【課題】 半導体装置用のシリコンウエハ、磁気ディスク、光学レンズ等の高度の表面平坦性を要求される材料の平坦化加工処理を安定的、かつ高い研磨速度で行う研磨パッドである。シート化、溝等の表面加工等の生産が容易であり、厚み精度に優れ、研磨速度が高く、均一な研磨速度の得られる研磨パッドの提供、個人差による品質のばらつきがなく、加工パターン変更を容易に行え、微細加工を可能とし、凹凸形成の際のバリの発生がない研磨パッド、スラリーレス対応で、砥粒を高濃度に混合可能で、かつ砥粒を分散しても砥粒凝集によるスクラッチ発生の少ない研磨パッドを提供する。
【解決手段】 研磨層はエネルギー線により硬化する硬化性組成物にて形成されており、かつ前記研磨層は表面がフォトリソグラフィー法により形成された凹凸を有する研磨パッドとする。砥粒が分散された研磨層樹脂が、２０〜１５００ｅｑ／ｔｏｎのイオン性基を有する樹脂である研磨パッドとする。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂中に砥粒が分散されている研磨層を有する研磨パッドにおいて、前記樹脂が、２０〜１５００ｅｑ／ｔｏｎの範囲でイオン性基を含有する樹脂であることを特徴とする研磨パッド。
【請求項２】
研磨層を形成する樹脂が、ポリエステル系樹脂であり、かつポリエステル系樹脂を構成する全カルボン酸成分中の芳香族ジカルボン酸の割合が４０モル％以上であることを特徴とする請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項３】
樹脂中に砥粒が分散されてなる研磨層を有する研磨パッドにおいて、前記樹脂の主鎖が全カルボン酸成分中に芳香族ジカルボン酸を６０モル％以上含むポリエステルであり、かつ、前記樹脂の側鎖が親水性官能基含有ラジカル重合性単量体の重合体であることを特徴とする研磨パッド。
【請求項４】
樹脂中に砥粒が分散されてなる研磨層を有する研磨パッドにおいて、前記樹脂の主鎖が全カルボン酸成分中に芳香族ジカルボン酸を６０モル％以上含むポリエステルを主たる構成成分とするポリエステルポリウレタンであり、かつ、前記樹脂の側鎖が親水性官能基含有ラジカル重合性単量体の重合体であることを特徴とする研磨パッド。
【請求項５】
研磨層を形成する樹脂の比重が、１．０５〜１．３５の範囲にあり、ガラス転移温度が１０℃以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の研磨パッド。
【請求項６】
研磨層を形成する樹脂が、ガラス転移温度が６０℃以上の樹脂と３０℃以下の樹脂を混合してなることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の研磨パッド。
【請求項７】
砥粒の平均粒子径が５〜１０００ｎｍであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の研磨パッド。
【請求項８】
砥粒が、酸化ケイ素、酸化セリウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化第２鉄、酸化クロムおよびダイヤモンドから選ばれるいずれか少なくとも１種であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の研磨パッド。
【請求項９】
研磨層中の砥粒の含有量が、２０〜９５重量％であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の研磨パッド。
【請求項１０】
研磨層中に気泡を有することを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の研磨パッド。
【請求項１１】
気泡の平均径が１０〜１００μｍであることを特徴とする請求項１０に記載の研磨パッド。
【請求項１２】
前記研磨層が、高分子基板上に形成されてなることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の研磨パッド。
【請求項１３】
前記高分子基板が、ポリエステルシート、アクリルシート、ＡＢＳ樹脂シート、ポリカーボネートシートまたは塩化ビニル樹脂シートであることを特徴とする請求項１２に記載の研磨パッド。
【請求項１４】
前記高分子基板が、ポリエステルシートであることを特徴とする請求項１２に記載の研磨パッド。
【請求項１５】
前記研磨層の厚みが、１０〜５００μｍであることを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の研磨パッド。
【請求項１６】
研磨層が形成されている高分子基板に、研磨層よりも柔らかい材質のクッション層が積層された構成を有することを特徴とする請求項１２〜１５のいずれかに記載の研磨パッド。
【請求項１７】
クッション層が、アスカーＣ硬度で６０以下であることを特徴とする特徴とする請求項１６に記載の研磨パッド。
【請求項１８】
積層されるクッション層が、ポリエステル繊維による不織布、該不織布にポリウレタン樹脂を含浸させたもの、ポリウレタン樹脂発泡体、またはポリエチレン樹脂発泡体であることを特徴とする請求項１６又は１７に記載の研磨パッド。
【請求項１９】
研磨層の厚さが２５０μｍ〜２ｍｍであることを特徴とする請求項１６〜１８のいずれかに記載の研磨パッド。
【請求項２０】
研磨層と高分子基板との密着強度がクロスカットテストを行なった時、残存数が９０以上であることを特徴とする請求項１２〜１９のいずれかに記載の研磨パッド。
【請求項２１】
高分子基板とクッション層が、接着剤または両面テープで貼り合わされていることを特徴とする請求項１６〜２０のいずれかに記載の研磨パッド。
【請求項２２】
高分子基板とクッション層との接着強度が、１８０度剥離テストにおいて６００ｇ／ｃｍ以上の強度を有することを特徴とする請求項１６〜２１のいずれかに記載の研磨パッド。
【請求項２３】
研磨層に溝が形成されていることを特徴とする請求項１〜２２のいずれかに記載の研磨パッド。
【請求項２４】
溝が格子状であることを特徴とする請求項２３に記載の研磨パッド。
【請求項２５】
溝の溝ピッチが１０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項２３又は２４に記載の研磨パッド。
【請求項２６】
溝が同心円状であることを特徴とする請求項２３〜２５のいずれかに記載の研磨パッド。
【請求項２７】
溝の深さが３００μｍ以上であることを特徴とする請求項２３〜２６のいずれかに記載の研磨パッド。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

【公開番号】特開２００８−２１３１４０（Ｐ２００８−２１３１４０Ａ）
【公開日】平成２０年９月１８日（２００８．９．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−９２２５１（Ｐ２００８−９２２５１）
【出願日】平成２０年３月３１日（２００８．３．３１）
【分割の表示】特願２００２−５４５８８４（Ｐ２００２−５４５８８４）の分割
【原出願日】平成１３年１１月２８日（２００１．１１．２８）
【出願人】（０００００３１４８）東洋ゴム工業株式会社 (2,711)
【Ｆターム（参考）】