電子デバイス
【課題】アウトガスによる影響を防止することで電子部品特性の低下を防止可能な、電子デバイスを提供する。
【解決手段】少なくとも１つの凹部又は少なくとも１つの凸部からなる立体形状１７を有する接続電極３３，３４を有する基材３に電子部品１を実装する電子部品１の実装構造体２である。電子部品１は、所定の機能を有する機能片１１と、機能片１１に電気的に接続される導電部を含む被覆膜２５，２６により表面が覆われてなる第１の樹脂突起部２４と、第１の樹脂突起部２４により囲まれる領域の内側に設けられ、少なくとも表面に接着性を有する第２の樹脂突起部１５と、を有している。第２の樹脂突起部１５は、第１の樹脂突起部２４の弾性変形により被覆膜２５，２６における導電部を接続電極３３，３４に導電接触させ、立体形状１７と接続電極３３、３４に倣った状態に電子部品１を前記基材３に実装する。
【解決手段】少なくとも１つの凹部又は少なくとも１つの凸部からなる立体形状１７を有する接続電極３３，３４を有する基材３に電子部品１を実装する電子部品１の実装構造体２である。電子部品１は、所定の機能を有する機能片１１と、機能片１１に電気的に接続される導電部を含む被覆膜２５，２６により表面が覆われてなる第１の樹脂突起部２４と、第１の樹脂突起部２４により囲まれる領域の内側に設けられ、少なくとも表面に接着性を有する第２の樹脂突起部１５と、を有している。第２の樹脂突起部１５は、第１の樹脂突起部２４の弾性変形により被覆膜２５，２６における導電部を接続電極３３，３４に導電接触させ、立体形状１７と接続電極３３、３４に倣った状態に電子部品１を前記基材３に実装する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、水晶振動子等の機能片を含む電子部品は、水晶振動子に設けられた励振電極と水晶振動子を駆動する駆動回路に接続するための接続電極がハンダ等の導電ペーストにより導電接触した状態で基材に固定される（例えば、特許文献１参照）。このような導電ペーストを用いる場合、例えば落下衝撃などの衝撃が加わった際、水晶振動子と接続電極との接続部が破損するおそれがあり、接続信頼性を低下させる要因となっていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−２６１３６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
そこで、弾性を有するコア部と、コア部の表面に設けられた導電膜と、から構成されるバンプ電極を上記励振電極に設け、接着剤を介してバンプ電極と接続電極とを導電接触させる電子部品の実装構造も考えられる。しかしながら、このようなバンプ電極を採用する場合においては、接着剤から発生したアウトガスにより水晶振動子の振動特性を変化させ、信頼性を低下させる虞がある。
【０００５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、アウトガスによる影響を防止することで電子部品特性の低下を防止可能な、電子デバイスを提供することを一つの目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
［適用例１］上記課題を解決するために、本発明の電子デバイスは、所定の機能を有する機能片と、少なくとも１つの凹部又は少なくとも１つの凸部を有する立体形状が形成された接続電極を有する基材と、前記接続電極に電気的に接続される導電部を含む被覆膜により表面が覆われてなる第１の樹脂突起部と、を有し、前記機能片は前記第１の樹脂突起部に囲まれる領域の内側に設けられた第２の樹脂突起部によって前記基材に保持され、前記導電部と前記接続電極とが接触し電気的に接続されており、前記被覆膜における前記導電部は、前記立体形状の前記凹部に接触する凸面又は前記凸部に接触する凹面を有することを特徴とする。
【０００７】
このような構成によれば、電子部品に形成され、導電膜を含む被覆膜に覆われた第１の樹脂突起部を電気的接点に用いるとともに、第２の樹脂突起部を接着剤として機能させることで良好な導通状態を保持するとともに電子部品を基材上に搭載した電子デバイスが得られる。ここで、第１の樹脂突起部は被覆膜に覆われているため、第１の樹脂から発生するアウトガスの機能片への影響を防止することができる。また、第２の樹脂突起部は第１の樹脂突起部により周囲が囲まれ、第１の樹脂突突起部上の被覆膜は接続電極に形成された少なくとも１つの凹部又は少なくとも１つの凸部からなる立体形状に追従し変形しているため、立体形状の近傍には樹脂の弾性変形により立体形状以外の領域より大きな接触圧が発生し、密閉状態とされる。これにより、第２樹脂突起部から発生するアウトガスの被覆膜と接続電極の間からのリークを抑え機能片への影響を防止できる。よって、アウトガスに起因する電子デバイスの特性の低下を防止することができる。また第１、第２の樹脂突起の何れも弾性体を有しているため、外部からの衝撃が加わった場合でも導通部への不可を低減することができ、優れた導通信頼性を得ることができる。
【０００８】
［適用例２］本発明の電子デバイスは、所定の機能を有する機能片と、前記機能片に電気的に接続される導電部を含む被覆膜により表面が覆われてなる第１の樹脂突起部と、少なくとも１つの凹部又は少なくとも１つの凸部を有する立体形状が形成された接続電極を有する基材と、を有し、前記機能片は前記第１の樹脂に囲まれる領域の内側に設けられた第２の樹脂突起部によって前記基材に保持され、前記導電部と前記接続電極とが接触し電気的に接続されており、前記被覆膜における前記導電部は、前記立体形状の前記凹部に接触する凸面又は前記凸部に接触する凹面を有することを特徴とする。
【０００９】
このような構成によれば、基材上に形成され、被覆膜により覆われた第１の樹脂突起部を電気的接点に用いるとともに、第２の樹脂突起部を接着剤として機能させることで良好な導通状態を保持するとともに電子部品を基材上に搭載した電子デバイスが得られる。ここで、第１の樹脂突起部は被覆膜に覆われているため、第１の樹脂から発生するアウトガスの機能片への影響を防止できる。また、第２の樹脂突起部は第１の樹脂突起部により周囲が囲まれ、第１の樹脂突起部上の被覆膜は接続電極に形成された少なくとも１つの凹部又は少なくとも１つの凸部からなる立体形状により変形しているため、立体形状の近傍には樹脂の弾性変形により立体形状以外の接触している領域とくらべ大きな接触圧が発生し密閉状態とされる。これにより、第２の樹脂突起部から発生するアウトガスの被覆膜と接続電極の間からのリークを抑え機能片への影響を防止できる。よって、アウトガスに起因する電子部品の特性の低下を防止することができる。また、第１、第２の樹脂突起部のいずれも弾性を有しているため、外部からの衝撃が加わった場合でも導通部への負荷を低減することができ、すぐれた導通信頼性を得ることができる。
【００１０】
［適用例３］上記電子デバイスであって、前記接続電極に形成された前記立体形状は複数の凹凸部からなることを特徴とする電子デバイス
【００１１】
このような構成によれば、複数の凹部又は少なくとも１つの凸部からなる立体形状によって高い接触圧が発生する接触領域を複数形成することができる。よって、第２の樹脂突起部から発生するアウトガスの漏洩をより低減できる。
【００１２】
［適用例４］上記電子デバイスであって、前記接続電極に形成された少なくとも１つの凸部からなる前記立体形状の、前記第１の樹脂突起により囲まれる領域の外側と内側との境界線を最短となるように結んだ方向における幅は、前記被覆膜と前記接続電極との接触面の前記方向における幅より小さいことを特徴とする。
【００１３】
このような構成によれば、使用環境などの熱により第１の樹脂突起が変形し立体形状以外の接触領域で被覆膜と接続電極の接触が緩んだ場合であっても、立体形状部にはまだ接触圧がかかるため、アウトガスの漏洩を低減することができる。
【００１４】
［適用例５］上記電子デバイスであって、前記接続電極に形成された少なくとも１つの凹部又は少なくとも１つの凸部からなる前記立体形状は、前記第１の樹脂突起形状の相似形状となっていることを特徴とする。
【００１５】
このような構成によれば、立体形状を第１の樹脂形状と相似形状とすることにより、接触領域全周にわたって大きな接触圧が生じる領域を形成でき、アウトガスの漏洩を抑制することができる。
【００１６】
［適用例６］上記電子デバイスであって、前記機能片が、水晶片であることを特徴とする。
【００１７】
このような構成によれば、電子部品が水晶片を備えた水晶振動子を構成する。よって、上述のようにアウトガスによる水晶振動子の振動特性の劣化が防止されるとともに高い導通信頼性を備えた水晶振動子となる。
【００１８】
［適用例７］上記電子デバイスであって、前記第１の樹脂突起部及び前記第２の樹脂突起部は、同一の感光性樹脂材料から構成されていることを特徴とする。
【００１９】
このような構成によれば、例えばフォトリソ法により第１、第２の樹脂突起部を同時に形成することが可能とされる。よって、電子デバイスの製造工程が簡略化され、製造コストを低減できる。
【００２０】
［適用例８］上記電子デバイスであって、前記第１の樹脂突起部は前記第２の樹脂突起部より大きな圧縮変形をしていることを特徴とする。
【００２１】
このような構成によれば、あらかじめ第２の樹脂突起よりも高い第１の樹脂突起を形成することで、第２の樹脂突起が基材に接触するまでに第１の樹脂突起は樹脂の弾性により接触変形している。第２の樹脂突起が使用環境の温度変化により伸びた場合であっても、第１の樹脂には圧縮変形により蓄えられた弾性エネルギーがあるため被覆膜と接続電極との接触圧を維持することができ、アウトガスの漏洩を抑止することができる。
【００２２】
［適用例９］上記電子デバイスであって、前記第２の樹脂突起部の断面形状における幅が、前記第１の樹脂突起部の断面形状における幅よりも小さいことを特徴とする。
【００２３】
このような構成によれば、例えば、液体状の樹脂材料をスピンコート法等によって塗布、パターニングの後、樹脂を融解させることにより上記第１、第２の樹脂突起部を形成する場合、突起部の断面形状における幅を相対的に大きくすることで突起部の高さを相対的に高く形成することができる。よって、上述のような第２の樹脂突起部の高さを前記第１の樹脂突起部の高さよりも低く形成し、第１の樹脂突起を第２の樹脂突起より大きな圧縮変形させた状態で基材に電子部品を搭載することができる。
【００２４】
［適用例１０］上記電子デバイスであって、前記機能片に設けられた電極層により前記被覆膜が構成されことを特徴とする。
【００２５】
このような構成によれば、電子部品の製造時に、電極層とともに被覆膜を形成することができ、製造工程を簡略化できる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】水晶振動子パッケージの断面構成を示す図である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】水晶振動子を下方から視た図である。
【図４】基材を上方から視た図である。
【図５】図３におけるＡ−Ａ´線矢視断面構成を示す図である。
【図６】水晶振動子パッケージの断面構成を示す図である。
【図７】図６の平面図である。
【図８】基材を上方から視た図である。
【図９】水晶振動子を下方から視た図である。
【図１０】図８におけるＡ−Ａ´線矢視断面構成を示す図である。
【図１１】バンプ電極及び接着部の形成工程を示す図である。
【図１２】立体形状の形成工程を示す図である。
【図１３】水晶振動子の実装方法を説明するための図である。
【図１４】立体形状の実施例の断面図である。
【図１５】立体形状の実施例の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００２８】
（第１の実施形態）
第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態に係る電子デバイスを適用した水晶振動子パッケージを示す図である。図１は水晶振動子パッケージの断面構成を示す図であり、図２は図１の平面図、図３は水晶振動子を下方から視た図、図４は基材を上方から視た図である。また、図５（ａ）、（ｂ）は図３におけるＡ−Ａ´線矢視に対応する断面構成図であり、樹脂突起の形状を説明するための図である。
【００２９】
水晶振動子パッケージ（電子デバイス）２は、図１、２に示すように、水晶振動子（電子部品）１と、水晶振動子１との電気的接続に用いられ、１つの凸部からなる立体形状１７、１８が形成された接続電極３３、３４を有する水晶振動子１を搭載する基材３と、基材３に接合され水晶振動子を封止する蓋体４と、を備えている。水晶振動子１は、図１から図３に示すように、水晶片（機能片）１１と、水晶片１１を励振する一対の励振電極１２、１３と、バンプ電極１４と、接着部１５とを備えている。基材３は、図１から図２、図４に示すように、凸形状からなる立体形状１７、１８を有する接続電極３３、３４を備えている。
【００３０】
基材３は、ほぼ板状に形成されており、例えばセラミックスなどの絶縁材料で形成されている。そして、基材３の上面には、接続電極３３、３４が形成されている。また、基材３の下面には、回路基板（図示略）などに実装する際の端子電極３５、３６が形成されている。接続電極３３、３４それぞれは、例えばＷ膜上に形成されたＮｉめっき層上にＡｕ膜を積層することで構成されており、基材３に形成された配線（図示略）を介して端子電極３５、３６それぞれに接続されている。
【００３１】
立体形状１７、１８は、例えば接続電極３３、３４を形成する際に使われるＷ（タングステン）ペーストやＡｇ（銀）ペーストなどを印刷法やディスペンス法などで複数回塗布焼成することによって容易に形成できる。また、バンプ電極が接触した際に立体形状１７、１８が変形してしまう場合などにおいては、立体形状は接続電極３３、３４自体が凹凸をもつように形成してもよく、あらかじめ基材３に凹凸を形成し、その上に均一に接続電極３３、３４を形成することによって形成してもよい。あらかじめ基材３に凹凸を形成する方法としては、サンドブラスト法などの機械的加工方法などにより立体形状を形成することができる。なお、本実施形態では、立体形状１７、１８はバンプ電極１４を平面視した場合に、バンプ電極１４と相似形状に形成されている。
【００３２】
蓋体４は、基材３と同様に、例えばセラミックスなどの絶縁材料で形成されている。そして、蓋体４は、基材３の外周部にロウ付けなどにより接合されており、基材３との間に形成される空間内を真空状態や不活性ガス雰囲気などにした状態で水晶振動子１を封止する。
【００３３】
水晶片１１は、平面視でほぼＵ字状であって、基部２１から２つの腕部２２、２３が同一方向に並列して延びる音叉型の平面形状を有する板状部材である。一対の励振電極１２、１３それぞれは、例えばＡｌ（アルミニウム）やＡｕ（金）などの導電材料で形成されており、水晶片１１の一面に形成されている。そして、励振電極１２は、水晶片１１の一面において基部２１から腕部２２にわたって形成されている。また、励振電極１３は、水晶片１１の一面において基部２１から腕部２３にわたって形成されている。
【００３４】
バンプ電極１４は、基部２１の一面に形成されており、上記励振電極１２、１３に電気的に接続された状態に設けられている。バンプ電極１４は、図１及び図３に示すように、突起状の樹脂コア部（第１の樹脂突起部）２４と、樹脂コア部２４の表面に形成された一対の導電膜（被覆膜）２５、２６とを備えている。
【００３５】
導電膜２５、２６は、例えばスパッタ法などによる成膜後にパターニングすることで形成されている。本実施形態では、スパッタ法によって形成したＡｕ／Ｃｒ層をパターニングすることで励振電極１２、１３と連続して形成されており、励振電極１２、１３と導通している。すなわち、水晶振動子パッケージ２は、バンプ電極１４を水晶振動子１と基材３との電気的接点として利用している。
【００３６】
なお、導電膜２５、２６は、例えばＡｕ（金）、Ｐｔ（プラチナ）、ＴｉＷ（チタン／タングステン）、Ｃｕ（銅）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＶ（ニッケル／バナジウム）、Ａｌ、Ｐｄ（パラジウム）、鉛フリーハンダなどの金属や合金、これらの単層、或いは複数種を積層したもので形成してもよい。
【００３７】
図２に示すように、樹脂コア部２４は、平面視略、円環形状から構成されており、樹脂コア部２４を覆う導電膜２５、２６もそれぞれ円環形状となっている。また、樹脂コア部２４は、後述するようにフォトリソグラフィ技術やエッチング技術によって樹脂材料をパターニングした後、樹脂パターンを融解させることで断面形状が略半円状とされている。
【００３８】
樹脂コア部２４は上述のように導電膜２５、２６により覆われることから種々の樹脂材料を用いることができ、例えばポリイミド樹脂やアクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などの感光性絶縁樹脂や熱硬化性絶縁樹脂で形成されている（本実施形態では、エポキシ樹脂を用いた）。
【００３９】
さらに、基部２１の一面における上記樹脂コア部２４（バンプ電極１４）により囲まれる領域の内側には、突起状の接着部（第２の樹脂突起部）１５が設けられている。接着部１５は、図１に示されるように、バンプ電極１４を構成する樹脂コア部２４が後述する接続電極３３、３４それぞれの立体形状１７、１８に倣って弾性変形し、導電膜２５、２６を上記接続電極３３、３４に導電接触させた状態で水晶振動子１を基材３に実装（保持）可能となっている。図１に示すように、導電膜２５、２６は、立体形状１７、１８に接触する凹面が形成されている。導電膜に形成された凹面は、立体形状１７、１８を覆うように形成されており、凹面の縁が接続電極３３、３４に接触し、平面視において立体形状１７、１８と凹面とが重なって形成されている。水晶振動子１は、図１に示されるように基部２１が基材３に支持された片持ち支持構造となっている。
【００４０】
接着部１５は、少なくとも表面に接着性を有する材料であれば種々のものを用いることができ、具体的に本実施形態においては、接着部１５を上記樹脂コア部２４と同一材料（エポキシ樹脂）から構成している。このように樹脂コア部２４及び接着部１５を同一材料から構成することで、同一条件にてフォトリソ工程及びエッチング工程を行うことができ、製造工程を簡略化することができる。なお、接着部１５は、接着剤として機能しない樹脂の表面に接着性を有する接着層を別途形成することで構成してもよい。
【００４１】
図５（ａ）に示されるように、接着部１５の高さｈ１は、樹脂コア部２４の高さｈ２よりも低く設定されている。これにより樹脂コア部２４が上述のように弾性変形することで導電膜２５、２６と接続電極３３、３４とが密着し、接着部１５を確実に封止状態とすることができる。
【００４２】
また、図５（ｂ）に示されるように、接着部１５の断面形状における幅Ｂが、樹脂コア部２４の断面形状における幅Ａよりも小さく設定されている。このように接着部１５の幅Ｂを小さく設計することで、後述する製造工程において上述した接着部の高さｈ１を樹脂コア部２４の高さｈ２よりも低くする形状を容易に得る事ができる。
【００４３】
（第２の実施形態）
第２の実施形態について説明する。図６は第２の実施形態に係る電子デバイスを適用した水晶振動子パッケージを示す図である。図６は水晶振動子パッケージの断面構成を示す図であり、図７は図６の平面図、図８は基材を上方から観た図、図９は水晶振動子を下方から視た図である。
【００４４】
水晶振動子パッケージ（電子デバイス）２は、図６、７に示すように、水晶振動子（電子部品）１と、水晶振動子１を搭載する基材３と、基材３に接合され水晶振動子を封止する蓋体４と、を備えている。水晶振動子１は、図６から図７、図９に示すように、水晶片（機能片１１）と、水晶片１１を励振する一対の励振電極１２、１３と、凸形状からなる立体形状１７、１８を備えた接続電極１４とを備えている。基材３は、図６から図８に示すように、バンプ電極３３、３４と接着部１５とを備えている。
【００４５】
水晶片１１は、平面視でほぼＵ字状であって、基部２１から２つの腕部２２、２３が同一方向に並列して延びる音叉型の平面形状を有する板状部材である。一対の励振電極１２、１３それぞれは、例えばＡｌ（アルミニウム）やＡｕ（金）などの導電材料で形成されており、水晶片１１の一面に形成されている。そして、励振電極１２は、水晶片１１の一面において基部２１から腕部２２にわたって形成されている。また、励振電極１３は、水晶片１１の一面において基部２１から腕部２３にわたって形成されている。
【００４６】
接続電極１４は、基部２１の一面に形成されており、上記励振電極１２、１３に電気的に接続された状態に設けられている。接続電極１４は、図６および図８に示すように、立体形状１７、１８を備えている。
【００４７】
立体形状１７、１８は水晶片１１に形成された凸部に接続電極１４を均一な厚さとなるように形成することにより形成されている。凸部を形成する方法としては、研磨加工や切削加工などによる機械的な加工方法や、水晶片１１を形成する際に使用するものと同等な方法を用いて形成することができる。また、平坦な水晶片１１上に平坦な接続電極１４を形成した後に、エッチング法やめっき法などの加工方法を用いて接続電極１４に立体形状１７、１８を形成しても良い。本実施形態では、腕部２２をエッチング法により形成すると同時に、ハーフエッチング法を用いて立体形状１７、１８を基部２１に形成した。なお、本実施形態では、立体形状１７、１８はバンプ電極１４を平面視した場合に、バンプ電極１４と相似形状に形成されている。
【００４８】
蓋体４は、例えばセラミックスなどの絶縁材料などで形成されている。そして、蓋体４は、基材３の外周部にロウ付けなどにより接合されており、基材３との間に形成される空間内に水晶振動子１を封止する。
【００４９】
基材３は、ほぼ板状に形成されており、例えば酸化ケイ素などを表面に形成したシリコン基板などの材料で形成されている。そして、基材３の上面には、バンプ電極３３、３４が形成されている。また、基材３の下面には、回路基板（図示略）などに実装する際の端子電極３５、３６が形成されている。
【００５０】
バンプ電極３３、３４は基材３の一面に形成されており、端子接続電極３５、３６と電気的に接続された状態に設けられている。バンプ電極３３、３４は図６および図８に示すように、突起状の樹脂コア部（第１の樹脂突起部）２４と、樹脂コア部２４の表面に形成された一対の導電膜（被覆膜）２５、２６とを備えている。
【００５１】
導電膜２５、２６は、例えばスパッタ法などによる成膜後にパターニングすることで形成されている。本実施形態では、スパッタ法によって形成したＡｕ／Ｃｒ層をパターニングし形成した。
【００５２】
なお、導電膜２５、２６は、例えばＡｕ（金）、Ｐｔ（プラチナ）、ＴｉＷ（チタン／タングステン）、Ｃｕ（銅）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＶ（ニッケル／バナジウム）、Ａｌ、Ｐｄ（パラジウム）、鉛フリーはんだなどの金属や合金、これらの単層、或いは複数種を積層したもので形成しても良い。
【００５３】
端子電極３５、３６は例えばめっき法などによる導電層形成方法を用いることで形成されている。本実施形態では、基板をドライエッチング法で貫通口（図示略）を形成したのちＣＶＤ法により酸化ケイ素からなる絶縁膜を貫通口側面に形成し、電解Ｃｕ（銅）めっき法によりバンプ電極３３、３４と導通させると同時に端子電極３５、３６を形成した。
【００５４】
図８に示すように、樹脂コア部２４は、平面視略、円環形状から構成されており、樹脂コア部２４を覆う導電膜２５、２６は接着剤１５を配置する場所を円環形状にくりぬいた矩形パターンとなっている。また、樹脂コア部２４は、後述するようにフォトリソグラフィ技術やエッチング技術によって樹脂材料をパターニングした後、樹脂パターンを溶解させることで断面形状が略半円形状とされている。
【００５５】
樹脂コア部２４は上述のように導電膜２５、２６により覆われることから種々の樹脂材料を用いることができ、例えばポリイミド樹脂やアクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などの感光性絶縁樹脂や熱硬化性絶縁樹脂で形成されている（本実施形態では、エポキシ樹脂を用いた）。
【００５６】
さらに、基材３の一面における上記樹脂コア部２４（バンプ電極３３，３４）により囲まれる領域の内側には、突起状の接着部（第２の樹脂突起部）１５が設けられている。接着部１５は、図６に示されるように、バンプ電極３３、３４を構成する樹脂コア部２４が後述する接続電極３３、３４それぞれの立体形状１７、１８に倣って弾性変形し、導電膜２５、２６を上記接続電極３３、３４に導電接触させた状態で水晶振動子１を基材３に実装（保持）可能となっている。図６に示すように、導電膜２５、２６は、立体形状１７、１８に接触する凹面が形成されている。導電膜に形成された凹面は、立体形状１７、１８を覆うように形成されており、凹面の縁が励振電極１２、１３に接触し、平面視において立体形状１７、１８と凹面とが重なって形成されている。水晶振動子１は、図６に示されるように基部２１が基材３に支持された片持ち支持構造となっている。
【００５７】
接着部１５は、少なくとも表面に接着性が発現する材料であれば種々のものを用いることができ、具体的に本実施形態においては、接着部１５を上記樹脂コア部２４と同一材料（エポキシ樹脂）から構成している。このように樹脂コア部２４及び接着部１５を同一材料から構成することで、同一条件にてフォトリソ工程及びエッチング工程を行うことができ、製造工程を簡略化することができる。なお、接着部１５は、接着剤として機能しない樹脂の表面に接着性を有する接着層を別途形成することで構成してもよい。
【００５８】
図１０（ａ）に示されるように、接着部１５の高さｈ１は、樹脂コア部２４の高さｈ２よりも低く設定されている。これにより樹脂コア部２４が上述のように弾性変形することで導電膜２５、２６と接続電極３３、３４とが密着し、接着部１５を確実に封止状態とすることができる。
【００５９】
また、図１０（ｂ）に示されるように、接着部１５の断面形状における幅Ｂが、樹脂コア部２４の断面形状における幅Ａよりも小さく設定されている。このように接着部１５の幅Ｂを小さく設計することで、後述する製造工程において上述した接着部の高さｈ１を樹脂コア部２４の高さｈ２よりも低くする形状を容易に得る事ができる。
【００６０】
上述したように本実施形態に係る水晶振動子パッケージ２は、バンプ電極３３、３４を電気的接点として用い、接着部１５により良好な導通状態を保持するとともに水晶振動子１を基材３上に実装することができる。樹脂コア部２４は導電膜２５、２６によって覆われているため、樹脂コア部２４から発生するアウトガスが水晶振動子１（水晶片１１）の振動特性を低下させるといった不具合を防止できる。さらに、接着部１５は図１に示したように樹脂コア部２４が接続電極１４の表面形状１７、１８に倣って弾性変形することで導電膜２５，２６が密着した状態となる。すなわち、接着部１５はバンプ電極３３、３４により周囲が囲まれることで密閉状態とされる。これにより、接着部１５から発生するアウトガスが水晶振動子１（水晶片１１）の振動特性を低下させるといった不具合を防止できる。
【００６１】
このように本実施形態に係る水晶振動子パッケージ２によれば、樹脂材料から発生するアウトガスに起因する水晶振動子１（電子部品）の特性の低下を防止することができ、信頼性の高いものを提供できる。また、樹脂コア部２４及び接着部１５はいずれも弾性を有しているため、外部からの衝撃が加わった場合でもバンプ電極３３、３４及び接続電極１４における導通部への付加を軽減することができ、優れた導通信頼性を得ることができる。また、フォトリソグラフィ技術によりバンプ電極を作製することができるため、従来の導電ペーストより電極を小型化することができる。
【００６２】
本発明の電子部品の製造方法の一実施形態として、請求項１に記載の上記水晶振動子パッケージ２（水晶振動子１）を製造する工程について説明する。本実施形態では、上記バンプ電極１４、接着部１５及び立体形状１７を形成する工程に特徴を有している。そのため、以下ではバンプ電極１４、接着部１５及び立体形状１７を製造する方法を中心に説明する。
【００６３】
まず、図１１（ａ）に示すように、水晶片１１の一面にスピンコート法により感光性樹脂材料５０を塗布する。具体的に本実施形態では、後述の接着工程において接着剤としての機能を有するエポキシ樹脂を塗布した。続いて、露光及び現像工程を行う。具体的には、図１１（ｂ）に示すように、上記樹脂コア部２４を構成する第１の樹脂パターンＰ１と、上記接着部１５を構成する第２の樹脂パターンＰ２と、に対応する開口が形成されたフォトマスクＭを用いる。このフォトマスクＭは、第１の樹脂パターンＰ１に対応する第１の開口部Ｈ１の幅が、第２の樹脂パターンＰ２に対応する第２の開口部Ｈ２の幅よりも大きくなっている。なお、第２の開口部Ｈ２は、第１の開口部Ｈ１により囲まれる領域の内側に配置されている。
【００６４】
このようなフォトマスクＭを用いて露光処理及び現像処理を行うことで、図１１（ｃ）に示すように、水晶片１１上には第１の樹脂パターンＰ１及び第２の樹脂パターンＰ２が形成される。第１の樹脂パターンＰ１の断面形状における幅Ｈ１１は、第２の樹脂パターンＰ２の断面形状における幅Ｈ１２に比べ、大きくなっている。
【００６５】
このように本実施形態では、第１および第２の樹脂パターンＰ１、Ｐ２を同一の感光性樹脂材料から構成することで、同一のフォトリソプロセスによって形成することができる。これにより、製造プロセスの簡略化を図ることができる。また、第１および第２の樹脂パターンＰ１、Ｐ２はフォトリソ法によって形成するため、微細なパターンが形成可能である。
【００６６】
続いて、図１０（ｄ）に示すように、第１の樹脂パターンＰ１及び第２の樹脂パターンＰ２を加熱させ、融解させることにより半円状の樹脂コア部２４及び接着部１５を形成する。加熱方法としては種々の方法を例示することができ、本実施形態では、例えば水晶振動子１を加熱炉内に入れることで加熱処理を行った。
【００６７】
このとき、第１の樹脂パターンＰ１及び第２の樹脂パターンＰ２は融解するに従い、幅Ｈ１２の小さい第２の樹脂パターンＰ２が幅Ｈ１１の大きい第１の樹脂パターンＰ１に比べて高さが低くなる。これにより、水晶片１１上には樹脂コア部２４及び該樹脂コア部２４よりも高さの低い接着部１５が形成される。
【００６８】
このようにして樹脂コア部２４及び接着部１５を形成した後、水晶片１１上に励振電極１２、１３を構成する形成する。励振電極１２、１３は、例えばスパッタ法によりＡｕ／Ｃｒ層を成膜した後、所望の形状にパターニングする。具体的には、樹脂コア部２４を覆った状態にするとともに接着部１５を露出させるようにＡｕ／Ｃｒ層をパターニングする。これにより励振電極１２、１３及び樹脂コア部２４を覆う導電膜２５，２６を形成することができる。このように本実施形態においては、励振電極１２、１３の一部によって導電膜２５、２６を形成することで、製造プロセスを簡略化することができる。以上の工程により、励振電極１２、１３の接続部に樹脂コア部２４及び接着部１５を備えた水晶振動子１が製造できる。
【００６９】
次に基材３に立体形状１７を含む接続電極３３、３４を形成する工程について図１２を参照しながら説明する。ここで図１２は基材３の立体形状を形成する接続電極３３、３４を示す断面図である。図１２（a）に示すように、基材３にはあらかじめＷ（タングステン）ペーストを塗布（図示略）焼成し、ほぼ平坦な接続電極３３、３４が形成する。
【００７０】
続いて、図１２（ｂ）に示すように開口を有する印刷マスクＭを用いて接続電極３３、３４で用いたものと同じＷ（タングステン）ペーストをスクリーン印刷法を用いて塗布する。このときスクリーンＭの開口部にスキージＳを用いてＷペーストが充填され、そののちスクリーンＭを基材から離すと、図１２（ｃ）に示すように、接続電極３３、３４上にＷペーストが塗布された状態となる。この状態で加熱処理することにより接続電極３３、３４に立体形状１７が形成される。本実施形態では例えば基材３を加熱炉に入れることにより加熱処理を行った。さらにＷ（タングステン）ペースト状にＮｉ（ニッケル）、Ｐｄ（パラジウム）及びＡｕ（金）を順次めっきに積層（図示略）することによって立体形状１７を有する接続電極３３、３４を形成した。
【００７１】
次に、水晶振動子１の実装方法について、図１３を参照しながら説明する。ここで、図１３は水晶振動子１の基材３への実装時におけるバンプ電極１４を示す断面図である。まず、水晶振動子１に設けられたバンプ電極１４及び接着部１５を基材３に形成された接続電極３３、３４に対して接触、押圧させる（図１３（ａ）、図１３（ｂ）参照）。なお、水晶振動子１の実装は加熱しながら行われる。
【００７２】
このとき、樹脂コア部２４は、弾性変形して接続電極３３、３４および立体形状１７、１８の形状に倣う。そして、導電膜２５が樹脂コア部２４の弾性変形に伴って接続電極３３の表面形状と立体形状１７、１８の表面形状に倣うと共に、導電膜２６が接続電極３４の表面形状と立体形状１７、１８の表面形状に倣う。これにより、導電膜２５及び接続電極３３と導電膜２６及び接続電極３４とが、それぞれ十分な接触面積で導電接触する。また、樹脂コア部２４よりも高さの低い接着部１５が接続電極３３、３４に接触する。そして、接着部１５を硬化させる。よって、接着部１５は、樹脂コア部２４の弾性変形によりバンプ電極１４と接続電極３３、３４とを接着し、導電膜２５及び接続電極３３と導電膜２６及び接続電極３４とのそれぞれの接触状態を保持することができる。
【００７３】
図１３に示すように、導電膜２５、２６と接続電極３３、３４との接触面において、バンプ電極１４により形成される円環を平面視した場合に、円環の外側の境界線と内側の境界線との間隔が最短となるように結んだ方向に関して、立体形状１７、１８の幅Ｗ２は、導電膜２５、２６と接続電極３３、３４との接触面の幅Ｗ１よりも小さくなるように形成されている。
【００７４】
以上のようにして、水晶振動子１を基材３に実装する。その後、基材３と蓋体４とを接合して水晶振動子１を封止する。このようにして、水晶振動子パッケージ２が形成される。このとき、樹脂コア部２４は導電膜２５、２６によって覆われているため、樹脂コア部２４から発生するアウトガスが水晶振動子１（水晶片１１）の振動特性を低下させることが防止される。さらに、接着部１５はバンプ電極１４により周囲が囲まれることで図６（ｂ）に示すように密閉状態となっており、接着部１５から発生するアウトガスが水晶振動子１（水晶片１１）の振動特性を低下させることが防止される。このようにして形成される水晶振動子パッケージ２によれば、樹脂材料から発生するアウトガスに起因する水晶振動子１の特性の低下を防止することで信頼性の高いものとなる。また、水晶振動子１と基材３との接続部分に例えば落下衝撃などの衝撃が加わった際、樹脂コア部２４が弾性変形してこの衝撃を吸収する。
【００７５】
立体形状１７、１８は図１４に示すように、少なくとも１つの凹部又は少なくとも１つの凸部から形成される。また図１５に示すように少なくともバンプ電極１４と接続電極３３、３４との接触領域に立体形状１７、１８が配置されていれば本発明の効果を発揮できるため、例えば図１５（ｄ）のように接続電極３３、３４の全面に立体形状１７、１８を形成してもよい。このようにすることで、厳密に水晶振動子１と基材３の位置合わせを行わなくても本発明の効果が得られ、安価な装置で製造することが可能となる。
【００７６】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において種々の変更を加えることが可能である。例えば、上記実施形態では平面視円環状のバンプ電極１４内に接着部１５を一つだけ設ける構成としたが、接着部１５を複数配置することで水晶振動子１における本体３１への接着強度を向上させるようにしてもよい。また、上記実施形態では、接着部１５が平面視円形形状のものとしたが、蒲鉾状に形成してもよい。蒲鉾状とは、水晶片１１に接する内面（底面）が平面であると共に、非接触である外面側が湾曲面となっている柱状形状をいう。具体的に、ほぼ蒲鉾状とは、横断面がほぼ半円状やほぼ半楕円状、ほぼ台形状であるものが挙げられる。
【符号の説明】
【００７７】
１…水晶振動子（電子部品）、２…水晶振動子パッケージ（電子部品デバイス）、３…基材、４…蓋体、１１…水晶片（機能片）、１２，１３…励振電極、１５…接着部（第２の樹脂突起部）、１７、１８…立体形状、２４…樹脂コア（第１の樹脂突起部）、２５，２６…導電膜（被覆膜、導電部）、３３，３４…接続電極、５０…感光性樹脂材料、Ｐ１…第１の樹脂パターン、Ｐ２…第２の樹脂パターン。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、水晶振動子等の機能片を含む電子部品は、水晶振動子に設けられた励振電極と水晶振動子を駆動する駆動回路に接続するための接続電極がハンダ等の導電ペーストにより導電接触した状態で基材に固定される（例えば、特許文献１参照）。このような導電ペーストを用いる場合、例えば落下衝撃などの衝撃が加わった際、水晶振動子と接続電極との接続部が破損するおそれがあり、接続信頼性を低下させる要因となっていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−２６１３６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
そこで、弾性を有するコア部と、コア部の表面に設けられた導電膜と、から構成されるバンプ電極を上記励振電極に設け、接着剤を介してバンプ電極と接続電極とを導電接触させる電子部品の実装構造も考えられる。しかしながら、このようなバンプ電極を採用する場合においては、接着剤から発生したアウトガスにより水晶振動子の振動特性を変化させ、信頼性を低下させる虞がある。
【０００５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、アウトガスによる影響を防止することで電子部品特性の低下を防止可能な、電子デバイスを提供することを一つの目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
［適用例１］上記課題を解決するために、本発明の電子デバイスは、所定の機能を有する機能片と、少なくとも１つの凹部又は少なくとも１つの凸部を有する立体形状が形成された接続電極を有する基材と、前記接続電極に電気的に接続される導電部を含む被覆膜により表面が覆われてなる第１の樹脂突起部と、を有し、前記機能片は前記第１の樹脂突起部に囲まれる領域の内側に設けられた第２の樹脂突起部によって前記基材に保持され、前記導電部と前記接続電極とが接触し電気的に接続されており、前記被覆膜における前記導電部は、前記立体形状の前記凹部に接触する凸面又は前記凸部に接触する凹面を有することを特徴とする。
【０００７】
このような構成によれば、電子部品に形成され、導電膜を含む被覆膜に覆われた第１の樹脂突起部を電気的接点に用いるとともに、第２の樹脂突起部を接着剤として機能させることで良好な導通状態を保持するとともに電子部品を基材上に搭載した電子デバイスが得られる。ここで、第１の樹脂突起部は被覆膜に覆われているため、第１の樹脂から発生するアウトガスの機能片への影響を防止することができる。また、第２の樹脂突起部は第１の樹脂突起部により周囲が囲まれ、第１の樹脂突突起部上の被覆膜は接続電極に形成された少なくとも１つの凹部又は少なくとも１つの凸部からなる立体形状に追従し変形しているため、立体形状の近傍には樹脂の弾性変形により立体形状以外の領域より大きな接触圧が発生し、密閉状態とされる。これにより、第２樹脂突起部から発生するアウトガスの被覆膜と接続電極の間からのリークを抑え機能片への影響を防止できる。よって、アウトガスに起因する電子デバイスの特性の低下を防止することができる。また第１、第２の樹脂突起の何れも弾性体を有しているため、外部からの衝撃が加わった場合でも導通部への不可を低減することができ、優れた導通信頼性を得ることができる。
【０００８】
［適用例２］本発明の電子デバイスは、所定の機能を有する機能片と、前記機能片に電気的に接続される導電部を含む被覆膜により表面が覆われてなる第１の樹脂突起部と、少なくとも１つの凹部又は少なくとも１つの凸部を有する立体形状が形成された接続電極を有する基材と、を有し、前記機能片は前記第１の樹脂に囲まれる領域の内側に設けられた第２の樹脂突起部によって前記基材に保持され、前記導電部と前記接続電極とが接触し電気的に接続されており、前記被覆膜における前記導電部は、前記立体形状の前記凹部に接触する凸面又は前記凸部に接触する凹面を有することを特徴とする。
【０００９】
このような構成によれば、基材上に形成され、被覆膜により覆われた第１の樹脂突起部を電気的接点に用いるとともに、第２の樹脂突起部を接着剤として機能させることで良好な導通状態を保持するとともに電子部品を基材上に搭載した電子デバイスが得られる。ここで、第１の樹脂突起部は被覆膜に覆われているため、第１の樹脂から発生するアウトガスの機能片への影響を防止できる。また、第２の樹脂突起部は第１の樹脂突起部により周囲が囲まれ、第１の樹脂突起部上の被覆膜は接続電極に形成された少なくとも１つの凹部又は少なくとも１つの凸部からなる立体形状により変形しているため、立体形状の近傍には樹脂の弾性変形により立体形状以外の接触している領域とくらべ大きな接触圧が発生し密閉状態とされる。これにより、第２の樹脂突起部から発生するアウトガスの被覆膜と接続電極の間からのリークを抑え機能片への影響を防止できる。よって、アウトガスに起因する電子部品の特性の低下を防止することができる。また、第１、第２の樹脂突起部のいずれも弾性を有しているため、外部からの衝撃が加わった場合でも導通部への負荷を低減することができ、すぐれた導通信頼性を得ることができる。
【００１０】
［適用例３］上記電子デバイスであって、前記接続電極に形成された前記立体形状は複数の凹凸部からなることを特徴とする電子デバイス
【００１１】
このような構成によれば、複数の凹部又は少なくとも１つの凸部からなる立体形状によって高い接触圧が発生する接触領域を複数形成することができる。よって、第２の樹脂突起部から発生するアウトガスの漏洩をより低減できる。
【００１２】
［適用例４］上記電子デバイスであって、前記接続電極に形成された少なくとも１つの凸部からなる前記立体形状の、前記第１の樹脂突起により囲まれる領域の外側と内側との境界線を最短となるように結んだ方向における幅は、前記被覆膜と前記接続電極との接触面の前記方向における幅より小さいことを特徴とする。
【００１３】
このような構成によれば、使用環境などの熱により第１の樹脂突起が変形し立体形状以外の接触領域で被覆膜と接続電極の接触が緩んだ場合であっても、立体形状部にはまだ接触圧がかかるため、アウトガスの漏洩を低減することができる。
【００１４】
［適用例５］上記電子デバイスであって、前記接続電極に形成された少なくとも１つの凹部又は少なくとも１つの凸部からなる前記立体形状は、前記第１の樹脂突起形状の相似形状となっていることを特徴とする。
【００１５】
このような構成によれば、立体形状を第１の樹脂形状と相似形状とすることにより、接触領域全周にわたって大きな接触圧が生じる領域を形成でき、アウトガスの漏洩を抑制することができる。
【００１６】
［適用例６］上記電子デバイスであって、前記機能片が、水晶片であることを特徴とする。
【００１７】
このような構成によれば、電子部品が水晶片を備えた水晶振動子を構成する。よって、上述のようにアウトガスによる水晶振動子の振動特性の劣化が防止されるとともに高い導通信頼性を備えた水晶振動子となる。
【００１８】
［適用例７］上記電子デバイスであって、前記第１の樹脂突起部及び前記第２の樹脂突起部は、同一の感光性樹脂材料から構成されていることを特徴とする。
【００１９】
このような構成によれば、例えばフォトリソ法により第１、第２の樹脂突起部を同時に形成することが可能とされる。よって、電子デバイスの製造工程が簡略化され、製造コストを低減できる。
【００２０】
［適用例８］上記電子デバイスであって、前記第１の樹脂突起部は前記第２の樹脂突起部より大きな圧縮変形をしていることを特徴とする。
【００２１】
このような構成によれば、あらかじめ第２の樹脂突起よりも高い第１の樹脂突起を形成することで、第２の樹脂突起が基材に接触するまでに第１の樹脂突起は樹脂の弾性により接触変形している。第２の樹脂突起が使用環境の温度変化により伸びた場合であっても、第１の樹脂には圧縮変形により蓄えられた弾性エネルギーがあるため被覆膜と接続電極との接触圧を維持することができ、アウトガスの漏洩を抑止することができる。
【００２２】
［適用例９］上記電子デバイスであって、前記第２の樹脂突起部の断面形状における幅が、前記第１の樹脂突起部の断面形状における幅よりも小さいことを特徴とする。
【００２３】
このような構成によれば、例えば、液体状の樹脂材料をスピンコート法等によって塗布、パターニングの後、樹脂を融解させることにより上記第１、第２の樹脂突起部を形成する場合、突起部の断面形状における幅を相対的に大きくすることで突起部の高さを相対的に高く形成することができる。よって、上述のような第２の樹脂突起部の高さを前記第１の樹脂突起部の高さよりも低く形成し、第１の樹脂突起を第２の樹脂突起より大きな圧縮変形させた状態で基材に電子部品を搭載することができる。
【００２４】
［適用例１０］上記電子デバイスであって、前記機能片に設けられた電極層により前記被覆膜が構成されことを特徴とする。
【００２５】
このような構成によれば、電子部品の製造時に、電極層とともに被覆膜を形成することができ、製造工程を簡略化できる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】水晶振動子パッケージの断面構成を示す図である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】水晶振動子を下方から視た図である。
【図４】基材を上方から視た図である。
【図５】図３におけるＡ−Ａ´線矢視断面構成を示す図である。
【図６】水晶振動子パッケージの断面構成を示す図である。
【図７】図６の平面図である。
【図８】基材を上方から視た図である。
【図９】水晶振動子を下方から視た図である。
【図１０】図８におけるＡ−Ａ´線矢視断面構成を示す図である。
【図１１】バンプ電極及び接着部の形成工程を示す図である。
【図１２】立体形状の形成工程を示す図である。
【図１３】水晶振動子の実装方法を説明するための図である。
【図１４】立体形状の実施例の断面図である。
【図１５】立体形状の実施例の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００２８】
（第１の実施形態）
第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態に係る電子デバイスを適用した水晶振動子パッケージを示す図である。図１は水晶振動子パッケージの断面構成を示す図であり、図２は図１の平面図、図３は水晶振動子を下方から視た図、図４は基材を上方から視た図である。また、図５（ａ）、（ｂ）は図３におけるＡ−Ａ´線矢視に対応する断面構成図であり、樹脂突起の形状を説明するための図である。
【００２９】
水晶振動子パッケージ（電子デバイス）２は、図１、２に示すように、水晶振動子（電子部品）１と、水晶振動子１との電気的接続に用いられ、１つの凸部からなる立体形状１７、１８が形成された接続電極３３、３４を有する水晶振動子１を搭載する基材３と、基材３に接合され水晶振動子を封止する蓋体４と、を備えている。水晶振動子１は、図１から図３に示すように、水晶片（機能片）１１と、水晶片１１を励振する一対の励振電極１２、１３と、バンプ電極１４と、接着部１５とを備えている。基材３は、図１から図２、図４に示すように、凸形状からなる立体形状１７、１８を有する接続電極３３、３４を備えている。
【００３０】
基材３は、ほぼ板状に形成されており、例えばセラミックスなどの絶縁材料で形成されている。そして、基材３の上面には、接続電極３３、３４が形成されている。また、基材３の下面には、回路基板（図示略）などに実装する際の端子電極３５、３６が形成されている。接続電極３３、３４それぞれは、例えばＷ膜上に形成されたＮｉめっき層上にＡｕ膜を積層することで構成されており、基材３に形成された配線（図示略）を介して端子電極３５、３６それぞれに接続されている。
【００３１】
立体形状１７、１８は、例えば接続電極３３、３４を形成する際に使われるＷ（タングステン）ペーストやＡｇ（銀）ペーストなどを印刷法やディスペンス法などで複数回塗布焼成することによって容易に形成できる。また、バンプ電極が接触した際に立体形状１７、１８が変形してしまう場合などにおいては、立体形状は接続電極３３、３４自体が凹凸をもつように形成してもよく、あらかじめ基材３に凹凸を形成し、その上に均一に接続電極３３、３４を形成することによって形成してもよい。あらかじめ基材３に凹凸を形成する方法としては、サンドブラスト法などの機械的加工方法などにより立体形状を形成することができる。なお、本実施形態では、立体形状１７、１８はバンプ電極１４を平面視した場合に、バンプ電極１４と相似形状に形成されている。
【００３２】
蓋体４は、基材３と同様に、例えばセラミックスなどの絶縁材料で形成されている。そして、蓋体４は、基材３の外周部にロウ付けなどにより接合されており、基材３との間に形成される空間内を真空状態や不活性ガス雰囲気などにした状態で水晶振動子１を封止する。
【００３３】
水晶片１１は、平面視でほぼＵ字状であって、基部２１から２つの腕部２２、２３が同一方向に並列して延びる音叉型の平面形状を有する板状部材である。一対の励振電極１２、１３それぞれは、例えばＡｌ（アルミニウム）やＡｕ（金）などの導電材料で形成されており、水晶片１１の一面に形成されている。そして、励振電極１２は、水晶片１１の一面において基部２１から腕部２２にわたって形成されている。また、励振電極１３は、水晶片１１の一面において基部２１から腕部２３にわたって形成されている。
【００３４】
バンプ電極１４は、基部２１の一面に形成されており、上記励振電極１２、１３に電気的に接続された状態に設けられている。バンプ電極１４は、図１及び図３に示すように、突起状の樹脂コア部（第１の樹脂突起部）２４と、樹脂コア部２４の表面に形成された一対の導電膜（被覆膜）２５、２６とを備えている。
【００３５】
導電膜２５、２６は、例えばスパッタ法などによる成膜後にパターニングすることで形成されている。本実施形態では、スパッタ法によって形成したＡｕ／Ｃｒ層をパターニングすることで励振電極１２、１３と連続して形成されており、励振電極１２、１３と導通している。すなわち、水晶振動子パッケージ２は、バンプ電極１４を水晶振動子１と基材３との電気的接点として利用している。
【００３６】
なお、導電膜２５、２６は、例えばＡｕ（金）、Ｐｔ（プラチナ）、ＴｉＷ（チタン／タングステン）、Ｃｕ（銅）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＶ（ニッケル／バナジウム）、Ａｌ、Ｐｄ（パラジウム）、鉛フリーハンダなどの金属や合金、これらの単層、或いは複数種を積層したもので形成してもよい。
【００３７】
図２に示すように、樹脂コア部２４は、平面視略、円環形状から構成されており、樹脂コア部２４を覆う導電膜２５、２６もそれぞれ円環形状となっている。また、樹脂コア部２４は、後述するようにフォトリソグラフィ技術やエッチング技術によって樹脂材料をパターニングした後、樹脂パターンを融解させることで断面形状が略半円状とされている。
【００３８】
樹脂コア部２４は上述のように導電膜２５、２６により覆われることから種々の樹脂材料を用いることができ、例えばポリイミド樹脂やアクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などの感光性絶縁樹脂や熱硬化性絶縁樹脂で形成されている（本実施形態では、エポキシ樹脂を用いた）。
【００３９】
さらに、基部２１の一面における上記樹脂コア部２４（バンプ電極１４）により囲まれる領域の内側には、突起状の接着部（第２の樹脂突起部）１５が設けられている。接着部１５は、図１に示されるように、バンプ電極１４を構成する樹脂コア部２４が後述する接続電極３３、３４それぞれの立体形状１７、１８に倣って弾性変形し、導電膜２５、２６を上記接続電極３３、３４に導電接触させた状態で水晶振動子１を基材３に実装（保持）可能となっている。図１に示すように、導電膜２５、２６は、立体形状１７、１８に接触する凹面が形成されている。導電膜に形成された凹面は、立体形状１７、１８を覆うように形成されており、凹面の縁が接続電極３３、３４に接触し、平面視において立体形状１７、１８と凹面とが重なって形成されている。水晶振動子１は、図１に示されるように基部２１が基材３に支持された片持ち支持構造となっている。
【００４０】
接着部１５は、少なくとも表面に接着性を有する材料であれば種々のものを用いることができ、具体的に本実施形態においては、接着部１５を上記樹脂コア部２４と同一材料（エポキシ樹脂）から構成している。このように樹脂コア部２４及び接着部１５を同一材料から構成することで、同一条件にてフォトリソ工程及びエッチング工程を行うことができ、製造工程を簡略化することができる。なお、接着部１５は、接着剤として機能しない樹脂の表面に接着性を有する接着層を別途形成することで構成してもよい。
【００４１】
図５（ａ）に示されるように、接着部１５の高さｈ１は、樹脂コア部２４の高さｈ２よりも低く設定されている。これにより樹脂コア部２４が上述のように弾性変形することで導電膜２５、２６と接続電極３３、３４とが密着し、接着部１５を確実に封止状態とすることができる。
【００４２】
また、図５（ｂ）に示されるように、接着部１５の断面形状における幅Ｂが、樹脂コア部２４の断面形状における幅Ａよりも小さく設定されている。このように接着部１５の幅Ｂを小さく設計することで、後述する製造工程において上述した接着部の高さｈ１を樹脂コア部２４の高さｈ２よりも低くする形状を容易に得る事ができる。
【００４３】
（第２の実施形態）
第２の実施形態について説明する。図６は第２の実施形態に係る電子デバイスを適用した水晶振動子パッケージを示す図である。図６は水晶振動子パッケージの断面構成を示す図であり、図７は図６の平面図、図８は基材を上方から観た図、図９は水晶振動子を下方から視た図である。
【００４４】
水晶振動子パッケージ（電子デバイス）２は、図６、７に示すように、水晶振動子（電子部品）１と、水晶振動子１を搭載する基材３と、基材３に接合され水晶振動子を封止する蓋体４と、を備えている。水晶振動子１は、図６から図７、図９に示すように、水晶片（機能片１１）と、水晶片１１を励振する一対の励振電極１２、１３と、凸形状からなる立体形状１７、１８を備えた接続電極１４とを備えている。基材３は、図６から図８に示すように、バンプ電極３３、３４と接着部１５とを備えている。
【００４５】
水晶片１１は、平面視でほぼＵ字状であって、基部２１から２つの腕部２２、２３が同一方向に並列して延びる音叉型の平面形状を有する板状部材である。一対の励振電極１２、１３それぞれは、例えばＡｌ（アルミニウム）やＡｕ（金）などの導電材料で形成されており、水晶片１１の一面に形成されている。そして、励振電極１２は、水晶片１１の一面において基部２１から腕部２２にわたって形成されている。また、励振電極１３は、水晶片１１の一面において基部２１から腕部２３にわたって形成されている。
【００４６】
接続電極１４は、基部２１の一面に形成されており、上記励振電極１２、１３に電気的に接続された状態に設けられている。接続電極１４は、図６および図８に示すように、立体形状１７、１８を備えている。
【００４７】
立体形状１７、１８は水晶片１１に形成された凸部に接続電極１４を均一な厚さとなるように形成することにより形成されている。凸部を形成する方法としては、研磨加工や切削加工などによる機械的な加工方法や、水晶片１１を形成する際に使用するものと同等な方法を用いて形成することができる。また、平坦な水晶片１１上に平坦な接続電極１４を形成した後に、エッチング法やめっき法などの加工方法を用いて接続電極１４に立体形状１７、１８を形成しても良い。本実施形態では、腕部２２をエッチング法により形成すると同時に、ハーフエッチング法を用いて立体形状１７、１８を基部２１に形成した。なお、本実施形態では、立体形状１７、１８はバンプ電極１４を平面視した場合に、バンプ電極１４と相似形状に形成されている。
【００４８】
蓋体４は、例えばセラミックスなどの絶縁材料などで形成されている。そして、蓋体４は、基材３の外周部にロウ付けなどにより接合されており、基材３との間に形成される空間内に水晶振動子１を封止する。
【００４９】
基材３は、ほぼ板状に形成されており、例えば酸化ケイ素などを表面に形成したシリコン基板などの材料で形成されている。そして、基材３の上面には、バンプ電極３３、３４が形成されている。また、基材３の下面には、回路基板（図示略）などに実装する際の端子電極３５、３６が形成されている。
【００５０】
バンプ電極３３、３４は基材３の一面に形成されており、端子接続電極３５、３６と電気的に接続された状態に設けられている。バンプ電極３３、３４は図６および図８に示すように、突起状の樹脂コア部（第１の樹脂突起部）２４と、樹脂コア部２４の表面に形成された一対の導電膜（被覆膜）２５、２６とを備えている。
【００５１】
導電膜２５、２６は、例えばスパッタ法などによる成膜後にパターニングすることで形成されている。本実施形態では、スパッタ法によって形成したＡｕ／Ｃｒ層をパターニングし形成した。
【００５２】
なお、導電膜２５、２６は、例えばＡｕ（金）、Ｐｔ（プラチナ）、ＴｉＷ（チタン／タングステン）、Ｃｕ（銅）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＶ（ニッケル／バナジウム）、Ａｌ、Ｐｄ（パラジウム）、鉛フリーはんだなどの金属や合金、これらの単層、或いは複数種を積層したもので形成しても良い。
【００５３】
端子電極３５、３６は例えばめっき法などによる導電層形成方法を用いることで形成されている。本実施形態では、基板をドライエッチング法で貫通口（図示略）を形成したのちＣＶＤ法により酸化ケイ素からなる絶縁膜を貫通口側面に形成し、電解Ｃｕ（銅）めっき法によりバンプ電極３３、３４と導通させると同時に端子電極３５、３６を形成した。
【００５４】
図８に示すように、樹脂コア部２４は、平面視略、円環形状から構成されており、樹脂コア部２４を覆う導電膜２５、２６は接着剤１５を配置する場所を円環形状にくりぬいた矩形パターンとなっている。また、樹脂コア部２４は、後述するようにフォトリソグラフィ技術やエッチング技術によって樹脂材料をパターニングした後、樹脂パターンを溶解させることで断面形状が略半円形状とされている。
【００５５】
樹脂コア部２４は上述のように導電膜２５、２６により覆われることから種々の樹脂材料を用いることができ、例えばポリイミド樹脂やアクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などの感光性絶縁樹脂や熱硬化性絶縁樹脂で形成されている（本実施形態では、エポキシ樹脂を用いた）。
【００５６】
さらに、基材３の一面における上記樹脂コア部２４（バンプ電極３３，３４）により囲まれる領域の内側には、突起状の接着部（第２の樹脂突起部）１５が設けられている。接着部１５は、図６に示されるように、バンプ電極３３、３４を構成する樹脂コア部２４が後述する接続電極３３、３４それぞれの立体形状１７、１８に倣って弾性変形し、導電膜２５、２６を上記接続電極３３、３４に導電接触させた状態で水晶振動子１を基材３に実装（保持）可能となっている。図６に示すように、導電膜２５、２６は、立体形状１７、１８に接触する凹面が形成されている。導電膜に形成された凹面は、立体形状１７、１８を覆うように形成されており、凹面の縁が励振電極１２、１３に接触し、平面視において立体形状１７、１８と凹面とが重なって形成されている。水晶振動子１は、図６に示されるように基部２１が基材３に支持された片持ち支持構造となっている。
【００５７】
接着部１５は、少なくとも表面に接着性が発現する材料であれば種々のものを用いることができ、具体的に本実施形態においては、接着部１５を上記樹脂コア部２４と同一材料（エポキシ樹脂）から構成している。このように樹脂コア部２４及び接着部１５を同一材料から構成することで、同一条件にてフォトリソ工程及びエッチング工程を行うことができ、製造工程を簡略化することができる。なお、接着部１５は、接着剤として機能しない樹脂の表面に接着性を有する接着層を別途形成することで構成してもよい。
【００５８】
図１０（ａ）に示されるように、接着部１５の高さｈ１は、樹脂コア部２４の高さｈ２よりも低く設定されている。これにより樹脂コア部２４が上述のように弾性変形することで導電膜２５、２６と接続電極３３、３４とが密着し、接着部１５を確実に封止状態とすることができる。
【００５９】
また、図１０（ｂ）に示されるように、接着部１５の断面形状における幅Ｂが、樹脂コア部２４の断面形状における幅Ａよりも小さく設定されている。このように接着部１５の幅Ｂを小さく設計することで、後述する製造工程において上述した接着部の高さｈ１を樹脂コア部２４の高さｈ２よりも低くする形状を容易に得る事ができる。
【００６０】
上述したように本実施形態に係る水晶振動子パッケージ２は、バンプ電極３３、３４を電気的接点として用い、接着部１５により良好な導通状態を保持するとともに水晶振動子１を基材３上に実装することができる。樹脂コア部２４は導電膜２５、２６によって覆われているため、樹脂コア部２４から発生するアウトガスが水晶振動子１（水晶片１１）の振動特性を低下させるといった不具合を防止できる。さらに、接着部１５は図１に示したように樹脂コア部２４が接続電極１４の表面形状１７、１８に倣って弾性変形することで導電膜２５，２６が密着した状態となる。すなわち、接着部１５はバンプ電極３３、３４により周囲が囲まれることで密閉状態とされる。これにより、接着部１５から発生するアウトガスが水晶振動子１（水晶片１１）の振動特性を低下させるといった不具合を防止できる。
【００６１】
このように本実施形態に係る水晶振動子パッケージ２によれば、樹脂材料から発生するアウトガスに起因する水晶振動子１（電子部品）の特性の低下を防止することができ、信頼性の高いものを提供できる。また、樹脂コア部２４及び接着部１５はいずれも弾性を有しているため、外部からの衝撃が加わった場合でもバンプ電極３３、３４及び接続電極１４における導通部への付加を軽減することができ、優れた導通信頼性を得ることができる。また、フォトリソグラフィ技術によりバンプ電極を作製することができるため、従来の導電ペーストより電極を小型化することができる。
【００６２】
本発明の電子部品の製造方法の一実施形態として、請求項１に記載の上記水晶振動子パッケージ２（水晶振動子１）を製造する工程について説明する。本実施形態では、上記バンプ電極１４、接着部１５及び立体形状１７を形成する工程に特徴を有している。そのため、以下ではバンプ電極１４、接着部１５及び立体形状１７を製造する方法を中心に説明する。
【００６３】
まず、図１１（ａ）に示すように、水晶片１１の一面にスピンコート法により感光性樹脂材料５０を塗布する。具体的に本実施形態では、後述の接着工程において接着剤としての機能を有するエポキシ樹脂を塗布した。続いて、露光及び現像工程を行う。具体的には、図１１（ｂ）に示すように、上記樹脂コア部２４を構成する第１の樹脂パターンＰ１と、上記接着部１５を構成する第２の樹脂パターンＰ２と、に対応する開口が形成されたフォトマスクＭを用いる。このフォトマスクＭは、第１の樹脂パターンＰ１に対応する第１の開口部Ｈ１の幅が、第２の樹脂パターンＰ２に対応する第２の開口部Ｈ２の幅よりも大きくなっている。なお、第２の開口部Ｈ２は、第１の開口部Ｈ１により囲まれる領域の内側に配置されている。
【００６４】
このようなフォトマスクＭを用いて露光処理及び現像処理を行うことで、図１１（ｃ）に示すように、水晶片１１上には第１の樹脂パターンＰ１及び第２の樹脂パターンＰ２が形成される。第１の樹脂パターンＰ１の断面形状における幅Ｈ１１は、第２の樹脂パターンＰ２の断面形状における幅Ｈ１２に比べ、大きくなっている。
【００６５】
このように本実施形態では、第１および第２の樹脂パターンＰ１、Ｐ２を同一の感光性樹脂材料から構成することで、同一のフォトリソプロセスによって形成することができる。これにより、製造プロセスの簡略化を図ることができる。また、第１および第２の樹脂パターンＰ１、Ｐ２はフォトリソ法によって形成するため、微細なパターンが形成可能である。
【００６６】
続いて、図１０（ｄ）に示すように、第１の樹脂パターンＰ１及び第２の樹脂パターンＰ２を加熱させ、融解させることにより半円状の樹脂コア部２４及び接着部１５を形成する。加熱方法としては種々の方法を例示することができ、本実施形態では、例えば水晶振動子１を加熱炉内に入れることで加熱処理を行った。
【００６７】
このとき、第１の樹脂パターンＰ１及び第２の樹脂パターンＰ２は融解するに従い、幅Ｈ１２の小さい第２の樹脂パターンＰ２が幅Ｈ１１の大きい第１の樹脂パターンＰ１に比べて高さが低くなる。これにより、水晶片１１上には樹脂コア部２４及び該樹脂コア部２４よりも高さの低い接着部１５が形成される。
【００６８】
このようにして樹脂コア部２４及び接着部１５を形成した後、水晶片１１上に励振電極１２、１３を構成する形成する。励振電極１２、１３は、例えばスパッタ法によりＡｕ／Ｃｒ層を成膜した後、所望の形状にパターニングする。具体的には、樹脂コア部２４を覆った状態にするとともに接着部１５を露出させるようにＡｕ／Ｃｒ層をパターニングする。これにより励振電極１２、１３及び樹脂コア部２４を覆う導電膜２５，２６を形成することができる。このように本実施形態においては、励振電極１２、１３の一部によって導電膜２５、２６を形成することで、製造プロセスを簡略化することができる。以上の工程により、励振電極１２、１３の接続部に樹脂コア部２４及び接着部１５を備えた水晶振動子１が製造できる。
【００６９】
次に基材３に立体形状１７を含む接続電極３３、３４を形成する工程について図１２を参照しながら説明する。ここで図１２は基材３の立体形状を形成する接続電極３３、３４を示す断面図である。図１２（a）に示すように、基材３にはあらかじめＷ（タングステン）ペーストを塗布（図示略）焼成し、ほぼ平坦な接続電極３３、３４が形成する。
【００７０】
続いて、図１２（ｂ）に示すように開口を有する印刷マスクＭを用いて接続電極３３、３４で用いたものと同じＷ（タングステン）ペーストをスクリーン印刷法を用いて塗布する。このときスクリーンＭの開口部にスキージＳを用いてＷペーストが充填され、そののちスクリーンＭを基材から離すと、図１２（ｃ）に示すように、接続電極３３、３４上にＷペーストが塗布された状態となる。この状態で加熱処理することにより接続電極３３、３４に立体形状１７が形成される。本実施形態では例えば基材３を加熱炉に入れることにより加熱処理を行った。さらにＷ（タングステン）ペースト状にＮｉ（ニッケル）、Ｐｄ（パラジウム）及びＡｕ（金）を順次めっきに積層（図示略）することによって立体形状１７を有する接続電極３３、３４を形成した。
【００７１】
次に、水晶振動子１の実装方法について、図１３を参照しながら説明する。ここで、図１３は水晶振動子１の基材３への実装時におけるバンプ電極１４を示す断面図である。まず、水晶振動子１に設けられたバンプ電極１４及び接着部１５を基材３に形成された接続電極３３、３４に対して接触、押圧させる（図１３（ａ）、図１３（ｂ）参照）。なお、水晶振動子１の実装は加熱しながら行われる。
【００７２】
このとき、樹脂コア部２４は、弾性変形して接続電極３３、３４および立体形状１７、１８の形状に倣う。そして、導電膜２５が樹脂コア部２４の弾性変形に伴って接続電極３３の表面形状と立体形状１７、１８の表面形状に倣うと共に、導電膜２６が接続電極３４の表面形状と立体形状１７、１８の表面形状に倣う。これにより、導電膜２５及び接続電極３３と導電膜２６及び接続電極３４とが、それぞれ十分な接触面積で導電接触する。また、樹脂コア部２４よりも高さの低い接着部１５が接続電極３３、３４に接触する。そして、接着部１５を硬化させる。よって、接着部１５は、樹脂コア部２４の弾性変形によりバンプ電極１４と接続電極３３、３４とを接着し、導電膜２５及び接続電極３３と導電膜２６及び接続電極３４とのそれぞれの接触状態を保持することができる。
【００７３】
図１３に示すように、導電膜２５、２６と接続電極３３、３４との接触面において、バンプ電極１４により形成される円環を平面視した場合に、円環の外側の境界線と内側の境界線との間隔が最短となるように結んだ方向に関して、立体形状１７、１８の幅Ｗ２は、導電膜２５、２６と接続電極３３、３４との接触面の幅Ｗ１よりも小さくなるように形成されている。
【００７４】
以上のようにして、水晶振動子１を基材３に実装する。その後、基材３と蓋体４とを接合して水晶振動子１を封止する。このようにして、水晶振動子パッケージ２が形成される。このとき、樹脂コア部２４は導電膜２５、２６によって覆われているため、樹脂コア部２４から発生するアウトガスが水晶振動子１（水晶片１１）の振動特性を低下させることが防止される。さらに、接着部１５はバンプ電極１４により周囲が囲まれることで図６（ｂ）に示すように密閉状態となっており、接着部１５から発生するアウトガスが水晶振動子１（水晶片１１）の振動特性を低下させることが防止される。このようにして形成される水晶振動子パッケージ２によれば、樹脂材料から発生するアウトガスに起因する水晶振動子１の特性の低下を防止することで信頼性の高いものとなる。また、水晶振動子１と基材３との接続部分に例えば落下衝撃などの衝撃が加わった際、樹脂コア部２４が弾性変形してこの衝撃を吸収する。
【００７５】
立体形状１７、１８は図１４に示すように、少なくとも１つの凹部又は少なくとも１つの凸部から形成される。また図１５に示すように少なくともバンプ電極１４と接続電極３３、３４との接触領域に立体形状１７、１８が配置されていれば本発明の効果を発揮できるため、例えば図１５（ｄ）のように接続電極３３、３４の全面に立体形状１７、１８を形成してもよい。このようにすることで、厳密に水晶振動子１と基材３の位置合わせを行わなくても本発明の効果が得られ、安価な装置で製造することが可能となる。
【００７６】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において種々の変更を加えることが可能である。例えば、上記実施形態では平面視円環状のバンプ電極１４内に接着部１５を一つだけ設ける構成としたが、接着部１５を複数配置することで水晶振動子１における本体３１への接着強度を向上させるようにしてもよい。また、上記実施形態では、接着部１５が平面視円形形状のものとしたが、蒲鉾状に形成してもよい。蒲鉾状とは、水晶片１１に接する内面（底面）が平面であると共に、非接触である外面側が湾曲面となっている柱状形状をいう。具体的に、ほぼ蒲鉾状とは、横断面がほぼ半円状やほぼ半楕円状、ほぼ台形状であるものが挙げられる。
【符号の説明】
【００７７】
１…水晶振動子（電子部品）、２…水晶振動子パッケージ（電子部品デバイス）、３…基材、４…蓋体、１１…水晶片（機能片）、１２，１３…励振電極、１５…接着部（第２の樹脂突起部）、１７、１８…立体形状、２４…樹脂コア（第１の樹脂突起部）、２５，２６…導電膜（被覆膜、導電部）、３３，３４…接続電極、５０…感光性樹脂材料、Ｐ１…第１の樹脂パターン、Ｐ２…第２の樹脂パターン。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の機能を有する機能片と、
少なくとも１つの凹部又は少なくとも１つの凸部を有する立体形状が形成された接続電極を有する基材と、
前記接続電極に電気的に接続される導電部を含む被覆膜により表面が覆われてなる第１の樹脂突起部と、
を有し、
前記機能片は前記第１の樹脂突起部に囲まれる領域の内側に設けられた第２の樹脂突起部によって前記基材に保持され、
前記導電部と前記接続電極とが接触し電気的に接続されており、
前記被覆膜における前記導電部は、前記立体形状の前記凹部に接触する凸面又は前記凸部に接触する凹面を有することを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記接続電極に形成された前記立体形状は複数の凹凸部を有することを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記接続電極に形成された少なくとも１つの凸部を有する前記立体形状の、前記第１の樹脂突起により囲まれる領域の外側と内側との境界線を最短となるように結んだ方向における幅は、
前記被覆膜と前記接続電極との接触面の前記方向における幅より小さいことを特徴とする請求項１又は２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記接続電極に形成された少なくとも１つの凹部又は少なくとも１つの凸部からなる前記立体形状は、前記第１の樹脂突起形状の相似形状となっていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記機能片が、水晶片であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記第１の樹脂突起部及び前記第２の樹脂突起部は、同一の感光性樹脂材料から構成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項７】
前記第１の樹脂突起部は前記第２の樹脂突起部より大きな圧縮変形をしていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項８】
前記第２の樹脂突起部の断面形状における幅が、前記第１の樹脂突起部の断面形状における幅よりも小さいことを特徴とする請求項７に記載の電子デバイス。
【請求項９】
所定の機能を有する機能片と、
前記機能片に電気的に接続される導電部を含む被覆膜により表面が覆われてなる第１の樹脂突起部と、
少なくとも１つの凹部又は少なくとも１つの凸部を有する立体形状が形成された接続電極を有する基材と、を有し、
前記機能片は前記第１の樹脂に囲まれる領域の内側に設けられた第２の樹脂突起部によって前記基材に保持され、
前記導電部と前記接続電極とが接触し電気的に接続されており、
前記被覆膜における前記導電部は、前記立体形状の前記凹部に接触する凸面又は前記凸部に接触する凹面を有することを特徴とする電子デバイス。
【請求項１０】
前記機能片に設けられた電極層により前記被覆膜が構成されることを特徴とする請求項９に記載の電子デバイス。
【請求項１】
所定の機能を有する機能片と、
少なくとも１つの凹部又は少なくとも１つの凸部を有する立体形状が形成された接続電極を有する基材と、
前記接続電極に電気的に接続される導電部を含む被覆膜により表面が覆われてなる第１の樹脂突起部と、
を有し、
前記機能片は前記第１の樹脂突起部に囲まれる領域の内側に設けられた第２の樹脂突起部によって前記基材に保持され、
前記導電部と前記接続電極とが接触し電気的に接続されており、
前記被覆膜における前記導電部は、前記立体形状の前記凹部に接触する凸面又は前記凸部に接触する凹面を有することを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記接続電極に形成された前記立体形状は複数の凹凸部を有することを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記接続電極に形成された少なくとも１つの凸部を有する前記立体形状の、前記第１の樹脂突起により囲まれる領域の外側と内側との境界線を最短となるように結んだ方向における幅は、
前記被覆膜と前記接続電極との接触面の前記方向における幅より小さいことを特徴とする請求項１又は２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記接続電極に形成された少なくとも１つの凹部又は少なくとも１つの凸部からなる前記立体形状は、前記第１の樹脂突起形状の相似形状となっていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記機能片が、水晶片であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記第１の樹脂突起部及び前記第２の樹脂突起部は、同一の感光性樹脂材料から構成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項７】
前記第１の樹脂突起部は前記第２の樹脂突起部より大きな圧縮変形をしていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項８】
前記第２の樹脂突起部の断面形状における幅が、前記第１の樹脂突起部の断面形状における幅よりも小さいことを特徴とする請求項７に記載の電子デバイス。
【請求項９】
所定の機能を有する機能片と、
前記機能片に電気的に接続される導電部を含む被覆膜により表面が覆われてなる第１の樹脂突起部と、
少なくとも１つの凹部又は少なくとも１つの凸部を有する立体形状が形成された接続電極を有する基材と、を有し、
前記機能片は前記第１の樹脂に囲まれる領域の内側に設けられた第２の樹脂突起部によって前記基材に保持され、
前記導電部と前記接続電極とが接触し電気的に接続されており、
前記被覆膜における前記導電部は、前記立体形状の前記凹部に接触する凸面又は前記凸部に接触する凹面を有することを特徴とする電子デバイス。
【請求項１０】
前記機能片に設けられた電極層により前記被覆膜が構成されることを特徴とする請求項９に記載の電子デバイス。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１１−２０４９２３（Ｐ２０１１−２０４９２３Ａ）
【公開日】平成２３年１０月１３日（２０１１．１０．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−７１０４７（Ｐ２０１０−７１０４７）
【出願日】平成２２年３月２５日（２０１０．３．２５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１０月１３日（２０１１．１０．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月２５日（２０１０．３．２５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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