薄膜デバイスの製造方法および薄膜デバイス
【課題】基板上に薄膜層が形成されてなる薄膜デバイスにおいて、基板薄型化が進行しても、基板分断の際に意図せぬ割れが発生したり、分断後の強度低下が著しくなってしまうのを抑制する。
【解決手段】基板上に薄膜層が形成されてなる薄膜デバイスを、前記基板となる板材１０１で当該基板の所望厚さよりも大きな厚さを有するものに対して、前記所望厚さよりも深いスクライブ溝１０２を形成する工程と、前記板材１０１の前記スクライブ溝１０２の形成面側に当該板材の厚さが前記所望厚さとなるまでエッチングを行う工程と、を経て製造する。
【解決手段】基板上に薄膜層が形成されてなる薄膜デバイスを、前記基板となる板材１０１で当該基板の所望厚さよりも大きな厚さを有するものに対して、前記所望厚さよりも深いスクライブ溝１０２を形成する工程と、前記板材１０１の前記スクライブ溝１０２の形成面側に当該板材の厚さが前記所望厚さとなるまでエッチングを行う工程と、を経て製造する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置を構成するもののように、基板（デバイス支持層）上に薄膜層が形成されてなる薄膜デバイスの製造方法および薄膜デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や携帯情報端末（ＰＤＡ）等における表示ディスプレイとして、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等が広く用いられている。液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等は、一般に、ガラス基板（デバイス支持板）上に薄膜層が形成されてなる薄膜デバイスを具備して構成される。そのため、薄膜デバイスを用いて液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等を構成する場合には、その製造過程において、ガラス基板となる板材を、そのガラス基板となる大きさ（液晶表示装置または有機ＥＬ表示装置の表示パネルとなる大きさ）のパネル状に切り出す工程が不可避である。
【０００３】
ガラス基板の切り出しは、例えば、ガラス基板に機械的にスクライブ溝を刻んで、その後にスクライブ溝の部分を機械的または熱的応力によって割断分離する、いわゆるスクライブ・ブレーク法を用いて行うことが知られている（例えば、特許文献１参照）。また、このスクライブ・ブレーク法においては、スクライブライン形成時に生じたガラスのひび割れを、エッチング等のケミカル処理を行って除去することも提案されている（例えば、特許文献１，２参照）。
さらには、例えば、ガラス面内の一部に機械的にスクライブ溝を刻んで、炭酸ガスレーザ等からのパワービームを走査し、スクライブ溝の一部を含むように照射スポットを維持、走査することで、ガラス面内に刻んだスクライブ溝を所望のパターンで延伸し、これによりガラス基板を割断する方法も提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【０００４】
【特許文献１】特許第３５７７４９２号公報
【特許文献２】特開２００３−３１６２８０号公報
【特許文献３】特表２００３−５１４６７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等を構成する薄膜デバイスに対しては、薄型化および軽量化の要請が高まっている。そのため、薄膜デバイスにおけるガラス基板については、その薄型化が進行しており、具体的にはその厚さが０．２ｍｍ以下のものも用いられつつある。
【０００６】
しかしながら、ガラス基板の薄型化が進行すると、従来の方法でそのガラス基板の割断を行った場合に、以下に述べるような問題が生じるおそれがある。
例えば、スクライブ溝を刻んだ後にそのスクライブ溝の部分を機械的または熱的応力によって割断分離すると、スクライブ溝の形成時に生じたひび割れをケミカル処理によって除去した場合であっても、その後に行うガラス割断の際に意図せぬ割れが多発してしまう可能性がある。
また、ガラス面内の一部に機械的に刻んだスクライブ溝を炭酸ガスレーザ等からのパワービームを走査して延伸することにより割断する方法は、ガラス板の厚さが例えば０．１〜０．２ｍｍ以下の場合、スクライブ溝の延伸時に炭酸ガスレーザの走査方向とは異なる、意図せぬ方向に溝が走ってしまう、すなわち、ガラス板が割れてしまうことが多くなり、実用上の問題が残されている。
【０００７】
そこで、本発明は、基板薄型化が進行しても、基板分断の際に意図せぬ割れが発生したり、分断後の強度低下が著しくなってしまうのを抑制することのできる薄膜デバイスの製造方法および薄膜デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記目的を達成するために案出された薄膜デバイスの製造方法である。すなわち、基板上に薄膜層が形成されてなる薄膜デバイスの製造方法であって、前記基板となる板材で当該基板の所望厚さよりも大きな厚さを有するものに対して、前記所望厚さよりも深いスクライブ溝を形成する工程と、前記板材の前記スクライブ溝の形成面側に当該板材の厚さが前記所望厚さとなるまでエッチングを行う工程とを含むことを特徴とする。
【０００９】
上記手順の薄膜デバイスの製造方法では、先ず、基板となる板材にスクライブ溝を形成する。「基板」は、代表的なものとしてガラス基板が挙げられるが、その他にも、例えばガラス層を有した積層構造基板のように、薄膜デバイスを構成し得るものの全てを含む。「板材」は、基板の形成材料となるものである。また、「スクライブ溝」は、板材を分断するために形成する加工溝であり、例えばレーザビームを照射してその照射スポット内の部分を蒸発、噴出あるいは流出させることで形成したり、ダイアモンド刃等を用いて機械的に傷（スクラッチ）を入れて形成することが考えられる。ただし、スクライブ溝は、基板の所望厚さ、すなわち薄膜デバイス構成時における基板厚よりも深く形成する。当該基板の所望厚さよりも板材が大きな厚さを有しているので、スクライブ溝を基板の所望厚さより深く形成可能である。
そして、スクライブ溝の形成後は、次いで、板材のスクライブ溝形成面側にエッチングを行う。「エッチング」は、板材表面に対する化学的または電気化学的な除去処理であり、その代表的なものとしては、例えば板材がガラス基板を構成するものであれば弗化水素酸を含む溶液を用いて行うエッチングのように、方向によらず等速度で均一に行われる等方性エッチングが挙げられる。ただし、ここでいう「エッチング」には、等方性を有さない非等方的な異方性エッチングも含まれる。このエッチング（等方性エッチングまたは異方性エッチング）は、板材の厚さが基板の所望厚さとなるまで行う。したがって、エッチングが進行して板材が均一に薄くなっても、見かけ上におけるスクライブ溝の深さは変わらないため、スクライブ溝が基板の所望厚さよりも深く形成されていれば、板材の厚さが基板の所望厚さになったときには、その板材がスクライブ溝の形成箇所の部分で分断されることになる。
また、この間、エッチングが等方性を有する場合であれば、スクライブ溝の側壁部分も等方的なエッチングを受けるため、そのスクライブ溝の形成時に側壁周辺にマイクロクラックが生じていても、そのマイクロクラックを含む領域がエッチング除去され消失することになる。一方、エッチングが非等方的な異方性のものであっても、そのエッチングにより、スクライブ溝周辺のマイクロクラック領域を含む板材表面近傍部分は、その板材の元の厚さと所望厚さとの差分だけ削られて除去されることになる。つまり、いずれの場合であっても、板材の分断後は、その分断箇所にマイクロクラックが存在することなく、そのマイクロクラックに起因する機械的または熱的な強度低下を招いてしまうこともない。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の薄膜デバイスの製造方法、およびその製造方法を経て得られる薄膜デバイス、すなわち本発明の薄膜デバイスによれば、エッチングを利用してスクライブ溝の形成部分で板材を分断して基板を構成することになるので、その分断箇所にマイクロクラックが存在することなく、そのマイクロクラックに起因する機械的または熱的な強度低下を招いてしまうこともない。つまり、基板薄型化が進行しても、基板分断の際に意図せぬ割れが発生したり、分断後の強度低下が著しくなってしまうのを抑制できる。したがって、薄膜デバイスとしての信頼性を高く維持しつつ、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等を構成した場合の薄型化および軽量化の要請にも十分に応えることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面に基づき本発明に係る薄膜デバイスの製造方法および薄膜デバイスについて説明する。
【００１２】
ここで説明する薄膜デバイスは、液晶表示装置または有機ＥＬ表示装置を構成するためのもので、ガラス基板上にＴＦＴからなる駆動回路層や発光層等に代表される薄膜層が形成されてなるものである。ただし、同様の構成を有するものであれば、液晶表示装置または有機ＥＬ表示装置を構成するもの以外にも適用可能であることは勿論である。
【００１３】
一般に、薄膜デバイスを用いて液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等を構成する場合には、その製造効率向上を図るべく、ガラス基板の形成材料である一つの板材から複数のデバイスを得る、いわゆる多面取りが行われる。そのため、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等を構成する薄膜デバイスの製造過程においては、ガラス基板となる板材を、そのガラス基板となる大きさ（液晶表示装置または有機ＥＬ表示装置の表示パネルとなる大きさ）、さらに具体的にはガラス基板上に形成される薄膜層の形成領域に対応した大きさのパネル状に切り出す工程が不可避である。ここで、「薄膜層の形成領域」とは、薄膜デバイスの表示領域（＝画素領域）と外周駆動回路領域とを合わせた領域を意味している。以下、この領域のことを「有効薄膜領域」というものとする。
【００１４】
ただし、薄膜デバイスにおけるガラス基板については、その厚さが０．２ｍｍ以下であるという薄型化が進行している。このことから、ここで説明する薄膜デバイスでは、以下に述べるような手順を経て、ガラス基板の切り出しが行われる。
【００１５】
〔第１の実施の形態〕
図１は、本発明に係る薄膜デバイスの製造方法の第１実施形態の概要を示す説明図である。図例は、薄膜層の形成に先立ってガラス基板の切り出しを行う場合に適用して好適な実施形態を示している。
【００１６】
図１（ａ）に示すように、ガラス基板の切り出しにあたっては、そのガラス基板となる板材で、そのガラス基板の所望厚さよりも大きな厚さを有するものを用いる。例えば、ガラス基板の所望厚さが０．２ｍｍ以下、さらに具体的には５０μｍ程度であれば、板厚が０．３ｍｍ程度のガラスからなる板材１０１を用いる。
【００１７】
このとき、板材１０１は、薄板化するための研磨処理を経て得たものであってもよい。すなわち、０．３ｍｍを超える厚さのものに対して研磨処理を行い、これにより０．３ｍｍ程度の厚さを得るようにしてもよい。研磨処理は、機械的研磨であっても、あるいはエッチング等の化学的研磨であってもよいが、公知技術を利用して行えばよいため、ここではその詳細な説明を省略する。
【００１８】
そして、板材１０１の面上に対しては、板材１０１を分断するための加工溝であるスクライブ溝１０２を形成する。スクライブ溝１０２は、ガラス基板の所望厚さよりも深く形成する。例えば、ガラス基板の所望厚さが５０μｍ程度であれば、スクライブ溝１０２を６０μｍ程度の深さで形成する。
【００１９】
スクライブ溝１０２の形成は、炭酸ガス（ＣＯ2）レーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＶＯ4等の固体レーザの基本波出力、第３高調波出力若しくは第４高調波出力、またはエキシマレーザ出力のパワービームを照射して、その照射スポット内の部分のガラス材を蒸発、噴出あるいは流出させることで行うことが考えられる。このとき、レーザの発振波長が短ければ、集光スポットの面積が小さくなるため、スクライブ溝１０２の形成幅を狭くすることができる。また、レーザの発振モード（空間モード）がＴＥＭ００モードならば、ビームの集光性が良くなる。また、連続発振（ＣＷ）レーザよりは、パルスレーザのほうが、スクライブ溝１０２の形成に適している。ただし、スクライブ溝１０２の形成は、必ずしもレーザ照射によって行う必要はなく、ダイアモンド刃等を用いて機械的にスクラッチを入れて形成するようにしてもよい。
【００２０】
スクライブ溝１０２の形成位置は、板材１０１上に形成すべき薄膜層（ただし不図示）の位置、すなわち有効薄膜領域となる領域に対応しているものとする。具体的には、図１（ｂ）に示すように、有効薄膜領域となる領域を囲うように方形状に形成する、といったことが考えられる。なお、スクライブ溝１０２を形成した時点では、そのスクライブ溝１０２の側壁周辺にマイクロクラックが生じていても構わない。
【００２１】
スクライブ溝１０２の形成後は、次いで、板材１０１におけるスクライブ溝１０２の形成面側に、等方性エッチングを行う。等方性エッチングは、方向によらず等速度で均一に行われるエッチングであり、例えばガラス材に対するものであれば、弗化水素酸を含む溶液を用いて行うエッチングがこれに相当する。図１（ａ）に示す例では、板材１０１におけるスクライブ溝１０２の形成面上に、濃度２０％の弗化水素酸溶液１０３を、表面張力を利用して盛り付けている場合を示している。このようにすれば、エッチングが不要な箇所（例えば、スクライブ溝１０２の非形成面）に弗化水素酸溶液１０３が悪影響を及ぼすのを抑制することができる。ただし、弗化水素酸溶液中に板材１０１を浸すことで、等方性エッチングを行うようにしてもよいことは勿論である。
【００２２】
このような等方性エッチングは、板材１０１の厚さがガラス基板の所望厚さとなるまで行う。上述したように、表面張力を利用して弗化水素酸溶液１０３を板材１０１上に盛り付けている場合には、エッチングの進行に伴い、弗化水素酸溶液１０３を適時新たなものと交換し、エッチング速度（レート）を維持するものとする。
【００２３】
その後、図１（ｃ），（ｄ）に示すようにエッチングが進行すると、当該エッチングが等方性エッチングであることから、板材１０１が均一に薄くなるのに伴い、スクライブ溝１０２の部分も掘り進められる。つまり、見かけ上におけるスクライブ溝１０２の深さは、エッチング前と変わらない。
【００２４】
したがって、図１（ｅ）に示すように、エッチングが進行し、板材１０１の厚さがガラス基板の所望厚さである５０μｍ程度となったときには、スクライブ溝１０２の深さが６０μｍ程度であることから、板材１０１がスクライブ溝１０２の形成箇所の部分で分断されることになる。
この分断後の板材１０１が、薄膜デバイスを構成するガラス基板となるのである。つまり、薄膜デバイスを構成するガラス基板は、機械的もしくは熱的応力による割断、またはレーザ等のパワービームを利用した割断によって切り出されるのではなく、スクライブ溝１０２および等方性エッチングを利用した分断によって切り出されるのである。
【００２５】
また、板材１０１の分断に際しては、スクライブ溝１０２の側壁部分も等方的なエッチングを受ける。そのため、スクライブ溝１０２の形成時に、その側壁周辺にマイクロクラックが生じていた場合であっても、そのマイクロクラックを含む領域がエッチング除去され消失することになる。つまり、板材１０１の分断後は、その分断箇所にマイクロクラックが存在することなく、そのマイクロクラックに起因する機械的または熱的な強度低下を招いてしまうこともない。
【００２６】
以上のような手順で各工程を行う製造方法、およびその製造方法を経て得られる薄膜デバイスによれば、等方性エッチングを利用してスクライブ溝１０２の形成部分で板材１０１を分断して、これにより薄膜デバイスを構成するガラス基板を得ることになるので、その分断箇所にマイクロクラックが存在することなく、そのマイクロクラックに起因する機械的または熱的な強度低下を招いてしまうこともない。つまり、ガラス基板の薄型化が進行しても、分断の際に意図せぬ割れが発生したり、分断後の強度低下が著しくなってしまうのを抑制できる。したがって、薄膜デバイスとしての信頼性を高く維持しつつ、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等を構成した場合の薄型化および軽量化の要請にも十分に応えることが可能となるのである。
【００２７】
また、ガラス基板の基となる板材１０１が研磨処理を経て得たものである場合、すなわちスクライブ溝１０２を形成する工程に先立って板材１０１を薄板化するための研磨処理を行う場合には、使用する板材１０１の厚さに依らずにガラス基板の薄板化が容易になるとともに、スクライブ溝１０２の形成後に行う等方性エッチングの処理時間を短縮することができ、さらには当該等方性エッチングの後におけるスクライブ溝１０２の幅の拡がりを極力抑制することができ、製造効率の向上を図る上で非常に好適なものとなる。
【００２８】
〔第２の実施の形態〕
図２は、本発明に係る薄膜デバイスの製造方法の第２実施形態の概要を示す説明図である。図例は、薄膜層の形成後にガラス基板の切り出しを行う場合に適用して好適な実施形態を示している。
【００２９】
図２（ａ）に示すように、第２実施形態では、板材１０１の片面に、薄膜層１０４が形成済みである点で、上述した第１実施形態の場合とは異なる。薄膜層１０４としては、液晶表示装置または有機ＥＬ表示装置を構成するためのＴＦＴからなる駆動回路層や発光層等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、薄膜層１０４の形成については、公知技術を利用して行えばよいため、ここではその説明を省略する。
【００３０】
薄膜層１０４は、その形成後、耐弗酸性のワックス１０５によって覆われているものとする。耐弗酸性のワックス１０５としては、例えば、融点２００℃以下の熱可塑性接着剤が好ましく、エチレン−酢酸ビニル熱可塑性エラストマー、スチレン−ブタジエンブロック共重合体、スチレン−エチレン−ブチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレンブロック共重合体、エチレン−塩化ビニル共重合体、酢酸塩アセテート樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリブテン、熱可塑性ポリブタジエン、ポリスチレン、ポリブタジエン、ポリ酢酸ビニル、ポリメチルメタクリレート、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリテトラフロロエチレン、エチレン-テトラフロロエチレン共重合体、アクリロニトリル-スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、アクリロニトリルブタジエンスチレン（ＡＢＳ樹脂）、アイオノマー、ＡＡＳ樹脂、ＡＣＳ樹脂、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリオキシベンゾイル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、液晶ポリエステル、セルロース系プラスチック（酢酸セルロース、酢酪酸セルロース、エチルセルロース、セルロイドセロファン）、ポリオレフィン、ポリウレタン、若しくは以上の共重合体またはポリマーアロイ、あるいはパラフィン、コールタール、ロジン、天然ゴム、フッ素ゴム等を用いることが考えられる。このような耐弗酸性のワックス１０５は、板材１０１の片面（薄膜層１０４の形成面）側に、例えばバーコーターを利用して、１μｍ〜３０００μｍ程度の厚さで均一に塗布すればよい。
【００３１】
そして、板材１０１の他の片面、すなわち薄膜層１０４の形成面と反対側の面には、上述した第１実施形態の場合と同様に、深さ約６０μｍのスクライブ溝１０２が形成されている。したがって、スクライブ溝１０２の形成面側に、第１実施形態の場合と同様に等方性エッチングを行い、そのエッチングが図２（ｂ），（ｃ）に示すように進行し、図２（ｄ）に示すように板材１０１の厚さがガラス基板の所望厚さである５０μｍ程度となったときには、板材１０１がスクライブ溝１０２の形成箇所の部分で分断されることになる。
【００３２】
このような手順により板材１０１を分断することで、第２実施形態においても、その分断箇所にマイクロクラックが存在することなく、そのマイクロクラックに起因する機械的または熱的な強度低下を招いてしまうこともない。つまり、ガラス基板の薄型化が進行しても、分断の際に意図せぬ割れが発生したり、分断後の強度低下が著しくなってしまうのを抑制できる。
しかも、第２実施形態では、薄膜層１０４の形成面側に耐弗酸性のワックス１０５を塗布しているので、等方性エッチングに用いる溶液１０３が薄膜層１０４の形成面側に侵入して当該薄膜層１０４に悪影響を及ぼすのを回避することができ、さらには等方性エッチングが進行して板材１０１が分断された後にも、その分断後の板材１０１（分断によって得られるガラス基板）がばらばらにならないという利点が得られる。
【００３３】
〔第３の実施の形態〕
図３〜５は、本発明に係る薄膜デバイスの製造方法の第３実施形態の概要を示す説明図である。
【００３４】
図３（ａ）に示すように、第３実施形態では、第１実施形態または第２実施形態で説明した板材１０１と同様の構成である第１板材２０１の片面に、第２実施形態の場合と同様の薄膜層２０２が形成されているとともに、その第１板材２０１の薄膜層２０２が形成された面側に、第１接着剤２０３を介して第２板材２０４が接着されており、これにより薄膜層２０２が封止されている。
【００３５】
第１接着剤２０３としては、例えば第２実施形態で説明した耐弗酸性のワックス１０５と同様のものを用いることが考えられる。
また、第２板材２０４としては、好ましくは、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ステンレス、インコネル（例えば、インコネル６２５（組成はＮｉ＞５８％、Ｃｒ２０％〜２３％、Ｆｅ＜５％、Ｍｏ８％〜１０％、Ｎｂ３．１％〜４．２％））等の耐酸性の金属板またはこれらの積層板、これらの耐酸性金属膜で被覆された金属板若しくはガラス板またはセラミックス板、またはこれらの積層板を用いることが考えられる。あるいは、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリオレフィン、ポリイミド等の樹脂板を用いてもよい。このような第２板材２０４の第１板材２０１への貼り合わせは、使用する第１接着剤２０３の特性に応じて行えばよい。例えば、第１接着剤２０３が熱可塑性接着剤（ホットメルト接着剤）であれば、加熱装置（例えばホットプレート）による加熱処理により行うことができる。
【００３６】
なお、第１板材２０１については、薄板化するための研磨処理を経て得たものであってもよい。すなわち、例えば初期に０．７ｍｍ厚さであるものに対して、濃度２０％の弗化水素酸溶液２０５でエッチングを行い、これにより０．３ｍｍ程度の厚さを得るようにしてもよい。このとき、面内を均一にエッチングするためには、空気または窒素で弗化水素酸溶液２０５をバブリングすることが有効である。ただし、エッチング等の化学的研磨ではなく、機械的研磨処理によって第１板材２０１を薄板化してもよいことは勿論である。
【００３７】
その後は、図３（ｂ）に示すように、第１板材２０１の他の片面、すなわち薄膜層２０２の形成面と反対側の面に、スクライブ溝２０６を形成する。例えば、エッチング等の化学的研磨によって第１板材２０１を薄板化した場合であれば、第１板材２０１、薄膜層２０２、第１接着剤２０３および第２板材２０４からなる積層体を弗化水素酸溶液２０５の中から取り出して水洗し乾燥させてから、薄膜層２０２の形成面と反対側の面に、炭酸ガスレーザのパルス出力（波長９．４μｍまたは１０．６μｍ）またはＱスイッチＹＡＧレーザの第３高調波出力（波長３５５ｎｍ）等を、平面的に見た場合の薄膜層２０２の外周端縁よりも外方の位置に所定のパターン（例えば、薄膜層２０２の形成位置を囲う方形状）で照射し、ガラス基板の所望厚さよりも深く、具体的にはガラス基板の所望厚さが５０μｍ程度であれば６０μｍ程度の深さで、スクライブ溝２０６を形成する。なお、スクライブ溝２０６は、ダイアモンド刃等を用いて機械的に形成してもよい。
【００３８】
スクライブ溝２０６の形成後は、次いで、少なくとも第１板材２０１におけるスクライブ溝２０６の形成面側に、等方性エッチングを行う。この等方性エッチングは、第１実施形態または第２実施形態で説明したように弗化水素酸溶液をその表面張力を利用して盛り付けて行ってもよいが、薄膜層２０２が第１接着剤２０３および第２板材２０４によって封止されていることから、その積層体を濃度２０％の弗化水素酸溶液２０５に浸すことで行い、溶液塗布作業の簡略化やエッチングレート維持の容易化等を図るようにしてもよい。このような等方性エッチングを、図４（ａ），（ｂ）に示すように、第１板材２０１の厚さがガラス基板の所望厚さ（例えば、５０μｍ）となるまで行う。
【００３９】
これにより、第１板材２０１は、スクライブ溝２０６の形成箇所の部分で分断されることになる。ただし、第１板材２０１には第１接着剤２０３を介して第２板材２０４が貼り付けられているので、スクライブ溝２０６の形成箇所の部分で分断されても、その第１板材２０１が第２板材２０４に支持されて撓みを防止できる上、分断後に第１板材２０１がばらばらにならないという利点が得られる。このことは、特に、エッチング後の第１板材２０１の厚さ、すなわちガラス基板の所望厚さに比して、その第１板材２０１の面積が大きい場合に非常に有効である。
また、このとき、第１板材２０１では、スクライブ溝２０６の側壁部分も等方的なエッチングを受ける。そのため、スクライブ溝２０６の形成時に、その側壁周辺にマイクロクラックが生じていた場合であっても、そのマイクロクラックを含む領域がエッチング除去され消失することになる。
【００４０】
このような等方性エッチングの後は、第１板材２０１、薄膜層２０２、第１接着剤２０３および第２板材２０４からなる積層体を弗化水素酸溶液２０５の中から取り出して水洗し乾燥させてから、図５（ａ）に示すように、その等方性エッチングを行ったスクライブ溝２０６の形成面側に、第２接着剤２０７を介して、例えば厚さ０．２ｍｍ程度の第３板材２０８を接着する。
【００４１】
第２接着剤２０７としては、例えば紫外線硬化型接着剤を用いることが考えられる。紫外線硬化型接着剤を用いる場合には、スピンコートによって第１板材２０１の面上への塗布を行えばよい。ただし、必ずしも紫外線硬化型接着剤に限定されることはなく、熱硬化型接着剤を用いてもよい。さらには、粘着剤または粘着シートを用いることも可能である。
また、第３板材２０８は、耐熱温度１００℃以上の基材が好ましく、具体的にはポリイミドを例示できるが、その他にポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルサルフォン、ポリオレフィン、ポリプロピレン、ポリブチレン、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトン、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンエーテル、ポリアセタール、ポリメチルペンテン、エポキシ樹脂、ジアリルフタレート樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、液晶プラスチック、ポリベンゾイミダゾール、熱硬化性ポリブタジエン等からなる基板、またはこれらの材料からなるポリマーアロイ、ファイバー強化された単体材料基板、シリカ等のフィラーで強化された単体材料基板、または同一材料の積層基板、またはこれらのうち少なくとも一つを含む積層基板でもよく、ステンレス、アルミニウム等の金属板、またはアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、シリカ（ＳｉＯ2）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）等を成分とするセラミックス板の単体材料基板、またはこれらのうち少なくとも一つを含む積層基板を用いることが考えられる。特に、第３板材２０８としては、金属板またはセラミックス板の単体材料基板、または同一材料の積層基板、またはこれらのうち少なくとも一つを含む積層基板が好ましい。このような積層基板は、接着剤による接着または熱融着のうち少なくとも一方により製造することができる。さらに、第３板材２０８は、反射型液晶表示装置におけるＴＦＴ基板、有機ＥＬ表示装置におけるＴＦＴ／発光層基板等のように、偏光特性が問題とならない場合には、ポリマー基板製造時に、一般に広く知られている２軸延伸法によって、例えば室温から１００℃〜１２０℃までの低温領域における線膨張係数を見掛け上低減した基板を用いることもできる。なお、２軸延伸法が既に実用化されている材料としては、ポリエチレンテレフタレートとポリエチレンナフレートを挙げることができる。
【００４２】
第２接着剤２０７を介して第３板材２０８を接着した後は、続いて、図５（ｂ）に示すように、第１板材２０１から第１接着剤２０３および第２板材２０４を除去する。この除去は、第１接着剤２０３および第２板材２０４の材質等に応じて適宜選択した手法を用いて行えばよく、具体的には第１接着剤２０３をアルコールやアセトン等の溶剤に浸漬して溶解または接着力を低下させるといったように、加熱、冷却、光照射または薬液浸漬のうち少なくとも一つにより第１接着剤２０３を溶解除去したり、その接着強度を低下させたりすることで行えばよい。
このようにして第１接着剤２０３および第２板材２０４を除去しても、第１板材２０１に第２接着剤２０７を介して第３板材２０８を接着した後であれば、第１板材２０１がばらばらにならないという利点が得られる。
【００４３】
そして、第２接着剤２０７を介して第３板材２０８を接着したら、次いで、薄膜層２０２、第１板材２０１、第２接着剤２０７および第３板材２０８からなる積層体に対して、第１板材２０１を分断しているスクライブ溝２０６の形成箇所またはその外方の位置、すなわち薄膜層２０２の外周端縁よりも外方に位置するスクライブ溝２０６の形成位置または当該スクライブ溝２０６よりもさらに外方の位置で、炭酸ガスレーザ出力やＹＡＧレーザ出力等によるレーザ切断を行う。ただし、必ずしもレーザ切断である必要はなく、ダイアモンド刃等を用いて機械的に切断しても構わない。
【００４４】
この切断により、図５（ｃ）に示すような構成の薄膜デバイスが得られるのである。なお、この薄膜デバイスでは、上述したように薄膜層２０２、第１板材２０１、第２接着剤２０７および第３板材２０８からなる積層体の端縁をレーザ切断または機械的切断によって形成しているため、その切断をスクライブ溝２０６より外方の位置で行うと、その切断により第１板材２０１の切断端縁周辺にマイクロクラックが生じる可能性がある。しかしながら、第１板材２０１は、スクライブ溝２０６によって分断されている。そのため、マイクロクラックが生じた場合であっても、そのマイクロクラックが第１板材２０１における薄膜層２０２の搭載領域まで延伸してしまうことはない。つまり、第１板材２０１の切断端縁に生じたマイクロクラックが薄膜層２０２に対して破損等の悪影響を及ぼすのを防止できる。
【００４５】
以上のような手順で各工程を行う製造方法、およびその製造方法を経て得られる薄膜デバイスによれば、等方性エッチングを利用してスクライブ溝２０６の形成部分で第１板材２０１を分断するとともに、そのスクライブ溝２０６の形成箇所またはその外方の位置で第１板材２０１を含む積層体を切断して、これにより薄膜デバイスを得ることになるので、その切断箇所にマイクロクラックが存在しても、そのマイクロクラックが薄膜層２０２に悪影響を及ぼすことがなく、薄膜デバイスの機械的または熱的な強度がそのマイクロクラックに起因して低下してしまうのを回避し得る。したがって、薄膜デバイスとしての信頼性を高く維持しつつ、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等を構成した場合の薄型化および軽量化の要請にも十分に応えることが可能となるのである。
【００４６】
しかも、第３実施形態においては、少なくともスクライブ溝２０６の形成箇所よりも外方の位置で第１板材２０１を含む積層体を切断すれば、第１板材２０１の切断端縁に生じたマイクロクラックが薄膜層２０２に対して悪影響を及ぼすのを防止できるので、その切断箇所についての自由度や汎用性等を十分に確保することができるという利点も得られる。
【００４７】
なお、第３実施形態においても、ガラス基板の基となる第１板材２０１が研磨処理を経て得たものである場合、すなわちスクライブ溝２０６を形成する工程に先立って第１板材２０１を薄板化するための研磨処理を行う場合には、使用する第１板材２０１の厚さに依らずにガラス基板の薄板化が容易になるとともに、スクライブ溝２０６の形成後に行う等方性エッチングの処理時間を短縮することができ、さらには当該等方性エッチングの後におけるスクライブ溝２０６の幅の拡がりを極力抑制することができ、製造効率の向上を図る上で非常に好適なものとなる。
【００４８】
また、第３実施形態では、ガラス基板の厚さが５０μｍと非常に薄いため、そのガラス基板の基となる第１板材２０１に対して第３板材２０８を貼り付けて補強しているが、薄膜デバイスとしての用途によっては、第３板材２０８を貼らないでガラス基板のみの薄膜デバイスとして使用することももちろん可能である。
【００４９】
〔第４の実施の形態〕
図６〜８は、本発明に係る薄膜デバイスの製造方法の第４実施形態の概要を示す説明図である。
【００５０】
第４実施形態では、先ず、対向する２枚の基板の間に薄膜層が封止されてなるセル構造体を形成する。具体的には、図６（ａ）に示すように、例えば液晶表示装置を構成する場合であれば、そのＴＦＴ駆動基板となる厚さ０．７ｍｍのガラス板材（以下、単に「第１板材」という）３０１に、薄膜層３０２および外部との接続電極３０３を形成するとともに、液晶シール３０４のパターンを印刷またはディスペンスにより描画し、対向基板となる厚さ０．７ｍｍのガラス板材（以下、単に「第２板材」という）３０５を貼り合わせてガラスセル構造体とした後、加熱や紫外線硬化等により液晶シール３０４を硬化させる。さらには、貼り合せた２枚の第１板材３０１および第２板材３０５の最外周端の近傍部分に、弗化水素酸溶液３０６に対する耐性を有する外周シール３０７を形成し、その外周シール３０７を紫外線照射や加熱等により硬化させる。
【００５１】
そして、このようなガラスセル構造体に対して、濃度２０％の弗化水素酸溶液３０６でエッチングを行う。このエッチングは、第１板材３０１および第２板材３０５の厚さがそれぞれ０．２ｍｍとなるまで行う。すなわち、第１板材３０１および第２板材３０５を薄板化するために行う。なお、第１板材３０１および第２板材３０５における面内を均一にエッチングするためには、空気または窒素で弗化水素酸溶液３０６をバブリングすることが有効である。ただし、エッチング等の化学的研磨ではなく、機械的研磨処理によって第１板材３０１および第２板材３０５を薄板化してもよいことは勿論である。
【００５２】
その後は、ガラスセル構造体を弗化水素酸溶液３０６から取り出して水洗し乾燥させてから、図６（ｂ）に示すように、第１板材３０１および第２板材３０５におけるそれぞれの外面側（ガラスセル構造体を構成した場合の外面側）に、スクライブ溝３０８を形成する。スクライブ溝３０８の形成は、炭酸ガスレーザのパルス出力（波長９．４μｍまたは１０．６μｍ）またはＱスイッチＹＡＧレーザの第３高調波出力（波長３５５ｎｍ）等を、第１板材３０１および第２板材３０５におけるそれぞれの外面側に対して、平面的に見た場合に所定パターン（有効薄膜領域を囲う方形状や接続電極３０３の形成位置を露出させるための形状等）で照射することによって行う。このとき、スクライブ溝３０８の形成深さは、ＴＦＴ駆動基板および対向基板それぞれの所望厚さよりも、後述する許容割断厚さの分だけ浅く、具体的にはＴＦＴ駆動基板および対向基板の所望厚さが５０μｍ程度であれば４０μｍ程度の深さとする。なお、スクライブ溝３０８は、ダイアモンド刃等を用いて機械的に形成してもよい。
【００５３】
スクライブ溝３０８の形成後は、図６（ｂ）および図７（ａ）に示すように、ガラスセル構造体の外面側に等方性エッチングを行う。この等方性エッチングは、第１実施形態または第２実施形態で説明したように弗化水素酸溶液をその表面張力を利用して盛り付けて行ってもよいが、ガラスセル構造体に外周シール３０７が形成されていることから、第３実施形態の場合と同様に、そのガラスセル構造体を濃度２０％の弗化水素酸溶液３０６に浸すことで行い、溶液塗布作業の簡略化やエッチングレート維持の容易化等を図るようにしてもよい。
【００５４】
等方性エッチングは、第１板材３０１および第２板材３０５の厚さがＴＦＴ駆動基板および対向基板の所望厚さ（例えば、５０μｍ）となり、かつ、第１板材３０１および第２板材３０５のそれぞれにおけるスクライブ溝３０８の残厚さが予め設定された許容割断厚さとなるまで行う。
【００５５】
「許容割断厚さ」とは、第１板材３０１または第２板材３０５について機械的割断を行っても、その割断箇所にマイクロクラックが発生しない程度まで、その第１板材３０１または第２板材３０５を薄くした厚さのことをいう。具体的には、第１板材３０１または第２板材３０５の板厚（スクライブ溝３０８以外の部分の厚さ）の２〜３割程度の厚さであることが、実験等の結果から分かっている。したがって、第１板材３０１および第２板材３０５の厚さが５０μｍであれば、許容割断厚さは例えば１０μｍ程度となる。
【００５６】
その後は、ガラスセル構造体を弗化水素酸溶液３０６の中から取り出して水洗し乾燥させてから、図７（ｂ）に示すように、第１板材３０１および第２板材におけるスクライブ溝３０８の部分に対する割断処理を行う。割断処理は、ダイアモンド刃等を用いて機械的に行えばよい。また、レーザ照射等を利用して行ってもよい。
【００５７】
この割断処理により、図８（ａ），（ｂ）に示すような構成のガラスセル構造体が得られるのである。なお、図例において、３０３は外部との接続電極、３０９は接続電極３０３とＴＦＴ駆動基板上のＴＦＴ回路を結ぶ配線パターンを示している。
【００５８】
以上のような手順で各工程を行う製造方法、およびその製造方法を経て得られる薄膜デバイスによれば、スクライブ溝３０８を形成するとともに、そのスクライブ溝３０８の形成箇所が許容割断厚さとなるまで等方性エッチングを行い、その後にスクライブ溝３０８の形成箇所に対して割断処理を行い、これにより薄膜デバイスを得ることになるので、機械的な割断処理を行っても、その割断箇所にマイクロクラックが発生するのを抑制できる。つまり、マイクロクラックが薄膜層３０２に悪影響を及ぼすことがなく、薄膜デバイスの機械的または熱的な強度がそのマイクロクラックに起因して低下してしまうのを回避し得る。したがって、薄膜デバイスとしての信頼性を高く維持しつつ、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等を構成した場合の薄型化および軽量化の要請にも十分に応えることが可能となるのである。
【００５９】
しかも、第４実施形態においては、スクライブ溝３０８の形成箇所が許容割断厚さとなるまで等方性エッチングを行い、その後ガラスセル構造体を弗化水素酸溶液３０６の中から取り出してスクライブ溝３０８の形成箇所に対する割断処理を行うので、その割断時に弗化水素酸溶液３０６がガラスセル構造体における薄膜層３０２に悪影響を及ぼすのを防止することができる。したがって、割断箇所についての自由度や汎用性等を十分に確保しつつ、その場合であっても弗化水素酸溶液３０６に対する封止等が考慮せずに済み、結果として割断処理の容易化が図れることになる。
【００６０】
なお、第４実施形態においても、ＴＦＴ駆動基板となる第１板材３０１および対向基板となる第２板材３０５のそれぞれに対し、スクライブ溝３０８を形成する工程に先立ってこれらを薄板化するための研磨処理を行っているので、使用する第１板材３０１および第２板材３０５の厚さに依らずにＴＦＴ駆動基板および対向基板の薄板化が容易になるとともに、スクライブ溝３０８の形成後に行う等方性エッチングの処理時間を短縮することができ、さらには当該等方性エッチングの後におけるスクライブ溝３０８の幅の拡がりを極力抑制することができ、製造効率の向上を図る上で非常に好適なものとなる。
【００６１】
〔第５の実施の形態〕
上述した第１〜第４実施形態は、例えば液晶表示装置に適用することが考えられる。液晶表示装置への適用は、第１〜第４実施形態で説明した内容のいずれであってもよいが、ここでは第３実施形態で説明した基板分断を適用して構成した液晶表示装置を例に挙げて説明する。
【００６２】
図９は、本発明が適用された液晶表示装置の一具体例を示す断面図である。図例の液晶表示装置は、第３実施形態を適用して形成されたＴＦＴ基板を用いて製造される、プラスチック基板透過型液晶表示装置で、カラーフィルタがＴＦＴ基板側に形成されている、いわゆるオンチップ・カラーフィルター構造を採用したものである。詳しくは、プラスチック基板４０１上に、紫外線硬化型接着剤層４０２、ガラス残留層４０３、ＴＦＴ４０４、カラーフィルタ層４０５、外周回路および配線４０６、パッシベーション層４０７、画素電極４０８、ポリイミド配向膜４０９、液晶層４１０、柱状スペーサ４１１、ポリイミド配向膜４１２、液晶シール４１３、ＩＴＯ４１４、ブラック４１５、水蒸気バリア層４１６およびプラスチック基板４１７が、順に積層されて構成されている。このうち、ガラス残留層４０３には、スクライブ溝４１８が形成されており、そのスクライブ溝４１８の形成箇所よりも外方の位置で、ガラス残留層４０３を含む積層構造体が切断されている。
【００６３】
図１０は、本発明が適用された液晶表示装置の他の具体例を示す断面図である。図例の液晶表示装置は、第３実施形態を適用して形成されたＴＦＴ基板を用いて製造される、プラスチック基板反射型液晶表示装置で、カラーフィルタが対向基板側に形成されている構造のものである。詳しくは、プラスチック基板５０１上に、紫外線硬化型接着剤層５０２、ガラス残留層５０３、ＴＦＴ５０４、光散乱層５０５、外周回路および配線５０６、画素電極５０７、ポリイミド配向膜５０８、パッシベーション層５０９、液晶層５１０、柱状スペーサ５１１、ポリイミド配向膜５１２、液晶シール５１３、ＩＴＯ５１４、オーバーコート膜５１５、カラーフィルタ層５１６、ブラック５１７、水蒸気バリア層５１８およびプラスチック基板５１９が、順に積層されて構成されている。このうち、ガラス残留層５０３にはスクライブ溝５２０が形成されており、そのスクライブ溝５２０の形成箇所よりも外方の位置で、ガラス残留層５０３を含む積層構造体が切断されている。
【００６４】
以上のように、図９または図１０に示した液晶表示装置は、いずれも、等方性エッチングを利用してスクライブ溝４１８，５２０の形成部分でガラス残留層４０３，５０３を分断するとともに、そのスクライブ溝４１８，５２０の形成箇所よりも外方の位置でガラス残留層４０３，５０３を含む積層体を切断して、これにより液晶表示装置を得ることになるので、その切断箇所にマイクロクラックが存在しても、そのマイクロクラックがＴＦＴ４０４，５０４や液晶層４１０，５１０等の直下部分におけるガラス残留層４０３，５０３に悪影響を及ぼすことがない。したがって、液晶表示装置としての信頼性を高く維持しつつ、薄型化および軽量化の要請にも十分に応えることが可能となるのである。
【００６５】
〔第６の実施の形態〕
上述した第５実施形態では、本発明を液晶表示装置に適用した場合を例に挙げたが、これと同様に、本発明は有機ＥＬ表示装置にも適用することが考えられる。有機ＥＬ表示装置への適用は、第１〜第４実施形態で説明した内容のいずれであってもよいが、ここでは第３実施形態で説明した基板分断を適用して構成した液晶表示装置を例に挙げて説明する。
【００６６】
図１１は、本発明が適用された有機ＥＬ表示装置の一具体例を示す断面図である。図例では、図示を容易にするため、１個の画素とこれを駆動する１個の薄膜トランジスタＴＦＴのみを表しているが、画素はマトリクス状に配されており画面を構成しているものとする。
【００６７】
各画素は、有機ＥＬ発光素子（Organic Light Emitting Diode；以下「ＯＬＥＤ」と略す）からなり、透明電極６０１、有機ＥＬ層６０２および金属電極６０３を順に重ねたものである。透明電極６０１は画素毎に分離しておりＯＬＥＤのアノードＡとして機能し、例えばＩＴＯなどの透明導電膜からなる。金属電極６０３は画素間で共通接続されており、ＯＬＥＤのカソードＫとして機能する。有機ＥＬ層６０２は例えば正孔輸送層と電子輸送層とを重ねた複合膜となっている。
【００６８】
一方、ＴＦＴは、ガラス基板６１１の上に形成されたゲート電極６１２と、その上に重ねられたゲート絶縁膜６１３と、このゲート絶縁膜６１３を介してゲート電極６１２の上方に重ねられた多結晶シリコン薄膜６１４とからなる。さらに、ＴＦＴは、ＯＬＥＤに供給する電流の通路となるソースＳ、チャネルＣｈ及びドレインＤを備えている。チャネルＣｈはちょうどゲート電極６１２の直上に位置する。このボトムゲート構造のＴＦＴは、層間絶縁膜６１５により被覆されており、その上にはソース電極６１６およびドレイン電極６１７が形成されている。これらの上には、別の層間絶縁膜６１８を介して、上述したＯＬＥＤが成膜されている。層間絶縁膜６１８にはコンタクトホールが開口しており、ＯＬＥＤの透明電極６０１はこのコンタクトホールを介してＴＦＴのドレイン電極６１７に電気接続している。
【００６９】
有機ＥＬ表示装置では、このような構成のＯＬＥＤおよびＴＦＴを、厚さ０．７ｍｍのガラス基板６１１上に作製した後、上述した第３実施形態の場合と同様の手順で、そのガラス基板６１１を５０μｍ厚まで薄くし、接着剤６２１により厚さ１００μｍのプラスチック基板６２２に貼り付けた構造としている。すなわち、ガラス基板６１１にはスクライブ溝６２３が形成されており、そのスクライブ溝６２３の形成箇所よりも外方の位置で、ガラス基板６１１を含む積層構造体が切断されているのである。
【００７０】
以上のように、図１１に示した有機ＥＬ表示装置は、いずれも、等方性エッチングを利用してスクライブ溝６２３の形成部分でガラス基板６１１を分断するとともに、そのスクライブ溝６２３の形成箇所よりも外方の位置でガラス基板６１１を含む積層体を切断して、これにより有機ＥＬ表示装置を得ることになるので、その切断箇所にマイクロクラックが存在しても、そのマイクロクラックがＯＬＥＤやＴＦＴ等の直下部分におけるガラス基板６１１に悪影響を及ぼすことがない。したがって、有機ＥＬ表示装置としての信頼性を高く維持しつつ、薄型化および軽量化の要請にも十分に応えることが可能となるのである。
【００７１】
なお、上述した第１〜第６実施形態では、それぞれ本発明の好適な実施具体例を説明したが、本発明はその内容に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、各実施形態では、「基板」としてガラス基板を例に挙げたが、薄膜デバイスを構成し得るものであれば、他のもの（例えばガラス層を有した積層構造基板）であっても構わない。また、各実施形態では、「薄膜デバイス」として、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等を例に挙げたが、これらに限定されないことは勿論である。
【００７２】
また、第１〜第６実施形態では、いずれも、スクライブ溝１０２，２０６，３０８，４１８，５２０，６２３の形成面側に行う「エッチング」が、方向性のない非晶質であるエッチング対象に対して水溶液を用いて行うウエット・エッチング、すなわち方向によらず等速度で均一に行われる等方性エッチングである場合を例に挙げて説明している。等方性エッチングであれば、スクライブ溝１０２，２０６，３０８，４１８，５２０，６２３の側壁部分も等方的なエッチングを受けるため、例えば当該スクライブ溝１０２，２０６，３０８，４１８，５２０，６２３の深さよりもエッチングで除去される厚さの方が薄い場合であっても、確実にマイクロクラックを除去することができ、ガラス基板の薄板化への対応が容易かつ適切に、しかも効率よく行えるという利点が得られるからである。
ただし、この「エッチング」は、必ずしも第１〜第６実施形態で説明したような等方性エッチングに限定されることはなく、等方性を有さない非等方的な異方性エッチングであってもよい。エッチングが非等方的な異方性のものであっても、例えば図１２に示すように、そのエッチングをスクライブ溝の形成面側に対して行えば、そのエッチングにより、スクライブ溝周辺のマイクロクラック領域を含む板材表面近傍部分は、その板材の元の厚さと所望厚さとの差分だけ削られて除去されるので、結果としてスクライブ溝周辺に生じているマイクロクラックも除去されるからである。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明に係る薄膜デバイスの製造方法の第１実施形態の概要を示す説明図である。
【図２】本発明に係る薄膜デバイスの製造方法の第２実施形態の概要を示す説明図である。
【図３】本発明に係る薄膜デバイスの製造方法の第３実施形態の概要を示す説明図（その１）である。
【図４】本発明に係る薄膜デバイスの製造方法の第３実施形態の概要を示す説明図（その２）である。
【図５】本発明に係る薄膜デバイスの製造方法の第３実施形態の概要を示す説明図（その３）である。
【図６】本発明に係る薄膜デバイスの製造方法の第４実施形態の概要を示す説明図（その１）である。
【図７】本発明に係る薄膜デバイスの製造方法の第４実施形態の概要を示す説明図（その２）である。
【図８】本発明に係る薄膜デバイスの製造方法の第４実施形態の概要を示す説明図（その３）である。
【図９】本発明が適用された液晶表示装置の一具体例を示す断面図である。
【図１０】本発明が適用された液晶表示装置の他の具体例を示す断面図である。
【図１１】本発明が適用された有機ＥＬ表示装置の一具体例を示す断面図である。
【図１２】エッチングによるマイクロクラック除去の一具体例を示す説明図である。
【符号の説明】
【００７４】
１０１…板材、１０２…スクライブ溝、１０３…弗化水素酸溶液、１０４…薄膜層、１０５…ワックス、２０１…第１板材、２０２…薄膜層、２０３…第１接着剤、２０４…第２板材、２０５…弗化水素酸溶液、２０６…スクライブ溝、２０７…第２接着剤、２０８…第３板材、３０１…第１板材、３０２…薄膜層、３０３…接続電極、３０４…液晶シール、３０５…第２板材、３０６…弗化水素酸溶液、３０７…外周シール、３０８…スクライブ溝、４０１…プラスチック基板、４０２…紫外線硬化型接着剤層、４０３…ガラス残留層、４０４…ＴＦＴ、４０５…カラーフィルタ層、４０６…外周回路および配線、４０７…パッシベーション層、４０８…画素電極、４０９…ポリイミド配向膜、４１０…液晶層、４１１…柱状スペーサ、４１２…ポリイミド配向膜、４１３…液晶シール、４１４…ＩＴＯ、４１５…ブラック、４１６…水蒸気バリア層、４１７…プラスチック基板、４１８…スクライブ溝、５０１…プラスチック基板、５０２…紫外線硬化型接着剤層、５０３…ガラス残留層、５０４…ＴＦＴ、５０５…光散乱層、５０６…外周回路および配線、５０７…画素電極、５０８…ポリイミド配向膜、５０９…パッシベーション層、５１０…液晶層、５１１…柱状スペーサ、５１２…ポリイミド配向膜、５１３…液晶シール、５１４…ＩＴＯ、５１５…オーバーコート膜、５１６…カラーフィルタ層、５１７…ブラック、５１８…水蒸気バリア層、５１９…プラスチック基板、５２０…スクライブ溝、６０１…透明電極、６０２…有機ＥＬ層、６０３…金属電極、６１１…ガラス基板、６１２…ゲート電極、６１３…ゲート絶縁膜、６１４…多結晶シリコン薄膜、６１５…層間絶縁膜、６１６…ソース電極、６１７…ドレイン電極、６１８…層間絶縁膜、６２１…接着剤、６２２…プラスチック基板、６２３…スクライブ溝、Ｓ…ソース、Ｃｈ…チャネル、Ｄ…ドレイン
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置を構成するもののように、基板（デバイス支持層）上に薄膜層が形成されてなる薄膜デバイスの製造方法および薄膜デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や携帯情報端末（ＰＤＡ）等における表示ディスプレイとして、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等が広く用いられている。液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等は、一般に、ガラス基板（デバイス支持板）上に薄膜層が形成されてなる薄膜デバイスを具備して構成される。そのため、薄膜デバイスを用いて液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等を構成する場合には、その製造過程において、ガラス基板となる板材を、そのガラス基板となる大きさ（液晶表示装置または有機ＥＬ表示装置の表示パネルとなる大きさ）のパネル状に切り出す工程が不可避である。
【０００３】
ガラス基板の切り出しは、例えば、ガラス基板に機械的にスクライブ溝を刻んで、その後にスクライブ溝の部分を機械的または熱的応力によって割断分離する、いわゆるスクライブ・ブレーク法を用いて行うことが知られている（例えば、特許文献１参照）。また、このスクライブ・ブレーク法においては、スクライブライン形成時に生じたガラスのひび割れを、エッチング等のケミカル処理を行って除去することも提案されている（例えば、特許文献１，２参照）。
さらには、例えば、ガラス面内の一部に機械的にスクライブ溝を刻んで、炭酸ガスレーザ等からのパワービームを走査し、スクライブ溝の一部を含むように照射スポットを維持、走査することで、ガラス面内に刻んだスクライブ溝を所望のパターンで延伸し、これによりガラス基板を割断する方法も提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【０００４】
【特許文献１】特許第３５７７４９２号公報
【特許文献２】特開２００３−３１６２８０号公報
【特許文献３】特表２００３−５１４６７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等を構成する薄膜デバイスに対しては、薄型化および軽量化の要請が高まっている。そのため、薄膜デバイスにおけるガラス基板については、その薄型化が進行しており、具体的にはその厚さが０．２ｍｍ以下のものも用いられつつある。
【０００６】
しかしながら、ガラス基板の薄型化が進行すると、従来の方法でそのガラス基板の割断を行った場合に、以下に述べるような問題が生じるおそれがある。
例えば、スクライブ溝を刻んだ後にそのスクライブ溝の部分を機械的または熱的応力によって割断分離すると、スクライブ溝の形成時に生じたひび割れをケミカル処理によって除去した場合であっても、その後に行うガラス割断の際に意図せぬ割れが多発してしまう可能性がある。
また、ガラス面内の一部に機械的に刻んだスクライブ溝を炭酸ガスレーザ等からのパワービームを走査して延伸することにより割断する方法は、ガラス板の厚さが例えば０．１〜０．２ｍｍ以下の場合、スクライブ溝の延伸時に炭酸ガスレーザの走査方向とは異なる、意図せぬ方向に溝が走ってしまう、すなわち、ガラス板が割れてしまうことが多くなり、実用上の問題が残されている。
【０００７】
そこで、本発明は、基板薄型化が進行しても、基板分断の際に意図せぬ割れが発生したり、分断後の強度低下が著しくなってしまうのを抑制することのできる薄膜デバイスの製造方法および薄膜デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記目的を達成するために案出された薄膜デバイスの製造方法である。すなわち、基板上に薄膜層が形成されてなる薄膜デバイスの製造方法であって、前記基板となる板材で当該基板の所望厚さよりも大きな厚さを有するものに対して、前記所望厚さよりも深いスクライブ溝を形成する工程と、前記板材の前記スクライブ溝の形成面側に当該板材の厚さが前記所望厚さとなるまでエッチングを行う工程とを含むことを特徴とする。
【０００９】
上記手順の薄膜デバイスの製造方法では、先ず、基板となる板材にスクライブ溝を形成する。「基板」は、代表的なものとしてガラス基板が挙げられるが、その他にも、例えばガラス層を有した積層構造基板のように、薄膜デバイスを構成し得るものの全てを含む。「板材」は、基板の形成材料となるものである。また、「スクライブ溝」は、板材を分断するために形成する加工溝であり、例えばレーザビームを照射してその照射スポット内の部分を蒸発、噴出あるいは流出させることで形成したり、ダイアモンド刃等を用いて機械的に傷（スクラッチ）を入れて形成することが考えられる。ただし、スクライブ溝は、基板の所望厚さ、すなわち薄膜デバイス構成時における基板厚よりも深く形成する。当該基板の所望厚さよりも板材が大きな厚さを有しているので、スクライブ溝を基板の所望厚さより深く形成可能である。
そして、スクライブ溝の形成後は、次いで、板材のスクライブ溝形成面側にエッチングを行う。「エッチング」は、板材表面に対する化学的または電気化学的な除去処理であり、その代表的なものとしては、例えば板材がガラス基板を構成するものであれば弗化水素酸を含む溶液を用いて行うエッチングのように、方向によらず等速度で均一に行われる等方性エッチングが挙げられる。ただし、ここでいう「エッチング」には、等方性を有さない非等方的な異方性エッチングも含まれる。このエッチング（等方性エッチングまたは異方性エッチング）は、板材の厚さが基板の所望厚さとなるまで行う。したがって、エッチングが進行して板材が均一に薄くなっても、見かけ上におけるスクライブ溝の深さは変わらないため、スクライブ溝が基板の所望厚さよりも深く形成されていれば、板材の厚さが基板の所望厚さになったときには、その板材がスクライブ溝の形成箇所の部分で分断されることになる。
また、この間、エッチングが等方性を有する場合であれば、スクライブ溝の側壁部分も等方的なエッチングを受けるため、そのスクライブ溝の形成時に側壁周辺にマイクロクラックが生じていても、そのマイクロクラックを含む領域がエッチング除去され消失することになる。一方、エッチングが非等方的な異方性のものであっても、そのエッチングにより、スクライブ溝周辺のマイクロクラック領域を含む板材表面近傍部分は、その板材の元の厚さと所望厚さとの差分だけ削られて除去されることになる。つまり、いずれの場合であっても、板材の分断後は、その分断箇所にマイクロクラックが存在することなく、そのマイクロクラックに起因する機械的または熱的な強度低下を招いてしまうこともない。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の薄膜デバイスの製造方法、およびその製造方法を経て得られる薄膜デバイス、すなわち本発明の薄膜デバイスによれば、エッチングを利用してスクライブ溝の形成部分で板材を分断して基板を構成することになるので、その分断箇所にマイクロクラックが存在することなく、そのマイクロクラックに起因する機械的または熱的な強度低下を招いてしまうこともない。つまり、基板薄型化が進行しても、基板分断の際に意図せぬ割れが発生したり、分断後の強度低下が著しくなってしまうのを抑制できる。したがって、薄膜デバイスとしての信頼性を高く維持しつつ、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等を構成した場合の薄型化および軽量化の要請にも十分に応えることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面に基づき本発明に係る薄膜デバイスの製造方法および薄膜デバイスについて説明する。
【００１２】
ここで説明する薄膜デバイスは、液晶表示装置または有機ＥＬ表示装置を構成するためのもので、ガラス基板上にＴＦＴからなる駆動回路層や発光層等に代表される薄膜層が形成されてなるものである。ただし、同様の構成を有するものであれば、液晶表示装置または有機ＥＬ表示装置を構成するもの以外にも適用可能であることは勿論である。
【００１３】
一般に、薄膜デバイスを用いて液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等を構成する場合には、その製造効率向上を図るべく、ガラス基板の形成材料である一つの板材から複数のデバイスを得る、いわゆる多面取りが行われる。そのため、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等を構成する薄膜デバイスの製造過程においては、ガラス基板となる板材を、そのガラス基板となる大きさ（液晶表示装置または有機ＥＬ表示装置の表示パネルとなる大きさ）、さらに具体的にはガラス基板上に形成される薄膜層の形成領域に対応した大きさのパネル状に切り出す工程が不可避である。ここで、「薄膜層の形成領域」とは、薄膜デバイスの表示領域（＝画素領域）と外周駆動回路領域とを合わせた領域を意味している。以下、この領域のことを「有効薄膜領域」というものとする。
【００１４】
ただし、薄膜デバイスにおけるガラス基板については、その厚さが０．２ｍｍ以下であるという薄型化が進行している。このことから、ここで説明する薄膜デバイスでは、以下に述べるような手順を経て、ガラス基板の切り出しが行われる。
【００１５】
〔第１の実施の形態〕
図１は、本発明に係る薄膜デバイスの製造方法の第１実施形態の概要を示す説明図である。図例は、薄膜層の形成に先立ってガラス基板の切り出しを行う場合に適用して好適な実施形態を示している。
【００１６】
図１（ａ）に示すように、ガラス基板の切り出しにあたっては、そのガラス基板となる板材で、そのガラス基板の所望厚さよりも大きな厚さを有するものを用いる。例えば、ガラス基板の所望厚さが０．２ｍｍ以下、さらに具体的には５０μｍ程度であれば、板厚が０．３ｍｍ程度のガラスからなる板材１０１を用いる。
【００１７】
このとき、板材１０１は、薄板化するための研磨処理を経て得たものであってもよい。すなわち、０．３ｍｍを超える厚さのものに対して研磨処理を行い、これにより０．３ｍｍ程度の厚さを得るようにしてもよい。研磨処理は、機械的研磨であっても、あるいはエッチング等の化学的研磨であってもよいが、公知技術を利用して行えばよいため、ここではその詳細な説明を省略する。
【００１８】
そして、板材１０１の面上に対しては、板材１０１を分断するための加工溝であるスクライブ溝１０２を形成する。スクライブ溝１０２は、ガラス基板の所望厚さよりも深く形成する。例えば、ガラス基板の所望厚さが５０μｍ程度であれば、スクライブ溝１０２を６０μｍ程度の深さで形成する。
【００１９】
スクライブ溝１０２の形成は、炭酸ガス（ＣＯ2）レーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＶＯ4等の固体レーザの基本波出力、第３高調波出力若しくは第４高調波出力、またはエキシマレーザ出力のパワービームを照射して、その照射スポット内の部分のガラス材を蒸発、噴出あるいは流出させることで行うことが考えられる。このとき、レーザの発振波長が短ければ、集光スポットの面積が小さくなるため、スクライブ溝１０２の形成幅を狭くすることができる。また、レーザの発振モード（空間モード）がＴＥＭ００モードならば、ビームの集光性が良くなる。また、連続発振（ＣＷ）レーザよりは、パルスレーザのほうが、スクライブ溝１０２の形成に適している。ただし、スクライブ溝１０２の形成は、必ずしもレーザ照射によって行う必要はなく、ダイアモンド刃等を用いて機械的にスクラッチを入れて形成するようにしてもよい。
【００２０】
スクライブ溝１０２の形成位置は、板材１０１上に形成すべき薄膜層（ただし不図示）の位置、すなわち有効薄膜領域となる領域に対応しているものとする。具体的には、図１（ｂ）に示すように、有効薄膜領域となる領域を囲うように方形状に形成する、といったことが考えられる。なお、スクライブ溝１０２を形成した時点では、そのスクライブ溝１０２の側壁周辺にマイクロクラックが生じていても構わない。
【００２１】
スクライブ溝１０２の形成後は、次いで、板材１０１におけるスクライブ溝１０２の形成面側に、等方性エッチングを行う。等方性エッチングは、方向によらず等速度で均一に行われるエッチングであり、例えばガラス材に対するものであれば、弗化水素酸を含む溶液を用いて行うエッチングがこれに相当する。図１（ａ）に示す例では、板材１０１におけるスクライブ溝１０２の形成面上に、濃度２０％の弗化水素酸溶液１０３を、表面張力を利用して盛り付けている場合を示している。このようにすれば、エッチングが不要な箇所（例えば、スクライブ溝１０２の非形成面）に弗化水素酸溶液１０３が悪影響を及ぼすのを抑制することができる。ただし、弗化水素酸溶液中に板材１０１を浸すことで、等方性エッチングを行うようにしてもよいことは勿論である。
【００２２】
このような等方性エッチングは、板材１０１の厚さがガラス基板の所望厚さとなるまで行う。上述したように、表面張力を利用して弗化水素酸溶液１０３を板材１０１上に盛り付けている場合には、エッチングの進行に伴い、弗化水素酸溶液１０３を適時新たなものと交換し、エッチング速度（レート）を維持するものとする。
【００２３】
その後、図１（ｃ），（ｄ）に示すようにエッチングが進行すると、当該エッチングが等方性エッチングであることから、板材１０１が均一に薄くなるのに伴い、スクライブ溝１０２の部分も掘り進められる。つまり、見かけ上におけるスクライブ溝１０２の深さは、エッチング前と変わらない。
【００２４】
したがって、図１（ｅ）に示すように、エッチングが進行し、板材１０１の厚さがガラス基板の所望厚さである５０μｍ程度となったときには、スクライブ溝１０２の深さが６０μｍ程度であることから、板材１０１がスクライブ溝１０２の形成箇所の部分で分断されることになる。
この分断後の板材１０１が、薄膜デバイスを構成するガラス基板となるのである。つまり、薄膜デバイスを構成するガラス基板は、機械的もしくは熱的応力による割断、またはレーザ等のパワービームを利用した割断によって切り出されるのではなく、スクライブ溝１０２および等方性エッチングを利用した分断によって切り出されるのである。
【００２５】
また、板材１０１の分断に際しては、スクライブ溝１０２の側壁部分も等方的なエッチングを受ける。そのため、スクライブ溝１０２の形成時に、その側壁周辺にマイクロクラックが生じていた場合であっても、そのマイクロクラックを含む領域がエッチング除去され消失することになる。つまり、板材１０１の分断後は、その分断箇所にマイクロクラックが存在することなく、そのマイクロクラックに起因する機械的または熱的な強度低下を招いてしまうこともない。
【００２６】
以上のような手順で各工程を行う製造方法、およびその製造方法を経て得られる薄膜デバイスによれば、等方性エッチングを利用してスクライブ溝１０２の形成部分で板材１０１を分断して、これにより薄膜デバイスを構成するガラス基板を得ることになるので、その分断箇所にマイクロクラックが存在することなく、そのマイクロクラックに起因する機械的または熱的な強度低下を招いてしまうこともない。つまり、ガラス基板の薄型化が進行しても、分断の際に意図せぬ割れが発生したり、分断後の強度低下が著しくなってしまうのを抑制できる。したがって、薄膜デバイスとしての信頼性を高く維持しつつ、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等を構成した場合の薄型化および軽量化の要請にも十分に応えることが可能となるのである。
【００２７】
また、ガラス基板の基となる板材１０１が研磨処理を経て得たものである場合、すなわちスクライブ溝１０２を形成する工程に先立って板材１０１を薄板化するための研磨処理を行う場合には、使用する板材１０１の厚さに依らずにガラス基板の薄板化が容易になるとともに、スクライブ溝１０２の形成後に行う等方性エッチングの処理時間を短縮することができ、さらには当該等方性エッチングの後におけるスクライブ溝１０２の幅の拡がりを極力抑制することができ、製造効率の向上を図る上で非常に好適なものとなる。
【００２８】
〔第２の実施の形態〕
図２は、本発明に係る薄膜デバイスの製造方法の第２実施形態の概要を示す説明図である。図例は、薄膜層の形成後にガラス基板の切り出しを行う場合に適用して好適な実施形態を示している。
【００２９】
図２（ａ）に示すように、第２実施形態では、板材１０１の片面に、薄膜層１０４が形成済みである点で、上述した第１実施形態の場合とは異なる。薄膜層１０４としては、液晶表示装置または有機ＥＬ表示装置を構成するためのＴＦＴからなる駆動回路層や発光層等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、薄膜層１０４の形成については、公知技術を利用して行えばよいため、ここではその説明を省略する。
【００３０】
薄膜層１０４は、その形成後、耐弗酸性のワックス１０５によって覆われているものとする。耐弗酸性のワックス１０５としては、例えば、融点２００℃以下の熱可塑性接着剤が好ましく、エチレン−酢酸ビニル熱可塑性エラストマー、スチレン−ブタジエンブロック共重合体、スチレン−エチレン−ブチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレンブロック共重合体、エチレン−塩化ビニル共重合体、酢酸塩アセテート樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリブテン、熱可塑性ポリブタジエン、ポリスチレン、ポリブタジエン、ポリ酢酸ビニル、ポリメチルメタクリレート、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリテトラフロロエチレン、エチレン-テトラフロロエチレン共重合体、アクリロニトリル-スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、アクリロニトリルブタジエンスチレン（ＡＢＳ樹脂）、アイオノマー、ＡＡＳ樹脂、ＡＣＳ樹脂、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリオキシベンゾイル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、液晶ポリエステル、セルロース系プラスチック（酢酸セルロース、酢酪酸セルロース、エチルセルロース、セルロイドセロファン）、ポリオレフィン、ポリウレタン、若しくは以上の共重合体またはポリマーアロイ、あるいはパラフィン、コールタール、ロジン、天然ゴム、フッ素ゴム等を用いることが考えられる。このような耐弗酸性のワックス１０５は、板材１０１の片面（薄膜層１０４の形成面）側に、例えばバーコーターを利用して、１μｍ〜３０００μｍ程度の厚さで均一に塗布すればよい。
【００３１】
そして、板材１０１の他の片面、すなわち薄膜層１０４の形成面と反対側の面には、上述した第１実施形態の場合と同様に、深さ約６０μｍのスクライブ溝１０２が形成されている。したがって、スクライブ溝１０２の形成面側に、第１実施形態の場合と同様に等方性エッチングを行い、そのエッチングが図２（ｂ），（ｃ）に示すように進行し、図２（ｄ）に示すように板材１０１の厚さがガラス基板の所望厚さである５０μｍ程度となったときには、板材１０１がスクライブ溝１０２の形成箇所の部分で分断されることになる。
【００３２】
このような手順により板材１０１を分断することで、第２実施形態においても、その分断箇所にマイクロクラックが存在することなく、そのマイクロクラックに起因する機械的または熱的な強度低下を招いてしまうこともない。つまり、ガラス基板の薄型化が進行しても、分断の際に意図せぬ割れが発生したり、分断後の強度低下が著しくなってしまうのを抑制できる。
しかも、第２実施形態では、薄膜層１０４の形成面側に耐弗酸性のワックス１０５を塗布しているので、等方性エッチングに用いる溶液１０３が薄膜層１０４の形成面側に侵入して当該薄膜層１０４に悪影響を及ぼすのを回避することができ、さらには等方性エッチングが進行して板材１０１が分断された後にも、その分断後の板材１０１（分断によって得られるガラス基板）がばらばらにならないという利点が得られる。
【００３３】
〔第３の実施の形態〕
図３〜５は、本発明に係る薄膜デバイスの製造方法の第３実施形態の概要を示す説明図である。
【００３４】
図３（ａ）に示すように、第３実施形態では、第１実施形態または第２実施形態で説明した板材１０１と同様の構成である第１板材２０１の片面に、第２実施形態の場合と同様の薄膜層２０２が形成されているとともに、その第１板材２０１の薄膜層２０２が形成された面側に、第１接着剤２０３を介して第２板材２０４が接着されており、これにより薄膜層２０２が封止されている。
【００３５】
第１接着剤２０３としては、例えば第２実施形態で説明した耐弗酸性のワックス１０５と同様のものを用いることが考えられる。
また、第２板材２０４としては、好ましくは、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ステンレス、インコネル（例えば、インコネル６２５（組成はＮｉ＞５８％、Ｃｒ２０％〜２３％、Ｆｅ＜５％、Ｍｏ８％〜１０％、Ｎｂ３．１％〜４．２％））等の耐酸性の金属板またはこれらの積層板、これらの耐酸性金属膜で被覆された金属板若しくはガラス板またはセラミックス板、またはこれらの積層板を用いることが考えられる。あるいは、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリオレフィン、ポリイミド等の樹脂板を用いてもよい。このような第２板材２０４の第１板材２０１への貼り合わせは、使用する第１接着剤２０３の特性に応じて行えばよい。例えば、第１接着剤２０３が熱可塑性接着剤（ホットメルト接着剤）であれば、加熱装置（例えばホットプレート）による加熱処理により行うことができる。
【００３６】
なお、第１板材２０１については、薄板化するための研磨処理を経て得たものであってもよい。すなわち、例えば初期に０．７ｍｍ厚さであるものに対して、濃度２０％の弗化水素酸溶液２０５でエッチングを行い、これにより０．３ｍｍ程度の厚さを得るようにしてもよい。このとき、面内を均一にエッチングするためには、空気または窒素で弗化水素酸溶液２０５をバブリングすることが有効である。ただし、エッチング等の化学的研磨ではなく、機械的研磨処理によって第１板材２０１を薄板化してもよいことは勿論である。
【００３７】
その後は、図３（ｂ）に示すように、第１板材２０１の他の片面、すなわち薄膜層２０２の形成面と反対側の面に、スクライブ溝２０６を形成する。例えば、エッチング等の化学的研磨によって第１板材２０１を薄板化した場合であれば、第１板材２０１、薄膜層２０２、第１接着剤２０３および第２板材２０４からなる積層体を弗化水素酸溶液２０５の中から取り出して水洗し乾燥させてから、薄膜層２０２の形成面と反対側の面に、炭酸ガスレーザのパルス出力（波長９．４μｍまたは１０．６μｍ）またはＱスイッチＹＡＧレーザの第３高調波出力（波長３５５ｎｍ）等を、平面的に見た場合の薄膜層２０２の外周端縁よりも外方の位置に所定のパターン（例えば、薄膜層２０２の形成位置を囲う方形状）で照射し、ガラス基板の所望厚さよりも深く、具体的にはガラス基板の所望厚さが５０μｍ程度であれば６０μｍ程度の深さで、スクライブ溝２０６を形成する。なお、スクライブ溝２０６は、ダイアモンド刃等を用いて機械的に形成してもよい。
【００３８】
スクライブ溝２０６の形成後は、次いで、少なくとも第１板材２０１におけるスクライブ溝２０６の形成面側に、等方性エッチングを行う。この等方性エッチングは、第１実施形態または第２実施形態で説明したように弗化水素酸溶液をその表面張力を利用して盛り付けて行ってもよいが、薄膜層２０２が第１接着剤２０３および第２板材２０４によって封止されていることから、その積層体を濃度２０％の弗化水素酸溶液２０５に浸すことで行い、溶液塗布作業の簡略化やエッチングレート維持の容易化等を図るようにしてもよい。このような等方性エッチングを、図４（ａ），（ｂ）に示すように、第１板材２０１の厚さがガラス基板の所望厚さ（例えば、５０μｍ）となるまで行う。
【００３９】
これにより、第１板材２０１は、スクライブ溝２０６の形成箇所の部分で分断されることになる。ただし、第１板材２０１には第１接着剤２０３を介して第２板材２０４が貼り付けられているので、スクライブ溝２０６の形成箇所の部分で分断されても、その第１板材２０１が第２板材２０４に支持されて撓みを防止できる上、分断後に第１板材２０１がばらばらにならないという利点が得られる。このことは、特に、エッチング後の第１板材２０１の厚さ、すなわちガラス基板の所望厚さに比して、その第１板材２０１の面積が大きい場合に非常に有効である。
また、このとき、第１板材２０１では、スクライブ溝２０６の側壁部分も等方的なエッチングを受ける。そのため、スクライブ溝２０６の形成時に、その側壁周辺にマイクロクラックが生じていた場合であっても、そのマイクロクラックを含む領域がエッチング除去され消失することになる。
【００４０】
このような等方性エッチングの後は、第１板材２０１、薄膜層２０２、第１接着剤２０３および第２板材２０４からなる積層体を弗化水素酸溶液２０５の中から取り出して水洗し乾燥させてから、図５（ａ）に示すように、その等方性エッチングを行ったスクライブ溝２０６の形成面側に、第２接着剤２０７を介して、例えば厚さ０．２ｍｍ程度の第３板材２０８を接着する。
【００４１】
第２接着剤２０７としては、例えば紫外線硬化型接着剤を用いることが考えられる。紫外線硬化型接着剤を用いる場合には、スピンコートによって第１板材２０１の面上への塗布を行えばよい。ただし、必ずしも紫外線硬化型接着剤に限定されることはなく、熱硬化型接着剤を用いてもよい。さらには、粘着剤または粘着シートを用いることも可能である。
また、第３板材２０８は、耐熱温度１００℃以上の基材が好ましく、具体的にはポリイミドを例示できるが、その他にポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルサルフォン、ポリオレフィン、ポリプロピレン、ポリブチレン、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトン、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンエーテル、ポリアセタール、ポリメチルペンテン、エポキシ樹脂、ジアリルフタレート樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、液晶プラスチック、ポリベンゾイミダゾール、熱硬化性ポリブタジエン等からなる基板、またはこれらの材料からなるポリマーアロイ、ファイバー強化された単体材料基板、シリカ等のフィラーで強化された単体材料基板、または同一材料の積層基板、またはこれらのうち少なくとも一つを含む積層基板でもよく、ステンレス、アルミニウム等の金属板、またはアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、シリカ（ＳｉＯ2）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）等を成分とするセラミックス板の単体材料基板、またはこれらのうち少なくとも一つを含む積層基板を用いることが考えられる。特に、第３板材２０８としては、金属板またはセラミックス板の単体材料基板、または同一材料の積層基板、またはこれらのうち少なくとも一つを含む積層基板が好ましい。このような積層基板は、接着剤による接着または熱融着のうち少なくとも一方により製造することができる。さらに、第３板材２０８は、反射型液晶表示装置におけるＴＦＴ基板、有機ＥＬ表示装置におけるＴＦＴ／発光層基板等のように、偏光特性が問題とならない場合には、ポリマー基板製造時に、一般に広く知られている２軸延伸法によって、例えば室温から１００℃〜１２０℃までの低温領域における線膨張係数を見掛け上低減した基板を用いることもできる。なお、２軸延伸法が既に実用化されている材料としては、ポリエチレンテレフタレートとポリエチレンナフレートを挙げることができる。
【００４２】
第２接着剤２０７を介して第３板材２０８を接着した後は、続いて、図５（ｂ）に示すように、第１板材２０１から第１接着剤２０３および第２板材２０４を除去する。この除去は、第１接着剤２０３および第２板材２０４の材質等に応じて適宜選択した手法を用いて行えばよく、具体的には第１接着剤２０３をアルコールやアセトン等の溶剤に浸漬して溶解または接着力を低下させるといったように、加熱、冷却、光照射または薬液浸漬のうち少なくとも一つにより第１接着剤２０３を溶解除去したり、その接着強度を低下させたりすることで行えばよい。
このようにして第１接着剤２０３および第２板材２０４を除去しても、第１板材２０１に第２接着剤２０７を介して第３板材２０８を接着した後であれば、第１板材２０１がばらばらにならないという利点が得られる。
【００４３】
そして、第２接着剤２０７を介して第３板材２０８を接着したら、次いで、薄膜層２０２、第１板材２０１、第２接着剤２０７および第３板材２０８からなる積層体に対して、第１板材２０１を分断しているスクライブ溝２０６の形成箇所またはその外方の位置、すなわち薄膜層２０２の外周端縁よりも外方に位置するスクライブ溝２０６の形成位置または当該スクライブ溝２０６よりもさらに外方の位置で、炭酸ガスレーザ出力やＹＡＧレーザ出力等によるレーザ切断を行う。ただし、必ずしもレーザ切断である必要はなく、ダイアモンド刃等を用いて機械的に切断しても構わない。
【００４４】
この切断により、図５（ｃ）に示すような構成の薄膜デバイスが得られるのである。なお、この薄膜デバイスでは、上述したように薄膜層２０２、第１板材２０１、第２接着剤２０７および第３板材２０８からなる積層体の端縁をレーザ切断または機械的切断によって形成しているため、その切断をスクライブ溝２０６より外方の位置で行うと、その切断により第１板材２０１の切断端縁周辺にマイクロクラックが生じる可能性がある。しかしながら、第１板材２０１は、スクライブ溝２０６によって分断されている。そのため、マイクロクラックが生じた場合であっても、そのマイクロクラックが第１板材２０１における薄膜層２０２の搭載領域まで延伸してしまうことはない。つまり、第１板材２０１の切断端縁に生じたマイクロクラックが薄膜層２０２に対して破損等の悪影響を及ぼすのを防止できる。
【００４５】
以上のような手順で各工程を行う製造方法、およびその製造方法を経て得られる薄膜デバイスによれば、等方性エッチングを利用してスクライブ溝２０６の形成部分で第１板材２０１を分断するとともに、そのスクライブ溝２０６の形成箇所またはその外方の位置で第１板材２０１を含む積層体を切断して、これにより薄膜デバイスを得ることになるので、その切断箇所にマイクロクラックが存在しても、そのマイクロクラックが薄膜層２０２に悪影響を及ぼすことがなく、薄膜デバイスの機械的または熱的な強度がそのマイクロクラックに起因して低下してしまうのを回避し得る。したがって、薄膜デバイスとしての信頼性を高く維持しつつ、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等を構成した場合の薄型化および軽量化の要請にも十分に応えることが可能となるのである。
【００４６】
しかも、第３実施形態においては、少なくともスクライブ溝２０６の形成箇所よりも外方の位置で第１板材２０１を含む積層体を切断すれば、第１板材２０１の切断端縁に生じたマイクロクラックが薄膜層２０２に対して悪影響を及ぼすのを防止できるので、その切断箇所についての自由度や汎用性等を十分に確保することができるという利点も得られる。
【００４７】
なお、第３実施形態においても、ガラス基板の基となる第１板材２０１が研磨処理を経て得たものである場合、すなわちスクライブ溝２０６を形成する工程に先立って第１板材２０１を薄板化するための研磨処理を行う場合には、使用する第１板材２０１の厚さに依らずにガラス基板の薄板化が容易になるとともに、スクライブ溝２０６の形成後に行う等方性エッチングの処理時間を短縮することができ、さらには当該等方性エッチングの後におけるスクライブ溝２０６の幅の拡がりを極力抑制することができ、製造効率の向上を図る上で非常に好適なものとなる。
【００４８】
また、第３実施形態では、ガラス基板の厚さが５０μｍと非常に薄いため、そのガラス基板の基となる第１板材２０１に対して第３板材２０８を貼り付けて補強しているが、薄膜デバイスとしての用途によっては、第３板材２０８を貼らないでガラス基板のみの薄膜デバイスとして使用することももちろん可能である。
【００４９】
〔第４の実施の形態〕
図６〜８は、本発明に係る薄膜デバイスの製造方法の第４実施形態の概要を示す説明図である。
【００５０】
第４実施形態では、先ず、対向する２枚の基板の間に薄膜層が封止されてなるセル構造体を形成する。具体的には、図６（ａ）に示すように、例えば液晶表示装置を構成する場合であれば、そのＴＦＴ駆動基板となる厚さ０．７ｍｍのガラス板材（以下、単に「第１板材」という）３０１に、薄膜層３０２および外部との接続電極３０３を形成するとともに、液晶シール３０４のパターンを印刷またはディスペンスにより描画し、対向基板となる厚さ０．７ｍｍのガラス板材（以下、単に「第２板材」という）３０５を貼り合わせてガラスセル構造体とした後、加熱や紫外線硬化等により液晶シール３０４を硬化させる。さらには、貼り合せた２枚の第１板材３０１および第２板材３０５の最外周端の近傍部分に、弗化水素酸溶液３０６に対する耐性を有する外周シール３０７を形成し、その外周シール３０７を紫外線照射や加熱等により硬化させる。
【００５１】
そして、このようなガラスセル構造体に対して、濃度２０％の弗化水素酸溶液３０６でエッチングを行う。このエッチングは、第１板材３０１および第２板材３０５の厚さがそれぞれ０．２ｍｍとなるまで行う。すなわち、第１板材３０１および第２板材３０５を薄板化するために行う。なお、第１板材３０１および第２板材３０５における面内を均一にエッチングするためには、空気または窒素で弗化水素酸溶液３０６をバブリングすることが有効である。ただし、エッチング等の化学的研磨ではなく、機械的研磨処理によって第１板材３０１および第２板材３０５を薄板化してもよいことは勿論である。
【００５２】
その後は、ガラスセル構造体を弗化水素酸溶液３０６から取り出して水洗し乾燥させてから、図６（ｂ）に示すように、第１板材３０１および第２板材３０５におけるそれぞれの外面側（ガラスセル構造体を構成した場合の外面側）に、スクライブ溝３０８を形成する。スクライブ溝３０８の形成は、炭酸ガスレーザのパルス出力（波長９．４μｍまたは１０．６μｍ）またはＱスイッチＹＡＧレーザの第３高調波出力（波長３５５ｎｍ）等を、第１板材３０１および第２板材３０５におけるそれぞれの外面側に対して、平面的に見た場合に所定パターン（有効薄膜領域を囲う方形状や接続電極３０３の形成位置を露出させるための形状等）で照射することによって行う。このとき、スクライブ溝３０８の形成深さは、ＴＦＴ駆動基板および対向基板それぞれの所望厚さよりも、後述する許容割断厚さの分だけ浅く、具体的にはＴＦＴ駆動基板および対向基板の所望厚さが５０μｍ程度であれば４０μｍ程度の深さとする。なお、スクライブ溝３０８は、ダイアモンド刃等を用いて機械的に形成してもよい。
【００５３】
スクライブ溝３０８の形成後は、図６（ｂ）および図７（ａ）に示すように、ガラスセル構造体の外面側に等方性エッチングを行う。この等方性エッチングは、第１実施形態または第２実施形態で説明したように弗化水素酸溶液をその表面張力を利用して盛り付けて行ってもよいが、ガラスセル構造体に外周シール３０７が形成されていることから、第３実施形態の場合と同様に、そのガラスセル構造体を濃度２０％の弗化水素酸溶液３０６に浸すことで行い、溶液塗布作業の簡略化やエッチングレート維持の容易化等を図るようにしてもよい。
【００５４】
等方性エッチングは、第１板材３０１および第２板材３０５の厚さがＴＦＴ駆動基板および対向基板の所望厚さ（例えば、５０μｍ）となり、かつ、第１板材３０１および第２板材３０５のそれぞれにおけるスクライブ溝３０８の残厚さが予め設定された許容割断厚さとなるまで行う。
【００５５】
「許容割断厚さ」とは、第１板材３０１または第２板材３０５について機械的割断を行っても、その割断箇所にマイクロクラックが発生しない程度まで、その第１板材３０１または第２板材３０５を薄くした厚さのことをいう。具体的には、第１板材３０１または第２板材３０５の板厚（スクライブ溝３０８以外の部分の厚さ）の２〜３割程度の厚さであることが、実験等の結果から分かっている。したがって、第１板材３０１および第２板材３０５の厚さが５０μｍであれば、許容割断厚さは例えば１０μｍ程度となる。
【００５６】
その後は、ガラスセル構造体を弗化水素酸溶液３０６の中から取り出して水洗し乾燥させてから、図７（ｂ）に示すように、第１板材３０１および第２板材におけるスクライブ溝３０８の部分に対する割断処理を行う。割断処理は、ダイアモンド刃等を用いて機械的に行えばよい。また、レーザ照射等を利用して行ってもよい。
【００５７】
この割断処理により、図８（ａ），（ｂ）に示すような構成のガラスセル構造体が得られるのである。なお、図例において、３０３は外部との接続電極、３０９は接続電極３０３とＴＦＴ駆動基板上のＴＦＴ回路を結ぶ配線パターンを示している。
【００５８】
以上のような手順で各工程を行う製造方法、およびその製造方法を経て得られる薄膜デバイスによれば、スクライブ溝３０８を形成するとともに、そのスクライブ溝３０８の形成箇所が許容割断厚さとなるまで等方性エッチングを行い、その後にスクライブ溝３０８の形成箇所に対して割断処理を行い、これにより薄膜デバイスを得ることになるので、機械的な割断処理を行っても、その割断箇所にマイクロクラックが発生するのを抑制できる。つまり、マイクロクラックが薄膜層３０２に悪影響を及ぼすことがなく、薄膜デバイスの機械的または熱的な強度がそのマイクロクラックに起因して低下してしまうのを回避し得る。したがって、薄膜デバイスとしての信頼性を高く維持しつつ、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等を構成した場合の薄型化および軽量化の要請にも十分に応えることが可能となるのである。
【００５９】
しかも、第４実施形態においては、スクライブ溝３０８の形成箇所が許容割断厚さとなるまで等方性エッチングを行い、その後ガラスセル構造体を弗化水素酸溶液３０６の中から取り出してスクライブ溝３０８の形成箇所に対する割断処理を行うので、その割断時に弗化水素酸溶液３０６がガラスセル構造体における薄膜層３０２に悪影響を及ぼすのを防止することができる。したがって、割断箇所についての自由度や汎用性等を十分に確保しつつ、その場合であっても弗化水素酸溶液３０６に対する封止等が考慮せずに済み、結果として割断処理の容易化が図れることになる。
【００６０】
なお、第４実施形態においても、ＴＦＴ駆動基板となる第１板材３０１および対向基板となる第２板材３０５のそれぞれに対し、スクライブ溝３０８を形成する工程に先立ってこれらを薄板化するための研磨処理を行っているので、使用する第１板材３０１および第２板材３０５の厚さに依らずにＴＦＴ駆動基板および対向基板の薄板化が容易になるとともに、スクライブ溝３０８の形成後に行う等方性エッチングの処理時間を短縮することができ、さらには当該等方性エッチングの後におけるスクライブ溝３０８の幅の拡がりを極力抑制することができ、製造効率の向上を図る上で非常に好適なものとなる。
【００６１】
〔第５の実施の形態〕
上述した第１〜第４実施形態は、例えば液晶表示装置に適用することが考えられる。液晶表示装置への適用は、第１〜第４実施形態で説明した内容のいずれであってもよいが、ここでは第３実施形態で説明した基板分断を適用して構成した液晶表示装置を例に挙げて説明する。
【００６２】
図９は、本発明が適用された液晶表示装置の一具体例を示す断面図である。図例の液晶表示装置は、第３実施形態を適用して形成されたＴＦＴ基板を用いて製造される、プラスチック基板透過型液晶表示装置で、カラーフィルタがＴＦＴ基板側に形成されている、いわゆるオンチップ・カラーフィルター構造を採用したものである。詳しくは、プラスチック基板４０１上に、紫外線硬化型接着剤層４０２、ガラス残留層４０３、ＴＦＴ４０４、カラーフィルタ層４０５、外周回路および配線４０６、パッシベーション層４０７、画素電極４０８、ポリイミド配向膜４０９、液晶層４１０、柱状スペーサ４１１、ポリイミド配向膜４１２、液晶シール４１３、ＩＴＯ４１４、ブラック４１５、水蒸気バリア層４１６およびプラスチック基板４１７が、順に積層されて構成されている。このうち、ガラス残留層４０３には、スクライブ溝４１８が形成されており、そのスクライブ溝４１８の形成箇所よりも外方の位置で、ガラス残留層４０３を含む積層構造体が切断されている。
【００６３】
図１０は、本発明が適用された液晶表示装置の他の具体例を示す断面図である。図例の液晶表示装置は、第３実施形態を適用して形成されたＴＦＴ基板を用いて製造される、プラスチック基板反射型液晶表示装置で、カラーフィルタが対向基板側に形成されている構造のものである。詳しくは、プラスチック基板５０１上に、紫外線硬化型接着剤層５０２、ガラス残留層５０３、ＴＦＴ５０４、光散乱層５０５、外周回路および配線５０６、画素電極５０７、ポリイミド配向膜５０８、パッシベーション層５０９、液晶層５１０、柱状スペーサ５１１、ポリイミド配向膜５１２、液晶シール５１３、ＩＴＯ５１４、オーバーコート膜５１５、カラーフィルタ層５１６、ブラック５１７、水蒸気バリア層５１８およびプラスチック基板５１９が、順に積層されて構成されている。このうち、ガラス残留層５０３にはスクライブ溝５２０が形成されており、そのスクライブ溝５２０の形成箇所よりも外方の位置で、ガラス残留層５０３を含む積層構造体が切断されている。
【００６４】
以上のように、図９または図１０に示した液晶表示装置は、いずれも、等方性エッチングを利用してスクライブ溝４１８，５２０の形成部分でガラス残留層４０３，５０３を分断するとともに、そのスクライブ溝４１８，５２０の形成箇所よりも外方の位置でガラス残留層４０３，５０３を含む積層体を切断して、これにより液晶表示装置を得ることになるので、その切断箇所にマイクロクラックが存在しても、そのマイクロクラックがＴＦＴ４０４，５０４や液晶層４１０，５１０等の直下部分におけるガラス残留層４０３，５０３に悪影響を及ぼすことがない。したがって、液晶表示装置としての信頼性を高く維持しつつ、薄型化および軽量化の要請にも十分に応えることが可能となるのである。
【００６５】
〔第６の実施の形態〕
上述した第５実施形態では、本発明を液晶表示装置に適用した場合を例に挙げたが、これと同様に、本発明は有機ＥＬ表示装置にも適用することが考えられる。有機ＥＬ表示装置への適用は、第１〜第４実施形態で説明した内容のいずれであってもよいが、ここでは第３実施形態で説明した基板分断を適用して構成した液晶表示装置を例に挙げて説明する。
【００６６】
図１１は、本発明が適用された有機ＥＬ表示装置の一具体例を示す断面図である。図例では、図示を容易にするため、１個の画素とこれを駆動する１個の薄膜トランジスタＴＦＴのみを表しているが、画素はマトリクス状に配されており画面を構成しているものとする。
【００６７】
各画素は、有機ＥＬ発光素子（Organic Light Emitting Diode；以下「ＯＬＥＤ」と略す）からなり、透明電極６０１、有機ＥＬ層６０２および金属電極６０３を順に重ねたものである。透明電極６０１は画素毎に分離しておりＯＬＥＤのアノードＡとして機能し、例えばＩＴＯなどの透明導電膜からなる。金属電極６０３は画素間で共通接続されており、ＯＬＥＤのカソードＫとして機能する。有機ＥＬ層６０２は例えば正孔輸送層と電子輸送層とを重ねた複合膜となっている。
【００６８】
一方、ＴＦＴは、ガラス基板６１１の上に形成されたゲート電極６１２と、その上に重ねられたゲート絶縁膜６１３と、このゲート絶縁膜６１３を介してゲート電極６１２の上方に重ねられた多結晶シリコン薄膜６１４とからなる。さらに、ＴＦＴは、ＯＬＥＤに供給する電流の通路となるソースＳ、チャネルＣｈ及びドレインＤを備えている。チャネルＣｈはちょうどゲート電極６１２の直上に位置する。このボトムゲート構造のＴＦＴは、層間絶縁膜６１５により被覆されており、その上にはソース電極６１６およびドレイン電極６１７が形成されている。これらの上には、別の層間絶縁膜６１８を介して、上述したＯＬＥＤが成膜されている。層間絶縁膜６１８にはコンタクトホールが開口しており、ＯＬＥＤの透明電極６０１はこのコンタクトホールを介してＴＦＴのドレイン電極６１７に電気接続している。
【００６９】
有機ＥＬ表示装置では、このような構成のＯＬＥＤおよびＴＦＴを、厚さ０．７ｍｍのガラス基板６１１上に作製した後、上述した第３実施形態の場合と同様の手順で、そのガラス基板６１１を５０μｍ厚まで薄くし、接着剤６２１により厚さ１００μｍのプラスチック基板６２２に貼り付けた構造としている。すなわち、ガラス基板６１１にはスクライブ溝６２３が形成されており、そのスクライブ溝６２３の形成箇所よりも外方の位置で、ガラス基板６１１を含む積層構造体が切断されているのである。
【００７０】
以上のように、図１１に示した有機ＥＬ表示装置は、いずれも、等方性エッチングを利用してスクライブ溝６２３の形成部分でガラス基板６１１を分断するとともに、そのスクライブ溝６２３の形成箇所よりも外方の位置でガラス基板６１１を含む積層体を切断して、これにより有機ＥＬ表示装置を得ることになるので、その切断箇所にマイクロクラックが存在しても、そのマイクロクラックがＯＬＥＤやＴＦＴ等の直下部分におけるガラス基板６１１に悪影響を及ぼすことがない。したがって、有機ＥＬ表示装置としての信頼性を高く維持しつつ、薄型化および軽量化の要請にも十分に応えることが可能となるのである。
【００７１】
なお、上述した第１〜第６実施形態では、それぞれ本発明の好適な実施具体例を説明したが、本発明はその内容に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、各実施形態では、「基板」としてガラス基板を例に挙げたが、薄膜デバイスを構成し得るものであれば、他のもの（例えばガラス層を有した積層構造基板）であっても構わない。また、各実施形態では、「薄膜デバイス」として、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等を例に挙げたが、これらに限定されないことは勿論である。
【００７２】
また、第１〜第６実施形態では、いずれも、スクライブ溝１０２，２０６，３０８，４１８，５２０，６２３の形成面側に行う「エッチング」が、方向性のない非晶質であるエッチング対象に対して水溶液を用いて行うウエット・エッチング、すなわち方向によらず等速度で均一に行われる等方性エッチングである場合を例に挙げて説明している。等方性エッチングであれば、スクライブ溝１０２，２０６，３０８，４１８，５２０，６２３の側壁部分も等方的なエッチングを受けるため、例えば当該スクライブ溝１０２，２０６，３０８，４１８，５２０，６２３の深さよりもエッチングで除去される厚さの方が薄い場合であっても、確実にマイクロクラックを除去することができ、ガラス基板の薄板化への対応が容易かつ適切に、しかも効率よく行えるという利点が得られるからである。
ただし、この「エッチング」は、必ずしも第１〜第６実施形態で説明したような等方性エッチングに限定されることはなく、等方性を有さない非等方的な異方性エッチングであってもよい。エッチングが非等方的な異方性のものであっても、例えば図１２に示すように、そのエッチングをスクライブ溝の形成面側に対して行えば、そのエッチングにより、スクライブ溝周辺のマイクロクラック領域を含む板材表面近傍部分は、その板材の元の厚さと所望厚さとの差分だけ削られて除去されるので、結果としてスクライブ溝周辺に生じているマイクロクラックも除去されるからである。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明に係る薄膜デバイスの製造方法の第１実施形態の概要を示す説明図である。
【図２】本発明に係る薄膜デバイスの製造方法の第２実施形態の概要を示す説明図である。
【図３】本発明に係る薄膜デバイスの製造方法の第３実施形態の概要を示す説明図（その１）である。
【図４】本発明に係る薄膜デバイスの製造方法の第３実施形態の概要を示す説明図（その２）である。
【図５】本発明に係る薄膜デバイスの製造方法の第３実施形態の概要を示す説明図（その３）である。
【図６】本発明に係る薄膜デバイスの製造方法の第４実施形態の概要を示す説明図（その１）である。
【図７】本発明に係る薄膜デバイスの製造方法の第４実施形態の概要を示す説明図（その２）である。
【図８】本発明に係る薄膜デバイスの製造方法の第４実施形態の概要を示す説明図（その３）である。
【図９】本発明が適用された液晶表示装置の一具体例を示す断面図である。
【図１０】本発明が適用された液晶表示装置の他の具体例を示す断面図である。
【図１１】本発明が適用された有機ＥＬ表示装置の一具体例を示す断面図である。
【図１２】エッチングによるマイクロクラック除去の一具体例を示す説明図である。
【符号の説明】
【００７４】
１０１…板材、１０２…スクライブ溝、１０３…弗化水素酸溶液、１０４…薄膜層、１０５…ワックス、２０１…第１板材、２０２…薄膜層、２０３…第１接着剤、２０４…第２板材、２０５…弗化水素酸溶液、２０６…スクライブ溝、２０７…第２接着剤、２０８…第３板材、３０１…第１板材、３０２…薄膜層、３０３…接続電極、３０４…液晶シール、３０５…第２板材、３０６…弗化水素酸溶液、３０７…外周シール、３０８…スクライブ溝、４０１…プラスチック基板、４０２…紫外線硬化型接着剤層、４０３…ガラス残留層、４０４…ＴＦＴ、４０５…カラーフィルタ層、４０６…外周回路および配線、４０７…パッシベーション層、４０８…画素電極、４０９…ポリイミド配向膜、４１０…液晶層、４１１…柱状スペーサ、４１２…ポリイミド配向膜、４１３…液晶シール、４１４…ＩＴＯ、４１５…ブラック、４１６…水蒸気バリア層、４１７…プラスチック基板、４１８…スクライブ溝、５０１…プラスチック基板、５０２…紫外線硬化型接着剤層、５０３…ガラス残留層、５０４…ＴＦＴ、５０５…光散乱層、５０６…外周回路および配線、５０７…画素電極、５０８…ポリイミド配向膜、５０９…パッシベーション層、５１０…液晶層、５１１…柱状スペーサ、５１２…ポリイミド配向膜、５１３…液晶シール、５１４…ＩＴＯ、５１５…オーバーコート膜、５１６…カラーフィルタ層、５１７…ブラック、５１８…水蒸気バリア層、５１９…プラスチック基板、５２０…スクライブ溝、６０１…透明電極、６０２…有機ＥＬ層、６０３…金属電極、６１１…ガラス基板、６１２…ゲート電極、６１３…ゲート絶縁膜、６１４…多結晶シリコン薄膜、６１５…層間絶縁膜、６１６…ソース電極、６１７…ドレイン電極、６１８…層間絶縁膜、６２１…接着剤、６２２…プラスチック基板、６２３…スクライブ溝、Ｓ…ソース、Ｃｈ…チャネル、Ｄ…ドレイン
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に薄膜層が形成されてなる薄膜デバイスの製造方法であって、
前記基板となる板材で当該基板の所望厚さよりも大きな厚さを有するものに対して、前記所望厚さよりも深いスクライブ溝を形成する工程と、
前記板材の前記スクライブ溝の形成面側に当該板材の厚さが前記所望厚さとなるまでエッチングを行う工程と
を含むことを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記スクライブ溝を形成する工程に先立ち、前記板材を薄板化するための研磨処理の工程を行う
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜デバイスの製造方法。
【請求項３】
基板上に薄膜層が形成されてなる薄膜デバイスの製造方法であって、
前記基板となる第１板材で当該基板の所望厚さよりも大きな厚さを有するものの片面に前記薄膜層を形成する工程と、
前記第１板材の前記薄膜層が形成された面側に第１接着剤を介して第２板材を接着し当該薄膜層を封止する工程と、
前記第１板材の他の片面上で前記薄膜層の外周端縁よりも外方の位置に前記所望厚さよりも深いスクライブ溝を形成する工程と、
前記第１板材の前記スクライブ溝の形成面側に当該第１板材の厚さが前記所望厚さとなるまでエッチングを行う工程と、
前記エッチングの後における前記第１板材の前記スクライブ溝の形成面側に第２接着剤を介して第３板材を接着するとともに、前記第１接着剤および前記第２板材を除去する工程と、
前記薄膜層の外周端縁よりも外方に位置する前記スクライブ溝の形成位置または当該スクライブ溝よりもさらに外方の位置で前記第１板材、前記第２接着剤および前記第３板材を切断する工程と
を含むことを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記スクライブ溝を形成する工程に先立ち、前記第１板材を薄板化するための研磨処理の工程を行う
ことを特徴とする請求項３記載の薄膜デバイスの製造方法。
【請求項５】
対向する２枚の基板の間に薄膜層が形成されてなる薄膜デバイスの製造方法であって、
前記基板となる板材で当該基板の所望厚さよりも大きな厚さを有するものを２枚用いて当該板材の間に薄膜層が封止されてなるセル構造体を形成する工程と、
前記セル構造体を構成する前記板材の外面側にスクライブ溝を形成する工程と、
前記板材の前記スクライブ溝の形成面側にエッチングを行うとともに、当該エッチングを当該板材の厚さが前記所望厚さとなり、かつ、前記スクライブ溝の底部における残厚さが予め設定された許容割断厚さとなるまで行う工程と、
前記エッチングの後における前記板材の前記スクライブ溝の部分に対する割断処理を行う工程と
を含むことを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記スクライブ溝を形成する工程に先立ち、前記板材を薄板化するための研磨処理の工程を行う
ことを特徴とする請求項５記載の薄膜デバイスの製造方法。
【請求項７】
基板上に薄膜層が形成されてなる薄膜デバイスであって、
前記基板の端縁が、当該基板となる板材で当該基板の所望厚さよりも大きな厚さを有するものに対して前記所望厚さよりも深いスクライブ溝を形成した後、前記板材の前記スクライブ溝の形成面側に当該板材の厚さが前記所望厚さとなるまでエッチングを行うことで形成されている
ことを特徴とする薄膜デバイス。
【請求項８】
基板上に薄膜層が形成されてなる薄膜デバイスであって、
前記基板の端縁が、
前記基板となる第１板材で当該基板の所望厚さよりも大きな厚さを有するものの片面に前記薄膜層を形成し、
前記第１板材の前記薄膜層が形成された面側に第１接着剤を介して第２板材を接着し当該薄膜層を封止し、
前記第１板材の他の片面上で前記薄膜層の外周端縁よりも外方の位置に前記所望厚さよりも深いスクライブ溝を形成し、
前記第１板材の前記スクライブ溝の形成面側に当該第１板材の厚さが前記所望厚さとなるまでエッチングを行い、
前記エッチングの後における前記第１板材の前記スクライブ溝の形成面側に第２接着剤を介して第３板材を接着するとともに、前記第１接着剤および前記第２板材を除去した後に、
前記薄膜層の外周端縁よりも外方に位置する前記スクライブ溝の形成位置または当該スクライブ溝よりもさらに外方の位置で前記第１板材、前記第２接着剤および前記第３板材を切断することで形成されている
ことを特徴とする薄膜デバイス。
【請求項９】
対向する２枚の基板の間に薄膜層が形成されてなる薄膜デバイスであって、
前記基板となる板材で当該基板の所望厚さよりも大きな厚さを有するものを２枚用いて当該板材の間に薄膜層が封止されてなるセル構造体を形成し、
前記セル構造体を構成する前記板材の外面側で前記薄膜層の外周端縁よりも外方の位置にスクライブ溝を形成し、
前記板材の前記スクライブ溝の形成面側にエッチングを行うとともに、当該エッチングを当該板材の厚さが前記所望厚さとなり、かつ、前記スクライブ溝の底部における残厚さが予め設定された許容割断厚さとなるまで行い、
前記エッチングの後における前記板材の前記スクライブ溝の部分に対する割断処理を行うことで形成されている
ことを特徴とする薄膜デバイス。
【請求項１０】
液晶表示装置を構成することを特徴とする請求項９記載の薄膜デバイス。
【請求項１１】
有機ＥＬ表示装置を構成することを特徴とする請求項９記載の薄膜デバイス。
【請求項１】
基板上に薄膜層が形成されてなる薄膜デバイスの製造方法であって、
前記基板となる板材で当該基板の所望厚さよりも大きな厚さを有するものに対して、前記所望厚さよりも深いスクライブ溝を形成する工程と、
前記板材の前記スクライブ溝の形成面側に当該板材の厚さが前記所望厚さとなるまでエッチングを行う工程と
を含むことを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記スクライブ溝を形成する工程に先立ち、前記板材を薄板化するための研磨処理の工程を行う
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜デバイスの製造方法。
【請求項３】
基板上に薄膜層が形成されてなる薄膜デバイスの製造方法であって、
前記基板となる第１板材で当該基板の所望厚さよりも大きな厚さを有するものの片面に前記薄膜層を形成する工程と、
前記第１板材の前記薄膜層が形成された面側に第１接着剤を介して第２板材を接着し当該薄膜層を封止する工程と、
前記第１板材の他の片面上で前記薄膜層の外周端縁よりも外方の位置に前記所望厚さよりも深いスクライブ溝を形成する工程と、
前記第１板材の前記スクライブ溝の形成面側に当該第１板材の厚さが前記所望厚さとなるまでエッチングを行う工程と、
前記エッチングの後における前記第１板材の前記スクライブ溝の形成面側に第２接着剤を介して第３板材を接着するとともに、前記第１接着剤および前記第２板材を除去する工程と、
前記薄膜層の外周端縁よりも外方に位置する前記スクライブ溝の形成位置または当該スクライブ溝よりもさらに外方の位置で前記第１板材、前記第２接着剤および前記第３板材を切断する工程と
を含むことを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記スクライブ溝を形成する工程に先立ち、前記第１板材を薄板化するための研磨処理の工程を行う
ことを特徴とする請求項３記載の薄膜デバイスの製造方法。
【請求項５】
対向する２枚の基板の間に薄膜層が形成されてなる薄膜デバイスの製造方法であって、
前記基板となる板材で当該基板の所望厚さよりも大きな厚さを有するものを２枚用いて当該板材の間に薄膜層が封止されてなるセル構造体を形成する工程と、
前記セル構造体を構成する前記板材の外面側にスクライブ溝を形成する工程と、
前記板材の前記スクライブ溝の形成面側にエッチングを行うとともに、当該エッチングを当該板材の厚さが前記所望厚さとなり、かつ、前記スクライブ溝の底部における残厚さが予め設定された許容割断厚さとなるまで行う工程と、
前記エッチングの後における前記板材の前記スクライブ溝の部分に対する割断処理を行う工程と
を含むことを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記スクライブ溝を形成する工程に先立ち、前記板材を薄板化するための研磨処理の工程を行う
ことを特徴とする請求項５記載の薄膜デバイスの製造方法。
【請求項７】
基板上に薄膜層が形成されてなる薄膜デバイスであって、
前記基板の端縁が、当該基板となる板材で当該基板の所望厚さよりも大きな厚さを有するものに対して前記所望厚さよりも深いスクライブ溝を形成した後、前記板材の前記スクライブ溝の形成面側に当該板材の厚さが前記所望厚さとなるまでエッチングを行うことで形成されている
ことを特徴とする薄膜デバイス。
【請求項８】
基板上に薄膜層が形成されてなる薄膜デバイスであって、
前記基板の端縁が、
前記基板となる第１板材で当該基板の所望厚さよりも大きな厚さを有するものの片面に前記薄膜層を形成し、
前記第１板材の前記薄膜層が形成された面側に第１接着剤を介して第２板材を接着し当該薄膜層を封止し、
前記第１板材の他の片面上で前記薄膜層の外周端縁よりも外方の位置に前記所望厚さよりも深いスクライブ溝を形成し、
前記第１板材の前記スクライブ溝の形成面側に当該第１板材の厚さが前記所望厚さとなるまでエッチングを行い、
前記エッチングの後における前記第１板材の前記スクライブ溝の形成面側に第２接着剤を介して第３板材を接着するとともに、前記第１接着剤および前記第２板材を除去した後に、
前記薄膜層の外周端縁よりも外方に位置する前記スクライブ溝の形成位置または当該スクライブ溝よりもさらに外方の位置で前記第１板材、前記第２接着剤および前記第３板材を切断することで形成されている
ことを特徴とする薄膜デバイス。
【請求項９】
対向する２枚の基板の間に薄膜層が形成されてなる薄膜デバイスであって、
前記基板となる板材で当該基板の所望厚さよりも大きな厚さを有するものを２枚用いて当該板材の間に薄膜層が封止されてなるセル構造体を形成し、
前記セル構造体を構成する前記板材の外面側で前記薄膜層の外周端縁よりも外方の位置にスクライブ溝を形成し、
前記板材の前記スクライブ溝の形成面側にエッチングを行うとともに、当該エッチングを当該板材の厚さが前記所望厚さとなり、かつ、前記スクライブ溝の底部における残厚さが予め設定された許容割断厚さとなるまで行い、
前記エッチングの後における前記板材の前記スクライブ溝の部分に対する割断処理を行うことで形成されている
ことを特徴とする薄膜デバイス。
【請求項１０】
液晶表示装置を構成することを特徴とする請求項９記載の薄膜デバイス。
【請求項１１】
有機ＥＬ表示装置を構成することを特徴とする請求項９記載の薄膜デバイス。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２００６−３２１６７４（Ｐ２００６−３２１６７４Ａ）
【公開日】平成１８年１１月３０日（２００６．１１．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１４５０６５（Ｐ２００５−１４５０６５）
【出願日】平成１７年５月１８日（２００５．５．１８）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１１月３０日（２００６．１１．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年５月１８日（２００５．５．１８）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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