セラミック回路基板及び半導体発光モジュール
【課題】 ヒートショックに対する耐久性に優れ、接合強度が高く、微細な配線パターンが形成できるセラミック回路基板および半導体発光モジュールを提供する。
【解決手段】 セラミック回路基板１０は、対向する第１面と第２面を有するセラミック基板１２と、セラミック基板１２の第１面に形成されたタングステン又はモリブデンを主成分とする配線導体１４と、セラミック基板１２の第２面に形成された銅層１６を備え、銅層１６は耐熱衝撃特性を有している。
【解決手段】 セラミック回路基板１０は、対向する第１面と第２面を有するセラミック基板１２と、セラミック基板１２の第１面に形成されたタングステン又はモリブデンを主成分とする配線導体１４と、セラミック基板１２の第２面に形成された銅層１６を備え、銅層１６は耐熱衝撃特性を有している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はセラミック回路基板及び半導体発光モジュールに関し、特に、例えば高出力の発光素子が搭載されるセラミック回路基板及び半導体発光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、セラミック基板上に導電性層を設けたセラミック回路基板が広く使用されている。特に、窒化アルミニウム、窒化珪素、アルミナ、アルミナとジルコニア等の化合物からなるセラミック焼結体からなるセラミック基板上に、銅、アルミニウム等の金属回路基板を設けたセラミック回路基板は、優れた電気絶縁性、放熱性および機械的強度を有していることから、例えばパワートランジスタ等の電子部品を実装したモジュール製品の実装基板として用いられている。
【０００３】
セラミック基板と金属回路基板を接合する方法としていくつかの方法が知られている。セラミック基板と金属回路基板としての銅板の接合方法としては、例えば、セラミック基板と銅板を接触配置し、不活性雰囲気中にて１０００℃程度の温度で加熱し、セラミック−銅板の接合基板を形成する方法が知られている。この接合法は酸素とセラミックとが共晶反応を起こし、セラミック基板と銅板とが直接接合される方法である。セラミック基板がアルミナのような酸化物系であれば容易に接合することができる。
【０００４】
また、セラミック基板が非酸化物系の場合であっても、セラミック基板の表面に酸化膜等を設けることによりセラミック基板と銅板を接合することができる。
【０００５】
また、他にも接合方法として、活性金属法が知られている。これはＴｉ，Ｃｕ，Ａｇなどの活性な金属の粉末に有機化合物等のバインダおよび溶媒を混合してなるペーストを、セラミック基板上にパターン印刷し、そのセラミック基板の上に銅回路板をパターンに沿って配置して、不活性雰囲気（Ａｒ，Ｎ２ガス雰囲気等）または真空中で加熱接合する方法である。さらに、Ｍｏ−Ｍｎ法、硫化銅法、銅メタライズ法などが、セラミック基板と金属回路基板を接合する方法として知られている。
【０００６】
セラミック回路基板の構造に関して、図１に示すように、セラミック回路基板１は、セラミック基板２と、セラミック基板２の両面に銅板またはアルミ板を直接接合法、活性金属接合法、ろう付け法の何れかを用いて接合して形成された金属回路基板３と、金属回路基板３上に融点が５００〜７８０℃であるろう材から成るろう材層４を介して接合された金属端子５を備えている（特許文献１）。
【特許文献１】特開２００２−１００８４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、通常のＬＥＤとして用いられる大きさにおいて、例えば、駆動電力１Ｗ以上でＬＥＤを発光させた時に、セラミック基板の単体では、発生する熱を十分に放熱することができない。そのため、セラミック基板の下にヒートシンクのような放熱部が必要となる。放熱部とセラミック基板と接合または接触させて使用することで、ＬＥＤから発生する熱は効果的に放熱される。
【０００８】
セラミック基板の下側に配置される放熱部として、銅やアルミニウム等の熱伝導率の高い部材が好ましく用いられる。これらの部材は低コストの金属部材であり、通常導電性も有している。
【０００９】
セラミック基板はめっきパターンの引き回しなどによって、下側に放熱部だけでなく配線部を形成することができる。セラミック基板の下側に配線部を形成する場合、放熱部が銅やアルミニウムなどの金属部材であると、配線部が短絡するため直接回路を形成することができない。そのため絶縁膜を配線部と放熱部の間に挟んで配線部（回路層）を形成する必要がある。しかし、セラミック基板から放熱部までの熱経路の間に絶縁膜が存在すると、熱抵抗が上昇するため、好ましくない。
【００１０】
特に、近年のＬＥＤの大出力化に伴い、ＬＥＤから発生する熱量も多くなってきている。熱経路における低熱抵抗化は重要な課題である。セラミック基板の上側のみリード端子または外部接続用配線回路を設け、上側で導通をすることで、セラミック基板から放熱部までの熱経路に絶縁膜が不要となる。その結果、熱伝導率の高い放熱部に直接熱を伝達でき、熱経路において低熱抵抗化を実現できる。
【００１１】
一方で、図１に示される構造は、直接接合などによってセラミック基板２上に接合した金属回路基板３の上にろう材からなるろう材層を介しリード端子（金属端子）を一体に接合した端子付きのセラミック回路基板である。図１に示す、銅板のような金属回路基板を貼り付ける方法では、例えば、配線と配線の間隔が１００μｍのような微細な配線パターンを作成することができない。
【００１２】
微細な配線パターンを解決する方法としては、セラミック基板上にめっきによって銅の配線導体を形成する方法や、銅ペーストによって銅の配線導体を形成することが知られている。これらの方法で形成された銅の配線導体は銅板に比べて密ではない。そのため、一般的な銀系ろう材によって、リード端子と銅の配線導体をろう付けしようとすると、銅と銀が固溶してしまう場合がある。そのため、銅がセラミック基板との界面で剥がれてしまい、再現よく接合することが難しくなる。
【００１３】
また、銀ろう付けは還元雰囲気中で接合を行なう必要がある。このとき銅の配線導体とセラミック基板との接合部が還元雰囲気に曝されてしまう。接合部が還元雰囲気に曝さらされると接合部が脆くなるので、銅による配線とセラミック間において満足できる接合強度を得ることができなかった。
【００１４】
また、銀ろう付けではなく、リード端子と配線導体をＡｕＳｎのような半田で接合する方法が知られている。近年のＬＥＤのハイパワー化に伴い、配線導体と発光素子をＡｕＳｎで接合することも行なわれている。通常、リード端子と発光素子は別々に配線導体に接続される。そのため、リード端子と発光素子を同じ半田で実装した場合、発光素子を接合するときの実装温度によってリード端子の半田接合の部分が軟化や組織変化を起こし、接合強度の信頼性を低下させるこおそれがあった。
【００１５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、本発明の目的は、ヒートショックに対する耐久性を向上させることである。本発明の他の目的は、接合強度を高めることである。本発明さらに別の目的は、微細な配線パターンを形成することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記目的を達成するために、本発明のセラミック回路基板は、対向する第１面と第２面を有するセラミック基板と、前記セラミック基板の第１面に形成されたタングステン又はモリブデンを主成分とし、リード端子が銀ろう材を介して接合される接続領域を備えた配線導体と、前記セラミック基板の第２面に形成された銅層又は銅合金層を有することを特徴とする。
【００１７】
前記目的を達成するために、本発明のセラミック回路基板は、対向する第１面と第２面を有するセラミック基板と、前記セラミック基板の第１面と前記セラミック基板の内部又は側面を通じて前記セラミック基板の第２面に形成されたタングステン又はモリブデンを主成分とした配線導体と、前記セラミック基板の第２面に形成された銅層又は銅合金層を有し、前記セラミック基板の第２面に形成された配線導体においてリード端子が銀ろう材を介して接合される接続領域を備えていることを特徴とする。
【００１８】
本発明のセラミック回路基板において、銅層又は銅合金層の厚さは５０μｍ〜１００μｍであることが好ましい。
【００１９】
本発明のセラミック回路基板は、前記発明において、前記配線導体上に形成されたニッケルからなる被覆層と、前記被覆層上に銀系ろう材からなる接合材によって接合されたリード端子をさらに有することができる。
【００２０】
本発明のセラミック回路基板は、前記発明において、前記セラミック基板と前記銅層又は前記銅合金層とが、直接接合法、活性金属接合法、Ｍｏ−Ｍｎ法、硫化銅法又は銅メタライズ法いずれかの方法で接合することができる。
【００２１】
本発明のセラミック回路基板は、前記発明において、前記セラミック基板の第２面の銅層又は銅合金層に熱的に結合する放熱板をさらに備えることができる。
【００２２】
本発明のセラミック回路基板は、前記発明において、前記放熱板と前記銅層又は前記銅合金層とが接合材で接合することができる。
【００２３】
本発明のセラミック回路基板は、前記発明において、前記接合材を鉛フリー半田とすることができる。
【００２４】
前記目的を達成するために、本発明の半導体発光モジュールは、上述のセラミック回路基板と、前記セラミック基板の第１面の配線導体に搭載された発光装置を備えている。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、ヒートショックに対する耐久性に優れ、接合強度が高く、微細な配線パターンが形成できるセラミック回路基板および半導体発光モジュールを実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下添付図面に従って本発明の好ましい実施の形態について説明する。本発明は以下の好ましい実施の形態により説明されるが、本発明の範囲を逸脱すること無く、多くの手法により変更を行うことができ、本実施の形態以外の他の実施の形態を利用することができる。従って、本発明の範囲内における全ての変更が特許請求の範囲に含まれる。
【００２７】
本発明の実施形態を図２に基づいて説明する。図２はセラミック回路基板上に半導体発光装置が搭載された半導体発光モジュールの断面図を示している。セラミック回路基板１０は、セラミック基板１２と、セラミック基板１２の第１面に形成された配線導体１４と、セラミック基板１２の第１面と反対の第２面に形成された銅層１６を備えている。
【００２８】
セラミック基板２の第１面に形成される配線導体１４はＷ（タングステン）又はＭｏ（モリブデン）を主成分とする金属で形成される。配線導体１４は所望のパターンとなるよう第１面上に形成され、全体として配線回路を構成する。配線導体１４上に、ろう材２６との濡れ性を確保するためＮｉめっきにより被覆層１８が形成される。Ｗ又はＭｏの配線導体１４は、印刷法により形成されるので、配線導体１４間の間隔が７５μｍ以下の微細な配線回路を実現できる。
【００２９】
銅層１６は、銅板のろう付け、直接貼り付け、銅めっき、銅ペーストの焼成などの方法によってセラミック基板１２の第２面に形成される。
【００３０】
放熱性のよいヒートシンク２０が例えば鉛フリー半田等の接合材２２で銅層１６に接合される。銅層１６は、セラミック回路基板１０の放熱性、熱衝撃性を高めている。セラミック基板１２の第２面に銅層１６を形成することにより、銅層が延性を有するので熱膨張差を緩和することができ、放熱性、熱衝撃性が高められる。また、銅層は、銅箔の貼り付け等により密に形成するより、めっきやペースト等により粗に形成することが、熱衝撃性向上の観点からより好ましい。
【００３１】
配線導体１４はその一部がパッドとして使用される。コバールや合金（４２アロイ）等からなるリード端子２４がろう材２６により配線導体１４のリード端子用のパッドに接合される。リード端子２４は、セラミック回路基板１０における外部接続用の端子として設けられる。リード端子２４は、銅や銅合金、鉄−ニッケル合金等の金属材料からなる。また、セラミック基板１２とリード端子２４の線膨張係数はできるだけ近い値であることが好ましい。リード端子２４は第１面のＷやＭｏからなる配線導体１４に銀ろうなどのろう材２６によりろう付けされる。
【００３２】
発光装置２８が配線導体１４の発光装置用のパッドに、例えばＡｕＳｎ接合やＡｕバンプを用いて接続される。この接合も放熱性を高める材料の選択が好ましい。発光装置２８がセラミック基板１２の配線導体１４に接合され、半導体発光モジュール３０が完成する。発光装置２８は、ＬＥＤ素子のベアチップであっても良い。ＬＥＤ素子は、配線導体１４にフリップチップにより接続されても良いし、ワイヤボンディングに接続されても良い。また、発光装置２８は、ＬＥＤ素子がケースに収納されるパッケージタイプの発光装置でも良い。
【００３３】
発光装置２８は、求められる発光色に応じて蛍光体を備えることができる。例えば、白色光が求められる場合、青色発光のＬＥＤ素子と、青色光に励起され黄色光を発光するＹＡＧ系あるいはシリケート系蛍光体を組み合わせて、各光を混色することで容易に白色光を得ることができる。
【００３４】
本実施形態のセラミック回路基板においては、配線導体のリード端子をろう付けするパッド部の形成されている面と銅層の形成された面とが異なるため、銅層を還元雰囲気に晒さないでのろう付け工程を行ないやすいものとなっている。
【００３５】
また、本実施形態のセラミック基板においては、リード端子をろう付けする側の配線導体にＷまたはＭｏを使用しているため、配線導体、特にリード端子用のパッド領域に銅を使用していない。そのため、リード端子と配線導体との接続において、Ｎｉめっきのような一般的な被覆層を設けて高い接合強度を得ることができる。ここで、例えば、本実施形態のおけるＷまたはＭｏの代わりに銅を用い、銅上にＮｉの被覆層を形成した場合には、リード端子の接続において十分な接合強度を得ることができない。このことは、銅がＮｉと３００℃程度で合金を作ってしまうため、リード端子をろう付けする際の温度で銅とＮｉが固溶するためである。
【００３６】
本発明の他の実施形態を図３に基づいて説明する。図３はセラミック回路基板１０と半導体発光モジュール３０の断面図を示している。上述の実施形態で説明した構成と同様の構成には同一符号を付して説明を省略する場合がある。
【００３７】
セラミック回路基板１０は、セラミック基板１２と、セラミック基板１２の第２面に形成された銅層１６、接合材２２を介して銅層１６に接合されるヒートシンク２０を備えている。
【００３８】
本実施形態におけるセラミック回路基板１０では、配線導体１４がセラミック基板１２の第１面から側面を経由して第２面にも形成される。発光装置２８は第１面の配線導体１４に接合される。一方、リード端子２４は、発光装置２８の搭載面と反対の第２面の配線導体１４のリード端子用のパッドにろう材２６によりろう付け、接合される。
【００３９】
発光装置２８とリード端子２４の接合面が異なるので、半導体発光モジュール３０としての設計の自由度が向上する。一般的に、半導体発光モジュール３０は他の部品又はモジュールと組み合わせて使用される。他の部品等の形状に合わせて半導体発光モジュール３０のリード端子２４の位置を変更できることが好ましい。
【００４０】
銅層１６は、第２面に形成される配線導体１４と短絡しないよう離間して設けられる。銅層１６に接合されるヒートシンク２０は、配線導体１４およびリード端子２４に接触しないように段差２０ａを有している。銅層１６とヒートシンク２０の接合面積も小さくなる。放熱効果を大きくするため、ヒートシンク２０はリード端子２４と接触しない位置で横方向に広がり、全体として凸の形状を示す。
【００４１】
この実施形態ではセラミック基板１２の側面を経由して配線導体１４が第１面から第２面に形成される例を示した。セラミック基板１２にビアを形成し、そのビアに導電材料を充填し、第１面に形成された配線導体１４と第２面に形成された配線導体１４をセラミック基板の内部を経由して電気的に接続することもできる。
【００４２】
次に、本発明に係るセラミック回路基板の製造方法について図４に基づいて説明する。
【００４３】
図４（ａ）に示すように、窒化アルミニウムのセラミックグリーンシートの上面（第１面）にＷ（タングステン）ペーストが印刷され、配線回路となるパターンが形成される。リード端子用および発光装置搭載用のパッドが同時に形成される。セラミック基板を単層でなく積層基板とする場合には、セラミックグリーンシートにビアが形成され、ビア内にＷペーストが充填される。
【００４４】
Ｗペーストで配線回路が印刷されたセラミックグリーンシートが１０００℃前後の高温で焼成される。焼成は還元雰囲気で行なわれる。焼成により、セラミックグリーンシートがセラミック基板１２に、Ｗペーストが配線導体１４となる。
【００４５】
また、配線回路を形成する方法として、焼成されたセラミック基板に電解または無電解めっきにより配線回路となる配線導体を形成することもできる。
【００４６】
図４（ｂ）に示すように、セラミック基板１２の下面（第２面）に、銅層１６が形成される。銅層１６の形成方法として、例えば、直接接合（ダイレクトボンディング）による方法がある。この形成方法は不活性雰囲気で接合する必要がある。（例えば特開昭６１−２３６６６２）。接合温度はほぼ１０００℃程度で、セラミックの焼成温度も低い温度が好ましい。
【００４７】
また、Ｃｕペーストをセラミック基板に塗布する方法で厚銅を形成しても良い。このＣｕペーストによる作成方法もまた不活性雰囲気、中性雰囲気（例えば窒素雰囲気）によって接合が行なわれる。接合温度は１０００℃弱程度である、これによって、セラミック基板と銅層の界面で共晶反応によって酸化銅（ＣｕＯ２やＣｕＯなど）が形成され、接合される。
【００４８】
また、めっきによって銅層１６を形成してもよい。銅は軟質鋼材であり、ヒートシンクなどの放熱部材と半田などで接合する場合に好ましい。
【００４９】
次に、図４（ｃ）に示すように、作製されたセラミック基板１２の上面のＷからなる配線導体１４にろう材との濡れ性を確保するために、Ｎｉをめっきして配線導体１４上にＮｉの被覆層１８を形成し、Ｗ／Ｎｉ層とすることが好ましい。
【００５０】
次に、図４（ｄ）に示すように、リード端子２４が、第２面に銅層１６が形成されたセラミック基板１２の第１面に上面のＷ／Ｎｉの２層からなる配線導体１４のリード端子用のパッドにＡｇ系ろう材２６にて、ろう付けされる。ろう付け時の温度は８００℃程度の温度である。これはセラミック基板１２に銅層１６が形成されるときの温度よりも低い温度である。
【００５１】
一般的に、ろう付けは還元雰囲気で接合が行なわれる。しかし、還元雰囲気中にそのままセラミック基板１２を配置すると、セラミック基板１２と銅層１６の接合面に問題が生じる場合がある。
【００５２】
その理由は、セラミック基板１２と銅層１６が共晶反応によって酸化銅で接合されているため、還元雰囲気に曝されるとセラミック基板１２と銅層１６の界面にある酸化銅が還元反応によって脆くなってしまうためである。特に、Ｃｕペーストにより形成した銅層１６は粗な領域もあるため、界面において酸化銅がより還元反応を起こしやすく、完全に剥離する部分もあった。
【００５３】
そこで、これを防止するため、リード端子２４をろう付けする間、銅層１６が形成されたセラミック基板１２の第２面を還元雰囲気に曝さないよう保護する。第２面を還元雰囲気に曝されないよう保護することで、第２面に銅層１６を形成するすることができる。例えば、第２面に銅層１６を覆うカバー３２を設けることで還元雰囲気に曝されないようにすることができる。リード端子２４をろう付けする側は還元雰囲気に曝されてしまうため、還元雰囲気に影響を受けない配線導体１４を設ける必要がある。本発明おいて第１面に形成されるＷ又はＭｏを主成分とする配線導体１４はこの条件を満足する。
【００５４】
次に、図４（ｅ）に示すように、リード端子２４や銅層１６をＮｉやＡｕなどのめっきをし被覆層（不図示）を形成することが好ましい。被覆層により酸化腐食を防止することができる。発光装置２８がＡｕＳｎなどの薄膜や半田を用いて３００℃程度でセラミック基板１２上の配線導体１４に接合される。発光装置２８がベアの発光素子であり同一面に電極を有する場合、フリップチップにてそのまま配線導体１４に接合しても良い。また、その発光素子が上面と下面の両面に電極を持つ場合は、配線導体１４と対向しない上面電極はＡｕワイヤなどの導電性ワイヤで配線導体１４と接合される。発光素子は蛍光体を含んだ透明樹脂などで封止しても良い。リード端子２４は放熱部の上に形成された回路基板などと半田等で接合させることによって、ＬＥＤに駆動電流を給電させることができる。
【００５５】
発光装置２８を配線導体１４に接合した後、ヒートシンク２０が、鉛フリー半田（例えば、ＳｎＡｇＣｕ、ＳｎＣｕＮｉＧｅ又はＳｎＡｇＡｌ）等の接合材２２で銅層１６に接合される。半導体発光モジュール３０が完成する。
【００５６】
本発明の図２に基づいて説明した実施形態の構成を有する半導体発光モジュールと、比較例として作成した第２面に銅層の代わりにＷ又はＭｏからなる金属層を備える半導体発光モジュールに熱衝撃試験を行なった。
【００５７】
比較例の半導体発光モジュールにおいて、第２面に銅層の代わりに形成したＷ又はＭｏからなる金属層に接合材（例えば、ＳｎＣｕＮｉＧｅ又はＳｎＡｇＣｕ）を介して接合されたヒートシンクを備えている。
【００５８】
その結果、ヒートショック（−４０℃と１２０℃を交互に１５分）を１０００回繰り返した場合、本発明に係る半導体発光モジュールでは接合材として用いたＳｎＣｕＮｉＧｅにクラックは見られなかった。一方で、比較例として作成したＷ又はＭｏからなる金属層を備える半導体発光モジュールにおいては接合材として用いたＳｎＣｕＮｉＧｅにクラックが発生しているのが見られた。
【００５９】
接合材をＳｎＡｇＣｕに変更して、同じ条件で行なっても本発明に係る半導体発光モジュールの接合材にクラックは発生しなかった。
【００６０】
クラックの発生が接合材によるものでなく、セラミック基板の第２面に形成される金属層の違いであることが理解できる。
【００６１】
以上のように、セラミック基板の第１面の配線導体をＷ／ＮｉやＷ／Ｎｉ／Ａｕ層とし、第２面を銅層とすることで、銀系ろう付けによるリード端子の接合性を確保し、放熱、熱衝撃に対して好ましい軟質金属を形成させることができる。リード端子付きセラミック基板として好ましいものを提供することができる。
【００６２】
次に、本発明の他の実施形態を図５に基づいて説明する。セラミック基板１２は第１面に導体配線（不図示）を備えており、導体配線にはリード端子２４と銀ろう材により接合される接続領域がセラミック基板１２の両端部に形成されている。複数のセラミック基板１２が、図５に示すように、接続領域を有しない辺同士が対向するように略直線状に配列される。複数のリード端子２４をタイバー部４２で連結したリードフレーム４０が、複数のセラミック基板１２の接続領域に対し、一括で銀ろう材により接合される。このようにリードフレームタイプとすることにより、作業性、生産性を向上させることができる。
【００６３】
セラミック基板の上面と下面の金属の種類を変えることによってリード端子の接合強度を高める。また、下面に銅層を配置することによって、熱衝撃に対する信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】従来のセラミック回路基板を示す断面図。
【図２】本発明に係る実施形態を示す断面図。
【図３】本発明に係る他の実施形態を示す断面図。
【図４】本発明に係る半導体モジュールの製造方法を説明するフロー図
【図５】本発明に係る別の他の実施形態を示す斜視図。
【符号の説明】
【００６５】
１０…セラミック回路基板、１２…セラミック基板、１４…配線導体、１６…銅層、１８…被覆層、２０…ヒートシンク、２２…接合材、２４…リード端子、２６…ろう材、２８…発光装置、３０…半導体発光モジュール
【技術分野】
【０００１】
本発明はセラミック回路基板及び半導体発光モジュールに関し、特に、例えば高出力の発光素子が搭載されるセラミック回路基板及び半導体発光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、セラミック基板上に導電性層を設けたセラミック回路基板が広く使用されている。特に、窒化アルミニウム、窒化珪素、アルミナ、アルミナとジルコニア等の化合物からなるセラミック焼結体からなるセラミック基板上に、銅、アルミニウム等の金属回路基板を設けたセラミック回路基板は、優れた電気絶縁性、放熱性および機械的強度を有していることから、例えばパワートランジスタ等の電子部品を実装したモジュール製品の実装基板として用いられている。
【０００３】
セラミック基板と金属回路基板を接合する方法としていくつかの方法が知られている。セラミック基板と金属回路基板としての銅板の接合方法としては、例えば、セラミック基板と銅板を接触配置し、不活性雰囲気中にて１０００℃程度の温度で加熱し、セラミック−銅板の接合基板を形成する方法が知られている。この接合法は酸素とセラミックとが共晶反応を起こし、セラミック基板と銅板とが直接接合される方法である。セラミック基板がアルミナのような酸化物系であれば容易に接合することができる。
【０００４】
また、セラミック基板が非酸化物系の場合であっても、セラミック基板の表面に酸化膜等を設けることによりセラミック基板と銅板を接合することができる。
【０００５】
また、他にも接合方法として、活性金属法が知られている。これはＴｉ，Ｃｕ，Ａｇなどの活性な金属の粉末に有機化合物等のバインダおよび溶媒を混合してなるペーストを、セラミック基板上にパターン印刷し、そのセラミック基板の上に銅回路板をパターンに沿って配置して、不活性雰囲気（Ａｒ，Ｎ２ガス雰囲気等）または真空中で加熱接合する方法である。さらに、Ｍｏ−Ｍｎ法、硫化銅法、銅メタライズ法などが、セラミック基板と金属回路基板を接合する方法として知られている。
【０００６】
セラミック回路基板の構造に関して、図１に示すように、セラミック回路基板１は、セラミック基板２と、セラミック基板２の両面に銅板またはアルミ板を直接接合法、活性金属接合法、ろう付け法の何れかを用いて接合して形成された金属回路基板３と、金属回路基板３上に融点が５００〜７８０℃であるろう材から成るろう材層４を介して接合された金属端子５を備えている（特許文献１）。
【特許文献１】特開２００２−１００８４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、通常のＬＥＤとして用いられる大きさにおいて、例えば、駆動電力１Ｗ以上でＬＥＤを発光させた時に、セラミック基板の単体では、発生する熱を十分に放熱することができない。そのため、セラミック基板の下にヒートシンクのような放熱部が必要となる。放熱部とセラミック基板と接合または接触させて使用することで、ＬＥＤから発生する熱は効果的に放熱される。
【０００８】
セラミック基板の下側に配置される放熱部として、銅やアルミニウム等の熱伝導率の高い部材が好ましく用いられる。これらの部材は低コストの金属部材であり、通常導電性も有している。
【０００９】
セラミック基板はめっきパターンの引き回しなどによって、下側に放熱部だけでなく配線部を形成することができる。セラミック基板の下側に配線部を形成する場合、放熱部が銅やアルミニウムなどの金属部材であると、配線部が短絡するため直接回路を形成することができない。そのため絶縁膜を配線部と放熱部の間に挟んで配線部（回路層）を形成する必要がある。しかし、セラミック基板から放熱部までの熱経路の間に絶縁膜が存在すると、熱抵抗が上昇するため、好ましくない。
【００１０】
特に、近年のＬＥＤの大出力化に伴い、ＬＥＤから発生する熱量も多くなってきている。熱経路における低熱抵抗化は重要な課題である。セラミック基板の上側のみリード端子または外部接続用配線回路を設け、上側で導通をすることで、セラミック基板から放熱部までの熱経路に絶縁膜が不要となる。その結果、熱伝導率の高い放熱部に直接熱を伝達でき、熱経路において低熱抵抗化を実現できる。
【００１１】
一方で、図１に示される構造は、直接接合などによってセラミック基板２上に接合した金属回路基板３の上にろう材からなるろう材層を介しリード端子（金属端子）を一体に接合した端子付きのセラミック回路基板である。図１に示す、銅板のような金属回路基板を貼り付ける方法では、例えば、配線と配線の間隔が１００μｍのような微細な配線パターンを作成することができない。
【００１２】
微細な配線パターンを解決する方法としては、セラミック基板上にめっきによって銅の配線導体を形成する方法や、銅ペーストによって銅の配線導体を形成することが知られている。これらの方法で形成された銅の配線導体は銅板に比べて密ではない。そのため、一般的な銀系ろう材によって、リード端子と銅の配線導体をろう付けしようとすると、銅と銀が固溶してしまう場合がある。そのため、銅がセラミック基板との界面で剥がれてしまい、再現よく接合することが難しくなる。
【００１３】
また、銀ろう付けは還元雰囲気中で接合を行なう必要がある。このとき銅の配線導体とセラミック基板との接合部が還元雰囲気に曝されてしまう。接合部が還元雰囲気に曝さらされると接合部が脆くなるので、銅による配線とセラミック間において満足できる接合強度を得ることができなかった。
【００１４】
また、銀ろう付けではなく、リード端子と配線導体をＡｕＳｎのような半田で接合する方法が知られている。近年のＬＥＤのハイパワー化に伴い、配線導体と発光素子をＡｕＳｎで接合することも行なわれている。通常、リード端子と発光素子は別々に配線導体に接続される。そのため、リード端子と発光素子を同じ半田で実装した場合、発光素子を接合するときの実装温度によってリード端子の半田接合の部分が軟化や組織変化を起こし、接合強度の信頼性を低下させるこおそれがあった。
【００１５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、本発明の目的は、ヒートショックに対する耐久性を向上させることである。本発明の他の目的は、接合強度を高めることである。本発明さらに別の目的は、微細な配線パターンを形成することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記目的を達成するために、本発明のセラミック回路基板は、対向する第１面と第２面を有するセラミック基板と、前記セラミック基板の第１面に形成されたタングステン又はモリブデンを主成分とし、リード端子が銀ろう材を介して接合される接続領域を備えた配線導体と、前記セラミック基板の第２面に形成された銅層又は銅合金層を有することを特徴とする。
【００１７】
前記目的を達成するために、本発明のセラミック回路基板は、対向する第１面と第２面を有するセラミック基板と、前記セラミック基板の第１面と前記セラミック基板の内部又は側面を通じて前記セラミック基板の第２面に形成されたタングステン又はモリブデンを主成分とした配線導体と、前記セラミック基板の第２面に形成された銅層又は銅合金層を有し、前記セラミック基板の第２面に形成された配線導体においてリード端子が銀ろう材を介して接合される接続領域を備えていることを特徴とする。
【００１８】
本発明のセラミック回路基板において、銅層又は銅合金層の厚さは５０μｍ〜１００μｍであることが好ましい。
【００１９】
本発明のセラミック回路基板は、前記発明において、前記配線導体上に形成されたニッケルからなる被覆層と、前記被覆層上に銀系ろう材からなる接合材によって接合されたリード端子をさらに有することができる。
【００２０】
本発明のセラミック回路基板は、前記発明において、前記セラミック基板と前記銅層又は前記銅合金層とが、直接接合法、活性金属接合法、Ｍｏ−Ｍｎ法、硫化銅法又は銅メタライズ法いずれかの方法で接合することができる。
【００２１】
本発明のセラミック回路基板は、前記発明において、前記セラミック基板の第２面の銅層又は銅合金層に熱的に結合する放熱板をさらに備えることができる。
【００２２】
本発明のセラミック回路基板は、前記発明において、前記放熱板と前記銅層又は前記銅合金層とが接合材で接合することができる。
【００２３】
本発明のセラミック回路基板は、前記発明において、前記接合材を鉛フリー半田とすることができる。
【００２４】
前記目的を達成するために、本発明の半導体発光モジュールは、上述のセラミック回路基板と、前記セラミック基板の第１面の配線導体に搭載された発光装置を備えている。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、ヒートショックに対する耐久性に優れ、接合強度が高く、微細な配線パターンが形成できるセラミック回路基板および半導体発光モジュールを実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下添付図面に従って本発明の好ましい実施の形態について説明する。本発明は以下の好ましい実施の形態により説明されるが、本発明の範囲を逸脱すること無く、多くの手法により変更を行うことができ、本実施の形態以外の他の実施の形態を利用することができる。従って、本発明の範囲内における全ての変更が特許請求の範囲に含まれる。
【００２７】
本発明の実施形態を図２に基づいて説明する。図２はセラミック回路基板上に半導体発光装置が搭載された半導体発光モジュールの断面図を示している。セラミック回路基板１０は、セラミック基板１２と、セラミック基板１２の第１面に形成された配線導体１４と、セラミック基板１２の第１面と反対の第２面に形成された銅層１６を備えている。
【００２８】
セラミック基板２の第１面に形成される配線導体１４はＷ（タングステン）又はＭｏ（モリブデン）を主成分とする金属で形成される。配線導体１４は所望のパターンとなるよう第１面上に形成され、全体として配線回路を構成する。配線導体１４上に、ろう材２６との濡れ性を確保するためＮｉめっきにより被覆層１８が形成される。Ｗ又はＭｏの配線導体１４は、印刷法により形成されるので、配線導体１４間の間隔が７５μｍ以下の微細な配線回路を実現できる。
【００２９】
銅層１６は、銅板のろう付け、直接貼り付け、銅めっき、銅ペーストの焼成などの方法によってセラミック基板１２の第２面に形成される。
【００３０】
放熱性のよいヒートシンク２０が例えば鉛フリー半田等の接合材２２で銅層１６に接合される。銅層１６は、セラミック回路基板１０の放熱性、熱衝撃性を高めている。セラミック基板１２の第２面に銅層１６を形成することにより、銅層が延性を有するので熱膨張差を緩和することができ、放熱性、熱衝撃性が高められる。また、銅層は、銅箔の貼り付け等により密に形成するより、めっきやペースト等により粗に形成することが、熱衝撃性向上の観点からより好ましい。
【００３１】
配線導体１４はその一部がパッドとして使用される。コバールや合金（４２アロイ）等からなるリード端子２４がろう材２６により配線導体１４のリード端子用のパッドに接合される。リード端子２４は、セラミック回路基板１０における外部接続用の端子として設けられる。リード端子２４は、銅や銅合金、鉄−ニッケル合金等の金属材料からなる。また、セラミック基板１２とリード端子２４の線膨張係数はできるだけ近い値であることが好ましい。リード端子２４は第１面のＷやＭｏからなる配線導体１４に銀ろうなどのろう材２６によりろう付けされる。
【００３２】
発光装置２８が配線導体１４の発光装置用のパッドに、例えばＡｕＳｎ接合やＡｕバンプを用いて接続される。この接合も放熱性を高める材料の選択が好ましい。発光装置２８がセラミック基板１２の配線導体１４に接合され、半導体発光モジュール３０が完成する。発光装置２８は、ＬＥＤ素子のベアチップであっても良い。ＬＥＤ素子は、配線導体１４にフリップチップにより接続されても良いし、ワイヤボンディングに接続されても良い。また、発光装置２８は、ＬＥＤ素子がケースに収納されるパッケージタイプの発光装置でも良い。
【００３３】
発光装置２８は、求められる発光色に応じて蛍光体を備えることができる。例えば、白色光が求められる場合、青色発光のＬＥＤ素子と、青色光に励起され黄色光を発光するＹＡＧ系あるいはシリケート系蛍光体を組み合わせて、各光を混色することで容易に白色光を得ることができる。
【００３４】
本実施形態のセラミック回路基板においては、配線導体のリード端子をろう付けするパッド部の形成されている面と銅層の形成された面とが異なるため、銅層を還元雰囲気に晒さないでのろう付け工程を行ないやすいものとなっている。
【００３５】
また、本実施形態のセラミック基板においては、リード端子をろう付けする側の配線導体にＷまたはＭｏを使用しているため、配線導体、特にリード端子用のパッド領域に銅を使用していない。そのため、リード端子と配線導体との接続において、Ｎｉめっきのような一般的な被覆層を設けて高い接合強度を得ることができる。ここで、例えば、本実施形態のおけるＷまたはＭｏの代わりに銅を用い、銅上にＮｉの被覆層を形成した場合には、リード端子の接続において十分な接合強度を得ることができない。このことは、銅がＮｉと３００℃程度で合金を作ってしまうため、リード端子をろう付けする際の温度で銅とＮｉが固溶するためである。
【００３６】
本発明の他の実施形態を図３に基づいて説明する。図３はセラミック回路基板１０と半導体発光モジュール３０の断面図を示している。上述の実施形態で説明した構成と同様の構成には同一符号を付して説明を省略する場合がある。
【００３７】
セラミック回路基板１０は、セラミック基板１２と、セラミック基板１２の第２面に形成された銅層１６、接合材２２を介して銅層１６に接合されるヒートシンク２０を備えている。
【００３８】
本実施形態におけるセラミック回路基板１０では、配線導体１４がセラミック基板１２の第１面から側面を経由して第２面にも形成される。発光装置２８は第１面の配線導体１４に接合される。一方、リード端子２４は、発光装置２８の搭載面と反対の第２面の配線導体１４のリード端子用のパッドにろう材２６によりろう付け、接合される。
【００３９】
発光装置２８とリード端子２４の接合面が異なるので、半導体発光モジュール３０としての設計の自由度が向上する。一般的に、半導体発光モジュール３０は他の部品又はモジュールと組み合わせて使用される。他の部品等の形状に合わせて半導体発光モジュール３０のリード端子２４の位置を変更できることが好ましい。
【００４０】
銅層１６は、第２面に形成される配線導体１４と短絡しないよう離間して設けられる。銅層１６に接合されるヒートシンク２０は、配線導体１４およびリード端子２４に接触しないように段差２０ａを有している。銅層１６とヒートシンク２０の接合面積も小さくなる。放熱効果を大きくするため、ヒートシンク２０はリード端子２４と接触しない位置で横方向に広がり、全体として凸の形状を示す。
【００４１】
この実施形態ではセラミック基板１２の側面を経由して配線導体１４が第１面から第２面に形成される例を示した。セラミック基板１２にビアを形成し、そのビアに導電材料を充填し、第１面に形成された配線導体１４と第２面に形成された配線導体１４をセラミック基板の内部を経由して電気的に接続することもできる。
【００４２】
次に、本発明に係るセラミック回路基板の製造方法について図４に基づいて説明する。
【００４３】
図４（ａ）に示すように、窒化アルミニウムのセラミックグリーンシートの上面（第１面）にＷ（タングステン）ペーストが印刷され、配線回路となるパターンが形成される。リード端子用および発光装置搭載用のパッドが同時に形成される。セラミック基板を単層でなく積層基板とする場合には、セラミックグリーンシートにビアが形成され、ビア内にＷペーストが充填される。
【００４４】
Ｗペーストで配線回路が印刷されたセラミックグリーンシートが１０００℃前後の高温で焼成される。焼成は還元雰囲気で行なわれる。焼成により、セラミックグリーンシートがセラミック基板１２に、Ｗペーストが配線導体１４となる。
【００４５】
また、配線回路を形成する方法として、焼成されたセラミック基板に電解または無電解めっきにより配線回路となる配線導体を形成することもできる。
【００４６】
図４（ｂ）に示すように、セラミック基板１２の下面（第２面）に、銅層１６が形成される。銅層１６の形成方法として、例えば、直接接合（ダイレクトボンディング）による方法がある。この形成方法は不活性雰囲気で接合する必要がある。（例えば特開昭６１−２３６６６２）。接合温度はほぼ１０００℃程度で、セラミックの焼成温度も低い温度が好ましい。
【００４７】
また、Ｃｕペーストをセラミック基板に塗布する方法で厚銅を形成しても良い。このＣｕペーストによる作成方法もまた不活性雰囲気、中性雰囲気（例えば窒素雰囲気）によって接合が行なわれる。接合温度は１０００℃弱程度である、これによって、セラミック基板と銅層の界面で共晶反応によって酸化銅（ＣｕＯ２やＣｕＯなど）が形成され、接合される。
【００４８】
また、めっきによって銅層１６を形成してもよい。銅は軟質鋼材であり、ヒートシンクなどの放熱部材と半田などで接合する場合に好ましい。
【００４９】
次に、図４（ｃ）に示すように、作製されたセラミック基板１２の上面のＷからなる配線導体１４にろう材との濡れ性を確保するために、Ｎｉをめっきして配線導体１４上にＮｉの被覆層１８を形成し、Ｗ／Ｎｉ層とすることが好ましい。
【００５０】
次に、図４（ｄ）に示すように、リード端子２４が、第２面に銅層１６が形成されたセラミック基板１２の第１面に上面のＷ／Ｎｉの２層からなる配線導体１４のリード端子用のパッドにＡｇ系ろう材２６にて、ろう付けされる。ろう付け時の温度は８００℃程度の温度である。これはセラミック基板１２に銅層１６が形成されるときの温度よりも低い温度である。
【００５１】
一般的に、ろう付けは還元雰囲気で接合が行なわれる。しかし、還元雰囲気中にそのままセラミック基板１２を配置すると、セラミック基板１２と銅層１６の接合面に問題が生じる場合がある。
【００５２】
その理由は、セラミック基板１２と銅層１６が共晶反応によって酸化銅で接合されているため、還元雰囲気に曝されるとセラミック基板１２と銅層１６の界面にある酸化銅が還元反応によって脆くなってしまうためである。特に、Ｃｕペーストにより形成した銅層１６は粗な領域もあるため、界面において酸化銅がより還元反応を起こしやすく、完全に剥離する部分もあった。
【００５３】
そこで、これを防止するため、リード端子２４をろう付けする間、銅層１６が形成されたセラミック基板１２の第２面を還元雰囲気に曝さないよう保護する。第２面を還元雰囲気に曝されないよう保護することで、第２面に銅層１６を形成するすることができる。例えば、第２面に銅層１６を覆うカバー３２を設けることで還元雰囲気に曝されないようにすることができる。リード端子２４をろう付けする側は還元雰囲気に曝されてしまうため、還元雰囲気に影響を受けない配線導体１４を設ける必要がある。本発明おいて第１面に形成されるＷ又はＭｏを主成分とする配線導体１４はこの条件を満足する。
【００５４】
次に、図４（ｅ）に示すように、リード端子２４や銅層１６をＮｉやＡｕなどのめっきをし被覆層（不図示）を形成することが好ましい。被覆層により酸化腐食を防止することができる。発光装置２８がＡｕＳｎなどの薄膜や半田を用いて３００℃程度でセラミック基板１２上の配線導体１４に接合される。発光装置２８がベアの発光素子であり同一面に電極を有する場合、フリップチップにてそのまま配線導体１４に接合しても良い。また、その発光素子が上面と下面の両面に電極を持つ場合は、配線導体１４と対向しない上面電極はＡｕワイヤなどの導電性ワイヤで配線導体１４と接合される。発光素子は蛍光体を含んだ透明樹脂などで封止しても良い。リード端子２４は放熱部の上に形成された回路基板などと半田等で接合させることによって、ＬＥＤに駆動電流を給電させることができる。
【００５５】
発光装置２８を配線導体１４に接合した後、ヒートシンク２０が、鉛フリー半田（例えば、ＳｎＡｇＣｕ、ＳｎＣｕＮｉＧｅ又はＳｎＡｇＡｌ）等の接合材２２で銅層１６に接合される。半導体発光モジュール３０が完成する。
【００５６】
本発明の図２に基づいて説明した実施形態の構成を有する半導体発光モジュールと、比較例として作成した第２面に銅層の代わりにＷ又はＭｏからなる金属層を備える半導体発光モジュールに熱衝撃試験を行なった。
【００５７】
比較例の半導体発光モジュールにおいて、第２面に銅層の代わりに形成したＷ又はＭｏからなる金属層に接合材（例えば、ＳｎＣｕＮｉＧｅ又はＳｎＡｇＣｕ）を介して接合されたヒートシンクを備えている。
【００５８】
その結果、ヒートショック（−４０℃と１２０℃を交互に１５分）を１０００回繰り返した場合、本発明に係る半導体発光モジュールでは接合材として用いたＳｎＣｕＮｉＧｅにクラックは見られなかった。一方で、比較例として作成したＷ又はＭｏからなる金属層を備える半導体発光モジュールにおいては接合材として用いたＳｎＣｕＮｉＧｅにクラックが発生しているのが見られた。
【００５９】
接合材をＳｎＡｇＣｕに変更して、同じ条件で行なっても本発明に係る半導体発光モジュールの接合材にクラックは発生しなかった。
【００６０】
クラックの発生が接合材によるものでなく、セラミック基板の第２面に形成される金属層の違いであることが理解できる。
【００６１】
以上のように、セラミック基板の第１面の配線導体をＷ／ＮｉやＷ／Ｎｉ／Ａｕ層とし、第２面を銅層とすることで、銀系ろう付けによるリード端子の接合性を確保し、放熱、熱衝撃に対して好ましい軟質金属を形成させることができる。リード端子付きセラミック基板として好ましいものを提供することができる。
【００６２】
次に、本発明の他の実施形態を図５に基づいて説明する。セラミック基板１２は第１面に導体配線（不図示）を備えており、導体配線にはリード端子２４と銀ろう材により接合される接続領域がセラミック基板１２の両端部に形成されている。複数のセラミック基板１２が、図５に示すように、接続領域を有しない辺同士が対向するように略直線状に配列される。複数のリード端子２４をタイバー部４２で連結したリードフレーム４０が、複数のセラミック基板１２の接続領域に対し、一括で銀ろう材により接合される。このようにリードフレームタイプとすることにより、作業性、生産性を向上させることができる。
【００６３】
セラミック基板の上面と下面の金属の種類を変えることによってリード端子の接合強度を高める。また、下面に銅層を配置することによって、熱衝撃に対する信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】従来のセラミック回路基板を示す断面図。
【図２】本発明に係る実施形態を示す断面図。
【図３】本発明に係る他の実施形態を示す断面図。
【図４】本発明に係る半導体モジュールの製造方法を説明するフロー図
【図５】本発明に係る別の他の実施形態を示す斜視図。
【符号の説明】
【００６５】
１０…セラミック回路基板、１２…セラミック基板、１４…配線導体、１６…銅層、１８…被覆層、２０…ヒートシンク、２２…接合材、２４…リード端子、２６…ろう材、２８…発光装置、３０…半導体発光モジュール
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する第１面と第２面を有するセラミック基板と、
前記セラミック基板の第１面に形成されたタングステン又はモリブデンを主成分とし、リード端子が銀ろう材を介して接合される接続領域を備えた配線導体と、
前記セラミック基板の第２面に形成された銅層又は銅合金層を有することを特徴とするセラミック回路基板。
【請求項２】
対向する第１面と第２面を有するセラミック基板と、
前記セラミック基板の第１面と前記セラミック基板の内部又は側面を通じて前記セラミック基板の第２面に形成されたタングステン又はモリブデンを主成分とした配線導体と、
前記セラミック基板の第２面に形成された銅層又は銅合金層を有し、
前記セラミック基板の第２面に形成された配線導体においてリード端子が銀ろう材を介して接合される接続領域を備えていることを特徴とするセラミック回路基板。
【請求項３】
前記配線導体上に形成されたニッケルからなる被覆層と、前記被覆層上に銀系ろう材からなる接合材によって接合されたリード端子をさらに有することを特徴とする請求項１又は２記載のセラミック回路基板。
【請求項４】
前記セラミック基板と前記銅層又は前記銅合金層とが、直接接合法、活性金属接合法、Ｍｏ−Ｍｎ法、硫化銅法又は銅メタライズ法いずれかの方法で接合されていることを特徴とする請求項１〜３の何れか１記載のセラミック回路基板。
【請求項５】
前記セラミック基板の第２面の銅層又は銅合金層に熱的に結合する放熱板をさらに備えることを特徴とする請求項１〜４の何れか１記載の記載のセラミック回路基板。
【請求項６】
前記放熱板と前記銅層又は前記銅合金層とが接合材で接合していることを特徴とする請求項５記載のセラミック回路基板。
【請求項７】
前記接合材が鉛フリー半田であることを特徴とする請求項６記載のセラミック回路基板。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか１記載のセラミック回路基板と、前記セラミック基板の第１面の配線導体に搭載された発光装置を備える半導体発光モジュール。
【請求項１】
対向する第１面と第２面を有するセラミック基板と、
前記セラミック基板の第１面に形成されたタングステン又はモリブデンを主成分とし、リード端子が銀ろう材を介して接合される接続領域を備えた配線導体と、
前記セラミック基板の第２面に形成された銅層又は銅合金層を有することを特徴とするセラミック回路基板。
【請求項２】
対向する第１面と第２面を有するセラミック基板と、
前記セラミック基板の第１面と前記セラミック基板の内部又は側面を通じて前記セラミック基板の第２面に形成されたタングステン又はモリブデンを主成分とした配線導体と、
前記セラミック基板の第２面に形成された銅層又は銅合金層を有し、
前記セラミック基板の第２面に形成された配線導体においてリード端子が銀ろう材を介して接合される接続領域を備えていることを特徴とするセラミック回路基板。
【請求項３】
前記配線導体上に形成されたニッケルからなる被覆層と、前記被覆層上に銀系ろう材からなる接合材によって接合されたリード端子をさらに有することを特徴とする請求項１又は２記載のセラミック回路基板。
【請求項４】
前記セラミック基板と前記銅層又は前記銅合金層とが、直接接合法、活性金属接合法、Ｍｏ−Ｍｎ法、硫化銅法又は銅メタライズ法いずれかの方法で接合されていることを特徴とする請求項１〜３の何れか１記載のセラミック回路基板。
【請求項５】
前記セラミック基板の第２面の銅層又は銅合金層に熱的に結合する放熱板をさらに備えることを特徴とする請求項１〜４の何れか１記載の記載のセラミック回路基板。
【請求項６】
前記放熱板と前記銅層又は前記銅合金層とが接合材で接合していることを特徴とする請求項５記載のセラミック回路基板。
【請求項７】
前記接合材が鉛フリー半田であることを特徴とする請求項６記載のセラミック回路基板。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか１記載のセラミック回路基板と、前記セラミック基板の第１面の配線導体に搭載された発光装置を備える半導体発光モジュール。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００９−１４７２１０（Ｐ２００９−１４７２１０Ａ）
【公開日】平成２１年７月２日（２００９．７．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−３２４７２８（Ｐ２００７−３２４７２８）
【出願日】平成１９年１２月１７日（２００７．１２．１７）
【出願人】（０００００２３０３）スタンレー電気株式会社 (2,684)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年７月２日（２００９．７．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１２月１７日（２００７．１２．１７）
【出願人】（０００００２３０３）スタンレー電気株式会社 (2,684)
【Ｆターム（参考）】
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