【課題】バッファ層上の窒化物系III−Ｖ族化合物半導体の転位密度が小さくて優れた電気的特性を有する窒化物系III−Ｖ族化合物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】SiC基板７１上にAlNのバッファ層７２を形成した後、AlNのバッファ層７２上にGaN層を成長させる。続いて、AlNのバッファ層７２と上記GaN層の界面近傍に、Gaイオンを打ち込んで、AlNのバッファ層７２と上記GaN層の界面付近にアモルファスの層７４を形成する。その後、基板温度を800℃まで上げてアモルファスの層７４の上の上記GaN層を再結晶化して、転位が少ないGaN層７５層を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化ガリウム基板部材を用いながらも表面平坦性に優れ且つ結晶品質性に優れた窒化ガリウム層を有する光デバイス用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】サーマルクリーニングを施したGa₂O₃基板部材を窒化処理してGa₂O₃基板部材の表面上に六方晶GaNからなる第１のバッファ層を形成し、第１のバッファ層の表面上に成長温度480〜520℃で六方晶GaNからなる第２のバッファ層を成長形成した後、第２のバッファ層の表面上に光デバイス用基板の表面層として成長温度650〜750℃で六方晶GaN層を成長形成する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓ層上に形成されるＩｎＡｓ量子ドットのサイズを適切に制御する。
【解決手段】量子ドットの形成方法は、基板（１１０）上にＧａＡｓを含んでなる第１半導体層（１２０）を形成する第１形成工程と、基板の基板温度を摂氏４８０度及び摂氏５３０度の間の温度にした後に、第１半導体層の上に、Ｉｎ及びＡｓを夫々照射して、ＩｎＡｓを含んでなる第２半導体層（１３０）を形成する第２形成工程とを備える。第２形成工程において、第２半導体層の成長速度を０．０２ＭＬ／ｓ及び０．１ＭＬ／ｓの間の成長速度とし、第２半導体層の成長量を１．２ＭＬ及び２．５ＭＬの間の成長量とすることにより、第２半導体層の第１半導体層と対向しない側の面（１３０ａ）にＩｎＡｓを含んでなる量子ドット（１３１）を形成する。 （もっと読む）

【課題】領域選択成長技術を適用して、均一性のある微細構造を生産できる微細構造素子製造装置及び微細構造素子生産方法を提供すること。
【解決手段】基板が搭載される試料ホルダ４０と、基板３０に選択的に結晶を成長させるため基板の温度を所定の範囲に加熱する加熱器５０と、基板３０に選択的に結晶を成長させるための少なくとも１つ以上の第１の開口部と、当該１つ以上の第１の開口部の外側に複数の第２の開口部を有するマスク１０と、マスク１０が搭載されるマスクホルダ２０と、を備える微細構造素子製造装置。 （もっと読む）

【課題】電気的な絶縁性及び良好な熱伝導性を有する中間層を備えた化合物半導体基板の提供。
【解決手段】表面の結晶面方位が｛１１１｝面であるＳｉ単結晶基板１００と、前記Ｓｉ単結晶基板１００の表面に形成され、ＡｌＮで構成された第１層１１０ａと、ＭｇＯで構成された第２層１１０ｂとが、この順で互いに交互に複数積層された中間層１１０と、前記中間層１１０上に形成され、ＧａＮ（０００１）、ＡｌＮ（０００１）又はＩｎＮ（０００１）のいずれか１種で構成された窒化物半導体単結晶層１２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体からなるアクセプタドープ層を含む積層体を形成する場合に、アクセプタ元素の濃度を低下させずに、アクセプタドープ層又はアクセプタドープ層以降の層の平坦性が悪くなるのを抑制することができるＺｎＯ系半導体素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板１上にｎ型Ｍｇ_ＺＺｎＯ層２、アンドープＭｇＺｎＯ層３、ＭＱＷ活性層４、アンドープＭｇ_ＸＺｎＯ層５、アクセプタドープＭｇ_ＹＺｎＯ層６が順に積層されている。アクセプタドープＭｇ_ＹＺｎＯ（０≦Ｙ＜１）層６は、アクセプタ元素を少なくとも１種類含んでおり、この層に接してアンドープＭｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ（０＜Ｘ＜１）層５が形成されている。このため、アクセプタドープ層にアクセプタ元素を十分取り込むことができるとともに、アクセプタドープ層の表面平坦性は良くなる。 （もっと読む）

【課題】 近赤外域に受光感度を有し、良好な結晶性を得やすく、かつ、その一次元または二次元アレイを、高精度で形成しやすく、暗電流を低くできる受光素子、受光素子アレイ、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐｎ接合１５を受光層３に含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体積層構造の受光素子であって、受光層がＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は、不純物元素が、受光層内に選択拡散されて形成されており、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６ｃｍ^−３以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安価で、長寿命であり、発光効率が高く、しかも曲げることが可能な半導体基板、半導体素子、発光素子及び電子素子を提供すること。
【解決手段】耐熱性を有すると共に外力に対する可撓性を有するグラファイト基板と、当該グラファイト基板上に設けられ１３属窒化物からなる第１半導体層とを備えることとしたので、グラファイト基板上に第１半導体層を形成する際にパルススパッタ堆積法などの手法を用いることができるため、安価に製造することができる。また、１３属窒化物は無機物であるため長寿命であり、高い発光効率を得ることができる。しかも、グラファイト基板が外力に対する可撓性を有するため曲げることも可能となる。 （もっと読む）

【課題】危険性を低減し、かつ低温で効率よく窒素を供給できるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の結晶成長方法、発光デバイスの製造方法および電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１０２の結晶成長方法は、以下の工程を備えている。まず、窒素の原料としてモノメチルアミンおよびモノエチルアミンの少なくともいずれか一方を含むガスが準備される。そして、ガスを用いて気相成長法によりＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１０２が成長される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上への薄膜形成工程（例えば、エピタキシャル成長工程）直前に、簡単な前処理を行うだけで、半導体基板上に良質な半導体薄膜を形成可能な技術を提供する。
【解決手段】１又は２以上の結晶層を有する半導体基板１１の最表層の表面を、当該最表層の熱分解温度より低い熱分解温度を有する材料からなる被覆膜１２で被覆し、この状態でウェハ容器に収容し保管する。そして、この被覆膜１２が形成された半導体基板１をウェハ容器から取り出し、被覆膜１２を熱分解により当該半導体基板１１表面から除去してから、薄膜形成工程１３を行う。 （もっと読む）

【課題】キャリア密度の高い化合物半導体膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】第１及び第２のドーパント１７ａ、１９ａと、III族窒化物半導体４７の構成元素の原料とを供給して第1半導体層４７ｂを形成する工程Ｓ１０３と、第２半導体層４７ａを形成する工程Ｓ１０１と、第１半導体層４７ｂと、第２半導体層４７ａの形成を繰り返す工程Ｓ１０７とを備え、第２のドーパント１９ａは、第１のドーパント１７ａと同一の導電型のドーパントとして働き、第２半導体層４７ａは、アンドープ層、又は、低ドープ層であり、低ドープ層は、第１及び第２のドーパント１７ａ、１９ａが第１半導体層４７ｂにおける濃度よりも低濃度にドープされ、第１半導体層４７ｂにおいて置換される構成元素の原子半径は、第１のドーパント１７ａの原子半径よりも大きく、第２のドーパント１９ａの原子半径よりも小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体材料、特に、良好な電気伝導率および大きな禁制帯幅を有するドープド半導体材料において、原子の秩序化の結果生じる禁制帯幅の減少のような所望しない効果を排除することができるものを得る。
【解決手段】半導体材料中で自由電荷キャリアを提供する第１のドーパント、例えばシリコンと、該半導体材料中で原子の無秩序化を促進する第２のドーパント、例えばスズあるいはテルルとを含む半導体材料であって、該第２のドーパント濃度が該半導体材料の全体に亘って実質的に均一である。 （もっと読む）

【課題】
窒化ガリウム層成長時に発生する歪みを減らしてクラックがない窒化ガリウム基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】
窒化ガリウム層成長時に発生する歪みを減らしてクラックがない窒化ガリウム基板を得ることができるように窒化ガリウム層とベース基板の間に複数のボイド（ｖｏｉｄ）を有する窒化物挿入層を形成する。そのために本発明の窒化ガリウム層製造方法は、ベース基板を準備する工程と、ベース基板上に複数のＩｎリッチ領域を有する窒化物挿入層を第１温度で成長させる工程と、窒化物挿入層上に第１温度より高い第２温度で窒化ガリウム層を成長させて、第２成長によってＩｎリッチ領域で金属化が起きるようにして多数のボイド（ｖｏｉｄ）を形成する工程を含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】 サファイアＣ面基板上に成長するＧａＮ系III族窒化物薄膜の極性を（０００１）に制御することにより、従来よりも光学的、電気的特性に優れた薄膜を提供すること。
【解決手段】 サファイアＣ面基板上に、窒素源として窒素プラズマを、またIII族源としてＧａを主成分とする金属を用いて分子線エピタキシーによりＧａＮ系III族窒化物薄膜をエピタキシャル成長させるに際し、金属Ｇａとして、その強度（フラックス）が１×１０¹³コ／ｃｍ²ｓ〜１×１０¹⁵コ／ｃｍ²ｓであるものを用い、該ＧａＮ系III族窒化物薄膜の成長初期に金属Ｉｎを、照射する金属Ｇａの強度より１〜２桁低い強度で、照射することにより、成長する膜の極性を（０００１）に制御する。 （もっと読む）

【課題】大口径にすることも可能な単結晶を基板として使用する、ＧａＮ層を含む積層基板及びその製造方法並びに基板を用いたデバイスを提供する。
【解決手段】（１１１）シリコン基板３上に化学気相堆積法によりゲルマニウム層７をヘテロエピタキシャル成長させるゲルマニウム成長工程、得られたシリコン基板３上のゲルマニウム層７を７００〜９００℃の温度範囲内で熱処理を行う熱処理工程、及び、引き続いてゲルマニウム層７上にＧａＮ層９をヘテロエピタキシャル成長させるＧａＮ成長工程、を含むＧａＮ層含有積層基板１の製造方法、及びこの製造方法により得られるＧａＮ層含有積層基板１、並びに基板１を用いて製造されたデバイス。 （もっと読む）

【課題】高周波プラズマ発生セルから放出されるＨＢ（High brightness）放電プラズマフラックスに含まれる電気的に中性な励起原子、基底原子および励起分子を含む活性種量を、電流をもって直接的に検出し、該検出電流値に基づき活性種フラックス量を算定する、高精度でかつ製造コストの安価な原子フラックス測定装置を提供すること。
【解決手段】 直流電源により予め定めた負電位にバイアスされた原子プローブ電極の前方に配置した荷電粒子排除器により高周波プラズマ発生セルから放出されるＨＢ放電プラズマに含まれる活性種フラックスに含まれる荷電粒子を排除して上記原子プローブ電極に活性種フラックスを導入し、該原子プローブ電極における上記活性種の電離に応じて上記第１電流検出器により検出される電流値に基づき演算手段によりＨＢ放電プラズマに含まれる活性種フラックスに含まれる原子フラックス量を算定する。 （もっと読む）

【課題】従来の方法では、良質な量子ドット結晶が得られない。
【解決手段】半導体微小突起構造体５１の製造方法においては、微小突起２１を形成し、その後加熱によって微小突起２１を構成する材料を気化させて微小突起２１を除去することにより穿孔４１を形成している。そのため、穿孔４１内の微小突起２１などによる残留物が低減できる。そのため、穿孔４１が形成された位置、すなわち微小突起２１を形成した所望の位置に高品質な半導体微小突起構造体５１を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】積層側の主面がＣ面を有するＭｇＺｎＯ基板上に平坦なＺｎＯ系半導体層を成長させることができるＺｎＯ系半導体素子を提供する。
【解決手段】主面がＣ面を有するＭｇｘＺｎ１−ｘＯ（０≦ｘ＜１）基板を用い、前記主面の法線を基板結晶軸のｍ軸ｃ軸平面に射影した射影軸がｃ軸となす角Φｍを、０＜Φｍ≦３となるように形成した主面上に、ＺｎＯ系半導体層２〜５がエピタキシャル成長されている。そして、ＺｎＯ系半導体層５上にはｐ電極８が、ＭｇｘＺｎ１−ｘＯ基板１の下側にはｎ電極９が形成されている。このようにして、ＭｇｘＺｎ１−ｘＯ基板１の表面に、ｍ軸方向に並ぶ規則的なステップを形成することで、ステップバンチングと呼ばれる現象を防ぎ、基板１上に積層される半導体層の膜の平坦性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】六方晶系の非極性面（ａ面、ｍ面）または半極性面で結晶成長させたＡｌＧａＮ混晶と、活性層に用いたＡｌＧａＮ結晶のＡｌＮとＧａＮのモル分率を最適化させ、発光効率を向上させ、低しきい値電流密度化を実現し、深紫外線波長のレーザ光を発生する。
【解決手段】ｍ面基板１０と、ｍ面基板上に配置され，ｎ型不純物をドープされたＡｌＧａＮ層（１２，１４）と、ＡｌＧａＮ層上に配置され，Ａｌ_XＧａ_1-XＮ障壁層とＡｌ_YＧａ_1-YＮ井戸層からなる量子井戸構造を有するＡｌ_XＧａ_1-XＮ/Ａｌ_XＧａ_1-XＮ活性層１６と、Ａｌ_XＧａ_1-XＮ/Ａｌ_XＧａ_1-XＮ活性層上に配置され，ｐ型不純物をドープされたＡｌＧａＮ層（１８，２０）とを備え、ｃ軸が結晶成長の主面の法線方向から４０°〜９０°の範囲内で傾いた面を結晶成長の主面とし、光の電界成分Ｅが主にｃ軸と平行（Ｅ//ｃ）なる偏光特性を示す紫外線窒化物半導体発光素子およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 禁制帯中に局在準位または中間バンドをもつ半導体を光吸収層とする変換効率の高い太陽電池、及び、その製造方法を提供すること。
【解決手段】p型光吸収層の光入射側に、前記光吸収層よりも禁制帯幅の大きいn型半導体が積層したヘテロ接合型のpn接合の形成により、前記光吸収層は禁制帯中に局在準位または中間バンドをもつ太陽電池構造とする。 （もっと読む）