説明

搬送機構の制御方法、基板処理装置、及び記憶媒体

【課題】搬送機構を長時間停止させておいた場合でも、初回駆動時にエラーを起こし難い搬送機構の制御方法を提供すること。
【解決手段】ロードポートと、ロードポートに接続された搬入出室と、搬入出室に接続されたロードロック室と、ロードロック室に接続された搬送室と、搬送室に接続された複数の処理室と、搬送室に設けられ、被処理基板を搬送する搬送機構と、を備えた基板処理装置の搬送機構の制御方法であって、被処理基板がロードポートに到着した後、かつ、被処理基板が搬送室に移送される前に、搬送機構を微少駆動させる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
この発明は、被処理基板を搬送する搬送機構の制御方法に係わり、特に、搬送機構の駆動時に発せられるエラーを低減できる搬送機構の制御方法、そのように制御される搬送機構を備えた基板処理装置、及び上記搬送機構の制御方法を実行するプログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に関する。
【背景技術】
【0002】
基板処理装置、例えば、半導体製造装置には、被処理基板である半導体ウエハを搬送するためのトランスファアームと呼ばれる搬送機構が搭載される。トランスファアームは、特許文献1に記載されるように、一又は複数の処理室、及び一又は複数のロードロック室に接続される搬送室の内部に設けられ、ロードロック室と処理室との間、処理室と別の処理室との間で、半導体ウエハを搬送する。
【特許文献1】特開2002−26108号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
搬送室の内部は、ロードロック室及び処理室と同様に所定の圧力まで真空引きされる。このため、搬送室の内部に設けられるトランスファアームの回転軸の周りには、オイルシール等を含んだメカニカルシールが採用されている。
【0004】
メカニカルシールは構造が単純である反面、摩擦抵抗がある。摩擦抵抗には、静止摩擦と動摩擦とがあり、静止摩擦>動摩擦の関係にある。
【0005】
また、メカニカルシールは、長時間動かないと固着現象を生じ、摩擦抵抗が増加する。このため、トランスファアーム(搬送機構)を長時間停止させていると、停止解除後の初回駆動時に、過負荷によるエラーを起こす場合がある。
【0006】
この発明は、搬送機構を長時間停止させておいた場合でも、初回駆動時にエラーを起こし難い搬送機構の制御方法、そのように制御される搬送機構を備えた基板処理装置、及び上記搬送機構の制御方法を実行するプログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記課題を解決するために、この発明の第1の態様に係る搬送機構の制御方法は、ロードポートと、前記ロードポートに接続された搬入出室と、前記搬入出室に接続されたロードロック室と、前記ロードロック室に接続された搬送室と、前記搬送室に接続された複数の処理室と、前記搬送室に設けられ、被処理基板を搬送する搬送機構と、を備えた基板処理装置の前記搬送機構の制御方法であって、前記被処理基板が前記ロードポートに到着した後、かつ、前記被処理基板が前記搬送室に移送される前に、前記搬送機構を微少駆動させる。
【0008】
また、この発明の第2の態様に係る基板処理装置は、ロードポートと、前記ロードポートに接続された搬入出室と、前記搬入出室に接続されたロードロック室と、前記ロードロック室に接続された搬送室と、前記搬送室に接続された複数の処理室と、前記搬送室内に設けられた搬送機構と、上記第1の態様に係る搬送機構の制御方法を実行する制御装置と、を具備する。
【0009】
また、この発明の第3の態様に係る記憶媒体は、コンピュータ上で動作し、基板処理装置を制御するプログラムが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
前記プログラムは、実行時に、上記第1の態様に係る搬送機構の制御方法が行われるように、コンピュータに前記基板処理装置を制御させる。
【発明の効果】
【0010】
この発明によれば、搬送機構を長時間停止させておいた場合でも、初回駆動時にエラーを起こし難い搬送機構の制御方法、そのように制御される搬送機構を備えた基板処理装置、及び上記搬送機構の制御方法を実行するプログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0011】
以下、この発明の一実施形態を、図面を参照して説明する。なお、全図にわたり、共通の部分には共通の参照符号を付す。
【0012】
図1は、この発明の一実施形態に係る搬送機構を備えた基板処理装置の一例を概略的に示す平面図である。
【0013】
図1に示すように、一実施形態に係る基板処理装置1は、処理部2、搬入出部3、処理部2と搬入出部3とを接続するロードロック部4、及び制御部5とを備えている。本例に示す基板処理装置1は、クラスターツール型(マルチチャンバタイプ)の半導体製造装置である。
【0014】
処理部2は、搬送室(TM)21と、搬送室21に接続された処理室、本例では二つの処理室(PM1、PM2)22、23とを備えている。
【0015】
搬送室21は、内部を所定の真空度に減圧可能である。本例の搬送室21の平面形状は八角形であり、八角形の二辺に対して上記処理室22、23が接続される。
【0016】
処理室22、23は各々、内部を所定の真空度に減圧可能である。本例の処理室22、23は、被処理基板、本例ではウエハWに処理を施す箇所であり、例えば、CVD処理等が行われる。CVD処理を行うときの処理室22、23における所定の真空度は、例えば、1×10〜1×10Pa(約1×10−1〜1×10Torr)程度とされる。このときの搬送室21における所定の真空度も、処理室22、23と同等の圧力、即ち1×10〜1×10Pa(約1×10−1〜1×10Torr)程度とされる。処理室22、23は各々、ゲートバルブG1、G2を介して搬送室21に接続される。処理室22、23は各々、対応するゲートバルブG1、又はG2を開放することにより搬送室21と連通され、対応するゲートバルブG1、又はG2を閉じることにより搬送室21から遮断される。
【0017】
搬入出部3は、搬入出室(LM)31と、ロードポート(LP)32とを備えている。
【0018】
搬入出室31は、内部を大気圧、又はほぼ大気圧、例えば、外部の大気圧に対してわずかに陽圧に調圧可能である。本例の搬入出室31の平面形状は矩形であり、矩形の一辺に対して、例えば、複数、本例では三つのロードポート32a、32b、及び32cが接続される。
【0019】
ロードポート32a乃至32cは、複数のウエハWを格納し、搬送するキャリアCが取り付けられる箇所である。ロードポート32a乃至32cには各々、図示せぬシャッターが設けられており、ロードポート32a乃至32cにウエハWを格納した、あるいは空のキャリアCが取り付けられると、その際にシャッターが外れて外気の侵入を防止しつつ、キャリアCの内部と搬入出室31とが連通される。
【0020】
ロードロック部4はロードロック室、本例では二つのロードロック室(LLM1、LLM2)41、42を備えている。
【0021】
ロードロック室41、42は各々、内部を所定の真空度、及び大気圧、もしくはほぼ大気圧に切り換え可能である。ロードロック室41、42は各々、ゲートバルブG3、G4を介して搬入出室31の、上記ロードポート32a乃至32cが接続された一辺に対向する一辺に接続され、ゲートバルブG5、G6を介して搬送室21の、処理室22、23が接続された二辺以外の二辺に接続される。ロードロック室41、42は各々、対応するゲートバルブG3、又はG4を開放することにより搬入出室31と連通され、対応するゲートバルブG3、又はG4を閉じることにより搬入出室31から遮断される。また、対応するゲートバルブG5、又はG6を開放することにより搬送室21と連通され、対応するゲートバルブG5、又はG6を閉じることにより搬送室21から遮断される。
【0022】
搬入出室31の内部には、キャリアCに対するウエハWの搬入出、及びロードロック室41、42に対するウエハWの搬入出を行う搬入出機構34が設けられている。搬入出機構34は、例えば、二つの多関節アーム34a、34bを有し、キャリアCの配列方向に沿って延びるレール34c上を走行可能となっている。ウエハWは、多関節アーム34a、34bの先端に取り付けられたハンド34d、34eに載せられ、キャリアCに対するウエハWの搬入出、及びロードロック室41、42に対するウエハWの搬入出が行われる。
【0023】
搬送室21の内部には、処理室22、23、ロードロック室41、42相互間に対してウエハWの搬送を行う搬送機構24が設けられている。搬送機構24は、搬送室21の略中央に配設されている。搬送機構24は、回転及び伸縮可能なトランスファアーム24aを有し、トランスファアーム24aの先端にはウエハWを保持するホルダ24bが取り付けられている。本例の搬送機構24は、トランスファアーム24aを複数本、例えば、二本のトランスファアーム24a1、24a2を備えており、トランスファアーム24a1、24a2のそれぞれの先端に、ホルダ24b1、24b2が各々取り付けられている。
【0024】
制御部5は、プロセスコントローラ51と、ユーザーインターフェース52と、記憶部53と、を備えている。
【0025】
プロセスコントローラ51は、マイクロプロセッサ(コンピュータ)からなる。
【0026】
ユーザーインターフェース52は、オペレータが基板処理装置1を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、基板処理装置1の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等を含む。
【0027】
記憶部53は、基板処理装置1において実施される処理を、プロセスコントローラ51の制御にて実現するための制御プログラム、各種データ、及び処理条件に応じて基板処理装置1に処理を実行させるためのレシピが格納される。レシピは、記憶部53の中の記憶媒体に記憶される。記憶媒体はコンピュータ読み取り可能なもので、例えば、ハードディスクであっても良いし、CD−ROM、DVD、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば、専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。任意のレシピはユーザーインターフェース52からの指示等にて記憶部53から呼び出され、プロセスコントローラ51において実行されることで、プロセスコントローラ51の制御のもと、基板処理装置1においてウエハWに対する処理が実施される。
【0028】
図2は、搬送室21に設けられる搬送機構24の一例を概略的に示す断面図である。
【0029】
図2に示すように、一例に係る搬送機構24は、ハウジング60と、一端及び他端を有し、一端をハウジング60の外側に突出させ、他端をハウジング60の内側に収容させた回転軸61と、この回転軸61の一端側に接続されたトランスファアーム24aと、回転軸61の他端側に接続され、回転軸61を回転駆動する駆動機構62と、回転軸61とハウジング60との間に設けられ、ハウジング60の内側と外側とをシールするメカニカルシール63と、を備えている。
【0030】
また、本例では回転軸61が複数、例えば、回転軸61a、61bの二本あり、これら二本の回転軸61a、61b各々に、トランスファアーム24a1、24a2が接続されている。これらトランスファアーム24a1、24a2の先端各々には、図2中においては図示が省略されているホルダ24b1、24b2が設けられている。
【0031】
さらに、本例では、二本の回転軸61a、61bのうちの一本が中空の回転軸となっており、中空の回転軸の内部に、もう一本の回転軸が挿入されている。図2中では、回転軸61aが、中空の回転軸61bの内部に挿入されている。中空の回転軸61bは外軸として機能し、回転軸61aは内軸として機能する。即ち、本例の回転軸は、外軸及び内軸の回転中心が同軸である同軸回転軸構造である。
【0032】
このような同軸回転軸構造において、本例のメカニカルシール63は、回転軸61b(外軸)とハウジング60との間に設けられた第1のメカニカルシール63a、及び回転軸61b(外軸)と回転軸61a(内軸)との間に設けられた第2のメカニカルシール63bとを含んで構成されている。メカニカルシールの例は、リップシール、オイルシール等である。
【0033】
また、回転軸61bとハウジング60との間には軸受64aが設けられ、回転軸61bと回転軸61aとの間には軸受64bが設けられている。さらに、駆動機構62には、回転軸61aを駆動する第1の駆動機構62aと、回転軸61bを駆動する第2の駆動機構62bとが備えられており、回転軸61a及び回転軸61bは、それぞれ独立した回転動作が可能となっている。
【0034】
第1、第2の駆動機構62a、62bは、ハウジング60の内側に設けられている。本例では、図2中では図示が省略されている搬送室21が大気圧よりも低い圧力に減圧可能であり、かつ、ハウジング60の内側が、搬送室21の圧力よりも高い状態、例えば、大気圧のままに保持可能である。
【0035】
第1、第2の駆動機構62a、62bは、ハウジング60の外、かつ、図2中では図示が省略されている搬送室21の外側に設けられたプロセスコントローラ51によって制御される。
【0036】
次に、一実施形態に係る搬送機構の制御方法の一例を説明する。
【0037】
図3Aは一実施形態に係る搬送機構の制御方法の流れの一例を示す図、図3Bは参考例の流れを示す図である。
【0038】
図3A及び図3Bに示すように、被処理基板(本例ではウエハW)は、基板処理装置1の内部を、ロードポート(LP)、搬入出室(LM)、ロードロック室(LLM)、搬送室(TM)、処理室(PM)の順序で移送されていく。
【0039】
例えば、キャリアに格納された被処理基板がロードポートに到着してから、搬送機構が始めて駆動されるのは、図3Bに示す参考例のように、通常は、被処理基板がロードロック室から搬送室へ移送されるときである。
【0040】
これに対して、図3Aに示すように、一実施形態に係る搬送機構24の制御方法は、被処理基板がロードポートに到着した後、かつ、被処理基板が搬送室に移送される前に、搬送機構を微少駆動させる。微少駆動の一例を図4に示す。
【0041】
図4に示すように、微少駆動の一例は、トランスファアーム24a、図4中では二本のトランスファアーム24a1、24a2をわずかに動かし、元に戻す動作である。二本のトランスファアーム24a1、24a2をわずかに動かすことで、例えば、トランスファアーム24a1、24a2が長時間回転動作せず、メカニカルシールが固着していた場合において、メカニカルシールの固着を取り除くことができる。
【0042】
このような微少駆動の後、被処理基板をロードロック室から搬送室へ移送させるとき、トランスファアーム24a1、24a2を回転させても、固着は取り除かれているので、メカニカルシールの固着に起因した過負荷によるエラーの発生を抑制することができる。
【0043】
対して、図3Bに示す参考例では、微少駆動をしないので、被処理基板をロードロック室から搬送室へ移送させるとき、メカニカルシールが固着していると、過負荷によるエラーが発生する。エラーが発生した場合には、例えば、図3A及び図3Bに示す被処理基板の流れとは逆の流れで被処理基板をロードロック室からロードポート上のキャリアまで回収する、あるいは作業者が搬入出室、又は搬送室まで入り、ロードロック室から被処理基板を回収しなければならない。
【0044】
本例では、上記エラーの発生を抑制できるので、被処理基板を、例えば、ロードロック室からロードポート上のキャリアまで回収するような作業を減らすことができる。
【0045】
また、本例では、微少駆動の際に、エラーが発生することがある。この場合には、例えば、再度、トランスファアーム24a1、24a2を駆動させてみて、エラーが発生しなければ、そのまま、被処理基板の処理を続行すれば良い。
【0046】
再度のエラーが発生しなければ、微少駆動の際にメカニカルシールが固着していて過負荷となったもの、と推測できる。一度、トランスファアーム24a1、24a2は駆動されているので固着は取り除かれている、または緩和されている。よって、被処理基板の処理を続行することが可能である。
【0047】
次に、より具体的な搬送機構の制御方法の一例を説明する。
【0048】
図5は、より具体的な搬送機構の制御方法の流れの一例を示す流れ図である。
【0049】
図5に示すように、キャリアがロードポートに到着次第、被処理基板の搬入出室への搬入を開始する(ステップ1)。
【0050】
次に、搬送機構の停止時間を検知する(ステップ2)。
【0051】
メカニカルシールの固着は、搬送機構が停止していた時間、特に、トランスファアームが回転せず、止まっていた時間に依存する。このため、搬送機構が停止していた時間を検知し、停止時間が基準時間を超過した否かを判断する(ステップ3)。
【0052】
停止時間が基準時間を超過していない場合(No.)には、そのまま処理を続行する(ステップ4)。
【0053】
反対に、停止時間が基準時間を超過した場合(Yes.)には、上記微少駆動動作に入る。
【0054】
尚、基準時間は任意で良く、例えば、停止時間60分を基準時間としても良いし、60分を超える時間、例えば、10時間、又は10時間以上を基準時間としても良い。また、停止時間が、1日、又は1日以上を基準時間としても良い。
【0055】
さらに、本例では、駆動機構の許容トルク値を上昇させる(ステップ5−1)。これは、通常時に設定される駆動機構の許容トルク値では、メカニカルシールが固着し、搬送機構が動かないことを想定してのものである。許容トルク値を上昇させることで、メカニカルシールが硬く固着していた場合でも、過負荷によるエラーを発生させることなく固着を取り除くことができる。許容トルク値をどれだけ上昇させるかは任意であるが、一例を挙げるならば、例えば、通常時に設定される許容トルク値の20%増しである。
【0056】
次に、搬送機構を微少駆動させる(ステップ6)。
【0057】
次に、搬送機構の微少駆動が終了したら、上昇されていた許容トルク値を元に戻す、即ち、通常時に設定される許容トルク値に戻す(ステップ7−1)。この後、ステップ4に示すように、処理を続行する。
【0058】
図5に示した流れは、被処理基板がロードポートに到着した後、かつ、被処理基板が搬送室に移送されるまで数分間の時間がかかることから、被処理基板が搬送室に移送されるまでに実行されれば良い。そして、図5に示した流れは、例えば、記憶部53にレシピとして記憶され、プロセスコントローラ51により実行される。
【0059】
このような具体的な制御方法であれば、被処理基板がロードポートに到着した後、かつ、被処理基板が搬送室に移送される前に、搬送機構を微少駆動させるので、被処理基板をロードロック室からロードポート上のキャリアまで回収する、あるいは作業者が搬入出室、又は搬送室まで入り、ロードロック室から被処理基板を回収しなければならない、という事情を解消することができる。
【0060】
さらに、微少駆動に入る前に、駆動機構の許容トルク値を上昇させるので、通常時に設定される許容トルク値では動かないほど、メカニカルシールが硬く固着していた場合であっても、搬送機構を微少駆動させることができる。しかも、微少駆動に際し、過負荷によるエラーを起こすことも無い。
【0061】
図6は、より具体的な搬送機構の制御方法の流れの他の例を示す流れ図である。図6に示す流れにおいて、図5に示す流れと異なるところは、ステップ5−2、及びステップ7−2である。これ以外は、図5に示す流れと同様であるので、異なる部分についてのみ説明することにする。
【0062】
上記具体的な一例においては、搬送機構を微少駆動させる前に駆動機構の許容トルク値を上昇させることで、メカニカルシールが硬く固着していた場合であっても、搬送機構を微少駆動させることを可能とした。
【0063】
しかし、メカニカルシールが硬く固着していた場合であっても、エラーを発生させることなく搬送機構を微少駆動させることは、許容トルク値を上昇させること、に限られるものではない。
【0064】
図6に示す他例においては、ステップ5−2に示すように、駆動機構の駆動(始動)トルクを、通常時に設定される駆動(始動)トルクよりも上昇させるようにした。
【0065】
このように、駆動機構の駆動(始動)トルクを、通常時に設定される駆動(始動)トルクよりも上昇させることでも、メカニカルシールが硬く固着していた場合であっても、搬送機構を微少駆動させることができる。よって、図5に示した一例と同じ効果を得ることができる。他例においても、駆動(始動)トルクをどれだけ上昇させるかは任意であるが、一例を挙げるならば、例えば、通常時に設定される駆動(始動)トルクの20%増しである。ただし、上昇させた駆動(始動)トルクは、駆動機構の許容トルク値を超えないように、許容トルク値の範囲内に設定されるようにする。
【0066】
次に、搬送機構が複数のトランスファアームを備えていた場合に得られる利点を説明する。
【0067】
図7Aは複数のトランスファアームを備えた搬送機構の制御方法の流れの一例を示す図、図7Bは参考例の流れを示す図である。
【0068】
図7A及び図7Bに示すように、基板処理装置1の内部における被処理基板の移送順序は、図3A及び図3Bに示した移送順序と同じである。
【0069】
本一例では、図7Aに示すように、トランスファアームが複数、例えば、二本あっても、一枚目、二枚目の被処理基板を搬送するトランスファアームの双方を、被処理基板がロードポートに到着した後、かつ、一枚目、二枚目の被処理基板が搬送室に移送される前に、微少駆動させる。
【0070】
対して、図7Bに示す参考例では、一枚目の被処理基板を搬送するトランスファアームが始めて駆動されるのは、一枚目の被処理基板がロードロック室から搬送室へ移送されるときである(図中100)。また、一枚目の被処理基板を搬送するトランスファアームも同様であり、二枚目の被処理基板がロードロック室から搬送室へ移送されるときに、始めて駆動される(図中101)。
【0071】
図中100に示す状態で、エラーが発生した場合、図8Aに示すように、一枚目の被処理基板Wは、ロードロック室41にあり回収可能である。回収しても処理前なので、引き続き処理を続行することが可能である。
【0072】
しかしながら、図中100に示す状態でエラーが発生せず、図中101に示す状態でエラーが発生した場合には、図8Bに示すように、二枚目の被処理基板Wは、ロードロック室41にあるので回収可能である。もちろん、処理前であるから、引き続き処理を続行することが可能である。
【0073】
しかしながら、一枚目の被処理基板Wは、処理室22に入り処理が進んでしまっている、例えば、成膜処理が進んでしまっている。このため、回収しても処理途中で処理室から、例えば、キャリアまで戻してしまっているので、処理を続行したとしても、汚染や酸化等が進んでしまっており、不良品となってしまう。
【0074】
このように、搬送機構が複数のトランスファアームを備えている場合において、被処理基板が搬送室に移送される前に、搬送機構を微少駆動しない場合には、エラーの発生により、一枚の被処理基板を不良にさせてしまう場合がある。
【0075】
対して、本例のように、被処理基板が搬送室に移送される前に、搬送機構を微少駆動させる場合には、搬送機構が複数のトランスファアームを備えている場合において、エラーの発生により、一枚の被処理基板を不良にさせてしまうこともない。
【0076】
以上、この発明を一実施形態に基づいて説明したが、この発明は上記一実施形態に限定されることなく種々変形可能である。また、この発明の実施形態は、上記一実施形態が唯一の実施形態でもない。
【0077】
例えば、上記実施形態では、基板処理装置として、半導体製造装置を例示したが、フラットパネルディスプレイ製造装置など、搬送室を備え、搬送室内に被処理基板を搬送する搬送機構を備えた基板処理装置にも適用することができる。
【0078】
また、処理室における処理としては、CVD処理を例示したが、エッチング処理等、CVD処理以外の処理を行うことも可能である。
【図面の簡単な説明】
【0079】
【図1】この発明の一実施形態に係る搬送機構を備えた基板処理装置の一例を概略的に示す平面図
【図2】搬送室に設けられる搬送機構の一例を概略的に示す断面図
【図3】図3Aは一実施形態に係る搬送機構の制御方法の流れの一例を示す図、図3Bは参考例の流れを示す図
【図4】微少駆動の一例を示す図
【図5】より具体的な搬送機構の制御方法の流れの一例を示す流れ図
【図6】より具体的な搬送機構の制御方法の流れの他例を示す流れ図
【図7】図7Aは複数のトランスファアームを備えた搬送機構の制御方法の流れの一例を示す図、図7Bは参考例の流れを示す図
【図8】図8Aは図7B中の参照符号100の状態を示す図、図8Bは図7B中の参照符号101の状態を示す図
【符号の説明】
【0080】
1…基板処理装置、21…搬送室、31…搬入出室、32a、32b、32c…ロードポート、41、42…ロードロック室、22、23…処理室、24…搬送機構、24a1、24a2…トランスファアーム、60…ハウジング、61、61a、61b…回転軸、62、62a、62b…駆動機構、63、63a、63b…メカニカルシール、W…被処理基板。


【特許請求の範囲】
【請求項1】
ロードポートと、
前記ロードポートに接続された搬入出室と、
前記搬入出室に接続されたロードロック室と、
前記ロードロック室に接続された搬送室と、
前記搬送室に接続された複数の処理室と、
前記搬送室に設けられ、被処理基板を搬送する搬送機構と、を備えた基板処理装置の前記搬送機構の制御方法であって、
前記被処理基板が前記ロードポートに到着した後、かつ、前記被処理基板が前記搬送室に移送される前に、前記搬送機構を微少駆動させることを特徴とする搬送機構の制御方法。
【請求項2】
前記搬送機構が、前記被処理基板を保持するホルダを複数備えていることを特徴とする請求項1に記載の搬送機構の制御方法。
【請求項3】
前記搬送機構が、
ハウジングと、
一端及び他端を有し、前記一端が前記ハウジングの外側に突出され、前記他端を前記ハウジングの内側に収容された回転軸と、
前記回転軸の一端側に接続されたアームと、
前記回転軸の他端側に接続され、前記回転軸を回転駆動する駆動機構と、
前記回転軸と前記ハウジングとの間に設けられ、前記ハウジングの内側と外側とをシールするメカニカルシールと、
を備えていることを特徴とする請求項1に記載の搬送機構の制御方法。
【請求項4】
前記回転軸が複数あり、
前記複数の回転軸各々に、前記アームが接続されており、
前記複数の回転軸各々接続された前記アームの先端各々に、前記被処理基板を保持するホルダが設けられていることを特徴とする請求項3に記載の搬送機構の制御方法。
【請求項5】
前記複数の回転軸が中空の回転軸を含み、この中空の回転軸を外軸とし、前記中空の回転軸の内部に挿入された回転軸を内軸とし、前記外軸及び前記内軸の回転中心が同軸である同軸回転軸構造を持つことを特徴とする請求項4に記載の搬送機構の制御方法。
【請求項6】
前記メカニカルシールが、前記外軸と前記ハウジングとの間、及び前記外軸と前記内軸との間に設けられていることを特徴とする請求項5に記載の搬送機構の制御方法。
【請求項7】
前記メカニカルシールが、オイルシールを含むことを特徴とする請求項3乃至請求項6いずれか一項に記載の搬送機構の制御方法。
【請求項8】
前記搬送室が大気圧よりも低い圧力に減圧可能であり、
前記ハウジングの内側が、前記搬送室の圧力よりも高い状態に保持可能であることを特徴とする請求項3乃至請求項7いずれか一項に記載の搬送機構の制御方法。
【請求項9】
前記微少駆動が、前記搬送機構の停止時間が基準時間を超えたか否かに基づいて実行されることを特徴とする請求項1乃至請求項8いずれか一項に記載の搬送機構の制御方法。
【請求項10】
前記微少駆動の前に、前記搬送機構を駆動する駆動機構の許容トルク値を通常時に設定される許容トルク値よりも上昇させることを特徴とする請求項1に記載の搬送機構の制御方法。
【請求項11】
前記微少駆動の前に、前記搬送機構を駆動する駆動機構の駆動トルクを通常時に設定される駆動トルクよりも上昇させることを特徴とする請求項1に記載の搬送機構の制御方法。
【請求項12】
ロードポートと、
前記ロードポートに接続された搬入出室と、
前記搬入出室に接続されたロードロック室と、
前記ロードロック室に接続された搬送室と、
前記搬送室に接続された複数の処理室と、
前記搬送室内に設けられた搬送機構と、
請求項1乃至請求項11いずれか一項に記載の搬送機構の制御方法を実行する制御装置と、
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項13】
コンピュータ上で動作し、基板処理装置を制御するプログラムが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
前記プログラムは、実行時に、前記請求項1乃至請求項11いずれか一項に記載の搬送機構の制御方法が行われるように、コンピュータに前記基板処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【公開番号】特開2010−87177(P2010−87177A)
【公開日】平成22年4月15日(2010.4.15)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−253813(P2008−253813)
【出願日】平成20年9月30日(2008.9.30)
【出願人】(000219967)東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Fターム(参考)】