【課題】 簡易な構成で、熱負荷によるガラス基板の割れなどを誘発することなく、複数枚のガラス基板から複数枚のパネルを省エネルギーのもとに調製することを可能にする、複数枚の基板への蒸着被膜の同時形成方法および当該方法を実施するための搬送トレイを提供すること。
【解決手段】 搬送トレイを、四角形状の枠体と、枠体の対向する枠辺と枠辺の間に、その両端を枠体の各枠辺と弾性部材を介して連結することでテンションを付加して架設した薄体状部材とから構成し、複数本の薄体状部材を、複数枚の基板が搬送トレイに載置されている状態を形成することができる保持部材として機能させるとともに、基板における蒸着被膜形成領域を画定するためのマスク部材として機能させ、所定の薄体状部材の所定の位置に、複数枚の基板を載置した際、隣接する基板同士を仕切るための仕切り部材を設ける。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ中のある程度の割合のイオンを薄膜に接触させて成膜の形成を行うことができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】 薄膜形成装置１は、真空槽１１の前記開口１１ａに対応する位置に設けられ真空槽１１内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段８０と、真空槽１１内で基体を保持する基体保持手段１３と、プラズマ発生手段８０と基体保持手段１３との間に設けられたイオン消滅手段９０を備える。プラズマ発生手段８０から基板ホルダ１３を臨んだときの、イオン消滅手段９０がプラズマ発生手段８０に対して基体保持手段１３を遮蔽する面積は、プラズマ発生手段８０から基板ホルダ１３を臨む残余の面積よりも狭く構成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、常温やカラー液晶ディスプレイの製造工程である加熱工程において、硫化による黄色化を生じにくく、反射の低下が極めて少ない特性を持った反射電極膜を形成しうるＡｇ−Ｇｅ系銀合金を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る銀合金は、Ａｇを主成分とし、耐硫化特性を持たせるために、少なくともＧｅを０．０１〜１０.０ｗｔ％含有したＡｇ合金であり、また、他の特性を持たせるためにＧｅと典型金属元素、半金属元素、遷移金属元素の少なくとも１種を合計で０．０１〜１０．０ｗｔ％含有したＡｇ合金であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 より低い誘電率の膜を形成しうる高分子膜の製造方法および低誘電率の高分子膜を提供すること。
【解決手段】 気相成長法によって成膜する高分子膜の製造方法であって、少なくとも２種の有機モノマーを原料とし、それらの有機モノマーに基づく構造を骨格とした共重合高分子膜を基板表面上に形成する工程と、その後、該共重合高分子膜を形成させた温度よりも高い温度で、該共重合高分子膜を熱処理する工程を含む高分子膜の製造方法。該製造方法により得られる高分子膜。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い磁化と絶縁特性を兼ね備える軟磁性薄膜を生成するための方法に関する。
【解決手段】該方法は、アモルファス基板内に浸漬したＦｅリッチな強磁性ナノ粒子の窒化、および、該アモルファス基板の選択的酸化を含む。本発明はまた、該方法によって得られた、磁化の高い、絶縁性のある、軟磁性薄膜に関する。本発明はまた、該方法によって得られた薄膜を組み込んだメンブレンを使用するコンポーネントを備える集積回路を提案する。 （もっと読む）

【課題】コリメータを備えるスパッタリング装置の生産効率を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】上部シールド１３の上部折曲部１３ａと下部折曲部１３ｂとの上下垂直位置の距離を相対的に短く、上部シールド１３の下縁部の内径を相対的に広くして、ターゲット３と上部シールド１３との間の隙間量を相対的に広くし、さらに台座リング１５の内径を相対的に広く、台座リング１５の高さを相対的に低くして、パッキングプレート１１（ターゲット３）と台座リング１５との間の隙間量を相対的に広くすることにより、ターゲット３と上部シールド１３との接触またはパッキングプレート１１（ターゲット３）と台座リング１５との接触を回避する。 （もっと読む）

【課題】 複数の基板の成膜を簡易におこなうことができる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る成膜装置１０において、成膜されるべきＳｉ基板２０は、筐体１２内に配置された円板状ホルダ１８によって保持される。そして、ホルダ１８に保持されたＳｉ基板２０Ａがヒータ２８によって加熱されると共に、蒸着源３０から成膜材料３２が放出されることによって、Ｓｉ基板２０Ａの成膜がおこなわれる。ここで、ホルダ１８は、その円周方向Ｌに沿って並ぶように６枚のＳｉ基板２０Ａ〜２０Ｆを保持すると共に、その円周方向Ｌに回転する。そのため、このホルダ１８を回転させると、蒸着源３０によって成膜されるＳｉ基板２０がＳｉ基板２０Ｂに換わって、ホルダ１８に保持された６枚のＳｉ基板２０Ａ〜２０Ｆが順次成膜可能な状態となる。 （もっと読む）

【課題】 水素含有炭素膜が形成されている基板からの剥離を有効に防止できるなどの新たな特性を有する水素含有炭素膜を提供する。
【解決手段】 炭素と水素とを含む水素含有炭素膜であって、水素含有炭素膜中における水素の含有量が５０原子％よりも多く６５原子％よりも少なく、水素含有炭素膜の密度が１．３ｇ／ｃｍ³よりも大きく１．５ｇ／ｃｍ³よりも小さい水素含有炭素膜である。また、水素含有炭素膜中における水素の含有量が０原子％よりも多く５０原子％よりも少なく、水素含有炭素膜の密度が１．４ｇ／ｃｍ³よりも大きく１．９ｇ／ｃｍ³よりも小さい水素含有炭素膜である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ターゲット侵食量、ワーク形状が変わってもターゲット‐基板間距離を調整する必要がなく生産性が向上できるスパッタリング方法を提供するものである。
【解決手段】真空容器中に、形成したい薄膜の成分の一部または全部からなるターゲットを配し、前記真空容器中に希ガスもしくは反応性ガスの少なくともどちらか一方を導入しスパッタリング成膜を行う、スパッタリング方法において、前記希ガスを１種類以上の希ガスの混合ガスとし、前記ターゲットの侵食量に応じて前記希ガスの混合比を変えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 膜厚傾斜量や基板形状が異なる複数種類の膜厚傾斜膜を効率的に製造するための製造方法および成膜装置を提供する。
【解決手段】 基板ホルダと蒸発源の中間位置に、独立して作用する二種類以上の膜厚調整機構を有し、少なくても一種類が基板ホルダ内の膜厚分布を均一化する機能を、更に他の膜厚補正機構が各被成膜基板に所定の膜厚傾斜を与える機能を有する構造にするとともに、各被成膜基板に所定の膜厚傾斜量を与える機能を有する膜厚補正機構が、基板ホルダと同一形状を有する傾斜量調整マスクホルダと、それにセットして使用される傾斜量調整マスク板により構成される事を特徴とする成膜装置を使用して膜厚傾斜膜を製造する。 （もっと読む）

本発明は、新規な１，３−ジイミン銅錯体および原子層蒸着法における基材上または多孔性固体中もしくは多孔性固体上での銅の蒸着のための１，３−ジイミン銅錯体の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】高感度で均一かつ耐久性に優れた放射線画像変換パネルを得ることのできる放射線画像変換パネルの製造装置及び放射線画像変換パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】放射線画像変換パネルの製造装置１は、真空容器２と、真空容器２の内部に設けられ支持体５に輝尽性蛍光体を蒸着させる蒸発源４と、蒸発源４に対向し所定の曲率半径を有する曲面を備えた支持体ホルダ６と、蒸発源４に対して支持体ホルダ６を回転させることによって蒸発源４から輝尽性蛍光体を支持体５に蒸着させる支持体回転機構１０と、支持体ホルダ６の曲面に当接された支持体５の両端部を挟持し、支持体５に張力が発生するように支持体ホルダ６に固定される固定部材７ａ，７ｂとを備える。固定部材７ａ，７ｂのうち支持体５の少なくとも一端を挟持するものは、スプリング８を介して支持体ホルダ６に固定する。 （もっと読む）

【課題】 筒状壁部材に保持された基板ホルダにプラズマ電力を給電する際に、筒状壁部材の軸方向に沿ったプラズマ生成を抑制すると共にプラズマ電力給電用の導電部材と筒状壁部材との間を簡易かつ確実に真空シールすることを可能にした真空成膜装置を提供する。
【解決手段】 真空成膜装置１００は、筒状壁部材１４の側壁部に形成された開口１４ａの周面と環状空間を隔てて、前記開口１４ａを貫通して配置される共に、第１の給電部材１９と第２の給電部材２５とを電気接続する導電性の棒状部材２２を備え、筒状壁部材１４に形成された開口１４ａの周方向に環状の真空シール部材４４、４５が配置され、かつ前記筒状壁部材１４と前記棒状部材２２とが絶縁されるものである。 （もっと読む）

【課題】耐久性、光物性に優れ、信頼性の高い生産工程により、清浄性／保守特性の優れたガラスコーティングおよびその方法を提供する。
【解決手段】 前記コーティングは、２つのフィルム：シリカ（例えば、二酸化ケイ素）を含む第１のフィルムおよびチタニア（例えば、二酸化チタン）を含む第２のフィルムを含む。好ましくは、両フィルムは、特定の厚み範囲内で提供される。また、そのようなコーティングの堆積方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】難加工性の材料を使用しても蓋体とボートとの固定が容易な蒸着用ボートを提供すること。
【解決手段】蒸着物質が載置されるボート２と、蒸着物質５の蒸気が通過する開口４を有し、前記ボート２の縁部に対して一部が重畳される蓋体１と、前記ボート２と前記蓋体１との重畳部に配設され、前記ボート２及び前記蓋体１よりも塑性変形し易く、破壊靱性が高い材料により形成された固定部材３と、を備えた蒸着用ボートを構成する。 （もっと読む）

【課題】 冷間静水圧プレスにより、予備成形を行わなずに、割れやクラックの発生がなく、形状精度の優れた大型の成形体を得ることが出きる成形型を提供する。これにより、高品質で低コストなスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 冷間静水圧プレス用の成形型を、冷間静水圧プレスでの加圧においても変形を起こさない板材と、加圧時に容易に収縮または変形するが、減圧時に反発力を発生させない構造を有する部材又はそのような材料で構成された部材とで構成する。 （もっと読む）

本発明は、第１には、真空中で基板上に高温超伝導体を蒸着する装置であって、高温超伝導材料の貯留器を収容する再充填装置と、エネルギ伝達媒体のビームにより蒸発ゾーンにおいて上記高温超伝導材料を蒸発させる蒸発装置と、上記高温超伝導材料を再充填装置から蒸発ゾーンに、該蒸発ゾーンに供給された高温超伝導材料が実質的に残留無しで蒸発されるように、連続的に供給する供給装置とを有するような装置に関するものである。本発明は、更に、真空中で基板上に高温超伝導材料の被覆を蒸着する方法であって、高温超伝導材料の粒体を蒸発ゾーンに連続的に導入するステップと、エネルギ伝達媒体のビームを上記の導入された粒体が上記蒸発ゾーンにおいて実質的に残留無しで蒸発されるように動作させるステップとを有するような方法にも関するものである。
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セレン化銀のスパッタ堆積方法、及びスパッタ堆積されたセレン化銀膜の化学量論、ノジュール型欠陥の生成及び結晶構造の制御方法。該方法は、約0.3mTorr〜約10mTorrの圧力でのスパッタ堆積プロセスを用いて、セレン化銀を堆積させることを含む。本発明の一視点によれば、ＲＦスパッタ堆積プロセスを、好ましくは、約2mTorr〜約3mTorrの圧力で用いることができる。本発明のもう一つの視点によれば、パルスＤＣスパッタ堆積プロセスを、好ましくは、約4mTorr〜約5mTorrの圧力で用いることができる。本発明のもう一つの視点によれば、アルファセレン化銀とベータセレン化銀の両方を含むセレン化銀膜を、約10mTorrの圧力及び約250W未満のスパッタ電力の下でスパッタ堆積させることができる。
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【課題】反射率を損なうことなく、低抵抗で、より高い耐熱性及び密着性を有するＡｇ合金膜パターンを得ることができるスパッタリングターゲット、Ａｇ合金膜及びその製造方法の提供。
【解決手段】スパッタ成膜による第一及び第二薄膜形成工程と、第一及び第二薄膜の同時エッチング工程とを有し、第二薄膜が第一薄膜に比べて反射率が高く、低抵抗になる条件で製造する。第一薄膜は、Ａｇに０．１〜４．０ｗｔ％のＡｕ、０．５〜１０．０ｗｔ％のＳｎ及び１．５〜１５．０ｗｔ％のＣｕを添加してなるＡｇ合金ターゲットを用いてスパッタ成膜され、第二薄膜は、ＡｇにＣｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｎｄ、Ｂｉ、Ｓｍから選ばれた少なくとも１種を添加してなるＡｇ合金ターゲットを用いてスパッタ成膜される。 （もっと読む）

【課題】
スパッタ膜の成分の組成比の変動を抑制し、高密度記録を行う光ディスクに好適なスパッタ膜を得る。
【解決手段】
金属チップ１４は、ターゲット表面側からターゲット深部側に向かう厚み方向に萎むテーパ１４Ａが形成された形状となっている。このテーパ１４Ａの角度は、ターゲットベース１２の露出面積と、金属チップ１２の露出面積の比率が、エロージョン進行によっても変化しないように設定される。すなわち、金属チップ１２の上側の面積と下側の面積の比率が、エロージョン進行に伴って生ずる面積比の変動をキャンセルするように、テーパ１４Ａが形成される。 （もっと読む）