【課題】積分回路の充電が開始されるときのオフセット電圧を抑制することにより、適切なパルス幅変調信号を出力する。
【解決手段】パルス幅変調回路１は、入力信号に基づく電流に基づいて所定のクロック信号の半周期である第１期間Ｔ１において第１積分回路Ｃ１を充電させ、一定のバイアス電流に基づいて第２期間Ｔ２において第１積分回路Ｃ１で蓄積された充電電圧を放電バイアス電流源１３に向けて放電させ、第２期間Ｔ２が開始されてから第１積分回路Ｃ１における電圧が所定の基準電圧に到達するまでの時間を検出し、クロック信号の半周期ごとに交互に繰り返し出力される時間に基づいて、当該時間のパルス幅を有するパルス信号を生成するものである。 （もっと読む）

【課題】入力インピーダンスを一定に維持しつつ、ゲインを変化させることができる増幅回路を提供することを課題とする。
【解決手段】ソース接地型アンプ（１０１）と、前記ソース接地型アンプの出力端子に接続される出力負荷（１０２）と、前記ソース接地型アンプの前記出力端子に接続されるバッファ回路（１０３）と、前記バッファ回路の出力端子及び前記ソース接地型アンプの入力端子間に接続されるフィードバック回路（１０４）と、前記ソース接地型アンプのゲインに応じて前記フィードバック回路のインピーダンスを制御する制御回路（１０５）とを有することを特徴とする増幅回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で出力電圧の下限を制限することが可能な誤差増幅回路を提供する。
【解決手段】バイアス段110から差動段120のPMOSFET Ｍ3(124)、PMOSFET Ｍ4(125)のソースに定電流が供給される。PMOSFET Ｍ3(124)及びPMOSFET Ｍ4(125)のドレインに接続されたNMOSFET Ｍ5A(128)及びNMOSFET Ｍ6A(129)は第１のカレントミラー回路を、またNMOSFET Ｍ5A(128)及びNMOSFET Ｍ6A(129)のソースに接続されたNMOSFET Ｍ5(126)及びNMOSFET Ｍ6(127)は第２のカレントミラー回路を構成する。ダイオード接続されたNMOSFET Ｍ6(127)及びこれにカスケード接続するNMOSFET Ｍ6A(129)は能動負荷を構成し、NMOSFET Ｍ6A(129)のドレインから出力端123に信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】設計期間の短縮を実現可能な半導体装置の設計方法を提供する。
【解決手段】例えば、２ステージＣＭＯＳオペアンプ回路の電気的特性を算出する回路シミュレータ部ＳＩＭと、オペアンプ回路内の回路定数を変更しながらＳＩＭを動作させ、予め定めた設計仕様ＳＰＥＣを満足する回路定数を自動探索する最適化制御部ＯＰＴを設ける。ＯＰＴでは、予め定めた複数のパラメータの関数となる制約式に基づいて、各パラメータ値を逐次変更しながら各トランジスタおよび位相補償容量の回路定数を算出し、それをＳＩＭに反映させる。位相補償容量の制約式は、オペアンプ回路の１ステージ目および２ステージ目の出力容量と、予め定めた位相余裕と、パラメータｋ_ｂ’の関数で規定され、この出力容量は各トランジスタの回路定数で定められる。このような制約式を用いることで、回路定数の探索範囲を狭めることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】低電圧動作の初段増幅器の出力端子の一端がグランドに接続されたオペアンプを有するサンプルホールド回路のスイッチのリーク電流の発生または耐圧オーバーを回避する。
【解決手段】第１のクロックが入力したとき、上記増幅器の出力をリセット容量を介して入力に供給すると共に入力信号と基準電圧との差を入力容量に充電し、第２のクロックが入力したときリセット容量が増幅器から分離されて該リセット容量に基準電圧と出力基準電圧が充電されると共に、回路の動作点を決める参照電圧がスイッチを介して入力容量に入力され、入力容量に充電された入力電圧と参照電圧との差の電荷が上記フィードバック容量に転送され、入力信号が入力容量とフィードバック容量との比によって増幅される。 （もっと読む）

【課題】整合動作時に、電力増幅回路の出力が過負荷になってその構成部品が破損するのを防止し、かつ整合時間の高速化が可能な空中線整合回路を提供する。
【解決手段】制御回路７の可変キャパシタホーミング位置設定手段７ａは、コンデンサ容量が最大となるように可変キャパシタ４に整合制御信号を与えて行い、一方、可変インダクタ５のホーミング位置設定は、可変インダクタホーミング位置設定手段７ｂにより、電力増幅回路１の通常の出カインピーダンスの１／２〜２／３程度のリアクタンスになるように整合制御信号を与えて行うようにした。 （もっと読む）

【課題】大きな光パワーの信号が入力された場合であっても周辺回路に煩雑な閾値制御や電圧制御を必要とすることなく良好に信号の識別再生ができる前置増幅器および光受信装置を提供する。
【解決手段】受光素子からの電流信号を電圧信号に変換して所定の利得で増幅するシングルエンドアンプ４１と、そのシングルエンドアンプ４１から入力した電圧信号を増幅するとともに逆相信号および正相信号を生成して出力する差動アンプ４３と、その差動アンプ４３の逆相出力および正相出力の両相出力の電圧を入力し、出力を差動アンプ４３の片側の入力にフィードバックするオペレーショナルアンプ４６と、光パワーの大きい信号が入力されたとき、差動アンプ４３の逆相出力のハイレベルの振幅をクリップするクリップ手段を設けた。 （もっと読む）

【目的】 増幅器の入力におけるパイロット信号レベルの安定化が図れる安価で小型な増幅器ユニットを提供する。
【構成】 主信号にカップラを介して該主信号とは異なる周波数のパイロット信号を合成（注入）し、該主信号及び該パイロット信号を増幅器で増幅する増幅器ユニットにおいて、前記主信号の入力端子と前記カップラの入力端子との間にサーキュレータの入力ポートと出力ポートを接続し、該サーキュレータのアイソレーションポートと接地との間に移相器を設けた。この構成により、増幅器の入力で一部反射されたパイロット信号の位相を所要に調整して後、再度増幅器の入力でパイロット信号の主成分に合成することにより、パイロット信号レベルの安定化を図る。 （もっと読む）

設定可能なＤＣ結合またはＡＣ結合出力を備えるマルチモード増幅器が説明される。一設計では、マルチモード増幅器は、増幅器および少なくとも１つのＤＣレベルシフト回路を含む。増幅器は、入力信号を受信して増幅し、ＤＣ結合モードにおける負荷へのＤＣ結合、ＡＣ結合モードにおける負荷へのＡＣ結合に適する出力信号を提供する。少なくとも１つのＤＣレベルシフト回路は、増幅器の少なくとも１つ（例えば、入力および／または出力）のコモンモード電圧についてＤＣレベルシフトを実行し、増幅器がＤＣ結合で、またはＡＣ結合モードで動作しているかどうかに基づいて制御される。増幅器は、ＤＣ結合モードにおいてＶ_ＤＤとＶ_ＮＥＧ供給との間で、ＡＣ結合モードにおいてＶ_ＤＤとＶ_ＳＳ供給との間で動作する。増幅器は、少なくとも１つの利得段、内部ＤＣレベルシフト回路および出力段を含んでもよい。
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【課題】差動信号のクロスポイントを容易に調整することができる差動信号生成回路を得る。
【解決手段】本発明に係る差動信号生成回路は、入力信号と閾値電圧とを比較して差動信号を出力する第１アンプと、差動信号に応じて閾値電圧を調整する第２アンプとを備え、第２アンプは、ゲートに差動信号がそれぞれ入力され、差動対を構成する第１，第２トランジスタと、第１、第２トランジスタのドレインと基準電位点との間にそれぞれ接続されたカレントミラー構成の第３、第４トランジスタと、第１，第２トランジスタのソースが共通接続された電流源と、外部から入力された電流又は電圧に応じて、第１トランジスタのドレイン電流を調整する調整部とを有し、第２トランジスタのドレイン電圧に応じて閾値電圧を調整する。 （もっと読む）

通信衛星のマルチポート増幅器（ＭＰＡ）内では、フィードバックループを用いて、位相及び振幅追従、従って、絶縁及び合成性能をＫｕ及びＫａ帯域において維持する。Ｋｕ及びＫａ帯域については、ＭＰＡ用途への関心が高まりつつあるが、この場合、波長が短く、位相／振幅追従の維持は、非常に困難となる。フィードバックループは、ＭＰＡ出力ネットワーク（ＯＮＥＴ）内の重要な点に配置され、追従誤差を検出して補償を行う。誤差は、「ヌル点」における電力測定を通して検出され、ゼロ電力が、正確な追従に相当する。フィードバックループは、これらの点におけるレベルがゼロに維持されるように、ＭＰＡの位相／利得を調整する。本方式は、ＭＰＡ入力の内の１つに注入されるヌル測定用パイロット信号で動作する。
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【課題】１つの増幅器を用いて狭帯域で高出力な特性と広帯域で低出力な特性とを切り換えることが可能な増幅装置を提供する。
【解決手段】増幅装置１００は、第１、第２の入力信号が入力され、これらの信号を増幅した第１、第２の増幅信号を出力する増幅器１と、第１の増幅信号が出力される増幅器の第１の出力部と第２の増幅信号が出力される増幅器１の第２の出力部との間に接続された容量２と、容量２の一端に一端が接続された第１のインダクタ３と、容量２の他端に一端が接続された第２のインダクタ４と、第１のインダクタ３の他端に接続された第１の出力端子５と、第２のインダクタ４の他端に接続された第２の出力端子６と、第１の出力端子５と第２の出力端子６との間に接続された第１の可変抵抗７と、増幅器１の出力インピーダンスおよび第１の可変抵抗７の抵抗値を制御する制御装置９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】オフチップから追加のDC電圧を供給することを要求されない、若しくは、オンチップにて追加のDCバイアシング電圧を提供するために追加のバイアス回路を要求されないような電力増幅器構成を提供する。
【解決手段】自己バイアスカスコード増幅器回路は、DC電圧源端子と共通端子との間に互いに直列に接続された第一のMOSFETトランジスタと第二のMOSFETトランジスタを備える。RF入力信号端子がこの第一のMOSFETトランジスタのゲート電極に接続され、第二のMOSFETトランジスタのゲートは、第二のMOSFETトランジスタのドレーンと第一のMOSFETトランジスタのソースとの間に直列に接続された抵抗及とコンデンサの間に接続される。この増幅器回路の出力は、第二のMOSFETトランジスタのドレーン電極から取り出される。 （もっと読む）

【課題】電流増幅率が可変であり、且つ、その電流増幅率を不揮発的に保持することができる電流増幅回路を提供すること。
【解決手段】電流増幅回路１は、入力電流Ｉｉｎが入力される入力端子ＩＮと、出力電流Ｉｏｕｔが出力される出力端子ＯＵＴと、入力端子ＩＮに一端が接続された第１抵抗素子１０と、入力端子ＩＮに一端が接続された第２抵抗素子２０と、第１抵抗素子１０の他端と出力端子ＯＵＴとの間に介在する第１カレントミラー回路４０と、第２抵抗素子２０の他端と出力端子ＯＵＴとの間に介在する第２カレントミラー回路５０とを備える。第１カレントミラー回路４０は、出力端子ＯＵＴに電流を流し込み、第２カレントミラー回路５０は、出力端子ＯＵＴから電流を引き込む。第１抵抗素子１０と第２抵抗素子２０の少なくとも１つは、磁気抵抗効果素子である。 （もっと読む）

【課題】 パワーアンプ回路を備えたオーディオ装置において、過熱時に、パワーアンプ回路に入力されるオーディオ信号の信号レベルを制限することで、当該過熱を抑制すると共に、このレベル制限時に、聴取者に対して不快感を与えることのないようにする。
【解決手段】 この発明に係るオーディオ装置によれば、パワーアンプ回路が過熱されて、これを冷却するためのヒートシンクの温度Ｔが第１基準温度Ｔ１を超えると、当該パワーアンプ回路の前段に設けられたＶＣＡ回路のゲインＧが最大ゲインＧ１から初期制限ゲインＧ２に低減される。このとき、ゲインＧは、時間Ｄを掛けて連続的に低減される。そして、ヒートシンクの温度Ｔが第２基準温度Ｔ２を超えると、ゲインＧがさらに制限される。このときも、ゲインＧは連続的に制限される。そして、ヒートシンクの温度Ｔが第３基準温度Ｔ３を超えると、パワーアンプ回路へのオーディオ信号の入力が遮断される。 （もっと読む）

【課題】より正確に参照電流をミラーすることが可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路１００は、参照電流を出力する電流源１と、電流源１の他端に一端が接続されるとともに、ダイオード接続された第１のＭＯＳトランジスタ２と、第１のＭＯＳトランジスタ２のゲートにゲートが接続され、参照電流をカレントミラーした出力電流が流れる第２のＭＯＳトランジスタ３と、第１のＭＯＳトランジスタ２の他端と接地との間に接続された第１の可変抵抗４と、第２のＭＯＳトランジスタの他端と接地との間に接続された抵抗成分５と、第１のＭＯＳトランジスタ１の他端の第１の電位と第２のＭＯＳトランジスタの他端の第２の電位とを比較し、第１の電位と第２の電位とが等しくなるように、第１の可変抵抗４の抵抗値を制御するための信号を出力する第１のオペアンプ６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高周波特性をより向上させることができる高周波電力増幅器モジュールを提供する。
【解決手段】 配線基板上に多段の増幅段トランジスタを有する半導体チップが設置された高周波電力増幅器モジュールにおいて、ある一つの初段トランジスタ（増幅段トランジスタ）１０２に対応するゲート電極（ボンディング用入力電極）１０２ａと配線基板１１３を接続する入力ボンディングワイヤ１０５の両端のボンディング部同士を結ぶ第１の補助線と、この一つの増幅段トランジスタの次段に位置する２段目トランジスタ（増幅段トランジスタ）１０３に対応するドレイン電極（ボンディング用出力電極）１０３ｂと配線基板１１３を接続する出力ボンディングワイヤ１０８の両端のボンディング部同士を結ぶ第２の補助線のなす角度を７２〜１８０゜、ゲート電極（ボンディング用入力電極）１０２ａとドレイン電極（ボンディング用出力電極）１０３ｂのボンディング部の間隔を０．３ｍｍ以上とする。 （もっと読む）

【課題】出力段のアイドリング電流の増加を招くことなく、負荷電流能力の向上を図る。
【解決手段】
入力信号に対して差動増幅を行う前段増幅部１０１と、前段増幅部１０１の出力を電圧・電流変換するプリドライバ部１０２と、このプリドライバ部１０２によって駆動されるプッシュプル出力段１０５とが設けられると共に、プッシュプル出力段１０５を構成するローサイド側のバイポーラトランジスタ７にシンク電流が流れる際に、そのベースに補充電流を流入せしめる補充電流供給部１０３が設けられて、第７のトランジスタ７の出力電流能力の向上が図られるものとなっている。 （もっと読む）

【課題】 ＦＥＴアンプにおいて、出力用のＦＥＴに最適なバイアス電圧を安定に供給する。
【解決手段】 ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｐ21、Ｐ22）により電源ラインＴ13を基準電位点としてカレントミラー回路２１１が構成され、ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｍ21、Ｍ22）により接地ラインＴ10を基準電位点としてカレントミラー回路２１２が構成される。ＦＥＴ（Ｐ21、Ｐ22）のドレインと、ＦＥＴ（Ｍ21、Ｍ22）のドレインとの間に、抵抗器Ｒ21、Ｒ22AおよびＲ22Bの直列回路が接続される。入力回路１１の出力端が抵抗器Ｒ22A、Ｒ22Bの接続中点に接続され、抵抗器Ｒ21、Ｒ22AおよびＲ22Bの直列回路の両端が、コンプリメンタリ接続されたＦＥＴ（Ｐ31、Ｍ31）のゲートに接続される。ＦＥＴ（Ｐ31、Ｍ31）のドレインから出力が取り出されるとともに、その出力の一部が入力回路１１に負帰還される。 （もっと読む）

信号プロセッサは基準電圧（ＶＲ）をキャパシタンス（Ｃｒ）に印加する基準電圧回路（ＲＶＣ）を具える。基準電圧回路（ＲＶＣ）は、前記キャパシタンス（Ｃｒ）に存在する電圧が増大するとき、減少する振幅を有する負傾斜信号（ＳＮ）を供給する負傾斜モジュール（ＮＳＭ）を具える。正傾斜モジュール（ＰＳＭ）が前記キャパシタンス（Ｃｒ）に存在する電圧が増大するとき、増大する振幅を有する正傾斜信号（ＳＰ）を供給する。最小値選択モジュール（ＭＳＭ）が、前記負傾斜信号（ＳＮ）の振幅が前記正傾斜信号（ＳＰ）の振幅より小さい場合には、前記基準電圧回路（ＲＶＣ）が前記キャパシタンス（Ｃｒ）に供給し得る最大電流（ＩＭＸ）をほぼ前記負傾斜信号（ＳＮ）に依存して制御する。最小値選択モジュール（ＭＳＭ）が、前記正傾斜信号（ＳＰ）の振幅が前記負傾斜信号（ＳＮ）の振幅より小さい場合には、前記最大電流をほぼ前記正傾斜信号（ＳＰ）に依存して制御する。
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