インプリント用ガラス基板、レジストパターン形成方法、インプリント用ガラス基板の検査方法及び検査装置
【課題】 本発明は、超微小サイズのパターン及び異物の検査について、高感度、高速及び高スループットを実現できるインプリント用ガラス基板、レジストパターン形成方法、インプリント用ガラス基板の検査方法及び検査装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 インプリント用の微細パターン１５が形成されたパターン面１１を有するガラス基板１０を備えたインプリント用ガラス基板３０であって、
該パターン面に、透明導電膜２０が被覆されていることを特徴とする。
【解決手段】 インプリント用の微細パターン１５が形成されたパターン面１１を有するガラス基板１０を備えたインプリント用ガラス基板３０であって、
該パターン面に、透明導電膜２０が被覆されていることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント用ガラス基板、レジストパターン形成方法、インプリント用ガラス基板の検査方法及び検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ナノインプリント用モールドとして、屈曲がある基板にも元のパターンが均一に転写され、かつ、圧力による損傷及びレジンによる汚染が発生せず、パターンの精度を高くするとともに、耐久力を向上させるため、それぞれの役割について効果的な材料を積層し、基板、基板上に形成されて凹凸パターンを有するパターン部、パターン部の表面の上にパターン部より硬度の高い材質で形成された硬質層、及び硬質層の表面の上に形成された離型層を含むナノインプリント用モールドが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
かかるナノインプリント用モールドは、パターン部は柔軟性のある材料で形成されて屈曲がある基板にも対応できるように変形可能に構成され、硬質層にはシリコン酸化物（ＳｉＯ２）又はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの酸化膜が適用されて耐久性と転写パターンの精度を向上させ、離型層には有機分子膜が適用されてナノスケールの構造が刻印されるポリマー薄膜間の分離を容易にするように構成されている。
【０００４】
一方、特許文献１のようなインプリント用モールドのパターン欠陥や、パターン部の表面に存在する異物を検出するための検査を行う場合には、光を用いた検査を行う場合が一般的であった。つまり、暗視野・散乱方式でナノインプリント用モールドの表面画像を取得し、パターン欠陥や異物の存在を検出するようにしていた。
【特許文献１】特開２００８−６８６１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述の特許文献１に記載のナノインプリント用モールドに対し、従来から実行されている光方式の検査では、検出感度が不十分であるという問題があった。つまり、光方式の検査では、サイズが５０〜１００〔ｎｍ〕以下の超微細なパターンや、異物又は有機物等の付着については、検出感度が極端に低下し、適用が困難になるという問題があった。これは、光の波長よりパターン及び異物サイズが小さくなり、Ｓ／Ｎ（Signal／Noise、信号／雑音）が低下することが大きな要因と考えられている。
【０００６】
また、別の検査方法として、光方式より高感度な電子ビームを用いたＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）方式による欠陥検査も可能である。例えば、ビーム径を絞ることにより、対象異物よりも小さいピクセルサイズを用いることができるので、高分解能で異物の検査を行うことが可能であり、特許文献１に記載のナノインプリント用モールドも検査することが可能である。しかし、ＳＥＭ方式では、ピクセルサイズが小さいので、検査時間が膨大になり、現実的な時間での検査が困難であり、実用的ではないという問題があった。更に、電子ビームを上述のナノインプリント用モールドに照射すると、ナノインプリント用モールドは総てガラス等の絶縁物の材料で構成されているため、チャージアップ（帯電）が顕著となり、適切がパターン画像を取得することができないという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明は、超微小サイズ５０〜１００〔ｎｍ〕以下のパターン及び異物の検査について、高感度、高速及び高スループットを実現できるインプリント用ガラス基板、レジストパターン形成方法、インプリント用ガラス基板の検査方法及び検査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、第１の発明に係るインプリント用ガラス基板は、インプリント用の微細パターンが形成されたパターン面を有するガラス基板を備えたインプリント用ガラス基板であって、
該パターン面に、透明導電膜が被覆されていることを特徴とする。
【０００９】
これにより、パターン面に導電膜が形成されるため、パターン検査時に電子ビームが照射されてもチャージアップを防ぐことができ、適切な検査を行うことが可能となり、高精度のパターン形成を実現することができる。また、導電膜は透明であるので、マスクとしての機能を適正に維持することができ、他の基板のレジスト膜へのレジストパターン形成を高精度に行うことができる。
【００１０】
第２の発明は、第１の発明に係るインプリント用ガラス基板において、
前記パターン面全体が前記透明導電膜で被覆されていることを特徴とする。
【００１１】
これにより、確実にインプリント用ガラス基板のパターン面の電位を安定させ、電子ビームによりパターン検査を行ってもチャージアップの発生が抑制され、適切な検査による高精度なパターン形成を行うことができる。
【００１２】
第３の発明は、第１の発明に係るインプリント用ガラス基板において、
前記微細パターンの凸部のみが前記透明導電膜で被覆されていることを特徴とする。
【００１３】
これにより、蒸着を用いずに全面を透明導電膜で被覆してからエッチングによりパターンを形成することが可能となるので、ガラス基板に形成するパターンの精度を向上させ、高精度なパターンを有するマスクとすることができる。
【００１４】
第４の発明は、第１〜３のいずれかの発明に係るインプリント用ガラス基板において、
前記パターン面の裏面が前記透明導電膜で被覆されていることを特徴とする。
【００１５】
これにより、裏面の電位を安定させることができ、インプリント用ガラス基板の電位を安定させた状態で電子ビームにより検査を行うことができる。
【００１６】
第５の発明に係るレジストパターン形成方法は、第１〜４のいずれかの発明に係るインプリント用ガラス基板を用いたレジストパターン形成方法であって、
基板の表面に形成されたレジスト膜に、前記インプリント用ガラス基板のパターン面を押し当て、微細パターンを前記レジスト膜に転写する工程と、
光を前記インプリント用ガラス基板側から前記基板に照射し、前記レジスト膜を硬化させる工程と、
前記インプリント用ガラス基板を、前記基板の前記レジスト面から分離する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１７】
これにより、適切な検査により高精度なパターンが形成されたインプリント用ガラス基板を用いてインプリントを行うことができ、加工対象の基板上に高精度なレジストパターンを形成することができる。
【００１８】
第６の発明は、第５の発明に係るレジストパターン形成方法において、
前記光は、紫外光であることを特徴とする。
【００１９】
これにより、紫外光を用いてレジストを硬化させることができ、高精度なレジストパターンを形成することができる。
【００２０】
第７の発明に係るインプリント用ガラス基板の検査方法は、第１〜４のいずれかの発明に係るインプリント用ガラス基板を検査するインプリント用ガラス基板の検査方法であって、
ステージ上に載置された前記インプリント用ガラス基板のパターン面に、所定の照射領域を有する電子ビームを照射する電子ビーム照射工程と、
該電子ビームの照射により前記パターン面から発生した複数の電子を、複数画素を有する検出面で同時に検出する電子検出工程と、
該検出面で検出された電子から前記パターン面の画像を取得し、前記パターン面の欠陥を検出する欠陥検出工程と、を含むことを特徴とする。
【００２１】
これにより、インプリント用ガラス基板のパターン面の電位が透明導電膜により安定した状態で電子ビームを照射することができ、照射面積の広い電子ビームを用いた写像投影方式により、パターン面の二次元画像を検出面上に結像させて取得することができるので、高速かつ高スループットで適切なパターン面の欠陥検査を行うことができる。
【００２２】
第８の発明は、第７の発明に係るインプリント用ガラス基板の検査方法において、
前記電子ビーム照射工程は、第１の電子ビームを照射する工程と、次いで、該第１の電子ビームよりもランディングエネルギーの低い第２の電子ビームを照射する工程とを含むことを特徴とする。
【００２３】
これにより、第１の電子ビームでインプリント用ガラス基板のパターン面の帯電状態を調整した後、第２の電子ビームでパターン面の画像を取得することができ、良好な状態でパターン面画像を取得することができ、高精度な検査を行うことができる。
【００２４】
第９の発明は、第８の発明に係るインプリント用ガラス基板の検査方法において、
前記第２の電子ビームのランディングエネルギーは、−１０ｅＶ以上１０ｅＶ以下であることを特徴とする。
【００２５】
これにより、低ランディングエネルギーを有する第２の電子ビームの照射により、パターン面からミラー電子を発生させ、パターン面の欠陥を拡大して画像取得を行うことができ、欠陥検出を容易かつ高精度に行うことができる。
【００２６】
第１０の発明は、第７〜９のいずれかの発明に係るインプリント用ガラス基板の検査方法において、
前記電子検出工程は、ＥＢ−ＴＤＩにより行われることを特徴とする。
【００２７】
これにより、電子を光に変換することなく直接的に電子を検出することができ、パターン面の画像取得を簡素かつ容易に行うことができる。
【００２８】
第１１の発明は、第７〜１０のいずれかの発明に係るインプリント用ガラス基板の検査方法において、
前記欠陥検出工程で検出する前記欠陥は、パターン不良及び／又は異物の付着を含むことを特徴とする。
【００２９】
これにより、パターン不良と異物の付着の双方をパターン面の欠陥として検出することができる。
【００３０】
第１２の発明に係るインプリント用ガラス基板の検査装置は、第１〜４のいずれかの発明に係るインプリント用ガラス基板を検査するインプリント用ガラス基板の検査装置であって、
ステージ上に載置された前記インプリント用ガラス基板のパターン面に、所定の照射領域を有する電子ビームを照射する電子銃と、
該電子ビームの照射により前記パターン面から発生した複数の電子を、複数画素を有する検出面で同時に検出する検出器と、
該検出面で検出された電子から前記パターン面の画像を取得し、前記パターン面の欠陥を検出する欠陥検出手段と、を含むことを特徴とする。
【００３１】
これにより、インプリント用ガラス基板のパターン面の電位を安定させた状態で、写像投影型電子線欠陥検査装置を用いて、インプリント用ガラス基板をチャージアップさせることなく、広い領域を有する電子ビームの照射によりパターン面の画像を取得して欠陥検査を行うことができ、高速、高スループットで高精度のパターン面の検査を行うことができる。
【００３２】
第１３の発明は、第１２の発明に係るインプリント用ガラス基板の検査装置において、
前記電子銃が、第１の電子ビームと、該第１の電子ビームよりもランディングエネルギーの低い第２の電子ビームを連続的に照射可能なように、前記電子ビームのランディングエネルギーを設定するランディングエネルギー設定手段を更に有することを特徴とする。
【００３３】
これにより、適切なランデシィングエネルギーの設定により、インプリント用ガラス基板の帯電状態を調整するのに適するランディングエネルギーの電子ビームをまず照射し、次いで検査に適するランディングエネルギーに設定した電子ビームを照射してパターン面の画像を取得することができ、良好なパターン面画像を取得して高精度な検査を行うことができる。
【００３４】
第１４の発明は、第１３の発明に係るインプリント用ガラス基板の検査装置において、
前記第２の電子ビームのランディングエネルギーは、−１０ｅＶ以上１０ｅＶ以下であることを特徴とする。
【００３５】
これにより、低ランディングエネルギーの電子ビームを用いて、ミラー電子によるパターン面の画像を取得することができ、良好なパターン画像を用いて高精度な検査を行うことができる。また、パターン面上の欠陥を光学倍率よりも拡大してパターン画像を取得することができ、欠陥検出を容易に行うことができる。
【００３６】
第１５の発明は、第１２〜１４のいずれかの発明に係るインプリント用ガラス基板の検査装置において、
前記検出器は、ＥＢ−ＴＤＩであることを特徴とする。
【００３７】
これにより、電子を光に変換することなく直接的に検出してパターン面の画像を取得することができ、簡素かつ容易に検査を行うことができる。
【００３８】
第１６の発明は、第１２〜１５のいずれかの発明に係るインプリント用ガラス基板の検査装置において、
前記欠陥検出手段で検出する前記欠陥は、パターン不良及び／又は異物の付着を含むことを特徴とする。
【００３９】
これにより、パターン不良と異物の双方の欠陥を検査することができる。
【発明の効果】
【００４０】
本発明によれば、ナノオーダーの微細パターンが形成されたインプリント用ガラス基板について、高精度に微細パターンを検査することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態の説明を行う。
【実施例１】
【００４２】
図１は、本発明を適用した実施例１に係るインプリント用ガラス基板３０の断面構成の一例を示した図である。実施例１に係るインプリント用ガラス基板３０は、ガラス基板１０と、ガラス基板１０の表面に被覆された透明導電膜２０とを有する。
【００４３】
ガラス基板１０は、透明で光を透過するガラス材から構成された基板である。ガラス基板１０は、様々な種類のガラスが材料として利用されてよく、例えば、石英ガラスが適用されてもよい。ガラス基板１０の表面には、微細パターン１５が形成されたパターン面１１が形成される。微細パターン１５は、例えば、凹凸を有する形状パターンであってよい。図１においては、ガラス基板１０の表面に、凸部１２と凹部１３とが形成されており、凹凸形状の微細パターン１５を有するパターン面１１を構成している。微細パターン１５は、例えば、そのパターンの幅が１０〜２０〔ｎｍ〕、又は１０〜５０〔ｎｍ〕、或いは１０〜１００〔ｎｍ〕といったナノオーダーのパターンとして形成されてよい。
【００４４】
ガラス基板１０のパターン面１１上には、透明導電膜２０がコートされている。透明導電膜２０は、ガラス基板１０のパターン面１１の全面に被覆されており、微細パターン１５の総てを被覆している。透明導電膜２０は、透明で光を透過するとともに、導電性を有する膜である。透過導電膜２０のコート厚さは、例えば０．１〜１０〔ｎｍ〕で制御される。透過導電膜２０の抵抗値は１００〜１０００〔μΩ-cm〕程度であってよく、ＵＶ光透過率は約７０％程度であってよい。
【００４５】
透明導電膜２０には、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜が適用される。ＩＴＯ膜は、一般に酸化インジュウムに５〜１０ｗｔ％の酸化スズを添加したものである。その他、透明導電膜２０として、酸化スズや酸化亜鉛を用いることもできる。本実施例に係るインプリント用ガラス基板３０の製造工程では、ガラス基板１０の微細パターン１５が形成された後に透明導電膜２０が被覆される。
【００４６】
図２は、実施例１に係るインプリント用ガラス基板３０のガラス基板１０の断面構成を示した図である。図１で説明したように、ガラス基板１０は、一方の表面に微細パターン１５が形成されたパターン面１１を有している。従来は、このようなガラス基板１０の状態で、インプリント用ガラス基板としてそのまま利用していた。これに対し、図１で説明した実施例１に係るインプリント用ガラス基板３０は、パターン面１１の全面に透明導電膜２０が被覆されているので、ガラス基板１０の透明性を維持しつつ、パターン面１１の表面を導体とすることができる。
【００４７】
図３は、実施例１に係るインプリント用ガラス基板３０を用いて、シリコン基板４０上にレジストパターンを形成する製造工程を示した図である。
【００４８】
図３（ａ）は、シリコン基板４０及びインプリント用ガラス基板３０を用意する工程を示した図である。シリコン基板４０の一方の表面全体には、レジスト膜５０が形成されている。かかるレジスト膜５０にレジストパターンを形成することにより、次のエッチング工程でシリコン基板４０上に所望のパターンを形成することができる。
【００４９】
一方、図３（ａ）において、レジスト膜５０が形成されたシリコン基板４０の上に、実施例１に係るインプリント用ガラス基板３０が、パターン面１１をレジスト膜５０に対向した状態で用意される。このインプリント用ガラス基板３０のパターン面１１に形成された微細パターン１５を、シリコン基板４０のレジスト膜５０に転写することにより、レジスト膜５０に所定のレジストパターンを形成することができる。
【００５０】
図３（ｂ）は、シリコン基板４０上のレジスト膜５０に、インプリント用ガラス基板３０のパターン面１１を押し当てた工程を示した図である。図３（ｂ）において、インプリント用ガラス基板３０は、シリコン基板４０に到達するまでレジスト膜５０に押し当てられている。これにより、レジスト膜５０が、インプリント用ガラス基板３０の成形されたパターン面１１に合わせたパターン形状に変形し、微細パターン１５が転写される。
【００５１】
図３（ｃ）は、シリコン基板４０にインプリント用ガラス基板３０側から光を照射した工程を示した図である。インプリント用ガラス基板３０を構成するガラス基板１０は透明であり、透明導電膜２０も透明であるので、インプリント用ガラス基板３０の裏面（パターン面１１と反対側の面）から照射された光は、インプリント用ガラス基板３０を透過してレジスト膜５０に到達し、レジスト膜５０が硬化する。なお、このときの光は、レジスト膜５０を硬化させることができれば、種々の光が用いられてよいが、例えばＵＶ光（Ultraviolet、紫外光）を用いてもよい。レジスト膜５０は、紫外光等の光が照射されると、硬化する材料を用いる。
【００５２】
図３（ｄ）は、インプリント用ガラス基板３０をシリコン基板４０のレジスト膜５０から分離した工程を示した図である。紫外光の照射を終え、インプリント用ガラス基板３０を分離すると、シリコン基板４０上には、レジスト膜５０による所定のレジストパターンが形成されている。このレジストパターンを用いて、次にエッチング工程等によりシリコン基板４０上に所望の凹凸微細パターン１５を有するパターン形状に加工することが可能となる。なお、図３においては、レジストパターン形成対象の基板として、シリコン基板４０を例に挙げて説明したが、表面にレジスト膜１５がコートされていれば、他の種類の基板に対しても同様に本レジストパターン形成方法を適用することができる。
【００５３】
このように、本実施例に係るレジストパターンの形成方法は、通常のインプリント用ガラス基板と同様の製造工程で、実施例１に係るインプリント用ガラス基板３０を用いて実行することができる。よって、高精度な微細パターン１５を有するレジストパターンをシリコン基板４０上のレジスト膜５０に形成するためには、インプリント用ガラス基板３０に形成された微細パターン１５を高精度に形成する必要があることが分かる。
【００５４】
つまり、このプロセスにおいて、インプリント用ガラス基板３０の検査は、レジスト面に押し当ててパターン転写をする前に必要となる。インプリント用ガラス基板３０にパターン欠陥や異物があると、転写されるレジストパターンに、正規のパターン形状から変形したパターン欠陥の形状を転写してしまう。また、異物があると異物の影響を受けて、正常なパターンが転写されない。または、異物の影響によりレジストの厚み方向にも変形を生じて、形成されたレジストパターンを用いてウエハがエッチングされたときに、該当部位だけ深くエッチングされ、ピンホールなどの不良を生じる。このように、インプリント用ガラス基板３０の微細パターン１５の不良や異物があると、結果として、正常な半導体・LＳＩ構造を形成できずに、製造した半導体が不良品となってしまう。
【００５５】
このため、インプリント用ガラス基板３０の欠陥検査が重要となる。インプリントのパターン転写では、パターン形状がそのまま転写されるため、パターンサイズが１００〔ｎｍ〕以下、例えばＬ／Ｓ（Line／Space）の線とスペース幅が夫々１００〔ｎｍ〕以下となる。このように、微細なパターンでは、光での分解ができなくなるので、光検査装置での対応が困難となり、電子線を用いた欠陥検査装置を用いるのが有効となる。特に、写像投影型電子線欠陥検査装置は、２次元像を連続的に撮像できるため、高速で、高分解能で微細パターン１５と微小異物の検査を行うときに有効な手段である、ただし、写像投影型電子線欠陥検査装置は、チャージアップ（帯電）等により表面電位の変動があると、得られる像が安定しない課題がある。よって、写像投影型電子線欠陥検査装置では、絶縁体のガラス基板１０を撮像するのは困難であった。この問題を解決するため、本実施例では、ガラス基板１０のパターン面１１に、透明導電膜２０をコートしている。これにより、ガラス基板１０の表面電位が安定し、写像投影型電子線欠陥検査装置を用いたときに、安定した電子像が得られる。なお、検査の具体的な方法や装置の構成については、後述する。
【００５６】
図４は、本実施例に係るインプリント用ガラス基板３０に用いられる透明導電膜２０の透過率特性の一例を示した図である。通常、金属は光（可視光）を反射するが、図４に示すように、透明導電膜２０においては、可視光領域（図４中、Visibleで示されている領域）で８０％の透過率を示していることが分かる。このように、本実施例に係るインプリント用ガラス基板３０においては、透過率を低下させることなくパターン面１１を導電性にできることが分かる。なお、図４において、可視光領域よりもやや波長が短い紫外光の領域も、高い透過率を示している。このように、本実施例に係るインプリント用ガラス基板３０は、可視光の光だけでなく、紫外光も利用可能である。
【００５７】
また、パターン面１１を導電性にすると、種々の電子ビームを用いたパターン面１１の検査が可能となる。一般に、電子ビームを基板等の試料に照射して、試料から発生した電子を検出することにより、試料表面の画像を光照射よりも遙かに高精度に取得することができる。よって、微細パターン１５がナノオーダーの場合には、光ビームを用いた検査よりも電子ビームを用いた検査を行うことが好ましいが、電子ビームによる検査は、試料がチャージアップ（帯電）してしまうと、適切な表面画像を取得することができない。試料のチャージアップは、試料が絶縁体である場合に発生し易い。よって、本実施例に係るインプリント用ガラス基板３０のように、ガラス基板１０が絶縁体でチャージアップし易い材料であっても、検査対象となるパターン面１１に透明導電膜２０を被覆することにより、チャージアップを発生し難くすることができる。そうすると、パターン面１１を、電子ビームを用いて高精度に検査することが可能となるので、微細パターン１５を高精度に形成することが可能となる。よって、本実施例に係るインプリント用ガラス基板３０は、そのような電子ビームを用いた高精度な欠陥検査を行うことを可能とするものである。
【００５８】
なお、実施例１に係るインプリント用ガラス基板３０の製造方法は、例えば、図２で示した状態の微細パターン１５が形成されたガラス基板１０のパターン面１１の全面に、蒸着で透明導電膜２０を被覆するようにして製造してよい。例えば、処理チャンバ内にガラス基板１０を載置し、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により透明導電膜２０を蒸着させるようにしてよい。これにより、ガラス基板１０のパターン面１１の全面に透明導電膜２０を形成することができる。その他、透明導電膜２０は、めっきにより形成してもよい。例えば、めっき液を満たしためっき槽にガラス基板１０を浸漬し、電気めっき又は無電解めっき等により透明導電膜２０を形成するようにしてもよい。
【００５９】
実施例１に係るインプリント用ガラス基板３０によれば、パターン面１１全体が透明導電膜２０で覆われているため、表面電位を確実に安定化させ、電子ビームによる高分解能なパターン面１１の検査を適切に行うことができる。
【実施例２】
【００６０】
図５は、本発明を適用した実施例２に係るインプリント用ガラス基板３０ａの断面構成の一例を示した図である。図５において、ガラス基板１０のパターン面１１ａに透明導電膜２０が被覆されている点では、実施例１に係るインプリント用ガラス基板３０と同様であるが、透明導電膜２０が、パターン面１１ａの全面ではなく、微細パターン１５の凸部１２にのみ形成されている点で、実施例１に係るインプリント用ガラス基板とは異なっている。このように、パターン面１１ａの全面ではなく、透明導電膜２０の一部のみ、例えば凸部１２のみを被覆するようにしてもよい。微細パターン１５のパターン幅は、１０〜２０〔ｎｍ〕と極めて微小であるので、凸部１２のみに透明導電膜２０が形成されておいても、絶縁体のガラス基板１０からなるパターン面１１ａは、導電性が相当に高まると考えられ、検査時のチャージアップ抑制には大きな効果が得られる。
【００６１】
図６及び図７は、実施例２の係るインプリント用ガラス基板３０ａの製造方法の一例を示した図である。図６は、インプリント用ガラス基板３０ａのレジスト形成までの製造工程を示した図である。
【００６２】
図６（ａ）は、ガラス基板１０の全面に、透明導電膜２０を被覆した状態を示した図である。このように、実施例２に係るインプリント用ガラス基板３０ａの製造方法においては、ガラス基板１０のパターン加工を行う前に、ガラス基板１０の微細パターン１５を形成する面（加工前のフラット面）に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電膜２０をコートする。
【００６３】
図６（ｂ）は、透明導電膜２０の上に、更に金属膜２１を被覆する工程を示した図である。金属膜２１は、ハードパターンマスクの役割を果たす。金属膜２１は、例えば、Ｃｒ膜であってもよい。
【００６４】
図６（ｃ）は、金属膜２１の更に上に、レジスト６０を被覆した工程を示した図である。これにより、金属膜２１をエッチング加工することが可能な状態となる。
【００６５】
図６（ｄ）は、レジスト６０をエッチング加工し、レジストパターンを形成した工程を示した図である。レジスト６０のエッチングは、例えば、反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching）等により、微細加工に適した手法が用いられてよい。このようにして、レジストパターンが形成される。
【００６６】
図７は、レジストパターン形成後から、実施例２に係るインプリント用ガラス基板３０ａの完成までの製造工程を示した図である。
【００６７】
図７（ａ）は、金属膜２１がエッチングされ、金属膜２１をハードパターンマスクとしてパターン形成した工程を示した図である。これにより、金属膜２１をマスクとして機能させて透明導電膜２０に微細パターン１５を形成することが可能となる。
【００６８】
図７（ｂ）は、透明導電膜２０がエッチングされ、透明導電膜２０に微細パターン１５が形成された工程を示した図である。図７（ｂ）において、微細パターン１５の凸部１２を形成しようとする部分に、透明導電膜２０が残された状態となる。
【００６９】
図７（ｃ）は、ガラス基板１０がエッチングされ、実施例２に係るインプリント用ガラス基板３０ａが完成した工程を示した図である。図７（ｃ）においては、ガラス基板１０上に微細パターン１５が形成され、パターン面１１ａが完成する。
【００７０】
ここで、図７（ａ）〜（ｃ）の工程は、総てエッチングによりパターン形成が行われている。エッチングは、上述のように、反応性イオンエッチング等の、微細加工に適した方法が適用されてよい。エッチング加工によれば、凹部１３等の深さは角度等を、高精度に制御することができるので、微細パターン１５を高精度に形成することができる。実施例１に係るインプリント用ガラス基板３０の製造方法では、微細パターン１５の形成後に蒸着により透明導電膜２０を形成していたため、微細パターン１５の側壁や凹部１３の角部の膜厚等が制御できず、例えば、部分的に厚くなったり、角部が丸くなったりするという状態が発生し易かった。しかしながら、実施例２に係るインプリント用ガラス基板３０ａの製造方法によれば、凸部１２のみ透明導電膜２０が存在するので、膜の形状が丸くなる、又は、厚みが異なる部分があるなどの変動要因が無くパターン転写及びレジストの硬化を実現できる。また、インプリント用ガラス基板３０ａのパターン面１１ａの凸部１２の電位を安定させることができる。実施例２の方式では、透明導電膜２０の代わりに、金、Ｐｔ、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｒ、ＣｒＮ等の金属膜やＤＬＣ（Diamond-like Carbon）、カーボン、導電性の有機膜等を用いることが可能である。これらは、紫外光の透過率は低いが、コートされていない、微細パターン１５の凹部１３の側壁及び底部から紫外光の伝播が行われ、レジスト５０の硬化が達成できる。
【００７１】
このように、実施例２に係るインプリント用ガラス基板３０ａを用いると、シリコン基板４０等の基板に対し、高精度なレジストパターンを形成できるとともに、ガラス基板１０のパターン面１１ａの電位を安定できる。よって、写像投影型電子線欠陥装置によるインプリント用ガラス基板３０ａのパターン検査及び異物検査を実現することができる。
【００７２】
図８は、図６及び図７とは異なる実施例２に係るインプリント用ガラス基板３０ａの製造方法を示した図である。
【００７３】
図８（ａ）は、ガラス基板１０の全面に透明導電膜２０がコートされた工程を示した図である。この工程は、図６（ａ）の工程と同様であるので、構成要素に同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００７４】
図８（ｂ）は、透明導電膜２０の上にレジスト６０がコートされた工程を示した図である。このように、透明導電膜２０の上に金属膜２１を形成せず、直接レジスト６０を形成するようにしてもよい。
【００７５】
図８（ｃ）は、レジスト６０をエッチングした工程を示した図である。エッチングは、反応性イオンエッチング等の高精度な微細加工が可能なエッチング方法で行われてよい。
【００７６】
図８（ｄ）は、透明導電膜２０及びガラス基板１０がエッチングされ、実施例２に係るインプリント用ガラス基板３０ａが完成した工程を示した図である。図８（ｄ）においても、加工はエッチングにより行われているため、凹部１３の側壁や底部は十分に制御され、高精度な微細パターン１５を形成することができる。
【００７７】
このように、金属膜２１を形成せずに、透明導電膜２０上に直接的にレジスト膜６０を形成してエッチング加工を行うようにしてもよい。
【００７８】
なお、実施例１の図３において説明したレジストパターンの形成方法は、実施例２に係るインプリント用ガラス基板３０ａを用いて実行することができる。実施例２に係るインプリント用ガラス基板３０ａによれば、パターン面１１ａの微細パターン１５を高精度にパターン形成できるため、高精度なレジストパターンをシリコン基板４０上のレジスト膜５０に形成することができる。
【実施例３】
【００７９】
図９は、本発明を適用した実施例３に係るインプリント用ガラス基板３０ｂの断面構成の一例を示した図である。図９において、パターン面１１の全面に透明導電膜２０が被覆されている点では、実施例１に係るインプリント用ガラス基板３０と同様であるが、更にガラス基板１０の裏面１６も、透明導電膜２０で被覆されている点で、実施例１に係るインプリント用ガラス基板３０と異なっている。
【００８０】
このように、ガラス基板１０の裏面１６も、透明導電膜２０で覆うように構成してもよい。これにより、インプリント用ガラス基板３０ｂの裏面１６の電位も安定するので、インプリント用ガラス基板３０ｂ全体の電位がより安定し、パターン面１１の電位を更に安定させることができる。
【００８１】
なお、実施例３に係るインプリント用ガラス基板３０ｂの製造方法は、ガラス基板１０の裏面１６にも蒸着やめっき等により透明導電膜２０を被覆すればよく、実施例１において説明したのと同様の製造方法で製造することができる。
【００８２】
また、実施例１の図３において説明したレジストパターン形成方法についても、同様の方法を適用することができ、シリコン基板４０以外の基板にも適用できる点も、図３における説明と同様であるので、その詳細な説明を省略する。
【００８３】
実施例３に係るインプリント用ガラス基板３０ｂによれば、パターン面１１の電位をより安定させ、電子ビームを用いて行うパターン検査において、より高精度な検査を行うことができる。
【実施例４】
【００８４】
図１０は、本発明を適用した実施例４に係るインプリント用ガラス基板３０ｃの断面構成の一例を示した図である。図１０において、パターン面１１ａの微細パターン１５の凸部１２にのみ透明導電膜２０が被覆されている点では、実施例２に係るインプリント用ガラス基板３０ａと同様であるが、ガラス基板１０の裏面１６も更に透明導電膜２０で被覆されている点で、実施例２に係るインプリント用ガラス基板３０ｃと異なっている。
【００８５】
このように、実施例３と同様に、ガラス基板１０の裏面１６も、透明導電膜２０で覆うように構成してよい。これにより、インプリント用ガラス基板３０ｃの裏面１６の電位を安定させることができ、インプリント用ガラス基板３０ｃ全体の電位を安定させることができる。そして、インプリント用ガラス基板３０ｃのパターン面１１ａの電位を更に安定させることができ、電子ビームを用いてもチャージアップを発生させず、高精度なパターン面１１ａの検査を行うことができる。パターン面１１ａの微細パターン１５を、高精度に形成できる点は、実施例２と同様である。
【００８６】
実施例４に係るインプリント用ガラス基板３０ｃの製造方法は、実施例２に係るインプリント用ガラス基板３０ａの製造方法とほぼ同様に製造することができる。具体的には、実施例２の図６（ａ）及び図８（ａ）において、最初にガラス基板１０の裏面にも透明導電膜２０が被覆されたガラス基板１０を用意するようにし、それ以後は図６（ｂ）〜図７（ｃ）、図８（ｂ）〜図８（ｄ）の工程を実行するようにすれば、実施例２に係るインプリント用ガラス基板３０ａと同様の製造方法を適用することができる。
【００８７】
また、レジストパターン形成方法については、実施例１の図３において説明した内容をそのまま実施例４に係るインプリント用ガラス基板３０ｃを用いて実行することができ、シリコン基板４０以外の基板に適用できる点も実施例１と同様である。
【００８８】
実施例４に係るインプリント用ガラス基板３０ｃによれば、パターン面１１ａに形成された微細パターン１５を高精度に形成することができるとともに、パターン面１１ａの電位を更に安定させ、電子ビームを用いて高精度なパターン検査を行うことができる。
【実施例５】
【００８９】
実施例５においては、本発明を適用したインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの検査方法及び検査装置の説明を行う。実施例５に係るインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの検査方法及び検査装置は、実施例１乃至４に係るインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃに共通に適用することができる。
【００９０】
図１１は、実施例５に係るインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの検査装置の全体構成の一例を示した図である。実施例５に係るインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの検査装置においては、写像投影方式が適用されている。
【００９１】
実施例５に係るインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの検査装置は、電子ビームを生成する１次光学系７０と、インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃを載置するステージ１２０と、試料からの放出電子又はミラー電子を拡大結像させる２次光学系９０と、それらの電子を検出する検出器１００と、検出器１００からの信号を処理する画像処理装置１１０と、位置合わせ用の光学顕微鏡１４０と、レビュー用のＳＥＭ１５０とを備える。
【００９２】
１次光学系７０は、電子ビームを生成し、インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃに向けて照射する手段である。１次光学系７０は、電子銃７１と、レンズ７２、７５と、アパーチャ７３、７４と、Ｅ×Ｂフィルタ７６と、レンズ７７、７９、８０と、アパーチャ７８とを有する。電子銃７１により電子ビームが生成され、レンズ７２、７５及びアパーチャ７３、７４により電子ビームが整形されるとともに方向付けられる。そして、Ｅ×Ｂフィルタ７６により、電子ビームは磁界と電界によるローレンツ力の影響を受け、斜め方向から入射してきた電子ビームが、鉛直下方向に偏向されてインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの方に向かう。レンズ７７、７９、８０は、電子ビームを方向付けるとともに、適切な減速を行ってランディングエネルギーＬＥの調整を行う。
【００９３】
１次光学系７０がインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃに向けて照射する電子ビームは、所定の領域を有する電子ビームであり、検出器１００において複数画素分の領域を有する電子ビームである。従って、一度の照射でパターン面１１、１１ａの広い面積領域を照射することができる。例えば、ビーム径φ３００μｍ(又は、２７０×８０〔μm〕程度の楕円)で照射されてもよい。
【００９４】
ランディングエネルギーＬＥの調整は、ランディングエネルギー設定手段１３０により行われる。ランディングエネルギー設定手段１３０は、電子銃７１のカソード電位を設定する加速電圧設定手段１３１と、ステージ１２０側の基板電位を設定する基板電圧調整機構１３２とを備える。ランディングエネルギー設定手段１３０は、加速電圧設定手段１３１及び基板電圧調整機構１３２で電子銃７１側とステージ１２０側の間の電位差を調整することにより、所望のランディングエネルギーＬＥの設定及び調整を行う。
【００９５】
１次光学系７０は、電子ビームのインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃへの照射を行うが、プレチャージ用の第１の電子ビームと撮像用の第２の電子ビームの双方の照射を行うようにしてもよい。
【００９６】
ステージ１２０は、インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃを載置する手段であり、ｘ−ｙの水平方向及びθ方向に移動可能である。また、ステージ１２０は、必要に応じてｚ方向に移動可能であってもよい。ステージ１２０の表面には、静電チャック等の試料固定機構が備えられていてもよい。
【００９７】
ステージ１２０には、基板電圧調整機構１３２が設けられる。基板電圧調整機構１３２は、インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの電位を調整することにより、照射する電子ビームのランディングエネルギーＬＥを調整する。インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃには、負の電圧が印加されており、２次光学系９０の第一レンズ８０の主面の電位が正であり、従って、インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの近傍では、正の電界が形成されている。例えば、基板電圧は、１〜３〔ｋＶ／ｍｍ〕に設定されてもよい。
【００９８】
ステージ１２０上には、インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃが載置されており、１次光学系７０にてランディングエネルギーＬＥ−５〜−１０〔ｅＶ〕でパターン面１１、１１ａに照射する。インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃのパターン面１１上に異物が存在する場合には、異物がチャージアップして、１次光学系４０の入射電子が異物１０に接触せずに跳ね返され、ミラー電子が２次光学系９０により検出器１００に導かれる。一方、異物のない正常な部位は二次放出電子（二次電子、反射電子、後方散乱電子のいずれか、または、混在している状態）が２次光学系９０により検出器１００に導かれる。このとき、二次放出電子は、試料表面２１から広がった方向に放出されるため、透過率が低く、例えば、０．５〜４．０％程度である。これに対し、ミラー電子は、方向が散乱しないので、ほぼ１００％の高い透過率を達成できる。よって、ミラー電子を形成した異物の信号だけが高い輝度（電子数が多い状態）を得ることが可能となり、周囲の二次放出電子との差異・割合が大きく、高いコントラストを得ることが可能となる。
【００９９】
また、ミラー電子の像は、光学倍率よりも拡大するという性質を有する。図１２は、本実施例に係るインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの検査方法で得られるパターン面１１上の異物画像及び概略原理を示した図である。
【０１００】
図１２（ａ）は、本実施例に係るインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの検査方法及び検査装置により得られた４０〔ｎｍ〕のサイズの異物２５０の画像２８０を示す図である。図１２（ａ）において、異物２５０は、ピクセルサイズ２×２〔μｍ〕の領域をおおよそ満たす程度の大きさとなっている。ここで、ピクセルサイズとは、検出器の１画素に対応する試料上の実際のサイズであり、試料上で見ている最小単位のサイズのことを意味する。従って、図１２（ａ）においては、実際の異物サイズは４０〔ｎｍ〕であるにも関わらず、２×２〔μｍ〕の大きさに近い程度に拡大されて画像８０上は表示されている。これはつまり、例えば、ピクセルサイズが１〔μｍ〕、１．５〔μｍ〕程度の大きさで試料表面を検査しても、４０〔ｎｍ〕程度の異物２５０を発見できることを意味する。図１２（ａ）において、異物２５０を検出する撮像用の電子ビームのランディングエネルギーＬＥは、１〔ｅＶ〕であり、ピクセルサイズは１００〔ｎｍ〕である。通常、異物の実際のサイズが４０〔ｎｍ〕である場合には、これを撮像するために４０〔ｎｍ〕より小さいピクセルサイズであることが必要とされるが、本実施例に係る電子線検査方法においては、異物１０が光学倍率よりも拡大された異物の拡大像を取得することができる。
【０１０１】
図１２（ｂ）は、従来のＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）型の異物検査装置で得られる異物サイズ４０〔ｎｍ〕の画像２８０を示した図である。図１２（ｂ）において、図１２（ａ）と同様のピクセルサイズ２×２〔μｍ〕における異物２５０の画像が示されているが、図１２（ａ）で示された異物２５０の画像と比較して、相当に小さいサイズとなっていることが分かる。
【０１０２】
このように、本実施例に係る電子線検査方法は、従来のＳＥＭ方式と比較して、異物２５０のサイズを大幅に拡大して画像を取得することができる。つまり、異物２５０からの信号を光学倍率よりも拡大して検出することができ、超微小サイズの異物２５０に対しても高い感度を実現できるだけでなく、実際の異物よりも大きなピクセルサイズを用いて検出することができる。
【０１０３】
図１２（ｃ）は、インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃのパターン面１１、１１ａ上に異物２５０が存在している状態を示した側面図である。図１２（ｃ）においては、理解の容易のため、微細パターン１５は省略してある。凸部１２の上に異物２５０が存在している状態と考えてもよい。図１２（ｃ）において、異物２５０の表面は球面状であるため、表面から反射される電子信号は、垂直ではなく、広がるように軌道を変えて移動する。これは、異物２５０が球面の表面形状を有することにより、電位分布がパターン面１１、１１ａとは異なる状態となっており、マクロ的にパターン面１１、１１ａを見ると、異物２５０の存在する部分の電位分布が歪んでいるためである。
【０１０４】
図１３は、本実施例に係る異物検査方法により取得される異物２５０の拡大像２８０とその断面階調の一例を示した図である。図１３（ａ）は、本実施例に係る異物検査方法により取得される異物２５０の拡大像２８０の一例を示した図である。図１３（ａ）において、中央の白領域が異物２５０の拡大像２８１であり、黒領域が、インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃのパターン面１１、１１ａの表面画像２８２を示している。ここで、異物サイズ（直径）は４０〔ｎｍ〕であり、光学倍率は３００倍である。このとき、従来の異物検査方法によれば、異物１０の像は４０〔ｎｍ〕×光学倍率３００＝１２〔μｍ〕であるが、図１３（ａ）の本実施例に係る異物検査方法によれば、異物２５０の拡大像２８１のサイズは１９０〔μｍ〕となる。また、検出器の画素サイズは、１５〔μｍ〕である。
【０１０５】
図１３（ｂ）は、ピクセル位置における断面階調を示した図であり、横軸がピクセル位置座標、縦軸が断面階調を示している。図１３（ｂ）において、山になっている部分△が、階調が高くなっている領域であり、図１３（ａ）の白くなっている拡大像２８１の部分である。つまり、画像２８０上の拡大像２８１の横幅△は、１９０〔μｍ〕である。ここで、検出器１００のピクセルサイズが１５〔μｍ〕であるから、従来の方式によれば、異物サイズは画像２８０上では１２〔μｍ〕で表示され、よって、異物２５０の画像は、１ピクセル以下の信号となってしまい、１ピクセルで異物１０を正確に表現することはできない。
【０１０６】
一方、本実施例に係るインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの検査方法及び検査装置によれば、異物２５０の拡大像２８１は、１２．７ピクセルサイズで検出可能である。よって、更に低倍率の大きなピクセルサイズで撮像可能である。大きなピクセルサイズで撮像が可能であれば、パターン面１１、１１ａ全体を高速で検査することが可能となり、高速かつ高スループットの異物検査が可能となる。例えば、異物サイズ１０〜３０〔ｎｍ〕のとき、物面上のピクセルサイズが異物サイズより大きい１００〜１０００〔ｎｍ〕ピクセルサイズの使用が可能となり、高速の異物検査が可能となる。
【０１０７】
このように、ミラー電子の像は、光学倍率よりも拡大され、その拡大率は５〜５０倍に及ぶ。典型的な条件では、２０〜３０倍の場合が多い。このとき、ピクセルサイズは、異物サイズの３倍以上のピクセルサイズで検出可能であり、高速・高スループットで実現できる。よって、例えば、直径２０〔ｎｍ〕サイズの異物１０に対して、６０〔ｎｍ〕ピクセルサイズ、１００〔ｎｍ〕ピクセルサイズ、５００〔ｎｍ〕ピクセルサイズ等３倍以上のピクセルサイズを用いて撮像及び検査することが可能となる。これは、ＳＥＭ方式等に比べて、高スループット化に著しく優位な特徴を有する。
【０１０８】
図１１に戻る。２次光学系９０は、インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃから反射した電子を、検出器１００に導く手段である。２次光学系９０は、レンズ９１、９３と、ＮＡアパーチャ９２と、アライナ９４とを有する。インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃのパターン面１１、１１ａから反射された電子は、対物レンズ８０、レンズ７９、アパーチャ７８、レンズ７７及びＥ×Ｂフィルタ７６を再度通過して、２次光学系９０に導かれる。そして、インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃのパターン面１１、１１ａからの放出電子は、写像光学系により、拡大倍率５０〜５００倍で検出器に結像される。２次光学系９０においては、レンズ９１、ＮＡアパーチャ９２、レンズ９３を通過して電子が集められるとともに、アライナ９４で整えられて検出器１００に電子が検出される。
【０１０９】
なお、異物２５０の材料は、半導体、絶縁物、金属等の種類を選ばない。図１４は、金属材料の異物２５０を示した図である。図１４（ａ）は、パターン面１１上にある金属材料の異物２５０を示した図である。図１４（ｂ）は、金属材料の異物２５０の拡大図である。図１４（ｂ）において、金属・半導体、又はそれらの混在したもの等の異物２５０であっても、表面は自然酸化膜２５１等が形成されており、絶縁材料で覆われる。よって、金属材料の異物２５０についても、酸化膜２５１によるチャージアップの発生があり、これを利用することが可能である。
【０１１０】
図１１に戻る。検出器１００は、２次光学系９０により導かれた電子を検出する手段であり、その検出面に複数の画素（ピクセル）を有する検出器１００が適用される。検出器１００は、検出面に複数画素を有するため、所定の領域を有する電子ビームからの複数の電子を、同時に二次元的に検出することができる。検出器１００は、種々の二次元型センサを適用することができる。例えば、検出器１００には、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）や、ＴＤＩ（Time Delay Integration）−ＣＣＤが適用されてよい。検出器１０に、ＴＤＩ−ＣＣＤが適用された場合には、検出器１００は、ＭＣＰ（Micro Channel Plate）、蛍光板、リレーレンズ、ＴＤＩの構成となる。ＭＣＰにより検出電子量の増倍がなされ、蛍光板にて光信号に変換される。この２次元の光信号は、リレーレンズによりＴＤＩセンサに結像されて、検出される。ＴＤＩでは、試料を連続移動しながら、２次元画像信号の取得が出来るため、高速画像信号取得が可能となる。このＴＤＩからの信号は、画像処理装置１１０により、電子像形成及び欠陥検出、欠陥分類判別がなされる。しかしながら、ＣＣＤ及びＴＤＩ−ＣＣＤは、電子を光に変換してから信号検出を行うセンサであるため、光電変換等の手段を要する。よって、上述のように、光電変換やシンチレータをもちいて、電子を光に変換し、光の像情報を、光を検知するＴＤＩに伝達して検出するという変換プロセルを要する。
【０１１１】
そこで、実施例５においては、検出器１００に、ＥＢ−ＴＤＩを適用した例を挙げて説明する。ＥＢ−ＴＤＩでは、光電変換機構・光伝達機構が不要であり、直接電子がＥＢ−ＴＤＩセンサ面に入射するので、分解能の劣化が無く、高いＭＴＦ（Modulation Transfer Function）及びコントラストを得ることが可能となる。ＥＢ−ＴＤＩを用いると、これまで、検出が不安定であった小さい異物１０の弱い信号のＳ／Ｎを上げることが可能であり、より高い感度を得ることができる。Ｓ／Ｎの向上は１．２〜２倍に達する。
【０１１２】
また、ＥＢ−ＴＤＩの他に、ＥＢ−ＣＣＤを備えて任意に切り替えて交換可能に使用できると有効である。例えば、図１５に示すような使用方法がある。
【０１１３】
図１５は、ＥＢ−ＴＤＩ１０２と、ＥＢ−ＣＣＤ１０１を切り替え可能に、用途に応じて双方を交換可能に使えるようにした検出器１００を示した図である。図１５において、検出器１００は、ＥＢ−ＣＣＤ１０１及びＥＢ−ＴＤＩ１０２を備える。ＥＢ−ＣＣＤ１０１及びＥＢ−ＴＤＩ１０２は、電子ビームを受け取る電子センサであり、検出面に直接に電子ビームｅを入射させる。この構成においては、ＥＢ−ＣＣＤ１０１は、電子ビームの光軸調整、画像撮像条件の調整と最適化を行うのに使用される。一方、ＥＢ−ＴＤＩ１０２を使用する場合には、ＥＢ−ＣＣＤ１０１を移動機構Ｍによって光軸から離れた位置に移動させてから、ＥＢ−ＣＣＤ１０１を使用するときに求めた条件を使用して又はそれを参考にしてＥＢ−ＴＤＩ１０２による撮像を行って、評価又は測定を行う。
【０１１４】
この検出器１００においては、ＥＢ−ＣＣＤ１０１を使用するときに求めた電子光学条件を用いて又はそれを参考にして、ＥＢ−ＴＤＩ１０２によるインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの欠陥検出を行うことができる。ＥＢ−ＴＤＩ１０２による欠陥検査の後に、ＥＢ−ＣＣＤ１０１を使用してレビュー撮像を行い、欠陥の種類やサイズ等の欠陥評価を行うことも可能である。このとき、ＥＢ−ＣＣＤ１０１では、画像の積算が可能であり、それによるノイズの低減が可能で、高いＳ／Ｎで欠陥検出部位のレビュー撮像が可能となる。このとき、更に、ＥＢ−ＣＣＤ７１の画素がＥＢ−ＴＤＩ７２の画素に比べてより小さいものを用いると有効である。つまり、写像投影光学系で拡大された信号のサイズに対して、多くのピクセル数で撮像することが可能となり、より高い分解能で検査や欠陥の種類等の分類・判定のための撮像が可能となる。
【０１１５】
なお、ＥＢ−ＴＤＩ１０２は電子ビームｅを直接受け取って電子像を形成するために使用することができるよう、画素を二次元的に配列した例えば矩形形状をしており、画素サイズは、例えば１２〜１６〔μｍ〕である。一方、ＥＢ−ＣＣＤ１０１の画素サイズは、例えば６〜８〔μｍ〕のものが使用される。
【０１１６】
また、ＥＢ−ＴＤＩ１０２は、パッケージ１０５の形に形成され、パッケージ１０５自体がフィードスルーの役目を果たし、パッケージのピン１０３は大気側にてカメラ１０４に接続される。
【０１１７】
図１１に戻る。画像処理装置１１０は、検出器１００で検出した電子からインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃのパターン面１１、１１ａの表面画像を生成し、欠陥検出を行う欠陥検出手段である。画像処理装置１１０は、画像生成と、欠陥を検出するための演算処理を行うので、コンピュータ等の演算処理手段が適用されてよい。
【０１１８】
次に、図１６を用いて、画像処理装置１１０で行われる欠陥検出のための演算処理の一例について説明する。図１６は、ダイ−ダイ比較による欠陥検出の方法の一例を示した図である。
【０１１９】
図１６（ａ）は、インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃに微細パターン１５が形成された領域（ダイ）が複数存在する例を示した図である。図１６（ａ）において、ダイ１とダイ２が示されているが、各ダイは、通常、同様のパターンが形成されている。このとき、２つのダイの同一部位を比較することにより、パターン信号に差異が生じた場合、その部位に欠陥があると判定できる。図１６の例では、ダイ１とダイ２に同様のパターンが作成されている。この二つのダイの同一パターン領域を比較して、もしも一方に欠陥があれば、比較画像(比較して差分の信号をえる)にて、欠陥部の信号を検出して、欠陥の判定ができる。
【０１２０】
図１６（ｂ）は、ダイのパターン例とパターン欠陥部の例を示した図である。図１６（ｂ）に示されたパターン例において、最も左のパターンには欠損が生じており、真ん中のパターンには余分なパターンが形成されており、最も右のパターンは正常なパターンが形成されている。これを、総て正常なパターンを有するダイと比較をして差分信号を得ると、パターンが欠損した部分とはみ出した部分は、差分が０にはならず、正か負の信号が検出され、欠陥部の信号が検出されることになる。例えば、このようにして、インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃに形成されたダイ同士を比較して、欠陥を検出するようにしてもよい。なお、欠陥には、パターン不良や異物付着のいずれか又は双方が含まれてよい。
【０１２１】
また、２つのダイで比較するのではなく、ＣＡＤデータとの比較を行うことも可能である。ＣＡＤデータには、欠陥が無いため、電子ビームを照射して得られた検査画像との比較を行い、差異があるとその部位に欠陥があると判定できる。
図１７は、電子ビームの照射方法の一例について説明するための図である。図１７のダイ１に示すように、パターン欠陥検査でダイ−ダイまたはＣＡＤデータ−ダイの検査を行うときに、ダイのエリアの外側５〜５００〔μm〕の範囲を照射領域として選択して電子ビームを照射すると、継続して第２の検査としてパーティクル検査を行うときに大変有効となる。パターン欠陥検査での電子ビーム照射が次のパーティクル検査のプレチャージ効果を含んでいるとき、パーティクル検査を行うエリア（ケアエリア）がダイのパターン形成エリアとすると、上述したように、ダイの外部に最初の第１の検査でビームを照射すると、その部位にもプレチャージされて、プレチャージが行われた表面電位状態の均一性が高まる。
【０１２２】
また、他の効果として、次のような利点がある。つまり、スキャンを行うときに、ケアエリアの手前で、電子ブームのブランキングを解除してビーム照射を行うことが重要である。そのときに、ケアエリアでブランキングを解除すると、解除時の電子ビーム照射ムラ（ドーズ不均一）が発生してしまうからである。よって、このようなドーズ不均一を防ぎ、安定したケアエリアの像を得るために、図１７に示すように、一定距離外側で電子ビームのブランキング解除を行い、電子ビーム照射を開始すると均質な像を得ることができ、高精度のパターン検査が可能となる。
【０１２３】
次に、実施例５に係るインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの検査装置において、電子ビーム照射工程が、第１の電子ビームを照射する工程と、第２の電子ビームを照射する工程の２つの工程を含み、第１の電子ビームと第２の電子ビームのランディングエネルギーＬＥ１、ＬＥ２が異なる場合について考える。
【０１２４】
例えば、パターン欠陥検査時のランディングエネルギーを、第１のランディングエネルギーＬＥ１とする。その後、ダイ領域内における異物検査を行うが、このときのランディングエネルギーを第２のランディングエネルギーＬＥ２とする。このとき、ＬＥ１＞ＬＥ２とすると大変効果的である。異物２５０の検出では、第１の電子ビームによるプレチャージにより、異物２５０の表面電位を安定化させると検出感度を高くできるからである。第１のランディングエネルギーＬＥ１でチャージアップした電位よりも低い第２のランディングエネルギーＬＥ２で電子ビームを照射すると、チャージアップ電圧の影響を強く受けて、異物２５０からの２次電子放出電子の軌道が大きく変化し、高いＳ／Ｎを得ることが可能となる。
【０１２５】
また、プレチャージとなる第１の電子ビームのランディングエネルギーＬＥ１と、第２の電子ビームのランディングエネルギーＬＥ２の差異は、実験してみると５〜２０〔ｅＶ〕程度が良い。また、好ましくは、１０〜１５〔ｅＶ〕が良い。これは、異物２５０と周囲との電位差があるときに、第１のランディングエネルギーＬＥ１の電子ビームを負帯電領域で照射すると、第１のランディングエネルギーＬＥ１の値により、チャージアップ電圧は異なる。第２のランディングエネルギーＬＥ２との相対比により、第１のランディングエネルギーＬＥ１が大きいとチャージアップ電圧が高く、異物２５０の上方（検出器１００側）で反射ポイントが形成される。この位置により、ミラー電子の軌道と透過率が変化して最適なチャージアップ電圧条件が決まる。また、第１のランディングエネルギーＬＥ１が低すぎると、ミラー電子形成の効率が低下する。本件では、この第１のランディングエネルギーＬＥ１と第２のランディングエネルギーＬＥ２の差異が上記の範囲であるのが望ましいことを発見・発明している。また、第１のランディングエネルギーＬＥ１の値は、０〜４０〔ｅＶ〕、好ましくは５〜２０〔ｅＶ〕であることが望ましい。
【０１２６】
次に、今まで説明した実施例５に係るインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの検査装置を用いて、インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃのパターン面１１、１１ａ上の異物１５０の検査を行う例を述べる。１次系電子ビームが試料に照射されるエネルギーＬＥが３〔ｅＶ〕を採用したとする。このとき、ランディングエネルギーＬＥは、１次系の電子銃７１のカソード電圧とインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの電圧(印加電圧)との差が、照射される電子ビームのエネルギーとなる。このビームの照射により、異物がチャージアップして、異物２５０に照射されるビームだけがミラー電子となり、２次光学系９０によって検出器１００に導かれる。異物２５０のない正常部では、ビーム照射による２次放出電子（二次電子、反射電子、後方散乱電子またはそれらの混在したもの）が２次光学系９０により検出器１００に導かれる。このとき、二次放出電子の放出率ηはＬＥ＝０に近いほど低下する(０に近付く)。更に、パターン面１１、１１ａからの放出方向が発散分布を持っているため、(例えば、二次電子であればコサイン即に従う)、２次光学系９０にて検出器１００に到達する割合は、設計計算上、〜数％程度である。このように、ミラー電子の到達率が高く、周囲部位の到達率・放出率が低いので、相対的に大きな電子数の比、つまり輝度の差が発生する。従って、大きなコントラスト、Ｓ／Ｎを得ることが可能となる。例えば、１００〔nmPx〕、２０〔ｎｍ〕φの異物２５０で、Ｓ／Ｎ＝５〜１０が得られる。通常、Ｓ／Ｎ≧３で充分検出・検査可能であるので、このようなごく微小の異物２５０の検査を、異物サイズより大きなピクセルサイズにて実現することが可能となる。
【０１２７】
次に、実施例５に係るインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの検査装置で、プレチャージを用いた例を述べる。プレチャージのランディングエネルギーＬＥ１＝１６〔ｅＶ〕、撮像・検査時のランディングエネルギーＬＥ２＝３〔ｅＶ〕で、絶縁物の異物２５０を効率よく検査できる。パターン面１１、１１ａに被覆された透明導電膜２０、２０ａ及び金属膜２１の面上の異物２５０を検査可能である。この工程では、検査領域全面に第１のランディングエネルギーＬＥ１で電子ビームを照射する。次に、第２のランディングエネルギーＬＥ２で電子ビームを照射して、異物２５０の撮像・検査を実施することができる。これは、プレチャージ効果がどの程度の時間維持できるかによるが、通常、除電処理等施さないと、１０〜３０時間程度、場合によっては１５０時間以上、維持可能である。
【０１２８】
この様なプレチャージを行った場合、プレチャージを行わない場合と比較すると、ミラー電子形成の効果を大きくできて、Ｓ／Ｎを３〜１０倍程度向上することが可能である。
【実施例６】
【０１２９】
図１８は、本発明を適用した実施例６に係るインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの検査装置の全体構成の一例を示した図である。実施例６においては、装置系を含めたインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの検査装置の例について説明する。
【０１３０】
図１８において、本実施例に係る異物検査装置は、ロードポート１９０と、ミニエンバイロメント１８０と、ロードロック１６２と、トランスファーチャンバ１６１と、メインチャンバ１６０と、電子線コラム系２００と、画像処理装置系１１０がある。ミニエンバイロメント１８０には、大気搬送ロボット、基板アライメント装置、クリーンエアー供給機構等がある（図示せず）。トランスファーチャンバ１６１には、真空用搬送ロボットがあり（図示せず）、常に真空状態のトランスファーチャンバ１６１にロボットがあることにより、圧力変動によるパーティクル等の発生を最小限に抑制することが可能である。
【０１３１】
メインチャンバ１６０には、ｘ、ｙ、θ(回転)方向に移動するステージ１２０がありその上に静電チャックが設置されている。インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃそのもの又はインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃがパレットや冶具に設置された状態で、静電チャックに設置される。
【０１３２】
メインチャンバ１６０は、チャンバ内は、真空制御系２３０により、真空状態が保たれるように制御される。また、メインチャンバ１６０、トランスファーチャンバ１６１及びロードロック１６２は、除振台１７０上に載置され、床からの振動が伝達されないように構成されている。
【０１３３】
また、メインチャンバ１６０には電子コラム２００が設置されている。このコラムには、1次光学系７０及び２次光学系９０のコラムとインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃのからの２次放出電子またはミラー電子等を検出する検出器１００が設置されている。検出器１００からの信号は画像処理装置系１１０に送られて信号処理される。信号処理は、検査を行っているオンタイム中の処理と画像のみ取得して後で処理するオフライン処理の両方が可能である。画像処理装置で処理されたデータはハードディスクやメモリなどの記録媒体に保存される。また、必要に応じて、コンソールのモニタに表示することが可能である。例えば、検査領域・異物数マップ・異物サイズ分布/マップ・異物分類・パッチ画像等である。このような信号処理を行うため、システムソフト２２０が備えられている。また、電子コラム系に電源を供給すべく、電子光学系制御電源２１０が備えられている。
【０１３４】
次に、インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの搬送機構について説明する。
【０１３５】
インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃは、ロードポートより、ミニエンバイロメント１８０中に搬送され、その中でアライメント作業がおこなわれる。大気搬送ロボットによりロードロック１６２に搬送される。ロードロック１６２では、大気から真空状態に真空ポンプ（図示せず）により排気される。一定圧力１〔Ｐａ〕程度以下になると、トランスファーチャンバ１６１にある真空搬送ロボットによりロードロック１６２からメインチャンバ１６０にインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃが搬送される。そして、ステージ１２０上の静電チャック機構上に設置される。
【０１３６】
そして、ｘ、ｙ、ｚ、θステージ１２０及び光学顕微鏡１５０により、高精度のアライメントが行われる。そして、電子ビームを用いた写像投影光学系によりインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの異物検査及びパターン欠陥検査が行われる。このとき、パターン面１１、１１ａの表面電位が重要である。その表面電位を測定するために、真空中で測定可能な表面電位装置がメインチャンバ１６０に取り付けられている。この表面電位測定器により試料上の２次元の表面電位分布を測定して、電子像を形成する２次光学系９０のフォーカス制御を行う。インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの２次元的位置のフォーカスマップをこの電位分布を元に製作して、検査中のフォーカスを変更制御しながら、検査を行う。これにより、場所による表面電位の変化による像のボケや歪みを減少でき、精度の良い安定した画像を取得する検査が可能となる。
【０１３７】
以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１３８】
【図１】実施例１に係るインプリント用ガラス基板３０の断面構成例を示した図である。
【図２】インプリント用ガラス基板３０のガラス基板の断面構成図である。
【図３】シリコン基板４０上にレジストパターンを形成する製造工程を示した図である。図３（ａ）は、シリコン基板４０及びインプリント用ガラス基板３０を用意する工程を示した図である。図３（ｂ）は、レジスト膜５０にパターン面１１を押し当てた工程を示した図である。図３（ｃ）は、光を照射した工程を示した図である。図３（ｄ）は、インプリント用ガラス基板３０を分離した工程を示した図である。
【図４】透明導電膜２０の透過率特性の一例を示した図である。
【図５】実施例２に係るインプリント用ガラス基板３０ａの断面構成例を示した図である。
【図６】インプリント用ガラス基板３０ａのレジスト形成までの製造工程を示した図である。図６（ａ）は、透明導電膜２０を被覆した状態を示した図である。図６（ｂ）は、金属膜２１を被覆する工程を示した図である。図６（ｃ）は、レジスト６０を被覆した工程を示した図である。これにより、金属膜２１をエッチング加工することが可能な状態となる。図６（ｄ）は、レジストパターンを形成した工程を示した図である。
【図７】レジストパターン形成後から完成までの製造工程を示した図である。図７（ａ）は、金属膜２１をパターン形成した工程を示した図である。図７（ｂ）は、透明導電膜２０に微細パターン１５が形成された工程を示した図である。図７（ｃ）は、インプリント用ガラス基板３０ａが完成した工程を示した図である。
【図８】実施例２に係るインプリント用ガラス基板の他の製造方法を示した図である。図８（ａ）は、透明導電膜２０がコートされた工程を示した図である。図８（ｂ）は、レジスト６０がコートされた工程を示した図である。図８（ｃ）は、レジスト６０をエッチングした工程を示した図である。図８（ｄ）は、インプリント用ガラス基板３０ａが完成した工程を示した図である。
【図９】実施例３に係るインプリント用ガラス基板３０ｂの断面構成例を示した図である。
【図１０】実施例４に係るインプリント用ガラス基板３０ｃの断面構成を示した図である。
【図１１】実施例５に係るインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの検査装置の全体構成の一例を示した図である。
【図１２】本実施例の検査方法で得られる異物画像及び概略原理を示した図である。図１２（ａ）は、本実施例の検査方法及び検査装置により得られた異物２５０の画像２８０を示す図である。図１２（ｂ）は、従来の異物検査装置で得られる画像２８０を示した図である。図１２（ｃ）は、異物２５０が存在している状態を示した側面図である。
【図１３】異物２５０の拡大像２８０とその断面階調の一例を示した図である。図１３（ａ）は、異物２５０の拡大像２８０の一例を示した図である。図１３（ｂ）は、ピクセル位置における断面階調を示した図である。
【図１４】図１４は、金属材料の異物２５０を示した図である。図１４（ａ）は、金属材料の異物２５０を示した図である。図１４（ｂ）は、異物２５０の拡大図である。
【図１５】ＥＢ−ＴＤＩ１０２と、ＥＢ−ＣＣＤ１０１を交換可能に使えるようにした検出器１００を示した図である。
【図１６】ダイ−ダイ比較による欠陥検出方法の一例を示した図である。図１６（ａ）は、ダイが複数存在する例を示した図である。図１６（ｂ）は、ダイのパターン例とパターン欠陥部の例を示した図である。
【図１７】電子ビームの照射の方法の一例について説明するための図である。
【図１８】実施例６に係る検査装置の全体構成の一例を示した図である。
【符号の説明】
【０１３９】
１０ ガラス基板
１１、１１ａ パターン面
１２ 凸部
１３ 凹部
１５ 微細パターン
１６ 裏面
２０ 透明導電膜
３０、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ インプリント用ガラス基板
４０ シリコン基板
５０、６０ レジスト
７０ １次光学系
７１ 電子銃
７２、７５、７７、７９、８０、９１、９３ レンズ
７３、７４、７８、９２ アパーチャ
７６ Ｅ×Ｂフィルタ
９０ ２次光学系
９４ アライナ
１００ 検出器
１０１ ＥＢ−ＣＣＤ
１０２ ＥＢ−ＴＤＩ
１０３ ピン
１０４ カメラ
１０５ パッケージ
１１０ 画像処理装置
１２０ ステージ
１３０ ランディングエネルギー設定手段
１３１ 加速電圧設定手段
１３２ 基板電圧調整機構
１４０ 光学顕微鏡
１５０ ＳＥＭ
１６０ メインチャンバ
１６１ トランスファーチャンバ
１６２ ロードロックチャンバ
１７０ 除振台
１８０ ミニエンバイロメント
１９０ ロードポート
２００ 電子光学系
２１０ 電子光学系制御装置
２２０ システムソフト
２５０ 異物
２８０ 画像
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント用ガラス基板、レジストパターン形成方法、インプリント用ガラス基板の検査方法及び検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ナノインプリント用モールドとして、屈曲がある基板にも元のパターンが均一に転写され、かつ、圧力による損傷及びレジンによる汚染が発生せず、パターンの精度を高くするとともに、耐久力を向上させるため、それぞれの役割について効果的な材料を積層し、基板、基板上に形成されて凹凸パターンを有するパターン部、パターン部の表面の上にパターン部より硬度の高い材質で形成された硬質層、及び硬質層の表面の上に形成された離型層を含むナノインプリント用モールドが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
かかるナノインプリント用モールドは、パターン部は柔軟性のある材料で形成されて屈曲がある基板にも対応できるように変形可能に構成され、硬質層にはシリコン酸化物（ＳｉＯ２）又はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの酸化膜が適用されて耐久性と転写パターンの精度を向上させ、離型層には有機分子膜が適用されてナノスケールの構造が刻印されるポリマー薄膜間の分離を容易にするように構成されている。
【０００４】
一方、特許文献１のようなインプリント用モールドのパターン欠陥や、パターン部の表面に存在する異物を検出するための検査を行う場合には、光を用いた検査を行う場合が一般的であった。つまり、暗視野・散乱方式でナノインプリント用モールドの表面画像を取得し、パターン欠陥や異物の存在を検出するようにしていた。
【特許文献１】特開２００８−６８６１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述の特許文献１に記載のナノインプリント用モールドに対し、従来から実行されている光方式の検査では、検出感度が不十分であるという問題があった。つまり、光方式の検査では、サイズが５０〜１００〔ｎｍ〕以下の超微細なパターンや、異物又は有機物等の付着については、検出感度が極端に低下し、適用が困難になるという問題があった。これは、光の波長よりパターン及び異物サイズが小さくなり、Ｓ／Ｎ（Signal／Noise、信号／雑音）が低下することが大きな要因と考えられている。
【０００６】
また、別の検査方法として、光方式より高感度な電子ビームを用いたＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）方式による欠陥検査も可能である。例えば、ビーム径を絞ることにより、対象異物よりも小さいピクセルサイズを用いることができるので、高分解能で異物の検査を行うことが可能であり、特許文献１に記載のナノインプリント用モールドも検査することが可能である。しかし、ＳＥＭ方式では、ピクセルサイズが小さいので、検査時間が膨大になり、現実的な時間での検査が困難であり、実用的ではないという問題があった。更に、電子ビームを上述のナノインプリント用モールドに照射すると、ナノインプリント用モールドは総てガラス等の絶縁物の材料で構成されているため、チャージアップ（帯電）が顕著となり、適切がパターン画像を取得することができないという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明は、超微小サイズ５０〜１００〔ｎｍ〕以下のパターン及び異物の検査について、高感度、高速及び高スループットを実現できるインプリント用ガラス基板、レジストパターン形成方法、インプリント用ガラス基板の検査方法及び検査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、第１の発明に係るインプリント用ガラス基板は、インプリント用の微細パターンが形成されたパターン面を有するガラス基板を備えたインプリント用ガラス基板であって、
該パターン面に、透明導電膜が被覆されていることを特徴とする。
【０００９】
これにより、パターン面に導電膜が形成されるため、パターン検査時に電子ビームが照射されてもチャージアップを防ぐことができ、適切な検査を行うことが可能となり、高精度のパターン形成を実現することができる。また、導電膜は透明であるので、マスクとしての機能を適正に維持することができ、他の基板のレジスト膜へのレジストパターン形成を高精度に行うことができる。
【００１０】
第２の発明は、第１の発明に係るインプリント用ガラス基板において、
前記パターン面全体が前記透明導電膜で被覆されていることを特徴とする。
【００１１】
これにより、確実にインプリント用ガラス基板のパターン面の電位を安定させ、電子ビームによりパターン検査を行ってもチャージアップの発生が抑制され、適切な検査による高精度なパターン形成を行うことができる。
【００１２】
第３の発明は、第１の発明に係るインプリント用ガラス基板において、
前記微細パターンの凸部のみが前記透明導電膜で被覆されていることを特徴とする。
【００１３】
これにより、蒸着を用いずに全面を透明導電膜で被覆してからエッチングによりパターンを形成することが可能となるので、ガラス基板に形成するパターンの精度を向上させ、高精度なパターンを有するマスクとすることができる。
【００１４】
第４の発明は、第１〜３のいずれかの発明に係るインプリント用ガラス基板において、
前記パターン面の裏面が前記透明導電膜で被覆されていることを特徴とする。
【００１５】
これにより、裏面の電位を安定させることができ、インプリント用ガラス基板の電位を安定させた状態で電子ビームにより検査を行うことができる。
【００１６】
第５の発明に係るレジストパターン形成方法は、第１〜４のいずれかの発明に係るインプリント用ガラス基板を用いたレジストパターン形成方法であって、
基板の表面に形成されたレジスト膜に、前記インプリント用ガラス基板のパターン面を押し当て、微細パターンを前記レジスト膜に転写する工程と、
光を前記インプリント用ガラス基板側から前記基板に照射し、前記レジスト膜を硬化させる工程と、
前記インプリント用ガラス基板を、前記基板の前記レジスト面から分離する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１７】
これにより、適切な検査により高精度なパターンが形成されたインプリント用ガラス基板を用いてインプリントを行うことができ、加工対象の基板上に高精度なレジストパターンを形成することができる。
【００１８】
第６の発明は、第５の発明に係るレジストパターン形成方法において、
前記光は、紫外光であることを特徴とする。
【００１９】
これにより、紫外光を用いてレジストを硬化させることができ、高精度なレジストパターンを形成することができる。
【００２０】
第７の発明に係るインプリント用ガラス基板の検査方法は、第１〜４のいずれかの発明に係るインプリント用ガラス基板を検査するインプリント用ガラス基板の検査方法であって、
ステージ上に載置された前記インプリント用ガラス基板のパターン面に、所定の照射領域を有する電子ビームを照射する電子ビーム照射工程と、
該電子ビームの照射により前記パターン面から発生した複数の電子を、複数画素を有する検出面で同時に検出する電子検出工程と、
該検出面で検出された電子から前記パターン面の画像を取得し、前記パターン面の欠陥を検出する欠陥検出工程と、を含むことを特徴とする。
【００２１】
これにより、インプリント用ガラス基板のパターン面の電位が透明導電膜により安定した状態で電子ビームを照射することができ、照射面積の広い電子ビームを用いた写像投影方式により、パターン面の二次元画像を検出面上に結像させて取得することができるので、高速かつ高スループットで適切なパターン面の欠陥検査を行うことができる。
【００２２】
第８の発明は、第７の発明に係るインプリント用ガラス基板の検査方法において、
前記電子ビーム照射工程は、第１の電子ビームを照射する工程と、次いで、該第１の電子ビームよりもランディングエネルギーの低い第２の電子ビームを照射する工程とを含むことを特徴とする。
【００２３】
これにより、第１の電子ビームでインプリント用ガラス基板のパターン面の帯電状態を調整した後、第２の電子ビームでパターン面の画像を取得することができ、良好な状態でパターン面画像を取得することができ、高精度な検査を行うことができる。
【００２４】
第９の発明は、第８の発明に係るインプリント用ガラス基板の検査方法において、
前記第２の電子ビームのランディングエネルギーは、−１０ｅＶ以上１０ｅＶ以下であることを特徴とする。
【００２５】
これにより、低ランディングエネルギーを有する第２の電子ビームの照射により、パターン面からミラー電子を発生させ、パターン面の欠陥を拡大して画像取得を行うことができ、欠陥検出を容易かつ高精度に行うことができる。
【００２６】
第１０の発明は、第７〜９のいずれかの発明に係るインプリント用ガラス基板の検査方法において、
前記電子検出工程は、ＥＢ−ＴＤＩにより行われることを特徴とする。
【００２７】
これにより、電子を光に変換することなく直接的に電子を検出することができ、パターン面の画像取得を簡素かつ容易に行うことができる。
【００２８】
第１１の発明は、第７〜１０のいずれかの発明に係るインプリント用ガラス基板の検査方法において、
前記欠陥検出工程で検出する前記欠陥は、パターン不良及び／又は異物の付着を含むことを特徴とする。
【００２９】
これにより、パターン不良と異物の付着の双方をパターン面の欠陥として検出することができる。
【００３０】
第１２の発明に係るインプリント用ガラス基板の検査装置は、第１〜４のいずれかの発明に係るインプリント用ガラス基板を検査するインプリント用ガラス基板の検査装置であって、
ステージ上に載置された前記インプリント用ガラス基板のパターン面に、所定の照射領域を有する電子ビームを照射する電子銃と、
該電子ビームの照射により前記パターン面から発生した複数の電子を、複数画素を有する検出面で同時に検出する検出器と、
該検出面で検出された電子から前記パターン面の画像を取得し、前記パターン面の欠陥を検出する欠陥検出手段と、を含むことを特徴とする。
【００３１】
これにより、インプリント用ガラス基板のパターン面の電位を安定させた状態で、写像投影型電子線欠陥検査装置を用いて、インプリント用ガラス基板をチャージアップさせることなく、広い領域を有する電子ビームの照射によりパターン面の画像を取得して欠陥検査を行うことができ、高速、高スループットで高精度のパターン面の検査を行うことができる。
【００３２】
第１３の発明は、第１２の発明に係るインプリント用ガラス基板の検査装置において、
前記電子銃が、第１の電子ビームと、該第１の電子ビームよりもランディングエネルギーの低い第２の電子ビームを連続的に照射可能なように、前記電子ビームのランディングエネルギーを設定するランディングエネルギー設定手段を更に有することを特徴とする。
【００３３】
これにより、適切なランデシィングエネルギーの設定により、インプリント用ガラス基板の帯電状態を調整するのに適するランディングエネルギーの電子ビームをまず照射し、次いで検査に適するランディングエネルギーに設定した電子ビームを照射してパターン面の画像を取得することができ、良好なパターン面画像を取得して高精度な検査を行うことができる。
【００３４】
第１４の発明は、第１３の発明に係るインプリント用ガラス基板の検査装置において、
前記第２の電子ビームのランディングエネルギーは、−１０ｅＶ以上１０ｅＶ以下であることを特徴とする。
【００３５】
これにより、低ランディングエネルギーの電子ビームを用いて、ミラー電子によるパターン面の画像を取得することができ、良好なパターン画像を用いて高精度な検査を行うことができる。また、パターン面上の欠陥を光学倍率よりも拡大してパターン画像を取得することができ、欠陥検出を容易に行うことができる。
【００３６】
第１５の発明は、第１２〜１４のいずれかの発明に係るインプリント用ガラス基板の検査装置において、
前記検出器は、ＥＢ−ＴＤＩであることを特徴とする。
【００３７】
これにより、電子を光に変換することなく直接的に検出してパターン面の画像を取得することができ、簡素かつ容易に検査を行うことができる。
【００３８】
第１６の発明は、第１２〜１５のいずれかの発明に係るインプリント用ガラス基板の検査装置において、
前記欠陥検出手段で検出する前記欠陥は、パターン不良及び／又は異物の付着を含むことを特徴とする。
【００３９】
これにより、パターン不良と異物の双方の欠陥を検査することができる。
【発明の効果】
【００４０】
本発明によれば、ナノオーダーの微細パターンが形成されたインプリント用ガラス基板について、高精度に微細パターンを検査することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態の説明を行う。
【実施例１】
【００４２】
図１は、本発明を適用した実施例１に係るインプリント用ガラス基板３０の断面構成の一例を示した図である。実施例１に係るインプリント用ガラス基板３０は、ガラス基板１０と、ガラス基板１０の表面に被覆された透明導電膜２０とを有する。
【００４３】
ガラス基板１０は、透明で光を透過するガラス材から構成された基板である。ガラス基板１０は、様々な種類のガラスが材料として利用されてよく、例えば、石英ガラスが適用されてもよい。ガラス基板１０の表面には、微細パターン１５が形成されたパターン面１１が形成される。微細パターン１５は、例えば、凹凸を有する形状パターンであってよい。図１においては、ガラス基板１０の表面に、凸部１２と凹部１３とが形成されており、凹凸形状の微細パターン１５を有するパターン面１１を構成している。微細パターン１５は、例えば、そのパターンの幅が１０〜２０〔ｎｍ〕、又は１０〜５０〔ｎｍ〕、或いは１０〜１００〔ｎｍ〕といったナノオーダーのパターンとして形成されてよい。
【００４４】
ガラス基板１０のパターン面１１上には、透明導電膜２０がコートされている。透明導電膜２０は、ガラス基板１０のパターン面１１の全面に被覆されており、微細パターン１５の総てを被覆している。透明導電膜２０は、透明で光を透過するとともに、導電性を有する膜である。透過導電膜２０のコート厚さは、例えば０．１〜１０〔ｎｍ〕で制御される。透過導電膜２０の抵抗値は１００〜１０００〔μΩ-cm〕程度であってよく、ＵＶ光透過率は約７０％程度であってよい。
【００４５】
透明導電膜２０には、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜が適用される。ＩＴＯ膜は、一般に酸化インジュウムに５〜１０ｗｔ％の酸化スズを添加したものである。その他、透明導電膜２０として、酸化スズや酸化亜鉛を用いることもできる。本実施例に係るインプリント用ガラス基板３０の製造工程では、ガラス基板１０の微細パターン１５が形成された後に透明導電膜２０が被覆される。
【００４６】
図２は、実施例１に係るインプリント用ガラス基板３０のガラス基板１０の断面構成を示した図である。図１で説明したように、ガラス基板１０は、一方の表面に微細パターン１５が形成されたパターン面１１を有している。従来は、このようなガラス基板１０の状態で、インプリント用ガラス基板としてそのまま利用していた。これに対し、図１で説明した実施例１に係るインプリント用ガラス基板３０は、パターン面１１の全面に透明導電膜２０が被覆されているので、ガラス基板１０の透明性を維持しつつ、パターン面１１の表面を導体とすることができる。
【００４７】
図３は、実施例１に係るインプリント用ガラス基板３０を用いて、シリコン基板４０上にレジストパターンを形成する製造工程を示した図である。
【００４８】
図３（ａ）は、シリコン基板４０及びインプリント用ガラス基板３０を用意する工程を示した図である。シリコン基板４０の一方の表面全体には、レジスト膜５０が形成されている。かかるレジスト膜５０にレジストパターンを形成することにより、次のエッチング工程でシリコン基板４０上に所望のパターンを形成することができる。
【００４９】
一方、図３（ａ）において、レジスト膜５０が形成されたシリコン基板４０の上に、実施例１に係るインプリント用ガラス基板３０が、パターン面１１をレジスト膜５０に対向した状態で用意される。このインプリント用ガラス基板３０のパターン面１１に形成された微細パターン１５を、シリコン基板４０のレジスト膜５０に転写することにより、レジスト膜５０に所定のレジストパターンを形成することができる。
【００５０】
図３（ｂ）は、シリコン基板４０上のレジスト膜５０に、インプリント用ガラス基板３０のパターン面１１を押し当てた工程を示した図である。図３（ｂ）において、インプリント用ガラス基板３０は、シリコン基板４０に到達するまでレジスト膜５０に押し当てられている。これにより、レジスト膜５０が、インプリント用ガラス基板３０の成形されたパターン面１１に合わせたパターン形状に変形し、微細パターン１５が転写される。
【００５１】
図３（ｃ）は、シリコン基板４０にインプリント用ガラス基板３０側から光を照射した工程を示した図である。インプリント用ガラス基板３０を構成するガラス基板１０は透明であり、透明導電膜２０も透明であるので、インプリント用ガラス基板３０の裏面（パターン面１１と反対側の面）から照射された光は、インプリント用ガラス基板３０を透過してレジスト膜５０に到達し、レジスト膜５０が硬化する。なお、このときの光は、レジスト膜５０を硬化させることができれば、種々の光が用いられてよいが、例えばＵＶ光（Ultraviolet、紫外光）を用いてもよい。レジスト膜５０は、紫外光等の光が照射されると、硬化する材料を用いる。
【００５２】
図３（ｄ）は、インプリント用ガラス基板３０をシリコン基板４０のレジスト膜５０から分離した工程を示した図である。紫外光の照射を終え、インプリント用ガラス基板３０を分離すると、シリコン基板４０上には、レジスト膜５０による所定のレジストパターンが形成されている。このレジストパターンを用いて、次にエッチング工程等によりシリコン基板４０上に所望の凹凸微細パターン１５を有するパターン形状に加工することが可能となる。なお、図３においては、レジストパターン形成対象の基板として、シリコン基板４０を例に挙げて説明したが、表面にレジスト膜１５がコートされていれば、他の種類の基板に対しても同様に本レジストパターン形成方法を適用することができる。
【００５３】
このように、本実施例に係るレジストパターンの形成方法は、通常のインプリント用ガラス基板と同様の製造工程で、実施例１に係るインプリント用ガラス基板３０を用いて実行することができる。よって、高精度な微細パターン１５を有するレジストパターンをシリコン基板４０上のレジスト膜５０に形成するためには、インプリント用ガラス基板３０に形成された微細パターン１５を高精度に形成する必要があることが分かる。
【００５４】
つまり、このプロセスにおいて、インプリント用ガラス基板３０の検査は、レジスト面に押し当ててパターン転写をする前に必要となる。インプリント用ガラス基板３０にパターン欠陥や異物があると、転写されるレジストパターンに、正規のパターン形状から変形したパターン欠陥の形状を転写してしまう。また、異物があると異物の影響を受けて、正常なパターンが転写されない。または、異物の影響によりレジストの厚み方向にも変形を生じて、形成されたレジストパターンを用いてウエハがエッチングされたときに、該当部位だけ深くエッチングされ、ピンホールなどの不良を生じる。このように、インプリント用ガラス基板３０の微細パターン１５の不良や異物があると、結果として、正常な半導体・LＳＩ構造を形成できずに、製造した半導体が不良品となってしまう。
【００５５】
このため、インプリント用ガラス基板３０の欠陥検査が重要となる。インプリントのパターン転写では、パターン形状がそのまま転写されるため、パターンサイズが１００〔ｎｍ〕以下、例えばＬ／Ｓ（Line／Space）の線とスペース幅が夫々１００〔ｎｍ〕以下となる。このように、微細なパターンでは、光での分解ができなくなるので、光検査装置での対応が困難となり、電子線を用いた欠陥検査装置を用いるのが有効となる。特に、写像投影型電子線欠陥検査装置は、２次元像を連続的に撮像できるため、高速で、高分解能で微細パターン１５と微小異物の検査を行うときに有効な手段である、ただし、写像投影型電子線欠陥検査装置は、チャージアップ（帯電）等により表面電位の変動があると、得られる像が安定しない課題がある。よって、写像投影型電子線欠陥検査装置では、絶縁体のガラス基板１０を撮像するのは困難であった。この問題を解決するため、本実施例では、ガラス基板１０のパターン面１１に、透明導電膜２０をコートしている。これにより、ガラス基板１０の表面電位が安定し、写像投影型電子線欠陥検査装置を用いたときに、安定した電子像が得られる。なお、検査の具体的な方法や装置の構成については、後述する。
【００５６】
図４は、本実施例に係るインプリント用ガラス基板３０に用いられる透明導電膜２０の透過率特性の一例を示した図である。通常、金属は光（可視光）を反射するが、図４に示すように、透明導電膜２０においては、可視光領域（図４中、Visibleで示されている領域）で８０％の透過率を示していることが分かる。このように、本実施例に係るインプリント用ガラス基板３０においては、透過率を低下させることなくパターン面１１を導電性にできることが分かる。なお、図４において、可視光領域よりもやや波長が短い紫外光の領域も、高い透過率を示している。このように、本実施例に係るインプリント用ガラス基板３０は、可視光の光だけでなく、紫外光も利用可能である。
【００５７】
また、パターン面１１を導電性にすると、種々の電子ビームを用いたパターン面１１の検査が可能となる。一般に、電子ビームを基板等の試料に照射して、試料から発生した電子を検出することにより、試料表面の画像を光照射よりも遙かに高精度に取得することができる。よって、微細パターン１５がナノオーダーの場合には、光ビームを用いた検査よりも電子ビームを用いた検査を行うことが好ましいが、電子ビームによる検査は、試料がチャージアップ（帯電）してしまうと、適切な表面画像を取得することができない。試料のチャージアップは、試料が絶縁体である場合に発生し易い。よって、本実施例に係るインプリント用ガラス基板３０のように、ガラス基板１０が絶縁体でチャージアップし易い材料であっても、検査対象となるパターン面１１に透明導電膜２０を被覆することにより、チャージアップを発生し難くすることができる。そうすると、パターン面１１を、電子ビームを用いて高精度に検査することが可能となるので、微細パターン１５を高精度に形成することが可能となる。よって、本実施例に係るインプリント用ガラス基板３０は、そのような電子ビームを用いた高精度な欠陥検査を行うことを可能とするものである。
【００５８】
なお、実施例１に係るインプリント用ガラス基板３０の製造方法は、例えば、図２で示した状態の微細パターン１５が形成されたガラス基板１０のパターン面１１の全面に、蒸着で透明導電膜２０を被覆するようにして製造してよい。例えば、処理チャンバ内にガラス基板１０を載置し、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により透明導電膜２０を蒸着させるようにしてよい。これにより、ガラス基板１０のパターン面１１の全面に透明導電膜２０を形成することができる。その他、透明導電膜２０は、めっきにより形成してもよい。例えば、めっき液を満たしためっき槽にガラス基板１０を浸漬し、電気めっき又は無電解めっき等により透明導電膜２０を形成するようにしてもよい。
【００５９】
実施例１に係るインプリント用ガラス基板３０によれば、パターン面１１全体が透明導電膜２０で覆われているため、表面電位を確実に安定化させ、電子ビームによる高分解能なパターン面１１の検査を適切に行うことができる。
【実施例２】
【００６０】
図５は、本発明を適用した実施例２に係るインプリント用ガラス基板３０ａの断面構成の一例を示した図である。図５において、ガラス基板１０のパターン面１１ａに透明導電膜２０が被覆されている点では、実施例１に係るインプリント用ガラス基板３０と同様であるが、透明導電膜２０が、パターン面１１ａの全面ではなく、微細パターン１５の凸部１２にのみ形成されている点で、実施例１に係るインプリント用ガラス基板とは異なっている。このように、パターン面１１ａの全面ではなく、透明導電膜２０の一部のみ、例えば凸部１２のみを被覆するようにしてもよい。微細パターン１５のパターン幅は、１０〜２０〔ｎｍ〕と極めて微小であるので、凸部１２のみに透明導電膜２０が形成されておいても、絶縁体のガラス基板１０からなるパターン面１１ａは、導電性が相当に高まると考えられ、検査時のチャージアップ抑制には大きな効果が得られる。
【００６１】
図６及び図７は、実施例２の係るインプリント用ガラス基板３０ａの製造方法の一例を示した図である。図６は、インプリント用ガラス基板３０ａのレジスト形成までの製造工程を示した図である。
【００６２】
図６（ａ）は、ガラス基板１０の全面に、透明導電膜２０を被覆した状態を示した図である。このように、実施例２に係るインプリント用ガラス基板３０ａの製造方法においては、ガラス基板１０のパターン加工を行う前に、ガラス基板１０の微細パターン１５を形成する面（加工前のフラット面）に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電膜２０をコートする。
【００６３】
図６（ｂ）は、透明導電膜２０の上に、更に金属膜２１を被覆する工程を示した図である。金属膜２１は、ハードパターンマスクの役割を果たす。金属膜２１は、例えば、Ｃｒ膜であってもよい。
【００６４】
図６（ｃ）は、金属膜２１の更に上に、レジスト６０を被覆した工程を示した図である。これにより、金属膜２１をエッチング加工することが可能な状態となる。
【００６５】
図６（ｄ）は、レジスト６０をエッチング加工し、レジストパターンを形成した工程を示した図である。レジスト６０のエッチングは、例えば、反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching）等により、微細加工に適した手法が用いられてよい。このようにして、レジストパターンが形成される。
【００６６】
図７は、レジストパターン形成後から、実施例２に係るインプリント用ガラス基板３０ａの完成までの製造工程を示した図である。
【００６７】
図７（ａ）は、金属膜２１がエッチングされ、金属膜２１をハードパターンマスクとしてパターン形成した工程を示した図である。これにより、金属膜２１をマスクとして機能させて透明導電膜２０に微細パターン１５を形成することが可能となる。
【００６８】
図７（ｂ）は、透明導電膜２０がエッチングされ、透明導電膜２０に微細パターン１５が形成された工程を示した図である。図７（ｂ）において、微細パターン１５の凸部１２を形成しようとする部分に、透明導電膜２０が残された状態となる。
【００６９】
図７（ｃ）は、ガラス基板１０がエッチングされ、実施例２に係るインプリント用ガラス基板３０ａが完成した工程を示した図である。図７（ｃ）においては、ガラス基板１０上に微細パターン１５が形成され、パターン面１１ａが完成する。
【００７０】
ここで、図７（ａ）〜（ｃ）の工程は、総てエッチングによりパターン形成が行われている。エッチングは、上述のように、反応性イオンエッチング等の、微細加工に適した方法が適用されてよい。エッチング加工によれば、凹部１３等の深さは角度等を、高精度に制御することができるので、微細パターン１５を高精度に形成することができる。実施例１に係るインプリント用ガラス基板３０の製造方法では、微細パターン１５の形成後に蒸着により透明導電膜２０を形成していたため、微細パターン１５の側壁や凹部１３の角部の膜厚等が制御できず、例えば、部分的に厚くなったり、角部が丸くなったりするという状態が発生し易かった。しかしながら、実施例２に係るインプリント用ガラス基板３０ａの製造方法によれば、凸部１２のみ透明導電膜２０が存在するので、膜の形状が丸くなる、又は、厚みが異なる部分があるなどの変動要因が無くパターン転写及びレジストの硬化を実現できる。また、インプリント用ガラス基板３０ａのパターン面１１ａの凸部１２の電位を安定させることができる。実施例２の方式では、透明導電膜２０の代わりに、金、Ｐｔ、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｒ、ＣｒＮ等の金属膜やＤＬＣ（Diamond-like Carbon）、カーボン、導電性の有機膜等を用いることが可能である。これらは、紫外光の透過率は低いが、コートされていない、微細パターン１５の凹部１３の側壁及び底部から紫外光の伝播が行われ、レジスト５０の硬化が達成できる。
【００７１】
このように、実施例２に係るインプリント用ガラス基板３０ａを用いると、シリコン基板４０等の基板に対し、高精度なレジストパターンを形成できるとともに、ガラス基板１０のパターン面１１ａの電位を安定できる。よって、写像投影型電子線欠陥装置によるインプリント用ガラス基板３０ａのパターン検査及び異物検査を実現することができる。
【００７２】
図８は、図６及び図７とは異なる実施例２に係るインプリント用ガラス基板３０ａの製造方法を示した図である。
【００７３】
図８（ａ）は、ガラス基板１０の全面に透明導電膜２０がコートされた工程を示した図である。この工程は、図６（ａ）の工程と同様であるので、構成要素に同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００７４】
図８（ｂ）は、透明導電膜２０の上にレジスト６０がコートされた工程を示した図である。このように、透明導電膜２０の上に金属膜２１を形成せず、直接レジスト６０を形成するようにしてもよい。
【００７５】
図８（ｃ）は、レジスト６０をエッチングした工程を示した図である。エッチングは、反応性イオンエッチング等の高精度な微細加工が可能なエッチング方法で行われてよい。
【００７６】
図８（ｄ）は、透明導電膜２０及びガラス基板１０がエッチングされ、実施例２に係るインプリント用ガラス基板３０ａが完成した工程を示した図である。図８（ｄ）においても、加工はエッチングにより行われているため、凹部１３の側壁や底部は十分に制御され、高精度な微細パターン１５を形成することができる。
【００７７】
このように、金属膜２１を形成せずに、透明導電膜２０上に直接的にレジスト膜６０を形成してエッチング加工を行うようにしてもよい。
【００７８】
なお、実施例１の図３において説明したレジストパターンの形成方法は、実施例２に係るインプリント用ガラス基板３０ａを用いて実行することができる。実施例２に係るインプリント用ガラス基板３０ａによれば、パターン面１１ａの微細パターン１５を高精度にパターン形成できるため、高精度なレジストパターンをシリコン基板４０上のレジスト膜５０に形成することができる。
【実施例３】
【００７９】
図９は、本発明を適用した実施例３に係るインプリント用ガラス基板３０ｂの断面構成の一例を示した図である。図９において、パターン面１１の全面に透明導電膜２０が被覆されている点では、実施例１に係るインプリント用ガラス基板３０と同様であるが、更にガラス基板１０の裏面１６も、透明導電膜２０で被覆されている点で、実施例１に係るインプリント用ガラス基板３０と異なっている。
【００８０】
このように、ガラス基板１０の裏面１６も、透明導電膜２０で覆うように構成してもよい。これにより、インプリント用ガラス基板３０ｂの裏面１６の電位も安定するので、インプリント用ガラス基板３０ｂ全体の電位がより安定し、パターン面１１の電位を更に安定させることができる。
【００８１】
なお、実施例３に係るインプリント用ガラス基板３０ｂの製造方法は、ガラス基板１０の裏面１６にも蒸着やめっき等により透明導電膜２０を被覆すればよく、実施例１において説明したのと同様の製造方法で製造することができる。
【００８２】
また、実施例１の図３において説明したレジストパターン形成方法についても、同様の方法を適用することができ、シリコン基板４０以外の基板にも適用できる点も、図３における説明と同様であるので、その詳細な説明を省略する。
【００８３】
実施例３に係るインプリント用ガラス基板３０ｂによれば、パターン面１１の電位をより安定させ、電子ビームを用いて行うパターン検査において、より高精度な検査を行うことができる。
【実施例４】
【００８４】
図１０は、本発明を適用した実施例４に係るインプリント用ガラス基板３０ｃの断面構成の一例を示した図である。図１０において、パターン面１１ａの微細パターン１５の凸部１２にのみ透明導電膜２０が被覆されている点では、実施例２に係るインプリント用ガラス基板３０ａと同様であるが、ガラス基板１０の裏面１６も更に透明導電膜２０で被覆されている点で、実施例２に係るインプリント用ガラス基板３０ｃと異なっている。
【００８５】
このように、実施例３と同様に、ガラス基板１０の裏面１６も、透明導電膜２０で覆うように構成してよい。これにより、インプリント用ガラス基板３０ｃの裏面１６の電位を安定させることができ、インプリント用ガラス基板３０ｃ全体の電位を安定させることができる。そして、インプリント用ガラス基板３０ｃのパターン面１１ａの電位を更に安定させることができ、電子ビームを用いてもチャージアップを発生させず、高精度なパターン面１１ａの検査を行うことができる。パターン面１１ａの微細パターン１５を、高精度に形成できる点は、実施例２と同様である。
【００８６】
実施例４に係るインプリント用ガラス基板３０ｃの製造方法は、実施例２に係るインプリント用ガラス基板３０ａの製造方法とほぼ同様に製造することができる。具体的には、実施例２の図６（ａ）及び図８（ａ）において、最初にガラス基板１０の裏面にも透明導電膜２０が被覆されたガラス基板１０を用意するようにし、それ以後は図６（ｂ）〜図７（ｃ）、図８（ｂ）〜図８（ｄ）の工程を実行するようにすれば、実施例２に係るインプリント用ガラス基板３０ａと同様の製造方法を適用することができる。
【００８７】
また、レジストパターン形成方法については、実施例１の図３において説明した内容をそのまま実施例４に係るインプリント用ガラス基板３０ｃを用いて実行することができ、シリコン基板４０以外の基板に適用できる点も実施例１と同様である。
【００８８】
実施例４に係るインプリント用ガラス基板３０ｃによれば、パターン面１１ａに形成された微細パターン１５を高精度に形成することができるとともに、パターン面１１ａの電位を更に安定させ、電子ビームを用いて高精度なパターン検査を行うことができる。
【実施例５】
【００８９】
実施例５においては、本発明を適用したインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの検査方法及び検査装置の説明を行う。実施例５に係るインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの検査方法及び検査装置は、実施例１乃至４に係るインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃに共通に適用することができる。
【００９０】
図１１は、実施例５に係るインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの検査装置の全体構成の一例を示した図である。実施例５に係るインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの検査装置においては、写像投影方式が適用されている。
【００９１】
実施例５に係るインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの検査装置は、電子ビームを生成する１次光学系７０と、インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃを載置するステージ１２０と、試料からの放出電子又はミラー電子を拡大結像させる２次光学系９０と、それらの電子を検出する検出器１００と、検出器１００からの信号を処理する画像処理装置１１０と、位置合わせ用の光学顕微鏡１４０と、レビュー用のＳＥＭ１５０とを備える。
【００９２】
１次光学系７０は、電子ビームを生成し、インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃに向けて照射する手段である。１次光学系７０は、電子銃７１と、レンズ７２、７５と、アパーチャ７３、７４と、Ｅ×Ｂフィルタ７６と、レンズ７７、７９、８０と、アパーチャ７８とを有する。電子銃７１により電子ビームが生成され、レンズ７２、７５及びアパーチャ７３、７４により電子ビームが整形されるとともに方向付けられる。そして、Ｅ×Ｂフィルタ７６により、電子ビームは磁界と電界によるローレンツ力の影響を受け、斜め方向から入射してきた電子ビームが、鉛直下方向に偏向されてインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの方に向かう。レンズ７７、７９、８０は、電子ビームを方向付けるとともに、適切な減速を行ってランディングエネルギーＬＥの調整を行う。
【００９３】
１次光学系７０がインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃに向けて照射する電子ビームは、所定の領域を有する電子ビームであり、検出器１００において複数画素分の領域を有する電子ビームである。従って、一度の照射でパターン面１１、１１ａの広い面積領域を照射することができる。例えば、ビーム径φ３００μｍ(又は、２７０×８０〔μm〕程度の楕円)で照射されてもよい。
【００９４】
ランディングエネルギーＬＥの調整は、ランディングエネルギー設定手段１３０により行われる。ランディングエネルギー設定手段１３０は、電子銃７１のカソード電位を設定する加速電圧設定手段１３１と、ステージ１２０側の基板電位を設定する基板電圧調整機構１３２とを備える。ランディングエネルギー設定手段１３０は、加速電圧設定手段１３１及び基板電圧調整機構１３２で電子銃７１側とステージ１２０側の間の電位差を調整することにより、所望のランディングエネルギーＬＥの設定及び調整を行う。
【００９５】
１次光学系７０は、電子ビームのインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃへの照射を行うが、プレチャージ用の第１の電子ビームと撮像用の第２の電子ビームの双方の照射を行うようにしてもよい。
【００９６】
ステージ１２０は、インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃを載置する手段であり、ｘ−ｙの水平方向及びθ方向に移動可能である。また、ステージ１２０は、必要に応じてｚ方向に移動可能であってもよい。ステージ１２０の表面には、静電チャック等の試料固定機構が備えられていてもよい。
【００９７】
ステージ１２０には、基板電圧調整機構１３２が設けられる。基板電圧調整機構１３２は、インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの電位を調整することにより、照射する電子ビームのランディングエネルギーＬＥを調整する。インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃには、負の電圧が印加されており、２次光学系９０の第一レンズ８０の主面の電位が正であり、従って、インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの近傍では、正の電界が形成されている。例えば、基板電圧は、１〜３〔ｋＶ／ｍｍ〕に設定されてもよい。
【００９８】
ステージ１２０上には、インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃが載置されており、１次光学系７０にてランディングエネルギーＬＥ−５〜−１０〔ｅＶ〕でパターン面１１、１１ａに照射する。インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃのパターン面１１上に異物が存在する場合には、異物がチャージアップして、１次光学系４０の入射電子が異物１０に接触せずに跳ね返され、ミラー電子が２次光学系９０により検出器１００に導かれる。一方、異物のない正常な部位は二次放出電子（二次電子、反射電子、後方散乱電子のいずれか、または、混在している状態）が２次光学系９０により検出器１００に導かれる。このとき、二次放出電子は、試料表面２１から広がった方向に放出されるため、透過率が低く、例えば、０．５〜４．０％程度である。これに対し、ミラー電子は、方向が散乱しないので、ほぼ１００％の高い透過率を達成できる。よって、ミラー電子を形成した異物の信号だけが高い輝度（電子数が多い状態）を得ることが可能となり、周囲の二次放出電子との差異・割合が大きく、高いコントラストを得ることが可能となる。
【００９９】
また、ミラー電子の像は、光学倍率よりも拡大するという性質を有する。図１２は、本実施例に係るインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの検査方法で得られるパターン面１１上の異物画像及び概略原理を示した図である。
【０１００】
図１２（ａ）は、本実施例に係るインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの検査方法及び検査装置により得られた４０〔ｎｍ〕のサイズの異物２５０の画像２８０を示す図である。図１２（ａ）において、異物２５０は、ピクセルサイズ２×２〔μｍ〕の領域をおおよそ満たす程度の大きさとなっている。ここで、ピクセルサイズとは、検出器の１画素に対応する試料上の実際のサイズであり、試料上で見ている最小単位のサイズのことを意味する。従って、図１２（ａ）においては、実際の異物サイズは４０〔ｎｍ〕であるにも関わらず、２×２〔μｍ〕の大きさに近い程度に拡大されて画像８０上は表示されている。これはつまり、例えば、ピクセルサイズが１〔μｍ〕、１．５〔μｍ〕程度の大きさで試料表面を検査しても、４０〔ｎｍ〕程度の異物２５０を発見できることを意味する。図１２（ａ）において、異物２５０を検出する撮像用の電子ビームのランディングエネルギーＬＥは、１〔ｅＶ〕であり、ピクセルサイズは１００〔ｎｍ〕である。通常、異物の実際のサイズが４０〔ｎｍ〕である場合には、これを撮像するために４０〔ｎｍ〕より小さいピクセルサイズであることが必要とされるが、本実施例に係る電子線検査方法においては、異物１０が光学倍率よりも拡大された異物の拡大像を取得することができる。
【０１０１】
図１２（ｂ）は、従来のＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）型の異物検査装置で得られる異物サイズ４０〔ｎｍ〕の画像２８０を示した図である。図１２（ｂ）において、図１２（ａ）と同様のピクセルサイズ２×２〔μｍ〕における異物２５０の画像が示されているが、図１２（ａ）で示された異物２５０の画像と比較して、相当に小さいサイズとなっていることが分かる。
【０１０２】
このように、本実施例に係る電子線検査方法は、従来のＳＥＭ方式と比較して、異物２５０のサイズを大幅に拡大して画像を取得することができる。つまり、異物２５０からの信号を光学倍率よりも拡大して検出することができ、超微小サイズの異物２５０に対しても高い感度を実現できるだけでなく、実際の異物よりも大きなピクセルサイズを用いて検出することができる。
【０１０３】
図１２（ｃ）は、インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃのパターン面１１、１１ａ上に異物２５０が存在している状態を示した側面図である。図１２（ｃ）においては、理解の容易のため、微細パターン１５は省略してある。凸部１２の上に異物２５０が存在している状態と考えてもよい。図１２（ｃ）において、異物２５０の表面は球面状であるため、表面から反射される電子信号は、垂直ではなく、広がるように軌道を変えて移動する。これは、異物２５０が球面の表面形状を有することにより、電位分布がパターン面１１、１１ａとは異なる状態となっており、マクロ的にパターン面１１、１１ａを見ると、異物２５０の存在する部分の電位分布が歪んでいるためである。
【０１０４】
図１３は、本実施例に係る異物検査方法により取得される異物２５０の拡大像２８０とその断面階調の一例を示した図である。図１３（ａ）は、本実施例に係る異物検査方法により取得される異物２５０の拡大像２８０の一例を示した図である。図１３（ａ）において、中央の白領域が異物２５０の拡大像２８１であり、黒領域が、インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃのパターン面１１、１１ａの表面画像２８２を示している。ここで、異物サイズ（直径）は４０〔ｎｍ〕であり、光学倍率は３００倍である。このとき、従来の異物検査方法によれば、異物１０の像は４０〔ｎｍ〕×光学倍率３００＝１２〔μｍ〕であるが、図１３（ａ）の本実施例に係る異物検査方法によれば、異物２５０の拡大像２８１のサイズは１９０〔μｍ〕となる。また、検出器の画素サイズは、１５〔μｍ〕である。
【０１０５】
図１３（ｂ）は、ピクセル位置における断面階調を示した図であり、横軸がピクセル位置座標、縦軸が断面階調を示している。図１３（ｂ）において、山になっている部分△が、階調が高くなっている領域であり、図１３（ａ）の白くなっている拡大像２８１の部分である。つまり、画像２８０上の拡大像２８１の横幅△は、１９０〔μｍ〕である。ここで、検出器１００のピクセルサイズが１５〔μｍ〕であるから、従来の方式によれば、異物サイズは画像２８０上では１２〔μｍ〕で表示され、よって、異物２５０の画像は、１ピクセル以下の信号となってしまい、１ピクセルで異物１０を正確に表現することはできない。
【０１０６】
一方、本実施例に係るインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの検査方法及び検査装置によれば、異物２５０の拡大像２８１は、１２．７ピクセルサイズで検出可能である。よって、更に低倍率の大きなピクセルサイズで撮像可能である。大きなピクセルサイズで撮像が可能であれば、パターン面１１、１１ａ全体を高速で検査することが可能となり、高速かつ高スループットの異物検査が可能となる。例えば、異物サイズ１０〜３０〔ｎｍ〕のとき、物面上のピクセルサイズが異物サイズより大きい１００〜１０００〔ｎｍ〕ピクセルサイズの使用が可能となり、高速の異物検査が可能となる。
【０１０７】
このように、ミラー電子の像は、光学倍率よりも拡大され、その拡大率は５〜５０倍に及ぶ。典型的な条件では、２０〜３０倍の場合が多い。このとき、ピクセルサイズは、異物サイズの３倍以上のピクセルサイズで検出可能であり、高速・高スループットで実現できる。よって、例えば、直径２０〔ｎｍ〕サイズの異物１０に対して、６０〔ｎｍ〕ピクセルサイズ、１００〔ｎｍ〕ピクセルサイズ、５００〔ｎｍ〕ピクセルサイズ等３倍以上のピクセルサイズを用いて撮像及び検査することが可能となる。これは、ＳＥＭ方式等に比べて、高スループット化に著しく優位な特徴を有する。
【０１０８】
図１１に戻る。２次光学系９０は、インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃから反射した電子を、検出器１００に導く手段である。２次光学系９０は、レンズ９１、９３と、ＮＡアパーチャ９２と、アライナ９４とを有する。インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃのパターン面１１、１１ａから反射された電子は、対物レンズ８０、レンズ７９、アパーチャ７８、レンズ７７及びＥ×Ｂフィルタ７６を再度通過して、２次光学系９０に導かれる。そして、インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃのパターン面１１、１１ａからの放出電子は、写像光学系により、拡大倍率５０〜５００倍で検出器に結像される。２次光学系９０においては、レンズ９１、ＮＡアパーチャ９２、レンズ９３を通過して電子が集められるとともに、アライナ９４で整えられて検出器１００に電子が検出される。
【０１０９】
なお、異物２５０の材料は、半導体、絶縁物、金属等の種類を選ばない。図１４は、金属材料の異物２５０を示した図である。図１４（ａ）は、パターン面１１上にある金属材料の異物２５０を示した図である。図１４（ｂ）は、金属材料の異物２５０の拡大図である。図１４（ｂ）において、金属・半導体、又はそれらの混在したもの等の異物２５０であっても、表面は自然酸化膜２５１等が形成されており、絶縁材料で覆われる。よって、金属材料の異物２５０についても、酸化膜２５１によるチャージアップの発生があり、これを利用することが可能である。
【０１１０】
図１１に戻る。検出器１００は、２次光学系９０により導かれた電子を検出する手段であり、その検出面に複数の画素（ピクセル）を有する検出器１００が適用される。検出器１００は、検出面に複数画素を有するため、所定の領域を有する電子ビームからの複数の電子を、同時に二次元的に検出することができる。検出器１００は、種々の二次元型センサを適用することができる。例えば、検出器１００には、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）や、ＴＤＩ（Time Delay Integration）−ＣＣＤが適用されてよい。検出器１０に、ＴＤＩ−ＣＣＤが適用された場合には、検出器１００は、ＭＣＰ（Micro Channel Plate）、蛍光板、リレーレンズ、ＴＤＩの構成となる。ＭＣＰにより検出電子量の増倍がなされ、蛍光板にて光信号に変換される。この２次元の光信号は、リレーレンズによりＴＤＩセンサに結像されて、検出される。ＴＤＩでは、試料を連続移動しながら、２次元画像信号の取得が出来るため、高速画像信号取得が可能となる。このＴＤＩからの信号は、画像処理装置１１０により、電子像形成及び欠陥検出、欠陥分類判別がなされる。しかしながら、ＣＣＤ及びＴＤＩ−ＣＣＤは、電子を光に変換してから信号検出を行うセンサであるため、光電変換等の手段を要する。よって、上述のように、光電変換やシンチレータをもちいて、電子を光に変換し、光の像情報を、光を検知するＴＤＩに伝達して検出するという変換プロセルを要する。
【０１１１】
そこで、実施例５においては、検出器１００に、ＥＢ−ＴＤＩを適用した例を挙げて説明する。ＥＢ−ＴＤＩでは、光電変換機構・光伝達機構が不要であり、直接電子がＥＢ−ＴＤＩセンサ面に入射するので、分解能の劣化が無く、高いＭＴＦ（Modulation Transfer Function）及びコントラストを得ることが可能となる。ＥＢ−ＴＤＩを用いると、これまで、検出が不安定であった小さい異物１０の弱い信号のＳ／Ｎを上げることが可能であり、より高い感度を得ることができる。Ｓ／Ｎの向上は１．２〜２倍に達する。
【０１１２】
また、ＥＢ−ＴＤＩの他に、ＥＢ−ＣＣＤを備えて任意に切り替えて交換可能に使用できると有効である。例えば、図１５に示すような使用方法がある。
【０１１３】
図１５は、ＥＢ−ＴＤＩ１０２と、ＥＢ−ＣＣＤ１０１を切り替え可能に、用途に応じて双方を交換可能に使えるようにした検出器１００を示した図である。図１５において、検出器１００は、ＥＢ−ＣＣＤ１０１及びＥＢ−ＴＤＩ１０２を備える。ＥＢ−ＣＣＤ１０１及びＥＢ−ＴＤＩ１０２は、電子ビームを受け取る電子センサであり、検出面に直接に電子ビームｅを入射させる。この構成においては、ＥＢ−ＣＣＤ１０１は、電子ビームの光軸調整、画像撮像条件の調整と最適化を行うのに使用される。一方、ＥＢ−ＴＤＩ１０２を使用する場合には、ＥＢ−ＣＣＤ１０１を移動機構Ｍによって光軸から離れた位置に移動させてから、ＥＢ−ＣＣＤ１０１を使用するときに求めた条件を使用して又はそれを参考にしてＥＢ−ＴＤＩ１０２による撮像を行って、評価又は測定を行う。
【０１１４】
この検出器１００においては、ＥＢ−ＣＣＤ１０１を使用するときに求めた電子光学条件を用いて又はそれを参考にして、ＥＢ−ＴＤＩ１０２によるインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの欠陥検出を行うことができる。ＥＢ−ＴＤＩ１０２による欠陥検査の後に、ＥＢ−ＣＣＤ１０１を使用してレビュー撮像を行い、欠陥の種類やサイズ等の欠陥評価を行うことも可能である。このとき、ＥＢ−ＣＣＤ１０１では、画像の積算が可能であり、それによるノイズの低減が可能で、高いＳ／Ｎで欠陥検出部位のレビュー撮像が可能となる。このとき、更に、ＥＢ−ＣＣＤ７１の画素がＥＢ−ＴＤＩ７２の画素に比べてより小さいものを用いると有効である。つまり、写像投影光学系で拡大された信号のサイズに対して、多くのピクセル数で撮像することが可能となり、より高い分解能で検査や欠陥の種類等の分類・判定のための撮像が可能となる。
【０１１５】
なお、ＥＢ−ＴＤＩ１０２は電子ビームｅを直接受け取って電子像を形成するために使用することができるよう、画素を二次元的に配列した例えば矩形形状をしており、画素サイズは、例えば１２〜１６〔μｍ〕である。一方、ＥＢ−ＣＣＤ１０１の画素サイズは、例えば６〜８〔μｍ〕のものが使用される。
【０１１６】
また、ＥＢ−ＴＤＩ１０２は、パッケージ１０５の形に形成され、パッケージ１０５自体がフィードスルーの役目を果たし、パッケージのピン１０３は大気側にてカメラ１０４に接続される。
【０１１７】
図１１に戻る。画像処理装置１１０は、検出器１００で検出した電子からインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃのパターン面１１、１１ａの表面画像を生成し、欠陥検出を行う欠陥検出手段である。画像処理装置１１０は、画像生成と、欠陥を検出するための演算処理を行うので、コンピュータ等の演算処理手段が適用されてよい。
【０１１８】
次に、図１６を用いて、画像処理装置１１０で行われる欠陥検出のための演算処理の一例について説明する。図１６は、ダイ−ダイ比較による欠陥検出の方法の一例を示した図である。
【０１１９】
図１６（ａ）は、インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃに微細パターン１５が形成された領域（ダイ）が複数存在する例を示した図である。図１６（ａ）において、ダイ１とダイ２が示されているが、各ダイは、通常、同様のパターンが形成されている。このとき、２つのダイの同一部位を比較することにより、パターン信号に差異が生じた場合、その部位に欠陥があると判定できる。図１６の例では、ダイ１とダイ２に同様のパターンが作成されている。この二つのダイの同一パターン領域を比較して、もしも一方に欠陥があれば、比較画像(比較して差分の信号をえる)にて、欠陥部の信号を検出して、欠陥の判定ができる。
【０１２０】
図１６（ｂ）は、ダイのパターン例とパターン欠陥部の例を示した図である。図１６（ｂ）に示されたパターン例において、最も左のパターンには欠損が生じており、真ん中のパターンには余分なパターンが形成されており、最も右のパターンは正常なパターンが形成されている。これを、総て正常なパターンを有するダイと比較をして差分信号を得ると、パターンが欠損した部分とはみ出した部分は、差分が０にはならず、正か負の信号が検出され、欠陥部の信号が検出されることになる。例えば、このようにして、インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃに形成されたダイ同士を比較して、欠陥を検出するようにしてもよい。なお、欠陥には、パターン不良や異物付着のいずれか又は双方が含まれてよい。
【０１２１】
また、２つのダイで比較するのではなく、ＣＡＤデータとの比較を行うことも可能である。ＣＡＤデータには、欠陥が無いため、電子ビームを照射して得られた検査画像との比較を行い、差異があるとその部位に欠陥があると判定できる。
図１７は、電子ビームの照射方法の一例について説明するための図である。図１７のダイ１に示すように、パターン欠陥検査でダイ−ダイまたはＣＡＤデータ−ダイの検査を行うときに、ダイのエリアの外側５〜５００〔μm〕の範囲を照射領域として選択して電子ビームを照射すると、継続して第２の検査としてパーティクル検査を行うときに大変有効となる。パターン欠陥検査での電子ビーム照射が次のパーティクル検査のプレチャージ効果を含んでいるとき、パーティクル検査を行うエリア（ケアエリア）がダイのパターン形成エリアとすると、上述したように、ダイの外部に最初の第１の検査でビームを照射すると、その部位にもプレチャージされて、プレチャージが行われた表面電位状態の均一性が高まる。
【０１２２】
また、他の効果として、次のような利点がある。つまり、スキャンを行うときに、ケアエリアの手前で、電子ブームのブランキングを解除してビーム照射を行うことが重要である。そのときに、ケアエリアでブランキングを解除すると、解除時の電子ビーム照射ムラ（ドーズ不均一）が発生してしまうからである。よって、このようなドーズ不均一を防ぎ、安定したケアエリアの像を得るために、図１７に示すように、一定距離外側で電子ビームのブランキング解除を行い、電子ビーム照射を開始すると均質な像を得ることができ、高精度のパターン検査が可能となる。
【０１２３】
次に、実施例５に係るインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの検査装置において、電子ビーム照射工程が、第１の電子ビームを照射する工程と、第２の電子ビームを照射する工程の２つの工程を含み、第１の電子ビームと第２の電子ビームのランディングエネルギーＬＥ１、ＬＥ２が異なる場合について考える。
【０１２４】
例えば、パターン欠陥検査時のランディングエネルギーを、第１のランディングエネルギーＬＥ１とする。その後、ダイ領域内における異物検査を行うが、このときのランディングエネルギーを第２のランディングエネルギーＬＥ２とする。このとき、ＬＥ１＞ＬＥ２とすると大変効果的である。異物２５０の検出では、第１の電子ビームによるプレチャージにより、異物２５０の表面電位を安定化させると検出感度を高くできるからである。第１のランディングエネルギーＬＥ１でチャージアップした電位よりも低い第２のランディングエネルギーＬＥ２で電子ビームを照射すると、チャージアップ電圧の影響を強く受けて、異物２５０からの２次電子放出電子の軌道が大きく変化し、高いＳ／Ｎを得ることが可能となる。
【０１２５】
また、プレチャージとなる第１の電子ビームのランディングエネルギーＬＥ１と、第２の電子ビームのランディングエネルギーＬＥ２の差異は、実験してみると５〜２０〔ｅＶ〕程度が良い。また、好ましくは、１０〜１５〔ｅＶ〕が良い。これは、異物２５０と周囲との電位差があるときに、第１のランディングエネルギーＬＥ１の電子ビームを負帯電領域で照射すると、第１のランディングエネルギーＬＥ１の値により、チャージアップ電圧は異なる。第２のランディングエネルギーＬＥ２との相対比により、第１のランディングエネルギーＬＥ１が大きいとチャージアップ電圧が高く、異物２５０の上方（検出器１００側）で反射ポイントが形成される。この位置により、ミラー電子の軌道と透過率が変化して最適なチャージアップ電圧条件が決まる。また、第１のランディングエネルギーＬＥ１が低すぎると、ミラー電子形成の効率が低下する。本件では、この第１のランディングエネルギーＬＥ１と第２のランディングエネルギーＬＥ２の差異が上記の範囲であるのが望ましいことを発見・発明している。また、第１のランディングエネルギーＬＥ１の値は、０〜４０〔ｅＶ〕、好ましくは５〜２０〔ｅＶ〕であることが望ましい。
【０１２６】
次に、今まで説明した実施例５に係るインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの検査装置を用いて、インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃのパターン面１１、１１ａ上の異物１５０の検査を行う例を述べる。１次系電子ビームが試料に照射されるエネルギーＬＥが３〔ｅＶ〕を採用したとする。このとき、ランディングエネルギーＬＥは、１次系の電子銃７１のカソード電圧とインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの電圧(印加電圧)との差が、照射される電子ビームのエネルギーとなる。このビームの照射により、異物がチャージアップして、異物２５０に照射されるビームだけがミラー電子となり、２次光学系９０によって検出器１００に導かれる。異物２５０のない正常部では、ビーム照射による２次放出電子（二次電子、反射電子、後方散乱電子またはそれらの混在したもの）が２次光学系９０により検出器１００に導かれる。このとき、二次放出電子の放出率ηはＬＥ＝０に近いほど低下する(０に近付く)。更に、パターン面１１、１１ａからの放出方向が発散分布を持っているため、(例えば、二次電子であればコサイン即に従う)、２次光学系９０にて検出器１００に到達する割合は、設計計算上、〜数％程度である。このように、ミラー電子の到達率が高く、周囲部位の到達率・放出率が低いので、相対的に大きな電子数の比、つまり輝度の差が発生する。従って、大きなコントラスト、Ｓ／Ｎを得ることが可能となる。例えば、１００〔nmPx〕、２０〔ｎｍ〕φの異物２５０で、Ｓ／Ｎ＝５〜１０が得られる。通常、Ｓ／Ｎ≧３で充分検出・検査可能であるので、このようなごく微小の異物２５０の検査を、異物サイズより大きなピクセルサイズにて実現することが可能となる。
【０１２７】
次に、実施例５に係るインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの検査装置で、プレチャージを用いた例を述べる。プレチャージのランディングエネルギーＬＥ１＝１６〔ｅＶ〕、撮像・検査時のランディングエネルギーＬＥ２＝３〔ｅＶ〕で、絶縁物の異物２５０を効率よく検査できる。パターン面１１、１１ａに被覆された透明導電膜２０、２０ａ及び金属膜２１の面上の異物２５０を検査可能である。この工程では、検査領域全面に第１のランディングエネルギーＬＥ１で電子ビームを照射する。次に、第２のランディングエネルギーＬＥ２で電子ビームを照射して、異物２５０の撮像・検査を実施することができる。これは、プレチャージ効果がどの程度の時間維持できるかによるが、通常、除電処理等施さないと、１０〜３０時間程度、場合によっては１５０時間以上、維持可能である。
【０１２８】
この様なプレチャージを行った場合、プレチャージを行わない場合と比較すると、ミラー電子形成の効果を大きくできて、Ｓ／Ｎを３〜１０倍程度向上することが可能である。
【実施例６】
【０１２９】
図１８は、本発明を適用した実施例６に係るインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの検査装置の全体構成の一例を示した図である。実施例６においては、装置系を含めたインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの検査装置の例について説明する。
【０１３０】
図１８において、本実施例に係る異物検査装置は、ロードポート１９０と、ミニエンバイロメント１８０と、ロードロック１６２と、トランスファーチャンバ１６１と、メインチャンバ１６０と、電子線コラム系２００と、画像処理装置系１１０がある。ミニエンバイロメント１８０には、大気搬送ロボット、基板アライメント装置、クリーンエアー供給機構等がある（図示せず）。トランスファーチャンバ１６１には、真空用搬送ロボットがあり（図示せず）、常に真空状態のトランスファーチャンバ１６１にロボットがあることにより、圧力変動によるパーティクル等の発生を最小限に抑制することが可能である。
【０１３１】
メインチャンバ１６０には、ｘ、ｙ、θ(回転)方向に移動するステージ１２０がありその上に静電チャックが設置されている。インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃそのもの又はインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃがパレットや冶具に設置された状態で、静電チャックに設置される。
【０１３２】
メインチャンバ１６０は、チャンバ内は、真空制御系２３０により、真空状態が保たれるように制御される。また、メインチャンバ１６０、トランスファーチャンバ１６１及びロードロック１６２は、除振台１７０上に載置され、床からの振動が伝達されないように構成されている。
【０１３３】
また、メインチャンバ１６０には電子コラム２００が設置されている。このコラムには、1次光学系７０及び２次光学系９０のコラムとインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃのからの２次放出電子またはミラー電子等を検出する検出器１００が設置されている。検出器１００からの信号は画像処理装置系１１０に送られて信号処理される。信号処理は、検査を行っているオンタイム中の処理と画像のみ取得して後で処理するオフライン処理の両方が可能である。画像処理装置で処理されたデータはハードディスクやメモリなどの記録媒体に保存される。また、必要に応じて、コンソールのモニタに表示することが可能である。例えば、検査領域・異物数マップ・異物サイズ分布/マップ・異物分類・パッチ画像等である。このような信号処理を行うため、システムソフト２２０が備えられている。また、電子コラム系に電源を供給すべく、電子光学系制御電源２１０が備えられている。
【０１３４】
次に、インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの搬送機構について説明する。
【０１３５】
インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃは、ロードポートより、ミニエンバイロメント１８０中に搬送され、その中でアライメント作業がおこなわれる。大気搬送ロボットによりロードロック１６２に搬送される。ロードロック１６２では、大気から真空状態に真空ポンプ（図示せず）により排気される。一定圧力１〔Ｐａ〕程度以下になると、トランスファーチャンバ１６１にある真空搬送ロボットによりロードロック１６２からメインチャンバ１６０にインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃが搬送される。そして、ステージ１２０上の静電チャック機構上に設置される。
【０１３６】
そして、ｘ、ｙ、ｚ、θステージ１２０及び光学顕微鏡１５０により、高精度のアライメントが行われる。そして、電子ビームを用いた写像投影光学系によりインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの異物検査及びパターン欠陥検査が行われる。このとき、パターン面１１、１１ａの表面電位が重要である。その表面電位を測定するために、真空中で測定可能な表面電位装置がメインチャンバ１６０に取り付けられている。この表面電位測定器により試料上の２次元の表面電位分布を測定して、電子像を形成する２次光学系９０のフォーカス制御を行う。インプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの２次元的位置のフォーカスマップをこの電位分布を元に製作して、検査中のフォーカスを変更制御しながら、検査を行う。これにより、場所による表面電位の変化による像のボケや歪みを減少でき、精度の良い安定した画像を取得する検査が可能となる。
【０１３７】
以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１３８】
【図１】実施例１に係るインプリント用ガラス基板３０の断面構成例を示した図である。
【図２】インプリント用ガラス基板３０のガラス基板の断面構成図である。
【図３】シリコン基板４０上にレジストパターンを形成する製造工程を示した図である。図３（ａ）は、シリコン基板４０及びインプリント用ガラス基板３０を用意する工程を示した図である。図３（ｂ）は、レジスト膜５０にパターン面１１を押し当てた工程を示した図である。図３（ｃ）は、光を照射した工程を示した図である。図３（ｄ）は、インプリント用ガラス基板３０を分離した工程を示した図である。
【図４】透明導電膜２０の透過率特性の一例を示した図である。
【図５】実施例２に係るインプリント用ガラス基板３０ａの断面構成例を示した図である。
【図６】インプリント用ガラス基板３０ａのレジスト形成までの製造工程を示した図である。図６（ａ）は、透明導電膜２０を被覆した状態を示した図である。図６（ｂ）は、金属膜２１を被覆する工程を示した図である。図６（ｃ）は、レジスト６０を被覆した工程を示した図である。これにより、金属膜２１をエッチング加工することが可能な状態となる。図６（ｄ）は、レジストパターンを形成した工程を示した図である。
【図７】レジストパターン形成後から完成までの製造工程を示した図である。図７（ａ）は、金属膜２１をパターン形成した工程を示した図である。図７（ｂ）は、透明導電膜２０に微細パターン１５が形成された工程を示した図である。図７（ｃ）は、インプリント用ガラス基板３０ａが完成した工程を示した図である。
【図８】実施例２に係るインプリント用ガラス基板の他の製造方法を示した図である。図８（ａ）は、透明導電膜２０がコートされた工程を示した図である。図８（ｂ）は、レジスト６０がコートされた工程を示した図である。図８（ｃ）は、レジスト６０をエッチングした工程を示した図である。図８（ｄ）は、インプリント用ガラス基板３０ａが完成した工程を示した図である。
【図９】実施例３に係るインプリント用ガラス基板３０ｂの断面構成例を示した図である。
【図１０】実施例４に係るインプリント用ガラス基板３０ｃの断面構成を示した図である。
【図１１】実施例５に係るインプリント用ガラス基板３０、３０ａ〜３０ｃの検査装置の全体構成の一例を示した図である。
【図１２】本実施例の検査方法で得られる異物画像及び概略原理を示した図である。図１２（ａ）は、本実施例の検査方法及び検査装置により得られた異物２５０の画像２８０を示す図である。図１２（ｂ）は、従来の異物検査装置で得られる画像２８０を示した図である。図１２（ｃ）は、異物２５０が存在している状態を示した側面図である。
【図１３】異物２５０の拡大像２８０とその断面階調の一例を示した図である。図１３（ａ）は、異物２５０の拡大像２８０の一例を示した図である。図１３（ｂ）は、ピクセル位置における断面階調を示した図である。
【図１４】図１４は、金属材料の異物２５０を示した図である。図１４（ａ）は、金属材料の異物２５０を示した図である。図１４（ｂ）は、異物２５０の拡大図である。
【図１５】ＥＢ−ＴＤＩ１０２と、ＥＢ−ＣＣＤ１０１を交換可能に使えるようにした検出器１００を示した図である。
【図１６】ダイ−ダイ比較による欠陥検出方法の一例を示した図である。図１６（ａ）は、ダイが複数存在する例を示した図である。図１６（ｂ）は、ダイのパターン例とパターン欠陥部の例を示した図である。
【図１７】電子ビームの照射の方法の一例について説明するための図である。
【図１８】実施例６に係る検査装置の全体構成の一例を示した図である。
【符号の説明】
【０１３９】
１０ ガラス基板
１１、１１ａ パターン面
１２ 凸部
１３ 凹部
１５ 微細パターン
１６ 裏面
２０ 透明導電膜
３０、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ インプリント用ガラス基板
４０ シリコン基板
５０、６０ レジスト
７０ １次光学系
７１ 電子銃
７２、７５、７７、７９、８０、９１、９３ レンズ
７３、７４、７８、９２ アパーチャ
７６ Ｅ×Ｂフィルタ
９０ ２次光学系
９４ アライナ
１００ 検出器
１０１ ＥＢ−ＣＣＤ
１０２ ＥＢ−ＴＤＩ
１０３ ピン
１０４ カメラ
１０５ パッケージ
１１０ 画像処理装置
１２０ ステージ
１３０ ランディングエネルギー設定手段
１３１ 加速電圧設定手段
１３２ 基板電圧調整機構
１４０ 光学顕微鏡
１５０ ＳＥＭ
１６０ メインチャンバ
１６１ トランスファーチャンバ
１６２ ロードロックチャンバ
１７０ 除振台
１８０ ミニエンバイロメント
１９０ ロードポート
２００ 電子光学系
２１０ 電子光学系制御装置
２２０ システムソフト
２５０ 異物
２８０ 画像
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インプリント用の微細パターンが形成されたパターン面を有するガラス基板を備えたインプリント用ガラス基板であって、
該パターン面に、透明導電膜が被覆されていることを特徴とするインプリント用ガラス基板。
【請求項２】
前記パターン面全体が前記透明導電膜で被覆されていることを特徴とする請求項１に記載のインプリント用ガラス基板。
【請求項３】
前記微細パターンの凸部のみが前記透明導電膜で被覆されていることを特徴とする請求項１に記載のインプリント用ガラス基板。
【請求項４】
前記パターン面の裏面が前記透明導電膜で被覆されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のインプリント用ガラス基板。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載のインプリント用ガラス基板を用いたレジストパターン形成方法であって、
基板の表面に形成されたレジスト膜に、前記インプリント用ガラス基板のパターン面を押し当て、微細パターンを前記レジスト膜に転写する工程と、
光を前記インプリント用ガラス基板側から前記基板に照射し、前記レジスト膜を硬化させる工程と、
前記インプリント用ガラス基板を、前記基板の前記レジスト膜から分離する工程と、を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項６】
前記光は、紫外光であることを特徴とする請求項５に記載のレジストパターン形成方法。
【請求項７】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載のインプリント用ガラス基板を検査するインプリント用ガラス基板の検査方法であって、
ステージ上に載置された前記インプリント用ガラス基板のパターン面に、所定の照射領域を有する電子ビームを照射する電子ビーム照射工程と、
該電子ビームの照射により前記パターン面から発生した複数の電子を、複数画素を有する検出面で同時に検出する電子検出工程と、
該検出面で検出された電子から前記パターン面の画像を取得し、前記パターン面の欠陥を検出する欠陥検出工程と、を含むことを特徴とするインプリント用ガラス基板の検査方法。
【請求項８】
前記電子ビーム照射工程は、第１の電子ビームを照射する工程と、次いで、該第１の電子ビームよりもランディングエネルギーの低い第２の電子ビームを照射する工程とを含むことを特徴とする請求項７に記載のインプリント用ガラス基板の検査方法。
【請求項９】
前記第２の電子ビームのランディングエネルギーは、−１０ｅＶ以上１０ｅＶ以下であることを特徴とする請求項８に記載のインプリント用ガラス基板の検査方法。
【請求項１０】
前記電子検出工程は、ＥＢ−ＴＤＩにより行われることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に記載のインプリント用ガラス基板の検査方法。
【請求項１１】
前記欠陥検出工程で検出する前記欠陥は、パターン不良及び／又は異物の付着を含むことを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか一項に記載のインプリント用ガラス基板の検査方法。
【請求項１２】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載のインプリント用ガラス基板を検査するインプリント用ガラス基板の検査装置であって、
ステージ上に載置された前記インプリント用ガラス基板のパターン面に、所定の照射領域を有する電子ビームを照射する電子銃と、
該電子ビームの照射により前記パターン面から発生した複数の電子を、複数画素を有する検出面で同時に検出する検出器と、
該検出面で検出された電子から前記パターン面の画像を取得し、前記パターン面の欠陥を検出する欠陥検出手段と、を含むことを特徴とするインプリント用ガラス基板の検査装置。
【請求項１３】
前記電子銃が、第１の電子ビームと、該第１の電子ビームよりもランディングエネルギーの低い第２の電子ビームを連続的に照射可能なように、前記電子ビームのランディングエネルギーを設定するランディングエネルギー設定手段を更に有することを特徴とする請求項１２に記載のインプリント用ガラス基板の検査装置。
【請求項１４】
前記第２の電子ビームのランディングエネルギーは、−１０ｅＶ以上１０ｅＶ以下であることを特徴とする請求項１３に記載のインプリント用ガラス基板の検査装置。
【請求項１５】
前記検出器は、ＥＢ−ＴＤＩであることを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載のインプリント用ガラス基板の検査装置。
【請求項１６】
前記欠陥検出手段で検出する前記欠陥は、パターン不良及び／又は異物の付着を含むことを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれか一項に記載のインプリント用ガラス基板の検査装置。
【請求項１】
インプリント用の微細パターンが形成されたパターン面を有するガラス基板を備えたインプリント用ガラス基板であって、
該パターン面に、透明導電膜が被覆されていることを特徴とするインプリント用ガラス基板。
【請求項２】
前記パターン面全体が前記透明導電膜で被覆されていることを特徴とする請求項１に記載のインプリント用ガラス基板。
【請求項３】
前記微細パターンの凸部のみが前記透明導電膜で被覆されていることを特徴とする請求項１に記載のインプリント用ガラス基板。
【請求項４】
前記パターン面の裏面が前記透明導電膜で被覆されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のインプリント用ガラス基板。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載のインプリント用ガラス基板を用いたレジストパターン形成方法であって、
基板の表面に形成されたレジスト膜に、前記インプリント用ガラス基板のパターン面を押し当て、微細パターンを前記レジスト膜に転写する工程と、
光を前記インプリント用ガラス基板側から前記基板に照射し、前記レジスト膜を硬化させる工程と、
前記インプリント用ガラス基板を、前記基板の前記レジスト膜から分離する工程と、を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項６】
前記光は、紫外光であることを特徴とする請求項５に記載のレジストパターン形成方法。
【請求項７】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載のインプリント用ガラス基板を検査するインプリント用ガラス基板の検査方法であって、
ステージ上に載置された前記インプリント用ガラス基板のパターン面に、所定の照射領域を有する電子ビームを照射する電子ビーム照射工程と、
該電子ビームの照射により前記パターン面から発生した複数の電子を、複数画素を有する検出面で同時に検出する電子検出工程と、
該検出面で検出された電子から前記パターン面の画像を取得し、前記パターン面の欠陥を検出する欠陥検出工程と、を含むことを特徴とするインプリント用ガラス基板の検査方法。
【請求項８】
前記電子ビーム照射工程は、第１の電子ビームを照射する工程と、次いで、該第１の電子ビームよりもランディングエネルギーの低い第２の電子ビームを照射する工程とを含むことを特徴とする請求項７に記載のインプリント用ガラス基板の検査方法。
【請求項９】
前記第２の電子ビームのランディングエネルギーは、−１０ｅＶ以上１０ｅＶ以下であることを特徴とする請求項８に記載のインプリント用ガラス基板の検査方法。
【請求項１０】
前記電子検出工程は、ＥＢ−ＴＤＩにより行われることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に記載のインプリント用ガラス基板の検査方法。
【請求項１１】
前記欠陥検出工程で検出する前記欠陥は、パターン不良及び／又は異物の付着を含むことを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか一項に記載のインプリント用ガラス基板の検査方法。
【請求項１２】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載のインプリント用ガラス基板を検査するインプリント用ガラス基板の検査装置であって、
ステージ上に載置された前記インプリント用ガラス基板のパターン面に、所定の照射領域を有する電子ビームを照射する電子銃と、
該電子ビームの照射により前記パターン面から発生した複数の電子を、複数画素を有する検出面で同時に検出する検出器と、
該検出面で検出された電子から前記パターン面の画像を取得し、前記パターン面の欠陥を検出する欠陥検出手段と、を含むことを特徴とするインプリント用ガラス基板の検査装置。
【請求項１３】
前記電子銃が、第１の電子ビームと、該第１の電子ビームよりもランディングエネルギーの低い第２の電子ビームを連続的に照射可能なように、前記電子ビームのランディングエネルギーを設定するランディングエネルギー設定手段を更に有することを特徴とする請求項１２に記載のインプリント用ガラス基板の検査装置。
【請求項１４】
前記第２の電子ビームのランディングエネルギーは、−１０ｅＶ以上１０ｅＶ以下であることを特徴とする請求項１３に記載のインプリント用ガラス基板の検査装置。
【請求項１５】
前記検出器は、ＥＢ−ＴＤＩであることを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載のインプリント用ガラス基板の検査装置。
【請求項１６】
前記欠陥検出手段で検出する前記欠陥は、パターン不良及び／又は異物の付着を含むことを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれか一項に記載のインプリント用ガラス基板の検査装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【公開番号】特開２０１０−２７７４３（Ｐ２０１０−２７７４３Ａ）
【公開日】平成２２年２月４日（２０１０．２．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１８５２３６（Ｐ２００８−１８５２３６）
【出願日】平成２０年７月１６日（２００８．７．１６）
【出願人】（００００００２３９）株式会社荏原製作所 (1,477)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年２月４日（２０１０．２．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年７月１６日（２００８．７．１６）
【出願人】（００００００２３９）株式会社荏原製作所 (1,477)
【Ｆターム（参考）】
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