電子装置及び光共振器
【課題】例えば、エッチング液の染み込みを低減でき、且つ製造プロセスの煩雑化を招くこともなく製造可能な電子装置、及び光共振器を提供する。
【解決手段】絶縁膜４７は、メチル基（ＣＨ３）等の有機官能基を含んでおり、無機材料のみからなる絶縁膜を絶縁膜４７として形成する場合に比べて、成膜時における温度を下げることが可能である。加えて、絶縁膜４７は、例えば、メチル基（ＣＨ３）等の有機官能基を含んでいるため、エッチング液が穴部８５の内壁８５ａから絶縁膜４５及び４６に染み込むことを低減可能であり、内壁８５ａから絶縁膜４５及び４６に染み込むエッチング液によって反射膜８６が損傷を受けることを低減できる。
【解決手段】絶縁膜４７は、メチル基（ＣＨ３）等の有機官能基を含んでおり、無機材料のみからなる絶縁膜を絶縁膜４７として形成する場合に比べて、成膜時における温度を下げることが可能である。加えて、絶縁膜４７は、例えば、メチル基（ＣＨ３）等の有機官能基を含んでいるため、エッチング液が穴部８５の内壁８５ａから絶縁膜４５及び４６に染み込むことを低減可能であり、内壁８５ａから絶縁膜４５及び４６に染み込むエッチング液によって反射膜８６が損傷を受けることを低減できる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、有機ＥＬ表示装置或いは液晶装置等の表示装置のように画像を表示可能な電子装置、及び光共振器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電子装置の一例である有機ＥＬ装置等の表示装置では、光源である有機ＥＬ素子を囲むように、アクリル樹脂等の絶縁材料を含む絶縁層によって構成されたマイクロキャビティ構造が形成され、その光学特性が高められている。尚、特許文献１は、自発光素子を備えた発光素子の光学特性及び寿命を高める技術を提案している。また、特許文献２及び３は、表示装置を含む半導体装置において絶縁膜をＳＯＧ（Spin On Glass）法を用いて形成する技術を提案している。
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−４９１７号公報
【特許文献２】特開２００３−５７６２６号公報
【特許文献３】特開２０００−２００７８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ＩＴＯ等の透明導電膜で構成された画素電極は、一旦透明導電膜が絶縁膜上に形成された後、当該透明導電膜を所定の形状にエッチング処理することにより形成される場合が多い。このようなエッチング処理が施されると、絶縁膜の下層側に形成された導電部、より具体的には、画素スイッチング用素子の端子部と画素電極とを電気的に接続するために絶縁膜に形成された穴部を介して当該エッチング液が絶縁膜に染み込む。ここで、絶縁膜中に、反射膜或いは配線層等の膜状の構造物が形成されている場合、絶縁膜に染み込んだエッチング液によって膜状の構造物が損傷を受け、表示装置の光学特性、及び寿命の低下等の問題点が生じる虞がある。
【０００５】
より具体的には、例えば、画素部の開口率を高めることによって表示性能を向上させる際には、光を遮る接続部が形成されたコンタクトホール等の穴部と、光を反射する反射膜、或いは光を透過させる画素電極との距離を狭める、即ちコンタクトホール及び反射膜等の間のマージンを削ることも必要となる場合がある。したがって、反射膜或いは画素電極等の膜状構造物がエッチング液の染み込みによって損傷を受け易くなる。
【０００６】
また、基板上に設けられる複数の画素部の夫々において画素電極の膜厚が相互に異なる場合には、所望の膜厚を有する画素電極が形成するために繰り返しエッチング処理が施され、エッチング処理に伴ってエッチング液が絶縁膜へ染み込む可能性は高くなる。特に、絶縁膜に微小なひび割れや孔が発生している場合には、エッチング液の染み込みに起因する反射膜及び画素電極等の膜状構造物が受ける損傷はより顕在化する。このようなエッチング液の染み込みに起因して発生する不具合は、有機ＥＬ装置及び液晶装置等の表示装置に限定されるものではなく、絶縁膜に形成された穴部及び当該絶縁膜上でエッチング処理が施される製造プロセスを経て製造される電子装置一般で生じる虞がある。
【０００７】
また、ＳｉＮ等の無機材料で構成された絶縁膜を形成する際の温度は、アクリル樹脂の耐熱温度より高いため、アクリル樹脂等の有機物で構成された絶縁膜上にＳｉＮ等の無機材料で構成された絶縁膜を形成する場合には、熱によってアクリル樹脂が劣化しないように、絶縁膜を形成する工程の段取りに手間がかかり、有機ＥＬ装置及び液晶装置等を含む表示装置の製造プロセスを煩雑化させてしまう。
【０００８】
尚、エッチング液の染み込みによる膜状構造の劣化は、エッチング処理によって所定の形状パターンに形成された複数の誘電体膜を有する光共振器でも同様に生じる虞がある。
【０００９】
よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、エッチング液の染み込みを低減でき、且つ製造プロセスの煩雑化を招くこともなく製造可能な電子装置、及び光共振器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の発明に係る電子装置は上記課題を解決するために、基板上に形成された第１導電膜と、前記第１導電膜上に形成されており、前記第１導電膜が露出する穴部を有する第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上における前記穴部が設けられていない領域に形成された第１膜と、前記穴部の内壁及び前記第１膜を覆うように前記内壁から前記第１膜に渡って延びており、有機官能基を含む第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上に形成されていると共にエッチング処理されることによって所定の形状にパターニングされており、前記第１導電膜のうち前記穴部に露出する部分に電気的に接続された第２導電膜とを備えている。
【００１１】
本発明の第１の発明に係る電子装置によれば、第１導電膜は、例えば、単一或いは複数の金属層、或いは半導体層等の導電材料で構成されており、当該電子装置を駆動するために基板上に形成される回路部の一部を構成している。
【００１２】
第１絶縁膜は、第１導電膜上に形成されており、第１導電膜が露出する穴部を有している。第１絶縁膜は、例えば、第１導電膜及びその上層側に形成される他の導電膜を相互に電気的に絶縁する層間絶縁膜である。このような第１絶縁膜が有する穴部は、第１導電膜と、その上層側に形成された第２導電膜とを電気的に接続するためのコンタクトホールとして機能する。
【００１３】
第１膜は、第１絶縁膜上における穴部が設けられていない領域に形成されている。このような第１膜は、導電膜、半導体層、或いは絶縁膜等からなる膜状構造を有していればよく、導電率の大小は問わない。言い換えれば、第１膜は、当該電子装置において何らかの機能を有するものであればよく、特定の機能を有する膜に限定されるものではない。
【００１４】
第２絶縁膜は、第１絶縁膜が有する穴部の内壁及び前記第１膜を覆うように、当該穴部の内壁から第１膜に渡って延びているため、内壁及び第１膜を保護する保護膜として機能する。このような第２絶縁膜は有機官能基を含んでいるため、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学的気相成長）を用いて形成された無機材料のみからなる絶縁膜を形成する場合に比べて、成膜時における温度を下げることができ、第２絶縁膜の下層側に先に形成された第１膜及び第１絶縁膜が熱によって劣化することを低減可能になる。また、スピンコートなどの技術を用いて、塗布成形することも可能であり、ＣＶＤなどの技術よりも、より簡単に形成することが可能である。
【００１５】
加えて、第２絶縁膜は、例えば、メチル基（ＣＨ３）等の有機官能基を含んでいるため、エッチング液をはじく。したがって、第２絶縁膜は、エッチング液を用いてエッチングされる際に、エッチング液が穴部の内壁から第１絶縁膜にエッチング液が染み込むことを低減できる。即ち、穴部の内壁から第１絶縁膜に染み込むエッチング液によって第１膜が損傷を受けることを低減できる。よって、第２絶縁膜によれば、当該電子装置における第１膜の機能或いは用途に応じて第１膜のサイズ、或いは形成位置が制約を受けることを低減でき、例えば、第１膜及び穴部間の距離、言い換えれば、エッチング液の染み込みの影響を低減するためのマージンを削ることが可能である。
【００１６】
第２導電膜は、第２絶縁膜上に形成されていると共に、その形成時に、エッチング処理されることによって所定の形状にパターニングされており、第１導電膜のうち穴部に露出する部分に電気的に接続されている。このような第２導電膜は、例えば、第１導電膜と共に回路部の一部を構成する。すでに述べたように、第２絶縁膜による内壁及び第１膜が保護されているため、エッチング処理を施す際のエッチング液による第１膜の劣化は低減可能である。
【００１７】
よって、本発明の第１の発明に係る電子装置によれば、基板上において第２絶縁膜の下層側に形成された部分が、第２絶縁膜を形成する際の熱によって劣化することを低減できると共に、エッチング液による第１膜の劣化も低減可能である。加えて、本発明の第１の発明に係る電子装置によれば、エッチング液による劣化を低減する観点から要求される第１膜のサイズ或いは形成位置に関する制約を受けることなく、電子装置の設計における自由度を高めることが可能である。
【００１８】
本発明の第１の発明に係る電子装置の一の態様では、前記第２導電膜は、複数の導電膜から構成されており、前記複数の導電膜の夫々についてエッチング処理が施されていてもよい。
【００１９】
この態様によれば、複数の導電膜を互いに積層し、且つこれら積層された導電膜の夫々がエッチング液を用いて所定の形状にパターニングされている場合であっても、繰り返し施されるエッチング処理の各々について第１絶縁膜に対するエッチング液の染み込みを低減可能である。
【００２０】
本発明の第１の発明に係る電子装置の他の態様では、前記第２導電膜は、前記基板上の表示領域を構成する複数の画素部の夫々に形成された画素電極であり、前記第１導電膜は、前記画素部毎に形成された画素スイッチング用素子に電気的に接続された端子部であってもよい。
【００２１】
この態様によれば、例えば、電子装置の一例である有機ＥＬ装置或いは液晶装置等の表示装置において、エッチング液による第１膜の劣化を低減しつつ、端子部を介して画素電極及び画素スイッチング用素子間の電気的に接続が可能になる。
【００２２】
本発明の第２の発明に係る電子装置は上記課題を解決するために、基板上に形成された第１導電膜と、前記第１導電膜上に形成されており、前記第１導電膜が露出する穴部を有する第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上における前記穴部が設けられていない領域に形成された第１膜と、前記穴部及び前記第１膜を覆うように形成されており、前記第１導電膜に電気的に接続された第２導電膜と、前記第２導電膜上において前記穴部及び前記第１膜を覆うように形成されており、有機官能基を含む第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上に形成されていると共にエッチング処理されることによって所定の形状にパターニングされた第３導電膜とを備えている。
【００２３】
本発明の第２の発明に係る電子装置によれば、上述の第１の発明に係る電子装置と同様に、第１導電膜は、例えば、基板上の回路部の一部を構成し、第１絶縁膜が有する穴部はコンタクトホールとして機能する。また、第１膜も、同様に、その機能及び用途がなんら限定されるものではない。
【００２４】
第２導電膜は、穴部及び第１膜を覆うように形成されており、第１導電膜に電気的に接続されている。このような第２導電膜は、例えば、第１導電膜のうち穴部に露出する部分に接しており、当該露出する部分を介して第１導電膜に電気的に接続されている。即ち、第２導電膜は、穴部及び第１膜を覆うように形成された段階で第１導電膜に電気的に接続されている。
【００２５】
第２絶縁膜は、第２導電膜上において穴部及び第２膜を覆うように形成されており、有機官能基を含んでいる。したがって、第２絶縁膜によれば、第３導電膜についてエッチング処理が施される際に、第２導電膜を介して第１絶縁膜及び第１膜にエッチング液が染み込むことを低減でき、エッチング液による第１膜の劣化を低減できると共に、第１膜のサイズ、或いは形成位置等の設計に関する自由度を高めることが可能である。
【００２６】
本発明の第２の発明に係る電子装置の一の態様では、前記第２導電膜は、前記基板上の表示領域を構成する複数の画素部の一の画素部に形成された画素電極の一部を構成する一の透明電極であり、前記第３導電膜は、前記一の透明電極と共に前記画素電極を構成する他の透明電極であってもよい。
【００２７】
この態様によれば、複数の透明電極からなる画素電極を形成する際に施されるエッチング処理による第１膜の劣化を低減できる。より具体的には、例えば、赤色、緑色及び青色の夫々に対応する画素部毎に画素電極の膜厚が異なる場合、一の画素部において一の透明電極及び他の透明電極からなる多層構造の画素電極を形成することによって所望の膜厚になるように画素電極を形成できると共に、各透明電極を形成する際に施されるエッチング処理によって生じる虞のある第１膜の劣化を低減できる。
【００２８】
この態様では、前記第１導電膜は、前記画素部毎に形成された画素スイッチング用素子に電気的に接続された端子部であってもよい。
【００２９】
この態様によれば、画素スイッチング用素子を介して画像信号に応じた電位が画素電極に供給され、電子装置の一例である液晶装置等の表示装置において所望の画像が表示可能になる。
【００３０】
本発明の第１及び第２の発明に係る電子装置の他の態様では、前記第１膜は、前記基板上から照射された光を反射する反射膜であってもよい。
【００３１】
この態様によれば、電子装置が反射型液晶表示装置等の表示装置である場合に、第２絶縁膜上から入射した光を反射でき、画像表示が可能になる。
【００３２】
本発明の第１及び第２の発明に係る電子装置の他の態様では、前記第１絶縁膜は、アクリル樹脂を含んでいてもよい。
【００３３】
この態様によれば、アクリル樹脂の耐熱温度は２２０乃至２５０℃であり、例えば、ＣＶＤ法によって第２絶縁膜を形成する場合に比べて、熱による第１絶縁膜の劣化を低減することが可能になる。
【００３４】
本発明の第３の発明に係る光共振器は上述の課題を解決するために、基板上に形成された第１誘電体膜と、前記第１誘電体膜上に形成されており、有機官能基を含む第２誘電体膜と、前記第２誘電体膜上に形成されていると共にエッチング処理されることによって所定の形状にパターニングされた第３誘電体膜とを備えている。
【００３５】
本発明の第３の発明に係る光共振器によれば、第２誘電体膜は、上述の第１及び第２の発明における第２絶縁膜と同様に、有機官能基を含んで構成されているため、エッチング液をはじく。したがって、第２誘電体膜は、第１誘電体膜及び第３誘電体膜と共に当該光共振器を構成すると共に、第３誘電体膜がエッチング処理によって形成される際に、エッチング液が第１誘電体膜に到達することを低減し、エッチング液による第１誘電体膜の劣化を低減できる。
【００３６】
したがって、本発明の第３の発明に係る光共振器によれば、エッチング処理によって第３誘電体膜を所定の形状にパターニングできると共に、エッチング液による第１誘電体膜の劣化を低減できる。
【００３７】
本発明の第３の発明に係る光共振器の一の態様では、前記第２誘電体膜は、前記第１誘電体膜の端面を覆っていてもよい。
【００３８】
本発明の第３の発明に係る光共振器によれば、エッチング液が染み込み易い第１誘電体膜の端部を第２誘電体膜で覆うことによって、第１誘電体膜に対するエッチング液の染み込みを効果的に低減できる。
【００３９】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
＜第１実施形態＞
図１乃至図４を参照しながら、本発明の第１の発明に係る電子装置の一実施形態である液晶装置を説明する。
【００４１】
＜１−１：液晶装置＞
先ず、図１及び図２を参照しながら、本実施形態に係る液晶装置１の全体構成を説明する。図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置１の平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。本実施形態に係る液晶装置１は、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式で駆動され、後述する反射膜で光を反射する反射型表示装置である。
【００４２】
図１及び図２において、液晶装置１では、ＴＦＴアレイ基板１０と、対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０は、複数の画素部が設けられる表示領域たる画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００４３】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。
【００４４】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。尚、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域が存在する。言い換えれば、本実施形態においては特に、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、この額縁遮光膜５３より以遠が周辺領域として規定されている。
【００４５】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００４６】
ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域には、タッチパネル機能を確保するために画素部に設けられた光センサを含むセンサ部（不図示）を制御するためのセンサ制御回路部２０１が形成されている。外部回路接続端子１０２は、外部回路及び液晶装置１を電気的に接続する接続手段の一例であるフレキシブル基板２００に設けられた接続端子に接続されている。尚、センサ制御回路部２０１は、液晶装置１に内蔵されていてもよいし、液晶装置１の外部に形成されていてもよい。
【００４７】
対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００４８】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。液晶装置１によって表示される画像は、対向基板２０の両面のうち液晶層５０に面しない側の表示面２０ｓに表示される。
【００４９】
尚、本実施形態では、説明の便宜上、偏光板及びカラーフィルタの図示を省略しているが、対向基板２０上に偏光板及びカラーフィルタが配置されている場合には、図中において、液晶装置１の最上面が表示面になる。また、液晶装置１は、表示面２０ｓ側から入射した光を、後述する反射膜によって反射し、当該反射光を液晶層５０によって変調することによって所望の画像を表示する反射型表示装置である。
【００５０】
図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００５１】
次に、図３を参照しながら、液晶装置１の回路構成を説明する。図３は、液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【００５２】
図３において、液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素部７２を備えている。画素部７２は、画素電極９ａ、ＴＦＴ３０、及び液晶素子５０ａを備えている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液晶装置１の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００５３】
ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、液晶装置１は、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００５４】
液晶層５０に含まれる液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各サブ画素部の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各サブ画素部の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置１からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。蓄積容量７０は、固定電位線３００に電気的に接続されており、画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶素子５０ａと並列に付加されている。
【００５５】
次に、図４を参照しながら、液晶装置１の具体的な構成を説明する。図４は、液晶装置１の画素部の構造の一部を周辺回路部の一部と共に示した断面図である。
【００５６】
図４において、液晶装置１は、ＴＦＴアレイ基板１０、本発明の「第１導電膜」の一例である端子部８４、本発明の「第１絶縁膜」の一例を構成する絶縁膜４５及び４６、本発明の「第１膜」の一例である反射膜８６、本発明の「第２絶縁膜」の一例である絶縁膜４７、並びに、本発明の「第２導電膜」の一例である画素電極９ａを画素部７２に備えて構成されている。
【００５７】
画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上の表示領域たる画像表示領域１０ａを構成する複数の画素部７２の夫々に形成されている。端子部８４は、単一或いは複数の金属層から構成されており、画素部７２を駆動する画素回路の一部を構成している。より具体的には、端子部８４は、画素スイッチング用素子としてのＴＦＴ３０にコンタクトホール８２を介して電気的に接続されていると共に画素電極９ａに電気的に接続されている。そして、液晶装置１の動作時に、画像信号に応じた電位が端子部８４を介して画素電極９ａに供給される。
【００５８】
また、ＴＦＴ３０が有する半導体層１ａは、ソース領域１ｄ、チャネル領域１ａ´、ドレイン領域１ｅ、ＬＤＤ領域１ｂ及び１ｃから構成されており、コンタクトホール８１を介してデータ線から供給された画像信号が、ゲート電極３ａ１に印加されるゲート電圧に応じてコンタクトホール８２を介して画素電極９ａに供給される。尚、ＴＦＴアレイ基板１０上において、ＴＦＴ３０と同層に、データ線駆動回路１０１等の周辺回路部の一部を構成するトランジスタ素子１３０が形成されている。
【００５９】
絶縁膜４５及び４６は、端子部８４上に順次形成された平坦な膜であり、端子部８４と、その上層側に形成される画素電極９ａを除く他の導電膜とを相互に電気的に絶縁する層間絶縁膜である。このような絶縁膜４５は、例えば窒化珪素、絶縁膜４６は、例えば、アクリル樹脂で構成されており、その耐熱温度は２２０乃至２５０℃である。
【００６０】
絶縁膜４５及び４６を貫通する穴部８５は、端子部８４に重なっており、例えば、絶縁膜４６に光を照射する光パターニング法によって絶縁膜４６を部分的に除去したのち、絶縁膜４６をマスクにして、絶縁膜４５をエッチングすることによって形成されている。尚、端子部８４は、絶縁膜４７及び画素電極９ａが形成されていない状態において、穴部８５に露出し、端子部８４及び画素電極９ａを電気的に接続するためのコンタクトホールとして機能する。
【００６１】
反射膜８６は、基板１０上の画素部７２が占める領域のうち絶縁膜４６上の穴部８５が設けられていない領域に形成されている。反射膜８６は、金属等の導電膜から構成されており、液晶装置１の動作時に図中上側から入射した光を反射する。
【００６２】
画素電極９ａは、絶縁膜４５及び４６上に形成されていると共に、その形成時に、エッチング処理されることによって所定の形状にパターニングされ、端子部８４のうち穴部８５に露出する部分に電気的に接続されている。画素電極９ａを所定の形状にパターニングするためのエッチング処理の方法は、例えば、王水等の酸をエッチング液として用いたウェットエッチング法である。
【００６３】
絶縁膜４７は、穴部８５の内壁８５ａ及び反射膜８６を覆うように、穴部８５の内壁８５ａから反射膜８６に渡って延びており、画素電極９ａをパターニングする際のエッチング処理から内壁８５ａ及び反射膜８６を保護する保護膜として機能する。絶縁膜４７は、メチル基（ＣＨ３）等の有機官能基を含んでおり、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学的気相成長）を用いて形成された無機材料のみからなる絶縁膜を絶縁膜４７として形成する場合に比べて、成膜時における温度を下げることが可能である。より具体的には、例えば、絶縁膜４７は、常温下で、内壁８５ａ及び反射膜８６に渡って有機官能基を含む絶縁材料が塗布されることによって形成可能である。
【００６４】
したがって、３００℃程度の温度下でＣＶＤ法を用いて絶縁膜４７を形成する場合に比べて、絶縁膜４７を形成する際の温度を下げることが可能であり、アクリル樹脂で構成された絶縁膜４６が熱によって劣化することを抑制できる。
【００６５】
加えて、絶縁膜４７は、例えば、メチル基（ＣＨ３）等の有機官能基を含んでいるため、画素電極９ａをパターニングする際のエッチング処理に用いるエッチング液をはじく。したがって、絶縁膜４７は、エッチング液が穴部８５の内壁８５ａから絶縁膜４５及び４６が染み込むことを低減可能であり、内壁８５ａから絶縁膜４５及び４６に染み込むエッチング液によって反射膜８６が損傷を受けることを低減できる。よって、絶縁膜４７によれば、絶縁膜４７を設けない場合に比べて反射膜８６を穴部８５に近づけて配置することが可能であり、反射膜８６及び穴部８５間の距離、言い換えれば、エッチング液の染み込みの影響を低減するためのマージンを削ることが可能である。このようなマージンを削ることが可能になることによって、画素部７２において反射膜８６が占める領域を広げることが可能になり、画素部７２のうち実質的に画像表示に寄与する領域の増やすことができ、液晶装置１による画像の表示性能を高めることが可能である。
【００６６】
よって、本実施形態に係る液晶装置１によれば、ＴＦＴアレイ基板１０上において絶縁膜４７の下層側に形成された絶縁膜４５及び４６が、絶縁膜４７を形成する際の熱によって劣化することを低減できると共に、エッチング液による反射膜４７の劣化も低減可能である。加えて、本実施形態に係る液晶装置１によれば、エッチング液による反射膜８６の劣化が低減可能であるため、エッチング液の染み込みによる劣化を低減する観点から要求される反射膜８６のサイズ或いは形成位置に関する制約を受けることなく、液晶装置１の設計における自由度を高めることが可能であると共に、画素部７２のうち実質的に画像表示に寄与する領域を増やすことができ、液晶装置１による画像の表示性能を高めることが可能である。
【００６７】
＜１−２：変形例＞
次に、図５を参照しながら、本実施形態に係る液晶装置の変形例を説明する。図５は、本例に係る液晶装置の画素部の構造の一部を示した断面図である。尚、以下では、液晶装置１と共通する部分に共通の参照符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００６８】
図５において、本例に係る液晶装置は、画素電極９ａが複数の透明電極９ａ１、９ａ２及び９ａ２から構成されている点に特徴がある。
【００６９】
ここで、本例に係る液晶装置が有する複数の画素部７２は、赤色、緑色及び青色の夫々の色光を表示する３種類の画素部で構成されており、図５に示した画素部７２は、赤色の色光を表示する画素部であり、画素電極９ａの膜厚は、１２０ｎｍである。液晶装置１が有する複数の画素電極の夫々の膜厚は、赤色、緑色及び青色の夫々を表示する画素部毎に異なっており、本例では青色の色光を表示する画素部における画素電極の膜厚は３０ｎｍであり、緑色の色光を表示する画素部における画素電極の膜厚は７０ｎｍである。これら画素電極は、例えば、５０ｎｍ、４０ｎｍ、及び３０ｎｍの順で各画素部に透明電極を形成しながら、各画素部に必要とされる画素電極の膜厚が残るように透明電極の余分な部分がエッチング処理によって除去されることによって形成される。ここで、繰り返し施されるエッチング処理によって絶縁膜４５及び４６にエッチング液が染み込み易くなることが考えられるが、本例に係る液晶装置では、穴部８５から反射膜８６に渡って形成された絶縁膜４７がエッチング液から絶縁膜４５及び４６を保護し、エッチング液の染み込みによる反射膜８６の劣化を低減可能である。
【００７０】
＜第２実施形態＞
次に、図６を参照しながら、本発明の第２の発明に係る電子装置の一例である液晶装置の実施形態を説明する。尚、本実施形態に係る液晶装置の構成は、概ね第１実施形態に係る液晶装置と同様であるため、以下では、本実施形態において特徴的な構成を中心に説明する。
【００７１】
本実施形態に係る液晶装置は、本発明の「第１導電膜」の一例である端子部８４、本発明の「第１絶縁膜」の一例である絶縁膜４６、本発明の「第１膜」の一例である反射膜８６、本発明の「第２導電膜」の一例である透明電極９ｂ１、本発明の「第２絶縁膜」の一例である絶縁膜４７ａ、並びに、本発明の「第３導電膜」の一例である透明電極９ｂ２を備えて構成されている。
【００７２】
端子部８４は、絶縁膜４４を貫通するコンタクトホールを介して不図示の画素スイッチング用素子であるＴＦＴに電気的に接続されている。絶縁膜４６は、端子部８４が露出する穴部８５を有する層間絶縁膜である。
【００７３】
透明電極９ｂ１は、穴部８５及び反射膜８６を覆うように形成されており、端子部８４に電気的に接続されている。透明電極９ｂ１は、その上層側に形成された透明電極９ｂ２と共に画素部７２における画素電極を構成しており、端子部８４を介して画像信号に応じた電位が供給される。
【００７４】
絶縁膜４７ａは、透明電極９ｂ１上において穴部８５及び反射膜８６を覆うように形成されており、メチル基（ＣＨ３）等の有機官能基を含むＳｉＯ２等の絶縁性の膜構造を有している。したがって、絶縁膜４７ａは、その上に形成された透明電極９ｂ２がエッチング液を用いてエッチング処理される際に、透明電極９ｂ１を介して絶縁膜４９及び反射膜８６にエッチング液が染み込むことを低減でき、エッチング液による反射膜８６の劣化を低減できると共に、反射膜８６のサイズ、或いは形成位置等の設計に関する自由度を高めることが可能である。より具体的には、画素部７２における穴部８５及び反射膜８６間の距離を狭めることが可能になるため、画素部７２において実質的に画像表示に寄与する領域を増やすことが可能になる。
【００７５】
尚、本実施形態では、赤色、緑色及び青色の夫々に対応する画素部毎に画素電極の膜厚が異なる場合であっても、画素電極の膜厚が所望の膜厚となるように透明電極９ｂ１及び９ｂ２のように複数の透明電極を積層してなる画素電極を形成可能であると共に、穴部８５が絶縁膜４７ａによって保護されているため、エッチング液にいる反射膜８６の劣化を低減できる。
【００７６】
加えて、絶縁膜４７ａは、第１実施形態における絶縁膜４７と同様に常温で形成可能であるため、アクリル樹脂等の絶縁材料で構成された絶縁膜４６及び反射膜８６の熱による劣化も低減できる。
【００７７】
＜第３実施形態＞
次に、図７を参照しながら、本発明の第３の発明に係る光共振器の実施形態を説明する。図７は、本実施形態に係る光共振器４００の構造を示した断面図である。
【００７８】
図７において、光共振器４００は、第１誘電体膜４０４、第２誘電体膜４０５、及び第３誘電体４０６を備えて構成されている。
【００７９】
第１誘電体膜４０４には、下地膜４０２を介して基板４０１上に形成された光源である有機ＥＬ素子４０３が埋め込まれており、有機ＥＬ素子４０３から図中上側に出射された光が光共振器４００によって増幅された後、増幅された光が上側に取り出される。第１誘電体膜４０４及び第３誘電体膜４０６は、ＳｉＯ２から構成されており、第２誘電体膜４０５は、メチル基（ＣＨ３）等の有機官能基を含むＳｉＮから構成されている。第３誘電体膜４０６は、第２誘電体膜４０５上に形成された後、ウェットエッチング法を用いてエッチング処理され、所定の形状にパターニングされている。ここで、第２誘電体膜４０５は、有機官能基を含んでいるため、王水等の酸からなるエッチング液をはじく。したがって、第２誘電体膜４０５は、その下層側に形成された第１誘電体膜４０４がエッチング液によって劣化することを低減可能である。特に、本実施形態では、第２誘電体膜４０５が、エッチング液が染み込み易い第１誘電体膜４０４の端面を覆っているため、第１誘電体膜４０４に対するエッチング液の染み込みを効果的に低減できる。
【００８０】
尚、このような光共振器４００は、単独の素子として、或いは、有機ＥＬ装置等の表示装置の一部として組み込まれていてもよい。
【００８１】
＜電子機器＞
次に、図８及び図９を参照しながら、上述した液晶装置を具備してなる電子機器の実施形態を説明する。
【００８２】
図８は、上述した液晶装置が適用されたモバイル型のパーソナルコンピュータの斜視図である。図８において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、上述した液晶装置を含んでなる液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。液晶表示ユニット１２０６は、液晶パネル１００５の背面にバックライトを付加することにより構成されており、高品位の画像表示が可能である。
【００８３】
次に、上述した液晶装置１を携帯電話に適用した例について説明する。図９は、電子機器の一例である携帯電話の斜視図である。図９において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、反射型の表示形式を採用し、且つ上述した液晶装置と同様の構成を有する液晶装置１００５を備えている。したがって、携帯電話１３００によれば、高品位の画像表示が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の第１の発明に係る電子装置の一実施形態である液晶装置の平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。
【図３】本発明の第１の発明に係る電子装置の一例である液晶装置の等価回路部である。
【図４】本発明の第１の発明に係る電子装置の一例である液晶装置における画素部の構造を詳細に示した断面図である。
【図５】本発明の第１の発明に係る電子装置の一例である液晶装置における画素部の構造の変形例を示した断面図である。
【図６】本発明の第２の発明に係る電子装置の一例である液晶装置の画素部の構造を詳細に示した断面図である。
【図７】本発明の第３の発明に係る光共振器の構造を詳細に示した断面図である。
【図８】本発明の第１又は第２の発明に係る電子装置の実施形態である液晶装置、或いは第３の発明に係る光共振器の実施形態である光共振器を搭載した電子機器の一例の斜視図である。
【図９】本発明の第１又は第２の発明に係る電子装置の実施形態である液晶装置、或いは第３の発明に係る光共振器の実施形態である光共振器を搭載した電子機器の他の例の斜視図である。
【符号の説明】
【００８５】
１・・・液晶装置、９ａ・・・画素電極、９ｂ１，９ｂ２・・・透明電極、４５，４６，４７，４７ａ、４９・・・絶縁膜、８４・・・端子部、８６・・・反射膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、有機ＥＬ表示装置或いは液晶装置等の表示装置のように画像を表示可能な電子装置、及び光共振器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電子装置の一例である有機ＥＬ装置等の表示装置では、光源である有機ＥＬ素子を囲むように、アクリル樹脂等の絶縁材料を含む絶縁層によって構成されたマイクロキャビティ構造が形成され、その光学特性が高められている。尚、特許文献１は、自発光素子を備えた発光素子の光学特性及び寿命を高める技術を提案している。また、特許文献２及び３は、表示装置を含む半導体装置において絶縁膜をＳＯＧ（Spin On Glass）法を用いて形成する技術を提案している。
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−４９１７号公報
【特許文献２】特開２００３−５７６２６号公報
【特許文献３】特開２０００−２００７８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ＩＴＯ等の透明導電膜で構成された画素電極は、一旦透明導電膜が絶縁膜上に形成された後、当該透明導電膜を所定の形状にエッチング処理することにより形成される場合が多い。このようなエッチング処理が施されると、絶縁膜の下層側に形成された導電部、より具体的には、画素スイッチング用素子の端子部と画素電極とを電気的に接続するために絶縁膜に形成された穴部を介して当該エッチング液が絶縁膜に染み込む。ここで、絶縁膜中に、反射膜或いは配線層等の膜状の構造物が形成されている場合、絶縁膜に染み込んだエッチング液によって膜状の構造物が損傷を受け、表示装置の光学特性、及び寿命の低下等の問題点が生じる虞がある。
【０００５】
より具体的には、例えば、画素部の開口率を高めることによって表示性能を向上させる際には、光を遮る接続部が形成されたコンタクトホール等の穴部と、光を反射する反射膜、或いは光を透過させる画素電極との距離を狭める、即ちコンタクトホール及び反射膜等の間のマージンを削ることも必要となる場合がある。したがって、反射膜或いは画素電極等の膜状構造物がエッチング液の染み込みによって損傷を受け易くなる。
【０００６】
また、基板上に設けられる複数の画素部の夫々において画素電極の膜厚が相互に異なる場合には、所望の膜厚を有する画素電極が形成するために繰り返しエッチング処理が施され、エッチング処理に伴ってエッチング液が絶縁膜へ染み込む可能性は高くなる。特に、絶縁膜に微小なひび割れや孔が発生している場合には、エッチング液の染み込みに起因する反射膜及び画素電極等の膜状構造物が受ける損傷はより顕在化する。このようなエッチング液の染み込みに起因して発生する不具合は、有機ＥＬ装置及び液晶装置等の表示装置に限定されるものではなく、絶縁膜に形成された穴部及び当該絶縁膜上でエッチング処理が施される製造プロセスを経て製造される電子装置一般で生じる虞がある。
【０００７】
また、ＳｉＮ等の無機材料で構成された絶縁膜を形成する際の温度は、アクリル樹脂の耐熱温度より高いため、アクリル樹脂等の有機物で構成された絶縁膜上にＳｉＮ等の無機材料で構成された絶縁膜を形成する場合には、熱によってアクリル樹脂が劣化しないように、絶縁膜を形成する工程の段取りに手間がかかり、有機ＥＬ装置及び液晶装置等を含む表示装置の製造プロセスを煩雑化させてしまう。
【０００８】
尚、エッチング液の染み込みによる膜状構造の劣化は、エッチング処理によって所定の形状パターンに形成された複数の誘電体膜を有する光共振器でも同様に生じる虞がある。
【０００９】
よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、エッチング液の染み込みを低減でき、且つ製造プロセスの煩雑化を招くこともなく製造可能な電子装置、及び光共振器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の発明に係る電子装置は上記課題を解決するために、基板上に形成された第１導電膜と、前記第１導電膜上に形成されており、前記第１導電膜が露出する穴部を有する第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上における前記穴部が設けられていない領域に形成された第１膜と、前記穴部の内壁及び前記第１膜を覆うように前記内壁から前記第１膜に渡って延びており、有機官能基を含む第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上に形成されていると共にエッチング処理されることによって所定の形状にパターニングされており、前記第１導電膜のうち前記穴部に露出する部分に電気的に接続された第２導電膜とを備えている。
【００１１】
本発明の第１の発明に係る電子装置によれば、第１導電膜は、例えば、単一或いは複数の金属層、或いは半導体層等の導電材料で構成されており、当該電子装置を駆動するために基板上に形成される回路部の一部を構成している。
【００１２】
第１絶縁膜は、第１導電膜上に形成されており、第１導電膜が露出する穴部を有している。第１絶縁膜は、例えば、第１導電膜及びその上層側に形成される他の導電膜を相互に電気的に絶縁する層間絶縁膜である。このような第１絶縁膜が有する穴部は、第１導電膜と、その上層側に形成された第２導電膜とを電気的に接続するためのコンタクトホールとして機能する。
【００１３】
第１膜は、第１絶縁膜上における穴部が設けられていない領域に形成されている。このような第１膜は、導電膜、半導体層、或いは絶縁膜等からなる膜状構造を有していればよく、導電率の大小は問わない。言い換えれば、第１膜は、当該電子装置において何らかの機能を有するものであればよく、特定の機能を有する膜に限定されるものではない。
【００１４】
第２絶縁膜は、第１絶縁膜が有する穴部の内壁及び前記第１膜を覆うように、当該穴部の内壁から第１膜に渡って延びているため、内壁及び第１膜を保護する保護膜として機能する。このような第２絶縁膜は有機官能基を含んでいるため、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学的気相成長）を用いて形成された無機材料のみからなる絶縁膜を形成する場合に比べて、成膜時における温度を下げることができ、第２絶縁膜の下層側に先に形成された第１膜及び第１絶縁膜が熱によって劣化することを低減可能になる。また、スピンコートなどの技術を用いて、塗布成形することも可能であり、ＣＶＤなどの技術よりも、より簡単に形成することが可能である。
【００１５】
加えて、第２絶縁膜は、例えば、メチル基（ＣＨ３）等の有機官能基を含んでいるため、エッチング液をはじく。したがって、第２絶縁膜は、エッチング液を用いてエッチングされる際に、エッチング液が穴部の内壁から第１絶縁膜にエッチング液が染み込むことを低減できる。即ち、穴部の内壁から第１絶縁膜に染み込むエッチング液によって第１膜が損傷を受けることを低減できる。よって、第２絶縁膜によれば、当該電子装置における第１膜の機能或いは用途に応じて第１膜のサイズ、或いは形成位置が制約を受けることを低減でき、例えば、第１膜及び穴部間の距離、言い換えれば、エッチング液の染み込みの影響を低減するためのマージンを削ることが可能である。
【００１６】
第２導電膜は、第２絶縁膜上に形成されていると共に、その形成時に、エッチング処理されることによって所定の形状にパターニングされており、第１導電膜のうち穴部に露出する部分に電気的に接続されている。このような第２導電膜は、例えば、第１導電膜と共に回路部の一部を構成する。すでに述べたように、第２絶縁膜による内壁及び第１膜が保護されているため、エッチング処理を施す際のエッチング液による第１膜の劣化は低減可能である。
【００１７】
よって、本発明の第１の発明に係る電子装置によれば、基板上において第２絶縁膜の下層側に形成された部分が、第２絶縁膜を形成する際の熱によって劣化することを低減できると共に、エッチング液による第１膜の劣化も低減可能である。加えて、本発明の第１の発明に係る電子装置によれば、エッチング液による劣化を低減する観点から要求される第１膜のサイズ或いは形成位置に関する制約を受けることなく、電子装置の設計における自由度を高めることが可能である。
【００１８】
本発明の第１の発明に係る電子装置の一の態様では、前記第２導電膜は、複数の導電膜から構成されており、前記複数の導電膜の夫々についてエッチング処理が施されていてもよい。
【００１９】
この態様によれば、複数の導電膜を互いに積層し、且つこれら積層された導電膜の夫々がエッチング液を用いて所定の形状にパターニングされている場合であっても、繰り返し施されるエッチング処理の各々について第１絶縁膜に対するエッチング液の染み込みを低減可能である。
【００２０】
本発明の第１の発明に係る電子装置の他の態様では、前記第２導電膜は、前記基板上の表示領域を構成する複数の画素部の夫々に形成された画素電極であり、前記第１導電膜は、前記画素部毎に形成された画素スイッチング用素子に電気的に接続された端子部であってもよい。
【００２１】
この態様によれば、例えば、電子装置の一例である有機ＥＬ装置或いは液晶装置等の表示装置において、エッチング液による第１膜の劣化を低減しつつ、端子部を介して画素電極及び画素スイッチング用素子間の電気的に接続が可能になる。
【００２２】
本発明の第２の発明に係る電子装置は上記課題を解決するために、基板上に形成された第１導電膜と、前記第１導電膜上に形成されており、前記第１導電膜が露出する穴部を有する第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上における前記穴部が設けられていない領域に形成された第１膜と、前記穴部及び前記第１膜を覆うように形成されており、前記第１導電膜に電気的に接続された第２導電膜と、前記第２導電膜上において前記穴部及び前記第１膜を覆うように形成されており、有機官能基を含む第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上に形成されていると共にエッチング処理されることによって所定の形状にパターニングされた第３導電膜とを備えている。
【００２３】
本発明の第２の発明に係る電子装置によれば、上述の第１の発明に係る電子装置と同様に、第１導電膜は、例えば、基板上の回路部の一部を構成し、第１絶縁膜が有する穴部はコンタクトホールとして機能する。また、第１膜も、同様に、その機能及び用途がなんら限定されるものではない。
【００２４】
第２導電膜は、穴部及び第１膜を覆うように形成されており、第１導電膜に電気的に接続されている。このような第２導電膜は、例えば、第１導電膜のうち穴部に露出する部分に接しており、当該露出する部分を介して第１導電膜に電気的に接続されている。即ち、第２導電膜は、穴部及び第１膜を覆うように形成された段階で第１導電膜に電気的に接続されている。
【００２５】
第２絶縁膜は、第２導電膜上において穴部及び第２膜を覆うように形成されており、有機官能基を含んでいる。したがって、第２絶縁膜によれば、第３導電膜についてエッチング処理が施される際に、第２導電膜を介して第１絶縁膜及び第１膜にエッチング液が染み込むことを低減でき、エッチング液による第１膜の劣化を低減できると共に、第１膜のサイズ、或いは形成位置等の設計に関する自由度を高めることが可能である。
【００２６】
本発明の第２の発明に係る電子装置の一の態様では、前記第２導電膜は、前記基板上の表示領域を構成する複数の画素部の一の画素部に形成された画素電極の一部を構成する一の透明電極であり、前記第３導電膜は、前記一の透明電極と共に前記画素電極を構成する他の透明電極であってもよい。
【００２７】
この態様によれば、複数の透明電極からなる画素電極を形成する際に施されるエッチング処理による第１膜の劣化を低減できる。より具体的には、例えば、赤色、緑色及び青色の夫々に対応する画素部毎に画素電極の膜厚が異なる場合、一の画素部において一の透明電極及び他の透明電極からなる多層構造の画素電極を形成することによって所望の膜厚になるように画素電極を形成できると共に、各透明電極を形成する際に施されるエッチング処理によって生じる虞のある第１膜の劣化を低減できる。
【００２８】
この態様では、前記第１導電膜は、前記画素部毎に形成された画素スイッチング用素子に電気的に接続された端子部であってもよい。
【００２９】
この態様によれば、画素スイッチング用素子を介して画像信号に応じた電位が画素電極に供給され、電子装置の一例である液晶装置等の表示装置において所望の画像が表示可能になる。
【００３０】
本発明の第１及び第２の発明に係る電子装置の他の態様では、前記第１膜は、前記基板上から照射された光を反射する反射膜であってもよい。
【００３１】
この態様によれば、電子装置が反射型液晶表示装置等の表示装置である場合に、第２絶縁膜上から入射した光を反射でき、画像表示が可能になる。
【００３２】
本発明の第１及び第２の発明に係る電子装置の他の態様では、前記第１絶縁膜は、アクリル樹脂を含んでいてもよい。
【００３３】
この態様によれば、アクリル樹脂の耐熱温度は２２０乃至２５０℃であり、例えば、ＣＶＤ法によって第２絶縁膜を形成する場合に比べて、熱による第１絶縁膜の劣化を低減することが可能になる。
【００３４】
本発明の第３の発明に係る光共振器は上述の課題を解決するために、基板上に形成された第１誘電体膜と、前記第１誘電体膜上に形成されており、有機官能基を含む第２誘電体膜と、前記第２誘電体膜上に形成されていると共にエッチング処理されることによって所定の形状にパターニングされた第３誘電体膜とを備えている。
【００３５】
本発明の第３の発明に係る光共振器によれば、第２誘電体膜は、上述の第１及び第２の発明における第２絶縁膜と同様に、有機官能基を含んで構成されているため、エッチング液をはじく。したがって、第２誘電体膜は、第１誘電体膜及び第３誘電体膜と共に当該光共振器を構成すると共に、第３誘電体膜がエッチング処理によって形成される際に、エッチング液が第１誘電体膜に到達することを低減し、エッチング液による第１誘電体膜の劣化を低減できる。
【００３６】
したがって、本発明の第３の発明に係る光共振器によれば、エッチング処理によって第３誘電体膜を所定の形状にパターニングできると共に、エッチング液による第１誘電体膜の劣化を低減できる。
【００３７】
本発明の第３の発明に係る光共振器の一の態様では、前記第２誘電体膜は、前記第１誘電体膜の端面を覆っていてもよい。
【００３８】
本発明の第３の発明に係る光共振器によれば、エッチング液が染み込み易い第１誘電体膜の端部を第２誘電体膜で覆うことによって、第１誘電体膜に対するエッチング液の染み込みを効果的に低減できる。
【００３９】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
＜第１実施形態＞
図１乃至図４を参照しながら、本発明の第１の発明に係る電子装置の一実施形態である液晶装置を説明する。
【００４１】
＜１−１：液晶装置＞
先ず、図１及び図２を参照しながら、本実施形態に係る液晶装置１の全体構成を説明する。図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置１の平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。本実施形態に係る液晶装置１は、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式で駆動され、後述する反射膜で光を反射する反射型表示装置である。
【００４２】
図１及び図２において、液晶装置１では、ＴＦＴアレイ基板１０と、対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０は、複数の画素部が設けられる表示領域たる画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００４３】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。
【００４４】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。尚、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域が存在する。言い換えれば、本実施形態においては特に、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、この額縁遮光膜５３より以遠が周辺領域として規定されている。
【００４５】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００４６】
ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域には、タッチパネル機能を確保するために画素部に設けられた光センサを含むセンサ部（不図示）を制御するためのセンサ制御回路部２０１が形成されている。外部回路接続端子１０２は、外部回路及び液晶装置１を電気的に接続する接続手段の一例であるフレキシブル基板２００に設けられた接続端子に接続されている。尚、センサ制御回路部２０１は、液晶装置１に内蔵されていてもよいし、液晶装置１の外部に形成されていてもよい。
【００４７】
対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００４８】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。液晶装置１によって表示される画像は、対向基板２０の両面のうち液晶層５０に面しない側の表示面２０ｓに表示される。
【００４９】
尚、本実施形態では、説明の便宜上、偏光板及びカラーフィルタの図示を省略しているが、対向基板２０上に偏光板及びカラーフィルタが配置されている場合には、図中において、液晶装置１の最上面が表示面になる。また、液晶装置１は、表示面２０ｓ側から入射した光を、後述する反射膜によって反射し、当該反射光を液晶層５０によって変調することによって所望の画像を表示する反射型表示装置である。
【００５０】
図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００５１】
次に、図３を参照しながら、液晶装置１の回路構成を説明する。図３は、液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【００５２】
図３において、液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素部７２を備えている。画素部７２は、画素電極９ａ、ＴＦＴ３０、及び液晶素子５０ａを備えている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液晶装置１の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００５３】
ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、液晶装置１は、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００５４】
液晶層５０に含まれる液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各サブ画素部の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各サブ画素部の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置１からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。蓄積容量７０は、固定電位線３００に電気的に接続されており、画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶素子５０ａと並列に付加されている。
【００５５】
次に、図４を参照しながら、液晶装置１の具体的な構成を説明する。図４は、液晶装置１の画素部の構造の一部を周辺回路部の一部と共に示した断面図である。
【００５６】
図４において、液晶装置１は、ＴＦＴアレイ基板１０、本発明の「第１導電膜」の一例である端子部８４、本発明の「第１絶縁膜」の一例を構成する絶縁膜４５及び４６、本発明の「第１膜」の一例である反射膜８６、本発明の「第２絶縁膜」の一例である絶縁膜４７、並びに、本発明の「第２導電膜」の一例である画素電極９ａを画素部７２に備えて構成されている。
【００５７】
画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上の表示領域たる画像表示領域１０ａを構成する複数の画素部７２の夫々に形成されている。端子部８４は、単一或いは複数の金属層から構成されており、画素部７２を駆動する画素回路の一部を構成している。より具体的には、端子部８４は、画素スイッチング用素子としてのＴＦＴ３０にコンタクトホール８２を介して電気的に接続されていると共に画素電極９ａに電気的に接続されている。そして、液晶装置１の動作時に、画像信号に応じた電位が端子部８４を介して画素電極９ａに供給される。
【００５８】
また、ＴＦＴ３０が有する半導体層１ａは、ソース領域１ｄ、チャネル領域１ａ´、ドレイン領域１ｅ、ＬＤＤ領域１ｂ及び１ｃから構成されており、コンタクトホール８１を介してデータ線から供給された画像信号が、ゲート電極３ａ１に印加されるゲート電圧に応じてコンタクトホール８２を介して画素電極９ａに供給される。尚、ＴＦＴアレイ基板１０上において、ＴＦＴ３０と同層に、データ線駆動回路１０１等の周辺回路部の一部を構成するトランジスタ素子１３０が形成されている。
【００５９】
絶縁膜４５及び４６は、端子部８４上に順次形成された平坦な膜であり、端子部８４と、その上層側に形成される画素電極９ａを除く他の導電膜とを相互に電気的に絶縁する層間絶縁膜である。このような絶縁膜４５は、例えば窒化珪素、絶縁膜４６は、例えば、アクリル樹脂で構成されており、その耐熱温度は２２０乃至２５０℃である。
【００６０】
絶縁膜４５及び４６を貫通する穴部８５は、端子部８４に重なっており、例えば、絶縁膜４６に光を照射する光パターニング法によって絶縁膜４６を部分的に除去したのち、絶縁膜４６をマスクにして、絶縁膜４５をエッチングすることによって形成されている。尚、端子部８４は、絶縁膜４７及び画素電極９ａが形成されていない状態において、穴部８５に露出し、端子部８４及び画素電極９ａを電気的に接続するためのコンタクトホールとして機能する。
【００６１】
反射膜８６は、基板１０上の画素部７２が占める領域のうち絶縁膜４６上の穴部８５が設けられていない領域に形成されている。反射膜８６は、金属等の導電膜から構成されており、液晶装置１の動作時に図中上側から入射した光を反射する。
【００６２】
画素電極９ａは、絶縁膜４５及び４６上に形成されていると共に、その形成時に、エッチング処理されることによって所定の形状にパターニングされ、端子部８４のうち穴部８５に露出する部分に電気的に接続されている。画素電極９ａを所定の形状にパターニングするためのエッチング処理の方法は、例えば、王水等の酸をエッチング液として用いたウェットエッチング法である。
【００６３】
絶縁膜４７は、穴部８５の内壁８５ａ及び反射膜８６を覆うように、穴部８５の内壁８５ａから反射膜８６に渡って延びており、画素電極９ａをパターニングする際のエッチング処理から内壁８５ａ及び反射膜８６を保護する保護膜として機能する。絶縁膜４７は、メチル基（ＣＨ３）等の有機官能基を含んでおり、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学的気相成長）を用いて形成された無機材料のみからなる絶縁膜を絶縁膜４７として形成する場合に比べて、成膜時における温度を下げることが可能である。より具体的には、例えば、絶縁膜４７は、常温下で、内壁８５ａ及び反射膜８６に渡って有機官能基を含む絶縁材料が塗布されることによって形成可能である。
【００６４】
したがって、３００℃程度の温度下でＣＶＤ法を用いて絶縁膜４７を形成する場合に比べて、絶縁膜４７を形成する際の温度を下げることが可能であり、アクリル樹脂で構成された絶縁膜４６が熱によって劣化することを抑制できる。
【００６５】
加えて、絶縁膜４７は、例えば、メチル基（ＣＨ３）等の有機官能基を含んでいるため、画素電極９ａをパターニングする際のエッチング処理に用いるエッチング液をはじく。したがって、絶縁膜４７は、エッチング液が穴部８５の内壁８５ａから絶縁膜４５及び４６が染み込むことを低減可能であり、内壁８５ａから絶縁膜４５及び４６に染み込むエッチング液によって反射膜８６が損傷を受けることを低減できる。よって、絶縁膜４７によれば、絶縁膜４７を設けない場合に比べて反射膜８６を穴部８５に近づけて配置することが可能であり、反射膜８６及び穴部８５間の距離、言い換えれば、エッチング液の染み込みの影響を低減するためのマージンを削ることが可能である。このようなマージンを削ることが可能になることによって、画素部７２において反射膜８６が占める領域を広げることが可能になり、画素部７２のうち実質的に画像表示に寄与する領域の増やすことができ、液晶装置１による画像の表示性能を高めることが可能である。
【００６６】
よって、本実施形態に係る液晶装置１によれば、ＴＦＴアレイ基板１０上において絶縁膜４７の下層側に形成された絶縁膜４５及び４６が、絶縁膜４７を形成する際の熱によって劣化することを低減できると共に、エッチング液による反射膜４７の劣化も低減可能である。加えて、本実施形態に係る液晶装置１によれば、エッチング液による反射膜８６の劣化が低減可能であるため、エッチング液の染み込みによる劣化を低減する観点から要求される反射膜８６のサイズ或いは形成位置に関する制約を受けることなく、液晶装置１の設計における自由度を高めることが可能であると共に、画素部７２のうち実質的に画像表示に寄与する領域を増やすことができ、液晶装置１による画像の表示性能を高めることが可能である。
【００６７】
＜１−２：変形例＞
次に、図５を参照しながら、本実施形態に係る液晶装置の変形例を説明する。図５は、本例に係る液晶装置の画素部の構造の一部を示した断面図である。尚、以下では、液晶装置１と共通する部分に共通の参照符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００６８】
図５において、本例に係る液晶装置は、画素電極９ａが複数の透明電極９ａ１、９ａ２及び９ａ２から構成されている点に特徴がある。
【００６９】
ここで、本例に係る液晶装置が有する複数の画素部７２は、赤色、緑色及び青色の夫々の色光を表示する３種類の画素部で構成されており、図５に示した画素部７２は、赤色の色光を表示する画素部であり、画素電極９ａの膜厚は、１２０ｎｍである。液晶装置１が有する複数の画素電極の夫々の膜厚は、赤色、緑色及び青色の夫々を表示する画素部毎に異なっており、本例では青色の色光を表示する画素部における画素電極の膜厚は３０ｎｍであり、緑色の色光を表示する画素部における画素電極の膜厚は７０ｎｍである。これら画素電極は、例えば、５０ｎｍ、４０ｎｍ、及び３０ｎｍの順で各画素部に透明電極を形成しながら、各画素部に必要とされる画素電極の膜厚が残るように透明電極の余分な部分がエッチング処理によって除去されることによって形成される。ここで、繰り返し施されるエッチング処理によって絶縁膜４５及び４６にエッチング液が染み込み易くなることが考えられるが、本例に係る液晶装置では、穴部８５から反射膜８６に渡って形成された絶縁膜４７がエッチング液から絶縁膜４５及び４６を保護し、エッチング液の染み込みによる反射膜８６の劣化を低減可能である。
【００７０】
＜第２実施形態＞
次に、図６を参照しながら、本発明の第２の発明に係る電子装置の一例である液晶装置の実施形態を説明する。尚、本実施形態に係る液晶装置の構成は、概ね第１実施形態に係る液晶装置と同様であるため、以下では、本実施形態において特徴的な構成を中心に説明する。
【００７１】
本実施形態に係る液晶装置は、本発明の「第１導電膜」の一例である端子部８４、本発明の「第１絶縁膜」の一例である絶縁膜４６、本発明の「第１膜」の一例である反射膜８６、本発明の「第２導電膜」の一例である透明電極９ｂ１、本発明の「第２絶縁膜」の一例である絶縁膜４７ａ、並びに、本発明の「第３導電膜」の一例である透明電極９ｂ２を備えて構成されている。
【００７２】
端子部８４は、絶縁膜４４を貫通するコンタクトホールを介して不図示の画素スイッチング用素子であるＴＦＴに電気的に接続されている。絶縁膜４６は、端子部８４が露出する穴部８５を有する層間絶縁膜である。
【００７３】
透明電極９ｂ１は、穴部８５及び反射膜８６を覆うように形成されており、端子部８４に電気的に接続されている。透明電極９ｂ１は、その上層側に形成された透明電極９ｂ２と共に画素部７２における画素電極を構成しており、端子部８４を介して画像信号に応じた電位が供給される。
【００７４】
絶縁膜４７ａは、透明電極９ｂ１上において穴部８５及び反射膜８６を覆うように形成されており、メチル基（ＣＨ３）等の有機官能基を含むＳｉＯ２等の絶縁性の膜構造を有している。したがって、絶縁膜４７ａは、その上に形成された透明電極９ｂ２がエッチング液を用いてエッチング処理される際に、透明電極９ｂ１を介して絶縁膜４９及び反射膜８６にエッチング液が染み込むことを低減でき、エッチング液による反射膜８６の劣化を低減できると共に、反射膜８６のサイズ、或いは形成位置等の設計に関する自由度を高めることが可能である。より具体的には、画素部７２における穴部８５及び反射膜８６間の距離を狭めることが可能になるため、画素部７２において実質的に画像表示に寄与する領域を増やすことが可能になる。
【００７５】
尚、本実施形態では、赤色、緑色及び青色の夫々に対応する画素部毎に画素電極の膜厚が異なる場合であっても、画素電極の膜厚が所望の膜厚となるように透明電極９ｂ１及び９ｂ２のように複数の透明電極を積層してなる画素電極を形成可能であると共に、穴部８５が絶縁膜４７ａによって保護されているため、エッチング液にいる反射膜８６の劣化を低減できる。
【００７６】
加えて、絶縁膜４７ａは、第１実施形態における絶縁膜４７と同様に常温で形成可能であるため、アクリル樹脂等の絶縁材料で構成された絶縁膜４６及び反射膜８６の熱による劣化も低減できる。
【００７７】
＜第３実施形態＞
次に、図７を参照しながら、本発明の第３の発明に係る光共振器の実施形態を説明する。図７は、本実施形態に係る光共振器４００の構造を示した断面図である。
【００７８】
図７において、光共振器４００は、第１誘電体膜４０４、第２誘電体膜４０５、及び第３誘電体４０６を備えて構成されている。
【００７９】
第１誘電体膜４０４には、下地膜４０２を介して基板４０１上に形成された光源である有機ＥＬ素子４０３が埋め込まれており、有機ＥＬ素子４０３から図中上側に出射された光が光共振器４００によって増幅された後、増幅された光が上側に取り出される。第１誘電体膜４０４及び第３誘電体膜４０６は、ＳｉＯ２から構成されており、第２誘電体膜４０５は、メチル基（ＣＨ３）等の有機官能基を含むＳｉＮから構成されている。第３誘電体膜４０６は、第２誘電体膜４０５上に形成された後、ウェットエッチング法を用いてエッチング処理され、所定の形状にパターニングされている。ここで、第２誘電体膜４０５は、有機官能基を含んでいるため、王水等の酸からなるエッチング液をはじく。したがって、第２誘電体膜４０５は、その下層側に形成された第１誘電体膜４０４がエッチング液によって劣化することを低減可能である。特に、本実施形態では、第２誘電体膜４０５が、エッチング液が染み込み易い第１誘電体膜４０４の端面を覆っているため、第１誘電体膜４０４に対するエッチング液の染み込みを効果的に低減できる。
【００８０】
尚、このような光共振器４００は、単独の素子として、或いは、有機ＥＬ装置等の表示装置の一部として組み込まれていてもよい。
【００８１】
＜電子機器＞
次に、図８及び図９を参照しながら、上述した液晶装置を具備してなる電子機器の実施形態を説明する。
【００８２】
図８は、上述した液晶装置が適用されたモバイル型のパーソナルコンピュータの斜視図である。図８において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、上述した液晶装置を含んでなる液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。液晶表示ユニット１２０６は、液晶パネル１００５の背面にバックライトを付加することにより構成されており、高品位の画像表示が可能である。
【００８３】
次に、上述した液晶装置１を携帯電話に適用した例について説明する。図９は、電子機器の一例である携帯電話の斜視図である。図９において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、反射型の表示形式を採用し、且つ上述した液晶装置と同様の構成を有する液晶装置１００５を備えている。したがって、携帯電話１３００によれば、高品位の画像表示が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の第１の発明に係る電子装置の一実施形態である液晶装置の平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。
【図３】本発明の第１の発明に係る電子装置の一例である液晶装置の等価回路部である。
【図４】本発明の第１の発明に係る電子装置の一例である液晶装置における画素部の構造を詳細に示した断面図である。
【図５】本発明の第１の発明に係る電子装置の一例である液晶装置における画素部の構造の変形例を示した断面図である。
【図６】本発明の第２の発明に係る電子装置の一例である液晶装置の画素部の構造を詳細に示した断面図である。
【図７】本発明の第３の発明に係る光共振器の構造を詳細に示した断面図である。
【図８】本発明の第１又は第２の発明に係る電子装置の実施形態である液晶装置、或いは第３の発明に係る光共振器の実施形態である光共振器を搭載した電子機器の一例の斜視図である。
【図９】本発明の第１又は第２の発明に係る電子装置の実施形態である液晶装置、或いは第３の発明に係る光共振器の実施形態である光共振器を搭載した電子機器の他の例の斜視図である。
【符号の説明】
【００８５】
１・・・液晶装置、９ａ・・・画素電極、９ｂ１，９ｂ２・・・透明電極、４５，４６，４７，４７ａ、４９・・・絶縁膜、８４・・・端子部、８６・・・反射膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された第１導電膜と、
前記第１導電膜上に形成されており、前記第１導電膜が露出する穴部を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上における前記穴部が設けられていない領域に形成された第１膜と、
前記穴部の内壁及び前記第１膜を覆うように前記内壁から前記第１膜に渡って延びており、有機官能基を含む第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に形成されていると共にエッチング処理されることによって所定の形状にパターニングされており、前記第１導電膜のうち前記穴部に露出する部分に電気的に接続された第２導電膜と
を備えたことを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記第２導電膜は、複数の導電膜から構成されており、
前記複数の導電膜の夫々についてエッチング処理が施されていること
を特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記第２導電膜は、前記基板上の表示領域を構成する複数の画素部の夫々に形成された画素電極であり、
前記第１導電膜は、前記画素部毎に形成された画素スイッチング用素子に電気的に接続された端子部であること
を特徴とする請求項１又は２に記載の電子装置。
【請求項４】
基板上に形成された第１導電膜と、
前記第１導電膜上に形成されており、前記第１導電膜が露出する穴部を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上における前記穴部が設けられていない領域に形成された第１膜と、
前記穴部及び前記第１膜を覆うように形成されており、前記第１導電膜に電気的に接続された第２導電膜と、
前記第２導電膜上において前記穴部及び前記第１膜を覆うように形成されており、有機官能基を含む第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に形成されていると共にエッチング処理されることによって所定の形状にパターニングされた第３導電膜と
を備えたことを特徴とする電子装置。
【請求項５】
前記第２導電膜は、前記基板上の表示領域を構成する複数の画素部の一の画素部に形成された画素電極の一部を構成する一の透明電極であり、
前記第３導電膜は、前記一の透明電極と共に前記画素電極を構成する他の透明電極であること
を特徴とする請求項４に記載の電子装置。
【請求項６】
前記第１導電膜は、前記画素部毎に形成された画素スイッチング用素子に電気的に接続された端子部であること
を特徴とする請求項５に記載の電子装置。
【請求項７】
前記第１膜は、前記基板上から照射された光を反射する反射膜であること
を特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載の電子装置。
【請求項８】
前記第１絶縁膜は、アクリル樹脂を含んでいること
を特徴とする請求項１から７の何れか一項に記載の電子装置。
【請求項９】
基板上に形成された第１誘電体膜と、
前記第１誘電体膜上に形成されており、有機官能基を含む第２誘電体膜と、
前記第２誘電体膜上に形成されていると共にエッチング処理されることによって所定の形状にパターニングされた第３誘電体膜と
を備えたことを特徴とする光共振器。
【請求項１０】
前記第２誘電体膜は、前記第１誘電体膜の端面を覆っていること
を特徴とする請求項９に記載の光共振器。
【請求項１】
基板上に形成された第１導電膜と、
前記第１導電膜上に形成されており、前記第１導電膜が露出する穴部を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上における前記穴部が設けられていない領域に形成された第１膜と、
前記穴部の内壁及び前記第１膜を覆うように前記内壁から前記第１膜に渡って延びており、有機官能基を含む第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に形成されていると共にエッチング処理されることによって所定の形状にパターニングされており、前記第１導電膜のうち前記穴部に露出する部分に電気的に接続された第２導電膜と
を備えたことを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記第２導電膜は、複数の導電膜から構成されており、
前記複数の導電膜の夫々についてエッチング処理が施されていること
を特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記第２導電膜は、前記基板上の表示領域を構成する複数の画素部の夫々に形成された画素電極であり、
前記第１導電膜は、前記画素部毎に形成された画素スイッチング用素子に電気的に接続された端子部であること
を特徴とする請求項１又は２に記載の電子装置。
【請求項４】
基板上に形成された第１導電膜と、
前記第１導電膜上に形成されており、前記第１導電膜が露出する穴部を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上における前記穴部が設けられていない領域に形成された第１膜と、
前記穴部及び前記第１膜を覆うように形成されており、前記第１導電膜に電気的に接続された第２導電膜と、
前記第２導電膜上において前記穴部及び前記第１膜を覆うように形成されており、有機官能基を含む第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に形成されていると共にエッチング処理されることによって所定の形状にパターニングされた第３導電膜と
を備えたことを特徴とする電子装置。
【請求項５】
前記第２導電膜は、前記基板上の表示領域を構成する複数の画素部の一の画素部に形成された画素電極の一部を構成する一の透明電極であり、
前記第３導電膜は、前記一の透明電極と共に前記画素電極を構成する他の透明電極であること
を特徴とする請求項４に記載の電子装置。
【請求項６】
前記第１導電膜は、前記画素部毎に形成された画素スイッチング用素子に電気的に接続された端子部であること
を特徴とする請求項５に記載の電子装置。
【請求項７】
前記第１膜は、前記基板上から照射された光を反射する反射膜であること
を特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載の電子装置。
【請求項８】
前記第１絶縁膜は、アクリル樹脂を含んでいること
を特徴とする請求項１から７の何れか一項に記載の電子装置。
【請求項９】
基板上に形成された第１誘電体膜と、
前記第１誘電体膜上に形成されており、有機官能基を含む第２誘電体膜と、
前記第２誘電体膜上に形成されていると共にエッチング処理されることによって所定の形状にパターニングされた第３誘電体膜と
を備えたことを特徴とする光共振器。
【請求項１０】
前記第２誘電体膜は、前記第１誘電体膜の端面を覆っていること
を特徴とする請求項９に記載の光共振器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００９−３１３９３（Ｐ２００９−３１３９３Ａ）
【公開日】平成２１年２月１２日（２００９．２．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１９２９９１（Ｐ２００７−１９２９９１）
【出願日】平成１９年７月２５日（２００７．７．２５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年２月１２日（２００９．２．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年７月２５日（２００７．７．２５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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