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Fターム[4K029AA24]の内容

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Fターム[4K029AA24]に分類される特許

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プロセスチャンバ構成要素の表面からタンタル含有堆積物を洗浄する方法は、構成要素の表面をHFとHNOの重量比が約1:8〜約1:30の洗浄溶液に浸漬するステップを含んでいる。他の変形例においては、洗浄溶液はKOHとHのモル比が約6:1〜約10:1である。銅表面を洗浄するのに適した更に他の変形例においては、洗浄溶液はHFと酸化剤を少なくとも約6:1のHFと酸化剤のモル比で含んでいる。表面をほとんど浸食することなくタンタル含有堆積物を表面から除去することができる。 (もっと読む)


有機材料の薄い均一な層をコーティングできる熱物理蒸着源を提供する。ディスプレイを形成する際基板の表面に向かって有機材料の圧縮ペレットを気化する熱物理蒸着源は、各々圧縮ペレットを受け入れる複数の間隔の開いた通路を画定するハウジングと、ハウジングの間隔の開いた通路に対応する第1の複数の開口を備えたハウジングの上のカバープレートと、カバープレートの上に配置した電気ヒータ構造体とを含む。熱物理蒸着源はさらに、電気ヒータ構造体の上に配置したアパーチャプレートと、電気ヒータ構造体とアパーチャプレートとの間に位置する電気絶縁性スペーサ部材と、ペレットを気化し、材料の蒸気流出がカバープレート、ヒータ構造体、電気絶縁性スペーサ部材及びアパーチャプレートを通過して基板に向かうようにするのに十分な熱を発生する電流を電気ヒータ構造体に印加する回路とを含む。
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仕事関数を低減した電子放出材料、および、従来よりも低消費電力化および/または高電流密度化がなされた、電子放出特性に優れる電子放出素子を提供する。
表面に原子ステップ(3)および隣り合う2つの前記原子ステップの間に平坦部(4)を有する半導体基体(2)と、前記平坦部に配置された吸着層(5)とを含み、吸着層が、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素およびScから選ばれる少なくとも1種の元素を含む電子放出材料とする。 (もっと読む)


【課題】光学コーティングの腐食・傷耐性バリアを提供すること。
【解決手段】酸化可能な金属珪素化合物又は金属アルミニウム化合物を、光学コーティングの外層の1つとして使用する。この層は、未酸化又は一部酸化状態で付着され、この化学状態で、下の層を腐食から保護する。該金属化合物又は合金の層は、大多数の金属を超える硬さを有し、それにより傷からの保護を提供する。
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本発明は、少なくとも1つの基板(3)、特にガラス基板をコーティングするために用いられる少なくとも1つのプロセスチャンバー(7)をクリーニングする方法および装置に関する。この発明によれば、少なくとも1つのプロセスチャンバー(7)は、コーティングプロセスの前に、調整パージガス(15)によって洗い流される。 (もっと読む)


【課題】 ブローホールのような内部欠陥を極力減少し、反りのない大面積のアルミニウム系ターゲットを提供することを目的とする。
【解決手段】 複数のアルミニウム合金ターゲット部材からなるアルミニウム系ターゲットにおいて、摩擦撹拌接合法によりアルミニウム合金ターゲット部材を接合した接合部を備えるものとした。また、この接合部は、アルミニウム母材中に径10μm以下の金属間化合物析出物が分散した組織であり、径500μm以下のブローホールが0.01〜0.1個/cm存在するものである。 (もっと読む)


本発明は、銀を主成分とし、第1の添加元素として銀より高融点の元素を少なくとも1種含んでなる反射率維持特性に優れる銀合金である。本発明において、第1の添加元素は、銅、マンガン、シリコン、ニッケル、コバルト、イットリウム、鉄、スカンジウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、タンタル、タングステンが好ましい。また、本発明では、第2の添加元素として、白金、金、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、パラジウム、クロム、ゲルマニウム、インジウム、錫、鉛、アルミニウム、カルシウム、ガリウム、ビスマス、アンチモン、ストロンチウム,ハフニウム、ガドリニウム、サマリウム、ネオジウム、ランタン、セリウム、イッテルビウム、ユーロピウムの少なくとも1種を含むものが好ましい。 (もっと読む)


本発明は、銀を主成分とし、第1の添加元素として銀より低融点の金属元素を少なくとも1種含んでなる光記録媒体の反射膜用の銀合金である。本発明において、第1の添加元素は、アルミニウム、インジウム、錫、ビスマス、ガリウム、亜鉛、ストロンチウム、カルシウム、ゲルマニウムが好ましい。また、本発明では、更に、第2の添加元素として、白金、金、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、パラジウム、鉛、銅、マンガン、シリコン、ニッケル、クロム、コバルト、イットリウム、鉄、スカンジウム、ジルコニウム、チタン、ニオブ、モリブデン、タンタル、タングステン、ハフニウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、ツリウム、イッテルビウム、マグネシウム、ホウ素の少なくとも1種を含むものが好ましい。 (もっと読む)


親水性、防曇性を有し、透明性に優れ、かつUV光によるガス分解性を有する、可視光応答性を有するTi酸化物膜およびその製造方法並びにTi酸化物膜付き基体を提供する。 ガラス基板上に形成されたTi酸化物膜であって、100mW/cmの輝度を有するキセノンランプの光を、400nm未満の紫外光をカットして前記Ti酸化物膜に照射しながら前記Ti酸化物膜に電圧を印加したときの電流値が、暗所における前記Ti酸化物膜に該電圧と同じ電圧を印加したときの電流値に対して1000倍以上であるTi酸化物膜。 (もっと読む)


本発明は、溶融金属に対する耐食性が改善されたセラミックス焼結体、その製造に適用できるセラミックス焼結体の製造方法、及び長寿命化を達成できる金属蒸着用発熱体を提供することを課題とする。本発明は、窒化硼素、二硼化チタン、カルシウム化合物及び窒化チタンを含有してなる相対密度が92%以上のセラミックス焼結体であり、カルシウム化合物がCaO換算として0.05〜0.8質量%、窒化チタンに由来する(200)面のX線回折によるピーク強度が、BNの(002)面のピーク強度に対して0.06〜0.15であることを特徴とするセラミックス焼結体に関する。また、該セラミックス焼結体の製造に適用できるセラミックス焼結体の製造方法、及び該セラミックス焼結体で構成された金属蒸着用発熱体も開示する。 (もっと読む)


本発明による誘導結合プラズマ源は、半導体ウェハのコーティングやエッチングを行い得るよう、真空チャンバ(32)内に高密度プラズマを生成するための周縁電離源(39)を具備している。ICP源は、複数の高放射セグメントと複数の低放射セグメントとを有してなるセグメント化構成を具備しており、チャンバの周囲まわりにおいて、プラズマに、リング形状アレイをなすエネルギー分布を付与する。エネルギーは、セグメント化された低インダクタンスアンテナ(40)から、誘電性ウィンドウ(25)またはウィンドウアレイ(25a)を介して、さらに、セグメント化されたシールドまたはバッフル(50)を介して、結合される。アンテナ(40)は、稠密化して配置された複数の導体セグメント(45)と、交互的に配置されかつ疎化して配置された複数の導体セグメント(46)と、を備えている。
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15cmを超える大面積と、少なくとも1mmの厚さと、5E5cm−2を超えない平均転位密度と、25%未満の転位密度標準偏差比率と、を有する大面積で均一な低転位密度単結晶III−V族窒化物材料、たとえば窒化ガリウム。かかる材料は、(i)たとえばIII−V族窒化物材料の成長表面の少なくとも50%にわたってピットを形成するピット化成長条件下で、III−V族窒化物材料を基板上に成長させる第1段階であって、成長表面上のピット密度が、成長表面において少なくとも10ピット/cmである段階と、(ii)ピット充填条件下でIII−V族窒化物材料を成長させる第2段階と、を含むプロセスによって基板上に形成することができる。
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効果的に有機EL素子を保護できるバリア膜、そのバリア膜の効率的な製造方法、及びダークスポット等の非発光部分の発生の少ない耐久性に優れた発光表示装置を提供する。
気相成長法により製造する、3成分以上からなるガラス材料を含む発光表示装置用バリア膜の製造方法。支持基板1、発光体2、及びこの製造方法により得られたバリア膜3を含んでなる発光表示装置。バリア膜は、ケイ素酸化物50〜90wt%、ホウ素酸化物5〜20wt%、アルミニウム酸化物1〜10wt%を含むガラス材料からなるターゲットを用いて、スパッタ法により製造できる。 (もっと読む)


本発明は、多極静電チャック用のクランププレートを形成する方法を提供する。この方法は、半導体プラットフォーム上に第1電気導電層を形成し、互いに電気的に分離される第1電気導電層の複数の部分を形成する段階を含む。第1電気導電層上に第1電気絶縁層が形成され、この第1電気絶縁層の頂部表面がこの表面から第1距離だけ伸びるMEMSの複数の突起を有する。複数の電極が更に、第1電気導電層の複数の部分のそれぞれに電気接続され、複数の電極間に印加される電圧がクランププレートに静電力を誘導するように使用できる。
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タンタルターゲットの表面において、全体の結晶配向の総和を1とした時に、(100)、(111)、(110)のいずれの配向を有する結晶も、その面積率が0.5を超えないことを特徴とするタンタルスパッタリングターゲット。成膜速度が大きく、膜の均一性(ユニフォーミティ)に優れ、またアーキングやパーティクルの発生が少ない成膜特性に優れたタンタルスパッタリング用ターゲットを得ることを課題とする。 (もっと読む)


材料の混合物を基板(1)上で量を徐々に変化させて蒸着させるのに使用可能で、様々な目的に使用可能であるが、コンビナトリアルケミストリーにおいて特別な価値を有する蒸着法において、ソース(3)から基板(1)までの蒸発材料の経路は、マスク(5)によって部分的に妨げられ、基板(1)により規定される平面と平行な平面におけるマスクの配置は、基板(1)に沿う方向に実質的に連続して増加する厚みで材料を基板(1)上に蒸着させるようになされる。 (もっと読む)


本発明は、カラー液晶ディスプレイの製造工程である加熱工程を経ても、熱劣化による反射率の低下が極めて少なく且つ硫化による黄色化を生じにくいという2つの特性を併せ持った反射電極膜を形成しうるAg−Pd−Cu−Ge系銀合金を提供することを目的とする。 本発明に係る銀合金は、Agを主成分とし、Pd含量を0.10〜2.89wt%、Cu含量を0.10〜2.89wt%、Ge含量を0.01〜1.50wt%とし、且つPd、Cu及びGeの合計含量を0.21〜3.00wt%として、少なくとも4元素からなる組成を有することを特徴とする。 (もっと読む)


本発明に係る半導体製造用対向ターゲットスパッタリング装置は、不活性ガスが出入りすることができる気密チャンバと、互いに対向してそれら間にプラズマ区域を形成するように気密チャンバの対向端部に各々置かれる一対のターゲットプレート120、110と、プラズマ区域130に亘って相異する極性の磁極が互いに対向することによりターゲットプレート120、110の間のプラズマ区域130に磁場を樹立するようにターゲットプレート120、110の付近に各々配置される一対の磁石102、104、106、108と、プラズマ区域130の付近に配置され、合金薄膜が上部に蒸着される基板222を維持するに適合するように形成される基板ホルダー224と、基板ホルダー224にカップリングされた逆バイアス電源236と、を含む。
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【課題】 従来技術に比べてよりコンパクトな製造工程、並びにFe−Zn反応を起こさせない加熱段階を可能とする金属被覆鋼製品の製造方法を提供する。
【解決手段】 金属被覆を持つ鋼製品の被覆に追加の元素を添加するに先立って、表面を浄化し、活性化するためにプラズマ処理を受けさせること、追加の元素が物理蒸着技術により添加されること、続いての熱処理が高エネルギー赤外線を被覆の外表面に向けることにより適用されることを特徴とする。 (もっと読む)


本発明は、PVD(物理的蒸着)構成要素の表面に沿って粒子トラップを形成する方法を包含し、その表面に粒子トラップを有するPVD構成要素を含む。本発明は、ビードブラストのための高度に可溶性の媒体の使用を含み、且つ/又はビードブラスト媒体として金属物質の使用を含み得る。本発明は、粒子トラップの所望箇所である裏板の領域に沿って挿入物を形成することも含み得る。この挿入物の組成は裏板よりも適切な粒子捕捉特性を有する。

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