表示パネルの製造方法
【課題】基板を一方的にマスクに押し付けても基板とマスクを十分に密着させることができない。静電吸着により基板とマスクの双方を引き合わせることで、基板とマスクを十分に密着させて真空成膜（蒸着、スパッタリング等）を行うことにより、パターン精度の高い表示パネルを提供する。
【解決手段】１または複数の表示パネル用回路が形成される基板４２０とマスク５２０とを重ねて配置し、当該基板が前記マスクに静電吸着するように、当該マスクに電圧を印加し、当該基板に当該マスクを介して真空成膜する。
【解決手段】１または複数の表示パネル用回路が形成される基板４２０とマスク５２０とを重ねて配置し、当該基板が前記マスクに静電吸着するように、当該マスクに電圧を印加し、当該基板に当該マスクを介して真空成膜する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示パネルの製造工程のうちの１工程として、マスクを用いて有機色素材料をＴＦＴ基板に蒸着する方法が知られており（特許文献１）、当該マスクを使用することで３色の発光層をＴＦＴ基板に別々に蒸着している。
【０００３】
図１４は、有機色素材料のＴＦＴ基板への蒸着過程を示す図である。図１４に示すように、真空チャンバー（図示せず）内には、マスク支持体１１０によって支持されたマスク１２０、及び、蒸着源１３０が設置されている。蒸着源１３０は、有機色素材料１３１を入れた坩堝１３２の周りにヒーター１３３を設置するようにして構成されている。
【０００４】
蒸着過程においては、ＴＦＴ基板１４０が当該マスク１２０上に設置され、有機色素材料１３１が、ＴＦＴ基板上の適切な位置に蒸着されるよう、当該マスク１２０の開口部１２１とＴＦＴ基板１４０が精密に位置合わせされる。次に、坩堝１３２内の有機色素材料１３１がヒーター１３３により加熱蒸発され、マスク１２０の開口部を介して、ＴＦＴ基板１４０上に蒸着される。
【０００５】
この際、図１５に示すように、ＴＦＴ基板１４０は、ＴＦＴ形成過程において加わった熱歪みや、膜応力の影響で若干反っており、ＴＦＴ基板１４０をマスク１２０上に設置したとしても、全体的にはマスク１２０と密着しない。具体的には、例えば、ＴＦＴ基板１４０の中心部では、図１５に示すように、ＴＦＴ基板１４０とマスク１２０は密着しているが、ＴＦＴ基板１４０の端部においては、図１６に示すように、ＴＦＴ基板１４０の反りにより、ＴＦＴ基板１４０とマスク１２０は密着しない。
【０００６】
このような状態で有機色素材料１３１をＴＦＴ基板１４０に蒸着させたとしても、上記中心部分では適切に有機色素材料１３１が蒸着されるものの、端部においては、マスク１２０の開口部１２１よりも大きく蒸着されてしまう。具体的には、例えば、ＴＦＴ基板１４０の中心部においては、図１６に示すように、適切にマスク１２０の開口部１２１にあわせて、適切に有機色素材料１３１が形成されるが、ＴＦＴ基板１４０の端部においては、図１７に示すように、有機色素材料１３１がマスク１２０の開口部１２１からすそを引いてはみだして蒸着される。結果として、上記のように有機色素材料が蒸着された表示パネルを点灯させた場合には、発光色が混ざったり、発光が弱められてしまうという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−５９７５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、上記のような蒸着過程において、マスク１２０とＴＦＴ基板１４０を密着させるために、機械的にＴＦＴ基板１４０をマスク１２０に押し付ける方法が考えられる。
【０００９】
しかしながら、このような方法では、ＴＦＴ基板１４０を一方的にマスク１２０に押し付けるのみであり、全体的にＴＦＴ基板１４０とマスク１２０を密着することは困難であり、結果として、ますますＴＦＴ基板１４０が歪めることにもなりかねない。また、例え密着できたとしてもＴＦＴ基板を介してマスクを押し込み歪めてしまい、パターンズレを生じてしまう結果となる。マスクは平面であるときに正しいパターンを成しているのであって、歪めるとパターンそのものも歪んでしまい、正しいパターンを保つことはできない。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みて、静電吸着により基板とマスクの双方を引き合わせることで、基板とマスクを十分に密着させて真空成膜（蒸着、スパッタリング等）を行うことにより、パターン精度の高い表示パネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
（１）本発明に係る表示パネルの製造方法は、１または複数の表示パネル用回路が形成される基板とマスクとを重ねて配置し、前記基板が前記マスクに静電吸着するように、前記マスクに電圧を印加し、前記基板に前記マスクを介して真空成膜することを特徴とする。 当該構成により、静電吸着により基板とマスクの双方を引き合わせ、基板とマスクを十分に密着させてから真空成膜を行うことにより、パターン精度の高い表示パネルを製造することができる。
【００１２】
（２）（１）に記載された表示パネルの製造方法において、前記真空成膜後に、前記マスクを接地することを特徴としてもよい。
【００１３】
（３）（１）に記載された表示パネルの製造方法において、前記基板の前記マスクと重ならない面に、導電膜を形成し、前記導電膜を、接地することを特徴としてもよい。
【００１４】
（４）（３）に記載された表示パネルの製造方法において、前記導電膜のシート抵抗値は、１０３乃至１０６Ω／□であることを特徴としてもよい。
【００１５】
（５）（１）に記載された表示パネルの製造方法において、前記マスクを絶縁膜で覆うことを特徴としてもよい。
【００１６】
（６）（５）に記載された表示パネルの製造方法において、前記絶縁膜に、接地されたアース端子を形成し、前記基板に、端子フレームを形成し、前記端子フレームは前記アース端子と接触することを特徴としてもよい。
【００１７】
（７）（６）に記載された表示パネルの製造方法において、前記基板は、薄膜トランジスタ回路を有し、前記薄膜トランジスタ回路を、抵抗体を介して、前記端子フレームに接続することを特徴としてもよい。
【００１８】
（８）（７）に記載された表示パネルの製造方法において、前記薄膜トランジスタ回路は、駆動用電力線を有し、前記駆動用電力線を、前記抵抗体を介して、前記端子フレームに接続することを特徴としてもよい。
【００１９】
（９）（７）に記載された表示パネルの製造方法において、前記抵抗体は、１０３乃至１０８Ωであることを特徴としてもよい。
【００２０】
（１０）（６）に記載された表示パネルの製造方法において、前記端子フレームは、前記１または複数の表示パネル用回路を囲むように前記基板の外周に設けられ、かつ、アース端子と接触する外周部を含むことを特徴としてもよい。
【００２１】
（１１）（１０）に記載された表示パネルの製造方法において、前記端子フレームは、矩形であって、前記端子フレームは、更に、前記外周部のうち、対向する辺を接続する接続部とを有することを特徴としてもよい。
【００２２】
（１２）（１）に記載された表示パネルの製造方法において、前記マスクを、マスク支持体によって支持することを特徴としてもよい。
【発明の効果】
【００２３】
静電吸着により基板とマスクの双方を引き合わせ、基板とマスクを十分に密着させてから真空成膜を行うことにより、パターン精度の高い表示パネルを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明にかかる実施の形態における表示パネルの概略を示す図である。
【図２】図１のII−II断面図である。
【図３】図１の表示領域における各画素のレイアウトの概略を示す図である。
【図４】第１の実施の形態における表示パネルの断面の概略を示す図である。
【図５】第１の実施の形態における蒸着装置の概略を示す図である。
【図６】第１の実施の形態における静電吸着圧と印加電圧の関係を示す図である。
【図７】第１の実施の形態における静電吸着によりマスク及びＴＦＴ基板に働く力の概略を示す図である。
【図８】第２の実施の形態における表示パネルの断面の概略を示す図である。
【図９】第２の実施の形態における蒸着装置の概略を示す図である。
【図１０】第３の実施形態におけるＴＦＴ基板及びマスク等の概略を示す図である。
【図１１】第３の実施の形態における蒸着装置の概略を示す図である。
【図１２】第３の実施形態における表示パネル周辺を拡大した概略を示す図である。
【図１３】第３の実施の形態における静電吸着圧と印加電圧の関係を示す図である。
【図１４】従来の蒸着装置の概略を示す図である。
【図１５】従来の方法におけるマスク及びＴＦＴ基板に働く力の概略を示す図である。
【図１６】図１５におけるＴＦＴ基板中心部の拡大図である。
【図１７】図１５におけるＴＦＴ基板端部の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本実施の形態では、マスクを使用して、基板に対して真空成膜（蒸着、スパッタリング等）を行う。有機ＥＬ表示パネルの製造工程においては、有機色素材料の蒸着によって発光層を形成する。液晶表示パネルの製造工程では、酸化インジウムスズ又は酸化インジウム亜鉛のスパッタリングによって透明電極を形成する。いずれの場合も、成膜しようとする領域が開口し、成膜しない領域を覆う形状のマスクを使用し、パターニングしながら成膜を行う。真空成膜の対象となる基板は、１または複数の表示パネルを形成する薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor）が形成されたＴＦＴ基板である。なお、当該ＴＦＴ基板は、特許請求の範囲に記載の１または複数の表示用パネル回路が形成される基板に対応するものである。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
【００２６】
図１は、本実施形態における表示パネルの製造方法にて製造された表示パネルの概略図を示す図である。図２は図１のII−II断面図である。図１及び図２に示すように、ＴＦＴ基板１５０上に、表示領域１６０が形成され、表示領域１６０からの配線１６１はＴＦＴ基板１５０端部の端子１６２に接続される。表示領域１６０を形成する有機ＥＬ２１０は、湿気に弱いことから、図１に示すように透明の封止ガラス１７０でその上部を覆うとともに、当該封止ガラス１７０とＴＦＴ基板１５０の間は封止シール材１８０で封止されている。
【００２７】
更に、図２に示すように、有機ＥＬ２１０上部と封止ガラス１７０の間には、透明の乾燥材２２０を設置して、湿気を吸収する構成を加えてもよい。なお、表示パネル１００の点灯時には、表示領域１６０から発光された各色の光が、透明の乾燥材２２０及び透明の封止ガラス１７０を介して、図２上方に発光される。
【００２８】
図３は、図１に記載した表示領域１６０における各画素のレイアウトを示した概略図である。図３に示すように、光の３原色である赤色、緑色、青色からなる各画素３１０、３２０、３３０が、順に行列上に並んで形成される。なお、画素の数は例示であって、本発明は図３に示した画素の数に限定されるものではなく、所望の表示パネルの大きさ等に応じた数に調整される。以下、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
【００２９】
［第１の実施形態］
図４は、第１の実施形態において製造された表示パネルの断面を示す概略図である。図４に示すように、ガラス基板４０１上には、複数の薄膜トランジスタが形成されたＴＦＴ基板４２０が構成され、当該薄膜トランジスタの配列に対応して、ＴＦＴ基板４２０の上に有機ＥＬ素子４３０が形成されている。
【００３０】
詳細には、図４に示すように、ガラス基板４０１上に、多結晶シリコン４０２、ゲート電極４０３、ゲート絶縁膜層間絶縁膜４０４、ソース及びドレイン電極４０５、パッシベーション膜４０６が順次積層されることにより、複数の薄膜トランジスタが形成されたＴＦＴ基板４２０が形成される。
【００３１】
また、各画素の有機ＥＬ素子４３０は、上記ＴＦＴ基板４２０上に形成された平坦化膜４０７の上部に形成され、バンク材４０８により互いに隔離されている。具体的には、各有機ＥＬ素子４３０は、平坦化膜４０７上部に反射メタル４０９、アノード４１０、ホール輸送層４１１、赤色、緑色、青色の各発光層４１２、４１３、４１４、電子輸送層４１５、カソード４１６が順に積層されて形成される。
【００３２】
次に、本実施形態における表示パネル４００の製造方法について説明する。まず、ガラス基板４０１上に、アルミニウム等の有色の導電膜や、半導体膜、絶縁膜の積層やパターニング等の処理を繰り返して、走査信号線、映像信号線、薄膜トランジスタ等を含むＴＦＴ基板４２０を形成する。そして、これらの薄膜トランジスタ等を保護するため窒化シリコンのパッシベーション膜４０６を、さらにＴＦＴ基板４２０を平坦化するために、アクリルやポリイミドなどの樹脂平坦化膜４０７を積層する。
【００３３】
次に、反射メタル４０９とアノード４１０が、例えば、フォトリソグラフィを用いてパターニングされることにより、画素領域毎に設けられる。また、アノード４１０の積層後は、各画素領域を格子状に区画するようにバンク材４０８が設けられ、当該バンク材４０８で区画された領域に、例えば蒸着法によって、ホール輸送層４１１、発光層４１２、４１３、４１４、及び、電子輸送層４１５が順次積層されて設けられる。ここで、発光層４１２、４１３、４１４は、赤色、緑色、青色の３色に塗り分けるためマスクを３回用いて蒸着されるが、この点は後に詳述する。そして、カソード４１６は、バンク材４０８を介して各画素領域の発光層４１２、４１３、４１４を共通に覆うように形成される。このようにして、１または複数の表示パネル４００が１つのガラス基板４０１上に形成される。なお、上記した表示パネル４００の製造方法は、その概略を示すものであって、必要に応じてその他の工程が追加され得る。
【００３４】
なお、ホール輸送層４１１に用いるホール輸送性を示す物質としては、例えば、テトラアリールベンジシン化合物（トリフェニルジアミン：ＴＰＤ）、芳香族三級アミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体、銅フタロシアニン誘導体等が用いられる。また、各発光層４１２、４１３、４１４に用いる発光材料としては、電子、ホールの輸送能力を有するホスト材料に、電子、ホールの再結合により蛍光、もしくは、りん光を発するドーパントを添加したもので共蒸着により第３の層として形成できるものであれば特に限定は無く、例えば、ホストとしてはトリス（８−キノリノラト）アルミニウム、ビス（８−キノリノラト）マグネシウム、ビス（ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリノラト）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウムオキシド、トリス（８−キノリノラト）インジウム、トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム、８−キノリノラトリチウム、トリス（５−クロロ−８−キノリノラト）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−キノリノラト）カルシウム、５，７−ジクロル−８−キノリノラトアルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム、ポリ［亜鉛（ＩＩ）−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリニル）］メタンのような錯体、アントラセン誘導体、カルバゾール誘導体、等であってもよい。また、ドーパントとしてはホスト中で電子とホールを捉えて再結合させ発光するものであって、例えば赤ではピラン誘導体、緑ではクマリン誘導体、青ではアントラセン誘導体などの蛍光を発光する物質、もしくは、イリジウム錯体、ピリジナート誘導体などりん光を発する物質であってもよい。電子輸送層４１５は、例えばトリス（８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）−４−フェニルフェノラート−アルミニウム、ビス［２−［２−ヒドロキシフェニル］ベンゾオキサゾラート］亜鉛などの金属錯体や２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン等が用いられる。電子注入層としてはＬｉＦ等が用いられる。
【００３５】
次に、上記各発光層４１２、４１３、４１４を形成するための工程について、下記に詳述する。図５は、マスク５２０を用いて、ＴＦＴ基板４２０に、有機色素材料を蒸着するための蒸着装置５００を示すための概略図である。
【００３６】
図５に示すように、真空チャンバー５１０内には、ＴＦＴ基板４２０やマスク５２０、蒸着源５３０等が設置される。具体的には、マスク５２０は、マスク支持体５４０によってマスク５２０の外周部分で支持されて設置される。また、当該マスク５２０の下方には、有機色素材料をＴＦＴ基板４２０に蒸着するための、蒸着源５３０が設置される。一方、マスク５２０の上部には、ＴＦＴ基板４２０が有機色素材料が蒸着される面を下にして、マスク５２０上に重ねて設置される。更に、ＴＦＴ基板４２０の上方には、当該ＴＦＴ基板４２０に近接して導体５８０が設置される。当該導体５８０は、当該真空チャンバー５１０上部から導体支持体５９０を介して配置される。導体５８０は平面形状であって、ＴＦＴ基板４２０と略同一の面積を有し、ＴＦＴ基板４２０の上部を覆うように、ＴＦＴ基板４２０に近接して配置される。
【００３７】
一方、真空チャンバー５１０外には、高圧電源５６０が設置され、高圧電源５６０のプラス側は、スイッチ５５０及び金属配線５７０を介してマスク支持体５４０に接続される。一方、高圧電源５６０のマイナス側は、真空チャンバー５１０の外壁に接続される。このように構成されることにより、スイッチ５５０がオンされると、マスク支持体５４０を通じてマスク５２０に高圧電源５６０の高電圧を印加される。
【００３８】
なお、ＴＦＴ基板４２０と蒸着源５３０の位置は互いに固定されているものであってもよく、相対的に移動する形式であってもよい。また、図５においては、蒸着源５３０は２つ設けられているが、２つに限られるものではない。更に、導体５９０は真空チャンバー５１０外壁の上部から導体支持体５９０により延長されて設置されているが、適切に有機色素材料が蒸着できるように配置されている限り、図５に示した配置に限定されるものではない。なお、マスク５２０及びマスク支持体５４０は、例えば、ニッケル等の金属により形成され、互いに電気的に接続されている。
【００３９】
次に、当該蒸着装置５００を用いて、ＴＦＴ基板４２０をマスク５２０に設置してから、有機色素材料を蒸着し、ＴＦＴ基板４２０を取り外すまでの工程について説明する。
【００４０】
まず、蒸着源５３０から加熱蒸発された有機色素材料が、ＴＦＴ基板４２０上の適切な位置に蒸着されるよう、当該マスク５２０の開口部５２１とＴＦＴ基板４２０を位置合わせして、マスク５２０とＴＦＴ基板４２０を設置する。なお、図５には図示していないが、この際、上述したように、ＴＦＴ基板４２０は、ＴＦＴ形成過程において加わった熱歪みや、膜応力の影響等により歪んだ形状になっている。
【００４１】
次に、高圧電源５６０のスイッチ５５０をオンにし、ＴＦＴ基板４２０とマスク５２０を、静電吸着する。この際、ＴＦＴ基板４２０の様子を観察し、ＴＦＴ基板４２０とマスク５２０が十分に密着されたことが確認されるまで、高圧電源５６０の電圧を上げる。このときの、静電吸着圧と印加した電圧の関係を図６に示す。約１０００ＶぐらいからＴＦＴ基板４２０とマスク５２０は吸着し始め、約７０００Ｖで適切に有機色素材料を蒸着するのに十分な密着が得られる。
【００４２】
その後、ＴＦＴ基板４２０上に、有機色素材料の蒸着を行う。具体的には、蒸着源５３０中の有機色素材料が蒸着源５３０のヒーター（図示せず）により加熱蒸発された後、当該加熱蒸発された有機色素材料がマスク５２０の開口部５２１を介して、ＴＦＴ基板４２０上の適切な位置に蒸着される。蒸着終了後は、高圧電源５６０のスイッチ５５０を切りＴＦＴ基板４２０をマスク５２０から取り外す。
【００４３】
上記工程は、例えば、赤色、緑色、青色の３色の発光層４１２、４１３、４１４をＴＦＴ基板４２０に形成する際には、各色毎に準備されたマスク５２０、蒸着源５３０、有機色素材料を用いて、各色毎に行われる。なお、各色毎の真空チャンバー５１０を設け、ＴＦＴ基板４２０に１の有機色素材料が蒸着される度に、次の色の有機色素材料を蒸着させるための真空チャンバー５１０に搬送する構成としてもよいし、１つの真空チャンバー５１０内で、マスク５２０及び蒸着源５３０を交換する構成としてもよい。更に、上記各色毎の有機色素材料を蒸着する際に、各色毎のホール輸送層（図示せず）を蒸着してもよい。
【００４４】
上記のように、ＴＦＴ基板４２０とマスク５２０を双方から静電吸着により引き合わせることで、ＴＦＴ基板４２０とマスク５２０とを十分に密着させて各色の有機色素材料の蒸着を行うことができる。具体的には、静電吸着により図７矢印Ｂ及びＣで示すように、ＴＦＴ基板４２０は全体としてマスク５２０側へ静電吸着力を受けるとともに、マスク５２０も全体としてＴＦＴ基板４２０側へ静電吸着力を受ける。つまり、ＴＦＴ基板４２０及びマスク５２０が全体として双方から引き寄せられることとなり、ＴＦＴ基板４２０を一方的にマスク５２０へ押し付ける従来の場合と比べ、ＴＦＴ基板４２０とマスク５２０を十分に密着させることが可能となる。このように、ＴＦＴ基板４２０とマスク５２０を十分に密着させてから各色の有機色素材料の蒸着を行うことにより、よりパターン精度の高い表示パネル４００を製造することができる。
【００４５】
［第２の実施形態］
図８は、本発明の第２の実施形態において製造された表示パネルの断面を示す概略図である。図９は、第２の実施形態において、マスクを用いて、ＴＦＴ基板に、有機色素材料を蒸着するための蒸着装置を示す概略図である。第２の実施形態では、図８及び図９に示すように、ガラス基板４０１に導電膜８１０を形成した点、当該導電膜８１０が接地されている点が主に相違する。以下に第２の実施の形態について詳述するが、第１の実施形態と同様となる点については、説明を省略する。
【００４６】
図８に示すように、ガラス基板４０１の薄膜トランジスタ等が形成される側とは反対側の面に導電膜８１０が形成される。当該導電膜８１０は、例えばスパッタリング等により形成される。なお、導電膜８１０は、ＴＦＴ基板８２０をマスク５２０に位置合わせし赤色、緑色、青色の有機色素材料を蒸着する前に形成される。また、表示パネル８００においては、導電膜８１０が上記のように形成されている以外の点においては、第１の実施の形態における表示パネル４００と同一の構成を有する。
【００４７】
また、図９に示すように、導電膜８１０は、金属線等９１０を介して、真空チャンバー（図示せず）外に接地され、ＴＦＴ基板８２０のマスクの開口部５２１よりも大きい面積を有するように形成される。また、真空チャンバー（図示せず）外には、高圧電源５６０が設置されており、高圧電源５６０のプラス端子は、スイッチ９３０を介して金属配線９２０に接続される。当該金属配線９２０は、更に、真空チャンバー（図示せず）内に引き込まれた後、マスク支持体５４０に接続される。一方、高圧電源５６０のマイナス端子は、真空チャンバー（図示せず）外で接地される。
【００４８】
スイッチ９３０は、金属配線９２０に接続された端子９３１、接地された端子９３３、高圧電源５６０に接続された端子９３２を有する。そして、スイッチ９３０により、金属配線９２０に接続された端子９３１を、接地された端子９３３または高圧電源５６０に接続された端子９３２に接続するかを切り替えることができる。このように構成することにより、マスク５２０に高圧電源５６０の高電圧を印加するか、マスク５２０を接地するかをスイッチ９３０により切り替えることができる。
【００４９】
次に、当該第２の実施形態における蒸着装置９００を用いて、ＴＦＴ基板８２０をマスク５２０上に重ねて設置してから、有機色素材料を蒸着し、ＴＦＴ基板８２０を取り出すまでの工程について説明する。
【００５０】
まず、有機色素材料が、ＴＦＴ基板８２０上の適切な位置に蒸着されるよう、当該マスク５２０の開口部５２１とＴＦＴ基板８２０を位置合わせして設置した後、ＴＦＴ基板８２０に形成された導電膜８１０を接地する。なお、導電膜８１０を接地した後、マスク５２０とＴＦＴ基板８２０を位置合わせして設置する構成としてもよい。
【００５１】
次に、第１の実施形態と同様に、スイッチ９３０を高圧電源５６０によりマスク５２０に高電圧が印加されるように切替え、マスク５２０とＴＦＴ基板８２０とを静電吸着する。その後、ＴＦＴ基板８２０上に、有機色素材料の蒸着を行う。
【００５２】
蒸着終了後、スイッチ９３０をマスク５２０が接地されるように切り替えて、ＴＦＴ基板８２０を取り出す。
【００５３】
上記のような工程により、静電吸着後ＴＦＴ基板８２０に形成された導電膜８１０を接地し、かつ、マスク５２０を蒸着終了後に接地していることから、ＴＦＴ基板８２０に貯まった電荷が容易に放出され、容易かつ速やかにＴＦＴ基板８２０をマスク５２０から取り外すことができる。
【００５４】
なお、ここで、上記導電膜８１０の抵抗値が低すぎるとＴＦＴ基板８２０の外周部で沿面放電しやすくなる。当該放電を起こすと電圧バランスが崩れ、ＴＦＴ基板８２０に形成され、ゲート電極４１３、ドレイン及びソース電極５等で構成されたＴＦＴ回路のトランジスタ特性に変調をきたしたり、ＴＦＴ回路が壊れたりする。逆に、高すぎるとＴＦＴ基板８２０を取り外す際に、時間がかかるようになる。したがって、このような問題を避けるため、上記導電膜８１０の抵抗値は適切に調整されることが必要であり、例えば、導電膜８１０のシート抵抗値は、１０３乃至１０６Ω／□を有するように構成するのが好ましい。なお、放電を起こしにくくするために、マスク５２０表面を絶縁膜（図示せず）で覆ってもよい。
【００５５】
上記のように、導電膜８１０の抵抗値を適切に調整することで、上記工程において、ＴＦＴ基板８２０に形成されたＴＦＴ回路内の電位差をほとんどなくすことができ、上記のような問題がさけられるとともに、ＴＦＴ基板８２０をマスク５２０から容易かつ速やかに取り外すことができる。また、静電吸着により、ＴＦＴ基板８２０とマスク５２０とを双方から十分に密着させて、各色の有機色素材料の蒸着を行うことにより、パターン精度の高い表示パネルを製造することができる。
【００５６】
[第３の実施形態]
図１０は、第３の実施形態において用いるＴＦＴ基板、及び、マスク及びマスク支持体を示す概略図である。図１１は、第３の実施形態において、マスクを用いて、ＴＦＴ基板に、有機色素材料を蒸着するための装置を示す概略図である。図１０及び図１１に示すように、第３の実施形態では、ＴＦＴ基板２３０に端子フレーム２４０を設けた点、マスク２６０表面を絶縁膜２８０で覆い、当該絶縁膜２８０上に、当該端子フレームに対応するアース端子を設けた点が、第１及び第２の実施の形態と、主に相違する。また、第３の実施の形態においては、第２の実施の形態のように、表示パネルに導電膜４１７を設けない点が、主に相違する。以下第３の実施の形態について詳述するが、第１及び第２の実施形態と同様となる点については、説明を省略する。
【００５７】
図１０に示すように、ＴＦＴ基板２３０には、端子フレーム２４０が形成されている。当該端子フレーム２４０は、ＴＦＴ基板２３０の外周に沿って、ＴＦＴ基板２３０上に行列上に配列された複数の表示パネル３５０を囲むように形成された外周部２４１と、当該外周部２４１の対向する辺を接続する接続部２４２とを有する。具体的には、例えば、図１２に示すように、ＴＦＴ基板２３０に行列上に配列されている複数の表示パネル３５０の１行毎、かつ、複数列毎に接続部２４２が形成される。
【００５８】
なお、接続部２４２は、図１０または図１２に示した形状に限定されるものではなく、１または複数の表示パネル３５０を取り囲むように形成されていればよい。また、ＴＦＴ基板２３０の断面構造については、端子フレーム２４０が形成されている点、後述する高抵抗体３６０が形成されている点を除き、図４で示した第１の実施の形態の断面構造と同様である。
【００５９】
図１０及び図１１に示すように、マスク２６０及びマスク支持体２７０表面には絶縁膜２８０が形成されており、当該絶縁膜２８０のうちＴＦＴ基板２３０と重なる面に、アース端子２５０が形成される。なお、アース端子２５０は、絶縁膜２８０上に金属により形成されてもよい。また、アース端子２５０は、ＴＦＴ基板２３０がマスク２６０に重ねられた際に、ＴＦＴ基板２３０の端子フレーム２４０の外周部２４１とアース端子２５０が接触するように形成される。つまり、端子フレーム２４０の外周部２４１の形状とアース端子２５０の形状は同様である。また、アース端子２５０は金属配線２５１を介して、真空チャンバー（図示せず）外に接地される。
【００６０】
図１２に示すように、各表示パネル３５０は表示領域３４０及び端子３６１を有し、各表示領域３４０の１つの端子３６１は、各表示領域３４０内のＴＦＴ回路をアース電位に保つように、高抵抗体３６０を介して端子フレーム２４０に接続される。なお、高抵抗体３６０の抵抗値は、１０３乃至１０８Ωを有するように構成するのが好ましい。具体的には、例えば、端子フレーム２４０は、表示領域３４０内に形成された有機ＥＬ駆動電力線（図示せず）に、リンをドープした多結晶シリコン配線（図示せず）を介して接続される。また、例えば、当該多結晶シリコン配線は約１０ＭΩの抵抗値を有する。このように、高抵抗体３６０、端子フレーム２４０、アース端子２５０を介して表示領域３４０のＴＦＴ回路を接地しアース電位に保つことで、表示パネル表面のＴＦＴ回路と蒸着マスクの間の電界で静電吸着することが可能となる。また、表示パネル３５０内のＴＦＴ回路が、印加される高電圧により破壊等されることを防止する効果もある。
【００６１】
なお、図１１に示すように、マスク支持体２７０は、金属配線２９０を介して、スイッチ２９１に接続され、さらに、スイッチ２９１は、高圧電源２９２または接地２９３を切り替えることができるように構成されている点は第２の実施形態と同様であるが、上記のように、第３の実施の形態においては、マスク２６０及びマスクフレーム２７０が、絶縁膜２８０で覆われている点が異なる。また、図１１において、真空チャンバー及び蒸着源は、省略されている。
【００６２】
次に、当該第３の実施形態における蒸着装置２００を用いて、ＴＦＴ基板２３０をマスク２６０に重ねて設置してから、当該ＴＦＴ基板２３０に有機色素材料を蒸着し、マスク２６０からＴＦＴ基板２３０を取り外すまでの工程について説明する。
【００６３】
まず、有機色素材料が、ＴＦＴ基板２３０上の適切な位置に蒸着されるよう、当該マスク２６０の開口部２６１とＴＦＴ基板２３０を位置合わせして設置し、ＴＦＴ基板２３０に形成されたアース端子２５０を接地する。このとき、ＴＦＴ基板２３０の端子フレーム２４０の外周部２４１と、マスク２６０のアース端子２５０は、接触する。なお、アース端子２５０を接地した後、マスク２６０とＴＦＴ基板２３０を位置合わせして設置してもよい。
【００６４】
次に、第１の実施の形態と同様に、スイッチ２９１を、マスク２６０に高圧電源２９２の電圧が印加されるように切り替えて、ＴＦＴ基板２３０をマスク２６０に静電吸着させ、その後、ＴＦＴ基板２３０上に、有機色素材料の蒸着を行う。このとき、第３の実施の形態では、高圧電源２９２の電圧は、約３００Ｖまで上げるのみで十分な吸着を得ることができる。具体的には、図１３に示すように、同様の静電吸着圧を得るのに、第１及び第２の実施の形態では約７０００Ｖの電圧を必要とするのに対し、比較的低電圧である約３００Ｖの電圧で足りる。即ち、第３の実施形態のおいては、約３００Ｖの電圧にて、十分にＴＦＴ基板２３０とマスク２６０を吸着させることができる。これは、第１及び第２の実施形態と異なり、ＴＦＴ基板２３０に形成され、アース端子２５０を通じて接地された端子フレーム２４０の電荷とマスク２６０の間の静電吸着による引力を利用していることによるものである。
【００６５】
蒸着終了後は、第２の実施の形態と同様に、スイッチ２９１をマスク２６０が接地するように切り替えて、ＴＦＴ基板２３０を取り外す。その後、端子フレーム２４０と表示パネル３５０の端子を接続する高抵抗体３６０は、例えば切断することにより、取り除かれる。
【００６６】
上記のような工程により、第３の実施形態においては、端子フレーム２４０が接地され、かつ、静電吸着後、スイッチ２９１を切り替えてマスク２６０を接地されることによりＴＦＴ基板２３０に貯まった電荷が容易に放出され、結果として、静電吸着後、容易かつ速やかにＴＦＴ基板２３０をマスク２６０から取り外すことができる。また、約３００Ｖという比較的低電圧にてマスク２６０とＴＦＴ基板２３０を十分に密着させることができる。更に、静電吸着により、ＴＦＴ基板２３０とマスク２６０とを十分に密着させてから各色の有機色素材料の蒸着を行うことで、パターン精度の高い表示パネルを製造することができる。
【００６７】
本発明は、上記実施の形態１乃至３に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態１乃至３で説明した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００６８】
１１０ マスク支持体、１２０ マスク、１３０ 蒸着源、１５０ ＴＦＴ基板、１６０ 表示領域、１７０ 封止ガラス、１８０ 封止シール材、２２０ 透明の乾燥材、２４０ 端子フレーム、２５０ アース端子、３１０、３２０、３３０ 赤色、緑色、青色からなる各画素、３６０ 高抵抗体、４０１ ガラス基板、４０２ 多結晶シリコン、４０３ ゲート電極、４０４ ゲート絶縁膜層間絶縁膜、４０５ ソース及びドレイン電極、４０６ パッシベーション膜、４３０ 有機ＥＬ素子、４０７ 平坦化膜、４０９ 反射メタル、４１０ アノード、４１１ ホール輸送層、４１２、４１３、４１４ 各色発光層、４１５ 電子輸送層、４１６ カソード、５１０ 真空チャンバー、５２０ マスク、５５０ スイッチ、５６０ 高圧電源、８１０ 導電膜。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示パネルの製造工程のうちの１工程として、マスクを用いて有機色素材料をＴＦＴ基板に蒸着する方法が知られており（特許文献１）、当該マスクを使用することで３色の発光層をＴＦＴ基板に別々に蒸着している。
【０００３】
図１４は、有機色素材料のＴＦＴ基板への蒸着過程を示す図である。図１４に示すように、真空チャンバー（図示せず）内には、マスク支持体１１０によって支持されたマスク１２０、及び、蒸着源１３０が設置されている。蒸着源１３０は、有機色素材料１３１を入れた坩堝１３２の周りにヒーター１３３を設置するようにして構成されている。
【０００４】
蒸着過程においては、ＴＦＴ基板１４０が当該マスク１２０上に設置され、有機色素材料１３１が、ＴＦＴ基板上の適切な位置に蒸着されるよう、当該マスク１２０の開口部１２１とＴＦＴ基板１４０が精密に位置合わせされる。次に、坩堝１３２内の有機色素材料１３１がヒーター１３３により加熱蒸発され、マスク１２０の開口部を介して、ＴＦＴ基板１４０上に蒸着される。
【０００５】
この際、図１５に示すように、ＴＦＴ基板１４０は、ＴＦＴ形成過程において加わった熱歪みや、膜応力の影響で若干反っており、ＴＦＴ基板１４０をマスク１２０上に設置したとしても、全体的にはマスク１２０と密着しない。具体的には、例えば、ＴＦＴ基板１４０の中心部では、図１５に示すように、ＴＦＴ基板１４０とマスク１２０は密着しているが、ＴＦＴ基板１４０の端部においては、図１６に示すように、ＴＦＴ基板１４０の反りにより、ＴＦＴ基板１４０とマスク１２０は密着しない。
【０００６】
このような状態で有機色素材料１３１をＴＦＴ基板１４０に蒸着させたとしても、上記中心部分では適切に有機色素材料１３１が蒸着されるものの、端部においては、マスク１２０の開口部１２１よりも大きく蒸着されてしまう。具体的には、例えば、ＴＦＴ基板１４０の中心部においては、図１６に示すように、適切にマスク１２０の開口部１２１にあわせて、適切に有機色素材料１３１が形成されるが、ＴＦＴ基板１４０の端部においては、図１７に示すように、有機色素材料１３１がマスク１２０の開口部１２１からすそを引いてはみだして蒸着される。結果として、上記のように有機色素材料が蒸着された表示パネルを点灯させた場合には、発光色が混ざったり、発光が弱められてしまうという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−５９７５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、上記のような蒸着過程において、マスク１２０とＴＦＴ基板１４０を密着させるために、機械的にＴＦＴ基板１４０をマスク１２０に押し付ける方法が考えられる。
【０００９】
しかしながら、このような方法では、ＴＦＴ基板１４０を一方的にマスク１２０に押し付けるのみであり、全体的にＴＦＴ基板１４０とマスク１２０を密着することは困難であり、結果として、ますますＴＦＴ基板１４０が歪めることにもなりかねない。また、例え密着できたとしてもＴＦＴ基板を介してマスクを押し込み歪めてしまい、パターンズレを生じてしまう結果となる。マスクは平面であるときに正しいパターンを成しているのであって、歪めるとパターンそのものも歪んでしまい、正しいパターンを保つことはできない。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みて、静電吸着により基板とマスクの双方を引き合わせることで、基板とマスクを十分に密着させて真空成膜（蒸着、スパッタリング等）を行うことにより、パターン精度の高い表示パネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
（１）本発明に係る表示パネルの製造方法は、１または複数の表示パネル用回路が形成される基板とマスクとを重ねて配置し、前記基板が前記マスクに静電吸着するように、前記マスクに電圧を印加し、前記基板に前記マスクを介して真空成膜することを特徴とする。 当該構成により、静電吸着により基板とマスクの双方を引き合わせ、基板とマスクを十分に密着させてから真空成膜を行うことにより、パターン精度の高い表示パネルを製造することができる。
【００１２】
（２）（１）に記載された表示パネルの製造方法において、前記真空成膜後に、前記マスクを接地することを特徴としてもよい。
【００１３】
（３）（１）に記載された表示パネルの製造方法において、前記基板の前記マスクと重ならない面に、導電膜を形成し、前記導電膜を、接地することを特徴としてもよい。
【００１４】
（４）（３）に記載された表示パネルの製造方法において、前記導電膜のシート抵抗値は、１０３乃至１０６Ω／□であることを特徴としてもよい。
【００１５】
（５）（１）に記載された表示パネルの製造方法において、前記マスクを絶縁膜で覆うことを特徴としてもよい。
【００１６】
（６）（５）に記載された表示パネルの製造方法において、前記絶縁膜に、接地されたアース端子を形成し、前記基板に、端子フレームを形成し、前記端子フレームは前記アース端子と接触することを特徴としてもよい。
【００１７】
（７）（６）に記載された表示パネルの製造方法において、前記基板は、薄膜トランジスタ回路を有し、前記薄膜トランジスタ回路を、抵抗体を介して、前記端子フレームに接続することを特徴としてもよい。
【００１８】
（８）（７）に記載された表示パネルの製造方法において、前記薄膜トランジスタ回路は、駆動用電力線を有し、前記駆動用電力線を、前記抵抗体を介して、前記端子フレームに接続することを特徴としてもよい。
【００１９】
（９）（７）に記載された表示パネルの製造方法において、前記抵抗体は、１０３乃至１０８Ωであることを特徴としてもよい。
【００２０】
（１０）（６）に記載された表示パネルの製造方法において、前記端子フレームは、前記１または複数の表示パネル用回路を囲むように前記基板の外周に設けられ、かつ、アース端子と接触する外周部を含むことを特徴としてもよい。
【００２１】
（１１）（１０）に記載された表示パネルの製造方法において、前記端子フレームは、矩形であって、前記端子フレームは、更に、前記外周部のうち、対向する辺を接続する接続部とを有することを特徴としてもよい。
【００２２】
（１２）（１）に記載された表示パネルの製造方法において、前記マスクを、マスク支持体によって支持することを特徴としてもよい。
【発明の効果】
【００２３】
静電吸着により基板とマスクの双方を引き合わせ、基板とマスクを十分に密着させてから真空成膜を行うことにより、パターン精度の高い表示パネルを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明にかかる実施の形態における表示パネルの概略を示す図である。
【図２】図１のII−II断面図である。
【図３】図１の表示領域における各画素のレイアウトの概略を示す図である。
【図４】第１の実施の形態における表示パネルの断面の概略を示す図である。
【図５】第１の実施の形態における蒸着装置の概略を示す図である。
【図６】第１の実施の形態における静電吸着圧と印加電圧の関係を示す図である。
【図７】第１の実施の形態における静電吸着によりマスク及びＴＦＴ基板に働く力の概略を示す図である。
【図８】第２の実施の形態における表示パネルの断面の概略を示す図である。
【図９】第２の実施の形態における蒸着装置の概略を示す図である。
【図１０】第３の実施形態におけるＴＦＴ基板及びマスク等の概略を示す図である。
【図１１】第３の実施の形態における蒸着装置の概略を示す図である。
【図１２】第３の実施形態における表示パネル周辺を拡大した概略を示す図である。
【図１３】第３の実施の形態における静電吸着圧と印加電圧の関係を示す図である。
【図１４】従来の蒸着装置の概略を示す図である。
【図１５】従来の方法におけるマスク及びＴＦＴ基板に働く力の概略を示す図である。
【図１６】図１５におけるＴＦＴ基板中心部の拡大図である。
【図１７】図１５におけるＴＦＴ基板端部の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本実施の形態では、マスクを使用して、基板に対して真空成膜（蒸着、スパッタリング等）を行う。有機ＥＬ表示パネルの製造工程においては、有機色素材料の蒸着によって発光層を形成する。液晶表示パネルの製造工程では、酸化インジウムスズ又は酸化インジウム亜鉛のスパッタリングによって透明電極を形成する。いずれの場合も、成膜しようとする領域が開口し、成膜しない領域を覆う形状のマスクを使用し、パターニングしながら成膜を行う。真空成膜の対象となる基板は、１または複数の表示パネルを形成する薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor）が形成されたＴＦＴ基板である。なお、当該ＴＦＴ基板は、特許請求の範囲に記載の１または複数の表示用パネル回路が形成される基板に対応するものである。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
【００２６】
図１は、本実施形態における表示パネルの製造方法にて製造された表示パネルの概略図を示す図である。図２は図１のII−II断面図である。図１及び図２に示すように、ＴＦＴ基板１５０上に、表示領域１６０が形成され、表示領域１６０からの配線１６１はＴＦＴ基板１５０端部の端子１６２に接続される。表示領域１６０を形成する有機ＥＬ２１０は、湿気に弱いことから、図１に示すように透明の封止ガラス１７０でその上部を覆うとともに、当該封止ガラス１７０とＴＦＴ基板１５０の間は封止シール材１８０で封止されている。
【００２７】
更に、図２に示すように、有機ＥＬ２１０上部と封止ガラス１７０の間には、透明の乾燥材２２０を設置して、湿気を吸収する構成を加えてもよい。なお、表示パネル１００の点灯時には、表示領域１６０から発光された各色の光が、透明の乾燥材２２０及び透明の封止ガラス１７０を介して、図２上方に発光される。
【００２８】
図３は、図１に記載した表示領域１６０における各画素のレイアウトを示した概略図である。図３に示すように、光の３原色である赤色、緑色、青色からなる各画素３１０、３２０、３３０が、順に行列上に並んで形成される。なお、画素の数は例示であって、本発明は図３に示した画素の数に限定されるものではなく、所望の表示パネルの大きさ等に応じた数に調整される。以下、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
【００２９】
［第１の実施形態］
図４は、第１の実施形態において製造された表示パネルの断面を示す概略図である。図４に示すように、ガラス基板４０１上には、複数の薄膜トランジスタが形成されたＴＦＴ基板４２０が構成され、当該薄膜トランジスタの配列に対応して、ＴＦＴ基板４２０の上に有機ＥＬ素子４３０が形成されている。
【００３０】
詳細には、図４に示すように、ガラス基板４０１上に、多結晶シリコン４０２、ゲート電極４０３、ゲート絶縁膜層間絶縁膜４０４、ソース及びドレイン電極４０５、パッシベーション膜４０６が順次積層されることにより、複数の薄膜トランジスタが形成されたＴＦＴ基板４２０が形成される。
【００３１】
また、各画素の有機ＥＬ素子４３０は、上記ＴＦＴ基板４２０上に形成された平坦化膜４０７の上部に形成され、バンク材４０８により互いに隔離されている。具体的には、各有機ＥＬ素子４３０は、平坦化膜４０７上部に反射メタル４０９、アノード４１０、ホール輸送層４１１、赤色、緑色、青色の各発光層４１２、４１３、４１４、電子輸送層４１５、カソード４１６が順に積層されて形成される。
【００３２】
次に、本実施形態における表示パネル４００の製造方法について説明する。まず、ガラス基板４０１上に、アルミニウム等の有色の導電膜や、半導体膜、絶縁膜の積層やパターニング等の処理を繰り返して、走査信号線、映像信号線、薄膜トランジスタ等を含むＴＦＴ基板４２０を形成する。そして、これらの薄膜トランジスタ等を保護するため窒化シリコンのパッシベーション膜４０６を、さらにＴＦＴ基板４２０を平坦化するために、アクリルやポリイミドなどの樹脂平坦化膜４０７を積層する。
【００３３】
次に、反射メタル４０９とアノード４１０が、例えば、フォトリソグラフィを用いてパターニングされることにより、画素領域毎に設けられる。また、アノード４１０の積層後は、各画素領域を格子状に区画するようにバンク材４０８が設けられ、当該バンク材４０８で区画された領域に、例えば蒸着法によって、ホール輸送層４１１、発光層４１２、４１３、４１４、及び、電子輸送層４１５が順次積層されて設けられる。ここで、発光層４１２、４１３、４１４は、赤色、緑色、青色の３色に塗り分けるためマスクを３回用いて蒸着されるが、この点は後に詳述する。そして、カソード４１６は、バンク材４０８を介して各画素領域の発光層４１２、４１３、４１４を共通に覆うように形成される。このようにして、１または複数の表示パネル４００が１つのガラス基板４０１上に形成される。なお、上記した表示パネル４００の製造方法は、その概略を示すものであって、必要に応じてその他の工程が追加され得る。
【００３４】
なお、ホール輸送層４１１に用いるホール輸送性を示す物質としては、例えば、テトラアリールベンジシン化合物（トリフェニルジアミン：ＴＰＤ）、芳香族三級アミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体、銅フタロシアニン誘導体等が用いられる。また、各発光層４１２、４１３、４１４に用いる発光材料としては、電子、ホールの輸送能力を有するホスト材料に、電子、ホールの再結合により蛍光、もしくは、りん光を発するドーパントを添加したもので共蒸着により第３の層として形成できるものであれば特に限定は無く、例えば、ホストとしてはトリス（８−キノリノラト）アルミニウム、ビス（８−キノリノラト）マグネシウム、ビス（ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリノラト）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウムオキシド、トリス（８−キノリノラト）インジウム、トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム、８−キノリノラトリチウム、トリス（５−クロロ−８−キノリノラト）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−キノリノラト）カルシウム、５，７−ジクロル−８−キノリノラトアルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム、ポリ［亜鉛（ＩＩ）−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリニル）］メタンのような錯体、アントラセン誘導体、カルバゾール誘導体、等であってもよい。また、ドーパントとしてはホスト中で電子とホールを捉えて再結合させ発光するものであって、例えば赤ではピラン誘導体、緑ではクマリン誘導体、青ではアントラセン誘導体などの蛍光を発光する物質、もしくは、イリジウム錯体、ピリジナート誘導体などりん光を発する物質であってもよい。電子輸送層４１５は、例えばトリス（８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）−４−フェニルフェノラート−アルミニウム、ビス［２−［２−ヒドロキシフェニル］ベンゾオキサゾラート］亜鉛などの金属錯体や２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン等が用いられる。電子注入層としてはＬｉＦ等が用いられる。
【００３５】
次に、上記各発光層４１２、４１３、４１４を形成するための工程について、下記に詳述する。図５は、マスク５２０を用いて、ＴＦＴ基板４２０に、有機色素材料を蒸着するための蒸着装置５００を示すための概略図である。
【００３６】
図５に示すように、真空チャンバー５１０内には、ＴＦＴ基板４２０やマスク５２０、蒸着源５３０等が設置される。具体的には、マスク５２０は、マスク支持体５４０によってマスク５２０の外周部分で支持されて設置される。また、当該マスク５２０の下方には、有機色素材料をＴＦＴ基板４２０に蒸着するための、蒸着源５３０が設置される。一方、マスク５２０の上部には、ＴＦＴ基板４２０が有機色素材料が蒸着される面を下にして、マスク５２０上に重ねて設置される。更に、ＴＦＴ基板４２０の上方には、当該ＴＦＴ基板４２０に近接して導体５８０が設置される。当該導体５８０は、当該真空チャンバー５１０上部から導体支持体５９０を介して配置される。導体５８０は平面形状であって、ＴＦＴ基板４２０と略同一の面積を有し、ＴＦＴ基板４２０の上部を覆うように、ＴＦＴ基板４２０に近接して配置される。
【００３７】
一方、真空チャンバー５１０外には、高圧電源５６０が設置され、高圧電源５６０のプラス側は、スイッチ５５０及び金属配線５７０を介してマスク支持体５４０に接続される。一方、高圧電源５６０のマイナス側は、真空チャンバー５１０の外壁に接続される。このように構成されることにより、スイッチ５５０がオンされると、マスク支持体５４０を通じてマスク５２０に高圧電源５６０の高電圧を印加される。
【００３８】
なお、ＴＦＴ基板４２０と蒸着源５３０の位置は互いに固定されているものであってもよく、相対的に移動する形式であってもよい。また、図５においては、蒸着源５３０は２つ設けられているが、２つに限られるものではない。更に、導体５９０は真空チャンバー５１０外壁の上部から導体支持体５９０により延長されて設置されているが、適切に有機色素材料が蒸着できるように配置されている限り、図５に示した配置に限定されるものではない。なお、マスク５２０及びマスク支持体５４０は、例えば、ニッケル等の金属により形成され、互いに電気的に接続されている。
【００３９】
次に、当該蒸着装置５００を用いて、ＴＦＴ基板４２０をマスク５２０に設置してから、有機色素材料を蒸着し、ＴＦＴ基板４２０を取り外すまでの工程について説明する。
【００４０】
まず、蒸着源５３０から加熱蒸発された有機色素材料が、ＴＦＴ基板４２０上の適切な位置に蒸着されるよう、当該マスク５２０の開口部５２１とＴＦＴ基板４２０を位置合わせして、マスク５２０とＴＦＴ基板４２０を設置する。なお、図５には図示していないが、この際、上述したように、ＴＦＴ基板４２０は、ＴＦＴ形成過程において加わった熱歪みや、膜応力の影響等により歪んだ形状になっている。
【００４１】
次に、高圧電源５６０のスイッチ５５０をオンにし、ＴＦＴ基板４２０とマスク５２０を、静電吸着する。この際、ＴＦＴ基板４２０の様子を観察し、ＴＦＴ基板４２０とマスク５２０が十分に密着されたことが確認されるまで、高圧電源５６０の電圧を上げる。このときの、静電吸着圧と印加した電圧の関係を図６に示す。約１０００ＶぐらいからＴＦＴ基板４２０とマスク５２０は吸着し始め、約７０００Ｖで適切に有機色素材料を蒸着するのに十分な密着が得られる。
【００４２】
その後、ＴＦＴ基板４２０上に、有機色素材料の蒸着を行う。具体的には、蒸着源５３０中の有機色素材料が蒸着源５３０のヒーター（図示せず）により加熱蒸発された後、当該加熱蒸発された有機色素材料がマスク５２０の開口部５２１を介して、ＴＦＴ基板４２０上の適切な位置に蒸着される。蒸着終了後は、高圧電源５６０のスイッチ５５０を切りＴＦＴ基板４２０をマスク５２０から取り外す。
【００４３】
上記工程は、例えば、赤色、緑色、青色の３色の発光層４１２、４１３、４１４をＴＦＴ基板４２０に形成する際には、各色毎に準備されたマスク５２０、蒸着源５３０、有機色素材料を用いて、各色毎に行われる。なお、各色毎の真空チャンバー５１０を設け、ＴＦＴ基板４２０に１の有機色素材料が蒸着される度に、次の色の有機色素材料を蒸着させるための真空チャンバー５１０に搬送する構成としてもよいし、１つの真空チャンバー５１０内で、マスク５２０及び蒸着源５３０を交換する構成としてもよい。更に、上記各色毎の有機色素材料を蒸着する際に、各色毎のホール輸送層（図示せず）を蒸着してもよい。
【００４４】
上記のように、ＴＦＴ基板４２０とマスク５２０を双方から静電吸着により引き合わせることで、ＴＦＴ基板４２０とマスク５２０とを十分に密着させて各色の有機色素材料の蒸着を行うことができる。具体的には、静電吸着により図７矢印Ｂ及びＣで示すように、ＴＦＴ基板４２０は全体としてマスク５２０側へ静電吸着力を受けるとともに、マスク５２０も全体としてＴＦＴ基板４２０側へ静電吸着力を受ける。つまり、ＴＦＴ基板４２０及びマスク５２０が全体として双方から引き寄せられることとなり、ＴＦＴ基板４２０を一方的にマスク５２０へ押し付ける従来の場合と比べ、ＴＦＴ基板４２０とマスク５２０を十分に密着させることが可能となる。このように、ＴＦＴ基板４２０とマスク５２０を十分に密着させてから各色の有機色素材料の蒸着を行うことにより、よりパターン精度の高い表示パネル４００を製造することができる。
【００４５】
［第２の実施形態］
図８は、本発明の第２の実施形態において製造された表示パネルの断面を示す概略図である。図９は、第２の実施形態において、マスクを用いて、ＴＦＴ基板に、有機色素材料を蒸着するための蒸着装置を示す概略図である。第２の実施形態では、図８及び図９に示すように、ガラス基板４０１に導電膜８１０を形成した点、当該導電膜８１０が接地されている点が主に相違する。以下に第２の実施の形態について詳述するが、第１の実施形態と同様となる点については、説明を省略する。
【００４６】
図８に示すように、ガラス基板４０１の薄膜トランジスタ等が形成される側とは反対側の面に導電膜８１０が形成される。当該導電膜８１０は、例えばスパッタリング等により形成される。なお、導電膜８１０は、ＴＦＴ基板８２０をマスク５２０に位置合わせし赤色、緑色、青色の有機色素材料を蒸着する前に形成される。また、表示パネル８００においては、導電膜８１０が上記のように形成されている以外の点においては、第１の実施の形態における表示パネル４００と同一の構成を有する。
【００４７】
また、図９に示すように、導電膜８１０は、金属線等９１０を介して、真空チャンバー（図示せず）外に接地され、ＴＦＴ基板８２０のマスクの開口部５２１よりも大きい面積を有するように形成される。また、真空チャンバー（図示せず）外には、高圧電源５６０が設置されており、高圧電源５６０のプラス端子は、スイッチ９３０を介して金属配線９２０に接続される。当該金属配線９２０は、更に、真空チャンバー（図示せず）内に引き込まれた後、マスク支持体５４０に接続される。一方、高圧電源５６０のマイナス端子は、真空チャンバー（図示せず）外で接地される。
【００４８】
スイッチ９３０は、金属配線９２０に接続された端子９３１、接地された端子９３３、高圧電源５６０に接続された端子９３２を有する。そして、スイッチ９３０により、金属配線９２０に接続された端子９３１を、接地された端子９３３または高圧電源５６０に接続された端子９３２に接続するかを切り替えることができる。このように構成することにより、マスク５２０に高圧電源５６０の高電圧を印加するか、マスク５２０を接地するかをスイッチ９３０により切り替えることができる。
【００４９】
次に、当該第２の実施形態における蒸着装置９００を用いて、ＴＦＴ基板８２０をマスク５２０上に重ねて設置してから、有機色素材料を蒸着し、ＴＦＴ基板８２０を取り出すまでの工程について説明する。
【００５０】
まず、有機色素材料が、ＴＦＴ基板８２０上の適切な位置に蒸着されるよう、当該マスク５２０の開口部５２１とＴＦＴ基板８２０を位置合わせして設置した後、ＴＦＴ基板８２０に形成された導電膜８１０を接地する。なお、導電膜８１０を接地した後、マスク５２０とＴＦＴ基板８２０を位置合わせして設置する構成としてもよい。
【００５１】
次に、第１の実施形態と同様に、スイッチ９３０を高圧電源５６０によりマスク５２０に高電圧が印加されるように切替え、マスク５２０とＴＦＴ基板８２０とを静電吸着する。その後、ＴＦＴ基板８２０上に、有機色素材料の蒸着を行う。
【００５２】
蒸着終了後、スイッチ９３０をマスク５２０が接地されるように切り替えて、ＴＦＴ基板８２０を取り出す。
【００５３】
上記のような工程により、静電吸着後ＴＦＴ基板８２０に形成された導電膜８１０を接地し、かつ、マスク５２０を蒸着終了後に接地していることから、ＴＦＴ基板８２０に貯まった電荷が容易に放出され、容易かつ速やかにＴＦＴ基板８２０をマスク５２０から取り外すことができる。
【００５４】
なお、ここで、上記導電膜８１０の抵抗値が低すぎるとＴＦＴ基板８２０の外周部で沿面放電しやすくなる。当該放電を起こすと電圧バランスが崩れ、ＴＦＴ基板８２０に形成され、ゲート電極４１３、ドレイン及びソース電極５等で構成されたＴＦＴ回路のトランジスタ特性に変調をきたしたり、ＴＦＴ回路が壊れたりする。逆に、高すぎるとＴＦＴ基板８２０を取り外す際に、時間がかかるようになる。したがって、このような問題を避けるため、上記導電膜８１０の抵抗値は適切に調整されることが必要であり、例えば、導電膜８１０のシート抵抗値は、１０３乃至１０６Ω／□を有するように構成するのが好ましい。なお、放電を起こしにくくするために、マスク５２０表面を絶縁膜（図示せず）で覆ってもよい。
【００５５】
上記のように、導電膜８１０の抵抗値を適切に調整することで、上記工程において、ＴＦＴ基板８２０に形成されたＴＦＴ回路内の電位差をほとんどなくすことができ、上記のような問題がさけられるとともに、ＴＦＴ基板８２０をマスク５２０から容易かつ速やかに取り外すことができる。また、静電吸着により、ＴＦＴ基板８２０とマスク５２０とを双方から十分に密着させて、各色の有機色素材料の蒸着を行うことにより、パターン精度の高い表示パネルを製造することができる。
【００５６】
[第３の実施形態]
図１０は、第３の実施形態において用いるＴＦＴ基板、及び、マスク及びマスク支持体を示す概略図である。図１１は、第３の実施形態において、マスクを用いて、ＴＦＴ基板に、有機色素材料を蒸着するための装置を示す概略図である。図１０及び図１１に示すように、第３の実施形態では、ＴＦＴ基板２３０に端子フレーム２４０を設けた点、マスク２６０表面を絶縁膜２８０で覆い、当該絶縁膜２８０上に、当該端子フレームに対応するアース端子を設けた点が、第１及び第２の実施の形態と、主に相違する。また、第３の実施の形態においては、第２の実施の形態のように、表示パネルに導電膜４１７を設けない点が、主に相違する。以下第３の実施の形態について詳述するが、第１及び第２の実施形態と同様となる点については、説明を省略する。
【００５７】
図１０に示すように、ＴＦＴ基板２３０には、端子フレーム２４０が形成されている。当該端子フレーム２４０は、ＴＦＴ基板２３０の外周に沿って、ＴＦＴ基板２３０上に行列上に配列された複数の表示パネル３５０を囲むように形成された外周部２４１と、当該外周部２４１の対向する辺を接続する接続部２４２とを有する。具体的には、例えば、図１２に示すように、ＴＦＴ基板２３０に行列上に配列されている複数の表示パネル３５０の１行毎、かつ、複数列毎に接続部２４２が形成される。
【００５８】
なお、接続部２４２は、図１０または図１２に示した形状に限定されるものではなく、１または複数の表示パネル３５０を取り囲むように形成されていればよい。また、ＴＦＴ基板２３０の断面構造については、端子フレーム２４０が形成されている点、後述する高抵抗体３６０が形成されている点を除き、図４で示した第１の実施の形態の断面構造と同様である。
【００５９】
図１０及び図１１に示すように、マスク２６０及びマスク支持体２７０表面には絶縁膜２８０が形成されており、当該絶縁膜２８０のうちＴＦＴ基板２３０と重なる面に、アース端子２５０が形成される。なお、アース端子２５０は、絶縁膜２８０上に金属により形成されてもよい。また、アース端子２５０は、ＴＦＴ基板２３０がマスク２６０に重ねられた際に、ＴＦＴ基板２３０の端子フレーム２４０の外周部２４１とアース端子２５０が接触するように形成される。つまり、端子フレーム２４０の外周部２４１の形状とアース端子２５０の形状は同様である。また、アース端子２５０は金属配線２５１を介して、真空チャンバー（図示せず）外に接地される。
【００６０】
図１２に示すように、各表示パネル３５０は表示領域３４０及び端子３６１を有し、各表示領域３４０の１つの端子３６１は、各表示領域３４０内のＴＦＴ回路をアース電位に保つように、高抵抗体３６０を介して端子フレーム２４０に接続される。なお、高抵抗体３６０の抵抗値は、１０３乃至１０８Ωを有するように構成するのが好ましい。具体的には、例えば、端子フレーム２４０は、表示領域３４０内に形成された有機ＥＬ駆動電力線（図示せず）に、リンをドープした多結晶シリコン配線（図示せず）を介して接続される。また、例えば、当該多結晶シリコン配線は約１０ＭΩの抵抗値を有する。このように、高抵抗体３６０、端子フレーム２４０、アース端子２５０を介して表示領域３４０のＴＦＴ回路を接地しアース電位に保つことで、表示パネル表面のＴＦＴ回路と蒸着マスクの間の電界で静電吸着することが可能となる。また、表示パネル３５０内のＴＦＴ回路が、印加される高電圧により破壊等されることを防止する効果もある。
【００６１】
なお、図１１に示すように、マスク支持体２７０は、金属配線２９０を介して、スイッチ２９１に接続され、さらに、スイッチ２９１は、高圧電源２９２または接地２９３を切り替えることができるように構成されている点は第２の実施形態と同様であるが、上記のように、第３の実施の形態においては、マスク２６０及びマスクフレーム２７０が、絶縁膜２８０で覆われている点が異なる。また、図１１において、真空チャンバー及び蒸着源は、省略されている。
【００６２】
次に、当該第３の実施形態における蒸着装置２００を用いて、ＴＦＴ基板２３０をマスク２６０に重ねて設置してから、当該ＴＦＴ基板２３０に有機色素材料を蒸着し、マスク２６０からＴＦＴ基板２３０を取り外すまでの工程について説明する。
【００６３】
まず、有機色素材料が、ＴＦＴ基板２３０上の適切な位置に蒸着されるよう、当該マスク２６０の開口部２６１とＴＦＴ基板２３０を位置合わせして設置し、ＴＦＴ基板２３０に形成されたアース端子２５０を接地する。このとき、ＴＦＴ基板２３０の端子フレーム２４０の外周部２４１と、マスク２６０のアース端子２５０は、接触する。なお、アース端子２５０を接地した後、マスク２６０とＴＦＴ基板２３０を位置合わせして設置してもよい。
【００６４】
次に、第１の実施の形態と同様に、スイッチ２９１を、マスク２６０に高圧電源２９２の電圧が印加されるように切り替えて、ＴＦＴ基板２３０をマスク２６０に静電吸着させ、その後、ＴＦＴ基板２３０上に、有機色素材料の蒸着を行う。このとき、第３の実施の形態では、高圧電源２９２の電圧は、約３００Ｖまで上げるのみで十分な吸着を得ることができる。具体的には、図１３に示すように、同様の静電吸着圧を得るのに、第１及び第２の実施の形態では約７０００Ｖの電圧を必要とするのに対し、比較的低電圧である約３００Ｖの電圧で足りる。即ち、第３の実施形態のおいては、約３００Ｖの電圧にて、十分にＴＦＴ基板２３０とマスク２６０を吸着させることができる。これは、第１及び第２の実施形態と異なり、ＴＦＴ基板２３０に形成され、アース端子２５０を通じて接地された端子フレーム２４０の電荷とマスク２６０の間の静電吸着による引力を利用していることによるものである。
【００６５】
蒸着終了後は、第２の実施の形態と同様に、スイッチ２９１をマスク２６０が接地するように切り替えて、ＴＦＴ基板２３０を取り外す。その後、端子フレーム２４０と表示パネル３５０の端子を接続する高抵抗体３６０は、例えば切断することにより、取り除かれる。
【００６６】
上記のような工程により、第３の実施形態においては、端子フレーム２４０が接地され、かつ、静電吸着後、スイッチ２９１を切り替えてマスク２６０を接地されることによりＴＦＴ基板２３０に貯まった電荷が容易に放出され、結果として、静電吸着後、容易かつ速やかにＴＦＴ基板２３０をマスク２６０から取り外すことができる。また、約３００Ｖという比較的低電圧にてマスク２６０とＴＦＴ基板２３０を十分に密着させることができる。更に、静電吸着により、ＴＦＴ基板２３０とマスク２６０とを十分に密着させてから各色の有機色素材料の蒸着を行うことで、パターン精度の高い表示パネルを製造することができる。
【００６７】
本発明は、上記実施の形態１乃至３に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態１乃至３で説明した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００６８】
１１０ マスク支持体、１２０ マスク、１３０ 蒸着源、１５０ ＴＦＴ基板、１６０ 表示領域、１７０ 封止ガラス、１８０ 封止シール材、２２０ 透明の乾燥材、２４０ 端子フレーム、２５０ アース端子、３１０、３２０、３３０ 赤色、緑色、青色からなる各画素、３６０ 高抵抗体、４０１ ガラス基板、４０２ 多結晶シリコン、４０３ ゲート電極、４０４ ゲート絶縁膜層間絶縁膜、４０５ ソース及びドレイン電極、４０６ パッシベーション膜、４３０ 有機ＥＬ素子、４０７ 平坦化膜、４０９ 反射メタル、４１０ アノード、４１１ ホール輸送層、４１２、４１３、４１４ 各色発光層、４１５ 電子輸送層、４１６ カソード、５１０ 真空チャンバー、５２０ マスク、５５０ スイッチ、５６０ 高圧電源、８１０ 導電膜。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１または複数の表示パネル用回路が形成される基板とマスクとを重ねて配置し、前記基板が前記マスクに静電吸着するように、前記マスクに電圧を印加し、前記基板に前記マスクを介して真空成膜することを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項２】
前記真空成膜後に、前記マスクを接地することを特徴とする請求項１記載の表示パネルの製造方法。
【請求項３】
前記基板の前記マスクと重ならない面に、導電膜を形成し、前記導電膜を、接地することを特徴とする請求項１記載の表示パネルの製造方法。
【請求項４】
前記導電膜のシート抵抗値は、１０３乃至１０６Ω／□であることを特徴とする請求項３記載の表示パネルの製造方法。
【請求項５】
前記マスクを絶縁膜で覆うことを特徴とする請求項１記載の表示パネルの製造方法。
【請求項６】
前記絶縁膜に、接地されたアース端子を形成し、前記基板に、端子フレームを形成し、前記端子フレームは前記アース端子と接触することを特徴とする請求項５記載の表示パネルの製造方法。
【請求項７】
前記基板は、薄膜トランジスタ回路を有し、前記薄膜トランジスタ回路を、抵抗体を介して、前記端子フレームに接続することを特徴とする請求項６記載の表示パネルの製造方法。
【請求項８】
前記薄膜トランジスタ回路は、駆動用電力線を有し、前記駆動用電力線を、前記抵抗体を介して、前記端子フレームに接続することを特徴とする請求項７記載の表示パネルの製造方法。
【請求項９】
前記抵抗体は、１０３乃至１０８Ωであることを特徴とする請求項７記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１０】
前記端子フレームは、前記１または複数の表示パネル用回路を囲むように前記基板の外周に設けられ、かつ、アース端子と接触する外周部を含むことを特徴とする請求項６記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１１】
前記端子フレームは、矩形であって、前記端子フレームは、更に、前記外周部のうち、対向する辺を接続する接続部とを有することを特徴とする請求項１０記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１２】
前記マスクを、マスク支持体によって支持することを特徴とする請求項１記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１】
１または複数の表示パネル用回路が形成される基板とマスクとを重ねて配置し、前記基板が前記マスクに静電吸着するように、前記マスクに電圧を印加し、前記基板に前記マスクを介して真空成膜することを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項２】
前記真空成膜後に、前記マスクを接地することを特徴とする請求項１記載の表示パネルの製造方法。
【請求項３】
前記基板の前記マスクと重ならない面に、導電膜を形成し、前記導電膜を、接地することを特徴とする請求項１記載の表示パネルの製造方法。
【請求項４】
前記導電膜のシート抵抗値は、１０３乃至１０６Ω／□であることを特徴とする請求項３記載の表示パネルの製造方法。
【請求項５】
前記マスクを絶縁膜で覆うことを特徴とする請求項１記載の表示パネルの製造方法。
【請求項６】
前記絶縁膜に、接地されたアース端子を形成し、前記基板に、端子フレームを形成し、前記端子フレームは前記アース端子と接触することを特徴とする請求項５記載の表示パネルの製造方法。
【請求項７】
前記基板は、薄膜トランジスタ回路を有し、前記薄膜トランジスタ回路を、抵抗体を介して、前記端子フレームに接続することを特徴とする請求項６記載の表示パネルの製造方法。
【請求項８】
前記薄膜トランジスタ回路は、駆動用電力線を有し、前記駆動用電力線を、前記抵抗体を介して、前記端子フレームに接続することを特徴とする請求項７記載の表示パネルの製造方法。
【請求項９】
前記抵抗体は、１０３乃至１０８Ωであることを特徴とする請求項７記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１０】
前記端子フレームは、前記１または複数の表示パネル用回路を囲むように前記基板の外周に設けられ、かつ、アース端子と接触する外周部を含むことを特徴とする請求項６記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１１】
前記端子フレームは、矩形であって、前記端子フレームは、更に、前記外周部のうち、対向する辺を接続する接続部とを有することを特徴とする請求項１０記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１２】
前記マスクを、マスク支持体によって支持することを特徴とする請求項１記載の表示パネルの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２０１１−１８１４６２（Ｐ２０１１−１８１４６２Ａ）
【公開日】平成２３年９月１５日（２０１１．９．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−４６９７４（Ｐ２０１０−４６９７４）
【出願日】平成２２年３月３日（２０１０．３．３）
【出願人】（５０２３５６５２８）株式会社 日立ディスプレイズ (2,552)
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年９月１５日（２０１１．９．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月３日（２０１０．３．３）
【出願人】（５０２３５６５２８）株式会社 日立ディスプレイズ (2,552)
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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