ポジ型感放射線性組成物、層間絶縁膜及びその形成方法
【課題】保存安定性、放射線感度、耐メルトフロー性に優れるとともに、表面硬度、屈折率、耐熱性、透明性、低誘電性等の諸性能に優れる層間絶縁膜を形成可能なポリシロキサン系ポジ型感放射線性組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、［Ａ］ポリシロキサン、［Ｂ］光酸発生剤又は光塩基発生剤、及び［Ｃ］金属キレート化合物を含有するポジ型感放射線性組成物である。当該ポジ型感放射線性組成物では、［Ａ］ポリシロキサンが、［Ｃ］金属キレート化合物の存在下での加水分解性シラン化合物の加水分解縮合により得られるポリシロキサンであり、［Ｂ］光酸発生剤として、キノンジアジドを含有することが好ましい。
【解決手段】本発明は、［Ａ］ポリシロキサン、［Ｂ］光酸発生剤又は光塩基発生剤、及び［Ｃ］金属キレート化合物を含有するポジ型感放射線性組成物である。当該ポジ型感放射線性組成物では、［Ａ］ポリシロキサンが、［Ｃ］金属キレート化合物の存在下での加水分解性シラン化合物の加水分解縮合により得られるポリシロキサンであり、［Ｂ］光酸発生剤として、キノンジアジドを含有することが好ましい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示素子や有機ＥＬ素子等の層間絶縁膜を形成するための材料として好適な感放射線性組成物、その組成物から形成された層間絶縁膜、及びその層間絶縁膜の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子や有機ＥＬ素子等には、一般に層状に配置される配線の間を絶縁するために層間絶縁膜が設けられている。層間絶縁膜を形成する材料としては、必要とするパターン形状を得るための工程数が少なく、しかも十分な平坦性を有するものが好ましいことから、感放射線性組成物が幅広く使用されている。
【０００３】
例えば液晶表示素子の層間絶縁膜では、微細配線用のコンタクトホールのパターン形成が必要である。ネガ型組成物では、実用上使用できるレベルのホール径を有したコンタクトホールを形成することは困難であることから、液晶表示素子の層間絶縁膜を形成するために、ポジ型の感放射線特性を有する感放射線性組成物が幅広く使用されている（特開２００１−３５４８２２号公報参照）。
【０００４】
層間絶縁膜形成用の感放射線性組成物の成分としては、主にアクリル系樹脂が使用されている。これに対し、アクリル系樹脂よりも耐熱性及び透明性に優れたポリシロキサン系材料を感放射線性組成物の成分として用いる試みがなされている（特開２０００−１６４８号公報、特開２００６−１７８４３６号公報参照）。
【０００５】
ところが、ポリシロキサン系材料のポリシロキサン又はシラン化合物は、それ自体が加水分解を受けやすいために同種同士又は異種同士の縮合反応を引き起こすことがある。調製した感放射線性組成物においてこうした副次的な反応が生じてしまうと、感放射線性組成物の保存安定性が損なわれ、製品としてのシェルフライフが短くなってしまう。
【０００６】
上記のような副次的反応を抑制する方策の一つとして、ポリシロキサンの分子量や分岐構造といった構造の制御による縮合反応の抑制が考えられる。ポリシロキサンの構造制御については、酸触媒、金属キレート化合物、アルカリ触媒の別により異なった分子量のポリシロキサンが得られることが報告されている（特開２００３−１６３２０９号公報参照）。しかしながら、この公報には、種々の分子量のポリシロキサンを用いた膜形成用組成物が開示されているものの、感放射線特性については一切考慮されておらず、また、層間絶縁膜として必要な各種特性についても誘電率を除き検討の段階まで至っていない。
【０００７】
このような状況下、感放射線性組成物として放射線感度、保存安定性、耐メルトフロー性に優れ、硬化させた際には層間絶縁膜として一般的に要求される表面硬度、屈折率、耐熱性、透明性及び低誘電性が充分高いレベルにあるポリシロキサン系のポジ型感放射線性組成物の開発が強く望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−３５４８２２号公報
【特許文献２】特開２０００−１６４８号公報
【特許文献３】特開２００６−１７８４３６号公報
【特許文献４】特開２００３−１６３２０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明者らは上記特性を備える感放射線性組成物を目標に鋭意検討した結果、以下の知見を得るに至った。
【００１０】
すなわち、一般的に、ポリシロキサンを合成するにあたっては、酸又はアルカリ触媒が使用される。そして、酸又はアルカリ触媒を使用してポリシロキサンを合成する場合、その分子量の制御に困難を伴うことが多くなる。また、ポリシロキサンの分子量が小さい場合には、ポリシロキサンを用いて得られる硬化膜の耐熱性、表面硬度が不充分となり、一方、ポリシロキサンの分子量が大きい場合には、パターニング時の現像性が低下してしまうことがある。さらに、ポリシロキサン合成時の触媒として使用した微量の酸やアルカリ触媒がポリシロキサンを含む感放射線性組成物溶液に残存することで、ポリシロキサン間の架橋反応を促進させて分子量の増大を引き起こし、その結果、感放射線性組成物の保存安定性が低下してしまう。
【００１１】
これらの知見より、ポジ型感放射線性組成物中におけるポリシロキサン合成時の酸触媒又は塩基触媒の残存を防止し、ポリシロキサンの分子量を適切に制御可能な系の構築が有効な方策であるとの結論に至った。
【００１２】
本発明は以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、放射線感度、保存安定性、耐メルトフロー性に優れるとともに、表面硬度、屈折率、耐熱性、透明性、低誘電性等の諸性能に優れる層間絶縁膜ポリシロキサン系ポジ型感放射線性組成物、その組成物から形成された層間絶縁膜及びその形成方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するためになされた発明は、
［Ａ］ポリシロキサン、
［Ｂ］光酸発生剤又は光塩基発生剤、及び
［Ｃ］金属キレート化合物
を含有するポジ型感放射線性組成物である。
【００１４】
当該ポジ型感放射線性組成物に含まれる金属キレート化合物は不活性化されており、ポリシロキサンの加水分解反応に対して触媒作用を発現しないので、ポリシロキサンを含む感放射線性組成物の保存安定性に影響を及ぼすことがなく、当該ポジ型感放射線性組成物のシェルフライフの低下を抑制することができる。また、ポリシロキサンの合成に金属キレート化合物を使用すると、感放射線性組成物に適した分子量でポリシロキサンを合成することが可能である。これにより、当該ポジ型感放射線性組成物は、耐メルトフロー性に優れるとともに、表面硬度、屈折率、耐熱性、透明性及び低誘電性等に優れる層間絶縁膜の形成が可能である。加えて、酸又は塩基を用いてポリシロキサンを合成した後、保存安定性の向上を目的とした酸触媒又は塩基触媒の除去には相当な煩雑さとコストがかかるのに対し、金属キレート化合物の不活性化にはクエンチャーの添加だけでよいので、生産効率やコスト面でも優位になる。併せて、当該ポジ型感放射線性組成物は、［Ａ］成分のポリシロキサンと［Ｂ］成分の光酸発生剤又は光塩基発生剤とを含んでいるので、このポリシロキサンと光酸発生剤又は光塩基発生剤とによるポジ型の感放射線特性及び優れた放射線感度を達成することができる。
【００１５】
当該ポジ型感放射線性組成物において、［Ａ］ポリシロキサンが、［Ｃ］金属キレート化合物の存在下での加水分解性シラン化合物の加水分解縮合により得られるポリシロキサンであり、［Ｂ］光酸発生剤として、キノンジアジドを含有することが好ましい。ポリシロキサンの分子量を適切な値に制御し、得られる硬化膜の耐熱性や表面硬度を高めるという点から、当該ポジ型感放射線性組成物では、具体的に［Ｃ］金属キレート化合物を用いて［Ａ］ポリシロキサンを合成してもよい。また、キノンジアジドを用いることにより、当該組成物のパターニング性を向上させることができる。
【００１６】
当該ポジ型感放射線性組成物では、上記金属キレート化合物は、下記式（１）で表される化合物であることが好ましい。
【化１】
（式（１）中、Ｒ１はキレート剤であり、Ｍは金属原子であり、Ｒ２は炭素数２〜５のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基である。ｊは金属Ｍの原子価であり、ｐは１〜ｊの整数である。Ｒ１及びＲ２が複数の場合、それぞれ同一でも異なっていてもよい。）
【００１７】
当該ポジ型感放射線性組成物において、金属キレート化合物として上記（１）で表される化合物を用いることで、分子量が適度に制御されたポリシロキサンを調製することができる。その結果、当該組成物の保存安定性、放射線感度、耐メルトフロー性を向上させることができるとともに、得られる層間絶縁膜の機械的特性、光学的特性、電気的特性を高めることができる。
【００１８】
当該ポジ型感放射線性組成物では、上記式（１）中の金属Ｍが、アルミニウム、チタン及びジルコニウムからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。金属キレート化合物の中心金属として上記金属を用いることにより、触媒活性が高まって加水分解性シラン化合物の縮合反応の反応収率が向上するとともに、ポリシロキサンの分子量制御も容易となる。
【００１９】
当該ポジ型感放射線性組成物では、上記加水分解性シラン化合物が、（ａ１）下記式（２）で表されるシラン化合物及び（ａ２）下記式（３）で表されるシラン化合物からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。
【化２】
（式（２）中、Ｘ１は、エポキシ基、ビニル基、アリル基、（メタ）アクリロイルオキシ基、スチリル基、又はビニルベンジロキシ基である。Ｙ１は単結合、メチレン基又は炭素数２〜６のアルキレン基である。Ｒ３は、炭素数１〜６のアルコキシ基又は炭素数２〜６のアシルオキシ基である。Ｒ４は、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数６〜１２の置換若しくは非置換のアリール基である。ａ及びｂは、それぞれ１〜３の整数であり、ｃは０〜２の整数であり、そしてａ＋ｂ＋ｃ＝４の関係を満たす。）
【化３】
（式（３）中、Ｒ５は、炭素数１〜６の置換若しくは非置換のアルコキシ基、炭素数６〜１８の置換若しくは非置換のアリールオキシ基、又は炭素数２〜６のアシルオキシ基である。Ｒ６は、炭素数１〜６の置換若しくは非置換のアルキル基、又は炭素数６〜１８の置換若しくは非置換のアリール基である。ｇは１〜４の整数であり、ｈは０〜３の整数であり、そしてｇ＋ｈ＝４の関係を満たす。）
【００２０】
当該ポジ型感放射線性組成物のポリシロキサンが、上記のような特定の加水分解性シラン化合物用いていることにより、分子量制御をより高度なレベルで達成することができ、これにより当該ポジ型感放射線性組成物の保存安定性、放射線感度、耐メルトフロー性をより向上させることができる。また、このような特定のポリシロキサンを含む当該ポジ型感放射線性組成物により形成された層間絶縁膜では、優れた表面硬度、屈折率、耐熱性、透明性及び低誘電性等を達成することができる。
【００２１】
本発明の層間絶縁膜は、当該ポジ型感放射線性樹脂組成物から形成されている。その結果、当該層間絶縁膜は、表面硬度、屈折率、耐熱性、透明性及び低誘電性等の諸性能に優れるという利点を有する。
【００２２】
本発明の層間絶縁膜の形成方法は、
（１）当該ポジ型感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
（２）工程（１）で形成した塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
（３）工程（２）で放射線を照射された塗膜を現像する工程、及び
（４）工程（３）で現像された塗膜を加熱する工程
を含む。当該形成方法では当該ポジ型感放射線性樹脂組成物が用いられているので、諸性能に優れた当該層間絶縁膜を効率良く形成することができる。
【発明の効果】
【００２３】
以上説明したように、本発明のポジ型感放射線性組成物は、上記［Ａ］及び［Ｂ］成分を含んでいるので表面硬度、屈折率、耐熱性、透明性及び低誘電性という一般的な要求特性をバランス良く満たす層間絶縁膜を効率的に形成することができる。また、当該感放射線性組成物は、優れた保存安定性、放射線感度及び耐メルトフロー性を発揮することができる。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明のポジ型感放射線性組成物は、［Ａ］ポリシロキサン、［Ｂ］光酸発生剤又は光塩基発生剤、及び［Ｃ］金属キレート化合物を少なくとも含有し、その他、任意成分（［Ｄ］界面活性剤、［Ｅ］他のシラン化合物及び［Ｆ］脱水剤等）を含有していてもよい。
【００２５】
［Ａ］成分：ポリシロキサン
［Ａ］成分のポリシロキサンは、シロキサン結合を有する化合物のポリマーである限り特に限定されるものではない。このようなポリシロキサンは、加水分解性シラン化合物の加水分解縮合により得られる。具体的に、後述する［Ｃ］金属キレート化合物の存在下での加水分解性シラン化合物の加水分解縮合によりポリシロキサンを合成することにより、高いレベルで分子量が制御されており、これにより当該ポジ型感放射線性組成物の保存安定性、感放射線感度、耐メルトフロー性を向上させることができる。また、当該ポジ型感放射線性樹脂組成物が、後述する［Ｅ］成分のシラン化合物を含む場合、［Ａ］成分は［Ｅ］成分のシラン化合物とともに縮合し、硬化物を形成する。この際、一部［Ａ］成分同士での縮合が生じてもよい。
【００２６】
加水分解性シラン化合物
上記加水分解性シラン化合物は、加水分解性の基を有するシラン化合物である限り特に限定されない。本願における加水分解性シラン化合物の「加水分解性の基」とは、通常、無触媒、過剰の水の共存下、室温（約２５℃）〜約１００℃の温度範囲内で加熱することにより、加水分解してシラノール基を生成することができる基、又は、シロキサン縮合物を形成することができる基を指す。これに対して、「非加水分解性の基」とは、そのような加水分解条件下で、加水分解又は縮合を起こさず、安定に存在する基を指す。
【００２７】
上記加水分解性シラン化合物の加水分解反応においては、一部の加水分解性基が未加水分解の状態で残っていてもよい。また、ここでいう「加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物」は、加水分解されたシラン化合物の一部のシラノール基同士が反応・縮合した加水分解縮合物を意味する。
【００２８】
上記加水分解性シラン化合物としては、１種又は２種以上を組み合わせて用いることができる。得られる硬化膜の表面硬度、屈折率、耐熱性等を考慮すると、［Ａ］成分のポリシロキサンは、２種以上の加水分解性シラン化合物の共縮合物であることが好ましい。
【００２９】
当該ポジ型感放射線性組成物の［Ａ］ポリシロキサンは、上記加水分解性シラン化合物として、（ａ１）上記式（２）で表されるシラン化合物（以下、単に「（ａ１）加水分解性シラン化合物」ともいう）及び（ａ２）上記式（３）で表されるシラン化合物（以下、単に「（ａ２）加水分解性シラン化合物」ともいう）からなる群より選択される少なくとも１種を用いて得られる共縮合物であることが好ましい。
【００３０】
（ａ１）加水分解性シラン化合物
（ａ１）加水分解性シラン化合物は、加水分解性の基以外の反応性基を有している。この反応性基により、得られるポリシロキサンに適度な分岐度を付与することができ、その結果、当該ポジ型感放射線性組成物の耐メルトフロー性や、得られる層間絶縁膜の表面硬度、耐熱性等を向上させることができる。
【００３１】
上記式（２）におけるＹ１としては、メチレン基又は炭素数２〜３のアルキレン基が好ましく、このうち炭素数２〜３のアルキレン基としては、例えばエチレン基、トリメチレン基等を挙げることができる。また、上記式（２）におけるＲ３としては、炭素数１〜３のアルコキシ基又は炭素数２〜４のアシルオキシ基が好ましく、このような基として、例えばメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、アセトキシ、プロパノイルオキシ基等を挙げることができる。また、上記式（２）におけるＲ４としては、炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数６〜８のアリール基が好ましく、このような基として、例えばメチル基、エチル基、フェニル基等を挙げることができる。Ｒ４の置換アリール基の置換基としては、例えばハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基又は炭素数１〜６のアルキル基等を挙げることができる。
【００３２】
上記式（２）で表される加水分解性シラン化合物の具体例としては、
（オキセタン−３−イル）メチルトリメトキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルトリエトキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルトリアセトキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルメチルジメトキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルメチルジエトキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルメチルジアセトキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルエチルジメトキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルエチルジエトキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルエチルジアセトキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルフェニルジメトキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルフェニルジエトキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルフェニルジアセトキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルトリメトキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルトリエトキシシラン、（オキセタン−３−イル）エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルトリアセトキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルメチルジメトキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルメチルジエトキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルメチルジアセトキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルエチルジメトキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルエチルジエトキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルエチルジアセトキシシラン、
【００３３】
２−（オキセタン−３’−イル）エチルフェニルジメトキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルフェニルジエトキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルフェニルジアセトキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルトリメトキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルトリエトキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルトリ−ｉ−プロポキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルトリアセトキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルメチルジメトキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルメチルジエトキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルメチルジアセトキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルエチルジメトキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルエチルジエトキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルエチルジアセトキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルフェニルジメトキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルフェニルジエトキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルフェニルジアセトキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルトリメトキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルトリエトキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルトリアセトキシシラン、
【００３４】
（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルメチルジメトキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルメチルジエトキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルメチルジアセトキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルエチルジメトキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルエチルジエトキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルエチルジアセトキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルフェニルジメトキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルフェニルジエトキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルフェニルジアセトキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルトリメトキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルトリエトキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルトリアセトキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルメチルジメトキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルメチルジエトキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルメチルジアセトキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルエチルジメトキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルエチルジエトキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルエチルジアセトキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルフェニルジメトキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルフェニルジエトキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルフェニルジアセトキシシラン、
【００３５】
３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルトリメトキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルトリエトキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルトリ−ｉ−プロポキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルトリアセトキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルメチルジメトキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルメチルジエトキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルメチルジアセトキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルエチルジメトキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルエチルジエトキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルエチルジアセトキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルフェニルジメトキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルフェニルジエトキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルフェニルジアセトキシシラン、（３’−エチルオキセタン−３’−イル）メチルトリメトキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルトリエトキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルトリアセトキシシラン、
【００３６】
（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルメチルジメトキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルメチルジエトキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルメチルジアセトキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルエチルジメトキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルエチルジエトキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルエチルジアセトキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルフェニルジメトキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルフェニルジエトキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルフェニルジアセトキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルトリメトキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルトリエトキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルトリアセトキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルメチルジメトキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルメチルジエトキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、
【００３７】
２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルメチルジアセトキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルエチルジメトキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルエチルジエトキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルエチルジアセトキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルフェニルジメトキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルフェニルジエトキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルフェニルジアセトキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルトリメトキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルトリエトキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルトリ−ｉ−プロポキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルトリアセトキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルメチルジメトキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルメチルジエトキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルメチルジアセトキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルエチルジメトキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルエチルジエトキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルエチルジアセトキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルフェニルジメトキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルフェニルジエトキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルフェニルジアセトキシシラン等；
【００３８】
グリシドキシメチルトリメトキシシラン、グリシドキシメチルトリエトキシシラン、グリシドキシメチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、グリシドキシメチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、グリシドキシメチルトリアセトキシシラン、グリシドキシメチルメチルジメトキシシラン、グリシドキシメチルメチルジエトキシシラン、グリシドキシメチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、グリシドキシメチルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、グリシドキシメチルメチルジアセトキシシラン、グリシドキシメチルエチルジメトキシシラン、グリシドキシメチルエチルジエトキシシラン、グリシドキシメチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、グリシドキシメチルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、グリシドキシメチルエチルジアセトキシシラン、グリシドキシメチルフェニルジメトキシシラン、グリシドキシメチルフェニルジエトキシシラン、グリシドキシメチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、グリシドキシメチルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、グリシドキシメチルフェニルジアセトキシシラン、２−グリシドキシエチルトリメトキシシラン、２−グリシドキシエチルトリエトキシシラン、２−グリシドキシエチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、２−グリシドキシエチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、２−グリシドキシエチルトリアセトキシシラン、２−グリシドキシエチルメチルジメトキシシラン、２−グリシドキシエチルメチルジエトキシシラン、２−グリシドキシエチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−グリシドキシエチルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−グリシドキシエチルメチルジアセトキシシラン、２−グリシドキシエチルエチルジメトキシシラン、２−グリシドキシエチルエチルジエトキシシラン、２−グリシドキシエチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−グリシドキシエチルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−グリシドキシエチルエチルジアセトキシシラン、２−グリシドキシエチルフェニルジメトキシシラン、２−グリシドキシエチルフェニルジエトキシシラン、２−グリシドキシエチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−グリシドキシエチルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−グリシドキシエチルフェニルジアセトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリ−ｉ−プロポキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリアセトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジアセトキシシラン、３−グリシドキシプロピルエチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルエチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−グリシドキシプロピルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−グリシドキシプロピルエチルジアセトキシシラン、３−グリシドキシプロピルフェニルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルフェニルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−グリシドキシプロピルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−グリシドキシプロピルフェニルジアセトキシシラン、
【００３９】
（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルトリメトキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルトリエトキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルトリアセトキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルメチルジメトキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルメチルジエトキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルメチルジアセトキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルエチルジメトキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルエチルジエトキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルエチルジアセトキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルフェニルジメトキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルフェニルジエトキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルフェニルジアセトキシシラン、２−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、２−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、２−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、２−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）エチルトリアセトキシシラン、２−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）エチルメチルジメトキシシラン、２−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）エチルメチルジエトキシシラン、２−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）エチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）エチルメチルジアセトキシシラン、２−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）エチルエチルジメトキシシラン、２−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）エチルエチルジエトキシシラン、２−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）エチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）エチルエチルジアセトキシシラン、２−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）エチルフェニルジメトキシシラン、２−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）エチルフェニルジエトキシシラン、２−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）エチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）エチルフェニルジアセトキシシラン、３−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）プロピルトリメトキシシラン、３−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）プロピルトリエトキシシラン、３−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、３−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）プロピルトリアセトキシシラン、３−（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロピルメチルジメトキシシラン、３−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）プロピルメチルジエトキシシラン、３−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）プロピルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）プロピルメチルジアセトキシシラン、３−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）プロピルエチルジメトキシシラン、３−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）プロピルエチルジエトキシシラン、３−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）プロピルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）プロピルエチルジアセトキシシラン、３−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）プロピルフェニルジメトキシシラン、３−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）プロピルフェニルジエトキシシラン、３−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）プロピルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）プロピルフェニルジアセトキシシラン等；
【００４０】
ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ビニルトリ−ｉ−プロポキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、ビニルメチルジエトキシシラン、ビニルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ビニルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、ビニルメチルジアセトキシシラン、ビニルエチルジメトキシシラン、ビニルエチルジエトキシシラン、ビニルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ビニルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、ビニルエチルジアセトキシシラン、ビニルフェニルジメトキシシラン、ビニルフェニルジエトキシシラン、ビニルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、ビニルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、ビニルフェニルジアセトキシシラン等；
【００４１】
アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、アリルトリ−ｎ−プロポキシシラン、アリルトリ−ｉ−プロポキシシラン、アリルトリアセトキシシラン、アリルメチルジメトキシシラン、アリルメチルジエトキシシラン、アリルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、アリルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、アリルメチルジアセトキシシラン、アリルエチルジメトキシシラン、アリルエチルジエトキシシラン、アリルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、アリルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、アリルエチルジアセトキシシラン、アリルフェニルジメトキシシラン、アリルフェニルジエトキシシラン、アリルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、アリルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、アリルフェニルジアセトキシシラン等；
【００４２】
（メタ）アクリロキシメチルトリメトキシシラン、（メタ）アクリロキシメチルトリエトキシシラン、（メタ）アクリロキシメチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、（メタ）アクリロキシメチルトリアセトキシシラン、（メタ）アクリロキシメチルメチルジメトキシシラン、（メタ）アクリロキシメチルメチルジエトキシシラン、（メタ）アクリロキシメチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、（メタ）アクリロキシメチルメチルジアセトキシシラン、（メタ）アクリロキシメチルエチルジメトキシシラン、（メタ）アクリロキシメチルエチルジエトキシシラン、（メタ）アクリロキシメチルエチルジアセトキシシラン、（メタ）アクリロキシメチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、（メタ）アクリロキシメチルフェニルジメトキシシラン、（メタ）アクリロキシメチルフェニルジエトキシシラン、（メタ）アクリロキシメチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、（メタ）アクリロキシメチルフェニルジアセトキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルトリメトキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルトリエトキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルメチルジメトキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルトリアセトキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルメチルジエトキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルメチルジアセトキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルエチルジメトキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルエチルジエトキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルエチルジアセトキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルフェニルジメトキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルフェニルジエトキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルフェニルジアセトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリアセトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルメチルジアセトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルエチルジメトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルエチルジエトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルエチルジアセトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルフェニルジメトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルフェニルジエトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルフェニルジアセトキシシラン等；
【００４３】
ｐ−スチリルトリメトキシシラン、ｐ−スチリルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｐ−スチリルトリアセトキシシラン、ｐ−スチリルメチルジメトキシシラン、ｐ−スチリルメチルジエトキシシラン、ｐ−スチリルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ｐ−スチリルメチルジアセトキシシラン、ｐ−スチリルエチルジメトキシシラン、ｐ−スチリルエチルジエトキシシラン、ｐ−スチリルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ｐ−スチリルエチルジアセトキシシラン、ｐ−スチリルフェニルジメトキシシラン、ｐ−スチリルフェニルジエトキシシラン、ｐ−スチリルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、ｐ−スチリルフェニルジアセトキシシラン、ｍ−スチリルトリメトキシシラン、ｍ−スチリルトリエトキシシラン、ｍ−スチリルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｍ−スチリルトリアセトキシシラン、ｍ−スチリルメチルジメトキシシラン、ｍ−スチリルメチルジエトキシシラン、ｍ−スチリルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ｍ−スチリルメチルジアセトキシシラン、ｍ−スチリルエチルジメトキシシラン、ｍ−スチリルエチルジエトキシシラン、ｍ−スチリルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ｍ−スチリルエチルジアセトキシシラン、ｍ−スチリルフェニルジメトキシシラン、ｍ−スチリルフェニルジエトキシシラン、ｍ−スチリルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、ｍ−スチリルフェニルジアセトキシシラン等；
【００４４】
ｐ−ビニルベンジロキシトリメトキシシラン、ｐ−ビニルベンジロキシトリエトキシシラン、ｐ−ビニルベンジロキシトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｐ−ビニルベンジロキシトリアセトキシシラン、ｐ−ビニルベンジロキシメチルジメトキシシラン、ｐ−ビニルベンジロキシメチルジエトキシシラン、ｐ−ビニルベンジロキシメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ｐ−ビニルベンジロキシメチルジアセトキシシラン、ｐ−ビニルベンジロキシエチルジメトキシシラン、ｐ−ビニルベンジロキシエチルジエトキシシラン、ｐ−ビニルベンジロキシエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ｐ−ビニルベンジロキシエチルジアセトキシシラン、ｐ−ビニルベンジロキシフェニルジメトキシシラン、ｐ−ビニルベンジロキシフェニルジエトキシシラン、ｐ−ビニルベンジロキシフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、ｐ−ビニルベンジロキシフェニルジアセトキシシラン、ｍ−ビニルベンジロキシトリメトキシシラン、ｍ−ビニルベンジロキシトリエトキシシラン、ｍ−ビニルベンジロキシトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｍ−ビニルベンジロキシトリアセトキシシラン、ｍ−ビニルベンジロキシメチルジメトキシシラン、ｍ−ビニルベンジロキシメチルジエトキシシラン、ｍ−ビニルベンジロキシメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ｍ−ビニルベンジロキシメチルジアセトキシシラン、ｍ−ビニルベンジロキシエチルジメトキシシラン、ｍ−ビニルベンジロキシエチルジエトキシシラン、ｍ−ビニルベンジロキシエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ｍ−ビニルベンジロキシエチルジアセトキシシラン、ｍ−ビニルベンジロキシフェニルジメトキシシラン、ｍ−ビニルベンジロキシフェニルジエトキシシラン、ｍ−ビニルベンジロキシフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、ｍ−ビニルベンジロキシフェニルジアセトキシシラン等
をそれぞれ挙げることができる。
【００４５】
これらのうち、当該ポジ型感放射線性組成物の保存安定性、放射線感度、得られる層間絶縁膜の表面硬度、耐熱性等を高める点から、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、ｐ−スチリルトリエトキシシランが好ましく用いられる。このような（ａ１）加水分解性シラン化合物は、１種単独で使用しても、又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００４６】
（ａ２）加水分解性シラン化合物
上記式（３）中、Ｒ５の炭素数１〜６の置換若しくは非置換のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンタオキシ基等が挙げられる。この中で、炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基が特に好ましい。Ｒ５の炭素数６〜１８の置換若しくは非置換のアリールオキシ基としては、フェノキシ基、ナフチルオキシ基、アントラニルオキシ基等が挙げられる。この中で、炭素数６〜１２のアリールオキシ基が好ましく、フェノキシ基、ナフチルオキシ基が特に好ましい。炭素数が２〜６のアシルオキシ基としては、上記式（２）と同様の基が挙げられ、この中で、炭素数２〜４のアシルオキシ基が好ましく、アセトキシ基が特に好ましい。Ｒ５の炭素数１〜６のアルコキシ基の置換基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基等を挙げることができ、Ｒ５の炭素数６〜１８のアリールオキシ基の置換基としては、例えばハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基又は炭素数１〜６のアルキル基等を挙げることができ、４−クロロフェノキシ基、４−シアノフェノキシ基、４−ニトロフェノキシ基、４−トルイルオキシ基等を挙げることができる。
【００４７】
上記式（３）中、Ｒ６の炭素数１〜６の置換若しくは非置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等が挙げられる。この中で、炭素数１〜５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ペンチル基が特に好ましい。上記Ｒ６の炭素数６〜１８の置換若しくは非置換のアリール基のうちでは、炭素数６〜８のアリール基が好ましく、フェニル基が特に好ましい。炭素数１〜６の置換アルキル基の置換基としては、例えば水酸基、ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ基、メルカプト基、下記式（Ｋ）で表される基などを挙げることができる。
【化４】
（式（Ｋ）中、Ｙ２は、メチレン基、炭素数２〜６のアルキレン基又は炭素数６〜１２のアリーレン基である。）
【００４８】
上記Ｒ６の炭素数６〜１８の置換アリール基の置換基としては、例えばハロゲン原子、水酸基、シアノ基、ニトロ基、メルカプト基又は炭素数１〜６のアルキル基等を挙げることができる。
【００４９】
上記式（３）で表される（ａ２）加水分解性シラン化合物の具体例としては、
テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシシランの如きテトラアルコキシシラン；
メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、シクロヘキシルトリエトキシシランの如きモノアルキルトリアルコキシシラン；
フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリプロポキシシラン、ナフチルトリエトキシシラン、４−クロロフェニルトリエトキシシラン、４−シアノフェニルトリエトキシシラン、４−ニトロフェニルトリエトキシシラン、４−メチルフェニルトリエトキシシランの如きモノアリールトリアルコキシシラン；
フェノキシトリエトキシシラン、ナフチルオキシトリエトキシシラン、４−クロロフェニルオキシトリエトキシシラン、４−シアノフェニルトリオキシエトキシシラン、４−ニトロフェニルオキシトリエトキシシラン、４−メチルフェニルオキシトリエトキシシランの如きモノアリールオキシトリアルコキシシラン；
【００５０】
ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、メチル（エチル）ジエトキシシラン、メチル（シクロヘキシル）ジエトキシシランの如きジアルキルジアルコキシシラン；
メチル（フェニル）ジエトキシシランの如きモノアルキルモノアリールジアルコキシシラン；
ジフェニルジエトキシシランの如きジアリールジアルコキシシラン；
ジフェノキシジエトキシシランの如きジアリールオキシジアルコキシシラン；
メチル（フェノキシ）ジエトキシシランの如きモノアルキルモノアリールオキシジアルコキシシラン；
フェニル（フェノキシ）ジエトキシシランの如きモノアリールモノアリールオキシジアルコキシシラン；
トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリメチル−ｎ−プロポキシシラン、ジメチル（エチル）エトキシシラン、ジメチル（シクロヘキシル）エトキシシランの如きトリアルキルモノアルコキシシラン；
ジメチル（フェニル）エトキシシランの如きジアルキルモノアリールモノアルコキシシラン；
メチル（ジフェニル）エトキシシランの如きモノアルキルジアリールモノアルコキシシラン；
トリフェノキシエトキシシランの如きトリアリールオキシモノアルコキシシラン；
メチル（ジフェノキシ）エトキシシランの如きモノアルキルジアリールオキシモノアルコキシシラン；
フェニル（ジフェノキシ）エトキシシランの如きモノアリールジアリールオキシモノアルコキシシラン；
ジメチル（フェノキシ）エトキシシランの如きジアルキルモノアリールオキシモノアルコキシシラン；
ジフェニル（フェノキシ）エトキシシランの如きジアリールモノアリールオキシモノアルコキシシラン；
メチル（フェニル）（フェノキシ）エトキシシランの如きモノアルキルモノアリールモノアリールオキシモノアルコキシシラン等；
【００５１】
ヒドロキシメチルトリメトキシシラン、ヒドロキシメチルトリエトキシシラン、ヒドロキシメチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ヒドロキシメチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、ヒドロキシメチルトリアセトキシシラン、ヒドロキシメチルトリ（メトキシエトキシ）シラン、ヒドロキシメチルメチルジメトキシシラン、ヒドロキシメチルメチルジエトキシシラン、ヒドロキシメチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ヒドロキシメチルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、ヒドロキシメチルメチルジアセトキシシラン、ヒドロキシメチルエチルジメトキシシラン、ヒドロキシメチルエチルジエトキシシラン、ヒドロキシメチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ヒドロキシメチルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、ヒドロキシメチルエチルジアセトキシシラン、ヒドロキシメチルエチルジ（メトキシエトキシ）シラン、ヒドロキシメチルフェニルジメトキシシラン、ヒドロキシメチルフェニルジエトキシシラン、ヒドロキシメチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、ヒドロキシメチルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、ヒドロキシメチルフェニルジアセトキシシラン、ヒドロキシメチルフェニルジ（メトキシエトキシ）シラン、２−ヒドロキシエチルトリメトキシシラン、２−ヒドロキシエチルトリエトキシシラン、２−ヒドロキシエチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、２−ヒドロキシエチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、２−ヒドロキシエチルトリアセトキシシラン、２−ヒドロキシエチルトリ（メトキシエトキシ）シラン、
【００５２】
２−ヒドロキシエチルメチルジメトキシシラン、２−ヒドロキシエチルメチルジエトキシシラン、２−ヒドロキシエチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−ヒドロキシエチルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−ヒドロキシエチルメチルジアセトキシシラン、２−ヒドロキシエチルエチルジメトキシシラン、２−ヒドロキシエチルエチルジエトキシシラン、２−ヒドロキシエチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−ヒドロキシエチルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−ヒドロキシエチルエチルジアセトキシシラン、２−ヒドロキシエチルエチルジ（メトキシエトキシ）シラン、２−ヒドロキシエチルフェニルジメトキシシラン、２−ヒドロキシエチルフェニルジエトキシシラン、２−ヒドロキシエチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−ヒドロキシエチルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−ヒドロキシエチルフェニルジアセトキシシラン、２−ヒドロキシエチルフェニルジ（メトキシエトキシ）シラン、３−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、３−ヒドロキシプロピルトリ−ｉ−プロポキシシラン、３−ヒドロキシプロピルトリアセトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルトリ（メトキシエトキシ）シラン、３−ヒドロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−ヒドロキシプロピルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−ヒドロキシプロピルメチルジアセトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルエチルジメトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルエチルジエトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−ヒドロキシプロピルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−ヒドロキシプロピルエチルジアセトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルエチルジ（メトキシエトキシ）シラン、３−ヒドロキシプロピルフェニルジメトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルフェニルジエトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−ヒドロキシプロピルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−ヒドロキシプロピルフェニルジアセトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルフェニルジ（メトキシエトキシ）シラン、
【００５３】
４−ヒドロキシフェニルトリメトキシシラン、４−ヒドロキシフェニルトリエトキシシラン、４−ヒドロキシフェニルトリ−ｎ−プロポキシシラン、４−ヒドロキシフェニルトリ−ｉ−プロポキシシラン、４−ヒドロキシフェニルトリアセトキシシラン、４−ヒドロキシフェニルトリ（メトキシエトキシ）シラン、４−ヒドロキシフェニルメチルジメトキシシラン、４−ヒドロキシフェニルメチルジエトキシシラン、４−ヒドロキシフェニルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、４−ヒドロキシフェニルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、４−ヒドロキシフェニルメチルジアセトキシシラン、４−ヒドロキシフェニルエチルジメトキシシラン、４−ヒドロキシフェニルエチルジエトキシシラン、４−ヒドロキシフェニルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、４−ヒドロキシフェニルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、４−ヒドロキシフェニルエチルジアセトキシシラン、４−ヒドロキシフェニルエチルジ（メトキシエトキシ）シラン、４−ヒドロキシフェニルフェニルジメトキシシラン、４−ヒドロキシフェニルフェニルジエトキシシラン、４−ヒドロキシフェニルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、４−ヒドロキシフェニルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、４−ヒドロキシフェニルフェニルジアセトキシシラン、４−ヒドロキシフェニルフェニルジ（メトキシエトキシ）シラン、
【００５４】
４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルトリメトキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルトリエトキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルトリアセトキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルトリ（メトキシエトキシ）シラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルメチルジメトキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルメチルジエトキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルメチルジアセトキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルエチルジメトキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルエチルジエトキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルエチルジアセトキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルエチルジ（メトキシエトキシ）シラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルフェニルジメトキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルフェニルジエトキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルフェニルジアセトキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルフェニルジ（メトキシエトキシ）シラン、下記式（Ｌ）
【化５】
（式（Ｌ）中、Ｙ２は、上記式（Ｋ）におけるのと同じ意味であり、Ｙ３は、メチレン基又は炭素数２〜６のアルキレン基である。ＲＴは、それぞれ独立に、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数２〜６のアシル基である。）
で表される化合物等；
【００５５】
メルカプト基を含有するシラン化合物として、
メルカプトメチルトリメトキシシラン、メルカプトメチルトリエトキシシラン、メルカプトメチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メルカプトメチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、メルカプトメチルトリアセトキシシラン、メルカプトメチルトリ（メトキシエトキシ）シラン、メルカプトメチルメチルジメトキシシラン、メルカプトメチルメチルジエトキシシラン、メルカプトメチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、メルカプトメチルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、メルカプトメチルメチルジアセトキシシラン、メルカプトメチルエチルジメトキシシラン、メルカプトメチルエチルジエトキシシラン、メルカプトメチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、メルカプトメチルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、メルカプトメチルエチルジアセトキシシラン、メルカプトメチルエチルジ（メトキシエトキシ）シラン、メルカプトメチルフェニルジメトキシシラン、メルカプトメチルフェニルジエトキシシラン、メルカプトメチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、メルカプトメチルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、メルカプトメチルフェニルジアセトキシシラン、メルカプトメチルフェニルジ（メトキシエトキシ）シラン、２−メルカプトエチルトリメトキシシラン、２−メルカプトエチルトリエトキシシラン、２−メルカプトエチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、２−メルカプトエチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、２−メルカプトエチルトリアセトキシシラン、２−メルカプトエチルトリ（メトキシエトキシ）シラン、２−メルカプトエチルメチルジメトキシシラン、２−メルカプトエチルメチルジエトキシシラン、２−メルカプトエチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−メルカプトエチルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−メルカプトエチルメチルジアセトキシシラン、２−メルカプトエチルエチルジメトキシシラン、２−メルカプトエチルエチルジエトキシシラン、２−メルカプトエチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−メルカプトエチルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−メルカプトエチルエチルジアセトキシシラン、２−メルカプトエチルエチルジ（メトキシエトキシ）シラン、２−メルカプトエチルフェニルジメトキシシラン、２−メルカプトエチルフェニルジエトキシシラン、２−メルカプトエチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−メルカプトエチルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−メルカプトエチルフェニルジアセトキシシラン、２−メルカプトエチルフェニルジ（メトキシエトキシ）シラン、
【００５６】
３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、３−メルカプトプロピルトリ−ｉ−プロポキシシラン、３−メルカプトプロピルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリ（メトキシエトキシ）シラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジエトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルエチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルエチルジエトキシシラン、３−メルカプトプロピルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−メルカプトプロピルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−メルカプトプロピルエチルジアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルエチルジ（メトキシエトキシ）シラン、３−メルカプトプロピルフェニルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルフェニルジエトキシシラン、３−メルカプトプロピルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−メルカプトプロピルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−メルカプトプロピルフェニルジアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルフェニルジ（メトキシエトキシ）シラン等が挙げられる。
【００５７】
これらの（ａ２）加水分解性シラン化合物の中で、感放射線性組成物の保存安定性、放射線感度、得られる層間絶縁膜の表面硬度、耐熱性等の向上、（ａ１）加水分解性シラン化合物が存在した場合の共縮合反応性の点から、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランを好適に用いることができる。このような（ａ２）加水分解性シラン化合物は、１種単独で使用しても、又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。また、（ａ１）加水分解性シラン化合物１種と（ａ２）加水分解性シラン化合物１種とを組み合わせて共縮合させてもよく、（ａ１）加水分解性シラン化合物２種以上と（ａ２）加水分解性シラン化合物２種以上とを組み合わせて共縮合させてもよい。
【００５８】
上記加水分解性シラン化合物を加水分解・縮合させる条件は、加水分解縮合を促進させる触媒の存在下、上記加水分解性シラン化合物の少なくとも一部を加水分解して、加水分解性基をシラノール基に変換し、縮合反応を起こさせるものである限り、特に限定されるものではないが、一例として以下のように実施することができる。
【００５９】
上記加水分解性シラン化合物の加水分解・縮合に用いられる水は、逆浸透膜処理、イオン交換処理、蒸留等の方法により精製された水を使用することが好ましい。このような精製水を用いることによって、副反応を抑制し、加水分解の反応性を向上させることができる。水の使用量は、上記加水分解性シラン化合物の加水分解性基（上記式（２）及び（３）における−ＯＲ構造を有する各種基）の合計量１モルに対して、好ましくは０．１〜３モル、より好ましくは０．３〜２モル、特に好ましくは０．５〜１．５モルの量である。このような量の水を用いることによって、加水分解・縮合の反応速度を最適化することができる。
【００６０】
上記加水分解性シラン化合物の加水分解・縮合に使用することができる溶剤としては、特に限定されるものではないが、通常、後述する感放射線性組成物の調製に用いられる溶剤と同様のものを使用することができる。このような溶剤の好ましい例としては、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピオン酸エステル類が挙げられる。これらの溶剤の中でも、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート又は３−メトキシプロピオン酸メチル、ジアセトンアルコールが特に好ましい。
【００６１】
上記加水分解縮合を促進させる触媒としては、ポリシロキサンの分子量制御及び当該ポジ型感放射線性組成物の保存安定性向上の点から、後述する［Ｃ］金属キレート化合物が好適である。また、上記加水分解縮合を促進させる触媒として、本発明の効果を損なわない限り、例えば酸触媒（例えば、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸等の無機酸；蟻酸、酢酸、シュウ酸、トリフルオロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸等の有機酸；酸性イオン交換樹脂；各種ルイス酸）、塩基触媒（例えば、アンモニア、１級アミン類、２級アミン類、３級アミン類、ピリジン等の含窒素化合物；塩基性イオン交換樹脂；水酸化ナトリウム等の水酸化物；炭酸カリウム等の炭酸塩；酢酸ナトリウム等のカルボン酸塩；各種ルイス塩基）、又はアルコキシド（例えばジルコニウムアルコキシド、チタニウムアルコキシド、アルミニウムアルコキシド）等を含んでいてもよい。
【００６２】
加水分解縮合を促進させる触媒の使用量としては、加水分解・縮合反応の促進の観点から、加水分解性シラン化合物のモノマー１モルに対して、好ましくは０．２モル以下であり、より好ましくは０．００００１〜０．１モルである。
【００６３】
上記加水分解性シラン化合物の加水分解・縮合における反応温度及び反応時間は、適宜に設定される。例えば、下記の条件が採用できる。反応温度は、好ましくは４０〜２００℃、より好ましくは５０〜１５０℃である。反応時間は、好ましくは３０分〜２４時間、より好ましくは１〜１２時間である。このような反応温度及び反応時間とすることによって、加水分解・縮合反応を最も効率的に行うことができる。この加水分解・縮合においては、反応系内に加水分解性シラン化合物、水及び触媒を一度に添加して反応を一段階で行ってもよく、あるいは、加水分解性シラン化合物、水及び触媒を、数回に分けて反応系内に添加することによって、加水分解及び縮合反応を多段階で行ってもよい。
【００６４】
特に、金属キレート化合物を用いた場合、上述のようにして加水分解・縮合反応を所望の程度まで行った後、金属キレート化合物を不活性化させて加水分解縮合反応をクエンチするために、アセチルアセトン等のクエンチャーを添加する。クエンチャーの添加量は、反応系内に存在する金属キレート化合物の量や種類に応じて変わるが、金属キレート化合物の質量の２倍から１０倍量添加すればよい。当該ポジ型感放射線性組成物において、金属キレート化合物を用いてポリシロキサンを合成すると、クエンチャーの添加だけで反応後の所望でない加水分解縮合を抑制することができるので、生産効率やコスト面でも好ましい。
【００６５】
なお、加水分解・縮合反応の後には、脱水剤を加え、次いでエバポレーションにかけることによって、水及び生成したアルコールを反応系から除去することができる。この濃縮物中に、クエンチャーにより失活した金属キレート化合物由来の金属キレート錯体が存在していてもよい。なお、この段階で用いられる脱水剤は、一般的に、過剰の水を吸着又は包接して脱水能が完全に消費されるか、又はエバポレーションにより除去されるため、感放射線性組成物に任意に添加される後述の［Ｆ］成分の脱水剤の範疇には入らないものとする。
【００６６】
上記加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物の分子量は、移動相にテトラヒドロフランを使用したＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）を用い、ポリスチレン換算の数平均分子量として測定することができる。そして、加水分解縮合物の数平均分子量は、通常５００〜１００００の範囲内の値とするのが好ましく、１０００〜５０００の範囲内の値とするのがさらに好ましい。加水分解縮合物の数平均分子量の値を５００以上とすることによって、感放射線性組成物の塗膜の成膜性を改善することができる。一方、加水分解縮合物の数平均分子量の値を１００００以下とすることによって、感放射線性組成物の感放射線性の低下を防止することができる。
【００６７】
［Ｂ］成分：光酸発生剤又は光塩基発生剤
［Ｂ］光酸発生剤又は光塩基発生剤は、放射線の照射によって酸又は塩基を発生させる化合物である。当該ポジ型感放射線性組成物が［Ｂ］光酸発生剤又は光塩基発生剤を含むことで、ポジ型の感放射線特性を発揮することができる。
【００６８】
［Ｂ１］：光酸発生剤
［Ｂ１］光酸発生剤は、放射線の照射によって酸（例えば、カルボン酸、スルホン酸等）を発生させる化合物である限り、特に限定されない。［Ｂ１］光酸発生剤としては、［Ｂ１−１］キノンジアジドを好適に用いることができ、［Ｂ１−２］他の光酸発生剤も［Ｂ１−１］キノンジアジドに代えて、又は［Ｂ１−１］キノンジアジドとともに用いることができる。
【００６９】
［Ｂ１−１］：キノンジアジド
［Ｂ１−１］キノンジアジドは、放射線の照射によってカルボン酸を発生する化合物である。このようなキノンジアジドを含有する感放射線性組成物は、放射照射工程における露光部分が現像工程で除去されるポジ型の感放射線特性を有する。［Ｂ１−１］キノンジアジドとして、好ましくは、フェノール性水酸基を有する化合物及びナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドをエステル化反応させることによって得られる化合物を用いることができる。フェノール性水酸基を有する化合物の例としては、フェノール性水酸基のオルト位及びパラ位が、それぞれ独立して水素もしくは下記式（４）で表される置換基のいずれかである化合物が挙げられる。
【００７０】
【化６】
（式中、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は、各々独立して炭素数１〜１０のアルキル基、カルボキシル基、フェニル基、置換フェニル基のいずれかを表す。また、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９のうちの２つ又は３つによって環が形成されていてもよい。）
【００７１】
上記式（４）で表される置換基において、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９が、炭素数１〜１０のアルキル基である場合、当該アルキル基は、置換されていてもよく、置換されていなくてもよい。このようなアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、トリフルオロメチル基、２−カルボキシエチル基が挙げられる。また、置換フェニル基の置換基としては、水酸基が挙げられる。また、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９のうちの２つ又は３つによって形成される環状基の例としては、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、アダマンタン環、フルオレン環が挙げられる。
【００７２】
フェノール性水酸基を有する化合物の例としては、下記式（５）及び（６）で表される化合物群が挙げられる。
【００７３】
【化７】
【００７４】
【化８】
【００７５】
フェノール性水酸基を有する化合物の他の例としては、４，４’−［１−［４−［１−［４−ヒドロキシフェニル］−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール、１，１，１−トリ（ｐ−ヒドロキシフェニル）エタン等を挙げることができる。
【００７６】
ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとしては、４−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドあるいは５−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドを用いることができる。４−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドから得られたエステル化合物（キノンジアジド）は、ｉ線（波長３６５ｎｍ）領域に吸収を持つため、ｉ線露光に適している。また、５−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドから得られたエステル化合物（キノンジアジド）は、広範囲の波長領域に吸収が存在するため、広範囲の波長での露光に適している。露光する波長によって４−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドから得られたエステル化合物、あるいは５−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドから得られたエステル化合物を選択することが好ましい。特に好ましいキノンジアジドの例としては、４，４’−［１−［４−［１−［４−ヒドロキシフェニル］−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール（１．０モル）と１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド（３．０モル）との縮合物、１，１，１−トリ（ｐ−ヒドロキシフェニル）エタン（１．０モル）と１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド（３．０モル）との縮合物を挙げることができる。
【００７７】
ナフトキノンジアジドの分子量は、好ましくは３００〜１５００、さらに好ましくは３５０〜１２００とすることができる。ナフトキノンジアジドの分子量を３００以上とすることによって、得られる層間絶縁膜の透明性を高く維持することができる。一方、ナフトキノンジアジドの分子量を１５００以下とすることによって、ポジ型感放射線性組成物のパターン形成能の低下を抑制することができる。
【００７８】
これらの［Ｂ１−１］キノンジアジドは、単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。感放射線性組成物における［Ｂ１−１］キノンジアジドの使用量は、［Ａ］成分１００質量部に対して、好ましくは１〜１００質量部であり、より好ましくは５〜５０質量部である。［Ｂ１−１］キノンジアジドの使用量を１〜１００質量部とすることによって、現像液となるアルカリ水溶液に対する放射線の照射部分と未照射部分との溶解度の差が大きく、パターニング性能が良好となり、また得られる層間絶縁膜の耐溶剤性も良好となる。
【００７９】
［Ｂ−２］：他の光酸発生剤
［Ｂ−２］他の光酸発生剤としては、ジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、スルホニウム塩、ベンゾチアゾニウム塩、アンモニウム塩、ホスホニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩等のオニウム塩、スルホンイミド化合物が挙げられる。
【００８０】
ジフェニルヨードニウム塩の例としては、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウム−ｐ−トルエンスルホナート、ジフェニルヨードニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロアセテート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム−ｐ−トルエンスルホナート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムカンファースルホン酸等が挙げられる。
【００８１】
トリフェニルスルホニウム塩の例としては、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホン酸、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、トリフェニルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホナート、トリフェニルスルホニウムブチルトリス（２、６−ジフルオロフェニル）ボレート等が挙げられる。
【００８２】
スルホニウム塩の例としては、アルキルスルホニウム塩、ベンジルスルホニウム塩、ジベンジルスルホニウム塩、置換ベンジルスルホニウム塩等を挙げることができる。
【００８３】
これらのスルホニウム塩としては、
アルキルスルホニウム塩として、例えば４−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−４−（ベンジルオキシカルボニルオキシ）フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−４−（ベンゾイルオキシ）フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−４−（ベンゾイルオキシ）フェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−３−クロロ−４−アセトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等；
ベンジルスルホニウム塩として、例えばベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、４−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−４−メトキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−２−メチル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−３−クロロ−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−メトキシベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等；
ジベンジルスルホニウム塩として、例えばジベンジル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、４−アセトキシフェニルジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−４−メトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−３−クロロ−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジベンジル−３−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−４−メトキシベンジル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等；
置換ベンジルスルホニウム塩として、例えばｐ−クロロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ｐ−ニトロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ｐ−クロロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ｐ−ニトロベンジル−３−メチル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、３，５−ジクロロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ｏ−クロロベンジル−３−クロロ−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等をそれぞれ挙げることができる。
【００８４】
ベンゾチアゾニウム塩の例としては、３−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、３−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロホスフェート、３−ベンジルベンゾチアゾニウムテトラフルオロボレート、３−（ｐ−メトキシベンジル）ベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、３−ベンジル−２−メチルチオベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、３−ベンジル−５−クロロベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。
【００８５】
テトラヒドロチオフェニウム塩の例としては、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム−１，１，２，２−テトラフルオロ−２−（ノルボルナン−２−イル）エタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム−２−（５−ｔ−ブトキシカルボニルオキシビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２−イル）−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム−２−（６−ｔ−ブトキシカルボニルオキシビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２−イル）−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、１−（４，７−ジブトキシ−１−ナフタレニル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホナート等が挙げられる。
【００８６】
スルホンイミド化合物の例としては、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド（商品名「ＳＩ−１０５」（みどり化学（株）製））、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）スクシンイミド（商品名「ＳＩ−１０６」（みどり化学（株）製））、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド（商品名「ＳＩ−１０１」（みどり化学（株）製））、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（２−フルオロフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド（商品名「ＰＩ−１０５」（みどり化学（株）製））、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（フェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド（商品名「ＮＤＩ−１００」（みどり化学（株）製））、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド（商品名「ＮＤＩ−１０１」（みどり化学（株）製））、Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド（商品名「ＮＤＩ−１０５」（みどり化学（株）製））、Ｎ−（ノナフルオロブタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド（商品名「ＮＤＩ−１０９」（みどり化学（株）製））、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド（商品名「ＮＤＩ−１０６」（みどり化学（株）製））、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド（商品名「ＮＡＩ−１０５」（みどり化学（株）製））、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド（商品名「ＮＡＩ−１０６」（みどり化学（株）製））、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド（商品名「ＮＡＩ−１０１」（みどり化学（株）製））、Ｎ−（フェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド（商品名「ＮＡＩ−１００」（みどり化学（株）製））、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（ヘプタフルオロプロピルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（ノナフルオロブチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド（商品名「ＮＡＩ−１０９」（みどり化学（株）製））、Ｎ−（エチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（プロピルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（ブチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド（商品名「ＮＡＩ−１００４」（みどり化学（株）製））、Ｎ−（ペンチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（ヘキシルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（ヘプチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（オクチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（ノニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミドなどが挙げられる
【００８７】
これらの光酸発生剤の中でも、当該ポジ型感放射線性組成物の放射線感度及び得られる硬化物の密着性の向上の観点から、トリフェニルスルホニウム塩、スルホニウム塩、ベンゾチアゾニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩、スルホンイミド化合物が好適に用いられる。この中でも特に、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホン酸、４−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、３−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４，７−ジブトキシ−１−ナフタレニル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホナート、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミドが好ましく用いられる。
【００８８】
［Ｂ１−２］他の光酸発生剤は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。また、［Ｂ１−１］キノンジアジドと併用してもよい。［Ｂ１−２］光酸発生剤を使用する場合の量は、［Ａ］成分１００質量部に対して、好ましくは０．１質量部以上２０質量部以下、さらに好ましくは１質量部以上１０質量部以下である。［Ｂ２］成分の使用量を０．１質量部以上２０質量部以下とすることによって、耐メルトフロー性、及び形成される層間絶縁膜の耐熱性がバランス良く優れた感放射線性組成物を得ることができ、また、塗膜の形成工程において析出物の発生を防止し、塗膜形成を容易にすることが可能となる。なお、［Ｂ１−１］キノンジアジドと［Ｂ１−２］他の光酸発生剤とを併用する場合は、両者の合計量が上記範囲となるように設定すればよい。
【００８９】
［Ｂ２］：光塩基発生剤
［Ｂ２］光塩基発生剤としても、放射線の照射により塩基（アミン等）を発生する化合物である限り、特に限定されない。光塩基発生剤の例としては、コバルトなど遷移金属錯体、オルトニトロベンジルカルバメート類、α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジルカルバメート類、アシルオキシイミノ類などを挙げることができる。
【００９０】
遷移金属錯体の例としては、ブロモペンタアンモニアコバルト過塩素酸塩、ブロモペンタメチルアミンコバルト過塩素酸塩、ブロモペンタプロピルアミンコバルト過塩素酸塩、ヘキサアンモニアコバルト過塩素酸塩、ヘキサメチルアミンコバルト過塩素酸塩、ヘキサプロピルアミンコバルト過塩素酸塩などが挙げられる。
【００９１】
オルトニトロベンジルカルバメート類の例としては、例えば［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］メチルアミン、［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］プロピルアミン、［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ヘキシルアミン、［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミン、［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］アニリン、［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ピペリジン、ビス［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ヘキサメチレンジアミン、ビス［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］フェニレンジアミン、ビス［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］トルエンジアミン、ビス［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ジアミノジフェニルメタン、ビス［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ピペラジン、［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］メチルアミン、［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］プロピルアミン、［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ヘキシルアミン、［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミン、［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］アニリン、［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ピペリジン、ビス［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ヘキサメチレンジアミン、ビス［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］フェニレンジアミン、ビス［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］トルエンジアミン、ビス［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ジアミノジフェニルメタン、ビス［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ピペラジンなどが挙げられる。
【００９２】
α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジルカルバメート類の例としては、［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］メチルアミン、［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］プロピルアミン、［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］ヘキシルアミン、［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミン、［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］アニリン、［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］ピペリジン、ビス［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］ヘキサメチレンジアミン、ビス［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］フェニレンジアミン、ビス［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］トルエンジアミン、ビス［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］ジアミノジフェニルメタン、ビス［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］ピペラジンなどが挙げられる。
【００９３】
アシルオキシイミノ類の例としては、プロピオニルアセトフェノンオキシム、プロピオニルベンゾフェノンオキシム、プロピオニルアセトンオキシム、ブチリルアセトフェノンオキシム、ブチリルベンゾフェノンオキシム、ブチリルアセトンオキシム、アジポイルアセトフェノンオキシム、アジポイルベンゾフェノンオキシム、アジポイルアセトンオキシム、アクロイルアセトフェノンオキシム、アクロイルベンゾフェノンオキシム、アクロイルアセトンオキシムなどが挙げられる。
感放射線性塩基発生剤のその他の例としては、２−ニトロベンジルシクロヘキシルカルバメート、Ｏ−カルバモイルヒドロキシアミド及びＯ−カルバモイルヒドロキシアミドが特に好ましい。
【００９４】
［Ｂ２］光塩基発生剤は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。また、本発明の効果を損なわない限り、［Ｂ２］と光塩基発生剤と［Ｂ１］光酸発生剤とを併用してもよい。［Ｂ２］光塩基発生剤を使用する場合の量は、［Ａ］成分１００質量部に対して、好ましくは０．１質量部以上２０質量部以下、更に好ましくは１質量部以上１０質量部以下である。［Ｂ２］成分の使用量を０．１質量部以上２０質量部以下とすることによって、耐メルトフロー性、及び形成される層間絶縁膜の耐熱性がバランス良く優れた感放射線性組成物を得ることができ、また、塗膜の形成工程において析出物の発生を防止し、塗膜形成を容易にすることが可能となる。
【００９５】
［Ｃ］成分：金属キレート化合物
上記金属キレート化合物は、金属（以下、中心金属ともいう）にキレート剤及びその他の配位子が配位した化合物である。金属キレート化合物としては、加水分解性シラン化合物の加水分解縮合を促進させる化合物である限り特に限定されないが、上記式（１）で表される化合物が好ましい。
【００９６】
上記式（１）中のＭである中心金属としては、例えばアルミニウム、チタン、ジルコニウム、ベリリウム、カルシウム、コバルト、銅、鉄、ハフニウム、イリジウム、パラジウム、マンガン、モリブデン、ニオブ、ニッケル、白金、スズ、ルテニウム、タンタル、バナジウム、タングステン、亜鉛等の金属が挙げられる。これらの金属の中でも、反応性、構造制御性、入手容易性等の観点から、アルミニウム、チタニウム及びジルコニウムからなる群より選択される少なくとも１種が好ましい。
【００９７】
上記式（１）中、Ｒ１のキレート剤としては、上記中心金属に対する配位によりキレート構造を呈する限り特に限定されず、例えばアセチルアセトナート、エチルアセトアセテート、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート、ベンゾイルアセトネート、１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオネート、メチルアセトアセテート、メタクリルオキシエチルアセテート、アリルアセトアセテート、テトラメチルヘプタンジオネート、ヘキサンジオネート、ヘプタンジオネート及びベンゾイルアセテート等が挙げられる。これらのキレート剤の中でも、構造制御性、高配位力等の観点から、アセチルアセトナート及びエチルアセトアセテートが好ましい。
【００９８】
上記式（１）中のＲ２のうち、炭素数２〜５のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基等が挙げられる。また、炭素数６〜２０のアリール基としては、フェニル基等が挙げられる。これらアルキル基又はアリール基は、水素原子の一部が他の置換基で置換されていてもよい。
【００９９】
上記金属キレート化合物の具体例としては、例えば
トリス（アセチルアセトナート）アルミニウム、トリス（エチルアセトアセテート）アルミニウム、ジ（ｉ−プロポキシ）・モノアセチルアセトネートアルミニウム、ジ（ｉ−プロポキシ）・モノメチルアセトアセトテートアルミニウム、ジ（ｉ−プロポキシ）・モノエチルアセトアセテートアルミニウム、ビスエチルアセトアセテート・モノアセチルアセトネートアルミニウム等のアルミニウムキレート化合物；
【０１００】
トリエトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｉ−プロポキシ・ビスアセチルアセトネートチタン、ジ−ｉ−プロポキシ・ビスエチルアセトアセテートチタン、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、ジエトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、モノエトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、テトラキス（アセチルアセトナート）チタン、トリエトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、ジエトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、モノエトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、テトラキス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ（アセチルアセトナート）トリス（エチルアセトアセテート）チタン、ビス（アセチルアセトナート）ビス（エチルアセトアセテート）チタン、トリス（アセチルアセトナート）モノ（エチルアセトアセテート）チタン等のチタンキレート化合物；
【０１０１】
トリエトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジエトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノエトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、テトラキス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリエトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジエトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノエトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、テトラキス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ（アセチルアセトナート）トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ビス（アセチルアセトナート）ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリス（アセチルアセトナート）モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム等のジルコニウムキレート化合物等が挙げられる。
【０１０２】
これらの金属キレート化合物の中では、加水分解縮合反応の促進及び構造制御性の観点から、ジ（ｉ−プロポキシ）・モノエチルアセトアセテートアルミニウム、ジ−ｉ−プロポキシ・ビスエチルアセトアセテートチタン、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウムが好ましい。
【０１０３】
当該ポジ型感放射線性組成物中の［Ｃ］金属キレート化合物の含有量は、［Ａ］ポリシロキサンの合成時に用いる場合の使用量と概ね同等程度であればよい。
【０１０４】
［Ｄ］成分：界面活性剤
［Ｄ］成分の界面活性剤は、当該ポジ型感放射線性組成物の塗布性の改善、塗布ムラの低減、放射線照射部の現像性を改良するために添加することができる。好ましい界面活性剤の例としては、ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤及びシリコーン系界面活性剤が挙げられる。
【０１０５】
ノニオン系界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類；ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアリールエーテル類；ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のポリエチレングリコールジアルキルエステル類；（メタ）アクリル酸系共重合体類等が挙げられる。（メタ）アクリル酸系共重合体類の例としては、市販されている商品名で、ポリフローＮｏ．５７、同Ｎｏ．９５（共栄社化学（株）製）等を挙げることができる。
【０１０６】
フッ素系界面活性剤としては、例えば１，１，２，２−テトラフルオロオクチル（１，１，２，２−テトラフルオロプロピル）エーテル、１，１，２，２−テトラフルオロオクチルヘキシルエーテル、オクタエチレングリコールジ（１，１，２，２−テトラフルオロブチル）エーテル、ヘキサエチレングリコール（１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロペンチル）エーテル、オクタプロピレングリコールジ（１，１，２，２−テトラフルオロブチル）エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ（１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロペンチル）エーテル等のフルオロエーテル類；パーフルオロドデシルスルホン酸ナトリウム；１，１，２，２，８，８，９，９，１０，１０−デカフルオロドデカン、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロデカン等のフルオロアルカン類；フルオロアルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム類；フルオロアルキルオキシエチレンエーテル類；フルオロアルキルアンモニウムヨージド類；フルオロアルキルポリオキシエチレンエーテル類；パーフルオロアルキルポリオキシエタノール類；パーフルオロアルキルアルコキシレート類；フッ素系アルキルエステル類等を挙げることができる。
【０１０７】
これらのフッ素系界面活性剤の市販品としては、エフトップＥＦ３０１、３０３、３５２（新秋田化成（株）製）、メガファックＦ１７１、１７２、１７３（大日本インキ（株）製）、フロラードＦＣ４３０、４３１（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ−１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６（旭硝子（株）製）、ＦＴＸ−２１８（（株）ネオス製）等を挙げることができる。
【０１０８】
シリコーン系界面活性剤の例としては、市販されている商品名で、ＳＨ２００−１００ｃｓ、ＳＨ２８ＰＡ、ＳＨ３０ＰＡ、ＳＴ８９ＰＡ、ＳＨ１９０、ＳＨ ８４００ ＦＬＵＩＤ（東レダウコーニングシリコーン（株）製）、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）等が挙げられる。
【０１０９】
［Ｄ］界面活性剤を使用する場合の量は、［Ａ］成分１００質量部に対して、好ましくは０．０１質量部以上１０質量部以下、より好ましくは０．０５質量部以上５質量部以下である。［Ｄ］界面活性剤の使用量を０．０１質量部以上１０質量部以下とすることにより、ポジ型感放射線性組成物の塗布性を最適化することができる。
【０１１０】
［Ｅ］成分：他のシラン化合物
本発明のポジ型感放射線性組成物は、必須成分としての［Ａ］、［Ｂ］及び［Ｃ］及び任意成分の［Ｄ］以外に、［Ｅ］他のシラン化合物を含んでいてもよい。［Ｅ］成分は、下記式（７）又は（９）で示されるシラン化合物である。この［Ｅ］成分は、上述の［Ａ］成分のポリシロキサン（好ましくは（ａ１）加水分解性シラン化合物及び／又は（ａ２）加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物）とともに縮合し、硬化物を形成する。
【０１１１】
【化９】
（式（７）中、Ｒ１０及びＲ１２は、それぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基である。Ｒ１１は、メチレン基、炭素数２〜６のアルキレン基、フェニレン基又は下記式（８）で示される基である。）
【０１１２】
【化１０】
（式（８）中、ｑは１〜４の整数である。）
【０１１３】
【化１１】
（式（９）中、Ｒ１３、Ｒ１４及びＲ１５は、それぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基である。ｒは１〜６の整数である。）
【０１１４】
式（７）のＲ１０及びＲ１２の好ましい具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基が挙げられる。これらのアルキル基の中でも、メチル基、エチル基がより好ましい。式（７）のＲ１１の好ましい具体例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、フェニレン基が挙げられる。これらの基の中でも、メチレン基、エチレン基、フェニレン基がより好ましい。また、Ｒ１１が式（８）で示される基である場合、式（８）中のｑとしては１又は２が好ましい。［Ｅ］成分として、このような好ましい構造の上記式（７）のシラン化合物を用いることによって、［Ａ］成分との反応性が向上する。
【０１１５】
式（９）のＲ１３、Ｒ１４及びＲ１５の好ましい具体例としては、［Ａ］成分との反応性の観点から、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基が挙げられる。これらのアルキル基の中でも、メチル基がより好ましい。また、式（９）中のｒは、［Ａ］成分との反応性や相溶性の観点から、１〜３の整数であることが好ましい。
【０１１６】
当該感放射線性組成物が［Ｅ］成分を含むとき、［Ｅ］成分は、１種単独で用いても、２種以上組み合わせて用いてもよい。式（７）及び（９）のシラン化合物のうち、式（９）で示されるイソシアヌル環を有するシラン化合物がより好ましい。このように一分子中に３個のトリアルコキシシリル基が結合したイソシアヌル環を有するシラン化合物を用いることによって、高い放射線感度を示す感放射線性組成物が得られると共に、その組成物から形成される層間絶縁膜の架橋度を向上させることができる。さらに、このようなイソシアヌル環含有シラン化合物を含む感放射線性組成物は、現像後の加熱工程におけるメルトフローに対する高い耐性を示す。
【０１１７】
式（７）及び（９）で示されるシラン化合物の具体例としては、ビストリエトキシシリルエタン、ビス（トリメトキシシリル）メタン、ビス（トリエトキシシリル）メタン、ビス−１，２−（トリメトキシシリル）エタン、ビス−１，２−（トリエトキシシリル）エタン、ビス−１，６−（トリメトキシシリル）ヘキサン、ビス−１，６−（トリエトキシシリル）ヘキサン、ビス−１，４−（トリメトキシシリル）ベンゼン、ビス−１，４−（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリメトキシシリルメチル）ベンゼン、１，４−ビス（トリメトキシシリルエチル）ベンゼン、１，４−ビス（トリエトキシシリルメチル）ベンゼン、１，４−ビス（トリエトキシシリルエチル）ベンゼン、トリス−（３−トリメトキシシリルメチル）イソシアヌレート、トリス−（３−トリエトキシシリルメチル）イソシアヌレート、トリス−（３−トリメトキシシリルエチル）イソシアヌレート、トリス−（３−トリエトキシシリルエチル）イソシアヌレート、トリス−（３−トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、トリス−（３−トリエトキシシリルプロピル）イソシアヌレート等が挙げられる。これらのうち、放射線感度、及び現像後の加熱工程における耐メルトフロー性向上の観点から、１，４−ビス（トリメトキシシリルメチル）ベンゼン、ビス（トリエトキシシリル）エタン、トリス−（３−トリメトキシシリルエチル）イソシアヌレート、トリス−（３−トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、トリス−（３−トリエトキシシリルプロピル）イソシアヌレートが特に好ましい。
【０１１８】
当該感放射線性組成物が［Ｅ］成分を含む場合、［Ｅ］成分の使用量は、［Ａ］成分１００質量部に対して、好ましくは５質量部以上７０質量部以下、さらに好ましくは１０質量部以上５０質量部以下である。［Ｅ］成分の使用量を５質量部以上７０質量部以下とすることによって、放射線感度、及び現像後の加熱工程における耐メルトフロー性がバランス良く優れた感放射線性組成物を得ることができる。
【０１１９】
その他の任意成分
本発明のポジ型感放射線性組成物は、必須成分として上記［Ａ］成分、［Ｂ］成分及び［Ｃ］成分、並びに任意成分としての［Ｄ］成分及び［Ｅ］成分に加え、所期の効果を損なわない範囲で、必要に応じて［Ｆ］成分の脱水剤等の他の任意成分を含有させることができる。
【０１２０】
［Ｆ］成分の脱水剤は、水を化学反応により水以外の物質に変換することができるか、又は水を物理吸着もしくは包接によりトラップすることができる物質として定義される。当該感放射線性組成物に、任意に［Ｆ］脱水剤を含有させることにより、環境から浸入する水分、又は感放射線性組成物の現像後の加熱工程における［Ａ］同士による縮合若しくは［Ａ］成分と［Ｅ］成分との縮合の結果発生する水分を低減させることができる。従って、［Ｆ］脱水剤を用いることにより、組成物中の水分を低減させることが可能であり、その結果、組成物の保存安定性を向上させることができる。さらに、［Ａ］及び［Ｅ］成分の縮合の反応性を高め、感放射線性組成物の耐メルトフロー性を向上させることができると考えられる。このような［Ｆ］脱水剤としては、カルボン酸エステル、アセタール類（ケタール類を含む）、及びカルボン酸無水物からなる群から選択される少なくとも１種の化合物が好ましく使用できる。
【０１２１】
カルボン酸エステルの好ましい例としては、例えばオルトカルボン酸エステル、カルボン酸シリルエステル等が好ましい。オルトカルボン酸エステルの具体例としては、オルト蟻酸メチル、オルト蟻酸エチル、オルト蟻酸プロピル、オルト蟻酸ブチル、オルト酢酸メチル、オルト酢酸エチル、オルト酢酸プロピル、オルト酢酸ブチル、オルトプロピオン酸メチル、オルトプロピオン酸エチル等が挙げられる。また、これらのオルトカルボン酸エステルのうち、オルト蟻酸メチル等のオルト蟻酸エステルが特に好ましい。カルボン酸シリルエステルの具体例としては、酢酸トリメチルシリル、酢酸トリブチルシリル、蟻酸トリメチルシリル、シュウ酸トリメチルシリル等が挙げられる。
【０１２２】
アセタール類の好ましい例としては、ケトン類とアルコールとの反応物、ケトン類とジアルコールとの反応物、ケテンシリルアセタール類を挙げることができる。ケトン類とアルコールとの反応物の具体例としては、ジメチルアセタール、ジエチルアセタール、ジプロピルアセタール等を挙げることができる。
【０１２３】
カルボン酸無水物の好ましい例としては、無水蟻酸、無水酢酸、無水コハク酸、無水マレイン酸、無水フタル酸、無水安息香酸、酢酸安息香酸無水物等が挙げられる。これらのカルボン酸無水物の中でも、脱水効果の点で、無水酢酸及び無水コハク酸が好ましい。
【０１２４】
［Ｆ］脱水剤を使用する場合の使用量は、［Ａ］成分１００質量部に対して、好ましくは０．００１質量部以上５０質量部以下であり、さらに好ましくは０．０１質量部以上３０質量部以下であり、特に好ましくは０．０５質量部以上１０質量部以下である。［Ｇ］脱水剤の使用量を０．００１質量部以上５０質量部以下とすることによって、感放射線性組成物の保存安定性を最適化することができる。
【０１２５】
感放射線性組成物
本発明のポジ型感放射線性組成物は、上記の［Ａ］成分のポリシロキサン、［Ｂ］成分の光酸発生剤又は光塩基発生剤、及び［Ｃ］成分の金属キレート化合物、並びに任意成分（［Ｄ］成分の界面活性剤、［Ｅ］成分の他のシラン化合物等）を混合することによって調製される。また、本発明の効果を損なわない限り、金属キレート化合物を用いずに調製したポリシロキサンと、金属キレート化合物を用いて調製したポリシロキサンとを併存させてもよい。通常、感放射線性組成物は、好ましくは適当な溶剤に溶解又は分散させた状態に調製され、使用される。例えば溶剤中で、［Ａ］成分、［Ｂ］成分及び［Ｃ］成分、並びに任意成分を所定の割合で混合することにより、感放射線性組成物を調製することができる。
【０１２６】
当該ポジ型感放射線性組成物の調製に用いることができる溶剤としては、各成分を均一に溶解又は分散し、各成分と反応しないものが好適に用いられる。このような溶媒としては、例えばアルコール類、エーテル類、グリコールエーテル類、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類、ジエチレングリコールアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類、芳香族炭化水素類、ケトン類、エステル類等を挙げることができる。
【０１２７】
これらの溶剤としては、
アルコール類として、例えば、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等；
エーテル類として、例えば、テトラヒドロフラン、ジイソプロピルエーテル、ジｎ−ブチルエーテル、ジｎ−ペンチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジｎ−ヘキシルエーテルなどのジアルキルエーテル等；
ジエチレングリコールアルキルエーテル類として、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルなど；
エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類として、例えば、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテートなど；
ジエチレングリコールアルキルエーテル類としてジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等；
プロピレングリコールモノアルキルエーテル類として、例えばプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル、プロピレングリコールブチルエーテルなど；
プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類として、例えばプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールブチルエーテルアセテート等；
プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類として、例えばプロピレングリコールメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールプロピルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールブチルエーテルプロピオネートなど；
【０１２８】
芳香族炭化水素類として、トルエン、キシレン等；
ケトン類として、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、２−ヘプタノン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン等；
エステル類として、例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、ヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、３−ヒドロキシプロピオン酸メチル、３−ヒドロキシプロピオン酸エチル、３−ヒドロキシプロピオン酸プロチル、３−ヒドロキシプロピオン酸ブチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸ブチル、プロポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ酢酸プロピル、プロポキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸メチル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブトキシ酢酸ブチル、２−メトキシプロピオン酸メチル、２−メトキシプロピオン酸エチル、２−メトキシプロピオン酸プロピル、２−メトキシプロピオン酸ブチル、２−エトキシプロピオン酸メチル、２−エトキシプロピオン酸エチル、２−エトキシプロピオン酸プロピル、２−エトキシプロピオン酸ブチル、２−ブトキシプロピオン酸メチル、２−ブトキシプロピオン酸エチル、２−ブトキシプロピオン酸プロピル、２−ブトキシプロピオン酸ブチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸プロピル、３−メトキシプロピオン酸ブチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸プロピル、３−エトキシプロピオン酸ブチル、３−プロポキシプロピオン酸メチル、３−プロポキシプロピオン酸エチル、３−プロポキシプロピオン酸プロピル、３−プロポキシプロピオン酸ブチル、３−ブトキシプロピオン酸メチル、３−ブトキシプロピオン酸エチル、３−ブトキシプロピオン酸プロピル、３−ブトキシプロピオン酸ブチル等を、それぞれ挙げることができる。
【０１２９】
これらの溶剤の中のうち、溶解性あるいは分散性が優れていること、各成分と非反応性であること、及び塗膜形成の容易性の観点から、ジアルキルエーテル等のエーテル類、エチレングリコールアルキルエーテル類、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類、ケトン類、エステル類が好ましく、特に、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、２−メトキシプロピオン酸メチル、２−メトキシプロピオン酸エチルが好ましい。これらの溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いることができる。
【０１３０】
上記した溶剤に加え、さらに必要に応じて、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、１−オクタノール、１−ノナノール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート等の高沸点溶剤を併用することもできる。
【０１３１】
感放射線性組成物を溶液又は分散液状態として調製する場合、液中に占める溶剤以外の成分（すなわち［Ａ］、［Ｂ］及び［Ｃ］成分並びにその他の任意成分の合計量）の割合は、使用目的や所望の膜厚等に応じて任意に設定することができるが、好ましくは５質量％以上５０質量％以下、より好ましくは１０質量％以上４０質量％以下、さらに好ましくは１５質量％以上３５質量％以下である。
【０１３２】
層間絶縁膜の形成
次に、上記の感放射線性組成物を用いて、基板上に層間絶縁膜の硬化膜を形成する方法について説明する。当該方法は、以下の工程を含む。
（１）当該ポジ型感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
（２）工程（１）で形成した塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
（３）工程（２）で放射線を照射された塗膜を現像する工程、及び
（４）工程（３）で現像された塗膜を加熱する工程。
【０１３３】
（１）感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程
上記工程（１）において、基板上に本発明のポジ型感放射線性組成物の溶液又は分散液を塗布した後、好ましくは塗布面を加熱（プレベーク）することにより溶剤を除去して、塗膜を形成する。使用できる基板の例としては、ガラス、石英、シリコン、樹脂等を挙げることができる。樹脂の具体例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリイミド、環状オレフィンの開環重合体及びその水素添加物等を挙げることができる。
【０１３４】
組成物溶液又は分散液の塗布方法としては、特に限定されず、例えばスプレー法、ロールコート法、回転塗布法（スピンコート法）、スリットダイ塗布法、バー塗布法等の適宜の方法を採用することができる。これらの塗布方法の中でも、特にスピンコート法又はスリットダイ塗布法が好ましい。プレベークの条件は、各成分の種類、配合割合等によっても異なるが、好ましくは７０〜１２０℃で１〜１０分間程度とすることができる。
【０１３５】
（２）塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程
上記工程（２）では、形成された塗膜の少なくとも一部に露光する。この場合、塗膜の一部に露光する際には、通常、所定のパターンを有するフォトマスクを介して露光する。露光に使用される放射線としては、例えば可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線等を使用できる。これらの放射線の中でも、波長が１９０〜４５０ｎｍの範囲にある放射線が好ましく、特に３６５ｎｍの紫外線を含む放射線が好ましい。
【０１３６】
当該工程における露光量は、放射線の波長３６５ｎｍにおける強度を、照度計（ＯＡＩｍｏｄｅｌ３５６、ＯＡＩ Ｏｐｔｉｃａｌ Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ Ｉｎｃ．製）により測定した値として、好ましくは１００〜１０，０００Ｊ／ｍ２、より好ましくは５００〜６，０００Ｊ／ｍ２である。
【０１３７】
（３）現像工程
上記工程（３）では、露光後の塗膜を現像することにより、不要な部分（放射線の照射部分）を除去して、所定のパターンを形成する。現像工程に使用される現像液としては、アルカリ（塩基性化合物）の水溶液が好ましい。アルカリの例としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア等の無機アルカリ；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の４級アンモニウム塩等を挙げることができる。
【０１３８】
また、このようなアルカリ水溶液には、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ水溶液におけるアルカリの濃度は、適当な現像性を得る観点から、好ましくは０．１質量％以上５質量％以下とすることができる。現像方法としては、例えば液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法、シャワー法等の適宜の方法を利用することができる。現像時間は、感放射線性組成物の組成によって異なるが、好ましくは１０〜１８０秒間程度である。このような現像処理に続き、例えば流水洗浄を３０〜９０秒間行った後、例えば圧縮空気や圧縮窒素で風乾させることによって、所望のパターンを形成することができる。
【０１３９】
（４）加熱工程
上記工程（４）では、ホットプレート、オーブン等の加熱装置を用い、パターニングされた薄膜を比較的高温で加熱することによって、上記［Ａ］成分単独、又は［Ａ］成分及び［Ｅ］成分の縮合反応を促進し、確実に硬化物を得ることができる。当該工程における加熱温度は、例えば１２０〜２５０℃である。加熱時間は、加熱機器の種類により異なるが、例えば、ホットプレート上で加熱工程を行う場合には５〜３０分間、オーブン中で加熱工程を行う場合には３０〜９０分間とすることができる。２回以上の加熱工程を行うステップベーク法等を用いることもできる。このようにして、目的とする層間絶縁膜に対応するパターン状薄膜を基板の表面上に形成することができる。
【０１４０】
層間絶縁膜
このように形成された層間絶縁膜の膜厚は、好ましくは０．１〜８μｍ、より好ましくは０．１〜６μｍ、さらに好ましくは０．１〜４μｍである。
【０１４１】
本発明のポジ型感放射線性組成物から形成された層間絶縁膜は、下記の実施例からも明らかにされるように、表面硬度、屈折率、耐熱性、透明性及び低誘電性という一般的な要求特性をバランス良く満たす。そのため、当該層間絶縁膜は、液晶表示素子用や有機ＥＬ素子用に好適に用いられる。
【実施例】
【０１４２】
以下に合成例、実施例を示して、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０１４３】
以下の各合成例から得られた加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、下記の仕様によるゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）により測定した。
装置：ＧＰＣ−１０１（昭和電工（株）製）
カラム：ＧＰＣ−ＫＦ−８０１、ＧＰＣ−ＫＦ−８０２、ＧＰＣ−ＫＦ−８０３及びＧＰＣ−ＫＦ−８０４（昭和電工（株）製）を結合したもの
移動相：テトラヒドロフラン
【０１４４】
［Ａ］ポリシロキサンの合成例
［合成例１］
撹拌機付の容器内に、プロピレングリコールモノメチルエーテル２５質量部を仕込んだ後、メチルトリメトキシシラン３０質量部、フェニルトリメトキシシラン２３質量部、及びジ（ｉ−プロポキシ）・モノエチルアセトアセテートアルミニウム２．５質量部を仕込み、溶液温度が６０℃になるまで加熱した。溶液温度が６０℃に到達後、イオン交換水１８質量部を仕込み、７５℃になるまで加熱し、３時間保持した。次いで、蒸留アセチルアセトン１４質量部を添加した。さらに溶液温度を４０℃にし、温度を保ちながらエバポレーションすることで、イオン交換水及び加水分解縮合で発生したメタノールを除去し、固形分濃度が４０質量％程度になるように濃縮した。以上の手順により、加水分解縮合物（Ａ−１）を得た。加水分解縮合物（Ａ−１）の固形分濃度は４０．５質量％であり、得られた加水分解縮合物の数平均分子量（Ｍｎ）は２，０００であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．８であった。
【０１４５】
［合成例２］
撹拌機付の容器内に、プロピレングリコールモノメチルエーテル２５質量部を仕込んだ後、メチルトリメトキシシラン１８質量部、テトラエトキシシラン１５質量部、フェニルトリメトキシシラン２０質量部、及びジ（ｉ−プロポキシ）・モノエチルアセトアセテートアルミニウム２．５質量部を仕込み、溶液温度が６０℃になるまで加熱した。溶液温度が６０℃に到達後、イオン交換水１８質量部を仕込み、７５℃になるまで加熱し、３時間保持した。次いで蒸留アセチルアセトン１４質量部を添加した。さらに溶液温度を４０℃にし、温度を保ちながらエバポレーションすることで、イオン交換水及び加水分解縮合で発生したメタノールを除去し、固形分濃度が４０質量％程度になるように濃縮した。以上の手順により、加水分解縮合物（Ａ−２）を得た。加水分解縮合物（Ａ−２）の固形分濃度は４０．４質量％であり、得られた加水分解縮合物の数平均分子量（Ｍｎ）は１，６００であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．０であった。
【０１４６】
［合成例３］
撹拌機付の容器内に、プロピレングリコールモノメチルエーテル２５質量部を仕込み、続いて、メチルトリメトキシシラン２２質量部、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン１２質量部、フェニルトリメトキシシラン２０質量部、及び、ジ（ｉ−プロポキシ）・モノエチルアセトアセテートアルミニウム２．５質量部を仕込み、溶液温度が６０℃になるまで加熱した。溶液温度が６０℃に到達後、イオン交換水１８質量部を仕込み、７５℃になるまで加熱し、３時間保持した。次いで蒸留アセチルアセトン１４質量部を添加した。さらに溶液温度を４０℃にし、温度を保ちながらエバポレーションすることで、イオン交換水及び加水分解縮合で発生したメタノールを除去し、固形分濃度が４０質量％程度になるように濃縮した。以上の手順により、加水分解縮合物（Ａ−３）を得た。加水分解縮合物（Ａ−３）の固形分濃度は３９．８質量％であり、得られた加水分解縮合物の数平均分子量（Ｍｎ）は１，８００であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．０であった。
【０１４７】
［合成例４］
撹拌機付の容器内に、プロピレングリコールモノメチルエーテル２５質量部を仕込んだ後、メチルトリメトキシシラン２２質量部、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン１２質量部、フェニルトリメトキシシラン２０質量部、及びジ（ｉ−プロポキシ）・モノエチルアセトアセテートアルミニウム２．５質量部を仕込み、溶液温度が６０℃になるまで加熱した。溶液温度が６０℃に到達後、イオン交換水１８質量部を仕込み、７５℃になるまで加熱し、３時間保持した。次いで、蒸留アセチルアセトン１４質量部を添加した。さらに溶液温度を４０℃にし、温度を保ちながらエバポレーションすることで、イオン交換水及び加水分解縮合で発生したメタノールを除去し、固形分濃度が４０質量％程度になるように濃縮した。以上の手順により、加水分解縮合物（Ａ−４）を得た。加水分解縮合物（Ａ−４）の固形分濃度は４０．３質量％であり、得られた加水分解縮合物の数平均分子量（Ｍｎ）は２，２００であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．０であった。
【０１４８】
［合成例５］
撹拌機付の容器内に、プロピレングリコールモノメチルエーテル２５質量部を仕込んだ後、メチルトリメトキシシラン３０質量部、フェニルトリメトキシシラン２３質量部、及びジ−ｉ−プロポキシ・ビスエチルアセトアセテートチタン２．５質量部を仕込み、溶液温度が６０℃になるまで加熱した。溶液温度が６０℃に到達後、イオン交換水１８質量部を仕込み、７５℃になるまで加熱し、３時間保持した。次いで蒸留アセチルアセトン１４質量部を添加した。さらに溶液温度を４０℃にし、温度を保ちながらエバポレーションすることで、イオン交換水及び加水分解縮合で発生したメタノールを除去し、固形分濃度が４０質量％程度になるように濃縮した。以上の手順により、加水分解縮合物（Ａ−５）を得た。加水分解縮合物（Ａ−５）の固形分濃度は、４０．５質量％であり、得られた加水分解縮合物の数平均分子量（Ｍｎ）は２，５００であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、２．３であった。
【０１４９】
［合成例６］
撹拌機付の容器内に、プロピレングリコールモノメチルエーテル２５質量部を仕込んだ後、メチルトリメトキシシラン３０質量部、フェニルトリメトキシシラン２３質量部、及びジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、２．５質量部を仕込み、溶液温度が６０℃になるまで加熱した。溶液温度が６０℃に到達後、イオン交換水１８質量部を仕込み、７５℃になるまで加熱し、３時間保持した。次いで蒸留アセチルアセトン１４質量部を添加した。さらに溶液温度を４０℃にし、温度を保ちながらエバポレーションすることで、イオン交換水及び加水分解縮合で発生したメタノールを除去し、固形分濃度が４０質量％程度になるように濃縮した。以上の手順により、加水分解縮合物（Ａ−６）を得た。加水分解縮合物（Ａ−６）の固形分濃度は４０．５質量％であり、得られた加水分解縮合物の数平均分子量（Ｍｎ）は２，５００であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．４であった。
【０１５０】
［比較合成例１］
撹拌機付の容器内に、プロピレングリコールモノメチルエーテル２５質量部を仕込み、続いて、メチルトリメトキシシラン１７質量部、テトラエトキシシラン１５質量部、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン１２質量部、フェニルトリメトキシシラン１５質量部、及びシュウ酸１質量部を仕込み、合成例１と同様の方法により、加水分解縮合物（ａ−１）を得た。加水分解縮合物（ａ−１）の固形分濃度は４０．９質量％であり、得られた加水分解縮合物の数平均分子量（Ｍｎ）は１，７００であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．１であった。
【０１５１】
［比較合成例２］
撹拌機付の容器内に、プロピレングリコールモノメチルエーテル２５質量部を仕込み、続いて、メチルトリメトキシシラン１７質量部、テトラエトキシシラン１５質量部、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン１２質量部、フェニルトリメトキシシラン１５質量部、及びトリエチルアミン２質量部を仕込み、合成例１と同様の方法により、加水分解縮合物（ａ−１）を得た。加水分解縮合物（ａ−１）の固形分濃度は４０．９質量％であり、得られた加水分解縮合物の数平均分子量（Ｍｎ）は４，０００であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．３であった。
【０１５２】
感放射線性組成物の調製
［実施例１］
合成例１で得られた加水分解縮合物（Ａ−１）を含む溶液（加水分解縮合物（Ａ−１）１００質量部（固形分）に相当する量）に、［Ｂ］成分として（Ｂ−１）４，４’−［１−［４−［１−［４−ヒドロキシフェニル］−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール（１．０モル）と１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド（２．０モル）の縮合物１０質量部、［Ｄ］成分としてシリコーン系界面活性剤（（株）東レ・ダウコーニング製の「ＳＨ ８４００ ＦＬＵＩＤ」０．１質量部を加え、固形分濃度が２５質量％になるようにプロピレングリコールモノメチルエーテルを添加し、感放射線性組成物を調製した。
【０１５３】
［実施例２〜１０及び比較例１〜３］
各成分の種類及び量を表１に記載の通りとした他は、実施例１と同様にして感放射線性組成物を調製した。
【０１５４】
物性評価
上記のように調製した感放射線性組成物を使用し、以下のように当該組成物、層間絶縁膜及び液晶セルとしての各種の特性を評価した。
【０１５５】
〔感放射線性組成物の放射線感度の評価〕
シリコン基板上に、実施例１〜９及び比較例１〜３については、スピンナーを用いて各組成物を塗布した後、１００℃にて２分間ホットプレート上でプレベークすることにより膜厚４．０μｍの塗膜を形成した。実施例１０については、スリットダイコーターを用いて組成物を塗布した後、室温にて１５秒かけて０．５Ｔｏｒｒまで減圧し、溶媒を除去した後、１００℃にて２分間ホットプレート上でプレベークすることにより膜厚４．０μｍの塗膜を形成した。得られた塗膜に対し、キヤノン（株）製ＰＬＡ−５０１Ｆ露光機（超高圧水銀ランプ）を用い、６．０μｍのライン・アンド・スペース（１対１）のパターンを有するマスクを介して露光時間を変化させて露光を行った後、２．３８質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて２５℃、８０秒間、液盛り法で現像した。次いで、超純水で１分間流水洗浄を行い、その後、乾燥させてシリコン基板上にパターンを形成した。このとき、スペース線幅（底部）が６．０μｍとなるのに必要な最小露光量を測定した。この最小露光量を放射線感度として表１に示す。最小露光量が６００（Ｊ／ｍ２）以下のとき、感度は良好であるといえる。
【０１５６】
〔感放射線性組成物の加熱工程におけるパターン形状の耐メルトフロー性の評価〕
上記「放射線感度の評価」と同様に、スペース線幅（底部）が６．０μｍとなるパターンを形成し、得られたパターンに、キヤノン（株）製ＰＬＡ−５０１Ｆ露光機（超高圧水銀ランプ）を用いて、積算照射量が３，０００Ｊ／ｍ２となるように露光を行った後、クリーンオーブン内にて２２０℃で１時間加熱することによりポストベークを行った。さらに２３０℃で１０分間加熱してパターンをメルトフローさせ、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）によりパターン底部の寸法を測定した。この時、パターン底部の寸法が６．３５μｍ未満であるとき、耐メルトフロー性が良好であるといえる。一方、パターン底部の寸法が６．３５μｍ以上の場合、耐メルトフロー性は不良であるといえる。このパターン底部の寸法測定結果を、耐メルトフロー性の評価として表１に示す。
【０１５７】
〔層間絶縁膜の表面硬度の評価〕
上記「放射線感度の評価」で露光しなかった以外は、同様にシリコン基板上に塗膜を形成した。その後、得られた塗膜に、それぞれキヤノン（株）製ＰＬＡ−５０１Ｆ露光機（超高圧水銀ランプ）を用いて、積算照射量が３，０００Ｊ／ｍ２となるように露光を行った後、クリーンオーブン内にて２２０℃で１時間加熱することにより硬化膜を得た。硬化膜を、鉛筆硬度の硬いものから軟らかい順に紙ヤスリで鉛筆の芯をとがらせて引っ掻き、その膜が削れなかった最も硬い鉛筆硬度をその膜の表面硬度（鉛筆硬度）とした。
【０１５８】
〔層間絶縁膜の耐熱性の評価〕
上記「表面硬度の評価」と同様にしてシリコン基板上に硬化膜を形成し、得られた硬化膜の膜厚（Ｔ２）を測定した。次いで、この硬化膜が形成されたシリコン基板を、クリーンオーブン内にて２４０℃で１時間追加ベークした後、当該硬化膜の膜厚（ｔ２）を測定し、追加ベークによる膜厚変化率｛｜ｔ２−Ｔ２｜／Ｔ２｝×１００〔％〕を算出した。この膜厚変化率の結果を、耐熱性の評価として表１に示す。この値が３％未満のとき、耐熱性は良好であると言える。
【０１５９】
〔層間絶縁膜の光線透過率（透明性）の評価〕
上記「表面硬度の評価」において、シリコン基板の代わりにガラス基板「コーニング７０５９」（コーニング社製）を用いたこと以外は同様にして、ガラス基板上に硬化膜を形成した。この硬化膜が形成されたガラス基板の光線透過率を、分光光度計「１５０−２０型ダブルビーム」（（株）日立製作所製）を用いて４００〜８００ｎｍの範囲の波長で測定した。そのときの最低光線透過率の値を表１に示す。最低光線透過率が９５％以上のとき、光線透過率は良好であると言える。
【０１６０】
〔層間絶縁膜の比誘電率（低誘電性）の評価〕
研磨したＳＵＳ３０４製基板上に、実施例１〜９及び比較例１〜３については、スピンナーを用いて各組成物を塗布した後、１００℃にて２分間ホットプレート上でプレベークすることにより膜厚３．０μｍの塗膜を形成した。実施例１０については、スリットダイコーターを用いて組成物を塗布した後、室温で１５秒かけて０．５Ｔｏｒｒまで減圧して溶媒を除去した後、１００℃にて２分間ホットプレート上でプレベークすることにより膜厚３．０μｍの塗膜を形成した。得られた塗膜に対し、キヤノン（株）製ＰＬＡ−５０１Ｆ露光機（超高圧水銀ランプ）を用い、積算照射量が３，０００Ｊ／ｍ２となるように露光を行った後、クリーンオーブン内にて２２０℃で１時間加熱することにより、基板上に硬化膜を形成した。この硬化膜上に、蒸着法によりＰｔ／Ｐｄ電極パターンを形成し、比誘電率測定用サンプルを作成した。得られたサンプルにつき、横河・ヒューレットパッカード（株）製ＨＰ１６４５１Ｂ電極及びＨＰ４２８４ＡプレシジョンＬＣＲメーターを用い、ＣＶ法により、周波数１０ｋＨｚの周波数における比誘電率を測定した。結果を表１に示す。なお、比誘電率の評価においては、形成する膜のパターニングは不要のため、現像工程を省略し、塗膜形成工程、放射線照射工程及び加熱工程のみ行い評価に供した。
【０１６１】
〔感放射線性組成物の保存安定性の評価〕
粘度計（東京計器（株）製の「ＥＬＤ型粘度計」）を用い、２５℃における感放射線性組成物の粘度を測定した。その後、この組成物を２５℃にて静置しつつ、２５℃における粘度を２４時間毎に測定した。調製直後の感放射線性組成物の粘度を基準に５％増粘するのに要した日数を求め、この日数を保存安定性の評価として表１に示した。
【０１６２】
なお、表１において、［Ｂ１−１］キノンジアジド、［Ｂ１−２］他の光酸発生剤、［Ｂ２］光塩基発生剤、［Ｄ］界面活性剤の略称は、それぞれ以下のものを表す。
Ｂ１−１−１：４，４’−［１−［４−［１−［４−ヒドロキシフェニル］−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール（１．０モル）と１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド（２．０モル）の縮合物
Ｂ１−１−２：１，１，１−トリ（ｐ−ヒドロキシフェニル）エタン（１．０モル）と１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド（２．０モル）の縮合物
Ｂ１−２−１：Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド
Ｂ１−２−２：ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート
Ｂ２：２−ニトロベンジルシクロヘキシルカルバメート
Ｄ−１：シリコーン系界面活性剤（（株）東レ・ダウコーニング製の「ＳＨ ８４００ ＦＬＵＩＤ」
【０１６３】
【表１】
【０１６４】
表１の結果から明らかなように、［Ａ］、［Ｂ］及び［Ｃ］成分を含む実施例１〜１０の感放射線性組成物は、［Ａ］成分を用いない比較例１〜３の感放射線性組成物と比較して、保存安定性及び放射線感度が優れているとともに、現像後の加熱工程におけるメルトフローに対する耐性が格段に高く、表面硬度、屈折率、耐熱性、透明性及び低誘電性という一般的な要求特性の全てを満足する層間絶縁膜を形成可能であることが分かった。
【産業上の利用可能性】
【０１６５】
本発明のポジ型感放射線性組成物は、上述のように、保存安定性及び放射線感度に加えて、加熱工程における耐メルトフロー性が優れており、かつ耐熱性、透明性等の一般的な要求特性を全て満足する層間絶縁膜を形成可能である。従って、当該感放射線組成物は、液晶表示素子や有機ＥＬ素子用の層間絶縁膜を形成するために好適に用いられる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示素子や有機ＥＬ素子等の層間絶縁膜を形成するための材料として好適な感放射線性組成物、その組成物から形成された層間絶縁膜、及びその層間絶縁膜の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子や有機ＥＬ素子等には、一般に層状に配置される配線の間を絶縁するために層間絶縁膜が設けられている。層間絶縁膜を形成する材料としては、必要とするパターン形状を得るための工程数が少なく、しかも十分な平坦性を有するものが好ましいことから、感放射線性組成物が幅広く使用されている。
【０００３】
例えば液晶表示素子の層間絶縁膜では、微細配線用のコンタクトホールのパターン形成が必要である。ネガ型組成物では、実用上使用できるレベルのホール径を有したコンタクトホールを形成することは困難であることから、液晶表示素子の層間絶縁膜を形成するために、ポジ型の感放射線特性を有する感放射線性組成物が幅広く使用されている（特開２００１−３５４８２２号公報参照）。
【０００４】
層間絶縁膜形成用の感放射線性組成物の成分としては、主にアクリル系樹脂が使用されている。これに対し、アクリル系樹脂よりも耐熱性及び透明性に優れたポリシロキサン系材料を感放射線性組成物の成分として用いる試みがなされている（特開２０００−１６４８号公報、特開２００６−１７８４３６号公報参照）。
【０００５】
ところが、ポリシロキサン系材料のポリシロキサン又はシラン化合物は、それ自体が加水分解を受けやすいために同種同士又は異種同士の縮合反応を引き起こすことがある。調製した感放射線性組成物においてこうした副次的な反応が生じてしまうと、感放射線性組成物の保存安定性が損なわれ、製品としてのシェルフライフが短くなってしまう。
【０００６】
上記のような副次的反応を抑制する方策の一つとして、ポリシロキサンの分子量や分岐構造といった構造の制御による縮合反応の抑制が考えられる。ポリシロキサンの構造制御については、酸触媒、金属キレート化合物、アルカリ触媒の別により異なった分子量のポリシロキサンが得られることが報告されている（特開２００３−１６３２０９号公報参照）。しかしながら、この公報には、種々の分子量のポリシロキサンを用いた膜形成用組成物が開示されているものの、感放射線特性については一切考慮されておらず、また、層間絶縁膜として必要な各種特性についても誘電率を除き検討の段階まで至っていない。
【０００７】
このような状況下、感放射線性組成物として放射線感度、保存安定性、耐メルトフロー性に優れ、硬化させた際には層間絶縁膜として一般的に要求される表面硬度、屈折率、耐熱性、透明性及び低誘電性が充分高いレベルにあるポリシロキサン系のポジ型感放射線性組成物の開発が強く望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−３５４８２２号公報
【特許文献２】特開２０００−１６４８号公報
【特許文献３】特開２００６−１７８４３６号公報
【特許文献４】特開２００３−１６３２０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明者らは上記特性を備える感放射線性組成物を目標に鋭意検討した結果、以下の知見を得るに至った。
【００１０】
すなわち、一般的に、ポリシロキサンを合成するにあたっては、酸又はアルカリ触媒が使用される。そして、酸又はアルカリ触媒を使用してポリシロキサンを合成する場合、その分子量の制御に困難を伴うことが多くなる。また、ポリシロキサンの分子量が小さい場合には、ポリシロキサンを用いて得られる硬化膜の耐熱性、表面硬度が不充分となり、一方、ポリシロキサンの分子量が大きい場合には、パターニング時の現像性が低下してしまうことがある。さらに、ポリシロキサン合成時の触媒として使用した微量の酸やアルカリ触媒がポリシロキサンを含む感放射線性組成物溶液に残存することで、ポリシロキサン間の架橋反応を促進させて分子量の増大を引き起こし、その結果、感放射線性組成物の保存安定性が低下してしまう。
【００１１】
これらの知見より、ポジ型感放射線性組成物中におけるポリシロキサン合成時の酸触媒又は塩基触媒の残存を防止し、ポリシロキサンの分子量を適切に制御可能な系の構築が有効な方策であるとの結論に至った。
【００１２】
本発明は以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、放射線感度、保存安定性、耐メルトフロー性に優れるとともに、表面硬度、屈折率、耐熱性、透明性、低誘電性等の諸性能に優れる層間絶縁膜ポリシロキサン系ポジ型感放射線性組成物、その組成物から形成された層間絶縁膜及びその形成方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するためになされた発明は、
［Ａ］ポリシロキサン、
［Ｂ］光酸発生剤又は光塩基発生剤、及び
［Ｃ］金属キレート化合物
を含有するポジ型感放射線性組成物である。
【００１４】
当該ポジ型感放射線性組成物に含まれる金属キレート化合物は不活性化されており、ポリシロキサンの加水分解反応に対して触媒作用を発現しないので、ポリシロキサンを含む感放射線性組成物の保存安定性に影響を及ぼすことがなく、当該ポジ型感放射線性組成物のシェルフライフの低下を抑制することができる。また、ポリシロキサンの合成に金属キレート化合物を使用すると、感放射線性組成物に適した分子量でポリシロキサンを合成することが可能である。これにより、当該ポジ型感放射線性組成物は、耐メルトフロー性に優れるとともに、表面硬度、屈折率、耐熱性、透明性及び低誘電性等に優れる層間絶縁膜の形成が可能である。加えて、酸又は塩基を用いてポリシロキサンを合成した後、保存安定性の向上を目的とした酸触媒又は塩基触媒の除去には相当な煩雑さとコストがかかるのに対し、金属キレート化合物の不活性化にはクエンチャーの添加だけでよいので、生産効率やコスト面でも優位になる。併せて、当該ポジ型感放射線性組成物は、［Ａ］成分のポリシロキサンと［Ｂ］成分の光酸発生剤又は光塩基発生剤とを含んでいるので、このポリシロキサンと光酸発生剤又は光塩基発生剤とによるポジ型の感放射線特性及び優れた放射線感度を達成することができる。
【００１５】
当該ポジ型感放射線性組成物において、［Ａ］ポリシロキサンが、［Ｃ］金属キレート化合物の存在下での加水分解性シラン化合物の加水分解縮合により得られるポリシロキサンであり、［Ｂ］光酸発生剤として、キノンジアジドを含有することが好ましい。ポリシロキサンの分子量を適切な値に制御し、得られる硬化膜の耐熱性や表面硬度を高めるという点から、当該ポジ型感放射線性組成物では、具体的に［Ｃ］金属キレート化合物を用いて［Ａ］ポリシロキサンを合成してもよい。また、キノンジアジドを用いることにより、当該組成物のパターニング性を向上させることができる。
【００１６】
当該ポジ型感放射線性組成物では、上記金属キレート化合物は、下記式（１）で表される化合物であることが好ましい。
【化１】
（式（１）中、Ｒ１はキレート剤であり、Ｍは金属原子であり、Ｒ２は炭素数２〜５のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基である。ｊは金属Ｍの原子価であり、ｐは１〜ｊの整数である。Ｒ１及びＲ２が複数の場合、それぞれ同一でも異なっていてもよい。）
【００１７】
当該ポジ型感放射線性組成物において、金属キレート化合物として上記（１）で表される化合物を用いることで、分子量が適度に制御されたポリシロキサンを調製することができる。その結果、当該組成物の保存安定性、放射線感度、耐メルトフロー性を向上させることができるとともに、得られる層間絶縁膜の機械的特性、光学的特性、電気的特性を高めることができる。
【００１８】
当該ポジ型感放射線性組成物では、上記式（１）中の金属Ｍが、アルミニウム、チタン及びジルコニウムからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。金属キレート化合物の中心金属として上記金属を用いることにより、触媒活性が高まって加水分解性シラン化合物の縮合反応の反応収率が向上するとともに、ポリシロキサンの分子量制御も容易となる。
【００１９】
当該ポジ型感放射線性組成物では、上記加水分解性シラン化合物が、（ａ１）下記式（２）で表されるシラン化合物及び（ａ２）下記式（３）で表されるシラン化合物からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。
【化２】
（式（２）中、Ｘ１は、エポキシ基、ビニル基、アリル基、（メタ）アクリロイルオキシ基、スチリル基、又はビニルベンジロキシ基である。Ｙ１は単結合、メチレン基又は炭素数２〜６のアルキレン基である。Ｒ３は、炭素数１〜６のアルコキシ基又は炭素数２〜６のアシルオキシ基である。Ｒ４は、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数６〜１２の置換若しくは非置換のアリール基である。ａ及びｂは、それぞれ１〜３の整数であり、ｃは０〜２の整数であり、そしてａ＋ｂ＋ｃ＝４の関係を満たす。）
【化３】
（式（３）中、Ｒ５は、炭素数１〜６の置換若しくは非置換のアルコキシ基、炭素数６〜１８の置換若しくは非置換のアリールオキシ基、又は炭素数２〜６のアシルオキシ基である。Ｒ６は、炭素数１〜６の置換若しくは非置換のアルキル基、又は炭素数６〜１８の置換若しくは非置換のアリール基である。ｇは１〜４の整数であり、ｈは０〜３の整数であり、そしてｇ＋ｈ＝４の関係を満たす。）
【００２０】
当該ポジ型感放射線性組成物のポリシロキサンが、上記のような特定の加水分解性シラン化合物用いていることにより、分子量制御をより高度なレベルで達成することができ、これにより当該ポジ型感放射線性組成物の保存安定性、放射線感度、耐メルトフロー性をより向上させることができる。また、このような特定のポリシロキサンを含む当該ポジ型感放射線性組成物により形成された層間絶縁膜では、優れた表面硬度、屈折率、耐熱性、透明性及び低誘電性等を達成することができる。
【００２１】
本発明の層間絶縁膜は、当該ポジ型感放射線性樹脂組成物から形成されている。その結果、当該層間絶縁膜は、表面硬度、屈折率、耐熱性、透明性及び低誘電性等の諸性能に優れるという利点を有する。
【００２２】
本発明の層間絶縁膜の形成方法は、
（１）当該ポジ型感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
（２）工程（１）で形成した塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
（３）工程（２）で放射線を照射された塗膜を現像する工程、及び
（４）工程（３）で現像された塗膜を加熱する工程
を含む。当該形成方法では当該ポジ型感放射線性樹脂組成物が用いられているので、諸性能に優れた当該層間絶縁膜を効率良く形成することができる。
【発明の効果】
【００２３】
以上説明したように、本発明のポジ型感放射線性組成物は、上記［Ａ］及び［Ｂ］成分を含んでいるので表面硬度、屈折率、耐熱性、透明性及び低誘電性という一般的な要求特性をバランス良く満たす層間絶縁膜を効率的に形成することができる。また、当該感放射線性組成物は、優れた保存安定性、放射線感度及び耐メルトフロー性を発揮することができる。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明のポジ型感放射線性組成物は、［Ａ］ポリシロキサン、［Ｂ］光酸発生剤又は光塩基発生剤、及び［Ｃ］金属キレート化合物を少なくとも含有し、その他、任意成分（［Ｄ］界面活性剤、［Ｅ］他のシラン化合物及び［Ｆ］脱水剤等）を含有していてもよい。
【００２５】
［Ａ］成分：ポリシロキサン
［Ａ］成分のポリシロキサンは、シロキサン結合を有する化合物のポリマーである限り特に限定されるものではない。このようなポリシロキサンは、加水分解性シラン化合物の加水分解縮合により得られる。具体的に、後述する［Ｃ］金属キレート化合物の存在下での加水分解性シラン化合物の加水分解縮合によりポリシロキサンを合成することにより、高いレベルで分子量が制御されており、これにより当該ポジ型感放射線性組成物の保存安定性、感放射線感度、耐メルトフロー性を向上させることができる。また、当該ポジ型感放射線性樹脂組成物が、後述する［Ｅ］成分のシラン化合物を含む場合、［Ａ］成分は［Ｅ］成分のシラン化合物とともに縮合し、硬化物を形成する。この際、一部［Ａ］成分同士での縮合が生じてもよい。
【００２６】
加水分解性シラン化合物
上記加水分解性シラン化合物は、加水分解性の基を有するシラン化合物である限り特に限定されない。本願における加水分解性シラン化合物の「加水分解性の基」とは、通常、無触媒、過剰の水の共存下、室温（約２５℃）〜約１００℃の温度範囲内で加熱することにより、加水分解してシラノール基を生成することができる基、又は、シロキサン縮合物を形成することができる基を指す。これに対して、「非加水分解性の基」とは、そのような加水分解条件下で、加水分解又は縮合を起こさず、安定に存在する基を指す。
【００２７】
上記加水分解性シラン化合物の加水分解反応においては、一部の加水分解性基が未加水分解の状態で残っていてもよい。また、ここでいう「加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物」は、加水分解されたシラン化合物の一部のシラノール基同士が反応・縮合した加水分解縮合物を意味する。
【００２８】
上記加水分解性シラン化合物としては、１種又は２種以上を組み合わせて用いることができる。得られる硬化膜の表面硬度、屈折率、耐熱性等を考慮すると、［Ａ］成分のポリシロキサンは、２種以上の加水分解性シラン化合物の共縮合物であることが好ましい。
【００２９】
当該ポジ型感放射線性組成物の［Ａ］ポリシロキサンは、上記加水分解性シラン化合物として、（ａ１）上記式（２）で表されるシラン化合物（以下、単に「（ａ１）加水分解性シラン化合物」ともいう）及び（ａ２）上記式（３）で表されるシラン化合物（以下、単に「（ａ２）加水分解性シラン化合物」ともいう）からなる群より選択される少なくとも１種を用いて得られる共縮合物であることが好ましい。
【００３０】
（ａ１）加水分解性シラン化合物
（ａ１）加水分解性シラン化合物は、加水分解性の基以外の反応性基を有している。この反応性基により、得られるポリシロキサンに適度な分岐度を付与することができ、その結果、当該ポジ型感放射線性組成物の耐メルトフロー性や、得られる層間絶縁膜の表面硬度、耐熱性等を向上させることができる。
【００３１】
上記式（２）におけるＹ１としては、メチレン基又は炭素数２〜３のアルキレン基が好ましく、このうち炭素数２〜３のアルキレン基としては、例えばエチレン基、トリメチレン基等を挙げることができる。また、上記式（２）におけるＲ３としては、炭素数１〜３のアルコキシ基又は炭素数２〜４のアシルオキシ基が好ましく、このような基として、例えばメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、アセトキシ、プロパノイルオキシ基等を挙げることができる。また、上記式（２）におけるＲ４としては、炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数６〜８のアリール基が好ましく、このような基として、例えばメチル基、エチル基、フェニル基等を挙げることができる。Ｒ４の置換アリール基の置換基としては、例えばハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基又は炭素数１〜６のアルキル基等を挙げることができる。
【００３２】
上記式（２）で表される加水分解性シラン化合物の具体例としては、
（オキセタン−３−イル）メチルトリメトキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルトリエトキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルトリアセトキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルメチルジメトキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルメチルジエトキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルメチルジアセトキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルエチルジメトキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルエチルジエトキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルエチルジアセトキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルフェニルジメトキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルフェニルジエトキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、（オキセタン−３−イル）メチルフェニルジアセトキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルトリメトキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルトリエトキシシラン、（オキセタン−３−イル）エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルトリアセトキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルメチルジメトキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルメチルジエトキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルメチルジアセトキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルエチルジメトキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルエチルジエトキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルエチルジアセトキシシラン、
【００３３】
２−（オキセタン−３’−イル）エチルフェニルジメトキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルフェニルジエトキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−（オキセタン−３’−イル）エチルフェニルジアセトキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルトリメトキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルトリエトキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルトリ−ｉ−プロポキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルトリアセトキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルメチルジメトキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルメチルジエトキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルメチルジアセトキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルエチルジメトキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルエチルジエトキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルエチルジアセトキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルフェニルジメトキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルフェニルジエトキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−（オキセタン−３’−イル）プロピルフェニルジアセトキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルトリメトキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルトリエトキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルトリアセトキシシラン、
【００３４】
（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルメチルジメトキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルメチルジエトキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルメチルジアセトキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルエチルジメトキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルエチルジエトキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルエチルジアセトキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルフェニルジメトキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルフェニルジエトキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチルフェニルジアセトキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルトリメトキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルトリエトキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルトリアセトキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルメチルジメトキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルメチルジエトキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルメチルジアセトキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルエチルジメトキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルエチルジエトキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルエチルジアセトキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルフェニルジメトキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルフェニルジエトキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）エチルフェニルジアセトキシシラン、
【００３５】
３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルトリメトキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルトリエトキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルトリ−ｉ−プロポキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルトリアセトキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルメチルジメトキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルメチルジエトキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルメチルジアセトキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルエチルジメトキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルエチルジエトキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルエチルジアセトキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルフェニルジメトキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルフェニルジエトキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−（３’−メチルオキセタン−３’−イル）プロピルフェニルジアセトキシシラン、（３’−エチルオキセタン−３’−イル）メチルトリメトキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルトリエトキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルトリアセトキシシラン、
【００３６】
（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルメチルジメトキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルメチルジエトキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルメチルジアセトキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルエチルジメトキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルエチルジエトキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルエチルジアセトキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルフェニルジメトキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルフェニルジエトキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルフェニルジアセトキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルトリメトキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルトリエトキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルトリアセトキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルメチルジメトキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルメチルジエトキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、
【００３７】
２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルメチルジアセトキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルエチルジメトキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルエチルジエトキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルエチルジアセトキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルフェニルジメトキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルフェニルジエトキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）エチルフェニルジアセトキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルトリメトキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルトリエトキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルトリ−ｉ−プロポキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルトリアセトキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルメチルジメトキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルメチルジエトキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルメチルジアセトキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルエチルジメトキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルエチルジエトキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルエチルジアセトキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルフェニルジメトキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルフェニルジエトキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−（３’−エチルオキセタン−３’−イル）プロピルフェニルジアセトキシシラン等；
【００３８】
グリシドキシメチルトリメトキシシラン、グリシドキシメチルトリエトキシシラン、グリシドキシメチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、グリシドキシメチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、グリシドキシメチルトリアセトキシシラン、グリシドキシメチルメチルジメトキシシラン、グリシドキシメチルメチルジエトキシシラン、グリシドキシメチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、グリシドキシメチルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、グリシドキシメチルメチルジアセトキシシラン、グリシドキシメチルエチルジメトキシシラン、グリシドキシメチルエチルジエトキシシラン、グリシドキシメチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、グリシドキシメチルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、グリシドキシメチルエチルジアセトキシシラン、グリシドキシメチルフェニルジメトキシシラン、グリシドキシメチルフェニルジエトキシシラン、グリシドキシメチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、グリシドキシメチルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、グリシドキシメチルフェニルジアセトキシシラン、２−グリシドキシエチルトリメトキシシラン、２−グリシドキシエチルトリエトキシシラン、２−グリシドキシエチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、２−グリシドキシエチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、２−グリシドキシエチルトリアセトキシシラン、２−グリシドキシエチルメチルジメトキシシラン、２−グリシドキシエチルメチルジエトキシシラン、２−グリシドキシエチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−グリシドキシエチルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−グリシドキシエチルメチルジアセトキシシラン、２−グリシドキシエチルエチルジメトキシシラン、２−グリシドキシエチルエチルジエトキシシラン、２−グリシドキシエチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−グリシドキシエチルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−グリシドキシエチルエチルジアセトキシシラン、２−グリシドキシエチルフェニルジメトキシシラン、２−グリシドキシエチルフェニルジエトキシシラン、２−グリシドキシエチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−グリシドキシエチルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−グリシドキシエチルフェニルジアセトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリ−ｉ−プロポキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリアセトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジアセトキシシラン、３−グリシドキシプロピルエチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルエチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−グリシドキシプロピルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−グリシドキシプロピルエチルジアセトキシシラン、３−グリシドキシプロピルフェニルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルフェニルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−グリシドキシプロピルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−グリシドキシプロピルフェニルジアセトキシシラン、
【００３９】
（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルトリメトキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルトリエトキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルトリアセトキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルメチルジメトキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルメチルジエトキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルメチルジアセトキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルエチルジメトキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルエチルジエトキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルエチルジアセトキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルフェニルジメトキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルフェニルジエトキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルフェニルジアセトキシシラン、２−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、２−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、２−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、２−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）エチルトリアセトキシシラン、２−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）エチルメチルジメトキシシラン、２−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）エチルメチルジエトキシシラン、２−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）エチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）エチルメチルジアセトキシシラン、２−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）エチルエチルジメトキシシラン、２−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）エチルエチルジエトキシシラン、２−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）エチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）エチルエチルジアセトキシシラン、２−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）エチルフェニルジメトキシシラン、２−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）エチルフェニルジエトキシシラン、２−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）エチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）エチルフェニルジアセトキシシラン、３−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）プロピルトリメトキシシラン、３−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）プロピルトリエトキシシラン、３−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、３−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）プロピルトリアセトキシシラン、３−（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロピルメチルジメトキシシラン、３−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）プロピルメチルジエトキシシラン、３−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）プロピルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）プロピルメチルジアセトキシシラン、３−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）プロピルエチルジメトキシシラン、３−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）プロピルエチルジエトキシシラン、３−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）プロピルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）プロピルエチルジアセトキシシラン、３−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）プロピルフェニルジメトキシシラン、３−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）プロピルフェニルジエトキシシラン、３−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）プロピルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−（３’，４’−エポキシシクロヘキシル）プロピルフェニルジアセトキシシラン等；
【００４０】
ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ビニルトリ−ｉ−プロポキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、ビニルメチルジエトキシシラン、ビニルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ビニルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、ビニルメチルジアセトキシシラン、ビニルエチルジメトキシシラン、ビニルエチルジエトキシシラン、ビニルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ビニルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、ビニルエチルジアセトキシシラン、ビニルフェニルジメトキシシラン、ビニルフェニルジエトキシシラン、ビニルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、ビニルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、ビニルフェニルジアセトキシシラン等；
【００４１】
アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、アリルトリ−ｎ−プロポキシシラン、アリルトリ−ｉ−プロポキシシラン、アリルトリアセトキシシラン、アリルメチルジメトキシシラン、アリルメチルジエトキシシラン、アリルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、アリルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、アリルメチルジアセトキシシラン、アリルエチルジメトキシシラン、アリルエチルジエトキシシラン、アリルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、アリルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、アリルエチルジアセトキシシラン、アリルフェニルジメトキシシラン、アリルフェニルジエトキシシラン、アリルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、アリルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、アリルフェニルジアセトキシシラン等；
【００４２】
（メタ）アクリロキシメチルトリメトキシシラン、（メタ）アクリロキシメチルトリエトキシシラン、（メタ）アクリロキシメチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、（メタ）アクリロキシメチルトリアセトキシシラン、（メタ）アクリロキシメチルメチルジメトキシシラン、（メタ）アクリロキシメチルメチルジエトキシシラン、（メタ）アクリロキシメチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、（メタ）アクリロキシメチルメチルジアセトキシシラン、（メタ）アクリロキシメチルエチルジメトキシシラン、（メタ）アクリロキシメチルエチルジエトキシシラン、（メタ）アクリロキシメチルエチルジアセトキシシラン、（メタ）アクリロキシメチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、（メタ）アクリロキシメチルフェニルジメトキシシラン、（メタ）アクリロキシメチルフェニルジエトキシシラン、（メタ）アクリロキシメチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、（メタ）アクリロキシメチルフェニルジアセトキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルトリメトキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルトリエトキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルメチルジメトキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルトリアセトキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルメチルジエトキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルメチルジアセトキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルエチルジメトキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルエチルジエトキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルエチルジアセトキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルフェニルジメトキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルフェニルジエトキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルフェニルジアセトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリアセトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルメチルジアセトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルエチルジメトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルエチルジエトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルエチルジアセトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルフェニルジメトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルフェニルジエトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルフェニルジアセトキシシラン等；
【００４３】
ｐ−スチリルトリメトキシシラン、ｐ−スチリルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｐ−スチリルトリアセトキシシラン、ｐ−スチリルメチルジメトキシシラン、ｐ−スチリルメチルジエトキシシラン、ｐ−スチリルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ｐ−スチリルメチルジアセトキシシラン、ｐ−スチリルエチルジメトキシシラン、ｐ−スチリルエチルジエトキシシラン、ｐ−スチリルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ｐ−スチリルエチルジアセトキシシラン、ｐ−スチリルフェニルジメトキシシラン、ｐ−スチリルフェニルジエトキシシラン、ｐ−スチリルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、ｐ−スチリルフェニルジアセトキシシラン、ｍ−スチリルトリメトキシシラン、ｍ−スチリルトリエトキシシラン、ｍ−スチリルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｍ−スチリルトリアセトキシシラン、ｍ−スチリルメチルジメトキシシラン、ｍ−スチリルメチルジエトキシシラン、ｍ−スチリルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ｍ−スチリルメチルジアセトキシシラン、ｍ−スチリルエチルジメトキシシラン、ｍ−スチリルエチルジエトキシシラン、ｍ−スチリルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ｍ−スチリルエチルジアセトキシシラン、ｍ−スチリルフェニルジメトキシシラン、ｍ−スチリルフェニルジエトキシシラン、ｍ−スチリルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、ｍ−スチリルフェニルジアセトキシシラン等；
【００４４】
ｐ−ビニルベンジロキシトリメトキシシラン、ｐ−ビニルベンジロキシトリエトキシシラン、ｐ−ビニルベンジロキシトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｐ−ビニルベンジロキシトリアセトキシシラン、ｐ−ビニルベンジロキシメチルジメトキシシラン、ｐ−ビニルベンジロキシメチルジエトキシシラン、ｐ−ビニルベンジロキシメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ｐ−ビニルベンジロキシメチルジアセトキシシラン、ｐ−ビニルベンジロキシエチルジメトキシシラン、ｐ−ビニルベンジロキシエチルジエトキシシラン、ｐ−ビニルベンジロキシエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ｐ−ビニルベンジロキシエチルジアセトキシシラン、ｐ−ビニルベンジロキシフェニルジメトキシシラン、ｐ−ビニルベンジロキシフェニルジエトキシシラン、ｐ−ビニルベンジロキシフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、ｐ−ビニルベンジロキシフェニルジアセトキシシラン、ｍ−ビニルベンジロキシトリメトキシシラン、ｍ−ビニルベンジロキシトリエトキシシラン、ｍ−ビニルベンジロキシトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｍ−ビニルベンジロキシトリアセトキシシラン、ｍ−ビニルベンジロキシメチルジメトキシシラン、ｍ−ビニルベンジロキシメチルジエトキシシラン、ｍ−ビニルベンジロキシメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ｍ−ビニルベンジロキシメチルジアセトキシシラン、ｍ−ビニルベンジロキシエチルジメトキシシラン、ｍ−ビニルベンジロキシエチルジエトキシシラン、ｍ−ビニルベンジロキシエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ｍ−ビニルベンジロキシエチルジアセトキシシラン、ｍ−ビニルベンジロキシフェニルジメトキシシラン、ｍ−ビニルベンジロキシフェニルジエトキシシラン、ｍ−ビニルベンジロキシフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、ｍ−ビニルベンジロキシフェニルジアセトキシシラン等
をそれぞれ挙げることができる。
【００４５】
これらのうち、当該ポジ型感放射線性組成物の保存安定性、放射線感度、得られる層間絶縁膜の表面硬度、耐熱性等を高める点から、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、ｐ−スチリルトリエトキシシランが好ましく用いられる。このような（ａ１）加水分解性シラン化合物は、１種単独で使用しても、又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００４６】
（ａ２）加水分解性シラン化合物
上記式（３）中、Ｒ５の炭素数１〜６の置換若しくは非置換のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンタオキシ基等が挙げられる。この中で、炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基が特に好ましい。Ｒ５の炭素数６〜１８の置換若しくは非置換のアリールオキシ基としては、フェノキシ基、ナフチルオキシ基、アントラニルオキシ基等が挙げられる。この中で、炭素数６〜１２のアリールオキシ基が好ましく、フェノキシ基、ナフチルオキシ基が特に好ましい。炭素数が２〜６のアシルオキシ基としては、上記式（２）と同様の基が挙げられ、この中で、炭素数２〜４のアシルオキシ基が好ましく、アセトキシ基が特に好ましい。Ｒ５の炭素数１〜６のアルコキシ基の置換基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基等を挙げることができ、Ｒ５の炭素数６〜１８のアリールオキシ基の置換基としては、例えばハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基又は炭素数１〜６のアルキル基等を挙げることができ、４−クロロフェノキシ基、４−シアノフェノキシ基、４−ニトロフェノキシ基、４−トルイルオキシ基等を挙げることができる。
【００４７】
上記式（３）中、Ｒ６の炭素数１〜６の置換若しくは非置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等が挙げられる。この中で、炭素数１〜５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ペンチル基が特に好ましい。上記Ｒ６の炭素数６〜１８の置換若しくは非置換のアリール基のうちでは、炭素数６〜８のアリール基が好ましく、フェニル基が特に好ましい。炭素数１〜６の置換アルキル基の置換基としては、例えば水酸基、ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ基、メルカプト基、下記式（Ｋ）で表される基などを挙げることができる。
【化４】
（式（Ｋ）中、Ｙ２は、メチレン基、炭素数２〜６のアルキレン基又は炭素数６〜１２のアリーレン基である。）
【００４８】
上記Ｒ６の炭素数６〜１８の置換アリール基の置換基としては、例えばハロゲン原子、水酸基、シアノ基、ニトロ基、メルカプト基又は炭素数１〜６のアルキル基等を挙げることができる。
【００４９】
上記式（３）で表される（ａ２）加水分解性シラン化合物の具体例としては、
テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシシランの如きテトラアルコキシシラン；
メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、シクロヘキシルトリエトキシシランの如きモノアルキルトリアルコキシシラン；
フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリプロポキシシラン、ナフチルトリエトキシシラン、４−クロロフェニルトリエトキシシラン、４−シアノフェニルトリエトキシシラン、４−ニトロフェニルトリエトキシシラン、４−メチルフェニルトリエトキシシランの如きモノアリールトリアルコキシシラン；
フェノキシトリエトキシシラン、ナフチルオキシトリエトキシシラン、４−クロロフェニルオキシトリエトキシシラン、４−シアノフェニルトリオキシエトキシシラン、４−ニトロフェニルオキシトリエトキシシラン、４−メチルフェニルオキシトリエトキシシランの如きモノアリールオキシトリアルコキシシラン；
【００５０】
ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、メチル（エチル）ジエトキシシラン、メチル（シクロヘキシル）ジエトキシシランの如きジアルキルジアルコキシシラン；
メチル（フェニル）ジエトキシシランの如きモノアルキルモノアリールジアルコキシシラン；
ジフェニルジエトキシシランの如きジアリールジアルコキシシラン；
ジフェノキシジエトキシシランの如きジアリールオキシジアルコキシシラン；
メチル（フェノキシ）ジエトキシシランの如きモノアルキルモノアリールオキシジアルコキシシラン；
フェニル（フェノキシ）ジエトキシシランの如きモノアリールモノアリールオキシジアルコキシシラン；
トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリメチル−ｎ−プロポキシシラン、ジメチル（エチル）エトキシシラン、ジメチル（シクロヘキシル）エトキシシランの如きトリアルキルモノアルコキシシラン；
ジメチル（フェニル）エトキシシランの如きジアルキルモノアリールモノアルコキシシラン；
メチル（ジフェニル）エトキシシランの如きモノアルキルジアリールモノアルコキシシラン；
トリフェノキシエトキシシランの如きトリアリールオキシモノアルコキシシラン；
メチル（ジフェノキシ）エトキシシランの如きモノアルキルジアリールオキシモノアルコキシシラン；
フェニル（ジフェノキシ）エトキシシランの如きモノアリールジアリールオキシモノアルコキシシラン；
ジメチル（フェノキシ）エトキシシランの如きジアルキルモノアリールオキシモノアルコキシシラン；
ジフェニル（フェノキシ）エトキシシランの如きジアリールモノアリールオキシモノアルコキシシラン；
メチル（フェニル）（フェノキシ）エトキシシランの如きモノアルキルモノアリールモノアリールオキシモノアルコキシシラン等；
【００５１】
ヒドロキシメチルトリメトキシシラン、ヒドロキシメチルトリエトキシシラン、ヒドロキシメチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ヒドロキシメチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、ヒドロキシメチルトリアセトキシシラン、ヒドロキシメチルトリ（メトキシエトキシ）シラン、ヒドロキシメチルメチルジメトキシシラン、ヒドロキシメチルメチルジエトキシシラン、ヒドロキシメチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ヒドロキシメチルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、ヒドロキシメチルメチルジアセトキシシラン、ヒドロキシメチルエチルジメトキシシラン、ヒドロキシメチルエチルジエトキシシラン、ヒドロキシメチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ヒドロキシメチルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、ヒドロキシメチルエチルジアセトキシシラン、ヒドロキシメチルエチルジ（メトキシエトキシ）シラン、ヒドロキシメチルフェニルジメトキシシラン、ヒドロキシメチルフェニルジエトキシシラン、ヒドロキシメチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、ヒドロキシメチルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、ヒドロキシメチルフェニルジアセトキシシラン、ヒドロキシメチルフェニルジ（メトキシエトキシ）シラン、２−ヒドロキシエチルトリメトキシシラン、２−ヒドロキシエチルトリエトキシシラン、２−ヒドロキシエチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、２−ヒドロキシエチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、２−ヒドロキシエチルトリアセトキシシラン、２−ヒドロキシエチルトリ（メトキシエトキシ）シラン、
【００５２】
２−ヒドロキシエチルメチルジメトキシシラン、２−ヒドロキシエチルメチルジエトキシシラン、２−ヒドロキシエチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−ヒドロキシエチルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−ヒドロキシエチルメチルジアセトキシシラン、２−ヒドロキシエチルエチルジメトキシシラン、２−ヒドロキシエチルエチルジエトキシシラン、２−ヒドロキシエチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−ヒドロキシエチルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−ヒドロキシエチルエチルジアセトキシシラン、２−ヒドロキシエチルエチルジ（メトキシエトキシ）シラン、２−ヒドロキシエチルフェニルジメトキシシラン、２−ヒドロキシエチルフェニルジエトキシシラン、２−ヒドロキシエチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−ヒドロキシエチルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−ヒドロキシエチルフェニルジアセトキシシラン、２−ヒドロキシエチルフェニルジ（メトキシエトキシ）シラン、３−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、３−ヒドロキシプロピルトリ−ｉ−プロポキシシラン、３−ヒドロキシプロピルトリアセトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルトリ（メトキシエトキシ）シラン、３−ヒドロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−ヒドロキシプロピルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−ヒドロキシプロピルメチルジアセトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルエチルジメトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルエチルジエトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−ヒドロキシプロピルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−ヒドロキシプロピルエチルジアセトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルエチルジ（メトキシエトキシ）シラン、３−ヒドロキシプロピルフェニルジメトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルフェニルジエトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−ヒドロキシプロピルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−ヒドロキシプロピルフェニルジアセトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルフェニルジ（メトキシエトキシ）シラン、
【００５３】
４−ヒドロキシフェニルトリメトキシシラン、４−ヒドロキシフェニルトリエトキシシラン、４−ヒドロキシフェニルトリ−ｎ−プロポキシシラン、４−ヒドロキシフェニルトリ−ｉ−プロポキシシラン、４−ヒドロキシフェニルトリアセトキシシラン、４−ヒドロキシフェニルトリ（メトキシエトキシ）シラン、４−ヒドロキシフェニルメチルジメトキシシラン、４−ヒドロキシフェニルメチルジエトキシシラン、４−ヒドロキシフェニルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、４−ヒドロキシフェニルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、４−ヒドロキシフェニルメチルジアセトキシシラン、４−ヒドロキシフェニルエチルジメトキシシラン、４−ヒドロキシフェニルエチルジエトキシシラン、４−ヒドロキシフェニルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、４−ヒドロキシフェニルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、４−ヒドロキシフェニルエチルジアセトキシシラン、４−ヒドロキシフェニルエチルジ（メトキシエトキシ）シラン、４−ヒドロキシフェニルフェニルジメトキシシラン、４−ヒドロキシフェニルフェニルジエトキシシラン、４−ヒドロキシフェニルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、４−ヒドロキシフェニルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、４−ヒドロキシフェニルフェニルジアセトキシシラン、４−ヒドロキシフェニルフェニルジ（メトキシエトキシ）シラン、
【００５４】
４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルトリメトキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルトリエトキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルトリアセトキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルトリ（メトキシエトキシ）シラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルメチルジメトキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルメチルジエトキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルメチルジアセトキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルエチルジメトキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルエチルジエトキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルエチルジアセトキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルエチルジ（メトキシエトキシ）シラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルフェニルジメトキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルフェニルジエトキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルフェニルジアセトキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルフェニルジ（メトキシエトキシ）シラン、下記式（Ｌ）
【化５】
（式（Ｌ）中、Ｙ２は、上記式（Ｋ）におけるのと同じ意味であり、Ｙ３は、メチレン基又は炭素数２〜６のアルキレン基である。ＲＴは、それぞれ独立に、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数２〜６のアシル基である。）
で表される化合物等；
【００５５】
メルカプト基を含有するシラン化合物として、
メルカプトメチルトリメトキシシラン、メルカプトメチルトリエトキシシラン、メルカプトメチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メルカプトメチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、メルカプトメチルトリアセトキシシラン、メルカプトメチルトリ（メトキシエトキシ）シラン、メルカプトメチルメチルジメトキシシラン、メルカプトメチルメチルジエトキシシラン、メルカプトメチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、メルカプトメチルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、メルカプトメチルメチルジアセトキシシラン、メルカプトメチルエチルジメトキシシラン、メルカプトメチルエチルジエトキシシラン、メルカプトメチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、メルカプトメチルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、メルカプトメチルエチルジアセトキシシラン、メルカプトメチルエチルジ（メトキシエトキシ）シラン、メルカプトメチルフェニルジメトキシシラン、メルカプトメチルフェニルジエトキシシラン、メルカプトメチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、メルカプトメチルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、メルカプトメチルフェニルジアセトキシシラン、メルカプトメチルフェニルジ（メトキシエトキシ）シラン、２−メルカプトエチルトリメトキシシラン、２−メルカプトエチルトリエトキシシラン、２−メルカプトエチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、２−メルカプトエチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、２−メルカプトエチルトリアセトキシシラン、２−メルカプトエチルトリ（メトキシエトキシ）シラン、２−メルカプトエチルメチルジメトキシシラン、２−メルカプトエチルメチルジエトキシシラン、２−メルカプトエチルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−メルカプトエチルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−メルカプトエチルメチルジアセトキシシラン、２−メルカプトエチルエチルジメトキシシラン、２−メルカプトエチルエチルジエトキシシラン、２−メルカプトエチルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−メルカプトエチルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−メルカプトエチルエチルジアセトキシシラン、２−メルカプトエチルエチルジ（メトキシエトキシ）シラン、２−メルカプトエチルフェニルジメトキシシラン、２−メルカプトエチルフェニルジエトキシシラン、２−メルカプトエチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、２−メルカプトエチルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、２−メルカプトエチルフェニルジアセトキシシラン、２−メルカプトエチルフェニルジ（メトキシエトキシ）シラン、
【００５６】
３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、３−メルカプトプロピルトリ−ｉ−プロポキシシラン、３−メルカプトプロピルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリ（メトキシエトキシ）シラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジエトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルエチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルエチルジエトキシシラン、３−メルカプトプロピルエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−メルカプトプロピルエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−メルカプトプロピルエチルジアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルエチルジ（メトキシエトキシ）シラン、３−メルカプトプロピルフェニルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルフェニルジエトキシシラン、３−メルカプトプロピルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、３−メルカプトプロピルフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、３−メルカプトプロピルフェニルジアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルフェニルジ（メトキシエトキシ）シラン等が挙げられる。
【００５７】
これらの（ａ２）加水分解性シラン化合物の中で、感放射線性組成物の保存安定性、放射線感度、得られる層間絶縁膜の表面硬度、耐熱性等の向上、（ａ１）加水分解性シラン化合物が存在した場合の共縮合反応性の点から、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランを好適に用いることができる。このような（ａ２）加水分解性シラン化合物は、１種単独で使用しても、又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。また、（ａ１）加水分解性シラン化合物１種と（ａ２）加水分解性シラン化合物１種とを組み合わせて共縮合させてもよく、（ａ１）加水分解性シラン化合物２種以上と（ａ２）加水分解性シラン化合物２種以上とを組み合わせて共縮合させてもよい。
【００５８】
上記加水分解性シラン化合物を加水分解・縮合させる条件は、加水分解縮合を促進させる触媒の存在下、上記加水分解性シラン化合物の少なくとも一部を加水分解して、加水分解性基をシラノール基に変換し、縮合反応を起こさせるものである限り、特に限定されるものではないが、一例として以下のように実施することができる。
【００５９】
上記加水分解性シラン化合物の加水分解・縮合に用いられる水は、逆浸透膜処理、イオン交換処理、蒸留等の方法により精製された水を使用することが好ましい。このような精製水を用いることによって、副反応を抑制し、加水分解の反応性を向上させることができる。水の使用量は、上記加水分解性シラン化合物の加水分解性基（上記式（２）及び（３）における−ＯＲ構造を有する各種基）の合計量１モルに対して、好ましくは０．１〜３モル、より好ましくは０．３〜２モル、特に好ましくは０．５〜１．５モルの量である。このような量の水を用いることによって、加水分解・縮合の反応速度を最適化することができる。
【００６０】
上記加水分解性シラン化合物の加水分解・縮合に使用することができる溶剤としては、特に限定されるものではないが、通常、後述する感放射線性組成物の調製に用いられる溶剤と同様のものを使用することができる。このような溶剤の好ましい例としては、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピオン酸エステル類が挙げられる。これらの溶剤の中でも、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート又は３−メトキシプロピオン酸メチル、ジアセトンアルコールが特に好ましい。
【００６１】
上記加水分解縮合を促進させる触媒としては、ポリシロキサンの分子量制御及び当該ポジ型感放射線性組成物の保存安定性向上の点から、後述する［Ｃ］金属キレート化合物が好適である。また、上記加水分解縮合を促進させる触媒として、本発明の効果を損なわない限り、例えば酸触媒（例えば、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸等の無機酸；蟻酸、酢酸、シュウ酸、トリフルオロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸等の有機酸；酸性イオン交換樹脂；各種ルイス酸）、塩基触媒（例えば、アンモニア、１級アミン類、２級アミン類、３級アミン類、ピリジン等の含窒素化合物；塩基性イオン交換樹脂；水酸化ナトリウム等の水酸化物；炭酸カリウム等の炭酸塩；酢酸ナトリウム等のカルボン酸塩；各種ルイス塩基）、又はアルコキシド（例えばジルコニウムアルコキシド、チタニウムアルコキシド、アルミニウムアルコキシド）等を含んでいてもよい。
【００６２】
加水分解縮合を促進させる触媒の使用量としては、加水分解・縮合反応の促進の観点から、加水分解性シラン化合物のモノマー１モルに対して、好ましくは０．２モル以下であり、より好ましくは０．００００１〜０．１モルである。
【００６３】
上記加水分解性シラン化合物の加水分解・縮合における反応温度及び反応時間は、適宜に設定される。例えば、下記の条件が採用できる。反応温度は、好ましくは４０〜２００℃、より好ましくは５０〜１５０℃である。反応時間は、好ましくは３０分〜２４時間、より好ましくは１〜１２時間である。このような反応温度及び反応時間とすることによって、加水分解・縮合反応を最も効率的に行うことができる。この加水分解・縮合においては、反応系内に加水分解性シラン化合物、水及び触媒を一度に添加して反応を一段階で行ってもよく、あるいは、加水分解性シラン化合物、水及び触媒を、数回に分けて反応系内に添加することによって、加水分解及び縮合反応を多段階で行ってもよい。
【００６４】
特に、金属キレート化合物を用いた場合、上述のようにして加水分解・縮合反応を所望の程度まで行った後、金属キレート化合物を不活性化させて加水分解縮合反応をクエンチするために、アセチルアセトン等のクエンチャーを添加する。クエンチャーの添加量は、反応系内に存在する金属キレート化合物の量や種類に応じて変わるが、金属キレート化合物の質量の２倍から１０倍量添加すればよい。当該ポジ型感放射線性組成物において、金属キレート化合物を用いてポリシロキサンを合成すると、クエンチャーの添加だけで反応後の所望でない加水分解縮合を抑制することができるので、生産効率やコスト面でも好ましい。
【００６５】
なお、加水分解・縮合反応の後には、脱水剤を加え、次いでエバポレーションにかけることによって、水及び生成したアルコールを反応系から除去することができる。この濃縮物中に、クエンチャーにより失活した金属キレート化合物由来の金属キレート錯体が存在していてもよい。なお、この段階で用いられる脱水剤は、一般的に、過剰の水を吸着又は包接して脱水能が完全に消費されるか、又はエバポレーションにより除去されるため、感放射線性組成物に任意に添加される後述の［Ｆ］成分の脱水剤の範疇には入らないものとする。
【００６６】
上記加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物の分子量は、移動相にテトラヒドロフランを使用したＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）を用い、ポリスチレン換算の数平均分子量として測定することができる。そして、加水分解縮合物の数平均分子量は、通常５００〜１００００の範囲内の値とするのが好ましく、１０００〜５０００の範囲内の値とするのがさらに好ましい。加水分解縮合物の数平均分子量の値を５００以上とすることによって、感放射線性組成物の塗膜の成膜性を改善することができる。一方、加水分解縮合物の数平均分子量の値を１００００以下とすることによって、感放射線性組成物の感放射線性の低下を防止することができる。
【００６７】
［Ｂ］成分：光酸発生剤又は光塩基発生剤
［Ｂ］光酸発生剤又は光塩基発生剤は、放射線の照射によって酸又は塩基を発生させる化合物である。当該ポジ型感放射線性組成物が［Ｂ］光酸発生剤又は光塩基発生剤を含むことで、ポジ型の感放射線特性を発揮することができる。
【００６８】
［Ｂ１］：光酸発生剤
［Ｂ１］光酸発生剤は、放射線の照射によって酸（例えば、カルボン酸、スルホン酸等）を発生させる化合物である限り、特に限定されない。［Ｂ１］光酸発生剤としては、［Ｂ１−１］キノンジアジドを好適に用いることができ、［Ｂ１−２］他の光酸発生剤も［Ｂ１−１］キノンジアジドに代えて、又は［Ｂ１−１］キノンジアジドとともに用いることができる。
【００６９】
［Ｂ１−１］：キノンジアジド
［Ｂ１−１］キノンジアジドは、放射線の照射によってカルボン酸を発生する化合物である。このようなキノンジアジドを含有する感放射線性組成物は、放射照射工程における露光部分が現像工程で除去されるポジ型の感放射線特性を有する。［Ｂ１−１］キノンジアジドとして、好ましくは、フェノール性水酸基を有する化合物及びナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドをエステル化反応させることによって得られる化合物を用いることができる。フェノール性水酸基を有する化合物の例としては、フェノール性水酸基のオルト位及びパラ位が、それぞれ独立して水素もしくは下記式（４）で表される置換基のいずれかである化合物が挙げられる。
【００７０】
【化６】
（式中、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は、各々独立して炭素数１〜１０のアルキル基、カルボキシル基、フェニル基、置換フェニル基のいずれかを表す。また、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９のうちの２つ又は３つによって環が形成されていてもよい。）
【００７１】
上記式（４）で表される置換基において、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９が、炭素数１〜１０のアルキル基である場合、当該アルキル基は、置換されていてもよく、置換されていなくてもよい。このようなアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、トリフルオロメチル基、２−カルボキシエチル基が挙げられる。また、置換フェニル基の置換基としては、水酸基が挙げられる。また、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９のうちの２つ又は３つによって形成される環状基の例としては、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、アダマンタン環、フルオレン環が挙げられる。
【００７２】
フェノール性水酸基を有する化合物の例としては、下記式（５）及び（６）で表される化合物群が挙げられる。
【００７３】
【化７】
【００７４】
【化８】
【００７５】
フェノール性水酸基を有する化合物の他の例としては、４，４’−［１−［４−［１−［４−ヒドロキシフェニル］−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール、１，１，１−トリ（ｐ−ヒドロキシフェニル）エタン等を挙げることができる。
【００７６】
ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとしては、４−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドあるいは５−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドを用いることができる。４−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドから得られたエステル化合物（キノンジアジド）は、ｉ線（波長３６５ｎｍ）領域に吸収を持つため、ｉ線露光に適している。また、５−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドから得られたエステル化合物（キノンジアジド）は、広範囲の波長領域に吸収が存在するため、広範囲の波長での露光に適している。露光する波長によって４−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドから得られたエステル化合物、あるいは５−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドから得られたエステル化合物を選択することが好ましい。特に好ましいキノンジアジドの例としては、４，４’−［１−［４−［１−［４−ヒドロキシフェニル］−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール（１．０モル）と１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド（３．０モル）との縮合物、１，１，１−トリ（ｐ−ヒドロキシフェニル）エタン（１．０モル）と１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド（３．０モル）との縮合物を挙げることができる。
【００７７】
ナフトキノンジアジドの分子量は、好ましくは３００〜１５００、さらに好ましくは３５０〜１２００とすることができる。ナフトキノンジアジドの分子量を３００以上とすることによって、得られる層間絶縁膜の透明性を高く維持することができる。一方、ナフトキノンジアジドの分子量を１５００以下とすることによって、ポジ型感放射線性組成物のパターン形成能の低下を抑制することができる。
【００７８】
これらの［Ｂ１−１］キノンジアジドは、単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。感放射線性組成物における［Ｂ１−１］キノンジアジドの使用量は、［Ａ］成分１００質量部に対して、好ましくは１〜１００質量部であり、より好ましくは５〜５０質量部である。［Ｂ１−１］キノンジアジドの使用量を１〜１００質量部とすることによって、現像液となるアルカリ水溶液に対する放射線の照射部分と未照射部分との溶解度の差が大きく、パターニング性能が良好となり、また得られる層間絶縁膜の耐溶剤性も良好となる。
【００７９】
［Ｂ−２］：他の光酸発生剤
［Ｂ−２］他の光酸発生剤としては、ジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、スルホニウム塩、ベンゾチアゾニウム塩、アンモニウム塩、ホスホニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩等のオニウム塩、スルホンイミド化合物が挙げられる。
【００８０】
ジフェニルヨードニウム塩の例としては、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウム−ｐ−トルエンスルホナート、ジフェニルヨードニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロアセテート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム−ｐ−トルエンスルホナート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムカンファースルホン酸等が挙げられる。
【００８１】
トリフェニルスルホニウム塩の例としては、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホン酸、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、トリフェニルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホナート、トリフェニルスルホニウムブチルトリス（２、６−ジフルオロフェニル）ボレート等が挙げられる。
【００８２】
スルホニウム塩の例としては、アルキルスルホニウム塩、ベンジルスルホニウム塩、ジベンジルスルホニウム塩、置換ベンジルスルホニウム塩等を挙げることができる。
【００８３】
これらのスルホニウム塩としては、
アルキルスルホニウム塩として、例えば４−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−４−（ベンジルオキシカルボニルオキシ）フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−４−（ベンゾイルオキシ）フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−４−（ベンゾイルオキシ）フェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−３−クロロ−４−アセトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等；
ベンジルスルホニウム塩として、例えばベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、４−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−４−メトキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−２−メチル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−３−クロロ−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−メトキシベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等；
ジベンジルスルホニウム塩として、例えばジベンジル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、４−アセトキシフェニルジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−４−メトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−３−クロロ−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジベンジル−３−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−４−メトキシベンジル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等；
置換ベンジルスルホニウム塩として、例えばｐ−クロロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ｐ−ニトロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ｐ−クロロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ｐ−ニトロベンジル−３−メチル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、３，５−ジクロロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ｏ−クロロベンジル−３−クロロ−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等をそれぞれ挙げることができる。
【００８４】
ベンゾチアゾニウム塩の例としては、３−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、３−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロホスフェート、３−ベンジルベンゾチアゾニウムテトラフルオロボレート、３−（ｐ−メトキシベンジル）ベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、３−ベンジル−２−メチルチオベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、３−ベンジル−５−クロロベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。
【００８５】
テトラヒドロチオフェニウム塩の例としては、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム−１，１，２，２−テトラフルオロ−２−（ノルボルナン−２−イル）エタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム−２−（５−ｔ−ブトキシカルボニルオキシビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２−イル）−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム−２−（６−ｔ−ブトキシカルボニルオキシビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２−イル）−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、１−（４，７−ジブトキシ−１−ナフタレニル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホナート等が挙げられる。
【００８６】
スルホンイミド化合物の例としては、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド（商品名「ＳＩ−１０５」（みどり化学（株）製））、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）スクシンイミド（商品名「ＳＩ−１０６」（みどり化学（株）製））、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド（商品名「ＳＩ−１０１」（みどり化学（株）製））、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（２−フルオロフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド（商品名「ＰＩ−１０５」（みどり化学（株）製））、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（フェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド（商品名「ＮＤＩ−１００」（みどり化学（株）製））、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド（商品名「ＮＤＩ−１０１」（みどり化学（株）製））、Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド（商品名「ＮＤＩ−１０５」（みどり化学（株）製））、Ｎ−（ノナフルオロブタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド（商品名「ＮＤＩ−１０９」（みどり化学（株）製））、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド（商品名「ＮＤＩ−１０６」（みどり化学（株）製））、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド（商品名「ＮＡＩ−１０５」（みどり化学（株）製））、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド（商品名「ＮＡＩ−１０６」（みどり化学（株）製））、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド（商品名「ＮＡＩ−１０１」（みどり化学（株）製））、Ｎ−（フェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド（商品名「ＮＡＩ−１００」（みどり化学（株）製））、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（ヘプタフルオロプロピルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（ノナフルオロブチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド（商品名「ＮＡＩ−１０９」（みどり化学（株）製））、Ｎ−（エチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（プロピルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（ブチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド（商品名「ＮＡＩ−１００４」（みどり化学（株）製））、Ｎ−（ペンチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（ヘキシルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（ヘプチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（オクチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（ノニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミドなどが挙げられる
【００８７】
これらの光酸発生剤の中でも、当該ポジ型感放射線性組成物の放射線感度及び得られる硬化物の密着性の向上の観点から、トリフェニルスルホニウム塩、スルホニウム塩、ベンゾチアゾニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩、スルホンイミド化合物が好適に用いられる。この中でも特に、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホン酸、４−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、３−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４，７−ジブトキシ−１−ナフタレニル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホナート、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミドが好ましく用いられる。
【００８８】
［Ｂ１−２］他の光酸発生剤は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。また、［Ｂ１−１］キノンジアジドと併用してもよい。［Ｂ１−２］光酸発生剤を使用する場合の量は、［Ａ］成分１００質量部に対して、好ましくは０．１質量部以上２０質量部以下、さらに好ましくは１質量部以上１０質量部以下である。［Ｂ２］成分の使用量を０．１質量部以上２０質量部以下とすることによって、耐メルトフロー性、及び形成される層間絶縁膜の耐熱性がバランス良く優れた感放射線性組成物を得ることができ、また、塗膜の形成工程において析出物の発生を防止し、塗膜形成を容易にすることが可能となる。なお、［Ｂ１−１］キノンジアジドと［Ｂ１−２］他の光酸発生剤とを併用する場合は、両者の合計量が上記範囲となるように設定すればよい。
【００８９】
［Ｂ２］：光塩基発生剤
［Ｂ２］光塩基発生剤としても、放射線の照射により塩基（アミン等）を発生する化合物である限り、特に限定されない。光塩基発生剤の例としては、コバルトなど遷移金属錯体、オルトニトロベンジルカルバメート類、α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジルカルバメート類、アシルオキシイミノ類などを挙げることができる。
【００９０】
遷移金属錯体の例としては、ブロモペンタアンモニアコバルト過塩素酸塩、ブロモペンタメチルアミンコバルト過塩素酸塩、ブロモペンタプロピルアミンコバルト過塩素酸塩、ヘキサアンモニアコバルト過塩素酸塩、ヘキサメチルアミンコバルト過塩素酸塩、ヘキサプロピルアミンコバルト過塩素酸塩などが挙げられる。
【００９１】
オルトニトロベンジルカルバメート類の例としては、例えば［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］メチルアミン、［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］プロピルアミン、［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ヘキシルアミン、［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミン、［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］アニリン、［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ピペリジン、ビス［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ヘキサメチレンジアミン、ビス［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］フェニレンジアミン、ビス［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］トルエンジアミン、ビス［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ジアミノジフェニルメタン、ビス［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ピペラジン、［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］メチルアミン、［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］プロピルアミン、［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ヘキシルアミン、［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミン、［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］アニリン、［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ピペリジン、ビス［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ヘキサメチレンジアミン、ビス［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］フェニレンジアミン、ビス［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］トルエンジアミン、ビス［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ジアミノジフェニルメタン、ビス［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ピペラジンなどが挙げられる。
【００９２】
α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジルカルバメート類の例としては、［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］メチルアミン、［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］プロピルアミン、［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］ヘキシルアミン、［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミン、［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］アニリン、［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］ピペリジン、ビス［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］ヘキサメチレンジアミン、ビス［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］フェニレンジアミン、ビス［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］トルエンジアミン、ビス［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］ジアミノジフェニルメタン、ビス［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］ピペラジンなどが挙げられる。
【００９３】
アシルオキシイミノ類の例としては、プロピオニルアセトフェノンオキシム、プロピオニルベンゾフェノンオキシム、プロピオニルアセトンオキシム、ブチリルアセトフェノンオキシム、ブチリルベンゾフェノンオキシム、ブチリルアセトンオキシム、アジポイルアセトフェノンオキシム、アジポイルベンゾフェノンオキシム、アジポイルアセトンオキシム、アクロイルアセトフェノンオキシム、アクロイルベンゾフェノンオキシム、アクロイルアセトンオキシムなどが挙げられる。
感放射線性塩基発生剤のその他の例としては、２−ニトロベンジルシクロヘキシルカルバメート、Ｏ−カルバモイルヒドロキシアミド及びＯ−カルバモイルヒドロキシアミドが特に好ましい。
【００９４】
［Ｂ２］光塩基発生剤は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。また、本発明の効果を損なわない限り、［Ｂ２］と光塩基発生剤と［Ｂ１］光酸発生剤とを併用してもよい。［Ｂ２］光塩基発生剤を使用する場合の量は、［Ａ］成分１００質量部に対して、好ましくは０．１質量部以上２０質量部以下、更に好ましくは１質量部以上１０質量部以下である。［Ｂ２］成分の使用量を０．１質量部以上２０質量部以下とすることによって、耐メルトフロー性、及び形成される層間絶縁膜の耐熱性がバランス良く優れた感放射線性組成物を得ることができ、また、塗膜の形成工程において析出物の発生を防止し、塗膜形成を容易にすることが可能となる。
【００９５】
［Ｃ］成分：金属キレート化合物
上記金属キレート化合物は、金属（以下、中心金属ともいう）にキレート剤及びその他の配位子が配位した化合物である。金属キレート化合物としては、加水分解性シラン化合物の加水分解縮合を促進させる化合物である限り特に限定されないが、上記式（１）で表される化合物が好ましい。
【００９６】
上記式（１）中のＭである中心金属としては、例えばアルミニウム、チタン、ジルコニウム、ベリリウム、カルシウム、コバルト、銅、鉄、ハフニウム、イリジウム、パラジウム、マンガン、モリブデン、ニオブ、ニッケル、白金、スズ、ルテニウム、タンタル、バナジウム、タングステン、亜鉛等の金属が挙げられる。これらの金属の中でも、反応性、構造制御性、入手容易性等の観点から、アルミニウム、チタニウム及びジルコニウムからなる群より選択される少なくとも１種が好ましい。
【００９７】
上記式（１）中、Ｒ１のキレート剤としては、上記中心金属に対する配位によりキレート構造を呈する限り特に限定されず、例えばアセチルアセトナート、エチルアセトアセテート、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート、ベンゾイルアセトネート、１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオネート、メチルアセトアセテート、メタクリルオキシエチルアセテート、アリルアセトアセテート、テトラメチルヘプタンジオネート、ヘキサンジオネート、ヘプタンジオネート及びベンゾイルアセテート等が挙げられる。これらのキレート剤の中でも、構造制御性、高配位力等の観点から、アセチルアセトナート及びエチルアセトアセテートが好ましい。
【００９８】
上記式（１）中のＲ２のうち、炭素数２〜５のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基等が挙げられる。また、炭素数６〜２０のアリール基としては、フェニル基等が挙げられる。これらアルキル基又はアリール基は、水素原子の一部が他の置換基で置換されていてもよい。
【００９９】
上記金属キレート化合物の具体例としては、例えば
トリス（アセチルアセトナート）アルミニウム、トリス（エチルアセトアセテート）アルミニウム、ジ（ｉ−プロポキシ）・モノアセチルアセトネートアルミニウム、ジ（ｉ−プロポキシ）・モノメチルアセトアセトテートアルミニウム、ジ（ｉ−プロポキシ）・モノエチルアセトアセテートアルミニウム、ビスエチルアセトアセテート・モノアセチルアセトネートアルミニウム等のアルミニウムキレート化合物；
【０１００】
トリエトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｉ−プロポキシ・ビスアセチルアセトネートチタン、ジ−ｉ−プロポキシ・ビスエチルアセトアセテートチタン、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、ジエトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、モノエトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、テトラキス（アセチルアセトナート）チタン、トリエトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、ジエトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、モノエトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、テトラキス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ（アセチルアセトナート）トリス（エチルアセトアセテート）チタン、ビス（アセチルアセトナート）ビス（エチルアセトアセテート）チタン、トリス（アセチルアセトナート）モノ（エチルアセトアセテート）チタン等のチタンキレート化合物；
【０１０１】
トリエトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジエトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノエトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、テトラキス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリエトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジエトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノエトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、テトラキス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ（アセチルアセトナート）トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ビス（アセチルアセトナート）ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリス（アセチルアセトナート）モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム等のジルコニウムキレート化合物等が挙げられる。
【０１０２】
これらの金属キレート化合物の中では、加水分解縮合反応の促進及び構造制御性の観点から、ジ（ｉ−プロポキシ）・モノエチルアセトアセテートアルミニウム、ジ−ｉ−プロポキシ・ビスエチルアセトアセテートチタン、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウムが好ましい。
【０１０３】
当該ポジ型感放射線性組成物中の［Ｃ］金属キレート化合物の含有量は、［Ａ］ポリシロキサンの合成時に用いる場合の使用量と概ね同等程度であればよい。
【０１０４】
［Ｄ］成分：界面活性剤
［Ｄ］成分の界面活性剤は、当該ポジ型感放射線性組成物の塗布性の改善、塗布ムラの低減、放射線照射部の現像性を改良するために添加することができる。好ましい界面活性剤の例としては、ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤及びシリコーン系界面活性剤が挙げられる。
【０１０５】
ノニオン系界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類；ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアリールエーテル類；ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のポリエチレングリコールジアルキルエステル類；（メタ）アクリル酸系共重合体類等が挙げられる。（メタ）アクリル酸系共重合体類の例としては、市販されている商品名で、ポリフローＮｏ．５７、同Ｎｏ．９５（共栄社化学（株）製）等を挙げることができる。
【０１０６】
フッ素系界面活性剤としては、例えば１，１，２，２−テトラフルオロオクチル（１，１，２，２−テトラフルオロプロピル）エーテル、１，１，２，２−テトラフルオロオクチルヘキシルエーテル、オクタエチレングリコールジ（１，１，２，２−テトラフルオロブチル）エーテル、ヘキサエチレングリコール（１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロペンチル）エーテル、オクタプロピレングリコールジ（１，１，２，２−テトラフルオロブチル）エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ（１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロペンチル）エーテル等のフルオロエーテル類；パーフルオロドデシルスルホン酸ナトリウム；１，１，２，２，８，８，９，９，１０，１０−デカフルオロドデカン、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロデカン等のフルオロアルカン類；フルオロアルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム類；フルオロアルキルオキシエチレンエーテル類；フルオロアルキルアンモニウムヨージド類；フルオロアルキルポリオキシエチレンエーテル類；パーフルオロアルキルポリオキシエタノール類；パーフルオロアルキルアルコキシレート類；フッ素系アルキルエステル類等を挙げることができる。
【０１０７】
これらのフッ素系界面活性剤の市販品としては、エフトップＥＦ３０１、３０３、３５２（新秋田化成（株）製）、メガファックＦ１７１、１７２、１７３（大日本インキ（株）製）、フロラードＦＣ４３０、４３１（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ−１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６（旭硝子（株）製）、ＦＴＸ−２１８（（株）ネオス製）等を挙げることができる。
【０１０８】
シリコーン系界面活性剤の例としては、市販されている商品名で、ＳＨ２００−１００ｃｓ、ＳＨ２８ＰＡ、ＳＨ３０ＰＡ、ＳＴ８９ＰＡ、ＳＨ１９０、ＳＨ ８４００ ＦＬＵＩＤ（東レダウコーニングシリコーン（株）製）、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）等が挙げられる。
【０１０９】
［Ｄ］界面活性剤を使用する場合の量は、［Ａ］成分１００質量部に対して、好ましくは０．０１質量部以上１０質量部以下、より好ましくは０．０５質量部以上５質量部以下である。［Ｄ］界面活性剤の使用量を０．０１質量部以上１０質量部以下とすることにより、ポジ型感放射線性組成物の塗布性を最適化することができる。
【０１１０】
［Ｅ］成分：他のシラン化合物
本発明のポジ型感放射線性組成物は、必須成分としての［Ａ］、［Ｂ］及び［Ｃ］及び任意成分の［Ｄ］以外に、［Ｅ］他のシラン化合物を含んでいてもよい。［Ｅ］成分は、下記式（７）又は（９）で示されるシラン化合物である。この［Ｅ］成分は、上述の［Ａ］成分のポリシロキサン（好ましくは（ａ１）加水分解性シラン化合物及び／又は（ａ２）加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物）とともに縮合し、硬化物を形成する。
【０１１１】
【化９】
（式（７）中、Ｒ１０及びＲ１２は、それぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基である。Ｒ１１は、メチレン基、炭素数２〜６のアルキレン基、フェニレン基又は下記式（８）で示される基である。）
【０１１２】
【化１０】
（式（８）中、ｑは１〜４の整数である。）
【０１１３】
【化１１】
（式（９）中、Ｒ１３、Ｒ１４及びＲ１５は、それぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基である。ｒは１〜６の整数である。）
【０１１４】
式（７）のＲ１０及びＲ１２の好ましい具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基が挙げられる。これらのアルキル基の中でも、メチル基、エチル基がより好ましい。式（７）のＲ１１の好ましい具体例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、フェニレン基が挙げられる。これらの基の中でも、メチレン基、エチレン基、フェニレン基がより好ましい。また、Ｒ１１が式（８）で示される基である場合、式（８）中のｑとしては１又は２が好ましい。［Ｅ］成分として、このような好ましい構造の上記式（７）のシラン化合物を用いることによって、［Ａ］成分との反応性が向上する。
【０１１５】
式（９）のＲ１３、Ｒ１４及びＲ１５の好ましい具体例としては、［Ａ］成分との反応性の観点から、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基が挙げられる。これらのアルキル基の中でも、メチル基がより好ましい。また、式（９）中のｒは、［Ａ］成分との反応性や相溶性の観点から、１〜３の整数であることが好ましい。
【０１１６】
当該感放射線性組成物が［Ｅ］成分を含むとき、［Ｅ］成分は、１種単独で用いても、２種以上組み合わせて用いてもよい。式（７）及び（９）のシラン化合物のうち、式（９）で示されるイソシアヌル環を有するシラン化合物がより好ましい。このように一分子中に３個のトリアルコキシシリル基が結合したイソシアヌル環を有するシラン化合物を用いることによって、高い放射線感度を示す感放射線性組成物が得られると共に、その組成物から形成される層間絶縁膜の架橋度を向上させることができる。さらに、このようなイソシアヌル環含有シラン化合物を含む感放射線性組成物は、現像後の加熱工程におけるメルトフローに対する高い耐性を示す。
【０１１７】
式（７）及び（９）で示されるシラン化合物の具体例としては、ビストリエトキシシリルエタン、ビス（トリメトキシシリル）メタン、ビス（トリエトキシシリル）メタン、ビス−１，２−（トリメトキシシリル）エタン、ビス−１，２−（トリエトキシシリル）エタン、ビス−１，６−（トリメトキシシリル）ヘキサン、ビス−１，６−（トリエトキシシリル）ヘキサン、ビス−１，４−（トリメトキシシリル）ベンゼン、ビス−１，４−（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリメトキシシリルメチル）ベンゼン、１，４−ビス（トリメトキシシリルエチル）ベンゼン、１，４−ビス（トリエトキシシリルメチル）ベンゼン、１，４−ビス（トリエトキシシリルエチル）ベンゼン、トリス−（３−トリメトキシシリルメチル）イソシアヌレート、トリス−（３−トリエトキシシリルメチル）イソシアヌレート、トリス−（３−トリメトキシシリルエチル）イソシアヌレート、トリス−（３−トリエトキシシリルエチル）イソシアヌレート、トリス−（３−トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、トリス−（３−トリエトキシシリルプロピル）イソシアヌレート等が挙げられる。これらのうち、放射線感度、及び現像後の加熱工程における耐メルトフロー性向上の観点から、１，４−ビス（トリメトキシシリルメチル）ベンゼン、ビス（トリエトキシシリル）エタン、トリス−（３−トリメトキシシリルエチル）イソシアヌレート、トリス−（３−トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、トリス−（３−トリエトキシシリルプロピル）イソシアヌレートが特に好ましい。
【０１１８】
当該感放射線性組成物が［Ｅ］成分を含む場合、［Ｅ］成分の使用量は、［Ａ］成分１００質量部に対して、好ましくは５質量部以上７０質量部以下、さらに好ましくは１０質量部以上５０質量部以下である。［Ｅ］成分の使用量を５質量部以上７０質量部以下とすることによって、放射線感度、及び現像後の加熱工程における耐メルトフロー性がバランス良く優れた感放射線性組成物を得ることができる。
【０１１９】
その他の任意成分
本発明のポジ型感放射線性組成物は、必須成分として上記［Ａ］成分、［Ｂ］成分及び［Ｃ］成分、並びに任意成分としての［Ｄ］成分及び［Ｅ］成分に加え、所期の効果を損なわない範囲で、必要に応じて［Ｆ］成分の脱水剤等の他の任意成分を含有させることができる。
【０１２０】
［Ｆ］成分の脱水剤は、水を化学反応により水以外の物質に変換することができるか、又は水を物理吸着もしくは包接によりトラップすることができる物質として定義される。当該感放射線性組成物に、任意に［Ｆ］脱水剤を含有させることにより、環境から浸入する水分、又は感放射線性組成物の現像後の加熱工程における［Ａ］同士による縮合若しくは［Ａ］成分と［Ｅ］成分との縮合の結果発生する水分を低減させることができる。従って、［Ｆ］脱水剤を用いることにより、組成物中の水分を低減させることが可能であり、その結果、組成物の保存安定性を向上させることができる。さらに、［Ａ］及び［Ｅ］成分の縮合の反応性を高め、感放射線性組成物の耐メルトフロー性を向上させることができると考えられる。このような［Ｆ］脱水剤としては、カルボン酸エステル、アセタール類（ケタール類を含む）、及びカルボン酸無水物からなる群から選択される少なくとも１種の化合物が好ましく使用できる。
【０１２１】
カルボン酸エステルの好ましい例としては、例えばオルトカルボン酸エステル、カルボン酸シリルエステル等が好ましい。オルトカルボン酸エステルの具体例としては、オルト蟻酸メチル、オルト蟻酸エチル、オルト蟻酸プロピル、オルト蟻酸ブチル、オルト酢酸メチル、オルト酢酸エチル、オルト酢酸プロピル、オルト酢酸ブチル、オルトプロピオン酸メチル、オルトプロピオン酸エチル等が挙げられる。また、これらのオルトカルボン酸エステルのうち、オルト蟻酸メチル等のオルト蟻酸エステルが特に好ましい。カルボン酸シリルエステルの具体例としては、酢酸トリメチルシリル、酢酸トリブチルシリル、蟻酸トリメチルシリル、シュウ酸トリメチルシリル等が挙げられる。
【０１２２】
アセタール類の好ましい例としては、ケトン類とアルコールとの反応物、ケトン類とジアルコールとの反応物、ケテンシリルアセタール類を挙げることができる。ケトン類とアルコールとの反応物の具体例としては、ジメチルアセタール、ジエチルアセタール、ジプロピルアセタール等を挙げることができる。
【０１２３】
カルボン酸無水物の好ましい例としては、無水蟻酸、無水酢酸、無水コハク酸、無水マレイン酸、無水フタル酸、無水安息香酸、酢酸安息香酸無水物等が挙げられる。これらのカルボン酸無水物の中でも、脱水効果の点で、無水酢酸及び無水コハク酸が好ましい。
【０１２４】
［Ｆ］脱水剤を使用する場合の使用量は、［Ａ］成分１００質量部に対して、好ましくは０．００１質量部以上５０質量部以下であり、さらに好ましくは０．０１質量部以上３０質量部以下であり、特に好ましくは０．０５質量部以上１０質量部以下である。［Ｇ］脱水剤の使用量を０．００１質量部以上５０質量部以下とすることによって、感放射線性組成物の保存安定性を最適化することができる。
【０１２５】
感放射線性組成物
本発明のポジ型感放射線性組成物は、上記の［Ａ］成分のポリシロキサン、［Ｂ］成分の光酸発生剤又は光塩基発生剤、及び［Ｃ］成分の金属キレート化合物、並びに任意成分（［Ｄ］成分の界面活性剤、［Ｅ］成分の他のシラン化合物等）を混合することによって調製される。また、本発明の効果を損なわない限り、金属キレート化合物を用いずに調製したポリシロキサンと、金属キレート化合物を用いて調製したポリシロキサンとを併存させてもよい。通常、感放射線性組成物は、好ましくは適当な溶剤に溶解又は分散させた状態に調製され、使用される。例えば溶剤中で、［Ａ］成分、［Ｂ］成分及び［Ｃ］成分、並びに任意成分を所定の割合で混合することにより、感放射線性組成物を調製することができる。
【０１２６】
当該ポジ型感放射線性組成物の調製に用いることができる溶剤としては、各成分を均一に溶解又は分散し、各成分と反応しないものが好適に用いられる。このような溶媒としては、例えばアルコール類、エーテル類、グリコールエーテル類、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類、ジエチレングリコールアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類、芳香族炭化水素類、ケトン類、エステル類等を挙げることができる。
【０１２７】
これらの溶剤としては、
アルコール類として、例えば、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等；
エーテル類として、例えば、テトラヒドロフラン、ジイソプロピルエーテル、ジｎ−ブチルエーテル、ジｎ−ペンチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジｎ−ヘキシルエーテルなどのジアルキルエーテル等；
ジエチレングリコールアルキルエーテル類として、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルなど；
エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類として、例えば、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテートなど；
ジエチレングリコールアルキルエーテル類としてジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等；
プロピレングリコールモノアルキルエーテル類として、例えばプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル、プロピレングリコールブチルエーテルなど；
プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類として、例えばプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールブチルエーテルアセテート等；
プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類として、例えばプロピレングリコールメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールプロピルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールブチルエーテルプロピオネートなど；
【０１２８】
芳香族炭化水素類として、トルエン、キシレン等；
ケトン類として、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、２−ヘプタノン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン等；
エステル類として、例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、ヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、３−ヒドロキシプロピオン酸メチル、３−ヒドロキシプロピオン酸エチル、３−ヒドロキシプロピオン酸プロチル、３−ヒドロキシプロピオン酸ブチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸ブチル、プロポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ酢酸プロピル、プロポキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸メチル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブトキシ酢酸ブチル、２−メトキシプロピオン酸メチル、２−メトキシプロピオン酸エチル、２−メトキシプロピオン酸プロピル、２−メトキシプロピオン酸ブチル、２−エトキシプロピオン酸メチル、２−エトキシプロピオン酸エチル、２−エトキシプロピオン酸プロピル、２−エトキシプロピオン酸ブチル、２−ブトキシプロピオン酸メチル、２−ブトキシプロピオン酸エチル、２−ブトキシプロピオン酸プロピル、２−ブトキシプロピオン酸ブチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸プロピル、３−メトキシプロピオン酸ブチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸プロピル、３−エトキシプロピオン酸ブチル、３−プロポキシプロピオン酸メチル、３−プロポキシプロピオン酸エチル、３−プロポキシプロピオン酸プロピル、３−プロポキシプロピオン酸ブチル、３−ブトキシプロピオン酸メチル、３−ブトキシプロピオン酸エチル、３−ブトキシプロピオン酸プロピル、３−ブトキシプロピオン酸ブチル等を、それぞれ挙げることができる。
【０１２９】
これらの溶剤の中のうち、溶解性あるいは分散性が優れていること、各成分と非反応性であること、及び塗膜形成の容易性の観点から、ジアルキルエーテル等のエーテル類、エチレングリコールアルキルエーテル類、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類、ケトン類、エステル類が好ましく、特に、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、２−メトキシプロピオン酸メチル、２−メトキシプロピオン酸エチルが好ましい。これらの溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いることができる。
【０１３０】
上記した溶剤に加え、さらに必要に応じて、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、１−オクタノール、１−ノナノール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート等の高沸点溶剤を併用することもできる。
【０１３１】
感放射線性組成物を溶液又は分散液状態として調製する場合、液中に占める溶剤以外の成分（すなわち［Ａ］、［Ｂ］及び［Ｃ］成分並びにその他の任意成分の合計量）の割合は、使用目的や所望の膜厚等に応じて任意に設定することができるが、好ましくは５質量％以上５０質量％以下、より好ましくは１０質量％以上４０質量％以下、さらに好ましくは１５質量％以上３５質量％以下である。
【０１３２】
層間絶縁膜の形成
次に、上記の感放射線性組成物を用いて、基板上に層間絶縁膜の硬化膜を形成する方法について説明する。当該方法は、以下の工程を含む。
（１）当該ポジ型感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
（２）工程（１）で形成した塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
（３）工程（２）で放射線を照射された塗膜を現像する工程、及び
（４）工程（３）で現像された塗膜を加熱する工程。
【０１３３】
（１）感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程
上記工程（１）において、基板上に本発明のポジ型感放射線性組成物の溶液又は分散液を塗布した後、好ましくは塗布面を加熱（プレベーク）することにより溶剤を除去して、塗膜を形成する。使用できる基板の例としては、ガラス、石英、シリコン、樹脂等を挙げることができる。樹脂の具体例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリイミド、環状オレフィンの開環重合体及びその水素添加物等を挙げることができる。
【０１３４】
組成物溶液又は分散液の塗布方法としては、特に限定されず、例えばスプレー法、ロールコート法、回転塗布法（スピンコート法）、スリットダイ塗布法、バー塗布法等の適宜の方法を採用することができる。これらの塗布方法の中でも、特にスピンコート法又はスリットダイ塗布法が好ましい。プレベークの条件は、各成分の種類、配合割合等によっても異なるが、好ましくは７０〜１２０℃で１〜１０分間程度とすることができる。
【０１３５】
（２）塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程
上記工程（２）では、形成された塗膜の少なくとも一部に露光する。この場合、塗膜の一部に露光する際には、通常、所定のパターンを有するフォトマスクを介して露光する。露光に使用される放射線としては、例えば可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線等を使用できる。これらの放射線の中でも、波長が１９０〜４５０ｎｍの範囲にある放射線が好ましく、特に３６５ｎｍの紫外線を含む放射線が好ましい。
【０１３６】
当該工程における露光量は、放射線の波長３６５ｎｍにおける強度を、照度計（ＯＡＩｍｏｄｅｌ３５６、ＯＡＩ Ｏｐｔｉｃａｌ Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ Ｉｎｃ．製）により測定した値として、好ましくは１００〜１０，０００Ｊ／ｍ２、より好ましくは５００〜６，０００Ｊ／ｍ２である。
【０１３７】
（３）現像工程
上記工程（３）では、露光後の塗膜を現像することにより、不要な部分（放射線の照射部分）を除去して、所定のパターンを形成する。現像工程に使用される現像液としては、アルカリ（塩基性化合物）の水溶液が好ましい。アルカリの例としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア等の無機アルカリ；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の４級アンモニウム塩等を挙げることができる。
【０１３８】
また、このようなアルカリ水溶液には、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ水溶液におけるアルカリの濃度は、適当な現像性を得る観点から、好ましくは０．１質量％以上５質量％以下とすることができる。現像方法としては、例えば液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法、シャワー法等の適宜の方法を利用することができる。現像時間は、感放射線性組成物の組成によって異なるが、好ましくは１０〜１８０秒間程度である。このような現像処理に続き、例えば流水洗浄を３０〜９０秒間行った後、例えば圧縮空気や圧縮窒素で風乾させることによって、所望のパターンを形成することができる。
【０１３９】
（４）加熱工程
上記工程（４）では、ホットプレート、オーブン等の加熱装置を用い、パターニングされた薄膜を比較的高温で加熱することによって、上記［Ａ］成分単独、又は［Ａ］成分及び［Ｅ］成分の縮合反応を促進し、確実に硬化物を得ることができる。当該工程における加熱温度は、例えば１２０〜２５０℃である。加熱時間は、加熱機器の種類により異なるが、例えば、ホットプレート上で加熱工程を行う場合には５〜３０分間、オーブン中で加熱工程を行う場合には３０〜９０分間とすることができる。２回以上の加熱工程を行うステップベーク法等を用いることもできる。このようにして、目的とする層間絶縁膜に対応するパターン状薄膜を基板の表面上に形成することができる。
【０１４０】
層間絶縁膜
このように形成された層間絶縁膜の膜厚は、好ましくは０．１〜８μｍ、より好ましくは０．１〜６μｍ、さらに好ましくは０．１〜４μｍである。
【０１４１】
本発明のポジ型感放射線性組成物から形成された層間絶縁膜は、下記の実施例からも明らかにされるように、表面硬度、屈折率、耐熱性、透明性及び低誘電性という一般的な要求特性をバランス良く満たす。そのため、当該層間絶縁膜は、液晶表示素子用や有機ＥＬ素子用に好適に用いられる。
【実施例】
【０１４２】
以下に合成例、実施例を示して、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０１４３】
以下の各合成例から得られた加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、下記の仕様によるゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）により測定した。
装置：ＧＰＣ−１０１（昭和電工（株）製）
カラム：ＧＰＣ−ＫＦ−８０１、ＧＰＣ−ＫＦ−８０２、ＧＰＣ−ＫＦ−８０３及びＧＰＣ−ＫＦ−８０４（昭和電工（株）製）を結合したもの
移動相：テトラヒドロフラン
【０１４４】
［Ａ］ポリシロキサンの合成例
［合成例１］
撹拌機付の容器内に、プロピレングリコールモノメチルエーテル２５質量部を仕込んだ後、メチルトリメトキシシラン３０質量部、フェニルトリメトキシシラン２３質量部、及びジ（ｉ−プロポキシ）・モノエチルアセトアセテートアルミニウム２．５質量部を仕込み、溶液温度が６０℃になるまで加熱した。溶液温度が６０℃に到達後、イオン交換水１８質量部を仕込み、７５℃になるまで加熱し、３時間保持した。次いで、蒸留アセチルアセトン１４質量部を添加した。さらに溶液温度を４０℃にし、温度を保ちながらエバポレーションすることで、イオン交換水及び加水分解縮合で発生したメタノールを除去し、固形分濃度が４０質量％程度になるように濃縮した。以上の手順により、加水分解縮合物（Ａ−１）を得た。加水分解縮合物（Ａ−１）の固形分濃度は４０．５質量％であり、得られた加水分解縮合物の数平均分子量（Ｍｎ）は２，０００であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．８であった。
【０１４５】
［合成例２］
撹拌機付の容器内に、プロピレングリコールモノメチルエーテル２５質量部を仕込んだ後、メチルトリメトキシシラン１８質量部、テトラエトキシシラン１５質量部、フェニルトリメトキシシラン２０質量部、及びジ（ｉ−プロポキシ）・モノエチルアセトアセテートアルミニウム２．５質量部を仕込み、溶液温度が６０℃になるまで加熱した。溶液温度が６０℃に到達後、イオン交換水１８質量部を仕込み、７５℃になるまで加熱し、３時間保持した。次いで蒸留アセチルアセトン１４質量部を添加した。さらに溶液温度を４０℃にし、温度を保ちながらエバポレーションすることで、イオン交換水及び加水分解縮合で発生したメタノールを除去し、固形分濃度が４０質量％程度になるように濃縮した。以上の手順により、加水分解縮合物（Ａ−２）を得た。加水分解縮合物（Ａ−２）の固形分濃度は４０．４質量％であり、得られた加水分解縮合物の数平均分子量（Ｍｎ）は１，６００であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．０であった。
【０１４６】
［合成例３］
撹拌機付の容器内に、プロピレングリコールモノメチルエーテル２５質量部を仕込み、続いて、メチルトリメトキシシラン２２質量部、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン１２質量部、フェニルトリメトキシシラン２０質量部、及び、ジ（ｉ−プロポキシ）・モノエチルアセトアセテートアルミニウム２．５質量部を仕込み、溶液温度が６０℃になるまで加熱した。溶液温度が６０℃に到達後、イオン交換水１８質量部を仕込み、７５℃になるまで加熱し、３時間保持した。次いで蒸留アセチルアセトン１４質量部を添加した。さらに溶液温度を４０℃にし、温度を保ちながらエバポレーションすることで、イオン交換水及び加水分解縮合で発生したメタノールを除去し、固形分濃度が４０質量％程度になるように濃縮した。以上の手順により、加水分解縮合物（Ａ−３）を得た。加水分解縮合物（Ａ−３）の固形分濃度は３９．８質量％であり、得られた加水分解縮合物の数平均分子量（Ｍｎ）は１，８００であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．０であった。
【０１４７】
［合成例４］
撹拌機付の容器内に、プロピレングリコールモノメチルエーテル２５質量部を仕込んだ後、メチルトリメトキシシラン２２質量部、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン１２質量部、フェニルトリメトキシシラン２０質量部、及びジ（ｉ−プロポキシ）・モノエチルアセトアセテートアルミニウム２．５質量部を仕込み、溶液温度が６０℃になるまで加熱した。溶液温度が６０℃に到達後、イオン交換水１８質量部を仕込み、７５℃になるまで加熱し、３時間保持した。次いで、蒸留アセチルアセトン１４質量部を添加した。さらに溶液温度を４０℃にし、温度を保ちながらエバポレーションすることで、イオン交換水及び加水分解縮合で発生したメタノールを除去し、固形分濃度が４０質量％程度になるように濃縮した。以上の手順により、加水分解縮合物（Ａ−４）を得た。加水分解縮合物（Ａ−４）の固形分濃度は４０．３質量％であり、得られた加水分解縮合物の数平均分子量（Ｍｎ）は２，２００であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．０であった。
【０１４８】
［合成例５］
撹拌機付の容器内に、プロピレングリコールモノメチルエーテル２５質量部を仕込んだ後、メチルトリメトキシシラン３０質量部、フェニルトリメトキシシラン２３質量部、及びジ−ｉ−プロポキシ・ビスエチルアセトアセテートチタン２．５質量部を仕込み、溶液温度が６０℃になるまで加熱した。溶液温度が６０℃に到達後、イオン交換水１８質量部を仕込み、７５℃になるまで加熱し、３時間保持した。次いで蒸留アセチルアセトン１４質量部を添加した。さらに溶液温度を４０℃にし、温度を保ちながらエバポレーションすることで、イオン交換水及び加水分解縮合で発生したメタノールを除去し、固形分濃度が４０質量％程度になるように濃縮した。以上の手順により、加水分解縮合物（Ａ−５）を得た。加水分解縮合物（Ａ−５）の固形分濃度は、４０．５質量％であり、得られた加水分解縮合物の数平均分子量（Ｍｎ）は２，５００であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、２．３であった。
【０１４９】
［合成例６］
撹拌機付の容器内に、プロピレングリコールモノメチルエーテル２５質量部を仕込んだ後、メチルトリメトキシシラン３０質量部、フェニルトリメトキシシラン２３質量部、及びジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、２．５質量部を仕込み、溶液温度が６０℃になるまで加熱した。溶液温度が６０℃に到達後、イオン交換水１８質量部を仕込み、７５℃になるまで加熱し、３時間保持した。次いで蒸留アセチルアセトン１４質量部を添加した。さらに溶液温度を４０℃にし、温度を保ちながらエバポレーションすることで、イオン交換水及び加水分解縮合で発生したメタノールを除去し、固形分濃度が４０質量％程度になるように濃縮した。以上の手順により、加水分解縮合物（Ａ−６）を得た。加水分解縮合物（Ａ−６）の固形分濃度は４０．５質量％であり、得られた加水分解縮合物の数平均分子量（Ｍｎ）は２，５００であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．４であった。
【０１５０】
［比較合成例１］
撹拌機付の容器内に、プロピレングリコールモノメチルエーテル２５質量部を仕込み、続いて、メチルトリメトキシシラン１７質量部、テトラエトキシシラン１５質量部、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン１２質量部、フェニルトリメトキシシラン１５質量部、及びシュウ酸１質量部を仕込み、合成例１と同様の方法により、加水分解縮合物（ａ−１）を得た。加水分解縮合物（ａ−１）の固形分濃度は４０．９質量％であり、得られた加水分解縮合物の数平均分子量（Ｍｎ）は１，７００であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．１であった。
【０１５１】
［比較合成例２］
撹拌機付の容器内に、プロピレングリコールモノメチルエーテル２５質量部を仕込み、続いて、メチルトリメトキシシラン１７質量部、テトラエトキシシラン１５質量部、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン１２質量部、フェニルトリメトキシシラン１５質量部、及びトリエチルアミン２質量部を仕込み、合成例１と同様の方法により、加水分解縮合物（ａ−１）を得た。加水分解縮合物（ａ−１）の固形分濃度は４０．９質量％であり、得られた加水分解縮合物の数平均分子量（Ｍｎ）は４，０００であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．３であった。
【０１５２】
感放射線性組成物の調製
［実施例１］
合成例１で得られた加水分解縮合物（Ａ−１）を含む溶液（加水分解縮合物（Ａ−１）１００質量部（固形分）に相当する量）に、［Ｂ］成分として（Ｂ−１）４，４’−［１−［４−［１−［４−ヒドロキシフェニル］−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール（１．０モル）と１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド（２．０モル）の縮合物１０質量部、［Ｄ］成分としてシリコーン系界面活性剤（（株）東レ・ダウコーニング製の「ＳＨ ８４００ ＦＬＵＩＤ」０．１質量部を加え、固形分濃度が２５質量％になるようにプロピレングリコールモノメチルエーテルを添加し、感放射線性組成物を調製した。
【０１５３】
［実施例２〜１０及び比較例１〜３］
各成分の種類及び量を表１に記載の通りとした他は、実施例１と同様にして感放射線性組成物を調製した。
【０１５４】
物性評価
上記のように調製した感放射線性組成物を使用し、以下のように当該組成物、層間絶縁膜及び液晶セルとしての各種の特性を評価した。
【０１５５】
〔感放射線性組成物の放射線感度の評価〕
シリコン基板上に、実施例１〜９及び比較例１〜３については、スピンナーを用いて各組成物を塗布した後、１００℃にて２分間ホットプレート上でプレベークすることにより膜厚４．０μｍの塗膜を形成した。実施例１０については、スリットダイコーターを用いて組成物を塗布した後、室温にて１５秒かけて０．５Ｔｏｒｒまで減圧し、溶媒を除去した後、１００℃にて２分間ホットプレート上でプレベークすることにより膜厚４．０μｍの塗膜を形成した。得られた塗膜に対し、キヤノン（株）製ＰＬＡ−５０１Ｆ露光機（超高圧水銀ランプ）を用い、６．０μｍのライン・アンド・スペース（１対１）のパターンを有するマスクを介して露光時間を変化させて露光を行った後、２．３８質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて２５℃、８０秒間、液盛り法で現像した。次いで、超純水で１分間流水洗浄を行い、その後、乾燥させてシリコン基板上にパターンを形成した。このとき、スペース線幅（底部）が６．０μｍとなるのに必要な最小露光量を測定した。この最小露光量を放射線感度として表１に示す。最小露光量が６００（Ｊ／ｍ２）以下のとき、感度は良好であるといえる。
【０１５６】
〔感放射線性組成物の加熱工程におけるパターン形状の耐メルトフロー性の評価〕
上記「放射線感度の評価」と同様に、スペース線幅（底部）が６．０μｍとなるパターンを形成し、得られたパターンに、キヤノン（株）製ＰＬＡ−５０１Ｆ露光機（超高圧水銀ランプ）を用いて、積算照射量が３，０００Ｊ／ｍ２となるように露光を行った後、クリーンオーブン内にて２２０℃で１時間加熱することによりポストベークを行った。さらに２３０℃で１０分間加熱してパターンをメルトフローさせ、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）によりパターン底部の寸法を測定した。この時、パターン底部の寸法が６．３５μｍ未満であるとき、耐メルトフロー性が良好であるといえる。一方、パターン底部の寸法が６．３５μｍ以上の場合、耐メルトフロー性は不良であるといえる。このパターン底部の寸法測定結果を、耐メルトフロー性の評価として表１に示す。
【０１５７】
〔層間絶縁膜の表面硬度の評価〕
上記「放射線感度の評価」で露光しなかった以外は、同様にシリコン基板上に塗膜を形成した。その後、得られた塗膜に、それぞれキヤノン（株）製ＰＬＡ−５０１Ｆ露光機（超高圧水銀ランプ）を用いて、積算照射量が３，０００Ｊ／ｍ２となるように露光を行った後、クリーンオーブン内にて２２０℃で１時間加熱することにより硬化膜を得た。硬化膜を、鉛筆硬度の硬いものから軟らかい順に紙ヤスリで鉛筆の芯をとがらせて引っ掻き、その膜が削れなかった最も硬い鉛筆硬度をその膜の表面硬度（鉛筆硬度）とした。
【０１５８】
〔層間絶縁膜の耐熱性の評価〕
上記「表面硬度の評価」と同様にしてシリコン基板上に硬化膜を形成し、得られた硬化膜の膜厚（Ｔ２）を測定した。次いで、この硬化膜が形成されたシリコン基板を、クリーンオーブン内にて２４０℃で１時間追加ベークした後、当該硬化膜の膜厚（ｔ２）を測定し、追加ベークによる膜厚変化率｛｜ｔ２−Ｔ２｜／Ｔ２｝×１００〔％〕を算出した。この膜厚変化率の結果を、耐熱性の評価として表１に示す。この値が３％未満のとき、耐熱性は良好であると言える。
【０１５９】
〔層間絶縁膜の光線透過率（透明性）の評価〕
上記「表面硬度の評価」において、シリコン基板の代わりにガラス基板「コーニング７０５９」（コーニング社製）を用いたこと以外は同様にして、ガラス基板上に硬化膜を形成した。この硬化膜が形成されたガラス基板の光線透過率を、分光光度計「１５０−２０型ダブルビーム」（（株）日立製作所製）を用いて４００〜８００ｎｍの範囲の波長で測定した。そのときの最低光線透過率の値を表１に示す。最低光線透過率が９５％以上のとき、光線透過率は良好であると言える。
【０１６０】
〔層間絶縁膜の比誘電率（低誘電性）の評価〕
研磨したＳＵＳ３０４製基板上に、実施例１〜９及び比較例１〜３については、スピンナーを用いて各組成物を塗布した後、１００℃にて２分間ホットプレート上でプレベークすることにより膜厚３．０μｍの塗膜を形成した。実施例１０については、スリットダイコーターを用いて組成物を塗布した後、室温で１５秒かけて０．５Ｔｏｒｒまで減圧して溶媒を除去した後、１００℃にて２分間ホットプレート上でプレベークすることにより膜厚３．０μｍの塗膜を形成した。得られた塗膜に対し、キヤノン（株）製ＰＬＡ−５０１Ｆ露光機（超高圧水銀ランプ）を用い、積算照射量が３，０００Ｊ／ｍ２となるように露光を行った後、クリーンオーブン内にて２２０℃で１時間加熱することにより、基板上に硬化膜を形成した。この硬化膜上に、蒸着法によりＰｔ／Ｐｄ電極パターンを形成し、比誘電率測定用サンプルを作成した。得られたサンプルにつき、横河・ヒューレットパッカード（株）製ＨＰ１６４５１Ｂ電極及びＨＰ４２８４ＡプレシジョンＬＣＲメーターを用い、ＣＶ法により、周波数１０ｋＨｚの周波数における比誘電率を測定した。結果を表１に示す。なお、比誘電率の評価においては、形成する膜のパターニングは不要のため、現像工程を省略し、塗膜形成工程、放射線照射工程及び加熱工程のみ行い評価に供した。
【０１６１】
〔感放射線性組成物の保存安定性の評価〕
粘度計（東京計器（株）製の「ＥＬＤ型粘度計」）を用い、２５℃における感放射線性組成物の粘度を測定した。その後、この組成物を２５℃にて静置しつつ、２５℃における粘度を２４時間毎に測定した。調製直後の感放射線性組成物の粘度を基準に５％増粘するのに要した日数を求め、この日数を保存安定性の評価として表１に示した。
【０１６２】
なお、表１において、［Ｂ１−１］キノンジアジド、［Ｂ１−２］他の光酸発生剤、［Ｂ２］光塩基発生剤、［Ｄ］界面活性剤の略称は、それぞれ以下のものを表す。
Ｂ１−１−１：４，４’−［１−［４−［１−［４−ヒドロキシフェニル］−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール（１．０モル）と１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド（２．０モル）の縮合物
Ｂ１−１−２：１，１，１−トリ（ｐ−ヒドロキシフェニル）エタン（１．０モル）と１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド（２．０モル）の縮合物
Ｂ１−２−１：Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド
Ｂ１−２−２：ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート
Ｂ２：２−ニトロベンジルシクロヘキシルカルバメート
Ｄ−１：シリコーン系界面活性剤（（株）東レ・ダウコーニング製の「ＳＨ ８４００ ＦＬＵＩＤ」
【０１６３】
【表１】
【０１６４】
表１の結果から明らかなように、［Ａ］、［Ｂ］及び［Ｃ］成分を含む実施例１〜１０の感放射線性組成物は、［Ａ］成分を用いない比較例１〜３の感放射線性組成物と比較して、保存安定性及び放射線感度が優れているとともに、現像後の加熱工程におけるメルトフローに対する耐性が格段に高く、表面硬度、屈折率、耐熱性、透明性及び低誘電性という一般的な要求特性の全てを満足する層間絶縁膜を形成可能であることが分かった。
【産業上の利用可能性】
【０１６５】
本発明のポジ型感放射線性組成物は、上述のように、保存安定性及び放射線感度に加えて、加熱工程における耐メルトフロー性が優れており、かつ耐熱性、透明性等の一般的な要求特性を全て満足する層間絶縁膜を形成可能である。従って、当該感放射線組成物は、液晶表示素子や有機ＥＬ素子用の層間絶縁膜を形成するために好適に用いられる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
［Ａ］ポリシロキサン、
［Ｂ］光酸発生剤又は光塩基発生剤、及び
［Ｃ］金属キレート化合物
を含有するポジ型感放射線性組成物。
【請求項２】
［Ａ］ポリシロキサンが、［Ｃ］金属キレート化合物の存在下での加水分解性シラン化合物の加水分解縮合により得られるポリシロキサンであり、
［Ｂ］光酸発生剤として、キノンジアジドを含有する請求項１に記載のポジ型感放射線性組成物。
【請求項３】
上記金属キレート化合物が、下記式（１）で表される化合物である請求項１又は請求項２に記載のポジ型感放射線性組成物。
【化１】
（式（１）中、Ｒ１はキレート剤であり、Ｍは金属原子であり、Ｒ２は炭素数２〜５のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基である。ｊは金属Ｍの原子価であり、ｐは１〜ｊの整数である。Ｒ１及びＲ２が複数の場合、それぞれ同一でも異なっていてもよい。）
【請求項４】
上記式（１）中の金属Ｍが、アルミニウム、チタン及びジルコニウムからなる群より選択される少なくとも１種である請求項３に記載のポジ型感放射線性組成物。
【請求項５】
上記加水分解性シラン化合物が、（ａ１）下記式（２）で表されるシラン化合物及び（ａ２）下記式（３）で表されるシラン化合物からなる群より選択される少なくとも１種である請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のポジ型感放射線性組成物。
【化２】
（式（２）中、Ｘ１は、エポキシ基、ビニル基、アリル基、（メタ）アクリロイルオキシ基、スチリル基、又はビニルベンジロキシ基である。Ｙ１は単結合、メチレン基又は炭素数２〜６のアルキレン基である。Ｒ３は、炭素数１〜６のアルコキシ基又は炭素数２〜６のアシルオキシ基である。Ｒ４は、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数６〜１２の置換若しくは非置換のアリール基である。ａ及びｂは、それぞれ１〜３の整数であり、ｃは０〜２の整数であり、そしてａ＋ｂ＋ｃ＝４の関係を満たす。）
【化３】
（式（３）中、Ｒ５は、炭素数１〜６の置換若しくは非置換のアルコキシ基、炭素数６〜１８の置換若しくは非置換のアリールオキシ基、又は炭素数２〜６のアシルオキシ基である。Ｒ６は、炭素数１〜６の置換若しくは非置換のアルキル基、又は炭素数６〜１８の置換若しくは非置換のアリール基である。ｇは１〜４の整数であり、ｈは０〜３の整数であり、そしてｇ＋ｈ＝４の関係を満たす。）
【請求項６】
層間絶縁膜を形成するために用いられる請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のポジ型感放射線性組成物。
【請求項７】
（１）請求項６に記載のポジ型感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
（２）工程（１）で形成した塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
（３）工程（２）で放射線を照射された塗膜を現像する工程、及び
（４）工程（３）で現像された塗膜を加熱する工程
を含む層間絶縁膜の形成方法。
【請求項８】
請求項６に記載のポジ型感放射線性組成物から形成された層間絶縁膜。
【請求項１】
［Ａ］ポリシロキサン、
［Ｂ］光酸発生剤又は光塩基発生剤、及び
［Ｃ］金属キレート化合物
を含有するポジ型感放射線性組成物。
【請求項２】
［Ａ］ポリシロキサンが、［Ｃ］金属キレート化合物の存在下での加水分解性シラン化合物の加水分解縮合により得られるポリシロキサンであり、
［Ｂ］光酸発生剤として、キノンジアジドを含有する請求項１に記載のポジ型感放射線性組成物。
【請求項３】
上記金属キレート化合物が、下記式（１）で表される化合物である請求項１又は請求項２に記載のポジ型感放射線性組成物。
【化１】
（式（１）中、Ｒ１はキレート剤であり、Ｍは金属原子であり、Ｒ２は炭素数２〜５のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基である。ｊは金属Ｍの原子価であり、ｐは１〜ｊの整数である。Ｒ１及びＲ２が複数の場合、それぞれ同一でも異なっていてもよい。）
【請求項４】
上記式（１）中の金属Ｍが、アルミニウム、チタン及びジルコニウムからなる群より選択される少なくとも１種である請求項３に記載のポジ型感放射線性組成物。
【請求項５】
上記加水分解性シラン化合物が、（ａ１）下記式（２）で表されるシラン化合物及び（ａ２）下記式（３）で表されるシラン化合物からなる群より選択される少なくとも１種である請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のポジ型感放射線性組成物。
【化２】
（式（２）中、Ｘ１は、エポキシ基、ビニル基、アリル基、（メタ）アクリロイルオキシ基、スチリル基、又はビニルベンジロキシ基である。Ｙ１は単結合、メチレン基又は炭素数２〜６のアルキレン基である。Ｒ３は、炭素数１〜６のアルコキシ基又は炭素数２〜６のアシルオキシ基である。Ｒ４は、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数６〜１２の置換若しくは非置換のアリール基である。ａ及びｂは、それぞれ１〜３の整数であり、ｃは０〜２の整数であり、そしてａ＋ｂ＋ｃ＝４の関係を満たす。）
【化３】
（式（３）中、Ｒ５は、炭素数１〜６の置換若しくは非置換のアルコキシ基、炭素数６〜１８の置換若しくは非置換のアリールオキシ基、又は炭素数２〜６のアシルオキシ基である。Ｒ６は、炭素数１〜６の置換若しくは非置換のアルキル基、又は炭素数６〜１８の置換若しくは非置換のアリール基である。ｇは１〜４の整数であり、ｈは０〜３の整数であり、そしてｇ＋ｈ＝４の関係を満たす。）
【請求項６】
層間絶縁膜を形成するために用いられる請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のポジ型感放射線性組成物。
【請求項７】
（１）請求項６に記載のポジ型感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
（２）工程（１）で形成した塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
（３）工程（２）で放射線を照射された塗膜を現像する工程、及び
（４）工程（３）で現像された塗膜を加熱する工程
を含む層間絶縁膜の形成方法。
【請求項８】
請求項６に記載のポジ型感放射線性組成物から形成された層間絶縁膜。
【公開番号】特開２０１１−１２３４５０（Ｐ２０１１−１２３４５０Ａ）
【公開日】平成２３年６月２３日（２０１１．６．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２８３４９７（Ｐ２００９−２８３４９７）
【出願日】平成２１年１２月１４日（２００９．１２．１４）
【出願人】（０００００４１７８）ＪＳＲ株式会社 (3,320)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年６月２３日（２０１１．６．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１２月１４日（２００９．１２．１４）
【出願人】（０００００４１７８）ＪＳＲ株式会社 (3,320)
【Ｆターム（参考）】
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