ビルドアップコア基板、ビルドアップ配線基板、及びその製造方法
【課題】 形状寸法のバラツキが極めて少ない熱・電気伝導性ポストを封入した基板の提供する。また、短距離配線を可能にし動作周波数の高速化に容易に対応できるものを提供する。
【解決手段】 下記の工程を主要工程とするビルドアップコア基板の製造方法と、それにより可能となったビルドアップコア基板、ビルドアップ配線基板である。
１．バリヤ層（材質はＮｉ，Ｔｉ，Ｓｎ等）の一方の主面にポスト形成層（材質はＣｕ等）を、他方の主面にキャリヤ層（材質はＦｅ−Ｎｉ合金等）を接合。
２．エッチングによりバリヤ層に達するまで除去して、熱・電気伝導性ポスト（材質はＣｕ等）が所定ピッチで複数個、林立するパターンエッチング品を作り、プリプレグを積層し、加熱加圧して第１積層品を作る。
３．該第１積層品から前記キャリヤ層を除去。
４．更に前記バリヤ層を除去して第２積層品を得て、プリプレグを積層し、加熱加圧してビルドアップコア基板を製造する。
【解決手段】 下記の工程を主要工程とするビルドアップコア基板の製造方法と、それにより可能となったビルドアップコア基板、ビルドアップ配線基板である。
１．バリヤ層（材質はＮｉ，Ｔｉ，Ｓｎ等）の一方の主面にポスト形成層（材質はＣｕ等）を、他方の主面にキャリヤ層（材質はＦｅ−Ｎｉ合金等）を接合。
２．エッチングによりバリヤ層に達するまで除去して、熱・電気伝導性ポスト（材質はＣｕ等）が所定ピッチで複数個、林立するパターンエッチング品を作り、プリプレグを積層し、加熱加圧して第１積層品を作る。
３．該第１積層品から前記キャリヤ層を除去。
４．更に前記バリヤ層を除去して第２積層品を得て、プリプレグを積層し、加熱加圧してビルドアップコア基板を製造する。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ビルドアップ配線基板のコア基板、及びビルドアップ層を付加し表面に電子部品が実装されて信号伝送が行われるビルドアップ配線基板に係り、特に狭ピッチの半導体パッケージを可能とする形状寸法の偏差が極めて少ないものであり、且つ放熱性に優れ、半導体パッケージの熱膨張係数の階層、傾斜をつけて信頼性を向上したものに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体パッケージには多くの機能を兼ね備えることが要求されてきた。先ず、小型で高密度（ファインピッチ）配線できること。それに伴う単位面積、単位体積当たりの発熱量の増大による良好な放熱性である。更に半導体チップが処理する信号の高速化にも対応できなくてはならない。また、電子パッケージに対するコストダウン要求は、年々過酷なものになっているから、製造コストの低減も重要である。
【０００３】半導体パッケージの高密度化は、配線パターンの幅、または二つの配線パターン間距離を指標とするＣＤ（Critical Dimension）で評価され、年々小さくする努力がなされてきた。配線パターンの幅、または二つの配線パターン間距離は、単に小型化だけでなく伝送線路が長くなることによる伝送信号の遅延なと、デバイス性能に与える影響は大きい。
【０００４】半導体パッケージの配線パターン形成の従来法には、セミアディティブ法、フルアディティブ法、サブトラクティブ法など多くの製法がある。セミアディティブ法は、（基板のレーザ孔明け）―（樹脂の粗化処理）―（ジンケート処理、即ちＺｎメッキ）―（レジストのコート形成）―（レジストのエッチングによる選択除去）―（電気銅メッキ）―配線パターンの完成という工程を経る。ジンケート膜は、最後に除去することが、短絡防止の為に必要である。フルアディティブ法は、（基板のレーザ孔明け）―（粗化処理）―（レジスト形成）―（レジストのエッチングによる選択除去）―（無電解銅メッキ）―配線パターンの完成という工程を経る。サブトラクティブ法は、（レーザ孔明け）―（粗化処理）―（銅メッキ）―（エッチング）―配線パターンの完成という工程を経る。以上の様に、従来の製造方法は、多くの複雑な工程を必要としてきた。
【０００５】従来の製法を、もう少し詳しく述べる。銅張り基板の所要位置にスルーホールを穴明けしたのち、無電解めっき処理及び銅めっき処理を施して全面に銅めっき層を形成する。その後、全面にフォトレジスト膜を電着により形成したのち、フォトレジスト膜上にインクマスクをスクリーン印刷により形成する。その後、露光処理を行って、インクマスクを介して露出するフォトレジスト膜を硬化させたのち、現像処理してフォトレジスト膜中、光が照射されなかった部分を溶解除去して、配線パターンに準じたレジストパターンを形成する。その後、露出する銅めっき層及びその下層の銅箔をエッチング除去したのち、レジストパターンを剥離して、銅めっき層及び銅箔による所望の配線パターンを形成する。半導体パッケージは、高密度実装の為に三次元実装、多層基板化しており、各層間の電気的接続はスルーホールでなされている。
【０００６】半導体素子は、また熱に弱い。そこで、半導体素子の発する熱を効果的に放熱処理することができるとともに、構造を簡素にして安価なコストで製造することができる半導体素子用基板の開発が活発に行われてきた。従来、０．３ｍｍ程度のドリルで、複数のスルーホールをピッチ１．２７ｍｍ程度で穴明け後、Ｃｕ等でスルーホールメッキを施して基板の縦方向の導通を取っていた。例えば特開平１０−３１３０７１号公報には、基板の他方の主面上に放熱パターンを形成し、この放熱パターン上に、配線基板に搭載される際の接合面となる放熱板を接合し、さらに基板の厚さ方向に貫通するように放熱用スルーホールを穿設して放熱用スルーホール内に金属材料を充填し、ベアチップの発する熱を金属材料が充填された放熱用スルーホール及び放熱パターンを介して放熱板に伝導するようにしたものが開示される。
【０００７】また、特開平９−１９９６３２号公報には、フレキシブル基板において、放熱性に優れ、穴明け加工を容易に行うことができ、かつ、高密度配線が可能な、電子部品搭載用基板を開示する。この特開平９−１９９６３２号公報によると、「電気絶縁性のフレキシブルフィルム及び該フレキシブルフィルムの厚み方向に２層以上設けた導体回路よりなる多層基板と、すべてのフレキシブルフィルムを貫通する貫通穴と、該貫通穴を覆うよう多層基板の上面側に設けた放熱金属板と、上記貫通穴と放熱金属板とにより形成される、電子部品を搭載するための搭載用凹部と、多層基板に設けられ導体回路に導通するスルーホールとを有する。フレキシブルフィルムの厚みは、３０〜２００μｍであることが好ましい。」
【０００８】そして、特開平９−１９９６３２号公報の実施例によると、製造方法は次のとおりである。ガラス繊維入りエポキシ系材料からなるフレキシブルフィルムを準備する。フレキシブルフィルムは、厚み０．０５ｍｍ、幅２．５〜１５ｃｍの可撓性を有する帯状のフィルムである。このフレキシブルフィルムは、予めロール状に巻回しておき、複数のロール体を形成しておく。次いで、上記ロール体からフレキシブルフィルムを引き出しながら、該フレキシブルフィルムの下面側に、熱可塑性のガラス繊維入りエポキシ系材料からなる絶縁性接着剤を接着する。次いで、パンチング加工により、フレキシブルフィルムの略中央部分に貫通穴を穿設する。次いで、フレキシブルフィルムの下面側に、前記絶縁性接着剤を介して、厚み３５ｍｍの銅箔を接着する。そして、スルーホールの内部に、半田を充填する。
【０００９】また、近年半導体パッケージ基板は、機器の小型化にともない、パターンはファイン化の一途をたどり、いわゆるビルドアップ配線基板と称し、コア基板の両面に絶縁層を塗布しビルドアップ層を付加してメッキ法によってパターンを形成していく方法が行われている。図１１に従来のビルドアップ配線基板の一例を図示する。ビルドアップ配線基板３は、ビルドアップコア基板１と上下のビルドアップ層でなる。ビルドアップコア基板１は、ガラス繊維強化のエポキシ・リジッド材料を用いることが多い。上側ビルドアップ層２ａは、配線パターン７、半田ボール５ａを経て半導体（Ｓｉ）チップ４にＣ４接続される。Ｃ４接続とは、controlled collapsible chip connectorの略語で、ＬＳＩチップの電気信号と発生する熱をパッドを経て基板へと流れる電気的にも熱的にも有効な伝導路を形成する接続手法である。
【００１０】記号４はＬＳＩ、ＣＳＰなどの半導体素子である場合もある。アンダーフィル６は、樹脂などで耐湿性および耐衝撃性向上の為に封止する機能がある。下側ビルドアップ層２ｂは、半田ボール５ｂを経て、外部回路に接続される。コア基板１は、スルーホール８の内壁にＣｕメッキして穴埋めし、樹脂を充填して平坦化する。上下のビルドアップ層は電気的、熱的に接続されている。下側ビルドアップ層２ｂは、通常、ビルドアップコア基板１を取り囲んで上下対称にバランスをとって、ビルドアップ配線基板３全体として、反り無く平坦度を出す為に設けることが多い。ビルドアップ層２ａ、２ｂは、１〜３層が一般的であり、この層のＣｕはメッキで形成することが多い。回路パターンはメッキＣｕをエッチングまたはアディティブ法のメッキで形成される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】従来のビルドアップコア基板、ビルドアップ配線基板においては種々の課題がある。第１は、半導体チップとの熱膨張係数の大きな差異による信頼性の低下、第２は狭ピッチへの対応困難、第３はビルドアップ層の活用度の低下、第４は熱放散性の低下、第５は加工工数と不均一、第６は浮遊容量の発生、第７はスルーホール孔明け工程での問題である。以下、各問題点毎に説明する。
【００１２】（１）半導体チップとの熱膨張係数の大きな差異による信頼性の低下。
ＦＣ−ＢＧＡ（Flip Chip-Ball Grid Array）を構成する半導体チップのＳｉは熱膨張係数が３．２（ｐｐｍ／℃）程度であるのに対して、ＰＷＢ（PrintedWire Board）は、材質にもよるが１７（ｐｐｍ／℃）程度と両者の差は大きい。熱膨張差の影響によりチップとインターポーザの半田ボール接続が、温度サイクル（−５５℃〜＋１２５℃）試験により半田ボールの疲労断線が発生する問題があった。
【００１３】（２）狭ピッチへの対応困難。
従来のビルドアップコア基板１のスルーホール８は、通常０．３ｍｍのドリルで穴あけするし補強材として入れたガラス繊維が邪魔となって、ピッチを狭くすることは困難で、せいぜい１．２７ｍｍ程度と粗いものしかできない。従って、年々ピッチの狭くなる半導体チップ４のバンプ、半田ボール５ａのピッチとは不整合が大きく、ビルドアップ層２ａの配線で大きく引き回して、層間結合を所謂スタッガ方式としなければならず、配線長を増大する。このことは、信号の伝送速度を遅らせ、動作周波数が１ＧＨｚにも達する現状において、高速化のニーズに反して問題である。ビルドアップコア基板での再配線長が長くなり、上側ビルドアップ層２ａの信号結線を制限する問題もある。
【００１４】また、狭ピッチを阻害する要因としてランドの存在がある。従来のビルドアップコア基板においては、図１１に例示するように、直径０．４〜１．２５ｍｍ程度のランド７１が必須であった。従って、ランド間に配線パターンを設けたい場合、ランドとの短絡防止の為に設けられる配線パターンの数に制約があるという問題もあった。
【００１５】（３）ビルドアップ層の活用度の低下。
また、下側ビルドアップ層２ｂは、スルーホールの数が少ないために有効利用できないという問題がある。ＢＧＡ用の半田ボール５ｂとの接続くらいにしか使えないからである。従来のようにドリルで穿孔する製造方法では、スルーホールの径が大きく、ピッチも大きく、配線の展開がビルドアップ配線基板３の上面に偏りがちである。ビルドアップコア基板のスルーホールが半導体チップ４のバンプ密度より遥かに低いので、下側ビルドアップ層２ｂのチャンネルを使いこなせないという問題がある。
（４）熱放散性の低下。
また、図１１に示す従来のビルドアップコア基板１では放熱に関与できるのはスルーホール８の内壁のメッキ層位であり熱放散性に劣るという問題があった。
【００１６】（５）加工工数と不均一。
更に、ビルドアップコア基板のＣｕ板をハーフエッチングし、樹脂埋込み後、平面研磨手段によって複数の熱・電気伝導性ポストの端部が露出するまで研磨する方法がある。この場合、露出する熱・電気伝導性ポストと、未露出の熱・電気伝導性ポストとが混在して、バラツキが大きいだけでなく、熱放散性が悪く信頼性と加工性に劣るという問題があった。従来のＣｕ板のエッチングでは、エッチングで形成される孔の形状、深さがばらつくのが通常である。場所によって被エッチング性にバラツキがあるためである。次に、プリプレグをラミネートしてエッチングされた孔をすべて埋め、反転してＣｕ層側を裏面研磨して樹脂にＣｕの熱・電気伝導性ポストが所定のピッチで複数個、埋め込まれたものを製造する場合には、研磨面をどこで止めるかによって、Ｃｕ層の厚さ、絶縁層の厚さが、その都度ばらついてしまうという問題があった。
【００１７】図１２を用いて、この問題点を詳細に説明する。図１２（ａ）は、従来のＣｕ板のエッチング後の断面形状を示す。エッチング深さのバラッキがあり、理想的な台形からずれた形状である。これに図１２（ｂ）に示すように樹脂を充填して、図１２（ｂ）のＣｕ板側からエッチングすると、図１２（ｃ）に示すようにエッチング残り、樹脂出っ張り、ショート（電気的短絡）が発生する。この為、更に裏面の機械的な研磨が必要となり、余計な工数がかかる上に均一性が悪いという問題があった。これは信号の伝送速度を遅らせる問題となっていた。
【００１８】（６）浮遊容量の発生。
また、半導体素子４の受けパッドは信頼性確保の為、大きくする必要があり、その為に上側ビルドアップ層２ａと下側ビルドアップ層２ｂのチャンネル静電容量のバランスが悪くなり、邪魔な浮遊容量を形成する問題もあった。
（７）スルーホール孔明け工程での問題。
また、ガラス繊維強化エポキシ樹脂基板を用いる場合、スルーホールのドリルによる穴あけはガラス繊維により微細な穴あけが阻害されるのみならず、繊維の破断を来たし、信頼性の低下、後のメッキ工程でのメッキ液の染込みなど、種々の問題もある。また、熱膨張係数を調節するために樹脂にフィラーを添加することが多くなっているが、微小ビア（スルーホール）加工の場合には、このフィラーの粒径自体が妨げになるという問題もある。
【００１９】そこで、本発明は、機械的研磨を用いずに熱・電気伝導性ポストと絶縁層の厚みを均一に制御できる新規な製造方法を提供し、その結果、半導体チップとの熱膨張係数の差異を低減して信頼性を向上したビルドアップ配線基板を提供することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記問題点を解決するため、下記の構成を趣旨とする。なお、括弧（）内に、図１〜図９で使用した記号を、理解の容易の為に示す。本発明の技術的思想が、図１〜図９の実施例に限定されるものではない。なお、ポスト形成層１０、熱・電気伝導性ポスト１５、孔明き板１９は、同じ又は類似したものを、工程に応じて別な記号を用いて使い分けている。例えば、エッチングの説明の時（図１）にはポスト形成層１０を、図４のビルドアップコア基板の時には熱・電気伝導性ポスト１５を、そして空洞部１８を包含する全体を孔明き板１９と呼んでいる。同様に、絶縁板を形成するプリプレグ１２、１３と、充填樹脂１４と、絶縁材１７とは、例えば図２の積層して加熱加圧するビルドアップコア基板の製造方法の説明ではプリプレグ１２、１３を、図３のスクリーンプリント法でのビルドアップコア基板の製造方法の説明には充填樹脂１４を、出来上がったビルドアップコア基板の構成を機能的に説明する図４では絶縁材１７を記号に用いている。
【００２１】｛１｝板厚方向に複数の貫通孔１８を有する低熱膨張係数の熱・電気伝導性板１５と、該複数の貫通孔１８を有する熱・電気伝導性板１５と異なる材質からなり前記貫通孔１８内に設けられた島状に孤立した複数の熱・電気伝導性ポスト１６と、該複数の熱・電気伝導性ポスト１６の外周に設けられ、前記低熱膨張係数の熱・電気伝導性板１５との間に介在して、前記複数の熱・電気伝導性ポスト１６を電気的に絶縁する絶縁材１７と、前記低熱膨張係数の熱・電気伝導性板１５の両主面に接合された絶縁板１２、１３と、前記絶縁板の一方または両方の主面上に設けられた厚み１８μｍ以下の極薄銅箔層２１からなることを特徴とするビルドアップコア基板１。なお、熱・電気伝導性ポスト（１６）は、下位概念として、メタルポストまたはメタルコアと呼ぶこともある。
【００２２】｛２｝前記複数の熱・電気伝導性ポスト１６が、ＣｕまたはＣｕ合金であり、前記複数の貫通孔１８を有する低熱膨張係数の熱・電気伝導性板１５がＦｅ−Ｎｉ合金でなる｛１｝記載のビルドアップコア基板（１）である。
｛３｝前記複数の熱・電気伝導性ポスト１６の直径が、０．０１〜０．２ｍｍ、ピッチが０．１〜１．０ｍｍであることを特徴とする｛１｝記載のビルドアップコア基板（１）である。なお、前記複数の熱・電気伝導性ポスト１６の直径のより好ましい下限は、０．０４ｍｍである。
【００２３】｛４｝前記絶縁材１７が、ガラス繊維強化エポキシ樹脂、ガラス繊維強化ビスマレイミド・トリアジン（ＢＴ）樹脂、またはポリエーテル・サルフォン（ＰＥＳ）配合エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂のうちのいずれかであることを特徴とする｛１｝記載のビルドアップコア基板１である。
｛５｝前記複数の熱・電気伝導性ポスト１６の外周に、絶縁材１７と孔明き板１９を具備することを特徴とした｛１｝載のビルドアップコア基板１である。
｛６｝前記｛１｝記載のビルドアップコア基板１と、該ビルドアップコア基板１の主表面に形成されるビルドアップ層２ａ、２ｂを備えたビルドアップ配線基板３である。
【００２４】｛７｝下記の工程でなることを特徴とするビルドアップコア基板（１）の製造方法である。
１．バリヤ層９の一方の主面にポスト形成層１０を、他方の主面にキャリヤ層１１を接合する。
２．前記ポスト形成層１０に、所定の領域を除去するマスクを載置する。
３．前記所定の領域を、エッチングにより、前記バリヤ層１１に達するまで除去して、熱・電気伝導性ポスト１６が複数個、林立する第１のパターンエッチング品を作る。
４．該第１のパターンエッチング品と、孔明き板１９とを組合せる。
５．該第１のパターンエッチング品と孔明き板１９に粗化処理をする。
６．その後、絶縁板１２を積層し、加熱加圧して第１積層品を作る。
７．該第１積層品から前記キャリヤ層１１を除去する。
８．更に前記バリヤ層９を除去して第２積層品を得る。
９．該第２積層品と絶縁板１３を積層する。
１０．前記絶縁板１２、１３の一方または両方の主面上に厚み１８μｍ以下の極薄銅箔層を積層してビルドアップコア基板を製造する。なお、上記のバリヤ層（９）、ポスト形成層（１０）、キャリヤ層（１１）、熱・電気伝導性ポスト（１６）、孔明き板（１９）の好ましい材質は、各々、バリヤ層（９）はＮｉ，Ｔｉ，Ｓｎなど、ポスト形成層（１０）はＣｕ、キャリヤ層（１１）はＦｅ−Ｎｉ合金、熱・電気伝導性ポスト（１６）はＣｕ、孔明き板（１９）はＦｅ−Ｎｉ合金である。
【００２５】｛８｝下記の工程でなることを特徴とするビルドアップコア基板１の製造方法である。
１．バリヤ層９の一方の主面にポスト形成層１０を、他方の主面にキャリヤ層１１を接合する。
２．前記ポスト形成層１０に、所定の領域を除去するマスクを載置する。
３．前記所定の領域を、エッチングにより、前記バリヤ層９に達するまで除去して、熱・電気伝導性ポスト１６が複数個、林立する第１のパターンエッチング品を作る。
４．該第１のパターンエッチング品と、孔明き板とを組合せて空洞部を有する組立品を得る。
５．前記第１のパターンエッチング品と前記孔明き板に粗化処理をする。
６．前記空洞部にスクリーンプリント法で樹脂を充填する。
７．前記キャリヤ層をエッチング除去する。
８．更に前記バリヤ層をエッチング除去する。
９．次いで主面両側から絶縁板を積層する。
１０．前記絶縁板の一方または両方の主面上に厚み１８μｍ以下の極薄銅箔層を積層してビルドアップコア基板を製造する。なお、上記のバリヤ層９、ポスト形成層１０、キャリヤ層１１、熱・電気伝導性ポスト１６、孔明き板１９の好ましい材質は、各々、バリヤ層９はＮｉ，Ｔｉ，Ｓｎなど、ポスト形成層１０はＣｕ、キャリヤ層１１はＦｅ−Ｎｉ合金、熱・電気伝導性ポスト１６はＣｕ、孔明き板１９はＦｅ−Ｎｉ合金である。
【００２６】｛９｝前記極薄銅箔の厚みが５μｍ以下であることを特徴とする｛１｝記載のビルドアップコア基板である。
｛１０｝前記極薄銅箔の厚みが５μｍ以下であることを特徴とする｛７｝または｛８｝記載のビルドアップコア基板の製造方法である。
【００２７】
【発明の実施の形態】本発明においては、熱・電気伝導性ポスト１６はＣｕ、孔明き板１９はＦｅ−Ｎｉ合金で構成したので、Ｃｕの良好な熱・電気伝導性を活かしつつ、低熱膨張係数のＦｅ−ＮＩ孔明き板１９でインターポーザの全体的な熱膨張係数を６〜１２ｐｐｍ／℃となるように制御できるので、従来の問題点であった半田ボールの温度サイクルによる疲労断線が５〜１０倍改善されると共に放熱性も良好であるという顕著な効果がある。更に、ビルドアップコア基板１が最外層に厚み１８μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下、という極薄銅箔層を設けたので、狭ピッチ（ファインピッチとも呼ばれる）の配線パターンをエッチングなどで精度良く容易に形成できる。以下、図面を用いて本発明に係るビルドアップコア基板の製造方法を説明する。
【００２８】図１は本発明に係るビルドアップコア基板のパターンエッチング組立品を示す図である。図１（ａ）はエッチングに使うマスクの平面図を示す。このマスクは、複数の熱・電気伝導性ポスト１６を、ポスト形成層１０からエッチング除去するのに使用する。ポスト形成層１０の材質は、熱及び電気伝導性の良好な材質、例えばＣｕまたはＣｕ合金が好ましい。図１（ｂ）はＡ-Ａ矢視断面図であり、バリヤ層９の両主面に接合されたポスト形成層１０とＦｅ−Ｎｉ合金のキャリヤ層１１のうち、ポスト形成層１０が複数の熱・電気伝導性ポスト１６を残してエッチング除去された状態を示す。これに、熱膨張係数の小さいＦｅ−Ｎｉ合金でなる孔明き板１９（図1（ｃ））を組合せて、図１（ｄ）に示す組立品を製造する。
【００２９】本発明におけるポスト形成層１０の材質として好適なのは、熱及び電気の良好な導体であるＣｕまたはその合金である。Ｃｕは、無酸素銅線（ＯＦＣ：OxygenFree Copper）、電解銅などを用いることができるが、バリヤ層９と接着ではなく拡散接合などの冶金学的接合を用いる場合には、例えばＳｎを添加して耐熱性を改良したものが好ましい。バリヤ層９の材質は、Ｔｉ，Ｓｎ，Ｎｉなどが適当である。バリヤ層９の両面にエポキシ樹脂等でポスト形成層１０とＦｅ−Ｎｉ合金のキャリヤ層１１を接合する。あるいは冶金学的な拡散接合に依ってもよい。また、本発明は図１に例示する所定のピッチで設けなければならない限定も無く、円柱状である限定もない。必要に応じて不均一ピッチ、非円柱形状の熱・電気伝導性ポスト１６を形成することもできる。
【００３０】本発明においては、従来のようにドリルを用いるのではないから、ピッチを従来の１．２７ｍｍ程度に比べて狭ピッチの１．０ｍｍ以下にすることが可能である。本発明において、このピッチの下限は、エッチング技術の進歩に伴って、年々下がっており、現状では０．１ｍｍ程度までは可能である。今後、この下限はもっと下がることは言うまでもない。
【００３１】そして、エッチングにより前記同心円状に前記ポスト形成層１０を、同心円状に前記バリヤ層９に達するまで除去して、複数個の熱・電気伝導性ポスト１６が所定ピッチで林立するパターンエッチング品（図１（ｂ））を作る。図４に複数個の熱・電気伝導性ポスト１６がガラス繊維強化エポキシ樹脂などのプリプレグ１２に封入された断面斜視図を示す。本発明のビルドアップコア基板１を用いると、図９に図示したように、熱は、複数個の熱・電気伝導性ポスト１６の縦方向のみならず、隣接した他の熱・電気伝導性ポストへリレー式に伝達され、放熱される。
【００３２】化学エッチング液としては、バリヤ層９がＴｉの場合には、エチレンジアミン系のエンストリップＴＬ−１４２（メルテックス社製、商品名）濃縮液を用いる。その他、バリヤ層９の材質に応じて、メテックＳＣＢ（マクダーミッド社製商品名）等の市販の溶液や、硝酸と過酸化水素の混合物、クロム酸と硫酸の混酸などが使える。
【００３３】本発明においては、前記バリヤ層９をエッチング・ストップ層として機能させるので、高さの不均一が無く精密に制御された複数の熱・電気導電性ポスト１６のアレイを得ることができる。更に、余計な機械的研磨も不要である。本発明によると、優れたエッチング性を有し、配線部のコーナー部を顕微鏡で観察した結果も、理想的な形状にエッチングされていることを確認した。
【００３４】本発明の高さの不均一が無いという特徴は重要である。それは基板を電子回路に用いる場合のマイクロストリップ線路の特性インピーダンスで理解できる。特性インピーダンスは、材料の透磁率、誘電率を一定とした場合、自然対数ｌｎで表すｌｎ（４ｈ／（０．５３６ｗ+０．６７ｔ））なる値に比例することが、多くの教科書、例えば中沢喜三郎他著「ＶＬＳＩシステム設計」で知られている。ここで、記号ｈは絶縁層厚、記号ｗは配線幅、記号ｔは配線厚である。この関係式から、インピーダンス制御のために絶縁層および導体層の各厚さ制御が重要であることが分かる。特性インピーダンスが一定下（例えば５０Ω）では、配線幅が狭くなると絶縁厚も薄くなり、その公差も小さくなる。また、幅、厚さについての管理がより厳しくなる。すなわち、動作周波数が１ＧＨｚにもなろうとする高速化時代には絶縁層および導体層の各厚さ制御が重要である。
【００３５】次に、図２を用いて本発明に係るビルドアップコア基板の製造方法の説明を続ける。図１（ｄ）で示す組立品を、図２（ａ）に示すように、ガラス繊維強化エポキシ樹脂などのプリプレグ１２を積層し加熱加圧して第１積層品（図２（ａ））を作り、該第１積層品から前記キャリヤ層１１を塩化第二鉄溶液により除去する。前記キャリヤ層１１は、その剛性によりハンドリング性を向上する。
【００３６】組立品（図１（ｄ））と絶縁板として用いるプリプレグ１２との接着力を向上するために、組立品（図１（ｄ））の金属面を粗化処理することが好ましい。粗化処理の方法は、特に限定されないが、メッキで瘤状の微小突起を形成したり、機械的に研磨したりして金属面とエポキシ樹脂間の接着力の向上を図る。
【００３７】プリプレグの材質としては、ガラス繊維強化エポキシ樹脂のほかに、ガラス繊維強化ビスマレイミド・トリアジン（ＢＴ:bismallimide triazene）樹脂、またはポリエーテル・サルフォン（ＰＥＳ:poly-ether sulphon）配合エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ＲＣＣ（樹脂付き銅箔（Resin Coated Copper））等が好適である。
【００３８】その他、未硬化ないしは半硬化したプリプレグとしては、ガラス布、ガラス単繊維、紙等の強化基材に、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、あるいはこれらの混合物等と、それぞれの樹脂の硬化剤を含浸させたもの、あるいは、加熱して半硬化状（Ｂ−ステージ）にしたものが使用できる。この樹脂としては、弗素樹脂のように熱可塑性の樹脂をも用いることができる。なお、本発明において絶縁層１２、１３の形成は、プリプレグ（硬化剤を添加した樹脂、顔料、離型剤などを予め混合したものを強化繊維にさせ、半硬化状態にした成型材料）に限定されない。塗布、ホットメルトなど公知の方法で樹脂などの絶縁層を形成すれば良い。
【００３９】なお、近年、半田の鉛フリー化が急速に進展している。鉛フリー化によるリフロー炉の温度上昇等から、基材、ビルドアップ層のより高Ｔｇ（ガラス化温度）化が求められている。本発明のビルドアップコア基板、ビルドアップ層についても係る考慮も必要である。
【００４０】更に前記バリヤ層９をエンストリップＴＬ−１４２濃縮液などで除去して第２積層品（図２（ｃ））を得て、該第２積層品とプリプレグ１３を積層し、加熱加圧してビルドアップコア基板（図２（ｄ））を得る。ここで、前記バリヤ層の材質はＴｉ、Ｓｎ、Ｎｉまたはそれらの合金、前記ポスト形成層の材質はＣｕまたはその合金、前記キャリヤ層の材質はＣｕまたはその合金が好適である。本発明では、バリヤ層９を正確なエッチング深さのコントロール手段として用いることができる。
【００４１】さて、図２（ｄ）に示す熱・電気伝導性ポスト１６の外周に樹脂などの絶縁層１０、その外周を孔明きのポスト形成層１０を設けたビルドアップコア基板の部分品が出来上がった。次に、図２（ｅ）に示す３５μｍ程度のキャリヤ銅箔２１１に、粘着性の剥離層２１２を介して、３〜５μｍ程度の極薄銅箔２１が設けられた部材を用意する。図２（ｄ）で示す部分品に、図２（ｅ）で示す部材によって最外層に銅箔層２１を設ける。なお、部材（図２（ｅ））の剥離層２１は必ずしも粘着性のものに限定されず、後で除去できるものであれば本発明の技術的思想にとって、何ら妨げとなるものではない。なお、図２に示す製造方法例では、図２（ｅ）のような部材を用いたが、本発明は、それに限定されるものではなく、極薄銅箔層２１は、電解または無電解メッキ、蒸着等々、公知の方法を適宜用いることができる。図２（ｅ）のような部材を用いる場合には、極薄銅箔の形成が容易である。
【００４２】図３を用いて本発明に係るビルドアップコア基板の別の製造方法を説明する。熱・電気伝導性ポスト１６が複数個、林立する組立品（図１（ｄ））を作る工程までは、図２で説明した工程が利用できる。次いで、前記組立品（図３（ａ））の空洞部１８にスクリーンプリント法で、加熱して半硬化状の樹脂１４を充填する（図３（ｂ））。そして、前記キャリヤ層１１をエッチング除去する（図３（ｃ））。更に前記バリヤ層９をエッチング除去し（図３（ｄ））、主面両側からプリプレグ１２、１３を積層し、加熱加圧してビルドアップコア基板を得る（図３（ｅ））。
【００４３】図４に、本発明に係るビルドアップコア基板１の、外周銅箔層２１及びプリプレグ層１２、１３を取り除いた部分品の部分断面斜視図を示す。複数の林立するＣｕなどの熱・電気伝導性ポスト１６の外周を、絶縁材１７が取り巻き、Ｆｅ−Ｎｉなどの低熱膨張係数の孔明き板１９がその外周に設けられる。本発明に係るビルドアップコア基板１の用途は、図５に例示するように、このビルドアップコア基板１の上下にビルドアップ層２ａ、２ｂを付加したビルドアップ配線基板３などである。一般にビルドアップ配線基板とは、たとえばベース部分をガラスエポキシ積層板とし、ベースの表面を接続するスルーホールはエポキシ樹脂により埋められているものや、表面実装をビルドアップしたもの、あるいは前記のビルドアップ配線基板と表面実装とを組合せたものを言う。これらのビルドアップ層２ａ上面及びビルドアップ層２ｂ下面には、それぞれ配線導体層が形成される。ビルドアップ層の数は、１層に限定されず複数層であることが多い。
【００４４】本発明のビルドアップコア基板１をビルドアップ配線基板として使用する際、封入された熱・電気伝導性ポストを例えば、レーザで開口して選択使用する。それにより極めて高精度に熱・電気伝導性ポストを形成できる。この熱・電気伝導性ポストはサーマルビアとして機能し、サーマルビアを介して熱を効率よく伝達する構成となる。
【００４５】ビルドアップコア基板（１）にビルドアップ層（２ａ、２ｂ）を付加した図５に例示するビルドアップ配線基板の製造は、特に限定されるものではなく前述の製造方法を適宜組合せれば良い。例えば、ビルドアップコア基板（１）に回路パターンがパターンエッチングされた金属箔と、ビルドアップコア基板（１）と、プリプレグを重ねて加圧・加熱すれば良い。図６に示す、より複雑なビルドアップ配線基板を製造することも容易である。
【００４６】図６に示すビルドアップコア基板３の製造方法を、図７及び図８を用いて説明する。図７（ａ）はバリヤ層９の一方の面に複数の林立したＣｕなどの熱・電気伝導性ポスト１６を、図７（ｂ）はプリプレグ１２を、図７（ｃ）は０．４ｍｍピッチで直径０．３ｍｍの穴が明けられたＦｅ−Ｎｉ合金などの孔明き板１９で、例えばパターンエッチングで製造したものを示す。これらの熱・電気伝導性ポスト１６、プリプレグ１２、パターンエッチング品２０を、図７（ｄ）に示すように、積層して、加熱された押板で加圧してラミネート品を製造する。
【００４７】図８（ａ）は、図７（ｄ）で製造されたラミネート品を、反転した状態で示した図である。このＦｅ−Ｎｉ合金のキャリヤ層１１と、次いでＴｉバリヤ層９の一部を、図８（ｂ）に示すようにエッチング除去する。次にこれを、図８（ｃ）に示すプリプレグ１３と積層して、加熱加圧して図８（ｄ）に示すラミネート品、即ちビルドアップコア基板１が得られる。
【００４８】熱膨張係数は、４２アロイが４．２ｐｐｍに対してＣｕは１６ｐｐｍと大きいが、本発明のビルドアップコア基板では、例えば図４に模式図を示すようにＣｕ等の熱・電気伝導性ポスト１６に比べて、４２アロイ等の孔明き板１９の占める割合が圧倒的に多い。従って、全体としてのビルドアップコア基板の熱膨張係数は、４２アロイに極めて近く低いものとなる。
【００４９】Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、低熱膨張特性を付与する目的で用いるため、３０℃〜３００℃における平均熱膨張係数を４〜６ｐｐｍ/℃の範囲の合金薄板を配置することが望ましい。具体的に使用するＦｅ−Ｎｉ系合金としてはＦｅ−４２％Ｎｉ合金、Ｆｅ−３６％Ｎｉ合金のいわゆるインバー合金、Ｆｅ−３１％Ｎｉ−５％Ｃｏ合金のいわゆるスーパーインバー合金、Ｆｅ−２９％Ｎｉ−１７％Ｃｏ合金等のＮｉ３０〜６０％、残部ＦｅあるいはＮｉの一部をＣｏで置換したものを基本元素とするものが使用できる。このうち、例えばシリコンチップの上面に形成するには、シリコンチップ４の平均熱膨張係数に近似するＦｅ−３６％Ｎｉ合金やＦｅ−３１％Ｎｉ−５％Ｃｏ合金を用いることが望ましい。
【００５０】従来、接続信頼性を大きく阻害していた要因として、シリコンチップと、基板又はインターポーザ（熱膨張係数１６ｐｐｍ/℃程度）との差に起因した半田ボール部の断線の問題がある。この問題に対して、基板の基材を低熱膨張化すると同時に、放熱特性を付与できる本発明によると、シリコンチップで発生した熱を複数の熱・電気伝導性ポスト１６を介して、基板の下面方向及び水平方向へ拡散してやることができる。なお、熱・電気伝導性ポストは導電性ポストとも呼ばれる。
【００５１】本発明で孔明き板１９にＦｅ−Ｎｉ合金を用いる場合には、半導体チップ４とビルドアップ配線基板３との間には、良好な熱膨張係数の傾斜，階層を得ることができ、ヒート・サイクル、ヒート・ショック等によるクラックなどによる信頼性低下を大幅に改善できる。図５に示す一実施例では、半導体チップ４を搭載するビルドアップ配線基板３、ビルドアップ配線基板３を搭載するプリント配線板ＰＷＢ（図示せず）の熱膨張係数は、各々、３．２ｐｐｍ/℃、８〜１０ｐｐｍ/℃、１７ｐｐｍ/℃と、良好な熱膨張係数の傾斜，階層を示している。
【００５２】図６に例示するビルドアップ配線基板においては、図中にＶｃｃ、Ｖｓｓと示すように、電源電圧層、アース層と回路構成に合わせて使い分けることが可能となる。本発明によると、簡単にこのような構成を可能とするため、チップのクロック周波数の増大により電圧変動が生じやすくなっている現状において、安定した電圧の供給と併せ、安定したアース（接地、グランドとも呼ばれる）を可能とする。なお、図６では２層に重畳された孔明き板１９の例を示したが、本発明によると何層でも容易に製造できる。
【００５３】図２と図３を用いて本発明に係るビルドアップコア基板の製造方法の一例を示したが、本発明はそれに限定されるものではなく、リールに巻かれた金属箔、樹脂フィルムを用いてローラによって連続的にリール・ツー・リール（reel-to-reel）工法でホトエッチングやラミネート工程までを連続的に処理することもできる。図１０に一例を示す。図１０（ａ）はリールに巻き取られた状態を示し、その部分拡大図を図１０（ｂ）及び図１０（ｃ）に示す。これは、例えば図２（ｄ）に対応する。このようなリール形状にした場合には、ハンドリング性が格段に向上して、電子パッケージの自動生産が容易化する利点がある。
【００５４】本発明によると、熱・電気伝導性ポストを複数個設けたインターポーザが容易に得られ、基板をエッチングすることにより熱・電気伝導性ポストとして絶縁基板より隔離された島状の熱・電気伝導性ポスト部分が形成される。本発明の基板は優れたエッチング性を有する導体板を用いるため、狭ピッチの高密度配線に好適であることから、従来のビルドアップの積層枚数を少なくできる。そのため、本発明の基板を用いれば、基板そのものの配線密度を高めることができ、本発明の基板を積層したビルドアップ配線基板や、たとえばフリップチップ実装、Wafer Level CSP等に特に有効である。また、ビルドアップ層の層数の低減は、コストダウンに直結する。
【００５５】また本発明は、ビルドアップ配線基板を用いて半導体装置とすることができる。本発明の半導体装置としては、特に限定されるものではないが、半導体チップからの信号を外部に導く半田ボールを介し、フリップチップ実装とし、さらにプリント基板が複数枚積層されたビルドアップ配線基板に信号が伝達される半導体装置とすることができ、狭ピッチに好適なエッチング性に優れた導体板を用いることから、ビルドアップ配線基板に直接実装する半導体装置に特に好適である。
【００５６】また、本発明においては、狭ピッチの高密度配線に好適であることから、本発明の基板を用いれば、配線密度を高めることができるので、従来のビルドアップの積層枚数を少なくできる。以上、本発明において、バリヤ層（９）、ポスト形成層（１０）、キャリヤ層（１１）、熱・電気伝導性ポスト（１６）、孔明き板（１９）の好ましい材質は、各々、バリヤ層（９）はＮｉ，Ｔｉ，Ｓｎなど、ポスト形成層（１０）はＣｕ、キャリヤ層（１１）はＦｅ−Ｎｉ合金、熱・電気伝導性板（１５）はＦｅ−Ｎｉ合金、熱・電気伝導性ポスト（１６）はＣｕ、孔明き板（１９）はＦｅ−Ｎｉ合金であるが、等価な作用効果を有するものであれば、本発明の技術的思想が適用できる。
【００５７】本発明に係るビルドアップコア基板は、外層の絶縁層１２に更に銅箔２１を貼付ける。貼付けには、キャリヤ銅箔層２１１（用済後、剥離除去する）と極薄銅箔２１との間に有機系などの剥離層２１２を有する複合銅箔を用いると良い。以下に、その製造方法を概説する。キャリヤ銅箔層２１１として、厚さ３５μｍの電解銅箔を用いる。このような電解銅箔は粗面（マット面）および平滑（光沢）面を有している。その光沢面側に、以下のようにして、有機系剥離層を形成し、次いで１次銅電着、２次銅電着、粗化処理及び防錆処理を行う。
【００５８】（イ）剥離層形成３５μｍの銅箔を、３０℃のカルボキシベンゾトリアゾール（ＣＢＴＡ）２ｇ／Ｌ溶液に３０秒間浸漬した後に取り出し、脱イオン水中で水洗いしてＣＢＴＡの有機系剥離層を形成する。得られた有機系剥離層の厚さをSIM（走査型イオン顕微鏡）で得られた像から測定したところ、６０Åであった。
【００５９】（ロ）１次銅電着形成された有機系剥離層の表面に、銅１７ｇ／Ｌ、ピロリン酸カリウム５００ｇ／Ｌを含む、ｐＨ８．５のピロリン酸銅電着浴を用いて、浴温５０℃、電流密度３Ａ／ｄｍ2で陰極電解し、厚さ１μｍの銅を析出させた。
（ハ）２次銅電着形成された極薄銅箔の表面を水洗し、銅８０ｇ／Ｌおよび硫酸１５０ｇ／Ｌを含む硫酸銅電着浴を用いて、浴温５０℃、電流密度６０Ａ／ｄｍ2で陰極電解し、５μｍの銅を析出させ、全体で６μｍの極薄銅箔層とする。
【００６０】（ニ）粗化処理このように形成された極薄銅箔層の表面に粗化処理を施する。電流密度を上昇させて極薄銅箔表面に導電性銅微粒子群を形成する。
（ホ）防錆処理粗化処理が施された極薄銅箔層の表面に電着により亜鉛クロメートの防錆処理を施し、複合銅箔を得る。
【００６１】極薄銅箔層の形成には「転写法」を用いることもできる。その概略を以下、説明する。キャリヤ材としての電解銅箔をカソードとして、バリア材としてのＮｉメッキ層を形成した後、配線部形成材として硫酸銅メッキを施し、三層の転写法用箔材を用意する。次に、ドライフィルムレジストをラミネートし、露光、現像によって所望のするレジストパターンを形成し、配線部形成材を選択エッチし、配線形成材上に残留するレジストを水酸化カリウム溶液を用いてレジストを剥離する。
【００６２】次に、上記の工程によって得られた転写法用箔材を金型にセットし、ガラスエポキシ樹脂へ銅配線パターン側を転写し、キャリヤ材及びバリア材を選択エッチし、転写された銅配線パターンのみを残留させることができるものであり、配線幅５０μｍ以下、配線間距離５０μｍ以下の狭ピッチの配線を形成するのに適した方法と言える。転写法による極薄銅箔の厚みは５〜１８μｍ程度である。従って、本発明に用いる銅箔は、転写法による場合は１８μｍ以下であり、前述の剥離層つきの複合銅箔を用いる場合には５μｍ以下にすることができる。
【００６３】本発明に係るビルドアップコア基板は、最外周層２１に極薄銅箔層を具備する。従って、ファインピッチのエッチングパターンが容易に形成できるので、半導体パッケージの小型化、高密度化効果は大きい。また、従来の様に、レーザ孔明けに際にレーザ光線の反射を防止のための黒化処理が不要である。銅箔が極めて薄いためレーザ光線が容易に銅箔を透過できるからである。
【００６４】
【発明の効果】バリヤ層を用いたエッチング法によるので、形状寸法のバラツキが極めて少ない熱・電気伝導性ポストを封入した基板が得られる。また、短距離配線を可能にするので、動作周波数の高速化に容易に対応できる。また、本発明によると、メタルコアを使用しているので、寸法安定性に優れ、薄くても剛性が高いのでハンドリング性も良い上に、微細で固体（ソリッド）の熱・電気伝導性ポストを利用するので、従来のようにコアー基板のドリルやレーザによるスルーホールの穴あけ工程が不要である。スルーホールの穴内面のメッキも不要である。また、高密度に製造可能なのでビルドアップ層の上下両面が有効に使えるので、層数の減少によるコストダウンも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るビルドアップコア基板のパターンエッチング品を示す図である。
【図２】本発明に係るビルドアップコア基板の一製造方法を示す図である。
【図３】本発明に係るビルドアップコア基板の別の製造方法を示す図である。
【図４】本発明に係るビルドアップコア基板の斜視・部分断面図である。
【図５】本発明に係るビルドアップ配線基板の図である。
【図６】本発明に係る別のビルドアップ配線基板の図である。
【図７】図６に示すビルドアップコア基板の製造工程の一部を示す図である。
【図８】図６に示すビルドアップコア基板の製造工程の残部を示す図である。
【図９】本発明に係るビルドアップ配線基板の放熱の状況を示す模式図である。
【図１０】本発明に係るビルドアップコア基板の更に別の製造方法を示す図である。
【図１１】従来のビルドアップ配線基板を示す図である。
【図１２】従来のエッチング方法の問題点を説明する図である。
【符号の説明】
１．ビルドアップコア基板、２ａ．側ビルドアップ層、２ｂ．下側ビルドアップ層、ビルドアップ配線基板、４．半導体チップ、５ａ、５ｂ．半田ボール、６．アンダフィル、７．配線パターン、８．スルーホール、９．バリヤ層、１０．ポスト形成層、１１．キャリヤ層、１２、１３．絶縁板、１４．充填樹脂、１５．熱・電気伝導性板、１６．熱・電気伝導性ポスト、１７．絶縁材、１８．空洞部、１９．孔明き板
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ビルドアップ配線基板のコア基板、及びビルドアップ層を付加し表面に電子部品が実装されて信号伝送が行われるビルドアップ配線基板に係り、特に狭ピッチの半導体パッケージを可能とする形状寸法の偏差が極めて少ないものであり、且つ放熱性に優れ、半導体パッケージの熱膨張係数の階層、傾斜をつけて信頼性を向上したものに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体パッケージには多くの機能を兼ね備えることが要求されてきた。先ず、小型で高密度（ファインピッチ）配線できること。それに伴う単位面積、単位体積当たりの発熱量の増大による良好な放熱性である。更に半導体チップが処理する信号の高速化にも対応できなくてはならない。また、電子パッケージに対するコストダウン要求は、年々過酷なものになっているから、製造コストの低減も重要である。
【０００３】半導体パッケージの高密度化は、配線パターンの幅、または二つの配線パターン間距離を指標とするＣＤ（Critical Dimension）で評価され、年々小さくする努力がなされてきた。配線パターンの幅、または二つの配線パターン間距離は、単に小型化だけでなく伝送線路が長くなることによる伝送信号の遅延なと、デバイス性能に与える影響は大きい。
【０００４】半導体パッケージの配線パターン形成の従来法には、セミアディティブ法、フルアディティブ法、サブトラクティブ法など多くの製法がある。セミアディティブ法は、（基板のレーザ孔明け）―（樹脂の粗化処理）―（ジンケート処理、即ちＺｎメッキ）―（レジストのコート形成）―（レジストのエッチングによる選択除去）―（電気銅メッキ）―配線パターンの完成という工程を経る。ジンケート膜は、最後に除去することが、短絡防止の為に必要である。フルアディティブ法は、（基板のレーザ孔明け）―（粗化処理）―（レジスト形成）―（レジストのエッチングによる選択除去）―（無電解銅メッキ）―配線パターンの完成という工程を経る。サブトラクティブ法は、（レーザ孔明け）―（粗化処理）―（銅メッキ）―（エッチング）―配線パターンの完成という工程を経る。以上の様に、従来の製造方法は、多くの複雑な工程を必要としてきた。
【０００５】従来の製法を、もう少し詳しく述べる。銅張り基板の所要位置にスルーホールを穴明けしたのち、無電解めっき処理及び銅めっき処理を施して全面に銅めっき層を形成する。その後、全面にフォトレジスト膜を電着により形成したのち、フォトレジスト膜上にインクマスクをスクリーン印刷により形成する。その後、露光処理を行って、インクマスクを介して露出するフォトレジスト膜を硬化させたのち、現像処理してフォトレジスト膜中、光が照射されなかった部分を溶解除去して、配線パターンに準じたレジストパターンを形成する。その後、露出する銅めっき層及びその下層の銅箔をエッチング除去したのち、レジストパターンを剥離して、銅めっき層及び銅箔による所望の配線パターンを形成する。半導体パッケージは、高密度実装の為に三次元実装、多層基板化しており、各層間の電気的接続はスルーホールでなされている。
【０００６】半導体素子は、また熱に弱い。そこで、半導体素子の発する熱を効果的に放熱処理することができるとともに、構造を簡素にして安価なコストで製造することができる半導体素子用基板の開発が活発に行われてきた。従来、０．３ｍｍ程度のドリルで、複数のスルーホールをピッチ１．２７ｍｍ程度で穴明け後、Ｃｕ等でスルーホールメッキを施して基板の縦方向の導通を取っていた。例えば特開平１０−３１３０７１号公報には、基板の他方の主面上に放熱パターンを形成し、この放熱パターン上に、配線基板に搭載される際の接合面となる放熱板を接合し、さらに基板の厚さ方向に貫通するように放熱用スルーホールを穿設して放熱用スルーホール内に金属材料を充填し、ベアチップの発する熱を金属材料が充填された放熱用スルーホール及び放熱パターンを介して放熱板に伝導するようにしたものが開示される。
【０００７】また、特開平９−１９９６３２号公報には、フレキシブル基板において、放熱性に優れ、穴明け加工を容易に行うことができ、かつ、高密度配線が可能な、電子部品搭載用基板を開示する。この特開平９−１９９６３２号公報によると、「電気絶縁性のフレキシブルフィルム及び該フレキシブルフィルムの厚み方向に２層以上設けた導体回路よりなる多層基板と、すべてのフレキシブルフィルムを貫通する貫通穴と、該貫通穴を覆うよう多層基板の上面側に設けた放熱金属板と、上記貫通穴と放熱金属板とにより形成される、電子部品を搭載するための搭載用凹部と、多層基板に設けられ導体回路に導通するスルーホールとを有する。フレキシブルフィルムの厚みは、３０〜２００μｍであることが好ましい。」
【０００８】そして、特開平９−１９９６３２号公報の実施例によると、製造方法は次のとおりである。ガラス繊維入りエポキシ系材料からなるフレキシブルフィルムを準備する。フレキシブルフィルムは、厚み０．０５ｍｍ、幅２．５〜１５ｃｍの可撓性を有する帯状のフィルムである。このフレキシブルフィルムは、予めロール状に巻回しておき、複数のロール体を形成しておく。次いで、上記ロール体からフレキシブルフィルムを引き出しながら、該フレキシブルフィルムの下面側に、熱可塑性のガラス繊維入りエポキシ系材料からなる絶縁性接着剤を接着する。次いで、パンチング加工により、フレキシブルフィルムの略中央部分に貫通穴を穿設する。次いで、フレキシブルフィルムの下面側に、前記絶縁性接着剤を介して、厚み３５ｍｍの銅箔を接着する。そして、スルーホールの内部に、半田を充填する。
【０００９】また、近年半導体パッケージ基板は、機器の小型化にともない、パターンはファイン化の一途をたどり、いわゆるビルドアップ配線基板と称し、コア基板の両面に絶縁層を塗布しビルドアップ層を付加してメッキ法によってパターンを形成していく方法が行われている。図１１に従来のビルドアップ配線基板の一例を図示する。ビルドアップ配線基板３は、ビルドアップコア基板１と上下のビルドアップ層でなる。ビルドアップコア基板１は、ガラス繊維強化のエポキシ・リジッド材料を用いることが多い。上側ビルドアップ層２ａは、配線パターン７、半田ボール５ａを経て半導体（Ｓｉ）チップ４にＣ４接続される。Ｃ４接続とは、controlled collapsible chip connectorの略語で、ＬＳＩチップの電気信号と発生する熱をパッドを経て基板へと流れる電気的にも熱的にも有効な伝導路を形成する接続手法である。
【００１０】記号４はＬＳＩ、ＣＳＰなどの半導体素子である場合もある。アンダーフィル６は、樹脂などで耐湿性および耐衝撃性向上の為に封止する機能がある。下側ビルドアップ層２ｂは、半田ボール５ｂを経て、外部回路に接続される。コア基板１は、スルーホール８の内壁にＣｕメッキして穴埋めし、樹脂を充填して平坦化する。上下のビルドアップ層は電気的、熱的に接続されている。下側ビルドアップ層２ｂは、通常、ビルドアップコア基板１を取り囲んで上下対称にバランスをとって、ビルドアップ配線基板３全体として、反り無く平坦度を出す為に設けることが多い。ビルドアップ層２ａ、２ｂは、１〜３層が一般的であり、この層のＣｕはメッキで形成することが多い。回路パターンはメッキＣｕをエッチングまたはアディティブ法のメッキで形成される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】従来のビルドアップコア基板、ビルドアップ配線基板においては種々の課題がある。第１は、半導体チップとの熱膨張係数の大きな差異による信頼性の低下、第２は狭ピッチへの対応困難、第３はビルドアップ層の活用度の低下、第４は熱放散性の低下、第５は加工工数と不均一、第６は浮遊容量の発生、第７はスルーホール孔明け工程での問題である。以下、各問題点毎に説明する。
【００１２】（１）半導体チップとの熱膨張係数の大きな差異による信頼性の低下。
ＦＣ−ＢＧＡ（Flip Chip-Ball Grid Array）を構成する半導体チップのＳｉは熱膨張係数が３．２（ｐｐｍ／℃）程度であるのに対して、ＰＷＢ（PrintedWire Board）は、材質にもよるが１７（ｐｐｍ／℃）程度と両者の差は大きい。熱膨張差の影響によりチップとインターポーザの半田ボール接続が、温度サイクル（−５５℃〜＋１２５℃）試験により半田ボールの疲労断線が発生する問題があった。
【００１３】（２）狭ピッチへの対応困難。
従来のビルドアップコア基板１のスルーホール８は、通常０．３ｍｍのドリルで穴あけするし補強材として入れたガラス繊維が邪魔となって、ピッチを狭くすることは困難で、せいぜい１．２７ｍｍ程度と粗いものしかできない。従って、年々ピッチの狭くなる半導体チップ４のバンプ、半田ボール５ａのピッチとは不整合が大きく、ビルドアップ層２ａの配線で大きく引き回して、層間結合を所謂スタッガ方式としなければならず、配線長を増大する。このことは、信号の伝送速度を遅らせ、動作周波数が１ＧＨｚにも達する現状において、高速化のニーズに反して問題である。ビルドアップコア基板での再配線長が長くなり、上側ビルドアップ層２ａの信号結線を制限する問題もある。
【００１４】また、狭ピッチを阻害する要因としてランドの存在がある。従来のビルドアップコア基板においては、図１１に例示するように、直径０．４〜１．２５ｍｍ程度のランド７１が必須であった。従って、ランド間に配線パターンを設けたい場合、ランドとの短絡防止の為に設けられる配線パターンの数に制約があるという問題もあった。
【００１５】（３）ビルドアップ層の活用度の低下。
また、下側ビルドアップ層２ｂは、スルーホールの数が少ないために有効利用できないという問題がある。ＢＧＡ用の半田ボール５ｂとの接続くらいにしか使えないからである。従来のようにドリルで穿孔する製造方法では、スルーホールの径が大きく、ピッチも大きく、配線の展開がビルドアップ配線基板３の上面に偏りがちである。ビルドアップコア基板のスルーホールが半導体チップ４のバンプ密度より遥かに低いので、下側ビルドアップ層２ｂのチャンネルを使いこなせないという問題がある。
（４）熱放散性の低下。
また、図１１に示す従来のビルドアップコア基板１では放熱に関与できるのはスルーホール８の内壁のメッキ層位であり熱放散性に劣るという問題があった。
【００１６】（５）加工工数と不均一。
更に、ビルドアップコア基板のＣｕ板をハーフエッチングし、樹脂埋込み後、平面研磨手段によって複数の熱・電気伝導性ポストの端部が露出するまで研磨する方法がある。この場合、露出する熱・電気伝導性ポストと、未露出の熱・電気伝導性ポストとが混在して、バラツキが大きいだけでなく、熱放散性が悪く信頼性と加工性に劣るという問題があった。従来のＣｕ板のエッチングでは、エッチングで形成される孔の形状、深さがばらつくのが通常である。場所によって被エッチング性にバラツキがあるためである。次に、プリプレグをラミネートしてエッチングされた孔をすべて埋め、反転してＣｕ層側を裏面研磨して樹脂にＣｕの熱・電気伝導性ポストが所定のピッチで複数個、埋め込まれたものを製造する場合には、研磨面をどこで止めるかによって、Ｃｕ層の厚さ、絶縁層の厚さが、その都度ばらついてしまうという問題があった。
【００１７】図１２を用いて、この問題点を詳細に説明する。図１２（ａ）は、従来のＣｕ板のエッチング後の断面形状を示す。エッチング深さのバラッキがあり、理想的な台形からずれた形状である。これに図１２（ｂ）に示すように樹脂を充填して、図１２（ｂ）のＣｕ板側からエッチングすると、図１２（ｃ）に示すようにエッチング残り、樹脂出っ張り、ショート（電気的短絡）が発生する。この為、更に裏面の機械的な研磨が必要となり、余計な工数がかかる上に均一性が悪いという問題があった。これは信号の伝送速度を遅らせる問題となっていた。
【００１８】（６）浮遊容量の発生。
また、半導体素子４の受けパッドは信頼性確保の為、大きくする必要があり、その為に上側ビルドアップ層２ａと下側ビルドアップ層２ｂのチャンネル静電容量のバランスが悪くなり、邪魔な浮遊容量を形成する問題もあった。
（７）スルーホール孔明け工程での問題。
また、ガラス繊維強化エポキシ樹脂基板を用いる場合、スルーホールのドリルによる穴あけはガラス繊維により微細な穴あけが阻害されるのみならず、繊維の破断を来たし、信頼性の低下、後のメッキ工程でのメッキ液の染込みなど、種々の問題もある。また、熱膨張係数を調節するために樹脂にフィラーを添加することが多くなっているが、微小ビア（スルーホール）加工の場合には、このフィラーの粒径自体が妨げになるという問題もある。
【００１９】そこで、本発明は、機械的研磨を用いずに熱・電気伝導性ポストと絶縁層の厚みを均一に制御できる新規な製造方法を提供し、その結果、半導体チップとの熱膨張係数の差異を低減して信頼性を向上したビルドアップ配線基板を提供することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記問題点を解決するため、下記の構成を趣旨とする。なお、括弧（）内に、図１〜図９で使用した記号を、理解の容易の為に示す。本発明の技術的思想が、図１〜図９の実施例に限定されるものではない。なお、ポスト形成層１０、熱・電気伝導性ポスト１５、孔明き板１９は、同じ又は類似したものを、工程に応じて別な記号を用いて使い分けている。例えば、エッチングの説明の時（図１）にはポスト形成層１０を、図４のビルドアップコア基板の時には熱・電気伝導性ポスト１５を、そして空洞部１８を包含する全体を孔明き板１９と呼んでいる。同様に、絶縁板を形成するプリプレグ１２、１３と、充填樹脂１４と、絶縁材１７とは、例えば図２の積層して加熱加圧するビルドアップコア基板の製造方法の説明ではプリプレグ１２、１３を、図３のスクリーンプリント法でのビルドアップコア基板の製造方法の説明には充填樹脂１４を、出来上がったビルドアップコア基板の構成を機能的に説明する図４では絶縁材１７を記号に用いている。
【００２１】｛１｝板厚方向に複数の貫通孔１８を有する低熱膨張係数の熱・電気伝導性板１５と、該複数の貫通孔１８を有する熱・電気伝導性板１５と異なる材質からなり前記貫通孔１８内に設けられた島状に孤立した複数の熱・電気伝導性ポスト１６と、該複数の熱・電気伝導性ポスト１６の外周に設けられ、前記低熱膨張係数の熱・電気伝導性板１５との間に介在して、前記複数の熱・電気伝導性ポスト１６を電気的に絶縁する絶縁材１７と、前記低熱膨張係数の熱・電気伝導性板１５の両主面に接合された絶縁板１２、１３と、前記絶縁板の一方または両方の主面上に設けられた厚み１８μｍ以下の極薄銅箔層２１からなることを特徴とするビルドアップコア基板１。なお、熱・電気伝導性ポスト（１６）は、下位概念として、メタルポストまたはメタルコアと呼ぶこともある。
【００２２】｛２｝前記複数の熱・電気伝導性ポスト１６が、ＣｕまたはＣｕ合金であり、前記複数の貫通孔１８を有する低熱膨張係数の熱・電気伝導性板１５がＦｅ−Ｎｉ合金でなる｛１｝記載のビルドアップコア基板（１）である。
｛３｝前記複数の熱・電気伝導性ポスト１６の直径が、０．０１〜０．２ｍｍ、ピッチが０．１〜１．０ｍｍであることを特徴とする｛１｝記載のビルドアップコア基板（１）である。なお、前記複数の熱・電気伝導性ポスト１６の直径のより好ましい下限は、０．０４ｍｍである。
【００２３】｛４｝前記絶縁材１７が、ガラス繊維強化エポキシ樹脂、ガラス繊維強化ビスマレイミド・トリアジン（ＢＴ）樹脂、またはポリエーテル・サルフォン（ＰＥＳ）配合エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂のうちのいずれかであることを特徴とする｛１｝記載のビルドアップコア基板１である。
｛５｝前記複数の熱・電気伝導性ポスト１６の外周に、絶縁材１７と孔明き板１９を具備することを特徴とした｛１｝載のビルドアップコア基板１である。
｛６｝前記｛１｝記載のビルドアップコア基板１と、該ビルドアップコア基板１の主表面に形成されるビルドアップ層２ａ、２ｂを備えたビルドアップ配線基板３である。
【００２４】｛７｝下記の工程でなることを特徴とするビルドアップコア基板（１）の製造方法である。
１．バリヤ層９の一方の主面にポスト形成層１０を、他方の主面にキャリヤ層１１を接合する。
２．前記ポスト形成層１０に、所定の領域を除去するマスクを載置する。
３．前記所定の領域を、エッチングにより、前記バリヤ層１１に達するまで除去して、熱・電気伝導性ポスト１６が複数個、林立する第１のパターンエッチング品を作る。
４．該第１のパターンエッチング品と、孔明き板１９とを組合せる。
５．該第１のパターンエッチング品と孔明き板１９に粗化処理をする。
６．その後、絶縁板１２を積層し、加熱加圧して第１積層品を作る。
７．該第１積層品から前記キャリヤ層１１を除去する。
８．更に前記バリヤ層９を除去して第２積層品を得る。
９．該第２積層品と絶縁板１３を積層する。
１０．前記絶縁板１２、１３の一方または両方の主面上に厚み１８μｍ以下の極薄銅箔層を積層してビルドアップコア基板を製造する。なお、上記のバリヤ層（９）、ポスト形成層（１０）、キャリヤ層（１１）、熱・電気伝導性ポスト（１６）、孔明き板（１９）の好ましい材質は、各々、バリヤ層（９）はＮｉ，Ｔｉ，Ｓｎなど、ポスト形成層（１０）はＣｕ、キャリヤ層（１１）はＦｅ−Ｎｉ合金、熱・電気伝導性ポスト（１６）はＣｕ、孔明き板（１９）はＦｅ−Ｎｉ合金である。
【００２５】｛８｝下記の工程でなることを特徴とするビルドアップコア基板１の製造方法である。
１．バリヤ層９の一方の主面にポスト形成層１０を、他方の主面にキャリヤ層１１を接合する。
２．前記ポスト形成層１０に、所定の領域を除去するマスクを載置する。
３．前記所定の領域を、エッチングにより、前記バリヤ層９に達するまで除去して、熱・電気伝導性ポスト１６が複数個、林立する第１のパターンエッチング品を作る。
４．該第１のパターンエッチング品と、孔明き板とを組合せて空洞部を有する組立品を得る。
５．前記第１のパターンエッチング品と前記孔明き板に粗化処理をする。
６．前記空洞部にスクリーンプリント法で樹脂を充填する。
７．前記キャリヤ層をエッチング除去する。
８．更に前記バリヤ層をエッチング除去する。
９．次いで主面両側から絶縁板を積層する。
１０．前記絶縁板の一方または両方の主面上に厚み１８μｍ以下の極薄銅箔層を積層してビルドアップコア基板を製造する。なお、上記のバリヤ層９、ポスト形成層１０、キャリヤ層１１、熱・電気伝導性ポスト１６、孔明き板１９の好ましい材質は、各々、バリヤ層９はＮｉ，Ｔｉ，Ｓｎなど、ポスト形成層１０はＣｕ、キャリヤ層１１はＦｅ−Ｎｉ合金、熱・電気伝導性ポスト１６はＣｕ、孔明き板１９はＦｅ−Ｎｉ合金である。
【００２６】｛９｝前記極薄銅箔の厚みが５μｍ以下であることを特徴とする｛１｝記載のビルドアップコア基板である。
｛１０｝前記極薄銅箔の厚みが５μｍ以下であることを特徴とする｛７｝または｛８｝記載のビルドアップコア基板の製造方法である。
【００２７】
【発明の実施の形態】本発明においては、熱・電気伝導性ポスト１６はＣｕ、孔明き板１９はＦｅ−Ｎｉ合金で構成したので、Ｃｕの良好な熱・電気伝導性を活かしつつ、低熱膨張係数のＦｅ−ＮＩ孔明き板１９でインターポーザの全体的な熱膨張係数を６〜１２ｐｐｍ／℃となるように制御できるので、従来の問題点であった半田ボールの温度サイクルによる疲労断線が５〜１０倍改善されると共に放熱性も良好であるという顕著な効果がある。更に、ビルドアップコア基板１が最外層に厚み１８μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下、という極薄銅箔層を設けたので、狭ピッチ（ファインピッチとも呼ばれる）の配線パターンをエッチングなどで精度良く容易に形成できる。以下、図面を用いて本発明に係るビルドアップコア基板の製造方法を説明する。
【００２８】図１は本発明に係るビルドアップコア基板のパターンエッチング組立品を示す図である。図１（ａ）はエッチングに使うマスクの平面図を示す。このマスクは、複数の熱・電気伝導性ポスト１６を、ポスト形成層１０からエッチング除去するのに使用する。ポスト形成層１０の材質は、熱及び電気伝導性の良好な材質、例えばＣｕまたはＣｕ合金が好ましい。図１（ｂ）はＡ-Ａ矢視断面図であり、バリヤ層９の両主面に接合されたポスト形成層１０とＦｅ−Ｎｉ合金のキャリヤ層１１のうち、ポスト形成層１０が複数の熱・電気伝導性ポスト１６を残してエッチング除去された状態を示す。これに、熱膨張係数の小さいＦｅ−Ｎｉ合金でなる孔明き板１９（図1（ｃ））を組合せて、図１（ｄ）に示す組立品を製造する。
【００２９】本発明におけるポスト形成層１０の材質として好適なのは、熱及び電気の良好な導体であるＣｕまたはその合金である。Ｃｕは、無酸素銅線（ＯＦＣ：OxygenFree Copper）、電解銅などを用いることができるが、バリヤ層９と接着ではなく拡散接合などの冶金学的接合を用いる場合には、例えばＳｎを添加して耐熱性を改良したものが好ましい。バリヤ層９の材質は、Ｔｉ，Ｓｎ，Ｎｉなどが適当である。バリヤ層９の両面にエポキシ樹脂等でポスト形成層１０とＦｅ−Ｎｉ合金のキャリヤ層１１を接合する。あるいは冶金学的な拡散接合に依ってもよい。また、本発明は図１に例示する所定のピッチで設けなければならない限定も無く、円柱状である限定もない。必要に応じて不均一ピッチ、非円柱形状の熱・電気伝導性ポスト１６を形成することもできる。
【００３０】本発明においては、従来のようにドリルを用いるのではないから、ピッチを従来の１．２７ｍｍ程度に比べて狭ピッチの１．０ｍｍ以下にすることが可能である。本発明において、このピッチの下限は、エッチング技術の進歩に伴って、年々下がっており、現状では０．１ｍｍ程度までは可能である。今後、この下限はもっと下がることは言うまでもない。
【００３１】そして、エッチングにより前記同心円状に前記ポスト形成層１０を、同心円状に前記バリヤ層９に達するまで除去して、複数個の熱・電気伝導性ポスト１６が所定ピッチで林立するパターンエッチング品（図１（ｂ））を作る。図４に複数個の熱・電気伝導性ポスト１６がガラス繊維強化エポキシ樹脂などのプリプレグ１２に封入された断面斜視図を示す。本発明のビルドアップコア基板１を用いると、図９に図示したように、熱は、複数個の熱・電気伝導性ポスト１６の縦方向のみならず、隣接した他の熱・電気伝導性ポストへリレー式に伝達され、放熱される。
【００３２】化学エッチング液としては、バリヤ層９がＴｉの場合には、エチレンジアミン系のエンストリップＴＬ−１４２（メルテックス社製、商品名）濃縮液を用いる。その他、バリヤ層９の材質に応じて、メテックＳＣＢ（マクダーミッド社製商品名）等の市販の溶液や、硝酸と過酸化水素の混合物、クロム酸と硫酸の混酸などが使える。
【００３３】本発明においては、前記バリヤ層９をエッチング・ストップ層として機能させるので、高さの不均一が無く精密に制御された複数の熱・電気導電性ポスト１６のアレイを得ることができる。更に、余計な機械的研磨も不要である。本発明によると、優れたエッチング性を有し、配線部のコーナー部を顕微鏡で観察した結果も、理想的な形状にエッチングされていることを確認した。
【００３４】本発明の高さの不均一が無いという特徴は重要である。それは基板を電子回路に用いる場合のマイクロストリップ線路の特性インピーダンスで理解できる。特性インピーダンスは、材料の透磁率、誘電率を一定とした場合、自然対数ｌｎで表すｌｎ（４ｈ／（０．５３６ｗ+０．６７ｔ））なる値に比例することが、多くの教科書、例えば中沢喜三郎他著「ＶＬＳＩシステム設計」で知られている。ここで、記号ｈは絶縁層厚、記号ｗは配線幅、記号ｔは配線厚である。この関係式から、インピーダンス制御のために絶縁層および導体層の各厚さ制御が重要であることが分かる。特性インピーダンスが一定下（例えば５０Ω）では、配線幅が狭くなると絶縁厚も薄くなり、その公差も小さくなる。また、幅、厚さについての管理がより厳しくなる。すなわち、動作周波数が１ＧＨｚにもなろうとする高速化時代には絶縁層および導体層の各厚さ制御が重要である。
【００３５】次に、図２を用いて本発明に係るビルドアップコア基板の製造方法の説明を続ける。図１（ｄ）で示す組立品を、図２（ａ）に示すように、ガラス繊維強化エポキシ樹脂などのプリプレグ１２を積層し加熱加圧して第１積層品（図２（ａ））を作り、該第１積層品から前記キャリヤ層１１を塩化第二鉄溶液により除去する。前記キャリヤ層１１は、その剛性によりハンドリング性を向上する。
【００３６】組立品（図１（ｄ））と絶縁板として用いるプリプレグ１２との接着力を向上するために、組立品（図１（ｄ））の金属面を粗化処理することが好ましい。粗化処理の方法は、特に限定されないが、メッキで瘤状の微小突起を形成したり、機械的に研磨したりして金属面とエポキシ樹脂間の接着力の向上を図る。
【００３７】プリプレグの材質としては、ガラス繊維強化エポキシ樹脂のほかに、ガラス繊維強化ビスマレイミド・トリアジン（ＢＴ:bismallimide triazene）樹脂、またはポリエーテル・サルフォン（ＰＥＳ:poly-ether sulphon）配合エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ＲＣＣ（樹脂付き銅箔（Resin Coated Copper））等が好適である。
【００３８】その他、未硬化ないしは半硬化したプリプレグとしては、ガラス布、ガラス単繊維、紙等の強化基材に、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、あるいはこれらの混合物等と、それぞれの樹脂の硬化剤を含浸させたもの、あるいは、加熱して半硬化状（Ｂ−ステージ）にしたものが使用できる。この樹脂としては、弗素樹脂のように熱可塑性の樹脂をも用いることができる。なお、本発明において絶縁層１２、１３の形成は、プリプレグ（硬化剤を添加した樹脂、顔料、離型剤などを予め混合したものを強化繊維にさせ、半硬化状態にした成型材料）に限定されない。塗布、ホットメルトなど公知の方法で樹脂などの絶縁層を形成すれば良い。
【００３９】なお、近年、半田の鉛フリー化が急速に進展している。鉛フリー化によるリフロー炉の温度上昇等から、基材、ビルドアップ層のより高Ｔｇ（ガラス化温度）化が求められている。本発明のビルドアップコア基板、ビルドアップ層についても係る考慮も必要である。
【００４０】更に前記バリヤ層９をエンストリップＴＬ−１４２濃縮液などで除去して第２積層品（図２（ｃ））を得て、該第２積層品とプリプレグ１３を積層し、加熱加圧してビルドアップコア基板（図２（ｄ））を得る。ここで、前記バリヤ層の材質はＴｉ、Ｓｎ、Ｎｉまたはそれらの合金、前記ポスト形成層の材質はＣｕまたはその合金、前記キャリヤ層の材質はＣｕまたはその合金が好適である。本発明では、バリヤ層９を正確なエッチング深さのコントロール手段として用いることができる。
【００４１】さて、図２（ｄ）に示す熱・電気伝導性ポスト１６の外周に樹脂などの絶縁層１０、その外周を孔明きのポスト形成層１０を設けたビルドアップコア基板の部分品が出来上がった。次に、図２（ｅ）に示す３５μｍ程度のキャリヤ銅箔２１１に、粘着性の剥離層２１２を介して、３〜５μｍ程度の極薄銅箔２１が設けられた部材を用意する。図２（ｄ）で示す部分品に、図２（ｅ）で示す部材によって最外層に銅箔層２１を設ける。なお、部材（図２（ｅ））の剥離層２１は必ずしも粘着性のものに限定されず、後で除去できるものであれば本発明の技術的思想にとって、何ら妨げとなるものではない。なお、図２に示す製造方法例では、図２（ｅ）のような部材を用いたが、本発明は、それに限定されるものではなく、極薄銅箔層２１は、電解または無電解メッキ、蒸着等々、公知の方法を適宜用いることができる。図２（ｅ）のような部材を用いる場合には、極薄銅箔の形成が容易である。
【００４２】図３を用いて本発明に係るビルドアップコア基板の別の製造方法を説明する。熱・電気伝導性ポスト１６が複数個、林立する組立品（図１（ｄ））を作る工程までは、図２で説明した工程が利用できる。次いで、前記組立品（図３（ａ））の空洞部１８にスクリーンプリント法で、加熱して半硬化状の樹脂１４を充填する（図３（ｂ））。そして、前記キャリヤ層１１をエッチング除去する（図３（ｃ））。更に前記バリヤ層９をエッチング除去し（図３（ｄ））、主面両側からプリプレグ１２、１３を積層し、加熱加圧してビルドアップコア基板を得る（図３（ｅ））。
【００４３】図４に、本発明に係るビルドアップコア基板１の、外周銅箔層２１及びプリプレグ層１２、１３を取り除いた部分品の部分断面斜視図を示す。複数の林立するＣｕなどの熱・電気伝導性ポスト１６の外周を、絶縁材１７が取り巻き、Ｆｅ−Ｎｉなどの低熱膨張係数の孔明き板１９がその外周に設けられる。本発明に係るビルドアップコア基板１の用途は、図５に例示するように、このビルドアップコア基板１の上下にビルドアップ層２ａ、２ｂを付加したビルドアップ配線基板３などである。一般にビルドアップ配線基板とは、たとえばベース部分をガラスエポキシ積層板とし、ベースの表面を接続するスルーホールはエポキシ樹脂により埋められているものや、表面実装をビルドアップしたもの、あるいは前記のビルドアップ配線基板と表面実装とを組合せたものを言う。これらのビルドアップ層２ａ上面及びビルドアップ層２ｂ下面には、それぞれ配線導体層が形成される。ビルドアップ層の数は、１層に限定されず複数層であることが多い。
【００４４】本発明のビルドアップコア基板１をビルドアップ配線基板として使用する際、封入された熱・電気伝導性ポストを例えば、レーザで開口して選択使用する。それにより極めて高精度に熱・電気伝導性ポストを形成できる。この熱・電気伝導性ポストはサーマルビアとして機能し、サーマルビアを介して熱を効率よく伝達する構成となる。
【００４５】ビルドアップコア基板（１）にビルドアップ層（２ａ、２ｂ）を付加した図５に例示するビルドアップ配線基板の製造は、特に限定されるものではなく前述の製造方法を適宜組合せれば良い。例えば、ビルドアップコア基板（１）に回路パターンがパターンエッチングされた金属箔と、ビルドアップコア基板（１）と、プリプレグを重ねて加圧・加熱すれば良い。図６に示す、より複雑なビルドアップ配線基板を製造することも容易である。
【００４６】図６に示すビルドアップコア基板３の製造方法を、図７及び図８を用いて説明する。図７（ａ）はバリヤ層９の一方の面に複数の林立したＣｕなどの熱・電気伝導性ポスト１６を、図７（ｂ）はプリプレグ１２を、図７（ｃ）は０．４ｍｍピッチで直径０．３ｍｍの穴が明けられたＦｅ−Ｎｉ合金などの孔明き板１９で、例えばパターンエッチングで製造したものを示す。これらの熱・電気伝導性ポスト１６、プリプレグ１２、パターンエッチング品２０を、図７（ｄ）に示すように、積層して、加熱された押板で加圧してラミネート品を製造する。
【００４７】図８（ａ）は、図７（ｄ）で製造されたラミネート品を、反転した状態で示した図である。このＦｅ−Ｎｉ合金のキャリヤ層１１と、次いでＴｉバリヤ層９の一部を、図８（ｂ）に示すようにエッチング除去する。次にこれを、図８（ｃ）に示すプリプレグ１３と積層して、加熱加圧して図８（ｄ）に示すラミネート品、即ちビルドアップコア基板１が得られる。
【００４８】熱膨張係数は、４２アロイが４．２ｐｐｍに対してＣｕは１６ｐｐｍと大きいが、本発明のビルドアップコア基板では、例えば図４に模式図を示すようにＣｕ等の熱・電気伝導性ポスト１６に比べて、４２アロイ等の孔明き板１９の占める割合が圧倒的に多い。従って、全体としてのビルドアップコア基板の熱膨張係数は、４２アロイに極めて近く低いものとなる。
【００４９】Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、低熱膨張特性を付与する目的で用いるため、３０℃〜３００℃における平均熱膨張係数を４〜６ｐｐｍ/℃の範囲の合金薄板を配置することが望ましい。具体的に使用するＦｅ−Ｎｉ系合金としてはＦｅ−４２％Ｎｉ合金、Ｆｅ−３６％Ｎｉ合金のいわゆるインバー合金、Ｆｅ−３１％Ｎｉ−５％Ｃｏ合金のいわゆるスーパーインバー合金、Ｆｅ−２９％Ｎｉ−１７％Ｃｏ合金等のＮｉ３０〜６０％、残部ＦｅあるいはＮｉの一部をＣｏで置換したものを基本元素とするものが使用できる。このうち、例えばシリコンチップの上面に形成するには、シリコンチップ４の平均熱膨張係数に近似するＦｅ−３６％Ｎｉ合金やＦｅ−３１％Ｎｉ−５％Ｃｏ合金を用いることが望ましい。
【００５０】従来、接続信頼性を大きく阻害していた要因として、シリコンチップと、基板又はインターポーザ（熱膨張係数１６ｐｐｍ/℃程度）との差に起因した半田ボール部の断線の問題がある。この問題に対して、基板の基材を低熱膨張化すると同時に、放熱特性を付与できる本発明によると、シリコンチップで発生した熱を複数の熱・電気伝導性ポスト１６を介して、基板の下面方向及び水平方向へ拡散してやることができる。なお、熱・電気伝導性ポストは導電性ポストとも呼ばれる。
【００５１】本発明で孔明き板１９にＦｅ−Ｎｉ合金を用いる場合には、半導体チップ４とビルドアップ配線基板３との間には、良好な熱膨張係数の傾斜，階層を得ることができ、ヒート・サイクル、ヒート・ショック等によるクラックなどによる信頼性低下を大幅に改善できる。図５に示す一実施例では、半導体チップ４を搭載するビルドアップ配線基板３、ビルドアップ配線基板３を搭載するプリント配線板ＰＷＢ（図示せず）の熱膨張係数は、各々、３．２ｐｐｍ/℃、８〜１０ｐｐｍ/℃、１７ｐｐｍ/℃と、良好な熱膨張係数の傾斜，階層を示している。
【００５２】図６に例示するビルドアップ配線基板においては、図中にＶｃｃ、Ｖｓｓと示すように、電源電圧層、アース層と回路構成に合わせて使い分けることが可能となる。本発明によると、簡単にこのような構成を可能とするため、チップのクロック周波数の増大により電圧変動が生じやすくなっている現状において、安定した電圧の供給と併せ、安定したアース（接地、グランドとも呼ばれる）を可能とする。なお、図６では２層に重畳された孔明き板１９の例を示したが、本発明によると何層でも容易に製造できる。
【００５３】図２と図３を用いて本発明に係るビルドアップコア基板の製造方法の一例を示したが、本発明はそれに限定されるものではなく、リールに巻かれた金属箔、樹脂フィルムを用いてローラによって連続的にリール・ツー・リール（reel-to-reel）工法でホトエッチングやラミネート工程までを連続的に処理することもできる。図１０に一例を示す。図１０（ａ）はリールに巻き取られた状態を示し、その部分拡大図を図１０（ｂ）及び図１０（ｃ）に示す。これは、例えば図２（ｄ）に対応する。このようなリール形状にした場合には、ハンドリング性が格段に向上して、電子パッケージの自動生産が容易化する利点がある。
【００５４】本発明によると、熱・電気伝導性ポストを複数個設けたインターポーザが容易に得られ、基板をエッチングすることにより熱・電気伝導性ポストとして絶縁基板より隔離された島状の熱・電気伝導性ポスト部分が形成される。本発明の基板は優れたエッチング性を有する導体板を用いるため、狭ピッチの高密度配線に好適であることから、従来のビルドアップの積層枚数を少なくできる。そのため、本発明の基板を用いれば、基板そのものの配線密度を高めることができ、本発明の基板を積層したビルドアップ配線基板や、たとえばフリップチップ実装、Wafer Level CSP等に特に有効である。また、ビルドアップ層の層数の低減は、コストダウンに直結する。
【００５５】また本発明は、ビルドアップ配線基板を用いて半導体装置とすることができる。本発明の半導体装置としては、特に限定されるものではないが、半導体チップからの信号を外部に導く半田ボールを介し、フリップチップ実装とし、さらにプリント基板が複数枚積層されたビルドアップ配線基板に信号が伝達される半導体装置とすることができ、狭ピッチに好適なエッチング性に優れた導体板を用いることから、ビルドアップ配線基板に直接実装する半導体装置に特に好適である。
【００５６】また、本発明においては、狭ピッチの高密度配線に好適であることから、本発明の基板を用いれば、配線密度を高めることができるので、従来のビルドアップの積層枚数を少なくできる。以上、本発明において、バリヤ層（９）、ポスト形成層（１０）、キャリヤ層（１１）、熱・電気伝導性ポスト（１６）、孔明き板（１９）の好ましい材質は、各々、バリヤ層（９）はＮｉ，Ｔｉ，Ｓｎなど、ポスト形成層（１０）はＣｕ、キャリヤ層（１１）はＦｅ−Ｎｉ合金、熱・電気伝導性板（１５）はＦｅ−Ｎｉ合金、熱・電気伝導性ポスト（１６）はＣｕ、孔明き板（１９）はＦｅ−Ｎｉ合金であるが、等価な作用効果を有するものであれば、本発明の技術的思想が適用できる。
【００５７】本発明に係るビルドアップコア基板は、外層の絶縁層１２に更に銅箔２１を貼付ける。貼付けには、キャリヤ銅箔層２１１（用済後、剥離除去する）と極薄銅箔２１との間に有機系などの剥離層２１２を有する複合銅箔を用いると良い。以下に、その製造方法を概説する。キャリヤ銅箔層２１１として、厚さ３５μｍの電解銅箔を用いる。このような電解銅箔は粗面（マット面）および平滑（光沢）面を有している。その光沢面側に、以下のようにして、有機系剥離層を形成し、次いで１次銅電着、２次銅電着、粗化処理及び防錆処理を行う。
【００５８】（イ）剥離層形成３５μｍの銅箔を、３０℃のカルボキシベンゾトリアゾール（ＣＢＴＡ）２ｇ／Ｌ溶液に３０秒間浸漬した後に取り出し、脱イオン水中で水洗いしてＣＢＴＡの有機系剥離層を形成する。得られた有機系剥離層の厚さをSIM（走査型イオン顕微鏡）で得られた像から測定したところ、６０Åであった。
【００５９】（ロ）１次銅電着形成された有機系剥離層の表面に、銅１７ｇ／Ｌ、ピロリン酸カリウム５００ｇ／Ｌを含む、ｐＨ８．５のピロリン酸銅電着浴を用いて、浴温５０℃、電流密度３Ａ／ｄｍ2で陰極電解し、厚さ１μｍの銅を析出させた。
（ハ）２次銅電着形成された極薄銅箔の表面を水洗し、銅８０ｇ／Ｌおよび硫酸１５０ｇ／Ｌを含む硫酸銅電着浴を用いて、浴温５０℃、電流密度６０Ａ／ｄｍ2で陰極電解し、５μｍの銅を析出させ、全体で６μｍの極薄銅箔層とする。
【００６０】（ニ）粗化処理このように形成された極薄銅箔層の表面に粗化処理を施する。電流密度を上昇させて極薄銅箔表面に導電性銅微粒子群を形成する。
（ホ）防錆処理粗化処理が施された極薄銅箔層の表面に電着により亜鉛クロメートの防錆処理を施し、複合銅箔を得る。
【００６１】極薄銅箔層の形成には「転写法」を用いることもできる。その概略を以下、説明する。キャリヤ材としての電解銅箔をカソードとして、バリア材としてのＮｉメッキ層を形成した後、配線部形成材として硫酸銅メッキを施し、三層の転写法用箔材を用意する。次に、ドライフィルムレジストをラミネートし、露光、現像によって所望のするレジストパターンを形成し、配線部形成材を選択エッチし、配線形成材上に残留するレジストを水酸化カリウム溶液を用いてレジストを剥離する。
【００６２】次に、上記の工程によって得られた転写法用箔材を金型にセットし、ガラスエポキシ樹脂へ銅配線パターン側を転写し、キャリヤ材及びバリア材を選択エッチし、転写された銅配線パターンのみを残留させることができるものであり、配線幅５０μｍ以下、配線間距離５０μｍ以下の狭ピッチの配線を形成するのに適した方法と言える。転写法による極薄銅箔の厚みは５〜１８μｍ程度である。従って、本発明に用いる銅箔は、転写法による場合は１８μｍ以下であり、前述の剥離層つきの複合銅箔を用いる場合には５μｍ以下にすることができる。
【００６３】本発明に係るビルドアップコア基板は、最外周層２１に極薄銅箔層を具備する。従って、ファインピッチのエッチングパターンが容易に形成できるので、半導体パッケージの小型化、高密度化効果は大きい。また、従来の様に、レーザ孔明けに際にレーザ光線の反射を防止のための黒化処理が不要である。銅箔が極めて薄いためレーザ光線が容易に銅箔を透過できるからである。
【００６４】
【発明の効果】バリヤ層を用いたエッチング法によるので、形状寸法のバラツキが極めて少ない熱・電気伝導性ポストを封入した基板が得られる。また、短距離配線を可能にするので、動作周波数の高速化に容易に対応できる。また、本発明によると、メタルコアを使用しているので、寸法安定性に優れ、薄くても剛性が高いのでハンドリング性も良い上に、微細で固体（ソリッド）の熱・電気伝導性ポストを利用するので、従来のようにコアー基板のドリルやレーザによるスルーホールの穴あけ工程が不要である。スルーホールの穴内面のメッキも不要である。また、高密度に製造可能なのでビルドアップ層の上下両面が有効に使えるので、層数の減少によるコストダウンも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るビルドアップコア基板のパターンエッチング品を示す図である。
【図２】本発明に係るビルドアップコア基板の一製造方法を示す図である。
【図３】本発明に係るビルドアップコア基板の別の製造方法を示す図である。
【図４】本発明に係るビルドアップコア基板の斜視・部分断面図である。
【図５】本発明に係るビルドアップ配線基板の図である。
【図６】本発明に係る別のビルドアップ配線基板の図である。
【図７】図６に示すビルドアップコア基板の製造工程の一部を示す図である。
【図８】図６に示すビルドアップコア基板の製造工程の残部を示す図である。
【図９】本発明に係るビルドアップ配線基板の放熱の状況を示す模式図である。
【図１０】本発明に係るビルドアップコア基板の更に別の製造方法を示す図である。
【図１１】従来のビルドアップ配線基板を示す図である。
【図１２】従来のエッチング方法の問題点を説明する図である。
【符号の説明】
１．ビルドアップコア基板、２ａ．側ビルドアップ層、２ｂ．下側ビルドアップ層、ビルドアップ配線基板、４．半導体チップ、５ａ、５ｂ．半田ボール、６．アンダフィル、７．配線パターン、８．スルーホール、９．バリヤ層、１０．ポスト形成層、１１．キャリヤ層、１２、１３．絶縁板、１４．充填樹脂、１５．熱・電気伝導性板、１６．熱・電気伝導性ポスト、１７．絶縁材、１８．空洞部、１９．孔明き板
【特許請求の範囲】
【請求項１】 板厚方向に複数の貫通孔を有する低熱膨張係数の熱・電気伝導性板と、該複数の貫通孔を有する低熱膨張係数の熱・電気伝導性板と異なる材質からなり前記貫通孔内に設けられた島状に孤立した複数の熱・電気伝導性ポストと、該複数の熱・電気伝導性ポストの外周に設けられ、前記低熱膨張係数の熱・電気伝導性板との間に介在して、前記複数の熱・電気伝導性ポストを電気的に絶縁する絶縁材と、前記低熱膨張係数の熱・電気伝導性板の両主面に接合された絶縁板と、前記縁板の一方または両方の主面上に設けられた厚み１８μｍ以下の極薄銅箔層からなることを特徴とするビルドアップコア基板。
【請求項２】 前記複数の熱・電気伝導性ポストがＣｕまたはＣｕ合金であり、前記複数の貫通孔を有する熱・電気伝導性板がＦｅ−Ｎｉ合金でなる請求項１記載のビルドアップコア基板。
【請求項３】 前記複数の熱・電気伝導性ポストの直径が、０．０１〜０．２ｍｍ、ピッチが０．１〜１．０ｍｍであることを特徴とする請求項１記載のビルドアップコア基板。
【請求項４】 前記絶縁材が、ガラス繊維強化エポキシ樹脂、ガラス繊維強化ビスマレイミド・トリアジン（ＢＴ）樹脂、またはポリエーテル・サルフォン（ＰＥＳ）配合エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂のうちのいずれかであることを特徴とする請求項１記載のビルドアップコア基板。
【請求項５】 前記複数の熱・電気伝導性ポストの外周に、絶縁材と孔明き板を具備することを特徴とした請求項１記載のビルドアップコア基板。
【請求項６】 請求項１記載のビルドアップコア基板と、該ビルドアップコア基板の両主面に形成されるビルドアップ層を備えたビルドアップ配線基板。
【請求項７】 下記の工程でなることを特徴とするビルドアップコア基板の製造方法。
（１）バリヤ層の一方の主面にポスト形成層を、他方の主面にキャリヤ層を接合する。
（２）前記ポスト形成層に、所定の領域を除去するマスクを載置する。
（３）前記所定の領域を、エッチングにより、前記バリヤ層に達するまで除去して、熱・電気伝導性ポストが複数個、林立する第１のパターンエッチング品を作る。（４）第１のパターンエッチング品と、孔明き板とを組合せる。
（５） 記第１のパターンエッチング品と前記孔明き板にＣｕメッキや粗化処理をする。
（６） その後、絶縁板を積層し、加熱加圧して第１積層品を作る。
（７） 該第１積層品から前記キャリヤ層を除去する。
（８） 更に前記バリヤ層を除去して第２積層品を得る。
（９） 該第２積層品と絶縁板を積層する。
（１０）前記絶縁板の一方または両方の主面上に厚み１８μｍ以下の極薄銅箔層を積層してビルドアップコア基板を製造する。
【請求項８】 下記の工程でなることを特徴とするビルドアップコア基板の製造方法。
（１）バリヤ層の一方の主面にポスト形成層を、他方の主面にキャリヤ層を接合する。
（２）前記ポスト形成層に、所定の領域を除去するマスクを載置する。
（３）前記所定の領域を、エッチングにより、前記バリヤ層に達するまで除去して、熱・電気伝導性ポストが複数個、林立する第１のパターンエッチング品を作る。
（４）該第１のパターンエッチング品と、孔明き板とを組合せて空洞部を有する組立品を得る。
（５）前記第１のパターンエッチング品と前記孔明き板にＣｕメッキや粗化処理をする。
（６）前記空洞部にスクリーンプリント法で樹脂を充填する。
（７）前記キャリヤ層をエッチング除去する。
（８）更に前記バリヤ層をエッチング除去する。
（９）次いで主面両側から絶縁板を積層する。
（１０）前記絶縁板の一方または両方の主面上に厚み１８μｍ以下の極薄銅箔層を設けてビルドアップコア基板を製造する。
【請求項９】 前記極薄銅箔の厚みが５μｍ以下であることを特徴とする請求項1記載のビルドアップコア基板。
【請求項１０】 前記極薄銅箔の厚みが５μｍ以下であることを特徴とする請求項７または８記載のビルドアップコア基板の製造方法。
【請求項１】 板厚方向に複数の貫通孔を有する低熱膨張係数の熱・電気伝導性板と、該複数の貫通孔を有する低熱膨張係数の熱・電気伝導性板と異なる材質からなり前記貫通孔内に設けられた島状に孤立した複数の熱・電気伝導性ポストと、該複数の熱・電気伝導性ポストの外周に設けられ、前記低熱膨張係数の熱・電気伝導性板との間に介在して、前記複数の熱・電気伝導性ポストを電気的に絶縁する絶縁材と、前記低熱膨張係数の熱・電気伝導性板の両主面に接合された絶縁板と、前記縁板の一方または両方の主面上に設けられた厚み１８μｍ以下の極薄銅箔層からなることを特徴とするビルドアップコア基板。
【請求項２】 前記複数の熱・電気伝導性ポストがＣｕまたはＣｕ合金であり、前記複数の貫通孔を有する熱・電気伝導性板がＦｅ−Ｎｉ合金でなる請求項１記載のビルドアップコア基板。
【請求項３】 前記複数の熱・電気伝導性ポストの直径が、０．０１〜０．２ｍｍ、ピッチが０．１〜１．０ｍｍであることを特徴とする請求項１記載のビルドアップコア基板。
【請求項４】 前記絶縁材が、ガラス繊維強化エポキシ樹脂、ガラス繊維強化ビスマレイミド・トリアジン（ＢＴ）樹脂、またはポリエーテル・サルフォン（ＰＥＳ）配合エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂のうちのいずれかであることを特徴とする請求項１記載のビルドアップコア基板。
【請求項５】 前記複数の熱・電気伝導性ポストの外周に、絶縁材と孔明き板を具備することを特徴とした請求項１記載のビルドアップコア基板。
【請求項６】 請求項１記載のビルドアップコア基板と、該ビルドアップコア基板の両主面に形成されるビルドアップ層を備えたビルドアップ配線基板。
【請求項７】 下記の工程でなることを特徴とするビルドアップコア基板の製造方法。
（１）バリヤ層の一方の主面にポスト形成層を、他方の主面にキャリヤ層を接合する。
（２）前記ポスト形成層に、所定の領域を除去するマスクを載置する。
（３）前記所定の領域を、エッチングにより、前記バリヤ層に達するまで除去して、熱・電気伝導性ポストが複数個、林立する第１のパターンエッチング品を作る。（４）第１のパターンエッチング品と、孔明き板とを組合せる。
（５） 記第１のパターンエッチング品と前記孔明き板にＣｕメッキや粗化処理をする。
（６） その後、絶縁板を積層し、加熱加圧して第１積層品を作る。
（７） 該第１積層品から前記キャリヤ層を除去する。
（８） 更に前記バリヤ層を除去して第２積層品を得る。
（９） 該第２積層品と絶縁板を積層する。
（１０）前記絶縁板の一方または両方の主面上に厚み１８μｍ以下の極薄銅箔層を積層してビルドアップコア基板を製造する。
【請求項８】 下記の工程でなることを特徴とするビルドアップコア基板の製造方法。
（１）バリヤ層の一方の主面にポスト形成層を、他方の主面にキャリヤ層を接合する。
（２）前記ポスト形成層に、所定の領域を除去するマスクを載置する。
（３）前記所定の領域を、エッチングにより、前記バリヤ層に達するまで除去して、熱・電気伝導性ポストが複数個、林立する第１のパターンエッチング品を作る。
（４）該第１のパターンエッチング品と、孔明き板とを組合せて空洞部を有する組立品を得る。
（５）前記第１のパターンエッチング品と前記孔明き板にＣｕメッキや粗化処理をする。
（６）前記空洞部にスクリーンプリント法で樹脂を充填する。
（７）前記キャリヤ層をエッチング除去する。
（８）更に前記バリヤ層をエッチング除去する。
（９）次いで主面両側から絶縁板を積層する。
（１０）前記絶縁板の一方または両方の主面上に厚み１８μｍ以下の極薄銅箔層を設けてビルドアップコア基板を製造する。
【請求項９】 前記極薄銅箔の厚みが５μｍ以下であることを特徴とする請求項1記載のビルドアップコア基板。
【請求項１０】 前記極薄銅箔の厚みが５μｍ以下であることを特徴とする請求項７または８記載のビルドアップコア基板の製造方法。
【図５】
【図６】
【図１】
【図２】
【図７】
【図８】
【図３】
【図４】
【図９】
【図１１】
【図１０】
【図１２】
【図６】
【図１】
【図２】
【図７】
【図８】
【図３】
【図４】
【図９】
【図１１】
【図１０】
【図１２】
【公開番号】特開２００２−１９０６７２（Ｐ２００２−１９０６７２Ａ）
【公開日】平成１４年７月５日（２００２．７．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０００−３８６０６２（Ｐ２０００−３８６０６２）
【出願日】平成１２年１２月１９日（２０００．１２．１９）
【出願人】（０００００５０８３）日立金属株式会社 (2,051)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１４年７月５日（２００２．７．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１２年１２月１９日（２０００．１２．１９）
【出願人】（０００００５０８３）日立金属株式会社 (2,051)
【Ｆターム（参考）】
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