固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法およびカメラ
【課題】ダイクロイックフィルタを用いてカラー撮像する固体撮像装置であって、画素を微細化しても高い生産性を達成することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１は、Ｎ型半導体層１０１上にＰ型半導体層１０２、層間絶縁膜１０４、偏光カットフィルタ１０８及び集光レンズ１０９が順次積層されてなる。Ｐ型半導体層１０２の層間絶縁膜１０４側にはフォトダイオード１０３が画素毎に形成されている。層間絶縁膜１０４中には、遮光膜１０７、ダイクロイックフィルタ１０６及び支持体１０５が形成されている。ダイクロイックフィルタ１０６は画素毎に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の何れかの波長域の光を選択的に透過させる。支持体１０５はＰ型半導体層１０２の主面に対して傾斜角が４５度のテーパ面を有し、当該テーパ面上にダイクロイックフィルタ１０６を支持する。
【解決手段】固体撮像装置１は、Ｎ型半導体層１０１上にＰ型半導体層１０２、層間絶縁膜１０４、偏光カットフィルタ１０８及び集光レンズ１０９が順次積層されてなる。Ｐ型半導体層１０２の層間絶縁膜１０４側にはフォトダイオード１０３が画素毎に形成されている。層間絶縁膜１０４中には、遮光膜１０７、ダイクロイックフィルタ１０６及び支持体１０５が形成されている。ダイクロイックフィルタ１０６は画素毎に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の何れかの波長域の光を選択的に透過させる。支持体１０５はＰ型半導体層１０２の主面に対して傾斜角が４５度のテーパ面を有し、当該テーパ面上にダイクロイックフィルタ１０６を支持する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法およびカメラに関し、特に、カラー撮像に用いる分光技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタルカメラや携帯電話機等、固体撮像装置の適用範囲が爆発的に拡大しつつあり、様々な環境下で高い感度を実現することが求められている。
このため、例えば、ダイクロイックフィルタ（dichroic filter）を用いてカラー撮像する固体撮像装置が提案されている（特許文献１）。図６は本従来技術に係る固体撮像装置の構成を示す断面図である。
【０００３】
図６に示されるように、固体撮像装置６は、シリコン基板６０１、センサ基板６１０、光学基板６２０及びガラス基板６３０が積層されてなる。シリコン基板６０１には光電変換部６０２が設けられている。また、ガラス基板６３０は透明である。
センサ基板６１０は導波路６１１、アルミニウム配線６１２、６１３及び層間膜６１４を備えており、光学基板はダイクロイックフィルタ層６２１、６２２、第１の屈折率層６２４、第２の屈折率層６２３、マイクロレンズ６２５及び低屈折率層６２６を備えている。
【０００４】
このようにすれば、ダイクロイックフィルタ層６２１、６２２による反射光が第１の屈折率層６２４及び第２の屈折率層６２３にて隣接する画素に導かれるので、入射光の利用効率を向上させて感度を高めることができる。
【特許文献１】特開２００５−６４３８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来技術に係る固体撮像装置６は、個別に製造した光学基板とセンサ基板とを貼り合せることによって製造されるので、画素を微細化し、高画素化する際には、これらの基板を高い組み立て精度で貼り合わせなければならない。このため、画素サイズを数μｍ以下まで微細化すると、十分な歩留まりを達成することができず生産性が低下する。
【０００６】
また、上記従来技術に係る固体撮像装置６が備えるダイクロイックフィルタ層６２１、６２２については、二酸化シリコン（SiO２）や二酸化チタン（TiO２）といった材料が示されているのみであり、製造方法はおろか構成すら開示されていないので、そもそも実現性に乏しい。
本発明は、上述のような問題に鑑みて為されたものであって、ダイクロイックフィルタを用いてカラー撮像する固体撮像装置であって、画素を微細化しても高い生産性を達成することができる固体撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明に係る固体撮像装置は、単位画素が二次元状に複数配列された固体撮像装置であって、単位画素は、それぞれ入射光を光電変換する平板な光電変換領域と、光電変換領域の上方に形成され、誘電体層が積層されてなり、入射光を波長分離する平板なダイクロイックフィルタと、を備え、ダイクロイックフィルタは、その主面が光電変換領域の主面に対して斜交するように配設されることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
このようにすれば、光電変換領域を有する半導体基板上に半導体プロセスにてダイクロイックフィルタが形成されるので、高い組み立て精度を達成することができる。よって、画素を微細化して固体撮像装置を高画素化することができる。
この場合において、ダイクロイックフィルタは、λ／４多層膜にて絶縁体層を挟んでなり、λ／４多層膜は、光学膜厚を同じくすると共に屈折率を異にする２種類の誘電体層が交互に積層されてなるとしても良い。また、ダイクロイックフィルタは、絶縁体層の有無に応じて異なる波長域の入射光を透過させるとしても良く、ダイクロイックフィルタは、絶縁体層が無い場合に緑色の波長域の入射光を透過させるとすれば好適である。
【０００９】
本発明に係る固体撮像装置は、偏光カットフィルタを備え、ダイクロイックフィルタは偏光カットフィルタを経由した入射光を波長分離することを特徴とする。このようにすれば、ダイクロイックフィルタ１０６の透過特性を安定させ、色再現性の低下を防止することができる。この場合において、偏光カットフィルタは、フォトニック結晶からなるとしても良い。
【００１０】
また、ダイクロイックフィルタは、その主面が光電変換領域の主面に対して４５度斜交することを特徴とする。このようにすれば、ダイクロイックフィルタにて反射された入射光を他の画素に導くことができるので感度を向上させることができる。
本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、二次元配列された複数の単位画素がそれぞれ、入射光を光電変換する平板な光電変換領域と、光電変換領域の上方に形成され、誘電体層が積層されてなり、入射光を波長分離する平板なダイクロイックフィルタと、を備え、ダイクロイックフィルタが、その主面が光電変換領域の主面に対して斜交するように配設される固体撮像装置の製造方法であって、光電変換領域上に透光性の支持層を形成するステップと、支持層上にダイクロイックフィルタを形成するステップと、ダイクロイックフィルタ下の支持層をテーパ面として、当該テーパ面にダイクロイックフィルタを沿わせ、ダイクロイックフィルタの主面を光電変換領域の主面に対して斜交させるステップと、を含むことを特徴とする。このようにすれば、ダイクロイックフィルタを用いてカラー撮像する固体撮像装置を実現することができる。
【００１１】
本発明に係るカメラは、上述のような固体撮像装置を備えることを特徴とする。このようにすれば、ダイクロイックフィルタを用いつつ高画素で生産性の高いカメラを得ることができる。
以上述べたように、本発明によれば、ＲＧＢ色機能を有するダイクロイックフィルタを備え、生産安定性が非常に高く、画素を微細化することができる固体撮像装置を実現することできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明に係る固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及びカメラの実施の形態について、デジタルスチルカメラを例にとり、図面を参照しながら説明する。
［１］ 固体撮像装置の構成
先ず、本発明の実施の形態に係る固体撮像装置の構成について説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る固体撮像装置の画素部分の構成を示す断面図である。図１に示されるように、固体撮像装置１は、Ｎ型半導体層１０１上にＰ型半導体層１０２、層間絶縁膜１０４、偏光カットフィルタ１０８及び集光レンズ１０９が順次積層されてなる。Ｐ型半導体層１０２の層間絶縁膜１０４側にはＮ型不純物がイオン注入されてなるフォトダイオード１０３が画素毎に形成されている。隣り合うフォトダイオード１０３の間にはＰ型半導体層が介在しており、これを素子分離領域という。
【００１３】
層間絶縁膜１０４中には、遮光膜１０７、ダイクロイックフィルタ１０６及び支持体１０５が形成されており、遮光膜１０７は集光レンズ１０９を透過した光がフォトダイオード１０３に入射するのを防ぐ。
ダイクロイックフィルタ１０６は多層膜干渉フィルタとなっており、画素毎に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の何れかの波長域の光を選択的に透過させる。多層膜干渉フィルタはλ／４多層膜にてスペーサ層を挟んでなり、スペーサ層の光学膜厚に応じた波長域の光を透過させる。
【００１４】
また、λは設定波長と呼ばれ、λ／４多層膜部分の反射波長域の中心波長である。例えば、設定波長λを５５０ｎｍとすれば、λ／４多層膜を構成する誘電体層の光学膜厚は何れも１３７．５ｎｍとなる。ここで、光学膜厚とは誘電体層の物理膜厚にその屈折率を乗じて得られる指数である。
本実施の形態においては、ダイクロイックフィルタ１０６は二酸化チタン（TiO２）からなる高屈折率層と二酸化シリコン（SiO２）からなる低屈折率層との２種類の誘電体層が交互に積層されてなる。二酸化チタンと二酸化シリコンとの屈折率はそれぞれ、２．５１、１．４５なので、光学膜厚を１３７．５ｎｍとするには、二酸化チタン層と二酸化シリコン層との物理膜厚をそれぞれ５４．７ｎｍ、９４．８ｎｍとすれば良い。
【００１５】
また、スペーサ層は二酸化シリコンからなり、その物理膜厚は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の波長域の光を透過させるダイクロイックフィルタ１０６についてそれぞれ３０ｎｍ、０ｎｍ及び１３０ｎｍである。
なお、緑（Ｇ）の波長域の光を透過させるダイクロイックフィルタ１０６において物理膜厚０ｎｍのスペーサ層を挟む２層の二酸化チタン層は全体として１０９．４ｎｍの物理膜厚を有する。緑（Ｇ）の波長域の光を透過させるダイクロイックフィルタ１０６については、この二酸化チタン層をスペーサ層と称しても良い。
【００１６】
また、ダイクロイックフィルタ１０６の全体の層数、すなわち、λ／４多層膜とスペーサ層を合わせたトータルの層数は、赤（Ｒ）及び青（Ｂ）の波長域の光を透過させるダイクロイックフィルタ１０６では８層、緑（Ｇ）の波長域の光を透過させるダイクロイックフィルタ１０６では６層である。このようにすれば、ダイクロイックフィルタ１０６を容易に形成することができる。
【００１７】
支持体１０５は二酸化シリコンからなる三角柱形状の部材であって、Ｐ型半導体層１０２の主面に対して傾斜角が４５度のテーパ面を有する。ダイクロイックフィルタ１０６は当該テーパ面上に形成される。
偏光カットフィルタ１０８については後述する。
［２］ ダイクロイックフィルタ１０６の製造方法
次に、ダイクロイックフィルタ１０６の製造方法について説明する。図２はダイクロイックフィルタ１０６を製造する諸工程を示す図である。図２において、ダイクロイックフィルタ１０６の製造工程は（ａ）から（ｆ）へと進む。また、Ｎ型半導体層１０１、Ｐ型半導体層１０２、フォトダイオード１０３、遮光膜１０７、及び集光レンズ１０９は図示を省略した。
【００１８】
先ず、Ｐ型半導体層１０２上に二酸化シリコン膜２０１を形成する（図２（ａ））。
次に、二酸化シリコン膜２０１上にレジスト剤を塗布し、露光前ベーク（プリベーク）の後、ステッパなどの露光装置によって露光を行い、レジスト現像、および最終ベーク（ポストベーク）することによって、三角柱形状のレジストパターン２０２を形成する（図２（ｂ））。
【００１９】
次に、４フッ化メタン（ＣＦ4）系のエッチングガスを用い、二酸化シリコン膜２０１に物理的なエッチングを行って、支持体１０５を形成する（図２（ｃ））。
次に、Ｐ型半導体層１０２上の支持体１０５以外の領域にステッパなどの露光装置によって露光を行い、レジストパターン２０３を形成する（図２（ｄ））。
そして、スパッタ装置を用いて、支持体１０５のテーパ面上にダイクロイックフィルタ１０６を形成する（図２（ｅ））。
【００２０】
最後に、有機洗浄などでレジスト除去を行うと、ダイクロイックフィルタ１０６が得られる（図２（ｆ））。
［４］ 画素の配列
次に、本実施の形態に係る画素の配列について説明する。
図３は、本実施の形態に係る固体撮像装置１の画素の配列を示す平面図である。図３に示されるように、緑（Ｇ）、マゼンタ（Ｍｇ）、赤（Ｒ）、シアン（Ｃｙ）の波長域の光をそれぞれ受光する４画素を１単位として、画素が２次元配列される。
【００２１】
また、緑（Ｇ）と赤（Ｒ）の画素上には集光レンズ１０９が形成される一方、マゼンタ（Ｍｇ）とシアン（Ｃｙ）の画素上には集光レンズは形成されない。この集光レンズ１０９により集光された入射光のうち、緑（Ｇ）と赤（Ｒ）との波長域の光はダイクロイックフィルタ１０６を透過して、フォトダイオード１０３に入射する。
一方、それぞれ緑（Ｇ）と赤（Ｒ）との補色であるマゼンタ（Ｍｇ）とシアン（Ｃｙ）との波長域の光はダイクロイックフィルタ１０６にて反射され隣接する画素のダイクロイックフィルタ１０６に入射する。
【００２２】
［５］ ダイクロイックフィルタ１０６の透過特性
次に、ダイクロイックフィルタ１０６の透過特性について説明する。
図４は、ダイクロイックフィルタ１０６の透過特性を示すグラフであって、（ａ）は青（Ｂ）の波長域の光を透過させるダイクロイックフィルタ１０６の透過特性を、（ｂ）は赤（Ｒ）の波長域の光を透過させるダイクロイックフィルタ１０６の透過特性を、また、（ｃ）は緑（Ｇ）の波長域の光を透過させるダイクロイックフィルタ１０６の透過特性をそれぞれ表わす。
【００２３】
図４に示されるように、ダイクロイックフィルタ１０６を用いれば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の各波長域の光を分光することができる一方、ｐ波（実線）とｓ波（破線）との間で透過特性が相違する。
ここで、ｐ波とは、ダイクロイックフィルタ１０６に入射する光の電気ベクトルの振動方向が、ダイクロイックフィルタ１０６の主面内に含まれる直線偏光をいう。また、ｓ波とは、ダイクロイックフィルタ１０６に入射する光の電気ベクトルの振動方向が、ダイクロイックフィルタ１０６の主面の法線と光の進行方向である波面の法線とを含む面に垂直な直線偏光をいう。
【００２４】
赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の波長域の光を分光するダイクロイックフィルタ１０６の何れについても、ｓ波とｐ波との間でピーク波長は概ね一致するが、透過帯域幅についてはｓ波のほうがｐ波よりも狭い。
自然光にはｓ波とｐ波との両方の成分がランダムな比率で含まれるので、自然光にてカラー撮像する場合には透過特性が一定せず、色再現性が低下するおそれがある。
【００２５】
この問題を解決するためには、ｓ波若しくはｐ波の何れかをダイクロイックフィルタ１０６に入射する前に除去すれば良い。このため、本実施の形態においては、フォトニック結晶構造を有する偏光カットフィルタ１０８が層間絶縁膜１０４と集光レンズ１０９との間に設けられている。なお、フォトニック結晶構造とは屈折率の異なる材料が光の波長程度の周期で多次元的に重なり合った構造である。
【００２６】
本実施の形態において、偏光カットフィルタ１０８は二酸化チタン層と二酸化シリコン層とが交互に積層されており、何れの層も断面鋸歯形状となっている。偏光カットフィルタ１０８はダイクロイックフィルタ１０６の主面についてｐ波を透過させる一方、ｓ波を反射する。
これによって、ダイクロイックフィルタ１０６の透過特性を安定させ、色再現性の低下を防止することができる。
【００２７】
［６］ 変形例
以上、本発明を実施の形態に基づいて説明してきたが、本発明が上述の実施の形態に限定されないのは勿論であり、以下のような変形例を実施することができる。
（１） 上記実施の形態においては、ダイクロイックフィルタ１０６を形成するに先立って支持体１０５を形成する場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、これに代えて次のようにしても良い。
【００２８】
図５は、ダイクロイックフィルタ１０６の本変形例に係る製造方法による諸工程を示す図である。
先ず、Ｐ型半導体層１０２上に二酸化シリコン膜５０１を形成する（図５（ａ））。
次に、二酸化シリコン膜５０１上にダイクロイックフィルタ１０６と同じ構成の多層膜５０２を形成する（図５（ｂ））。
【００２９】
そして、通常のリソグラフィ工程によってレジストパターン５０３を形成し（図５（ｃ））、ドライエッチングなどで物理的に多層膜５０２および二酸化シリコン膜５０１を除去する（図５（ｄ））。
この場合において、多層膜５０２とＰ型半導体層１０２とに挟まれた部分の二酸化シリコン膜５０１が斜めにエッチングされるようにガスの流量や圧力を調整して、異方性エッチングを行なうと、支持体１０５のテーパ面が得られる（図５（ｅ））。
【００３０】
その後、レジストパターン５０３を除去し（図５（ｆ））、レジストパターン５０４を形成して（図５（ｇ））、多層膜５０２および二酸化シリコン膜５０１をエッチングによって除去すると、最終的にダイクロイックフィルタ１０６及び支持体１０５が得られる（図５（ｈ））。
このようにすれば、ダイクロイックフィルタ１０６が水平の状態で膜形成されるので、上記実施の形態に係る製造方法を用いるときよりも膜厚の均一性や安定性が高くなる。したがって、ダイクロイックフィルタ１０６の色分解能を飛躍的に向上させることができる。
【００３１】
（２） 上記実施の形態においては、高屈折率層の材料として二酸化チタンを用いる場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、これに代えて次のようにしても良い。すなわち、高屈折率層の材料として、二酸化チタンに代えて、窒化シリコン（Si3N4）や三酸化二タンタル（Ta2O3）、二酸化ジルコニウム（ZrO2）等、他の材料を用いても良い。また、低屈折率層の材料についても二酸化シリコン以外の材料を用いても良い。多層膜干渉フィルタに用いる材料の如何に関わらず本発明の効果を得ることができる。
【００３２】
（３） 上記実施の形態においては、ダイクロイックフィルタ１０６の全体の層数、すなわち、λ／４多層膜とスペーサ層を合わせたトータルの層数が、赤（Ｒ）及び青（Ｂ）の波長域の光を透過させるダイクロイックフィルタ１０６では８層であり、緑（Ｇ）の波長域の光を透過させるダイクロイックフィルタ１０６では６層である場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、これに代えて４層や１２層、１６層、或いはそれ以上等の層数としても良い。
【００３３】
また、スペーサ層にはλ／４多層膜の高屈折率層と同じ材料を用いても良いし、低屈折率層と同じ材料を用いても良い。また、λ／４多層膜を構成する何れの層の材料とも異なる材料を用いても良い。
（４） 上記実施の形態においては、支持体１０５の材料として二酸化シリコンを用いる場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、これに代えて二酸化シリコン以外の材料を用いても良い。材料の如何に関わらず、可視光について吸収がない透明な材料ならば、本発明の効果を得ることができる。
【００３４】
（５） 上記実施の形態においては、図３に示されるように画素を配列する場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、これに代えて他の配列を用いても良い。画素の配列の如何に関わらず本発明の効果を得ることができる。
（６） 上記実施の形態においては、固体撮像装置１に偏光カットフィルタを設ける場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、これに代えて偏光カットフィルタを設けないとしても良い。偏光カットフィルタを設けなければ、透過特性が安定せず、色再現性が低下するが、本発明の効果を得られることには変わりない。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明に係る固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法およびカメラは、生産安定性が非常に高く、画素を微細化することができるダイクロイックフィルタ技術として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施の形態に係る固体撮像装置の画素部分を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係るダイクロイックフィルタ１０６を製造する諸工程を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る固体撮像装置１の画素の配列を示す平面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係るダイクロイックフィルタ１０６の透過特性を示すグラフであって、（ａ）は青（Ｂ）の波長域の光を透過させるダイクロイックフィルタ１０６の透過特性を、（ｂ）は赤（Ｒ）の波長域の光を透過させるダイクロイックフィルタ１０６の透過特性を、また、（ｃ）は緑（Ｇ）の波長域の光を透過させるダイクロイックフィルタ１０６の透過特性をそれぞれ表わす。
【図５】本発明の変形例（１）に係るダイクロイックフィルタ１０６を製造する諸工程を示す図である。
【図６】従来技術に係る固体撮像装置の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３７】
１、６…………………………………固体撮像装置
１０１…………………………………Ｎ型半導体層
１０２…………………………………Ｐ型半導体層
１０３…………………………………フォトダイオード
１０４…………………………………層間絶縁膜
１０５…………………………………支持体
１０６…………………………………ダイクロイックフィルタ
１０７…………………………………遮光膜
１０８…………………………………偏光カットフィルタ
１０９…………………………………集光レンズ
２０１…………………………………二酸化シリコン膜
２０２、２０３、５０３、５０４…レジストパターン
５０１…………………………………二酸化シリコン膜
５０２…………………………………多層膜
６０１…………………………………シリコン基板
６０２…………………………………光電変換部
６１０…………………………………センサ基板
６１１…………………………………導波路
６１２、６１３………………………アルミニウム配線
６１４…………………………………層間膜
６２０…………………………………センサ基板
６２１、６２２………………………ダイクロイックフィルタ層
６２４…………………………………第１の屈折率層
６２３…………………………………第２の屈折率層
６２５…………………………………マイクロレンズ
６２６…………………………………低屈折率層
６３０…………………………………ガラス基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法およびカメラに関し、特に、カラー撮像に用いる分光技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタルカメラや携帯電話機等、固体撮像装置の適用範囲が爆発的に拡大しつつあり、様々な環境下で高い感度を実現することが求められている。
このため、例えば、ダイクロイックフィルタ（dichroic filter）を用いてカラー撮像する固体撮像装置が提案されている（特許文献１）。図６は本従来技術に係る固体撮像装置の構成を示す断面図である。
【０００３】
図６に示されるように、固体撮像装置６は、シリコン基板６０１、センサ基板６１０、光学基板６２０及びガラス基板６３０が積層されてなる。シリコン基板６０１には光電変換部６０２が設けられている。また、ガラス基板６３０は透明である。
センサ基板６１０は導波路６１１、アルミニウム配線６１２、６１３及び層間膜６１４を備えており、光学基板はダイクロイックフィルタ層６２１、６２２、第１の屈折率層６２４、第２の屈折率層６２３、マイクロレンズ６２５及び低屈折率層６２６を備えている。
【０００４】
このようにすれば、ダイクロイックフィルタ層６２１、６２２による反射光が第１の屈折率層６２４及び第２の屈折率層６２３にて隣接する画素に導かれるので、入射光の利用効率を向上させて感度を高めることができる。
【特許文献１】特開２００５−６４３８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来技術に係る固体撮像装置６は、個別に製造した光学基板とセンサ基板とを貼り合せることによって製造されるので、画素を微細化し、高画素化する際には、これらの基板を高い組み立て精度で貼り合わせなければならない。このため、画素サイズを数μｍ以下まで微細化すると、十分な歩留まりを達成することができず生産性が低下する。
【０００６】
また、上記従来技術に係る固体撮像装置６が備えるダイクロイックフィルタ層６２１、６２２については、二酸化シリコン（SiO２）や二酸化チタン（TiO２）といった材料が示されているのみであり、製造方法はおろか構成すら開示されていないので、そもそも実現性に乏しい。
本発明は、上述のような問題に鑑みて為されたものであって、ダイクロイックフィルタを用いてカラー撮像する固体撮像装置であって、画素を微細化しても高い生産性を達成することができる固体撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明に係る固体撮像装置は、単位画素が二次元状に複数配列された固体撮像装置であって、単位画素は、それぞれ入射光を光電変換する平板な光電変換領域と、光電変換領域の上方に形成され、誘電体層が積層されてなり、入射光を波長分離する平板なダイクロイックフィルタと、を備え、ダイクロイックフィルタは、その主面が光電変換領域の主面に対して斜交するように配設されることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
このようにすれば、光電変換領域を有する半導体基板上に半導体プロセスにてダイクロイックフィルタが形成されるので、高い組み立て精度を達成することができる。よって、画素を微細化して固体撮像装置を高画素化することができる。
この場合において、ダイクロイックフィルタは、λ／４多層膜にて絶縁体層を挟んでなり、λ／４多層膜は、光学膜厚を同じくすると共に屈折率を異にする２種類の誘電体層が交互に積層されてなるとしても良い。また、ダイクロイックフィルタは、絶縁体層の有無に応じて異なる波長域の入射光を透過させるとしても良く、ダイクロイックフィルタは、絶縁体層が無い場合に緑色の波長域の入射光を透過させるとすれば好適である。
【０００９】
本発明に係る固体撮像装置は、偏光カットフィルタを備え、ダイクロイックフィルタは偏光カットフィルタを経由した入射光を波長分離することを特徴とする。このようにすれば、ダイクロイックフィルタ１０６の透過特性を安定させ、色再現性の低下を防止することができる。この場合において、偏光カットフィルタは、フォトニック結晶からなるとしても良い。
【００１０】
また、ダイクロイックフィルタは、その主面が光電変換領域の主面に対して４５度斜交することを特徴とする。このようにすれば、ダイクロイックフィルタにて反射された入射光を他の画素に導くことができるので感度を向上させることができる。
本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、二次元配列された複数の単位画素がそれぞれ、入射光を光電変換する平板な光電変換領域と、光電変換領域の上方に形成され、誘電体層が積層されてなり、入射光を波長分離する平板なダイクロイックフィルタと、を備え、ダイクロイックフィルタが、その主面が光電変換領域の主面に対して斜交するように配設される固体撮像装置の製造方法であって、光電変換領域上に透光性の支持層を形成するステップと、支持層上にダイクロイックフィルタを形成するステップと、ダイクロイックフィルタ下の支持層をテーパ面として、当該テーパ面にダイクロイックフィルタを沿わせ、ダイクロイックフィルタの主面を光電変換領域の主面に対して斜交させるステップと、を含むことを特徴とする。このようにすれば、ダイクロイックフィルタを用いてカラー撮像する固体撮像装置を実現することができる。
【００１１】
本発明に係るカメラは、上述のような固体撮像装置を備えることを特徴とする。このようにすれば、ダイクロイックフィルタを用いつつ高画素で生産性の高いカメラを得ることができる。
以上述べたように、本発明によれば、ＲＧＢ色機能を有するダイクロイックフィルタを備え、生産安定性が非常に高く、画素を微細化することができる固体撮像装置を実現することできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明に係る固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及びカメラの実施の形態について、デジタルスチルカメラを例にとり、図面を参照しながら説明する。
［１］ 固体撮像装置の構成
先ず、本発明の実施の形態に係る固体撮像装置の構成について説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る固体撮像装置の画素部分の構成を示す断面図である。図１に示されるように、固体撮像装置１は、Ｎ型半導体層１０１上にＰ型半導体層１０２、層間絶縁膜１０４、偏光カットフィルタ１０８及び集光レンズ１０９が順次積層されてなる。Ｐ型半導体層１０２の層間絶縁膜１０４側にはＮ型不純物がイオン注入されてなるフォトダイオード１０３が画素毎に形成されている。隣り合うフォトダイオード１０３の間にはＰ型半導体層が介在しており、これを素子分離領域という。
【００１３】
層間絶縁膜１０４中には、遮光膜１０７、ダイクロイックフィルタ１０６及び支持体１０５が形成されており、遮光膜１０７は集光レンズ１０９を透過した光がフォトダイオード１０３に入射するのを防ぐ。
ダイクロイックフィルタ１０６は多層膜干渉フィルタとなっており、画素毎に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の何れかの波長域の光を選択的に透過させる。多層膜干渉フィルタはλ／４多層膜にてスペーサ層を挟んでなり、スペーサ層の光学膜厚に応じた波長域の光を透過させる。
【００１４】
また、λは設定波長と呼ばれ、λ／４多層膜部分の反射波長域の中心波長である。例えば、設定波長λを５５０ｎｍとすれば、λ／４多層膜を構成する誘電体層の光学膜厚は何れも１３７．５ｎｍとなる。ここで、光学膜厚とは誘電体層の物理膜厚にその屈折率を乗じて得られる指数である。
本実施の形態においては、ダイクロイックフィルタ１０６は二酸化チタン（TiO２）からなる高屈折率層と二酸化シリコン（SiO２）からなる低屈折率層との２種類の誘電体層が交互に積層されてなる。二酸化チタンと二酸化シリコンとの屈折率はそれぞれ、２．５１、１．４５なので、光学膜厚を１３７．５ｎｍとするには、二酸化チタン層と二酸化シリコン層との物理膜厚をそれぞれ５４．７ｎｍ、９４．８ｎｍとすれば良い。
【００１５】
また、スペーサ層は二酸化シリコンからなり、その物理膜厚は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の波長域の光を透過させるダイクロイックフィルタ１０６についてそれぞれ３０ｎｍ、０ｎｍ及び１３０ｎｍである。
なお、緑（Ｇ）の波長域の光を透過させるダイクロイックフィルタ１０６において物理膜厚０ｎｍのスペーサ層を挟む２層の二酸化チタン層は全体として１０９．４ｎｍの物理膜厚を有する。緑（Ｇ）の波長域の光を透過させるダイクロイックフィルタ１０６については、この二酸化チタン層をスペーサ層と称しても良い。
【００１６】
また、ダイクロイックフィルタ１０６の全体の層数、すなわち、λ／４多層膜とスペーサ層を合わせたトータルの層数は、赤（Ｒ）及び青（Ｂ）の波長域の光を透過させるダイクロイックフィルタ１０６では８層、緑（Ｇ）の波長域の光を透過させるダイクロイックフィルタ１０６では６層である。このようにすれば、ダイクロイックフィルタ１０６を容易に形成することができる。
【００１７】
支持体１０５は二酸化シリコンからなる三角柱形状の部材であって、Ｐ型半導体層１０２の主面に対して傾斜角が４５度のテーパ面を有する。ダイクロイックフィルタ１０６は当該テーパ面上に形成される。
偏光カットフィルタ１０８については後述する。
［２］ ダイクロイックフィルタ１０６の製造方法
次に、ダイクロイックフィルタ１０６の製造方法について説明する。図２はダイクロイックフィルタ１０６を製造する諸工程を示す図である。図２において、ダイクロイックフィルタ１０６の製造工程は（ａ）から（ｆ）へと進む。また、Ｎ型半導体層１０１、Ｐ型半導体層１０２、フォトダイオード１０３、遮光膜１０７、及び集光レンズ１０９は図示を省略した。
【００１８】
先ず、Ｐ型半導体層１０２上に二酸化シリコン膜２０１を形成する（図２（ａ））。
次に、二酸化シリコン膜２０１上にレジスト剤を塗布し、露光前ベーク（プリベーク）の後、ステッパなどの露光装置によって露光を行い、レジスト現像、および最終ベーク（ポストベーク）することによって、三角柱形状のレジストパターン２０２を形成する（図２（ｂ））。
【００１９】
次に、４フッ化メタン（ＣＦ4）系のエッチングガスを用い、二酸化シリコン膜２０１に物理的なエッチングを行って、支持体１０５を形成する（図２（ｃ））。
次に、Ｐ型半導体層１０２上の支持体１０５以外の領域にステッパなどの露光装置によって露光を行い、レジストパターン２０３を形成する（図２（ｄ））。
そして、スパッタ装置を用いて、支持体１０５のテーパ面上にダイクロイックフィルタ１０６を形成する（図２（ｅ））。
【００２０】
最後に、有機洗浄などでレジスト除去を行うと、ダイクロイックフィルタ１０６が得られる（図２（ｆ））。
［４］ 画素の配列
次に、本実施の形態に係る画素の配列について説明する。
図３は、本実施の形態に係る固体撮像装置１の画素の配列を示す平面図である。図３に示されるように、緑（Ｇ）、マゼンタ（Ｍｇ）、赤（Ｒ）、シアン（Ｃｙ）の波長域の光をそれぞれ受光する４画素を１単位として、画素が２次元配列される。
【００２１】
また、緑（Ｇ）と赤（Ｒ）の画素上には集光レンズ１０９が形成される一方、マゼンタ（Ｍｇ）とシアン（Ｃｙ）の画素上には集光レンズは形成されない。この集光レンズ１０９により集光された入射光のうち、緑（Ｇ）と赤（Ｒ）との波長域の光はダイクロイックフィルタ１０６を透過して、フォトダイオード１０３に入射する。
一方、それぞれ緑（Ｇ）と赤（Ｒ）との補色であるマゼンタ（Ｍｇ）とシアン（Ｃｙ）との波長域の光はダイクロイックフィルタ１０６にて反射され隣接する画素のダイクロイックフィルタ１０６に入射する。
【００２２】
［５］ ダイクロイックフィルタ１０６の透過特性
次に、ダイクロイックフィルタ１０６の透過特性について説明する。
図４は、ダイクロイックフィルタ１０６の透過特性を示すグラフであって、（ａ）は青（Ｂ）の波長域の光を透過させるダイクロイックフィルタ１０６の透過特性を、（ｂ）は赤（Ｒ）の波長域の光を透過させるダイクロイックフィルタ１０６の透過特性を、また、（ｃ）は緑（Ｇ）の波長域の光を透過させるダイクロイックフィルタ１０６の透過特性をそれぞれ表わす。
【００２３】
図４に示されるように、ダイクロイックフィルタ１０６を用いれば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の各波長域の光を分光することができる一方、ｐ波（実線）とｓ波（破線）との間で透過特性が相違する。
ここで、ｐ波とは、ダイクロイックフィルタ１０６に入射する光の電気ベクトルの振動方向が、ダイクロイックフィルタ１０６の主面内に含まれる直線偏光をいう。また、ｓ波とは、ダイクロイックフィルタ１０６に入射する光の電気ベクトルの振動方向が、ダイクロイックフィルタ１０６の主面の法線と光の進行方向である波面の法線とを含む面に垂直な直線偏光をいう。
【００２４】
赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の波長域の光を分光するダイクロイックフィルタ１０６の何れについても、ｓ波とｐ波との間でピーク波長は概ね一致するが、透過帯域幅についてはｓ波のほうがｐ波よりも狭い。
自然光にはｓ波とｐ波との両方の成分がランダムな比率で含まれるので、自然光にてカラー撮像する場合には透過特性が一定せず、色再現性が低下するおそれがある。
【００２５】
この問題を解決するためには、ｓ波若しくはｐ波の何れかをダイクロイックフィルタ１０６に入射する前に除去すれば良い。このため、本実施の形態においては、フォトニック結晶構造を有する偏光カットフィルタ１０８が層間絶縁膜１０４と集光レンズ１０９との間に設けられている。なお、フォトニック結晶構造とは屈折率の異なる材料が光の波長程度の周期で多次元的に重なり合った構造である。
【００２６】
本実施の形態において、偏光カットフィルタ１０８は二酸化チタン層と二酸化シリコン層とが交互に積層されており、何れの層も断面鋸歯形状となっている。偏光カットフィルタ１０８はダイクロイックフィルタ１０６の主面についてｐ波を透過させる一方、ｓ波を反射する。
これによって、ダイクロイックフィルタ１０６の透過特性を安定させ、色再現性の低下を防止することができる。
【００２７】
［６］ 変形例
以上、本発明を実施の形態に基づいて説明してきたが、本発明が上述の実施の形態に限定されないのは勿論であり、以下のような変形例を実施することができる。
（１） 上記実施の形態においては、ダイクロイックフィルタ１０６を形成するに先立って支持体１０５を形成する場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、これに代えて次のようにしても良い。
【００２８】
図５は、ダイクロイックフィルタ１０６の本変形例に係る製造方法による諸工程を示す図である。
先ず、Ｐ型半導体層１０２上に二酸化シリコン膜５０１を形成する（図５（ａ））。
次に、二酸化シリコン膜５０１上にダイクロイックフィルタ１０６と同じ構成の多層膜５０２を形成する（図５（ｂ））。
【００２９】
そして、通常のリソグラフィ工程によってレジストパターン５０３を形成し（図５（ｃ））、ドライエッチングなどで物理的に多層膜５０２および二酸化シリコン膜５０１を除去する（図５（ｄ））。
この場合において、多層膜５０２とＰ型半導体層１０２とに挟まれた部分の二酸化シリコン膜５０１が斜めにエッチングされるようにガスの流量や圧力を調整して、異方性エッチングを行なうと、支持体１０５のテーパ面が得られる（図５（ｅ））。
【００３０】
その後、レジストパターン５０３を除去し（図５（ｆ））、レジストパターン５０４を形成して（図５（ｇ））、多層膜５０２および二酸化シリコン膜５０１をエッチングによって除去すると、最終的にダイクロイックフィルタ１０６及び支持体１０５が得られる（図５（ｈ））。
このようにすれば、ダイクロイックフィルタ１０６が水平の状態で膜形成されるので、上記実施の形態に係る製造方法を用いるときよりも膜厚の均一性や安定性が高くなる。したがって、ダイクロイックフィルタ１０６の色分解能を飛躍的に向上させることができる。
【００３１】
（２） 上記実施の形態においては、高屈折率層の材料として二酸化チタンを用いる場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、これに代えて次のようにしても良い。すなわち、高屈折率層の材料として、二酸化チタンに代えて、窒化シリコン（Si3N4）や三酸化二タンタル（Ta2O3）、二酸化ジルコニウム（ZrO2）等、他の材料を用いても良い。また、低屈折率層の材料についても二酸化シリコン以外の材料を用いても良い。多層膜干渉フィルタに用いる材料の如何に関わらず本発明の効果を得ることができる。
【００３２】
（３） 上記実施の形態においては、ダイクロイックフィルタ１０６の全体の層数、すなわち、λ／４多層膜とスペーサ層を合わせたトータルの層数が、赤（Ｒ）及び青（Ｂ）の波長域の光を透過させるダイクロイックフィルタ１０６では８層であり、緑（Ｇ）の波長域の光を透過させるダイクロイックフィルタ１０６では６層である場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、これに代えて４層や１２層、１６層、或いはそれ以上等の層数としても良い。
【００３３】
また、スペーサ層にはλ／４多層膜の高屈折率層と同じ材料を用いても良いし、低屈折率層と同じ材料を用いても良い。また、λ／４多層膜を構成する何れの層の材料とも異なる材料を用いても良い。
（４） 上記実施の形態においては、支持体１０５の材料として二酸化シリコンを用いる場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、これに代えて二酸化シリコン以外の材料を用いても良い。材料の如何に関わらず、可視光について吸収がない透明な材料ならば、本発明の効果を得ることができる。
【００３４】
（５） 上記実施の形態においては、図３に示されるように画素を配列する場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、これに代えて他の配列を用いても良い。画素の配列の如何に関わらず本発明の効果を得ることができる。
（６） 上記実施の形態においては、固体撮像装置１に偏光カットフィルタを設ける場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、これに代えて偏光カットフィルタを設けないとしても良い。偏光カットフィルタを設けなければ、透過特性が安定せず、色再現性が低下するが、本発明の効果を得られることには変わりない。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明に係る固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法およびカメラは、生産安定性が非常に高く、画素を微細化することができるダイクロイックフィルタ技術として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施の形態に係る固体撮像装置の画素部分を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係るダイクロイックフィルタ１０６を製造する諸工程を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る固体撮像装置１の画素の配列を示す平面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係るダイクロイックフィルタ１０６の透過特性を示すグラフであって、（ａ）は青（Ｂ）の波長域の光を透過させるダイクロイックフィルタ１０６の透過特性を、（ｂ）は赤（Ｒ）の波長域の光を透過させるダイクロイックフィルタ１０６の透過特性を、また、（ｃ）は緑（Ｇ）の波長域の光を透過させるダイクロイックフィルタ１０６の透過特性をそれぞれ表わす。
【図５】本発明の変形例（１）に係るダイクロイックフィルタ１０６を製造する諸工程を示す図である。
【図６】従来技術に係る固体撮像装置の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３７】
１、６…………………………………固体撮像装置
１０１…………………………………Ｎ型半導体層
１０２…………………………………Ｐ型半導体層
１０３…………………………………フォトダイオード
１０４…………………………………層間絶縁膜
１０５…………………………………支持体
１０６…………………………………ダイクロイックフィルタ
１０７…………………………………遮光膜
１０８…………………………………偏光カットフィルタ
１０９…………………………………集光レンズ
２０１…………………………………二酸化シリコン膜
２０２、２０３、５０３、５０４…レジストパターン
５０１…………………………………二酸化シリコン膜
５０２…………………………………多層膜
６０１…………………………………シリコン基板
６０２…………………………………光電変換部
６１０…………………………………センサ基板
６１１…………………………………導波路
６１２、６１３………………………アルミニウム配線
６１４…………………………………層間膜
６２０…………………………………センサ基板
６２１、６２２………………………ダイクロイックフィルタ層
６２４…………………………………第１の屈折率層
６２３…………………………………第２の屈折率層
６２５…………………………………マイクロレンズ
６２６…………………………………低屈折率層
６３０…………………………………ガラス基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単位画素が二次元状に複数配列された固体撮像装置であって、
単位画素は、それぞれ
入射光を光電変換する平板な光電変換領域と、
光電変換領域の上方に形成され、誘電体層が積層されてなり、入射光を波長分離する平板なダイクロイックフィルタと、を備え、
ダイクロイックフィルタは、その主面が光電変換領域の主面に対して斜交するように配設される
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
ダイクロイックフィルタは、λ／４多層膜にて絶縁体層を挟んでなり、
λ／４多層膜は、光学膜厚を同じくすると共に屈折率を異にする２種類の誘電体層が交互に積層されてなる
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
ダイクロイックフィルタは、絶縁体層の有無に応じて異なる波長域の入射光を透過させる
ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
ダイクロイックフィルタは、絶縁体層が無い場合に緑色の波長域の入射光を透過させる
ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
偏光カットフィルタを備え、
ダイクロイックフィルタは偏光カットフィルタを経由した入射光を波長分離する
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
偏光カットフィルタは、フォトニック結晶からなる
ことを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
ダイクロイックフィルタは、その主面が光電変換領域の主面に対して４５度斜交する
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
二次元配列された複数の単位画素がそれぞれ、入射光を光電変換する平板な光電変換領域と、光電変換領域の上方に形成され、誘電体層が積層されてなり、入射光を波長分離する平板なダイクロイックフィルタと、を備え、ダイクロイックフィルタが、その主面が光電変換領域の主面に対して斜交するように配設される固体撮像装置の製造方法であって、
光電変換領域上に透光性の支持層を形成するステップと、
支持層上にダイクロイックフィルタを形成するステップと、
ダイクロイックフィルタ下の支持層をテーパ面として、当該テーパ面にダイクロイックフィルタを沿わせ、ダイクロイックフィルタの主面を光電変換領域の主面に対して斜交させるステップと、を含む
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜７の何れか１項に記載の固体撮像装置を備える
ことを特徴とするカメラ。
【請求項１】
単位画素が二次元状に複数配列された固体撮像装置であって、
単位画素は、それぞれ
入射光を光電変換する平板な光電変換領域と、
光電変換領域の上方に形成され、誘電体層が積層されてなり、入射光を波長分離する平板なダイクロイックフィルタと、を備え、
ダイクロイックフィルタは、その主面が光電変換領域の主面に対して斜交するように配設される
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
ダイクロイックフィルタは、λ／４多層膜にて絶縁体層を挟んでなり、
λ／４多層膜は、光学膜厚を同じくすると共に屈折率を異にする２種類の誘電体層が交互に積層されてなる
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
ダイクロイックフィルタは、絶縁体層の有無に応じて異なる波長域の入射光を透過させる
ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
ダイクロイックフィルタは、絶縁体層が無い場合に緑色の波長域の入射光を透過させる
ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
偏光カットフィルタを備え、
ダイクロイックフィルタは偏光カットフィルタを経由した入射光を波長分離する
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
偏光カットフィルタは、フォトニック結晶からなる
ことを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
ダイクロイックフィルタは、その主面が光電変換領域の主面に対して４５度斜交する
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
二次元配列された複数の単位画素がそれぞれ、入射光を光電変換する平板な光電変換領域と、光電変換領域の上方に形成され、誘電体層が積層されてなり、入射光を波長分離する平板なダイクロイックフィルタと、を備え、ダイクロイックフィルタが、その主面が光電変換領域の主面に対して斜交するように配設される固体撮像装置の製造方法であって、
光電変換領域上に透光性の支持層を形成するステップと、
支持層上にダイクロイックフィルタを形成するステップと、
ダイクロイックフィルタ下の支持層をテーパ面として、当該テーパ面にダイクロイックフィルタを沿わせ、ダイクロイックフィルタの主面を光電変換領域の主面に対して斜交させるステップと、を含む
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜７の何れか１項に記載の固体撮像装置を備える
ことを特徴とするカメラ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００８−６０３２３（Ｐ２００８−６０３２３Ａ）
【公開日】平成２０年３月１３日（２００８．３．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２３５５１５（Ｐ２００６−２３５５１５）
【出願日】平成１８年８月３１日（２００６．８．３１）
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年３月１３日（２００８．３．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年８月３１日（２００６．８．３１）
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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