【課題】良好な形状のレジストパターンを形成できる、ネガ型レジスト組成物、当該ネガ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、および当該ネガ型レジスト組成物に用いる樹脂成分として有用な高分子化合物の提供。
【解決手段】アルカリ可溶性樹脂成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）および架橋剤成分（Ｃ）を含有するネガ型レジスト組成物であって、前記アルカリ可溶性樹脂成分（Ａ）は、塩基解離性基を含む構成単位（ｆ１）と架橋性基含有基を含む構成単位（ｆ２）とを有する高分子化合物（Ｆ）を含有することを特徴とするネガ型レジスト組成物。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルカリ可溶性樹脂成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）および架橋剤成分（Ｃ）を含有するネガ型レジスト組成物であって、
前記アルカリ可溶性樹脂成分（Ａ）は、塩基解離性基を含む構成単位（ｆ１）と架橋性基含有基を含む構成単位（ｆ２）とを有する高分子化合物（Ｆ）を含有することを特徴とするネガ型レジスト組成物。
【請求項２】
前記塩基解離性基がフッ素原子を含む請求項１記載のネガ型レジスト組成物。
【請求項３】
前記構成単位（ｆ１）が、下記一般式（ｆ１−１）又は一般式（ｆ１−２）で表される構成単位である請求項２記載のネガ型レジスト組成物。
【化１】

［式中、Ｒはそれぞれ独立して水素原子、炭素原子数１〜５の低級アルキル基、又は炭素原子数１〜５のハロゲン化低級アルキル基であり；Ｘは二価の有機基であり、Ａ_ａｒｙｌは置換基を有していてもよい芳香族環式基であり、Ｘ_０１は単結合又は二価の連結基であり、Ｒ^２はそれぞれ独立してフッ素原子を有する有機基である。］
【請求項４】
前記構成単位（ｆ２）が、下記一般式（ｆ２−１）、一般式（ｆ２−２）および一般式（ｆ２−３）で表される基を含む構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位である請求項１〜３のいずれか一項に記載のネガ型レジスト組成物。
【化２】

［式中、Ｑ^１１はエーテル結合を有していてもよいアルキレン基であり、Ｑ^１２は２価の連結基であり、Ｑ^１３は−ＳＯ_２−又は−Ｃ（＝Ｏ）−であり、Ｑ^１４は芳香族環式基である。］
【請求項５】
前記架橋剤成分（Ｃ）が、メラミン系架橋剤、尿素系架橋剤、アルキレン尿素系架橋剤、グリコールウリル系架橋剤、およびエポキシ系架橋剤からなる群から選ばれる少なくとも１種である請求項１〜４のいずれか一項に記載のネガ型レジスト組成物。
【請求項６】
さらに、含窒素有機化合物成分（Ｄ）を含有する請求項１〜５のいずれか一項に記載のネガ型レジスト組成物。
【請求項７】
支持体上に、請求項１〜６のいずれか一項に記載のネガ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
【請求項８】
塩基解離性基を含む構成単位（ｆ１）と架橋性基含有基を含む構成単位（ｆ２）とを有する高分子化合物。
【請求項９】
前記塩基解離性基がフッ素原子を含む請求項８記載の高分子化合物。
【請求項１０】
前記構成単位（ｆ１）が、下記一般式（ｆ１−１）又は一般式（ｆ１−２）で表される構成単位である請求項９記載の高分子化合物。
【化３】

［式中、Ｒはそれぞれ独立して水素原子、炭素原子数１〜５の低級アルキル基、又は炭素原子数１〜５のハロゲン化低級アルキル基であり；Ｘは二価の有機基であり、Ａ_ａｒｙｌは置換基を有していてもよい芳香族環式基であり、Ｘ_０１は単結合又は二価の連結基であり、Ｒ^２はそれぞれ独立してフッ素原子を有する有機基である。］
【請求項１１】
前記構成単位（ｆ２）が、下記一般式（ｆ２−１）、一般式（ｆ２−２）および一般式（ｆ２−３）で表される基を含む構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位である請求項８〜１０のいずれか一項に記載の高分子化合物。
【化４】

［式中、Ｑ^１１はエーテル結合を有していてもよいアルキレン基であり、Ｑ^１２は２価の連結基であり、Ｑ^１３は−ＳＯ_２−又は−Ｃ（＝Ｏ）−であり、Ｑ^１４は芳香族環式基である。］

【図１】

【公開番号】特開２０１０−１５０８９（Ｐ２０１０−１５０８９Ａ）
【公開日】平成２２年１月２１日（２０１０．１．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１７６８４６（Ｐ２００８−１７６８４６）
【出願日】平成２０年７月７日（２００８．７．７）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】