インプリント方法に用いる剥離板、モールド構造体及びインプリント方法
【課題】モールドをレジスト層から引き剥がす際にかかる応力を抑制することでレジスト層やモールドの損傷を抑制する剥離板、モールド構造体及びインプリント方法を提供。
【解決手段】本発明のインプリント方法は、加熱すると屈曲する剥離板を備えるモールド構造体を、加工対象物の基板上に形成されたインプリントレジスト組成物からなるレジスト層に押圧して前記モールド構造体に形成された凹凸パターンを転写する転写工程と、剥離板を加熱して第１の金属層を熱膨張させ、前記モールド構造体の端部を押圧方向と反対方向に屈曲させて前記レジスト層と前記モールド構造体とを剥離する工程と、を少なくとも含むことを特徴とする。
【解決手段】本発明のインプリント方法は、加熱すると屈曲する剥離板を備えるモールド構造体を、加工対象物の基板上に形成されたインプリントレジスト組成物からなるレジスト層に押圧して前記モールド構造体に形成された凹凸パターンを転写する転写工程と、剥離板を加熱して第１の金属層を熱膨張させ、前記モールド構造体の端部を押圧方向と反対方向に屈曲させて前記レジスト層と前記モールド構造体とを剥離する工程と、を少なくとも含むことを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント方法に用いる剥離板、モールド構造体及びインプリント方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）は、視認性が高い、視野角依存性がないといった表示性能の利点を有することから、ディスプレイや照明等様々な用途に用いられる。又、ディスプレイや照明等を軽量化、薄層化できるといった利点もある。
【０００３】
有機ＥＬ素子を製造するには、レジストパターン形成用モールド構造体（以下、「モールド」ということがある）を用いて、有機ＥＬ層を保護する封止層表面に形成されたレジスト層（インプリントレジスト層）に所望のパターンを転写するインプリント法（インプリントプロセス）が用いられる。
【０００４】
このインプリント法は、具体的には、例えば、有機ＥＬ層上の全面に形成された封止層上に熱可塑性の樹脂、又は光硬化性の樹脂からなるレジスト層を形成し、このレジスト層に対して所望の形状に加工されたモールドを密着し、押圧して、前記樹脂を加熱、又は光照射により硬化させ、前記モールドを剥離することで、該モールドに形成されたパターンに対応したパターンを転写し、その後、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりレジスト層が除去された部分をエッチングすることにより、有機ＥＬ層のパターニングを行い、所望の有機ＥＬ素子を得る方法である。
【０００５】
一般に、モールドをレジスト層に押圧するとレジスト層とモールドとの接触面積が増大するので、モールドをレジスト層から剥離するには非常に大きな応力がかかる。このため、モールドや有機ＥＬ素子の基板がガラスの場合、ガラスが割れてしまったり、レジスト層の一部がモールドと共に剥がれてしまったり、レジスト層やモールドが損傷してしまったりする問題があった。特に、レジスト層が光硬化性樹脂の場合、光硬化性樹脂は一般の接着剤に使用する成分と同一成分なので、モールドをレジスト層から剥離することがより困難となる問題があった。
【０００６】
このような問題を解決するために、例えば、モールドをレジスト層から剥離する際、レジスト層が構成されている基板の下側からモールドに向けて圧縮空気を吹き付けることでモールドをレジスト層から剥離しやすくする方法及び装置が開示されている（特許文献１参照）。しかしながら、大型のモールドを使用する場合、モールド及びレジスト層全体により大きな応力がかかるので、圧縮空気を吹き付けるだけではモールドをレジスト層から剥離できない場合があった。また、圧縮空気を吹き付ける装置が大掛かりとなり、コストがかかる問題があった。
【０００７】
また、モールドを構成する材料を弾性が高く柔らかい材料とすることで、剥離する際の応力を緩和する方法が開示されているが（特許文献２参照）、複雑なパターンをレジスト層に転写する場合、モールドをレジスト層に押圧してもモールドの弾性が高いためレジスト層にパターンが完全に転写されない問題があった。
【０００８】
また、モールドの表面をフッ化処理してモールドとレジスト層とを引き剥がしやすくする方法が開示され（特許文献３参照）、ある程度の効果があることが報告されているが、依然としてモールドをレジスト層から剥離するには非常に大きな応力がかかる問題があり、その解決が望まれているのが現状である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００７−２３０２３５号公報
【特許文献２】特開２００９−８２２０７号公報
【特許文献３】特開２００８−３６８５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであり、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、モールドをレジスト層から引き剥がす際にかかる応力を抑制することでレジスト層やモールドの損傷を抑制する剥離板、該剥離板を備えたモールド構造体及びインプリント方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者は、加熱すると屈曲し、常温で復元する金属層からなる剥離板をモールドに備えることで、モールドをレジスト層から剥離する際にかかる応力を抑制することができる知見を得た。
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞ 基板上に形成されたインプリントレジスト組成物からなるレジスト層に凹凸パターンを転写するインプリント方法に用いられるモールド構造体に設けられ、前記レジスト層と前記モールド構造体とを剥離するために用いられる剥離板であって、加熱により屈曲し、常温で形状が復元する少なくとも２層の金属層からなることを特徴とする剥離板である。
＜２＞ 金属層は、第１の金属層と第２の金属層とからなる２層構造であり、同一温度条件において、前記第１の金属層の加熱による熱膨張率は、前記第２の金属層の熱膨張率よりも大きい前記＜１＞に記載の剥離板である。
＜３＞ 第１の金属層は、バネ性のあるスプリング層であり、第２の金属層は、形状記憶合金からなる形状記憶合金層である前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の剥離板である。
＜４＞ 金属層に複数の貫通孔を備える前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の剥離板である。
＜５＞ 基板の一方の面上に複数の凸部からなる凹凸パターンが形成され、インプリントレジスト組成物からなるレジスト層を押圧するモールド構造体であって、前記凸部が形成されている前記基板の面と反対面上に前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の剥離板を備えることを特徴とするモールド構造体である。
＜６＞ 凹凸パターンに離型材を塗布した前記＜５＞に記載のモールド構造体である。
＜７＞ 剥離板を構成する金属層は、基板の表面側から順に第１の金属層と第２の金属層と積層されている２層構造であり、前記第１の金属層の加熱による熱膨張率は、前記第２の金属層の熱膨張率よりも大きい前記＜５＞から＜６＞のいずれかに記載のモールド構造体である。
＜８＞ 金属層の局所又は全面を加熱する前記＜５＞から＜７＞のいずれかに記載のモールド構造体である。
＜９＞ 第１の金属層は、スプリング層であり、第２の金属層は、形状記憶合金層である前記＜５＞から＜８＞のいずれかに記載のモールド構造体である。
＜１０＞ 前記＜５＞から＜９＞のいずれかに記載のモールド構造体を、加工対象物の基板上に形成されたインプリントレジスト組成物からなるレジスト層に押圧して前記モールド構造体に形成された凹凸パターンを転写する転写工程と、剥離板を加熱して金属層又は第１の金属層を熱膨張させ、前記モールド構造体の端部を押圧方向と反対方向に屈曲させ前記レジスト層と前記モールド構造体とを剥離する工程と、を少なくとも含むことを特徴とするインプリント方法である。
＜１１＞ 金属層の局所または全面を加熱する前記＜１０＞に記載のインプリント方法である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によると、従来における諸問題を解決することができ、前記目的を達成することができ、モールドをレジスト層から剥離する力を抑制することでレジスト層やモールドの損傷を抑制する剥離板、モールド構造体及びインプリント方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１Ａ】図１Ａは、剥離板の斜視図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、貫通孔を設けた剥離板の斜視図である。
【図２】図２は、形状記憶合金層とスプリング層とを接合する様子を示した図である。
【図３】図３は、モールドの斜視図である。
【図４Ａ】図４Ａは、レジスト層にモールドを押圧する前の段階を示す断面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、モールドをレジスト層に押圧し、レジスト層を硬化させている様子を示す断面図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、剥離板を加熱しモールドとレジスト層とを剥離する様子を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の剥離板、モールド構造体及びインプリント方法について、詳細に説明する。
【００１５】
（剥離板）
図１Ａは、本発明の剥離板の構成を示す斜視図である。本発明の剥離板３は、少なくとも２層の金属層４からなる。図１Ａにおいて、前記金属層４は、第１の金属層４１及び第２の金属層４２からなり、第１の金属層４１及び第２の金属層４２は、加熱により屈曲し、常温で形状が復元する。剥離板３は、後述するレジスト層に押圧してモールドの表面に形成された凹凸パターンをレジスト層に転写するインプリント方法に用いる。なお、説明の便宜上、前記金属層４が２層構造の場合について説明するが、３層以上の金属層からなるようにしてもよい。
【００１６】
前記第１の金属層４１としては、該金属の局所又は全体を加熱することで熱膨張し、常温で形状が復元する金属を用いる。また、前記第２の金属層４２としては、前記第１の金属層４１よりも熱膨張しにくい金属にする。このような構成とすることで、第１の金属層４１及び第２の金属層４２の加熱時の熱膨張差によって金属層４が屈曲する。このため、第１の金属層４１に使用する金属の熱膨張率（線膨張率）としては、１０×１０−６／℃以上であることが好ましく、１５×１０−６／℃以上であることがより好ましく、２０×１０−６／℃であることが特に好ましい。また、第２の金属層４２に使用する金属の熱膨張率（線膨張率）としては、５×１０−６／℃以下であることが好ましく、３×１０−６／℃以下であることがより好ましく、２×１０−６／℃以下であることがより好ましい。前記金属が前記特に好ましい範囲内であると後述するレジスト層とモールドにかかる応力を抑制することができる。
【００１７】
前記第１の金属層４１に使用する金属としては、前記条件を満たし、かつ、加熱することにより熱膨張し、常温で形状が復元する金属材料であれば特に制約はなく、目的に応じて適宜選択すればよく、例えば、アルミニウム、錫、亜鉛等が挙げられる。
【００１８】
また、前記第２の金属層４２に使用する金属としては、前記熱膨張率の小さな材料であれば特に制約はなく、例えば、インバー、ステンレスインバー、スーパーインバー等の合金等が挙げられる。
【００１９】
金属層４の加熱によって、剥離のための屈曲が可能であれば、必要に応じて、前記第１の金属層４１及び前記第２の金属層４２をバネ性のあるスプリング層４１´及び形状記憶合金層４２´としてもよい。なお、形状記憶合金は、通常屈曲した状態であるが、図２に示すように、スプリング層４１´に引っ張られて平面になるように形状記憶合金層４２´とスプリング層４１´とを接合する。
【００２０】
前記スプリング層４１´としては、第１の金属層４１に配置することが好ましく、前記スプリング層４１´に使用できる金属としては、塑性変形しにくく、金属層４の平坦性を維持できるものであれば特に制約はなく、目的に応じて適宜選択すればよく、例えば、ステンレスのＳＵＳ−３０４、リン青銅のＣ５２１０等が挙げられる。
【００２１】
前記形状記憶合金層４２´としては、第２の金属層４２に配置することが好ましく、前記形状記憶合金層４２´に使用できる形状記憶合金としては、特に制約はなく、目的に応じて適宜選択すればよく、例えば、チタン−ニッケル合金、鉄−マンガン−ケイ素合金等が挙げられる。
【００２２】
第１の金属層４１の厚みとしては、１ｍｍ〜１００ｍｍであることが好ましく、１ｍｍ〜５０ｍｍがより好ましく、１ｍｍ〜３０ｍｍが特に好ましい。前記第１の金属層４１の厚みが１ｍｍ未満であると、剥離力量が不足し、基板からのモールドの剥離ができなくなることがあり、１００ｍｍを超えると、金属層４全体が屈曲しなくなることがある。一方、前記第１の金属層４１の厚みが前記特に好ましい範囲内であると、剥離性能の点で有利である。
【００２３】
第２の金属層４２の厚みとしては、１ｍｍ〜１００ｍｍであることが好ましく、１ｍｍ〜５０ｍｍがより好ましく、１ｍｍ〜３０ｍｍが特に好ましい。前記第２の金属層４２の厚みが１ｍｍ未満であると、屈曲量が不足し、基板からのモールドの剥離ができなくなることがあり、１００ｍｍを超えると、金属層４全体が屈曲しなくなることがある。一方、前記第２の金属層４２の厚みが前記特に好ましい範囲内であると、剥離性能の点で有利である。
【００２４】
前記第１の金属層４１と前記第２の金属層４２との接合は、特に制限されず、例えば、圧延接合等が挙げられる。
【００２５】
また、図１Ｂに示すように、剥離板３に第１の金属層４１及び第２の金属層４２を貫通する貫通孔５を複数設けてもよい。貫通孔５を設けることで、後述するレジスト層が光硬化性樹脂の場合、貫通孔５を介してレジスト層を露光させることができる。
【００２６】
必要に応じて剥離板３（金属層４）上にシートヒータ（図示せず）を設けてもよい。シートヒータを設けることで加熱したい部分を直接加熱することができ、効果的に金属層４を屈曲させることができる。なお、シートヒータは、剥離板３（金属層４）上の全面に設けるようにしてもよく、剥離板３（金属層４）上の加熱させたい局所のみに設けるようにしてもよい。剥離板３（金属層４）上に設けるシートヒータとしては、例えば、アルミシートヒータ、シリコンシートヒータ等を挙げられる。
【００２７】
（モールド構造体）
図３は、加工対象物（例えば、後述する図４Ａから図４Ｃにおけるレジスト層９）を押圧する本発明のモールド構造体の構成を示す部分斜視図である。図２に示すように、モールド構造体１（以下、「モールド」ともいう。）は、基板２と、複数の凸部２１と、剥離板３とを少なくとも備え、更に必要に応じて、少なくとも該凸部２１を被覆するように形成された離型材（図示せず）と、その他の部材とを備える。
【００２８】
＜基板＞
前記基板２の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択されるが、例えば、ニッケル、シリコン、石英、ガラス、アルミニウム、セラミックス、合成樹脂等が挙げられる。基板２の厚みとしては、１００μｍ〜１０ｍｍが好ましく、２００μｍ〜５ｍｍがより好ましい。
【００２９】
＜凸部＞
前記凸部２１は、基板２の一方の表面２ａ（以下、基準面２ａということがある）に形成されている。前記凸部２１としては、基板２の半径方向に所定の間隔で、複数の凸部２１が配列されることによって凹凸パターン（転写パターン）を形成している。
【００３０】
前記凸部２１の断面形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択され、任意の形状を選択することができるが、例えば、矩形が好ましく、テーパ形状がより好ましい。
【００３１】
＜離型材＞
前記離型材は、少なくとも、基板２の表面２ａ側（凸部２１を含む凹凸パターンが形成された側）の面に塗布される。なお、基板２の表面２ａ側の面を被覆するように表面処理を行うようにして離型層を形成させるようにしてもよい。
【００３２】
前記離型材の材料としては、レジスト層との離型がスムーズとなる撥水性材料であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択されるが、例えば、メチルノナフルオロイソブチルエーテルとメチルノナフルオロブチルエーテルとフッ素系ポリマーで構成された溶液、又は、パーフルオロポリオキシアルカンのジハイドロオキシプロパンオキシメチル誘導体とフッ素系ポリマーの溶液等が挙げられる。具体的には、市販品として、スリーエム社製ＥＧＣ−１７２０などが好適に用いられる。
【００３３】
前記離型材の材料の粘度としては、３ｍＰａ・ｓ以下が好ましく、１ｍＰａ・ｓ以下がより好ましく、０．６ｍＰａ・ｓ以下が特に好ましい。前記離型材の材料の粘度は、例えば粘度・粘弾性測定装置（英弘精機株式会社製、レオストレス ＲＳ６００）を用いて測定することができる。
【００３４】
前記離型材の厚みとしては、５０ｎｍ以下が好ましく、２５ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下が特に好ましい。前記離型材の厚みが、１０ｎｍ未満であると、レジスト層とモールドとを剥離しにくくなる。前記離型材の厚みは、例えば分光エリプソメーター（Ｆｉｖｅ Ｌａｂ社製、ＭＡＲＹ−１０２）を用いて測定できる。
【００３５】
＜剥離板＞
前記剥離板３は、凸部２１が形成されている基板の表面の反対面に位置する。前記剥離板３としては、基板２、第１の金属層４１、第２の金属層４２の順となるように基板２に備えることが好ましい。前記構成とし、剥離板３（金属層４）の局所又は全体を加熱することで、第１の金属層４１より熱膨張率が小さい第２の金属層４２により、基板２が押圧方向と反対方向に屈曲することによるレジスト層及びモールド１とにかかる応力を抑制し、好適にレジスト層とモールド１とにかかる応力を抑制させてモールド１をレジスト層から引き剥がすことができる。
【００３６】
また、必要に応じて第２の金属層４２を形状記憶合金層４２´にし、第１の金属層４１をスプリング層４１´にしてもよい。
【００３７】
＜その他の部材＞
前記その他の部材としては、本発明の効果を害しない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、モールド１の周囲を覆うように封止する封止層等が挙げられる。
【００３８】
（加工対象物）
前記モールド１の凹凸パターンを転写される加工対象物としては、例えば、図４Ａから図４Ｃに示すように、基板６と有機ＥＬ層７とレジスト層９とが順に積層されており、レジスト層９にモールド１の凹凸パターンを転写させる。なお、説明の便宜上、加工対象物が、有機ＥＬ素子について説明するが、特にこれに限定されることはなく、例えば、加工対象物は、磁気記録媒体等であってもよい。
【００３９】
＜加工対象物の基板＞
前記加工対象物の基板６としては、その形状、構造、大きさ、材質等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記形状としては、情報記録媒体である場合には、円板状である。また、前記構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。また、前記材質としては、基板材料として公知のものの中から、適宜選択することができ、例えば、ニッケル、アルミニウム、ガラス、シリコン、石英、透明樹脂、などが挙げられる。これらの基板材料は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、透明性の点から、石英、ガラス、透明樹脂が好ましく、石英が特に好ましい。
【００４０】
前記基板６は、適宜合成したものであってもよいし、市販品を使用してもよい。前記基板６の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、５０μｍ以上が好ましく、１００μｍ以上がより好ましい。前記基板６の厚みが５０μｍ未満であると、加工対象物とモールド１との密着時にモールド側に撓みが発生し、均一な密着状態を確保できない可能性がある。
【００４１】
＜有機ＥＬ層＞
前記有機ＥＬ層７は、正極と負極とを有し、前記正極と負極との間に正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層を少なくとも含む有機薄膜層を有している。
【００４２】
前記陽極の機能としては、通常、有機化合物層を構成する有機発光層に正孔を供給する電極であればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、有機ＥＬ層７の用途、目的に応じて、公知の電極材料のなかから適宜選択することができる。
【００４３】
前記陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられる。陽極材料の具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物、アルミニウム、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。このなかで好ましいのは、金属であり、特に、生産性、高導電性、反射率等の点からはアルミニウムが好ましい。
【００４４】
なお、前記陽極を形成する際のパターニングとしては、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
【００４５】
前記陽極の厚みとしては、陽極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常、１０ｎｍ〜５０μｍ程度であり、５０ｎｍ〜２０μｍが好ましい。
【００４６】
前記陰極としては、通常、上述の有機化合物層を構成する有機発光層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、加工対象物の用途、目的に応じて、公知の電極材料のなかから適宜選択することができる。
【００４７】
前記陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられる。具体例としては、アルカリ金属（例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、及びイッテルビウム等の希土類金属などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。
【００４８】
これらのなかでも、前記陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、膜質、光反射に優れる点で、銀を主体とする材料が好ましい。銀を主体とする材料とは、銀単独、銀と０．０１質量％〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム−銀合金、マグネシウム−銀合金など）をいう。
【００４９】
なお、前記陰極の材料については、特開平２−１５５９５号公報、特開平５−１２１１７２号公報に詳述されており、これらの公報に記載の材料は、本発明においても適用することができる。
【００５０】
前記陰極の形成方法としては、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などのなかから、前記した陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その１種単独又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。
【００５１】
前記陰極の厚みとしては、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、１０ｎｍ〜５μｍ程度が好ましく、１５ｎｍ〜１μｍがより好ましい。また、前記陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を１ｎｍ〜２０ｎｍの厚さに薄く成膜し、更にＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
【００５２】
前記発光層は、電界印加時に、陽極、正孔輸送材料から正孔を受け取り、陰極、電子輸送材料から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
【００５３】
前記発光層としては、電界を印加されて光を発するものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択すればよい。発光層は、有機発光材料からなるものであっても、無機発光材料からなるものであってもよいが、なかでも、発光効率、装置の大型化が可能な点で、有機発光材料が好ましい。
【００５４】
前記発光層の材料としては、所望の色調に応じて選択することが可能であり、例えば、青色から青緑色の発光を得るためには、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤、金属キレート化オキソニウム化合物、スチリルベンゼン系化合物、芳香族ジメチリディン系化合物などが好ましい。あるいは、また、前述の材料をホスト材料として用い、これにドーパントを添加することによって有機発光層を形成してもよい。ドーパントとして用いることができる材料としては、たとえばレーザー色素としての使用が知られているペリレン（青色）などを用いることができる。
【００５５】
前記正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。
【００５６】
前記正孔輸送層を構成する材料としては、例えば、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、有機シラン誘導体、カーボン、などが挙げられる。
【００５７】
前記正孔輸送層の形成方法としては、特に制限はなく、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法、などのいずれによっても好適に形成することができる。
【００５８】
前記正孔輸送層の厚さとしては、駆動電圧を下げるという観点から、５００ｎｍ以下であることが好ましく、１〜５００ｎｍであることがより好ましく、５〜２００ｎｍであることが更に好ましく、１０〜１００ｎｍであることが特に好ましい。
【００５９】
前記電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。
【００６０】
前記電子輸送層を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、などが挙げられる。
【００６１】
前記電子輸送層の形成方法としては、特に制限はなく、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法、などのいずれによっても好適に形成することができる。
【００６２】
前記電子輸送層の厚みとしては、駆動電圧を下げるという観点から、５００ｎｍ以下であることが好ましく、１〜５００ｎｍであることがより好ましく、５〜２００ｎｍであることが更に好ましく、１０〜１００ｎｍであることが特に好ましい。
【００６３】
前記電子輸送層は、陰極側の面もしくは陰極側とは反対の面に、電子注入層を有していてもよい。該電子注入層は、電子輸送層の陰極側の面に有することが好ましい。前記電子注入層の材料、及び形成方法については、上述した電子輸送層におけるものと同一のものが好適に挙げられる。
【００６４】
また、前記電子注入層の厚みとしては、５００ｎｍ以下であることが好ましく、０．１〜２００ｎｍであることがより好ましく、０．２〜１００ｎｍであることが更に好ましく、０．５〜５０ｎｍであるのが特に好ましい。前記電子注入層及び電子輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【００６５】
＜封止層＞
外部からの水分の透過を防止することを目的として、封止層８を有してもよい。前記封止層８としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択すればよく、各種無機化合物又は有機化合物からなる単層構造又は積層構造であってもよい。無機化合物としては、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２が挙げられ、有機化合物としては、シリコン系ポリマー、エポキシ系ポリマー、アクリル系ポリマー、ウレタン系ポリマーが挙げられる。
【００６６】
前記封止層８の厚さとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択すればよいが、１〜５μｍとすることが好ましく、より好ましい下限は、１．５μｍであり、より好ましい上限は、４μｍである。
【００６７】
＜レジスト層＞
前記レジスト層９は、インプリントレジスト組成物（以下、「インプリントレジスト液」ということがある）を有機ＥＬ素子や磁気記録媒体の基板に塗布することによって形成される層である。
【００６８】
前記レジスト層９の構成材料としては、特に制限はなく、目的に応じて公知のものの中から適宜選択することができるが、例えば、熱可塑性樹脂、及び光硬化性樹脂の少なくともいずれかを含有するインプリントレジスト組成物を有機ＥＬ層７の基板６又は封止層８に塗布することによって形成される層である。また、レジスト層９を形成するインプリントレジスト組成物としては、例えば、ノボラック系樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、有機ガラス樹脂、無機ガラス樹脂などが用いられる。
【００６９】
前記レジスト層９の厚みとしては、モールド１の表面２ａ上に形成される凸部２１の高さに対して５％以上、２００％未満であることが好ましい。前記厚みが５％未満であると、レジスト量が不足し、所望のレジストパターンを形成することができないことがある。
【００７０】
前記レジスト層９の厚みとしては、例えば、該レジスト層９を形成した基板６から該レジスト層９を一部剥離し、剥離後の段差（高さ）をＡＦＭ装置（Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ５０００、日本ビーコ株式会社製）にて測定することができる。
【００７１】
前記インプリントレジスト組成物の粘度としては、例えば、超音波式粘度計などを用いて測定することができる。前記インプリントレジスト組成物の粘度としては、２５℃で１ｍＰａ・ｓ〜２００ｍＰａ・ｓが好ましく、１ｍＰａ・ｓ〜１００ｍＰａ・ｓがより好ましい。
【００７２】
（インプリント方法）
図４Ａから図４Ｃは、本発明のモールドを用いたインプリント方法を示す断面図である。封止層８上にインプリントレジスト液を塗布してなるレジスト層９上にモールド１を配置する（図４Ａ）。その後、レジスト層９をモールド１で押圧し、レジスト層９に熱を印加する、又は、紫外線などを照射してレジスト層９を硬化させることで、凹凸パターンを転写させる（図４Ｂ）。
【００７３】
前記レジスト層９が硬化し、モールド１の凹凸パターンが転写されたことを確認後、モールド１に設けられた剥離板３を加熱する。剥離板３を加熱することで、剥離板３が押圧方向と反対方向に屈曲し、この屈曲に伴ってモールド１の基板２も同様に屈曲する。基板２が屈曲することで、レジスト層９を押圧している凸部２１とレジスト層９との一部が剥離する（図４Ｃ）。
【００７４】
前記剥離板３を加熱する温度としては、特に制限がなく、加工対象物又は使用目的等に応じて適宜変更することができるが、８０℃〜１３０℃で加熱することが好ましく、９０℃〜１２０℃で加熱することがより好ましく、９０℃〜１００℃で加熱することが特に好ましい。前記剥離板３を加熱する温度が８０℃未満であると、剥離板３が屈曲しないことがあり、１３０℃を超えると有機ＥＬ素子が加熱により破損することがある。
【００７５】
前記剥離板３の加熱方法としては、特に制限はなく、剥離板３の全面を加熱してもよく、剥離板３を屈曲させたい局所を加熱してもよい。また、上述したようにシートヒータを剥離板３（金属層４）の上面に設け、シートヒータを加熱するようにしてもよい。
【実施例】
【００７６】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
【００７７】
（剥離板を備えるモールド）
亜鉛を含む第１の金属層と、ステンレスインバーを含む第２の金属層とを接合し、剥離板を調製した。前記剥離板を市販のモールドにモールドの基板から順に第１の金属層、第２の金属層となるように接合した。
【００７８】
（有機ＥＬ素子の作製）
＜発光部の形成＞
ＴＦＴ（アクティブマトリックス）基板上に形成された反射電極層（Ａｌ）上に、下記の条件で、正孔注入層、正孔輸送層、青色発光層、緑色発光層、赤色発光層、電子輸送層、電子注入層、及び上部電極層を、この順で形成した。
【００７９】
（緑色発光層）
反射電極層（陽極）上に、ホール注入層として２−ＴＮＡＴＡ〔４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン〕とＭｎＯ３を７：３の割合で、厚みが２０ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【００８０】
次に、ホール注入層上に、第１のホール輸送層として２−ＴＮＡＴＡにＦ４−ＴＣＮＱ（２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン）を１．０％ドープして１４１ｎｍの厚さとなるように、真空蒸着により形成した。
【００８１】
次に、第１のホール輸送層上に、第２のホール輸送層としてα−ＮＰＤ〔Ｎ，Ｎ’−（ジナフチルフェニルアミノ）ピレン〕を、厚みが１０ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【００８２】
次に、第２のホール輸送層上に、第３のホール輸送層として下記構造式で表されるホール輸送材料Ａを、厚みが３ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【００８３】
【化１】
【００８４】
次に、第３のホール輸送層上に、発光層を、ホスト材料としてＣＢＰ（４，４’−ジカルバゾール−ビフェニル）と、発光材料として下記構造式で表される発光材料Ｇを、８５：１５の割合で、厚みが２０ｎｍとなるように、真空共蒸着により形成した。
【００８５】
【化２】
【００８６】
次に、発光層上に、第１の電子輸送層としてＢＡｌｑ（アルミニウム（ＩＩＩ）ビス（２−メチル−８−キノリナト）−４−フェニルフェノレート）を、厚みが３９ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【００８７】
次に、第１の電子輸送層上に、第２の電子輸送層としてＢＣＰ（２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナンスロリン）を、厚みが１ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【００８８】
次に、第２の電子輸送層上に、第１の電子注入層としてＬｉＦを、厚みが１ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【００８９】
次に、第１の電子注入層の上に、第２電子注入層としてＡｌを、厚みが０．５ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【００９０】
次に、第２電子注入層上に、陰極として銀（Ａｇ）を、厚みが２０ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【００９１】
（赤色発光層）
反射電極層（陽極）上に、ホール注入層として２−ＴＮＡＴＡ〔４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン〕とＭｎＯ３を７：３の割合で、厚みが２０ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【００９２】
次に、ホール注入層上に、第１のホール輸送層として２−ＴＮＡＴＡにＦ４−ＴＣＮＱを１．０％ドープして１９６ｎｍの厚さとなるように、真空蒸着により形成した。
【００９３】
次に、第１のホール輸送層上に、第２のホール輸送層としてα−ＮＰＤ〔Ｎ，Ｎ’−（ジナフチルフェニルアミノ）ピレン〕を、厚みが１０ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【００９４】
次に、第２のホール輸送層上に、発光層を、ホスト材料としてＢＡｌｑと、発光材料として下記構造式で表される発光材料Ｒを、９５：５の割合で、厚みが３０ｎｍとなるように、真空共蒸着により形成した。
【００９５】
【化３】
【００９６】
次に、発光層上に、第１の電子輸送層としてＢＡｌｑを、厚みが４８ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【００９７】
次に、第１の電子輸送層上に、第２の電子輸送層としてＢＣＰを、厚みが１ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【００９８】
次に、第２の電子輸送層上に、第１の電子注入層としてＬｉＦを、厚みが１ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【００９９】
次に、第１の電子注入層の上に、第２電子注入層としてＡｌを、厚みが０．５ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１００】
次に、第２電子注入層上に、陰極として銀（Ａｇ）を、厚みが２０ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１０１】
（青色発光層）
反射電極層（陽極）上に、ホール注入層として２−ＴＮＡＴＡ〔４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン〕とＭｎＯ３を７：３の割合で、厚みが２０ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１０２】
次に、ホール注入層上に、第１のホール輸送層として２−ＴＮＡＴＡにＦ４−ＴＣＮＱを１．０％ドープして１１０ｎｍの厚さとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１０３】
次に、第１のホール輸送層上に、第２のホール輸送層としてα−ＮＰＤ〔Ｎ，Ｎ’−（ジナフチルフェニルアミノ）ピレン〕を、厚みが１０ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１０４】
次に、第２のホール輸送層上に、第３のホール輸送層として下記構造式で表されるホール輸送材料Ａを、厚みが３ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１０５】
次に、第３のホール輸送層上に、発光層を、ホスト材料としてｍＣＰ（１，３−ビス（カルバゾーリル）ベンゼン）と、発光材料として下記構造式で表される発光材料Ｂを、８５：１５の割合で、厚みが３０ｎｍとなるように、真空共蒸着により形成した。
【０１０６】
【化４】
【０１０７】
次に、発光層上に、第１の電子輸送層としてＢＡｌｑを、厚みが２９ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１０８】
次に、第１の電子輸送層上に、第２の電子輸送層としてＢＣＰを、厚みが１ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１０９】
次に、第２の電子輸送層上に、第１の電子注入層としてＬｉＦを、厚みが１ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１１０】
次に、第１の電子注入層の上に、第２電子注入層としてＡｌを、厚みが０．５ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１１１】
次に、第２電子注入層上に、陰極として銀（Ａｇ）を、厚みが２０ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１１２】
このようにして反射電極上に形成された各色の発光層を有する発光部の発光面の発光面積は、１００×１００μｍであった。
【０１１３】
このようにして形成した上部電極上に、封止層として、ＳｉＯＮ層を低温ＣＶＤ法で３μｍ成膜した。なお、ＳｉＯＮ層は、図４Ａから図４Ｃに示すように、有機ＥＬ層を覆うように形成し、成膜した３μｍの膜厚は、発光部の発光面からＳｉＯＮ層の表面までの厚みをいう。
【０１１４】
レジスト層として、熱硬化性材料を含むインプリントレジスト組成物を塗布してなるレジスト層を封止層上に１００μｍ成膜し、有機ＥＬ素子を得た。
【０１１５】
（実施例１）
前記剥離板を備えるモールドで前記有機ＥＬ素子のレジスト層を押圧し、レジスト層を８０℃で熱硬化させた後、剥離板の全面を１００℃で加熱し剥離板を屈曲させてレジスト層とモールドとを剥離した。この作業を１００回行い、レジスト層の一部がモールドと共に剥がれてしまったり、レジスト層やモールドが損傷してしまったりする回数を測定した。結果を表１に示す。
【０１１６】
（実施例２）
貫通孔を有する剥離板を使用し、ＵＶ硬化性を持つエポキシ樹脂からなるレジスト層を、前記貫通孔を介してＵＶ照射にて硬化させた以外は実施例１と同様に測定した。結果を表１に示す。
【０１１７】
（実施例３）
透明なガラス基板上にレジスト層を塗布し、ＵＶ硬化性を持つエポキシ樹脂からなるレジスト層を、前記透明なガラス基板を介してＵＶ照射にて硬化させた以外は実施例１と同様に測定した。結果を表１に示す。
【０１１８】
（実施例４）
レジスト層を１００℃で熱硬化させ、レジスト層の熱硬化と同時に剥離板が徐々に屈曲してレジスト層とモールドとを剥離させた以外は実施例１と同様に測定した。結果を表１に示す。
【０１１９】
（比較例１）
剥離板を備えていないモールドを使用した以外は実施例１と同様に行った。結果を表１に示す。
【０１２０】
【表１】
【０１２１】
＜評価＞
剥離板を備えるモールドを使用すると、モールドをレジスト層から引き剥がす力を抑制されるので、１００回剥離を行ってもレジスト層又はモールドが損傷しないことがわかる。一方、剥離板を備えないモールドを使用してレジスト層とモールドとを剥離すると、大きな割合でレジスト層又はモールドが損傷していることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【０１２２】
本発明の剥離板、モールド構造体及びナノプリント方法は、モールドをレジスト層から引き剥がす力を抑制される剥離板、モールド構造体及びナノプリント方法として好適に利用可能である。
【符号の説明】
【０１２３】
１ モールド
２ 基板
２ａ 基板の表面
２１ 凸部
３ 剥離板
４ 金属層
４１ 第１の金属層
４２ 第２の金属層
４１´ スプリング層
４２´ 形状記憶合金層
５ 貫通孔
６ 加工対象物の基板
７ 有機ＥＬ層
８ 封止層
９ レジスト層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント方法に用いる剥離板、モールド構造体及びインプリント方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）は、視認性が高い、視野角依存性がないといった表示性能の利点を有することから、ディスプレイや照明等様々な用途に用いられる。又、ディスプレイや照明等を軽量化、薄層化できるといった利点もある。
【０００３】
有機ＥＬ素子を製造するには、レジストパターン形成用モールド構造体（以下、「モールド」ということがある）を用いて、有機ＥＬ層を保護する封止層表面に形成されたレジスト層（インプリントレジスト層）に所望のパターンを転写するインプリント法（インプリントプロセス）が用いられる。
【０００４】
このインプリント法は、具体的には、例えば、有機ＥＬ層上の全面に形成された封止層上に熱可塑性の樹脂、又は光硬化性の樹脂からなるレジスト層を形成し、このレジスト層に対して所望の形状に加工されたモールドを密着し、押圧して、前記樹脂を加熱、又は光照射により硬化させ、前記モールドを剥離することで、該モールドに形成されたパターンに対応したパターンを転写し、その後、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりレジスト層が除去された部分をエッチングすることにより、有機ＥＬ層のパターニングを行い、所望の有機ＥＬ素子を得る方法である。
【０００５】
一般に、モールドをレジスト層に押圧するとレジスト層とモールドとの接触面積が増大するので、モールドをレジスト層から剥離するには非常に大きな応力がかかる。このため、モールドや有機ＥＬ素子の基板がガラスの場合、ガラスが割れてしまったり、レジスト層の一部がモールドと共に剥がれてしまったり、レジスト層やモールドが損傷してしまったりする問題があった。特に、レジスト層が光硬化性樹脂の場合、光硬化性樹脂は一般の接着剤に使用する成分と同一成分なので、モールドをレジスト層から剥離することがより困難となる問題があった。
【０００６】
このような問題を解決するために、例えば、モールドをレジスト層から剥離する際、レジスト層が構成されている基板の下側からモールドに向けて圧縮空気を吹き付けることでモールドをレジスト層から剥離しやすくする方法及び装置が開示されている（特許文献１参照）。しかしながら、大型のモールドを使用する場合、モールド及びレジスト層全体により大きな応力がかかるので、圧縮空気を吹き付けるだけではモールドをレジスト層から剥離できない場合があった。また、圧縮空気を吹き付ける装置が大掛かりとなり、コストがかかる問題があった。
【０００７】
また、モールドを構成する材料を弾性が高く柔らかい材料とすることで、剥離する際の応力を緩和する方法が開示されているが（特許文献２参照）、複雑なパターンをレジスト層に転写する場合、モールドをレジスト層に押圧してもモールドの弾性が高いためレジスト層にパターンが完全に転写されない問題があった。
【０００８】
また、モールドの表面をフッ化処理してモールドとレジスト層とを引き剥がしやすくする方法が開示され（特許文献３参照）、ある程度の効果があることが報告されているが、依然としてモールドをレジスト層から剥離するには非常に大きな応力がかかる問題があり、その解決が望まれているのが現状である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００７−２３０２３５号公報
【特許文献２】特開２００９−８２２０７号公報
【特許文献３】特開２００８−３６８５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであり、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、モールドをレジスト層から引き剥がす際にかかる応力を抑制することでレジスト層やモールドの損傷を抑制する剥離板、該剥離板を備えたモールド構造体及びインプリント方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者は、加熱すると屈曲し、常温で復元する金属層からなる剥離板をモールドに備えることで、モールドをレジスト層から剥離する際にかかる応力を抑制することができる知見を得た。
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞ 基板上に形成されたインプリントレジスト組成物からなるレジスト層に凹凸パターンを転写するインプリント方法に用いられるモールド構造体に設けられ、前記レジスト層と前記モールド構造体とを剥離するために用いられる剥離板であって、加熱により屈曲し、常温で形状が復元する少なくとも２層の金属層からなることを特徴とする剥離板である。
＜２＞ 金属層は、第１の金属層と第２の金属層とからなる２層構造であり、同一温度条件において、前記第１の金属層の加熱による熱膨張率は、前記第２の金属層の熱膨張率よりも大きい前記＜１＞に記載の剥離板である。
＜３＞ 第１の金属層は、バネ性のあるスプリング層であり、第２の金属層は、形状記憶合金からなる形状記憶合金層である前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の剥離板である。
＜４＞ 金属層に複数の貫通孔を備える前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の剥離板である。
＜５＞ 基板の一方の面上に複数の凸部からなる凹凸パターンが形成され、インプリントレジスト組成物からなるレジスト層を押圧するモールド構造体であって、前記凸部が形成されている前記基板の面と反対面上に前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の剥離板を備えることを特徴とするモールド構造体である。
＜６＞ 凹凸パターンに離型材を塗布した前記＜５＞に記載のモールド構造体である。
＜７＞ 剥離板を構成する金属層は、基板の表面側から順に第１の金属層と第２の金属層と積層されている２層構造であり、前記第１の金属層の加熱による熱膨張率は、前記第２の金属層の熱膨張率よりも大きい前記＜５＞から＜６＞のいずれかに記載のモールド構造体である。
＜８＞ 金属層の局所又は全面を加熱する前記＜５＞から＜７＞のいずれかに記載のモールド構造体である。
＜９＞ 第１の金属層は、スプリング層であり、第２の金属層は、形状記憶合金層である前記＜５＞から＜８＞のいずれかに記載のモールド構造体である。
＜１０＞ 前記＜５＞から＜９＞のいずれかに記載のモールド構造体を、加工対象物の基板上に形成されたインプリントレジスト組成物からなるレジスト層に押圧して前記モールド構造体に形成された凹凸パターンを転写する転写工程と、剥離板を加熱して金属層又は第１の金属層を熱膨張させ、前記モールド構造体の端部を押圧方向と反対方向に屈曲させ前記レジスト層と前記モールド構造体とを剥離する工程と、を少なくとも含むことを特徴とするインプリント方法である。
＜１１＞ 金属層の局所または全面を加熱する前記＜１０＞に記載のインプリント方法である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によると、従来における諸問題を解決することができ、前記目的を達成することができ、モールドをレジスト層から剥離する力を抑制することでレジスト層やモールドの損傷を抑制する剥離板、モールド構造体及びインプリント方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１Ａ】図１Ａは、剥離板の斜視図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、貫通孔を設けた剥離板の斜視図である。
【図２】図２は、形状記憶合金層とスプリング層とを接合する様子を示した図である。
【図３】図３は、モールドの斜視図である。
【図４Ａ】図４Ａは、レジスト層にモールドを押圧する前の段階を示す断面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、モールドをレジスト層に押圧し、レジスト層を硬化させている様子を示す断面図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、剥離板を加熱しモールドとレジスト層とを剥離する様子を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の剥離板、モールド構造体及びインプリント方法について、詳細に説明する。
【００１５】
（剥離板）
図１Ａは、本発明の剥離板の構成を示す斜視図である。本発明の剥離板３は、少なくとも２層の金属層４からなる。図１Ａにおいて、前記金属層４は、第１の金属層４１及び第２の金属層４２からなり、第１の金属層４１及び第２の金属層４２は、加熱により屈曲し、常温で形状が復元する。剥離板３は、後述するレジスト層に押圧してモールドの表面に形成された凹凸パターンをレジスト層に転写するインプリント方法に用いる。なお、説明の便宜上、前記金属層４が２層構造の場合について説明するが、３層以上の金属層からなるようにしてもよい。
【００１６】
前記第１の金属層４１としては、該金属の局所又は全体を加熱することで熱膨張し、常温で形状が復元する金属を用いる。また、前記第２の金属層４２としては、前記第１の金属層４１よりも熱膨張しにくい金属にする。このような構成とすることで、第１の金属層４１及び第２の金属層４２の加熱時の熱膨張差によって金属層４が屈曲する。このため、第１の金属層４１に使用する金属の熱膨張率（線膨張率）としては、１０×１０−６／℃以上であることが好ましく、１５×１０−６／℃以上であることがより好ましく、２０×１０−６／℃であることが特に好ましい。また、第２の金属層４２に使用する金属の熱膨張率（線膨張率）としては、５×１０−６／℃以下であることが好ましく、３×１０−６／℃以下であることがより好ましく、２×１０−６／℃以下であることがより好ましい。前記金属が前記特に好ましい範囲内であると後述するレジスト層とモールドにかかる応力を抑制することができる。
【００１７】
前記第１の金属層４１に使用する金属としては、前記条件を満たし、かつ、加熱することにより熱膨張し、常温で形状が復元する金属材料であれば特に制約はなく、目的に応じて適宜選択すればよく、例えば、アルミニウム、錫、亜鉛等が挙げられる。
【００１８】
また、前記第２の金属層４２に使用する金属としては、前記熱膨張率の小さな材料であれば特に制約はなく、例えば、インバー、ステンレスインバー、スーパーインバー等の合金等が挙げられる。
【００１９】
金属層４の加熱によって、剥離のための屈曲が可能であれば、必要に応じて、前記第１の金属層４１及び前記第２の金属層４２をバネ性のあるスプリング層４１´及び形状記憶合金層４２´としてもよい。なお、形状記憶合金は、通常屈曲した状態であるが、図２に示すように、スプリング層４１´に引っ張られて平面になるように形状記憶合金層４２´とスプリング層４１´とを接合する。
【００２０】
前記スプリング層４１´としては、第１の金属層４１に配置することが好ましく、前記スプリング層４１´に使用できる金属としては、塑性変形しにくく、金属層４の平坦性を維持できるものであれば特に制約はなく、目的に応じて適宜選択すればよく、例えば、ステンレスのＳＵＳ−３０４、リン青銅のＣ５２１０等が挙げられる。
【００２１】
前記形状記憶合金層４２´としては、第２の金属層４２に配置することが好ましく、前記形状記憶合金層４２´に使用できる形状記憶合金としては、特に制約はなく、目的に応じて適宜選択すればよく、例えば、チタン−ニッケル合金、鉄−マンガン−ケイ素合金等が挙げられる。
【００２２】
第１の金属層４１の厚みとしては、１ｍｍ〜１００ｍｍであることが好ましく、１ｍｍ〜５０ｍｍがより好ましく、１ｍｍ〜３０ｍｍが特に好ましい。前記第１の金属層４１の厚みが１ｍｍ未満であると、剥離力量が不足し、基板からのモールドの剥離ができなくなることがあり、１００ｍｍを超えると、金属層４全体が屈曲しなくなることがある。一方、前記第１の金属層４１の厚みが前記特に好ましい範囲内であると、剥離性能の点で有利である。
【００２３】
第２の金属層４２の厚みとしては、１ｍｍ〜１００ｍｍであることが好ましく、１ｍｍ〜５０ｍｍがより好ましく、１ｍｍ〜３０ｍｍが特に好ましい。前記第２の金属層４２の厚みが１ｍｍ未満であると、屈曲量が不足し、基板からのモールドの剥離ができなくなることがあり、１００ｍｍを超えると、金属層４全体が屈曲しなくなることがある。一方、前記第２の金属層４２の厚みが前記特に好ましい範囲内であると、剥離性能の点で有利である。
【００２４】
前記第１の金属層４１と前記第２の金属層４２との接合は、特に制限されず、例えば、圧延接合等が挙げられる。
【００２５】
また、図１Ｂに示すように、剥離板３に第１の金属層４１及び第２の金属層４２を貫通する貫通孔５を複数設けてもよい。貫通孔５を設けることで、後述するレジスト層が光硬化性樹脂の場合、貫通孔５を介してレジスト層を露光させることができる。
【００２６】
必要に応じて剥離板３（金属層４）上にシートヒータ（図示せず）を設けてもよい。シートヒータを設けることで加熱したい部分を直接加熱することができ、効果的に金属層４を屈曲させることができる。なお、シートヒータは、剥離板３（金属層４）上の全面に設けるようにしてもよく、剥離板３（金属層４）上の加熱させたい局所のみに設けるようにしてもよい。剥離板３（金属層４）上に設けるシートヒータとしては、例えば、アルミシートヒータ、シリコンシートヒータ等を挙げられる。
【００２７】
（モールド構造体）
図３は、加工対象物（例えば、後述する図４Ａから図４Ｃにおけるレジスト層９）を押圧する本発明のモールド構造体の構成を示す部分斜視図である。図２に示すように、モールド構造体１（以下、「モールド」ともいう。）は、基板２と、複数の凸部２１と、剥離板３とを少なくとも備え、更に必要に応じて、少なくとも該凸部２１を被覆するように形成された離型材（図示せず）と、その他の部材とを備える。
【００２８】
＜基板＞
前記基板２の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択されるが、例えば、ニッケル、シリコン、石英、ガラス、アルミニウム、セラミックス、合成樹脂等が挙げられる。基板２の厚みとしては、１００μｍ〜１０ｍｍが好ましく、２００μｍ〜５ｍｍがより好ましい。
【００２９】
＜凸部＞
前記凸部２１は、基板２の一方の表面２ａ（以下、基準面２ａということがある）に形成されている。前記凸部２１としては、基板２の半径方向に所定の間隔で、複数の凸部２１が配列されることによって凹凸パターン（転写パターン）を形成している。
【００３０】
前記凸部２１の断面形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択され、任意の形状を選択することができるが、例えば、矩形が好ましく、テーパ形状がより好ましい。
【００３１】
＜離型材＞
前記離型材は、少なくとも、基板２の表面２ａ側（凸部２１を含む凹凸パターンが形成された側）の面に塗布される。なお、基板２の表面２ａ側の面を被覆するように表面処理を行うようにして離型層を形成させるようにしてもよい。
【００３２】
前記離型材の材料としては、レジスト層との離型がスムーズとなる撥水性材料であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択されるが、例えば、メチルノナフルオロイソブチルエーテルとメチルノナフルオロブチルエーテルとフッ素系ポリマーで構成された溶液、又は、パーフルオロポリオキシアルカンのジハイドロオキシプロパンオキシメチル誘導体とフッ素系ポリマーの溶液等が挙げられる。具体的には、市販品として、スリーエム社製ＥＧＣ−１７２０などが好適に用いられる。
【００３３】
前記離型材の材料の粘度としては、３ｍＰａ・ｓ以下が好ましく、１ｍＰａ・ｓ以下がより好ましく、０．６ｍＰａ・ｓ以下が特に好ましい。前記離型材の材料の粘度は、例えば粘度・粘弾性測定装置（英弘精機株式会社製、レオストレス ＲＳ６００）を用いて測定することができる。
【００３４】
前記離型材の厚みとしては、５０ｎｍ以下が好ましく、２５ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下が特に好ましい。前記離型材の厚みが、１０ｎｍ未満であると、レジスト層とモールドとを剥離しにくくなる。前記離型材の厚みは、例えば分光エリプソメーター（Ｆｉｖｅ Ｌａｂ社製、ＭＡＲＹ−１０２）を用いて測定できる。
【００３５】
＜剥離板＞
前記剥離板３は、凸部２１が形成されている基板の表面の反対面に位置する。前記剥離板３としては、基板２、第１の金属層４１、第２の金属層４２の順となるように基板２に備えることが好ましい。前記構成とし、剥離板３（金属層４）の局所又は全体を加熱することで、第１の金属層４１より熱膨張率が小さい第２の金属層４２により、基板２が押圧方向と反対方向に屈曲することによるレジスト層及びモールド１とにかかる応力を抑制し、好適にレジスト層とモールド１とにかかる応力を抑制させてモールド１をレジスト層から引き剥がすことができる。
【００３６】
また、必要に応じて第２の金属層４２を形状記憶合金層４２´にし、第１の金属層４１をスプリング層４１´にしてもよい。
【００３７】
＜その他の部材＞
前記その他の部材としては、本発明の効果を害しない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、モールド１の周囲を覆うように封止する封止層等が挙げられる。
【００３８】
（加工対象物）
前記モールド１の凹凸パターンを転写される加工対象物としては、例えば、図４Ａから図４Ｃに示すように、基板６と有機ＥＬ層７とレジスト層９とが順に積層されており、レジスト層９にモールド１の凹凸パターンを転写させる。なお、説明の便宜上、加工対象物が、有機ＥＬ素子について説明するが、特にこれに限定されることはなく、例えば、加工対象物は、磁気記録媒体等であってもよい。
【００３９】
＜加工対象物の基板＞
前記加工対象物の基板６としては、その形状、構造、大きさ、材質等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記形状としては、情報記録媒体である場合には、円板状である。また、前記構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。また、前記材質としては、基板材料として公知のものの中から、適宜選択することができ、例えば、ニッケル、アルミニウム、ガラス、シリコン、石英、透明樹脂、などが挙げられる。これらの基板材料は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、透明性の点から、石英、ガラス、透明樹脂が好ましく、石英が特に好ましい。
【００４０】
前記基板６は、適宜合成したものであってもよいし、市販品を使用してもよい。前記基板６の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、５０μｍ以上が好ましく、１００μｍ以上がより好ましい。前記基板６の厚みが５０μｍ未満であると、加工対象物とモールド１との密着時にモールド側に撓みが発生し、均一な密着状態を確保できない可能性がある。
【００４１】
＜有機ＥＬ層＞
前記有機ＥＬ層７は、正極と負極とを有し、前記正極と負極との間に正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層を少なくとも含む有機薄膜層を有している。
【００４２】
前記陽極の機能としては、通常、有機化合物層を構成する有機発光層に正孔を供給する電極であればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、有機ＥＬ層７の用途、目的に応じて、公知の電極材料のなかから適宜選択することができる。
【００４３】
前記陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられる。陽極材料の具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物、アルミニウム、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。このなかで好ましいのは、金属であり、特に、生産性、高導電性、反射率等の点からはアルミニウムが好ましい。
【００４４】
なお、前記陽極を形成する際のパターニングとしては、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
【００４５】
前記陽極の厚みとしては、陽極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常、１０ｎｍ〜５０μｍ程度であり、５０ｎｍ〜２０μｍが好ましい。
【００４６】
前記陰極としては、通常、上述の有機化合物層を構成する有機発光層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、加工対象物の用途、目的に応じて、公知の電極材料のなかから適宜選択することができる。
【００４７】
前記陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられる。具体例としては、アルカリ金属（例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、及びイッテルビウム等の希土類金属などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。
【００４８】
これらのなかでも、前記陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、膜質、光反射に優れる点で、銀を主体とする材料が好ましい。銀を主体とする材料とは、銀単独、銀と０．０１質量％〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム−銀合金、マグネシウム−銀合金など）をいう。
【００４９】
なお、前記陰極の材料については、特開平２−１５５９５号公報、特開平５−１２１１７２号公報に詳述されており、これらの公報に記載の材料は、本発明においても適用することができる。
【００５０】
前記陰極の形成方法としては、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などのなかから、前記した陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その１種単独又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。
【００５１】
前記陰極の厚みとしては、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、１０ｎｍ〜５μｍ程度が好ましく、１５ｎｍ〜１μｍがより好ましい。また、前記陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を１ｎｍ〜２０ｎｍの厚さに薄く成膜し、更にＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
【００５２】
前記発光層は、電界印加時に、陽極、正孔輸送材料から正孔を受け取り、陰極、電子輸送材料から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
【００５３】
前記発光層としては、電界を印加されて光を発するものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択すればよい。発光層は、有機発光材料からなるものであっても、無機発光材料からなるものであってもよいが、なかでも、発光効率、装置の大型化が可能な点で、有機発光材料が好ましい。
【００５４】
前記発光層の材料としては、所望の色調に応じて選択することが可能であり、例えば、青色から青緑色の発光を得るためには、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤、金属キレート化オキソニウム化合物、スチリルベンゼン系化合物、芳香族ジメチリディン系化合物などが好ましい。あるいは、また、前述の材料をホスト材料として用い、これにドーパントを添加することによって有機発光層を形成してもよい。ドーパントとして用いることができる材料としては、たとえばレーザー色素としての使用が知られているペリレン（青色）などを用いることができる。
【００５５】
前記正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。
【００５６】
前記正孔輸送層を構成する材料としては、例えば、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、有機シラン誘導体、カーボン、などが挙げられる。
【００５７】
前記正孔輸送層の形成方法としては、特に制限はなく、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法、などのいずれによっても好適に形成することができる。
【００５８】
前記正孔輸送層の厚さとしては、駆動電圧を下げるという観点から、５００ｎｍ以下であることが好ましく、１〜５００ｎｍであることがより好ましく、５〜２００ｎｍであることが更に好ましく、１０〜１００ｎｍであることが特に好ましい。
【００５９】
前記電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。
【００６０】
前記電子輸送層を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、などが挙げられる。
【００６１】
前記電子輸送層の形成方法としては、特に制限はなく、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法、などのいずれによっても好適に形成することができる。
【００６２】
前記電子輸送層の厚みとしては、駆動電圧を下げるという観点から、５００ｎｍ以下であることが好ましく、１〜５００ｎｍであることがより好ましく、５〜２００ｎｍであることが更に好ましく、１０〜１００ｎｍであることが特に好ましい。
【００６３】
前記電子輸送層は、陰極側の面もしくは陰極側とは反対の面に、電子注入層を有していてもよい。該電子注入層は、電子輸送層の陰極側の面に有することが好ましい。前記電子注入層の材料、及び形成方法については、上述した電子輸送層におけるものと同一のものが好適に挙げられる。
【００６４】
また、前記電子注入層の厚みとしては、５００ｎｍ以下であることが好ましく、０．１〜２００ｎｍであることがより好ましく、０．２〜１００ｎｍであることが更に好ましく、０．５〜５０ｎｍであるのが特に好ましい。前記電子注入層及び電子輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【００６５】
＜封止層＞
外部からの水分の透過を防止することを目的として、封止層８を有してもよい。前記封止層８としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択すればよく、各種無機化合物又は有機化合物からなる単層構造又は積層構造であってもよい。無機化合物としては、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２が挙げられ、有機化合物としては、シリコン系ポリマー、エポキシ系ポリマー、アクリル系ポリマー、ウレタン系ポリマーが挙げられる。
【００６６】
前記封止層８の厚さとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択すればよいが、１〜５μｍとすることが好ましく、より好ましい下限は、１．５μｍであり、より好ましい上限は、４μｍである。
【００６７】
＜レジスト層＞
前記レジスト層９は、インプリントレジスト組成物（以下、「インプリントレジスト液」ということがある）を有機ＥＬ素子や磁気記録媒体の基板に塗布することによって形成される層である。
【００６８】
前記レジスト層９の構成材料としては、特に制限はなく、目的に応じて公知のものの中から適宜選択することができるが、例えば、熱可塑性樹脂、及び光硬化性樹脂の少なくともいずれかを含有するインプリントレジスト組成物を有機ＥＬ層７の基板６又は封止層８に塗布することによって形成される層である。また、レジスト層９を形成するインプリントレジスト組成物としては、例えば、ノボラック系樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、有機ガラス樹脂、無機ガラス樹脂などが用いられる。
【００６９】
前記レジスト層９の厚みとしては、モールド１の表面２ａ上に形成される凸部２１の高さに対して５％以上、２００％未満であることが好ましい。前記厚みが５％未満であると、レジスト量が不足し、所望のレジストパターンを形成することができないことがある。
【００７０】
前記レジスト層９の厚みとしては、例えば、該レジスト層９を形成した基板６から該レジスト層９を一部剥離し、剥離後の段差（高さ）をＡＦＭ装置（Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ５０００、日本ビーコ株式会社製）にて測定することができる。
【００７１】
前記インプリントレジスト組成物の粘度としては、例えば、超音波式粘度計などを用いて測定することができる。前記インプリントレジスト組成物の粘度としては、２５℃で１ｍＰａ・ｓ〜２００ｍＰａ・ｓが好ましく、１ｍＰａ・ｓ〜１００ｍＰａ・ｓがより好ましい。
【００７２】
（インプリント方法）
図４Ａから図４Ｃは、本発明のモールドを用いたインプリント方法を示す断面図である。封止層８上にインプリントレジスト液を塗布してなるレジスト層９上にモールド１を配置する（図４Ａ）。その後、レジスト層９をモールド１で押圧し、レジスト層９に熱を印加する、又は、紫外線などを照射してレジスト層９を硬化させることで、凹凸パターンを転写させる（図４Ｂ）。
【００７３】
前記レジスト層９が硬化し、モールド１の凹凸パターンが転写されたことを確認後、モールド１に設けられた剥離板３を加熱する。剥離板３を加熱することで、剥離板３が押圧方向と反対方向に屈曲し、この屈曲に伴ってモールド１の基板２も同様に屈曲する。基板２が屈曲することで、レジスト層９を押圧している凸部２１とレジスト層９との一部が剥離する（図４Ｃ）。
【００７４】
前記剥離板３を加熱する温度としては、特に制限がなく、加工対象物又は使用目的等に応じて適宜変更することができるが、８０℃〜１３０℃で加熱することが好ましく、９０℃〜１２０℃で加熱することがより好ましく、９０℃〜１００℃で加熱することが特に好ましい。前記剥離板３を加熱する温度が８０℃未満であると、剥離板３が屈曲しないことがあり、１３０℃を超えると有機ＥＬ素子が加熱により破損することがある。
【００７５】
前記剥離板３の加熱方法としては、特に制限はなく、剥離板３の全面を加熱してもよく、剥離板３を屈曲させたい局所を加熱してもよい。また、上述したようにシートヒータを剥離板３（金属層４）の上面に設け、シートヒータを加熱するようにしてもよい。
【実施例】
【００７６】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
【００７７】
（剥離板を備えるモールド）
亜鉛を含む第１の金属層と、ステンレスインバーを含む第２の金属層とを接合し、剥離板を調製した。前記剥離板を市販のモールドにモールドの基板から順に第１の金属層、第２の金属層となるように接合した。
【００７８】
（有機ＥＬ素子の作製）
＜発光部の形成＞
ＴＦＴ（アクティブマトリックス）基板上に形成された反射電極層（Ａｌ）上に、下記の条件で、正孔注入層、正孔輸送層、青色発光層、緑色発光層、赤色発光層、電子輸送層、電子注入層、及び上部電極層を、この順で形成した。
【００７９】
（緑色発光層）
反射電極層（陽極）上に、ホール注入層として２−ＴＮＡＴＡ〔４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン〕とＭｎＯ３を７：３の割合で、厚みが２０ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【００８０】
次に、ホール注入層上に、第１のホール輸送層として２−ＴＮＡＴＡにＦ４−ＴＣＮＱ（２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン）を１．０％ドープして１４１ｎｍの厚さとなるように、真空蒸着により形成した。
【００８１】
次に、第１のホール輸送層上に、第２のホール輸送層としてα−ＮＰＤ〔Ｎ，Ｎ’−（ジナフチルフェニルアミノ）ピレン〕を、厚みが１０ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【００８２】
次に、第２のホール輸送層上に、第３のホール輸送層として下記構造式で表されるホール輸送材料Ａを、厚みが３ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【００８３】
【化１】
【００８４】
次に、第３のホール輸送層上に、発光層を、ホスト材料としてＣＢＰ（４，４’−ジカルバゾール−ビフェニル）と、発光材料として下記構造式で表される発光材料Ｇを、８５：１５の割合で、厚みが２０ｎｍとなるように、真空共蒸着により形成した。
【００８５】
【化２】
【００８６】
次に、発光層上に、第１の電子輸送層としてＢＡｌｑ（アルミニウム（ＩＩＩ）ビス（２−メチル−８−キノリナト）−４−フェニルフェノレート）を、厚みが３９ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【００８７】
次に、第１の電子輸送層上に、第２の電子輸送層としてＢＣＰ（２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナンスロリン）を、厚みが１ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【００８８】
次に、第２の電子輸送層上に、第１の電子注入層としてＬｉＦを、厚みが１ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【００８９】
次に、第１の電子注入層の上に、第２電子注入層としてＡｌを、厚みが０．５ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【００９０】
次に、第２電子注入層上に、陰極として銀（Ａｇ）を、厚みが２０ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【００９１】
（赤色発光層）
反射電極層（陽極）上に、ホール注入層として２−ＴＮＡＴＡ〔４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン〕とＭｎＯ３を７：３の割合で、厚みが２０ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【００９２】
次に、ホール注入層上に、第１のホール輸送層として２−ＴＮＡＴＡにＦ４−ＴＣＮＱを１．０％ドープして１９６ｎｍの厚さとなるように、真空蒸着により形成した。
【００９３】
次に、第１のホール輸送層上に、第２のホール輸送層としてα−ＮＰＤ〔Ｎ，Ｎ’−（ジナフチルフェニルアミノ）ピレン〕を、厚みが１０ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【００９４】
次に、第２のホール輸送層上に、発光層を、ホスト材料としてＢＡｌｑと、発光材料として下記構造式で表される発光材料Ｒを、９５：５の割合で、厚みが３０ｎｍとなるように、真空共蒸着により形成した。
【００９５】
【化３】
【００９６】
次に、発光層上に、第１の電子輸送層としてＢＡｌｑを、厚みが４８ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【００９７】
次に、第１の電子輸送層上に、第２の電子輸送層としてＢＣＰを、厚みが１ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【００９８】
次に、第２の電子輸送層上に、第１の電子注入層としてＬｉＦを、厚みが１ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【００９９】
次に、第１の電子注入層の上に、第２電子注入層としてＡｌを、厚みが０．５ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１００】
次に、第２電子注入層上に、陰極として銀（Ａｇ）を、厚みが２０ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１０１】
（青色発光層）
反射電極層（陽極）上に、ホール注入層として２−ＴＮＡＴＡ〔４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン〕とＭｎＯ３を７：３の割合で、厚みが２０ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１０２】
次に、ホール注入層上に、第１のホール輸送層として２−ＴＮＡＴＡにＦ４−ＴＣＮＱを１．０％ドープして１１０ｎｍの厚さとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１０３】
次に、第１のホール輸送層上に、第２のホール輸送層としてα−ＮＰＤ〔Ｎ，Ｎ’−（ジナフチルフェニルアミノ）ピレン〕を、厚みが１０ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１０４】
次に、第２のホール輸送層上に、第３のホール輸送層として下記構造式で表されるホール輸送材料Ａを、厚みが３ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１０５】
次に、第３のホール輸送層上に、発光層を、ホスト材料としてｍＣＰ（１，３−ビス（カルバゾーリル）ベンゼン）と、発光材料として下記構造式で表される発光材料Ｂを、８５：１５の割合で、厚みが３０ｎｍとなるように、真空共蒸着により形成した。
【０１０６】
【化４】
【０１０７】
次に、発光層上に、第１の電子輸送層としてＢＡｌｑを、厚みが２９ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１０８】
次に、第１の電子輸送層上に、第２の電子輸送層としてＢＣＰを、厚みが１ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１０９】
次に、第２の電子輸送層上に、第１の電子注入層としてＬｉＦを、厚みが１ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１１０】
次に、第１の電子注入層の上に、第２電子注入層としてＡｌを、厚みが０．５ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１１１】
次に、第２電子注入層上に、陰極として銀（Ａｇ）を、厚みが２０ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
【０１１２】
このようにして反射電極上に形成された各色の発光層を有する発光部の発光面の発光面積は、１００×１００μｍであった。
【０１１３】
このようにして形成した上部電極上に、封止層として、ＳｉＯＮ層を低温ＣＶＤ法で３μｍ成膜した。なお、ＳｉＯＮ層は、図４Ａから図４Ｃに示すように、有機ＥＬ層を覆うように形成し、成膜した３μｍの膜厚は、発光部の発光面からＳｉＯＮ層の表面までの厚みをいう。
【０１１４】
レジスト層として、熱硬化性材料を含むインプリントレジスト組成物を塗布してなるレジスト層を封止層上に１００μｍ成膜し、有機ＥＬ素子を得た。
【０１１５】
（実施例１）
前記剥離板を備えるモールドで前記有機ＥＬ素子のレジスト層を押圧し、レジスト層を８０℃で熱硬化させた後、剥離板の全面を１００℃で加熱し剥離板を屈曲させてレジスト層とモールドとを剥離した。この作業を１００回行い、レジスト層の一部がモールドと共に剥がれてしまったり、レジスト層やモールドが損傷してしまったりする回数を測定した。結果を表１に示す。
【０１１６】
（実施例２）
貫通孔を有する剥離板を使用し、ＵＶ硬化性を持つエポキシ樹脂からなるレジスト層を、前記貫通孔を介してＵＶ照射にて硬化させた以外は実施例１と同様に測定した。結果を表１に示す。
【０１１７】
（実施例３）
透明なガラス基板上にレジスト層を塗布し、ＵＶ硬化性を持つエポキシ樹脂からなるレジスト層を、前記透明なガラス基板を介してＵＶ照射にて硬化させた以外は実施例１と同様に測定した。結果を表１に示す。
【０１１８】
（実施例４）
レジスト層を１００℃で熱硬化させ、レジスト層の熱硬化と同時に剥離板が徐々に屈曲してレジスト層とモールドとを剥離させた以外は実施例１と同様に測定した。結果を表１に示す。
【０１１９】
（比較例１）
剥離板を備えていないモールドを使用した以外は実施例１と同様に行った。結果を表１に示す。
【０１２０】
【表１】
【０１２１】
＜評価＞
剥離板を備えるモールドを使用すると、モールドをレジスト層から引き剥がす力を抑制されるので、１００回剥離を行ってもレジスト層又はモールドが損傷しないことがわかる。一方、剥離板を備えないモールドを使用してレジスト層とモールドとを剥離すると、大きな割合でレジスト層又はモールドが損傷していることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【０１２２】
本発明の剥離板、モールド構造体及びナノプリント方法は、モールドをレジスト層から引き剥がす力を抑制される剥離板、モールド構造体及びナノプリント方法として好適に利用可能である。
【符号の説明】
【０１２３】
１ モールド
２ 基板
２ａ 基板の表面
２１ 凸部
３ 剥離板
４ 金属層
４１ 第１の金属層
４２ 第２の金属層
４１´ スプリング層
４２´ 形状記憶合金層
５ 貫通孔
６ 加工対象物の基板
７ 有機ＥＬ層
８ 封止層
９ レジスト層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたインプリントレジスト組成物からなるレジスト層に凹凸パターンを転写するインプリント方法に用いられるモールド構造体に設けられ、前記レジスト層と前記モールド構造体とを剥離するために用いられる剥離板であって、
加熱により屈曲し、常温で形状が復元する少なくとも２層の金属層からなることを特徴とする剥離板。
【請求項２】
金属層は、第１の金属層と第２の金属層とからなる２層構造であり、同一温度条件において、前記第１の金属層の加熱による熱膨張率は、前記第２の金属層の熱膨張率よりも大きい請求項１に記載の剥離板。
【請求項３】
第１の金属層は、バネ性のあるスプリング層であり、第２の金属層は、形状記憶合金からなる形状記憶合金層である請求項１から２のいずれかに記載の剥離板。
【請求項４】
金属層に複数の貫通孔を備える請求項１から３のいずれかに記載の剥離板。
【請求項５】
基板の一方の面上に複数の凸部からなる凹凸パターンが形成され、インプリントレジスト組成物からなるレジスト層を押圧するモールド構造体であって、
前記凸部が形成されている前記基板の面と反対面上に請求項１から４のいずれかに記載の剥離板を備えることを特徴とするモールド構造体。
【請求項６】
凹凸パターンに離型材を塗布した請求項５に記載のモールド構造体。
【請求項７】
剥離板を構成する金属層は、基板の表面側から順に第１の金属層と第２の金属層と積層されている２層構造であり、前記第１の金属層の加熱による熱膨張率は、前記第２の金属層の熱膨張率よりも大きい請求項５から６のいずれかに記載のモールド構造体。
【請求項８】
金属層の局所又は全面を加熱する請求項５から７のいずれかに記載のモールド構造体。
【請求項９】
第１の金属層は、スプリング層であり、第２の金属層は、形状記憶合金層である請求項５から８のいずれかに記載のモールド構造体。
【請求項１０】
請求項５から９のいずれかに記載のモールド構造体を、加工対象物の基板上に形成されたインプリントレジスト組成物からなるレジスト層に押圧して前記モールド構造体に形成された凹凸パターンを転写する転写工程と、
剥離板を加熱して金属層又は第１の金属層を熱膨張させ、前記モールド構造体の端部を押圧方向と反対方向に屈曲させ前記レジスト層と前記モールド構造体とを剥離する工程と、を少なくとも含むことを特徴とするインプリント方法。
【請求項１１】
金属層の局所または全面を加熱する請求項１０に記載のインプリント方法。
【請求項１】
基板上に形成されたインプリントレジスト組成物からなるレジスト層に凹凸パターンを転写するインプリント方法に用いられるモールド構造体に設けられ、前記レジスト層と前記モールド構造体とを剥離するために用いられる剥離板であって、
加熱により屈曲し、常温で形状が復元する少なくとも２層の金属層からなることを特徴とする剥離板。
【請求項２】
金属層は、第１の金属層と第２の金属層とからなる２層構造であり、同一温度条件において、前記第１の金属層の加熱による熱膨張率は、前記第２の金属層の熱膨張率よりも大きい請求項１に記載の剥離板。
【請求項３】
第１の金属層は、バネ性のあるスプリング層であり、第２の金属層は、形状記憶合金からなる形状記憶合金層である請求項１から２のいずれかに記載の剥離板。
【請求項４】
金属層に複数の貫通孔を備える請求項１から３のいずれかに記載の剥離板。
【請求項５】
基板の一方の面上に複数の凸部からなる凹凸パターンが形成され、インプリントレジスト組成物からなるレジスト層を押圧するモールド構造体であって、
前記凸部が形成されている前記基板の面と反対面上に請求項１から４のいずれかに記載の剥離板を備えることを特徴とするモールド構造体。
【請求項６】
凹凸パターンに離型材を塗布した請求項５に記載のモールド構造体。
【請求項７】
剥離板を構成する金属層は、基板の表面側から順に第１の金属層と第２の金属層と積層されている２層構造であり、前記第１の金属層の加熱による熱膨張率は、前記第２の金属層の熱膨張率よりも大きい請求項５から６のいずれかに記載のモールド構造体。
【請求項８】
金属層の局所又は全面を加熱する請求項５から７のいずれかに記載のモールド構造体。
【請求項９】
第１の金属層は、スプリング層であり、第２の金属層は、形状記憶合金層である請求項５から８のいずれかに記載のモールド構造体。
【請求項１０】
請求項５から９のいずれかに記載のモールド構造体を、加工対象物の基板上に形成されたインプリントレジスト組成物からなるレジスト層に押圧して前記モールド構造体に形成された凹凸パターンを転写する転写工程と、
剥離板を加熱して金属層又は第１の金属層を熱膨張させ、前記モールド構造体の端部を押圧方向と反対方向に屈曲させ前記レジスト層と前記モールド構造体とを剥離する工程と、を少なくとも含むことを特徴とするインプリント方法。
【請求項１１】
金属層の局所または全面を加熱する請求項１０に記載のインプリント方法。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図２】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図１Ｂ】
【図２】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【公開番号】特開２０１１−６２９７８（Ｐ２０１１−６２９７８Ａ）
【公開日】平成２３年３月３１日（２０１１．３．３１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２１７２３５（Ｐ２００９−２１７２３５）
【出願日】平成２１年９月１８日（２００９．９．１８）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年３月３１日（２０１１．３．３１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年９月１８日（２００９．９．１８）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【Ｆターム（参考）】
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