配線基板、電気光学装置、電子機器、および配線基板の製造方法
【課題】 簡易な方法で、配線基板上の所望の位置に、導電体や半導体として利用できる柱状構造体を整列させる。
【解決手段】 表面に下地絶縁膜１０２を形成したガラス基板１０１の表面に溝１０３を形成し、その上から溶剤に分散させたカーボンナノチューブを流して溝１０３内にカーボンナノチューブを配置させる。溝１０３内の溶剤を除去して、溝１０３内にカーボンナノチューブのみを残留させ、残留させたカーボンナノチューブに接触するようにソース／ドレイン領域１０４を形成する。
【解決手段】 表面に下地絶縁膜１０２を形成したガラス基板１０１の表面に溝１０３を形成し、その上から溶剤に分散させたカーボンナノチューブを流して溝１０３内にカーボンナノチューブを配置させる。溝１０３内の溶剤を除去して、溝１０３内にカーボンナノチューブのみを残留させ、残留させたカーボンナノチューブに接触するようにソース／ドレイン領域１０４を形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、電気光学装置、電子機器、および配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
カーボンナノチューブ（以下、ＣＮＴと記す。）は、炭素が六角形に並んだシートを円筒形に丸めたものであり、シート１枚から成るものを単層ナノチューブ、２枚以上からなるものを多層ナノチューブと呼ぶ。その直径は最小０．４ｎｍから単層で約４ｎｍ、多層で数十ｎｍに及ぶ。
【０００３】
ＣＮＴは電流容量が大きく、熱伝導率が高くて放熱性がよく、また機械的強度も強いなどの性質を持つため細い線状の導電体として利用することができる。また単層のＣＮＴは半導体としての特性も有するため、トランジスタ等への応用も研究されている。
また、ＣＮＴ以外にも、半導体として用いることができる柱状構造体として、例えばシリコンナノワイヤがある。シリコンナノワイヤは、ケイ素分子が鎖状に並んだものである。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１１８２４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、ＣＮＴなどの柱状構造体を導電体や半導体として用いてトランジスタや配線を形成する場合、柱状構造体を基板上の所望の位置へ正確に配置するのは困難である。
【０００６】
この問題を解決するために提案されている技術の１つとして、例えば特許文献１に開示されたものがある。特許文献１に記載された技術は、基板上に所定の触媒パターンを形成すると共に、カーボンナノチューブの垂直成長を抑制する層を設けることにより、触媒パターンに沿ってカーボンナノチューブを水平成長させ、水平方向に位置と向きが揃ったカーボンナノチューブを得るというものである。
【０００７】
本発明の目的は、できるだけ簡易な方法で、配線基板上の所望の位置に、導電体や半導体として利用できる柱状構造体を向きを揃えて配置させることである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の配線基板は、表面に溝を有する基板と、上記溝内に配置された柱状構造体と、上記柱状構造体に電気伝導可能に設けられた電極を備えたものである。
これにより、導電性を有する柱状構造体を簡易な方法で、配線基板上の所望の位置に向きを揃えて配置させることができる。
上記柱状構造体は、例えばシリコンナノチューブやシリコンナノワイヤなどである。
【０００９】
また、上記柱状構造体が半導体の性質を有し、上記電極をソース・ドレイン電極とすれば、本発明による配線基板を半導体装置に適用することができる。
【００１０】
本発明の配線基板は、電気光学装置や電子機器に適用することができる。ここで、電気光学装置とは、例えば、液晶素子、電気泳動粒子が分散した分散媒体を有する電気泳動素子、ＥＬ素子等を備えた装置であって、上記配線基板を駆動回路等に適用した装置などをいう。また、電子機器とは、本発明に係る配線基板を備えた一定の機能を奏する機器一般をいい、例えば電気光学装置やメモリを備える。その構成に特に限定は無いが、例えばＩＣカード、携帯電話、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示板、宣伝広告用ディスプレイ等が含まれる。
【００１１】
本発明の配線基板の製造方法は、表面に溝を形成した基板上に、柱状構造体を分散媒に分散した分散液を塗布する工程と、前記溝内の前記分散媒を除去して、前記溝内に前記柱状構造体を配置する工程と、前記溝内に配置した前記柱状構造体に接触するように電極を形成する工程を有する。
これにより、導電性を有する柱状構造体を簡易な方法で、配線基板上の所望の位置に向きを揃えて配置させることができる。
上記柱状構造体は、例えばシリコンナノチューブやシリコンナノワイヤなどである。
また、上記基板の溝内に上記柱状構造体を配置させる前に、上記基板上に上記電極を形成しておいてもよい。
【００１２】
また、本発明による配線基板の製造方法は、表面に溝を形成した原版上に、柱状構造体を分散媒に分散した分散液を塗布し、上記溝内に前記柱状構造体を配置する工程と、上記原版と基板とを押圧して上記溝内の上記柱状構造体を上記基板に付着させる工程と、上記基板に付着させた上記柱状構造体に接触するように電極を形成する工程を有するものであってもよい。
この方法によれば、上記基板上にあらかじめ溝を設けなくても、導電性を有する柱状構造体を簡易な方法で、配線基板上の所望の位置に向きを揃えて配置させることができる。
また、上記基板に上記柱状構造体を転写する前に、上記基板上に上記電極を形成しておいてもよい。
なお、上記基板の表面に熱硬化性樹脂膜を形成し、上記原版と上記基板を加熱しながら押圧し、その後冷却してから上記原版と上記基板を離すようにすれば、上記柱状構造体の位置を基板上に固定することができる。
あるいは、上記基板の表面に光硬化性樹脂膜を形成し、上記基板に上記原版を押圧しながら、原版越しに或いは透明基板であれば基板側から上記光硬化性樹脂膜に光を照射しても同様の効果が得られる。光硬化性樹脂膜は、光エネルギーを与えることにより液状から固体に硬化する合成有機材料であり、硬化作用を及ぼす光としては紫外線が一般的に用いられている。
【００１３】
また、本発明による配線基板の製造方法は、表面に溝を形成した第１の原版上に、柱状構造体を分散媒に分散した分散液を塗布し、上記溝内に前記柱状構造体を配置する工程と、上記第１の原版と第２の原版とを押圧して上記溝内の上記柱状構造体を上記第２の原版に付着させる工程と、上記第２の原版から基板上に上記柱状構造体を転写する工程と、上記基板に転写した上記柱状構造体に接触するように電極を形成する工程を有するものであってもよい。
また、上記基板に上記柱状構造体を転写する前に、上記基板上に上記電極を形成しておいてもよい。
なお、上記第２の原版の表面に熱硬化性樹脂膜を形成し、上記第１の原版と上記第２の原版を加熱しながら押圧し、その後冷却してから上記第１の原版と上記第２の原版を離すようにすれば、上記柱状構造体の位置を第２の原版上に固定することができる。あるいは、上記第２の原版表面に光硬化性樹脂膜を形成し、上記第２の原版に上記第１の原版を押圧しながら、上記光硬化性樹脂膜に光を照射しても同様の効果が得られる。
この方法によれば、上記基板上にあらかじめ溝を設ける必要がなく、さらに上記基板上に樹脂膜を設けて押圧する必要がないため、基板上の絶縁層を変形させて配線基板の信頼性を低下させることを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
実施の形態１．
図１を用いて、本発明による配線基板１の製造工程を説明する。配線基板１は、トップゲート型のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）１００を有している。
まず、図１（Ａ）に示すように、ガラス基板（基板）１０１上に下地絶縁膜１０２を形成する。下地絶縁膜１０２は、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用いてシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を形成する。下地絶縁膜１０２は１００〜５００ｎｍの厚さで形成する。
【００１５】
次に、図１（Ｂ）に示すように、フォトエッチング法を用いて下地絶縁膜１０２に深さ１０〜１００ｎｍの溝１０３を形成する。溝１０３の長さについては、後述するソース／ドレイン間の長さＬに合わせて形成する。
【００１６】
次に、図１（Ｃ）に示すように、下地絶縁膜１０２上に、ソース／ドレイン領域（電極）１０４を形成する。ソース／ドレイン領域１０４の端部は、溝１０３に接触するように形成する。ソース／ドレイン領域１０４は、例えばＴｉ（チタン）等の金属微粒子から形成される厚さ０．１μｍ程度の導電膜とすることができる。
【００１７】
次に、水系、有機系等の適当な分散媒に分散させたＣＮＴを、ソース／ドレイン領域１０４を形成した下地絶縁膜１０２の上からスピンコート法、インクジェット法、ディスペンサー法等の塗布法を用いて塗布し、図１（Ｄ）に示すように溝１０３にＣＮＴを配置する。ＣＮＴを配置後、溝１０３内の分散媒は除去し、ＣＮＴのみを残す。
図１（Ｅ）は、図１（Ｄ）に示す状態を上から見た図である。図に示すように、溝１０３内には、溝１０３の長さよりも短いＣＮＴが方向を揃えて配置され、ＣＮＴの束１０５が形成される。
【００１８】
単層ＣＮＴの筒の部分は、巻かれている状態によって金属になったり半導体になったりもする。半導体の場合は、単層ＣＮＴの筒の巻かれ方や太さ（直径）を制御することで半導体の性質を変えることができる。ここでは、半導体ＣＮＴを用いる。半導体ＣＮＴは吸着させる原子によってｐ型またはｎ型の半導体としての特性を持たせることができる。溝１０３に配置されたＣＮＴの束１０５は、ソース／ドレイン間に配置される半導体層として機能する。
【００１９】
次に、図１（Ｆ）に示すように溝１０３に配置したＣＮＴの束１０５の上にゲート絶縁膜１０６を形成する。具体的には、例えばスパッタ法などでチタン酸化膜や、ＣＶＤ法等を用いてシリコン酸化膜を形成する。さらに、ゲート絶縁膜１０６上にＡｌなどの金属を含む液体材料を塗布し、乾燥・焼成等することによりゲート電極１０７を形成する。
【００２０】
次に、図１（Ｇ）に示すように、ゲート電極１０７から層間絶縁膜１０８をＣＶＤ法や塗布法を用いて形成し、コンタクトホールを開口した後、アルミニウム等をスパッタした後パターニングすることにより電極１０９を形成する。
以上の方法により、半導体の性質を有するＣＮＴがソース／ドレイン領域１０４の位置に合わせて向きを揃えて配置された配線基板１が得られる。
【００２１】
なお、図１（Ｃ）、（Ｄ）に示す工程は順序を入れ替えても良い。すなわち、下地絶縁膜１０２に形成された溝１０３にまずＣＮＴを配置し、その後ソース／ドレイン領域１０４を形成するようにしてもよい。
【００２２】
また、図１に示すトップゲート型のＴＦＴ以外にも、例えば図２（Ａ）に示すようなボトムゲート型のＴＦＴ２００を形成することもできる。
この場合には、まず、ガラス基板２０１上にスパッタ法等を用いて、例えばＴａ（タンタル）などの金属を含む液体材料を塗布した後、フォトエッチング法を用いてゲート電極２０７を形成する。
次にＣＶＤ法等を用いてゲート絶縁膜２０６を形成し、さらに、絶縁膜２０２を形成した後、絶縁膜２０２上にフォトエッチング法により溝２０３を形成する。
【００２３】
次に、水系、有機系等の適当な分散媒に分散させたＣＮＴを絶縁膜２０２の上からスピンコート法等を用いて塗布し、溝２０３にＣＮＴを配置する。ＣＮＴを配置後、溝２０３内の分散媒は除去し、ＣＮＴのみを残す。
次に、絶縁膜２０２上にソース／ドレイン領域２０４を形成する。ソース／ドレイン領域２０４の端部は、溝２０３に配置されたＣＮＴの束２０５に接触するように形成する。
【００２４】
図２（Ｂ）は、配線基板を上から見た図である。図に示すように、溝２０３内には、溝２０３の長さよりも短いＣＮＴが方向を揃えて配置される。
【００２５】
実施の形態２．
実施の形態２では、ナノインプリント技術を応用し、原版を用いて基板上にＣＮＴを転写する。
【００２６】
図３を用いて、本発明による配線基板３の製造工程を説明する。配線基板３は、トップゲート型のＴＦＴ３００を有している。
まず、図３（Ａ）に示すように、原版５００上に深さ１０〜１００ｎｍの溝５０１を形成し、水系、有機系等の適当な分散媒に分散させたＣＮＴをスピンコート法等を用いて塗布し、溝５０１にＣＮＴを配置する。溝５０１の長さについては、後述する配線基板上のソース／ドレイン間の長さＬに合わせて形成する。
【００２７】
また、表面に下地絶縁膜３０２を形成したガラス基板３０１の表面には、光硬化性樹脂膜３１０を形成する。
光硬化性樹脂膜３１０は、光エネルギーを与えることにより液状から固体に硬化する合成有機材料であり、硬化作用を及ぼす光としては紫外線が一般的に用いられている。
光硬化性樹脂膜３１０としては、例えば、アクリル系樹脂でラジカル重合タイプの無溶媒型光硬化性樹脂（東洋合成工業(株)のＰＡＫ−０１等）を用いるこ
とができる。
【００２８】
次に、図３（Ｂ）に示すように、配線基板３と原版５００とを押圧しながら紫外線照射を行う。このとき、光硬化性樹脂膜３１０は押圧により変形し、原版５００の溝５０１の形状に対応した凸部が形成され、その凸部の上にＣＮＴが配置される。さらに、紫外線照射により光硬化性樹脂膜３１０は凸部を有したまま硬化する。
【００２９】
次に、原版５００を配線基板３から離すと、図３（Ｃ）に示すように、光硬化性樹脂膜３１０上のわずかな段差を有する凸部にＣＮＴが転写される。
次に、図３（Ｄ）に示すように、ＣＮＴの両端に接するようにソース／ドレイン領域３０４を形成する。
以降、図１（Ｆ）、（Ｇ）に示す工程を経て、配線基板３上にトップゲート型のＴＦＴ３００を形成することができる。
【００３０】
また、光硬化性樹脂膜以外にも、例えば熱硬化性樹脂膜を配線基板３の表面に形成してナノインプリント法による転写を行うことができる。
熱硬化性樹脂は、加熱状態では流動性があり、室温では硬化するという性質を持つ。従って、まず加熱状態で原版５００を配線基板３に押圧することにより熱硬化性樹脂の形状を原版５００の凹凸形状に合わせて変形させる。さらにその状態で冷却することにより変形した形状を保ったまま熱硬化性樹脂を硬化させる。
その後、原版５００と配線基板３を離すことにより、配線基板３上にＣＮＴを転写することができる。
熱硬化性樹脂には、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂等がある。
【００３１】
熱硬化性樹脂膜を用いた場合、原版５００および配線基板３は加熱されるため、加熱による伸縮を考慮しなければならない。
一方、光硬化樹脂を用いる場合には、原版５００または配線基板３は光（紫外線）を透過する材料で形成する必要がある。
従って、原版５００および配線基板３を形成する材料、製造するデバイスの特性等に基づいて使用する樹脂の種類を選択することが望ましい。
【００３２】
実施の形態３．
実施の形態３も、２つの原版を用いて２度の転写を行うことにより、基板上にＣＮＴを転写する。
【００３３】
図４を用いて、本発明による配線基板４の製造工程を説明する。配線基板４は、ボトムゲート型のＴＦＴを有している。ボトムゲート型のＴＦＴは、ガラス基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、絶縁膜を形成した上で、ナノインプリントによるＣＮＴ転写を行う。図３に示す方法では、光硬化性樹脂膜がゲート絶縁膜上に形成され、その上にＣＮＴが転写されるので、ゲート絶縁膜の厚さの変化などが起こり、望ましくないゲート絶縁膜が形成されてデバイスの信頼性が低下する。
【００３４】
そこで、まず図４（Ａ）に示すように、第１の原版５１０上に深さ１０〜１００ｎｍの溝５０１を形成し、水系、有機系等の適当な分散媒に分散させたＣＮＴをスピンコート法等を用いて塗布し、溝５０１にＣＮＴを配置する。
また、第２の原版５１１の表面に、光硬化性樹脂膜３１０を形成する。
【００３５】
次に、図４（Ｂ）に示すように、第１の原版５１０と第２の原版５１１とを押圧しながら紫外線照射を行う。このとき、光硬化性樹脂膜３１０は押圧により変形し、第１の原版５１０の溝５０１の形状に対応した凸部が形成され、その凸部の上にＣＮＴが配置される。さらに、紫外線照射により光硬化性樹脂膜３１０は凸部を有したまま硬化する。
【００３６】
次に、第１の原版５１０を第２の原版５１１から離すと、図４（Ｃ）に示すように、光硬化性樹脂膜３１０上のわずかな段差を有する凸部にＣＮＴが転写される。
【００３７】
次に、図４（Ｄ）に示すように、ＣＮＴの両端が配線基板４上に形成されたソース／ドレイン領域４０４に接触するように、第２の原版５１１から配線基板４にＣＮＴの束を転写する。
第２の原版５１１を配線基板４から離すと、図４（Ｅ）に示すように、配線基板４上にＣＮＴがソース／ドレイン領域４０４を繋ぐように配置される。
【００３８】
なお、図４に示す２段階転写法は、トップゲート型のＴＦＴにも適用することができる。
【００３９】
電気光学装置
図５は、本発明による電気光学装置の例である有機ＥＬ装置１０の回路図である。各画素領域に形成された画素回路は、電界発光効果により発光可能な発光層ＯＥＬＤ、それを駆動するための制御回路を構成するＴＦＴ１１〜１４などを備えて構成される。一方、駆動回路領域に形成された各駆動回路１５、１６は、上記構成を有する複数のＴＦＴ（図示略）を備えて構成されている。駆動回路１５からは、走査線Ｖｓｅｌ及び発光制御線Ｖｇｐが対応する各画素回路に供給され、駆動回路１６からは、データ線Ｉｄａｔａおよび電源線Ｖｄｄが対応する各画素回路に供給されている。走査線Ｖｓｅｌとデータ線Ｉｄａｔａとを制御することにより、対応する各発光部ＯＥＬＤによる発光が制御可能になっている。なお、上記駆動回路は、発光要素に電界発光素子を使用する場合の回路の一例であり、他の回路構成も可能である。
【００４０】
電子機器
図６は、本発明による電子機器の例を示した図である。
図６（Ａ）は、本発明の製造方法によって製造される携帯電話であり、当該携帯電話３３０は、電気光学装置（表示パネル）１０、アンテナ部３３１、音声出力部３３２、音声入力部３３３及び操作部３３４を備えている。本発明は、例えば表示パネル１０における画素回路及び駆動回路を構成する半導体装置の製造に適用される。
【００４１】
図６（Ｂ）は、本発明の製造方法によって製造されるビデオカメラであり、当該ビデオカメラ３４０は、電気光学装置（表示パネル）１０、受像部３４１、操作部３４２及び音声入力部３４３を備えている。本発明は、例えば表示パネル１０における画素回路及び駆動回路を構成する半導体装置の製造に適用される。
【００４２】
図６（Ｃ）は、本発明の製造方法によって製造される携帯型パーソナルコンピュータの例であり、当該コンピュータ３５０は、電気光学装置（表示パネル）１０、カメラ部３５１及び操作部３５２を備えている。本発明は、例えば表示パネル１０を構成する半導体装置の製造に適用される。
【００４３】
図６（Ｄ）は、本発明の製造方法によって製造されるヘッドマウントディスプレイの例であり、当該ヘッドマウントディスプレイ３６０は、電気光学装置（表示パネル）１０、バンド部３６１及び光学系収納部３６２を備えている。本発明は、例えば表示パネル１０を構成する半導体装置の製造に適用される。
【００４４】
上記例に限らず本発明は、あらゆる電子デバイスの製造等に適用可能である。例えば、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ、ＩＣカードなどにも適用することができる。なお、本発明は上述した各実施形態に限定されることなく、本発明の要旨の範囲内で種々に変形、変更実施が可能である。また、上述した実施形態では、回路素子の一例としてＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を例示したが、他の回路素子に適用しても良いのはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】図１（Ａ）〜（Ｇ）は、本発明による配線基板の製造方法を説明する図である。
【図２】図２（Ａ）、（Ｂ）は、本発明による配線基板の他の例を示す図である。
【図３】図３（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明による配線基板の製造方法の他の例を説明する図である。
【図４】図４（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明による配線基板の製造方法の他の例を説明する図である。
【図５】本発明による電気光学装置の例である有機ＥＬ装置の回路図である。
【図６】本発明による電子機器の例を示した図である。
【符号の説明】
【００４６】
１，２，３，４ 配線基板、１００，２００，３００ ＴＦＴ、１０１，２０１，３０１ ガラス基板、１０２，２０２，３０２ 下地絶縁膜、１０３，２０３，５０１ 溝、１０４，２０４，３０４，４０４ ソース／ドレイン領域、１０５，２０５ ＣＮＴの束、１０６，２０６ ゲート絶縁膜、１０７，２０７ ゲート電極、１０８ 層間絶縁膜、１０９ 電極、３１０ 光硬化性樹脂膜、５００ 原版、５１０ 第１の原版、５１１ 第２の原版
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、電気光学装置、電子機器、および配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
カーボンナノチューブ（以下、ＣＮＴと記す。）は、炭素が六角形に並んだシートを円筒形に丸めたものであり、シート１枚から成るものを単層ナノチューブ、２枚以上からなるものを多層ナノチューブと呼ぶ。その直径は最小０．４ｎｍから単層で約４ｎｍ、多層で数十ｎｍに及ぶ。
【０００３】
ＣＮＴは電流容量が大きく、熱伝導率が高くて放熱性がよく、また機械的強度も強いなどの性質を持つため細い線状の導電体として利用することができる。また単層のＣＮＴは半導体としての特性も有するため、トランジスタ等への応用も研究されている。
また、ＣＮＴ以外にも、半導体として用いることができる柱状構造体として、例えばシリコンナノワイヤがある。シリコンナノワイヤは、ケイ素分子が鎖状に並んだものである。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１１８２４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、ＣＮＴなどの柱状構造体を導電体や半導体として用いてトランジスタや配線を形成する場合、柱状構造体を基板上の所望の位置へ正確に配置するのは困難である。
【０００６】
この問題を解決するために提案されている技術の１つとして、例えば特許文献１に開示されたものがある。特許文献１に記載された技術は、基板上に所定の触媒パターンを形成すると共に、カーボンナノチューブの垂直成長を抑制する層を設けることにより、触媒パターンに沿ってカーボンナノチューブを水平成長させ、水平方向に位置と向きが揃ったカーボンナノチューブを得るというものである。
【０００７】
本発明の目的は、できるだけ簡易な方法で、配線基板上の所望の位置に、導電体や半導体として利用できる柱状構造体を向きを揃えて配置させることである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の配線基板は、表面に溝を有する基板と、上記溝内に配置された柱状構造体と、上記柱状構造体に電気伝導可能に設けられた電極を備えたものである。
これにより、導電性を有する柱状構造体を簡易な方法で、配線基板上の所望の位置に向きを揃えて配置させることができる。
上記柱状構造体は、例えばシリコンナノチューブやシリコンナノワイヤなどである。
【０００９】
また、上記柱状構造体が半導体の性質を有し、上記電極をソース・ドレイン電極とすれば、本発明による配線基板を半導体装置に適用することができる。
【００１０】
本発明の配線基板は、電気光学装置や電子機器に適用することができる。ここで、電気光学装置とは、例えば、液晶素子、電気泳動粒子が分散した分散媒体を有する電気泳動素子、ＥＬ素子等を備えた装置であって、上記配線基板を駆動回路等に適用した装置などをいう。また、電子機器とは、本発明に係る配線基板を備えた一定の機能を奏する機器一般をいい、例えば電気光学装置やメモリを備える。その構成に特に限定は無いが、例えばＩＣカード、携帯電話、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示板、宣伝広告用ディスプレイ等が含まれる。
【００１１】
本発明の配線基板の製造方法は、表面に溝を形成した基板上に、柱状構造体を分散媒に分散した分散液を塗布する工程と、前記溝内の前記分散媒を除去して、前記溝内に前記柱状構造体を配置する工程と、前記溝内に配置した前記柱状構造体に接触するように電極を形成する工程を有する。
これにより、導電性を有する柱状構造体を簡易な方法で、配線基板上の所望の位置に向きを揃えて配置させることができる。
上記柱状構造体は、例えばシリコンナノチューブやシリコンナノワイヤなどである。
また、上記基板の溝内に上記柱状構造体を配置させる前に、上記基板上に上記電極を形成しておいてもよい。
【００１２】
また、本発明による配線基板の製造方法は、表面に溝を形成した原版上に、柱状構造体を分散媒に分散した分散液を塗布し、上記溝内に前記柱状構造体を配置する工程と、上記原版と基板とを押圧して上記溝内の上記柱状構造体を上記基板に付着させる工程と、上記基板に付着させた上記柱状構造体に接触するように電極を形成する工程を有するものであってもよい。
この方法によれば、上記基板上にあらかじめ溝を設けなくても、導電性を有する柱状構造体を簡易な方法で、配線基板上の所望の位置に向きを揃えて配置させることができる。
また、上記基板に上記柱状構造体を転写する前に、上記基板上に上記電極を形成しておいてもよい。
なお、上記基板の表面に熱硬化性樹脂膜を形成し、上記原版と上記基板を加熱しながら押圧し、その後冷却してから上記原版と上記基板を離すようにすれば、上記柱状構造体の位置を基板上に固定することができる。
あるいは、上記基板の表面に光硬化性樹脂膜を形成し、上記基板に上記原版を押圧しながら、原版越しに或いは透明基板であれば基板側から上記光硬化性樹脂膜に光を照射しても同様の効果が得られる。光硬化性樹脂膜は、光エネルギーを与えることにより液状から固体に硬化する合成有機材料であり、硬化作用を及ぼす光としては紫外線が一般的に用いられている。
【００１３】
また、本発明による配線基板の製造方法は、表面に溝を形成した第１の原版上に、柱状構造体を分散媒に分散した分散液を塗布し、上記溝内に前記柱状構造体を配置する工程と、上記第１の原版と第２の原版とを押圧して上記溝内の上記柱状構造体を上記第２の原版に付着させる工程と、上記第２の原版から基板上に上記柱状構造体を転写する工程と、上記基板に転写した上記柱状構造体に接触するように電極を形成する工程を有するものであってもよい。
また、上記基板に上記柱状構造体を転写する前に、上記基板上に上記電極を形成しておいてもよい。
なお、上記第２の原版の表面に熱硬化性樹脂膜を形成し、上記第１の原版と上記第２の原版を加熱しながら押圧し、その後冷却してから上記第１の原版と上記第２の原版を離すようにすれば、上記柱状構造体の位置を第２の原版上に固定することができる。あるいは、上記第２の原版表面に光硬化性樹脂膜を形成し、上記第２の原版に上記第１の原版を押圧しながら、上記光硬化性樹脂膜に光を照射しても同様の効果が得られる。
この方法によれば、上記基板上にあらかじめ溝を設ける必要がなく、さらに上記基板上に樹脂膜を設けて押圧する必要がないため、基板上の絶縁層を変形させて配線基板の信頼性を低下させることを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
実施の形態１．
図１を用いて、本発明による配線基板１の製造工程を説明する。配線基板１は、トップゲート型のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）１００を有している。
まず、図１（Ａ）に示すように、ガラス基板（基板）１０１上に下地絶縁膜１０２を形成する。下地絶縁膜１０２は、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用いてシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を形成する。下地絶縁膜１０２は１００〜５００ｎｍの厚さで形成する。
【００１５】
次に、図１（Ｂ）に示すように、フォトエッチング法を用いて下地絶縁膜１０２に深さ１０〜１００ｎｍの溝１０３を形成する。溝１０３の長さについては、後述するソース／ドレイン間の長さＬに合わせて形成する。
【００１６】
次に、図１（Ｃ）に示すように、下地絶縁膜１０２上に、ソース／ドレイン領域（電極）１０４を形成する。ソース／ドレイン領域１０４の端部は、溝１０３に接触するように形成する。ソース／ドレイン領域１０４は、例えばＴｉ（チタン）等の金属微粒子から形成される厚さ０．１μｍ程度の導電膜とすることができる。
【００１７】
次に、水系、有機系等の適当な分散媒に分散させたＣＮＴを、ソース／ドレイン領域１０４を形成した下地絶縁膜１０２の上からスピンコート法、インクジェット法、ディスペンサー法等の塗布法を用いて塗布し、図１（Ｄ）に示すように溝１０３にＣＮＴを配置する。ＣＮＴを配置後、溝１０３内の分散媒は除去し、ＣＮＴのみを残す。
図１（Ｅ）は、図１（Ｄ）に示す状態を上から見た図である。図に示すように、溝１０３内には、溝１０３の長さよりも短いＣＮＴが方向を揃えて配置され、ＣＮＴの束１０５が形成される。
【００１８】
単層ＣＮＴの筒の部分は、巻かれている状態によって金属になったり半導体になったりもする。半導体の場合は、単層ＣＮＴの筒の巻かれ方や太さ（直径）を制御することで半導体の性質を変えることができる。ここでは、半導体ＣＮＴを用いる。半導体ＣＮＴは吸着させる原子によってｐ型またはｎ型の半導体としての特性を持たせることができる。溝１０３に配置されたＣＮＴの束１０５は、ソース／ドレイン間に配置される半導体層として機能する。
【００１９】
次に、図１（Ｆ）に示すように溝１０３に配置したＣＮＴの束１０５の上にゲート絶縁膜１０６を形成する。具体的には、例えばスパッタ法などでチタン酸化膜や、ＣＶＤ法等を用いてシリコン酸化膜を形成する。さらに、ゲート絶縁膜１０６上にＡｌなどの金属を含む液体材料を塗布し、乾燥・焼成等することによりゲート電極１０７を形成する。
【００２０】
次に、図１（Ｇ）に示すように、ゲート電極１０７から層間絶縁膜１０８をＣＶＤ法や塗布法を用いて形成し、コンタクトホールを開口した後、アルミニウム等をスパッタした後パターニングすることにより電極１０９を形成する。
以上の方法により、半導体の性質を有するＣＮＴがソース／ドレイン領域１０４の位置に合わせて向きを揃えて配置された配線基板１が得られる。
【００２１】
なお、図１（Ｃ）、（Ｄ）に示す工程は順序を入れ替えても良い。すなわち、下地絶縁膜１０２に形成された溝１０３にまずＣＮＴを配置し、その後ソース／ドレイン領域１０４を形成するようにしてもよい。
【００２２】
また、図１に示すトップゲート型のＴＦＴ以外にも、例えば図２（Ａ）に示すようなボトムゲート型のＴＦＴ２００を形成することもできる。
この場合には、まず、ガラス基板２０１上にスパッタ法等を用いて、例えばＴａ（タンタル）などの金属を含む液体材料を塗布した後、フォトエッチング法を用いてゲート電極２０７を形成する。
次にＣＶＤ法等を用いてゲート絶縁膜２０６を形成し、さらに、絶縁膜２０２を形成した後、絶縁膜２０２上にフォトエッチング法により溝２０３を形成する。
【００２３】
次に、水系、有機系等の適当な分散媒に分散させたＣＮＴを絶縁膜２０２の上からスピンコート法等を用いて塗布し、溝２０３にＣＮＴを配置する。ＣＮＴを配置後、溝２０３内の分散媒は除去し、ＣＮＴのみを残す。
次に、絶縁膜２０２上にソース／ドレイン領域２０４を形成する。ソース／ドレイン領域２０４の端部は、溝２０３に配置されたＣＮＴの束２０５に接触するように形成する。
【００２４】
図２（Ｂ）は、配線基板を上から見た図である。図に示すように、溝２０３内には、溝２０３の長さよりも短いＣＮＴが方向を揃えて配置される。
【００２５】
実施の形態２．
実施の形態２では、ナノインプリント技術を応用し、原版を用いて基板上にＣＮＴを転写する。
【００２６】
図３を用いて、本発明による配線基板３の製造工程を説明する。配線基板３は、トップゲート型のＴＦＴ３００を有している。
まず、図３（Ａ）に示すように、原版５００上に深さ１０〜１００ｎｍの溝５０１を形成し、水系、有機系等の適当な分散媒に分散させたＣＮＴをスピンコート法等を用いて塗布し、溝５０１にＣＮＴを配置する。溝５０１の長さについては、後述する配線基板上のソース／ドレイン間の長さＬに合わせて形成する。
【００２７】
また、表面に下地絶縁膜３０２を形成したガラス基板３０１の表面には、光硬化性樹脂膜３１０を形成する。
光硬化性樹脂膜３１０は、光エネルギーを与えることにより液状から固体に硬化する合成有機材料であり、硬化作用を及ぼす光としては紫外線が一般的に用いられている。
光硬化性樹脂膜３１０としては、例えば、アクリル系樹脂でラジカル重合タイプの無溶媒型光硬化性樹脂（東洋合成工業(株)のＰＡＫ−０１等）を用いるこ
とができる。
【００２８】
次に、図３（Ｂ）に示すように、配線基板３と原版５００とを押圧しながら紫外線照射を行う。このとき、光硬化性樹脂膜３１０は押圧により変形し、原版５００の溝５０１の形状に対応した凸部が形成され、その凸部の上にＣＮＴが配置される。さらに、紫外線照射により光硬化性樹脂膜３１０は凸部を有したまま硬化する。
【００２９】
次に、原版５００を配線基板３から離すと、図３（Ｃ）に示すように、光硬化性樹脂膜３１０上のわずかな段差を有する凸部にＣＮＴが転写される。
次に、図３（Ｄ）に示すように、ＣＮＴの両端に接するようにソース／ドレイン領域３０４を形成する。
以降、図１（Ｆ）、（Ｇ）に示す工程を経て、配線基板３上にトップゲート型のＴＦＴ３００を形成することができる。
【００３０】
また、光硬化性樹脂膜以外にも、例えば熱硬化性樹脂膜を配線基板３の表面に形成してナノインプリント法による転写を行うことができる。
熱硬化性樹脂は、加熱状態では流動性があり、室温では硬化するという性質を持つ。従って、まず加熱状態で原版５００を配線基板３に押圧することにより熱硬化性樹脂の形状を原版５００の凹凸形状に合わせて変形させる。さらにその状態で冷却することにより変形した形状を保ったまま熱硬化性樹脂を硬化させる。
その後、原版５００と配線基板３を離すことにより、配線基板３上にＣＮＴを転写することができる。
熱硬化性樹脂には、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂等がある。
【００３１】
熱硬化性樹脂膜を用いた場合、原版５００および配線基板３は加熱されるため、加熱による伸縮を考慮しなければならない。
一方、光硬化樹脂を用いる場合には、原版５００または配線基板３は光（紫外線）を透過する材料で形成する必要がある。
従って、原版５００および配線基板３を形成する材料、製造するデバイスの特性等に基づいて使用する樹脂の種類を選択することが望ましい。
【００３２】
実施の形態３．
実施の形態３も、２つの原版を用いて２度の転写を行うことにより、基板上にＣＮＴを転写する。
【００３３】
図４を用いて、本発明による配線基板４の製造工程を説明する。配線基板４は、ボトムゲート型のＴＦＴを有している。ボトムゲート型のＴＦＴは、ガラス基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、絶縁膜を形成した上で、ナノインプリントによるＣＮＴ転写を行う。図３に示す方法では、光硬化性樹脂膜がゲート絶縁膜上に形成され、その上にＣＮＴが転写されるので、ゲート絶縁膜の厚さの変化などが起こり、望ましくないゲート絶縁膜が形成されてデバイスの信頼性が低下する。
【００３４】
そこで、まず図４（Ａ）に示すように、第１の原版５１０上に深さ１０〜１００ｎｍの溝５０１を形成し、水系、有機系等の適当な分散媒に分散させたＣＮＴをスピンコート法等を用いて塗布し、溝５０１にＣＮＴを配置する。
また、第２の原版５１１の表面に、光硬化性樹脂膜３１０を形成する。
【００３５】
次に、図４（Ｂ）に示すように、第１の原版５１０と第２の原版５１１とを押圧しながら紫外線照射を行う。このとき、光硬化性樹脂膜３１０は押圧により変形し、第１の原版５１０の溝５０１の形状に対応した凸部が形成され、その凸部の上にＣＮＴが配置される。さらに、紫外線照射により光硬化性樹脂膜３１０は凸部を有したまま硬化する。
【００３６】
次に、第１の原版５１０を第２の原版５１１から離すと、図４（Ｃ）に示すように、光硬化性樹脂膜３１０上のわずかな段差を有する凸部にＣＮＴが転写される。
【００３７】
次に、図４（Ｄ）に示すように、ＣＮＴの両端が配線基板４上に形成されたソース／ドレイン領域４０４に接触するように、第２の原版５１１から配線基板４にＣＮＴの束を転写する。
第２の原版５１１を配線基板４から離すと、図４（Ｅ）に示すように、配線基板４上にＣＮＴがソース／ドレイン領域４０４を繋ぐように配置される。
【００３８】
なお、図４に示す２段階転写法は、トップゲート型のＴＦＴにも適用することができる。
【００３９】
電気光学装置
図５は、本発明による電気光学装置の例である有機ＥＬ装置１０の回路図である。各画素領域に形成された画素回路は、電界発光効果により発光可能な発光層ＯＥＬＤ、それを駆動するための制御回路を構成するＴＦＴ１１〜１４などを備えて構成される。一方、駆動回路領域に形成された各駆動回路１５、１６は、上記構成を有する複数のＴＦＴ（図示略）を備えて構成されている。駆動回路１５からは、走査線Ｖｓｅｌ及び発光制御線Ｖｇｐが対応する各画素回路に供給され、駆動回路１６からは、データ線Ｉｄａｔａおよび電源線Ｖｄｄが対応する各画素回路に供給されている。走査線Ｖｓｅｌとデータ線Ｉｄａｔａとを制御することにより、対応する各発光部ＯＥＬＤによる発光が制御可能になっている。なお、上記駆動回路は、発光要素に電界発光素子を使用する場合の回路の一例であり、他の回路構成も可能である。
【００４０】
電子機器
図６は、本発明による電子機器の例を示した図である。
図６（Ａ）は、本発明の製造方法によって製造される携帯電話であり、当該携帯電話３３０は、電気光学装置（表示パネル）１０、アンテナ部３３１、音声出力部３３２、音声入力部３３３及び操作部３３４を備えている。本発明は、例えば表示パネル１０における画素回路及び駆動回路を構成する半導体装置の製造に適用される。
【００４１】
図６（Ｂ）は、本発明の製造方法によって製造されるビデオカメラであり、当該ビデオカメラ３４０は、電気光学装置（表示パネル）１０、受像部３４１、操作部３４２及び音声入力部３４３を備えている。本発明は、例えば表示パネル１０における画素回路及び駆動回路を構成する半導体装置の製造に適用される。
【００４２】
図６（Ｃ）は、本発明の製造方法によって製造される携帯型パーソナルコンピュータの例であり、当該コンピュータ３５０は、電気光学装置（表示パネル）１０、カメラ部３５１及び操作部３５２を備えている。本発明は、例えば表示パネル１０を構成する半導体装置の製造に適用される。
【００４３】
図６（Ｄ）は、本発明の製造方法によって製造されるヘッドマウントディスプレイの例であり、当該ヘッドマウントディスプレイ３６０は、電気光学装置（表示パネル）１０、バンド部３６１及び光学系収納部３６２を備えている。本発明は、例えば表示パネル１０を構成する半導体装置の製造に適用される。
【００４４】
上記例に限らず本発明は、あらゆる電子デバイスの製造等に適用可能である。例えば、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ、ＩＣカードなどにも適用することができる。なお、本発明は上述した各実施形態に限定されることなく、本発明の要旨の範囲内で種々に変形、変更実施が可能である。また、上述した実施形態では、回路素子の一例としてＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を例示したが、他の回路素子に適用しても良いのはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】図１（Ａ）〜（Ｇ）は、本発明による配線基板の製造方法を説明する図である。
【図２】図２（Ａ）、（Ｂ）は、本発明による配線基板の他の例を示す図である。
【図３】図３（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明による配線基板の製造方法の他の例を説明する図である。
【図４】図４（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明による配線基板の製造方法の他の例を説明する図である。
【図５】本発明による電気光学装置の例である有機ＥＬ装置の回路図である。
【図６】本発明による電子機器の例を示した図である。
【符号の説明】
【００４６】
１，２，３，４ 配線基板、１００，２００，３００ ＴＦＴ、１０１，２０１，３０１ ガラス基板、１０２，２０２，３０２ 下地絶縁膜、１０３，２０３，５０１ 溝、１０４，２０４，３０４，４０４ ソース／ドレイン領域、１０５，２０５ ＣＮＴの束、１０６，２０６ ゲート絶縁膜、１０７，２０７ ゲート電極、１０８ 層間絶縁膜、１０９ 電極、３１０ 光硬化性樹脂膜、５００ 原版、５１０ 第１の原版、５１１ 第２の原版
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に溝を有する基板と、
前記溝内に配置された柱状構造体と、
前記柱状構造体に電気伝導可能に設けられた電極を備えた配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板において、
前記柱状構造体は半導体の性質を有し、
前記電極は、ソース・ドレイン電極であることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の配線基板を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項３に記載の電気光学装置を含むことを特徴とする電子機器。
【請求項５】
表面に溝を形成した基板上に、柱状構造体を分散媒に分散した分散液を塗布する工程と、
前記溝内の前記分散媒を除去して、前記溝内に前記柱状構造体を配置する工程と、
前記溝内に配置した前記柱状構造体に接触するように電極を形成する工程を有する配線基板の製造方法。
【請求項６】
表面に溝を形成した基板上に、電極を形成する工程と、
前記溝内に柱状構造体を分散媒に分散した分散液を塗布する工程と、
前記溝内の前記分散媒を除去して、前記溝内に前記柱状構造体を前記電極に接触するように配置する工程を有する配線基板の製造方法。
【請求項７】
表面に溝を形成した原版上に、柱状構造体を分散媒に分散した分散液を塗布し、前記溝内に前記柱状構造体を配置する工程と、
前記原版と基板とを押圧して前記溝内の前記柱状構造体を前記基板に付着させる工程と、
前記基板に付着させた前記柱状構造体に接触するように電極を形成する工程を有する配線基板の製造方法。
【請求項８】
表面に溝を形成した原版上に、柱状構造体を分散媒に分散した分散液を塗布し、前記溝内に前記１柱状構造体を配置する工程と、
前記原版と、電極を有する基板とを押圧して前記溝内の前記柱状構造体を前記電極に接触するように前記基板に付着させる工程を有する配線基板の製造方法。
【請求項９】
請求項７または請求項８に記載の配線基板の製造方法において、
前記基板の表面に熱硬化性樹脂膜が形成されており、
前記原版と前記基板を加熱しながら押圧し、その後冷却してから前記原版と前記基板を離すことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項７または請求項８に記載の配線基板の製造方法において、
前記基板の表面に光硬化性樹脂膜が形成されており、
前記原版と前記基板を、光を照射しながら押圧することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１１】
表面に溝を形成した第１の原版上に、柱状構造体を分散媒に分散した分散液を塗布し、前記溝内に前記柱状構造体を配置する工程と、
前記第１の原版と第２の原版とを押圧して前記溝内の前記柱状構造体を前記第２の原版に付着させる工程と、
前記第２の原版から基板上に前記柱状構造体を転写する工程と、
前記基板に転写した前記柱状構造体に接触するように電極を形成する工程を有する配線基板の製造方法。
【請求項１２】
表面に溝を形成した第１の原版上に、柱状構造体を分散媒に分散した分散液を塗布し、前記溝内に前記柱状構造体を配置する工程と、
前記第１の原版と第２の原版とを押圧して前記溝内の前記柱状構造体を前記第２の原版に付着させる工程と、
前記第２の原版から、電極を有する基板上に前記柱状構造体と前記電極が接触するように前記柱状構造体を転写する工程を有する配線基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１または請求項１２に記載の配線基板の製造方法において、
前記第２の原版の表面に熱硬化性樹脂膜が形成されており、
前記第１の原版と前記第２の原版を加熱しながら押圧し、その後冷却してから前記第１の原版と前記第２の原版を離すことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１４】
請求項１１または請求項１２に記載の配線基板の製造方法において、
前記第２の原版の表面に光硬化性樹脂膜が形成されており、
前記第１の原版と前記第２の原版を、光を照射しながら押圧することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１】
表面に溝を有する基板と、
前記溝内に配置された柱状構造体と、
前記柱状構造体に電気伝導可能に設けられた電極を備えた配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板において、
前記柱状構造体は半導体の性質を有し、
前記電極は、ソース・ドレイン電極であることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の配線基板を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項３に記載の電気光学装置を含むことを特徴とする電子機器。
【請求項５】
表面に溝を形成した基板上に、柱状構造体を分散媒に分散した分散液を塗布する工程と、
前記溝内の前記分散媒を除去して、前記溝内に前記柱状構造体を配置する工程と、
前記溝内に配置した前記柱状構造体に接触するように電極を形成する工程を有する配線基板の製造方法。
【請求項６】
表面に溝を形成した基板上に、電極を形成する工程と、
前記溝内に柱状構造体を分散媒に分散した分散液を塗布する工程と、
前記溝内の前記分散媒を除去して、前記溝内に前記柱状構造体を前記電極に接触するように配置する工程を有する配線基板の製造方法。
【請求項７】
表面に溝を形成した原版上に、柱状構造体を分散媒に分散した分散液を塗布し、前記溝内に前記柱状構造体を配置する工程と、
前記原版と基板とを押圧して前記溝内の前記柱状構造体を前記基板に付着させる工程と、
前記基板に付着させた前記柱状構造体に接触するように電極を形成する工程を有する配線基板の製造方法。
【請求項８】
表面に溝を形成した原版上に、柱状構造体を分散媒に分散した分散液を塗布し、前記溝内に前記１柱状構造体を配置する工程と、
前記原版と、電極を有する基板とを押圧して前記溝内の前記柱状構造体を前記電極に接触するように前記基板に付着させる工程を有する配線基板の製造方法。
【請求項９】
請求項７または請求項８に記載の配線基板の製造方法において、
前記基板の表面に熱硬化性樹脂膜が形成されており、
前記原版と前記基板を加熱しながら押圧し、その後冷却してから前記原版と前記基板を離すことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項７または請求項８に記載の配線基板の製造方法において、
前記基板の表面に光硬化性樹脂膜が形成されており、
前記原版と前記基板を、光を照射しながら押圧することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１１】
表面に溝を形成した第１の原版上に、柱状構造体を分散媒に分散した分散液を塗布し、前記溝内に前記柱状構造体を配置する工程と、
前記第１の原版と第２の原版とを押圧して前記溝内の前記柱状構造体を前記第２の原版に付着させる工程と、
前記第２の原版から基板上に前記柱状構造体を転写する工程と、
前記基板に転写した前記柱状構造体に接触するように電極を形成する工程を有する配線基板の製造方法。
【請求項１２】
表面に溝を形成した第１の原版上に、柱状構造体を分散媒に分散した分散液を塗布し、前記溝内に前記柱状構造体を配置する工程と、
前記第１の原版と第２の原版とを押圧して前記溝内の前記柱状構造体を前記第２の原版に付着させる工程と、
前記第２の原版から、電極を有する基板上に前記柱状構造体と前記電極が接触するように前記柱状構造体を転写する工程を有する配線基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１または請求項１２に記載の配線基板の製造方法において、
前記第２の原版の表面に熱硬化性樹脂膜が形成されており、
前記第１の原版と前記第２の原版を加熱しながら押圧し、その後冷却してから前記第１の原版と前記第２の原版を離すことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１４】
請求項１１または請求項１２に記載の配線基板の製造方法において、
前記第２の原版の表面に光硬化性樹脂膜が形成されており、
前記第１の原版と前記第２の原版を、光を照射しながら押圧することを特徴とする配線基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００７−７３７０６（Ｐ２００７−７３７０６Ａ）
【公開日】平成１９年３月２２日（２００７．３．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２５８３１６（Ｐ２００５−２５８３１６）
【出願日】平成１７年９月６日（２００５．９．６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年３月２２日（２００７．３．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年９月６日（２００５．９．６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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