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Fターム[4K029AA24]の内容

物理蒸着 (93,067) | 基体 (14,066) | 形状 (5,788) |  (3,910)

Fターム[4K029AA24]に分類される特許

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【課題】基板上に複数の薄膜層を蒸着することが出来る真空スパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ガス導入手段及びガス排気手段とを有する真空チャンバー1、回転可能な基板支持テーブル2で、基板支持テーブル2の平面に直角な、少なくとも一つの軸を中心に基板支持テーブルを回転させるための手段、真空チャンバーの壁に沿って間隔を空けて配置されている複数のスパッタリング用ターゲット5で、かつ複数のターゲットの一つに対して基板支持テーブルの位置を変更するための手段は、使用に際して、基板支持テーブル上に置かれた基板は、複数個のターゲット5の少なくとも一つからスパッタリングされた膜を有していても良く、その後、基板支持テーブルの位置の変更の後に、その上に、複数個のターゲットの少なくとも他の一つからスパッタリングされた別の一つの膜を有する様に構成されている変更手段、とから構成されている真空スパッタリング装置。 (もっと読む)


【課題】多層膜を一括で形成可能な蒸着方法を提供する。
【解決手段】2次元的に配列された蒸着源110が層構成の数に対応して蒸着材料毎に3つのグループ111、112、113に分かれており、各グループの蒸着源は発熱体120(121、122、123)によって、それぞれ独立して加熱・制御可能である。各蒸着源110は、充填された材料の95%以上を、各層の成膜においてグループ毎に順次蒸発させる。蒸着源の交換を行うことなく複数の有機材料層からなる多層膜を一括で形成することができる。 (もっと読む)


【課題】 ターゲットと処理基板とを立てた状態で対向させて、搬送しながらスパッタ処理を行う縦型のインラインスパッタ装置に用いられる基板ホルダー部で、G6世代以上の大サイズの処理基板を、処理する場合において、接触して処理基板を支持する基板ホルダー部による、処理基板のキズや割れ等の損傷が発生しない、更には、目視できないレベルの汚れ、キズが処理基板のピンと接触する表面に付着しない、基板ホルダー部を、提供する。
【解決手段】 処理基板の下側面部と面接触して、該処理基板を支持する基板受け部を備えている。更に、該基板受け部は、衝撃吸収性の高い材質からなる。 (もっと読む)


【課題】成膜時に、膜特性制御用の圧力勾配型Arプラズマガンからのプラズマビームを照射して、所望特性の蒸着膜を得る成膜方法および装置を提供する。
【解決手段】蒸発用の圧力勾配型Arプラズマガンからのプラズマビームを蒸発源に照射して、膜成分を粒子として蒸発・イオン化し、これを基板表面に蒸着させて成膜するにあたり、膜特性制御用の圧力勾配型Arプラズマガンからのプラズマビームを基板に照射することによって、蒸着膜の結晶配向性等の膜特性を制御する。 (もっと読む)


【課題】製造時或いは経年変化で歪曲する恐れが少ない光学フィルタを簡単な方法で安価に製造することが可能な光学フィルタの成膜方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内に回転自在に配置された基板ドラムに基板プレートを装着した基板ホルダをセットする基板セット工程と上記基板ドラムにセットされた基板プレートの表面に、上記基板ドラムを回転させながら上記ターゲットにスパッタ電圧を印加することによって膜形成する表面成膜工程と、上記表面成膜工程の後、上記ターゲットにスパッタ電圧を印加しない状態で上記基板ホルダを回転させて上記基板プレートの裏面を上記ターゲットに対向配置する成膜面反転工程と、上記基板プレートの表裏面を反転させた後、上記基板ドラムを回転させながら上記ターゲットにスパッタ電圧を印加することによって上記基板プレートの裏面に膜形成する裏面成膜工程とを備え、基板プレートの表裏面に同一バッチでそれぞれ成膜する。 (もっと読む)


【課題】高誘電率ゲート絶縁膜としての使用に適する高誘電率絶縁膜を良好な制御性をもって生産性良く形成する。
【解決手段】シリコン基体101の表層部を酸化してシリコン酸化膜102とする第1工程と、非酸化性雰囲気中においてシリコン酸化膜102の上に金属膜103を形成する第2工程と、非酸化性雰囲気中で金属膜103を希ガスプラズマに暴露することで、金属膜103を構成する金属原子をシリコン酸化膜102中に拡散させる第3工程と、金属原子が拡散したシリコン酸化膜102をラジカル酸化により酸化し、金属シリケート膜104を形成する第4の工程と、を備える。希ガスプラズマは金属膜103を構成する金属原子の原子量に最も近い原子量を有する希ガスを含む。 (もっと読む)


【課題】圧延膜において、ピンホール部が効果的に封孔された、水素透過効率が高い、ピンホールのない水素分離膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】水素分離膜を製造する製造方法であって、第1金属を圧延して膜1を形成する膜形成工程と、前記膜1に生じたピンホール部2に有機物を主成分とする液状又は顔料を主成分とする粉末状の塗布剤3を塗布する塗布工程と、ピンホール部2に前記塗布剤3を塗布した前記膜1に、第2金属4を蒸着する蒸着工程と、を備えることを特徴とする、水素分離膜製造方法。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で、被処理基板を成膜開始時から成膜終了時まで低い温度に保持することができるマスク蒸着方法、有機EL装置の製造方法、およびマスク蒸着装置を提供すること。
【解決手段】マスク蒸着装置200では、成膜前に、冷却エリア290において金属製の冷却ブロック340、金属製の蒸着マスク310および金属製のホルダ320を冷却する冷却工程を行ない、ホルダ320に支持された金属製の蒸着マスク310の上に第1基板10を重ねるとともに、第1基板10の上に冷却ブロック340を重ねた状態で成膜室220に搬入し、成膜工程を行なう。このため、第1基板10は成膜前から成膜後にかけて低い温度に保持される。 (もっと読む)


【課題】耐摩耗性に優れ、また焼き付きなどが生じにくく、長期間使用しても摺動性に優れる硬質皮膜と、その摺動性に優れた硬質皮膜を短時間で形成することができる硬質皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】化学式Mで示される硬質皮膜であって、Mは、4A族、5A族、6A族の元素、及びSi、Alから選択される少なくとも1種の金属元素であり、0≦a≦0.2、0≦c≦0.2、0<x−a−c、x−a−c<b≦0.9、0.05≦x<0.5、x+a+b+c=1の各式を満たすことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】比較的簡単な構成でドロップレットをより確実に排除することができる成膜装置及び成膜方法並びに磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録装置の製造方法を提供する。
【解決手段】グラファイトからなる筒状のアノード電極24の内側に、グラファイトからなるカソード電極21が配置される。アノード電極24とカソード電極21との間に電源26から電力が供給し、アーク放電を発生させてカソード電極21の周囲に炭素イオンを含むプラズマを生成する。このプラズマは、アノード電極24に設けられた開口部を介して外部に出て、コイル25による磁場で進行方向が曲げられ、基板まで搬送される。そして、プラズマ中の炭素イオンが基板の面上に堆積してDLC膜が形成される。一方、アーク放電により発生したドロップレットは、磁場の影響を殆ど受けず、プラズマの搬送方向とは無関係の方向に飛散して、DLC膜に付着することが回避される。 (もっと読む)


【課題】良好な膜質を有するIII族窒化物半導体を反応性スパッタ法によって効率よく成膜することができるIII族窒化物半導体の製造方法及びIII族窒化物半導体製造装置、並びにIII族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ41内に基板11及びGa元素を含有するターゲット47を配置するとともに、反応ガス供給手段50によってチャンバ41内に窒素原子含有ガス及び不活性ガスを供給し、基板11上に単結晶のIII族窒化物半導体をプラズマによる反応性スパッタ法で形成する方法であり、チャンバ41内の圧力を圧力モニタ51によって検知し、該圧力モニタ51の検知信号Aに基づき、反応ガス供給手段50からチャンバ41内に供給する窒素原子含有ガスの流通量を流量制御手段52によって制御する。 (もっと読む)


【課題】高誘電率ゲート絶縁膜としての使用に適する高誘電率絶縁膜を良好な制御性をもって生産性良く形成する。
【解決手段】シリコン基体101の表層部を酸化してシリコン酸化膜102とする第1工程と、非酸化性雰囲気中においてスパッタによりシリコン酸化膜102の上に金属膜103を形成する第2工程と、非酸化性雰囲気中での加熱を行うことで、金属膜103を構成する金属原子をシリコン酸化膜102中に拡散させる第3工程と、金属原子が拡散したシリコン酸化膜102をラジカル酸化により酸化し、金属原子とシリコン原子と酸素原子とを含む金属シリケート膜104を形成する第4工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】磁気記録層の磁性結晶粒子を適切に微細化する。
【解決手段】垂直磁気記録方式で情報を記録する垂直磁気記録媒体100の製造方法であって、上層の結晶方位を制御する下地層118を成膜する下地層成膜工程と、下地層118の結晶方位に応じた方向に磁化容易軸が向く磁性結晶粒子306が非磁性物質308のマトリックス中に分散するグラニュラ構造の磁気記録層である主記録層120を成膜する磁気記録層成膜工程とを備え、下地層成膜工程は、希ガスと多原子分子ガスとの混合ガスをスパッタリングガスとして用いるスパッタリング法により、下地層118の少なくとも最上層部を成膜する。 (もっと読む)


【課題】均一な金属薄膜が形成されるようにソース容器内のソース量を常にほぼ一定に維持することができるソース量制御が可能な真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空蒸着装置は、チャンバー100と、チャンバー100内の上部に設けられる基板130と、基板130の直下に設けられ、内部にソース111が満たされるソース容器110と、ソース容器110の下面に取付けられた質量測定機120と、質量測定機120に接続されてソース容器110の質量の情報を受信する制御部140と、制御部140に接続され、ソース容器110の質量の情報に応じて制御部140で生成されたソース供給信号が伝達され、ソース容器110内にソース111を供給するソース供給機150とを含んでいる。 (もっと読む)


【課題】 メンテナンス終了後に再度成膜工程を実施可能とするための時間を短縮することで成膜工程の効率を向上させることが可能な膜厚モニタ装置及びこれを備える成膜装置を提供する。
【解決手段】 基板11上に成膜材料10が付着してなる薄膜の膜厚を測定するための膜厚モニタ装置5である。成膜材料10が付着し、成膜材料10の付着量によって共振周波数が変化する水晶振動子と、前記水晶振動子を囲むように形成され内部を熱媒が循環する熱媒循環路5bと、前記熱媒を循環させ、前記水晶振動子のメンテナンス時に前記水晶振動子に付着した成膜材料10を除去するべく前記熱媒の温度を調整する熱媒温度調整手段5cと、を備えてなる。蒸着装置(成膜装置)Aは、基板11上に成膜材料10を付着させて薄膜を形成するための真空室2を備え、真空室2に膜厚モニタ装置5を配設してなる。 (もっと読む)


【課題】ヒロック、エッチング残渣、ITO等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Y、Sc、La、Ce、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Er、Th、Sr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Tc、Re、Fe、Co、Ni、Pd、Ir、Pt、Cu、Ag、Au、Cd、Si、PbおよびBから選ばれる少なくとも1種の第1の元素を0.001〜30原子%の範囲で含み、残部がAlからなるインゴットまたは焼結体を、大気溶解法、真空溶解法、急冷凝固法、粉末冶金法で作製するにあたって、インゴットまたは焼結体にCを第1の元素量に対して20原子ppm〜37.8原子%の範囲で含有させ、得られたインゴットや焼結体を加工してスパッタターゲットを作製する。 (もっと読む)


【課題】プラズマをターゲット表面の広範囲に発生させることが可能な磁場形状を実現し、ターゲット材料の利用効率を向上させ、ダストや異常放電を抑制することを可能とするマグネトロンスパッタ装置、および当該装置を用いたスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】マグネトロン電極の磁気回路10を、ターゲット2の中央部から外周部へ向かって「中心垂直磁石101、内側平行磁石103、外側平行磁石104、外周垂直磁石102を配置した磁気回路10」として、内側平行磁石103をターゲット2に近づける。 (もっと読む)


【課題】処理基板保持部が一体となった搬送用のキャリアに、処理基板を、前記処理基板保持部で保持してキャリアに搭載して、インラインで、搬送しながら、処理基板の成膜する側の面とターゲットプレートとを、対向させ、スパッタを行う、マグネトロンスパッタ方式のインラインスパッタ装置で、ターゲット部材の交換作業や、種々の点検等の作業、トラブル発生の際の対応の作業の際、その復帰を短時間ででき、スパッタ作業の効率を向上させることができるインラインスパッタ装置を提供する。
【解決手段】上記のマグネトロンスパッタ方式のインラインスパッタ装置であって、前記キャリア20を複数収納するストッカー10を備えたもので、該ストッカーには収納するキャリアをオフラインで加熱するための加熱機構を備えている。 (もっと読む)


堆積された金属により、少なくとも部分的にコーテイングされた蒸着装置を提供し、グリットにより蒸着装置をブラスト加工し、堆積された金属の少なくともいくらかを取り除き、吹き付けられたグリット及び取り除かれた金属を形成し、前記吹き付けられたグリットから前記取り除かれた金属のうちの少なくともいくらかを分離して、金属を回収することを含む電子デバイス蒸着装置から金属を回収するための方法が提供される。いくつかの他の態様が提供される。
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【課題】下地金属層と該下地金属層上に積層された銅被膜層とからなる金属層とフィルムとの初期密着力、耐熱密着力等の密着力が高く、必要に応じてフィルム厚さも含めた基板全体の厚さを薄くすることができる金属被覆ポリエチレンナフタレート基板とその効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】ポリエチレンナフタレート系フィルムの少なくとも片側の表面上に、金属層を有する金属被覆ポリエチレンナフタレート基板であって、下記の(1)及び(2)の要件を満足することを特徴とする。
(1)前記ポリエチレンナフタレート系フィルムの下地金属層が接する表面は、その中心線平均粗さ(Ra)が0.5〜4nmである。
(2)前記下地金属層は、乾式めっき法により形成されたクロム、バナジウム、チタン及びモリブデンからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属を含有するニッケル合金を主成分として含み、かつその膜厚が3〜50nmである。 (もっと読む)


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