半導体装置
【課題】抵抗値を調整可能な半導体装置をコンパクト化する。
【解決手段】基板接続領域と、外部配線接続領域と、基板接続領域と外部配線接続領域との間に設置される抵抗調整領域とを、１つの電極パッドに形成し、コンパクト化する。電極パッドの抵抗調整領域に対してトリミングを行うことによって、電極パッドの基板接続領域と外部配線接続領域との間の抵抗値を調整することができる。これによって、抵抗値を調整可能な半導体装置をコンパクト化することができる。
【解決手段】基板接続領域と、外部配線接続領域と、基板接続領域と外部配線接続領域との間に設置される抵抗調整領域とを、１つの電極パッドに形成し、コンパクト化する。電極パッドの抵抗調整領域に対してトリミングを行うことによって、電極パッドの基板接続領域と外部配線接続領域との間の抵抗値を調整することができる。これによって、抵抗値を調整可能な半導体装置をコンパクト化することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板と外部配線とを導通させ、半導体基板に給電するための電極パッドを備えた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の特性を必要に応じて微調整したり、半導体素子の主セルに流れる電流を検知するセンスセルに流れる検知電流値を調整したりするために、半導体装置の電極の抵抗値等を調整する技術が開発されている。特許文献１には、半導体基板上に設置された電極層の抵抗値等を調整可能な半導体装置９０が開示されている。半導体装置９０は、図２１に示すように、半導体基板９１と、半導体基板の給電部分９２と、シリコン酸化膜９３と、シリコン酸化膜９３の表面に形成されたワイヤボンディング用電極パッド９４および抵抗調整電極層９５と、半導体装置９１の最表面を被覆する絶縁膜９６とを備えている。絶縁膜９６には、孔部９６１が設けられており、ワイヤボンディング用電極パッド９４の一部が露出している。孔部９６１に露出したワイヤボンディング用電極パッド９４に対してワイヤボンディングを行う。ワイヤボンディング用電極パッド９４は、給電部分９２と電気的に接続している。抵抗調整電極層９５には、トリミング部９５１が設けられている。半導体装置９０は、シリコン酸化膜９３の表面にワイヤボンディング用電極パッド９４および抵抗調整電極層９５を形成した後、レーザトリミングを行って、抵抗調整電極層９５にトリミング部９５１を形成する。トリミング部９５１を形成する際は、抵抗調整電極層９５に、測定装置に接続された測定針を当て、抵抗値を測定しながらレーザトリミングを行い、半導体装置の抵抗値等を調整する。その後、図２１のように抵抗調整電極層９５の表面上を絶縁膜９６によって被覆する。抵抗調整電極層９５は、絶縁膜９６によって保護する必要がある電極層の一部であり、ワイヤボンディング用電極パッド９４とは別に設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開昭６３−２９３９７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１では、半導体装置の給電部分と外部配線とを接続するための電極パッドと、トリミングによって抵抗を調整可能な電極層とをそれぞれ別々に設けている。抵抗を調整するために、抵抗調整用の電極層を追加する必要があるため、抵抗調整機能のない半導体装置と比較して、半導体装置のサイズが大きくなってしまっていた。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
そこで、本発明では、半導体基板と、半導体基板の表面に設けられた絶縁膜と、半導体基板および絶縁膜の表面に設けられた電極パッドとを備えた半導体装置であって、電極パッドは、絶縁膜を貫通して半導体基板と電気的に接続する基板接続領域と、外部配線がその表面に電気的に接続される外部配線接続領域と、基板接続領域と外部配線接続領域との間に設けられた抵抗調整領域とを備えている半導体装置を提供する。
【０００６】
本発明では、基板接続領域と、抵抗調整領域と、外部配線接続領域とが、１つの電極パッドに形成されているため、従来のように、半導体基板と外部配線とを接続するための電極パッドと、トリミングによって抵抗を調整可能な電極層とをそれぞれ設ける必要がなく、半導体装置のコンパクト化に寄与できる。
【０００７】
本発明の抵抗調整領域は、例えば、基板接続領域から外部配線接続領域に延びる複数の導電部を備えている。このような構成によれば、複数の導電部の少なくとも１つを切断することによって、抵抗調整領域の抵抗値を高くすることができる。
【０００８】
さらに、複数の導電部の少なくとも一つが、他の導電部とは抵抗が異なることが好ましい。調整したい抵抗値の大きさに応じて、抵抗の異なる導電部の中から適宜トリミングすべき導電部を選択することができるため、より適切に電極パッドの抵抗値を調整するができる。
【０００９】
また、抵抗調整領域は、基板接続領域と外部配線接続領域とを接続する主導電部と、主導電部を短絡させる複数の副導電部とを備えており、複数の副導電部は主導電部を異なる位置で短絡させる。そして、複数の副導電部のいずれかを適宜トリミングによって切断することによって、基板接続領域と外部配線接続領域との間の抵抗値を調整することができるようにしてもよい。このような抵抗調整領域としては、例えば、基板接続領域から外部配線接続領域に向けてサーペンタイン状に蛇行した主導電部と、蛇行する主導電部を短絡させる副導電部とを用いることができる。
【００１０】
また、本発明の抵抗調整領域は、半導体装置の表面に露出していることが好ましい。半導体装置の表面に露出した抵抗調整領域に対してトリミングを行うことによって、電極パッドの基板接続領域と外部配線接続領域との間の抵抗値を調整することができるため、例えば、半導体装置の電気特性の検査工程など、完成した半導体装置の検査工程においてトリミングを行うことが可能となる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、半導体基板と外部配線とを接続するための電極パッドに抵抗調整領域を設けているため、半導体装置の大型化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施例の半導体装置（電極パッド）の平面図。
【図２】本実施例の半導体装置の断面図であり、図１のＩＩ−ＩＩ線断面図。
【図３】図１の電極パッドの抵抗調整領域に設けられた導電部を切断した図。
【図４】本実施例の変形例に係る半導体装置の電極パッドの平面図。
【図５】本実施例の他の変形例に係る半導体装置の電極パッドの平面図。
【図６】図５のＶＩ−ＶＩ線断面から矢印方向に見た図。
【図７】本実施例の他の変形例に係る半導体装置の電極パッドの平面図。
【図８】本実施例の他の変形例に係る半導体装置の電極パッドの平面図。
【図９】本実施例の半導体装置の電極パッドの製造工程を示す図。
【図１０】本実施例の半導体装置の電極パッドの製造工程を示す図。
【図１１】本実施例の半導体装置の電極パッドの製造工程を示す図であり、図１２のＸＩ−ＸＩ線断面図。
【図１２】本実施例の半導体装置の電極パッドの製造工程を示す図。
【図１３】本実施例の半導体装置の電極パッドの製造工程を示す図であり、図１４のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線断面図。
【図１４】本実施例の半導体装置の電極パッドの製造工程を示す図。
【図１５】本実施例の半導体装置の電極パッドの製造工程を示す図。
【図１６】本実施例の半導体装置の電極パッドの製造工程を示す図。
【図１７】本実施例の半導体装置の電極パッドの製造工程を示す図であり、図１８のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線断面図。
【図１８】本実施例の半導体装置の電極パッドの製造工程を示す図。
【図１９】本実施例の半導体装置の電極パッドの製造工程を示す図。
【図２０】本実施例の他の変形例に係る半導体装置の電極パッドの平面図。
【図２１】従来例の半導体装置の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に説明する実施例の主要な特徴を以下に列記する。
（特徴１）半導体基板の表面に形成された絶縁膜は、絶縁膜の表面に形成された電極パッドの抵抗調整領域から基板接続領域まで延びている。
【実施例１】
【００１４】
以下、本発明の実施例１について、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施例に係る半導体装置１０の平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。ただし、図１及び図２では、電極パッドが形成された領域のみを図示している（図３〜２０において同様）。半導体装置１０は、半導体基板１と、半導体基板１に形成された給電部分２と、半導体基板１の表面を被覆する絶縁膜３と、半導体基板１および絶縁膜３の表面を被覆する電極パッド４とを備えている。半導体基板１の裏面には、電極６が形成されている。ここで、給電部分とは、半導体基板上において、電極パッドを通して、外部配線から給電が行われる部分を意味する。例えば、半導体素子の活性領域である主セルや、主セルの電流を検知するためのセンスセル等のコンタクト領域が、給電部分に該当する。
【００１５】
電極パッド４は、図１および図２に示すように、半導体装置１０の最表面に露出している。電極パッド４は、絶縁膜３を貫通して給電部分２に電気的に接続している。電極パッド４は、給電部分２の上方に位置する基板接続領域４１、外部配線（ワイヤ）と接続する外部配線接続領域４３、基板接続領域４１と外部配線接続領域４３との間に設けられた抵抗調整領域４５とを備えている。図２に示すように、抵抗調整領域４５および外部配線接続領域４３は、絶縁膜３の上方となる位置に設けられている。絶縁膜３は、抵抗調整領域４５を越えて基板接続領域４１の一部まで延びており、給電部分２に接していない。電極パッド４の材料としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）等の導電材を用いることができる。
【００１６】
図１に示すように、本実施例の電極パッド４には、複数の導電部４５１からなる抵抗調整領域４５が設けられている。複数の導電部４５１は、基板接続領域４１から外部配線接続領域４３に向けて延びている。隣接する複数の導電部４５１の間には、孔部４５２が設けられている。孔部４５２は、抵抗調整領域４５の非導電部として機能する。なお、孔部４５２が設けられている位置には、非導電性の材料を充填してもよい。
【００１７】
複数の導電部４５１は、図１および図２に示す長さＬ、幅Ｗ、厚さＤが等しくなるように形成されている。複数の導電部４５１のうち、いくつかの導電部４５１をトリミングにより切断することによって、抵抗調整領域４５の抵抗値を調整することができる。例えば、図１に示すように、６本の導電部４５１が設けられている場合には、そのうちの１本をトリミングによって図３に示すように切断すれば、抵抗調整領域４５の抵抗値が２０％大きくなる。
【００１８】
本実施例によれば、基板接続領域と、抵抗調整領域と、外部配線接続領域とが、１つの電極パッドに形成されている。このため、従来のように、半導体装置の給電部分と外部配線とを接続するための電極パッドと、トリミングによって抵抗を調整可能な電極パッドとをそれぞれ設ける必要がなく、抵抗調整領域を設置することによって半導体装置が大型化することを抑制できる。
【００１９】
また、半導体装置の表面に露出した電極パッドに抵抗調整領域が設けられており、この抵抗調整領域に対してトリミングを行うことによって、電極パッドの基板接続領域と外部配線接続領域との間の抵抗値を調整することができる。このため、例えば半導体装置の電気特性の検査工程など、完成した半導体装置の検査工程においてトリミングを行うことが可能となる。半導体基板や電極層が絶縁膜で保護された状態になった後で、トリミングを行うことができるため、トリミングに起因する半導体装置の特性低下を防止することができる。トリミングを行う抵抗調整領域の下方となる位置には、絶縁膜が存在しており、絶縁膜は、抵抗調整領域を越えて基板接続領域の一部まで延びている。このため、抵抗調整領域に対してトリミングを行っても、その下方となる位置に設置された半導体基板等を損傷しにくい。
【００２０】
上記の実施例では、電極パッド４の抵抗調整領域４５に設けられた複数の導電部４５１は、全て同じ材料、同じ形状、同じ大きさであったが、材料、形状、大きさが異なる複数の導電部を組み合わせてもよい。これによって、抵抗値の異なる導電部の組合せを得ることができる。
【００２１】
例えば、図４に示すように、長さおよび厚さは全て同じで、幅が異なる導電部４５３ａ〜導電部４５３ｄを組み合わせることができる。導電部４５３ａの幅はＷ１であり、導電部４５３ｂの幅はＷ２であり、導電部４５３ｃの幅はＷ３であり、導電部４５３ｄの幅はＷ４であって、幅Ｗ１〜Ｗ４の大きさは、Ｗ１＞Ｗ２＞Ｗ３＞Ｗ４である。図１と同様に、隣接する導電部の間には、孔部が設けられている。導電部４５３ａ〜導電部４５３ｄの厚さをＤとすれば、導電部４５３ａ〜導電部４５３ｄを基板接続領域４１から外部配線接続領域４３に向かう方向に垂直な面で切断した断面積は、導電部４５３ａではＤＷ１、導電部４５３ｂではＤＷ２、導電部４５３ｃではＤＷ３、導電部４５３ｄではＤＷ４となり、ＤＷ１＞ＤＷ２＞ＤＷ３＞ＤＷ４である。導電部４５３ａ〜導電部４５３ｄの長さは全てＬであり、同一であるから、導電部４５３ａ〜導電部４５３ｄの抵抗値は、導電部４５３ａが最も小さく、導電部４５３ｂ、導電部４５３ｃ、導電部４５３ｄの順に大きくなる。
【００２２】
このように、導電部４５３ａ〜導電部４５３ｄはそれぞれ抵抗値が異なっているから、トリミングを行う導電部によって、抵抗調整領域４５の抵抗値の増加量が異なる。抵抗値の異なる導電部４５３ａ〜導電部４５３ｄのうちから、適宜選択し、トリミングを実施することによって、抵抗調整領域４５の抵抗値の増加量を調整することができる。
【００２３】
同様に、導電部の長さおよび幅は全て同じで、厚さを変えることによっても、抵抗値の異なる導電部の組合せを得ることができる。図５は変形例に係る電極パッド４の平面図であり、図６は、図５のＶＩ−ＶＩ線断面から矢印方向に見た図である。図５および図６に示すように、長さおよび幅は全て同じで、厚さが異なる導電部４５４ａ〜導電部４５４ｃを用いることによって、上記と同様に、基板接続領域４１から外部配線接続領域４３に向かう方向に垂直な面で切断した断面積がそれぞれ異なる導電部４５４ａ〜導電部４５４ｃを得ることができる。尚、図１と同様に、隣接する導電部の間には、孔部が設けられている。図５に示すように、導電部４５４ａの厚さはＤ１であり、導電部４５４ｂの厚さはＤ２であり、導電部４５４ｃの厚さはＤ３であって、厚さＤ１〜Ｄ３の大きさは、Ｄ１＞Ｄ２＞Ｄ３である。基板接続領域４１から外部配線接続領域４３に向かう方向に垂直な面で切断した断面積は、導電部４５４ａが最も大きく、導電部４５４ｂ、導電部４５４ｃの順に小さくなる。このため、導電部４５４ａ〜導電部４５４ｃの抵抗値は、それぞれ異なり、導電部４５４ａが最も小さく、導電部４５４ｂ、導電部４５４ｃの順に大きくなる。抵抗値の異なる導電部４５４ａ〜導電部４５４ｃのうちから、適宜選択し、トリミングを実施することによって、抵抗調整領域４５の抵抗値の増加量を調整することができる。
【００２４】
導電部の幅Ｗおよび厚さＤは全て同じで、長さを変えることによっても、抵抗値の異なる導電部の組合せを得ることができる。図７に示すように、幅および厚さは全て同じで、長さが異なる複数の導電部４５５ａ〜導電部４５５ｅと、複数の導電部４５５ａ〜４５５ｄのそれぞれが接続される定抵抗部４７とを備えた抵抗調整領域４５とすれば、導電部４５５ａ〜導電部４５５ｅの抵抗値をそれぞれ異ならせることができる。尚、図１と同様に、隣接する導電部の間には、孔部が設けられている。抵抗値の異なる導電部４５５ａ〜導電部４５５ｅのうちから、適宜選択し、トリミングを実施することによって、抵抗調整領域４５の抵抗値の増加量を調整することができる。
【００２５】
また、導電部の材質を変えることによって、抵抗値の異なる導電部の組合せを得ることもできる。図８に示す導電部４５６ａは、比較的抵抗の低い材料によって形成されている。導電部４５６ｂは、比較的抵抗の高い材料によって形成されている。図１と同様に、隣接する導電部の間には、孔部が設けられている。表１に、電極材料として用いられる代表的な金属の比抵抗を示す。比較的抵抗の低い材料としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕなどを好適に用いることができる。比較的抵抗の高い材料としては、例えば、プラチナ（Ｐｔ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）などを好適に用いることができる。尚、図８においては、導電部４５６ａと、電極パッド４の基板接続領域４１および外部配線接続領域４３は同じ材料を用いている。
【表１】
【００２６】
導電部４５６ａと導電部４５６ｂは、図１に示す導電部４５１と同様に同じ大きさ、同じ形状であるから、抵抗の高い材料で形成された導電部４５６ｂの抵抗値は、抵抗の低い材料で形成された導電部４５６ａよりも高い。抵抗値の異なる導電部４５６ａ、導電部４５６ｂのうちから、適宜選択し、トリミングを実施することによって、抵抗調整領域４５の抵抗値の増加量を調整することができる。
【００２７】
尚、導電部に用いる金属材料は、２種類以上選んでもよい。例えば、表２に示す全ての金属材料について、それぞれ１つずつ導電部を設けてもよい。また、導電部に用いる材料と電極パッドの基板接続領域および外部配線接続領域に用いる材料が異なっていてもよい。
【００２８】
次に、本実施例に係る半導体装置１０の電極パッド４の製造工程について説明する。尚、半導体装置１０のその他の製造工程（すなわち、電極パッド４以外の構造の製造工程）については、一般的な半導体装置の製造方法を利用することができるため、ここではその詳細な説明は省略する。本実施例に係る半導体装置１０の電極パッド４は、レジストを用いた電極パターニング技術によって製造することができる。
【００２９】
図１および図２に示す電極パッド４の製造工程の一例について説明する。まず、図９に示すように、半導体基板１上に、絶縁膜３を形成し、給電部分２の上方に位置する絶縁膜３をエッチングによって除去する。次に、図１０に示すように、半導体基板１および絶縁膜３の表面に、電極パッド３４を形成する。
【００３０】
次に、図１１および図１２に示すように、電極パッド３４の表面にレジスト３５を形成する。図１１は図１０に対してレジスト３５を積層した状態を示す図であり、図１２は図１１の状態での平面図である。図１１は図１２のＸＩ−ＸＩ線断面図に相当する。レジスト３５は、図１に示す電極パッド４の形状に合わせてパターニングされている。すなわち、レジスト３５には開口部３５１が設けられる。開口部３５１の位置は、図１に示す孔部４５２の位置に対応している。
【００３１】
次に、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法等によって、レジスト３５の開口部３５１に位置する電極パッド３４の一部分をエッチングによって除去する。エッチング終了後、レジストを除去する。このように電極パッド３４をパターニングすることによって、図１および図２に示す電極パッド４を製造することができる。
【００３２】
図４〜図７に示す電極パッド４についても、上記の方法を用いて製造することができる。図４〜図７に示す電極パッド４は、図１１および図１２に示すレジスト３５を図４〜図７に合わせてパターニングすることによって製造することができる。図５および図６に示す厚さの異なる導電部４５４ａ〜４５４ｃを有する電極パッド４は、例えば、適宜パターニングしたレジストを用いて図１０〜図１２に示す製造工程を３回繰返すことによって製造することができる。
【００３３】
また、図８に示すような異なる材料の導電部４５６ａと導電部４５６ｂを備えた電極パッド４は、リフトオフ法によって製造することができる。リフトオフ法では、図９に示す状態（絶縁膜３の一部を除去した状態）とした後、図１３および図１４に示すように、半導体基板１および絶縁膜３の表面にレジスト３６を形成する工程を行う。図１３は図９に対してレジスト３６を積層した状態を示す図であり、図１４は図１３の状態での平面図である。図１３は図１４のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線断面図に相当する。レジスト３６には、開口部３６１が設けられている。開口部３６１の位置は、図８に示す比較的抵抗の高い材料を用いた導電部４５６ｂの位置に対応している。
【００３４】
次に、図１５に示すように、導電部４５６ｂに用いる材料によって導電膜３８を形成し、その後、レジスト３６を除去する。これにより、図１６に示すように、導電部４５６ｂの位置の導電膜３８のみが残る。次に、図１７および図１８に示すように、レジスト３７を形成する。図１７は図１６に対してレジスト３７を積層した状態を示す図であり、図１８は図１７の状態での平面図である。図１７は図１８のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線断面図に相当する。レジスト３７は、図８に示す比較的抵抗の低い材料を用いた導電部４５６ａと、電極パッド４の基板接続領域４１と、外部配線接続領域４３の位置を除いた部分に形成する。次に、図１９に示すように、導電部４５６ａ等に用いる材料によって導電膜３９を形成し、その後、レジストを除去する。このように電極パッド３４をパターニングすることによって、図８に示す電極パッド４を製造することができる。
【００３５】
上記のとおり、本実施例に係る電極パッドは、従来の半導体装置の製造工程に用いられている技術を応用して製造することができる。従来の半導体装置の製造工程を大幅に変更することなく製造できるため、製造工程での手間やコスト、時間を大幅に増大させることなく、製造することが可能である。
【００３６】
また、本実施例では、トリミングによって抵抗を調整した後に、絶縁膜を形成する工程などを行う必要がないため、抵抗を調整した後に行う工程によって半導体装置の特性が再びばらついてしまうこともない。完成した半導体装置の特性に応じて抵抗値を調整できるため、半導体装置の特性をより適切に調整することができる。
【実施例２】
【００３７】
実施例２に係る半導体装置２０では、図２０に示すように、電極パッド２４は、基板接続領域４１と外部配線接続領域４３との間に設けられた抵抗調整領域５５を備えている。なお、実施例１と共通の部分については重複説明を省略する。
【００３８】
抵抗調整領域５５は、基板接続領域４１から外部配線接続領域４３に向けてサーペンタイン状に蛇行した主導電部５５１と、主導電部５５１を短絡させる副導電部５５３ａおよび副導電部５５３ｂとを備えている。
【００３９】
副導電部５５３ａ、副導電部５５３ｂの少なくとも１つを切断することによって、抵抗調整領域５５を流れる電流の経路が長くなるため、抵抗調整領域５５の抵抗値を高くすることができる。
【００４０】
尚、実施例２に係る半導体装置２０の電極パッド２４についても、実施例１において説明した電極パッド４の製造方法と同様の方法によって製造することができる。例えば、図１１および図１２に示すレジスト３５を図２０に合わせてパターニングすることによって製造することが可能である。
【００４１】
上記のとおり、本発明に係る実施例１および実施例２によれば、基板接続領域と、抵抗調整領域と、外部配線接続領域とが、１つの電極パッドに形成されている。このため、従来のように、半導体装置の給電部分と外部配線とを接続するための電極パッドと、トリミングによって抵抗を調整可能な電極パッドとをそれぞれ設ける必要がなく、抵抗調整領域を設置することによって半導体装置が大型化することを抑制できる。
【００４２】
また、上記の実施例１および実施例２によれば、半導体装置の表面に露出した電極パッドに抵抗調整領域が設けられており、この抵抗調整領域に対してトリミングを行うことによって、電極パッドの基板接続領域と外部配線接続領域との間の抵抗値を調整することができる。このため、例えば半導体装置の電気特性の検査工程など、完成した半導体装置の検査工程においてトリミングを行うことが可能となる。半導体基板や電極層が絶縁膜で保護された状態になった後で、トリミングを行うことができるため、トリミングに起因する半導体装置の特性低下を防止することができる。すなわち、トリミングを行う抵抗調整領域の下方となる位置には、絶縁膜が存在しており、絶縁膜は、抵抗調整領域から基板接続領域まで延びている。このため、抵抗調整領域に対してトリミングを行っても、その下方となる位置に設置された半導体基板等を損傷しにくい。
【００４３】
また、トリミングによって抵抗を調整した後に、絶縁膜を形成する工程などを行う必要がないため、抵抗を調整した後に行う工程によって半導体装置の特性が再びばらついてしまうこともない。完成した半導体装置の特性に応じて抵抗値を調整できるため、半導体装置の特性をより適切に調整することができる。
【００４４】
以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
【００４５】
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００４６】
１ 半導体基板
２ 給電部分
３ 絶縁膜
４、２４、３４ 電極パッド
６ 電極層
１０、２０ 半導体装置
３５、３６、３７ レジスト
３８、３９ 導電膜
４１ 基板接続領域
４３ 外部配線接続領域
４５、５５ 抵抗調整領域
４７ 定抵抗部
３５１、３６１ 開口部
４５１ 導電部
４５２ 孔部
４５３ａ〜４５３ｄ 導電部
４５４ａ〜４５４ｃ 導電部
４５５ａ〜４５５ｅ 導電部
４５６ａ、４５７ｂ 導電部
５５１ 主導電部
５５３ａ、５５３ｂ 副導電部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板と外部配線とを導通させ、半導体基板に給電するための電極パッドを備えた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の特性を必要に応じて微調整したり、半導体素子の主セルに流れる電流を検知するセンスセルに流れる検知電流値を調整したりするために、半導体装置の電極の抵抗値等を調整する技術が開発されている。特許文献１には、半導体基板上に設置された電極層の抵抗値等を調整可能な半導体装置９０が開示されている。半導体装置９０は、図２１に示すように、半導体基板９１と、半導体基板の給電部分９２と、シリコン酸化膜９３と、シリコン酸化膜９３の表面に形成されたワイヤボンディング用電極パッド９４および抵抗調整電極層９５と、半導体装置９１の最表面を被覆する絶縁膜９６とを備えている。絶縁膜９６には、孔部９６１が設けられており、ワイヤボンディング用電極パッド９４の一部が露出している。孔部９６１に露出したワイヤボンディング用電極パッド９４に対してワイヤボンディングを行う。ワイヤボンディング用電極パッド９４は、給電部分９２と電気的に接続している。抵抗調整電極層９５には、トリミング部９５１が設けられている。半導体装置９０は、シリコン酸化膜９３の表面にワイヤボンディング用電極パッド９４および抵抗調整電極層９５を形成した後、レーザトリミングを行って、抵抗調整電極層９５にトリミング部９５１を形成する。トリミング部９５１を形成する際は、抵抗調整電極層９５に、測定装置に接続された測定針を当て、抵抗値を測定しながらレーザトリミングを行い、半導体装置の抵抗値等を調整する。その後、図２１のように抵抗調整電極層９５の表面上を絶縁膜９６によって被覆する。抵抗調整電極層９５は、絶縁膜９６によって保護する必要がある電極層の一部であり、ワイヤボンディング用電極パッド９４とは別に設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開昭６３−２９３９７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１では、半導体装置の給電部分と外部配線とを接続するための電極パッドと、トリミングによって抵抗を調整可能な電極層とをそれぞれ別々に設けている。抵抗を調整するために、抵抗調整用の電極層を追加する必要があるため、抵抗調整機能のない半導体装置と比較して、半導体装置のサイズが大きくなってしまっていた。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
そこで、本発明では、半導体基板と、半導体基板の表面に設けられた絶縁膜と、半導体基板および絶縁膜の表面に設けられた電極パッドとを備えた半導体装置であって、電極パッドは、絶縁膜を貫通して半導体基板と電気的に接続する基板接続領域と、外部配線がその表面に電気的に接続される外部配線接続領域と、基板接続領域と外部配線接続領域との間に設けられた抵抗調整領域とを備えている半導体装置を提供する。
【０００６】
本発明では、基板接続領域と、抵抗調整領域と、外部配線接続領域とが、１つの電極パッドに形成されているため、従来のように、半導体基板と外部配線とを接続するための電極パッドと、トリミングによって抵抗を調整可能な電極層とをそれぞれ設ける必要がなく、半導体装置のコンパクト化に寄与できる。
【０００７】
本発明の抵抗調整領域は、例えば、基板接続領域から外部配線接続領域に延びる複数の導電部を備えている。このような構成によれば、複数の導電部の少なくとも１つを切断することによって、抵抗調整領域の抵抗値を高くすることができる。
【０００８】
さらに、複数の導電部の少なくとも一つが、他の導電部とは抵抗が異なることが好ましい。調整したい抵抗値の大きさに応じて、抵抗の異なる導電部の中から適宜トリミングすべき導電部を選択することができるため、より適切に電極パッドの抵抗値を調整するができる。
【０００９】
また、抵抗調整領域は、基板接続領域と外部配線接続領域とを接続する主導電部と、主導電部を短絡させる複数の副導電部とを備えており、複数の副導電部は主導電部を異なる位置で短絡させる。そして、複数の副導電部のいずれかを適宜トリミングによって切断することによって、基板接続領域と外部配線接続領域との間の抵抗値を調整することができるようにしてもよい。このような抵抗調整領域としては、例えば、基板接続領域から外部配線接続領域に向けてサーペンタイン状に蛇行した主導電部と、蛇行する主導電部を短絡させる副導電部とを用いることができる。
【００１０】
また、本発明の抵抗調整領域は、半導体装置の表面に露出していることが好ましい。半導体装置の表面に露出した抵抗調整領域に対してトリミングを行うことによって、電極パッドの基板接続領域と外部配線接続領域との間の抵抗値を調整することができるため、例えば、半導体装置の電気特性の検査工程など、完成した半導体装置の検査工程においてトリミングを行うことが可能となる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、半導体基板と外部配線とを接続するための電極パッドに抵抗調整領域を設けているため、半導体装置の大型化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施例の半導体装置（電極パッド）の平面図。
【図２】本実施例の半導体装置の断面図であり、図１のＩＩ−ＩＩ線断面図。
【図３】図１の電極パッドの抵抗調整領域に設けられた導電部を切断した図。
【図４】本実施例の変形例に係る半導体装置の電極パッドの平面図。
【図５】本実施例の他の変形例に係る半導体装置の電極パッドの平面図。
【図６】図５のＶＩ−ＶＩ線断面から矢印方向に見た図。
【図７】本実施例の他の変形例に係る半導体装置の電極パッドの平面図。
【図８】本実施例の他の変形例に係る半導体装置の電極パッドの平面図。
【図９】本実施例の半導体装置の電極パッドの製造工程を示す図。
【図１０】本実施例の半導体装置の電極パッドの製造工程を示す図。
【図１１】本実施例の半導体装置の電極パッドの製造工程を示す図であり、図１２のＸＩ−ＸＩ線断面図。
【図１２】本実施例の半導体装置の電極パッドの製造工程を示す図。
【図１３】本実施例の半導体装置の電極パッドの製造工程を示す図であり、図１４のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線断面図。
【図１４】本実施例の半導体装置の電極パッドの製造工程を示す図。
【図１５】本実施例の半導体装置の電極パッドの製造工程を示す図。
【図１６】本実施例の半導体装置の電極パッドの製造工程を示す図。
【図１７】本実施例の半導体装置の電極パッドの製造工程を示す図であり、図１８のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線断面図。
【図１８】本実施例の半導体装置の電極パッドの製造工程を示す図。
【図１９】本実施例の半導体装置の電極パッドの製造工程を示す図。
【図２０】本実施例の他の変形例に係る半導体装置の電極パッドの平面図。
【図２１】従来例の半導体装置の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に説明する実施例の主要な特徴を以下に列記する。
（特徴１）半導体基板の表面に形成された絶縁膜は、絶縁膜の表面に形成された電極パッドの抵抗調整領域から基板接続領域まで延びている。
【実施例１】
【００１４】
以下、本発明の実施例１について、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施例に係る半導体装置１０の平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。ただし、図１及び図２では、電極パッドが形成された領域のみを図示している（図３〜２０において同様）。半導体装置１０は、半導体基板１と、半導体基板１に形成された給電部分２と、半導体基板１の表面を被覆する絶縁膜３と、半導体基板１および絶縁膜３の表面を被覆する電極パッド４とを備えている。半導体基板１の裏面には、電極６が形成されている。ここで、給電部分とは、半導体基板上において、電極パッドを通して、外部配線から給電が行われる部分を意味する。例えば、半導体素子の活性領域である主セルや、主セルの電流を検知するためのセンスセル等のコンタクト領域が、給電部分に該当する。
【００１５】
電極パッド４は、図１および図２に示すように、半導体装置１０の最表面に露出している。電極パッド４は、絶縁膜３を貫通して給電部分２に電気的に接続している。電極パッド４は、給電部分２の上方に位置する基板接続領域４１、外部配線（ワイヤ）と接続する外部配線接続領域４３、基板接続領域４１と外部配線接続領域４３との間に設けられた抵抗調整領域４５とを備えている。図２に示すように、抵抗調整領域４５および外部配線接続領域４３は、絶縁膜３の上方となる位置に設けられている。絶縁膜３は、抵抗調整領域４５を越えて基板接続領域４１の一部まで延びており、給電部分２に接していない。電極パッド４の材料としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）等の導電材を用いることができる。
【００１６】
図１に示すように、本実施例の電極パッド４には、複数の導電部４５１からなる抵抗調整領域４５が設けられている。複数の導電部４５１は、基板接続領域４１から外部配線接続領域４３に向けて延びている。隣接する複数の導電部４５１の間には、孔部４５２が設けられている。孔部４５２は、抵抗調整領域４５の非導電部として機能する。なお、孔部４５２が設けられている位置には、非導電性の材料を充填してもよい。
【００１７】
複数の導電部４５１は、図１および図２に示す長さＬ、幅Ｗ、厚さＤが等しくなるように形成されている。複数の導電部４５１のうち、いくつかの導電部４５１をトリミングにより切断することによって、抵抗調整領域４５の抵抗値を調整することができる。例えば、図１に示すように、６本の導電部４５１が設けられている場合には、そのうちの１本をトリミングによって図３に示すように切断すれば、抵抗調整領域４５の抵抗値が２０％大きくなる。
【００１８】
本実施例によれば、基板接続領域と、抵抗調整領域と、外部配線接続領域とが、１つの電極パッドに形成されている。このため、従来のように、半導体装置の給電部分と外部配線とを接続するための電極パッドと、トリミングによって抵抗を調整可能な電極パッドとをそれぞれ設ける必要がなく、抵抗調整領域を設置することによって半導体装置が大型化することを抑制できる。
【００１９】
また、半導体装置の表面に露出した電極パッドに抵抗調整領域が設けられており、この抵抗調整領域に対してトリミングを行うことによって、電極パッドの基板接続領域と外部配線接続領域との間の抵抗値を調整することができる。このため、例えば半導体装置の電気特性の検査工程など、完成した半導体装置の検査工程においてトリミングを行うことが可能となる。半導体基板や電極層が絶縁膜で保護された状態になった後で、トリミングを行うことができるため、トリミングに起因する半導体装置の特性低下を防止することができる。トリミングを行う抵抗調整領域の下方となる位置には、絶縁膜が存在しており、絶縁膜は、抵抗調整領域を越えて基板接続領域の一部まで延びている。このため、抵抗調整領域に対してトリミングを行っても、その下方となる位置に設置された半導体基板等を損傷しにくい。
【００２０】
上記の実施例では、電極パッド４の抵抗調整領域４５に設けられた複数の導電部４５１は、全て同じ材料、同じ形状、同じ大きさであったが、材料、形状、大きさが異なる複数の導電部を組み合わせてもよい。これによって、抵抗値の異なる導電部の組合せを得ることができる。
【００２１】
例えば、図４に示すように、長さおよび厚さは全て同じで、幅が異なる導電部４５３ａ〜導電部４５３ｄを組み合わせることができる。導電部４５３ａの幅はＷ１であり、導電部４５３ｂの幅はＷ２であり、導電部４５３ｃの幅はＷ３であり、導電部４５３ｄの幅はＷ４であって、幅Ｗ１〜Ｗ４の大きさは、Ｗ１＞Ｗ２＞Ｗ３＞Ｗ４である。図１と同様に、隣接する導電部の間には、孔部が設けられている。導電部４５３ａ〜導電部４５３ｄの厚さをＤとすれば、導電部４５３ａ〜導電部４５３ｄを基板接続領域４１から外部配線接続領域４３に向かう方向に垂直な面で切断した断面積は、導電部４５３ａではＤＷ１、導電部４５３ｂではＤＷ２、導電部４５３ｃではＤＷ３、導電部４５３ｄではＤＷ４となり、ＤＷ１＞ＤＷ２＞ＤＷ３＞ＤＷ４である。導電部４５３ａ〜導電部４５３ｄの長さは全てＬであり、同一であるから、導電部４５３ａ〜導電部４５３ｄの抵抗値は、導電部４５３ａが最も小さく、導電部４５３ｂ、導電部４５３ｃ、導電部４５３ｄの順に大きくなる。
【００２２】
このように、導電部４５３ａ〜導電部４５３ｄはそれぞれ抵抗値が異なっているから、トリミングを行う導電部によって、抵抗調整領域４５の抵抗値の増加量が異なる。抵抗値の異なる導電部４５３ａ〜導電部４５３ｄのうちから、適宜選択し、トリミングを実施することによって、抵抗調整領域４５の抵抗値の増加量を調整することができる。
【００２３】
同様に、導電部の長さおよび幅は全て同じで、厚さを変えることによっても、抵抗値の異なる導電部の組合せを得ることができる。図５は変形例に係る電極パッド４の平面図であり、図６は、図５のＶＩ−ＶＩ線断面から矢印方向に見た図である。図５および図６に示すように、長さおよび幅は全て同じで、厚さが異なる導電部４５４ａ〜導電部４５４ｃを用いることによって、上記と同様に、基板接続領域４１から外部配線接続領域４３に向かう方向に垂直な面で切断した断面積がそれぞれ異なる導電部４５４ａ〜導電部４５４ｃを得ることができる。尚、図１と同様に、隣接する導電部の間には、孔部が設けられている。図５に示すように、導電部４５４ａの厚さはＤ１であり、導電部４５４ｂの厚さはＤ２であり、導電部４５４ｃの厚さはＤ３であって、厚さＤ１〜Ｄ３の大きさは、Ｄ１＞Ｄ２＞Ｄ３である。基板接続領域４１から外部配線接続領域４３に向かう方向に垂直な面で切断した断面積は、導電部４５４ａが最も大きく、導電部４５４ｂ、導電部４５４ｃの順に小さくなる。このため、導電部４５４ａ〜導電部４５４ｃの抵抗値は、それぞれ異なり、導電部４５４ａが最も小さく、導電部４５４ｂ、導電部４５４ｃの順に大きくなる。抵抗値の異なる導電部４５４ａ〜導電部４５４ｃのうちから、適宜選択し、トリミングを実施することによって、抵抗調整領域４５の抵抗値の増加量を調整することができる。
【００２４】
導電部の幅Ｗおよび厚さＤは全て同じで、長さを変えることによっても、抵抗値の異なる導電部の組合せを得ることができる。図７に示すように、幅および厚さは全て同じで、長さが異なる複数の導電部４５５ａ〜導電部４５５ｅと、複数の導電部４５５ａ〜４５５ｄのそれぞれが接続される定抵抗部４７とを備えた抵抗調整領域４５とすれば、導電部４５５ａ〜導電部４５５ｅの抵抗値をそれぞれ異ならせることができる。尚、図１と同様に、隣接する導電部の間には、孔部が設けられている。抵抗値の異なる導電部４５５ａ〜導電部４５５ｅのうちから、適宜選択し、トリミングを実施することによって、抵抗調整領域４５の抵抗値の増加量を調整することができる。
【００２５】
また、導電部の材質を変えることによって、抵抗値の異なる導電部の組合せを得ることもできる。図８に示す導電部４５６ａは、比較的抵抗の低い材料によって形成されている。導電部４５６ｂは、比較的抵抗の高い材料によって形成されている。図１と同様に、隣接する導電部の間には、孔部が設けられている。表１に、電極材料として用いられる代表的な金属の比抵抗を示す。比較的抵抗の低い材料としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕなどを好適に用いることができる。比較的抵抗の高い材料としては、例えば、プラチナ（Ｐｔ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）などを好適に用いることができる。尚、図８においては、導電部４５６ａと、電極パッド４の基板接続領域４１および外部配線接続領域４３は同じ材料を用いている。
【表１】
【００２６】
導電部４５６ａと導電部４５６ｂは、図１に示す導電部４５１と同様に同じ大きさ、同じ形状であるから、抵抗の高い材料で形成された導電部４５６ｂの抵抗値は、抵抗の低い材料で形成された導電部４５６ａよりも高い。抵抗値の異なる導電部４５６ａ、導電部４５６ｂのうちから、適宜選択し、トリミングを実施することによって、抵抗調整領域４５の抵抗値の増加量を調整することができる。
【００２７】
尚、導電部に用いる金属材料は、２種類以上選んでもよい。例えば、表２に示す全ての金属材料について、それぞれ１つずつ導電部を設けてもよい。また、導電部に用いる材料と電極パッドの基板接続領域および外部配線接続領域に用いる材料が異なっていてもよい。
【００２８】
次に、本実施例に係る半導体装置１０の電極パッド４の製造工程について説明する。尚、半導体装置１０のその他の製造工程（すなわち、電極パッド４以外の構造の製造工程）については、一般的な半導体装置の製造方法を利用することができるため、ここではその詳細な説明は省略する。本実施例に係る半導体装置１０の電極パッド４は、レジストを用いた電極パターニング技術によって製造することができる。
【００２９】
図１および図２に示す電極パッド４の製造工程の一例について説明する。まず、図９に示すように、半導体基板１上に、絶縁膜３を形成し、給電部分２の上方に位置する絶縁膜３をエッチングによって除去する。次に、図１０に示すように、半導体基板１および絶縁膜３の表面に、電極パッド３４を形成する。
【００３０】
次に、図１１および図１２に示すように、電極パッド３４の表面にレジスト３５を形成する。図１１は図１０に対してレジスト３５を積層した状態を示す図であり、図１２は図１１の状態での平面図である。図１１は図１２のＸＩ−ＸＩ線断面図に相当する。レジスト３５は、図１に示す電極パッド４の形状に合わせてパターニングされている。すなわち、レジスト３５には開口部３５１が設けられる。開口部３５１の位置は、図１に示す孔部４５２の位置に対応している。
【００３１】
次に、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法等によって、レジスト３５の開口部３５１に位置する電極パッド３４の一部分をエッチングによって除去する。エッチング終了後、レジストを除去する。このように電極パッド３４をパターニングすることによって、図１および図２に示す電極パッド４を製造することができる。
【００３２】
図４〜図７に示す電極パッド４についても、上記の方法を用いて製造することができる。図４〜図７に示す電極パッド４は、図１１および図１２に示すレジスト３５を図４〜図７に合わせてパターニングすることによって製造することができる。図５および図６に示す厚さの異なる導電部４５４ａ〜４５４ｃを有する電極パッド４は、例えば、適宜パターニングしたレジストを用いて図１０〜図１２に示す製造工程を３回繰返すことによって製造することができる。
【００３３】
また、図８に示すような異なる材料の導電部４５６ａと導電部４５６ｂを備えた電極パッド４は、リフトオフ法によって製造することができる。リフトオフ法では、図９に示す状態（絶縁膜３の一部を除去した状態）とした後、図１３および図１４に示すように、半導体基板１および絶縁膜３の表面にレジスト３６を形成する工程を行う。図１３は図９に対してレジスト３６を積層した状態を示す図であり、図１４は図１３の状態での平面図である。図１３は図１４のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線断面図に相当する。レジスト３６には、開口部３６１が設けられている。開口部３６１の位置は、図８に示す比較的抵抗の高い材料を用いた導電部４５６ｂの位置に対応している。
【００３４】
次に、図１５に示すように、導電部４５６ｂに用いる材料によって導電膜３８を形成し、その後、レジスト３６を除去する。これにより、図１６に示すように、導電部４５６ｂの位置の導電膜３８のみが残る。次に、図１７および図１８に示すように、レジスト３７を形成する。図１７は図１６に対してレジスト３７を積層した状態を示す図であり、図１８は図１７の状態での平面図である。図１７は図１８のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線断面図に相当する。レジスト３７は、図８に示す比較的抵抗の低い材料を用いた導電部４５６ａと、電極パッド４の基板接続領域４１と、外部配線接続領域４３の位置を除いた部分に形成する。次に、図１９に示すように、導電部４５６ａ等に用いる材料によって導電膜３９を形成し、その後、レジストを除去する。このように電極パッド３４をパターニングすることによって、図８に示す電極パッド４を製造することができる。
【００３５】
上記のとおり、本実施例に係る電極パッドは、従来の半導体装置の製造工程に用いられている技術を応用して製造することができる。従来の半導体装置の製造工程を大幅に変更することなく製造できるため、製造工程での手間やコスト、時間を大幅に増大させることなく、製造することが可能である。
【００３６】
また、本実施例では、トリミングによって抵抗を調整した後に、絶縁膜を形成する工程などを行う必要がないため、抵抗を調整した後に行う工程によって半導体装置の特性が再びばらついてしまうこともない。完成した半導体装置の特性に応じて抵抗値を調整できるため、半導体装置の特性をより適切に調整することができる。
【実施例２】
【００３７】
実施例２に係る半導体装置２０では、図２０に示すように、電極パッド２４は、基板接続領域４１と外部配線接続領域４３との間に設けられた抵抗調整領域５５を備えている。なお、実施例１と共通の部分については重複説明を省略する。
【００３８】
抵抗調整領域５５は、基板接続領域４１から外部配線接続領域４３に向けてサーペンタイン状に蛇行した主導電部５５１と、主導電部５５１を短絡させる副導電部５５３ａおよび副導電部５５３ｂとを備えている。
【００３９】
副導電部５５３ａ、副導電部５５３ｂの少なくとも１つを切断することによって、抵抗調整領域５５を流れる電流の経路が長くなるため、抵抗調整領域５５の抵抗値を高くすることができる。
【００４０】
尚、実施例２に係る半導体装置２０の電極パッド２４についても、実施例１において説明した電極パッド４の製造方法と同様の方法によって製造することができる。例えば、図１１および図１２に示すレジスト３５を図２０に合わせてパターニングすることによって製造することが可能である。
【００４１】
上記のとおり、本発明に係る実施例１および実施例２によれば、基板接続領域と、抵抗調整領域と、外部配線接続領域とが、１つの電極パッドに形成されている。このため、従来のように、半導体装置の給電部分と外部配線とを接続するための電極パッドと、トリミングによって抵抗を調整可能な電極パッドとをそれぞれ設ける必要がなく、抵抗調整領域を設置することによって半導体装置が大型化することを抑制できる。
【００４２】
また、上記の実施例１および実施例２によれば、半導体装置の表面に露出した電極パッドに抵抗調整領域が設けられており、この抵抗調整領域に対してトリミングを行うことによって、電極パッドの基板接続領域と外部配線接続領域との間の抵抗値を調整することができる。このため、例えば半導体装置の電気特性の検査工程など、完成した半導体装置の検査工程においてトリミングを行うことが可能となる。半導体基板や電極層が絶縁膜で保護された状態になった後で、トリミングを行うことができるため、トリミングに起因する半導体装置の特性低下を防止することができる。すなわち、トリミングを行う抵抗調整領域の下方となる位置には、絶縁膜が存在しており、絶縁膜は、抵抗調整領域から基板接続領域まで延びている。このため、抵抗調整領域に対してトリミングを行っても、その下方となる位置に設置された半導体基板等を損傷しにくい。
【００４３】
また、トリミングによって抵抗を調整した後に、絶縁膜を形成する工程などを行う必要がないため、抵抗を調整した後に行う工程によって半導体装置の特性が再びばらついてしまうこともない。完成した半導体装置の特性に応じて抵抗値を調整できるため、半導体装置の特性をより適切に調整することができる。
【００４４】
以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
【００４５】
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００４６】
１ 半導体基板
２ 給電部分
３ 絶縁膜
４、２４、３４ 電極パッド
６ 電極層
１０、２０ 半導体装置
３５、３６、３７ レジスト
３８、３９ 導電膜
４１ 基板接続領域
４３ 外部配線接続領域
４５、５５ 抵抗調整領域
４７ 定抵抗部
３５１、３６１ 開口部
４５１ 導電部
４５２ 孔部
４５３ａ〜４５３ｄ 導電部
４５４ａ〜４５４ｃ 導電部
４５５ａ〜４５５ｅ 導電部
４５６ａ、４５７ｂ 導電部
５５１ 主導電部
５５３ａ、５５３ｂ 副導電部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、前記半導体基板の表面に設けられた絶縁膜と、前記半導体基板および前記絶縁膜の表面に設けられた電極パッドとを備えた半導体装置であって、
前記電極パッドは、前記絶縁膜を貫通して前記半導体基板と電気的に接続する基板接続領域と、外部配線がその表面に電気的に接続される外部配線接続領域と、前記基板接続領域と前記外部配線接続領域との間に設けられた抵抗調整領域とを備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記抵抗調整領域は、前記基板接続領域から前記外部配線接続領域に延びる複数の導電部を備えており、
前記複数の導電部の少なくとも１つが切断可能となっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記複数の導電部の少なくとも一つが、他の導電部とは抵抗が異なることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記抵抗調整領域は、前記基板接続領域と前記外部配線接続領域とを接続する主導電部と、前記主導電部を短絡させる複数の副導電部とを備えており、
前記複数の副導電部は、主導電部を異なる位置で短絡させるものであり、それら複数の副導電部の少なくとも１つが切断可能となっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記主導電部は、サーペンタイン状に蛇行した導電部であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記抵抗調整領域が半導体装置の表面に露出していることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１】
半導体基板と、前記半導体基板の表面に設けられた絶縁膜と、前記半導体基板および前記絶縁膜の表面に設けられた電極パッドとを備えた半導体装置であって、
前記電極パッドは、前記絶縁膜を貫通して前記半導体基板と電気的に接続する基板接続領域と、外部配線がその表面に電気的に接続される外部配線接続領域と、前記基板接続領域と前記外部配線接続領域との間に設けられた抵抗調整領域とを備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記抵抗調整領域は、前記基板接続領域から前記外部配線接続領域に延びる複数の導電部を備えており、
前記複数の導電部の少なくとも１つが切断可能となっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記複数の導電部の少なくとも一つが、他の導電部とは抵抗が異なることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記抵抗調整領域は、前記基板接続領域と前記外部配線接続領域とを接続する主導電部と、前記主導電部を短絡させる複数の副導電部とを備えており、
前記複数の副導電部は、主導電部を異なる位置で短絡させるものであり、それら複数の副導電部の少なくとも１つが切断可能となっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記主導電部は、サーペンタイン状に蛇行した導電部であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記抵抗調整領域が半導体装置の表面に露出していることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２】
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【図４】
【図５】
【図６】
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【図１６】
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【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【公開番号】特開２０１０−１７７２２６（Ｐ２０１０−１７７２２６Ａ）
【公開日】平成２２年８月１２日（２０１０．８．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１４９２４（Ｐ２００９−１４９２４）
【出願日】平成２１年１月２７日（２００９．１．２７）
【出願人】（０００００３２０７）トヨタ自動車株式会社 (59,920)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年８月１２日（２０１０．８．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１月２７日（２００９．１．２７）
【出願人】（０００００３２０７）トヨタ自動車株式会社 (59,920)
【Ｆターム（参考）】
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