塗布装置
【課題】浮上ステージにおける吸引口の目詰まりを除去する作業を装置内で随時あるいは適時に自動的かつ効率的に行うこと。
【解決手段】浮上ステージ吸引口掃除動作において、コントローラは、塗布処理に関係する動作をいったん全てオフ状態にしてから、第２給気部を作動させる。第２給気部が作動することによって、正圧気体供給源からのエア（圧縮空気）が第１給気ラインおよび第２マニホールド６４を経由して塗布領域内の各吸引口１８に送り込まれる。目詰まりを起こしている吸引口１８においては、第２マニホールド６４側からのエアの圧力により、ガス通路１８ａに挟まっていた異物Ｑが押し出されるようにして上方へ放出される。この時、第１給気部４４も作動しているので、吸引口１８より吐き出された異物Ｑが付近の噴出口１６に入るおそれはない。
【解決手段】浮上ステージ吸引口掃除動作において、コントローラは、塗布処理に関係する動作をいったん全てオフ状態にしてから、第２給気部を作動させる。第２給気部が作動することによって、正圧気体供給源からのエア（圧縮空気）が第１給気ラインおよび第２マニホールド６４を経由して塗布領域内の各吸引口１８に送り込まれる。目詰まりを起こしている吸引口１８においては、第２マニホールド６４側からのエアの圧力により、ガス通路１８ａに挟まっていた異物Ｑが押し出されるようにして上方へ放出される。この時、第１給気部４４も作動しているので、吸引口１８より吐き出された異物Ｑが付近の噴出口１６に入るおそれはない。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、浮上ステージ上で被処理基板に処理液を塗布する塗布装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＣＤ等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程には、スリット状の吐出口を有する長尺形のスリットノズルを用いて被処理基板（ガラス基板等）上にレジスト液を塗布するスピンレスの塗布法がよく用いられている。
【０００３】
このようなスピンレス塗布法の一形式として、基板を支持するためのステージに基板浮上機構を組み込み、この浮上ステージ上で基板を空中に浮かせて水平な一方向（ステージ長手方向）に搬送し、搬送途中の所定位置でステージ上方に設置したスリットノズルより直下を通過する基板に向けてレジスト液を帯状に吐出させることにより、基板上の一端から他端までレジスト液を塗布するようにした浮上方式が知られている。
【０００４】
かかる浮上方式のスピンレス塗布法において、基板上にレジスト液の塗布膜を設定通りの膜厚で均一に形成するには、スリットノズルの吐出口と基板との間に設ける通常１００μｍ前後の微小なギャップを精確に設定値またはその付近に維持することが要求される。
【０００５】
この要求条件を満たすために、浮上方式のスピンレス塗布法を採用するレジスト塗布装置は、浮上ステージの略全域に高圧または正圧の気体たとえばエアを噴出する噴出口を所定の密度で多数設けるだけでなく、浮上ステージ上でスリットノズルの直下およびその前後のエリアとして設定される塗布領域には、負圧でエアを吸い込む吸引口を噴出口に混在させている。そして、該塗布領域内では、そこを通過する基板に対して、噴出口より加えられる垂直上向きの圧力と吸引口より加えられる垂直下向きの圧力とのバランスをとって、基板に与える浮上圧力を精細に制御し、基板の浮上高を設定値（たとえば５０μｍ）に合わせるようにしている（たとえば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１９０４８３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記のようなレジスト塗布装置は、クリーンルーム内で稼働するが、それでも微小なパーティクルはもちろん、比較的大きな塵、破片等の異物に晒されることが多い。これらの異物は、雰囲気中を漂流してきたものであったり、メンテナンス時に外から持ち込まれ、あるいはメンテナンスの作業中に発生したものであったり、基板の破損や膜剥がれによって生じることもある。
【０００８】
いずれにしても、上記のような浮上方式のスピンレス塗布法を採用するレジスト塗布装置においては、その周囲に漂っている異物を浮上ステージの塗布領域の吸引口が不所望に吸い込んでしまい、それによって吸引口の中が異物で詰まることがある。吸引口が目詰まりを起こすと、その吸引口はその上を通過する基板に対して吸引力を及ぼすことができなくなる。
【０００９】
通常、浮上ステージの塗布領域には数１０００個以上の吸引口が設けられる。その中の１つや２つが目詰まりを起こしても全体の吸引力には全く影響しないが、数１００個程度の吸引口が目詰まりを起こすと全体の吸引力は顕著に低下する。また、目詰まりした吸引口が数１０個程度であっても狭い範囲に集中していると、その付近では噴出口からの浮揚力と吸引口からの引力とのバランスが崩れて、基板浮上高が局所的に設定値よりも高くなることがある。塗布領域（特にスリットノズルの直下付近）で基板浮上高が局所的にでも設定値より高くなると、基板上に形成されるレジスト塗布膜の膜厚が変動し、フォトリソグラフィーの精度および信頼性を低下させる。
【００１０】
従来は、上記のような浮上ステージにおける吸引口の目詰まりを除去するために、浮上ステージを分解して吸引口を清掃する方法、あるいは浮上ステージの上面に外部掃除機の吸引ヘッドを当てて吸引口の中に詰まっている異物を上から吸引して除去する方法が採られていた。
【００１１】
しかし、分解清掃方式は、作業が非常に面倒で、多大な人的労力を要し、作業時間つまり復旧時間の長いことも現場では嫌われている。また、外部掃除機を用いる方式は、浮上ステージに吸引ヘッドを当てることによって浮上ステージに傷をつけやすいことや、分解清掃方式ほどではないがやはり人の作業を必要としている。
【００１２】
また、従来は、浮上ステージの吸引口が目詰まりを起こしているか否かをチェックする手段または機能が無かった。このため、吸引口の目詰まりによってレジスト塗布膜の膜厚に影響が出た場合に、その原因を突き止めるまでしばらく掛かることがあった。一方で、上記のような分解清掃または外部掃除による定期メンテナンスを短い周期で頻繁に行う場合は、多大な人的労力と装置稼働率の低下を来すことになる。
【００１３】
本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するものであり、浮上ステージにおける吸引口の目詰まりを除去する作業を装置内で随時あるいは適時に自動的かつ効率的に行えるようにした塗布装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の塗布装置は、多数の噴出口と多数の吸引口とが混在して設けられた第１の浮上領域を有する浮上ステージと、前記噴出口より噴き出す気体の圧力によって被処理基板を浮上させるために、前記噴出口に正圧の気体を供給する第１の給気部と、前記吸引口に気体を吸い込む吸引力によって前記基板の浮上高を制御するために、前記吸引口に負圧を与える吸引排気部と、前記浮上ステージ上で空中に浮く前記基板を保持して前記第１の浮上領域を通過するように搬送する搬送機構と、前記第１の浮上領域の上方に配置されるノズルを有し、前記第１の浮上領域を通過する前記基板上に前記ノズルより処理液を供給する処理液供給部と、前記吸引口の中を掃除するために、前記吸引口に正圧の気体を供給する第２の給気部とを有する。
【００１５】
上記の構成においては、浮上ステージの第１の浮上領域に設けられている吸引口が吸引動作を行っている間（主に塗布処理中）に浮上ステージの周囲に漂っている異物を不所望に吸い込んでしまい、それによって吸引口の中が異物で詰まることがある。しかし、本発明によれば、塗布処理が休止している時、または塗布処理の合間に、吸引排気部を停止させて第２の給気部を作動させることにより、吸引口の目詰まりを人手を要することなく自動的かつ効率的に除去することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の塗布装置によれば、上記のような構成および作用により、浮上ステージにおける吸引口の目詰まりを除去する作業を装置内で随時あるいは適時に自動的かつ効率的に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態におけるレジスト塗布装置の主要な構成を示す略平面図である。
【図２】上記レジスト塗布装置の主要な構成を示す基板搬送方向の略正面図である。
【図３】上記レジスト塗布装置における浮上高測定部の光学的距離センサの取付構造および作用を示す略側面図である。
【図４】上記レジスト塗布装置におけるノズルリフレッシュ部の構成および面状吸い取り部の取付構造を示す図である。
【図５】上記レジスト塗布装置における制御系の構成を示すブロック図である。
【図６】上記レジスト塗布装置において浮上ステージの吸引口に異物が殆ど詰まっていないときの塗布処理部の状態を示す略断面図である。
【図７】上記レジスト塗布装置において浮上ステージの吸引口に異物が詰まっているときの塗布処理部の状態を示す略断面図である。
【図８】上記レジスト塗布装置において第２給気部が作動したときの作用を示す略断面図である。
【図９】上記レジスト塗布装置において浮上ステージ吸引口掃除に面状吸着部を用いる場合の作用を示す図である。
【図１０】上記レジスト塗布装置における第２給気部の変形例を示す図である。
【図１１】第２給気部に圧縮タンクを用いる場合の作用を説明するための圧力波形図である。
【図１２Ａ】第２給気部により浮上ステージの吸引口に与える掃除用の圧力を時分割制御する方式の一段階を示す図である。
【図１２Ｂ】第２給気部により浮上ステージの吸引口に与える掃除用の圧力を時分割制御する方式の一段階を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、添付図を参照して、本発明の好適な実施形態を説明する。
【００１９】
図１および図２に、本発明の一実施形態におけるレジスト塗布装置の主要な構成を示す。図１は略平面図、図２は基板搬送方向の略正面図である。
【００２０】
このレジスト塗布装置は、浮上方式のスピンレス塗布法を採用しており、図１に示すように、被処理基板たとえばＦＰＤ用のガラス基板Ｇを気体の圧力によって空中に浮かす浮上ステージ１０と、この浮上ステージ１０上で空中に浮いている基板Ｇを浮上ステージ長手方向（Ｘ方向）に搬送する搬送機構１２と、浮上ステージ１０上を搬送される基板Ｇの上面にレジスト液を供給するスリットノズル１４とを備えている。
【００２１】
浮上ステージ１０の上面は、基板搬送方向（Ｘ方向）に沿って３つの領域つまり搬入領域ＭIN、塗布領域ＭCOTおよび搬出領域ＭOUTに区画されている。このうち、搬入領域ＭINおよび搬出領域ＭOUTには、噴出口１６のみが所定の密度で多数設けられており、塗布領域ＭCOTには噴出口１６と吸引口１８とが所定の密度で多数混在して設けられている。
【００２２】
搬入領域ＭINには、塗布処理前の基板Ｇを前段の外部装置からソータ機構（図示せず）により平流し搬送で、あるいは搬送ロボット（図示せず）からの受け渡しで搬入するための基板搬入部２０（図５）が設けられている。搬出領域ＭOUTには、塗布処理の済んだ基板Ｇを後段の外部装置へソータ機構（図示せず）により平流しの搬送で、あるいは搬送ロボット（図示せず）への受け渡しで搬出するための基板搬出部２２（図５）が設けられている。
【００２３】
塗布領域ＭCOTには、ステージ上方に、スリットノズル１４が昇降移動可能に設けられるとともに、塗布処理の合間にスリットノズル１４をリフレッシュするノズルリフレッシュ部２４（図１、図４）が基板搬送方向（Ｘ方向）と平行に水平移動可能に設けられている。
【００２４】
搬送機構１２は、図１に示すように、浮上ステージ１０を挟んでＸ方向に延びる一対のガイドレール２６Ａ，２６Ｂと、これらのガイドレール２６Ａ，２６Ｂに沿って往復移動可能な一対のスライダ２８と、浮上ステージ１０上で基板Ｇの両側端部を着脱可能に保持するようにスライダ２８に設けられた吸着パッド等の基板保持部材（図示せず）とを備えており、直進移動機構（図示せず）によりスライダ２８を基板搬送方向（Ｘ方向）に移動させることによって、浮上ステージ１０上で搬入領域ＭINから塗布領域ＭCOTを通って搬出領域ＭOUTまで基板Ｇの浮上搬送を行うように構成されている。
【００２５】
スリットノズル１４は、浮上ステージ１０の上方を基板搬送方向と直交する水平方向（Ｙ方向）に横断し、その直下を通過する基板Ｇの上面（被処理面）に対してスリット状の吐出口よりレジスト液Ｒを帯状に吐出するようになっている。また、スリットノズル１４は、浮上ステージ１０をスリットノズル１４と平行に（Ｙ方向に）跨いで設置される門形フレーム３０に取り付けられるたとえばボールネジ機構３２やガイド部材３４等（図２）を含むノズル昇降機構３６により、このノズル１４を支持するノズル支持部材３８と一体に鉛直方向（Ｚ方向）に移動（昇降）可能に構成されている。また、スリットノズル１４は、レジスト液容器や送液ポンプ等からなるレジスト供給機構４０（図５）にレジスト供給管４２を介して接続されている。
【００２６】
図２に示すように、このレジスト塗布装置は、浮上ステージ１０の基板浮上機構を構成する外付けの用力設備として、浮上用の第１給気部４４と、浮上高制御用の吸引排気部４６と、吸引口掃除用の第２給気部４８とを有している。
【００２７】
浮上用の第１給気部４４は、浮上ステージ１０の噴出口１６より噴き出すエアの圧力（揚力）によって基板Ｇを浮上させるために、各噴出口１６に正圧のエアを所望の圧力で供給するように構成されている。より詳細には、第１給気部４４は、たとえば工場用力の圧縮空気源を利用する正圧気体供給源５０と、この正圧気体供給源５０から浮上ステージ１０内の第１マニホールド５２まで延びるガス供給管または第１給気ライン５４と、この第１給気ライン５４の途中に設けられる開閉弁５６、レギュレータ５８およびフィルタ６０とを有している。
【００２８】
開閉弁５６を開けると、正圧気体供給源５０より正圧気体つまりエアが給気ライン５４を通って第１マニホールド５２に送り込まれ、第１マニホールド５２から浮上ステージ１０の各領域ＭIN、ＭCOT、ＭOUT内の全ての噴出口１６にエアが所定の圧力で分配供給されるようになっている。
【００２９】
浮上高制御用の吸引排気部４６は、吸引口１８にエアを吸い込む吸引力によって塗布領域ＭCOT内の基板Ｇの浮上高ＨG（図４）を厳密に制御するために、各吸引口１８に適度な負圧を与えるように構成されている。より詳細には、吸引排気部４６は、たとえば工場用力の排気ダクト６２と、この排気ダクト６２から浮上ステージ１０内の第２マニホールド６４まで延びる排気管または排気ライン６６と、この排気ライン６６の途中に設けられる開閉弁６８およびファン７０とを有している。
【００３０】
開閉弁６８を開けて、ファン７０を回転駆動すると、ファン７０の入側に発生する負圧が吸引口１８に排気ライン６６および第２マニホールド６４を介して塗布領域ＭCOT内の吸引口１８に伝わる。これによって、吸引口１８に浮上ステージ１０上のエアが吸い込まれ、吸い込まれたエアは第２マニホールド６４および排気ライン６６を通ってファン７０へ送られ、ファン７０の出側から排気ライン６６を通って排気ダクト６２へ送られるようになっている。
【００３１】
吸引口掃除用の第２給気部４８は、正圧気体供給源５０と開閉弁５６との間に設けられた第１給気ライン５４上の第１のノード７２からファン７０と第２マニホールド６４との間に設けられた排気ライン６６上の第２のノード７４まで延びる第２給気ライン７６と、この第２給気ライン７６の途中に設けられる開閉弁７８およびレギュレータ８０とを有している。
【００３２】
吸引排気部４６のファン７０を止めておいて、第２給気部４８の開閉弁７８を開けると、正圧気体供給源５０より正圧気体つまりエアが第１給気ライン５４→第１のノード７２→第２給気ライン７６→第２のノード７４→排気ライン６６を流れて第２マニホールド６４に送り込まれ、第２マニホールド６４から浮上ステージ１０の塗布領域ＭCOT内の全ての吸引口１８にエアが所定の圧力で分配供給されるようになっている。
【００３３】
このレジスト塗布装置は、浮上ステージ１０の塗布領域ＭCOTにおける基板Ｇの浮上高（ステージ上面からの距離）ＨGをフィードバック制御で設定値ＨSに一致させるために、図３に示すように、ノズル支持部材３８に浮上高測定部８２（図５）の光学式距離センサ８４を取り付けている。通常は、基板搬送方向と直交する水平方向（Ｙ方向）において基板Ｇの左右両側端部の浮上高ＨGを測定するように、光学式距離センサ８４は左右に一対配置される（図２）。
【００３４】
この光学式距離センサ８４は、塗布処理用の所定の高さ位置から直下の物体つまり浮上ステージ１０との距離Ｄaおよび基板Ｇとの距離Ｄbを光学的に測定する。浮上高測定部８２（図５）は、それらの測定距離Ｄa，Ｄbと基板Ｇの厚みＴG（既定値）とから基板浮上高ＨGの測定値を演算［ＨG＝Ｄa−（Ｄb＋ＴG）］によって求める。
【００３５】
このレジスト塗布装置は、さらに、スリットノズル１４の直下付近で基板Ｇの浮上高ＨGが所定の監視ライン上で局所的にでも許容値を超えているか否かを監視するための浮上高監視部８６（図５）を備えている。
【００３６】
図３に示すように、この浮上高監視部８６は、浮上ステージ１０を挟んでその左右両側に、浮上高設定値ＨSに対応した所定の高さで浮上ステージ１０の上をＹ方向に横断する監視ライン上に投光部８８および受光部９０を対向配置している。塗布領域ＭCOTにおいて基板Ｇの浮上高ＨGが浮上高設定値ＨSに略一致し、かつ浮上高監視部８６の監視ライン上の何処も基板表面が平坦であるときは、図３に示すように投光部８８から投光される光ビームＬＢが基板Ｇの上をすれすれに通過して受光部９０に届くようになっている。しかし、監視ライン上のどこかで基板Ｇの浮上高ＨGが浮上高設定値ＨSを超えているときは、光ビームＬＢが基板Ｇの側面または上面で反射して受光部９０には届かないため、浮上高監視部８６はその事態を検出することができる。
【００３７】
この浮上高監視部８６の監視機能は、後述するように、監視ライン付近で浮上ステージ１０の吸引口１８が目詰まりを起こしているか否かを判断するのに利用される。
【００３８】
図４に、ノズルリフレッシュ部２４の構成を示す。ノズルリフレッシュ部２４は、１つのケーシング９２内に、塗布処理の下準備としてスリットノズル１４に少量のレジスト液を吐出させてプライミングローラ９４に巻き取るプライミング処理部９６と、スリットノズル１４の吐出口を乾燥防止の目的から溶剤蒸気の雰囲気中に保つためのノズルバス９８と、スリットノズル１４の吐出口周辺部を洗浄するためのスリットノズル洗浄部１００とを併設している。
【００３９】
１回の塗布処理を終えたスリットノズル１４は、最初にスリットノズル洗浄部１００により洗浄処理を受け、次いでノズルバス９８内で待機し、次の塗布処理が開始される直前にプライミング処理部９６によりプライミング処理を受ける。
【００４０】
スリットノズル１４をノズルリフレッシュ部２４内の各部（９６，９８，１００）に着かせるには、コントローラ１１０（図５）の制御の下で、たとえばボールネジ機構からなるＸ方向移動部１０２（図１）によりノズルリフレッシュ部２４の全体つまりケーシング９２を基板搬送方向（Ｘ方向）と平行に移動させるとともに、ノズル昇降機構３６（図１、図５）によりスリットノズル１４を鉛直方向（Ｚ方向）で移動させる。
【００４１】
この実施形態では、ノズルリフレッシュ部２４のケーシング９２の下面に面状の吸い取りヘッド１０２を取り付けており、プライミング処理部９６の排気に用いられる排気装置１０４に排気管１０６を介して吸い取りヘッド１０２を接続している。排気管１０６には開閉弁１０８が設けられる。この吸い取りヘッド１０２は、後述するように、浮上ステージ１０の吸引口１８を掃除する時に用いられる。
【００４２】
図５に、この実施形態のレジスト塗布装置における制御系の主要な構成を示す。コントローラ１１０は、マイクロコンピュータからなり、浮上高測定部８２、浮上高監視部８６等から測定値またはモニタ信号等を受け取り、搬送機構１２、基板搬入部２０、基板搬出部２２、ノズルリフレッシュ部２４、ノズル昇降機構３６、レジスト供給機構４０、第１給気部４４、吸引排気部４６、第２給気部４８等の個々の動作と全体の動作（シーケンス）を制御する。また、コントローラ１１０は、ホストコントローラや他の外部装置（図示せず）とも接続されている。
【００４３】
ここで、このレジスト塗布装置におけるレジスト塗布動作を説明する。先ず、前段の基板処理装置（図示せず）より基板Ｇがソータ機構または搬送ロボットを介して浮上ステージ１０の搬入領域ＭINに搬入され、そこで待機していたスライダ２８が基板Ｇを保持して受け取る。浮上ステージ１０上で基板Ｇは噴出孔１６より噴射されるエアの圧力（揚力）によって空中に浮く。
【００４４】
こうして基板Ｇが水平姿勢で基板搬送方向（Ｘ方向）に浮上搬送され、ステージ中央部の塗布領域ＭCOTを通過する際に、スリットノズル１４が直下の基板Ｇに向けてレジスト液Ｒを所定の圧力または流量で帯状に吐出することにより、図３に示すように基板Ｇの前端側から後端側へ向かって膜厚の均一なレジスト液の塗布膜ＲＭが形成されていく。
【００４５】
基板Ｇの後端がスリットノズル１４の下を通過すると、基板一面にレジスト塗布膜ＲＭが形成される。次いで、基板Ｇは、その後もスライダ２８により浮上ステージ１０上で浮上搬送され、浮上ステージ１０の後端に設定された搬出領域ＭOUTよりソータ機構または搬送ロボットを介して後段のユニット（図示せず）へ送られる。
【００４６】
次に、図６〜図９につき、この実施形態のレジスト塗布装置における浮上ステージ吸引口掃除機能を説明する。
【００４７】
図６に示すように、浮上ステージ１０の塗布領域ＭCOTにおいてスリットノズル１４の直下付近で全部または殆どの吸引口１８が目詰まりを起こしていないときは、塗布処理中に各噴出口１６より噴き出したエアが基板Ｇの裏面に作用してから隣の吸引口１８へ速やかに吸い込まれる。
【００４８】
コントローラ１１０は、開閉弁７８を閉じて第２給気部４８を止めておき、第１給気部４４と吸引排気部４６とを同時に作動させ、基板Ｇの塗布領域ＭCOT内を通過している部分に対して、噴出口１６から噴き出すエア（圧縮空気）による垂直上向きの力を加えると同時に、吸引口１８より負圧吸引力による垂直下向きの力を加えて、相対抗する双方向の力のバランスを制御することで、塗布用の基板浮上高ＨGを設定値ＨS（たとえば５０μｍ）付近に維持する。この場合、コントローラ１１０は、レギュレータ５８またはファン７０を制御して、浮上高測定部８２より得られる浮上高測定値ＨGが設定値ＨSに一致するようにフィードバック制御を行うことができる。
【００４９】
しかし、図７に示すように、浮上ステージ１０の塗布領域ＭCOTにおいてスリットノズル１４の直下付近で相当な数の吸引口１８が内奥の比較的狭いガス通路１８ａに異物Ｑが挟まって目詰まりを起こしているときは、塗布処理中に吸引排気部４６のファン７０が回転（吸引排気）動作をしているにも係わらず、目詰まりを起こしている吸引口１８は吸引力を生じないために、その付近では噴出口１６からの浮揚力と吸引口１８からの引力とのバランスが崩れて、基板浮上高ＨGが局所的に設定値ＨSによりも高くなる。
【００５０】
この場合、上記のような浮上圧力フィードバック制御機構（コントローラ１１０、浮上高測定部８２、第１給気部４４、吸引排気部４６）が正常に機能していても、基板浮上高ＨGの局所的な異常（盛り上がり）を見逃すことがある。
【００５１】
しかし、浮上高監視部８６は、監視ライン上のどこかで基板Ｇの浮上高ＨGが浮上高設定値ＨSを定常的に（基板Ｇが通過している間）超えているときは、図７に示すように、光ビームＬＢが基板Ｇにより遮られることから（受光部９０に届かないことから）、この異常事態を検知してコントローラ１１０に通報することができる。なお、基板Ｇの上面に異物が付いているときも、その異物によって光ビームＬＢが遮られるが、それは一時的であり、その異物が通り過ぎれば異常が解除されるので、容易に見分けがつく。
【００５２】
コントローラ１１０は、浮上高監視部８６からそのような基板浮上高に関する異常通報のモニタ信号を受け取った時は、浮上ステージ１０の塗布領域ＭCOTにおいて少なくともスリットノズル１４の直下付近で相当な数の吸引口１８が目詰まりを起こしていると判定する。
【００５３】
そして、コントローラ１１０は、上記のような吸引口１８の目詰まりを判定（検出）した場合は、表示器（図示せず）を通じてアラームを出し、あるいはその履歴をとった上で、程よい時機に、たとえば所要のロット処理が済んだ後に、浮上ステージ吸引口掃除動作を実行制御する。
【００５４】
この浮上ステージ吸引口掃除動作において、コントローラ１１０は、塗布処理に関係する動作（基板浮上動作、基板搬送動作、レジスト供給動作等）をいったん全てオフ状態にしてから、開閉弁７８を開けて第２給気部４８を作動させる。併せて、開閉弁５６を開けて第１給気部４８も作動させる。
【００５５】
第１給気部４４および第２給気部４８は正圧気体供給源５０に対して並列に接続され、それぞれにレギュレータ５８、８０が設けられているので、第１給気部４４により噴出口１６に供給するエアの圧力と第２給気部４８により吸引口１８に供給するエアの圧力とを独立に設定または調整することができる。通常、浮上ステージ吸引口掃除動作においては、第２給気部４８により吸引口１８に供給するエアの圧力を中に詰まった異物を吐き出すのに適した十分高めの値に調整し、第１給気部４４により噴出口１６に供給するエアの圧力を塵が入らない程度に比較的低めの値に調整するのが好ましい。
【００５６】
第２給気部４８が作動することによって、正圧気体供給源５０からのエア（圧縮空気）が上記のように第１給気ライン５４→排気ライン６６→第２マニホールド６４を経由して塗布領域ＭCOT内の各吸引口１８に送り込まれる。
【００５７】
図８に示すように、目詰まりを起こしている吸引口１８においては、第２マニホールド６４側からのエアの圧力により、ガス通路１８ａに挟まっていた異物Ｑが押し出されるようにして上方へ放出される。この時、第１給気部４４も作動しているので、吸引口１８より吐き出された異物Ｑが付近の噴出口１６に入るおそれはない。
【００５８】
一方で、コントローラ１１０は、スリットノズル１４をノズルリフレッシュ部２４よりも高い位置まで上昇させた後に、ノズルリフレッシュ部２４をスリットノズル１４の真下の位置までスライド移動させて、図８に示すように、ノズルリフレッシュ部２４のケーシング９２の下面に取り付けている面状の吸い取りヘッド１０２を浮上ステージ１０の塗布領域ＭCOTの上に覆い被せる。そして、開閉弁１０８を開けて、排気装置１０４を作動させる（図４）。
【００５９】
これにより、吸引口１８より吐き出された異物Ｑは、エアと一緒に速やかに吸い取りヘッド１０２に吸い取られ、排気管１０６を通って排気装置１０４へ送られる。
【００６０】
第２給気部４８によって吸引口１８より吐き出された異物Ｑを捕集するための別の好適な実施例として、図９に示すように、下面に粘着シート１１２を貼り付けたダミー基板１１４を塗布領域ＭCOTの上に覆い被せる方式も可能である。この場合、吸引口１８より吐き出された異物Ｑは、粘着シート１１２に吸着されるので、浮上ステージ１０の上に巻き上がったり再付着するようなことはない。
【００６１】
なお、ダミー基板１１４は、浮上ステージ吸引口掃除動作の開始に先立って、被処理基板Ｇと同様にして浮上ステージ１０の搬入領域ＭINに搬入され、搬送機構１２によって塗布領域ＭCOTまで浮上搬送で移送される。そして、浮上ステージ吸引口掃除動作の終了後に、搬送機構１２によって搬出領域ＭOUTへ移送され、搬出領域ＭOUTから浮上ステージ１０の外へ搬出される。
【００６２】
このように、このレジスト塗布装置においては、浮上ステージ１０の塗布領域ＭCOTに噴出口１６と混在して設けられている吸引口１８が吸引動作を行っている間（主に塗布処理中）に浮上ステージ１０の周囲に漂っている異物を不所望に吸い込んでしまい、それによって吸引口１８の中が異物で詰まることがある。しかし、この実施形態によれば、塗布処理が休止している時、または塗布処理の合間に、吸引排気部４４を停止させて第２給気部４８を作動させることにより、吸引口１８の目詰まりを人手を要することなく自動的かつ効率的に除去することができる。
【００６３】
また、スリットノズル１４の直下付近に設定されたＹ方向に延びる監視ライン上のどこかで基板Ｇの浮上高ＨGが浮上高設定値ＨSを定常的に（基板Ｇが通過している間）超えているときは、浮上高監視部８６によりその異常事態を的確に検出することができる。そして、コントローラ１１０は、浮上高監視部８６からそのような基板浮上高に関する異常通報のモニタ信号を受け取った時は、スリットノズル１４の直下付近で相当な数の吸引口１８が目詰まりを起こしていると判定し、浮上ステージ吸引口掃除動作を実行する最適な時機を見つけることができる。
【００６４】
以上、本発明の好適な実施形態を説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で種種の変形または変更が可能である。
【００６５】
たとえば、図１０に示すように、第２給気部４８の第２給気ライン７６を第１給気ライン５４から分岐させて排気ライン６６へ接続するバイパス方式も可能である。この場合、第１給気ライン５４と第２給気ライン７６とのノードおよび第２給気ライン７６と排気ライン６６とのノードに切換弁たとえば３方弁１１６，１１８をそれぞれ設ける。
【００６６】
また、第２給気ライン７６の途中に圧縮タンク１２０を設けて、正圧気体供給源５０からの正圧気体を圧縮タンク１２０内で圧縮し、開閉弁７８を断続的かつパルス的にオンさせることより、図１１に示すように原圧力Ｐsよりも格段に高い圧力Ｐupのエアを浮上ステージ１０の吸引口１８に断続的かつ衝撃的に供給し、吸引口１８の中に詰まっている異物Ｑを効果的に除去することができる。
【００６７】
なお、図１０の構成例においては、３方弁１１６を第２給気ライン７６に切り換えるときは、正圧気体供給源５０からの正圧気体は浮上ステージ１０の噴出口１６には供給されなくなる。このように、浮上ステージ吸引口掃除動作を実行するときは、第１給気部４４を完全停止させておくことも可能である。もっとも、３方弁１１６を省いて、第２給気部４８と同時に第１給気部４４も作動させることにより、浮上ステージ吸引口掃除動作中に吸引口１８と一緒に噴出口１６にもエアを供給することはもちろん可能である。
【００６８】
図示省略するが、第２給気部４８に、工場用力の正圧気体供給源５０とは異なる独立した正圧気体供給源を用いることも可能である。さらには、吸引排気部４６のファン７０を逆回転可能に構成して、第２給気部７６用の正圧気体供給源に用いることも可能である。その場合は、排気ライン６６をそのまま第２給気ライン７６として用いることができる。
【００６９】
また、第２給気部４８により浮上ステージ１０の吸引口１８に与える清掃用の圧力を一段ないし数段高めるために、図１２Ａおよび図１２Ｂに示すように、浮上ステージ１０の塗布領域ＭCOTに設けられる全ての吸引口１８を複数の組に分割し、組単位で開閉弁１２２(1), １２２(2), １２２(3), １２２(4)・・を介して第２給気ライン７６に接続する構成を好適に採ることができる。
【００７０】
第２給気部４８を作動させるときは、つまり浮上ステージ吸引口掃除動作を実行するときは、コントローラ１１０により組単位で時分割的に開閉弁１２２(1), １２２(2), １２２(3), １２２(4)・・・をオンにして、各吸引口１８に集中的に高い圧力のエアを供給する。
【００７１】
なお、浮上ステージ１０の塗布領域ＭCOTにおいて噴出口１６と吸引口１８とを混在させて配置するパターンは任意であり、図示の配列パターンに限定されるものではない。
【００７２】
また、浮上高監視部８６の機能から独立して、上記のような浮上ステージ吸引口掃除動作を定期的に実施することも可能である。
【００７３】
本発明における処理液としては、レジスト液以外にも、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の塗布液も可能であり、各種薬液、現像液やリンス液等も可能である。本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限らず、他のフラットパネルディスプレイ用基板、半導体ウエハ、ＣＤ基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。
【符号の説明】
【００７４】
１０ 浮上ステージ
１２ 搬送機構
１４ スリットノズル
１６ 噴出口
１８ 吸引口
４０ レジスト供給機構
４４ 第１給気部
４６ 吸引排気部
４８ 第２給気部
１１０ コントローラ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、浮上ステージ上で被処理基板に処理液を塗布する塗布装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＣＤ等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程には、スリット状の吐出口を有する長尺形のスリットノズルを用いて被処理基板（ガラス基板等）上にレジスト液を塗布するスピンレスの塗布法がよく用いられている。
【０００３】
このようなスピンレス塗布法の一形式として、基板を支持するためのステージに基板浮上機構を組み込み、この浮上ステージ上で基板を空中に浮かせて水平な一方向（ステージ長手方向）に搬送し、搬送途中の所定位置でステージ上方に設置したスリットノズルより直下を通過する基板に向けてレジスト液を帯状に吐出させることにより、基板上の一端から他端までレジスト液を塗布するようにした浮上方式が知られている。
【０００４】
かかる浮上方式のスピンレス塗布法において、基板上にレジスト液の塗布膜を設定通りの膜厚で均一に形成するには、スリットノズルの吐出口と基板との間に設ける通常１００μｍ前後の微小なギャップを精確に設定値またはその付近に維持することが要求される。
【０００５】
この要求条件を満たすために、浮上方式のスピンレス塗布法を採用するレジスト塗布装置は、浮上ステージの略全域に高圧または正圧の気体たとえばエアを噴出する噴出口を所定の密度で多数設けるだけでなく、浮上ステージ上でスリットノズルの直下およびその前後のエリアとして設定される塗布領域には、負圧でエアを吸い込む吸引口を噴出口に混在させている。そして、該塗布領域内では、そこを通過する基板に対して、噴出口より加えられる垂直上向きの圧力と吸引口より加えられる垂直下向きの圧力とのバランスをとって、基板に与える浮上圧力を精細に制御し、基板の浮上高を設定値（たとえば５０μｍ）に合わせるようにしている（たとえば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１９０４８３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記のようなレジスト塗布装置は、クリーンルーム内で稼働するが、それでも微小なパーティクルはもちろん、比較的大きな塵、破片等の異物に晒されることが多い。これらの異物は、雰囲気中を漂流してきたものであったり、メンテナンス時に外から持ち込まれ、あるいはメンテナンスの作業中に発生したものであったり、基板の破損や膜剥がれによって生じることもある。
【０００８】
いずれにしても、上記のような浮上方式のスピンレス塗布法を採用するレジスト塗布装置においては、その周囲に漂っている異物を浮上ステージの塗布領域の吸引口が不所望に吸い込んでしまい、それによって吸引口の中が異物で詰まることがある。吸引口が目詰まりを起こすと、その吸引口はその上を通過する基板に対して吸引力を及ぼすことができなくなる。
【０００９】
通常、浮上ステージの塗布領域には数１０００個以上の吸引口が設けられる。その中の１つや２つが目詰まりを起こしても全体の吸引力には全く影響しないが、数１００個程度の吸引口が目詰まりを起こすと全体の吸引力は顕著に低下する。また、目詰まりした吸引口が数１０個程度であっても狭い範囲に集中していると、その付近では噴出口からの浮揚力と吸引口からの引力とのバランスが崩れて、基板浮上高が局所的に設定値よりも高くなることがある。塗布領域（特にスリットノズルの直下付近）で基板浮上高が局所的にでも設定値より高くなると、基板上に形成されるレジスト塗布膜の膜厚が変動し、フォトリソグラフィーの精度および信頼性を低下させる。
【００１０】
従来は、上記のような浮上ステージにおける吸引口の目詰まりを除去するために、浮上ステージを分解して吸引口を清掃する方法、あるいは浮上ステージの上面に外部掃除機の吸引ヘッドを当てて吸引口の中に詰まっている異物を上から吸引して除去する方法が採られていた。
【００１１】
しかし、分解清掃方式は、作業が非常に面倒で、多大な人的労力を要し、作業時間つまり復旧時間の長いことも現場では嫌われている。また、外部掃除機を用いる方式は、浮上ステージに吸引ヘッドを当てることによって浮上ステージに傷をつけやすいことや、分解清掃方式ほどではないがやはり人の作業を必要としている。
【００１２】
また、従来は、浮上ステージの吸引口が目詰まりを起こしているか否かをチェックする手段または機能が無かった。このため、吸引口の目詰まりによってレジスト塗布膜の膜厚に影響が出た場合に、その原因を突き止めるまでしばらく掛かることがあった。一方で、上記のような分解清掃または外部掃除による定期メンテナンスを短い周期で頻繁に行う場合は、多大な人的労力と装置稼働率の低下を来すことになる。
【００１３】
本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するものであり、浮上ステージにおける吸引口の目詰まりを除去する作業を装置内で随時あるいは適時に自動的かつ効率的に行えるようにした塗布装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の塗布装置は、多数の噴出口と多数の吸引口とが混在して設けられた第１の浮上領域を有する浮上ステージと、前記噴出口より噴き出す気体の圧力によって被処理基板を浮上させるために、前記噴出口に正圧の気体を供給する第１の給気部と、前記吸引口に気体を吸い込む吸引力によって前記基板の浮上高を制御するために、前記吸引口に負圧を与える吸引排気部と、前記浮上ステージ上で空中に浮く前記基板を保持して前記第１の浮上領域を通過するように搬送する搬送機構と、前記第１の浮上領域の上方に配置されるノズルを有し、前記第１の浮上領域を通過する前記基板上に前記ノズルより処理液を供給する処理液供給部と、前記吸引口の中を掃除するために、前記吸引口に正圧の気体を供給する第２の給気部とを有する。
【００１５】
上記の構成においては、浮上ステージの第１の浮上領域に設けられている吸引口が吸引動作を行っている間（主に塗布処理中）に浮上ステージの周囲に漂っている異物を不所望に吸い込んでしまい、それによって吸引口の中が異物で詰まることがある。しかし、本発明によれば、塗布処理が休止している時、または塗布処理の合間に、吸引排気部を停止させて第２の給気部を作動させることにより、吸引口の目詰まりを人手を要することなく自動的かつ効率的に除去することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の塗布装置によれば、上記のような構成および作用により、浮上ステージにおける吸引口の目詰まりを除去する作業を装置内で随時あるいは適時に自動的かつ効率的に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態におけるレジスト塗布装置の主要な構成を示す略平面図である。
【図２】上記レジスト塗布装置の主要な構成を示す基板搬送方向の略正面図である。
【図３】上記レジスト塗布装置における浮上高測定部の光学的距離センサの取付構造および作用を示す略側面図である。
【図４】上記レジスト塗布装置におけるノズルリフレッシュ部の構成および面状吸い取り部の取付構造を示す図である。
【図５】上記レジスト塗布装置における制御系の構成を示すブロック図である。
【図６】上記レジスト塗布装置において浮上ステージの吸引口に異物が殆ど詰まっていないときの塗布処理部の状態を示す略断面図である。
【図７】上記レジスト塗布装置において浮上ステージの吸引口に異物が詰まっているときの塗布処理部の状態を示す略断面図である。
【図８】上記レジスト塗布装置において第２給気部が作動したときの作用を示す略断面図である。
【図９】上記レジスト塗布装置において浮上ステージ吸引口掃除に面状吸着部を用いる場合の作用を示す図である。
【図１０】上記レジスト塗布装置における第２給気部の変形例を示す図である。
【図１１】第２給気部に圧縮タンクを用いる場合の作用を説明するための圧力波形図である。
【図１２Ａ】第２給気部により浮上ステージの吸引口に与える掃除用の圧力を時分割制御する方式の一段階を示す図である。
【図１２Ｂ】第２給気部により浮上ステージの吸引口に与える掃除用の圧力を時分割制御する方式の一段階を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、添付図を参照して、本発明の好適な実施形態を説明する。
【００１９】
図１および図２に、本発明の一実施形態におけるレジスト塗布装置の主要な構成を示す。図１は略平面図、図２は基板搬送方向の略正面図である。
【００２０】
このレジスト塗布装置は、浮上方式のスピンレス塗布法を採用しており、図１に示すように、被処理基板たとえばＦＰＤ用のガラス基板Ｇを気体の圧力によって空中に浮かす浮上ステージ１０と、この浮上ステージ１０上で空中に浮いている基板Ｇを浮上ステージ長手方向（Ｘ方向）に搬送する搬送機構１２と、浮上ステージ１０上を搬送される基板Ｇの上面にレジスト液を供給するスリットノズル１４とを備えている。
【００２１】
浮上ステージ１０の上面は、基板搬送方向（Ｘ方向）に沿って３つの領域つまり搬入領域ＭIN、塗布領域ＭCOTおよび搬出領域ＭOUTに区画されている。このうち、搬入領域ＭINおよび搬出領域ＭOUTには、噴出口１６のみが所定の密度で多数設けられており、塗布領域ＭCOTには噴出口１６と吸引口１８とが所定の密度で多数混在して設けられている。
【００２２】
搬入領域ＭINには、塗布処理前の基板Ｇを前段の外部装置からソータ機構（図示せず）により平流し搬送で、あるいは搬送ロボット（図示せず）からの受け渡しで搬入するための基板搬入部２０（図５）が設けられている。搬出領域ＭOUTには、塗布処理の済んだ基板Ｇを後段の外部装置へソータ機構（図示せず）により平流しの搬送で、あるいは搬送ロボット（図示せず）への受け渡しで搬出するための基板搬出部２２（図５）が設けられている。
【００２３】
塗布領域ＭCOTには、ステージ上方に、スリットノズル１４が昇降移動可能に設けられるとともに、塗布処理の合間にスリットノズル１４をリフレッシュするノズルリフレッシュ部２４（図１、図４）が基板搬送方向（Ｘ方向）と平行に水平移動可能に設けられている。
【００２４】
搬送機構１２は、図１に示すように、浮上ステージ１０を挟んでＸ方向に延びる一対のガイドレール２６Ａ，２６Ｂと、これらのガイドレール２６Ａ，２６Ｂに沿って往復移動可能な一対のスライダ２８と、浮上ステージ１０上で基板Ｇの両側端部を着脱可能に保持するようにスライダ２８に設けられた吸着パッド等の基板保持部材（図示せず）とを備えており、直進移動機構（図示せず）によりスライダ２８を基板搬送方向（Ｘ方向）に移動させることによって、浮上ステージ１０上で搬入領域ＭINから塗布領域ＭCOTを通って搬出領域ＭOUTまで基板Ｇの浮上搬送を行うように構成されている。
【００２５】
スリットノズル１４は、浮上ステージ１０の上方を基板搬送方向と直交する水平方向（Ｙ方向）に横断し、その直下を通過する基板Ｇの上面（被処理面）に対してスリット状の吐出口よりレジスト液Ｒを帯状に吐出するようになっている。また、スリットノズル１４は、浮上ステージ１０をスリットノズル１４と平行に（Ｙ方向に）跨いで設置される門形フレーム３０に取り付けられるたとえばボールネジ機構３２やガイド部材３４等（図２）を含むノズル昇降機構３６により、このノズル１４を支持するノズル支持部材３８と一体に鉛直方向（Ｚ方向）に移動（昇降）可能に構成されている。また、スリットノズル１４は、レジスト液容器や送液ポンプ等からなるレジスト供給機構４０（図５）にレジスト供給管４２を介して接続されている。
【００２６】
図２に示すように、このレジスト塗布装置は、浮上ステージ１０の基板浮上機構を構成する外付けの用力設備として、浮上用の第１給気部４４と、浮上高制御用の吸引排気部４６と、吸引口掃除用の第２給気部４８とを有している。
【００２７】
浮上用の第１給気部４４は、浮上ステージ１０の噴出口１６より噴き出すエアの圧力（揚力）によって基板Ｇを浮上させるために、各噴出口１６に正圧のエアを所望の圧力で供給するように構成されている。より詳細には、第１給気部４４は、たとえば工場用力の圧縮空気源を利用する正圧気体供給源５０と、この正圧気体供給源５０から浮上ステージ１０内の第１マニホールド５２まで延びるガス供給管または第１給気ライン５４と、この第１給気ライン５４の途中に設けられる開閉弁５６、レギュレータ５８およびフィルタ６０とを有している。
【００２８】
開閉弁５６を開けると、正圧気体供給源５０より正圧気体つまりエアが給気ライン５４を通って第１マニホールド５２に送り込まれ、第１マニホールド５２から浮上ステージ１０の各領域ＭIN、ＭCOT、ＭOUT内の全ての噴出口１６にエアが所定の圧力で分配供給されるようになっている。
【００２９】
浮上高制御用の吸引排気部４６は、吸引口１８にエアを吸い込む吸引力によって塗布領域ＭCOT内の基板Ｇの浮上高ＨG（図４）を厳密に制御するために、各吸引口１８に適度な負圧を与えるように構成されている。より詳細には、吸引排気部４６は、たとえば工場用力の排気ダクト６２と、この排気ダクト６２から浮上ステージ１０内の第２マニホールド６４まで延びる排気管または排気ライン６６と、この排気ライン６６の途中に設けられる開閉弁６８およびファン７０とを有している。
【００３０】
開閉弁６８を開けて、ファン７０を回転駆動すると、ファン７０の入側に発生する負圧が吸引口１８に排気ライン６６および第２マニホールド６４を介して塗布領域ＭCOT内の吸引口１８に伝わる。これによって、吸引口１８に浮上ステージ１０上のエアが吸い込まれ、吸い込まれたエアは第２マニホールド６４および排気ライン６６を通ってファン７０へ送られ、ファン７０の出側から排気ライン６６を通って排気ダクト６２へ送られるようになっている。
【００３１】
吸引口掃除用の第２給気部４８は、正圧気体供給源５０と開閉弁５６との間に設けられた第１給気ライン５４上の第１のノード７２からファン７０と第２マニホールド６４との間に設けられた排気ライン６６上の第２のノード７４まで延びる第２給気ライン７６と、この第２給気ライン７６の途中に設けられる開閉弁７８およびレギュレータ８０とを有している。
【００３２】
吸引排気部４６のファン７０を止めておいて、第２給気部４８の開閉弁７８を開けると、正圧気体供給源５０より正圧気体つまりエアが第１給気ライン５４→第１のノード７２→第２給気ライン７６→第２のノード７４→排気ライン６６を流れて第２マニホールド６４に送り込まれ、第２マニホールド６４から浮上ステージ１０の塗布領域ＭCOT内の全ての吸引口１８にエアが所定の圧力で分配供給されるようになっている。
【００３３】
このレジスト塗布装置は、浮上ステージ１０の塗布領域ＭCOTにおける基板Ｇの浮上高（ステージ上面からの距離）ＨGをフィードバック制御で設定値ＨSに一致させるために、図３に示すように、ノズル支持部材３８に浮上高測定部８２（図５）の光学式距離センサ８４を取り付けている。通常は、基板搬送方向と直交する水平方向（Ｙ方向）において基板Ｇの左右両側端部の浮上高ＨGを測定するように、光学式距離センサ８４は左右に一対配置される（図２）。
【００３４】
この光学式距離センサ８４は、塗布処理用の所定の高さ位置から直下の物体つまり浮上ステージ１０との距離Ｄaおよび基板Ｇとの距離Ｄbを光学的に測定する。浮上高測定部８２（図５）は、それらの測定距離Ｄa，Ｄbと基板Ｇの厚みＴG（既定値）とから基板浮上高ＨGの測定値を演算［ＨG＝Ｄa−（Ｄb＋ＴG）］によって求める。
【００３５】
このレジスト塗布装置は、さらに、スリットノズル１４の直下付近で基板Ｇの浮上高ＨGが所定の監視ライン上で局所的にでも許容値を超えているか否かを監視するための浮上高監視部８６（図５）を備えている。
【００３６】
図３に示すように、この浮上高監視部８６は、浮上ステージ１０を挟んでその左右両側に、浮上高設定値ＨSに対応した所定の高さで浮上ステージ１０の上をＹ方向に横断する監視ライン上に投光部８８および受光部９０を対向配置している。塗布領域ＭCOTにおいて基板Ｇの浮上高ＨGが浮上高設定値ＨSに略一致し、かつ浮上高監視部８６の監視ライン上の何処も基板表面が平坦であるときは、図３に示すように投光部８８から投光される光ビームＬＢが基板Ｇの上をすれすれに通過して受光部９０に届くようになっている。しかし、監視ライン上のどこかで基板Ｇの浮上高ＨGが浮上高設定値ＨSを超えているときは、光ビームＬＢが基板Ｇの側面または上面で反射して受光部９０には届かないため、浮上高監視部８６はその事態を検出することができる。
【００３７】
この浮上高監視部８６の監視機能は、後述するように、監視ライン付近で浮上ステージ１０の吸引口１８が目詰まりを起こしているか否かを判断するのに利用される。
【００３８】
図４に、ノズルリフレッシュ部２４の構成を示す。ノズルリフレッシュ部２４は、１つのケーシング９２内に、塗布処理の下準備としてスリットノズル１４に少量のレジスト液を吐出させてプライミングローラ９４に巻き取るプライミング処理部９６と、スリットノズル１４の吐出口を乾燥防止の目的から溶剤蒸気の雰囲気中に保つためのノズルバス９８と、スリットノズル１４の吐出口周辺部を洗浄するためのスリットノズル洗浄部１００とを併設している。
【００３９】
１回の塗布処理を終えたスリットノズル１４は、最初にスリットノズル洗浄部１００により洗浄処理を受け、次いでノズルバス９８内で待機し、次の塗布処理が開始される直前にプライミング処理部９６によりプライミング処理を受ける。
【００４０】
スリットノズル１４をノズルリフレッシュ部２４内の各部（９６，９８，１００）に着かせるには、コントローラ１１０（図５）の制御の下で、たとえばボールネジ機構からなるＸ方向移動部１０２（図１）によりノズルリフレッシュ部２４の全体つまりケーシング９２を基板搬送方向（Ｘ方向）と平行に移動させるとともに、ノズル昇降機構３６（図１、図５）によりスリットノズル１４を鉛直方向（Ｚ方向）で移動させる。
【００４１】
この実施形態では、ノズルリフレッシュ部２４のケーシング９２の下面に面状の吸い取りヘッド１０２を取り付けており、プライミング処理部９６の排気に用いられる排気装置１０４に排気管１０６を介して吸い取りヘッド１０２を接続している。排気管１０６には開閉弁１０８が設けられる。この吸い取りヘッド１０２は、後述するように、浮上ステージ１０の吸引口１８を掃除する時に用いられる。
【００４２】
図５に、この実施形態のレジスト塗布装置における制御系の主要な構成を示す。コントローラ１１０は、マイクロコンピュータからなり、浮上高測定部８２、浮上高監視部８６等から測定値またはモニタ信号等を受け取り、搬送機構１２、基板搬入部２０、基板搬出部２２、ノズルリフレッシュ部２４、ノズル昇降機構３６、レジスト供給機構４０、第１給気部４４、吸引排気部４６、第２給気部４８等の個々の動作と全体の動作（シーケンス）を制御する。また、コントローラ１１０は、ホストコントローラや他の外部装置（図示せず）とも接続されている。
【００４３】
ここで、このレジスト塗布装置におけるレジスト塗布動作を説明する。先ず、前段の基板処理装置（図示せず）より基板Ｇがソータ機構または搬送ロボットを介して浮上ステージ１０の搬入領域ＭINに搬入され、そこで待機していたスライダ２８が基板Ｇを保持して受け取る。浮上ステージ１０上で基板Ｇは噴出孔１６より噴射されるエアの圧力（揚力）によって空中に浮く。
【００４４】
こうして基板Ｇが水平姿勢で基板搬送方向（Ｘ方向）に浮上搬送され、ステージ中央部の塗布領域ＭCOTを通過する際に、スリットノズル１４が直下の基板Ｇに向けてレジスト液Ｒを所定の圧力または流量で帯状に吐出することにより、図３に示すように基板Ｇの前端側から後端側へ向かって膜厚の均一なレジスト液の塗布膜ＲＭが形成されていく。
【００４５】
基板Ｇの後端がスリットノズル１４の下を通過すると、基板一面にレジスト塗布膜ＲＭが形成される。次いで、基板Ｇは、その後もスライダ２８により浮上ステージ１０上で浮上搬送され、浮上ステージ１０の後端に設定された搬出領域ＭOUTよりソータ機構または搬送ロボットを介して後段のユニット（図示せず）へ送られる。
【００４６】
次に、図６〜図９につき、この実施形態のレジスト塗布装置における浮上ステージ吸引口掃除機能を説明する。
【００４７】
図６に示すように、浮上ステージ１０の塗布領域ＭCOTにおいてスリットノズル１４の直下付近で全部または殆どの吸引口１８が目詰まりを起こしていないときは、塗布処理中に各噴出口１６より噴き出したエアが基板Ｇの裏面に作用してから隣の吸引口１８へ速やかに吸い込まれる。
【００４８】
コントローラ１１０は、開閉弁７８を閉じて第２給気部４８を止めておき、第１給気部４４と吸引排気部４６とを同時に作動させ、基板Ｇの塗布領域ＭCOT内を通過している部分に対して、噴出口１６から噴き出すエア（圧縮空気）による垂直上向きの力を加えると同時に、吸引口１８より負圧吸引力による垂直下向きの力を加えて、相対抗する双方向の力のバランスを制御することで、塗布用の基板浮上高ＨGを設定値ＨS（たとえば５０μｍ）付近に維持する。この場合、コントローラ１１０は、レギュレータ５８またはファン７０を制御して、浮上高測定部８２より得られる浮上高測定値ＨGが設定値ＨSに一致するようにフィードバック制御を行うことができる。
【００４９】
しかし、図７に示すように、浮上ステージ１０の塗布領域ＭCOTにおいてスリットノズル１４の直下付近で相当な数の吸引口１８が内奥の比較的狭いガス通路１８ａに異物Ｑが挟まって目詰まりを起こしているときは、塗布処理中に吸引排気部４６のファン７０が回転（吸引排気）動作をしているにも係わらず、目詰まりを起こしている吸引口１８は吸引力を生じないために、その付近では噴出口１６からの浮揚力と吸引口１８からの引力とのバランスが崩れて、基板浮上高ＨGが局所的に設定値ＨSによりも高くなる。
【００５０】
この場合、上記のような浮上圧力フィードバック制御機構（コントローラ１１０、浮上高測定部８２、第１給気部４４、吸引排気部４６）が正常に機能していても、基板浮上高ＨGの局所的な異常（盛り上がり）を見逃すことがある。
【００５１】
しかし、浮上高監視部８６は、監視ライン上のどこかで基板Ｇの浮上高ＨGが浮上高設定値ＨSを定常的に（基板Ｇが通過している間）超えているときは、図７に示すように、光ビームＬＢが基板Ｇにより遮られることから（受光部９０に届かないことから）、この異常事態を検知してコントローラ１１０に通報することができる。なお、基板Ｇの上面に異物が付いているときも、その異物によって光ビームＬＢが遮られるが、それは一時的であり、その異物が通り過ぎれば異常が解除されるので、容易に見分けがつく。
【００５２】
コントローラ１１０は、浮上高監視部８６からそのような基板浮上高に関する異常通報のモニタ信号を受け取った時は、浮上ステージ１０の塗布領域ＭCOTにおいて少なくともスリットノズル１４の直下付近で相当な数の吸引口１８が目詰まりを起こしていると判定する。
【００５３】
そして、コントローラ１１０は、上記のような吸引口１８の目詰まりを判定（検出）した場合は、表示器（図示せず）を通じてアラームを出し、あるいはその履歴をとった上で、程よい時機に、たとえば所要のロット処理が済んだ後に、浮上ステージ吸引口掃除動作を実行制御する。
【００５４】
この浮上ステージ吸引口掃除動作において、コントローラ１１０は、塗布処理に関係する動作（基板浮上動作、基板搬送動作、レジスト供給動作等）をいったん全てオフ状態にしてから、開閉弁７８を開けて第２給気部４８を作動させる。併せて、開閉弁５６を開けて第１給気部４８も作動させる。
【００５５】
第１給気部４４および第２給気部４８は正圧気体供給源５０に対して並列に接続され、それぞれにレギュレータ５８、８０が設けられているので、第１給気部４４により噴出口１６に供給するエアの圧力と第２給気部４８により吸引口１８に供給するエアの圧力とを独立に設定または調整することができる。通常、浮上ステージ吸引口掃除動作においては、第２給気部４８により吸引口１８に供給するエアの圧力を中に詰まった異物を吐き出すのに適した十分高めの値に調整し、第１給気部４４により噴出口１６に供給するエアの圧力を塵が入らない程度に比較的低めの値に調整するのが好ましい。
【００５６】
第２給気部４８が作動することによって、正圧気体供給源５０からのエア（圧縮空気）が上記のように第１給気ライン５４→排気ライン６６→第２マニホールド６４を経由して塗布領域ＭCOT内の各吸引口１８に送り込まれる。
【００５７】
図８に示すように、目詰まりを起こしている吸引口１８においては、第２マニホールド６４側からのエアの圧力により、ガス通路１８ａに挟まっていた異物Ｑが押し出されるようにして上方へ放出される。この時、第１給気部４４も作動しているので、吸引口１８より吐き出された異物Ｑが付近の噴出口１６に入るおそれはない。
【００５８】
一方で、コントローラ１１０は、スリットノズル１４をノズルリフレッシュ部２４よりも高い位置まで上昇させた後に、ノズルリフレッシュ部２４をスリットノズル１４の真下の位置までスライド移動させて、図８に示すように、ノズルリフレッシュ部２４のケーシング９２の下面に取り付けている面状の吸い取りヘッド１０２を浮上ステージ１０の塗布領域ＭCOTの上に覆い被せる。そして、開閉弁１０８を開けて、排気装置１０４を作動させる（図４）。
【００５９】
これにより、吸引口１８より吐き出された異物Ｑは、エアと一緒に速やかに吸い取りヘッド１０２に吸い取られ、排気管１０６を通って排気装置１０４へ送られる。
【００６０】
第２給気部４８によって吸引口１８より吐き出された異物Ｑを捕集するための別の好適な実施例として、図９に示すように、下面に粘着シート１１２を貼り付けたダミー基板１１４を塗布領域ＭCOTの上に覆い被せる方式も可能である。この場合、吸引口１８より吐き出された異物Ｑは、粘着シート１１２に吸着されるので、浮上ステージ１０の上に巻き上がったり再付着するようなことはない。
【００６１】
なお、ダミー基板１１４は、浮上ステージ吸引口掃除動作の開始に先立って、被処理基板Ｇと同様にして浮上ステージ１０の搬入領域ＭINに搬入され、搬送機構１２によって塗布領域ＭCOTまで浮上搬送で移送される。そして、浮上ステージ吸引口掃除動作の終了後に、搬送機構１２によって搬出領域ＭOUTへ移送され、搬出領域ＭOUTから浮上ステージ１０の外へ搬出される。
【００６２】
このように、このレジスト塗布装置においては、浮上ステージ１０の塗布領域ＭCOTに噴出口１６と混在して設けられている吸引口１８が吸引動作を行っている間（主に塗布処理中）に浮上ステージ１０の周囲に漂っている異物を不所望に吸い込んでしまい、それによって吸引口１８の中が異物で詰まることがある。しかし、この実施形態によれば、塗布処理が休止している時、または塗布処理の合間に、吸引排気部４４を停止させて第２給気部４８を作動させることにより、吸引口１８の目詰まりを人手を要することなく自動的かつ効率的に除去することができる。
【００６３】
また、スリットノズル１４の直下付近に設定されたＹ方向に延びる監視ライン上のどこかで基板Ｇの浮上高ＨGが浮上高設定値ＨSを定常的に（基板Ｇが通過している間）超えているときは、浮上高監視部８６によりその異常事態を的確に検出することができる。そして、コントローラ１１０は、浮上高監視部８６からそのような基板浮上高に関する異常通報のモニタ信号を受け取った時は、スリットノズル１４の直下付近で相当な数の吸引口１８が目詰まりを起こしていると判定し、浮上ステージ吸引口掃除動作を実行する最適な時機を見つけることができる。
【００６４】
以上、本発明の好適な実施形態を説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で種種の変形または変更が可能である。
【００６５】
たとえば、図１０に示すように、第２給気部４８の第２給気ライン７６を第１給気ライン５４から分岐させて排気ライン６６へ接続するバイパス方式も可能である。この場合、第１給気ライン５４と第２給気ライン７６とのノードおよび第２給気ライン７６と排気ライン６６とのノードに切換弁たとえば３方弁１１６，１１８をそれぞれ設ける。
【００６６】
また、第２給気ライン７６の途中に圧縮タンク１２０を設けて、正圧気体供給源５０からの正圧気体を圧縮タンク１２０内で圧縮し、開閉弁７８を断続的かつパルス的にオンさせることより、図１１に示すように原圧力Ｐsよりも格段に高い圧力Ｐupのエアを浮上ステージ１０の吸引口１８に断続的かつ衝撃的に供給し、吸引口１８の中に詰まっている異物Ｑを効果的に除去することができる。
【００６７】
なお、図１０の構成例においては、３方弁１１６を第２給気ライン７６に切り換えるときは、正圧気体供給源５０からの正圧気体は浮上ステージ１０の噴出口１６には供給されなくなる。このように、浮上ステージ吸引口掃除動作を実行するときは、第１給気部４４を完全停止させておくことも可能である。もっとも、３方弁１１６を省いて、第２給気部４８と同時に第１給気部４４も作動させることにより、浮上ステージ吸引口掃除動作中に吸引口１８と一緒に噴出口１６にもエアを供給することはもちろん可能である。
【００６８】
図示省略するが、第２給気部４８に、工場用力の正圧気体供給源５０とは異なる独立した正圧気体供給源を用いることも可能である。さらには、吸引排気部４６のファン７０を逆回転可能に構成して、第２給気部７６用の正圧気体供給源に用いることも可能である。その場合は、排気ライン６６をそのまま第２給気ライン７６として用いることができる。
【００６９】
また、第２給気部４８により浮上ステージ１０の吸引口１８に与える清掃用の圧力を一段ないし数段高めるために、図１２Ａおよび図１２Ｂに示すように、浮上ステージ１０の塗布領域ＭCOTに設けられる全ての吸引口１８を複数の組に分割し、組単位で開閉弁１２２(1), １２２(2), １２２(3), １２２(4)・・を介して第２給気ライン７６に接続する構成を好適に採ることができる。
【００７０】
第２給気部４８を作動させるときは、つまり浮上ステージ吸引口掃除動作を実行するときは、コントローラ１１０により組単位で時分割的に開閉弁１２２(1), １２２(2), １２２(3), １２２(4)・・・をオンにして、各吸引口１８に集中的に高い圧力のエアを供給する。
【００７１】
なお、浮上ステージ１０の塗布領域ＭCOTにおいて噴出口１６と吸引口１８とを混在させて配置するパターンは任意であり、図示の配列パターンに限定されるものではない。
【００７２】
また、浮上高監視部８６の機能から独立して、上記のような浮上ステージ吸引口掃除動作を定期的に実施することも可能である。
【００７３】
本発明における処理液としては、レジスト液以外にも、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の塗布液も可能であり、各種薬液、現像液やリンス液等も可能である。本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限らず、他のフラットパネルディスプレイ用基板、半導体ウエハ、ＣＤ基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。
【符号の説明】
【００７４】
１０ 浮上ステージ
１２ 搬送機構
１４ スリットノズル
１６ 噴出口
１８ 吸引口
４０ レジスト供給機構
４４ 第１給気部
４６ 吸引排気部
４８ 第２給気部
１１０ コントローラ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数の噴出口と多数の吸引口とが混在して設けられた第１の浮上領域を有する浮上ステージと、
前記噴出口より噴き出す気体の圧力によって被処理基板を浮上させるために、前記噴出口に正圧の気体を供給する第１の給気部と、
前記吸引口に気体を吸い込む吸引力によって前記基板の浮上高を制御するために、前記吸引口に負圧を与える吸引排気部と、
前記浮上ステージ上で空中に浮く前記基板を保持して前記第１の浮上領域を通過するように搬送する搬送機構と、
前記第１の浮上領域の上方に配置されるノズルを有し、前記第１の浮上領域を通過する前記基板上に前記ノズルより処理液を供給する処理液供給部と、
前記吸引口の中を掃除するために、前記吸引口に正圧の気体を供給する第２の給気部と
を有する塗布装置。
【請求項２】
前記第２の給気部を作動させている間、前記第１の浮上領域の一部または全部を上から覆って、前記吸引口より噴き出す気体の中に混じっている異物を吸い取る面状の吸い取り部を有する、請求項１に記載の塗布装置。
【請求項３】
前記第２の給気部を作動させている間、前記第１の浮上領域の一部または全部を上から覆って、前記吸引口より噴き出す気体の中に混じっている異物を吸着する面状の吸着部を有する、請求項１に記載の塗布装置。
【請求項４】
前記面状吸着部は、前記浮上ステージ上で前記基板と同様に前記基板搬送部により搬送可能であり、前記第２の給気部の作動が開始される前または開始された直後に前記第１の浮上領域の上に持ち込まれ、前記第２の給気部の作動が終了した後に前記第１の浮上領域の上から持ち去られる、請求項３に記載の塗布装置。
【請求項５】
前記第１の浮上領域における前記基板の浮上高を浮上高設定値に一致させるように、前記第１の給気部より前記噴出口に供給する気体の圧力および前記排気部より前記吸引口に与える真空の圧力の少なくとも一方を制御する浮上高制御部と、
前記ノズルの直下またはその付近で、前記基板の搬送方向と直交する水平方向に前記浮上高設定値に応じた所定の高さで前記浮上ステージの上を横断可能に投光される光ビームを用いて、前記基板の浮上高を光学的に監視する浮上高監視部と、
前記光ビームの横断伝搬路上のどこかで前記基板の浮上高が定常的に許容値を超えていることが前記浮上高監視部により検出されたときに、前記ノズルの直下またはその付近で一部の前記吸引口が詰まっていると判定する吸引口目詰まり検出部と
を有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項６】
前記吸引口の中を掃除する時は、前記第２の給気部を作動させて前記吸引口より気体を噴き出させると同時に、前記第１の給気部も作動させて前記噴出口より気体を噴き出させる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項７】
前記吸引口の中を掃除する時は、前記第１の正圧気体供給部を停止または休止させた状態で、前記第２の給気部を作動させて前記吸引口より気体を噴き出させる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項８】
前記第２の給気部は、前記第１の給気部と共通の正圧気体供給源を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項９】
前記第１の給気部が、前記正圧気体供給源から前記噴出口まで延びる第１の給気ラインを有し、
前記排気部が、負圧発生源と、前記負圧発生源から前記吸引口まで延びる排気ラインとを有し、
前記第２の給気部が、前記給気ライン上の第１のノードから前記排気ライン上の第２のノードまで延びる第２の給気ラインを有する、
請求項８に記載の塗布装置。
【請求項１０】
前記第１および第２のノードの少なくとも一方に切換弁を設ける、請求項９に記載の塗布装置。
【請求項１１】
前記第２の給気部が、前記正圧気体供給源から前記排気ライン上の所定のノードまで延びる第２の給気ラインを有する、請求項８に記載の塗布装置。
【請求項１２】
前記ノードに切換弁を設ける、請求項１１に記載の塗布装置。
【請求項１３】
前記第２の給気ライン上に開閉弁を設ける、請求項９または請求項１１に記載の塗布装置。
【請求項１４】
前記第２の給気ライン上で前記正圧気体供給源からの正圧気体を圧縮するための圧縮タンクを有し、前記圧縮タンクにより圧縮された正圧気体を断続的かつ衝撃的に前記吸引口に供給する、請求項１３に記載の塗布装置。
【請求項１５】
前記第２の給気部は、前記第１の給気部が用いる正圧気体供給源とは別個の正圧気体供給源を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項１６】
前記第１の浮上領域に設けられる前記吸引口を複数の組に分割し、前記第２の給気部を作動させるときは、組単位で時分割的に切り換えて前記吸引口の中を掃除する、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項１７】
前記浮上ステージが、基板搬送方向において前記第１の浮上領域の上流側に前記基板を浮かせるための多数の噴出口を設けた第２の浮上領域を有する、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項１８】
前記第２の浮上領域内に、前記基板を搬入するための搬入部が設けられる、請求項１７に記載の塗布装置。
【請求項１９】
前記浮上ステージが、基板搬送方向において前記第１の浮上領域の下流側に前記基板を浮かせるための多数の噴出口を設けた第３の浮上領域を有する、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項２０】
前記第３の浮上領域内に、前記基板を搬出するための搬出部が設けられる、請求項１９に記載の塗布装置。
【請求項１】
多数の噴出口と多数の吸引口とが混在して設けられた第１の浮上領域を有する浮上ステージと、
前記噴出口より噴き出す気体の圧力によって被処理基板を浮上させるために、前記噴出口に正圧の気体を供給する第１の給気部と、
前記吸引口に気体を吸い込む吸引力によって前記基板の浮上高を制御するために、前記吸引口に負圧を与える吸引排気部と、
前記浮上ステージ上で空中に浮く前記基板を保持して前記第１の浮上領域を通過するように搬送する搬送機構と、
前記第１の浮上領域の上方に配置されるノズルを有し、前記第１の浮上領域を通過する前記基板上に前記ノズルより処理液を供給する処理液供給部と、
前記吸引口の中を掃除するために、前記吸引口に正圧の気体を供給する第２の給気部と
を有する塗布装置。
【請求項２】
前記第２の給気部を作動させている間、前記第１の浮上領域の一部または全部を上から覆って、前記吸引口より噴き出す気体の中に混じっている異物を吸い取る面状の吸い取り部を有する、請求項１に記載の塗布装置。
【請求項３】
前記第２の給気部を作動させている間、前記第１の浮上領域の一部または全部を上から覆って、前記吸引口より噴き出す気体の中に混じっている異物を吸着する面状の吸着部を有する、請求項１に記載の塗布装置。
【請求項４】
前記面状吸着部は、前記浮上ステージ上で前記基板と同様に前記基板搬送部により搬送可能であり、前記第２の給気部の作動が開始される前または開始された直後に前記第１の浮上領域の上に持ち込まれ、前記第２の給気部の作動が終了した後に前記第１の浮上領域の上から持ち去られる、請求項３に記載の塗布装置。
【請求項５】
前記第１の浮上領域における前記基板の浮上高を浮上高設定値に一致させるように、前記第１の給気部より前記噴出口に供給する気体の圧力および前記排気部より前記吸引口に与える真空の圧力の少なくとも一方を制御する浮上高制御部と、
前記ノズルの直下またはその付近で、前記基板の搬送方向と直交する水平方向に前記浮上高設定値に応じた所定の高さで前記浮上ステージの上を横断可能に投光される光ビームを用いて、前記基板の浮上高を光学的に監視する浮上高監視部と、
前記光ビームの横断伝搬路上のどこかで前記基板の浮上高が定常的に許容値を超えていることが前記浮上高監視部により検出されたときに、前記ノズルの直下またはその付近で一部の前記吸引口が詰まっていると判定する吸引口目詰まり検出部と
を有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項６】
前記吸引口の中を掃除する時は、前記第２の給気部を作動させて前記吸引口より気体を噴き出させると同時に、前記第１の給気部も作動させて前記噴出口より気体を噴き出させる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項７】
前記吸引口の中を掃除する時は、前記第１の正圧気体供給部を停止または休止させた状態で、前記第２の給気部を作動させて前記吸引口より気体を噴き出させる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項８】
前記第２の給気部は、前記第１の給気部と共通の正圧気体供給源を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項９】
前記第１の給気部が、前記正圧気体供給源から前記噴出口まで延びる第１の給気ラインを有し、
前記排気部が、負圧発生源と、前記負圧発生源から前記吸引口まで延びる排気ラインとを有し、
前記第２の給気部が、前記給気ライン上の第１のノードから前記排気ライン上の第２のノードまで延びる第２の給気ラインを有する、
請求項８に記載の塗布装置。
【請求項１０】
前記第１および第２のノードの少なくとも一方に切換弁を設ける、請求項９に記載の塗布装置。
【請求項１１】
前記第２の給気部が、前記正圧気体供給源から前記排気ライン上の所定のノードまで延びる第２の給気ラインを有する、請求項８に記載の塗布装置。
【請求項１２】
前記ノードに切換弁を設ける、請求項１１に記載の塗布装置。
【請求項１３】
前記第２の給気ライン上に開閉弁を設ける、請求項９または請求項１１に記載の塗布装置。
【請求項１４】
前記第２の給気ライン上で前記正圧気体供給源からの正圧気体を圧縮するための圧縮タンクを有し、前記圧縮タンクにより圧縮された正圧気体を断続的かつ衝撃的に前記吸引口に供給する、請求項１３に記載の塗布装置。
【請求項１５】
前記第２の給気部は、前記第１の給気部が用いる正圧気体供給源とは別個の正圧気体供給源を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項１６】
前記第１の浮上領域に設けられる前記吸引口を複数の組に分割し、前記第２の給気部を作動させるときは、組単位で時分割的に切り換えて前記吸引口の中を掃除する、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項１７】
前記浮上ステージが、基板搬送方向において前記第１の浮上領域の上流側に前記基板を浮かせるための多数の噴出口を設けた第２の浮上領域を有する、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項１８】
前記第２の浮上領域内に、前記基板を搬入するための搬入部が設けられる、請求項１７に記載の塗布装置。
【請求項１９】
前記浮上ステージが、基板搬送方向において前記第１の浮上領域の下流側に前記基板を浮かせるための多数の噴出口を設けた第３の浮上領域を有する、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項２０】
前記第３の浮上領域内に、前記基板を搬出するための搬出部が設けられる、請求項１９に記載の塗布装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２Ａ】
【図１２Ｂ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２Ａ】
【図１２Ｂ】
【公開番号】特開２０１１−１７６０８６（Ｐ２０１１−１７６０８６Ａ）
【公開日】平成２３年９月８日（２０１１．９．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−３８４８１（Ｐ２０１０−３８４８１）
【出願日】平成２２年２月２４日（２０１０．２．２４）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年９月８日（２０１１．９．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年２月２４日（２０１０．２．２４）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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