平板表示装置及びその駆動方法
【課題】伝導性基板に偶然に印加される電圧、静電気及び外力による薄膜トランジスターの特性低下を防止することができる平板表示装置及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】伝導性基板２１と、伝導性基板２１上に形成された絶縁層２２と、伝導性基板２１上に形成された薄膜トランジスター（ゲート電極２８、第２絶縁層２７及びソース／ドレイン電極２９ａ、２９ｂ）と、伝導性基板２１の一領域に形成され、伝導性基板２１を接地させる接地部２３を含む平板表示装置。
【解決手段】伝導性基板２１と、伝導性基板２１上に形成された絶縁層２２と、伝導性基板２１上に形成された薄膜トランジスター（ゲート電極２８、第２絶縁層２７及びソース／ドレイン電極２９ａ、２９ｂ）と、伝導性基板２１の一領域に形成され、伝導性基板２１を接地させる接地部２３を含む平板表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は平板表示装置及びその駆動方法に関し、より具体的には、基板に偶然に印加される電圧、静電気及び外力による薄膜トランジスターの特性低下を防止することができる平板表示装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、伝導性基板、特に、ステンレススチール（ＳＵＳ）、またはチタンなどを利用して形成された伝導性薄膜上に薄膜トランジスターを具現するためには、伝導性薄膜と薄膜トランジスターの間に絶縁可能な層であるバッファー層が必要である。このように、バッファー層が具備された伝導性薄膜上に形成された薄膜トランジスター（ＳＯＩ：ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）は、類似の電気的及び構造的特性を持つようになる。
【０００３】
この時、薄膜トランジスターを構成する半導体層は、非晶質シリコン層を低温加熱して結晶化するか、エキシマレーザー結晶化（ＥＬＡ： Ｅｘｉｍｅｒ Ｌａｓｅｒ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）したポリシリコン（ＬＴＰＳ：ｌｏｗ ｔｅｍｐａｒａｔｕｒｅ ｐｏｌｙ ｓｉｌｉｃｏｎ）を利用する。
【０００４】
しかし、低温ポリシリコンを利用して形成された半導体層を具備した薄膜トランジスターが形成された伝導性基板に外力が作用する時、薄膜トランジスターの素子特性が低下されることがあり得る。より具体的には、伝導性基板に引っ張り応力（ｔｅｎｓｉｌｅ）が印加されれば薄膜トランジスターのドレイン電流量が増加し、伝導性基板に圧縮応力（ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｖｅ ｓｔｒｅｓｓ）が印加されれば薄膜トランジスターのドレイン電流量が減少する。
【０００５】
このように、伝導性基板を曲げる時に発生する引っ張り応力または圧縮応力によって薄膜トランジスターのドレイン電流量が変化することで、平板表示装置の素子特性、漏洩電流と移動度、画素の明るさ、対比比などが変化される。これによって、ディスプレイの性能が低下されるという問題点を持つ。
【０００６】
また、従来の薄膜トランジスター基板の構造において、伝導性基板に意図しない電圧が印加されたり静電気などによって伝導性薄膜に予想できない電荷が蓄積されたような場合には、薄膜トランジスターの初期設計の時に提案されたしきい値電圧が基準設計値と異なって変化するため、回路のチューニングがうまくできなくなるという問題点を持っている。
【０００７】
以下では図面を参照して従来の技術による薄膜トランジスターの逆バイアス印加によるドレイン電流の特性変化を具体的に説明する。
【０００８】
図１は、従来の技術による薄膜トランジスターの逆バイアス印加によるドレイン電流の特性変化を現すグラフである。
【０００９】
図１を参照すれば、Ｘ軸は薄膜トランジスターに印加される逆バイアス電圧を現し、Ｙ軸は薄膜トランジスターに印加される逆バイエスによるドレイン電流の変化を現す。
【００１０】
このグラフに現れたところによれば、伝導性基板に印加される逆バイアス電圧が大きくなるほどしきい値電圧の移動量（ｓｈｉｆｔ）が増加されるということが分かる。
【００１１】
このように、薄膜トランジスター基板のしきい値電圧が基準設計値と違うように変化する場合には、薄膜トランジスターを利用したディスプレイ上に表示される各色相をＸ、Ｙ値で表示した色座標、階調及び明暗などが変化し得るという問題点を持つ。
【００１２】
一方、従来の平板表示装置及びその駆動方法に関する技術を記載した文献としては、下記特許文献１ないし４がある。
【特許文献１】特開２００４−２４６３５１号公報
【特許文献２】特開２００４−２１４２８１号公報
【特許文献３】特開２００４−０４８００５号公報
【特許文献４】特開２００４−２８００３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、前記従来の問題点を解消するために導出された発明であり、その目的は、伝導性基板に外力が加わって発生してしまう薄膜トランジスターの特性低下を防止することができる基板を用いて偶然に印加される電圧や静電気などによって起こるしきい値電圧の変動を防止することができる平板表示装置及びその駆動方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記目的を果たすために、本発明の一側面によれば、本発明の平板表示装置は伝導性基板と、前記伝導性基板上に形成される少なくとも一つの絶縁層と、前記伝導性基板上に形成される少なくとも一つの薄膜トランジスターと、前記伝導性基板の少なくとも一領域に形成されて、前記伝導性基板を接地させる接地部を含む。
【００１５】
本発明の他の側面によれば、本発明の平板表示装置は伝導性基板と、前記伝導性基板上に形成される少なくとも一つの薄膜トランジスターと、前記伝導性基板上に形成される少なくとも一つの絶縁層と、前記絶縁層の中で少なくとも一層をとり除いて前記伝導性基板の少なくとも一領域を露出させる基板露出部と、前記基板露出部に連結されて前記伝導性基板に逆バイアス電圧を印加するシステム制御部を含む。
【発明の効果】
【００１６】
以上説明したように、本発明によれば、伝導性基板に外力が加えられた場合に発生する薄膜トランジスターの特性低下を防止することができ、基板に偶然に印加される電圧と静電気などによってしきい値電圧の変動を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下では、本発明の実施形態を図面を参照てして具体的に説明する。
【００１８】
図２は本発明の第１実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【００１９】
図２を参照すれば、平板表示装置２０は、伝導性基板２１、第１絶縁層２５、半導体層２６、第２絶縁層２７、ゲート電極２８、第３絶縁層２９及びソース／ドレイン電極２９ａ、２９ｂを含む。
【００２０】
また、平板表示装置２０は伝導性基板２１の下面に形成される第４絶縁層２２と、少なくとも部分的に伝導性基板２１を露出させるように第１、第３及び第４絶縁層２５、２９、２２の中で少なくとも一層の一領域をとり除いて形成された接地部２３と、金属配線２４をさらに含む。
【００２１】
具体的には、第１絶縁層２５は伝導性基板２１上に形成され、バッファー層の役割を遂行する。この時、伝導性基板２１はステンレススチール（ＳＵＳ）またはチタンなどを利用して形成されるが、フレキシブルな薄膜形態に形成されることが一番望ましい。
【００２２】
半導体層２６は第１絶縁層２５上に形成され、この半導体層２６は伝導性基板２１上に蒸着された非晶質シリコンをレーザーなどを利用して結晶化したポリシリコンを利用する。
【００２３】
半導体層２６はシリコン及び有機物質などに形成されることができる。半導体層２６上には第２絶縁層２７が形成され、第２絶縁層２７上にはゲート電極２８が形成される。
【００２４】
本実施形態では第２絶縁層２７とゲート電極２８が同時にパターニングされることで、図示するように、ゲート電極２８と第２絶縁層２７がゲート領域として半導体層２６のチャンネル領域（図示せず）上部に形成されることになる。
【００２５】
第３絶縁層２９は第１絶縁層２５とゲート電極２８上に形成され、第３絶縁層２９には複数のコンタクトホール（図示せず）が形成される。
【００２６】
ソースまたはドレイン電極２９ａ、２９ｂは第３絶縁層２９上に形成され、第３絶縁層２９に形成されたコンタクトホールを通じて半導体層２６と電気的に連結されるように形成される。
【００２７】
第４絶縁層２２は伝導性基板２１の下面に形成され、外部から印加されるノイズ及び不純物などが伝導性基板２１側に流入されることを防止することができる。第１ないし第４絶縁層２５、２７、２９、２２は酸化膜または窒化膜などで形成されるが、これに制限されない。
【００２８】
一方、接地部２３は伝導性基板２１の下面に形成された第４絶縁層２２の一領域を部分的に取り除くことで形成され、その形成位置は制限されない。また、接地部２３には金属配線２４が連結されるが、接地部２３に金属配線２４を連結することで、伝導性基板２１に意図しない電圧または静電気などによって発生された充電された電荷を外部に排出することができる。
【００２９】
この金属配線２４は、たとえば金、銀、アルミニウム、銅などの伝導性を有する金属、及びさまざまな伝導性の合金を使用することができる。金属配線２４は多様な方法、たとえば、半田付け工程を通じて接地部２３に連結される。また、金属配線２４は所定幅を持つ帯形状またはライン形状などで形成されるが、これらに制限されない。
【００３０】
図３は、図２の接地部が形成される位置を図した平面図であり、図４は図２の接地部が形成される位置を図した他の平面図である。
【００３１】
図３及び図４を参照すれば、本有機発光表示装置８０は伝導性基板２１上に形成された画像表示領域８１とパッド部８２、及び接地部２３を含む。
【００３２】
一般に、画像表示領域８１には薄膜トランジスター（図示せず）及び発光素子（図示せず）などが形成されており、パッド部８２には端子部（図示せず）などが形成されている。発光素子（図示せず）は有機発光素子であることが望ましい。説明の便宜上、薄膜トランジスター及び発光素子に対する詳細な開示及びそれに対する具体的な説明は略する。
【００３３】
図３には伝導性基板２１の角領域に接地部２３が形成されるが、具体的にはパッド部８２上に形成されている。接地部２３には金属配線２４が連結されており、この金属配線２４は伝導性基板２１上に意図しない電圧または静電気などによって充電された電荷を外部に排出する。
【００３４】
前述した実施形態では接地部２３が伝導性基板２１の角領域や一側端部の中央領域に形成されているが、接地部２３の形成位置はこれに限定されない。ただし、画像表示領域８１に形成された発光素子の発光效率を落とさない位置に形成されることが望ましい。
【００３５】
図４には伝導性基板２１の一側端部の中央領域に形成されるが、具体的には画像表示領域８１の上端中央領域に形成されている。前述したように、接地部２３には金属配線２４が連結されており、この金属配線２４は伝導性基板２１上に意図しない電圧または静電気などによって充電された電荷を外部に排出する。
【００３６】
図５は本発明の第２実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【００３７】
図５を参照すれば、平板表示装置３０は伝導性基板３１、第１絶縁層３５、半導体層３６、第２絶縁層３７、ゲート電極３８、第３絶縁層３９及びソース／ドレイン電極３９ａ、３９ｂを含む。
【００３８】
また、本平板表示装置３０は伝導性基板３１の下面に形成される第４絶縁層３２と、少なくとも部分的に伝導性基板３１を接地させる接地部３３と、金属配線３４をさらに含む。説明の重複を避けるため、前記第１実施形態と同じ構成要素である第１絶縁層３５、半導体層３６、第２絶縁層３７、ゲート電極３８、第３絶縁層３９、ソース／ドレイン電極３９ａ、３９ｂ、第４絶縁層３２及び金属配線３４に対する具体的な説明は略する。
【００３９】
一方、接地部３３は伝導性基板３１の上面に形成された第１、第３絶縁層３５、３９の同一領域を部分的に取り除くことで形成され、その形成位置には制限を受けない。接地部３３には金属配線３４が連結されるが、接地部３３に金属配線３４を連結することで、伝導性基板３１に意図しない電圧または静電気などによって充電された電荷を外部に排出することができる。
【００４０】
図６は、本発明の第３実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【００４１】
図６を参照すれば、平板表示装置４０は伝導性基板４１、第１絶縁層４６、半導体層４７、第２絶縁層４８、ゲート電極４９、第３絶縁層５０及びソース／ドレイン電極５１ａ、５１ｂを含む。また、本平板表示装置５０は伝導性基板４１の下面に形成される第４絶縁層４２と、少なくとも部分的に伝導性基板４１を接地させる第１接地部４３と第２接地部４４、金属配線４５をさらに含む。説明の便宜上、前記実施形態と同じ構成要素の具体的な説明は略する。
【００４２】
本発明の特徴的な構成要素である第１接地部４３と第２接地部４４は伝導性基板４１の上面に形成された第１、第３及び第４絶縁層４６、５０、４２の一領域を部分的に取り除くことで形成されるが、その形成位置には制限を受けない。
【００４３】
第１接地部４３または第２接地部４４には金属配線４５が連結されるが、本実施形態では第１接地部４３に金属配線４５を連結することで、伝導性基板４１に意図しない電圧または静電気などによって充電された電荷を外部に排出することができる。本実施形態では金属配線４５を第１接地部４３に形成したが、金属配線４５を第２接地部４４に連結することができることは勿論である。
【００４４】
図７は本発明の第４実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【００４５】
図７を参照すれば、平板表示装置６０は伝導性基板６１、第１絶縁層６４、半導体層６５、第２絶縁層６６、ゲート電極６７、第３絶縁層６８及びソース／ドレイン電極６９ａ、６９ｂを含む。また、本平板表示装置６０は少なくとも部分的に伝導性基板６１を接地させる接地部６２と、金属配線６３をさらに含む。説明の便宜上、前記実施形態と同じ構成要素の具体的な説明は略する。
【００４６】
一方、接地部６２は伝導性基板６１の上面に形成された第１、第３絶縁層６４、６８の同一領域を部分的に取り除くことで形成され、その形成位置には制限を受けない。
【００４７】
接地部６２には金属配線６３が連結されるが、接地部６２に金属配線６３を連結することで、伝導性基板６１に意図しない電圧または静電気などによって充電された電荷を外部に排出することができる。
【００４８】
図８を参照すれば、平板表示装置７０は伝導性基板７１、ゲート電極７２、ゲート絶縁層７３、半導体層７６、ソース／ドレイン電極７７ａ、７７ｂを含む。また、本平板表示装置７０は少なくとも部分的に伝導性基板７１を接地させる接地部７４と金属配線７５をさらに含む。説明の便宜上、前記実施形態と同じ構成要素の具体的な説明は略する。
【００４９】
平板表示装置７０の構造を簡単に説明すれば、伝導性基板７１上にはゲート電極７２が形成される。ゲート電極７２と伝導性基板７１上にはゲート絶縁層７３が形成され、ゲート絶縁層７３上にはゲート電極７２が中央に位置するように半導体層７６が形成される。半導体層７６上にはゲート電極７２と対応する部分を除いた部分にソース／ドレイン電極７７ａ、７７ｂが形成される。
【００５０】
一方、接地部７４は伝導性基板７１の上面に形成されたゲート絶縁層７３の一領域を部分的に取り除くことで形成され、その形成位置には制限を受けない。
【００５１】
接地部７４には金属配線７５が連結されるが、接地部７４に金属配線７５を連結することで、伝導性基板７１に意図しない電圧または静電気などによって充電された電荷を外部に排出することができる。
【００５２】
図９は本発明の他の側面による第１実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【００５３】
図９を参照すれば、平板表示装置１００は薄膜トランジスター１８０、基板露出部１０１、第１絶縁層１２０、第２絶縁層１４０、第３絶縁層１６０、システム制御部１０３及びコントローラー１０４を含む。薄膜トランジスター１８０は伝導性基板１１０上に形成され、半導体層１３０、ゲート電極１５０、ソース／ドレイン電極１７０ａ、１７０ｂを含む。
【００５４】
基板露出部１０１は伝導性基板１１０を少なくとも部分的に露出させるために第１及び第３ 絶縁層１２０、１６０の一領域をとり除いて形成される。
【００５５】
システム制御部１０３は伝導性基板１１０に逆バイアス電圧を印加するために形成され、 システム制御部１０３と基板露出部１０１を電気的に連結するためにはこれらの間に連結配線１０２が形成される。
【００５６】
具体的には、薄膜トランジスター１８０の第１絶縁層１２０は伝導性基板１１０上に形成され、 バッファー層の役割を遂行する。この時、伝導性基板１１０はステンレススチールまたはチタンなどを利用して形成されるが、フレキシブル可能な薄膜形態に形成されることが一番望ましい。
【００５７】
半導体層１３０は第１絶縁層１２０上に形成され、この半導体層１３０は伝導性基板１００上に蒸着された非晶質シリコンをレーザーなどを利用して結晶化したポリシリコンを利用する。また、半導体層１３０はシリコン及び有機物質などで形成されることができる。
【００５８】
半導体層１３０上には第２絶縁層１４０が形成され、第２絶縁層１４０上にはゲート電極１５０が形成される。本実施形態では第２絶縁層１４０とゲート電極１５０が同時にパターニングされることができ、図示されたように、ゲート電極１５０と第２絶縁層１４０は半導体層１３０のチャンネル領域上部に形成されることができる。
【００５９】
第３絶縁層１６０は第１絶縁層１２０とゲート電極１５０上に形成され、第３絶縁層１６０には複数のコンタクトホール（図示せず）が形成される。ソースまたはドレイン電極１７０ａ、１７０ｂは第３絶縁層１６０に形成されたコンタクトホールを通じて半導体層１３０と電気的に連結されるように第３絶縁層１６０上に形成される。第１ないし第３絶縁層１２０、１４０、１６０は酸化膜または窒化膜などで形成されるが、これらに制限されない。
【００６０】
基板露出部１０１は伝導性基板１１０を露出させるために第１及び３絶縁層１２０、１６０の一領域をとり除いて形成されるが、その形成位置には制限を受けない。
【００６１】
一方、伝導性基板１１０には基板露出部１０１に連結されたシステム制御部１０３が形成される。システム制御部１０３は伝導性基板１１０上に形成された薄膜トランジスター１８０がＰＭＯＳ型の場合、負（−）逆バイアス電圧を印加し、ＮＭＯＳ型薄膜トランジスター１８０の場合、正（＋）逆バイアス電圧を印加する。
【００６２】
システム制御部１０３は伝導性基板１１０に印加される逆バイアス電圧を調節することができるコントローラー１０４を含む。コントローラー１０４は伝導性基板１１０に印加される逆バイアス（ｂａｃｋ ｂｉａｓ）電圧、特に、ＰＭＯＳ薄膜トランジスター１８０の場合、負（−）逆バイアス電圧を調節することができ、ＮＭＯＳ薄膜トランジスター１８０の場合、特に、正（＋）逆バイアス電圧を調節することができ、これによって、伝導性基板１１０に外力が作用する時発生する応力による薄膜トランジスター１８０の素子特性などを調節することができる。
【００６３】
より具体的には、薄膜トランジスターの１８０の移動度、漏洩電流、しきい値電圧及びエススロップなどを調節することができる。
【００６４】
基板露出部１０１とシステム制御部１０３の間にはこれらを電気的に連結する連結配線１７０が形成される。連結配線１０２は多様な方法（例えば、半田付け工程）を通じて基板露出部１０１とシステム制御部１０３を連結する。連結配線１０２は所定幅を持つ帯形状、ライン形状及びワイヤなどで形成されるが、これらに制限されない。
【００６５】
図１０は図９のシステム制御部と連結される位置を示した有機発光表示装置の概略的な平面図であり、図１１は図９のシステム制御部と連結される位置を示した他の有機発光表示装置の概略的な平面図である。
【００６６】
図１０及び図１１を参照すれば、本平板表示装置６００は伝導性基板１１０上に形成された画像表示領域６１０とパッド部６２０、基板露出部１０１、システム制御部１０３、コントローラー１０４及び連結配線１０２を含む。
【００６７】
一般に、画像表示領域６１０には薄膜トランジスター（図示せず）及び発光素子（図示せず）などが形成されており、パッド部６２０には端子部などが形成されている。発光素子（図示せず）は有機発光素子であることが望ましい。説明の便宜上、薄膜トランジスター及び発光素子に対する詳細的な開示及びそれに対する具体的な説明は略する。
【００６８】
図１０には伝導性基板１１０の角領域に逆バイアス電圧、特に、ＰＭＯＳ型薄膜トランジスターの場合、負（−）逆バイアス電圧、ＮＭＯＳ型薄膜トランジスターの場合、正（＋）逆バイアス電圧を印加するための基板露出部１０１に連結されるシステム制御部１０３が形成され、基板露出部１０１は形成位置に制限を受けない。
【００６９】
システム制御部１０３は伝導性基板１１０に印加される逆バイアス電圧を調節することができるコントローラー１０４を含む。
【００７０】
コントローラー１０４は伝導性基板１１０に印加される逆バイアス電圧、特に、ＰＭＯＳ型薄膜トランジスターの場合、負（−）逆バイアス電圧、ＮＭＯＳ型薄膜トランジスターの場合、正（＋）逆バイアス電圧を調節することができ、これによって、伝導性基板１１０を曲げる時発生される応力による薄膜トランジスター素子特性などを制御することができる。基板露出部１０１とシステム制御部１０３の間にはこれらを電気的に連結する連結配線１０２が形成される。
【００７１】
図１１には伝導性基板１１０の一側端部の中央領域に形成されるが、具体的には画像表示領域６１０の上端中央領域に形成されている。前述したように、基板露出部１０１と連結されたシステム制御部１０３、システム制御部１０３と基板露出部１０１の間を電気的に連結する連結配線１０２が形成される。
【００７２】
システム制御部１０３には伝導性基板１１０に印加される逆バイアス電圧、特に、ＰＭＯＳ型薄膜トランジスターの場合、負（−）逆バイアス電圧、ＮＭＯＳ型薄膜トランジスターの場合、正（＋）逆バイアス電圧を調節することができるコントローラー１０４を含む。
【００７３】
伝導性基板１１０に印加される逆バイアス電圧を調節することができることによって、伝導性基板１１０に外力が作用する時発生される応力による薄膜トランジスター（図示せず）素子特性の低下を防止することができる。
【００７４】
前記実施形態ではシステム端子１０３が伝導性基板１１０の角領域や一側端部の中央領域に形成されているが、システム端子１０３の形成位置はこれに限定されず、ただし、画像表示領域６１０に形成された発光素子の発光效率を落とさない位置に形成されることが望ましい。
【００７５】
図１２は本発明の他の側面の第２実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【００７６】
図１２を参照すれば、平板表示装置２００は薄膜トランジスター２９０、基板露出部２０１、第１絶縁層２２０、第２絶縁層２５０、第３絶縁層２７０、第４絶縁層２３０、システム制御部２０３及びコントローラー２０４を含む。
【００７７】
薄膜トランジスター２９０は伝導性基板２１０上に形成され、半導体層２４０、ゲート電極２６０及びソース／ドレイン電極２８０ａ、２８０ｂを含む。また、本薄膜トランジスター２９０は伝導性基板２１０の下面に形成される第４絶縁層２３０及び連結配線２０２をさらに含む。
【００７８】
第４絶縁層２３０は伝導性基板２１０の下面に形成されるが、外部から印加されるノイズ及び不純物などが伝導性基板２１０に流入されることを防止することができる。説明の重複を避けるために、前記第１実施形態と同じ構成要素である第１絶縁層２２０、半導体層２４０、第２絶縁層２５０、ゲート電極２６０、第３絶縁層２７０、ソース／ドレイン電極２８０ａ、２８０ｂ及び連結配線２０２に対する具体的な説明は略する。
【００７９】
基板露出部２０１は伝導性基板２１０を少なくとも部分的に露出させるために第１及び第３絶縁層２２０、２７０の一領域をとり除いて形成されるが、その形成位置には制限を受けない。
【００８０】
一方、伝導性基板２１０には基板露出部２０１と連結されたシステム制御部２０３が形成される。システム制御部２０３は伝導性基板２１０上に形成された薄膜トランジスター２９０がＰＭＯＳ型の場合、負（−）逆バイアス電圧を印加し、ＮＭＯＳ型薄膜トランジスター２９０の場合、正（＋）逆バイアス電圧を印加する。
【００８１】
システム制御部２０３は伝導性基板２１０に印加される逆バイアス電圧を調節することができるコントローラー２０４を含む。コントローラー２０４は伝導性基板２１０に印加される逆バイアス電圧、特に、ＰＭＯＳ型薄膜トランジスター２９０の場合、負（−）逆バイアス電圧を調節することができ、ＮＭＯＳ型薄膜トランジスター２９０の場合、正（＋）逆バイアス電圧を調節することができ、これによって、伝導性基板２１０に外力が作用する時発生する応力による薄膜トランジスター２９０の素子特性などを調節することができる。より具体的には、薄膜トランジスターの２９０の移動度、漏洩電流、しきい値電圧及びエススロップなどを調節することができる。また、基板露出部２０１とシステム制御部２０３の間にはこれらを電気的に連結する連結配線２０２が形成される。
【００８２】
図１３は本発明の他の側面の第３実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【００８３】
図１３を参照すれば、平板表示装置３００は薄膜トランジスター３９０、基板露出部３０１、第１絶縁層３３０、第２絶縁層３５０、第３絶縁層３２０、第４絶縁層３２０、システム制御部３０３及びコントローラー３０４を含む。
【００８４】
薄膜トランジスター３９０は伝導性基板３１０上に形成され、半導体層３４０、ゲート電極３６０及びソース／ドレイン電極３８０ａ、３８０ｂを含む。また、本薄膜トランジスター３９０は伝導性基板３１０の下面に形成される第４絶縁層３７０及び連結配線３０２をさらに含む。説明の便宜上、前記実施形態と同じ構成要素の具体的な説明は略する。
【００８５】
基板露出部３０１は伝導性基板３１０を少なくとも部分的に露出させるために第１及び第３絶縁層３３０、３７０の一領域をとり除いて形成され、その形成位置には制限を受けない。
【００８６】
一方、伝導性基板３１０には基板露出部３０１と連結されたシステム制御部３０３が形成される。システム制御部３０３は伝導性基板３１０上に形成された薄膜トランジスター３９０がＰＭＯＳ型の場合、負（−）逆バイアス電圧を印加し、ＮＭＯＳ型薄膜トランジスター３９０の場合、正（＋）逆バイアス電圧を印加する。
【００８７】
システム制御部３０３は伝導性基板３１０に印加される逆バイアス電圧を調節することができるコントローラー３０３を含む。コントローラー３０４は伝導性基板３１０に印加される逆バイアス電圧、特に、ＰＭＯＳ型薄膜トランジスター３９０の場合、負（−）逆バイアス電圧を調節することができ、ＮＭＯＳ型薄膜トランジスター３９０の場合、正（＋）逆バイアス電圧を調節することができ、これによって、伝導性基板３１０に外力が作用する時発生する応力による薄膜トランジスター３９０の素子特性などを制御することができる。より具体的には、薄膜トランジスターの３９０の移動度、漏洩電流、しきい値電圧、エススロップなどを調節することができる。また、基板露出部３０１とシステム制御部３０３の間にはこれらを電気的に連結する連結配線３０２が形成される。
【００８８】
図１４は本発明の他の側面の第４実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【００８９】
図１４を参照すれば、平板表示装置４００は薄膜トランジスター４９０、第１基板露出部４０１、第２基板露出部４０２、第１絶縁層４２０、第２絶縁層４５０、第３絶縁層４７０、システム制御部４０４及びコントローラー４０５を含む。
【００９０】
薄膜トランジスター４９０は可撓性を持つ伝導性基板４１０上に形成されて半導体層４４０、ゲート電極４６０及びソース／ドレイン電極４８０ａ、４８０ｂを含む。また、本薄膜トランジスター４９０は可撓性を持つ伝導性基板４１０の下面に形成される第４絶縁層４３０及び連結配線４０３をさらに含む。説明の便宜上、前記実施形態と同じ構成要素の具体的な説明は略する。
【００９１】
第１基板露出部４０１と第２基板露出部４０２は伝導性基板４１０を少なくとも部分的に露出させるために第１、３、及び４絶縁層４２０、４７０、４３０の一領域をとり除いて形成され、その形成位置には制限を受けない。
【００９２】
一方、伝導性基板４１０には基板露出部４０１と連結されたシステム制御部４０４が形成される。システム制御部４０４は伝導性基板４１０上に形成された薄膜トランジスター４９０がＰＭＯＳ型の場合、負（−）逆バイアス電圧を印加し、ＮＭＯＳ型薄膜トランジスター４９０の場合、正（＋）逆バイアス電圧を印加する。
【００９３】
システム制御部４０４は伝導性基板４１０に印加される逆バイアス電圧を調節することができるコントローラー４０５を含む。コントローラー４０５は伝導性基板４１０に印加される逆バイアス電圧、特に、ＰＭＯＳ型薄膜トランジスター４９０の場合、負（−）逆バイアス電圧を調節することができ、ＮＭＯＳ型薄膜トランジスター４９０の場合、正（＋）逆バイアス電圧を調節することができ、これによって、伝導性基板４１０に外力が作用する時発生する応力による薄膜トランジスター４９０素子特性などを調節することができる。より具体的に、薄膜トランジスターの４９０の移動度、漏洩電流、しきい値電圧、エススロップなどを調節することができる。また、基板露出部４０１とシステム制御部４０４の間にはこれらを電気的に連結する連結配線４０３が形成される。
【００９４】
本実施形態では連結配線４０３を第１基板露出部４０１に形成したが、連結配線４０３を第２基板露出部４０２に連結できることは勿論である。
【００９５】
図１５は本発明の他の側面の第５実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【００９６】
図１５を参照すれば、平板表示装置５００は薄膜トランジスター５６０、基板露出部５０１、システム制御部５０３及びコントローラー５０４を含む。薄膜トランジスター５６０はゲート電極５２０、半導体層５４０、及びソース／ドレイン電極５５０ａ、５５０ｂを含む。また、本薄膜トランジスター５６０は伝導性基板５１０に連結配線５０２をさらに含む。説明の重複を避けるため、前記第１実施形態と同じ構成要素であるゲート電極５２０、半導体層５４０、ソース及びドレイン電極５５０ａ、５５０ｂ、及び連結配線５０２に対する具体的な説明は略する。
【００９７】
基板露出部５０１は伝導性基板５１０を少なくとも部分的に露出させるためにゲート絶縁層５３０の一領域をとり除いて形成され、その形成位置には制限を受けない。
【００９８】
一方、伝導性基板５１０には基板露出部５０１と連結されたシステム制御部５０３が形成される。
【００９９】
システム制御部５０３は伝導性基板５１０上に形成された薄膜トランジスター５６０がＰＭＯＳ型の場合、負（−）逆バイアス電圧を印加し、ＮＭＯＳ型薄膜トランジスター５６０の場合、正（＋）逆バイアス電圧を印加する。
【０１００】
システム制御部５０３は伝導性基板５１０に印加される逆バイアス電圧を調節することができるコントローラー５０４を含む。コントローラー５０４は伝導性基板５１０に印加される逆バイアス電圧、特に、ＰＭＯＳ型薄膜トランジスター５６０の場合、負（−）逆バイアス電圧を調節することができ、ＮＭＯＳ型薄膜トランジスター５６０の場合、正（＋）逆バイアス電圧を調節することができ、これによって、伝導性基板５１０に外力が作用する時発生する応力による薄膜トランジスター５６０の素子特性などを調節することができる。より具体的には、薄膜トランジスターの５６０の移動度、漏洩電流、しきい値電圧、エススロップなどを調節することができる。また、基板露出部５０１とシステム制御部５０４の間にはこれらを電気的に連結する連結配線５０２が形成される。
【０１０１】
図１６及び図１７は本発明の他の側面による薄膜トランジスターの特性を現したグラフである。
【０１０２】
図１６を参照すれば、Ｘ軸は伝導性基板に印加される逆バイアス電圧を現し、Ｙ軸は伝導性基板上に形成されたＰＭＯＳ型の低温ポリシリコン薄膜トランジスター素子の移動度と漏洩電流を現す。このグラフに現れたように、伝導性基板に正（−）逆バイアスを印加した場合には薄膜トランジスター素子の漏洩電流が増加され、移動度が減少されて薄膜トランジスターの動作特性が弱化される。
【０１０３】
これと反対に、伝導性基板に負（−）逆バイアス電圧を印加した場合に薄膜トランジスター素子の漏洩電流は減少され、移動度が増加されるので、動作特性が向上する。例えば、伝導性基板に−１０Ｖの逆バイアス電圧を印加する場合、漏洩電流は１．１×１０−１２Ａで、移動度は１２．１５ｃｍ２／Ｖｓｅｃである。
【０１０４】
一方、伝導性基板に１０Ｖの逆バイアス電圧を印加する場合、漏洩電流は１．３５×１０−１２Ａで、移動度は１１．９５ｃｍ２／Ｖｓｅｃである。そして、伝導性基板に−１５Ｖの負（−）逆バイアス電圧を印加する場合、漏洩電流は１．０×１０−１２Ａで、移動度は１２．２５ｃｍ２／Ｖｓｅｃである。
【０１０５】
実験結果によれば、ＰＭＯＳ型薄膜トランジスターの場合、伝導性基板に正（＋）逆バイアス電圧を印加する場合に比べて負（−）逆バイアス電圧を印加する場合が漏洩電流及び移動度の面で動作特性がさらに良い。特に、負（−）逆バイアス電圧が大きくなるほど動作特性がさらに向上する。
【０１０６】
図１７を参照すれば、Ｘ軸は伝導性基板上に印加される逆バイアス電圧を現し、Ｙ軸は伝導性基板上に形成されたＰＭＯＳ型低温ポリシリコン薄膜トランジスター素子のしきい値電圧とエススロップ（ｓ・ｓｌｏｐｅ）を現す。このグラフによれば、伝導性基板に正（＋）逆バイアスを印加した場合にはしきい値電圧が減少されて薄膜トランジスターの動作特性が弱化される。
【０１０７】
これと反対に、伝導性基板に負（−）電圧を印加した場合にしきい値電圧は増加される。
【０１０８】
また、伝導性基板に逆バイアス電圧の絶対値が大きいほどエススロップ（ｓ・ｓｌｏｐｅ）は増加される。例えば、伝導性基板に−１０Ｖの逆バイアス電圧を印加する場合に、しきい値電圧は−７．０Ｖである。一方、伝導性基板に１０Ｖの逆バイアス電圧を印加する場合に、しきい値電圧は−８．２Ｖである。
【０１０９】
また、伝導性基板に絶対値が５Ｖ（−５Ｖ、５Ｖ）である逆バイアス電圧が印加される場合、エススロップは１．２４Ｖ／ｄｅｃである。一方、伝導性基板に絶対値が１５Ｖ（−１５Ｖ、１５Ｖ）である逆バイアス電圧が印加される場合に、エススロップは１．３０Ｖ／ｄｅｃである。
【０１１０】
実験結果によれば、ＰＭＯＳ型薄膜トランジスターで伝導性基板に正（＋）逆バイアス電圧を印加する場合に比べ、負（−）逆バイアス電圧が印加される場合、しきい値電圧の動作特性がさらに向上する。また、伝導性基板に絶対値が小さい逆バイアス電圧を印加する場合に比べ、絶対値が大きい逆バイアス電圧が印加される場合エススロップの動作特性がさらに向上する。
【０１１１】
前記実施形態では、ＰＭＯＳ型薄膜トランジスターで伝導性基板に正（＋）逆バイアス電圧を印加する場合を詳しく説明したが、ＮＭＯＳ型薄膜トランジスターで伝導性基板に負（−）逆バイアス電圧を印加することができることは勿論である。
【０１１２】
上述したように、本発明の技術思想は前記望ましい実施形態によって具体的に記述されたが、上記実施形態はその説明のためのもので、その制限のためではない。また、本発明の技術分野の通常の専門家であれば、本発明の技術思想の範囲内で多様な変形が可能であることを理解することができるであろう。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】従来の技術による薄膜トランジスターの逆バイアス印加によるドレイン電流の特性変化を表したグラフである。
【図２】本発明の第１実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【図３】図２の接地部が形成される位置を図示した平面図である。
【図４】図２の接地部が形成される位置を図示した他の平面図である。
【図５】本発明の第２実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【図６】本発明の第３実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【図７】本発明の第４実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【図８】本発明の第５実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【図９】本発明の他の側面の第１実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【図１０】図９のシステム制御部と連結される位置を図示した有機発光表示装置の概略的な平面図である。
【図１１】図９のシステム制御部と連結される位置を図示した他の有機発光表示装置の概略的な平面図である。
【図１２】本発明の他の側面の第２実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【図１３】本発明の他の側面の第３実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【図１４】本発明の他の側面の第４実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【図１５】本発明の他の側面の第５実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【図１６】本発明の他の側面による薄膜トランジスターの特性を表したグラフである。
【図１７】本発明の他の側面による薄膜トランジスターの特性を表したグラフである。
【符号の説明】
【０１１４】
２１、３１、１１０、２１０…基板、
２３、２４…接地部、
１０１…基板露出部、
２５、１２０…第１絶縁層、
２６、１３０…半導体層、
２７、１４０…第２絶縁層、
２８、１５０…ゲート電極、
２９、１６０…第３絶縁層、
３０ａ、３０ｂ、１６０ａ、１６０ｂ…ソース／ドレイン電極、
２４、１０２…連結配線、
１０４…システム制御部、
１０４…コントローラー。
【技術分野】
【０００１】
本発明は平板表示装置及びその駆動方法に関し、より具体的には、基板に偶然に印加される電圧、静電気及び外力による薄膜トランジスターの特性低下を防止することができる平板表示装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、伝導性基板、特に、ステンレススチール（ＳＵＳ）、またはチタンなどを利用して形成された伝導性薄膜上に薄膜トランジスターを具現するためには、伝導性薄膜と薄膜トランジスターの間に絶縁可能な層であるバッファー層が必要である。このように、バッファー層が具備された伝導性薄膜上に形成された薄膜トランジスター（ＳＯＩ：ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）は、類似の電気的及び構造的特性を持つようになる。
【０００３】
この時、薄膜トランジスターを構成する半導体層は、非晶質シリコン層を低温加熱して結晶化するか、エキシマレーザー結晶化（ＥＬＡ： Ｅｘｉｍｅｒ Ｌａｓｅｒ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）したポリシリコン（ＬＴＰＳ：ｌｏｗ ｔｅｍｐａｒａｔｕｒｅ ｐｏｌｙ ｓｉｌｉｃｏｎ）を利用する。
【０００４】
しかし、低温ポリシリコンを利用して形成された半導体層を具備した薄膜トランジスターが形成された伝導性基板に外力が作用する時、薄膜トランジスターの素子特性が低下されることがあり得る。より具体的には、伝導性基板に引っ張り応力（ｔｅｎｓｉｌｅ）が印加されれば薄膜トランジスターのドレイン電流量が増加し、伝導性基板に圧縮応力（ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｖｅ ｓｔｒｅｓｓ）が印加されれば薄膜トランジスターのドレイン電流量が減少する。
【０００５】
このように、伝導性基板を曲げる時に発生する引っ張り応力または圧縮応力によって薄膜トランジスターのドレイン電流量が変化することで、平板表示装置の素子特性、漏洩電流と移動度、画素の明るさ、対比比などが変化される。これによって、ディスプレイの性能が低下されるという問題点を持つ。
【０００６】
また、従来の薄膜トランジスター基板の構造において、伝導性基板に意図しない電圧が印加されたり静電気などによって伝導性薄膜に予想できない電荷が蓄積されたような場合には、薄膜トランジスターの初期設計の時に提案されたしきい値電圧が基準設計値と異なって変化するため、回路のチューニングがうまくできなくなるという問題点を持っている。
【０００７】
以下では図面を参照して従来の技術による薄膜トランジスターの逆バイアス印加によるドレイン電流の特性変化を具体的に説明する。
【０００８】
図１は、従来の技術による薄膜トランジスターの逆バイアス印加によるドレイン電流の特性変化を現すグラフである。
【０００９】
図１を参照すれば、Ｘ軸は薄膜トランジスターに印加される逆バイアス電圧を現し、Ｙ軸は薄膜トランジスターに印加される逆バイエスによるドレイン電流の変化を現す。
【００１０】
このグラフに現れたところによれば、伝導性基板に印加される逆バイアス電圧が大きくなるほどしきい値電圧の移動量（ｓｈｉｆｔ）が増加されるということが分かる。
【００１１】
このように、薄膜トランジスター基板のしきい値電圧が基準設計値と違うように変化する場合には、薄膜トランジスターを利用したディスプレイ上に表示される各色相をＸ、Ｙ値で表示した色座標、階調及び明暗などが変化し得るという問題点を持つ。
【００１２】
一方、従来の平板表示装置及びその駆動方法に関する技術を記載した文献としては、下記特許文献１ないし４がある。
【特許文献１】特開２００４−２４６３５１号公報
【特許文献２】特開２００４−２１４２８１号公報
【特許文献３】特開２００４−０４８００５号公報
【特許文献４】特開２００４−２８００３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、前記従来の問題点を解消するために導出された発明であり、その目的は、伝導性基板に外力が加わって発生してしまう薄膜トランジスターの特性低下を防止することができる基板を用いて偶然に印加される電圧や静電気などによって起こるしきい値電圧の変動を防止することができる平板表示装置及びその駆動方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記目的を果たすために、本発明の一側面によれば、本発明の平板表示装置は伝導性基板と、前記伝導性基板上に形成される少なくとも一つの絶縁層と、前記伝導性基板上に形成される少なくとも一つの薄膜トランジスターと、前記伝導性基板の少なくとも一領域に形成されて、前記伝導性基板を接地させる接地部を含む。
【００１５】
本発明の他の側面によれば、本発明の平板表示装置は伝導性基板と、前記伝導性基板上に形成される少なくとも一つの薄膜トランジスターと、前記伝導性基板上に形成される少なくとも一つの絶縁層と、前記絶縁層の中で少なくとも一層をとり除いて前記伝導性基板の少なくとも一領域を露出させる基板露出部と、前記基板露出部に連結されて前記伝導性基板に逆バイアス電圧を印加するシステム制御部を含む。
【発明の効果】
【００１６】
以上説明したように、本発明によれば、伝導性基板に外力が加えられた場合に発生する薄膜トランジスターの特性低下を防止することができ、基板に偶然に印加される電圧と静電気などによってしきい値電圧の変動を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下では、本発明の実施形態を図面を参照てして具体的に説明する。
【００１８】
図２は本発明の第１実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【００１９】
図２を参照すれば、平板表示装置２０は、伝導性基板２１、第１絶縁層２５、半導体層２６、第２絶縁層２７、ゲート電極２８、第３絶縁層２９及びソース／ドレイン電極２９ａ、２９ｂを含む。
【００２０】
また、平板表示装置２０は伝導性基板２１の下面に形成される第４絶縁層２２と、少なくとも部分的に伝導性基板２１を露出させるように第１、第３及び第４絶縁層２５、２９、２２の中で少なくとも一層の一領域をとり除いて形成された接地部２３と、金属配線２４をさらに含む。
【００２１】
具体的には、第１絶縁層２５は伝導性基板２１上に形成され、バッファー層の役割を遂行する。この時、伝導性基板２１はステンレススチール（ＳＵＳ）またはチタンなどを利用して形成されるが、フレキシブルな薄膜形態に形成されることが一番望ましい。
【００２２】
半導体層２６は第１絶縁層２５上に形成され、この半導体層２６は伝導性基板２１上に蒸着された非晶質シリコンをレーザーなどを利用して結晶化したポリシリコンを利用する。
【００２３】
半導体層２６はシリコン及び有機物質などに形成されることができる。半導体層２６上には第２絶縁層２７が形成され、第２絶縁層２７上にはゲート電極２８が形成される。
【００２４】
本実施形態では第２絶縁層２７とゲート電極２８が同時にパターニングされることで、図示するように、ゲート電極２８と第２絶縁層２７がゲート領域として半導体層２６のチャンネル領域（図示せず）上部に形成されることになる。
【００２５】
第３絶縁層２９は第１絶縁層２５とゲート電極２８上に形成され、第３絶縁層２９には複数のコンタクトホール（図示せず）が形成される。
【００２６】
ソースまたはドレイン電極２９ａ、２９ｂは第３絶縁層２９上に形成され、第３絶縁層２９に形成されたコンタクトホールを通じて半導体層２６と電気的に連結されるように形成される。
【００２７】
第４絶縁層２２は伝導性基板２１の下面に形成され、外部から印加されるノイズ及び不純物などが伝導性基板２１側に流入されることを防止することができる。第１ないし第４絶縁層２５、２７、２９、２２は酸化膜または窒化膜などで形成されるが、これに制限されない。
【００２８】
一方、接地部２３は伝導性基板２１の下面に形成された第４絶縁層２２の一領域を部分的に取り除くことで形成され、その形成位置は制限されない。また、接地部２３には金属配線２４が連結されるが、接地部２３に金属配線２４を連結することで、伝導性基板２１に意図しない電圧または静電気などによって発生された充電された電荷を外部に排出することができる。
【００２９】
この金属配線２４は、たとえば金、銀、アルミニウム、銅などの伝導性を有する金属、及びさまざまな伝導性の合金を使用することができる。金属配線２４は多様な方法、たとえば、半田付け工程を通じて接地部２３に連結される。また、金属配線２４は所定幅を持つ帯形状またはライン形状などで形成されるが、これらに制限されない。
【００３０】
図３は、図２の接地部が形成される位置を図した平面図であり、図４は図２の接地部が形成される位置を図した他の平面図である。
【００３１】
図３及び図４を参照すれば、本有機発光表示装置８０は伝導性基板２１上に形成された画像表示領域８１とパッド部８２、及び接地部２３を含む。
【００３２】
一般に、画像表示領域８１には薄膜トランジスター（図示せず）及び発光素子（図示せず）などが形成されており、パッド部８２には端子部（図示せず）などが形成されている。発光素子（図示せず）は有機発光素子であることが望ましい。説明の便宜上、薄膜トランジスター及び発光素子に対する詳細な開示及びそれに対する具体的な説明は略する。
【００３３】
図３には伝導性基板２１の角領域に接地部２３が形成されるが、具体的にはパッド部８２上に形成されている。接地部２３には金属配線２４が連結されており、この金属配線２４は伝導性基板２１上に意図しない電圧または静電気などによって充電された電荷を外部に排出する。
【００３４】
前述した実施形態では接地部２３が伝導性基板２１の角領域や一側端部の中央領域に形成されているが、接地部２３の形成位置はこれに限定されない。ただし、画像表示領域８１に形成された発光素子の発光效率を落とさない位置に形成されることが望ましい。
【００３５】
図４には伝導性基板２１の一側端部の中央領域に形成されるが、具体的には画像表示領域８１の上端中央領域に形成されている。前述したように、接地部２３には金属配線２４が連結されており、この金属配線２４は伝導性基板２１上に意図しない電圧または静電気などによって充電された電荷を外部に排出する。
【００３６】
図５は本発明の第２実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【００３７】
図５を参照すれば、平板表示装置３０は伝導性基板３１、第１絶縁層３５、半導体層３６、第２絶縁層３７、ゲート電極３８、第３絶縁層３９及びソース／ドレイン電極３９ａ、３９ｂを含む。
【００３８】
また、本平板表示装置３０は伝導性基板３１の下面に形成される第４絶縁層３２と、少なくとも部分的に伝導性基板３１を接地させる接地部３３と、金属配線３４をさらに含む。説明の重複を避けるため、前記第１実施形態と同じ構成要素である第１絶縁層３５、半導体層３６、第２絶縁層３７、ゲート電極３８、第３絶縁層３９、ソース／ドレイン電極３９ａ、３９ｂ、第４絶縁層３２及び金属配線３４に対する具体的な説明は略する。
【００３９】
一方、接地部３３は伝導性基板３１の上面に形成された第１、第３絶縁層３５、３９の同一領域を部分的に取り除くことで形成され、その形成位置には制限を受けない。接地部３３には金属配線３４が連結されるが、接地部３３に金属配線３４を連結することで、伝導性基板３１に意図しない電圧または静電気などによって充電された電荷を外部に排出することができる。
【００４０】
図６は、本発明の第３実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【００４１】
図６を参照すれば、平板表示装置４０は伝導性基板４１、第１絶縁層４６、半導体層４７、第２絶縁層４８、ゲート電極４９、第３絶縁層５０及びソース／ドレイン電極５１ａ、５１ｂを含む。また、本平板表示装置５０は伝導性基板４１の下面に形成される第４絶縁層４２と、少なくとも部分的に伝導性基板４１を接地させる第１接地部４３と第２接地部４４、金属配線４５をさらに含む。説明の便宜上、前記実施形態と同じ構成要素の具体的な説明は略する。
【００４２】
本発明の特徴的な構成要素である第１接地部４３と第２接地部４４は伝導性基板４１の上面に形成された第１、第３及び第４絶縁層４６、５０、４２の一領域を部分的に取り除くことで形成されるが、その形成位置には制限を受けない。
【００４３】
第１接地部４３または第２接地部４４には金属配線４５が連結されるが、本実施形態では第１接地部４３に金属配線４５を連結することで、伝導性基板４１に意図しない電圧または静電気などによって充電された電荷を外部に排出することができる。本実施形態では金属配線４５を第１接地部４３に形成したが、金属配線４５を第２接地部４４に連結することができることは勿論である。
【００４４】
図７は本発明の第４実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【００４５】
図７を参照すれば、平板表示装置６０は伝導性基板６１、第１絶縁層６４、半導体層６５、第２絶縁層６６、ゲート電極６７、第３絶縁層６８及びソース／ドレイン電極６９ａ、６９ｂを含む。また、本平板表示装置６０は少なくとも部分的に伝導性基板６１を接地させる接地部６２と、金属配線６３をさらに含む。説明の便宜上、前記実施形態と同じ構成要素の具体的な説明は略する。
【００４６】
一方、接地部６２は伝導性基板６１の上面に形成された第１、第３絶縁層６４、６８の同一領域を部分的に取り除くことで形成され、その形成位置には制限を受けない。
【００４７】
接地部６２には金属配線６３が連結されるが、接地部６２に金属配線６３を連結することで、伝導性基板６１に意図しない電圧または静電気などによって充電された電荷を外部に排出することができる。
【００４８】
図８を参照すれば、平板表示装置７０は伝導性基板７１、ゲート電極７２、ゲート絶縁層７３、半導体層７６、ソース／ドレイン電極７７ａ、７７ｂを含む。また、本平板表示装置７０は少なくとも部分的に伝導性基板７１を接地させる接地部７４と金属配線７５をさらに含む。説明の便宜上、前記実施形態と同じ構成要素の具体的な説明は略する。
【００４９】
平板表示装置７０の構造を簡単に説明すれば、伝導性基板７１上にはゲート電極７２が形成される。ゲート電極７２と伝導性基板７１上にはゲート絶縁層７３が形成され、ゲート絶縁層７３上にはゲート電極７２が中央に位置するように半導体層７６が形成される。半導体層７６上にはゲート電極７２と対応する部分を除いた部分にソース／ドレイン電極７７ａ、７７ｂが形成される。
【００５０】
一方、接地部７４は伝導性基板７１の上面に形成されたゲート絶縁層７３の一領域を部分的に取り除くことで形成され、その形成位置には制限を受けない。
【００５１】
接地部７４には金属配線７５が連結されるが、接地部７４に金属配線７５を連結することで、伝導性基板７１に意図しない電圧または静電気などによって充電された電荷を外部に排出することができる。
【００５２】
図９は本発明の他の側面による第１実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【００５３】
図９を参照すれば、平板表示装置１００は薄膜トランジスター１８０、基板露出部１０１、第１絶縁層１２０、第２絶縁層１４０、第３絶縁層１６０、システム制御部１０３及びコントローラー１０４を含む。薄膜トランジスター１８０は伝導性基板１１０上に形成され、半導体層１３０、ゲート電極１５０、ソース／ドレイン電極１７０ａ、１７０ｂを含む。
【００５４】
基板露出部１０１は伝導性基板１１０を少なくとも部分的に露出させるために第１及び第３ 絶縁層１２０、１６０の一領域をとり除いて形成される。
【００５５】
システム制御部１０３は伝導性基板１１０に逆バイアス電圧を印加するために形成され、 システム制御部１０３と基板露出部１０１を電気的に連結するためにはこれらの間に連結配線１０２が形成される。
【００５６】
具体的には、薄膜トランジスター１８０の第１絶縁層１２０は伝導性基板１１０上に形成され、 バッファー層の役割を遂行する。この時、伝導性基板１１０はステンレススチールまたはチタンなどを利用して形成されるが、フレキシブル可能な薄膜形態に形成されることが一番望ましい。
【００５７】
半導体層１３０は第１絶縁層１２０上に形成され、この半導体層１３０は伝導性基板１００上に蒸着された非晶質シリコンをレーザーなどを利用して結晶化したポリシリコンを利用する。また、半導体層１３０はシリコン及び有機物質などで形成されることができる。
【００５８】
半導体層１３０上には第２絶縁層１４０が形成され、第２絶縁層１４０上にはゲート電極１５０が形成される。本実施形態では第２絶縁層１４０とゲート電極１５０が同時にパターニングされることができ、図示されたように、ゲート電極１５０と第２絶縁層１４０は半導体層１３０のチャンネル領域上部に形成されることができる。
【００５９】
第３絶縁層１６０は第１絶縁層１２０とゲート電極１５０上に形成され、第３絶縁層１６０には複数のコンタクトホール（図示せず）が形成される。ソースまたはドレイン電極１７０ａ、１７０ｂは第３絶縁層１６０に形成されたコンタクトホールを通じて半導体層１３０と電気的に連結されるように第３絶縁層１６０上に形成される。第１ないし第３絶縁層１２０、１４０、１６０は酸化膜または窒化膜などで形成されるが、これらに制限されない。
【００６０】
基板露出部１０１は伝導性基板１１０を露出させるために第１及び３絶縁層１２０、１６０の一領域をとり除いて形成されるが、その形成位置には制限を受けない。
【００６１】
一方、伝導性基板１１０には基板露出部１０１に連結されたシステム制御部１０３が形成される。システム制御部１０３は伝導性基板１１０上に形成された薄膜トランジスター１８０がＰＭＯＳ型の場合、負（−）逆バイアス電圧を印加し、ＮＭＯＳ型薄膜トランジスター１８０の場合、正（＋）逆バイアス電圧を印加する。
【００６２】
システム制御部１０３は伝導性基板１１０に印加される逆バイアス電圧を調節することができるコントローラー１０４を含む。コントローラー１０４は伝導性基板１１０に印加される逆バイアス（ｂａｃｋ ｂｉａｓ）電圧、特に、ＰＭＯＳ薄膜トランジスター１８０の場合、負（−）逆バイアス電圧を調節することができ、ＮＭＯＳ薄膜トランジスター１８０の場合、特に、正（＋）逆バイアス電圧を調節することができ、これによって、伝導性基板１１０に外力が作用する時発生する応力による薄膜トランジスター１８０の素子特性などを調節することができる。
【００６３】
より具体的には、薄膜トランジスターの１８０の移動度、漏洩電流、しきい値電圧及びエススロップなどを調節することができる。
【００６４】
基板露出部１０１とシステム制御部１０３の間にはこれらを電気的に連結する連結配線１７０が形成される。連結配線１０２は多様な方法（例えば、半田付け工程）を通じて基板露出部１０１とシステム制御部１０３を連結する。連結配線１０２は所定幅を持つ帯形状、ライン形状及びワイヤなどで形成されるが、これらに制限されない。
【００６５】
図１０は図９のシステム制御部と連結される位置を示した有機発光表示装置の概略的な平面図であり、図１１は図９のシステム制御部と連結される位置を示した他の有機発光表示装置の概略的な平面図である。
【００６６】
図１０及び図１１を参照すれば、本平板表示装置６００は伝導性基板１１０上に形成された画像表示領域６１０とパッド部６２０、基板露出部１０１、システム制御部１０３、コントローラー１０４及び連結配線１０２を含む。
【００６７】
一般に、画像表示領域６１０には薄膜トランジスター（図示せず）及び発光素子（図示せず）などが形成されており、パッド部６２０には端子部などが形成されている。発光素子（図示せず）は有機発光素子であることが望ましい。説明の便宜上、薄膜トランジスター及び発光素子に対する詳細的な開示及びそれに対する具体的な説明は略する。
【００６８】
図１０には伝導性基板１１０の角領域に逆バイアス電圧、特に、ＰＭＯＳ型薄膜トランジスターの場合、負（−）逆バイアス電圧、ＮＭＯＳ型薄膜トランジスターの場合、正（＋）逆バイアス電圧を印加するための基板露出部１０１に連結されるシステム制御部１０３が形成され、基板露出部１０１は形成位置に制限を受けない。
【００６９】
システム制御部１０３は伝導性基板１１０に印加される逆バイアス電圧を調節することができるコントローラー１０４を含む。
【００７０】
コントローラー１０４は伝導性基板１１０に印加される逆バイアス電圧、特に、ＰＭＯＳ型薄膜トランジスターの場合、負（−）逆バイアス電圧、ＮＭＯＳ型薄膜トランジスターの場合、正（＋）逆バイアス電圧を調節することができ、これによって、伝導性基板１１０を曲げる時発生される応力による薄膜トランジスター素子特性などを制御することができる。基板露出部１０１とシステム制御部１０３の間にはこれらを電気的に連結する連結配線１０２が形成される。
【００７１】
図１１には伝導性基板１１０の一側端部の中央領域に形成されるが、具体的には画像表示領域６１０の上端中央領域に形成されている。前述したように、基板露出部１０１と連結されたシステム制御部１０３、システム制御部１０３と基板露出部１０１の間を電気的に連結する連結配線１０２が形成される。
【００７２】
システム制御部１０３には伝導性基板１１０に印加される逆バイアス電圧、特に、ＰＭＯＳ型薄膜トランジスターの場合、負（−）逆バイアス電圧、ＮＭＯＳ型薄膜トランジスターの場合、正（＋）逆バイアス電圧を調節することができるコントローラー１０４を含む。
【００７３】
伝導性基板１１０に印加される逆バイアス電圧を調節することができることによって、伝導性基板１１０に外力が作用する時発生される応力による薄膜トランジスター（図示せず）素子特性の低下を防止することができる。
【００７４】
前記実施形態ではシステム端子１０３が伝導性基板１１０の角領域や一側端部の中央領域に形成されているが、システム端子１０３の形成位置はこれに限定されず、ただし、画像表示領域６１０に形成された発光素子の発光效率を落とさない位置に形成されることが望ましい。
【００７５】
図１２は本発明の他の側面の第２実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【００７６】
図１２を参照すれば、平板表示装置２００は薄膜トランジスター２９０、基板露出部２０１、第１絶縁層２２０、第２絶縁層２５０、第３絶縁層２７０、第４絶縁層２３０、システム制御部２０３及びコントローラー２０４を含む。
【００７７】
薄膜トランジスター２９０は伝導性基板２１０上に形成され、半導体層２４０、ゲート電極２６０及びソース／ドレイン電極２８０ａ、２８０ｂを含む。また、本薄膜トランジスター２９０は伝導性基板２１０の下面に形成される第４絶縁層２３０及び連結配線２０２をさらに含む。
【００７８】
第４絶縁層２３０は伝導性基板２１０の下面に形成されるが、外部から印加されるノイズ及び不純物などが伝導性基板２１０に流入されることを防止することができる。説明の重複を避けるために、前記第１実施形態と同じ構成要素である第１絶縁層２２０、半導体層２４０、第２絶縁層２５０、ゲート電極２６０、第３絶縁層２７０、ソース／ドレイン電極２８０ａ、２８０ｂ及び連結配線２０２に対する具体的な説明は略する。
【００７９】
基板露出部２０１は伝導性基板２１０を少なくとも部分的に露出させるために第１及び第３絶縁層２２０、２７０の一領域をとり除いて形成されるが、その形成位置には制限を受けない。
【００８０】
一方、伝導性基板２１０には基板露出部２０１と連結されたシステム制御部２０３が形成される。システム制御部２０３は伝導性基板２１０上に形成された薄膜トランジスター２９０がＰＭＯＳ型の場合、負（−）逆バイアス電圧を印加し、ＮＭＯＳ型薄膜トランジスター２９０の場合、正（＋）逆バイアス電圧を印加する。
【００８１】
システム制御部２０３は伝導性基板２１０に印加される逆バイアス電圧を調節することができるコントローラー２０４を含む。コントローラー２０４は伝導性基板２１０に印加される逆バイアス電圧、特に、ＰＭＯＳ型薄膜トランジスター２９０の場合、負（−）逆バイアス電圧を調節することができ、ＮＭＯＳ型薄膜トランジスター２９０の場合、正（＋）逆バイアス電圧を調節することができ、これによって、伝導性基板２１０に外力が作用する時発生する応力による薄膜トランジスター２９０の素子特性などを調節することができる。より具体的には、薄膜トランジスターの２９０の移動度、漏洩電流、しきい値電圧及びエススロップなどを調節することができる。また、基板露出部２０１とシステム制御部２０３の間にはこれらを電気的に連結する連結配線２０２が形成される。
【００８２】
図１３は本発明の他の側面の第３実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【００８３】
図１３を参照すれば、平板表示装置３００は薄膜トランジスター３９０、基板露出部３０１、第１絶縁層３３０、第２絶縁層３５０、第３絶縁層３２０、第４絶縁層３２０、システム制御部３０３及びコントローラー３０４を含む。
【００８４】
薄膜トランジスター３９０は伝導性基板３１０上に形成され、半導体層３４０、ゲート電極３６０及びソース／ドレイン電極３８０ａ、３８０ｂを含む。また、本薄膜トランジスター３９０は伝導性基板３１０の下面に形成される第４絶縁層３７０及び連結配線３０２をさらに含む。説明の便宜上、前記実施形態と同じ構成要素の具体的な説明は略する。
【００８５】
基板露出部３０１は伝導性基板３１０を少なくとも部分的に露出させるために第１及び第３絶縁層３３０、３７０の一領域をとり除いて形成され、その形成位置には制限を受けない。
【００８６】
一方、伝導性基板３１０には基板露出部３０１と連結されたシステム制御部３０３が形成される。システム制御部３０３は伝導性基板３１０上に形成された薄膜トランジスター３９０がＰＭＯＳ型の場合、負（−）逆バイアス電圧を印加し、ＮＭＯＳ型薄膜トランジスター３９０の場合、正（＋）逆バイアス電圧を印加する。
【００８７】
システム制御部３０３は伝導性基板３１０に印加される逆バイアス電圧を調節することができるコントローラー３０３を含む。コントローラー３０４は伝導性基板３１０に印加される逆バイアス電圧、特に、ＰＭＯＳ型薄膜トランジスター３９０の場合、負（−）逆バイアス電圧を調節することができ、ＮＭＯＳ型薄膜トランジスター３９０の場合、正（＋）逆バイアス電圧を調節することができ、これによって、伝導性基板３１０に外力が作用する時発生する応力による薄膜トランジスター３９０の素子特性などを制御することができる。より具体的には、薄膜トランジスターの３９０の移動度、漏洩電流、しきい値電圧、エススロップなどを調節することができる。また、基板露出部３０１とシステム制御部３０３の間にはこれらを電気的に連結する連結配線３０２が形成される。
【００８８】
図１４は本発明の他の側面の第４実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【００８９】
図１４を参照すれば、平板表示装置４００は薄膜トランジスター４９０、第１基板露出部４０１、第２基板露出部４０２、第１絶縁層４２０、第２絶縁層４５０、第３絶縁層４７０、システム制御部４０４及びコントローラー４０５を含む。
【００９０】
薄膜トランジスター４９０は可撓性を持つ伝導性基板４１０上に形成されて半導体層４４０、ゲート電極４６０及びソース／ドレイン電極４８０ａ、４８０ｂを含む。また、本薄膜トランジスター４９０は可撓性を持つ伝導性基板４１０の下面に形成される第４絶縁層４３０及び連結配線４０３をさらに含む。説明の便宜上、前記実施形態と同じ構成要素の具体的な説明は略する。
【００９１】
第１基板露出部４０１と第２基板露出部４０２は伝導性基板４１０を少なくとも部分的に露出させるために第１、３、及び４絶縁層４２０、４７０、４３０の一領域をとり除いて形成され、その形成位置には制限を受けない。
【００９２】
一方、伝導性基板４１０には基板露出部４０１と連結されたシステム制御部４０４が形成される。システム制御部４０４は伝導性基板４１０上に形成された薄膜トランジスター４９０がＰＭＯＳ型の場合、負（−）逆バイアス電圧を印加し、ＮＭＯＳ型薄膜トランジスター４９０の場合、正（＋）逆バイアス電圧を印加する。
【００９３】
システム制御部４０４は伝導性基板４１０に印加される逆バイアス電圧を調節することができるコントローラー４０５を含む。コントローラー４０５は伝導性基板４１０に印加される逆バイアス電圧、特に、ＰＭＯＳ型薄膜トランジスター４９０の場合、負（−）逆バイアス電圧を調節することができ、ＮＭＯＳ型薄膜トランジスター４９０の場合、正（＋）逆バイアス電圧を調節することができ、これによって、伝導性基板４１０に外力が作用する時発生する応力による薄膜トランジスター４９０素子特性などを調節することができる。より具体的に、薄膜トランジスターの４９０の移動度、漏洩電流、しきい値電圧、エススロップなどを調節することができる。また、基板露出部４０１とシステム制御部４０４の間にはこれらを電気的に連結する連結配線４０３が形成される。
【００９４】
本実施形態では連結配線４０３を第１基板露出部４０１に形成したが、連結配線４０３を第２基板露出部４０２に連結できることは勿論である。
【００９５】
図１５は本発明の他の側面の第５実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【００９６】
図１５を参照すれば、平板表示装置５００は薄膜トランジスター５６０、基板露出部５０１、システム制御部５０３及びコントローラー５０４を含む。薄膜トランジスター５６０はゲート電極５２０、半導体層５４０、及びソース／ドレイン電極５５０ａ、５５０ｂを含む。また、本薄膜トランジスター５６０は伝導性基板５１０に連結配線５０２をさらに含む。説明の重複を避けるため、前記第１実施形態と同じ構成要素であるゲート電極５２０、半導体層５４０、ソース及びドレイン電極５５０ａ、５５０ｂ、及び連結配線５０２に対する具体的な説明は略する。
【００９７】
基板露出部５０１は伝導性基板５１０を少なくとも部分的に露出させるためにゲート絶縁層５３０の一領域をとり除いて形成され、その形成位置には制限を受けない。
【００９８】
一方、伝導性基板５１０には基板露出部５０１と連結されたシステム制御部５０３が形成される。
【００９９】
システム制御部５０３は伝導性基板５１０上に形成された薄膜トランジスター５６０がＰＭＯＳ型の場合、負（−）逆バイアス電圧を印加し、ＮＭＯＳ型薄膜トランジスター５６０の場合、正（＋）逆バイアス電圧を印加する。
【０１００】
システム制御部５０３は伝導性基板５１０に印加される逆バイアス電圧を調節することができるコントローラー５０４を含む。コントローラー５０４は伝導性基板５１０に印加される逆バイアス電圧、特に、ＰＭＯＳ型薄膜トランジスター５６０の場合、負（−）逆バイアス電圧を調節することができ、ＮＭＯＳ型薄膜トランジスター５６０の場合、正（＋）逆バイアス電圧を調節することができ、これによって、伝導性基板５１０に外力が作用する時発生する応力による薄膜トランジスター５６０の素子特性などを調節することができる。より具体的には、薄膜トランジスターの５６０の移動度、漏洩電流、しきい値電圧、エススロップなどを調節することができる。また、基板露出部５０１とシステム制御部５０４の間にはこれらを電気的に連結する連結配線５０２が形成される。
【０１０１】
図１６及び図１７は本発明の他の側面による薄膜トランジスターの特性を現したグラフである。
【０１０２】
図１６を参照すれば、Ｘ軸は伝導性基板に印加される逆バイアス電圧を現し、Ｙ軸は伝導性基板上に形成されたＰＭＯＳ型の低温ポリシリコン薄膜トランジスター素子の移動度と漏洩電流を現す。このグラフに現れたように、伝導性基板に正（−）逆バイアスを印加した場合には薄膜トランジスター素子の漏洩電流が増加され、移動度が減少されて薄膜トランジスターの動作特性が弱化される。
【０１０３】
これと反対に、伝導性基板に負（−）逆バイアス電圧を印加した場合に薄膜トランジスター素子の漏洩電流は減少され、移動度が増加されるので、動作特性が向上する。例えば、伝導性基板に−１０Ｖの逆バイアス電圧を印加する場合、漏洩電流は１．１×１０−１２Ａで、移動度は１２．１５ｃｍ２／Ｖｓｅｃである。
【０１０４】
一方、伝導性基板に１０Ｖの逆バイアス電圧を印加する場合、漏洩電流は１．３５×１０−１２Ａで、移動度は１１．９５ｃｍ２／Ｖｓｅｃである。そして、伝導性基板に−１５Ｖの負（−）逆バイアス電圧を印加する場合、漏洩電流は１．０×１０−１２Ａで、移動度は１２．２５ｃｍ２／Ｖｓｅｃである。
【０１０５】
実験結果によれば、ＰＭＯＳ型薄膜トランジスターの場合、伝導性基板に正（＋）逆バイアス電圧を印加する場合に比べて負（−）逆バイアス電圧を印加する場合が漏洩電流及び移動度の面で動作特性がさらに良い。特に、負（−）逆バイアス電圧が大きくなるほど動作特性がさらに向上する。
【０１０６】
図１７を参照すれば、Ｘ軸は伝導性基板上に印加される逆バイアス電圧を現し、Ｙ軸は伝導性基板上に形成されたＰＭＯＳ型低温ポリシリコン薄膜トランジスター素子のしきい値電圧とエススロップ（ｓ・ｓｌｏｐｅ）を現す。このグラフによれば、伝導性基板に正（＋）逆バイアスを印加した場合にはしきい値電圧が減少されて薄膜トランジスターの動作特性が弱化される。
【０１０７】
これと反対に、伝導性基板に負（−）電圧を印加した場合にしきい値電圧は増加される。
【０１０８】
また、伝導性基板に逆バイアス電圧の絶対値が大きいほどエススロップ（ｓ・ｓｌｏｐｅ）は増加される。例えば、伝導性基板に−１０Ｖの逆バイアス電圧を印加する場合に、しきい値電圧は−７．０Ｖである。一方、伝導性基板に１０Ｖの逆バイアス電圧を印加する場合に、しきい値電圧は−８．２Ｖである。
【０１０９】
また、伝導性基板に絶対値が５Ｖ（−５Ｖ、５Ｖ）である逆バイアス電圧が印加される場合、エススロップは１．２４Ｖ／ｄｅｃである。一方、伝導性基板に絶対値が１５Ｖ（−１５Ｖ、１５Ｖ）である逆バイアス電圧が印加される場合に、エススロップは１．３０Ｖ／ｄｅｃである。
【０１１０】
実験結果によれば、ＰＭＯＳ型薄膜トランジスターで伝導性基板に正（＋）逆バイアス電圧を印加する場合に比べ、負（−）逆バイアス電圧が印加される場合、しきい値電圧の動作特性がさらに向上する。また、伝導性基板に絶対値が小さい逆バイアス電圧を印加する場合に比べ、絶対値が大きい逆バイアス電圧が印加される場合エススロップの動作特性がさらに向上する。
【０１１１】
前記実施形態では、ＰＭＯＳ型薄膜トランジスターで伝導性基板に正（＋）逆バイアス電圧を印加する場合を詳しく説明したが、ＮＭＯＳ型薄膜トランジスターで伝導性基板に負（−）逆バイアス電圧を印加することができることは勿論である。
【０１１２】
上述したように、本発明の技術思想は前記望ましい実施形態によって具体的に記述されたが、上記実施形態はその説明のためのもので、その制限のためではない。また、本発明の技術分野の通常の専門家であれば、本発明の技術思想の範囲内で多様な変形が可能であることを理解することができるであろう。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】従来の技術による薄膜トランジスターの逆バイアス印加によるドレイン電流の特性変化を表したグラフである。
【図２】本発明の第１実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【図３】図２の接地部が形成される位置を図示した平面図である。
【図４】図２の接地部が形成される位置を図示した他の平面図である。
【図５】本発明の第２実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【図６】本発明の第３実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【図７】本発明の第４実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【図８】本発明の第５実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【図９】本発明の他の側面の第１実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【図１０】図９のシステム制御部と連結される位置を図示した有機発光表示装置の概略的な平面図である。
【図１１】図９のシステム制御部と連結される位置を図示した他の有機発光表示装置の概略的な平面図である。
【図１２】本発明の他の側面の第２実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【図１３】本発明の他の側面の第３実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【図１４】本発明の他の側面の第４実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【図１５】本発明の他の側面の第５実施形態による平板表示装置の概略的な側断面図である。
【図１６】本発明の他の側面による薄膜トランジスターの特性を表したグラフである。
【図１７】本発明の他の側面による薄膜トランジスターの特性を表したグラフである。
【符号の説明】
【０１１４】
２１、３１、１１０、２１０…基板、
２３、２４…接地部、
１０１…基板露出部、
２５、１２０…第１絶縁層、
２６、１３０…半導体層、
２７、１４０…第２絶縁層、
２８、１５０…ゲート電極、
２９、１６０…第３絶縁層、
３０ａ、３０ｂ、１６０ａ、１６０ｂ…ソース／ドレイン電極、
２４、１０２…連結配線、
１０４…システム制御部、
１０４…コントローラー。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
伝導性基板と、
前記伝導性基板上に形成される少なくとも一つの絶縁層と、
前記伝導性基板上に形成される少なくとも一つの薄膜トランジスターと、
前記伝導性基板の少なくとも一領域に形成され、前記伝導性基板を接地させる接地部を含むことを特徴とするの平板表示装置。
【請求項２】
前記基板下面に形成される絶縁層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項３】
前記接地部は、
前記絶縁層の少なくとも一層の一領域を取り除くことで形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の平板表示装置。
【請求項４】
前記接地部には、
金属配線が連結されることを特徴とする請求項３に記載の平板表示装置。
【請求項５】
前記金属配線は、
金、銀、アルミニウム、銅のような伝導性または伝導性合金で形成されることを特徴とする請求項４に記載の平板表示装置。
【請求項６】
前記伝導性基板は、
ステンレス、メタルホイルまたはチタンで形成されることを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項７】
前記薄膜トランジスター上に形成され、
前記薄膜トランジスターと電気的に連結される発光素子を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
伝導性基板と、
前記伝導性基板上に形成される少なくとも一つの薄膜トランジスターと、
前記伝導性基板上に形成される少なくとも一つの絶縁層と、
前記絶縁層の中で少なくとも一層をとり除いて前記伝導性基板の少なくとも一領域を露出させる基板露出部と、
前記基板露出部に連結されて前記伝導性基板に逆バイアス電圧を印加するシステム制御部を含むことを特徴とする平板表示装置。
【請求項９】
前記基板下面に形成される絶縁層をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の平板表示装置。
【請求項１０】
前記基板露出部は、
前記絶縁層の少なくとも一層の一領域を取り除くことで形成されることを特徴とする請求項８または９に記載の平板表示装置。
【請求項１１】
前記システム制御部は、
前記伝導性基板に印加される前記逆バイアス電圧を調節するコントローラーを含むことを特徴とする請求項８に記載の平板表示装置。
【請求項１２】
前記伝導性基板は、
ステンレスまたはチタンで形成されることを特徴とする請求項８に記載の平板表示装置。
【請求項１３】
伝導性基板上に形成された薄膜トランジスターと、
前記伝導性基板上に形成された絶縁層の中で少なくとも一層の一領域をとり除いて形成された基板露出部と、
前記基板露出部に連結されるシステム制御部を含む平板表示装置の駆動方法において、
前記基板露出部を通じて前記システム制御部から提供される逆バイアス電圧を前記伝導性基板に印加する段階を含むことを特徴とする平板表示装置の駆動方法。
【請求項１４】
前記逆バイアス電圧を印加する段階において、
前記薄膜トランジスターがＰＭＯＳトランジスターの場合は負（−）の逆バイアス電圧を印加し、
前記薄膜トランジスターがＮＭＯＳトランジスターの場合は正（＋）の逆バイアス電圧を印加することを特徴とする請求項１３に記載の平板表示装置の駆動方法。
【請求項１５】
前記逆バイアスの絶対値範囲は、
０Ｖないし１５Ｖであることを特徴とする請求項１４に記載の平板表示装置の駆動方法。
【請求項１】
伝導性基板と、
前記伝導性基板上に形成される少なくとも一つの絶縁層と、
前記伝導性基板上に形成される少なくとも一つの薄膜トランジスターと、
前記伝導性基板の少なくとも一領域に形成され、前記伝導性基板を接地させる接地部を含むことを特徴とするの平板表示装置。
【請求項２】
前記基板下面に形成される絶縁層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項３】
前記接地部は、
前記絶縁層の少なくとも一層の一領域を取り除くことで形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の平板表示装置。
【請求項４】
前記接地部には、
金属配線が連結されることを特徴とする請求項３に記載の平板表示装置。
【請求項５】
前記金属配線は、
金、銀、アルミニウム、銅のような伝導性または伝導性合金で形成されることを特徴とする請求項４に記載の平板表示装置。
【請求項６】
前記伝導性基板は、
ステンレス、メタルホイルまたはチタンで形成されることを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項７】
前記薄膜トランジスター上に形成され、
前記薄膜トランジスターと電気的に連結される発光素子を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
伝導性基板と、
前記伝導性基板上に形成される少なくとも一つの薄膜トランジスターと、
前記伝導性基板上に形成される少なくとも一つの絶縁層と、
前記絶縁層の中で少なくとも一層をとり除いて前記伝導性基板の少なくとも一領域を露出させる基板露出部と、
前記基板露出部に連結されて前記伝導性基板に逆バイアス電圧を印加するシステム制御部を含むことを特徴とする平板表示装置。
【請求項９】
前記基板下面に形成される絶縁層をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の平板表示装置。
【請求項１０】
前記基板露出部は、
前記絶縁層の少なくとも一層の一領域を取り除くことで形成されることを特徴とする請求項８または９に記載の平板表示装置。
【請求項１１】
前記システム制御部は、
前記伝導性基板に印加される前記逆バイアス電圧を調節するコントローラーを含むことを特徴とする請求項８に記載の平板表示装置。
【請求項１２】
前記伝導性基板は、
ステンレスまたはチタンで形成されることを特徴とする請求項８に記載の平板表示装置。
【請求項１３】
伝導性基板上に形成された薄膜トランジスターと、
前記伝導性基板上に形成された絶縁層の中で少なくとも一層の一領域をとり除いて形成された基板露出部と、
前記基板露出部に連結されるシステム制御部を含む平板表示装置の駆動方法において、
前記基板露出部を通じて前記システム制御部から提供される逆バイアス電圧を前記伝導性基板に印加する段階を含むことを特徴とする平板表示装置の駆動方法。
【請求項１４】
前記逆バイアス電圧を印加する段階において、
前記薄膜トランジスターがＰＭＯＳトランジスターの場合は負（−）の逆バイアス電圧を印加し、
前記薄膜トランジスターがＮＭＯＳトランジスターの場合は正（＋）の逆バイアス電圧を印加することを特徴とする請求項１３に記載の平板表示装置の駆動方法。
【請求項１５】
前記逆バイアスの絶対値範囲は、
０Ｖないし１５Ｖであることを特徴とする請求項１４に記載の平板表示装置の駆動方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２００７−１１２５６（Ｐ２００７−１１２５６Ａ）
【公開日】平成１９年１月１８日（２００７．１．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−３３９５１０（Ｐ２００５−３３９５１０）
【出願日】平成１７年１１月２４日（２００５．１１．２４）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１月１８日（２００７．１．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１１月２４日（２００５．１１．２４）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
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