【課題】水など種々の液体による濡れに対して比較的高抵抗性であるセラミック材料、かかる材料から作製された物品、かかる物品及び材料を製造する方法、並びにこれらの材料から形成したコーティングを用いて物品を保護する方法が提供される。
【解決手段】１実施形態は耐濡れ性物品２００である。物品２００は表面連結細孔含量約５体積％以下であるコーティング２０２を含む。コーティング２０２は、一次酸化物と二次酸化物を含有する材料を含有し、（ｉ）一次酸化物がセリウム、プラセオジム、テルビウム及びハフニウムからなる群から選択されるカチオンを含み、（ｉｉ）二次酸化物が一次酸化物より低い表面エネルギーを有し、希土類元素、イットリウム及びスカンジウムからなる群から選択されるカチオンを含む。 （もっと読む）

【課題】１回の工程で２種以上の蒸着材料を対象物に蒸着させることができ、蒸着対象物側と表面側とで蒸着材料の濃度の傾斜特性を有する蒸着膜を形成することができる蒸発源の形成方法、光学部材の製造方法及び光学部材を提供する。
【解決手段】異なる２種以上の蒸着材料を積層してなる蒸発源の一方の側から加熱し、対象物に蒸着させ蒸着膜を形成する蒸着膜の形成方法、前記対象物が光学部材であり、該光学部材上に前記方法により蒸着膜を形成する光学部材の製造方法、この方法によって製造されてなる光学部材である。 （もっと読む）

【課題】水分や熱による変性が生じず、人体への影響も少なく、さらには透明性を有することにより様々な用途に使用することができる抗菌性材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板、プラスチックシート、プラスチックフィルム基板等の上に、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の手法で酸化亜鉛薄膜を形成させることを特徴とする抗菌性材料である。タッチパネルや携帯電話のプラスチック表面等への利用可能である。 （もっと読む）

【課題】燐光体又はシンチレータ原材料の支持体への成膜における高歩留まりの蒸着方法を提供する。
【解決手段】るつぼユニットは底部及び周囲側壁を持ち原材料容器としてのるつぼと、穿孔を有する内部蓋５と、煙突と、及び溶融され液化された燐光体原材料が減圧下で蒸発された形でるつぼユニットから逃避して支持体上に燐光体層として蒸着するスリットをさらに含み、煙突２の一つの加熱手段がスリット及びスロット出口３′を有する遮熱材３の下に位置され、遮熱材３はるつぼユニットをカバーし、かつ煙突２の一部を作る。燐光体原材料の蒸気雲がスロット出口３′と支持体の間を通りかつ支持体と平行にとったどのような断面から燐光体プレート又はパネル上に投影されても、蒸気雲の最長半径のそれに垂直な半径に対する比率が少なくとも１．３である。 （もっと読む）

【課題】生産安定性が高く、緻密でガスバリア性の高いガスバリア膜を成膜できるイオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末等を提供する。より具体的には、イオンプレーティング法に適したイオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末、イオンプレーティング用蒸発源材料及びその製造方法、ガスバリア性シート及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】平均粒径が５μｍ以下の窒化ケイ素又は酸窒化ケイ素１００重量部に対して、平均粒径が５μｍ以下の導電性材料を５重量部以上１００重量部以下含有する原料粉末により、上記課題を解決する。導電性材料が、導電性を有する、金属酸化物、金属窒化物、及び金属酸窒化物から選ばれる少なくとも１つであることが好ましい。本発明のイオンプレーティング用蒸発源材料は、上記の原料粉末を焼結又は造粒させて平均粒径が２ｍｍ以上の塊状粒子又は塊状物に加工したものである。 （もっと読む）

【課題】電気を流すことができる。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に形成された、開口孔を有する絶縁膜１２と、開口孔の底部に形成された、内部にアルカリ金属原子（またはハロゲン原子）１６ａを有する筒状炭素構造体１４と、を有する配線構造１０により、基板１１と、基板１１上に形成された、開口孔を有する絶縁膜１２と、開口孔の底部に形成された、内部にアルカリ金属原子（またはハロゲン原子）１６ａを有する筒状炭素構造体１４とにより、筒状炭素構造体１４が金属性を示す。 （もっと読む）

【課題】仕事関数の低い材料を迅速に有機層と陰極との界面近傍に挿入する。
【解決手段】ＰＭ１は、処理容器１００と、有機材料を加熱して気化させる蒸着装置２００と、第１の蒸着源に連通し、第１の蒸着源にて気化された有機材料を不活性ガスにより運搬させる第１のガス供給路１５０と、処理容器外に設けられ、陰極を形成する第１の金属よりも仕事関数が小さい第２の金属を加熱して気化させるディスペンサＤｓと、ディスペンサに連通し、ディスペンサにて気化された第２の金属を不活性ガスにより運搬させる第２のガス供給路３２０と、各ガス供給路１５０、３２０に連通し、気化された第２の金属を気化された有機材料に混入させて処理容器内の被処理体に向けて吹き出させる吹き出し機構１２０ｆと、気化された有機材料に混入させる前記気化された第２の金属の割合を制御する制御器５０とを有する。 （もっと読む）

【課題】単独膜が生成されることが無く、濃度ムラも無く共蒸着を行うことができるインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】搬送方向Ｔに垂直な基板４の幅方向に長く、搬送方向Ｔの上流側及び下流側に互いに平行に配置された開口部２ａ、３ａを備え、異なる成膜材料Ａ、Ｂを収容する２つの蒸着源２、３と、搬送方向Ｔの上流側及び下流側に互いに平行に配置され、共蒸着室１と隣接する他の蒸着室とを仕切る２つの防着板５_A、５_Bと、防着板５_A、５_Bにより制限された開口部２ａ、３ａからの蒸気の基板４における蒸着範囲と一致するように、開口部２ａ、３ａからの蒸気の蒸着範囲を制限する衝立６とを有し、基板４において、単独膜の成膜を防止して、混合膜のみを成膜するようにした。 （もっと読む）

【課題】誘電体薄膜の組成比を容易に調整でき、その生産性を向上させた薄膜形成方法、薄膜形成装置、及び半導体装置の製造装置を提供するものである。
【解決手段】複合酸化物誘電体を主成分とするターゲット１７をスパッタするとき、基板Ｓの表面をターゲット１７に向けて配置し、接地電位に接続されて基板Ｓの周囲に位置する対向電極１５の電極面１５ａを基板Ｓの法線方向に沿って昇降させる。そして、基板Ｓの法線方向における電極面１５ａの位置を、「目標組成比Ｒｐ」に対応する「目標電極位置」に変位させてターゲット１７をスパッタする。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の光吸収層を形成するためのＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金膜を形成するときに使用するＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ三元系焼結合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｉｎ：４０〜６０質量％、Ｇａ：１〜４５質量％を含有し、残部がＣｕからなる成分組成を有するＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ三元系焼結合金スパッタリングターゲットであって、このスパッタリングターゲットの素地中に分散しているＩｎ含有合金相の最大粒径が１０μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の光吸収層を形成するためのＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金膜を形成するときに使用するＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ三元系焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】原料粉末として、Ｇａ：２０〜５０質量％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなるＣｕ−Ｇａ二元系母合金粉末、Ｉｎ：２０〜７０質量％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなるＣｕ−Ｉｎ二元母合金粉末並びに純Ｃｕ粉末を用意し、これら原料粉末をＩｎ：４０〜６０質量％、Ｇａ：１〜４５質量％を含有し、残部がＣｕからなる成分組成となるように配合し混合して混合粉末を作製し、得られた混合粉末をプレス成形して成形体を作製し、得られた成形体を焼結する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池モジュールを構成する充填材との良好な密着性を有し、かつ耐候性、耐水性、防湿性等の諸特性に優れ、難燃性にも優れた安価な太陽電池用裏面保護シートに有用な積層体を提供する。
【解決手段】フッ素系樹脂フィルム（１０１）の少なくとも一方の面に、有機化合物層、無機化合物層（１０４）を順次設けてなり、前記有機化合物層は、少なくとも付加重合官能基を有するフッ素化合物を含み、かつ、前記フッ素系樹脂フィルム上に形成された有機化合物層Ａ（１０２）と、分子量が１５０〜６００のトリアルコキシシリル基を有する（メタ）アクリル化合物を含み、かつ、前記無機化合物層と接する側に形成された有機化合物層Ｂ（１０３）と、を含み、前記有機化合物層および無機化合物層は、真空雰囲気下において蒸着法を用いて形成されたものである積層体。 （もっと読む）

【課題】底部及び側壁を有するボート又はるつぼの形の容器、及び前記容器に存在する蒸発された原材料から燐光体又はシンチレータ材料を層の形でその上に蒸着するための支持体を蒸着アセンブリとして含む蒸着装置を提供する。
【解決手段】前記容器は、一つ以上の穿孔を有する少なくとも二つのカバー又は蓋のアセンブリ７，８を内部に含み、カバー又は蓋の一つは前記支持体により近い第一蓋としての外部蓋８であり、他のカバー又は蓋は前記ボート又はるつぼの底部により近い第二蓋としての内部蓋７であり、前記外部蓋８に存在する穿孔は、前記ボート又はるつぼの底部により近い前記内部蓋７に存在する穿孔の全表面積より大きい全表面積を有し、前記蒸着装置において前記るつぼの底部又は前記原材料は前記支持体のいかなる場所からも前記穿孔を通して決して直接見ることができない。 （もっと読む）

【課題】液晶を用いた画像表示装置において、光学的異方性を避けるためと、高速応答のために、液晶を基板に対して垂直若しくはそれに近い配向にする必要がある。液晶には強い光、波長の短い光があたることが多いので、従来のポリイミドの配向膜では劣化が生じ寿命が短くなる。配向膜を無機化したいが、ＳｉＯ_２斜方蒸着を液晶配向膜とした場合、液晶として特性の優れる誘電率異方性が正のものを使うと水平配向になってしまう。金属アルコラートを用いて垂直配向にする技術はあるが工程が複雑になっている。
【解決手段】液晶を挟む２枚の基板の内、少なくとも一方の基板側の液晶配向膜を金属にすることにより、基板の間に封入する液晶は、誘電率異方性（Δε）が正のものを用いていながら、基板に対して垂直若しくはほぼ垂直に配向させることができる。 （もっと読む）

【課題】高分子フィルムの上に微粒子を連続して形成する装置を提供する。
【解決手段】本発明の微粒子形成装置１は、金属材料を蒸着する真空アーク蒸着源５と、被蒸着材料であるフィルム４を走行させるフィルム走行手段３と、真空アーク蒸着源５をパルス駆動する制御手段６５とを備え、フィルム４の走行方向に対して交差するように複数配列した。これにより、フィルム４上に均一化された良質の微粒子を連続して形成することができる。従って、量産が可能となった。 （もっと読む）

【課題】蒸着機をいじることなく、斜方蒸着配向膜を均一な膜厚にできる液晶表示素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】画素電極基板と透明電極基板とが液晶を介して互いに対向配置された液晶表示素子であって、 前記画素電極基板と前記透明電極基板とのそれぞれの前記液晶に接する面側に、基板面に対して斜め方向から蒸着形成された第１斜方蒸着配向膜と、基板面に対して垂直方向から蒸着形成された垂直蒸着膜と、前記垂直蒸着膜を介して、前記第１斜方蒸着配向膜形成時と基板の上下を１８０度回転し基板面の法線に対して前記斜め方向から対称な斜め方向から蒸着形成された第２斜方蒸着配向膜とが順に積層形成され、基板全面で蒸着膜の総厚が一定である液晶表示素子とする。 （もっと読む）

【課題】Ｌａ及びＣｕを含有するオキシカルコゲナイドを主成分とするＰ型透明導電材料用ターゲットの密度を向上させ、ターゲットを大型化しかつ低コストで製造できるようにするとともに、該ターゲット中の未反応物の存在を無くし、ターゲットの割れの発生を抑制することにより製品歩留りを上げ、さらに成膜の品質を向上させる。
【解決手段】構成元素の単体、酸化物又はカルコゲン化物から選択した１種以上の粉末を原料とし、ガス成分を除き、焼結用原料粉末の平均粒径が５０μｍ以下、比表面積が０．２ｍ^２／ｇ以上であり、焼結工程中に８５０°Ｃ以下の温度で１時間以上保持する反応工程を含み、この反応工程後に反応工程温度以上の温度である５００〜１０００°Ｃの温度で焼結することにより、相対密度９０％以上であるＬａ及びＣｕを含有するオキシカルコゲナイドを主成分とするスパッタリングターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】蒸着法で緻密かつバリア性に優れたＴｉＮｘ膜を形成する。
【解決手段】本発明においては、アルゴン又はアルゴン及び窒素の混合ガスのプラズマ中で、負のバイアス電位が印加された基板Ｗ上に、蒸発源３にて蒸発させたチタンの蒸発粒子を蒸着させる。蒸発源３において形成されたチタンの蒸発粒子は、アルゴン又はアルゴン及び窒素の混合ガスのプラズマによってイオン化され、負のバイアス電位が印加された基板の表面に蒸着される。これは、イオンプレーティング法に準ずる成膜手法であり、通常の蒸着法に比べて、基板上に形成される膜密度の向上が図られる。このようにして形成されたＴｉＮｘ膜は、Ａｌ膜とＡｕ膜の間の反応を防止するバリア膜として十分なバリア性能を発揮するため、低コンタクト抵抗の電極膜に好適に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】膜質の良い有機薄膜を形成する。
【解決手段】供給装置４０と加熱部材２５の間には遮蔽板６１が配置されているため、加熱部材２５からの輻射熱や加熱部材２５上で発生した蒸着材料３９の蒸気が供給装置４０へ到達しない。供給装置４０は高温に加熱されないから、供給装置４０内の蒸着材料３９が溶融、蒸発しない。供給装置４０から落下した蒸着材料３９は遮蔽板６１に落下すると、移動装置６５により移動して、落下口６３から加熱部材２５上に乗せられる。 （もっと読む）

【課題】 粉末状担体の全体に金属ナノ粒子を均等に担持させることができる金属蒸着装置および粉末状担体の撹拌方法を提供すること。
【解決手段】 真空チャンバ１１内で容器４１を水平な状態とし内部の粉体状アルミナＡへ施す例えば１００回の真空アーク放電による白金の蒸着と間欠的な次の同様な蒸着との間において、容器４１を揺動軸４５の回りに第１の方向（例えば右方向）へ揺動させ、傾斜する容器４１の底面４２上で粉体状アルミナＡを容器４１の端部の方へ滑落させて撹拌し、容器４１の右側の端部が下方の衝突部材を兼ねる衝突検知センサ４７によって所定の傾斜角度に達したことが検知されると、直ちに揺動の方向を逆にして容器４１を水平にすると同時に、端部の方へ滑落している粉体状アルミナＡを容器４１の中央側へ跳ね戻し粉体状アルミナＡを裏返しにするように撹拌する。 （もっと読む）