【課題】有機材料を変質させることなく、少量ずつ蒸発させられる技術を提供する。
【解決手段】タンク室６０内部に配置された粉体の有機材料６３を蒸発室２０ａの内部に移動させ、蒸発室２０ａの内部で有機材料蒸気を発生させる際に、有機材料６３が通過する接続管４０内に加熱したシールドガスを導入し、有機材料をシールドガスと共に蒸発室２０ａ内に移動させる。接続管４０と蒸発室２０ａの間の接続部分を小孔４２に形成しておき、小孔４２からシールドガスを噴出させると蒸発室２０ａ内で発生した有機材料蒸気が接続管４０の内部に侵入することがない。 （もっと読む）

【課題】装置の占有面積の増大を抑えつつ、基板搬送手段に対する処理、基板の待機或いは基板に対する処理を行なう付属モジュールを追加すること。
【解決手段】真空搬送室３の底部３０に凹部４１を形成し、ここに第２の搬送アーム３２の洗浄処理を行う付属モジュール（洗浄モジュール４）を、前記第２の搬送アーム３２によるウエハＷの搬送を阻害しないように前記凹部４１に収納する位置と、前記真空搬送室３内において前記第２の搬送アーム３２の前記保持領域を洗浄する位置との間で昇降させる。前記洗浄モジュール４は使用しないときには前記凹部４１に収納し、使用するときには真空搬送室３内に突出するようにしているので、装置の占有面積の増大を抑えつつ、前記付属モジュールを追加することができる。 （もっと読む）

【課題】低抵抗率で、かつ、抵抗率の膜厚依存性及び基板上での抵抗率分布が少ない酸化亜鉛を母材とする透明導電膜およびその製造用技術並びに薄膜製造用製造用酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】例えば、アルミニウム添加酸化亜鉛（ＡＺＯ）にスズを添加した透明導電膜で、アルミニウムの含有量をＡｌ／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｓｎ）の原子比で１％を超え８％未満、かつスズの含有量をＳｎ／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｓｎ）の原子比で０．１％を超え１％未満として作製したＺｎＯ系焼結体ターゲットもしくはペレットを用いるマグネトロンスパッタリング法により、低抵抗率で抵抗率の膜厚依存性及び基板上での抵抗率分布が改善されたＺｎＯ系透明導電膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】良好な膜質を有するＩＩＩ族窒化物半導体を反応性スパッタ法によって効率よく成膜することができるＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体製造装置、並びにＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ４１内に基板１１及びＧａ元素を含有するターゲット４７を配置するとともに、反応ガス供給手段５０によってチャンバ４１内に窒素原子含有ガス及び不活性ガスを供給し、基板１１上に単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体をプラズマによる反応性スパッタ法で形成する方法であり、チャンバ４１内の圧力を圧力モニタ５１によって検知し、該圧力モニタ５１の検知信号Ａに基づき、反応ガス供給手段５０からチャンバ４１内に供給する窒素原子含有ガスの流通量を流量制御手段５２によって制御する。 （もっと読む）

【課題】高誘電率ゲート絶縁膜としての使用に適する高誘電率絶縁膜を良好な制御性をもって生産性良く形成する。
【解決手段】シリコン基体１０１の表層部を酸化してシリコン酸化膜１０２とする第１工程と、非酸化性雰囲気中においてスパッタによりシリコン酸化膜１０２の上に金属膜１０３を形成する第２工程と、非酸化性雰囲気中での加熱を行うことで、金属膜１０３を構成する金属原子をシリコン酸化膜１０２中に拡散させる第３工程と、金属原子が拡散したシリコン酸化膜１０２をラジカル酸化により酸化し、金属原子とシリコン原子と酸素原子とを含む金属シリケート膜１０４を形成する第４工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】磁気記録層の磁性結晶粒子を適切に微細化する。
【解決手段】垂直磁気記録方式で情報を記録する垂直磁気記録媒体１００の製造方法であって、上層の結晶方位を制御する下地層１１８を成膜する下地層成膜工程と、下地層１１８の結晶方位に応じた方向に磁化容易軸が向く磁性結晶粒子３０６が非磁性物質３０８のマトリックス中に分散するグラニュラ構造の磁気記録層である主記録層１２０を成膜する磁気記録層成膜工程とを備え、下地層成膜工程は、希ガスと多原子分子ガスとの混合ガスをスパッタリングガスとして用いるスパッタリング法により、下地層１１８の少なくとも最上層部を成膜する。 （もっと読む）

【課題】成膜時に、膜特性制御用の圧力勾配型Ａｒプラズマガンからのプラズマビームを照射して、所望特性の蒸着膜を得る成膜方法および装置を提供する。
【解決手段】蒸発用の圧力勾配型Ａｒプラズマガンからのプラズマビームを蒸発源に照射して、膜成分を粒子として蒸発・イオン化し、これを基板表面に蒸着させて成膜するにあたり、膜特性制御用の圧力勾配型Ａｒプラズマガンからのプラズマビームを基板に照射することによって、蒸着膜の結晶配向性等の膜特性を制御する。 （もっと読む）

【課題】製造時或いは経年変化で歪曲する恐れが少ない光学フィルタを簡単な方法で安価に製造することが可能な光学フィルタの成膜方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内に回転自在に配置された基板ドラムに基板プレートを装着した基板ホルダをセットする基板セット工程と上記基板ドラムにセットされた基板プレートの表面に、上記基板ドラムを回転させながら上記ターゲットにスパッタ電圧を印加することによって膜形成する表面成膜工程と、上記表面成膜工程の後、上記ターゲットにスパッタ電圧を印加しない状態で上記基板ホルダを回転させて上記基板プレートの裏面を上記ターゲットに対向配置する成膜面反転工程と、上記基板プレートの表裏面を反転させた後、上記基板ドラムを回転させながら上記ターゲットにスパッタ電圧を印加することによって上記基板プレートの裏面に膜形成する裏面成膜工程とを備え、基板プレートの表裏面に同一バッチでそれぞれ成膜する。 （もっと読む）

【課題】高誘電率ゲート絶縁膜としての使用に適する高誘電率絶縁膜を良好な制御性をもって生産性良く形成する。
【解決手段】シリコン基体１０１の表層部を酸化してシリコン酸化膜１０２とする第１工程と、非酸化性雰囲気中においてシリコン酸化膜１０２の上に金属膜１０３を形成する第２工程と、非酸化性雰囲気中で金属膜１０３を希ガスプラズマに暴露することで、金属膜１０３を構成する金属原子をシリコン酸化膜１０２中に拡散させる第３工程と、金属原子が拡散したシリコン酸化膜１０２をラジカル酸化により酸化し、金属シリケート膜１０４を形成する第４の工程と、を備える。希ガスプラズマは金属膜１０３を構成する金属原子の原子量に最も近い原子量を有する希ガスを含む。 （もっと読む）

【課題】圧延膜において、ピンホール部が効果的に封孔された、水素透過効率が高い、ピンホールのない水素分離膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】水素分離膜を製造する製造方法であって、第１金属を圧延して膜１を形成する膜形成工程と、前記膜１に生じたピンホール部２に有機物を主成分とする液状又は顔料を主成分とする粉末状の塗布剤３を塗布する塗布工程と、ピンホール部２に前記塗布剤３を塗布した前記膜１に、第２金属４を蒸着する蒸着工程と、を備えることを特徴とする、水素分離膜製造方法。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、被処理基板を成膜開始時から成膜終了時まで低い温度に保持することができるマスク蒸着方法、有機ＥＬ装置の製造方法、およびマスク蒸着装置を提供すること。
【解決手段】マスク蒸着装置２００では、成膜前に、冷却エリア２９０において金属製の冷却ブロック３４０、金属製の蒸着マスク３１０および金属製のホルダ３２０を冷却する冷却工程を行ない、ホルダ３２０に支持された金属製の蒸着マスク３１０の上に第１基板１０を重ねるとともに、第１基板１０の上に冷却ブロック３４０を重ねた状態で成膜室２２０に搬入し、成膜工程を行なう。このため、第１基板１０は成膜前から成膜後にかけて低い温度に保持される。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性に優れ、また焼き付きなどが生じにくく、長期間使用しても摺動性に優れる硬質皮膜と、その摺動性に優れた硬質皮膜を短時間で形成することができる硬質皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】化学式Ｍ_ｘＢ_ａＣ_ｂＮ_ｃで示される硬質皮膜であって、Ｍは、４Ａ族、５Ａ族、６Ａ族の元素、及びＳｉ、Ａｌから選択される少なくとも１種の金属元素であり、０≦ａ≦０．２、０≦ｃ≦０．２、０＜ｘ−ａ−ｃ、ｘ−ａ−ｃ＜ｂ≦０．９、０．０５≦ｘ＜０．５、ｘ＋ａ＋ｂ＋ｃ＝１の各式を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な構成でドロップレットをより確実に排除することができる成膜装置及び成膜方法並びに磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録装置の製造方法を提供する。
【解決手段】グラファイトからなる筒状のアノード電極２４の内側に、グラファイトからなるカソード電極２１が配置される。アノード電極２４とカソード電極２１との間に電源２６から電力が供給し、アーク放電を発生させてカソード電極２１の周囲に炭素イオンを含むプラズマを生成する。このプラズマは、アノード電極２４に設けられた開口部を介して外部に出て、コイル２５による磁場で進行方向が曲げられ、基板まで搬送される。そして、プラズマ中の炭素イオンが基板の面上に堆積してＤＬＣ膜が形成される。一方、アーク放電により発生したドロップレットは、磁場の影響を殆ど受けず、プラズマの搬送方向とは無関係の方向に飛散して、ＤＬＣ膜に付着することが回避される。 （もっと読む）

堆積された金属により、少なくとも部分的にコーテイングされた蒸着装置を提供し、グリットにより蒸着装置をブラスト加工し、堆積された金属の少なくともいくらかを取り除き、吹き付けられたグリット及び取り除かれた金属を形成し、前記吹き付けられたグリットから前記取り除かれた金属のうちの少なくともいくらかを分離して、金属を回収することを含む電子デバイス蒸着装置から金属を回収するための方法が提供される。いくつかの他の態様が提供される。
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【課題】下地金属層と該下地金属層上に積層された銅被膜層とからなる金属層とフィルムとの初期密着力、耐熱密着力等の密着力が高く、必要に応じてフィルム厚さも含めた基板全体の厚さを薄くすることができる金属被覆ポリエチレンナフタレート基板とその効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】ポリエチレンナフタレート系フィルムの少なくとも片側の表面上に、金属層を有する金属被覆ポリエチレンナフタレート基板であって、下記の（１）及び（２）の要件を満足することを特徴とする。
（１）前記ポリエチレンナフタレート系フィルムの下地金属層が接する表面は、その中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．５〜４ｎｍである。
（２）前記下地金属層は、乾式めっき法により形成されたクロム、バナジウム、チタン及びモリブデンからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を含有するニッケル合金を主成分として含み、かつその膜厚が３〜５０ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法で製造可能であり、かつ、短波長領域の光も透過することが可能な透明電極およびその製造方法を提供する。また、作製された透明電極の光透過率が酸化によって低下することがない透明電極およびその製造方法を提供する。
【解決手段】真空蒸着法により複数種の金属を気化させて基板表面へ蒸着して、上記基板表面に透明電極として上記複数種の金属を含む合金薄膜を形成し、上記複数種の金属には少なくともアルミニウムおよび銀が主成分として含まれるようにしたものであり、上記合金薄膜全体に対する上記アルミニウムの割合が、組成比において上記合金薄膜全体の２割乃至８割であるようにした。 （もっと読む）

【課題】突発的な巨大ダストの発生を抑制し、Ｎｂ膜の歩留りを向上させることを可能にしたスパッタターゲットを提供する。
【解決手段】高純度Ｎｂからなるスパッタターゲットであって、Ｎｂの各結晶粒は、平均結晶粒径に対して 0.1〜10倍の範囲の粒径を有すると共に、隣接する結晶粒の粒径サイズの比が 0.1〜10の範囲である。 （もっと読む）

【課題】均一な金属薄膜が形成されるようにソース容器内のソース量を常にほぼ一定に維持することができるソース量制御が可能な真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空蒸着装置は、チャンバー１００と、チャンバー１００内の上部に設けられる基板１３０と、基板１３０の直下に設けられ、内部にソース１１１が満たされるソース容器１１０と、ソース容器１１０の下面に取付けられた質量測定機１２０と、質量測定機１２０に接続されてソース容器１１０の質量の情報を受信する制御部１４０と、制御部１４０に接続され、ソース容器１１０の質量の情報に応じて制御部１４０で生成されたソース供給信号が伝達され、ソース容器１１０内にソース１１１を供給するソース供給機１５０とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 メンテナンス終了後に再度成膜工程を実施可能とするための時間を短縮することで成膜工程の効率を向上させることが可能な膜厚モニタ装置及びこれを備える成膜装置を提供する。
【解決手段】 基板１１上に成膜材料１０が付着してなる薄膜の膜厚を測定するための膜厚モニタ装置５である。成膜材料１０が付着し、成膜材料１０の付着量によって共振周波数が変化する水晶振動子と、前記水晶振動子を囲むように形成され内部を熱媒が循環する熱媒循環路５ｂと、前記熱媒を循環させ、前記水晶振動子のメンテナンス時に前記水晶振動子に付着した成膜材料１０を除去するべく前記熱媒の温度を調整する熱媒温度調整手段５ｃと、を備えてなる。蒸着装置（成膜装置）Ａは、基板１１上に成膜材料１０を付着させて薄膜を形成するための真空室２を備え、真空室２に膜厚モニタ装置５を配設してなる。 （もっと読む）

【課題】ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｔｈ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｓｉ、ＰｂおよびＢから選ばれる少なくとも１種の第１の元素を0.001〜30原子％の範囲で含み、残部がＡｌからなるインゴットまたは焼結体を、大気溶解法、真空溶解法、急冷凝固法、粉末冶金法で作製するにあたって、インゴットまたは焼結体にＣを第１の元素量に対して20原子ppm〜37.8原子％の範囲で含有させ、得られたインゴットや焼結体を加工してスパッタターゲットを作製する。 （もっと読む）