コーナートランジスターとその製作方法
【課題】改善された性能を有し、かつ縮小されたサイズを有することのできるコーナートランジスターを提供する。また、コーナートランジスターを製作する方法を提供し、それがトランジスターの性能を改善するとともに、簡単なプロセスを介して、そのサイズを縮小することができる。
【解決手段】この発明のコーナートランジスターを製作する方法を以下に記述する。分離構造（isolation structure）が基板中に形成されて能動エリア（active area）を定義する。処理プロセスが実施されて、能動エリア中の基板がそのトップエッジに鋭いコーナーを有するようにする。能動エリア中の基板がゲート誘電層により被覆される。ゲート導体がゲート誘電層上に形成される。ソース領域およびドレイン領域がゲート導体両側の基板中に形成される。
【解決手段】この発明のコーナートランジスターを製作する方法を以下に記述する。分離構造（isolation structure）が基板中に形成されて能動エリア（active area）を定義する。処理プロセスが実施されて、能動エリア中の基板がそのトップエッジに鋭いコーナーを有するようにする。能動エリア中の基板がゲート誘電層により被覆される。ゲート導体がゲート誘電層上に形成される。ソース領域およびドレイン領域がゲート導体両側の基板中に形成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体デバイスとその製作方法に関し、特に、コーナートランジスター（corner transistor）とその製作方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子製品の小型化への必要性に遭遇して、集積回路におけるデバイスのサイズおよび内部デバイス距離が対応するように縮小されている。しかし、デバイスサイズまたは距離が任意に縮小できないとともに、縮小がデバイス縮小化により引き起こされる一定の結果によって制限される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ICsの基礎デバイスとしてのトランジスターについて言えば、その寸法が通常はそのゲート導体の長さを縮小することにより縮小される。しかし、所定タイプのトランジスターは、それらの操作において相対的に高い電圧を必要とする。それ故に、デバイスサイズ（ゲート長さ）の縮小が大きく制限される。
【０００４】
そこで、この発明の目的は、改善された性能を有し、かつ縮小されたサイズを有することのできるコーナートランジスターを提供することにある。
【０００５】
また、この発明は、コーナートランジスターを製作する方法を提供し、それがトランジスターの性能を改善するとともに、簡単なプロセスを介して、そのサイズを縮小することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明のコーナートランジスターを製作する方法を以下に記述する。分離構造（isolation structure）が基板中に形成されて能動エリア（active area）を定義する。処理プロセスが実施されて、能動エリア中の基板がそのトップエッジに鋭いコーナーを有するようにする。能動エリア中の基板がゲート誘電層により被覆される。ゲート導体がゲート誘電層上に形成される。ソース領域およびドレイン領域がゲート導体両側の基板中に形成される。
【０００７】
本発明の実施形態によれば、処理プロセスが能動エリア中の基板のトップ表面が湾曲形状を有するようにする。
【０００８】
本発明の実施形態によれば、処理プロセスが以下のステップを含む。熱酸化プロセスが実施されて能動エリア中の基板を酸化するとともに、湾曲した外形を備える酸化層が形成される。そして、酸化層および分離構造の一部が除去されて、能動エリア中の基板の表面および鋭いコーナーが分離構造の表面を越えて突出する。ゲート誘導層もまた鋭いコーナーを被覆する。処理プロセスが更に第１エッチングプロセスを実施して、能動エリア中の基板の一部を除去して能動エリア中の残された基板の表面が残された分離構造の前記表面よりも低くなるとともに、それによりトレンチが形成される。第１エッチングプロセスが異方性エッチングプロセスを含む。
【０００９】
処理プロセスが更に：第１エッチングプロセスが実施された後、第２エッチングプロセスを実施されてトレンチの側壁において分離構造の一部が除去され、能動エリア中の残された基板の表面および鋭いコーナーがトレンチの底面を越えて突出する。第２エッチングプロセスが等方性エッチングプロセスを含む。ゲート誘導層もまた鋭いコーナーを被覆する。
【００１０】
本発明の実施形態によれば、処理プロセスが第１エッチングプロセスを実施して能動エリア中の基板の一部除去し、能動エリア中の残された基板の表面が分離構造のそれよりも低く、それによってトレンチが形成される。第１エッチングプロセスが異方性エッチングプロセスを含む。
【００１１】
本発明の実施形態によれば、処理プロセスが更に：第１エッチングプロセスが実施された後、第２エッチングプロセスを実施してトレンチの側壁において分離構造の一部が除去され、能動エリア中の残された基板および鋭いコーナーがトレンチの底面を越えて突出する。第２エッチングプロセスが等方性エッチングプロセスを含む。ゲート誘導層もまた鋭いコーナーを被覆する。
【００１２】
この発明のコーナートランジスターが基板とゲート誘導層とゲート導体とソース領域とドレイン領域とを含む。基板がその中に能動エリアを定義する分離構造を有し、そのうち、能動エリア中の基板が２つのエッジに鋭いコーナーを有する。ゲート誘導層が能動エリア中の基板を被覆する。ゲート導体がゲート誘導層上方に配置される。ソース領域およびドレイン領域がゲート導体両側の基板中にある。
【００１３】
本発明の実施形態によれば、能動エリア中の基板のトップ表面および鋭いコーナーが分離構造の表面を越えて突出する。
【００１４】
本発明の実施形態によれば、能動エリア中の基板のトップ表面が分離構造のトップ表面よりも低く、能動エリア中の基板のトップ表面を露出させるトレンチが形成される。
【００１５】
本発明の実施形態によれば、能動エリア中の基板のトップ表面が分離構造のトップ表面よりも低く、トレンチが形成されるとともに、能動エリア中の基板のトップ表面および鋭いコーナーがトレンチの底面を越えて突出する。ゲート誘導層もまた鋭いコーナーを被覆する。
【００１６】
本発明の実施形態によれば、能動エリア中の基板のトップ表面が湾曲形状を有する。
【００１７】
従って、この発明のコーナートランジスターがトレンチ型ゲート導体を有してデバイスサイズを縮小できる。また、ソース領域およびドレイン領域間の基板が鋭いコーナーを有するとともに、ゲート導体が鋭いコーナーを被覆することができ、デバイス性能を向上させることができる。
【００１８】
その一方で、簡単なプロセスを介して、この発明のコーナートランジスターを製作する方法がデバイスサイズを容易に縮小させるトレンチ型ゲート導体を形成できるとともに、また、ソース領域およびドレイン領域間の基板上に鋭いコーナーを形成し、かつゲート導体が鋭いコーナーを被覆してデバイス性能を向上する。
【００１９】
この発明の上述および他の目的、特徴および利点を理解できるように、図面を添付した好ましい実施形態が以下に詳述される。
【発明の効果】
【００２０】
上記実施形態に従い、この発明の方法は、簡単なプロセスを使用してコーナートランジスターを製作する。ソース領域およびドレイン領域間の基板が鋭いコーナーを有し、ゲート導体が鋭いコーナーを被覆して、デバイス性能を向上させる。同時に、トランジスターのゲート導体をトレンチ内に配置することができ、デバイスサイズを容易に縮小させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】この発明の実施形態にかかるコーナートランジスターを示す平面図である。
【図１Ａ】この発明の第１実施形態にかかるコーナートランジスターを製作する方法を図１のＩ−Ｉ線に沿って示す断面図である。
【図１Ｂ】この発明の第１実施形態にかかるコーナートランジスターを製作する方法を図１のＩ−Ｉ線に沿って示す断面図である。
【図１Ｃ】この発明の第１実施形態にかかるコーナートランジスターを製作する方法を図１のＩ−Ｉ線に沿って示す断面図である。
【図１Ｄ】この発明の第１実施形態にかかるコーナートランジスターを製作する方法を図１のＩ−Ｉ線に沿って示す断面図である。
【図１Ｄ−１】この発明の第１実施形態にかかるコーナートランジスターを図１のII−II線に沿って示す断面図である。
【図１Ｄ−２】この発明の第１実施形態にかかる別なコーナートランジスターを図１のII−II線に沿って示す断面図である。
【図２Ａ】この発明の第２実施形態にかかるコーナートランジスターを製作する方法を図１のＩ−Ｉ線に沿って示す断面図である。
【図２Ｂ】この発明の第２実施形態にかかるコーナートランジスターを製作する方法を図１のＩ−Ｉ線に沿って示す断面図である。
【図２Ｃ】この発明の第２実施形態にかかるコーナートランジスターを製作する方法を図１のＩ−Ｉ線に沿って示す断面図である。
【図２Ｃ−１】この発明の第２実施形態にかかる別なコーナートランジスターを図１のII−II線に沿って示す断面図である。
【図３Ａ】この発明の第２実施形態にかかる別なコーナートランジスターを製作する方法を図１のＩ−Ｉ線に沿って示す断面図である。
【図３Ｂ】この発明の第２実施形態にかかる別なコーナートランジスターを製作する方法を図１のＩ−Ｉ線に沿って示す断面図である。
【図３Ｃ】この発明の第２実施形態にかかる別なコーナートランジスターを製作する方法を図１のＩ−Ｉ線に沿って示す断面図である。
【図３Ｄ】この発明の第２実施形態にかかる別なコーナートランジスターを製作する方法を図１のＩ−Ｉ線に沿って示す断面図である。
【図３Ｄ−１】この発明の第２実施形態にかかる別なコーナートランジスターを図１のII−II線に沿って示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、この発明を実施するための形態を図面に基づいて説明するが、これは本発明を制限するものではない。
図１は、この発明の実施形態にかかるコーナートランジスターを示す平面図である。図１Ａ〜図１Ｄは、この発明の第１実施形態にかかるコーナートランジスターを製作する方法を図１のＩ−Ｉ線に沿って示す断面図である。図１Ｄ-１は、この発明の第１実施形態にかかるコーナートランジスターを図１のII−II線に沿って示す断面図である。図１Ｄ-１は、この発明の第１実施形態にかかるコーナートランジスターを図１のII−II線に沿って示す断面図である。
【００２３】
図１Ａにおいて、分離構造１２が基板１０中に形成されて能動エリア１４を定義する。分離構造１２がよく知られたSTI（shallow trench isolation）プロセスで形成されるとともに、絶縁材料、例えばシリコン酸化物を含む。
【００２４】
ソース領域２４およびドレイン領域２６を形成するために基板領域がマスク層（図示せず）によってマスクされた後、図１Ｂ〜図１Ｃにおいて、処理（treating）プロセスが実施されて能動エリア１４中の基板１０が分離構造１２に隣接する２つのエッジにおいて鋭いエッジを有するようにする。この実施形態中、処理プロセスが２つのステージを含む。第１ステージにおいて、熱酸化プロセスが実施されて能動エリア１４中の基板１０のトップ表面が酸化されるとともに、それにより湾曲した外形（curved profile）を備える酸化物層１８が形成される（図１Ｂを参照）。
【００２５】
図１Ｃにおいて、処理プロセスの第２ステージが湾曲した外形を備える酸化物層１８および分離構造１２の一部を除去して、能動エリア１４中の基板１０のトップ表面１０ｂおよび鋭いコーナー１６が分離構造１２のトップ表面１２ａを超えて突出する。用語「鋭いコーナー」の意味は、トップ表面１０ｂと能動エリア１４中の基板１０のトップ表面１０ｂの側壁１０ｃとから形成される角度が鋭い角度であることである。鋭いコーナー１６が基板１０のトップ表面１０ｂ方向へ延伸するとともに、分離構造１２のトップ表面１２ａを超えて突出する。酸化物層１８および分離構造１２の一部を除去する方法が異方性（anisotropic）エッチング、例えば、ドライエッチングを含む。この実施形態中、湾曲した外形を備える酸化物層１８が除去された後、能動エリア１４中の基板１０の露出されたトップ表面１０ｂが湾曲形状を有するものとなる。しかし、この発明は、それに限定されるものではないとともに、能動エリア１４中の基板１０上に鋭いコーナーを形成できる任意の別な除去プロセスを利用することができる。
【００２６】
図１と図１Ｄと図１Ｄ-１とにおいて、ゲート誘電層２０が基板１０上方に形成されて、トップ表面１０ｂおよび鋭いコーナー１６を含む能動エリア１４中の基板１０の露出された表面を被覆する。そして、パターン化されたゲート導体２２がゲート誘電層２０および分離構造１２上方に形成される。ソース領域２４およびドレイン領域２６がゲート導体２２両側の基板１０中に形成される。ゲート誘電層２０がシリコン酸化物、ＳｉＯＮまたは金属酸化物を含むことができ、熱酸化あるいは堆積により形成される。ゲート導体２２がドープトポリシリコン（doped poly-Si）を含み、化学気相堆積（chemical vapor diposition = CVD）および、その中にイオンを注入することにより非ドープドポリシリコン（undoped poly-Si）を形成することによって形成される。ゲート導体２２がまたインサイチュウドーピング（in-situ doping）を備えるＣＤＶプロセスにより形成される。パターン化されたゲート導体２２がリソグラフィープロセスおよびエッチングプロセスによって定義されることができる。
【００２７】
上記実施形態中で形成されたコーナートランジスター１００Ａは、基板１０と、ゲート誘電層２０と、ゲート導体２２と、ソース領域２４と、ドレイン領域２６とを含む。基板１０がその中に能動エリア１４を定義する分離構造１２（図１、図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、図１Ｄを参照）を有する。ゲート誘電層２０とゲート導体２２とソース領域２４とドレイン領域２６とが全て能動エリア１４中にある。能動エリア１４中、ソース領域２４およびドレイン領域２６間の基板１０のトップ表面１０ｂがソース領域２４およびドレイン領域２６のトップ表面１０ｅよりも低くて、ソース領域２４とドレイン領域２６と基板１０との間でトレンチ２８を形成し、そのうち、基板１０のトップ表面１０ｂがトレンチ２８の底面である。その一方、酸化物層１８（図１Ｂ参照）の形成におけるマスク層のマスキングのために、ソース領域２４およびドレイン領域２６間の基板１０のトップ表面１０ｂが分離構造１２のトップ表面１２ａよりも高くなるとともに、ソース領域２４およびドレイン領域２６間の基板１０が鋭いコーナー１６を有する。従って、ソース領域２４およびドレイン領域２６および鋭いコーナー１６間の基板１０のトップ表面１０ｂは、分離構造１２の表面１２ａ上方に突出している。ゲート導体２２がゲート誘電層２０および、分離構造１２上方に配置され、かつ鋭いコーナー１６を被覆する。ソース領域２４およびドレイン領域２６がゲート導体２２両側の基板１０中に位置している。トレンチ２８の側壁および底面に沿った基板１０の一部がチャネル領域として作用する。
【００２８】
また、基板領域がソース領域２４およびドレイン領域２６を形成するために処理プロセス前にマスク層によってマスクされないことが有り得る。その場合、ソース領域２４およびドレイン領域２６を形成するための基板領域がまた処理プロセスにおいて酸化されて、図１Ｄ-２に示すように、その結果としてコーナートランジスター１００Ａ'となり、ソース領域２４およびドレイン領域２６のトップ表面１０ｅ'がそれらの間の基板１０のトップ表面１０ｂ'の共通平面となる。
【００２９】
図２Ａ〜図２Ｃは、この発明の第２実施形態にかかるコーナートランジスターを製作する方法を図１のＩ−Ｉ線に沿って示す断面図である。図２Ｃ-１は、この発明の第２実施形態にかかる別なコーナートランジスターを図１のII−II線に沿って示す断面図である。
【００３０】
図２Ａと図２Ｂとにおいて、上記のように、分離構造１２が基板１０中に形成されて能動エリア１４を定義する（図２Ａ）。基板領域がソース領域２４およびドレイン領域２６を形成するためにマスク層（図示せず）によってマスクされた後、鋭いコーナーを形成するために異なる処理プロセスが実施される。処理プロセスが第１エッチングプロセス（図２Ｂ）を含む１つのステージだけを含み、能動エリア１４中の基板１０の一部を除去し、能動エリア１４中の残された基板１０のトップ表面１０ｄが分離構造１２の表面１２ａよりも十分に低くなるとともに、それによってトレンチ３０が形成される。第１エッチングプロセスがドライエッチングである異方性エッチングを含む。
【００３１】
図１と図２Ｃと図２Ｃ-１とにおいて、ゲート誘電層２０がトレンチ３０の底面の基板１０上方に上記した方法により形成される。パターン化されたゲート導体２２がゲート誘電層２０および分離構造１２上方に形成される。ソース領域２４およびドレイン領域２６がゲート導体２２両側の基板１０中に形成される。
【００３２】
第２実施形態において形成されたコーナートランジスター１００Ｂが同様に基板１０とゲート誘電層２０とゲート導体２２とソース領域２４とドレイン領域２６とを含むが、ソース領域２４およびドレイン領域２６間の基板１０のトップ表面１０ｄがソース領域２４およびドレイン領域２６のトップ表面１０ｅよりも低いだけでなく、分離構造１２のトップ表面１２ａよりも低い。トレンチ３０は、ゲート誘電層２０が形成される前に、能動エリア１４中の基板１０のトップ表面１０ｄを露出させる。
【００３３】
この発明の第２実施形態の変更版において、処理プロセスが３つのステージを含む。具体的に言えば、図１〜図１Ｃに描かれた第１実施形態の手順は、第１実施形態の処理プロセスの上記した第１および第２ステージを含み、能動エリア１４を定義する分離構造１２を形成することを実施し、かつ能動エリア１４中に基板１０のトップ表面１０ｂおよび分離構造１２の表面上方へ突出した鋭いコーナーを作る。変更された処理プロセスの第３ステージは、上記した第１ステージであり、改めて記述しない。
【００３４】
図３Ａ〜図３Ｄは、この発明の第２実施形態にかかる別なコーナートランジスターを製作する方法を図１のＩ−Ｉ線に沿って示す断面図である。図３Ｄ-１は、この発明の第２実施形態にかかる別なコーナートランジスターを図１のII−II線に沿って示す断面図である。
【００３５】
図３Ａと図３Ｂとにおいて、分離構造１２が基板１０中に形成されて能動エリア１４（図３Ａ）を定義する。ソース領域２４およびドレイン領域２６を形成するために基板領域がマスク層（図示せず）によってマスクされた後、処理プロセス中の第１エッチングプロセスが実施されて分離構造１２の２つの部分間の基板１０の一部が除去されるとともに、トレンチ３０を形成する。
【００３６】
図３Ｃにおいて、処理プロセス中の第２エッチングプロセスが実施されてトレンチ３０の側壁において分離構造１２の一部が除去されるとともに、それにより、より広いトレンチ４０を形成する。このようにして、能動エリア１４中の基板１０のトップ表面１０ｄと鋭いコーナー１６とがトレンチ４０の底面４０ａ上方へ突出される。第２エッチングプロセスがウエットエッチングプロセスのような等方性（isotropic）エッチングプロセスである。
【００３７】
図１と図３Ｄと図３Ｄ-１とにおいて、ゲート誘導層２０が基板１０上方に形成されて、基板１０のトップ表面１０ｄおよびトレンチ４０の底面４０ａに露出された鋭いコーナー１６を被覆する。パターン化されたゲート導体２２がゲート誘導層２０および分離構造１２上方に形成される。ソース領域２４およびドレイン領域２６がゲート導体２２両側の基板１０中に形成される。
【００３８】
上記で形成されたコーナートランジスター１００Ｃが同様に基板１０とゲート誘導層２０とゲート導体２２とソース領域２４とドレイン領域２６とを含み、そのうち、ソース領域２４およびドレイン領域２６間の基板１０のトップ表面１０ｄがソース領域２４およびドレイン領域２６のトップ表面１０ｅよりも低いだけでなく、上記したように分離構造１２のトップ表面１２ａよりも第２実施形態にかかる上記コーナートランジスター（１００Ｂ）との差異は、能動エリア１４中の基板１０のトップ表面１０ｄおよび鋭いコーナー１６がトレンチ４０の底面４０ａを越えて突き出していることである。
【００３９】
上記実施形態に従い、この発明の方法は、簡単なプロセスを使用してコーナートランジスターを製作する。ソース領域およびドレイン領域間の基板が鋭いコーナーを有し、ゲート導体が鋭いコーナーを被覆して、デバイス性能を向上させる。同時に、トランジスターのゲート導体をトレンチ内に配置することができ、デバイスサイズを容易に縮小させることができる。
【００４０】
以上のように、この発明を実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更および修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
【符号の説明】
【００４１】
１０ 基板
１０ｂ トップ表面
１０ｄ トップ表面
１２ 分離構造
１２ａ トップ表面
１４ 能動エリア
１６ 鋭いコーナー
２０ ゲート誘導層
２２ ゲート導体
２４ ソース領域
２６ ドレイン領域
２８ トレンチ
３０ トレンチ
４０ トレンチ
４０ａ 底面
１００Ａ コーナートランジスター
１００Ａ' コーナートランジスター
１００Ｂ コーナートランジスター
１００Ｃ コーナートランジスター
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体デバイスとその製作方法に関し、特に、コーナートランジスター（corner transistor）とその製作方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子製品の小型化への必要性に遭遇して、集積回路におけるデバイスのサイズおよび内部デバイス距離が対応するように縮小されている。しかし、デバイスサイズまたは距離が任意に縮小できないとともに、縮小がデバイス縮小化により引き起こされる一定の結果によって制限される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ICsの基礎デバイスとしてのトランジスターについて言えば、その寸法が通常はそのゲート導体の長さを縮小することにより縮小される。しかし、所定タイプのトランジスターは、それらの操作において相対的に高い電圧を必要とする。それ故に、デバイスサイズ（ゲート長さ）の縮小が大きく制限される。
【０００４】
そこで、この発明の目的は、改善された性能を有し、かつ縮小されたサイズを有することのできるコーナートランジスターを提供することにある。
【０００５】
また、この発明は、コーナートランジスターを製作する方法を提供し、それがトランジスターの性能を改善するとともに、簡単なプロセスを介して、そのサイズを縮小することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明のコーナートランジスターを製作する方法を以下に記述する。分離構造（isolation structure）が基板中に形成されて能動エリア（active area）を定義する。処理プロセスが実施されて、能動エリア中の基板がそのトップエッジに鋭いコーナーを有するようにする。能動エリア中の基板がゲート誘電層により被覆される。ゲート導体がゲート誘電層上に形成される。ソース領域およびドレイン領域がゲート導体両側の基板中に形成される。
【０００７】
本発明の実施形態によれば、処理プロセスが能動エリア中の基板のトップ表面が湾曲形状を有するようにする。
【０００８】
本発明の実施形態によれば、処理プロセスが以下のステップを含む。熱酸化プロセスが実施されて能動エリア中の基板を酸化するとともに、湾曲した外形を備える酸化層が形成される。そして、酸化層および分離構造の一部が除去されて、能動エリア中の基板の表面および鋭いコーナーが分離構造の表面を越えて突出する。ゲート誘導層もまた鋭いコーナーを被覆する。処理プロセスが更に第１エッチングプロセスを実施して、能動エリア中の基板の一部を除去して能動エリア中の残された基板の表面が残された分離構造の前記表面よりも低くなるとともに、それによりトレンチが形成される。第１エッチングプロセスが異方性エッチングプロセスを含む。
【０００９】
処理プロセスが更に：第１エッチングプロセスが実施された後、第２エッチングプロセスを実施されてトレンチの側壁において分離構造の一部が除去され、能動エリア中の残された基板の表面および鋭いコーナーがトレンチの底面を越えて突出する。第２エッチングプロセスが等方性エッチングプロセスを含む。ゲート誘導層もまた鋭いコーナーを被覆する。
【００１０】
本発明の実施形態によれば、処理プロセスが第１エッチングプロセスを実施して能動エリア中の基板の一部除去し、能動エリア中の残された基板の表面が分離構造のそれよりも低く、それによってトレンチが形成される。第１エッチングプロセスが異方性エッチングプロセスを含む。
【００１１】
本発明の実施形態によれば、処理プロセスが更に：第１エッチングプロセスが実施された後、第２エッチングプロセスを実施してトレンチの側壁において分離構造の一部が除去され、能動エリア中の残された基板および鋭いコーナーがトレンチの底面を越えて突出する。第２エッチングプロセスが等方性エッチングプロセスを含む。ゲート誘導層もまた鋭いコーナーを被覆する。
【００１２】
この発明のコーナートランジスターが基板とゲート誘導層とゲート導体とソース領域とドレイン領域とを含む。基板がその中に能動エリアを定義する分離構造を有し、そのうち、能動エリア中の基板が２つのエッジに鋭いコーナーを有する。ゲート誘導層が能動エリア中の基板を被覆する。ゲート導体がゲート誘導層上方に配置される。ソース領域およびドレイン領域がゲート導体両側の基板中にある。
【００１３】
本発明の実施形態によれば、能動エリア中の基板のトップ表面および鋭いコーナーが分離構造の表面を越えて突出する。
【００１４】
本発明の実施形態によれば、能動エリア中の基板のトップ表面が分離構造のトップ表面よりも低く、能動エリア中の基板のトップ表面を露出させるトレンチが形成される。
【００１５】
本発明の実施形態によれば、能動エリア中の基板のトップ表面が分離構造のトップ表面よりも低く、トレンチが形成されるとともに、能動エリア中の基板のトップ表面および鋭いコーナーがトレンチの底面を越えて突出する。ゲート誘導層もまた鋭いコーナーを被覆する。
【００１６】
本発明の実施形態によれば、能動エリア中の基板のトップ表面が湾曲形状を有する。
【００１７】
従って、この発明のコーナートランジスターがトレンチ型ゲート導体を有してデバイスサイズを縮小できる。また、ソース領域およびドレイン領域間の基板が鋭いコーナーを有するとともに、ゲート導体が鋭いコーナーを被覆することができ、デバイス性能を向上させることができる。
【００１８】
その一方で、簡単なプロセスを介して、この発明のコーナートランジスターを製作する方法がデバイスサイズを容易に縮小させるトレンチ型ゲート導体を形成できるとともに、また、ソース領域およびドレイン領域間の基板上に鋭いコーナーを形成し、かつゲート導体が鋭いコーナーを被覆してデバイス性能を向上する。
【００１９】
この発明の上述および他の目的、特徴および利点を理解できるように、図面を添付した好ましい実施形態が以下に詳述される。
【発明の効果】
【００２０】
上記実施形態に従い、この発明の方法は、簡単なプロセスを使用してコーナートランジスターを製作する。ソース領域およびドレイン領域間の基板が鋭いコーナーを有し、ゲート導体が鋭いコーナーを被覆して、デバイス性能を向上させる。同時に、トランジスターのゲート導体をトレンチ内に配置することができ、デバイスサイズを容易に縮小させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】この発明の実施形態にかかるコーナートランジスターを示す平面図である。
【図１Ａ】この発明の第１実施形態にかかるコーナートランジスターを製作する方法を図１のＩ−Ｉ線に沿って示す断面図である。
【図１Ｂ】この発明の第１実施形態にかかるコーナートランジスターを製作する方法を図１のＩ−Ｉ線に沿って示す断面図である。
【図１Ｃ】この発明の第１実施形態にかかるコーナートランジスターを製作する方法を図１のＩ−Ｉ線に沿って示す断面図である。
【図１Ｄ】この発明の第１実施形態にかかるコーナートランジスターを製作する方法を図１のＩ−Ｉ線に沿って示す断面図である。
【図１Ｄ−１】この発明の第１実施形態にかかるコーナートランジスターを図１のII−II線に沿って示す断面図である。
【図１Ｄ−２】この発明の第１実施形態にかかる別なコーナートランジスターを図１のII−II線に沿って示す断面図である。
【図２Ａ】この発明の第２実施形態にかかるコーナートランジスターを製作する方法を図１のＩ−Ｉ線に沿って示す断面図である。
【図２Ｂ】この発明の第２実施形態にかかるコーナートランジスターを製作する方法を図１のＩ−Ｉ線に沿って示す断面図である。
【図２Ｃ】この発明の第２実施形態にかかるコーナートランジスターを製作する方法を図１のＩ−Ｉ線に沿って示す断面図である。
【図２Ｃ−１】この発明の第２実施形態にかかる別なコーナートランジスターを図１のII−II線に沿って示す断面図である。
【図３Ａ】この発明の第２実施形態にかかる別なコーナートランジスターを製作する方法を図１のＩ−Ｉ線に沿って示す断面図である。
【図３Ｂ】この発明の第２実施形態にかかる別なコーナートランジスターを製作する方法を図１のＩ−Ｉ線に沿って示す断面図である。
【図３Ｃ】この発明の第２実施形態にかかる別なコーナートランジスターを製作する方法を図１のＩ−Ｉ線に沿って示す断面図である。
【図３Ｄ】この発明の第２実施形態にかかる別なコーナートランジスターを製作する方法を図１のＩ−Ｉ線に沿って示す断面図である。
【図３Ｄ−１】この発明の第２実施形態にかかる別なコーナートランジスターを図１のII−II線に沿って示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、この発明を実施するための形態を図面に基づいて説明するが、これは本発明を制限するものではない。
図１は、この発明の実施形態にかかるコーナートランジスターを示す平面図である。図１Ａ〜図１Ｄは、この発明の第１実施形態にかかるコーナートランジスターを製作する方法を図１のＩ−Ｉ線に沿って示す断面図である。図１Ｄ-１は、この発明の第１実施形態にかかるコーナートランジスターを図１のII−II線に沿って示す断面図である。図１Ｄ-１は、この発明の第１実施形態にかかるコーナートランジスターを図１のII−II線に沿って示す断面図である。
【００２３】
図１Ａにおいて、分離構造１２が基板１０中に形成されて能動エリア１４を定義する。分離構造１２がよく知られたSTI（shallow trench isolation）プロセスで形成されるとともに、絶縁材料、例えばシリコン酸化物を含む。
【００２４】
ソース領域２４およびドレイン領域２６を形成するために基板領域がマスク層（図示せず）によってマスクされた後、図１Ｂ〜図１Ｃにおいて、処理（treating）プロセスが実施されて能動エリア１４中の基板１０が分離構造１２に隣接する２つのエッジにおいて鋭いエッジを有するようにする。この実施形態中、処理プロセスが２つのステージを含む。第１ステージにおいて、熱酸化プロセスが実施されて能動エリア１４中の基板１０のトップ表面が酸化されるとともに、それにより湾曲した外形（curved profile）を備える酸化物層１８が形成される（図１Ｂを参照）。
【００２５】
図１Ｃにおいて、処理プロセスの第２ステージが湾曲した外形を備える酸化物層１８および分離構造１２の一部を除去して、能動エリア１４中の基板１０のトップ表面１０ｂおよび鋭いコーナー１６が分離構造１２のトップ表面１２ａを超えて突出する。用語「鋭いコーナー」の意味は、トップ表面１０ｂと能動エリア１４中の基板１０のトップ表面１０ｂの側壁１０ｃとから形成される角度が鋭い角度であることである。鋭いコーナー１６が基板１０のトップ表面１０ｂ方向へ延伸するとともに、分離構造１２のトップ表面１２ａを超えて突出する。酸化物層１８および分離構造１２の一部を除去する方法が異方性（anisotropic）エッチング、例えば、ドライエッチングを含む。この実施形態中、湾曲した外形を備える酸化物層１８が除去された後、能動エリア１４中の基板１０の露出されたトップ表面１０ｂが湾曲形状を有するものとなる。しかし、この発明は、それに限定されるものではないとともに、能動エリア１４中の基板１０上に鋭いコーナーを形成できる任意の別な除去プロセスを利用することができる。
【００２６】
図１と図１Ｄと図１Ｄ-１とにおいて、ゲート誘電層２０が基板１０上方に形成されて、トップ表面１０ｂおよび鋭いコーナー１６を含む能動エリア１４中の基板１０の露出された表面を被覆する。そして、パターン化されたゲート導体２２がゲート誘電層２０および分離構造１２上方に形成される。ソース領域２４およびドレイン領域２６がゲート導体２２両側の基板１０中に形成される。ゲート誘電層２０がシリコン酸化物、ＳｉＯＮまたは金属酸化物を含むことができ、熱酸化あるいは堆積により形成される。ゲート導体２２がドープトポリシリコン（doped poly-Si）を含み、化学気相堆積（chemical vapor diposition = CVD）および、その中にイオンを注入することにより非ドープドポリシリコン（undoped poly-Si）を形成することによって形成される。ゲート導体２２がまたインサイチュウドーピング（in-situ doping）を備えるＣＤＶプロセスにより形成される。パターン化されたゲート導体２２がリソグラフィープロセスおよびエッチングプロセスによって定義されることができる。
【００２７】
上記実施形態中で形成されたコーナートランジスター１００Ａは、基板１０と、ゲート誘電層２０と、ゲート導体２２と、ソース領域２４と、ドレイン領域２６とを含む。基板１０がその中に能動エリア１４を定義する分離構造１２（図１、図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、図１Ｄを参照）を有する。ゲート誘電層２０とゲート導体２２とソース領域２４とドレイン領域２６とが全て能動エリア１４中にある。能動エリア１４中、ソース領域２４およびドレイン領域２６間の基板１０のトップ表面１０ｂがソース領域２４およびドレイン領域２６のトップ表面１０ｅよりも低くて、ソース領域２４とドレイン領域２６と基板１０との間でトレンチ２８を形成し、そのうち、基板１０のトップ表面１０ｂがトレンチ２８の底面である。その一方、酸化物層１８（図１Ｂ参照）の形成におけるマスク層のマスキングのために、ソース領域２４およびドレイン領域２６間の基板１０のトップ表面１０ｂが分離構造１２のトップ表面１２ａよりも高くなるとともに、ソース領域２４およびドレイン領域２６間の基板１０が鋭いコーナー１６を有する。従って、ソース領域２４およびドレイン領域２６および鋭いコーナー１６間の基板１０のトップ表面１０ｂは、分離構造１２の表面１２ａ上方に突出している。ゲート導体２２がゲート誘電層２０および、分離構造１２上方に配置され、かつ鋭いコーナー１６を被覆する。ソース領域２４およびドレイン領域２６がゲート導体２２両側の基板１０中に位置している。トレンチ２８の側壁および底面に沿った基板１０の一部がチャネル領域として作用する。
【００２８】
また、基板領域がソース領域２４およびドレイン領域２６を形成するために処理プロセス前にマスク層によってマスクされないことが有り得る。その場合、ソース領域２４およびドレイン領域２６を形成するための基板領域がまた処理プロセスにおいて酸化されて、図１Ｄ-２に示すように、その結果としてコーナートランジスター１００Ａ'となり、ソース領域２４およびドレイン領域２６のトップ表面１０ｅ'がそれらの間の基板１０のトップ表面１０ｂ'の共通平面となる。
【００２９】
図２Ａ〜図２Ｃは、この発明の第２実施形態にかかるコーナートランジスターを製作する方法を図１のＩ−Ｉ線に沿って示す断面図である。図２Ｃ-１は、この発明の第２実施形態にかかる別なコーナートランジスターを図１のII−II線に沿って示す断面図である。
【００３０】
図２Ａと図２Ｂとにおいて、上記のように、分離構造１２が基板１０中に形成されて能動エリア１４を定義する（図２Ａ）。基板領域がソース領域２４およびドレイン領域２６を形成するためにマスク層（図示せず）によってマスクされた後、鋭いコーナーを形成するために異なる処理プロセスが実施される。処理プロセスが第１エッチングプロセス（図２Ｂ）を含む１つのステージだけを含み、能動エリア１４中の基板１０の一部を除去し、能動エリア１４中の残された基板１０のトップ表面１０ｄが分離構造１２の表面１２ａよりも十分に低くなるとともに、それによってトレンチ３０が形成される。第１エッチングプロセスがドライエッチングである異方性エッチングを含む。
【００３１】
図１と図２Ｃと図２Ｃ-１とにおいて、ゲート誘電層２０がトレンチ３０の底面の基板１０上方に上記した方法により形成される。パターン化されたゲート導体２２がゲート誘電層２０および分離構造１２上方に形成される。ソース領域２４およびドレイン領域２６がゲート導体２２両側の基板１０中に形成される。
【００３２】
第２実施形態において形成されたコーナートランジスター１００Ｂが同様に基板１０とゲート誘電層２０とゲート導体２２とソース領域２４とドレイン領域２６とを含むが、ソース領域２４およびドレイン領域２６間の基板１０のトップ表面１０ｄがソース領域２４およびドレイン領域２６のトップ表面１０ｅよりも低いだけでなく、分離構造１２のトップ表面１２ａよりも低い。トレンチ３０は、ゲート誘電層２０が形成される前に、能動エリア１４中の基板１０のトップ表面１０ｄを露出させる。
【００３３】
この発明の第２実施形態の変更版において、処理プロセスが３つのステージを含む。具体的に言えば、図１〜図１Ｃに描かれた第１実施形態の手順は、第１実施形態の処理プロセスの上記した第１および第２ステージを含み、能動エリア１４を定義する分離構造１２を形成することを実施し、かつ能動エリア１４中に基板１０のトップ表面１０ｂおよび分離構造１２の表面上方へ突出した鋭いコーナーを作る。変更された処理プロセスの第３ステージは、上記した第１ステージであり、改めて記述しない。
【００３４】
図３Ａ〜図３Ｄは、この発明の第２実施形態にかかる別なコーナートランジスターを製作する方法を図１のＩ−Ｉ線に沿って示す断面図である。図３Ｄ-１は、この発明の第２実施形態にかかる別なコーナートランジスターを図１のII−II線に沿って示す断面図である。
【００３５】
図３Ａと図３Ｂとにおいて、分離構造１２が基板１０中に形成されて能動エリア１４（図３Ａ）を定義する。ソース領域２４およびドレイン領域２６を形成するために基板領域がマスク層（図示せず）によってマスクされた後、処理プロセス中の第１エッチングプロセスが実施されて分離構造１２の２つの部分間の基板１０の一部が除去されるとともに、トレンチ３０を形成する。
【００３６】
図３Ｃにおいて、処理プロセス中の第２エッチングプロセスが実施されてトレンチ３０の側壁において分離構造１２の一部が除去されるとともに、それにより、より広いトレンチ４０を形成する。このようにして、能動エリア１４中の基板１０のトップ表面１０ｄと鋭いコーナー１６とがトレンチ４０の底面４０ａ上方へ突出される。第２エッチングプロセスがウエットエッチングプロセスのような等方性（isotropic）エッチングプロセスである。
【００３７】
図１と図３Ｄと図３Ｄ-１とにおいて、ゲート誘導層２０が基板１０上方に形成されて、基板１０のトップ表面１０ｄおよびトレンチ４０の底面４０ａに露出された鋭いコーナー１６を被覆する。パターン化されたゲート導体２２がゲート誘導層２０および分離構造１２上方に形成される。ソース領域２４およびドレイン領域２６がゲート導体２２両側の基板１０中に形成される。
【００３８】
上記で形成されたコーナートランジスター１００Ｃが同様に基板１０とゲート誘導層２０とゲート導体２２とソース領域２４とドレイン領域２６とを含み、そのうち、ソース領域２４およびドレイン領域２６間の基板１０のトップ表面１０ｄがソース領域２４およびドレイン領域２６のトップ表面１０ｅよりも低いだけでなく、上記したように分離構造１２のトップ表面１２ａよりも第２実施形態にかかる上記コーナートランジスター（１００Ｂ）との差異は、能動エリア１４中の基板１０のトップ表面１０ｄおよび鋭いコーナー１６がトレンチ４０の底面４０ａを越えて突き出していることである。
【００３９】
上記実施形態に従い、この発明の方法は、簡単なプロセスを使用してコーナートランジスターを製作する。ソース領域およびドレイン領域間の基板が鋭いコーナーを有し、ゲート導体が鋭いコーナーを被覆して、デバイス性能を向上させる。同時に、トランジスターのゲート導体をトレンチ内に配置することができ、デバイスサイズを容易に縮小させることができる。
【００４０】
以上のように、この発明を実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更および修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
【符号の説明】
【００４１】
１０ 基板
１０ｂ トップ表面
１０ｄ トップ表面
１２ 分離構造
１２ａ トップ表面
１４ 能動エリア
１６ 鋭いコーナー
２０ ゲート誘導層
２２ ゲート導体
２４ ソース領域
２６ ドレイン領域
２８ トレンチ
３０ トレンチ
４０ トレンチ
４０ａ 底面
１００Ａ コーナートランジスター
１００Ａ' コーナートランジスター
１００Ｂ コーナートランジスター
１００Ｃ コーナートランジスター
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板中に分離構造を形成して能動エリアを定義することと；
処理プロセスを実施して能動エリア中の前記基板のエッジに鋭角部分を持たせることと；
ゲート誘導層により前記能動エリア中の前記基板を被覆することと；
前記ゲート誘導層上にゲート導体を形成することと；
前記ゲート導体の一方側の前記基板中にソース領域を形成すること、および前記ゲート導体の他方側の前記基板中にドレイン領域を形成することと；
を含むコーナートランジスターを製作する方法。
【請求項２】
前記処理プロセスが、前記能動エリア中の前記基板の表面が湾曲形状を有するようにすることを含む請求項１記載のコーナートランジスターを製作する方法。
【請求項３】
前記処理プロセスが：
熱酸化プロセスを実施して前記能動エリア中の前記基板の表面を酸化するとともに、湾曲した外形を備えた酸化層を形成することと；
前記酸化層および前記分離構造の一部を除去して前記能動エリア中の前記基板の前記表面および前記鋭角部分が、除去されなかった前記分離構造の表面を越えて突出することと；
を含む請求項１記載のコーナートランジスターを製作する方法。
【請求項４】
前記ゲート誘導層は前記鋭角部分も被覆する請求項３記載のコーナートランジスターを製作する方法。
【請求項５】
前記処理プロセスが更に：
第１エッチングプロセスを実施して、前記能動エリア中の前記基板の一部を除去して、前記能動エリア中の除去されなかった前記基板の表面が、除去されなかった前記分離構造の前記表面よりも前記基板の内部側に配置され、トレンチが形成されることを含む請求項３記載のコーナートランジスターを製作する方法。
【請求項６】
前記第１エッチングプロセスが異方性エッチングプロセスを含む請求項５記載のコーナートランジスターを製作する方法。
【請求項７】
前記処理プロセスが更に：
第２エッチングプロセスを実施して前記トレンチの側壁において前記分離構造の一部を除去して、前記能動エリア中の除去されなかった前記基板の前記表面および前記鋭角部分が、前記トレンチの底面を越えて突出することを含む請求項５記載のコーナートランジスターを製作する方法。
【請求項８】
前記エッチングプロセスが等方性エッチングプロセスを含む請求項７記載のコーナートランジスターを製作する方法。
【請求項９】
前記ゲート誘導層は前記鋭角部分も被覆する請求項７記載のコーナートランジスターを製作する方法。
【請求項１０】
前記処理プロセスが：
第１エッチングプロセスを実施して前記能動エリア中の前記基板の一部を除去して、前記能動エリア中の除去されなかった前記基板の表面が、前記分離構造の表面よりも前記基板の内部側に配置され、トレンチが形成されることを含む請求項１記載のコーナートランジスターを製作する方法。
【請求項１１】
前記エッチングプロセスが異方性エッチングプロセスを含む請求項１０記載のコーナートランジスターを製作する方法。
【請求項１２】
前記処理プロセスが更に：
第２エッチングプロセスを実施して前記トレンチの側壁において前記分離構造の一部を除去し、前記能動エリア中の除去されなかった前記表面および前記鋭角部分が前記トレンチの底面を越えて突出することを含む請求項１０記載のコーナートランジスターを製作する方法。
【請求項１３】
前記第２エッチングプロセスが等方性エッチングプロセスを含む請求項１２記載のコーナートランジスターを製作する方法。
【請求項１４】
前記ゲート誘導層は前記鋭角部分も被覆する請求項１２記載のコーナートランジスターを製作する方法。
【請求項１５】
内部に分離構造を有して能動エリアを定義し、当該能動エリア中における２つのエッジに鋭角部分を有する基板と；
前記能動エリア中の前記基板を被覆するゲート誘導層と；
前記ゲート誘導層を覆うゲート導体と；
前記ゲート導体の各々の側に形成されたソース領域およびドレイン領域と；
を含むコーナートランジスター。
【請求項１６】
前記能動エリア中の前記基板の表面および前記鋭角部分が前記分離構造の表面を越えて突出する請求項１５記載のコーナートランジスター。
【請求項１７】
前記能動エリア中の前記基板の表面が前記分離構造の表面よりも前記基板の内部側に配置され、前記能動エリア中の前記基板の前記表面を露出させるようにトレンチが形成される請求項１５記載のコーナートランジスター。
【請求項１８】
前記能動エリア中の前記基板の表面が前記分離構造の表面よりも前記基板の内部側に配置されてトレンチが形成されるとともに、前記能動エリア中の前記基板の前記表面および前記鋭角部分が前記トレンチの底面を越えて突出する請求項１５記載のコーナートランジスター。
【請求項１９】
前記ゲート誘導層は前記鋭角部分も被覆するものである請求項１８記載のコーナートランジスター。
【請求項２０】
前記能動エリア中の前記基板の表面が湾曲形状を有する請求項１５記載のコーナートランジスター。
【請求項１】
基板中に分離構造を形成して能動エリアを定義することと；
処理プロセスを実施して能動エリア中の前記基板のエッジに鋭角部分を持たせることと；
ゲート誘導層により前記能動エリア中の前記基板を被覆することと；
前記ゲート誘導層上にゲート導体を形成することと；
前記ゲート導体の一方側の前記基板中にソース領域を形成すること、および前記ゲート導体の他方側の前記基板中にドレイン領域を形成することと；
を含むコーナートランジスターを製作する方法。
【請求項２】
前記処理プロセスが、前記能動エリア中の前記基板の表面が湾曲形状を有するようにすることを含む請求項１記載のコーナートランジスターを製作する方法。
【請求項３】
前記処理プロセスが：
熱酸化プロセスを実施して前記能動エリア中の前記基板の表面を酸化するとともに、湾曲した外形を備えた酸化層を形成することと；
前記酸化層および前記分離構造の一部を除去して前記能動エリア中の前記基板の前記表面および前記鋭角部分が、除去されなかった前記分離構造の表面を越えて突出することと；
を含む請求項１記載のコーナートランジスターを製作する方法。
【請求項４】
前記ゲート誘導層は前記鋭角部分も被覆する請求項３記載のコーナートランジスターを製作する方法。
【請求項５】
前記処理プロセスが更に：
第１エッチングプロセスを実施して、前記能動エリア中の前記基板の一部を除去して、前記能動エリア中の除去されなかった前記基板の表面が、除去されなかった前記分離構造の前記表面よりも前記基板の内部側に配置され、トレンチが形成されることを含む請求項３記載のコーナートランジスターを製作する方法。
【請求項６】
前記第１エッチングプロセスが異方性エッチングプロセスを含む請求項５記載のコーナートランジスターを製作する方法。
【請求項７】
前記処理プロセスが更に：
第２エッチングプロセスを実施して前記トレンチの側壁において前記分離構造の一部を除去して、前記能動エリア中の除去されなかった前記基板の前記表面および前記鋭角部分が、前記トレンチの底面を越えて突出することを含む請求項５記載のコーナートランジスターを製作する方法。
【請求項８】
前記エッチングプロセスが等方性エッチングプロセスを含む請求項７記載のコーナートランジスターを製作する方法。
【請求項９】
前記ゲート誘導層は前記鋭角部分も被覆する請求項７記載のコーナートランジスターを製作する方法。
【請求項１０】
前記処理プロセスが：
第１エッチングプロセスを実施して前記能動エリア中の前記基板の一部を除去して、前記能動エリア中の除去されなかった前記基板の表面が、前記分離構造の表面よりも前記基板の内部側に配置され、トレンチが形成されることを含む請求項１記載のコーナートランジスターを製作する方法。
【請求項１１】
前記エッチングプロセスが異方性エッチングプロセスを含む請求項１０記載のコーナートランジスターを製作する方法。
【請求項１２】
前記処理プロセスが更に：
第２エッチングプロセスを実施して前記トレンチの側壁において前記分離構造の一部を除去し、前記能動エリア中の除去されなかった前記表面および前記鋭角部分が前記トレンチの底面を越えて突出することを含む請求項１０記載のコーナートランジスターを製作する方法。
【請求項１３】
前記第２エッチングプロセスが等方性エッチングプロセスを含む請求項１２記載のコーナートランジスターを製作する方法。
【請求項１４】
前記ゲート誘導層は前記鋭角部分も被覆する請求項１２記載のコーナートランジスターを製作する方法。
【請求項１５】
内部に分離構造を有して能動エリアを定義し、当該能動エリア中における２つのエッジに鋭角部分を有する基板と；
前記能動エリア中の前記基板を被覆するゲート誘導層と；
前記ゲート誘導層を覆うゲート導体と；
前記ゲート導体の各々の側に形成されたソース領域およびドレイン領域と；
を含むコーナートランジスター。
【請求項１６】
前記能動エリア中の前記基板の表面および前記鋭角部分が前記分離構造の表面を越えて突出する請求項１５記載のコーナートランジスター。
【請求項１７】
前記能動エリア中の前記基板の表面が前記分離構造の表面よりも前記基板の内部側に配置され、前記能動エリア中の前記基板の前記表面を露出させるようにトレンチが形成される請求項１５記載のコーナートランジスター。
【請求項１８】
前記能動エリア中の前記基板の表面が前記分離構造の表面よりも前記基板の内部側に配置されてトレンチが形成されるとともに、前記能動エリア中の前記基板の前記表面および前記鋭角部分が前記トレンチの底面を越えて突出する請求項１５記載のコーナートランジスター。
【請求項１９】
前記ゲート誘導層は前記鋭角部分も被覆するものである請求項１８記載のコーナートランジスター。
【請求項２０】
前記能動エリア中の前記基板の表面が湾曲形状を有する請求項１５記載のコーナートランジスター。
【図１】
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図１Ｄ】
【図１Ｄ−１】
【図１Ｄ−２】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｃ−１】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図３Ｄ】
【図３Ｄ−１】
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図１Ｄ】
【図１Ｄ−１】
【図１Ｄ−２】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｃ−１】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図３Ｄ】
【図３Ｄ−１】
【公開番号】特開２０１３−１６７７５（Ｐ２０１３−１６７７５Ａ）
【公開日】平成２５年１月２４日（２０１３．１．２４）
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願２０１２−３４２０３（Ｐ２０１２−３４２０３）
【出願日】平成２４年２月２０日（２０１２．２．２０）
【出願人】（５０２３９６２７０）南亞科技股▲ふん▼有限公司 (29)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月２４日（２０１３．１．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−３４２０３（Ｐ２０１２−３４２０３）
【出願日】平成２４年２月２０日（２０１２．２．２０）
【出願人】（５０２３９６２７０）南亞科技股▲ふん▼有限公司 (29)
【Ｆターム（参考）】
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