二軸延伸及びヒートセットされたポリエステルフィルムから得られる導電性被覆基板
２６０℃又はそれ以上の融点を有するポリエステルから製造された二軸延伸ポリエステルフィルムを含む、２４０℃又はそれ以上の温度において導電被膜を被覆することができるフィルムを記載する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本件は、３５ Ｕ．Ｓ．Ｃ．§ １１９（ｅ）に基づいて、２００５年５月１７日に出願された米国仮出願第６０／６８１，６４７号に関して優先権を主張する。この特許出願全体を引用することによって本明細書中に組み入れる。
【０００２】
発明の分野
本発明は、一般に、導電性被膜を被覆することによって、液晶ディスプレイ、有機発光ダイオード、光起電力装置、ＲＦＩＤラベル及び電気泳動ディスプレイを含む（これらに限定するものではないが）種々の電子用途への使用に適した導電性被覆基板を製造することができる熱安定性ポリエステルフィルムに関する。より具体的には、本発明は、二軸延伸又は伸張され、ヒートセットされ、導電性被覆基板の製造に使用される、ポリ（１，４−シクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）（ＰＣＴ）若しくはポリ（１，４−シクロヘキシレンジメチレンナフタレンジカルボキシレート）（ＰＣＮ）ホモ−若しくはコポリエステル又はそれらのブレンドから製造された熱安定性ポリエステルフィルムに関する。
【背景技術】
【０００３】
ポリ（エチレンテレフタレート）（ＰＥＴ）フィルムは、種々のラッピング、パッケージング及ラミネーション用途に広範に使用されている。ＰＥＴフィルムは、フィルムを物体に適用し且つ加熱することによって物体の周囲でフィルムを収縮させるシュリンクラップ用途に使用される場合もある。フレキシブル電子回路、タッチスクリーン・ディスプレイ及びフレキシブル光起電力装置のような他の用途においては、高温において良好な寸法安定性及び防縮性を有する、二軸延伸及びヒートセットされたＰＥＴフィルムが使用される。しかし、二軸延伸ＰＥＴフィルムは、Ｔｇが低く（約８０℃）且つ固有の融解温度（Ｔｍ）が比較的低い（約２５０℃）ので、２００℃を超える温度では有用であるとは考えられていない。
【０００４】
二軸延伸ＰＥＴ及び二軸延伸ポリ（エチレンナフタレート）（ＰＥＮ）が、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）被覆透明導電性基板用の基板フィルムとして使用されていることは当業界で一般に知られている。ＰＥＴ及びＰＥＮフィルムは、多くの用途に適するが、フラットパネル・ディスプレイ及び光起電力装置のような、高い透明度及び良好な導電率が望ましい用途に用いる導電性被覆基板の製造に多くの場合必要なＩＴＯの高温堆積に必要とされる温度寸法安定性を欠くと考えられている。所定の導電率に関してＩＴＯ被膜の厚さを減少させるには、より高い温度が必要であると考えられている。厚さの減少した被膜は屈曲時の破壊に抵抗することができる。多くの既存及び新しい用途においては、高い透明度と適切な導電率を保ちながら耐久性とフレキシブル形状因子を増大させることが必要とされている。これらの用途としては特に、フラットパネル・ディスプレイ、光起電力装置及びフレキシブルディスプレイが挙げられる。更に、堆積後エッチングプロセスによるパターン形成を必要とする高透明度／高導電率フィルムに関しては、堆積及びアニールが２００℃より高温で行われたＩＴＯ被覆フィルムからは、ＩＴＯが２００℃未満の温度で適用され且つアニールされたフィルムに比較して優れたパターン精度を有する導電性基板が得られることが報告されている。
【０００５】
透明な導電性被覆基板の望ましい性質としては、以下の性質の少なくとも１つが挙げられる：透明性、導電性、フレキシビリティ、電荷担体密度、電荷担体移動度、引張特性及び曲げ特性、加水分解安定性及び寸法安定性。透明な導電被覆基板に使用するための、当業界で知られた現在の材料は（ＰＥＴ、ＰＥＮ、ポリイミド、ガラスなど）は、前記性質の１つ又はそれ以上が欠けていると考えられている。透明度、フレキシビリティ（柔軟性）及び基板耐久性を保ちながら優れた導電性能を達成するためには、ＰＥＴ及びＰＥＮより大きい温度寸法安定性を有する材料、ガラスよりも耐久性及びフレキシビリティが改善された材料、並びにポリアミドよりも透明性が改善された材料が必要である。
【０００６】
透明な導電性被覆基板のようないくつかの用途には、２４０℃又はそれ以上の温度において熱安定性である（即ち良好な寸法安定性を有する）フィルムが有効であり、又は必要ですらあろう。具体的には、フィルムは、２４０℃より高温においてＩＴＯ及び／又は他の無機酸化物が被覆された場合に、ふくれを生じたり、皺がよってはならない。好ましくは、フィルムは、２５０℃より高温においてＩＴＯを被覆された場合時にふくれを生じたり、寸法安定性を失ってはならない。
【０００７】
前記型の透明な無機酸化物被膜の他に、非晶質シリコン及び多結晶シリコンが、アクティブマトリックスＴＦＴディスプレイを含む高性能ディスプレイ用途に導電性被膜として使用されることが多い。非晶質シリコンのガラスへの蒸着は、３５０℃より高温で行われる。しかし、近年に至って、蒸着を２００〜３５０℃又は２２５〜３００℃で行う、より低温の非晶質シリコン及び多結晶シリコン蒸着法が開発された。非晶質及び多結晶シリコンに必要な蒸着温度の低下が進んでも、これらの蒸着温度に耐えられるプラスチックは極めて少ない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従って、良好な透光性及び低い熱膨張率（ＣＴＥ）と共に、不可欠な寸法安定性を有する新しいポリマーフィルムが必要とされている。
【０００９】
優れた加水分解安定性は、種々の用途にわたって導電性被覆基板として使用されるフィルムに望ましいもう１つの性質である。従って、高温高湿条件で構造一体性を保持する傾向がある、導電性被覆基板を製造するための優れた加水分解安定性を有するベースフィルムもまた、必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（ａ）テレフタル酸残基、ナフタレンジカルボン酸残基、４，４’−ビフェニルジカルボン酸又はそれらの組合せを約９０〜約１００モル％含む二酸残基；及び（ｂ）１，４−シクロヘキサンジメタノール残基を少なくとも９０モル％含むジオール残基を含む本発明のフィルムは、以下の性質の少なくとも１つに関して、導電性被覆基板を構成する当業界のフィルムよりも優れていると考えられる：透明性、導電性、フレキシビリティ、電荷担体密度、引張特性及び曲げ特性、加水分解安定性、基板耐久性、低結晶化速度及び寸法安定性。
【００１１】
これらのフィルムは、温度寸法安定性がＰＥＴ及びＰＥＮよりも優れ、耐久性及びフレキシビリティがガラスよりも優れ、しかも、透明性がポリイミドよりも優れていると考えられる。
【００１２】
これらのフィルムは、非晶質完成品を製造する能力をより大きくする低結晶化特性を有するポリエステルを含む。一実施態様において、本発明のフィルムはヒートセット前の結晶化速度が遅い。別の実施態様において、本発明のヒートセットフィルムは、結晶質又は半結晶質であることができる。
【００１３】
一実施態様において、本発明のフィルムには、２４０℃又はそれ以上の温度においてＩＴＯ及び／又は少なくとも１種の他の無機酸化物を被覆することができる。別の実施態様において、本発明のフィルムは、２４０℃又はそれ以上の温度において熱安定性である（即ち良好な寸法安定性を有する）透明な導電性被覆基板を構成する。他の実施態様において、透明な導電性被覆基板を構成する本発明のフィルムは、２４０〜３１０℃又は２４０〜２９０℃の温度においてＩＴＯ及び／又は少なくとも１種の他の無機酸化物の被覆時に熱安定性である。別の実施態様において、本発明のフィルムには、２５０℃より高温において導電性被覆基板を被覆することができる。他の実施態様において、本発明のフィルムは、２５０℃よりも高温においてＩＴＯを被覆した場合に熱安定性である透明な導電性被覆基板を構成する。他の実施態様において、本発明のフィルムは、２５０〜３１０℃又は２５０〜２９０℃の温度においてＩＴＯ及び／又は少なくとも１種の他の無機酸化物を被覆した場合に熱安定性である透明な導電性被覆基板を含む。他の実施態様において、ここに記載したフィルムは、導電性被覆基板中に用いた場合に、ここに記載した温度においてふくれを生じたり皺がよったりせず、且つ／又は寸法安定性を失わない。
【００１４】
一態様において、本発明は、２６０℃又はそれ以上の融点（Ｔｍ）を有するポリエステルから製造された二軸延伸ポリエステルフィルムを含むフィルムを提供する。融点はここでは、示差走査熱量測定法（ＤＳＣ）を用いてＡＳＴＭ Ｄ３４１８に従って測定した。一実施態様において、ポリエステルは、（ａ）約９０〜約１００モル％、別の実施態様では９９．５〜１００モル％のテレフタル酸残基、ナフタレンジカルボン残基、４，４’−ビフェニルジカルボン酸又はそれらの組合せを含む二酸残基；及び（ｂ）少なくとも９０モル％の１，４−シクロヘキサンジメタノール残基を含むジオール残基を含む。ポリエステルは、合計１００モル％の二酸残基及び合計１００モル％のジオール残基を含む。
【００１５】
別の実施態様において、ポリエステルフィルムは、式：
（２７×Ｒ）−（１．３×（Ｔ−Ｔｇ））≧２７
［式中、Ｔは縦方向（機械方向）及び横断方向の伸張温度（℃）の平均であり、Ｔｇはポリマーフィルムのガラス転移温度（℃）であり、Ｒは縦方向及び横断方向の伸張比の平均である］を満たす条件において二軸伸張され、そして２５０℃〜Ｔｍ［Ｔｍはポリマーの融点である］の実際フィルム温度においてヒートセットされている。
【００１６】
第２の態様において、本発明は、（ａ）透明な導電性無機酸化物被膜及び（ｂ）ここに記載した二軸延伸ポリエステルフィルムを含む透明な導電性被覆基板を提供する。
【００１７】
第３の態様において、本発明は、（ａ）非晶質シリコン又は多結晶シリコン導電被膜及び（ｂ）ここに記載した二軸延伸ポリエステルフィルムを含む導電性被覆基板を提供する。
【００１８】
本発明に係る基板は、液晶ディスプレイアセンブリ、有機発光ダイオードディスプレイアセンブリ、光起電力装置アセンブリ、建築用窓ガラス又は透明窓ガラス及びタッチスクリーン・ディスプレイを含む（これらに限定するものではない）種々の用途に使用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明は、本発明のいくつかの実施態様に関する以下の詳細な説明及び実施例を参照することによって理解しやすくなるであろう。本発明の目的に従って、本発明のいくつかの実施態様を前記の「発明の開示」に記載し、更にここで後述する。また、本発明の他の実施態様もここに記載する。
【００２０】
２４０℃又は２５０℃のような高温においてフィルムを被覆するためには、フィルムを構成するポリマーは２６０℃より高い、好ましくは２７０℃より高い融点を有する必要がある。ポリマーが被覆温度よりも少なくとも１０℃高い融点を有するのでなければ、ポリマーは被覆プロセスの間に融解する可能性がある。融点の高い材料ほど高い温度で被覆できる。
【００２１】
これらの基準を満たす本発明の個々のフィルムは、
（１）テレフタル酸残基、ナフタレンジカルボン酸残基又はそれらの組合せを約９０〜約９９．５モル％含む二酸残基；及び
（２）１，４−シクロヘキサンジメタノール残基を少なくとも９０モル％含むジオール残基
を含むポリエステル（このポリエステルは合計１００モル％の二酸残基及び合計１００モル％のジオール残基を含み且つ２６０℃又はそれ以上、好ましくは２７０℃又はそれ以上の融点を有する）から製造することができる。
【００２２】
更に、このようなフィルムは二軸延伸し、そして２５０℃又はそれ以上においてヒートセットしなければならない。ヒートセットの間に伸張フィルムが被覆工程の最終的実施温度に達しないならば、それは導電性無機酸化物被覆プロセスの間に充分な寸法安定性を有さない可能性がある。
【００２３】
好ましくはフィルムは２．０×（倍）より高い伸張比で９０℃より高い伸張温度において伸張又は延伸させる。より好ましくは、フィルムは、式：
（２７×Ｒ）−（１．３×（Ｔ−Ｔｇ））≧２７
［式中、Ｔは縦方向及び横断方向の伸張温度（℃）の平均であり、Ｔｇはポリマーフィルムのガラス転移温度（℃）であり、Ｒは縦方向及び横断方向の伸張比の平均である］を満たす条件において伸張する。最も好ましくは、フィルムはＴｇ〜Ｔｇ＋２０℃の温度において２．５〜３．０×（倍）伸張し、次いで伸張フィルムの寸法を保ちながら、２５０℃〜Ｔｍ又は２６０℃〜Ｔｍ［Ｔｍはポリマーの融点である］の実際フィルム温度において１〜１２０秒間又は１〜６０秒間ヒートセットする。二軸延伸及びヒートセットフィルムは、＞２４０℃の温度において寸法安定性を有し、且つ得られる導電被覆基板の使用中に又は導電性被膜の製造時及び／若しくは硬化時に無機酸化物被膜の剥離又は亀裂が発生しないような熱膨張率を示すのが好ましい。好ましい熱膨張率は、２０〜９０℃において測定した場合に１０〜５０ｐｐｍである。
【００２４】
導電性被膜を本発明のフィルム上に適用して、基板を形成することができる。導電性被膜は、当業界でよく知られた多くの方法によって、例えば特にスパッタリング、化学蒸着、電子ビーム蒸着、パルスレーザー堆積及びプラズマ助成化学蒸着によって適用できる。導電被膜は多重厚さの範囲全体に堆積させることができ、導電性被覆基板には場合によっては酸素及び／又は水分バリヤ層を被覆することができる。
【００２５】
「導電性被膜（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｃｏａｔｉｎｇ）」は、透明な導電性無機酸化物層又は非晶質若しくは多結晶シリコン層を意味する。「透明な導電性無機酸化物層」は当業界で一般に知られ、その例としては、酸化錫、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム、錫−アンチモン複合酸化物、インジウム−亜鉛複合酸化物、亜鉛−アルミニウム複合酸化物及びそれらの誘導体が挙げられるが、これらに限定するものではない。
【００２６】
本発明においてフィルムの製造に使用するポリエステルは、当業界でよく知られた常法によって容易に製造できる。例えば、必要に応じて、溶融相重縮合法又は溶融相及び固相の組合せ重縮合法を使用できる。ポリエステルは、典型的には、約０．４〜１．２、好ましくは約０．５〜１．１のインヘレント粘度（Ｉ．Ｖ．）を有する。フィルムはＩ．Ｖ．０．５未満においては、最終二軸伸張フィルムに折り目をつけた場合に靭性が低下する。ここで使用する「Ｉ．Ｖ．」は、フェノール６０重量％及びテトラクロロエタン４０重量％から成る溶媒１００ｍＬ当たりポリマー０．５０ｇを用いて２５℃において測定した粘度測定値を意味する。ここに記載したポリエステルのＩ．Ｖ．の基本的測定方法は、ＡＳＴＭ法Ｄ２８５７−９５に記載されている。
【００２７】
ポリエステルの二酸残基は、ジカルボン酸又は二酸の誘導体、例えば低級アルキルエステル（例えばテレフタル酸ジメチル）、酸ハロゲン化物（例えば二酸塩化物）又は場合によっては無水物に由来することができる。
【００２８】
ポリエステル組成物は、キャスティングロール上への押出中におけるメルトの結晶化を最小限に抑えるためには、他のジカルボン酸又は他のジオールの残基を少なくとも約０．５モル％含む必要があるが、このような材料の改質量は、ポリマーの高融点を保つために少なくとも約１０モル％以下でなくてはならない。有用な改質用モノマーとしては、炭素数約４〜約１４の他のジカルボン酸及び／又はそれらのエステル並びに炭素数約２〜約１２の他のグリコールが挙げられる。いくつかの実施態様においては、改質用酸として、イソフタル酸、４，４’−ビフェニルジカルボン酸、５−ｔｅｒｔ−ブチルイソフタル酸（ＣＡＳ＃２３５９−０９−３）及び／又はジ−ｎ−ブチル−４，４’−スルホニルジベンゾエート（ＣＡＳ＃３８７１−３５−５）を挙げることができる。
【００２９】
他の実施態様においては、改質用グリコールとしてエチレングリコール、１，３−プロパンジオール、１，６−ヘキサンジール及びネオペンチルグリコールを挙げることができる。
【００３０】
ポリエステル組成物中のＣＨＤＭ残基は、任意の組合せのシス及びトランス異性体比を有することができる。好ましくは、ＣＨＤＭ残基は約６０〜１００％の範囲のトランス異性体量を有する。より好ましい異性体量は、トランス異性体が約６０〜約８０％の範囲である。
【００３１】
本発明に使用するポリエステルの合成に使用できる触媒材料の例としては、チタン、マンガン、亜鉛、コバルト、アンチモン、ガリウム、リチウム、カルシウム、珪素及びゲルマニウムが挙げられる。このようは触媒系は、米国特許第３，９０７，７５４号、第３，９６２，１８９号、第４，０１０，１４５号、第４，３５６，２９９号、第５，０１７，６８０号、第５，６６８，２４３号及び第５，６８１，９１８号に記載されており、これらの特許全体を引用することによって本明細書中に組み入れる。好ましい触媒金属としてはチタン及びマンガンが挙げられ、最も好ましいのはチタンである。触媒金属の使用量は約５〜１００ｐｐｍの範囲であることができるが、良好な色、熱安定性及び電気的性質を有するポリエステルを生成するためには、チタン約５〜約３５ｐｐｍの触媒濃度の使用が好ましい。
【００３２】
リン化合物を触媒金属と併用する場合が多く、ポリエステルの製造に通常使用される任意のリン化合物を使用できる。典型的には、約１００ｐｐｍ以下のリンを使用できる。
【００３３】
必要ではないが、必要に応じて、ポリエステル中に典型的に存在する他の添加剤も、フィルムの製造に使用するポリエステルの性能を妨げないならば使用できる。このような添加剤としては、酸化防止剤、紫外線及び熱安定剤、金属不活性化剤、着色剤、顔料、ピニング剤、耐衝撃性改良剤、成核剤、分岐剤、難燃剤などが挙げられるが、これらに限定するものではない。
【００３４】
本発明に関連して形成されるポリエステルの製造に有用な分岐剤は、ポリエステルの酸単位部分又はグリコール単位部分に分岐を生じるものであることができ、又は混成物であることもできる。これらの分岐剤のいくつかについては本明細書に既に記載した。他方において、多官能価酸、多官能価無視物、多官能価グリコール及び酸／グリコール混成物もこのような分岐剤の実例である。例としては、トリカルボン酸又はテトラカルボン酸及びそれらの対応する無水物、例えばトリメシン酸、ピロメリット酸並びにそれらの低級アルキルエステルなど、更にテトロール類、例えばペンタエリスリトールが挙げられる。また、トリメチロールプロパンのようなトリオール又はジヒドロキシカルボン酸及びヒドロキシジカルボン酸並びに誘導体、例えばジメチルヒドロキシテレフタレートなども本発明の関連において有用である。トリメリット酸無水物が好ましい分岐剤である。
【００３５】
本発明のいくつかの又は全ての実施態様において使用するポリエステルは、結晶質であるか又は結晶化可能であり且つ約２６０℃より高い融点を有するのが好ましい。
【００３６】
本発明のポリエステルフィルムは、最終フィルム組成が前記組成パラメーターに適合するならば、単一組成物のペレット又はいくつかの組成物のペレットのブレンドから生成できる。例えば、ブレンドは、最終ブレンド組成が前記基準を満たすならば、種々の比の純粋なＰＣＴと５％のコモノマーを含むＰＣＴとから製造できる。
【００３７】
ポリエステルフィルム又はシート材料の製造方法の第１工程において、前記ポリエステルの溶融体を当業界で知られた任意の温度、例えば、典型的には、約２７０〜３１０℃の温度において本質的に非晶質のフィルムに押出することができる。非伸張（又は非延伸）フィルムの厚さは典型的には１００〜２０００ミクロン、より典型的には約２００〜１０００ミクロンの範囲であることができる。初期フィルム押出は、一軸スクリュー押出機上での押出又は二軸スクリュー押出機上での押出を含む（これらに限定するものではない）任意の常法によって実施できる。
【００３８】
第２工程において、フィルムは２×（倍）より高い伸張比で９０℃より高い伸張温度において伸張又は延伸することができる。好ましくは、最終伸張フィルムの熱膨張率を低下させるために、キャストフィルムは、式：
（２７×Ｒ）−（１．３×（Ｔ−Ｔｇ））≧２７
［式中、Ｔは縦方向及び横断方向の伸張温度の平均（℃）であり、Ｔｇはポリマーフィルムのガラス転移温度（℃）であり、Ｒは縦方向及び横断方向の伸張比の平均である］を満たす伸張比及び伸張温度において伸張又は延伸する。記号表示「×」は、フィルムの原寸に対してフィルムが伸張される程度である伸張比を意味する。例えば、２×（２倍）は、フィルムがその原寸の２倍の寸法に伸張されていることを意味する。より好ましくは、フィルムは縦方向（ＭＤ）に約２．５×〜３×及び横断方向（ＴＤ）に約２．５×〜３×の比でＴｇ〜Ｔｇ＋２０℃の伸張温度において伸張する。３×を超える伸張は、フィルムを伸張しすぎ、脆化させるおそれがある。
【００３９】
伸張後、フィルムは２６０〜Ｔｍ［Ｔｍは示差走査熱量測定法（ＤＳＣ）によって測定されたポリマーの融点である］の実際フィルム温度において約５秒より長い時間、ヒートセットすることができる。オーブンの熱源（即ち対流、放射など）によっては、フィルムを２６０℃まで加熱するのに時間が必要な場合もあることを留意されたい。この追加時間は、ここに記載したヒートセット時間には含めず、ヒートセット時間はサンプルが実際に２６０℃〜Ｔｍであった時間のみを意味する。初期フィルム押出は伸張の直前に（即ちインラインで）、又は離れた時間において実施することができる。ヒートセットの間は、伸張フィルムは、幅出機又はヒートセット中の伸張フィルムの過度の緩和を防ぐ他の機械装置によって、フィルムの伸張寸法に保つことができる。ヒートセットの間は、フィルムが伸張又は緩和し得るのは１０％以下である、即ち、フィルムの寸法全体が増加又は減少し得るのは１０％以下である。
【００４０】
これらの方法のいずれかを用いて、逐次二軸伸張、同時二軸伸張、一軸伸張又はそれらの組合せを行うことが可能である。同時二軸伸張は、フィルムの縦方向と横断方向を同時に伸張することを含む。同時二軸伸張において、伸張比は、横断方向においては縦方向と同じである必要はない。逐次二軸伸張は、最初に縦方向に、例えばロール・ツー・ロール（ｒｏｌｌ ｔｏ ｒｏｌｌ）伸張で伸張を行い、次いでその後に横断方向に、例えば幅出機を用いて伸張を行うことを含む。逐次伸張法においては、２つの伸張は、一方を他方の直後に（即ちインラインで）実施することもできるし、或いは離れた時間において実施することもできる。縦方向は、フィルムが巻かれる場合にはフィルムの長い方向と定義する。横断方向はフィルムの幅、即ち縦方向に垂直の方向と定義する。逐次二軸伸張を実施する場合には、伸張比及び伸張温度は、横断方向においては縦方向と同じである必要はない。
【００４１】
伸張又は延伸されたポリエステルフィルムは、既知の方法に従ってヒートセットできる。例えば、ヒートセットは、伸張フィルムのロールをオーブンに連続的に通すことによるような連続法で、又はヒートセットフレームに入ったフィルムを個別に一定時間、ヒートセットオーブン中に入れることによるような回分法で行うことができる。ヒートセットは、伸張の直後に（即ちインラインで）、又は離れた時間において、実施できる。フィルムがヒートセットの間に緩和又は膨張し得るのは１０％以下である。
【００４２】
伸張及びヒートセット工程の数は変えることができる。ポリマーフィルムは、単一の伸張と単一のヒートセットパス又は処理、単一の伸張と複数のヒートセットパス、複数の伸張と単一のヒートセットパス、又は複数の伸張と複数のヒートセットパスに供することができる。複数の伸張及び／又はヒートセットパスを実施する場合には、伸張及びヒートセットパスはタイミングを交互にできる可能性もあるが、１つのヒートセットパスを、伸張パスを介在させずに前のヒートセットパスに続いて行うことができる可能性もある。各パスの条件は、先行するパスと同じである必要はない。例えばポリマーフィルムは２段ヒートセット法によってヒートセットすることができ、その方法では最初のヒートセットを伸張温度より高い任意の実際フィルム温度において実施する。続いて、フィルムに、２６０℃〜Ｔｍ［Ｔｍは、ＤＳＣ（示差走査熱量測定法）によって測定されたポリマーの融点である］の範囲の実際フィルム温度において２度目のヒートセットを行う。本発明の透明な導電基板のポリエステルフィルム成分は約１２〜５００ミクロンの最終厚さ値（即ち伸張及びヒートセット後の厚さ値）を有することができる。
【００４３】
本発明に係る導電性被覆基板は、液晶ディスプレイアセンブリ、有機発光ダイオードディスプレイアセンブリ、光起電力装置アセンブリ、建築用窓ガラス又は透明窓ガラス及びタッチスクリーン・ディスプレイを含む種々の用途に使用できる。前記装置の一成分としての被覆基板は、ディスプレイ又は光起電力装置の電子部品として役立つ。例えば非晶質シリコン又は多結晶シリコン被覆基板の場合は、被覆基板はフラットパネル・ディスプレイ用のＴＦＴバックプレーンドライバーを構成するであろう。光起電力装置の場合は、ＩＴＯ被覆基板が、光起電力装置のアクティブコンポーネントとして生成される電気エネルギー輸送に関与する導電層として役立つであろう。
【００４４】
本発明を、その好ましい実施態様の以下の実施例によって更に説明するが、これらの実施例は説明のみを目的として記載するのであって、本発明の範囲を制限することを目的としないことは言うまでもない。特に断らない限り、全ての重量百分率はポリマー組成物の総重量基準であり、全ての分子量は重量平均分子量である。また、全ての百分率は、特に断らない限り重量基準である。特に断らない限り、部は重量部であり、温度は摂氏度（℃）であるか又は室温であり、圧力は大気圧又はほぼ大気圧である。
【実施例】
【００４５】
本発明に係るポリエステルフィルム及びその製造について、以下の実施例によって更に説明する。
【００４６】
以下の実施例において、フィルムの収縮／寸法安定度は、５．１ｃｍ×５．１ｃｍ（２×２インチ）のフィルムサンプルの寸法を最初にＭＤ（縦方向）の２カ所及びＴＤ（横断方向）の２カ所で測定することによって求めた。次に、ここに記載するように、フィルムサンプルを、２６０℃に予熱したハンダ浴中に１０秒間浸漬した。フィルムをふくれ及び皺について観察した。次いで、寸法を再び測定した。浸漬後の各寸法を原寸から減じた後に原寸で割ることによって、％収縮率を得た。４つの％収縮率値（ＭＤについて２つとＴＤについて２つ）を合わせて平均して、全体の％収縮率を得た。
【００４７】
ガラス転移温度及び融解温度は、示差走査熱量測定法（ＤＳＣ）を用いてＡＳＴＭ Ｄ３４１８に従って測定した。１５．０ｍｇの各サンプルをアルミニウムパン中にシールし、２９０℃まで２０℃／分の速度で加熱した。次いで、サンプルをそのガラス転移温度未満まで約３２０℃／分の速度で冷却して、非晶質試験片を生成した。融解温度Ｔｍは、走査中に観察される吸熱量のピークに相当する。
【００４８】
フィルムサンプルの線熱膨張率（ＣＴＥ）は、Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃｓ ＲＳＡ ＩＩ動的機械熱分析（ＤＭＴＡ）機器を用いてＩＰＣ−ＴＭ−６５０ ２．４．４１．３に従って測定した。この操作は、公称幅２ｍｍ×長さ２２ｍｍのフィルム試験片をＤＭＴＡ機器のクランプ中に取り付けるものであった。ＤＭＴＡの力を２ｇの一定に設定した。サンプルを−１０℃に冷却し、１５０℃に加熱し、−１０℃に再冷却し、次いで１５０℃に再加熱した。これらは全て、１０℃／分の加熱／冷却速度で行った。温度の関数としてのサンプルの長さを、第２加熱走査の間に測定した。サンプル長−温度の勾配を、２５〜９０℃及び１２０〜１５０℃の温度範囲にわたって求めた。２つの較正を実施した。１つは、ＤＭＴＡのベースラインを決定するためであり、１つは異なる基準への機械の応答を較正するためである。銅、アルミニウム及び既知のＣＴＥ値を有するいくつかの非晶質プラスチックを較正基準として用いた。次に、この較正を用いて、未知サンプルのＣＴＥをそれらの測定された長さ−温度勾配から、温度範囲２５〜９０℃及び１２０〜１５０℃にわたって計算した。
【００４９】
実施例１及び比較例Ｃ−１〜Ｃ−３
実施例１及び比較例Ｃ−１〜Ｃ−３は、ＰＣＴから製造したフィルムの収縮率に対するヒートセット温度の影響を示す。
【００５０】
ＰＣＴポリエステル（Ｉ．Ｖ． ０．７４，Ｔｍ ２９３℃，Ｔｇ ９４℃）のペレットを、溶融相重縮合法でＴｉ １００ｐｐｍの触媒（チタンイソブトキシドとして）を用いて製造した。ペレットを１３５℃において６時間乾燥させ、続いてポリエステルバリヤ型スクリューを装着したＤａｖｉｓ Ｓｔａｎｄａｒｄ ５．１ｃｍ（２．０インチ）押出機上で厚さ２．０３２ｍｍ（８ｍｉｌ）のフィルムに押出した。融解温度及びダイ温度は２９３℃に保持した。フィルムは、６６℃（１５０°Ｆ）に設定したロール温度を有する二本ロール・ダウンスタック上にキャストした。
【００５１】
次いで、フィルムをＴ．Ｍ．Ｌｏｎｇフィルム伸張機上で二軸延伸した。両軸は、表Ｉに示した条件において同時に同じ伸張比まで３５．５６ｃｍ（１４インチ）／秒の同じ速度で伸張した。
【００５２】
次に、フィルムをアルミニウムフレーム中にクランプし、表Ｉに示した設定温度及び時間においてボックスオーブン中に入れて、フィルムをヒートセットした。２枚のフィルムをフレーム中に入れ、熱電対を２枚のフィルムの間に挟んで、実際フィルム温度を測定し、それも表Ｉに示した。設定温度は実際フィルム温度よりも高いこと及び記載したヒートセット時間は、サンプルを実際フィルム温度まで加熱するのに必要な時間（約３０秒）を含むことに留意されたい。
【００５３】
ヒートセット後、フィルムを、２６０℃に予熱したハンダ浴中に１０秒間浸漬した。得られた％収縮率を表Ｉに示す。
【００５４】
例Ｃ−１〜Ｃ−３は、種々の伸張条件下で製造した比較例であり、２６０℃未満の実際フィルム温度におけるヒートセットは、２６０℃における収縮率レベルが高いフィルムを生成する可能性があることを示している。比較のフィルムには、ハンダ浴浸漬の間にふくれが形成されていた。この高い収縮率は、電気コネクタ又はフレキシブル回路フィルムの製造用の積層板の製造には一般に許容され得ない。
【００５５】
比較例Ｃ−１のフィルムは、国際出願公開番号第ＷＯ／０６１２５号の実施例３に報告されたのと同一の条件下で伸張及びヒートセットを行った。
【００５６】
実施例１は、許容され得る収縮率を有するフィルムを製造する温度においてヒートセットした本発明に係るフィルムの例である。このフィルムはＣＴＥも許容され得る。
【００５７】
表Ｉにおいて、伸張比は縦方向及び横断方向の両方向に伸張することを意味し；温度は℃で示し；時間は秒であり；％収縮率は、２６０℃に予熱したハンダ浴中に１０秒間浸漬後にフィルムサンプルが収縮した百分率を意味し；ＣＴＥ値はｐｐｍ／℃であり；フィルム厚さはミクロンで示す。
【００５８】
【表１】
【００５９】
実施例２〜４及び比較例Ｃ−４〜Ｃ−５
実施例２〜４は、本発明に係るポリエステルフィルムの例であった。実施例２〜４は、比較例Ｃ−４〜Ｃ−５と共に、ＰＣＴから製造したフィルムの収縮率及びＣＴＥに対する伸張比及び伸張温度の影響を示す。
【００６０】
ＰＣＴポリエステル（Ｉ．Ｖ． ０．７４，Ｔｍ ２９３℃，Ｔｇ ９４℃）のペレットを、前記例と同様にしてフィルムに製造した。
【００６１】
次いでフィルムをＴ．Ｍ．Ｌｏｎｇフィルム伸張機上で二軸延伸した。両軸は、表ＩＩに示した条件において同時に同じ伸張比まで３５．５６ｃｍ（１４インチ）／秒の同じ速度で伸張した。
【００６２】
次に、フィルムをアルミニウムフレーム中にクランプし、表ＩＩに示した設定温度及び時間において、ボックスオーブンのヒートセットゾーン中に入れて、フィルムをヒートセットした。２枚のフィルムをフレーム中に入れ、熱電対を２枚のフィルムの間に挟んで、実際フィルム温度を測定し、それも表ＩＩに示した。設定温度は実際フィルム温度よりも高いこと及び記載したヒートセット時間は、サンプルを実際フィルム温度まで加熱するのに必要な時間（約３０秒）を含むことに留意されたい。
【００６３】
ヒートセットしたフィルムを、２６０℃に予熱したハンダ浴中に１０秒間浸漬した。得られた％収縮率を表ＩＩに示す。
【００６４】
参照のために、実施例１を表ＩＩに含める。
【００６５】
実施例１〜４は全て、式：
（２７×Ｒ）−（１．３×（Ｔ−Ｔｇ））≧２７
［式中、Ｔは縦方向及び横断方向の伸張温度（℃）の平均であり、Ｔｇはポリマーフィルムのガラス転移温度（℃）であり、Ｒは縦方向及び横断方向の伸張比の平均である］を満たす条件下で伸張した。これらのフィルムを、２６０℃又はそれ以上の実際フィルム温度においてヒートセットした。
【００６６】
比較例Ｃ−４〜Ｃ−５は、式：
（２７×Ｒ）−（１．３×（Ｔ−Ｔｇ））≧２７
を満たさない条件において伸張した。これらは、許容され得ないＣＴＥ値を有する。比較例Ｃ−５のフィルムは、国際出願公開第ＷＯ／０６１２５号の実施例２に報告されたのと同一の条件下で伸張及びヒートセットしたことに留意されたい。
【００６７】
また、国際出願公開第ＷＯ／０６１２５号が「フィルムを２．５倍を超えて伸張すると、どのような量のヒートセット（時間又は温度）でも伸張プロセスの間に発生した内部応力をアニールできない点で、ＰＣＴはＰＥＴとは異なる挙動をする」とはっきりと述べているにもかかわらず、実施例３及び４が許容できるものであったことも注目に値する。
【００６８】
【表２】
【００６９】
実施例５〜８及び比較例Ｃ−６〜Ｃ−９
表ＩＩＩの実施例５〜８及び比較例Ｃ６〜Ｃ−９は、逐次伸張及び幅出しプロセスを用いてＰＣＴから製造されたフィルムの収縮率及びＣＴＥに対するヒートセット温度及び時間の影響を示す。
【００７０】
ＰＣＴポリエステル（Ｉ．Ｖ． ０．７４，Ｔｍ ２９３℃，Ｔｇ ９４℃）のペレットを、溶融相重縮合法でＴｉ １００ｐｐｍの触媒（チタンイソブトキシドとして）を用いて製造した。ペレットを１２０℃において１６時間乾燥させ、続いてポリエステルバリヤ型スクリューを装着したＤａｖｉｓ Ｓｔａｎｄａｒｄ ６．４ｃｍ（２．５インチ）押出機上で厚さ０．４６０ｍｍ（１８ｍｉｌ）のシートに押出した。融解温度及びダイ温度は３００℃に保持した。フィルムは、最上部から最下部に向かって４９℃／５７℃／６６℃（１２０°Ｆ／１３５°Ｆ／１５０°Ｆ）に設定したロール温度を有する三本ロール・ダウンスタック上にキャストした。
【００７１】
次いで、フィルムを伸張し、市販の幅出装置上で幅出した。縦方向をロールスタック上で表ＩＩＩに示した比及び温度で伸張し、続いて横断方向を表ＩＩＩに示した条件において幅出機中のクリップ間で伸張した。フィルムを直ちに、第１のヒートセット処理又はパスを行うアニールゾーンに移した。このアニールゾーンは、表ＩＩＩに示したヒートセットゾーン設定温度及び時間に設定した。アニールゾーン中の実際フィルム温度は、示温テープをフィルム上に置くことよって得た。このテープは一連の既知温度において色を変化させて、フィルムが経験した最大温度を示す。
【００７２】
実施例７及び比較例Ｃ−８及びＣ−９においては、フィルムをアルミニウムフレーム中にクランプし、次いで表ＩＩＩに示したヒートセットゾーン設定温度及び時間においてボックスオーブン中に入れることによって、第２のヒートセット処理を行った。これらの例については、２枚のフィルムをフレーム中に入れ、熱電対を２枚のフィルムの間に挟んで、実際フィルム温度を測定した。
【００７３】
実施例８においては、表ＩＩＩに示したヒートセットゾーン設定温度及び時間において幅出機のアニールゾーンにもう一度フィルムを通すことによって、第２のヒートセット処理を行った。記載した実際フィルム温度は、第１及び第２ヒートセットの組合せの間に達成される最高温度であった。設定温度は実際フィルム温度よりも高いこと及び記載したヒートセット時間は、サンプルを実際フィルム温度まで加熱するのに必要な時間を含むことに留意されたい。フィルムの昇温に時間を要するので、示した実際フィルム温度は、設定温度と時間の両方と相関関係があった。ヒートセットフィルムを、２６０℃に予熱したハンダ槽中に１０秒間浸漬した。得られた％収縮率を表ＩＩＩに示す。
【００７４】
比較例Ｃ−６〜Ｃ−９は、２６０℃未満の実際フィルム温度が２６０℃においてどの程度不満足な収縮率を生じる可能性があるかを示す。実施例５〜８のフィルムは、許容され得る収縮率及びＣＴＥを有する。
【００７５】
表ＩＩＩにおいて、ＭＤ伸張比は縦方向の伸張を意味し；ＴＤ伸張比は横断方向の伸張を意味し；温度は℃で示し；時間は秒であり；ｎ／ａは、第２のヒートセット処理を行わなかったことを意味し；％収縮率は、２６０℃に予熱したハンダ槽中に１０秒間浸漬後にフィルムサンプルが収縮した百分率を意味し；ＣＴＥ値はｐｐｍ／℃であり；フィルム厚さはミクロンで示す。
【００７６】
【表３】
【００７７】
実施例９〜１２において使用する略語、分析方法及び実験装置は以下の通りである：
ＤＭＮ： ２，６−ジメチルナフタレート
ＤＭＢＤＣ： ４，４’−ジメチルビフェニルジカルボキシレート
ＢＤＣ： ４，４’−ビフェニルジカルボキシレート
ＤＭＴ： ジメチルテレフタレート
Ｎ： ２，６−ナフタレンジカルボン酸単位
Ｔ： テレフタル酸単位
ＣＨＤＭ： １，４−シクロヘキサンジメタノール
ＩＶ： ２５℃において、対称テトラクロロエタン対フェノールの重量比が２：３の対称テトラクロロエタンとフェノールとの溶媒混合物中０．５ｇ／Ｌの濃度で測定されたインヘレント粘度
Ｔｍ： ２０℃／分の加熱速度で作動された第１サイクルの示差走査熱量計（ＤＳＣ）上で測定した融解温度
Ｔｇ： ２０℃／分の加熱速度で作動された第２サイクルのＤＳＣ上で測定されたガラス転移温度
最終コポリエステル組成は６００ＭＨｚ ＪＥＯＬ機器上でプロトンＮＭＲ分析によって測定した。
【００７８】
実施例９
Ｎ１０ＢＤＣ（ＣＨＤＭ）の製造： ＤＭＮ ６７．２３ｇ（０．２７５モル）、ＤＭＢＤＣ ８．２７ｇ（０．０３１モル）、ＣＨＤＭ ４６．７５ｇ（０．３２４モル）を、５００ｍＬの一口丸底フラスコに加えた。触媒系は、予め加えられた１００ｐｐｍのチタンを含んでいた。フラスコを、２９０℃に予熱したＢｅｌｍｏｎｔ金属浴中に浸漬した。温度整定値を、７分後に３１５℃に上昇させ、理論量のメタノールを捕集した。温度が３２０℃に達したら、フラスコ内の圧力を大気圧から０．３ｍｍＨｇまで徐々に低下させた。４０ｒｐｍの撹拌速度が得られるまで、粘度の増加につれて撹拌を減少させた。反応条件を９分間保持した。真空を中止し、窒素をフラスコ中にブリードした。ポリマーを、Ｔｇ未満の温度に冷却することによって固化させ、フラスコから取り出し、３ｍｍの篩を通るように粉砕した。ポリマーのインヘレント粘度は０．７７４であった。ポリマーは３１０℃の第１サイクル融点を有していた。ポリマーは１０８℃のＴｇ及び３０６．４℃の第２サイクル融点を有していた。組成分析（ＮＭＲによる）は、コポリエステルがＮを９０．４モル％及びＢＤＣを９．６モル％含むことを示した。
【００７９】
ポリマーのサンプルをフィルムに圧縮成形した。最終フィルムは無色透明であった。次いで、フィルムをＴ．Ｍ．Ｌｏｎｇフィルム伸張機上で二軸延伸した。両軸は、３０秒のソーク時間後に１５０℃の伸張温度で３５．５６ｃｍ（１４インチ）／秒の同じ速度で同時に３倍の伸張比まで伸張した。次に、伸張フィルムをアルミニウムフレーム中にクランプし、２７４℃のボックスオーブン中に３０秒間入れて、フィルムをヒートセットした。ヒートセット後、フィルムは、２６０℃に予熱したハンダ槽中に１０秒間浸漬する。得られた％収縮率は１．５６％であった。
【００８０】
実施例９は、許容され得る収縮率を有するフィルムを生成する温度においてヒートセットされた、本発明に係るフィルムの例である。
【００８１】
実施例１０
Ｎ５ＢＤＣ（ＣＨＤＭ）の製造： ＤＭＮ ７１．２５ｇ（０．２９２モル）、ＤＭＢＤＣ ４．１５ｇ（０．０１５モル）、ＣＨＤＭ ４６．９４ｇ（０．３２５モル）を、５００ｍＬの一口丸底フラスコに加えた。触媒系は、予め加えられた１００ｐｐｍのチタンを含んでいた。フラスコを、２９０℃に予熱したＢｅｌｍｏｎｔ金属浴中に浸漬した。温度整定値を、５分後に３００℃に上昇させ、更に７分後に３２０℃に上昇させた。理論量のメタノールを捕集した。温度が３２０℃に達したら、フラスコ内の圧力を大気圧から０．５ｍｍＨｇまで徐々に低下させた。４０ｒｐｍの撹拌速度が得られるまで、粘度の増加につれて撹拌を減少させた。反応条件を２０分間保持した。真空を中止し、窒素をフラスコ中にブリードした。ポリマーを、Ｔｇ未満の温度に冷却することによって固化させ、フラスコから取り出し、３ｍｍの篩を通るように粉砕した。ポリマーのインヘレント粘度は０．６６６であった。ポリマーは３１３℃の第１サイクル融点を有していた。ポリマーは１２１．８１℃のＴｇ及び３１４℃の第２サイクル融点を有していた。組成分析（ＮＭＲによる）は、コポリエステルがＮを９５．１モル％及びＢＤＣを４．９モル％含むことを示した。
【００８２】
実施例１１
Ｎ１０Ｔ（ＣＨＤＭ）の製造： ＤＭＮ ６８．８３ｇ（０．２８０モル）、ＤＭＴ ６．１０ｇ（０．０３モル）、ＣＨＤＭ ４７．８７ｇ（０．３３０モル）を、５００ｍＬの一口丸底フラスコに加えた。触媒系は、予め加えられた１００ｐｐｍのチタンを含んでいた。フラスコを、２９０℃に予熱したＢｅｌｍｏｎｔ金属浴中に浸漬した。温度整定値を、５分後に３２０℃に上昇させ、理論量のメタノールを捕集した。温度が３２０℃に達したら、フラスコ内の圧力を大気圧から０．５ｍｍＨｇまで徐々に低下させた。４０ｒｐｍの撹拌速度が得られるまで、粘度の増加につれて撹拌を減少させた。反応条件を３０分間保持した。真空を中止し、窒素をフラスコ中にブリードした。ポリマーを、Ｔｇ未満の温度に冷却することによって固化させ、フラスコから取り出し、３ｍｍの篩を通るように粉砕した。ポリマーのインヘレント粘度は０．５４１であった。ポリマーは３１２．２℃の第１サイクル融点を有していた。ポリマーは１０２．４℃のＴｇ及び３０４．４８℃の第２サイクル融点を有していた。組成分析（ＮＭＲによる）は、コポリエステルがＮを９０．２モル％及びＴを９．８モル％含むことを示した。
【００８３】
実施例１２
Ｎ５Ｔ（ＣＨＤＭ）の製造： ＤＭＮ ７２．０９ｇ（０．３０モル）、ＤＭＴ ３．００ｇ（０．０２モル）、ＣＨＤＭ ４７．４９ｇ（０．３３モル）を、５００ｍＬの一口丸底フラスコに加えた。触媒系は、予め加えられた１００ｐｐｍのチタンを含んでいた。フラスコを、２９０℃に予熱したＢｅｌｍｏｎｔ金属浴中に浸漬した。温度整定値を、６分後に３２０℃に上昇させ、理論量のメタノールを捕集した。温度が３２０℃に達したら、フラスコ内の圧力を大気圧から０．５ｍｍＨｇまで徐々に低下させた。４０ｒｐｍの撹拌速度が得られるまで、粘度の増加につれて撹拌を減少させた。反応条件を３０分間保持した。真空を中止し、窒素をフラスコ中にブリードした。ポリマーを、Ｔｇ未満の温度に冷却することによって固化させ、フラスコから取り出し、３ｍｍの篩を通るように粉砕した。ポリマーのインヘレント粘度は０．４９２であった。ポリマーは３０８．０℃の第１サイクル融点を有していた。ポリマーは１０５．８℃のＴｇ及び２９９．４℃の第２サイクル融点を有していた。組成分析（ＮＭＲによる）は、コポリエステルがＮを９１．３モル％及びＴを８．７モル％含むことを示した。
【００８４】
実施例１３
Ｎ２５ＢＤＣ（ＣＨＤＭ）の製造： ＤＭＮ ５５．３６ｇ（０．２２７モル）、ＤＭＢＤＣ ２０．４２ｇ（０．０７６モル）、ＣＨＤＭ ４６．２０ｇ（０．３２０モル）を、５００ｍＬの一口丸底フラスコに加えた。触媒系は、予め加えられた１００ｐｐｍのチタンから成るものであった。フラスコを、２４５℃に予熱したＢｅｌｍｏｎｔ金属浴中に浸漬した。理論量のメタノールを捕集後、温度整定値を３００℃に上昇させた。温度が３００℃に達したら、フラスコ内の圧力を大気圧から０．５ｍｍＨｇまで徐々に低下させた。４０ｒｐｍの撹拌速度が得られるまで、粘度の増加につれて撹拌を減少させた。反応条件を３０分間保持した。真空を中止し、窒素をフラスコ中にブリードした。ポリマーを、Ｔｇ未満の温度に冷却することによって固化させ、フラスコから取り出し、３ｍｍの篩を通るように粉砕した。ポリマーのインヘレント粘度は０．８７６であった。ポリマーは２９１．１℃の第１サイクル融点を有していた。ポリマーは１３１．２℃のＴｇ及び２９２．４℃の第２サイクル融点を有していた。組成分析（ＮＭＲによる）は、コポリエステルがＮを７５．０モル％及びＢＤＣを２５．０モル％含むことを示した。サンプルをフィルムに圧縮成形した。このポリマーフィルムをＴ．Ｍ．Ｌｏｎｇ伸張機上で伸張比３×３で二軸延伸し、約３．８４の平面伸張比が観察された。最終フィルムは無色透明であった。
【００８５】
実施例１４
Ｎ１０ＢＤＣ（ＣＨＤＭ）の製造： ＤＭＮ ６７．２３ｇ（０．２７５モル）、ＤＭＢＤＣ ８．２７ｇ（０．０３１モル）、ＣＨＤＭ ４６．７５ｇ（０．３２４モル）を、５００ｍＬの一口丸底フラスコに加えた。触媒系は、予め加えられた１００ｐｐｍのチタンから成るものであった。フラスコを、２９０℃に予熱したＢｅｌｍｏｎｔ金属浴中に浸漬した。温度整定値を、７分後に３１５℃に上昇させ、理論量のメタノールを捕集した。温度が３２０℃に達したら、フラスコ内の圧力を大気圧から０．３ｍｍＨｇまで徐々に低下させた。４０ｒｐｍの撹拌速度が得られるまで、粘度の増加につれて撹拌を減少させた。反応条件を９分間保持した。真空を中止し、窒素をフラスコ中にブリードした。ポリマーを、Ｔｇ未満の温度に冷却することによって固化させ、フラスコから取り出し、３ｍｍの篩を通るように粉砕した。ポリマーのインヘレント粘度は０．７７４であった。ポリマーは３１０．２℃の第１サイクル融点を有していた。ポリマーは１０７．５℃のＴｇ及び３０６．４℃の第２サイクル融点を有していた。組成分析（ＮＭＲによる）は、コポリエステルがＮを９０．４モル％及びＢＤＣを９．６モル％含むことを示した。ポリマーのサンプルをフィルムに圧縮成形した。このフィルムをＴ．Ｍ．Ｌｏｎｇ伸張機上で二軸延伸し、約３．９９の平面伸張比が観察された。最終フィルムは無色透明であった。
【００８６】
実施例１５
Ｎ５ＢＤＣ（ＣＨＤＭ）の製造： ＤＭＮ ７１．２５ｇ（０．２９２モル）、ＤＭＢＤＣ ４．１５ｇ（０．０１５モル）、ＣＨＤＭ ４６．９４ｇ（０．３２５モル）を、５００ｍＬの一口丸底フラスコに加えた。触媒系は、予め加えられた１００ｐｐｍのチタンから成るものであった。フラスコを、２９０℃に予熱したＢｅｌｍｏｎｔ金属浴中に浸漬した。温度整定値を、５分後に３００℃に上昇させ、更に７分後に３２０℃に上昇させた。理論量のメタノールを捕集した。温度が３２０℃に達したら、フラスコ内の圧力を大気圧から０．５ｍｍＨｇまで徐々に低下させた。４０ｒｐｍの撹拌速度が得られるまで、粘度の増加につれて撹拌を減少させた。反応条件を２０分間保持した。真空を中止し、窒素をフラスコ中にブリードした。ポリマーを、Ｔｇ未満の温度に冷却することによって固化させ、フラスコから取り出し、３ｍｍの篩を通るように粉砕した。ポリマーのインヘレント粘度は０．６６６であった。ポリマーは３１３．１℃の第１サイクル融点を有していた。ポリマーは１２１．８１℃のＴｇ及び３１３．７℃の第２サイクル融点を有していた。組成分析（ＮＭＲによる）は、コポリエステルがＮを９５．１モル％及びＢＤＣを４．９モル％含むことを示した。最終フィルムは無色透明であった。
【００８７】
実施例１６
Ｎ２５Ｔ（ＣＨＤＭ）の製造： ＤＭＮ ５８．７４ｇ（０．２４０モル）、ＤＭＴ １５．６０ｇ（０．０８モル）、ＣＨＤＭ ４９．０２ｇ（０．３４０モル）を、５００ｍＬの一口丸底フラスコに加えた。触媒系は、予め加えられた１００ｐｐｍのチタンから成るものであった。フラスコを、２４５℃に予熱したＢｅｌｍｏｎｔ金属浴中に浸漬した。温度整定値を直ちに３００℃に上昇させ、理論量のメタノールを捕集した。温度が３００℃に達したら、フラスコ内の圧力を大気圧から０．５ｍｍＨｇまで徐々に低下させた。４０ｒｐｍの撹拌速度が得られるまで、粘度の増加につれて撹拌を減少させた。反応条件を２５分間保持した。真空を中止し、窒素をフラスコ中にブリードした。ポリマーを、Ｔｇ未満の温度に冷却することによって固化させ、フラスコから取り出し、３ｍｍの篩を通るように粉砕した。ポリマーのインヘレント粘度は０．９１２であった。ポリマーは２８５．２℃の第１サイクル融点を有していた。ポリマーは１２０．４℃のＴｇ及び２８８．２℃の第２サイクル融点を有していた。組成分析（ＮＭＲによる）は、コポリエステルがＮを７５．５モル％及びＴを２４．５モル％含むことを示した。ポリマーのサンプルをフィルムに圧縮成形した。このポリマーフィルムをＴ．Ｍ．Ｌｏｎｇ伸張機上で二軸延伸し、約３．７７の平面伸張比が観察された。最終フィルムは無色透明であった。
【００８８】
本発明を、特にその好ましい実施態様に関して詳述したが、本発明の精神及び範囲内で変動及び変更が可能なことは言うまでもない。
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本件は、３５ Ｕ．Ｓ．Ｃ．§ １１９（ｅ）に基づいて、２００５年５月１７日に出願された米国仮出願第６０／６８１，６４７号に関して優先権を主張する。この特許出願全体を引用することによって本明細書中に組み入れる。
【０００２】
発明の分野
本発明は、一般に、導電性被膜を被覆することによって、液晶ディスプレイ、有機発光ダイオード、光起電力装置、ＲＦＩＤラベル及び電気泳動ディスプレイを含む（これらに限定するものではないが）種々の電子用途への使用に適した導電性被覆基板を製造することができる熱安定性ポリエステルフィルムに関する。より具体的には、本発明は、二軸延伸又は伸張され、ヒートセットされ、導電性被覆基板の製造に使用される、ポリ（１，４−シクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）（ＰＣＴ）若しくはポリ（１，４−シクロヘキシレンジメチレンナフタレンジカルボキシレート）（ＰＣＮ）ホモ−若しくはコポリエステル又はそれらのブレンドから製造された熱安定性ポリエステルフィルムに関する。
【背景技術】
【０００３】
ポリ（エチレンテレフタレート）（ＰＥＴ）フィルムは、種々のラッピング、パッケージング及ラミネーション用途に広範に使用されている。ＰＥＴフィルムは、フィルムを物体に適用し且つ加熱することによって物体の周囲でフィルムを収縮させるシュリンクラップ用途に使用される場合もある。フレキシブル電子回路、タッチスクリーン・ディスプレイ及びフレキシブル光起電力装置のような他の用途においては、高温において良好な寸法安定性及び防縮性を有する、二軸延伸及びヒートセットされたＰＥＴフィルムが使用される。しかし、二軸延伸ＰＥＴフィルムは、Ｔｇが低く（約８０℃）且つ固有の融解温度（Ｔｍ）が比較的低い（約２５０℃）ので、２００℃を超える温度では有用であるとは考えられていない。
【０００４】
二軸延伸ＰＥＴ及び二軸延伸ポリ（エチレンナフタレート）（ＰＥＮ）が、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）被覆透明導電性基板用の基板フィルムとして使用されていることは当業界で一般に知られている。ＰＥＴ及びＰＥＮフィルムは、多くの用途に適するが、フラットパネル・ディスプレイ及び光起電力装置のような、高い透明度及び良好な導電率が望ましい用途に用いる導電性被覆基板の製造に多くの場合必要なＩＴＯの高温堆積に必要とされる温度寸法安定性を欠くと考えられている。所定の導電率に関してＩＴＯ被膜の厚さを減少させるには、より高い温度が必要であると考えられている。厚さの減少した被膜は屈曲時の破壊に抵抗することができる。多くの既存及び新しい用途においては、高い透明度と適切な導電率を保ちながら耐久性とフレキシブル形状因子を増大させることが必要とされている。これらの用途としては特に、フラットパネル・ディスプレイ、光起電力装置及びフレキシブルディスプレイが挙げられる。更に、堆積後エッチングプロセスによるパターン形成を必要とする高透明度／高導電率フィルムに関しては、堆積及びアニールが２００℃より高温で行われたＩＴＯ被覆フィルムからは、ＩＴＯが２００℃未満の温度で適用され且つアニールされたフィルムに比較して優れたパターン精度を有する導電性基板が得られることが報告されている。
【０００５】
透明な導電性被覆基板の望ましい性質としては、以下の性質の少なくとも１つが挙げられる：透明性、導電性、フレキシビリティ、電荷担体密度、電荷担体移動度、引張特性及び曲げ特性、加水分解安定性及び寸法安定性。透明な導電被覆基板に使用するための、当業界で知られた現在の材料は（ＰＥＴ、ＰＥＮ、ポリイミド、ガラスなど）は、前記性質の１つ又はそれ以上が欠けていると考えられている。透明度、フレキシビリティ（柔軟性）及び基板耐久性を保ちながら優れた導電性能を達成するためには、ＰＥＴ及びＰＥＮより大きい温度寸法安定性を有する材料、ガラスよりも耐久性及びフレキシビリティが改善された材料、並びにポリアミドよりも透明性が改善された材料が必要である。
【０００６】
透明な導電性被覆基板のようないくつかの用途には、２４０℃又はそれ以上の温度において熱安定性である（即ち良好な寸法安定性を有する）フィルムが有効であり、又は必要ですらあろう。具体的には、フィルムは、２４０℃より高温においてＩＴＯ及び／又は他の無機酸化物が被覆された場合に、ふくれを生じたり、皺がよってはならない。好ましくは、フィルムは、２５０℃より高温においてＩＴＯを被覆された場合時にふくれを生じたり、寸法安定性を失ってはならない。
【０００７】
前記型の透明な無機酸化物被膜の他に、非晶質シリコン及び多結晶シリコンが、アクティブマトリックスＴＦＴディスプレイを含む高性能ディスプレイ用途に導電性被膜として使用されることが多い。非晶質シリコンのガラスへの蒸着は、３５０℃より高温で行われる。しかし、近年に至って、蒸着を２００〜３５０℃又は２２５〜３００℃で行う、より低温の非晶質シリコン及び多結晶シリコン蒸着法が開発された。非晶質及び多結晶シリコンに必要な蒸着温度の低下が進んでも、これらの蒸着温度に耐えられるプラスチックは極めて少ない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従って、良好な透光性及び低い熱膨張率（ＣＴＥ）と共に、不可欠な寸法安定性を有する新しいポリマーフィルムが必要とされている。
【０００９】
優れた加水分解安定性は、種々の用途にわたって導電性被覆基板として使用されるフィルムに望ましいもう１つの性質である。従って、高温高湿条件で構造一体性を保持する傾向がある、導電性被覆基板を製造するための優れた加水分解安定性を有するベースフィルムもまた、必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（ａ）テレフタル酸残基、ナフタレンジカルボン酸残基、４，４’−ビフェニルジカルボン酸又はそれらの組合せを約９０〜約１００モル％含む二酸残基；及び（ｂ）１，４−シクロヘキサンジメタノール残基を少なくとも９０モル％含むジオール残基を含む本発明のフィルムは、以下の性質の少なくとも１つに関して、導電性被覆基板を構成する当業界のフィルムよりも優れていると考えられる：透明性、導電性、フレキシビリティ、電荷担体密度、引張特性及び曲げ特性、加水分解安定性、基板耐久性、低結晶化速度及び寸法安定性。
【００１１】
これらのフィルムは、温度寸法安定性がＰＥＴ及びＰＥＮよりも優れ、耐久性及びフレキシビリティがガラスよりも優れ、しかも、透明性がポリイミドよりも優れていると考えられる。
【００１２】
これらのフィルムは、非晶質完成品を製造する能力をより大きくする低結晶化特性を有するポリエステルを含む。一実施態様において、本発明のフィルムはヒートセット前の結晶化速度が遅い。別の実施態様において、本発明のヒートセットフィルムは、結晶質又は半結晶質であることができる。
【００１３】
一実施態様において、本発明のフィルムには、２４０℃又はそれ以上の温度においてＩＴＯ及び／又は少なくとも１種の他の無機酸化物を被覆することができる。別の実施態様において、本発明のフィルムは、２４０℃又はそれ以上の温度において熱安定性である（即ち良好な寸法安定性を有する）透明な導電性被覆基板を構成する。他の実施態様において、透明な導電性被覆基板を構成する本発明のフィルムは、２４０〜３１０℃又は２４０〜２９０℃の温度においてＩＴＯ及び／又は少なくとも１種の他の無機酸化物の被覆時に熱安定性である。別の実施態様において、本発明のフィルムには、２５０℃より高温において導電性被覆基板を被覆することができる。他の実施態様において、本発明のフィルムは、２５０℃よりも高温においてＩＴＯを被覆した場合に熱安定性である透明な導電性被覆基板を構成する。他の実施態様において、本発明のフィルムは、２５０〜３１０℃又は２５０〜２９０℃の温度においてＩＴＯ及び／又は少なくとも１種の他の無機酸化物を被覆した場合に熱安定性である透明な導電性被覆基板を含む。他の実施態様において、ここに記載したフィルムは、導電性被覆基板中に用いた場合に、ここに記載した温度においてふくれを生じたり皺がよったりせず、且つ／又は寸法安定性を失わない。
【００１４】
一態様において、本発明は、２６０℃又はそれ以上の融点（Ｔｍ）を有するポリエステルから製造された二軸延伸ポリエステルフィルムを含むフィルムを提供する。融点はここでは、示差走査熱量測定法（ＤＳＣ）を用いてＡＳＴＭ Ｄ３４１８に従って測定した。一実施態様において、ポリエステルは、（ａ）約９０〜約１００モル％、別の実施態様では９９．５〜１００モル％のテレフタル酸残基、ナフタレンジカルボン残基、４，４’−ビフェニルジカルボン酸又はそれらの組合せを含む二酸残基；及び（ｂ）少なくとも９０モル％の１，４−シクロヘキサンジメタノール残基を含むジオール残基を含む。ポリエステルは、合計１００モル％の二酸残基及び合計１００モル％のジオール残基を含む。
【００１５】
別の実施態様において、ポリエステルフィルムは、式：
（２７×Ｒ）−（１．３×（Ｔ−Ｔｇ））≧２７
［式中、Ｔは縦方向（機械方向）及び横断方向の伸張温度（℃）の平均であり、Ｔｇはポリマーフィルムのガラス転移温度（℃）であり、Ｒは縦方向及び横断方向の伸張比の平均である］を満たす条件において二軸伸張され、そして２５０℃〜Ｔｍ［Ｔｍはポリマーの融点である］の実際フィルム温度においてヒートセットされている。
【００１６】
第２の態様において、本発明は、（ａ）透明な導電性無機酸化物被膜及び（ｂ）ここに記載した二軸延伸ポリエステルフィルムを含む透明な導電性被覆基板を提供する。
【００１７】
第３の態様において、本発明は、（ａ）非晶質シリコン又は多結晶シリコン導電被膜及び（ｂ）ここに記載した二軸延伸ポリエステルフィルムを含む導電性被覆基板を提供する。
【００１８】
本発明に係る基板は、液晶ディスプレイアセンブリ、有機発光ダイオードディスプレイアセンブリ、光起電力装置アセンブリ、建築用窓ガラス又は透明窓ガラス及びタッチスクリーン・ディスプレイを含む（これらに限定するものではない）種々の用途に使用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明は、本発明のいくつかの実施態様に関する以下の詳細な説明及び実施例を参照することによって理解しやすくなるであろう。本発明の目的に従って、本発明のいくつかの実施態様を前記の「発明の開示」に記載し、更にここで後述する。また、本発明の他の実施態様もここに記載する。
【００２０】
２４０℃又は２５０℃のような高温においてフィルムを被覆するためには、フィルムを構成するポリマーは２６０℃より高い、好ましくは２７０℃より高い融点を有する必要がある。ポリマーが被覆温度よりも少なくとも１０℃高い融点を有するのでなければ、ポリマーは被覆プロセスの間に融解する可能性がある。融点の高い材料ほど高い温度で被覆できる。
【００２１】
これらの基準を満たす本発明の個々のフィルムは、
（１）テレフタル酸残基、ナフタレンジカルボン酸残基又はそれらの組合せを約９０〜約９９．５モル％含む二酸残基；及び
（２）１，４−シクロヘキサンジメタノール残基を少なくとも９０モル％含むジオール残基
を含むポリエステル（このポリエステルは合計１００モル％の二酸残基及び合計１００モル％のジオール残基を含み且つ２６０℃又はそれ以上、好ましくは２７０℃又はそれ以上の融点を有する）から製造することができる。
【００２２】
更に、このようなフィルムは二軸延伸し、そして２５０℃又はそれ以上においてヒートセットしなければならない。ヒートセットの間に伸張フィルムが被覆工程の最終的実施温度に達しないならば、それは導電性無機酸化物被覆プロセスの間に充分な寸法安定性を有さない可能性がある。
【００２３】
好ましくはフィルムは２．０×（倍）より高い伸張比で９０℃より高い伸張温度において伸張又は延伸させる。より好ましくは、フィルムは、式：
（２７×Ｒ）−（１．３×（Ｔ−Ｔｇ））≧２７
［式中、Ｔは縦方向及び横断方向の伸張温度（℃）の平均であり、Ｔｇはポリマーフィルムのガラス転移温度（℃）であり、Ｒは縦方向及び横断方向の伸張比の平均である］を満たす条件において伸張する。最も好ましくは、フィルムはＴｇ〜Ｔｇ＋２０℃の温度において２．５〜３．０×（倍）伸張し、次いで伸張フィルムの寸法を保ちながら、２５０℃〜Ｔｍ又は２６０℃〜Ｔｍ［Ｔｍはポリマーの融点である］の実際フィルム温度において１〜１２０秒間又は１〜６０秒間ヒートセットする。二軸延伸及びヒートセットフィルムは、＞２４０℃の温度において寸法安定性を有し、且つ得られる導電被覆基板の使用中に又は導電性被膜の製造時及び／若しくは硬化時に無機酸化物被膜の剥離又は亀裂が発生しないような熱膨張率を示すのが好ましい。好ましい熱膨張率は、２０〜９０℃において測定した場合に１０〜５０ｐｐｍである。
【００２４】
導電性被膜を本発明のフィルム上に適用して、基板を形成することができる。導電性被膜は、当業界でよく知られた多くの方法によって、例えば特にスパッタリング、化学蒸着、電子ビーム蒸着、パルスレーザー堆積及びプラズマ助成化学蒸着によって適用できる。導電被膜は多重厚さの範囲全体に堆積させることができ、導電性被覆基板には場合によっては酸素及び／又は水分バリヤ層を被覆することができる。
【００２５】
「導電性被膜（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｃｏａｔｉｎｇ）」は、透明な導電性無機酸化物層又は非晶質若しくは多結晶シリコン層を意味する。「透明な導電性無機酸化物層」は当業界で一般に知られ、その例としては、酸化錫、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム、錫−アンチモン複合酸化物、インジウム−亜鉛複合酸化物、亜鉛−アルミニウム複合酸化物及びそれらの誘導体が挙げられるが、これらに限定するものではない。
【００２６】
本発明においてフィルムの製造に使用するポリエステルは、当業界でよく知られた常法によって容易に製造できる。例えば、必要に応じて、溶融相重縮合法又は溶融相及び固相の組合せ重縮合法を使用できる。ポリエステルは、典型的には、約０．４〜１．２、好ましくは約０．５〜１．１のインヘレント粘度（Ｉ．Ｖ．）を有する。フィルムはＩ．Ｖ．０．５未満においては、最終二軸伸張フィルムに折り目をつけた場合に靭性が低下する。ここで使用する「Ｉ．Ｖ．」は、フェノール６０重量％及びテトラクロロエタン４０重量％から成る溶媒１００ｍＬ当たりポリマー０．５０ｇを用いて２５℃において測定した粘度測定値を意味する。ここに記載したポリエステルのＩ．Ｖ．の基本的測定方法は、ＡＳＴＭ法Ｄ２８５７−９５に記載されている。
【００２７】
ポリエステルの二酸残基は、ジカルボン酸又は二酸の誘導体、例えば低級アルキルエステル（例えばテレフタル酸ジメチル）、酸ハロゲン化物（例えば二酸塩化物）又は場合によっては無水物に由来することができる。
【００２８】
ポリエステル組成物は、キャスティングロール上への押出中におけるメルトの結晶化を最小限に抑えるためには、他のジカルボン酸又は他のジオールの残基を少なくとも約０．５モル％含む必要があるが、このような材料の改質量は、ポリマーの高融点を保つために少なくとも約１０モル％以下でなくてはならない。有用な改質用モノマーとしては、炭素数約４〜約１４の他のジカルボン酸及び／又はそれらのエステル並びに炭素数約２〜約１２の他のグリコールが挙げられる。いくつかの実施態様においては、改質用酸として、イソフタル酸、４，４’−ビフェニルジカルボン酸、５−ｔｅｒｔ−ブチルイソフタル酸（ＣＡＳ＃２３５９−０９−３）及び／又はジ−ｎ−ブチル−４，４’−スルホニルジベンゾエート（ＣＡＳ＃３８７１−３５−５）を挙げることができる。
【００２９】
他の実施態様においては、改質用グリコールとしてエチレングリコール、１，３−プロパンジオール、１，６−ヘキサンジール及びネオペンチルグリコールを挙げることができる。
【００３０】
ポリエステル組成物中のＣＨＤＭ残基は、任意の組合せのシス及びトランス異性体比を有することができる。好ましくは、ＣＨＤＭ残基は約６０〜１００％の範囲のトランス異性体量を有する。より好ましい異性体量は、トランス異性体が約６０〜約８０％の範囲である。
【００３１】
本発明に使用するポリエステルの合成に使用できる触媒材料の例としては、チタン、マンガン、亜鉛、コバルト、アンチモン、ガリウム、リチウム、カルシウム、珪素及びゲルマニウムが挙げられる。このようは触媒系は、米国特許第３，９０７，７５４号、第３，９６２，１８９号、第４，０１０，１４５号、第４，３５６，２９９号、第５，０１７，６８０号、第５，６６８，２４３号及び第５，６８１，９１８号に記載されており、これらの特許全体を引用することによって本明細書中に組み入れる。好ましい触媒金属としてはチタン及びマンガンが挙げられ、最も好ましいのはチタンである。触媒金属の使用量は約５〜１００ｐｐｍの範囲であることができるが、良好な色、熱安定性及び電気的性質を有するポリエステルを生成するためには、チタン約５〜約３５ｐｐｍの触媒濃度の使用が好ましい。
【００３２】
リン化合物を触媒金属と併用する場合が多く、ポリエステルの製造に通常使用される任意のリン化合物を使用できる。典型的には、約１００ｐｐｍ以下のリンを使用できる。
【００３３】
必要ではないが、必要に応じて、ポリエステル中に典型的に存在する他の添加剤も、フィルムの製造に使用するポリエステルの性能を妨げないならば使用できる。このような添加剤としては、酸化防止剤、紫外線及び熱安定剤、金属不活性化剤、着色剤、顔料、ピニング剤、耐衝撃性改良剤、成核剤、分岐剤、難燃剤などが挙げられるが、これらに限定するものではない。
【００３４】
本発明に関連して形成されるポリエステルの製造に有用な分岐剤は、ポリエステルの酸単位部分又はグリコール単位部分に分岐を生じるものであることができ、又は混成物であることもできる。これらの分岐剤のいくつかについては本明細書に既に記載した。他方において、多官能価酸、多官能価無視物、多官能価グリコール及び酸／グリコール混成物もこのような分岐剤の実例である。例としては、トリカルボン酸又はテトラカルボン酸及びそれらの対応する無水物、例えばトリメシン酸、ピロメリット酸並びにそれらの低級アルキルエステルなど、更にテトロール類、例えばペンタエリスリトールが挙げられる。また、トリメチロールプロパンのようなトリオール又はジヒドロキシカルボン酸及びヒドロキシジカルボン酸並びに誘導体、例えばジメチルヒドロキシテレフタレートなども本発明の関連において有用である。トリメリット酸無水物が好ましい分岐剤である。
【００３５】
本発明のいくつかの又は全ての実施態様において使用するポリエステルは、結晶質であるか又は結晶化可能であり且つ約２６０℃より高い融点を有するのが好ましい。
【００３６】
本発明のポリエステルフィルムは、最終フィルム組成が前記組成パラメーターに適合するならば、単一組成物のペレット又はいくつかの組成物のペレットのブレンドから生成できる。例えば、ブレンドは、最終ブレンド組成が前記基準を満たすならば、種々の比の純粋なＰＣＴと５％のコモノマーを含むＰＣＴとから製造できる。
【００３７】
ポリエステルフィルム又はシート材料の製造方法の第１工程において、前記ポリエステルの溶融体を当業界で知られた任意の温度、例えば、典型的には、約２７０〜３１０℃の温度において本質的に非晶質のフィルムに押出することができる。非伸張（又は非延伸）フィルムの厚さは典型的には１００〜２０００ミクロン、より典型的には約２００〜１０００ミクロンの範囲であることができる。初期フィルム押出は、一軸スクリュー押出機上での押出又は二軸スクリュー押出機上での押出を含む（これらに限定するものではない）任意の常法によって実施できる。
【００３８】
第２工程において、フィルムは２×（倍）より高い伸張比で９０℃より高い伸張温度において伸張又は延伸することができる。好ましくは、最終伸張フィルムの熱膨張率を低下させるために、キャストフィルムは、式：
（２７×Ｒ）−（１．３×（Ｔ−Ｔｇ））≧２７
［式中、Ｔは縦方向及び横断方向の伸張温度の平均（℃）であり、Ｔｇはポリマーフィルムのガラス転移温度（℃）であり、Ｒは縦方向及び横断方向の伸張比の平均である］を満たす伸張比及び伸張温度において伸張又は延伸する。記号表示「×」は、フィルムの原寸に対してフィルムが伸張される程度である伸張比を意味する。例えば、２×（２倍）は、フィルムがその原寸の２倍の寸法に伸張されていることを意味する。より好ましくは、フィルムは縦方向（ＭＤ）に約２．５×〜３×及び横断方向（ＴＤ）に約２．５×〜３×の比でＴｇ〜Ｔｇ＋２０℃の伸張温度において伸張する。３×を超える伸張は、フィルムを伸張しすぎ、脆化させるおそれがある。
【００３９】
伸張後、フィルムは２６０〜Ｔｍ［Ｔｍは示差走査熱量測定法（ＤＳＣ）によって測定されたポリマーの融点である］の実際フィルム温度において約５秒より長い時間、ヒートセットすることができる。オーブンの熱源（即ち対流、放射など）によっては、フィルムを２６０℃まで加熱するのに時間が必要な場合もあることを留意されたい。この追加時間は、ここに記載したヒートセット時間には含めず、ヒートセット時間はサンプルが実際に２６０℃〜Ｔｍであった時間のみを意味する。初期フィルム押出は伸張の直前に（即ちインラインで）、又は離れた時間において実施することができる。ヒートセットの間は、伸張フィルムは、幅出機又はヒートセット中の伸張フィルムの過度の緩和を防ぐ他の機械装置によって、フィルムの伸張寸法に保つことができる。ヒートセットの間は、フィルムが伸張又は緩和し得るのは１０％以下である、即ち、フィルムの寸法全体が増加又は減少し得るのは１０％以下である。
【００４０】
これらの方法のいずれかを用いて、逐次二軸伸張、同時二軸伸張、一軸伸張又はそれらの組合せを行うことが可能である。同時二軸伸張は、フィルムの縦方向と横断方向を同時に伸張することを含む。同時二軸伸張において、伸張比は、横断方向においては縦方向と同じである必要はない。逐次二軸伸張は、最初に縦方向に、例えばロール・ツー・ロール（ｒｏｌｌ ｔｏ ｒｏｌｌ）伸張で伸張を行い、次いでその後に横断方向に、例えば幅出機を用いて伸張を行うことを含む。逐次伸張法においては、２つの伸張は、一方を他方の直後に（即ちインラインで）実施することもできるし、或いは離れた時間において実施することもできる。縦方向は、フィルムが巻かれる場合にはフィルムの長い方向と定義する。横断方向はフィルムの幅、即ち縦方向に垂直の方向と定義する。逐次二軸伸張を実施する場合には、伸張比及び伸張温度は、横断方向においては縦方向と同じである必要はない。
【００４１】
伸張又は延伸されたポリエステルフィルムは、既知の方法に従ってヒートセットできる。例えば、ヒートセットは、伸張フィルムのロールをオーブンに連続的に通すことによるような連続法で、又はヒートセットフレームに入ったフィルムを個別に一定時間、ヒートセットオーブン中に入れることによるような回分法で行うことができる。ヒートセットは、伸張の直後に（即ちインラインで）、又は離れた時間において、実施できる。フィルムがヒートセットの間に緩和又は膨張し得るのは１０％以下である。
【００４２】
伸張及びヒートセット工程の数は変えることができる。ポリマーフィルムは、単一の伸張と単一のヒートセットパス又は処理、単一の伸張と複数のヒートセットパス、複数の伸張と単一のヒートセットパス、又は複数の伸張と複数のヒートセットパスに供することができる。複数の伸張及び／又はヒートセットパスを実施する場合には、伸張及びヒートセットパスはタイミングを交互にできる可能性もあるが、１つのヒートセットパスを、伸張パスを介在させずに前のヒートセットパスに続いて行うことができる可能性もある。各パスの条件は、先行するパスと同じである必要はない。例えばポリマーフィルムは２段ヒートセット法によってヒートセットすることができ、その方法では最初のヒートセットを伸張温度より高い任意の実際フィルム温度において実施する。続いて、フィルムに、２６０℃〜Ｔｍ［Ｔｍは、ＤＳＣ（示差走査熱量測定法）によって測定されたポリマーの融点である］の範囲の実際フィルム温度において２度目のヒートセットを行う。本発明の透明な導電基板のポリエステルフィルム成分は約１２〜５００ミクロンの最終厚さ値（即ち伸張及びヒートセット後の厚さ値）を有することができる。
【００４３】
本発明に係る導電性被覆基板は、液晶ディスプレイアセンブリ、有機発光ダイオードディスプレイアセンブリ、光起電力装置アセンブリ、建築用窓ガラス又は透明窓ガラス及びタッチスクリーン・ディスプレイを含む種々の用途に使用できる。前記装置の一成分としての被覆基板は、ディスプレイ又は光起電力装置の電子部品として役立つ。例えば非晶質シリコン又は多結晶シリコン被覆基板の場合は、被覆基板はフラットパネル・ディスプレイ用のＴＦＴバックプレーンドライバーを構成するであろう。光起電力装置の場合は、ＩＴＯ被覆基板が、光起電力装置のアクティブコンポーネントとして生成される電気エネルギー輸送に関与する導電層として役立つであろう。
【００４４】
本発明を、その好ましい実施態様の以下の実施例によって更に説明するが、これらの実施例は説明のみを目的として記載するのであって、本発明の範囲を制限することを目的としないことは言うまでもない。特に断らない限り、全ての重量百分率はポリマー組成物の総重量基準であり、全ての分子量は重量平均分子量である。また、全ての百分率は、特に断らない限り重量基準である。特に断らない限り、部は重量部であり、温度は摂氏度（℃）であるか又は室温であり、圧力は大気圧又はほぼ大気圧である。
【実施例】
【００４５】
本発明に係るポリエステルフィルム及びその製造について、以下の実施例によって更に説明する。
【００４６】
以下の実施例において、フィルムの収縮／寸法安定度は、５．１ｃｍ×５．１ｃｍ（２×２インチ）のフィルムサンプルの寸法を最初にＭＤ（縦方向）の２カ所及びＴＤ（横断方向）の２カ所で測定することによって求めた。次に、ここに記載するように、フィルムサンプルを、２６０℃に予熱したハンダ浴中に１０秒間浸漬した。フィルムをふくれ及び皺について観察した。次いで、寸法を再び測定した。浸漬後の各寸法を原寸から減じた後に原寸で割ることによって、％収縮率を得た。４つの％収縮率値（ＭＤについて２つとＴＤについて２つ）を合わせて平均して、全体の％収縮率を得た。
【００４７】
ガラス転移温度及び融解温度は、示差走査熱量測定法（ＤＳＣ）を用いてＡＳＴＭ Ｄ３４１８に従って測定した。１５．０ｍｇの各サンプルをアルミニウムパン中にシールし、２９０℃まで２０℃／分の速度で加熱した。次いで、サンプルをそのガラス転移温度未満まで約３２０℃／分の速度で冷却して、非晶質試験片を生成した。融解温度Ｔｍは、走査中に観察される吸熱量のピークに相当する。
【００４８】
フィルムサンプルの線熱膨張率（ＣＴＥ）は、Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃｓ ＲＳＡ ＩＩ動的機械熱分析（ＤＭＴＡ）機器を用いてＩＰＣ−ＴＭ−６５０ ２．４．４１．３に従って測定した。この操作は、公称幅２ｍｍ×長さ２２ｍｍのフィルム試験片をＤＭＴＡ機器のクランプ中に取り付けるものであった。ＤＭＴＡの力を２ｇの一定に設定した。サンプルを−１０℃に冷却し、１５０℃に加熱し、−１０℃に再冷却し、次いで１５０℃に再加熱した。これらは全て、１０℃／分の加熱／冷却速度で行った。温度の関数としてのサンプルの長さを、第２加熱走査の間に測定した。サンプル長−温度の勾配を、２５〜９０℃及び１２０〜１５０℃の温度範囲にわたって求めた。２つの較正を実施した。１つは、ＤＭＴＡのベースラインを決定するためであり、１つは異なる基準への機械の応答を較正するためである。銅、アルミニウム及び既知のＣＴＥ値を有するいくつかの非晶質プラスチックを較正基準として用いた。次に、この較正を用いて、未知サンプルのＣＴＥをそれらの測定された長さ−温度勾配から、温度範囲２５〜９０℃及び１２０〜１５０℃にわたって計算した。
【００４９】
実施例１及び比較例Ｃ−１〜Ｃ−３
実施例１及び比較例Ｃ−１〜Ｃ−３は、ＰＣＴから製造したフィルムの収縮率に対するヒートセット温度の影響を示す。
【００５０】
ＰＣＴポリエステル（Ｉ．Ｖ． ０．７４，Ｔｍ ２９３℃，Ｔｇ ９４℃）のペレットを、溶融相重縮合法でＴｉ １００ｐｐｍの触媒（チタンイソブトキシドとして）を用いて製造した。ペレットを１３５℃において６時間乾燥させ、続いてポリエステルバリヤ型スクリューを装着したＤａｖｉｓ Ｓｔａｎｄａｒｄ ５．１ｃｍ（２．０インチ）押出機上で厚さ２．０３２ｍｍ（８ｍｉｌ）のフィルムに押出した。融解温度及びダイ温度は２９３℃に保持した。フィルムは、６６℃（１５０°Ｆ）に設定したロール温度を有する二本ロール・ダウンスタック上にキャストした。
【００５１】
次いで、フィルムをＴ．Ｍ．Ｌｏｎｇフィルム伸張機上で二軸延伸した。両軸は、表Ｉに示した条件において同時に同じ伸張比まで３５．５６ｃｍ（１４インチ）／秒の同じ速度で伸張した。
【００５２】
次に、フィルムをアルミニウムフレーム中にクランプし、表Ｉに示した設定温度及び時間においてボックスオーブン中に入れて、フィルムをヒートセットした。２枚のフィルムをフレーム中に入れ、熱電対を２枚のフィルムの間に挟んで、実際フィルム温度を測定し、それも表Ｉに示した。設定温度は実際フィルム温度よりも高いこと及び記載したヒートセット時間は、サンプルを実際フィルム温度まで加熱するのに必要な時間（約３０秒）を含むことに留意されたい。
【００５３】
ヒートセット後、フィルムを、２６０℃に予熱したハンダ浴中に１０秒間浸漬した。得られた％収縮率を表Ｉに示す。
【００５４】
例Ｃ−１〜Ｃ−３は、種々の伸張条件下で製造した比較例であり、２６０℃未満の実際フィルム温度におけるヒートセットは、２６０℃における収縮率レベルが高いフィルムを生成する可能性があることを示している。比較のフィルムには、ハンダ浴浸漬の間にふくれが形成されていた。この高い収縮率は、電気コネクタ又はフレキシブル回路フィルムの製造用の積層板の製造には一般に許容され得ない。
【００５５】
比較例Ｃ−１のフィルムは、国際出願公開番号第ＷＯ／０６１２５号の実施例３に報告されたのと同一の条件下で伸張及びヒートセットを行った。
【００５６】
実施例１は、許容され得る収縮率を有するフィルムを製造する温度においてヒートセットした本発明に係るフィルムの例である。このフィルムはＣＴＥも許容され得る。
【００５７】
表Ｉにおいて、伸張比は縦方向及び横断方向の両方向に伸張することを意味し；温度は℃で示し；時間は秒であり；％収縮率は、２６０℃に予熱したハンダ浴中に１０秒間浸漬後にフィルムサンプルが収縮した百分率を意味し；ＣＴＥ値はｐｐｍ／℃であり；フィルム厚さはミクロンで示す。
【００５８】
【表１】
【００５９】
実施例２〜４及び比較例Ｃ−４〜Ｃ−５
実施例２〜４は、本発明に係るポリエステルフィルムの例であった。実施例２〜４は、比較例Ｃ−４〜Ｃ−５と共に、ＰＣＴから製造したフィルムの収縮率及びＣＴＥに対する伸張比及び伸張温度の影響を示す。
【００６０】
ＰＣＴポリエステル（Ｉ．Ｖ． ０．７４，Ｔｍ ２９３℃，Ｔｇ ９４℃）のペレットを、前記例と同様にしてフィルムに製造した。
【００６１】
次いでフィルムをＴ．Ｍ．Ｌｏｎｇフィルム伸張機上で二軸延伸した。両軸は、表ＩＩに示した条件において同時に同じ伸張比まで３５．５６ｃｍ（１４インチ）／秒の同じ速度で伸張した。
【００６２】
次に、フィルムをアルミニウムフレーム中にクランプし、表ＩＩに示した設定温度及び時間において、ボックスオーブンのヒートセットゾーン中に入れて、フィルムをヒートセットした。２枚のフィルムをフレーム中に入れ、熱電対を２枚のフィルムの間に挟んで、実際フィルム温度を測定し、それも表ＩＩに示した。設定温度は実際フィルム温度よりも高いこと及び記載したヒートセット時間は、サンプルを実際フィルム温度まで加熱するのに必要な時間（約３０秒）を含むことに留意されたい。
【００６３】
ヒートセットしたフィルムを、２６０℃に予熱したハンダ浴中に１０秒間浸漬した。得られた％収縮率を表ＩＩに示す。
【００６４】
参照のために、実施例１を表ＩＩに含める。
【００６５】
実施例１〜４は全て、式：
（２７×Ｒ）−（１．３×（Ｔ−Ｔｇ））≧２７
［式中、Ｔは縦方向及び横断方向の伸張温度（℃）の平均であり、Ｔｇはポリマーフィルムのガラス転移温度（℃）であり、Ｒは縦方向及び横断方向の伸張比の平均である］を満たす条件下で伸張した。これらのフィルムを、２６０℃又はそれ以上の実際フィルム温度においてヒートセットした。
【００６６】
比較例Ｃ−４〜Ｃ−５は、式：
（２７×Ｒ）−（１．３×（Ｔ−Ｔｇ））≧２７
を満たさない条件において伸張した。これらは、許容され得ないＣＴＥ値を有する。比較例Ｃ−５のフィルムは、国際出願公開第ＷＯ／０６１２５号の実施例２に報告されたのと同一の条件下で伸張及びヒートセットしたことに留意されたい。
【００６７】
また、国際出願公開第ＷＯ／０６１２５号が「フィルムを２．５倍を超えて伸張すると、どのような量のヒートセット（時間又は温度）でも伸張プロセスの間に発生した内部応力をアニールできない点で、ＰＣＴはＰＥＴとは異なる挙動をする」とはっきりと述べているにもかかわらず、実施例３及び４が許容できるものであったことも注目に値する。
【００６８】
【表２】
【００６９】
実施例５〜８及び比較例Ｃ−６〜Ｃ−９
表ＩＩＩの実施例５〜８及び比較例Ｃ６〜Ｃ−９は、逐次伸張及び幅出しプロセスを用いてＰＣＴから製造されたフィルムの収縮率及びＣＴＥに対するヒートセット温度及び時間の影響を示す。
【００７０】
ＰＣＴポリエステル（Ｉ．Ｖ． ０．７４，Ｔｍ ２９３℃，Ｔｇ ９４℃）のペレットを、溶融相重縮合法でＴｉ １００ｐｐｍの触媒（チタンイソブトキシドとして）を用いて製造した。ペレットを１２０℃において１６時間乾燥させ、続いてポリエステルバリヤ型スクリューを装着したＤａｖｉｓ Ｓｔａｎｄａｒｄ ６．４ｃｍ（２．５インチ）押出機上で厚さ０．４６０ｍｍ（１８ｍｉｌ）のシートに押出した。融解温度及びダイ温度は３００℃に保持した。フィルムは、最上部から最下部に向かって４９℃／５７℃／６６℃（１２０°Ｆ／１３５°Ｆ／１５０°Ｆ）に設定したロール温度を有する三本ロール・ダウンスタック上にキャストした。
【００７１】
次いで、フィルムを伸張し、市販の幅出装置上で幅出した。縦方向をロールスタック上で表ＩＩＩに示した比及び温度で伸張し、続いて横断方向を表ＩＩＩに示した条件において幅出機中のクリップ間で伸張した。フィルムを直ちに、第１のヒートセット処理又はパスを行うアニールゾーンに移した。このアニールゾーンは、表ＩＩＩに示したヒートセットゾーン設定温度及び時間に設定した。アニールゾーン中の実際フィルム温度は、示温テープをフィルム上に置くことよって得た。このテープは一連の既知温度において色を変化させて、フィルムが経験した最大温度を示す。
【００７２】
実施例７及び比較例Ｃ−８及びＣ−９においては、フィルムをアルミニウムフレーム中にクランプし、次いで表ＩＩＩに示したヒートセットゾーン設定温度及び時間においてボックスオーブン中に入れることによって、第２のヒートセット処理を行った。これらの例については、２枚のフィルムをフレーム中に入れ、熱電対を２枚のフィルムの間に挟んで、実際フィルム温度を測定した。
【００７３】
実施例８においては、表ＩＩＩに示したヒートセットゾーン設定温度及び時間において幅出機のアニールゾーンにもう一度フィルムを通すことによって、第２のヒートセット処理を行った。記載した実際フィルム温度は、第１及び第２ヒートセットの組合せの間に達成される最高温度であった。設定温度は実際フィルム温度よりも高いこと及び記載したヒートセット時間は、サンプルを実際フィルム温度まで加熱するのに必要な時間を含むことに留意されたい。フィルムの昇温に時間を要するので、示した実際フィルム温度は、設定温度と時間の両方と相関関係があった。ヒートセットフィルムを、２６０℃に予熱したハンダ槽中に１０秒間浸漬した。得られた％収縮率を表ＩＩＩに示す。
【００７４】
比較例Ｃ−６〜Ｃ−９は、２６０℃未満の実際フィルム温度が２６０℃においてどの程度不満足な収縮率を生じる可能性があるかを示す。実施例５〜８のフィルムは、許容され得る収縮率及びＣＴＥを有する。
【００７５】
表ＩＩＩにおいて、ＭＤ伸張比は縦方向の伸張を意味し；ＴＤ伸張比は横断方向の伸張を意味し；温度は℃で示し；時間は秒であり；ｎ／ａは、第２のヒートセット処理を行わなかったことを意味し；％収縮率は、２６０℃に予熱したハンダ槽中に１０秒間浸漬後にフィルムサンプルが収縮した百分率を意味し；ＣＴＥ値はｐｐｍ／℃であり；フィルム厚さはミクロンで示す。
【００７６】
【表３】
【００７７】
実施例９〜１２において使用する略語、分析方法及び実験装置は以下の通りである：
ＤＭＮ： ２，６−ジメチルナフタレート
ＤＭＢＤＣ： ４，４’−ジメチルビフェニルジカルボキシレート
ＢＤＣ： ４，４’−ビフェニルジカルボキシレート
ＤＭＴ： ジメチルテレフタレート
Ｎ： ２，６−ナフタレンジカルボン酸単位
Ｔ： テレフタル酸単位
ＣＨＤＭ： １，４−シクロヘキサンジメタノール
ＩＶ： ２５℃において、対称テトラクロロエタン対フェノールの重量比が２：３の対称テトラクロロエタンとフェノールとの溶媒混合物中０．５ｇ／Ｌの濃度で測定されたインヘレント粘度
Ｔｍ： ２０℃／分の加熱速度で作動された第１サイクルの示差走査熱量計（ＤＳＣ）上で測定した融解温度
Ｔｇ： ２０℃／分の加熱速度で作動された第２サイクルのＤＳＣ上で測定されたガラス転移温度
最終コポリエステル組成は６００ＭＨｚ ＪＥＯＬ機器上でプロトンＮＭＲ分析によって測定した。
【００７８】
実施例９
Ｎ１０ＢＤＣ（ＣＨＤＭ）の製造： ＤＭＮ ６７．２３ｇ（０．２７５モル）、ＤＭＢＤＣ ８．２７ｇ（０．０３１モル）、ＣＨＤＭ ４６．７５ｇ（０．３２４モル）を、５００ｍＬの一口丸底フラスコに加えた。触媒系は、予め加えられた１００ｐｐｍのチタンを含んでいた。フラスコを、２９０℃に予熱したＢｅｌｍｏｎｔ金属浴中に浸漬した。温度整定値を、７分後に３１５℃に上昇させ、理論量のメタノールを捕集した。温度が３２０℃に達したら、フラスコ内の圧力を大気圧から０．３ｍｍＨｇまで徐々に低下させた。４０ｒｐｍの撹拌速度が得られるまで、粘度の増加につれて撹拌を減少させた。反応条件を９分間保持した。真空を中止し、窒素をフラスコ中にブリードした。ポリマーを、Ｔｇ未満の温度に冷却することによって固化させ、フラスコから取り出し、３ｍｍの篩を通るように粉砕した。ポリマーのインヘレント粘度は０．７７４であった。ポリマーは３１０℃の第１サイクル融点を有していた。ポリマーは１０８℃のＴｇ及び３０６．４℃の第２サイクル融点を有していた。組成分析（ＮＭＲによる）は、コポリエステルがＮを９０．４モル％及びＢＤＣを９．６モル％含むことを示した。
【００７９】
ポリマーのサンプルをフィルムに圧縮成形した。最終フィルムは無色透明であった。次いで、フィルムをＴ．Ｍ．Ｌｏｎｇフィルム伸張機上で二軸延伸した。両軸は、３０秒のソーク時間後に１５０℃の伸張温度で３５．５６ｃｍ（１４インチ）／秒の同じ速度で同時に３倍の伸張比まで伸張した。次に、伸張フィルムをアルミニウムフレーム中にクランプし、２７４℃のボックスオーブン中に３０秒間入れて、フィルムをヒートセットした。ヒートセット後、フィルムは、２６０℃に予熱したハンダ槽中に１０秒間浸漬する。得られた％収縮率は１．５６％であった。
【００８０】
実施例９は、許容され得る収縮率を有するフィルムを生成する温度においてヒートセットされた、本発明に係るフィルムの例である。
【００８１】
実施例１０
Ｎ５ＢＤＣ（ＣＨＤＭ）の製造： ＤＭＮ ７１．２５ｇ（０．２９２モル）、ＤＭＢＤＣ ４．１５ｇ（０．０１５モル）、ＣＨＤＭ ４６．９４ｇ（０．３２５モル）を、５００ｍＬの一口丸底フラスコに加えた。触媒系は、予め加えられた１００ｐｐｍのチタンを含んでいた。フラスコを、２９０℃に予熱したＢｅｌｍｏｎｔ金属浴中に浸漬した。温度整定値を、５分後に３００℃に上昇させ、更に７分後に３２０℃に上昇させた。理論量のメタノールを捕集した。温度が３２０℃に達したら、フラスコ内の圧力を大気圧から０．５ｍｍＨｇまで徐々に低下させた。４０ｒｐｍの撹拌速度が得られるまで、粘度の増加につれて撹拌を減少させた。反応条件を２０分間保持した。真空を中止し、窒素をフラスコ中にブリードした。ポリマーを、Ｔｇ未満の温度に冷却することによって固化させ、フラスコから取り出し、３ｍｍの篩を通るように粉砕した。ポリマーのインヘレント粘度は０．６６６であった。ポリマーは３１３℃の第１サイクル融点を有していた。ポリマーは１２１．８１℃のＴｇ及び３１４℃の第２サイクル融点を有していた。組成分析（ＮＭＲによる）は、コポリエステルがＮを９５．１モル％及びＢＤＣを４．９モル％含むことを示した。
【００８２】
実施例１１
Ｎ１０Ｔ（ＣＨＤＭ）の製造： ＤＭＮ ６８．８３ｇ（０．２８０モル）、ＤＭＴ ６．１０ｇ（０．０３モル）、ＣＨＤＭ ４７．８７ｇ（０．３３０モル）を、５００ｍＬの一口丸底フラスコに加えた。触媒系は、予め加えられた１００ｐｐｍのチタンを含んでいた。フラスコを、２９０℃に予熱したＢｅｌｍｏｎｔ金属浴中に浸漬した。温度整定値を、５分後に３２０℃に上昇させ、理論量のメタノールを捕集した。温度が３２０℃に達したら、フラスコ内の圧力を大気圧から０．５ｍｍＨｇまで徐々に低下させた。４０ｒｐｍの撹拌速度が得られるまで、粘度の増加につれて撹拌を減少させた。反応条件を３０分間保持した。真空を中止し、窒素をフラスコ中にブリードした。ポリマーを、Ｔｇ未満の温度に冷却することによって固化させ、フラスコから取り出し、３ｍｍの篩を通るように粉砕した。ポリマーのインヘレント粘度は０．５４１であった。ポリマーは３１２．２℃の第１サイクル融点を有していた。ポリマーは１０２．４℃のＴｇ及び３０４．４８℃の第２サイクル融点を有していた。組成分析（ＮＭＲによる）は、コポリエステルがＮを９０．２モル％及びＴを９．８モル％含むことを示した。
【００８３】
実施例１２
Ｎ５Ｔ（ＣＨＤＭ）の製造： ＤＭＮ ７２．０９ｇ（０．３０モル）、ＤＭＴ ３．００ｇ（０．０２モル）、ＣＨＤＭ ４７．４９ｇ（０．３３モル）を、５００ｍＬの一口丸底フラスコに加えた。触媒系は、予め加えられた１００ｐｐｍのチタンを含んでいた。フラスコを、２９０℃に予熱したＢｅｌｍｏｎｔ金属浴中に浸漬した。温度整定値を、６分後に３２０℃に上昇させ、理論量のメタノールを捕集した。温度が３２０℃に達したら、フラスコ内の圧力を大気圧から０．５ｍｍＨｇまで徐々に低下させた。４０ｒｐｍの撹拌速度が得られるまで、粘度の増加につれて撹拌を減少させた。反応条件を３０分間保持した。真空を中止し、窒素をフラスコ中にブリードした。ポリマーを、Ｔｇ未満の温度に冷却することによって固化させ、フラスコから取り出し、３ｍｍの篩を通るように粉砕した。ポリマーのインヘレント粘度は０．４９２であった。ポリマーは３０８．０℃の第１サイクル融点を有していた。ポリマーは１０５．８℃のＴｇ及び２９９．４℃の第２サイクル融点を有していた。組成分析（ＮＭＲによる）は、コポリエステルがＮを９１．３モル％及びＴを８．７モル％含むことを示した。
【００８４】
実施例１３
Ｎ２５ＢＤＣ（ＣＨＤＭ）の製造： ＤＭＮ ５５．３６ｇ（０．２２７モル）、ＤＭＢＤＣ ２０．４２ｇ（０．０７６モル）、ＣＨＤＭ ４６．２０ｇ（０．３２０モル）を、５００ｍＬの一口丸底フラスコに加えた。触媒系は、予め加えられた１００ｐｐｍのチタンから成るものであった。フラスコを、２４５℃に予熱したＢｅｌｍｏｎｔ金属浴中に浸漬した。理論量のメタノールを捕集後、温度整定値を３００℃に上昇させた。温度が３００℃に達したら、フラスコ内の圧力を大気圧から０．５ｍｍＨｇまで徐々に低下させた。４０ｒｐｍの撹拌速度が得られるまで、粘度の増加につれて撹拌を減少させた。反応条件を３０分間保持した。真空を中止し、窒素をフラスコ中にブリードした。ポリマーを、Ｔｇ未満の温度に冷却することによって固化させ、フラスコから取り出し、３ｍｍの篩を通るように粉砕した。ポリマーのインヘレント粘度は０．８７６であった。ポリマーは２９１．１℃の第１サイクル融点を有していた。ポリマーは１３１．２℃のＴｇ及び２９２．４℃の第２サイクル融点を有していた。組成分析（ＮＭＲによる）は、コポリエステルがＮを７５．０モル％及びＢＤＣを２５．０モル％含むことを示した。サンプルをフィルムに圧縮成形した。このポリマーフィルムをＴ．Ｍ．Ｌｏｎｇ伸張機上で伸張比３×３で二軸延伸し、約３．８４の平面伸張比が観察された。最終フィルムは無色透明であった。
【００８５】
実施例１４
Ｎ１０ＢＤＣ（ＣＨＤＭ）の製造： ＤＭＮ ６７．２３ｇ（０．２７５モル）、ＤＭＢＤＣ ８．２７ｇ（０．０３１モル）、ＣＨＤＭ ４６．７５ｇ（０．３２４モル）を、５００ｍＬの一口丸底フラスコに加えた。触媒系は、予め加えられた１００ｐｐｍのチタンから成るものであった。フラスコを、２９０℃に予熱したＢｅｌｍｏｎｔ金属浴中に浸漬した。温度整定値を、７分後に３１５℃に上昇させ、理論量のメタノールを捕集した。温度が３２０℃に達したら、フラスコ内の圧力を大気圧から０．３ｍｍＨｇまで徐々に低下させた。４０ｒｐｍの撹拌速度が得られるまで、粘度の増加につれて撹拌を減少させた。反応条件を９分間保持した。真空を中止し、窒素をフラスコ中にブリードした。ポリマーを、Ｔｇ未満の温度に冷却することによって固化させ、フラスコから取り出し、３ｍｍの篩を通るように粉砕した。ポリマーのインヘレント粘度は０．７７４であった。ポリマーは３１０．２℃の第１サイクル融点を有していた。ポリマーは１０７．５℃のＴｇ及び３０６．４℃の第２サイクル融点を有していた。組成分析（ＮＭＲによる）は、コポリエステルがＮを９０．４モル％及びＢＤＣを９．６モル％含むことを示した。ポリマーのサンプルをフィルムに圧縮成形した。このフィルムをＴ．Ｍ．Ｌｏｎｇ伸張機上で二軸延伸し、約３．９９の平面伸張比が観察された。最終フィルムは無色透明であった。
【００８６】
実施例１５
Ｎ５ＢＤＣ（ＣＨＤＭ）の製造： ＤＭＮ ７１．２５ｇ（０．２９２モル）、ＤＭＢＤＣ ４．１５ｇ（０．０１５モル）、ＣＨＤＭ ４６．９４ｇ（０．３２５モル）を、５００ｍＬの一口丸底フラスコに加えた。触媒系は、予め加えられた１００ｐｐｍのチタンから成るものであった。フラスコを、２９０℃に予熱したＢｅｌｍｏｎｔ金属浴中に浸漬した。温度整定値を、５分後に３００℃に上昇させ、更に７分後に３２０℃に上昇させた。理論量のメタノールを捕集した。温度が３２０℃に達したら、フラスコ内の圧力を大気圧から０．５ｍｍＨｇまで徐々に低下させた。４０ｒｐｍの撹拌速度が得られるまで、粘度の増加につれて撹拌を減少させた。反応条件を２０分間保持した。真空を中止し、窒素をフラスコ中にブリードした。ポリマーを、Ｔｇ未満の温度に冷却することによって固化させ、フラスコから取り出し、３ｍｍの篩を通るように粉砕した。ポリマーのインヘレント粘度は０．６６６であった。ポリマーは３１３．１℃の第１サイクル融点を有していた。ポリマーは１２１．８１℃のＴｇ及び３１３．７℃の第２サイクル融点を有していた。組成分析（ＮＭＲによる）は、コポリエステルがＮを９５．１モル％及びＢＤＣを４．９モル％含むことを示した。最終フィルムは無色透明であった。
【００８７】
実施例１６
Ｎ２５Ｔ（ＣＨＤＭ）の製造： ＤＭＮ ５８．７４ｇ（０．２４０モル）、ＤＭＴ １５．６０ｇ（０．０８モル）、ＣＨＤＭ ４９．０２ｇ（０．３４０モル）を、５００ｍＬの一口丸底フラスコに加えた。触媒系は、予め加えられた１００ｐｐｍのチタンから成るものであった。フラスコを、２４５℃に予熱したＢｅｌｍｏｎｔ金属浴中に浸漬した。温度整定値を直ちに３００℃に上昇させ、理論量のメタノールを捕集した。温度が３００℃に達したら、フラスコ内の圧力を大気圧から０．５ｍｍＨｇまで徐々に低下させた。４０ｒｐｍの撹拌速度が得られるまで、粘度の増加につれて撹拌を減少させた。反応条件を２５分間保持した。真空を中止し、窒素をフラスコ中にブリードした。ポリマーを、Ｔｇ未満の温度に冷却することによって固化させ、フラスコから取り出し、３ｍｍの篩を通るように粉砕した。ポリマーのインヘレント粘度は０．９１２であった。ポリマーは２８５．２℃の第１サイクル融点を有していた。ポリマーは１２０．４℃のＴｇ及び２８８．２℃の第２サイクル融点を有していた。組成分析（ＮＭＲによる）は、コポリエステルがＮを７５．５モル％及びＴを２４．５モル％含むことを示した。ポリマーのサンプルをフィルムに圧縮成形した。このポリマーフィルムをＴ．Ｍ．Ｌｏｎｇ伸張機上で二軸延伸し、約３．７７の平面伸張比が観察された。最終フィルムは無色透明であった。
【００８８】
本発明を、特にその好ましい実施態様に関して詳述したが、本発明の精神及び範囲内で変動及び変更が可能なことは言うまでもない。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２６０℃又はそれ以上の融点を有するポリエステルから製造された二軸延伸ポリエステルフィルムを含んでなる、２４０℃又はそれ以上の温度において導電性被膜で被覆することができるフィルム。
【請求項２】
（ａ）テレフタル酸残基、ナフタレンジカルボン酸残基又はそれらの組合せを約９０〜約９９．５モル％含む二酸残基；及び
（ｂ）１，４−シクロヘキサンジメタノール残基を少なくとも９０モル％含むジオール残基を含むポリエステル（このポリエステルは合計１００モル％の二酸残基及び合計１００モル％のジオール残基を含み且つ前記ポリエステルは２６０℃又はそれ以上の融点を有する）から製造された二軸延伸ポリエステルフィルムを含んでなり、２４０℃又はそれ以上の温度において導電被膜で被覆できるフィルム。
【請求項３】
２．０倍より高い伸張比及び９０℃より高い伸張温度において伸張された請求項２に記載のフィルム。
【請求項４】
式：
（２７×Ｒ）−（１．３×（Ｔ−Ｔｇ））≧２７
［式中、Ｔは縦方向及び横断方向の伸張温度（℃）の平均であり、Ｔｇはポリマーフィルムのガラス転移温度（℃）であり、Ｒは縦方向及び横断方向の伸張比の平均である］を満たす条件において二軸伸張され、そして２５０℃〜Ｔｍ［Ｔｍは示差走査熱量測定法（ＤＳＣ）によって測定されたポリマーの融点である］の実際フィルム温度においてヒートセットされた請求項３に記載のフィルム。
【請求項５】
Ｔｇ及びＴｇ＋２０℃の間の温度において２．５〜３．０倍伸張され、そして２５０℃又はそれ以上の実際フィルム温度においてヒートセットされた請求項２に記載のフィルム。
【請求項６】
（ａ）透明な導電性無機酸化物層；並びに
（ｂ）（ｉ）テレフタル酸残基、ナフタレンジカルボン酸残基又はそれらの組合せを約９０〜約９９．５モル％含む二酸残基；及び
（ii）１，４−シクロヘキサンジメタノール残基を少なくとも９０モル％含むジオール残基を含むポリエステル（このポリエステルは合計１００モル％の二酸残基及び合計１００モル％のジオール残基を含み且つ２６０℃又はそれ以上の融点を有する）から製造された二軸延伸ポリエステルフィルム
を含んでなる透明な導電性被覆基板。
【請求項７】
前記の透明な導電層がインジウム錫酸化物である請求項６に記載の基板。
【請求項８】
前記ポリエステルフィルムが約９５〜約９９．５モル％のテレフタル酸残基を含む二酸残基を含む請求項６に記載の基板。
【請求項９】
前記ポリエステルフィルムが約９０〜約９９モル％のナフタレンジカルボン酸残基を含む二酸残基を含む請求項６に記載の基板。
【請求項１０】
前記の透明な導電層が約２３５℃より高温で適用された請求項６に記載の基板。
【請求項１１】
前記の透明な導電層が約２５０℃より高温で適用された請求項６に記載の基板。
【請求項１２】
請求項６に記載の基板を含む液晶ディスプレイアセンブリ。
【請求項１３】
請求項６に記載の基板を含む有機発光ダイオードディスプレイアセンブリ。
【請求項１４】
請求項６に記載の基板を含む光起電力装置アセンブリ。
【請求項１５】
請求項６に記載の基板を含む建築用窓ガラス又は透明板ガラス。
【請求項１６】
請求項６に記載の基板を含むタッチスクリーン・ディスプレイ。
【請求項１７】
（ａ）透明な導電性無機酸化物層；並びに
（ｂ）（ｉ）テレフタル酸残基、ナフタレンジカルボン酸残基又はそれらの組合せを約９０〜約９９．５モル％含む二酸残基；及び
（ii）１，４−シクロヘキサンジメタノール残基を少なくとも９０モル％含むジオール残基を含むポリエステル（前記ポリエステルは合計１００モル％の二酸残基及び合計１００モル％のジオール残基を含み且つ２６０℃又はそれ以上の融点を有する）から製造された二軸延伸ポリエステルフィルム
を含んでなる透明な導電性被覆基板であって、前記ポリエステルフィルムが、式：
（２７×Ｒ）−（１．３×（Ｔ−Ｔｇ））≧２７
［式中、Ｔは縦方向及び横断方向の伸張温度（℃）の平均であり、Ｔｇはポリマーフィルムのガラス転移温度（℃）であり、Ｒは縦方向及び横断方向の伸張比の平均である］を満たす伸張比及び伸張温度において二軸伸張され、そして前記伸張ポリエステルフィルムが、前記伸張フィルムの寸法を保持しながら、２５０℃〜Ｔｍ［Ｔｍは示差走査熱量測定法（ＤＳＣ）によって測定されたポリマーの融点である］の実際フィルム温度において１〜１２０秒間ヒートセットされた基板。
【請求項１８】
前記の透明な導電層がインジウム錫酸化物である請求項１７に記載の基板。
【請求項１９】
前記ポリエステルフィルムが約９５〜約９９．５モル％のテレフタル酸残基を含む二酸残基を含む請求項１７に記載の基板。
【請求項２０】
前記ポリエステルフィルムが約９０〜約９９モル％のナフタレンジカルボン酸残基を含む二酸残基を含む請求項１７に記載の基板。
【請求項２１】
請求項１７に記載の基板を含む液晶ディスプレイアセンブリ。
【請求項２２】
請求項１７に記載の基板を含む有機発光ダイオードディスプレイアセンブリ。
【請求項２３】
請求項１７に記載の基板を含む光起電力装置アセンブリ。
【請求項２４】
請求項１７に記載の基板を含む建築用窓ガラス又は透明板ガラス。
【請求項２５】
請求項１７に記載の基板を含むタッチスクリーン・ディスプレイ。
【請求項２６】
（ａ）非晶質シリコン又は多結晶シリコン導電層；並びに
（ｂ）（１）テレフタル酸残基、ナフタレンジカルボン酸残基又はそれらの組合せを約９０〜約９９．５モル％含む二酸残基；及び
（２）１，４−シクロヘキサンジメタノール残基を少なくとも９０モル％含むジオール残基を含むポリエステル（このポリエステルは合計１００モル％の二酸残基及び合計１００モル％のジオール残基を含み且つ２６０℃又はそれ以上の融点を有する）から製造された二軸延伸ポリエステルフィルム
を含んでなる導電被覆基板。
【請求項２７】
前記導電層が非晶質シリコンである請求項２６に記載の基板。
【請求項２８】
前記ポリエステルフィルムが約９５〜約９９．５モル％のテレフタル酸残基を含む二酸残基を含む請求項２６に記載の基板。
【請求項２９】
前記ポリエステルフィルムが約９０〜約９９モル％のナフタレンジカルボン酸残基を含む二酸残基を含む請求項２６に記載の基板。
【請求項３０】
前記導電層が約２３５℃より高温で適用された請求項２６に記載の基板。
【請求項３１】
前記導電層が約２５０℃より高温で適用された請求項２６に記載の基板。
【請求項３２】
請求項２６に記載の基板を含む液晶ディスプレイアセンブリ。
【請求項３３】
請求項２６に記載の基板を含む有機発光ダイオードディスプレイアセンブリ。
【請求項３４】
請求項２６に記載の基板を含む光起電力装置アセンブリ。
【請求項３５】
請求項２６に記載の基板を含む建築用窓ガラス又は透明板ガラス。
【請求項３６】
請求項２６に記載の基板を含むタッチスクリーン・ディスプレイ。
【請求項３７】
（ａ）非晶質シリコン又は多結晶シリコン導電層；並びに
（ｂ）（ｉ）テレフタル酸残基、ナフタレンジカルボン酸残基又はそれらの組合せを約９０〜約９９．５モル％含む二酸残基；及び
（ii）１，４−シクロヘキサンジメタノール残基を少なくとも９０モル％含むジオール残基を含むポリエステル（このポリエステルは合計１００モル％の二酸残基及び合計１００モル％のジオール残基を含み且つ２６０℃又はそれ以上の融点を有する）から製造された二軸延伸ポリエステルフィルム
を含んでなる導電被覆基板であって、前記ポリエステルフィルムが、式：
（２７×Ｒ）−（１．３×（Ｔ−Ｔｇ））≧２７
［式中、Ｔは縦方向及び横断方向の伸張温度（℃）の平均であり、Ｔｇはポリマーフィルムのガラス転移温度（℃）であり、Ｒは縦方向及び横断方向の伸張比の平均である］を満たす伸張比及び伸張温度において二軸伸張され、そして前記伸張ポリエステルフィルムが、前記伸張フィルムの寸法を保持しながら、２５０℃〜Ｔｍ［Ｔｍは示差走査熱量測定法（ＤＳＣ）によって測定されたポリマーの融点である］の実際フィルム温度において１〜１２０秒間ヒートセットされた基板。
【請求項３８】
前記導電層が非晶質シリコンである請求項３７に記載の基板。
【請求項３９】
前記ポリエステルフィルムが約９５〜約９９．５モル％のテレフタル酸残基を含む二酸残基を含む請求項３７に記載の基板。
【請求項４０】
前記ポリエステルフィルムが約９０〜９９モル％のナフタレンジカルボン酸残基を含む二酸残基を含む請求項３７に記載の基板。
【請求項４１】
請求項３７に記載の基板を含む液晶ディスプレイアセンブリ。
【請求項４２】
請求項３７に記載の基板を含む有機発光ダイオードディスプレイアセンブリ。
【請求項４３】
請求項３７に記載の基板を含む光起電力装置アセンブリ。
【請求項４４】
請求項３７に記載の基板を含む建築用窓ガラス又は透明板ガラス。
【請求項４５】
請求項３７に記載の基板を含むタッチスクリーン・ディスプレイ。
【請求項１】
２６０℃又はそれ以上の融点を有するポリエステルから製造された二軸延伸ポリエステルフィルムを含んでなる、２４０℃又はそれ以上の温度において導電性被膜で被覆することができるフィルム。
【請求項２】
（ａ）テレフタル酸残基、ナフタレンジカルボン酸残基又はそれらの組合せを約９０〜約９９．５モル％含む二酸残基；及び
（ｂ）１，４−シクロヘキサンジメタノール残基を少なくとも９０モル％含むジオール残基を含むポリエステル（このポリエステルは合計１００モル％の二酸残基及び合計１００モル％のジオール残基を含み且つ前記ポリエステルは２６０℃又はそれ以上の融点を有する）から製造された二軸延伸ポリエステルフィルムを含んでなり、２４０℃又はそれ以上の温度において導電被膜で被覆できるフィルム。
【請求項３】
２．０倍より高い伸張比及び９０℃より高い伸張温度において伸張された請求項２に記載のフィルム。
【請求項４】
式：
（２７×Ｒ）−（１．３×（Ｔ−Ｔｇ））≧２７
［式中、Ｔは縦方向及び横断方向の伸張温度（℃）の平均であり、Ｔｇはポリマーフィルムのガラス転移温度（℃）であり、Ｒは縦方向及び横断方向の伸張比の平均である］を満たす条件において二軸伸張され、そして２５０℃〜Ｔｍ［Ｔｍは示差走査熱量測定法（ＤＳＣ）によって測定されたポリマーの融点である］の実際フィルム温度においてヒートセットされた請求項３に記載のフィルム。
【請求項５】
Ｔｇ及びＴｇ＋２０℃の間の温度において２．５〜３．０倍伸張され、そして２５０℃又はそれ以上の実際フィルム温度においてヒートセットされた請求項２に記載のフィルム。
【請求項６】
（ａ）透明な導電性無機酸化物層；並びに
（ｂ）（ｉ）テレフタル酸残基、ナフタレンジカルボン酸残基又はそれらの組合せを約９０〜約９９．５モル％含む二酸残基；及び
（ii）１，４−シクロヘキサンジメタノール残基を少なくとも９０モル％含むジオール残基を含むポリエステル（このポリエステルは合計１００モル％の二酸残基及び合計１００モル％のジオール残基を含み且つ２６０℃又はそれ以上の融点を有する）から製造された二軸延伸ポリエステルフィルム
を含んでなる透明な導電性被覆基板。
【請求項７】
前記の透明な導電層がインジウム錫酸化物である請求項６に記載の基板。
【請求項８】
前記ポリエステルフィルムが約９５〜約９９．５モル％のテレフタル酸残基を含む二酸残基を含む請求項６に記載の基板。
【請求項９】
前記ポリエステルフィルムが約９０〜約９９モル％のナフタレンジカルボン酸残基を含む二酸残基を含む請求項６に記載の基板。
【請求項１０】
前記の透明な導電層が約２３５℃より高温で適用された請求項６に記載の基板。
【請求項１１】
前記の透明な導電層が約２５０℃より高温で適用された請求項６に記載の基板。
【請求項１２】
請求項６に記載の基板を含む液晶ディスプレイアセンブリ。
【請求項１３】
請求項６に記載の基板を含む有機発光ダイオードディスプレイアセンブリ。
【請求項１４】
請求項６に記載の基板を含む光起電力装置アセンブリ。
【請求項１５】
請求項６に記載の基板を含む建築用窓ガラス又は透明板ガラス。
【請求項１６】
請求項６に記載の基板を含むタッチスクリーン・ディスプレイ。
【請求項１７】
（ａ）透明な導電性無機酸化物層；並びに
（ｂ）（ｉ）テレフタル酸残基、ナフタレンジカルボン酸残基又はそれらの組合せを約９０〜約９９．５モル％含む二酸残基；及び
（ii）１，４−シクロヘキサンジメタノール残基を少なくとも９０モル％含むジオール残基を含むポリエステル（前記ポリエステルは合計１００モル％の二酸残基及び合計１００モル％のジオール残基を含み且つ２６０℃又はそれ以上の融点を有する）から製造された二軸延伸ポリエステルフィルム
を含んでなる透明な導電性被覆基板であって、前記ポリエステルフィルムが、式：
（２７×Ｒ）−（１．３×（Ｔ−Ｔｇ））≧２７
［式中、Ｔは縦方向及び横断方向の伸張温度（℃）の平均であり、Ｔｇはポリマーフィルムのガラス転移温度（℃）であり、Ｒは縦方向及び横断方向の伸張比の平均である］を満たす伸張比及び伸張温度において二軸伸張され、そして前記伸張ポリエステルフィルムが、前記伸張フィルムの寸法を保持しながら、２５０℃〜Ｔｍ［Ｔｍは示差走査熱量測定法（ＤＳＣ）によって測定されたポリマーの融点である］の実際フィルム温度において１〜１２０秒間ヒートセットされた基板。
【請求項１８】
前記の透明な導電層がインジウム錫酸化物である請求項１７に記載の基板。
【請求項１９】
前記ポリエステルフィルムが約９５〜約９９．５モル％のテレフタル酸残基を含む二酸残基を含む請求項１７に記載の基板。
【請求項２０】
前記ポリエステルフィルムが約９０〜約９９モル％のナフタレンジカルボン酸残基を含む二酸残基を含む請求項１７に記載の基板。
【請求項２１】
請求項１７に記載の基板を含む液晶ディスプレイアセンブリ。
【請求項２２】
請求項１７に記載の基板を含む有機発光ダイオードディスプレイアセンブリ。
【請求項２３】
請求項１７に記載の基板を含む光起電力装置アセンブリ。
【請求項２４】
請求項１７に記載の基板を含む建築用窓ガラス又は透明板ガラス。
【請求項２５】
請求項１７に記載の基板を含むタッチスクリーン・ディスプレイ。
【請求項２６】
（ａ）非晶質シリコン又は多結晶シリコン導電層；並びに
（ｂ）（１）テレフタル酸残基、ナフタレンジカルボン酸残基又はそれらの組合せを約９０〜約９９．５モル％含む二酸残基；及び
（２）１，４−シクロヘキサンジメタノール残基を少なくとも９０モル％含むジオール残基を含むポリエステル（このポリエステルは合計１００モル％の二酸残基及び合計１００モル％のジオール残基を含み且つ２６０℃又はそれ以上の融点を有する）から製造された二軸延伸ポリエステルフィルム
を含んでなる導電被覆基板。
【請求項２７】
前記導電層が非晶質シリコンである請求項２６に記載の基板。
【請求項２８】
前記ポリエステルフィルムが約９５〜約９９．５モル％のテレフタル酸残基を含む二酸残基を含む請求項２６に記載の基板。
【請求項２９】
前記ポリエステルフィルムが約９０〜約９９モル％のナフタレンジカルボン酸残基を含む二酸残基を含む請求項２６に記載の基板。
【請求項３０】
前記導電層が約２３５℃より高温で適用された請求項２６に記載の基板。
【請求項３１】
前記導電層が約２５０℃より高温で適用された請求項２６に記載の基板。
【請求項３２】
請求項２６に記載の基板を含む液晶ディスプレイアセンブリ。
【請求項３３】
請求項２６に記載の基板を含む有機発光ダイオードディスプレイアセンブリ。
【請求項３４】
請求項２６に記載の基板を含む光起電力装置アセンブリ。
【請求項３５】
請求項２６に記載の基板を含む建築用窓ガラス又は透明板ガラス。
【請求項３６】
請求項２６に記載の基板を含むタッチスクリーン・ディスプレイ。
【請求項３７】
（ａ）非晶質シリコン又は多結晶シリコン導電層；並びに
（ｂ）（ｉ）テレフタル酸残基、ナフタレンジカルボン酸残基又はそれらの組合せを約９０〜約９９．５モル％含む二酸残基；及び
（ii）１，４−シクロヘキサンジメタノール残基を少なくとも９０モル％含むジオール残基を含むポリエステル（このポリエステルは合計１００モル％の二酸残基及び合計１００モル％のジオール残基を含み且つ２６０℃又はそれ以上の融点を有する）から製造された二軸延伸ポリエステルフィルム
を含んでなる導電被覆基板であって、前記ポリエステルフィルムが、式：
（２７×Ｒ）−（１．３×（Ｔ−Ｔｇ））≧２７
［式中、Ｔは縦方向及び横断方向の伸張温度（℃）の平均であり、Ｔｇはポリマーフィルムのガラス転移温度（℃）であり、Ｒは縦方向及び横断方向の伸張比の平均である］を満たす伸張比及び伸張温度において二軸伸張され、そして前記伸張ポリエステルフィルムが、前記伸張フィルムの寸法を保持しながら、２５０℃〜Ｔｍ［Ｔｍは示差走査熱量測定法（ＤＳＣ）によって測定されたポリマーの融点である］の実際フィルム温度において１〜１２０秒間ヒートセットされた基板。
【請求項３８】
前記導電層が非晶質シリコンである請求項３７に記載の基板。
【請求項３９】
前記ポリエステルフィルムが約９５〜約９９．５モル％のテレフタル酸残基を含む二酸残基を含む請求項３７に記載の基板。
【請求項４０】
前記ポリエステルフィルムが約９０〜９９モル％のナフタレンジカルボン酸残基を含む二酸残基を含む請求項３７に記載の基板。
【請求項４１】
請求項３７に記載の基板を含む液晶ディスプレイアセンブリ。
【請求項４２】
請求項３７に記載の基板を含む有機発光ダイオードディスプレイアセンブリ。
【請求項４３】
請求項３７に記載の基板を含む光起電力装置アセンブリ。
【請求項４４】
請求項３７に記載の基板を含む建築用窓ガラス又は透明板ガラス。
【請求項４５】
請求項３７に記載の基板を含むタッチスクリーン・ディスプレイ。
【公表番号】特表２００８−５４５８２２（Ｐ２００８−５４５８２２Ａ）
【公表日】平成２０年１２月１８日（２００８．１２．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−５１２３５６（Ｐ２００８−５１２３５６）
【出願日】平成１８年５月１１日（２００６．５．１１）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００６／０１８１７０
【国際公開番号】ＷＯ２００６／１２４４８０
【国際公開日】平成１８年１１月２３日（２００６．１１．２３）
【出願人】（５９４０５５１５８）イーストマン ケミカル カンパニー (391)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２０年１２月１８日（２００８．１２．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年５月１１日（２００６．５．１１）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００６／０１８１７０
【国際公開番号】ＷＯ２００６／１２４４８０
【国際公開日】平成１８年１１月２３日（２００６．１１．２３）
【出願人】（５９４０５５１５８）イーストマン ケミカル カンパニー (391)
【Ｆターム（参考）】
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