Fターム[5F033XX00]の内容
半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 目的、効果 (15,696)
Fターム[5F033XX00]の下位に属するFターム
平坦化 (793)
段差被覆性改善、段切れ防止 (570)
微細化 (1,181)
エレクトロマイグレーション防止 (477)
ストレスマイグレーション防止 (204)
オーミック性向上 (46)
低抵抗化 (1,713)
低融点化 (3)
密着性改善 (1,147)
エッチングマスクのずれ対策 (331)
ヒロック防止 (130)
クラック防止、歪み防止 (509)
腐食防止 (505)
応力の利用、応力の低減 (758)
酸化防止 (315)
残さの除去 (252)
放熱 (140)
基板と配線又は配線間の干渉防止 (1,198)
信号の遅延防止、伝達の同時化 (255)
拡散、突き抜け防止 (992)
短絡防止 (613)
遮光 (95)
製造工程の簡略化 (781)
製造コストの低下 (762)
成膜時の膜厚の制御 (46)
配線修理 (121)
検査、試験 (367)
Fターム[5F033XX00]に分類される特許
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半導体ウェハ及び半導体装置の製造方法
【課題】第1の溝への絶縁膜の埋設性が向上させて、埋設不良を軽減する。アライメントマークにおける埋設不良個所での応力集中がもたらす基板へのクラックを軽減する。
【解決手段】基板の第1の主面に、第1の溝、および前記第1の主面に対向して見た形状が環状となりかつ前記第1の溝よりも深い第2の溝を形成する工程と、第1の溝と第2の溝とを埋め込むように絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜を形成する工程の後、基板の第1の主面にフォトレジスト膜を形成する工程と、絶縁膜で埋め込まれた第1の溝の基板上での位置を基準として位置合わせした第1のパターンをフォトレジスト膜に転写する工程と、絶縁膜で埋め込まれた環状の第2の溝の内側に位置する基板に、基板を厚さ方向に貫通する貫通電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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半導体装置の製造方法
【課題】本願発明者らが、プラズマ処理等による半導体ウエハのチャージアップの影響を検討したところによると、半導体ウエハ等にドライエッチング等を施すと、通常、その結果として、半導体ウエハは、主に電気的に正側に偏った不均一な帯電状態となることが明らかとなった。これは、ドライエッチング等によって、正の可動イオン等がウエハの表面やその近傍に残存し、不均一に分布していることを示すものであり、個々の半導体チップとされた後も残存して、動作に悪影響を及ぼす恐れがある。
【解決手段】本願発明は、通常、ポリマー除去液等を使用する必要のないメタル膜加工工程に於いて、加工用レジスト膜の除去後、ポリマー除去液類似の導電性処理液との摩擦により、ウエハ全体を負に帯電させるものである。
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成膜方法、これを含む半導体装置の製造方法、成膜装置、及び半導体装置
【課題】柱状形状を有し密に配列される電極の倒壊を防ぐことが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】電界効果トランジスタと、柱状形状を有するキャパシタとを有する半導体装置であって、前記電界トランジスタの不純物拡散領域と電気的に接続し、柱状形状を有する第1の電極と、前記第1の電極の少なくとも側面に形成される誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成される第2の電極と、前記柱状形状を有する前記第1の電極の長手方向と交差する方向に延び、前記第2の電極の少なくとも一部を貫通して前記第1の電極を連結するホウ素添加窒化シリコン膜により形成される支持膜とを備える半導体装置により、上記の課題が達成される。
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半導体装置
【課題】パワー半導体素子において、周辺の電界強度を緩和する構造を小さな面積で実現する。
【解決手段】周辺領域Qにおいては、半導体層との間に周辺層間絶縁層(絶縁層)を介して複数の多結晶シリコン層70が、ソース電極30から端部ドレイン電極41の間にかけて設けられる。多結晶シリコン層70には、その長手方向が水平方向から傾斜した(傾斜角θ、0<θ<90°)傾斜部が設けられている。多結晶シリコン層70の傾斜部においては、p型領域71と、n型領域72とが長手方向に交互に多数形成されている。
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半導体装置の製造方法及び半導体装置
【課題】半導体チップを積層して半導体装置を製造する際に、当該半導体チップの回路の不良電子素子を救済し、半導体装置の歩留まりを向上させる。
【解決手段】ウェハ10を厚み方向に貫通する一対の貫通電極50〜52を形成し、デバイス層11に一対の貫通電極50〜52を短絡する共有配線24、26、28を形成し、デバイス層11の表面11aにおいて異なる場所につながる一対のフロントバンプ20〜22を形成する。一対の貫通電極50〜52に対して異なる極性で電圧を印加し、一対の貫通電極50〜52のうちの一の貫通電極50〜52上にバックバンプ80〜82を形成する。ウェハ10を積層し、一のウェハ10上のバックバンプ80〜82と、他のデバイス層11上のフロントバンプ20〜22とを接続する。
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窒化物半導体装置
【課題】ドレイン電極配線によって形成されるフィールドプレートに起因する電流コラプス現象への影響が抑制された窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体からなる機能層20と、機能層20上に離間して配置されたソース電極3及びドレイン電極4と、ソース電極3とドレイン電極4間で機能層20上に配置されたゲート電極5と、機能層20上に配置された層間絶縁膜7と、層間絶縁膜7上に配置され、ドレイン電極4と電気的に接続されたドレイン電極配線41とを備える窒化物半導体装置であって、ゲート電極5とドレイン電極4間において、層間絶縁膜7を介してドレイン電極配線41が機能層20と対向する領域を有さない。
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半導体装置
【課題】インダクタの下方の層間絶縁膜への水の浸入を抑制し、かつ、インダクタ性能の低下を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上部に設けられたインダクタと、前記半導体基板上に設けられ、前記インダクタの下方の前記層間絶縁膜を前記半導体基板の平面方向で囲む第一の金属壁と、前記半導体基板上に設けられ、前記第一の金属壁で囲まれた領域の外側の前記層間絶縁膜を前記半導体基板の平面方向で挟む一対の第二の金属壁と、を備え、前記第一の金属壁は、前記第一の金属壁の両端部を非接触の状態とする開口を有し、前記第二の金属壁は、前記第一の金属壁の両端部にそれぞれの一端を連結するとともに、前記第一の金属壁で囲まれた領域の外側の位置に開口を有する。
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半導体装置
【課題】フリップチップ実装に用いられる半導体チップと実装基板との電気的な接続信頼性を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ2と、半導体チップ2の主面に配置された複数の電極パッドと、複数の電極パッドの上に配置された複数のバンプ5とを有し、半導体チップ2のコーナー部において、第1のバンプと第2のバンプとが、第1のピッチで、隣接して配置され、半導体チップの中心部において、第3のバンプと第4のバンプとが、第2のピッチで、隣接して配置され、第1のピッチは、第2のピッチよりも狭い。
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半導体装置
【課題】インダクタンス値を広範囲に可変可能なインダクタを備える半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、多層配線層と、多層配線層を用いて形成され、巻軸が、多層配線層に対して平行である複数のソレノイド型インダクタと、少なくても1以上のソレノイド型インダクタと接続され、ソレノイド型インダクタの状態を活性化、又は、非活性化する制御回路と、を含んで構成される可変インダクタを備えている。
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テスト回路、集積回路、及び、テスト回路のレイアウト方法
【課題】 より簡易な設計手法で作製可能なテスト回路を提供する。
【解決手段】 テスト回路100は、基板と、基板上に形成された配線部及び被試験デバイス部10とを備える構成とする。テスト回路100では、被試験デバイス本体のパターン形成面内における回転中心位置Oと複数の接続電極13a〜13dのそれぞれとを結ぶ直線L1の延在方向が、配線21の延在方向に対して所定の角度で傾いている。さらに、被試験デバイス本体及び複数の接続電極13a〜13dをパターン形成面内で90度回転させた際にも、複数の接続電極13a〜13d及び複数の配線21〜24間の接続が維持されるような位置に複数の接続電極13a〜13dが配置される。
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半導体装置、電子機器、及び、半導体装置の製造方法
【課題】 より信頼性の高い接合界面を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置1を、接合界面Sj側の表面に形成された第1金属膜16を有する第1半導体部10と、接合界面Sjで第1金属膜16と接合された第2金属膜26を有する第2半導体部20と、界面バリア部28とを備える構成とする。第2金属膜26の接合界面Sj側の表面面積は第1金属膜16の接合界面Sj側の表面面積より小さくする。そして、第1金属膜16の接合界面Sj側の面領域のうち第2金属膜26と接合しない面領域を含む領域に界面バリア部28を設ける。
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金属パターンの製造方法
【課題】簡易なプロセスでパターン欠陥を抑制することが可能な金属パターンの製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムを含む金属パターン20を製造する際に、真空雰囲気下にて、気相法により、基板上にアルミニウムを含む金属膜21を成膜する工程(1)と、金属膜21の表面に酸化処理により酸化膜22を形成する工程(2)と、酸化膜22上に金属パターンに対応したレジストパターン30を形成する工程(3)と、レジストパターン30をマスクとして、金属膜21をエッチングする工程(4)とを順次実施する。工程(1)と工程(2)との間において、少なくとも工程(2)の実施直前には、基板の雰囲気を真空雰囲気とする。
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基板導通を利用した積重ねダイ式の構成をもつ集積回路
【課題】積重ねダイ式の集積回路で使用するのに適した基板導通技術を提供すること。
【解決手段】集積回路が、積み重ねて配置された複数の集積回路のダイを備え、積重ねの頂部のダイを除く任意のダイが、それ自身および追加のダイ少なくとも1つのための電流を基板導通により担持する。1つの形態では、積重ねの底部のダイを除く各ダイが、下側のダイのバスまたはその他の電源導体を介して基板導通によりその電源電流を担持する。
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薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法
【課題】酸化物半導体を使用する薄膜トランジスタの特性を向上させることができる薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ表示板を提供する。本発明の一実施形態に係る薄膜トランジスタ表示板は、基板の上に配置するゲート配線層、前記ゲート配線層の上に配置する酸化物半導体層、及び前記酸化物半導体層の上に配置して、前記ゲート配線層と交差するデータ配線層を含み、前記データ配線層は銅を含む主配線層、及び前記主配線層の上に配置して、銅合金を含むキャッピング層を含む。
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半導体装置およびその製造方法
【課題】半導体装置の性能を向上させる。
【解決手段】半導体基板1のnMIS形成領域1Aにnチャネル型MISFETQnを、半導体基板1のpMIS形成領域1Bにpチャネル型MISFETQpを、それぞれ形成してから、nチャネル型MISFETQnおよびpチャネル型MISFETQpを覆うように引張応力の窒化シリコン膜5を形成し、nMIS形成領域1AおよびpMIS形成領域1Bの窒化シリコン膜5に紫外線照射処理を施す。その後、nMIS形成領域1Aの窒化シリコン膜5を覆いかつpMIS形成領域1Bの窒化シリコン膜5を露出するマスク層6aを形成してから、pMIS形成領域1Bの窒化シリコン膜5をプラズマ処理することで、pMIS形成領域1Bの窒化シリコン膜5の引張応力を緩和させる。
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半導体装置の製造方法
【課題】生産性および信頼性を向上することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】第一の接合工程では、半導体チップ10、第一樹脂層11、半導体チップ12、第二樹脂層13、半導体チップ14を積層することにより得られ、半導体チップ10,12同士、半導体チップ12,14同士が半田接合されていない状態の積層体2を加熱して、半導体チップ10,12間、半導体チップ12,14間の半田接合を行う。その後、半田接合した積層体2を基材18上に設置する。積層体2の基材18への接続用端子162と、基材18の積層体2への接続用端子181とが当接するように、積層体2を基材18上に設置する。
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半導体装置及びその製造方法
【課題】高アスペクト比の溝内にカバレッジ性良く絶縁膜を埋め込むと表面にスリット状の空孔が形成され、CMPで平坦化すると、CMPで用いた組成物や、研磨された除去物、その他の残渣が空孔内に残り易く、この残渣は後の工程での発塵の一原因となり得る。
【解決手段】基板1の第1の主面に、俯瞰形状が環状となる第1の溝部2Tを形成し、第1の主面全面に第1の絶縁膜2aを形成し、第1の絶縁膜2aの表面から前記第1の溝部の内部まで達する深さの空孔を残しつつ、前記第1の絶縁膜を第1の溝部に埋め込み、空孔内を埋め込むように第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成し、第1の溝部内に第1の絶縁膜および第2の絶縁膜を残しつつ、基板表面高さまで化学機械研磨法により平坦化する。
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半導体装置の製造方法
【課題】基板の側端部に由来する塵の発生を防止して、半導体装置の歩留まりを向上させる。
【解決手段】基板の少なくとも側端部を覆うように保護膜を形成する第1の工程と、フォトレジストパターンを用いたエッチングにより基板の第1の主面に第1の主面に対向して見た形状が環状となる溝を形成する第2の工程と、溝を埋め込むように絶縁膜を形成することにより、絶縁リングを形成する第3の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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印刷装置、版胴、ナノ粒子印刷材料生成装置、印刷方法およびそれにより製造された電子シート
【課題】不純物の混入が抑えられるとともに、比較的均質な形状及び大きさに生成された金属のナノ粒子を含むナノ粒子インクで被印刷体にパターンの転写を行うことができる技術を提供する。
【解決手段】印刷装置1は、基板Wを保持する載置ステージ20と、金属のイオンを含んだイオン溶液を供給する溶液供給部30と、イオン溶液を通過させる溶液通過層100を備える版胴10と、を備える。溶液通過層100はナノメートルオーダーの空孔が分布した多孔質材料によって形成されたナノ多孔質層112を備える。イオン溶液はナノ多孔質層112を通過することによって金属のナノ粒子を含むナノ粒子溶液に変化する。版胴10は、溶液通過層100の外側に形成された転写面1135から滲出したナノ粒子溶液の所定のパターンを基板Wに転写する。
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プラズマ処理方法及びプラズマアッシング装置
【課題】Low-k膜を有する試料のプラズマアッシング処理において、高速にアッシング処理を行いつつ、Low-k膜に対する膜ダメージを抑制または低減する処理方法を提供する。
【解決手段】Low-k膜15を有する試料をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、前記試料をプラズマエッチングする工程と、炭化水素系ガスであるメタン(CH4)ガス19と希ガスであるアルゴン(Ar)ガスとからなる混合ガスを用いて、プラズマエッチング工程でプラズマエッチングされたレジストマスク13、炭素ハードマスク14、反応生成物16が付着したLow-k膜15を有する試料を、メタン(CH4)ガス19からの炭素(C+)ラジカル18と水素(H+)ラジカル19により、プラズマアッシングする工程を有するプラズマ処理方法である。
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