【課題】不定伝播防止回路が故障している場合に、不定伝播防止回路の故障の影響を電源遮断対象外回路に与えないようにすること。
【解決手段】半導体装置は、動作しない期間に電源供給が遮断される電源遮断対象回路Ｍ１と、電源供給が遮断されることがない電源遮断対象外回路Ｍ５と、電源遮断対象回路Ｍ１の電源供給を遮断するための信号が電源遮断対象外回路Ｍ５へ不定伝播するのを防止する不定伝播防止回路Ｍ３と、不定伝播防止回路Ｍ３から出力された信号のレベルが固定された状態であるか否かを判定し、固定された状態でない場合には、信号をあらかじめ設定した基準信号と切り替える故障検出・故障回避制御回路Ｍ４と、故障検出・故障回避制御回路Ｍ４から出力された信号に基づいて、電源遮断対象回路の電源供給状態を制御する電源制御回路Ｍ６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】不均一なデューティサイクルを有する入力信号のデューティサイクル補正を行う方法を提供する。
【解決手段】不均一なデューティサイクルを有する入力信号をコンデンサ・デジェネレイティング差動対回路に入力し、前記回路内の１つ以上のコンデンサの両端に、前記入力信号のデューティサイクルの正の部分と負の部分との継続時間の差を表わす直流電圧を形成し、差動対回路のスイッチング動作を通じてデューティサイクルを有する出力信号を形成し、それによって出力信号のデューティサイクルの正の部分と負の部分の継続時間が、入力信号とスイッチングレベルとの交差点により規定される。必要に応じて、出力信号のデューティサイクルが少なくとも実質的に均一になるまで、信号（およびスイッチングレベル）が調整される。 （もっと読む）

【課題】変換する電位差が大きくても、小規模な回路で、高速に、低電圧から高電圧へ信号レベルを変換することのできるレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】低電圧電源電圧ＶＤＤＬで動作する低電圧部１００からは、入力信号Ｓｉｎと同相の同相信号Ｓおよび逆相の逆相信号ＳＮが出力され、能動バイアス制御部１は、入力された逆相信号ＳＮの信号レベルに応じて、出力するバイアス信号ＶＭの電位を、高電圧電源電圧ＶＤＤＨに近い電位、または接地電位ＧＮＤに近い電位に、能動的に制御し、出力部２は、高電圧電源線ＶＤＤＨと反転出力端ＶＱとの間の導通が同相信号Ｓおよびバイアス信号ＶＭにより制御され、接地電位電源線ＧＮＤと反転出力端ＶＱとの間の導通が同相信号Ｓにより制御され、反転出力端ＶＱの信号の極性がインバータＩＮＶ１により反転される。 （もっと読む）

【課題】プリエンファシス機能を有する出力回路において、デエンファシス時における差動出力信号のコモンモード電圧のプリエンファシス時のコモンモード電圧からの変動を抑制する。
【解決手段】入力信号とその相補信号とを差動入力して差動出力し、差動出力信号のうち高電位側の出力信号にデエンファシスをかける際に、当該デエンファシス電流を供給するトランジスタ（Ｎ３、Ｎ４）に流れる電流を絞る回路（Ｎ５、Ｎ６、Ｒ３）を備え、デエンファシス時の前記出力信号のハイレベルの前記出力信号のプリエンファシス時のハイレベルからの変化量を縮減させ、デエンファシス時の前記差動出力信号のコモンモード電圧をプリエンファシス時のコモンモード電圧に近づける。 （もっと読む）

【課題】フリーホイールダイオードを用いることなく、より低い電圧のアンダーシュートでも低減できる送信ドライバ回路を提供する。
【解決手段】ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２２のドレインをグランドに接続して、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１，ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２２のソースをそれぞれ信号線３Ｈ，３Ｌに接続する。第１データ電圧設定部４１は、信号出力部がハイレベル信号を出力すると、ゲート２１Ｇ，２２Ｇ間の電位差を（２・Ｒ１・Ｉref）にする電圧信号を設定し、第２データ電圧設定部４２は、信号出力部がロウレベル信号を出力すると、ゲート２１Ｇ，２２Ｇ間の電位差をゼロにする電圧信号を設定する。これらの作用により、伝送線路３を構成する信号線３Ｈ，３Ｌ間の電圧を変化させて差動信号を伝送する。 （もっと読む）

【課題】チップの製造プロセスの微細化にともなって各種リーク電流（サブスレッショルドリーク電流、ゲートトンネルリーク電流、GIDL(Gate-Induced Drain Leakage)電流などの接合リーク電流）が増大している。それらのリーク電流はチップの消費電流を増加する。
【解決手段】第１回路ブロックと、前記第１回路ブロックに接続される第１電源線及び第２電源線と、前記第１電源線と第１電位を供給する第１電位点とを接続するための第１トランジスタと、前記第１トランジスタのゲートに接続される第１駆動回路と、前記第１駆動回路より駆動力の大きい第２駆動回路とを有し、第１の状態から前記第１の状態よりも前記第１電源線と前記第２電源線の間の電位差が大きい第２の状態へ遷移する場合に、第１の期間において前記第１トランジスタを前記第１駆動回路によって駆動し、その後第２の期間において前記第１トランジスタを前記第２駆動回路によって駆動する。 （もっと読む）

【課題】内部波形や出力波形の振幅を保ちつつ、入力された信号の振幅よりも大きな振幅の信号を出力できるレベルシフト回路を得る。
【解決手段】第１および第２の入力信号（セット信号ＶＳおよびリセット信号ＶＲ）が供給される第１の入力回路（ＭＯＳトランジスタ１１，１２）と、第１および第２の入力信号が供給される第２の入力回路（ＭＯＳトランジスタ１３，１４）と、第１の入力信号に同期した第３の入力信号（反転セット信号ＶＳｂ）が一方に供給され、他方が第２の入力回路の出力端子に接続された第１の容量素子２２と、第２の入力回路の出力端子と電源ＰＶＳＳとの間に挿入配置された第２の容量素子２３と、第１および第２の入力回路の出力電圧に基づいて、前記第１から第３の入力信号の振幅よりも大きな振幅の出力信号ＶＯｕｔを生成する出力回路（ＭＯＳトランジスタ１６，１７）とを備える。 （もっと読む）

【課題】出力電圧の立ち上がるタイミングのばらつきを低減することの可能な駆動回路、およびこの駆動回路を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】バッファ回路１は、互いに直列に接続されたインバータ回路１０およびインバータ回路２０を備えている。インバータ回路２０は、３つのトランジスタＴｒ₂₁，Ｔｒ₂₂，Ｔｒ₂₃を有している。そのうちの２つのトランジスタＴｒ₂₁，Ｔｒ₂₂は、デュアルゲート型のトランジスタである。これらトランジスタＴｒ₂₁，Ｔｒ₂₂のバックゲートの電圧を調整することにより、トランジスタＴｒ₂₁，Ｔｒ₂₂の閾値電圧を調整することができる。 （もっと読む）

【課題】タイミング制約を満たすためにセルの物理的な位置やＲＴＬ（Register Transfer Level）を変更する必要がなく、回路の最適化を短時間に行うことができ、半導体集積回路の設計期間を短縮することができる半導体集積回路の設計方法、設計プログラムを提供する。
【解決手段】半導体集積回路のネットリストに対して静的タイミング解析を行うことにより、所定のタイミング制約を満たさないタイミングエラーパスを検出し、前記タイミングエラーパスを含む第１の論理ブロックと、フリップフロップを介して前記第１の論理ブロックに接続され、所定のタイミング制約を満たす第２の論理ブロックとを抽出し、前記第１の論理ブロックと前記第２の論理ブロックとの間のフリップフロップが正相／逆相フリップフロップである場合は、当該正相／逆相フリップフロップを逆相／正相フリップフロップに変更する。 （もっと読む）

【課題】終端抵抗のオンオフの切り替え時に外部端子にインピーダンスの急激な変化が生じることを低減する。
【解決手段】外部端子（図２のＤＱに相当）と、外部端子に接続され、出力信号を外部端子に出力可能とする出力回路（図２の２１に相当）と、外部端子に終端抵抗をオンオフ可能に接続する終端回路（図２の２２に相当）と、終端抵抗がオフ状態又はオン状態のいずれか一方の状態から他方の状態に変化するまでの時間を、データ出力時に出力信号が一方の論理レベルから他方の論理レベルへ変化するまでの時間以上となるように制御する第１のスルーレート制御回路（図２の２３ａに相当）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】書き込み回数に制限がなく、回路規模の増加に対して消費電力を抑制することができる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】ルックアップテーブル１０１とフリップフロップ１０２Ａのラッチ回路以外の回路構成部との電源供給経路を分離し、ルックアップテーブル１０１とラッチ回路以外の回路構成部とを別個に電源制御する電源コントローラ１０９及び電源制御回路１１１を備える。 （もっと読む）

【課題】低サイズ及び低電力で順序回路におけるリーク電流を低減する。
【解決手段】リセット・フリップフロップ１０４Ａ〜Ｎ、１０８Ａ〜Ｎ、１１２Ａ〜Ｎがリセットで、セット・リセット・フリップフロップ１０６Ａ〜Ｎ、１１０Ａ〜Ｎ、１１４Ａ〜Ｎがセット状態のときに組合せ論理回路１０２Ａ〜Ｎが最小リーク電流となるように、これらＦＦと組合せ論理回路とが接続されている。制御モジュール１１６は、スタンバイ・モードでは、リセットＦＦをリセットし、セット・リセットＦＦをセットすることにより、組合せ論理回路に対して、予め決定された最小リーク・ビットを印加する。これにより、組合せ論理回路は、最小リーク電流での待機状態となる。アクティブ・モードでは、入力１２０Ａ〜ＮがＦＦを介して組合せ論理回路１０２Ａに供給されて論理処理され、そして順次、前段の組合せ論理回路の出力がＦＦを介して次段の組合せ論理回路に入力される。 （もっと読む）

【課題】スルーレートを適切に調整可能なバッファ回路を提供する。
【解決手段】
ＣＭＯＳ出力バッファ回路は、バッファ回路Ｂｕｆｆｅｒ［１］〜［４］を備えている。各バッファ回路は、電源電圧端子又は接地端子と出力端子との間にトランジスタＰＯ及びＮＯを有している。各バッファ回路中の複数個のトランジスタＰＯ及びＮＯは、外部からの制御信号に従い選択的に動作可能な状態とされる。各バッファ回路中の３個のトランジスタＰＯは、所定のサイズ比を有するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】内部動作に起因する半導体基板の電位的変動を抑制することが容易な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路（１）の内部において、外部電源端子（Ｐｖｃｃ）と半導体基板（Ｐｓｕｂ）との間および外部グランド端子（Ｐｖｓｓ）と半導体基板との間の何れか一方又は双方に可変インピーダンス回路（ＶＺ）を配置し、可変インピーダンス回路に対するインピーダンスの設定に従って、半導体集積回路に形成されたトランジスタの動作に応じて半導体基板に生起される電源電圧側の変動成分とグランド電圧側の変動成分とをバランスさせるようにその変動成分の大きさや波形を決定する。半導体集積回路の電源及びグランド側の変動に起因して半導体基板に与えられる変動成分が抑えられることにより、半導体基板を通して外部でコモンモード電流経路が形成されることを抑制することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】従来技術において、制御回路に発生する電源ノイズを出力バッファに影響させないようにするには、出力バッファと制御回路の電源ラインを別々に設ける方法があった。しかし、この方法には、電源・グランドピン数の増加、給電ラインインダクタンスの増加といった問題があった。
【解決手段】本発明では、上記課題である（１）電源・グランドピン数増加と（２）給電ラインインダクタンスの増加を生じることなく、制御回路で問題となるノイズが出力バッファに回り込まないような技術を提供する。具体的な手法は、（Ａ）制御回路用のオンチップバイパスキャパシタンスを設け、AC的に制御回路と出力バッファの給電経路を切り分ける方法、と（Ｂ）給電経路の電気パラメータノイズの振動モードが過減衰になるような設計（抵抗の挿入）をする方法がある。 （もっと読む）

【課題】断熱的回路動作と非断熱的回路動作を切り替え可能である回路装置、電子機器及び電源供給方法等を提供すること。
【解決手段】回路装置は、論理回路２００と、電源回路１００と、を含む。第１のモードでは、電源回路１００は、非直流の電源電圧ＶＰＫ、ＶＭＫを論理回路２００に供給し、論理回路２００は、その非直流の電源電圧ＶＰＫ、ＶＭＫが供給されることで断熱的回路動作を行う。第２のモードでは、電源回路１００は、直流の電源電圧ＶＤＤ、ＶＳＳを論理回路２００に供給し、論理回路２００は、その直流の電源電圧ＶＤＤ、ＶＳＳが供給されることで非断熱的回路動作を行う。 （もっと読む）

【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタと、酸化物半導体以外の半導体材料を用いて構成された論理回路と、を有し、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と、前記論理回路の少なくとも一の入力とは電気的に接続され、前記トランジスタを介して、前記論理回路に少なくとも一の入力信号が供給される半導体装置である。ここで、トランジスタのオフ電流は１×１０^−１３Ａ以下であるのが望ましい。 （もっと読む）

【課題】回路面積の削減しつつ、消費電流やピーク電流の増大を抑制することが可能な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】昇圧回路は、第１ないし第４の整流素子と、第１ないし第４のＭＯＳトランジスタと、第１ないし第４のキャパシタと、スイッチ回路と、を備える。スイッチ回路は、第１のＭＯＳトランジスタの他端と第３の整流素子の一端との間の第１の接続点、および、第２のＭＯＳトランジスタの他端と第４の整流素子の一端との間の第２の接続点に接続された低レベル端子と、第３のＭＯＳトランジスタの他端、および、第４のＭＯＳトランジスタの他端に接続された高レベル端子と、を有し、低レベル端子の電圧または高レベル端子の電圧を切り換えて、出力端子に出力するスイッチ回路と、を含む。 （もっと読む）

【課題】プリエンファシスまたはディエンファシスのためのドライバの追加がなくても、プリエンファシスまたはディエンファシス動作を行えるデータ出力回路を提供すること。
【解決手段】インピーダンスコードによって各々オン・オフされ、出力ノードにデータを出力する複数の駆動手段３１１、３１２を備え、前記インピーダンスコードが、前記駆動手段をターンオンさせる値を有する第１のグループと前記駆動手段をオフさせる値を有する第２のグループとに分けられ、プリエンファシス期間の間には、前記第２のグループによる制御を受ける駆動手段の全部または一部がターンオンされる。 （もっと読む）

【課題】入力信号の立ち上がり時と立ち下がり時で遷移時間差の少ないレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】同じ回路構成のVDD 電源系の第１、第２のレベルシフタ11、12と、VEXTQ 電源系のインバータ13と、VDD 電源系のインバータ15を具備し、第１のレベルシフタ11内の２個の入力用NMOSトランジスタTN1 、TN2 のゲート端子には、VEXTQ 電源系の入力信号INとインバータ13の出力信号を入力し、第２のレベルシフタ12内の２個の入力用NMOSトランジスタTN3 、TN4 のゲート端子には、第１のレベルシフタ11の出力ノードA2の信号とインバータ13の出力信号を入力し、第２のレベルシフタ12の出力ノードA4の信号をインバータ15により波形整形して出力信号OUT を得る。 （もっと読む）