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Fターム[4K029AA24]の内容

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Fターム[4K029AA24]に分類される特許

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【課題】高信頼性の半導体素子を得るために高融点金属、高融点金属からなる合金、高融点金属の珪化物、Ti,Ta,W,Ti−W合金の窒化物からなる膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。
【解決手段】Ti原料からAlを除去してAl濃度が3ppm以下であるマグネトロンスパッタリング装置用Ti材を調製し、このTi材を用いてAl含有量が原子数で1×1018個/cm以下であり結晶質または非晶質であるコンタクトバリアー又はゲート電極層をスパッタリング法により形成することを特徴とするソース−ドレイン領域の接合深さが0.3μm以下である半導体素子の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】 高密度化と、記録線速度がDVD8倍速以上の高線速化に対応でき、繰り返し特性と保存性に優れた光記録媒体等の提供。
【解決手段】 基板上に少なくとも記録層を有してなり、該記録層が、レーザー光走行方向長さが0.4μm以下の前記非晶質マークを記録可能であると共に、前記記録層が、次式、InαSbβ(ただし、α及びβは、それぞれの元素の原子組成比率を表し、0.73≦β/(α+β)≦0.90であり、かつα+β=100である)で表される組成を含有する光記録媒体、又は、前記記録層が、次式、MγInαSbβ(ただし、Mは、In、及びSb以外の元素、並びに該元素の混合物から選択される少なくとも1種の元素を表す。α、β、及びγは、それぞれの元素の原子組成比率を表し、0.73≦β/(α+β)≦0.90、α>γ>0であり、かつα+β+γ=100である)で表される組成を含有する光記録媒体である。 (もっと読む)


【課題】高感度で均一かつ耐久性に優れた放射線画像変換パネルを得ることのできる放射線画像変換パネルの製造装置及び放射線画像変換パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】放射線画像変換パネルの製造装置1は、真空容器2と、真空容器2の内部に設けられ支持体5に輝尽性蛍光体を蒸着させる蒸発源4と、蒸発源4に対向し所定の曲率半径を有する曲面を備えた支持体ホルダ6と、蒸発源4に対して支持体ホルダ6を回転させることによって蒸発源4から輝尽性蛍光体を支持体5に蒸着させる支持体回転機構10と、支持体ホルダ6の曲面に当接された支持体5の両端部を挟持し、支持体5に張力が発生するように支持体ホルダ6に固定される固定部材7a,7bとを備える。固定部材7a,7bのうち支持体5の少なくとも一端を挟持するものは、スプリング8を介して支持体ホルダ6に固定する。 (もっと読む)


【課題】 筒状壁部材に保持された基板ホルダにプラズマ電力を給電する際に、筒状壁部材の軸方向に沿ったプラズマ生成を抑制すると共にプラズマ電力給電用の導電部材と筒状壁部材との間を簡易かつ確実に真空シールすることを可能にした真空成膜装置を提供する。
【解決手段】 真空成膜装置100は、筒状壁部材14の側壁部に形成された開口14aの周面と環状空間を隔てて、前記開口14aを貫通して配置される共に、第1の給電部材19と第2の給電部材25とを電気接続する導電性の棒状部材22を備え、筒状壁部材14に形成された開口14aの周方向に環状の真空シール部材44、45が配置され、かつ前記筒状壁部材14と前記棒状部材22とが絶縁されるものである。 (もっと読む)


【課題】耐久性、光物性に優れ、信頼性の高い生産工程により、清浄性/保守特性の優れたガラスコーティングおよびその方法を提供する。
【解決手段】 前記コーティングは、2つのフィルム:シリカ(例えば、二酸化ケイ素)を含む第1のフィルムおよびチタニア(例えば、二酸化チタン)を含む第2のフィルムを含む。好ましくは、両フィルムは、特定の厚み範囲内で提供される。また、そのようなコーティングの堆積方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】難加工性の材料を使用しても蓋体とボートとの固定が容易な蒸着用ボートを提供すること。
【解決手段】蒸着物質が載置されるボート2と、蒸着物質5の蒸気が通過する開口4を有し、前記ボート2の縁部に対して一部が重畳される蓋体1と、前記ボート2と前記蓋体1との重畳部に配設され、前記ボート2及び前記蓋体1よりも塑性変形し易く、破壊靱性が高い材料により形成された固定部材3と、を備えた蒸着用ボートを構成する。 (もっと読む)


本発明は、第1には、真空中で基板上に高温超伝導体を蒸着する装置であって、高温超伝導材料の貯留器を収容する再充填装置と、エネルギ伝達媒体のビームにより蒸発ゾーンにおいて上記高温超伝導材料を蒸発させる蒸発装置と、上記高温超伝導材料を再充填装置から蒸発ゾーンに、該蒸発ゾーンに供給された高温超伝導材料が実質的に残留無しで蒸発されるように、連続的に供給する供給装置とを有するような装置に関するものである。本発明は、更に、真空中で基板上に高温超伝導材料の被覆を蒸着する方法であって、高温超伝導材料の粒体を蒸発ゾーンに連続的に導入するステップと、エネルギ伝達媒体のビームを上記の導入された粒体が上記蒸発ゾーンにおいて実質的に残留無しで蒸発されるように動作させるステップとを有するような方法にも関するものである。
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【課題】 冷間静水圧プレスにより、予備成形を行わなずに、割れやクラックの発生がなく、形状精度の優れた大型の成形体を得ることが出きる成形型を提供する。これにより、高品質で低コストなスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 冷間静水圧プレス用の成形型を、冷間静水圧プレスでの加圧においても変形を起こさない板材と、加圧時に容易に収縮または変形するが、減圧時に反発力を発生させない構造を有する部材又はそのような材料で構成された部材とで構成する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、常温やカラー液晶ディスプレイの製造工程である加熱工程において、硫化による黄色化を生じにくく、反射の低下が極めて少ない特性を持った反射電極膜を形成しうるAg−Ge系銀合金を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る銀合金は、Agを主成分とし、耐硫化特性を持たせるために、少なくともGeを0.01〜10.0wt%含有したAg合金であり、また、他の特性を持たせるためにGeと典型金属元素、半金属元素、遷移金属元素の少なくとも1種を合計で0.01〜10.0wt%含有したAg合金であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 より低い誘電率の膜を形成しうる高分子膜の製造方法および低誘電率の高分子膜を提供すること。
【解決手段】 気相成長法によって成膜する高分子膜の製造方法であって、少なくとも2種の有機モノマーを原料とし、それらの有機モノマーに基づく構造を骨格とした共重合高分子膜を基板表面上に形成する工程と、その後、該共重合高分子膜を形成させた温度よりも高い温度で、該共重合高分子膜を熱処理する工程を含む高分子膜の製造方法。該製造方法により得られる高分子膜。 (もっと読む)


【課題】本発明は、高い磁化と絶縁特性を兼ね備える軟磁性薄膜を生成するための方法に関する。
【解決手段】該方法は、アモルファス基板内に浸漬したFeリッチな強磁性ナノ粒子の窒化、および、該アモルファス基板の選択的酸化を含む。本発明はまた、該方法によって得られた、磁化の高い、絶縁性のある、軟磁性薄膜に関する。本発明はまた、該方法によって得られた薄膜を組み込んだメンブレンを使用するコンポーネントを備える集積回路を提案する。 (もっと読む)


【課題】コリメータを備えるスパッタリング装置の生産効率を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】上部シールド13の上部折曲部13aと下部折曲部13bとの上下垂直位置の距離を相対的に短く、上部シールド13の下縁部の内径を相対的に広くして、ターゲット3と上部シールド13との間の隙間量を相対的に広くし、さらに台座リング15の内径を相対的に広く、台座リング15の高さを相対的に低くして、パッキングプレート11(ターゲット3)と台座リング15との間の隙間量を相対的に広くすることにより、ターゲット3と上部シールド13との接触またはパッキングプレート11(ターゲット3)と台座リング15との接触を回避する。 (もっと読む)


【課題】 複数の基板の成膜を簡易におこなうことができる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る成膜装置10において、成膜されるべきSi基板20は、筐体12内に配置された円板状ホルダ18によって保持される。そして、ホルダ18に保持されたSi基板20Aがヒータ28によって加熱されると共に、蒸着源30から成膜材料32が放出されることによって、Si基板20Aの成膜がおこなわれる。ここで、ホルダ18は、その円周方向Lに沿って並ぶように6枚のSi基板20A〜20Fを保持すると共に、その円周方向Lに回転する。そのため、このホルダ18を回転させると、蒸着源30によって成膜されるSi基板20がSi基板20Bに換わって、ホルダ18に保持された6枚のSi基板20A〜20Fが順次成膜可能な状態となる。 (もっと読む)


【課題】 水素含有炭素膜が形成されている基板からの剥離を有効に防止できるなどの新たな特性を有する水素含有炭素膜を提供する。
【解決手段】 炭素と水素とを含む水素含有炭素膜であって、水素含有炭素膜中における水素の含有量が50原子%よりも多く65原子%よりも少なく、水素含有炭素膜の密度が1.3g/cm3よりも大きく1.5g/cm3よりも小さい水素含有炭素膜である。また、水素含有炭素膜中における水素の含有量が0原子%よりも多く50原子%よりも少なく、水素含有炭素膜の密度が1.4g/cm3よりも大きく1.9g/cm3よりも小さい水素含有炭素膜である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ターゲット侵食量、ワーク形状が変わってもターゲット‐基板間距離を調整する必要がなく生産性が向上できるスパッタリング方法を提供するものである。
【解決手段】真空容器中に、形成したい薄膜の成分の一部または全部からなるターゲットを配し、前記真空容器中に希ガスもしくは反応性ガスの少なくともどちらか一方を導入しスパッタリング成膜を行う、スパッタリング方法において、前記希ガスを1種類以上の希ガスの混合ガスとし、前記ターゲットの侵食量に応じて前記希ガスの混合比を変えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 膜厚傾斜量や基板形状が異なる複数種類の膜厚傾斜膜を効率的に製造するための製造方法および成膜装置を提供する。
【解決手段】 基板ホルダと蒸発源の中間位置に、独立して作用する二種類以上の膜厚調整機構を有し、少なくても一種類が基板ホルダ内の膜厚分布を均一化する機能を、更に他の膜厚補正機構が各被成膜基板に所定の膜厚傾斜を与える機能を有する構造にするとともに、各被成膜基板に所定の膜厚傾斜量を与える機能を有する膜厚補正機構が、基板ホルダと同一形状を有する傾斜量調整マスクホルダと、それにセットして使用される傾斜量調整マスク板により構成される事を特徴とする成膜装置を使用して膜厚傾斜膜を製造する。 (もっと読む)


本発明は、新規な1,3−ジイミン銅錯体および原子層蒸着法における基材上または多孔性固体中もしくは多孔性固体上での銅の蒸着のための1,3−ジイミン銅錯体の使用に関する。 (もっと読む)


【課題】 高温環境において使用するための物品、及びそのような環境において物品を保護するための方法が提供される。
【解決手段】 物品(10)は、シリコンから成る基板(20)と;シリコンから成り、基板(20)の上に配置されたボンディングコート(30)と;ボンディングコート(30)の上に配置された中間バリア(40)であって、少なくとも1つの層(70)を具備し、少なくとも1つの層(70)は、希土類ケイ酸塩から成り、ムライトを実質的に含まない中間バリア(40)と;希土類一ケイ酸塩から成り、中間バリア(40)の上に配置されたトップコート(50)とを具備する。 (もっと読む)


セレン化銀のスパッタ堆積方法、及びスパッタ堆積されたセレン化銀膜の化学量論、ノジュール型欠陥の生成及び結晶構造の制御方法。該方法は、約0.3mTorr〜約10mTorrの圧力でのスパッタ堆積プロセスを用いて、セレン化銀を堆積させることを含む。本発明の一視点によれば、RFスパッタ堆積プロセスを、好ましくは、約2mTorr〜約3mTorrの圧力で用いることができる。本発明のもう一つの視点によれば、パルスDCスパッタ堆積プロセスを、好ましくは、約4mTorr〜約5mTorrの圧力で用いることができる。本発明のもう一つの視点によれば、アルファセレン化銀とベータセレン化銀の両方を含むセレン化銀膜を、約10mTorrの圧力及び約250W未満のスパッタ電力の下でスパッタ堆積させることができる。
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【課題】反射率を損なうことなく、低抵抗で、より高い耐熱性及び密着性を有するAg合金膜パターンを得ることができるスパッタリングターゲット、Ag合金膜及びその製造方法の提供。
【解決手段】スパッタ成膜による第一及び第二薄膜形成工程と、第一及び第二薄膜の同時エッチング工程とを有し、第二薄膜が第一薄膜に比べて反射率が高く、低抵抗になる条件で製造する。第一薄膜は、Agに0.1〜4.0wt%のAu、0.5〜10.0wt%のSn及び1.5〜15.0wt%のCuを添加してなるAg合金ターゲットを用いてスパッタ成膜され、第二薄膜は、AgにCu、Au、Pd、Nd、Bi、Smから選ばれた少なくとも1種を添加してなるAg合金ターゲットを用いてスパッタ成膜される。 (もっと読む)


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