強誘電体コンデンサ装置におけるコンタクトプラグの酸化防止装置およびその方法
本発明は、強誘電体コンデンサ装置およびその製造方法にかかる。この製造方法は、基板を形成する工程と、この基板を貫通するようにコンタクトプラグを形成する工程とを含む。基板の上には電気絶縁層が形成され、この電気絶縁層上に第１の電極が形成される。さらに、第１の電極上には強誘電体層が形成され、強誘電体層上には第２の電極が形成される。第１の電極は、電気絶縁層を貫通して、プラグに電気接続されている。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
〔技術分野〕
本発明は、たとえば強誘電体コンデンサ装置における、コンタクトプラグの酸化防止装置およびそのシステムに関するものである。
【０００２】
〔従来技術〕
従来のキャパシタオンプラグ（ＣＯＰ）型装置においては、多層にわたる金属配線を垂直方向に接続するために、コンタクトプラグが使用されることが多い。酸化反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、コンタクトウィンドウ（ＣＷ）開口部を加工するとき、キャパシタを覆うテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）ハードマスクに、酸化が生じる。この酸素がプラグに拡散する場合に起きる損傷から防ぐために、底部電極（ＢＥ）とＴＥＯＳ基板との間に、イリジウム（Ｉｒ）を主成分とする障壁が配置されることが多い。しかしながら、ＲＩＥ処理による底部電極の加工時に、エッチング処理の結果残ったＴＥＯＳ（フェンス）が形成される。ＲＩＥ処理によるコンタクトウィンドウ開口部の加工時には、これらのフェンスにより、ＴＥＯＳハードマスクからプラグに酸素が拡散してしまう。この酸素は、たとえばポリシリコンまたはタングステンなどの、プラグの材質と反応し、その結果、プラグ構造の機能を損ない、特に接点の劣化をまねいてしまう。
【０００３】
このようなプラグ酸化の問題を回避する方法として、酸素を拡散させてしまうフェンスを形成しないように、ＲＩＥ処理による底部電極の加工を行う方法が挙げられる。しかしながら、ＲＩＥ処理による底部電極の加工時に底部電極を覆うハードマスクは、広いテーパー角を有することが多い。このような処理において、上記の方法は非常に難しい。
【０００４】
上記のプラグ酸化問題を回避する別の方法としては、ＴＥＯＳを成分とするフェンスが形成された後にこれを除去する方法が挙げられる。しかしながら、この方法は複雑であり、困難である。
【０００５】
従来の加工処理および装置にかかる上記の問題に鑑み、キャパシタの製造時にプラグ酸化を防止する方法が求められている。
【０００６】
〔発明の概要〕
大まかには、本発明は、例えば強磁性体コンデンサといった装置の製造方法を提案するものである。この方法では、プラグとの接点は、装置形成後に形成される。これにより、処理中の酸化からのプラグ損傷を回避する、あるいは低減するという利点がある。また、この点から見て、基板と底部電極との間に、単層または多層の酸素障壁薄膜を設ける必要がなくなる。大まかには、本発明は、酸素拡散に対しプラグを保護するのに十分な抵抗性がある電気絶縁層が基板と底部電極との間に配置されたことを提案するものである。この層は電気的に絶縁したものであるため、この層を貫通するようにホール（穴）を開口し、底部電極とプラグとの間に電気接点を形成する。この絶縁層は、下部電極側の少なくともいくつかの酸素拡散進路をブロックする。
【０００７】
本発明の第１の特徴によれば、装置を製造する方法であって、
基板を形成する工程と、
上記基板を貫通するようにコンタクトプラグを形成する工程と、
上記基板上に電気絶縁層を形成する工程と、
上記電気絶縁層に第１の電極を形成する工程と、
上記第１の電極上に、誘電体層を形成する工程と、
上記誘電体層上に第２の電極を形成する工程と、
上記電気絶縁層を貫通させて、コンタクトプラグに第１の電極を電気接続する工程とを含む、方法が提示されている。
【０００８】
本発明の第２の特徴によれば、上述の方法により形成された、装置が提示されている。
【０００９】
本発明の第３の特徴によれば、上述の方法により形成された、強誘電体コンデンサ装置が提示されている。
【００１０】
本発明の第４の特徴によれば、上述の方法により形成された装置を１つまたはそれ以上備えた、揮発性メモリ装置が提示されている。
【００１１】
本発明の第５の特徴によれば、
基板と、
上記基板を貫通するプラグと、
上記基板上に形成された電気絶縁層と、
上記電気絶縁層上に形成された第１の電極と、
上記第１の電極上に形成された誘電体層と、
上記誘電体層上に形成された第２の電極とを備え、
上記第１の電極は、上記電気絶縁層を貫通して、プラグに電気接続されている、装置が提示されている。
【００１２】
〔図面の簡単な説明〕
本発明の好ましい特徴を、以下の図面により説明する。
【００１３】
図１Ａは、本発明の実施形態を示すものであり、形成第１段階におけるコンデンサの概略断面図である。
【００１４】
図１Ｂは、本発明の実施形態を示すものであり、形成第２段階におけるコンデンサの概略断面図である。
【００１５】
図１Ｃは、本発明の実施形態を示すものであり、形成第三段階におけるコンデンサの概略断面図である。
【００１６】
図２Ａは、本発明の実施形態を示すものであり、底部電極への接点を形成する第１段階におけるコンデンサの概略断面図である。
【００１７】
図２Ｂは、本発明の実施形態を示すものであり、底部電極への接点を形成する第２段階におけるコンデンサの概略断面図である。
【００１８】
図３は、本発明の実施形態における上記のカプセル充填および被覆工程を示すものであり、製造最終段階におけるコンデンサの概略断面図である。
【００１９】
〔好ましい実施形態の詳細な説明〕
従来の強誘電体コンデンサは、ＰＺＴなどを原料とする強誘電体層で構成され、この層の上下に電極を備えている。これらの電極のパターン形成時には、さまざまなハードマスク層（例えばＴＥＯＳ）が使用される。パターン形成後のコンデンサには、それぞれ複数のカプセル充填層や被覆層が塗布され、コンデンサを保護する。
【００２０】
本発明の好ましい実施形態における、強誘電体コンデンサなどの装置のさまざまな工程段階について、図面により示す。図３は、最終的に処理された装置を示す。
【００２１】
プラグ４の酸化を防止するための装置２について、製造工程の第１段階を、図１Ａに示す。この段階では、プラグ４が基板５を貫通するように形成される。基板５の表面には、電気絶縁材からなる層６が堆積され、層６の上には底部電極材８が堆積されている。さらに、電極材８の上には、誘電体層１０が塗布される。誘電体層１０は、たとえばＰＺＴなどの強誘電体材からなる。そして、この誘電体層１０の上には上部電極１２が堆積される。絶縁層６は、基板５への酸素浸透を防ぐために、酸素拡散に対し抵抗性があることが好ましい。
【００２２】
製造工程の次の段階を、図１Ｂに示す。この段階では、上部電極１２および強誘電体材からなる層１０の反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が行われる。ＲＩＥ処理は、たとえば、上部電極１２にハードマスク（不図示）を層として塗布することによって行われる。また、このＲＩＥ処理により、上記強誘電体材はコンデンサ１４および１６に分けられる。コンデンサ１４および１６では、底部電極８が共通している。また、層１８は、たとえば２層からなり、保護用に塗布されるカプセル充填層である。
【００２３】
製造工程におけるさらに次の段階を、図１Ｃに示す。この段階では、底部電極８に対し、複数のカプセル充填層１８の上に、ハードマスク２０が塗布される。底部電極８は、ハードマスク２０に基づいてエッチングされる。また、何層もの被覆層２２（たとえば２層）が、コンデンサ１４および１６上に堆積される。
【００２４】
底部電極８とプラグ４との接点を形成する第１段階を、図２Ａに示す。この段階では、層間絶縁膜２４の堆積、層間絶縁膜２４の平坦化、そして、コンタクトウィンドウ２６の開口形成を行う。コンタクトウィンドウ２６は、コンデンサ１４および１６との間において、層間絶縁膜２４の上端からプラグ４に向かって延びる。
【００２５】
プラグ４と底部電極８との接点形成の最終段階を、図２Ｂに示す。この段階では、コンタクト線２８が、コンタクトウィンドウ２６内に堆積され、コンタクトウィンドウ２６を規定する周壁を覆う。その後、コンタクトウィンドウ２６には、コンタクトメタル３０が充填され、底部電極８とプラグ４との接点が形成される。その後、コンタクトウィンドウ２６内に挿入されたコンタクトメタル３０と、コンタクト線２８とはバックエッチされ、底部電極８とプラグ４との間に、金属接点のみが残るようになる。
【００２６】
装置２の最終製造段階を、図３に示す。まず、コンデンサ１４および１６それぞれに、さらなる被覆層３２が堆積される。上記さらなる被覆層３２は、基板５の表面上に堆積された絶縁層６から、上部電極１２を覆う第１の被覆層３２に向かって延びている。上記さらなる被覆層３２上には、さらなる層間絶縁膜３４が堆積され、この層間絶縁膜３４は、たとえばＣＭＰ（化学機械研磨）によって平坦化される。そして、コンデンサ１４および１６それぞれに対し、コンタクトウィンドウ３６が、層間絶縁膜３４、被覆層３２および２２、ハードマスク２０、カプセル充填層１８、上部電極１２にまで貫通するように形成される。
【００２７】
上記の記載から、底部電極８に接続されたプラグ４は、ＲＩＥ処理中に保護されることがわかる。コンタクトウィンドウ３６が上部電極１２に向かって延びるように形成される場合、プラグ４が酸化による損傷を受けないように、底部電極８からプラグ４への接続は、被覆層３２および層間絶縁膜３４により保護される。底部電極８がエッチングされるとき、コンデンサ１４および１６上には１層以上のカプセル充填層１８があるため、プラグ４を酸化からさらに保護する。また、コンタクトウィンドウ３６が上部電極１２に向かって形成されるとき、底部電極８およびその接点部は層間絶縁膜に覆われているため、プラグ４を酸化からさらに保護する。
【００２８】
本発明にかかるシステムおよび方法は、たとえば強誘電体ランダムアクセスメモリとして使用される装置の製造において、とりわけ有用となりうる。
【００２９】
なお、本明細書において、「酸化（oxidation）」および「酸化（oxidization）」は、いずれも互換的に使用されている。
【００３０】
上記の本発明の実施形態は、さまざまに変形可能なものである。たとえば、上記に加え、他の材質や方法工程の追加あるいは置き換えがなされてもよい。本発明は、具体的な実施形態において上記のように説明されたが、あくまでも本発明の技術内容を明らかにするものであって、本発明の精神と次に記載する特許請求の範囲内で、いろいろと変更して実施することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
本発明の好ましい特徴を、以下の図面により説明する。
【図１Ａ】本発明の実施形態を示すものであり、形成第１段階におけるコンデンサの概略断面図である。
【図１Ｂ】本発明の実施形態を示すものであり、形成第２段階におけるコンデンサの概略断面図である。
【図１Ｃ】本発明の実施形態を示すものであり、形成第三段階におけるコンデンサの概略断面図である。
【図２Ａ】本発明の実施形態を示すものであり、底部電極への接点を形成する第１段階におけるコンデンサの概略断面図である。
【図２Ｂ】本発明の実施形態を示すものであり、底部電極への接点を形成する第２段階におけるコンデンサの概略断面図である。
【図３】本発明の実施形態における上記のカプセル充填および被覆工程を示すものであり、製造最終段階におけるコンデンサの概略断面図である。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
〔技術分野〕
本発明は、たとえば強誘電体コンデンサ装置における、コンタクトプラグの酸化防止装置およびそのシステムに関するものである。
【０００２】
〔従来技術〕
従来のキャパシタオンプラグ（ＣＯＰ）型装置においては、多層にわたる金属配線を垂直方向に接続するために、コンタクトプラグが使用されることが多い。酸化反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、コンタクトウィンドウ（ＣＷ）開口部を加工するとき、キャパシタを覆うテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）ハードマスクに、酸化が生じる。この酸素がプラグに拡散する場合に起きる損傷から防ぐために、底部電極（ＢＥ）とＴＥＯＳ基板との間に、イリジウム（Ｉｒ）を主成分とする障壁が配置されることが多い。しかしながら、ＲＩＥ処理による底部電極の加工時に、エッチング処理の結果残ったＴＥＯＳ（フェンス）が形成される。ＲＩＥ処理によるコンタクトウィンドウ開口部の加工時には、これらのフェンスにより、ＴＥＯＳハードマスクからプラグに酸素が拡散してしまう。この酸素は、たとえばポリシリコンまたはタングステンなどの、プラグの材質と反応し、その結果、プラグ構造の機能を損ない、特に接点の劣化をまねいてしまう。
【０００３】
このようなプラグ酸化の問題を回避する方法として、酸素を拡散させてしまうフェンスを形成しないように、ＲＩＥ処理による底部電極の加工を行う方法が挙げられる。しかしながら、ＲＩＥ処理による底部電極の加工時に底部電極を覆うハードマスクは、広いテーパー角を有することが多い。このような処理において、上記の方法は非常に難しい。
【０００４】
上記のプラグ酸化問題を回避する別の方法としては、ＴＥＯＳを成分とするフェンスが形成された後にこれを除去する方法が挙げられる。しかしながら、この方法は複雑であり、困難である。
【０００５】
従来の加工処理および装置にかかる上記の問題に鑑み、キャパシタの製造時にプラグ酸化を防止する方法が求められている。
【０００６】
〔発明の概要〕
大まかには、本発明は、例えば強磁性体コンデンサといった装置の製造方法を提案するものである。この方法では、プラグとの接点は、装置形成後に形成される。これにより、処理中の酸化からのプラグ損傷を回避する、あるいは低減するという利点がある。また、この点から見て、基板と底部電極との間に、単層または多層の酸素障壁薄膜を設ける必要がなくなる。大まかには、本発明は、酸素拡散に対しプラグを保護するのに十分な抵抗性がある電気絶縁層が基板と底部電極との間に配置されたことを提案するものである。この層は電気的に絶縁したものであるため、この層を貫通するようにホール（穴）を開口し、底部電極とプラグとの間に電気接点を形成する。この絶縁層は、下部電極側の少なくともいくつかの酸素拡散進路をブロックする。
【０００７】
本発明の第１の特徴によれば、装置を製造する方法であって、
基板を形成する工程と、
上記基板を貫通するようにコンタクトプラグを形成する工程と、
上記基板上に電気絶縁層を形成する工程と、
上記電気絶縁層に第１の電極を形成する工程と、
上記第１の電極上に、誘電体層を形成する工程と、
上記誘電体層上に第２の電極を形成する工程と、
上記電気絶縁層を貫通させて、コンタクトプラグに第１の電極を電気接続する工程とを含む、方法が提示されている。
【０００８】
本発明の第２の特徴によれば、上述の方法により形成された、装置が提示されている。
【０００９】
本発明の第３の特徴によれば、上述の方法により形成された、強誘電体コンデンサ装置が提示されている。
【００１０】
本発明の第４の特徴によれば、上述の方法により形成された装置を１つまたはそれ以上備えた、揮発性メモリ装置が提示されている。
【００１１】
本発明の第５の特徴によれば、
基板と、
上記基板を貫通するプラグと、
上記基板上に形成された電気絶縁層と、
上記電気絶縁層上に形成された第１の電極と、
上記第１の電極上に形成された誘電体層と、
上記誘電体層上に形成された第２の電極とを備え、
上記第１の電極は、上記電気絶縁層を貫通して、プラグに電気接続されている、装置が提示されている。
【００１２】
〔図面の簡単な説明〕
本発明の好ましい特徴を、以下の図面により説明する。
【００１３】
図１Ａは、本発明の実施形態を示すものであり、形成第１段階におけるコンデンサの概略断面図である。
【００１４】
図１Ｂは、本発明の実施形態を示すものであり、形成第２段階におけるコンデンサの概略断面図である。
【００１５】
図１Ｃは、本発明の実施形態を示すものであり、形成第三段階におけるコンデンサの概略断面図である。
【００１６】
図２Ａは、本発明の実施形態を示すものであり、底部電極への接点を形成する第１段階におけるコンデンサの概略断面図である。
【００１７】
図２Ｂは、本発明の実施形態を示すものであり、底部電極への接点を形成する第２段階におけるコンデンサの概略断面図である。
【００１８】
図３は、本発明の実施形態における上記のカプセル充填および被覆工程を示すものであり、製造最終段階におけるコンデンサの概略断面図である。
【００１９】
〔好ましい実施形態の詳細な説明〕
従来の強誘電体コンデンサは、ＰＺＴなどを原料とする強誘電体層で構成され、この層の上下に電極を備えている。これらの電極のパターン形成時には、さまざまなハードマスク層（例えばＴＥＯＳ）が使用される。パターン形成後のコンデンサには、それぞれ複数のカプセル充填層や被覆層が塗布され、コンデンサを保護する。
【００２０】
本発明の好ましい実施形態における、強誘電体コンデンサなどの装置のさまざまな工程段階について、図面により示す。図３は、最終的に処理された装置を示す。
【００２１】
プラグ４の酸化を防止するための装置２について、製造工程の第１段階を、図１Ａに示す。この段階では、プラグ４が基板５を貫通するように形成される。基板５の表面には、電気絶縁材からなる層６が堆積され、層６の上には底部電極材８が堆積されている。さらに、電極材８の上には、誘電体層１０が塗布される。誘電体層１０は、たとえばＰＺＴなどの強誘電体材からなる。そして、この誘電体層１０の上には上部電極１２が堆積される。絶縁層６は、基板５への酸素浸透を防ぐために、酸素拡散に対し抵抗性があることが好ましい。
【００２２】
製造工程の次の段階を、図１Ｂに示す。この段階では、上部電極１２および強誘電体材からなる層１０の反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が行われる。ＲＩＥ処理は、たとえば、上部電極１２にハードマスク（不図示）を層として塗布することによって行われる。また、このＲＩＥ処理により、上記強誘電体材はコンデンサ１４および１６に分けられる。コンデンサ１４および１６では、底部電極８が共通している。また、層１８は、たとえば２層からなり、保護用に塗布されるカプセル充填層である。
【００２３】
製造工程におけるさらに次の段階を、図１Ｃに示す。この段階では、底部電極８に対し、複数のカプセル充填層１８の上に、ハードマスク２０が塗布される。底部電極８は、ハードマスク２０に基づいてエッチングされる。また、何層もの被覆層２２（たとえば２層）が、コンデンサ１４および１６上に堆積される。
【００２４】
底部電極８とプラグ４との接点を形成する第１段階を、図２Ａに示す。この段階では、層間絶縁膜２４の堆積、層間絶縁膜２４の平坦化、そして、コンタクトウィンドウ２６の開口形成を行う。コンタクトウィンドウ２６は、コンデンサ１４および１６との間において、層間絶縁膜２４の上端からプラグ４に向かって延びる。
【００２５】
プラグ４と底部電極８との接点形成の最終段階を、図２Ｂに示す。この段階では、コンタクト線２８が、コンタクトウィンドウ２６内に堆積され、コンタクトウィンドウ２６を規定する周壁を覆う。その後、コンタクトウィンドウ２６には、コンタクトメタル３０が充填され、底部電極８とプラグ４との接点が形成される。その後、コンタクトウィンドウ２６内に挿入されたコンタクトメタル３０と、コンタクト線２８とはバックエッチされ、底部電極８とプラグ４との間に、金属接点のみが残るようになる。
【００２６】
装置２の最終製造段階を、図３に示す。まず、コンデンサ１４および１６それぞれに、さらなる被覆層３２が堆積される。上記さらなる被覆層３２は、基板５の表面上に堆積された絶縁層６から、上部電極１２を覆う第１の被覆層３２に向かって延びている。上記さらなる被覆層３２上には、さらなる層間絶縁膜３４が堆積され、この層間絶縁膜３４は、たとえばＣＭＰ（化学機械研磨）によって平坦化される。そして、コンデンサ１４および１６それぞれに対し、コンタクトウィンドウ３６が、層間絶縁膜３４、被覆層３２および２２、ハードマスク２０、カプセル充填層１８、上部電極１２にまで貫通するように形成される。
【００２７】
上記の記載から、底部電極８に接続されたプラグ４は、ＲＩＥ処理中に保護されることがわかる。コンタクトウィンドウ３６が上部電極１２に向かって延びるように形成される場合、プラグ４が酸化による損傷を受けないように、底部電極８からプラグ４への接続は、被覆層３２および層間絶縁膜３４により保護される。底部電極８がエッチングされるとき、コンデンサ１４および１６上には１層以上のカプセル充填層１８があるため、プラグ４を酸化からさらに保護する。また、コンタクトウィンドウ３６が上部電極１２に向かって形成されるとき、底部電極８およびその接点部は層間絶縁膜に覆われているため、プラグ４を酸化からさらに保護する。
【００２８】
本発明にかかるシステムおよび方法は、たとえば強誘電体ランダムアクセスメモリとして使用される装置の製造において、とりわけ有用となりうる。
【００２９】
なお、本明細書において、「酸化（oxidation）」および「酸化（oxidization）」は、いずれも互換的に使用されている。
【００３０】
上記の本発明の実施形態は、さまざまに変形可能なものである。たとえば、上記に加え、他の材質や方法工程の追加あるいは置き換えがなされてもよい。本発明は、具体的な実施形態において上記のように説明されたが、あくまでも本発明の技術内容を明らかにするものであって、本発明の精神と次に記載する特許請求の範囲内で、いろいろと変更して実施することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
本発明の好ましい特徴を、以下の図面により説明する。
【図１Ａ】本発明の実施形態を示すものであり、形成第１段階におけるコンデンサの概略断面図である。
【図１Ｂ】本発明の実施形態を示すものであり、形成第２段階におけるコンデンサの概略断面図である。
【図１Ｃ】本発明の実施形態を示すものであり、形成第三段階におけるコンデンサの概略断面図である。
【図２Ａ】本発明の実施形態を示すものであり、底部電極への接点を形成する第１段階におけるコンデンサの概略断面図である。
【図２Ｂ】本発明の実施形態を示すものであり、底部電極への接点を形成する第２段階におけるコンデンサの概略断面図である。
【図３】本発明の実施形態における上記のカプセル充填および被覆工程を示すものであり、製造最終段階におけるコンデンサの概略断面図である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置を製造する方法であって、
基板を形成する工程と、
上記基板を貫通するようにコンタクトプラグを形成する工程と、
上記基板上に電気絶縁層を形成する工程と、
上記電気絶縁層に第１の電極を形成する工程と、
上記第１の電極上に、誘電体層を形成する工程と、
上記誘電体層上に第２の電極を形成する工程と、
上記電気絶縁層を貫通させて、コンタクトプラグに第１の電極を電気接続する工程とを含む、方法。
【請求項２】
電気絶縁層を形成する工程では、酸素拡散に対し抵抗性がある電気絶縁層を形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
コンタクトプラグに第１の電極を電気接続する工程の前に、
第２の電極及び誘電体層をエッチングし、上記装置を、第１の電極が共通した複数の装置に分割する工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
第２の電極及び誘電体層をエッチングする工程後に、
第２の電極及び誘電体層上に、１つまたはそれ以上のカプセル充填層を形成する工程を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
１つまたはそれ以上のカプセル充填層上に、第１の電極を規定するハードマスクを形成する工程を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
ハードマスクを形成する工程後に、
上記ハードマスクに基づいて第１の電極をエッチングする工程を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
第１の電極をエッチングする工程後に、
上記ハードマスク上に、１つまたはそれ以上の被覆層を上記電気絶縁層へ延びるように形成する工程を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
１つまたはそれ以上の被覆層上に、層間絶縁膜を形成する工程を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
上記層間絶縁膜を平坦化する工程を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
層間絶縁膜を平坦化する工程後に、
上記第１の電極にコンタクトウィンドを形成する工程を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
上記コンタクトウィンドに、コンタクト線を堆積する工程を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
コンタクトウィンドに、コンタクト線を堆積する工程後に、
コンタクトウィンドに金属挿入物を堆積し、上記第１の電極と上記プラグとの間を電気接続する工程を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
コンタクト線及び金属挿入物を、上記層間絶縁膜から上記第１の電極へエッチングする工程を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
コンタクト線及び金属挿入物をエッチングする工程後に、
上記コンタクトウィンドと上記金属挿入物の面との間の線上に、さらに被覆層を堆積し、工程を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
さらに被覆層を堆積する工程後に、
その被覆層上に層間絶縁膜を塗布する工程を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
上記層間絶縁膜を平坦化する工程を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
層間絶縁膜を平坦化する工程後に、
第２の電極に、１つまたはそれ以上のコンタクトウィンドを形成する工程を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
上記第１の電極上に、誘電体層を形成する工程では、第１の電極に強誘電体層を形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
請求項１に記載の方法により形成された装置。
【請求項２０】
請求項１に記載の方法により形成された、強誘電体コンデンサ装置。
【請求項２１】
請求項１に記載の方法により形成された装置を１つまたはそれ以上備えた、揮発性メモリ装置。
【請求項２２】
基板と、
上記基板を貫通するプラグと、
上記基板上に形成された電気絶縁層と、
上記電気絶縁層上に形成された第１の電極と、
上記第１の電極上に形成された誘電体層と、
上記誘電体層上に形成された第２の電極とを備え、
上記第１の電極は、上記電気絶縁層を貫通して、プラグに電気接続されている、装置。
【請求項２３】
上記第２の電極上に、１つまたはそれ以上のカプセル充填層が形成された、請求項２２に記載の装置。
【請求項２４】
１つまたはそれ以上のカプセル充填層上に、ハードマスクが形成された、請求項２３に記載の装置。
【請求項２５】
上記ハードマスク上に、１つまたはそれ以上の第１の被覆層が形成された、請求項２４に記載の装置。
【請求項２６】
上記１つまたはそれ以上の第１の被覆層上に、層間絶縁膜が形成された、請求項２５に記載の装置。
【請求項２７】
上記１つまたはそれ以上の第１の被覆層上に、１つまたはそれ以上の第２の被覆層が形成され、
上記１つまたはそれ以上の第２の被覆層は、上記コンタクトプラグへ延びるようになっている、請求項２６に記載の装置。
【請求項２８】
上記１つまたはそれ以上の第２の被覆層上に、第２の層間絶縁膜が形成された、請求項２７に記載の装置。
【請求項２９】
上記第２の層間絶縁膜から上記第２の電極へ延びた、１つまたはそれ以上のコンタクトウィンドを備えた、請求項２８に記載の装置。
【請求項３０】
上記誘電体層は、強誘電体材料からなっている、請求項２２に記載の装置。
【請求項１】
装置を製造する方法であって、
基板を形成する工程と、
上記基板を貫通するようにコンタクトプラグを形成する工程と、
上記基板上に電気絶縁層を形成する工程と、
上記電気絶縁層に第１の電極を形成する工程と、
上記第１の電極上に、誘電体層を形成する工程と、
上記誘電体層上に第２の電極を形成する工程と、
上記電気絶縁層を貫通させて、コンタクトプラグに第１の電極を電気接続する工程とを含む、方法。
【請求項２】
電気絶縁層を形成する工程では、酸素拡散に対し抵抗性がある電気絶縁層を形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
コンタクトプラグに第１の電極を電気接続する工程の前に、
第２の電極及び誘電体層をエッチングし、上記装置を、第１の電極が共通した複数の装置に分割する工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
第２の電極及び誘電体層をエッチングする工程後に、
第２の電極及び誘電体層上に、１つまたはそれ以上のカプセル充填層を形成する工程を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
１つまたはそれ以上のカプセル充填層上に、第１の電極を規定するハードマスクを形成する工程を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
ハードマスクを形成する工程後に、
上記ハードマスクに基づいて第１の電極をエッチングする工程を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
第１の電極をエッチングする工程後に、
上記ハードマスク上に、１つまたはそれ以上の被覆層を上記電気絶縁層へ延びるように形成する工程を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
１つまたはそれ以上の被覆層上に、層間絶縁膜を形成する工程を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
上記層間絶縁膜を平坦化する工程を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
層間絶縁膜を平坦化する工程後に、
上記第１の電極にコンタクトウィンドを形成する工程を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
上記コンタクトウィンドに、コンタクト線を堆積する工程を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
コンタクトウィンドに、コンタクト線を堆積する工程後に、
コンタクトウィンドに金属挿入物を堆積し、上記第１の電極と上記プラグとの間を電気接続する工程を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
コンタクト線及び金属挿入物を、上記層間絶縁膜から上記第１の電極へエッチングする工程を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
コンタクト線及び金属挿入物をエッチングする工程後に、
上記コンタクトウィンドと上記金属挿入物の面との間の線上に、さらに被覆層を堆積し、工程を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
さらに被覆層を堆積する工程後に、
その被覆層上に層間絶縁膜を塗布する工程を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
上記層間絶縁膜を平坦化する工程を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
層間絶縁膜を平坦化する工程後に、
第２の電極に、１つまたはそれ以上のコンタクトウィンドを形成する工程を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
上記第１の電極上に、誘電体層を形成する工程では、第１の電極に強誘電体層を形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
請求項１に記載の方法により形成された装置。
【請求項２０】
請求項１に記載の方法により形成された、強誘電体コンデンサ装置。
【請求項２１】
請求項１に記載の方法により形成された装置を１つまたはそれ以上備えた、揮発性メモリ装置。
【請求項２２】
基板と、
上記基板を貫通するプラグと、
上記基板上に形成された電気絶縁層と、
上記電気絶縁層上に形成された第１の電極と、
上記第１の電極上に形成された誘電体層と、
上記誘電体層上に形成された第２の電極とを備え、
上記第１の電極は、上記電気絶縁層を貫通して、プラグに電気接続されている、装置。
【請求項２３】
上記第２の電極上に、１つまたはそれ以上のカプセル充填層が形成された、請求項２２に記載の装置。
【請求項２４】
１つまたはそれ以上のカプセル充填層上に、ハードマスクが形成された、請求項２３に記載の装置。
【請求項２５】
上記ハードマスク上に、１つまたはそれ以上の第１の被覆層が形成された、請求項２４に記載の装置。
【請求項２６】
上記１つまたはそれ以上の第１の被覆層上に、層間絶縁膜が形成された、請求項２５に記載の装置。
【請求項２７】
上記１つまたはそれ以上の第１の被覆層上に、１つまたはそれ以上の第２の被覆層が形成され、
上記１つまたはそれ以上の第２の被覆層は、上記コンタクトプラグへ延びるようになっている、請求項２６に記載の装置。
【請求項２８】
上記１つまたはそれ以上の第２の被覆層上に、第２の層間絶縁膜が形成された、請求項２７に記載の装置。
【請求項２９】
上記第２の層間絶縁膜から上記第２の電極へ延びた、１つまたはそれ以上のコンタクトウィンドを備えた、請求項２８に記載の装置。
【請求項３０】
上記誘電体層は、強誘電体材料からなっている、請求項２２に記載の装置。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３】
【公表番号】特表２００７−５１２６８６（Ｐ２００７−５１２６８６Ａ）
【公表日】平成１９年５月１７日（２００７．５．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−５３９４４１（Ｐ２００６−５３９４４１）
【出願日】平成１６年９月９日（２００４．９．９）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＳＧ２００４／０００２９０
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０４３６０６
【国際公開日】平成１７年５月１２日（２００５．５．１２）
【出願人】（５０１２０９０７０）インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト (331)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成１９年５月１７日（２００７．５．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年９月９日（２００４．９．９）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＳＧ２００４／０００２９０
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０４３６０６
【国際公開日】平成１７年５月１２日（２００５．５．１２）
【出願人】（５０１２０９０７０）インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト (331)
【Ｆターム（参考）】
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