電気光学装置および電子機器
【課題】 多重マトリクス方式を採用した電気光学装置において極性の相違に起因した表
示ムラを抑制する。
【解決手段】 基板のうち液晶と対向する表面上には、複数の走査線２５と、これらの走
査線２５に交差する第１データ線２６１および第２データ線２６２と、各走査線２５に対
してＹ方向の負側に配置されて当該走査線２５に接続された第１画素電極３１と、各走査
線２５に対してＹ方向の正側に配置されて当該走査線２５に接続された第２画素電極３２
と、第１画素電極３１に隣接する位置に配置されて第１データ線２６１に接続された第１
信号電極４１と、第２画素電極３２に隣接する位置に配置されて第２データ線２６２に接
続された第２信号電極４２とが形成される。第２信号電極４２は、これに隣接する第２画
素電極３２と、当該第２画素電極３２に対してＹ方向の正側に位置する第１画素電極３１
との間隙に位置するライン間電極部４５を有する。
示ムラを抑制する。
【解決手段】 基板のうち液晶と対向する表面上には、複数の走査線２５と、これらの走
査線２５に交差する第１データ線２６１および第２データ線２６２と、各走査線２５に対
してＹ方向の負側に配置されて当該走査線２５に接続された第１画素電極３１と、各走査
線２５に対してＹ方向の正側に配置されて当該走査線２５に接続された第２画素電極３２
と、第１画素電極３１に隣接する位置に配置されて第１データ線２６１に接続された第１
信号電極４１と、第２画素電極３２に隣接する位置に配置されて第２データ線２６２に接
続された第２信号電極４２とが形成される。第２信号電極４２は、これに隣接する第２画
素電極３２と、当該第２画素電極３２に対してＹ方向の正側に位置する第１画素電極３１
との間隙に位置するライン間電極部４５を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶などの電気光学物質を駆動する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置などの電気光学装置においては、マトリクス状に配列された多数の画素が各行
ごとに時分割にて選択されて各々に画像信号が供給される。このような構成においては、
特に画素の総数を増加させて高精細化を図ろうとした場合にデューティ比（走査線の総本
数の逆数）が低下し、この結果として各画素に画像信号を供給する時間を充分に確保する
ことができないという問題が生じ得る。この問題を解決するための技術として多重マトリ
クス方式と呼ばれる技術が従来から提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
この多重マトリクス方式を採用した電気光学装置（ここでは液晶装置）は、各々の間隙
に液晶が封止された第１基板と第２基板とを有する。図９に示されるように、第１基板の
表面にはＸ方向に延在する複数の走査線９１が形成され、第２基板の表面にはＹ方向に延
在する複数の第１データ線９２１および複数の第２データ線９２２が形成される。また、
第２基板上には多数の画素電極９３がマトリクス状に配列される。奇数行目の各画素電極
９３はこれに隣接する第１データ線９２１に接続され、偶数行目の各画素電極９３はこれ
に隣接する第２データ線９２２に接続される。図９に示されるように、Ｙ方向に隣接する
２個の画素電極９３は共通の走査線９１に対向する。したがって、１本の走査線ごとに２
行分の画素が構成されることになる。この構成によれば、走査線とデータ線との各交差に
ひとつの画素のみが形成される電気光学装置と比較して、画素の総数が同じであればデュ
ーティ比を約２倍に増大させることができる。
【特許文献１】特開２００２−９０７６５号公報（図１０）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特に液晶などの電気光学物質は、光学的な特性が電圧の直流成分の印加によ
って劣化することが知られている。このような劣化を抑制するためには交流駆動が必要と
なる。交流駆動とは、所定の電圧を基準として正極性の電圧と負極性の電圧とを例えば各
行ごとに交互に切り替えながら各画素に印加する方法である。しかしながら、この交流駆
動を多重マトリクス方式の電気光学装置に採用した場合、１本の走査線９１に対応する２
行分の画素を単位としてＸ方向にスジ状の表示ムラが発生するという問題がある。この問
題について詳述すると以下の通りである。
【０００５】
多重マトリクス方式の電気光学装置に交流駆動を採用した場合、１本の走査線９１に対
応する２行を単位として各画素の電圧は逆極性となる。すなわち、図９に示されるように
、第ｋ（ｋは自然数）番目の走査線９１に対応する２行分の画素に正極性（＋）の電圧が
印加されると、第（ｋ＋１）番目の走査線９１に対応する２行分の各画素には負極性（−
）の電圧が印加される。この極性の関係は、例えば垂直走査期間ごとに切り替えられる。
【０００６】
いま、正極性の電圧が印加される第ｉ（ｉは自然数）行目の各画素に着目する。この行
に属する各画素は、負極性の電圧が印加される第（ｉ＋１）行目の各画素にＹ方向の正側
において隣接する一方、正極性の電圧が印加される第（ｉ−１）行目の各画素にＹ方向の
負側において隣接する。第ｉ行目の各画素と第（ｉ−１）行目の各画素とには同極性（正
極性）の電圧が印加されるから、これらの画素間に水平方向（すなわち画素が配列される
面内の方向）の電界はほとんど発生しない。これに対し、第ｉ行目の各画素と第（ｉ＋１
）行目の各画素とに対しては逆極性の電圧が印加されるから、これらの画素間（特に他方
の画素に近い部分）には水平方向の電界が発生する。このため、第ｉ行目の各画素のうち
第（ｉ＋１）行目の各画素に近接する部分の液晶は所期の方向とは異なる方向に配向し、
この結果として図９の部分Ｃ1の階調が、第（ｉ−１）行目の各画素に近接する部分Ｃ2の
階調とは相違するという現象が生じる。この階調差が利用者によって表示ムラとして知覚
されるのである。
【０００７】
なお、走査線とデータ線との各交差にひとつの画素のみが形成される電気光学装置にお
いてもＹ方向に隣接する各画素間にて水平方向の電界は生じ得るが、この構成のもとでは
総ての画素について均等に表示ムラが発生するから視認上は特に問題とならない。これに
対し、多重マトリクス方式の電気光学装置においては、各画素に一方の側にて隣接する画
素（つまり逆極性の電圧が印加される画素）との間には水平方向の電界が生じるのに対し
、他方の側にて隣接する画素（つまり同極性の電圧が印加される画素）との間には水平方
向の電界が生じないという不均一性があるために表示ムラが顕在化するのである。本発明
は、このような事情に鑑みてなされたものであり、多重マトリクス方式を採用した電気光
学装置において極性の相違に起因した表示ムラを抑制することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この目的を達成するために、本発明の第１の特徴は、電気光学物質に対向する基板と、
前記基板のうち前記電気光学物質に対向する電極形成面上に形成された複数の走査線と、
前記電極形成面上に形成されて前記複数の走査線と交差する第１データ線および第２デー
タ線と、前記各走査線を挟んで一方の側に形成されて当該走査線に接続された第１画素電
極と、前記各走査線を挟んで他方の側に形成されて当該走査線に接続された第２画素電極
と、前記電極形成面上にて前記第１画素電極と隣接する位置に形成されて前記第１データ
線に接続された第１信号電極と、前記電極形成面上にて前記第２画素電極と隣接する位置
に形成されて前記第２データ線に接続された電極であって、前記第２画素電極と当該第２
画素電極に対して前記他方の側に位置する第１画素電極との間隙に形成されたライン間電
極部を有する第２信号電極とを具備することにある。この構成の具体例は第１実施形態（
図２）として後述される。
この構成においては、第１画素電極とこれに隣接する第１信号電極との間に発生する横
電界、および、第２画素電極とこれに隣接する第２信号電極との間に発生する横電界によ
って電気光学物質が駆動される。そして、１本の走査線に接続された第２画素電極と、こ
れに隣接する走査線に接続された第１画素電極との間隙にライン間電極部が介在するから
、互いに隣接する走査線ごとに極性が反転するように各走査線に電圧を印加した場合であ
っても、各々が別個の走査線に接続された第１画素電極と第２画素電極との間における電
界の発生は抑制される。したがって、各画素電極の極性の相違に起因した表示ムラは低減
される。なお、本発明において信号電極（第１信号電極または第２信号電極）と画素電極
（第１画素電極または第２画素電極）とが「隣接する」とは、電気光学物質を駆動し得る
電界が信号電極と画素電極とに対する電圧の印加によって両電極間に発生する程度に信号
電極と画素電極とが近いことを意味する。
【０００９】
本発明の望ましい態様において、前記第１信号電極は、前記第１画素電極と当該第１画
素電極に対して前記一方の側に位置する第２画素電極との間隙に形成されたライン間電極
部を有する。この態様によれば、第２信号電極のみがライン間電極部を備えた構成と比較
して、第１画素電極と第２画素電極との間における電界の発生をさらに確実に抑制するこ
とができる。より具体的には、前記第１画素電極および前記第２画素電極の各々は、前記
走査線と略平行な方向に延在して当該走査線に接続された基部と、前記基部に連結されて
当該走査線とは反対側に延在する電極部とを有し、前記第１信号電極および前記第２信号
電極の各々は、前記データ線と略垂直な方向に延在して当該データ線に接続された前記ラ
イン間電極部と、当該ライン間電極部に連結されて前記走査線側に延在する電極部とを有
する（図２参照）。
【００１０】
第１画素電極および第２画素電極の各々が直接的に走査線に接続された構成としてもよ
いが、より望ましい態様において、前記第１画素電極および前記第２画素電極の各々は、
二端子型の非線形素子を介して前記走査線に接続される。このような二端子型の非線形素
子（スイッチング素子）を利用すれば、薄膜トランジスタなどの三端子型の非線形素子を
用いた構成と比較して、製造プロセスが簡略化されるという利点がある。本態様において
、前記非線形素子は、前記電極形成面に形成された第１金属層と、前記第１金属層の表面
に形成された絶縁層と、前記絶縁層の表面に形成されて前記走査線と導通する走査線側第
２金属層と、前記絶縁層の表面上に形成されて前記第１画素電極または前記第２画素電極
に接続された電極側第２金属層とを有する。なお、ここでは第１画素電極および第２画素
電極の各々が二端子型の非線形素子を介して走査線に接続された構成を例示したが、この
構成に代えて、前記第１信号電極および前記第２信号電極の各々が非線形素子を介して前
記データ線に接続される構成も採用される。
【００１１】
また、本発明に係る電気光学装置の第２の特徴は、電気光学物質に対向する基板と、前
記基板のうち前記電気光学物質に対向する電極形成面上に形成された複数の走査線と、前
記電極形成面上に形成されて前記複数の走査線と交差する第１データ線および第２データ
線と、前記各走査線を挟んで一方の側に形成され、前記第１データ線と当該走査線との交
差に対応して配置されたトランジスタに接続された第１画素電極と、前記各走査線を挟ん
で他方の側に形成され、前記第２データ線と当該走査線との交差に対応して配置されたト
ランジスタに接続された第２画素電極と、前記電極形成面にて前記第１画素電極および前
記第２画素電極と隣接するように形成された電極であって、前記第１画素電極と当該第１
画素電極に対して前記一方の側に位置する第２画素電極との間隙に形成されたライン間電
極部、および、前記第２画素電極と当該第２画素電極に対して前記他方の側に位置する第
１画素電極との間隙に形成されたライン間電極部を有する共通電極とを具備することにあ
る。この構成の具体例は第２実施形態（図６）として後述される。
この構成においては、走査線に対する電圧の印加によってトランジスタ（例えば薄膜ト
ランジスタ）がオン状態になると、第１データ線の電圧が第１画素電極に印加されるとと
もに第２データ線の電圧が第２画素電極に印加される。この状態においては、第１画素電
極とこれに隣接する共通電極との間に発生する横電界、および、第２画素電極とこれに隣
接する共通電極との間に発生する横電界によって電気光学物質が駆動される。そして、１
本の走査線に接続された第２画素電極と、これに隣接する走査線に接続された第１画素電
極との間隙には共通電極のライン間電極部が介在するから、第２画素電極と第１画素電極
とで極性が反転するように各画素電極に電圧を印加した場合であっても、これらの画素電
極間における電界の発生は抑制される。したがって、第１の特徴に係る電気光学装置と同
様に、各画素に印加される電圧の極性の相違に起因した表示ムラは低減される。
【００１２】
本発明の第１および第２の特徴に係る電気光学装置は、典型的には各種の電子機器の表
示装置として利用される。このような電子機器としては、例えばパーソナルコンピュータ
や携帯電話機、あるいは投射型表示装置が考えられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
＜Ａ：第１実施形態＞
まず、電気光学物質として液晶を利用した電気光学装置に本発明を適用した形態につい
て説明する。図１は、本実施形態に係る電気光学装置の構成を示す断面図である。この電
気光学装置Ｄは、いわゆるＩＰＳ（In-Plane Switching）方式を採用した多重マトリクス
方式の表示装置であり、同図に示されるように、互いに対向した状態にてシール材５を介
して貼り合わされた第１基板１０および第２基板２０を有する。第１基板１０および第２
基板２０とシール材５とによって囲まれた空間には液晶６が封止される。なお、第１基板
１０および第２基板２０の各々のうち液晶６とは反対側の表面には偏光板や位相差板が貼
着されるが、図１においてはこれらの要素の図示が省略されている。
【００１４】
第１基板１０のうち液晶６と対向する表面には着色層１１が形成される。この着色層１
１は、各画素に割り当てられた色に着色されたカラーフィルタと、各画素の間隙を遮光す
る遮光層とを有する。着色層１１の表面は配向膜１２によって覆われている。この配向膜
１２には、液晶６の初期的な配向方向を規定するためのラビング処理が施される。一方、
第２基板２０のうち液晶６と対向する表面（以下「電極形成面」という）２０Ａには液晶
６を駆動するための電極や配線といった要素２１が形成される。これらの要素２１は、配
向膜１２と同様にラビング処理が施された配向膜２２によって覆われる。
【００１５】
図２は、電極形成面２０Ａ上の要素２１の構成を示す平面図（第２基板２０を第１基板
１０側からみた平面図）である。同図に示されるように、電極形成面２０Ａには、Ｘ方向
に延在する複数の走査線２５が形成される。さらに、各走査線２５に対してＹ方向の負側
（図面の上方）には第１画素電極３１が形成され、各走査線２５に対してＹ方向の正側（
図面の下方）には第２画素電極３２が形成される。電極形成面２０Ａ上には多数の第１画
素電極３１と多数の第２画素電極３２とがマトリクス状に配列する。第１画素電極３１お
よび第２画素電極３２の各々は、走査線２５に近接する位置にてＸ方向に延在する基部３
５と、この基部３５の両端部に連結されて走査線２５とは反対側に延在する２本の電極部
３６（３６１および３６２）とを有する。
【００１６】
１本の走査線２５を挟んで隣接する第１画素電極３１および第２画素電極３２の各々は
非線形素子２８を介して当該走査線２５に接続される。ここで、図３は、図２におけるII
I−III線からみた断面図である。図３に示されるように、非線形素子２８は、電極形成面
２０Ａに形成された第１金属層２８１と、この第１金属層２８１の表面に形成された絶縁
層２８２と、絶縁層２８２の表面に形成された走査線側第２金属層２５１と、同じく絶縁
層２８２の表面に形成された電極側第２金属層３１１および３２１とを有する。第１金属
層２８１は、例えばタンタル（Ｔａ）などの導電性材料からなる膜体であり、図２に示さ
れるようにＹ方向に延在して走査線２５と交差する。絶縁層２８２は、この第１金属層２
８１を陽極酸化することによって形成された層である。また、走査線側第２金属層２５１
と電極側第２金属層３１１および３２１とはクロム（Ｃｒ）などの導電性材料からなる。
図２および図３に示されるように、走査線２５は、第１金属層２８１を覆う絶縁層２８２
の表面上を通ってＸ方向に延在する。この走査線２５のうち絶縁層２８２を挟んで第１金
属層２８１と対向する部分が走査線側第２金属層２５１に相当する。同様に、第１画素電
極３１および第２画素電極３２の各々の基部３５は、絶縁層２８２の表面上を通ってＸ方
向に延在する。第１画素電極３１の基部３５のうち絶縁層２８２を挟んで第１金属層２８
１と対向する部分が電極側第２金属層３１１であり、第２画素電極３２の基部３５のうち
絶縁層２８２を挟んで第１金属層２８１と対向する部分が電極側第２金属層３２１である
。
【００１７】
ひとつの非線形素子２８は電気的にみると３個の非線形抵抗素子Ｓ（Ｓ0、Ｓ1、Ｓ2）
を含む。このうち中央の素子（以下「共通素子」という）Ｓ0は、走査線側第２金属層２
５１と絶縁層２８２と第１金属層２８１とを走査線２５側からみてこの順番に積層してな
る非線形抵抗素子（ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子）である。また、共通素子Ｓ0からみ
て第１画素電極３１側に位置する第１素子Ｓ1は、第１金属層２８１と絶縁層２８２と電
極側第２金属層３１１とを第２基板２０側からこの順番に積層した非線形抵抗素子である
。同様に、共通素子Ｓ0からみて第２画素電極３２側に位置する第２素子Ｓ2は、第１金属
層２８１と絶縁層２８２と電極側第２金属層３２１とを第２基板２０側からこの順番に積
層した非線形抵抗素子である。これらの素子は、金属／絶縁体／金属のサンドイッチ構造
となっているため、正負双方向のダイオードスイッチング特性を呈する。そして、走査線
２５から第１画素電極３１に至る経路には、互いに逆向きとなるように直列に接続された
共通素子Ｓ0と第１素子Ｓ1とが介挿され、走査線２５から第２画素電極３２に至る経路に
は、互いに逆向きとなるように直列に接続された共通素子Ｓ0と第２素子Ｓ2とが介挿され
ることになる。この構成によれば、第１画素電極３１および第２画素電極３２の各々がひ
とつの非線形抵抗素子を介して走査線２５に接続される構成と比較して、電流−電圧の非
線形特性を正負双方向にわたって対称化することができる。
【００１８】
図２に示されるように、電極形成面２０Ａには、Ｙ方向に延在する第１データ線２６１
と第２データ線２６２との対が、Ｙ方向に並ぶ第１画素電極３１および第２画素電極３２
の列（以下「画素電極列」という）ごとに形成される。なお、図２においては、第１デー
タ線２６１および第２データ線２６２（さらには後述する第１信号電極４１および第２信
号電極４２）に対して便宜的にハッチングが施されている。
【００１９】
各第１データ線２６１は、画素電極列にＸ方向の負側にて隣接し、各第２データ線２６
２は、画素電極列にＸ方向の正側にて隣接する。したがって、ひとつの画素電極列は、互
いに対をなす第１データ線２６１と第２データ線２６２とによって挟まれる。図４は、図
２におけるIV−IV線からみた断面図である。第１データ線２６１および第２データ線２６
２は、非線形素子２８の第１金属層２８１と共通の導電性材料（例えばタンタル）からな
り、その表面には絶縁層２６４が形成される。図２に示されるように第１データ線２６１
および第２データ線２６２の各々と走査線２５とは交差するが、走査線２５は絶縁層２６
４によって第１データ線２６１および第２データ線２６２から電気的に絶縁される。
【００２０】
図２に示されるように、各第１データ線２６１には複数の第１信号電極４１が接続され
、各第２データ線２６２には複数の第２信号電極４２が接続される。本実施形態において
は、第１データ線２６１および第２データ線２６２から分岐した部分がそれぞれ第１信号
電極４１および第２信号電極４２に相当する。このうち第１信号電極４１は、各第１画素
電極３１と隣接するように形成された電極であり、第２信号電極４２は、第２画素電極３
２と隣接するように形成された電極である。したがって、第１信号電極４１と第２信号電
極４２とはＹ方向に沿って交互に配置されることになる。第１信号電極４１および第２信
号電極４２の各々は、ライン間電極部４５と電極部４６（４６１および４６２）とを有す
る。より具体的な構成は以下の通りである。
【００２１】
第１信号電極４１のライン間電極部４５は、第１画素電極３１に対して走査線２５とは
反対側（Ｙ方向の負側）の位置にて第１データ線２６１からＸ方向の正側に延在する部分
である。換言すると、第１信号電極４１のライン間電極部４５は、当該第１信号電極４１
に隣接する第１画素電極３１と、この第１画素電極３１に対してＹ方向の負側に位置する
第２画素電極３２との間隙にてＸ方向に延在する。第１信号電極４１の電極部４６はライ
ン間電極部４５に連結された部分である。図２に示されるように、電極部４６１は、第１
画素電極３１の電極部３６１と第２データ線２６２との間隙においてＹ方向に延在する。
また、電極部４６２は、第１画素電極３１の電極部３６１と電極部３６２との間隙におい
てＹ方向に延在する。
【００２２】
一方、第２信号電極４２のライン間電極部４５は、第２画素電極３２に対して走査線２
５とは反対側（Ｙ方向の正側）の位置にて第２データ線２６２からＸ方向の負側に延在す
る部分である。換言すると、第２信号電極４２のライン間電極部４５は、当該第２信号電
極４２に隣接する第２画素電極３２と、この第２画素電極３２に対してＹ方向の正側に隣
接する第１画素電極３１との間隙にてＸ方向に延在する。第２信号電極４２の電極部４６
１は、第２画素電極３２の電極部３６１と第１データ線２６１との間隙においてＹ方向に
延在し、その電極部４６２は、第２画素電極３２の電極部３６１と電極部３６２との間隙
においてＹ方向に延在する。
【００２３】
以上の構成において、第１画素電極３１とこれに隣接する第１信号電極４１とに電圧が
印加され、または、第２画素電極３２とこれに隣接する第２信号電極４２に電圧が印加さ
れると、これらの電極間には、図４に示されるように電極形成面２０Ａと平行な方向の電
界（いわゆる横電界）Ｅが発生して液晶６の配向方向が変化する。すなわち、図２に破線
にて示されるように、第１画素電極３１と第１信号電極４１とが互いに隣接する領域、お
よび、第２画素電極３２と第２信号電極４２とが互いに隣接する領域が画素Ｐとして機能
する。各画素Ｐの駆動について詳述すると以下の通りである。
【００２４】
各走査線２５には走査線駆動回路（図示略）から走査信号が供給される。第ｋ番目の走
査線２５に供給される走査信号は、各垂直走査期間のうち第ｋ番目の水平走査期間にて選
択電圧となり、その他の期間にて非選択電圧となる信号である。選択電圧とは、第１デー
タ線２６１や第２データ線２６２に印加される電圧に拘わらず非線形素子２８をオン状態
とする電圧であり、非選択電圧とは、第１データ線２６１や第２データ線２６２に印加さ
れる電圧に拘わらず非線形素子２８をオフ状態とする電圧である。そして、互いに隣接す
る各走査線２５に供給される走査信号の選択電圧は逆極性となる。例えば、水平走査期間
において第ｋ番目の走査線２５に供給される走査信号が正極性の選択電圧になると、その
次の水平走査期間において第（ｋ＋１）番目の走査線２５に供給される走査信号は負極性
の選択電圧になる。さらに、時間的に相前後する垂直走査期間において１本の走査線２５
に印加される選択電圧の極性は逆転する。一方、各走査線２５が選択される（すなわち走
査線２５に供給される走査信号が選択電圧となる）水平走査期間において、第１データ線
２６１および第２データ線２６２には、各データ線とその時点で選択されている走査線２
５との交差に対応する画素Ｐの階調に応じたデータ信号（例えば水平走査期間において各
画素Ｐの階調に応じた時間密度となる信号）が図示しないデータ線駆動回路から供給され
る。したがって、第１画素電極３１と第１信号電極４１との間、および第２画素電極３２
と第２信号電極４２との間には、選択電圧とデータ信号の電圧との差分値に相当する電圧
が印加され、液晶６の配向方向はこの電圧に応じて画素Ｐごとに制御される。
【００２５】
このような駆動が実行される結果、各画素Ｐの液晶６に印加される電圧は、図５に示さ
れるように、１本の走査線２５に対応する２行を単位として逆極性となる。すなわち、第
ｋ番目の走査線２５に接続された２行分の画素Ｐに正極性（＋）の電圧が印加されると、
第（ｋ＋１）番目の走査線２５に接続された２行分の各画素Ｐには負極性（−）の電圧が
印加される。したがって、例えば第ｋ番目の走査線２５に接続された第２画素電極３２と
第２信号電極４２とから構成される第ｉ行目の画素Ｐは、負極性の電圧が印加される第（
ｉ＋１）行目の各画素ＰにＹ方向の負側において隣接する。本実施形態においては、第ｉ
行目の各画素Ｐと第（ｉ＋１）行目の各画素Ｐとの間隙に第２信号電極４２のライン間電
極部４５が介在しているから、このようにＹ方向に隣接する各画素Ｐに逆極性の電圧が印
加される場合であっても、第ｉ行目の各画素Ｐとこれに隣接する第（ｉ＋１）行目の各画
素Ｐとの間に発生し得る電界はライン間電極部４５によって遮断される。したがって、第
ｉ行目の画素Ｐのうち第（ｉ＋１）行目の画素Ｐに近接する部分Ｃ1の階調を、同極性の
電圧が印加される第（ｉ−１）行目の画素Ｐに近接する部分Ｃ2の階調に近づけることが
できる。すなわち、本実施形態によれば、各画素Ｐに印加される電圧の極性の相違に起因
した表示ムラを抑制することができる。
【００２６】
＜Ｂ：第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の構成を説明する。
第１実施形態においては、液晶６に印加される電圧を制御するための非線形素子として
二端子型の非線形素子が採用された構成を例示した。これに対し、本実施形態においては
、この非線形素子に代えて三端子型の非線形素子たるトランジスタが採用された構成とな
っている。なお、本実施形態に係る電気光学装置のうち第１実施形態と同様の要素につい
ては共通の符号を付してその説明を適宜に省略する。
【００２７】
図６は、本実施形態に係る電気光学装置Ｄのうち第２基板２０の電極形成面２０Ａに配
置された要素２１の構成を示す平面図である。同図に示されるように、第２基板２０の電
極形成面２０Ａ上には、第１実施形態と同様に、Ｘ方向に延在する複数の走査線２５と、
各走査線２５をＹ方向に挟んで隣接する第１画素電極３１および第２画素電極３２と、第
１画素電極３１および第２画素電極３２をＸ方向に挟む位置にてＹ方向に延在する第１デ
ータ線２６１および第２データ線２６２とが形成される。第１画素電極３１と第１データ
線２６１との間には、走査線２５に対してＹ方向の負側に配置された薄膜トランジスタ（
以下「ＴＦＴ素子」という）５１が介在する。同様に、第２画素電極３２と第２データ線
２６２との間には、走査線２５に対してＹ方向の正側に配置されたＴＦＴ素子５１が介在
する。各ＴＦＴ素子５１は、チャネル領域（Ｇ）を挟んでドレイン領域（Ｄ）とソース領
域（Ｓ）とが形成された半導体層５２を有する。走査線２５からＹ方向の正側および負側
に分岐した部分は、各半導体層５２を覆うゲート絶縁層（図示略）を挟んでチャネル領域
（Ｇ）に対向してゲート電極として機能する。一方、第１画素電極３１および第２画素電
極３２の各々は、半導体層５２や走査線２５を覆う層間絶縁層（図示略）とゲート絶縁層
とに形成されたコンタクトホールＣＨを介して半導体層５２のソース領域（Ｓ）に導通す
る。また、第１データ線２６１および第２データ線２６２の各々は、層間絶縁層とゲート
絶縁層とに形成されたコンタクトホールＣＨを介して半導体層５２のドレイン領域（Ｄ）
に導通する。
【００２８】
一方、電極形成面２０Ａには、各走査線２５の間にてＸ方向に延在する複数の共通電極
５５が形成される。なお、図６においては、共通電極５５に対して便宜的にハッチングが
施されている。各共通電極５５は、ライン間電極部５６と複数の電極部５７（５７１、５
７２、５７３）とを有する。このうちライン間電極部５６は、各走査線２５に接続された
第１画素電極３１とその走査線２５に隣接する他の走査線２５に接続された第２画素電極
３２との間隙にてＸ方向に延在する部分である。すなわち、ライン間電極部５６は、１本
の走査線２５に接続された２行分の画素Ｐの配列の各間隙に位置する。一方、各電極部５
７は、ライン間電極部５６から第１画素電極３１および第２画素電極３２に向かってＹ方
向に延在する部分である。具体的には、電極部５７１は第１データ線２６１と第１画素電
極３１または第２画素電極３２との間隙に形成され、電極部５７２は第１画素電極３１ま
たは第２画素電極３２の電極部３６１と電極部３６２との間隙に形成され、電極部５７３
は第１画素電極３１または第２画素電極３２と第２データ線２６２との間隙に形成される
。総ての共通電極５５には略等しい電位（コモン電位）が供給される。このコモン電位は
、例えばデータ信号の電圧振幅の中心電位である。
【００２９】
以上の構成のもと、何れかの走査線２５に対して走査線駆動回路によって選択電圧（Ｔ
ＦＴ素子５１をオン状態とする電圧）が印加されると、この走査線２５に接続された２行
分のＴＦＴ素子５１がオン状態となる。そして、このときに第１データ線２６１に供給さ
れているデータ信号が当該ＴＦＴ素子５１を介して第１画素電極３１に供給されるととも
に、第２データ線２６２に供給されているデータ信号が第２画素電極３２に供給される。
本実施形態におけるデータ信号は、各画素Ｐの階調を指定する電圧信号であり、所定の電
圧を基準としたときの極性が水平走査期間ごとに反転するようにデータ線駆動回路にて生
成される。以上の駆動の結果、第１画素電極３１とこれに隣接する共通電極５５とに電圧
が印加されるとともに、第２画素電極３２とこれに隣接する共通電極５５とに電圧が印加
される。したがって、これらの電極間には、第１実施形態と同様に、電極形成面２０Ａと
平行な方向の横電界Ｅが発生して液晶６の配向方向が変化する。すなわち、図６に破線に
て示されるように、第１画素電極３１および第２画素電極３２と共通電極５５とが互いに
隣接する領域が画素Ｐとして機能する。
【００３０】
本実施形態においても、１本の走査線２５に対応する２行を単位として各画素Ｐへの印
加電圧は逆極性となるが、ある走査線２５に接続された第１画素電極３１とこれに隣接す
る走査線２５に接続された第２画素電極３２との間隙には共通電極５５のライン間電極部
５６が介在しているから、これらの画素Ｐ間に発生し得る電界は抑制される。したがって
、本実施形態においても第１実施形態と同様の効果が奏される。
【００３１】
＜Ｃ：変形例＞
各実施形態に対しては種々の変形が加えられる。具体的な変形の態様を例示すれば以下
の通りである。なお、以下に示す各態様を適宜に組み合わせてもよい。
【００３２】
（１）第１実施形態においては、第１信号電極４１と第２信号電極４２の双方がライン間
電極部４５を有する構成を例示したが、このうちの一方のみがライン間電極部４５を備え
る構成も採用される。この構成においても、ある走査線２５に接続された第１画素電極３
１とこれに隣接する走査線２５に接続された第２画素電極３２との間隙には、第１信号電
極４１および第２信号電極４２のうち一方のライン間電極部４５が介在することになるか
ら、第１実施形態と同様の効果が奏される。
【００３３】
（２）各実施形態においては、非線形素子を備えたアクティブマトリクス方式の電気光学
装置を例示したが、非線形素子を備えないパッシブマトリクス方式の電気光学装置にも本
発明は適用される。例えば、図２に示した第１実施形態の構成において、第１画素電極３
１および第２画素電極３２の双方を直接的に（すなわち非線形素子２８を介在させること
なく）走査線２５に接続した構成も採用される。また、第１実施形態においては、走査線
２５と第１画素電極３１および第２画素電極３２との間に非線形素子２８を介在させた構
成を例示したが、この構成に代えて、第１データ線２６１と第１信号電極４１との間、お
よび、第２データ線２６２と第２信号電極４２との間に非線形素子２８を介在させた構成
も採用される。
【００３４】
（３）各実施形態においては、１本の走査線２５ごとに２行分の画素Ｐが配列される構成
を例示したが、走査線２５が共通である画素Ｐの行数はこれ以上であってもよい。例えば
、１本の走査線２５ごとに４行分の画素Ｐが配列される構成としてもよい。この構成にお
いては、各画素Ｐに対応する合計４本のデータ線が画素電極列ごとに形成される。
【００３５】
（４）各画素Ｐの形状を相違させることによって視野角の依存性を補償することができる
。例えば、第１実施形態においては図７に示される構成を採用してもよい。同図の構成に
おいて、各走査線２５に対してＹ方向の負側に位置する各画素ＰとＹ方向の正側に位置す
る各画素ＰとはＸ方向に対して互いに逆方向に傾いた形状となっている。より具体的には
、第１画素電極３１の電極部３６１および３６２と、第１信号電極４１の電極部４６１お
よび４６２と、第１データ線２６１のうち第１画素電極３１に隣接する部分と、第２デー
タ線２６２のうち第１信号電極４１に隣接する部分とは、Ｘ方向に対して角度＋θ（θは
０°＜θ＜９０°または９０°＜θ＜１８０°を満たす角度）をなす方向に延在する。一
方、第２画素電極３２の電極部３６１および３６２と、第２信号電極４２の電極部４６１
および４６２と、第１データ線２６１のうち第２信号電極４２に隣接する部分と、第２デ
ータ線２６２のうち第２画素電極３２に隣接する部分とは、Ｘ方向に対して角度−θをな
す方向に延在する。この構成によれば、図７の紙面に対して手前側の斜め上方から電気光
学装置Ｄを視認したときに観察者に知覚される画像の特性と斜め下方から視認したときの
画像の特性とを同等とすることができる。なお、図７においては第１実施形態の構成を基
礎としたが、本変形例の構成は第２実施形態にも同様に適用される。
【００３６】
（５）各実施形態においては電気光学物質として液晶６を利用した電気光学装置を例示し
たが、これ以外の電気光学物質を用いた装置にも本発明は適用される。例えば、有機ＥＬ
や発光ポリマーなどのＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）素子を電気光学物質と
して用いた表示装置や、着色された液体と当該液体に分散された白色の粒子とを含むマイ
クロカプセルを電気光学物質として用いた電気泳動表示装置、極性が相違する領域ごとに
異なる色に塗り分けられたツイストボールを電気光学物質として用いたツイストボールデ
ィスプレイ、黒色トナーを電気光学物質として用いたトナーディスプレイ、あるいはヘリ
ウムやネオンなどの高圧ガスを電気光学物質として用いたプラズマディスプレイパネルな
ど各種の電気光学装置に対しても各実施形態と同様に本発明が適用される。
【００３７】
＜Ｄ：電子機器＞
次に、本発明に係る電気光学装置を表示装置として備える電子機器について説明する。
図８は、各実施形態に係る電気光学装置を有する携帯電話機の構成を示す斜視図である。
この図に示されるように、携帯電話機１２００は、利用者により操作される複数の操作ボ
タン１２０２、他の端末装置から受信した音声を出力する受話口１２０４、および他の端
末装置に送信される音声を入力する送話口１２０６のほかに、各種の画像を表示する電気
光学装置Ｄを有する。
【００３８】
なお、本発明に係る電気光学装置が利用され得る電子機器としては、図８に示される携
帯電話機のほかにも、ノート型のパーソナルコンピュータや、液晶テレビ、ビューファイ
ンダ型（またはモニタ直視型）のビデオレコーダ、デジタルカメラ、カーナビゲーション
装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話
、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。何れの電子機器において
も、横クロストークを抑えた高品位の表示が簡易な構成によって実現される。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す断面図である。
【図２】電極形成面に配置された各要素の構成を示す平面図である。
【図３】図２におけるIII−III線からみた断面図である。
【図４】図２におけるIV−IV線からみた断面図である。
【図５】各画素に印加される電圧の極性を示す図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る電気光学装置において電極形成面に形成された各要素の構成を示す平面図である。
【図７】変形例に係る電極形成面に配置された各要素の構成を示す平面図である。
【図８】本発明に係る電気光学装置を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。
【図９】従来の電気光学装置の問題点を説明するための平面図である。
【符号の説明】
【００４０】
Ｄ……電気光学装置、Ｐ……画素、２０……第２基板、２０Ａ……電極形成面、２５……
走査線、２６１……第１データ線、２６２……第２データ線、２８……非線形素子、２８
１……第１金属層、２８２……絶縁層、２５１……走査線側第２金属層、３１１……電極
側第２金属層、３２１……電極側第２金属層、Ｓ0……共通素子、Ｓ1……第１素子、Ｓ2
……第２素子、３１……第１画素電極、３２……第２画素電極、３５……基部、３６（３
６１，３６２）……電極部、４１……第１信号電極、４２……第２信号電極、４５……ラ
イン間電極部、４６（４６１，４６２）……電極部、５１……ＴＦＴ素子、５２……半導
体層、５５……共通電極、５６……ライン間電極部、５７（５７１，５７２，５７３）…
…電極部、５……シール材、６……液晶。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶などの電気光学物質を駆動する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置などの電気光学装置においては、マトリクス状に配列された多数の画素が各行
ごとに時分割にて選択されて各々に画像信号が供給される。このような構成においては、
特に画素の総数を増加させて高精細化を図ろうとした場合にデューティ比（走査線の総本
数の逆数）が低下し、この結果として各画素に画像信号を供給する時間を充分に確保する
ことができないという問題が生じ得る。この問題を解決するための技術として多重マトリ
クス方式と呼ばれる技術が従来から提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
この多重マトリクス方式を採用した電気光学装置（ここでは液晶装置）は、各々の間隙
に液晶が封止された第１基板と第２基板とを有する。図９に示されるように、第１基板の
表面にはＸ方向に延在する複数の走査線９１が形成され、第２基板の表面にはＹ方向に延
在する複数の第１データ線９２１および複数の第２データ線９２２が形成される。また、
第２基板上には多数の画素電極９３がマトリクス状に配列される。奇数行目の各画素電極
９３はこれに隣接する第１データ線９２１に接続され、偶数行目の各画素電極９３はこれ
に隣接する第２データ線９２２に接続される。図９に示されるように、Ｙ方向に隣接する
２個の画素電極９３は共通の走査線９１に対向する。したがって、１本の走査線ごとに２
行分の画素が構成されることになる。この構成によれば、走査線とデータ線との各交差に
ひとつの画素のみが形成される電気光学装置と比較して、画素の総数が同じであればデュ
ーティ比を約２倍に増大させることができる。
【特許文献１】特開２００２−９０７６５号公報（図１０）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特に液晶などの電気光学物質は、光学的な特性が電圧の直流成分の印加によ
って劣化することが知られている。このような劣化を抑制するためには交流駆動が必要と
なる。交流駆動とは、所定の電圧を基準として正極性の電圧と負極性の電圧とを例えば各
行ごとに交互に切り替えながら各画素に印加する方法である。しかしながら、この交流駆
動を多重マトリクス方式の電気光学装置に採用した場合、１本の走査線９１に対応する２
行分の画素を単位としてＸ方向にスジ状の表示ムラが発生するという問題がある。この問
題について詳述すると以下の通りである。
【０００５】
多重マトリクス方式の電気光学装置に交流駆動を採用した場合、１本の走査線９１に対
応する２行を単位として各画素の電圧は逆極性となる。すなわち、図９に示されるように
、第ｋ（ｋは自然数）番目の走査線９１に対応する２行分の画素に正極性（＋）の電圧が
印加されると、第（ｋ＋１）番目の走査線９１に対応する２行分の各画素には負極性（−
）の電圧が印加される。この極性の関係は、例えば垂直走査期間ごとに切り替えられる。
【０００６】
いま、正極性の電圧が印加される第ｉ（ｉは自然数）行目の各画素に着目する。この行
に属する各画素は、負極性の電圧が印加される第（ｉ＋１）行目の各画素にＹ方向の正側
において隣接する一方、正極性の電圧が印加される第（ｉ−１）行目の各画素にＹ方向の
負側において隣接する。第ｉ行目の各画素と第（ｉ−１）行目の各画素とには同極性（正
極性）の電圧が印加されるから、これらの画素間に水平方向（すなわち画素が配列される
面内の方向）の電界はほとんど発生しない。これに対し、第ｉ行目の各画素と第（ｉ＋１
）行目の各画素とに対しては逆極性の電圧が印加されるから、これらの画素間（特に他方
の画素に近い部分）には水平方向の電界が発生する。このため、第ｉ行目の各画素のうち
第（ｉ＋１）行目の各画素に近接する部分の液晶は所期の方向とは異なる方向に配向し、
この結果として図９の部分Ｃ1の階調が、第（ｉ−１）行目の各画素に近接する部分Ｃ2の
階調とは相違するという現象が生じる。この階調差が利用者によって表示ムラとして知覚
されるのである。
【０００７】
なお、走査線とデータ線との各交差にひとつの画素のみが形成される電気光学装置にお
いてもＹ方向に隣接する各画素間にて水平方向の電界は生じ得るが、この構成のもとでは
総ての画素について均等に表示ムラが発生するから視認上は特に問題とならない。これに
対し、多重マトリクス方式の電気光学装置においては、各画素に一方の側にて隣接する画
素（つまり逆極性の電圧が印加される画素）との間には水平方向の電界が生じるのに対し
、他方の側にて隣接する画素（つまり同極性の電圧が印加される画素）との間には水平方
向の電界が生じないという不均一性があるために表示ムラが顕在化するのである。本発明
は、このような事情に鑑みてなされたものであり、多重マトリクス方式を採用した電気光
学装置において極性の相違に起因した表示ムラを抑制することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この目的を達成するために、本発明の第１の特徴は、電気光学物質に対向する基板と、
前記基板のうち前記電気光学物質に対向する電極形成面上に形成された複数の走査線と、
前記電極形成面上に形成されて前記複数の走査線と交差する第１データ線および第２デー
タ線と、前記各走査線を挟んで一方の側に形成されて当該走査線に接続された第１画素電
極と、前記各走査線を挟んで他方の側に形成されて当該走査線に接続された第２画素電極
と、前記電極形成面上にて前記第１画素電極と隣接する位置に形成されて前記第１データ
線に接続された第１信号電極と、前記電極形成面上にて前記第２画素電極と隣接する位置
に形成されて前記第２データ線に接続された電極であって、前記第２画素電極と当該第２
画素電極に対して前記他方の側に位置する第１画素電極との間隙に形成されたライン間電
極部を有する第２信号電極とを具備することにある。この構成の具体例は第１実施形態（
図２）として後述される。
この構成においては、第１画素電極とこれに隣接する第１信号電極との間に発生する横
電界、および、第２画素電極とこれに隣接する第２信号電極との間に発生する横電界によ
って電気光学物質が駆動される。そして、１本の走査線に接続された第２画素電極と、こ
れに隣接する走査線に接続された第１画素電極との間隙にライン間電極部が介在するから
、互いに隣接する走査線ごとに極性が反転するように各走査線に電圧を印加した場合であ
っても、各々が別個の走査線に接続された第１画素電極と第２画素電極との間における電
界の発生は抑制される。したがって、各画素電極の極性の相違に起因した表示ムラは低減
される。なお、本発明において信号電極（第１信号電極または第２信号電極）と画素電極
（第１画素電極または第２画素電極）とが「隣接する」とは、電気光学物質を駆動し得る
電界が信号電極と画素電極とに対する電圧の印加によって両電極間に発生する程度に信号
電極と画素電極とが近いことを意味する。
【０００９】
本発明の望ましい態様において、前記第１信号電極は、前記第１画素電極と当該第１画
素電極に対して前記一方の側に位置する第２画素電極との間隙に形成されたライン間電極
部を有する。この態様によれば、第２信号電極のみがライン間電極部を備えた構成と比較
して、第１画素電極と第２画素電極との間における電界の発生をさらに確実に抑制するこ
とができる。より具体的には、前記第１画素電極および前記第２画素電極の各々は、前記
走査線と略平行な方向に延在して当該走査線に接続された基部と、前記基部に連結されて
当該走査線とは反対側に延在する電極部とを有し、前記第１信号電極および前記第２信号
電極の各々は、前記データ線と略垂直な方向に延在して当該データ線に接続された前記ラ
イン間電極部と、当該ライン間電極部に連結されて前記走査線側に延在する電極部とを有
する（図２参照）。
【００１０】
第１画素電極および第２画素電極の各々が直接的に走査線に接続された構成としてもよ
いが、より望ましい態様において、前記第１画素電極および前記第２画素電極の各々は、
二端子型の非線形素子を介して前記走査線に接続される。このような二端子型の非線形素
子（スイッチング素子）を利用すれば、薄膜トランジスタなどの三端子型の非線形素子を
用いた構成と比較して、製造プロセスが簡略化されるという利点がある。本態様において
、前記非線形素子は、前記電極形成面に形成された第１金属層と、前記第１金属層の表面
に形成された絶縁層と、前記絶縁層の表面に形成されて前記走査線と導通する走査線側第
２金属層と、前記絶縁層の表面上に形成されて前記第１画素電極または前記第２画素電極
に接続された電極側第２金属層とを有する。なお、ここでは第１画素電極および第２画素
電極の各々が二端子型の非線形素子を介して走査線に接続された構成を例示したが、この
構成に代えて、前記第１信号電極および前記第２信号電極の各々が非線形素子を介して前
記データ線に接続される構成も採用される。
【００１１】
また、本発明に係る電気光学装置の第２の特徴は、電気光学物質に対向する基板と、前
記基板のうち前記電気光学物質に対向する電極形成面上に形成された複数の走査線と、前
記電極形成面上に形成されて前記複数の走査線と交差する第１データ線および第２データ
線と、前記各走査線を挟んで一方の側に形成され、前記第１データ線と当該走査線との交
差に対応して配置されたトランジスタに接続された第１画素電極と、前記各走査線を挟ん
で他方の側に形成され、前記第２データ線と当該走査線との交差に対応して配置されたト
ランジスタに接続された第２画素電極と、前記電極形成面にて前記第１画素電極および前
記第２画素電極と隣接するように形成された電極であって、前記第１画素電極と当該第１
画素電極に対して前記一方の側に位置する第２画素電極との間隙に形成されたライン間電
極部、および、前記第２画素電極と当該第２画素電極に対して前記他方の側に位置する第
１画素電極との間隙に形成されたライン間電極部を有する共通電極とを具備することにあ
る。この構成の具体例は第２実施形態（図６）として後述される。
この構成においては、走査線に対する電圧の印加によってトランジスタ（例えば薄膜ト
ランジスタ）がオン状態になると、第１データ線の電圧が第１画素電極に印加されるとと
もに第２データ線の電圧が第２画素電極に印加される。この状態においては、第１画素電
極とこれに隣接する共通電極との間に発生する横電界、および、第２画素電極とこれに隣
接する共通電極との間に発生する横電界によって電気光学物質が駆動される。そして、１
本の走査線に接続された第２画素電極と、これに隣接する走査線に接続された第１画素電
極との間隙には共通電極のライン間電極部が介在するから、第２画素電極と第１画素電極
とで極性が反転するように各画素電極に電圧を印加した場合であっても、これらの画素電
極間における電界の発生は抑制される。したがって、第１の特徴に係る電気光学装置と同
様に、各画素に印加される電圧の極性の相違に起因した表示ムラは低減される。
【００１２】
本発明の第１および第２の特徴に係る電気光学装置は、典型的には各種の電子機器の表
示装置として利用される。このような電子機器としては、例えばパーソナルコンピュータ
や携帯電話機、あるいは投射型表示装置が考えられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
＜Ａ：第１実施形態＞
まず、電気光学物質として液晶を利用した電気光学装置に本発明を適用した形態につい
て説明する。図１は、本実施形態に係る電気光学装置の構成を示す断面図である。この電
気光学装置Ｄは、いわゆるＩＰＳ（In-Plane Switching）方式を採用した多重マトリクス
方式の表示装置であり、同図に示されるように、互いに対向した状態にてシール材５を介
して貼り合わされた第１基板１０および第２基板２０を有する。第１基板１０および第２
基板２０とシール材５とによって囲まれた空間には液晶６が封止される。なお、第１基板
１０および第２基板２０の各々のうち液晶６とは反対側の表面には偏光板や位相差板が貼
着されるが、図１においてはこれらの要素の図示が省略されている。
【００１４】
第１基板１０のうち液晶６と対向する表面には着色層１１が形成される。この着色層１
１は、各画素に割り当てられた色に着色されたカラーフィルタと、各画素の間隙を遮光す
る遮光層とを有する。着色層１１の表面は配向膜１２によって覆われている。この配向膜
１２には、液晶６の初期的な配向方向を規定するためのラビング処理が施される。一方、
第２基板２０のうち液晶６と対向する表面（以下「電極形成面」という）２０Ａには液晶
６を駆動するための電極や配線といった要素２１が形成される。これらの要素２１は、配
向膜１２と同様にラビング処理が施された配向膜２２によって覆われる。
【００１５】
図２は、電極形成面２０Ａ上の要素２１の構成を示す平面図（第２基板２０を第１基板
１０側からみた平面図）である。同図に示されるように、電極形成面２０Ａには、Ｘ方向
に延在する複数の走査線２５が形成される。さらに、各走査線２５に対してＹ方向の負側
（図面の上方）には第１画素電極３１が形成され、各走査線２５に対してＹ方向の正側（
図面の下方）には第２画素電極３２が形成される。電極形成面２０Ａ上には多数の第１画
素電極３１と多数の第２画素電極３２とがマトリクス状に配列する。第１画素電極３１お
よび第２画素電極３２の各々は、走査線２５に近接する位置にてＸ方向に延在する基部３
５と、この基部３５の両端部に連結されて走査線２５とは反対側に延在する２本の電極部
３６（３６１および３６２）とを有する。
【００１６】
１本の走査線２５を挟んで隣接する第１画素電極３１および第２画素電極３２の各々は
非線形素子２８を介して当該走査線２５に接続される。ここで、図３は、図２におけるII
I−III線からみた断面図である。図３に示されるように、非線形素子２８は、電極形成面
２０Ａに形成された第１金属層２８１と、この第１金属層２８１の表面に形成された絶縁
層２８２と、絶縁層２８２の表面に形成された走査線側第２金属層２５１と、同じく絶縁
層２８２の表面に形成された電極側第２金属層３１１および３２１とを有する。第１金属
層２８１は、例えばタンタル（Ｔａ）などの導電性材料からなる膜体であり、図２に示さ
れるようにＹ方向に延在して走査線２５と交差する。絶縁層２８２は、この第１金属層２
８１を陽極酸化することによって形成された層である。また、走査線側第２金属層２５１
と電極側第２金属層３１１および３２１とはクロム（Ｃｒ）などの導電性材料からなる。
図２および図３に示されるように、走査線２５は、第１金属層２８１を覆う絶縁層２８２
の表面上を通ってＸ方向に延在する。この走査線２５のうち絶縁層２８２を挟んで第１金
属層２８１と対向する部分が走査線側第２金属層２５１に相当する。同様に、第１画素電
極３１および第２画素電極３２の各々の基部３５は、絶縁層２８２の表面上を通ってＸ方
向に延在する。第１画素電極３１の基部３５のうち絶縁層２８２を挟んで第１金属層２８
１と対向する部分が電極側第２金属層３１１であり、第２画素電極３２の基部３５のうち
絶縁層２８２を挟んで第１金属層２８１と対向する部分が電極側第２金属層３２１である
。
【００１７】
ひとつの非線形素子２８は電気的にみると３個の非線形抵抗素子Ｓ（Ｓ0、Ｓ1、Ｓ2）
を含む。このうち中央の素子（以下「共通素子」という）Ｓ0は、走査線側第２金属層２
５１と絶縁層２８２と第１金属層２８１とを走査線２５側からみてこの順番に積層してな
る非線形抵抗素子（ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子）である。また、共通素子Ｓ0からみ
て第１画素電極３１側に位置する第１素子Ｓ1は、第１金属層２８１と絶縁層２８２と電
極側第２金属層３１１とを第２基板２０側からこの順番に積層した非線形抵抗素子である
。同様に、共通素子Ｓ0からみて第２画素電極３２側に位置する第２素子Ｓ2は、第１金属
層２８１と絶縁層２８２と電極側第２金属層３２１とを第２基板２０側からこの順番に積
層した非線形抵抗素子である。これらの素子は、金属／絶縁体／金属のサンドイッチ構造
となっているため、正負双方向のダイオードスイッチング特性を呈する。そして、走査線
２５から第１画素電極３１に至る経路には、互いに逆向きとなるように直列に接続された
共通素子Ｓ0と第１素子Ｓ1とが介挿され、走査線２５から第２画素電極３２に至る経路に
は、互いに逆向きとなるように直列に接続された共通素子Ｓ0と第２素子Ｓ2とが介挿され
ることになる。この構成によれば、第１画素電極３１および第２画素電極３２の各々がひ
とつの非線形抵抗素子を介して走査線２５に接続される構成と比較して、電流−電圧の非
線形特性を正負双方向にわたって対称化することができる。
【００１８】
図２に示されるように、電極形成面２０Ａには、Ｙ方向に延在する第１データ線２６１
と第２データ線２６２との対が、Ｙ方向に並ぶ第１画素電極３１および第２画素電極３２
の列（以下「画素電極列」という）ごとに形成される。なお、図２においては、第１デー
タ線２６１および第２データ線２６２（さらには後述する第１信号電極４１および第２信
号電極４２）に対して便宜的にハッチングが施されている。
【００１９】
各第１データ線２６１は、画素電極列にＸ方向の負側にて隣接し、各第２データ線２６
２は、画素電極列にＸ方向の正側にて隣接する。したがって、ひとつの画素電極列は、互
いに対をなす第１データ線２６１と第２データ線２６２とによって挟まれる。図４は、図
２におけるIV−IV線からみた断面図である。第１データ線２６１および第２データ線２６
２は、非線形素子２８の第１金属層２８１と共通の導電性材料（例えばタンタル）からな
り、その表面には絶縁層２６４が形成される。図２に示されるように第１データ線２６１
および第２データ線２６２の各々と走査線２５とは交差するが、走査線２５は絶縁層２６
４によって第１データ線２６１および第２データ線２６２から電気的に絶縁される。
【００２０】
図２に示されるように、各第１データ線２６１には複数の第１信号電極４１が接続され
、各第２データ線２６２には複数の第２信号電極４２が接続される。本実施形態において
は、第１データ線２６１および第２データ線２６２から分岐した部分がそれぞれ第１信号
電極４１および第２信号電極４２に相当する。このうち第１信号電極４１は、各第１画素
電極３１と隣接するように形成された電極であり、第２信号電極４２は、第２画素電極３
２と隣接するように形成された電極である。したがって、第１信号電極４１と第２信号電
極４２とはＹ方向に沿って交互に配置されることになる。第１信号電極４１および第２信
号電極４２の各々は、ライン間電極部４５と電極部４６（４６１および４６２）とを有す
る。より具体的な構成は以下の通りである。
【００２１】
第１信号電極４１のライン間電極部４５は、第１画素電極３１に対して走査線２５とは
反対側（Ｙ方向の負側）の位置にて第１データ線２６１からＸ方向の正側に延在する部分
である。換言すると、第１信号電極４１のライン間電極部４５は、当該第１信号電極４１
に隣接する第１画素電極３１と、この第１画素電極３１に対してＹ方向の負側に位置する
第２画素電極３２との間隙にてＸ方向に延在する。第１信号電極４１の電極部４６はライ
ン間電極部４５に連結された部分である。図２に示されるように、電極部４６１は、第１
画素電極３１の電極部３６１と第２データ線２６２との間隙においてＹ方向に延在する。
また、電極部４６２は、第１画素電極３１の電極部３６１と電極部３６２との間隙におい
てＹ方向に延在する。
【００２２】
一方、第２信号電極４２のライン間電極部４５は、第２画素電極３２に対して走査線２
５とは反対側（Ｙ方向の正側）の位置にて第２データ線２６２からＸ方向の負側に延在す
る部分である。換言すると、第２信号電極４２のライン間電極部４５は、当該第２信号電
極４２に隣接する第２画素電極３２と、この第２画素電極３２に対してＹ方向の正側に隣
接する第１画素電極３１との間隙にてＸ方向に延在する。第２信号電極４２の電極部４６
１は、第２画素電極３２の電極部３６１と第１データ線２６１との間隙においてＹ方向に
延在し、その電極部４６２は、第２画素電極３２の電極部３６１と電極部３６２との間隙
においてＹ方向に延在する。
【００２３】
以上の構成において、第１画素電極３１とこれに隣接する第１信号電極４１とに電圧が
印加され、または、第２画素電極３２とこれに隣接する第２信号電極４２に電圧が印加さ
れると、これらの電極間には、図４に示されるように電極形成面２０Ａと平行な方向の電
界（いわゆる横電界）Ｅが発生して液晶６の配向方向が変化する。すなわち、図２に破線
にて示されるように、第１画素電極３１と第１信号電極４１とが互いに隣接する領域、お
よび、第２画素電極３２と第２信号電極４２とが互いに隣接する領域が画素Ｐとして機能
する。各画素Ｐの駆動について詳述すると以下の通りである。
【００２４】
各走査線２５には走査線駆動回路（図示略）から走査信号が供給される。第ｋ番目の走
査線２５に供給される走査信号は、各垂直走査期間のうち第ｋ番目の水平走査期間にて選
択電圧となり、その他の期間にて非選択電圧となる信号である。選択電圧とは、第１デー
タ線２６１や第２データ線２６２に印加される電圧に拘わらず非線形素子２８をオン状態
とする電圧であり、非選択電圧とは、第１データ線２６１や第２データ線２６２に印加さ
れる電圧に拘わらず非線形素子２８をオフ状態とする電圧である。そして、互いに隣接す
る各走査線２５に供給される走査信号の選択電圧は逆極性となる。例えば、水平走査期間
において第ｋ番目の走査線２５に供給される走査信号が正極性の選択電圧になると、その
次の水平走査期間において第（ｋ＋１）番目の走査線２５に供給される走査信号は負極性
の選択電圧になる。さらに、時間的に相前後する垂直走査期間において１本の走査線２５
に印加される選択電圧の極性は逆転する。一方、各走査線２５が選択される（すなわち走
査線２５に供給される走査信号が選択電圧となる）水平走査期間において、第１データ線
２６１および第２データ線２６２には、各データ線とその時点で選択されている走査線２
５との交差に対応する画素Ｐの階調に応じたデータ信号（例えば水平走査期間において各
画素Ｐの階調に応じた時間密度となる信号）が図示しないデータ線駆動回路から供給され
る。したがって、第１画素電極３１と第１信号電極４１との間、および第２画素電極３２
と第２信号電極４２との間には、選択電圧とデータ信号の電圧との差分値に相当する電圧
が印加され、液晶６の配向方向はこの電圧に応じて画素Ｐごとに制御される。
【００２５】
このような駆動が実行される結果、各画素Ｐの液晶６に印加される電圧は、図５に示さ
れるように、１本の走査線２５に対応する２行を単位として逆極性となる。すなわち、第
ｋ番目の走査線２５に接続された２行分の画素Ｐに正極性（＋）の電圧が印加されると、
第（ｋ＋１）番目の走査線２５に接続された２行分の各画素Ｐには負極性（−）の電圧が
印加される。したがって、例えば第ｋ番目の走査線２５に接続された第２画素電極３２と
第２信号電極４２とから構成される第ｉ行目の画素Ｐは、負極性の電圧が印加される第（
ｉ＋１）行目の各画素ＰにＹ方向の負側において隣接する。本実施形態においては、第ｉ
行目の各画素Ｐと第（ｉ＋１）行目の各画素Ｐとの間隙に第２信号電極４２のライン間電
極部４５が介在しているから、このようにＹ方向に隣接する各画素Ｐに逆極性の電圧が印
加される場合であっても、第ｉ行目の各画素Ｐとこれに隣接する第（ｉ＋１）行目の各画
素Ｐとの間に発生し得る電界はライン間電極部４５によって遮断される。したがって、第
ｉ行目の画素Ｐのうち第（ｉ＋１）行目の画素Ｐに近接する部分Ｃ1の階調を、同極性の
電圧が印加される第（ｉ−１）行目の画素Ｐに近接する部分Ｃ2の階調に近づけることが
できる。すなわち、本実施形態によれば、各画素Ｐに印加される電圧の極性の相違に起因
した表示ムラを抑制することができる。
【００２６】
＜Ｂ：第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の構成を説明する。
第１実施形態においては、液晶６に印加される電圧を制御するための非線形素子として
二端子型の非線形素子が採用された構成を例示した。これに対し、本実施形態においては
、この非線形素子に代えて三端子型の非線形素子たるトランジスタが採用された構成とな
っている。なお、本実施形態に係る電気光学装置のうち第１実施形態と同様の要素につい
ては共通の符号を付してその説明を適宜に省略する。
【００２７】
図６は、本実施形態に係る電気光学装置Ｄのうち第２基板２０の電極形成面２０Ａに配
置された要素２１の構成を示す平面図である。同図に示されるように、第２基板２０の電
極形成面２０Ａ上には、第１実施形態と同様に、Ｘ方向に延在する複数の走査線２５と、
各走査線２５をＹ方向に挟んで隣接する第１画素電極３１および第２画素電極３２と、第
１画素電極３１および第２画素電極３２をＸ方向に挟む位置にてＹ方向に延在する第１デ
ータ線２６１および第２データ線２６２とが形成される。第１画素電極３１と第１データ
線２６１との間には、走査線２５に対してＹ方向の負側に配置された薄膜トランジスタ（
以下「ＴＦＴ素子」という）５１が介在する。同様に、第２画素電極３２と第２データ線
２６２との間には、走査線２５に対してＹ方向の正側に配置されたＴＦＴ素子５１が介在
する。各ＴＦＴ素子５１は、チャネル領域（Ｇ）を挟んでドレイン領域（Ｄ）とソース領
域（Ｓ）とが形成された半導体層５２を有する。走査線２５からＹ方向の正側および負側
に分岐した部分は、各半導体層５２を覆うゲート絶縁層（図示略）を挟んでチャネル領域
（Ｇ）に対向してゲート電極として機能する。一方、第１画素電極３１および第２画素電
極３２の各々は、半導体層５２や走査線２５を覆う層間絶縁層（図示略）とゲート絶縁層
とに形成されたコンタクトホールＣＨを介して半導体層５２のソース領域（Ｓ）に導通す
る。また、第１データ線２６１および第２データ線２６２の各々は、層間絶縁層とゲート
絶縁層とに形成されたコンタクトホールＣＨを介して半導体層５２のドレイン領域（Ｄ）
に導通する。
【００２８】
一方、電極形成面２０Ａには、各走査線２５の間にてＸ方向に延在する複数の共通電極
５５が形成される。なお、図６においては、共通電極５５に対して便宜的にハッチングが
施されている。各共通電極５５は、ライン間電極部５６と複数の電極部５７（５７１、５
７２、５７３）とを有する。このうちライン間電極部５６は、各走査線２５に接続された
第１画素電極３１とその走査線２５に隣接する他の走査線２５に接続された第２画素電極
３２との間隙にてＸ方向に延在する部分である。すなわち、ライン間電極部５６は、１本
の走査線２５に接続された２行分の画素Ｐの配列の各間隙に位置する。一方、各電極部５
７は、ライン間電極部５６から第１画素電極３１および第２画素電極３２に向かってＹ方
向に延在する部分である。具体的には、電極部５７１は第１データ線２６１と第１画素電
極３１または第２画素電極３２との間隙に形成され、電極部５７２は第１画素電極３１ま
たは第２画素電極３２の電極部３６１と電極部３６２との間隙に形成され、電極部５７３
は第１画素電極３１または第２画素電極３２と第２データ線２６２との間隙に形成される
。総ての共通電極５５には略等しい電位（コモン電位）が供給される。このコモン電位は
、例えばデータ信号の電圧振幅の中心電位である。
【００２９】
以上の構成のもと、何れかの走査線２５に対して走査線駆動回路によって選択電圧（Ｔ
ＦＴ素子５１をオン状態とする電圧）が印加されると、この走査線２５に接続された２行
分のＴＦＴ素子５１がオン状態となる。そして、このときに第１データ線２６１に供給さ
れているデータ信号が当該ＴＦＴ素子５１を介して第１画素電極３１に供給されるととも
に、第２データ線２６２に供給されているデータ信号が第２画素電極３２に供給される。
本実施形態におけるデータ信号は、各画素Ｐの階調を指定する電圧信号であり、所定の電
圧を基準としたときの極性が水平走査期間ごとに反転するようにデータ線駆動回路にて生
成される。以上の駆動の結果、第１画素電極３１とこれに隣接する共通電極５５とに電圧
が印加されるとともに、第２画素電極３２とこれに隣接する共通電極５５とに電圧が印加
される。したがって、これらの電極間には、第１実施形態と同様に、電極形成面２０Ａと
平行な方向の横電界Ｅが発生して液晶６の配向方向が変化する。すなわち、図６に破線に
て示されるように、第１画素電極３１および第２画素電極３２と共通電極５５とが互いに
隣接する領域が画素Ｐとして機能する。
【００３０】
本実施形態においても、１本の走査線２５に対応する２行を単位として各画素Ｐへの印
加電圧は逆極性となるが、ある走査線２５に接続された第１画素電極３１とこれに隣接す
る走査線２５に接続された第２画素電極３２との間隙には共通電極５５のライン間電極部
５６が介在しているから、これらの画素Ｐ間に発生し得る電界は抑制される。したがって
、本実施形態においても第１実施形態と同様の効果が奏される。
【００３１】
＜Ｃ：変形例＞
各実施形態に対しては種々の変形が加えられる。具体的な変形の態様を例示すれば以下
の通りである。なお、以下に示す各態様を適宜に組み合わせてもよい。
【００３２】
（１）第１実施形態においては、第１信号電極４１と第２信号電極４２の双方がライン間
電極部４５を有する構成を例示したが、このうちの一方のみがライン間電極部４５を備え
る構成も採用される。この構成においても、ある走査線２５に接続された第１画素電極３
１とこれに隣接する走査線２５に接続された第２画素電極３２との間隙には、第１信号電
極４１および第２信号電極４２のうち一方のライン間電極部４５が介在することになるか
ら、第１実施形態と同様の効果が奏される。
【００３３】
（２）各実施形態においては、非線形素子を備えたアクティブマトリクス方式の電気光学
装置を例示したが、非線形素子を備えないパッシブマトリクス方式の電気光学装置にも本
発明は適用される。例えば、図２に示した第１実施形態の構成において、第１画素電極３
１および第２画素電極３２の双方を直接的に（すなわち非線形素子２８を介在させること
なく）走査線２５に接続した構成も採用される。また、第１実施形態においては、走査線
２５と第１画素電極３１および第２画素電極３２との間に非線形素子２８を介在させた構
成を例示したが、この構成に代えて、第１データ線２６１と第１信号電極４１との間、お
よび、第２データ線２６２と第２信号電極４２との間に非線形素子２８を介在させた構成
も採用される。
【００３４】
（３）各実施形態においては、１本の走査線２５ごとに２行分の画素Ｐが配列される構成
を例示したが、走査線２５が共通である画素Ｐの行数はこれ以上であってもよい。例えば
、１本の走査線２５ごとに４行分の画素Ｐが配列される構成としてもよい。この構成にお
いては、各画素Ｐに対応する合計４本のデータ線が画素電極列ごとに形成される。
【００３５】
（４）各画素Ｐの形状を相違させることによって視野角の依存性を補償することができる
。例えば、第１実施形態においては図７に示される構成を採用してもよい。同図の構成に
おいて、各走査線２５に対してＹ方向の負側に位置する各画素ＰとＹ方向の正側に位置す
る各画素ＰとはＸ方向に対して互いに逆方向に傾いた形状となっている。より具体的には
、第１画素電極３１の電極部３６１および３６２と、第１信号電極４１の電極部４６１お
よび４６２と、第１データ線２６１のうち第１画素電極３１に隣接する部分と、第２デー
タ線２６２のうち第１信号電極４１に隣接する部分とは、Ｘ方向に対して角度＋θ（θは
０°＜θ＜９０°または９０°＜θ＜１８０°を満たす角度）をなす方向に延在する。一
方、第２画素電極３２の電極部３６１および３６２と、第２信号電極４２の電極部４６１
および４６２と、第１データ線２６１のうち第２信号電極４２に隣接する部分と、第２デ
ータ線２６２のうち第２画素電極３２に隣接する部分とは、Ｘ方向に対して角度−θをな
す方向に延在する。この構成によれば、図７の紙面に対して手前側の斜め上方から電気光
学装置Ｄを視認したときに観察者に知覚される画像の特性と斜め下方から視認したときの
画像の特性とを同等とすることができる。なお、図７においては第１実施形態の構成を基
礎としたが、本変形例の構成は第２実施形態にも同様に適用される。
【００３６】
（５）各実施形態においては電気光学物質として液晶６を利用した電気光学装置を例示し
たが、これ以外の電気光学物質を用いた装置にも本発明は適用される。例えば、有機ＥＬ
や発光ポリマーなどのＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）素子を電気光学物質と
して用いた表示装置や、着色された液体と当該液体に分散された白色の粒子とを含むマイ
クロカプセルを電気光学物質として用いた電気泳動表示装置、極性が相違する領域ごとに
異なる色に塗り分けられたツイストボールを電気光学物質として用いたツイストボールデ
ィスプレイ、黒色トナーを電気光学物質として用いたトナーディスプレイ、あるいはヘリ
ウムやネオンなどの高圧ガスを電気光学物質として用いたプラズマディスプレイパネルな
ど各種の電気光学装置に対しても各実施形態と同様に本発明が適用される。
【００３７】
＜Ｄ：電子機器＞
次に、本発明に係る電気光学装置を表示装置として備える電子機器について説明する。
図８は、各実施形態に係る電気光学装置を有する携帯電話機の構成を示す斜視図である。
この図に示されるように、携帯電話機１２００は、利用者により操作される複数の操作ボ
タン１２０２、他の端末装置から受信した音声を出力する受話口１２０４、および他の端
末装置に送信される音声を入力する送話口１２０６のほかに、各種の画像を表示する電気
光学装置Ｄを有する。
【００３８】
なお、本発明に係る電気光学装置が利用され得る電子機器としては、図８に示される携
帯電話機のほかにも、ノート型のパーソナルコンピュータや、液晶テレビ、ビューファイ
ンダ型（またはモニタ直視型）のビデオレコーダ、デジタルカメラ、カーナビゲーション
装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話
、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。何れの電子機器において
も、横クロストークを抑えた高品位の表示が簡易な構成によって実現される。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す断面図である。
【図２】電極形成面に配置された各要素の構成を示す平面図である。
【図３】図２におけるIII−III線からみた断面図である。
【図４】図２におけるIV−IV線からみた断面図である。
【図５】各画素に印加される電圧の極性を示す図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る電気光学装置において電極形成面に形成された各要素の構成を示す平面図である。
【図７】変形例に係る電極形成面に配置された各要素の構成を示す平面図である。
【図８】本発明に係る電気光学装置を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。
【図９】従来の電気光学装置の問題点を説明するための平面図である。
【符号の説明】
【００４０】
Ｄ……電気光学装置、Ｐ……画素、２０……第２基板、２０Ａ……電極形成面、２５……
走査線、２６１……第１データ線、２６２……第２データ線、２８……非線形素子、２８
１……第１金属層、２８２……絶縁層、２５１……走査線側第２金属層、３１１……電極
側第２金属層、３２１……電極側第２金属層、Ｓ0……共通素子、Ｓ1……第１素子、Ｓ2
……第２素子、３１……第１画素電極、３２……第２画素電極、３５……基部、３６（３
６１，３６２）……電極部、４１……第１信号電極、４２……第２信号電極、４５……ラ
イン間電極部、４６（４６１，４６２）……電極部、５１……ＴＦＴ素子、５２……半導
体層、５５……共通電極、５６……ライン間電極部、５７（５７１，５７２，５７３）…
…電極部、５……シール材、６……液晶。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学物質に対向する基板と、
前記基板の前記電気光学物質に対向する電極形成面上に形成された複数の走査線と、
前記電極形成面上に形成されて前記複数の走査線と交差する第１データ線および第２デ
ータ線と、
前記各走査線を挟んで一方の側に形成されて当該走査線に接続された第１画素電極と、
前記各走査線を挟んで他方の側に形成されて当該走査線に接続された第２画素電極と、
前記電極形成面上にて前記第１画素電極と隣接する位置に形成されて前記第１データ線
に接続された第１信号電極と、
前記電極形成面上にて前記第２画素電極と隣接する位置に形成されて前記第２データ線
に接続された電極であって、前記第２画素電極と当該第２画素電極に対して前記他方の側
に位置する第１画素電極との間隙に形成されたライン間電極部を有する第２信号電極と
を具備する電気光学装置。
【請求項２】
前記第１信号電極は、前記第１画素電極と当該第１画素電極に対して前記一方の側に位
置する第２画素電極との間隙に形成されたライン間電極部を有する
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１画素電極および前記第２画素電極の各々は、前記走査線と略平行な方向に延在
して当該走査線に接続された基部と、前記基部に連結されて当該走査線とは反対側に延在
する電極部とを有し、
前記第１信号電極および前記第２信号電極の各々は、前記データ線と略垂直な方向に延
在して当該データ線に接続された前記ライン間電極部と、当該ライン間電極部に連結され
て前記走査線側に延在する電極部とを有する
請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１画素電極および前記第２画素電極の各々は、二端子型の非線形素子を介して前
記走査線に接続される
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記非線形素子は、前記電極形成面に形成された第１金属層と、前記第１金属層の表面
に形成された絶縁層と、前記絶縁層の表面に形成されて前記走査線と導通する走査線側第
２金属層と、前記絶縁層の表面上に形成されて前記第１画素電極または前記第２画素電極
に接続された電極側第２金属層とを有する
請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１信号電極および前記第２信号電極の各々は、二端子型の非線形素子を介して前
記データ線に接続される
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項７】
電気光学物質に対向する基板と、
前記基板の前記電気光学物質に対向する電極形成面上に形成された複数の走査線と、
前記電極形成面上に形成されて前記複数の走査線と交差する第１データ線および第２デ
ータ線と、
前記各走査線を挟んで一方の側に形成され、前記第１データ線と当該走査線との交差に
対応して配置されたトランジスタに接続された第１画素電極と、
前記各走査線を挟んで他方の側に形成され、前記第２データ線と当該走査線との交差に
対応して配置されたトランジスタに接続された第２画素電極と、
前記電極形成面にて前記第１画素電極および前記第２画素電極と隣接するように形成さ
れた電極であって、前記第１画素電極と当該第１画素電極に対して前記一方の側に位置す
る第２画素電極との間隙に形成されたライン間電極部、および、前記第２画素電極と当該
第２画素電極に対して前記他方の側に位置する第１画素電極との間隙に形成されたライン
間電極部を有する共通電極と
を具備する電気光学装置。
【請求項８】
前記第１画素電極および前記第２画素電極の各々は、前記走査線と略平行な方向に延在
して前記トランジスタに接続された基部と、前記基部に連結されて前記走査線とは反対側
に延在する電極部とを有し、
前記共通電極は、前記走査線と略平行な方向に延在する前記ライン間電極部と、前記ラ
イン間電極部に連結された電極部とを有する
請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８の何れかに記載の電気光学装置を具備する電子機器。
【請求項１】
電気光学物質に対向する基板と、
前記基板の前記電気光学物質に対向する電極形成面上に形成された複数の走査線と、
前記電極形成面上に形成されて前記複数の走査線と交差する第１データ線および第２デ
ータ線と、
前記各走査線を挟んで一方の側に形成されて当該走査線に接続された第１画素電極と、
前記各走査線を挟んで他方の側に形成されて当該走査線に接続された第２画素電極と、
前記電極形成面上にて前記第１画素電極と隣接する位置に形成されて前記第１データ線
に接続された第１信号電極と、
前記電極形成面上にて前記第２画素電極と隣接する位置に形成されて前記第２データ線
に接続された電極であって、前記第２画素電極と当該第２画素電極に対して前記他方の側
に位置する第１画素電極との間隙に形成されたライン間電極部を有する第２信号電極と
を具備する電気光学装置。
【請求項２】
前記第１信号電極は、前記第１画素電極と当該第１画素電極に対して前記一方の側に位
置する第２画素電極との間隙に形成されたライン間電極部を有する
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１画素電極および前記第２画素電極の各々は、前記走査線と略平行な方向に延在
して当該走査線に接続された基部と、前記基部に連結されて当該走査線とは反対側に延在
する電極部とを有し、
前記第１信号電極および前記第２信号電極の各々は、前記データ線と略垂直な方向に延
在して当該データ線に接続された前記ライン間電極部と、当該ライン間電極部に連結され
て前記走査線側に延在する電極部とを有する
請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１画素電極および前記第２画素電極の各々は、二端子型の非線形素子を介して前
記走査線に接続される
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記非線形素子は、前記電極形成面に形成された第１金属層と、前記第１金属層の表面
に形成された絶縁層と、前記絶縁層の表面に形成されて前記走査線と導通する走査線側第
２金属層と、前記絶縁層の表面上に形成されて前記第１画素電極または前記第２画素電極
に接続された電極側第２金属層とを有する
請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１信号電極および前記第２信号電極の各々は、二端子型の非線形素子を介して前
記データ線に接続される
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項７】
電気光学物質に対向する基板と、
前記基板の前記電気光学物質に対向する電極形成面上に形成された複数の走査線と、
前記電極形成面上に形成されて前記複数の走査線と交差する第１データ線および第２デ
ータ線と、
前記各走査線を挟んで一方の側に形成され、前記第１データ線と当該走査線との交差に
対応して配置されたトランジスタに接続された第１画素電極と、
前記各走査線を挟んで他方の側に形成され、前記第２データ線と当該走査線との交差に
対応して配置されたトランジスタに接続された第２画素電極と、
前記電極形成面にて前記第１画素電極および前記第２画素電極と隣接するように形成さ
れた電極であって、前記第１画素電極と当該第１画素電極に対して前記一方の側に位置す
る第２画素電極との間隙に形成されたライン間電極部、および、前記第２画素電極と当該
第２画素電極に対して前記他方の側に位置する第１画素電極との間隙に形成されたライン
間電極部を有する共通電極と
を具備する電気光学装置。
【請求項８】
前記第１画素電極および前記第２画素電極の各々は、前記走査線と略平行な方向に延在
して前記トランジスタに接続された基部と、前記基部に連結されて前記走査線とは反対側
に延在する電極部とを有し、
前記共通電極は、前記走査線と略平行な方向に延在する前記ライン間電極部と、前記ラ
イン間電極部に連結された電極部とを有する
請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８の何れかに記載の電気光学装置を具備する電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００６−１５４１２０（Ｐ２００６−１５４１２０Ａ）
【公開日】平成１８年６月１５日（２００６．６．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−３４２７５７（Ｐ２００４−３４２７５７）
【出願日】平成１６年１１月２６日（２００４．１１．２６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年６月１５日（２００６．６．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年１１月２６日（２００４．１１．２６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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