配線基板及びＩＣチップの実装方法
【課題】接続不良が発生せず導通信頼性を向上させることが可能な異方導電性接着剤を用いたＩＣチップの接続技術を提供する。
【解決手段】本発明は、基板本体１２の接続側面上に複数の接続電極１３、１４、１５を有し、異方導電性接着剤によってＩＣチップ１が実装される配線基板である。複数の接続電極１３、１４、１５のうち、予め特定された領域の接続電極１４の高さが、他の接続電極１３、１５の高さより高くされている。
【解決手段】本発明は、基板本体１２の接続側面上に複数の接続電極１３、１４、１５を有し、異方導電性接着剤によってＩＣチップ１が実装される配線基板である。複数の接続電極１３、１４、１５のうち、予め特定された領域の接続電極１４の高さが、他の接続電極１３、１５の高さより高くされている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶表示装置等の配線基板上へのＩＣチップの実装技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、例えば液晶表示装置等の配線（ガラス）基板上にＩＣチップを実装する手段として、異方導電性接着フィルムが用いられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この異方導電性接着フィルムを用いてＣＯＧ（Cip On Glass）方式によってＩＣチップの実装を行うには、ＩＣチップの接続端子（バンプ）と配線基板の接続電極との間に異方導電性接着フィルムを介在させ、熱圧着ヘッドによってＩＣチップを加熱するとともに押圧することによって熱圧着を行う。
【０００４】
しかし、従来、ＩＣチップに設けられたバンプのうち、特定のバンプに関して接続不良が生ずる場合がある。
例えば、図８（ａ）に示すように、ＩＣチップ１０１のチップ本体１０２縁部に設けられたバンプ１０３、１０４のうち、短辺側に設けられたバンプ（楕円Ａ、Ｂ内）に接続不良が生ずる場合がある。
【０００５】
また、図８（ｂ）に示すように、ＩＣチップ２０１のチップ本体２０２長辺部に設けられたバンプ２０３〜２０５のうち、一方の長辺側においてバンプが千鳥状に設けられたＩＣチップ２０１にあっては、外側のバンプ２０４（楕円Ｃ内）に接続不良が生ずる場合がある。
【特許文献１】特開平８−７６５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような従来技術の課題を解決するためになされたもので、接続不良が発生せず導通信頼性を向上させることが可能な異方導電性接着剤を用いたＩＣチップの接続技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するためになされた請求項１記載の発明は、基板本体の接続側面上に複数の接続電極を有し、異方導電性接着剤によってＩＣチップが実装される配線基板であって、前記複数の接続電極のうち、予め特定された領域の接続電極の高さが、他の接続電極の高さより高くされたものである。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記基板本体の接続側面は長方形状に形成されるとともに前記複数の接続電極が当該基板本体の接続側面の縁部に設けられ、当該複数の接続電極のうち、前記接続側面の短辺側縁部に設けられた接続電極の高さが、前記接続側面の長辺側縁部に設けられた接続電極の高さより高くされたものである。
請求項３記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記複数の接続電極が前記接続側面の縁部に沿って複数の列状に設けられ、当該複数列の接続電極のうち、当該接続側面の縁部外側に設けられた接続電極の高さが、当該接続側面の縁部内側に設けられた接続電極の高さより高くされたものである。
請求項４記載の発明は、請求項１乃至３のいずれか１項記載の発明において、前記予め特定された領域の接続電極の高さと、前記他の接続電極の高さとの差が、使用する異方導電性接着剤の導電粒子の粒径の５％〜９５％であるものである。
請求項５記載の発明は、前記配線基板が液晶表示装置用のガラス基板であるものである。
請求項６記載の発明は、突起状の接続電極が形成されたＩＣチップと、請求項１乃至５のいずれか１項記載の配線基板との間に異方導電性接着剤を配置し、加熱及び加圧を行うことにより、前記配線基板と前記ＩＣチップを接着するとともに対応する電極同士を電気的に接続する工程を有するＩＣチップの実装方法である。
【０００８】
本発明の場合、基板本体の接続側面上に設けられた複数の接続電極のうち、予め特定された領域（例えば、長方形状の接続側面の短辺側縁部領域や、接続側面の縁部に沿って実装端子が複数の列状に設けられた場合の縁部外側領域）の接続電極の高さが、他の接続電極の高さより高くされていることから、異方導電性接着剤を用いて熱圧着を行った場合に、従来技術ではつぶれ状態が不十分であった特定の導電粒子を十分に圧縮することができる。
その結果、本発明によれば、ＩＣチップの各実装端子上における導電粒子の圧縮状態を均一にすることができるので、種々のタイプのＩＣチップにおいて、導通信頼性を向上させることができる。
特に、本発明によれば、径の大きな導電粒子を用いることなく導通信頼性を向上させることができるので、ファインピッチのバンプを有するＩＣチップに有用となるものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、接続不良が発生せず導通信頼性を向上させることができる異方導電性接着剤を用いたＩＣチップの接続技術を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実装方法の好ましい形態について図面を用いて説明する。
なお、後述するように、本発明に用いる異方導電性接着剤７は、絶縁性接着剤樹脂８中に導電粒子９が分散されているものであるが、その態様としては、ペースト状又はフィルム状のいずれにも適用することができる。
【００１１】
図１（ａ）（ｂ）は、本発明に用いるＩＣチップ及び配線基板の例を示す概略図で、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は同配線基板の正面図である。また、図２（ａ）（ｂ）及び図３（ａ）（ｂ）は、本発明の原理を示す説明図である。
【００１２】
図１（ａ）（ｂ）に示すように、本発明に用いるＩＣチップ１は、例えば長方体形状のチップ本体２を有し、その接続側面２ａが長方形形状に形成されている。
【００１３】
ＩＣチップ１の接続側面２ａの縁部（長辺及び短辺）には、接続電極として、バンプを用いた実装端子３、４、５が、所定のピッチをおいて複数個設けられている。
【００１４】
本例の場合、実装端子３、４、５は、例えば図３（ａ）（ｂ）に示すように、それぞれパターン状のＡｌ（アルミニウム）からなる電極部２０上に、Ａｕ（金）からなるバンプ４０、５０を形成することにより構成されている。なお、図３（ａ）（ｂ）中、符号２１は、パッシベーション膜である。
【００１５】
ここで、Ａｌ電極部上にＡｕバンプを形成するには、例えば以下に説明する公知のめっき法（例えば特許２９３６６８０号公報参照）を用いることができる。
すなわち、めっき法では、Ａｌ配線（電極部）と絶縁膜が形成されたＳｉ基板を用意し、この絶縁膜にＡｌ配線を外部に接続するための開孔を形成し、その全面にＴｉ（チタン）をスパッタしてＴｉ膜を形成し、Ｐｄ（パラジウム）をスパッタしてＰｄ膜を形成する。次いで、その上にレジストを被着しこれをパターニングすることによって、Ａｕバンプ形成用の開孔を有するレジストマスクを形成する。
さらに、前述の開孔からＰｄ膜の上にＡｕめっきを施してＡｕめっき層を形成し、その後、前述のレジストマスクを除去し、さらに金めっき層をマスクにしてＰｄ膜とＴｉ膜をエッチングする。これによりＡｌ電極部上に形成されたＡｕバンプを得る。
【００１６】
一方、本例の配線基板１１は、例えばガラスからなる基板本体１２を有し、その接続側面、即ち接続領域１２ａには、ＩＣチップの実装端子３、４、５に対応する接続電極１３、１４、１５が、所定のピッチをおいて複数個設けられている。
ここで、基板本体１２の接続領域１２ａは長方形形状に形成され、その長辺側縁部に、接続電極１３、１５がそれぞれ設けられている。また、基板本体１２の短辺側縁部には、接続電極１４が設けられている。
【００１７】
ここで、配線基板１１が液晶表示装置用のガラス基板である場合には、接続領域１２ａの一方の長辺側縁部の接続電極１３及び短辺側縁部の接続電極１４は、例えば、Ａｌを用いたスパッタリング法及びフォトリソグラフィ法によるエッチングによって形成することができる。
また、他方の長辺側縁部の接続電極１５は、ＩＴＯを用いたスパッタリング法及びフォトリソグラフィ法によるエッチングによって形成することができる。
【００１８】
本発明では、複数の接続電極のうち、予め特定された領域の接続電極の高さが、他の接続電極の高さより高くされている。
【００１９】
本実施の形態においては、図１（ａ）（ｂ）に示すように、配線基板１１の接続領域１２ａの短辺側縁部（楕円Ｃ，Ｄで示す領域）に設けられた接続電極１４の高さが、接続領域１２ａの長辺側縁部に設けられた接続電極１３、１５の高さより高くなるように構成されている。
【００２０】
本発明の場合、配線基板１１の短辺側縁部の接続電極１４の高さを長辺側縁部の接続電極１３、１５の高さより高くする方法は、特に限定されることはないが、製造工程の簡易さの観点からは、例えば図３（ｂ）に示すように、接続電極１４上に金属によるかさ上げ部１４ａを設けて電極部分を多層化することが好ましい。
【００２１】
この場合、かさ上げ部１４ａの形成方法としては、例えば、アルミニウムを用いたスパッタリング法及びフォトリソグラフィ法によるエッチングを採用することができる。
【００２２】
そして、これにより、配線基板１１の短辺側縁部の接続電極１４の高さが、かさ上げ部１４ａの分だけ長辺側縁部の接続電極１３、１５の高さより高い配線基板１１を得ることができる。
【００２３】
以下、本発明の原理を図２（ａ）（ｂ）及び図３（ａ）（ｂ）を用いて説明する。ここでは、上記配線基板１１上に上記ＩＣチップ１を実装する場合を考える。また、長辺側縁部の接続電極１３、１５のうち、一方の接続電極１５を例にとって説明する。
【００２４】
配線基板１１の実装時には、図２（ａ）に示すように、配線基板１１とＩＣチップ１との間に、異方導電性接着剤７を配置して熱圧着を行うが、その際、ＩＣチップ１側から加熱及び加圧を行う。
【００２５】
この場合、ＩＣチップ１の到達温度は２００〜２５０℃程度となるが、配線基板１１側の到達温度は１００〜１５０℃程度とＩＣチップ１に比べて低いため、加熱時にはＩＣチップ１の方が延びた状態となっている。このため、実装後、冷却の際にＩＣチップ１のチップ本体２の収縮が大きく、例えば、図２（ｂ）に示すように、配線基板１１よりＩＣチップ１の反りが大きくなり、結果として、実装部分全体に反りが発生する。
【００２６】
この状態では、ＩＣチップ１の接続側面２ａの縁部のうち短辺側縁部２ｂに応力が加わりやすいので、図３（ａ）に示すように、異方導電性接着剤７の導電粒子９ｂに対する押圧力が他の領域（本例では長辺側縁部）の導電粒子９に比べて小さく導電粒子９ｂの変形（圧縮）率が不足する傾向にある。
【００２７】
そこで、図３（ｂ）に示すように、配線基板１１の接続領域１２ａの短辺側縁部１２ｂにおいて、接続電極１４上にかさ上げ部１４ａを設けることにより、接続電極１４の高さを、接続領域１２ａの長辺側縁部の接続電極１５の高さより高くする。
【００２８】
これにより、ＩＣチップ１及び配線基板１１間において接続領域１２ａの短辺部側縁部の実装端子４及び接続電極１４間の間隔を、長辺部側縁部の接続電極１５及び実装端子５間の間隔と同等にすることができるので、ＩＣチップ１の接続側面２ａの縁部の各実装端子部分において導電粒子９に対して均一の力で押圧して圧縮率を均一にすることができる。
【００２９】
本発明の場合、配線基板１１における、長辺部側縁部の接続電極１３及び１５と、短辺部側縁部の接続電極１４の高さの差は、特に限定されることはないが、導電粒子９の圧縮状態を均一にして導通信頼性を向上させる観点からは、導電粒子９の粒径の５％〜９５％とすることが好ましく、より好ましくは、３０％〜６０％である。
【００３０】
具体的には、例えば、導電粒子９の粒径が３μｍ〜５μｍである場合において、接続電極１３及び１５と、接続電極１４の高さの差を、０．５μｍ〜３μｍとすることができる。
【００３１】
この場合、導電粒子９の弾性率が、１００ｋｇｆ／ｍｍ2〜１０００ｋｇｆ／ｍｍ2の範囲にある場合により効果的である。
【００３２】
図４（ａ）（ｂ）、図５（ａ）（ｂ）及び図６（ａ）（ｂ）は、本発明の他の実施の形態を示すものであり、以下、上記実施の形態と同一の部分については同一の符号を付しその詳細な説明を省略する。
【００３３】
図４（ａ）（ｂ）に示すように、本実施の形態に用いるＩＣチップ１Ａは、チップ本体２の接続側面２ａの長辺側縁部に、接続電極としての実装端子３、４Ａ、５が設けられている。
【００３４】
そして、ＩＣチップ１Ａの接続側面２ａの長辺側縁部の一方において、この長辺側縁部に沿って２列の実装端子３、４Ａが千鳥状に配列されている。
【００３５】
一方、本実施の形態の配線基板１１Ａは、チップ本体１２の接続領域１２ａの長辺側縁部に、上述したＩＣチップ１Ａの実装端子３、４Ａ、５にそれぞれ対応する接続電極１３、１４Ａ、１５が設けられている。
【００３６】
ここでは、配線基板１１Ａの接続領域１２ａの長辺側縁部の一方において、この長辺側縁部に沿って２列の接続電極１３、１４Ａが千鳥状に配列されている。
【００３７】
そして、これら接続電極１３、１４Ａ、１５のうち、接続領域１２ａの一方の長辺側縁部外側に設けられた接続電極１４Ａ（図４（ａ）の楕円Ｅで示す領域）の高さが、この長辺側縁部内側に設けられた接続電極１３、１５の高さより高くなるように構成されている。
【００３８】
この場合、配線基板１１Ａの接続領域１２ａの長辺側縁部外側の接続電極１４Ａの高さを長辺側縁部内側の接続電極１３の高さより高くする方法は、上記実施の形態と同様の方法を採用することができる。
すなわち、本発明の場合、特に限定されるものではないが、製造工程の簡易さの観点からは、図４（ｂ）及び６（ｂ）に示すように、接続電極１４Ａ上に金属によるかさ上げ部１４ａを設けて電極部分を多層化することが好ましい。
【００３９】
なお、本実施の形態の場合、配線基板１１Ａの接続領域１２ａの短辺側縁部には、接続電極は設けられていない。
【００４０】
このような２列の接続電極１３、１４Ａが長辺側縁部に沿って千鳥状に配列されている配線基板１１Ａにおいて、実装時にＩＣチップ１Ａ側から加熱及び加圧を行うと、図５（ａ）（ｂ）に示すように、チップ本体２の中央部分が長辺側縁部と比較して沈み込む傾向がある。
【００４１】
このため、ＩＣチップ１Ａの実装後において、チップ本体２の中央部分と長辺側縁部との高さに差が生ずる。この差は、２列の実装端子３、４Ａが設けられた側の長辺側縁部２ｃにおいて、特に大きくなる（数μｍ程度）。
【００４２】
ここで、図６（ａ）に示すように、配線基板１１Ａの接続電極１３、１４Ａの高さが等しい場合には、この長辺側縁部外側の接続電極１４Ａの導電粒子９ｃに対する押圧力が、他の領域の導電粒子９に比べて小さくなり、この導電粒子９ｃの変形（圧縮）率が不足する。
【００４３】
そこで、本実施の形態では、図６（ｂ）に示すように、配線基板１１Ａの接続領域１２ａの長辺側縁部１２ｃ外側における接続電極１４Ａの高さを、その上にかさ上げ部１４ａを設けることによって長辺側縁部２ｃ内側の接続電極１３の高さより高くする。
【００４４】
これにより上記実施の形態と同様に、ＩＣチップ１Ａ及び配線基板１１Ａ間において、実装端子４Ａ及び接続電極１４Ａ間の間隔を、実装端子５及び接続電極１５間の間隔と同等にすることができるので、配線基板１１Ａの縁部の各実装端子部分において導電粒子９に対して均一の力で押圧して圧縮率を均一にすることができる。
【００４５】
本発明の場合、配線基板１１Ａにおける、接続電極１４Ａと、接続電極１３及び１５との高さの差は、特に限定されることはないが、導電粒子９の圧縮状態を均一にして導通信頼性を向上させる観点からは、接続電極１４Ａと、接続電極１３及び１５との高さの差を、導電粒子９の粒径の５％〜９５％とすることが好ましい。
【００４６】
具体的には、例えば、導電粒子９の粒径が３μｍ〜５μｍである場合において、接続電極１４Ａと、１３及び１５との差を、０．５μｍ〜３μｍとすることができる。
【００４７】
この場合、導電粒子９の弾性率が、１００ｋｇｆ／ｍｍ2〜１０００ｋｇｆ／ｍｍ2の範囲にある場合により効果的である。
【００４８】
なお、本発明は上述の実施の形態に限られることなく、種々の変更を行うことができる。
例えば、複数の接続電極のうち高さを高くする接続電極については、上述の実施の形態のように接続側面の縁部（短辺部又は長辺部）に配列されたものの全部には限られず、一部の接続電極であってもよい。
【００４９】
例えば、図７に示すように、接続領域２ａの長辺側縁部に複数の接続電極３、５が形成されたＩＣチップ１Ｂと、接続領域１２ａの長辺側縁部に複数の接続電極１３が形成された配線基板１１Ｂを用いた場合において、配線基板１１Ｂにおける任意の（例えば、ＩＣチップ１Ｂの高さの低い実装端子３Ｂ、５Ｂに対応する）接続電極１３Ｂ、１５Ｂの高さを、それぞれ他の接続電極１３、１５の高さより高くすることもできる。
【００５０】
また、チップ本体の接続側面の隅部分の接続電極の高さを他の領域の接続電極より高くするなどＩＣチップに応じて種々の変更を行うことができる。
【００５１】
さらに、特定の領域の接続電極の高さを高くする方法については、上述した接続電極上にかさ上げ部を設けて多層化する方法のほか、例えば、当初接続電極を厚く形成しておき、高さを高くする当該領域以外の領域の接続電極の表層部分をエッチング等によって除去してその領域の電極高さを低くするようにしてもよい。
【００５２】
さらに、本発明は、液晶表示装置用のガラス配線基板のみならず、種々のタイプの配線基板に適用することができるものである。
【実施例】
【００５３】
以下、本発明の実施例を比較例とともに詳細に説明する。
【００５４】
［異方導電性接着フィルムの作成］
絶縁性接着剤樹脂としてエポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製 ＥＰ８２８）３０重量部、フェノキシ樹脂（ＩｎＣｈｅｍ社製 ＰＫＨＨ）４０重量部、エポキシ硬化剤（旭化成社製 ＨＸ３９４１ＨＰ）３０重量部、導電粒子（積水化学社製 平均粒径３μｍ）２５重量部を、溶剤としてトルエン／酢酸エチルを用いてミキサーで溶解混合させペーストとした。
【００５５】
そして、剥離処理を施したＰＥＴフィルム上に、上述したペーストを塗布し、７０℃に設定した電気オーブンで８分間加熱し、乾燥膜厚が２０μｍの異方導電性接着フィルムを作成した。
【００５６】
＜実施例１＞
図４（ａ）（ｂ）に示す千鳥足配列の実装端子を有するＩＣチップ（１Ａ）と、これに対応するように厚さ０．５ｍｍの透明ガラス板上に千鳥足配列のＡｌ接続電極を形成した長方形形状の配線基板（１１Ａ）を用いた。
【００５７】
ここでは、配線基板（１１Ａ）の一方の長辺側縁部外側のＡｌ接続電極（１４Ａ）の高さを配線膜の多層化により１μｍとし、また当該長辺側縁部内側のＡｌ接続電極（１３）の高さを０．２μｍとした。
一方、配線基板の他方の長辺側縁部側のＩＴＯ接続電極（１５）の高さ（厚さ）は、０．２μｍとした。
【００５８】
なお、長辺側縁部外側及び内側の接続電極（１４Ａ）、（１３）の幅は２０μｍとし、接続電極間ピッチは２５μｍとした。
一方、ＩＣチップの実装端子については、すべて高さ１５μｍに形成した。
【００５９】
＜比較例１＞
配線基板の長辺側縁部外側の接続電極（１４Ａ）の高さを０．２μｍとして接続電極の高さを全て同一にし、それ以外は、実施例１と同一の構成の配線基板を用いた。
【００６０】
＜実施例２＞
図１（ａ）（ｂ）に示すストレート配列の実装端子を有するＩＣチップ（１）と、これに対応するように厚さ０．５ｍｍの透明ガラス板上にストレート配列のＡｌ接続電極を形成した配線基板（１１）を用いた。
ここでは、配線基板（１１）の短辺側縁部のＡｌ接続電極（１４）の高さを配線膜の多層化により１μｍとした。
一方、配線基板の長辺側縁部側のＡｌ接続電極（１３）、ＩＴＯ接続電極（１５）の高さは、それぞれ０．２μｍとした。
【００６１】
本実施例の場合、短辺側縁部の接続電極（１４）及び長辺側縁部の接続電極（１３、１５）の幅は３０μｍとし、接続電極間ピッチは５０μｍとした。
【００６２】
＜比較例２＞
長辺側縁部及び短辺側縁部側の接続電極（１３、１４、１５）の高さを０．２μｍとして接続電極の高さを全て同一にし、それ以外は、実施例２と同一の構成の配線基板を用いた。
＜実施例３＞
図７に示すストレート配列の実装端子を有するＩＣチップ（１Ｂ）と、これに対応するするように厚さ０．５ｍｍの透明ガラス板上にストレート配列のＡｌ接続電極を形成した配線基板（１１Ｂ）を用いた。
ここでは、ＩＣチップ（１Ｂ）の特定の実装端子（３Ｂ、５Ｂ）の高さを１４μｍとし、他の実装端子（３、５）の高さより１μｍ低く形成した。
一方、配線基板（１１Ｂ）については、ＩＣチップ（１Ｂ）の高さを低く形成した実装端子（３Ｂ、５Ｂ）に対応する両長辺側縁部のＡｌ接続電極（１３Ｂ、１５Ｂ）の高さを、配線膜の多層化により１μｍとした。
一方、配線基板の長辺側縁部側の他のＡｌ接続電極（１３）、また、ＩＴＯ接続電極（１５）の高さは、それぞれ０．２μｍとした。
【００６３】
本実施例の場合、配線基板の接続電極（１３、１５）の幅は３０μｍとし、接続電極間ピッチは５０μｍとした。
【００６４】
＜比較例３＞
両長辺側縁部の接続電極（１３、１５）の高さを０．２μｍとして接続電極の高さを全て同一にし、それ以外は、実施例２と同一の構成の配線基板を用いた。
【００６５】
［評価］
異方導電性接着フィルムとして上述したものを用い、上述した各配線基板上に各ＩＣチップを熱圧着した。
【００６６】
この場合、圧着条件は、温度２００℃、圧力３０ＭＰａ、時間１０秒とし、さらに、温度８５℃、相対湿度８５％の条件下で５００時間のエージングを行い、各実装端子間の導通試験を行った。その結果を表１、２、３に示す。
【００６７】
一方、熱圧着後のＩＣチップ内における導電粒子のつぶれ状態を顕微鏡を用いて目視観察した。
【００６８】
この場合、導電粒子が均一につぶれているものを「○」、実装端子間において導電粒子のつぶれ状態が不均一で、つぶれ状態が十分でない導電粒子が存在するものを「×」とした。
【００６９】
【表１】
【００７０】
【表２】
【００７１】
【表３】
【００７２】
［評価結果］
実施例１、実施例２及び実施例３については、エージング後において、８Ω以下の抵抗上昇に制御されており、長辺側縁部外側（実施例１）、短辺側（実施例２）及び低バンプを形成した実施例３の実装端子間における導通が長期間安定していることがわかる。
【００７３】
また、導電粒子のつぶれ状態についても、各実装端子及び接続電極間において均一につぶれていることが確認された。
【００７４】
一方、比較例１については、エージング後において３４Ωの抵抗上昇が見られ、また、長辺側縁部外側の実装端子上において、導電粒子のつぶれ具合が十分でない部分が存在した。
【００７５】
さらに、比較例２については、エージング後において３９Ωの抵抗上昇が見られ、また、短辺側縁部の実装端子上において、導電粒子のつぶれ具合が十分でない部分が存在した。
さらにまた、比較例３については、エージング後において４２Ωの抵抗上昇が見られ、また、高さを低くした実装端子上において、導電粒子のつぶれ具合が十分でない部分が存在した。
以上より、本発明の効果を実証することができた。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】（ａ）：本発明に用いるＩＣチップ及び配線基板の例を示す概略平面図である。（ｂ）：同配線基板の正面図である。
【図２】（ａ）（ｂ）：本発明の原理を示す説明図である。
【図３】（ａ）（ｂ）：本発明の原理を示す説明図である。
【図４】（ａ）：本発明に用いるＩＣチップ及び配線基板の他の例を示す概略平面図である。（ｂ）：同配線基板の側面図である。
【図５】（ａ）（ｂ）：本発明の原理を示す説明図である。
【図６】（ａ）（ｂ）：本発明の原理を示す説明図である。
【図７】本発明に用いるＩＣチップ及び配線基板の他の例を示す概略平面図である。
【図８】（ａ）：従来例に係るＩＣチップの外観構成を示す概略平面図である。（ｂ）：他の従来例に係るＩＣチップの外観構成を示す概略平面図である。
【符号の説明】
【００７７】
１ ＩＣチップ
２ チップ本体
２ａ 接続側面
２ｂ 短辺側縁部
３，４ 実装端子
７ 異方導電性接着剤
９ 導電粒子
１１ 配線基板
１２ 基板本体
１２ａ 接続領域
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶表示装置等の配線基板上へのＩＣチップの実装技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、例えば液晶表示装置等の配線（ガラス）基板上にＩＣチップを実装する手段として、異方導電性接着フィルムが用いられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この異方導電性接着フィルムを用いてＣＯＧ（Cip On Glass）方式によってＩＣチップの実装を行うには、ＩＣチップの接続端子（バンプ）と配線基板の接続電極との間に異方導電性接着フィルムを介在させ、熱圧着ヘッドによってＩＣチップを加熱するとともに押圧することによって熱圧着を行う。
【０００４】
しかし、従来、ＩＣチップに設けられたバンプのうち、特定のバンプに関して接続不良が生ずる場合がある。
例えば、図８（ａ）に示すように、ＩＣチップ１０１のチップ本体１０２縁部に設けられたバンプ１０３、１０４のうち、短辺側に設けられたバンプ（楕円Ａ、Ｂ内）に接続不良が生ずる場合がある。
【０００５】
また、図８（ｂ）に示すように、ＩＣチップ２０１のチップ本体２０２長辺部に設けられたバンプ２０３〜２０５のうち、一方の長辺側においてバンプが千鳥状に設けられたＩＣチップ２０１にあっては、外側のバンプ２０４（楕円Ｃ内）に接続不良が生ずる場合がある。
【特許文献１】特開平８−７６５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような従来技術の課題を解決するためになされたもので、接続不良が発生せず導通信頼性を向上させることが可能な異方導電性接着剤を用いたＩＣチップの接続技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するためになされた請求項１記載の発明は、基板本体の接続側面上に複数の接続電極を有し、異方導電性接着剤によってＩＣチップが実装される配線基板であって、前記複数の接続電極のうち、予め特定された領域の接続電極の高さが、他の接続電極の高さより高くされたものである。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記基板本体の接続側面は長方形状に形成されるとともに前記複数の接続電極が当該基板本体の接続側面の縁部に設けられ、当該複数の接続電極のうち、前記接続側面の短辺側縁部に設けられた接続電極の高さが、前記接続側面の長辺側縁部に設けられた接続電極の高さより高くされたものである。
請求項３記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記複数の接続電極が前記接続側面の縁部に沿って複数の列状に設けられ、当該複数列の接続電極のうち、当該接続側面の縁部外側に設けられた接続電極の高さが、当該接続側面の縁部内側に設けられた接続電極の高さより高くされたものである。
請求項４記載の発明は、請求項１乃至３のいずれか１項記載の発明において、前記予め特定された領域の接続電極の高さと、前記他の接続電極の高さとの差が、使用する異方導電性接着剤の導電粒子の粒径の５％〜９５％であるものである。
請求項５記載の発明は、前記配線基板が液晶表示装置用のガラス基板であるものである。
請求項６記載の発明は、突起状の接続電極が形成されたＩＣチップと、請求項１乃至５のいずれか１項記載の配線基板との間に異方導電性接着剤を配置し、加熱及び加圧を行うことにより、前記配線基板と前記ＩＣチップを接着するとともに対応する電極同士を電気的に接続する工程を有するＩＣチップの実装方法である。
【０００８】
本発明の場合、基板本体の接続側面上に設けられた複数の接続電極のうち、予め特定された領域（例えば、長方形状の接続側面の短辺側縁部領域や、接続側面の縁部に沿って実装端子が複数の列状に設けられた場合の縁部外側領域）の接続電極の高さが、他の接続電極の高さより高くされていることから、異方導電性接着剤を用いて熱圧着を行った場合に、従来技術ではつぶれ状態が不十分であった特定の導電粒子を十分に圧縮することができる。
その結果、本発明によれば、ＩＣチップの各実装端子上における導電粒子の圧縮状態を均一にすることができるので、種々のタイプのＩＣチップにおいて、導通信頼性を向上させることができる。
特に、本発明によれば、径の大きな導電粒子を用いることなく導通信頼性を向上させることができるので、ファインピッチのバンプを有するＩＣチップに有用となるものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、接続不良が発生せず導通信頼性を向上させることができる異方導電性接着剤を用いたＩＣチップの接続技術を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実装方法の好ましい形態について図面を用いて説明する。
なお、後述するように、本発明に用いる異方導電性接着剤７は、絶縁性接着剤樹脂８中に導電粒子９が分散されているものであるが、その態様としては、ペースト状又はフィルム状のいずれにも適用することができる。
【００１１】
図１（ａ）（ｂ）は、本発明に用いるＩＣチップ及び配線基板の例を示す概略図で、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は同配線基板の正面図である。また、図２（ａ）（ｂ）及び図３（ａ）（ｂ）は、本発明の原理を示す説明図である。
【００１２】
図１（ａ）（ｂ）に示すように、本発明に用いるＩＣチップ１は、例えば長方体形状のチップ本体２を有し、その接続側面２ａが長方形形状に形成されている。
【００１３】
ＩＣチップ１の接続側面２ａの縁部（長辺及び短辺）には、接続電極として、バンプを用いた実装端子３、４、５が、所定のピッチをおいて複数個設けられている。
【００１４】
本例の場合、実装端子３、４、５は、例えば図３（ａ）（ｂ）に示すように、それぞれパターン状のＡｌ（アルミニウム）からなる電極部２０上に、Ａｕ（金）からなるバンプ４０、５０を形成することにより構成されている。なお、図３（ａ）（ｂ）中、符号２１は、パッシベーション膜である。
【００１５】
ここで、Ａｌ電極部上にＡｕバンプを形成するには、例えば以下に説明する公知のめっき法（例えば特許２９３６６８０号公報参照）を用いることができる。
すなわち、めっき法では、Ａｌ配線（電極部）と絶縁膜が形成されたＳｉ基板を用意し、この絶縁膜にＡｌ配線を外部に接続するための開孔を形成し、その全面にＴｉ（チタン）をスパッタしてＴｉ膜を形成し、Ｐｄ（パラジウム）をスパッタしてＰｄ膜を形成する。次いで、その上にレジストを被着しこれをパターニングすることによって、Ａｕバンプ形成用の開孔を有するレジストマスクを形成する。
さらに、前述の開孔からＰｄ膜の上にＡｕめっきを施してＡｕめっき層を形成し、その後、前述のレジストマスクを除去し、さらに金めっき層をマスクにしてＰｄ膜とＴｉ膜をエッチングする。これによりＡｌ電極部上に形成されたＡｕバンプを得る。
【００１６】
一方、本例の配線基板１１は、例えばガラスからなる基板本体１２を有し、その接続側面、即ち接続領域１２ａには、ＩＣチップの実装端子３、４、５に対応する接続電極１３、１４、１５が、所定のピッチをおいて複数個設けられている。
ここで、基板本体１２の接続領域１２ａは長方形形状に形成され、その長辺側縁部に、接続電極１３、１５がそれぞれ設けられている。また、基板本体１２の短辺側縁部には、接続電極１４が設けられている。
【００１７】
ここで、配線基板１１が液晶表示装置用のガラス基板である場合には、接続領域１２ａの一方の長辺側縁部の接続電極１３及び短辺側縁部の接続電極１４は、例えば、Ａｌを用いたスパッタリング法及びフォトリソグラフィ法によるエッチングによって形成することができる。
また、他方の長辺側縁部の接続電極１５は、ＩＴＯを用いたスパッタリング法及びフォトリソグラフィ法によるエッチングによって形成することができる。
【００１８】
本発明では、複数の接続電極のうち、予め特定された領域の接続電極の高さが、他の接続電極の高さより高くされている。
【００１９】
本実施の形態においては、図１（ａ）（ｂ）に示すように、配線基板１１の接続領域１２ａの短辺側縁部（楕円Ｃ，Ｄで示す領域）に設けられた接続電極１４の高さが、接続領域１２ａの長辺側縁部に設けられた接続電極１３、１５の高さより高くなるように構成されている。
【００２０】
本発明の場合、配線基板１１の短辺側縁部の接続電極１４の高さを長辺側縁部の接続電極１３、１５の高さより高くする方法は、特に限定されることはないが、製造工程の簡易さの観点からは、例えば図３（ｂ）に示すように、接続電極１４上に金属によるかさ上げ部１４ａを設けて電極部分を多層化することが好ましい。
【００２１】
この場合、かさ上げ部１４ａの形成方法としては、例えば、アルミニウムを用いたスパッタリング法及びフォトリソグラフィ法によるエッチングを採用することができる。
【００２２】
そして、これにより、配線基板１１の短辺側縁部の接続電極１４の高さが、かさ上げ部１４ａの分だけ長辺側縁部の接続電極１３、１５の高さより高い配線基板１１を得ることができる。
【００２３】
以下、本発明の原理を図２（ａ）（ｂ）及び図３（ａ）（ｂ）を用いて説明する。ここでは、上記配線基板１１上に上記ＩＣチップ１を実装する場合を考える。また、長辺側縁部の接続電極１３、１５のうち、一方の接続電極１５を例にとって説明する。
【００２４】
配線基板１１の実装時には、図２（ａ）に示すように、配線基板１１とＩＣチップ１との間に、異方導電性接着剤７を配置して熱圧着を行うが、その際、ＩＣチップ１側から加熱及び加圧を行う。
【００２５】
この場合、ＩＣチップ１の到達温度は２００〜２５０℃程度となるが、配線基板１１側の到達温度は１００〜１５０℃程度とＩＣチップ１に比べて低いため、加熱時にはＩＣチップ１の方が延びた状態となっている。このため、実装後、冷却の際にＩＣチップ１のチップ本体２の収縮が大きく、例えば、図２（ｂ）に示すように、配線基板１１よりＩＣチップ１の反りが大きくなり、結果として、実装部分全体に反りが発生する。
【００２６】
この状態では、ＩＣチップ１の接続側面２ａの縁部のうち短辺側縁部２ｂに応力が加わりやすいので、図３（ａ）に示すように、異方導電性接着剤７の導電粒子９ｂに対する押圧力が他の領域（本例では長辺側縁部）の導電粒子９に比べて小さく導電粒子９ｂの変形（圧縮）率が不足する傾向にある。
【００２７】
そこで、図３（ｂ）に示すように、配線基板１１の接続領域１２ａの短辺側縁部１２ｂにおいて、接続電極１４上にかさ上げ部１４ａを設けることにより、接続電極１４の高さを、接続領域１２ａの長辺側縁部の接続電極１５の高さより高くする。
【００２８】
これにより、ＩＣチップ１及び配線基板１１間において接続領域１２ａの短辺部側縁部の実装端子４及び接続電極１４間の間隔を、長辺部側縁部の接続電極１５及び実装端子５間の間隔と同等にすることができるので、ＩＣチップ１の接続側面２ａの縁部の各実装端子部分において導電粒子９に対して均一の力で押圧して圧縮率を均一にすることができる。
【００２９】
本発明の場合、配線基板１１における、長辺部側縁部の接続電極１３及び１５と、短辺部側縁部の接続電極１４の高さの差は、特に限定されることはないが、導電粒子９の圧縮状態を均一にして導通信頼性を向上させる観点からは、導電粒子９の粒径の５％〜９５％とすることが好ましく、より好ましくは、３０％〜６０％である。
【００３０】
具体的には、例えば、導電粒子９の粒径が３μｍ〜５μｍである場合において、接続電極１３及び１５と、接続電極１４の高さの差を、０．５μｍ〜３μｍとすることができる。
【００３１】
この場合、導電粒子９の弾性率が、１００ｋｇｆ／ｍｍ2〜１０００ｋｇｆ／ｍｍ2の範囲にある場合により効果的である。
【００３２】
図４（ａ）（ｂ）、図５（ａ）（ｂ）及び図６（ａ）（ｂ）は、本発明の他の実施の形態を示すものであり、以下、上記実施の形態と同一の部分については同一の符号を付しその詳細な説明を省略する。
【００３３】
図４（ａ）（ｂ）に示すように、本実施の形態に用いるＩＣチップ１Ａは、チップ本体２の接続側面２ａの長辺側縁部に、接続電極としての実装端子３、４Ａ、５が設けられている。
【００３４】
そして、ＩＣチップ１Ａの接続側面２ａの長辺側縁部の一方において、この長辺側縁部に沿って２列の実装端子３、４Ａが千鳥状に配列されている。
【００３５】
一方、本実施の形態の配線基板１１Ａは、チップ本体１２の接続領域１２ａの長辺側縁部に、上述したＩＣチップ１Ａの実装端子３、４Ａ、５にそれぞれ対応する接続電極１３、１４Ａ、１５が設けられている。
【００３６】
ここでは、配線基板１１Ａの接続領域１２ａの長辺側縁部の一方において、この長辺側縁部に沿って２列の接続電極１３、１４Ａが千鳥状に配列されている。
【００３７】
そして、これら接続電極１３、１４Ａ、１５のうち、接続領域１２ａの一方の長辺側縁部外側に設けられた接続電極１４Ａ（図４（ａ）の楕円Ｅで示す領域）の高さが、この長辺側縁部内側に設けられた接続電極１３、１５の高さより高くなるように構成されている。
【００３８】
この場合、配線基板１１Ａの接続領域１２ａの長辺側縁部外側の接続電極１４Ａの高さを長辺側縁部内側の接続電極１３の高さより高くする方法は、上記実施の形態と同様の方法を採用することができる。
すなわち、本発明の場合、特に限定されるものではないが、製造工程の簡易さの観点からは、図４（ｂ）及び６（ｂ）に示すように、接続電極１４Ａ上に金属によるかさ上げ部１４ａを設けて電極部分を多層化することが好ましい。
【００３９】
なお、本実施の形態の場合、配線基板１１Ａの接続領域１２ａの短辺側縁部には、接続電極は設けられていない。
【００４０】
このような２列の接続電極１３、１４Ａが長辺側縁部に沿って千鳥状に配列されている配線基板１１Ａにおいて、実装時にＩＣチップ１Ａ側から加熱及び加圧を行うと、図５（ａ）（ｂ）に示すように、チップ本体２の中央部分が長辺側縁部と比較して沈み込む傾向がある。
【００４１】
このため、ＩＣチップ１Ａの実装後において、チップ本体２の中央部分と長辺側縁部との高さに差が生ずる。この差は、２列の実装端子３、４Ａが設けられた側の長辺側縁部２ｃにおいて、特に大きくなる（数μｍ程度）。
【００４２】
ここで、図６（ａ）に示すように、配線基板１１Ａの接続電極１３、１４Ａの高さが等しい場合には、この長辺側縁部外側の接続電極１４Ａの導電粒子９ｃに対する押圧力が、他の領域の導電粒子９に比べて小さくなり、この導電粒子９ｃの変形（圧縮）率が不足する。
【００４３】
そこで、本実施の形態では、図６（ｂ）に示すように、配線基板１１Ａの接続領域１２ａの長辺側縁部１２ｃ外側における接続電極１４Ａの高さを、その上にかさ上げ部１４ａを設けることによって長辺側縁部２ｃ内側の接続電極１３の高さより高くする。
【００４４】
これにより上記実施の形態と同様に、ＩＣチップ１Ａ及び配線基板１１Ａ間において、実装端子４Ａ及び接続電極１４Ａ間の間隔を、実装端子５及び接続電極１５間の間隔と同等にすることができるので、配線基板１１Ａの縁部の各実装端子部分において導電粒子９に対して均一の力で押圧して圧縮率を均一にすることができる。
【００４５】
本発明の場合、配線基板１１Ａにおける、接続電極１４Ａと、接続電極１３及び１５との高さの差は、特に限定されることはないが、導電粒子９の圧縮状態を均一にして導通信頼性を向上させる観点からは、接続電極１４Ａと、接続電極１３及び１５との高さの差を、導電粒子９の粒径の５％〜９５％とすることが好ましい。
【００４６】
具体的には、例えば、導電粒子９の粒径が３μｍ〜５μｍである場合において、接続電極１４Ａと、１３及び１５との差を、０．５μｍ〜３μｍとすることができる。
【００４７】
この場合、導電粒子９の弾性率が、１００ｋｇｆ／ｍｍ2〜１０００ｋｇｆ／ｍｍ2の範囲にある場合により効果的である。
【００４８】
なお、本発明は上述の実施の形態に限られることなく、種々の変更を行うことができる。
例えば、複数の接続電極のうち高さを高くする接続電極については、上述の実施の形態のように接続側面の縁部（短辺部又は長辺部）に配列されたものの全部には限られず、一部の接続電極であってもよい。
【００４９】
例えば、図７に示すように、接続領域２ａの長辺側縁部に複数の接続電極３、５が形成されたＩＣチップ１Ｂと、接続領域１２ａの長辺側縁部に複数の接続電極１３が形成された配線基板１１Ｂを用いた場合において、配線基板１１Ｂにおける任意の（例えば、ＩＣチップ１Ｂの高さの低い実装端子３Ｂ、５Ｂに対応する）接続電極１３Ｂ、１５Ｂの高さを、それぞれ他の接続電極１３、１５の高さより高くすることもできる。
【００５０】
また、チップ本体の接続側面の隅部分の接続電極の高さを他の領域の接続電極より高くするなどＩＣチップに応じて種々の変更を行うことができる。
【００５１】
さらに、特定の領域の接続電極の高さを高くする方法については、上述した接続電極上にかさ上げ部を設けて多層化する方法のほか、例えば、当初接続電極を厚く形成しておき、高さを高くする当該領域以外の領域の接続電極の表層部分をエッチング等によって除去してその領域の電極高さを低くするようにしてもよい。
【００５２】
さらに、本発明は、液晶表示装置用のガラス配線基板のみならず、種々のタイプの配線基板に適用することができるものである。
【実施例】
【００５３】
以下、本発明の実施例を比較例とともに詳細に説明する。
【００５４】
［異方導電性接着フィルムの作成］
絶縁性接着剤樹脂としてエポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製 ＥＰ８２８）３０重量部、フェノキシ樹脂（ＩｎＣｈｅｍ社製 ＰＫＨＨ）４０重量部、エポキシ硬化剤（旭化成社製 ＨＸ３９４１ＨＰ）３０重量部、導電粒子（積水化学社製 平均粒径３μｍ）２５重量部を、溶剤としてトルエン／酢酸エチルを用いてミキサーで溶解混合させペーストとした。
【００５５】
そして、剥離処理を施したＰＥＴフィルム上に、上述したペーストを塗布し、７０℃に設定した電気オーブンで８分間加熱し、乾燥膜厚が２０μｍの異方導電性接着フィルムを作成した。
【００５６】
＜実施例１＞
図４（ａ）（ｂ）に示す千鳥足配列の実装端子を有するＩＣチップ（１Ａ）と、これに対応するように厚さ０．５ｍｍの透明ガラス板上に千鳥足配列のＡｌ接続電極を形成した長方形形状の配線基板（１１Ａ）を用いた。
【００５７】
ここでは、配線基板（１１Ａ）の一方の長辺側縁部外側のＡｌ接続電極（１４Ａ）の高さを配線膜の多層化により１μｍとし、また当該長辺側縁部内側のＡｌ接続電極（１３）の高さを０．２μｍとした。
一方、配線基板の他方の長辺側縁部側のＩＴＯ接続電極（１５）の高さ（厚さ）は、０．２μｍとした。
【００５８】
なお、長辺側縁部外側及び内側の接続電極（１４Ａ）、（１３）の幅は２０μｍとし、接続電極間ピッチは２５μｍとした。
一方、ＩＣチップの実装端子については、すべて高さ１５μｍに形成した。
【００５９】
＜比較例１＞
配線基板の長辺側縁部外側の接続電極（１４Ａ）の高さを０．２μｍとして接続電極の高さを全て同一にし、それ以外は、実施例１と同一の構成の配線基板を用いた。
【００６０】
＜実施例２＞
図１（ａ）（ｂ）に示すストレート配列の実装端子を有するＩＣチップ（１）と、これに対応するように厚さ０．５ｍｍの透明ガラス板上にストレート配列のＡｌ接続電極を形成した配線基板（１１）を用いた。
ここでは、配線基板（１１）の短辺側縁部のＡｌ接続電極（１４）の高さを配線膜の多層化により１μｍとした。
一方、配線基板の長辺側縁部側のＡｌ接続電極（１３）、ＩＴＯ接続電極（１５）の高さは、それぞれ０．２μｍとした。
【００６１】
本実施例の場合、短辺側縁部の接続電極（１４）及び長辺側縁部の接続電極（１３、１５）の幅は３０μｍとし、接続電極間ピッチは５０μｍとした。
【００６２】
＜比較例２＞
長辺側縁部及び短辺側縁部側の接続電極（１３、１４、１５）の高さを０．２μｍとして接続電極の高さを全て同一にし、それ以外は、実施例２と同一の構成の配線基板を用いた。
＜実施例３＞
図７に示すストレート配列の実装端子を有するＩＣチップ（１Ｂ）と、これに対応するするように厚さ０．５ｍｍの透明ガラス板上にストレート配列のＡｌ接続電極を形成した配線基板（１１Ｂ）を用いた。
ここでは、ＩＣチップ（１Ｂ）の特定の実装端子（３Ｂ、５Ｂ）の高さを１４μｍとし、他の実装端子（３、５）の高さより１μｍ低く形成した。
一方、配線基板（１１Ｂ）については、ＩＣチップ（１Ｂ）の高さを低く形成した実装端子（３Ｂ、５Ｂ）に対応する両長辺側縁部のＡｌ接続電極（１３Ｂ、１５Ｂ）の高さを、配線膜の多層化により１μｍとした。
一方、配線基板の長辺側縁部側の他のＡｌ接続電極（１３）、また、ＩＴＯ接続電極（１５）の高さは、それぞれ０．２μｍとした。
【００６３】
本実施例の場合、配線基板の接続電極（１３、１５）の幅は３０μｍとし、接続電極間ピッチは５０μｍとした。
【００６４】
＜比較例３＞
両長辺側縁部の接続電極（１３、１５）の高さを０．２μｍとして接続電極の高さを全て同一にし、それ以外は、実施例２と同一の構成の配線基板を用いた。
【００６５】
［評価］
異方導電性接着フィルムとして上述したものを用い、上述した各配線基板上に各ＩＣチップを熱圧着した。
【００６６】
この場合、圧着条件は、温度２００℃、圧力３０ＭＰａ、時間１０秒とし、さらに、温度８５℃、相対湿度８５％の条件下で５００時間のエージングを行い、各実装端子間の導通試験を行った。その結果を表１、２、３に示す。
【００６７】
一方、熱圧着後のＩＣチップ内における導電粒子のつぶれ状態を顕微鏡を用いて目視観察した。
【００６８】
この場合、導電粒子が均一につぶれているものを「○」、実装端子間において導電粒子のつぶれ状態が不均一で、つぶれ状態が十分でない導電粒子が存在するものを「×」とした。
【００６９】
【表１】
【００７０】
【表２】
【００７１】
【表３】
【００７２】
［評価結果］
実施例１、実施例２及び実施例３については、エージング後において、８Ω以下の抵抗上昇に制御されており、長辺側縁部外側（実施例１）、短辺側（実施例２）及び低バンプを形成した実施例３の実装端子間における導通が長期間安定していることがわかる。
【００７３】
また、導電粒子のつぶれ状態についても、各実装端子及び接続電極間において均一につぶれていることが確認された。
【００７４】
一方、比較例１については、エージング後において３４Ωの抵抗上昇が見られ、また、長辺側縁部外側の実装端子上において、導電粒子のつぶれ具合が十分でない部分が存在した。
【００７５】
さらに、比較例２については、エージング後において３９Ωの抵抗上昇が見られ、また、短辺側縁部の実装端子上において、導電粒子のつぶれ具合が十分でない部分が存在した。
さらにまた、比較例３については、エージング後において４２Ωの抵抗上昇が見られ、また、高さを低くした実装端子上において、導電粒子のつぶれ具合が十分でない部分が存在した。
以上より、本発明の効果を実証することができた。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】（ａ）：本発明に用いるＩＣチップ及び配線基板の例を示す概略平面図である。（ｂ）：同配線基板の正面図である。
【図２】（ａ）（ｂ）：本発明の原理を示す説明図である。
【図３】（ａ）（ｂ）：本発明の原理を示す説明図である。
【図４】（ａ）：本発明に用いるＩＣチップ及び配線基板の他の例を示す概略平面図である。（ｂ）：同配線基板の側面図である。
【図５】（ａ）（ｂ）：本発明の原理を示す説明図である。
【図６】（ａ）（ｂ）：本発明の原理を示す説明図である。
【図７】本発明に用いるＩＣチップ及び配線基板の他の例を示す概略平面図である。
【図８】（ａ）：従来例に係るＩＣチップの外観構成を示す概略平面図である。（ｂ）：他の従来例に係るＩＣチップの外観構成を示す概略平面図である。
【符号の説明】
【００７７】
１ ＩＣチップ
２ チップ本体
２ａ 接続側面
２ｂ 短辺側縁部
３，４ 実装端子
７ 異方導電性接着剤
９ 導電粒子
１１ 配線基板
１２ 基板本体
１２ａ 接続領域
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板本体の接続側面上に複数の接続電極を有し、異方導電性接着剤によってＩＣチップが実装される配線基板であって、
前記複数の接続電極のうち、予め特定された領域の接続電極の高さが、他の接続電極の高さより高くされた配線基板。
【請求項２】
前記基板本体の接続側面は長方形状に形成されるとともに前記複数の接続電極が当該基板本体の接続側面の縁部に設けられ、当該複数の接続電極のうち、前記接続側面の短辺側縁部に設けられた接続電極の高さが、前記接続側面の長辺側縁部に設けられた接続電極の高さより高くされた請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記複数の接続電極が前記接続側面の縁部に沿って複数の列状に設けられ、当該複数列の接続電極のうち、当該接続側面の縁部外側に設けられた接続電極の高さが、当該接続側面の縁部内側に設けられた接続電極の高さより高くされた請求項１記載の配線基板。
【請求項４】
前記予め特定された領域の接続電極の高さと、前記他の接続電極の高さとの差が、使用する異方導電性接着剤の導電粒子の粒径の５％〜９５％である請求項１乃至３のいずれか１項記載の配線基板。
【請求項５】
前記配線基板が液晶表示装置用のガラス基板である請求項１乃至４のいずれか１項記載の配線基板。
【請求項６】
突起状の接続電極が形成されたＩＣチップと、請求項１乃至５のいずれか１項記載の配線基板との間に異方導電性接着剤を配置し、
加熱及び加圧を行うことにより、前記配線基板と前記ＩＣチップを接着するとともに対応する電極同士を電気的に接続する工程を有するＩＣチップの実装方法。
【請求項１】
基板本体の接続側面上に複数の接続電極を有し、異方導電性接着剤によってＩＣチップが実装される配線基板であって、
前記複数の接続電極のうち、予め特定された領域の接続電極の高さが、他の接続電極の高さより高くされた配線基板。
【請求項２】
前記基板本体の接続側面は長方形状に形成されるとともに前記複数の接続電極が当該基板本体の接続側面の縁部に設けられ、当該複数の接続電極のうち、前記接続側面の短辺側縁部に設けられた接続電極の高さが、前記接続側面の長辺側縁部に設けられた接続電極の高さより高くされた請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記複数の接続電極が前記接続側面の縁部に沿って複数の列状に設けられ、当該複数列の接続電極のうち、当該接続側面の縁部外側に設けられた接続電極の高さが、当該接続側面の縁部内側に設けられた接続電極の高さより高くされた請求項１記載の配線基板。
【請求項４】
前記予め特定された領域の接続電極の高さと、前記他の接続電極の高さとの差が、使用する異方導電性接着剤の導電粒子の粒径の５％〜９５％である請求項１乃至３のいずれか１項記載の配線基板。
【請求項５】
前記配線基板が液晶表示装置用のガラス基板である請求項１乃至４のいずれか１項記載の配線基板。
【請求項６】
突起状の接続電極が形成されたＩＣチップと、請求項１乃至５のいずれか１項記載の配線基板との間に異方導電性接着剤を配置し、
加熱及び加圧を行うことにより、前記配線基板と前記ＩＣチップを接着するとともに対応する電極同士を電気的に接続する工程を有するＩＣチップの実装方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２００９−９９８３０（Ｐ２００９−９９８３０Ａ）
【公開日】平成２１年５月７日（２００９．５．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２７１０２６（Ｐ２００７−２７１０２６）
【出願日】平成１９年１０月１８日（２００７．１０．１８）
【出願人】（０００１０８４１０）ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 (595)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年５月７日（２００９．５．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１０月１８日（２００７．１０．１８）
【出願人】（０００１０８４１０）ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 (595)
【Ｆターム（参考）】
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