振動片、振動片の製造方法、振動子および発振器
【課題】下部電極と圧電体層との密着性お呼び圧電体層の配向性を向上させ、なお且つ電気機械結合係数が優れた振動片を提供する。
【解決手段】基部と、前記基部から延出する腕部と、前記腕部の主面に配置される圧電素子と、を備え、前記圧電素子は、圧電体層と、前記圧電体層の前記主面側に設けた第１電極層と、前記圧電体層の前記主面の反対側に設けた第２電極層と、を備え、前記第１電極層は、前記主面側に配置される電極層と、前記圧電体層側に配置される窒化層と、が積層され、前記第１電極層の前記窒化層は、前記第１電極層の前記電極層を形成する電極材料の窒化物である振動片。
【解決手段】基部と、前記基部から延出する腕部と、前記腕部の主面に配置される圧電素子と、を備え、前記圧電素子は、圧電体層と、前記圧電体層の前記主面側に設けた第１電極層と、前記圧電体層の前記主面の反対側に設けた第２電極層と、を備え、前記第１電極層は、前記主面側に配置される電極層と、前記圧電体層側に配置される窒化層と、が積層され、前記第１電極層の前記窒化層は、前記第１電極層の前記電極層を形成する電極材料の窒化物である振動片。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、振動片、振動片の製造方法、振動子および発振器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯端末や電子機器に用いられる振動片を利用したタイミングデバイスに対して、より小型で薄型の要求が強くなってきている。この要望に対して、振動片、特に水晶を用いた振動片では、小型化、薄型化を追及することで水晶内部に発生する熱弾性損失などの内部損失の影響が無視できない状況となってきた。この問題に対して、水晶振動片に圧電体層を形成し、内部損失の少ない薄型で小型の水晶振動子が提案されている（特許文献１）。
【０００３】
しかし、特許文献１に開示された技術においては、圧電体層は水晶基板上に形成された下部電極上に成膜される。この下部電極の形成は、フォトリソグラフィー法により行われ、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、そしてレジスト除去といった一連の工程を経て下部電極が形成される。この一連の下部電極形成工程では、下部電極表面、すなわち圧電体層が形成される面にレジスト剤などの有機物や、その他のコンタミが付着し易く、所定の圧電性を有する圧電体層を形成することが困難であった。
【０００４】
そこで、圧電体層を形成する下部電極の表面に酸化膜層を成膜し、その表面に圧電体層を成膜し、圧電体層の極性の方向を揃えて圧電性の向上を図ることが開示されている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−５０２２号公報
【特許文献２】特開２００６−１７４１４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上述の特許文献２のように圧電層の結晶性だけを向上させても、下部電極上に形成される酸化膜層よって電界効果が低減されてしまい、振動子としての特性であるＣＩ値の劣化を招いてしまうという課題があった。
【０００７】
そこで、下部電極と圧電体層との密着性を確保しつつ、配向性に優れた圧電体層を形成すると同時に、電界効果を最大限に圧電体層に印加することができる振動片を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、少なくとも上述の課題の一つを解決するように、下記の形態または適用例として実現され得る。
【０００９】
〔適用例１〕本適用例による振動片は、基部と、前記基部から延出する腕部と、前記腕部の主面に配置される圧電素子と、を備え、前記圧電素子は、圧電体層と、前記圧電体層の前記主面側に設けた第１電極層と、前記圧電体層の前記主面の反対側に設けた第２電極層と、を備え、前記第１電極層は、前記主面側に配置される電極層と、前記圧電体層側に配置される窒化層と、が積層され、前記第１電極層の前記窒化層は、前記第１電極層の前記電極層を形成する電極材料の窒化物であることを特徴とする。
【００１０】
上述の適用例によれば、窒化層上に圧電体層を形成する構成としたことで、配向性の優れた圧電体層を得ることができ、圧電性が優れ、高い電気機械結合係数を持つ圧電体層により、振動特性の優れた振動片を得ることができる。更に、第１電極層（下部電極）表面を窒化処理することで容易に窒化層を形成することができる。
【００１１】
〔適用例２〕上述の適用例において、前記腕部は、前記腕部の前記延出する方向と交差する方向に３以上の奇数個が配列され、隣り合う前記腕部の振動方向が逆であることを特徴とする。
【００１２】
上述の適用例によれば、上下振動モードの腕部であっても、高いＱ値を得ることができ、より小型の振動片を実現することができる。
【００１３】
〔適用例３〕本適用例の振動片の製造方法は、圧電体層と、前記圧電体層の主面側に設けた第１電極層と、前記圧電体層の前記主面の反対側に設けた第２電極層とを備え、前記第１電極層は、前記主面側に配置される電極層と、前記圧電体層側に配置される窒化層と、が積層されている圧電素子を振動部へ配置した振動片の製造方法であって、前記第１電極層の前記電極層を形成する、第１電極層電極層形成工程と、前記第１電極層の前記電極層表面を窒化処理し、前記窒化層を形成する第１電極層窒化処理工程と、前記窒化層上に前記圧電体層を形成する、圧電体層形成工程と、前記圧電体層上に前記第２電極層を形成する、第２電極層形成工程と、を備え、前記第１電極層窒化処理工程と、前記圧電体層形成工程と、が、同一真空中の成膜装置内で行われることを特徴とする。
【００１４】
上述の適用例によれば、圧電体層形成工程が前工程である窒化処理工程と同じ真空中の成膜装置内で行われるため、窒化層表面へのコンタミの付着が防止でき、配向性の優れた圧電体層を得ることができ、圧電性が優れ、高い電気機械結合係数を持つ圧電体層により、振動特性の優れた振動片を得ることができる。
【００１５】
〔適用例４〕上述の振動片と、前記振動片を収納するパッケージと、を有する振動子。
【００１６】
〔適用例５〕上述の振動片と、前記振動片を駆動させる機能を有する回路部と、を有する発振器。
【００１７】
上述の適用例によれば、高い電気機械結合係数を持ち、振動特性の優れた信頼性の高い振動子および発振器を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】第１実施形態に関わる振動片を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ’部の断面を模式的に表わした拡大図。
【図２】第１実施形態に関わる振動片を示し、（ｃ）は図１（ａ）に示すＢ−Ｂ’部の断面を模式的に表わした拡大図、（ｄ）は図１（ａ）に示すＣ−Ｃ’部の断面を模式的に表わした拡大図、（ｅ）は図１（ａ）に示すＤ−Ｄ’部の断面を模式的に表わした拡大図。
【図３】振動片の動作を説明する斜視図。
【図４】第２実施形態に係る振動片の製造フローチャート。
【図５】第２実施形態に係る振動片の製造方法を示す平面図および断面図。
【図６】第２実施形態に係る振動片の製造方法を示す平面図および断面図。
【図７】第２実施形態に係る振動片の製造方法を示す平面図および断面図。
【図８】第２実施形態に係る振動片の製造方法を示す平面図および断面図。
【図９】第１実施形態に係る、その他の実施例を示す断面図。
【図１０】第３実施形態に係る振動子の（ａ）平面図、（ｂ）断面図。
【図１１】第４実施形態に係る発振器の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照して、本発明に係る実施形態を説明する。
【００２０】
（第１実施形態）
図１および図２に本実施形態に係る振動片を示し、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）に示すＡ−Ａ’部の断面図、図２（ｃ）（ｄ）（ｅ）はそれぞれ図１（ａ）におけるＢ−Ｂ’、Ｃ−Ｃ’、Ｄ−Ｄ’部の断面図である。振動片１００は、圧電材料から形成され、基部より３本の腕部が延出した、いわゆる音叉型振動片である。本実施形態では基材に水晶を用いて形成された水晶振動片１００によって説明するが、弾性材料であれば適用可能である。本実施形態に適用される水晶基板にはＺカット板を用いたが、ＡＴカット板、Ｘカット板であっても適用可能である。
【００２１】
図１（ａ）に示すように、水晶振動片１００は、基部１０と、基部１０より同方向に延出する腕部２０、３０、４０を備えている。腕部２０、３０、４０は、図２（ｅ）に示すように、腕部厚みｈが、基部厚みＨに対して薄く形成されている。腕部厚みｈは、振動のし易さの観点から２〜１０μｍの厚みに形成され、基部厚みＨは、水晶振動片１００の強度確保と、後述する振動子とする際のパッケージへの組込み性から５０〜１００μｍに形成される。
【００２２】
腕部２０、３０、４０には、図１（ｂ）に示すように、一方の主面２０ａ、３０ａ、４０ａ上に主面２０ａ、３０ａ、４０ａ側から第１電極層（以下、下部電極層という）としての腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃと、腕部圧電体層７０ａ、７０ｂ、７０ｃと、第２電極層（以下、上部電極層という）としての腕部電極６０ａ、５０ｂ、６０ｃと、が積層され圧電素子を構成している。腕部電極５０ａ、５０ｂ、５０ｃは基部１０に形成された接続電極５０ｄに、腕部電極６０ａ、６０ｂ、６０ｃは接続電極６０ｄに延出されている。また腕部圧電体層７０ａ、７０ｂ、７０ｃは基部１０部分において繋がり圧電体層７０を形成している。
【００２３】
腕部圧電体層７０ａ、７０ｂ、７０ｃと表面側の上部電極層としての腕部電極６０ａ、５０ｂ、６０ｃとの間には絶縁層８０が配置され、絶縁層８０は圧電体層７０の全面を覆っている。この絶縁層８０は、圧電体層７０を経由して下部電極層としての腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃと、上部電極層としての腕部電極６０ａ、５０ｂ、６０ｃと、が電気的に短絡（ショート）しないように、電気的な絶縁をするものである。
【００２４】
腕部電極５０ａ、５０ｂ、５０ｃと接続電極５０ｄとを備える電極５０と、腕部電極６０ａ、６０ｂ、６０ｃと接続電極６０ｄとを備える電極６０について説明する。電極５０は、腕配列の両端、すなわち配列の奇数番目である腕部２０と４０において、腕部電極としては主面２０ａ、４０ａの上面に下部電極層としての腕部電極５０ａ、５０ｃが配置されている。また、中央の腕部３０、すなわち配列の偶数番目である腕部３０においては、腕部電極としては最表面の上部電極層としての腕部電極５０ｂが配置されている。
【００２５】
腕部電極５０ａと５０ｃとは、基部１０において接続電極５０ｅにより接続され、図２（ｄ）に示すように、コンタクト電極５０ｆによって腕部電極５０ｂに接続される。そして、腕部電極５０ｂの延長先に備える接続電極５０ｄへ繋がっている。腕部電極６０ａと６０ｃは図２（ｃ）に示すように、基部１０に配置されたコンタクト電極６０ｆにより腕部電極６０ｂに接続される。そして、接続電極６０ｄへ繋がっている。
【００２６】
このように配線された電極５０と６０に対して、異相の信号電流、いわゆる交番電流を入力すると、腕部２０と４０に設けた腕部圧電体層７０ａと７０ｃには、腕部電極６０ａと５０ａの間、６０ｃと５０ｃの間では同じ方向の電界が生じ、腕部３０には腕部電極５０ｂと６０ｂとの間で、腕部２０、４０とは逆方向の電界を生じさせる圧電体を構成する。
【００２７】
このように、隣り合う腕部の電界方向を逆にすることにより、図３（ａ）に示すように腕部２０と腕部４０が、図表示上方向の矢印Ｐ方向に変位させる電界が加わる時は、腕部３０には、図表示下方向の矢印Ｑ方向に変位させる電界が加わる。交番電流が入力されるので、次に図３（ｂ）に示すように腕部２０と腕部４０には下方向の矢印Ｑ方向、腕部３０には上方向の矢印Ｐ方向に変位させる電界が加わり、これを繰り返し腕部２０、３０、４０は振動する。
【００２８】
腕部の主面２０ａ、３０ａ、４０ａの上面に形成される下部電極層としての腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃの表面には、下部電極層としての腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃとなる電極５０、６０を形成する材料を窒化させた窒化層９０が形成されている。従って、電極５０、６０は窒化されやすい材料を適用することが好ましく、例えばＡｌ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａなどの金属を適用することができる。本実施形態では、Ｔｉ電極により電極５０、６０が形成され、窒化層９０はＴｉＮにより形成される形態により説明する。
【００２９】
窒化層９０は、後述する製造方法の通り、形成された少なくとも腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃの表面を直接、窒化処理を施すことにより形成される。すなわち、例えば腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃをＴｉにより形成した場合、腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃをパターン形成した振動片を封入した真空チャンバー（成膜装置）内に窒素ガスを導入し、電極表面を窒化させた窒化（ＴｉＮ：窒化チタン）層９０を形成する。この時、パターンニングされた腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃの全体に窒化されるため、窒化層９０は腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃの側面も含めた表面全体に形成される。この窒化層９０上に同一真空チャンバー内で腕部圧電体層７０ａ、７０ｂ、７０ｃを形成させることで、腕部圧電体層７０ａ、７０ｂ、７０ｃの密着性と配向性を向上させるのと同時に、窒化チタンは導電性であるため、窒化層９０での電位降下、すなわち有効電界の減少が発生しない。その結果、効率よく水晶振動片１００の腕部２０、３０、４０を振動させることができる。
【００３０】
（第２実施形態）
上述の第１実施形態で説明した水晶振動片１００の製造方法について説明する。図４は本実施形態のフローチャートを示す。
【００３１】
〔下部電極形成工程〕
下部電極形成工程（Ｓ１０１：第１電極層電極層形成工程）では、先ず基部、腕部を備える水晶基板１００ａを準備する。準備した水晶基板１００ａを洗浄、乾燥した後、電極となる金属をスパッタリングより、電極形成面となる水晶基板１００ａの一方の主面１００ｂの全面に図５（ａ）に示すように金属膜２００を成膜する。電極金属としては、例えばＴｉ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａなどの窒化されやすい金属が好適であるが、本実施形態ではＴｉを用いる。
【００３２】
次に、図５（ｂ）に示すように、図１（ａ）に示す下部電極層としての腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃの形状のマスク３００をフォトリソグラフィー法などによりパターンニングし、図６（ｃ）に示すように下部電極層としての腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃを形成する。
【００３３】
〔下部電極窒化工程〕
次に、下部電極窒化工程（Ｓ１０２：第１電極層窒化処理工程）に移行する。下部電極層となる金属膜２００のパターンニングが終了した水晶振動片１００のマスク３００を剥離し、腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃの表面を洗浄する（図６（ｃ））。洗浄後の水晶基板１００ａを、図示しないスパッタリング装置の真空チャンバー内に封入し、先ず逆スパッタなどによって、下部電極層としての腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃの表面に僅かに付着した異物などを除去、クリーニングする。次に、チャンバー内に窒素（Ｎ2）ガスを１０〜１００ｓｃｃｍの流量で導入し、下部電極層としての腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃの表面を窒化させ図６（ｃ）に示すように下部電極層としての腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃ表面を窒化させた窒化層（ＴｉＮ層）９０を形成する。この時、１００℃以上に加熱することで、より窒化を促進させることができる。このようにして、腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃの表面および側面に腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃの電極材料を含む窒化層９０を形成することができる。
【００３４】
下部電極層としての腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃ表面の窒化層９０は、ＴｉＮを３ｎｍ以上形成されることが好ましく、後述する圧電体層形成工程において、配向性の良い圧電体層を形成することができる。
【００３５】
〔圧電体層形成工程〕
次に圧電体層形成工程（Ｓ１０３）に移行する。圧電体層形成工程（Ｓ１０３）は、下部電極窒化工程（Ｓ１０２）に連続して、同じ装置チャンバーに封入して行われる。本実施形態では圧電体としてＡｌＮを５００〜１０００ｎｍの厚みに反応性スパッタリング法により成膜し、図６（ｄ）に示すように圧電体層４００を形成した。圧電体層４００としてはＡｌＮの他に例えば、ＺｎＯ、ＰＺＴ、ＬｉＮｂＯ3、ＫＮｂＯ3なども好適に用いることができる。
【００３６】
次にフォトリソグラフィー法によるパターンニングと、エッチングにより図７（ｅ）に示す圧電体層７０に形成する。なお、圧電体層４００としてＡｌＮを用いた場合、エッチングは１〜２５％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて行うことができる。この時、後述の上部電極層としての腕部電極６０ａ、５０ｂ、６０ｃと、下部電極層としての腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃとを、電気的に接続するための配線をするコンタクトホール４００ａを形成する。但し、コンタクトホール４００ａを形成する前に、絶縁性確保を目的とした絶縁層８０を成膜しても良い。絶縁層としてはＳｉＯ2が簡便に用いられるが、誘電率が高いシリコン窒化膜（ＳｉＮX）やアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）がより好ましい。
【００３７】
絶縁層８０は、図１（ｂ）に示す基板の主面側の下部電極層としての腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃと、腕部圧電体層７０ａ、７０ｂ、７０ｃを挟んで配置される上部電極層としての腕部電極６０ａ、５０ｂ、６０ｃとの電気的な短絡を防止するとともに、圧電体層７０のエッチングダメージに対する保護層としても機能する。従って、電気的な短絡防止の目的から絶縁層８０の厚みは５０ｎｍ以上であることが好ましく、また圧電体層４００に印加される電界を最大に利用する点から、絶縁層８０は５００ｎｍ以下の厚みであることが好ましい。
【００３８】
下部電極窒化工程（Ｓ１０２）によって得られた、窒化層９０を有する下部電極層としての腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃ上に、上記のように形成された圧電体層７０は、配向性に優れた圧電体として形成することができるため、振動効率の高い振動片を得ることができる。
【００３９】
〔上部電極形成工程〕
次に上部電極形成工程（Ｓ１０４：第２電極層形成工程）に移行する。絶縁層８０を含む圧電体層７０上に、上部電極となる金属層をスパッタリング法により図７（ｆ）に示すように全面に成膜し、金属層５００を形成する。金属層５００は、上述の下部電極形成工程（Ｓ１０１）において形成した下部電極層としての腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃと同じ金属であっても、異なる金属であっても良い。また、単一金属膜でも２種以上の金属による複合金属膜でも良い。用いられる金属としては、例えばＡｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒなどである。
【００４０】
次に金属層５００をフォトリソグラフィー法によるパターンニングとエッチングにより、図８（ｇ）に示すように、上部電極層としての腕部電極６０ａ、５０ｂ、６０ｃを形成し、水晶振動片１００を得ることができる。
【００４１】
このようにして得られた水晶振動片１００は、窒化層９０上に圧電体層７０を同一処理チャンバー内で窒化層９０の形成に連続して行われるため、窒化層９０の表面のコンタミ付着が防止できることで密着性などの信頼性の高い圧電体層７０を得ることができる。更に、窒化層９０上に形成されるＡｌＮなどの圧電体層７０は、配向性の優れた柱状結晶となり、圧電性に優れ、振動特性の良好な振動片を得ることができる。
【００４２】
また、本発明は下部電極層と圧電体層の境界構造に関するもので、下部電極や圧電体膜の積層構造に依るものではなく、例えば、図９に示すように、水晶振動片１００の裏面にも腕部圧電体層７０ａと絶縁層８０ａとを備える、両面に圧電体層と絶縁層とが形成された積層構造であっても良い。
【００４３】
（第３実施形態）
第３実施形態として、上述の第１実施形態の水晶振動片１００を用いた振動子を説明する。図１０（ａ）は、蓋体を除いて内部を露出させた状態での振動子１０００の平面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）におけるＥ−Ｅ’線の断面を示す断面図である。水晶振動片１００は、第１基板１１０１、第２基板１１０２、第３基板１１０３を積層し形成したパッケージ１１００の内部の第２基板１１０２上面に水晶振動片１００の基部１０を接着剤１６００により接着し、水晶振動片１００をパッケージ１１００に固定する。また、第２基板１１０２上に備えた電極部１４００と、水晶振動片１００の基部１０の接続電極５０ｅ、６０ｅとをワイヤー１５００により電気的に接続する、いわゆるワイヤーボンディングされる。電極部１４００は図示しないパッケージ１１００内の経路を経て、パッケージ外部に形成された実装端子１４０１と繋がっている。
【００４４】
水晶振動片１００が固定されたパッケージ１１００の開口の端部に蓋体１２００が封止剤１３００によって、減圧チャンバー内でパッケージ１１００に固定され、振動子１０００の内部が減圧状態に保たれる。こうして得られた振動子１０００は、実装端子１４０１を介して図示しない発振回路からの交番電流により水晶振動片１００を屈曲振動させる。
【００４５】
第１実施形態の水晶振動片１００を振動子１０００に用いたことにより、高い電気機械結合係数を持ち、特性の優れた信頼性の高い振動子を得ることができる。
【００４６】
（第４実施形態）
第４実施形態として、上述の第１実施形態による水晶振動片１００を用いた発振器について説明する。図１１は、第４実施形態の発振器２０００を示す断面図である。本実施形態は、第３実施形態の振動子１０００に対して、水晶振動片１００を駆動させる駆動回路を含むＩＣチップを備えた点で、第３実施形態と異なるため、第３実施形態と同様の構成の説明は省略し、同じ構成には同一の符号を付与する。
【００４７】
図１１に示すように、発振器２０００はパッケージ１１００の内部に水晶振動片１００が第２基板１１０２上に固定され、ワイヤー１５００により、水晶振動片１００の接続電極５０ｅ、６０ｅと電極部１４００が電気的に接続されている。さらに、第１基板１１０１にはＩＣチップ１７００が接着剤などにより固定され、ＩＣチップ１７００の上面に形成されたＩＣ接続パッド１７０１と第１基板１１０１上に形成された内部接続端子１４０２とを金属ワイヤー１８００で電気的に接続している。
【００４８】
第１実施形態の水晶振動片１００を発振器に用いたことにより、高い電気機械結合係数を持ち、特性の優れた信頼性の高い発振器を得ることができる。
【符号の説明】
【００４９】
１０…基部、２０，３０，４０…腕部、５０，６０…電極、７０…圧電体層、８０…絶縁層、９０…窒化層、１００…水晶振動片。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、振動片、振動片の製造方法、振動子および発振器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯端末や電子機器に用いられる振動片を利用したタイミングデバイスに対して、より小型で薄型の要求が強くなってきている。この要望に対して、振動片、特に水晶を用いた振動片では、小型化、薄型化を追及することで水晶内部に発生する熱弾性損失などの内部損失の影響が無視できない状況となってきた。この問題に対して、水晶振動片に圧電体層を形成し、内部損失の少ない薄型で小型の水晶振動子が提案されている（特許文献１）。
【０００３】
しかし、特許文献１に開示された技術においては、圧電体層は水晶基板上に形成された下部電極上に成膜される。この下部電極の形成は、フォトリソグラフィー法により行われ、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、そしてレジスト除去といった一連の工程を経て下部電極が形成される。この一連の下部電極形成工程では、下部電極表面、すなわち圧電体層が形成される面にレジスト剤などの有機物や、その他のコンタミが付着し易く、所定の圧電性を有する圧電体層を形成することが困難であった。
【０００４】
そこで、圧電体層を形成する下部電極の表面に酸化膜層を成膜し、その表面に圧電体層を成膜し、圧電体層の極性の方向を揃えて圧電性の向上を図ることが開示されている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−５０２２号公報
【特許文献２】特開２００６−１７４１４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上述の特許文献２のように圧電層の結晶性だけを向上させても、下部電極上に形成される酸化膜層よって電界効果が低減されてしまい、振動子としての特性であるＣＩ値の劣化を招いてしまうという課題があった。
【０００７】
そこで、下部電極と圧電体層との密着性を確保しつつ、配向性に優れた圧電体層を形成すると同時に、電界効果を最大限に圧電体層に印加することができる振動片を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、少なくとも上述の課題の一つを解決するように、下記の形態または適用例として実現され得る。
【０００９】
〔適用例１〕本適用例による振動片は、基部と、前記基部から延出する腕部と、前記腕部の主面に配置される圧電素子と、を備え、前記圧電素子は、圧電体層と、前記圧電体層の前記主面側に設けた第１電極層と、前記圧電体層の前記主面の反対側に設けた第２電極層と、を備え、前記第１電極層は、前記主面側に配置される電極層と、前記圧電体層側に配置される窒化層と、が積層され、前記第１電極層の前記窒化層は、前記第１電極層の前記電極層を形成する電極材料の窒化物であることを特徴とする。
【００１０】
上述の適用例によれば、窒化層上に圧電体層を形成する構成としたことで、配向性の優れた圧電体層を得ることができ、圧電性が優れ、高い電気機械結合係数を持つ圧電体層により、振動特性の優れた振動片を得ることができる。更に、第１電極層（下部電極）表面を窒化処理することで容易に窒化層を形成することができる。
【００１１】
〔適用例２〕上述の適用例において、前記腕部は、前記腕部の前記延出する方向と交差する方向に３以上の奇数個が配列され、隣り合う前記腕部の振動方向が逆であることを特徴とする。
【００１２】
上述の適用例によれば、上下振動モードの腕部であっても、高いＱ値を得ることができ、より小型の振動片を実現することができる。
【００１３】
〔適用例３〕本適用例の振動片の製造方法は、圧電体層と、前記圧電体層の主面側に設けた第１電極層と、前記圧電体層の前記主面の反対側に設けた第２電極層とを備え、前記第１電極層は、前記主面側に配置される電極層と、前記圧電体層側に配置される窒化層と、が積層されている圧電素子を振動部へ配置した振動片の製造方法であって、前記第１電極層の前記電極層を形成する、第１電極層電極層形成工程と、前記第１電極層の前記電極層表面を窒化処理し、前記窒化層を形成する第１電極層窒化処理工程と、前記窒化層上に前記圧電体層を形成する、圧電体層形成工程と、前記圧電体層上に前記第２電極層を形成する、第２電極層形成工程と、を備え、前記第１電極層窒化処理工程と、前記圧電体層形成工程と、が、同一真空中の成膜装置内で行われることを特徴とする。
【００１４】
上述の適用例によれば、圧電体層形成工程が前工程である窒化処理工程と同じ真空中の成膜装置内で行われるため、窒化層表面へのコンタミの付着が防止でき、配向性の優れた圧電体層を得ることができ、圧電性が優れ、高い電気機械結合係数を持つ圧電体層により、振動特性の優れた振動片を得ることができる。
【００１５】
〔適用例４〕上述の振動片と、前記振動片を収納するパッケージと、を有する振動子。
【００１６】
〔適用例５〕上述の振動片と、前記振動片を駆動させる機能を有する回路部と、を有する発振器。
【００１７】
上述の適用例によれば、高い電気機械結合係数を持ち、振動特性の優れた信頼性の高い振動子および発振器を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】第１実施形態に関わる振動片を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ’部の断面を模式的に表わした拡大図。
【図２】第１実施形態に関わる振動片を示し、（ｃ）は図１（ａ）に示すＢ−Ｂ’部の断面を模式的に表わした拡大図、（ｄ）は図１（ａ）に示すＣ−Ｃ’部の断面を模式的に表わした拡大図、（ｅ）は図１（ａ）に示すＤ−Ｄ’部の断面を模式的に表わした拡大図。
【図３】振動片の動作を説明する斜視図。
【図４】第２実施形態に係る振動片の製造フローチャート。
【図５】第２実施形態に係る振動片の製造方法を示す平面図および断面図。
【図６】第２実施形態に係る振動片の製造方法を示す平面図および断面図。
【図７】第２実施形態に係る振動片の製造方法を示す平面図および断面図。
【図８】第２実施形態に係る振動片の製造方法を示す平面図および断面図。
【図９】第１実施形態に係る、その他の実施例を示す断面図。
【図１０】第３実施形態に係る振動子の（ａ）平面図、（ｂ）断面図。
【図１１】第４実施形態に係る発振器の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照して、本発明に係る実施形態を説明する。
【００２０】
（第１実施形態）
図１および図２に本実施形態に係る振動片を示し、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）に示すＡ−Ａ’部の断面図、図２（ｃ）（ｄ）（ｅ）はそれぞれ図１（ａ）におけるＢ−Ｂ’、Ｃ−Ｃ’、Ｄ−Ｄ’部の断面図である。振動片１００は、圧電材料から形成され、基部より３本の腕部が延出した、いわゆる音叉型振動片である。本実施形態では基材に水晶を用いて形成された水晶振動片１００によって説明するが、弾性材料であれば適用可能である。本実施形態に適用される水晶基板にはＺカット板を用いたが、ＡＴカット板、Ｘカット板であっても適用可能である。
【００２１】
図１（ａ）に示すように、水晶振動片１００は、基部１０と、基部１０より同方向に延出する腕部２０、３０、４０を備えている。腕部２０、３０、４０は、図２（ｅ）に示すように、腕部厚みｈが、基部厚みＨに対して薄く形成されている。腕部厚みｈは、振動のし易さの観点から２〜１０μｍの厚みに形成され、基部厚みＨは、水晶振動片１００の強度確保と、後述する振動子とする際のパッケージへの組込み性から５０〜１００μｍに形成される。
【００２２】
腕部２０、３０、４０には、図１（ｂ）に示すように、一方の主面２０ａ、３０ａ、４０ａ上に主面２０ａ、３０ａ、４０ａ側から第１電極層（以下、下部電極層という）としての腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃと、腕部圧電体層７０ａ、７０ｂ、７０ｃと、第２電極層（以下、上部電極層という）としての腕部電極６０ａ、５０ｂ、６０ｃと、が積層され圧電素子を構成している。腕部電極５０ａ、５０ｂ、５０ｃは基部１０に形成された接続電極５０ｄに、腕部電極６０ａ、６０ｂ、６０ｃは接続電極６０ｄに延出されている。また腕部圧電体層７０ａ、７０ｂ、７０ｃは基部１０部分において繋がり圧電体層７０を形成している。
【００２３】
腕部圧電体層７０ａ、７０ｂ、７０ｃと表面側の上部電極層としての腕部電極６０ａ、５０ｂ、６０ｃとの間には絶縁層８０が配置され、絶縁層８０は圧電体層７０の全面を覆っている。この絶縁層８０は、圧電体層７０を経由して下部電極層としての腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃと、上部電極層としての腕部電極６０ａ、５０ｂ、６０ｃと、が電気的に短絡（ショート）しないように、電気的な絶縁をするものである。
【００２４】
腕部電極５０ａ、５０ｂ、５０ｃと接続電極５０ｄとを備える電極５０と、腕部電極６０ａ、６０ｂ、６０ｃと接続電極６０ｄとを備える電極６０について説明する。電極５０は、腕配列の両端、すなわち配列の奇数番目である腕部２０と４０において、腕部電極としては主面２０ａ、４０ａの上面に下部電極層としての腕部電極５０ａ、５０ｃが配置されている。また、中央の腕部３０、すなわち配列の偶数番目である腕部３０においては、腕部電極としては最表面の上部電極層としての腕部電極５０ｂが配置されている。
【００２５】
腕部電極５０ａと５０ｃとは、基部１０において接続電極５０ｅにより接続され、図２（ｄ）に示すように、コンタクト電極５０ｆによって腕部電極５０ｂに接続される。そして、腕部電極５０ｂの延長先に備える接続電極５０ｄへ繋がっている。腕部電極６０ａと６０ｃは図２（ｃ）に示すように、基部１０に配置されたコンタクト電極６０ｆにより腕部電極６０ｂに接続される。そして、接続電極６０ｄへ繋がっている。
【００２６】
このように配線された電極５０と６０に対して、異相の信号電流、いわゆる交番電流を入力すると、腕部２０と４０に設けた腕部圧電体層７０ａと７０ｃには、腕部電極６０ａと５０ａの間、６０ｃと５０ｃの間では同じ方向の電界が生じ、腕部３０には腕部電極５０ｂと６０ｂとの間で、腕部２０、４０とは逆方向の電界を生じさせる圧電体を構成する。
【００２７】
このように、隣り合う腕部の電界方向を逆にすることにより、図３（ａ）に示すように腕部２０と腕部４０が、図表示上方向の矢印Ｐ方向に変位させる電界が加わる時は、腕部３０には、図表示下方向の矢印Ｑ方向に変位させる電界が加わる。交番電流が入力されるので、次に図３（ｂ）に示すように腕部２０と腕部４０には下方向の矢印Ｑ方向、腕部３０には上方向の矢印Ｐ方向に変位させる電界が加わり、これを繰り返し腕部２０、３０、４０は振動する。
【００２８】
腕部の主面２０ａ、３０ａ、４０ａの上面に形成される下部電極層としての腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃの表面には、下部電極層としての腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃとなる電極５０、６０を形成する材料を窒化させた窒化層９０が形成されている。従って、電極５０、６０は窒化されやすい材料を適用することが好ましく、例えばＡｌ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａなどの金属を適用することができる。本実施形態では、Ｔｉ電極により電極５０、６０が形成され、窒化層９０はＴｉＮにより形成される形態により説明する。
【００２９】
窒化層９０は、後述する製造方法の通り、形成された少なくとも腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃの表面を直接、窒化処理を施すことにより形成される。すなわち、例えば腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃをＴｉにより形成した場合、腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃをパターン形成した振動片を封入した真空チャンバー（成膜装置）内に窒素ガスを導入し、電極表面を窒化させた窒化（ＴｉＮ：窒化チタン）層９０を形成する。この時、パターンニングされた腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃの全体に窒化されるため、窒化層９０は腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃの側面も含めた表面全体に形成される。この窒化層９０上に同一真空チャンバー内で腕部圧電体層７０ａ、７０ｂ、７０ｃを形成させることで、腕部圧電体層７０ａ、７０ｂ、７０ｃの密着性と配向性を向上させるのと同時に、窒化チタンは導電性であるため、窒化層９０での電位降下、すなわち有効電界の減少が発生しない。その結果、効率よく水晶振動片１００の腕部２０、３０、４０を振動させることができる。
【００３０】
（第２実施形態）
上述の第１実施形態で説明した水晶振動片１００の製造方法について説明する。図４は本実施形態のフローチャートを示す。
【００３１】
〔下部電極形成工程〕
下部電極形成工程（Ｓ１０１：第１電極層電極層形成工程）では、先ず基部、腕部を備える水晶基板１００ａを準備する。準備した水晶基板１００ａを洗浄、乾燥した後、電極となる金属をスパッタリングより、電極形成面となる水晶基板１００ａの一方の主面１００ｂの全面に図５（ａ）に示すように金属膜２００を成膜する。電極金属としては、例えばＴｉ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａなどの窒化されやすい金属が好適であるが、本実施形態ではＴｉを用いる。
【００３２】
次に、図５（ｂ）に示すように、図１（ａ）に示す下部電極層としての腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃの形状のマスク３００をフォトリソグラフィー法などによりパターンニングし、図６（ｃ）に示すように下部電極層としての腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃを形成する。
【００３３】
〔下部電極窒化工程〕
次に、下部電極窒化工程（Ｓ１０２：第１電極層窒化処理工程）に移行する。下部電極層となる金属膜２００のパターンニングが終了した水晶振動片１００のマスク３００を剥離し、腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃの表面を洗浄する（図６（ｃ））。洗浄後の水晶基板１００ａを、図示しないスパッタリング装置の真空チャンバー内に封入し、先ず逆スパッタなどによって、下部電極層としての腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃの表面に僅かに付着した異物などを除去、クリーニングする。次に、チャンバー内に窒素（Ｎ2）ガスを１０〜１００ｓｃｃｍの流量で導入し、下部電極層としての腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃの表面を窒化させ図６（ｃ）に示すように下部電極層としての腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃ表面を窒化させた窒化層（ＴｉＮ層）９０を形成する。この時、１００℃以上に加熱することで、より窒化を促進させることができる。このようにして、腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃの表面および側面に腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃの電極材料を含む窒化層９０を形成することができる。
【００３４】
下部電極層としての腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃ表面の窒化層９０は、ＴｉＮを３ｎｍ以上形成されることが好ましく、後述する圧電体層形成工程において、配向性の良い圧電体層を形成することができる。
【００３５】
〔圧電体層形成工程〕
次に圧電体層形成工程（Ｓ１０３）に移行する。圧電体層形成工程（Ｓ１０３）は、下部電極窒化工程（Ｓ１０２）に連続して、同じ装置チャンバーに封入して行われる。本実施形態では圧電体としてＡｌＮを５００〜１０００ｎｍの厚みに反応性スパッタリング法により成膜し、図６（ｄ）に示すように圧電体層４００を形成した。圧電体層４００としてはＡｌＮの他に例えば、ＺｎＯ、ＰＺＴ、ＬｉＮｂＯ3、ＫＮｂＯ3なども好適に用いることができる。
【００３６】
次にフォトリソグラフィー法によるパターンニングと、エッチングにより図７（ｅ）に示す圧電体層７０に形成する。なお、圧電体層４００としてＡｌＮを用いた場合、エッチングは１〜２５％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて行うことができる。この時、後述の上部電極層としての腕部電極６０ａ、５０ｂ、６０ｃと、下部電極層としての腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃとを、電気的に接続するための配線をするコンタクトホール４００ａを形成する。但し、コンタクトホール４００ａを形成する前に、絶縁性確保を目的とした絶縁層８０を成膜しても良い。絶縁層としてはＳｉＯ2が簡便に用いられるが、誘電率が高いシリコン窒化膜（ＳｉＮX）やアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）がより好ましい。
【００３７】
絶縁層８０は、図１（ｂ）に示す基板の主面側の下部電極層としての腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃと、腕部圧電体層７０ａ、７０ｂ、７０ｃを挟んで配置される上部電極層としての腕部電極６０ａ、５０ｂ、６０ｃとの電気的な短絡を防止するとともに、圧電体層７０のエッチングダメージに対する保護層としても機能する。従って、電気的な短絡防止の目的から絶縁層８０の厚みは５０ｎｍ以上であることが好ましく、また圧電体層４００に印加される電界を最大に利用する点から、絶縁層８０は５００ｎｍ以下の厚みであることが好ましい。
【００３８】
下部電極窒化工程（Ｓ１０２）によって得られた、窒化層９０を有する下部電極層としての腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃ上に、上記のように形成された圧電体層７０は、配向性に優れた圧電体として形成することができるため、振動効率の高い振動片を得ることができる。
【００３９】
〔上部電極形成工程〕
次に上部電極形成工程（Ｓ１０４：第２電極層形成工程）に移行する。絶縁層８０を含む圧電体層７０上に、上部電極となる金属層をスパッタリング法により図７（ｆ）に示すように全面に成膜し、金属層５００を形成する。金属層５００は、上述の下部電極形成工程（Ｓ１０１）において形成した下部電極層としての腕部電極５０ａ、６０ｂ、５０ｃと同じ金属であっても、異なる金属であっても良い。また、単一金属膜でも２種以上の金属による複合金属膜でも良い。用いられる金属としては、例えばＡｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒなどである。
【００４０】
次に金属層５００をフォトリソグラフィー法によるパターンニングとエッチングにより、図８（ｇ）に示すように、上部電極層としての腕部電極６０ａ、５０ｂ、６０ｃを形成し、水晶振動片１００を得ることができる。
【００４１】
このようにして得られた水晶振動片１００は、窒化層９０上に圧電体層７０を同一処理チャンバー内で窒化層９０の形成に連続して行われるため、窒化層９０の表面のコンタミ付着が防止できることで密着性などの信頼性の高い圧電体層７０を得ることができる。更に、窒化層９０上に形成されるＡｌＮなどの圧電体層７０は、配向性の優れた柱状結晶となり、圧電性に優れ、振動特性の良好な振動片を得ることができる。
【００４２】
また、本発明は下部電極層と圧電体層の境界構造に関するもので、下部電極や圧電体膜の積層構造に依るものではなく、例えば、図９に示すように、水晶振動片１００の裏面にも腕部圧電体層７０ａと絶縁層８０ａとを備える、両面に圧電体層と絶縁層とが形成された積層構造であっても良い。
【００４３】
（第３実施形態）
第３実施形態として、上述の第１実施形態の水晶振動片１００を用いた振動子を説明する。図１０（ａ）は、蓋体を除いて内部を露出させた状態での振動子１０００の平面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）におけるＥ−Ｅ’線の断面を示す断面図である。水晶振動片１００は、第１基板１１０１、第２基板１１０２、第３基板１１０３を積層し形成したパッケージ１１００の内部の第２基板１１０２上面に水晶振動片１００の基部１０を接着剤１６００により接着し、水晶振動片１００をパッケージ１１００に固定する。また、第２基板１１０２上に備えた電極部１４００と、水晶振動片１００の基部１０の接続電極５０ｅ、６０ｅとをワイヤー１５００により電気的に接続する、いわゆるワイヤーボンディングされる。電極部１４００は図示しないパッケージ１１００内の経路を経て、パッケージ外部に形成された実装端子１４０１と繋がっている。
【００４４】
水晶振動片１００が固定されたパッケージ１１００の開口の端部に蓋体１２００が封止剤１３００によって、減圧チャンバー内でパッケージ１１００に固定され、振動子１０００の内部が減圧状態に保たれる。こうして得られた振動子１０００は、実装端子１４０１を介して図示しない発振回路からの交番電流により水晶振動片１００を屈曲振動させる。
【００４５】
第１実施形態の水晶振動片１００を振動子１０００に用いたことにより、高い電気機械結合係数を持ち、特性の優れた信頼性の高い振動子を得ることができる。
【００４６】
（第４実施形態）
第４実施形態として、上述の第１実施形態による水晶振動片１００を用いた発振器について説明する。図１１は、第４実施形態の発振器２０００を示す断面図である。本実施形態は、第３実施形態の振動子１０００に対して、水晶振動片１００を駆動させる駆動回路を含むＩＣチップを備えた点で、第３実施形態と異なるため、第３実施形態と同様の構成の説明は省略し、同じ構成には同一の符号を付与する。
【００４７】
図１１に示すように、発振器２０００はパッケージ１１００の内部に水晶振動片１００が第２基板１１０２上に固定され、ワイヤー１５００により、水晶振動片１００の接続電極５０ｅ、６０ｅと電極部１４００が電気的に接続されている。さらに、第１基板１１０１にはＩＣチップ１７００が接着剤などにより固定され、ＩＣチップ１７００の上面に形成されたＩＣ接続パッド１７０１と第１基板１１０１上に形成された内部接続端子１４０２とを金属ワイヤー１８００で電気的に接続している。
【００４８】
第１実施形態の水晶振動片１００を発振器に用いたことにより、高い電気機械結合係数を持ち、特性の優れた信頼性の高い発振器を得ることができる。
【符号の説明】
【００４９】
１０…基部、２０，３０，４０…腕部、５０，６０…電極、７０…圧電体層、８０…絶縁層、９０…窒化層、１００…水晶振動片。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基部と、前記基部から延出する腕部と、
前記腕部の主面に配置される圧電素子と、を備え、
前記圧電素子は、圧電体層と、前記圧電体層の前記主面側に設けた第１電極層と、前記圧電体層の前記主面の反対側に設けた第２電極層と、を備え、
前記第１電極層は、前記主面側に配置される電極層と、前記圧電体層側に配置される窒化層と、が積層され、
前記第１電極層の前記窒化層は、前記第１電極層の前記電極層を形成する電極材料の窒化物である、
ことを特徴とする振動片。
【請求項２】
前記腕部は、前記腕部の前記延出する方向と交差する方向に３以上の奇数個が配列され、
隣り合う前記腕部の振動方向が逆である、
ことを特徴とする請求項１に記載の振動片。
【請求項３】
圧電体層と、前記圧電体層の主面側に設けた第１電極層と、前記圧電体層の前記主面の反対側に設けた第２電極層とを備え、前記第１電極層は、前記主面側に配置される電極層と、前記圧電体層側に配置される窒化層と、が積層されている圧電素子を振動部へ配置した振動片の製造方法であって、
前記第１電極層の前記電極層を形成する、第１電極層電極層形成工程と、
前記第１電極層の前記電極層表面を窒化処理し、前記窒化層を形成する第１電極層窒化処理工程と、
前記窒化層上に前記圧電体層を形成する、圧電体層形成工程と、
前記圧電体層上に前記第２電極層を形成する、第２電極層形成工程と、を備え、
前記第１電極層窒化処理工程と、前記圧電体層形成工程と、が、同一真空中の成膜装置内で行われる、
ことを特徴とする振動片の製造方法。
【請求項４】
請求項１または２に記載の振動片と、
前記振動片を収納するパッケージと、を有する、
ことを特徴とする振動子。
【請求項５】
請求項１または２に記載の振動片と、
前記振動片を駆動させる機能を有する回路部と、を有する、
ことを特徴とする発振器。
【請求項１】
基部と、前記基部から延出する腕部と、
前記腕部の主面に配置される圧電素子と、を備え、
前記圧電素子は、圧電体層と、前記圧電体層の前記主面側に設けた第１電極層と、前記圧電体層の前記主面の反対側に設けた第２電極層と、を備え、
前記第１電極層は、前記主面側に配置される電極層と、前記圧電体層側に配置される窒化層と、が積層され、
前記第１電極層の前記窒化層は、前記第１電極層の前記電極層を形成する電極材料の窒化物である、
ことを特徴とする振動片。
【請求項２】
前記腕部は、前記腕部の前記延出する方向と交差する方向に３以上の奇数個が配列され、
隣り合う前記腕部の振動方向が逆である、
ことを特徴とする請求項１に記載の振動片。
【請求項３】
圧電体層と、前記圧電体層の主面側に設けた第１電極層と、前記圧電体層の前記主面の反対側に設けた第２電極層とを備え、前記第１電極層は、前記主面側に配置される電極層と、前記圧電体層側に配置される窒化層と、が積層されている圧電素子を振動部へ配置した振動片の製造方法であって、
前記第１電極層の前記電極層を形成する、第１電極層電極層形成工程と、
前記第１電極層の前記電極層表面を窒化処理し、前記窒化層を形成する第１電極層窒化処理工程と、
前記窒化層上に前記圧電体層を形成する、圧電体層形成工程と、
前記圧電体層上に前記第２電極層を形成する、第２電極層形成工程と、を備え、
前記第１電極層窒化処理工程と、前記圧電体層形成工程と、が、同一真空中の成膜装置内で行われる、
ことを特徴とする振動片の製造方法。
【請求項４】
請求項１または２に記載の振動片と、
前記振動片を収納するパッケージと、を有する、
ことを特徴とする振動子。
【請求項５】
請求項１または２に記載の振動片と、
前記振動片を駆動させる機能を有する回路部と、を有する、
ことを特徴とする発振器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１１−２２８９２２（Ｐ２０１１−２２８９２２Ａ）
【公開日】平成２３年１１月１０日（２０１１．１１．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−９６７０９（Ｐ２０１０−９６７０９）
【出願日】平成２２年４月２０日（２０１０．４．２０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１１月１０日（２０１１．１１．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年４月２０日（２０１０．４．２０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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