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Fターム[5F103AA04]の内容

半導体装置を構成する物質の物理的析出 (6,900) | 析出方法 (899) | 蒸着 (423) | 分子ビーム(MBE)、原子ビーム (251)

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【課題】酸化ガリウム基板部材を用いながらも表面平坦性に優れ且つ結晶品質性に優れた窒化ガリウム層を有する光デバイス用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】サーマルクリーニングを施したGa2O3基板部材を窒化処理してGa2O3基板部材の表面上に六方晶GaNからなる第1のバッファ層を形成し、第1のバッファ層の表面上に成長温度480〜520℃で六方晶GaNからなる第2のバッファ層を成長形成した後、第2のバッファ層の表面上に光デバイス用基板の表面層として成長温度650〜750℃で六方晶GaN層を成長形成する。 (もっと読む)


【課題】GaAs層上に形成されるInAs量子ドットのサイズを適切に制御する。
【解決手段】量子ドットの形成方法は、基板(110)上にGaAsを含んでなる第1半導体層(120)を形成する第1形成工程と、基板の基板温度を摂氏480度及び摂氏530度の間の温度にした後に、第1半導体層の上に、In及びAsを夫々照射して、InAsを含んでなる第2半導体層(130)を形成する第2形成工程とを備える。第2形成工程において、第2半導体層の成長速度を0.02ML/s及び0.1ML/sの間の成長速度とし、第2半導体層の成長量を1.2ML及び2.5MLの間の成長量とすることにより、第2半導体層の第1半導体層と対向しない側の面(130a)にInAsを含んでなる量子ドット(131)を形成する。 (もっと読む)


【課題】領域選択成長技術を適用して、均一性のある微細構造を生産できる微細構造素子製造装置及び微細構造素子生産方法を提供すること。
【解決手段】基板が搭載される試料ホルダ40と、基板30に選択的に結晶を成長させるため基板の温度を所定の範囲に加熱する加熱器50と、基板30に選択的に結晶を成長させるための少なくとも1つ以上の第1の開口部と、当該1つ以上の第1の開口部の外側に複数の第2の開口部を有するマスク10と、マスク10が搭載されるマスクホルダ20と、を備える微細構造素子製造装置。 (もっと読む)


【課題】電気的な絶縁性及び良好な熱伝導性を有する中間層を備えた化合物半導体基板の提供。
【解決手段】表面の結晶面方位が{111}面であるSi単結晶基板100と、前記Si単結晶基板100の表面に形成され、AlNで構成された第1層110aと、MgOで構成された第2層110bとが、この順で互いに交互に複数積層された中間層110と、前記中間層110上に形成され、GaN(0001)、AlN(0001)又はInN(0001)のいずれか1種で構成された窒化物半導体単結晶層120と、を備える。 (もっと読む)



【課題】 近赤外域に受光感度を有し、良好な結晶性を得やすく、かつ、その一次元または二次元アレイを、高精度で形成しやすく、暗電流を低くできる受光素子、受光素子アレイ、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 pn接合15を受光層3に含むIII−V族化合物半導体積層構造の受光素子であって、受光層がIII−V族化合物半導体の多重量子井戸構造を有し、pn接合15は、不純物元素が、受光層内に選択拡散されて形成されており、受光層における不純物濃度が、5×1016cm−3以下であることを特徴とする。 (もっと読む)



【課題】危険性を低減し、かつ低温で効率よく窒素を供給できるIII−V族化合物半導体の結晶成長方法、発光デバイスの製造方法および電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】III−V族化合物半導体102の結晶成長方法は、以下の工程を備えている。まず、窒素の原料としてモノメチルアミンおよびモノエチルアミンの少なくともいずれか一方を含むガスが準備される。そして、ガスを用いて気相成長法によりIII−V族化合物半導体102が成長される。 (もっと読む)




【課題】半導体材料、特に、良好な電気伝導率および大きな禁制帯幅を有するドープド半導体材料において、原子の秩序化の結果生じる禁制帯幅の減少のような所望しない効果を排除することができるものを得る。
【解決手段】半導体材料中で自由電荷キャリアを提供する第1のドーパント、例えばシリコンと、該半導体材料中で原子の無秩序化を促進する第2のドーパント、例えばスズあるいはテルルとを含む半導体材料であって、該第2のドーパント濃度が該半導体材料の全体に亘って実質的に均一である。 (もっと読む)



【課題】 サファイアC面基板上に成長するGaN系III族窒化物薄膜の極性を(0001)に制御することにより、従来よりも光学的、電気的特性に優れた薄膜を提供すること。
【解決手段】 サファイアC面基板上に、窒素源として窒素プラズマを、またIII族源としてGaを主成分とする金属を用いて分子線エピタキシーによりGaN系III族窒化物薄膜をエピタキシャル成長させるに際し、金属Gaとして、その強度(フラックス)が1×1013コ/cm2s〜1×1015コ/cm2sであるものを用い、該GaN系III族窒化物薄膜の成長初期に金属Inを、照射する金属Gaの強度より1〜2桁低い強度で、照射することにより、成長する膜の極性を(0001)に制御する。 (もっと読む)


【課題】大口径にすることも可能な単結晶を基板として使用する、GaN層を含む積層基板及びその製造方法並びに基板を用いたデバイスを提供する。
【解決手段】(111)シリコン基板3上に化学気相堆積法によりゲルマニウム層7をヘテロエピタキシャル成長させるゲルマニウム成長工程、得られたシリコン基板3上のゲルマニウム層7を700〜900℃の温度範囲内で熱処理を行う熱処理工程、及び、引き続いてゲルマニウム層7上にGaN層9をヘテロエピタキシャル成長させるGaN成長工程、を含むGaN層含有積層基板1の製造方法、及びこの製造方法により得られるGaN層含有積層基板1、並びに基板1を用いて製造されたデバイス。 (もっと読む)


【課題】高周波プラズマ発生セルから放出されるHB(High brightness)放電プラズマフラックスに含まれる電気的に中性な励起原子、基底原子および励起分子を含む活性種量を、電流をもって直接的に検出し、該検出電流値に基づき活性種フラックス量を算定する、高精度でかつ製造コストの安価な原子フラックス測定装置を提供すること。
【解決手段】 直流電源により予め定めた負電位にバイアスされた原子プローブ電極の前方に配置した荷電粒子排除器により高周波プラズマ発生セルから放出されるHB放電プラズマに含まれる活性種フラックスに含まれる荷電粒子を排除して上記原子プローブ電極に活性種フラックスを導入し、該原子プローブ電極における上記活性種の電離に応じて上記第1電流検出器により検出される電流値に基づき演算手段によりHB放電プラズマに含まれる活性種フラックスに含まれる原子フラックス量を算定する。 (もっと読む)


【課題】積層側の主面がC面を有するMgZnO基板上に平坦なZnO系半導体層を成長させることができるZnO系半導体素子を提供する。
【解決手段】主面がC面を有するMgxZn1−xO(0≦x<1)基板を用い、前記主面の法線を基板結晶軸のm軸c軸平面に射影した射影軸がc軸となす角Φmを、0<Φm≦3となるように形成した主面上に、ZnO系半導体層2〜5がエピタキシャル成長されている。そして、ZnO系半導体層5上にはp電極8が、MgxZn1−xO基板1の下側にはn電極9が形成されている。このようにして、MgxZn1−xO基板1の表面に、m軸方向に並ぶ規則的なステップを形成することで、ステップバンチングと呼ばれる現象を防ぎ、基板1上に積層される半導体層の膜の平坦性を向上させることができる。 (もっと読む)



【課題】六方晶系の非極性面(a面、m面)または半極性面で結晶成長させたAlGaN混晶と、活性層に用いたAlGaN結晶のAlNとGaNのモル分率を最適化させ、発光効率を向上させ、低しきい値電流密度化を実現し、深紫外線波長のレーザ光を発生する。
【解決手段】m面基板10と、m面基板上に配置され,n型不純物をドープされたAlGaN層(12,14)と、AlGaN層上に配置され,AlXGa1-XN障壁層とAlYGa1-YN井戸層からなる量子井戸構造を有するAlXGa1-XN/AlXGa1-XN活性層16と、AlXGa1-XN/AlXGa1-XN活性層上に配置され,p型不純物をドープされたAlGaN層(18,20)とを備え、c軸が結晶成長の主面の法線方向から40°〜90°の範囲内で傾いた面を結晶成長の主面とし、光の電界成分Eが主にc軸と平行(E//c)なる偏光特性を示す紫外線窒化物半導体発光素子およびその製造方法。 (もっと読む)


【課題】 禁制帯中に局在準位または中間バンドをもつ半導体を光吸収層とする変換効率の高い太陽電池、及び、その製造方法を提供すること。
【解決手段】p型光吸収層の光入射側に、前記光吸収層よりも禁制帯幅の大きいn型半導体が積層したヘテロ接合型のpn接合の形成により、前記光吸収層は禁制帯中に局在準位または中間バンドをもつ太陽電池構造とする。 (もっと読む)


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