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Fターム[4K029AA24]の内容

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Fターム[4K029AA24]に分類される特許

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【課題】 基板上に形成された膜の特性を向上させることが可能な薄膜材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 超電導線材1は、基板2と、基板上に形成された1層または2層以上の中間薄膜層(中間層3)と、中間薄膜層(中間層3)上に形成された単結晶性薄膜層(超電導層4)とを備える。中間薄膜層(中間層3)のうちの少なくとも1つにおいて単結晶性薄膜層(超電導層4)と対向する上部表面(被研磨面10)は研磨加工されている。 (もっと読む)


a)ターゲット材料を備えるターゲット表面要素と、b)連結面および背面を有し、連結面がターゲット表面要素に連結されている芯裏打要素と、c)芯裏打要素の背面に連結されるかあるいは配置され、芯裏打要素の有効表面積を増大させる少なくとも1つの表面積形状を備える。付加的なスパッタリングターゲットは、a)ターゲット表面要素および芯裏打要素が同じターゲット材料を備えるかあるいは材料勾配を備える、一体型のターゲット表面要素および芯裏打要素と、b)芯裏打要素の上にあるかあるいは中に一体化され、芯裏打要素の有効要素を増大させる少なくとも1つの表面積形状を備えるスパッタリングターゲットが、ここに説明される。さらに説明されたスパッタリングターゲットの形成方法は、a)表面材料を備えるターゲット表面要素を提供することと、b)裏打材料を備えると共に連結面および背面を有する芯裏打要素を提供することと、c)芯裏打板の背面に連結されるかあるいは配置され、芯裏打板の有効表面積を増大させる少なくとも1つの表面積形状を提供するか、または、芯裏打要素の連結面に連結されるかあるいは配置され、芯裏打要素の有効表面積を増大させる少なくとも1つの表面積形状を提供することと、d)表面ターゲット材料を芯裏打材料の連結面に連結することを備えている。
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【課題】 画質の良好な放射線画像を与える放射線像変換パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】 蒸着装置内にて、蛍光体材料を含む蒸発源を加熱することによって発生する蛍光体成分を基板上に蒸着堆積させることにより蛍光体層を形成する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法において、基板上の任意の箇所における蛍光体成分の堆積速度の時間変化率が0.03乃至2μm/秒2の範囲にあることを特徴とする。


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本発明の目的は金属表面およびガラス質被覆を有する基板を提供することにある。この目的のため、本発明は被覆された基板、あるいは被覆された基板を備えた製品を製造する方法に関し、前記基板はガラスで被覆された少なくとも1つの金属表面を有する。この基板は少なくともその金属表面上が蒸着ガラスで被覆されている。 (もっと読む)


【課題】 成膜速度に優れ、且つ、良好な光学特性を実現できる酸化Nb薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 ニオブメタルをターゲットとして、スパッタリング法により基材表面に酸化ニオブ薄膜を成膜する際に、プラズマエミッションモニタリング(PEM)法により反応性ガスの導入量を調整し、前記ニオブメタルから発生するプラズマの強度を制御する。具体的には、反応性ガス導入後、反応性ガスの導入量によってプラズマ発光強度をスパッタリング開始時のプラズマ強度に対して5〜15%の範囲に制御することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 高温環境において使用するための物品、及びそのような環境において物品を保護するための方法が提供される。
【解決手段】 物品(10)は、シリコンから成る基板(20)と;シリコンから成り、基板(20)の上に配置されたボンディングコート(30)と;ボンディングコート(30)の上に配置された中間バリア(40)であって、少なくとも1つの層(70)を具備し、少なくとも1つの層(70)は、希土類ケイ酸塩から成り、ムライトを実質的に含まない中間バリア(40)と;希土類一ケイ酸塩から成り、中間バリア(40)の上に配置されたトップコート(50)とを具備する。 (もっと読む)


【課題】 成膜中においても基板表面近傍から基板表面を効率的に加熱することが可能な膜形成装置を提供する。
【解決手段】 真空槽1と、該真空槽内に配設された蒸着源3と、真空槽1内に設置され基板Sを保持する基板ホルダ2と、蒸着源3と基板ホルダ2との間に設置された補正板11と、電源から電力の供給を受けて基板Sを加熱するためのヒータ13と、を有する膜形成装置において、ヒータ13を補正板11における基板ホルダ2に対向する面に設ける。 (もっと読む)


可蒸発ソース材料を保持するための複数の垂直に積重された容器を備え、半導体製造プロセスで用いるための蒸発器配送システムである。垂直に積重された容器のそれぞれが、各積重された容器の内部へ延伸する複数の孔付き突出部を備え、それによって、近接し垂直に積重された容器間に、キャリヤガスが通過するための通路を提供する。
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【課題】 CMOS用途に適合した可変抵抗特性を有するCMR薄膜を形成する。
【解決手段】 CMOSデバイス作製における使用に適したCMR薄膜の形成方法であって、その上に初期デバイス構造の形成工程を含む基板を準備する工程と、CMRターゲットを備えるRFスパッタリング堆積チャンバー内のウェハチャックに基板を設置する工程12と、RFスパッタリング工程の間にナノサイズのCMR結晶を形成するために450℃未満の温度にウェハを加熱する工程14と、所定のチャンバー圧でスパッタリングガスを堆積チャンバー内に導入する工程16と、CMR材料を基板上に堆積させるためにCMRターゲットにRFパワーを印加する工程18と、デバイス作製を完成させる工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 従来のスパッタリング装置用のマグネトロンカソード電極では、処理基板の周囲に設けたアノードの影響を受けて、処理基板全面に亘って比抵抗値などの膜質が均一な薄膜を得ることが困難であった。
【解決手段】 処理基板Sに対向して設けたターゲットTの後方に、中央磁石35bと周辺磁石35cとから構成される磁石組立体35を設ける。中央磁石の同磁化に換算したときの体積を各周辺磁石の同磁化に換算したときの体積と比較して小さく設定して前記磁石組立体を構成し、処理基板中央領域での磁場強度を局所的に高める。 (もっと読む)


【課題】 光学薄膜の膜厚測定精度を向上させることができる成膜装置及び成膜方法を提供すること。
【解決手段】制御部8は、受光部22Cから伝送された電圧データをデジタルデータに変換して出力するA/D変換回路(A/D変換部)23と、得られたデジタルデータを基板の回転周期に対応して平均化する平均化回路(演算部)25と、予めシミュレーションで求められた成膜を停止する条件値として入力される条件設定値と平均化回路25から出力されるデジタルデータとの比較を行い、予め設定した範囲で一致したときに一致信号を出力する比較演算器26と、比較演算器26から出力された一致信号によってシャッター18a、18bを動作させる成膜制御部27とを備えている。 (もっと読む)


【課題】 正常時に経時変化するパラメータに対して異常変動が生じた場合に、異常を検知することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 まず、異常判断部は、受信部より所定時刻(第2時刻)の第2印加電圧値を入力する(S101)。そして、所定時刻の直前の時刻(第1時刻)に受信部から入力した正常な第1印加電圧値に基づいて、許容範囲を設定する(S102)。続いて、設定した許容範囲に第2印加電圧値が入っているかを判断する(S103)。そして、第2印加電圧値が設定した許容範囲から外れている場合、第2印加電圧値が異常値であると異常判断部は判断してアラームを送信部に出力する(S104)。一方、第2印加電圧値が設定した許容範囲に入っている場合、第2印加電圧値が正常値であると異常判断部は判断する(S105)。以下、上述した動作を繰り返す。 (もっと読む)


【課題】 異常放電の少ない薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 真空槽11に設けられた排気口11dからの排気と、成膜プロセスゾーン20への少なくとも反応性ガスを含むスパッタガスの導入とを行いながらターゲット29a,29bに対するスパッタによって薄膜を形成する薄膜形成方法である。成膜プロセスゾーン20へのスパッタガスの導入は、排気口11dから近い位置に設けられた第1のスパッタガス導入管2aからのスパッタガスの導入と、排気口11dから遠い位置に設けられた第2のスパッタガス導入管2bからのスパッタガスの導入とで行う。第1のスパッタガス導入管2aから導入するスパッタガス全体に占める反応性ガスの流量の割合を、第2のスパッタガス導入管2bから導入するスパッタガス全体に占める反応性ガスの流量の割合よりも多くしてスパッタガスを導入する。 (もっと読む)


【課題】 遷移金属化合物膜を含むゲート絶縁膜を有する半導体装置のリーク電流及び閾値電圧のシフトを抑制する。
【解決手段】 半導体装置は、高誘電率材料である遷移金属化合物膜からなるゲート絶縁膜104と、n型又はp型のドーパントを含み且つ多結晶シリコン又はシリコン化合物からなるゲート電極105とを備え、ゲート絶縁膜104に含まれる炭素及びハロゲン元素の総量が0.1atomic%以下となっている。このような純度の膜は、遷移金属をターゲットとするスパッタ法によって成膜することによって実現でき、特に、純度が99.999atomic%以上の遷移金属をターゲットとして用いると確実に実現できる。 (もっと読む)


材料を気化させて基板の表面に膜を形成する方法は、所定量の材料を気化装置の中に供給し、その気化装置の中にあるその材料を第1の温度状態に加熱し、その材料の一部に作用する熱パルスを印加してその材料のその部分を気化させることにより基板の表面に付着させる操作を含んでいる。 (もっと読む)


エッジ法線ベクトルが互いに120°をなす、第一のシングル作用エッジ(11a)、第二のシングル作用エッジ(11b)及び第三のシングル作用エッジ(11c)を有するマスク(11)と、マスク(11)を基板(12)に対して一軸方向(A)に移動させる駆動装置とからなり、同一の基板領域にエッジ毎に蒸着物質を変えて、マスク(11)を一軸方向(A)に一定速度で移動しながら蒸着することにより、膜厚勾配方向が互いに120°をなす三成分薄膜を重畳して三元系相図薄膜(13)を形成する。
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【課題】 基板への膜の形成直後に即座に検査することにより、膜の不良を早期に検出できるとともに、長期間、安定して正確な検出精度を得ることが可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】 受渡ホルダ60によって、基板2が成膜処理室側に受け渡され、スパッタリングによる成膜処理が施された後、再びロードロック室30側に戻される。支持部材51を上昇させることにより、受渡ホルダ60上の基板2を、支持部材51と搬送ホルダ42との間に挟持し、機械的チャック42aによって基板2の中心孔を係止する。光学式透過率センサの発光部71から出射したレーザ光を、窓部42b,51a,1bを介して受光部72が受光することによって、基板2上の膜の透過率が検出され、その結果に応じて、不良品として廃棄されるか、その後のディスク製造工程に進むかが判定される。 (もっと読む)


プラズマ処理システム(10)と方法は、金属流動シールド(42)が誘電体ウインドウを保護する時ほどでない制限的要件を持てる方法で、内部の高濃度プラズマ(30)を維持する真空チャンバ(12)の内部コイル(40)を提供する。シールドはコイルをプラズマ熱負荷からも保護する。コイルは積極的に冷却しなくてよい。若干の金属がシールドを通過できコイル上に蒸着できる。これは、外部コイル形態のシールドほど複雑でないスロット(43)を備えた薄いシールドをもたらす。シールドの良好なRF透明性は、遥かに簡単なシールド形状の結果である。コイルはスパッタリングされず消耗品でない。コイルは小さな導電空間に囲まれ、インダクタンスを減らし、コイル電流と電圧を減少し、調整回路(22a)とRFコネクタの設計と構成を順に単純化する。スティフナ(45)はコイルを支持し、金属蒸着による導電性通路の形成を避けるよう作られる。
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【課題】 輝尽性蛍光体層と支持体との剥離がなく、高輝度である放射線画像変換パネルの提供。
【解決手段】 支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、少なくとも1層の輝尽性蛍光体層が気相法(気相堆積法ともいう)により形成され、該輝尽性蛍光体層と支持体との間にSiOx(x=1.3〜1.7)を有する接着層を有することを特徴とする放射線画像変換パネル。 (もっと読む)


【課題】 レーザーアブレーションを利用した改質方法であるにも拘らず、改質処理されるべき基材を回転させたり平行移動させることなく固定配置した状態で、その表面を均一に改質させることが可能な基材の表面改質装置を提供すること。
【解決手段】 レーザー光3を発生するレーザー光発生装置2と、
表面に照射されたレーザー光3により飛散粒子を発生させるターゲット6と、
飛散粒子の付着により表面が改質される基材7と、
ターゲット6の表面上のレーザー光照射位置Pを支点にして、レーザー光3の入射方向Lとターゲット6の表面の垂線方向Lとの間の角度θを変化させるようにターゲット6を揺動させるターゲット揺動手段10と、
を備えることを特徴とする基材の表面改質装置。 (もっと読む)


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