に戻って棚ユニットＵ８を左右方向から挟むように棚ユニットＵ９、Ｕ１０が設けられている。棚ユニットＵ９は、露光前にウエハＷの裏面をブラシにより洗浄する裏面洗浄モジュールＢＳＴが６基積層されて構成されている。棚ユニットＵ１０は、露光後にウエハＷの表面を洗浄する露光後洗浄モジュールＰＩＲが４基積層されて構成されている。
【００３３】
棚ユニットＵ８、Ｕ９間には第１のインターフェイスアーム３Ａが設けられている。第１のインターフェイスアーム３Ａは、昇降軸３１に沿って昇降自在な基台３２と、基台３２上を鉛直軸回りに回転自在な回転台３３と、回転台３３上を進退自在なウエハ支持部３４と、を備えている。棚ユニットＵ８、Ｕ１０間には第２のインターフェイスアーム３Ｂが設けられており、この第２のインターフェイスアーム３Ｂは第１のインターフェイスアーム３Ａと同様に構成されている。また、第２のインターフェイスアーム３Ｂの下方には、第３のインターフェイスアーム３Ｃが設けられており、水平移動部３５により昇降軸３１が左右方向に移動自在に構成されることを除き、第２のインターフェイスアーム３Ｂと同様に構成される。
【００３４】
インターフェイスアーム３Ａ、３Ｂは、基台３２の高さ、回転台３３の向き及びウエハ支持部３４の位置により、夫々異なる信号を後述の制御部１００に出力する。つまり、露光前洗浄モジュールＢＳＴにアクセスするとき、各受け渡しモジュールＴＲＳにアクセスするとき、露光後洗浄モジュールＰＩＲにアクセスするとき、受け渡しモジュールＣＰＬにアクセスするとき、バッファモジュールＢＵにアクセスするときで夫々異なる信号を制御部１００に出力する。また、バッファモジュールＢＵにアクセスするときは、アクセスする待機領域３８毎に異なる信号を出力する。このようにインターフェイスアーム３Ａ、３Ｂから出力される信号によって、制御部１００は、どのバッファモジュールＢＵのどの待機領域３８に露光前のウエハＷが待機しているか、どの待機領域３８に露光後のウエハＷが待機しているかを識別することができる。
【００３５】
この塗布、現像装置１及び露光装置Ｓ４からなるシステムの通常時におけるウエハＷの搬送経路について説明する。例えばウエハＷは単位ブロックＢ１→Ｂ３→Ｂ５を通過する経路１と、単位ブロックＢ２→Ｂ４→Ｂ６とを通過する経路２とによって搬送され、各経路で同様の処理を受ける。一のキャリアＣのウエハＷがすべて払い出されてから、次のキャリアＣからウエハＷが払い出される。また、例えばウエハＷは、キャリアＣから払い出された順に経路１、経路２へ交互に振り分けられ、払い出されたキャリアＣに戻される。以下、前記経路１の搬送について詳細に説明する。
【００３６】
ウエハＷは、キャリアＣ→受け渡しアーム１３→バッファモジュールＢＵ１１→受け渡しアーム３０→疎水化処理モジュールＡＤＨ→搬送アームＡ１→反射防止膜形成モジュールＢＣＴ→搬送アームＡ１→加熱モジュール→搬送アームＡ１→レジスト塗布モジュールＣＯＴ→搬送アームＡ１→加熱モジュールＨＰ→周縁露光モジュールＷＥＥ→搬送アームＡ１→受け渡しモジュールＣＰＬ１１の順で搬送され、ウエハＷの表面に反射防止膜、レジスト膜の順に下層側から塗布膜が積層される。
【００３７】
その後、ウエハＷは、受け渡しアーム３０→受け渡しモジュールＣＰＬ１２→搬送アームＡ３→保護膜形成モジュールＴＣＴ→搬送アームＡ３→加熱モジュールＨＰ→搬送アームＡ３→受け渡しモジュールＴＲＳ１の順に搬送される。これによってレジスト膜の上層に保護膜が形成されると共にウエハＷがインターフェイスブロックＳ３へと搬入される。
【００３８】
前記ウエハＷは、第１のインターフェイスアーム３Ａ→露光前洗浄モジュールＢＳＴ→第１のインターフェイスアーム３Ａ→バッファモジュール群３→第２のインターフェイスアーム３Ｂ→受け渡しモジュールＣＰＬ１→第３のインターフェイスアーム３Ｃ→露光装置Ｓ４の順で搬送され、裏面洗浄処理に続いて液浸露光処理を受ける。
【００３９】
露光済みのウエハＷは、第３のインターフェイスアーム３Ｃ→受け渡しモジュールＴＲＳ０→第２のインターフェイスアーム３Ｂ→露光後洗浄モジュールＰＩＲ→バッファモジュール群３→第２のインターフェイスアーム３Ｂ→受け渡しモジュールＴＲＳ２の順に搬送される。その後、搬送アームＡ５→加熱モジュールＨＰ→現像モジュールＤＥＶ→搬送アームＡ５→加熱モジュールＨＰ→搬送アームＡ５→受け渡しモジュールＣＰＬ１３→受け渡しアーム３０→受け渡しモジュールＣＰＬ１４→受け渡しアーム３０→キャリアＣの順に搬送される。第２の経路で搬送されるウエハＷは、通過する単位ブロックが異なる他は、この第１の経路と同様にモジュール間を搬送されて処理を受ける。
【００４０】
続いて、この実施の形態におけるウエハＷの搬送方式の変更の概略について、ウエハＷの搬送経路を矢印で示した図６、図７を用いて説明する。図６は、上記の通常時のウエハＷの搬送（通常搬送）を極めて簡略化して示している。図中、キャリアＣから払い出された露光前のウエハＷがバッファモジュール群３に向かう搬送を往路側搬送Ｆ１、露光済みのウエハＷがバッファモジュール群３からキャリアＣに向かう搬送を復路側搬送Ｆ２として、夫々矢印で示している。また、バッファモジュール群３から露光装置Ｓ４を経た後にバッファモジュール群３に戻される搬送を、露光搬送Ｆ３として矢印で示している。
【００４１】
この塗布、現像装置１のスループット（所定の時間におけるウエハＷの処理枚数）は、露光装置Ｓ４のスループットよりも高い。従って、上記の通常搬送が続けられると、塗布、現像装置１と露光装置とのスループット差に応じた早さで露光前のウエハＷがバッファモジュール群３に蓄積される。このようにバッファモジュール群３に一旦蓄積したウエハＷを露光装置Ｓ４に搬入するのは、露光装置Ｓ４に連続してウエハＷを搬送し、露光処理を滞りなく行うためである。なお、往路側搬送Ｆ１のスループットと復路側搬送Ｆ２のスループットとは同じであってもよいし、互いに異なっていてもよい。この例ではこれら各搬送Ｆ１、Ｆ２のスループットが同じであるものとする。また、キャリアＣからはバッファモジュール群３の待機領域３８の数を超える枚数のウエハＷは払い出されないものとする。
【００４２】
往路側搬送Ｆ１に用いられる処理ブロックＳ２のモジュールのメンテナンスを行う場合がある。この場合、キャリアＣからのウエハＷの払い出しが停止し、往路側搬送Ｆ１の搬送が停止する。その一方で、図７に示すように露光搬送Ｆ３及び復路側搬送Ｆ２は継続される。このときに露光装置Ｓ４の処理が途切れないように、バッファモジュール群３にメンテナンスを行うために必要な時間の長さに対応した枚数のウエハＷが蓄積されたときに、往路側搬送Ｆ１が停止するように制御される。なお、モジュールとはウエハＷが置かれる場所であり、ここではウエハＷを搬送する搬送機構もモジュールに含まれる。
【００４３】
前記メンテナンスとしては、自動メンテナンス、予約メンテナンス、手動メンテナンスがある。自動メンテナンスは、定期的に繰り返し自動で行われるメンテナンスであり、具体的には各塗布膜形成モジュールにおけるカップ２１を不図示の洗浄機構が自動で洗浄する自動カップ洗浄と、各塗布膜形成モジュールの待機部２４で薬液供給ノズル２３を自動で洗浄する自動ノズル洗浄とがある。
【００４４】
予約メンテナンスは、メンテナンスを行う予定日時を予めユーザが設定し、ユーザが装置を操作して行うメンテナンスである。この予約メンテナンスとして、具体的にはレジスト塗布モジュールＣＯＴのカップ２１の交換、周縁露光モジュールＷＥＥのランプ交換、各搬送アームＡ１〜Ａ４の爪部２５の交換がある。
【００４５】
手動メンテナンスは、ユーザが任意のタイミングで開始を指示するメンテナンスである。手動メンテナンスとしては、具体的には例えばレジスト塗布モジュールＣＯＴの薬液供給ノズル２３からレジストを吐出させ、吐出量及び吐出状態の適否をユーザが確認するメンテナンスがある。
【００４６】
塗布、現像装置１に設けられる制御部１００について説明する。制御部１００はコンピュータからなり、図８にその構成を示している。図中４１はバスであり、バス４１には、各種の演算を行うＣＰＵ４２、プログラム４３を格納したプログラム格納部４４、メモリ４５、ワークメモリ４６、設定部４７及び表示部４８が接続されている。前記プログラム４３には、制御部１００から塗布、現像装置１の各部に制御信号を送り、既述の各処理を行い、ウエハＷの搬送を制御できるように命令（各ステップ）が組み込まれている。前記プログラム４３は、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）メモリーカードなどにより格納されて制御部１００にインストールされ、前記プログラム格納部４４に格納される。また、設定部４７はキーボードやタッチパネルなどにより構成され、ユーザが、当該設定部４７で設定した内容がメモリ４５に記憶される。ワークメモリ４６ではＣＰＵ４２により、後述のように各種の演算が行われる。
【００４７】
続いて、メモリ４５について説明する。メモリ４５には、スループット記憶領域５１と、バッファ状態記憶領域５２と、メンテナンス設定記憶領域５３とが設けられる。スループット記憶領域５１には塗布、現像装置１のスループット及び露光装置Ｓ４のスループットが記憶される。また、このスループット記憶領域５１には、１時間あたりにバッファモジュール群３に溜まるウエハＷ枚数である蓄積レートが記憶される。この蓄積レートは、下記の式１により演算される。
［式１］蓄積レート（枚／分）＝［往路側スループット（枚／時間）−露光装置Ｓ４のスループット（枚／時間）］／６０
【００４８】
バッファ状態記憶領域５２は、バッファモジュール群３の待機領域３８毎に露光前ウエハＷの有無が記憶される待機状態記憶領域５２ａと、露光前ウエハＷ枚数記憶領域５２ｂとからなる。図９は、バッファ状態記憶領域５２に記憶されるデータを示している。待機状態記憶領域５２ａに記憶されるデータに基づいて、ＣＰＵ４２がバッファモジュール群３で待機する露光前ウエハＷの合計枚数を演算し、露光前ウエハＷ枚数記憶領域５２ｂに演算値を記憶する。
【００４９】
メンテナンス設定記憶領域５３は、自動メンテナンス、予約メンテナンス、手動メンテナンスについての設定が夫々記憶される設定記憶領域６１、６２、６３を備えている。図１０〜図１２は、これらの設定記憶領域６１〜６３に記憶されるデータを示している。自動メンテナンスの設定記憶領域６１では、自動カップ洗浄、自動ノズル洗浄の夫々についてＢＣＴ、ＣＯＴ、ＴＣＴの塗布処理モジュール毎にメンテナンスに必要な時間（メンテナンス必要時間）と、メンテナンスを行う時間間隔（メンテナンス時間間隔）と、メンテナンス必要時間に対応してバッファモジュール群３に溜める必要がある露光前ウエハ枚数（必要ウエハ枚数）と、バッファモジュール群３において必要ウエハ枚数に不足しているウエハ枚数（不足ウエハ枚数）と、バッファモジュール群３に必要ウエハ枚数が溜まるまでの予測待ち時間と、が互いに対応付けられて記憶される。
【００５０】
前記メンテナンス必要時間及びメンテナンス時間間隔は、ユーザが設定した設定値である。必要ウエハ枚数は、前記メンテナンス必要時間とスループット記憶領域５１に記憶される露光装置Ｓ４のスループットとを用いて、下記の式２により演算される。
［式２］必要ウエハ枚数（枚）＝メンテナンス必要時間（分）×露光装置Ｓ４のスループット（枚／分）
不足ウエハ枚数は、式２で演算された必要ウエハ枚数とバッファ状態記憶領域５２に記憶される露光前ウエハの合計枚数とを用いて、下記の式３により演算される。
［式３］不足ウエハ枚数（枚）＝必要ウエハ枚数（枚）−露光前ウエハＷ合計枚数（枚）
予測待ち時間は、式３で演算された不足ウエハ枚数と、スループット記憶領域５１に記憶される蓄積レートとを用いて、下記の式４により演算される。
［式４］予測待ち時間（分）＝不足ウエハ枚数（枚）／蓄積レート（枚／分）
【００５１】
自動メンテナンスの一つであるレジスト塗布モジュールＣＯＴの自動カップ洗浄について、具体的に数値の例を挙げて、設定記憶領域６１の各演算値が演算される工程を説明する。塗布、現像装置１のスループットが３３０枚／時間、露光装置Ｓ４のスループットが３００枚／時間であり、メンテナンス必要時間が２分に設定されているものとする。またバッファモジュール群３の露光前ウエハＷの合計枚数は４枚とする。この場合、
［式１］より蓄積レート＝［３３０（枚／時間）−３００（枚／時間）］／６０＝０．５枚／分である。
［式２］より、必要ウエハ枚数＝２（分）×３００／６０（枚／分）＝１０枚である。［式３］より、不足ウエハ枚数＝１０枚−４枚＝６枚である。［式４］より、予測待ち時間＝６枚／０．５（枚／分）＝１２分である。
【００５２】
続いて、予約メンテナンスの設定記憶領域６２について説明する。この設定記憶領域６２には、自動メンテナンスの設定記憶領域６１と同様にメンテナンス毎にメンテナンス必要時間、必要ウエハ枚数、不足ウエハ枚数及び予測待ち時間が互いに対応付けられて記憶される。また、この設定記憶領域６２には、各メンテナンス毎に設定されたメンテナンス開始日時が記憶される。
【００５３】
予約メンテナンスの一つである周縁露光モジュールＷＥＥのランプ交換について、前記設定記憶領域６２の各演算値が演算される工程について具体的に数値の例を挙げて説明する。メンテナンス必要時間は例えば１０分に設定されたものとする。バッファモジュール群３の露光前ウエハＷ合計枚数は、先の例と同じく４枚とする。この場合、
［式２］より、必要ウエハ枚数＝１０（分）×３００／６０（枚／分）＝５０枚である。［式３］より、不足ウエハ枚数＝５０枚−４枚＝４６枚である。［式４］より、予測待ち時間＝４６枚／０．５（枚／分）＝９２分である。
【００５４】
手動メンテナンスの設定記憶領域６３には、自動メンテナンスの設定記憶領域６１と同様にメンテナンス毎にメンテナンス必要時間、必要ウエハ枚数、不足ウエハ枚数及び予測待ち時間が互いに対応付けられて記憶される。手動メンテナンスの一つであるレジスト吐出量及び吐出状態の確認作業について、前記設定記憶領域６３の各演算値が演算される工程について具体的に数値の例を挙げて説明する。メンテナンス必要時間は、例えば５分に設定されたものとする。往路側スループット、露光装置Ｓ４のスループット、バッファモジュール群３の露光前ウエハＷ合計枚数は夫々、先の例と同じく３３０枚／時間、３００枚／時間、４枚とする。この場合、
［式２］より、必要ウエハ枚数＝５（分）×３００／６０（枚／分）＝２５枚である。［式３］より、不足ウエハ枚数＝２５枚−４枚＝２１枚である。［式４］より、予測待ち時間＝２１枚／０．５（枚／分）＝４２分である。
【００５５】
図８に戻って、表示部４８について説明する。表示部４８は例えばディスプレイにより構成され、メモリ４５に記憶されたバッファモジュール群３の露光前ウエハの合計枚数や、各メンテナンスにおけるメンテナンス必要時間、メンテナンス開始日時、蓄積レート、必要ウエハ枚数、不足ウエハ枚数及び予測待ち時間が表示される。具体的には、図１０〜図１２で示した表が表示部４８に表示される。この表示部４８の表示は、ウエハＷの処理中にリアルタイムで更新される。
【００５６】
ユーザは、塗布、現像装置１でウエハＷの処理を開始する前に、各自動メンテナンスについてメンテナンス必要時間、メンテナンス時間間隔を設定する。また、ユーザは、各予約メンテナンスについて、メンテナンス必要時間及びメンテナンス開始日時を設定する。ユーザの設定に基づいて制御部１００が蓄積レートを演算し、さらに各メンテナンス毎に必要ウエハ枚数、不足ウエハ枚数及び予測待ち時間を演算する。そして、これら設定値及び演算値が表示部４８に表示される。
【００５７】
上記の自動メンテナンス及び予約メンテナンスに属する各メンテナンスは、メンテナンスを行う際のウエハＷの待機手法の違いにより、ブロック退避メンテナンスとモジュール退避メンテナンスとに分類される。ブロック退避メンテナンスでは、メンテナンスを行うために単位ブロックＢ１〜Ｂ４を搬送中のすべてのウエハＷをバッファモジュール群３へと退避させる必要があるメンテナンスである。モジュール退避メンテナンスは、そのような退避を行う必要が無いメンテナンスであり、メンテナンスを行うモジュールよりも前段側のモジュール及び後段側のモジュールにウエハＷが待機した状態で前記モジュールのメンテナンスが行われる。
【００５８】
例えば自動メンテナンスの例として挙げた自動カップ洗浄及び自動ノズル洗浄はモジュール退避メンテナンスに該当する。予約メンテナンスの例として挙げたレジスト塗布モジュールＣＯＴのカップ交換及び周縁露光モジュールＷＥＥのランプ交換はモジュール退避メンテナンスに該当する。また、予約メンテナンスの例として挙げた搬送アームＡ１〜Ａ４の爪部２５の交換は、ブロック退避メンテナンスに該当する。
【００５９】
以降、図１３のフローチャートを参照しながら、モジュール退避メンテナンスの例としてレジスト塗布モジュールＣＯＴで自動カップ洗浄が行われる工程について説明する。ウエハＷの通常搬送及び処理が開始されると、制御部１００は処理の開始時点からメンテナンス時間間隔として設定した時間が経過したか否かを判定し（ステップＤ１）、経過していない場合は通常搬送が続けられる。そして、前記設定時間が経過したと判定した場合は、制御部１００は続けてバッファモジュール群３に必要ウエハ枚数が溜まっているか否かを判定する（ステップＤ２）。
【００６０】
必要ウエハ枚数が溜まっていないと判定した場合は、通常搬送が続けられる。必要ウエハ枚数が溜まったと判定した場合は、メンテナンス対象のレジスト塗布モジュールＣＯＴで処理を受けて搬出されるウエハＷが、一のロットのウエハＷであり、且つその次に当該レジスト塗布モジュールＣＯＴに搬送されるウエハＷが次のロットのウエハＷであるか否かを判定する。つまり、前記レジスト塗布モジュールＣＯＴにロットの切れ目がかかっているか否かを判定する（ステップＤ３）。前記ロットの切れ目になっていないと判定した場合は通常搬送が続けられ、前記ロットの切れ目になったと判定された場合は、キャリアＣからのウエハＷの払い出しが停止し、往路側搬送Ｆ１が停止する。それによって、このレジスト塗布モジュールＣＯＴが空になり、先行ロットはこのレジスト塗布モジュールよりも前段のモジュールに、後続のロットはこのレジスト塗布モジュールＣＯＴの後段に留まることになる（ステップＤ４）。そして、空になった前記レジスト塗布モジュールＣＯＴではカップ２１の洗浄が行われる（ステップＤ５）。
【００６１】
カップ２１の洗浄が行われる間、図７で説明したように露光後搬送Ｆ３及び復路側搬送Ｆ２が継続されるため、バッファモジュール群３に蓄えられた露光前ウエハＷは、露光装置Ｓ４及び単位ブロックＢ５、Ｂ６に搬送されて処理を受け、キャリアＣに戻される。カップ２１の洗浄が終了し、前記往路側搬送Ｆ１が停止してから設定したメンテナンス必要時間が経過すると、キャリアＣから後続のロットのウエハＷの払い出しと、処理ブロックＳ２における往路側搬送Ｆ１とが再開され、メンテナンスを終えたレジスト塗布モジュールＣＯＴに後続のロットのウエハＷが搬入される。続けて、制御部１００は、このメンテナンス終了時刻から設定したメンテナンス時間間隔が経過したか否かを判定する。つまり、上記のステップＤ１〜Ｄ５が繰り返し実行され、レジスト塗布モジュールＣＯＴのカップ洗浄が周期的に繰り返し行われる。他の塗布膜形成モジュールにおいても、同様にステップＤ１〜Ｄ５に従ってカップ洗浄が行われる。また、自動ノズル洗浄が行われる場合も自動カップ洗浄が行われる場合と同様にステップＤ１〜Ｄ５に従って動作が進行する。
【００６２】
モジュール退避メンテナンスのフローを説明するにあたり、自動メンテナンスである自動カップ洗浄の例について説明したが、予約メンテナンスである場合にも同様に図１３のステップＤ１〜Ｄ４に従って処理が進行し、メンテナンス対象となるモジュールへのウエハＷの搬送が停止した後、作業者がメンテナンスを行う。例えば周縁露光モジュールＷＥＥのランプ交換を行う場合について説明すると、ステップＤ１ではメンテナンスを行うように設定した日時になったか否かが判定される。そして、ステップＤ４で周縁露光モジュールＷＥＥへの搬送が停止した後、作業者が前記ランプの交換を行う。そして、後述のように作業者が指示すると、搬送が再開される。レジスト塗布モジュールＣＯＴのカップ２１の交換を行う場合にも同様にステップＤ１〜Ｄ４に従って処理が進行し、レジスト塗布モジュールＣＯＴへのウエハＷの搬送が停止する。
【００６３】
続いて、ブロック退避メンテナンスの例として、搬送アームＡ１の爪部２５の交換を行う工程について図１４のフローを参照しながら自動メンテナンスのフローとの差異点を中心に説明する。塗布、現像装置１が起動し、ウエハＷの通常搬送及び処理が開始されてから、制御部１００はメンテナンス開始日時として設定した時間になったか否かを判定し（ステップＥ１）、設定時間になっていない場合は通常搬送が続けられる。そして、前記設定した時間になったと判定された場合、制御部１００は続けてバッファモジュール群３に必要ウエハ枚数が溜まっているか否かを判定する（ステップＥ２）。
【００６４】
必要ウエハ枚数が溜まっていないと判定した場合は、通常搬送が続けられる。必要ウエハ枚数が溜まったと判定した場合は、表示部４８にそのように必要ウエハ枚数が溜まったことを示すサインを表示し、続いてキャリアＣから払い出し中のロットのウエハＷが、当該ロットの最終ウエハＷであるか否かを判定する。つまり、キャリアＣからの払い出しがロットの切れ目にかかっているか否かを判定する（ステップＥ３）。ロットの最終ウエハＷではないと判定した場合はキャリアＣからの払い出しを続ける。ロットの最終ウエハＷであると判定した場合は、キャリアＣから後続のロットのウエハＷの払い出しを停止する（ステップＥ４）。
【００６５】
そして、処理ブロックＳ２に払い出されたロットの最終ウエハＷが処理ブロックＳ２を通過し、バッファモジュール群３へ搬入されると（ステップＥ５）、図７で示したように処理ブロックＳ２では往路側搬送Ｆ１が停止する（ステップＥ６）。この往路側搬送Ｆ１が停止している間にユーザは搬送アームＡ１の爪部２５の交換を行う。バッファモジュール群３の露光前ウエハＷが予め設定された枚数以下になる、即ちメンテナンス時間が終了に近づくと、制御部１００は不図示のアラーム発生器からアラーム音を発生させる。作業者がメンテナンス作業を終え、設定部４７において所定の操作を行い、通常搬送の再開を指示することで、通常搬送が再開される。往路側搬送Ｆ１が停止してからメンテナンス必要時間が経過しても、このような作業者の指示があるまで通常搬送は再開されない。搬送アームＡ２〜Ａ４の爪部２５の交換を行う場合もステップＥ１〜Ｅ６に従って処理が行われる。
【００６６】
続いて、手動メンテナンスの例としてレジスト吐出量及び吐出状態の確認を行う工程について図１５のフローを参照しながら説明する。塗布、現像装置１が起動し、ウエハＷの通常搬送が開始されているときに、ユーザは任意のタイミングで、メンテナンス必要時間を設定し、それに基づいて必要ウエハ枚数、不足ウエハ枚数及び予測待ち時間が演算され、これらの設定値及び演算値が表示部４８に表示される。そして、制御部１００は必要ウエハ枚数がバッファモジュール群３に溜まっているか否かを判定する（ステップＦ１）。溜まっていない場合には通常搬送が継続され、溜まっている場合にはキャリアＣからの払い出しが停止し、ステップＦ２）、処理ブロックＳ２における往路側搬送Ｆ１が停止する（ステップＦ３）。その間にユーザは、レジスト塗布モジュールＣＯＴのレジスト吐出量及び吐出状態を確認する。往路側搬送Ｆ１の停止時点からメンテナンス必要時間が経過すると、通常搬送が再開される。
【００６７】
例えばこの手動メンテナンスは、自動メンテナンス及び予約メンテナンスに優先して行われ、手動メンテナンスを行うためにメンテナンス必要時間を入力してから上記のように通常搬送が再開されるまでの間、自動メンテナンス及び予約メンテナンスを行うためにキャリアＣからウエハＷの払い出しの停止が起こらない。また、自動メンテナンスと、手動メンテナンスについてもいずれかを優先して行うようにしてもよい。
【００６８】
この塗布、現像装置１によれば、処理ブロックＢ２で行われるメンテナンスに要するメンテナンス時間に対応した枚数の露光前ウエハＷが、バッファモジュール群３に蓄積されたか否かを制御部１００が判定し、蓄積されたと判定されたときに、キャリアＣからのウエハＷの払い出し及び処理ブロックＳ２の往路側搬送が停止する。その一方で、バッファモジュール群３から露光装置Ｓ４を経てキャリアＣに戻されるウエハＷの搬送が継続される。従って、露光装置Ｓ４の露光処理が停止しないため、露光装置Ｓ４の処理効率が低下することを防ぐことができる。その結果として、ウエハＷのスループットの低下を防ぐことができる。また、各メンテナンスにおいて、必要ウエハ枚数が溜まるまでの待ち時間が表示部４８に表示される。ユーザはこの表示を見て、いつからメンテナンスが開始されるか知ることができるので、メンテナンス中は塗布、現像装置１へのキャリアＣの搬送を抑え、他の塗布、現像装置１に搬送するというキャリアＣの搬送計画を予め立てることができるし、上記の手動メンテナンスを行う場合に他のメンテナンスに影響を与えない適切なときに行うことができるので、結果として製品の生産性の向上に寄与する。また、この塗布、現像装置１では各メンテナンス毎に必要ウエハ枚数が溜まると、表示部４８にその旨を示すサインが表示され、ユーザの注意を確実に促すようになっている。
【００６９】
また、塗布、現像装置１ではロットの最後のウエハＷが処理ブロックＳ２を通過するか、あるいはメンテナンス対象となるモジュールを通過してからメンテナンスが行われるようになっている。これによって、同じロットのウエハＷを処理する環境が異なることが防がれるので、同じロット内の製品の品質がばらつくことが抑えられる。従って、歩留りの低下を防ぐことができる。また、モジュール退避メンテナンスを行う場合には、メンテナンス対象となるモジュール以外のモジュールにウエハＷが待機するので、メンテナンス終了後に速やかに処理を再開できる。従って、スループットの低下をより確実に抑えることができる。
【００７０】
メンテナンスの種類としては上記の例に限られない。例えば予約メンテナンスの一つとして、モジュールの検査がある。これはモジュール検査用のウエハＷが格納されたキャリアＣをキャリアブロックＳ１に搬送し、当該検査用ウエハＷをキャリアブロックＳ１及び処理ブロックＳ２の各搬送手段を用いて所望のモジュールに搬送し、所定の検査を行った後でキャリアＣに戻す。検査用ウエハＷは例えば装置１の外部の検査機構に搬送されて、モジュールの動作が検査される。また、単位ブロックＢ３、Ｂ４に各々２基設けられる保護膜形成モジュールＴＣＴのうちの１基を裏面洗浄モジュールＢＳＴとする。そして、予約メンテナンスとして当該裏面洗浄モジュールＢＳＴのブラシの交換を行ってもよい。
【００７１】
メンテナンスの開始のタイミングとしては、上記の例に限られない。例えば、ロットの最後のウエハＷが処理ブロックＳ２を通過した後、バッファモジュール群３に搬入される前に処理ブロックＳ２の搬送を停止し、メンテナンスを開始してもよい。また、例えば自動メンテナンスを行う場合、メンテナンスが行われるモジュールをロットの最後のウエハＷが通過した時点でメンテナンスを開始してもよい。
【００７２】
塗布、現像装置１ではバッファモジュール群３にウエハＷを溜める。従って、装置内のウエハＷ枚数が多く、また、塗布、現像装置１に搬入するキャリア数が不足すると、各モジュールへウエハＷの供給ができなくなり、生産性が低下するおそれがある。従って、前記バッファモジュール群３の前記蓄積レートを考慮した上で、キャリアブロックＳ１に搬入するキャリアＣの数を設定することになる。また、キャリアブロックＳ１の棚に載置できるキャリアＣの数を増やすことも有効である。また、制御部１００は、塗布、現像装置１の外部の搬送機構の動作を制御するコンピュータに信号を出力し、ウエハＷが塗布、現像装置１に搬入され、空の状態で棚１４に搬送されたキャリアＣを前記搬送機構により塗布、現像装置１の外部に退避させてもよい。それによって、キャリアブロックＳ１におけるキャリアＣの数を、当該キャリアＣが載置可能な数に収めるように制御する。
【００７３】
ところで、処理ブロックＳ２における往路側搬送経路Ｆ１のモジュールをメンテナンスする場合について説明してきたが、処理ブロックＳ２の復路側搬送経路Ｆ２のモジュールのメンテナンスを行う場合にも本発明が適用できる。図１６は、このように復路側のメンテナンスを行う場合の搬送の概略を示しており、この図に示すように復路側搬送Ｆ２及び往路側搬送Ｆ１の両方の搬送を停止する。そして、搬送Ｆ１及びＦ２を停止させている間に露光搬送Ｆ３を継続する。
【００７４】
予約メンテナンスであり、ブロック退避メンテナンスである搬送アームＡ６の爪部２５の交換を行う場合の例を挙げて、通常搬送から図１６のメンテナンス時の搬送への切り替わりを具体的に説明する。この説明では露光済みウエハのロットをＡ、Ｂとし、ロットＢはロットＡの次のロットである。上述したブロック退避メンテナンスのフローのステップＥ１、Ｅ２が進行し、バッファモジュール群３に必要ウエハ枚数が溜まったと判定されると、バッファモジュール群３から搬出中のロットＡについては、復路側搬送Ｆ２による搬送が継続される。ロットＡの最後のウエハＷが搬出された後、バッファモジュール群３からの露光済みウエハＷの搬出が停止する。つまり、ロットＢについては、バッファモジュール群３から搬出されず、バッファモジュール群３に滞留する。
【００７５】
そして、ロットＡの最後のウエハＷがキャリアＣに戻されると、復路側搬送Ｆ２が停止する。また、往路側搬送Ｆ１は、上記のステップＥ３〜Ｅ６に従って停止する。この間にバッファモジュール群３では、露光前のウエハＷが露光装置Ｓ４へ搬送されてその枚数が減少すると共に、露光装置Ｓ４から搬送された露光済みのウエハＷが蓄積していく。復路側搬送Ｆ２の停止時点からメンテナンス設定時間が経過すると、ロットＢがバッファモジュール３から搬出されると共にキャリアＣからのウエハＷの払い出しが行われる。つまり通常搬送が再開する。このように搬送を行う場合にも露光装置Ｓ４は露光処理を続けることができるので、上記の効果が得られる。なお、往路側搬送Ｆ１のモジュールのメンテナンスを行う場合に、同様に復路側搬送Ｆ２及び往路側搬送Ｆ１の両方を停止させてもよい。
【００７６】
また、上記の自動カップ洗浄は、カップ２１に備え付けられている洗浄機構をなすノズルから直接カップ２１に洗浄液を供給してもよいが、洗浄用の冶具を用いてカップ２１に洗浄液を供給してもよい。図１７は、その洗浄用の冶具であるディスク７１を示している。円板状の中心部７２の外周を囲うように円形のリング部７３が設けられている。図１８に示すようにリング部７３の周端部は上方向に突出し、リング部７３の外周面７４は起立している。例えば棚ユニットＵ１〜Ｕ６の一の棚がこのディスク７１を格納する待機部として構成され、ウエハＷの処理時にディスク７１は当該待機部にて待機する。
【００７７】
上記のレジスト塗布モジュールＣＯＴのカップ洗浄を行う場合について説明すると、既述のフローＤ１〜Ｄ４が進行すると、搬送アームＡ１が前記棚からディスク７１をレジスト塗布モジュールＣＯＴに搬送し、ディスク７１のリング部７３がスピンチャック２２に吸着される。スピンチャック２２が回転し、ウエハＷの裏面を洗浄するための裏面洗浄ノズル２６から、例えばシンナーからなる溶剤がディスク７１のリング部７３の裏面に吐出される。図１８では点線の矢印で溶剤の流れを示しており、吐出された溶剤は遠心力によりリング部７３の裏面を外側に向かった後、表面張力及び粘性により前記外周面７４を上り、カップ２１の内周面へ飛散する。そして、飛散した溶剤はカップ２１の内周面を伝わって、当該カップ２１に付着したレジストを洗い流しながら下降し、不図示の排液路に流れ込んで廃液される。この洗浄作業が終了するとディスク７１は前記待機部に戻され、ウエハＷの通常搬送が再開される。
【００７８】
他の塗布膜形成モジュールにおいても、メンテナンス時に同様にカップ２１の自動洗浄が行われる。また、待機部としてはこの例に限られない。例えばバッファモジュール群３に単位ブロックＢ１〜Ｂ４のウエハＷを全て退避させた後、キャリアＣによりこのディスク７１を塗布、現像装置１に搬送する。つまりキャリアＣを待機部としてもよい。
【００７９】
ところで、塗布、現像装置１は既述したタイミング以外のタイミングにおいても自動メンテナンスを実行することができる。このタイミングを説明するために塗布、現像装置１の構成についてさらに説明する。前記制御部１００は、塗布、現像装置１が設置される工場のホストコンピュータ（上位コンピュータ）に接続されている。このホストコンピュータは、キャリアＣの塗布、現像装置１への搬送を制御しており、キャリアＣの搬送前に当該キャリアＣの塗布、現像装置１への搬送時刻についての情報を前記制御部１００に送信し、その情報が制御部１００のメモリに記憶される。
【００８０】
前記キャリアＣは図示しない搬送機構により前記工場内を搬送されて、前記時刻にキャリアブロックＳ１に搬送され、キャリア搬送機構１５により載置台１１に載置される。後述のようにメンテナンスを行うタイミングを管理するために、前記載置台１１へのキャリアＣの載置時刻及び当該載置台１１からのキャリアＣの搬出時刻は前記メモリに記憶される。そして、前記ホストコンピュータから制御部１００へ前記キャリアＣ内のロットの処理開始指示が送信されると、制御部１００は塗布、現像装置１の各部へ所定の制御信号を出力し、載置台１１に載置されたキャリアＣから前記ロットが払い出されて塗布、現像装置１内で処理される。つまり、ホストコンピュータは塗布、現像装置１におけるロットの処理開始タイミングを制御している。前記ロットの処理開始指示としては、ロットの処理開始のトリガーとなる制御信号及びロットの処理を開始する予定時刻について設定するための信号のいずれであってもよい。つまり速やかにロットの処理を開始するように指示するものであってもよいし、送信後、所定の時間経過後に処理を開始するように指示するものであってもよい。
【００８１】
また、図３に示す棚ユニットＵ７において搬送アームＡ１、Ａ２がアクセスできる高さには、液処理モジュールにウエハＷを搬送する前にウエハＷの温度調整を行うための受け渡しモジュールＣＰＬ（ＣＰＬ２１、２２とする）が設けられている。つまり、上記の単位ブロックＢ１、Ｂ２においてウエハは、疎水化処理モジュールＡＤＨ→受け渡しモジュールＣＰＬ２１→反射防止膜形成モジュールＢＣＴ→加熱モジュール→受け渡しモジュールＣＰＬ２２→レジスト塗布モジュールＣＯＴ→加熱モジュールＨＰという順番で搬送される。
【００８２】
互いに異なるロットＡ、Ｂで加熱モジュールＨＰによる加熱温度が互いに異なる場合、加熱モジュールＨＰにおいてはロットＡを処理後に、当該モジュールＨＰ内の熱板の温度調整が行われ、前記温度調整を終了した後に、ロットＢが加熱モジュールＨＰに搬送される。従って、レジスト塗布後の加熱モジュールＨＰで前記温度調整が行われる場合、ロットＢは受け渡しモジュールＣＰＬ２２及びその前段側のモジュールで待機することになる。つまり、同じロット内のウエハＷ間で受け渡しモジュールＣＰＬ２２による温度調整後、レジスト塗布及び加熱処理を行うまでの時間が揃うようになっている。そのようにロットＢを待機させるために、例えば棚ユニットＵ７には待機用のモジュールとして複数枚のウエハＷを載置可能なバッファモジュールが設けられる。
【００８３】
また、ウエハＷのロットによっては、反射防止膜を形成せずにレジスト膜の形成処理を行う。その場合は、単位ブロックＢ１、Ｂ２を前記ウエハＷは、例えば疎水化処理モジュールＡＤＨ→受け渡しモジュールＣＰＬ２２→レジスト塗布モジュールＣＯＴ→加熱モジュールＨＰの順で搬送される。
【００８４】
また、上記の自動ノズル洗浄処理を行う場合には、洗浄後にノズル内における薬液の乾燥を防ぐために、ノズルから空気の吸引及び図示しない貯留部に貯留されたシンナーの吸引を行うことで、ノズルの薬液の流路の先端側に前記シンナーの層及び空気の層を形成する処理も行われる。レジスト塗布モジュールＣＯＴは、ウエハＷのレシピによって夫々異なる種類のレジストを吐出する複数のノズルを備えている。従ってレジスト塗布モジュールＣＯＴに搬送されるウエハＷのロットが切り替わり、これらのロットが互いに異なるレジストを塗布するように設定されている場合は、先のロットを処理して使用済みのノズルに前記空気層及びシンナー層を形成するために自動ノズル洗浄を行う。先のロットと後続のロットの夫々に同じレジストを塗布する場合には、この自動ノズル洗浄を行わずにレジスト塗布処理を継続して行うことができる。
【００８５】
続いて、モジュールのメンテナンスを行う各タイミングについて説明する。
ケース１として、キャリアブロックＳ１に次に塗布、現像装置１で処理するロットを格納したキャリアＣが到着しておらず、当該装置１にウエハＷが払い出される予定がないときが挙げられる。
つまり、前記載置台１１にキャリアＣが載置されない間は、塗布、現像装置１へウエハＷの払い出しが行われないので、その間隔を利用して自動メンテナンスを行う。具体的には、例えば最後に装置１で処理済みのウエハＷを格納したキャリアＣが載置台１１から搬出された時刻から予め設定された待機時間が経過しても次のキャリアＣが載置台１１に搬送されていない場合に、前記待機時間経過後に制御部１００は各液処理モジュールへカップ洗浄及びノズル洗浄を行うように制御信号を送信し、自動メンテナンスが開始される。
【００８６】
さらに、前記待機時間において、制御部１００がホストコンピュータから、次のキャリアＣが塗布、現像装置１に搬送される予定時刻を受信すると、この受信時刻から前記予定時刻までの時間（到着待ち時間とする）を算出する。そして制御部１００は、自動メンテナンス設定記憶領域６１に記憶される各メンテナンスの必要時間と、前記到着待ち時間とを比較する。そして、前記必要時間が到着待ち時間と同じかそれよりも短いメンテナンスについては実行し、必要時間が到着待ち時間よりも長いメンテナンスについては実行しないように制御信号を出力する。
【００８７】
ケース２として、キャリアブロックＳ１に次のロットを格納したキャリアＣが到着しているが、塗布、現像装置１に当該ロットが払い出される予定がないときが挙げられる。つまり、載置台１１にキャリアＣが載置されているが、ホストコンピュータからロットの処理を開始する指示がなされていないときである。
【００８８】
具体的に、載置台１１に前記キャリアＣが載置された時刻から、予め設定された時間が経過するまでの間に前記ロットの開始指示がなされない場合、前記設定時間経過後に制御部１００は各モジュールへ制御信号を出力し、ケース１と同様に各モジュールにおいて自動メンテナンスが開始される。また、キャリアＣが載置台１１に載置された後、ホストコンピュータから当該キャリアＣのロットを処理するための予定時刻についてのデータを受信したときに、その受信時刻から前記予定時刻までの時間（処理前待機時間）が所定の時間よりも長い場合には、ケース１と同様に自動メンテナンスが開始されるようにしてもよい。この場合には、ケース１と同様に処理前待機時間と各メンテナンスの必要時間とを比較し、前記必要時間が処理前待機時間と同じかそれよりも短いメンテナンスについては実行し、長いメンテナンスについては実行しないように制御信号を出力してもよい。
【００８９】
このようにケース１、２においては一のキャリアＣのロットを処理後、後続のキャリアＣのロットの処理を開始するまでの時間を利用してメンテナンスを行う。従って、塗布、現像装置１に搬入済みのウエハＷの処理を中断してメンテナンスを行うことを防ぐことができ、スループットの向上を図ることができる。
【００９０】
ケース３として、先のロットと次のロットとで異なる処理を行うが、メンテナンスを行うモジュールでは先のロットと次のロットとに同じ処理を行うとき、先のロットの処理後、次のロットの処理前に前記モジュールにおいてメンテナンスを行う場合を説明する。具体的には先発のロットＡ及び後続のロットＢにレジスト塗布モジュールＣＯＴでは同じレシピで処理を行い、加熱モジュールＨＰではロットＡＢを互いに異なる温度で加熱する場合である。この場合、例えば図１９に示すようにロットＢの先頭のウエハＷがＣＰＬ２２に搬送されると、制御部１００はこのロットＢのＣＰＬ２２の下流側への搬送を停止する。
【００９１】
レジスト塗布モジュールＣＯＴではロットＡの最後のウエハＷを処理し終えると、図２０に示すように制御部１００は、自動メンテナンスを行うように制御信号を送信する。ロットＡ、ロットＢは同じレシピであるため、上記のようにノズル洗浄を行う必要が無いので、ここで行われる自動メンテナンスはカップ洗浄である。また、加熱モジュールでは前記ロットＡを処理後、制御部１００からの制御信号に基づいて熱板の温度が例えば１００℃から１５０℃へと変更される。図２１に示すように、熱板の温度変更と前記自動メンテナンスとが並行して行われ、これら温度変更及び自動メンテナンスが終了すると、ロットＢのこれらレジスト塗布モジュールＣＯＴ及び加熱モジュールＨＰに搬送される（図２２）。つまり、この例では加熱モジュールＨＰの温度変更を行うために後続のロットを待機させるための待機時間を利用して、レジスト塗布モジュールＣＯＴで自動メンテナンスを行う。
【００９２】
ケース４として、前のロットと次のロットのウエハの処理が異なることにより、メンテナンスを行うモジュールにウエハＷが到着するまでの時間が空くとき、先のロットの処理後、次のロットの処理前に前記モジュールにおいてメンテナンスを行う。例えば先発のロットＡが反射防止膜を形成せずにレジスト膜だけを形成するように設定され、後続のロットＢが反射防止膜及びレジスト膜の両方を形成するように設定されている場合、レジスト塗布モジュールＣＯＴにおいては、ロットＡの最後のウエハＷを処理後、ロットＢの先頭のウエハＷが搬送されるまでに比較的長い時間を要するので、前記ロットＢのウエハＷが到着するまでの間に既述の自動メンテナンスを行う。
【００９３】
ケース３、４では、レジスト塗布モジュールＣＯＴにて先発ロットの処理後、後発ロットを搬入するまでに要する時間を利用してメンテナンスを行っている。従って、当該レジスト塗布モジュールＣＯＴにおいてメンテナンスを行うために装置内のウエハＷの搬送を停止する時間を短縮したり、前記搬送を停止する頻度を少なくすることができるので、スループットの向上を図ることができる。
【００９４】
ところで、上記のカップ洗浄については、既述のディスク７１やノズルから洗浄液を吐出する例の他に、カップ２１に洗浄機構を設け、この洗浄機構を用いて行うことができる。この洗浄機構の具体的な例を説明すると、既述の図１８に示したカップ２１の上部側開口部付近の内周面において、開口縁に沿ってシンナー（洗浄液）の吐出口を複数設ける。そして、各吐出口から前記内周面にシンナーを流下させて当該内周面を洗浄する。また、この内周面の洗浄前あるいは洗浄後に、当該内周面を洗浄するよりも高い吐出圧でシンナーを前記吐出口から吐出させる。それによって、図１８でスピンチャック２２の外側且つカップ２１の内側に設けられる山型の縦断面を備える山型部と、当該山型部の外縁から下方に伸びるガイド部にシンナーを供給する。そのようにして、前記山型部及びガイド部からなる内カップ及びカップ２１（外カップ）の両方について洗浄を行うことができる。
【００９５】
なお、上記の各実施形態において、自動メンテナンスの実行記録を取得してもよい。例えば、制御部１００のメモリ４５に、モジュール毎に行われた自動メンテナンスと時刻を記憶する記憶領域を設ける。その記憶に基づいて、制御部１００は自動メンテナンスを開始できるタイミングになったときに優先して行うメンテナンスを決定するようにしてもよい。優先されるメンテナンスは例えば、最後にメンテナンスを行った時刻が古い順である。具体的には例えばレジスト塗布モジュールＣＯＴ、反射防止膜形成モジュールＢＣＴがいずれもメンテナンス可能で、前回のメンテナンス時にレジスト塗布モジュールＣＯＴのメンテナンスを行っていたら反射防止膜形成モジュールＢＣＴのメンテナンスが行われるようにする。また、例えばレジスト塗布モジュールＣＯＴで自動カップ洗浄と自動ノズル洗浄とがいずれも実行可能であり、前回のメンテナンス時に自動カップ洗浄が行われていたら自動ノズル洗浄を優先して行う。このように制御を行い、特定のメンテナンスを行う間隔が開きすぎることを防いでも良い。
【符号の説明】
【００９６】
Ｗ ウエハ
Ａ１〜Ａ６ 搬送アーム
ＢＣＴ 反射防止膜形成モジュール
ＢＵ バッファモジュール
ＣＯＴ レジスト膜形成モジュール
ＤＥＶ 現像モジュール
ＴＣＴ 保護膜形成モジュール
Ｓ１ キャリアブロック
Ｓ２ 処理ブロック
Ｓ３ インターフェイスブロック
Ｓ４ 露光装置
ＷＥＥ 周縁露光モジュール
１ 塗布、現像装置
１００ 制御部
３ バッファモジュール群
４５ メモリ
４７ 設定部
４８ 表示部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリアブロックに載置されたキャリアから取り出された基板を処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、露光装置に受け渡し、露光後の基板に対して処理ブロックにて現像処理を行い、キャリアに受け渡すように構成され、基板の処理枚数が露光装置よりも多い塗布、現像装置において、
前記塗布膜が形成された、露光前の基板を一旦仮置きする仮置き部と、
基板の搬送経路において基板が置かれるモジュールについてメンテナンスを行うために、当該上流側の基板の搬送を停止する時間の長さを設定するための停止時間設定部と、
前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達したか否かを監視し、達した後に仮置き部よりも上流側の基板の搬送を停止するように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達した後、キャリアブロック側から処理ブロックヘの基板の払い出しを停止するための制御信号を出力し、その後、前記上流側の基板の搬送を停止するように制御信号を出力するように構成されていることを特徴とする請求項１記載の塗布、現像装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記上流側の基板の搬送を停止するように制御信号を出力する前に、処理ブロック内に存在する基板を前記仮置き部に退避させるように制御信号を出力することを特徴とする請求項２記載の塗布、現像装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達した後、その時点で処理ブロック内に存在する基板が属するロットの最終基板がキャリアブロック側から処理ブロックヘ払い出された後、後続の基板の払い出しを停止すると共に、当該最終基板が処理ブロックを通過した後、前記上流側の基板の搬送を停止するように制御信号を出力するように構成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
【請求項５】
前記停止時間の長さに応じた枚数の露光前の基板が仮置き部に置かれるまでの待ち時間を、仮置き部に置かれている露光前の基板の枚数と、塗布、現像装置の基板の処理枚数とに基づいて演算する演算手段と、
演算された前記待ち時間を表示する表示部と、
を備えたことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
【請求項６】
前記メンテナンスを開始するタイミングを設定するタイミング設定部を備え、
前記制御部は前記タイミングの経過後に上流側の基板の搬送を停止するように制御信号を出力することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
【請求項７】
前記制御部は、最後に前記キャリアブロックから前記塗布、現像装置にて処理済みの基板を格納したキャリアが搬出されてから、次のキャリアが前記キャリアブロックに搬送されるまでの間に、モジュールにてメンテナンスが行われるように制御信号を出力することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
【請求項８】
前記制御部は、キャリアから基板を払い出す時刻を制御するための信号を当該制御部に送信するホストコンピュータに接続され、
前記制御部は、キャリアが前記キャリアブロックに搬入されてから、当該キャリアから前記基板を払い出す時刻までの間にモジュールにてメンテナンスが行われるように制御信号を出力することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
【請求項９】
前記処理ブロックに前段側モジュールと、基板のロットに応じて処理状態を切り替える後段側モジュールとが設けられ、
前記制御部は、先発ロットのすべての基板が前記後段側モジュールにて処理された後、且つ後発ロットの基板が前段側モジュールに搬送される前に、前記後段側モジュールの処理状態の切り替えに並行して、前記前段側モジュールにてメンテナンスを行うように制御信号を出力することを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
【請求項１０】
先発ロットが前段側モジュールに搬送されずに後段側モジュールに搬送されるように設定され、且つ後発ロットが前段側モジュール及び後段側モジュールに搬送されるように設定され、
前記制御部は先発ロットのすべての基板が後段側モジュールで処理された後、後発ロットの基板が後段側モジュールに搬送される前に当該後段側モジュールでメンテナンスを行うために制御信号を出力することを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
【請求項１１】
前記モジュールは、基板に塗布膜を形成するための薬液を供給するノズルと、前記ノズルに洗浄液を供給するノズル洗浄機構と、を含み、
前記制御部は、前記停止時間に前記ノズルを洗浄するために、ノズル洗浄機構から洗浄液を供給するように制御信号を出力することを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
【請求項１２】
前記モジュールは、基板の載置部と、基板に塗布膜を形成するための薬液を供給するノズルと、前記載置部に載置された基板を囲むカップと、前記カップ内に洗浄液を供給する洗浄機構と、を備え、
前記制御部は、前記停止時間にカップを洗浄するために洗浄液を供給するように制御信号を出力することを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
【請求項１３】
前記モジュールにおいて基板を処理するときにはカップの外部に設けられた待機部に待機し、前記停止時間に前記カップに搬送される治具を備え、
前記載置部は前記冶具を保持すると共に回転させることと、
前記洗浄機構は前記治具に洗浄液を吐出し、飛散させてカップ内を洗浄することを特徴とする請求項１２記載の塗布、現像装置。
【請求項１４】
キャリアブロックに載置されたキャリアから取り出された基板を処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、露光装置に受け渡し、露光後の基板に対して処理ブロックにて現像処理を行い、キャリアに受け渡すように構成され、基板の処理枚数が露光装置よりも多い塗布、現像装置を用いた塗布、現像方法において、
前記塗布膜が形成された、露光前の基板を仮置き部に一旦仮置きする工程と、
基板の搬送経路において基板が置かれるモジュールについてメンテナンスを行うために、停止時間設定部により当該上流側の基板の搬送を停止する時間の長さを設定する工程と、
前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達したか否かを監視し、達した後に仮置き部よりも上流側の基板の搬送を停止する工程と、を備えたことを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項１５】
前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達した後、キャリアブロック側から処理ブロックヘの基板の払い出しを停止する工程と、
次いで、前記上流側の基板の搬送を停止する工程と、
を備えたことを特徴とする請求項１４記載の塗布、現像方法。
【請求項１６】
前記上流側の基板の搬送を停止する前に、処理ブロック内に存在する基板を前記仮置き部に退避させる工程を備えたことを特徴とする請求項１４または１５記載の塗布、現像方法。
【請求項１７】
前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達した後、その時点で処理ブロック内に存在する基板が属するロットの最終基板がキャリアブロック側から処理ブロックヘ払い出された後、後続の基板の払い出しを停止する工程と、
前記最終基板が処理ブロックを通過した後、前記上流側の基板の搬送を停止する工程と、
を備えたことを特徴とする請求項１４ないし１６のいずれか一つに記載の塗布、現像方法。
【請求項１８】
前記停止時間に、前記モジュールに設けられた基板に塗布膜を形成するための薬液を供給するノズルに洗浄液を供給して洗浄する工程を備えたことを特徴とする請求項１４ないし１７のいずれか一つに記載の塗布、現像方法。
【請求項１９】
前記停止時間に、前記モジュールに設けられた基板の載置部を囲むカップに洗浄液を供給して洗浄する工程を備えたことを特徴とする請求項１４ないし１８のいずれか一つに記載の塗布、現像方法。
【請求項２０】
前記カップに洗浄液を供給する工程は、カップに設けられた洗浄機構により行われることを特徴とする請求項１９記載の塗布、現像方法。
【請求項２１】
前記カップを洗浄する工程は、
前記停止時間にカップの外部に設けられた待機部から前記カップに冶具を搬送する工程と、
前記載置部に冶具を保持し、回転させる工程と、
洗浄機構から前記治具に洗浄液を吐出し、カップ内に飛散させる工程を含むことを特徴とする請求項２０記載の塗布、現像方法。
【請求項２２】
塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項１４ないし２１のいずれか一つに記載の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
【請求項１】
キャリアブロックに載置されたキャリアから取り出された基板を処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、露光装置に受け渡し、露光後の基板に対して処理ブロックにて現像処理を行い、キャリアに受け渡すように構成され、基板の処理枚数が露光装置よりも多い塗布、現像装置において、
前記塗布膜が形成された、露光前の基板を一旦仮置きする仮置き部と、
基板の搬送経路において基板が置かれるモジュールについてメンテナンスを行うために、当該上流側の基板の搬送を停止する時間の長さを設定するための停止時間設定部と、
前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達したか否かを監視し、達した後に仮置き部よりも上流側の基板の搬送を停止するように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達した後、キャリアブロック側から処理ブロックヘの基板の払い出しを停止するための制御信号を出力し、その後、前記上流側の基板の搬送を停止するように制御信号を出力するように構成されていることを特徴とする請求項１記載の塗布、現像装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記上流側の基板の搬送を停止するように制御信号を出力する前に、処理ブロック内に存在する基板を前記仮置き部に退避させるように制御信号を出力することを特徴とする請求項２記載の塗布、現像装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達した後、その時点で処理ブロック内に存在する基板が属するロットの最終基板がキャリアブロック側から処理ブロックヘ払い出された後、後続の基板の払い出しを停止すると共に、当該最終基板が処理ブロックを通過した後、前記上流側の基板の搬送を停止するように制御信号を出力するように構成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
【請求項５】
前記停止時間の長さに応じた枚数の露光前の基板が仮置き部に置かれるまでの待ち時間を、仮置き部に置かれている露光前の基板の枚数と、塗布、現像装置の基板の処理枚数とに基づいて演算する演算手段と、
演算された前記待ち時間を表示する表示部と、
を備えたことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
【請求項６】
前記メンテナンスを開始するタイミングを設定するタイミング設定部を備え、
前記制御部は前記タイミングの経過後に上流側の基板の搬送を停止するように制御信号を出力することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
【請求項７】
前記制御部は、最後に前記キャリアブロックから前記塗布、現像装置にて処理済みの基板を格納したキャリアが搬出されてから、次のキャリアが前記キャリアブロックに搬送されるまでの間に、モジュールにてメンテナンスが行われるように制御信号を出力することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
【請求項８】
前記制御部は、キャリアから基板を払い出す時刻を制御するための信号を当該制御部に送信するホストコンピュータに接続され、
前記制御部は、キャリアが前記キャリアブロックに搬入されてから、当該キャリアから前記基板を払い出す時刻までの間にモジュールにてメンテナンスが行われるように制御信号を出力することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
【請求項９】
前記処理ブロックに前段側モジュールと、基板のロットに応じて処理状態を切り替える後段側モジュールとが設けられ、
前記制御部は、先発ロットのすべての基板が前記後段側モジュールにて処理された後、且つ後発ロットの基板が前段側モジュールに搬送される前に、前記後段側モジュールの処理状態の切り替えに並行して、前記前段側モジュールにてメンテナンスを行うように制御信号を出力することを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
【請求項１０】
先発ロットが前段側モジュールに搬送されずに後段側モジュールに搬送されるように設定され、且つ後発ロットが前段側モジュール及び後段側モジュールに搬送されるように設定され、
前記制御部は先発ロットのすべての基板が後段側モジュールで処理された後、後発ロットの基板が後段側モジュールに搬送される前に当該後段側モジュールでメンテナンスを行うために制御信号を出力することを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
【請求項１１】
前記モジュールは、基板に塗布膜を形成するための薬液を供給するノズルと、前記ノズルに洗浄液を供給するノズル洗浄機構と、を含み、
前記制御部は、前記停止時間に前記ノズルを洗浄するために、ノズル洗浄機構から洗浄液を供給するように制御信号を出力することを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
【請求項１２】
前記モジュールは、基板の載置部と、基板に塗布膜を形成するための薬液を供給するノズルと、前記載置部に載置された基板を囲むカップと、前記カップ内に洗浄液を供給する洗浄機構と、を備え、
前記制御部は、前記停止時間にカップを洗浄するために洗浄液を供給するように制御信号を出力することを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
【請求項１３】
前記モジュールにおいて基板を処理するときにはカップの外部に設けられた待機部に待機し、前記停止時間に前記カップに搬送される治具を備え、
前記載置部は前記冶具を保持すると共に回転させることと、
前記洗浄機構は前記治具に洗浄液を吐出し、飛散させてカップ内を洗浄することを特徴とする請求項１２記載の塗布、現像装置。
【請求項１４】
キャリアブロックに載置されたキャリアから取り出された基板を処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、露光装置に受け渡し、露光後の基板に対して処理ブロックにて現像処理を行い、キャリアに受け渡すように構成され、基板の処理枚数が露光装置よりも多い塗布、現像装置を用いた塗布、現像方法において、
前記塗布膜が形成された、露光前の基板を仮置き部に一旦仮置きする工程と、
基板の搬送経路において基板が置かれるモジュールについてメンテナンスを行うために、停止時間設定部により当該上流側の基板の搬送を停止する時間の長さを設定する工程と、
前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達したか否かを監視し、達した後に仮置き部よりも上流側の基板の搬送を停止する工程と、を備えたことを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項１５】
前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達した後、キャリアブロック側から処理ブロックヘの基板の払い出しを停止する工程と、
次いで、前記上流側の基板の搬送を停止する工程と、
を備えたことを特徴とする請求項１４記載の塗布、現像方法。
【請求項１６】
前記上流側の基板の搬送を停止する前に、処理ブロック内に存在する基板を前記仮置き部に退避させる工程を備えたことを特徴とする請求項１４または１５記載の塗布、現像方法。
【請求項１７】
前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達した後、その時点で処理ブロック内に存在する基板が属するロットの最終基板がキャリアブロック側から処理ブロックヘ払い出された後、後続の基板の払い出しを停止する工程と、
前記最終基板が処理ブロックを通過した後、前記上流側の基板の搬送を停止する工程と、
を備えたことを特徴とする請求項１４ないし１６のいずれか一つに記載の塗布、現像方法。
【請求項１８】
前記停止時間に、前記モジュールに設けられた基板に塗布膜を形成するための薬液を供給するノズルに洗浄液を供給して洗浄する工程を備えたことを特徴とする請求項１４ないし１７のいずれか一つに記載の塗布、現像方法。
【請求項１９】
前記停止時間に、前記モジュールに設けられた基板の載置部を囲むカップに洗浄液を供給して洗浄する工程を備えたことを特徴とする請求項１４ないし１８のいずれか一つに記載の塗布、現像方法。
【請求項２０】
前記カップに洗浄液を供給する工程は、カップに設けられた洗浄機構により行われることを特徴とする請求項１９記載の塗布、現像方法。
【請求項２１】
前記カップを洗浄する工程は、
前記停止時間にカップの外部に設けられた待機部から前記カップに冶具を搬送する工程と、
前記載置部に冶具を保持し、回転させる工程と、
洗浄機構から前記治具に洗浄液を吐出し、カップ内に飛散させる工程を含むことを特徴とする請求項２０記載の塗布、現像方法。
【請求項２２】
塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項１４ないし２１のいずれか一つに記載の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
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【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【公開番号】特開２０１２−１５６４９７（Ｐ２０１２−１５６４９７Ａ）
【公開日】平成２４年８月１６日（２０１２．８．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２８７９８４（Ｐ２０１１−２８７９８４）
【出願日】平成２３年１２月２８日（２０１１．１２．２８）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年８月１６日（２０１２．８．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１２月２８日（２０１１．１２．２８）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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