本発明は反射防止基材のための汚れ防止組成物に関する。より詳しくは、本発明は反射防止基材上に汚れ防止組成物を付着させる方法に関する。特に、本発明は反射防止基材上に汚れ防止組成物を付着させる方法であって、前記汚れ防止組成物を気化させる工程と、前記反射防止基材上に前記汚れ防止組成物を付着させる工程とを含む方法に関する。別の態様において、本発明は反射防止フィルムスタックを調製する方法であって、透明基材の表面上に反射防止層を付着させる工程と、前記反射防止層の表面上に汚れ防止層を気化させる工程とを含む方法に関する。更に別の態様において、本発明は反射防止被覆眼科用レンズ上に汚れ防止組成物を付着させる方法であって、前記汚れ防止組成物を気化させる工程と、前記反射防止被覆眼科用レンズ上に前記汚れ防止組成物を付着させる工程とを含む方法に関する。 （もっと読む）

基板に少なくとも一つの薄膜を堆積する真空蒸着方法であって、スパッターされる物質に対して化学的に不活性又は活性な少なくとも一つの気体スパッタリング物質種が選択されること、主として前記スパッタリング物質種を含むイオンの集束ビームが、工業規模の設備内部に配置された少なくとも一つの直線イオン源を用いて生成されること、前記ビームがスパッターされる物質をベースとする少なくとも一つのターゲットに向けられること、前記基板の少なくとも一つの表面部分が、ターゲットのイオン打撃によってスパッターされる前記物質、又は前記スパッターされる物質と少なくとも一つのスパッタリング物質種との反応から生ずる物質が前記表面部分に堆積されるような仕方で前記ターゲットに向き合うように配置されることを特徴とする方法。
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ｉＰＶＤシステム（２００）は、真空チャンバー（３０）内で突出部（１４）を最小化または除去しながら、フィールド（１０）と底部（１５）被覆と比較して側壁（１６）被覆性を向上させる処理を用いて、障壁層材料（９１２）のような均一な材料を半導体基板（２１）上の高いアスペクト比のナノサイズの開口部（１１）に蒸着するために調整される。そのｉＰＶＤシステム（２００）は、そのターゲットから材料をスパッタするために、低いターゲットパワーと５０ｍＴより高い圧力で動作される。ＲＦエネルギーは、高密度プラズマを生成するそのチャンバーに連結される。小さなＲＦバイアス（数ボルト未満）は、特に、底部における被覆性を高めることを助けるために印加されることができる。
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特にバリア材料のターゲットのエッジをウェーハ（１８）上にスパッタし、またこのターゲットの中心に再堆積された材料を洗浄するためのスパッタリングターゲット（１６）の背後で中心軸（６０）の周りに回転させられるデュアルポジション型マグネトロン（５０）。ターゲット洗浄時には、ウェーハバイアスは減らされる。一実施形態ではアーク型マグネトロン（１３０）は、回転シャフト（６２）に固定されたブラケット（８２）の端部上で旋回する旋回アーム（９０）上に支持される。スプリング（９６）は、マグネトロンがターゲット中心に向けて押しやられ、ターゲット中心の上に重なるように旋回アームをバイアスする。増加した回転速度における遠心力は、スプリングのバイアスに打ち勝って、ターゲットエッジに整列した長いマグネトロン寸法を持って外側位置にマグネトロンをシフトさせる。機械的留め具（１００、１０２）は、いずれの方向にも過剰な動きを防止する。他の機構は、直線状スライド（１８０）とアクチュエータ（２０８）とを含む。 （もっと読む）

【課題】真空中で基質の両面を疎水性層で被覆するための装置は、従来から基質保持体と、疎水性層を形成するための物質を蒸発させるための蒸発器とを備えていた。しかし、従来の装置は、基質保持体の一側に唯１個の蒸発器を備えるだけであったため、基質の両面を被覆するために、基質を装置内で裏返しにする必要があり、そのために装置が複雑となり、また種々の問題を生じていた。
【解決手段】この発明は、従来付設されていた蒸発器とは別に第２の蒸発器を設けることとし、第２の蒸発器を基質保持体に対し従来の蒸発器の付設位置と反対側に配置する。 （もっと読む）

スパッタリングターゲットは、タンタル粉末を一体化成形することにより生成するタンタル結晶粒とスパッタリング面を有するタンタル体を含む。スパッタリング面は、基板を被覆するために、タンタル原子をスパッタリング面から離して移送する原子移送方向を有する。タンタル結晶粒は、スパッタリングの均一性を増すように、スパッタリング面から離れる原子移送方向において、少なくとも４０パーセントの（２２２）方向の配向率と、１５パーセント未満の（１１０）方向の配向率を有し、タンタル体は後方散乱電子回折により検出できる（２００）−（２２２）方向バンドが無く、前記スパッタリングターゲットは、少なくとも９９．９９（％）パーセントの純度を有する。
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真空チェンバーの中でOLEDデバイスの基板に有機層をコーティングするのに用いる蒸着源であって、有機材料を収容するチェンバーを画定する側壁及び底部壁並びに該側壁間に配置された開口プレート（40）を含み、該開口プレートが、気化した有機材料を放出させるための互いに離れた複数の開口部（90）を有するマニホールド（60）を含み；上記開口プレートは、電流に応答して熱を発生させる導電性材料を含み；上記有機材料をその気化温度に加熱するとともに、上記マニホールドの側壁を加熱する手段を含み；上記開口プレートを上記側壁にカップリングさせて、上記開口プレートの該開口部に隣接する支持されていない領域に熱を集める電気的絶縁体（120）を含むことにより、上記開口プレートと上記基板との間の距離を小さくして基板上のコーティングの厚さの均一性を高くすることができる蒸着源。
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新たな微細構造を有する薄膜タンタルフィルムが提供される。該フィルムは、ナノ結晶、単結晶および非晶質等の微細構造を有する。このようなフィルムは、非常に良好な拡散バリア特性を有し、マイクロエレクトロニクスデバイスにおいて有利である。パルスレーザ沈着法（ＰＬＤ）および分子ビームエピタクシー（ＭＢＥ）沈着法を使用してこのようなフィルムを形成する方法と、このようなフィルムを含むマイクロエレクトロニクスデバイスも提供する。
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ｉＰＶＤのための容量性プラズマ源（２２）が強い局所的な磁界（３１）に埋設され、ｉＰＶＤの誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）源とのドロップイン(drop−in)交換品とすることができる。この源（ソース）は、それの後方に、電極表面にわたって放射状に伸びる磁界を有する電極表面に一様に平行な表面磁石（３３−３５）を含んだ磁石パック（９０）を持つ環状の電極（２３）を含む。内側および外側の環状リング磁石（それぞれ３６および３２）のような磁石は、電極に最も近い極が表面磁石の隣接した極と同じ極性である状態で、電極と交差する極軸を持っている。強磁性のハックプレート（３７）またはバック磁石（３７ａ）は磁石（３２，３６）の後方の極を相互接続する。磁石パック（３０）後方の強磁性シールド（３７ｂ）はｉＰＶＤ材料源（２１）から離れる磁界（３１）を閉じ込める。
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高誘電率層（１８０）を半導体装置中に集積するためにシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）表面層（１６０）を使用する方法である。この方法は、基板（１５０）上にＳｉＧｅ表面層（１６０）を形成し、前記ＳｉＧｅ表面層（１６０）上に高誘電率層（１８０）を堆積する。酸化層（１７０）は、前記高誘電率層（１８０）とＳｉＧｅ表面層（１６０）の未反応部位との間に位置し、前記高誘電率層（１８０）の堆積中とその後のアニーリング処理中とのいずれか、又はいずれもの間に形成される。前記方法は、前記高誘電率層（１８０）上に電極層（１９０）を形成する。
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単一のフローを所望の比率の２以上の二次フローに分割するシステムであり、前記単一のフローを受け取る入口と、前記入口に接続された少なくとも２つの二次フロー・ラインと、少なくとも１つの所望のフロー比率を受け取る入力手段と、前記フロー・ラインのそれぞれによって生じた製品の測定値を提供する少なくとも１つのインサイチュ・プロセス・モニタと、前記入力手段と前記インサイチュ・プロセス・モニタとに接続されたコントローラとを含む。このコントローラは、前記入力手段を介して所望のフロー比率を受け取り、前記インサイチュ・プロセス・モニタから前記製品の測定値を受け取り、前記所望のフロー比率と前記製品の測定値とに基づいて訂正されたフロー比率を計算するようにプログラムされている。製品測定値が等しくない場合には、訂正されたフロー比率は所望のフロー比率とは異なるようになる。
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シリコンスパッタターゲット（２）と被成膜基板（Ｓ）を設置した成膜室（１０）内に水素ガスを導入し、該ガスに高周波電力を印加することで該成膜室内にＨα／ＳｉＨ^＊が０．３〜１．３であるプラズマを発生させ、該プラズマにてシリコンスパッタターゲット（２）をケミカルスパッタリングして基板（Ｓ）上に結晶性シリコン薄膜を形成する。比較的低温下で、安価に、安全に、良質の結晶性シリコン薄膜を形成できる。 （もっと読む）

有機材料を気化させて表面に膜を形成する方法であって、所定量の流動化した粉末形態の有機材料を供給し；その粉末化した有機材料を計量し、流動化した粉末流として第1の部材の上に誘導し；その第1の部材を加熱して流動化した上記粉末流を気化させ；気化した有機材料をマニホールド内に回収し；そのマニホールドに通じている少なくとも1つの開口部が形成された第2の部材を用意し、気化した有機材料をその第2の部材によって上記表面に誘導して膜を形成する操作を含む方法。
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(a)蒸着ゾーン中でホウ素を支持体の表面に蒸着させる工程;(b)支持体を加圧された気体マグネシウムを含む反応ゾーンに移動する工程;(c)支持体を蒸着ゾーンに戻す工程;および(d)工程(a)〜(c)を繰り返す工程を含むMgB₂膜を形成する方法。本発明の好ましい態様で、支持体は回転可能なプラテンを用いて蒸着ゾーンおよび反応ゾーンに入れられたり出されたりする。

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基板上に薄膜を堆積させるためのスパッタリングステーションは、互いに対向して配置され、プラズマ領域を規定する２つのターゲットと、磁界を生成する永久磁石またはコイルと、磁界を方向付けるヨークと、各ターゲットへのエネルギを個別に制御するために各ターゲットに接続された２つの個別の電源とを備える陰極を含む。
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同時蒸発蒸着プロセスによって製造される銅インジウムガリウムジセレン化物（ＣＩＧＳ）太陽電池の組成制御のためのインライン製造装置および方法について述べる。蒸着条件は、蒸着されたＣｕ過剰全体組成が、最終ＣＩＧＳ膜であるＣｕ不足全体組成に変換されるようになっている。モリブデン層を備えた基材（２１）は、ＣＩＧＳプロセスチャンバ（７）内を一定の速度で移動する。基材上での銅豊富組成から銅不足組成への転移は、転移に関する物理パラメータ、たとえば放射を検知するセンサを使用することによって検知される。本発明の代わりの好ましい実施形態において、蒸着層中の元素の組成を検知するセンサ（２０）が提供される。センサに接続されたコントローラ（１７）は、基材の幅に渡って均一な組成および均一な厚さのＣＩＧＳ層を提供するために、蒸発物源（１１、１２、１３）からの流量を調整する。２列の蒸発物源の使用は、基材の幅に渡るＣＩＧＳ層の元素組成および厚さの調整を可能にする。 （もっと読む）

ガスを流し、基板に膜を堆積させる処理室と、処理室に配置され、基板を加熱するランプユニットと、ランプユニット囲う第１の囲い体と、第１の囲い体を囲う第２の囲い体と、ランプユニットと第１の囲い体との間の第１の空間、および第１の囲い体と第２の囲い体との間の第２の空間に、冷却媒体をそれぞれ流通させる冷媒流通装置とを備える。 （もっと読む）

Ｐｔ含有量が０．１〜２０ｗｔ％であるＮｉ−Ｐｔ合金であって、ビッカース硬度が４０〜９０である加工性に優れたＮｉ−Ｐｔ合金及び同ターゲット。３Ｎレベルの原料Ｎｉを電気化学的に溶解する工程、電解浸出した溶液をアンモニアで中和する工程、活性炭を用いてろ過し不純物を除去する工程、炭酸ガスを吹き込んで炭酸ニッケルとし、還元性雰囲気で高純度Ｎｉ粉を製造する工程、３Ｎレベルの原料Ｐｔを酸で浸出する工程、浸出した溶液を電解により高純度電析Ｐｔを製造する工程からなり、これらの製造された高純度Ｎｉ粉と高純度電析Ｐｔを溶解する工程からなる加工性に優れたＮｉ−Ｐｔ合金の製造方法。Ｎｉ−Ｐｔ合金インゴットの硬度を低下させて圧延を可能とし、圧延ターゲットを安定して効率良く製造する技術を提供することを目的とする。 （もっと読む）

材料を基板に堆積させるための、熱による物理的蒸着源であって、その材料を収容する細長い容器と、その容器内の材料を加熱してその材料を気化させ、部分圧P_mにするためのヒーターとを備えており、その容器は、長手方向にコンダクタンスC_Bを持っている。この容器は、少なくとも1つの部材と、その容器のそれぞれの側を加熱してその容器の表面に凝縮する材料を減らす端部ヒーターとを備えていて、前記部材の長さ方向には複数の開口部が規定されていて、その開口部の全コンダクタンスがC_Aであって、式（I）を満たす。
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容易にパターニングが可能で、かつ低コストで実現可能な低抵抗で透明性に優れた酸化スズ膜からなる透明電極の製造方法の提供。
基板上にパターニングされた酸化スズ膜を形成した透明電極の製造方法であって、基板上に光吸収性を有する酸化スズ膜を形成する工程、光吸収性を有する酸化スズ膜の一部をエッチング液で溶解してパターニングする工程、パターニングされた光吸収性を有する酸化スズ膜を加熱処理し酸化スズ膜とする工程とを含むことを特徴とする透明電極の製造方法。 （もっと読む）