固定された導電性ビアおよびその製造方法
【課題】導電性ビアおよびそれを形成する方法に関する。
【解決手段】導電性ビアが、導電性接触構造と該導電性接触構造上に配置された誘電体層の突出部との間に配置された部分を含む。１つの実施形態において、突出部は、導電性接触構造上にアンダーカット層を形成し、次に、該導電性接触構造およびアンダーカット層上に誘電体層を形成することによって形成される。誘電体層に空洞を形成し、誘電体層の突出部を形成するようにアンダーカット層の材料が該空洞を通して除去される。導電性ビアの導電性材料は次に、突出部の下および空洞に形成される。
【解決手段】導電性ビアが、導電性接触構造と該導電性接触構造上に配置された誘電体層の突出部との間に配置された部分を含む。１つの実施形態において、突出部は、導電性接触構造上にアンダーカット層を形成し、次に、該導電性接触構造およびアンダーカット層上に誘電体層を形成することによって形成される。誘電体層に空洞を形成し、誘電体層の突出部を形成するようにアンダーカット層の材料が該空洞を通して除去される。導電性ビアの導電性材料は次に、突出部の下および空洞に形成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体処理一般に関し、より詳細には固定された導電性ビアおよびそれを形成する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体処理において、金属層の下面への付着が、半導体パッケージによる機械的応力または熱応力に対する十分な耐性を有しないことがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第５６１９０７１号明細書
【特許文献２】米国特許第６５３１３８４号明細書
【特許文献３】米国特許第７１９００７８号明細書
【特許文献４】米国特許出願公開第２００５／１２１８０３号明細書
【特許文献５】米国特許出願公開第２０１０／１９３９５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のように、金属層の下面への付着が不十分であることにより、金属層が下面からリフトオフまたは分離することがある。このリフトオフまたは分離が、例えば、電気的開回路または、湿気あるいは汚染物の侵入経路を生じる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
１つの実施形態において、下にある金属パッドに対する導電性ビアの付着を改良するために、固定された導電性ビアが金属パッド上に形成される。１つの実施形態において、金属パッド上に誘電体層が形成され、誘電体に空洞が形成され、金属パッド上に誘電体層の突出部を生じる。次に、導電性ビアを形成するために、空洞には導電性材料が少なくとも部分的に充填され、ここで、誘電体の突出部の下に広がる導電性ビアのアンカー部分を形成するために、導電性材料は突出部の下に充填される。このように、アンカー部分が、下にある金属パッドに対する導電性ビアの改良された付着を可能にし得る。１つの実施形態、導電性材料は、導電性材料が誘電体の突出部に圧力をかけるような引張内部応力を有するように形成される。このように、誘電体層と導電性ビアとの間の間隙がさらに減少され得る。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本発明の一実施形態による処理工程における半導体構造１０を示す断面図。
【図２】本発明の一実施形態による、図１に示した処理工程よりも後の工程における半導体構造１０を示す断面図。
【図３】本発明の一実施形態による、図２に示した処理工程よりも後の工程における半導体構造１０を示す断面図。
【図４】本発明の一実施形態による、図３に示した処理工程よりも後の工程における半導体構造１０を示す断面図。
【図５】本発明の一実施形態による、図４に示した処理工程よりも後の工程における半導体構造１０を示す断面図。
【図６】本発明の一実施形態による処理工程における半導体構造１００を示す断面図。
【図７】本発明の一実施形態による、図６に示した処理工程よりも後の工程における半導体構造１００を示す断面図。
【図８】本発明の一実施形態による、図７に示した処理工程よりも後の工程における半導体構造１００を示す断面図。
【図９】本発明の一実施形態による、図８に示した処理工程よりも後の工程における半導体構造１００を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
本発明は例示の方法により説明されており、添付の図面により限定されるものではなく、図面において、同様の参照符号は類似の要素を示す。図中の要素は簡潔かつ明確に説明されており、必ずしも寸法通りに描かれていない。
【０００８】
図１は、本発明の１つの実施形態による、複数の相互接続層１４および最終金属層１２を備えたデバイス構造１６を有する半導体構造１０を示している。デバイス構造１６は集積回路の一部やウェハまたは仕掛品の一部であってもよい。最終金属層１２には、デバイス構造１６の上面にある金属パッド２６および金属パッド２８を含む。金属パッド２６および２８は、例えば、銅またはアルミニウムのような金属から形成され得る。金属パッド２６および２８の各々は導電性接触構造として称されてもよい。相互接続層１４には、最終金属層１２と相互接続層１４の下のデバイス構造１６内部のデバイスとの間の電気的信号の伝達に用いられ得るいかなる相互接続層を含んでもよい。相互接続部１４は、導電性相互接続部１８，２０および導電性ビア２２，２４を有する。導電性ビア２２は導電性相互接続部１８を金属パッド２６に電気的に接続し、導電性ビア２４は導電性相互接続部２０を金属パッド２８に電気的に接続する。相互接続層１４の導電性部分（例えば、導電性ビア２２，２４および導電性接続部１８，２０）は、例えば、銅またはアルミニウムのような金属から形成され得る。デバイス構造１６は、金属１２および相互接続層１４の導電性部分を囲まれる層間誘電体（ＩＬＤ）３０を有する。代替実施形態を参照して以下に記載されるように、追加的相互接続層は金属層１２の後に形成され得る場合には、金属１２は最終金属層ではないことがある。
【０００９】
図１を再び参照する。半導体構造１０はデバイス構造１６上に（金属パッド２６，２８上かつＩＬＤ３０上に）形成されたアンダーカット層３２を含む。金属パッド２６，２８の各々が導電性材料の上面を有し、アンダーカット層３２は金属パッド２６，２８と異なる材料である。１つの実施形態において、アンダーカット層３２は、例えば、二酸化ケイ素のような誘電材料であってよい。また、１つの実施形態において、アンダーカット層３２は層間誘電体３０と異なる誘電体材料から形成され得る。半導体構造１０は、アンダーカット層３２上に形成されたパッシベーション層３４をも有する。パッシベーション層３４は誘電体層として称されてもよく、任意の適切な誘電材料を含んでなることが可能である。１つの実施形態において、アンダーカット層３２は、上のパッシベーション層３４および下の最終金属層１２に付着する付着層である。デバイス構造１６のデバイスは任意のタイプであってよく、任意のタイプの半導体基板に形成され得る。例えば、半導体基板が、ガリウムヒ素、シリコンゲルマニウム、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）、シリコン、単結晶シリコン、またはこれらのものの組み合わせのような任意の半導体材料または材料の組み合わせを含んでもよい。また、１つの実施形態において、アンダーカット層３２は、導電性接触構造の外側（金属パッド２６，２８の外側）のデバイス構造（仕掛品の一部であってもよい）の表面の領域に形成される。同様に、パッシベーション層３４も、導電性接触構造の外側のデバイス構造１６の表面の領域上に形成され得る。
【００１０】
図２は、本発明の１つの実施形態により、図１の半導体構造１０に対して、それぞれの金属パッド２６および金属パッド２８上のパッシベーション層３４に開口３６，３８を形成した後の状態を示す。１つの実施形態において、金属パッド２６，２８上のアンダーカット層３２を露出するために、パッシベーション層３４全体のエッチングが実行される。したがって、開口３６，３８の各々（それぞれの金属パッド２６，２８上にある）がアンダーカット層３２の下にある部分を露出する。
【００１１】
図３は本発明の１つの実施形態により、図２の半導体構造１０に対して、それぞれの金属パッド２６，２８を露出するために空洞３６，３８を拡張した後の状態を示す。空洞３６，３８は、ぞれぞれの下にある金属パッド２６，２８を露出するように形成され、空洞３６，３８の各々に隣接するパッシベーション層３４の突出部を生じる。例えば、１つの実施形態において、等方的なエッチングは、パッシベーション層３４を除去するように空洞３６，３８の各々の内側のアンダーカット層３２の部分が除去されるように実行される。（よって、アンダーカット層３２は、パッシベーション層３４に対して選択的にエッチングされ得る材料である。）このように、パッシベーション層３４は、空洞３６に隣接する突出部４０および、空洞３８に隣接する突出部４２を有する。よって、空洞は、金属パッド２８とパッシベーション層３４との間に配置される下部であって、パッシベーション層３４内にある上部より広い開口を有する下部を有する。図３に示すように、金属パッド２６，２８の上面はそれぞれの空洞３６，３８によって露出される。ここで、パッシベーション層３４がそれぞれの空洞３６，３８に隣接する突出部４０，４２を有するようにアンダーカット層３２の部分の除去によって形成された空洞はパッシベーション層３４における開口より広い。また、空洞３６，３８を拡張した後、金属パッド２６および２８を囲むアンダーカット層３２の一部が残る。
【００１２】
図４は、本発明の１つの実施形態により図３の半導体構造１０において、空洞３６，３８に導電性材料を充填した後の状態を示す。１つの実施形態において、導電性材料４４は、アンダーカット層３２によって形成された除去部を充填するように導電性材料４４（導電性充填材料とも称される）は空洞３６に形成される。すなわち、導電性材料４４は、金属パッド２６上に、かつパッシベーション層３４の突出部４０の下に形成される。同様に、導電性材料４６を、金属パッド２８上に、かつパッシベーション層３４の突出部４２の下に形成するように、導電性材料４６がアンダーカット層３４の除去部を充填する。１つの実施形態において、導電性材料４４および４６の各々が、ニッケル、アルミニウム、または銅のような金属を含む。１つの実施形態において、導電性材料４４，４６の各々が８５重量％以上のニッケル含量を有する。１つの実施形態において、導電性材料４４，４６は、空洞３６および３８内への金属の無電解メッキ処理によって形成されたメッキ金属である。図示された実施形態において、導電性材料４４，４６は、導電性材料４４，４６がパッシベーション層３４の上面に溢れて空洞３６，３８の各々を囲むように形成される。しかしながら、代替の実施形態において、導電性材料４４，４６は、導電性材料４４，４６がパッシベーション層３４の上面と同一平面にあるまたはパッシベーション層３４の上面よりも下にあるように形成され得る。すなわち、導電性材料４４，４６がアンダーカット層３２の除去によって形成された空洞を充填し、パッシベーション層３４内の開口３６，３８を少なくとも部分的に充填する。よって、導電性材料４４および４６の各々が、パッシベーション層３４の突出部の下の位置を充填することによって固定された導電性ビアを形成することが理解され得る。
【００１３】
また、１つの実施形態において、導電性材料４４，４６は、導電性材料４４，４６が内部引張応力を有するように形成される。このように、パッシベーション層３４を囲まれる導電性材料４４の部分がパッシベーション層３４を挟むようにパッシベーション層３４の突出部４０に圧力を加えるように導電性材料が収縮する。例えば、突出部４０と金属パッド２６との間の導電性材料４４が突出部４０に上方向の圧力を与え、パッシベーション層３４の上面に重なる導電性材料４４が下方向の圧力をパッシベーション層３４の下面に与える。同様に、導電性材料４２がパッシベーション層３４を挟むように導電性材料４６はパッシベーション層３４の突出部４２に圧力を加える。導電性材料４４および４６がパッシベーション層３４の上面に重ならない場合であっても、改良された付着は、パッシベーション層３４の突出部に導電性材料によって加えられた上方向の圧力によって達成される。また、内部引張応力によって与えられた圧力が、導電性材料４４および４６とパッシベーション層３４との間に存在し得る空隙を減少することを促進する。１つの実施形態において、無電解メッキ処理の間、５〜１０重量％の範囲でメッキ溶液にリン含量を有することによって、もしくは、メッキ溶液のｐＨを４以上に調整することによって、または一平方デシメートル当たり３アンペア（Ａ／ｄｍ２）以下の電流密度を有するメッキ処理によって、またはこれらの方法の組み合わせによって内部引張応力が達成される。１つの実施形態において、半導体構造１０の製造工程は、集積回路の一部およびウェハから単品化または後にパッケージすることをもって完成され得る。
【００１４】
図５は、金属層１２がデバイス構造１６の最終金属層ではない１つの実施形態にしたがって、追加的相互接続層が金属層１２上に形成される半導体構造１０を示している。例えば、上記のように、金属層１２は中間金属層であってよく、ここで、固定された導電性ビアは、例えば、中間金属層との間の付着を改良するために形成される。図５の実施形態において、相互接続層５４はパッシベーション層３４上にかつ導電性ビア４４，４６上に形成される。（１つの実施形態において、空洞３６および３８に導電性材料を充填した後、例えば、化学機械研磨（ＣＭＰ）の実行によって平坦化の工程を実施し得る。）相互接続層５４が、それぞれの導電性ビア４４および４６と電気的にコンタクトする（すなわち、電気的に導通する）導電性相互接続部４８および５０を有するパターン化された金属層および導電性相互接続部との間に、層間誘電体（ＩＬＤ）５２を含む。そして、集積回路に必要の相互接続層が形成されるまで、後の処理を続けてもよい。
【００１５】
図６は、本発明の１つの実施形態による構造１００を示す。構造１００がデバイス構造１６を含む（構造１００のデバイス構造１６は構造１０のデバイス構造１６と類似し、したがって、構造１０のデバイス構造１６および同一符号を有する要素に対する上述のすべての記載を図６〜９に適用する）。構造１００は、金属パッド２６上に物理的に分離された第１の物理的分離構造６０および金属パッド２８上に第２物理的分離構造を有するアンダーカット材料のパターニングされた層を有する。アンダーカット材料のパターン化された層が、金属層１２に必要とされるいかなる数量の、アンダーカット材料の物理的分離構造を有してもよい。また、物理的分離構造６０，６２は、アンダーカット層部分６０，６２とも称され得る。１つの実施形態において、アンダーカット層部分６０，６２のパターニングされた層（例えば、アンダーカット層部分６０およびアンダーカット層部分６２）が、金属パッド２６，２８の上面の導電性材料とは異なる材料を含んでなる。１つの実施形態において、アンダーカット材料のパターニングされた層は、例えば、シリコン酸化物またはシリコン窒化物のような誘電体材料を含んでなる。あるいは、アンダーカット層部分が、例えば、アルミニウムのような導電性材料を含んでもよい。この実施形態において、アンダーカット材料の導電性材料は、金属パッド２６および２８のアンダーカット材料と異なる材料であってよい。１つの実施形態において、アンダーカット材料のパターニングされた層の形成は、デバイス構造１６（仕掛品の一部であってよい）の表面上にアンダーカット層を形成することを含み、ここで、アンダーカット層は、導電性接触構造（例えば、金属パッド２６，２８）外部のデバイス構造１６の領域上に形成される。後に、アンダーカット層はそれぞれの金属パッド２６，２８上に物理的分離構造６０，６２を形成するためにパターニングされ得る。
【００１６】
再び図６を参照する。パッシベーション層６４（誘電体層とも称される）はアンダーカット材料をパターニングした層の上に形成される。すなわち、パッシベーション層６４はアンダーカット層部分６０，６２、金属層１２、かつ金属パッド２６および２８の上方に形成される。パッシベーション層６４は複数の誘電体層を用いて形成されてもよく、任意の適切な誘電体材料を含んでもよい。また、パッシベーション層６４は、各物理的分離構造６０，６２のすべての周辺部を囲む。
【００１７】
図７は、本発明の１つの実施形態により、図６の構造１００に対して、それぞれの金属パッド２６および金属パッド２８上のパッシベーション層６４に開口６６，６８を形成した後の状態を示す。１つの実施形態において、金属パッド２６上のアンダーカット層部分６０および金属パッド２８上のアンダーカット層部分６２を露出するために、エッチングはパッシベーション層６４を貫通するように実行される。よって、空洞６６および６８の各々がアンダーカット材料のパターニングされた層の下にある部分を露出する。
【００１８】
図８は、本発明の１つの実施形態により、図７の構造１００に対して、それぞれの金属パッド２６，２８を露出するために、空洞６６，６８を拡張した後の状態を示す。空洞６６，６８は、それぞれの下方にある金属パッド２６，２８を露出するように形成され、空洞６６，６８の各々に隣接するパッシベーション層６４の突出部を生じる。例えば、１つの実施形態において、等方的なエッチングは、パッシベーション層６４を除去するために空洞６６内のアンダーカット層部分６０のすべてまたは一部および空洞６８内のアンダーカット層部分６２のすべてまたは一部を除去するように実行される。（よって、アンダーカット材料のパターニングされた層が、パッシベーション層６４に対して選択エッチングされ得る材料を含む。）このように、パッシベーション層６４が、空洞６６に隣接する突出部７０および空洞６８に隣接する突出部７２を有する。よって、空洞６６は、金属パッド２６と突出部７０との間に配置される下部であって、パッシベーション層６４内にある上部より広い開口を有した下部を有する。図８に示されるように、金属パッド２６，２８の上面はそれぞれの空洞６６，６８によって露出される。ここで、アンダーカット層部分６０および６２の除去によって形成された空洞の各々はパッシベーション６４にある対応する開口より広く、パッシベーション層６４は、それぞれの空洞６６，６８に隣接する突出部７０，７２を有する。
【００１９】
図９は、本発明の１つの実施形態により、図８の構造１００に対して、空洞６６，６８に導電性材料を充填した後の状態を示す。１つの実施形態において、アンダーカット層部分６０によって形成された除去部を導電性材料４４が充填するように導電性材料７４（導電性充填材料とも称される）が空洞６６に形成される。すなわち、導電性材料７４は、金属パッド２６上のパッシベーション層６４の突出部の下に形成される。同様に、導電性材料７６は金属パッド２８上のパッシベーション層６４の突出部７２の下に形成されるように、アンダーカット層部分６２によって形成された除去部を導電性材料７６が充填するように導電性材料７４が空洞６８に形成される。１つの実施形態において、導電性材料７４，７６の各々が、ニッケル、アルミニウム、または銅などの金属を含む。１つの実施形態において、導電性材料７４，７６の各々が８５重量％以上のニッケル含量を有する。１つの実施形態において、導電性材料７４，７６は、空洞６６，６８内への金属の無電解メッキ処理によって形成されるメッキ金属である。図示された実施形態において、導電性材料７４，７６は、導電性材料７４，７６が空洞６６，６８の各々を囲むパッシベーション層６４の上面から溢れるように形成される。しかしながら、代替の実施形態において、導電性材料７４，７６は、パッシベーション層６４の上面と同一平面にあるか、またはパッシベーション層６４の上面よりも下方にあるように形成される。すなわち、導電性材料７４，７６が、アンダーカット層部分６０，６２の除去によって形成された空洞を充填し、パッシベーション層６４内の空洞６６，６８を少なくとも部分的に充填する。よって、導電性材料７４，７６がパッシベーション層６４の突出部の下の位置を充填することによって固定された導電性ビアを形成する。
【００２０】
また、１つの実施形態において、導電性材料７４，７６は、内部引張応力を有するように形成される。これによると、突出部７０と金属パッド２６との間の導電性材料７４が突出部に上方向の圧力を与え、パッシベーション層６４の上面に重なる導電性材料７４がパッシベーション層６４の上面に下方向の圧力を与える。導電性材料７６についても同様である。導電性材料７４，７６がパッシベーション層６４の上面と重ならない場合においても、改良された付着は、パッシベーション層６４の突出部に導電性材料によって与えられた上方向の圧力によって達成される。また、内部引張応力によって与えられた圧力は、導電性材料７４，７６とパッシベーション層６４との間に存在し得る任意の間隙を減少することを促進し得る。１つの実施形態において、無電解メッキ処理の間、５〜１０重量％の範囲のメッキ溶液のリン含量を有することによって、もしくは、メッキ溶液のｐＨを４以上に調整することによって、または１平方デシメトル当たり３アンペア（Ａ／ｄｍ２）以下の電流密度を有するメッキ処理によって、またはこれらの方法の組み合わせによって内部引張応力が達成される。１つの実施形態において、構造１００の処理は、構造１００が集積回路の部分またはウェハから単品化または後にパッケージされるように完成し得る。あるいは、追加的相互接続層は構造１００に形成されてもよく、上述記載されるように、例えば、構造１０に対して図５の例を参照する。
【００２１】
よって、図１〜９の実施形態が、最高地点を有した主要上面を有する導電性接触構造（例えば、金属パッド２６）、該主要上面上に配置され、該主要上面上に突出部（例えば、部分４０、４２、７０、または７２）を含む誘電体層（例えば、パッシベーション層３４または６４）を有する集積回路を形成し得ることを理解されるべきである。突出部が空洞（例えば、空洞３６，３８，６６，６８）を画定し、突出部は、主要上面の最高地点が存在する水平方向の平面から縦方向に分離された下方の平坦表面を有する。集積回路が、導電性接触構造と電気的に導通する導電性材料構造（例えば、導電性充填材料４４、４６、７４、または７６）をさらに含んでもよい。導電性材料が、突出部の下の平坦表面と導電性接触構造の主要上面との間に縦方向に配置された第１部分を含む。すなわち、導電性材料が、突出部の下におよびアンダーカット層（例えば、アンダーカット層３２またはアンダーカット層部分６０または６２）の除去によって形成されたアンダーカット領域内に配置される第１部分を含んでもよい。導電性材料構造も、突出部によって画定された空洞を少なくとも部分的に充填する（この空洞は、例えば、パッシベーション層３４における空洞３６または３８またはパッシベーション６４における空洞６６または６８であってよい）第２部分を含んでもよい。
【００２２】
この時点において、改良された付着および間隙の減少を生じ得る固定された導電性ビアを形成する方法が提供された。１つの実施形態において、露出された金属パッド上に空洞に隣接するパッシベーション層の突出部を形成するために、パッシベーション層下のアンダーカット材料の層は選択的にエッチングされる。導電性材料が金属パッドとパッシベーション層の突出部との間の空間を充填するように導電性材料は次に、空洞およびアンダーカットに形成される。この充填されたアンダーカットが導電性ビアにアンカーを提供し、該アンカーが下にある金属パッドを介して導電性ビアにの付着の維持を役に立つ。また、導電性材料は、導電材料が内部引張応力を有するように形成され得る。
【００２３】
さらに、明細書及び特許請求の範囲において、「前方」、「後方」、「上方」、「下方」、「上に」、「下に」など用語が、もしあるとすれば、説明の目的で用いられているが、これは必ずしも恒久的な相対関係を説明するものではない。これらのそのように用いられた用語は、適切な状況下においては交換可能であり、本明細書において説明される発明の実施形態は、例えば、明細書において図示または説明されたもの以外の位置づけによる動作が可能である。
【００２４】
前述の詳細な説明は、具体的な例示の実施の形態を参照しながら本発明を説明するものである。しかし、添付の特許請求の範囲で定義された本発明の範囲から逸脱することなく様々な修正及び変更が加えられ得ることが理解されよう。詳細な説明及び添付図面は限定するものではなく、単に例示とみなされるべきであり、そのような修正又は変更は、すべて本明細書で説明され定義された本発明の範囲内に入るものとする。以上、具体的な実施例に関して、利益、他の利点、及び問題の解決方法について説明してきたが、利益、利点、問題の解決方法、及びこうした利益、利点、問題 の解決方法をもたらし、又はより顕著なものにする構成要素は、全ての請求項又は何れかの請求項において重要とされ、要求され、不可欠とされる機能や構成要 素であるとみなされるべきではない。
【００２５】
特に明記しない限り、「第１」及び「第２」等の用語は、そのような用語が述べる要素間を任意に区別するために用いる。従って、これらの用語は、必ずしもそのような要素の時間的な又は他の優先順位付けを示そうとするものではない。
【００２６】
以下に本発明の様々な実施形態を記載する。
項目１は、導電性ビアを形成するための方法において、
導電性材料の表面を有する導電性接触構造を形成するステップと、
前記導電性接触構造上に、前記導電性材料の表面と異なる材料からなるアンダーカット層を形成するステップと、
前記アンダーカット層の上方、かつ前記導電性接触構造の上方に、誘電体層を形成するステップであって、前記アンダーカット層は前記誘電体層と前記導電性接触構造との間に配置される、誘電体層を形成するステップと、
前記導電性接触構造の上方にある前記誘電体層に開口を形成するステップと、
前記誘電体層における前記開口を通してアンダーカット層の材料を除去するステップであって、前記導電性接触構造の表面が前記誘電体層の前記開口を通して露出され、かつ前記誘電体層が前記導電性接触構造の上方において前記誘電体層の前記開口に隣接する突出部を有することによって前記アンダーカット層の前記材料を除去することによって形成された空洞の幅は前記誘電体層の開口より広い、前記誘電体層の前記開口を通してアンダーカット層の材料を除去するステップと、
前記アンダーカット材料の除去によって形成された空洞を充填し、前記誘電体層の開口に導電性充填材料を少なくとも部分的に充填するステップであって、
前記充填することによって前記導電性充填材料を前記誘電体層の突出部と前記導電性接触構造との間に設ける、前記アンダーカット材料の除去によって形成された空洞を充填し、前記誘電体層の開口に導電性充填材料を少なくとも部分的に充填するステップとを備える方法に関する。項目２は項目１の方法において、アンダーカット材料は誘電体材料であることを特徴とする。項目３は項目１の方法において、アンダーカット材料が二酸化ケイ素を含有することを特徴する。項目４は、項目３の方法において、誘電体材料が窒化ケイ素を含んでなることを特徴とする。項目５は、請求項１の方法において、前記アンダーカット層の材料を除去するステップが、前記誘電体材料をエッチングする選択性を持たず、かつ前記アンダーカット材料に対して選択的なエッチング化学を有する等方性エッチングを用いるステップを含むことを特徴とする。項目６は項目２の方法において、前記アンダーカット層を形成するステップが、仕掛品の表面上にアンダーカット層を形成するステップであって、前記仕掛品が前記導電性接触構造を有し、前記仕掛品の表面上にアンダーカット層を形成するステップでは、前記導電性接触構造の外側の領域に前記アンダーカット層を形成するステップを含む、仕掛品の表面上にアンダーカット層を形成するステップを含み、前記誘電体層を形成するステップが、前記導電性接触構造の外側の前記領域における前記アンダーカット層上に前記誘電体層を形成するステップを含み、前記アンダーカット層の材料を除去するステップにおいて、少なくともいくつかの前記領域に前記アンダーカット層の材料を残すことを特徴とする。項目７は、項目６の方法において、該アンダーカット層の材料が、該仕掛品の表面に該誘電体層を付着させるための付着層として機能することを特徴とする。項目８は項目１の方法において、前記アンダーカット層を形成するステップが、仕掛品の表面上にアンダーカット層を形成するステップであって、前記仕掛品が前記導電性接触構造を有し、前記仕掛品の表面上にアンダーカット層を形成するステップでは、前記導電性接触構造の外側の領域に前記アンダーカット層を形成するステップを含む、仕掛品の表面上にアンダーカット層を形成するステップを含み、前記アンダーカット層を形成するステップが、前記導電性接触構造の上方に前記アンダーカット層の物理的に離隔された物理的離隔構造を形成するために前記アンダーカット層をパターニングするステップを含み、前記誘電体層を形成するステップは、前記誘電体層が前記物理的離隔構造のすべての側部を囲むように前記物理的離隔構造上に誘電体層を形成するステップであって、前記物理的離隔構造の幅は前記誘電体層の前記開口より広い、前記物理的離隔構造上に誘電体層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする。項目９は項目８において、該アンダーカット層の材料を除去するステップが、物理的分離構造のすべての材料を除去するステップを含むことを特徴とする。項目１０は項目１の方法において、該誘電体層はパッシベーション層であり、該導電性接触構造は、集積回路の最終金属層に配置された導電性構造であることを特徴とする。項目１１は項目１の方法において、空洞を充填するステップは、突出部に上方向の圧力を与えるために導電性充填材料が内部引張応力を有するように実行される。項目１２は項目１１の方法において、前記開口を少なくとも部分的に充填するステップにおいて、前記誘電体層の上面の上方まで前記開口に前記導電性充填材料を充填し、前記誘電体層の前記開口に隣接する領域で前記誘電体層の前記上面に下向き圧力を与えるべく前記導電性充填材料は内部引張応力を有するように、前記誘電体層の前記開口に隣接する前記誘電体層の上面の領域に前記導電性充填材料を形成する。項目１３は項目１の方法において、空洞を充填し、開口を少なくとも部分的に充填するステップは該導電性材料のメッキ処理によって実行される。項目１４は項目１の方法において、空洞を充填し、開口を少なくとも部分的に充填するステップは導電性材料の無電解メッキ処理によって実行される。項目１５は項目１の方法において、導電性材料が少なくとも８５．０重量％のニッケル含量を有する。項目１６は項目１の方法において、導電性材料が５〜１０重量％の範囲のリン含量を有する。項目１７は項目１の方法において、空洞を充填し、開口を少なくとも部分的に充填するステップは、４．０以上のｐＨレベルを有するメッキ溶液を用いるメッキ処理によって実行される。項目１８は項目１の方法において、該空洞を充填し、該空洞を少なくとも部分的に充填するステップは、平方デシメトル当たり３．０アンペアの電流密度を有するメッキ処理によって実行される。項目１９は項目１の方法において、前記開口を少なくとも部分的に充填するステップが、前記空洞の前記上面よりも上方まで前記開口を充填するステップを含み、前記方法が、
前記誘電体材料の前記上面および前記導電性充填材料を平坦化するステップと、
前記方法が、平坦化された導電性充填材料と導通する前記平坦化された導電性充填材料の上面上に導電性構造を形成するステップとをさらに備えることを特徴とする。
【００２７】
項目２０は、最高地点を有する主要上面を有する導電性接触構造と、
前記主要上面上に配置された誘電体層であって、前記誘電体層が前記主要上面上に設けられた突出部を有し、前記突出部は開口を画定するとともに前記主要上面の最高地点が存在する水平面から縦方向に分離された平坦な底面を有する、誘電体層と、
前記導電性接触構造と導通する導電性材料構造であって、
前記導電性材料構造は、前記突出部の平坦な底面と前記導電性接触構造の主要表面との間に垂直方向に延伸する第１部分と、前記突出部によって画定された前記開口を少なくとも部分的に充填する第２部分とを有する、導電性材料構造と、
を備える、集積回路を要旨とする。
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体処理一般に関し、より詳細には固定された導電性ビアおよびそれを形成する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体処理において、金属層の下面への付着が、半導体パッケージによる機械的応力または熱応力に対する十分な耐性を有しないことがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第５６１９０７１号明細書
【特許文献２】米国特許第６５３１３８４号明細書
【特許文献３】米国特許第７１９００７８号明細書
【特許文献４】米国特許出願公開第２００５／１２１８０３号明細書
【特許文献５】米国特許出願公開第２０１０／１９３９５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のように、金属層の下面への付着が不十分であることにより、金属層が下面からリフトオフまたは分離することがある。このリフトオフまたは分離が、例えば、電気的開回路または、湿気あるいは汚染物の侵入経路を生じる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
１つの実施形態において、下にある金属パッドに対する導電性ビアの付着を改良するために、固定された導電性ビアが金属パッド上に形成される。１つの実施形態において、金属パッド上に誘電体層が形成され、誘電体に空洞が形成され、金属パッド上に誘電体層の突出部を生じる。次に、導電性ビアを形成するために、空洞には導電性材料が少なくとも部分的に充填され、ここで、誘電体の突出部の下に広がる導電性ビアのアンカー部分を形成するために、導電性材料は突出部の下に充填される。このように、アンカー部分が、下にある金属パッドに対する導電性ビアの改良された付着を可能にし得る。１つの実施形態、導電性材料は、導電性材料が誘電体の突出部に圧力をかけるような引張内部応力を有するように形成される。このように、誘電体層と導電性ビアとの間の間隙がさらに減少され得る。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本発明の一実施形態による処理工程における半導体構造１０を示す断面図。
【図２】本発明の一実施形態による、図１に示した処理工程よりも後の工程における半導体構造１０を示す断面図。
【図３】本発明の一実施形態による、図２に示した処理工程よりも後の工程における半導体構造１０を示す断面図。
【図４】本発明の一実施形態による、図３に示した処理工程よりも後の工程における半導体構造１０を示す断面図。
【図５】本発明の一実施形態による、図４に示した処理工程よりも後の工程における半導体構造１０を示す断面図。
【図６】本発明の一実施形態による処理工程における半導体構造１００を示す断面図。
【図７】本発明の一実施形態による、図６に示した処理工程よりも後の工程における半導体構造１００を示す断面図。
【図８】本発明の一実施形態による、図７に示した処理工程よりも後の工程における半導体構造１００を示す断面図。
【図９】本発明の一実施形態による、図８に示した処理工程よりも後の工程における半導体構造１００を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
本発明は例示の方法により説明されており、添付の図面により限定されるものではなく、図面において、同様の参照符号は類似の要素を示す。図中の要素は簡潔かつ明確に説明されており、必ずしも寸法通りに描かれていない。
【０００８】
図１は、本発明の１つの実施形態による、複数の相互接続層１４および最終金属層１２を備えたデバイス構造１６を有する半導体構造１０を示している。デバイス構造１６は集積回路の一部やウェハまたは仕掛品の一部であってもよい。最終金属層１２には、デバイス構造１６の上面にある金属パッド２６および金属パッド２８を含む。金属パッド２６および２８は、例えば、銅またはアルミニウムのような金属から形成され得る。金属パッド２６および２８の各々は導電性接触構造として称されてもよい。相互接続層１４には、最終金属層１２と相互接続層１４の下のデバイス構造１６内部のデバイスとの間の電気的信号の伝達に用いられ得るいかなる相互接続層を含んでもよい。相互接続部１４は、導電性相互接続部１８，２０および導電性ビア２２，２４を有する。導電性ビア２２は導電性相互接続部１８を金属パッド２６に電気的に接続し、導電性ビア２４は導電性相互接続部２０を金属パッド２８に電気的に接続する。相互接続層１４の導電性部分（例えば、導電性ビア２２，２４および導電性接続部１８，２０）は、例えば、銅またはアルミニウムのような金属から形成され得る。デバイス構造１６は、金属１２および相互接続層１４の導電性部分を囲まれる層間誘電体（ＩＬＤ）３０を有する。代替実施形態を参照して以下に記載されるように、追加的相互接続層は金属層１２の後に形成され得る場合には、金属１２は最終金属層ではないことがある。
【０００９】
図１を再び参照する。半導体構造１０はデバイス構造１６上に（金属パッド２６，２８上かつＩＬＤ３０上に）形成されたアンダーカット層３２を含む。金属パッド２６，２８の各々が導電性材料の上面を有し、アンダーカット層３２は金属パッド２６，２８と異なる材料である。１つの実施形態において、アンダーカット層３２は、例えば、二酸化ケイ素のような誘電材料であってよい。また、１つの実施形態において、アンダーカット層３２は層間誘電体３０と異なる誘電体材料から形成され得る。半導体構造１０は、アンダーカット層３２上に形成されたパッシベーション層３４をも有する。パッシベーション層３４は誘電体層として称されてもよく、任意の適切な誘電材料を含んでなることが可能である。１つの実施形態において、アンダーカット層３２は、上のパッシベーション層３４および下の最終金属層１２に付着する付着層である。デバイス構造１６のデバイスは任意のタイプであってよく、任意のタイプの半導体基板に形成され得る。例えば、半導体基板が、ガリウムヒ素、シリコンゲルマニウム、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）、シリコン、単結晶シリコン、またはこれらのものの組み合わせのような任意の半導体材料または材料の組み合わせを含んでもよい。また、１つの実施形態において、アンダーカット層３２は、導電性接触構造の外側（金属パッド２６，２８の外側）のデバイス構造（仕掛品の一部であってもよい）の表面の領域に形成される。同様に、パッシベーション層３４も、導電性接触構造の外側のデバイス構造１６の表面の領域上に形成され得る。
【００１０】
図２は、本発明の１つの実施形態により、図１の半導体構造１０に対して、それぞれの金属パッド２６および金属パッド２８上のパッシベーション層３４に開口３６，３８を形成した後の状態を示す。１つの実施形態において、金属パッド２６，２８上のアンダーカット層３２を露出するために、パッシベーション層３４全体のエッチングが実行される。したがって、開口３６，３８の各々（それぞれの金属パッド２６，２８上にある）がアンダーカット層３２の下にある部分を露出する。
【００１１】
図３は本発明の１つの実施形態により、図２の半導体構造１０に対して、それぞれの金属パッド２６，２８を露出するために空洞３６，３８を拡張した後の状態を示す。空洞３６，３８は、ぞれぞれの下にある金属パッド２６，２８を露出するように形成され、空洞３６，３８の各々に隣接するパッシベーション層３４の突出部を生じる。例えば、１つの実施形態において、等方的なエッチングは、パッシベーション層３４を除去するように空洞３６，３８の各々の内側のアンダーカット層３２の部分が除去されるように実行される。（よって、アンダーカット層３２は、パッシベーション層３４に対して選択的にエッチングされ得る材料である。）このように、パッシベーション層３４は、空洞３６に隣接する突出部４０および、空洞３８に隣接する突出部４２を有する。よって、空洞は、金属パッド２８とパッシベーション層３４との間に配置される下部であって、パッシベーション層３４内にある上部より広い開口を有する下部を有する。図３に示すように、金属パッド２６，２８の上面はそれぞれの空洞３６，３８によって露出される。ここで、パッシベーション層３４がそれぞれの空洞３６，３８に隣接する突出部４０，４２を有するようにアンダーカット層３２の部分の除去によって形成された空洞はパッシベーション層３４における開口より広い。また、空洞３６，３８を拡張した後、金属パッド２６および２８を囲むアンダーカット層３２の一部が残る。
【００１２】
図４は、本発明の１つの実施形態により図３の半導体構造１０において、空洞３６，３８に導電性材料を充填した後の状態を示す。１つの実施形態において、導電性材料４４は、アンダーカット層３２によって形成された除去部を充填するように導電性材料４４（導電性充填材料とも称される）は空洞３６に形成される。すなわち、導電性材料４４は、金属パッド２６上に、かつパッシベーション層３４の突出部４０の下に形成される。同様に、導電性材料４６を、金属パッド２８上に、かつパッシベーション層３４の突出部４２の下に形成するように、導電性材料４６がアンダーカット層３４の除去部を充填する。１つの実施形態において、導電性材料４４および４６の各々が、ニッケル、アルミニウム、または銅のような金属を含む。１つの実施形態において、導電性材料４４，４６の各々が８５重量％以上のニッケル含量を有する。１つの実施形態において、導電性材料４４，４６は、空洞３６および３８内への金属の無電解メッキ処理によって形成されたメッキ金属である。図示された実施形態において、導電性材料４４，４６は、導電性材料４４，４６がパッシベーション層３４の上面に溢れて空洞３６，３８の各々を囲むように形成される。しかしながら、代替の実施形態において、導電性材料４４，４６は、導電性材料４４，４６がパッシベーション層３４の上面と同一平面にあるまたはパッシベーション層３４の上面よりも下にあるように形成され得る。すなわち、導電性材料４４，４６がアンダーカット層３２の除去によって形成された空洞を充填し、パッシベーション層３４内の開口３６，３８を少なくとも部分的に充填する。よって、導電性材料４４および４６の各々が、パッシベーション層３４の突出部の下の位置を充填することによって固定された導電性ビアを形成することが理解され得る。
【００１３】
また、１つの実施形態において、導電性材料４４，４６は、導電性材料４４，４６が内部引張応力を有するように形成される。このように、パッシベーション層３４を囲まれる導電性材料４４の部分がパッシベーション層３４を挟むようにパッシベーション層３４の突出部４０に圧力を加えるように導電性材料が収縮する。例えば、突出部４０と金属パッド２６との間の導電性材料４４が突出部４０に上方向の圧力を与え、パッシベーション層３４の上面に重なる導電性材料４４が下方向の圧力をパッシベーション層３４の下面に与える。同様に、導電性材料４２がパッシベーション層３４を挟むように導電性材料４６はパッシベーション層３４の突出部４２に圧力を加える。導電性材料４４および４６がパッシベーション層３４の上面に重ならない場合であっても、改良された付着は、パッシベーション層３４の突出部に導電性材料によって加えられた上方向の圧力によって達成される。また、内部引張応力によって与えられた圧力が、導電性材料４４および４６とパッシベーション層３４との間に存在し得る空隙を減少することを促進する。１つの実施形態において、無電解メッキ処理の間、５〜１０重量％の範囲でメッキ溶液にリン含量を有することによって、もしくは、メッキ溶液のｐＨを４以上に調整することによって、または一平方デシメートル当たり３アンペア（Ａ／ｄｍ２）以下の電流密度を有するメッキ処理によって、またはこれらの方法の組み合わせによって内部引張応力が達成される。１つの実施形態において、半導体構造１０の製造工程は、集積回路の一部およびウェハから単品化または後にパッケージすることをもって完成され得る。
【００１４】
図５は、金属層１２がデバイス構造１６の最終金属層ではない１つの実施形態にしたがって、追加的相互接続層が金属層１２上に形成される半導体構造１０を示している。例えば、上記のように、金属層１２は中間金属層であってよく、ここで、固定された導電性ビアは、例えば、中間金属層との間の付着を改良するために形成される。図５の実施形態において、相互接続層５４はパッシベーション層３４上にかつ導電性ビア４４，４６上に形成される。（１つの実施形態において、空洞３６および３８に導電性材料を充填した後、例えば、化学機械研磨（ＣＭＰ）の実行によって平坦化の工程を実施し得る。）相互接続層５４が、それぞれの導電性ビア４４および４６と電気的にコンタクトする（すなわち、電気的に導通する）導電性相互接続部４８および５０を有するパターン化された金属層および導電性相互接続部との間に、層間誘電体（ＩＬＤ）５２を含む。そして、集積回路に必要の相互接続層が形成されるまで、後の処理を続けてもよい。
【００１５】
図６は、本発明の１つの実施形態による構造１００を示す。構造１００がデバイス構造１６を含む（構造１００のデバイス構造１６は構造１０のデバイス構造１６と類似し、したがって、構造１０のデバイス構造１６および同一符号を有する要素に対する上述のすべての記載を図６〜９に適用する）。構造１００は、金属パッド２６上に物理的に分離された第１の物理的分離構造６０および金属パッド２８上に第２物理的分離構造を有するアンダーカット材料のパターニングされた層を有する。アンダーカット材料のパターン化された層が、金属層１２に必要とされるいかなる数量の、アンダーカット材料の物理的分離構造を有してもよい。また、物理的分離構造６０，６２は、アンダーカット層部分６０，６２とも称され得る。１つの実施形態において、アンダーカット層部分６０，６２のパターニングされた層（例えば、アンダーカット層部分６０およびアンダーカット層部分６２）が、金属パッド２６，２８の上面の導電性材料とは異なる材料を含んでなる。１つの実施形態において、アンダーカット材料のパターニングされた層は、例えば、シリコン酸化物またはシリコン窒化物のような誘電体材料を含んでなる。あるいは、アンダーカット層部分が、例えば、アルミニウムのような導電性材料を含んでもよい。この実施形態において、アンダーカット材料の導電性材料は、金属パッド２６および２８のアンダーカット材料と異なる材料であってよい。１つの実施形態において、アンダーカット材料のパターニングされた層の形成は、デバイス構造１６（仕掛品の一部であってよい）の表面上にアンダーカット層を形成することを含み、ここで、アンダーカット層は、導電性接触構造（例えば、金属パッド２６，２８）外部のデバイス構造１６の領域上に形成される。後に、アンダーカット層はそれぞれの金属パッド２６，２８上に物理的分離構造６０，６２を形成するためにパターニングされ得る。
【００１６】
再び図６を参照する。パッシベーション層６４（誘電体層とも称される）はアンダーカット材料をパターニングした層の上に形成される。すなわち、パッシベーション層６４はアンダーカット層部分６０，６２、金属層１２、かつ金属パッド２６および２８の上方に形成される。パッシベーション層６４は複数の誘電体層を用いて形成されてもよく、任意の適切な誘電体材料を含んでもよい。また、パッシベーション層６４は、各物理的分離構造６０，６２のすべての周辺部を囲む。
【００１７】
図７は、本発明の１つの実施形態により、図６の構造１００に対して、それぞれの金属パッド２６および金属パッド２８上のパッシベーション層６４に開口６６，６８を形成した後の状態を示す。１つの実施形態において、金属パッド２６上のアンダーカット層部分６０および金属パッド２８上のアンダーカット層部分６２を露出するために、エッチングはパッシベーション層６４を貫通するように実行される。よって、空洞６６および６８の各々がアンダーカット材料のパターニングされた層の下にある部分を露出する。
【００１８】
図８は、本発明の１つの実施形態により、図７の構造１００に対して、それぞれの金属パッド２６，２８を露出するために、空洞６６，６８を拡張した後の状態を示す。空洞６６，６８は、それぞれの下方にある金属パッド２６，２８を露出するように形成され、空洞６６，６８の各々に隣接するパッシベーション層６４の突出部を生じる。例えば、１つの実施形態において、等方的なエッチングは、パッシベーション層６４を除去するために空洞６６内のアンダーカット層部分６０のすべてまたは一部および空洞６８内のアンダーカット層部分６２のすべてまたは一部を除去するように実行される。（よって、アンダーカット材料のパターニングされた層が、パッシベーション層６４に対して選択エッチングされ得る材料を含む。）このように、パッシベーション層６４が、空洞６６に隣接する突出部７０および空洞６８に隣接する突出部７２を有する。よって、空洞６６は、金属パッド２６と突出部７０との間に配置される下部であって、パッシベーション層６４内にある上部より広い開口を有した下部を有する。図８に示されるように、金属パッド２６，２８の上面はそれぞれの空洞６６，６８によって露出される。ここで、アンダーカット層部分６０および６２の除去によって形成された空洞の各々はパッシベーション６４にある対応する開口より広く、パッシベーション層６４は、それぞれの空洞６６，６８に隣接する突出部７０，７２を有する。
【００１９】
図９は、本発明の１つの実施形態により、図８の構造１００に対して、空洞６６，６８に導電性材料を充填した後の状態を示す。１つの実施形態において、アンダーカット層部分６０によって形成された除去部を導電性材料４４が充填するように導電性材料７４（導電性充填材料とも称される）が空洞６６に形成される。すなわち、導電性材料７４は、金属パッド２６上のパッシベーション層６４の突出部の下に形成される。同様に、導電性材料７６は金属パッド２８上のパッシベーション層６４の突出部７２の下に形成されるように、アンダーカット層部分６２によって形成された除去部を導電性材料７６が充填するように導電性材料７４が空洞６８に形成される。１つの実施形態において、導電性材料７４，７６の各々が、ニッケル、アルミニウム、または銅などの金属を含む。１つの実施形態において、導電性材料７４，７６の各々が８５重量％以上のニッケル含量を有する。１つの実施形態において、導電性材料７４，７６は、空洞６６，６８内への金属の無電解メッキ処理によって形成されるメッキ金属である。図示された実施形態において、導電性材料７４，７６は、導電性材料７４，７６が空洞６６，６８の各々を囲むパッシベーション層６４の上面から溢れるように形成される。しかしながら、代替の実施形態において、導電性材料７４，７６は、パッシベーション層６４の上面と同一平面にあるか、またはパッシベーション層６４の上面よりも下方にあるように形成される。すなわち、導電性材料７４，７６が、アンダーカット層部分６０，６２の除去によって形成された空洞を充填し、パッシベーション層６４内の空洞６６，６８を少なくとも部分的に充填する。よって、導電性材料７４，７６がパッシベーション層６４の突出部の下の位置を充填することによって固定された導電性ビアを形成する。
【００２０】
また、１つの実施形態において、導電性材料７４，７６は、内部引張応力を有するように形成される。これによると、突出部７０と金属パッド２６との間の導電性材料７４が突出部に上方向の圧力を与え、パッシベーション層６４の上面に重なる導電性材料７４がパッシベーション層６４の上面に下方向の圧力を与える。導電性材料７６についても同様である。導電性材料７４，７６がパッシベーション層６４の上面と重ならない場合においても、改良された付着は、パッシベーション層６４の突出部に導電性材料によって与えられた上方向の圧力によって達成される。また、内部引張応力によって与えられた圧力は、導電性材料７４，７６とパッシベーション層６４との間に存在し得る任意の間隙を減少することを促進し得る。１つの実施形態において、無電解メッキ処理の間、５〜１０重量％の範囲のメッキ溶液のリン含量を有することによって、もしくは、メッキ溶液のｐＨを４以上に調整することによって、または１平方デシメトル当たり３アンペア（Ａ／ｄｍ２）以下の電流密度を有するメッキ処理によって、またはこれらの方法の組み合わせによって内部引張応力が達成される。１つの実施形態において、構造１００の処理は、構造１００が集積回路の部分またはウェハから単品化または後にパッケージされるように完成し得る。あるいは、追加的相互接続層は構造１００に形成されてもよく、上述記載されるように、例えば、構造１０に対して図５の例を参照する。
【００２１】
よって、図１〜９の実施形態が、最高地点を有した主要上面を有する導電性接触構造（例えば、金属パッド２６）、該主要上面上に配置され、該主要上面上に突出部（例えば、部分４０、４２、７０、または７２）を含む誘電体層（例えば、パッシベーション層３４または６４）を有する集積回路を形成し得ることを理解されるべきである。突出部が空洞（例えば、空洞３６，３８，６６，６８）を画定し、突出部は、主要上面の最高地点が存在する水平方向の平面から縦方向に分離された下方の平坦表面を有する。集積回路が、導電性接触構造と電気的に導通する導電性材料構造（例えば、導電性充填材料４４、４６、７４、または７６）をさらに含んでもよい。導電性材料が、突出部の下の平坦表面と導電性接触構造の主要上面との間に縦方向に配置された第１部分を含む。すなわち、導電性材料が、突出部の下におよびアンダーカット層（例えば、アンダーカット層３２またはアンダーカット層部分６０または６２）の除去によって形成されたアンダーカット領域内に配置される第１部分を含んでもよい。導電性材料構造も、突出部によって画定された空洞を少なくとも部分的に充填する（この空洞は、例えば、パッシベーション層３４における空洞３６または３８またはパッシベーション６４における空洞６６または６８であってよい）第２部分を含んでもよい。
【００２２】
この時点において、改良された付着および間隙の減少を生じ得る固定された導電性ビアを形成する方法が提供された。１つの実施形態において、露出された金属パッド上に空洞に隣接するパッシベーション層の突出部を形成するために、パッシベーション層下のアンダーカット材料の層は選択的にエッチングされる。導電性材料が金属パッドとパッシベーション層の突出部との間の空間を充填するように導電性材料は次に、空洞およびアンダーカットに形成される。この充填されたアンダーカットが導電性ビアにアンカーを提供し、該アンカーが下にある金属パッドを介して導電性ビアにの付着の維持を役に立つ。また、導電性材料は、導電材料が内部引張応力を有するように形成され得る。
【００２３】
さらに、明細書及び特許請求の範囲において、「前方」、「後方」、「上方」、「下方」、「上に」、「下に」など用語が、もしあるとすれば、説明の目的で用いられているが、これは必ずしも恒久的な相対関係を説明するものではない。これらのそのように用いられた用語は、適切な状況下においては交換可能であり、本明細書において説明される発明の実施形態は、例えば、明細書において図示または説明されたもの以外の位置づけによる動作が可能である。
【００２４】
前述の詳細な説明は、具体的な例示の実施の形態を参照しながら本発明を説明するものである。しかし、添付の特許請求の範囲で定義された本発明の範囲から逸脱することなく様々な修正及び変更が加えられ得ることが理解されよう。詳細な説明及び添付図面は限定するものではなく、単に例示とみなされるべきであり、そのような修正又は変更は、すべて本明細書で説明され定義された本発明の範囲内に入るものとする。以上、具体的な実施例に関して、利益、他の利点、及び問題の解決方法について説明してきたが、利益、利点、問題の解決方法、及びこうした利益、利点、問題 の解決方法をもたらし、又はより顕著なものにする構成要素は、全ての請求項又は何れかの請求項において重要とされ、要求され、不可欠とされる機能や構成要 素であるとみなされるべきではない。
【００２５】
特に明記しない限り、「第１」及び「第２」等の用語は、そのような用語が述べる要素間を任意に区別するために用いる。従って、これらの用語は、必ずしもそのような要素の時間的な又は他の優先順位付けを示そうとするものではない。
【００２６】
以下に本発明の様々な実施形態を記載する。
項目１は、導電性ビアを形成するための方法において、
導電性材料の表面を有する導電性接触構造を形成するステップと、
前記導電性接触構造上に、前記導電性材料の表面と異なる材料からなるアンダーカット層を形成するステップと、
前記アンダーカット層の上方、かつ前記導電性接触構造の上方に、誘電体層を形成するステップであって、前記アンダーカット層は前記誘電体層と前記導電性接触構造との間に配置される、誘電体層を形成するステップと、
前記導電性接触構造の上方にある前記誘電体層に開口を形成するステップと、
前記誘電体層における前記開口を通してアンダーカット層の材料を除去するステップであって、前記導電性接触構造の表面が前記誘電体層の前記開口を通して露出され、かつ前記誘電体層が前記導電性接触構造の上方において前記誘電体層の前記開口に隣接する突出部を有することによって前記アンダーカット層の前記材料を除去することによって形成された空洞の幅は前記誘電体層の開口より広い、前記誘電体層の前記開口を通してアンダーカット層の材料を除去するステップと、
前記アンダーカット材料の除去によって形成された空洞を充填し、前記誘電体層の開口に導電性充填材料を少なくとも部分的に充填するステップであって、
前記充填することによって前記導電性充填材料を前記誘電体層の突出部と前記導電性接触構造との間に設ける、前記アンダーカット材料の除去によって形成された空洞を充填し、前記誘電体層の開口に導電性充填材料を少なくとも部分的に充填するステップとを備える方法に関する。項目２は項目１の方法において、アンダーカット材料は誘電体材料であることを特徴とする。項目３は項目１の方法において、アンダーカット材料が二酸化ケイ素を含有することを特徴する。項目４は、項目３の方法において、誘電体材料が窒化ケイ素を含んでなることを特徴とする。項目５は、請求項１の方法において、前記アンダーカット層の材料を除去するステップが、前記誘電体材料をエッチングする選択性を持たず、かつ前記アンダーカット材料に対して選択的なエッチング化学を有する等方性エッチングを用いるステップを含むことを特徴とする。項目６は項目２の方法において、前記アンダーカット層を形成するステップが、仕掛品の表面上にアンダーカット層を形成するステップであって、前記仕掛品が前記導電性接触構造を有し、前記仕掛品の表面上にアンダーカット層を形成するステップでは、前記導電性接触構造の外側の領域に前記アンダーカット層を形成するステップを含む、仕掛品の表面上にアンダーカット層を形成するステップを含み、前記誘電体層を形成するステップが、前記導電性接触構造の外側の前記領域における前記アンダーカット層上に前記誘電体層を形成するステップを含み、前記アンダーカット層の材料を除去するステップにおいて、少なくともいくつかの前記領域に前記アンダーカット層の材料を残すことを特徴とする。項目７は、項目６の方法において、該アンダーカット層の材料が、該仕掛品の表面に該誘電体層を付着させるための付着層として機能することを特徴とする。項目８は項目１の方法において、前記アンダーカット層を形成するステップが、仕掛品の表面上にアンダーカット層を形成するステップであって、前記仕掛品が前記導電性接触構造を有し、前記仕掛品の表面上にアンダーカット層を形成するステップでは、前記導電性接触構造の外側の領域に前記アンダーカット層を形成するステップを含む、仕掛品の表面上にアンダーカット層を形成するステップを含み、前記アンダーカット層を形成するステップが、前記導電性接触構造の上方に前記アンダーカット層の物理的に離隔された物理的離隔構造を形成するために前記アンダーカット層をパターニングするステップを含み、前記誘電体層を形成するステップは、前記誘電体層が前記物理的離隔構造のすべての側部を囲むように前記物理的離隔構造上に誘電体層を形成するステップであって、前記物理的離隔構造の幅は前記誘電体層の前記開口より広い、前記物理的離隔構造上に誘電体層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする。項目９は項目８において、該アンダーカット層の材料を除去するステップが、物理的分離構造のすべての材料を除去するステップを含むことを特徴とする。項目１０は項目１の方法において、該誘電体層はパッシベーション層であり、該導電性接触構造は、集積回路の最終金属層に配置された導電性構造であることを特徴とする。項目１１は項目１の方法において、空洞を充填するステップは、突出部に上方向の圧力を与えるために導電性充填材料が内部引張応力を有するように実行される。項目１２は項目１１の方法において、前記開口を少なくとも部分的に充填するステップにおいて、前記誘電体層の上面の上方まで前記開口に前記導電性充填材料を充填し、前記誘電体層の前記開口に隣接する領域で前記誘電体層の前記上面に下向き圧力を与えるべく前記導電性充填材料は内部引張応力を有するように、前記誘電体層の前記開口に隣接する前記誘電体層の上面の領域に前記導電性充填材料を形成する。項目１３は項目１の方法において、空洞を充填し、開口を少なくとも部分的に充填するステップは該導電性材料のメッキ処理によって実行される。項目１４は項目１の方法において、空洞を充填し、開口を少なくとも部分的に充填するステップは導電性材料の無電解メッキ処理によって実行される。項目１５は項目１の方法において、導電性材料が少なくとも８５．０重量％のニッケル含量を有する。項目１６は項目１の方法において、導電性材料が５〜１０重量％の範囲のリン含量を有する。項目１７は項目１の方法において、空洞を充填し、開口を少なくとも部分的に充填するステップは、４．０以上のｐＨレベルを有するメッキ溶液を用いるメッキ処理によって実行される。項目１８は項目１の方法において、該空洞を充填し、該空洞を少なくとも部分的に充填するステップは、平方デシメトル当たり３．０アンペアの電流密度を有するメッキ処理によって実行される。項目１９は項目１の方法において、前記開口を少なくとも部分的に充填するステップが、前記空洞の前記上面よりも上方まで前記開口を充填するステップを含み、前記方法が、
前記誘電体材料の前記上面および前記導電性充填材料を平坦化するステップと、
前記方法が、平坦化された導電性充填材料と導通する前記平坦化された導電性充填材料の上面上に導電性構造を形成するステップとをさらに備えることを特徴とする。
【００２７】
項目２０は、最高地点を有する主要上面を有する導電性接触構造と、
前記主要上面上に配置された誘電体層であって、前記誘電体層が前記主要上面上に設けられた突出部を有し、前記突出部は開口を画定するとともに前記主要上面の最高地点が存在する水平面から縦方向に分離された平坦な底面を有する、誘電体層と、
前記導電性接触構造と導通する導電性材料構造であって、
前記導電性材料構造は、前記突出部の平坦な底面と前記導電性接触構造の主要表面との間に垂直方向に延伸する第１部分と、前記突出部によって画定された前記開口を少なくとも部分的に充填する第２部分とを有する、導電性材料構造と、
を備える、集積回路を要旨とする。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性ビアを形成するための方法において、
導電性材料の表面を有する導電性接触構造を形成するステップと、
前記導電性接触構造上に、前記導電性材料の表面と異なる材料からなるアンダーカット層を形成するステップと、
前記アンダーカット層の上方、かつ前記導電性接触構造の上方に、誘電体層を形成するステップであって、前記アンダーカット層は前記誘電体層と前記導電性接触構造との間に配置される、誘電体層を形成するステップと、
前記導電性接触構造の上方にある前記誘電体層に開口を形成するステップと、
前記誘電体層における前記開口を通してアンダーカット層の材料を除去するステップであって、前記導電性接触構造の表面が前記誘電体層の前記開口を通して露出され、かつ前記誘電体層が前記導電性接触構造の上方において前記誘電体層の前記開口に隣接する突出部を有することによって前記アンダーカット層の前記材料を除去することによって形成された空洞の幅は前記誘電体層の開口より広い、前記誘電体層の前記開口を通してアンダーカット層の材料を除去するステップと、
前記アンダーカット材料の除去によって形成された空洞を充填し、前記誘電体層の開口に導電性充填材料を少なくとも部分的に充填するステップであって、
前記充填することによって前記導電性充填材料を前記誘電体層の突出部と前記導電性接触構造との間に設ける、前記アンダーカット材料の除去によって形成された空洞を充填し、前記誘電体層の開口に導電性充填材料を少なくとも部分的に充填するステップとを備える、方法。
【請求項２】
前記アンダーカット材料は誘電体材料である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記アンダーカット材料が二酸化ケイ素を含有する、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記誘電体材料が窒化ケイ素を含有する、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記アンダーカット層の材料を除去するステップが、
前記誘電体材料をエッチングする選択性を持たず、かつ前記アンダーカット材料に対して選択的なエッチング化学を有する等方性エッチングを用いるステップを含む、
請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記アンダーカット層を形成するステップが、仕掛品の表面上にアンダーカット層を形成するステップであって、前記仕掛品が前記導電性接触構造を有し、前記仕掛品の表面上にアンダーカット層を形成するステップでは、前記導電性接触構造の外側の領域に前記アンダーカット層を形成するステップを含む、仕掛品の表面上にアンダーカット層を形成するステップを含み、
前記誘電体層を形成するステップが、前記導電性接触構造の外側の前記領域における前記アンダーカット層上に前記誘電体層を形成するステップを含み、
前記アンダーカット層の材料を除去するステップにおいて、少なくともいくつかの前記領域に前記アンダーカット層の材料を残す、
請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記アンダーカット層の材料が前記仕掛品の表面に誘電体層を付着させるための付着層として機能する、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記アンダーカット層を形成するステップが、仕掛品の表面上にアンダーカット層を形成するステップであって、前記仕掛品が前記導電性接触構造を有し、前記仕掛品の表面上にアンダーカット層を形成するステップでは、前記導電性接触構造の外側の領域に前記アンダーカット層を形成するステップを含む、仕掛品の表面上にアンダーカット層を形成するステップを含み、
前記アンダーカット層を形成するステップが、前記導電性接触構造の上方に前記アンダーカット層の物理的に離隔された物理的離隔構造を形成するために前記アンダーカット層をパターニングするステップを含み、
前記誘電体層を形成するステップは、前記誘電体層が前記物理的離隔構造のすべての側部を囲むように前記物理的離隔構造上に誘電体層を形成するステップであって、前記物理的離隔構造の幅は前記誘電体層の前記開口より広い、前記物理的離隔構造上に誘電体層を形成するステップをさらに含む、
請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記アンダーカット層の材料を除去するステップが、前記物理的離隔構造のすべての材料を除去するステップを含む、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記誘電体層はパッシーション層であり、前記誘電性接触構造は集積回路の最終金属層に配置された導電性構造である、
請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記突出部に上向き圧力を与えるために導電性充填材料が内部引張応力を有するように前記空洞を充填する、
請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記開口を少なくとも部分的に充填するステップにおいて、前記誘電体層の上面の上方まで前記開口に前記導電性充填材料を充填し、前記誘電体層の前記開口に隣接する領域で前記誘電体層の前記上面に下向き圧力を与えるべく前記導電性充填材料は内部引張応力を有するように、前記誘電体層の前記開口に隣接する前記誘電体層の上面の領域に前記導電性充填材料を形成する、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記空洞を充填するステップおよび前記開口を少なくとも部分的に充填するステップは前記導電性充填材料のメッキプロセスによって実行される、請求項１記載の方法。
【請求項１４】
前記空洞を充填するステップおよび前記開口を少なくとも部分的に充填するステップは前記導電性充填材料の無電解メッキプロセスによって実行される、請求項１記載の方法。
【請求項１５】
前記導電性充填材料が少なくとも８５．０重量％のニッケル含量を有する、請求項１記載の方法。
【請求項１６】
前記導電性充填材料が５〜１０重量％範囲のリン含量を有する、請求項１記載の方法。
【請求項１７】
前記空洞を充填するステップおよび前記開口を少なくとも部分的に充填するステップは４．０以上のｐＨレベルを有するメッキ溶液を用いるメッキプロセスによって実行する、請求項１記載の方法。
【請求項１８】
前記空洞を充填するステップおよび前記開口を少なくとも部分的に充填するステップは平方デシメトル当たり３．０アンペア以下の電流密度を有するメッキプロセスによって実行する、請求項１記載の方法。
【請求項１９】
前記開口を少なくとも部分的に充填するステップが、前記空洞の前記上面よりも上方まで前記開口を充填するステップを含み、
前記方法が、
前記誘電体材料の前記上面および前記導電性充填材料を平坦化するステップと、
前記方法が、平坦化された導電性充填材料と導通する前記平坦化された導電性充填材料の上面上に導電性構造を形成するステップとをさらに備える、
請求項１記載の方法。
【請求項２０】
最高地点を有する主要上面を有する導電性接触構造と、
前記主要上面上に配置された誘電体層であって、前記誘電体層が前記主要上面上に設けられた突出部を有し、前記突出部は開口を画定するとともに前記主要上面の最高地点が存在する水平面から縦方向に分離された平坦な底面を有する、誘電体層と、
前記導電性接触構造と導通する導電性材料構造であって、
前記導電性材料構造は、前記突出部の平坦な底面と前記導電性接触構造の主要表面との間に垂直方向に延伸する第１部分と、前記突出部によって画定された前記開口を少なくとも部分的に充填する第２部分とを有する、導電性材料構造と、
を備える、集積回路。
【請求項１】
導電性ビアを形成するための方法において、
導電性材料の表面を有する導電性接触構造を形成するステップと、
前記導電性接触構造上に、前記導電性材料の表面と異なる材料からなるアンダーカット層を形成するステップと、
前記アンダーカット層の上方、かつ前記導電性接触構造の上方に、誘電体層を形成するステップであって、前記アンダーカット層は前記誘電体層と前記導電性接触構造との間に配置される、誘電体層を形成するステップと、
前記導電性接触構造の上方にある前記誘電体層に開口を形成するステップと、
前記誘電体層における前記開口を通してアンダーカット層の材料を除去するステップであって、前記導電性接触構造の表面が前記誘電体層の前記開口を通して露出され、かつ前記誘電体層が前記導電性接触構造の上方において前記誘電体層の前記開口に隣接する突出部を有することによって前記アンダーカット層の前記材料を除去することによって形成された空洞の幅は前記誘電体層の開口より広い、前記誘電体層の前記開口を通してアンダーカット層の材料を除去するステップと、
前記アンダーカット材料の除去によって形成された空洞を充填し、前記誘電体層の開口に導電性充填材料を少なくとも部分的に充填するステップであって、
前記充填することによって前記導電性充填材料を前記誘電体層の突出部と前記導電性接触構造との間に設ける、前記アンダーカット材料の除去によって形成された空洞を充填し、前記誘電体層の開口に導電性充填材料を少なくとも部分的に充填するステップとを備える、方法。
【請求項２】
前記アンダーカット材料は誘電体材料である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記アンダーカット材料が二酸化ケイ素を含有する、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記誘電体材料が窒化ケイ素を含有する、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記アンダーカット層の材料を除去するステップが、
前記誘電体材料をエッチングする選択性を持たず、かつ前記アンダーカット材料に対して選択的なエッチング化学を有する等方性エッチングを用いるステップを含む、
請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記アンダーカット層を形成するステップが、仕掛品の表面上にアンダーカット層を形成するステップであって、前記仕掛品が前記導電性接触構造を有し、前記仕掛品の表面上にアンダーカット層を形成するステップでは、前記導電性接触構造の外側の領域に前記アンダーカット層を形成するステップを含む、仕掛品の表面上にアンダーカット層を形成するステップを含み、
前記誘電体層を形成するステップが、前記導電性接触構造の外側の前記領域における前記アンダーカット層上に前記誘電体層を形成するステップを含み、
前記アンダーカット層の材料を除去するステップにおいて、少なくともいくつかの前記領域に前記アンダーカット層の材料を残す、
請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記アンダーカット層の材料が前記仕掛品の表面に誘電体層を付着させるための付着層として機能する、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記アンダーカット層を形成するステップが、仕掛品の表面上にアンダーカット層を形成するステップであって、前記仕掛品が前記導電性接触構造を有し、前記仕掛品の表面上にアンダーカット層を形成するステップでは、前記導電性接触構造の外側の領域に前記アンダーカット層を形成するステップを含む、仕掛品の表面上にアンダーカット層を形成するステップを含み、
前記アンダーカット層を形成するステップが、前記導電性接触構造の上方に前記アンダーカット層の物理的に離隔された物理的離隔構造を形成するために前記アンダーカット層をパターニングするステップを含み、
前記誘電体層を形成するステップは、前記誘電体層が前記物理的離隔構造のすべての側部を囲むように前記物理的離隔構造上に誘電体層を形成するステップであって、前記物理的離隔構造の幅は前記誘電体層の前記開口より広い、前記物理的離隔構造上に誘電体層を形成するステップをさらに含む、
請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記アンダーカット層の材料を除去するステップが、前記物理的離隔構造のすべての材料を除去するステップを含む、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記誘電体層はパッシーション層であり、前記誘電性接触構造は集積回路の最終金属層に配置された導電性構造である、
請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記突出部に上向き圧力を与えるために導電性充填材料が内部引張応力を有するように前記空洞を充填する、
請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記開口を少なくとも部分的に充填するステップにおいて、前記誘電体層の上面の上方まで前記開口に前記導電性充填材料を充填し、前記誘電体層の前記開口に隣接する領域で前記誘電体層の前記上面に下向き圧力を与えるべく前記導電性充填材料は内部引張応力を有するように、前記誘電体層の前記開口に隣接する前記誘電体層の上面の領域に前記導電性充填材料を形成する、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記空洞を充填するステップおよび前記開口を少なくとも部分的に充填するステップは前記導電性充填材料のメッキプロセスによって実行される、請求項１記載の方法。
【請求項１４】
前記空洞を充填するステップおよび前記開口を少なくとも部分的に充填するステップは前記導電性充填材料の無電解メッキプロセスによって実行される、請求項１記載の方法。
【請求項１５】
前記導電性充填材料が少なくとも８５．０重量％のニッケル含量を有する、請求項１記載の方法。
【請求項１６】
前記導電性充填材料が５〜１０重量％範囲のリン含量を有する、請求項１記載の方法。
【請求項１７】
前記空洞を充填するステップおよび前記開口を少なくとも部分的に充填するステップは４．０以上のｐＨレベルを有するメッキ溶液を用いるメッキプロセスによって実行する、請求項１記載の方法。
【請求項１８】
前記空洞を充填するステップおよび前記開口を少なくとも部分的に充填するステップは平方デシメトル当たり３．０アンペア以下の電流密度を有するメッキプロセスによって実行する、請求項１記載の方法。
【請求項１９】
前記開口を少なくとも部分的に充填するステップが、前記空洞の前記上面よりも上方まで前記開口を充填するステップを含み、
前記方法が、
前記誘電体材料の前記上面および前記導電性充填材料を平坦化するステップと、
前記方法が、平坦化された導電性充填材料と導通する前記平坦化された導電性充填材料の上面上に導電性構造を形成するステップとをさらに備える、
請求項１記載の方法。
【請求項２０】
最高地点を有する主要上面を有する導電性接触構造と、
前記主要上面上に配置された誘電体層であって、前記誘電体層が前記主要上面上に設けられた突出部を有し、前記突出部は開口を画定するとともに前記主要上面の最高地点が存在する水平面から縦方向に分離された平坦な底面を有する、誘電体層と、
前記導電性接触構造と導通する導電性材料構造であって、
前記導電性材料構造は、前記突出部の平坦な底面と前記導電性接触構造の主要表面との間に垂直方向に延伸する第１部分と、前記突出部によって画定された前記開口を少なくとも部分的に充填する第２部分とを有する、導電性材料構造と、
を備える、集積回路。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１２−１７５１０９（Ｐ２０１２−１７５１０９Ａ）
【公開日】平成２４年９月１０日（２０１２．９．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−３３３２４（Ｐ２０１２−３３３２４）
【出願日】平成２４年２月１７日（２０１２．２．１７）
【出願人】（５０４１９９１２７）フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド (806)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年９月１０日（２０１２．９．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年２月１７日（２０１２．２．１７）
【出願人】（５０４１９９１２７）フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド (806)
【Ｆターム（参考）】
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