変位検出装置及び変位計測装置並びに定点検出装置
【課題】 光源から出射された光を検出側に伝送する光ファイバの屈曲やストレスによる偏波の乱れを減少させることにより高精度な定点検出や変位計測を可能とする。
【解決手段】 光源12から出射された可干渉性又は干渉性の低い光は、偏光板13に入射すると、消光比が例えば30dBのように高い直線偏光となる。この消光比の高い直線偏光を集光レンズ14によって集光し、かつ直線偏光ビームの偏波軸を、偏波保持タイプの光ファイバ15の光学軸に合わせて偏波保持タイプの光ファイバ15に入射する。このように、偏光板13によって直線偏光とされたビームを偏波保持タイプの光ファイバ15に入射するとき、上記ビームの偏波軸を、上記光ファイバ15の光学軸34に合わせると、上記光ファイバ15の屈曲やストレスによる消光比の変動を少なくすることができる。
【解決手段】 光源12から出射された可干渉性又は干渉性の低い光は、偏光板13に入射すると、消光比が例えば30dBのように高い直線偏光となる。この消光比の高い直線偏光を集光レンズ14によって集光し、かつ直線偏光ビームの偏波軸を、偏波保持タイプの光ファイバ15の光学軸に合わせて偏波保持タイプの光ファイバ15に入射する。このように、偏光板13によって直線偏光とされたビームを偏波保持タイプの光ファイバ15に入射するとき、上記ビームの偏波軸を、上記光ファイバ15の光学軸34に合わせると、上記光ファイバ15の屈曲やストレスによる消光比の変動を少なくすることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、回折格子による回折光を検出することによって変位を検出する変位検出装置及び回折格子による回折光の干渉を利用して変位量を計測する変位計測装置並びに上記回折光によって定点を求める定点検出装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、移動するスケール上に取り付けられている回折格子の位置の変位を光の干渉を利用して検出するようにしたものに格子干渉計がある。以下に、変位検出装置について図18を用いて説明する。なお、図18は、透過型の回折格子を用いた変位検出装置である。
【0003】
変位検出装置は、図18に示すように、可干渉光源部90と、第1のレンズ91と、第1の偏光ビームスプリッタ(polarization beam splitter:PBS)92と、第1の1/4波長板93と、反射プリズム94と、第2の1/4波長板95と、第2のレンズ96と、ビームスプリッタ(beam splitter:BS)97と、第2のPBS98と、第1の光電変換器99と、第2の光電変換器100と、第3の1/4波長板101と、第3のPBS102と、第3の光電変換器103と、第4の光電変換器104と、第1の差動増幅器105と、第2の差動増幅器106と、インクリメンタル信号発生器107とを備え、スケール108上に配置された透過型の回折格子を読み取る。
【0004】
可干渉光源部90は、第1のレンズ91に光を出射する。第1のレンズ91は、入射した光を適当なビームに絞り、第1のPBS92に出射する。第1のPBS92は、入射された光を、S偏光成分を有する光とP偏光成分を有する光の二つの光に分割する。S偏光は、光の境界面に入射する光と反射する光とで形成される入射平面に対して垂直な振動をする偏光成分である。また、P偏光は、上記入射平面に対して水平な振動をする偏光成分である。S偏光成分を有する光は、第1のPBS92で反射され、P偏光成分を有する光は、第1のPBS92を透過する。なお、可干渉光源部90からの光が直線偏光の光であれば、偏光方向を45度傾けて第1のPBS92に入射させる。こうすることにより、S偏光成分の光とP偏光成分の光の強度を等しくすることができる。
【0005】
第1のPBS92で反射されたS偏光成分を有する光は、スケール108上に記録されている回折格子のP点に入射し、また、第1のPBS92を透過したP偏光成分を有する光は、回折格子のQ点に入射し、以下の式で示される方向にそれぞれ回折される。
sinθ1+sinθ2=n・λ/Λ
なお、θ1はスケール108上への入射角を示し、θ2はスケール108からの回折角を示し、Λは格子のピッチ(幅)を示し、λは光の波長を示し、nは回折次数を示している。
【0006】
図18に示した従来の変位検出装置では、P点への入射角をθ1pとし、その回折角をθ2pとし、Q点への入射角をθ1qとし、その回折角をθ2qとすると、θ1p=θ2p=θ1q=θ2qになるように調整している。また、回折次数は、P点及びQ点で同次数である。
【0007】
P点で回折された光(S偏光成分)は、第1の1/4波長板93を通過し、反射プリズム94で垂直に反射され、再びP点に戻り回折格子により回折される。このとき、第1の1/4波長板93の光学軸は、入射された光の偏光方向に対して45度傾けてあるので、P点に戻った光はP偏光成分の光となっている。
【0008】
また、Q点で回折された光(P偏光成分)も同様に、第2の1/4波長板95を通過し、反射プリズム94で垂直に反射され、再びQ点に戻り回折格子により回折される。このとき、第2の1/4波長板95の光学軸は、入射された光の偏光方向に対して45度傾けてあるので、Q点に戻った光はS偏光成分の光となっている。
【0009】
このようにP点及びQ点で再び回折された光は、第1のPBS92に戻る。P点から戻ってきた光は、P偏光成分を有しているので、第1のPBS92を通過する。また、Q点から戻ってきた光は、S偏光成分を有しているので、第1のPBS92で反射される。したがって、P点及びQ点から戻ってきた光は、第1のPBS92で重ね合わされて、第2のレンズ96により適当なビームに絞られてBS97に入射する。
【0010】
BS97は、入射された光を二つに分割し、一方の光を第2のPBS98に入射し、他方の光を第3の1/4波長板101に入射する。なお、第2のPBS98及び第3の1/4波長板101は、入射される光の偏光方向に対して45度にそれぞれ傾いている。
【0011】
第2のPBS98に入射された光は、S偏光成分を有する光とP偏光成分を有する光に分割され、S偏光成分を有する光を第1の光電変換器99に入射し、P偏光成分を有する光を第2の光電変換器100に入射する。また、第1の光電変換器99及び第2の光電変換器100では、Acos(4Kx+δ)の干渉信号が得られる。なお、Kは2π/Λを示し、xは移動量を示し、δは初期位相を示している。また、第1の光電変換器99では、第2の光電変換器100と180度位相の異なる信号が得られる。
【0012】
また、第3の1/4波長板101に入射された光は、P偏光成分を有する光とS偏光成分を有する光とが互いに逆回りの円偏光となり、重ね合わされて直線偏光となり、第3のPBS102に入射する。第3のPBS102に入射された光は、S偏光成分を有する光とP偏光成分を有する光に分割され、S偏光成分を有する光を第3の光電変換器103に入射し、P偏光成分を有する光を第4の光電変換器104に入射する。なお、第3のPBS102に入射される直線偏光の偏光方向は、回折格子がx方向にΛ/2だけ移動すると1回転する。したがって、第3の光電変換器103及び第4の光電変換器104は、第1の光電変換器99及び第2の光電変換器100と同様にAcos(4Kx+δ’)の干渉信号を得ることができる。また、第3の光電変換器103では、第4の光電変換器104と180度位相が異なる信号が得られる。
【0013】
なお、第3のPBS102は、第2のPBS98に対して45度傾けてある。したがって、第3の光電変換器103及び第4の光電変換器104で得られる信号は、第1の光電変換器99及び第2の光電変換器100で得られる信号に対して90度位相が異なっている。
【0014】
第1の差動増幅器105は、第1の光電変換器99及び第2の光電変換器100から入力される電気信号を差動増幅し、干渉信号のDC(直流)成分をキャンセルした信号をインクリメンタル信号発生器107に出力する。また、第2の差動増幅器106も同様に、第3の光電変換器103及び第4の光電変換器104から入力される電気信号を差動増幅し、干渉信号のDC(直流)成分をキャンセルした信号をインクリメンタル信号発生器107に出力する。
【0015】
次に、図19に、本願出願人による下記特許文献1に開示された従来の定点検出装置の例を示す。この定点検出装置は、固定部110と測定方向(X方向)に沿って可動な可動部130とを有し、固定部110は光学系111と検出系121とを含み、可動部130は基板131とその上面に配置された2つの体積型ホログラフィック回折格子132、133とを有する。
【0016】
光学系111は半導体レーザ等のレーザ光を出力する光源112とコリメータレンズ113と集光レンズ114と有する。検出系121は2つの受光器122、123と電気処理回路129とを有する。
【0017】
図20にこの例に使用されるホログラフィック回折格子132、133を示す。ホログラフィック回折格子132、133は透過型の体積型ホログラムによって形成されている。以下に、ホログラフィック回折格子132、133を、随時単にホログラムと称する。図示のように、各ホログラム132、133の格子間隔又は格子ピッチdは測定方向に順次連続的に変化している。また、各ホログラム132、133の格子間隔又は格子ピッチdを形成する分布面142、143はホログラム132、133の上面に対して傾斜しており、斯かる傾斜角は測定方向に順次連続的に変化している。各ホログラム132、133によって入射光を回折させると、回折効率が測定方向に連続的に変化する。
【0018】
図21に図20の定点検出装置の主要部を示す。図示のように、基板131の上面131Aに2つのホログラム132、133が横方向に互いに隣接して配置されている。斯かる2つのホログラム132、133は、中心面135に対して互いに対称的に構成されている。即ち、各ホログラム132、133の分布面142、143の傾斜角は中心面135に対して対称的に両側に順次連続的に変化しており、その格子間隔又は格子ピッチdは中心面135に対して対称的に両側に順次連続的に変化している。2つのホログラム132、133は各々の回折効率が最大になる点が測定方向に互いに異なるように配置されている。
【0019】
可動部130が固定部110に対して相対的に移動するとき、即ち、図21にて、静止している受光器122、123及び光源112に対して可動部130が移動するとき、第1のホログラム132によって回折された光は第1の受光器122によって検出され、第2のホログラム133によって回折された光は第2の受光器123によって検出される。
【0020】
2つのホログラム132、133は回折効率が最大になる点が互いに異なるから、第1の受光器122によって検出される回折光の光強度曲線のピーク位置と第2の受光器123によって検出される回折光の光強度曲線のピーク位置は異なる。従って、2つの光強度曲線の交差点、即ち、2つの光強度が等しくなる点が存在する。斯かる点が定点検出装置によって得られる定点である。
【0021】
【特許文献1】特開平4−324316号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0022】
ところで、近年の発光ダイオードやレーザを用いた定点検出装置や変位計測装置は、高分解能化され、1nm以下の計測が可能になっている。一方こういった測定には、センサ自身の発熱も許されず、特に光源をセンサから切り離し、光ファイバーでビームを伝送させる手段がよく用いられる。
【0023】
図22は、偏波保持タイプの光ファイバ163により光源161からの出射ビームを検出部164に伝送し、定点を検出する定点検出装置160を示す図である。光源161からの出射ビームを偏波保持タイプの光ファイバ163を介して集光レンズ162に伝送し、互いに隣接して測定対象169に配置された2つの回折格子166及び167に照射し、2つの回折格子166及び167のエッジ168によって回折した回折光を2つの受光素子170及び171で受光し、その2つの受光素子170及び171の受光量を比較器172で比較して、比較した信号が任意の大きさになる点を定点と定めている。
【0024】
このように、図22の定点検出装置160では、光源161からの出射ビームを偏光成分を保持した状態で伝送するため、偏波保持タイプの光ファイバ163を用いている。しかし、ファイバのストレスや屈曲による影響から、偏波が乱れ、それが検出部164側に影響してしまい、安定した計測が不可能となってしまうことがあった。
【0025】
具体的に説明すると以下のようになる。上記光ファイバ163から出るビームの偏波軸が、光ファイバ163の屈曲やストレスによって微少に変化した場合、回折格子166及び167に入射されるビームの偏光成分が変わることを意味する。一般に回折格子の回折効率は、入射するビームの偏光成分によって違うだけではなく、個体差もあるため、受光素子170及び171に入る光量が変化してしまい、あたかも定点がずれてしまったと認識してしまう。
【0026】
したがって、定点検出装置160にあって、定点の検出を安定して行うためには、光ファイバ163から出るビームの偏波軸をできるだけ安定させる必要がある。
【0027】
次に、図23は偏波保持タイプの光ファイバ183により光源181からの出射ビームを検出部184に伝送し、検出部184によって測定対象物の変位を計測する変位計測装置180を示す図である。光源181からの出射ビームを偏波保持タイプの光ファイバ183を介して集光レンズ185に伝送した後、偏光ビームスプリッタ186に入射する。偏光ビームスプリッタ186は、入射したビームを二分し、回折格子スケール187に入射する。ここで得られた回折光は、λ/4波長板188及び189を通過しミラー面191及び192によって反射され、同光路をたどって偏光ビームスプリッタ186に戻る。ここで二つのビームは再び結合し偏光素子側193に向かう。こうして偏光素子193を通過したあとの干渉信号を受光素子194で電気信号に変換することで、回折格子の移動量を計測できる。
【0028】
しかし、この変位計測装置180でも光ファイバ183のストレスや屈曲による影響から、偏波が乱れた場合、偏光ビームスプリッタ186で二分される光量比がそれに伴い変化することになる。この二つのビームの光量比変化は、再度偏光ビームスプリッタ186で結合し干渉信号となったときに、変調率の変化として現れ、信号出力の出力変動の原因となる。これらは、変位計測の精度に悪影響を与えることから、光伝送ユニットから出るビームの偏波軸をできるだけ安定させる必要がある。
【0029】
本発明は、前記実情に鑑みてなされたものであり、光源から出射された光を検出側に伝送する光ファイバの屈曲やストレスによる偏波の乱れを減少させることにより高精度な定点検出や変位計測を可能とする変位検出装置、変位計測装置及び定点検出装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0030】
本発明に係る変位検出装置は、上記課題を解決するために、光を出射する光源と、上記光源から出射された光の消光比を20dB以上に高める消光比変換手段と、上記消光比変換手段により消光比が20dB以上とされた光を集光する集光レンズと、上記集光レンズによって集光された上記光を伝送する偏波保持タイプの光ファイバと、測定対象に取り付けられ、上記光ファイバによって伝送された光が照射されて回折する回折格子と、上記回折格子によって回折した光を受光する受光手段とを備え、上記消光比変換手段によって消光比が20dB以上に高められ、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、上記受光手段が受光した回折光の受光量の大きさで測定対象の変位を検出する。
【0031】
この変位検出装置によれば、消光比変換手段によって消光比を20dB以上に高め、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射するので、光ファイバの屈曲やストレスによる偏波の乱れを減少させることができる。
【0032】
本発明に係る変位計測装置は、上記課題を解決するために、光を出射する光源と、上記光源から出射された光を直線偏光とし、その消光比を20dB以上に高める消光比変換手段と、上記消光比変換手段により消光比が20dB以上とされた光を集光する集光レンズと、上記集光レンズによって集光された上記光を伝送する偏波保持タイプの光ファイバと、上記光ファイバによって伝送された上記光を二分する偏光ビームスプリッタと、測定対象に取り付けられ、上記偏光ビームスプリッタによって二分された光が入射されて回折光を得る回折格子と、上記回折格子によって得られる上記二分された光の回折光の偏波を変える位相板と、上記位相板によって偏波が変えられた上記二つの回折光を反射して再び上記位相板を通して上記回折格子に導く二つの反射ミラーと、上記二つの反射ミラーによって上記回折格子に導かれ、当該回折格子によって回折されて上記偏光ビームスプリッタに入射し、当該偏光ビームスプリッタによって反射及び透過された二つの回折光を干渉させる偏光素子と、上記偏光素子によって得られる干渉光を受光する受光素子とを備え、上記消光比変換手段によって消光比が20dB以上に高められ、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、上記受光手段が受光した回折光の受光量の大きさで測定対象の変位を計測する。
【0033】
この変位計測装置によれば、消光比変換手段によって消光比を20dB以上に高め、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射するので、光ファイバの屈曲やストレスによる偏波の乱れを減少させることができる。
【0034】
本発明に係る定点検出装置は、上記課題を解決するために、光を出射する光源と、上記光源から出射された光を直線偏光とし、その消光比を20dB以上に高める消光比変換手段と、上記消光比変換手段により消光比が20dB以上とされた光を集光する集光レンズと、上記集光レンズによって集光された上記光を伝送する偏波保持タイプの光ファイバと、互いに隣接して配置され、上記光ファイバによって伝送された光が照射されて回折する二つの回折格子と、上記二つの回折格子によって回折した光を受光する二つの受光手段と、上記二つの受光手段の受光量を比較する比較手段とを備え、上記消光比変換手段によって消光比が20dB以上に高められ、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、上記比較手段が上記二つの受光手段の受光量を比較した結果に基づいて定点を定める。
【0035】
この定点検出装置によれば、消光比変換手段によって消光比を20dB以上に高め、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射するので、光ファイバの屈曲やストレスによる偏波の乱れを減少させることができる。
【0036】
本発明に係る変位検出装置は、上記課題を解決するために、光を出射する光源と、上記光源から出射された光の消光比を20dB以上に高める消光比変換手段と、上記消光比変換手段により消光比が20dB以上とされた光を集光する集光レンズと、上記集光レンズによって集光された上記光を伝送する偏波保持タイプの光ファイバと、上記光ファイバによって伝送された上記光の偏光を解消する偏光解消素子と、測定対象に取り付けられ、上記偏光解消素子によって偏光が解消された光が照射されて回折する回折格子と、上記回折格子によって回折した光を受光する受光手段とを備え、上記消光比変換手段によって消光比が20dB以上に高められ、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、上記受光手段が受光した回折光の受光量の大きさで測定対象の変位を検出する。
【0037】
この変位検出装置によれば、消光比変換手段によって消光比を20dB以上に高め、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、さらに上記光ファイバによって伝送された上記光の偏光を偏光解消素子によって解消するので、光ファイバの屈曲やストレスによる偏波の乱れを減少させることができる。
【0038】
本発明に係る変位計測装置は、上記課題を解決するために、光を出射する光源と、上記光源から出射された光を直線偏光とし、その消光比を20dB以上に高める消光比変換手段と、上記消光比変換手段により消光比が20dB以上とされた光を集光する集光レンズと、上記集光レンズによって集光された上記光を伝送する偏波保持タイプの光ファイバと、上記光ファイバによって伝送された上記光の偏光を解消する偏光解消素子と、上記偏光解消素子によって偏光が解消された光を二分する偏光ビームスプリッタと、測定対象に取り付けられ、上記偏光ビームスプリッタによって二分された光が入射されて回折光を得る回折格子と、上記回折格子によって得られる上記二分された光の回折光の偏波を変える位相板と、上記位相板によって偏波が変えられた上記二つの回折光を反射して再び上記位相板を通して上記回折格子に導く二つの反射ミラーと、上記二つの反射ミラーによって上記回折格子に導かれ、当該回折格子によって回折されて上記偏光ビームスプリッタに入射し、当該偏光ビームスプリッタによって反射及び透過された二つの回折光を干渉させる偏光素子と、上記偏光素子によって得られる干渉光を受光する受光素子とを備え、上記消光比変換手段によって消光比が20dB以上に高められ、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、上記受光手段が受光した回折光の受光量の大きさで測定対象の変位を計測する。
【0039】
この変位計測装置によれば、消光比変換手段によって消光比を20dB以上に高め、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、さらに上記光ファイバによって伝送された上記光の偏光を偏光解消素子によって解消するので、光ファイバの屈曲やストレスによる偏波の乱れを減少させることができる。
【0040】
本発明に係る定点検出装置は、上記課題を解決するために、光を出射する光源と、上記光源から出射された光を直線偏光とし、その消光比を20dB以上に高める消光比変換手段と、上記消光比変換手段により消光比が20dB以上とされた光を集光する集光レンズと、上記集光レンズによって集光された上記光を伝送する偏波保持タイプの光ファイバと、上記光ファイバによって伝送された上記光の偏光を解消する偏光解消素子と、互いに隣接して配置され、上記偏光解消素子によって偏光が解消された光が照射されて回折する二つの回折格子と、上記二つの回折格子によって回折した光を受光する二つの受光手段と、上記二つの受光手段の受光量を比較する比較手段とを備え、上記消光比変換手段によって消光比が20dB以上に高められ、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、上記比較手段が上記二つの受光手段の受光量を比較した結果に基づいて定点を定める。
【0041】
この定点検出装置によれば、消光比変換手段によって消光比を20dB以上に高め、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、かつ上記光ファイバによって伝送された上記光の偏光を偏光解消素子によって解消するので、光ファイバの屈曲やストレスによる偏波の乱れを減少させることができる。
【発明の効果】
【0042】
本発明に係る変位検出装置によれば、消光比変換手段によって消光比を20dB以上に高め、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射するので、光ファイバの屈曲やストレスによる偏波の乱れを減少させることができ、よって高精度な変位検出を可能とする。
【0043】
本発明に係る変位計測装置によれば、消光比変換手段によって消光比を20dB以上に高め、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射するので、光ファイバの屈曲やストレスによる偏波の乱れを減少させることができ、よって高精度な変位計測を可能とする。
【0044】
本発明に係る定点検出装置によれば、消光比変換手段によって消光比を20dB以上に高め、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射するので、光ファイバの屈曲やストレスによる偏波の乱れを減少させることができ、よって高精度な定点検出を可能とする。
【0045】
本発明に係る変位検出装置によれば、消光比変換手段によって消光比を20dB以上に高め、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、かつ上記光ファイバによって伝送された上記光の偏光を偏光解消素子によって解消するので、光ファイバの屈曲やストレスによる偏波の乱れをさらに減少させることができ、よってさらに高精度な変位検出を可能とする。
【0046】
本発明に係る変位計測装置によれば、消光比変換手段によって消光比を20dB以上に高め、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、かつ上記光ファイバによって伝送された上記光の偏光を偏光解消素子によって解消するので、光ファイバの屈曲やストレスによる偏波の乱れをさらに減少させることができ、よってさらに高精度な変位計測を可能とする。
【0047】
本発明に係る定点検出装置によれば、消光比変換手段によって消光比を20dB以上に高め、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、かつ上記光ファイバによって伝送された上記光の偏光を偏光解消素子によって解消するので、光ファイバの屈曲やストレスによる偏波の乱れをさらに減少させることができ、よってさらに高精度な定点検出を可能とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【0048】
以下、本発明を実施するための変位計測装置、定点検出装置の最良の形態について図面を参照しながら説明する。
【0049】
図1は変位計測装置10の構成を示す図である。この変位計測装置10は、例えばナノメータ(nm)オーダ以下の移動量を測定する半導体製造、或いは液晶製造等の分野で利用される。したがって、この変位計測装置10では、光源部の発熱が検出部のセンサに影響を及ぼし、安定した測定ができなくなる虞がある。このため、検出部16に発熱が伝わるのを防ぐ必要がある。そこで、特に光源12を検出部16から切り離し、光源12が出射したビームは光ファイバ15で検出部16に伝送する構成をとる。
【0050】
このため、変位計測装置10は、ビームを出射する光源12と、光源12からのビームを20dB以上という高い消光比の直線偏光に換える消光比変換手段として用いる偏光素子の一種である偏光板13と、偏光板13からの高い消光比の直線偏光を集光する集光レンズ14と、集光レンズ14によって集光された直線偏光を伝送する偏波保持タイプの光ファイバ15とを備える。
【0051】
また、変位計測装置10は、光ファイバ15によって伝送された直線偏光のビームを集光する集光レンズ17と、上記集光レンズ17によって集光された直線偏光ビームを二分する偏光ビームスプリッタ18と、偏光ビームスプリッタ18によって二分されたビームが入射される、測定対象に取り付けられる回折格子19と、回折格子19によって得られる二つの回折光の偏波方向を変える相互に90度の角度をなすように配置された二つの位相板20及び21と、上記二つの位相板20及び21を取り付けた相互に90度の角度をなすように設けられて上記回折格子19からの回折光を上記二つの位相板上で往復させる二つのミラー面22及び23を備える反射プリズム24と、上記偏光ビームスプリッタ18によって再び結合されて入射されたビームを干渉させる偏光素子25と、その二つのビームの干渉光の受光量を電気的な信号に変換する受光素子26とを備えてなる。
【0052】
ここで、光源12と偏光素子13と集光レンズ14と偏波保持タイプの光ファイバ15は、光源12の出射したビームを検出部16側に伝送するので光伝送ユニット11と称することができる。なお、検出部16は、集光レンズ17と偏光ビームスプリッタ18と回折格子19と二つの位相板20及び21と二つのミラー22及び23と偏光素子25と受光素子26からなる。
【0053】
以下、変位計測装置10を構成する各部の詳細について説明する。先ず、光源12は、可干渉性ビームを出射するものでも、干渉性の低い光を発光する発光ダイオードでもよい。また、偏光特性を有するものでも、無偏光のものでもよい。
【0054】
消光比変換手段として用いる偏光素子の一種である偏光板13は、光源からのビームを20dB以上という高い消光比の直線偏光に換える。消光比20dB以上ということは、図2に示すように、長軸である直線偏光(A)に対して若干漏れてしまう短軸の光(B)の比であるA:Bが100:1以上であることをいう。消光比が高ければ高いほど、品質の良い直線偏光となる。偏光素子は、上記A:Bが1000:1の消光比30dB程とすることも可能である。偏光素子としては、ハロゲン化銀を含んだガラスを一定方向に引っ張り、内部の粒子形状を所定の方向に向けて偏光フィルタの働きをさせるものを用いても良い。なお、消光比変換手段としては、光源からのビームを20dB以上という高い消光比の直線偏光に変える偏光ビームスプリッタを用いてもよい。
【0055】
偏波保持タイプの光ファイバ15は、図3に示すように、例えば断面が直径3μmの円形のコア(core)30を直径100μmのクラッド(clad)31が包む同心円状になっている。コア30とクラッド31は、ともに屈折率の異なる例えば石英ガラスである。コア30の屈折率はクラッド31の屈折率より高い。コア30へ、例えば波長λ600〜700nmの光を送り込むと、コア30と屈折率の低いクラッド31の境界を光は反射しながら伝わる。コア30の両側には、コア30及びクラッド31とは異なる、断面円形の2本のガラス32及び33をコア30を挟み込むように設けている。この2本のガラス32及び33は、熱膨張率が同じであり、クラッド31全体を収縮する。クラッド31全体を冷やし、コア30にかかる応力を一定に保つ働きをする。この2本のガラス32及び33の中心とコア30及びクラッド31の中心を結ぶ軸は光学軸34となる。この偏波保持タイプの光ファイバ15の光学軸34に光源12から出射されたビームの偏光軸を偏光板13及び集光レンズ14を介して合わせて入射させる。また上記偏波保持タイプ光ファイバのコアの断面が、楕円状である楕円コアタイプの光ファイバを用いても良い。
【0056】
偏光ビームスプリッタ18は、偏波保持タイプの光ファイバ15によって伝送されて、集光レンズ17によって集光されたビームをS偏光成分を有する光とP偏光成分を有する光の二つの光に分割する。このときの入射光の偏波軸は、偏光ビームスプリッタ18からの出射光のパワーが、S偏光成分とP偏光成分でほぼ等しくなるような角度にする。S偏光は、光の境界面に入射する光と反射する光とで形成される入射平面に対して垂直な振動をする偏光成分である。また、P偏光は、上記入射平面に対して水平な振動をする偏光成分である。S偏光成分を有する光は、偏光ビームスプリッタ18で反射され、P偏光成分を有する光は、偏光ビームスプリッタ18を透過する。
【0057】
回折格子19はボリュームタイプホログラムであってもよい。この回折格子19は、測定対象となる物体に取り付けられる。回折格子19は、図中矢印A方向に移動可能である。回折格子19のピッチは例えば0.55μmにする。偏光ビームスプリッタ18を透過したP偏光成分の回折格子19への入射位置(Q点)と、偏光ビームスプリッタ19を反射したS偏光成分の回折格子への入射位置(P点)は異なる。
【0058】
反射プリズム24の第1のミラー面22に取り付けられている第1の1/4波長板20の光学軸は、入射された光の偏光方向に対して45度傾けてある。同様に、反射プリズム24の第2のミラー面23に取り付けられている第2の1/4波長板21の光学軸も、入射された光の偏光方向に対して45度傾けてある。
【0059】
受光素子26側に設けられた偏光素子25は、入射される光の偏光方向に対して45度傾けてある。よって、偏光ビームスプリッタ18からの二つの光は偏光素子25を通過することで干渉波となる。受光素子26は、上記干渉波の光量を電気信号に変換する。
【0060】
次に、上記各部によって構成される変位計測装置10の動作について説明する。光源12から出射された可干渉性又は干渉性の低い光は、偏光板13に入射すると、消光比が例えば30dBのように高い直線偏光となる。この消光比の高い直線偏光を集光レンズ14によって集光し、かつ直線偏光ビームの偏波軸を、上記図3を参照して上述したように偏波保持タイプの光ファイバ15の光学軸34に合わせて偏波保持タイプの光ファイバ15に入射する。このように、偏光板13によって直線偏光とされたビームを偏波保持タイプの光ファイバ15に入射するとき、上記ビームの偏波軸を、上記光ファイバ15の光学軸34に合わせると、上記光ファイバ15の屈曲やストレスによる消光比の変動を少なくすることができる。また、上記ビームの偏波軸は、上記光学軸34と直交する軸35に合わせるように入射してもよい。
【0061】
上記ビームの偏光軸と偏波保持タイプの光ファイバ15の光学軸を合わせるためには、上記光ファイバ15の出射端部15bから出射するビームの消光比が最大になるように調整する方法がある。
【0062】
このようにして光源12、偏光板13、集光レンズ14及び偏波保持タイプの光ファイバ15からなる光伝送ユニット11は、上記光ファイバ15の出射端15bから出射されるビームの消光比を高くできるだけでなく、光ファイバ15の屈曲やストレスによる消光比の変動も小さくすることができる。
【0063】
光伝送ユニット11を構成する偏波保持タイプの光ファイバ15から出射したビームは、検出部16側の集光レンズ17によって集光されてから偏光ビームスプリッタ18に入射する。偏光ビームスプリッタ18は、上述したように、入射された光を、S偏光成分を有する光とP偏光成分を有する光の二つの光に分割する。S偏光成分を有する光は、この偏光ビームスプリッタ18で反射され、回折格子19のP点に入射する。P偏光成分を有する光は、この偏光ビームスプリッタ18を透過し、回折格子19のQ点に入射する。
【0064】
回折格子19のP点及びQ点に入射した光は、以下の式で示される方向にそれぞれ回折される。
sinθ1+sinθ2=n・λ/Λ
なお、θ1は回折格子への入射角を示し、θ2は回折格子からの回折角を示し、Λは格子のピッチ(幅)を示し、λは光の波長を示し、nは回折次数を示している。
【0065】
回折格子のP点で回折された光(S偏光成分)は、反射プリズム24の第1のミラー面22に取り付けられた第1の1/4波長板20を通過し、第1のミラー面22で垂直に反射され、再びP点に戻り回折格子19により回折される。このとき、第1の1/4波長板20の光学軸は、入射された光の偏光方向に対して45度傾けてあるので、P点に戻った光はP偏光成分の光となっている。つまり、回折格子19のP点で回折されたS偏光成分は、第1の1/4波長板20を通過したのち、反射プリズム24の第1のミラー面22によって反射され再び第1の1/4波長板20を通過するので、戻りの偏波軸は行きの偏波軸に対して直交した角度になる。
【0066】
また、Q点で回折された光(P偏光成分)も同様に、反射プリズム24の第2のミラー面23に取り付けられた第2の1/4波長板21を通過し、反射プリズム24で垂直に反射され、再びQ点に戻り回折格子19により回折される。このとき、第2の1/4波長板21の光学軸は、入射された光の偏光方向に対して45度傾けてあるので、Q点に戻った光はS偏光成分の光となっている。つまり、回折格子19のS点で回折されたP偏光成分は、第2の1/4波長板21を通過したのち、反射プリズム24の第2のミラー面23によって反射され再び第2の1/4波長板21を通過するので、戻りの偏波軸は行きの偏波軸に対して直交した角度になる。
【0067】
このようにP点及びQ点で再び回折された光は、偏光ビームスプリッタ18に戻る。P点から戻ってきた光は、P偏光成分を有しているので、偏光ビームスプリッタ18を通過する。また、Q点から戻ってきた光は、S偏光成分を有しているので、偏光ビームスプリッタ18で反射される。したがって、P点及びQ点から戻ってきた光は、偏光ビームスプリッタ18で重ね合わされてから偏光素子25に入射する。
【0068】
偏光素子25は、偏光ビームスプリッタ18で重ね合わされた二つのビームを干渉させる。受光素子26は、偏光素子25によって干渉された干渉光の光量を電気信号に変換して干渉信号を得る。この干渉信号に基づいて変位計測装置10は、矢印A方向に移動する回折格子19の例えばナノメータ(nm)オーダ以下の移動量を計測する。
【0069】
上記干渉信号は、Acos(4Kx+δ)で表すことができる。Kは2π/Λを示し、xは移動量を示し、δは初期位相を示す。例えば、回折格子19のピッチΛを0.55μmにした場合、その干渉波の一周期は、回折格子19の移動量0.1375μmに相当した計測が可能になるが、これを電気信号に変換して、例えばA/D変換等を用いて200内挿することで、約0.6895nmの非常に細かい分解能が得られる。特に分解能が10nm以下の細かな変位の計測では、安定した信号出力を必要とすることは、言うまでもなく、上記光伝送ユニット11から出射するビームの消光比の変動を極めて小さくしたことにより、偏光素子25を通過することで得られる干渉波の変調率を安定させることができ、高分解能で安定性の高い変位計測が可能になった。
【0070】
また、回折回数を増やすことにより、上記干渉信号をAcos(8Kx+δ)にした検出光学系に応用させても同様の効果が得られる。図4は、回折回数を増やした構成の変位計測装置200(応用例)を示す図である。上記図1と異なるのは、偏光ビームスプリッタ18によって二分され、回折格子19によって回折された二つの回折光が入射面201a及び202aから反射プリズム201及び202に入り、反射面201b及び202b、反射面201c及び202cにて反射され、再度回折格子19に入射し、回折格子19によってさらに回折されてから、二つの位相板20及び21と、反射プリズム24に至る構成となっている点である。反射プリズム24によって反射された光は、再度二つの位相板20及び21を通過してから、回折格子19を透過して回折され、再び反射プリズム201及び202にて反射されてから、さらに回折格子19にて回折され、偏光ビームスプリッタ18に至る。
【0071】
偏光ビームスプリッタ18は、入射してきた偏光成分を重ね合わせてから、ビームスプリッタ203に送る。ビームスプリッタ203は、入射された光を二つに分割し、一方の光を偏光ビームスプリッタ204に入射し、他方の光を偏光素子25に送る。偏光素子25は、ビームスプリッタ203を透過してきた光を偏光し、偏光ビームスプリッタ207に入射させる。
【0072】
偏光ビームスプリッタ204に入射された光は、S偏光成分を有する光とP偏光成分を有する光に分割され、S偏光成分を有する光を光電変換器205に入射し、P偏光成分を有する光を光電変換器206に入射する。偏光ビームスプリッタ207に入射された光は、S偏光成分を有する光とP偏光成分を有する光に分割され、S偏光成分を有する光を光電変換器208に入射し、P偏光成分を有する光を光電変換器209に入射する。
【0073】
したがって、光電変換器205及び光電変換器206、光電変換器208及び光電変換器209は、Acos(8Kx+δ)の干渉信号を得ることができる。
【0074】
図5は定点検出装置40の構成を示す図である。この定点検出装置40は、例えばナノメータnmオーダ以下の移動量を測定する半導体製造、或いは液晶製造等の分野で利用される。したがって、この定点検出装置40も、センサ自身の発熱も許されず、特に光源42を検出部46から切り離し、光源42が出射したビームは光ファイバ45で検出部46に伝送する構成をとる。
【0075】
定点検出装置40は、上記変位計測装置10と共に用いられ、例えば変位計測装置10の回折格子19上の絶対位置を検出する。変位計測装置10は、上述したように、ピッチΛが0.55μmのように非常に小さい回折格子19を用いている。回折格子19上で変位を計測しているときに何らかのアクシデントで電源が落ちてしまったり、処理が止まってしまうと、復旧後、以前の計測時に回折格子上のどの位置にいたのかが不明となってしまう。そこで、回折格子上の絶対位置を常に検出する目的で開発されたものが定点検出装置40である。二つの回折格子48及び49として例えばピッチの異なる二つのホログラム材料を用い、エッジ50の検出によって定点を検出する構成となっている。
【0076】
図5に示すように、定点検出装置40は、ビームを出射する光源42と、光源42からのビームを20dB以上という高い消光比の直線偏光に換える消光比変換手段として用いる偏光素子の一種である偏光板43と、偏光板43からの高い消光比の直線偏光を集光する集光レンズ44と、集光レンズ44によって集光された直線偏光を伝送する偏波保持タイプの光ファイバ45とを備える。
【0077】
また、定点検出装置40は、光ファイバ45によって伝送された直線偏光のビームを集光する集光レンズ47と、集光レンズ47によって集光された直線偏光ビームが境界部(エッジ)50近辺に焦点を結ぶ、互いに隣接して配置された2つの回折格子48及び49と、その2つの回折格子48及び49によって回折した回折光を受光する2つの受光素子52及び53と、その2つの受光素子52及び53の受光量を比較する比較器54を有し、その比較した信号に基づいて定点を定める。
【0078】
以下、定点検出装置を構成する各部の詳細について説明する。先ず、光源42は、可干渉性もしくは非干渉性のビームを出射する。また偏光特性を有するビームでも、無偏光のビームを出射するものでもよい。
【0079】
消光比変換手段として用いる偏光素子の一種である偏光板43は、上述した偏光板13と同様に光源42からのビームを20dB以上という高い消光比の直線偏光に変える。消光比30dB程とすることも可能である。なお、消光比変換手段としては、光源からのビームを20dB以上という高い消光比の直線偏光に変える偏光ビームスプリッタを用いてもよい。
【0080】
また、偏波保持タイプの光ファイバ45は、図3を参照して既に説明したとおりである。ここでは、説明を省略するが、この偏波保持タイプの光ファイバ45の光学軸34又は軸35に光源42から出射されたビームの偏光軸を偏光板43及び集光レンズ44を介して合わせて入射させることが重要である。
【0081】
これは、偏光板434によって直線偏光とされたビームを偏波保持タイプの光ファイバ45に入射するとき、上記ビームの偏波軸を、上記光ファイバ45の光学軸34に合わせると、上記光ファイバの屈曲やストレスによる消光比の変動を少なくすることができるためである。
【0082】
二つの回折格子48及び49は、集光レンズ47によって集光された直線偏光ビームが境界部(エッジ)50近辺に焦点を結ぶように互いに隣接して配置されている。この二つの回折格子48及び49は、互いの格子ベクトルが異なっていても良いし、互いの格子ピッチが異なっていてもよい。また反射型のホログラムやブレーズド回折格子を含む。図4に示した構成では、二つの回折格子48及び49は反射型であり、それぞれの+1次回折光は入射光と同じ側に出射される。また透過型の回折格子を用いてもよい。
【0083】
二つの受光素子52及び53は、上記二つの回折格子48及び49から得られる回折光の強度を電気信号に変換する。二つの受光素子52及び53は、上記二つの回折格子48及び49に対して上記光ファイバ45の出射端側45bと同一端側に配置されている。
【0084】
比較器54は、上記二つの受光素子52及び53からの電気信号を比較する。比較器54による比較結果は、図示しない制御部に供給される。制御部は、比較器54による比較結果に基づいて二つの信号が任意の大きさになる点を定点と定める。また、二つの信号が同じ出力になる点を定点と定めても良い。
【0085】
次に、上記各部によって構成される定点検出装置40の動作について説明する。光源42から出射された可干渉性もしくは比干渉性の光は、偏光板43に入射すると、消光比が例えば30dBのように高い直線偏光となる。この消光比の高い直線偏光を集光レンズ44によって集光し、かつ直線偏光ビームの偏波軸を、上記図3を参照して上述したように偏波保持タイプの光ファイバ45の光学軸34に合わせて偏波保持タイプの光ファイバ45に入射する。このように、偏光板43によって直線偏光とされたビームを偏波保持タイプの光ファイバ45に入射するとき、上記ビームの偏波軸を、上記光ファイバの光学軸34に合わせると、上記光ファイバ45の屈曲やストレスによる消光比の変動を少なくすることができる。また、上記ビームの偏波軸は、上記光学軸34と直交する軸35に合わせるように入射してもよい。
【0086】
上記ビームの偏光軸と偏波保持タイプの光ファイバ45の光学軸を合わせるためには、上記光ファイバ45の出射端部45bから出射するビームの消光比が最大になるように調整する方法がある。
【0087】
このようにして光源42、偏光板43、集光レンズ44及び偏波保持タイプの光ファイバ45からなる光伝送ユニット41は、上記光ファイバ45の出射端45bから出射されるビームの消光比を高くできるだけでなく、光ファイバ45の屈曲やストレスによる消光比の変動も小さくすることができる。
【0088】
光伝送ユニット41を構成する偏波保持タイプの光ファイバ45から出射したビームは、検出部46側の集光レンズ47によって集光されてから、図中矢印A方向に移動可能な二つの回折格子48及び49の境界部(エッジ)50付近に焦点を結ぶ。
【0089】
この二つの回折格子48及び49から得られる回折光の強度は、それぞれの受光素子52及び53によって電気信号に変換される。そして、2つの信号を比較する比較器54によって、2つの信号が任意の大きさになる点を定点と定める。上述したように、2つの信号が同じ出力になる点を定点と定めても良い。ただし、上記二つの信号が一致したとき、比較器54の比較出力は0となる。回折光がなくなり受光素子の出力が0であるときも比較結果は0となってしまうので誤認識を防ぐという点では、オフセットをもたせるのが望ましく、よってある程度の数値を持って任意の大きさを設定し、0と弁別することを行うのが望ましい。
【0090】
本実施の形態の定点検出装置40は、このようにして、測定対象物51に取り付けられた回折格子48及び49の絶対位置を検出する。一般に回折格子は、入射する偏光成分によって回折光量が違う。つまりS偏光成分とP偏光成分の回折効率が違うことになる。例えば、光源から出射されるビームの波長が780nmであり、格子ピッチ0.55μmで反射型のホログラムの回折効率を測定すると、図6に示すように、S偏光成分とP偏光成分では、回折効率が大きく異なることが確認できる。図6では、入射角が35度から55度の間でS偏光成分の回折効率が46%から41%の間であるのに対して、P偏光成分の回折効率が91%から92%の間であり、P偏光成分の回折効率が高いのが確認できる。また、これらは、製造プロセスにおいて個体差が発生し、一般にある程度のばらつきを持っていることが言える。
【0091】
よって回折格子へ入射するビームの消光比の変動を小さくすることで、これらの影響を受けずに常に安定した定点検出が可能になった。
【0092】
図7は、本実施の形態の定点検出装置40にあって、偏波保持タイプの光ファイバ45に屈曲ストレスを印加したときに、定点検出位置40が時間と共にどのように変化するかを測定するためのシステム構成図である。この図7では、定点検出装置40の上記図5における光源42+偏光板43+集光レンズ44からなるユニットを、上記光ファイバ45に所定の消光比の直線偏光を入射するための光入射部55としている。光入射部55は、偏波保持タイプの光ファイバ45に消光比12dBの直線偏光又は消光比29dBの直線偏光を入射する。このとき、スケール51に取り付けた二つの回折格子48及び49上の上記境界部50からの二つの回折光に基づいて検出された定点に対して、光ファイバ45の屈曲半径と検出位置が、時間経過によってどのようにずれるかを測定している。
【0093】
このため、この測定システムは、スケール51に取り付けられてアナログの位置ずれ量をデジタルデータとして検出するエンコーダ56、エンコーダ56からのデジタル値に所定数の内挿を行う内挿回路57と、内挿回路57からの数値に基づいて、上記定点検出位置40の位置ずれデータを集計するパーソナルコンピュータ(PC)58とを備える。パーソナルコンピュータ58には、定点検出装置40の比較器54からの比較結果も供給される。
【0094】
図8は、上記ファイバ屈曲による定点検出位置ずれを示す特性図である。横軸は、時間(分)を示す。左側縦軸は検出位置(nm)を、右側縦軸は光ファイバの屈曲半径(mm)を示す。
【0095】
先ず、光ファイバの屈曲半径を60(mm)としたときに定点検出装置40が検出した定点位置を0とする。消光比12dB及び29dBの直線偏光を上記光入射部55が上記光ファイバ45に入射すれば、時間経過が18分となるまで定点位置はずれていない(第1の状態という)。時間経過が18分から32分となるまで光ファイバ45の屈曲半径は28(mm)となる(第2の状態という)。この第2の状態で上記光入射部55が消光比12dBの直線偏光を上記光ファイバ45に入射すると、定点検出装置40の検出した定点は−60(nm)だけずれる。これに対して、この第2の状態で消光比29dBの直線偏光を上記光ファイバ45に入射すると、定点検出装置40の検出した定点は−35(nm)だけのずれで済む。
【0096】
時間経過が32分から48分となるまで光ファイバ45の屈曲半径は18(mm)となる(第3の状態という)。この第3の状態で上記光入射部55が消光比12dBの直線偏光を上記光ファイバ45に入射すると、定点検出装置40の検出した定点は−130(nm)だけずれる。これに対して、この第3の状態で消光比29dBの直線偏光を上記光ファイバ45に入射すると、定点検出装置40の検出した定点は−62(nm)だけのずれで済む。
【0097】
時間経過が48分から63分となるまで光ファイバ45の屈曲半径は28(mm)となる(第4の状態という)。この第4の状態で上記光入射部55が消光比12dBの直線偏光を上記光ファイバ45に入射すると、定点検出装置40の検出した定点は−58(nm)だけずれる。これに対して、この第4の状態で消光比29dBの直線偏光を上記光ファイバ45に入射すると、定点検出装置40の検出した定点は−35(nm)だけのずれで済む。
【0098】
時間経過が63分から78分となるまで光ファイバ45の屈曲半径は60(mm)となる(第5の状態という)。この第5の状態で上記光入射部55が消光比12dBの直線偏光を上記光ファイバ45に入射すると、定点検出装置40の検出した定点は第1の状態と同様に0(nm)となる。またこの第5の状態で消光比29dBの直線偏光を上記光ファイバ45に入射しても、定点検出装置40の検出した定点は同様に0(nm)となる。
【0099】
時間経過が78分から93分となるまで光ファイバ45の屈曲半径は28(mm)となる(第6の状態という)。この第6の状態で上記光入射部55が消光比12dBの直線偏光を上記光ファイバ45に入射すると、定点検出装置40の検出した定点は−60(nm)だけずれる。これに対して、この第6の状態で消光比29dBの直線偏光を上記光ファイバ45に入射すると、定点検出装置40の検出した定点は−35(nm)だけのずれで済む。
【0100】
時間経過が93分から108分となるまで光ファイバ45の屈曲半径は18(mm)となる(第7の状態という)。この第7の状態で上記光入射部55が消光比12dBの直線偏光を上記光ファイバ45に入射すると、定点検出装置40の検出した定点は上記第3の状態と同様に−130(nm)だけずれる。これに対して、この第7の状態で消光比29dBの直線偏光を上記光ファイバ45に入射すると、定点検出装置40の検出した定点は上記第3の状態と同様に−62(nm)だけのずれで済む。
【0101】
時間経過が108分から123分となるまで光ファイバ45の屈曲半径は28(mm)となる(第8の状態という)。この第8の状態で上記光入射部55が消光比12dBの直線偏光を上記光ファイバ45に入射すると、定点検出装置40の検出した定点は上記第6の状態と同様に−60(nm)だけずれる。これに対して、この第8の状態で消光比29dBの直線偏光を上記光ファイバ45に入射すると、定点検出装置40の検出した定点は上記第6の状態と同様に−35(nm)だけのずれで済む。
【0102】
時間経過が123分から137分となるまで光ファイバ45の屈曲半径は60(mm)となる(第9の状態という)。この第9の状態で上記光入射部55が消光比12dBの直線偏光を上記光ファイバ45に入射すると、定点検出装置40の検出した定点は第1の状態と同様に0(nm)となる。またこの第9の状態で消光比29dBの直線偏光を上記光ファイバ45に入射しても、定点検出装置40の検出した定点は同様に0(nm)となる。
【0103】
すなわち、上記光ファイバ45に屈曲ストレスを印加した場合、消光比12dBよりも高い消光比29dBの直線偏光を上記光入射部55により上記光ファイバ45に入射すると、定点の位置ずれが少ないことが判り、本実施の形態を用いたときの効果は明確である。
【0104】
上記変位計測装置10及び定点検出装置40で用いた光伝送ユニット11及び41としては、上記図1及び図5に示した構成の他、以下の具体例を用いることができる。図9は偏光板と集光レンズとを一体化させた光伝送ユニットである。なお、以下、図9〜図13を用いて説明する各具体例では上記変位計測装置10に用いた光源12、偏光板13、集光レンズ14、偏波保持タイプの光ファイバ15及び光伝送ユニット11の各符号を用いている。定点検出装置40で用いることもできるのはもちろんである。
【0105】
光伝送ユニット11の光入射部(上記図7で挙げた光入射部55を変位計測装置10に適用したもの。光源12、偏光板13、集光レンズ14からなる。)をパッケージすることを考えた場合、部品点数を少なくする必要がある。偏光板13と集光レンズ14とを一体化することによって部品点数を少なくできる。もちろん、図9の光伝送ユニット11により光源12からのビームを偏光板13にて消光比の高い直線偏光にし、さらにこのビームを集光レンズ14によって集光させて、ビームの偏波軸と偏波保持タイプの光ファイバ15の光学軸34を合わせて上記光ファイバ15の入射端15aに入射することができる。よって、光ファイバ15の出射端15bから出射したビームは、消光比が高くなり、かつ光ファイバの屈曲やストレスによる消光比の変動も少なくて済む。
【0106】
図10は偏光板14をコリメータレンズ61と集光レンズ14とで挟み込むように一体化した光伝送ユニット11である。この具体例では、光源12からのビームをコリメータレンズ61により平行光とし、偏光板13に垂直に入射させるようにしている。したがって、偏光板13の性能を十分に発揮させることができる。この具体例によってもパッケージ化の際に部品点数を少なくすることができる。もちろん、光ファイバ15の出射端15bから出射したビームは、消光比が高くなり、かつ光ファイバ15の屈曲やストレスによる消光比の変動も少なくて済む。なお、さらにこの具体例の変形例としては、コリメータレンズ61と偏光板13と集光レンズ14を一体化せず、離間して配置してもよい。
【0107】
図11は偏光板を用いず、偏光板の変わりに上記偏波保持タイプの光ファイバ15の入射端面15aをブリュースター角になるように形成した光伝送ユニット11である。上記光ファイバ15の入射端面15aをブリュースター角にすることにより、界面で偏光フィルタの機能と同様に、S波偏光成分を反射し、P波偏光成分を上記光ファイバ15内のコア30に入射させる。つまり、上記光ファイバ15にはP波偏光成分のビームのみを入射することができる。光源12から出射されたビームは集光レンズ14を介して入射端面15aがブリュースター角に形成された上記光ファイバ15にP波成分のみを入射することになる。S波偏光成分はブリュースター角に形成された入射端面15aによって図中矢印で示すように反射され、光ファイバ15のコア30には入射させないので、消光比の高いビームを入射することになる。よって、この具体例にあっても、光源12からのビームを消光比の高い直線偏光にし、さらにこのビームを集光レンズ14によって集光させて、ビームの偏波軸と偏波保持タイプの光ファイバ15の光学軸34を合わせて上記光ファイバ15に入射することができる。よって、光ファイバ15の出射端15bから出射したビームは、消光比が高くなり、かつ光ファイバ15の屈曲やストレスによる消光比の変動も少なくて済む。また、偏光素子を用いなくて済むので、パッケージ化の際には、省スペースを図ることができる。
【0108】
なお、図11にあって、上記偏波保持タイプの光ファイバ15の入射端面15aを多層膜処理により形成し、多層膜の全ての界面が全てブリュースター角になるようにしてもよい。このようにすれば、界面で偏光フィルタの機能と同様に、S波偏光成分を反射し、P波偏光成分を上記光ファイバ15内のコア30に入射させることができる。つまり、上記光ファイバ15にはP波偏光成分のビームのみを入射することができる。また、上記光ファイバ15の入射端面15aを偏光ビームスプリッタになるように形成してもよい。
【0109】
図12は光源として用いる半導体レーザ62の出射窓に偏光板63を形成した光伝送ユニット11である。半導体レーザ62の出射するビームは消光比が20dB程であるが、上記出射窓に形成した偏光板63により、消光比を30dB程にすることができる。この具体例でも、半導体レーザ62の外部空間に偏光素子を用いなくても済むので、パッケージ化の際には、省スペースを図ることができる。もちろん、光ファイバ15の出射端15bから出射したビームは、消光比が高くなり、かつ光ファイバの屈曲やストレスによる消光比の変動も少なくて済む。
【0110】
図13は光源として用いる半導体レーザ63の出射用の窓ガラス64をブリュースター角に形成した光伝送ユニット11である。この半導体レーザ63は、ビームの縦方向と横方向とで広がり角が異なることにより、非点収差を発生してしまうことを防ぐために、出射窓を斜めに形成している。この斜めに形成した窓ガラス64をブリュースター角に形成することにより、界面で偏光フィルタの機能と同様に、S波偏光成分を反射し、P波偏光成分を上記光ファイバ15内のコア30に入射させる。つまり、上記光ファイバ15にはP波偏光成分のビームのみを入射することができる。半導体レーザ63から出射されたP偏光成分は集光レンズ14を介して上記光ファイバ15に入射することになる。S波偏光成分は入射させないので、消光比の高いビームを入射することになる。よって、この具体例にあっても、半導体レーザ63からのビームを消光比の高い直線偏光にし、さらにこのビームを集光レンズ14によって集光させて、ビームの偏波軸と偏波保持タイプの光ファイバ15の光学軸34を合わせて上記光ファイバ15に入射することができる。よって、光ファイバ15の出射端15bから出射したビームは、消光比が高くなり、かつ光ファイバ15の屈曲やストレスによる消光比の変動も少なくて済む。また、半導体レーザ63の外部に偏光素子を用いなくて済むので、パッケージ化の際には、省スペースを図ることができる。
【0111】
また、図13にあって、上記半導体レーザ63の窓ガラス64を多層膜処理により形成し、多層膜の全ての界面が全てブリュースター角になるようにしてもよい。このようにすれば、界面で偏光フィルタの機能と同様に、S波偏光成分を反射し、P波偏光成分を上記光ファイバ15内のコア30に入射させることができる。つまり、上記光ファイバ15にはP波偏光成分のビームのみを入射することができる。
【0112】
なお、本発明は、上記変位計測装置10、上記定点検出装置40にのみ適用が限定されるものではない。少なくとも、光を出射する光源と、上記光源から出射された光の消光比を20dB以上に高める消光比変換手段と、上記消光比変換手段により消光比が20dB以上とされた光を集光する集光レンズと、上記集光レンズによって集光された上記光を伝送する偏波保持タイプの光ファイバと、測定対象に取り付けられ、上記光ファイバによって伝送された光が照射されて回折する回折格子と、上記回折格子によって回折した光を受光する受光手段とを備え、上記消光比変換手段によって消光比が20dB以上に高められ、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、上記受光手段が受光した回折光の受光量の大きさで測定対象の変位を検出するという構成の光学式による変位を検出する装置に適用できる。例えば、透過型の変位検出装置、反射型の変位検出装置、透過型の変位計測装置、透過型の定点検出装置等がある。
【0113】
もちろん、上記消光比変換手段を偏光素子としてもよい。また、上記消光比変換手段である上記偏光素子を上記集光レンズと一体化してもよい。
【0114】
また、上記光ファイバの光の入射側端面をブリュースター角に形成することによって上記消光比変換手段としてもよい。
【0115】
また、上記光源として半導体レーザを用い、上記偏光素子を上記半導体レーザの出射窓ガラスに形成してもよい。
【0116】
また、上記消光比変換手段を偏光ビームスプリッタとしてもよい。また、上記光源として半導体レーザを用い、偏光ビームスプリッタを上記半導体レーザの出射窓ガラスに形成してもよい。
【0117】
また、上記光源として半導体レーザを用い、当該半導体レーザの出射窓ガラスをブリュースター角に形成することによって上記消光比変換手段としてもよい。また、上記光ファイバの光の入射側端面を偏光ビームスプリッタとして上記消光比変換手段としてもよい。
【0118】
ここまでの説明にあって、変位計測装置10及び200、定点検出装置40は、光源12及び光源42からのビームを偏光板13及び偏光板43を通し、20dB以上という高い消光比の直線偏光にしてから集光レンズ14及び集光レンズ44で集光し、偏波保持タイプの光ファイバ15及び光ファイバ45に通す構成とした。
【0119】
さらに、光ファイバの屈曲やストレスによる偏波の乱れをさらに減少させ、よってさらに高精度な変位計測を可能とするため、図14に示す変位計測装置300を用いてもよい。
【0120】
この変位計測装置300は、図1に示した変位計測装置10の光ファイバ11の出射端側15bであって、集光レンズ17との間に、光ファイバ15によって伝送されたビームの偏波を無偏光にする偏光解消素子301を備えた構成である。
【0121】
偏光解消素子301は、光ファイバ15によって伝送されて出射されたビームの偏光を解消する。水晶、雲母もしくは有機樹脂を材料とする。ここで、図15を用いて偏光解消素子301の具体例を説明する。図15に断面を示す偏光解消素子301は、水晶301aと石英ガラス301bとを斜めに切り、それらを斜線301cにて透明の接着剤を用いて接着してなる。他に、雲母もしくは有機樹脂を材料としてもよい。入射光が例えば直線偏光131であっても、斜線301cに沿って水晶301a及び石英ガラス301bの厚みがそれぞれ異なることになり、斜線301c上の位置に応じてλ/4、2λ/4、3λ/4の厚みになる。このため、光束が、例えば1mm程度の幅であれば、石英ガラス301bによって屈折されて出てくる光は無偏光のランダム光132となる。この原理によって、偏光解消素子301は偏光方向が定まっているようなレーザ光を、自然光のような無偏光、つまりランダム光にすることができる。
【0122】
集光レンズ17は、偏光解消素子301で無偏光にされたビームを集光し、偏光ビームスプリッタ18に入射させる。
【0123】
以上に説明したように、この変位計測装置300は、偏光解消素子301を光ファイバ15の出射端15bと集光レンズ17との間に設けるので、変位計測装置10よりも光ファイバ15の屈曲やストレスによる偏波の乱れをさらに減少させることができる。また、さらに高精度な変位検出を可能とする。
【0124】
同様に、図4に示した構成の変位計測装置200における光ファイバ15の出射端側15bと集光レンズ17との間に偏光解消素子301を設けた構成の変位計測装置350を図16に示す。この変位計測装置350でも、偏光解消素子301を光ファイバ15の出射端15bと集光レンズ17との間に設けるので、変位計測装置200よりも光ファイバ15の屈曲やストレスによる偏波の乱れをさらに減少させることができる。また、さらに高精度な変位検出を可能とする。
【0125】
同様に、図5に示した構成の定点検出装置40における光ファイバ45の出射端側45bと集光レンズ47との間に偏光解消素子301を設けた構成の定点検出装置400を図17に示す。この定点検出装置400でも、偏光解消素子301を光ファイバ45の出射端45bと集光レンズ47との間に設けるので、定点検出装置40よりも光ファイバ45の屈曲やストレスによる偏波の乱れをさらに減少させることができる。また、さらに高精度な定点検出を可能とする。
【図面の簡単な説明】
【0126】
【図1】変位計測装置の構成図である。
【図2】消光比を説明するために用いた図である。
【図3】偏波保持タイプの光ファイバの断面図である。
【図4】変位計測装置の応用例である。
【図5】定点検出装置の構成図である。
【図6】S偏光成分とP偏光成分とで、回折効率が大きく異なることを示す特性図である。
【図7】偏波保持タイプの光ファイバに屈曲ストレスを印加したときに、定点検出位置が時間と共にどのように変化するかを測定するためのシステム構成図である。
【図8】ファイバ屈曲による定点検出位置ずれを示す特性図である。
【図9】偏光板と集光レンズとを一体化させた光伝送ユニットを示す図である。
【図10】偏光板をコリメータレンズと集光レンズとで挟み込むように一体化した光伝送ユニットを示す図である。
【図11】偏光板の変わりに偏波保持タイプの光ファイバの入射端面をブリュースター角になるように形成した光伝送ユニットを示す図である。
【図12】光源として用いる半導体レーザの出射窓に偏光板を形成した光伝送ユニットを示す図である。
【図13】光源として用いる半導体レーザの出射用の窓ガラスをブリュースター角に形成した光伝送ユニットを示す図である。
【図14】偏光解消素子をさらに備えた変位計測装置の構成図である。
【図15】偏光解消素子の断面図である。
【図16】偏光解消素子をさらに備えた変位計測装置の応用例の構成図である。
【図17】偏光解消素子をさらに備えた定点検出装置の応用例の構成図である。
【図18】従来の変位検出装置の構成図である。
【図19】特許文献1に記載された従来の定点検出装置の構成図である。
【図20】上記図19に示した定点検出装置で用いられるホログラフィック回折構成を示す図である。
【図21】上記図19に示した定点検出装置の主要部を示す図である。
【図22】光ファイバを用いて定点を検出する定点検出装置の構成図である。
【図23】光ファイバを用いて変位を計測する変位計測装置の構成図である。
【符号の説明】
【0127】
10 変位計測装置、11 光伝送ユニット、12 光源、13 位相板、14 集光レンズ、15 偏波保持タイプの光ファイバ、16 検出部、17 集光レンズ、18 偏光ビームスプリッタ、19 回折格子、20 第1の1/4位相板、21 第2の1/4位相板、22 第1の反射ミラー面、23 第2の反射ミラー面、24 プリズム、40 定点検出装置、41 光伝送ユニット、42 光源、43 位相板、44 集光レンズ、45 偏波保持タイプの光ファイバ、46 検出部、47 集光レンズ、48 回折格子、49 回折格子、50 エッジ、52,53 受光素子、54 比較器、300 変位計測装置、301 偏光解消素子、400 定点検出装置
【技術分野】
【0001】
本発明は、回折格子による回折光を検出することによって変位を検出する変位検出装置及び回折格子による回折光の干渉を利用して変位量を計測する変位計測装置並びに上記回折光によって定点を求める定点検出装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、移動するスケール上に取り付けられている回折格子の位置の変位を光の干渉を利用して検出するようにしたものに格子干渉計がある。以下に、変位検出装置について図18を用いて説明する。なお、図18は、透過型の回折格子を用いた変位検出装置である。
【0003】
変位検出装置は、図18に示すように、可干渉光源部90と、第1のレンズ91と、第1の偏光ビームスプリッタ(polarization beam splitter:PBS)92と、第1の1/4波長板93と、反射プリズム94と、第2の1/4波長板95と、第2のレンズ96と、ビームスプリッタ(beam splitter:BS)97と、第2のPBS98と、第1の光電変換器99と、第2の光電変換器100と、第3の1/4波長板101と、第3のPBS102と、第3の光電変換器103と、第4の光電変換器104と、第1の差動増幅器105と、第2の差動増幅器106と、インクリメンタル信号発生器107とを備え、スケール108上に配置された透過型の回折格子を読み取る。
【0004】
可干渉光源部90は、第1のレンズ91に光を出射する。第1のレンズ91は、入射した光を適当なビームに絞り、第1のPBS92に出射する。第1のPBS92は、入射された光を、S偏光成分を有する光とP偏光成分を有する光の二つの光に分割する。S偏光は、光の境界面に入射する光と反射する光とで形成される入射平面に対して垂直な振動をする偏光成分である。また、P偏光は、上記入射平面に対して水平な振動をする偏光成分である。S偏光成分を有する光は、第1のPBS92で反射され、P偏光成分を有する光は、第1のPBS92を透過する。なお、可干渉光源部90からの光が直線偏光の光であれば、偏光方向を45度傾けて第1のPBS92に入射させる。こうすることにより、S偏光成分の光とP偏光成分の光の強度を等しくすることができる。
【0005】
第1のPBS92で反射されたS偏光成分を有する光は、スケール108上に記録されている回折格子のP点に入射し、また、第1のPBS92を透過したP偏光成分を有する光は、回折格子のQ点に入射し、以下の式で示される方向にそれぞれ回折される。
sinθ1+sinθ2=n・λ/Λ
なお、θ1はスケール108上への入射角を示し、θ2はスケール108からの回折角を示し、Λは格子のピッチ(幅)を示し、λは光の波長を示し、nは回折次数を示している。
【0006】
図18に示した従来の変位検出装置では、P点への入射角をθ1pとし、その回折角をθ2pとし、Q点への入射角をθ1qとし、その回折角をθ2qとすると、θ1p=θ2p=θ1q=θ2qになるように調整している。また、回折次数は、P点及びQ点で同次数である。
【0007】
P点で回折された光(S偏光成分)は、第1の1/4波長板93を通過し、反射プリズム94で垂直に反射され、再びP点に戻り回折格子により回折される。このとき、第1の1/4波長板93の光学軸は、入射された光の偏光方向に対して45度傾けてあるので、P点に戻った光はP偏光成分の光となっている。
【0008】
また、Q点で回折された光(P偏光成分)も同様に、第2の1/4波長板95を通過し、反射プリズム94で垂直に反射され、再びQ点に戻り回折格子により回折される。このとき、第2の1/4波長板95の光学軸は、入射された光の偏光方向に対して45度傾けてあるので、Q点に戻った光はS偏光成分の光となっている。
【0009】
このようにP点及びQ点で再び回折された光は、第1のPBS92に戻る。P点から戻ってきた光は、P偏光成分を有しているので、第1のPBS92を通過する。また、Q点から戻ってきた光は、S偏光成分を有しているので、第1のPBS92で反射される。したがって、P点及びQ点から戻ってきた光は、第1のPBS92で重ね合わされて、第2のレンズ96により適当なビームに絞られてBS97に入射する。
【0010】
BS97は、入射された光を二つに分割し、一方の光を第2のPBS98に入射し、他方の光を第3の1/4波長板101に入射する。なお、第2のPBS98及び第3の1/4波長板101は、入射される光の偏光方向に対して45度にそれぞれ傾いている。
【0011】
第2のPBS98に入射された光は、S偏光成分を有する光とP偏光成分を有する光に分割され、S偏光成分を有する光を第1の光電変換器99に入射し、P偏光成分を有する光を第2の光電変換器100に入射する。また、第1の光電変換器99及び第2の光電変換器100では、Acos(4Kx+δ)の干渉信号が得られる。なお、Kは2π/Λを示し、xは移動量を示し、δは初期位相を示している。また、第1の光電変換器99では、第2の光電変換器100と180度位相の異なる信号が得られる。
【0012】
また、第3の1/4波長板101に入射された光は、P偏光成分を有する光とS偏光成分を有する光とが互いに逆回りの円偏光となり、重ね合わされて直線偏光となり、第3のPBS102に入射する。第3のPBS102に入射された光は、S偏光成分を有する光とP偏光成分を有する光に分割され、S偏光成分を有する光を第3の光電変換器103に入射し、P偏光成分を有する光を第4の光電変換器104に入射する。なお、第3のPBS102に入射される直線偏光の偏光方向は、回折格子がx方向にΛ/2だけ移動すると1回転する。したがって、第3の光電変換器103及び第4の光電変換器104は、第1の光電変換器99及び第2の光電変換器100と同様にAcos(4Kx+δ’)の干渉信号を得ることができる。また、第3の光電変換器103では、第4の光電変換器104と180度位相が異なる信号が得られる。
【0013】
なお、第3のPBS102は、第2のPBS98に対して45度傾けてある。したがって、第3の光電変換器103及び第4の光電変換器104で得られる信号は、第1の光電変換器99及び第2の光電変換器100で得られる信号に対して90度位相が異なっている。
【0014】
第1の差動増幅器105は、第1の光電変換器99及び第2の光電変換器100から入力される電気信号を差動増幅し、干渉信号のDC(直流)成分をキャンセルした信号をインクリメンタル信号発生器107に出力する。また、第2の差動増幅器106も同様に、第3の光電変換器103及び第4の光電変換器104から入力される電気信号を差動増幅し、干渉信号のDC(直流)成分をキャンセルした信号をインクリメンタル信号発生器107に出力する。
【0015】
次に、図19に、本願出願人による下記特許文献1に開示された従来の定点検出装置の例を示す。この定点検出装置は、固定部110と測定方向(X方向)に沿って可動な可動部130とを有し、固定部110は光学系111と検出系121とを含み、可動部130は基板131とその上面に配置された2つの体積型ホログラフィック回折格子132、133とを有する。
【0016】
光学系111は半導体レーザ等のレーザ光を出力する光源112とコリメータレンズ113と集光レンズ114と有する。検出系121は2つの受光器122、123と電気処理回路129とを有する。
【0017】
図20にこの例に使用されるホログラフィック回折格子132、133を示す。ホログラフィック回折格子132、133は透過型の体積型ホログラムによって形成されている。以下に、ホログラフィック回折格子132、133を、随時単にホログラムと称する。図示のように、各ホログラム132、133の格子間隔又は格子ピッチdは測定方向に順次連続的に変化している。また、各ホログラム132、133の格子間隔又は格子ピッチdを形成する分布面142、143はホログラム132、133の上面に対して傾斜しており、斯かる傾斜角は測定方向に順次連続的に変化している。各ホログラム132、133によって入射光を回折させると、回折効率が測定方向に連続的に変化する。
【0018】
図21に図20の定点検出装置の主要部を示す。図示のように、基板131の上面131Aに2つのホログラム132、133が横方向に互いに隣接して配置されている。斯かる2つのホログラム132、133は、中心面135に対して互いに対称的に構成されている。即ち、各ホログラム132、133の分布面142、143の傾斜角は中心面135に対して対称的に両側に順次連続的に変化しており、その格子間隔又は格子ピッチdは中心面135に対して対称的に両側に順次連続的に変化している。2つのホログラム132、133は各々の回折効率が最大になる点が測定方向に互いに異なるように配置されている。
【0019】
可動部130が固定部110に対して相対的に移動するとき、即ち、図21にて、静止している受光器122、123及び光源112に対して可動部130が移動するとき、第1のホログラム132によって回折された光は第1の受光器122によって検出され、第2のホログラム133によって回折された光は第2の受光器123によって検出される。
【0020】
2つのホログラム132、133は回折効率が最大になる点が互いに異なるから、第1の受光器122によって検出される回折光の光強度曲線のピーク位置と第2の受光器123によって検出される回折光の光強度曲線のピーク位置は異なる。従って、2つの光強度曲線の交差点、即ち、2つの光強度が等しくなる点が存在する。斯かる点が定点検出装置によって得られる定点である。
【0021】
【特許文献1】特開平4−324316号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0022】
ところで、近年の発光ダイオードやレーザを用いた定点検出装置や変位計測装置は、高分解能化され、1nm以下の計測が可能になっている。一方こういった測定には、センサ自身の発熱も許されず、特に光源をセンサから切り離し、光ファイバーでビームを伝送させる手段がよく用いられる。
【0023】
図22は、偏波保持タイプの光ファイバ163により光源161からの出射ビームを検出部164に伝送し、定点を検出する定点検出装置160を示す図である。光源161からの出射ビームを偏波保持タイプの光ファイバ163を介して集光レンズ162に伝送し、互いに隣接して測定対象169に配置された2つの回折格子166及び167に照射し、2つの回折格子166及び167のエッジ168によって回折した回折光を2つの受光素子170及び171で受光し、その2つの受光素子170及び171の受光量を比較器172で比較して、比較した信号が任意の大きさになる点を定点と定めている。
【0024】
このように、図22の定点検出装置160では、光源161からの出射ビームを偏光成分を保持した状態で伝送するため、偏波保持タイプの光ファイバ163を用いている。しかし、ファイバのストレスや屈曲による影響から、偏波が乱れ、それが検出部164側に影響してしまい、安定した計測が不可能となってしまうことがあった。
【0025】
具体的に説明すると以下のようになる。上記光ファイバ163から出るビームの偏波軸が、光ファイバ163の屈曲やストレスによって微少に変化した場合、回折格子166及び167に入射されるビームの偏光成分が変わることを意味する。一般に回折格子の回折効率は、入射するビームの偏光成分によって違うだけではなく、個体差もあるため、受光素子170及び171に入る光量が変化してしまい、あたかも定点がずれてしまったと認識してしまう。
【0026】
したがって、定点検出装置160にあって、定点の検出を安定して行うためには、光ファイバ163から出るビームの偏波軸をできるだけ安定させる必要がある。
【0027】
次に、図23は偏波保持タイプの光ファイバ183により光源181からの出射ビームを検出部184に伝送し、検出部184によって測定対象物の変位を計測する変位計測装置180を示す図である。光源181からの出射ビームを偏波保持タイプの光ファイバ183を介して集光レンズ185に伝送した後、偏光ビームスプリッタ186に入射する。偏光ビームスプリッタ186は、入射したビームを二分し、回折格子スケール187に入射する。ここで得られた回折光は、λ/4波長板188及び189を通過しミラー面191及び192によって反射され、同光路をたどって偏光ビームスプリッタ186に戻る。ここで二つのビームは再び結合し偏光素子側193に向かう。こうして偏光素子193を通過したあとの干渉信号を受光素子194で電気信号に変換することで、回折格子の移動量を計測できる。
【0028】
しかし、この変位計測装置180でも光ファイバ183のストレスや屈曲による影響から、偏波が乱れた場合、偏光ビームスプリッタ186で二分される光量比がそれに伴い変化することになる。この二つのビームの光量比変化は、再度偏光ビームスプリッタ186で結合し干渉信号となったときに、変調率の変化として現れ、信号出力の出力変動の原因となる。これらは、変位計測の精度に悪影響を与えることから、光伝送ユニットから出るビームの偏波軸をできるだけ安定させる必要がある。
【0029】
本発明は、前記実情に鑑みてなされたものであり、光源から出射された光を検出側に伝送する光ファイバの屈曲やストレスによる偏波の乱れを減少させることにより高精度な定点検出や変位計測を可能とする変位検出装置、変位計測装置及び定点検出装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0030】
本発明に係る変位検出装置は、上記課題を解決するために、光を出射する光源と、上記光源から出射された光の消光比を20dB以上に高める消光比変換手段と、上記消光比変換手段により消光比が20dB以上とされた光を集光する集光レンズと、上記集光レンズによって集光された上記光を伝送する偏波保持タイプの光ファイバと、測定対象に取り付けられ、上記光ファイバによって伝送された光が照射されて回折する回折格子と、上記回折格子によって回折した光を受光する受光手段とを備え、上記消光比変換手段によって消光比が20dB以上に高められ、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、上記受光手段が受光した回折光の受光量の大きさで測定対象の変位を検出する。
【0031】
この変位検出装置によれば、消光比変換手段によって消光比を20dB以上に高め、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射するので、光ファイバの屈曲やストレスによる偏波の乱れを減少させることができる。
【0032】
本発明に係る変位計測装置は、上記課題を解決するために、光を出射する光源と、上記光源から出射された光を直線偏光とし、その消光比を20dB以上に高める消光比変換手段と、上記消光比変換手段により消光比が20dB以上とされた光を集光する集光レンズと、上記集光レンズによって集光された上記光を伝送する偏波保持タイプの光ファイバと、上記光ファイバによって伝送された上記光を二分する偏光ビームスプリッタと、測定対象に取り付けられ、上記偏光ビームスプリッタによって二分された光が入射されて回折光を得る回折格子と、上記回折格子によって得られる上記二分された光の回折光の偏波を変える位相板と、上記位相板によって偏波が変えられた上記二つの回折光を反射して再び上記位相板を通して上記回折格子に導く二つの反射ミラーと、上記二つの反射ミラーによって上記回折格子に導かれ、当該回折格子によって回折されて上記偏光ビームスプリッタに入射し、当該偏光ビームスプリッタによって反射及び透過された二つの回折光を干渉させる偏光素子と、上記偏光素子によって得られる干渉光を受光する受光素子とを備え、上記消光比変換手段によって消光比が20dB以上に高められ、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、上記受光手段が受光した回折光の受光量の大きさで測定対象の変位を計測する。
【0033】
この変位計測装置によれば、消光比変換手段によって消光比を20dB以上に高め、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射するので、光ファイバの屈曲やストレスによる偏波の乱れを減少させることができる。
【0034】
本発明に係る定点検出装置は、上記課題を解決するために、光を出射する光源と、上記光源から出射された光を直線偏光とし、その消光比を20dB以上に高める消光比変換手段と、上記消光比変換手段により消光比が20dB以上とされた光を集光する集光レンズと、上記集光レンズによって集光された上記光を伝送する偏波保持タイプの光ファイバと、互いに隣接して配置され、上記光ファイバによって伝送された光が照射されて回折する二つの回折格子と、上記二つの回折格子によって回折した光を受光する二つの受光手段と、上記二つの受光手段の受光量を比較する比較手段とを備え、上記消光比変換手段によって消光比が20dB以上に高められ、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、上記比較手段が上記二つの受光手段の受光量を比較した結果に基づいて定点を定める。
【0035】
この定点検出装置によれば、消光比変換手段によって消光比を20dB以上に高め、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射するので、光ファイバの屈曲やストレスによる偏波の乱れを減少させることができる。
【0036】
本発明に係る変位検出装置は、上記課題を解決するために、光を出射する光源と、上記光源から出射された光の消光比を20dB以上に高める消光比変換手段と、上記消光比変換手段により消光比が20dB以上とされた光を集光する集光レンズと、上記集光レンズによって集光された上記光を伝送する偏波保持タイプの光ファイバと、上記光ファイバによって伝送された上記光の偏光を解消する偏光解消素子と、測定対象に取り付けられ、上記偏光解消素子によって偏光が解消された光が照射されて回折する回折格子と、上記回折格子によって回折した光を受光する受光手段とを備え、上記消光比変換手段によって消光比が20dB以上に高められ、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、上記受光手段が受光した回折光の受光量の大きさで測定対象の変位を検出する。
【0037】
この変位検出装置によれば、消光比変換手段によって消光比を20dB以上に高め、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、さらに上記光ファイバによって伝送された上記光の偏光を偏光解消素子によって解消するので、光ファイバの屈曲やストレスによる偏波の乱れを減少させることができる。
【0038】
本発明に係る変位計測装置は、上記課題を解決するために、光を出射する光源と、上記光源から出射された光を直線偏光とし、その消光比を20dB以上に高める消光比変換手段と、上記消光比変換手段により消光比が20dB以上とされた光を集光する集光レンズと、上記集光レンズによって集光された上記光を伝送する偏波保持タイプの光ファイバと、上記光ファイバによって伝送された上記光の偏光を解消する偏光解消素子と、上記偏光解消素子によって偏光が解消された光を二分する偏光ビームスプリッタと、測定対象に取り付けられ、上記偏光ビームスプリッタによって二分された光が入射されて回折光を得る回折格子と、上記回折格子によって得られる上記二分された光の回折光の偏波を変える位相板と、上記位相板によって偏波が変えられた上記二つの回折光を反射して再び上記位相板を通して上記回折格子に導く二つの反射ミラーと、上記二つの反射ミラーによって上記回折格子に導かれ、当該回折格子によって回折されて上記偏光ビームスプリッタに入射し、当該偏光ビームスプリッタによって反射及び透過された二つの回折光を干渉させる偏光素子と、上記偏光素子によって得られる干渉光を受光する受光素子とを備え、上記消光比変換手段によって消光比が20dB以上に高められ、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、上記受光手段が受光した回折光の受光量の大きさで測定対象の変位を計測する。
【0039】
この変位計測装置によれば、消光比変換手段によって消光比を20dB以上に高め、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、さらに上記光ファイバによって伝送された上記光の偏光を偏光解消素子によって解消するので、光ファイバの屈曲やストレスによる偏波の乱れを減少させることができる。
【0040】
本発明に係る定点検出装置は、上記課題を解決するために、光を出射する光源と、上記光源から出射された光を直線偏光とし、その消光比を20dB以上に高める消光比変換手段と、上記消光比変換手段により消光比が20dB以上とされた光を集光する集光レンズと、上記集光レンズによって集光された上記光を伝送する偏波保持タイプの光ファイバと、上記光ファイバによって伝送された上記光の偏光を解消する偏光解消素子と、互いに隣接して配置され、上記偏光解消素子によって偏光が解消された光が照射されて回折する二つの回折格子と、上記二つの回折格子によって回折した光を受光する二つの受光手段と、上記二つの受光手段の受光量を比較する比較手段とを備え、上記消光比変換手段によって消光比が20dB以上に高められ、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、上記比較手段が上記二つの受光手段の受光量を比較した結果に基づいて定点を定める。
【0041】
この定点検出装置によれば、消光比変換手段によって消光比を20dB以上に高め、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、かつ上記光ファイバによって伝送された上記光の偏光を偏光解消素子によって解消するので、光ファイバの屈曲やストレスによる偏波の乱れを減少させることができる。
【発明の効果】
【0042】
本発明に係る変位検出装置によれば、消光比変換手段によって消光比を20dB以上に高め、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射するので、光ファイバの屈曲やストレスによる偏波の乱れを減少させることができ、よって高精度な変位検出を可能とする。
【0043】
本発明に係る変位計測装置によれば、消光比変換手段によって消光比を20dB以上に高め、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射するので、光ファイバの屈曲やストレスによる偏波の乱れを減少させることができ、よって高精度な変位計測を可能とする。
【0044】
本発明に係る定点検出装置によれば、消光比変換手段によって消光比を20dB以上に高め、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射するので、光ファイバの屈曲やストレスによる偏波の乱れを減少させることができ、よって高精度な定点検出を可能とする。
【0045】
本発明に係る変位検出装置によれば、消光比変換手段によって消光比を20dB以上に高め、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、かつ上記光ファイバによって伝送された上記光の偏光を偏光解消素子によって解消するので、光ファイバの屈曲やストレスによる偏波の乱れをさらに減少させることができ、よってさらに高精度な変位検出を可能とする。
【0046】
本発明に係る変位計測装置によれば、消光比変換手段によって消光比を20dB以上に高め、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、かつ上記光ファイバによって伝送された上記光の偏光を偏光解消素子によって解消するので、光ファイバの屈曲やストレスによる偏波の乱れをさらに減少させることができ、よってさらに高精度な変位計測を可能とする。
【0047】
本発明に係る定点検出装置によれば、消光比変換手段によって消光比を20dB以上に高め、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、かつ上記光ファイバによって伝送された上記光の偏光を偏光解消素子によって解消するので、光ファイバの屈曲やストレスによる偏波の乱れをさらに減少させることができ、よってさらに高精度な定点検出を可能とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【0048】
以下、本発明を実施するための変位計測装置、定点検出装置の最良の形態について図面を参照しながら説明する。
【0049】
図1は変位計測装置10の構成を示す図である。この変位計測装置10は、例えばナノメータ(nm)オーダ以下の移動量を測定する半導体製造、或いは液晶製造等の分野で利用される。したがって、この変位計測装置10では、光源部の発熱が検出部のセンサに影響を及ぼし、安定した測定ができなくなる虞がある。このため、検出部16に発熱が伝わるのを防ぐ必要がある。そこで、特に光源12を検出部16から切り離し、光源12が出射したビームは光ファイバ15で検出部16に伝送する構成をとる。
【0050】
このため、変位計測装置10は、ビームを出射する光源12と、光源12からのビームを20dB以上という高い消光比の直線偏光に換える消光比変換手段として用いる偏光素子の一種である偏光板13と、偏光板13からの高い消光比の直線偏光を集光する集光レンズ14と、集光レンズ14によって集光された直線偏光を伝送する偏波保持タイプの光ファイバ15とを備える。
【0051】
また、変位計測装置10は、光ファイバ15によって伝送された直線偏光のビームを集光する集光レンズ17と、上記集光レンズ17によって集光された直線偏光ビームを二分する偏光ビームスプリッタ18と、偏光ビームスプリッタ18によって二分されたビームが入射される、測定対象に取り付けられる回折格子19と、回折格子19によって得られる二つの回折光の偏波方向を変える相互に90度の角度をなすように配置された二つの位相板20及び21と、上記二つの位相板20及び21を取り付けた相互に90度の角度をなすように設けられて上記回折格子19からの回折光を上記二つの位相板上で往復させる二つのミラー面22及び23を備える反射プリズム24と、上記偏光ビームスプリッタ18によって再び結合されて入射されたビームを干渉させる偏光素子25と、その二つのビームの干渉光の受光量を電気的な信号に変換する受光素子26とを備えてなる。
【0052】
ここで、光源12と偏光素子13と集光レンズ14と偏波保持タイプの光ファイバ15は、光源12の出射したビームを検出部16側に伝送するので光伝送ユニット11と称することができる。なお、検出部16は、集光レンズ17と偏光ビームスプリッタ18と回折格子19と二つの位相板20及び21と二つのミラー22及び23と偏光素子25と受光素子26からなる。
【0053】
以下、変位計測装置10を構成する各部の詳細について説明する。先ず、光源12は、可干渉性ビームを出射するものでも、干渉性の低い光を発光する発光ダイオードでもよい。また、偏光特性を有するものでも、無偏光のものでもよい。
【0054】
消光比変換手段として用いる偏光素子の一種である偏光板13は、光源からのビームを20dB以上という高い消光比の直線偏光に換える。消光比20dB以上ということは、図2に示すように、長軸である直線偏光(A)に対して若干漏れてしまう短軸の光(B)の比であるA:Bが100:1以上であることをいう。消光比が高ければ高いほど、品質の良い直線偏光となる。偏光素子は、上記A:Bが1000:1の消光比30dB程とすることも可能である。偏光素子としては、ハロゲン化銀を含んだガラスを一定方向に引っ張り、内部の粒子形状を所定の方向に向けて偏光フィルタの働きをさせるものを用いても良い。なお、消光比変換手段としては、光源からのビームを20dB以上という高い消光比の直線偏光に変える偏光ビームスプリッタを用いてもよい。
【0055】
偏波保持タイプの光ファイバ15は、図3に示すように、例えば断面が直径3μmの円形のコア(core)30を直径100μmのクラッド(clad)31が包む同心円状になっている。コア30とクラッド31は、ともに屈折率の異なる例えば石英ガラスである。コア30の屈折率はクラッド31の屈折率より高い。コア30へ、例えば波長λ600〜700nmの光を送り込むと、コア30と屈折率の低いクラッド31の境界を光は反射しながら伝わる。コア30の両側には、コア30及びクラッド31とは異なる、断面円形の2本のガラス32及び33をコア30を挟み込むように設けている。この2本のガラス32及び33は、熱膨張率が同じであり、クラッド31全体を収縮する。クラッド31全体を冷やし、コア30にかかる応力を一定に保つ働きをする。この2本のガラス32及び33の中心とコア30及びクラッド31の中心を結ぶ軸は光学軸34となる。この偏波保持タイプの光ファイバ15の光学軸34に光源12から出射されたビームの偏光軸を偏光板13及び集光レンズ14を介して合わせて入射させる。また上記偏波保持タイプ光ファイバのコアの断面が、楕円状である楕円コアタイプの光ファイバを用いても良い。
【0056】
偏光ビームスプリッタ18は、偏波保持タイプの光ファイバ15によって伝送されて、集光レンズ17によって集光されたビームをS偏光成分を有する光とP偏光成分を有する光の二つの光に分割する。このときの入射光の偏波軸は、偏光ビームスプリッタ18からの出射光のパワーが、S偏光成分とP偏光成分でほぼ等しくなるような角度にする。S偏光は、光の境界面に入射する光と反射する光とで形成される入射平面に対して垂直な振動をする偏光成分である。また、P偏光は、上記入射平面に対して水平な振動をする偏光成分である。S偏光成分を有する光は、偏光ビームスプリッタ18で反射され、P偏光成分を有する光は、偏光ビームスプリッタ18を透過する。
【0057】
回折格子19はボリュームタイプホログラムであってもよい。この回折格子19は、測定対象となる物体に取り付けられる。回折格子19は、図中矢印A方向に移動可能である。回折格子19のピッチは例えば0.55μmにする。偏光ビームスプリッタ18を透過したP偏光成分の回折格子19への入射位置(Q点)と、偏光ビームスプリッタ19を反射したS偏光成分の回折格子への入射位置(P点)は異なる。
【0058】
反射プリズム24の第1のミラー面22に取り付けられている第1の1/4波長板20の光学軸は、入射された光の偏光方向に対して45度傾けてある。同様に、反射プリズム24の第2のミラー面23に取り付けられている第2の1/4波長板21の光学軸も、入射された光の偏光方向に対して45度傾けてある。
【0059】
受光素子26側に設けられた偏光素子25は、入射される光の偏光方向に対して45度傾けてある。よって、偏光ビームスプリッタ18からの二つの光は偏光素子25を通過することで干渉波となる。受光素子26は、上記干渉波の光量を電気信号に変換する。
【0060】
次に、上記各部によって構成される変位計測装置10の動作について説明する。光源12から出射された可干渉性又は干渉性の低い光は、偏光板13に入射すると、消光比が例えば30dBのように高い直線偏光となる。この消光比の高い直線偏光を集光レンズ14によって集光し、かつ直線偏光ビームの偏波軸を、上記図3を参照して上述したように偏波保持タイプの光ファイバ15の光学軸34に合わせて偏波保持タイプの光ファイバ15に入射する。このように、偏光板13によって直線偏光とされたビームを偏波保持タイプの光ファイバ15に入射するとき、上記ビームの偏波軸を、上記光ファイバ15の光学軸34に合わせると、上記光ファイバ15の屈曲やストレスによる消光比の変動を少なくすることができる。また、上記ビームの偏波軸は、上記光学軸34と直交する軸35に合わせるように入射してもよい。
【0061】
上記ビームの偏光軸と偏波保持タイプの光ファイバ15の光学軸を合わせるためには、上記光ファイバ15の出射端部15bから出射するビームの消光比が最大になるように調整する方法がある。
【0062】
このようにして光源12、偏光板13、集光レンズ14及び偏波保持タイプの光ファイバ15からなる光伝送ユニット11は、上記光ファイバ15の出射端15bから出射されるビームの消光比を高くできるだけでなく、光ファイバ15の屈曲やストレスによる消光比の変動も小さくすることができる。
【0063】
光伝送ユニット11を構成する偏波保持タイプの光ファイバ15から出射したビームは、検出部16側の集光レンズ17によって集光されてから偏光ビームスプリッタ18に入射する。偏光ビームスプリッタ18は、上述したように、入射された光を、S偏光成分を有する光とP偏光成分を有する光の二つの光に分割する。S偏光成分を有する光は、この偏光ビームスプリッタ18で反射され、回折格子19のP点に入射する。P偏光成分を有する光は、この偏光ビームスプリッタ18を透過し、回折格子19のQ点に入射する。
【0064】
回折格子19のP点及びQ点に入射した光は、以下の式で示される方向にそれぞれ回折される。
sinθ1+sinθ2=n・λ/Λ
なお、θ1は回折格子への入射角を示し、θ2は回折格子からの回折角を示し、Λは格子のピッチ(幅)を示し、λは光の波長を示し、nは回折次数を示している。
【0065】
回折格子のP点で回折された光(S偏光成分)は、反射プリズム24の第1のミラー面22に取り付けられた第1の1/4波長板20を通過し、第1のミラー面22で垂直に反射され、再びP点に戻り回折格子19により回折される。このとき、第1の1/4波長板20の光学軸は、入射された光の偏光方向に対して45度傾けてあるので、P点に戻った光はP偏光成分の光となっている。つまり、回折格子19のP点で回折されたS偏光成分は、第1の1/4波長板20を通過したのち、反射プリズム24の第1のミラー面22によって反射され再び第1の1/4波長板20を通過するので、戻りの偏波軸は行きの偏波軸に対して直交した角度になる。
【0066】
また、Q点で回折された光(P偏光成分)も同様に、反射プリズム24の第2のミラー面23に取り付けられた第2の1/4波長板21を通過し、反射プリズム24で垂直に反射され、再びQ点に戻り回折格子19により回折される。このとき、第2の1/4波長板21の光学軸は、入射された光の偏光方向に対して45度傾けてあるので、Q点に戻った光はS偏光成分の光となっている。つまり、回折格子19のS点で回折されたP偏光成分は、第2の1/4波長板21を通過したのち、反射プリズム24の第2のミラー面23によって反射され再び第2の1/4波長板21を通過するので、戻りの偏波軸は行きの偏波軸に対して直交した角度になる。
【0067】
このようにP点及びQ点で再び回折された光は、偏光ビームスプリッタ18に戻る。P点から戻ってきた光は、P偏光成分を有しているので、偏光ビームスプリッタ18を通過する。また、Q点から戻ってきた光は、S偏光成分を有しているので、偏光ビームスプリッタ18で反射される。したがって、P点及びQ点から戻ってきた光は、偏光ビームスプリッタ18で重ね合わされてから偏光素子25に入射する。
【0068】
偏光素子25は、偏光ビームスプリッタ18で重ね合わされた二つのビームを干渉させる。受光素子26は、偏光素子25によって干渉された干渉光の光量を電気信号に変換して干渉信号を得る。この干渉信号に基づいて変位計測装置10は、矢印A方向に移動する回折格子19の例えばナノメータ(nm)オーダ以下の移動量を計測する。
【0069】
上記干渉信号は、Acos(4Kx+δ)で表すことができる。Kは2π/Λを示し、xは移動量を示し、δは初期位相を示す。例えば、回折格子19のピッチΛを0.55μmにした場合、その干渉波の一周期は、回折格子19の移動量0.1375μmに相当した計測が可能になるが、これを電気信号に変換して、例えばA/D変換等を用いて200内挿することで、約0.6895nmの非常に細かい分解能が得られる。特に分解能が10nm以下の細かな変位の計測では、安定した信号出力を必要とすることは、言うまでもなく、上記光伝送ユニット11から出射するビームの消光比の変動を極めて小さくしたことにより、偏光素子25を通過することで得られる干渉波の変調率を安定させることができ、高分解能で安定性の高い変位計測が可能になった。
【0070】
また、回折回数を増やすことにより、上記干渉信号をAcos(8Kx+δ)にした検出光学系に応用させても同様の効果が得られる。図4は、回折回数を増やした構成の変位計測装置200(応用例)を示す図である。上記図1と異なるのは、偏光ビームスプリッタ18によって二分され、回折格子19によって回折された二つの回折光が入射面201a及び202aから反射プリズム201及び202に入り、反射面201b及び202b、反射面201c及び202cにて反射され、再度回折格子19に入射し、回折格子19によってさらに回折されてから、二つの位相板20及び21と、反射プリズム24に至る構成となっている点である。反射プリズム24によって反射された光は、再度二つの位相板20及び21を通過してから、回折格子19を透過して回折され、再び反射プリズム201及び202にて反射されてから、さらに回折格子19にて回折され、偏光ビームスプリッタ18に至る。
【0071】
偏光ビームスプリッタ18は、入射してきた偏光成分を重ね合わせてから、ビームスプリッタ203に送る。ビームスプリッタ203は、入射された光を二つに分割し、一方の光を偏光ビームスプリッタ204に入射し、他方の光を偏光素子25に送る。偏光素子25は、ビームスプリッタ203を透過してきた光を偏光し、偏光ビームスプリッタ207に入射させる。
【0072】
偏光ビームスプリッタ204に入射された光は、S偏光成分を有する光とP偏光成分を有する光に分割され、S偏光成分を有する光を光電変換器205に入射し、P偏光成分を有する光を光電変換器206に入射する。偏光ビームスプリッタ207に入射された光は、S偏光成分を有する光とP偏光成分を有する光に分割され、S偏光成分を有する光を光電変換器208に入射し、P偏光成分を有する光を光電変換器209に入射する。
【0073】
したがって、光電変換器205及び光電変換器206、光電変換器208及び光電変換器209は、Acos(8Kx+δ)の干渉信号を得ることができる。
【0074】
図5は定点検出装置40の構成を示す図である。この定点検出装置40は、例えばナノメータnmオーダ以下の移動量を測定する半導体製造、或いは液晶製造等の分野で利用される。したがって、この定点検出装置40も、センサ自身の発熱も許されず、特に光源42を検出部46から切り離し、光源42が出射したビームは光ファイバ45で検出部46に伝送する構成をとる。
【0075】
定点検出装置40は、上記変位計測装置10と共に用いられ、例えば変位計測装置10の回折格子19上の絶対位置を検出する。変位計測装置10は、上述したように、ピッチΛが0.55μmのように非常に小さい回折格子19を用いている。回折格子19上で変位を計測しているときに何らかのアクシデントで電源が落ちてしまったり、処理が止まってしまうと、復旧後、以前の計測時に回折格子上のどの位置にいたのかが不明となってしまう。そこで、回折格子上の絶対位置を常に検出する目的で開発されたものが定点検出装置40である。二つの回折格子48及び49として例えばピッチの異なる二つのホログラム材料を用い、エッジ50の検出によって定点を検出する構成となっている。
【0076】
図5に示すように、定点検出装置40は、ビームを出射する光源42と、光源42からのビームを20dB以上という高い消光比の直線偏光に換える消光比変換手段として用いる偏光素子の一種である偏光板43と、偏光板43からの高い消光比の直線偏光を集光する集光レンズ44と、集光レンズ44によって集光された直線偏光を伝送する偏波保持タイプの光ファイバ45とを備える。
【0077】
また、定点検出装置40は、光ファイバ45によって伝送された直線偏光のビームを集光する集光レンズ47と、集光レンズ47によって集光された直線偏光ビームが境界部(エッジ)50近辺に焦点を結ぶ、互いに隣接して配置された2つの回折格子48及び49と、その2つの回折格子48及び49によって回折した回折光を受光する2つの受光素子52及び53と、その2つの受光素子52及び53の受光量を比較する比較器54を有し、その比較した信号に基づいて定点を定める。
【0078】
以下、定点検出装置を構成する各部の詳細について説明する。先ず、光源42は、可干渉性もしくは非干渉性のビームを出射する。また偏光特性を有するビームでも、無偏光のビームを出射するものでもよい。
【0079】
消光比変換手段として用いる偏光素子の一種である偏光板43は、上述した偏光板13と同様に光源42からのビームを20dB以上という高い消光比の直線偏光に変える。消光比30dB程とすることも可能である。なお、消光比変換手段としては、光源からのビームを20dB以上という高い消光比の直線偏光に変える偏光ビームスプリッタを用いてもよい。
【0080】
また、偏波保持タイプの光ファイバ45は、図3を参照して既に説明したとおりである。ここでは、説明を省略するが、この偏波保持タイプの光ファイバ45の光学軸34又は軸35に光源42から出射されたビームの偏光軸を偏光板43及び集光レンズ44を介して合わせて入射させることが重要である。
【0081】
これは、偏光板434によって直線偏光とされたビームを偏波保持タイプの光ファイバ45に入射するとき、上記ビームの偏波軸を、上記光ファイバ45の光学軸34に合わせると、上記光ファイバの屈曲やストレスによる消光比の変動を少なくすることができるためである。
【0082】
二つの回折格子48及び49は、集光レンズ47によって集光された直線偏光ビームが境界部(エッジ)50近辺に焦点を結ぶように互いに隣接して配置されている。この二つの回折格子48及び49は、互いの格子ベクトルが異なっていても良いし、互いの格子ピッチが異なっていてもよい。また反射型のホログラムやブレーズド回折格子を含む。図4に示した構成では、二つの回折格子48及び49は反射型であり、それぞれの+1次回折光は入射光と同じ側に出射される。また透過型の回折格子を用いてもよい。
【0083】
二つの受光素子52及び53は、上記二つの回折格子48及び49から得られる回折光の強度を電気信号に変換する。二つの受光素子52及び53は、上記二つの回折格子48及び49に対して上記光ファイバ45の出射端側45bと同一端側に配置されている。
【0084】
比較器54は、上記二つの受光素子52及び53からの電気信号を比較する。比較器54による比較結果は、図示しない制御部に供給される。制御部は、比較器54による比較結果に基づいて二つの信号が任意の大きさになる点を定点と定める。また、二つの信号が同じ出力になる点を定点と定めても良い。
【0085】
次に、上記各部によって構成される定点検出装置40の動作について説明する。光源42から出射された可干渉性もしくは比干渉性の光は、偏光板43に入射すると、消光比が例えば30dBのように高い直線偏光となる。この消光比の高い直線偏光を集光レンズ44によって集光し、かつ直線偏光ビームの偏波軸を、上記図3を参照して上述したように偏波保持タイプの光ファイバ45の光学軸34に合わせて偏波保持タイプの光ファイバ45に入射する。このように、偏光板43によって直線偏光とされたビームを偏波保持タイプの光ファイバ45に入射するとき、上記ビームの偏波軸を、上記光ファイバの光学軸34に合わせると、上記光ファイバ45の屈曲やストレスによる消光比の変動を少なくすることができる。また、上記ビームの偏波軸は、上記光学軸34と直交する軸35に合わせるように入射してもよい。
【0086】
上記ビームの偏光軸と偏波保持タイプの光ファイバ45の光学軸を合わせるためには、上記光ファイバ45の出射端部45bから出射するビームの消光比が最大になるように調整する方法がある。
【0087】
このようにして光源42、偏光板43、集光レンズ44及び偏波保持タイプの光ファイバ45からなる光伝送ユニット41は、上記光ファイバ45の出射端45bから出射されるビームの消光比を高くできるだけでなく、光ファイバ45の屈曲やストレスによる消光比の変動も小さくすることができる。
【0088】
光伝送ユニット41を構成する偏波保持タイプの光ファイバ45から出射したビームは、検出部46側の集光レンズ47によって集光されてから、図中矢印A方向に移動可能な二つの回折格子48及び49の境界部(エッジ)50付近に焦点を結ぶ。
【0089】
この二つの回折格子48及び49から得られる回折光の強度は、それぞれの受光素子52及び53によって電気信号に変換される。そして、2つの信号を比較する比較器54によって、2つの信号が任意の大きさになる点を定点と定める。上述したように、2つの信号が同じ出力になる点を定点と定めても良い。ただし、上記二つの信号が一致したとき、比較器54の比較出力は0となる。回折光がなくなり受光素子の出力が0であるときも比較結果は0となってしまうので誤認識を防ぐという点では、オフセットをもたせるのが望ましく、よってある程度の数値を持って任意の大きさを設定し、0と弁別することを行うのが望ましい。
【0090】
本実施の形態の定点検出装置40は、このようにして、測定対象物51に取り付けられた回折格子48及び49の絶対位置を検出する。一般に回折格子は、入射する偏光成分によって回折光量が違う。つまりS偏光成分とP偏光成分の回折効率が違うことになる。例えば、光源から出射されるビームの波長が780nmであり、格子ピッチ0.55μmで反射型のホログラムの回折効率を測定すると、図6に示すように、S偏光成分とP偏光成分では、回折効率が大きく異なることが確認できる。図6では、入射角が35度から55度の間でS偏光成分の回折効率が46%から41%の間であるのに対して、P偏光成分の回折効率が91%から92%の間であり、P偏光成分の回折効率が高いのが確認できる。また、これらは、製造プロセスにおいて個体差が発生し、一般にある程度のばらつきを持っていることが言える。
【0091】
よって回折格子へ入射するビームの消光比の変動を小さくすることで、これらの影響を受けずに常に安定した定点検出が可能になった。
【0092】
図7は、本実施の形態の定点検出装置40にあって、偏波保持タイプの光ファイバ45に屈曲ストレスを印加したときに、定点検出位置40が時間と共にどのように変化するかを測定するためのシステム構成図である。この図7では、定点検出装置40の上記図5における光源42+偏光板43+集光レンズ44からなるユニットを、上記光ファイバ45に所定の消光比の直線偏光を入射するための光入射部55としている。光入射部55は、偏波保持タイプの光ファイバ45に消光比12dBの直線偏光又は消光比29dBの直線偏光を入射する。このとき、スケール51に取り付けた二つの回折格子48及び49上の上記境界部50からの二つの回折光に基づいて検出された定点に対して、光ファイバ45の屈曲半径と検出位置が、時間経過によってどのようにずれるかを測定している。
【0093】
このため、この測定システムは、スケール51に取り付けられてアナログの位置ずれ量をデジタルデータとして検出するエンコーダ56、エンコーダ56からのデジタル値に所定数の内挿を行う内挿回路57と、内挿回路57からの数値に基づいて、上記定点検出位置40の位置ずれデータを集計するパーソナルコンピュータ(PC)58とを備える。パーソナルコンピュータ58には、定点検出装置40の比較器54からの比較結果も供給される。
【0094】
図8は、上記ファイバ屈曲による定点検出位置ずれを示す特性図である。横軸は、時間(分)を示す。左側縦軸は検出位置(nm)を、右側縦軸は光ファイバの屈曲半径(mm)を示す。
【0095】
先ず、光ファイバの屈曲半径を60(mm)としたときに定点検出装置40が検出した定点位置を0とする。消光比12dB及び29dBの直線偏光を上記光入射部55が上記光ファイバ45に入射すれば、時間経過が18分となるまで定点位置はずれていない(第1の状態という)。時間経過が18分から32分となるまで光ファイバ45の屈曲半径は28(mm)となる(第2の状態という)。この第2の状態で上記光入射部55が消光比12dBの直線偏光を上記光ファイバ45に入射すると、定点検出装置40の検出した定点は−60(nm)だけずれる。これに対して、この第2の状態で消光比29dBの直線偏光を上記光ファイバ45に入射すると、定点検出装置40の検出した定点は−35(nm)だけのずれで済む。
【0096】
時間経過が32分から48分となるまで光ファイバ45の屈曲半径は18(mm)となる(第3の状態という)。この第3の状態で上記光入射部55が消光比12dBの直線偏光を上記光ファイバ45に入射すると、定点検出装置40の検出した定点は−130(nm)だけずれる。これに対して、この第3の状態で消光比29dBの直線偏光を上記光ファイバ45に入射すると、定点検出装置40の検出した定点は−62(nm)だけのずれで済む。
【0097】
時間経過が48分から63分となるまで光ファイバ45の屈曲半径は28(mm)となる(第4の状態という)。この第4の状態で上記光入射部55が消光比12dBの直線偏光を上記光ファイバ45に入射すると、定点検出装置40の検出した定点は−58(nm)だけずれる。これに対して、この第4の状態で消光比29dBの直線偏光を上記光ファイバ45に入射すると、定点検出装置40の検出した定点は−35(nm)だけのずれで済む。
【0098】
時間経過が63分から78分となるまで光ファイバ45の屈曲半径は60(mm)となる(第5の状態という)。この第5の状態で上記光入射部55が消光比12dBの直線偏光を上記光ファイバ45に入射すると、定点検出装置40の検出した定点は第1の状態と同様に0(nm)となる。またこの第5の状態で消光比29dBの直線偏光を上記光ファイバ45に入射しても、定点検出装置40の検出した定点は同様に0(nm)となる。
【0099】
時間経過が78分から93分となるまで光ファイバ45の屈曲半径は28(mm)となる(第6の状態という)。この第6の状態で上記光入射部55が消光比12dBの直線偏光を上記光ファイバ45に入射すると、定点検出装置40の検出した定点は−60(nm)だけずれる。これに対して、この第6の状態で消光比29dBの直線偏光を上記光ファイバ45に入射すると、定点検出装置40の検出した定点は−35(nm)だけのずれで済む。
【0100】
時間経過が93分から108分となるまで光ファイバ45の屈曲半径は18(mm)となる(第7の状態という)。この第7の状態で上記光入射部55が消光比12dBの直線偏光を上記光ファイバ45に入射すると、定点検出装置40の検出した定点は上記第3の状態と同様に−130(nm)だけずれる。これに対して、この第7の状態で消光比29dBの直線偏光を上記光ファイバ45に入射すると、定点検出装置40の検出した定点は上記第3の状態と同様に−62(nm)だけのずれで済む。
【0101】
時間経過が108分から123分となるまで光ファイバ45の屈曲半径は28(mm)となる(第8の状態という)。この第8の状態で上記光入射部55が消光比12dBの直線偏光を上記光ファイバ45に入射すると、定点検出装置40の検出した定点は上記第6の状態と同様に−60(nm)だけずれる。これに対して、この第8の状態で消光比29dBの直線偏光を上記光ファイバ45に入射すると、定点検出装置40の検出した定点は上記第6の状態と同様に−35(nm)だけのずれで済む。
【0102】
時間経過が123分から137分となるまで光ファイバ45の屈曲半径は60(mm)となる(第9の状態という)。この第9の状態で上記光入射部55が消光比12dBの直線偏光を上記光ファイバ45に入射すると、定点検出装置40の検出した定点は第1の状態と同様に0(nm)となる。またこの第9の状態で消光比29dBの直線偏光を上記光ファイバ45に入射しても、定点検出装置40の検出した定点は同様に0(nm)となる。
【0103】
すなわち、上記光ファイバ45に屈曲ストレスを印加した場合、消光比12dBよりも高い消光比29dBの直線偏光を上記光入射部55により上記光ファイバ45に入射すると、定点の位置ずれが少ないことが判り、本実施の形態を用いたときの効果は明確である。
【0104】
上記変位計測装置10及び定点検出装置40で用いた光伝送ユニット11及び41としては、上記図1及び図5に示した構成の他、以下の具体例を用いることができる。図9は偏光板と集光レンズとを一体化させた光伝送ユニットである。なお、以下、図9〜図13を用いて説明する各具体例では上記変位計測装置10に用いた光源12、偏光板13、集光レンズ14、偏波保持タイプの光ファイバ15及び光伝送ユニット11の各符号を用いている。定点検出装置40で用いることもできるのはもちろんである。
【0105】
光伝送ユニット11の光入射部(上記図7で挙げた光入射部55を変位計測装置10に適用したもの。光源12、偏光板13、集光レンズ14からなる。)をパッケージすることを考えた場合、部品点数を少なくする必要がある。偏光板13と集光レンズ14とを一体化することによって部品点数を少なくできる。もちろん、図9の光伝送ユニット11により光源12からのビームを偏光板13にて消光比の高い直線偏光にし、さらにこのビームを集光レンズ14によって集光させて、ビームの偏波軸と偏波保持タイプの光ファイバ15の光学軸34を合わせて上記光ファイバ15の入射端15aに入射することができる。よって、光ファイバ15の出射端15bから出射したビームは、消光比が高くなり、かつ光ファイバの屈曲やストレスによる消光比の変動も少なくて済む。
【0106】
図10は偏光板14をコリメータレンズ61と集光レンズ14とで挟み込むように一体化した光伝送ユニット11である。この具体例では、光源12からのビームをコリメータレンズ61により平行光とし、偏光板13に垂直に入射させるようにしている。したがって、偏光板13の性能を十分に発揮させることができる。この具体例によってもパッケージ化の際に部品点数を少なくすることができる。もちろん、光ファイバ15の出射端15bから出射したビームは、消光比が高くなり、かつ光ファイバ15の屈曲やストレスによる消光比の変動も少なくて済む。なお、さらにこの具体例の変形例としては、コリメータレンズ61と偏光板13と集光レンズ14を一体化せず、離間して配置してもよい。
【0107】
図11は偏光板を用いず、偏光板の変わりに上記偏波保持タイプの光ファイバ15の入射端面15aをブリュースター角になるように形成した光伝送ユニット11である。上記光ファイバ15の入射端面15aをブリュースター角にすることにより、界面で偏光フィルタの機能と同様に、S波偏光成分を反射し、P波偏光成分を上記光ファイバ15内のコア30に入射させる。つまり、上記光ファイバ15にはP波偏光成分のビームのみを入射することができる。光源12から出射されたビームは集光レンズ14を介して入射端面15aがブリュースター角に形成された上記光ファイバ15にP波成分のみを入射することになる。S波偏光成分はブリュースター角に形成された入射端面15aによって図中矢印で示すように反射され、光ファイバ15のコア30には入射させないので、消光比の高いビームを入射することになる。よって、この具体例にあっても、光源12からのビームを消光比の高い直線偏光にし、さらにこのビームを集光レンズ14によって集光させて、ビームの偏波軸と偏波保持タイプの光ファイバ15の光学軸34を合わせて上記光ファイバ15に入射することができる。よって、光ファイバ15の出射端15bから出射したビームは、消光比が高くなり、かつ光ファイバ15の屈曲やストレスによる消光比の変動も少なくて済む。また、偏光素子を用いなくて済むので、パッケージ化の際には、省スペースを図ることができる。
【0108】
なお、図11にあって、上記偏波保持タイプの光ファイバ15の入射端面15aを多層膜処理により形成し、多層膜の全ての界面が全てブリュースター角になるようにしてもよい。このようにすれば、界面で偏光フィルタの機能と同様に、S波偏光成分を反射し、P波偏光成分を上記光ファイバ15内のコア30に入射させることができる。つまり、上記光ファイバ15にはP波偏光成分のビームのみを入射することができる。また、上記光ファイバ15の入射端面15aを偏光ビームスプリッタになるように形成してもよい。
【0109】
図12は光源として用いる半導体レーザ62の出射窓に偏光板63を形成した光伝送ユニット11である。半導体レーザ62の出射するビームは消光比が20dB程であるが、上記出射窓に形成した偏光板63により、消光比を30dB程にすることができる。この具体例でも、半導体レーザ62の外部空間に偏光素子を用いなくても済むので、パッケージ化の際には、省スペースを図ることができる。もちろん、光ファイバ15の出射端15bから出射したビームは、消光比が高くなり、かつ光ファイバの屈曲やストレスによる消光比の変動も少なくて済む。
【0110】
図13は光源として用いる半導体レーザ63の出射用の窓ガラス64をブリュースター角に形成した光伝送ユニット11である。この半導体レーザ63は、ビームの縦方向と横方向とで広がり角が異なることにより、非点収差を発生してしまうことを防ぐために、出射窓を斜めに形成している。この斜めに形成した窓ガラス64をブリュースター角に形成することにより、界面で偏光フィルタの機能と同様に、S波偏光成分を反射し、P波偏光成分を上記光ファイバ15内のコア30に入射させる。つまり、上記光ファイバ15にはP波偏光成分のビームのみを入射することができる。半導体レーザ63から出射されたP偏光成分は集光レンズ14を介して上記光ファイバ15に入射することになる。S波偏光成分は入射させないので、消光比の高いビームを入射することになる。よって、この具体例にあっても、半導体レーザ63からのビームを消光比の高い直線偏光にし、さらにこのビームを集光レンズ14によって集光させて、ビームの偏波軸と偏波保持タイプの光ファイバ15の光学軸34を合わせて上記光ファイバ15に入射することができる。よって、光ファイバ15の出射端15bから出射したビームは、消光比が高くなり、かつ光ファイバ15の屈曲やストレスによる消光比の変動も少なくて済む。また、半導体レーザ63の外部に偏光素子を用いなくて済むので、パッケージ化の際には、省スペースを図ることができる。
【0111】
また、図13にあって、上記半導体レーザ63の窓ガラス64を多層膜処理により形成し、多層膜の全ての界面が全てブリュースター角になるようにしてもよい。このようにすれば、界面で偏光フィルタの機能と同様に、S波偏光成分を反射し、P波偏光成分を上記光ファイバ15内のコア30に入射させることができる。つまり、上記光ファイバ15にはP波偏光成分のビームのみを入射することができる。
【0112】
なお、本発明は、上記変位計測装置10、上記定点検出装置40にのみ適用が限定されるものではない。少なくとも、光を出射する光源と、上記光源から出射された光の消光比を20dB以上に高める消光比変換手段と、上記消光比変換手段により消光比が20dB以上とされた光を集光する集光レンズと、上記集光レンズによって集光された上記光を伝送する偏波保持タイプの光ファイバと、測定対象に取り付けられ、上記光ファイバによって伝送された光が照射されて回折する回折格子と、上記回折格子によって回折した光を受光する受光手段とを備え、上記消光比変換手段によって消光比が20dB以上に高められ、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、上記受光手段が受光した回折光の受光量の大きさで測定対象の変位を検出するという構成の光学式による変位を検出する装置に適用できる。例えば、透過型の変位検出装置、反射型の変位検出装置、透過型の変位計測装置、透過型の定点検出装置等がある。
【0113】
もちろん、上記消光比変換手段を偏光素子としてもよい。また、上記消光比変換手段である上記偏光素子を上記集光レンズと一体化してもよい。
【0114】
また、上記光ファイバの光の入射側端面をブリュースター角に形成することによって上記消光比変換手段としてもよい。
【0115】
また、上記光源として半導体レーザを用い、上記偏光素子を上記半導体レーザの出射窓ガラスに形成してもよい。
【0116】
また、上記消光比変換手段を偏光ビームスプリッタとしてもよい。また、上記光源として半導体レーザを用い、偏光ビームスプリッタを上記半導体レーザの出射窓ガラスに形成してもよい。
【0117】
また、上記光源として半導体レーザを用い、当該半導体レーザの出射窓ガラスをブリュースター角に形成することによって上記消光比変換手段としてもよい。また、上記光ファイバの光の入射側端面を偏光ビームスプリッタとして上記消光比変換手段としてもよい。
【0118】
ここまでの説明にあって、変位計測装置10及び200、定点検出装置40は、光源12及び光源42からのビームを偏光板13及び偏光板43を通し、20dB以上という高い消光比の直線偏光にしてから集光レンズ14及び集光レンズ44で集光し、偏波保持タイプの光ファイバ15及び光ファイバ45に通す構成とした。
【0119】
さらに、光ファイバの屈曲やストレスによる偏波の乱れをさらに減少させ、よってさらに高精度な変位計測を可能とするため、図14に示す変位計測装置300を用いてもよい。
【0120】
この変位計測装置300は、図1に示した変位計測装置10の光ファイバ11の出射端側15bであって、集光レンズ17との間に、光ファイバ15によって伝送されたビームの偏波を無偏光にする偏光解消素子301を備えた構成である。
【0121】
偏光解消素子301は、光ファイバ15によって伝送されて出射されたビームの偏光を解消する。水晶、雲母もしくは有機樹脂を材料とする。ここで、図15を用いて偏光解消素子301の具体例を説明する。図15に断面を示す偏光解消素子301は、水晶301aと石英ガラス301bとを斜めに切り、それらを斜線301cにて透明の接着剤を用いて接着してなる。他に、雲母もしくは有機樹脂を材料としてもよい。入射光が例えば直線偏光131であっても、斜線301cに沿って水晶301a及び石英ガラス301bの厚みがそれぞれ異なることになり、斜線301c上の位置に応じてλ/4、2λ/4、3λ/4の厚みになる。このため、光束が、例えば1mm程度の幅であれば、石英ガラス301bによって屈折されて出てくる光は無偏光のランダム光132となる。この原理によって、偏光解消素子301は偏光方向が定まっているようなレーザ光を、自然光のような無偏光、つまりランダム光にすることができる。
【0122】
集光レンズ17は、偏光解消素子301で無偏光にされたビームを集光し、偏光ビームスプリッタ18に入射させる。
【0123】
以上に説明したように、この変位計測装置300は、偏光解消素子301を光ファイバ15の出射端15bと集光レンズ17との間に設けるので、変位計測装置10よりも光ファイバ15の屈曲やストレスによる偏波の乱れをさらに減少させることができる。また、さらに高精度な変位検出を可能とする。
【0124】
同様に、図4に示した構成の変位計測装置200における光ファイバ15の出射端側15bと集光レンズ17との間に偏光解消素子301を設けた構成の変位計測装置350を図16に示す。この変位計測装置350でも、偏光解消素子301を光ファイバ15の出射端15bと集光レンズ17との間に設けるので、変位計測装置200よりも光ファイバ15の屈曲やストレスによる偏波の乱れをさらに減少させることができる。また、さらに高精度な変位検出を可能とする。
【0125】
同様に、図5に示した構成の定点検出装置40における光ファイバ45の出射端側45bと集光レンズ47との間に偏光解消素子301を設けた構成の定点検出装置400を図17に示す。この定点検出装置400でも、偏光解消素子301を光ファイバ45の出射端45bと集光レンズ47との間に設けるので、定点検出装置40よりも光ファイバ45の屈曲やストレスによる偏波の乱れをさらに減少させることができる。また、さらに高精度な定点検出を可能とする。
【図面の簡単な説明】
【0126】
【図1】変位計測装置の構成図である。
【図2】消光比を説明するために用いた図である。
【図3】偏波保持タイプの光ファイバの断面図である。
【図4】変位計測装置の応用例である。
【図5】定点検出装置の構成図である。
【図6】S偏光成分とP偏光成分とで、回折効率が大きく異なることを示す特性図である。
【図7】偏波保持タイプの光ファイバに屈曲ストレスを印加したときに、定点検出位置が時間と共にどのように変化するかを測定するためのシステム構成図である。
【図8】ファイバ屈曲による定点検出位置ずれを示す特性図である。
【図9】偏光板と集光レンズとを一体化させた光伝送ユニットを示す図である。
【図10】偏光板をコリメータレンズと集光レンズとで挟み込むように一体化した光伝送ユニットを示す図である。
【図11】偏光板の変わりに偏波保持タイプの光ファイバの入射端面をブリュースター角になるように形成した光伝送ユニットを示す図である。
【図12】光源として用いる半導体レーザの出射窓に偏光板を形成した光伝送ユニットを示す図である。
【図13】光源として用いる半導体レーザの出射用の窓ガラスをブリュースター角に形成した光伝送ユニットを示す図である。
【図14】偏光解消素子をさらに備えた変位計測装置の構成図である。
【図15】偏光解消素子の断面図である。
【図16】偏光解消素子をさらに備えた変位計測装置の応用例の構成図である。
【図17】偏光解消素子をさらに備えた定点検出装置の応用例の構成図である。
【図18】従来の変位検出装置の構成図である。
【図19】特許文献1に記載された従来の定点検出装置の構成図である。
【図20】上記図19に示した定点検出装置で用いられるホログラフィック回折構成を示す図である。
【図21】上記図19に示した定点検出装置の主要部を示す図である。
【図22】光ファイバを用いて定点を検出する定点検出装置の構成図である。
【図23】光ファイバを用いて変位を計測する変位計測装置の構成図である。
【符号の説明】
【0127】
10 変位計測装置、11 光伝送ユニット、12 光源、13 位相板、14 集光レンズ、15 偏波保持タイプの光ファイバ、16 検出部、17 集光レンズ、18 偏光ビームスプリッタ、19 回折格子、20 第1の1/4位相板、21 第2の1/4位相板、22 第1の反射ミラー面、23 第2の反射ミラー面、24 プリズム、40 定点検出装置、41 光伝送ユニット、42 光源、43 位相板、44 集光レンズ、45 偏波保持タイプの光ファイバ、46 検出部、47 集光レンズ、48 回折格子、49 回折格子、50 エッジ、52,53 受光素子、54 比較器、300 変位計測装置、301 偏光解消素子、400 定点検出装置
【特許請求の範囲】
【請求項1】
光を出射する光源と、
上記光源から出射された光の消光比を20dB以上に高める消光比変換手段と、
上記消光比変換手段により消光比が20dB以上とされた光を集光する集光レンズと、
上記集光レンズによって集光された上記光を伝送する偏波保持タイプの光ファイバと、
測定対象に取り付けられ、上記光ファイバによって伝送された光が照射されて回折する回折格子と、
上記回折格子によって回折した光を受光する受光手段とを備え、
上記消光比変換手段によって消光比が20dB以上に高められ、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、上記受光手段が受光した回折光の受光量の大きさで測定対象の変位を検出する変位検出装置。
【請求項2】
上記消光比変換手段を偏光素子とすることを特徴とする請求項1記載の変位検出装置。
【請求項3】
上記消光比変換手段である上記偏光素子を上記集光レンズと一体化することを特徴とする請求項2記載の変位検出装置。
【請求項4】
上記光ファイバの光の入射側端面をブリュースター角に形成することによって上記消光比変換手段とすることを特徴とする請求項1記載の変位検出装置。
【請求項5】
上記光源として半導体レーザを用い、上記偏光素子を上記半導体レーザの出射窓ガラスに形成したことを特徴とする請求項2記載の変位検出装置。
【請求項6】
上記消光比変換手段を偏光ビームスプリッタとすることを特徴とする請求項1記載の変位検出装置。
【請求項7】
上記光源として半導体レーザを用い、偏光ビームスプリッタを上記半導体レーザの出射窓ガラスに形成したことを特徴とする請求項6記載の変位検出装置。
【請求項8】
上記光源として半導体レーザを用い、当該半導体レーザの出射窓ガラスをブリュースター角に形成することによって上記消光比変換手段とすることを特徴とする請求項1記載の変位検出装置。
【請求項9】
上記光ファイバの光の入射側端面を偏光ビームスプリッタとして上記消光比変換手段とすることを特徴とする請求項1記載の変位検出装置。
【請求項10】
光を出射する光源と、
上記光源から出射された光を直線偏光とし、その消光比を20dB以上に高める消光比変換手段と、
上記消光比変換手段により消光比が20dB以上とされた光を集光する集光レンズと、
上記集光レンズによって集光された上記光を伝送する偏波保持タイプの光ファイバと、
上記光ファイバによって伝送された上記光を二分する偏光ビームスプリッタと、
測定対象に取り付けられ、上記偏光ビームスプリッタによって二分された光が入射されて回折光を得る回折格子と、
上記回折格子によって得られる上記二分された光の回折光の偏波を変える位相板と、
上記位相板によって偏波が変えられた上記二つの回折光を反射して再び上記位相板を通して上記回折格子に導く二つの反射ミラーと、
上記二つの反射ミラーによって上記回折格子に導かれ、当該回折格子によって回折されて上記偏光ビームスプリッタに入射し、当該偏光ビームスプリッタによって反射及び透過された二つの回折光を干渉させる偏光素子と、
上記偏光素子によって得られる干渉光を受光する受光素子とを備え、
上記消光比変換手段によって消光比が20dB以上に高められ、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、上記受光手段が受光した回折光の受光量の大きさで測定対象の変位を計測する変位計測装置。
【請求項11】
光を出射する光源と、
上記光源から出射された光を直線偏光とし、その消光比を20dB以上に高める消光比変換手段と、
上記消光比変換手段により消光比が20dB以上とされた光を集光する集光レンズと、
上記集光レンズによって集光された上記光を伝送する偏波保持タイプの光ファイバと、
互いに隣接して配置され、上記光ファイバによって伝送された光が照射されて回折する二つの回折格子と、
上記二つの回折格子によって回折した光を受光する二つの受光手段と、
上記二つの受光手段の受光量を比較する比較手段とを備え、
上記消光比変換手段によって消光比が20dB以上に高められ、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、上記比較手段が上記二つの受光手段の受光量を比較した結果に基づいて定点を定める定点検出装置。
【請求項12】
上記比較手段が上記二つの受光手段の受光量を比較した信号が任意の大きさになる点を定点と定めることを特徴とする請求項11記載の定点検出装置。
【請求項13】
光を出射する光源と、
上記光源から出射された光の消光比を20dB以上に高める消光比変換手段と、
上記消光比変換手段により消光比が20dB以上とされた光を集光する集光レンズと、
上記集光レンズによって集光された上記光を伝送する偏波保持タイプの光ファイバと、
上記光ファイバによって伝送された上記光の偏光を解消する偏光解消素子と、
測定対象に取り付けられ、上記偏光解消素子によって偏光が解消された光が照射されて回折する回折格子と、
上記回折格子によって回折した光を受光する受光手段とを備え、
上記消光比変換手段によって消光比が20dB以上に高められ、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、上記受光手段が受光した回折光の受光量の大きさで測定対象の変位を検出する変位検出装置。
【請求項14】
上記偏光解消手段を水晶、雲母もしくは有機樹脂を材料とする偏光解消板とすることを特徴とする請求項13記載の変位検出装置。
【請求項15】
光を出射する光源と、
上記光源から出射された光を直線偏光とし、その消光比を20dB以上に高める消光比変換手段と、
上記消光比変換手段により消光比が20dB以上とされた光を集光する集光レンズと、
上記集光レンズによって集光された上記光を伝送する偏波保持タイプの光ファイバと、
上記光ファイバによって伝送された上記光の偏光を解消する偏光解消素子と、
上記偏光解消素子によって偏光が解消された光を二分する偏光ビームスプリッタと、
測定対象に取り付けられ、上記偏光ビームスプリッタによって二分された光が入射されて回折光を得る回折格子と、
上記回折格子によって得られる上記二分された光の回折光の偏波を変える位相板と、
上記位相板によって偏波が変えられた上記二つの回折光を反射して再び上記位相板を通して上記回折格子に導く二つの反射ミラーと、
上記二つの反射ミラーによって上記回折格子に導かれ、当該回折格子によって回折されて上記偏光ビームスプリッタに入射し、当該偏光ビームスプリッタによって反射及び透過された二つの回折光を干渉させる偏光素子と、
上記偏光素子によって得られる干渉光を受光する受光素子とを備え、
上記消光比変換手段によって消光比が20dB以上に高められ、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、上記受光手段が受光した回折光の受光量の大きさで測定対象の変位を計測する変位計測装置。
【請求項16】
光を出射する光源と、
上記光源から出射された光を直線偏光とし、その消光比を20dB以上に高める消光比変換手段と、
上記消光比変換手段により消光比が20dB以上とされた光を集光する集光レンズと、
上記集光レンズによって集光された上記光を伝送する偏波保持タイプの光ファイバと、
上記光ファイバによって伝送された上記光の偏光を解消する偏光解消素子と、
互いに隣接して配置され、上記偏光解消素子によって偏光が解消された光が照射されて回折する二つの回折格子と、
上記二つの回折格子によって回折した光を受光する二つの受光手段と、
上記二つの受光手段の受光量を比較する比較手段とを備え、
上記消光比変換手段によって消光比が20dB以上に高められ、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、上記比較手段が上記二つの受光手段の受光量を比較した結果に基づいて定点を定める定点検出装置。
【請求項1】
光を出射する光源と、
上記光源から出射された光の消光比を20dB以上に高める消光比変換手段と、
上記消光比変換手段により消光比が20dB以上とされた光を集光する集光レンズと、
上記集光レンズによって集光された上記光を伝送する偏波保持タイプの光ファイバと、
測定対象に取り付けられ、上記光ファイバによって伝送された光が照射されて回折する回折格子と、
上記回折格子によって回折した光を受光する受光手段とを備え、
上記消光比変換手段によって消光比が20dB以上に高められ、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、上記受光手段が受光した回折光の受光量の大きさで測定対象の変位を検出する変位検出装置。
【請求項2】
上記消光比変換手段を偏光素子とすることを特徴とする請求項1記載の変位検出装置。
【請求項3】
上記消光比変換手段である上記偏光素子を上記集光レンズと一体化することを特徴とする請求項2記載の変位検出装置。
【請求項4】
上記光ファイバの光の入射側端面をブリュースター角に形成することによって上記消光比変換手段とすることを特徴とする請求項1記載の変位検出装置。
【請求項5】
上記光源として半導体レーザを用い、上記偏光素子を上記半導体レーザの出射窓ガラスに形成したことを特徴とする請求項2記載の変位検出装置。
【請求項6】
上記消光比変換手段を偏光ビームスプリッタとすることを特徴とする請求項1記載の変位検出装置。
【請求項7】
上記光源として半導体レーザを用い、偏光ビームスプリッタを上記半導体レーザの出射窓ガラスに形成したことを特徴とする請求項6記載の変位検出装置。
【請求項8】
上記光源として半導体レーザを用い、当該半導体レーザの出射窓ガラスをブリュースター角に形成することによって上記消光比変換手段とすることを特徴とする請求項1記載の変位検出装置。
【請求項9】
上記光ファイバの光の入射側端面を偏光ビームスプリッタとして上記消光比変換手段とすることを特徴とする請求項1記載の変位検出装置。
【請求項10】
光を出射する光源と、
上記光源から出射された光を直線偏光とし、その消光比を20dB以上に高める消光比変換手段と、
上記消光比変換手段により消光比が20dB以上とされた光を集光する集光レンズと、
上記集光レンズによって集光された上記光を伝送する偏波保持タイプの光ファイバと、
上記光ファイバによって伝送された上記光を二分する偏光ビームスプリッタと、
測定対象に取り付けられ、上記偏光ビームスプリッタによって二分された光が入射されて回折光を得る回折格子と、
上記回折格子によって得られる上記二分された光の回折光の偏波を変える位相板と、
上記位相板によって偏波が変えられた上記二つの回折光を反射して再び上記位相板を通して上記回折格子に導く二つの反射ミラーと、
上記二つの反射ミラーによって上記回折格子に導かれ、当該回折格子によって回折されて上記偏光ビームスプリッタに入射し、当該偏光ビームスプリッタによって反射及び透過された二つの回折光を干渉させる偏光素子と、
上記偏光素子によって得られる干渉光を受光する受光素子とを備え、
上記消光比変換手段によって消光比が20dB以上に高められ、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、上記受光手段が受光した回折光の受光量の大きさで測定対象の変位を計測する変位計測装置。
【請求項11】
光を出射する光源と、
上記光源から出射された光を直線偏光とし、その消光比を20dB以上に高める消光比変換手段と、
上記消光比変換手段により消光比が20dB以上とされた光を集光する集光レンズと、
上記集光レンズによって集光された上記光を伝送する偏波保持タイプの光ファイバと、
互いに隣接して配置され、上記光ファイバによって伝送された光が照射されて回折する二つの回折格子と、
上記二つの回折格子によって回折した光を受光する二つの受光手段と、
上記二つの受光手段の受光量を比較する比較手段とを備え、
上記消光比変換手段によって消光比が20dB以上に高められ、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、上記比較手段が上記二つの受光手段の受光量を比較した結果に基づいて定点を定める定点検出装置。
【請求項12】
上記比較手段が上記二つの受光手段の受光量を比較した信号が任意の大きさになる点を定点と定めることを特徴とする請求項11記載の定点検出装置。
【請求項13】
光を出射する光源と、
上記光源から出射された光の消光比を20dB以上に高める消光比変換手段と、
上記消光比変換手段により消光比が20dB以上とされた光を集光する集光レンズと、
上記集光レンズによって集光された上記光を伝送する偏波保持タイプの光ファイバと、
上記光ファイバによって伝送された上記光の偏光を解消する偏光解消素子と、
測定対象に取り付けられ、上記偏光解消素子によって偏光が解消された光が照射されて回折する回折格子と、
上記回折格子によって回折した光を受光する受光手段とを備え、
上記消光比変換手段によって消光比が20dB以上に高められ、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、上記受光手段が受光した回折光の受光量の大きさで測定対象の変位を検出する変位検出装置。
【請求項14】
上記偏光解消手段を水晶、雲母もしくは有機樹脂を材料とする偏光解消板とすることを特徴とする請求項13記載の変位検出装置。
【請求項15】
光を出射する光源と、
上記光源から出射された光を直線偏光とし、その消光比を20dB以上に高める消光比変換手段と、
上記消光比変換手段により消光比が20dB以上とされた光を集光する集光レンズと、
上記集光レンズによって集光された上記光を伝送する偏波保持タイプの光ファイバと、
上記光ファイバによって伝送された上記光の偏光を解消する偏光解消素子と、
上記偏光解消素子によって偏光が解消された光を二分する偏光ビームスプリッタと、
測定対象に取り付けられ、上記偏光ビームスプリッタによって二分された光が入射されて回折光を得る回折格子と、
上記回折格子によって得られる上記二分された光の回折光の偏波を変える位相板と、
上記位相板によって偏波が変えられた上記二つの回折光を反射して再び上記位相板を通して上記回折格子に導く二つの反射ミラーと、
上記二つの反射ミラーによって上記回折格子に導かれ、当該回折格子によって回折されて上記偏光ビームスプリッタに入射し、当該偏光ビームスプリッタによって反射及び透過された二つの回折光を干渉させる偏光素子と、
上記偏光素子によって得られる干渉光を受光する受光素子とを備え、
上記消光比変換手段によって消光比が20dB以上に高められ、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、上記受光手段が受光した回折光の受光量の大きさで測定対象の変位を計測する変位計測装置。
【請求項16】
光を出射する光源と、
上記光源から出射された光を直線偏光とし、その消光比を20dB以上に高める消光比変換手段と、
上記消光比変換手段により消光比が20dB以上とされた光を集光する集光レンズと、
上記集光レンズによって集光された上記光を伝送する偏波保持タイプの光ファイバと、
上記光ファイバによって伝送された上記光の偏光を解消する偏光解消素子と、
互いに隣接して配置され、上記偏光解消素子によって偏光が解消された光が照射されて回折する二つの回折格子と、
上記二つの回折格子によって回折した光を受光する二つの受光手段と、
上記二つの受光手段の受光量を比較する比較手段とを備え、
上記消光比変換手段によって消光比が20dB以上に高められ、かつ上記集光手段によって集光された光の偏波軸を上記光ファイバの光学軸又は光学軸に直交する軸に合わせて上記光ファイバに入射し、上記比較手段が上記二つの受光手段の受光量を比較した結果に基づいて定点を定める定点検出装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【公開番号】特開2006−194855(P2006−194855A)
【公開日】平成18年7月27日(2006.7.27)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2005−150227(P2005−150227)
【出願日】平成17年5月23日(2005.5.23)
【出願人】(000002185)ソニー株式会社 (34,172)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成18年7月27日(2006.7.27)
【国際特許分類】
【出願日】平成17年5月23日(2005.5.23)
【出願人】(000002185)ソニー株式会社 (34,172)
【Fターム(参考)】
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