熱板及びその製造方法
【課題】ヒータの発熱量のバラツキをなくし、被処理基板の面内温度の均一性を向上させた熱板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板を載置し該被処理基板を加熱するための熱板４１であって、基材となるシリコン基板４２と、シリコン基板の裏面に成膜された金属の電気抵抗体からなるヒータ４３と、シリコン基板の裏面又は表面に成膜された金属の電気抵抗体からなる温度センサ４７と、被処理基板を下方から支えて熱板の上に昇降するための支持ピンを挿通させるべくシリコン基板に設けられたピン孔４９と、シリコン基板４２の表面に形成され、熱板の上に載置される被処理基板との間に隙間を形成するためギャップ用突起５０とを備えた構成とする。
【解決手段】被処理基板を載置し該被処理基板を加熱するための熱板４１であって、基材となるシリコン基板４２と、シリコン基板の裏面に成膜された金属の電気抵抗体からなるヒータ４３と、シリコン基板の裏面又は表面に成膜された金属の電気抵抗体からなる温度センサ４７と、被処理基板を下方から支えて熱板の上に昇降するための支持ピンを挿通させるべくシリコン基板に設けられたピン孔４９と、シリコン基板４２の表面に形成され、熱板の上に載置される被処理基板との間に隙間を形成するためギャップ用突起５０とを備えた構成とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ等の被処理基板を均一に加熱するための熱板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、デバイスが形成される半導体ウエハを加熱する処理が行われる。例えばレジスト液塗布後の乾燥のための加熱処理を始めとして、露光後の加熱処理（ポストエスクポージャベーキング）、更には半導体ウエハ表面に所定の薄膜を形成する際のＣＶＤ処理においては、半導体ウエハを載置する載置台に加熱装置を設け、この加熱装置によって載置台上の半導体ウエハを所定温度まで加熱する処理が行われている。
【０００３】
例えば、特開平９−１８９６１３号公報（特許文献１）には、デバイスが形成されるシリコンウエハの上面にフォトレジストを塗布した後にこのシリコンウエハを加熱処理するベーキング装置において、被処理基板であるシリコンウエハを載置して加熱するための載置台として、内部に加熱するためのヒータを設けた熱板（ホットプレート）が示されている。
【０００４】
このような熱板つまり加熱装置付の載置台で半導体ウエハを加熱する場合、歩留まり向上のために、加熱による半導体ウエハの面内温度をなるべく均一にさせる必要がある。
【特許文献１】特開平９−１８９６１３号公報（図８）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来では、厚さ１０ｍｍ程度のアルミプレートや厚さ３ｍｍ程度のセラミックプレートなどの基材プレートに、電気抵抗体であるヒータを、シルクスクリーン法により印刷するか又は貼り付けることにより熱板を構成している。このため、基材プレートに設けたヒータに幅や厚さのバラツキがあることが避けられず、熱板面内におけるヒータの発熱分布にバラツキが生じやすく、半導体ウエハの面内温度の均一性に影響を与える。
【０００６】
また、上記基材プレートに温度センサを設ける場合、従来では埋設や貼着により温度センサを設けているため、温度センサの設置の位置やサイズにバラツキが生じ、半導体ウエハの面内温度の計測精度に影響を与える。
【０００７】
この発明は、上記事情に鑑みなされたもので、ヒータの発熱量のバラツキをなくし、被処理基板の面内温度の均一性を向上させた熱板及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、この発明の熱板は、被処理基板を載置し該被処理基板を加熱するための熱板であって、基材となるシリコン基板と、 上記シリコン基板の裏面に成膜された金属の電気抵抗体からなるヒータと、 上記シリコン基板の裏面又は表面に成膜された金属の電気抵抗体からなる温度センサと、 被処理基板を下方から支えて熱板の上に昇降するための支持ピンを挿通させるべく上記シリコン基板に設けられたピン孔と、 上記シリコン基板の表面に形成され、熱板の上に載置される被処理基板との間に隙間を形成するためギャップ用突起と、を備えたことを特徴とする（請求項１）。
【０００９】
この発明の熱板において、上記ヒータ及び温度センサが白金（Ｐｔ）膜からなることが好ましい（請求項２）。
【００１０】
この発明の熱板において、上記ギャップ用突起を、上記シリコン基板の表面に形成されたシリコンのギャップピンにて形成するか、あるいは、上記ギャップ用突起を、上記シリコン基板の表面に形成された合成樹脂材料の突起にて形成することができる（請求項３，４）。
【００１１】
この発明の熱板において、上記シリコン基板の表面には、被処理基板を吸着し加熱処理させるための吸着溝及び吸着孔を設けるようにしてもよい（請求項５）。
【００１２】
また、この発明の熱板の製造方法は、被処理基板を載置し該被処理基板を加熱するための熱板の製造方法であって、 基材であるシリコン基板の裏面にスパッタリングにより金属の電気抵抗体からなるヒータを成膜する工程と、 上記シリコン基板の裏面又は表面にスパッタリングにより金属の電気抵抗体からなる温度センサを成膜する工程と、 上記シリコン基板に被処理基板を下方から支えて熱板の上に昇降するための支持ピンを挿通させるピン孔を設ける工程と、 上記シリコン基板の表面に、熱板の上に載置される被処理基板との間に隙間を形成するためギャップ用突起を設ける工程と、を有することを特徴とする（請求項６）。
【００１３】
この発明の熱板の製造方法においては、上記ヒータ及び温度センサの材料に白金（Ｐｔ）を用いることが好ましい（請求項７）。
【００１４】
この発明の熱板の製造方法においては、上記ギャップ用突起として、上記シリコン基板の表面をエッチングすることによりシリコンのギャップピンを設けるか、あるいは、上記シリコン基板の表面に合成樹脂材料の突起を形成することが好ましい（請求項８、９）。
【００１５】
この発明の熱板の製造方法においては、上記シリコン基板の表面に、被処理基板を吸着し加熱処理させるための吸着溝及び吸着孔を、フォトリソグラフィーとエッチングの技術を用いて形成することが好ましい（請求項１０）。
【発明の効果】
【００１６】
この発明によれば、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術あるいは半導体製造技術を用い、基材としてのシリコン基板の裏面に直接にヒータを成膜し、これを熱板に用いるので、印刷や貼り付けによりヒータを設ける方法に比べ、ヒータの幅や厚さを、より均一に高精度に造ることができ、発熱量を均一にして、半導体ウエハなどの被処理基板の面内温度の均一性を向上させることができる。
【００１７】
また、この発明では、温度センサも、同様にして、基材としてのシリコン基板の裏面又は表面に直接に成膜するので、高精度に造ることができ、複数の温度センサを設けて精密に温度制御をすることが可能となる。
【００１８】
また、この発明では、基材としてのシリコン基板の表面側に、同様にして、ギャップピンなどのギャップ用突起を設けるので、被処理基板と熱板との間に正確なギャップを形成することが可能である。
【００１９】
更にまた、この発明においては、基材としてのシリコン基板の表面側に、吸着孔及び吸着溝を設けることにより、被処理基板を吸引し、被処理基板に反りがあっても熱板側に強制的に吸着させることによって、被処理基板の熱板載置状態を一様にすることができ、また吸着溝及び吸着孔をフォトリソグラフィーとエッチングの技術を用いて形成することで、被処理基板を均一に吸引する精密なチャック機能を持たせることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、この発明の最良の形態について、添付図示に基づいて説明する。
【００２１】
＜第１の実施形態＞
図１はこの発明の第１の実施形態に係る熱処理用の熱板４１の裏面を示した図、図２は熱板４１の表面を示した図である。ここに示す熱板４１は、例えば厚さ７５０μｍ、直径３００ｍｍのウエハを載置することを前提としており、例えば厚さ０．５〜３ｍｍ、直径３４０ｍｍの大きさのものを対象としている。
【００２２】
この熱板４１の基材プレートは、例えば厚さが０．５〜３ｍｍ、直径３４０ｍｍの円盤状のシリコン基板４２からなり、その裏面には、図１に示すように、電気抵抗体である白金（Ｐｔ）膜からなる線状又は帯状のヒータ４３が、スパッタリングにより、蛇行状，円弧状，一筆書き状などの所定のパターンで形成されている。なお本明細書において、帯状のヒータといった場合、面状発熱体からなる場合のみならず、線状発熱体をジグザグに配置するなどして全体として面状に構成した場合をも含む意味である。
【００２３】
この実施形態の例では、中央に第１の環状ヒータ４４が、また、この第1の環状ヒータ４４を取り巻いて外周囲に第２の環状ヒータ４５が設けられ、このうち第２の環状ヒータ４５は４つのセクタに分離されている。そして、これらの第１の環状ヒータ４４の端部及び第２の環状ヒータ４５の各セクタの端部には、それぞれスパッタリングによりＮｉ／Ｃｒ膜からなる電極端子４６が形成されている。
【００２４】
更に、シリコン基板４２の裏面には、ほぼ正四角形の頂点に電気抵抗体である白金（Ｐｔ）膜からなる小片状の温度センサ４７が、スパッタリングにより形成され、その両端部にそれぞれスパッタリングによりＮｉ／Ｃｒ膜からなる一対の電極端子４８が形成されている。なお本明細書において、小片状の温度センサといった場合、面状抵抗体からなる場合のみならず、線状抵抗体をジグザグに配置するなどして全体として面状に構成した場合をも含む意味である。
【００２５】
また、シリコン基板４２の表面には、図２に示すように、半導体ウエハＷを下方から支えて熱板４１の上に昇降するための３本の支持ピン１０９（図１８参照）を挿通させる３つのピン孔４９が、正三角形の頂点に位置するように、ドライエッチングにより形成されている。更にまた、シリコン基板４２の表面には、載置する半導体ウエハＷとの間に若干の隙間を持たせるためのギャップ用突起として、５個のギャップピン５０が、四角形の頂点と四角形の中心に位置するように、フォトリソグラフィを用いて形成されている。
【００２６】
次に、図３〜図８を用いて、上記熱板４１の製造方法について説明する。
【００２７】
｛ヒータ４３の作成手順（図３，図４）｝
シリコン基板４２の裏面にヒータ４３を作成する手順を図３及び図４の（ａ），（ａ’）〜（ｊ），（ｊ’）に示す。なお図３及び図４中の各工程図の左側（ａ）〜（ｊ）は熱板４１の裏面を示し、また右側（ａ’）〜（ｊ’）はその直径方向のラインに沿った矢印方向の断面を示す。また、図４中の各工程図（ｇ），（ｇ’）〜（ｊ），（ｊ’）では、熱板４１の裏面の一部及びその端子部を通るラインに沿った矢印方向の断面を拡大して示してある。
【００２８】
まず、上記ヒータ４３の電気抵抗体であるＰｔ膜を形成するための手順を説明する。
【００２９】
図３に示すように、基材として直径３４０ｍｍ、厚さ３ｍｍのシリコン基板４２を用意し｛図３（ａ），（ａ’）｝、その裏面側に全面にＳｉＯ2膜５２を形成した後｛図３（ｂ），（ｂ’）｝、このＳｉＯ2膜５２の上に、フォトリソグラフィーの技術により、フォトレジスト５３の塗布，露光，現像，フォトレジスト除去の工程を経て、所定のヒータパターンに対応した形状のレジストパターン５４を形成する｛図３（ｃ），（ｃ’）｝。
【００３０】
次に、上記レジストパターン５４を残したまま全面にＰｔ膜５５を、スパッタリングにより形成する｛図３（ｄ），（ｄ’）｝。その後、このレジストパターン５４を、その上に形成されたＰｔ膜５５とともに除去する（リフトオフ）｛図３（ｅ），（ｅ’）｝。このいわゆるリフトオフ法によって、所定のヒータパターンの領域のみに、帯状のＰｔ膜５５が電気抵抗体（ヒータ４３）として形成される。ここでは、中央に第１の環状ヒータ４４が、またこれを取り巻いて外周囲に４つのセクタに分離された第２の環状ヒータ４５が形成される。
【００３１】
次に、上記ヒータ４３に電極端子４６を形成するための手順を説明する。
【００３２】
図４に示すように、上記のＰｔ膜５５が掲載されたシリコン基板４２上に、全面に絶縁膜としてポリイミド樹脂からなるポリイミド膜５６を形成し｛図４（ｆ），（ｆ’）｝、その絶縁膜１をパターニングして、ヒータ４３の端子に対応する形状の開口５７を形成し、Ｐｔ膜５５を露出させる｛図４（ｇ），（ｇ’）｝。
【００３３】
次に、このポリイミド膜５６の上に、フォトリソグラフィーの技術により、フォトレジスト５８を塗布し、露光，現像，フォトレジスト除去の工程を経て、上記開口５７を残して所定の端子パターンに対応した形状のレジストパターン５９を形成する｛図４（ｈ），（ｈ’）｝。
【００３４】
次に、上記レジストパターン５９を残したまま全面にＮｉ／Ｃｒ膜６０（例えば、０．１５μｍ／０．０１μｍ）をスパッタリングにより形成する｛図４（ｉ），（ｉ’）｝。その後、このレジストパターン５９を、その上に形成されたＮｉ／Ｃｒ膜６０とともに除去する（リフトオフ）｛図４（ｊ），（ｊ’）｝。これにより、第１の環状ヒータ４４の端部及び第２の環状ヒータ４５の各セクタの端部にのみ、それぞれ表面にＮｉ／Ｃｒ膜６０を持つ電極端子４６が形成される。
【００３５】
｛温度センサ４７の作成手順（図５，図６）｝
シリコン基板４２の裏面に温度センサ４７を作成する手順を図５及び図６の（ｂ）〜（ｉ）に示す。図５（ａ）は温度センサ４７を簡略的に示したものであり、ジグザグな線状に形成された電気抵抗体であるＰｔ膜６１とその両端の電極端子４８とで構成されている。図５及び図６中の各工程図（ｂ）〜（ｉ）は、この図５（ａ）に示す温度センサ４７を、その両端の電極端子４８を通るラインに沿った矢印方向の断面を示したものである。同じＰｔ膜でありながら、ヒータ４３と同じ工程で温度センサ４７を製造しないのは、Ｐｔ膜の厚さが、ヒータ４３で２．０μｍ、温度センサ４７で０．３μｍ、と互いに異なっているためである。
【００３６】
まず図５（ｂ）に示すように、上記ヒータ４３及び電極端子４６が形成されたシリコン基板４２の裏面上｛図５（ｂ）ではポリイミド膜５６の上｝に、フォトリソグラフィーの技術により、フォトレジスト６２の塗布，露光，現像，フォトレジスト除去の工程を経て、所定のセンサパターンに対応した形状のレジストパターン６３を形成する｛図５（ｂ）｝。また、このレジストパターン６３で覆われていないポリイミド膜５６の部分を除去する。図５（ｂ）は、このポリイミド膜の部分を除去した状態を示す。
【００３７】
次に、上記レジストパターン６３を残したまま全面にＰｔ膜６１を、スパッタリングにより形成する｛図５（ｃ）｝。その後、このレジストパターン６３を、その上に形成されたＰｔ膜６１とともに除去する（リフトオフ）｛図５（ｄ）｝。このときポリイミド膜５６も一緒に除去するが、温度センサ４７上の領域以外のポリイミド膜５６はそのまま残す。これによって、所定のセンサパターンの帯状の領域｛ここではジグザグな線状領域｝のみに、Ｐｔ膜６１が電気抵抗体（温度センサ４７）として形成される。ただし、ポリイミド膜５６は除去しないで、そのまま残しておいてもよい。
【００３８】
次に、上記温度センサ４７に電極端子４８を形成するための手順を説明する。
【００３９】
図６に示すように、上記のＰｔ膜６１が掲載されたシリコン基板４２上に、全面に絶縁膜ポリイミド樹脂からなるポリイミド膜６４を形成する｛図６（ｅ）｝。上記のポリイミド膜５６を除去しないで、そのまま残しておく形態では、このポリイミド膜５６上に重ねてポリイミド膜６４を形成することになる。このポリイミド膜６４（又はポリイミド膜５６とポリイミド膜６４）をパターニングして、温度センサ４７の電極端子に対応する形状の開口６５を形成し、Ｐｔ膜６１を露出させる｛図６（ｆ）｝。
【００４０】
次に、このポリイミド膜６４の上に、フォトリソグラフィーの技術により、フォトレジスト６６を塗布し、露光，現像，フォトレジスト除去の工程を経て、上記開口６５を残して所定の端子パターンに対応した形状のレジストパターン６７を形成する｛図６（ｇ）｝。
【００４１】
次に、上記レジストパターン６７を残したまま全面にＡｕ膜６８をスパッタリングにより形成する｛図６（ｈ）｝。その後、このレジストパターン６７を、その上に形成されたＡｕ膜６８とともに除去する（リフトオフ）｛図６（ｉ）｝。これにより、Ｐｔ膜６１の上にのみ、それぞれＡｕ膜６８が形成され、表面にＡｕ膜６８を持つ電極端子４８が形成される。
【００４２】
｛ピン孔４９及びギャップ用突起の作成手順（図７，図８）｝
シリコン基板４２にピン孔４９を作成し、シリコン基板４２の表面にギャップ用突起としてのギャップピン５０を作成する手順を図７及び図８の（ａ），（ａ’）〜（ｇ），（ｇ’）に示す。なお図７中の各工程図の左側（ａ）〜（ｄ）は熱板４１の表面を示し、また右側（ａ’）〜（ｄ’）はそのピン孔４９を通るラインに沿った矢印方向の断面を示す。また図８中の各工程図の左側（ｅ）〜（ｇ）は熱板４１の表面を示し、また右側（ｅ‘）〜（ｇ’）はそのピン孔４９及びギャップピン５０を通るラインに沿った矢印方向の断面を示す。
【００４３】
まず、上記ヒータ４３及び温度センサ４７の形成されたシリコン基板４２の表面を上側とし｛図７（ａ），（ａ’）｝、その全面にフォトレジスト６９を形成し、フォトリソグラフィーの技術により、露光，現像，フォトレジスト除去の工程を経て、所定のピン孔パターンに対応した開孔を持つ形状のレジストパターン７０を形成する｛図７（ｂ），（ｂ’）｝。その際、予め裏面側の上記ポリイミド膜５６にも対応位置に所定のピン孔パターンに対応した位置に開孔７１を形成しておく。
【００４４】
次に、上記レジストパターン７０をマスクとして、ドライエッチングにより、シリコン基板４２を表面側からエッチングを行い、所定の厚さ（高さｈ）を残した深さの有底孔７２を形成し｛図７（ｃ），（ｃ’）｝、その後、レジストパターン７０を除去する（レジストアッシング）｛図７（ｄ），（ｄ’）｝。
【００４５】
続いて、上記有底孔７２を設けたシリコン基板４２の表面上に、ギャップピン５０に対応する部位のみにフォトレジスト７３が残るようにレジストパターン７４を形成する｛図８（ｅ），（ｅ’）｝。そして、このレジストパターン７４をマスクとして、ドライエッチングにより、シリコン基板４２を表面側から所定の厚さ（高さｈ）だけエッチングして除去すると共に、有底孔７２の下方の部位のＳｉＯ2膜５２も同時に除去する｛図８（ｆ），（ｆ’）｝。これにより、有底孔７２は、予め裏面側のポリイミド膜５６に形成しておいた開孔７１と連通し、所定のピン孔４９が形成される。次いで、レジストパターン７４を除去する（レジストアッシング）｛図８（ｇ），（ｇ’）｝。これにより、シリコン基板４２の表面上には、所定の高さｈのギャップピン５０が残る。
【００４６】
＜第２の実施形態＞
図９はこの発明の第２の実施形態に係る熱板４１の表面を示した図である。
【００４７】
上記第１の実施形態ではギャップ用突起をシリコン基板４２をエッチングして得たギャップピン５０により形成したが、この第２の実施形態では、図９に示すように、シリコン基板４２の表面に一定の厚みで絶縁性の合成樹脂材料であるポリイミド樹脂による環状突起７５を設けることでギャップ用突起を形成する。図９の例では、中央に位置する第１の環状突起７６と外周側に位置する第２の環状突起７７とを設けている。なお、これらの環状突起７５は３つのピン孔４９を避ける位置に設ける。
【００４８】
また、シリコン基板４２の表面には、半導体ウエハＷを吸着し加熱処理させるために、中心に１つの吸着孔７８を設けると共に、これと連通する吸着溝７９を設けている。この吸着溝７９も３つのピン孔４９を避ける位置に設けられる。図９の例では、吸着溝７９として、吸着孔７８を取り巻いて周囲に配置した第１の環状溝８０、第２の環状溝８１及び第３の環状溝８２と、これらを連通させる半径方向の直線的な４本の連通溝８３を設けている。上記第１の環状突起７６は、中心の吸着溝７９と第１の環状溝８０との間に位置し、また第２の環状突起７７は第２の環状溝８１と第３の環状溝８２との間に位置する。したがって、ポリイミド樹脂による第１の環状突起７６と第２の環状突起７７は、それぞれ上記４本の半径方向の連通溝８３により４つのセクタに分かれている。なお、３つのピン孔４９は第１の環状突起７６と第２の環状突起７７の間に位置している。
【００４９】
この第２の実施形態によれば、半導体ウエハＷを吸着し加熱処理させる際のギャップを高精度に設定することができため、吸引力や吸引分布をウエハ面内で均一になるように高精度に制御することができる。
【００５０】
｛ギャップ用突起，吸着孔７８，吸着溝７９，ピン孔４９の作成手順（図１０，図１１）｝
シリコン基板４２の表面にギャップ用突起としての環状突起７５、吸着溝７９及び吸着孔７８を作成すると共に、シリコン基板４２にピン孔４９を作成する手順を、図１０及び図１１の（ａ），（ａ’）〜（ｈ），（ｈ’）を用いて説明する。なお図１０及び図１１中の各工程図の左側（ａ）〜（ｈ）は熱板４１の表面を示し、また右側（ａ’）〜（ｈ’）は図示の直径方向のラインに沿った矢印方向の断面を示す。
【００５１】
まず、上記ヒータ４３及び温度センサ４７の形成されたシリコン基板４２の表面を上側とし｛図１０（ａ），（ａ’）｝、その際、予め裏面側の上記ポリイミド膜５６の所定のピン孔パターン及び吸着孔パターンに対応した位置に開孔７１及び開孔８４を形成しておく。そして、このシリコン基板４２の表面に、フォトリソグラフィーの技術を用いて、ポリイミド樹脂からなるギャップ用突起である第１の環状突起７６と第２の環状突起７７を、所定の突起パターンにて形成する｛図１０（ｂ），（ｂ’）｝。
【００５２】
次に、上記シリコン基板４２の表面に、フォトレジスト８５を全面に形成し、フォトリソグラフィーの技術により、露光，現像，フォトレジスト除去の工程を経て、所定の吸着溝７９のパターンに対応した形状のレジストパターン８６を形成する｛図１０（ｃ），（ｃ’）｝。
【００５３】
次に、上記レジストパターン８６をマスクとして、ドライエッチングにより、シリコン基板４２を表面側からエッチングを行い、所定の溝深さの有底孔８７を形成し｛図１０（ｄ），（ｄ’）｝、その後、レジストパターン８６を除去する｛図１１（ｅ），（ｅ’）｝。これにより環状突起７５を備えたシリコン基板４２の表面に、所定の吸着溝７９が形成される。
【００５４】
続いて、上記シリコン基板４２の表面に、フォトリソグラフィーの技術により、フォトレジスト８８の塗布，露光，現像，フォトレジスト除去の工程を経て、所定のピン孔パターン及び所定の吸着孔パターンに対応した形状の有底孔８９及び有底孔９０を有するレジストパターン９１を形成する｛図１１（ｆ），（ｆ’）｝。その際、これらの所定のピン孔パターン及び所定の吸着孔パターンは、裏面側の上記ポリイミド膜５６の対応位置に設けた開孔７１及び開孔８４のパターン位置と合致させておく。
【００５５】
次に、上記レジストパターン９１をマスクとして、ドライエッチングにより、シリコン基板４２を表面側からエッチングし、有底孔８９及び有底孔９０を裏面側の開孔７１及び開孔８４と連通させる｛図１１（ｇ），（ｇ’）｝。その後、レジストパターン９１を除去（レジストアッシング）することで、所定のピン孔４９及び所定の吸着孔７８が得られる｛図１１（ｈ），（ｈ’）｝。
【００５６】
＜第３の実施形態＞
図１２にこの発明の第３の実施形態を示す。これはシリコン基板４２の裏面側ではなく、表面側に温度センサ４７を形成した例である。この第３の実施形態によれば、シリコン基板４２の裏面側に温度センサ４７を形成する場合に比べ、被加熱対象であるウエハに近い温度制御が可能となり、より高精密が温度制御が実現できるという利点を有する。
【００５７】
｛表面側への温度センサ４７の作成手順（図１３，図１４）｝
このシリコン基板４２の表面側に温度センサ４７を形成する手順について説明する。図１３及び図１４にこの手順を示す。図１３及び図１４中の各工程図の左側（ａ）〜（ｇ）は熱板４１の表面を示し、また右側（ａ’）〜（ｇ’）は図示のギャップピン５０，ピン孔４９及び温度センサ４７を通るラインに沿った矢印方向の断面を示す。
【００５８】
シリコン基板４２の表面にギャップ用突起としてのギャップピン５０が形成され、かつ上記のピン孔４９を有するシリコン基板４２の表面側に、絶縁膜としてのポリイミド樹脂からなるポリイミド膜９２を全面に形成する。
【００５９】
次に、ポリイミド膜９２の上に、フォトリソグラフィーの技術により、フォトレジスト９３の塗布，露光，現像，フォトレジスト除去の工程を経て、所定のセンサパターンに対応した形状のレジストパターン９４を形成する｛図１３（ｂ），（ｂ’）｝。
【００６０】
次に、上記レジストパターン９４を残したまま全面にＰｔ膜９５を、スパッタリングにより形成する｛図１３（ｃ），（ｃ’）｝。その後、このレジストパターン９４を、その上に形成されたＰｔ膜９５とともに除去する（リフトオフ）｛図１３（ｄ），（ｄ’）｝。これによって、所定のセンサパターンの帯状の領域（正確には線状の抵抗体をジグザグに全体として帯状に配置した領域）のみに、Ｐｔ膜９５が電気抵抗体（温度センサ４７）のＰｔ膜９６として形成される。ただし、ギャップピン５０はポリイミド膜９２及びフォトレジスト９３を貫いて高く位置しているので、レジストパターン９４の除去後に、ギャップピン５０の頂部にもＰｔ膜９５が不要なＰｔ膜９７としてそのまま残る。
【００６１】
そこで、この不要なＰｔ膜９７を除去するため、Ｐｔ膜９７を除いてシリコン基板４２の表面をポリイミド膜９２の上からフォトレジスト９８で覆い｛図１４（ｅ），（ｅ’）｝、このレジストパターン９９をマスクとして、ドライエッチングにより、Ｐｔ膜９７を除去し｛図１４（ｆ），（ｆ’）｝、その後、レジストパターン９９を除去する（レジストアッシング）｛図１４（ｇ），（ｇ’）｝。これによりギャップピン５０を備えるシリコン基板４２の表面に温度センサ４７が形成される。
【００６２】
上記実施の形態では、先にヒータ４３を形成したが、ヒータ４３，温度センサ４７，ギャップ用突起の形成順序は、適宜変更することができる。
【００６３】
以下に、この発明に係る熱板４１を、半導体ウエハのレジスト塗布・現像処理システムにおける熱処理装置に適用した場合について説明する。
【００６４】
図１５は、上記レジスト液塗布・現像処理システムの一実施形態の概略平面図、図１６は、図１５の正面図、図１７は、図１５の背面図である。
【００６５】
上記レジスト液塗布・現像処理システムは、被処理基板である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）をウエハカセット１で複数枚例えば２５枚単位で外部からシステムに搬入またはシステムから搬出したり、ウエハカセット１に対してウエハＷを搬出・搬入したりするためのカセットステーション１０（搬送部）と、塗布現像工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置してなる処理装置を具備する処理ステーション２０と、この処理ステーション２０と隣接して設けられる露光装置（図示せず）との間でウエハＷを受け渡すためのインター・フェース部３０とで主要部が構成されている。
【００６６】
上記カセットステーション１０は、図１５に示すように、カセット載置台２上の突起３の位置に複数個例えば４個までのウエハカセット１がそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション２０側に向けて水平のＸ方向に沿って一列に載置され、カセット配列方向（Ｘ方向）及びウエハカセット１内に垂直方向に沿って収容されたウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送用ピンセット４が各ウエハカセット１に選択的に搬送するように構成されている。また、ウエハ搬送用ピンセット４は、θ方向に回転可能に構成されており、後述する処理ステーション２０側の第３の組Ｇ３の多段ユニット部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）及びエクステンションユニット（ＥＸＴ）にも搬送できるようになっている。
【００６７】
上記処理ステーション２０は、図１５に示すように、中心部には、移動機構２２によって垂直移動する垂直搬送型の主ウエハ搬送機構２１が設けられ、この主ウエハ搬送機構２１の周りに全ての処理ユニットが１組または複数の組に渡って多段に配置されている。この例では、５組Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４及びＧ５の多段配置構成であり、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２の多段ユニットはシステム正面側に並列され、第３の組Ｇ３の多段ユニットはカセットステーション１０に隣接して配置され、第４の組Ｇ４の多段ユニットはインター・フェース部３０に隣接して配置され、第５の組Ｇ５の多段ユニットは背部側に配置されている。
【００６８】
この場合、図１６に示すように、第１の組Ｇ１では、容器としてのカップ２３内でウエハＷと現像液供給手段（図示せず）とを対峙させてレジストパターン５４を現像する現像ユニット（ＤＥＶ）と、ウエハＷをスピンチャック（図示せず）に載置して所定の処理を行うレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）とが垂直方向の下から順に２段に重ねられている。第２の組Ｇ２も同様に、２台のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）及び現像ユニット（ＤＥＶ）が垂直方向の下から順に２段に重ねられている。このようにレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を下段側に配置した理由は、レジスト液の排液が機構的にもメンテナンスの上でも面倒であるためである。しかし、必要に応じてレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を上段に配置することも可能である。
【００６９】
図１７に示すように、第３の組Ｇ３では、ウエハＷをウエハ載置台２４（図１５参照）に載置して所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット例えばウエハＷを冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）、ウエハＷに疎水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、ウエハＷの位置合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウエハＷの搬入出を行うエクステンションユニット（ＥＸＴ）、ウエハＷをベークする４つのホットプレートユニット（ＨＰ）が垂直方向の下から順に例えば８段に重ねられている。
【００７０】
また第４の組Ｇ４では、オーブン型処理ユニット例えばクーリングユニット（ＣＯＬ）、エクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、急冷機能を有する２つのチリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）及び２つのホットプレートユニット（ＨＰ）が垂直方向の下から順に例えば８段に重ねられている。このチリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）及びホットプレートユニット（ＨＰ）には、この発明に係る熱板４１を用いた熱処理装置が用いられている。
【００７１】
上記のように処理温度の低いクーリングユニット（ＣＯＬ）、エクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いホットプレートユニット（ＨＰ）、チリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）及びアドヒージョンユニット（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。勿論、ランダムな多段配置とすることも可能である。
【００７２】
なお、図１５に示すように、処理ステーション２０において、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２の多段ユニット（スピナ型処理ユニット）に隣接する第３及び第４の組Ｇ３，Ｇ４の多段ユニット（オーブン型処理ユニット）の側壁の中には、それぞれダクト２５，ダクト２６が垂直方向に縦断して設けられている。これらのダクト２５，２６には、ダウンフローの清浄空気または特別に温度調整された空気が流されるようになっている。このダクト構造によって、第３及び第４の組Ｇ３，Ｇ４のオーブン型処理ユニットで発生した熱は遮断され、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２のスピナ型処理ユニットへは及ばないようになっている。
【００７３】
また、この処理システムでは、主ウエハ搬送機構２１の背部側にも図１５に点線で示すように第５の組Ｇ５の多段ユニットが配置できるようになっている。この第５の組Ｇ５の多段ユニットは、案内レール２７に沿って主ウエハ搬送機構２１から見て側方へ移動できるようになっている。したがって、第５の組Ｇ５の多段ユニットを設けた場合でも、ユニットをスライドすることにより空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構２１に対して背後からメンテナンス作業を容易に行うことができる。
【００７４】
上記インター・フェース部３０は、奥行き方向では処理ステーション２０と同じ寸法を有するが、幅方向では小さなサイズに作られている。このインター・フェース部３０の正面部には可搬性のピックアップカセット３１と定置型のバッファカセット３２が２段に配置され、背面部には、ウエハＷの周辺部の露光及び識別マーク領域の露光を行う露光手段である周辺露光装置３３が配設され、中央部には、搬送手段であるウエハの搬送アーム３４が配設されている。この搬送アーム３４は、Ｘ，Ｚ方向に移動して両カセット３１，３２及び周辺露光装置３３に搬送するように構成されている。また、搬送アーム３４は、θ方向に回転可能に構成され、処理ステーション２０側の第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）及び隣接する露光装置側のウエハ受渡し台（図示せず）にも搬送できるように構成されている。
【００７５】
上記のように構成される処理システムは、クリーンルーム４０内に設置されるが、更にシステム内でも効率的な垂直層流方式によって各部の清浄度を高めている。
【００７６】
次に、上記ホットプレートユニット（ＨＰ）及びチリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）を構成するこの発明に係る熱板を用いた熱処理装置について、図１５を参照して詳細に説明する。ここでは、この発明に係る熱板を用いた熱処理装置をチリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）に適用した場合について説明する。
【００７７】
上記熱処理装置１００は、図１８に示すように、熱処理ユニットのケーシング（図示せず）内に、ウエハＷを加熱する加熱部１００ａと、ウエハＷを冷却する冷却部１００ｂが設けられている。加熱部１００ａには、表面に塗布膜であるレジスト膜が形成されたウエハＷを載置し加熱する熱板４１と、熱板４１の外周及び下部側を包囲する支持台１０１と、この支持台１０１の外周及び下部側を包囲するサポートリング１０２と、サポートリング１０２の上方開口部を覆い、サポートリング１０２と協働して熱処理室１０３を形成する蓋体１０４が設けられている。なお、サポートリング１０２の頂部の蓋体１０４に当接する面には円状の凹溝１０５が周設されており、この凹溝１０５内にＯリング１０６が嵌挿されている。
【００７８】
上記熱板４１の裏面には、温度制御器１０７からの出力制御により所定温度に設定されるヒータ４３が、上記第１の実施形態で述べた製造方法により設けられている。また、熱板４１の同心円上の３箇所には、貫通孔より成る３個のピン孔４９が三角形の頂点に位置するように設けられている。このピン孔４９には、熱板４１の下方に配設された昇降駆動機構１０８によって昇降する３本の支持ピン１０９が貫通可能になっており、支持ピン１０９の昇降により、ウエハＷが冷却部１００ｂの冷却プレート１１０との間で受け渡されるようになっている。
【００７９】
また、熱板４１の表面には、この熱板４１の温度を検出する温度検出手段である温度センサ４７が、上記の製造方法により設けられている。この温度センサ４７によって検出された熱板４１の温度の検出信号が、制御コンピュータ１１１の中央演算処理装置（ＣＰＵ）を主体として構成される制御手段としての制御部１１２に伝達され、制御部１１２により上記温度制御器１０７を介して熱板４１の温度が一定にコントロールされるように構成されている。
【００８０】
また、上記蓋体１０４の一側には支持部１１３が突設されており、この支持部１１３に蓋体昇降機構例えば昇降シリンダ１１４のピストンロッド１１５が連結されている。したがって、昇降シリンダ１１４の駆動によって蓋体１０４がサポートリング１０２に対して接離移動すなわち開閉移動するようになっている。
【００８１】
上記昇降シリンダ１１４及び昇降駆動機構１０８は、制御部１１２に電気的に接続されており、制御部１１２からの制御信号に基づいて駆動、すなわち蓋体１０４の開閉動作、支持ピン１０９の昇降動作するように構成されている。
【００８２】
次に、上記レジスト液塗布・現像処理システムの動作について説明する。まず、カセットステーション１０において、ウエハ搬送用ピンセット４がカセット載置台２上の未処理のウエハＷを収容しているカセット１にアクセスして、そのカセット１から１枚のウエハＷを取り出す。ウエハ搬送用ピンセット４は、カセット１よりウエハＷを取り出すと、処理ステーション２０側の第３の組Ｇ３の多段ユニット内に配置されているアライメントユニット（ＡＬＩＭ）まで移動し、ユニット（ＡＬＩＭ）内のウエハ載置台２４上にウエハＷを載せる。ウエハＷは、ウエハ載置台２４上でオリフラ合せ及びセンタリングを受ける。その後、主ウエハ搬送機構２１がアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に反対側からアクセスし、ウエハ載置台２４からウエハＷを受け取る。
【００８３】
処理ステーション２０において、主ウエハ搬送機構２１はウエハＷを最初に第３の組Ｇ３の多段ユニットに属するアドヒージョンユニット（ＡＤ）に搬入する。このアドヒージョンユニット（ＡＤ）内でウエハＷは疎水化処理を受ける。疎水化処理が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをアドヒージョンユニット（ＡＤ）から搬出して、次に第３の組Ｇ３または第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するクーリングユニット（ＣＯＬ）へ搬入する。このクーリングユニット（ＣＯＬ）内でウエハＷはレジスト塗布処理前の設定温度例えば２３℃まで冷却される。冷却処理が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをクーリングユニット（ＣＯＬ）から搬出し、次に第１の組Ｇ１または第２の組Ｇ２の多段ユニットに属するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）へ搬入する。このレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）内でウエハＷはスピンコート法によりウエハ表面に一様な膜厚でレジストを塗布する。
【００８４】
レジスト塗布処理が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）から搬出し、次にホットプレートユニット（ＨＰ）内へ搬入する。ホットプレートユニット（ＨＰ）内でウエハＷは載置台上に載置され、所定温度例えば１００℃で所定時間プリベーク処理される。これによって、ウエハＷ上の塗布膜から残存溶剤を蒸発除去することができる。プリベークが終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをホットプレートユニット（ＨＰ）から搬出し、次に第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）へ搬送する。このユニット（ＥＸＴＣＯＬ）内でウエハＷは次工程すなわち周辺露光装置３３における周辺露光処理に適した温度例えば２４℃まで冷却される。この冷却後、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷを直ぐ上のエクステンションユニット（ＥＸＴ）へ搬送し、このユニット（ＥＸＴ）内の載置台（図示せず）の上にウエハＷを載置する。このエクステンションユニット（ＥＸＴ）の載置台上にウエハＷが載置されると、インター・フェース部３０の搬送アーム３４が反対側からアクセスして、ウエハＷを受け取る。そして、搬送アーム３４はウエハＷをインター・フェース部３０内の周辺露光装置３３へ搬入する。
【００８５】
露光装置で全面露光が済んで、ウエハＷが露光装置側のウエハ受取り台に戻されると、インター・フェース部３０の搬送アーム３４はそのウエハ受取り台へアクセスしてウエハＷを受け取り、受け取ったウエハＷを処理ステーション２０側の第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）へ搬入し、ウエハ受取り台上に載置する。この場合にも、ウエハＷは、処理ステーション２０側へ渡される前にインター・フェース部３０内のバッファカセット３２に一時的に収納されることもある。
【００８６】
ウエハ受取り台上に載置されたウエハＷは、主ウエハ搬送機構２１により、チリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）に搬送され、フリンジの発生を防止するため、あるいは化学増幅型レジスト（ＣＡＲ）における酸触媒反応を誘起するためポストエクスポージャーベーク処理が施される。
【００８７】
その後、ウエハＷは、第１の組Ｇ１または第２の組Ｇ２の多段ユニットに属する現像ユニット（ＤＥＶ）に搬入される。この現像ユニット（ＤＥＶ）内では、ウエハＷ表面のレジストに現像液が満遍なく供給されて現像処理が施される。
【００８８】
現像工程が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷを現像ユニット（ＤＥＶ）から搬出して、次に第３の組Ｇ３または第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するホットプレートユニット（ＨＰ）へ搬入する。このユニット（ＨＰ）内でウエハＷは例えば１００℃で所定時間ポストベーク処理される。これによって、現像で膨潤したレジストが硬化し、耐薬品性が向上する。
【００８９】
ポストベークが終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをホットプレートユニット（ＨＰ）から搬出し、次にいずれかのクーリングユニット（ＣＯＬ）へ搬入する。ここでウエハＷが常温に戻った後、主ウエハ搬送機構２１は、次にウエハＷを第３の組Ｇ３に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）へ移送する。このエクステンションユニット（ＥＸＴ）の載置台（図示せず）上にウエハＷが載置されると、カセットステーション１０側のウエハ搬送用ピンセット４が反対側からアクセスして、ウエハＷを受け取る。そして、ウエハ搬送用ピンセット４は、受け取ったウエハＷをカセット載置台２上の処理済みウエハ収容用のカセット１の所定のウエハ収容溝に入れて処理が完了する。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】この発明の第１の実施形態に係る熱板の裏面を示した図である。
【図２】この発明の第１の実施形態に係る熱板の表面を示した図である。
【図３】この発明の第１の実施形態に係る熱板のヒータの作成手順の前半を示した図である。
【図４】この発明の第１の実施形態に係る熱板のヒータの作成手順の後半を示した図である。
【図５】この発明の第１の実施形態に係る熱板の温度センサの作成手順の前半を示した図である。
【図６】この発明の第１の実施形態に係る熱板の温度センサの作成手順の後半を示した図である。
【図７】この発明の第１の実施形態に係る熱板のピン孔及びギャップ用突起の作成手順の前半を示した図である。
【図８】この発明の第１の実施形態に係る熱板のピン孔及びギャップ用突起の作成手順の後半を示した図である。
【図９】この発明の第２の実施形態に係る熱板の表面を示した図である。
【図１０】この発明の第２の実施形態に係る熱板を作成する手順の前半を示した図である。
【図１１】この発明の第２の実施形態に係る熱板を作成する手順の後半を示した図である。
【図１２】この発明の第３の実施形態に係る熱板の表面を示した図である。
【図１３】この発明の第３の実施形態に係る熱板の作成手順の前半を示した図である。
【図１４】この発明の第３の実施形態に係る熱板の作成手順の後半を示した図である。
【図１５】この発明の熱板を用いた熱処理装置を用いたレジスト液塗布・現像処理システムの一例を示す概略平面図である。
【図１６】上記レジスト液塗布・現像処理システムの概略正面図である。
【図１７】上記レジスト液塗布・現像処理システムの概略背面図である。
【図１８】この発明の熱板を用いた上記熱処理装置の構成を示した図である。
【符号の説明】
【００９１】
４１ 熱板
４２ シリコン基板
４３ ヒータ
４４ 第１の環状ヒータ
４５ 第２の環状ヒータ
４６ 電極端子
４７ 温度センサ
４８ 電極端子
４９ ピン孔
５０ ギャップピン
５２ ＳｉＯ2膜
５３ フォトレジスト
５４ レジストパターン
５５ Ｐｔ膜
５６ ポリイミド膜
５７ 開口
５８ フォトレジスト
５９ レジストパターン
６０ Ｎｉ／Ｃｒ膜
６１ Ｐｔ膜
６２ フォトレジスト
６３ レジストパターン
６４ ポリイミド膜
６５ 開口
６６ フォトレジスト
６７ レジストパターン
６８ Ａｕ膜
６９ フォトレジスト
７０ レジストパターン
７１ 開孔
７２ 有底孔
７３ フォトレジスト
７４ レジストパターン
７５ 環状突起
７６ 第１の環状突起
７７ 第２の環状突起
７８ 吸着孔
７９ 吸着溝
８０ 第１の環状溝
８１ 第２の環状溝
８２ 第３の環状溝
８３ 連通溝
８４ 開孔
８５ フォトレジスト
８６ レジストパターン
８７ 有底孔
８８ フォトレジスト
８９ 有底孔
９０ 有底孔
９１ レジストパターン
９２ ポリイミド膜
９３ フォトレジスト
９４ レジストパターン
９５ Ｐｔ膜
９６ Ｐｔ膜
９７ Ｐｔ膜
９８ フォトレジスト
９９ レジストパターン
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ等の被処理基板を均一に加熱するための熱板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、デバイスが形成される半導体ウエハを加熱する処理が行われる。例えばレジスト液塗布後の乾燥のための加熱処理を始めとして、露光後の加熱処理（ポストエスクポージャベーキング）、更には半導体ウエハ表面に所定の薄膜を形成する際のＣＶＤ処理においては、半導体ウエハを載置する載置台に加熱装置を設け、この加熱装置によって載置台上の半導体ウエハを所定温度まで加熱する処理が行われている。
【０００３】
例えば、特開平９−１８９６１３号公報（特許文献１）には、デバイスが形成されるシリコンウエハの上面にフォトレジストを塗布した後にこのシリコンウエハを加熱処理するベーキング装置において、被処理基板であるシリコンウエハを載置して加熱するための載置台として、内部に加熱するためのヒータを設けた熱板（ホットプレート）が示されている。
【０００４】
このような熱板つまり加熱装置付の載置台で半導体ウエハを加熱する場合、歩留まり向上のために、加熱による半導体ウエハの面内温度をなるべく均一にさせる必要がある。
【特許文献１】特開平９−１８９６１３号公報（図８）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来では、厚さ１０ｍｍ程度のアルミプレートや厚さ３ｍｍ程度のセラミックプレートなどの基材プレートに、電気抵抗体であるヒータを、シルクスクリーン法により印刷するか又は貼り付けることにより熱板を構成している。このため、基材プレートに設けたヒータに幅や厚さのバラツキがあることが避けられず、熱板面内におけるヒータの発熱分布にバラツキが生じやすく、半導体ウエハの面内温度の均一性に影響を与える。
【０００６】
また、上記基材プレートに温度センサを設ける場合、従来では埋設や貼着により温度センサを設けているため、温度センサの設置の位置やサイズにバラツキが生じ、半導体ウエハの面内温度の計測精度に影響を与える。
【０００７】
この発明は、上記事情に鑑みなされたもので、ヒータの発熱量のバラツキをなくし、被処理基板の面内温度の均一性を向上させた熱板及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、この発明の熱板は、被処理基板を載置し該被処理基板を加熱するための熱板であって、基材となるシリコン基板と、 上記シリコン基板の裏面に成膜された金属の電気抵抗体からなるヒータと、 上記シリコン基板の裏面又は表面に成膜された金属の電気抵抗体からなる温度センサと、 被処理基板を下方から支えて熱板の上に昇降するための支持ピンを挿通させるべく上記シリコン基板に設けられたピン孔と、 上記シリコン基板の表面に形成され、熱板の上に載置される被処理基板との間に隙間を形成するためギャップ用突起と、を備えたことを特徴とする（請求項１）。
【０００９】
この発明の熱板において、上記ヒータ及び温度センサが白金（Ｐｔ）膜からなることが好ましい（請求項２）。
【００１０】
この発明の熱板において、上記ギャップ用突起を、上記シリコン基板の表面に形成されたシリコンのギャップピンにて形成するか、あるいは、上記ギャップ用突起を、上記シリコン基板の表面に形成された合成樹脂材料の突起にて形成することができる（請求項３，４）。
【００１１】
この発明の熱板において、上記シリコン基板の表面には、被処理基板を吸着し加熱処理させるための吸着溝及び吸着孔を設けるようにしてもよい（請求項５）。
【００１２】
また、この発明の熱板の製造方法は、被処理基板を載置し該被処理基板を加熱するための熱板の製造方法であって、 基材であるシリコン基板の裏面にスパッタリングにより金属の電気抵抗体からなるヒータを成膜する工程と、 上記シリコン基板の裏面又は表面にスパッタリングにより金属の電気抵抗体からなる温度センサを成膜する工程と、 上記シリコン基板に被処理基板を下方から支えて熱板の上に昇降するための支持ピンを挿通させるピン孔を設ける工程と、 上記シリコン基板の表面に、熱板の上に載置される被処理基板との間に隙間を形成するためギャップ用突起を設ける工程と、を有することを特徴とする（請求項６）。
【００１３】
この発明の熱板の製造方法においては、上記ヒータ及び温度センサの材料に白金（Ｐｔ）を用いることが好ましい（請求項７）。
【００１４】
この発明の熱板の製造方法においては、上記ギャップ用突起として、上記シリコン基板の表面をエッチングすることによりシリコンのギャップピンを設けるか、あるいは、上記シリコン基板の表面に合成樹脂材料の突起を形成することが好ましい（請求項８、９）。
【００１５】
この発明の熱板の製造方法においては、上記シリコン基板の表面に、被処理基板を吸着し加熱処理させるための吸着溝及び吸着孔を、フォトリソグラフィーとエッチングの技術を用いて形成することが好ましい（請求項１０）。
【発明の効果】
【００１６】
この発明によれば、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術あるいは半導体製造技術を用い、基材としてのシリコン基板の裏面に直接にヒータを成膜し、これを熱板に用いるので、印刷や貼り付けによりヒータを設ける方法に比べ、ヒータの幅や厚さを、より均一に高精度に造ることができ、発熱量を均一にして、半導体ウエハなどの被処理基板の面内温度の均一性を向上させることができる。
【００１７】
また、この発明では、温度センサも、同様にして、基材としてのシリコン基板の裏面又は表面に直接に成膜するので、高精度に造ることができ、複数の温度センサを設けて精密に温度制御をすることが可能となる。
【００１８】
また、この発明では、基材としてのシリコン基板の表面側に、同様にして、ギャップピンなどのギャップ用突起を設けるので、被処理基板と熱板との間に正確なギャップを形成することが可能である。
【００１９】
更にまた、この発明においては、基材としてのシリコン基板の表面側に、吸着孔及び吸着溝を設けることにより、被処理基板を吸引し、被処理基板に反りがあっても熱板側に強制的に吸着させることによって、被処理基板の熱板載置状態を一様にすることができ、また吸着溝及び吸着孔をフォトリソグラフィーとエッチングの技術を用いて形成することで、被処理基板を均一に吸引する精密なチャック機能を持たせることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、この発明の最良の形態について、添付図示に基づいて説明する。
【００２１】
＜第１の実施形態＞
図１はこの発明の第１の実施形態に係る熱処理用の熱板４１の裏面を示した図、図２は熱板４１の表面を示した図である。ここに示す熱板４１は、例えば厚さ７５０μｍ、直径３００ｍｍのウエハを載置することを前提としており、例えば厚さ０．５〜３ｍｍ、直径３４０ｍｍの大きさのものを対象としている。
【００２２】
この熱板４１の基材プレートは、例えば厚さが０．５〜３ｍｍ、直径３４０ｍｍの円盤状のシリコン基板４２からなり、その裏面には、図１に示すように、電気抵抗体である白金（Ｐｔ）膜からなる線状又は帯状のヒータ４３が、スパッタリングにより、蛇行状，円弧状，一筆書き状などの所定のパターンで形成されている。なお本明細書において、帯状のヒータといった場合、面状発熱体からなる場合のみならず、線状発熱体をジグザグに配置するなどして全体として面状に構成した場合をも含む意味である。
【００２３】
この実施形態の例では、中央に第１の環状ヒータ４４が、また、この第1の環状ヒータ４４を取り巻いて外周囲に第２の環状ヒータ４５が設けられ、このうち第２の環状ヒータ４５は４つのセクタに分離されている。そして、これらの第１の環状ヒータ４４の端部及び第２の環状ヒータ４５の各セクタの端部には、それぞれスパッタリングによりＮｉ／Ｃｒ膜からなる電極端子４６が形成されている。
【００２４】
更に、シリコン基板４２の裏面には、ほぼ正四角形の頂点に電気抵抗体である白金（Ｐｔ）膜からなる小片状の温度センサ４７が、スパッタリングにより形成され、その両端部にそれぞれスパッタリングによりＮｉ／Ｃｒ膜からなる一対の電極端子４８が形成されている。なお本明細書において、小片状の温度センサといった場合、面状抵抗体からなる場合のみならず、線状抵抗体をジグザグに配置するなどして全体として面状に構成した場合をも含む意味である。
【００２５】
また、シリコン基板４２の表面には、図２に示すように、半導体ウエハＷを下方から支えて熱板４１の上に昇降するための３本の支持ピン１０９（図１８参照）を挿通させる３つのピン孔４９が、正三角形の頂点に位置するように、ドライエッチングにより形成されている。更にまた、シリコン基板４２の表面には、載置する半導体ウエハＷとの間に若干の隙間を持たせるためのギャップ用突起として、５個のギャップピン５０が、四角形の頂点と四角形の中心に位置するように、フォトリソグラフィを用いて形成されている。
【００２６】
次に、図３〜図８を用いて、上記熱板４１の製造方法について説明する。
【００２７】
｛ヒータ４３の作成手順（図３，図４）｝
シリコン基板４２の裏面にヒータ４３を作成する手順を図３及び図４の（ａ），（ａ’）〜（ｊ），（ｊ’）に示す。なお図３及び図４中の各工程図の左側（ａ）〜（ｊ）は熱板４１の裏面を示し、また右側（ａ’）〜（ｊ’）はその直径方向のラインに沿った矢印方向の断面を示す。また、図４中の各工程図（ｇ），（ｇ’）〜（ｊ），（ｊ’）では、熱板４１の裏面の一部及びその端子部を通るラインに沿った矢印方向の断面を拡大して示してある。
【００２８】
まず、上記ヒータ４３の電気抵抗体であるＰｔ膜を形成するための手順を説明する。
【００２９】
図３に示すように、基材として直径３４０ｍｍ、厚さ３ｍｍのシリコン基板４２を用意し｛図３（ａ），（ａ’）｝、その裏面側に全面にＳｉＯ2膜５２を形成した後｛図３（ｂ），（ｂ’）｝、このＳｉＯ2膜５２の上に、フォトリソグラフィーの技術により、フォトレジスト５３の塗布，露光，現像，フォトレジスト除去の工程を経て、所定のヒータパターンに対応した形状のレジストパターン５４を形成する｛図３（ｃ），（ｃ’）｝。
【００３０】
次に、上記レジストパターン５４を残したまま全面にＰｔ膜５５を、スパッタリングにより形成する｛図３（ｄ），（ｄ’）｝。その後、このレジストパターン５４を、その上に形成されたＰｔ膜５５とともに除去する（リフトオフ）｛図３（ｅ），（ｅ’）｝。このいわゆるリフトオフ法によって、所定のヒータパターンの領域のみに、帯状のＰｔ膜５５が電気抵抗体（ヒータ４３）として形成される。ここでは、中央に第１の環状ヒータ４４が、またこれを取り巻いて外周囲に４つのセクタに分離された第２の環状ヒータ４５が形成される。
【００３１】
次に、上記ヒータ４３に電極端子４６を形成するための手順を説明する。
【００３２】
図４に示すように、上記のＰｔ膜５５が掲載されたシリコン基板４２上に、全面に絶縁膜としてポリイミド樹脂からなるポリイミド膜５６を形成し｛図４（ｆ），（ｆ’）｝、その絶縁膜１をパターニングして、ヒータ４３の端子に対応する形状の開口５７を形成し、Ｐｔ膜５５を露出させる｛図４（ｇ），（ｇ’）｝。
【００３３】
次に、このポリイミド膜５６の上に、フォトリソグラフィーの技術により、フォトレジスト５８を塗布し、露光，現像，フォトレジスト除去の工程を経て、上記開口５７を残して所定の端子パターンに対応した形状のレジストパターン５９を形成する｛図４（ｈ），（ｈ’）｝。
【００３４】
次に、上記レジストパターン５９を残したまま全面にＮｉ／Ｃｒ膜６０（例えば、０．１５μｍ／０．０１μｍ）をスパッタリングにより形成する｛図４（ｉ），（ｉ’）｝。その後、このレジストパターン５９を、その上に形成されたＮｉ／Ｃｒ膜６０とともに除去する（リフトオフ）｛図４（ｊ），（ｊ’）｝。これにより、第１の環状ヒータ４４の端部及び第２の環状ヒータ４５の各セクタの端部にのみ、それぞれ表面にＮｉ／Ｃｒ膜６０を持つ電極端子４６が形成される。
【００３５】
｛温度センサ４７の作成手順（図５，図６）｝
シリコン基板４２の裏面に温度センサ４７を作成する手順を図５及び図６の（ｂ）〜（ｉ）に示す。図５（ａ）は温度センサ４７を簡略的に示したものであり、ジグザグな線状に形成された電気抵抗体であるＰｔ膜６１とその両端の電極端子４８とで構成されている。図５及び図６中の各工程図（ｂ）〜（ｉ）は、この図５（ａ）に示す温度センサ４７を、その両端の電極端子４８を通るラインに沿った矢印方向の断面を示したものである。同じＰｔ膜でありながら、ヒータ４３と同じ工程で温度センサ４７を製造しないのは、Ｐｔ膜の厚さが、ヒータ４３で２．０μｍ、温度センサ４７で０．３μｍ、と互いに異なっているためである。
【００３６】
まず図５（ｂ）に示すように、上記ヒータ４３及び電極端子４６が形成されたシリコン基板４２の裏面上｛図５（ｂ）ではポリイミド膜５６の上｝に、フォトリソグラフィーの技術により、フォトレジスト６２の塗布，露光，現像，フォトレジスト除去の工程を経て、所定のセンサパターンに対応した形状のレジストパターン６３を形成する｛図５（ｂ）｝。また、このレジストパターン６３で覆われていないポリイミド膜５６の部分を除去する。図５（ｂ）は、このポリイミド膜の部分を除去した状態を示す。
【００３７】
次に、上記レジストパターン６３を残したまま全面にＰｔ膜６１を、スパッタリングにより形成する｛図５（ｃ）｝。その後、このレジストパターン６３を、その上に形成されたＰｔ膜６１とともに除去する（リフトオフ）｛図５（ｄ）｝。このときポリイミド膜５６も一緒に除去するが、温度センサ４７上の領域以外のポリイミド膜５６はそのまま残す。これによって、所定のセンサパターンの帯状の領域｛ここではジグザグな線状領域｝のみに、Ｐｔ膜６１が電気抵抗体（温度センサ４７）として形成される。ただし、ポリイミド膜５６は除去しないで、そのまま残しておいてもよい。
【００３８】
次に、上記温度センサ４７に電極端子４８を形成するための手順を説明する。
【００３９】
図６に示すように、上記のＰｔ膜６１が掲載されたシリコン基板４２上に、全面に絶縁膜ポリイミド樹脂からなるポリイミド膜６４を形成する｛図６（ｅ）｝。上記のポリイミド膜５６を除去しないで、そのまま残しておく形態では、このポリイミド膜５６上に重ねてポリイミド膜６４を形成することになる。このポリイミド膜６４（又はポリイミド膜５６とポリイミド膜６４）をパターニングして、温度センサ４７の電極端子に対応する形状の開口６５を形成し、Ｐｔ膜６１を露出させる｛図６（ｆ）｝。
【００４０】
次に、このポリイミド膜６４の上に、フォトリソグラフィーの技術により、フォトレジスト６６を塗布し、露光，現像，フォトレジスト除去の工程を経て、上記開口６５を残して所定の端子パターンに対応した形状のレジストパターン６７を形成する｛図６（ｇ）｝。
【００４１】
次に、上記レジストパターン６７を残したまま全面にＡｕ膜６８をスパッタリングにより形成する｛図６（ｈ）｝。その後、このレジストパターン６７を、その上に形成されたＡｕ膜６８とともに除去する（リフトオフ）｛図６（ｉ）｝。これにより、Ｐｔ膜６１の上にのみ、それぞれＡｕ膜６８が形成され、表面にＡｕ膜６８を持つ電極端子４８が形成される。
【００４２】
｛ピン孔４９及びギャップ用突起の作成手順（図７，図８）｝
シリコン基板４２にピン孔４９を作成し、シリコン基板４２の表面にギャップ用突起としてのギャップピン５０を作成する手順を図７及び図８の（ａ），（ａ’）〜（ｇ），（ｇ’）に示す。なお図７中の各工程図の左側（ａ）〜（ｄ）は熱板４１の表面を示し、また右側（ａ’）〜（ｄ’）はそのピン孔４９を通るラインに沿った矢印方向の断面を示す。また図８中の各工程図の左側（ｅ）〜（ｇ）は熱板４１の表面を示し、また右側（ｅ‘）〜（ｇ’）はそのピン孔４９及びギャップピン５０を通るラインに沿った矢印方向の断面を示す。
【００４３】
まず、上記ヒータ４３及び温度センサ４７の形成されたシリコン基板４２の表面を上側とし｛図７（ａ），（ａ’）｝、その全面にフォトレジスト６９を形成し、フォトリソグラフィーの技術により、露光，現像，フォトレジスト除去の工程を経て、所定のピン孔パターンに対応した開孔を持つ形状のレジストパターン７０を形成する｛図７（ｂ），（ｂ’）｝。その際、予め裏面側の上記ポリイミド膜５６にも対応位置に所定のピン孔パターンに対応した位置に開孔７１を形成しておく。
【００４４】
次に、上記レジストパターン７０をマスクとして、ドライエッチングにより、シリコン基板４２を表面側からエッチングを行い、所定の厚さ（高さｈ）を残した深さの有底孔７２を形成し｛図７（ｃ），（ｃ’）｝、その後、レジストパターン７０を除去する（レジストアッシング）｛図７（ｄ），（ｄ’）｝。
【００４５】
続いて、上記有底孔７２を設けたシリコン基板４２の表面上に、ギャップピン５０に対応する部位のみにフォトレジスト７３が残るようにレジストパターン７４を形成する｛図８（ｅ），（ｅ’）｝。そして、このレジストパターン７４をマスクとして、ドライエッチングにより、シリコン基板４２を表面側から所定の厚さ（高さｈ）だけエッチングして除去すると共に、有底孔７２の下方の部位のＳｉＯ2膜５２も同時に除去する｛図８（ｆ），（ｆ’）｝。これにより、有底孔７２は、予め裏面側のポリイミド膜５６に形成しておいた開孔７１と連通し、所定のピン孔４９が形成される。次いで、レジストパターン７４を除去する（レジストアッシング）｛図８（ｇ），（ｇ’）｝。これにより、シリコン基板４２の表面上には、所定の高さｈのギャップピン５０が残る。
【００４６】
＜第２の実施形態＞
図９はこの発明の第２の実施形態に係る熱板４１の表面を示した図である。
【００４７】
上記第１の実施形態ではギャップ用突起をシリコン基板４２をエッチングして得たギャップピン５０により形成したが、この第２の実施形態では、図９に示すように、シリコン基板４２の表面に一定の厚みで絶縁性の合成樹脂材料であるポリイミド樹脂による環状突起７５を設けることでギャップ用突起を形成する。図９の例では、中央に位置する第１の環状突起７６と外周側に位置する第２の環状突起７７とを設けている。なお、これらの環状突起７５は３つのピン孔４９を避ける位置に設ける。
【００４８】
また、シリコン基板４２の表面には、半導体ウエハＷを吸着し加熱処理させるために、中心に１つの吸着孔７８を設けると共に、これと連通する吸着溝７９を設けている。この吸着溝７９も３つのピン孔４９を避ける位置に設けられる。図９の例では、吸着溝７９として、吸着孔７８を取り巻いて周囲に配置した第１の環状溝８０、第２の環状溝８１及び第３の環状溝８２と、これらを連通させる半径方向の直線的な４本の連通溝８３を設けている。上記第１の環状突起７６は、中心の吸着溝７９と第１の環状溝８０との間に位置し、また第２の環状突起７７は第２の環状溝８１と第３の環状溝８２との間に位置する。したがって、ポリイミド樹脂による第１の環状突起７６と第２の環状突起７７は、それぞれ上記４本の半径方向の連通溝８３により４つのセクタに分かれている。なお、３つのピン孔４９は第１の環状突起７６と第２の環状突起７７の間に位置している。
【００４９】
この第２の実施形態によれば、半導体ウエハＷを吸着し加熱処理させる際のギャップを高精度に設定することができため、吸引力や吸引分布をウエハ面内で均一になるように高精度に制御することができる。
【００５０】
｛ギャップ用突起，吸着孔７８，吸着溝７９，ピン孔４９の作成手順（図１０，図１１）｝
シリコン基板４２の表面にギャップ用突起としての環状突起７５、吸着溝７９及び吸着孔７８を作成すると共に、シリコン基板４２にピン孔４９を作成する手順を、図１０及び図１１の（ａ），（ａ’）〜（ｈ），（ｈ’）を用いて説明する。なお図１０及び図１１中の各工程図の左側（ａ）〜（ｈ）は熱板４１の表面を示し、また右側（ａ’）〜（ｈ’）は図示の直径方向のラインに沿った矢印方向の断面を示す。
【００５１】
まず、上記ヒータ４３及び温度センサ４７の形成されたシリコン基板４２の表面を上側とし｛図１０（ａ），（ａ’）｝、その際、予め裏面側の上記ポリイミド膜５６の所定のピン孔パターン及び吸着孔パターンに対応した位置に開孔７１及び開孔８４を形成しておく。そして、このシリコン基板４２の表面に、フォトリソグラフィーの技術を用いて、ポリイミド樹脂からなるギャップ用突起である第１の環状突起７６と第２の環状突起７７を、所定の突起パターンにて形成する｛図１０（ｂ），（ｂ’）｝。
【００５２】
次に、上記シリコン基板４２の表面に、フォトレジスト８５を全面に形成し、フォトリソグラフィーの技術により、露光，現像，フォトレジスト除去の工程を経て、所定の吸着溝７９のパターンに対応した形状のレジストパターン８６を形成する｛図１０（ｃ），（ｃ’）｝。
【００５３】
次に、上記レジストパターン８６をマスクとして、ドライエッチングにより、シリコン基板４２を表面側からエッチングを行い、所定の溝深さの有底孔８７を形成し｛図１０（ｄ），（ｄ’）｝、その後、レジストパターン８６を除去する｛図１１（ｅ），（ｅ’）｝。これにより環状突起７５を備えたシリコン基板４２の表面に、所定の吸着溝７９が形成される。
【００５４】
続いて、上記シリコン基板４２の表面に、フォトリソグラフィーの技術により、フォトレジスト８８の塗布，露光，現像，フォトレジスト除去の工程を経て、所定のピン孔パターン及び所定の吸着孔パターンに対応した形状の有底孔８９及び有底孔９０を有するレジストパターン９１を形成する｛図１１（ｆ），（ｆ’）｝。その際、これらの所定のピン孔パターン及び所定の吸着孔パターンは、裏面側の上記ポリイミド膜５６の対応位置に設けた開孔７１及び開孔８４のパターン位置と合致させておく。
【００５５】
次に、上記レジストパターン９１をマスクとして、ドライエッチングにより、シリコン基板４２を表面側からエッチングし、有底孔８９及び有底孔９０を裏面側の開孔７１及び開孔８４と連通させる｛図１１（ｇ），（ｇ’）｝。その後、レジストパターン９１を除去（レジストアッシング）することで、所定のピン孔４９及び所定の吸着孔７８が得られる｛図１１（ｈ），（ｈ’）｝。
【００５６】
＜第３の実施形態＞
図１２にこの発明の第３の実施形態を示す。これはシリコン基板４２の裏面側ではなく、表面側に温度センサ４７を形成した例である。この第３の実施形態によれば、シリコン基板４２の裏面側に温度センサ４７を形成する場合に比べ、被加熱対象であるウエハに近い温度制御が可能となり、より高精密が温度制御が実現できるという利点を有する。
【００５７】
｛表面側への温度センサ４７の作成手順（図１３，図１４）｝
このシリコン基板４２の表面側に温度センサ４７を形成する手順について説明する。図１３及び図１４にこの手順を示す。図１３及び図１４中の各工程図の左側（ａ）〜（ｇ）は熱板４１の表面を示し、また右側（ａ’）〜（ｇ’）は図示のギャップピン５０，ピン孔４９及び温度センサ４７を通るラインに沿った矢印方向の断面を示す。
【００５８】
シリコン基板４２の表面にギャップ用突起としてのギャップピン５０が形成され、かつ上記のピン孔４９を有するシリコン基板４２の表面側に、絶縁膜としてのポリイミド樹脂からなるポリイミド膜９２を全面に形成する。
【００５９】
次に、ポリイミド膜９２の上に、フォトリソグラフィーの技術により、フォトレジスト９３の塗布，露光，現像，フォトレジスト除去の工程を経て、所定のセンサパターンに対応した形状のレジストパターン９４を形成する｛図１３（ｂ），（ｂ’）｝。
【００６０】
次に、上記レジストパターン９４を残したまま全面にＰｔ膜９５を、スパッタリングにより形成する｛図１３（ｃ），（ｃ’）｝。その後、このレジストパターン９４を、その上に形成されたＰｔ膜９５とともに除去する（リフトオフ）｛図１３（ｄ），（ｄ’）｝。これによって、所定のセンサパターンの帯状の領域（正確には線状の抵抗体をジグザグに全体として帯状に配置した領域）のみに、Ｐｔ膜９５が電気抵抗体（温度センサ４７）のＰｔ膜９６として形成される。ただし、ギャップピン５０はポリイミド膜９２及びフォトレジスト９３を貫いて高く位置しているので、レジストパターン９４の除去後に、ギャップピン５０の頂部にもＰｔ膜９５が不要なＰｔ膜９７としてそのまま残る。
【００６１】
そこで、この不要なＰｔ膜９７を除去するため、Ｐｔ膜９７を除いてシリコン基板４２の表面をポリイミド膜９２の上からフォトレジスト９８で覆い｛図１４（ｅ），（ｅ’）｝、このレジストパターン９９をマスクとして、ドライエッチングにより、Ｐｔ膜９７を除去し｛図１４（ｆ），（ｆ’）｝、その後、レジストパターン９９を除去する（レジストアッシング）｛図１４（ｇ），（ｇ’）｝。これによりギャップピン５０を備えるシリコン基板４２の表面に温度センサ４７が形成される。
【００６２】
上記実施の形態では、先にヒータ４３を形成したが、ヒータ４３，温度センサ４７，ギャップ用突起の形成順序は、適宜変更することができる。
【００６３】
以下に、この発明に係る熱板４１を、半導体ウエハのレジスト塗布・現像処理システムにおける熱処理装置に適用した場合について説明する。
【００６４】
図１５は、上記レジスト液塗布・現像処理システムの一実施形態の概略平面図、図１６は、図１５の正面図、図１７は、図１５の背面図である。
【００６５】
上記レジスト液塗布・現像処理システムは、被処理基板である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）をウエハカセット１で複数枚例えば２５枚単位で外部からシステムに搬入またはシステムから搬出したり、ウエハカセット１に対してウエハＷを搬出・搬入したりするためのカセットステーション１０（搬送部）と、塗布現像工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置してなる処理装置を具備する処理ステーション２０と、この処理ステーション２０と隣接して設けられる露光装置（図示せず）との間でウエハＷを受け渡すためのインター・フェース部３０とで主要部が構成されている。
【００６６】
上記カセットステーション１０は、図１５に示すように、カセット載置台２上の突起３の位置に複数個例えば４個までのウエハカセット１がそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション２０側に向けて水平のＸ方向に沿って一列に載置され、カセット配列方向（Ｘ方向）及びウエハカセット１内に垂直方向に沿って収容されたウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送用ピンセット４が各ウエハカセット１に選択的に搬送するように構成されている。また、ウエハ搬送用ピンセット４は、θ方向に回転可能に構成されており、後述する処理ステーション２０側の第３の組Ｇ３の多段ユニット部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）及びエクステンションユニット（ＥＸＴ）にも搬送できるようになっている。
【００６７】
上記処理ステーション２０は、図１５に示すように、中心部には、移動機構２２によって垂直移動する垂直搬送型の主ウエハ搬送機構２１が設けられ、この主ウエハ搬送機構２１の周りに全ての処理ユニットが１組または複数の組に渡って多段に配置されている。この例では、５組Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４及びＧ５の多段配置構成であり、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２の多段ユニットはシステム正面側に並列され、第３の組Ｇ３の多段ユニットはカセットステーション１０に隣接して配置され、第４の組Ｇ４の多段ユニットはインター・フェース部３０に隣接して配置され、第５の組Ｇ５の多段ユニットは背部側に配置されている。
【００６８】
この場合、図１６に示すように、第１の組Ｇ１では、容器としてのカップ２３内でウエハＷと現像液供給手段（図示せず）とを対峙させてレジストパターン５４を現像する現像ユニット（ＤＥＶ）と、ウエハＷをスピンチャック（図示せず）に載置して所定の処理を行うレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）とが垂直方向の下から順に２段に重ねられている。第２の組Ｇ２も同様に、２台のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）及び現像ユニット（ＤＥＶ）が垂直方向の下から順に２段に重ねられている。このようにレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を下段側に配置した理由は、レジスト液の排液が機構的にもメンテナンスの上でも面倒であるためである。しかし、必要に応じてレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を上段に配置することも可能である。
【００６９】
図１７に示すように、第３の組Ｇ３では、ウエハＷをウエハ載置台２４（図１５参照）に載置して所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット例えばウエハＷを冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）、ウエハＷに疎水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、ウエハＷの位置合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウエハＷの搬入出を行うエクステンションユニット（ＥＸＴ）、ウエハＷをベークする４つのホットプレートユニット（ＨＰ）が垂直方向の下から順に例えば８段に重ねられている。
【００７０】
また第４の組Ｇ４では、オーブン型処理ユニット例えばクーリングユニット（ＣＯＬ）、エクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、急冷機能を有する２つのチリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）及び２つのホットプレートユニット（ＨＰ）が垂直方向の下から順に例えば８段に重ねられている。このチリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）及びホットプレートユニット（ＨＰ）には、この発明に係る熱板４１を用いた熱処理装置が用いられている。
【００７１】
上記のように処理温度の低いクーリングユニット（ＣＯＬ）、エクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いホットプレートユニット（ＨＰ）、チリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）及びアドヒージョンユニット（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。勿論、ランダムな多段配置とすることも可能である。
【００７２】
なお、図１５に示すように、処理ステーション２０において、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２の多段ユニット（スピナ型処理ユニット）に隣接する第３及び第４の組Ｇ３，Ｇ４の多段ユニット（オーブン型処理ユニット）の側壁の中には、それぞれダクト２５，ダクト２６が垂直方向に縦断して設けられている。これらのダクト２５，２６には、ダウンフローの清浄空気または特別に温度調整された空気が流されるようになっている。このダクト構造によって、第３及び第４の組Ｇ３，Ｇ４のオーブン型処理ユニットで発生した熱は遮断され、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２のスピナ型処理ユニットへは及ばないようになっている。
【００７３】
また、この処理システムでは、主ウエハ搬送機構２１の背部側にも図１５に点線で示すように第５の組Ｇ５の多段ユニットが配置できるようになっている。この第５の組Ｇ５の多段ユニットは、案内レール２７に沿って主ウエハ搬送機構２１から見て側方へ移動できるようになっている。したがって、第５の組Ｇ５の多段ユニットを設けた場合でも、ユニットをスライドすることにより空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構２１に対して背後からメンテナンス作業を容易に行うことができる。
【００７４】
上記インター・フェース部３０は、奥行き方向では処理ステーション２０と同じ寸法を有するが、幅方向では小さなサイズに作られている。このインター・フェース部３０の正面部には可搬性のピックアップカセット３１と定置型のバッファカセット３２が２段に配置され、背面部には、ウエハＷの周辺部の露光及び識別マーク領域の露光を行う露光手段である周辺露光装置３３が配設され、中央部には、搬送手段であるウエハの搬送アーム３４が配設されている。この搬送アーム３４は、Ｘ，Ｚ方向に移動して両カセット３１，３２及び周辺露光装置３３に搬送するように構成されている。また、搬送アーム３４は、θ方向に回転可能に構成され、処理ステーション２０側の第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）及び隣接する露光装置側のウエハ受渡し台（図示せず）にも搬送できるように構成されている。
【００７５】
上記のように構成される処理システムは、クリーンルーム４０内に設置されるが、更にシステム内でも効率的な垂直層流方式によって各部の清浄度を高めている。
【００７６】
次に、上記ホットプレートユニット（ＨＰ）及びチリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）を構成するこの発明に係る熱板を用いた熱処理装置について、図１５を参照して詳細に説明する。ここでは、この発明に係る熱板を用いた熱処理装置をチリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）に適用した場合について説明する。
【００７７】
上記熱処理装置１００は、図１８に示すように、熱処理ユニットのケーシング（図示せず）内に、ウエハＷを加熱する加熱部１００ａと、ウエハＷを冷却する冷却部１００ｂが設けられている。加熱部１００ａには、表面に塗布膜であるレジスト膜が形成されたウエハＷを載置し加熱する熱板４１と、熱板４１の外周及び下部側を包囲する支持台１０１と、この支持台１０１の外周及び下部側を包囲するサポートリング１０２と、サポートリング１０２の上方開口部を覆い、サポートリング１０２と協働して熱処理室１０３を形成する蓋体１０４が設けられている。なお、サポートリング１０２の頂部の蓋体１０４に当接する面には円状の凹溝１０５が周設されており、この凹溝１０５内にＯリング１０６が嵌挿されている。
【００７８】
上記熱板４１の裏面には、温度制御器１０７からの出力制御により所定温度に設定されるヒータ４３が、上記第１の実施形態で述べた製造方法により設けられている。また、熱板４１の同心円上の３箇所には、貫通孔より成る３個のピン孔４９が三角形の頂点に位置するように設けられている。このピン孔４９には、熱板４１の下方に配設された昇降駆動機構１０８によって昇降する３本の支持ピン１０９が貫通可能になっており、支持ピン１０９の昇降により、ウエハＷが冷却部１００ｂの冷却プレート１１０との間で受け渡されるようになっている。
【００７９】
また、熱板４１の表面には、この熱板４１の温度を検出する温度検出手段である温度センサ４７が、上記の製造方法により設けられている。この温度センサ４７によって検出された熱板４１の温度の検出信号が、制御コンピュータ１１１の中央演算処理装置（ＣＰＵ）を主体として構成される制御手段としての制御部１１２に伝達され、制御部１１２により上記温度制御器１０７を介して熱板４１の温度が一定にコントロールされるように構成されている。
【００８０】
また、上記蓋体１０４の一側には支持部１１３が突設されており、この支持部１１３に蓋体昇降機構例えば昇降シリンダ１１４のピストンロッド１１５が連結されている。したがって、昇降シリンダ１１４の駆動によって蓋体１０４がサポートリング１０２に対して接離移動すなわち開閉移動するようになっている。
【００８１】
上記昇降シリンダ１１４及び昇降駆動機構１０８は、制御部１１２に電気的に接続されており、制御部１１２からの制御信号に基づいて駆動、すなわち蓋体１０４の開閉動作、支持ピン１０９の昇降動作するように構成されている。
【００８２】
次に、上記レジスト液塗布・現像処理システムの動作について説明する。まず、カセットステーション１０において、ウエハ搬送用ピンセット４がカセット載置台２上の未処理のウエハＷを収容しているカセット１にアクセスして、そのカセット１から１枚のウエハＷを取り出す。ウエハ搬送用ピンセット４は、カセット１よりウエハＷを取り出すと、処理ステーション２０側の第３の組Ｇ３の多段ユニット内に配置されているアライメントユニット（ＡＬＩＭ）まで移動し、ユニット（ＡＬＩＭ）内のウエハ載置台２４上にウエハＷを載せる。ウエハＷは、ウエハ載置台２４上でオリフラ合せ及びセンタリングを受ける。その後、主ウエハ搬送機構２１がアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に反対側からアクセスし、ウエハ載置台２４からウエハＷを受け取る。
【００８３】
処理ステーション２０において、主ウエハ搬送機構２１はウエハＷを最初に第３の組Ｇ３の多段ユニットに属するアドヒージョンユニット（ＡＤ）に搬入する。このアドヒージョンユニット（ＡＤ）内でウエハＷは疎水化処理を受ける。疎水化処理が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをアドヒージョンユニット（ＡＤ）から搬出して、次に第３の組Ｇ３または第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するクーリングユニット（ＣＯＬ）へ搬入する。このクーリングユニット（ＣＯＬ）内でウエハＷはレジスト塗布処理前の設定温度例えば２３℃まで冷却される。冷却処理が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをクーリングユニット（ＣＯＬ）から搬出し、次に第１の組Ｇ１または第２の組Ｇ２の多段ユニットに属するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）へ搬入する。このレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）内でウエハＷはスピンコート法によりウエハ表面に一様な膜厚でレジストを塗布する。
【００８４】
レジスト塗布処理が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）から搬出し、次にホットプレートユニット（ＨＰ）内へ搬入する。ホットプレートユニット（ＨＰ）内でウエハＷは載置台上に載置され、所定温度例えば１００℃で所定時間プリベーク処理される。これによって、ウエハＷ上の塗布膜から残存溶剤を蒸発除去することができる。プリベークが終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをホットプレートユニット（ＨＰ）から搬出し、次に第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）へ搬送する。このユニット（ＥＸＴＣＯＬ）内でウエハＷは次工程すなわち周辺露光装置３３における周辺露光処理に適した温度例えば２４℃まで冷却される。この冷却後、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷを直ぐ上のエクステンションユニット（ＥＸＴ）へ搬送し、このユニット（ＥＸＴ）内の載置台（図示せず）の上にウエハＷを載置する。このエクステンションユニット（ＥＸＴ）の載置台上にウエハＷが載置されると、インター・フェース部３０の搬送アーム３４が反対側からアクセスして、ウエハＷを受け取る。そして、搬送アーム３４はウエハＷをインター・フェース部３０内の周辺露光装置３３へ搬入する。
【００８５】
露光装置で全面露光が済んで、ウエハＷが露光装置側のウエハ受取り台に戻されると、インター・フェース部３０の搬送アーム３４はそのウエハ受取り台へアクセスしてウエハＷを受け取り、受け取ったウエハＷを処理ステーション２０側の第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）へ搬入し、ウエハ受取り台上に載置する。この場合にも、ウエハＷは、処理ステーション２０側へ渡される前にインター・フェース部３０内のバッファカセット３２に一時的に収納されることもある。
【００８６】
ウエハ受取り台上に載置されたウエハＷは、主ウエハ搬送機構２１により、チリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）に搬送され、フリンジの発生を防止するため、あるいは化学増幅型レジスト（ＣＡＲ）における酸触媒反応を誘起するためポストエクスポージャーベーク処理が施される。
【００８７】
その後、ウエハＷは、第１の組Ｇ１または第２の組Ｇ２の多段ユニットに属する現像ユニット（ＤＥＶ）に搬入される。この現像ユニット（ＤＥＶ）内では、ウエハＷ表面のレジストに現像液が満遍なく供給されて現像処理が施される。
【００８８】
現像工程が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷを現像ユニット（ＤＥＶ）から搬出して、次に第３の組Ｇ３または第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するホットプレートユニット（ＨＰ）へ搬入する。このユニット（ＨＰ）内でウエハＷは例えば１００℃で所定時間ポストベーク処理される。これによって、現像で膨潤したレジストが硬化し、耐薬品性が向上する。
【００８９】
ポストベークが終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをホットプレートユニット（ＨＰ）から搬出し、次にいずれかのクーリングユニット（ＣＯＬ）へ搬入する。ここでウエハＷが常温に戻った後、主ウエハ搬送機構２１は、次にウエハＷを第３の組Ｇ３に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）へ移送する。このエクステンションユニット（ＥＸＴ）の載置台（図示せず）上にウエハＷが載置されると、カセットステーション１０側のウエハ搬送用ピンセット４が反対側からアクセスして、ウエハＷを受け取る。そして、ウエハ搬送用ピンセット４は、受け取ったウエハＷをカセット載置台２上の処理済みウエハ収容用のカセット１の所定のウエハ収容溝に入れて処理が完了する。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】この発明の第１の実施形態に係る熱板の裏面を示した図である。
【図２】この発明の第１の実施形態に係る熱板の表面を示した図である。
【図３】この発明の第１の実施形態に係る熱板のヒータの作成手順の前半を示した図である。
【図４】この発明の第１の実施形態に係る熱板のヒータの作成手順の後半を示した図である。
【図５】この発明の第１の実施形態に係る熱板の温度センサの作成手順の前半を示した図である。
【図６】この発明の第１の実施形態に係る熱板の温度センサの作成手順の後半を示した図である。
【図７】この発明の第１の実施形態に係る熱板のピン孔及びギャップ用突起の作成手順の前半を示した図である。
【図８】この発明の第１の実施形態に係る熱板のピン孔及びギャップ用突起の作成手順の後半を示した図である。
【図９】この発明の第２の実施形態に係る熱板の表面を示した図である。
【図１０】この発明の第２の実施形態に係る熱板を作成する手順の前半を示した図である。
【図１１】この発明の第２の実施形態に係る熱板を作成する手順の後半を示した図である。
【図１２】この発明の第３の実施形態に係る熱板の表面を示した図である。
【図１３】この発明の第３の実施形態に係る熱板の作成手順の前半を示した図である。
【図１４】この発明の第３の実施形態に係る熱板の作成手順の後半を示した図である。
【図１５】この発明の熱板を用いた熱処理装置を用いたレジスト液塗布・現像処理システムの一例を示す概略平面図である。
【図１６】上記レジスト液塗布・現像処理システムの概略正面図である。
【図１７】上記レジスト液塗布・現像処理システムの概略背面図である。
【図１８】この発明の熱板を用いた上記熱処理装置の構成を示した図である。
【符号の説明】
【００９１】
４１ 熱板
４２ シリコン基板
４３ ヒータ
４４ 第１の環状ヒータ
４５ 第２の環状ヒータ
４６ 電極端子
４７ 温度センサ
４８ 電極端子
４９ ピン孔
５０ ギャップピン
５２ ＳｉＯ2膜
５３ フォトレジスト
５４ レジストパターン
５５ Ｐｔ膜
５６ ポリイミド膜
５７ 開口
５８ フォトレジスト
５９ レジストパターン
６０ Ｎｉ／Ｃｒ膜
６１ Ｐｔ膜
６２ フォトレジスト
６３ レジストパターン
６４ ポリイミド膜
６５ 開口
６６ フォトレジスト
６７ レジストパターン
６８ Ａｕ膜
６９ フォトレジスト
７０ レジストパターン
７１ 開孔
７２ 有底孔
７３ フォトレジスト
７４ レジストパターン
７５ 環状突起
７６ 第１の環状突起
７７ 第２の環状突起
７８ 吸着孔
７９ 吸着溝
８０ 第１の環状溝
８１ 第２の環状溝
８２ 第３の環状溝
８３ 連通溝
８４ 開孔
８５ フォトレジスト
８６ レジストパターン
８７ 有底孔
８８ フォトレジスト
８９ 有底孔
９０ 有底孔
９１ レジストパターン
９２ ポリイミド膜
９３ フォトレジスト
９４ レジストパターン
９５ Ｐｔ膜
９６ Ｐｔ膜
９７ Ｐｔ膜
９８ フォトレジスト
９９ レジストパターン
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を載置し該被処理基板を加熱するための熱板であって、
基材となるシリコン基板と、
上記シリコン基板の裏面に成膜された金属の電気抵抗体からなるヒータと、
上記シリコン基板の裏面又は表面に成膜された金属の電気抵抗体からなる温度センサと、
被処理基板を下方から支えて熱板の上に昇降するための支持ピンを挿通させるべく上記シリコン基板に設けられたピン孔と、
上記シリコン基板の表面に形成され、熱板の上に載置される被処理基板との間に隙間を形成するためギャップ用突起と、
を備えたことを特徴とする熱板。
【請求項２】
請求項１に記載の熱板において、
上記ヒータ及び温度センサが白金（Ｐｔ）膜からなることを特徴とする熱板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の熱板において、
上記ギャップ用突起が上記シリコン基板の表面に形成されたシリコンのギャップピンからなることを特徴とする熱板。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の熱板において、
上記ギャップ用突起が上記シリコン基板の表面に形成された合成樹脂材料の突起からなることを特徴とする熱板。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の熱板において、
上記シリコン基板の表面に、被処理基板を吸着し加熱処理させるための吸着溝及び吸着孔を有する、
ことを特徴とする熱板。
【請求項６】
被処理基板を載置し該被処理基板を加熱するための熱板の製造方法であって、
基材であるシリコン基板の裏面にスパッタリングにより金属の電気抵抗体からなるヒータを成膜する工程と、
上記シリコン基板の裏面又は表面にスパッタリングにより金属の電気抵抗体からなる温度センサを成膜する工程と、
上記シリコン基板に被処理基板を下方から支えて熱板の上に昇降するための支持ピンを挿通させるピン孔を設ける工程と、
上記シリコン基板の表面に、熱板の上に載置される被処理基板との間に隙間を形成するためギャップ用突起を設ける工程と、
を有することを特徴とする熱板の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の熱板の製造方法において、
上記ヒータ及び温度センサの材料に白金（Ｐｔ）を用いることを特徴とする熱板の製造方法。
【請求項８】
請求項６又は７に記載の熱板の製造方法において、
上記ギャップ用突起として、上記シリコン基板の表面をエッチングすることによりシリコンのギャップピンを設けることを特徴とする熱板の製造方法。
【請求項９】
請求項６又は７に記載の熱板の製造方法において、
上記ギャップ用突起として、上記シリコン基板の表面に合成樹脂材料の突起を形成することを特徴とする熱板の製造方法。
【請求項１０】
請求項６ないし９のいずれかに記載の熱板の製造方法において、
上記シリコン基板の表面に、被処理基板を吸着し加熱処理させるための吸着溝及び吸着孔を、フォトリソグラフィーとエッチングの技術を用いて形成する、
ことを特徴とする熱板の製造方法。
【請求項１】
被処理基板を載置し該被処理基板を加熱するための熱板であって、
基材となるシリコン基板と、
上記シリコン基板の裏面に成膜された金属の電気抵抗体からなるヒータと、
上記シリコン基板の裏面又は表面に成膜された金属の電気抵抗体からなる温度センサと、
被処理基板を下方から支えて熱板の上に昇降するための支持ピンを挿通させるべく上記シリコン基板に設けられたピン孔と、
上記シリコン基板の表面に形成され、熱板の上に載置される被処理基板との間に隙間を形成するためギャップ用突起と、
を備えたことを特徴とする熱板。
【請求項２】
請求項１に記載の熱板において、
上記ヒータ及び温度センサが白金（Ｐｔ）膜からなることを特徴とする熱板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の熱板において、
上記ギャップ用突起が上記シリコン基板の表面に形成されたシリコンのギャップピンからなることを特徴とする熱板。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の熱板において、
上記ギャップ用突起が上記シリコン基板の表面に形成された合成樹脂材料の突起からなることを特徴とする熱板。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の熱板において、
上記シリコン基板の表面に、被処理基板を吸着し加熱処理させるための吸着溝及び吸着孔を有する、
ことを特徴とする熱板。
【請求項６】
被処理基板を載置し該被処理基板を加熱するための熱板の製造方法であって、
基材であるシリコン基板の裏面にスパッタリングにより金属の電気抵抗体からなるヒータを成膜する工程と、
上記シリコン基板の裏面又は表面にスパッタリングにより金属の電気抵抗体からなる温度センサを成膜する工程と、
上記シリコン基板に被処理基板を下方から支えて熱板の上に昇降するための支持ピンを挿通させるピン孔を設ける工程と、
上記シリコン基板の表面に、熱板の上に載置される被処理基板との間に隙間を形成するためギャップ用突起を設ける工程と、
を有することを特徴とする熱板の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の熱板の製造方法において、
上記ヒータ及び温度センサの材料に白金（Ｐｔ）を用いることを特徴とする熱板の製造方法。
【請求項８】
請求項６又は７に記載の熱板の製造方法において、
上記ギャップ用突起として、上記シリコン基板の表面をエッチングすることによりシリコンのギャップピンを設けることを特徴とする熱板の製造方法。
【請求項９】
請求項６又は７に記載の熱板の製造方法において、
上記ギャップ用突起として、上記シリコン基板の表面に合成樹脂材料の突起を形成することを特徴とする熱板の製造方法。
【請求項１０】
請求項６ないし９のいずれかに記載の熱板の製造方法において、
上記シリコン基板の表面に、被処理基板を吸着し加熱処理させるための吸着溝及び吸着孔を、フォトリソグラフィーとエッチングの技術を用いて形成する、
ことを特徴とする熱板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【公開番号】特開２００７−３２９００８（Ｐ２００７−３２９００８Ａ）
【公開日】平成１９年１２月２０日（２００７．１２．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１５８８９８（Ｐ２００６−１５８８９８）
【出願日】平成１８年６月７日（２００６．６．７）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１２月２０日（２００７．１２．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年６月７日（２００６．６．７）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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