レジストの加熱・冷却方法

【課題】レジストを高精度に加熱・冷却する。
【解決手段】熱伝導性の悪い基板１１上にレジストパターン形成を行うため、レジスト１２を加熱冷却する際に、温度調整板１３の温度を段階的又は連続的に変化させることにより、レジスト１２のベークの温度管理と時間管理を高精度に制御することが可能となり、レジストパターンの線幅制御性が向上し、特に微細パターンに対応することができる。

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光、紫外線、Ｘ線、ＥＢ、イオンビーム等を用いてレジストパターンの形成を行う際に用いるレジストの加熱・冷却方法に関するものである。
【０００２】また、このレジストの加熱・冷却方法を用いて作製されたレチクル、Ｘ線反射型マスク、又はＥＢ用マスク、光学素子、液晶基板、これらを用いた露光装置を用いて作製されたデバイス及びデバイス製造方法に関するものである。
【０００３】
【従来の技術】従来、光学機器を構成する光学系にはレンズやプリズムのような屈折型の光学素子が多く用いられており、図１１に示すような回折光学素子は入射波面を定められた波面に変換する光学素子として用いられている。この回折光学素子は屈折型光学素子にはない特長を有しており、例えば屈折型光学素子と逆の分散値を有していたり、この回折光学素子を光学系に用いた際には光学系の小型化等の特長を有している。
【０００４】従来の回折型光学素子の製造には、機械研削又は機械研削で作製した型を用いたモールド等により作製している。しかし、光学素子として回折光学素子に大きなパワーを持たせるためには、可能な限り微細なピッチにおいて製造することが望ましく、半導体製造工程を応用する方法が検討され始めている。
【０００５】一般に、回折光学素子の形状を図１２に示すような階段状のバイナリ型の形状にすることにより半導体製造技術が適用可能となり、高精度の回折光学素子を製造することができる。このため、ブレーズド形状を階段形状に近似したバイナリ型の回折光学素子に関する研究が、最近では盛んに進められている。
【０００６】また、光学素子として回折光学素子に大きなパワーを持たせるためだけでなく、近似の度合いを高めるためにも加工線幅は可能な限り微細なことが望まれる。そこで、高性能な回折光学素子を得るために、高精度のサブミクロン加工が可能な半導体製造で培われたリソグラフィ技術が用いられる。
【０００７】しかし、上述したリソグラフィ技術はＳｉ基板を用いた場合を前提として開発が進められている。
【０００８】リソグラフィ技術を用いて微細パターンを型取りするために、光、紫外線、Ｘ線、ＥＢ、イオンビーム等に感光する有機物から成るレジストを用い、露光装置において感光させることにより、所望のレジストパターンを形成し、更にこのレジストパターンをマスクとして薬品を用いてエッチングしたり、プラズマ等を用いるドライエッチング装置を用いて加工する。しかし、上述したマスクや素子に用いられる基板はＳｉと比較すると１〜２桁熱伝導率が低い。
【０００９】これらの加工方法はレチクル、特に位相シフトレチクル、Ｘ線反射型マスク、又はＥＢ用マスクや、光学素子、液晶基板等のＳｉウェハ以外の基板を用いる製造においても応用されてきている。
【００１０】しかし、上述したマスクや素子に用いられる基板は、Ｓｉと比較すると１〜２桁熱伝導率が低い。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】リソグラフィ技術による微細な線幅を決定するレジストパターンは、レジストの塗布、プリベーク、露光、ポストエクスポージャーべーク、現像、ポストベークを順次に行うことにより製造することができる。しかしながら、各工程ともＳｉウェハを用いることを前提として装置が開発されているため、特にベーク時には様々な問題が発生する。
【００１２】また、製造工程においてプリベークは必ず行われるが、ポストエクスポージャーべークやポストベークは、レジストの種類又はレジストパターン形成後に行う工程により選択される。通常の半導体製造工程では図１３に示すように、基板１に塗布されているレジスト２を加熱するために、ホットプレート板３を用いてピンチ上に基板１を載せ基板１の裏面側から加熱する。しかし、基板１に石英を用いた場合にはＳｉウェハと比較すると熱伝導率も低く、基板１の板厚もＳｉウェハと比較すると厚い。基板１の温度がプレート板３と同じ温度に達するために要する時間は、基板１の材料の熱伝導率が小さいと、また単位面積当りの熱容量（比熱・密度・厚さ）が大きくなると長くなる。そのため、基板１の温度制御性が著しく困難となる。
【００１３】即ち、光露光に用いるレクチルを考えてみても、石英基板１の熱伝導率はＳｉよりも２桁低く、板厚も６．３５〜９ｍｍであり、板厚１ｍｍ以下であるＳｉウェハよりも数１０倍の時間を要する。Ｓｉウェハ上のレジストと比較すると、通常の６０秒のベーク時間では、基板１がプレート板３の温度まで達することは不可能である。また、冷却にも同様の時間が要することになる。
【００１４】また、熱伝導性の悪い基板とは、板厚０．７２５ｍｍのＳｉウェハよりも温度上昇に１０倍以上の時間の要するものと定義する。即ち、密度ρ、比熱ｃ、熱伝導率λ、厚みｔとすると、次の式（１）を満たす基板である。
【００１５】
（ρｃ／λ）ｔ²≧５．２３×１０^-2 …（１）
従来、熱伝導性の悪い基板上におけるパターンニングは、Ｓｉウェハの量産工程と比較すると太い線幅の工程にしか応用することができない。そのため、オーブンや赤外線による加熱等の方法が用いられている。しかし、レチクル、特に位相シフトレチクル、Ｘ線反射型マスク、又はＥＢ用マスクや、光学素子、液晶等ではＳｉウェハと同レベル又はそれ以上の加工精度が要求されている。特に、最近開発が進んできた化学増幅型のレジストを用いる際には酸の拡散の範囲がベークにより制御されるため、レジストの線幅とベークが密接に関係してきており、０．１℃単位の温度管理と時間管理が極めて重要となってくる。
【００１６】本発明の目的は、上述の問題点を解消し、レジストパターンの線幅制御性が向上するレジストの加熱・冷却方法を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するための本発明に係るレジストの加熱・冷却方法は、熱伝導性の悪い基板上にパターン形成を行うため、前記基板を加熱する際に、温度調節板の温度を段階的又は連続的に変化させていくことを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明を図１〜図１０に図示の実施例に基づいて詳細に説明する。図１は第１の実施例における回折光学素子の製作断面図を示しており、図１（ａ）は直径ａ＝２００ｍｍ、厚さｔ＝２０ｍｍの石英から成る基板１１を示している。また、前述の式（１）における（ρｃ／λ）ｔ²を計算すると、厚さｔ＝２０ｍｍの石英基板においては、（ρｃ／λ）ｔ²＝５２５．３と非常に大きな値となってしまう。
【００１９】本実施例においては、自重変形や鏡筒の加工精度による接触部位の不均一、固定時に加わる応力等による取付時の歪み、気圧や温度変動によって変形する量を低減するために、板厚２０ｍｍの石英基板を用いたが、Ｓｉウェハとほぼ同じ板厚の石英基板を用いてもよい。しかし、その場合においても（ρｃ／λ）ｔ²＝０．６９となる。
【００２０】先ず、微細パターンを型取るために、図１（ｂ）に示すように光に感光する有機物である例えばＫｒＦ用化学増幅型レジストＵＶ６（Ｓｈｉｐｌｅｙ社製）のレジスト１２を基板１１上に塗布する。このレジスト１２は加工する線幅にもよるが、サブミクロンの加工を施すためには、膜厚１μｍ程度の厚みに対し約５ｎｍの制御が必要となってくる。また、レジスト１２を塗布する前に、基板１１からの反射を防止したり、基板１１からの化学的作用を避けるために、例えばバーク材ＡＲ３（Ｓｈｉｐｌｅｙ社製）を塗布した後に加熱する場合もある。その際には、更に１８５℃でこのベーク工程等を必要とする。
【００２１】次に、図１（ｃ）に示すように、レジスト側及び非レジスト側双方に温度調節板１３を用いることによりプリベーク工程を行う。
【００２２】この工程を更に詳細に説明すると、複数の温度調節板１３を持つ図２に示すベーキング装置によりレジスト１２の加熱及び冷却を行う。厚さ２０ｍｍの石英基板１１上のレジストを１３５±０．１℃に加熱するために、レジスト１２側の温度調節板１３ａは１３５℃に固定し、非レジスト側の温度調節板１３ｂは１８０℃、温度調節板１３ｃは１５０℃、温度調整板１３ｄは１４０℃、温度調整板１３ｅは１３５℃に保っておく。また、温度調節板１３ｂと基板１１との間隔をスペーサ１４により保持し、今回は０．１ｍｍとする。非レジスト側の温度調整板１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ上にそれぞれ、３０秒、１５秒、５秒、３０秒の間、基板１１とレジスト１２側の温度調整板１３ａを一体として移動させる。また冷却時には、レジスト側の温度調整板１３ａを一体として移動させる。
【００２３】上記の設定温度及びその温度調整板１３ｂ〜１３ｅ上に保持する時間は、レジスト１２を塗布する基板１１の材質や厚さ等の形状と、加熱又は冷却する温度によって、最適なものを選択する。勿論、この値は温度調節板１３と基板１１との間隔によっても変化させる必要がある。これらは計算によって、おおまかな設定温度を決め、実際に基板１１の温度設定やレジストパターンの出来具合によって調整していってもよい。また、赤外線を用いた温度センサを用いて実基板の温度を測定しながら、温度調節板１３の温度を調整してゆくことも可能である。
【００２４】また、今回は複数の温度に設定された複数の温度調整板１３上を基板１１が移動することによって、温度を段階的に変化させていったが、温度調整板１３の温度を連続又は断続的に変化させても支障はない。
【００２５】また、これらは温度調節板１３のレジスト１２側、非レジスト側の双方温度を変化させることもできる。更に、温度調整板１３はレジスト１２側又は非レジスト側の何れかのみ配置してもよい。
【００２６】熱伝導率の低い材料を基板１１とする場合に、面内の温度分布が問題となる場合もある。その際に、図３（ａ）に示すように温度調整板１３を複数個に分割し、（ｂ）に示すように個々により細かく温度設定を行うこともできる。
【００２７】また、この加熱冷却は空気中で行ってもよいが、Ｈｅ等の熱伝導率の高い雰囲気中において行ってもよい。レジスト１２側の温度調整板１３ａからのレジスト１２への加熱・冷却は、空間にある気体による熱伝導、気体の対流による熱対流、温度調節板１３ａからの幅射によるが、レジスト１２と温度調節板１３ａの間隔が０．５ｍｍ程度では、レジスト１２と温度調節板１３ａとの間の空間に存在する気体による熱伝導が支配的となる。また、この０．５ｍｍの空気層における熱伝導率は、板厚１ｍｍのＳｉウェハの熱伝導率とほぼ同等である。
【００２８】また、レジスト１２と温度調節板１３ａの間隔をより狭くしたい場合又はスペーサ１４を介在する場所がない場合には、図１（ｄ）に示すように温度調節板１３ａに検出用マーク１５を設け、この検出用マーク１５をレーザー測長機１６等を用いて検出することにより、レジスト１２と温度調節板１３ａとの間隔を測定することができる。なお、この間隔は図１（ｅ）に示すようにマイクロメータ１７を用いて測定してもよい。このようにして、レジスト１２と温度調節板１３ａとの間隔を測定することにより、１０μｍ程度の間隔まで制御可能となる。また、検出用マーク１５は測定方法によっては設けなくともよい。
【００２９】何れかの方法により、加熱・冷却されたレジスト１２をＫｒＦレーザー光等を用いた露光装置を用いて露光する。露光には、ＫｒＦレーザー光の他に光、紫外線、Ｘ線、ＥＢ、イオンビームを用い、レジスト１２は各エネルギに対応するものを使用してもよい。
【００３０】続いて再度、加熱工程であるポストエクスポージャーべーク、現像工程、ポストベークを経ることにより、図１（ｆ）に示すように露光方法にもよるが線幅０．１〜０．５μｍ程度の所望の面形状を有する微細なレジストパターン１８を形成することができる。これらのポストエクスポージャーべーク、ポストベークはプリベークと同様に、図１（ｃ）〜（ｅ）及び図２において用いた温度調節板１３を用いてもよい。特に、プリベークとポストエクスポージャーべークでは高精度な温度制御性が必要である。
【００３１】次に、図１（ｇ）に示すように基板１１をレジストパターン１８をマスクとして薬品を用いてエッチングしたり、プラズマ等を用いるドライエッチング装置を用いて加工する。しかしながら、サブミクロンの線幅では主として高精度のドライエッチングが使用されている。
【００３２】また、本実施例においては、基板１１の石英を用いたが、石英の代りにアルミナ珪酸ガラス、硼珪酸ガラス、アルミナ等の酸化物、弗化カルシウム、弗化リチウム、弗化バリウム、弗化マグネシウム、弗化ストロンチウム等の弗化物、光学用プラスチック等の透光性を有する材料を用いてもよい。
【００３３】図１（ｂ）〜（ｇ）の工程を繰り返すことにより、図１（ｈ）に示すような階段状の形状、例えば８段の回折光学素子１９を形成することができる。このような高精度の微細な回折光学素子を製造することにり、設計時の光学性能を充分に発揮することができる。
【００３４】図４は第２の実施例におけるＡｒＦレーザー露光装置に用いるレチクルの製作断面図を示しており、図４（ａ）に示すように光露光に用いるレチクル用基板は、板厚６．３５ｍｍ、６インチ角の石英透過基板２１上に遮光膜としてクロム膜２２が成膜されている。板厚６．３５ｍｍの基板２１において、式（１）を計算すると（ρｃ／λ）ｔ²＝５３．０と非常に大きな値となってしまう。
【００３５】更に、クロム膜２２上には反射防止のために酸化クロム等を積層してもよい。クロム膜２２を所望のパターンに形成するため、クロム膜２２上に、例えばＥＢ用化学増幅型レジストＳＡＬ６０１（Ｓｈｉｐｌｅｙ社製）から成るレジスト１２を塗布する。通常では、光を用いた縮小露光装置ではレチクルのパターンは４〜５倍の大きさに拡大されるため、化学増幅型のレジスト１２を必要とする程の微細パターンは少ないが、角パターンのＯＰＣ等の微細な形状が要求される場合には使用する必要がある。
【００３６】レジスト１２のベーク温度の制御性を向上させるために、１５０℃から１０５℃まで連続的に温度が調整された温度調節板１３上に基板２１を位置しレジスト１２を加熱する。更に、冷却には０℃から２３℃まで連続的に温度が調整された温度調節板１３を用いる。
【００３７】続いて、図４（ｂ）に示すようにレジスト１２をＥＢ描画装置において、描画後に、ポストエクスポージャーべーク、現像、ポストベーク等を順次に行いパターニングし、そのレジストパターンをマスクとしてクロム膜３２をドライエッチング又はウエットエッチングによりエッチングすることにより、所望のパターン２３を形成する。本実施例においては図示しないが、位相シフトレチクル用のシフタの形成等に用いてもよい。
【００３８】従って、本実施例においてはレジスト１２を加熱する際に温度制御を高精度に行うことにより、線幅制御性に優れた光露光用レチクル２４を形成することができる。
【００３９】図５は第３の実施例におけるＸ線反射型マスク構造体の製作断面図を示しており、図５（ａ）に示すように板厚６．３５ｍｍ、６インチ角のＮＺＴＥ（ｎｅａｒｚｅｒｏｔｈｅｒｍａｌｅｘｐａｎｓｉｏｎ）基板３１上にＭｏ／Ｓｉの多層構造から成る反射基板３２が積層され、更にこの反射基板３２上にＷ膜３３が積層されている。しかし、板厚１０ｍｍの基板３１において、式（１）を計算すると（ρｃ／λ）ｔ²＝５１．３と非常に大きな値となってしまう。また、Ｗ膜３３を所望のパターンに形成するため、このＷ膜３３上に例えばＥＢ用化学増幅型レジストＳＡＬ６０１（Ｓｈｉｐｌｅｙ社製）から成るレジスト１２を塗布する。
【００４０】Ｘ線反射型マスク構造体を用いる縮小Ｘ線露光では、露光される線幅は０．１μｍ以下と非常に微細なため、４倍程度のマスクの線幅も極めて微細な線幅が要求される。
【００４１】そして、レジスト１２を加熱する際の温度制御性を向上させるために、１３０℃、１２３℃、１２０℃に調整された温度調節板１３をレジスト１２に０．２ｍｍの間隔で３０秒、１０秒、２０秒ずつ移動させる。この間隔の制御には第１の実施例に述べたように、検出用マーク１５及びレーザー測長機１６等を用いてもよい。更に冷却には、１３℃、２０℃、２３℃に調整された温度調節板１３をレジスト１２に０．２ｍｍの間隔で移動させることにより行う。
【００４２】続いて、図５（ｂ）に示すように、レジスト１２をＥＢ描画装置において、描画後にポストエクスポージャーベーク、現象、ポストベーク等を順次に行いパターニングし、そのレジストパターンをマスクとしてＷ膜３３をドライエッチング又はウエットエッチングによりエッチングすることにより、所望の非反射パターン３４を形成する。
【００４３】従って、本実施例においては高精度の温度制御を行うことができるため、図５（ｂ）に示すような線幅制御性に優れたＸ線反射型マスク構造体３５を形成することができる。
【００４４】また、液晶基板を作製する際には、通常では液晶基板には板厚１ｍｍ程度の例えばＷ７０９５（コーニング社製）から成るガラスが用いられるため、熱伝導率は石英よりも低い。ただし、液晶ではあまり微細パターンは要求されていないため、オーブン等を用いたベーク方法を用いることができる。しかし、最近では低温ポリシリコン等の開発により、駆動部のＩＣも同時に作成する等の微細化も進んでおり、このような微細パターンを必要とする加工を行う際には、温度調節板１３の温度を段階的又は連続的に変化させる。
【００４５】パターニングに用いるレジスト１２を加熱する際に高精度の温度制御を行うことにより、線幅制御性に優れた液晶基板を形成することができる。
【００４６】図６は半導体露光装置を概略図を示しており、ＫｒＦ、ＡｒＦ、Ｆ₂エキシマレーザー等の光源４１から出射した光束Ｌはミラー４２により反射され、照明光学系４３に導光された後に、第１物体であるレチクル４４面上を照明する。更に、レチクル４４の情報を得た光束Ｌは縮小投影光学系４５を透過し、焦点位置を調整するウェハステージ４６上に配置されているウェハ４７へ投影される。
【００４７】図７はこの半導体露光装置における照明光学系４３又は投影光学系４５の拡大断面図を示しており、これらの光学素子４３、４５は屈折光学素子５１及び第１の実施例において製作した回折光学素子１９から成る光学素子の組み合わせにより構成されている。本実施例においては回折光学素子１９は１枚しか使用していないが、複数枚使用してもよい。
【００４８】回折光学素子１９は線幅制御性が良く、高精度に光学素子が製造されているため、理論値に近い回折効率を得ることができる。更に、従来の光学素子に比較すると剛性を十分に得ることができる。このような回折光学素子１９を照明光学系５３又は投影光学系４５に使用することにより、自重変形や鏡筒の加工精度による接触部位の不均一、固定時に加わる応力等による歪み、気圧や温度変動による変形を最小限に止めたり又は除去することが可能となり、面変形が発生せず収差を小さくすることができ、設計時の性能を十分発揮でき、像性能を向上させることができる。
【００４９】また、従来の屈折素子のみを使用した光学系と比較すると、レンズの枚数を低減することができ、これにより硝材による光吸収が低減され、吸収熱によるレンズの変形や屈折率変化を最小限にすることが可能となる。また、色収差の補正が容易なため、レーザーの波長帯域を拡げ、レーザーのパワーを有効に利用することができる。更に、半導体露光装置を設置する環境が変化した場合においても、焦点位置のずれ発生を最小限に止めることができ、結果として高精度なパターン転写を良好に行うことができる。
【００５０】図８は第３の実施例において作成したＸ線反射型マスク構造体３５を用いた半導体露光装置（Ｘ線縮小露光装置）の要部概略図であり、Ｘ線の減衰を防ぐために光学系全体を真空に保つための露光室である真空容器６１内に納められている。
【００５１】アンジュレータ光源６２からは、細くて平行な所謂ペンシルビーム状のＸ線ビームＸが放射される。このＸ線ビームＸを全反射ミラー６３で反射して短波長成分をカットし、ほぼ単色なＸ線ビームＸとしてマスクステージ６４に搭載された反射型マスク構造体３５を照射する。反射型マスク構造体３５には第３の実施例の手法を用いて所望のパターン３４が形成され、このパターン３４に応じてＸ線ビームＸは反射し、投影光学系６５に導かれる。更に、Ｘ線ビームＸは投影光学系６６を介して、ウエハステージ６７に搭載されたウエハ６８を照射し、反射型マスク構造体３５のパターン３４がウエハ６８に縮小投影され、感光剤（レジスト）上に焼付けられる。
【００５２】上記のようなＸ線縮小露光装置で露光することにより、量産に対応した高精度なＸ線縮小露光を行うことができた。
【００５３】次に、第１の実施例において作製した回折光学素子を搭載した半導体露光装置又は第３の実施例おいて作製したＸ線反射型マスク構造体３５を用いたＸ線縮小露光装置を利用した半導体デバイスの製造方法を説明する。
【００５４】図９はＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル或いはＣＣＤ等の半導体デバイスの製造工程のフローチャート図を示している。先ず、ステップＳ１において半導体デバイスの回路設計を行い、続いてステップＳ２においてステップＳ１で設計した回路パターンをＥＢ描画装置等を用いマスクを製造する。一方、ステップＳ３においてシリコン等の材料を用いてウェハを製造する。その後に、前工程と呼ばれるステップＳ４において、ステップＳ２、Ｓ３において用意したマスク及びウェハを用い、マスクを露光装置内にローディングし、マスクを搬送しマスクチャックにチャッキングする。
【００５５】次に、ウェハをローディングしてアライメントのずれを検出して、ウェハステージを駆動して位置合わせを行い、アライメントが合致すると露光を行う。露光の終了後にウェハは次のショットヘステップ移動し、リソグラフィ技術によってウェハ上に回路を形成する。更に、後工程と呼ばれるステップＳ５において、ステップＳ４によって製造されたウェハを用いてダイシング、ボンディング等のアッセンブリ工程、チップ封入等のパッケージング工程を経て半導体チップ化する。チップ化された半導体デバイスは、ステップＳ６において動作確認テスト、耐久テスト等の検査を行う。このような一連の工程を経て半導体デバイスは完成し、ステップＳ７に進み出荷される。
【００５６】図２０は図９におけるステップＳ３において、ウェハ製造の詳細な製造工程のフローチャート図を示している。先ず、ステップＳ１１においてウェハ表面を酸化させる。続いて、ステップＳ１２においてウェハ表面をＣＶＤ法により絶縁膜を形成し、ステップＳ１３において電極を蒸着法により形成する。更にステップＳ１４に進みウェハにイオンを打込み、続いてステップＳ１５においてウェハ上に感光剤を塗布する。ステップＳ１６では、半導体露光装置によりマスクの回路パターンをウェハ上の感光剤（レジスト）上に焼付ける。
【００５７】ステップＳ１７において、ステップＳ１６において露光したウェハ上の感光剤を現像する。更に、ステップＳ１８でステップＳ１７において現像したレジスト像以外の部分をエッチングする。その後に、ステップＳ１９においてエッチングが済んで不要となったレジストを剥離する。更に、これらの一連の工程を繰り返し行うことにより、ウェハ上に多重の回路パターンを形成することができる。
【００５８】なお、本実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体デバイスの量産に対応することができる。
【００５９】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るレジストの加熱・冷却方法は、熱伝導性の悪い基板上にレジストパターン形成を行うため、レジストを加熱冷却する際に温度調整板の温度を段階的又は連続的に変化させることにより、レジストのベークの温度管理と時間管理を高精度に制御することが可能となり、レジストパターンの線幅制御性が向上し、特に微細パターンに対応できる。
【００６０】また、本実施例に係るレジストの加熱・冷却方法によれば、微細なピッチで精度良く作製された回折光学素子を搭載した半導体露光装置又は本実施例によるレチクル又はマスクを用いた露光装置による高精度なデバイス製造方法、及びデバイスを得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施例における回折光学素子の製作断面図である。
【図２】ベーキング装置の概略図である。
【図３】温度調整板の概略図である。
【図４】第２の実施例におけるレチクル係る工程の製作断面図である。
【図５】第３の実施例におけるＸ線反射型マスク構造体の製作断面図である。
【図６】半導体露光装置の概略図である。
【図７】光学系の拡大断面図である。
【図８】Ｘ線縮小露光装置の概略図である。
【図９】半導体デバイスの製造フローチャート図である。
【図１０】ウェハプロセスの詳細なフローチャート図である。
【図１１】回折光学素子の斜視図である。
【図１２】回折光学素子の断面図である。
【図１３】従来のベーキング装置の概略図である。
【符号の説明】
１１、２１、３１基板
１２レジスト
１３温度調整板
１４スペーサ
１５検出用マーク
１６レーザー測長機
１７マイクロメータ
１８レジストパターン
１９回折光学素子
２２クロム膜
２３レチクル
３２反射基板
３４非反射パターン
３５Ｘ線反射型マスク構造体

【特許請求の範囲】
【請求項１】熱伝導性の悪い基板にパターン形成を行うため、前記基板を加熱又は冷却する際に、温度調整板の温度を段階的又は連続的に変化させてゆくことを特徴とするレジストの加熱・冷却方法。
【請求項２】前記温度調整板は、レジストを塗布された基板のレジスト側、非レジスト側、又は両面に設けている請求項１に記載のレジストの加熱・冷却方法。
【請求項３】前記両側に設けた前記温度調整板のうちの一方は温度を固定している請求項２に記載のレジストの加熱・冷却方法。
【請求項４】前記温度調整板と前記基板が直接接触している請求項１に記載のレジストの加熱・冷却方法。
【請求項５】前記温度調整板と前記基板の間に一定の間隔を設けた請求項１に記載のレジストの加熱・冷却方法。
【請求項６】前記間隔は１０μｍ〜１ｍｍである請求項５に記載のレジストの加熱・冷却方法。
【請求項７】前記温度調整板は前記基板の到達温度に合わせて調整する請求項１に記載のレジストの加熱・冷却方法。
【請求項８】前記温度調節板は分割して温度調整をすることを可能とした請求項７に記載のレジストが加熱・冷却方法。
【請求項９】請求項１に記載のレジストの加熱・冷却方法を用いて作製したレチクル、Ｘ線反射型マスク又はＥＢ用マスク。
【請求項１０】請求項１に記載のレジストの加熱・冷却方法を用いて作製した光学素子。
【請求項１１】請求項１に記載のレジストの加熱・冷却方法を用いて作製した液晶基板。
【請求項１２】前記レジストを塗布した前記基板の少なくとも一部が、アルミナ珪酸ガラス、硼珪酸ガラス、石英、アルミナ等の酸化物、弗化カルシウム、弗化リチウム、弗化バリウム、弗化マグネシウム、弗化ストロンチウム等の弗化物、光学用プラスチックから成る請求項１に記載のレジストの加熱・冷却方法。
【請求項１３】請求項９のレチクル又はマスクを用いて露光を行う露光装置。
【請求項１４】請求項１０の光学素子を用いて光露光を行う光露光装置。
【請求項１５】請求項１３又は１４の何れかの露光装置を用い、露光により被転写体に所望のパターンを転写し、これを加工、形成して作製したデバイス。
【請求項１６】請求項１３又は１４の何れかの露光装置を用い、露光により被転写体に所望のパターンを転写し、これを加工、形成してデバイスを製造するデバイス製造方法。

【図１】