真空バルブ用接点材料及びその製造方法
【課題】 優れた遮断特性と耐電圧特性とを兼備した真空バルブ用接点材料及びその製造方法を得る。
【解決手段】 Ｃｕ粉体とＣｒ粉体の混合粉体を原料とする真空バルブ用接点材料において、前記Ｃｒの含有量が２３〜５０ｗｔ％であって、前記混合粉体は、アトマイズ法により水を冷却媒体として製造された第１の粉体と、前記アトマイズ法により不活性ガスを冷却媒体として製造された第２の粉体を混合して用いる真空バルブ用接点材料。
【解決手段】 Ｃｕ粉体とＣｒ粉体の混合粉体を原料とする真空バルブ用接点材料において、前記Ｃｒの含有量が２３〜５０ｗｔ％であって、前記混合粉体は、アトマイズ法により水を冷却媒体として製造された第１の粉体と、前記アトマイズ法により不活性ガスを冷却媒体として製造された第２の粉体を混合して用いる真空バルブ用接点材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、優れた遮断性能及び耐電圧性能を兼備した真空バルブ用接点材料及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
真空バルブ用接点は、導電成分であるＣｕやＡｇに用途に応じた種々の成分が複合化された材料であり、大別すると、以下の４種類が存在する。
【０００３】
１）ＣｕＢｉ、ＣｕＴｅＳｅに代表される大電流遮断用接点
Ｂｉ，Ｔｅ，Ｓｅ等、接点材料中に、脆性相を形成する成分を含んでおり、通電性に優れ、仮に接触抵抗による溶着が発生しても、この脆性相を起点として溶着部が破断できる。一方、溶着破断面の荒れは大きく、破断面に突起が形成されて電界が集中するため、高電圧領域には使用不可能である。
【０００４】
２）Ｃｕ−Ｗ等の高電圧用途に用いられる接点
高融点のＷを複合化していることから、耐アーク性に優れ、大電流の投入による溶着の回避には有効な接点である。また、接点の硬度が高く、耐電圧特性に優れる。遮断性能はＣｕ−ＣｒやＣｕＢｉなどに比べ劣る。
【０００５】
３）Ａｇ−ＷＣ等の低裁断特性を有する接点
低裁断化作用を有するＷＣを多量添加することにより低裁断特性が発揮されている。この低裁断作用を有する成分は、耐電圧特性を阻害するため、高電圧領域では使用されない。
【０００６】
４）Ｃｕ−Ｃｒ等の、耐電圧特性および大電流遮断特性を有する接点
ＣｕにＣｒを複合化することにより優れた遮断性能を発揮する。複合量が比較的少ない接点材料は低接触抵抗特性を有する。また、複合量が比較的多い接点材料は耐電圧特性が優れ、高電圧領域でも使用可能である。
【０００７】
この製造方法として、従来粉末冶金方法、溶浸方法、鋳造方法があるが、いずれもＣｕ−Ｃｒの銅マトリックス中に微細な粒径のＣｒが均一に分散しないと言う欠点があった。特許文献１は、この欠点を除去するため、アトマイズ法により得られるＣｕ−Ｃｒ合金の微粉末を焼結するに際し、加熱温度を合金微粉末の融点を基準にして所定範囲に収めるか、密度充填率が所定範囲に収まるようにＣｕ−Ｃｒ粉末の粒度や加熱時間等を調整するか、或いは合金微粉末の融点を基準として加熱温度を制御すると共に、密度充填率が所定範囲に収まるようにすることで、前述した従来のＣｕ−Ｃｒの製造方法における欠点を改善できると記載されている。
【０００８】
特許文献２では、成形性を増すために、例えばアトマイズ法により製造したＣｕとＣｒの複合粉体をＣｕ粉末と混合し、Ｃｒ含有量が５〜２０ｗｔ％の接点材料が示されている。しかしながら、本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、特許文献２に記載の２０ｗｔ％以下のＣｒ含有量では遮断性能が不十分であることが明らかになった。
【特許文献１】特許第３０６７３１７号
【特許文献２】特許第３１９１３８２号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
近年真空開閉機器のコンパクト化の要求から、接点材料としては通電性能および遮断性能の高い接点が要望されており、ＣｕＣｒ系接点材料では、Ｃｒ量の低減が必要である。しかしながら、Ｃｕ−Ｃｒ系接点材料では、Ｃｒの複合量により遮断性能と耐電圧性能がトレードオフの関係で変化するため、耐電圧特性がＣｒ量の減少とともに低下してしまう。
【００１０】
そこで、本発明では、優れた遮断特性と耐電圧特性とを兼備した真空バルブ用接点材料及びその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的を達成するため、請求項１に対応する発明は、ＣｕとＣｒの合金粉体を原料とする真空バルブ用接点材料において、前記Ｃｒの含有量が２３〜５０ｗｔ％であることを特徴とする真空バルブ用接点材料である。
【００１２】
前記目的を達成するため、請求項２に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記混合粉体は、アトマイズ法により水を冷却媒体として製造された第１の粉体と、前記アトマイズ法により不活性ガスを冷却媒体として製造された第２の粉体を混合して用いることを特徴とする請求項１に記載の真空バルブ用接点材料。
【００１３】
前記目的を達成するため、請求項３に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、微量添加成分として０．０１〜０．２ｗｔ％のＢｉ及び又は０．０５〜１ｗｔ％のＴｅを新たに含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の真空バルブ用接点材料である。
【００１４】
前記目的を達成するため、請求項４に対応する発明は、アトマイズ法により水を冷却媒体として製造された第１のＣｕＣｒ粉体と、前記アトマイズ法により不活性ガスを冷却媒体として製造された第２のＣｕＣｒ粉体を混合してＣｕＣｒ粉体を得る第１の工程と、前記第１の工程で得られたＣｕＣｒ粉体に圧力を加えて成形体を得る第２の工程と、前記第２の工程で得られた成形体を焼結して接点材料を得る第３の工程と、からなることを特徴とする真空バルブ用接点材料の製造方法である。
【００１５】
前記目的を達成するため、請求項５に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記第１の工程で得られるＣｕＣｒ粉体は、６５〜７５ｗｔ％のＣｕと２５〜３５ｗｔ％のＣｒを含有している場合、前記ＣｕＣｒ粉体のうちの２０〜５０ｗｔ％は水を冷却媒体としたアトマイズ法により製造し、残りを不活性ガスを冷却媒体としたアトマイズ法により製造することを特徴とする請求項４に記載の真空バルブ用接点材料の製造方法である。
【００１６】
前記目的を達成するため、請求項６に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、水を冷却媒体として製造された粉体のＣｒ量を１５ｗｔ％以下(０を含まず)とした請求項４又は請求項５に記載の真空バルブ用接点材料の製造方法である。
【００１７】
前記目的を達成するため、請求項７に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記第３の工程において、５００〜８００℃の温度領域において水素雰囲気にて焼結を行った後に、雰囲気中の水素を排気して１．０×１０−２Ｐａより高い真空雰囲気とし、９５０〜１０５０℃の温度領域まで昇温して焼結することを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の真空バルブ用接点材料の製造方法である。
【００１８】
前記目的を達成するため、請求項８に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記第２の工程において、１〜４ton/cm2で成形し、前記第３の工程において、５００〜８００℃の温度領域において水素雰囲気にて焼結を行った後に、雰囲気中の水素を排気して１．０×１０−２Ｐａより高い真空雰囲気とし、９５０〜１０５０℃の温度領域まで昇温して焼結した後に、６〜１０ton/cm2で再度成形する第４の工程と、前記再成形体を１．０×１０−２Ｐａより高い真空雰囲気とし、９５０〜１０５０℃の温度領域まで昇温して再度焼結する第５の工程とを追加した請求項４に記載の真空バルブ用接点材料の製造方法である。
【００１９】
前記目的を達成するため、請求項９に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記第１の工程において、水を冷却媒体として製造された粉体と、前記不活性ガスを冷却媒体として製造された粉体からなる２種類のアトマイズ粉体と、Ｂｉ及び又はＴｅを添加することを特徴とする請求項４〜８のいずれか１項に記載の真空バルブ用接点材料の製造方法である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明は、ＣｕとＣｒの合金粉体を原料とする真空バルブ用接点材料において、前記Ｃｒの含有量が２３〜５０ｗｔ％であることを特徴とする真空バルブ用接点材料である。
【００２１】
また、本発明は、アトマイズ法により水を冷却媒体として製造された第１のＣｕＣｒ粉体と、前記アトマイズ法により不活性ガスを冷却媒体として製造された第２のＣｕＣｒ粉体を混合してＣｕＣｒ粉体を得る第１の工程と、前記第１の工程で得られたＣｕＣｒ粉体に圧力を加えて成形体を得る第２の工程と、前記第２の工程で得られた成形体を焼結して接点材料を得る第３の工程と、からなることを特徴とする真空バルブ用接点材料の製造方法である。
【００２２】
本発明は、このように構成することにより、遮断特性および耐電圧特性を同時に満足できる真空バルブ用接点材料及びその製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施例を具体的には表１、表２を参照して説明する。表１には、本発明の各実施例及び比較例の製造条件を示し、また表２には、本発明の各実施例及び比較例の特性を示している。
【表１】
【００２４】
【表２】
【００２５】
[接点材料の製造方法]
（接点材料の製造工程）
実施例１〜１１、実施例１６〜１７及び比較例１〜８については、以下に示す第１〜第３の工程からなる製造方法を標準として実施した。
【００２６】
第１の工程は、ともに３０ｗｔ％のＣｒを含むガスアトマイズＣｕＣｒ粉末と水アトマイズＣｕＣｒ粉末を６０：４０の体積比で混合して混合粉体(混合粉末)を得る。
【００２７】
第２の工程は、第１の工程で得た混合粉末を８ｔｏｎ／ｃｍ２の圧力にて成形して成形体を得る。
【００２８】
第３の工程は、第２の工程で得た成形体をカーボン製の坩堝内の設置し、水素雰囲気下において６００℃にて１時間熱処理した後、水素を排気し、１×１０−２Ｔｏｒｒより高真空の真空雰囲気内において、１０００℃にて２時間保持する。
【００２９】
また、実施例１２〜１５については、前述の実施例の第１〜第３の工程に以下に述べる第４及び第５の工程を付加したものを標準として実施した。前述の第２の工程での成形圧力を変えて成形して焼結しさらに、成形工程、焼結工程を１回ずつ追加している。
【００３０】
第４の工程は、
前記第１の工程で得た混合粉体を５〜１０ｔｏｎ／ｃｍ２の圧力にて成形し成形体を得る。
【００３１】
第５の工程は、第４の工程で得た成形体をカーボン製の坩堝内の設置し、１×１０−２Ｔｏｒｒより高真空の真空雰囲気内において、１０００℃にて２時間保持する。
【００３２】
実施例１８〜２１および比較例９〜１２では、第１の工程において、Ｂｉ及びまたはＴｅをアトマイズＣｕＣｒ粉末とともに混合している。
【００３３】
各実施例および比較例では、上記標準製造条件と部分的に異なる条件にて接点材料を製造し、組成、組織などの特性が異なる材料として、材料的特性および電気的特性の評価を行った。
【００３４】
[電気的特性評価用真空バルブの構成]
前述のように製造した接点材料の電気的特性評価を実施するために、接点材料を所定の形状に加工し、真空バルブに組み込んだ。
【００３５】
図１は、本実施例を説明するための真空バルブの断面図、図２は図１の電極部分の拡大断面図である。
【００３６】
図１において、遮断室１は、絶縁材料によりほぼ円筒状に形成された絶縁容器２と、この両端に封止金具３ａ、３ｂを介して設けた金属製の蓋体４ａ、４ｂとで真空気密に構成されている。
【００３７】
遮断室１内には、導電棒５，６の対向する端部に取付けられた一対の電極７，８が配設され、上部の電極７を固定電極、下部の電極８を可動電極としている。またこの電極８の電極棒６には、ベローズ９が取付けられ遮断室１内を真空気密に保持しながら電極８の軸方向の移動を可能にしている。また、このベローズ９上部には金属製のアークシールド１０が設けられ、ベローズ９がアーク蒸気で覆われることを防止している。また、電極７，８を覆うように、遮断室１内に金属製のアークシールド１１が設けられ、これにより絶縁容器２がアーク蒸気で覆われることを防止している。
【００３８】
さらに、電極８は、図２に拡大して示す如く、導電棒６にろう付け部１２によって固定されるか、又はかしめによって圧着接続されている。接点１３ａは電極８にろう付け１４によってろう付けで取付けられる。なお、接点１３ｂは、電極７にろう付けにより取付けられる。
【００３９】
[評価方法および評価条件]
本発明の実施例および比較例の特性評価結果を表２に示す。これらのデータを得た評価方法、および評価条件について説明する。
【００４０】
（材料特性評価）
（１）相対密度
アルキメデス法により密度を測定して組成比から真密度を求めて相対密度に換算し、
９２％以上を合格とした。
【００４１】
（２）ガス含有量
酸素含有量および水素含有量を化学分析によって求め、表２に示した。
【００４２】
（電気特性評価）
（１）遮断特性
前記真空バルブに各実施例、比較例の接点を組み込み、遮断試験をＪＥＣ規格の５号試験により行い、これにより遮断特性を評価し、合格したものについては、表２に合格Ａと示した。さらに、遮断電流値を通常の試験の１．２倍に増大した場合においても試験に合格した場合を合格Ｂとして表２に示した。
【００４３】
（２）耐電圧特性
進み小電流試験における再点弧発生確率にて評価した。電流は５００Ａであり、回復電圧は１２．５ｋＶである。試験回数は２０００回である。実施例２の再点弧発生確率を１．０とした場合の相対値を示し、この相対値が１．２以下のものを合格とした。
【００４４】
（３）耐溶着特性
それぞれ平面および曲率半径５０ｍｍの球面の接触面を有する１対の接点を真空チャンバー内にセットし、接点を２００Ｎの力で接触させ、１５ｋＡを通電して溶着させた後の引き外しに必要な力を測定する。３対の接点での試験を実施し、平均値を実施例１８と相対比較した値を表２に示す。この値が１．０以下を合格とした。
【００４５】
[実施例]
次に、表１の各接点の製造条件および、これらに対応する表２の材料的特性および電気的特性データを参照しながら考察する。
【００４６】
（実施例１〜３および比較例１〜２）
標準製造条件におけるアトマイズ粉末のＣｒ含有量を変えて、Ｃｒ含有量の異なる接点材料の試作を実施した。接点材料のＣｒ含有量が２３〜３５(正確には２２．８〜３５．２)ｗｔ％の範囲にある実施例１〜３では、良好な遮断性能および耐電圧性能を示すが、Ｃｒ含有量が２０(正確には１９．９)ｗｔ％の比較例１では、耐アーク性が低いため遮断特性が不合格であった。また、Ｃｒ含有量が４０(正確には３９．９)ｗｔ％の比較例２では、酸素含有量が高すぎるため、遮断性能が不十分である。
【００４７】
（実施例４〜６）
ガスアトマイズ粉末のＣｒ含有量を水アトマイズ粉末Ｃｒ含有量より多くし、ガスアトマイズ粉末と水アトマイズ粉末の割合を調整して全体のＣｒ含有量を標準条件で製造した場合と同じ７０ｗｔ％とした接点材料を試作して評価した。水アトマイズ粉体のＣｒ量を２０ｗｔ％とした実施例４に比べ実施例５〜６はいずれも酸素含有量が低く、その結果、遮断性能極めて良好であり、通常の試験の１．２倍の電流値の遮断にも成功している。
【００４８】
（実施例７〜９および比較例３〜４）
ガスアトマイズ粉体と水アトマイズ粉体との比を標準条件と変えた接点材料を試作し、評価を行った。ガスアトマイズ粉体の割合が５０〜８０ｗｔ％の範囲にある実施例７〜９では良好な遮断性能および耐電圧特性を示したが、ガスアトマイズ粉体の割合が４０ｗｔ％と少ない比較例３では、酸素含有量が高いため、遮断特性が不十分であった。また、ガスアトマイズ粉体の割合が８５ｗｔ％と多い比較例４では、相対密度が低く、接点材料中の酸素含有量が高くなるため、同様に遮断特性が不合格となった。
【００４９】
（実施例１０〜１１および比較例５〜６）
第３の工程での第１段階の焼結温度を標準の製造条件と変えた試作を行い、接点材料を評価した。第１段階の焼結温度が５００〜８００℃の範囲にある実施例１０〜１１では、良好な遮断性能および耐電圧特性を示しているが、この温度が低い比較例５では、第１段階終了後の相対密度が低く、材料内部が大気に一旦さらされてしまうため、酸素含有量が高くなり、遮断性能は不十分となる。一方、第１段階の焼結温度が９００℃と高い比較例６では、雰囲気の水素が気孔内部に閉じ込められてしまうため、水素含有量が高く、遮断特性は不合格となった。
【００５０】
（実施例１２〜１５）
成形と焼結を繰り返し２回実施した試作を行い、接点材料を評価した。第２の工程での成形の際に低い圧力で加圧した実施例１２〜１５はいずれも実施例２に比べ、酸素含有量が低く、良好な遮断特性および耐電圧特性を示した。特に２〜４ｔｏｎの範囲の圧力で加圧した実施例１３および１４は、相対密度も十分高く、通常の試験の１．２倍の電流値の遮断にも成功している。
【００５１】
以上では、遮断特性および耐電圧特性の向上を目的とした接点材料およびその製造方法の実施例を示したが、以下の実施例、比較例では、さらに耐溶着特性についても評価した例について示す。
【００５２】
（実施例１６〜１７および比較例７〜８）
第３の工程の第２段階の焼結温度を９００〜１０５０℃の範囲で変化させて試作し、接点材料を評価した。この温度が９５０〜１０００℃の範囲にある実施例１６〜１７では、遮断性能と耐電圧特性を満足すると同時に、適当な空隙を材料内部に分散していることにより、優れた耐溶着特性を示した。これに対して９００℃で焼結した比較例７では、十分な相対密度とならず、酸素含有量が高いため、遮断性能が不十分であった。一方、１０５０℃で焼結した比較例８では、相対密度が高すぎ、耐溶着性能が不充分であった。
【００５３】
（実施例１８〜１９および比較例９〜１０）
第１の工程において、アトマイズＣｕＣｒ粉体と合わせてＢｉを添加した接点材料を試作し、評価を実施した。Ｂｉの添加量が０．０１〜０．２ｗｔ％の範囲にある実施例１８〜１９では、遮断性能と耐電圧特性を満足すると同時に、脆化相を形成することにより、優れた耐溶着特性を示した。これに対してＢｉの添加量が０．００５ｗｔ％の比較例９では、脆化相の形成量が少なく、耐溶着特性が不十分であった。一方、Ｂｉ添加量が０．４ｗｔ％の比較例１０では、高蒸気圧のＢｉの添加量が多く、遮断特性が不合格となっている。
【００５４】
（実施例２０〜２１および比較例１１〜１２）
第１の工程において、アトマイズＣｕＣｒ粉体と合わせてＴｅを添加した接点材料を試作し、評価を実施した。Ｔｅの添加量が０．０５〜１ｗｔ％の範囲にある実施例２０〜２１では、遮断性能と耐電圧特性を満足すると同時に、脆化相を形成することにより、優れた耐溶着特性を示した。これに対してＴｅの添加量が０．０２ｗｔ％の比較例１１では、脆化相の形成量が少なく、耐溶着特性が不十分であった。一方、Ｔｅ添加量が２ｗｔ％の比較例１２では、高蒸気圧のＴｅの添加量が多く、遮断特性が不合格となっている。
【００５５】
以上述べた本発明の真空バルブ用接点材料は、概略ＣｕとＣｒの合金粉体を原料とし、かつ、Ｃｒ含有量が２３〜５０ｗｔ％となるようにしたものである。このようにすることにより、前述した特許文献２の発明では、アトマイズ法により製造したＣｕとＣｒの複合粉体をＣｕ粉末と混合し、Ｃｒ含有量が２０ｗｔ％以下の接点材料が示されているが、２０ｗｔ％以下のＣｒ含有量では遮断性能が不十分であり、本発明のように、２３〜５０ｗｔ％において良好な遮断性能を示す。このアトマイズ法により製造された粉末のうち不活性ガスを冷却媒体として用いたいわゆるガスアトマイズ粉体(ガスアトマイズ粉末)はガス含有量が低いが成形性が悪く、一方、水を冷却媒体として用いたいわゆる水アトマイズ粉末水アトマイズ粉末は成形性は良好であるがガス含有量が高い。成形性が悪い場合には残存空隙中の吸着ガスが問題となり、一方、ガス含有量が高い場合は、原料粉末表面に酸化物または水酸化物が形成されているため、いずれの場合も遮断性能低下の原因となる。請求項２で示したように、この両粉末を適正な割合で混合した本発明では、優れた遮断性能を発揮することが可能となっている。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の一実施例を示す真空バルブ用接点材料が適用される真空バルブの断面図。
【図２】図１の要部拡大断面図。
【符号の説明】
【００５７】
１ 遮断室， ２ 絶縁容器， ３ａ，３ｂ 封止金具， ４ａ，４ｂ 蓋体， ５，６ 導電棒
７，８ 電極， ９ ベローズ， １０，１１ アークシールド， １３ａ，１３ｂ 接点
１４ ろうづけ層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、優れた遮断性能及び耐電圧性能を兼備した真空バルブ用接点材料及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
真空バルブ用接点は、導電成分であるＣｕやＡｇに用途に応じた種々の成分が複合化された材料であり、大別すると、以下の４種類が存在する。
【０００３】
１）ＣｕＢｉ、ＣｕＴｅＳｅに代表される大電流遮断用接点
Ｂｉ，Ｔｅ，Ｓｅ等、接点材料中に、脆性相を形成する成分を含んでおり、通電性に優れ、仮に接触抵抗による溶着が発生しても、この脆性相を起点として溶着部が破断できる。一方、溶着破断面の荒れは大きく、破断面に突起が形成されて電界が集中するため、高電圧領域には使用不可能である。
【０００４】
２）Ｃｕ−Ｗ等の高電圧用途に用いられる接点
高融点のＷを複合化していることから、耐アーク性に優れ、大電流の投入による溶着の回避には有効な接点である。また、接点の硬度が高く、耐電圧特性に優れる。遮断性能はＣｕ−ＣｒやＣｕＢｉなどに比べ劣る。
【０００５】
３）Ａｇ−ＷＣ等の低裁断特性を有する接点
低裁断化作用を有するＷＣを多量添加することにより低裁断特性が発揮されている。この低裁断作用を有する成分は、耐電圧特性を阻害するため、高電圧領域では使用されない。
【０００６】
４）Ｃｕ−Ｃｒ等の、耐電圧特性および大電流遮断特性を有する接点
ＣｕにＣｒを複合化することにより優れた遮断性能を発揮する。複合量が比較的少ない接点材料は低接触抵抗特性を有する。また、複合量が比較的多い接点材料は耐電圧特性が優れ、高電圧領域でも使用可能である。
【０００７】
この製造方法として、従来粉末冶金方法、溶浸方法、鋳造方法があるが、いずれもＣｕ−Ｃｒの銅マトリックス中に微細な粒径のＣｒが均一に分散しないと言う欠点があった。特許文献１は、この欠点を除去するため、アトマイズ法により得られるＣｕ−Ｃｒ合金の微粉末を焼結するに際し、加熱温度を合金微粉末の融点を基準にして所定範囲に収めるか、密度充填率が所定範囲に収まるようにＣｕ−Ｃｒ粉末の粒度や加熱時間等を調整するか、或いは合金微粉末の融点を基準として加熱温度を制御すると共に、密度充填率が所定範囲に収まるようにすることで、前述した従来のＣｕ−Ｃｒの製造方法における欠点を改善できると記載されている。
【０００８】
特許文献２では、成形性を増すために、例えばアトマイズ法により製造したＣｕとＣｒの複合粉体をＣｕ粉末と混合し、Ｃｒ含有量が５〜２０ｗｔ％の接点材料が示されている。しかしながら、本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、特許文献２に記載の２０ｗｔ％以下のＣｒ含有量では遮断性能が不十分であることが明らかになった。
【特許文献１】特許第３０６７３１７号
【特許文献２】特許第３１９１３８２号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
近年真空開閉機器のコンパクト化の要求から、接点材料としては通電性能および遮断性能の高い接点が要望されており、ＣｕＣｒ系接点材料では、Ｃｒ量の低減が必要である。しかしながら、Ｃｕ−Ｃｒ系接点材料では、Ｃｒの複合量により遮断性能と耐電圧性能がトレードオフの関係で変化するため、耐電圧特性がＣｒ量の減少とともに低下してしまう。
【００１０】
そこで、本発明では、優れた遮断特性と耐電圧特性とを兼備した真空バルブ用接点材料及びその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的を達成するため、請求項１に対応する発明は、ＣｕとＣｒの合金粉体を原料とする真空バルブ用接点材料において、前記Ｃｒの含有量が２３〜５０ｗｔ％であることを特徴とする真空バルブ用接点材料である。
【００１２】
前記目的を達成するため、請求項２に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記混合粉体は、アトマイズ法により水を冷却媒体として製造された第１の粉体と、前記アトマイズ法により不活性ガスを冷却媒体として製造された第２の粉体を混合して用いることを特徴とする請求項１に記載の真空バルブ用接点材料。
【００１３】
前記目的を達成するため、請求項３に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、微量添加成分として０．０１〜０．２ｗｔ％のＢｉ及び又は０．０５〜１ｗｔ％のＴｅを新たに含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の真空バルブ用接点材料である。
【００１４】
前記目的を達成するため、請求項４に対応する発明は、アトマイズ法により水を冷却媒体として製造された第１のＣｕＣｒ粉体と、前記アトマイズ法により不活性ガスを冷却媒体として製造された第２のＣｕＣｒ粉体を混合してＣｕＣｒ粉体を得る第１の工程と、前記第１の工程で得られたＣｕＣｒ粉体に圧力を加えて成形体を得る第２の工程と、前記第２の工程で得られた成形体を焼結して接点材料を得る第３の工程と、からなることを特徴とする真空バルブ用接点材料の製造方法である。
【００１５】
前記目的を達成するため、請求項５に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記第１の工程で得られるＣｕＣｒ粉体は、６５〜７５ｗｔ％のＣｕと２５〜３５ｗｔ％のＣｒを含有している場合、前記ＣｕＣｒ粉体のうちの２０〜５０ｗｔ％は水を冷却媒体としたアトマイズ法により製造し、残りを不活性ガスを冷却媒体としたアトマイズ法により製造することを特徴とする請求項４に記載の真空バルブ用接点材料の製造方法である。
【００１６】
前記目的を達成するため、請求項６に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、水を冷却媒体として製造された粉体のＣｒ量を１５ｗｔ％以下(０を含まず)とした請求項４又は請求項５に記載の真空バルブ用接点材料の製造方法である。
【００１７】
前記目的を達成するため、請求項７に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記第３の工程において、５００〜８００℃の温度領域において水素雰囲気にて焼結を行った後に、雰囲気中の水素を排気して１．０×１０−２Ｐａより高い真空雰囲気とし、９５０〜１０５０℃の温度領域まで昇温して焼結することを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の真空バルブ用接点材料の製造方法である。
【００１８】
前記目的を達成するため、請求項８に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記第２の工程において、１〜４ton/cm2で成形し、前記第３の工程において、５００〜８００℃の温度領域において水素雰囲気にて焼結を行った後に、雰囲気中の水素を排気して１．０×１０−２Ｐａより高い真空雰囲気とし、９５０〜１０５０℃の温度領域まで昇温して焼結した後に、６〜１０ton/cm2で再度成形する第４の工程と、前記再成形体を１．０×１０−２Ｐａより高い真空雰囲気とし、９５０〜１０５０℃の温度領域まで昇温して再度焼結する第５の工程とを追加した請求項４に記載の真空バルブ用接点材料の製造方法である。
【００１９】
前記目的を達成するため、請求項９に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記第１の工程において、水を冷却媒体として製造された粉体と、前記不活性ガスを冷却媒体として製造された粉体からなる２種類のアトマイズ粉体と、Ｂｉ及び又はＴｅを添加することを特徴とする請求項４〜８のいずれか１項に記載の真空バルブ用接点材料の製造方法である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明は、ＣｕとＣｒの合金粉体を原料とする真空バルブ用接点材料において、前記Ｃｒの含有量が２３〜５０ｗｔ％であることを特徴とする真空バルブ用接点材料である。
【００２１】
また、本発明は、アトマイズ法により水を冷却媒体として製造された第１のＣｕＣｒ粉体と、前記アトマイズ法により不活性ガスを冷却媒体として製造された第２のＣｕＣｒ粉体を混合してＣｕＣｒ粉体を得る第１の工程と、前記第１の工程で得られたＣｕＣｒ粉体に圧力を加えて成形体を得る第２の工程と、前記第２の工程で得られた成形体を焼結して接点材料を得る第３の工程と、からなることを特徴とする真空バルブ用接点材料の製造方法である。
【００２２】
本発明は、このように構成することにより、遮断特性および耐電圧特性を同時に満足できる真空バルブ用接点材料及びその製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施例を具体的には表１、表２を参照して説明する。表１には、本発明の各実施例及び比較例の製造条件を示し、また表２には、本発明の各実施例及び比較例の特性を示している。
【表１】
【００２４】
【表２】
【００２５】
[接点材料の製造方法]
（接点材料の製造工程）
実施例１〜１１、実施例１６〜１７及び比較例１〜８については、以下に示す第１〜第３の工程からなる製造方法を標準として実施した。
【００２６】
第１の工程は、ともに３０ｗｔ％のＣｒを含むガスアトマイズＣｕＣｒ粉末と水アトマイズＣｕＣｒ粉末を６０：４０の体積比で混合して混合粉体(混合粉末)を得る。
【００２７】
第２の工程は、第１の工程で得た混合粉末を８ｔｏｎ／ｃｍ２の圧力にて成形して成形体を得る。
【００２８】
第３の工程は、第２の工程で得た成形体をカーボン製の坩堝内の設置し、水素雰囲気下において６００℃にて１時間熱処理した後、水素を排気し、１×１０−２Ｔｏｒｒより高真空の真空雰囲気内において、１０００℃にて２時間保持する。
【００２９】
また、実施例１２〜１５については、前述の実施例の第１〜第３の工程に以下に述べる第４及び第５の工程を付加したものを標準として実施した。前述の第２の工程での成形圧力を変えて成形して焼結しさらに、成形工程、焼結工程を１回ずつ追加している。
【００３０】
第４の工程は、
前記第１の工程で得た混合粉体を５〜１０ｔｏｎ／ｃｍ２の圧力にて成形し成形体を得る。
【００３１】
第５の工程は、第４の工程で得た成形体をカーボン製の坩堝内の設置し、１×１０−２Ｔｏｒｒより高真空の真空雰囲気内において、１０００℃にて２時間保持する。
【００３２】
実施例１８〜２１および比較例９〜１２では、第１の工程において、Ｂｉ及びまたはＴｅをアトマイズＣｕＣｒ粉末とともに混合している。
【００３３】
各実施例および比較例では、上記標準製造条件と部分的に異なる条件にて接点材料を製造し、組成、組織などの特性が異なる材料として、材料的特性および電気的特性の評価を行った。
【００３４】
[電気的特性評価用真空バルブの構成]
前述のように製造した接点材料の電気的特性評価を実施するために、接点材料を所定の形状に加工し、真空バルブに組み込んだ。
【００３５】
図１は、本実施例を説明するための真空バルブの断面図、図２は図１の電極部分の拡大断面図である。
【００３６】
図１において、遮断室１は、絶縁材料によりほぼ円筒状に形成された絶縁容器２と、この両端に封止金具３ａ、３ｂを介して設けた金属製の蓋体４ａ、４ｂとで真空気密に構成されている。
【００３７】
遮断室１内には、導電棒５，６の対向する端部に取付けられた一対の電極７，８が配設され、上部の電極７を固定電極、下部の電極８を可動電極としている。またこの電極８の電極棒６には、ベローズ９が取付けられ遮断室１内を真空気密に保持しながら電極８の軸方向の移動を可能にしている。また、このベローズ９上部には金属製のアークシールド１０が設けられ、ベローズ９がアーク蒸気で覆われることを防止している。また、電極７，８を覆うように、遮断室１内に金属製のアークシールド１１が設けられ、これにより絶縁容器２がアーク蒸気で覆われることを防止している。
【００３８】
さらに、電極８は、図２に拡大して示す如く、導電棒６にろう付け部１２によって固定されるか、又はかしめによって圧着接続されている。接点１３ａは電極８にろう付け１４によってろう付けで取付けられる。なお、接点１３ｂは、電極７にろう付けにより取付けられる。
【００３９】
[評価方法および評価条件]
本発明の実施例および比較例の特性評価結果を表２に示す。これらのデータを得た評価方法、および評価条件について説明する。
【００４０】
（材料特性評価）
（１）相対密度
アルキメデス法により密度を測定して組成比から真密度を求めて相対密度に換算し、
９２％以上を合格とした。
【００４１】
（２）ガス含有量
酸素含有量および水素含有量を化学分析によって求め、表２に示した。
【００４２】
（電気特性評価）
（１）遮断特性
前記真空バルブに各実施例、比較例の接点を組み込み、遮断試験をＪＥＣ規格の５号試験により行い、これにより遮断特性を評価し、合格したものについては、表２に合格Ａと示した。さらに、遮断電流値を通常の試験の１．２倍に増大した場合においても試験に合格した場合を合格Ｂとして表２に示した。
【００４３】
（２）耐電圧特性
進み小電流試験における再点弧発生確率にて評価した。電流は５００Ａであり、回復電圧は１２．５ｋＶである。試験回数は２０００回である。実施例２の再点弧発生確率を１．０とした場合の相対値を示し、この相対値が１．２以下のものを合格とした。
【００４４】
（３）耐溶着特性
それぞれ平面および曲率半径５０ｍｍの球面の接触面を有する１対の接点を真空チャンバー内にセットし、接点を２００Ｎの力で接触させ、１５ｋＡを通電して溶着させた後の引き外しに必要な力を測定する。３対の接点での試験を実施し、平均値を実施例１８と相対比較した値を表２に示す。この値が１．０以下を合格とした。
【００４５】
[実施例]
次に、表１の各接点の製造条件および、これらに対応する表２の材料的特性および電気的特性データを参照しながら考察する。
【００４６】
（実施例１〜３および比較例１〜２）
標準製造条件におけるアトマイズ粉末のＣｒ含有量を変えて、Ｃｒ含有量の異なる接点材料の試作を実施した。接点材料のＣｒ含有量が２３〜３５(正確には２２．８〜３５．２)ｗｔ％の範囲にある実施例１〜３では、良好な遮断性能および耐電圧性能を示すが、Ｃｒ含有量が２０(正確には１９．９)ｗｔ％の比較例１では、耐アーク性が低いため遮断特性が不合格であった。また、Ｃｒ含有量が４０(正確には３９．９)ｗｔ％の比較例２では、酸素含有量が高すぎるため、遮断性能が不十分である。
【００４７】
（実施例４〜６）
ガスアトマイズ粉末のＣｒ含有量を水アトマイズ粉末Ｃｒ含有量より多くし、ガスアトマイズ粉末と水アトマイズ粉末の割合を調整して全体のＣｒ含有量を標準条件で製造した場合と同じ７０ｗｔ％とした接点材料を試作して評価した。水アトマイズ粉体のＣｒ量を２０ｗｔ％とした実施例４に比べ実施例５〜６はいずれも酸素含有量が低く、その結果、遮断性能極めて良好であり、通常の試験の１．２倍の電流値の遮断にも成功している。
【００４８】
（実施例７〜９および比較例３〜４）
ガスアトマイズ粉体と水アトマイズ粉体との比を標準条件と変えた接点材料を試作し、評価を行った。ガスアトマイズ粉体の割合が５０〜８０ｗｔ％の範囲にある実施例７〜９では良好な遮断性能および耐電圧特性を示したが、ガスアトマイズ粉体の割合が４０ｗｔ％と少ない比較例３では、酸素含有量が高いため、遮断特性が不十分であった。また、ガスアトマイズ粉体の割合が８５ｗｔ％と多い比較例４では、相対密度が低く、接点材料中の酸素含有量が高くなるため、同様に遮断特性が不合格となった。
【００４９】
（実施例１０〜１１および比較例５〜６）
第３の工程での第１段階の焼結温度を標準の製造条件と変えた試作を行い、接点材料を評価した。第１段階の焼結温度が５００〜８００℃の範囲にある実施例１０〜１１では、良好な遮断性能および耐電圧特性を示しているが、この温度が低い比較例５では、第１段階終了後の相対密度が低く、材料内部が大気に一旦さらされてしまうため、酸素含有量が高くなり、遮断性能は不十分となる。一方、第１段階の焼結温度が９００℃と高い比較例６では、雰囲気の水素が気孔内部に閉じ込められてしまうため、水素含有量が高く、遮断特性は不合格となった。
【００５０】
（実施例１２〜１５）
成形と焼結を繰り返し２回実施した試作を行い、接点材料を評価した。第２の工程での成形の際に低い圧力で加圧した実施例１２〜１５はいずれも実施例２に比べ、酸素含有量が低く、良好な遮断特性および耐電圧特性を示した。特に２〜４ｔｏｎの範囲の圧力で加圧した実施例１３および１４は、相対密度も十分高く、通常の試験の１．２倍の電流値の遮断にも成功している。
【００５１】
以上では、遮断特性および耐電圧特性の向上を目的とした接点材料およびその製造方法の実施例を示したが、以下の実施例、比較例では、さらに耐溶着特性についても評価した例について示す。
【００５２】
（実施例１６〜１７および比較例７〜８）
第３の工程の第２段階の焼結温度を９００〜１０５０℃の範囲で変化させて試作し、接点材料を評価した。この温度が９５０〜１０００℃の範囲にある実施例１６〜１７では、遮断性能と耐電圧特性を満足すると同時に、適当な空隙を材料内部に分散していることにより、優れた耐溶着特性を示した。これに対して９００℃で焼結した比較例７では、十分な相対密度とならず、酸素含有量が高いため、遮断性能が不十分であった。一方、１０５０℃で焼結した比較例８では、相対密度が高すぎ、耐溶着性能が不充分であった。
【００５３】
（実施例１８〜１９および比較例９〜１０）
第１の工程において、アトマイズＣｕＣｒ粉体と合わせてＢｉを添加した接点材料を試作し、評価を実施した。Ｂｉの添加量が０．０１〜０．２ｗｔ％の範囲にある実施例１８〜１９では、遮断性能と耐電圧特性を満足すると同時に、脆化相を形成することにより、優れた耐溶着特性を示した。これに対してＢｉの添加量が０．００５ｗｔ％の比較例９では、脆化相の形成量が少なく、耐溶着特性が不十分であった。一方、Ｂｉ添加量が０．４ｗｔ％の比較例１０では、高蒸気圧のＢｉの添加量が多く、遮断特性が不合格となっている。
【００５４】
（実施例２０〜２１および比較例１１〜１２）
第１の工程において、アトマイズＣｕＣｒ粉体と合わせてＴｅを添加した接点材料を試作し、評価を実施した。Ｔｅの添加量が０．０５〜１ｗｔ％の範囲にある実施例２０〜２１では、遮断性能と耐電圧特性を満足すると同時に、脆化相を形成することにより、優れた耐溶着特性を示した。これに対してＴｅの添加量が０．０２ｗｔ％の比較例１１では、脆化相の形成量が少なく、耐溶着特性が不十分であった。一方、Ｔｅ添加量が２ｗｔ％の比較例１２では、高蒸気圧のＴｅの添加量が多く、遮断特性が不合格となっている。
【００５５】
以上述べた本発明の真空バルブ用接点材料は、概略ＣｕとＣｒの合金粉体を原料とし、かつ、Ｃｒ含有量が２３〜５０ｗｔ％となるようにしたものである。このようにすることにより、前述した特許文献２の発明では、アトマイズ法により製造したＣｕとＣｒの複合粉体をＣｕ粉末と混合し、Ｃｒ含有量が２０ｗｔ％以下の接点材料が示されているが、２０ｗｔ％以下のＣｒ含有量では遮断性能が不十分であり、本発明のように、２３〜５０ｗｔ％において良好な遮断性能を示す。このアトマイズ法により製造された粉末のうち不活性ガスを冷却媒体として用いたいわゆるガスアトマイズ粉体(ガスアトマイズ粉末)はガス含有量が低いが成形性が悪く、一方、水を冷却媒体として用いたいわゆる水アトマイズ粉末水アトマイズ粉末は成形性は良好であるがガス含有量が高い。成形性が悪い場合には残存空隙中の吸着ガスが問題となり、一方、ガス含有量が高い場合は、原料粉末表面に酸化物または水酸化物が形成されているため、いずれの場合も遮断性能低下の原因となる。請求項２で示したように、この両粉末を適正な割合で混合した本発明では、優れた遮断性能を発揮することが可能となっている。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の一実施例を示す真空バルブ用接点材料が適用される真空バルブの断面図。
【図２】図１の要部拡大断面図。
【符号の説明】
【００５７】
１ 遮断室， ２ 絶縁容器， ３ａ，３ｂ 封止金具， ４ａ，４ｂ 蓋体， ５，６ 導電棒
７，８ 電極， ９ ベローズ， １０，１１ アークシールド， １３ａ，１３ｂ 接点
１４ ろうづけ層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣｕとＣｒの合金粉体を原料とする真空バルブ用接点材料において、
前記Ｃｒの含有量が２３〜５０ｗｔ％であることを特徴とする真空バルブ用接点材料。
【請求項２】
前記合金粉体は、アトマイズ法により水を冷却媒体として製造された第１の合金粉体と、前記アトマイズ法により不活性ガスを冷却媒体として製造された第２の合金粉体を混合して用いることを特徴とする請求項１に記載の真空バルブ用接点材料。
【請求項３】
微量添加成分として０．０１〜０．２ｗｔ％のＢｉ及び又は０．０５〜１ｗｔ％のＴｅを新たに含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の真空バルブ用接点材料。
【請求項４】
アトマイズ法により水を冷却媒体として製造された第１のＣｕＣｒ粉体と、前記アトマイズ法により不活性ガスを冷却媒体として製造された第２のＣｕＣｒ粉体を混合してＣｕＣｒ粉体を得る第１の工程と、
前記第１の工程で得られたＣｕＣｒ粉体に圧力を加えて成形体を得る第２の工程と、
前記第２の工程で得られた成形体を焼結して接点材料を得る第３の工程と、
からなることを特徴とする真空バルブ用接点材料の製造方法。
【請求項５】
前記第１の工程で得られるＣｕＣｒ粉体は、６５〜７５ｗｔ％のＣｕと２５〜３５ｗｔ％のＣｒを含有している場合、前記ＣｕＣｒ粉体のうちの２０〜５０ｗｔ％は水を冷却媒体としたアトマイズ法により製造し、残りを不活性ガスを冷却媒体としたアトマイズ法により製造することを特徴とする請求項４に記載の真空バルブ用接点材料の製造方法。
【請求項６】
水を冷却媒体として製造された粉体のＣｒ量を１５ｗｔ％以下(０を含まず)とした請求項４又は請求項５に記載の真空バルブ用接点材料の製造方法。
【請求項７】
前記第３の工程において、５００〜８００℃の温度領域において水素雰囲気にて焼結を行った後に、雰囲気中の水素を排気して１．０×１０−２Ｐａより高い真空雰囲気とし、９５０〜１０５０℃の温度領域まで昇温して焼結することを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の真空バルブ用接点材料の製造方法。
【請求項８】
前記第２の工程において、１〜４ton/cm2で成形し、前記第３の工程において、５００〜８００℃の温度領域において水素雰囲気にて焼結を行った後に、雰囲気中の水素を排気して１．０×１０−２Ｐａより高い真空雰囲気とし、９５０〜１０５０℃の温度領域まで昇温して焼結した後に、６〜１０ton/cm2で再度成形する第４の工程と、前記再成形体を１．０×１０−２Ｐａより高い真空雰囲気とし、９５０〜１０５０℃の温度領域まで昇温して再度焼結する第５の工程とを追加した請求項４に記載の真空バルブ用接点材料の製造方法。
【請求項９】
前記第１の工程において、水を冷却媒体として製造された粉体と、前記不活性ガスを冷却媒体として製造された粉体からなる２種類のアトマイズ粉体と、Ｂｉ及び又はＴｅを添加することを特徴とする請求項４〜８のいずれか１項に記載の真空バルブ用接点材料の製造方法。
【請求項１】
ＣｕとＣｒの合金粉体を原料とする真空バルブ用接点材料において、
前記Ｃｒの含有量が２３〜５０ｗｔ％であることを特徴とする真空バルブ用接点材料。
【請求項２】
前記合金粉体は、アトマイズ法により水を冷却媒体として製造された第１の合金粉体と、前記アトマイズ法により不活性ガスを冷却媒体として製造された第２の合金粉体を混合して用いることを特徴とする請求項１に記載の真空バルブ用接点材料。
【請求項３】
微量添加成分として０．０１〜０．２ｗｔ％のＢｉ及び又は０．０５〜１ｗｔ％のＴｅを新たに含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の真空バルブ用接点材料。
【請求項４】
アトマイズ法により水を冷却媒体として製造された第１のＣｕＣｒ粉体と、前記アトマイズ法により不活性ガスを冷却媒体として製造された第２のＣｕＣｒ粉体を混合してＣｕＣｒ粉体を得る第１の工程と、
前記第１の工程で得られたＣｕＣｒ粉体に圧力を加えて成形体を得る第２の工程と、
前記第２の工程で得られた成形体を焼結して接点材料を得る第３の工程と、
からなることを特徴とする真空バルブ用接点材料の製造方法。
【請求項５】
前記第１の工程で得られるＣｕＣｒ粉体は、６５〜７５ｗｔ％のＣｕと２５〜３５ｗｔ％のＣｒを含有している場合、前記ＣｕＣｒ粉体のうちの２０〜５０ｗｔ％は水を冷却媒体としたアトマイズ法により製造し、残りを不活性ガスを冷却媒体としたアトマイズ法により製造することを特徴とする請求項４に記載の真空バルブ用接点材料の製造方法。
【請求項６】
水を冷却媒体として製造された粉体のＣｒ量を１５ｗｔ％以下(０を含まず)とした請求項４又は請求項５に記載の真空バルブ用接点材料の製造方法。
【請求項７】
前記第３の工程において、５００〜８００℃の温度領域において水素雰囲気にて焼結を行った後に、雰囲気中の水素を排気して１．０×１０−２Ｐａより高い真空雰囲気とし、９５０〜１０５０℃の温度領域まで昇温して焼結することを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の真空バルブ用接点材料の製造方法。
【請求項８】
前記第２の工程において、１〜４ton/cm2で成形し、前記第３の工程において、５００〜８００℃の温度領域において水素雰囲気にて焼結を行った後に、雰囲気中の水素を排気して１．０×１０−２Ｐａより高い真空雰囲気とし、９５０〜１０５０℃の温度領域まで昇温して焼結した後に、６〜１０ton/cm2で再度成形する第４の工程と、前記再成形体を１．０×１０−２Ｐａより高い真空雰囲気とし、９５０〜１０５０℃の温度領域まで昇温して再度焼結する第５の工程とを追加した請求項４に記載の真空バルブ用接点材料の製造方法。
【請求項９】
前記第１の工程において、水を冷却媒体として製造された粉体と、前記不活性ガスを冷却媒体として製造された粉体からなる２種類のアトマイズ粉体と、Ｂｉ及び又はＴｅを添加することを特徴とする請求項４〜８のいずれか１項に記載の真空バルブ用接点材料の製造方法。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２００７−６６７５３（Ｐ２００７−６６７５３Ａ）
【公開日】平成１９年３月１５日（２００７．３．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２５２４１６（Ｐ２００５−２５２４１６）
【出願日】平成１７年８月３１日（２００５．８．３１）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年３月１５日（２００７．３．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年８月３１日（２００５．８．３１）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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