説明

配線基板とその製造方法及び液滴吐出ヘッド

【課題】単一薄膜基板で基板を厚くすることなく簡単な工程で高密度配線を実現する。
【解決手段】基板上に配線パターンが形成された配線基板であって、前記基板の少なくとも1つの面に凹凸形状が形成され、前記凹凸形状の凹部と凸部の双方にそれぞれ配線パターンが形成されたことを特徴とする配線基板を提供することにより前記課題を解決する。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、配線基板とその製造方法及び液滴吐出ヘッドに係り、特に、凹凸形状の凹部、凸部それぞれに配線を形成することで高密度配線を実現した配線基板とその製造方法及び液滴吐出ヘッドに関する。
【背景技術】
【0002】
従来より、様々な電気機器において小型軽量化が図られており、例えば、インクジェット記録装置等においてもインクジェットヘッドを小型高密度化することが望まれている。
【0003】
このような機器の小型化には、半導体素子等を駆動する信号を供給する電気配線を高密度に配置することが必要であり、高密度配線基板を製造する技術がいろいろ提案されている。
【0004】
例えば、射出成形により凸部及び凹部を形成した絶縁性樹脂の立体成形品の表面に無電解メッキにより第1導体層を形成し、その表面を機械的に研磨して凹部(溝)に第1導体パターンを形成し、その第1導体パターン上に電解メッキ(電気メッキ)により第2導電層を形成することにより凹部(溝)に配線層を形成したプリント配線基板、あるいは前記立体成形品の表面に無電解メッキにより第1導体層を形成した後、凸部上の第1導体層上にレジストパターンを形成し、これをマスクとしてエッチング処理を行い、レジストパターンを剥離して凸部上に第1導体パターンを形成し、この上に無電解メッキにより第2導体層を形成することにより凸部上に配線層を形成したプリント配線基板が知られている(例えば、特許文献1等参照)。
【0005】
また例えば、基板内に溝を形成し、基板内の溝を導電粉末で充填し、圧力をかけて基板内の溝で粉末を圧縮し、溝内で圧縮粉末を加熱して基板内の溝に導電路(配線)を形成するようにしたプリント板の製造方法が知られている(例えば、特許文献2等参照)。
【特許文献1】特開2002−290010号公報
【特許文献2】特表昭60−502233号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、上記従来技術においては、基板の凹部あるいは凸部のどちらか一方にのみ配線を形成しており、凹部と凸部の両方に同時に配線を形成してはいない。また、積層によりパターン形成を行っている。例えば、基板の凹部にのみ配線を形成する場合、配線の微細化、高密度化が難しく、また積層の場合には、工程の複雑化により高コスト化や厚みが大きくなってしまう等の問題がある。
【0007】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、単一薄膜基板で基板を厚くすることなく簡単な工程で高密度配線を実現することのできる配線基板とその製造方法及び液滴吐出ヘッドを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
前記目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、基板上に配線パターンが形成された配線基板であって、前記基板の少なくとも1つの面に凹凸形状が形成され、前記凹凸形状の凹部と凸部の双方にそれぞれ配線パターンが形成されたことを特徴とする配線基板を提供する。
【0009】
これにより、基板上に隣接して配線を形成しても短絡を防止することができ、高密度配線を実現することができる。
【0010】
また、請求項2に示すように、前記凹部に形成される配線と、前記凸部に形成される配線とで、信号線と駆動線を切り分けて配線したことを特徴とする。
【0011】
また、請求項3に示すように、前記凹部に形成される配線と、前記凸部に形成される配線とで、抵抗値が異なるようにしたことを特徴とする。
【0012】
これにより、ノイズを低減し、配線を高密度化することができる。
【0013】
また、請求項4に示すように、前記基板に形成される凹凸形状を不均一に形成して、前記基板の反りを防止するようにしたことを特徴とする。
【0014】
これにより、基板の反りを防止して、平面性にすぐれた配線基板を提供することができる。
【0015】
また、同様に前記目的を達成するために、請求項5に記載の発明は、凹凸形状が形成された基板の凹部と凸部の双方に配線パターンが形成された配線基板の製造方法であって、基板上に金属薄膜を密着させて凹凸形状を有するスタンパで前記金属薄膜の上から加圧して、前記凹凸形状を前記基板に転写する工程と、前記スタンパを除去した後、前記基板上に転写された凹凸形状の凹部及び凸部に接着された前記金属薄膜で形成される配線部上に電気メッキ処理を施して、前記配線部を厚膜化する工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法を提供する。
【0016】
これにより、簡単な工程で、凹部と凸部の双方に配線パターンが形成された配線基板の製造が可能となり、工程の簡略化、コスト低減が可能となる。
【0017】
また、請求項6に示すように、請求項5に記載の配線基板の製造方法であって、さらに、前記凹部に形成された配線部と前記凸部に形成された配線部とを絶縁する工程を含むことを特徴とする。
【0018】
また、請求項7に示すように、前記絶縁する工程は、前記スタンパの凸部側表面の表面粗さを粗くして、スタンパの上下移動の際、前記基板に転写された凸部側面の金属薄膜を除去して絶縁することを特徴とする。
【0019】
また、請求項8に示すように、前記絶縁する工程は、前記スタンパの凸部側面に逃げ形状を形成し、前記基板に転写された凸部側面に圧力がかからないようにして前記凸部側面の金属薄膜を除去して絶縁することを特徴とする。
【0020】
これにより、隣接して配線される各配線を確実に絶縁することができ、装置の信頼性を向上させることができる。
【0021】
また同様に、前記目的を達成するために、請求項9に記載の発明は、請求項1〜4のいずれかに記載の配線基板を用いたことを特徴とする液滴吐出ヘッドを提供する。
【0022】
これにより、高密度配線を実現した液滴吐出ヘッドを提供することができる。
【発明の効果】
【0023】
以上説明したように、本発明によれば、基板上に隣接して配線を形成しても短絡を防止
することができ、高密度配線を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0024】
以下、添付図面を参照して、本発明に係る配線基板とその製造方法及び液滴吐出ヘッドについて詳細に説明する。
【0025】
図1に、本発明の一実施形態に係る配線基板の概略を斜視図で示す。
【0026】
本実施形態は、単一の薄膜基板で高密度配線を実現するための配線パターンを形成するものである。
【0027】
図1に示すように、本実施形態の配線基板10は、凹凸形状が形成された基板12の凸部14(詳しくは凸形状の頂部表面)及び凹部16(詳しくは溝形状の底面)にそれぞれ配線20a、20bが形成されている。そして、凸部14と凹部16との間の溝形状の側面18は絶縁されている。
【0028】
また、基板12の材料には、非導電性材料が好適に用いられる。非導電性材料としては、特に限定はされないが、例えば、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂等の樹脂あるいはプリプレグ等の絶縁部材が用いられる。また、詳しくは後述するが、配線20a、20bは、例えば金属薄膜上に電気メッキ処理を施して形成される。
【0029】
このように凹凸形状に対して形成される配線パターンは、図1に示すように、湾曲していてもよく、また配線の幅は途中で変化しても良く、分岐していても良い。このように配線パターンは、使用目的に応じて任意の形状に形成される。例えば、基板に穴や電子部品が存在していても、それらを回避して配線パターンを形成することが可能となる。
【0030】
図1中の一点鎖線2A−2B線に沿った断面図を図2に示す。
【0031】
図2に示すように、配線基板10は、凹凸形状が形成された基板12の凸部14及び凹部16にそれぞれ配線20a、20bが形成され、凸部14の側面18は絶縁されている。また、図2中の円Aの部分を拡大して図3に示す。
【0032】
図3(a)に、基板12の凹凸形状の概略の寸法の一例を示す。図3(a)に示すように、例えば、凸部14及び凹部16のそれぞれの幅は1〜20μm、凸部14の高さは5〜100μmに設定されている。これはあくまで一例であり、凹凸形状の寸法はこれに限定されるものではない。
【0033】
また、図3(b)に、基板12の凹凸形状の他の例を示す。凹凸形状の概略の寸法は図3(a)と同じであるが、この例では、凸部14の側面18がテーパ状に形成されており、凹部16上の開口は凹部16の底面より上方に行く程広くなるようになっている。
【0034】
図3(a)は、高密度配線に最適の形状であるが、凹部と凸部の配線が接近しているため、高電力を通電できない、または配線どうしのノイズの影響を受け易いため、信号線や駆動線の場合、図3(b)の形状が望ましい。
【0035】
また、図4に示すように、凸部14の幅を凹部16の幅より大きくしたり、配線部材の厚みを変えること等により、凸部14に形成される配線20aと、凹部16に形成される配線20bとで、配線断面積を変えることにより電気抵抗が異なるようにしてもよい。このように、電気抵抗を異なるようにすることで、凸部14に形成される配線20aと、凹部16に形成される配線20bで異なる電流値あるいは異なる電圧値での通電が可能となる。
【0036】
このように、配線20aと配線20bとで異なる電流値あるいは電圧値で通電することにより、それぞれの配線20a、20bを異なる用途に使い分けることができる。例えば、凹部16の配線20bは電源供給用、凸部14の配線20aは制御信号用として使い分けるようにしてもよい。使い分けることにより、電源供給用の配線で発生したノイズが信号線に影響することを抑制することができる。
【0037】
配線20a、20bの抵抗値は、配線断面幅(凸部14、及び凹部16の幅)及び配線部材の厚みで制御することができる。なお、図4に示すように、基板12と配線部材との密着力の関係から、凹部16に形成する配線20bは厚膜に形成することが可能であるが、凸部14に形成する配線20aは厚膜に形成するのは難しい。従って、凸部14の配線20aの断面積をある程度の大きさにしようとしたら、凸部14の幅をその分大きく形成する必要がある。
【0038】
また、このように基板12の一方の面に凹凸形状を形成するため、基板12に反りが生じることがあり、この反りを防止するために、凹凸形状を不均一に形成することが考えられる。
【0039】
例えば、図5(a)に示すように、基板12が図に矢印で示したように下に凸となるように反るとした場合には、凹部16の底面が全体として基板12の反り方向とは逆の曲率を持つように、凹部16の底面が基板12の中央部の方が高く、左右両端へ行く程低くなるように、配線方向に対して垂直方向に凹凸形状を変化させた配線形状とする。または、図5(b)に示すように、基板12が反る場合には、配線方向に対して平行方向に凹凸形状を変化させた配線形状とする。
【0040】
次に、配線基板10の製造方法について説明する。
【0041】
配線基板10の製造工程を図6に示す。
【0042】
まず、図6(a)に示すように、基板12上に、例えば銅箔等の金属薄膜22を密着させる。
【0043】
基板12の材質としては、特に限定されるものではないが、例えば前述したように、樹脂やプリプレグ等の絶縁部材を用いる。また、金属薄膜22を基板12上に密着させる代わりに、基板12上に無電解メッキ処理を施したり、基板12上に金属微粒子を塗布してもよい。
【0044】
次に、図6(b)に示すように、凹凸形状で配線パターンが形成されたスタンパ24により、その表面上に金属薄膜22が密着している基板12に対して、配線パターンの凹凸形状を転写する。スタンパ24に凹凸形状の配線パターンを形成する方法は、特に限定されず、例えば、エキシマレーザ等によるレーザ加工や機械加工、エッチングなどで形成すればよい。
【0045】
このとき、図6(b)に示すように、圧力Fをかけて金属薄膜22を基板12に接着する。さらに、このとき熱を加えるようにしてもよい。これにより、スタンパ24に形成された配線パターンの凹凸形状が基板12に転写される。このとき、基板12上に密着していた金属薄膜22は、スタンパ24の剪断力により基板12の凸部14上面に密着した金属薄膜22aと、凹部16の底面に密着した金属薄膜22bとに離間する。
【0046】
この基板12の凸部14上面に密着した金属薄膜22aと、凹部16の底面に密着した薄膜22bとは、それぞれこの後電気メッキにより導電層を形成する際の元となる。
【0047】
次に、図6(c)に示すように、スタンパ24を取り除くと、凸部14の上面と、凹部16の底面に金属薄膜22(22a、22b)が接着された状態の基板12が得られる。このとき、凸部14の上面の金属薄膜22aと、凹部16の底面の金属薄膜22bとは、引きちぎられて離間し、側面18には金属薄膜22が接着することはほとんどない。
【0048】
しかし、側面18に金属薄膜22が残るような場合には、この側面18の金属薄膜22を除去しなければならない。さもないと、この後凸部14に形成される配線と凹部16に形成される配線とが短絡してしまう虞があるからである。また、図6(c)に示す基板12の端部12aは、配線を形成する必要のない部分であり、スタンパ24の圧力がかかっていないため、簡単に除去できる。
【0049】
また、側面18に金属薄膜22が残ったとしても、側面18にはスタンパ24で圧力がかかっていないため、金属薄膜22と側面18との密着力は弱く、例えばエアブローやウォータージェット等で簡単に除去することができる。
【0050】
また、スタンパ24の凹凸形状を工夫することによって、側面18の金属薄膜22を除去ないし残存しないようにすることも可能である。
【0051】
例えば、図7(a)に示すように、スタンパ24の凸部25の側面25aの表面粗さを粗くして、スタンパ24を上下移動する際に、その粗い側面25aを擦り付けることで基板12の凸部14の側面18の金属薄膜22を除去する。スタンパ24を繰り返し上下することで確実な除去が可能となる。
【0052】
あるいは、図7(b)に示すように、スタンパ24の凸部25に逃げ形状25bを設けて、基板12の凸部14の側面18には圧力がかからないようにして、この密着力の弱い側面18部の金属薄膜22を例えばエアブロー等で除去するようにしてもよい。確実な除去を行うには図7(a)が適しているが、スタンパ側面の摩耗が生じ、信頼性を維持することが難しく、大量生産の場合は図7(b)が適している。
【0053】
次に、図6(d)に示すように、基板12の凸部14及び凹部16に接着された金属薄膜22a及び22bを元にして、電気メッキを行い、金属薄膜22a及び22b上に導電材料を厚膜化し導電層を形成し、配線20a及び20bを形成する。これにより、凹凸形状の凸部14と凹部16に配線20a、20bが形成された配線基板10が形成される。
【0054】
このように、本実施形態によれば、単一素材の凹部と凸部それぞれに配線パターンを形成するようにしているため、基板を厚くすることなく、高密度化配線を実現することができ、また凹凸形状により異なる電気抵抗を有する配線を同時に形成したり、配線基板の反りを防止することが可能となる。
【0055】
また、配線基板の製造工程において、スタンパで凹凸を形成すると同時に導電パターンを形成するようにしているため、レジストパターンを形成したりそれを除去加工する等の複雑な工程を必要とせず、製造工程の簡略化、低コスト化を達成することが可能となる。
【0056】
次に、配線基板の他の製造方法について説明する。
【0057】
図8に、配線基板の他の製造工程を示す。
【0058】
まず、図8(a)に示すように、例えば樹脂成形により凹凸形状で配線パターンが形成された基板30を形成する。樹脂で成形された基板30には、凸部32と凹部34が所定の配線パターンに応じて形成される。
【0059】
次に、図8(b)に示すように、凹凸形状が形成された基板30の表面全体に無電解メッキを施して、後で電気メッキを行う際の元となるメッキ層(導電層)36を形成する。このとき、無電解メッキを行う前に、樹脂表面を粗化しておくようにしてもよい。
【0060】
次に、図8(c)に示すように、無電解メッキにより形成されたメッキ層36を電気メッキ処理により厚膜化して導電層38を形成する。
【0061】
次に、図8(d)に示すように、フォトレジスト処理を行って、導電層38上の基板30の凸部32に対応する位置に、凸部32の幅よりも狭く、レジストパターン40を形成する。
【0062】
次に、図8(e)に示すように、エッチング処理を行い、レジストパターン40が形成されていない、主に基板30の凹部34に対応する部分の導電層38(の一部)を除去する。このとき、図8(e)に示すように、基板30の凸部32の上端部の両側42まで除去して、凸部32のメッキ層36aと凹部34のメッキ層36bとが絶縁するようにする。さらに、このとき、凹部34に導電層(メッキ)38が残留するようにエッチング処理を施す。
【0063】
最後に、図8(f)に示すように、例えば所定の剥離液等でレジストパターン40を除去して、凸部32上及び凹部34上にそれぞれ配線42a及び42bが形成された配線基板が形成される。
【0064】
このような製造方法によれば、基板が例えばプリプレグ等のような軟質の材料でも配線を形成することが可能であり、またレジストパターンによっては、一部凹部の配線と凸部の配線とが通電しているような配線の形成も可能である。これにより、材料及び配線の自由度が向上する。
【0065】
以上説明した例では、基板に形成された凹凸形状の凸部及び凹部のそれぞれに配線を形成することによって、配線の高密度化を達成したものであるが、次に凹凸形状以外による高密度配線形成について説明する。
【0066】
まず、図9に示すものは、階段形状の場合である。この場合、図9(a)に示すように、階段形状に形成された基板44に対して、階段の各ステップ45上に配線46を形成することによって、配線の高密度化を達成する。また、図9(b)に示すように、図の一点鎖線より下側の部分を除去加工することにより、図9(c)に全体を斜視図で示すような形状に形成する。
【0067】
また、図10に示すものは、基板の斜面上に高密度配線を実現するものである。
【0068】
図10(a)に示すように、一部が斜面状に形成された基板48の斜面49上に導電層(メッキ層)50を形成し、その上にマスク52を形成して、これに対しエッチングを行う方向を変えることにより、以下示すような幾つかの配線パターンが得られる。
【0069】
例えば、図10(a)に矢印(1)で示すように、斜面49に対して鉛直方向からエッチングを行う場合には、図10(b)に示すような配線パターンが得られる。
【0070】
また、同様に、図10(a)に矢印(2)で示すように、斜面49に対して水平方向からエッチングする場合には、図10(c)に示すような配線パターンが得られる。さらに、図10(a)に矢印(3)で示すように、斜面49に対して垂直方向(法線方向)からエッチングを行う場合には、図10(d)に示すような配線パターンが得られる。
【0071】
以上説明したように、基板に凹凸形状を形成し、その凸部及び凹部の両方に配線を形成することにより、高密度に配線パターンが形成された配線基板が実現される。
【0072】
なお、このような高密度配線基板は、様々な分野に適用可能であるが、その一例として、圧電方式のインクジェットヘッド(液滴吐出ヘッド)のピエゾカバーの配線に利用した場合について説明する。
【0073】
図11に、圧力室を含んで構成されるインク吐出ユニットが2次元マトリクス状に配列
されたインクジェットヘッドの一つのインク吐出ユニットの概略を断面図で示す。
【0074】
図11に示すように、インクジェットヘッド150のインク吐出ユニット154は、インクが充填される圧力室152、圧力室152に連通しインクを吐出するノズル151及び共通液室155から圧力室152にインクを供給するインク供給口153を有して構成される。
【0075】
図11で、ノズル151に対向する圧力室152の天面は振動板156で構成されており、振動板156の上には振動板156を変形させる圧電素子(ピエゾ素子)158が形成されている。
【0076】
圧電素子158の上面には個別電極157が形成され、共通電極を兼ねる振動板156とで圧電素子158を挟んでいる。また、個別電極157に駆動信号を供給するための圧電素子駆動用配線160が駆動電極159を介して個別電極157に電気的に接続されている。
【0077】
また、圧電素子158の上側に、圧電素子158が自由に駆動するための空間162を形成するとともに圧電素子158を保護するためのピエゾカバー164が形成されている。ピエゾカバー164の上側には、圧力室152に供給するためのインクを蓄える共通液室155が形成されている。
【0078】
また、圧力室152の底面には、圧力室152内のインクの圧力を検出するための圧力検出センサ166が設けられている。圧力検出センサ166の検出信号を取り出すために、圧力検出センサ166に略垂直に柱状のセンサ電極168が形成されており、センサ電極168はその上側でセンサ用配線170に電気的に接続している。
【0079】
この圧電素子駆動用配線160及びセンサ用配線170は、ピエゾカバー164に形成される。詳しくは後述するが、圧電素子駆動用配線160及びセンサ用配線170は、ピエゾカバー164に形成された凹凸形状の凸部と凹部にそれぞれ形成される。
【0080】
図12(a)に、ピエゾカバー164を圧力室側から見た様子を斜視図で示す。
【0081】
なお、図12(a)では、ピエゾカバー164に形成される配線の接続を分かり易くするために、ピエゾカバー164だけでなく、圧電素子158上の個別電極157に接続する駆動電極159、圧力検出センサ166に接続する柱状のセンサ電極168をも表示している。
【0082】
また、駆動電極159及びセンサ電極168に対する圧電素子158及び圧力検出センサ166の位置関係をそれぞれ破線で図中に示している。また、ピエゾカバー164に形成される供給口153の孔も表示されている。
【0083】
図12(a)は、ピエゾカバー164を圧力室152側から見ているので、駆動電極159や柱状のセンサ電極168とそれぞれ接続する圧電素子駆動用配線160及びセンサ用配線170は、図12(a)に表示された駆動電極159、柱状のセンサ電極168の下側で接続されている。
【0084】
圧電素子駆動用配線160及びセンサ用配線170は、それぞれ圧力室152に対応する部分の外側まで引き出され、2次元状に配列された圧力室152の列の間にまとめられて、圧力室152の列に沿って配線されている。
【0085】
この配線の形状を明確にするために、図12(a)中の円Bの部分を図12(b)に拡大して示す。
【0086】
図12(b)に示すように、ピエゾカバー164の表面に形成された凹凸形状の凸部164aに圧電素子駆動用配線160が形成され、凹部164bにセンサ用配線170が形成されている。
【0087】
なお、このときセンサ用配線170には配線抵抗を低くし、圧電素子駆動用配線160にはセンサ用配線170に比較して配線抵抗を高くすることが好ましい。
【0088】
センサは微小な圧力変化の検出に用いられ、高分解能を要求されるが、配線の抵抗が高いと損失が生じ、高分解能が得られなくなる。また、ノイズを拾うと誤検出となり、システム障害を生じるため、ノイズよりもおおきな出力を得る必要があり、低抵抗が必要となる。
【0089】
それに対して、圧電素子駆動用配線160の場合は、圧電素子までの各配線の抵抗をあわせる等の工夫をすることにより、抵抗が高くても問題とはならないからである。
【0090】
このように、基板(ピエゾカバー164)に凹凸形状を形成して、その凸部及び凹部にそれぞれ配線を形成することにより、高密度配線を実現することができ、液滴吐出ヘッド(インクジェットヘッド)を小型化することができる。
【0091】
また、上述したような製造工程を採用することにより、装置(液滴吐出ヘッド)の製造がより簡単になりコストの低減を図ることも可能となる。
【0092】
以上、本発明の配線基板とその製造方法及び液滴吐出ヘッドについて詳細に説明したが、本発明は、以上の例には限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変形を行ってもよいのはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【0093】
【図1】本発明の一実施形態に係る配線基板の概略を示す斜視図である。
【図2】図1中の2A−2B線に沿った断面図である。
【図3】(a)は、図2中の円Aの部分を拡大した拡大図であり、(b)は同じ部分の他の例を示す説明図である。
【図4】凹凸形状に形成された配線の他の例を示す断面図である。
【図5】(a)、(b)は、基板の反りを防止する凹凸形状の形成を示す説明図である。
【図6】(a)〜(d)は、配線基板の製造工程を示す説明図である。
【図7】(a)、(b)は凹凸形状の側面の金属薄膜を除去する方法を示す説明図である。
【図8】(a)〜(f)は、配線基板の他の製造方法を示す工程図である。
【図9】(a)〜(c)は、階段形状に配線を形成した基板の例を示す説明図である。
【図10】(a)〜(d)は、斜面上に高密度配線を形成した基板の例を示す説明図である。
【図11】本発明の高密度配線を応用したインク吐出ユニットの概略を示す断面図である。
【図12】(a)は、図11のインク吐出ユニットのピエゾカバーを圧力室側から見た様子を示す斜視図であり、(b)は、(a)中の円Bの部分を拡大した拡大図である。
【符号の説明】
【0094】
10…配線基板、12…基板、14…凸部、16…凹部、18…側面、20a、20b…配線、22…金属薄膜、24…スタンパ

【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板上に配線パターンが形成された配線基板であって、
前記基板の少なくとも1つの面に凹凸形状が形成され、前記凹凸形状の凹部と凸部の双方にそれぞれ配線パターンが形成されたことを特徴とする配線基板。
【請求項2】
前記凹部に形成される配線と、前記凸部に形成される配線とで、信号線と駆動線を切り分けて配線したことを特徴とする請求項1に記載の配線基板。
【請求項3】
前記凹部に形成される配線と、前記凸部に形成される配線とで、抵抗値が異なるようにしたことを特徴とする請求項1または2に記載の配線基板。
【請求項4】
前記基板に形成される凹凸形状を不均一に形成して、前記基板の反りを防止するようにしたことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の配線基板。
【請求項5】
凹凸形状が形成された基板の凹部と凸部の双方に配線パターンが形成された配線基板の製造方法であって、
基板上に金属薄膜を密着させて凹凸形状を有するスタンパで前記金属薄膜の上から加圧して、前記凹凸形状を前記基板に転写する工程と、
前記スタンパを除去した後、前記基板上に転写された凹凸形状の凹部及び凸部に接着された前記金属薄膜で形成される配線部上に電気メッキ処理を施して、前記配線部を厚膜化する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項6】
請求項5に記載の配線基板の製造方法であって、さらに、前記凹部に形成された配線部と前記凸部に形成された配線部とを絶縁する工程を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項7】
前記絶縁する工程は、前記スタンパの凸部側表面の表面粗さを粗くして、スタンパの上下移動の際、前記基板に転写された凸部側面の金属薄膜を除去して絶縁することを特徴とする請求項6に記載の配線基板の製造方法。
【請求項8】
前記絶縁する工程は、前記スタンパの凸部側面に逃げ形状を形成し、前記基板に転写された凸部側面に圧力がかからないようにして前記凸部側面の金属薄膜を除去して絶縁することを特徴とする請求項6に記載の配線基板の製造方法。
【請求項9】
請求項1〜4のいずれかに記載の配線基板を用いたことを特徴とする液滴吐出ヘッド。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【図9】
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【図10】
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【図11】
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【図12】
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【公開番号】特開2007−96283(P2007−96283A)
【公開日】平成19年4月12日(2007.4.12)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2006−229474(P2006−229474)
【出願日】平成18年8月25日(2006.8.25)
【出願人】(306037311)富士フイルム株式会社 (25,513)
【Fターム(参考)】