半導体装置及びその製造方法
【課題】不純物の突き抜けや拡散を防止できる高性能な絶縁膜を提案する。
【解決手段】本発明の例に関わる半導体装置は、半導体基板１１と、半導体基板１１上に形成されるＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜１３とを備える。ゲート絶縁膜１３は、酸化膜（ＳｉＯ２）と、少なくともボロン原子と窒素原子を含む拡散防止膜（ＢＮ）とから構成される。
【解決手段】本発明の例に関わる半導体装置は、半導体基板１１と、半導体基板１１上に形成されるＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜１３とを備える。ゲート絶縁膜１３は、酸化膜（ＳｉＯ２）と、少なくともボロン原子と窒素原子を含む拡散防止膜（ＢＮ）とから構成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
社会の高度情報化に伴い、ＬＳＩの高性能化に対する要求も益々高くなっている。その高性能化は、主として、ＭＯＳトランジスタの微細化によって達成される。
【０００３】
現在のＬＳＩでは、ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の厚さがおよそ１．５ｎｍである。更なる高性能化のために微細化がこのまま進行すると、２０１０年頃には、ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の厚さは、０．７ｎｍ程度になるとＩＴＲＳ(International Technology Roadmap for Semiconductor)で予想されている。
【０００４】
しかし、ゲート絶縁膜がこのように薄くなると、ＭＯＳトランジスタの動作時に、そのゲート絶縁膜にトンネル電流が流れるようになる。これは、ゲートリークと呼ばれ、ＬＳＩの高性能化にとっては好ましいものではない。
【０００５】
そこで、ゲート絶縁膜を薄くしても、ゲートリークを発生させない技術が研究されている。
【０００６】
例えば、従来、ゲート絶縁膜の材料として良く使用されてきた酸化シリコンに代えて、それよりも誘電率が大きい材料（high-k材料）、例えば、窒素を含む酸化シリコンをゲート絶縁膜として使用する技術が注目されている。
【０００７】
高濃度の窒素を含んだＳｉＯＮは、そのような材料の候補の一つである（非特許文献１参照）。この材料の特徴は、ゲート絶縁膜のシリコン基板との界面を酸化シリコンとしながらも、その内部の窒素濃度が十分に高い点にあり、これにより、誘電率が高く、かつ、界面特性が良好なゲート絶縁膜を提供できる。
【０００８】
しかし、このような酸化シリコン内における窒素の高濃度化によって引き起こされる問題がある。
【０００９】
それは、ＰチャネルＭＯＳトランジスタのフラットバンドの異常なシフトである（非特許文献２参照）。即ち、回路設計の観点からみると、ＰチャネルＭＯＳトランジスタのフラットバンドがシフトするということは、回路特性上、許されない大きな問題であり、これをなくすためには、酸化シリコン内における窒素の高濃度化を諦めざるを得ない。
【特許文献１】特開昭５８−８００６１号公報
【特許文献２】特開昭５９−２０７８１１号公報
【非特許文献１】D. Matsushita et al., Symp. VLSI Tech., (2004)172.
【非特許文献２】Z. Wang et al, IEEE Electron device Lett., 21(2000)170.
【非特許文献３】H.S. Yang et al, J. Appl. Phys., 91 (2002)6695.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、不純物の突き抜けや拡散を防止でき、誘電率が高く、ＥＯＴが小さく、かつ、耐湿性に優れた絶縁膜を提案する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の例に関わる半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成される絶縁膜とを備え、前記絶縁膜は、酸素原子を含む領域と、少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域とから構成される。
【００１２】
本発明の例に関わる半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成される絶縁膜とを備え、前記絶縁膜は、窒素原子を含む領域と、少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域とから構成される。
【００１３】
前記窒素原子を含む領域は、酸素原子を含む２つの領域に挟み込まれていてもよい。また、前記酸素原子を含む２つの領域のうちの一方の窒素濃度は、他方の窒素濃度よりも高くてもよい。
【００１４】
前記絶縁膜は、ＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜として用いられる。前記ＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート電極は、ボロン原子を含むポリシリコンから構成される。前記少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域は、前記ゲート電極に隣接する。
【００１５】
前記少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域の原子密度は、前記窒化膜の原子密度よりも大きい。
【００１６】
前記少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域は、１×１０１８ｃｍ−３以上のボロン原子を含む。
【００１７】
前記少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域では、前記ボロン原子の面密度のほうが前記窒素原子の面密度よりも大きい。
【００１８】
本発明の例に関わる半導体装置の製造方法は、半導体基板上に酸化原子を含む領域を形成する工程と、前記酸素原子を含む領域上に少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域を形成する工程とを備える。
【００１９】
本発明の例に関わる半導体装置の製造方法は、半導体基板上に窒素原子を含む領域を形成する工程と、前記窒素原子を含む領域上に少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域を形成する工程とを備える。
【００２０】
本発明の例に関わる半導体装置の製造方法は、さらに、前記窒素原子を含む領域を挟み込む酸素原子を含む２つの領域を形成する工程を備え、前記少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域は、前記酸素原子を含む２つの領域のうちの一方の上に形成される。
【００２１】
本発明の例に関わる半導体装置の製造方法は、さらに、前記酸素原子を含む２つの領域のうちの一方に窒素原子を注入し、前記酸素原子を含む２つの領域のうちの一方の窒素濃度を他方の窒素濃度よりも高くする工程を備える。
【００２２】
前記少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域は、前記窒素原子を含むガスと前記ボロン原子を含むガスからなる雰囲気内でプラズマを発生させることにより形成される。
【００２３】
前記窒素原子を含むガスは、ＮＨ３、Ｎ２Ｏ、Ｎ、及び、Ｎ２のいずれか１つを含む。
【００２４】
本発明の例に関わる半導体装置の製造方法は、さらに、前記少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域上にＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート電極となるボロン原子を含んだポリシリコンを形成する工程を備える。
【００２５】
前記少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域は、ボロン原子を含むポリシリコンを、窒素原子を含むガスに晒すことにより形成される。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の例によれば、不純物の突き抜けや拡散を防止でき、誘電率が高く、ＥＯＴが小さく、かつ、耐湿性に優れた絶縁膜を提供できる。
【００２７】
この技術をＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜に適用することにより、ゲート電極内のボロンがゲート絶縁膜内に侵入することを有効に防止できる。このため、ゲートリークやフラットバンドシフトの問題を解消できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、図面を参照しながら、本発明の例を実施するための最良の形態について詳細に説明する。
【００２９】
１． 概要
本発明の例では、不純物の突き抜けや拡散を防止でき、誘電率が高く、ＥＯＴが小さく、耐湿性に優れ、かつ、閾値電圧のシフト量が小さい絶縁膜を提案する。例えば、本発明の例では、薄膜化されても、ゲートリークやフラットバンドシフトなどの問題が発生しないＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の構造を提案する。
【００３０】
まず、フラットバンドシフトの原因について検討する。
【００３１】
フラットバンドシフトは、ＰチャネルＭＯＳトランジスタで発生する。ここで、ＰチャネルＭＯＳトランジスタでは、ゲート電極として、主にボロンを含んだポリシリコンを使用する。このボロンは、ゲート電極からゲート絶縁膜へ拡散し、ゲート絶縁膜内の窒素と結合し、シリコンのダングリングボンドを発生させる。これが、フラットバンドシフトの大きな原因である。
【００３２】
つまり、これまでは、「ボロンの突き抜け」によるＭＯＳトランジスタの閾値変動を抑えることを目的にゲート絶縁膜内に高濃度の窒素を含ませてきたが、この先の世代では、これに加えて、「ボロンの拡散」によるシリコンのダングリングボンドの発生を食い止めることが必要である。
【００３３】
本発明の例では、このシリコンのダングリングボンドを主に防止するために、ゲート絶縁膜（酸化シリコン、窒化シリコン、ＳｉＯＮなど）の表面に、ボロン原子と窒素原子を含んだ拡散防止膜を形成する。拡散防止膜としては、例えば、窒化ホウ素（ＢＮ）が使用される。
【００３４】
ボロン原子と窒素原子を含んだ拡散防止膜は、ボロンの拡散防止膜として一般的に使用されているＳｉ３Ｎ４と比べると、原子密度が高いため (Si3N4: 100 atoms/nm3 , BN： 130 atoms/nm3)、ボロンの拡散をより抑えることができる。結果として、絶縁膜中の窒素濃度をより高めることが可能になる。従って、ゲートリークやフラットバンドシフトなしに、ＥＯＴ(Equipment Oxide Thickness)を実質的に薄くして、ＬＳＩの高性能化を図ることができる。
【００３５】
尚、拡散防止膜にボロンを含ませるには、例えば、BC=3-NH3-H2-SiC=4、B2H6などのボロン原子を含んだガスを用いて、マグネトロンスパッタ法、ＰＬＤ法、気相成長ＣＶＤ法、ＩＣＰ−ＣＶＤ法などの方法により拡散防止膜を形成する。
【００３６】
これにより、ゲート電極内のボロンがゲート絶縁膜内に侵入することを防止でき、ボロンと窒素の結合によるシリコンのダングリングボンドの発生もなくなるため、例えば、ゲート絶縁膜内の窒素の高濃度化に伴うフラットバンドシフトを抑えることができる。
【００３７】
その結果、窒素濃度が高い（ＥＯＴが薄い）ＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜を提供できる。
【００３８】
２． 実施の形態
次に、最良と思われるいくつかの実施の形態について説明する。
【００３９】
(1) 第１実施の形態
第１実施の形態に関わる半導体装置及びその製造方法について説明する。
【００４０】
A. 構造
図１は、第１実施の形態に関わるＰチャネルＭＯＳトランジスタの構造を示している。
【００４１】
Ｎ型シリコン基板（ウェルでもよい）１１の表面領域には、Ｐ型拡散層１２Ａ，１２Ｂが形成される。Ｐ型拡散層１２Ａ，１２Ｂ間のチャネル領域上には、ゲート絶縁膜１３を経由して、ゲート電極１４が形成される。ゲート電極１４は、Ｐ型不純物（例えば、ボロン）を含むポリシリコンから構成される。
【００４２】
ここで、ゲート絶縁膜１３は、例１に示すように、酸化シリコン（ＳｉＯ２）と、酸化シリコンの上部に形成される窒素を含んだ部分と、その窒素を含んだ部分上に形成されるボロン原子と窒素原子を含んだ拡散防止膜とから構成される。
【００４３】
窒素を含んだ部分は、例えば、酸化シリコン上に形成されるＳｉＮであってもよいし、また、酸化シリコンの表面部分に窒素を導入することにより形成されるＳｉＯＮであってもよい。拡散防止膜は、例えば、ＢＮから構成される。
【００４４】
また、ゲート絶縁膜１３は、例２に示すように、酸化シリコン（ＳｉＯ２）と、酸化シリコン上に形成されるボロン原子と窒素原子を含んだ拡散防止膜（例えば、ＢＮ）とから構成されていてもよい。
【００４５】
例１及び例２において、拡散防止膜は、ゲート電極１４内のボロンの付き抜けと拡散の両方を同時に防止する機能を持つため、ゲート絶縁膜が薄くなっても、ＰチャネルＭＯＳトランジスタにおけるフラットバンドシフトを有効に防止することができる。
【００４６】
B. 製造方法
次に、図１のＭＯＳトランジスタにおけるゲート絶縁膜の製造方法について、図２を参照しながら説明する。
【００４７】
まず、シリコン基板１を希ＨＦ処理し、シリコン基板１の表面を水素により終端化する（ステップＳＴ１）。この後、シリコン基板１をチャンバー内に導入する（ステップＳＴ２）。続いて、チャンバー内の雰囲気を、例えば、３５ＴｏｒｒのＮ２Ｏとし、ヒーターを制御することにより、シリコン基板１の表面を８００℃以上、１０００℃以下の温度（例えば、８００℃）に設定し、この状態を約３０秒間維持する。その結果、シリコン基板１上に酸化シリコン（ＳｉＯ２）３Ａが形成される（ステップＳＴ３〜ＳＴ４）。
【００４８】
続いて、Ａｒを１６ｓｃｃｍ、Ｈｅを５．４ｓｃｃｍ、Ｎ２を０．３ｓｃｃｍ、Ｂ２Ｈ６を０．６ｓｃｃｍ導入し、Ｈ２プラズマ、Ｎ２プラズマ、Ａｒプラズマを約１秒間発生させる。ここで、Ｂ２Ｈ６の流量は、Ｈｅのそれの約１０％に設定される。これにより、酸化シリコン３Ａの表面がＮ２プラズマ、Ｈ２プラズマにより削り取られると共に、酸化シリコン３Ａ上にＢＮ６が約０．３ｎｍの厚さで形成される（ステップＳＴ５）。
【００４９】
以上のステップにより、例２の構造が完成する。
尚、ステップＳＴ４とステップＳＴ５との間にＳｉＮ又はＳｉＯＮを形成するステップを追加すれば、例１の構造を得ることができる。
【００５０】
C. 効果
第１実施の形態に関わる半導体装置及びその製造方法による効果について説明する。
【００５１】
図３は、ゲート電極内のボロンの付き抜け及び拡散の程度をゲート絶縁膜の構造で比較して示している。
【００５２】
ここでは、４種類のゲート絶縁膜を例にとるが、いずれも物理膜厚（ゲート絶縁膜として利用する部分の実際の厚さ）は、２ｎｍとする。
【００５３】
一つ目は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）のみからなるゲート絶縁膜であり、二つ目は、酸化シリコンと窒化シリコン（ＳｉＮ）からなるゲート絶縁膜であり、三つ目は、酸化シリコン上に０．３ｎｍの厚さのＢＮが形成されたゲート絶縁膜であり、四つ目は、酸化シリコン上に窒化シリコンと０．３ｎｍのＢＮが形成されたゲート絶縁膜である。
【００５４】
酸化シリコンのみからなるゲート絶縁膜では、ボロンの拡散だけでなく、ボロンの突き抜けも発生している。これでは、フラットバンドシフトを抑えることはできない。酸化シリコンと窒化シリコンからなるゲート絶縁膜では、ボロンの突き抜け及び拡散がある程度抑えられているが、完全ではない。
【００５５】
これに対し、酸化シリコン上にＢＮが形成されたゲート絶縁膜では、ボロンの突き抜け及び拡散がほぼ完全に抑えられている。また、酸化シリコン上に窒化シリコンとＢＮが形成されたゲート絶縁膜では、ボロンの突き抜け及び拡散の抑止が完全であり、フラットバンドシフトを防止できる。
【００５６】
このように、ゲート絶縁膜の物理膜厚が２ｎｍ又はそれを下回る値になったときに、その表面に、ボロン原子と窒素原子を含む拡散防止膜（例えば、ＢＮ）を形成することは、ゲート電極からゲート絶縁膜へのボロンの突き抜け及び拡散によるフラットバンドシフトを防止するにあたって非常に有効な手段となる。
【００５７】
図４は、図３で比較した４種類のゲート絶縁膜を用いたときのＰチャネルＭＯＳトランジスタの閾値電圧のばらつきの程度を示している。
【００５８】
ΔＶｔｈは、ボロンの突き抜け及び拡散によるＰチャネルＭＯＳトランジスタの閾値電圧のシフト量であり、ばらつきに相当する。
【００５９】
ボロン原子と窒素原子を含む拡散防止膜（例えば、ＢＮ）を持つゲート絶縁膜では、それを持たないゲート絶縁膜に比べて、閾値電圧のシフト量ΔＶｔｈが小さいことがわかる。これは、上述したように、拡散防止膜により、ゲート電極からゲート絶縁膜へのボロンの突き抜け及び拡散が抑えられているためである。
【００６０】
従って、第１実施の形態によれば、ＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の物理膜厚が２ｎｍ又はそれを下回る値になったとしても、閾値電圧Ｖｔｈの制御性が劣化することはなく、ＬＳＩの高性能化に貢献できる。
【００６１】
(2) 第２実施の形態
次に、第２実施の形態に関わる半導体装置及びその製造方法について説明する。第２実施の形態は、上述の第１実施の形態の変形例である。第２実施の形態が第１実施の形態と異なる点は、ゲート絶縁膜として、酸化シリコンに代わり、窒化シリコンを用いる点にある。
【００６２】
A. 構造
図５は、第２実施の形態に関わるＰチャネルＭＯＳトランジスタの構造を示している。
【００６３】
Ｎ型シリコン基板（ウェルでもよい）１１の表面領域には、Ｐ型拡散層１２Ａ，１２Ｂが形成される。Ｐ型拡散層１２Ａ，１２Ｂ間のチャネル領域上には、ゲート絶縁膜１３を経由して、ゲート電極１４が形成される。ゲート電極１４は、Ｐ型不純物（例えば、ボロン）を含むポリシリコンから構成される。
【００６４】
ここで、ゲート絶縁膜１３は、窒化シリコン（ＳｉＮ）と、窒化シリコン上に形成されるボロン原子と窒素原子を含んだ拡散防止膜とから構成される。
【００６５】
尚、ゲート絶縁膜１３を構成する窒化シリコンは、窒素を含む絶縁膜であればよく、例えば、窒素原子及びシリコン原子以外の他の原子（ボロン原子を除く）、例えば、酸素原子を含んでいてもよい。
【００６６】
また、拡散防止膜は、例えば、ＢＮから構成される。
【００６７】
拡散防止膜は、ゲート電極１４内のボロンの付き抜けと拡散の両方を同時に防止する機能を持つため、ゲート絶縁膜が薄くなっても、ＰチャネルＭＯＳトランジスタにおけるフラットバンドシフトを有効に防止することができる。
【００６８】
B. 製造方法
次に、図５のＭＯＳトランジスタにおけるゲート絶縁膜の製造方法について、図６を参照しながら説明する。
【００６９】
まず、シリコン基板１を希ＨＦ処理し、シリコン基板１の表面を水素により終端化する（ステップＳＴ１）。この後、シリコン基板１をチャンバー内に導入する（ステップＳＴ２）。続いて、チャンバー内の雰囲気を、例えば、７４０ＴｏｒｒのＮＨ３とし、ヒーターを制御することにより、シリコン基板１の表面を７００℃以上、７５０℃以下の温度（例えば、７００℃）に設定し、この状態を約１００秒間維持する。その結果、シリコン基板１上に窒化シリコン（ＳｉＮ）２が形成される（ステップＳＴ３〜ＳＴ４）。
【００７０】
続いて、Ａｒを１６ｓｃｃｍ、Ｈｅを５．４ｓｃｃｍ、Ｎ２を０．３ｓｃｃｍ、Ｂ２Ｈ６を０．６ｓｃｃｍ導入し、Ｈ２プラズマ、Ｎ２プラズマ、Ａｒプラズマを約１秒間発生させる。ここで、Ｂ２Ｈ６の流量は、Ｈｅのそれの約１０％に設定される。これにより、窒化シリコン２の表面がＮ２プラズマ、Ｈ２プラズマにより削り取られると共に、窒化シリコン２上にＢＮ６が約０．３ｎｍの厚さで形成される（ステップＳＴ５）。
【００７１】
以上のステップにより、図５のＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜が完成する。
【００７２】
C. 効果
第２実施の形態に関わる半導体装置及びその製造方法による効果について説明する。
【００７３】
図７は、ゲート電極内のボロンの付き抜け及び拡散の程度をゲート絶縁膜の構造で比較して示している。
【００７４】
ここでは、２種類のゲート絶縁膜を例にとるが、いずれも物理膜厚は、１．５ｎｍとする。一つ目は、窒化シリコン（ＳｉＮ）のみからなるゲート絶縁膜であり、二つ目は、窒化シリコン上に０．３ｎｍの厚さのＢＮが形成されたゲート絶縁膜である。
【００７５】
窒化シリコンのみからなるゲート絶縁膜では、ボロンの突き抜け及び拡散がある程度抑えられているが、完全ではない。これに対し、窒化シリコン上にＢＮが形成されたゲート絶縁膜では、ボロンの突き抜け及び拡散がほぼ完全に抑えられている。
【００７６】
このように、ゲート絶縁膜の物理膜厚が２ｎｍ又はそれを下回る値になったときに、その表面に、ボロン原子と窒素原子を含む拡散防止膜（例えば、ＢＮ）を形成することは、ゲート電極からゲート絶縁膜へのボロンの突き抜け及び拡散によるフラットバンドシフトを防止するにあたって非常に有効な手段となる。
【００７７】
図８は、図７で比較した２種類のゲート絶縁膜を用いたときのＰチャネルＭＯＳトランジスタの閾値電圧のばらつきの程度を示している。
【００７８】
ΔＶｔｈは、ボロンの突き抜け及び拡散によるＰチャネルＭＯＳトランジスタの閾値電圧のシフト量であり、ばらつきに相当する。
【００７９】
ボロン原子と窒素原子を含む拡散防止膜（例えば、ＢＮ）を持つゲート絶縁膜では、それを持たないゲート絶縁膜に比べて、閾値電圧のシフト量ΔＶｔｈが小さいことがわかる。これは、上述したように、拡散防止膜により、ゲート電極からゲート絶縁膜へのボロンの突き抜け及び拡散が抑えられているためである。
【００８０】
従って、第２実施の形態においても、ＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の物理膜厚が２ｎｍ又はそれを下回る値になったときに、閾値電圧Ｖｔｈの制御性の劣化を防止でき、ＬＳＩの高性能化に貢献できる。
【００８１】
図９は、酸化シリコン上に拡散防止膜を形成する場合（第１実施の形態）と窒化シリコン上に拡散防止膜を形成する場合（第２実施の形態）とで、ゲート絶縁膜の耐湿性がどのように変化するかを示したグラフである。
【００８２】
同図からは、窒化シリコン（例えば、ＳｉＮ）と拡散防止膜（例えば、ＢＮ）とからなるゲート絶縁膜は、酸化シリコン（例えば、ＳｉＯ２）と拡散防止膜とからなるゲート絶縁膜よりも耐湿性が優れている、ということが分かる。
【００８３】
これは、ゲート絶縁膜に窒化シリコンを用いることにより、その窒化シリコンの一部が金属窒化物に変化し、窒化シリコンと拡散防止膜との結合状態が安定化し、不活性となるためと考えられる。
【００８４】
尚、拡散防止膜としてのＢＮは、Ｓｉ３Ｎ４などの金属窒化物を０．０５〜０．１５ｗｔ％の範囲内で含有することにより、剥離性や耐湿性などの特性が大幅に向上する。
【００８５】
第２実施の形態では、窒化シリコン上に、ボロン原子と窒素原子を含んだ拡散防止膜を形成することにより、ボロンの突き抜けや拡散を防止すると共に、ゲート絶縁膜の強化を実現できる。
【００８６】
(3) 第３実施の形態
次に、第３実施の形態に関わる半導体装置及びその製造方法について説明する。第３実施の形態は、上述の第２実施の形態の変形例である。第３実施の形態が第２実施の形態と異なる点は、ゲート絶縁膜として、窒化シリコンに代わり、界面が酸化された窒化シリコンを用いる点にある。
【００８７】
A. 構造
図１０は、第３実施の形態に関わるＰチャネルＭＯＳトランジスタの構造を示している。
【００８８】
Ｎ型シリコン基板（ウェルでもよい）１１の表面領域には、Ｐ型拡散層１２Ａ，１２Ｂが形成される。Ｐ型拡散層１２Ａ，１２Ｂ間のチャネル領域上には、ゲート絶縁膜１３を経由して、ゲート電極１４が形成される。ゲート電極１４は、Ｐ型不純物（例えば、ボロン）を含むポリシリコンから構成される。
【００８９】
ここで、ゲート絶縁膜１３は、界面が酸化された窒化シリコン（ＳｉＯＮ）と、この窒化シリコン上に形成されるボロン原子と窒素原子を含んだ拡散防止膜とから構成される。
【００９０】
尚、ゲート絶縁膜１３を構成する窒化シリコンは、窒素を含む絶縁膜であればよく、例えば、窒素原子及びシリコン原子以外の他の原子（ボロン原子を除く）、例えば、酸素原子を含んでいてもよい。
【００９１】
また、拡散防止膜は、例えば、ＢＮから構成される。
【００９２】
拡散防止膜は、ゲート電極１４内のボロンの付き抜けと拡散の両方を同時に防止する機能を持つため、ゲート絶縁膜が薄くなっても、ＰチャネルＭＯＳトランジスタにおけるフラットバンドシフトを有効に防止することができる。
【００９３】
B. 製造方法
次に、図１０のＭＯＳトランジスタにおけるゲート絶縁膜の製造方法について、図１１を参照しながら説明する。
【００９４】
まず、シリコン基板１を希ＨＦ処理し、シリコン基板１の表面を水素により終端化する（ステップＳＴ１）。この後、シリコン基板１をチャンバー内に導入する（ステップＳＴ２）。続いて、チャンバー内の雰囲気を、例えば、７４０ＴｏｒｒのＮＨ３とし、ヒーターを制御することにより、シリコン基板１の表面を７００℃以上、７５０℃以下の温度（例えば、７００℃）に設定し、この状態を約１００秒間維持する。その結果、シリコン基板１上に窒化シリコン（ＳｉＮ）２が形成される（ステップＳＴ３〜ＳＴ４）。
【００９５】
次に、チャンバー内を、例えば、３５ＴｏｒｒのＮ２Ｏとし、ヒーターを制御することにより、シリコン基板１の表面を８００℃以上、１０００℃以下の温度（例えば、８００℃）に設定し、この状態を約３０秒間維持する。その結果、窒化シリコン２の界面、即ち、シリコン基板１と窒化シリコン２との間、及び、窒化シリコン２の上面には、それぞれ、酸素原子を含んだ窒化シリコン（例えば、ＳｉＯＮ）３，４が形成される（ステップＳＴ５）。
【００９６】
続いて、Ａｒを１６ｓｃｃｍ、Ｈｅを５．４ｓｃｃｍ、Ｎ２を０．３ｓｃｃｍ、Ｂ２Ｈ６を０．６ｓｃｃｍ導入し、Ｈ２プラズマ、Ｎ２プラズマ、Ａｒプラズマを約１秒間発生させる。ここで、Ｂ２Ｈ６の流量は、Ｈｅのそれの約１０％に設定される。これにより、酸素原子を含んだ窒化シリコン４の表面がＮ２プラズマ、Ｈ２プラズマにより削り取られると共に、この窒化シリコン４上にＢＮ６が約０．３ｎｍの厚さで形成される（ステップＳＴ６）。
【００９７】
以上のステップにより、図１０のＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜が完成する。
【００９８】
C. 効果
第３実施の形態に関わる半導体装置及びその製造方法による効果について説明する。
【００９９】
図１２は、ゲート電極内のボロンの付き抜け及び拡散の程度をゲート絶縁膜の構造で比較して示している。
【０１００】
ここでは、２種類のゲート絶縁膜を例にとるが、いずれも物理膜厚は、１．５ｎｍとする。一つ目は、界面が酸化された窒化シリコン（ＳｉＯＮ）からなるゲート絶縁膜であり、二つ目は、界面が酸化された窒化シリコン上に０．３ｎｍの厚さのＢＮが形成されたゲート絶縁膜である。
【０１０１】
界面が酸化された窒化シリコンからなるゲート絶縁膜では、ボロンの突き抜け及び拡散がある程度抑えられているが、完全ではない。これに対し、界面が酸化された窒化シリコン上にＢＮが形成されたゲート絶縁膜では、ボロンの突き抜け及び拡散がほぼ完全に抑えられている。
【０１０２】
このように、ゲート絶縁膜の物理膜厚が２ｎｍ又はそれを下回る値になったときに、その表面に、ボロン原子と窒素原子を含む拡散防止膜（例えば、ＢＮ）を形成することは、ゲート電極からゲート絶縁膜へのボロンの突き抜け及び拡散によるフラットバンドシフトを防止するにあたって非常に有効な手段となる。
【０１０３】
図１３は、図１２で比較した２種類のゲート絶縁膜を用いたときのＰチャネルＭＯＳトランジスタの閾値電圧のばらつきの程度を示している。
【０１０４】
ΔＶｆｂは、ボロンの突き抜け及び拡散によるＰチャネルＭＯＳトランジスタの閾値電圧のシフト量であり、ばらつきに相当する。
【０１０５】
ボロン原子と窒素原子を含む拡散防止膜（例えば、ＢＮ）を持つゲート絶縁膜では、それを持たないゲート絶縁膜に比べて、閾値電圧のシフト量ΔＶｆｂが小さいことがわかる。
【０１０６】
また、横軸は、ゲート絶縁膜内の窒素濃度Ｎ［ａｔ．％］を表している。即ち、同図からは、以下のことが分かる。
【０１０７】
拡散防止膜（例えば、ＢＮ）を持たないゲート絶縁膜では、ゲート絶縁膜内の窒素濃度が増大すると、閾値電圧のシフト量ΔＶｆｂが極端に大きくなるのに対し、拡散防止膜を持つゲート絶縁膜では、ゲート絶縁膜内の窒素濃度が増大しても、閾値電圧のシフト量ΔＶｆｂが極端に大きくなることはない。
【０１０８】
これは、上述したように、拡散防止膜により、ゲート電極からゲート絶縁膜へのボロンの突き抜け及び拡散が抑えられているためである。
【０１０９】
従って、第３実施の形態においても、ＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の物理膜厚が２ｎｍ又はそれを下回る値になったときに、閾値電圧Ｖｆｂの制御性の劣化を防止でき、ＬＳＩの高性能化に貢献できる。
【０１１０】
尚、拡散防止膜としてのＢＮは、Ｓｉ３Ｎ４などの金属窒化物を０．０５〜０．１５ｗｔ％の範囲内で含有することにより、剥離性や耐湿性などの特性が大幅に向上する。
【０１１１】
第３実施の形態では、界面が酸化された窒化シリコン上に、ボロン原子と窒素原子を含んだ拡散防止膜を形成することにより、ボロンの突き抜けや拡散を防止すると共に、ゲート絶縁膜の強化を実現できる。
【０１１２】
(4) 第４実施の形態
次に、第４実施の形態に関わる半導体装置及びその製造方法について説明する。第４実施の形態は、上述の第３実施の形態の変形例である。第４実施の形態が第３実施の形態と異なる点は、窒化シリコンと拡散防止膜との間の酸化された部分（ＳｉＯＮ）の窒素濃度を高濃度化した点にある。
【０１１３】
A. 構造
図１４は、第４実施の形態に関わるＰチャネルＭＯＳトランジスタの構造を示している。
【０１１４】
Ｎ型シリコン基板（ウェルでもよい）１１の表面領域には、Ｐ型拡散層１２Ａ，１２Ｂが形成される。Ｐ型拡散層１２Ａ，１２Ｂ間のチャネル領域上には、ゲート絶縁膜１３を経由して、ゲート電極１４が形成される。ゲート電極１４は、Ｐ型不純物（例えば、ボロン）を含むポリシリコンから構成される。
【０１１５】
ここで、ゲート絶縁膜１３は、界面が酸化された窒化シリコン（ＳｉＯＮ）と、この窒化シリコン上に形成されるボロン原子と窒素原子を含んだ拡散防止膜とから構成される。
【０１１６】
また、窒化シリコンと拡散防止膜との間の酸化された部分の窒素濃度は、高濃度化される。即ち、その部分の窒素濃度は、それ以外の部分の窒素濃度よりも大きい。
【０１１７】
尚、ゲート絶縁膜１３を構成する窒化シリコンは、窒素を含む絶縁膜であればよく、例えば、窒素原子及びシリコン原子以外の他の原子（ボロン原子を除く）、例えば、酸素原子を含んでいてもよい。
【０１１８】
また、拡散防止膜は、例えば、ＢＮから構成される。
【０１１９】
拡散防止膜は、ゲート電極１４内のボロンの付き抜けと拡散の両方を同時に防止する機能を持つため、ゲート絶縁膜が薄くなっても、ＰチャネルＭＯＳトランジスタにおけるフラットバンドシフトを有効に防止することができる。
【０１２０】
B. 製造方法
次に、図１４のＭＯＳトランジスタにおけるゲート絶縁膜の製造方法について、図１５を参照しながら説明する。
【０１２１】
まず、シリコン基板１を希ＨＦ処理し、シリコン基板１の表面を水素により終端化する（ステップＳＴ１）。この後、シリコン基板１をチャンバー内に導入する（ステップＳＴ２）。続いて、チャンバー内の雰囲気を、例えば、７４０ＴｏｒｒのＮＨ３とし、ヒーターを制御することにより、シリコン基板１の表面を７００℃以上、７５０℃以下の温度（例えば、７００℃）に設定し、この状態を約１００秒間維持する。その結果、シリコン基板１上に窒化シリコン（ＳｉＮ）２が形成される（ステップＳＴ３〜ＳＴ４）。
【０１２２】
次に、チャンバー内を、例えば、３５ＴｏｒｒのＮ２Ｏとし、ヒーターを制御することにより、シリコン基板１の表面を８００℃以上、１０００℃以下の温度（例えば、８００℃）に設定し、この状態を約３０秒間維持する。その結果、窒化シリコン２の界面、即ち、シリコン基板１と窒化シリコン２との間、及び、窒化シリコン２の上面には、それぞれ、酸素原子を含んだ窒化シリコン（例えば、ＳｉＯＮ）３，４が形成される（ステップＳＴ５）。
【０１２３】
続いて、チャンバー内を、例えば、３０ｍＴｏｒｒのＮ２とし、プラズマ（ラジカル）を約１０秒間照射する。その結果、酸素原子を含んだ窒化シリコン４には、窒素原子が導入され、酸素原子を含んだ窒化シリコン４は、高濃度の窒素を含む酸窒化層５となる（ステップＳＴ６）。
【０１２４】
続いて、Ａｒを１６ｓｃｃｍ、Ｈｅを５．４ｓｃｃｍ、Ｎ２を０．３ｓｃｃｍ、Ｂ２Ｈ６を０．６ｓｃｃｍ導入し、Ｈ２プラズマ、Ｎ２プラズマ、Ａｒプラズマを約１秒間発生させる。ここで、Ｂ２Ｈ６の流量は、Ｈｅのそれの約１０％に設定される。これにより、高濃度の窒素を含む酸窒化層５の表面がＮ２プラズマ、Ｈ２プラズマにより削り取られると共に、この酸窒化層５上にＢＮ６が約０．３ｎｍの厚さで形成される（ステップＳＴ７）。
【０１２５】
以上のステップにより、図１４のＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜が完成する。
【０１２６】
C. 効果
第４実施の形態に関わる半導体装置及びその製造方法による効果について説明する。
【０１２７】
図１６は、上述の製造方法のステップ６に示される窒化（表面窒化と称する）を行った場合と行わない場合とでＥＯＴ−Ｊｇの関係がどのようになるかを示している。
【０１２８】
ここで、ＥＯＴは、Equipment Oxide Thicknessであり、Ｊｇは、ゲートリークの程度を表す指標である。Ｊｇの値が小さいほど、ゲートリークが少なく、良い特性となる。
【０１２９】
ＳｉＯＮ膜上にＢＮ膜を直接付けた物理膜厚１．５ｎｍのゲート絶縁膜の特性を白丸で示し、ＳｉＯＮ膜に対して表面窒化を行った後にこのＳｉＯＮ上にＢＮ膜を付けた物理膜厚１．５ｎｍのゲート絶縁膜の特性を黒丸で示す。
【０１３０】
同図からは、表面窒化を行ったほうが、行わない場合に比べて、ＥＯＴ−Ｊｇの関係が改善されていることが分かる。即ち、ゲートリークをある一定値、例えば、１０２［Ａ／ｃｍ２］以下に保とうとするときのＥＯＴは、表面窒化を行ったときのほうが、行わないときに比べて小さな値となる。
【０１３１】
これは、ＳｉＯＮ膜の表面に形成されるＳｉＯ２をプラズマ窒化により窒化することにより、酸素と窒素の置換が行われ、ゲート絶縁膜の誘電率が向上したためと考えられる。
【０１３２】
図１７は、ゲート電極内のボロンの付き抜け及び拡散の程度をゲート絶縁膜の構造で比較して示している。
【０１３３】
ここでは、２種類のゲート絶縁膜を例にとるが、いずれも物理膜厚は、１．５ｎｍとする。一つ目は、界面が酸化された窒化シリコン（ＳｉＯＮ）と拡散防止膜（ＢＮ）とからなるゲート絶縁膜であり、二つ目は、表面窒化を行った界面が酸化された窒化シリコンと拡散防止膜とからなるゲート絶縁膜である。
【０１３４】
表面窒化を行わないゲート絶縁膜では、ボロンの突き抜け及び拡散がある程度抑えられているが、完全ではない。これに対し、表面窒化を行ったゲート絶縁膜では、ボロンの突き抜け及び拡散がほぼ完全に抑えられている。
【０１３５】
このように、ゲート絶縁膜の物理膜厚が２ｎｍ又はそれを下回る値になったときに、その表面に、ボロン原子と窒素原子を含む拡散防止膜（例えば、ＢＮ）を形成し、かつ、表面窒化を行うことは、ゲート電極からゲート絶縁膜へのボロンの突き抜け及び拡散によるフラットバンドシフトを防止するにあたって非常に有効な手段となる。
【０１３６】
図１８は、図１７で比較した２種類のゲート絶縁膜を用いたときのＰチャネルＭＯＳトランジスタの閾値電圧のばらつきの程度を示している。
【０１３７】
ΔＶｆｂは、ボロンの突き抜け及び拡散によるＰチャネルＭＯＳトランジスタの閾値電圧のシフト量であり、ばらつきに相当する。
【０１３８】
ボロン原子と窒素原子を含む拡散防止膜（例えば、ＢＮ）を持つゲート絶縁膜では、図１３に示したように、それを持たないゲート絶縁膜に比べて、閾値電圧のシフト量ΔＶｆｂが小さくなる。
【０１３９】
また、ＳｉＯＮ膜に対して表面窒化を行うことにより、それを行わない場合に比べて、さらに、閾値電圧のシフト量ΔＶｆｂを小さくできる。
【０１４０】
ここで、横軸は、ゲート絶縁膜内の窒素濃度Ｎ［ａｔ．％］を表している。即ち、表面窒化を行うと、ゲート絶縁膜内の窒素濃度が増大しても、閾値電圧のシフト量ΔＶｆｂを小さい値のまま維持できる。
【０１４１】
これは、表面窒化と拡散防止膜との組み合わせにより、ゲート電極からゲート絶縁膜へのボロンの突き抜け及び拡散が抑えられているためである。
【０１４２】
従って、第４実施の形態においても、ＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の物理膜厚が２ｎｍ又はそれを下回る値になったときに、閾値電圧Ｖｔｈの制御性の劣化を防止でき、ＬＳＩの高性能化に貢献できる。
【０１４３】
図１９は、ＳｉＯＮ膜上に拡散防止膜を形成する場合（第３実施の形態）と表面窒化を行ったＳｉＯＮ膜上に拡散防止膜を形成する場合（第４実施の形態）とで、ゲート絶縁膜の耐湿性がどのように変化するかを示したグラフである。
【０１４４】
同図からは、表面窒化を行ったゲート絶縁膜は、それを行わないゲート絶縁膜よりも耐湿性が優れている、ということが分かる。
【０１４５】
これは、ＳｉＯＮ膜の表面の窒素濃度を窒化により高濃度化することにより、ゲート絶縁膜内の窒化シリコンの一部が金属窒化物に変化し、窒化シリコンと拡散防止膜との結合状態が安定化し、不活性となるためである。
【０１４６】
尚、拡散防止膜としてのＢＮは、Ｓｉ３Ｎ４などの金属窒化物を０．０５〜０．１５ｗｔ％の範囲内で含有することにより、剥離性や耐湿性などの特性が大幅に向上する。
【０１４７】
第４実施の形態では、表面窒化されたＳｉＯＮ膜とボロン原子と窒素原子を含んだ拡散防止膜との組み合わせにより、さらに、ボロンの突き抜けや拡散を有効に防止できると共に、ゲート絶縁膜の強化を実現できる。
【０１４８】
３． その他
上述の第１乃至第４実施の形態において、少なくともボロン原子と窒素原子を含む拡散防止膜の原子密度は、酸化膜及び窒化膜の原子密度よりも大きい。拡散防止膜は、１×１０１８ｃｍ−３以上のボロン原子を含んでいるのが好ましい。
【０１４９】
また、拡散防止膜の機能を十分に果たすために、拡散防止膜では、ボロン原子の面密度のほうが窒素原子の面密度よりも大きくするのがよい。
【０１５０】
拡散防止膜は、窒素原子を含むガスとボロン原子を含むガスからなる雰囲気内でプラズマを発生させることにより形成される。窒素原子を含むガスは、例えば、ＮＨ３、Ｎ２Ｏ、Ｎ、及び、Ｎ２のいずれか１つを含む。
【０１５１】
本発明の例をＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜に適用する場合には、ゲート電極は、ボロン原子を含んだポリシリコンから構成される。
【０１５２】
ここで、拡散防止膜についても、例えば、ボロン原子を含むポリシリコンを用いて形成することができる。即ち、ボロン原子を含むポリシリコンを形成した後に、これを、窒素原子を含むガスに晒すことにより、容易に、ボロン原子と窒素原子を含む拡散防止膜を形成できる。
【０１５３】
本発明の例によれば、窒素濃度が高く、誘電率が高く（High-K）、ＥＯＴが小さく、耐湿性に優れ、かつ、閾値電圧のシフト量が小さい絶縁膜を提供できる。この技術は、既に述べたように、例えば、ＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜に適用することで、ゲートリークやフラットバンドシフトなどを抑えた高性能なＭＯＳトランジスタの実現に貢献できる。
【０１５４】
本発明の例は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、各構成要素を変形して具体化できる。また、上述の実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を構成できる。例えば、上述の実施の形態に開示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよいし、異なる実施の形態の構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１５５】
【図１】第１実施の形態に関わるＭＯＳトランジスタの構造を示す断面図。
【図２】図１のＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の製造方法を示す図。
【図３】ボロンの突き抜け／拡散耐性を示す特性図。
【図４】ゲート絶縁膜の種類に応じたＭＯＳトランジスタの閾値特性を示す特性図。
【図５】第２実施の形態に関わるＭＯＳトランジスタの構造を示す断面図。
【図６】図５のＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の製造方法を示す図。
【図７】ボロンの突き抜け／拡散耐性を示す特性図。
【図８】ゲート絶縁膜の種類に応じたＭＯＳトランジスタの閾値特性を示す特性図。
【図９】本発明の例に関わる絶縁膜の耐湿性を示す特性図。
【図１０】第３実施の形態に関わるＭＯＳトランジスタの構造を示す断面図。
【図１１】図１０のＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の製造方法を示す図。
【図１２】ボロンの突き抜け／拡散耐性を示す特性図。
【図１３】絶縁膜内窒素濃度とＭＯＳトランジスタの閾値電圧との関係を示す特性図。
【図１４】第４実施の形態に関わるＭＯＳトランジスタの構造を示す断面図。
【図１５】図１４のＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の製造方法を示す図。
【図１６】本発明の例に関わる絶縁膜のＥＯＴ−Ｊｇ特性を示す特性図。
【図１７】ボロンの突き抜け／拡散耐性を示す特性図。
【図１８】絶縁膜内窒素濃度とＭＯＳトランジスタの閾値電圧との関係を示す特性図。
【図１９】本発明の例に関わる絶縁膜の耐湿性を示す特性図。
【符号の説明】
【０１５６】
１，１１： シリコン基板、 ２： 窒化シリコン、 ３Ａ： 酸化シリコン、 ３，４： 酸素原子を含んだ窒化シリコン、 ５： 酸窒化層、 ６； 拡散防止膜、１２Ａ，１２Ｂ： 拡散層、 １３： ゲート絶縁膜、 １４： ゲート電極。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
社会の高度情報化に伴い、ＬＳＩの高性能化に対する要求も益々高くなっている。その高性能化は、主として、ＭＯＳトランジスタの微細化によって達成される。
【０００３】
現在のＬＳＩでは、ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の厚さがおよそ１．５ｎｍである。更なる高性能化のために微細化がこのまま進行すると、２０１０年頃には、ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の厚さは、０．７ｎｍ程度になるとＩＴＲＳ(International Technology Roadmap for Semiconductor)で予想されている。
【０００４】
しかし、ゲート絶縁膜がこのように薄くなると、ＭＯＳトランジスタの動作時に、そのゲート絶縁膜にトンネル電流が流れるようになる。これは、ゲートリークと呼ばれ、ＬＳＩの高性能化にとっては好ましいものではない。
【０００５】
そこで、ゲート絶縁膜を薄くしても、ゲートリークを発生させない技術が研究されている。
【０００６】
例えば、従来、ゲート絶縁膜の材料として良く使用されてきた酸化シリコンに代えて、それよりも誘電率が大きい材料（high-k材料）、例えば、窒素を含む酸化シリコンをゲート絶縁膜として使用する技術が注目されている。
【０００７】
高濃度の窒素を含んだＳｉＯＮは、そのような材料の候補の一つである（非特許文献１参照）。この材料の特徴は、ゲート絶縁膜のシリコン基板との界面を酸化シリコンとしながらも、その内部の窒素濃度が十分に高い点にあり、これにより、誘電率が高く、かつ、界面特性が良好なゲート絶縁膜を提供できる。
【０００８】
しかし、このような酸化シリコン内における窒素の高濃度化によって引き起こされる問題がある。
【０００９】
それは、ＰチャネルＭＯＳトランジスタのフラットバンドの異常なシフトである（非特許文献２参照）。即ち、回路設計の観点からみると、ＰチャネルＭＯＳトランジスタのフラットバンドがシフトするということは、回路特性上、許されない大きな問題であり、これをなくすためには、酸化シリコン内における窒素の高濃度化を諦めざるを得ない。
【特許文献１】特開昭５８−８００６１号公報
【特許文献２】特開昭５９−２０７８１１号公報
【非特許文献１】D. Matsushita et al., Symp. VLSI Tech., (2004)172.
【非特許文献２】Z. Wang et al, IEEE Electron device Lett., 21(2000)170.
【非特許文献３】H.S. Yang et al, J. Appl. Phys., 91 (2002)6695.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、不純物の突き抜けや拡散を防止でき、誘電率が高く、ＥＯＴが小さく、かつ、耐湿性に優れた絶縁膜を提案する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の例に関わる半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成される絶縁膜とを備え、前記絶縁膜は、酸素原子を含む領域と、少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域とから構成される。
【００１２】
本発明の例に関わる半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成される絶縁膜とを備え、前記絶縁膜は、窒素原子を含む領域と、少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域とから構成される。
【００１３】
前記窒素原子を含む領域は、酸素原子を含む２つの領域に挟み込まれていてもよい。また、前記酸素原子を含む２つの領域のうちの一方の窒素濃度は、他方の窒素濃度よりも高くてもよい。
【００１４】
前記絶縁膜は、ＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜として用いられる。前記ＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート電極は、ボロン原子を含むポリシリコンから構成される。前記少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域は、前記ゲート電極に隣接する。
【００１５】
前記少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域の原子密度は、前記窒化膜の原子密度よりも大きい。
【００１６】
前記少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域は、１×１０１８ｃｍ−３以上のボロン原子を含む。
【００１７】
前記少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域では、前記ボロン原子の面密度のほうが前記窒素原子の面密度よりも大きい。
【００１８】
本発明の例に関わる半導体装置の製造方法は、半導体基板上に酸化原子を含む領域を形成する工程と、前記酸素原子を含む領域上に少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域を形成する工程とを備える。
【００１９】
本発明の例に関わる半導体装置の製造方法は、半導体基板上に窒素原子を含む領域を形成する工程と、前記窒素原子を含む領域上に少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域を形成する工程とを備える。
【００２０】
本発明の例に関わる半導体装置の製造方法は、さらに、前記窒素原子を含む領域を挟み込む酸素原子を含む２つの領域を形成する工程を備え、前記少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域は、前記酸素原子を含む２つの領域のうちの一方の上に形成される。
【００２１】
本発明の例に関わる半導体装置の製造方法は、さらに、前記酸素原子を含む２つの領域のうちの一方に窒素原子を注入し、前記酸素原子を含む２つの領域のうちの一方の窒素濃度を他方の窒素濃度よりも高くする工程を備える。
【００２２】
前記少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域は、前記窒素原子を含むガスと前記ボロン原子を含むガスからなる雰囲気内でプラズマを発生させることにより形成される。
【００２３】
前記窒素原子を含むガスは、ＮＨ３、Ｎ２Ｏ、Ｎ、及び、Ｎ２のいずれか１つを含む。
【００２４】
本発明の例に関わる半導体装置の製造方法は、さらに、前記少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域上にＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート電極となるボロン原子を含んだポリシリコンを形成する工程を備える。
【００２５】
前記少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域は、ボロン原子を含むポリシリコンを、窒素原子を含むガスに晒すことにより形成される。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の例によれば、不純物の突き抜けや拡散を防止でき、誘電率が高く、ＥＯＴが小さく、かつ、耐湿性に優れた絶縁膜を提供できる。
【００２７】
この技術をＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜に適用することにより、ゲート電極内のボロンがゲート絶縁膜内に侵入することを有効に防止できる。このため、ゲートリークやフラットバンドシフトの問題を解消できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、図面を参照しながら、本発明の例を実施するための最良の形態について詳細に説明する。
【００２９】
１． 概要
本発明の例では、不純物の突き抜けや拡散を防止でき、誘電率が高く、ＥＯＴが小さく、耐湿性に優れ、かつ、閾値電圧のシフト量が小さい絶縁膜を提案する。例えば、本発明の例では、薄膜化されても、ゲートリークやフラットバンドシフトなどの問題が発生しないＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の構造を提案する。
【００３０】
まず、フラットバンドシフトの原因について検討する。
【００３１】
フラットバンドシフトは、ＰチャネルＭＯＳトランジスタで発生する。ここで、ＰチャネルＭＯＳトランジスタでは、ゲート電極として、主にボロンを含んだポリシリコンを使用する。このボロンは、ゲート電極からゲート絶縁膜へ拡散し、ゲート絶縁膜内の窒素と結合し、シリコンのダングリングボンドを発生させる。これが、フラットバンドシフトの大きな原因である。
【００３２】
つまり、これまでは、「ボロンの突き抜け」によるＭＯＳトランジスタの閾値変動を抑えることを目的にゲート絶縁膜内に高濃度の窒素を含ませてきたが、この先の世代では、これに加えて、「ボロンの拡散」によるシリコンのダングリングボンドの発生を食い止めることが必要である。
【００３３】
本発明の例では、このシリコンのダングリングボンドを主に防止するために、ゲート絶縁膜（酸化シリコン、窒化シリコン、ＳｉＯＮなど）の表面に、ボロン原子と窒素原子を含んだ拡散防止膜を形成する。拡散防止膜としては、例えば、窒化ホウ素（ＢＮ）が使用される。
【００３４】
ボロン原子と窒素原子を含んだ拡散防止膜は、ボロンの拡散防止膜として一般的に使用されているＳｉ３Ｎ４と比べると、原子密度が高いため (Si3N4: 100 atoms/nm3 , BN： 130 atoms/nm3)、ボロンの拡散をより抑えることができる。結果として、絶縁膜中の窒素濃度をより高めることが可能になる。従って、ゲートリークやフラットバンドシフトなしに、ＥＯＴ(Equipment Oxide Thickness)を実質的に薄くして、ＬＳＩの高性能化を図ることができる。
【００３５】
尚、拡散防止膜にボロンを含ませるには、例えば、BC=3-NH3-H2-SiC=4、B2H6などのボロン原子を含んだガスを用いて、マグネトロンスパッタ法、ＰＬＤ法、気相成長ＣＶＤ法、ＩＣＰ−ＣＶＤ法などの方法により拡散防止膜を形成する。
【００３６】
これにより、ゲート電極内のボロンがゲート絶縁膜内に侵入することを防止でき、ボロンと窒素の結合によるシリコンのダングリングボンドの発生もなくなるため、例えば、ゲート絶縁膜内の窒素の高濃度化に伴うフラットバンドシフトを抑えることができる。
【００３７】
その結果、窒素濃度が高い（ＥＯＴが薄い）ＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜を提供できる。
【００３８】
２． 実施の形態
次に、最良と思われるいくつかの実施の形態について説明する。
【００３９】
(1) 第１実施の形態
第１実施の形態に関わる半導体装置及びその製造方法について説明する。
【００４０】
A. 構造
図１は、第１実施の形態に関わるＰチャネルＭＯＳトランジスタの構造を示している。
【００４１】
Ｎ型シリコン基板（ウェルでもよい）１１の表面領域には、Ｐ型拡散層１２Ａ，１２Ｂが形成される。Ｐ型拡散層１２Ａ，１２Ｂ間のチャネル領域上には、ゲート絶縁膜１３を経由して、ゲート電極１４が形成される。ゲート電極１４は、Ｐ型不純物（例えば、ボロン）を含むポリシリコンから構成される。
【００４２】
ここで、ゲート絶縁膜１３は、例１に示すように、酸化シリコン（ＳｉＯ２）と、酸化シリコンの上部に形成される窒素を含んだ部分と、その窒素を含んだ部分上に形成されるボロン原子と窒素原子を含んだ拡散防止膜とから構成される。
【００４３】
窒素を含んだ部分は、例えば、酸化シリコン上に形成されるＳｉＮであってもよいし、また、酸化シリコンの表面部分に窒素を導入することにより形成されるＳｉＯＮであってもよい。拡散防止膜は、例えば、ＢＮから構成される。
【００４４】
また、ゲート絶縁膜１３は、例２に示すように、酸化シリコン（ＳｉＯ２）と、酸化シリコン上に形成されるボロン原子と窒素原子を含んだ拡散防止膜（例えば、ＢＮ）とから構成されていてもよい。
【００４５】
例１及び例２において、拡散防止膜は、ゲート電極１４内のボロンの付き抜けと拡散の両方を同時に防止する機能を持つため、ゲート絶縁膜が薄くなっても、ＰチャネルＭＯＳトランジスタにおけるフラットバンドシフトを有効に防止することができる。
【００４６】
B. 製造方法
次に、図１のＭＯＳトランジスタにおけるゲート絶縁膜の製造方法について、図２を参照しながら説明する。
【００４７】
まず、シリコン基板１を希ＨＦ処理し、シリコン基板１の表面を水素により終端化する（ステップＳＴ１）。この後、シリコン基板１をチャンバー内に導入する（ステップＳＴ２）。続いて、チャンバー内の雰囲気を、例えば、３５ＴｏｒｒのＮ２Ｏとし、ヒーターを制御することにより、シリコン基板１の表面を８００℃以上、１０００℃以下の温度（例えば、８００℃）に設定し、この状態を約３０秒間維持する。その結果、シリコン基板１上に酸化シリコン（ＳｉＯ２）３Ａが形成される（ステップＳＴ３〜ＳＴ４）。
【００４８】
続いて、Ａｒを１６ｓｃｃｍ、Ｈｅを５．４ｓｃｃｍ、Ｎ２を０．３ｓｃｃｍ、Ｂ２Ｈ６を０．６ｓｃｃｍ導入し、Ｈ２プラズマ、Ｎ２プラズマ、Ａｒプラズマを約１秒間発生させる。ここで、Ｂ２Ｈ６の流量は、Ｈｅのそれの約１０％に設定される。これにより、酸化シリコン３Ａの表面がＮ２プラズマ、Ｈ２プラズマにより削り取られると共に、酸化シリコン３Ａ上にＢＮ６が約０．３ｎｍの厚さで形成される（ステップＳＴ５）。
【００４９】
以上のステップにより、例２の構造が完成する。
尚、ステップＳＴ４とステップＳＴ５との間にＳｉＮ又はＳｉＯＮを形成するステップを追加すれば、例１の構造を得ることができる。
【００５０】
C. 効果
第１実施の形態に関わる半導体装置及びその製造方法による効果について説明する。
【００５１】
図３は、ゲート電極内のボロンの付き抜け及び拡散の程度をゲート絶縁膜の構造で比較して示している。
【００５２】
ここでは、４種類のゲート絶縁膜を例にとるが、いずれも物理膜厚（ゲート絶縁膜として利用する部分の実際の厚さ）は、２ｎｍとする。
【００５３】
一つ目は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）のみからなるゲート絶縁膜であり、二つ目は、酸化シリコンと窒化シリコン（ＳｉＮ）からなるゲート絶縁膜であり、三つ目は、酸化シリコン上に０．３ｎｍの厚さのＢＮが形成されたゲート絶縁膜であり、四つ目は、酸化シリコン上に窒化シリコンと０．３ｎｍのＢＮが形成されたゲート絶縁膜である。
【００５４】
酸化シリコンのみからなるゲート絶縁膜では、ボロンの拡散だけでなく、ボロンの突き抜けも発生している。これでは、フラットバンドシフトを抑えることはできない。酸化シリコンと窒化シリコンからなるゲート絶縁膜では、ボロンの突き抜け及び拡散がある程度抑えられているが、完全ではない。
【００５５】
これに対し、酸化シリコン上にＢＮが形成されたゲート絶縁膜では、ボロンの突き抜け及び拡散がほぼ完全に抑えられている。また、酸化シリコン上に窒化シリコンとＢＮが形成されたゲート絶縁膜では、ボロンの突き抜け及び拡散の抑止が完全であり、フラットバンドシフトを防止できる。
【００５６】
このように、ゲート絶縁膜の物理膜厚が２ｎｍ又はそれを下回る値になったときに、その表面に、ボロン原子と窒素原子を含む拡散防止膜（例えば、ＢＮ）を形成することは、ゲート電極からゲート絶縁膜へのボロンの突き抜け及び拡散によるフラットバンドシフトを防止するにあたって非常に有効な手段となる。
【００５７】
図４は、図３で比較した４種類のゲート絶縁膜を用いたときのＰチャネルＭＯＳトランジスタの閾値電圧のばらつきの程度を示している。
【００５８】
ΔＶｔｈは、ボロンの突き抜け及び拡散によるＰチャネルＭＯＳトランジスタの閾値電圧のシフト量であり、ばらつきに相当する。
【００５９】
ボロン原子と窒素原子を含む拡散防止膜（例えば、ＢＮ）を持つゲート絶縁膜では、それを持たないゲート絶縁膜に比べて、閾値電圧のシフト量ΔＶｔｈが小さいことがわかる。これは、上述したように、拡散防止膜により、ゲート電極からゲート絶縁膜へのボロンの突き抜け及び拡散が抑えられているためである。
【００６０】
従って、第１実施の形態によれば、ＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の物理膜厚が２ｎｍ又はそれを下回る値になったとしても、閾値電圧Ｖｔｈの制御性が劣化することはなく、ＬＳＩの高性能化に貢献できる。
【００６１】
(2) 第２実施の形態
次に、第２実施の形態に関わる半導体装置及びその製造方法について説明する。第２実施の形態は、上述の第１実施の形態の変形例である。第２実施の形態が第１実施の形態と異なる点は、ゲート絶縁膜として、酸化シリコンに代わり、窒化シリコンを用いる点にある。
【００６２】
A. 構造
図５は、第２実施の形態に関わるＰチャネルＭＯＳトランジスタの構造を示している。
【００６３】
Ｎ型シリコン基板（ウェルでもよい）１１の表面領域には、Ｐ型拡散層１２Ａ，１２Ｂが形成される。Ｐ型拡散層１２Ａ，１２Ｂ間のチャネル領域上には、ゲート絶縁膜１３を経由して、ゲート電極１４が形成される。ゲート電極１４は、Ｐ型不純物（例えば、ボロン）を含むポリシリコンから構成される。
【００６４】
ここで、ゲート絶縁膜１３は、窒化シリコン（ＳｉＮ）と、窒化シリコン上に形成されるボロン原子と窒素原子を含んだ拡散防止膜とから構成される。
【００６５】
尚、ゲート絶縁膜１３を構成する窒化シリコンは、窒素を含む絶縁膜であればよく、例えば、窒素原子及びシリコン原子以外の他の原子（ボロン原子を除く）、例えば、酸素原子を含んでいてもよい。
【００６６】
また、拡散防止膜は、例えば、ＢＮから構成される。
【００６７】
拡散防止膜は、ゲート電極１４内のボロンの付き抜けと拡散の両方を同時に防止する機能を持つため、ゲート絶縁膜が薄くなっても、ＰチャネルＭＯＳトランジスタにおけるフラットバンドシフトを有効に防止することができる。
【００６８】
B. 製造方法
次に、図５のＭＯＳトランジスタにおけるゲート絶縁膜の製造方法について、図６を参照しながら説明する。
【００６９】
まず、シリコン基板１を希ＨＦ処理し、シリコン基板１の表面を水素により終端化する（ステップＳＴ１）。この後、シリコン基板１をチャンバー内に導入する（ステップＳＴ２）。続いて、チャンバー内の雰囲気を、例えば、７４０ＴｏｒｒのＮＨ３とし、ヒーターを制御することにより、シリコン基板１の表面を７００℃以上、７５０℃以下の温度（例えば、７００℃）に設定し、この状態を約１００秒間維持する。その結果、シリコン基板１上に窒化シリコン（ＳｉＮ）２が形成される（ステップＳＴ３〜ＳＴ４）。
【００７０】
続いて、Ａｒを１６ｓｃｃｍ、Ｈｅを５．４ｓｃｃｍ、Ｎ２を０．３ｓｃｃｍ、Ｂ２Ｈ６を０．６ｓｃｃｍ導入し、Ｈ２プラズマ、Ｎ２プラズマ、Ａｒプラズマを約１秒間発生させる。ここで、Ｂ２Ｈ６の流量は、Ｈｅのそれの約１０％に設定される。これにより、窒化シリコン２の表面がＮ２プラズマ、Ｈ２プラズマにより削り取られると共に、窒化シリコン２上にＢＮ６が約０．３ｎｍの厚さで形成される（ステップＳＴ５）。
【００７１】
以上のステップにより、図５のＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜が完成する。
【００７２】
C. 効果
第２実施の形態に関わる半導体装置及びその製造方法による効果について説明する。
【００７３】
図７は、ゲート電極内のボロンの付き抜け及び拡散の程度をゲート絶縁膜の構造で比較して示している。
【００７４】
ここでは、２種類のゲート絶縁膜を例にとるが、いずれも物理膜厚は、１．５ｎｍとする。一つ目は、窒化シリコン（ＳｉＮ）のみからなるゲート絶縁膜であり、二つ目は、窒化シリコン上に０．３ｎｍの厚さのＢＮが形成されたゲート絶縁膜である。
【００７５】
窒化シリコンのみからなるゲート絶縁膜では、ボロンの突き抜け及び拡散がある程度抑えられているが、完全ではない。これに対し、窒化シリコン上にＢＮが形成されたゲート絶縁膜では、ボロンの突き抜け及び拡散がほぼ完全に抑えられている。
【００７６】
このように、ゲート絶縁膜の物理膜厚が２ｎｍ又はそれを下回る値になったときに、その表面に、ボロン原子と窒素原子を含む拡散防止膜（例えば、ＢＮ）を形成することは、ゲート電極からゲート絶縁膜へのボロンの突き抜け及び拡散によるフラットバンドシフトを防止するにあたって非常に有効な手段となる。
【００７７】
図８は、図７で比較した２種類のゲート絶縁膜を用いたときのＰチャネルＭＯＳトランジスタの閾値電圧のばらつきの程度を示している。
【００７８】
ΔＶｔｈは、ボロンの突き抜け及び拡散によるＰチャネルＭＯＳトランジスタの閾値電圧のシフト量であり、ばらつきに相当する。
【００７９】
ボロン原子と窒素原子を含む拡散防止膜（例えば、ＢＮ）を持つゲート絶縁膜では、それを持たないゲート絶縁膜に比べて、閾値電圧のシフト量ΔＶｔｈが小さいことがわかる。これは、上述したように、拡散防止膜により、ゲート電極からゲート絶縁膜へのボロンの突き抜け及び拡散が抑えられているためである。
【００８０】
従って、第２実施の形態においても、ＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の物理膜厚が２ｎｍ又はそれを下回る値になったときに、閾値電圧Ｖｔｈの制御性の劣化を防止でき、ＬＳＩの高性能化に貢献できる。
【００８１】
図９は、酸化シリコン上に拡散防止膜を形成する場合（第１実施の形態）と窒化シリコン上に拡散防止膜を形成する場合（第２実施の形態）とで、ゲート絶縁膜の耐湿性がどのように変化するかを示したグラフである。
【００８２】
同図からは、窒化シリコン（例えば、ＳｉＮ）と拡散防止膜（例えば、ＢＮ）とからなるゲート絶縁膜は、酸化シリコン（例えば、ＳｉＯ２）と拡散防止膜とからなるゲート絶縁膜よりも耐湿性が優れている、ということが分かる。
【００８３】
これは、ゲート絶縁膜に窒化シリコンを用いることにより、その窒化シリコンの一部が金属窒化物に変化し、窒化シリコンと拡散防止膜との結合状態が安定化し、不活性となるためと考えられる。
【００８４】
尚、拡散防止膜としてのＢＮは、Ｓｉ３Ｎ４などの金属窒化物を０．０５〜０．１５ｗｔ％の範囲内で含有することにより、剥離性や耐湿性などの特性が大幅に向上する。
【００８５】
第２実施の形態では、窒化シリコン上に、ボロン原子と窒素原子を含んだ拡散防止膜を形成することにより、ボロンの突き抜けや拡散を防止すると共に、ゲート絶縁膜の強化を実現できる。
【００８６】
(3) 第３実施の形態
次に、第３実施の形態に関わる半導体装置及びその製造方法について説明する。第３実施の形態は、上述の第２実施の形態の変形例である。第３実施の形態が第２実施の形態と異なる点は、ゲート絶縁膜として、窒化シリコンに代わり、界面が酸化された窒化シリコンを用いる点にある。
【００８７】
A. 構造
図１０は、第３実施の形態に関わるＰチャネルＭＯＳトランジスタの構造を示している。
【００８８】
Ｎ型シリコン基板（ウェルでもよい）１１の表面領域には、Ｐ型拡散層１２Ａ，１２Ｂが形成される。Ｐ型拡散層１２Ａ，１２Ｂ間のチャネル領域上には、ゲート絶縁膜１３を経由して、ゲート電極１４が形成される。ゲート電極１４は、Ｐ型不純物（例えば、ボロン）を含むポリシリコンから構成される。
【００８９】
ここで、ゲート絶縁膜１３は、界面が酸化された窒化シリコン（ＳｉＯＮ）と、この窒化シリコン上に形成されるボロン原子と窒素原子を含んだ拡散防止膜とから構成される。
【００９０】
尚、ゲート絶縁膜１３を構成する窒化シリコンは、窒素を含む絶縁膜であればよく、例えば、窒素原子及びシリコン原子以外の他の原子（ボロン原子を除く）、例えば、酸素原子を含んでいてもよい。
【００９１】
また、拡散防止膜は、例えば、ＢＮから構成される。
【００９２】
拡散防止膜は、ゲート電極１４内のボロンの付き抜けと拡散の両方を同時に防止する機能を持つため、ゲート絶縁膜が薄くなっても、ＰチャネルＭＯＳトランジスタにおけるフラットバンドシフトを有効に防止することができる。
【００９３】
B. 製造方法
次に、図１０のＭＯＳトランジスタにおけるゲート絶縁膜の製造方法について、図１１を参照しながら説明する。
【００９４】
まず、シリコン基板１を希ＨＦ処理し、シリコン基板１の表面を水素により終端化する（ステップＳＴ１）。この後、シリコン基板１をチャンバー内に導入する（ステップＳＴ２）。続いて、チャンバー内の雰囲気を、例えば、７４０ＴｏｒｒのＮＨ３とし、ヒーターを制御することにより、シリコン基板１の表面を７００℃以上、７５０℃以下の温度（例えば、７００℃）に設定し、この状態を約１００秒間維持する。その結果、シリコン基板１上に窒化シリコン（ＳｉＮ）２が形成される（ステップＳＴ３〜ＳＴ４）。
【００９５】
次に、チャンバー内を、例えば、３５ＴｏｒｒのＮ２Ｏとし、ヒーターを制御することにより、シリコン基板１の表面を８００℃以上、１０００℃以下の温度（例えば、８００℃）に設定し、この状態を約３０秒間維持する。その結果、窒化シリコン２の界面、即ち、シリコン基板１と窒化シリコン２との間、及び、窒化シリコン２の上面には、それぞれ、酸素原子を含んだ窒化シリコン（例えば、ＳｉＯＮ）３，４が形成される（ステップＳＴ５）。
【００９６】
続いて、Ａｒを１６ｓｃｃｍ、Ｈｅを５．４ｓｃｃｍ、Ｎ２を０．３ｓｃｃｍ、Ｂ２Ｈ６を０．６ｓｃｃｍ導入し、Ｈ２プラズマ、Ｎ２プラズマ、Ａｒプラズマを約１秒間発生させる。ここで、Ｂ２Ｈ６の流量は、Ｈｅのそれの約１０％に設定される。これにより、酸素原子を含んだ窒化シリコン４の表面がＮ２プラズマ、Ｈ２プラズマにより削り取られると共に、この窒化シリコン４上にＢＮ６が約０．３ｎｍの厚さで形成される（ステップＳＴ６）。
【００９７】
以上のステップにより、図１０のＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜が完成する。
【００９８】
C. 効果
第３実施の形態に関わる半導体装置及びその製造方法による効果について説明する。
【００９９】
図１２は、ゲート電極内のボロンの付き抜け及び拡散の程度をゲート絶縁膜の構造で比較して示している。
【０１００】
ここでは、２種類のゲート絶縁膜を例にとるが、いずれも物理膜厚は、１．５ｎｍとする。一つ目は、界面が酸化された窒化シリコン（ＳｉＯＮ）からなるゲート絶縁膜であり、二つ目は、界面が酸化された窒化シリコン上に０．３ｎｍの厚さのＢＮが形成されたゲート絶縁膜である。
【０１０１】
界面が酸化された窒化シリコンからなるゲート絶縁膜では、ボロンの突き抜け及び拡散がある程度抑えられているが、完全ではない。これに対し、界面が酸化された窒化シリコン上にＢＮが形成されたゲート絶縁膜では、ボロンの突き抜け及び拡散がほぼ完全に抑えられている。
【０１０２】
このように、ゲート絶縁膜の物理膜厚が２ｎｍ又はそれを下回る値になったときに、その表面に、ボロン原子と窒素原子を含む拡散防止膜（例えば、ＢＮ）を形成することは、ゲート電極からゲート絶縁膜へのボロンの突き抜け及び拡散によるフラットバンドシフトを防止するにあたって非常に有効な手段となる。
【０１０３】
図１３は、図１２で比較した２種類のゲート絶縁膜を用いたときのＰチャネルＭＯＳトランジスタの閾値電圧のばらつきの程度を示している。
【０１０４】
ΔＶｆｂは、ボロンの突き抜け及び拡散によるＰチャネルＭＯＳトランジスタの閾値電圧のシフト量であり、ばらつきに相当する。
【０１０５】
ボロン原子と窒素原子を含む拡散防止膜（例えば、ＢＮ）を持つゲート絶縁膜では、それを持たないゲート絶縁膜に比べて、閾値電圧のシフト量ΔＶｆｂが小さいことがわかる。
【０１０６】
また、横軸は、ゲート絶縁膜内の窒素濃度Ｎ［ａｔ．％］を表している。即ち、同図からは、以下のことが分かる。
【０１０７】
拡散防止膜（例えば、ＢＮ）を持たないゲート絶縁膜では、ゲート絶縁膜内の窒素濃度が増大すると、閾値電圧のシフト量ΔＶｆｂが極端に大きくなるのに対し、拡散防止膜を持つゲート絶縁膜では、ゲート絶縁膜内の窒素濃度が増大しても、閾値電圧のシフト量ΔＶｆｂが極端に大きくなることはない。
【０１０８】
これは、上述したように、拡散防止膜により、ゲート電極からゲート絶縁膜へのボロンの突き抜け及び拡散が抑えられているためである。
【０１０９】
従って、第３実施の形態においても、ＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の物理膜厚が２ｎｍ又はそれを下回る値になったときに、閾値電圧Ｖｆｂの制御性の劣化を防止でき、ＬＳＩの高性能化に貢献できる。
【０１１０】
尚、拡散防止膜としてのＢＮは、Ｓｉ３Ｎ４などの金属窒化物を０．０５〜０．１５ｗｔ％の範囲内で含有することにより、剥離性や耐湿性などの特性が大幅に向上する。
【０１１１】
第３実施の形態では、界面が酸化された窒化シリコン上に、ボロン原子と窒素原子を含んだ拡散防止膜を形成することにより、ボロンの突き抜けや拡散を防止すると共に、ゲート絶縁膜の強化を実現できる。
【０１１２】
(4) 第４実施の形態
次に、第４実施の形態に関わる半導体装置及びその製造方法について説明する。第４実施の形態は、上述の第３実施の形態の変形例である。第４実施の形態が第３実施の形態と異なる点は、窒化シリコンと拡散防止膜との間の酸化された部分（ＳｉＯＮ）の窒素濃度を高濃度化した点にある。
【０１１３】
A. 構造
図１４は、第４実施の形態に関わるＰチャネルＭＯＳトランジスタの構造を示している。
【０１１４】
Ｎ型シリコン基板（ウェルでもよい）１１の表面領域には、Ｐ型拡散層１２Ａ，１２Ｂが形成される。Ｐ型拡散層１２Ａ，１２Ｂ間のチャネル領域上には、ゲート絶縁膜１３を経由して、ゲート電極１４が形成される。ゲート電極１４は、Ｐ型不純物（例えば、ボロン）を含むポリシリコンから構成される。
【０１１５】
ここで、ゲート絶縁膜１３は、界面が酸化された窒化シリコン（ＳｉＯＮ）と、この窒化シリコン上に形成されるボロン原子と窒素原子を含んだ拡散防止膜とから構成される。
【０１１６】
また、窒化シリコンと拡散防止膜との間の酸化された部分の窒素濃度は、高濃度化される。即ち、その部分の窒素濃度は、それ以外の部分の窒素濃度よりも大きい。
【０１１７】
尚、ゲート絶縁膜１３を構成する窒化シリコンは、窒素を含む絶縁膜であればよく、例えば、窒素原子及びシリコン原子以外の他の原子（ボロン原子を除く）、例えば、酸素原子を含んでいてもよい。
【０１１８】
また、拡散防止膜は、例えば、ＢＮから構成される。
【０１１９】
拡散防止膜は、ゲート電極１４内のボロンの付き抜けと拡散の両方を同時に防止する機能を持つため、ゲート絶縁膜が薄くなっても、ＰチャネルＭＯＳトランジスタにおけるフラットバンドシフトを有効に防止することができる。
【０１２０】
B. 製造方法
次に、図１４のＭＯＳトランジスタにおけるゲート絶縁膜の製造方法について、図１５を参照しながら説明する。
【０１２１】
まず、シリコン基板１を希ＨＦ処理し、シリコン基板１の表面を水素により終端化する（ステップＳＴ１）。この後、シリコン基板１をチャンバー内に導入する（ステップＳＴ２）。続いて、チャンバー内の雰囲気を、例えば、７４０ＴｏｒｒのＮＨ３とし、ヒーターを制御することにより、シリコン基板１の表面を７００℃以上、７５０℃以下の温度（例えば、７００℃）に設定し、この状態を約１００秒間維持する。その結果、シリコン基板１上に窒化シリコン（ＳｉＮ）２が形成される（ステップＳＴ３〜ＳＴ４）。
【０１２２】
次に、チャンバー内を、例えば、３５ＴｏｒｒのＮ２Ｏとし、ヒーターを制御することにより、シリコン基板１の表面を８００℃以上、１０００℃以下の温度（例えば、８００℃）に設定し、この状態を約３０秒間維持する。その結果、窒化シリコン２の界面、即ち、シリコン基板１と窒化シリコン２との間、及び、窒化シリコン２の上面には、それぞれ、酸素原子を含んだ窒化シリコン（例えば、ＳｉＯＮ）３，４が形成される（ステップＳＴ５）。
【０１２３】
続いて、チャンバー内を、例えば、３０ｍＴｏｒｒのＮ２とし、プラズマ（ラジカル）を約１０秒間照射する。その結果、酸素原子を含んだ窒化シリコン４には、窒素原子が導入され、酸素原子を含んだ窒化シリコン４は、高濃度の窒素を含む酸窒化層５となる（ステップＳＴ６）。
【０１２４】
続いて、Ａｒを１６ｓｃｃｍ、Ｈｅを５．４ｓｃｃｍ、Ｎ２を０．３ｓｃｃｍ、Ｂ２Ｈ６を０．６ｓｃｃｍ導入し、Ｈ２プラズマ、Ｎ２プラズマ、Ａｒプラズマを約１秒間発生させる。ここで、Ｂ２Ｈ６の流量は、Ｈｅのそれの約１０％に設定される。これにより、高濃度の窒素を含む酸窒化層５の表面がＮ２プラズマ、Ｈ２プラズマにより削り取られると共に、この酸窒化層５上にＢＮ６が約０．３ｎｍの厚さで形成される（ステップＳＴ７）。
【０１２５】
以上のステップにより、図１４のＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜が完成する。
【０１２６】
C. 効果
第４実施の形態に関わる半導体装置及びその製造方法による効果について説明する。
【０１２７】
図１６は、上述の製造方法のステップ６に示される窒化（表面窒化と称する）を行った場合と行わない場合とでＥＯＴ−Ｊｇの関係がどのようになるかを示している。
【０１２８】
ここで、ＥＯＴは、Equipment Oxide Thicknessであり、Ｊｇは、ゲートリークの程度を表す指標である。Ｊｇの値が小さいほど、ゲートリークが少なく、良い特性となる。
【０１２９】
ＳｉＯＮ膜上にＢＮ膜を直接付けた物理膜厚１．５ｎｍのゲート絶縁膜の特性を白丸で示し、ＳｉＯＮ膜に対して表面窒化を行った後にこのＳｉＯＮ上にＢＮ膜を付けた物理膜厚１．５ｎｍのゲート絶縁膜の特性を黒丸で示す。
【０１３０】
同図からは、表面窒化を行ったほうが、行わない場合に比べて、ＥＯＴ−Ｊｇの関係が改善されていることが分かる。即ち、ゲートリークをある一定値、例えば、１０２［Ａ／ｃｍ２］以下に保とうとするときのＥＯＴは、表面窒化を行ったときのほうが、行わないときに比べて小さな値となる。
【０１３１】
これは、ＳｉＯＮ膜の表面に形成されるＳｉＯ２をプラズマ窒化により窒化することにより、酸素と窒素の置換が行われ、ゲート絶縁膜の誘電率が向上したためと考えられる。
【０１３２】
図１７は、ゲート電極内のボロンの付き抜け及び拡散の程度をゲート絶縁膜の構造で比較して示している。
【０１３３】
ここでは、２種類のゲート絶縁膜を例にとるが、いずれも物理膜厚は、１．５ｎｍとする。一つ目は、界面が酸化された窒化シリコン（ＳｉＯＮ）と拡散防止膜（ＢＮ）とからなるゲート絶縁膜であり、二つ目は、表面窒化を行った界面が酸化された窒化シリコンと拡散防止膜とからなるゲート絶縁膜である。
【０１３４】
表面窒化を行わないゲート絶縁膜では、ボロンの突き抜け及び拡散がある程度抑えられているが、完全ではない。これに対し、表面窒化を行ったゲート絶縁膜では、ボロンの突き抜け及び拡散がほぼ完全に抑えられている。
【０１３５】
このように、ゲート絶縁膜の物理膜厚が２ｎｍ又はそれを下回る値になったときに、その表面に、ボロン原子と窒素原子を含む拡散防止膜（例えば、ＢＮ）を形成し、かつ、表面窒化を行うことは、ゲート電極からゲート絶縁膜へのボロンの突き抜け及び拡散によるフラットバンドシフトを防止するにあたって非常に有効な手段となる。
【０１３６】
図１８は、図１７で比較した２種類のゲート絶縁膜を用いたときのＰチャネルＭＯＳトランジスタの閾値電圧のばらつきの程度を示している。
【０１３７】
ΔＶｆｂは、ボロンの突き抜け及び拡散によるＰチャネルＭＯＳトランジスタの閾値電圧のシフト量であり、ばらつきに相当する。
【０１３８】
ボロン原子と窒素原子を含む拡散防止膜（例えば、ＢＮ）を持つゲート絶縁膜では、図１３に示したように、それを持たないゲート絶縁膜に比べて、閾値電圧のシフト量ΔＶｆｂが小さくなる。
【０１３９】
また、ＳｉＯＮ膜に対して表面窒化を行うことにより、それを行わない場合に比べて、さらに、閾値電圧のシフト量ΔＶｆｂを小さくできる。
【０１４０】
ここで、横軸は、ゲート絶縁膜内の窒素濃度Ｎ［ａｔ．％］を表している。即ち、表面窒化を行うと、ゲート絶縁膜内の窒素濃度が増大しても、閾値電圧のシフト量ΔＶｆｂを小さい値のまま維持できる。
【０１４１】
これは、表面窒化と拡散防止膜との組み合わせにより、ゲート電極からゲート絶縁膜へのボロンの突き抜け及び拡散が抑えられているためである。
【０１４２】
従って、第４実施の形態においても、ＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の物理膜厚が２ｎｍ又はそれを下回る値になったときに、閾値電圧Ｖｔｈの制御性の劣化を防止でき、ＬＳＩの高性能化に貢献できる。
【０１４３】
図１９は、ＳｉＯＮ膜上に拡散防止膜を形成する場合（第３実施の形態）と表面窒化を行ったＳｉＯＮ膜上に拡散防止膜を形成する場合（第４実施の形態）とで、ゲート絶縁膜の耐湿性がどのように変化するかを示したグラフである。
【０１４４】
同図からは、表面窒化を行ったゲート絶縁膜は、それを行わないゲート絶縁膜よりも耐湿性が優れている、ということが分かる。
【０１４５】
これは、ＳｉＯＮ膜の表面の窒素濃度を窒化により高濃度化することにより、ゲート絶縁膜内の窒化シリコンの一部が金属窒化物に変化し、窒化シリコンと拡散防止膜との結合状態が安定化し、不活性となるためである。
【０１４６】
尚、拡散防止膜としてのＢＮは、Ｓｉ３Ｎ４などの金属窒化物を０．０５〜０．１５ｗｔ％の範囲内で含有することにより、剥離性や耐湿性などの特性が大幅に向上する。
【０１４７】
第４実施の形態では、表面窒化されたＳｉＯＮ膜とボロン原子と窒素原子を含んだ拡散防止膜との組み合わせにより、さらに、ボロンの突き抜けや拡散を有効に防止できると共に、ゲート絶縁膜の強化を実現できる。
【０１４８】
３． その他
上述の第１乃至第４実施の形態において、少なくともボロン原子と窒素原子を含む拡散防止膜の原子密度は、酸化膜及び窒化膜の原子密度よりも大きい。拡散防止膜は、１×１０１８ｃｍ−３以上のボロン原子を含んでいるのが好ましい。
【０１４９】
また、拡散防止膜の機能を十分に果たすために、拡散防止膜では、ボロン原子の面密度のほうが窒素原子の面密度よりも大きくするのがよい。
【０１５０】
拡散防止膜は、窒素原子を含むガスとボロン原子を含むガスからなる雰囲気内でプラズマを発生させることにより形成される。窒素原子を含むガスは、例えば、ＮＨ３、Ｎ２Ｏ、Ｎ、及び、Ｎ２のいずれか１つを含む。
【０１５１】
本発明の例をＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜に適用する場合には、ゲート電極は、ボロン原子を含んだポリシリコンから構成される。
【０１５２】
ここで、拡散防止膜についても、例えば、ボロン原子を含むポリシリコンを用いて形成することができる。即ち、ボロン原子を含むポリシリコンを形成した後に、これを、窒素原子を含むガスに晒すことにより、容易に、ボロン原子と窒素原子を含む拡散防止膜を形成できる。
【０１５３】
本発明の例によれば、窒素濃度が高く、誘電率が高く（High-K）、ＥＯＴが小さく、耐湿性に優れ、かつ、閾値電圧のシフト量が小さい絶縁膜を提供できる。この技術は、既に述べたように、例えば、ＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜に適用することで、ゲートリークやフラットバンドシフトなどを抑えた高性能なＭＯＳトランジスタの実現に貢献できる。
【０１５４】
本発明の例は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、各構成要素を変形して具体化できる。また、上述の実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を構成できる。例えば、上述の実施の形態に開示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよいし、異なる実施の形態の構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１５５】
【図１】第１実施の形態に関わるＭＯＳトランジスタの構造を示す断面図。
【図２】図１のＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の製造方法を示す図。
【図３】ボロンの突き抜け／拡散耐性を示す特性図。
【図４】ゲート絶縁膜の種類に応じたＭＯＳトランジスタの閾値特性を示す特性図。
【図５】第２実施の形態に関わるＭＯＳトランジスタの構造を示す断面図。
【図６】図５のＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の製造方法を示す図。
【図７】ボロンの突き抜け／拡散耐性を示す特性図。
【図８】ゲート絶縁膜の種類に応じたＭＯＳトランジスタの閾値特性を示す特性図。
【図９】本発明の例に関わる絶縁膜の耐湿性を示す特性図。
【図１０】第３実施の形態に関わるＭＯＳトランジスタの構造を示す断面図。
【図１１】図１０のＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の製造方法を示す図。
【図１２】ボロンの突き抜け／拡散耐性を示す特性図。
【図１３】絶縁膜内窒素濃度とＭＯＳトランジスタの閾値電圧との関係を示す特性図。
【図１４】第４実施の形態に関わるＭＯＳトランジスタの構造を示す断面図。
【図１５】図１４のＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の製造方法を示す図。
【図１６】本発明の例に関わる絶縁膜のＥＯＴ−Ｊｇ特性を示す特性図。
【図１７】ボロンの突き抜け／拡散耐性を示す特性図。
【図１８】絶縁膜内窒素濃度とＭＯＳトランジスタの閾値電圧との関係を示す特性図。
【図１９】本発明の例に関わる絶縁膜の耐湿性を示す特性図。
【符号の説明】
【０１５６】
１，１１： シリコン基板、 ２： 窒化シリコン、 ３Ａ： 酸化シリコン、 ３，４： 酸素原子を含んだ窒化シリコン、 ５： 酸窒化層、 ６； 拡散防止膜、１２Ａ，１２Ｂ： 拡散層、 １３： ゲート絶縁膜、 １４： ゲート電極。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、前記半導体基板上に形成される絶縁膜とを具備し、前記絶縁膜は、酸素原子を含む領域と、少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域とから構成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体基板と、前記半導体基板上に形成される絶縁膜とを具備し、前記絶縁膜は、窒素原子を含む領域と、少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域とから構成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記窒素原子を含む領域は、酸素原子を含む２つの領域に挟み込まれていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記酸素原子を含む２つの領域のうちの一方の窒素濃度は、他方の窒素濃度よりも高いことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記絶縁膜は、ＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜として用いられることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート電極は、ボロン原子を含むポリシリコンから構成されることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域は、前記ゲート電極に隣接することを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域の原子密度は、前記窒化膜の原子密度よりも大きいことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域は、１×１０１８ｃｍ−３以上のボロン原子を含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域では、前記ボロン原子の面密度のほうが前記窒素原子の面密度よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
半導体基板上に酸素原子を含む領域を形成する工程と、前記酸素原子を含む領域上に少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
半導体基板上に窒素原子を含む領域を形成する工程と、前記窒素原子を含む領域上に少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法において、さらに、前記窒素原子を含む領域を挟み込む酸素原子を含む２つの領域を形成する工程を具備し、
前記少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域は、前記酸素原子を含む２つの領域のうちの一方の上に形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の半導体装置の製造方法において、さらに、前記酸素原子を含む２つの領域のうちの一方に窒素原子を注入し、前記酸素原子を含む２つの領域のうちの一方の窒素濃度を他方の窒素濃度よりも高くする工程を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域は、前記窒素原子を含むガスと前記ボロン原子を含むガスからなる雰囲気内でプラズマを発生させることにより形成されることを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記窒素原子を含むガスは、ＮＨ３、Ｎ２Ｏ、Ｎ、及び、Ｎ２のいずれか１つを含むことを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域上にＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート電極となるボロン原子を含んだポリシリコンを形成する工程をさらに具備することを特徴とする請求項１１乃至１６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域は、ボロン原子を含むポリシリコンを、窒素原子を含むガスに晒すことにより形成されることを特徴とする請求項１１乃至１７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１】
半導体基板と、前記半導体基板上に形成される絶縁膜とを具備し、前記絶縁膜は、酸素原子を含む領域と、少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域とから構成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体基板と、前記半導体基板上に形成される絶縁膜とを具備し、前記絶縁膜は、窒素原子を含む領域と、少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域とから構成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記窒素原子を含む領域は、酸素原子を含む２つの領域に挟み込まれていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記酸素原子を含む２つの領域のうちの一方の窒素濃度は、他方の窒素濃度よりも高いことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記絶縁膜は、ＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜として用いられることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート電極は、ボロン原子を含むポリシリコンから構成されることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域は、前記ゲート電極に隣接することを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域の原子密度は、前記窒化膜の原子密度よりも大きいことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域は、１×１０１８ｃｍ−３以上のボロン原子を含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域では、前記ボロン原子の面密度のほうが前記窒素原子の面密度よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
半導体基板上に酸素原子を含む領域を形成する工程と、前記酸素原子を含む領域上に少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
半導体基板上に窒素原子を含む領域を形成する工程と、前記窒素原子を含む領域上に少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法において、さらに、前記窒素原子を含む領域を挟み込む酸素原子を含む２つの領域を形成する工程を具備し、
前記少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域は、前記酸素原子を含む２つの領域のうちの一方の上に形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の半導体装置の製造方法において、さらに、前記酸素原子を含む２つの領域のうちの一方に窒素原子を注入し、前記酸素原子を含む２つの領域のうちの一方の窒素濃度を他方の窒素濃度よりも高くする工程を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域は、前記窒素原子を含むガスと前記ボロン原子を含むガスからなる雰囲気内でプラズマを発生させることにより形成されることを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記窒素原子を含むガスは、ＮＨ３、Ｎ２Ｏ、Ｎ、及び、Ｎ２のいずれか１つを含むことを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域上にＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート電極となるボロン原子を含んだポリシリコンを形成する工程をさらに具備することを特徴とする請求項１１乃至１６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記少なくともボロン原子と窒素原子を含む領域は、ボロン原子を含むポリシリコンを、窒素原子を含むガスに晒すことにより形成されることを特徴とする請求項１１乃至１７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２００６−２１６８９７（Ｐ２００６−２１６８９７Ａ）
【公開日】平成１８年８月１７日（２００６．８．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−３０５８６（Ｐ２００５−３０５８６）
【出願日】平成１７年２月７日（２００５．２．７）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年８月１７日（２００６．８．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年２月７日（２００５．２．７）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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