改良型ナノインプリント方法
【解決手段】本発明は、基板（６，１６）の表面上に、パターン形成されたレジスト（２ａ，１２ａ）のコーティングを塗布する方法に関する。前記方法は、流動性を有するレジスト（２，１２）がスタンプの表面に構築されたレジストコーティング（２，１２）を与えるために、前記スタンプ（１，１１）の構築された表面と支持物（３，１３）との間で押印される、少なくとも１つの印ステップと、それぞれに、前記構築されたレジストコーティングの第１の部分（２ａ，１２ａ）を備える前記スタンプと、前記レジストコーティングの第２の部分（２ｂ，１２ｂ）を備える前記支持物と、が互いから分離される次に続く分離ステップと、前記構築されたレジストコーティング（２ａ，１２ａ）を前記基板（６，１６）の表面上に転写するために、前記スタンプ（１，１１）の表面上の、前記パターン形成されたレジストコーティングの前記第１の部分（２ａ，１２ａ）が、前記基板（６，１６）の表面に押圧される、次に続く転写ステップと、前記構築されたレジストコーティング（２ａ，１２ａ）の前記第１の部分（２ａ，１２ａ）が硬化される、硬化ステップと、前記スタンプ（１，１１）が前記構築されたレジストコーティングの前記第１の部分（２ａ，１２ａ）から分離される、離型ステップと、を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エンボス加工と基板上への転写によって、基板上にマイクロ或いはナノパターンを形成するための方法と組立体に関する。
【０００２】
迅速で、実用的で、複写できる、ナノ或いはマイクロスケールのパターンの製品に対する需要は、ナノテクノロジーの発展における、主要なモチベーションの１つとなっている。
【背景技術】
【０００３】
ナノエレクトロニクス，フォトニクス，およびバイオテクノロジーの分野におけるナノスケールのパターンを加工する最近のリトグラフィーの技術は、いわゆるナノインプリントと呼ばれるもので、費用効率の高い方法である。基本的な発想は、基板表面上の硬化可能な流動性を有する低粘性レジストに、このパターン形成されたスタンプの表面を押圧することで、スタンプに塗布、例えばエッチングされるパターンを複製することにあり、この押圧は言い換えれば、同時に行われるレジストのエンボス加工と基板への塗布（インプリント）による。前記パターン形成されたスタンプの表面のすべての空洞をレジストで満たした後、ラッカー層が熱および／または紫外線光によって硬化される。最終ステップにおいて、前記スタンプは取り去られ、前記パターンの３次元複製が前記基板上の前記レジストコーティングに残る。このナノパターンはその後で、さらにエッチングによって、他の基板に転写され得る。この方法は、例えば特許文献１に記載されている。
【０００４】
まだエンボス加工されていないレジストコーティングを、スタンプの表面上か基板上に塗布する別の方法が知られている。これは上記特許文献１において、スピンコーティングを用いて、パターン形成されたスタンプの表面にレジストを塗布することで達成される。
【０００５】
特許文献２は、結果として前記パターン形成されたスタンプの表面によって基板のレジスト表面をエンボス加工するために、基板上へのレジストラッカーの流し込みが開示されている。前記流し込みは、比較的時間がかかり、レジストの滴下限界は硬化後のエンボス加工されたレジストの不良につながりかねない。
【０００６】
パターン形成されたロール表面を有し、レジストコーティングをエンボス加工するために、そのレジストコーティングを備えた基板上を転がるロール型スタンプが、特許文献３に開示されている。前記レジストコーティングは、紫外線照射によって、間隙（ニップ）領域でほとんど同時に硬化される。
【０００７】
それ自体の表面に自己組織化単分子膜（ＳＡＭ）を形成するために、ポリジメチルシロキサンのスタンプが有機液体で濡らされる方法が特許文献４に開示されており、ここでは基板にＳＡＭを転写するために、ＳＡＭを有する前記スタンプが前記基板に押圧される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００７／０５９４９７号明細書
【特許文献２】米国特許第６３３４９６０号明細書
【特許文献３】米国特許第５４２５８４８号明細書
【特許文献４】国際公開第０２／０３１４２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来技術のナノインプリントでは、前記パターン形成されたスタンプの表面への一定した均質注入を実現する一方で、残余するレジスト厚さは以下に説明するように、後工程での基板のエッチング処理に影響を及ぼす遅れを生じないように、できる限り薄く塗布されなければならないという二つの課題すなわち目標に直面している。
【００１０】
これらの目標は互いに競合するが、その理由は、一定した注入は、通常は過剰な量のレジストによって実現するので、パターン形成されずに残っているレジストの厚み（パターンの下の硬化したレジストの厚み）が常に存在し、さらに層の厚さを不均質にする可能性があるからである。
【００１１】
もしも、スタンプの表面上のパターンが繰り返されず不規則であるならば、この不均質さはより大きくなり得る。なぜなら、より大きなパターン量を注入するときに、より少ないパターン量よりも、注入のためにより多くのレジストが消費され、それによりラッカーの不足と注入の不良を生じる可能性があるからである。但し、たとえより粘性の高いラッカーが使用されたとしても、前記パターンに注入するためのラッカー濃度の高いラッカー、すなわちより粘度の高いラッカー層を使用することで、この均質性が縮小することもあり得る。しかし、そのようなラッカーの使用は、半導体産業において通常に用いられているような、パターンを基板に転写する後工程のエッチング処理をより難しいものにする。
【００１２】
不均質さを縮小するために、エンボス加工中により高い圧力を使用することができるとはいえ、これはしかしながら、弾力性のあるスタンプの場合には正常に機能せず、また一般に前記残余するレジストの厚さを僅かに減少させるだけである。
【００１３】
前記残余するレジストの厚さを最小化すると同時に、均質さを増大させるために、滴下注入中において、局部的に滴の濃度とサイズをパターンに適合させることによって、そのパターンに適合したコーティング処理を実施することが知られている。これはパターンの緻密な分析を必要とし、ひいては比較的複雑で時間がかかる。また器具の使用手順は比較的複雑であり、上述のレジストの滴の境界における欠点の問題が存在する。
【００１４】
それ故に、本発明は従来技術を改善して、より均質で残余するレジストの厚さがより低く、レジストコーティングを有する基板表面上に、レジストのパターン形成されたコーティングを塗布する方法を提供し、その方法がより容易に、より速く、よりコスト効率よく実施できるという目的に基づいている。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
この目的は請求項１の方法によって達成される。好適な各実施例はいずれも、従属請求項の主題である。特許請求項のそれぞれに記載された特徴は、技術的に意味のある如何なるやり方にも、また本発明の現状のどの別の実施例にも組み込めることに注意すべきである。ここでの記載、とりわけ図面に関連するものは、本発明をさらに特徴付け、特定する。
【００１６】
本発明は、基板表面上にパターン形成されたレジストのコーティングを塗布する方法に関する。
【００１７】
前記方法は、前記スタンプの表面に対応して、流動性を有するレジストにパターン形成された表面を与えるために、スタンプのパターン形成された表面とキャリアの間で、前記流動性を有するレジストがそれぞれエンボス加工される、少なくとも１つのエンボス加工ステップを備える。
【００１８】
前記方法は、前記パターン形成されたレジストコーティングが付随する前記スタンプと前記キャリアが分離され、このパターン形成されたレジストコーティングは、まだ硬化していないレジストからなる、前記エンボス加工ステップに続く分離ステップをそれぞれに備える。
【００１９】
前記パターン形成されたレジストコーティングの第１の部分が付随する前記スタンプと、前記パターン形成されたレジストコーティングの第２の部分が付随する前記キャリアとを分離することによって、前記スタンプの表面に近接する前記レジストコーティングが、前記スタンプの表面に平行な切断線に沿って二つの部分に分割され、それにより前記分離ステップの後に、前記スタンプの表面上に存在する前記レジストコーティングの残余するレジスト厚さが、例えばおおよそ半分に縮小される。
【００２０】
前記エンボス加工ステップおよびそれに関連する前記分離ステップは、好適には前記レジストコーティングの残余するレジスト厚さを、意図的に縮小することに応じて、前記スタンプ上に位置する前記レジストコーティングの第１の部分の残余する厚さが、所望の寸法まで連続的に縮小されるまで、繰り返し実施される。
【００２１】
本発明における方法はさらに、前記パターン形成されたレジストコーティングを前記基板の表面に転写するために、前記スタンプの表面上の前記パターン形成されたレジストコーティング、すなわち前記第１の部分が前記基板の表面に対して押圧される、分離ステップに続く転写ステップと、前記基板の表面に配置された前記パターン形成されたレジストコーティングの第１の部分が硬化される、硬化ステップと、を備える。
【００２２】
その後、あるいは時間的に重複して、前記スタンプが前記基板上に位置する前記パターン形成されたレジストコーティングの第１の部分から分離される、離型ステップが行われる。
【００２３】
本発明は、例えば圧力や温度等の処理パラメータに関して制限されず、それらの処理パラメータはレジスト，基板またはキャリアに選択された材料に従って選択されるだろう。一の実施例において、少なくとも前記エンボス加工ステップと前記転写ステップは真空下で行われる。好適には、それらのステップはＩＳＯ−１４６４４−１（クリーンルーム環境）に規定される浮遊微小粒子の濃度の環境下で行われる。温度は、例えば、レジストのガラス転移温度よりも約３０度から約９０度上の範囲にある。
【００２４】
前記エンボス加工ステップと前記転写ステップは上述のように、前記スタンプの表面のパターンの高さと幅の情報を、最終的には前記基板上に位置する前記レジストコーティングに転写するのに役立つ。
【００２５】
本発明における方法は、前記エンボス加工ステップと前記分離ステップを含む（各）シークエンスによって特徴づけられ、それによって前記基板上に転写されるべき前記レジストコーティングの層の厚みであって、とりわけ前記残余部の厚み、すなわち前記パターンの深さを上回るレジストコーティングの層の厚みを減少することができ、前記スタンプのパターンの均質な注入が同時に達成される。
【００２６】
前記スタンプのパターンをエンボス加工あるいは注入するステップ以降、分離による層の厚みの減少と基板上への転写は、切り離して実施されるが、例えば圧力，温度，時間，および／または一方では前記キャリアの表面特性であって、他方では前記基板の表面特性であるようなプロセス条件を、各ステップで独自に設定することで、それらのステップは、注入，薄い残余部の層，前記残余部の層と注入の均質化，および前記パターンの複製品における良好な分解能に関して、より容易に、そしてその都度別々に最適化することができる。コーティングを部分的に取り除くために、例えばナイフやドクターブレードのような機械装置の利用は必要としない。本発明の方法においては、それらの装置により前記コーティングあるいは前記スタンプの表面さえも傷つける可能性は排除される。
【００２７】
本発明における方法においては、前記スタンプをレジストで覆うことができる。しかしながら好適には、前記エンボス加工ステップに先行するコーティングステップにおいて、前記キャリアが流動性を有するレジストで覆われる。前記キャリアは、パターニングされていない概してなめらかな表面を有するので、前記パターン形成されたスタンプの表面上よりも前記キャリア上に、均質な配分を達成するのがより簡単になる。前記コーティングステップにおいては、前記キャリアは好適にはスピンコーティング処理を用いて前記流動性を有するレジストで覆われる。
【００２８】
前記パターンへの注入を改善するために、本発明に基づく方法の一実施例におけるキャリアは、基板と比べて界面活性の、例えば粘着性を低減したコーティングを有するか、または適切な材料からなる。
【００２９】
別の好適な実施例において、前記スタンプ上に位置する前記レジストコーティングの第１の部分は、前記分離ステップの後に、レジストに関して活性な溶媒で濡らされるが、これはその後の基板表面上への転写中に基板の接着性を増加させ、前記レジストの粘度を低下させるためのものであって、それにより例えばトルエン，キシロール，テトラヒドロフランのような溶媒は、均一なレジストコーティングを、とりわけ界面活性の物質でコーティングされたスタンプ上に提供することができる。
【００３０】
本発明における方法の別の有利な実施例によれば、より均一な配分を果たすために、前記分離ステップの後に、前記スタンプはスピニングステップにおいて、前記パターン形成されたレジストコーティングの前記第１の部分と共に回転させられる。
【００３１】
好適には、前記スピニングステップは先行するレジストを上述の溶媒で湿らすステップと組み合わせて実施される。
【００３２】
前記レジストは、熱的すなわち温度の上昇によって、硬化が行われてもよい。好適には、それは紫外線光の下で硬化するレジストであって、レジストはその後、硬化ステップ時に紫外線光によって硬化される。
【００３３】
別の有利な実施例によれば、前記硬化ステップと前記転写ステップは、同時にまたは時間的に重なって実行される。基板への結合は硬化中に強くなるので、残余部を残すことなく前記スタンプから前記基板上に前記コーティングを転写でき、またさらに、前記転写されたパターンの外形を３次元の全てにおいて監視できる。
【００３４】
好適には、前記パターン形成されたスタンプの表面の前記パターンは、マイクロからナノパターンである。本発明の要旨の範囲内のナノパターンは、数ナノメートル以下の方位分解能を有するパターンである。
【００３５】
基板材料は好適には、シリコン，砒化ガリウム，リン化インジウムのような少なくとも１つの半導体と、石英ガラスのような少なくとも１つの誘電体と、少なくとも１つの金属と、それらの組み合わせと、からなるグループから選択される。前記基板は、例えば、研磨されたシリコンウェハーである。しかしながら本発明は、硬質で平らな基板に限定されるものではなく、本発明における方法は、基板としての、コーティングされた弾力性を有するポリイミドフィルムにも適している。
【００３６】
本発明の要旨の範囲内におけるレジストという用語は、広範に解釈されるべきであり、通常それはラッカーのような流動性を有する物質であって、その物質が硬化後に基板上に塗布されるマスクを形成して、局所的に変化するカバーを提供することで、当該マスクによるマスキングに対応して、パターンがその後の処理中に基板の表面に組み入れられる。
【００３７】
前記パターン、より具体的にはパターンの深さは、基板の続く処理ステップ（エッチング）において、前記レジストコーティングの最低限必要な耐久性が与えられるように、前記パターン形成されたレジストコーティングから得られた前記マスクの厚みが選択されるのに伴い、通常選択されるだろう。
【００３８】
一般に、前記スタンプと比較すると、前記レジストの材料は、流動性を有する状態から硬化した状態へ転移できる比較的柔軟な材料であり、これは放射（紫外線放射）を用いて熱硬化可能な熱可塑性ポリマーまたはプレポリマーのようなポリマーや、例えばポリメタクリル酸メチル樹脂或いはモノマーであって、好適には純粋な有機モノマーか有機／無機混合モノマーを含んでいる。例えばそれは、メタクリル樹脂ベースのレジストである。好適には、流動性を有するレジストの粘度は５０ミリパスカル秒未満である。
【００３９】
本発明における方法のスタンプは硬質であってもよく、例えば、半導体，誘電体，金属，および、それらの合成物から形成される。そのパターン形成された表面のパターンは、例えば、電子ビームリトグラフィーとそれに続くドライエッチングによって適用される。前記離型ステップにおける前記スタンプと前記コーティングされた基板との分離を促進するために、前記スタンプの表面は、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフロロデシルトリクロロシラン等の表面活性物質で処理されてもよい。
【００４０】
好適には、本発明における前記スタンプは弾力性を有する材料製である。平らではない表面を有する基板へのパターンの転写が、上述のように可能となる。さらに、弾力性を有するスタンプはレジストに対し極めて粘着力が低く、レジストの硬化後において非常に容易な離型を促進し、それにより高い処理能力が達成できる。
【００４１】
より好適には、前記スタンプはポリマー製である。シンプルで費用効率の高い、“マスター”スタンプからのパターン複写が、上に述べたように成し遂げられる。
【００４２】
本発明における方法の１つの実施例において、前記基板の表面は、いくつかの連続するステップのなかで、いくつかの各転写ステップ（ステップおよび繰り返し）中に引き続いて、前記パターン形成されたレジスト表面でコーティングされる。別の有利な実施例によれば、前記キャリアおよび／または前記スタンプは、本発明における方法の関連するステップを連続的に実施できるようにするために、ローラーまたはコンベアベルトとして構成される。
【００４３】
好適には、前記キャリアおよび／または前記スタンプはローラーまたはコンベアベルトとして構成され、少なくとも１つの前記エンボス加工ステップが、それに関連する前記分離ステップと、前記押圧ステップと、前記離型ステップと共に連続的なローラー群のプロセスで実施される。そのため、例えば大きな基板の表面を素早く効率的にコーティングすることができる。エンボス加工とレジストコーティングの転写とが連結されないことによって、従来技術のような基板の事前処理は必要ない。
【００４４】
別の有利な実施例によれば、基板の向かい合う各基板表面が同時に転写ステップを受ける。向かい合う各基板表面を同時にコーティングすることによって、徐々に進行するコーティング処理と比べて処理能力は上昇する。
【００４５】
別の有利な実施例によれば、前記パターン形成されたレジストの表面でコーティングされる前記基板表面は、例えば、微小機械ユニットの部品を製造するために、前記離型ステップに続くエッチングステップにおいて、例えば異方性エッチングでエッチングされる。好適には、前記離型ステップに続くエッチングステップの方法が、例えばＣＭＯＳ技術を有するナノスケールのＦｉｎＦＥＴトランジスタのような、半導体パターンを製造するために利用され、その場合、前記エッチングステップの後にドーピングステップを随意的に実施してもよい。
【００４６】
本発明はまた、上述の実施例のうちの１つの方法を実行するための装置にも関連しており、その装置は少なくとも１つのスタンプと少なくとも１つのキャリアとを備えて、少なくとも１つのキャリア上のレジストコーティングをエンボス加工しており、前記スタンプは後に続くエンボス加工された前記レジストコーティングの前記基板上への転写に役立つ。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
本発明と同様に技術環境についても、図面を参照してさらに詳細に説明する。
【００４８】
図面は本発明の望ましい実施例を詳細に描いているが、そのことにより制限されないことに注意しなければならない。
【図１】本発明におけるコーティングステップを概略的に示す。
【図２】本発明におけるエンボス加工ステップを概略的に示す。
【図３】本発明における分離ステップを概略的に示す。
【図４】本発明における転写ステップを概略的に示す。
【図５】本発明における硬化ステップを概略的に示す。
【図６】本発明における離型ステップを概略的に示す。
【図７】別の実施例における、本発明の方法を実施するための装置を概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【実施例１】
【００４９】
図１は、流動性を有するレジスト２でキャリア３をコーティングするプロセスを示す。スピニング加工（図示せず）を、このプロセスに使用することができる。ポリマー製の弾力性を有するスタンプ１は、図２に示すエンボス加工ステップにおいて、前記キャリア３と前記スタンプ１のパターン形成された表面との間の前記レジスト層２をエンボス加工するために、輪郭線の矢印で示すように近づけられる。残余部の厚さ４が、最も深くまでエンボス加工された部分と前記キャリア３の間に依然として存在する。
【００５０】
前記キャリアのレジストコーティング２の層の厚さを減らすために、前記スタンプ１は図３に示す分離ステップにおいて、前記キャリア３から切り離される。このプロセスにおいて、パターン形成されたレジストコーティングの第１の部分２ａは前記スタンプ１に付着するのに対し、パターン形成されていない第２の部分２ｂは依然として前記キャリア３の上に留まる。この分離ステップによって、前記レジストコーティング２の層の厚さと、とりわけ、前記スタンプ１に置かれた第１の部分２ａにおける残余部の厚さは、前記エンボス加工ステップ中の状態と比べて減少する。
【００５１】
図４において、レジストコーティングの第１の部分２ａは、このレジストコーティングの第１の部分２ａを備えたスタンプ１を基板６に近づけ、基板６の表面上に第１の部分２ａを押し付けることによって、基板６上に転写される。
【００５２】
図４に示すように、前記レジストコーティングの前記第１の部分２ａを紫外線照射７によって硬化する硬化ステップが実施される。この目的のために、例えば、前記スタンプ１は紫外線を透過するポリマー製でもよい。
【００５３】
図６に示される次に続く離型ステップにおいて、前記スタンプ１が前記硬化されたレジストコーティングの第１の部分２ａから取り去られることで、基板６は、基板６の表面に前記パターンを転写するために、次に続くエッチングプロセス（図示せず）のためのマスクとしての機能を果たすパターン形成されたレジストコーティング２ａを得る。
【実施例２】
【００５４】
本発明に基づく方法を実施するための別な実施例の装置が、図７に示される。これは転写プロセスを行なうものであって、そのプロセスでは、それぞれ一組のローラーに導かれ、且つその周囲を回る途切れないコンベアベルトとして、スタンプ１１とキャリア１３が構成される。
【００５５】
流動性を有するレジスト１２は、配給装置１９を用いて前記キャリアコンベアベルト１３に塗布され、前記キャリア１３のレジストコーティングは、均等化ロール１８によって、一定の厚みに整えられる。そのキャリアコンベアベルト１３の反対側では、コンベアベルトとして構成され、パターン形成された輪郭表面を有するスタンプ１１によって、前記レジストコーティング１２がエンボス加工される。
【００５６】
前記二つのコンベアベルトの接触部すなわちエンボス加工部から外側の搬送部で、前記レジストコーティング１２はスタンプコンベアベルト１１に一部分だけが付着し続ける。第２の部分１２ｂは、前記キャリアコンベアベルト１３に引っ張られていく。
【００５７】
前記コンベアベルトの接触部において、前記スタンプ１１のパターン形成された表面によって、その表面をエンボス加工された第１の部分１２ａは、スタンプコンベアベルト１１と平行に動かされる基板１６の表面に転写される。同時に、前記レジストコーティングは、紫外線ランプ１７による紫外線照射で硬化される。この目的のために、スタンプコンベアベルト１１の材料は、紫外線放射を透過する弾力性のあるポリマー素材からなる。
【００５８】
硬化後、前記パターン形成されたレジストコーティングの第１の部分１２ａは基板１６に付着し、その外側の搬送領域でスタンプコンベアベルト１１の離型が行われる。
【００５９】
本発明における方法は、上述の装置を用いて継続的に実施されてもよい。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エンボス加工と基板上への転写によって、基板上にマイクロ或いはナノパターンを形成するための方法と組立体に関する。
【０００２】
迅速で、実用的で、複写できる、ナノ或いはマイクロスケールのパターンの製品に対する需要は、ナノテクノロジーの発展における、主要なモチベーションの１つとなっている。
【背景技術】
【０００３】
ナノエレクトロニクス，フォトニクス，およびバイオテクノロジーの分野におけるナノスケールのパターンを加工する最近のリトグラフィーの技術は、いわゆるナノインプリントと呼ばれるもので、費用効率の高い方法である。基本的な発想は、基板表面上の硬化可能な流動性を有する低粘性レジストに、このパターン形成されたスタンプの表面を押圧することで、スタンプに塗布、例えばエッチングされるパターンを複製することにあり、この押圧は言い換えれば、同時に行われるレジストのエンボス加工と基板への塗布（インプリント）による。前記パターン形成されたスタンプの表面のすべての空洞をレジストで満たした後、ラッカー層が熱および／または紫外線光によって硬化される。最終ステップにおいて、前記スタンプは取り去られ、前記パターンの３次元複製が前記基板上の前記レジストコーティングに残る。このナノパターンはその後で、さらにエッチングによって、他の基板に転写され得る。この方法は、例えば特許文献１に記載されている。
【０００４】
まだエンボス加工されていないレジストコーティングを、スタンプの表面上か基板上に塗布する別の方法が知られている。これは上記特許文献１において、スピンコーティングを用いて、パターン形成されたスタンプの表面にレジストを塗布することで達成される。
【０００５】
特許文献２は、結果として前記パターン形成されたスタンプの表面によって基板のレジスト表面をエンボス加工するために、基板上へのレジストラッカーの流し込みが開示されている。前記流し込みは、比較的時間がかかり、レジストの滴下限界は硬化後のエンボス加工されたレジストの不良につながりかねない。
【０００６】
パターン形成されたロール表面を有し、レジストコーティングをエンボス加工するために、そのレジストコーティングを備えた基板上を転がるロール型スタンプが、特許文献３に開示されている。前記レジストコーティングは、紫外線照射によって、間隙（ニップ）領域でほとんど同時に硬化される。
【０００７】
それ自体の表面に自己組織化単分子膜（ＳＡＭ）を形成するために、ポリジメチルシロキサンのスタンプが有機液体で濡らされる方法が特許文献４に開示されており、ここでは基板にＳＡＭを転写するために、ＳＡＭを有する前記スタンプが前記基板に押圧される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００７／０５９４９７号明細書
【特許文献２】米国特許第６３３４９６０号明細書
【特許文献３】米国特許第５４２５８４８号明細書
【特許文献４】国際公開第０２／０３１４２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来技術のナノインプリントでは、前記パターン形成されたスタンプの表面への一定した均質注入を実現する一方で、残余するレジスト厚さは以下に説明するように、後工程での基板のエッチング処理に影響を及ぼす遅れを生じないように、できる限り薄く塗布されなければならないという二つの課題すなわち目標に直面している。
【００１０】
これらの目標は互いに競合するが、その理由は、一定した注入は、通常は過剰な量のレジストによって実現するので、パターン形成されずに残っているレジストの厚み（パターンの下の硬化したレジストの厚み）が常に存在し、さらに層の厚さを不均質にする可能性があるからである。
【００１１】
もしも、スタンプの表面上のパターンが繰り返されず不規則であるならば、この不均質さはより大きくなり得る。なぜなら、より大きなパターン量を注入するときに、より少ないパターン量よりも、注入のためにより多くのレジストが消費され、それによりラッカーの不足と注入の不良を生じる可能性があるからである。但し、たとえより粘性の高いラッカーが使用されたとしても、前記パターンに注入するためのラッカー濃度の高いラッカー、すなわちより粘度の高いラッカー層を使用することで、この均質性が縮小することもあり得る。しかし、そのようなラッカーの使用は、半導体産業において通常に用いられているような、パターンを基板に転写する後工程のエッチング処理をより難しいものにする。
【００１２】
不均質さを縮小するために、エンボス加工中により高い圧力を使用することができるとはいえ、これはしかしながら、弾力性のあるスタンプの場合には正常に機能せず、また一般に前記残余するレジストの厚さを僅かに減少させるだけである。
【００１３】
前記残余するレジストの厚さを最小化すると同時に、均質さを増大させるために、滴下注入中において、局部的に滴の濃度とサイズをパターンに適合させることによって、そのパターンに適合したコーティング処理を実施することが知られている。これはパターンの緻密な分析を必要とし、ひいては比較的複雑で時間がかかる。また器具の使用手順は比較的複雑であり、上述のレジストの滴の境界における欠点の問題が存在する。
【００１４】
それ故に、本発明は従来技術を改善して、より均質で残余するレジストの厚さがより低く、レジストコーティングを有する基板表面上に、レジストのパターン形成されたコーティングを塗布する方法を提供し、その方法がより容易に、より速く、よりコスト効率よく実施できるという目的に基づいている。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
この目的は請求項１の方法によって達成される。好適な各実施例はいずれも、従属請求項の主題である。特許請求項のそれぞれに記載された特徴は、技術的に意味のある如何なるやり方にも、また本発明の現状のどの別の実施例にも組み込めることに注意すべきである。ここでの記載、とりわけ図面に関連するものは、本発明をさらに特徴付け、特定する。
【００１６】
本発明は、基板表面上にパターン形成されたレジストのコーティングを塗布する方法に関する。
【００１７】
前記方法は、前記スタンプの表面に対応して、流動性を有するレジストにパターン形成された表面を与えるために、スタンプのパターン形成された表面とキャリアの間で、前記流動性を有するレジストがそれぞれエンボス加工される、少なくとも１つのエンボス加工ステップを備える。
【００１８】
前記方法は、前記パターン形成されたレジストコーティングが付随する前記スタンプと前記キャリアが分離され、このパターン形成されたレジストコーティングは、まだ硬化していないレジストからなる、前記エンボス加工ステップに続く分離ステップをそれぞれに備える。
【００１９】
前記パターン形成されたレジストコーティングの第１の部分が付随する前記スタンプと、前記パターン形成されたレジストコーティングの第２の部分が付随する前記キャリアとを分離することによって、前記スタンプの表面に近接する前記レジストコーティングが、前記スタンプの表面に平行な切断線に沿って二つの部分に分割され、それにより前記分離ステップの後に、前記スタンプの表面上に存在する前記レジストコーティングの残余するレジスト厚さが、例えばおおよそ半分に縮小される。
【００２０】
前記エンボス加工ステップおよびそれに関連する前記分離ステップは、好適には前記レジストコーティングの残余するレジスト厚さを、意図的に縮小することに応じて、前記スタンプ上に位置する前記レジストコーティングの第１の部分の残余する厚さが、所望の寸法まで連続的に縮小されるまで、繰り返し実施される。
【００２１】
本発明における方法はさらに、前記パターン形成されたレジストコーティングを前記基板の表面に転写するために、前記スタンプの表面上の前記パターン形成されたレジストコーティング、すなわち前記第１の部分が前記基板の表面に対して押圧される、分離ステップに続く転写ステップと、前記基板の表面に配置された前記パターン形成されたレジストコーティングの第１の部分が硬化される、硬化ステップと、を備える。
【００２２】
その後、あるいは時間的に重複して、前記スタンプが前記基板上に位置する前記パターン形成されたレジストコーティングの第１の部分から分離される、離型ステップが行われる。
【００２３】
本発明は、例えば圧力や温度等の処理パラメータに関して制限されず、それらの処理パラメータはレジスト，基板またはキャリアに選択された材料に従って選択されるだろう。一の実施例において、少なくとも前記エンボス加工ステップと前記転写ステップは真空下で行われる。好適には、それらのステップはＩＳＯ−１４６４４−１（クリーンルーム環境）に規定される浮遊微小粒子の濃度の環境下で行われる。温度は、例えば、レジストのガラス転移温度よりも約３０度から約９０度上の範囲にある。
【００２４】
前記エンボス加工ステップと前記転写ステップは上述のように、前記スタンプの表面のパターンの高さと幅の情報を、最終的には前記基板上に位置する前記レジストコーティングに転写するのに役立つ。
【００２５】
本発明における方法は、前記エンボス加工ステップと前記分離ステップを含む（各）シークエンスによって特徴づけられ、それによって前記基板上に転写されるべき前記レジストコーティングの層の厚みであって、とりわけ前記残余部の厚み、すなわち前記パターンの深さを上回るレジストコーティングの層の厚みを減少することができ、前記スタンプのパターンの均質な注入が同時に達成される。
【００２６】
前記スタンプのパターンをエンボス加工あるいは注入するステップ以降、分離による層の厚みの減少と基板上への転写は、切り離して実施されるが、例えば圧力，温度，時間，および／または一方では前記キャリアの表面特性であって、他方では前記基板の表面特性であるようなプロセス条件を、各ステップで独自に設定することで、それらのステップは、注入，薄い残余部の層，前記残余部の層と注入の均質化，および前記パターンの複製品における良好な分解能に関して、より容易に、そしてその都度別々に最適化することができる。コーティングを部分的に取り除くために、例えばナイフやドクターブレードのような機械装置の利用は必要としない。本発明の方法においては、それらの装置により前記コーティングあるいは前記スタンプの表面さえも傷つける可能性は排除される。
【００２７】
本発明における方法においては、前記スタンプをレジストで覆うことができる。しかしながら好適には、前記エンボス加工ステップに先行するコーティングステップにおいて、前記キャリアが流動性を有するレジストで覆われる。前記キャリアは、パターニングされていない概してなめらかな表面を有するので、前記パターン形成されたスタンプの表面上よりも前記キャリア上に、均質な配分を達成するのがより簡単になる。前記コーティングステップにおいては、前記キャリアは好適にはスピンコーティング処理を用いて前記流動性を有するレジストで覆われる。
【００２８】
前記パターンへの注入を改善するために、本発明に基づく方法の一実施例におけるキャリアは、基板と比べて界面活性の、例えば粘着性を低減したコーティングを有するか、または適切な材料からなる。
【００２９】
別の好適な実施例において、前記スタンプ上に位置する前記レジストコーティングの第１の部分は、前記分離ステップの後に、レジストに関して活性な溶媒で濡らされるが、これはその後の基板表面上への転写中に基板の接着性を増加させ、前記レジストの粘度を低下させるためのものであって、それにより例えばトルエン，キシロール，テトラヒドロフランのような溶媒は、均一なレジストコーティングを、とりわけ界面活性の物質でコーティングされたスタンプ上に提供することができる。
【００３０】
本発明における方法の別の有利な実施例によれば、より均一な配分を果たすために、前記分離ステップの後に、前記スタンプはスピニングステップにおいて、前記パターン形成されたレジストコーティングの前記第１の部分と共に回転させられる。
【００３１】
好適には、前記スピニングステップは先行するレジストを上述の溶媒で湿らすステップと組み合わせて実施される。
【００３２】
前記レジストは、熱的すなわち温度の上昇によって、硬化が行われてもよい。好適には、それは紫外線光の下で硬化するレジストであって、レジストはその後、硬化ステップ時に紫外線光によって硬化される。
【００３３】
別の有利な実施例によれば、前記硬化ステップと前記転写ステップは、同時にまたは時間的に重なって実行される。基板への結合は硬化中に強くなるので、残余部を残すことなく前記スタンプから前記基板上に前記コーティングを転写でき、またさらに、前記転写されたパターンの外形を３次元の全てにおいて監視できる。
【００３４】
好適には、前記パターン形成されたスタンプの表面の前記パターンは、マイクロからナノパターンである。本発明の要旨の範囲内のナノパターンは、数ナノメートル以下の方位分解能を有するパターンである。
【００３５】
基板材料は好適には、シリコン，砒化ガリウム，リン化インジウムのような少なくとも１つの半導体と、石英ガラスのような少なくとも１つの誘電体と、少なくとも１つの金属と、それらの組み合わせと、からなるグループから選択される。前記基板は、例えば、研磨されたシリコンウェハーである。しかしながら本発明は、硬質で平らな基板に限定されるものではなく、本発明における方法は、基板としての、コーティングされた弾力性を有するポリイミドフィルムにも適している。
【００３６】
本発明の要旨の範囲内におけるレジストという用語は、広範に解釈されるべきであり、通常それはラッカーのような流動性を有する物質であって、その物質が硬化後に基板上に塗布されるマスクを形成して、局所的に変化するカバーを提供することで、当該マスクによるマスキングに対応して、パターンがその後の処理中に基板の表面に組み入れられる。
【００３７】
前記パターン、より具体的にはパターンの深さは、基板の続く処理ステップ（エッチング）において、前記レジストコーティングの最低限必要な耐久性が与えられるように、前記パターン形成されたレジストコーティングから得られた前記マスクの厚みが選択されるのに伴い、通常選択されるだろう。
【００３８】
一般に、前記スタンプと比較すると、前記レジストの材料は、流動性を有する状態から硬化した状態へ転移できる比較的柔軟な材料であり、これは放射（紫外線放射）を用いて熱硬化可能な熱可塑性ポリマーまたはプレポリマーのようなポリマーや、例えばポリメタクリル酸メチル樹脂或いはモノマーであって、好適には純粋な有機モノマーか有機／無機混合モノマーを含んでいる。例えばそれは、メタクリル樹脂ベースのレジストである。好適には、流動性を有するレジストの粘度は５０ミリパスカル秒未満である。
【００３９】
本発明における方法のスタンプは硬質であってもよく、例えば、半導体，誘電体，金属，および、それらの合成物から形成される。そのパターン形成された表面のパターンは、例えば、電子ビームリトグラフィーとそれに続くドライエッチングによって適用される。前記離型ステップにおける前記スタンプと前記コーティングされた基板との分離を促進するために、前記スタンプの表面は、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフロロデシルトリクロロシラン等の表面活性物質で処理されてもよい。
【００４０】
好適には、本発明における前記スタンプは弾力性を有する材料製である。平らではない表面を有する基板へのパターンの転写が、上述のように可能となる。さらに、弾力性を有するスタンプはレジストに対し極めて粘着力が低く、レジストの硬化後において非常に容易な離型を促進し、それにより高い処理能力が達成できる。
【００４１】
より好適には、前記スタンプはポリマー製である。シンプルで費用効率の高い、“マスター”スタンプからのパターン複写が、上に述べたように成し遂げられる。
【００４２】
本発明における方法の１つの実施例において、前記基板の表面は、いくつかの連続するステップのなかで、いくつかの各転写ステップ（ステップおよび繰り返し）中に引き続いて、前記パターン形成されたレジスト表面でコーティングされる。別の有利な実施例によれば、前記キャリアおよび／または前記スタンプは、本発明における方法の関連するステップを連続的に実施できるようにするために、ローラーまたはコンベアベルトとして構成される。
【００４３】
好適には、前記キャリアおよび／または前記スタンプはローラーまたはコンベアベルトとして構成され、少なくとも１つの前記エンボス加工ステップが、それに関連する前記分離ステップと、前記押圧ステップと、前記離型ステップと共に連続的なローラー群のプロセスで実施される。そのため、例えば大きな基板の表面を素早く効率的にコーティングすることができる。エンボス加工とレジストコーティングの転写とが連結されないことによって、従来技術のような基板の事前処理は必要ない。
【００４４】
別の有利な実施例によれば、基板の向かい合う各基板表面が同時に転写ステップを受ける。向かい合う各基板表面を同時にコーティングすることによって、徐々に進行するコーティング処理と比べて処理能力は上昇する。
【００４５】
別の有利な実施例によれば、前記パターン形成されたレジストの表面でコーティングされる前記基板表面は、例えば、微小機械ユニットの部品を製造するために、前記離型ステップに続くエッチングステップにおいて、例えば異方性エッチングでエッチングされる。好適には、前記離型ステップに続くエッチングステップの方法が、例えばＣＭＯＳ技術を有するナノスケールのＦｉｎＦＥＴトランジスタのような、半導体パターンを製造するために利用され、その場合、前記エッチングステップの後にドーピングステップを随意的に実施してもよい。
【００４６】
本発明はまた、上述の実施例のうちの１つの方法を実行するための装置にも関連しており、その装置は少なくとも１つのスタンプと少なくとも１つのキャリアとを備えて、少なくとも１つのキャリア上のレジストコーティングをエンボス加工しており、前記スタンプは後に続くエンボス加工された前記レジストコーティングの前記基板上への転写に役立つ。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
本発明と同様に技術環境についても、図面を参照してさらに詳細に説明する。
【００４８】
図面は本発明の望ましい実施例を詳細に描いているが、そのことにより制限されないことに注意しなければならない。
【図１】本発明におけるコーティングステップを概略的に示す。
【図２】本発明におけるエンボス加工ステップを概略的に示す。
【図３】本発明における分離ステップを概略的に示す。
【図４】本発明における転写ステップを概略的に示す。
【図５】本発明における硬化ステップを概略的に示す。
【図６】本発明における離型ステップを概略的に示す。
【図７】別の実施例における、本発明の方法を実施するための装置を概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【実施例１】
【００４９】
図１は、流動性を有するレジスト２でキャリア３をコーティングするプロセスを示す。スピニング加工（図示せず）を、このプロセスに使用することができる。ポリマー製の弾力性を有するスタンプ１は、図２に示すエンボス加工ステップにおいて、前記キャリア３と前記スタンプ１のパターン形成された表面との間の前記レジスト層２をエンボス加工するために、輪郭線の矢印で示すように近づけられる。残余部の厚さ４が、最も深くまでエンボス加工された部分と前記キャリア３の間に依然として存在する。
【００５０】
前記キャリアのレジストコーティング２の層の厚さを減らすために、前記スタンプ１は図３に示す分離ステップにおいて、前記キャリア３から切り離される。このプロセスにおいて、パターン形成されたレジストコーティングの第１の部分２ａは前記スタンプ１に付着するのに対し、パターン形成されていない第２の部分２ｂは依然として前記キャリア３の上に留まる。この分離ステップによって、前記レジストコーティング２の層の厚さと、とりわけ、前記スタンプ１に置かれた第１の部分２ａにおける残余部の厚さは、前記エンボス加工ステップ中の状態と比べて減少する。
【００５１】
図４において、レジストコーティングの第１の部分２ａは、このレジストコーティングの第１の部分２ａを備えたスタンプ１を基板６に近づけ、基板６の表面上に第１の部分２ａを押し付けることによって、基板６上に転写される。
【００５２】
図４に示すように、前記レジストコーティングの前記第１の部分２ａを紫外線照射７によって硬化する硬化ステップが実施される。この目的のために、例えば、前記スタンプ１は紫外線を透過するポリマー製でもよい。
【００５３】
図６に示される次に続く離型ステップにおいて、前記スタンプ１が前記硬化されたレジストコーティングの第１の部分２ａから取り去られることで、基板６は、基板６の表面に前記パターンを転写するために、次に続くエッチングプロセス（図示せず）のためのマスクとしての機能を果たすパターン形成されたレジストコーティング２ａを得る。
【実施例２】
【００５４】
本発明に基づく方法を実施するための別な実施例の装置が、図７に示される。これは転写プロセスを行なうものであって、そのプロセスでは、それぞれ一組のローラーに導かれ、且つその周囲を回る途切れないコンベアベルトとして、スタンプ１１とキャリア１３が構成される。
【００５５】
流動性を有するレジスト１２は、配給装置１９を用いて前記キャリアコンベアベルト１３に塗布され、前記キャリア１３のレジストコーティングは、均等化ロール１８によって、一定の厚みに整えられる。そのキャリアコンベアベルト１３の反対側では、コンベアベルトとして構成され、パターン形成された輪郭表面を有するスタンプ１１によって、前記レジストコーティング１２がエンボス加工される。
【００５６】
前記二つのコンベアベルトの接触部すなわちエンボス加工部から外側の搬送部で、前記レジストコーティング１２はスタンプコンベアベルト１１に一部分だけが付着し続ける。第２の部分１２ｂは、前記キャリアコンベアベルト１３に引っ張られていく。
【００５７】
前記コンベアベルトの接触部において、前記スタンプ１１のパターン形成された表面によって、その表面をエンボス加工された第１の部分１２ａは、スタンプコンベアベルト１１と平行に動かされる基板１６の表面に転写される。同時に、前記レジストコーティングは、紫外線ランプ１７による紫外線照射で硬化される。この目的のために、スタンプコンベアベルト１１の材料は、紫外線放射を透過する弾力性のあるポリマー素材からなる。
【００５８】
硬化後、前記パターン形成されたレジストコーティングの第１の部分１２ａは基板１６に付着し、その外側の搬送領域でスタンプコンベアベルト１１の離型が行われる。
【００５９】
本発明における方法は、上述の装置を用いて継続的に実施されてもよい。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（６，１６）の表面上に、パターン形成されたレジストコーティング（２ａ，１２ａ）を塗布する方法であって、
スタンプの表面にパターン形成されたレジスト表面（２，１２）を与えるために、前記スタンプ（１，１１）のパターン形成された表面とキャリア（３，１３）の間で、流動性を有するレジスト（２，１２）がそれぞれエンボス加工される、少なくとも１つのエンボス加工ステップと、
前記パターン形成されたレジストコーティングの第１の部分（２ａ，１２ａ）が付随する前記スタンプと、前記レジストコーティングの第２の部分（２ｂ，１２ｂ）が付随する前記キャリアが互いに分離される、前記エンボス加工ステップにそれぞれ続く分離ステップと、
前記パターン形成されたレジストコーティング（２ａ，１２ａ）を前記基板（６，１６）の表面上に転写するために、前記スタンプ（１，１１）の表面上の前記パターン形成されたレジストコーティングの第１の部分（２ａ，１２ａ）が、前記基板（６，１６）の表面に対して押圧される、前記分離ステップに続く転写ステップと、
前記パターン形成されたレジストコーティングの第１の部分（２ａ，１２ａ）が硬化される、硬化ステップと、
前記スタンプ（１，１１）が前記パターン形成されたレジストコーティングの第１の部分（２ａ，１２ａ）から分離される、離型ステップと、を備える方法。
【請求項２】
前記エンボス加工ステップと、このエンボス加工ステップにそれぞれ関連する前記分離ステップが数回実施されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記キャリア（３，１３）が、前記エンボス加工ステップに先立つコーティングステップにおいて、前記流動性を有するレジスト（２，１２）でコーティングされることを特徴とする請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記コーティングステップにおいて、前記キャリア（３，１３）が、スピンコーティングプロセスによって、前記流動性を有するレジスト（２，１２）でコーティングされることを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記分離ステップの後、前記レジストコーティングの第１の部分（２ａ，１２ａ）が溶媒で濡らされることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の方法。
【請求項６】
前記分離ステップの後、前記レジストコーティングの前記第１の部分（２ａ，１２ａ）の付着した前記スタンプが、スピニングステップにおいて回転されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項７】
前記硬化ステップにおいて、前記レジストコーティングの前記第１の部分（２ａ，１２ａ）が、紫外線光（７，１７）によって硬化されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の方法。
【請求項８】
前記硬化ステップと前記転写ステップが、同時にまたは時間的に重なって実行されることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の方法。
【請求項９】
前記スタンプ（１，１１）の前記パターン形成された表面の前記パターンが、マイクロパターンからナノパターンであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１０】
前記基板（６，１６）の材質が、シリコン，砒化ガリウム，リン化インジウムのような少なくとも１つの半導体と、石英ガラスのような少なくとも１つの誘電体と、少なくとも１つの金属と、それらの組み合わせと、からなるグループから選択されることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１１】
前記レジスト（２，２ａ，２ｂ，１２，１２ａ，１２ｂ）がポリマーかモノマーであって、好適には純粋な有機モノマーか有機／無機混合モノマーであることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１２】
前記スタンプ（１，１１）が弾力性を有することを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１３】
前記スタンプ（１，１１）がポリマー製であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１４】
前記キャリア（１３）および／または前記スタンプ（１１）がローラーまたはコンベアベルトとして構成されることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１つに記載の方法
【請求項１５】
前記キャリア（１３）および前記スタンプ（１１）がローラーまたはコンベアベルトとして構成され、少なくとも１つの前記エンボス加工ステップが、それに関連する前記分離ステップと、前記押圧ステップと、前記離型ステップと共に連続的なローラー群のプロセスで実施されることを特徴とする請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記基板（６，１６）の向かい合う各表面が同時に前記転写ステップを受けることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１７】
前記離型ステップに続くエッチングステップと随意のドープステップにおいて、前記パターン形成されたレジスト表面（２ａ，１２ａ）でコーティングされる前記基板（６，１６）の表面がエッチングされ、随意的にドープされることを特徴とする請求項１〜１６のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１８】
半導体パターンの製造のために、請求項１〜１７のいずれか１つに記載の方法を使用する方法。
【請求項１９】
少なくとも１つのスタンプ（１，１１）と少なくとも１つのキャリア（３，１３）を備えたことを特徴とする請求項１〜１７のいずれか１つに記載の方法を実施する装置。
【請求項１】
基板（６，１６）の表面上に、パターン形成されたレジストコーティング（２ａ，１２ａ）を塗布する方法であって、
スタンプの表面にパターン形成されたレジスト表面（２，１２）を与えるために、前記スタンプ（１，１１）のパターン形成された表面とキャリア（３，１３）の間で、流動性を有するレジスト（２，１２）がそれぞれエンボス加工される、少なくとも１つのエンボス加工ステップと、
前記パターン形成されたレジストコーティングの第１の部分（２ａ，１２ａ）が付随する前記スタンプと、前記レジストコーティングの第２の部分（２ｂ，１２ｂ）が付随する前記キャリアが互いに分離される、前記エンボス加工ステップにそれぞれ続く分離ステップと、
前記パターン形成されたレジストコーティング（２ａ，１２ａ）を前記基板（６，１６）の表面上に転写するために、前記スタンプ（１，１１）の表面上の前記パターン形成されたレジストコーティングの第１の部分（２ａ，１２ａ）が、前記基板（６，１６）の表面に対して押圧される、前記分離ステップに続く転写ステップと、
前記パターン形成されたレジストコーティングの第１の部分（２ａ，１２ａ）が硬化される、硬化ステップと、
前記スタンプ（１，１１）が前記パターン形成されたレジストコーティングの第１の部分（２ａ，１２ａ）から分離される、離型ステップと、を備える方法。
【請求項２】
前記エンボス加工ステップと、このエンボス加工ステップにそれぞれ関連する前記分離ステップが数回実施されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記キャリア（３，１３）が、前記エンボス加工ステップに先立つコーティングステップにおいて、前記流動性を有するレジスト（２，１２）でコーティングされることを特徴とする請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記コーティングステップにおいて、前記キャリア（３，１３）が、スピンコーティングプロセスによって、前記流動性を有するレジスト（２，１２）でコーティングされることを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記分離ステップの後、前記レジストコーティングの第１の部分（２ａ，１２ａ）が溶媒で濡らされることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の方法。
【請求項６】
前記分離ステップの後、前記レジストコーティングの前記第１の部分（２ａ，１２ａ）の付着した前記スタンプが、スピニングステップにおいて回転されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項７】
前記硬化ステップにおいて、前記レジストコーティングの前記第１の部分（２ａ，１２ａ）が、紫外線光（７，１７）によって硬化されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の方法。
【請求項８】
前記硬化ステップと前記転写ステップが、同時にまたは時間的に重なって実行されることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の方法。
【請求項９】
前記スタンプ（１，１１）の前記パターン形成された表面の前記パターンが、マイクロパターンからナノパターンであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１０】
前記基板（６，１６）の材質が、シリコン，砒化ガリウム，リン化インジウムのような少なくとも１つの半導体と、石英ガラスのような少なくとも１つの誘電体と、少なくとも１つの金属と、それらの組み合わせと、からなるグループから選択されることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１１】
前記レジスト（２，２ａ，２ｂ，１２，１２ａ，１２ｂ）がポリマーかモノマーであって、好適には純粋な有機モノマーか有機／無機混合モノマーであることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１２】
前記スタンプ（１，１１）が弾力性を有することを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１３】
前記スタンプ（１，１１）がポリマー製であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１４】
前記キャリア（１３）および／または前記スタンプ（１１）がローラーまたはコンベアベルトとして構成されることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１つに記載の方法
【請求項１５】
前記キャリア（１３）および前記スタンプ（１１）がローラーまたはコンベアベルトとして構成され、少なくとも１つの前記エンボス加工ステップが、それに関連する前記分離ステップと、前記押圧ステップと、前記離型ステップと共に連続的なローラー群のプロセスで実施されることを特徴とする請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記基板（６，１６）の向かい合う各表面が同時に前記転写ステップを受けることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１７】
前記離型ステップに続くエッチングステップと随意のドープステップにおいて、前記パターン形成されたレジスト表面（２ａ，１２ａ）でコーティングされる前記基板（６，１６）の表面がエッチングされ、随意的にドープされることを特徴とする請求項１〜１６のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１８】
半導体パターンの製造のために、請求項１〜１７のいずれか１つに記載の方法を使用する方法。
【請求項１９】
少なくとも１つのスタンプ（１，１１）と少なくとも１つのキャリア（３，１３）を備えたことを特徴とする請求項１〜１７のいずれか１つに記載の方法を実施する装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公表番号】特表２０１２−５０１０８４（Ｐ２０１２−５０１０８４Ａ）
【公表日】平成２４年１月１２日（２０１２．１．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−５２４３６７（Ｐ２０１１−５２４３６７）
【出願日】平成２１年８月２６日（２００９．８．２６）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２００９／０６１００５
【国際公開番号】ＷＯ２０１０／０２３２２７
【国際公開日】平成２２年３月４日（２０１０．３．４）
【出願人】（５１１０５１９２６）エーエムオー ゲーエムベーハー (1)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２４年１月１２日（２０１２．１．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年８月２６日（２００９．８．２６）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２００９／０６１００５
【国際公開番号】ＷＯ２０１０／０２３２２７
【国際公開日】平成２２年３月４日（２０１０．３．４）
【出願人】（５１１０５１９２６）エーエムオー ゲーエムベーハー (1)
【Ｆターム（参考）】
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