【課題】メッキリードの除去を容易に行えるようにする。
【解決手段】フレキシブル基板（１）の回路上の電解メッキを行う個所、すなわちランド（２）で回路上導通のない個所を、フレキシブル基板（１）上に重ね合わせたマスク（１０）に形成されたメッキリード（１２）により導通させ、次いで、回路上で電解メッキを行い、その後、前記マスク（１０）を取り外してメッキリード（１２）もフレキシブル基板（１）上から除去するようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】膜厚の均一なめっき層を精度よく形成することができるめっき装置を提供すること。
【解決手段】めっき液に浸漬させたアノード７と、カソードとなる被めっき基板８との間に流れる電流に対して抵抗を付与する抵抗付与手段６が、前記アノード７と前記被めっき基板８との間に設けられていることを特徴とする。すなわち、抵抗付与手段６によって、アノード７と被めっき基板８との間を流れる電流に対して抵抗が付与され、そのため、被めっき基板８に対して膜厚の均一なめっきを施すことができる。 （もっと読む）

【課題】 給電グリップの移動中に給電グリップの通電状態を検査するための垂直搬送式連続めっき装置における給電グリップの検査装置を提供する。
【解決手段】 給電グリップ１の検査をする検査位置のレール２に２個の検査用給電部２４ａ、２４ｂを前後に並べて設けてこの検査用給電部２４ａ、２４ｂの間隔を集電ブラシ２１ａ、２１ｂ、２１ｃの間隔と同一とするとともに相互間及びレール２の他の部分との間を絶縁し、先頭の集電ブラシ２１ａが前方側の検査用給電部２４ａに接触した位置で給電グリップ１を検知するセンサー２９を設け、このセンサー２９が検知したとき検査用給電部２４ａ、２４ｂの間に一定の電流を流し、検査用給電部２４ａ、２４ｂの間の電圧を計測してその電圧が設定した値以上になると信号を出力する電圧継電器２７を設けた。 （もっと読む）

【課題】表面欠点の少ない高品位なめっき被膜が成膜可能なウェブの連続電解めっき装置を提供すること。
【解決手段】走行しているウェブに少なくとも１つのウェブの走行にあわせて接触面が回転する第１の帯状環状体を圧接するウェブの圧接方法であり、第１の帯状環状体の接触面に対して、ウェブの側に圧接する面状の圧力を付与する。 （もっと読む）

【課題】管理に多大の注意を払う電解めっき液を用いた電解金属めっきによってスルーホール内をめっき金属で充填する従来のスルーホールの充填方法の課題を解消する。
【解決手段】絶縁材料から成る基板１０を貫通するスルーホール１２の内壁面を含む基板表面の全面に金属薄膜１４を形成した後、スルーホール１２の開口部の一方が開口されている基板１０の一面側を第１絶縁膜１６で覆って、スルーホール１２の他方の開口部が開口されている基板１０の他面側に、金属薄膜１４を給電層とする第１電解金属めっきを施して、スルーホール１２の他方の開口部側にめっき金属を充填しつつ、スルーホール１２の他方の開口部を閉塞するめっき金属層１８を形成し、次いで、第１絶縁膜１６を剥離してスルーホール１２の開口部の一方を開口した後、スルーホール１２の一方の開口部側に残留する空間部１２ａをめっき金属で充填するように、金属薄膜１４を給電層とする第２電解金属めっきを、基板１０の一面側に施すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造効率が向上し、傷付き及び焼切れが防止され、均一な厚さで金属めっき層が形成された光透過性電磁波シールド材の製造方法を提供する。
【解決手段】シランカップリング剤とアゾール系化合物との混合物または反応生成物、および貴金属化合物を含む無電解めっき前処理剤を透明基板上に塗布、乾燥させ、透明基板上に前処理層を形成する工程、前処理層上にドット状のめっき保護層を形成する工程、めっき保護層が形成されずに露出した前処理層上に、無電解めっきすることによりメッシュ状の金属導電層を形成し、透明基板、めっき保護層及び金属導電層を有する積層体を得る工程、及び長尺状の積層体を、陽極及び陰極を浸漬させためっき液中に連続的に浸漬させた後、長尺状の積層体にめっき液を介して陽極及び陰極から通電して電気めっきを行うことにより金属導電層上に金属めっき層を形成する工程、を含む光透過性電磁波シールド材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 膜厚ばらつきを大きくすることなく、めっき効率を大きく向上させることが可能である電解バレルめっき方法を提供する。
【解決手段】 給電端子を備える容器中に被めっき物および導電性メディアを投入し、前記容器をめっき金属イオンを含むめっき液に浸漬し、前記容器を攪拌しながら通電することによりめっき膜を形成する電解めっき方法において、前記めっき金属の主成分が、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｃｕから選ばれる少なくとも１種、またはそれらの合金であり、前記導電性メディアの表面の主成分がＺｎまたはＺｎの合金である。 （もっと読む）

【課題】めっき操業中、ライン速度が低下した場合であっても、めっき効率を低下させず、かつめっき付着むらの発生を効果的に防止できる電気めっき方法を提案する。
【解決手段】複数のめっきセルを用いて電気めっきを施すに際し、予め電流密度とめっき効率との関係から電流密度の許容下限値を求めておき、ライン速度に応じてめっきセル数を切り替えることにより、電流密度が上記許容下限値を下回ることがないように、電流密度を制御する。 （もっと読む）

【課題】 各基板毎にめっき電流が正常に流れたかどうかを検知して、正常な電流が流れなかったために所定のめっき厚となっていない可能性の高い基板を除外できるようにする電解めっき装置を提供する。
【解決手段】 プッシュバー方式による電解めっき装置によりプリント基板３へのめっきを行うに際し、各基板がめっきされつつある時に、各基板毎にそのラック１に流れているカソード電流値を計測するとともに、各基板毎の使用されているラック識別番号及び各基板毎の使用さえているめっき治具識別番号を読み取り、これら計測結果と読み取り結果をコンピュータ１０に入力し、まためっき完了後に、各ラック１のカソード電流の積算値が予めコンピュータ１０に設定値として入力してある設定範囲になっているかどうかを確認できるようにした。 （もっと読む）

【課題】薄物銅箔の固有の厚みを略維持しながら、少なくともその一方の表面を結晶粒界に沿った微細な凹凸を有する粗化形状を効率よく形成せしめ、工業用プラスチックフィルムまたは熱硬化性樹脂との密着性を得るに十分な表面処理方法を提供する。
【解決手段】微細結晶粒からなる結晶構造を有する銅箔の少なくとも一方の面に、交流による電解処理を施し該銅箔の表面を微細に粗化処理する方法であって、電解液として硫酸単浴または硫酸と重金属化合物が溶解された浴を用いる銅箔の表面処理である。 （もっと読む）

【課題】基板等の回路にかかる力を緩和する能力を有する導電性微粒子、及び、基板間の距離を一定に維持する方法を提供する。
【解決手段】樹脂からなる基材微粒子の表面が１層以上の金属層に覆われてなる導電性微粒子であって、前記樹脂の熱分解温度が３００℃以上であり、かつ、前記金属層を構成する金属のうち少なくとも１つが融点１５０〜３００℃の合金及び／又は金属である導電性微粒子。 （もっと読む）

【課題】金属基体の表面に電気めっきする際に、金属基体の溶解を防止して極めて薄い金属基体であっても正常に電気めっきできるようにした電気めっき方法を提供すること。
【解決手段】金属基体の表面に電気めっきする際に、電気めっき液１９中に金属粉末を分散させた状態で電気めっきを行う。そうすると、電気めっき液１９中の金属濃度は飽和もしくは過飽和状態となっているので、金属基体２２の溶解速度を抑えることができるとともに、誘導共析現象を利用して短時間で平滑な表面のめっき層が得られる。本発明の電気めっき方法は、金属基体２２が基板上に設けられた絶縁膜の表面に形成された金属薄膜からなる場合であっても、前記金属が銅、亜鉛、鉄、ニッケル、コバルトの場合であっても適用可能である。また、本発明の電気めっき方法は超臨界流体ないしは亜臨界流体を使用した電気めっき方法にも適用可能である。 （もっと読む）

【課題】電解めっき工程の生産性を向上させた配線板の製造方法を提供する。また、金属薄膜と絶縁性基板との密着性が高い配線を有する配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板上に金属薄膜を形成して配線基板１０２とし、該配線基板１０２の金属薄膜２上に電解めっき法によってめっき膜を形成する配線板の製造方法である。めっき膜を形成する工程は、めっき液９に浸漬させていない状態の配線基板１０２の金属薄膜２とめっき液９に浸漬した状態のダミーカソード６を電気的に並列接続し、金属薄膜２とダミーカソード６に電圧が印加された状態を準備する準備工程と、配線基板１０２をめっき液９に浸漬して、配線基板１０２の金属薄膜２に電解めっきを行う電解めっき工程とからなる。 （もっと読む）

電気メッキプロセスが、電圧で切替可能な誘電体（ＶＳＤ）材料の結合剤中に分散、混合または溶解した光活性成分を有するＶＳＤ材料の層を含む基板を用いて行われる。導体素子のパターンが、一部は、前記ＶＳＤ材料の層に光を向けることにより発せられた電圧を用いて、ＶＳＤ材料を絶縁状態から導電状態に切り替えることによって、基板上に形成される。
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【課題】電解液やメッキ液が均一に分散されて均一な研磨面あるいはメッキ面が得られるようにする。
【解決手段】被研磨物や被メッキ物に圧接されて相対的に摺動されるパッドにおいて、被研磨物や被メッキ物に圧接される研磨層３を、超極細繊維で構成するとともに、下地層４に貫通孔４を形成し、貫通孔４を介して供給される電解液やメッキ液が、超極細繊維からなる研磨層３で均一に分散され、電流密度が均等になるようにしている。 （もっと読む）

【課題】被めっき物を短尺品とせず、安定した部分めっき品質を確保でき、高速で連続的に部分めっきできる連続部分めっき方法、該方法を実施するための連続部分めっき装置、および、部分めっき用の回転ベルトを提供する。
【解決手段】
合成樹脂をバインダーに用いて磁気粉末を配向分散して形成されたマグネットシート１３に軟質エラストマー被膜層１４を備えてなるマスキング用磁性体シート１５を、ベーステープ１７上に接着して部分めっき用エンドレス回転ベルト１０（１０ａ）を構成し、両回転ベルト１０，１０間に金属薄板条５を磁力によって挟んだ状態を維持したまま搬送させながら、前記金属薄板条５表面のうち前記回転ベルト１０で覆われていない部分に連続部分めっきするものである。 （もっと読む）

【課題】電解メッキ法を用いて金属薄膜を形成する半導体装置の製造方法において、半導体基板にクラックが発生することを抑制する。
【解決手段】給電層２が形成された半導体基板１を支持基板３上に固定し、一端が半導体基板１上の給電層２と接触し、他端が支持基板３上に固定されるように導電性テープ５を貼付する。そして、導電性テープ５の半導体基板１と接触してない部分８にコンタクトピン７を接触させて電解メッキを行い、メッキ１０を形成する。これにより、コンタクトピン７の接触圧に起因する半導体基板１のクラック発生を抑制し、良好な金属薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】めっき膜厚の制御を精度よく行う。
【解決手段】半導体基板上に形成された絶縁膜に設けられた複数の凹部をめっき処理により導電性材料で埋め込むめっき工程を含む半導体装置の製造方法において、めっき工程は、複数の凹部のうち所定幅以下の微細な凹部が導電性材料で埋め込まれる際に、所定の第１の基準電流密度を半導体基板全面における各複数の凹部の側壁の面積を含む第１の表面積Ｓ_１と各複数の凹部の側壁の面積を含まない第２の表面積Ｓ_２との表面積比Ｓｒ＝Ｓ_１／Ｓ_２に基づき補正した第１の電流密度でめっき処理を行う工程（Ｓ１０４）を含む。 （もっと読む）

【課題】ウエフアーをウエフアーホルダーに確実に保持すると共に、十分に通電できるようにする。
【解決手段】めっき液を収容するめっき槽と、該プめっき槽１の底部１ａに貫設された、嵌合穴３ａを有するカソードホルダ３と、前記嵌合穴の上端に設けられたカソード補助電極５と、前記カソードホルダーの下面側から前記嵌合穴に着脱される、上下動可能なウエフアーホルダー１０と、前記ウエフアーホルダーの上面に設けられた電極収容凹部１２と、前記電極収容凹部に固定され、ウエフアーフォルダーに載置されたウエフアーのバックサイドＷＢを押圧するスプリングコンタクト式カソード電極１８と、前記ウエファーホルダーの上面に設けられたパッド収容凹部１４と、前記パッド収容凹部に固定され、前記ウエフアーホルダーに載置されたウエファーのバックサイドに吸着する吸着パッド１６と、を備えている。
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【課題】 ウェハーの被めっき面全面でのめっき膜厚が均一となるウェハーめっき処理技術を提供する。
【解決手段】
めっき槽の開口部にウェハーを配置し、ウェハー外周側とカソード電極とを接触させ、めっき液を供給し、ウェハーに到達しためっき液がウェハーの被めっき表面の外周方向に流動させるようにして、めっき槽内にウェハーと対向させて配置したアノード電極と前記カソード電極とによってめっき電流を供給して、ウェハーにめっき処理を行うウェハーめっき方法において、前記アノード電極は、ウェハーの被めっき面と略同一形状とし、アノード電極の周縁へ複数の周縁電流供給部を設けるとともに、アノード電極の中央へ中央電流供給部を設け、前記周縁電流供給部から供給する周縁めっき電流と、中央電流供給部から供給する中央めっき電流とを調整するものとした。 （もっと読む）