【課題】
ＣＭＯＳ回路に中間電圧の入力信号が長時間連続して入力された場合にも貫通電流の発生を短時間にとどめることができる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】
本発明の一実施態様に係る半導体集積回路は、入力端子と、出力端子と、ゲートが前記入力端子に接続されソースが高電位電源配線に接続された第１ＰＭＯＳトランジスタ及びゲートが前記入力端子に接続されソースが低電位電源配線に接続された第１ＮＭＯＳトランジスタを含み、当該第１ＰＭＯＳトランジスタと当該第１ＮＭＯＳトランジスタとが同時に導通しないように構成された第１ＣＭＯＳ回路と、入力端が前記第１ＣＭＯＳ回路に接続され出力端が前記出力端子に接続された第２ＣＭＯＳ回路と、この第２ＣＭＯＳ回路の出力端とと高電位電源配線及び高電位電源配線との間にそれぞれ配置された第２ＰＭＯＳトランジスタと第２ＮＭＯＳトランジスタと、を備える。 （もっと読む）

【課題】クロック源の消費電力を増大させることなく、動作クロック周波数に応じて駆動能力を変化させることにより消費電力低減可能なクロックバッファ回路を提供すること。
【解決手段】クロック信号を伝達するバッファ部１０２と、クロック信号の参照クロック信号に対する逓倍数をカウントし、バッファ部１０２に対して逓倍数に基づいたイネーブル信号を出力する駆動能力切替部１０１と、を備え、バッファ部１０２は、当該バッファ部１０２の入力に接続された入力インバータ７と、イネーブル信号によりオンオフが可能であって、それぞれの出力が当該バッファ部の出力に共通に接続された複数の出力インバータ１３〜２８と、を備え、入力インバータ７が１個のＣＭＯＳインバータからなるクロックバッファ回路。 （もっと読む）

【課題】ＶＭ電位のｄｖ／ｄｔに起因する上アーム電力用スイッチング素子の誤動作を抑制できるレベルシフト回路並びにこれを備えたインバータ装置を提供する。
【解決手段】支持体Ｓｉ基板上にＢＯＸ酸化膜を介しＮ型Ｓｉ活性層を形成したＳＯＩ基板により構成し、分離酸化膜により分離されＮ型ＭＯＳＦＥＴを形成する第１のＮ型Ｓｉ活性層、分離酸化膜により分離されＰ型拡散層による拡散抵抗を形成する第２のＮ型Ｓｉ活性層、分離酸化膜により分離され上アーム制御電源の一端側に接続する第４のＮ型Ｓｉ活性層から構成され、第１のＮ型Ｓｉ活性層を形成する分離酸化膜と第４のＮ型Ｓｉ活性層を形成する分離酸化膜は、隣接配置されるとともに、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極と拡散抵抗の第一の電極を接続し、拡散抵抗の第２の電極を上アーム制御電源の他端側に接続した。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の低下による外部出力信号のばらつきを抑制する。
【解決手段】内部入力信号Ａの電位がグランド側からＶＤＤ側、あるいはＶＤＤ側からグランド側へ変化するのに応じて、出力部１は外部出力信号ＥＢの電位を変化させる。差動部２は、外部出力信号ＥＢと、所定の基準信号ＶＲＥＦとに応じた出力信号を出力し、外部出力信号ＥＢが所定の基準信号ＶＲＥＦに応じた電位となるようボルテージフォロアとして機能する。これにより、外部出力信号ＥＢの低電圧側出力電圧ＶＯＬのばらつきを抑制する。 （もっと読む）

【課題】出力信号のスルーレートをより適切に制御することが可能な差動信号出力装置を提供する。
【解決手段】差動信号出力装置は、差動信号およびコモンモード信号を重畳して出力するための第１の送信端子および第２の送信端子を備える。差動信号出力装置は、データ信号に応じて前記差動信号を生成し前記第１の送信端子および前記第２の送信端子に出力する差動信号生成回路を備える。差動信号出力装置は、クロック信号に応じて前記コモンモード信号を生成し前記第１の送信端子および前記第２の送信端子に出力し、且つ、制御信号に応じて前記コモンモード信号のスルーレートを制御するコモンモード信号生成回路を備える。 （もっと読む）

【課題】各動作モードにおいてレベルシフト回路を用いることなく所望の入力電圧範囲となる多入力差動増幅器を提供する。
【解決手段】差動部１は、バイアス部２と出力部３との間に設けられ、第一入力部１０と第二入力部２０とを有する。第一入力部１０は、ソースがバイアス部２と接続され、ドレインが出力部３と接続された１個のｎ型ＭＯＳＦＥＴ（Ｍ１１）からなる。第二入力部２０は、直列接続される２個のｎ型ＭＯＳＦＥＴ（Ｍ２１）、（Ｍ２２）と、直列接続される２個のｎ型ＭＯＳＦＥＴ（Ｍ２３）、（Ｍ２４）とが２列に並列接続される。また、入力端ＩＮａはＭ１１のゲートに接続され、入力端ＩＮｘはＭ２２とＭ２３のゲートに接続され、入力端ＩＮｙはＭ２１とＭ２４のゲートに接続される。バイアス部２は１つの定電流源２１を有し、出力部３は２つのｐ型ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１、Ｑ２）で構成のカレントミラー回路を有する。 （もっと読む）

【課題】電源電圧が低電圧化したときの動作不良の発生を抑制することのできるレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】レベルシフト回路１は、第１の高電位電圧ＶＬを信号レベルとする入力信号Ｓｉに応じて相補的にスイッチング制御されるＮチャネルＭＯＳトランジスタＴＮ１，ＴＮ２を有するレベル変換部１０を備える。レベルシフト回路１は、第１の高電位電圧ＶＬの低下を検出したことを示す検出信号ＤＳを生成する検出部２０と、検出信号ＤＳに応じて、トランジスタＴＮ１，ＴＮ２の閾値電圧が低くなるようにトランジスタＴＮ１，ＴＮ２のボディバイアスＶｂｂを制御する制御部３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】マルチプレクサとクロック分割回路との間における相互の電源ノイズの影響を低減する。
【解決手段】外部クロック信号ＣＫに基づいて内部クロック信号ＬＣＬＫ１を生成するＤＬＬ回路１００と、内部クロック信号ＬＣＬＫ１に基づいて、互いに位相の異なる内部クロック信号ＬＣＬＫ２，ＬＣＬＫ２Ｂを生成するクロック分割回路２００と、内部データ信号ＣＤ，ＣＥに基づいて、クロック信号ＬＣＬＫ２，ＬＣＬＫ２Ｂにそれぞれ同期した内部データ信号ＤＱＰ，ＤＱＮを出力するマルチプレクサ３００とを備える。クロック分割回路２００に供給される内部電源電圧ＶＰＥＲＩ２とマルチプレクサ３００に供給される内部電源電圧ＶＰＥＲＩ３は、互いに異なる電源回路８２，８３によって生成され、且つ、該半導体装置内で分離されている。これにより、相互にノイズの影響を及ぼし合うことがなくなる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタを用いたスイッチ回路を有するデジタル回路において、電源電圧、入力信号の振幅、トランジスタのしきい値電圧の関係に応じて適切に入力信号を補正し、好適な回路動作を可能とする。
【解決手段】電源電位（ＶＤＤ、ＶＳＳ）が供給される第１のトランジスタ（３２、３３）を有するスイッチ回路（３１）と、入力信号が印加される入力端（ＩＮ）と第１のトランジスタの制御端子（ゲート）との間に接続された補正回路（３４、３６）とを有し、前記制御端子と入力端との間に接続された容量（Ｃ２、Ｃ３）と、該容量と前記制御端子との間のノード（Ｎ５、Ｎ６）と電源電位との間に設けられた、第１のトランジスタと概ね同じしきい値を有するダイオード接続された第２のトランジスタ（３５、３７）と、第２のトランジスタに直列に接続されたスイッチ（ＳＷ２、ＳＷ３）とを有するデジタル回路（３０）を提供する。 （もっと読む）

【課題】立ち上がり時間と立ち下がり時間の差を解消しつつ、動作に伴う貫通電流の発生が防止されたレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】互いに同じ回路構成を有するレベルシフト回路ＬＶ１，ＬＶ２と、レベルシフト回路ＬＶ１，ＬＶ２に相補の入力信号をそれぞれ供給する入力回路と、レベルシフト回路ＬＶ１，ＬＶ２から出力される相補の出力信号を同相に変換した後に短絡する出力回路とを備える。本発明によれば、同じ回路構成を有する２つのレベルシフト回路ＬＶ１，ＬＶ２を用いるとともに、これらレベルシフト回路ＬＶ１，ＬＶ２から出力される相補の出力信号を同相に変換した後に短絡していることから、レベルシフト回路ＬＶ１，ＬＶ２の動作速度差による貫通電流の発生がほとんど生じない。 （もっと読む）

【課題】外乱ノイズが侵入した場合でも、通信線の信号レベルの変動をより確実に防止できる通信ドライバ回路を提供する。
【解決手段】通信ドライバ部１１は、信号バス１７にノイズが印加されると、信号レベル変化阻止回路１４が、出力段がオープンコレクタタイプで構成される反転増幅回路１３の出力信号がローレベル側に変化することを阻止するように動作する。 （もっと読む）

【課題】端子切替時の応答特性を改善した半導体スイッチを提供する。
【解決手段】電源回路部は、正の電源電位よりも高い第１の電位と、負の第２の電位と、を生成する。駆動回路部は、前記電源回路部に接続され、端子切替信号に応じて前記第１の電位をハイレベルとし前記第２の電位をローレベルとする制御信号を出力する。スイッチ部は、制御信号を入力して端子間の接続を切り替える。前記駆動回路部は、第１と、第２のレベルシフタと、第１の回路と、を有する。前記第２のレベルシフタは、前記第１のレベルシフタの出力電位に応じて互いに排他的にオンする第２のハイサイドスイッチと第２のローサイドスイッチとを有し、前記制御信号を出力する。前記第１の回路は、前記端子切替信号に応じて、前記制御信号の電位の変化よりも前に前記第２のローサイドスイッチに前記電源電位を供給し、または前記ハイサイドスイッチに前記接地電位を供給する。 （もっと読む）

【課題】電源分離領域内の配線密度を低下させる。
【解決手段】動作モードに応じて電源電圧が供給される電源線ＶＶＤＤと、常に電源電圧が供給される電源線ＶＤＤと、通常モードで電源線ＶＶＤＤを電源線ＶＤＤに接続するか、またはスリープモードで電源線ＶＶＤＤを接地電位とするか、を切り替える電源切替回路（１０４、１１１、１１０が相当）と、電源線ＶＶＤＤから電源供給されスリープモードでは動作を停止する第１回路ブロック１０１と、電源線ＶＤＤからの電源供給によって常に動作可能とする第２回路ブロック１０３と、電源線ＶＶＤＤの電位が接地電位近傍にあるか否かにそれぞれ応じて、第２回路ブロック１０３の入力端をハイレベルにするか、第１回路ブロック１０１の出力信号を第２回路ブロック１０３に伝達可能とするか、を制御する入力制御回路（１１４、１１８が相当）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】低電源電圧状態で、ビットラインプリチャージ電圧又はセルプレート電圧を安定的に駆動し、待機電流ＩＤＤ２Ｐ及び動作電流を最小化すること。
【解決手段】電源電圧のハーフレベルの基準電圧を利用し、異なるレベルのバイアス信号を生成するバイアス信号生成手段と、出力端の電圧レベルに応答してプルダウン駆動信号を生成する駆動信号生成手段と、駆動信号に応答して出力端を駆動する電圧駆動手段と、出力端の電圧レベルに応じてプルアップ駆動信号／プルダウン駆動信号を生成する駆動信号生成手段と、前記プルアップ駆動信号／プルダウン駆動信号に応答して前記出力端をプルアップ駆動／プルダウン駆動するプルアップＰＭＯＳトランジスタ／プルダウンＮＭＯＳトランジスタと、第１多重化手段と、第２多重化手段とを備える半導体メモリ素子の電圧発生装置。 （もっと読む）

【課題】回路の誤動作や回路面積の増加を防止しつつ一部の回路の電源電圧を
遮断して消費電力を低減させることができる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】チップ内部を複数の回路ブロック（１１，１２，１３……）に分
割するとともに、いずれかの回路ブロックへの電源電圧の供給を遮断可能に構成
し、電源電圧の供給を遮断可能な回路ブロックから他の回路ブロックへ出力され
る信号の経路上であって信号が分岐される前の位置に、信号の伝達を遮断可能な
信号ゲート手段（３１）と電源遮断直前の信号を記憶可能な記憶手段（３２）と
を含むブロック間インタフェース回路（３０）を設けるようにした。 （もっと読む）

【課題】 内部回路の内部ノードが初期状態に設定されたことを精度よく検出し、内部回路が動作を開始するまでの復帰時間を短縮する。
【解決手段】 第１電源スイッチは、内部電源電圧を受けて動作する内部回路の動作を開始させるための第１電源オン信号の活性化中に、外部電源線を内部電源電圧が供給される内部電源線に接続する。第２電源スイッチは、第２電源オン信号の活性化中に、外部電源線を内部電源線に接続する。検知部は、第１電源スイッチのオンにより上昇する内部電源電圧を受けて動作する回路を含む。検知部は、内部電源電圧が第１電圧を超えることにより、内部回路の内部ノードが初期状態に設定されたことを検出したときに第２電源オン信号を活性化する。 （もっと読む）

【課題】バイアス調整回路やプリドライバ回路が不要で、しかも出力波形の波形歪みを低減することが可能なドライバアンプ回路および通信システムを提供する。
【解決手段】スイッチングトランジスタＭ１１〜Ｍ１４を駆動するゲート電圧を均一にするため、スイッチングトランジスタＭ１１〜Ｍ１４を電源およびＧＮＤ側に配置し、さらに、スイッチングトランジスタＭ１１〜Ｍ１４の駆動振幅を安定させるために、各スイッチングトランジスタＭ１１のドレインと出力ノードＮＤ１１、ＮＤ１２間にそれぞれ第１から第４の抵抗素子Ｒ１１〜Ｒ１４を接続している。 （もっと読む）

【課題】解像度が小さく測定精度が高い時間測定を行うことができるＴＤＣ回路を提供する。
【解決手段】ＴＤＣ回路１は、共通の構成を有する３２個の単位セル１１_０〜１１_３１がリング状に接続されたリング部１０等を備える。単位セル１１は、第１インバータ回路１１１，第２インバータ回路１１２，スイッチＳＷ_０，スイッチＳＷ_１およびスイッチＳＷ_２を含む。第１インバータ回路１１１のＰＭＯＳトランジスタのゲート幅は、第２インバータ回路１１２のＰＭＯＳトランジスタのゲート幅のα_ｐ倍である。第２インバータ回路１１１のＮＭＯＳトランジスタのゲート幅は、第１インバータ回路１１２のＮＭＯＳトランジスタのゲート幅のα_ｎ倍である。α_ｐおよびα_ｎの双方が１より大きいか又は双方が１より小さい。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表側に配置された回路が半導体基板の裏側から解析されることを検出する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】回路ブロックが配置された第１面と、第１面の反対側の第２面とを有する半導体基板と、半導体基板を搭載する実装基板と、実装基板のうち、回路ブロックの保護対象の部分と重なる領域に配置された導電パターンと、導電パターンに改変が加えられたことを検出する検出回路とを有する半導体集積回路装置が提供される。半導体基板の第２面と実装基板とが対向するように、半導体基板が実装基板に搭載されている。 （もっと読む）

【課題】保護対象の回路ブロックの上に配置された導電パターンに加えられた改変の検出精度を向上するための技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板に配置された回路ブロックと、回路ブロックのうち保護対象の部分の上層に配置された導電パターンと、導電パターンの第１部分の電位を基準電位にリセットするリセット部と、第１部分を電流供給ラインに接続する接続部と、第１部分の電位を基準電位にリセットした後に第１部分を電流供給ラインに接続してから一定時間経過後の第１部分の電圧が事前に設定された範囲に含まれるか否かを判定し、一定時間経過後の電圧が事前に設定された範囲に含まれない場合に導電パターンに改変が加えられたことを検出する検出回路とを有する半導体集積回路装置が提供される。第１部分の電圧の変化は、導電パターンの回路定数に依存する。 （もっと読む）