デカップリングデバイス
【課題】製造コストが小さく且つ温度変化による特性変動が小さいデカップリングデバイスを提供する。
【解決手段】デカップリングデバイス１００は、複数の第１内部導体層１１１と複数の第２内部導体層１１２又は複数の第３内部導体層１１３とを交互に繰り返し積層してなる積層体１１０と、積層体１１０の外面に形成され第１内部導体層１１１と接続する第１外部電極１２１と、積層体１１０の外面に形成され第３内部導体層１１３と接続する第２外部電極１２２と、積層体１１０の外面に形成され第２内部導体層１１２と第３内部導体層１１３とを接続するとともに所定の抵抗値Ｒ１１を有する抵抗性電極１３０とを備えた。
【解決手段】デカップリングデバイス１００は、複数の第１内部導体層１１１と複数の第２内部導体層１１２又は複数の第３内部導体層１１３とを交互に繰り返し積層してなる積層体１１０と、積層体１１０の外面に形成され第１内部導体層１１１と接続する第１外部電極１２１と、積層体１１０の外面に形成され第３内部導体層１１３と接続する第２外部電極１２２と、積層体１１０の外面に形成され第２内部導体層１１２と第３内部導体層１１３とを接続するとともに所定の抵抗値Ｒ１１を有する抵抗性電極１３０とを備えた。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デカップリングの用途に適したデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
この種のデカップリングデバイスとしては特許文献１に記載のものが知られている。特許文献１に開示された積層コンデンサは、積層体端部に形成された端子電極とは別に、端子電極間における積層体の端面中央部に連結用電極を備えている。積層体内の内部導体は、極性が異なる内部導体層相互に電流の流れ方向が逆になる部分が形成されるように前記連結用電極により積層体の外側にて導通接続されている。
【０００３】
この積層コンデンサは、内部導体層数によってデカップリングに必要な静電容量を得ることができるとともに、極性が異なる内部導体層相互に電流の流れ方向が逆になる部分を確保することに依る磁界相殺作用によって等価直列インダクタンス（以下ＥＳＬという）を低下させることができる。つまり、この積層コンデンサに依ればデカップリングに必要とされる基本条件、即ち、高静電容量と低ＥＳＬを満足できる。
【０００４】
デカップリングに関して言えば積層コンデンサの等価直列抵抗（以下ＥＳＲという）は低い方が好ましいが、実用上ではＥＳＲが低すぎると積層コンデンサの実装位置や周囲環境等に依って不要な共振、例えば電源電圧のリップル発生及びリップルに基づくノイズ発生や電磁障害（ＥＭＩ）に依るノイズ発生を引き起こしてしまう。
【０００５】
積層コンデンサにおけるＥＳＲは固有のものであるが、該ＥＳＲを適宜制御できるようにすれば、実装位置や周囲環境等に適したインピーダンス周波数特性を得て、先に述べた不要な共振を抑制して所期のデカップリングをより効果的に行うことができる。
【０００６】
そこで出願人は特許文献２に示すデカップリングデバイスを提案している。特許文献２に記載されたデカップリングデバイスは、積層コンデンサの外面にＥＳＲを制御するためのチップ状の抵抗素子を付設したものである。積層コンデンサの等価回路は、一方の内部電極はそのまま一方の外部電極に接続されており、該内部電極に誘電体を挟んで対峙する他方の内部電極は２つに分割されている。そして一方の分割内部電極はそのまま他方の外部電極に接続されるとともに、各分割内部電極はそれぞれ積層体外面に形成した連結電極に接続する。前記抵抗素子は連結電極間に実装される。
【０００７】
このようなデカップリングデバイスによれば、実装位置や周囲環境等に適したインピーダンス周波数特性を得て、実際上で生じ得る不要な共振を抑制することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−７９２３７号公報
【特許文献２】特開２００７−２５０９７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、上述のデカップリングデバイスは、積層コンデンサと抵抗素子をそれぞれ別々に製造してから両者を接合させるため製造コストが大きなものとなるという問題があった。さらに上述のデカップリングデバイスは、外部抵抗素子としてチップ抵抗器を接続している。しかしチップ抵抗器は一般的に温度変化による抵抗値の変動が大きいため、ＥＳＲのインピーダンス周波数特性が温度変化により変動しやすいという問題があった。
【００１０】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、製造コストが小さく且つ温度変化による特性変動が小さいデカップリングデバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本願発明に係るデカップリングデバイスは、層状に形成された第１内部導体と、第１内部電極に対峙する層状の第２内部導体及び第３内部導体とを備え、第１内部導体と第２内部導体又は第３内部導体とを誘電体層を介在させて交互に繰り返し積層してなる積層体と、積層体の外面に形成され第１内部導体と導通接続する第１外部電極と、積層体の外面に形成され第３内部導体と導通接続する第２外部電極と、積層体の外面に形成され第２内部導体と第３内部導体間を接続するとともに所定の抵抗値を有する抵抗性電極とを備えたことを特徴とする。
【００１２】
換言すれば、第１外部電極及び第２外部電極並びに所定の抵抗値を有する抵抗性電極が直方体形状の積層体の外面に形成されたデカップリングデバイスであって、前記積層体は、外部電極用引出し部を有する少なくとも１つの第１内部導体層と、抵抗性電極用引出し部を有する少なくとも１つの第２内部導体層と、第１内部導体層の外部電極用引出し部と異なる位置に外部電極用引出し部を有し第２内部導体層の抵抗性電極用引出し部と異なる位置に抵抗性電極用引出し部を有する少なくとも１つの第３内部導体層とを備え、第１内部導体層の外部電極用引出し部は第１外部電極に接続され、第３内部導体層の外部電極用引出し部は第２外部電極に接続され、抵抗性電極は第２内部導体層の抵抗性電極用引出し部と第３内部導体層の抵抗性電極用引出し部とを接続していることを特徴とする。
【００１３】
本発明によれば、積層体外面に形成した抵抗性電極により第２内部導体と第３内部導体とを接続するので、ＥＳＲ調整用の抵抗素子と積層体とを一体に形成することができる。また本発明によれば、ＥＳＲ調整用の抵抗素子を第１及び第２外部電極とともに同時に形成することができる。したがって小さい製造コストでデカップリングデバイスを得ることができる。また本発明によれば、ＥＳＲ調整用の抵抗素子として温度変化の大きい抵抗チップは使用しないので温度変化による特性変動が小さなデカップリングデバイスを得ることができる。
【００１４】
本願発明の好適な態様としては、第１外部電極及び第２外部電極並びに抵抗性電極は、積層体との密着強度増強用の共生地が添加された導電性ペーストを焼成してなり、且つ、抵抗性電極用の導電性ペーストは第１外部電極及び第２外部電極の導電性ペーストよりも共生地の添加率を高くしたものが挙げられる。本発明によれば、共生地の増減によりＥＲＳを容易にコントロールすることができるとともに抵抗性電極の積層体への密着強度を確保することができる。また、この抵抗性電極は温度変化による特性変動が小さなものとなるのでデカップリングデバイスとして好適となる。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように本発明によれば、製造コストが小さく且つ温度変化による特性変動が小さいデカップリングデバイスを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１の実施の形態に係るデカップリングデバイスの外観斜視図
【図２】第１の実施の形態に係る積層体の積層構造を説明する分解斜視図
【図３】第１の実施の形態に係るデカップリングデバイスの等化回路図
【図４】第１の実施の形態に係るデカップリングデバイスのインピーダンス周波数特性を表すグラフ
【図５】第１の実施の形態に係るデカップリングデバイスのインピーダンス周波数特性を表すグラフ
【図６】第１の実施の形態に係るデカップリングデバイスのインピーダンス周波数特性を表すグラフ
【図７】第２の実施の形態に係るデカップリングデバイスの外観斜視図
【図８】第２の実施の形態に係る積層体の積層構造を説明する分解斜視図
【図９】第３の実施の形態に係る積層体の積層構造を説明する分解斜視図
【図１０】第３の実施の形態に係る積層体の変形例を説明する図
【発明を実施するための形態】
【００１７】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態に係るデカップリングデバイスについて図面を参照して説明する。図１はデカップリングデバイスの外観斜視図、図２は積層体の積層構造を説明する分解斜視図、図３はデカップリングデバイスの等化回路図である。
【００１８】
本実施の形態にかかるデカップリングデバイス１００は、図１に示すように、直方体形状の積層体１１０と、積層体１１０の下面に長さ方向に間隔をおいて設けられた第１外部電極１２１及び第２外部電極１２２と、積層体１１０の上面のほぼ全面に長さ方向に形成された所定の抵抗値Ｒ１１を有する抵抗性電極１３０とを備える。
【００１９】
積層体１１０は、図２に示すように、複数の第１内部導体層１１１と、複数の第２内部導体層１１２と、複数の第３内部導体層１１３と、各内部導体層間に介在する複数の誘電体層１１９とを同図に示す順序で幅方向に積層して一体化した構造を有する。つまり、各第１内部導体層１１１は所定の積層界面にそれぞれ存在し、各第２内部導体層１１２は各第１内部導体層１１１が存在する積層界面と位置が異なる所定の積層界面にそれぞれ存在し、各第３内部導体層１１３は各第１内部導体層１１１が存在する積層界面並びに各第２内部導体層１１２が存在する積層界面と位置が異なる所定の積層界面にそれぞれ存在している。
【００２０】
各第１内部導体層１１１は矩形状を成し、下端縁の長さ方向一側に外部電極用引出し部１１１ａを有する。各第２内部導体層１１２は第１内部導体層１１１と同じサイズの矩形状を成し、上端縁の長さ方向一側に抵抗性電極用引出し部１１２ａを有する。各第３内部導体層１１３は第１内部導体層１１１と同じサイズの矩形状を成し、下端縁の長さ方向他側に外部電極用引出し部１１３ａを有し、上端縁の長さ方向他側に抵抗性電極用引出し部１１３ｂを有する。
【００２１】
各第１内部導体層１１１の外部電極用引出し部１１１ａは積層体１１０の下面に露出し、第１外部電極１２１に接続している。各第２内部導体層１１２の抵抗性電極用引出し部１１２ａは積層体１１０の上面に露出し、抵抗性電極１３０の一端側に接続している。各第３内部導体層１１３の外部電極用引出し部１１３ａは積層体１１０の下面に露出し、第２外部電極１２２に接続している。各第３内部導体層１１３の抵抗性電極用引出し部１１３ｂは積層体の上面に露出し、抵抗性電極１３０の他端側に接続している。
【００２２】
図３の等価回路図から分かるように、図１のデカップリングデバイス１００では、複数の第１内部導体層１１１と複数の第２内部導体層１１２との間に所定の静電容量Ｃ１１が形成され、複数の第１内部導体層１１１と複数の第３内部導体層１１３の間に所定の静電容量Ｃ１２が形成される。これにより、第１外部電極１２１と第２外部電極１２２を通じて得られるデカップリングデバイス１００の静電容量は並列接続された静電容量Ｃ１１と静電容量Ｃ１２の合成値となる。
【００２３】
換言すれば、積層コンデンサの一方の内部電極（第１内部導体層１１１）はそのまま第１外部電極１２１に接続されており、該内部電極に誘電体層を挟んで対峙する他方の内部電極は第２内部導体層１１２と第３内部導体層１１３の２つに分割されている。そして一方の分割内部電極（第３内部導体層１１３）はそのまま第２外部電極１２２に接続されるとともに、各分割内部電極はそれぞれ積層体１１０外面に形成した抵抗性電極１３０により導通接続している。
【００２４】
また、図１のデカップリングデバイス１００では、複数の第２内部導体層１１２と複数の第３内部導体層１１３とは抵抗性電極１３０を介して接続されている。これにより、第１外部電極１２１をプラスとし第２外部電極１２２をマイナス（グランド）としたときには静電容量Ｃ１１のみに抵抗性電極１３０の抵抗Ｒ１１が付加される。
【００２５】
図２の層構成に準じて具体的に述べれば、第１内部導体層１１１の数が６、第２内部導体層１１２の数が３、第３内部導体層１１３の数が２であるため、第１内部導体層１１１と第２内部導体層１１２によって得られる静電容量Ｃ１１の静電容量及びＥＳＬは、第１内部導体層１１１と第３内部導体層１１３によって得られる静電容量Ｃ１２の静電容量及びＥＳＬよりも大きい。また、第１外部電極１１１をプラスとし第２外部電極１２２をマイナス（グランド）としたときには静電容量Ｃ１１のみに抵抗性電極１３０の抵抗Ｒ１１が付加されるため、静電容量Ｃ１２の等価直列抵抗（以下ＥＳＲという）は変化せず、静電容量Ｃ１１のＥＳＲのみが増加する。
【００２６】
図４は図２の層構成に準じたインピーダンス周波数特性を表したものであり、静電容量がＣ１１＞Ｃ１２の関係を有する静電容量Ｃ１１と静電容量Ｃ１２が並列接続されていることから、静電容量Ｃ１１に基づく共振点（破線参照）は低周波数帯域に現れ、静電容量Ｃ１２に基づく共振点は高周波数帯域に現れる。勿論、静電容量Ｃ１１と静電容量Ｃ１１に基づく共振点は各々の静電容量に応じてシフトされることは言うまでもない。
【００２７】
第１外部電極１２１をプラスとし第２外部電極１２２をマイナス（グランド）としたときには静電容量Ｃ１１に抵抗性電極１３０の抵抗Ｒ１１が付加されるので、抵抗性電極１３０の抵抗Ｒ１１の値を適宜選択することにより静電容量Ｃ１１のＥＳＲを制御することができ、このＥＳＲ制御によって図４のＲ１１ａ，Ｒ１１ｂ，Ｒ１１ｃで示す線分のように所定の低周波数範囲（ｆ１〜ｆ２）において部分的にインピーダンス周波数特性を変化させることができる。因みに、Ｒ１１ａで示した線分は低値の抵抗Ｒ１１を用いた場合の特性を示し、Ｒ１１ｂで示した線分はこれよりも高値の抵抗Ｒ１１を用いた場合の特性を示し、Ｒ１１ｃで示した線分はこれよりもさらに高値の抵抗Ｒ１１を用いた場合の特性を示す。
【００２８】
図５は第２内部導体層１１２の数＜第３内部導体層１１３の数として静電容量Ｃ１１と静電容量Ｃ１２の関係をＣ１１＜Ｃ１２とした場合のインピーダンス周波数特性を示すものであり、この場合には静電容量Ｃ１１に基づく共振点（破線参照）は高周波数帯域に現れ、静電容量Ｃ１２に基づく共振点は低周波数帯域に現れる。前記と同様に、第１外部電極１２１をプラスとし第２外部電極１２２をマイナス（グランド）としたときには静電容量Ｃ１１に抵抗性電極１３０の抵抗Ｒ１１が付加されるので、抵抗性電極１３０の抵抗Ｒ１１の値を適宜選択して静電容量Ｃ１１のＥＳＲを制御することによって、図５のＲ１１ａ，Ｒ１１ｂ，Ｒ１１ｃで示す線分のように所定の中高周波数範囲（ｆ３〜ｆ４）において部分的にインピーダンス周波数特性を変化させることができる。
【００２９】
図６は第２内部導体層１１２の数＝第３内部導体層１１３の数として静電容量Ｃ１１と静電容量Ｃ１２の関係をＣ１１＝Ｃ１２とした場合のインピーダンス周波数特性を示すものであり、この場合には静電容量Ｃ１１並びに静電容量Ｃ１２に基づく共振点（破線参照）は同じで中間周波数帯域に現れる。前記と同様に、第１外部電極１２１をプラスとし第２外部電極１２２をマイナス（グランド）としたときには静電容量Ｃ１１に抵抗性電極１３０の抵抗Ｒ１１が付加されるので、抵抗性電極１３０の抵抗Ｒ１１の値を適宜選択して静電容量Ｃ１１のＥＳＲを制御することによって、図６のＲ１１ａ，Ｒ１１ｂ，Ｒ１１ｃで示す線分のように所定の中間周波数範囲（ｆ５〜ｆ６）において部分的にインピーダンス周波数特性を変化させることができる。
【００３０】
次に本発明に係るデカップリングデバイスの製造方法について説明する。まず、まず誘電体材料に有機バインダー・溶剤を加えてドクターブレード法でグリーンシートを作製する。次に、グリーンシート内部導体用の導電性ペーストをスクリーン印刷する。次に、内部導体を印刷したシートを所定の順番且つ所定の枚数重ね、その上下にカバーシートを所定数積層する。その後、熱圧着により積層体を得て、所定の直方体形状に切断する。
【００３１】
次に、積層体にディップ法やスクリーン印刷法などで外部電極用の導電性ペースト及び抵抗性電極用の導電性ペーストを塗布する。ここで外部電極用の導電性ペーストと抵抗性電極用の導電性ペーストとは同系の金属材料を主成分とするとともに、積層体との密着強度を増強するために積層体の誘電体材料と同系の共生地が添加されている。ただし、抵抗性電極用の導電性ペーストの添加率は、外部電極用の導電性ペーストよりも高く設定しており、これにより抵抗性電極用が所定の抵抗値Ｒ１１を有するようにしている。すなわち、抵抗性電極用の導電性ペーストに添加する共生地は、積層体との密着強度増強を目的とするだけでなく、ＥＳＲの調整を目的としている点に留意されたい。
【００３２】
次に、導電性ペーストが塗布された積層体を脱バインダー処理の後に還元雰囲気下で焼成する。最後に、外部電極及び抵抗性電極の表面に金属コーティング処理を行うことによりデカップリングデバイスを得た。
【００３３】
このように本実施の形態に係るデカップリングデバイス１００によれば、第１〜第３内部導体層１１１〜１１３の数によってデカップリングに必要な静電容量を得ることができるとともに、極性が異なる内部導体層相互に電流の流れ方向が逆になる部分を確保することに依る磁界相殺作用によって等価直列インダクタンス（以下ＥＳＬという）を低下させることができ、デカップリングに必要とされる基本条件、即ち、高静電容量と低ＥＳＬを満足できる。
【００３４】
また、積層体１１０の外面に形成した抵抗性電極１３０の抵抗Ｒ１１の値を適宜選択することにより静電容量Ｃ１１のＥＳＲを制御することができ、このＥＳＲ制御によって所定の周波数範囲において部分的にインピーダンス周波数特性を変化させることができるので、ＥＳＲに依存し実装位置や周囲環境等に依って不要な共振、例えば電源電圧のリップル発生及びリップルに基づくノイズ発生や電磁障害（ＥＭＩ）に依るノイズ発生を引き起こしてしまうことを的確に抑制することができる。つまり、実装位置や周囲環境等に適したインピーダンス周波数特性を得ることにより、実際上で生じ得る不要な共振を抑制して所期のデカップリングをより効果的に行うことができる。
【００３５】
また、積層体１１０の外面に形成した抵抗性電極１３０の抵抗Ｒ１１の値を適宜選択することによって静電容量Ｃ１１のＥＳＲを制御できるので、ＥＳＲの制御を極めて容易に行えるとともにユーザーが要求する所望のインピーダンス周波数特性を的確に得ることができる。
【００３６】
また、ＥＳＲ制御用の抵抗素子を積層体１１０の外面に一体に形成する構造としたので、抵抗性電極１３０の形成と外部電極１２１，１２２の形成工程とを同時に行うことができ、よって製造コストを抑えることができる。また、抵抗性電極１３０の抵抗値の調整を共生地の添加率によって行っているのでＥＳＲの調整を極めて容易に行うことができる。さらに、抵抗性電極１３０は共生地が添加された導電性ペーストを焼成してなるので、温度変化に対する特性変化が小さな利便性の高いデカップリングデバイスとなる。
【００３７】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態にかかるデカップリングデバイスについて図面を参照して説明する。図７はデカップリングデバイスの外観斜視図、図８は積層体の積層構造を説明する分解斜視図である。
【００３８】
本実施の形態にかかるデカップリングデバイス２００は、図７に示すように、直方体形状の積層体２１０と、積層体１１０の長さ方向両端部に設けられた第１外部電極２２１及び第２外部電極２２２と、積層体１１０の長さ方向中央部において上面から両側面に亘って幅方向に形成された所定の抵抗値Ｒ２１を有する抵抗性電極２３０とを備える。
【００３９】
積層体２１０は、図８に示すように、複数の第１内部導体層２１１と、複数の第２内部導体層２１２と、複数の第３内部導体層２１３と、各内部導体層間に介在する複数の誘電体層２１９とを同図に示す順序で高さ方向に積層して一体化した構造を有する。つまり、各第１内部導体層２１１は所定の積層界面にそれぞれ存在し、各第２内部導体層２１２は各第１内部導体層２１１が存在する積層界面と位置が異なる所定の積層界面にそれぞれ存在し、各第３内部導体層２１３は各第１内部導体層２１１が存在する積層界面並びに各第２内部導体層２１２が存在する積層界面と位置が異なる所定の積層界面にそれぞれ存在している。
【００４０】
各第１内部導体層２１１は矩形状を成し、長さ方向一側に外部電極用引出し部２１１ａを有する。各第２内部導体層２１２は第１内部導体層２１１と同じサイズの矩形状を成し、幅方向一側の中央に抵抗性電極用引出し部２１２ａを有する。各第３内部導体層２１３は第１内部導体層２１１と同じサイズの矩形状を成し、長さ方向他側に外部電極用引出し部２１３ａを有し、幅方向他側の中央に抵抗性電極用引出し部２１３ｂを有する。なお図８においては、外部電極用引出し部２１７ａ，２１９ａを示すためにその境界を破線で示した。
【００４１】
各第１内部導体層２１１の外部電極用引出し部２１１ａは積層体２１０の一方の長さ方向端面に露出し、第１外部電極２２１に接続している。各第２内部導体層２１１の抵抗性電極用引出し部２１２ａは積層体２１０の一方の幅方向端面に露出し、抵抗性電極２３０の一端側に接続している。各第３内部導体層２１３の外部電極用引出し部２１３ａは積層体２１０の他方の長さ方向端面に露出し、第２外部電極２１２に接続している。各第３内部導体層２１３の抵抗性電極用引出し部２１３ｂは積層体２１０の他方の幅方向端面に露出し、抵抗性電極２３０他端側に接続している。
【００４２】
本実施の形態に係るデカップリングデバイス２００の等価回路・製造方法や作用・効果については第１の実施の形態と同様である。
【００４３】
（第３の実施の形態）
次に、本発明の第３の実施の形態にかかるデカップリングデバイスについて図面を参照して説明する。図９は積層体の積層構造を説明する分解斜視図である。本実施の形態にかかるデカップリングデバイスが第１の実施の形態と異なる点は積層体内部の積層構造にある。ここでは図９を参照して相違点のみ説明するものとする。
【００４４】
積層体は、図９に示すように、複数の第１内部導体層３１１と、複数の第２内部導体層３１２と、複数の第３内部導体層３１３と、各内部導体層間に介在する複数の誘電体層３１９とを同図に示す順序で幅方向に積層して一体化した構造を有する。つまり、各第１内部導体層３１１は所定の積層界面にそれぞれ存在し、各第２内部導体層３１２及び各第３内部導体層３１３は各第１内部導体層３１１が存在する積層界面と位置が異なる所定の積層界面にそれぞれ存在している。
【００４５】
各第１内部導体層３１１は矩形状を成し、下端縁の長さ方向一側に外部電極用引出し部３１１ａを有する。各第２内部導体層３１２は第１内部導体層３１１よりも長さ方向の寸法が小さな矩形状を成し、上端縁の長さ方向一側に抵抗性電極用引出し部３１２ａを有する。各第３内部導体層３１３は第２内部導体層３１２よりも長さ方向の寸法が小さな矩形状を成し、下端縁に外部電極用引出し部３１３ａを有し、上端縁に抵抗性電極用引出し部３１３ｂを有する。第３内部導体層３１３は第２内部導体層３１２と同じ積層界面に存在することから第２内部導体層３１２との間は所定のクリアランスがある。また、図示例では、第３内部導体層３１３としてその長さ方向の寸法が外部電極用引出し部３１３ａ及び抵抗性電極用引出し部３１３ｂと同じものを示してある。なお、外部電極用引出し部３１３ａ及び抵抗性電極用引出し部３１３ｂを示すためにその境界を波線で示した。
【００４６】
各第１内部導体層３１１の外部電極用引出し部３１１ａは積層体の下面に露出し、第１外部電極に接続している。各第２内部導体層３１２の抵抗性電極用引出し部３１２ａは積層体の上面に露出し、抵抗性電極の一端側に接続している。各第３内部導体層３１３の外部電極用引出し部３１３ａは積層体の下面に露出し、第２外部電極に接続している。各第３内部導体層３１３の抵抗性電極用引出し部３１３ｂは積層体の上面に露出し、抵抗性電極の他端側に接続している。
【００４７】
本実施の形態に係るデカップリングデバイスの等価回路・製造方法や作用・効果については第１の実施の形態と同様である。
【００４８】
なお、図１０（Ａ）に示すように、第２内部導体層３１２’を第３内部導体層３１３’よりも長さ方向の寸法が小さくなるように形成してもよいし、図１０（Ｂ）に示すように、 第２内部導体層３１２”と第３内部導体層３１３”の長さ方向の寸法が等しくなるように形成してもよい。
【符号の説明】
【００４９】
１００，２００…デカップリングデバイス、１１０，２１０…積層体、１１１，２１１，３１１…第１内部導体層、１１２，２１２，３１２…第２内部導体層、１１３，２１３，３１３…第３内部導体層、１２１，２２１…第１外部電極、１２２，２２２…第２外部電極、１３０，２３０…抵抗性電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デカップリングの用途に適したデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
この種のデカップリングデバイスとしては特許文献１に記載のものが知られている。特許文献１に開示された積層コンデンサは、積層体端部に形成された端子電極とは別に、端子電極間における積層体の端面中央部に連結用電極を備えている。積層体内の内部導体は、極性が異なる内部導体層相互に電流の流れ方向が逆になる部分が形成されるように前記連結用電極により積層体の外側にて導通接続されている。
【０００３】
この積層コンデンサは、内部導体層数によってデカップリングに必要な静電容量を得ることができるとともに、極性が異なる内部導体層相互に電流の流れ方向が逆になる部分を確保することに依る磁界相殺作用によって等価直列インダクタンス（以下ＥＳＬという）を低下させることができる。つまり、この積層コンデンサに依ればデカップリングに必要とされる基本条件、即ち、高静電容量と低ＥＳＬを満足できる。
【０００４】
デカップリングに関して言えば積層コンデンサの等価直列抵抗（以下ＥＳＲという）は低い方が好ましいが、実用上ではＥＳＲが低すぎると積層コンデンサの実装位置や周囲環境等に依って不要な共振、例えば電源電圧のリップル発生及びリップルに基づくノイズ発生や電磁障害（ＥＭＩ）に依るノイズ発生を引き起こしてしまう。
【０００５】
積層コンデンサにおけるＥＳＲは固有のものであるが、該ＥＳＲを適宜制御できるようにすれば、実装位置や周囲環境等に適したインピーダンス周波数特性を得て、先に述べた不要な共振を抑制して所期のデカップリングをより効果的に行うことができる。
【０００６】
そこで出願人は特許文献２に示すデカップリングデバイスを提案している。特許文献２に記載されたデカップリングデバイスは、積層コンデンサの外面にＥＳＲを制御するためのチップ状の抵抗素子を付設したものである。積層コンデンサの等価回路は、一方の内部電極はそのまま一方の外部電極に接続されており、該内部電極に誘電体を挟んで対峙する他方の内部電極は２つに分割されている。そして一方の分割内部電極はそのまま他方の外部電極に接続されるとともに、各分割内部電極はそれぞれ積層体外面に形成した連結電極に接続する。前記抵抗素子は連結電極間に実装される。
【０００７】
このようなデカップリングデバイスによれば、実装位置や周囲環境等に適したインピーダンス周波数特性を得て、実際上で生じ得る不要な共振を抑制することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−７９２３７号公報
【特許文献２】特開２００７−２５０９７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、上述のデカップリングデバイスは、積層コンデンサと抵抗素子をそれぞれ別々に製造してから両者を接合させるため製造コストが大きなものとなるという問題があった。さらに上述のデカップリングデバイスは、外部抵抗素子としてチップ抵抗器を接続している。しかしチップ抵抗器は一般的に温度変化による抵抗値の変動が大きいため、ＥＳＲのインピーダンス周波数特性が温度変化により変動しやすいという問題があった。
【００１０】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、製造コストが小さく且つ温度変化による特性変動が小さいデカップリングデバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本願発明に係るデカップリングデバイスは、層状に形成された第１内部導体と、第１内部電極に対峙する層状の第２内部導体及び第３内部導体とを備え、第１内部導体と第２内部導体又は第３内部導体とを誘電体層を介在させて交互に繰り返し積層してなる積層体と、積層体の外面に形成され第１内部導体と導通接続する第１外部電極と、積層体の外面に形成され第３内部導体と導通接続する第２外部電極と、積層体の外面に形成され第２内部導体と第３内部導体間を接続するとともに所定の抵抗値を有する抵抗性電極とを備えたことを特徴とする。
【００１２】
換言すれば、第１外部電極及び第２外部電極並びに所定の抵抗値を有する抵抗性電極が直方体形状の積層体の外面に形成されたデカップリングデバイスであって、前記積層体は、外部電極用引出し部を有する少なくとも１つの第１内部導体層と、抵抗性電極用引出し部を有する少なくとも１つの第２内部導体層と、第１内部導体層の外部電極用引出し部と異なる位置に外部電極用引出し部を有し第２内部導体層の抵抗性電極用引出し部と異なる位置に抵抗性電極用引出し部を有する少なくとも１つの第３内部導体層とを備え、第１内部導体層の外部電極用引出し部は第１外部電極に接続され、第３内部導体層の外部電極用引出し部は第２外部電極に接続され、抵抗性電極は第２内部導体層の抵抗性電極用引出し部と第３内部導体層の抵抗性電極用引出し部とを接続していることを特徴とする。
【００１３】
本発明によれば、積層体外面に形成した抵抗性電極により第２内部導体と第３内部導体とを接続するので、ＥＳＲ調整用の抵抗素子と積層体とを一体に形成することができる。また本発明によれば、ＥＳＲ調整用の抵抗素子を第１及び第２外部電極とともに同時に形成することができる。したがって小さい製造コストでデカップリングデバイスを得ることができる。また本発明によれば、ＥＳＲ調整用の抵抗素子として温度変化の大きい抵抗チップは使用しないので温度変化による特性変動が小さなデカップリングデバイスを得ることができる。
【００１４】
本願発明の好適な態様としては、第１外部電極及び第２外部電極並びに抵抗性電極は、積層体との密着強度増強用の共生地が添加された導電性ペーストを焼成してなり、且つ、抵抗性電極用の導電性ペーストは第１外部電極及び第２外部電極の導電性ペーストよりも共生地の添加率を高くしたものが挙げられる。本発明によれば、共生地の増減によりＥＲＳを容易にコントロールすることができるとともに抵抗性電極の積層体への密着強度を確保することができる。また、この抵抗性電極は温度変化による特性変動が小さなものとなるのでデカップリングデバイスとして好適となる。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように本発明によれば、製造コストが小さく且つ温度変化による特性変動が小さいデカップリングデバイスを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１の実施の形態に係るデカップリングデバイスの外観斜視図
【図２】第１の実施の形態に係る積層体の積層構造を説明する分解斜視図
【図３】第１の実施の形態に係るデカップリングデバイスの等化回路図
【図４】第１の実施の形態に係るデカップリングデバイスのインピーダンス周波数特性を表すグラフ
【図５】第１の実施の形態に係るデカップリングデバイスのインピーダンス周波数特性を表すグラフ
【図６】第１の実施の形態に係るデカップリングデバイスのインピーダンス周波数特性を表すグラフ
【図７】第２の実施の形態に係るデカップリングデバイスの外観斜視図
【図８】第２の実施の形態に係る積層体の積層構造を説明する分解斜視図
【図９】第３の実施の形態に係る積層体の積層構造を説明する分解斜視図
【図１０】第３の実施の形態に係る積層体の変形例を説明する図
【発明を実施するための形態】
【００１７】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態に係るデカップリングデバイスについて図面を参照して説明する。図１はデカップリングデバイスの外観斜視図、図２は積層体の積層構造を説明する分解斜視図、図３はデカップリングデバイスの等化回路図である。
【００１８】
本実施の形態にかかるデカップリングデバイス１００は、図１に示すように、直方体形状の積層体１１０と、積層体１１０の下面に長さ方向に間隔をおいて設けられた第１外部電極１２１及び第２外部電極１２２と、積層体１１０の上面のほぼ全面に長さ方向に形成された所定の抵抗値Ｒ１１を有する抵抗性電極１３０とを備える。
【００１９】
積層体１１０は、図２に示すように、複数の第１内部導体層１１１と、複数の第２内部導体層１１２と、複数の第３内部導体層１１３と、各内部導体層間に介在する複数の誘電体層１１９とを同図に示す順序で幅方向に積層して一体化した構造を有する。つまり、各第１内部導体層１１１は所定の積層界面にそれぞれ存在し、各第２内部導体層１１２は各第１内部導体層１１１が存在する積層界面と位置が異なる所定の積層界面にそれぞれ存在し、各第３内部導体層１１３は各第１内部導体層１１１が存在する積層界面並びに各第２内部導体層１１２が存在する積層界面と位置が異なる所定の積層界面にそれぞれ存在している。
【００２０】
各第１内部導体層１１１は矩形状を成し、下端縁の長さ方向一側に外部電極用引出し部１１１ａを有する。各第２内部導体層１１２は第１内部導体層１１１と同じサイズの矩形状を成し、上端縁の長さ方向一側に抵抗性電極用引出し部１１２ａを有する。各第３内部導体層１１３は第１内部導体層１１１と同じサイズの矩形状を成し、下端縁の長さ方向他側に外部電極用引出し部１１３ａを有し、上端縁の長さ方向他側に抵抗性電極用引出し部１１３ｂを有する。
【００２１】
各第１内部導体層１１１の外部電極用引出し部１１１ａは積層体１１０の下面に露出し、第１外部電極１２１に接続している。各第２内部導体層１１２の抵抗性電極用引出し部１１２ａは積層体１１０の上面に露出し、抵抗性電極１３０の一端側に接続している。各第３内部導体層１１３の外部電極用引出し部１１３ａは積層体１１０の下面に露出し、第２外部電極１２２に接続している。各第３内部導体層１１３の抵抗性電極用引出し部１１３ｂは積層体の上面に露出し、抵抗性電極１３０の他端側に接続している。
【００２２】
図３の等価回路図から分かるように、図１のデカップリングデバイス１００では、複数の第１内部導体層１１１と複数の第２内部導体層１１２との間に所定の静電容量Ｃ１１が形成され、複数の第１内部導体層１１１と複数の第３内部導体層１１３の間に所定の静電容量Ｃ１２が形成される。これにより、第１外部電極１２１と第２外部電極１２２を通じて得られるデカップリングデバイス１００の静電容量は並列接続された静電容量Ｃ１１と静電容量Ｃ１２の合成値となる。
【００２３】
換言すれば、積層コンデンサの一方の内部電極（第１内部導体層１１１）はそのまま第１外部電極１２１に接続されており、該内部電極に誘電体層を挟んで対峙する他方の内部電極は第２内部導体層１１２と第３内部導体層１１３の２つに分割されている。そして一方の分割内部電極（第３内部導体層１１３）はそのまま第２外部電極１２２に接続されるとともに、各分割内部電極はそれぞれ積層体１１０外面に形成した抵抗性電極１３０により導通接続している。
【００２４】
また、図１のデカップリングデバイス１００では、複数の第２内部導体層１１２と複数の第３内部導体層１１３とは抵抗性電極１３０を介して接続されている。これにより、第１外部電極１２１をプラスとし第２外部電極１２２をマイナス（グランド）としたときには静電容量Ｃ１１のみに抵抗性電極１３０の抵抗Ｒ１１が付加される。
【００２５】
図２の層構成に準じて具体的に述べれば、第１内部導体層１１１の数が６、第２内部導体層１１２の数が３、第３内部導体層１１３の数が２であるため、第１内部導体層１１１と第２内部導体層１１２によって得られる静電容量Ｃ１１の静電容量及びＥＳＬは、第１内部導体層１１１と第３内部導体層１１３によって得られる静電容量Ｃ１２の静電容量及びＥＳＬよりも大きい。また、第１外部電極１１１をプラスとし第２外部電極１２２をマイナス（グランド）としたときには静電容量Ｃ１１のみに抵抗性電極１３０の抵抗Ｒ１１が付加されるため、静電容量Ｃ１２の等価直列抵抗（以下ＥＳＲという）は変化せず、静電容量Ｃ１１のＥＳＲのみが増加する。
【００２６】
図４は図２の層構成に準じたインピーダンス周波数特性を表したものであり、静電容量がＣ１１＞Ｃ１２の関係を有する静電容量Ｃ１１と静電容量Ｃ１２が並列接続されていることから、静電容量Ｃ１１に基づく共振点（破線参照）は低周波数帯域に現れ、静電容量Ｃ１２に基づく共振点は高周波数帯域に現れる。勿論、静電容量Ｃ１１と静電容量Ｃ１１に基づく共振点は各々の静電容量に応じてシフトされることは言うまでもない。
【００２７】
第１外部電極１２１をプラスとし第２外部電極１２２をマイナス（グランド）としたときには静電容量Ｃ１１に抵抗性電極１３０の抵抗Ｒ１１が付加されるので、抵抗性電極１３０の抵抗Ｒ１１の値を適宜選択することにより静電容量Ｃ１１のＥＳＲを制御することができ、このＥＳＲ制御によって図４のＲ１１ａ，Ｒ１１ｂ，Ｒ１１ｃで示す線分のように所定の低周波数範囲（ｆ１〜ｆ２）において部分的にインピーダンス周波数特性を変化させることができる。因みに、Ｒ１１ａで示した線分は低値の抵抗Ｒ１１を用いた場合の特性を示し、Ｒ１１ｂで示した線分はこれよりも高値の抵抗Ｒ１１を用いた場合の特性を示し、Ｒ１１ｃで示した線分はこれよりもさらに高値の抵抗Ｒ１１を用いた場合の特性を示す。
【００２８】
図５は第２内部導体層１１２の数＜第３内部導体層１１３の数として静電容量Ｃ１１と静電容量Ｃ１２の関係をＣ１１＜Ｃ１２とした場合のインピーダンス周波数特性を示すものであり、この場合には静電容量Ｃ１１に基づく共振点（破線参照）は高周波数帯域に現れ、静電容量Ｃ１２に基づく共振点は低周波数帯域に現れる。前記と同様に、第１外部電極１２１をプラスとし第２外部電極１２２をマイナス（グランド）としたときには静電容量Ｃ１１に抵抗性電極１３０の抵抗Ｒ１１が付加されるので、抵抗性電極１３０の抵抗Ｒ１１の値を適宜選択して静電容量Ｃ１１のＥＳＲを制御することによって、図５のＲ１１ａ，Ｒ１１ｂ，Ｒ１１ｃで示す線分のように所定の中高周波数範囲（ｆ３〜ｆ４）において部分的にインピーダンス周波数特性を変化させることができる。
【００２９】
図６は第２内部導体層１１２の数＝第３内部導体層１１３の数として静電容量Ｃ１１と静電容量Ｃ１２の関係をＣ１１＝Ｃ１２とした場合のインピーダンス周波数特性を示すものであり、この場合には静電容量Ｃ１１並びに静電容量Ｃ１２に基づく共振点（破線参照）は同じで中間周波数帯域に現れる。前記と同様に、第１外部電極１２１をプラスとし第２外部電極１２２をマイナス（グランド）としたときには静電容量Ｃ１１に抵抗性電極１３０の抵抗Ｒ１１が付加されるので、抵抗性電極１３０の抵抗Ｒ１１の値を適宜選択して静電容量Ｃ１１のＥＳＲを制御することによって、図６のＲ１１ａ，Ｒ１１ｂ，Ｒ１１ｃで示す線分のように所定の中間周波数範囲（ｆ５〜ｆ６）において部分的にインピーダンス周波数特性を変化させることができる。
【００３０】
次に本発明に係るデカップリングデバイスの製造方法について説明する。まず、まず誘電体材料に有機バインダー・溶剤を加えてドクターブレード法でグリーンシートを作製する。次に、グリーンシート内部導体用の導電性ペーストをスクリーン印刷する。次に、内部導体を印刷したシートを所定の順番且つ所定の枚数重ね、その上下にカバーシートを所定数積層する。その後、熱圧着により積層体を得て、所定の直方体形状に切断する。
【００３１】
次に、積層体にディップ法やスクリーン印刷法などで外部電極用の導電性ペースト及び抵抗性電極用の導電性ペーストを塗布する。ここで外部電極用の導電性ペーストと抵抗性電極用の導電性ペーストとは同系の金属材料を主成分とするとともに、積層体との密着強度を増強するために積層体の誘電体材料と同系の共生地が添加されている。ただし、抵抗性電極用の導電性ペーストの添加率は、外部電極用の導電性ペーストよりも高く設定しており、これにより抵抗性電極用が所定の抵抗値Ｒ１１を有するようにしている。すなわち、抵抗性電極用の導電性ペーストに添加する共生地は、積層体との密着強度増強を目的とするだけでなく、ＥＳＲの調整を目的としている点に留意されたい。
【００３２】
次に、導電性ペーストが塗布された積層体を脱バインダー処理の後に還元雰囲気下で焼成する。最後に、外部電極及び抵抗性電極の表面に金属コーティング処理を行うことによりデカップリングデバイスを得た。
【００３３】
このように本実施の形態に係るデカップリングデバイス１００によれば、第１〜第３内部導体層１１１〜１１３の数によってデカップリングに必要な静電容量を得ることができるとともに、極性が異なる内部導体層相互に電流の流れ方向が逆になる部分を確保することに依る磁界相殺作用によって等価直列インダクタンス（以下ＥＳＬという）を低下させることができ、デカップリングに必要とされる基本条件、即ち、高静電容量と低ＥＳＬを満足できる。
【００３４】
また、積層体１１０の外面に形成した抵抗性電極１３０の抵抗Ｒ１１の値を適宜選択することにより静電容量Ｃ１１のＥＳＲを制御することができ、このＥＳＲ制御によって所定の周波数範囲において部分的にインピーダンス周波数特性を変化させることができるので、ＥＳＲに依存し実装位置や周囲環境等に依って不要な共振、例えば電源電圧のリップル発生及びリップルに基づくノイズ発生や電磁障害（ＥＭＩ）に依るノイズ発生を引き起こしてしまうことを的確に抑制することができる。つまり、実装位置や周囲環境等に適したインピーダンス周波数特性を得ることにより、実際上で生じ得る不要な共振を抑制して所期のデカップリングをより効果的に行うことができる。
【００３５】
また、積層体１１０の外面に形成した抵抗性電極１３０の抵抗Ｒ１１の値を適宜選択することによって静電容量Ｃ１１のＥＳＲを制御できるので、ＥＳＲの制御を極めて容易に行えるとともにユーザーが要求する所望のインピーダンス周波数特性を的確に得ることができる。
【００３６】
また、ＥＳＲ制御用の抵抗素子を積層体１１０の外面に一体に形成する構造としたので、抵抗性電極１３０の形成と外部電極１２１，１２２の形成工程とを同時に行うことができ、よって製造コストを抑えることができる。また、抵抗性電極１３０の抵抗値の調整を共生地の添加率によって行っているのでＥＳＲの調整を極めて容易に行うことができる。さらに、抵抗性電極１３０は共生地が添加された導電性ペーストを焼成してなるので、温度変化に対する特性変化が小さな利便性の高いデカップリングデバイスとなる。
【００３７】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態にかかるデカップリングデバイスについて図面を参照して説明する。図７はデカップリングデバイスの外観斜視図、図８は積層体の積層構造を説明する分解斜視図である。
【００３８】
本実施の形態にかかるデカップリングデバイス２００は、図７に示すように、直方体形状の積層体２１０と、積層体１１０の長さ方向両端部に設けられた第１外部電極２２１及び第２外部電極２２２と、積層体１１０の長さ方向中央部において上面から両側面に亘って幅方向に形成された所定の抵抗値Ｒ２１を有する抵抗性電極２３０とを備える。
【００３９】
積層体２１０は、図８に示すように、複数の第１内部導体層２１１と、複数の第２内部導体層２１２と、複数の第３内部導体層２１３と、各内部導体層間に介在する複数の誘電体層２１９とを同図に示す順序で高さ方向に積層して一体化した構造を有する。つまり、各第１内部導体層２１１は所定の積層界面にそれぞれ存在し、各第２内部導体層２１２は各第１内部導体層２１１が存在する積層界面と位置が異なる所定の積層界面にそれぞれ存在し、各第３内部導体層２１３は各第１内部導体層２１１が存在する積層界面並びに各第２内部導体層２１２が存在する積層界面と位置が異なる所定の積層界面にそれぞれ存在している。
【００４０】
各第１内部導体層２１１は矩形状を成し、長さ方向一側に外部電極用引出し部２１１ａを有する。各第２内部導体層２１２は第１内部導体層２１１と同じサイズの矩形状を成し、幅方向一側の中央に抵抗性電極用引出し部２１２ａを有する。各第３内部導体層２１３は第１内部導体層２１１と同じサイズの矩形状を成し、長さ方向他側に外部電極用引出し部２１３ａを有し、幅方向他側の中央に抵抗性電極用引出し部２１３ｂを有する。なお図８においては、外部電極用引出し部２１７ａ，２１９ａを示すためにその境界を破線で示した。
【００４１】
各第１内部導体層２１１の外部電極用引出し部２１１ａは積層体２１０の一方の長さ方向端面に露出し、第１外部電極２２１に接続している。各第２内部導体層２１１の抵抗性電極用引出し部２１２ａは積層体２１０の一方の幅方向端面に露出し、抵抗性電極２３０の一端側に接続している。各第３内部導体層２１３の外部電極用引出し部２１３ａは積層体２１０の他方の長さ方向端面に露出し、第２外部電極２１２に接続している。各第３内部導体層２１３の抵抗性電極用引出し部２１３ｂは積層体２１０の他方の幅方向端面に露出し、抵抗性電極２３０他端側に接続している。
【００４２】
本実施の形態に係るデカップリングデバイス２００の等価回路・製造方法や作用・効果については第１の実施の形態と同様である。
【００４３】
（第３の実施の形態）
次に、本発明の第３の実施の形態にかかるデカップリングデバイスについて図面を参照して説明する。図９は積層体の積層構造を説明する分解斜視図である。本実施の形態にかかるデカップリングデバイスが第１の実施の形態と異なる点は積層体内部の積層構造にある。ここでは図９を参照して相違点のみ説明するものとする。
【００４４】
積層体は、図９に示すように、複数の第１内部導体層３１１と、複数の第２内部導体層３１２と、複数の第３内部導体層３１３と、各内部導体層間に介在する複数の誘電体層３１９とを同図に示す順序で幅方向に積層して一体化した構造を有する。つまり、各第１内部導体層３１１は所定の積層界面にそれぞれ存在し、各第２内部導体層３１２及び各第３内部導体層３１３は各第１内部導体層３１１が存在する積層界面と位置が異なる所定の積層界面にそれぞれ存在している。
【００４５】
各第１内部導体層３１１は矩形状を成し、下端縁の長さ方向一側に外部電極用引出し部３１１ａを有する。各第２内部導体層３１２は第１内部導体層３１１よりも長さ方向の寸法が小さな矩形状を成し、上端縁の長さ方向一側に抵抗性電極用引出し部３１２ａを有する。各第３内部導体層３１３は第２内部導体層３１２よりも長さ方向の寸法が小さな矩形状を成し、下端縁に外部電極用引出し部３１３ａを有し、上端縁に抵抗性電極用引出し部３１３ｂを有する。第３内部導体層３１３は第２内部導体層３１２と同じ積層界面に存在することから第２内部導体層３１２との間は所定のクリアランスがある。また、図示例では、第３内部導体層３１３としてその長さ方向の寸法が外部電極用引出し部３１３ａ及び抵抗性電極用引出し部３１３ｂと同じものを示してある。なお、外部電極用引出し部３１３ａ及び抵抗性電極用引出し部３１３ｂを示すためにその境界を波線で示した。
【００４６】
各第１内部導体層３１１の外部電極用引出し部３１１ａは積層体の下面に露出し、第１外部電極に接続している。各第２内部導体層３１２の抵抗性電極用引出し部３１２ａは積層体の上面に露出し、抵抗性電極の一端側に接続している。各第３内部導体層３１３の外部電極用引出し部３１３ａは積層体の下面に露出し、第２外部電極に接続している。各第３内部導体層３１３の抵抗性電極用引出し部３１３ｂは積層体の上面に露出し、抵抗性電極の他端側に接続している。
【００４７】
本実施の形態に係るデカップリングデバイスの等価回路・製造方法や作用・効果については第１の実施の形態と同様である。
【００４８】
なお、図１０（Ａ）に示すように、第２内部導体層３１２’を第３内部導体層３１３’よりも長さ方向の寸法が小さくなるように形成してもよいし、図１０（Ｂ）に示すように、 第２内部導体層３１２”と第３内部導体層３１３”の長さ方向の寸法が等しくなるように形成してもよい。
【符号の説明】
【００４９】
１００，２００…デカップリングデバイス、１１０，２１０…積層体、１１１，２１１，３１１…第１内部導体層、１１２，２１２，３１２…第２内部導体層、１１３，２１３，３１３…第３内部導体層、１２１，２２１…第１外部電極、１２２，２２２…第２外部電極、１３０，２３０…抵抗性電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
層状に形成された第１内部導体と、第１内部電極に対峙する層状の第２内部導体及び第３内部導体とを備え、第１内部導体と第２内部導体又は第３内部導体とを誘電体層を介在させて交互に繰り返し積層してなる積層体と、
積層体の外面に形成され第１内部導体と導通接続する第１外部電極と、
積層体の外面に形成され第３内部導体と導通接続する第２外部電極と、
積層体の外面に形成され第２内部導体と第３内部導体間を接続するとともに所定の抵抗値を有する抵抗性電極とを備えた
ことを特徴とするデカップリングデバイス。
【請求項２】
積層体は、誘電体を介在させて第１内部導体・第２内部導体・第１内部導体・第３内部導体の順に繰り返し積層した
ことを特徴とする請求項１記載のデカップリングデバイス。
【請求項３】
第２内部導体と第３内部導体とを同層に配置し、
第１内部導体と第２内部導体及び第３内部導体とを誘電体を介在させて交互に繰り返し積層した
ことを特徴とする請求項１記載のデカップリングデバイス。
【請求項４】
第１外部電極及び第２外部電極並びに所定の抵抗値を有する抵抗性電極が直方体形状の積層体の外面に形成されたデカップリングデバイスであって、
前記積層体は、外部電極用引出し部を有する少なくとも１つの第１内部導体層と、抵抗性電極用引出し部を有する少なくとも１つの第２内部導体層と、第１内部導体層の外部電極用引出し部と異なる位置に外部電極用引出し部を有し第２内部導体層の抵抗性電極用引出し部と異なる位置に抵抗性電極用引出し部を有する少なくとも１つの第３内部導体層とを備え、第１内部導体層の外部電極用引出し部は第１外部電極に接続され、第３内部導体層の外部電極用引出し部は第２外部電極に接続され、抵抗性電極は第２内部導体層の抵抗性電極用引出し部と第３内部導体層の抵抗性電極用引出し部とを接続している
ことを特徴とするデカップリングデバイス。
【請求項５】
積層体の第１内部導体層は所定の積層界面に存在し、第２内部導体層は第１内部導体層が存在する積層界面と位置が異なる所定の積層界面に存在し、第３内部導体層は第１内部導体層が存在する積層界面並びに第２内部導体層が存在する積層界面と位置が異なる所定の積層界面に存在している、
ことを特徴とする請求項４に記載のデカップリングデバイス。
【請求項６】
積層体の第１内部導体層は所定の積層界面に存在し、第２内部導体層及び第３内部導体層は第１内部導体層が存在する積層界面と位置が異なる所定の積層界面に存在している、
ことを特徴とする請求項４に記載のデカップリングデバイス。
【請求項７】
第１外部電極及び第２外部電極並びに抵抗性電極は、積層体との密着強度増強用の共生地が添加された導電性ペーストを焼成してなり、且つ、抵抗性電極用の導電性ペーストは第１外部電極及び第２外部電極の導電性ペーストよりも共生地の添加率を高くした
ことを特徴とする請求項１乃至６何れか１項記載のデカップリングデバイス。
【請求項１】
層状に形成された第１内部導体と、第１内部電極に対峙する層状の第２内部導体及び第３内部導体とを備え、第１内部導体と第２内部導体又は第３内部導体とを誘電体層を介在させて交互に繰り返し積層してなる積層体と、
積層体の外面に形成され第１内部導体と導通接続する第１外部電極と、
積層体の外面に形成され第３内部導体と導通接続する第２外部電極と、
積層体の外面に形成され第２内部導体と第３内部導体間を接続するとともに所定の抵抗値を有する抵抗性電極とを備えた
ことを特徴とするデカップリングデバイス。
【請求項２】
積層体は、誘電体を介在させて第１内部導体・第２内部導体・第１内部導体・第３内部導体の順に繰り返し積層した
ことを特徴とする請求項１記載のデカップリングデバイス。
【請求項３】
第２内部導体と第３内部導体とを同層に配置し、
第１内部導体と第２内部導体及び第３内部導体とを誘電体を介在させて交互に繰り返し積層した
ことを特徴とする請求項１記載のデカップリングデバイス。
【請求項４】
第１外部電極及び第２外部電極並びに所定の抵抗値を有する抵抗性電極が直方体形状の積層体の外面に形成されたデカップリングデバイスであって、
前記積層体は、外部電極用引出し部を有する少なくとも１つの第１内部導体層と、抵抗性電極用引出し部を有する少なくとも１つの第２内部導体層と、第１内部導体層の外部電極用引出し部と異なる位置に外部電極用引出し部を有し第２内部導体層の抵抗性電極用引出し部と異なる位置に抵抗性電極用引出し部を有する少なくとも１つの第３内部導体層とを備え、第１内部導体層の外部電極用引出し部は第１外部電極に接続され、第３内部導体層の外部電極用引出し部は第２外部電極に接続され、抵抗性電極は第２内部導体層の抵抗性電極用引出し部と第３内部導体層の抵抗性電極用引出し部とを接続している
ことを特徴とするデカップリングデバイス。
【請求項５】
積層体の第１内部導体層は所定の積層界面に存在し、第２内部導体層は第１内部導体層が存在する積層界面と位置が異なる所定の積層界面に存在し、第３内部導体層は第１内部導体層が存在する積層界面並びに第２内部導体層が存在する積層界面と位置が異なる所定の積層界面に存在している、
ことを特徴とする請求項４に記載のデカップリングデバイス。
【請求項６】
積層体の第１内部導体層は所定の積層界面に存在し、第２内部導体層及び第３内部導体層は第１内部導体層が存在する積層界面と位置が異なる所定の積層界面に存在している、
ことを特徴とする請求項４に記載のデカップリングデバイス。
【請求項７】
第１外部電極及び第２外部電極並びに抵抗性電極は、積層体との密着強度増強用の共生地が添加された導電性ペーストを焼成してなり、且つ、抵抗性電極用の導電性ペーストは第１外部電極及び第２外部電極の導電性ペーストよりも共生地の添加率を高くした
ことを特徴とする請求項１乃至６何れか１項記載のデカップリングデバイス。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１２−９９７７２（Ｐ２０１２−９９７７２Ａ）
【公開日】平成２４年５月２４日（２０１２．５．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２４８６６１（Ｐ２０１０−２４８６６１）
【出願日】平成２２年１１月５日（２０１０．１１．５）
【出願人】（０００２０４２８４）太陽誘電株式会社 (964)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年５月２４日（２０１２．５．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１１月５日（２０１０．１１．５）
【出願人】（０００２０４２８４）太陽誘電株式会社 (964)
【Ｆターム（参考）】
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