配線方法、並びに、表面に配線が設けられた構造物、半導体装置、配線基板、メモリカード、電気デバイス、モジュール及び多層回路基板
【課題】配線回路の高密度化を図る。
【解決手段】複数の接続端子１０１ａ，１０２ａが露出する半導体装置１の表面に絶縁層１０３を形成し、絶縁層の表面に樹脂被膜１０４を形成し、樹脂被膜の表面側から樹脂被膜の厚みと同じ又は厚みを超える深さの溝１０５を接続対象の接続端子の近傍を通過するように形成すると共に、その近傍通過部分から接続対象の接続端子に到達する連通孔１０６，１０７を形成し、溝及び連通孔の表面にメッキ触媒又はその前駆体を被着させ、樹脂被膜を溶解又は膨潤させることにより除去し、無電解メッキを行うことによりメッキ触媒又はメッキ触媒前駆体から形成されるメッキ触媒が残留する部分のみにメッキ膜を形成することにより、絶縁層の表面に位置する本体部と、この本体部から分岐して絶縁層の内部に延び、接続対象の接続端子に到達する分岐部とを有する配線１０８を設ける。
【解決手段】複数の接続端子１０１ａ，１０２ａが露出する半導体装置１の表面に絶縁層１０３を形成し、絶縁層の表面に樹脂被膜１０４を形成し、樹脂被膜の表面側から樹脂被膜の厚みと同じ又は厚みを超える深さの溝１０５を接続対象の接続端子の近傍を通過するように形成すると共に、その近傍通過部分から接続対象の接続端子に到達する連通孔１０６，１０７を形成し、溝及び連通孔の表面にメッキ触媒又はその前駆体を被着させ、樹脂被膜を溶解又は膨潤させることにより除去し、無電解メッキを行うことによりメッキ触媒又はメッキ触媒前駆体から形成されるメッキ触媒が残留する部分のみにメッキ膜を形成することにより、絶縁層の表面に位置する本体部と、この本体部から分岐して絶縁層の内部に延び、接続対象の接続端子に到達する分岐部とを有する配線１０８を設ける。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線方法、より詳しくは、構造物の表面に露出する複数の被接続部を相互に配線で接続するための配線方法、並びに、この配線方法により表面に配線が設けられた構造物、半導体装置、配線基板、メモリカード、電気デバイス、モジュール及び多層回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気・電子分野における配線回路の高密度化に伴い、配線幅の細線化や配線間隔の狭化が進んでいる。しかし、配線間隔が狭くなるほど、隣接する配線間に短絡やマイグレーションが起こり易くなる。
【０００３】
この問題に対処する技術として、特許文献１には、絶縁基材表面に膨潤性樹脂皮膜を形成し、この膨潤性樹脂皮膜の外表面から皮膜の厚み以上の深さの溝を形成し、この溝の表面及び膨潤性樹脂皮膜の表面に触媒金属を被着させ、膨潤性樹脂皮膜を膨潤させて絶縁基材表面から剥離した後、触媒金属が残留する部分のみに無電解メッキ膜を形成することが記載されている。
【０００４】
この技術によれば、回路パターンの輪郭を高精度に維持することができ、短絡やマイグレーションの発生が抑制される。
【０００５】
また、非特許文献１には、金線等でワイヤーボンディングされた半導体装置を封止樹脂で封止することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−５０４３５号公報（段落００１４）
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】２０１０年５月１２〜１４日に札幌で開催された「ICEP 2010」において２０１０年５月１２日に発表された講演「Advanced QFN Package for Low Cost and High Performance Solution／Andy Tseng, Bernd Appelt, Yi-Shao Lai, Mark Lin, Bruce Hu, JW Chen, Sunny Lee」の参考配布物
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、特許文献１に記載される技術を用い、構造物の表面に露出する複数の被接続部を相互に配線で接続する場合に、次のような不具合が起り得る。図１５において、符号ａは、絶縁基材ｂに半導体チップｃが搭載された半導体装置、符号ｄは、半導体チップに設けられた接続端子、符号ｅは、絶縁基材に設けられた接続端子、符号ｆは、半導体チップｃの接続端子ｄ同士を接続する配線又は半導体チップｃの接続端子ｄと絶縁基材ｂの接続端子ｅとを接続する配線である。
【０００９】
特許文献１に記載される技術を用いると、配線ｆは、絶縁基材ｂの表面及び半導体チップｃの表面に設けられる。ところが、絶縁基材ｂの表面には接続端子ｅが露出し、半導体チップｃの表面には接続端子ｄが露出している。そのため、相互に接続しようとする接続対象の接続端子ｄ，ｄ又はｄ，ｅ間上に他の接続端子ｄ，ｅがあると、符号ｘ，ｙで示すように、配線ｆを他の接続端子ｄ，ｅに触れないように迂回させなければならない。このことは、配線面積の増大をもたらし、配線回路の高密度化を阻害する。
【００１０】
また、金線等でワイヤーボンディングされた半導体装置を封止樹脂で封止する際には、金線は封止樹脂の圧力を受け、金線に大きな負荷が作用する。その結果、金線の短絡や切断や損傷が起き、半導体装置の生産性及び信頼性が低下する。
【００１１】
そこで、本発明は、構造物の表面に露出する複数の被接続部を相互に配線で接続する場合に、配線回路の高密度化を阻害しないようにすることを目的とする。
【００１２】
また、構造物を封止樹脂で封止する場合に、封止樹脂の圧力による配線の短絡や切断や損傷を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一局面は、構造物の表面に露出する複数の被接続部を相互に配線で接続するための配線方法であって、複数の被接続部が露出する構造物の表面に絶縁層を形成する絶縁層形成工程、及び、絶縁層の表面に位置する本体部と、この本体部から分岐して絶縁層の内部に延び、接続対象の被接続部に到達する分岐部とを有する配線を設ける配線形成工程、を備えることを特徴とする配線方法である。
【００１４】
この配線方法において、配線形成工程は、絶縁層の表面に樹脂被膜を形成する樹脂被膜形成工程、樹脂被膜の表面側から樹脂被膜の厚みと同じ又は厚みを超える深さの溝を接続対象の被接続部の近傍を通過するように形成すると共に、その近傍通過部分から接続対象の被接続部に到達する連通孔を形成する溝孔形成工程、前記溝及び前記連通孔の表面にメッキ触媒又はその前駆体を被着させる触媒被着工程、前記樹脂被膜を溶解又は膨潤させることにより除去する樹脂被膜除去工程、及び、無電解メッキを行うことにより前記メッキ触媒又は前記メッキ触媒前駆体から形成されるメッキ触媒が残留する部分のみにメッキ膜を形成するメッキ処理工程、を含むことが好ましい。
【００１５】
この配線方法において、配線形成工程は、メッキ処理工程の後、電解メッキを行うことによりメッキ膜を厚膜化する電解メッキ工程をさらに含むことが好ましい。
【００１６】
この配線方法において、樹脂被膜は蛍光性物質を含有し、配線形成工程は、樹脂被膜除去工程の後、メッキ処理工程の前に、前記蛍光性物質からの発光を用いて樹脂被膜の除去不良を検査する検査工程をさらに含むことが好ましい。
【００１７】
この配線方法において、配線形成工程の後、配線の本体部が露出する絶縁層の表面にさらに絶縁層を積層する絶縁層積層工程、及び、積層した絶縁層の表面に位置する本体部と、この本体部から分岐して絶縁層の内部に延び、接続対象の被接続部に到達する分岐部とを有する配線を設ける追加配線形成工程、を１回以上繰り返すことが好ましい。
【００１８】
本発明の他の一局面は、複数の被接続部が露出する構造物の表面に絶縁層が形成され、この絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、接続対象の被接続部に到達していることを特徴とする表面に配線が設けられた構造物である。
【００１９】
この構造物において、配線本体部が露出する絶縁層の表面に絶縁層が積層され、この積層された絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、接続対象の被接続部に到達している構成が、１段以上備えられていることが好ましい。
【００２０】
本発明のさらに他の一局面は、絶縁基材に半導体チップが搭載され、絶縁基材に設けられた接続端子及び半導体チップに設けられた接続端子が露出する構造物の表面に絶縁層が形成され、この絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、絶縁基材の接続端子及び／又は半導体チップの接続端子に到達していることを特徴とする半導体装置である。
【００２１】
本発明のさらに他の一局面は、プリント配線板に半導体装置が実装され、プリント配線板に設けられた接続端子及び半導体装置に設けられた接続端子が露出する構造物の表面に絶縁層が形成され、この絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、プリント配線板の接続端子及び／又は半導体装置の接続端子に到達していることを特徴とする配線基板である。
【００２２】
本発明のさらに他の一局面は、支持体にメモリパッケージが取り付けられ、支持体に設けられた接続端子及びメモリパッケージに設けられた接続端子が露出する構造物の表面に絶縁層が形成され、この絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、支持体の接続端子及び／又はメモリパッケージの接続端子に到達していることを特徴とするメモリカードである。
【００２３】
本発明のさらに他の一局面は、絶縁基材に受動素子が搭載され、絶縁基材に設けられた接続端子及び受動素子に設けられた接続端子が露出する構造物の表面に絶縁層が形成され、この絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、絶縁基材の接続端子及び／又は受動素子の接続端子に到達していることを特徴とする電気デバイスである。
【００２４】
本発明のさらに他の一局面は、支持体に電気デバイスが取り付けられ、支持体に設けられた接続端子及び電気デバイスに設けられた接続端子が露出する構造物の表面に絶縁層が形成され、この絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、支持体の接続端子及び／又は電気デバイスの接続端子に到達していることを特徴とするモジュールである。
【００２５】
本発明のさらに他の一局面は、複数の回路基板が多段に積み重ねられた状態で結合され、回路基板に設けられた接続端子が露出する構造物の表面に絶縁層が形成され、この絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、相互に異なる回路基板の接続端子に到達しており、前記回路基板の接続端子は、回路基板の内部回路の端部であることを特長とする多層回路基板である。
【００２６】
本発明のさらに他の一局面は、絶縁基材に複数の半導体チップが多段に積み重ねられた状態で搭載され、半導体チップに設けられた接続端子が露出する構造物の表面に絶縁層が形成され、この絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、相互に異なる半導体チップの接続端子に到達していることを特徴とする半導体装置である。
【００２７】
なお、本明細書で「接続端子」とは、特に断りのない限り、設けられている部材に応じて、電気接続用の電極、パッド、バンプ、ポスト、信号入力端子、信号出力端子、信号入出力端子、取り出し電極等を意味するものとする。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、構造物の表面に露出する複数の被接続部を相互に配線で接続する場合に、配線を迂回させる必要がなくなり、配線回路の高密度化を阻害することが抑制される。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る配線方法の工程説明図である。
【図２】図２は、図１の配線方法における配線形成工程のさらに詳細な工程説明図である。
【図３】図３は、本発明の第２の実施形態に係る配線方法の工程説明図である。
【図４】図４は、本発明の第３の実施形態に係る配線方法の工程説明図である。
【図５】図５は、本発明の第４の実施形態に係る配線方法の工程説明図である。
【図６】図６は、本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の平面図である。
【図７】図７は、本発明の第６の実施形態に係る半導体装置の部分透視斜視図である。
【図８】図８は、本発明の第７の実施形態に係る配線方法の工程説明図である。
【図９】図９は、本発明の第８の実施形態に係る配線基板の縦断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の第９の実施形態に係るメモリカードの縦断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の第１０の実施形態に係る電気デバイスの縦断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の第１１の実施形態に係るモジュールの縦断面図である。
【図１３】図１３は、本発明の第１２の実施形態に係る多層回路基板の部分透視斜視図である。
【図１４】図１４は、本発明の第１３の実施形態に係る半導体装置の縦断面図である。
【図１５】図１５は、本発明が解決しようとする課題の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
＜第１の実施形態＞
図１及び図２を参照し、本発明の第１の実施形態に係る配線方法を説明する。図中、符号１は複数の被接続部が露出する構造物、符号１０は半導体装置、符号１００は封止樹脂で封止された半導体装置、符号１０１は絶縁基材、符号１０１ａは絶縁基材の接続端子（被接続部）、符号１０２は半導体チップ、符号１０２ａは半導体チップの接続端子（被接続部）、符号１０３は絶縁層、符号１０４は樹脂被膜、符号１０５は溝、符号１０６，１０７は連通孔、符号１０８は配線、符号１０８ａは配線本体部、符号１０８ｂは配線分岐部、符号１０８ｘはメッキ触媒、符号１０９は封止樹脂である。
【００３１】
以下、工程の説明と材料の説明とを分けて説明する。
【００３２】
［工程の説明］
第１実施形態に係る配線方法においては、まず、図１（Ａ）に示すように、絶縁基材１０１に半導体チップ１０２が搭載された構造物１を準備する。半導体チップ１０２としては、例えば、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ、ＬＥＤチップ等である。絶縁基材１０１の表面には複数の接続端子１０１ａが設けられ、半導体チップ１０２の表面には複数の接続端子１０２ａが設けられている。これらの接続端子１０１ａ，１０２ａは構造物１の表面に露出している。
【００３３】
次に、図１（Ｂ）に示すように、複数の接続端子１０１ａ，１０２ａが露出する構造物１の表面に絶縁層１０３を形成する（絶縁層形成工程）。
【００３４】
次に、図１（Ｃ）に示すように、絶縁層１０３の表面に樹脂被膜１０４を形成する（樹脂被膜形成工程）。
【００３５】
次に、図１（Ｄ）又は図２（Ｄ）に示すように、樹脂被膜１０４の表面側から樹脂被膜１０４の厚みと同じ又は厚みを超える深さの溝（図例は樹脂被膜１０４の厚みと同じ深さの溝）１０５を接続対象の接続端子１０１ａ，１０２ａの近傍を通過するように形成すると共に、その近傍通過部分から接続対象の接続端子１０２ａ，１０１ａに到達する連通孔１０６，１０７を形成する（溝孔形成工程）。これらの溝１０５及び連通孔１０６，１０７の形成は、例えばレーザー加工等により行われる。
【００３６】
次に、図２（Ｄ１）に示すように、溝１０５及び連通孔１０６，１０７の表面にメッキ触媒１０８ｘ又はその前駆体を被着させる（触媒被着工程）。
【００３７】
次に、図２（Ｄ２）に示すように、樹脂被膜１０４を溶解又は膨潤させることにより除去する（樹脂被膜除去工程）。
【００３８】
次に、図２（Ｅ）又は図１（Ｅ）に示すように、無電解メッキを行うことによりメッキ触媒１０８ｘ又はメッキ触媒前駆体から形成されるメッキ触媒が残留する部分のみにメッキ膜を形成する（メッキ処理工程）。これにより、絶縁層１０３の表面に位置する本体部１０８ａと、この本体部１０８ａから分岐して絶縁層１０３の内部に延び、接続対象の接続端子１０２ａ，１０１ａに到達する分岐部１０８ｂとを有する配線１０８が設けられる（配線形成工程）。
【００３９】
このような、樹脂被膜形成工程、溝孔形成工程、触媒被着工程、樹脂被膜除去工程及びメッキ処理工程を含む配線形成工程によれば、配線１０８、特に配線本体部１０８ａの輪郭を高精度に維持することができ、短絡やマイグレーションの発生が抑制される。
【００４０】
ここにおいて、絶縁基材１０１に半導体チップ１０２が搭載され、絶縁基材１０１の接続端子１０１ａと半導体チップ１０２の接続端子１０２ａとが相互に配線１０８で接続された半導体装置（表面に配線が設けられた構造物）１０が得られる。
【００４１】
この半導体装置１０においては、絶縁基材１０１の接続端子１０１ａ及び半導体チップ１０２の接続端子１０２ａが露出する構造物１の表面に絶縁層１０３が形成され、この絶縁層１０３の表面に配線１０８の本体部１０８ａが設けられ、この配線本体部１０８ａから配線１０８の分岐部１０８ｂが分岐し、この配線分岐部１０８ｂが絶縁層１０３の内部に延び、絶縁基材１０１の接続端子１０１ａ及び半導体チップ１０２の接続端子１０２ａに到達している。
【００４２】
接続端子１０１ａ，１０２ａが絶縁層１０３で被覆され、絶縁層１０３の表面に配線１０８の本体部１０８ａが設けられるので、相互に接続しようとする接続対象の接続端子１０１ａ，１０２ａ間上に他の接続端子１０１ａ，１０２ａがあっても、配線１０８を他の接続端子１０１ａ，１０２ａに触れないように迂回させる必要がなくなる。配線１０８は、接続対象でない他の接続端子１０１ａ，１０２ａの上を乗り越え、オーバーラップして通過することができる。その結果、配線回路の高密度化を阻害することが抑制される。
【００４３】
次に、図１（Ｆ）に示すように、半導体装置１０を封止樹脂１０９で封止する。ここにおいて、封止樹脂１０９で封止された半導体装置１００が得られる。
【００４４】
なお、状況に応じて、メッキ処理工程の後、半導体装置１０を封止樹脂１０９で封止する前に、電解メッキを行うことによりメッキ膜を厚膜化することが好ましい（電解メッキ工程）。メッキ膜を厚膜化するのに要する時間の短縮化が図られるという利点が得られる。具体的には、例えば、電解メッキ槽において、陽極側にメッキ処理工程で形成された無電解メッキ膜と導通させ、陰極側電極との間に電流を流すことにより、無電解メッキ膜が厚膜化される。
【００４５】
メッキ膜の膜厚は、特に限定されない。具体的には、例えば、０．１〜１０μｍが好ましく、１〜５μｍ程度がより好ましい。
【００４６】
また、状況に応じて、樹脂被膜１０４に蛍光性物質を含有させ、樹脂被膜除去工程の後、メッキ処理工程の前に、蛍光性物質からの発光を用いて樹脂被膜１０４の除去不良を検査することが好ましい（検査工程）。隣接する配線１０８間に、メッキ触媒１０８ｘ又はその前駆体が被着した樹脂被膜１０４が残留した場合は、その残留部分にメッキ膜が形成されてしまい、短絡の原因となり得る。そこで、発光が検出された部分を除去することにより、その部分にメッキ膜が形成されることを抑制し、短絡の発生を未然に防止することができるという利点が得られる。
【００４７】
樹脂被膜１０４に含有させ得る蛍光性物質は、所定の光源により光を照射することにより発光特性を示すものであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｉｎｅ、Ｅｏｓｉｎｅ、Ｐｙｒｏｎｉｎｅ Ｇ等が挙げられる。
【００４８】
［材料の説明］
（絶縁基材）
絶縁基材１０１としては、従来から半導体チップの実装に用いられているような各種有機基材や無機基材が特に限定なく用いられ得る。有機基材の具体例としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、シアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ビスマレイミド樹脂等からなる基材が挙げられる。
【００４９】
エポキシ樹脂としては、例えば回路基板の製造に用いられ得る各種有機基板を構成するエポキシ樹脂であれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、アラルキルエポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。さらに、難燃性を付与するために、臭素化又はリン変性したエポキシ樹脂、窒素含有樹脂、シリコーン含有樹脂等も挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよく又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５０】
これらの樹脂で絶縁基材１０１を構成する場合、樹脂を硬化させるために、硬化剤を用いることが一般的である。硬化剤としては特に限定されないが、具体的には、例えば、ジシアンジアミド、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミノトリアジンノボラック系硬化剤、シアネート樹脂等が挙げられる。
【００５１】
フェノール系硬化剤としては、例えば、ノボラック型、アラルキル型、テルペン型等が挙げられる。さらに、難燃性を付与するために、リン変性したフェノール樹脂、リン変性したシアネート樹脂等も挙げられる。これらの硬化剤は単独で用いてもよく又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５２】
絶縁基材１０１の表面には、溝孔形成工程において、例えばレーザー加工等により連通孔１０６，１０７が形成される（溝１０５の深さが樹脂被膜１０４の厚みを超える場合は、溝１０５の一部も形成される）ことから、絶縁基材１０１の材料としては、１００ｎｍ〜４００ｎｍの波長領域でのレーザー光の吸収率（ＵＶ吸収率）に優れる樹脂等を用いることが好ましい。具体的には、例えば、ポリイミド樹脂等が挙げられる。
【００５３】
絶縁基材１０１にフィラーを含有させてもよい。フィラーとしては、無機微粒子であっても、有機微粒子であってもよく、特に限定されない。フィラーを含有させることで、レーザー加工された部分にフィラーが露出し、フィラーの凹凸による絶縁基材１０１とメッキ膜との密着性を向上することができる。
【００５４】
無機微粒子を構成する材料としては、具体的には、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリカ（ＳｉＯ２）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）等の高誘電率充填材；ハードフェライト等の磁性充填材；水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）、水酸化アルミニウム（Ａｌ（ＯＨ）２）、三酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）、五酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ５）、グアニジン塩、ホウ酸亜鉛、モリブテン化合物、スズ酸亜鉛等の無機系難燃剤；タルク（Ｍｇ３（Ｓｉ４Ｏ１０）（ＯＨ）２）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、雲母等が挙げられる。これらの無機微粒子を単独で用いてもよく又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５５】
これらの無機微粒子は、熱伝導性、比誘電率、難燃性、粒度分布、色調の自由度等が高いことから、所望の機能を選択的に発揮させる場合には、適宜配合及び粒度設計を行って、容易に高充填化を行うことができる。
【００５６】
フィラーの平均粒径は特に限定されないが、例えば、０．０１μｍ〜１０μｍが好ましく、０．０５μｍ〜５μｍがより好ましい。
【００５７】
無機微粒子は、絶縁基材１０１中での分散性を高めるために、シランカップリング剤で表面処理してもよい。また、絶縁基材１０１は、無機微粒子の絶縁基材１０１中での分散性を高めるために、シランカップリング剤を含有してもよい。シランカップリング剤としては、特に限定されない。具体的には、例えば、エポキシシラン系、メルカプトシラン系、アミノシラン系、ビニルシラン系、スチリルシラン系、メタクリロキシシラン系、アクリロキシシラン系、チタネート系等のシランカップリング剤等が挙げられる。これらのシランカップリング剤は単独で用いてもよく又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５８】
また、絶縁基材１０１は、無機微粒子の絶縁基材１０１中での分散性を高めるために、分散剤を含有してもよい。分散剤としては特に限定されない。具体的には、例えば、アルキルエーテル系、ソルビタンエステル系、アルキルポリエーテルアミン系、高分子系等の分散剤等が挙げられる。これらの分散剤は単独で用いてもよく又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５９】
フィラーとして用い得る有機微粒子の具体例としては、例えば、ゴム微粒子等が挙げられる。
【００６０】
絶縁基材１０１の形態としては特に限定されない。具体的には、シート、フィルム、プリプレグ、三次元形状の成形体等が挙げられる。絶縁基材１０１の厚みも特に限定されない。例えば、シート、フィルム、プリプレグ等の場合、１０〜５００μｍが好ましく、１０〜２００μｍがより好ましく、２０〜２００μｍがさらに好ましく、２０〜１００μｍがさらに好ましい。
【００６１】
絶縁基材１０１は、例えば、金型及び枠型等を用いて絶縁基材となる材料を入れて、加圧し、硬化させることにより、三次元形状の成形体等に形成してもよいし、シート、フィルム、プリプレグを打ち抜き、くりぬいたものを硬化させること、もしくは、加熱加圧により硬化させることにより、三次元形状の成形体等に形成してもよい。
【００６２】
（絶縁層）
絶縁層１０３としては、樹脂等の絶縁性有機材料や、シリカ（ＳｉＯ２）等をはじめとするセラミックス等の絶縁性無機材料等が挙げられる。その他、絶縁基材１０１を構成する材料と同様の材料でもよい。
【００６３】
絶縁層１０３の形成方法は、図１（Ｂ）に示したように、少なくとも、絶縁基材１０１の表面及び半導体チップ１０２の表面に絶縁層１０３が形成されるような方法であれば、特に限定されない。具体的には、例えば、構造物１の表面に、絶縁層１０３を形成し得る液状材料を塗布した後、乾燥させる方法や、予め支持基材に前記液状材料を塗布した後、乾燥することにより形成された被膜を構造物１の表面に転写する方法、あるいは貼り合せる方法等が挙げられる。なお、液状材料を塗布する方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、従来から知られたスピンコート法やバーコータ法、ディッピング法やスプレー法等が挙げられる。
【００６４】
（樹脂被膜）
樹脂被膜１０４の形成方法は、図１（Ｃ）に示したように、少なくとも、絶縁層１０３の表面に樹脂被膜１０４が形成されるような方法であれば、特に限定されない。具体的には、例えば、絶縁層１０３の全面に、樹脂被膜１０４を形成し得る液状材料を塗布した後、乾燥させる方法や、予め支持基材に前記液状材料を塗布した後、乾燥することにより形成された被膜を絶縁層１０３の表面に転写する方法、あるいは貼り合せる方法等が挙げられる。なお、液状材料を塗布する方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、従来から知られたスピンコート法やバーコータ法、ディッピング法やスプレー法等が挙げられる。
【００６５】
樹脂被膜１０４の厚みとしては、１０μｍ以下、さらには５μｍ以下であり、０．１μｍ以上、さらには１μｍ以上であることが好ましい。厚みが厚すぎる場合は、樹脂被膜１０４をレーザー加工することにより部分的に除去する際に寸法精度が低下する傾向がある。また、厚みが薄すぎる場合は、均一な膜厚の被膜を形成し難くなる傾向がある。
【００６６】
樹脂被膜１０４を形成するための材料としては、樹脂被膜除去工程において溶解除去または膨潤除去し得るような樹脂材料であれば特に限定なく用いられる。具体的には、例えば、フォトレジストの分野で用いられているレジスト樹脂や、所定の液体に対する膨潤度が高く、膨潤により剥離可能な樹脂が用いられる。
【００６７】
レジスト樹脂の具体例としては、例えば、光硬化性エポキシ樹脂、エッチングレジスト、ポリエステル系樹脂、ロジン系樹脂が挙げられる。
【００６８】
また、膨潤性樹脂としては、所定の液体に対する膨潤度が５０％以上、さらには１００％以上、さらには５００％以上であるような膨潤性樹脂であることが好ましい。このような樹脂の具体例としては、例えば、架橋度またはゲル化度等を調整することにより所望の膨潤度になるように調整された、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマー、アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマー等が挙げられる。
【００６９】
樹脂被膜１０４について重ねて詳しく追加説明する。
【００７０】
樹脂被膜１０４としては、樹脂被膜除去工程で除去可能なものであれば、特に限定されない。樹脂被膜１０４は、所定の液体で溶解又は膨潤することにより絶縁層１０３の表面から容易に溶解除去又は剥離除去が可能な樹脂被膜が好ましい。具体的には、例えば、有機溶剤やアルカリ溶液により容易に溶解し得る可溶型樹脂からなる被膜や、所定の液体（膨潤液）で膨潤し得る膨潤性樹脂からなる被膜等が挙げられる。なお、膨潤性樹脂被膜には、所定の液体に対して実質的に溶解せず、膨潤により絶縁層１０３の表面から容易に剥離するような樹脂被膜だけではなく、所定の液体に対して膨潤し、さらに少なくとも一部が溶解し、その膨潤や溶解により絶縁層１０３の表面から容易に剥離するような樹脂被膜や、所定の液体に対して溶解し、その溶解により絶縁層１０３の表面から容易に剥離するような樹脂被膜も含まれる。このような樹脂被膜を用いることにより、絶縁層１０３の表面から樹脂被膜１０４を容易かつ良好に除去できる。樹脂被膜１０４を除去するときに樹脂被膜１０４を崩壊させると、その樹脂被膜１０４に被着したメッキ触媒１０８ｘが飛散し、飛散したメッキ触媒１０８ｘが絶縁層１０３に再被着してその部分に不要なメッキが形成される問題がある。本実施形態では、絶縁層１０３の表面から樹脂被膜１０４を容易かつ良好に除去できるから、そのような問題が未然に防止できる。
【００７１】
樹脂被膜１０４を形成するための材料としては、所定の液体で溶解又は膨潤することにより絶縁層１０３の表面から容易に溶解除去又は剥離除去が可能な樹脂であれば特に限定なく用いられ得る。好ましくは、所定の液体に対する膨潤度が５０％以上、より好ましくは、１００％以上、さらに好ましくは、５００％以上であるような膨潤度の樹脂が用いられる。なお、膨潤度が低すぎる場合には、樹脂被膜が剥離し難くなる傾向がある。
【００７２】
なお、樹脂被膜の膨潤度（ＳＷ）は、膨潤前重量ｍ（ｂ）及び膨潤後重量ｍ（ａ）から、「膨潤度ＳＷ＝｛（ｍ（ａ）−ｍ（ｂ））／ｍ（ｂ）｝×１００（％）」の式により求められる。
【００７３】
このような樹脂被膜１０４は、絶縁層１０３の表面にエラストマーのサスペンジョン又はエマルジョンを塗布した後、乾燥する方法や、支持基材にエラストマーのサスペンジョン又はエマルジョンを塗布した後、乾燥することにより形成される被膜を絶縁層１０３の表面に転写する方法等により容易に形成され得る。
【００７４】
エラストマーの具体例としては、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマー、アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルジョンとして分散されたエラストマー樹脂粒子の架橋度またはゲル化度等を調整することにより所望の膨潤度の樹脂被膜を容易に形成することができる。
【００７５】
なお、このような樹脂被膜１０４としては、特に、膨潤度が膨潤液のｐＨに依存して変化するような被膜であることが好ましい。このような、被膜を用いた場合には、触媒被着工程における液性条件と、樹脂被膜除去工程における液性条件とを相異させることにより、触媒被着工程におけるｐＨにおいては樹脂被膜１０４は絶縁層１０３に対する高い密着力を維持しつつ、樹脂被膜除去工程におけるｐＨにおいては容易に樹脂被膜１０４を絶縁層１０３から剥離除去することができる。
【００７６】
さらに具体的には、例えば、触媒被着工程が、例えば、ｐＨ１〜３の範囲の酸性触媒金属コロイド溶液中で処理する工程を備え、樹脂被膜除去工程が、例えば、ｐＨ１２〜１４の範囲のアルカリ性溶液中で樹脂被膜を膨潤させる工程を備える場合には、樹脂被膜１０４は、酸性触媒金属コロイド溶液に対する膨潤度が６０％以下、より好ましくは、４０％以下であり、アルカリ性溶液に対する膨潤度が５０％以上、より好ましくは、１００％以上、さらに好ましくは、５００％以上であるような樹脂被膜であることが好ましい。
【００７７】
このような樹脂被膜１０４の例としては、所定量のカルボキシル基を有するエラストマーから形成されるシートや、プリント配線板のパターニング用のドライフィルムレジスト（以下「ＤＦＲ」と記す場合がある）等に用いられる光硬化性のアルカリ現像型のレジストを全面硬化して得られるシートや、熱硬化性やアルカリ現像型のシート等が挙げられる。
【００７８】
カルボキシル基を有するエラストマーの具体例としては、カルボキシル基を有するモノマー単位を共重合成分として含有することにより、分子中にカルボキシル基を有する、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマーや、アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー、あるいはポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルジョンとして分散されたエラストマーの、酸当量、架橋度又はゲル化度等を調整することにより、所望のアルカリ膨潤度を有する樹脂被膜を形成することができる。また、樹脂被膜除去工程において用いる所定の液体に対する膨潤度をより大きくでき、前記液体に対して溶解する樹脂被膜も容易に形成することができる。エラストマー中のカルボキシル基はアルカリ水溶液に対して樹脂被膜を膨潤させて、絶縁層１０３の表面から樹脂被膜１０４を剥離する作用をする。また、酸当量とは、カルボキシル基１個当たりのポリマー分子量である。
【００７９】
カルボキシル基を有するモノマー単位の具体例としては、（メタ）アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、及びマレイン酸無水物等が挙げられる。
【００８０】
このようなカルボキシル基を有するエラストマー中のカルボキシル基の含有割合としては、酸当量で１００〜２０００、好ましくは１００〜８００であることが好ましい。酸当量が小さ過ぎる場合（カルボキシル基の数が相対的に多過ぎる場合）には、溶媒または他の組成物との相溶性が低下することにより、無電解メッキの前処理液に対する耐性が低下する傾向がある。また、酸当量が大き過ぎる場合（カルボキシル基の数が相対的に少な過ぎる場合）には、アルカリ水溶液に対する剥離性が低下する傾向がある。
【００８１】
また、エラストマーの分子量としては、１万〜１００万、好ましくは２万〜５０万、より好ましくは２万〜６万であることが好ましい。エラストマーの分子量が大き過ぎる場合には剥離性が低下する傾向があり、小さ過ぎる場合には粘度が低下するために樹脂被膜の厚みを均一に維持することが困難になると共に、無電解メッキの前処理液に対する耐性も低下する傾向がある。
【００８２】
また、ＤＦＲとしては、例えば、所定量のカルボキシル基を含有する、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、スチレン系樹脂、フェノール系樹脂、ウレタン系樹脂等を樹脂成分とし、光重合開始剤を含有する光硬化性樹脂組成物のシートが用いられ得る。このようなＤＦＲの具体例としては、あえて例を挙げるとすれば、例えば、特開２０００−２３１１９０号公報、特開２００１−２０１８５１号公報、特開平１１−２１２２６２号公報に開示されるような光重合性樹脂組成物のドライフィルムを全面硬化させて得られるシートや、アルカリ現像型のＤＦＲとして市販されている、例えば、旭化成工業社製のＵＦＧシリーズ等が挙げられる。
【００８３】
さらに、その他の樹脂被膜１０４の例としては、カルボキシル基を含有する、ロジンを主成分とする樹脂（例えば、吉川化工社製の「ＮＡＺＤＡＲ２２９」）や、フェノールを主成分とする樹脂（例えば、ＬＥＫＴＲＡＣＨＥＭ社製の「１０４Ｆ」）等が挙げられる。
【００８４】
樹脂被膜１０４は、絶縁層１０３の表面に樹脂のサスペンジョン又はエマルジョンを従来から知られたスピンコート法やバーコーター法等の塗布方法を用いて塗布した後、乾燥する方法や、支持基材に形成されたＤＦＲを真空ラミネーター等を用いて絶縁層１０３の表面に貼り合わせた後、全面硬化することにより容易に形成することができる。
【００８５】
また、樹脂被膜１０４として、例えば、酸等量が１００〜８００程度のカルボキシル基を有するアクリル系樹脂からなる樹脂（カルボキシル基含有アクリル系樹脂）を主成分とする樹脂被膜もまた好ましく用いられ得る。
【００８６】
さらに、上記のものの他に、樹脂被膜１０４として、次のようなものもまた好適である。すなわち、樹脂被膜１０４を構成するレジスト材料に必要な特性としては、例えば、（１）触媒被着工程で、樹脂被膜１０４が形成された構造物１を浸漬させる液体（メッキ触媒付け薬液）に対する耐性が高いこと、（２）樹脂被膜除去工程、例えば、樹脂被膜１０４が形成された構造物１をアルカリに浸漬させる工程によって、樹脂被膜１０４が容易に除去できること、（３）成膜性が高いこと、（４）ドライフィルム（ＤＦＲ）化が容易なこと、（５）保存性が高いこと等が挙げられる。
【００８７】
メッキ触媒付け薬液としては、後述するが、例えば、酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイドキャタリストシステムの場合、全て酸性（例えばｐＨ１〜３）水溶液である。また、アルカリ性Ｐｄイオンキャタリストシステムの場合は、触媒付与アクチベーターが弱アルカリ（ｐＨ８〜１２）であり、それ以外は酸性である。以上のことから、メッキ触媒付け薬液に対する耐性としては、ｐＨ１〜１１、好ましくはｐＨ１〜１２に耐え得ることが必要である。なお、耐え得るとは、樹脂被膜１０４を成膜したサンプルを薬液に浸漬した際、樹脂被膜１０４の膨潤や溶解が充分に抑制され、レジストとしての役割を果たすことである。また、浸漬温度は、室温〜６０℃、浸漬時間は、１〜１０分間、樹脂被膜１０４の膜厚は、１〜１０μｍ程度が一般的であるが、これらに限定されない。樹脂被膜除去工程に用いるアルカリ剥離の薬液としては、例えば、ＮａＯＨ水溶液や炭酸ナトリウム水溶液が一般的である。そのｐＨは、１１〜１４であり、好ましくはｐＨ１２から１４で樹脂被膜１０４が簡単に除去できることが望ましい。ＮａＯＨ水溶液濃度は、１〜１０%程度、処理温度は、室温〜５０℃、処理時間は、１〜１０分間で、浸漬やスプレー処理をすることが一般的であるが、これらに限定されない。絶縁層１０３上に樹脂被膜１０４を形成するため、成膜性も重要となる。はじき等がない均一性な膜形成が必要である。また、製造工程の簡素化や材料ロスの低減等のためにドライフィルム化される場合は、ハンドリング性を確保するためにフィルムの屈曲性が必要である。また絶縁層１０３上にドライフィルム化された樹脂被膜１０４をラミネーター（ロール、真空）で貼り付ける。貼り付けの温度は、室温〜１６０℃、圧力や時間は任意である。このように、貼り付け時に粘着性が求められる。そのために、ドライフィルム化された樹脂被膜１０４はゴミの付着防止も兼ねて、キャリアフィルム、カバーフィルムでサンドイッチされた３層構造にされることが一般的であるが、これらに限定されない。保存性は、室温で保存できることが好ましいが、冷蔵、冷凍での保存ができることも必要である。このように低温時にドライフィルムの組成が分離したり、屈曲性が低下して割れたりしないようにすることが必要である。
【００８８】
以上のような観点から、樹脂被膜１０４として、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも１種類以上の単量体と、（ｂ）（ａ）単量体と重合しうる少なくとも１種類以上の単量体と、を重合させることで得られる重合体樹脂、又はこの重合体樹脂を含む樹脂組成物であってもよい。この公知技術として、あえて例を挙げるとすれば、例えば、特開平７−２８１４３７号公報、特開２０００−２３１１９０号公報、特開２００１−２０１８５１号公報等が挙げられる。
【００８９】
（ａ）単量体の一例としては、（メタ）アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸半エステル、アクリル酸ブチル等が挙げられ、単独、もしくは２種類以上を組み合わせても良い。（ｂ）単量体の例としては、非酸性で分子中に重合性不飽和基を（１個）有するものが一般的であり、その限りではない。後述する触媒被着工程での耐性、硬化膜の可とう性等の種々の特性を保持するように選ばれる。具体的には、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｉｓｏ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｓｅｃ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルプロピル（メタ）アクリレート類がある。また酢酸ビニル等のビニルアルコールのエステル類や（メタ）アクリロニトリル、スチレンまたは重合可能なスチレン誘導体等がある。また上記の重合性不飽和基を分子中に１個有するカルボン酸または酸無水物のみの重合によっても得ることが出来る。さらには、３次元架橋できるように、重合体に用いる単量体に複数の不飽和基を持つ単量体を選定することができる。また、分子骨格にエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、ビニル基等の反応性官能基を導入することができる。
【００９０】
樹脂中にカルボキシル基が含まれる場合、樹脂中に含まれるカルボキシル基の量は酸当量で１００〜２０００が良く、１００〜８００が好ましい。酸当量が低すぎると、溶媒または他の組成物との相溶性の低下やメッキ前処理液耐性が低下する。酸当量が高すぎると剥離性が低下する。また、（ａ）単量体の組成比率は５〜７０質量％が好ましい。
【００９１】
樹脂組成物は、メイン樹脂（バインダー樹脂）として前記重合体樹脂を必須成分とし、オリゴマー、モノマー、フィラーや、その他の添加剤の少なくとも１種類を添加してもよい。メイン樹脂は、熱可塑的性質を持ったリニア型のポリマーが良い。流動性、結晶性などをコントロールするためにグラフトさせて枝分かれさせることもある。分子量としては、重量平均分子量で１，０００〜５００，０００程度であり、５，０００〜５０，０００が好ましい。重量平均分子量が小さいと膜の屈曲性やメッキ触媒付け薬液耐性（耐酸性）が低下する。また分子量が大きいとアルカリ剥離性やドライフィルムにした場合の貼り付け性が悪くなる。さらに、メッキ触媒付け薬液耐性向上やレーザー加工時の熱変形抑制、流動制御のために架橋点を導入してもよい。
【００９２】
モノマーやオリゴマーとしては、メッキ触媒付け薬液への耐性やアルカリで容易に除去できるようなものであれば何でも良い。またドライフィルム（ＤＦＲ）の貼り付け性を向上させるために粘着性付与材として可塑剤的に用いることが考えられる。さらに各種耐性をあげるために架橋剤を添加することが考えられる。具体的には、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｉｓｏ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｓｅｃ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルプロピル（メタ）アクリレート類がある。また酢酸ビニル等のビニルアルコールのエステル類や（メタ）アクリロニトリル、スチレンまたは重合可能なスチレン誘導体等がある。また上記の重合性不飽和基を分子中に１個有するカルボン酸または酸無水物のみの重合によっても得ることが出来る。さらに、多官能性不飽和化合物を含んでも良い。上記のモノマーもしくはモノマーを反応させたオリゴマーのいずれでも良い。上記のモノマー以外に他の光重合性モノマーを２種類以上含むことも可能である。モノマーの例としては、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４−シクロヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、またポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート等のポリオキシアルキレングリコールジ（メタ）アクリレート、２−ジ（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロパンジ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルトリ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルトリ（メタ）アクリレート、２，２−ビス（４−メタクリロキシペンタエトキシフェニル）プロパン、ウレタン基を含有する多官能（メタ）アクリレート等がある。上記のモノマーもしくはモノマーを反応させたオリゴマーのいずれでも良い。
【００９３】
フィラーは特に限定されないが、シリカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、クレー、カオリン、酸化チタン、硫酸バリウム、アルミナ、酸化亜鉛、タルク、マイカ、ガラス、チタン酸カリウム、ワラストナイト、硫酸マグネシウム、ホウ酸アルミニウム、有機フィラー等が挙げられる。また、レジストの好ましい厚みは、０．１〜１０μｍと薄いため、フィラーサイズも小さいものが好ましい。平均粒径が小さく、粗粒をカットしたものを用いることが良いが、分散時に砕いたり、ろ過で粗粒を除去することもできる。
【００９４】
その他の添加剤として、光重合性樹脂（光重合開始剤）、重合禁止剤、着色剤（染料、顔料、発色系顔料）、熱重合開始剤、エポキシやウレタンなどの架橋剤等が挙げられる。
【００９５】
溝孔形成工程では、樹脂被膜１０４は、レーザー加工等されるため、レジスト材料（樹脂被膜１０４の材料）にレーザーによるアブレーション性を付与することが必要である。レーザー加工機は、例えば、炭酸ガスレーザーやエキシマレーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザーなどが選定される。これらのレーザー加工機は種々の固有の波長を持っており、この波長に対してＵＶ吸収率の高い材料を選定することで、生産性を向上させることができる。そのなかでもＵＶ−ＹＡＧレーザーは微細加工に適しており、レーザー波長は３倍高調波３５５ｎｍ、４倍高調波２６６ｎｍであるため、レジスト材料としては、これらの波長に対して、ＵＶ吸収率が相対的に高いことが望ましい。ＵＶ吸収率が高くなるほど、樹脂被膜１０４の加工がきれいに仕上がり、生産性の向上が図れる。もっとも、これに限らず、ＵＶ吸収率の相対的に低いレジスト材料を選定するほうがよい場合もあり得る。ＵＶ吸収率が低くなるほど、ＵＶ光が樹脂被膜１０４を通過するので、その下の絶縁層１０３の加工にＵＶエネルギーを集中させることができ、例えば絶縁層１０３が加工し難い材料である場合等に特に好ましい結果が得られる。このように、樹脂被膜１０４のレーザー加工のし易さ、絶縁層１０３のレーザー加工のし易さ、及びこれらの関係等に応じて、レジスト材料を設計することが好ましい。
【００９６】
樹脂被膜除去工程によって、図２（Ｄ２）に示したように、溝１０５及び連通孔１０６，１０７が形成された絶縁層１０３の部分のみにメッキ触媒１０８ｘを残留させることができる。一方、図２（Ｄ１）〜図２（Ｄ２）に示したように、溝孔形成工程において溝１０５が形成された部分以外の樹脂被膜１０４の表面に被着されたメッキ触媒１０８ｘは、樹脂被膜１０４を除去する際に一緒に除去される。
【００９７】
樹脂被膜１０４を膨潤除去または溶解除去させる方法としては、所定の膨潤液または溶解液に、樹脂被膜１０４を所定の時間浸漬する方法が挙げる。また、剥離性や溶解性を高めるために、浸漬中に超音波照射することが特に好ましい。なお、膨潤剥離の場合には、必要に応じて軽い力で引き剥がしてもよい。
【００９８】
樹脂被膜１０４を溶解又は膨潤させる液体としては、絶縁基材１０１、絶縁層１０３、及びメッキ触媒１０８ｘを実質的に分解または溶解させることなく、樹脂被膜１０４が容易に溶解又は膨潤剥離されるような液体であれば特に限定なく用いられうる。具体的には、レジスト樹脂として光硬化性エポキシ樹脂を用いた場合には、有機溶剤又はアルカリ水溶液のレジスト除去剤等が用いられる。また、膨潤性樹脂として、例えばジエン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマーのようなエラストマーを用いた場合には、例えば、１〜１０％程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水溶液が好ましく用いられうる。
【００９９】
また、樹脂皮膜１０４として、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも１種類以上の単量体と、（ｂ）（ａ）単量体と重合しうる少なくとも１種類以上の単量体と、を重合させることで得られる重合体樹脂、又はこの重合体樹脂を含む樹脂組成物である場合、あるいは、前述のカルボキシル基含有アクリル系樹脂から形成されている場合には、例えば、１〜１０％程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水溶液が好ましく用いられ得る。
【０１００】
なお、触媒被着工程において上述したような酸性条件で処理するメッキプロセスを用いた場合には、樹脂皮膜１０４が、酸性条件下においては膨潤度が６０％以下、好ましくは４０％以下であり、アルカリ性条件下では膨潤度が５０％以上であるような、例えば、ジエン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマーのようなエラストマーから形成されていること、あるいは、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも１種類以上の単量体と、（ｂ）（ａ）単量体と重合しうる少なくとも１種類以上の単量体と、を重合させることで得られる重合体樹脂、又はこの重合体樹脂を含む樹脂組成物から形成されていること、あるいは、前述のカルボキシル基含有アクリル系樹脂から形成されていることが好ましい。このような樹脂皮膜は、ｐＨ１１〜１４、好ましくはｐＨ１２〜１４であるようなアルカリ水溶液、例えば、１〜１０％程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等に浸漬等することにより、容易に溶解又は膨潤し、溶解除去又は剥離除去される。なお、溶解性又は剥離性を高めるために、浸漬中に超音波照射してもよい。また、必要に応じて軽い力で引き剥がすことにより除去してもよい。
【０１０１】
（メッキ触媒）
メッキ触媒１０８ｘは、メッキ処理工程において無電解メッキ膜を形成したい部分のみに無電解メッキ膜を形成するために予め付与される触媒である。メッキ触媒１０８ｘとしては、無電解メッキ用の触媒として従来用いられるものであれば、特に限定なく用いられ得る。また、メッキ触媒１０８ｘに代えて、メッキ触媒の前駆体を被着させ、樹脂被膜１０４の除去後にメッキ触媒を生成させてもよい。メッキ触媒１０８ｘの具体例としては、例えば、金属パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）等が挙げられる。
【０１０２】
メッキ触媒１０８ｘを被着させる方法としては、例えば、ｐＨ１〜３の酸性条件下で処理される酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド溶液で処理した後、酸溶液で処理するような方法が挙げられる。より具体的には次のような方法が挙げられる。はじめに、溝孔形成工程で形成された溝１０５及び連通孔１０６，１０７の表面に付着している油分等を界面活性剤の溶液（クリーナー・コンディショナー）等で湯洗する。次に、必要に応じて、過硫酸ナトリウム−硫酸系のソフトエッチング剤でソフトエッチング処理する。そして、ｐＨ１〜２の硫酸水溶液や塩酸水溶液等の酸性溶液中でさらに酸洗する。次に、濃度０．１％程度の塩化第一錫水溶液等を主成分とするプリディップ液に浸漬して塩化第一錫を吸着させた後、塩化第一錫と塩化パラジウムとを含むｐＨ１〜３の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド等の酸性触媒金属コロイド溶液にさらに浸漬することによりＰｄ及びＳｎを凝集させて吸着させる。そして、吸着した塩化第一錫と塩化パラジウムとの間で、酸化還元反応（ＳｎＣｌ２＋ＰｄＣｌ２→ＳｎＣｌ４＋Ｐｄ↓)を起こさせる。これによりメッキ触媒１０８ｘである金属パラジウム（Ｐｄ）が析出する。
【０１０３】
なお、酸性触媒金属コロイド溶液としては、公知の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイドキャタリスト溶液等が使用でき、酸性触媒金属コロイド溶液を用いた市販のメッキプロセスを用いてもよい。このようなプロセスは、例えば、ローム＆ハース電子材料社からシステム化されて販売されている。
【０１０４】
このような触媒被着工程により、図２（Ｄ１）に示したように、溝１０５及び連通孔１０６，１０７の表面及び樹脂被膜１０４の表面にメッキ触媒１０８ｘが被着される。
【０１０５】
（無電解メッキ）
メッキ処理工程における無電解メッキの方法としては、メッキ触媒１０８ｘが被着された構造物１を、無電解メッキ液の槽に浸漬して、メッキ触媒１０８ｘが被着された部分のみに無電解メッキ膜を析出させるような方法が用いられ得る。
【０１０６】
無電解メッキに用いられる金属としては、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。これらの中では、Ｃｕを主成分とするメッキが導電性に優れている点から好ましい。また、Ｎｉを含む場合には、耐食性や、はんだとの密着性に優れる点から好ましい。
【０１０７】
このようなメッキ処理工程により、図２（Ｄ２）〜図２（Ｅ）に示したように、絶縁基材１０１の接続端子１０１ａと半導体チップ１０２の接続端子１０２ａとをつなぐ経路の表面のメッキ触媒１０８ｘが残留する部分のみに無電解メッキ膜が析出する。これにより、絶縁層１０３の表面に位置する配線本体部１０８ａと、この配線本体部１０８ａから分岐して絶縁層１０３の内部に延び、接続対象の接続端子１０２ａ，１０１ａに到達する配線分岐部１０８ｂとを有する配線１０８が形成され、この配線１０８により、接続端子１０２ａ，１０１ａが相互に接続される。
【０１０８】
なお、溝孔形成工程において溝１０５が形成されなかった部分は、樹脂被膜１０４によりメッキ触媒１０８ｘが被着することから保護されていたために、無電解メッキ膜は析出しない。これにより、配線間隔が狭小であっても、隣接する配線間に不要なメッキ膜が形成されず、短絡等の問題が抑制される。
【０１０９】
この第１実施形態で用いられる以上の各材料は以下の実施形態でも用いられるので、以下の実施形態ではこれらの材料の説明は省略する。
【０１１０】
＜第２の実施形態＞
図３を参照し、本発明の第２の実施形態に係る配線方法を説明する。図中、符号２は複数の被接続部が露出する構造物、符号２０は半導体装置、符号２００は封止樹脂で封止された半導体装置、符号２０１は絶縁基材、符号２０１ａは絶縁基材の接続端子（被接続部）、符号２０２は半導体チップ、符号２０２ａは半導体チップの接続端子（被接続部）、符号２０３は絶縁層、符号２０４は樹脂被膜、符号２０５は溝、符号２０６，２０７は連通孔、符号２０８は配線、符号２０８ａは配線本体部、符号２０８ｂは配線分岐部、符号２０９は封止樹脂である。
【０１１１】
第２実施形態に係る配線方法においては、まず、図３（Ａ）に示すように、絶縁基材２０１に半導体チップ２０２が搭載された構造物２を準備する。絶縁基材２０１の表面には複数の接続端子２０１ａが設けられ、半導体チップ２０２の表面には複数の接続端子２０２ａが設けられている。これらの接続端子２０１ａ，２０２ａは構造物２の表面に露出している。
【０１１２】
なお、絶縁基材２０１の接続端子２０１ａは、絶縁基材２０１の表面から突出している。また、絶縁基材２０１を貫通して反対面からも突出している。
【０１１３】
次に、図３（Ｂ）に示すように、複数の接続端子２０１ａ，２０２ａが露出する構造物２の表面に絶縁層２０３を形成する（絶縁層形成工程）。絶縁層２０３の表面は、絶縁基材２０１の接続端子２０１ａが絶縁基材２０１の表面から突出していることにより、凹凸形状を呈する。
【０１１４】
次に、図３（Ｃ）に示すように、絶縁層２０３の表面に樹脂被膜２０４を形成する（樹脂被膜形成工程）。
【０１１５】
次に、図３（Ｄ）に示すように、樹脂被膜２０４の表面側から樹脂被膜２０４の厚みと同じ又は厚みを超える深さの溝（図例は樹脂被膜２０４の厚みと同じ深さの溝）２０５を接続対象の接続端子２０１ａ，２０２ａの近傍を通過するように形成すると共に、その近傍通過部分から接続対象の接続端子２０２ａ，２０１ａに到達する連通孔２０６，２０７を形成する（溝孔形成工程）。
【０１１６】
次に、第１実施形態と同様にして、触媒被着工程、樹脂被膜除去工程、メッキ処理工程を行うことにより、図３（Ｅ）に示すように、絶縁層２０３の表面に位置する本体部２０８ａと、この本体部２０８ａから分岐して絶縁層２０３の内部に延び、接続対象の接続端子２０２ａ，２０１ａに到達する分岐部２０８ｂとを有する配線２０８が設けられる（配線形成工程）。
【０１１７】
このような、樹脂被膜形成工程、溝孔形成工程、触媒被着工程、樹脂被膜除去工程及びメッキ処理工程を含む配線形成工程によれば、配線２０８、特に配線本体部２０８ａの輪郭を高精度に維持することができ、短絡やマイグレーションの発生が抑制される。
【０１１８】
ここにおいて、絶縁基材２０１に半導体チップ２０２が搭載され、絶縁基材２０１の接続端子２０１ａと半導体チップ２０２の接続端子２０２ａとが相互に配線２０８で接続された半導体装置（表面に配線が設けられた構造物）２０が得られる。
【０１１９】
この半導体装置２０においては、絶縁基材２０１の接続端子２０１ａ及び半導体チップ２０２の接続端子２０２ａが露出する構造物２の表面に絶縁層２０３が形成され、この絶縁層２０３の表面に配線２０８の本体部２０８ａが設けられ、この配線本体部２０８ａから配線２０８の分岐部２０８ｂが分岐し、この配線分岐部２０８ｂが絶縁層２０３の内部に延び、絶縁基材２０１の接続端子２０１ａ及び半導体チップ２０２の接続端子２０２ａに到達している。
【０１２０】
接続端子２０１ａ，２０２ａが絶縁層２０３で被覆され、絶縁層２０３の表面に配線２０８の本体部２０８ａが設けられるので、相互に接続しようとする接続対象の接続端子２０１ａ，２０２ａ間上に他の接続端子２０１ａ，２０２ａがあっても、配線２０８を他の接続端子２０１ａ，２０２ａに触れないように迂回させる必要がなくなる。配線２０８は、接続対象でない他の接続端子２０１ａ，２０２ａの上を乗り越え、オーバーラップして通過することができる。その結果、配線回路の高密度化を阻害することが抑制される。
【０１２１】
次に、図３（Ｆ）に示すように、半導体装置２０を封止樹脂２０９で封止する。ここにおいて、封止樹脂２０９で封止された半導体装置２００が得られる。
【０１２２】
＜第３の実施形態＞
図４を参照し、本発明の第３の実施形態に係る配線方法を説明する。図中、符号３は複数の被接続部が露出する構造物、符号３０は表面に配線が設けられた構造物、符号３００は封止樹脂で封止され、表面に配線が設けられた構造物、符号３０１は銅板、符号３０１ａは接続端子（被接続部）、符号３０２はレジスト、符号３０３はニッケルメッキを介した金メッキ膜、符号３０４はキャビティ、符号３０５は半導体チップ、符号３０５ａは半導体チップの接続端子（被接続部）、符号３０６は絶縁層、符号３０７は樹脂被膜、符号３０８は配線、符号３０８ａは配線本体部、符号３０８ｂは配線分岐部、符号３０９は封止樹脂である。
【０１２３】
第３実施形態に係る配線方法においては、まず、図４（Ａ）に示すように、銅板３０１の表面及び反対面にレジスト３０２を配置する。
【０１２４】
次に、図４（Ｂ）に示すように、銅板３０１の表面及び反対面のレジスト３０２を配置した以外の部分にニッケルメッキを介した金メッキ膜３０３を形成する。
【０１２５】
次に、図４（Ｃ）に示すように、レジスト３０２を除去する。
【０１２６】
次に、図４（Ｄ）に示すように、銅板３０１の表面の金メッキ膜３０３を形成した以外の部分をハーフエッチングして凹部を形成する。ここで、凹部の１つはキャビティ３０４となる。
【０１２７】
次に、図４（Ｅ）に示すように、キャビティ３０４に半導体チップ３０５を搭載する。
【０１２８】
ここにおいて、複数の接続端子３０１ａ，３０５ａが露出する構造物３が得られる。
【０１２９】
次に、図４（Ｆ）に示すように、複数の接続端子３０１ａ，３０５ａが露出する構造物３の表面に絶縁層３０６を形成する（絶縁層形成工程）。絶縁層３０６の表面は、接続端子３０１ａが突出していることにより、凹凸形状を呈する。
【０１３０】
次に、同じく図４（Ｆ）に示すように、絶縁層３０６の表面に樹脂被膜３０７を形成する（樹脂被膜形成工程）。
【０１３１】
次に、第１実施形態と同様にして、溝孔形成工程、触媒被着工程、樹脂被膜除去工程、メッキ処理工程を行うことにより、図４（Ｇ）に示すように、絶縁層３０６の表面に位置する本体部３０８ａと、この本体部３０８ａから分岐して絶縁層３０６の内部に延び、接続対象の接続端子３０１ａ，３０５ａに到達する分岐部３０８ｂとを有する配線３０８が設けられる（配線形成工程）。
【０１３２】
ここにおいて、接続端子３０１ａと半導体チップ３０５の接続端子３０５ａとが相互に配線３０８で接続され、表面に配線３０８が設けられた構造物３０が得られる。
【０１３３】
この構造物３０においては、複数の接続端子３０１ａ，３０５ａが露出する構造物３の表面に絶縁層３０６が形成され、この絶縁層３０６の表面に配線３０８の本体部３０８ａが設けられ、この配線本体部３０８ａから配線３０８の分岐部３０８ｂが分岐し、この配線分岐部３０８ｂが絶縁層３０６の内部に延び、接続対象の接続端子３０１ａ及び半導体チップ３０５の接続端子３０５ａに到達している。
【０１３４】
次に、図４（Ｈ）に示すように、構造物３０を封止樹脂３０９で封止する。
【０１３５】
次に、図４（Ｉ）に示すように、接続端子３０１ａ間や接続端子３０１ａとキャビティ３０４間に残存していた銅板３０１をエッチングして除去する（符号ア）。接続端子３０１ａ及びキャビティ３０４は、絶縁層３０６及び封止樹脂３０９でつながれているため、銅板３０１を除去してもバラバラにならない。
【０１３６】
ここにおいて、封止樹脂３０９で封止され、表面に配線３０８が設けられた構造物３００が得られる。
【０１３７】
なお、キャビティ３０４を構成する金属の部分は、半導体チップ３０５の放熱板として機能する。
【０１３８】
また、接続端子３０１ａは、最終的には、銅板３０１と両端部の金メッキ膜３０３とで構成される。
【０１３９】
＜第４の実施形態＞
図５を参照し、本発明の第４の実施形態に係る配線方法を説明する。ただし、第３実施形態と同じ又は相当する構成要素には第３実施形態と同じ符号を用い、第３実施形態と異なる部分のみ説明する。図中、符号３０２ａは支持板である。
【０１４０】
第４実施形態に係る配線方法においては、まず、図５（Ａ）に示すように、銅板３０１の表面にレジスト３０２を配置し、反対面に支持板３０２ａを貼り合わせる。
【０１４１】
次に、図５（Ｂ）に示すように、銅板３０１の表面のレジスト３０２を配置した以外の部分にニッケルメッキを介した金メッキ膜３０３を形成する。
【０１４２】
図５（Ｃ）〜図５（Ｈ）は、第３実施形態の図４（Ｃ）〜図４（Ｈ）と同様である。
【０１４３】
次に、図５（Ｉ）に示すように、支持板３０２ａを取り除いた後、接続端子３０１ａ及びキャビティ３０４間に残存していた銅板３０１をエッチングして除去する（符号イ）。
【０１４４】
ここにおいて、封止樹脂３０９で封止され、表面に配線３０８が設けられた構造物３００が得られる。
【０１４５】
第３実施形態に比べて、銅板３０１の反対面には金メッキ膜３０３を形成しないから、コストが少なくて済む。
【０１４６】
また、図５（Ａ）〜（Ｈ）から明らかなように、銅板３０１の反対面には支持板３０２ａが終始貼り合わされた状態で残っているので、作業中ワークの支持がしっかりする。
【０１４７】
＜第５の実施形態＞
図６を参照し、本発明の第５の実施形態に係る半導体装置を説明する。図中、符号４００は封止樹脂４０９で封止された半導体装置、符号４０１ａは絶縁基材の接続端子（被接続部）、符号４０５は半導体チップ、符号４０５ａは半導体チップの接続端子（被接続部）、符号４０６は絶縁層、符号４０８は配線、符号４０９は封止樹脂である。なお、封止樹脂４０９は、取り除かれたものとして描かれていない。また、配線４０８は、一部のみが描かれている。
【０１４８】
第５実施形態に係る半導体装置４００は、第１実施形態又は第２実施形態で得られる半導体装置１００，２００、第３実施形態又は第４実施形態で得られる構造物３００に準じて同様の構成を有している。すなわち、第５実施形態に係る半導体装置４００は、絶縁基材に半導体チップ４０５が搭載され、絶縁基材に設けられた接続端子４０１ａ及び半導体チップ４０５に設けられた接続端子４０５ａが露出する構造物の表面に絶縁層４０６が形成され、この絶縁層４０６の表面に配線４０８の本体部が設けられ、この配線本体部から配線４０８の分岐部が分岐し、この配線分岐部が絶縁層４０６の内部に延び、絶縁基材の接続端子４０１ａ及び／又は半導体チップ４０５の接続端子４０５ａに到達している。
【０１４９】
なお、絶縁層４０６の表面は、接続端子４０１ａが絶縁基材の表面から突出していることにより、また絶縁基材に半導体チップ４０５が搭載されていることにより、凹凸形状を呈している。
【０１５０】
接続端子４０１ａ，４０５ａが絶縁層４０６で被覆され、絶縁層４０６の表面に配線４０８の本体部が設けられるので、相互に接続しようとする接続対象の接続端子４０１ａ，４０５ａ又は４０５ａ，４０５ａ間上に他の接続端子４０１ａ，４０５ａがあっても、配線４０８を他の接続端子４０１ａ，４０５ａに触れないように迂回させる必要がなくなる。配線４０８は、接続対象でない他の接続端子４０１ａ，４０５ａの上を乗り越え、オーバーラップして通過することができる。その結果、配線回路の高密度化を阻害することが抑制される。
【０１５１】
また、配線４０８は、絶縁層４０６の表面を這うように形成されている。したがって、表面に配線４０８が設けられた構造物（半導体装置）を金型内にインサートし、封止樹脂４０９で封止する際に、配線４０８が封止樹脂の圧力を受けて配線４０８に大きな負荷が作用することが回避できる。その結果、金線等でワイヤーボンディングされた半導体装置に比べて、配線４０８の短絡や切断や損傷が抑制され、半導体装置の生産性及び信頼性が向上する。
【０１５２】
なお、図例は、配線４０８同士が交差しないように描かれているが、状況に応じて、配線４０８同士が交差しても構わない場合がある（例えばパルス信号の伝送等）。
【０１５３】
＜第６の実施形態＞
図７を参照し、本発明の第６の実施形態に係る半導体装置を説明する。図中、符号５００は封止樹脂で封止された半導体装置、符号５０１ａは絶縁基材の接続端子（被接続部）、符号５０５は半導体チップ、符号５０５ａは半導体チップの接続端子（被接続部）、符号５０６は絶縁層、符号５０８は配線、符号５０８ａは配線本体部、符号５０８ｂは配線分岐部である。なお、封止樹脂は、取り除かれたものとして描かれていない。また、配線５０８は、一部のみが描かれている。
【０１５４】
第６実施形態に係る半導体装置５００は、第１実施形態又は第２実施形態で得られる半導体装置１００，２００、第３実施形態又は第４実施形態で得られる構造物３００に準じて同様の構成を有している。すなわち、第６実施形態に係る半導体装置５００は、絶縁基材に半導体チップ５０５が搭載され、絶縁基材に設けられた接続端子５０１ａ及び半導体チップ５０５に設けられた接続端子５０５ａが露出する構造物の表面に絶縁層５０６が形成され、この絶縁層５０６の表面に配線５０８の本体部５０８ａが設けられ、この配線本体部５０８ａから配線５０８の分岐部５０８ｂが分岐し、この配線分岐部５０８ｂが絶縁層５０６の内部に延び、絶縁基材の接続端子５０１ａ及び／又は半導体チップ５０５の接続端子５０５ａに到達している。
【０１５５】
なお、絶縁層５０６の表面は、接続端子５０１ａが絶縁基材の表面から突出していることにより、また絶縁基材に半導体チップ５０５が搭載されていることにより、凹凸形状を呈している。
【０１５６】
接続端子５０１ａ，５０５ａが絶縁層５０６で被覆され、絶縁層５０６の表面に配線５０８の本体部５０８ａが設けられるので、相互に接続しようとする接続対象の接続端子５０１ａ，５０５ａ又は５０５ａ，５０５ａ間上に他の接続端子５０１ａ，５０５ａがあっても、配線５０８を他の接続端子５０１ａ，５０５ａに触れないように迂回させる必要がなくなる。配線５０８は、接続対象でない他の接続端子５０１ａ，５０５ａの上を乗り越え、オーバーラップして通過することができる。その結果、配線回路の高密度化を阻害することが抑制される。
【０１５７】
また、配線５０８は、絶縁層５０６の表面を這うように形成されている。したがって、表面に配線５０８が設けられた構造物（半導体装置）を金型内にインサートし、封止樹脂で封止する際に、配線５０８が封止樹脂の圧力を受けて配線５０８に大きな負荷が作用することが回避できる。その結果、金線等でワイヤーボンディングされた半導体装置に比べて、配線５０８の短絡や切断や損傷が抑制され、半導体装置の生産性及び信頼性が向上する。
【０１５８】
なお、図例は、配線５０８同士が交差しないように描かれているが、状況に応じて、配線５０８同士が交差しても構わない場合がある（例えばパルス信号の伝送等）。
【０１５９】
また、図中、符号ウで示すように、配線分岐部５０８ｂは、必ずしも接続端子５０１ａ，５０５ａに真上から垂直に到達しなくてもよく、絶縁層５０６の表面形状に応じて、斜め上からあるいは横から水平に到達してもよい。
【０１６０】
＜第７の実施形態＞
図８を参照し、本発明の第７の実施形態に係る配線方法を説明する。図中、符号６は複数の被接続部が露出する構造物、符号６０ａ，６０ｂは半導体装置、符号６００は封止樹脂で封止された半導体装置、符号６０１は絶縁基材、符号６０１ａは絶縁基材の接続端子（被接続部）、符号６０２は半導体チップ、符号６０２ａは半導体チップの接続端子（被接続部）、符号６０３，６１３は絶縁層、符号６０４，６１４は樹脂被膜、符号６０８，６１８は配線、符号６０８ａ，６１８ａは配線本体部、符号６０８ｂ，６１８ｂは配線分岐部、符号６０９は封止樹脂である。
【０１６１】
第７実施形態に係る配線方法においては、まず、図８（Ａ）に示すように、絶縁基材６０１に半導体チップ６０２が搭載された構造物６を準備する。絶縁基材６０１の表面には複数の接続端子６０１ａが設けられ、半導体チップ６０２の表面には複数の接続端子６０２ａが設けられている。これらの接続端子６０１ａ，６０２ａは構造物６の表面に露出している。
【０１６２】
次に、図８（Ｂ）に示すように、複数の接続端子６０１ａ，６０２ａが露出する構造物６の表面に絶縁層６０３を形成する（絶縁層形成工程）。
【０１６３】
次に、図８（Ｃ）に示すように、絶縁層６０３の表面に樹脂被膜６０４を形成する（樹脂被膜形成工程）。
【０１６４】
次に、第１実施形態と同様にして、溝孔形成工程、触媒被着工程、樹脂被膜除去工程、メッキ処理工程を行うことにより、図８（Ｄ）に示すように、絶縁層６０３の表面に位置する本体部６０８ａと、この本体部６０８ａから分岐して絶縁層６０３の内部に延び、接続対象の接続端子６０１ａ，６０２ａに到達する分岐部６０８ｂとを有する配線６０８が設けられる（配線形成工程）。
【０１６５】
ここにおいて、絶縁基材６０１に半導体チップ６０２が搭載され、絶縁基材６０１の接続端子６０１ａと半導体チップ６０２の接続端子６０２ａとが相互に配線６０８で接続された半導体装置（表面に配線が設けられた構造物）６０ａが得られる。
【０１６６】
次に、図８（Ｅ）に示すように、配線６０８の本体部６０８ａが露出する絶縁層６０３の表面にさらに絶縁層６１３を積層する（絶縁層積層工程）。
【０１６７】
次に、図８（Ｆ）に示すように、積層した絶縁層６１３の表面に樹脂被膜６１４を形成する（樹脂被膜形成工程）。
【０１６８】
次に、１段目と同様にして、溝孔形成工程、触媒被着工程、樹脂被膜除去工程、メッキ処理工程を行うことにより、図８（Ｇ）に示すように、積層した絶縁層６１３の表面に位置する本体部６１８ａと、この本体部６１８ａから分岐して絶縁層６１３，６０３の内部に延び、接続対象の接続端子６０１ａ，６０２ａに到達する分岐部６１８ｂとを有する配線６１８が設けられる（追加配線形成工程）。
【０１６９】
ここにおいて、絶縁基材６０１に半導体チップ６０２が搭載され、絶縁基材６０１の接続端子６０１ａと半導体チップ６０２の接続端子６０２ａとが相互に配線６０８，６１８で接続された半導体装置（表面に配線が設けられた構造物）６０ｂが得られる。
【０１７０】
この半導体装置６０ｂにおいては、絶縁層及び配線の組が上下に２段備えられている。すなわち、１段目においては、絶縁基材６０１の接続端子６０１ａ及び半導体チップ６０２の接続端子６０２ａが露出する構造物６の表面に絶縁層６０３が形成され、この絶縁層６０３の表面に配線６０８の本体部６０８ａが設けられ、この配線本体部６０８ａから配線６０８の分岐部６０８ｂが分岐し、この配線分岐部６０８ｂが絶縁層６０３の内部に延び、絶縁基材６０１の接続端子６０１ａ及び半導体チップ６０２の接続端子６０２ａに到達している。２段目においては、１段目の配線本体部６０８ａが露出する１段目の絶縁層６０３の表面に２段目の絶縁層６１３が積層され、この積層された２段目の絶縁層６１３の表面に２段目の配線６１８の本体部６１８ａが設けられ、この２段目の配線本体部６１８ａから配線６１８の分岐部６１８ｂが分岐し、この２段目の配線分岐部６１８ｂが２段目の絶縁層６１３及び１段目の絶縁層６０３の内部に延び、絶縁基材６０１の接続端子６０１ａ及び半導体チップ６０２の接続端子６０２ａに到達している。
【０１７１】
次に、図８（Ｈ）に示すように、半導体装置６０ｂを封止樹脂６０９で封止する。ここにおいて、封止樹脂６０９で封止された半導体装置６００が得られる。
【０１７２】
この第７実施形態で得られる半導体装置６０ｂ，６００においては、配線６０８，６１８同士が相互にオーバーラップして通過することができる。その結果、短絡を起こさずに配線６０８，６１８同士を交差させることができ、この観点から、配線回路の高密度化を阻害することがより一層抑制される。
【０１７３】
なお、この第７実施形態においては、絶縁層積層工程及び追加配線形成工程を繰り返す回数は１回であったが（２段構成）、２回以上でもよい（３段以上の構成）。
【０１７４】
＜第８の実施形態＞
図９を参照し、本発明の第８の実施形態に係る配線基板を説明する。図中、符号７００は配線基板、符号７０１はプリント配線板、符号７０１ａはプリント配線板の接続端子（被接続部）、符号７０２は半導体装置、符号７０２ａは半導体装置の接続端子（被接続部）、符号７０３は絶縁層、符号７０８は配線、符号７０８ａは配線本体部、符号７０８ｂは配線分岐部である。なお、配線７０８は、一部のみが描かれている。
【０１７５】
第８実施形態に係る配線基板７００は、第１実施形態又は第２実施形態で得られる半導体装置１００，２００、第３実施形態又は第４実施形態で得られる構造物３００、第５実施形態又は第６実施形態で得られる半導体装置４００，５００に準じて同様の構成を有している。すなわち、第８実施形態に係る配線基板７００は、プリント配線板７０１に半導体装置７０２が実装され、プリント配線板７０１に設けられた接続端子７０１ａ及び半導体装置７０２に設けられた接続端子７０２ａが露出する構造物の表面に絶縁層７０３が形成され、この絶縁層７０３の表面に配線７０８の本体部７０８ａが設けられ、この配線本体部７０８ａから配線７０８の分岐部７０８ｂが分岐し、この配線分岐部７０８ｂが絶縁層７０３の内部に延び、プリント配線板７０１の接続端子７０１ａ及び／又は半導体装置７０２の接続端子７０２ａに到達している。
【０１７６】
接続端子７０１ａ，７０２ａが絶縁層７０３で被覆され、絶縁層７０３の表面に配線７０８の本体部７０８ａが設けられるので、相互に接続しようとする接続対象の接続端子７０１ａ，７０２ａ間上に他の接続端子７０１ａ，７０２ａがあっても、配線７０８を他の接続端子７０１ａ，７０２ａに触れないように迂回させる必要がなくなる。配線７０８は、接続対象でない他の接続端子７０１ａ，７０２ａの上を乗り越え、オーバーラップして通過することができる。その結果、配線回路の高密度化を阻害することが抑制される。
【０１７７】
＜第９の実施形態＞
図１０を参照し、本発明の第９の実施形態に係るメモリカードを説明する。図中、符号８００はメモリカード、符号８０１は支持体、符号８０１ａは支持体の接続端子（被接続部）、符号８０２はメモリパッケージ、符号８０２ａはメモリパッケージの接続端子（被接続部）、符号８０３は絶縁層、符号８０８は配線、符号８０８ａは配線本体部、符号８０８ｂは配線分岐部である。なお、配線８０８は、一部のみが描かれている。
【０１７８】
第９実施形態に係るメモリカード８００は、第１実施形態又は第２実施形態で得られる半導体装置１００，２００、第３実施形態又は第４実施形態で得られる構造物３００、第５実施形態又は第６実施形態で得られる半導体装置４００，５００に準じて同様の構成を有している。すなわち、第９実施形態に係るメモリカード８００は、支持体８０１にメモリパッケージ８０２が取り付けられ、支持体８０１に設けられた接続端子８０１ａ及びメモリパッケージ８０２に設けられた接続端子８０２ａが露出する構造物の表面に絶縁層８０３が形成され、この絶縁層８０３の表面に配線８０８の本体部８０８ａが設けられ、この配線本体部８０８ａから配線８０８の分岐部８０８ｂが分岐し、この配線分岐部８０８ｂが絶縁層８０３の内部に延び、支持体８０１の接続端子８０１ａ及び／又はメモリパッケージ８０２の接続端子８０２ａに到達している。
【０１７９】
接続端子８０１ａ，８０２ａが絶縁層８０３で被覆され、絶縁層８０３の表面に配線８０８の本体部８０８ａが設けられるので、相互に接続しようとする接続対象の接続端子８０１ａ，８０２ａ間上に他の接続端子８０１ａ，８０２ａがあっても、配線８０８を他の接続端子８０１ａ，８０２ａに触れないように迂回させる必要がなくなる。配線８０８は、接続対象でない他の接続端子８０１ａ，８０２ａの上を乗り越え、オーバーラップして通過することができる。その結果、配線回路の高密度化を阻害することが抑制される。
【０１８０】
＜第１０の実施形態＞
図１１を参照し、本発明の第１０の実施形態に係る電気デバイスを説明する。図中、符号９００は電気デバイス、符号９０１は絶縁基材、符号９０１ａは絶縁基材の接続端子（被接続部）、符号９０２は受動素子、符号９０２ａは受動素子の接続端子（被接続部）、符号９０３は絶縁層、符号９０８は配線、符号９０８ａは配線本体部、符号９０８ｂは配線分岐部である。なお、配線９０８は、一部のみが描かれている。
【０１８１】
第１０実施形態に係る電気デバイス９００は、第１実施形態又は第２実施形態で得られる半導体装置１００，２００、第３実施形態又は第４実施形態で得られる構造物３００、第５実施形態又は第６実施形態で得られる半導体装置４００，５００に準じて同様の構成を有している。すなわち、第１０実施形態に係る電気デバイス９００は、絶縁基材９０１に受動素子９０２が搭載され、絶縁基材９０１に設けられた接続端子９０１ａ及び受動素子９０２に設けられた接続端子９０２ａが露出する構造物の表面に絶縁層９０３が形成され、この絶縁層９０３の表面に配線９０８の本体部９０８ａが設けられ、この配線本体部９０８ａから配線９０８の分岐部９０８ｂが分岐し、この配線分岐部９０８ｂが絶縁層９０３の内部に延び、絶縁基材９０１の接続端子９０１ａ及び／又は受動素子９０２の接続端子９０２ａに到達している。
【０１８２】
接続端子９０１ａ，９０２ａが絶縁層９０３で被覆され、絶縁層９０３の表面に配線９０８の本体部９０８ａが設けられるので、相互に接続しようとする接続対象の接続端子９０１ａ，９０２ａ間上に他の接続端子９０１ａ，９０２ａがあっても、配線９０８を他の接続端子９０１ａ，９０２ａに触れないように迂回させる必要がなくなる。配線９０８は、接続対象でない他の接続端子９０１ａ，９０２ａの上を乗り越え、オーバーラップして通過することができる。その結果、配線回路の高密度化を阻害することが抑制される。
【０１８３】
＜第１１の実施形態＞
図１２を参照し、本発明の第１１の実施形態に係るモジュールを説明する。図中、符号１０００はモジュール、符号１００１は支持体、符号１００１ａは支持体の接続端子（被接続部）、符号１００２は電気デバイス、符号１００２ａは電気デバイスの接続端子（被接続部）、符号１００３は絶縁層、符号１００８は配線、符号１００８ａは配線本体部、符号１００８ｂは配線分岐部である。なお、配線１００８は、一部のみが描かれている。
【０１８４】
第１１実施形態に係るモジュール１０００は、第１実施形態又は第２実施形態で得られる半導体装置１００，２００、第３実施形態又は第４実施形態で得られる構造物３００、第５実施形態又は第６実施形態で得られる半導体装置４００，５００に準じて同様の構成を有している。すなわち、第１１実施形態に係るモジュール１０００は、支持体１００１に電気デバイス１００２が取り付けられ、支持体１００１に設けられた接続端子１００１ａ及び電気デバイス１００２に設けられた接続端子１００２ａが露出する構造物の表面に絶縁層１００３が形成され、この絶縁層１００３の表面に配線１００８の本体部１００８ａが設けられ、この配線本体部１００８ａから配線１００８の分岐部１００８ｂが分岐し、この配線分岐部１００８ｂが絶縁層１００３の内部に延び、支持体１００１の接続端子１００１ａ及び／又は電気デバイス１００２の接続端子１００２ａに到達している。
【０１８５】
接続端子１００１ａ，１００２ａが絶縁層１００３で被覆され、絶縁層１００３の表面に配線１００８の本体部１００８ａが設けられるので、相互に接続しようとする接続対象の接続端子１００１ａ，１００２ａ間上に他の接続端子１００１ａ，１００２ａがあっても、配線１００８を他の接続端子１００１ａ，１００２ａに触れないように迂回させる必要がなくなる。配線１００８は、接続対象でない他の接続端子１００１ａ，１００２ａの上を乗り越え、オーバーラップして通過することができる。その結果、配線回路の高密度化を阻害することが抑制される。
【０１８６】
＜第１２の実施形態＞
図１３を参照し、本発明の第１２の実施形態に係る多層回路基板を説明する。図中、符号１１００は多層回路基板、符号１１０１は最下層の回路基板、符号１１０１ａは最下層の回路基板の接続端子（被接続部）、符号１１０２は第２層目以上の回路基板、符号１１０２ａは第２層目以上の回路基板の接続端子（被接続部）、符号１１０２ｂは第２層目以上の回路基板の内部回路、符号１１０３は絶縁層、符号１１０８は配線、符号１１０８ａは配線本体部、符号１１０８ｂは配線分岐部である。なお、配線１１０８は、一部のみが描かれている。
【０１８７】
第１２実施形態に係る多層回路基板１１００は、第１実施形態又は第２実施形態で得られる半導体装置１００，２００、第３実施形態又は第４実施形態で得られる構造物３００、第５実施形態又は第６実施形態で得られる半導体装置４００，５００に準じて同様の構成を有している。すなわち、第１２実施形態に係る多層回路基板１１００は、複数の回路基板１１０１，１１０２が多段に積み重ねられた状態で結合され、回路基板１１０１，１１０２に設けられた接続端子１１０１ａ，１１０２ａが露出する構造物の表面に絶縁層１１０３が形成され、この絶縁層１１０３の表面に配線１１０８の本体部１１０８ａが設けられ、この配線本体部１１０８ａから配線１１０８の分岐部１１０８ｂが分岐し、この配線分岐部１１０８ｂが絶縁層１１０３の内部に延び、相互に異なる回路基板１１０２の接続端子１１０２ａに到達しており、前記回路基板１１０２の接続端子１１０２ａは、回路基板１１０２の内部回路１１０２ｂの端部である。
【０１８８】
接続端子１１０１ａ，１１０２ａが絶縁層１１０３で被覆され、絶縁層１１０３の表面に配線１１０８の本体部１１０８ａが設けられるので、相互に接続しようとする接続対象の接続端子１１０１ａ，１１０２ａ間上に他の接続端子１１０１ａ，１１０２ａがあっても、配線１１０８を他の接続端子１１０１ａ，１１０２ａに触れないように迂回させる必要がなくなる。配線１１０８は、接続対象でない他の接続端子１１０１ａ，１１０２ａの上を乗り越え、オーバーラップして通過することができる。その結果、配線回路の高密度化を阻害することが抑制される。
【０１８９】
このような構成の多層回路基板１１００によれば、配線１１０８は、層間接続のための外部配線として機能することになる。つまり、多層回路基板１１００における層間接続の技法として、従来、層間接続用孔としてのビアホールを形成することが知られている。ところが、ビアホールを多層回路基板１１００の内部回路上に配置するので、そのビアホールの配置分だけ内部回路の配線有効面積が減少するという問題があった。この第１２実施形態に係る多層回路基板１１００においては、多層回路基板１１００の側面の縦壁を通過する配線１１０８が多層回路基板１１００の層間接続をするので、この問題が回避できることになる。また、多層回路基板１１００の縦壁に層間接続のための外部の配線１１０８を容易に設けることが可能となる。
【０１９０】
なお、図１３に例示したように、多層回路基板１１００の側面の縦壁を通過する配線１０８は、各層の内部回路１１０２ｂと接続するために、迂回してもよいし、縦壁を斜めに通過してもよいし、所定の層の内部回路とは接続しないように通過してもよい。
【０１９１】
また、符号１１０１は、多層回路基板とは別の独立した基板でもよい。
【０１９２】
＜第１３の実施形態＞
図１４を参照し、本発明の第１３の実施形態に係る半導体装置を説明する。図中、符号１２００は半導体装置（スタックチップパッケージ）、符号１２０１は絶縁基材、符号１２０１ａは絶縁基材の接続端子（被接続部）、符号１２０２は半導体チップ、符号１２０２ａは半導体チップの接続端子（被接続部）、符号１２０３は絶縁層、符号１２０８は配線、符号１２０８ａは配線本体部、符号１２０８ｂは配線分岐部、符号１２０９は封止樹脂である。なお、配線１２０８は、一部のみが描かれている。
【０１９３】
第１３実施形態に係る半導体装置（スタックチップパッケージ）１２００は、第１実施形態又は第２実施形態で得られる半導体装置１００，２００、第３実施形態又は第４実施形態で得られる構造物３００、第５実施形態又は第６実施形態で得られる半導体装置４００，５００に準じて同様の構成を有している。すなわち、第１３実施形態に係る半導体装置１２００は、絶縁基材１２０１に複数の半導体チップ１２０２が多段に積み重ねられた状態で結合され、半導体チップ１２０２に設けられた接続端子１２０２ａが露出する構造物の表面に絶縁層１２０３が形成され、この絶縁層１２０３の表面に配線１２０８の本体部１２０８ａが設けられ、この配線本体部１２０８ａから配線１２０８の分岐部１２０８ｂが分岐し、この配線分岐部１２０８ｂが絶縁層１２０３の内部に延び、相互に異なる半導体チップ１２０２の接続端子１２０２ａに到達している。
【０１９４】
図１４は、さらに、配線１２０８が絶縁基材１２０１の接続端子１２０１ａにも接続している例を示している。
【０１９５】
接続端子１２０１ａ，１２０２ａが絶縁層１２０３で被覆され、絶縁層１２０３の表面に配線１２０８の本体部１２０８ａが設けられるので、相互に接続しようとする接続対象の接続端子１２０１ａ，１２０２ａ間上に他の接続端子１２０１ａ，１２０２ａがあっても、配線１２０８を他の接続端子１２０１ａ，１２０２ａに触れないように迂回させる必要がなくなる。配線１２０８は、接続対象でない他の接続端子１２０１ａ，１２０２ａの上を乗り越え、オーバーラップして通過することができる。その結果、配線回路の高密度化を阻害することが抑制される。
【０１９６】
この第１３実施形態においては、半導体装置１２００は、マルチチップモジュールのうちでもさらなるコンパクト化・高密度化が図られるスタックチップパッケージである。そして、スタックチップパッケージ１２００の表面、すなわち上面や棚面や側面の縦壁等に、チップ間接続のための外部の配線１２０８が形成されている。
【０１９７】
このような構成のスタックチップパッケージ１２００によれば、配線１２０８は、従来のスルーシリコンビアの技法や多段ワイヤーボンディングの技法に代わる、チップ間接続のための外部配線として機能することになる。つまり、複数の半導体チップ１２０２が多段に積み重ねられたスタックチップパッケージ１２００におけるチップ間接続の技法として、従来、スルーシリコンビアの技法や多段ワイヤーボンディングの技法が知られている。ところが、スルーシリコンビアでは、ビアを半導体チップ１２０２の回路上に配置するので、そのビアの配置分だけチップ１２０２における回路の配線有効面積が減少するという問題があった。また、多段ワイヤーボンディングでは、前述のように、樹脂封止時に金線が封止樹脂の圧力を受けて生産性及び信頼性が低下すると共に、実装面積が大きくなり高密度化が図れないという問題があった。この第１３実施形態に係るスタックチップパッケージ１２００においては、スタックチップパッケージ１２００の表面にチップ間接続のための外部の配線１２０８を形成し、この外部配線１２０８が、配線分岐部１２０８ｂを介して、スタックチップパッケージ１２００を構成する複数のチップ同士の接続をするので、これらの問題が回避できるという利点を有する。
【０１９８】
以上、具体例を挙げて詳しく説明したように、本実施形態によれば、構造物の表面に露出する複数の被接続部を相互に配線で接続する場合に、配線を迂回させる必要がなくなり、配線回路の高密度化を阻害することが抑制される。
【０１９９】
本実施形態のその他の作用効果については、前記第１〜１３実施形態において説明した。
【０２００】
なお、本実施形態では、溝孔形成工程において、溝は、樹脂被膜の厚みと同じ深さであったが、これに代えて、樹脂被膜の厚みを超える深さの溝でもよい。その場合は、メッキ処理工程により得られる配線の本体部は、その一部又は全部が絶縁層に埋め込まれることとなる。その結果、構造物に対する配線の接着強度が向上し、配線の脱落やズレが抑制される。
【符号の説明】
【０２０１】
１ 構造物
１０１ 絶縁基材
１０１ａ，１０２ａ 被接続部（接続端子）
１０２ 半導体チップ
１０３ 絶縁層
１０４ 樹脂被膜
１０８ 配線
１０８ａ 配線本体部
１０８ｂ 配線分岐部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線方法、より詳しくは、構造物の表面に露出する複数の被接続部を相互に配線で接続するための配線方法、並びに、この配線方法により表面に配線が設けられた構造物、半導体装置、配線基板、メモリカード、電気デバイス、モジュール及び多層回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気・電子分野における配線回路の高密度化に伴い、配線幅の細線化や配線間隔の狭化が進んでいる。しかし、配線間隔が狭くなるほど、隣接する配線間に短絡やマイグレーションが起こり易くなる。
【０００３】
この問題に対処する技術として、特許文献１には、絶縁基材表面に膨潤性樹脂皮膜を形成し、この膨潤性樹脂皮膜の外表面から皮膜の厚み以上の深さの溝を形成し、この溝の表面及び膨潤性樹脂皮膜の表面に触媒金属を被着させ、膨潤性樹脂皮膜を膨潤させて絶縁基材表面から剥離した後、触媒金属が残留する部分のみに無電解メッキ膜を形成することが記載されている。
【０００４】
この技術によれば、回路パターンの輪郭を高精度に維持することができ、短絡やマイグレーションの発生が抑制される。
【０００５】
また、非特許文献１には、金線等でワイヤーボンディングされた半導体装置を封止樹脂で封止することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−５０４３５号公報（段落００１４）
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】２０１０年５月１２〜１４日に札幌で開催された「ICEP 2010」において２０１０年５月１２日に発表された講演「Advanced QFN Package for Low Cost and High Performance Solution／Andy Tseng, Bernd Appelt, Yi-Shao Lai, Mark Lin, Bruce Hu, JW Chen, Sunny Lee」の参考配布物
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、特許文献１に記載される技術を用い、構造物の表面に露出する複数の被接続部を相互に配線で接続する場合に、次のような不具合が起り得る。図１５において、符号ａは、絶縁基材ｂに半導体チップｃが搭載された半導体装置、符号ｄは、半導体チップに設けられた接続端子、符号ｅは、絶縁基材に設けられた接続端子、符号ｆは、半導体チップｃの接続端子ｄ同士を接続する配線又は半導体チップｃの接続端子ｄと絶縁基材ｂの接続端子ｅとを接続する配線である。
【０００９】
特許文献１に記載される技術を用いると、配線ｆは、絶縁基材ｂの表面及び半導体チップｃの表面に設けられる。ところが、絶縁基材ｂの表面には接続端子ｅが露出し、半導体チップｃの表面には接続端子ｄが露出している。そのため、相互に接続しようとする接続対象の接続端子ｄ，ｄ又はｄ，ｅ間上に他の接続端子ｄ，ｅがあると、符号ｘ，ｙで示すように、配線ｆを他の接続端子ｄ，ｅに触れないように迂回させなければならない。このことは、配線面積の増大をもたらし、配線回路の高密度化を阻害する。
【００１０】
また、金線等でワイヤーボンディングされた半導体装置を封止樹脂で封止する際には、金線は封止樹脂の圧力を受け、金線に大きな負荷が作用する。その結果、金線の短絡や切断や損傷が起き、半導体装置の生産性及び信頼性が低下する。
【００１１】
そこで、本発明は、構造物の表面に露出する複数の被接続部を相互に配線で接続する場合に、配線回路の高密度化を阻害しないようにすることを目的とする。
【００１２】
また、構造物を封止樹脂で封止する場合に、封止樹脂の圧力による配線の短絡や切断や損傷を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一局面は、構造物の表面に露出する複数の被接続部を相互に配線で接続するための配線方法であって、複数の被接続部が露出する構造物の表面に絶縁層を形成する絶縁層形成工程、及び、絶縁層の表面に位置する本体部と、この本体部から分岐して絶縁層の内部に延び、接続対象の被接続部に到達する分岐部とを有する配線を設ける配線形成工程、を備えることを特徴とする配線方法である。
【００１４】
この配線方法において、配線形成工程は、絶縁層の表面に樹脂被膜を形成する樹脂被膜形成工程、樹脂被膜の表面側から樹脂被膜の厚みと同じ又は厚みを超える深さの溝を接続対象の被接続部の近傍を通過するように形成すると共に、その近傍通過部分から接続対象の被接続部に到達する連通孔を形成する溝孔形成工程、前記溝及び前記連通孔の表面にメッキ触媒又はその前駆体を被着させる触媒被着工程、前記樹脂被膜を溶解又は膨潤させることにより除去する樹脂被膜除去工程、及び、無電解メッキを行うことにより前記メッキ触媒又は前記メッキ触媒前駆体から形成されるメッキ触媒が残留する部分のみにメッキ膜を形成するメッキ処理工程、を含むことが好ましい。
【００１５】
この配線方法において、配線形成工程は、メッキ処理工程の後、電解メッキを行うことによりメッキ膜を厚膜化する電解メッキ工程をさらに含むことが好ましい。
【００１６】
この配線方法において、樹脂被膜は蛍光性物質を含有し、配線形成工程は、樹脂被膜除去工程の後、メッキ処理工程の前に、前記蛍光性物質からの発光を用いて樹脂被膜の除去不良を検査する検査工程をさらに含むことが好ましい。
【００１７】
この配線方法において、配線形成工程の後、配線の本体部が露出する絶縁層の表面にさらに絶縁層を積層する絶縁層積層工程、及び、積層した絶縁層の表面に位置する本体部と、この本体部から分岐して絶縁層の内部に延び、接続対象の被接続部に到達する分岐部とを有する配線を設ける追加配線形成工程、を１回以上繰り返すことが好ましい。
【００１８】
本発明の他の一局面は、複数の被接続部が露出する構造物の表面に絶縁層が形成され、この絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、接続対象の被接続部に到達していることを特徴とする表面に配線が設けられた構造物である。
【００１９】
この構造物において、配線本体部が露出する絶縁層の表面に絶縁層が積層され、この積層された絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、接続対象の被接続部に到達している構成が、１段以上備えられていることが好ましい。
【００２０】
本発明のさらに他の一局面は、絶縁基材に半導体チップが搭載され、絶縁基材に設けられた接続端子及び半導体チップに設けられた接続端子が露出する構造物の表面に絶縁層が形成され、この絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、絶縁基材の接続端子及び／又は半導体チップの接続端子に到達していることを特徴とする半導体装置である。
【００２１】
本発明のさらに他の一局面は、プリント配線板に半導体装置が実装され、プリント配線板に設けられた接続端子及び半導体装置に設けられた接続端子が露出する構造物の表面に絶縁層が形成され、この絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、プリント配線板の接続端子及び／又は半導体装置の接続端子に到達していることを特徴とする配線基板である。
【００２２】
本発明のさらに他の一局面は、支持体にメモリパッケージが取り付けられ、支持体に設けられた接続端子及びメモリパッケージに設けられた接続端子が露出する構造物の表面に絶縁層が形成され、この絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、支持体の接続端子及び／又はメモリパッケージの接続端子に到達していることを特徴とするメモリカードである。
【００２３】
本発明のさらに他の一局面は、絶縁基材に受動素子が搭載され、絶縁基材に設けられた接続端子及び受動素子に設けられた接続端子が露出する構造物の表面に絶縁層が形成され、この絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、絶縁基材の接続端子及び／又は受動素子の接続端子に到達していることを特徴とする電気デバイスである。
【００２４】
本発明のさらに他の一局面は、支持体に電気デバイスが取り付けられ、支持体に設けられた接続端子及び電気デバイスに設けられた接続端子が露出する構造物の表面に絶縁層が形成され、この絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、支持体の接続端子及び／又は電気デバイスの接続端子に到達していることを特徴とするモジュールである。
【００２５】
本発明のさらに他の一局面は、複数の回路基板が多段に積み重ねられた状態で結合され、回路基板に設けられた接続端子が露出する構造物の表面に絶縁層が形成され、この絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、相互に異なる回路基板の接続端子に到達しており、前記回路基板の接続端子は、回路基板の内部回路の端部であることを特長とする多層回路基板である。
【００２６】
本発明のさらに他の一局面は、絶縁基材に複数の半導体チップが多段に積み重ねられた状態で搭載され、半導体チップに設けられた接続端子が露出する構造物の表面に絶縁層が形成され、この絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、相互に異なる半導体チップの接続端子に到達していることを特徴とする半導体装置である。
【００２７】
なお、本明細書で「接続端子」とは、特に断りのない限り、設けられている部材に応じて、電気接続用の電極、パッド、バンプ、ポスト、信号入力端子、信号出力端子、信号入出力端子、取り出し電極等を意味するものとする。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、構造物の表面に露出する複数の被接続部を相互に配線で接続する場合に、配線を迂回させる必要がなくなり、配線回路の高密度化を阻害することが抑制される。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る配線方法の工程説明図である。
【図２】図２は、図１の配線方法における配線形成工程のさらに詳細な工程説明図である。
【図３】図３は、本発明の第２の実施形態に係る配線方法の工程説明図である。
【図４】図４は、本発明の第３の実施形態に係る配線方法の工程説明図である。
【図５】図５は、本発明の第４の実施形態に係る配線方法の工程説明図である。
【図６】図６は、本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の平面図である。
【図７】図７は、本発明の第６の実施形態に係る半導体装置の部分透視斜視図である。
【図８】図８は、本発明の第７の実施形態に係る配線方法の工程説明図である。
【図９】図９は、本発明の第８の実施形態に係る配線基板の縦断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の第９の実施形態に係るメモリカードの縦断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の第１０の実施形態に係る電気デバイスの縦断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の第１１の実施形態に係るモジュールの縦断面図である。
【図１３】図１３は、本発明の第１２の実施形態に係る多層回路基板の部分透視斜視図である。
【図１４】図１４は、本発明の第１３の実施形態に係る半導体装置の縦断面図である。
【図１５】図１５は、本発明が解決しようとする課題の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
＜第１の実施形態＞
図１及び図２を参照し、本発明の第１の実施形態に係る配線方法を説明する。図中、符号１は複数の被接続部が露出する構造物、符号１０は半導体装置、符号１００は封止樹脂で封止された半導体装置、符号１０１は絶縁基材、符号１０１ａは絶縁基材の接続端子（被接続部）、符号１０２は半導体チップ、符号１０２ａは半導体チップの接続端子（被接続部）、符号１０３は絶縁層、符号１０４は樹脂被膜、符号１０５は溝、符号１０６，１０７は連通孔、符号１０８は配線、符号１０８ａは配線本体部、符号１０８ｂは配線分岐部、符号１０８ｘはメッキ触媒、符号１０９は封止樹脂である。
【００３１】
以下、工程の説明と材料の説明とを分けて説明する。
【００３２】
［工程の説明］
第１実施形態に係る配線方法においては、まず、図１（Ａ）に示すように、絶縁基材１０１に半導体チップ１０２が搭載された構造物１を準備する。半導体チップ１０２としては、例えば、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ、ＬＥＤチップ等である。絶縁基材１０１の表面には複数の接続端子１０１ａが設けられ、半導体チップ１０２の表面には複数の接続端子１０２ａが設けられている。これらの接続端子１０１ａ，１０２ａは構造物１の表面に露出している。
【００３３】
次に、図１（Ｂ）に示すように、複数の接続端子１０１ａ，１０２ａが露出する構造物１の表面に絶縁層１０３を形成する（絶縁層形成工程）。
【００３４】
次に、図１（Ｃ）に示すように、絶縁層１０３の表面に樹脂被膜１０４を形成する（樹脂被膜形成工程）。
【００３５】
次に、図１（Ｄ）又は図２（Ｄ）に示すように、樹脂被膜１０４の表面側から樹脂被膜１０４の厚みと同じ又は厚みを超える深さの溝（図例は樹脂被膜１０４の厚みと同じ深さの溝）１０５を接続対象の接続端子１０１ａ，１０２ａの近傍を通過するように形成すると共に、その近傍通過部分から接続対象の接続端子１０２ａ，１０１ａに到達する連通孔１０６，１０７を形成する（溝孔形成工程）。これらの溝１０５及び連通孔１０６，１０７の形成は、例えばレーザー加工等により行われる。
【００３６】
次に、図２（Ｄ１）に示すように、溝１０５及び連通孔１０６，１０７の表面にメッキ触媒１０８ｘ又はその前駆体を被着させる（触媒被着工程）。
【００３７】
次に、図２（Ｄ２）に示すように、樹脂被膜１０４を溶解又は膨潤させることにより除去する（樹脂被膜除去工程）。
【００３８】
次に、図２（Ｅ）又は図１（Ｅ）に示すように、無電解メッキを行うことによりメッキ触媒１０８ｘ又はメッキ触媒前駆体から形成されるメッキ触媒が残留する部分のみにメッキ膜を形成する（メッキ処理工程）。これにより、絶縁層１０３の表面に位置する本体部１０８ａと、この本体部１０８ａから分岐して絶縁層１０３の内部に延び、接続対象の接続端子１０２ａ，１０１ａに到達する分岐部１０８ｂとを有する配線１０８が設けられる（配線形成工程）。
【００３９】
このような、樹脂被膜形成工程、溝孔形成工程、触媒被着工程、樹脂被膜除去工程及びメッキ処理工程を含む配線形成工程によれば、配線１０８、特に配線本体部１０８ａの輪郭を高精度に維持することができ、短絡やマイグレーションの発生が抑制される。
【００４０】
ここにおいて、絶縁基材１０１に半導体チップ１０２が搭載され、絶縁基材１０１の接続端子１０１ａと半導体チップ１０２の接続端子１０２ａとが相互に配線１０８で接続された半導体装置（表面に配線が設けられた構造物）１０が得られる。
【００４１】
この半導体装置１０においては、絶縁基材１０１の接続端子１０１ａ及び半導体チップ１０２の接続端子１０２ａが露出する構造物１の表面に絶縁層１０３が形成され、この絶縁層１０３の表面に配線１０８の本体部１０８ａが設けられ、この配線本体部１０８ａから配線１０８の分岐部１０８ｂが分岐し、この配線分岐部１０８ｂが絶縁層１０３の内部に延び、絶縁基材１０１の接続端子１０１ａ及び半導体チップ１０２の接続端子１０２ａに到達している。
【００４２】
接続端子１０１ａ，１０２ａが絶縁層１０３で被覆され、絶縁層１０３の表面に配線１０８の本体部１０８ａが設けられるので、相互に接続しようとする接続対象の接続端子１０１ａ，１０２ａ間上に他の接続端子１０１ａ，１０２ａがあっても、配線１０８を他の接続端子１０１ａ，１０２ａに触れないように迂回させる必要がなくなる。配線１０８は、接続対象でない他の接続端子１０１ａ，１０２ａの上を乗り越え、オーバーラップして通過することができる。その結果、配線回路の高密度化を阻害することが抑制される。
【００４３】
次に、図１（Ｆ）に示すように、半導体装置１０を封止樹脂１０９で封止する。ここにおいて、封止樹脂１０９で封止された半導体装置１００が得られる。
【００４４】
なお、状況に応じて、メッキ処理工程の後、半導体装置１０を封止樹脂１０９で封止する前に、電解メッキを行うことによりメッキ膜を厚膜化することが好ましい（電解メッキ工程）。メッキ膜を厚膜化するのに要する時間の短縮化が図られるという利点が得られる。具体的には、例えば、電解メッキ槽において、陽極側にメッキ処理工程で形成された無電解メッキ膜と導通させ、陰極側電極との間に電流を流すことにより、無電解メッキ膜が厚膜化される。
【００４５】
メッキ膜の膜厚は、特に限定されない。具体的には、例えば、０．１〜１０μｍが好ましく、１〜５μｍ程度がより好ましい。
【００４６】
また、状況に応じて、樹脂被膜１０４に蛍光性物質を含有させ、樹脂被膜除去工程の後、メッキ処理工程の前に、蛍光性物質からの発光を用いて樹脂被膜１０４の除去不良を検査することが好ましい（検査工程）。隣接する配線１０８間に、メッキ触媒１０８ｘ又はその前駆体が被着した樹脂被膜１０４が残留した場合は、その残留部分にメッキ膜が形成されてしまい、短絡の原因となり得る。そこで、発光が検出された部分を除去することにより、その部分にメッキ膜が形成されることを抑制し、短絡の発生を未然に防止することができるという利点が得られる。
【００４７】
樹脂被膜１０４に含有させ得る蛍光性物質は、所定の光源により光を照射することにより発光特性を示すものであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｉｎｅ、Ｅｏｓｉｎｅ、Ｐｙｒｏｎｉｎｅ Ｇ等が挙げられる。
【００４８】
［材料の説明］
（絶縁基材）
絶縁基材１０１としては、従来から半導体チップの実装に用いられているような各種有機基材や無機基材が特に限定なく用いられ得る。有機基材の具体例としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、シアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ビスマレイミド樹脂等からなる基材が挙げられる。
【００４９】
エポキシ樹脂としては、例えば回路基板の製造に用いられ得る各種有機基板を構成するエポキシ樹脂であれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、アラルキルエポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。さらに、難燃性を付与するために、臭素化又はリン変性したエポキシ樹脂、窒素含有樹脂、シリコーン含有樹脂等も挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよく又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５０】
これらの樹脂で絶縁基材１０１を構成する場合、樹脂を硬化させるために、硬化剤を用いることが一般的である。硬化剤としては特に限定されないが、具体的には、例えば、ジシアンジアミド、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミノトリアジンノボラック系硬化剤、シアネート樹脂等が挙げられる。
【００５１】
フェノール系硬化剤としては、例えば、ノボラック型、アラルキル型、テルペン型等が挙げられる。さらに、難燃性を付与するために、リン変性したフェノール樹脂、リン変性したシアネート樹脂等も挙げられる。これらの硬化剤は単独で用いてもよく又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５２】
絶縁基材１０１の表面には、溝孔形成工程において、例えばレーザー加工等により連通孔１０６，１０７が形成される（溝１０５の深さが樹脂被膜１０４の厚みを超える場合は、溝１０５の一部も形成される）ことから、絶縁基材１０１の材料としては、１００ｎｍ〜４００ｎｍの波長領域でのレーザー光の吸収率（ＵＶ吸収率）に優れる樹脂等を用いることが好ましい。具体的には、例えば、ポリイミド樹脂等が挙げられる。
【００５３】
絶縁基材１０１にフィラーを含有させてもよい。フィラーとしては、無機微粒子であっても、有機微粒子であってもよく、特に限定されない。フィラーを含有させることで、レーザー加工された部分にフィラーが露出し、フィラーの凹凸による絶縁基材１０１とメッキ膜との密着性を向上することができる。
【００５４】
無機微粒子を構成する材料としては、具体的には、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリカ（ＳｉＯ２）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）等の高誘電率充填材；ハードフェライト等の磁性充填材；水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）、水酸化アルミニウム（Ａｌ（ＯＨ）２）、三酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）、五酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ５）、グアニジン塩、ホウ酸亜鉛、モリブテン化合物、スズ酸亜鉛等の無機系難燃剤；タルク（Ｍｇ３（Ｓｉ４Ｏ１０）（ＯＨ）２）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、雲母等が挙げられる。これらの無機微粒子を単独で用いてもよく又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５５】
これらの無機微粒子は、熱伝導性、比誘電率、難燃性、粒度分布、色調の自由度等が高いことから、所望の機能を選択的に発揮させる場合には、適宜配合及び粒度設計を行って、容易に高充填化を行うことができる。
【００５６】
フィラーの平均粒径は特に限定されないが、例えば、０．０１μｍ〜１０μｍが好ましく、０．０５μｍ〜５μｍがより好ましい。
【００５７】
無機微粒子は、絶縁基材１０１中での分散性を高めるために、シランカップリング剤で表面処理してもよい。また、絶縁基材１０１は、無機微粒子の絶縁基材１０１中での分散性を高めるために、シランカップリング剤を含有してもよい。シランカップリング剤としては、特に限定されない。具体的には、例えば、エポキシシラン系、メルカプトシラン系、アミノシラン系、ビニルシラン系、スチリルシラン系、メタクリロキシシラン系、アクリロキシシラン系、チタネート系等のシランカップリング剤等が挙げられる。これらのシランカップリング剤は単独で用いてもよく又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５８】
また、絶縁基材１０１は、無機微粒子の絶縁基材１０１中での分散性を高めるために、分散剤を含有してもよい。分散剤としては特に限定されない。具体的には、例えば、アルキルエーテル系、ソルビタンエステル系、アルキルポリエーテルアミン系、高分子系等の分散剤等が挙げられる。これらの分散剤は単独で用いてもよく又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５９】
フィラーとして用い得る有機微粒子の具体例としては、例えば、ゴム微粒子等が挙げられる。
【００６０】
絶縁基材１０１の形態としては特に限定されない。具体的には、シート、フィルム、プリプレグ、三次元形状の成形体等が挙げられる。絶縁基材１０１の厚みも特に限定されない。例えば、シート、フィルム、プリプレグ等の場合、１０〜５００μｍが好ましく、１０〜２００μｍがより好ましく、２０〜２００μｍがさらに好ましく、２０〜１００μｍがさらに好ましい。
【００６１】
絶縁基材１０１は、例えば、金型及び枠型等を用いて絶縁基材となる材料を入れて、加圧し、硬化させることにより、三次元形状の成形体等に形成してもよいし、シート、フィルム、プリプレグを打ち抜き、くりぬいたものを硬化させること、もしくは、加熱加圧により硬化させることにより、三次元形状の成形体等に形成してもよい。
【００６２】
（絶縁層）
絶縁層１０３としては、樹脂等の絶縁性有機材料や、シリカ（ＳｉＯ２）等をはじめとするセラミックス等の絶縁性無機材料等が挙げられる。その他、絶縁基材１０１を構成する材料と同様の材料でもよい。
【００６３】
絶縁層１０３の形成方法は、図１（Ｂ）に示したように、少なくとも、絶縁基材１０１の表面及び半導体チップ１０２の表面に絶縁層１０３が形成されるような方法であれば、特に限定されない。具体的には、例えば、構造物１の表面に、絶縁層１０３を形成し得る液状材料を塗布した後、乾燥させる方法や、予め支持基材に前記液状材料を塗布した後、乾燥することにより形成された被膜を構造物１の表面に転写する方法、あるいは貼り合せる方法等が挙げられる。なお、液状材料を塗布する方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、従来から知られたスピンコート法やバーコータ法、ディッピング法やスプレー法等が挙げられる。
【００６４】
（樹脂被膜）
樹脂被膜１０４の形成方法は、図１（Ｃ）に示したように、少なくとも、絶縁層１０３の表面に樹脂被膜１０４が形成されるような方法であれば、特に限定されない。具体的には、例えば、絶縁層１０３の全面に、樹脂被膜１０４を形成し得る液状材料を塗布した後、乾燥させる方法や、予め支持基材に前記液状材料を塗布した後、乾燥することにより形成された被膜を絶縁層１０３の表面に転写する方法、あるいは貼り合せる方法等が挙げられる。なお、液状材料を塗布する方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、従来から知られたスピンコート法やバーコータ法、ディッピング法やスプレー法等が挙げられる。
【００６５】
樹脂被膜１０４の厚みとしては、１０μｍ以下、さらには５μｍ以下であり、０．１μｍ以上、さらには１μｍ以上であることが好ましい。厚みが厚すぎる場合は、樹脂被膜１０４をレーザー加工することにより部分的に除去する際に寸法精度が低下する傾向がある。また、厚みが薄すぎる場合は、均一な膜厚の被膜を形成し難くなる傾向がある。
【００６６】
樹脂被膜１０４を形成するための材料としては、樹脂被膜除去工程において溶解除去または膨潤除去し得るような樹脂材料であれば特に限定なく用いられる。具体的には、例えば、フォトレジストの分野で用いられているレジスト樹脂や、所定の液体に対する膨潤度が高く、膨潤により剥離可能な樹脂が用いられる。
【００６７】
レジスト樹脂の具体例としては、例えば、光硬化性エポキシ樹脂、エッチングレジスト、ポリエステル系樹脂、ロジン系樹脂が挙げられる。
【００６８】
また、膨潤性樹脂としては、所定の液体に対する膨潤度が５０％以上、さらには１００％以上、さらには５００％以上であるような膨潤性樹脂であることが好ましい。このような樹脂の具体例としては、例えば、架橋度またはゲル化度等を調整することにより所望の膨潤度になるように調整された、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマー、アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマー等が挙げられる。
【００６９】
樹脂被膜１０４について重ねて詳しく追加説明する。
【００７０】
樹脂被膜１０４としては、樹脂被膜除去工程で除去可能なものであれば、特に限定されない。樹脂被膜１０４は、所定の液体で溶解又は膨潤することにより絶縁層１０３の表面から容易に溶解除去又は剥離除去が可能な樹脂被膜が好ましい。具体的には、例えば、有機溶剤やアルカリ溶液により容易に溶解し得る可溶型樹脂からなる被膜や、所定の液体（膨潤液）で膨潤し得る膨潤性樹脂からなる被膜等が挙げられる。なお、膨潤性樹脂被膜には、所定の液体に対して実質的に溶解せず、膨潤により絶縁層１０３の表面から容易に剥離するような樹脂被膜だけではなく、所定の液体に対して膨潤し、さらに少なくとも一部が溶解し、その膨潤や溶解により絶縁層１０３の表面から容易に剥離するような樹脂被膜や、所定の液体に対して溶解し、その溶解により絶縁層１０３の表面から容易に剥離するような樹脂被膜も含まれる。このような樹脂被膜を用いることにより、絶縁層１０３の表面から樹脂被膜１０４を容易かつ良好に除去できる。樹脂被膜１０４を除去するときに樹脂被膜１０４を崩壊させると、その樹脂被膜１０４に被着したメッキ触媒１０８ｘが飛散し、飛散したメッキ触媒１０８ｘが絶縁層１０３に再被着してその部分に不要なメッキが形成される問題がある。本実施形態では、絶縁層１０３の表面から樹脂被膜１０４を容易かつ良好に除去できるから、そのような問題が未然に防止できる。
【００７１】
樹脂被膜１０４を形成するための材料としては、所定の液体で溶解又は膨潤することにより絶縁層１０３の表面から容易に溶解除去又は剥離除去が可能な樹脂であれば特に限定なく用いられ得る。好ましくは、所定の液体に対する膨潤度が５０％以上、より好ましくは、１００％以上、さらに好ましくは、５００％以上であるような膨潤度の樹脂が用いられる。なお、膨潤度が低すぎる場合には、樹脂被膜が剥離し難くなる傾向がある。
【００７２】
なお、樹脂被膜の膨潤度（ＳＷ）は、膨潤前重量ｍ（ｂ）及び膨潤後重量ｍ（ａ）から、「膨潤度ＳＷ＝｛（ｍ（ａ）−ｍ（ｂ））／ｍ（ｂ）｝×１００（％）」の式により求められる。
【００７３】
このような樹脂被膜１０４は、絶縁層１０３の表面にエラストマーのサスペンジョン又はエマルジョンを塗布した後、乾燥する方法や、支持基材にエラストマーのサスペンジョン又はエマルジョンを塗布した後、乾燥することにより形成される被膜を絶縁層１０３の表面に転写する方法等により容易に形成され得る。
【００７４】
エラストマーの具体例としては、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマー、アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルジョンとして分散されたエラストマー樹脂粒子の架橋度またはゲル化度等を調整することにより所望の膨潤度の樹脂被膜を容易に形成することができる。
【００７５】
なお、このような樹脂被膜１０４としては、特に、膨潤度が膨潤液のｐＨに依存して変化するような被膜であることが好ましい。このような、被膜を用いた場合には、触媒被着工程における液性条件と、樹脂被膜除去工程における液性条件とを相異させることにより、触媒被着工程におけるｐＨにおいては樹脂被膜１０４は絶縁層１０３に対する高い密着力を維持しつつ、樹脂被膜除去工程におけるｐＨにおいては容易に樹脂被膜１０４を絶縁層１０３から剥離除去することができる。
【００７６】
さらに具体的には、例えば、触媒被着工程が、例えば、ｐＨ１〜３の範囲の酸性触媒金属コロイド溶液中で処理する工程を備え、樹脂被膜除去工程が、例えば、ｐＨ１２〜１４の範囲のアルカリ性溶液中で樹脂被膜を膨潤させる工程を備える場合には、樹脂被膜１０４は、酸性触媒金属コロイド溶液に対する膨潤度が６０％以下、より好ましくは、４０％以下であり、アルカリ性溶液に対する膨潤度が５０％以上、より好ましくは、１００％以上、さらに好ましくは、５００％以上であるような樹脂被膜であることが好ましい。
【００７７】
このような樹脂被膜１０４の例としては、所定量のカルボキシル基を有するエラストマーから形成されるシートや、プリント配線板のパターニング用のドライフィルムレジスト（以下「ＤＦＲ」と記す場合がある）等に用いられる光硬化性のアルカリ現像型のレジストを全面硬化して得られるシートや、熱硬化性やアルカリ現像型のシート等が挙げられる。
【００７８】
カルボキシル基を有するエラストマーの具体例としては、カルボキシル基を有するモノマー単位を共重合成分として含有することにより、分子中にカルボキシル基を有する、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマーや、アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー、あるいはポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルジョンとして分散されたエラストマーの、酸当量、架橋度又はゲル化度等を調整することにより、所望のアルカリ膨潤度を有する樹脂被膜を形成することができる。また、樹脂被膜除去工程において用いる所定の液体に対する膨潤度をより大きくでき、前記液体に対して溶解する樹脂被膜も容易に形成することができる。エラストマー中のカルボキシル基はアルカリ水溶液に対して樹脂被膜を膨潤させて、絶縁層１０３の表面から樹脂被膜１０４を剥離する作用をする。また、酸当量とは、カルボキシル基１個当たりのポリマー分子量である。
【００７９】
カルボキシル基を有するモノマー単位の具体例としては、（メタ）アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、及びマレイン酸無水物等が挙げられる。
【００８０】
このようなカルボキシル基を有するエラストマー中のカルボキシル基の含有割合としては、酸当量で１００〜２０００、好ましくは１００〜８００であることが好ましい。酸当量が小さ過ぎる場合（カルボキシル基の数が相対的に多過ぎる場合）には、溶媒または他の組成物との相溶性が低下することにより、無電解メッキの前処理液に対する耐性が低下する傾向がある。また、酸当量が大き過ぎる場合（カルボキシル基の数が相対的に少な過ぎる場合）には、アルカリ水溶液に対する剥離性が低下する傾向がある。
【００８１】
また、エラストマーの分子量としては、１万〜１００万、好ましくは２万〜５０万、より好ましくは２万〜６万であることが好ましい。エラストマーの分子量が大き過ぎる場合には剥離性が低下する傾向があり、小さ過ぎる場合には粘度が低下するために樹脂被膜の厚みを均一に維持することが困難になると共に、無電解メッキの前処理液に対する耐性も低下する傾向がある。
【００８２】
また、ＤＦＲとしては、例えば、所定量のカルボキシル基を含有する、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、スチレン系樹脂、フェノール系樹脂、ウレタン系樹脂等を樹脂成分とし、光重合開始剤を含有する光硬化性樹脂組成物のシートが用いられ得る。このようなＤＦＲの具体例としては、あえて例を挙げるとすれば、例えば、特開２０００−２３１１９０号公報、特開２００１−２０１８５１号公報、特開平１１−２１２２６２号公報に開示されるような光重合性樹脂組成物のドライフィルムを全面硬化させて得られるシートや、アルカリ現像型のＤＦＲとして市販されている、例えば、旭化成工業社製のＵＦＧシリーズ等が挙げられる。
【００８３】
さらに、その他の樹脂被膜１０４の例としては、カルボキシル基を含有する、ロジンを主成分とする樹脂（例えば、吉川化工社製の「ＮＡＺＤＡＲ２２９」）や、フェノールを主成分とする樹脂（例えば、ＬＥＫＴＲＡＣＨＥＭ社製の「１０４Ｆ」）等が挙げられる。
【００８４】
樹脂被膜１０４は、絶縁層１０３の表面に樹脂のサスペンジョン又はエマルジョンを従来から知られたスピンコート法やバーコーター法等の塗布方法を用いて塗布した後、乾燥する方法や、支持基材に形成されたＤＦＲを真空ラミネーター等を用いて絶縁層１０３の表面に貼り合わせた後、全面硬化することにより容易に形成することができる。
【００８５】
また、樹脂被膜１０４として、例えば、酸等量が１００〜８００程度のカルボキシル基を有するアクリル系樹脂からなる樹脂（カルボキシル基含有アクリル系樹脂）を主成分とする樹脂被膜もまた好ましく用いられ得る。
【００８６】
さらに、上記のものの他に、樹脂被膜１０４として、次のようなものもまた好適である。すなわち、樹脂被膜１０４を構成するレジスト材料に必要な特性としては、例えば、（１）触媒被着工程で、樹脂被膜１０４が形成された構造物１を浸漬させる液体（メッキ触媒付け薬液）に対する耐性が高いこと、（２）樹脂被膜除去工程、例えば、樹脂被膜１０４が形成された構造物１をアルカリに浸漬させる工程によって、樹脂被膜１０４が容易に除去できること、（３）成膜性が高いこと、（４）ドライフィルム（ＤＦＲ）化が容易なこと、（５）保存性が高いこと等が挙げられる。
【００８７】
メッキ触媒付け薬液としては、後述するが、例えば、酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイドキャタリストシステムの場合、全て酸性（例えばｐＨ１〜３）水溶液である。また、アルカリ性Ｐｄイオンキャタリストシステムの場合は、触媒付与アクチベーターが弱アルカリ（ｐＨ８〜１２）であり、それ以外は酸性である。以上のことから、メッキ触媒付け薬液に対する耐性としては、ｐＨ１〜１１、好ましくはｐＨ１〜１２に耐え得ることが必要である。なお、耐え得るとは、樹脂被膜１０４を成膜したサンプルを薬液に浸漬した際、樹脂被膜１０４の膨潤や溶解が充分に抑制され、レジストとしての役割を果たすことである。また、浸漬温度は、室温〜６０℃、浸漬時間は、１〜１０分間、樹脂被膜１０４の膜厚は、１〜１０μｍ程度が一般的であるが、これらに限定されない。樹脂被膜除去工程に用いるアルカリ剥離の薬液としては、例えば、ＮａＯＨ水溶液や炭酸ナトリウム水溶液が一般的である。そのｐＨは、１１〜１４であり、好ましくはｐＨ１２から１４で樹脂被膜１０４が簡単に除去できることが望ましい。ＮａＯＨ水溶液濃度は、１〜１０%程度、処理温度は、室温〜５０℃、処理時間は、１〜１０分間で、浸漬やスプレー処理をすることが一般的であるが、これらに限定されない。絶縁層１０３上に樹脂被膜１０４を形成するため、成膜性も重要となる。はじき等がない均一性な膜形成が必要である。また、製造工程の簡素化や材料ロスの低減等のためにドライフィルム化される場合は、ハンドリング性を確保するためにフィルムの屈曲性が必要である。また絶縁層１０３上にドライフィルム化された樹脂被膜１０４をラミネーター（ロール、真空）で貼り付ける。貼り付けの温度は、室温〜１６０℃、圧力や時間は任意である。このように、貼り付け時に粘着性が求められる。そのために、ドライフィルム化された樹脂被膜１０４はゴミの付着防止も兼ねて、キャリアフィルム、カバーフィルムでサンドイッチされた３層構造にされることが一般的であるが、これらに限定されない。保存性は、室温で保存できることが好ましいが、冷蔵、冷凍での保存ができることも必要である。このように低温時にドライフィルムの組成が分離したり、屈曲性が低下して割れたりしないようにすることが必要である。
【００８８】
以上のような観点から、樹脂被膜１０４として、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも１種類以上の単量体と、（ｂ）（ａ）単量体と重合しうる少なくとも１種類以上の単量体と、を重合させることで得られる重合体樹脂、又はこの重合体樹脂を含む樹脂組成物であってもよい。この公知技術として、あえて例を挙げるとすれば、例えば、特開平７−２８１４３７号公報、特開２０００−２３１１９０号公報、特開２００１−２０１８５１号公報等が挙げられる。
【００８９】
（ａ）単量体の一例としては、（メタ）アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸半エステル、アクリル酸ブチル等が挙げられ、単独、もしくは２種類以上を組み合わせても良い。（ｂ）単量体の例としては、非酸性で分子中に重合性不飽和基を（１個）有するものが一般的であり、その限りではない。後述する触媒被着工程での耐性、硬化膜の可とう性等の種々の特性を保持するように選ばれる。具体的には、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｉｓｏ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｓｅｃ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルプロピル（メタ）アクリレート類がある。また酢酸ビニル等のビニルアルコールのエステル類や（メタ）アクリロニトリル、スチレンまたは重合可能なスチレン誘導体等がある。また上記の重合性不飽和基を分子中に１個有するカルボン酸または酸無水物のみの重合によっても得ることが出来る。さらには、３次元架橋できるように、重合体に用いる単量体に複数の不飽和基を持つ単量体を選定することができる。また、分子骨格にエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、ビニル基等の反応性官能基を導入することができる。
【００９０】
樹脂中にカルボキシル基が含まれる場合、樹脂中に含まれるカルボキシル基の量は酸当量で１００〜２０００が良く、１００〜８００が好ましい。酸当量が低すぎると、溶媒または他の組成物との相溶性の低下やメッキ前処理液耐性が低下する。酸当量が高すぎると剥離性が低下する。また、（ａ）単量体の組成比率は５〜７０質量％が好ましい。
【００９１】
樹脂組成物は、メイン樹脂（バインダー樹脂）として前記重合体樹脂を必須成分とし、オリゴマー、モノマー、フィラーや、その他の添加剤の少なくとも１種類を添加してもよい。メイン樹脂は、熱可塑的性質を持ったリニア型のポリマーが良い。流動性、結晶性などをコントロールするためにグラフトさせて枝分かれさせることもある。分子量としては、重量平均分子量で１，０００〜５００，０００程度であり、５，０００〜５０，０００が好ましい。重量平均分子量が小さいと膜の屈曲性やメッキ触媒付け薬液耐性（耐酸性）が低下する。また分子量が大きいとアルカリ剥離性やドライフィルムにした場合の貼り付け性が悪くなる。さらに、メッキ触媒付け薬液耐性向上やレーザー加工時の熱変形抑制、流動制御のために架橋点を導入してもよい。
【００９２】
モノマーやオリゴマーとしては、メッキ触媒付け薬液への耐性やアルカリで容易に除去できるようなものであれば何でも良い。またドライフィルム（ＤＦＲ）の貼り付け性を向上させるために粘着性付与材として可塑剤的に用いることが考えられる。さらに各種耐性をあげるために架橋剤を添加することが考えられる。具体的には、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｉｓｏ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｓｅｃ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルプロピル（メタ）アクリレート類がある。また酢酸ビニル等のビニルアルコールのエステル類や（メタ）アクリロニトリル、スチレンまたは重合可能なスチレン誘導体等がある。また上記の重合性不飽和基を分子中に１個有するカルボン酸または酸無水物のみの重合によっても得ることが出来る。さらに、多官能性不飽和化合物を含んでも良い。上記のモノマーもしくはモノマーを反応させたオリゴマーのいずれでも良い。上記のモノマー以外に他の光重合性モノマーを２種類以上含むことも可能である。モノマーの例としては、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４−シクロヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、またポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート等のポリオキシアルキレングリコールジ（メタ）アクリレート、２−ジ（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロパンジ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルトリ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルトリ（メタ）アクリレート、２，２−ビス（４−メタクリロキシペンタエトキシフェニル）プロパン、ウレタン基を含有する多官能（メタ）アクリレート等がある。上記のモノマーもしくはモノマーを反応させたオリゴマーのいずれでも良い。
【００９３】
フィラーは特に限定されないが、シリカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、クレー、カオリン、酸化チタン、硫酸バリウム、アルミナ、酸化亜鉛、タルク、マイカ、ガラス、チタン酸カリウム、ワラストナイト、硫酸マグネシウム、ホウ酸アルミニウム、有機フィラー等が挙げられる。また、レジストの好ましい厚みは、０．１〜１０μｍと薄いため、フィラーサイズも小さいものが好ましい。平均粒径が小さく、粗粒をカットしたものを用いることが良いが、分散時に砕いたり、ろ過で粗粒を除去することもできる。
【００９４】
その他の添加剤として、光重合性樹脂（光重合開始剤）、重合禁止剤、着色剤（染料、顔料、発色系顔料）、熱重合開始剤、エポキシやウレタンなどの架橋剤等が挙げられる。
【００９５】
溝孔形成工程では、樹脂被膜１０４は、レーザー加工等されるため、レジスト材料（樹脂被膜１０４の材料）にレーザーによるアブレーション性を付与することが必要である。レーザー加工機は、例えば、炭酸ガスレーザーやエキシマレーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザーなどが選定される。これらのレーザー加工機は種々の固有の波長を持っており、この波長に対してＵＶ吸収率の高い材料を選定することで、生産性を向上させることができる。そのなかでもＵＶ−ＹＡＧレーザーは微細加工に適しており、レーザー波長は３倍高調波３５５ｎｍ、４倍高調波２６６ｎｍであるため、レジスト材料としては、これらの波長に対して、ＵＶ吸収率が相対的に高いことが望ましい。ＵＶ吸収率が高くなるほど、樹脂被膜１０４の加工がきれいに仕上がり、生産性の向上が図れる。もっとも、これに限らず、ＵＶ吸収率の相対的に低いレジスト材料を選定するほうがよい場合もあり得る。ＵＶ吸収率が低くなるほど、ＵＶ光が樹脂被膜１０４を通過するので、その下の絶縁層１０３の加工にＵＶエネルギーを集中させることができ、例えば絶縁層１０３が加工し難い材料である場合等に特に好ましい結果が得られる。このように、樹脂被膜１０４のレーザー加工のし易さ、絶縁層１０３のレーザー加工のし易さ、及びこれらの関係等に応じて、レジスト材料を設計することが好ましい。
【００９６】
樹脂被膜除去工程によって、図２（Ｄ２）に示したように、溝１０５及び連通孔１０６，１０７が形成された絶縁層１０３の部分のみにメッキ触媒１０８ｘを残留させることができる。一方、図２（Ｄ１）〜図２（Ｄ２）に示したように、溝孔形成工程において溝１０５が形成された部分以外の樹脂被膜１０４の表面に被着されたメッキ触媒１０８ｘは、樹脂被膜１０４を除去する際に一緒に除去される。
【００９７】
樹脂被膜１０４を膨潤除去または溶解除去させる方法としては、所定の膨潤液または溶解液に、樹脂被膜１０４を所定の時間浸漬する方法が挙げる。また、剥離性や溶解性を高めるために、浸漬中に超音波照射することが特に好ましい。なお、膨潤剥離の場合には、必要に応じて軽い力で引き剥がしてもよい。
【００９８】
樹脂被膜１０４を溶解又は膨潤させる液体としては、絶縁基材１０１、絶縁層１０３、及びメッキ触媒１０８ｘを実質的に分解または溶解させることなく、樹脂被膜１０４が容易に溶解又は膨潤剥離されるような液体であれば特に限定なく用いられうる。具体的には、レジスト樹脂として光硬化性エポキシ樹脂を用いた場合には、有機溶剤又はアルカリ水溶液のレジスト除去剤等が用いられる。また、膨潤性樹脂として、例えばジエン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマーのようなエラストマーを用いた場合には、例えば、１〜１０％程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水溶液が好ましく用いられうる。
【００９９】
また、樹脂皮膜１０４として、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも１種類以上の単量体と、（ｂ）（ａ）単量体と重合しうる少なくとも１種類以上の単量体と、を重合させることで得られる重合体樹脂、又はこの重合体樹脂を含む樹脂組成物である場合、あるいは、前述のカルボキシル基含有アクリル系樹脂から形成されている場合には、例えば、１〜１０％程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水溶液が好ましく用いられ得る。
【０１００】
なお、触媒被着工程において上述したような酸性条件で処理するメッキプロセスを用いた場合には、樹脂皮膜１０４が、酸性条件下においては膨潤度が６０％以下、好ましくは４０％以下であり、アルカリ性条件下では膨潤度が５０％以上であるような、例えば、ジエン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマーのようなエラストマーから形成されていること、あるいは、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも１種類以上の単量体と、（ｂ）（ａ）単量体と重合しうる少なくとも１種類以上の単量体と、を重合させることで得られる重合体樹脂、又はこの重合体樹脂を含む樹脂組成物から形成されていること、あるいは、前述のカルボキシル基含有アクリル系樹脂から形成されていることが好ましい。このような樹脂皮膜は、ｐＨ１１〜１４、好ましくはｐＨ１２〜１４であるようなアルカリ水溶液、例えば、１〜１０％程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等に浸漬等することにより、容易に溶解又は膨潤し、溶解除去又は剥離除去される。なお、溶解性又は剥離性を高めるために、浸漬中に超音波照射してもよい。また、必要に応じて軽い力で引き剥がすことにより除去してもよい。
【０１０１】
（メッキ触媒）
メッキ触媒１０８ｘは、メッキ処理工程において無電解メッキ膜を形成したい部分のみに無電解メッキ膜を形成するために予め付与される触媒である。メッキ触媒１０８ｘとしては、無電解メッキ用の触媒として従来用いられるものであれば、特に限定なく用いられ得る。また、メッキ触媒１０８ｘに代えて、メッキ触媒の前駆体を被着させ、樹脂被膜１０４の除去後にメッキ触媒を生成させてもよい。メッキ触媒１０８ｘの具体例としては、例えば、金属パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）等が挙げられる。
【０１０２】
メッキ触媒１０８ｘを被着させる方法としては、例えば、ｐＨ１〜３の酸性条件下で処理される酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド溶液で処理した後、酸溶液で処理するような方法が挙げられる。より具体的には次のような方法が挙げられる。はじめに、溝孔形成工程で形成された溝１０５及び連通孔１０６，１０７の表面に付着している油分等を界面活性剤の溶液（クリーナー・コンディショナー）等で湯洗する。次に、必要に応じて、過硫酸ナトリウム−硫酸系のソフトエッチング剤でソフトエッチング処理する。そして、ｐＨ１〜２の硫酸水溶液や塩酸水溶液等の酸性溶液中でさらに酸洗する。次に、濃度０．１％程度の塩化第一錫水溶液等を主成分とするプリディップ液に浸漬して塩化第一錫を吸着させた後、塩化第一錫と塩化パラジウムとを含むｐＨ１〜３の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド等の酸性触媒金属コロイド溶液にさらに浸漬することによりＰｄ及びＳｎを凝集させて吸着させる。そして、吸着した塩化第一錫と塩化パラジウムとの間で、酸化還元反応（ＳｎＣｌ２＋ＰｄＣｌ２→ＳｎＣｌ４＋Ｐｄ↓)を起こさせる。これによりメッキ触媒１０８ｘである金属パラジウム（Ｐｄ）が析出する。
【０１０３】
なお、酸性触媒金属コロイド溶液としては、公知の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイドキャタリスト溶液等が使用でき、酸性触媒金属コロイド溶液を用いた市販のメッキプロセスを用いてもよい。このようなプロセスは、例えば、ローム＆ハース電子材料社からシステム化されて販売されている。
【０１０４】
このような触媒被着工程により、図２（Ｄ１）に示したように、溝１０５及び連通孔１０６，１０７の表面及び樹脂被膜１０４の表面にメッキ触媒１０８ｘが被着される。
【０１０５】
（無電解メッキ）
メッキ処理工程における無電解メッキの方法としては、メッキ触媒１０８ｘが被着された構造物１を、無電解メッキ液の槽に浸漬して、メッキ触媒１０８ｘが被着された部分のみに無電解メッキ膜を析出させるような方法が用いられ得る。
【０１０６】
無電解メッキに用いられる金属としては、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。これらの中では、Ｃｕを主成分とするメッキが導電性に優れている点から好ましい。また、Ｎｉを含む場合には、耐食性や、はんだとの密着性に優れる点から好ましい。
【０１０７】
このようなメッキ処理工程により、図２（Ｄ２）〜図２（Ｅ）に示したように、絶縁基材１０１の接続端子１０１ａと半導体チップ１０２の接続端子１０２ａとをつなぐ経路の表面のメッキ触媒１０８ｘが残留する部分のみに無電解メッキ膜が析出する。これにより、絶縁層１０３の表面に位置する配線本体部１０８ａと、この配線本体部１０８ａから分岐して絶縁層１０３の内部に延び、接続対象の接続端子１０２ａ，１０１ａに到達する配線分岐部１０８ｂとを有する配線１０８が形成され、この配線１０８により、接続端子１０２ａ，１０１ａが相互に接続される。
【０１０８】
なお、溝孔形成工程において溝１０５が形成されなかった部分は、樹脂被膜１０４によりメッキ触媒１０８ｘが被着することから保護されていたために、無電解メッキ膜は析出しない。これにより、配線間隔が狭小であっても、隣接する配線間に不要なメッキ膜が形成されず、短絡等の問題が抑制される。
【０１０９】
この第１実施形態で用いられる以上の各材料は以下の実施形態でも用いられるので、以下の実施形態ではこれらの材料の説明は省略する。
【０１１０】
＜第２の実施形態＞
図３を参照し、本発明の第２の実施形態に係る配線方法を説明する。図中、符号２は複数の被接続部が露出する構造物、符号２０は半導体装置、符号２００は封止樹脂で封止された半導体装置、符号２０１は絶縁基材、符号２０１ａは絶縁基材の接続端子（被接続部）、符号２０２は半導体チップ、符号２０２ａは半導体チップの接続端子（被接続部）、符号２０３は絶縁層、符号２０４は樹脂被膜、符号２０５は溝、符号２０６，２０７は連通孔、符号２０８は配線、符号２０８ａは配線本体部、符号２０８ｂは配線分岐部、符号２０９は封止樹脂である。
【０１１１】
第２実施形態に係る配線方法においては、まず、図３（Ａ）に示すように、絶縁基材２０１に半導体チップ２０２が搭載された構造物２を準備する。絶縁基材２０１の表面には複数の接続端子２０１ａが設けられ、半導体チップ２０２の表面には複数の接続端子２０２ａが設けられている。これらの接続端子２０１ａ，２０２ａは構造物２の表面に露出している。
【０１１２】
なお、絶縁基材２０１の接続端子２０１ａは、絶縁基材２０１の表面から突出している。また、絶縁基材２０１を貫通して反対面からも突出している。
【０１１３】
次に、図３（Ｂ）に示すように、複数の接続端子２０１ａ，２０２ａが露出する構造物２の表面に絶縁層２０３を形成する（絶縁層形成工程）。絶縁層２０３の表面は、絶縁基材２０１の接続端子２０１ａが絶縁基材２０１の表面から突出していることにより、凹凸形状を呈する。
【０１１４】
次に、図３（Ｃ）に示すように、絶縁層２０３の表面に樹脂被膜２０４を形成する（樹脂被膜形成工程）。
【０１１５】
次に、図３（Ｄ）に示すように、樹脂被膜２０４の表面側から樹脂被膜２０４の厚みと同じ又は厚みを超える深さの溝（図例は樹脂被膜２０４の厚みと同じ深さの溝）２０５を接続対象の接続端子２０１ａ，２０２ａの近傍を通過するように形成すると共に、その近傍通過部分から接続対象の接続端子２０２ａ，２０１ａに到達する連通孔２０６，２０７を形成する（溝孔形成工程）。
【０１１６】
次に、第１実施形態と同様にして、触媒被着工程、樹脂被膜除去工程、メッキ処理工程を行うことにより、図３（Ｅ）に示すように、絶縁層２０３の表面に位置する本体部２０８ａと、この本体部２０８ａから分岐して絶縁層２０３の内部に延び、接続対象の接続端子２０２ａ，２０１ａに到達する分岐部２０８ｂとを有する配線２０８が設けられる（配線形成工程）。
【０１１７】
このような、樹脂被膜形成工程、溝孔形成工程、触媒被着工程、樹脂被膜除去工程及びメッキ処理工程を含む配線形成工程によれば、配線２０８、特に配線本体部２０８ａの輪郭を高精度に維持することができ、短絡やマイグレーションの発生が抑制される。
【０１１８】
ここにおいて、絶縁基材２０１に半導体チップ２０２が搭載され、絶縁基材２０１の接続端子２０１ａと半導体チップ２０２の接続端子２０２ａとが相互に配線２０８で接続された半導体装置（表面に配線が設けられた構造物）２０が得られる。
【０１１９】
この半導体装置２０においては、絶縁基材２０１の接続端子２０１ａ及び半導体チップ２０２の接続端子２０２ａが露出する構造物２の表面に絶縁層２０３が形成され、この絶縁層２０３の表面に配線２０８の本体部２０８ａが設けられ、この配線本体部２０８ａから配線２０８の分岐部２０８ｂが分岐し、この配線分岐部２０８ｂが絶縁層２０３の内部に延び、絶縁基材２０１の接続端子２０１ａ及び半導体チップ２０２の接続端子２０２ａに到達している。
【０１２０】
接続端子２０１ａ，２０２ａが絶縁層２０３で被覆され、絶縁層２０３の表面に配線２０８の本体部２０８ａが設けられるので、相互に接続しようとする接続対象の接続端子２０１ａ，２０２ａ間上に他の接続端子２０１ａ，２０２ａがあっても、配線２０８を他の接続端子２０１ａ，２０２ａに触れないように迂回させる必要がなくなる。配線２０８は、接続対象でない他の接続端子２０１ａ，２０２ａの上を乗り越え、オーバーラップして通過することができる。その結果、配線回路の高密度化を阻害することが抑制される。
【０１２１】
次に、図３（Ｆ）に示すように、半導体装置２０を封止樹脂２０９で封止する。ここにおいて、封止樹脂２０９で封止された半導体装置２００が得られる。
【０１２２】
＜第３の実施形態＞
図４を参照し、本発明の第３の実施形態に係る配線方法を説明する。図中、符号３は複数の被接続部が露出する構造物、符号３０は表面に配線が設けられた構造物、符号３００は封止樹脂で封止され、表面に配線が設けられた構造物、符号３０１は銅板、符号３０１ａは接続端子（被接続部）、符号３０２はレジスト、符号３０３はニッケルメッキを介した金メッキ膜、符号３０４はキャビティ、符号３０５は半導体チップ、符号３０５ａは半導体チップの接続端子（被接続部）、符号３０６は絶縁層、符号３０７は樹脂被膜、符号３０８は配線、符号３０８ａは配線本体部、符号３０８ｂは配線分岐部、符号３０９は封止樹脂である。
【０１２３】
第３実施形態に係る配線方法においては、まず、図４（Ａ）に示すように、銅板３０１の表面及び反対面にレジスト３０２を配置する。
【０１２４】
次に、図４（Ｂ）に示すように、銅板３０１の表面及び反対面のレジスト３０２を配置した以外の部分にニッケルメッキを介した金メッキ膜３０３を形成する。
【０１２５】
次に、図４（Ｃ）に示すように、レジスト３０２を除去する。
【０１２６】
次に、図４（Ｄ）に示すように、銅板３０１の表面の金メッキ膜３０３を形成した以外の部分をハーフエッチングして凹部を形成する。ここで、凹部の１つはキャビティ３０４となる。
【０１２７】
次に、図４（Ｅ）に示すように、キャビティ３０４に半導体チップ３０５を搭載する。
【０１２８】
ここにおいて、複数の接続端子３０１ａ，３０５ａが露出する構造物３が得られる。
【０１２９】
次に、図４（Ｆ）に示すように、複数の接続端子３０１ａ，３０５ａが露出する構造物３の表面に絶縁層３０６を形成する（絶縁層形成工程）。絶縁層３０６の表面は、接続端子３０１ａが突出していることにより、凹凸形状を呈する。
【０１３０】
次に、同じく図４（Ｆ）に示すように、絶縁層３０６の表面に樹脂被膜３０７を形成する（樹脂被膜形成工程）。
【０１３１】
次に、第１実施形態と同様にして、溝孔形成工程、触媒被着工程、樹脂被膜除去工程、メッキ処理工程を行うことにより、図４（Ｇ）に示すように、絶縁層３０６の表面に位置する本体部３０８ａと、この本体部３０８ａから分岐して絶縁層３０６の内部に延び、接続対象の接続端子３０１ａ，３０５ａに到達する分岐部３０８ｂとを有する配線３０８が設けられる（配線形成工程）。
【０１３２】
ここにおいて、接続端子３０１ａと半導体チップ３０５の接続端子３０５ａとが相互に配線３０８で接続され、表面に配線３０８が設けられた構造物３０が得られる。
【０１３３】
この構造物３０においては、複数の接続端子３０１ａ，３０５ａが露出する構造物３の表面に絶縁層３０６が形成され、この絶縁層３０６の表面に配線３０８の本体部３０８ａが設けられ、この配線本体部３０８ａから配線３０８の分岐部３０８ｂが分岐し、この配線分岐部３０８ｂが絶縁層３０６の内部に延び、接続対象の接続端子３０１ａ及び半導体チップ３０５の接続端子３０５ａに到達している。
【０１３４】
次に、図４（Ｈ）に示すように、構造物３０を封止樹脂３０９で封止する。
【０１３５】
次に、図４（Ｉ）に示すように、接続端子３０１ａ間や接続端子３０１ａとキャビティ３０４間に残存していた銅板３０１をエッチングして除去する（符号ア）。接続端子３０１ａ及びキャビティ３０４は、絶縁層３０６及び封止樹脂３０９でつながれているため、銅板３０１を除去してもバラバラにならない。
【０１３６】
ここにおいて、封止樹脂３０９で封止され、表面に配線３０８が設けられた構造物３００が得られる。
【０１３７】
なお、キャビティ３０４を構成する金属の部分は、半導体チップ３０５の放熱板として機能する。
【０１３８】
また、接続端子３０１ａは、最終的には、銅板３０１と両端部の金メッキ膜３０３とで構成される。
【０１３９】
＜第４の実施形態＞
図５を参照し、本発明の第４の実施形態に係る配線方法を説明する。ただし、第３実施形態と同じ又は相当する構成要素には第３実施形態と同じ符号を用い、第３実施形態と異なる部分のみ説明する。図中、符号３０２ａは支持板である。
【０１４０】
第４実施形態に係る配線方法においては、まず、図５（Ａ）に示すように、銅板３０１の表面にレジスト３０２を配置し、反対面に支持板３０２ａを貼り合わせる。
【０１４１】
次に、図５（Ｂ）に示すように、銅板３０１の表面のレジスト３０２を配置した以外の部分にニッケルメッキを介した金メッキ膜３０３を形成する。
【０１４２】
図５（Ｃ）〜図５（Ｈ）は、第３実施形態の図４（Ｃ）〜図４（Ｈ）と同様である。
【０１４３】
次に、図５（Ｉ）に示すように、支持板３０２ａを取り除いた後、接続端子３０１ａ及びキャビティ３０４間に残存していた銅板３０１をエッチングして除去する（符号イ）。
【０１４４】
ここにおいて、封止樹脂３０９で封止され、表面に配線３０８が設けられた構造物３００が得られる。
【０１４５】
第３実施形態に比べて、銅板３０１の反対面には金メッキ膜３０３を形成しないから、コストが少なくて済む。
【０１４６】
また、図５（Ａ）〜（Ｈ）から明らかなように、銅板３０１の反対面には支持板３０２ａが終始貼り合わされた状態で残っているので、作業中ワークの支持がしっかりする。
【０１４７】
＜第５の実施形態＞
図６を参照し、本発明の第５の実施形態に係る半導体装置を説明する。図中、符号４００は封止樹脂４０９で封止された半導体装置、符号４０１ａは絶縁基材の接続端子（被接続部）、符号４０５は半導体チップ、符号４０５ａは半導体チップの接続端子（被接続部）、符号４０６は絶縁層、符号４０８は配線、符号４０９は封止樹脂である。なお、封止樹脂４０９は、取り除かれたものとして描かれていない。また、配線４０８は、一部のみが描かれている。
【０１４８】
第５実施形態に係る半導体装置４００は、第１実施形態又は第２実施形態で得られる半導体装置１００，２００、第３実施形態又は第４実施形態で得られる構造物３００に準じて同様の構成を有している。すなわち、第５実施形態に係る半導体装置４００は、絶縁基材に半導体チップ４０５が搭載され、絶縁基材に設けられた接続端子４０１ａ及び半導体チップ４０５に設けられた接続端子４０５ａが露出する構造物の表面に絶縁層４０６が形成され、この絶縁層４０６の表面に配線４０８の本体部が設けられ、この配線本体部から配線４０８の分岐部が分岐し、この配線分岐部が絶縁層４０６の内部に延び、絶縁基材の接続端子４０１ａ及び／又は半導体チップ４０５の接続端子４０５ａに到達している。
【０１４９】
なお、絶縁層４０６の表面は、接続端子４０１ａが絶縁基材の表面から突出していることにより、また絶縁基材に半導体チップ４０５が搭載されていることにより、凹凸形状を呈している。
【０１５０】
接続端子４０１ａ，４０５ａが絶縁層４０６で被覆され、絶縁層４０６の表面に配線４０８の本体部が設けられるので、相互に接続しようとする接続対象の接続端子４０１ａ，４０５ａ又は４０５ａ，４０５ａ間上に他の接続端子４０１ａ，４０５ａがあっても、配線４０８を他の接続端子４０１ａ，４０５ａに触れないように迂回させる必要がなくなる。配線４０８は、接続対象でない他の接続端子４０１ａ，４０５ａの上を乗り越え、オーバーラップして通過することができる。その結果、配線回路の高密度化を阻害することが抑制される。
【０１５１】
また、配線４０８は、絶縁層４０６の表面を這うように形成されている。したがって、表面に配線４０８が設けられた構造物（半導体装置）を金型内にインサートし、封止樹脂４０９で封止する際に、配線４０８が封止樹脂の圧力を受けて配線４０８に大きな負荷が作用することが回避できる。その結果、金線等でワイヤーボンディングされた半導体装置に比べて、配線４０８の短絡や切断や損傷が抑制され、半導体装置の生産性及び信頼性が向上する。
【０１５２】
なお、図例は、配線４０８同士が交差しないように描かれているが、状況に応じて、配線４０８同士が交差しても構わない場合がある（例えばパルス信号の伝送等）。
【０１５３】
＜第６の実施形態＞
図７を参照し、本発明の第６の実施形態に係る半導体装置を説明する。図中、符号５００は封止樹脂で封止された半導体装置、符号５０１ａは絶縁基材の接続端子（被接続部）、符号５０５は半導体チップ、符号５０５ａは半導体チップの接続端子（被接続部）、符号５０６は絶縁層、符号５０８は配線、符号５０８ａは配線本体部、符号５０８ｂは配線分岐部である。なお、封止樹脂は、取り除かれたものとして描かれていない。また、配線５０８は、一部のみが描かれている。
【０１５４】
第６実施形態に係る半導体装置５００は、第１実施形態又は第２実施形態で得られる半導体装置１００，２００、第３実施形態又は第４実施形態で得られる構造物３００に準じて同様の構成を有している。すなわち、第６実施形態に係る半導体装置５００は、絶縁基材に半導体チップ５０５が搭載され、絶縁基材に設けられた接続端子５０１ａ及び半導体チップ５０５に設けられた接続端子５０５ａが露出する構造物の表面に絶縁層５０６が形成され、この絶縁層５０６の表面に配線５０８の本体部５０８ａが設けられ、この配線本体部５０８ａから配線５０８の分岐部５０８ｂが分岐し、この配線分岐部５０８ｂが絶縁層５０６の内部に延び、絶縁基材の接続端子５０１ａ及び／又は半導体チップ５０５の接続端子５０５ａに到達している。
【０１５５】
なお、絶縁層５０６の表面は、接続端子５０１ａが絶縁基材の表面から突出していることにより、また絶縁基材に半導体チップ５０５が搭載されていることにより、凹凸形状を呈している。
【０１５６】
接続端子５０１ａ，５０５ａが絶縁層５０６で被覆され、絶縁層５０６の表面に配線５０８の本体部５０８ａが設けられるので、相互に接続しようとする接続対象の接続端子５０１ａ，５０５ａ又は５０５ａ，５０５ａ間上に他の接続端子５０１ａ，５０５ａがあっても、配線５０８を他の接続端子５０１ａ，５０５ａに触れないように迂回させる必要がなくなる。配線５０８は、接続対象でない他の接続端子５０１ａ，５０５ａの上を乗り越え、オーバーラップして通過することができる。その結果、配線回路の高密度化を阻害することが抑制される。
【０１５７】
また、配線５０８は、絶縁層５０６の表面を這うように形成されている。したがって、表面に配線５０８が設けられた構造物（半導体装置）を金型内にインサートし、封止樹脂で封止する際に、配線５０８が封止樹脂の圧力を受けて配線５０８に大きな負荷が作用することが回避できる。その結果、金線等でワイヤーボンディングされた半導体装置に比べて、配線５０８の短絡や切断や損傷が抑制され、半導体装置の生産性及び信頼性が向上する。
【０１５８】
なお、図例は、配線５０８同士が交差しないように描かれているが、状況に応じて、配線５０８同士が交差しても構わない場合がある（例えばパルス信号の伝送等）。
【０１５９】
また、図中、符号ウで示すように、配線分岐部５０８ｂは、必ずしも接続端子５０１ａ，５０５ａに真上から垂直に到達しなくてもよく、絶縁層５０６の表面形状に応じて、斜め上からあるいは横から水平に到達してもよい。
【０１６０】
＜第７の実施形態＞
図８を参照し、本発明の第７の実施形態に係る配線方法を説明する。図中、符号６は複数の被接続部が露出する構造物、符号６０ａ，６０ｂは半導体装置、符号６００は封止樹脂で封止された半導体装置、符号６０１は絶縁基材、符号６０１ａは絶縁基材の接続端子（被接続部）、符号６０２は半導体チップ、符号６０２ａは半導体チップの接続端子（被接続部）、符号６０３，６１３は絶縁層、符号６０４，６１４は樹脂被膜、符号６０８，６１８は配線、符号６０８ａ，６１８ａは配線本体部、符号６０８ｂ，６１８ｂは配線分岐部、符号６０９は封止樹脂である。
【０１６１】
第７実施形態に係る配線方法においては、まず、図８（Ａ）に示すように、絶縁基材６０１に半導体チップ６０２が搭載された構造物６を準備する。絶縁基材６０１の表面には複数の接続端子６０１ａが設けられ、半導体チップ６０２の表面には複数の接続端子６０２ａが設けられている。これらの接続端子６０１ａ，６０２ａは構造物６の表面に露出している。
【０１６２】
次に、図８（Ｂ）に示すように、複数の接続端子６０１ａ，６０２ａが露出する構造物６の表面に絶縁層６０３を形成する（絶縁層形成工程）。
【０１６３】
次に、図８（Ｃ）に示すように、絶縁層６０３の表面に樹脂被膜６０４を形成する（樹脂被膜形成工程）。
【０１６４】
次に、第１実施形態と同様にして、溝孔形成工程、触媒被着工程、樹脂被膜除去工程、メッキ処理工程を行うことにより、図８（Ｄ）に示すように、絶縁層６０３の表面に位置する本体部６０８ａと、この本体部６０８ａから分岐して絶縁層６０３の内部に延び、接続対象の接続端子６０１ａ，６０２ａに到達する分岐部６０８ｂとを有する配線６０８が設けられる（配線形成工程）。
【０１６５】
ここにおいて、絶縁基材６０１に半導体チップ６０２が搭載され、絶縁基材６０１の接続端子６０１ａと半導体チップ６０２の接続端子６０２ａとが相互に配線６０８で接続された半導体装置（表面に配線が設けられた構造物）６０ａが得られる。
【０１６６】
次に、図８（Ｅ）に示すように、配線６０８の本体部６０８ａが露出する絶縁層６０３の表面にさらに絶縁層６１３を積層する（絶縁層積層工程）。
【０１６７】
次に、図８（Ｆ）に示すように、積層した絶縁層６１３の表面に樹脂被膜６１４を形成する（樹脂被膜形成工程）。
【０１６８】
次に、１段目と同様にして、溝孔形成工程、触媒被着工程、樹脂被膜除去工程、メッキ処理工程を行うことにより、図８（Ｇ）に示すように、積層した絶縁層６１３の表面に位置する本体部６１８ａと、この本体部６１８ａから分岐して絶縁層６１３，６０３の内部に延び、接続対象の接続端子６０１ａ，６０２ａに到達する分岐部６１８ｂとを有する配線６１８が設けられる（追加配線形成工程）。
【０１６９】
ここにおいて、絶縁基材６０１に半導体チップ６０２が搭載され、絶縁基材６０１の接続端子６０１ａと半導体チップ６０２の接続端子６０２ａとが相互に配線６０８，６１８で接続された半導体装置（表面に配線が設けられた構造物）６０ｂが得られる。
【０１７０】
この半導体装置６０ｂにおいては、絶縁層及び配線の組が上下に２段備えられている。すなわち、１段目においては、絶縁基材６０１の接続端子６０１ａ及び半導体チップ６０２の接続端子６０２ａが露出する構造物６の表面に絶縁層６０３が形成され、この絶縁層６０３の表面に配線６０８の本体部６０８ａが設けられ、この配線本体部６０８ａから配線６０８の分岐部６０８ｂが分岐し、この配線分岐部６０８ｂが絶縁層６０３の内部に延び、絶縁基材６０１の接続端子６０１ａ及び半導体チップ６０２の接続端子６０２ａに到達している。２段目においては、１段目の配線本体部６０８ａが露出する１段目の絶縁層６０３の表面に２段目の絶縁層６１３が積層され、この積層された２段目の絶縁層６１３の表面に２段目の配線６１８の本体部６１８ａが設けられ、この２段目の配線本体部６１８ａから配線６１８の分岐部６１８ｂが分岐し、この２段目の配線分岐部６１８ｂが２段目の絶縁層６１３及び１段目の絶縁層６０３の内部に延び、絶縁基材６０１の接続端子６０１ａ及び半導体チップ６０２の接続端子６０２ａに到達している。
【０１７１】
次に、図８（Ｈ）に示すように、半導体装置６０ｂを封止樹脂６０９で封止する。ここにおいて、封止樹脂６０９で封止された半導体装置６００が得られる。
【０１７２】
この第７実施形態で得られる半導体装置６０ｂ，６００においては、配線６０８，６１８同士が相互にオーバーラップして通過することができる。その結果、短絡を起こさずに配線６０８，６１８同士を交差させることができ、この観点から、配線回路の高密度化を阻害することがより一層抑制される。
【０１７３】
なお、この第７実施形態においては、絶縁層積層工程及び追加配線形成工程を繰り返す回数は１回であったが（２段構成）、２回以上でもよい（３段以上の構成）。
【０１７４】
＜第８の実施形態＞
図９を参照し、本発明の第８の実施形態に係る配線基板を説明する。図中、符号７００は配線基板、符号７０１はプリント配線板、符号７０１ａはプリント配線板の接続端子（被接続部）、符号７０２は半導体装置、符号７０２ａは半導体装置の接続端子（被接続部）、符号７０３は絶縁層、符号７０８は配線、符号７０８ａは配線本体部、符号７０８ｂは配線分岐部である。なお、配線７０８は、一部のみが描かれている。
【０１７５】
第８実施形態に係る配線基板７００は、第１実施形態又は第２実施形態で得られる半導体装置１００，２００、第３実施形態又は第４実施形態で得られる構造物３００、第５実施形態又は第６実施形態で得られる半導体装置４００，５００に準じて同様の構成を有している。すなわち、第８実施形態に係る配線基板７００は、プリント配線板７０１に半導体装置７０２が実装され、プリント配線板７０１に設けられた接続端子７０１ａ及び半導体装置７０２に設けられた接続端子７０２ａが露出する構造物の表面に絶縁層７０３が形成され、この絶縁層７０３の表面に配線７０８の本体部７０８ａが設けられ、この配線本体部７０８ａから配線７０８の分岐部７０８ｂが分岐し、この配線分岐部７０８ｂが絶縁層７０３の内部に延び、プリント配線板７０１の接続端子７０１ａ及び／又は半導体装置７０２の接続端子７０２ａに到達している。
【０１７６】
接続端子７０１ａ，７０２ａが絶縁層７０３で被覆され、絶縁層７０３の表面に配線７０８の本体部７０８ａが設けられるので、相互に接続しようとする接続対象の接続端子７０１ａ，７０２ａ間上に他の接続端子７０１ａ，７０２ａがあっても、配線７０８を他の接続端子７０１ａ，７０２ａに触れないように迂回させる必要がなくなる。配線７０８は、接続対象でない他の接続端子７０１ａ，７０２ａの上を乗り越え、オーバーラップして通過することができる。その結果、配線回路の高密度化を阻害することが抑制される。
【０１７７】
＜第９の実施形態＞
図１０を参照し、本発明の第９の実施形態に係るメモリカードを説明する。図中、符号８００はメモリカード、符号８０１は支持体、符号８０１ａは支持体の接続端子（被接続部）、符号８０２はメモリパッケージ、符号８０２ａはメモリパッケージの接続端子（被接続部）、符号８０３は絶縁層、符号８０８は配線、符号８０８ａは配線本体部、符号８０８ｂは配線分岐部である。なお、配線８０８は、一部のみが描かれている。
【０１７８】
第９実施形態に係るメモリカード８００は、第１実施形態又は第２実施形態で得られる半導体装置１００，２００、第３実施形態又は第４実施形態で得られる構造物３００、第５実施形態又は第６実施形態で得られる半導体装置４００，５００に準じて同様の構成を有している。すなわち、第９実施形態に係るメモリカード８００は、支持体８０１にメモリパッケージ８０２が取り付けられ、支持体８０１に設けられた接続端子８０１ａ及びメモリパッケージ８０２に設けられた接続端子８０２ａが露出する構造物の表面に絶縁層８０３が形成され、この絶縁層８０３の表面に配線８０８の本体部８０８ａが設けられ、この配線本体部８０８ａから配線８０８の分岐部８０８ｂが分岐し、この配線分岐部８０８ｂが絶縁層８０３の内部に延び、支持体８０１の接続端子８０１ａ及び／又はメモリパッケージ８０２の接続端子８０２ａに到達している。
【０１７９】
接続端子８０１ａ，８０２ａが絶縁層８０３で被覆され、絶縁層８０３の表面に配線８０８の本体部８０８ａが設けられるので、相互に接続しようとする接続対象の接続端子８０１ａ，８０２ａ間上に他の接続端子８０１ａ，８０２ａがあっても、配線８０８を他の接続端子８０１ａ，８０２ａに触れないように迂回させる必要がなくなる。配線８０８は、接続対象でない他の接続端子８０１ａ，８０２ａの上を乗り越え、オーバーラップして通過することができる。その結果、配線回路の高密度化を阻害することが抑制される。
【０１８０】
＜第１０の実施形態＞
図１１を参照し、本発明の第１０の実施形態に係る電気デバイスを説明する。図中、符号９００は電気デバイス、符号９０１は絶縁基材、符号９０１ａは絶縁基材の接続端子（被接続部）、符号９０２は受動素子、符号９０２ａは受動素子の接続端子（被接続部）、符号９０３は絶縁層、符号９０８は配線、符号９０８ａは配線本体部、符号９０８ｂは配線分岐部である。なお、配線９０８は、一部のみが描かれている。
【０１８１】
第１０実施形態に係る電気デバイス９００は、第１実施形態又は第２実施形態で得られる半導体装置１００，２００、第３実施形態又は第４実施形態で得られる構造物３００、第５実施形態又は第６実施形態で得られる半導体装置４００，５００に準じて同様の構成を有している。すなわち、第１０実施形態に係る電気デバイス９００は、絶縁基材９０１に受動素子９０２が搭載され、絶縁基材９０１に設けられた接続端子９０１ａ及び受動素子９０２に設けられた接続端子９０２ａが露出する構造物の表面に絶縁層９０３が形成され、この絶縁層９０３の表面に配線９０８の本体部９０８ａが設けられ、この配線本体部９０８ａから配線９０８の分岐部９０８ｂが分岐し、この配線分岐部９０８ｂが絶縁層９０３の内部に延び、絶縁基材９０１の接続端子９０１ａ及び／又は受動素子９０２の接続端子９０２ａに到達している。
【０１８２】
接続端子９０１ａ，９０２ａが絶縁層９０３で被覆され、絶縁層９０３の表面に配線９０８の本体部９０８ａが設けられるので、相互に接続しようとする接続対象の接続端子９０１ａ，９０２ａ間上に他の接続端子９０１ａ，９０２ａがあっても、配線９０８を他の接続端子９０１ａ，９０２ａに触れないように迂回させる必要がなくなる。配線９０８は、接続対象でない他の接続端子９０１ａ，９０２ａの上を乗り越え、オーバーラップして通過することができる。その結果、配線回路の高密度化を阻害することが抑制される。
【０１８３】
＜第１１の実施形態＞
図１２を参照し、本発明の第１１の実施形態に係るモジュールを説明する。図中、符号１０００はモジュール、符号１００１は支持体、符号１００１ａは支持体の接続端子（被接続部）、符号１００２は電気デバイス、符号１００２ａは電気デバイスの接続端子（被接続部）、符号１００３は絶縁層、符号１００８は配線、符号１００８ａは配線本体部、符号１００８ｂは配線分岐部である。なお、配線１００８は、一部のみが描かれている。
【０１８４】
第１１実施形態に係るモジュール１０００は、第１実施形態又は第２実施形態で得られる半導体装置１００，２００、第３実施形態又は第４実施形態で得られる構造物３００、第５実施形態又は第６実施形態で得られる半導体装置４００，５００に準じて同様の構成を有している。すなわち、第１１実施形態に係るモジュール１０００は、支持体１００１に電気デバイス１００２が取り付けられ、支持体１００１に設けられた接続端子１００１ａ及び電気デバイス１００２に設けられた接続端子１００２ａが露出する構造物の表面に絶縁層１００３が形成され、この絶縁層１００３の表面に配線１００８の本体部１００８ａが設けられ、この配線本体部１００８ａから配線１００８の分岐部１００８ｂが分岐し、この配線分岐部１００８ｂが絶縁層１００３の内部に延び、支持体１００１の接続端子１００１ａ及び／又は電気デバイス１００２の接続端子１００２ａに到達している。
【０１８５】
接続端子１００１ａ，１００２ａが絶縁層１００３で被覆され、絶縁層１００３の表面に配線１００８の本体部１００８ａが設けられるので、相互に接続しようとする接続対象の接続端子１００１ａ，１００２ａ間上に他の接続端子１００１ａ，１００２ａがあっても、配線１００８を他の接続端子１００１ａ，１００２ａに触れないように迂回させる必要がなくなる。配線１００８は、接続対象でない他の接続端子１００１ａ，１００２ａの上を乗り越え、オーバーラップして通過することができる。その結果、配線回路の高密度化を阻害することが抑制される。
【０１８６】
＜第１２の実施形態＞
図１３を参照し、本発明の第１２の実施形態に係る多層回路基板を説明する。図中、符号１１００は多層回路基板、符号１１０１は最下層の回路基板、符号１１０１ａは最下層の回路基板の接続端子（被接続部）、符号１１０２は第２層目以上の回路基板、符号１１０２ａは第２層目以上の回路基板の接続端子（被接続部）、符号１１０２ｂは第２層目以上の回路基板の内部回路、符号１１０３は絶縁層、符号１１０８は配線、符号１１０８ａは配線本体部、符号１１０８ｂは配線分岐部である。なお、配線１１０８は、一部のみが描かれている。
【０１８７】
第１２実施形態に係る多層回路基板１１００は、第１実施形態又は第２実施形態で得られる半導体装置１００，２００、第３実施形態又は第４実施形態で得られる構造物３００、第５実施形態又は第６実施形態で得られる半導体装置４００，５００に準じて同様の構成を有している。すなわち、第１２実施形態に係る多層回路基板１１００は、複数の回路基板１１０１，１１０２が多段に積み重ねられた状態で結合され、回路基板１１０１，１１０２に設けられた接続端子１１０１ａ，１１０２ａが露出する構造物の表面に絶縁層１１０３が形成され、この絶縁層１１０３の表面に配線１１０８の本体部１１０８ａが設けられ、この配線本体部１１０８ａから配線１１０８の分岐部１１０８ｂが分岐し、この配線分岐部１１０８ｂが絶縁層１１０３の内部に延び、相互に異なる回路基板１１０２の接続端子１１０２ａに到達しており、前記回路基板１１０２の接続端子１１０２ａは、回路基板１１０２の内部回路１１０２ｂの端部である。
【０１８８】
接続端子１１０１ａ，１１０２ａが絶縁層１１０３で被覆され、絶縁層１１０３の表面に配線１１０８の本体部１１０８ａが設けられるので、相互に接続しようとする接続対象の接続端子１１０１ａ，１１０２ａ間上に他の接続端子１１０１ａ，１１０２ａがあっても、配線１１０８を他の接続端子１１０１ａ，１１０２ａに触れないように迂回させる必要がなくなる。配線１１０８は、接続対象でない他の接続端子１１０１ａ，１１０２ａの上を乗り越え、オーバーラップして通過することができる。その結果、配線回路の高密度化を阻害することが抑制される。
【０１８９】
このような構成の多層回路基板１１００によれば、配線１１０８は、層間接続のための外部配線として機能することになる。つまり、多層回路基板１１００における層間接続の技法として、従来、層間接続用孔としてのビアホールを形成することが知られている。ところが、ビアホールを多層回路基板１１００の内部回路上に配置するので、そのビアホールの配置分だけ内部回路の配線有効面積が減少するという問題があった。この第１２実施形態に係る多層回路基板１１００においては、多層回路基板１１００の側面の縦壁を通過する配線１１０８が多層回路基板１１００の層間接続をするので、この問題が回避できることになる。また、多層回路基板１１００の縦壁に層間接続のための外部の配線１１０８を容易に設けることが可能となる。
【０１９０】
なお、図１３に例示したように、多層回路基板１１００の側面の縦壁を通過する配線１０８は、各層の内部回路１１０２ｂと接続するために、迂回してもよいし、縦壁を斜めに通過してもよいし、所定の層の内部回路とは接続しないように通過してもよい。
【０１９１】
また、符号１１０１は、多層回路基板とは別の独立した基板でもよい。
【０１９２】
＜第１３の実施形態＞
図１４を参照し、本発明の第１３の実施形態に係る半導体装置を説明する。図中、符号１２００は半導体装置（スタックチップパッケージ）、符号１２０１は絶縁基材、符号１２０１ａは絶縁基材の接続端子（被接続部）、符号１２０２は半導体チップ、符号１２０２ａは半導体チップの接続端子（被接続部）、符号１２０３は絶縁層、符号１２０８は配線、符号１２０８ａは配線本体部、符号１２０８ｂは配線分岐部、符号１２０９は封止樹脂である。なお、配線１２０８は、一部のみが描かれている。
【０１９３】
第１３実施形態に係る半導体装置（スタックチップパッケージ）１２００は、第１実施形態又は第２実施形態で得られる半導体装置１００，２００、第３実施形態又は第４実施形態で得られる構造物３００、第５実施形態又は第６実施形態で得られる半導体装置４００，５００に準じて同様の構成を有している。すなわち、第１３実施形態に係る半導体装置１２００は、絶縁基材１２０１に複数の半導体チップ１２０２が多段に積み重ねられた状態で結合され、半導体チップ１２０２に設けられた接続端子１２０２ａが露出する構造物の表面に絶縁層１２０３が形成され、この絶縁層１２０３の表面に配線１２０８の本体部１２０８ａが設けられ、この配線本体部１２０８ａから配線１２０８の分岐部１２０８ｂが分岐し、この配線分岐部１２０８ｂが絶縁層１２０３の内部に延び、相互に異なる半導体チップ１２０２の接続端子１２０２ａに到達している。
【０１９４】
図１４は、さらに、配線１２０８が絶縁基材１２０１の接続端子１２０１ａにも接続している例を示している。
【０１９５】
接続端子１２０１ａ，１２０２ａが絶縁層１２０３で被覆され、絶縁層１２０３の表面に配線１２０８の本体部１２０８ａが設けられるので、相互に接続しようとする接続対象の接続端子１２０１ａ，１２０２ａ間上に他の接続端子１２０１ａ，１２０２ａがあっても、配線１２０８を他の接続端子１２０１ａ，１２０２ａに触れないように迂回させる必要がなくなる。配線１２０８は、接続対象でない他の接続端子１２０１ａ，１２０２ａの上を乗り越え、オーバーラップして通過することができる。その結果、配線回路の高密度化を阻害することが抑制される。
【０１９６】
この第１３実施形態においては、半導体装置１２００は、マルチチップモジュールのうちでもさらなるコンパクト化・高密度化が図られるスタックチップパッケージである。そして、スタックチップパッケージ１２００の表面、すなわち上面や棚面や側面の縦壁等に、チップ間接続のための外部の配線１２０８が形成されている。
【０１９７】
このような構成のスタックチップパッケージ１２００によれば、配線１２０８は、従来のスルーシリコンビアの技法や多段ワイヤーボンディングの技法に代わる、チップ間接続のための外部配線として機能することになる。つまり、複数の半導体チップ１２０２が多段に積み重ねられたスタックチップパッケージ１２００におけるチップ間接続の技法として、従来、スルーシリコンビアの技法や多段ワイヤーボンディングの技法が知られている。ところが、スルーシリコンビアでは、ビアを半導体チップ１２０２の回路上に配置するので、そのビアの配置分だけチップ１２０２における回路の配線有効面積が減少するという問題があった。また、多段ワイヤーボンディングでは、前述のように、樹脂封止時に金線が封止樹脂の圧力を受けて生産性及び信頼性が低下すると共に、実装面積が大きくなり高密度化が図れないという問題があった。この第１３実施形態に係るスタックチップパッケージ１２００においては、スタックチップパッケージ１２００の表面にチップ間接続のための外部の配線１２０８を形成し、この外部配線１２０８が、配線分岐部１２０８ｂを介して、スタックチップパッケージ１２００を構成する複数のチップ同士の接続をするので、これらの問題が回避できるという利点を有する。
【０１９８】
以上、具体例を挙げて詳しく説明したように、本実施形態によれば、構造物の表面に露出する複数の被接続部を相互に配線で接続する場合に、配線を迂回させる必要がなくなり、配線回路の高密度化を阻害することが抑制される。
【０１９９】
本実施形態のその他の作用効果については、前記第１〜１３実施形態において説明した。
【０２００】
なお、本実施形態では、溝孔形成工程において、溝は、樹脂被膜の厚みと同じ深さであったが、これに代えて、樹脂被膜の厚みを超える深さの溝でもよい。その場合は、メッキ処理工程により得られる配線の本体部は、その一部又は全部が絶縁層に埋め込まれることとなる。その結果、構造物に対する配線の接着強度が向上し、配線の脱落やズレが抑制される。
【符号の説明】
【０２０１】
１ 構造物
１０１ 絶縁基材
１０１ａ，１０２ａ 被接続部（接続端子）
１０２ 半導体チップ
１０３ 絶縁層
１０４ 樹脂被膜
１０８ 配線
１０８ａ 配線本体部
１０８ｂ 配線分岐部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造物の表面に露出する複数の被接続部を相互に配線で接続するための配線方法であって、
複数の被接続部が露出する構造物の表面に絶縁層を形成する絶縁層形成工程、及び、
絶縁層の表面に位置する本体部と、この本体部から分岐して絶縁層の内部に延び、接続対象の被接続部に到達する分岐部とを有する配線を設ける配線形成工程、
を備えることを特徴とする配線方法。
【請求項２】
配線形成工程は、
絶縁層の表面に樹脂被膜を形成する樹脂被膜形成工程、
樹脂被膜の表面側から樹脂被膜の厚みと同じ又は厚みを超える深さの溝を接続対象の被接続部の近傍を通過するように形成すると共に、その近傍通過部分から接続対象の被接続部に到達する連通孔を形成する溝孔形成工程、
前記溝及び前記連通孔の表面にメッキ触媒又はその前駆体を被着させる触媒被着工程、
前記樹脂被膜を溶解又は膨潤させることにより除去する樹脂被膜除去工程、及び、
無電解メッキを行うことにより前記メッキ触媒又は前記メッキ触媒前駆体から形成されるメッキ触媒が残留する部分のみにメッキ膜を形成するメッキ処理工程、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の配線方法。
【請求項３】
配線形成工程は、
メッキ処理工程の後、電解メッキを行うことによりメッキ膜を厚膜化する電解メッキ工程をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の配線方法。
【請求項４】
樹脂被膜は蛍光性物質を含有し、
配線形成工程は、
樹脂被膜除去工程の後、メッキ処理工程の前に、前記蛍光性物質からの発光を用いて樹脂被膜の除去不良を検査する検査工程をさらに含むことを特徴とする請求項２又は３に記載の配線方法。
【請求項５】
配線形成工程の後、
配線の本体部が露出する絶縁層の表面にさらに絶縁層を積層する絶縁層積層工程、及び、
積層した絶縁層の表面に位置する本体部と、この本体部から分岐して絶縁層の内部に延び、接続対象の被接続部に到達する分岐部とを有する配線を設ける追加配線形成工程、
を１回以上繰り返すことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の配線方法。
【請求項６】
複数の被接続部が露出する構造物の表面に絶縁層が形成され、
この絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、
この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、
この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、接続対象の被接続部に到達していることを特徴とする表面に配線が設けられた構造物。
【請求項７】
配線本体部が露出する絶縁層の表面に絶縁層が積層され、
この積層された絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、
この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、
この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、接続対象の被接続部に到達している構成が、
１段以上備えられていることを特徴とする請求項６に記載の表面に配線が設けられた構造物。
【請求項８】
絶縁基材に半導体チップが搭載され、絶縁基材に設けられた接続端子及び半導体チップに設けられた接続端子が露出する構造物の表面に絶縁層が形成され、
この絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、
この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、
この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、絶縁基材の接続端子及び／又は半導体チップの接続端子に到達していることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
プリント配線板に半導体装置が実装され、プリント配線板に設けられた接続端子及び半導体装置に設けられた接続端子が露出する構造物の表面に絶縁層が形成され、
この絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、
この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、
この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、プリント配線板の接続端子及び／又は半導体装置の接続端子に到達していることを特徴とする配線基板。
【請求項１０】
支持体にメモリパッケージが取り付けられ、支持体に設けられた接続端子及びメモリパッケージに設けられた接続端子が露出する構造物の表面に絶縁層が形成され、
この絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、
この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、
この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、支持体の接続端子及び／又はメモリパッケージの接続端子に到達していることを特徴とするメモリカード。
【請求項１１】
絶縁基材に受動素子が搭載され、絶縁基材に設けられた接続端子及び受動素子に設けられた接続端子が露出する構造物の表面に絶縁層が形成され、
この絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、
この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、
この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、絶縁基材の接続端子及び／又は受動素子の接続端子に到達していることを特徴とする電気デバイス。
【請求項１２】
支持体に電気デバイスが取り付けられ、支持体に設けられた接続端子及び電気デバイスに設けられた接続端子が露出する構造物の表面に絶縁層が形成され、
この絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、
この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、
この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、支持体の接続端子及び／又は電気デバイスの接続端子に到達していることを特徴とするモジュール。
【請求項１３】
複数の回路基板が多段に積み重ねられた状態で結合され、回路基板に設けられた接続端子が露出する構造物の表面に絶縁層が形成され、
この絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、
この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、
この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、相互に異なる回路基板の接続端子に到達しており、
前記回路基板の接続端子は、回路基板の内部回路の端部であることを特長とする多層回路基板。
【請求項１４】
絶縁基材に複数の半導体チップが多段に積み重ねられた状態で搭載され、半導体チップに設けられた接続端子が露出する構造物の表面に絶縁層が形成され、
この絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、
この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、
この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、相互に異なる半導体チップの接続端子に到達していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１】
構造物の表面に露出する複数の被接続部を相互に配線で接続するための配線方法であって、
複数の被接続部が露出する構造物の表面に絶縁層を形成する絶縁層形成工程、及び、
絶縁層の表面に位置する本体部と、この本体部から分岐して絶縁層の内部に延び、接続対象の被接続部に到達する分岐部とを有する配線を設ける配線形成工程、
を備えることを特徴とする配線方法。
【請求項２】
配線形成工程は、
絶縁層の表面に樹脂被膜を形成する樹脂被膜形成工程、
樹脂被膜の表面側から樹脂被膜の厚みと同じ又は厚みを超える深さの溝を接続対象の被接続部の近傍を通過するように形成すると共に、その近傍通過部分から接続対象の被接続部に到達する連通孔を形成する溝孔形成工程、
前記溝及び前記連通孔の表面にメッキ触媒又はその前駆体を被着させる触媒被着工程、
前記樹脂被膜を溶解又は膨潤させることにより除去する樹脂被膜除去工程、及び、
無電解メッキを行うことにより前記メッキ触媒又は前記メッキ触媒前駆体から形成されるメッキ触媒が残留する部分のみにメッキ膜を形成するメッキ処理工程、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の配線方法。
【請求項３】
配線形成工程は、
メッキ処理工程の後、電解メッキを行うことによりメッキ膜を厚膜化する電解メッキ工程をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の配線方法。
【請求項４】
樹脂被膜は蛍光性物質を含有し、
配線形成工程は、
樹脂被膜除去工程の後、メッキ処理工程の前に、前記蛍光性物質からの発光を用いて樹脂被膜の除去不良を検査する検査工程をさらに含むことを特徴とする請求項２又は３に記載の配線方法。
【請求項５】
配線形成工程の後、
配線の本体部が露出する絶縁層の表面にさらに絶縁層を積層する絶縁層積層工程、及び、
積層した絶縁層の表面に位置する本体部と、この本体部から分岐して絶縁層の内部に延び、接続対象の被接続部に到達する分岐部とを有する配線を設ける追加配線形成工程、
を１回以上繰り返すことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の配線方法。
【請求項６】
複数の被接続部が露出する構造物の表面に絶縁層が形成され、
この絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、
この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、
この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、接続対象の被接続部に到達していることを特徴とする表面に配線が設けられた構造物。
【請求項７】
配線本体部が露出する絶縁層の表面に絶縁層が積層され、
この積層された絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、
この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、
この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、接続対象の被接続部に到達している構成が、
１段以上備えられていることを特徴とする請求項６に記載の表面に配線が設けられた構造物。
【請求項８】
絶縁基材に半導体チップが搭載され、絶縁基材に設けられた接続端子及び半導体チップに設けられた接続端子が露出する構造物の表面に絶縁層が形成され、
この絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、
この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、
この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、絶縁基材の接続端子及び／又は半導体チップの接続端子に到達していることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
プリント配線板に半導体装置が実装され、プリント配線板に設けられた接続端子及び半導体装置に設けられた接続端子が露出する構造物の表面に絶縁層が形成され、
この絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、
この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、
この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、プリント配線板の接続端子及び／又は半導体装置の接続端子に到達していることを特徴とする配線基板。
【請求項１０】
支持体にメモリパッケージが取り付けられ、支持体に設けられた接続端子及びメモリパッケージに設けられた接続端子が露出する構造物の表面に絶縁層が形成され、
この絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、
この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、
この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、支持体の接続端子及び／又はメモリパッケージの接続端子に到達していることを特徴とするメモリカード。
【請求項１１】
絶縁基材に受動素子が搭載され、絶縁基材に設けられた接続端子及び受動素子に設けられた接続端子が露出する構造物の表面に絶縁層が形成され、
この絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、
この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、
この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、絶縁基材の接続端子及び／又は受動素子の接続端子に到達していることを特徴とする電気デバイス。
【請求項１２】
支持体に電気デバイスが取り付けられ、支持体に設けられた接続端子及び電気デバイスに設けられた接続端子が露出する構造物の表面に絶縁層が形成され、
この絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、
この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、
この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、支持体の接続端子及び／又は電気デバイスの接続端子に到達していることを特徴とするモジュール。
【請求項１３】
複数の回路基板が多段に積み重ねられた状態で結合され、回路基板に設けられた接続端子が露出する構造物の表面に絶縁層が形成され、
この絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、
この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、
この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、相互に異なる回路基板の接続端子に到達しており、
前記回路基板の接続端子は、回路基板の内部回路の端部であることを特長とする多層回路基板。
【請求項１４】
絶縁基材に複数の半導体チップが多段に積み重ねられた状態で搭載され、半導体チップに設けられた接続端子が露出する構造物の表面に絶縁層が形成され、
この絶縁層の表面に配線の本体部が設けられ、
この配線本体部から配線の分岐部が分岐し、
この配線分岐部が絶縁層の内部に延び、相互に異なる半導体チップの接続端子に到達していることを特徴とする半導体装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１１−２４３７９０（Ｐ２０１１−２４３７９０Ａ）
【公開日】平成２３年１２月１日（２０１１．１２．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１１５２５０（Ｐ２０１０−１１５２５０）
【出願日】平成２２年５月１９日（２０１０．５．１９）
【出願人】（０００００５８３２）パナソニック電工株式会社 (17,916)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１２月１日（２０１１．１２．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年５月１９日（２０１０．５．１９）
【出願人】（０００００５８３２）パナソニック電工株式会社 (17,916)
【Ｆターム（参考）】
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