露光装置、露光方法、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体
【課題】露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置は、液体を介して露光光で基板を露光する。露光装置は、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板を保持する第１保持部１５と、第１保持部１５の周囲の少なくとも一部に配置され、射出面が対向可能なスケール部材Ｔと、を有し、所定面内を移動可能な基板ステージ２Ｐと、所定面内を移動するスケール部材Ｔの表面が対向可能な位置に配置され、スケール部材Ｔの表面の異物を除去可能な除去部材を有する除去装置と、を備える。
【解決手段】露光装置は、液体を介して露光光で基板を露光する。露光装置は、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板を保持する第１保持部１５と、第１保持部１５の周囲の少なくとも一部に配置され、射出面が対向可能なスケール部材Ｔと、を有し、所定面内を移動可能な基板ステージ２Ｐと、所定面内を移動するスケール部材Ｔの表面が対向可能な位置に配置され、スケール部材Ｔの表面の異物を除去可能な除去部材を有する除去装置と、を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、露光方法、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス、電子デバイス等のマイクロデバイスの製造工程において、露光光で基板を露光する露光装置が使用される。露光装置は、基板を保持して移動可能な基板ステージを備え、その基板ステージの位置計測を実行しながら、基板を露光光で露光する。下記特許文献には、スケール部材を用いて基板ステージの位置計測を実行する技術の一例が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００６／０２２７３０９号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００７／０２８８１２１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えばスケール部材に異物が存在すると、その異物により基板ステージの位置計測を精確に実行できなくなる可能性がある。その結果、露光不良が発生したり、不良デバイスが発生したりする可能性がある。
【０００５】
本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板を保持する第１保持部と、第１保持部の周囲の少なくとも一部に配置され、射出面が対向可能なスケール部材と、を有し、所定面内を移動可能な基板ステージと、所定面内を移動するスケール部材の表面が対向可能な位置に配置され、スケール部材の表面の異物を除去可能な除去部材を有する除去装置と、を備える露光装置が提供される。
【０００７】
本発明の第２の態様に従えば、第１の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、 露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【０００８】
本発明の第３の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板ステージの第１保持部に保持された基板及び基板の周囲の少なくとも一部に配置されるスケール部材の少なくとも一方との間に液体で液浸空間を形成することと、基板ステージを所定面内で移動しながら、液浸空間の液体を介して前記基板を露光することと、基板ステージを所定面内で移動しながら、スケール部材の表面が対向可能な位置に配置される除去部材で、スケール部材の異物を除去することと、を含む露光方法が提供される。
【０００９】
本発明の第４の態様に従えば、第３の態様の露光方法を用いて基板を露光することと、 露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【００１０】
本発明の第５の態様に従えば、コンピュータに、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板ステージの第１保持部に保持された基板及び基板の周囲の少なくとも一部に配置されるスケール部材の少なくとも一方との間に液体で液浸空間を形成することと、基板ステージを所定面内で移動しながら、液浸空間の液体を介して基板を露光することと、基板ステージを所定面内で移動しながら、スケール部材の表面が対向可能な位置に配置される除去部材で、スケール部材の異物を除去することと、を実行させるプログラムが提供される。
【００１１】
本発明の第６の態様に従えば、第５の態様のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１実施形態に係る露光装置の一例を示す図である。
【図２】第１実施形態に係る基板ステージ及び計測ステージの一例を示す平面図である。
【図３】第１実施形態に係る除去システムの一例を示す図である。
【図４】第１実施形態に係る除去装置の一例を示す図である。
【図５】第１実施形態に係る除去装置の一例を示す図である。
【図６】第１実施形態に係る液浸部材の一例を示す図である。
【図７】第１実施形態に係る露光方法の一例を説明するための図である。
【図８】第１実施形態に係る露光方法の一例を説明するための図である。
【図９】第１実施形態に係る露光方法の一例を説明するための図である。
【図１０】第１実施形態に係る露光方法の一例を説明するための図である。
【図１１】第１実施形態に係る露光方法の一例を説明するための図である。
【図１２】第２実施形態に係る除去装置の一例を示す図である。
【図１３】第２実施形態に係る除去装置の一例を示す図である。
【図１４】第２実施形態に係る除去装置の一例を示す図である。
【図１５】スケール部材の一例を示す図である。
【図１６】デバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、そのＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１５】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。液浸空間とは、液体で満たされた部分（空間、領域）をいう。基板Ｐは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して露光光ＥＬで露光される。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。
【００１６】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書、及び欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されているような、基板ステージ２Ｐと計測ステージ２Ｃとを備えた露光装置である。
【００１７】
図１は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。図２は、本実施形態に係る基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃの一例を示す平面図である。
【００１８】
図１及び図２において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２Ｐと、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測器（計測部材）を搭載して移動可能な計測ステージ２Ｃと、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、基板Ｐに照射される露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持して液浸空間ＬＳを形成する液浸部材３と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置４と、制御装置４に接続され、露光に関する各種の情報を記憶する記憶装置５とを備えている。記憶装置５は、例えばＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体を含む。記憶装置５には、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステム（ＯＳ）がインストールされ、露光装置ＥＸを制御するためのプログラムが記憶されている。
【００１９】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば米国特許出願公開第２００７／０２８８１２１号明細書に開示されているような、基板ステージ２Ｐが有するスケール部材Ｔを用いてその基板ステージ２Ｐの位置を計測するエンコーダシステム６を備えている。
【００２０】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、基板Ｐの表面の位置を検出する第１検出システム７と、基板Ｐの位置を検出する第２検出システム８と、マスクステージ１、基板ステージ２Ｐ、及び計測ステージ２Ｃの位置を計測する干渉計システム９とを備えている。
【００２１】
また、本実施形態において、露光装置ＥＸは、スケール部材Ｔの表面の異物を除去可能な除去システム１０を備えている。本実施形態において、除去システム１０は、複数の除去装置１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃを有する。
【００２２】
また、本実施形態において、露光装置ＥＸは、基板Ｐを搬送する搬送システム１１を備えている。搬送システム１１は、基板ステージ２Ｐに基板Ｐを搬入する処理、及び基板ステージ２Ｐから基板Ｐを搬出する処理を実行可能である。
【００２３】
マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクＭは、例えばガラス板等の透明板と、その透明板上にクロム等の遮光材料を用いて形成されたパターンとを有する透過型マスクを含む。なお、マスクＭとして、反射型マスクを用いることもできる。
【００２４】
基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。基板Ｐは、例えば半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板Ｐが、感光膜に加えて別の膜を含んでもよい。例えば、基板Ｐが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜を保護する保護膜（トップコート膜）を含んでもよい。
【００２５】
照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲに露光光ＥＬを照射する。照明領域ＩＲは、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を、均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。
【００２６】
マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、照明領域ＩＲを含むベース部材１２のガイド面１２Ｇ上を移動可能である。本実施形態において、ガイド面１２ＧとＸＹ平面とは実質的に平行である。マスクステージ１は、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような平面モータを含む駆動システムの作動により移動する。平面モータは、マスクステージ１に配置された可動子と、ベース部材１２に配置された固定子とを有する。本実施形態においては、マスクステージ１は、駆動システムの作動により、ガイド面１２Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。なお、マスクステージ１を移動させる駆動システムは、平面モータでなくてもよい。例えば、駆動システムが、リニアモータを含んでもよい。
【００２７】
投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影領域ＰＲは、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸは、Ｚ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。
【００２８】
投影光学系ＰＬは、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬが射出される射出面１２を有する。投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子１３が、射出面１２を有する。投影領域ＰＲは、射出面１２から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。本実施形態において、射出面１２は、−Ｚ方向を向いており、ＸＹ平面と平行である。なお、−Ｚ方向を向いている射出面１２は、凸面であってもよいし、凹面であってもよい。終端光学素子１３の光軸は、Ｚ軸と平行である。本実施形態において、射出面１２から射出される露光光ＥＬは、−Ｚ方向に進行する。
【００２９】
基板ステージ２Ｐは、基板Ｐを保持した状態で、投影領域ＰＲを含むベース部材１４のガイド面１４Ｇ上を移動可能である。本実施形態において、ガイド面１４ＧとＸＹ平面とは実質的に平行である。計測ステージ２Ｃは、計測器（計測部材）を搭載した状態で、投影領域ＰＲを含むベース部材１４のガイド面１４Ｇ上を移動可能である。基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃは、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような平面モータを含む駆動システムの作動により移動する。平面モータは、基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃのそれぞれに配置された可動子と、ベース部材１４に配置された固定子とを有する。本実施形態においては、基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃのそれぞれは、駆動システムの作動により、ガイド面１４Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。なお、基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃを移動させる駆動システムは、平面モータでなくてもよい。例えば、駆動システムが、リニアモータを含んでもよい。
【００３０】
干渉計システム９は、マスクステージ１に配置された計測ミラーを用いてそのマスクステージ１の位置を計測するレーザ干渉計ユニット９Ａと、基板ステージ２Ｐに配置された計測ミラー及び計測ステージ２Ｃに配置された計測ミラーを用いてその基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃの位置を計測するレーザ干渉計ユニット９Ｂとを有する。レーザ干渉計ユニット９Ａ、９Ｂの計測結果は、制御装置４に出力される。
【００３１】
基板ステージ２Ｐは、基板Ｐをリリース可能に保持する第１保持部１５を有する。また、本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、第１保持部１５の周囲の少なくとも一部に配置され、射出面１２が対向可能なスケール部材Ｔを有する。本実施形態において、スケール部材Ｔは、プレート状の部材である。基板ステージ２が移動することによって、スケール部材Ｔも移動する。例えば基板ステージ２がガイド面１４Ｇに沿ってＸＹ平面内を移動するとき、スケール部材Ｔも移動する。
【００３２】
本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、第１保持部１５の周囲の少なくとも一部に配置され、スケール部材Ｔをリリース可能に保持する第２保持部１６を有する。第２保持部１６に保持されるスケール部材Ｔは、第１保持部１５に保持される基板Ｐの周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、スケール部材Ｔは、開口ＴＨを有する。開口ＴＨの内側に基板Ｐが配置される。本実施形態において、スケール部材Ｔは、基板Ｐの周囲に配置される。
【００３３】
本実施形態において、基板Ｐの表面（上面）は、実質的に平坦である。スケール部材Ｔの表面（上面）は、実質的に平坦である。本実施形態において、第１保持部１５は、基板Ｐの表面（上面）とＸＹ平面とが実質的に平行となるように、基板Ｐの裏面（下面）を保持する。第２保持部１６は、スケール部材Ｔの表面（上面）とＸＹ平面とが実質的に平行となるように、スケール部材Ｔの裏面（下面）を保持する。
【００３４】
本実施形態において、第１保持部１５に保持された基板Ｐの表面（上面）と、第２保持部１６に保持されたスケール部材Ｔの表面（上面）とは、実質的に同一平面内に配置される（面一である）。
【００３５】
なお、第１保持部１５に保持された基板Ｐの表面（上面）と第２保持部１６に保持されたスケール部材Ｔの表面（上面）とが同一平面内に配置されてなくてもよいし、基板Ｐの表面の少なくとも一部及びスケール部材Ｔの表面の少なくとも一部の一方又は両方がＸＹ平面と非平行でもよい。
【００３６】
なお、例えばスケール部材Ｔの表面（上面）の少なくとも一部が平坦でなくてもよい。例えば、スケール部材Ｔの表面（上面）の少なくとも一部が曲面を含んでもよい。
【００３７】
以下の説明において、基板ステージ２Ｐ（第２保持部１６）に保持されたスケール部材Ｔの表面（上面）を適宜、上面１７、と称する。上面１７は、第１保持部１５に保持された基板Ｐの表面の周囲に配置される。スケール部材Ｔの上面１７は、射出面１２と対向可能である。
【００３８】
なお、本実施形態においては、スケール部材Ｔは、基板ステージ２Ｐからリリース可能であるが、リリース可能でなくてもよい。その場合、第２保持部１６は省略可能である。
【００３９】
本実施形態において、スケール部材Ｔは、Ｙ軸方向に関する基板ステージ２Ｐの位置を計測するためのＹスケール２６、２７と、Ｘ軸方向に関する基板ステージ２Ｐの位置を計測するためのＸスケール２８、２９とを含む。Ｙスケール２６は、開口ＴＨ（第１保持部１５の中心）に対して−Ｘ側に配置される。Ｙスケール２７は、開口ＴＨに対して＋Ｘ側に配置される。Ｘスケール２８は、開口ＴＨに対して−Ｙ側に配置される。Ｘスケール２９は、開口ＴＨに対して＋Ｙ側に配置される。
【００４０】
Ｙスケール２６、２７のそれぞれは、Ｘ軸方向に長く、Ｙ軸方向に所定ピッチで配置された複数の格子（格子線）を含む。すなわち、Ｙスケール２６、２７は、Ｙ軸方向を周期方向とする一次元格子を含む。Ｘスケール２８、２９のそれぞれは、Ｙ軸方向に長く、Ｘ軸方向に所定ピッチで配置された複数の格子（格子線）を含む。すなわち、Ｘスケール２８、２９は、Ｘ軸方向を周期方向とする一次元格子を含む。
【００４１】
本実施形態において、格子は、回折格子である。すなわち、本実施形態において、Ｙスケール２６、２７は、Ｙ軸方向を周期方向とする回折格子を有する。Ｘスケール２８、２９は、Ｘ軸方向を周期方向とする回折格子を有する。また、本実施形態においては、Ｙスケール２６、２７は、Ｙ軸方向を周期方向とする反射型格子（反射回折格子）が形成された反射型スケールである。Ｘスケール２８、２９は、Ｘ軸方向を周期方向とする反射型格子（反射回折格子）が形成された反射型スケールである。
【００４２】
本実施形態において、搬送システム１１は、基板ステージ２Ｐに基板Ｐを搬入（ロード）する第１搬送部材１１Ａと、基板ステージ２Ｐから基板Ｐを搬出（アンロード）する第２搬送部材１１Ｂとを有する。第１搬送部材１１Ａは、例えば露光前の基板Ｐを基板ステージ２Ｐの第１保持部１５に搬入する。第２搬送部材１１Ｂは、例えば露光後の基板Ｐを基板ステージ２Ｐの第１保持部１５から搬出する。
【００４３】
本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、少なくとも一部が射出面１２と対向する位置ＥＰと、射出面１２と対向しない位置ＣＰ１と、射出面１２と対向しない位置ＣＰ２との間を移動可能である。
【００４４】
本実施形態においては、位置ＥＰに配置された物体に、射出面１２から射出された露光光ＥＬが照射可能である。本実施形態においては、位置ＣＰ１において、露光前の基板Ｐを第１保持部１５に搬入する処理が実行される。位置ＣＰ２において、第１保持部１５から露光後の基板Ｐを搬出する処理が実行される。
【００４５】
以下の説明において、位置ＥＰを適宜、露光位置ＥＰ、と称する。また、以下の説明において、位置ＣＰ１を適宜、第１基板交換位置ＣＰ１、と称し、位置ＣＰ２を適宜、第２基板交換位置ＣＰ２、と称する。
【００４６】
本実施形態において、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２は、露光位置ＥＰに対して＋Ｙ側の位置である。本実施形態において、第１基板交換位置ＣＰ１は、第２基板交換位置ＣＰ２に対して−Ｘ側の位置である。
【００４７】
第１保持部１５に基板Ｐを搬入するとき、制御装置４は、基板ステージ２Ｐを第１基板交換位置ＣＰ１に移動する。制御装置４は、第１搬送部材１１Ａを用いて、第１基板交換位置ＣＰ１に配置された基板ステージ２Ｐの第１保持部１５に、基板Ｐを搬入する。
【００４８】
第１保持部１５から基板Ｐを搬出するとき、制御装置４は、基板ステージ２Ｐを第２基板交換位置ＣＰ２に移動する。制御装置４は、第２搬送部材１１Ｂを用いて、第２基板交換位置ＣＰ２に配置された基板ステージ２Ｐの第１保持部１５から、基板Ｐを搬出する。
【００４９】
図３は、エンコーダシステム６、第１検出システム７、第２検出システム８、及び除去システム１０の一例を示す平面図である。
【００５０】
第１検出システム７は、例えば米国特許第５４４８３３２号明細書等に開示されているような、所謂、斜入射方式の多点フォーカス・レベリング検出システムを含む。第１検出システム７は、検出光を射出する照射装置７Ａと、検出光を受光可能な受光装置７Ｂとを有する。第１検出システム７は、照射装置７Ａから射出される検出光を検出領域ＡＦに照射して、その検出領域ＡＦに配置された物体の表面（被検面）の位置を検出する。物体の表面に照射された照射装置７Ａからの検出光は、その物体の表面で反射する。物体の表面で反射した検出光の少なくとも一部は、受光装置７Ｂに受光される。第１検出システム７は、受光装置７Ｂの受光結果に基づいて、例えばＺ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する物体の表面の位置を検出する。
【００５１】
本実施形態において、第１検出システム７の検出領域ＡＦは、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２と露光位置ＥＰとの間に配置される。第１検出システム７は、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２と露光位置ＥＰとの間において、物体の表面の位置を検出する。換言すれば、第１検出システム７は、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２と露光位置ＥＰとの間に配置される物体の表面の位置を検出する。
【００５２】
本実施形態においては、第１検出システム７は、例えば第１保持部１５に保持された基板Ｐの表面の位置、及びスケール部材Ｔの上面１７の位置を検出可能である。なお、第１検出システム７が、計測ステージ２Ｃの表面（上面）の位置を検出してもよい。
【００５３】
第２検出システム８は、例えば米国特許５４９３４０３号明細書に開示されているような、基板Ｐの感光膜を感光させないブロードバンドな検出光を対象マークに照射し、その対象マークで反射した検出光により受光面に結像された対象マークの像と指標の像とをＣＣＤ等の撮像素子を用いて撮像し、それらの撮像信号を画像処理することで対象マークの位置を計測するＦＩＡ（Field Image Alignment）方式のアライメント装置を含む。本実施形態において、第２検出システム８は、複数のアライメント装置８Ａ〜８Ｅを含む。本実施形態において、複数のアライメント装置８Ａ〜８Ｅは、Ｘ軸方向に配置される。
【００５４】
アライメント装置８Ａは、検出光を検出領域ＡＬＡに照射して、その検出領域ＡＬＡに配置された対象マークの位置を検出する。対象マークに照射された検出光は、その対象マークで反射する。対象マークで反射した検出光に基づく対象マークの像は、撮像素子で撮像される。アライメント装置８Ａは、撮像素子の撮像結果に基づいて、例えば例えばＺ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する対象マークの位置を検出する。同様に、アライメント装置８Ｂ〜８Ｅのそれぞれは、検出領域ＡＬＢ〜ＡＬＥに検出光を照射して、検出領域ＡＬＢ〜ＡＬＢのそれぞれに配置された対象マークの位置を検出する。
【００５５】
本実施形態において、第２検出システム８の検出領域ＡＬＡ〜ＡＬＥは、Ｘ軸方向に配置される。また、検出領域ＡＬＡ〜ＡＬＥは、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２と露光位置ＥＰとの間に配置される。第２検出システム８は、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２と露光位置ＥＰとの間において、対象マークの位置を検出する。換言すれば、第２検出システム８は、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２と露光位置ＥＰとの間に配置される対象マークの位置を検出する。
【００５６】
また、本実施形態において、第２検出システム８は、第１検出システム７よりも＋Ｙ側に配置される。本実施形態において、検出領域ＡＬＡ〜ＡＬＥは、検出領域ＡＦよりも＋Ｙ側に配置される。換言すれば、検出領域ＡＬＡ〜ＡＬＥは、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２と検出領域ＡＦとの間に配置される。
【００５７】
本実施形態においては、第２検出システム８は、例えば第１保持部１５に保持された基板Ｐのアライメントマークの位置を検出可能である。なお、第２検出システム８が、例えば計測ステージ２Ｃに配置されたマークの位置を検出してもよい。
【００５８】
エンコーダシステム６は、例えば米国特許出願公開第２００７／０２８８１２１号明細書に開示されているような、計測光を射出する照射装置及び計測光を受光する受光装置を有し、スケール部材Ｔが有する格子（スケール、格子線）に照射装置からの計測光を照射し、その格子を介した計測光を受光装置で受光して、その格子の位置を計測するエンコーダヘッド６０を有する。
【００５９】
本実施形態において、エンコーダシステム６は、エンコーダヘッド６０を複数有する。エンコーダシステム６は、Ｘ軸方向に配置された複数のエンコーダヘッド６０を含み、終端光学素子１３（液浸部材３）の−Ｘ側に配置されるリニアエンコーダ６Ａと、Ｙ軸方向に配置された複数のエンコーダヘッド６０を含み、終端光学素子１３（液浸部材３）の−Ｙ側に配置されるリニアエンコーダ６Ｂと、Ｘ軸方向に配置された複数のエンコーダヘッド６０を含み、終端光学素子１３（液浸部材３）の＋Ｘ側に配置されるリニアエンコーダ６Ｃと、Ｙ軸方向に配置された複数のエンコーダヘッド６０を含み、終端光学素子１３（液浸部材３）の＋Ｙ側に配置されるリニアエンコーダ６Ｄとを有する。
【００６０】
本実施形態において、リニアエンコーダ６Ａ、６Ｃは、Ｙスケール２６、２７を用いて、Ｙ軸方向に関する基板ステージ２Ｐの位置を計測する。リニアエンコーダ６Ｂ、６Ｄは、Ｘスケール２８、２９を用いて、Ｘ軸方向に関する基板ステージ２Ｐの位置を計測する。
【００６１】
リニアエンコーダ６Ａ〜６Ｄ（エンコーダヘッド６０）は、スケール部材Ｔの上面１７が対向可能な位置に配置される。スケール部材Ｔは、リニアエンコーダ６Ａ〜６Ｄのエンコーダヘッド６０と対向する位置に移動可能である。エンコーダヘッド６０は、照射装置から射出される計測光を計測領域に照射して、その計測領域に配置されたスケール部材Ｔの格子を検出する。スケール部材Ｔに照射された照射装置からの計測光の少なくとも一部は、そのスケール部材Ｔで反射する。スケール部材Ｔで反射した計測光の少なくとも一部は、受光装置に受光される。エンコーダシステム６は、リニアエンコーダ６Ａ〜６Ｄのそれぞれが有する複数のエンコーダヘッド６０の受光装置の受光結果に基づいて、例えばＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関するスケール部材Ｔ（基板ステージ２Ｐ）の位置を計測する。
【００６２】
本実施形態において、リニアエンコーダ６Ｄの少なくとも一部は、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２と露光位置ＥＰとの間に配置される。リニアエンコーダ６Ｄは、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２と露光位置ＥＰとの間において、基板ステージ２Ｐの位置を計測する。換言すれば、リニアエンコーダ６Ｄは、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２と露光位置ＥＰとの間に配置されるスケール部材（基板ステージ２Ｐ）の位置を計測する。
【００６３】
本実施形態において、リニアエンコーダ６Ａ〜６Ｃは、検出領域ＡＦよりも−Ｙ側に配置される。すなわち、本実施形態において、リニアエンコーダ６Ａ〜６Ｃは、検出領域ＡＦ及び検出領域ＡＬＡ〜ＡＬＥよりも、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２から離れている。
【００６４】
除去システム１０は、複数の除去装置１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃを有する。本実施形態において、除去装置１０Ａ〜１０Ｃの少なくとも一部は、露光位置ＥＰと第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２との間に配置される。
【００６５】
除去装置１０Ａは、リニアエンコーダ６Ｄに対して＋Ｘ側に配置されている。除去装置１０Ｂは、リニアエンコーダ６Ｄに対して−Ｘ側に配置されている。除去装置１０Ａと除去装置１０Ｂとは、Ｘ軸方向に配置されている。除去装置１０Ｃは、除去装置１０Ａ、１０Ｂよりも＋Ｙ側に配置されている。換言すれば、除去装置１０Ｃは、除去装置１０Ａ、１０Ｂよりも、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２に近い位置に配置されている。本実施形態においては、Ｘ軸方向に関して、除去装置１０Ｃは、除去装置１０Ａと除去装置１０Ｂとの間に配置されている。
【００６６】
除去装置１０Ａ〜１０Ｃのそれぞれは、ＸＹ平面内を移動するスケール部材Ｔの上面１７が対向可能な位置に配置され、スケール部材Ｔの上面１７の異物を除去可能な除去部材２０を有する。除去部材２０の少なくとも一部は、露光位置ＥＰと第１基板交換位置ＣＰ１との間に配置される。除去部材２０の少なくとも一部は、露光位置ＥＰと第２基板交換位置ＣＰ２との間に配置される。
【００６７】
本実施形態においては、除去システム１０が有する複数の除去部材２０のうち、少なくとも２つの除去部材２０が、スケール部材Ｔの上面１７と同時に対向するように配置される。図３に示すように、本実施形態においては、基板ステージ２ＰがＸＹ平面内において所定位置に配置されたとき、除去装置１０Ａの除去部材２０と除去装置１０Ｂの除去部材２０と除去装置１０Ｃの除去部材２０とは、スケール部材Ｔの上面１７と同時に対向可能である。
【００６８】
また、図３に示す例では、除去装置１０Ａの除去部材２０が第１保持部１５の中心（開口ＴＨ）に対して＋Ｘ側のスケール部材Ｔの上面１７の一部の領域と対向し、除去装置１０Ｂの除去部材２０が第１保持部１５の中心に対して−Ｘ側のスケール部材Ｔの上面１７の一部の領域と対向する。
【００６９】
また、図３に示す例では、除去装置１０Ａの除去部材２０が第１保持部１５の中心（開口ＴＨ）に対して−Ｙ側のスケール部材Ｔの上面１７の一部の領域と対向し、除去装置１０Ｂの除去部材２０が第１保持部１５の中心に対して−Ｙ側のスケール部材Ｔの上面１７の一部の領域と対向し、除去装置１０Ｃの除去部材２０が第１保持部１５の中心に対して＋Ｙ側のスケール部材Ｔの上面１７の一部の領域と対向する。
【００７０】
なお、上述の所定位置は、例えば基板ステージ２Ｐ（基板Ｐ）の少なくとも一部が検出領域ＡＬＡ〜ＡＬＥの少なくとも一部に配置される位置を含む。なお、上述の所定位置が、例えば基板ステージ２Ｐ（基板Ｐ）の少なくとも一部が検出領域ＡＦに配置される位置を含んでもよい。なお、上述の所定位置が、例えば露光位置ＥＰと第１基板交換位置ＣＰ１との間の位置を含んでもよいし、露光位置ＥＰと第２基板交換位置ＣＰ２との間の位置を含んでもよい。なお、上述の所定位置が、例えば露光位置ＥＰを含んでもよい。
【００７１】
図４及び図５は、本実施形態に係る除去装置１０Ａの一例を示す図である。図４及び図５に示すように、除去装置１０Ａは、スケール部材Ｔの上面１７が対向可能な位置に配置される除去部材２０を有する。除去部材２０は、スケール部材Ｔの上方に配置される。
【００７２】
本実施形態において、除去部材２０は、スケール部材Ｔの異物を吸引する吸引口２１を有する。また、本実施形態において、除去部材２０は、スケール部材Ｔの異物を捕捉するトラップ部材２２を有する。
【００７３】
本実施形態において、除去部材２０は、スケール部材Ｔの上面１７が対向可能な下面２３を有する。トラップ部材２２は、下面２３から下方に突出する。すなわち、本実施形態において、トラップ部材２２は、下面２３に配置され、下方に突出する凸部である。本実施形態において、トラップ部材２２は、下面２３のほぼ中央に配置される。
【００７４】
吸引口２１は、トラップ部材２２の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、吸引口２１は、下面２３に配置される。下面２３は、吸引口２１の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、吸引口２１は、トラップ部材２２の周囲に複数配置される。なお、吸引口２１が、トラップ部材２２を囲む環状でもよい。
【００７５】
本実施形態において、除去装置１０Ａは、スケール部材Ｔの上面１７から上方に突出するようにそのスケール部材Ｔの上面１７に存在する異物を除去可能である。本実施形態において、除去部材２０は、スケール部材Ｔに接触しないで、スケール部材Ｔの上面１７の異物に接触するように配置される。図４及び図５に示す例では、除去部材２０は、スケール部材Ｔに接触しないで、下面２３から下方に突出するトラップ部材２２がスケール部材Ｔの上面１７の異物に接触するように配置される。
【００７６】
例えば、図４に示すように、スケール部材Ｔの上面１７に異物が存在する場合、制御装置４は、スケール部材Ｔの上面１７の異物とトラップ部材２２とが接触するように、トラップ部材２２とスケール部材Ｔの上面１７とが所定の間隙を介して対向された状態で、基板ステージ２ＰをＸＹ平面内で移動させる。これにより、図５に示すように、異物がトラップ部材２２に捕捉される。
【００７７】
除去装置１０Ａは、トラップ２２で捕捉された異物を吸引口２１から吸引する。本実施形態において、除去部材２０は、吸引口２１に通じる内部空間２４を有する。内部空間２４は、例えば真空システムを含む吸引装置２５と接続される。制御装置４は、吸引装置２５を作動することにより、吸引口２１から異物を吸引することができる。これにより、スケール部材Ｔの異物がスケール部材Ｔから除去される。
【００７８】
本実施形態において、除去装置１０Ｂ、１０Ｃは、除去装置１０Ａと同様の構成である。除去装置１０Ｂ、１０Ｃの説明は省略する。
【００７９】
なお、除去装置１０Ａ〜１０Ｃのそれぞれが、除去部材２０を１つずつ有してもよいし、複数有してもよい。
【００８０】
図６は、本実施形態に係る液浸部材３の一例を示す側断面図である。液浸部材３は、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能である。本実施形態において、液浸部材３は、投影光学系ＰＬの終端光学素子１３の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、液浸部材３は、環状の部材である。液浸部材３の一部は、終端光学素子１３の周囲に配置され、液浸部材３の一部は、射出面１２から射出される露光光ＥＬの光路の周囲に配置される。
【００８１】
液浸空間ＬＳは、射出面１２から射出される露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように形成される。射出面１２から射出される露光光ＥＬは、−Ｚ方向に進行する。射出面１２は、露光光ＥＬの進行方向（−Ｚ方向）を向く。本実施形態において、射出面１２は、ＸＹ平面とほぼ平行な平面である。なお、射出面１２がＸＹ平面に対して傾斜していてもよいし、曲面を含んでもよい。
【００８２】
液浸部材３は、少なくとも一部が−Ｚ方向を向く下面３０を有する。本実施形態において、射出面１２及び下面３０は、射出面１２から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲ、露光位置ＥＰ）に配置される物体との間で液体ＬＱを保持することができる。液浸空間ＬＳは、射出面１２及び下面３０の少なくとも一部と投影領域ＰＲに配置される物体との間に保持された液体ＬＱによって形成される。液浸空間ＬＳは、射出面１２と、露光位置ＥＰに配置される物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように形成される。液浸部材３は、終端光学素子１３と物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように物体との間で液体ＬＱを保持可能である。
【００８３】
本実施形態において、露光位置ＥＰに配置可能な物体は、投影光学系ＰＬの像面側（終端光学素子１３の射出面１２側）で露光位置ＥＰに対して移動可能な物体を含む。その物体は、終端光学素子１３及び液浸部材３に対して移動可能である。その物体は、射出面１２及び下面３０の少なくとも一方と対向可能な上面（表面）を有する。物体の上面は、射出面１２との間に液浸空間ＬＳを形成可能である。本実施形態において、物体の上面は、射出面１２及び下面３０の少なくとも一部との間に液浸空間ＬＳを形成可能である。一方側の射出面１２及び下面３０と、他方側の物体の上面（表面）との間に液体ＬＱが保持されることによって、終端光学素子１３と物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。
【００８４】
本実施形態において、その物体は、基板ステージ２Ｐ（スケール部材Ｔ）、基板ステージ２Ｐに保持された基板Ｐ、及び計測ステージ２Ｃの少なくとも一つを含む。例えば、基板ステージ２Ｐ（スケール部材Ｔ）の上面１７、及び基板ステージ２Ｐに保持されている基板Ｐの表面（上面）は、−Ｚ方向を向く終端光学素子１３の射出面１２、及び−Ｚ方向を向く液浸部材３の下面３０と対向可能である。もちろん、露光位置ＥＰに配置可能な物体は、基板ステージ２Ｐ（スケール部材Ｔ）、基板ステージ２Ｐに保持された基板Ｐ、及び計測ステージ２Ｃの少なくとも一つに限られない。また、それら物体は、除去装置１０Ａ〜１０Ｃの少なくとも一部と対向可能である。
【００８５】
本実施形態においては、基板Ｐに露光光ＥＬが照射されているとき、投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成される。基板Ｐの露光時において、液浸部材３は、終端光学素子１３と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持可能である。液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧの少なくとも一部は、液浸部材３の下面３０と基板Ｐの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。
【００８６】
なお、図６は、露光位置ＥＰ（終端光学素子１３及び液浸部材３と対向する位置）に基板Ｐ及びスケール部材Ｔが配置されている状態を示す。図６において、液浸空間ＬＳは、終端光学素子１３及び液浸部材３と、基板Ｐ及びスケール部材Ｔとの間に形成されている。
【００８７】
図６に示すように、液浸部材３は、少なくとも一部が終端光学素子１３と基板Ｐ（物体）との間に配置されるプレート部３１と、少なくとも一部が終端光学素子１３の周囲に配置される本体部３２とを含む。プレート部３１は、射出面１２と対向する位置に孔（開口）３Ｋを有する。射出面１２から射出された露光光ＥＬは、孔３Ｋを通過して、基板Ｐに照射可能である。
【００８８】
また、液浸部材３は、液体ＬＱを供給可能な供給口３３と、液体ＬＱを回収可能な回収口３４とを有する。供給口３３は、例えば基板Ｐの露光時において液体ＬＱを供給する。回収口３４は、例えば基板Ｐの露光時において液体ＬＱを回収する。
【００８９】
供給口３３は、射出面１２から射出される露光光ＥＬの光路の近傍において、その光路に面するように配置されている。本実施形態において、供給口３３は、プレート部３１の上面と射出面１２との間の空間に液体ＬＱを供給する。供給口３３から供給された液体ＬＱは、プレート部３１の上面と射出面１２との間の空間を流れた後、孔３Ｋを介して、基板Ｐ（物体）上に供給される。
【００９０】
供給口３３は、流路３３Ｒを介して、液体供給装置と接続されている。液体供給装置は、清浄で温度調整された液体ＬＱを送出可能である。流路３３Ｒは、液浸部材３の内部に形成された供給流路、及びその供給流路と液体供給装置とを接続する供給管で形成される流路を含む。液体供給装置から送出された液体ＬＱは、流路３３Ｒを介して供給口３３に供給される。少なくとも基板Ｐの露光において、供給口３３は、液体ＬＱを供給する。
【００９１】
回収口３４は、液浸部材３の下面３０と対向する物体上の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。回収口３４は、露光光ＥＬが通過する孔３Ｋの下端の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態においては、回収口３４は、プレート部３１の下面の周囲の少なくとも一部に配置される。回収口３４は、物体の表面と対向する液浸部材３の所定位置に配置されている。少なくとも基板Ｐの露光において、回収口３４に基板Ｐが対向する。基板Ｐの露光において、回収口３４は、基板Ｐ上の液体ＬＱを回収する。
【００９２】
本実施形態において、本体部３２は、基板Ｐ（物体）に面する開口３Ｐを有する。開口３Ｐは、プレート部３１の下面の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、液浸部材３は、開口３Ｐに配置された多孔部材３６を有する。本実施形態において、多孔部材３６は、複数の孔(openingsあるいはpores)を含むプレート状の部材である。なお、開口３Ｐに、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタが配置されてもよい。
【００９３】
本実施形態において、多孔部材３６は、基板Ｐ（物体）が対向可能な下面と、下面の反対方向を向く上面と、上面と下面とを結ぶ複数の孔とを有する。多孔部材３６の下面は、プレート部３１の下面の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、液浸部材３の下面３０の少なくとも一部は、プレート部３１の下面及び多孔部材３６の下面を含む。
【００９４】
本実施形態において、回収口３４は、多孔部材３６の孔を含む。本実施形態において、基板Ｐ（物体）上の液体ＬＱは、多孔部材３６の孔（回収口３４）を介して回収される。なお、多孔部材３６が配置されなくてもよい。
【００９５】
回収口３４は、流路３４Ｒを介して、液体回収装置と接続される。液体回収装置は、回収口３４を真空システムに接続可能であり、回収口３４を介して液体ＬＱを吸引可能である。流路３４Ｒは、液浸部材３の内部に形成された回収流路、及びその回収流路と液体回収装置とを接続する回収管で形成される流路を含む。回収口３４から回収された液体ＬＱは、流路３４Ｒを介して、液体回収装置に回収される。
【００９６】
本実施形態において、制御装置４は、供給口３３からの液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口３４からの液体ＬＱの回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子１３及び液浸部材３と、他方側の物体との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成可能である。
【００９７】
なお、液浸部材３として、例えば米国特許出願公開第２００７／０１３２９７６号明細書、欧州特許出願公開第１７６８１７０号明細書に開示されているような液浸部材（ノズル部材）を用いることができる。
【００９８】
次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。なお、以下の説明において、除去システム１０を用いて異物を除去する処理（異物除去処理）を適宜、クリーニング処理、と称する。
【００９９】
図６に示すように、終端光学素子１３及び液浸部材３と、第１保持部１５に保持された基板Ｐ及び第２保持部１６に保持されたスケール部材Ｔの少なくとも一方との間に、液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成される。液浸空間ＬＳが形成された後、制御装置４は、基板Ｐの露光処理を開始する。なお、基板Ｐの露光処理が開始される前の所定のタイミングにおいて、例えば露光光ＥＬの計測等、所定の計測処理が実行されてもよい。
【０１００】
基板Ｐの露光処理を実行するとき、制御装置４は、終端光学素子１３及び液浸部材３と基板Ｐとを対向させ、終端光学素子１３と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成する。制御装置４は、照明系ＩＬから露光光ＥＬを射出し、マスクＭを露光光ＥＬで照明する。マスクＭからの露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して基板Ｐに照射される。これにより、基板Ｐは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して射出面１３からの露光光ＥＬで露光され、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影される。
【０１０１】
本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。
【０１０２】
本実施形態においては、基板Ｐに露光対象領域であるショット領域がマトリクス状に複数配置される。例えば基板Ｐの第１ショット領域を露光するために、制御装置４は、基板Ｐ（第１ショット領域）を投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して第１ショット領域に露光光ＥＬを照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐの第１ショット領域に投影され、その第１ショット領域が射出面１２から射出された露光光ＥＬで露光される。
【０１０３】
第１ショット領域の露光が終了した後、制御装置４は、次の第２ショット領域の露光を開始するために、液浸空間ＬＳが形成されている状態で、基板ＰをＸＹ平面内における所定方向（例えばＸ軸方向、あるいはＸＹ平面内においてＸ軸方向に対して傾斜する方向等）に移動し、第２ショット領域を露光開始位置に移動する。その後、制御装置４は、第２ショット領域の露光を開始する。
【０１０４】
制御装置４は、投影領域ＰＲに対してショット領域をＹ軸方向に移動しながらそのショット領域を露光する動作と、そのショット領域の露光が終了した後、次のショット領域を露光開始位置に移動するための動作とを繰り返しながら、基板Ｐの複数のショット領域を順次露光する。
【０１０５】
このように、本実施形態においては、制御装置４は、基板ステージ２ＰをＸＹ平面内で移動しながら、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して基板Ｐの複数のショット領域を順次露光する。
【０１０６】
基板Ｐの露光の少なくとも一部において、基板ステージ２Ｐの位置は、エンコーダシステム６によって計測される。制御装置４は、エンコーダシステム６の計測結果に基づいて、基板ステージ２Ｐの位置を制御する。また、基板Ｐの露光の少なくとも一部において、基板ステージ２Ｐは、終端光学素子１３及び液浸部材３と第１保持部１５に保持される基板Ｐ及び第２保持部１６に保持されるスケール部材Ｔの少なくとも一方に液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成された状態で、ＸＹ平面内を移動する。基板Ｐの露光の少なくとも一部において、液浸空間ＬＳの液体ＬＱは、スケール部材Ｔに接触する。
【０１０７】
基板Ｐの露光処理が終了した後、制御装置４は、基板ステージ２Ｐを露光位置ＥＰから第２基板交換位置ＣＰ２へ移動する。すなわち、制御装置４は、第１保持部１５から露光後の基板Ｐを搬出するために、基板ステージ２ＰをＸＹ平面内で移動して、第２基板交換位置ＣＰ２に配置する動作を開始する。
【０１０８】
なお、本実施形態において、基板ステージ２Ｐが露光位置ＥＰから離れるとき、露光位置ＥＰには計測ステージ２Ｃが配置され、終端光学素子１３及び液浸部材３と計測ステージ２Ｃとの間に液浸空間ＬＳが形成される。基板ステージ２Ｐが露光位置ＥＰから離れるとき、例えば米国特許出願公開第２００６／００２３１８６号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１２７００６号明細書等に開示されているように、制御装置４は、基板ステージ２Ｐの上面１７と計測ステージ２Ｃの上面１７とを接近又は接触させた状態で、終端光学素子１３及び液浸部材３と基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃの少なくとも一方とを対向させつつ、終端光学素子１３及び液浸部材３に対して、基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２ＣをＸＹ平面内において移動させる。これにより、液体ＬＱの漏出が抑制されつつ、液浸空間ＬＳが終端光学素子１３及び液浸部材３と基板ステージ２Ｐとの間に形成される状態から、終端光学素子１３及び液浸部材３と計測ステージ２Ｃとの間に形成される状態へ変化する。また、制御装置４は、液浸空間ＬＳが、終端光学素子１３及び液浸部材３と計測ステージ２Ｃとの間に形成される状態から、終端光学素子１３及び液浸部材３と基板ステージ２Ｐとの間に形成される状態へ変化させることもできる。
【０１０９】
以下の説明において、基板ステージ２Ｐの上面１７と計測ステージ２Ｃの上面とを接近又は接触させた状態で、終端光学素子１３及び液浸部材３に対して、基板ステージ２Ｐと計測ステージ２ＣとをＸＹ平面内において同期移動させる動作を適宜、スクラム移動動作、と称する。
【０１１０】
本実施形態においては、スクラム移動動作において、例えば図３に示すように、基板ステージ２Ｐの上面１７の−Ｙ側の辺と、計測ステージ２Ｃの上面の＋Ｙ側の辺とが接近又は接触する。
【０１１１】
図７は、基板ステージ２Ｐが露光位置ＥＰから第２基板交換位置ＣＰ２へ移動している状態の一例を示す。本実施形態においては、除去システム１０は、露光後の基板Ｐを保持した基板ステージ２Ｐが露光位置ＥＰから第２基板交換位置ＣＰ２に移動するときに、スケール部材Ｔの上面１７の異物を除去する。
【０１１２】
すなわち、制御装置４は、露光後の基板Ｐを第１保持部１５から搬出する前に、スケール部材Ｔの異物を除去する処理を実行する。
【０１１３】
図７に示すように、基板ステージ２Ｐが露光位置ＥＰから第２基板交換位置ＣＰ２へ移動するとき、上面１７の一部の領域に除去装置１０Ａの除去部材２０が対向し、スケール部材Ｔの上面１７の一部の領域に除去部材１０Ｃの除去部材２０が対向する。図７に示す例では、第１保持部１５の中心に対して−Ｙ側の上面１７の一部の領域に、除去装置１０Ａの除去部材２０が対向し、第１保持部１５の中心に対して＋Ｙ側の上面１７の一部の領域に、除去装置１０Ｃの除去部材２０が対向する。除去装置１０Ａの除去部材２０と除去装置１０Ｃの除去部材２０とは、上面１７に同時に対向する。
【０１１４】
制御装置４は、基板ステージ２ＰをＸＹ平面内で移動しながら、上面１７が対向可能な位置に配置されている除去装置１０Ａ、１０Ｃの除去部材２０で、スケール部材Ｔの異物を除去する。図４及び図５を参照して説明したように、スケール部材Ｔの異物は、除去部材２０の吸引口２１から吸引される。これにより、スケール部材Ｔから異物が除去される。
【０１１５】
以下の説明において、基板ステージ２Ｐが露光位置ＥＰから第２基板交換位置ＣＰ２に移動するときにスケール部材Ｔの異物を除去する処理を適宜、第１クリーニング処理、と称する。
【０１１６】
第１クリーニング処理が終了した後、第２基板交換位置ＣＰ２に配置された基板ステージ２Ｐの第１保持部１５から、第２搬送部材１１Ｂによって、露光後の基板Ｐが搬出される。
【０１１７】
露光後の基板Ｐを第１保持部１５から搬出する処理が終了した後、制御装置４は、基板ステージ２Ｐを第２基板交換位置ＣＰ２から第１基板交換位置ＣＰ１へ移動する。すなわち、制御装置４は、露光前の基板Ｐを第１保持部１５に搬入するために、基板ステージ２ＰをＸＹ平面内で移動して、第１基板交換位置ＣＰ１に配置する。第１基板交換位置ＣＰ１に配置された基板ステージ２Ｐの第１保持部１５に、第１搬送部材１１Ａによって、露光前の基板Ｐが搬入される。
【０１１８】
露光前の基板Ｐを第１保持部１５に搬入する処理が終了した後、制御装置４は、基板ステージ２Ｐを第１基板交換位置ＣＰ１から露光位置ＥＰへ移動する。すなわち、制御装置４は、第１保持部１５に保持された露光前の基板Ｐを露光するために、基板ステージ２ＰをＸＹ平面内で移動して、露光位置ＥＰに配置する動作を開始する。
【０１１９】
図８は、基板ステージ２Ｐが第１基板交換位置ＣＰ１から露光位置ＥＰへ移動している状態の一例を示す。本実施形態においては、除去システム１０は、第１基板交換位置ＣＰ１において露光前の基板Ｐを保持した基板ステージ２Ｐが露光位置ＥＰに移動するときに、スケール部材Ｔの上面１７の異物を除去する。
【０１２０】
すなわち、制御装置４は、露光前の基板Ｐが第１保持部１５に保持された後、その基板Ｐの露光が開始される前に、スケール部材Ｔの異物を除去する処理を実行する。
【０１２１】
図８に示すように、基板ステージ２Ｐが第１基板交換位置ＣＰ１から露光位置ＥＰへ移動するとき、上面１７の一部の領域に除去装置１０Ｂの除去部材２０が対向し、上面１７の一部の領域に除去部材１０Ｃの除去部材２０が対向する。図８に示す例では、第１保持部１５の中心に対して−Ｙ側の上面１７の一部の領域に、除去装置１０Ｂの除去部材２０が対向し、第１保持部１５の中心に対して＋Ｙ側の上面１７の一部の領域に、除去装置１０Ｃの除去部材２０が対向する。除去装置１０Ｂの除去部材２０と除去装置１０Ｃの除去部材２０とは、上面１７に同時に対向する。
【０１２２】
制御装置４は、基板ステージ２ＰをＸＹ平面内で移動しながら、上面１７が対向可能な位置に配置されている除去装置１０Ｂ、１０Ｃの除去部材２０で、スケール部材Ｔの異物を除去することができる。図４及び図５を参照して説明したように、スケール部材Ｔの異物は、除去部材２０の吸引口２１から吸引される。これにより、スケール部材Ｔから異物が除去される。
【０１２３】
以下の説明において、基板ステージ２Ｐが第１基板交換位置ＣＰ１から露光位置ＥＰに移動するときにスケール部材Ｔの異物を除去する処理を適宜、第２クリーニング処理、と称する。
【０１２４】
第２クリーニング処理が終了した後、スケール部材Ｔの上面１７の少なくとも一部の領域は、エンコーダヘッド６０と対向する位置に配置される。換言すれば、除去システム１０は、エンコーダシステム６のエンコーダヘッド６０による計測処理が開始される前に、そのスケール部材Ｔの表面の異物除去処理（クリーニング処理）を実行する。これにより、エンコーダシステム６は、スケール部材Ｔの格子を精度良く計測できる。
【０１２５】
本実施形態においては、基板ステージ２Ｐが第１基板交換位置ＣＰ１から露光位置ＥＰに移動するときに、第１、第２検出システム７、８を用いる検出処理が実行される。すなわち、例えば米国特許出願公開第２００７／０２８８１２１号明細書に開示されているように、露光前の基板Ｐが第１保持部１５に保持された後、その基板Ｐの露光が開始される前に、第２検出システム８が基板Ｐのアライメントマークを検出し、第１検出システム７が基板Ｐの表面の位置を検出する。第２検出システム８が基板Ｐのアライメントマークを検出することによって、ＸＹ平面内における基板Ｐの複数のショット領域のそれぞれの位置が検出される。
【０１２６】
本実施形態において、除去システム１０は、第１、第２検出システム７、８の検出処理の少なくとも一部と並行して、スケール部材Ｔの異物を除去する。本実施形態において、除去システム１０は、第１検出システム７の検出処理の少なくとも一部及び第２検出システム８の検出処理の少なくとも一部の一方又は両方と並行して、スケール部材Ｔの異物を除去することができる。
【０１２７】
本実施形態において、第２クリーニング処理は、第１検出システム７の検出処理の少なくとも一部及び第２検出システム８の検出処理の少なくとも一部の一方又は両方と並行してスケール部材Ｔの異物を除去する第３クリーニング処理と、第１，第２検出システム７、８の検出処理と並行しないでスケール部材Ｔの異物を除去する第４クリーニング処理とを含む。
【０１２８】
第１、第２検出システム７、８によって基板Ｐの位置を検出するとき、基板Ｐを保持した基板ステージ２Ｐは、例えば図９に示す位置から図１０に示す位置に移動する。第１，第２検出システム７、８は、基板ステージ２Ｐが図９に示す位置から図１０に示す位置に移動するときに、基板Ｐの位置を検出することができる。なお、図９、図１０において、第１、第２検出システム７、８の図示を省略している。
【０１２９】
例えば、図９に示す状態においては、上面１７の一部の領域に除去装置１０Ａの除去部材２０が対向し、上面１７の一部の領域に除去部材１０Ｂの除去部材２０が対向する。図９に示す例では、第１保持部１５の中心に対して＋Ｘ側の上面１７の一部の領域に、除去装置１０Ａの除去部材２０が対向し、第１保持部１５の中心に対して−Ｘ側の上面１７一部の領域に、除去装置１０Ｂの除去部材２０が対向する。除去装置１０Ａの除去部材２０と除去装置１０Ｂの除去部材２０とは、上面１７に同時に対向する。
【０１３０】
図９に示す状態から図１０に示す状態に変化するように基板ステージ２Ｐを−Ｙ方向へ移動することによって、Ｙスケール２７が配置されている上面１７の一部の領域が除去装置１０Ａによってクリーニングされ、Ｙスケール２６が配置されている上面１７の一部の領域が除去装置１０Ｂによってクリーニングされる。また、図９に示す状態においては、Ｙスケール２７は、Ｙリニアエンコーダ６Ｃのエンコーダヘッド６０と対向しない。また、図９に示す状態においては、Ｙスケール２６は、Ｙリニアエンコーダ６Ａのエンコーダヘッド６０と対向しない。換言すれば、図９に示す状態においては、Ｙリニアエンコーダ６Ａ、６ＣによるＹスケール２６、２７の計測処理が開始されていない。
【０１３１】
このように、本実施形態においては、除去装置１０Ａ、１０Ｂは、Ｙリニアエンコーダ６Ａ、６ＣによるＹスケール２６、２７の計測処理が開始される前に、Ｙスケール２６、２７の異物除去処理（クリーニング処理）を実行する。除去装置１０Ａ、１０Ｂにより異物除去処理（クリーニング処理）が実行されたＹスケール２６、２７が、Ｙリニアエンコーダ６Ａ、６Ｃのエンコーダヘッド６０と対向する位置に配置される。Ｙリニアエンコーダ６Ａ、６Ｃは、Ｙスケール２６、２７の計測処理を開始する。
【０１３２】
なお、第３（第２）クリーニング処理において、Ｘスケール２８、２９が配置された上面１７の一部の領域のクリーニング処理が実行されてもよい。
【０１３３】
スクラム移動動作が実行され、基板ステージ２Ｐが露光位置ＥＰに配置された後、その基板ステージ２Ｐの第１保持部１５に保持されている基板Ｐの露光が開始される。
【０１３４】
例えば図１１に示すように、本実施形態においては、基板ステージ２Ｐが露光位置ＥＰに配置されている状態において、上面１７の少なくとも一部の領域は、除去装置１０Ａ、１０Ｂの除去部材２０と対向可能である。本実施形態において、除去システム１０は、基板ステージ２Ｐに保持される基板Ｐの露光中に、除去装置１０Ａ、１０Ｂの除去部材２０を用いて、スケール部材Ｔの異物を除去することができる。
【０１３５】
以下の説明において、基板ステージ２Ｐに保持される基板Ｐの露光中に、スケール部材Ｔの異物を除去する処理を適宜、第５クリーニング処理、と称する。
【０１３６】
基板Ｐの露光が終了した後、制御装置４は、露光後の基板Ｐを保持した基板ステージ２Ｐを第２基板交換位置ＣＰ２に移動する。制御装置４は、上述の処理を繰り返して、複数の基板Ｐを順次露光する。
【０１３７】
本実施形態において、異物は、液体ＬＱ（液体ＬＱの滴）を含む。例えば、基板Ｐの露光の少なくとも一部において、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの一部が、スケール部材Ｔの上面１７に飛散する可能性がある。また、液浸空間ＬＳがスケール部材Ｔの上面１７と終端光学素子１３及び液浸部材３との間に形成された場合、その液浸空間ＬＳの液体ＬＱの一部がスケール部材Ｔの上面１７に残留する可能性がある。
【０１３８】
本実施形態においては、露光直後に実行される第１クリーニング処理において、スケール部材Ｔの上面１７の異物を除去することができる。
【０１３９】
また、本実施形態においては、露光直前に実行される第２クリーニング処理（第３、第４クリーニング処理）において、スケール部材Ｔの上面１７の異物を除去することができる。
【０１４０】
なお、異物が、固体でもよい。例えば、基板Ｐから放出された感光膜の一部がスケール部材Ｔの上面１７に付着した場合、除去部材２０は、その上面１７に存在する感光膜を除去してもよい。また、例えば空中を浮遊する異物がスケール部材Ｔの上面１７に付着した場合、除去部材２０は、その上面１７に存在する異物を除去してもよい。
【０１４１】
以上説明したように、本実施形態によれば、スケール部材Ｔの上面１７の異物を除去する除去システム１０が設けられているので、スケール部材Ｔの上面１７をクリーニングできる。そのため、エンコーダシステム６は、スケール部材Ｔを用いて、基板ステージ２Ｐの位置計測を精確に実行できる。したがって、露光不良の発生、及び不良デバイスの発生を抑制することができる。
【０１４２】
本実施形態においては、除去部材２０の少なくとも一部は、終端光学素子１３及び液浸部材３と離れた位置に配置されており、除去システム１０は、露光位置ＥＰとは異なる位置（射出面１２と対向しない位置）に配置されたスケール部材Ｔの上面１７の異物除去処理を実行可能である。換言すれば、除去システム１０は、露光位置ＥＰとは異なる位置で、スケール部材Ｔのクリーニング処理を実行可能である。また、除去システム１０は、基板ステージ２Ｐ（スケール部材Ｔ）の上面１７と終端光学素子１３及び液浸部材３との間に液浸空間ＬＳが形成されていない状態で、スケール部材Ｔの上面１７の異物除去処理を実行可能である。したがって、上面１７の異物は良好に除去される。
【０１４３】
また、本実施形態においては、露光直後に第１クリーニング処理が実行されるため、例えば露光中にスケール部材Ｔに異物が付着しても、その異物を直ちに除去することができる。
【０１４４】
また、本実施形態においては、露光直前に第２クリーニング処理（第３、第４クリーニング処理）が実行されるため、エンコーダシステム６は、基板Ｐの露光において、スケール部材Ｔを精度良く計測できる。
【０１４５】
また、本実施形態においては、露光中に第５クリーニング処理が実行されるため、エンコーダシステム６は、基板Ｐの露光において、スケール部材Ｔを精度良く計測できる。
【０１４６】
上述したように、本実施形態において、第２検出システム８は、撮像素子を含み、上面１７と対向可能である。すなわち、上面１７は、検出領域ＡＬＡ〜ＡＬＥの少なくとも一部に配置可能である。第２検出システム８は、上面１７の異物を検出可能である。制御装置４は、第２検出システム８でスケール部材Ｔの異物（例えば異物の位置、大きさ）を検出し、その検出結果に基づいて、その異物が存在する上面１７の一部の領域が除去部材２０と対向する位置に配置されるように、基板ステージ２Ｐを移動させてもよい。
【０１４７】
また、上述したように、本実施形態において、第１検出システム７は、斜入射方式の多点フォーカス・レベリング検出システムを含み、上面１７は、検出領域ＡＦに配置可能である。第１検出システム７は、上面１７に検出光を照射することによって、その上面１７の異物を検出可能である。制御装置４は、第１検出システム７でスケール部材Ｔの異物を検出し、その検出結果に基づいて、その異物が存在する上面１７の一部の領域が除去部材２０と対向する位置に配置されるように、基板ステージ２Ｐを移動させてもよい。
【０１４８】
なお、第１、第２検出システム７、８とは異なる、上面１７の異物を検出可能な検出装置を設け、その検出装置で上面１７の異物を検出してもよい。制御装置４は、その検出装置の検出結果に基づいて、異物除去処理を実行するために、基板ステージ２Ｐを移動させてもよい。
【０１４９】
なお、制御装置４は、検出装置（第１、第２検出システム７、８）で上面１７の異物の有無を検出し、その検出結果に基づいて、上面１７に異物が存在しないと判断した場合、除去システム１０による異物除去処理を実行せずに、例えば基板交換処理（基板Ｐの搬入処理及び搬出処理）、及び露光処理を実行するようにしてもよい。また、制御装置４は、検出装置（第１、第２検出システム７、８）で上面１７の異物の有無を検出し、その検出結果に基づいて、基板ステージ２Ｐの移動を制御してもよい。例えば、制御装置４は、検出装置の検出結果に基づいて、スケール部材Ｔに異物が存在しないと判断した場合における基板ステージ２Ｐの移動条件と、存在すると判断した場合における基板ステージ２Ｐの移動条件とを異ならせてもよい。例えば、制御装置４は、スケール部材Ｔに異物が存在すると判断した場合（除去システム１０による異物除去処理が必要と判断した場合）、基板ステージ２Ｐを第１の移動速度で移動させたり、第１の移動経路（移動軌跡）で移動させたりしてもよい。一方、制御装置４は、スケール部材Ｔに異物が存在しないと判断した場合（除去システム１０による異物除去処理が不要と判断した場合）、基板ステージ２Ｐを第２の移動速度で移動したり、第２の移動経路（移動軌跡）で移動したりしてもよい。例えば、制御装置４は、スケール部材Ｔに異物が存在すると判断した場合（除去システム１０による異物除去処理が必要と判断した場合）、上面１７の異物が除去部材２０の下方を通過するように基板ステージ２Ｐの移動経路を調整したり、上面１７の異物が除去部材２０で除去されやすいように基板ステージ２Ｐの移動速度を低減したりしてもよい。一方、制御装置４は、スケール部材Ｔに異物が存在しないと判断した場合（除去システム１０による異物除去処理が不要と判断した場合）、例えば第１基板交換位置ＣＰ１から露光位置ＥＰへ基板ステージ２Ｐを移動するときに移動速度を高めたり、最短の移動経路を辿るようにしたりしてもよい。
【０１５０】
なお、本実施形態においては、除去部材２０は、トラップ部材２２で捕捉された異物を吸引口２１から吸引することとしたが、トラップ部材２２で異物を捕捉することなく、吸引口２１から吸引してもよい。
【０１５１】
なお、本実施形態において、除去部材２０は、吸引口２１及びトラップ部材２２を有することとしたが、吸引口２１が無くてもよい。例えばトラップ部材２２で異物を捕捉することによっても、スケール部材Ｔから異物を除去することができる。
【０１５２】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の第１実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１５３】
図１２及び図１３は、第２実施形態に係る除去部材２０Ｂの一例を示す図である。本実施形態において、除去部材２０Ｂは、多孔部材４０を含む。多孔部材４０は、スケール部材Ｔの上面１７の異物を捕捉することができる。
【０１５４】
多孔部材４０は、複数の孔を有する。多孔部材４０は、例えば真空システムを含む吸引装置４１と接続される。制御装置４は、吸引装置４１を作動することにより、多孔部材４０の孔から異物（例えば液体ＬＱ）を吸引することができる。本実施形態においては、多孔部材４０の孔が、上面１７の異物を吸引する吸引口として機能する。
【０１５５】
除去部材２０Ｂは、スケール部材Ｔに接触しないで、スケール部材Ｔの上面１７の異物に接触するように配置される。図１２及び図１３に示す例では、除去部材２０Ｂは、スケール部材Ｔに接触しないで、多孔部材４０がスケール部材Ｔの上面１７の異物に接触するように配置される。
【０１５６】
例えば、図１２に示すように、スケール部材Ｔの上面１７に異物が存在する場合、制御装置４は、スケール部材Ｔの上面１７の異物と多孔部材４０とが接触するように、多孔部材４０とスケール部材Ｔの上面１７とが所定の間隙を介して対向された状態で、基板ステージ２ＰをＸＹ平面内で移動させる。これにより、図１３に示すように、異物が多孔部材４０に捕捉される。
【０１５７】
制御装置４は、多孔部材４０で捕捉された異物を多孔部材４０の孔から吸引する。制御装置４は、吸引装置４１を作動して、多孔部材４０の孔から異物を吸引することができる。これにより、スケール部材Ｔの異物がスケール部材Ｔから除去される。
【０１５８】
なお、本実施形態においては、多孔部材４０で捕捉された異物を多孔部材４０の孔から吸引することとしたが、吸引しなくてもよい。例えば多孔部材４０で異物を捕捉することによっても、スケール部材Ｔから異物を除去することができる。
【０１５９】
なお、図１４に示すように、除去部材２０Ｃがチューブ部材４２を含んでもよい。チューブ部材４２は、吸引装置４３に接続されている。チューブ部材４２の先端（下端）に配置された吸引口４４からスケール部材Ｔの異物を吸引してもよい。
【０１６０】
なお、上述の第１、第２実施形態において、除去システムが、例えば気体を吹き出す給気口を有してもよい。例えば、給気口から吹き出された気体で、スケール部材Ｔの異物を吹き飛ばすことによって、そのスケール部材Ｔから異物を除去してもよい。
【０１６１】
なお、上述の第１、第２実施形態においては、スケール部材Ｔの格子が、一次元格子であることとしたが、例えば図１５に示すスケール部材Ｔ２の格子のように、二次元格子でもよい。図１５に示す例では、第１保持部１５の中心に対して＋Ｘ側のスケール部材Ｔ２の上面の一部の領域、及び−Ｘ側のスケール部材Ｔ２の上面の一部の領域に、二次元格子が配置される。
【０１６２】
なお、上述の各実施形態においては、除去システム１０がスケール部材Ｔ（Ｔ２）の異物を除去することとしたが、例えば基板ステージが、米国特許出願公開第２００７／０１７７１２５号明細書、及び米国特許出願公開第２００８／００４９２０９号明細書等に開示されているような、カバー部材（格子を有しない部材）をリリース可能に保持するカバー部材保持部を有する場合、そのカバー部材の異物を除去してもよい。
【０１６３】
なお、上述の各実施形態において、除去システム１０が、計測ステージ２Ｃの上面の異物を除去してもよい。
【０１６４】
なお、上述したように、制御装置４は、ＣＰＵ等を含むコンピュータシステムを含む。また、制御装置４は、コンピュータシステムと外部装置との通信を実行可能なインターフェースを含む。記憶装置５は、例えばＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体を含む。記憶装置５には、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステム（ＯＳ）がインストールされ、露光装置ＥＸを制御するためのプログラムが記憶されている。
【０１６５】
なお、制御装置４に、入力信号を入力可能な入力装置が接続されていてもよい。入力装置は、キーボード、マウス等の入力機器、あるいは外部装置からのデータを入力可能な通信装置等を含む。また、液晶表示ディスプレイ等の表示装置が設けられていてもよい。
【０１６６】
記憶装置５に記録されているプログラムを含む各種情報は、制御装置（コンピュータシステム）４が読み取り可能である。記憶装置５には、制御装置４に、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する露光装置ＥＸの制御を実行させるプログラムが記録されている。
【０１６７】
記憶装置５に記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置４に、露光光ＥＬが射出される射出面１２を有する終端光学素子１３と、基板ステージ２Ｐの第１保持部１５に保持された基板Ｐ及び基板Ｐの周囲の少なくとも一部に配置されるスケール部材Ｔの少なくとも一方との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成することと、基板ステージ２ＰをＸＹ平面内で移動しながら、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して基板Ｐを露光することと、基板ステージ２ＰをＸＹ平面内で移動しながら、スケール部材Ｔの上面１７が対向可能な位置に配置される除去部材２０で、スケール部材Ｔの異物を除去することと、を実行させてもよい。
【０１６８】
記憶装置５に記憶されているプログラムが制御装置４に読み込まれることにより、基板ステージ２Ｐ、計測ステージ２Ｃ、液浸部材３、及び除去システム１０等、露光装置ＥＸの各種の装置が協働して、液浸空間ＬＳが形成された状態で、基板Ｐの液浸露光等、各種の処理を実行する。
【０１６９】
なお、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端光学素子１３の射出側（像面側）の光路が液体ＬＱで満たされているが、例えば国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子１３の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たされる投影光学系ＰＬを採用することができる。
【０１７０】
なお、上述の各実施形態においては、液体ＬＱとして水を用いているが、水以外の液体であってもよい。液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対して透過性であり、露光光ＥＬに対して高い屈折率を有し、投影光学系ＰＬあるいは基板Ｐの表面を形成する感光材（フォトレジスト）などの膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。
【０１７１】
なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【０１７２】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【０１７３】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【０１７４】
また、例えば米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。
【０１７５】
また、上述の各実施形態において、露光装置ＥＸが、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置でもよい。その場合、終端光学素子１２との間で液浸空間ＬＳを形成可能な物体は、複数の基板ステージの少なくとも一つを含む。除去システム１０は、それら複数の基板ステージのうち少なくとも一つの基板ステージの上面の異物を除去することができる。
【０１７６】
なお、上述の各実施形態において、露光装置ＥＸが、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置でもよい。
【０１７７】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【０１７８】
なお、上述の各実施形態においては、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いて各ステージの位置を計測することとしたが、エンコーダシステムがなくてもよい。
【０１７９】
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。
【０１８０】
上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。例えば、レンズ等の光学部材と基板との間に液浸空間を形成し、その光学部材を介して、基板に露光光を照射することができる。
【０１８１】
また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。
【０１８２】
上述の実施形態の露光装置ＥＸは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１８３】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１６に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンからの露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。異物除処理（クリーニング処理）は、例えば基板処理ステップ２０４において実行される。
【０１８４】
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【符号の説明】
【０１８５】
２Ｐ…基板ステージ、２Ｃ…計測ステージ、３…液浸部材、４…制御装置、６…エンコーダシステム、７…第１検出システム、８…第２検出システム、１０…除去システム、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ…除去装置、１２…射出面、１３…終端光学素子、２０…除去部材、２１…吸引口、２２…トラップ部材、４０…多孔部材、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＬＱ…液体、ＬＳ…液浸空間、Ｐ…基板、Ｔ…スケール部材
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、露光方法、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス、電子デバイス等のマイクロデバイスの製造工程において、露光光で基板を露光する露光装置が使用される。露光装置は、基板を保持して移動可能な基板ステージを備え、その基板ステージの位置計測を実行しながら、基板を露光光で露光する。下記特許文献には、スケール部材を用いて基板ステージの位置計測を実行する技術の一例が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００６／０２２７３０９号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００７／０２８８１２１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えばスケール部材に異物が存在すると、その異物により基板ステージの位置計測を精確に実行できなくなる可能性がある。その結果、露光不良が発生したり、不良デバイスが発生したりする可能性がある。
【０００５】
本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板を保持する第１保持部と、第１保持部の周囲の少なくとも一部に配置され、射出面が対向可能なスケール部材と、を有し、所定面内を移動可能な基板ステージと、所定面内を移動するスケール部材の表面が対向可能な位置に配置され、スケール部材の表面の異物を除去可能な除去部材を有する除去装置と、を備える露光装置が提供される。
【０００７】
本発明の第２の態様に従えば、第１の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、 露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【０００８】
本発明の第３の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板ステージの第１保持部に保持された基板及び基板の周囲の少なくとも一部に配置されるスケール部材の少なくとも一方との間に液体で液浸空間を形成することと、基板ステージを所定面内で移動しながら、液浸空間の液体を介して前記基板を露光することと、基板ステージを所定面内で移動しながら、スケール部材の表面が対向可能な位置に配置される除去部材で、スケール部材の異物を除去することと、を含む露光方法が提供される。
【０００９】
本発明の第４の態様に従えば、第３の態様の露光方法を用いて基板を露光することと、 露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【００１０】
本発明の第５の態様に従えば、コンピュータに、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板ステージの第１保持部に保持された基板及び基板の周囲の少なくとも一部に配置されるスケール部材の少なくとも一方との間に液体で液浸空間を形成することと、基板ステージを所定面内で移動しながら、液浸空間の液体を介して基板を露光することと、基板ステージを所定面内で移動しながら、スケール部材の表面が対向可能な位置に配置される除去部材で、スケール部材の異物を除去することと、を実行させるプログラムが提供される。
【００１１】
本発明の第６の態様に従えば、第５の態様のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１実施形態に係る露光装置の一例を示す図である。
【図２】第１実施形態に係る基板ステージ及び計測ステージの一例を示す平面図である。
【図３】第１実施形態に係る除去システムの一例を示す図である。
【図４】第１実施形態に係る除去装置の一例を示す図である。
【図５】第１実施形態に係る除去装置の一例を示す図である。
【図６】第１実施形態に係る液浸部材の一例を示す図である。
【図７】第１実施形態に係る露光方法の一例を説明するための図である。
【図８】第１実施形態に係る露光方法の一例を説明するための図である。
【図９】第１実施形態に係る露光方法の一例を説明するための図である。
【図１０】第１実施形態に係る露光方法の一例を説明するための図である。
【図１１】第１実施形態に係る露光方法の一例を説明するための図である。
【図１２】第２実施形態に係る除去装置の一例を示す図である。
【図１３】第２実施形態に係る除去装置の一例を示す図である。
【図１４】第２実施形態に係る除去装置の一例を示す図である。
【図１５】スケール部材の一例を示す図である。
【図１６】デバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、そのＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１５】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。液浸空間とは、液体で満たされた部分（空間、領域）をいう。基板Ｐは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して露光光ＥＬで露光される。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。
【００１６】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書、及び欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されているような、基板ステージ２Ｐと計測ステージ２Ｃとを備えた露光装置である。
【００１７】
図１は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。図２は、本実施形態に係る基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃの一例を示す平面図である。
【００１８】
図１及び図２において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２Ｐと、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測器（計測部材）を搭載して移動可能な計測ステージ２Ｃと、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、基板Ｐに照射される露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持して液浸空間ＬＳを形成する液浸部材３と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置４と、制御装置４に接続され、露光に関する各種の情報を記憶する記憶装置５とを備えている。記憶装置５は、例えばＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体を含む。記憶装置５には、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステム（ＯＳ）がインストールされ、露光装置ＥＸを制御するためのプログラムが記憶されている。
【００１９】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば米国特許出願公開第２００７／０２８８１２１号明細書に開示されているような、基板ステージ２Ｐが有するスケール部材Ｔを用いてその基板ステージ２Ｐの位置を計測するエンコーダシステム６を備えている。
【００２０】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、基板Ｐの表面の位置を検出する第１検出システム７と、基板Ｐの位置を検出する第２検出システム８と、マスクステージ１、基板ステージ２Ｐ、及び計測ステージ２Ｃの位置を計測する干渉計システム９とを備えている。
【００２１】
また、本実施形態において、露光装置ＥＸは、スケール部材Ｔの表面の異物を除去可能な除去システム１０を備えている。本実施形態において、除去システム１０は、複数の除去装置１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃを有する。
【００２２】
また、本実施形態において、露光装置ＥＸは、基板Ｐを搬送する搬送システム１１を備えている。搬送システム１１は、基板ステージ２Ｐに基板Ｐを搬入する処理、及び基板ステージ２Ｐから基板Ｐを搬出する処理を実行可能である。
【００２３】
マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクＭは、例えばガラス板等の透明板と、その透明板上にクロム等の遮光材料を用いて形成されたパターンとを有する透過型マスクを含む。なお、マスクＭとして、反射型マスクを用いることもできる。
【００２４】
基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。基板Ｐは、例えば半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板Ｐが、感光膜に加えて別の膜を含んでもよい。例えば、基板Ｐが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜を保護する保護膜（トップコート膜）を含んでもよい。
【００２５】
照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲに露光光ＥＬを照射する。照明領域ＩＲは、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を、均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。
【００２６】
マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、照明領域ＩＲを含むベース部材１２のガイド面１２Ｇ上を移動可能である。本実施形態において、ガイド面１２ＧとＸＹ平面とは実質的に平行である。マスクステージ１は、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような平面モータを含む駆動システムの作動により移動する。平面モータは、マスクステージ１に配置された可動子と、ベース部材１２に配置された固定子とを有する。本実施形態においては、マスクステージ１は、駆動システムの作動により、ガイド面１２Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。なお、マスクステージ１を移動させる駆動システムは、平面モータでなくてもよい。例えば、駆動システムが、リニアモータを含んでもよい。
【００２７】
投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影領域ＰＲは、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸは、Ｚ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。
【００２８】
投影光学系ＰＬは、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬが射出される射出面１２を有する。投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子１３が、射出面１２を有する。投影領域ＰＲは、射出面１２から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。本実施形態において、射出面１２は、−Ｚ方向を向いており、ＸＹ平面と平行である。なお、−Ｚ方向を向いている射出面１２は、凸面であってもよいし、凹面であってもよい。終端光学素子１３の光軸は、Ｚ軸と平行である。本実施形態において、射出面１２から射出される露光光ＥＬは、−Ｚ方向に進行する。
【００２９】
基板ステージ２Ｐは、基板Ｐを保持した状態で、投影領域ＰＲを含むベース部材１４のガイド面１４Ｇ上を移動可能である。本実施形態において、ガイド面１４ＧとＸＹ平面とは実質的に平行である。計測ステージ２Ｃは、計測器（計測部材）を搭載した状態で、投影領域ＰＲを含むベース部材１４のガイド面１４Ｇ上を移動可能である。基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃは、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような平面モータを含む駆動システムの作動により移動する。平面モータは、基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃのそれぞれに配置された可動子と、ベース部材１４に配置された固定子とを有する。本実施形態においては、基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃのそれぞれは、駆動システムの作動により、ガイド面１４Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。なお、基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃを移動させる駆動システムは、平面モータでなくてもよい。例えば、駆動システムが、リニアモータを含んでもよい。
【００３０】
干渉計システム９は、マスクステージ１に配置された計測ミラーを用いてそのマスクステージ１の位置を計測するレーザ干渉計ユニット９Ａと、基板ステージ２Ｐに配置された計測ミラー及び計測ステージ２Ｃに配置された計測ミラーを用いてその基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃの位置を計測するレーザ干渉計ユニット９Ｂとを有する。レーザ干渉計ユニット９Ａ、９Ｂの計測結果は、制御装置４に出力される。
【００３１】
基板ステージ２Ｐは、基板Ｐをリリース可能に保持する第１保持部１５を有する。また、本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、第１保持部１５の周囲の少なくとも一部に配置され、射出面１２が対向可能なスケール部材Ｔを有する。本実施形態において、スケール部材Ｔは、プレート状の部材である。基板ステージ２が移動することによって、スケール部材Ｔも移動する。例えば基板ステージ２がガイド面１４Ｇに沿ってＸＹ平面内を移動するとき、スケール部材Ｔも移動する。
【００３２】
本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、第１保持部１５の周囲の少なくとも一部に配置され、スケール部材Ｔをリリース可能に保持する第２保持部１６を有する。第２保持部１６に保持されるスケール部材Ｔは、第１保持部１５に保持される基板Ｐの周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、スケール部材Ｔは、開口ＴＨを有する。開口ＴＨの内側に基板Ｐが配置される。本実施形態において、スケール部材Ｔは、基板Ｐの周囲に配置される。
【００３３】
本実施形態において、基板Ｐの表面（上面）は、実質的に平坦である。スケール部材Ｔの表面（上面）は、実質的に平坦である。本実施形態において、第１保持部１５は、基板Ｐの表面（上面）とＸＹ平面とが実質的に平行となるように、基板Ｐの裏面（下面）を保持する。第２保持部１６は、スケール部材Ｔの表面（上面）とＸＹ平面とが実質的に平行となるように、スケール部材Ｔの裏面（下面）を保持する。
【００３４】
本実施形態において、第１保持部１５に保持された基板Ｐの表面（上面）と、第２保持部１６に保持されたスケール部材Ｔの表面（上面）とは、実質的に同一平面内に配置される（面一である）。
【００３５】
なお、第１保持部１５に保持された基板Ｐの表面（上面）と第２保持部１６に保持されたスケール部材Ｔの表面（上面）とが同一平面内に配置されてなくてもよいし、基板Ｐの表面の少なくとも一部及びスケール部材Ｔの表面の少なくとも一部の一方又は両方がＸＹ平面と非平行でもよい。
【００３６】
なお、例えばスケール部材Ｔの表面（上面）の少なくとも一部が平坦でなくてもよい。例えば、スケール部材Ｔの表面（上面）の少なくとも一部が曲面を含んでもよい。
【００３７】
以下の説明において、基板ステージ２Ｐ（第２保持部１６）に保持されたスケール部材Ｔの表面（上面）を適宜、上面１７、と称する。上面１７は、第１保持部１５に保持された基板Ｐの表面の周囲に配置される。スケール部材Ｔの上面１７は、射出面１２と対向可能である。
【００３８】
なお、本実施形態においては、スケール部材Ｔは、基板ステージ２Ｐからリリース可能であるが、リリース可能でなくてもよい。その場合、第２保持部１６は省略可能である。
【００３９】
本実施形態において、スケール部材Ｔは、Ｙ軸方向に関する基板ステージ２Ｐの位置を計測するためのＹスケール２６、２７と、Ｘ軸方向に関する基板ステージ２Ｐの位置を計測するためのＸスケール２８、２９とを含む。Ｙスケール２６は、開口ＴＨ（第１保持部１５の中心）に対して−Ｘ側に配置される。Ｙスケール２７は、開口ＴＨに対して＋Ｘ側に配置される。Ｘスケール２８は、開口ＴＨに対して−Ｙ側に配置される。Ｘスケール２９は、開口ＴＨに対して＋Ｙ側に配置される。
【００４０】
Ｙスケール２６、２７のそれぞれは、Ｘ軸方向に長く、Ｙ軸方向に所定ピッチで配置された複数の格子（格子線）を含む。すなわち、Ｙスケール２６、２７は、Ｙ軸方向を周期方向とする一次元格子を含む。Ｘスケール２８、２９のそれぞれは、Ｙ軸方向に長く、Ｘ軸方向に所定ピッチで配置された複数の格子（格子線）を含む。すなわち、Ｘスケール２８、２９は、Ｘ軸方向を周期方向とする一次元格子を含む。
【００４１】
本実施形態において、格子は、回折格子である。すなわち、本実施形態において、Ｙスケール２６、２７は、Ｙ軸方向を周期方向とする回折格子を有する。Ｘスケール２８、２９は、Ｘ軸方向を周期方向とする回折格子を有する。また、本実施形態においては、Ｙスケール２６、２７は、Ｙ軸方向を周期方向とする反射型格子（反射回折格子）が形成された反射型スケールである。Ｘスケール２８、２９は、Ｘ軸方向を周期方向とする反射型格子（反射回折格子）が形成された反射型スケールである。
【００４２】
本実施形態において、搬送システム１１は、基板ステージ２Ｐに基板Ｐを搬入（ロード）する第１搬送部材１１Ａと、基板ステージ２Ｐから基板Ｐを搬出（アンロード）する第２搬送部材１１Ｂとを有する。第１搬送部材１１Ａは、例えば露光前の基板Ｐを基板ステージ２Ｐの第１保持部１５に搬入する。第２搬送部材１１Ｂは、例えば露光後の基板Ｐを基板ステージ２Ｐの第１保持部１５から搬出する。
【００４３】
本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、少なくとも一部が射出面１２と対向する位置ＥＰと、射出面１２と対向しない位置ＣＰ１と、射出面１２と対向しない位置ＣＰ２との間を移動可能である。
【００４４】
本実施形態においては、位置ＥＰに配置された物体に、射出面１２から射出された露光光ＥＬが照射可能である。本実施形態においては、位置ＣＰ１において、露光前の基板Ｐを第１保持部１５に搬入する処理が実行される。位置ＣＰ２において、第１保持部１５から露光後の基板Ｐを搬出する処理が実行される。
【００４５】
以下の説明において、位置ＥＰを適宜、露光位置ＥＰ、と称する。また、以下の説明において、位置ＣＰ１を適宜、第１基板交換位置ＣＰ１、と称し、位置ＣＰ２を適宜、第２基板交換位置ＣＰ２、と称する。
【００４６】
本実施形態において、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２は、露光位置ＥＰに対して＋Ｙ側の位置である。本実施形態において、第１基板交換位置ＣＰ１は、第２基板交換位置ＣＰ２に対して−Ｘ側の位置である。
【００４７】
第１保持部１５に基板Ｐを搬入するとき、制御装置４は、基板ステージ２Ｐを第１基板交換位置ＣＰ１に移動する。制御装置４は、第１搬送部材１１Ａを用いて、第１基板交換位置ＣＰ１に配置された基板ステージ２Ｐの第１保持部１５に、基板Ｐを搬入する。
【００４８】
第１保持部１５から基板Ｐを搬出するとき、制御装置４は、基板ステージ２Ｐを第２基板交換位置ＣＰ２に移動する。制御装置４は、第２搬送部材１１Ｂを用いて、第２基板交換位置ＣＰ２に配置された基板ステージ２Ｐの第１保持部１５から、基板Ｐを搬出する。
【００４９】
図３は、エンコーダシステム６、第１検出システム７、第２検出システム８、及び除去システム１０の一例を示す平面図である。
【００５０】
第１検出システム７は、例えば米国特許第５４４８３３２号明細書等に開示されているような、所謂、斜入射方式の多点フォーカス・レベリング検出システムを含む。第１検出システム７は、検出光を射出する照射装置７Ａと、検出光を受光可能な受光装置７Ｂとを有する。第１検出システム７は、照射装置７Ａから射出される検出光を検出領域ＡＦに照射して、その検出領域ＡＦに配置された物体の表面（被検面）の位置を検出する。物体の表面に照射された照射装置７Ａからの検出光は、その物体の表面で反射する。物体の表面で反射した検出光の少なくとも一部は、受光装置７Ｂに受光される。第１検出システム７は、受光装置７Ｂの受光結果に基づいて、例えばＺ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する物体の表面の位置を検出する。
【００５１】
本実施形態において、第１検出システム７の検出領域ＡＦは、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２と露光位置ＥＰとの間に配置される。第１検出システム７は、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２と露光位置ＥＰとの間において、物体の表面の位置を検出する。換言すれば、第１検出システム７は、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２と露光位置ＥＰとの間に配置される物体の表面の位置を検出する。
【００５２】
本実施形態においては、第１検出システム７は、例えば第１保持部１５に保持された基板Ｐの表面の位置、及びスケール部材Ｔの上面１７の位置を検出可能である。なお、第１検出システム７が、計測ステージ２Ｃの表面（上面）の位置を検出してもよい。
【００５３】
第２検出システム８は、例えば米国特許５４９３４０３号明細書に開示されているような、基板Ｐの感光膜を感光させないブロードバンドな検出光を対象マークに照射し、その対象マークで反射した検出光により受光面に結像された対象マークの像と指標の像とをＣＣＤ等の撮像素子を用いて撮像し、それらの撮像信号を画像処理することで対象マークの位置を計測するＦＩＡ（Field Image Alignment）方式のアライメント装置を含む。本実施形態において、第２検出システム８は、複数のアライメント装置８Ａ〜８Ｅを含む。本実施形態において、複数のアライメント装置８Ａ〜８Ｅは、Ｘ軸方向に配置される。
【００５４】
アライメント装置８Ａは、検出光を検出領域ＡＬＡに照射して、その検出領域ＡＬＡに配置された対象マークの位置を検出する。対象マークに照射された検出光は、その対象マークで反射する。対象マークで反射した検出光に基づく対象マークの像は、撮像素子で撮像される。アライメント装置８Ａは、撮像素子の撮像結果に基づいて、例えば例えばＺ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する対象マークの位置を検出する。同様に、アライメント装置８Ｂ〜８Ｅのそれぞれは、検出領域ＡＬＢ〜ＡＬＥに検出光を照射して、検出領域ＡＬＢ〜ＡＬＢのそれぞれに配置された対象マークの位置を検出する。
【００５５】
本実施形態において、第２検出システム８の検出領域ＡＬＡ〜ＡＬＥは、Ｘ軸方向に配置される。また、検出領域ＡＬＡ〜ＡＬＥは、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２と露光位置ＥＰとの間に配置される。第２検出システム８は、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２と露光位置ＥＰとの間において、対象マークの位置を検出する。換言すれば、第２検出システム８は、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２と露光位置ＥＰとの間に配置される対象マークの位置を検出する。
【００５６】
また、本実施形態において、第２検出システム８は、第１検出システム７よりも＋Ｙ側に配置される。本実施形態において、検出領域ＡＬＡ〜ＡＬＥは、検出領域ＡＦよりも＋Ｙ側に配置される。換言すれば、検出領域ＡＬＡ〜ＡＬＥは、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２と検出領域ＡＦとの間に配置される。
【００５７】
本実施形態においては、第２検出システム８は、例えば第１保持部１５に保持された基板Ｐのアライメントマークの位置を検出可能である。なお、第２検出システム８が、例えば計測ステージ２Ｃに配置されたマークの位置を検出してもよい。
【００５８】
エンコーダシステム６は、例えば米国特許出願公開第２００７／０２８８１２１号明細書に開示されているような、計測光を射出する照射装置及び計測光を受光する受光装置を有し、スケール部材Ｔが有する格子（スケール、格子線）に照射装置からの計測光を照射し、その格子を介した計測光を受光装置で受光して、その格子の位置を計測するエンコーダヘッド６０を有する。
【００５９】
本実施形態において、エンコーダシステム６は、エンコーダヘッド６０を複数有する。エンコーダシステム６は、Ｘ軸方向に配置された複数のエンコーダヘッド６０を含み、終端光学素子１３（液浸部材３）の−Ｘ側に配置されるリニアエンコーダ６Ａと、Ｙ軸方向に配置された複数のエンコーダヘッド６０を含み、終端光学素子１３（液浸部材３）の−Ｙ側に配置されるリニアエンコーダ６Ｂと、Ｘ軸方向に配置された複数のエンコーダヘッド６０を含み、終端光学素子１３（液浸部材３）の＋Ｘ側に配置されるリニアエンコーダ６Ｃと、Ｙ軸方向に配置された複数のエンコーダヘッド６０を含み、終端光学素子１３（液浸部材３）の＋Ｙ側に配置されるリニアエンコーダ６Ｄとを有する。
【００６０】
本実施形態において、リニアエンコーダ６Ａ、６Ｃは、Ｙスケール２６、２７を用いて、Ｙ軸方向に関する基板ステージ２Ｐの位置を計測する。リニアエンコーダ６Ｂ、６Ｄは、Ｘスケール２８、２９を用いて、Ｘ軸方向に関する基板ステージ２Ｐの位置を計測する。
【００６１】
リニアエンコーダ６Ａ〜６Ｄ（エンコーダヘッド６０）は、スケール部材Ｔの上面１７が対向可能な位置に配置される。スケール部材Ｔは、リニアエンコーダ６Ａ〜６Ｄのエンコーダヘッド６０と対向する位置に移動可能である。エンコーダヘッド６０は、照射装置から射出される計測光を計測領域に照射して、その計測領域に配置されたスケール部材Ｔの格子を検出する。スケール部材Ｔに照射された照射装置からの計測光の少なくとも一部は、そのスケール部材Ｔで反射する。スケール部材Ｔで反射した計測光の少なくとも一部は、受光装置に受光される。エンコーダシステム６は、リニアエンコーダ６Ａ〜６Ｄのそれぞれが有する複数のエンコーダヘッド６０の受光装置の受光結果に基づいて、例えばＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関するスケール部材Ｔ（基板ステージ２Ｐ）の位置を計測する。
【００６２】
本実施形態において、リニアエンコーダ６Ｄの少なくとも一部は、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２と露光位置ＥＰとの間に配置される。リニアエンコーダ６Ｄは、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２と露光位置ＥＰとの間において、基板ステージ２Ｐの位置を計測する。換言すれば、リニアエンコーダ６Ｄは、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２と露光位置ＥＰとの間に配置されるスケール部材（基板ステージ２Ｐ）の位置を計測する。
【００６３】
本実施形態において、リニアエンコーダ６Ａ〜６Ｃは、検出領域ＡＦよりも−Ｙ側に配置される。すなわち、本実施形態において、リニアエンコーダ６Ａ〜６Ｃは、検出領域ＡＦ及び検出領域ＡＬＡ〜ＡＬＥよりも、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２から離れている。
【００６４】
除去システム１０は、複数の除去装置１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃを有する。本実施形態において、除去装置１０Ａ〜１０Ｃの少なくとも一部は、露光位置ＥＰと第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２との間に配置される。
【００６５】
除去装置１０Ａは、リニアエンコーダ６Ｄに対して＋Ｘ側に配置されている。除去装置１０Ｂは、リニアエンコーダ６Ｄに対して−Ｘ側に配置されている。除去装置１０Ａと除去装置１０Ｂとは、Ｘ軸方向に配置されている。除去装置１０Ｃは、除去装置１０Ａ、１０Ｂよりも＋Ｙ側に配置されている。換言すれば、除去装置１０Ｃは、除去装置１０Ａ、１０Ｂよりも、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２に近い位置に配置されている。本実施形態においては、Ｘ軸方向に関して、除去装置１０Ｃは、除去装置１０Ａと除去装置１０Ｂとの間に配置されている。
【００６６】
除去装置１０Ａ〜１０Ｃのそれぞれは、ＸＹ平面内を移動するスケール部材Ｔの上面１７が対向可能な位置に配置され、スケール部材Ｔの上面１７の異物を除去可能な除去部材２０を有する。除去部材２０の少なくとも一部は、露光位置ＥＰと第１基板交換位置ＣＰ１との間に配置される。除去部材２０の少なくとも一部は、露光位置ＥＰと第２基板交換位置ＣＰ２との間に配置される。
【００６７】
本実施形態においては、除去システム１０が有する複数の除去部材２０のうち、少なくとも２つの除去部材２０が、スケール部材Ｔの上面１７と同時に対向するように配置される。図３に示すように、本実施形態においては、基板ステージ２ＰがＸＹ平面内において所定位置に配置されたとき、除去装置１０Ａの除去部材２０と除去装置１０Ｂの除去部材２０と除去装置１０Ｃの除去部材２０とは、スケール部材Ｔの上面１７と同時に対向可能である。
【００６８】
また、図３に示す例では、除去装置１０Ａの除去部材２０が第１保持部１５の中心（開口ＴＨ）に対して＋Ｘ側のスケール部材Ｔの上面１７の一部の領域と対向し、除去装置１０Ｂの除去部材２０が第１保持部１５の中心に対して−Ｘ側のスケール部材Ｔの上面１７の一部の領域と対向する。
【００６９】
また、図３に示す例では、除去装置１０Ａの除去部材２０が第１保持部１５の中心（開口ＴＨ）に対して−Ｙ側のスケール部材Ｔの上面１７の一部の領域と対向し、除去装置１０Ｂの除去部材２０が第１保持部１５の中心に対して−Ｙ側のスケール部材Ｔの上面１７の一部の領域と対向し、除去装置１０Ｃの除去部材２０が第１保持部１５の中心に対して＋Ｙ側のスケール部材Ｔの上面１７の一部の領域と対向する。
【００７０】
なお、上述の所定位置は、例えば基板ステージ２Ｐ（基板Ｐ）の少なくとも一部が検出領域ＡＬＡ〜ＡＬＥの少なくとも一部に配置される位置を含む。なお、上述の所定位置が、例えば基板ステージ２Ｐ（基板Ｐ）の少なくとも一部が検出領域ＡＦに配置される位置を含んでもよい。なお、上述の所定位置が、例えば露光位置ＥＰと第１基板交換位置ＣＰ１との間の位置を含んでもよいし、露光位置ＥＰと第２基板交換位置ＣＰ２との間の位置を含んでもよい。なお、上述の所定位置が、例えば露光位置ＥＰを含んでもよい。
【００７１】
図４及び図５は、本実施形態に係る除去装置１０Ａの一例を示す図である。図４及び図５に示すように、除去装置１０Ａは、スケール部材Ｔの上面１７が対向可能な位置に配置される除去部材２０を有する。除去部材２０は、スケール部材Ｔの上方に配置される。
【００７２】
本実施形態において、除去部材２０は、スケール部材Ｔの異物を吸引する吸引口２１を有する。また、本実施形態において、除去部材２０は、スケール部材Ｔの異物を捕捉するトラップ部材２２を有する。
【００７３】
本実施形態において、除去部材２０は、スケール部材Ｔの上面１７が対向可能な下面２３を有する。トラップ部材２２は、下面２３から下方に突出する。すなわち、本実施形態において、トラップ部材２２は、下面２３に配置され、下方に突出する凸部である。本実施形態において、トラップ部材２２は、下面２３のほぼ中央に配置される。
【００７４】
吸引口２１は、トラップ部材２２の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、吸引口２１は、下面２３に配置される。下面２３は、吸引口２１の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、吸引口２１は、トラップ部材２２の周囲に複数配置される。なお、吸引口２１が、トラップ部材２２を囲む環状でもよい。
【００７５】
本実施形態において、除去装置１０Ａは、スケール部材Ｔの上面１７から上方に突出するようにそのスケール部材Ｔの上面１７に存在する異物を除去可能である。本実施形態において、除去部材２０は、スケール部材Ｔに接触しないで、スケール部材Ｔの上面１７の異物に接触するように配置される。図４及び図５に示す例では、除去部材２０は、スケール部材Ｔに接触しないで、下面２３から下方に突出するトラップ部材２２がスケール部材Ｔの上面１７の異物に接触するように配置される。
【００７６】
例えば、図４に示すように、スケール部材Ｔの上面１７に異物が存在する場合、制御装置４は、スケール部材Ｔの上面１７の異物とトラップ部材２２とが接触するように、トラップ部材２２とスケール部材Ｔの上面１７とが所定の間隙を介して対向された状態で、基板ステージ２ＰをＸＹ平面内で移動させる。これにより、図５に示すように、異物がトラップ部材２２に捕捉される。
【００７７】
除去装置１０Ａは、トラップ２２で捕捉された異物を吸引口２１から吸引する。本実施形態において、除去部材２０は、吸引口２１に通じる内部空間２４を有する。内部空間２４は、例えば真空システムを含む吸引装置２５と接続される。制御装置４は、吸引装置２５を作動することにより、吸引口２１から異物を吸引することができる。これにより、スケール部材Ｔの異物がスケール部材Ｔから除去される。
【００７８】
本実施形態において、除去装置１０Ｂ、１０Ｃは、除去装置１０Ａと同様の構成である。除去装置１０Ｂ、１０Ｃの説明は省略する。
【００７９】
なお、除去装置１０Ａ〜１０Ｃのそれぞれが、除去部材２０を１つずつ有してもよいし、複数有してもよい。
【００８０】
図６は、本実施形態に係る液浸部材３の一例を示す側断面図である。液浸部材３は、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能である。本実施形態において、液浸部材３は、投影光学系ＰＬの終端光学素子１３の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、液浸部材３は、環状の部材である。液浸部材３の一部は、終端光学素子１３の周囲に配置され、液浸部材３の一部は、射出面１２から射出される露光光ＥＬの光路の周囲に配置される。
【００８１】
液浸空間ＬＳは、射出面１２から射出される露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように形成される。射出面１２から射出される露光光ＥＬは、−Ｚ方向に進行する。射出面１２は、露光光ＥＬの進行方向（−Ｚ方向）を向く。本実施形態において、射出面１２は、ＸＹ平面とほぼ平行な平面である。なお、射出面１２がＸＹ平面に対して傾斜していてもよいし、曲面を含んでもよい。
【００８２】
液浸部材３は、少なくとも一部が−Ｚ方向を向く下面３０を有する。本実施形態において、射出面１２及び下面３０は、射出面１２から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲ、露光位置ＥＰ）に配置される物体との間で液体ＬＱを保持することができる。液浸空間ＬＳは、射出面１２及び下面３０の少なくとも一部と投影領域ＰＲに配置される物体との間に保持された液体ＬＱによって形成される。液浸空間ＬＳは、射出面１２と、露光位置ＥＰに配置される物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように形成される。液浸部材３は、終端光学素子１３と物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように物体との間で液体ＬＱを保持可能である。
【００８３】
本実施形態において、露光位置ＥＰに配置可能な物体は、投影光学系ＰＬの像面側（終端光学素子１３の射出面１２側）で露光位置ＥＰに対して移動可能な物体を含む。その物体は、終端光学素子１３及び液浸部材３に対して移動可能である。その物体は、射出面１２及び下面３０の少なくとも一方と対向可能な上面（表面）を有する。物体の上面は、射出面１２との間に液浸空間ＬＳを形成可能である。本実施形態において、物体の上面は、射出面１２及び下面３０の少なくとも一部との間に液浸空間ＬＳを形成可能である。一方側の射出面１２及び下面３０と、他方側の物体の上面（表面）との間に液体ＬＱが保持されることによって、終端光学素子１３と物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。
【００８４】
本実施形態において、その物体は、基板ステージ２Ｐ（スケール部材Ｔ）、基板ステージ２Ｐに保持された基板Ｐ、及び計測ステージ２Ｃの少なくとも一つを含む。例えば、基板ステージ２Ｐ（スケール部材Ｔ）の上面１７、及び基板ステージ２Ｐに保持されている基板Ｐの表面（上面）は、−Ｚ方向を向く終端光学素子１３の射出面１２、及び−Ｚ方向を向く液浸部材３の下面３０と対向可能である。もちろん、露光位置ＥＰに配置可能な物体は、基板ステージ２Ｐ（スケール部材Ｔ）、基板ステージ２Ｐに保持された基板Ｐ、及び計測ステージ２Ｃの少なくとも一つに限られない。また、それら物体は、除去装置１０Ａ〜１０Ｃの少なくとも一部と対向可能である。
【００８５】
本実施形態においては、基板Ｐに露光光ＥＬが照射されているとき、投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成される。基板Ｐの露光時において、液浸部材３は、終端光学素子１３と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持可能である。液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧの少なくとも一部は、液浸部材３の下面３０と基板Ｐの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。
【００８６】
なお、図６は、露光位置ＥＰ（終端光学素子１３及び液浸部材３と対向する位置）に基板Ｐ及びスケール部材Ｔが配置されている状態を示す。図６において、液浸空間ＬＳは、終端光学素子１３及び液浸部材３と、基板Ｐ及びスケール部材Ｔとの間に形成されている。
【００８７】
図６に示すように、液浸部材３は、少なくとも一部が終端光学素子１３と基板Ｐ（物体）との間に配置されるプレート部３１と、少なくとも一部が終端光学素子１３の周囲に配置される本体部３２とを含む。プレート部３１は、射出面１２と対向する位置に孔（開口）３Ｋを有する。射出面１２から射出された露光光ＥＬは、孔３Ｋを通過して、基板Ｐに照射可能である。
【００８８】
また、液浸部材３は、液体ＬＱを供給可能な供給口３３と、液体ＬＱを回収可能な回収口３４とを有する。供給口３３は、例えば基板Ｐの露光時において液体ＬＱを供給する。回収口３４は、例えば基板Ｐの露光時において液体ＬＱを回収する。
【００８９】
供給口３３は、射出面１２から射出される露光光ＥＬの光路の近傍において、その光路に面するように配置されている。本実施形態において、供給口３３は、プレート部３１の上面と射出面１２との間の空間に液体ＬＱを供給する。供給口３３から供給された液体ＬＱは、プレート部３１の上面と射出面１２との間の空間を流れた後、孔３Ｋを介して、基板Ｐ（物体）上に供給される。
【００９０】
供給口３３は、流路３３Ｒを介して、液体供給装置と接続されている。液体供給装置は、清浄で温度調整された液体ＬＱを送出可能である。流路３３Ｒは、液浸部材３の内部に形成された供給流路、及びその供給流路と液体供給装置とを接続する供給管で形成される流路を含む。液体供給装置から送出された液体ＬＱは、流路３３Ｒを介して供給口３３に供給される。少なくとも基板Ｐの露光において、供給口３３は、液体ＬＱを供給する。
【００９１】
回収口３４は、液浸部材３の下面３０と対向する物体上の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。回収口３４は、露光光ＥＬが通過する孔３Ｋの下端の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態においては、回収口３４は、プレート部３１の下面の周囲の少なくとも一部に配置される。回収口３４は、物体の表面と対向する液浸部材３の所定位置に配置されている。少なくとも基板Ｐの露光において、回収口３４に基板Ｐが対向する。基板Ｐの露光において、回収口３４は、基板Ｐ上の液体ＬＱを回収する。
【００９２】
本実施形態において、本体部３２は、基板Ｐ（物体）に面する開口３Ｐを有する。開口３Ｐは、プレート部３１の下面の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、液浸部材３は、開口３Ｐに配置された多孔部材３６を有する。本実施形態において、多孔部材３６は、複数の孔(openingsあるいはpores)を含むプレート状の部材である。なお、開口３Ｐに、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタが配置されてもよい。
【００９３】
本実施形態において、多孔部材３６は、基板Ｐ（物体）が対向可能な下面と、下面の反対方向を向く上面と、上面と下面とを結ぶ複数の孔とを有する。多孔部材３６の下面は、プレート部３１の下面の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、液浸部材３の下面３０の少なくとも一部は、プレート部３１の下面及び多孔部材３６の下面を含む。
【００９４】
本実施形態において、回収口３４は、多孔部材３６の孔を含む。本実施形態において、基板Ｐ（物体）上の液体ＬＱは、多孔部材３６の孔（回収口３４）を介して回収される。なお、多孔部材３６が配置されなくてもよい。
【００９５】
回収口３４は、流路３４Ｒを介して、液体回収装置と接続される。液体回収装置は、回収口３４を真空システムに接続可能であり、回収口３４を介して液体ＬＱを吸引可能である。流路３４Ｒは、液浸部材３の内部に形成された回収流路、及びその回収流路と液体回収装置とを接続する回収管で形成される流路を含む。回収口３４から回収された液体ＬＱは、流路３４Ｒを介して、液体回収装置に回収される。
【００９６】
本実施形態において、制御装置４は、供給口３３からの液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口３４からの液体ＬＱの回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子１３及び液浸部材３と、他方側の物体との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成可能である。
【００９７】
なお、液浸部材３として、例えば米国特許出願公開第２００７／０１３２９７６号明細書、欧州特許出願公開第１７６８１７０号明細書に開示されているような液浸部材（ノズル部材）を用いることができる。
【００９８】
次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。なお、以下の説明において、除去システム１０を用いて異物を除去する処理（異物除去処理）を適宜、クリーニング処理、と称する。
【００９９】
図６に示すように、終端光学素子１３及び液浸部材３と、第１保持部１５に保持された基板Ｐ及び第２保持部１６に保持されたスケール部材Ｔの少なくとも一方との間に、液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成される。液浸空間ＬＳが形成された後、制御装置４は、基板Ｐの露光処理を開始する。なお、基板Ｐの露光処理が開始される前の所定のタイミングにおいて、例えば露光光ＥＬの計測等、所定の計測処理が実行されてもよい。
【０１００】
基板Ｐの露光処理を実行するとき、制御装置４は、終端光学素子１３及び液浸部材３と基板Ｐとを対向させ、終端光学素子１３と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成する。制御装置４は、照明系ＩＬから露光光ＥＬを射出し、マスクＭを露光光ＥＬで照明する。マスクＭからの露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して基板Ｐに照射される。これにより、基板Ｐは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して射出面１３からの露光光ＥＬで露光され、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影される。
【０１０１】
本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。
【０１０２】
本実施形態においては、基板Ｐに露光対象領域であるショット領域がマトリクス状に複数配置される。例えば基板Ｐの第１ショット領域を露光するために、制御装置４は、基板Ｐ（第１ショット領域）を投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して第１ショット領域に露光光ＥＬを照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐの第１ショット領域に投影され、その第１ショット領域が射出面１２から射出された露光光ＥＬで露光される。
【０１０３】
第１ショット領域の露光が終了した後、制御装置４は、次の第２ショット領域の露光を開始するために、液浸空間ＬＳが形成されている状態で、基板ＰをＸＹ平面内における所定方向（例えばＸ軸方向、あるいはＸＹ平面内においてＸ軸方向に対して傾斜する方向等）に移動し、第２ショット領域を露光開始位置に移動する。その後、制御装置４は、第２ショット領域の露光を開始する。
【０１０４】
制御装置４は、投影領域ＰＲに対してショット領域をＹ軸方向に移動しながらそのショット領域を露光する動作と、そのショット領域の露光が終了した後、次のショット領域を露光開始位置に移動するための動作とを繰り返しながら、基板Ｐの複数のショット領域を順次露光する。
【０１０５】
このように、本実施形態においては、制御装置４は、基板ステージ２ＰをＸＹ平面内で移動しながら、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して基板Ｐの複数のショット領域を順次露光する。
【０１０６】
基板Ｐの露光の少なくとも一部において、基板ステージ２Ｐの位置は、エンコーダシステム６によって計測される。制御装置４は、エンコーダシステム６の計測結果に基づいて、基板ステージ２Ｐの位置を制御する。また、基板Ｐの露光の少なくとも一部において、基板ステージ２Ｐは、終端光学素子１３及び液浸部材３と第１保持部１５に保持される基板Ｐ及び第２保持部１６に保持されるスケール部材Ｔの少なくとも一方に液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成された状態で、ＸＹ平面内を移動する。基板Ｐの露光の少なくとも一部において、液浸空間ＬＳの液体ＬＱは、スケール部材Ｔに接触する。
【０１０７】
基板Ｐの露光処理が終了した後、制御装置４は、基板ステージ２Ｐを露光位置ＥＰから第２基板交換位置ＣＰ２へ移動する。すなわち、制御装置４は、第１保持部１５から露光後の基板Ｐを搬出するために、基板ステージ２ＰをＸＹ平面内で移動して、第２基板交換位置ＣＰ２に配置する動作を開始する。
【０１０８】
なお、本実施形態において、基板ステージ２Ｐが露光位置ＥＰから離れるとき、露光位置ＥＰには計測ステージ２Ｃが配置され、終端光学素子１３及び液浸部材３と計測ステージ２Ｃとの間に液浸空間ＬＳが形成される。基板ステージ２Ｐが露光位置ＥＰから離れるとき、例えば米国特許出願公開第２００６／００２３１８６号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１２７００６号明細書等に開示されているように、制御装置４は、基板ステージ２Ｐの上面１７と計測ステージ２Ｃの上面１７とを接近又は接触させた状態で、終端光学素子１３及び液浸部材３と基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃの少なくとも一方とを対向させつつ、終端光学素子１３及び液浸部材３に対して、基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２ＣをＸＹ平面内において移動させる。これにより、液体ＬＱの漏出が抑制されつつ、液浸空間ＬＳが終端光学素子１３及び液浸部材３と基板ステージ２Ｐとの間に形成される状態から、終端光学素子１３及び液浸部材３と計測ステージ２Ｃとの間に形成される状態へ変化する。また、制御装置４は、液浸空間ＬＳが、終端光学素子１３及び液浸部材３と計測ステージ２Ｃとの間に形成される状態から、終端光学素子１３及び液浸部材３と基板ステージ２Ｐとの間に形成される状態へ変化させることもできる。
【０１０９】
以下の説明において、基板ステージ２Ｐの上面１７と計測ステージ２Ｃの上面とを接近又は接触させた状態で、終端光学素子１３及び液浸部材３に対して、基板ステージ２Ｐと計測ステージ２ＣとをＸＹ平面内において同期移動させる動作を適宜、スクラム移動動作、と称する。
【０１１０】
本実施形態においては、スクラム移動動作において、例えば図３に示すように、基板ステージ２Ｐの上面１７の−Ｙ側の辺と、計測ステージ２Ｃの上面の＋Ｙ側の辺とが接近又は接触する。
【０１１１】
図７は、基板ステージ２Ｐが露光位置ＥＰから第２基板交換位置ＣＰ２へ移動している状態の一例を示す。本実施形態においては、除去システム１０は、露光後の基板Ｐを保持した基板ステージ２Ｐが露光位置ＥＰから第２基板交換位置ＣＰ２に移動するときに、スケール部材Ｔの上面１７の異物を除去する。
【０１１２】
すなわち、制御装置４は、露光後の基板Ｐを第１保持部１５から搬出する前に、スケール部材Ｔの異物を除去する処理を実行する。
【０１１３】
図７に示すように、基板ステージ２Ｐが露光位置ＥＰから第２基板交換位置ＣＰ２へ移動するとき、上面１７の一部の領域に除去装置１０Ａの除去部材２０が対向し、スケール部材Ｔの上面１７の一部の領域に除去部材１０Ｃの除去部材２０が対向する。図７に示す例では、第１保持部１５の中心に対して−Ｙ側の上面１７の一部の領域に、除去装置１０Ａの除去部材２０が対向し、第１保持部１５の中心に対して＋Ｙ側の上面１７の一部の領域に、除去装置１０Ｃの除去部材２０が対向する。除去装置１０Ａの除去部材２０と除去装置１０Ｃの除去部材２０とは、上面１７に同時に対向する。
【０１１４】
制御装置４は、基板ステージ２ＰをＸＹ平面内で移動しながら、上面１７が対向可能な位置に配置されている除去装置１０Ａ、１０Ｃの除去部材２０で、スケール部材Ｔの異物を除去する。図４及び図５を参照して説明したように、スケール部材Ｔの異物は、除去部材２０の吸引口２１から吸引される。これにより、スケール部材Ｔから異物が除去される。
【０１１５】
以下の説明において、基板ステージ２Ｐが露光位置ＥＰから第２基板交換位置ＣＰ２に移動するときにスケール部材Ｔの異物を除去する処理を適宜、第１クリーニング処理、と称する。
【０１１６】
第１クリーニング処理が終了した後、第２基板交換位置ＣＰ２に配置された基板ステージ２Ｐの第１保持部１５から、第２搬送部材１１Ｂによって、露光後の基板Ｐが搬出される。
【０１１７】
露光後の基板Ｐを第１保持部１５から搬出する処理が終了した後、制御装置４は、基板ステージ２Ｐを第２基板交換位置ＣＰ２から第１基板交換位置ＣＰ１へ移動する。すなわち、制御装置４は、露光前の基板Ｐを第１保持部１５に搬入するために、基板ステージ２ＰをＸＹ平面内で移動して、第１基板交換位置ＣＰ１に配置する。第１基板交換位置ＣＰ１に配置された基板ステージ２Ｐの第１保持部１５に、第１搬送部材１１Ａによって、露光前の基板Ｐが搬入される。
【０１１８】
露光前の基板Ｐを第１保持部１５に搬入する処理が終了した後、制御装置４は、基板ステージ２Ｐを第１基板交換位置ＣＰ１から露光位置ＥＰへ移動する。すなわち、制御装置４は、第１保持部１５に保持された露光前の基板Ｐを露光するために、基板ステージ２ＰをＸＹ平面内で移動して、露光位置ＥＰに配置する動作を開始する。
【０１１９】
図８は、基板ステージ２Ｐが第１基板交換位置ＣＰ１から露光位置ＥＰへ移動している状態の一例を示す。本実施形態においては、除去システム１０は、第１基板交換位置ＣＰ１において露光前の基板Ｐを保持した基板ステージ２Ｐが露光位置ＥＰに移動するときに、スケール部材Ｔの上面１７の異物を除去する。
【０１２０】
すなわち、制御装置４は、露光前の基板Ｐが第１保持部１５に保持された後、その基板Ｐの露光が開始される前に、スケール部材Ｔの異物を除去する処理を実行する。
【０１２１】
図８に示すように、基板ステージ２Ｐが第１基板交換位置ＣＰ１から露光位置ＥＰへ移動するとき、上面１７の一部の領域に除去装置１０Ｂの除去部材２０が対向し、上面１７の一部の領域に除去部材１０Ｃの除去部材２０が対向する。図８に示す例では、第１保持部１５の中心に対して−Ｙ側の上面１７の一部の領域に、除去装置１０Ｂの除去部材２０が対向し、第１保持部１５の中心に対して＋Ｙ側の上面１７の一部の領域に、除去装置１０Ｃの除去部材２０が対向する。除去装置１０Ｂの除去部材２０と除去装置１０Ｃの除去部材２０とは、上面１７に同時に対向する。
【０１２２】
制御装置４は、基板ステージ２ＰをＸＹ平面内で移動しながら、上面１７が対向可能な位置に配置されている除去装置１０Ｂ、１０Ｃの除去部材２０で、スケール部材Ｔの異物を除去することができる。図４及び図５を参照して説明したように、スケール部材Ｔの異物は、除去部材２０の吸引口２１から吸引される。これにより、スケール部材Ｔから異物が除去される。
【０１２３】
以下の説明において、基板ステージ２Ｐが第１基板交換位置ＣＰ１から露光位置ＥＰに移動するときにスケール部材Ｔの異物を除去する処理を適宜、第２クリーニング処理、と称する。
【０１２４】
第２クリーニング処理が終了した後、スケール部材Ｔの上面１７の少なくとも一部の領域は、エンコーダヘッド６０と対向する位置に配置される。換言すれば、除去システム１０は、エンコーダシステム６のエンコーダヘッド６０による計測処理が開始される前に、そのスケール部材Ｔの表面の異物除去処理（クリーニング処理）を実行する。これにより、エンコーダシステム６は、スケール部材Ｔの格子を精度良く計測できる。
【０１２５】
本実施形態においては、基板ステージ２Ｐが第１基板交換位置ＣＰ１から露光位置ＥＰに移動するときに、第１、第２検出システム７、８を用いる検出処理が実行される。すなわち、例えば米国特許出願公開第２００７／０２８８１２１号明細書に開示されているように、露光前の基板Ｐが第１保持部１５に保持された後、その基板Ｐの露光が開始される前に、第２検出システム８が基板Ｐのアライメントマークを検出し、第１検出システム７が基板Ｐの表面の位置を検出する。第２検出システム８が基板Ｐのアライメントマークを検出することによって、ＸＹ平面内における基板Ｐの複数のショット領域のそれぞれの位置が検出される。
【０１２６】
本実施形態において、除去システム１０は、第１、第２検出システム７、８の検出処理の少なくとも一部と並行して、スケール部材Ｔの異物を除去する。本実施形態において、除去システム１０は、第１検出システム７の検出処理の少なくとも一部及び第２検出システム８の検出処理の少なくとも一部の一方又は両方と並行して、スケール部材Ｔの異物を除去することができる。
【０１２７】
本実施形態において、第２クリーニング処理は、第１検出システム７の検出処理の少なくとも一部及び第２検出システム８の検出処理の少なくとも一部の一方又は両方と並行してスケール部材Ｔの異物を除去する第３クリーニング処理と、第１，第２検出システム７、８の検出処理と並行しないでスケール部材Ｔの異物を除去する第４クリーニング処理とを含む。
【０１２８】
第１、第２検出システム７、８によって基板Ｐの位置を検出するとき、基板Ｐを保持した基板ステージ２Ｐは、例えば図９に示す位置から図１０に示す位置に移動する。第１，第２検出システム７、８は、基板ステージ２Ｐが図９に示す位置から図１０に示す位置に移動するときに、基板Ｐの位置を検出することができる。なお、図９、図１０において、第１、第２検出システム７、８の図示を省略している。
【０１２９】
例えば、図９に示す状態においては、上面１７の一部の領域に除去装置１０Ａの除去部材２０が対向し、上面１７の一部の領域に除去部材１０Ｂの除去部材２０が対向する。図９に示す例では、第１保持部１５の中心に対して＋Ｘ側の上面１７の一部の領域に、除去装置１０Ａの除去部材２０が対向し、第１保持部１５の中心に対して−Ｘ側の上面１７一部の領域に、除去装置１０Ｂの除去部材２０が対向する。除去装置１０Ａの除去部材２０と除去装置１０Ｂの除去部材２０とは、上面１７に同時に対向する。
【０１３０】
図９に示す状態から図１０に示す状態に変化するように基板ステージ２Ｐを−Ｙ方向へ移動することによって、Ｙスケール２７が配置されている上面１７の一部の領域が除去装置１０Ａによってクリーニングされ、Ｙスケール２６が配置されている上面１７の一部の領域が除去装置１０Ｂによってクリーニングされる。また、図９に示す状態においては、Ｙスケール２７は、Ｙリニアエンコーダ６Ｃのエンコーダヘッド６０と対向しない。また、図９に示す状態においては、Ｙスケール２６は、Ｙリニアエンコーダ６Ａのエンコーダヘッド６０と対向しない。換言すれば、図９に示す状態においては、Ｙリニアエンコーダ６Ａ、６ＣによるＹスケール２６、２７の計測処理が開始されていない。
【０１３１】
このように、本実施形態においては、除去装置１０Ａ、１０Ｂは、Ｙリニアエンコーダ６Ａ、６ＣによるＹスケール２６、２７の計測処理が開始される前に、Ｙスケール２６、２７の異物除去処理（クリーニング処理）を実行する。除去装置１０Ａ、１０Ｂにより異物除去処理（クリーニング処理）が実行されたＹスケール２６、２７が、Ｙリニアエンコーダ６Ａ、６Ｃのエンコーダヘッド６０と対向する位置に配置される。Ｙリニアエンコーダ６Ａ、６Ｃは、Ｙスケール２６、２７の計測処理を開始する。
【０１３２】
なお、第３（第２）クリーニング処理において、Ｘスケール２８、２９が配置された上面１７の一部の領域のクリーニング処理が実行されてもよい。
【０１３３】
スクラム移動動作が実行され、基板ステージ２Ｐが露光位置ＥＰに配置された後、その基板ステージ２Ｐの第１保持部１５に保持されている基板Ｐの露光が開始される。
【０１３４】
例えば図１１に示すように、本実施形態においては、基板ステージ２Ｐが露光位置ＥＰに配置されている状態において、上面１７の少なくとも一部の領域は、除去装置１０Ａ、１０Ｂの除去部材２０と対向可能である。本実施形態において、除去システム１０は、基板ステージ２Ｐに保持される基板Ｐの露光中に、除去装置１０Ａ、１０Ｂの除去部材２０を用いて、スケール部材Ｔの異物を除去することができる。
【０１３５】
以下の説明において、基板ステージ２Ｐに保持される基板Ｐの露光中に、スケール部材Ｔの異物を除去する処理を適宜、第５クリーニング処理、と称する。
【０１３６】
基板Ｐの露光が終了した後、制御装置４は、露光後の基板Ｐを保持した基板ステージ２Ｐを第２基板交換位置ＣＰ２に移動する。制御装置４は、上述の処理を繰り返して、複数の基板Ｐを順次露光する。
【０１３７】
本実施形態において、異物は、液体ＬＱ（液体ＬＱの滴）を含む。例えば、基板Ｐの露光の少なくとも一部において、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの一部が、スケール部材Ｔの上面１７に飛散する可能性がある。また、液浸空間ＬＳがスケール部材Ｔの上面１７と終端光学素子１３及び液浸部材３との間に形成された場合、その液浸空間ＬＳの液体ＬＱの一部がスケール部材Ｔの上面１７に残留する可能性がある。
【０１３８】
本実施形態においては、露光直後に実行される第１クリーニング処理において、スケール部材Ｔの上面１７の異物を除去することができる。
【０１３９】
また、本実施形態においては、露光直前に実行される第２クリーニング処理（第３、第４クリーニング処理）において、スケール部材Ｔの上面１７の異物を除去することができる。
【０１４０】
なお、異物が、固体でもよい。例えば、基板Ｐから放出された感光膜の一部がスケール部材Ｔの上面１７に付着した場合、除去部材２０は、その上面１７に存在する感光膜を除去してもよい。また、例えば空中を浮遊する異物がスケール部材Ｔの上面１７に付着した場合、除去部材２０は、その上面１７に存在する異物を除去してもよい。
【０１４１】
以上説明したように、本実施形態によれば、スケール部材Ｔの上面１７の異物を除去する除去システム１０が設けられているので、スケール部材Ｔの上面１７をクリーニングできる。そのため、エンコーダシステム６は、スケール部材Ｔを用いて、基板ステージ２Ｐの位置計測を精確に実行できる。したがって、露光不良の発生、及び不良デバイスの発生を抑制することができる。
【０１４２】
本実施形態においては、除去部材２０の少なくとも一部は、終端光学素子１３及び液浸部材３と離れた位置に配置されており、除去システム１０は、露光位置ＥＰとは異なる位置（射出面１２と対向しない位置）に配置されたスケール部材Ｔの上面１７の異物除去処理を実行可能である。換言すれば、除去システム１０は、露光位置ＥＰとは異なる位置で、スケール部材Ｔのクリーニング処理を実行可能である。また、除去システム１０は、基板ステージ２Ｐ（スケール部材Ｔ）の上面１７と終端光学素子１３及び液浸部材３との間に液浸空間ＬＳが形成されていない状態で、スケール部材Ｔの上面１７の異物除去処理を実行可能である。したがって、上面１７の異物は良好に除去される。
【０１４３】
また、本実施形態においては、露光直後に第１クリーニング処理が実行されるため、例えば露光中にスケール部材Ｔに異物が付着しても、その異物を直ちに除去することができる。
【０１４４】
また、本実施形態においては、露光直前に第２クリーニング処理（第３、第４クリーニング処理）が実行されるため、エンコーダシステム６は、基板Ｐの露光において、スケール部材Ｔを精度良く計測できる。
【０１４５】
また、本実施形態においては、露光中に第５クリーニング処理が実行されるため、エンコーダシステム６は、基板Ｐの露光において、スケール部材Ｔを精度良く計測できる。
【０１４６】
上述したように、本実施形態において、第２検出システム８は、撮像素子を含み、上面１７と対向可能である。すなわち、上面１７は、検出領域ＡＬＡ〜ＡＬＥの少なくとも一部に配置可能である。第２検出システム８は、上面１７の異物を検出可能である。制御装置４は、第２検出システム８でスケール部材Ｔの異物（例えば異物の位置、大きさ）を検出し、その検出結果に基づいて、その異物が存在する上面１７の一部の領域が除去部材２０と対向する位置に配置されるように、基板ステージ２Ｐを移動させてもよい。
【０１４７】
また、上述したように、本実施形態において、第１検出システム７は、斜入射方式の多点フォーカス・レベリング検出システムを含み、上面１７は、検出領域ＡＦに配置可能である。第１検出システム７は、上面１７に検出光を照射することによって、その上面１７の異物を検出可能である。制御装置４は、第１検出システム７でスケール部材Ｔの異物を検出し、その検出結果に基づいて、その異物が存在する上面１７の一部の領域が除去部材２０と対向する位置に配置されるように、基板ステージ２Ｐを移動させてもよい。
【０１４８】
なお、第１、第２検出システム７、８とは異なる、上面１７の異物を検出可能な検出装置を設け、その検出装置で上面１７の異物を検出してもよい。制御装置４は、その検出装置の検出結果に基づいて、異物除去処理を実行するために、基板ステージ２Ｐを移動させてもよい。
【０１４９】
なお、制御装置４は、検出装置（第１、第２検出システム７、８）で上面１７の異物の有無を検出し、その検出結果に基づいて、上面１７に異物が存在しないと判断した場合、除去システム１０による異物除去処理を実行せずに、例えば基板交換処理（基板Ｐの搬入処理及び搬出処理）、及び露光処理を実行するようにしてもよい。また、制御装置４は、検出装置（第１、第２検出システム７、８）で上面１７の異物の有無を検出し、その検出結果に基づいて、基板ステージ２Ｐの移動を制御してもよい。例えば、制御装置４は、検出装置の検出結果に基づいて、スケール部材Ｔに異物が存在しないと判断した場合における基板ステージ２Ｐの移動条件と、存在すると判断した場合における基板ステージ２Ｐの移動条件とを異ならせてもよい。例えば、制御装置４は、スケール部材Ｔに異物が存在すると判断した場合（除去システム１０による異物除去処理が必要と判断した場合）、基板ステージ２Ｐを第１の移動速度で移動させたり、第１の移動経路（移動軌跡）で移動させたりしてもよい。一方、制御装置４は、スケール部材Ｔに異物が存在しないと判断した場合（除去システム１０による異物除去処理が不要と判断した場合）、基板ステージ２Ｐを第２の移動速度で移動したり、第２の移動経路（移動軌跡）で移動したりしてもよい。例えば、制御装置４は、スケール部材Ｔに異物が存在すると判断した場合（除去システム１０による異物除去処理が必要と判断した場合）、上面１７の異物が除去部材２０の下方を通過するように基板ステージ２Ｐの移動経路を調整したり、上面１７の異物が除去部材２０で除去されやすいように基板ステージ２Ｐの移動速度を低減したりしてもよい。一方、制御装置４は、スケール部材Ｔに異物が存在しないと判断した場合（除去システム１０による異物除去処理が不要と判断した場合）、例えば第１基板交換位置ＣＰ１から露光位置ＥＰへ基板ステージ２Ｐを移動するときに移動速度を高めたり、最短の移動経路を辿るようにしたりしてもよい。
【０１５０】
なお、本実施形態においては、除去部材２０は、トラップ部材２２で捕捉された異物を吸引口２１から吸引することとしたが、トラップ部材２２で異物を捕捉することなく、吸引口２１から吸引してもよい。
【０１５１】
なお、本実施形態において、除去部材２０は、吸引口２１及びトラップ部材２２を有することとしたが、吸引口２１が無くてもよい。例えばトラップ部材２２で異物を捕捉することによっても、スケール部材Ｔから異物を除去することができる。
【０１５２】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の第１実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１５３】
図１２及び図１３は、第２実施形態に係る除去部材２０Ｂの一例を示す図である。本実施形態において、除去部材２０Ｂは、多孔部材４０を含む。多孔部材４０は、スケール部材Ｔの上面１７の異物を捕捉することができる。
【０１５４】
多孔部材４０は、複数の孔を有する。多孔部材４０は、例えば真空システムを含む吸引装置４１と接続される。制御装置４は、吸引装置４１を作動することにより、多孔部材４０の孔から異物（例えば液体ＬＱ）を吸引することができる。本実施形態においては、多孔部材４０の孔が、上面１７の異物を吸引する吸引口として機能する。
【０１５５】
除去部材２０Ｂは、スケール部材Ｔに接触しないで、スケール部材Ｔの上面１７の異物に接触するように配置される。図１２及び図１３に示す例では、除去部材２０Ｂは、スケール部材Ｔに接触しないで、多孔部材４０がスケール部材Ｔの上面１７の異物に接触するように配置される。
【０１５６】
例えば、図１２に示すように、スケール部材Ｔの上面１７に異物が存在する場合、制御装置４は、スケール部材Ｔの上面１７の異物と多孔部材４０とが接触するように、多孔部材４０とスケール部材Ｔの上面１７とが所定の間隙を介して対向された状態で、基板ステージ２ＰをＸＹ平面内で移動させる。これにより、図１３に示すように、異物が多孔部材４０に捕捉される。
【０１５７】
制御装置４は、多孔部材４０で捕捉された異物を多孔部材４０の孔から吸引する。制御装置４は、吸引装置４１を作動して、多孔部材４０の孔から異物を吸引することができる。これにより、スケール部材Ｔの異物がスケール部材Ｔから除去される。
【０１５８】
なお、本実施形態においては、多孔部材４０で捕捉された異物を多孔部材４０の孔から吸引することとしたが、吸引しなくてもよい。例えば多孔部材４０で異物を捕捉することによっても、スケール部材Ｔから異物を除去することができる。
【０１５９】
なお、図１４に示すように、除去部材２０Ｃがチューブ部材４２を含んでもよい。チューブ部材４２は、吸引装置４３に接続されている。チューブ部材４２の先端（下端）に配置された吸引口４４からスケール部材Ｔの異物を吸引してもよい。
【０１６０】
なお、上述の第１、第２実施形態において、除去システムが、例えば気体を吹き出す給気口を有してもよい。例えば、給気口から吹き出された気体で、スケール部材Ｔの異物を吹き飛ばすことによって、そのスケール部材Ｔから異物を除去してもよい。
【０１６１】
なお、上述の第１、第２実施形態においては、スケール部材Ｔの格子が、一次元格子であることとしたが、例えば図１５に示すスケール部材Ｔ２の格子のように、二次元格子でもよい。図１５に示す例では、第１保持部１５の中心に対して＋Ｘ側のスケール部材Ｔ２の上面の一部の領域、及び−Ｘ側のスケール部材Ｔ２の上面の一部の領域に、二次元格子が配置される。
【０１６２】
なお、上述の各実施形態においては、除去システム１０がスケール部材Ｔ（Ｔ２）の異物を除去することとしたが、例えば基板ステージが、米国特許出願公開第２００７／０１７７１２５号明細書、及び米国特許出願公開第２００８／００４９２０９号明細書等に開示されているような、カバー部材（格子を有しない部材）をリリース可能に保持するカバー部材保持部を有する場合、そのカバー部材の異物を除去してもよい。
【０１６３】
なお、上述の各実施形態において、除去システム１０が、計測ステージ２Ｃの上面の異物を除去してもよい。
【０１６４】
なお、上述したように、制御装置４は、ＣＰＵ等を含むコンピュータシステムを含む。また、制御装置４は、コンピュータシステムと外部装置との通信を実行可能なインターフェースを含む。記憶装置５は、例えばＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体を含む。記憶装置５には、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステム（ＯＳ）がインストールされ、露光装置ＥＸを制御するためのプログラムが記憶されている。
【０１６５】
なお、制御装置４に、入力信号を入力可能な入力装置が接続されていてもよい。入力装置は、キーボード、マウス等の入力機器、あるいは外部装置からのデータを入力可能な通信装置等を含む。また、液晶表示ディスプレイ等の表示装置が設けられていてもよい。
【０１６６】
記憶装置５に記録されているプログラムを含む各種情報は、制御装置（コンピュータシステム）４が読み取り可能である。記憶装置５には、制御装置４に、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する露光装置ＥＸの制御を実行させるプログラムが記録されている。
【０１６７】
記憶装置５に記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置４に、露光光ＥＬが射出される射出面１２を有する終端光学素子１３と、基板ステージ２Ｐの第１保持部１５に保持された基板Ｐ及び基板Ｐの周囲の少なくとも一部に配置されるスケール部材Ｔの少なくとも一方との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成することと、基板ステージ２ＰをＸＹ平面内で移動しながら、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して基板Ｐを露光することと、基板ステージ２ＰをＸＹ平面内で移動しながら、スケール部材Ｔの上面１７が対向可能な位置に配置される除去部材２０で、スケール部材Ｔの異物を除去することと、を実行させてもよい。
【０１６８】
記憶装置５に記憶されているプログラムが制御装置４に読み込まれることにより、基板ステージ２Ｐ、計測ステージ２Ｃ、液浸部材３、及び除去システム１０等、露光装置ＥＸの各種の装置が協働して、液浸空間ＬＳが形成された状態で、基板Ｐの液浸露光等、各種の処理を実行する。
【０１６９】
なお、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端光学素子１３の射出側（像面側）の光路が液体ＬＱで満たされているが、例えば国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子１３の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たされる投影光学系ＰＬを採用することができる。
【０１７０】
なお、上述の各実施形態においては、液体ＬＱとして水を用いているが、水以外の液体であってもよい。液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対して透過性であり、露光光ＥＬに対して高い屈折率を有し、投影光学系ＰＬあるいは基板Ｐの表面を形成する感光材（フォトレジスト）などの膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。
【０１７１】
なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【０１７２】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【０１７３】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【０１７４】
また、例えば米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。
【０１７５】
また、上述の各実施形態において、露光装置ＥＸが、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置でもよい。その場合、終端光学素子１２との間で液浸空間ＬＳを形成可能な物体は、複数の基板ステージの少なくとも一つを含む。除去システム１０は、それら複数の基板ステージのうち少なくとも一つの基板ステージの上面の異物を除去することができる。
【０１７６】
なお、上述の各実施形態において、露光装置ＥＸが、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置でもよい。
【０１７７】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【０１７８】
なお、上述の各実施形態においては、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いて各ステージの位置を計測することとしたが、エンコーダシステムがなくてもよい。
【０１７９】
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。
【０１８０】
上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。例えば、レンズ等の光学部材と基板との間に液浸空間を形成し、その光学部材を介して、基板に露光光を照射することができる。
【０１８１】
また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。
【０１８２】
上述の実施形態の露光装置ＥＸは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１８３】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１６に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンからの露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。異物除処理（クリーニング処理）は、例えば基板処理ステップ２０４において実行される。
【０１８４】
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【符号の説明】
【０１８５】
２Ｐ…基板ステージ、２Ｃ…計測ステージ、３…液浸部材、４…制御装置、６…エンコーダシステム、７…第１検出システム、８…第２検出システム、１０…除去システム、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ…除去装置、１２…射出面、１３…終端光学素子、２０…除去部材、２１…吸引口、２２…トラップ部材、４０…多孔部材、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＬＱ…液体、ＬＳ…液浸空間、Ｐ…基板、Ｔ…スケール部材
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
前記基板を保持する第１保持部と、前記第１保持部の周囲の少なくとも一部に配置され、前記射出面が対向可能なスケール部材と、を有し、所定面内を移動可能な基板ステージと、
前記所定面内を移動する前記スケール部材の表面が対向可能な位置に配置され、前記スケール部材の表面の異物を除去可能な除去部材を有する除去装置と、を備える露光装置。
【請求項２】
前記除去部材は、前記スケール部材に接触しないで、前記スケール部材の表面の異物に接触するように配置される請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記除去部材は、前記スケール部材の前記異物を吸引する吸引口を有する請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記除去部材は、前記スケール部材の前記異物を捕捉するトラップ部材を含み、
前記除去装置は、前記トラップ部材で捕捉された前記異物を前記吸引口から吸引する請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記吸引口は、前記トラップ部材の周囲の少なくとも一部に配置される請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記トラップ部材は、多孔部材を含み、
前記吸引口は、前記多孔部材の孔を含む請求項４に記載の露光装置。
【請求項７】
前記除去部材は、前記スケール部材の前記異物を捕捉するトラップ部材を含む請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項８】
前記トラップ部材は、多孔部材を含む請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
前記スケール部材の表面の異物と前記トラップ部材とが接触するように、前記トラップ部材と前記スケール部材の表面とが所定の間隙を介して対向された状態で、前記基板ステージを前記所定面内で移動させる制御装置を備える請求項４〜８のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記スケール部材の表面の異物を検出する検出装置を備え、
前記制御装置は、前記検出装置の検出結果に基づいて、前記基板ステージを移動させる請求項９に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記除去装置は、前記除去部材を複数備え、
少なくとも２つの前記除去部材が、前記スケール部材の表面と同時に対向するように配置される請求項１〜１０のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記除去装置は、前記第１保持部の中心に対して一側の前記スケール部材の第１領域と対向する第１除去部材と、他側の前記スケール部材の第２領域と対向する第２除去部材とを含む請求項１１に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記基板ステージは、少なくとも一部が前記射出面と対向する第１位置と、前記射出面と対向しない第２位置との間を移動可能であり、
前記除去部材の少なくとも一部は、前記第１位置と前記第２位置との間に配置される請求項１〜１２のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記第２位置は、前記第１保持部から露光後の基板を搬出する動作及び露光前の前記基板を前記第１保持部に搬入する動作の少なくとも一方が実行される基板交換位置を含む請求項１３に記載の露光装置。
【請求項１５】
前記除去装置は、前記第２位置において露光前の基板を保持した前記基板ステージが前記第１位置に移動するときに、前記異物を除去する請求項１４に記載の露光装置。
【請求項１６】
前記除去装置は、露光後の基板を保持した前記基板ステージが前記第１位置から前記第２位置に移動するときに、前記異物を除去する請求項１４に記載の露光装置。
【請求項１７】
前記基板の位置を検出する第２検出装置を備え、
前記除去装置は、前記第２検出装置の検出処理の少なくとも一部と並行して、前記異物を除去する請求項１〜１６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１８】
前記除去装置は、前記基板ステージに保持される前記基板の露光中に、前記異物を除去する請求項１〜１７のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１９】
前記スケール部材を用いて前記基板ステージの位置を計測する計測装置を備え、
前記除去装置は、前記計測装置の計測処理が開始される前に、前記異物を除去する請求項１〜１８のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２０】
前記基板ステージは、前記光学部材と前記第１保持部に保持される前記基板及び前記スケール部材の少なくとも一方に前記液体で液浸空間が形成された状態で前記所定面内を移動する請求項１〜１９にいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２１】
前記異物は、液体を含む請求項１〜２０のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２２】
前記第１保持部の周囲の少なくとも一部に配置され、前記スケール部材をリリース可能に保持する第２保持部を備える請求項１〜２１のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２３】
請求項１〜２２のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項２４】
液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、
前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板ステージの第１保持部に保持された前記基板及び前記基板の周囲の少なくとも一部に配置されるスケール部材の少なくとも一方との間に前記液体で液浸空間を形成することと、
前記基板ステージを所定面内で移動しながら、前記液浸空間の液体を介して前記基板を露光することと、
前記基板ステージを前記所定面内で移動しながら、前記スケール部材の表面が対向可能な位置に配置される除去部材で、前記スケール部材の異物を除去することと、を含む露光方法。
【請求項２５】
露光前の基板を前記第１保持部に搬入することを含み、
露光前の前記基板が前記第１保持部に保持された後、前記基板の露光が開始される前に、前記異物が除去される請求項２４に記載の露光方法。
【請求項２６】
請求項２４又は２５に記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項２７】
コンピュータに、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、
前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板ステージの第１保持部に保持された前記基板及び前記基板の周囲の少なくとも一部に配置されるスケール部材の少なくとも一方との間に前記液体で液浸空間を形成することと、
前記基板ステージを所定面内で移動しながら、前記液浸空間の液体を介して前記基板を露光することと、
前記基板ステージを前記所定面内で移動しながら、前記スケール部材の表面が対向可能な位置に配置される除去部材で、前記スケール部材の異物を除去することと、を実行させるプログラム。
【請求項２８】
請求項２７に記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項１】
液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
前記基板を保持する第１保持部と、前記第１保持部の周囲の少なくとも一部に配置され、前記射出面が対向可能なスケール部材と、を有し、所定面内を移動可能な基板ステージと、
前記所定面内を移動する前記スケール部材の表面が対向可能な位置に配置され、前記スケール部材の表面の異物を除去可能な除去部材を有する除去装置と、を備える露光装置。
【請求項２】
前記除去部材は、前記スケール部材に接触しないで、前記スケール部材の表面の異物に接触するように配置される請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記除去部材は、前記スケール部材の前記異物を吸引する吸引口を有する請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記除去部材は、前記スケール部材の前記異物を捕捉するトラップ部材を含み、
前記除去装置は、前記トラップ部材で捕捉された前記異物を前記吸引口から吸引する請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記吸引口は、前記トラップ部材の周囲の少なくとも一部に配置される請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記トラップ部材は、多孔部材を含み、
前記吸引口は、前記多孔部材の孔を含む請求項４に記載の露光装置。
【請求項７】
前記除去部材は、前記スケール部材の前記異物を捕捉するトラップ部材を含む請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項８】
前記トラップ部材は、多孔部材を含む請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
前記スケール部材の表面の異物と前記トラップ部材とが接触するように、前記トラップ部材と前記スケール部材の表面とが所定の間隙を介して対向された状態で、前記基板ステージを前記所定面内で移動させる制御装置を備える請求項４〜８のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記スケール部材の表面の異物を検出する検出装置を備え、
前記制御装置は、前記検出装置の検出結果に基づいて、前記基板ステージを移動させる請求項９に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記除去装置は、前記除去部材を複数備え、
少なくとも２つの前記除去部材が、前記スケール部材の表面と同時に対向するように配置される請求項１〜１０のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記除去装置は、前記第１保持部の中心に対して一側の前記スケール部材の第１領域と対向する第１除去部材と、他側の前記スケール部材の第２領域と対向する第２除去部材とを含む請求項１１に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記基板ステージは、少なくとも一部が前記射出面と対向する第１位置と、前記射出面と対向しない第２位置との間を移動可能であり、
前記除去部材の少なくとも一部は、前記第１位置と前記第２位置との間に配置される請求項１〜１２のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記第２位置は、前記第１保持部から露光後の基板を搬出する動作及び露光前の前記基板を前記第１保持部に搬入する動作の少なくとも一方が実行される基板交換位置を含む請求項１３に記載の露光装置。
【請求項１５】
前記除去装置は、前記第２位置において露光前の基板を保持した前記基板ステージが前記第１位置に移動するときに、前記異物を除去する請求項１４に記載の露光装置。
【請求項１６】
前記除去装置は、露光後の基板を保持した前記基板ステージが前記第１位置から前記第２位置に移動するときに、前記異物を除去する請求項１４に記載の露光装置。
【請求項１７】
前記基板の位置を検出する第２検出装置を備え、
前記除去装置は、前記第２検出装置の検出処理の少なくとも一部と並行して、前記異物を除去する請求項１〜１６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１８】
前記除去装置は、前記基板ステージに保持される前記基板の露光中に、前記異物を除去する請求項１〜１７のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１９】
前記スケール部材を用いて前記基板ステージの位置を計測する計測装置を備え、
前記除去装置は、前記計測装置の計測処理が開始される前に、前記異物を除去する請求項１〜１８のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２０】
前記基板ステージは、前記光学部材と前記第１保持部に保持される前記基板及び前記スケール部材の少なくとも一方に前記液体で液浸空間が形成された状態で前記所定面内を移動する請求項１〜１９にいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２１】
前記異物は、液体を含む請求項１〜２０のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２２】
前記第１保持部の周囲の少なくとも一部に配置され、前記スケール部材をリリース可能に保持する第２保持部を備える請求項１〜２１のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２３】
請求項１〜２２のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項２４】
液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、
前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板ステージの第１保持部に保持された前記基板及び前記基板の周囲の少なくとも一部に配置されるスケール部材の少なくとも一方との間に前記液体で液浸空間を形成することと、
前記基板ステージを所定面内で移動しながら、前記液浸空間の液体を介して前記基板を露光することと、
前記基板ステージを前記所定面内で移動しながら、前記スケール部材の表面が対向可能な位置に配置される除去部材で、前記スケール部材の異物を除去することと、を含む露光方法。
【請求項２５】
露光前の基板を前記第１保持部に搬入することを含み、
露光前の前記基板が前記第１保持部に保持された後、前記基板の露光が開始される前に、前記異物が除去される請求項２４に記載の露光方法。
【請求項２６】
請求項２４又は２５に記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項２７】
コンピュータに、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、
前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板ステージの第１保持部に保持された前記基板及び前記基板の周囲の少なくとも一部に配置されるスケール部材の少なくとも一方との間に前記液体で液浸空間を形成することと、
前記基板ステージを所定面内で移動しながら、前記液浸空間の液体を介して前記基板を露光することと、
前記基板ステージを前記所定面内で移動しながら、前記スケール部材の表面が対向可能な位置に配置される除去部材で、前記スケール部材の異物を除去することと、を実行させるプログラム。
【請求項２８】
請求項２７に記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２０１２−２０４３７６（Ｐ２０１２−２０４３７６Ａ）
【公開日】平成２４年１０月２２日（２０１２．１０．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−６４６４７（Ｐ２０１１−６４６４７）
【出願日】平成２３年３月２３日（２０１１．３．２３）
【出願人】（０００００４１１２）株式会社ニコン (12,601)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月２２日（２０１２．１０．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月２３日（２０１１．３．２３）
【出願人】（０００００４１１２）株式会社ニコン (12,601)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]