基板処理装置および基板処理方法
【課題】処理液の使用量を低減することができるとともに処理液の温度変動を抑制することができ、かつ、単純化された装置構成を有する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、一つの基板Ｗを保持し保持した一つの基板を処理する処理ユニット６０と、複数の基板Ｗを同時に収容可能な処理槽であって、基板を浸漬して処理するための処理液を循環供給されながら貯留する処理槽と、前記処理槽の基板収容可能数未満の数の基板を同時に搬送可能な搬送装置と、を備える。搬送装置は、少なくとも前記処理液が貯留された前記処理槽へ基板を搬送する。前記処理ユニットと前記処理槽との少なくともいずれか一つを用いて基板が処理される。
【解決手段】基板処理装置１０は、一つの基板Ｗを保持し保持した一つの基板を処理する処理ユニット６０と、複数の基板Ｗを同時に収容可能な処理槽であって、基板を浸漬して処理するための処理液を循環供給されながら貯留する処理槽と、前記処理槽の基板収容可能数未満の数の基板を同時に搬送可能な搬送装置と、を備える。搬送装置は、少なくとも前記処理液が貯留された前記処理槽へ基板を搬送する。前記処理ユニットと前記処理槽との少なくともいずれか一つを用いて基板が処理される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理液を用いて基板を処理する基板処理装置に係り、とりわけ、処理液の使用量を低減することができるとともに処理液の温度変動を抑制することができ、かつ、単純化された装置構成を有する基板処理装置に関する。
【０００２】
また、本発明は、処理液を用いて基板を処理する基板処理方法に係り、とりわけ、処理液の使用量を低減することができるとともに処理液の温度変動を抑制することができる基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
従来、一枚の基板を保持し保持した一枚の基板を処理する処理ユニット、いわゆる枚葉式の処理ユニットを備えた基板処理装置が知られている（例えば、特許文献１）。通常、基板処理装置には複数の処理ユニットが組み込まれ、各処理ユニット内で基板が並行して処理され得るようになっている。
【０００４】
通常、枚葉式の処理ユニット内に保持された一枚の基板は、回転させられながら処理液を供給されることによって処理されていく。このような枚葉式の処理ユニットによれば、基板の板面上に処理液を供給することにより、一枚の基板をむらなく処理することができる。また、種々の処理液を用いた種々の処理を基板に対して施すことができるように、処理ユニットには複数の処理液が供給され得るようになっている。また、処理液を節約するため、処理ユニット内で基板の処理に用いられた処理液は回収される。そして、回収された処理液は、回収ラインを経て再び処理ユニット内に供給され、基板の処理に用いられる。
【０００５】
ところで、一般的には、処理液（より具体的には薬液）の温度が高いと、処理液による反応が活性化され、基板に対する処理の進行が速くなる。このため、加熱して高温に保持された処理液が基板の処理に用いられることがある。そして、上述した回収ラインにもヒータ等が設けられ、循環利用される処理液の温度を一定に保つようになされている。
【特許文献１】特開１１−３１９７３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、枚葉式の処理ユニット内で一枚の基板を処理する際、処理中における処理液の温度変動を完全に防止することはできない。例えば、回転させられている基板上から高速で振り切られた処理液の温度は低下してしまう。また、処理を開始する際には、供給された高温の処理液の熱が処理ユニットの各部に吸収されやすい。そして、処理液の供給系および回収系は、複数の処理ユニット間で共通している。したがって、例えば、一つの処理ユニットにおいて基板を処理する際に、当該処理ユニットから回収された処理液の温度が低下してしまうと、他の処理ユニットへ供給される処理液の温度変動をも引き起こすことになる。
【０００７】
また、処理液は、基板上に供給された際、回転させられている基板上から高速で振り切られて処理ユニット内に飛散する。加えて、各処理ユニット内へ供給される処理液の種類を変更する場合、異なる処理液が混ざり合って基板に供給されることを防止するため、いくらかの処理液を廃棄する必要が生じる。したがって、処理ユニット内に供給された処理液をすべて回収することができるわけではない。
【０００８】
さらに、処理ユニットは、処理液を供給する供給ラインおよび上述の回収ラインに加え、処理ユニット内から処理液を廃棄するための廃棄ラインと、処理ユニット内の雰囲気を排気するための排気ラインと、をさらに有している。これらの供給ライン、回収ライン、廃棄ラインおよび排気ラインのうちのいくつかは、用いられる処理液の種類に応じ、処理液の種類毎に別々に設けられなければならない。また、複数の処理ユニット間において、これらの各ラインが連結されている。この結果、複数の枚葉式の処理ユニットを含む基板処理装置においては、配管類の構成が非常に複雑になり、これにともない、基板処理装置の制御も非常に複雑となる。
【０００９】
本発明は、これらの点を考慮してなされたものであり、少なくとも一つ以上の枚葉式の処理ユニットを含んだ基板処理装置を改良し、処理液の使用量を低減することができるとともに処理液の温度変動を抑制することができ、かつ、単純化された装置構成を有する基板処理装置を提供することを目的とする。
【００１０】
本発明は、これらの点を考慮してなされたものであり、少なくとも一つ以上の枚葉式の処理ユニットを含んだ基板処理装置を改良し、処理液の使用量を低減することができるとともに処理液の温度変動を抑制することができる基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明による基板処理装置は、一つの基板を保持し保持した一つの基板を処理する処理ユニットと、複数の基板を同時に収容可能な処理槽であって、基板を浸漬して処理するための処理液を循環供給されながら貯留する処理槽と、前記処理槽の基板収容可能数未満の数であって一以上の基板を同時に搬送可能な搬送装置であって、少なくとも前記処理液が貯留された前記処理槽内に基板を搬送する搬送装置と、を備え、前記処理ユニットと前記処理槽との少なくともいずれか一つを用いて基板を処理することを特徴とする。
【００１２】
本発明による基板処理装置によれば、ある処理液を用いた処理を処理槽内で行い、その他の処理液を用いた処理を処理ユニット内で行うようにすることができる。したがって、処理ユニットで用いられる処理液の種類を低減して、基板処理装置の全体構成および基板処理装置の制御を単純化することができる。また、処理槽内で基板を処理する場合、処理液を循環利用することにより、処理液の使用量を低減することができる。さらに、処理槽内で基板を処理する場合、処理槽内の加熱された処理液の温度を一定の温度範囲内に維持し、高温処理液の温度変動を大幅に抑制することができる。なお、このような基板処理装置が、処理装置に持ち込まれた未処理基板を処理ユニットおよび処理槽のいずれにまず搬送するかを判断する制御装置をさらに備えるようにしてもよい。
【００１３】
本発明による基板処理装置が、前記処理槽内での基板の処理時間を前記搬送装置によって前記処理槽へ同時に搬送される一以上の基板毎に管理する制御装置をさらに備えるようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、処理槽内に基板を順次搬入し、多数の基板を並行して処理していくことができる。したがって、基板を効率的に処理することができる。
【００１４】
また、本発明による基板処理装置において、前記制御装置は、前記搬送装置によって前記処理槽へ同時に搬送されてきた一以上の基板毎に処理経過時間を計測し、処理経過時間が予め設定された処理時間に達すると、当該一以上の基板を前記処理槽内から搬出するように、前記搬送装置を制御するようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、並行して処理される各基板の処理時間を同一にすることができ、これにより、基板毎の処理むらを十分に抑制し、基板を安定して処理していくことができる。
【００１５】
さらに、本発明による基板処理装置において、前記搬送装置は、前記処理槽で処理された基板を受け取って前記処理ユニットへ搬送するようになされていてもよい。このような基板処理装置によれば、処理槽と処理ユニットとの間での基板の搬送を担う搬送装置と処理槽への基板の搬送を担う搬送装置とを別途に設けることに比べ、基板処理装置の構成および制御を単純化することができる。また、基板処理装置の製造コストや維持コストを低減することができ、これにともない、基板を安価に処理していくことができる。
【００１６】
さらに、本発明による基板処理装置が、貯留した水に基板を浸漬して当該基板をリンス処理するリンス装置をさらに備え、前記リンス装置は、各々が前記処理槽の基板収容可能数未満の数であって一以上の基板を同時に収容可能である複数の収容部を有するようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、水に浸漬して基板をリンス処理することができるので、基板を迅速にリンス処理することができる。また、リンス装置は複数の収容部を有しているので、処理済みの基板を異なる収容部へ順次収容していくことができる。このような方法によれば、新たに収容部へ搬送されてきた基板に付着しているパーティクルが、それまでに収容部内に収容されてリンス処理されていた基板へ付着してしまうこと（パーティクルの転写）を防止することが可能となる。
【００１７】
このような基板処理装置において、前記複数の収容部の各々は、互いから離間して配置された別個の槽として形成されてもよい。このような基板処理装置によれば、パーティクルの転写をより確実に防止することができる。
【００１８】
あるいは、このような基板処理装置において、前記リンス装置は、内部に仕切部材を設けられた槽を有し、前記槽の内部は、前記仕切部材によって複数の収容部に区分けされているようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、リンス装置の構成を単純化することができる。また、このようなリンス装置は、既存の槽に対して簡易な改良を施すことによって作成され得る。
【００１９】
さらに、本発明による基板処理装置が、前記リンス装置に接続された制御装置をさらに備え、前記制御装置は、前記リンス装置の各収容部内への単位時間あたりの水の補給量を、収容部毎に設定するようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、各収容部内の状況に応じて、当該収容部への水の補給量を変更することができる。これにより、基板を迅速にリンス処理することができるとともに、リンス処理に用いられる水の使用量を低減することができる。
【００２０】
さらに、本発明による基板処理装置において、前記搬送装置は、前記処理槽で処理された基板を前記リンス装置へ搬送するようになされており、さらに、前記リンス装置でリンス処理された基板を前記処理ユニットへ搬送するようになされているようにしてもよい。このような基板処理装置において、前記収容部が同時に収容可能な基板の数は、前記搬送装置が同時に搬送可能な基板の数以上であるようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、処理槽内から同時に搬送されてくる基板を、同一の収容部内に収容することができるようになる。この方法によれば、パーティクルの転写をより確実に防止することができる。
【００２１】
さらに、本発明による基板処理装置が、前記処理槽の上方開口の上方に設けられた可動式シャッターと、前記処理槽に対する前記可動式シャッターの位置を制御する制御装置と、をさらに備え、前記制御装置は、前記搬送装置と前記処理槽との間で基板の受け渡しを行うため、前記処理槽内の基板を収容すべき位置の上方が開放されるよう、前記可動式シャッターを制御してもよい。このような基板処理装置によれば、処理槽内に貯留された処理液からの放熱を抑制することができる。
【００２２】
このような基板処理装置において、前記可動式シャッターは、前記処理槽の前記上方開口の上方で移動可能な二つの板状材を含み、前記制御装置は、前記二つの板状材を互いから離間し、当該二つの板状材の隙間によって前記処理槽内の基板を収容すべき位置の上方を開放するよう、前記可動式シャッターを制御してもよい。このような基板処理装置によれば、開口を介した処理液からの放熱をさらに低減することができる。このような基板処理装置において、前記制御装置は、前記二つの板状材の相対位置を変化させ、同時に受け渡しを行われる基板の数に応じて前記隙間の大きさを変化させるよう、前記可動式シャッターを制御してもよい。このような基板処理装置によれば、開口を介した処理液からの放熱をさらに低減することができる。
【００２３】
さらに、このような基板処理装置において、前記可動式シャッターから突出する整流板が、前記開口の近傍に、設けられているようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、処理槽周囲の雰囲気の気流によって当該雰囲気と処理液との熱交換が促進されることを防止することができる。
【００２４】
さらに、本発明による基板処理装置において、前記処理ユニット、前記処理槽および前記搬送装置は、隔壁によって区画されたスペース内に配置され、前記処理ユニットと前記スペースの外部とを連通させる閉鎖可能な開口が設けられているようにしてもよい。
【００２５】
さらに、本発明による基板処理装置が、前記処理ユニット、前記処理槽および前記搬送装置を収容するスペースを区画する隔壁と、前記スペースの外部に配置され前記スペース内に基板を受け渡しする受け渡し装置と、をさらに備え、前記受け渡し装置は、前記処理ユニットとの間で基板の受け渡しが可能であるようにしてもよい。
【００２６】
さらに、本発明による基板処理装置が、前記処理ユニット、前記処理槽および前記搬送装置を収容するスペースを区画する隔壁と、前記スペースの外部に配置され前記スペース内に基板を受け渡しする受け渡し装置と、をさらに備え、前記処理ユニットは、前記スペース内において、前記受け渡し装置に近接した隔壁の近傍に配置されているようにしてもよい。このような基板処理装置が、前記受け渡し装置に近接した隔壁の近傍に配置された受け渡しユニットをさらに備え、前記スペースに基板が搬入される際に前記受け渡し装置が前記受け渡しユニットへ基板を持ち込み、前記スペースから基板が搬出される際に前記受け渡し装置が前記処理ユニットから基板を取り出すようにしてもよい。また、このような基板処理装置において、前記処理槽は、前記処理ユニットよりも、あるいは、前記処理ユニットおよび前記受け渡しユニットよりも、受け渡し装置から離間した位置に配置されているようにしてもよい。さらに、このような基板処理装置において、前記処理ユニットが、あるいは、前記処理ユニットおよび前記受け渡しユニットが、前記処理槽と前記受け渡し装置との間に配置されるようにしてもよい。さらに、このような基板処理装置において、前記受け渡し装置が前記隔壁に沿って移動可能であり、前記処理ユニットおよび前記受け渡しユニットが前記受け渡し装置に移動経路に沿って並べて配置されているようにしてもよい。
【００２７】
本発明による基板処理方法は、一つの基板を保持可能な処理ユニットと、処理液を貯留する処理槽であって複数の基板を同時に収容可能な処理槽と、を有する基板処理装置を用いて基板を処理する基板処理方法であって、基板処理装置に持ち込まれた未処理基板を前記処理ユニットおよび前記処理槽のいずれにまず搬送するかを判断する工程と、前記処理ユニットを用いて基板を処理する工程および前記処理槽内に貯留された処理槽内に基板を浸漬して処理する工程のうちの少なくともいずれか一つの工程と、を備え、前記処理槽内で処理する工程は、前記処理液が貯留された前記処理槽に、前記処理槽の基板収容可能数未満の数であって一以上の基板を同時に搬送する工程と、溢れ出た処理液を前記処理槽に循環供給しながら、前記同時に搬送された一以上の基板を前記処理槽内の処理液に浸漬して処理する工程と、を含むことを特徴とする。本発明による基板処理方法によれば、ある処理液を用いた処理を処理槽内で行い、その他の処理液を用いた処理を処理ユニット内で行うようにすることができる。そして、処理槽内で基板を処理する場合、処理液を循環利用することにより、処理液の使用量を低減することができる。さらに、処理槽内で基板を処理する場合、処理槽内の加熱された処理液の温度を一定の温度範囲内に維持し、高温処理液の温度変動を大幅に抑制することができる。さらに、処理ユニットで用いられる処理液の種類を低減して、基板処理装置の全体構成および基板処理装置の制御を単純化することができる。
【００２８】
本発明による基板処理方法において、前記処理槽内で処理する工程の前記基板を処理液に浸漬して処理する工程において、前記処理槽内での基板の処理時間は、前記搬送装置によって同時に搬送されて前記処理槽内に搬送された一以上の基板毎に管理されるようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、処理槽内に基板を順次搬入し、多数の基板を並行して処理していくことができる。したがって、基板を効率的に処理することができる。
【００２９】
また、本発明による基板処理方法において、前記処理槽の上方開口の上方に可動式シャッターが設けられており、前記処理槽内で処理する工程は、前記一以上の基板を前記処理槽内に搬送するため、前記一以上の基板を収容すべき前記処理槽内の位置の上方が開放されるよう、前記可動式シャッターを移動させる工程を、さらに含むようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、処理槽内に貯留された処理液からの放熱を大幅に抑制することができる。
【００３０】
さらに、本発明による基板処理方法が、前記処理ユニットを用いて処理する工程と、前記処理槽内で処理する工程と、の両方を備え、前記処理ユニットを用いて処理する工程は、前記処理槽内で処理する工程の後に実施されるようにしてもよい。
【００３１】
このような基板処理方法において、前記処理ユニットを用いて処理する工程は、前記処理槽内で処理を行われた一つの基板を処理ユニットによって保持する工程と、前記処理ユニットによって保持された一つの基板に水を供給してリンス処理する工程と、前記処理ユニットによって保持され前記リンス処理を施された一つの基板を乾燥させる工程と、を有するようにしてもよい。あるいは、このような基板処理方法において、前記処理ユニットを用いて処理する工程は、前記処理槽内で処理を行われた一つの基板を処理ユニットによって保持する工程と、前記処理槽内で処理する工程において用いられた処理液とは異なる処理液を供給し、処理ユニットによって保持された一つの基板を処理する工程と、前記処理ユニットによって保持され前記処理液による処理を施された一つの基板に水を供給してリンス処理する工程と、前記処理ユニットによって保持され前記リンス処理を施された一つの基板を乾燥させる工程と、を有するようにしてもよい。
【００３２】
さらに、本発明による基板処理方法が、前記処理槽内に貯留された処理液内に基板を浸漬して処理する工程の後に実施される工程であって、リンス装置に貯留された水内に基板を浸漬してリンス処理する工程を、さらに備え、前記リンス装置は、各々が前記処理槽の基板収容可能数未満の数の基板を同時に収容可能である複数の収容部を有しており、前記リンス装置内でリンス処理する工程は、前記水が貯留された前記リンス装置の前記複数の収容部のうちの基板が収容されていないいずれか一つの収容部へ、一以上の基板を搬送する工程と、前記リンス装置の前記収容部内において前記一以上の基板を水に浸漬してリンス処理する工程と、を含むようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、リンス装置内の水に基板を浸漬して当該基板をリンス処理するので、基板を迅速にリンス処理することができる。また、処理済みの基板は基板が収容されてない収容部へ順次収容されていくので、新たに収容部へ搬送されてきた基板に付着しているパーティクルが、それまでに収容部内に収容されてリンス処理されていた基板へ付着してしまうこと（パーティクルの転写）を防止することが可能となる。
【００３３】
このような基板処理方法において、前記処理槽内に同時に搬送された一以上の基板毎に、前記リンス装置内に同時に搬送されるようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、処理槽に同時に搬送される一以上の基板毎に、処理槽内での処理、処理槽からリンス装置への搬送、およびリンス装置内でのリンス処理が行われていく。したがって、被処理基板の取り扱いおよび管理が単純化され得る。また、このような基板処理方法の前記リンス装置内でリンス処理する工程において、前記基板が収容された前記一つの収容部へ補給される水の量は、他の収容部へ補給される水の量とは独立して設定されるようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、収容部内での処理状況に応じて、収容部への水の補給量が適宜変更され得る。したがって、基板を迅速にリンス処理することができるとともに、リンス処理に用いられる水の使用量を低減することができる。
【００３４】
また、このような基板処理方法が、前記処理ユニットを用いて処理する工程と、前記処理槽内で処理する工程と、の両方を備え、前記処理ユニットを用いて処理する工程は、前記リンス装置内で基板をリンス処理する工程の後に実施されるようにしてもよい。このような基板処理方法において、前記処理ユニットを用いて処理する工程は、前記リンス装置内でリンス処理を行われた一つの基板を処理ユニットによって保持する工程と、前記処理ユニットによって保持された一つの基板を乾燥させる工程と、を有するようにしてもよい。さらに、このような基板処理方法において、前記処理ユニットを用いて処理する工程は、前記リンス装置内でリンス処理を行われた一つの基板を処理ユニットによって保持する工程と、前記処理槽内で処理する工程において用いられた処理液とは異なる処理液を供給し、処理ユニットによって保持された一つの基板を処理する工程と、前記処理ユニットによって保持された一つの基板に水を供給しリンス処理する工程と、前記処理ユニットによって保持され前記リンス処理を施された一つの基板を乾燥させる工程と、を有するようにしてもよい。
【００３５】
本発明によるプログラムは、一つの基板を保持可能な処理ユニットと、処理液を貯留する処理槽であって複数の基板を同時に収容可能な処理槽と、を備えた基板処理装置を制御する制御装置によって実行されるプログラムであって、前記制御装置によって実行されることにより、基板処理装置に持ち込まれた未処理基板を前記処理ユニットおよび前記処理槽のいずれにまず搬送するかを判断する工程と、前記処理ユニットを用いて基板を処理する工程および前記処理槽内に貯留された処理槽内に基板を浸漬して処理する工程のうちの少なくともいずれか一つの工程と、を備え、前記処理槽内で処理する工程は、前記処理液が貯留された前記処理槽へ、前記処理槽の基板収容可能数未満の数であって一以上の基板を同時に搬送する工程と、溢れ出た処理液を前記処理槽に循環供給しながら、前記同時に搬送された一以上の基板を前記処理槽内の処理液に浸漬して処理する工程と、を含む被処理基板の処理方法を基板処理装置に実施させることを特徴とする。
【００３６】
本発明による記録媒体は、一つの基板を保持可能な処理ユニットと、処理液を貯留する処理槽であって複数の基板を同時に収容可能な処理槽と、を備えた基板処理装置を制御する制御装置によって実行されるプログラムが記録された記録媒体であって、前記プログラムが前記制御装置によって実行されることにより、基板処理装置に持ち込まれた未処理基板を前記処理ユニットおよび前記処理槽のいずれにまず搬送するかを判断する工程と、前記処理ユニットを用いて基板を処理する工程および前記処理槽内に貯留された処理槽内に基板を浸漬して処理する工程のうちの少なくともいずれか一つの工程と、を備え、前記処理槽内で処理する工程は、前記処理液が貯留された前記処理槽へ、前記処理槽の基板収容可能数未満の数であって一以上の基板を同時に搬送する工程と、溢れ出た処理液を前記処理槽に循環供給しながら、前記同時に搬送された一以上の基板を前記処理槽内の処理液に浸漬して処理する工程と、を含む被処理基板の処理方法を基板処理装置に実施させることを特徴とする。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、以下の実施の形態においては、本発明による基板処理装置を半導体ウエハの処理装置に適用した例を説明する。ただし、本発明による基板処理装置は、半導体ウエハに対する処理への適用に限られるものではなく、広く基板の処理に適用することができる。
【００３８】
図１乃至図１３は、本発明による基板処理装置および基板処理方法の一実施の形態並びにその変形例を説明するための図である。このうち図１は基板処理装置の内部構成を示す上面図であり、図２は基板処理装置の内部構成を示す側面図であり、図３は基板処理装置の処理槽を示す縦断面図であり、図４は基板処理装置のリンス装置を示す縦断面図であり、図５は処理槽およびリンス装置を可動式シャッターとともに示す上面図であり、図６は処理ユニットの概略構成を示す模式図であり、図７は処理ユニットに組み込まれた供給液量異常検出器の構成を説明するための模式図である。
【００３９】
図１および図２に示すように、基板処理装置１０は、処理されるべきウエハＷおよび処理済みのウエハＷが載置される載置部１０ａと、ウエハＷを処理する処理部１０ｃと、載置部１０ａと処理部１０ｃとの間でウエハＷの受け渡しを行う受け渡し部１０ｂと、各部１０ａ，１０ｂ，１０ｃに設けられた装置類の動作を制御する制御装置２０と、を含んでいる。
【００４０】
載置部１０ａには、複数のウエハＷを収容したキャリア１１が載置される。受け渡し部１０ｂには、載置部１０ａおよび処理部１０ｃとの間でウエハＷの受け渡しを行う受け渡し装置１３が設けられている。受け渡し装置１３はウエハＷを保持するための一以上のフォーク１３ａを有している。受け渡し装置１３は、図１および図２に示すように、フォーク１３ａを上下、左右および前後に移動させることができ、また、垂直軸を中心としてフォーク１３ａの向きを変えることもできる。このような構成により、受け渡し装置１３は、載置部１０ａおよび処理部１０ｃのいずれか一方から受け取ったウエハＷを、載置部１０ａおよび処理部１０ｃのいずれか他方へ引き渡すことができるようになっている。
【００４１】
なお、図１および図２に示すように、受け渡し部１０ｂは隔壁１５により外部から遮断されている。受け渡し部１０ｂと載置部１０ａとの間でのウエハＷの受け渡し、並びに、受け渡し部１０ｂと処理部１０ｃとの間でのウエハＷの受け渡しは、受け渡し時以外は閉鎖されている開口（図示せず）を介し、実施される。
【００４２】
次に、処理部１０ｃについて説明する。図１および図２に示されているように、処理部１０ｃには、機器類の配置スペースＳを区画する隔壁２２と、隔壁２２の上部に設けられた送風装置２４と、が設けられている。配置スペースＳは、隔壁２２によって外部から遮断されている。また、送風装置２４は、清浄化された気体を区画されたスペースＳ内に上方から吹き込む。この送風装置２４からの送風により、隔壁２２によって区画されたスペースＳ内にダウンフローが形成される。
【００４３】
図１および図２に示すように、基板処理装置１０は、受け渡し部１０ｂとの間でウエハＷの受け渡しを行う受け渡しユニット２５と、隔壁２２によって区画されたスペースＳ内でウエハＷを搬送可能な搬送装置３０と、数枚または数十枚のウエハＷを同時に収容可能で処理液を貯留し得る処理槽４０と、一枚以上のウエハＷを収容可能で純水を貯留し得るリンス装置５０と、一つの基板Ｗを保持し保持した一つの基板を処理する枚葉式の処理ユニット６０と、を隔壁２２によって区画されたスペースＳ内に有している。本実施の形態においては、二つの受け渡しユニット２５が上下に重ねられてスペースＳ内に配置されている。また、合計四つの処理ユニット６０が、受け渡しユニット２５の両隣りに上下重ねられてスペースＳ内に配置されている。処理槽４０とリンス装置５０とは、並べて配置されている。搬送装置３０は、処理槽４０のウエハ収容可能枚数未満の枚数であって一枚以上のウエハＷを一度に搬送可能であり、処理部１０ｃ内でのウエハＷの搬送のすべてを担っている。以下、各装置について、順に詳述していく。
【００４４】
なお、図示する配置は単なる例示であって、適宜変更することができる。例えば、図１および図２に二点鎖線で示されているように、さらに別途の処理装置２８が隔壁２２によって区画されたスペースＳ内に設けられてもよい。
【００４５】
また、ここでいう「処理液」とは、処理に用いられる液体であって、薬液および純水を含む概念である。
【００４６】
まず、受け渡しユニット２５について詳述する。上述したように、上下に並べられた二つの受け渡しユニット２５が処理部１０ｃ内に設けられている。各受け渡しユニット２５は、受け渡し時以外は閉鎖されている開口２５ａを介し、受け渡し部１０ｂと通じ得る。開口２５ａが開放されている場合、上述した受け渡し装置１３のフォーク１３ａは各受け渡しユニット２５内にアクセスすることができる。また、受け渡し時以外は閉鎖されている別の開口２５ｂを介し、搬送装置３０が、各受け渡しユニット２５の内部へアクセスすることができるようになっている。そして、搬送装置３０および受け渡し装置１３は、受け渡しユニット２５内へウエハＷを受け渡し、また、受け渡しユニット２５内へ収容されたウエハＷ引き取ることができるようになっている。本実施の形態において、各受け渡しユニット２５は複数のウエハ、例えば二枚のウエハを収容することができるようになっている。
【００４７】
次に、搬送装置３０について詳述する。上述したように、搬送装置３０は、処理槽４０のウエハ収容可能枚数未満の枚数、具体的な例として二枚のウエハＷを同時に搬送可能である。そして、搬送装置３０は、受け渡しユニット２５や、処理槽４０、リンス装置５０および処理ユニット６０からウエハＷを受け取ることができる。また、搬送装置３０は、受け渡しユニット２５や、処理槽４０、リンス装置５０および処理ユニット６０へウエハＷを引き渡すことができる。
【００４８】
具体的な構成として、図１および図２に示されているように、搬送装置３０は、台座３１と、台座３１に連結された第１アーム３２と、第１アーム３２に連結された第２アーム３３と、第２アーム３３に連結された支持アーム３４と、支持アーム３４に支持された第１フォーク３５ａおよび第２フォーク３５ｂと、を有している。第１アーム３２は台座３１に対し水平面内で回転可能となっている。また、第１アーム３２は台座３１に対して垂直面内で揺動可能となっている。さらに、第２アーム３３は第１アーム３２に対して垂直面内で揺動可能となっている。支持アーム３４は第２アーム３３に対して垂直面内で揺動可能となっている。また、支持アーム３４は第２アーム３３に対して水平面内で回動可能となっている。第１フォーク３５ａおよび第２フォーク３５ｂは、それぞれ独立して支持アーム３４に対して摺動可能となっている。このような搬送装置３０の構成により、第１フォーク３５ａおよび第２フォーク３５ｂを処理部１０ｃ内の所望の位置に移動させることが可能となっている。
【００４９】
本実施の形態においては、図１に示すように、第１フォーク３５ａおよび第２フォーク３５ｂは、一対の保持用アーム３６，３６と、各保持用アーム３６に取り付けられた接触部３７と、を有している。一対の保持用アーム３６，３６は、互いに対して接近することができるとともに、互いから離間することもできる。また、接触部３７は、保持対象であるウエハＷの外形状に沿った輪郭を有している。そして、第１フォーク３５ａおよび第２フォーク３５ｂは、一対のアーム３６，３６を互いに接近させて接触部３７をウエハＷに当接させることにより、ウエハＷを狭持することが可能となる。また、第１フォーク３５ａおよび第２フォーク３５ｂは、一対のアーム３６，３６を互いから離間させることにより、狭持したウエハＷを解放することができる。
【００５０】
このような搬送装置３０は、制御装置２０に接続されており、制御装置２０からの制御信号に基づいて動作する。
【００５１】
次に、図１乃至図３を主に参照し、処理槽４０について詳述する。図１乃至図３に示すように、処理槽４０は略直方体の輪郭を有している。また、処理槽４０には、ウエハＷを出し入れするための上方開口４０ａが形成されている。
【００５２】
図１乃至図３に示すように、処理槽４０は、ウエハＷの板面が垂直方向に沿うようにして、数枚または数十枚のウエハＷを略等間隔空けて収容することができる。なお、処理槽４０のウエハ収容可能枚数は、搬送装置３０が同時に搬送することができるウエハの枚数よりも多くなっている。処理槽４０内にはウエハボート４１が配置されている。このウエハボード４１には略等間隔を空けてウエハＷの外周部と係合し得る溝４１ａが形成されている。ウエハボード４１の溝４１ａとウエハＷの外周部とを係合させることにより、ウエハＷは起立した状態でウエハボード４１に支持される。また、図３に示すように、処理槽４０の上方開口４０ａを取り囲むようにして、外槽（回収槽）４２が設けられている。外槽４２は処理槽４０から溢れ出た処理液を回収することができる。
【００５３】
図３に示すように、処理槽４０および外槽４２は、処理槽用シンク４３内に配置されている。処理槽用シンク４３は、略直方体の輪郭を有するとともに、上方開口を形成されている。また、処理槽用シンク４３の上方開口には、板状材からなる一対の可動式シャッター８０ａ，８０ｂが設けられている。可動式シャッター８０ａ，８０ｂは、処理槽用シンク４３上で、すなわち、処理槽４０の上方開口４０ａの上方で移動可能である。したがって、搬送装置３０と処理槽４０との間でウエハＷの受け渡しを行うため、処理槽４０内のウエハＷを収容すべき位置あるいは処理槽４０内から取り上げられるべきウエハＷが収容された位置の上方が開放されるようにすることが可能となっている。なお、可動式シャッター８０ａ，８０ｂの構成については後に詳述する。
【００５４】
処理槽４０は、貯留した処理液にウエハＷを浸漬して当該ウエハＷを処理するための槽である。そして、処理槽４０には、例えば、加熱された第１薬液、例えば８０℃程度に保持された硫酸水溶液が貯留されるようになっている。図３に示すように、外槽４２と処理槽４０との間には循環ライン４５が設けられている。この循環ライン４５には、ポンプ等の処理液吐出機構４６と、フィルタ４７と、ヒータ４８とが介設されている。すなわち、外槽４２に溢れ出た処理液は、液体吐出機構４６によって循環ライン４５を通過して再び処理槽４０内に戻される。この際、処理液中に混入していたパーティクル等はフィルタ４７によって除去される。また、ヒータ４８によって循環ライン４５内を流れる処理液の温度が調整され、処理槽４０内の処理液の温度が予め設定された範囲内に維持されるようになっている。このような処理液の循環供給方法によれば、処理液を消失させてしまうことなく循環再利用することができる。ただし、循環ライン４５は処理液源４９にも接続されており、適宜フレッシュな処理液を処理槽４０に供給することもできるようになっている。
【００５５】
なお、処理液吐出機構４６やヒータ４８等は制御装置２０に接続されており、処理槽４０への処理液の供給および処理液の温度調整は制御装置２０によって制御されるようになっている。
【００５６】
次に、図１、図２および図４を主に参照し、リンス装置５０について詳述する。リンス装置５０は、貯留した純水（ＤＩＷ）にウエハＷを浸漬して当該ウエハＷをリンス処理するための装置である。
【００５７】
図１、図２および図４に示すように、リンス装置５０は、各々が処理槽４０のウエハ収容可能枚数未満の枚数のウエハＷを収容可能である複数の収容部５０ａを有している。本実施の形態において、リンス装置５０は、純水を貯留するためのリンス槽５１と、リンス槽５１内に配置されたウエハボート５２と、を有している。リンス槽５１は、本実施の形態において、上述した処理槽４０と同様に構成されている。すなわち、リンス槽５１は略直方体の輪郭を有するとともに、リンス槽５１にはウエハＷを出し入れするための上方開口５１ａが形成されている。また、ウエハボート５２は、処理槽４０内に配置されたウエハボート４１と同一の構成を有している。すなわち、ウエハボード５２には略等間隔を空けてウエハＷの外周部と係合し得る溝５２ａが形成されている。したがって、図１、図２および図４に示すように、リンス槽５１は、ウエハＷの板面が垂直方向に沿うようにして、処理槽４０のウエハ収容枚数と同数のウエハＷを収容することができるようになっている。
【００５８】
その一方で、リンス槽５１内には板状の仕切部材５４が複数設けられている。そして、リンス槽５１の内部は、この仕切部材５４によって複数の収容部５０ａに区分けされている。本実施の形態において、仕切部材５４はリンス槽５１の内部において隣り合う収容部５０ａ間を遮断するようになっている。また、図４に明瞭に示されているように、仕切部材５４はリンス槽５１の上方開口５１ａを越えて上方に延びている。したがって、一つの収容部５０ａから当該一つの収容部と隣り合う他の収容部への純水の流入は完全に防止される。なお、本実施の形態において、一つの収容部５０ａが同時に収容可能なウエハの枚数は二枚であり、搬送装置３０が同時に搬送可能なウエハＷの枚数と同一となっている。
【００５９】
図１および図５に示すように、リンス装置５０のリンス槽５１および処理槽４０は、リンス槽５１に収容されたウエハＷの板面と処理槽４０に収容されたウエハＷの板面とが平行となるように、並べて配置されている。さらに具体的には、処理槽４０内の各ウエハＷが保持された位置から、保持されたウエハＷの板面と平行な方向にずれると、リンス槽５１内でウエハＷが保持されるべき位置が存在するようになっている。
【００６０】
また、図４に示すように、リンス槽５１は、リンス槽用シンク５５内に配置されている。リンス槽用シンク５５は、上述した処理槽用シンク４３と同一に構成されている。すなわち、リンス槽用シンク５５は、略直方体の輪郭を有するとともに、上方開口を形成されている。また、リンス槽用シンク５５の上方開口は、処理槽用シンク４３と同様に、板状材からなる一対の可動式シャッター８０ａ，８０ｂによって覆われている。そして、搬送装置３０とリンス槽５１との間でウエハＷの受け渡しを行うため、リンス槽５１内のウエハＷを収容すべき位置あるいはリンス槽５１内から取り上げられるべきウエハＷが収容された位置の上方が開放され得るようになっている。
【００６１】
リンス装置５０は、リンス槽５１と純水源５７とを連結する純水供給ライン５６を有している。純水供給ライン５６は、流量制御が可能な開閉バルブ５６ａをそれぞれ介し、すべての収容部５０ａへ接続されている。したがって、リンス装置５０の収容部５０ａへの単位時間当たりの純水供給量は、各収容部５０ａへ対応する開閉バルブ５６ａを操作することによって、収容部５０ａ毎に設定され得る。なお、本実施の形態において、リンス槽５１から溢れ出た純水は、リンス槽用シンク５５内に回収され、リンス槽用シンク５５の下部に接続された排水ライン５８を経て廃棄されるようになっている。
【００６２】
なお、各収容部５１ａへの純水供給量を操作する開閉バルブ５６ａは制御装置２０に接続されており、開閉バルブ５６ａの動作は制御装置２０によって制御されるようになっている。
【００６３】
次に、可動式シャッター８０ａ，８０ｂについて詳述する。図３乃至図５に示されているように、可動式シャッター８０ａ，８０ｂは、処理槽４０の上方開口４０ａの上方およびリンス槽５１の上方開口５１ａの上方に配置されている。図５によく示されているように、可動式シャッター８０ａ，８０ｂは、処理槽４０またはリンス槽５１に収容されたウエハＷの板面に沿って、言い換えると、処理槽４０およびリンス槽５１が並ぶ方向に沿って延びる板状材からなっている。
【００６４】
可動式シャッター８０ａ，８０ｂは、その両端部を支持板材８２によって支持されている。各可動式シャッター８０ａ，８０ｂは、処理槽４０およびリンス槽５１内におけるウエハＷの配列方向に沿って、支持部材８２上を移動可能となっている。一対の可動式シャッター８０ａ，８０ｂは別個の第１駆動手段８１ａ，８１ｂ、例えばシリンダに連結されており、互いに対して相対移動することができる。これにより、一対の可動式シャッター８０ａ，８０ｂの間に形成される隙間（開口）８８の幅を変化させることができる。
【００６５】
また、支持板材８２は、処理槽４０およびリンス槽５１内におけるウエハＷの配列方向に沿って移動可能となっている。図５に示す例において、支持部材８２は、モータ等の第２駆動手段８３に接続され、この駆動手段８３によって移動させられるようになっている。これにより、処理槽４０内およびリンス槽５１内のウエハＷを収容すべき位置の上方あるいは処理槽４０内およびリンス槽５１内から取り出されるべきウエハＷが収容されている位置の上方に、一対の可動式シャッター８０ａ，８０ｂの間に形成される開口８８が位置するようにすることができる。
【００６６】
なお、第１駆動手段８１ａ，８１ｂおよび第２駆動手段８３は制御装置に接続されている。そして、第１駆動手段８１ａ，８１ｂの動作に基づく一対の可動式シャッター８０ａ，８０ｂの支持部材８２に対する位置、並びに、第２駆動手段８２の動作に基づく一対の支持板材８２の処理槽４０およびリンス槽５１に対する位置は、制御装置２０によって制御される。
【００６７】
ところで、図３および図４によく示されているように、第１の可動式シャッター８０ａの第２可動式シャッター８０ｂ側の縁部に、上方の突出する第１整流板８６ａが設けられている。同様に、第２の可動式シャッター８０ｂの第１可動式シャッター８０ａ側の縁部に、上方の突出する第２整流板８６ｂが設けられている。図３に示すように、各整流板８６ａ，８６ｂの上方への突出量は、略円板状からなるウエハＷの板面の直径と略同一となっている。
【００６８】
上述したように、処理部１０ｃ内には、送風装置２４からの送風により、ダウンフローが形成される。整流板８６ａ，８６ｂは、処理槽４０内に吹き込む風量を減じ、処理槽４０内の処理液からの放熱を抑制するためのものである。
【００６９】
次に、図６および図７を主に参照し、枚葉式の処理ユニット６０について詳述する。上述したように、合計四つの処理ユニット６０が処理部１０ｃ内に設けられている。各処理ユニット６０は、受け渡し時以外は閉鎖されている開口６０ａを介し、受け渡し部１０ｂと通じ得る。開口６０ａが開放されている場合、上述した受け渡し装置１３のフォーク１３ａは各処理ユニット６０内にアクセスすることができる。また、受け渡し時以外は閉鎖されている別の開口６０ｂを介し、搬送装置３０が、各処理ユニット６０の内部へアクセスすることができるようになっている。そして、搬送装置３０および受け渡し装置１３は、処理ユニット６０内へウエハＷを受け渡し、また、処理ユニット６０内へ収容されたウエハＷ引き取ることができるようになっている。
【００７０】
処理ユニット６０は、ウエハＷの板面が水平面に沿うようにして一枚のウエハＷを保持する保持機構６２と、保持機構６２に保持されたウエハの外方に位置するカップ６３と、保持機構６２に保持されたウエハＷの表面（上面）に処理液および気体を吐出する上方ノズル６４と、上方ノズル６４を支持するアーム６５と、保持機構６２に組み込まれ保持機構６２に保持されたウエハＷの裏面に処理液を吐出する下方ノズル６６と、を有している。保持機構６２はウエハＷを回転可能に保持することができる。アーム６５は上方ノズル６４を移動させることができ、これにより、上方ノズル６４は、保持機構６２に保持されたウエハＷの上方を当該ウエハＷの板面に沿って移動する。この結果、上方ノズル６４を介し、ウエハＷの板面上の所望の位置に向けて処理液および気体を吐出することができるようになる。また、ウエハＷに供給された処理液は、ウエハＷの回転にともなって飛散しカップ６３に回収される。これらの保持機構６２、カップ６３、上方ノズル６４、アーム６５、および下方ノズル６６は、処理ユニット用隔壁６１によって形成される処理室内に配置されている。
【００７１】
次に、処理ユニット６０に接続される配管類について説明する。図６に示すように、上方ノズル６４は上方供給ライン６８に接続されている。上方供給ライン６８は上方供給バルブ６９および接続ライン７０を介して種々の処理液源および気体源に接続されている。また、下方ノズル６６は下方供給ライン７１に接続されている。下方供給ライン７１は下方供給バルブ７２および接続ライン７０を介して種々の処理液源および気体源に接続されている。本実施の形態においては、図６に示すように、上方供給ライン６８および下方供給ライン７１は、同一の処理液源および気体源に接続されている。具体的には、上方供給ライン６８および下方供給ライン７１は、第２薬液源、第３薬液源、純水源、および、不活性ガス源に、接続ライン７０に含まれる別々の配管を経由して接続されている。ここで、第２薬液源から供給される薬液を、例えば、酸系のＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）とすることができる。また、第３薬液源から供給される薬液を、例えば、アルカリ系のアンモニア水とすることができる。さらに、不活性ガス源から供給される不活性ガスを、窒素とすることができる。
【００７２】
また、図６に示すように、ウエハＷ上に供給された処理液が回収されるカップ６３には、廃棄ライン７４が接続されている。廃棄ライン７４には、分岐バルブ７５が設けられている。廃棄ライン７４は、分岐バルブ７５の操作によって、酸系の第２薬液と、アルカリ系の第３薬液と、その他の液体と、を分けて廃棄することができるようになっている。
【００７３】
ところで、処理ユニット用隔壁６１の天井面には図示しない送風用開口が形成されている。このため、処理ユニット用隔壁６１内には上述の送風装置２４から送風される気体が入り込んでくる。そして、処理ユニット用隔壁６１の下方には、処理ユニット用隔壁６１内の雰囲気を排気するための排気ライン７８が設けられている。この結果、排気ライン７８を介して処理ユニット用隔壁６１の雰囲気を排気することができ、処理ユニット用隔壁６１内にダウンフローが安定して形成されるようになる。図示する例において、排気ライン７８には、排気バルブ７９が介設されている。そして、排気ライン７８は、排気バルブ７９の操作によって、酸系の第２薬液を使用している間の雰囲気と、アルカリ系の第３薬液を使用している間の雰囲気と、その他の状況における雰囲気と、を分けて排気することができるようになっている。
【００７４】
上述したように、本実施の形態において、高温で用いられる第１薬液による処理は、処理ユニット６０ではなく処理槽４０にて実施される。したがって、第１薬液を用いた処理を行うための配管類を処理ユニット６０に設ける必要がない。これにより、処理ユニット６０の構成および処理ユニット６０の制御を大幅に単純化することができる。
【００７５】
また、接続ライン７０、廃棄ライン７４および排気ライン７８は、基板処理装置１０に含まれた複数の処理ユニット（本実施の形態においては、上述したように四つの処理ユニット）で共通して用いられる。したがって、第１薬液を用いた処理を行うための配管類を省略することにより、基板処理装置１０の構成および基板処理装置１０の制御を大幅に単純化することができる。
【００７６】
なお、各バルブ６９，７２，７５，７９、アーム６５、保持機構６２、各処理液源等は、制御装置２０に接続されている。そして、処理ユニット２０内におけるウエハＷに対する処理（具体的には、処理液の供給、気体の供給、保持機構６２によるウエハＷの保持、上方ノズルの位置等）は制御装置２０によって制御される。
【００７７】
また、上述した処理ユニット６０の構成は単なる例示であり、図示された例に限定されるものではない。
【００７８】
ところで、本実施の形態においては、図６および図７に示すように、接続ライン７０に含まれる配管のうちの第２薬液用の配管と第３薬液用の配管について、薬液源９６と供給ノズル６９，７２との間に、供給ライン６８，７１を介してウエハＷに供給される処理液の液量に異常がないかを判定するための供給液量異常検出器９０が介設されている。供給液量異常検出器９０は、ウエハＷの処理に用いられる処理液が貯留される供給ボトル９１を有している。供給ボトル９１は細長い容器であり、鉛直方向に沿って延びるように支持されている。供給ボトル９１は、その下面において接続ライン７０に接続されている。供給液量異常検出器９０は、供給ボトル９１の高さ方向（鉛直方向）に沿った異なる位置に配置された上限センサ９３ａ、下限センサ９３ｂ、および下下限センサ９３ｃを有している。また、供給液量異常検出器９０は、供給ボトル９１の近傍に配置されたアクチュエータ９５と、アクチュエータ９５によって供給ボトル９１の高さ方向（鉛直方向）に沿って移動可能に支持された液面センサ９４と、をさらに有している。各センサ９３ａ，９３ｂ，９３ｃ，９４は、各センサが取り付けられた高さまで供給ボトル９１内に液体が貯留されているか否かを判定する機能を有している。
【００７９】
各センサ９３ａ，９３ｂ，９３ｃ，９４は制御装置２０に接続されており、各センサによる判定結果は制御装置２０に送信される。また、アクチュエータ９５は制御装置２０に接続されており、制御装置２０からの信号によってアクチュエータ９５は動作する。また、制御装置２０には、各処理液を用いた処理において一枚のウエハＷを処理する際に必要となる処理液の液量に関する情報が予め記録されている。記録されたこの情報に基づき、制御装置２０は、液面センサ９４が支持されるべき高さ方向位置を決定する。具体的には、液面センサ９４が支持された高さ方向位置と下限センサ９３ｂが配置された高さ方向位置との間を占める供給ボトル９１内の領域Ｒ１の容積が、一枚のウエハＷを処理する際に必要となる処理液の液量よりも少なくなり、液面センサ９４が支持された高さ方向位置と下下限センサ９３ｃが配置された高さ方向位置との間を占める供給ボトル９１内の領域Ｒ２の容積が、一枚のウエハＷを処理する際に必要となる処理液の液量よりも多くなるように、液面センサ９４が位置決めされる。
【００８０】
このような供給液量異常検出器９０によれば、ウエハＷの処理前に液面センサ９４の高さまで供給ボトル９１内に処理液を貯留しておき、ウエハＷの処理終了時に供給ボトル９１内に残存している処理液の液面高さを確認することにより、適量の処理液がウエハＷに供給されたか否かを判断することができる。具体的には、残留処理液の液面高さが下限センサ９３ｂおよび下下限センサ９３ｃの間にあれば、適量の処理液が供給されたと判断し、下限センサ９３ｂより高ければ処理液の供給量が少なすぎると判断し、下下限センサ９３ｃより低ければ処理液の供給量が多すぎると判断する。また、上限センサ９３ａは、供給ボトル９１へ処理液が供給され過ぎた場合を検知するために設けられている。
【００８１】
市販されている流量センサは、液体の供給開始時および供給停止時や、液体内に泡が混入している場合に、誤作動してしまう可能性がある。また、市販されている流量センサは非常に高価である。その一方で、このような供給液量異常検出器９０によれば、安定して液体供給の異常を判定することができるとともに、安価である。
【００８２】
なお、図７に示すように、供給ボトル９１は、その上面においてガス源９７に接続されており、ガス源９７からガスを供給して供給ボトル９１内を昇圧することにより、供給ボトル９１内に貯留された処理液を供給ボトル９１から吐出することができる。
【００８３】
次に、制御装置２０について説明する。制御装置２０は、記録媒体２１を読み取ることができるＣＰＵを有し、基板処理装置１０の各構成要素の動作を制御するようになっている。記録媒体２１には、基板処理装置１０による処理を実行するためのプログラムが記録されている。制御装置２０は、記録媒体２１に予め記録されたプログラムに基づき、基板処理装置１０の各構成要素を動作させてウエハＷを処理する。なお記録媒体２１は、ＲＯＭやＲＡＭなどのメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭのようなディスク状記録媒体、その他の公知な記録媒体から構成されてもよい。
【００８４】
次に、以上のような構成からなる基板処理装置１０を用いてウエハＷを処理する方法の一例について説明する。なお、以下に説明する基板処理装置１０の各構成要素の動作は、予めプログラム記録媒体２１に格納されたプログラムに基づいた制御装置２０からの制御信号によって制御されている。
【００８５】
まず、上述したように、複数のウエハＷを収容したキャリア１１が載置部１１ａに載置される。キャリア１１内のウエハＷは、受け渡し部１０ｂに配置された受け渡し装置１３によって、キャリア１１から抜き出され、処理部１０ｃの受け渡しユニット２５内へと持ち込まれる。
【００８６】
以下、処理部１０ｃ内でのウエハＷに対する処理方法を説明する。
【００８７】
まず、制御装置２０が、記録媒体２１に記録されたプログラムに基づき、処理部１０ｃに持ち込まれた未処理ウエハＷを処理ユニット６０および処理槽４０のいずれにまず搬送するかを判断する。なお、以下に説明する例においては、図８に示すように、ウエハＷは、まず、処理槽４０内に搬送される。
【００８８】
具体的に説明すると、受け渡しユニット２５内に収容された未処理ウエハＷは、搬送装置３０によって保持され、受け渡しユニット２５から持ち出される。持ち出されたウエハＷは、水平状態から垂直状態に姿勢が変更され、搬送装置２０によって処理槽４０内に搬入される。このとき、搬送装置３０は、二つのフォーク３５ａ，３５ｂによって、受け渡しユニット２５内に収容されていた二枚のウエハＷを同時に保持し、二枚のウエハＷを同時に処理槽４０へ搬送する。
【００８９】
ウエハＷが搬入される処理槽４０内には第１の薬液（例えば、硫酸水溶液）が貯留されている。また、液体吐出機構４６およびヒータ４８が稼働している。したがって、第１の薬液は、処理槽４０および外槽４２と循環ライン４５とによって形成される循環路を循環しながら加熱される。この結果、処理槽４０内の第１薬液の温度は、室温よりも高い予め設定された範囲内に保たれている。
【００９０】
また、ウエハＷを処理槽４０内に搬入する前に、可動式シャッター８０ａ，８０ｂが移動させられ、二枚のウエハＷを収容すべき処理槽４０内の位置の上方に、ウエハＷを搬入するための開口（隙間）８８が形成される。すなわち、可動式シャッター８０ａ，８０ｂの移動により、二枚のウエハＷを収容すべき処理槽４０内の位置の上方が開放される。本実施の形態においては、搬送装置４０によって同時に搬送される二枚のウエハＷは、処理槽４０内において隣り合うように配置される。具体的には、制御装置２０からの信号に基づき、第１駆動手段８１ａ，８１ｂが可動式シャッター８０ａ，８０ｂを支持板材８２上で相対移動させ、一対の可動式シャッター８０ａ，８０ｂ間に形成される開口（隙間）８８の幅を調整する。形成された開口８８は、図３に示すように、搬送装置３０に保持された二枚のウエハＷが通過し得る幅を有するようになる。また、制御装置２０からの信号に基づき、第２駆動手段８３によって支持板材８２が処理槽４０の上方開口４０ａの上方で移動させられ、一対の可動式シャッター８０ａ，８０ｂ間に形成された開口８８が処理槽４０のウエハＷを収容すべき位置の直上に位置するようになる。
【００９１】
このようにして、処理槽４０に貯留された高温の第１薬液（例えば、硫酸水溶液）に、二枚のウエハＷが同時に浸漬され、二枚のウエハＷに対する処理（例えば、レジスト除去処理）が開始される。また、搬送装置２０は、他のウエハＷを搬送すべく制御装置２０からの信号に基づいて引き続き動作する。さらに、可動式シャッター８０ａ，８０ｂは、他のウエハＷの処理槽４０内への搬入または処理槽４０からの搬出にそなえて移動する。
【００９２】
そして、制御装置２０は、搬送装置３０によって同時に搬送されて処理槽４０に搬入された二枚のウエハ毎に処理経過時間を計測する。制御装置２０は、ウエハＷの処理経過時間が予め設定された処理時間に達すると、当該ウエハＷを処理槽４０から搬出するように搬送装置３０に対して信号を送信する。同時に、制御装置２０は、第１駆動手段８１ａ，８１ｂおよび第２駆動手段８２にも信号を送信し、搬出すべき二枚のウエハＷの上方に開口８８を形成する。以上のようにして、処理槽４０に同時に搬入された二枚のウエハＷに対する処理槽４０での処理が終了する。
【００９３】
上述したように、また、図３に示されているように、処理槽４０は、搬送装置３０が一度に搬送することが可能なウエハＷの枚数以上の枚数のウエハＷを一度に収容することができる。したがって、同時に搬送された二枚のウエハＷに対する処理が処理槽４０内で行われている間、その後に処理されるべきウエハＷを搬送装置３０によって処理槽４０内に順次持ち込み処理槽４０内の他の領域で処理することができる。このようにして、多数のウエハＷを収容し得る処理槽４０内で、ウエハＷを並行して効率的に処理していくことができる。また、並行して処理される各ウエハＷの処理時間を同一にすることができ、これにより、ウエハＷ毎の処理むらを十分に抑制し、ウエハＷを安定して処理していくことができる。
【００９４】
また、処理槽４０内の第１の薬液は、処理槽４０および外槽４２と循環ライン４５とによって形成される循環路をヒータ４８によって温度調整されながら循環している。したがって、処理槽４０に貯留される第１薬液の量は多くなるが、同一の第１薬液で多数のウエハを順次処理していくことができる。結果として、第１薬液の使用量を低減することができる。
【００９５】
また、第１薬液は、処理槽４０および外槽４２と循環ライン４５とによって形成される循環路を循環しながら、ヒータ４８によって温度調整される。また、処理槽４０には多量の第１薬液が貯留されている。したがって、第１薬液の温度よりも低温のウエハＷが処理槽４０内に順次搬入されてきたとしても、処理槽４０に貯留された第１薬液の温度は大きく変化することはない。
【００９６】
さらに、処理槽４０の上方開口４０ａの上方に可動式シャッター８０ａ，８０ｂが設けられているので、処理槽４０内に貯留された処理液からの放熱を抑制することができる。とりわけ、ウエハＷの受け渡しを行うための可動式シャッター８０ａ，８０ｂ間の隙間（開口）８８の幅は、同時に受け渡されるウエハＷの枚数に応じて変化する。したがって、隙間８８を介した第１薬液からの放熱を低減することができる。また、可動式シャッター８０ａ，８０ｂの開口８８に隣接する縁部には、整流板８６ａ，８６ｂが突設されている。したがって、処理部１０ｃ内に形成されたダウンフローによって処理槽周囲の雰囲気が処理槽４０内に吹き込んでくることを抑制することができ、これにより、処理槽周囲の雰囲気と処理槽４０内の第１薬液との熱交換が促進されることを防止することができる。
【００９７】
その後、図８に示すように、処理槽４０から同時に取り上げられた二枚のウエハＷはリンス装置５０のリンス槽５１内に収容される。具体的には、処理槽４０からリンス装置５０へ搬送される二枚のウエハＷは、搬送装置４０によって、整流板８６ａ，８６ｂの間に位置するまで処理槽４０内から上方へ持ち上げられる。そして、搬送装置２０は、その高さ方向位置（図３における紙面の上下方向における位置）を維持しながら、搬送対象のウエハＷの板面に平行な方向に二枚のウエハＷを同時に搬送する。二枚のウエハＷがリンス装置５０のリンス槽５１の直上に到達すると、搬送装置２０は二枚のウエハＷを降下させる。これにより、二枚のウエハＷが、搬送装置２０によって、同時にリンス装置５０内へ搬入される。このとき、処理槽４０内から同時に搬送されてくるウエハＷは同一の収容部５０ａ内に収容される。
【００９８】
つまり、処理槽４０から取り出されたウエハＷは、処理槽４０内で保持されていた位置から当該ウエハＷの板面に沿ってずれた位置に相当するリンス槽５１内の位置に収容されるようになる。このような搬送方法によれば、可動式シャッター８０ａ，８０ｂを移動させる必要がなく、搬送を迅速に行うことができる。また、処理槽４０の上方からリンス装置５０の上方に移動する際、搬送装置２０に保持されたウエハＷは一対の整流板８６ａ，８６ｂ間を移動する。したがって、処理部１０ｃ内の気流によって、ウエハＷに付着していた第１薬液の液滴やパーティクルが処理部１０ｃ内に飛散してしまうことを格段に抑制することができる。
【００９９】
一方、ウエハＷを搬入されるリンス装置５０のリンス槽５１内には純水が貯留されている。そして、リンス装置５０の収容部５０ａに貯留された純水に、二枚のウエハＷが同時に浸漬され、二枚のウエハＷに対するリンス処理が開始される。また、搬送装置２０は、他のウエハＷを搬送すべく制御装置２０からの信号に基づいて引き続き動作する。
【０１００】
リンス装置５０の収容部５０には、適宜、純水が補給される。本実施の形態においては、制御装置２０からの信号に基づき、リンス装置５０の各収容部５０ａ内へ補給される純水の単位時間当たりの補給量は、収容部５０ａ毎に設定される。そして、薬液を用いて処理されたウエハＷが収容された収容部５０ａには、多量の補給量で純水が補給される。一方、ウエハＷが収容されていない収容部５０には、微量の補給量で純水が補給される、あるいは、純水が補給されない。
【０１０１】
純水がリンス槽５１に補給されると、リンス槽５１の上方開口５１ａから純水が溢れ出る。本実施の形態においては、図４に示すように、純水は下方からリンス槽５１内へ補給される。したがって、リンス槽５１内には、下方から上方へ向けた純水の液流が形成される。そして、リンス槽５１内においてウエハＷから除去されたパーティクルＷは、この純水の流れに誘導されて上方に移動し、純水とともに溢れ出す。溢れ出したパーティクルは、純水とともに廃棄される。
【０１０２】
したがって、収容部５０ａ内の状況に応じて当該収容部５０ａへの水の補給量を変更することによって、ウエハＷを迅速にリンス処理することができるとともに、リンス処理に用いられる純水の使用量を低減することができる。
【０１０３】
なお、上述したように、リンス槽５１内を収容部毎に区分けする仕切部材５４は、リンス槽５１の内部において隣り合う収容部５０ａ間を遮断するようになっている。また、図４に明瞭に示されているように、仕切部材５４はリンス槽５１の上方開口５１ａを越えて上方まで延びている。したがって、一つの収容部５０ａから当該一つの収容部と隣り合う他の収容部への純水の流入は完全に防止される。つまり、一つの収容部５０ａ内でウエハＷから除去された第１薬液やパーティクルが、隣接する収容部へ流れ込んでしまうことを防止することができる。
【０１０４】
したがって、一つの収容部５０ａでウエハＷをリンス処理している際、処理槽４０で処理されたばかりのウエハＷが隣り合う収容部へ搬入されてきたとしても、搬入されてきたウエハＷに付着していたパーティクルが、それまでにリンス処理が既に進行しているウエハＷに付着してしまうこと（パーティクルの転写）を確実に防止することができる。つまり、リンス装置５０内の各収容部５０ａへ薬液処理を施されたウエハＷを順次搬入し、各収容部５０ａ内においてウエハＷを並行してリンス処理することができる。
【０１０５】
そして、制御装置２０は、処理槽４０での処理と同様に、搬送装置３０によって同時に搬送されてリンス装置５０に搬入された二枚のウエハ毎に処理経過時間を計測する。制御装置２０は、ウエハＷの処理経過時間が予め設定された処理時間に達すると、当該ウエハＷをリンス装置５０から搬出するように搬送装置３０に対して信号を送信する。同時に、制御装置２０は、第１駆動手段８１ａ，８１ｂおよび第２駆動手段８２にも信号を送信し、搬出すべき二枚のウエハＷの上方に開口８８を形成する。このようにして、リンス装置５０に同時に搬入された二枚のウエハＷに対するリンス装置５０での処理が終了する。
【０１０６】
上述したように、また、図４に示されているように、リンス装置５０は、搬送装置３０が一度に搬送することが可能な枚数のウエハＷを収容可能な収容部５０ａを複数有している。したがって、同時に搬送された二枚のウエハＷに対するリンス処理が一つの収容部５０ａ内で行われている間、その後に処理されるべきウエハＷを搬送装置３０によって他の収容部５０ａ内に順次持ち込んでリンス処理することができる。このようにして、多数のウエハＷを収容し得るリンス装置５０内で、ウエハＷを並行して効率的にリンス処理していくことができる。また、並行して処理される各ウエハＷの処理時間を同一にすることができ、これにより、ウエハＷ毎の処理むらを十分に抑制し、ウエハＷを安定して処理していくことができる。
【０１０７】
その後、図８に示すように、リンス装置５０から同時に取り上げられた二枚のウエハＷは、垂直状態から水平状態へ姿勢を変更されて、処理ユニット６０へと搬送される。上述したように、各処理ユニット６０は一枚のウエハＷのみを収容することができる。したがって、搬送装置３０に保持された二枚のウエハＷは、別々の処理ユニット６０へ順に搬入されていく。
【０１０８】
本実施の形態においては、上述したように四つの処理ユニット６０が処理部１０ｃに設けられており、各処理ユニット６０内における処理はそれぞれ並行して行われる。以下の説明においては、一つの処理ユニット６０内での一枚のウエハＷに対する処理について説明する。
【０１０９】
本実施の形態においては、図８に示すように、リンス装置５０内でリンス処理を行われた一枚のウエハＷを処理ユニット６０によって保持する工程と、処理槽４０内で処理する工程において用いられた第１薬液とは異なる第２薬液を供給し、処理ユニット６０によって保持された一枚のウエハＷを処理する工程と、処理ユニット６０によって保持された一枚のウエハＷに純水を供給しリンス処理する工程と、処理ユニット６０によって保持されリンス処理を施された一枚のウエハＷを乾燥させる工程と、が実施される。以下、各工程について説明する。
【０１１０】
まず、搬送装置３０によって処理ユニット６０内に搬送されてきた一枚のウエハＷが、処理ユニット６０の保持機構６２によって保持される。保持機構６２は、略円形状の板面を有するウエハＷをその板面の中心を軸心として回転させる。この動作に先立ちまたは並行して、供給液量異常検出器９０の供給ボトル９１内に、支持高さが予め調節された液面センサの支持位置まで、第２の薬液（例えば、フッ化水素水溶液）が供給される。
【０１１１】
そして、上方ノズル６４を介し、供給ボトル９１内に貯留された第２薬液が、保持機構６２によって回転させられながら保持されているウエハＷの表面（上面）に供給され始める。このようにして、上方ノズル６４から第２薬液（例えば、フッ化水素水溶液）が一枚のウエハＷに供給され、一枚のウエハＷに対する処理（例えば、酸化膜除去処理）が開始される。上方ノズル６４は、ウエハＷの板面の中心領域に対面した位置に停止して、ウエハＷの板面の中心領域に第２薬液を供給し続けてもよい。この場合、ウエハＷの中心領域に供給された第２薬液は、ウエハＷの回転にともない、ウエハＷの板面の中心領域からウエハＷの板面の周縁領域へと自然に移動し、ウエハＷの全表面が処理される。あるいは、上方ノズル６４は、アーム６５によってウエハＷの上方をウエハＷの板面に沿って移動させられながら、ウエハＷの板面の中心領域とウエハＷの板面の周縁領域との間の各領域に第２薬液を供給していくようにしてもよい。
【０１１２】
第２薬液を供給している時間が予め設定された時間を越えると、供給ボトル９１から上方ノズル６４への第２薬液の供給が停止する。これにより、第２薬液を用いたウエハＷの処理が終了する。
【０１１３】
なお、本例においては、下方ノズル６６から第２薬液が供給されない例を示したが、これに限られず、上方ノズル６４から第２薬液が供給されている間、下方ノズル６６から第２薬液がウエハＷの裏面に向けて供給されるようにしてもよい。
【０１１４】
次に、処理ユニット６０内で一枚のウエハＷに対してリンス処理が施される。この工程中においても、処理対象のウエハＷは、保持機構６２によって回転させられながら保持されている。
【０１１５】
まず、上方供給バルブ６９が操作されて上方ノズル６４から純水が一枚のウエハＷに供給される。このようにして、一枚のウエハＷに対するリンス処理が開始される。第２薬液を用いた処理と同様に、上方ノズル６４は、停止して、ウエハＷの板面の中心領域のみに純水を供給し続けてもよいし、あるいは、移動しながら、ウエハＷの板面の中心領域とウエハＷの板面の周縁領域との間の各領域に純水を供給していくようにしてもよい。
【０１１６】
純水を供給している時間が予め設定された時間を超えると、上方ノズル６４からの純水の供給が停止して、純水を用いたウエハＷのリンス処理が終了する。
【０１１７】
なお、本例においては、下方ノズル６６から純水が供給されない例を示したが、これに限られず、上方ノズル６４から純水が供給されている間、下方ノズル６６から純水がウエハＷの裏面に供給されるようにしてもよい。
【０１１８】
次に、処理ユニット６０内で一枚のウエハＷに対して乾燥処理が施される。この工程中において、処理対象のウエハＷは、保持機構６２によって高速で回転させられながら保持される。また、上方供給バルブ６９が操作されて上方ノズル６４から不活性ガスが一枚のウエハＷに向けて吐出される。このとき、上方ノズル６４は、ウエハＷの板面の中心領域からウエハＷの板面の周縁領域へ向けて移動しながら、ウエハＷの板面の各領域に向けて不活性ガスを吐出していくことが好ましい。このような不活性ガスの吐出およびウエハＷの回転により、ウエハＷ上の純水がウエハＷの表面上から外方に吹き飛ばされる。
【０１１９】
このようにして処理ユニット６０内でのウエハＷの乾燥処理が終了する。そして、以上の処理により、処理ユニット６０内でのウエハＷに対する処理が終了する。その後、受け渡し部１０ｂに配置された受け渡し装置１３が、開口６０ａを介し、処理済みウエハＷを処理ユニット６０から搬出し、さらには、載置部１０ａに載置されたキャリア１１内に再び収納する。以上のようにして、一枚のウエハＷに対する処理が終了する。
【０１２０】
なお、上述の搬送装置３０の第１および第２のフォーク３５ａ，３５ｂには、処理槽５０内に貯留された薬液およびリンス槽５１内に貯留された純水が付着する。すなわち、搬送装置３０によってウエハＷを保持すると、乾燥済みのウエハＷに再度液体が付着してしまう。一方、受け渡し装置１３のフォーク１３ａには液体が付着してしまうことがないので、処理済みのウエハＷを濡らせてしまうことなく搬出することが可能となる。
【０１２１】
以上のような本実施の形態によれば、ウエハＷの処理に用いられる基板処理装置１０は、一枚のウエハＷを保持し保持した一枚のウエハＷを処理する処理ユニット６０と、複数のウエハＷを同時に収容可能な処理槽４０であって、貯留した処理液にウエハＷを浸漬して当該ウエハＷを処理するようになされた処理槽４０と、処理槽４０のウエハ収容可能枚数未満の枚数のウエハＷを同時に搬送可能な搬送装置３０であって、少なくとも処理液が貯留された処理槽４０内にウエハＷを搬入するようになされた搬送装置４０と、を隔壁２２によって区画された処理部１０ｃ内に備えている。したがって、高温加熱された処理液（第１薬液）を用いた処理を処理槽４０内で行い、その他の処理液を用いた処理を処理ユニット６０内で行うことができる。このため、処理ユニット６０で用いられる処理液の種類を低減して、基板処理装置１０の全体構成および基板処理装置１０の制御を単純化することができ、これにより、ウエハＷを安価に処理することができる。また、複数のウエハＷを収容可能な処理槽４０内で処理する場合、処理液（第１薬液）が処理能力を有しなくなるまで、当該処理液を使用し続けることができる。したがって、処理液（第１薬液）の使用量を低減することができ、これにより、ウエハＷを安価に処理することができる。さらに、処理槽４０内に貯留された処理液（第１薬液）の温度を一定の温度範囲内に維持することは容易である。したがって、処理液の温度変動を大幅に抑制することができ、これにより、ウエハ毎の処理むらを抑制してウエハＷを均一に処理していくことができる。
【０１２２】
なお、本実施の形態による基板処理装置１０は、上記の態様に限定されるものではなく、様々な変更を加えることができる。とりわけ、以上の説明においては、本発明による基板処理装置および基板処理方法を、ウエハＷの処理に適用した例を示しているが、これに限られず、ＬＣＤ基板やＣＤ基板等の処理に適用することも可能である。
【０１２３】
以下、その他の変形例について、図９乃至図１３を参照して説明する。なお、以下に説明する変形例を複数組み合わせて適用することも可能である。また、図９乃至図１３において、上述した実施の形態と同一部分には同一符号を付し重複する詳細な説明を省略する。
【０１２４】
（変形例１）
上述した実施の形態において、基板処理装置１０の処理部１０ｃに搬送されてきたウエハＷに対し、互いに異なる薬液を用いた二種類の処理を施す例を示したが、これに限られない。
【０１２５】
例えば、図９に示すように、ウエハＷに対して薬液を用いた処理を一回のみ施すようにしてもよい。なお、図９に示す例においては、上述した実施の形態における基板処理方法（図８参照）から、処理ユニット６０内でウエハＷに対して第２薬液を用いて処理を施す工程と、処理ユニット６０内でウエハＷに対して純水を用いてリンス処理を施す工程と、が省略されている。
【０１２６】
あるいは、ウエハＷに対して薬液を用いた処理を三回以上施すようにしてもよい。
【０１２７】
（変形例２）
また、上述した実施の形態において、リンス装置５０を用いてウエハＷをリンス処理する例を示したが、これに限られない。上述した実施の形態による基板処理方法において、リンス装置５０を用いてウエハＷをリンス処理する工程に代えて、処理ユニット６０を用いてウエハＷをリンス処理する工程を設けるようにしてもよい。すなわち、図１０に示すように、処理槽４０で処理を施されたウエハＷを、処理槽４０から処理ユニット６０へ搬送するようにしてもよい。この場合、処理ユニット６０内において、処理槽４０内で処理を行われた一つの基板Ｗを処理ユニット６０によって保持する工程と、処理ユニット６０によって保持された一つの基板Ｗに純水を供給してリンス処理する工程と、処理槽４０内で処理する工程において用いられた処理液とは異なる処理液を供給し、処理ユニット６０によって保持されリンス処理を施された一つの基板Ｗを処理する工程と、処理ユニット６０によって保持され処理液による処理を施された一つの基板Ｗに純水を供給してリンス処理する工程と、処理ユニット６０によって保持されリンス処理を施された一つの基板Ｗを乾燥させる工程と、が実施されるようになる。
【０１２８】
また、薬液を用いた処理を一回のみにする場合には、図１１に示すように、処理ユニット６０内において、処理槽４０内で処理を行われた一つの基板Ｗを処理ユニット６０によって保持する工程と、処理ユニット６０によって保持された一つの基板Ｗに純水を供給してリンス処理する工程と、処理ユニット６０によって保持されリンス処理を施された一つの基板Ｗを乾燥させる工程と、が実施されるようになる。
【０１２９】
さらに、リンス装置５０を用いてウエハＷをリンス処理する工程を省く場合には、基板処理装置１０から、ウエハＷを純水に浸漬してリンス処理するためのリンス装置５０を省くことも可能である。
【０１３０】
（変形例３）
さらに、上述した実施の形態において、処理ユニット６０を用いてウエハＷを処理する工程と、処理槽４０内でウエハＷを処理する工程と、の両方が設けられている例を示したが、これに限られず、例えば、処理ユニット６０のみを用いてウエハＷを処理することも可能である。
【０１３１】
（変形例４）
さらに、上述した実施の形態のリンス装置５０において、仕切部材５４がリンス槽５１の内部において隣り合う収容部５０ａ間を完全に遮断して、一つの収容部５０ａから当該一つの収容部と隣り合う他の収容部への純水の流入を完全に防止するようになっている例を示したが、これに限られない。一つの収容部５０ａから当該一つの収容部と隣り合う他の収容部への純水の流入が抑制される程度に、仕切部材５４が構成されてもよい。このような仕切部材５４によっても、上述したパーティクルの転写を十分に抑制することが可能となる。このような仕切部材を、ウエハボード５２に支持されたダミーウエハによって構成することができる。このような仕切部材は極めて安価に構成され得り、また、収容部５０ａのウエハ収容可能枚数を容易に変更することもできる。
【０１３２】
（変形例５）
さらに、上述した実施の形態において、リンス装置５０が一つのリンス槽５１を有するとともに、リンス槽５１内に設けられた仕切部材５４によって、リンス槽５１が複数の収容部５０ａに分割されている例を示したが、これに限られない。例えば、図１２に示すように、リンス装置１５０が、貯留した純水に基板Ｗを浸漬して当該基板Ｗをリンス処理することができるリンス槽を収容部１５０ａとして複数有するようにしてもよい。すなわち、一つの収容部１５０ａが一つの槽として、他の収容部とは別体に形成されてもよい。言い換えれば、複数の収容部１５０ａの各々は、互いから離間して配置された別個の槽として形成されてもよい。このようなリンス装置１５０によれば、一つの収容部１５０ａから当該一つの収容部と隣り合う他の収容部への純水の流入を完全に防止し、上述したパーティクルの転写を確実に防止することが可能となる。
【０１３３】
なお、図１２に示す例においても、リンス装置１５０は、各リンス槽１５１（収容部１５０ａ）と純水源１５７とを連結する純水供給ライン１５６を有している。純水供給ライン１５６は、流量制御が可能な開閉バルブ１５６ａを介してそれぞれの収容部１５０ａ（リンス槽１５０）へ接続されている。したがって、リンス装置１５０の収容部１５０ａへの単位時間当たりの純水供給量を、収容部１５０ａ毎に設定することができる。
【０１３４】
（変形例６）
さらに、上述した実施の形態において、リンス装置５０の収容部５０ａが同時に収容可能なウエハＷの枚数は、搬送装置３０が同時に搬送可能なウエハＷの枚数と同一となっている例を示したが、これに限られない。例えば、リンス装置５０の収容部５０ａが同時に収容可能なウエハＷの枚数が、搬送装置３０が同時に搬送可能なウエハＷの枚数以上となっていてもよい。このようなリンス装置５０においても、処理槽４０内から同時に搬送されてくるウエハＷを、同一の収容部５０ａ内に収容することができる。したがって、上述したパーティクルの転写を効果的に防止することができる。
【０１３５】
（変形例７）
また、各収容部５０ａ内に二枚のウエハＷが収容可能であり、かつ、各収容部５０ａにウエハＷを二枚ずつ収容する例を示したが、これに限られない。例えば、各収容部５０ａに一枚のウエハＷを収容するようにしてもよい。各収容部５０ａにウエハＷを一枚ずつ収容する場合には、異なるウエハＷ間におけるパーティクルの転写を確実に防止することができる。
【０１３６】
各収容部５０ａにウエハＷを一枚ずつ収容する場合には、ウエハＷを一枚ずつ処理槽４０内へ搬送するようにしてもよい。また、ウエハＷを一枚ずつ搬送する場合には、搬送装置３０が一つのフォーク３５ａのみを有するようにすることもできる。搬送装置３０が一つのフォーク３５ａのみを有しウエハＷを一枚ずつ搬送する場合においても、処理槽４０内で多数のウエハＷを並行して処理することができるとともに、リンス装置５０内で多数のウエハＷを並行してリンス処理することができるので、結果として、単位時間あたり処理能力を向上させることも可能となる。
【０１３７】
（変形例８）
さらに、上述した実施の形態において、処理槽４０の上方開口４１の上方に配置された可動式シャッター８０ａ，８０ｂがそれぞれ平板状からなり、処理槽４０の上方開口４１の上方において水平面に沿って直線状に移動可能である例を示したが、これに限られない。例えば、図１３に示すように、可動式シャッター１８０ａ，１８０ｂが側面視において弧状の移動経路に沿って移動可能であるようにしてもよい。図１３に示す例における可動式シャッター１８０ａ，１８０ｂは、側面視において、可動式シャッター１８０ａ，１８０ｂの移動軌跡に沿った弧状の輪郭を有している。このような可動式シャッター１８０ａ，１８０ｂによれば、シャッター１８０ａ，１８０ｂを動作させるために必要となるスペースを削減することができる。したがって、基板処理装置１０を小型化することができる。
【０１３８】
（変形例９）
さらに、上述した実施の形態において、処理部１０ａ内におけるウエハＷの受け渡しのすべてを一つの搬送装置３０が担っている例を示したが、これに限られない。処理部１０ｃ内における各処理装置４０，５０，６０の配置に応じ、二以上の搬送装置が設けられてもよい。
【０１３９】
例えば、処理ユニット６０へのウエハＷの搬入を担う搬送装置と、処理槽４０へのウエハの搬入を担う搬送装置３０と、が別途に設けられてもよい。また、処理槽４０と処理ユニット６０との間でのウエハＷの搬送を担う搬送装置と、処理槽４０へのウエハＷの搬入を担う搬送装置３０と、が別途に設けられてもよい。さらに、処理槽４０とリンス装置５０との間でのウエハＷの搬送を担う搬送装置と、処理槽４０へのウエハＷの搬入を担う搬送装置３０と、が別途に設けられてもよい。さらに、リンス装置５０と処理ユニット４０との間でのウエハＷの搬送を担う搬送装置と、処理槽４０へのウエハＷの搬入を担う搬送装置３０と、が別途に設けられてもよい。
【０１４０】
また、上述した実施の形態において、搬送装置３０の各構成部材が互いに揺動可能に連結され、各構成部材を互いに対して揺動させることにより、ウエハＷを保持するフォーク３５ａ，３５ｂを種々の位置に移動させることができるようにした例を示したが、これに限られず、その他の公知の基板搬送装置を採用することができる。例えば、各構成部材が互いに摺動可能に連結され、各構成部材を互いに対して摺動させることにより、ウエハＷを保持するフォーク３５ａ，３５ｂを種々の位置に移動させるようになっている搬送装置を採用することができる。
【０１４１】
（変形例１０）
さらに、上述した実施の形態において、受け渡し部１０ｂから処理部１０ｃへ受け渡しユニット２５を介してウエハＷが搬送され、処理部１０ｃから受け渡し部１０ｂへ処理ユニット６０を介してウエハＷが搬送される例を示したが、これに限られない。例えば、乾燥済みのウエハＷに液体が付着してしまうことを防止する措置を講ずるとともに、受け渡し部１０ｂと処理部１０ｃとの間におけるウエハＷの受け渡しのすべてが、受け渡しユニット２５を介するようにしてもよい。乾燥済みのウエハＷに液体が付着してしまうことを防止する措置としては、処理ユニット６０から受け渡しユニット２５へウエハＷを搬送するための搬送装置を上述した搬送装置３０とは別に設けること、あるいは、搬送装置３０のフォーク３５ａ，３５ｂを洗浄および乾燥するための装置を設けること等が挙げられる。
【０１４２】
（変形例１１）
さらに、上述した実施の形態において、処理ユニット６０のカップに回収された処理液がすべて廃棄される例を示したが、これに限られず、循環再利用されるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１４３】
【図１】図１は、本発明による一実施の形態における基板処理装置の内部構成を示す上面図である。
【図２】図２は、図１に示された基板処理装置の内部構成を示す側面図である。
【図３】図３は、図１に示された基板処理装置の処理槽を示す縦断面図である。
【図４】図４は、図１に示された基板処理装置のリンス装置を示す縦断面図である。
【図５】図５は、図３に示された処理槽および図４に示されたリンス装置を可動式シャッターとともに示す上面図である。
【図６】図６は、図１に示された基板処理装置の枚葉式の処理ユニットを示す模式図である。
【図７】図７は、図６に示された処理ユニットに組み込まれた供給液量異常検出器の構成を説明するための模式図である。
【図８】図８は、本発明による一実施の形態における基板処理方法であって、図１に示された基板処理装置によって実施され得る基板処理方法を説明するためのフローチャートである。
【図９】図９は、図８に対応する図であって、基板処理方法の変形例を説明するためのフローチャートである。
【図１０】図１０は、図８に対応する図であって、基板処理方法の他の変形例を説明するためのフローチャートである。
【図１１】図１１は、図８に対応する図であって、基板処理方法のさらに他の変形例を説明するためのフローチャートである。
【図１２】図１２は、リンス装置の変形例を示す縦断面図である。
【図１３】図１３は、図３に対応する図であって、可動式シャッターの変形例を処理槽とともに示す図である。
【符号の説明】
【０１４４】
１０ 基板処理装置
２０ 制御装置
２１ 記録媒体
３０ 搬送装置
４０ 処理槽
５０ リンス装置
５０ａ 収容部
５１ リンス槽
５４ 仕切部材
６０ 処理ユニット
８０ａ，８０ｂ 可動式シャッター
８６ａ，８６ｂ 整流板
８８ 隙間（開口）
１８０ａ，１８０ｂ 可動式シャッター
１５０ リンス装置
１５０ａ 収容部
１５１ リンス槽
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理液を用いて基板を処理する基板処理装置に係り、とりわけ、処理液の使用量を低減することができるとともに処理液の温度変動を抑制することができ、かつ、単純化された装置構成を有する基板処理装置に関する。
【０００２】
また、本発明は、処理液を用いて基板を処理する基板処理方法に係り、とりわけ、処理液の使用量を低減することができるとともに処理液の温度変動を抑制することができる基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
従来、一枚の基板を保持し保持した一枚の基板を処理する処理ユニット、いわゆる枚葉式の処理ユニットを備えた基板処理装置が知られている（例えば、特許文献１）。通常、基板処理装置には複数の処理ユニットが組み込まれ、各処理ユニット内で基板が並行して処理され得るようになっている。
【０００４】
通常、枚葉式の処理ユニット内に保持された一枚の基板は、回転させられながら処理液を供給されることによって処理されていく。このような枚葉式の処理ユニットによれば、基板の板面上に処理液を供給することにより、一枚の基板をむらなく処理することができる。また、種々の処理液を用いた種々の処理を基板に対して施すことができるように、処理ユニットには複数の処理液が供給され得るようになっている。また、処理液を節約するため、処理ユニット内で基板の処理に用いられた処理液は回収される。そして、回収された処理液は、回収ラインを経て再び処理ユニット内に供給され、基板の処理に用いられる。
【０００５】
ところで、一般的には、処理液（より具体的には薬液）の温度が高いと、処理液による反応が活性化され、基板に対する処理の進行が速くなる。このため、加熱して高温に保持された処理液が基板の処理に用いられることがある。そして、上述した回収ラインにもヒータ等が設けられ、循環利用される処理液の温度を一定に保つようになされている。
【特許文献１】特開１１−３１９７３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、枚葉式の処理ユニット内で一枚の基板を処理する際、処理中における処理液の温度変動を完全に防止することはできない。例えば、回転させられている基板上から高速で振り切られた処理液の温度は低下してしまう。また、処理を開始する際には、供給された高温の処理液の熱が処理ユニットの各部に吸収されやすい。そして、処理液の供給系および回収系は、複数の処理ユニット間で共通している。したがって、例えば、一つの処理ユニットにおいて基板を処理する際に、当該処理ユニットから回収された処理液の温度が低下してしまうと、他の処理ユニットへ供給される処理液の温度変動をも引き起こすことになる。
【０００７】
また、処理液は、基板上に供給された際、回転させられている基板上から高速で振り切られて処理ユニット内に飛散する。加えて、各処理ユニット内へ供給される処理液の種類を変更する場合、異なる処理液が混ざり合って基板に供給されることを防止するため、いくらかの処理液を廃棄する必要が生じる。したがって、処理ユニット内に供給された処理液をすべて回収することができるわけではない。
【０００８】
さらに、処理ユニットは、処理液を供給する供給ラインおよび上述の回収ラインに加え、処理ユニット内から処理液を廃棄するための廃棄ラインと、処理ユニット内の雰囲気を排気するための排気ラインと、をさらに有している。これらの供給ライン、回収ライン、廃棄ラインおよび排気ラインのうちのいくつかは、用いられる処理液の種類に応じ、処理液の種類毎に別々に設けられなければならない。また、複数の処理ユニット間において、これらの各ラインが連結されている。この結果、複数の枚葉式の処理ユニットを含む基板処理装置においては、配管類の構成が非常に複雑になり、これにともない、基板処理装置の制御も非常に複雑となる。
【０００９】
本発明は、これらの点を考慮してなされたものであり、少なくとも一つ以上の枚葉式の処理ユニットを含んだ基板処理装置を改良し、処理液の使用量を低減することができるとともに処理液の温度変動を抑制することができ、かつ、単純化された装置構成を有する基板処理装置を提供することを目的とする。
【００１０】
本発明は、これらの点を考慮してなされたものであり、少なくとも一つ以上の枚葉式の処理ユニットを含んだ基板処理装置を改良し、処理液の使用量を低減することができるとともに処理液の温度変動を抑制することができる基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明による基板処理装置は、一つの基板を保持し保持した一つの基板を処理する処理ユニットと、複数の基板を同時に収容可能な処理槽であって、基板を浸漬して処理するための処理液を循環供給されながら貯留する処理槽と、前記処理槽の基板収容可能数未満の数であって一以上の基板を同時に搬送可能な搬送装置であって、少なくとも前記処理液が貯留された前記処理槽内に基板を搬送する搬送装置と、を備え、前記処理ユニットと前記処理槽との少なくともいずれか一つを用いて基板を処理することを特徴とする。
【００１２】
本発明による基板処理装置によれば、ある処理液を用いた処理を処理槽内で行い、その他の処理液を用いた処理を処理ユニット内で行うようにすることができる。したがって、処理ユニットで用いられる処理液の種類を低減して、基板処理装置の全体構成および基板処理装置の制御を単純化することができる。また、処理槽内で基板を処理する場合、処理液を循環利用することにより、処理液の使用量を低減することができる。さらに、処理槽内で基板を処理する場合、処理槽内の加熱された処理液の温度を一定の温度範囲内に維持し、高温処理液の温度変動を大幅に抑制することができる。なお、このような基板処理装置が、処理装置に持ち込まれた未処理基板を処理ユニットおよび処理槽のいずれにまず搬送するかを判断する制御装置をさらに備えるようにしてもよい。
【００１３】
本発明による基板処理装置が、前記処理槽内での基板の処理時間を前記搬送装置によって前記処理槽へ同時に搬送される一以上の基板毎に管理する制御装置をさらに備えるようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、処理槽内に基板を順次搬入し、多数の基板を並行して処理していくことができる。したがって、基板を効率的に処理することができる。
【００１４】
また、本発明による基板処理装置において、前記制御装置は、前記搬送装置によって前記処理槽へ同時に搬送されてきた一以上の基板毎に処理経過時間を計測し、処理経過時間が予め設定された処理時間に達すると、当該一以上の基板を前記処理槽内から搬出するように、前記搬送装置を制御するようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、並行して処理される各基板の処理時間を同一にすることができ、これにより、基板毎の処理むらを十分に抑制し、基板を安定して処理していくことができる。
【００１５】
さらに、本発明による基板処理装置において、前記搬送装置は、前記処理槽で処理された基板を受け取って前記処理ユニットへ搬送するようになされていてもよい。このような基板処理装置によれば、処理槽と処理ユニットとの間での基板の搬送を担う搬送装置と処理槽への基板の搬送を担う搬送装置とを別途に設けることに比べ、基板処理装置の構成および制御を単純化することができる。また、基板処理装置の製造コストや維持コストを低減することができ、これにともない、基板を安価に処理していくことができる。
【００１６】
さらに、本発明による基板処理装置が、貯留した水に基板を浸漬して当該基板をリンス処理するリンス装置をさらに備え、前記リンス装置は、各々が前記処理槽の基板収容可能数未満の数であって一以上の基板を同時に収容可能である複数の収容部を有するようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、水に浸漬して基板をリンス処理することができるので、基板を迅速にリンス処理することができる。また、リンス装置は複数の収容部を有しているので、処理済みの基板を異なる収容部へ順次収容していくことができる。このような方法によれば、新たに収容部へ搬送されてきた基板に付着しているパーティクルが、それまでに収容部内に収容されてリンス処理されていた基板へ付着してしまうこと（パーティクルの転写）を防止することが可能となる。
【００１７】
このような基板処理装置において、前記複数の収容部の各々は、互いから離間して配置された別個の槽として形成されてもよい。このような基板処理装置によれば、パーティクルの転写をより確実に防止することができる。
【００１８】
あるいは、このような基板処理装置において、前記リンス装置は、内部に仕切部材を設けられた槽を有し、前記槽の内部は、前記仕切部材によって複数の収容部に区分けされているようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、リンス装置の構成を単純化することができる。また、このようなリンス装置は、既存の槽に対して簡易な改良を施すことによって作成され得る。
【００１９】
さらに、本発明による基板処理装置が、前記リンス装置に接続された制御装置をさらに備え、前記制御装置は、前記リンス装置の各収容部内への単位時間あたりの水の補給量を、収容部毎に設定するようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、各収容部内の状況に応じて、当該収容部への水の補給量を変更することができる。これにより、基板を迅速にリンス処理することができるとともに、リンス処理に用いられる水の使用量を低減することができる。
【００２０】
さらに、本発明による基板処理装置において、前記搬送装置は、前記処理槽で処理された基板を前記リンス装置へ搬送するようになされており、さらに、前記リンス装置でリンス処理された基板を前記処理ユニットへ搬送するようになされているようにしてもよい。このような基板処理装置において、前記収容部が同時に収容可能な基板の数は、前記搬送装置が同時に搬送可能な基板の数以上であるようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、処理槽内から同時に搬送されてくる基板を、同一の収容部内に収容することができるようになる。この方法によれば、パーティクルの転写をより確実に防止することができる。
【００２１】
さらに、本発明による基板処理装置が、前記処理槽の上方開口の上方に設けられた可動式シャッターと、前記処理槽に対する前記可動式シャッターの位置を制御する制御装置と、をさらに備え、前記制御装置は、前記搬送装置と前記処理槽との間で基板の受け渡しを行うため、前記処理槽内の基板を収容すべき位置の上方が開放されるよう、前記可動式シャッターを制御してもよい。このような基板処理装置によれば、処理槽内に貯留された処理液からの放熱を抑制することができる。
【００２２】
このような基板処理装置において、前記可動式シャッターは、前記処理槽の前記上方開口の上方で移動可能な二つの板状材を含み、前記制御装置は、前記二つの板状材を互いから離間し、当該二つの板状材の隙間によって前記処理槽内の基板を収容すべき位置の上方を開放するよう、前記可動式シャッターを制御してもよい。このような基板処理装置によれば、開口を介した処理液からの放熱をさらに低減することができる。このような基板処理装置において、前記制御装置は、前記二つの板状材の相対位置を変化させ、同時に受け渡しを行われる基板の数に応じて前記隙間の大きさを変化させるよう、前記可動式シャッターを制御してもよい。このような基板処理装置によれば、開口を介した処理液からの放熱をさらに低減することができる。
【００２３】
さらに、このような基板処理装置において、前記可動式シャッターから突出する整流板が、前記開口の近傍に、設けられているようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、処理槽周囲の雰囲気の気流によって当該雰囲気と処理液との熱交換が促進されることを防止することができる。
【００２４】
さらに、本発明による基板処理装置において、前記処理ユニット、前記処理槽および前記搬送装置は、隔壁によって区画されたスペース内に配置され、前記処理ユニットと前記スペースの外部とを連通させる閉鎖可能な開口が設けられているようにしてもよい。
【００２５】
さらに、本発明による基板処理装置が、前記処理ユニット、前記処理槽および前記搬送装置を収容するスペースを区画する隔壁と、前記スペースの外部に配置され前記スペース内に基板を受け渡しする受け渡し装置と、をさらに備え、前記受け渡し装置は、前記処理ユニットとの間で基板の受け渡しが可能であるようにしてもよい。
【００２６】
さらに、本発明による基板処理装置が、前記処理ユニット、前記処理槽および前記搬送装置を収容するスペースを区画する隔壁と、前記スペースの外部に配置され前記スペース内に基板を受け渡しする受け渡し装置と、をさらに備え、前記処理ユニットは、前記スペース内において、前記受け渡し装置に近接した隔壁の近傍に配置されているようにしてもよい。このような基板処理装置が、前記受け渡し装置に近接した隔壁の近傍に配置された受け渡しユニットをさらに備え、前記スペースに基板が搬入される際に前記受け渡し装置が前記受け渡しユニットへ基板を持ち込み、前記スペースから基板が搬出される際に前記受け渡し装置が前記処理ユニットから基板を取り出すようにしてもよい。また、このような基板処理装置において、前記処理槽は、前記処理ユニットよりも、あるいは、前記処理ユニットおよび前記受け渡しユニットよりも、受け渡し装置から離間した位置に配置されているようにしてもよい。さらに、このような基板処理装置において、前記処理ユニットが、あるいは、前記処理ユニットおよび前記受け渡しユニットが、前記処理槽と前記受け渡し装置との間に配置されるようにしてもよい。さらに、このような基板処理装置において、前記受け渡し装置が前記隔壁に沿って移動可能であり、前記処理ユニットおよび前記受け渡しユニットが前記受け渡し装置に移動経路に沿って並べて配置されているようにしてもよい。
【００２７】
本発明による基板処理方法は、一つの基板を保持可能な処理ユニットと、処理液を貯留する処理槽であって複数の基板を同時に収容可能な処理槽と、を有する基板処理装置を用いて基板を処理する基板処理方法であって、基板処理装置に持ち込まれた未処理基板を前記処理ユニットおよび前記処理槽のいずれにまず搬送するかを判断する工程と、前記処理ユニットを用いて基板を処理する工程および前記処理槽内に貯留された処理槽内に基板を浸漬して処理する工程のうちの少なくともいずれか一つの工程と、を備え、前記処理槽内で処理する工程は、前記処理液が貯留された前記処理槽に、前記処理槽の基板収容可能数未満の数であって一以上の基板を同時に搬送する工程と、溢れ出た処理液を前記処理槽に循環供給しながら、前記同時に搬送された一以上の基板を前記処理槽内の処理液に浸漬して処理する工程と、を含むことを特徴とする。本発明による基板処理方法によれば、ある処理液を用いた処理を処理槽内で行い、その他の処理液を用いた処理を処理ユニット内で行うようにすることができる。そして、処理槽内で基板を処理する場合、処理液を循環利用することにより、処理液の使用量を低減することができる。さらに、処理槽内で基板を処理する場合、処理槽内の加熱された処理液の温度を一定の温度範囲内に維持し、高温処理液の温度変動を大幅に抑制することができる。さらに、処理ユニットで用いられる処理液の種類を低減して、基板処理装置の全体構成および基板処理装置の制御を単純化することができる。
【００２８】
本発明による基板処理方法において、前記処理槽内で処理する工程の前記基板を処理液に浸漬して処理する工程において、前記処理槽内での基板の処理時間は、前記搬送装置によって同時に搬送されて前記処理槽内に搬送された一以上の基板毎に管理されるようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、処理槽内に基板を順次搬入し、多数の基板を並行して処理していくことができる。したがって、基板を効率的に処理することができる。
【００２９】
また、本発明による基板処理方法において、前記処理槽の上方開口の上方に可動式シャッターが設けられており、前記処理槽内で処理する工程は、前記一以上の基板を前記処理槽内に搬送するため、前記一以上の基板を収容すべき前記処理槽内の位置の上方が開放されるよう、前記可動式シャッターを移動させる工程を、さらに含むようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、処理槽内に貯留された処理液からの放熱を大幅に抑制することができる。
【００３０】
さらに、本発明による基板処理方法が、前記処理ユニットを用いて処理する工程と、前記処理槽内で処理する工程と、の両方を備え、前記処理ユニットを用いて処理する工程は、前記処理槽内で処理する工程の後に実施されるようにしてもよい。
【００３１】
このような基板処理方法において、前記処理ユニットを用いて処理する工程は、前記処理槽内で処理を行われた一つの基板を処理ユニットによって保持する工程と、前記処理ユニットによって保持された一つの基板に水を供給してリンス処理する工程と、前記処理ユニットによって保持され前記リンス処理を施された一つの基板を乾燥させる工程と、を有するようにしてもよい。あるいは、このような基板処理方法において、前記処理ユニットを用いて処理する工程は、前記処理槽内で処理を行われた一つの基板を処理ユニットによって保持する工程と、前記処理槽内で処理する工程において用いられた処理液とは異なる処理液を供給し、処理ユニットによって保持された一つの基板を処理する工程と、前記処理ユニットによって保持され前記処理液による処理を施された一つの基板に水を供給してリンス処理する工程と、前記処理ユニットによって保持され前記リンス処理を施された一つの基板を乾燥させる工程と、を有するようにしてもよい。
【００３２】
さらに、本発明による基板処理方法が、前記処理槽内に貯留された処理液内に基板を浸漬して処理する工程の後に実施される工程であって、リンス装置に貯留された水内に基板を浸漬してリンス処理する工程を、さらに備え、前記リンス装置は、各々が前記処理槽の基板収容可能数未満の数の基板を同時に収容可能である複数の収容部を有しており、前記リンス装置内でリンス処理する工程は、前記水が貯留された前記リンス装置の前記複数の収容部のうちの基板が収容されていないいずれか一つの収容部へ、一以上の基板を搬送する工程と、前記リンス装置の前記収容部内において前記一以上の基板を水に浸漬してリンス処理する工程と、を含むようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、リンス装置内の水に基板を浸漬して当該基板をリンス処理するので、基板を迅速にリンス処理することができる。また、処理済みの基板は基板が収容されてない収容部へ順次収容されていくので、新たに収容部へ搬送されてきた基板に付着しているパーティクルが、それまでに収容部内に収容されてリンス処理されていた基板へ付着してしまうこと（パーティクルの転写）を防止することが可能となる。
【００３３】
このような基板処理方法において、前記処理槽内に同時に搬送された一以上の基板毎に、前記リンス装置内に同時に搬送されるようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、処理槽に同時に搬送される一以上の基板毎に、処理槽内での処理、処理槽からリンス装置への搬送、およびリンス装置内でのリンス処理が行われていく。したがって、被処理基板の取り扱いおよび管理が単純化され得る。また、このような基板処理方法の前記リンス装置内でリンス処理する工程において、前記基板が収容された前記一つの収容部へ補給される水の量は、他の収容部へ補給される水の量とは独立して設定されるようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、収容部内での処理状況に応じて、収容部への水の補給量が適宜変更され得る。したがって、基板を迅速にリンス処理することができるとともに、リンス処理に用いられる水の使用量を低減することができる。
【００３４】
また、このような基板処理方法が、前記処理ユニットを用いて処理する工程と、前記処理槽内で処理する工程と、の両方を備え、前記処理ユニットを用いて処理する工程は、前記リンス装置内で基板をリンス処理する工程の後に実施されるようにしてもよい。このような基板処理方法において、前記処理ユニットを用いて処理する工程は、前記リンス装置内でリンス処理を行われた一つの基板を処理ユニットによって保持する工程と、前記処理ユニットによって保持された一つの基板を乾燥させる工程と、を有するようにしてもよい。さらに、このような基板処理方法において、前記処理ユニットを用いて処理する工程は、前記リンス装置内でリンス処理を行われた一つの基板を処理ユニットによって保持する工程と、前記処理槽内で処理する工程において用いられた処理液とは異なる処理液を供給し、処理ユニットによって保持された一つの基板を処理する工程と、前記処理ユニットによって保持された一つの基板に水を供給しリンス処理する工程と、前記処理ユニットによって保持され前記リンス処理を施された一つの基板を乾燥させる工程と、を有するようにしてもよい。
【００３５】
本発明によるプログラムは、一つの基板を保持可能な処理ユニットと、処理液を貯留する処理槽であって複数の基板を同時に収容可能な処理槽と、を備えた基板処理装置を制御する制御装置によって実行されるプログラムであって、前記制御装置によって実行されることにより、基板処理装置に持ち込まれた未処理基板を前記処理ユニットおよび前記処理槽のいずれにまず搬送するかを判断する工程と、前記処理ユニットを用いて基板を処理する工程および前記処理槽内に貯留された処理槽内に基板を浸漬して処理する工程のうちの少なくともいずれか一つの工程と、を備え、前記処理槽内で処理する工程は、前記処理液が貯留された前記処理槽へ、前記処理槽の基板収容可能数未満の数であって一以上の基板を同時に搬送する工程と、溢れ出た処理液を前記処理槽に循環供給しながら、前記同時に搬送された一以上の基板を前記処理槽内の処理液に浸漬して処理する工程と、を含む被処理基板の処理方法を基板処理装置に実施させることを特徴とする。
【００３６】
本発明による記録媒体は、一つの基板を保持可能な処理ユニットと、処理液を貯留する処理槽であって複数の基板を同時に収容可能な処理槽と、を備えた基板処理装置を制御する制御装置によって実行されるプログラムが記録された記録媒体であって、前記プログラムが前記制御装置によって実行されることにより、基板処理装置に持ち込まれた未処理基板を前記処理ユニットおよび前記処理槽のいずれにまず搬送するかを判断する工程と、前記処理ユニットを用いて基板を処理する工程および前記処理槽内に貯留された処理槽内に基板を浸漬して処理する工程のうちの少なくともいずれか一つの工程と、を備え、前記処理槽内で処理する工程は、前記処理液が貯留された前記処理槽へ、前記処理槽の基板収容可能数未満の数であって一以上の基板を同時に搬送する工程と、溢れ出た処理液を前記処理槽に循環供給しながら、前記同時に搬送された一以上の基板を前記処理槽内の処理液に浸漬して処理する工程と、を含む被処理基板の処理方法を基板処理装置に実施させることを特徴とする。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、以下の実施の形態においては、本発明による基板処理装置を半導体ウエハの処理装置に適用した例を説明する。ただし、本発明による基板処理装置は、半導体ウエハに対する処理への適用に限られるものではなく、広く基板の処理に適用することができる。
【００３８】
図１乃至図１３は、本発明による基板処理装置および基板処理方法の一実施の形態並びにその変形例を説明するための図である。このうち図１は基板処理装置の内部構成を示す上面図であり、図２は基板処理装置の内部構成を示す側面図であり、図３は基板処理装置の処理槽を示す縦断面図であり、図４は基板処理装置のリンス装置を示す縦断面図であり、図５は処理槽およびリンス装置を可動式シャッターとともに示す上面図であり、図６は処理ユニットの概略構成を示す模式図であり、図７は処理ユニットに組み込まれた供給液量異常検出器の構成を説明するための模式図である。
【００３９】
図１および図２に示すように、基板処理装置１０は、処理されるべきウエハＷおよび処理済みのウエハＷが載置される載置部１０ａと、ウエハＷを処理する処理部１０ｃと、載置部１０ａと処理部１０ｃとの間でウエハＷの受け渡しを行う受け渡し部１０ｂと、各部１０ａ，１０ｂ，１０ｃに設けられた装置類の動作を制御する制御装置２０と、を含んでいる。
【００４０】
載置部１０ａには、複数のウエハＷを収容したキャリア１１が載置される。受け渡し部１０ｂには、載置部１０ａおよび処理部１０ｃとの間でウエハＷの受け渡しを行う受け渡し装置１３が設けられている。受け渡し装置１３はウエハＷを保持するための一以上のフォーク１３ａを有している。受け渡し装置１３は、図１および図２に示すように、フォーク１３ａを上下、左右および前後に移動させることができ、また、垂直軸を中心としてフォーク１３ａの向きを変えることもできる。このような構成により、受け渡し装置１３は、載置部１０ａおよび処理部１０ｃのいずれか一方から受け取ったウエハＷを、載置部１０ａおよび処理部１０ｃのいずれか他方へ引き渡すことができるようになっている。
【００４１】
なお、図１および図２に示すように、受け渡し部１０ｂは隔壁１５により外部から遮断されている。受け渡し部１０ｂと載置部１０ａとの間でのウエハＷの受け渡し、並びに、受け渡し部１０ｂと処理部１０ｃとの間でのウエハＷの受け渡しは、受け渡し時以外は閉鎖されている開口（図示せず）を介し、実施される。
【００４２】
次に、処理部１０ｃについて説明する。図１および図２に示されているように、処理部１０ｃには、機器類の配置スペースＳを区画する隔壁２２と、隔壁２２の上部に設けられた送風装置２４と、が設けられている。配置スペースＳは、隔壁２２によって外部から遮断されている。また、送風装置２４は、清浄化された気体を区画されたスペースＳ内に上方から吹き込む。この送風装置２４からの送風により、隔壁２２によって区画されたスペースＳ内にダウンフローが形成される。
【００４３】
図１および図２に示すように、基板処理装置１０は、受け渡し部１０ｂとの間でウエハＷの受け渡しを行う受け渡しユニット２５と、隔壁２２によって区画されたスペースＳ内でウエハＷを搬送可能な搬送装置３０と、数枚または数十枚のウエハＷを同時に収容可能で処理液を貯留し得る処理槽４０と、一枚以上のウエハＷを収容可能で純水を貯留し得るリンス装置５０と、一つの基板Ｗを保持し保持した一つの基板を処理する枚葉式の処理ユニット６０と、を隔壁２２によって区画されたスペースＳ内に有している。本実施の形態においては、二つの受け渡しユニット２５が上下に重ねられてスペースＳ内に配置されている。また、合計四つの処理ユニット６０が、受け渡しユニット２５の両隣りに上下重ねられてスペースＳ内に配置されている。処理槽４０とリンス装置５０とは、並べて配置されている。搬送装置３０は、処理槽４０のウエハ収容可能枚数未満の枚数であって一枚以上のウエハＷを一度に搬送可能であり、処理部１０ｃ内でのウエハＷの搬送のすべてを担っている。以下、各装置について、順に詳述していく。
【００４４】
なお、図示する配置は単なる例示であって、適宜変更することができる。例えば、図１および図２に二点鎖線で示されているように、さらに別途の処理装置２８が隔壁２２によって区画されたスペースＳ内に設けられてもよい。
【００４５】
また、ここでいう「処理液」とは、処理に用いられる液体であって、薬液および純水を含む概念である。
【００４６】
まず、受け渡しユニット２５について詳述する。上述したように、上下に並べられた二つの受け渡しユニット２５が処理部１０ｃ内に設けられている。各受け渡しユニット２５は、受け渡し時以外は閉鎖されている開口２５ａを介し、受け渡し部１０ｂと通じ得る。開口２５ａが開放されている場合、上述した受け渡し装置１３のフォーク１３ａは各受け渡しユニット２５内にアクセスすることができる。また、受け渡し時以外は閉鎖されている別の開口２５ｂを介し、搬送装置３０が、各受け渡しユニット２５の内部へアクセスすることができるようになっている。そして、搬送装置３０および受け渡し装置１３は、受け渡しユニット２５内へウエハＷを受け渡し、また、受け渡しユニット２５内へ収容されたウエハＷ引き取ることができるようになっている。本実施の形態において、各受け渡しユニット２５は複数のウエハ、例えば二枚のウエハを収容することができるようになっている。
【００４７】
次に、搬送装置３０について詳述する。上述したように、搬送装置３０は、処理槽４０のウエハ収容可能枚数未満の枚数、具体的な例として二枚のウエハＷを同時に搬送可能である。そして、搬送装置３０は、受け渡しユニット２５や、処理槽４０、リンス装置５０および処理ユニット６０からウエハＷを受け取ることができる。また、搬送装置３０は、受け渡しユニット２５や、処理槽４０、リンス装置５０および処理ユニット６０へウエハＷを引き渡すことができる。
【００４８】
具体的な構成として、図１および図２に示されているように、搬送装置３０は、台座３１と、台座３１に連結された第１アーム３２と、第１アーム３２に連結された第２アーム３３と、第２アーム３３に連結された支持アーム３４と、支持アーム３４に支持された第１フォーク３５ａおよび第２フォーク３５ｂと、を有している。第１アーム３２は台座３１に対し水平面内で回転可能となっている。また、第１アーム３２は台座３１に対して垂直面内で揺動可能となっている。さらに、第２アーム３３は第１アーム３２に対して垂直面内で揺動可能となっている。支持アーム３４は第２アーム３３に対して垂直面内で揺動可能となっている。また、支持アーム３４は第２アーム３３に対して水平面内で回動可能となっている。第１フォーク３５ａおよび第２フォーク３５ｂは、それぞれ独立して支持アーム３４に対して摺動可能となっている。このような搬送装置３０の構成により、第１フォーク３５ａおよび第２フォーク３５ｂを処理部１０ｃ内の所望の位置に移動させることが可能となっている。
【００４９】
本実施の形態においては、図１に示すように、第１フォーク３５ａおよび第２フォーク３５ｂは、一対の保持用アーム３６，３６と、各保持用アーム３６に取り付けられた接触部３７と、を有している。一対の保持用アーム３６，３６は、互いに対して接近することができるとともに、互いから離間することもできる。また、接触部３７は、保持対象であるウエハＷの外形状に沿った輪郭を有している。そして、第１フォーク３５ａおよび第２フォーク３５ｂは、一対のアーム３６，３６を互いに接近させて接触部３７をウエハＷに当接させることにより、ウエハＷを狭持することが可能となる。また、第１フォーク３５ａおよび第２フォーク３５ｂは、一対のアーム３６，３６を互いから離間させることにより、狭持したウエハＷを解放することができる。
【００５０】
このような搬送装置３０は、制御装置２０に接続されており、制御装置２０からの制御信号に基づいて動作する。
【００５１】
次に、図１乃至図３を主に参照し、処理槽４０について詳述する。図１乃至図３に示すように、処理槽４０は略直方体の輪郭を有している。また、処理槽４０には、ウエハＷを出し入れするための上方開口４０ａが形成されている。
【００５２】
図１乃至図３に示すように、処理槽４０は、ウエハＷの板面が垂直方向に沿うようにして、数枚または数十枚のウエハＷを略等間隔空けて収容することができる。なお、処理槽４０のウエハ収容可能枚数は、搬送装置３０が同時に搬送することができるウエハの枚数よりも多くなっている。処理槽４０内にはウエハボート４１が配置されている。このウエハボード４１には略等間隔を空けてウエハＷの外周部と係合し得る溝４１ａが形成されている。ウエハボード４１の溝４１ａとウエハＷの外周部とを係合させることにより、ウエハＷは起立した状態でウエハボード４１に支持される。また、図３に示すように、処理槽４０の上方開口４０ａを取り囲むようにして、外槽（回収槽）４２が設けられている。外槽４２は処理槽４０から溢れ出た処理液を回収することができる。
【００５３】
図３に示すように、処理槽４０および外槽４２は、処理槽用シンク４３内に配置されている。処理槽用シンク４３は、略直方体の輪郭を有するとともに、上方開口を形成されている。また、処理槽用シンク４３の上方開口には、板状材からなる一対の可動式シャッター８０ａ，８０ｂが設けられている。可動式シャッター８０ａ，８０ｂは、処理槽用シンク４３上で、すなわち、処理槽４０の上方開口４０ａの上方で移動可能である。したがって、搬送装置３０と処理槽４０との間でウエハＷの受け渡しを行うため、処理槽４０内のウエハＷを収容すべき位置あるいは処理槽４０内から取り上げられるべきウエハＷが収容された位置の上方が開放されるようにすることが可能となっている。なお、可動式シャッター８０ａ，８０ｂの構成については後に詳述する。
【００５４】
処理槽４０は、貯留した処理液にウエハＷを浸漬して当該ウエハＷを処理するための槽である。そして、処理槽４０には、例えば、加熱された第１薬液、例えば８０℃程度に保持された硫酸水溶液が貯留されるようになっている。図３に示すように、外槽４２と処理槽４０との間には循環ライン４５が設けられている。この循環ライン４５には、ポンプ等の処理液吐出機構４６と、フィルタ４７と、ヒータ４８とが介設されている。すなわち、外槽４２に溢れ出た処理液は、液体吐出機構４６によって循環ライン４５を通過して再び処理槽４０内に戻される。この際、処理液中に混入していたパーティクル等はフィルタ４７によって除去される。また、ヒータ４８によって循環ライン４５内を流れる処理液の温度が調整され、処理槽４０内の処理液の温度が予め設定された範囲内に維持されるようになっている。このような処理液の循環供給方法によれば、処理液を消失させてしまうことなく循環再利用することができる。ただし、循環ライン４５は処理液源４９にも接続されており、適宜フレッシュな処理液を処理槽４０に供給することもできるようになっている。
【００５５】
なお、処理液吐出機構４６やヒータ４８等は制御装置２０に接続されており、処理槽４０への処理液の供給および処理液の温度調整は制御装置２０によって制御されるようになっている。
【００５６】
次に、図１、図２および図４を主に参照し、リンス装置５０について詳述する。リンス装置５０は、貯留した純水（ＤＩＷ）にウエハＷを浸漬して当該ウエハＷをリンス処理するための装置である。
【００５７】
図１、図２および図４に示すように、リンス装置５０は、各々が処理槽４０のウエハ収容可能枚数未満の枚数のウエハＷを収容可能である複数の収容部５０ａを有している。本実施の形態において、リンス装置５０は、純水を貯留するためのリンス槽５１と、リンス槽５１内に配置されたウエハボート５２と、を有している。リンス槽５１は、本実施の形態において、上述した処理槽４０と同様に構成されている。すなわち、リンス槽５１は略直方体の輪郭を有するとともに、リンス槽５１にはウエハＷを出し入れするための上方開口５１ａが形成されている。また、ウエハボート５２は、処理槽４０内に配置されたウエハボート４１と同一の構成を有している。すなわち、ウエハボード５２には略等間隔を空けてウエハＷの外周部と係合し得る溝５２ａが形成されている。したがって、図１、図２および図４に示すように、リンス槽５１は、ウエハＷの板面が垂直方向に沿うようにして、処理槽４０のウエハ収容枚数と同数のウエハＷを収容することができるようになっている。
【００５８】
その一方で、リンス槽５１内には板状の仕切部材５４が複数設けられている。そして、リンス槽５１の内部は、この仕切部材５４によって複数の収容部５０ａに区分けされている。本実施の形態において、仕切部材５４はリンス槽５１の内部において隣り合う収容部５０ａ間を遮断するようになっている。また、図４に明瞭に示されているように、仕切部材５４はリンス槽５１の上方開口５１ａを越えて上方に延びている。したがって、一つの収容部５０ａから当該一つの収容部と隣り合う他の収容部への純水の流入は完全に防止される。なお、本実施の形態において、一つの収容部５０ａが同時に収容可能なウエハの枚数は二枚であり、搬送装置３０が同時に搬送可能なウエハＷの枚数と同一となっている。
【００５９】
図１および図５に示すように、リンス装置５０のリンス槽５１および処理槽４０は、リンス槽５１に収容されたウエハＷの板面と処理槽４０に収容されたウエハＷの板面とが平行となるように、並べて配置されている。さらに具体的には、処理槽４０内の各ウエハＷが保持された位置から、保持されたウエハＷの板面と平行な方向にずれると、リンス槽５１内でウエハＷが保持されるべき位置が存在するようになっている。
【００６０】
また、図４に示すように、リンス槽５１は、リンス槽用シンク５５内に配置されている。リンス槽用シンク５５は、上述した処理槽用シンク４３と同一に構成されている。すなわち、リンス槽用シンク５５は、略直方体の輪郭を有するとともに、上方開口を形成されている。また、リンス槽用シンク５５の上方開口は、処理槽用シンク４３と同様に、板状材からなる一対の可動式シャッター８０ａ，８０ｂによって覆われている。そして、搬送装置３０とリンス槽５１との間でウエハＷの受け渡しを行うため、リンス槽５１内のウエハＷを収容すべき位置あるいはリンス槽５１内から取り上げられるべきウエハＷが収容された位置の上方が開放され得るようになっている。
【００６１】
リンス装置５０は、リンス槽５１と純水源５７とを連結する純水供給ライン５６を有している。純水供給ライン５６は、流量制御が可能な開閉バルブ５６ａをそれぞれ介し、すべての収容部５０ａへ接続されている。したがって、リンス装置５０の収容部５０ａへの単位時間当たりの純水供給量は、各収容部５０ａへ対応する開閉バルブ５６ａを操作することによって、収容部５０ａ毎に設定され得る。なお、本実施の形態において、リンス槽５１から溢れ出た純水は、リンス槽用シンク５５内に回収され、リンス槽用シンク５５の下部に接続された排水ライン５８を経て廃棄されるようになっている。
【００６２】
なお、各収容部５１ａへの純水供給量を操作する開閉バルブ５６ａは制御装置２０に接続されており、開閉バルブ５６ａの動作は制御装置２０によって制御されるようになっている。
【００６３】
次に、可動式シャッター８０ａ，８０ｂについて詳述する。図３乃至図５に示されているように、可動式シャッター８０ａ，８０ｂは、処理槽４０の上方開口４０ａの上方およびリンス槽５１の上方開口５１ａの上方に配置されている。図５によく示されているように、可動式シャッター８０ａ，８０ｂは、処理槽４０またはリンス槽５１に収容されたウエハＷの板面に沿って、言い換えると、処理槽４０およびリンス槽５１が並ぶ方向に沿って延びる板状材からなっている。
【００６４】
可動式シャッター８０ａ，８０ｂは、その両端部を支持板材８２によって支持されている。各可動式シャッター８０ａ，８０ｂは、処理槽４０およびリンス槽５１内におけるウエハＷの配列方向に沿って、支持部材８２上を移動可能となっている。一対の可動式シャッター８０ａ，８０ｂは別個の第１駆動手段８１ａ，８１ｂ、例えばシリンダに連結されており、互いに対して相対移動することができる。これにより、一対の可動式シャッター８０ａ，８０ｂの間に形成される隙間（開口）８８の幅を変化させることができる。
【００６５】
また、支持板材８２は、処理槽４０およびリンス槽５１内におけるウエハＷの配列方向に沿って移動可能となっている。図５に示す例において、支持部材８２は、モータ等の第２駆動手段８３に接続され、この駆動手段８３によって移動させられるようになっている。これにより、処理槽４０内およびリンス槽５１内のウエハＷを収容すべき位置の上方あるいは処理槽４０内およびリンス槽５１内から取り出されるべきウエハＷが収容されている位置の上方に、一対の可動式シャッター８０ａ，８０ｂの間に形成される開口８８が位置するようにすることができる。
【００６６】
なお、第１駆動手段８１ａ，８１ｂおよび第２駆動手段８３は制御装置に接続されている。そして、第１駆動手段８１ａ，８１ｂの動作に基づく一対の可動式シャッター８０ａ，８０ｂの支持部材８２に対する位置、並びに、第２駆動手段８２の動作に基づく一対の支持板材８２の処理槽４０およびリンス槽５１に対する位置は、制御装置２０によって制御される。
【００６７】
ところで、図３および図４によく示されているように、第１の可動式シャッター８０ａの第２可動式シャッター８０ｂ側の縁部に、上方の突出する第１整流板８６ａが設けられている。同様に、第２の可動式シャッター８０ｂの第１可動式シャッター８０ａ側の縁部に、上方の突出する第２整流板８６ｂが設けられている。図３に示すように、各整流板８６ａ，８６ｂの上方への突出量は、略円板状からなるウエハＷの板面の直径と略同一となっている。
【００６８】
上述したように、処理部１０ｃ内には、送風装置２４からの送風により、ダウンフローが形成される。整流板８６ａ，８６ｂは、処理槽４０内に吹き込む風量を減じ、処理槽４０内の処理液からの放熱を抑制するためのものである。
【００６９】
次に、図６および図７を主に参照し、枚葉式の処理ユニット６０について詳述する。上述したように、合計四つの処理ユニット６０が処理部１０ｃ内に設けられている。各処理ユニット６０は、受け渡し時以外は閉鎖されている開口６０ａを介し、受け渡し部１０ｂと通じ得る。開口６０ａが開放されている場合、上述した受け渡し装置１３のフォーク１３ａは各処理ユニット６０内にアクセスすることができる。また、受け渡し時以外は閉鎖されている別の開口６０ｂを介し、搬送装置３０が、各処理ユニット６０の内部へアクセスすることができるようになっている。そして、搬送装置３０および受け渡し装置１３は、処理ユニット６０内へウエハＷを受け渡し、また、処理ユニット６０内へ収容されたウエハＷ引き取ることができるようになっている。
【００７０】
処理ユニット６０は、ウエハＷの板面が水平面に沿うようにして一枚のウエハＷを保持する保持機構６２と、保持機構６２に保持されたウエハの外方に位置するカップ６３と、保持機構６２に保持されたウエハＷの表面（上面）に処理液および気体を吐出する上方ノズル６４と、上方ノズル６４を支持するアーム６５と、保持機構６２に組み込まれ保持機構６２に保持されたウエハＷの裏面に処理液を吐出する下方ノズル６６と、を有している。保持機構６２はウエハＷを回転可能に保持することができる。アーム６５は上方ノズル６４を移動させることができ、これにより、上方ノズル６４は、保持機構６２に保持されたウエハＷの上方を当該ウエハＷの板面に沿って移動する。この結果、上方ノズル６４を介し、ウエハＷの板面上の所望の位置に向けて処理液および気体を吐出することができるようになる。また、ウエハＷに供給された処理液は、ウエハＷの回転にともなって飛散しカップ６３に回収される。これらの保持機構６２、カップ６３、上方ノズル６４、アーム６５、および下方ノズル６６は、処理ユニット用隔壁６１によって形成される処理室内に配置されている。
【００７１】
次に、処理ユニット６０に接続される配管類について説明する。図６に示すように、上方ノズル６４は上方供給ライン６８に接続されている。上方供給ライン６８は上方供給バルブ６９および接続ライン７０を介して種々の処理液源および気体源に接続されている。また、下方ノズル６６は下方供給ライン７１に接続されている。下方供給ライン７１は下方供給バルブ７２および接続ライン７０を介して種々の処理液源および気体源に接続されている。本実施の形態においては、図６に示すように、上方供給ライン６８および下方供給ライン７１は、同一の処理液源および気体源に接続されている。具体的には、上方供給ライン６８および下方供給ライン７１は、第２薬液源、第３薬液源、純水源、および、不活性ガス源に、接続ライン７０に含まれる別々の配管を経由して接続されている。ここで、第２薬液源から供給される薬液を、例えば、酸系のＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）とすることができる。また、第３薬液源から供給される薬液を、例えば、アルカリ系のアンモニア水とすることができる。さらに、不活性ガス源から供給される不活性ガスを、窒素とすることができる。
【００７２】
また、図６に示すように、ウエハＷ上に供給された処理液が回収されるカップ６３には、廃棄ライン７４が接続されている。廃棄ライン７４には、分岐バルブ７５が設けられている。廃棄ライン７４は、分岐バルブ７５の操作によって、酸系の第２薬液と、アルカリ系の第３薬液と、その他の液体と、を分けて廃棄することができるようになっている。
【００７３】
ところで、処理ユニット用隔壁６１の天井面には図示しない送風用開口が形成されている。このため、処理ユニット用隔壁６１内には上述の送風装置２４から送風される気体が入り込んでくる。そして、処理ユニット用隔壁６１の下方には、処理ユニット用隔壁６１内の雰囲気を排気するための排気ライン７８が設けられている。この結果、排気ライン７８を介して処理ユニット用隔壁６１の雰囲気を排気することができ、処理ユニット用隔壁６１内にダウンフローが安定して形成されるようになる。図示する例において、排気ライン７８には、排気バルブ７９が介設されている。そして、排気ライン７８は、排気バルブ７９の操作によって、酸系の第２薬液を使用している間の雰囲気と、アルカリ系の第３薬液を使用している間の雰囲気と、その他の状況における雰囲気と、を分けて排気することができるようになっている。
【００７４】
上述したように、本実施の形態において、高温で用いられる第１薬液による処理は、処理ユニット６０ではなく処理槽４０にて実施される。したがって、第１薬液を用いた処理を行うための配管類を処理ユニット６０に設ける必要がない。これにより、処理ユニット６０の構成および処理ユニット６０の制御を大幅に単純化することができる。
【００７５】
また、接続ライン７０、廃棄ライン７４および排気ライン７８は、基板処理装置１０に含まれた複数の処理ユニット（本実施の形態においては、上述したように四つの処理ユニット）で共通して用いられる。したがって、第１薬液を用いた処理を行うための配管類を省略することにより、基板処理装置１０の構成および基板処理装置１０の制御を大幅に単純化することができる。
【００７６】
なお、各バルブ６９，７２，７５，７９、アーム６５、保持機構６２、各処理液源等は、制御装置２０に接続されている。そして、処理ユニット２０内におけるウエハＷに対する処理（具体的には、処理液の供給、気体の供給、保持機構６２によるウエハＷの保持、上方ノズルの位置等）は制御装置２０によって制御される。
【００７７】
また、上述した処理ユニット６０の構成は単なる例示であり、図示された例に限定されるものではない。
【００７８】
ところで、本実施の形態においては、図６および図７に示すように、接続ライン７０に含まれる配管のうちの第２薬液用の配管と第３薬液用の配管について、薬液源９６と供給ノズル６９，７２との間に、供給ライン６８，７１を介してウエハＷに供給される処理液の液量に異常がないかを判定するための供給液量異常検出器９０が介設されている。供給液量異常検出器９０は、ウエハＷの処理に用いられる処理液が貯留される供給ボトル９１を有している。供給ボトル９１は細長い容器であり、鉛直方向に沿って延びるように支持されている。供給ボトル９１は、その下面において接続ライン７０に接続されている。供給液量異常検出器９０は、供給ボトル９１の高さ方向（鉛直方向）に沿った異なる位置に配置された上限センサ９３ａ、下限センサ９３ｂ、および下下限センサ９３ｃを有している。また、供給液量異常検出器９０は、供給ボトル９１の近傍に配置されたアクチュエータ９５と、アクチュエータ９５によって供給ボトル９１の高さ方向（鉛直方向）に沿って移動可能に支持された液面センサ９４と、をさらに有している。各センサ９３ａ，９３ｂ，９３ｃ，９４は、各センサが取り付けられた高さまで供給ボトル９１内に液体が貯留されているか否かを判定する機能を有している。
【００７９】
各センサ９３ａ，９３ｂ，９３ｃ，９４は制御装置２０に接続されており、各センサによる判定結果は制御装置２０に送信される。また、アクチュエータ９５は制御装置２０に接続されており、制御装置２０からの信号によってアクチュエータ９５は動作する。また、制御装置２０には、各処理液を用いた処理において一枚のウエハＷを処理する際に必要となる処理液の液量に関する情報が予め記録されている。記録されたこの情報に基づき、制御装置２０は、液面センサ９４が支持されるべき高さ方向位置を決定する。具体的には、液面センサ９４が支持された高さ方向位置と下限センサ９３ｂが配置された高さ方向位置との間を占める供給ボトル９１内の領域Ｒ１の容積が、一枚のウエハＷを処理する際に必要となる処理液の液量よりも少なくなり、液面センサ９４が支持された高さ方向位置と下下限センサ９３ｃが配置された高さ方向位置との間を占める供給ボトル９１内の領域Ｒ２の容積が、一枚のウエハＷを処理する際に必要となる処理液の液量よりも多くなるように、液面センサ９４が位置決めされる。
【００８０】
このような供給液量異常検出器９０によれば、ウエハＷの処理前に液面センサ９４の高さまで供給ボトル９１内に処理液を貯留しておき、ウエハＷの処理終了時に供給ボトル９１内に残存している処理液の液面高さを確認することにより、適量の処理液がウエハＷに供給されたか否かを判断することができる。具体的には、残留処理液の液面高さが下限センサ９３ｂおよび下下限センサ９３ｃの間にあれば、適量の処理液が供給されたと判断し、下限センサ９３ｂより高ければ処理液の供給量が少なすぎると判断し、下下限センサ９３ｃより低ければ処理液の供給量が多すぎると判断する。また、上限センサ９３ａは、供給ボトル９１へ処理液が供給され過ぎた場合を検知するために設けられている。
【００８１】
市販されている流量センサは、液体の供給開始時および供給停止時や、液体内に泡が混入している場合に、誤作動してしまう可能性がある。また、市販されている流量センサは非常に高価である。その一方で、このような供給液量異常検出器９０によれば、安定して液体供給の異常を判定することができるとともに、安価である。
【００８２】
なお、図７に示すように、供給ボトル９１は、その上面においてガス源９７に接続されており、ガス源９７からガスを供給して供給ボトル９１内を昇圧することにより、供給ボトル９１内に貯留された処理液を供給ボトル９１から吐出することができる。
【００８３】
次に、制御装置２０について説明する。制御装置２０は、記録媒体２１を読み取ることができるＣＰＵを有し、基板処理装置１０の各構成要素の動作を制御するようになっている。記録媒体２１には、基板処理装置１０による処理を実行するためのプログラムが記録されている。制御装置２０は、記録媒体２１に予め記録されたプログラムに基づき、基板処理装置１０の各構成要素を動作させてウエハＷを処理する。なお記録媒体２１は、ＲＯＭやＲＡＭなどのメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭのようなディスク状記録媒体、その他の公知な記録媒体から構成されてもよい。
【００８４】
次に、以上のような構成からなる基板処理装置１０を用いてウエハＷを処理する方法の一例について説明する。なお、以下に説明する基板処理装置１０の各構成要素の動作は、予めプログラム記録媒体２１に格納されたプログラムに基づいた制御装置２０からの制御信号によって制御されている。
【００８５】
まず、上述したように、複数のウエハＷを収容したキャリア１１が載置部１１ａに載置される。キャリア１１内のウエハＷは、受け渡し部１０ｂに配置された受け渡し装置１３によって、キャリア１１から抜き出され、処理部１０ｃの受け渡しユニット２５内へと持ち込まれる。
【００８６】
以下、処理部１０ｃ内でのウエハＷに対する処理方法を説明する。
【００８７】
まず、制御装置２０が、記録媒体２１に記録されたプログラムに基づき、処理部１０ｃに持ち込まれた未処理ウエハＷを処理ユニット６０および処理槽４０のいずれにまず搬送するかを判断する。なお、以下に説明する例においては、図８に示すように、ウエハＷは、まず、処理槽４０内に搬送される。
【００８８】
具体的に説明すると、受け渡しユニット２５内に収容された未処理ウエハＷは、搬送装置３０によって保持され、受け渡しユニット２５から持ち出される。持ち出されたウエハＷは、水平状態から垂直状態に姿勢が変更され、搬送装置２０によって処理槽４０内に搬入される。このとき、搬送装置３０は、二つのフォーク３５ａ，３５ｂによって、受け渡しユニット２５内に収容されていた二枚のウエハＷを同時に保持し、二枚のウエハＷを同時に処理槽４０へ搬送する。
【００８９】
ウエハＷが搬入される処理槽４０内には第１の薬液（例えば、硫酸水溶液）が貯留されている。また、液体吐出機構４６およびヒータ４８が稼働している。したがって、第１の薬液は、処理槽４０および外槽４２と循環ライン４５とによって形成される循環路を循環しながら加熱される。この結果、処理槽４０内の第１薬液の温度は、室温よりも高い予め設定された範囲内に保たれている。
【００９０】
また、ウエハＷを処理槽４０内に搬入する前に、可動式シャッター８０ａ，８０ｂが移動させられ、二枚のウエハＷを収容すべき処理槽４０内の位置の上方に、ウエハＷを搬入するための開口（隙間）８８が形成される。すなわち、可動式シャッター８０ａ，８０ｂの移動により、二枚のウエハＷを収容すべき処理槽４０内の位置の上方が開放される。本実施の形態においては、搬送装置４０によって同時に搬送される二枚のウエハＷは、処理槽４０内において隣り合うように配置される。具体的には、制御装置２０からの信号に基づき、第１駆動手段８１ａ，８１ｂが可動式シャッター８０ａ，８０ｂを支持板材８２上で相対移動させ、一対の可動式シャッター８０ａ，８０ｂ間に形成される開口（隙間）８８の幅を調整する。形成された開口８８は、図３に示すように、搬送装置３０に保持された二枚のウエハＷが通過し得る幅を有するようになる。また、制御装置２０からの信号に基づき、第２駆動手段８３によって支持板材８２が処理槽４０の上方開口４０ａの上方で移動させられ、一対の可動式シャッター８０ａ，８０ｂ間に形成された開口８８が処理槽４０のウエハＷを収容すべき位置の直上に位置するようになる。
【００９１】
このようにして、処理槽４０に貯留された高温の第１薬液（例えば、硫酸水溶液）に、二枚のウエハＷが同時に浸漬され、二枚のウエハＷに対する処理（例えば、レジスト除去処理）が開始される。また、搬送装置２０は、他のウエハＷを搬送すべく制御装置２０からの信号に基づいて引き続き動作する。さらに、可動式シャッター８０ａ，８０ｂは、他のウエハＷの処理槽４０内への搬入または処理槽４０からの搬出にそなえて移動する。
【００９２】
そして、制御装置２０は、搬送装置３０によって同時に搬送されて処理槽４０に搬入された二枚のウエハ毎に処理経過時間を計測する。制御装置２０は、ウエハＷの処理経過時間が予め設定された処理時間に達すると、当該ウエハＷを処理槽４０から搬出するように搬送装置３０に対して信号を送信する。同時に、制御装置２０は、第１駆動手段８１ａ，８１ｂおよび第２駆動手段８２にも信号を送信し、搬出すべき二枚のウエハＷの上方に開口８８を形成する。以上のようにして、処理槽４０に同時に搬入された二枚のウエハＷに対する処理槽４０での処理が終了する。
【００９３】
上述したように、また、図３に示されているように、処理槽４０は、搬送装置３０が一度に搬送することが可能なウエハＷの枚数以上の枚数のウエハＷを一度に収容することができる。したがって、同時に搬送された二枚のウエハＷに対する処理が処理槽４０内で行われている間、その後に処理されるべきウエハＷを搬送装置３０によって処理槽４０内に順次持ち込み処理槽４０内の他の領域で処理することができる。このようにして、多数のウエハＷを収容し得る処理槽４０内で、ウエハＷを並行して効率的に処理していくことができる。また、並行して処理される各ウエハＷの処理時間を同一にすることができ、これにより、ウエハＷ毎の処理むらを十分に抑制し、ウエハＷを安定して処理していくことができる。
【００９４】
また、処理槽４０内の第１の薬液は、処理槽４０および外槽４２と循環ライン４５とによって形成される循環路をヒータ４８によって温度調整されながら循環している。したがって、処理槽４０に貯留される第１薬液の量は多くなるが、同一の第１薬液で多数のウエハを順次処理していくことができる。結果として、第１薬液の使用量を低減することができる。
【００９５】
また、第１薬液は、処理槽４０および外槽４２と循環ライン４５とによって形成される循環路を循環しながら、ヒータ４８によって温度調整される。また、処理槽４０には多量の第１薬液が貯留されている。したがって、第１薬液の温度よりも低温のウエハＷが処理槽４０内に順次搬入されてきたとしても、処理槽４０に貯留された第１薬液の温度は大きく変化することはない。
【００９６】
さらに、処理槽４０の上方開口４０ａの上方に可動式シャッター８０ａ，８０ｂが設けられているので、処理槽４０内に貯留された処理液からの放熱を抑制することができる。とりわけ、ウエハＷの受け渡しを行うための可動式シャッター８０ａ，８０ｂ間の隙間（開口）８８の幅は、同時に受け渡されるウエハＷの枚数に応じて変化する。したがって、隙間８８を介した第１薬液からの放熱を低減することができる。また、可動式シャッター８０ａ，８０ｂの開口８８に隣接する縁部には、整流板８６ａ，８６ｂが突設されている。したがって、処理部１０ｃ内に形成されたダウンフローによって処理槽周囲の雰囲気が処理槽４０内に吹き込んでくることを抑制することができ、これにより、処理槽周囲の雰囲気と処理槽４０内の第１薬液との熱交換が促進されることを防止することができる。
【００９７】
その後、図８に示すように、処理槽４０から同時に取り上げられた二枚のウエハＷはリンス装置５０のリンス槽５１内に収容される。具体的には、処理槽４０からリンス装置５０へ搬送される二枚のウエハＷは、搬送装置４０によって、整流板８６ａ，８６ｂの間に位置するまで処理槽４０内から上方へ持ち上げられる。そして、搬送装置２０は、その高さ方向位置（図３における紙面の上下方向における位置）を維持しながら、搬送対象のウエハＷの板面に平行な方向に二枚のウエハＷを同時に搬送する。二枚のウエハＷがリンス装置５０のリンス槽５１の直上に到達すると、搬送装置２０は二枚のウエハＷを降下させる。これにより、二枚のウエハＷが、搬送装置２０によって、同時にリンス装置５０内へ搬入される。このとき、処理槽４０内から同時に搬送されてくるウエハＷは同一の収容部５０ａ内に収容される。
【００９８】
つまり、処理槽４０から取り出されたウエハＷは、処理槽４０内で保持されていた位置から当該ウエハＷの板面に沿ってずれた位置に相当するリンス槽５１内の位置に収容されるようになる。このような搬送方法によれば、可動式シャッター８０ａ，８０ｂを移動させる必要がなく、搬送を迅速に行うことができる。また、処理槽４０の上方からリンス装置５０の上方に移動する際、搬送装置２０に保持されたウエハＷは一対の整流板８６ａ，８６ｂ間を移動する。したがって、処理部１０ｃ内の気流によって、ウエハＷに付着していた第１薬液の液滴やパーティクルが処理部１０ｃ内に飛散してしまうことを格段に抑制することができる。
【００９９】
一方、ウエハＷを搬入されるリンス装置５０のリンス槽５１内には純水が貯留されている。そして、リンス装置５０の収容部５０ａに貯留された純水に、二枚のウエハＷが同時に浸漬され、二枚のウエハＷに対するリンス処理が開始される。また、搬送装置２０は、他のウエハＷを搬送すべく制御装置２０からの信号に基づいて引き続き動作する。
【０１００】
リンス装置５０の収容部５０には、適宜、純水が補給される。本実施の形態においては、制御装置２０からの信号に基づき、リンス装置５０の各収容部５０ａ内へ補給される純水の単位時間当たりの補給量は、収容部５０ａ毎に設定される。そして、薬液を用いて処理されたウエハＷが収容された収容部５０ａには、多量の補給量で純水が補給される。一方、ウエハＷが収容されていない収容部５０には、微量の補給量で純水が補給される、あるいは、純水が補給されない。
【０１０１】
純水がリンス槽５１に補給されると、リンス槽５１の上方開口５１ａから純水が溢れ出る。本実施の形態においては、図４に示すように、純水は下方からリンス槽５１内へ補給される。したがって、リンス槽５１内には、下方から上方へ向けた純水の液流が形成される。そして、リンス槽５１内においてウエハＷから除去されたパーティクルＷは、この純水の流れに誘導されて上方に移動し、純水とともに溢れ出す。溢れ出したパーティクルは、純水とともに廃棄される。
【０１０２】
したがって、収容部５０ａ内の状況に応じて当該収容部５０ａへの水の補給量を変更することによって、ウエハＷを迅速にリンス処理することができるとともに、リンス処理に用いられる純水の使用量を低減することができる。
【０１０３】
なお、上述したように、リンス槽５１内を収容部毎に区分けする仕切部材５４は、リンス槽５１の内部において隣り合う収容部５０ａ間を遮断するようになっている。また、図４に明瞭に示されているように、仕切部材５４はリンス槽５１の上方開口５１ａを越えて上方まで延びている。したがって、一つの収容部５０ａから当該一つの収容部と隣り合う他の収容部への純水の流入は完全に防止される。つまり、一つの収容部５０ａ内でウエハＷから除去された第１薬液やパーティクルが、隣接する収容部へ流れ込んでしまうことを防止することができる。
【０１０４】
したがって、一つの収容部５０ａでウエハＷをリンス処理している際、処理槽４０で処理されたばかりのウエハＷが隣り合う収容部へ搬入されてきたとしても、搬入されてきたウエハＷに付着していたパーティクルが、それまでにリンス処理が既に進行しているウエハＷに付着してしまうこと（パーティクルの転写）を確実に防止することができる。つまり、リンス装置５０内の各収容部５０ａへ薬液処理を施されたウエハＷを順次搬入し、各収容部５０ａ内においてウエハＷを並行してリンス処理することができる。
【０１０５】
そして、制御装置２０は、処理槽４０での処理と同様に、搬送装置３０によって同時に搬送されてリンス装置５０に搬入された二枚のウエハ毎に処理経過時間を計測する。制御装置２０は、ウエハＷの処理経過時間が予め設定された処理時間に達すると、当該ウエハＷをリンス装置５０から搬出するように搬送装置３０に対して信号を送信する。同時に、制御装置２０は、第１駆動手段８１ａ，８１ｂおよび第２駆動手段８２にも信号を送信し、搬出すべき二枚のウエハＷの上方に開口８８を形成する。このようにして、リンス装置５０に同時に搬入された二枚のウエハＷに対するリンス装置５０での処理が終了する。
【０１０６】
上述したように、また、図４に示されているように、リンス装置５０は、搬送装置３０が一度に搬送することが可能な枚数のウエハＷを収容可能な収容部５０ａを複数有している。したがって、同時に搬送された二枚のウエハＷに対するリンス処理が一つの収容部５０ａ内で行われている間、その後に処理されるべきウエハＷを搬送装置３０によって他の収容部５０ａ内に順次持ち込んでリンス処理することができる。このようにして、多数のウエハＷを収容し得るリンス装置５０内で、ウエハＷを並行して効率的にリンス処理していくことができる。また、並行して処理される各ウエハＷの処理時間を同一にすることができ、これにより、ウエハＷ毎の処理むらを十分に抑制し、ウエハＷを安定して処理していくことができる。
【０１０７】
その後、図８に示すように、リンス装置５０から同時に取り上げられた二枚のウエハＷは、垂直状態から水平状態へ姿勢を変更されて、処理ユニット６０へと搬送される。上述したように、各処理ユニット６０は一枚のウエハＷのみを収容することができる。したがって、搬送装置３０に保持された二枚のウエハＷは、別々の処理ユニット６０へ順に搬入されていく。
【０１０８】
本実施の形態においては、上述したように四つの処理ユニット６０が処理部１０ｃに設けられており、各処理ユニット６０内における処理はそれぞれ並行して行われる。以下の説明においては、一つの処理ユニット６０内での一枚のウエハＷに対する処理について説明する。
【０１０９】
本実施の形態においては、図８に示すように、リンス装置５０内でリンス処理を行われた一枚のウエハＷを処理ユニット６０によって保持する工程と、処理槽４０内で処理する工程において用いられた第１薬液とは異なる第２薬液を供給し、処理ユニット６０によって保持された一枚のウエハＷを処理する工程と、処理ユニット６０によって保持された一枚のウエハＷに純水を供給しリンス処理する工程と、処理ユニット６０によって保持されリンス処理を施された一枚のウエハＷを乾燥させる工程と、が実施される。以下、各工程について説明する。
【０１１０】
まず、搬送装置３０によって処理ユニット６０内に搬送されてきた一枚のウエハＷが、処理ユニット６０の保持機構６２によって保持される。保持機構６２は、略円形状の板面を有するウエハＷをその板面の中心を軸心として回転させる。この動作に先立ちまたは並行して、供給液量異常検出器９０の供給ボトル９１内に、支持高さが予め調節された液面センサの支持位置まで、第２の薬液（例えば、フッ化水素水溶液）が供給される。
【０１１１】
そして、上方ノズル６４を介し、供給ボトル９１内に貯留された第２薬液が、保持機構６２によって回転させられながら保持されているウエハＷの表面（上面）に供給され始める。このようにして、上方ノズル６４から第２薬液（例えば、フッ化水素水溶液）が一枚のウエハＷに供給され、一枚のウエハＷに対する処理（例えば、酸化膜除去処理）が開始される。上方ノズル６４は、ウエハＷの板面の中心領域に対面した位置に停止して、ウエハＷの板面の中心領域に第２薬液を供給し続けてもよい。この場合、ウエハＷの中心領域に供給された第２薬液は、ウエハＷの回転にともない、ウエハＷの板面の中心領域からウエハＷの板面の周縁領域へと自然に移動し、ウエハＷの全表面が処理される。あるいは、上方ノズル６４は、アーム６５によってウエハＷの上方をウエハＷの板面に沿って移動させられながら、ウエハＷの板面の中心領域とウエハＷの板面の周縁領域との間の各領域に第２薬液を供給していくようにしてもよい。
【０１１２】
第２薬液を供給している時間が予め設定された時間を越えると、供給ボトル９１から上方ノズル６４への第２薬液の供給が停止する。これにより、第２薬液を用いたウエハＷの処理が終了する。
【０１１３】
なお、本例においては、下方ノズル６６から第２薬液が供給されない例を示したが、これに限られず、上方ノズル６４から第２薬液が供給されている間、下方ノズル６６から第２薬液がウエハＷの裏面に向けて供給されるようにしてもよい。
【０１１４】
次に、処理ユニット６０内で一枚のウエハＷに対してリンス処理が施される。この工程中においても、処理対象のウエハＷは、保持機構６２によって回転させられながら保持されている。
【０１１５】
まず、上方供給バルブ６９が操作されて上方ノズル６４から純水が一枚のウエハＷに供給される。このようにして、一枚のウエハＷに対するリンス処理が開始される。第２薬液を用いた処理と同様に、上方ノズル６４は、停止して、ウエハＷの板面の中心領域のみに純水を供給し続けてもよいし、あるいは、移動しながら、ウエハＷの板面の中心領域とウエハＷの板面の周縁領域との間の各領域に純水を供給していくようにしてもよい。
【０１１６】
純水を供給している時間が予め設定された時間を超えると、上方ノズル６４からの純水の供給が停止して、純水を用いたウエハＷのリンス処理が終了する。
【０１１７】
なお、本例においては、下方ノズル６６から純水が供給されない例を示したが、これに限られず、上方ノズル６４から純水が供給されている間、下方ノズル６６から純水がウエハＷの裏面に供給されるようにしてもよい。
【０１１８】
次に、処理ユニット６０内で一枚のウエハＷに対して乾燥処理が施される。この工程中において、処理対象のウエハＷは、保持機構６２によって高速で回転させられながら保持される。また、上方供給バルブ６９が操作されて上方ノズル６４から不活性ガスが一枚のウエハＷに向けて吐出される。このとき、上方ノズル６４は、ウエハＷの板面の中心領域からウエハＷの板面の周縁領域へ向けて移動しながら、ウエハＷの板面の各領域に向けて不活性ガスを吐出していくことが好ましい。このような不活性ガスの吐出およびウエハＷの回転により、ウエハＷ上の純水がウエハＷの表面上から外方に吹き飛ばされる。
【０１１９】
このようにして処理ユニット６０内でのウエハＷの乾燥処理が終了する。そして、以上の処理により、処理ユニット６０内でのウエハＷに対する処理が終了する。その後、受け渡し部１０ｂに配置された受け渡し装置１３が、開口６０ａを介し、処理済みウエハＷを処理ユニット６０から搬出し、さらには、載置部１０ａに載置されたキャリア１１内に再び収納する。以上のようにして、一枚のウエハＷに対する処理が終了する。
【０１２０】
なお、上述の搬送装置３０の第１および第２のフォーク３５ａ，３５ｂには、処理槽５０内に貯留された薬液およびリンス槽５１内に貯留された純水が付着する。すなわち、搬送装置３０によってウエハＷを保持すると、乾燥済みのウエハＷに再度液体が付着してしまう。一方、受け渡し装置１３のフォーク１３ａには液体が付着してしまうことがないので、処理済みのウエハＷを濡らせてしまうことなく搬出することが可能となる。
【０１２１】
以上のような本実施の形態によれば、ウエハＷの処理に用いられる基板処理装置１０は、一枚のウエハＷを保持し保持した一枚のウエハＷを処理する処理ユニット６０と、複数のウエハＷを同時に収容可能な処理槽４０であって、貯留した処理液にウエハＷを浸漬して当該ウエハＷを処理するようになされた処理槽４０と、処理槽４０のウエハ収容可能枚数未満の枚数のウエハＷを同時に搬送可能な搬送装置３０であって、少なくとも処理液が貯留された処理槽４０内にウエハＷを搬入するようになされた搬送装置４０と、を隔壁２２によって区画された処理部１０ｃ内に備えている。したがって、高温加熱された処理液（第１薬液）を用いた処理を処理槽４０内で行い、その他の処理液を用いた処理を処理ユニット６０内で行うことができる。このため、処理ユニット６０で用いられる処理液の種類を低減して、基板処理装置１０の全体構成および基板処理装置１０の制御を単純化することができ、これにより、ウエハＷを安価に処理することができる。また、複数のウエハＷを収容可能な処理槽４０内で処理する場合、処理液（第１薬液）が処理能力を有しなくなるまで、当該処理液を使用し続けることができる。したがって、処理液（第１薬液）の使用量を低減することができ、これにより、ウエハＷを安価に処理することができる。さらに、処理槽４０内に貯留された処理液（第１薬液）の温度を一定の温度範囲内に維持することは容易である。したがって、処理液の温度変動を大幅に抑制することができ、これにより、ウエハ毎の処理むらを抑制してウエハＷを均一に処理していくことができる。
【０１２２】
なお、本実施の形態による基板処理装置１０は、上記の態様に限定されるものではなく、様々な変更を加えることができる。とりわけ、以上の説明においては、本発明による基板処理装置および基板処理方法を、ウエハＷの処理に適用した例を示しているが、これに限られず、ＬＣＤ基板やＣＤ基板等の処理に適用することも可能である。
【０１２３】
以下、その他の変形例について、図９乃至図１３を参照して説明する。なお、以下に説明する変形例を複数組み合わせて適用することも可能である。また、図９乃至図１３において、上述した実施の形態と同一部分には同一符号を付し重複する詳細な説明を省略する。
【０１２４】
（変形例１）
上述した実施の形態において、基板処理装置１０の処理部１０ｃに搬送されてきたウエハＷに対し、互いに異なる薬液を用いた二種類の処理を施す例を示したが、これに限られない。
【０１２５】
例えば、図９に示すように、ウエハＷに対して薬液を用いた処理を一回のみ施すようにしてもよい。なお、図９に示す例においては、上述した実施の形態における基板処理方法（図８参照）から、処理ユニット６０内でウエハＷに対して第２薬液を用いて処理を施す工程と、処理ユニット６０内でウエハＷに対して純水を用いてリンス処理を施す工程と、が省略されている。
【０１２６】
あるいは、ウエハＷに対して薬液を用いた処理を三回以上施すようにしてもよい。
【０１２７】
（変形例２）
また、上述した実施の形態において、リンス装置５０を用いてウエハＷをリンス処理する例を示したが、これに限られない。上述した実施の形態による基板処理方法において、リンス装置５０を用いてウエハＷをリンス処理する工程に代えて、処理ユニット６０を用いてウエハＷをリンス処理する工程を設けるようにしてもよい。すなわち、図１０に示すように、処理槽４０で処理を施されたウエハＷを、処理槽４０から処理ユニット６０へ搬送するようにしてもよい。この場合、処理ユニット６０内において、処理槽４０内で処理を行われた一つの基板Ｗを処理ユニット６０によって保持する工程と、処理ユニット６０によって保持された一つの基板Ｗに純水を供給してリンス処理する工程と、処理槽４０内で処理する工程において用いられた処理液とは異なる処理液を供給し、処理ユニット６０によって保持されリンス処理を施された一つの基板Ｗを処理する工程と、処理ユニット６０によって保持され処理液による処理を施された一つの基板Ｗに純水を供給してリンス処理する工程と、処理ユニット６０によって保持されリンス処理を施された一つの基板Ｗを乾燥させる工程と、が実施されるようになる。
【０１２８】
また、薬液を用いた処理を一回のみにする場合には、図１１に示すように、処理ユニット６０内において、処理槽４０内で処理を行われた一つの基板Ｗを処理ユニット６０によって保持する工程と、処理ユニット６０によって保持された一つの基板Ｗに純水を供給してリンス処理する工程と、処理ユニット６０によって保持されリンス処理を施された一つの基板Ｗを乾燥させる工程と、が実施されるようになる。
【０１２９】
さらに、リンス装置５０を用いてウエハＷをリンス処理する工程を省く場合には、基板処理装置１０から、ウエハＷを純水に浸漬してリンス処理するためのリンス装置５０を省くことも可能である。
【０１３０】
（変形例３）
さらに、上述した実施の形態において、処理ユニット６０を用いてウエハＷを処理する工程と、処理槽４０内でウエハＷを処理する工程と、の両方が設けられている例を示したが、これに限られず、例えば、処理ユニット６０のみを用いてウエハＷを処理することも可能である。
【０１３１】
（変形例４）
さらに、上述した実施の形態のリンス装置５０において、仕切部材５４がリンス槽５１の内部において隣り合う収容部５０ａ間を完全に遮断して、一つの収容部５０ａから当該一つの収容部と隣り合う他の収容部への純水の流入を完全に防止するようになっている例を示したが、これに限られない。一つの収容部５０ａから当該一つの収容部と隣り合う他の収容部への純水の流入が抑制される程度に、仕切部材５４が構成されてもよい。このような仕切部材５４によっても、上述したパーティクルの転写を十分に抑制することが可能となる。このような仕切部材を、ウエハボード５２に支持されたダミーウエハによって構成することができる。このような仕切部材は極めて安価に構成され得り、また、収容部５０ａのウエハ収容可能枚数を容易に変更することもできる。
【０１３２】
（変形例５）
さらに、上述した実施の形態において、リンス装置５０が一つのリンス槽５１を有するとともに、リンス槽５１内に設けられた仕切部材５４によって、リンス槽５１が複数の収容部５０ａに分割されている例を示したが、これに限られない。例えば、図１２に示すように、リンス装置１５０が、貯留した純水に基板Ｗを浸漬して当該基板Ｗをリンス処理することができるリンス槽を収容部１５０ａとして複数有するようにしてもよい。すなわち、一つの収容部１５０ａが一つの槽として、他の収容部とは別体に形成されてもよい。言い換えれば、複数の収容部１５０ａの各々は、互いから離間して配置された別個の槽として形成されてもよい。このようなリンス装置１５０によれば、一つの収容部１５０ａから当該一つの収容部と隣り合う他の収容部への純水の流入を完全に防止し、上述したパーティクルの転写を確実に防止することが可能となる。
【０１３３】
なお、図１２に示す例においても、リンス装置１５０は、各リンス槽１５１（収容部１５０ａ）と純水源１５７とを連結する純水供給ライン１５６を有している。純水供給ライン１５６は、流量制御が可能な開閉バルブ１５６ａを介してそれぞれの収容部１５０ａ（リンス槽１５０）へ接続されている。したがって、リンス装置１５０の収容部１５０ａへの単位時間当たりの純水供給量を、収容部１５０ａ毎に設定することができる。
【０１３４】
（変形例６）
さらに、上述した実施の形態において、リンス装置５０の収容部５０ａが同時に収容可能なウエハＷの枚数は、搬送装置３０が同時に搬送可能なウエハＷの枚数と同一となっている例を示したが、これに限られない。例えば、リンス装置５０の収容部５０ａが同時に収容可能なウエハＷの枚数が、搬送装置３０が同時に搬送可能なウエハＷの枚数以上となっていてもよい。このようなリンス装置５０においても、処理槽４０内から同時に搬送されてくるウエハＷを、同一の収容部５０ａ内に収容することができる。したがって、上述したパーティクルの転写を効果的に防止することができる。
【０１３５】
（変形例７）
また、各収容部５０ａ内に二枚のウエハＷが収容可能であり、かつ、各収容部５０ａにウエハＷを二枚ずつ収容する例を示したが、これに限られない。例えば、各収容部５０ａに一枚のウエハＷを収容するようにしてもよい。各収容部５０ａにウエハＷを一枚ずつ収容する場合には、異なるウエハＷ間におけるパーティクルの転写を確実に防止することができる。
【０１３６】
各収容部５０ａにウエハＷを一枚ずつ収容する場合には、ウエハＷを一枚ずつ処理槽４０内へ搬送するようにしてもよい。また、ウエハＷを一枚ずつ搬送する場合には、搬送装置３０が一つのフォーク３５ａのみを有するようにすることもできる。搬送装置３０が一つのフォーク３５ａのみを有しウエハＷを一枚ずつ搬送する場合においても、処理槽４０内で多数のウエハＷを並行して処理することができるとともに、リンス装置５０内で多数のウエハＷを並行してリンス処理することができるので、結果として、単位時間あたり処理能力を向上させることも可能となる。
【０１３７】
（変形例８）
さらに、上述した実施の形態において、処理槽４０の上方開口４１の上方に配置された可動式シャッター８０ａ，８０ｂがそれぞれ平板状からなり、処理槽４０の上方開口４１の上方において水平面に沿って直線状に移動可能である例を示したが、これに限られない。例えば、図１３に示すように、可動式シャッター１８０ａ，１８０ｂが側面視において弧状の移動経路に沿って移動可能であるようにしてもよい。図１３に示す例における可動式シャッター１８０ａ，１８０ｂは、側面視において、可動式シャッター１８０ａ，１８０ｂの移動軌跡に沿った弧状の輪郭を有している。このような可動式シャッター１８０ａ，１８０ｂによれば、シャッター１８０ａ，１８０ｂを動作させるために必要となるスペースを削減することができる。したがって、基板処理装置１０を小型化することができる。
【０１３８】
（変形例９）
さらに、上述した実施の形態において、処理部１０ａ内におけるウエハＷの受け渡しのすべてを一つの搬送装置３０が担っている例を示したが、これに限られない。処理部１０ｃ内における各処理装置４０，５０，６０の配置に応じ、二以上の搬送装置が設けられてもよい。
【０１３９】
例えば、処理ユニット６０へのウエハＷの搬入を担う搬送装置と、処理槽４０へのウエハの搬入を担う搬送装置３０と、が別途に設けられてもよい。また、処理槽４０と処理ユニット６０との間でのウエハＷの搬送を担う搬送装置と、処理槽４０へのウエハＷの搬入を担う搬送装置３０と、が別途に設けられてもよい。さらに、処理槽４０とリンス装置５０との間でのウエハＷの搬送を担う搬送装置と、処理槽４０へのウエハＷの搬入を担う搬送装置３０と、が別途に設けられてもよい。さらに、リンス装置５０と処理ユニット４０との間でのウエハＷの搬送を担う搬送装置と、処理槽４０へのウエハＷの搬入を担う搬送装置３０と、が別途に設けられてもよい。
【０１４０】
また、上述した実施の形態において、搬送装置３０の各構成部材が互いに揺動可能に連結され、各構成部材を互いに対して揺動させることにより、ウエハＷを保持するフォーク３５ａ，３５ｂを種々の位置に移動させることができるようにした例を示したが、これに限られず、その他の公知の基板搬送装置を採用することができる。例えば、各構成部材が互いに摺動可能に連結され、各構成部材を互いに対して摺動させることにより、ウエハＷを保持するフォーク３５ａ，３５ｂを種々の位置に移動させるようになっている搬送装置を採用することができる。
【０１４１】
（変形例１０）
さらに、上述した実施の形態において、受け渡し部１０ｂから処理部１０ｃへ受け渡しユニット２５を介してウエハＷが搬送され、処理部１０ｃから受け渡し部１０ｂへ処理ユニット６０を介してウエハＷが搬送される例を示したが、これに限られない。例えば、乾燥済みのウエハＷに液体が付着してしまうことを防止する措置を講ずるとともに、受け渡し部１０ｂと処理部１０ｃとの間におけるウエハＷの受け渡しのすべてが、受け渡しユニット２５を介するようにしてもよい。乾燥済みのウエハＷに液体が付着してしまうことを防止する措置としては、処理ユニット６０から受け渡しユニット２５へウエハＷを搬送するための搬送装置を上述した搬送装置３０とは別に設けること、あるいは、搬送装置３０のフォーク３５ａ，３５ｂを洗浄および乾燥するための装置を設けること等が挙げられる。
【０１４２】
（変形例１１）
さらに、上述した実施の形態において、処理ユニット６０のカップに回収された処理液がすべて廃棄される例を示したが、これに限られず、循環再利用されるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１４３】
【図１】図１は、本発明による一実施の形態における基板処理装置の内部構成を示す上面図である。
【図２】図２は、図１に示された基板処理装置の内部構成を示す側面図である。
【図３】図３は、図１に示された基板処理装置の処理槽を示す縦断面図である。
【図４】図４は、図１に示された基板処理装置のリンス装置を示す縦断面図である。
【図５】図５は、図３に示された処理槽および図４に示されたリンス装置を可動式シャッターとともに示す上面図である。
【図６】図６は、図１に示された基板処理装置の枚葉式の処理ユニットを示す模式図である。
【図７】図７は、図６に示された処理ユニットに組み込まれた供給液量異常検出器の構成を説明するための模式図である。
【図８】図８は、本発明による一実施の形態における基板処理方法であって、図１に示された基板処理装置によって実施され得る基板処理方法を説明するためのフローチャートである。
【図９】図９は、図８に対応する図であって、基板処理方法の変形例を説明するためのフローチャートである。
【図１０】図１０は、図８に対応する図であって、基板処理方法の他の変形例を説明するためのフローチャートである。
【図１１】図１１は、図８に対応する図であって、基板処理方法のさらに他の変形例を説明するためのフローチャートである。
【図１２】図１２は、リンス装置の変形例を示す縦断面図である。
【図１３】図１３は、図３に対応する図であって、可動式シャッターの変形例を処理槽とともに示す図である。
【符号の説明】
【０１４４】
１０ 基板処理装置
２０ 制御装置
２１ 記録媒体
３０ 搬送装置
４０ 処理槽
５０ リンス装置
５０ａ 収容部
５１ リンス槽
５４ 仕切部材
６０ 処理ユニット
８０ａ，８０ｂ 可動式シャッター
８６ａ，８６ｂ 整流板
８８ 隙間（開口）
１８０ａ，１８０ｂ 可動式シャッター
１５０ リンス装置
１５０ａ 収容部
１５１ リンス槽
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一つの基板を保持し保持した一つの基板を処理する処理ユニットと、
複数の基板を同時に収容可能な処理槽であって、基板を浸漬して処理するための処理液を循環供給されながら貯留する処理槽と、
前記処理槽の基板収容可能数未満の数であって一以上の基板を同時に搬送する搬送装置であって、少なくとも前記処理槽に基板を搬送する搬送装置と、を備え、
前記処理ユニットと前記処理槽との少なくともいずれか一つを用いて基板を処理する
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記処理槽内での基板の処理時間を前記搬送装置によって前記処理槽へ同時に搬送される一以上の基板毎に管理する制御装置をさらに備える
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御装置は、前記搬送装置によって前記処理槽に同時に搬送されてきた一以上の基板毎に処理経過時間を計測し、処理経過時間が予め設定された処理時間に達すると、当該一以上の基板を前記処理槽内から搬出するように、前記搬送装置を制御する
ことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記搬送装置は、前記処理槽で処理された基板を受け取って前記処理ユニットへ搬送するようになされている
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
貯留した水に基板を浸漬して当該基板をリンス処理するリンス装置をさらに備え、
前記リンス装置は、各々が前記処理槽の基板収容可能数未満の数であって一以上の基板を同時に収容可能である複数の収容部を有する
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記複数の収容部の各々は、互いから離間して配置された別個の槽として形成されている
ことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記リンス装置は、内部に仕切部材を設けられた槽を有し、
前記槽の内部は、前記仕切部材によって複数の収容部に区分けされている
ことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記リンス装置に接続された制御装置をさらに備え、
前記制御装置は、前記リンス装置の各収容部内への単位時間あたりの水の補給量を、収容部毎に設定する
ことを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記搬送装置は、前記処理槽で処理された基板を前記リンス装置へ搬送するようになされており、さらに、前記リンス装置でリンス処理された基板を前記処理ユニットへ搬送するようになされている
ことを特徴とする請求項５乃至８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記収容部が同時に収容可能な基板の数は、前記搬送装置が同時に搬送可能な基板の数以上である
ことを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記処理槽の上方開口の上方に設けられた可動式シャッターと、
前記処理槽に対する前記可動式シャッターの位置を制御する制御装置と、をさらに備え、
前記制御装置は、前記搬送装置と前記処理槽との間で基板の受け渡しを行うため、前記処理槽内の基板を収容すべき位置の上方が開放されるよう、前記可動式シャッターを制御する
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記可動式シャッターは、前記処理槽の前記上方開口の上方で移動可能な二つの板状材を含み、
前記制御装置は、前記二つの板状材を互いから離間し、当該二つの板状材の隙間によって前記処理槽内の基板を収容すべき位置の上方を開放するよう、前記可動式シャッターを制御する
ことを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記制御装置は、前記二つの板状材の相対位置を変化させ、同時に受け渡しを行われる基板の数に応じて前記隙間の大きさを変化させるよう、前記可動式シャッターを制御する
ことを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記可動式シャッターから突出する整流板が、前記開口の近傍に、設けられている
ことを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
一つの基板を保持可能な処理ユニットと、処理液を貯留する処理槽であって複数の基板を同時に収容可能な処理槽と、を有する基板処理装置を用いて基板を処理する基板処理方法であって、
基板処理装置に持ち込まれた未処理基板を前記処理ユニットおよび前記処理槽のいずれにまず搬送するかを判断する工程と、
前記処理ユニットを用いて基板を処理する工程および前記処理槽内に貯留された処理槽内に基板を浸漬して処理する工程のうちの少なくともいずれか一つの工程と、を備え、
前記処理槽内で処理する工程は、前記処理液が貯留された前記処理槽に、前記処理槽の基板収容可能数未満の数であって一以上の基板を同時に搬送する工程と、処理液を前記処理槽に循環供給しながら、前記同時に搬送された一以上の基板を前記処理槽内の処理液に浸漬して処理する工程と、を含む
ことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１６】
前記処理槽内で処理する工程の前記基板を処理液に浸漬して処理する工程において、前記処理槽内での基板の処理時間は、前記搬送装置によって同時に搬送される一以上の基板毎に管理される
ことを特徴とする請求項１５に記載の基板処理方法。
【請求項１７】
前記処理槽の上方開口の上方に可動式シャッターが設けられており、
前記処理槽内で処理する工程は、前記一以上の基板を前記処理槽内に搬入するため、前記一以上の基板を収容すべき前記処理槽内の位置の上方が開放されるよう、前記可動式シャッターを移動させる工程を、さらに含む
ことを特徴とする請求項１５または１６に記載の基板処理方法。
【請求項１８】
前記処理ユニットを用いて処理する工程と、前記処理槽内で処理する工程と、の両方を備え、
前記処理ユニットを用いて処理する工程は、前記処理槽内で処理する工程の後に実施される
ことを特徴とする請求項１５乃至１７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１９】
前記処理ユニットを用いて処理する工程は、
前記処理槽内で処理を行われた一つの基板を処理ユニットによって保持する工程と、
前記処理槽内で処理する工程において用いられた処理液とは異なる処理液を供給し、前記処理ユニットによって保持された一つの基板を処理する工程と、
前記処理ユニットによって保持され前記処理液による処理を施された一つの基板に水を供給してリンス処理する工程と、
前記処理ユニットによって保持され前記リンス処理を施された一つの基板を乾燥させる工程と、を有する
ことを特徴とする請求項１８に記載の基板処理方法。
【請求項２０】
前記処理槽内に貯留された処理液内に基板を浸漬して処理する工程の後に実施される工程であって、リンス装置に貯留された水内に基板を浸漬してリンス処理する工程を、さらに備え、
前記リンス装置は、各々が前記処理槽の基板収容可能数未満の数の基板を同時に収容可能である複数の収容部を有しており、
前記リンス装置内でリンス処理する工程は、
前記水が貯留された前記リンス装置の前記複数の収容部のうちの基板が収容されていないいずれか一つの収容部へ、一以上の基板を搬送する工程と、
前記リンス装置の前記収容部内において前記一以上の基板を水に浸漬してリンス処理する工程と、を含む
ことを特徴とする請求項１５乃至１７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項２１】
前記処理槽内に同時に搬送された一以上の基板毎に、前記リンス装置内に同時に搬送される
ことを特徴とする請求項２０に記載の基板処理方法。
【請求項２２】
前記リンス装置内でリンス処理する工程において、前記基板が収容された前記一つの収容部へ補給される水の量は、他の収容部へ補給される水の量とは独立して設定される
ことを特徴とする請求項２１に記載の基板処理方法。
【請求項２３】
前記処理ユニットを用いて処理する工程と、前記処理槽内で処理する工程と、の両方を備え、
前記処理ユニットを用いて処理する工程は、前記リンス装置内で基板をリンス処理する工程の後に実施される
ことを特徴とする請求項２０乃至２２のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項２４】
前記処理ユニットを用いて処理する工程は、
前記リンス装置内でリンス処理を行われた一つの基板を処理ユニットによって保持する工程と、
前記処理ユニットによって保持された一つの基板を乾燥させる工程と、を有する
ことを特徴とする請求項２３に記載の基板処理方法。
【請求項２５】
前記処理ユニットを用いて処理する工程は、
前記リンス装置内でリンス処理を行われた一つの基板を処理ユニットによって保持する工程と、
前記処理槽内で処理する工程において用いられた処理液とは異なる処理液を供給し、処理ユニットによって保持された一つの基板を処理する工程と、
前記処理ユニットによって保持された一つの基板に水を供給しリンス処理する工程と、
前記処理ユニットによって保持され前記リンス処理を施された一つの基板を乾燥させる工程と、を有する
ことを特徴とする請求項２３に記載の基板処理方法。
【請求項１】
一つの基板を保持し保持した一つの基板を処理する処理ユニットと、
複数の基板を同時に収容可能な処理槽であって、基板を浸漬して処理するための処理液を循環供給されながら貯留する処理槽と、
前記処理槽の基板収容可能数未満の数であって一以上の基板を同時に搬送する搬送装置であって、少なくとも前記処理槽に基板を搬送する搬送装置と、を備え、
前記処理ユニットと前記処理槽との少なくともいずれか一つを用いて基板を処理する
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記処理槽内での基板の処理時間を前記搬送装置によって前記処理槽へ同時に搬送される一以上の基板毎に管理する制御装置をさらに備える
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御装置は、前記搬送装置によって前記処理槽に同時に搬送されてきた一以上の基板毎に処理経過時間を計測し、処理経過時間が予め設定された処理時間に達すると、当該一以上の基板を前記処理槽内から搬出するように、前記搬送装置を制御する
ことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記搬送装置は、前記処理槽で処理された基板を受け取って前記処理ユニットへ搬送するようになされている
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
貯留した水に基板を浸漬して当該基板をリンス処理するリンス装置をさらに備え、
前記リンス装置は、各々が前記処理槽の基板収容可能数未満の数であって一以上の基板を同時に収容可能である複数の収容部を有する
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記複数の収容部の各々は、互いから離間して配置された別個の槽として形成されている
ことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記リンス装置は、内部に仕切部材を設けられた槽を有し、
前記槽の内部は、前記仕切部材によって複数の収容部に区分けされている
ことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記リンス装置に接続された制御装置をさらに備え、
前記制御装置は、前記リンス装置の各収容部内への単位時間あたりの水の補給量を、収容部毎に設定する
ことを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記搬送装置は、前記処理槽で処理された基板を前記リンス装置へ搬送するようになされており、さらに、前記リンス装置でリンス処理された基板を前記処理ユニットへ搬送するようになされている
ことを特徴とする請求項５乃至８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記収容部が同時に収容可能な基板の数は、前記搬送装置が同時に搬送可能な基板の数以上である
ことを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記処理槽の上方開口の上方に設けられた可動式シャッターと、
前記処理槽に対する前記可動式シャッターの位置を制御する制御装置と、をさらに備え、
前記制御装置は、前記搬送装置と前記処理槽との間で基板の受け渡しを行うため、前記処理槽内の基板を収容すべき位置の上方が開放されるよう、前記可動式シャッターを制御する
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記可動式シャッターは、前記処理槽の前記上方開口の上方で移動可能な二つの板状材を含み、
前記制御装置は、前記二つの板状材を互いから離間し、当該二つの板状材の隙間によって前記処理槽内の基板を収容すべき位置の上方を開放するよう、前記可動式シャッターを制御する
ことを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記制御装置は、前記二つの板状材の相対位置を変化させ、同時に受け渡しを行われる基板の数に応じて前記隙間の大きさを変化させるよう、前記可動式シャッターを制御する
ことを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記可動式シャッターから突出する整流板が、前記開口の近傍に、設けられている
ことを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
一つの基板を保持可能な処理ユニットと、処理液を貯留する処理槽であって複数の基板を同時に収容可能な処理槽と、を有する基板処理装置を用いて基板を処理する基板処理方法であって、
基板処理装置に持ち込まれた未処理基板を前記処理ユニットおよび前記処理槽のいずれにまず搬送するかを判断する工程と、
前記処理ユニットを用いて基板を処理する工程および前記処理槽内に貯留された処理槽内に基板を浸漬して処理する工程のうちの少なくともいずれか一つの工程と、を備え、
前記処理槽内で処理する工程は、前記処理液が貯留された前記処理槽に、前記処理槽の基板収容可能数未満の数であって一以上の基板を同時に搬送する工程と、処理液を前記処理槽に循環供給しながら、前記同時に搬送された一以上の基板を前記処理槽内の処理液に浸漬して処理する工程と、を含む
ことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１６】
前記処理槽内で処理する工程の前記基板を処理液に浸漬して処理する工程において、前記処理槽内での基板の処理時間は、前記搬送装置によって同時に搬送される一以上の基板毎に管理される
ことを特徴とする請求項１５に記載の基板処理方法。
【請求項１７】
前記処理槽の上方開口の上方に可動式シャッターが設けられており、
前記処理槽内で処理する工程は、前記一以上の基板を前記処理槽内に搬入するため、前記一以上の基板を収容すべき前記処理槽内の位置の上方が開放されるよう、前記可動式シャッターを移動させる工程を、さらに含む
ことを特徴とする請求項１５または１６に記載の基板処理方法。
【請求項１８】
前記処理ユニットを用いて処理する工程と、前記処理槽内で処理する工程と、の両方を備え、
前記処理ユニットを用いて処理する工程は、前記処理槽内で処理する工程の後に実施される
ことを特徴とする請求項１５乃至１７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１９】
前記処理ユニットを用いて処理する工程は、
前記処理槽内で処理を行われた一つの基板を処理ユニットによって保持する工程と、
前記処理槽内で処理する工程において用いられた処理液とは異なる処理液を供給し、前記処理ユニットによって保持された一つの基板を処理する工程と、
前記処理ユニットによって保持され前記処理液による処理を施された一つの基板に水を供給してリンス処理する工程と、
前記処理ユニットによって保持され前記リンス処理を施された一つの基板を乾燥させる工程と、を有する
ことを特徴とする請求項１８に記載の基板処理方法。
【請求項２０】
前記処理槽内に貯留された処理液内に基板を浸漬して処理する工程の後に実施される工程であって、リンス装置に貯留された水内に基板を浸漬してリンス処理する工程を、さらに備え、
前記リンス装置は、各々が前記処理槽の基板収容可能数未満の数の基板を同時に収容可能である複数の収容部を有しており、
前記リンス装置内でリンス処理する工程は、
前記水が貯留された前記リンス装置の前記複数の収容部のうちの基板が収容されていないいずれか一つの収容部へ、一以上の基板を搬送する工程と、
前記リンス装置の前記収容部内において前記一以上の基板を水に浸漬してリンス処理する工程と、を含む
ことを特徴とする請求項１５乃至１７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項２１】
前記処理槽内に同時に搬送された一以上の基板毎に、前記リンス装置内に同時に搬送される
ことを特徴とする請求項２０に記載の基板処理方法。
【請求項２２】
前記リンス装置内でリンス処理する工程において、前記基板が収容された前記一つの収容部へ補給される水の量は、他の収容部へ補給される水の量とは独立して設定される
ことを特徴とする請求項２１に記載の基板処理方法。
【請求項２３】
前記処理ユニットを用いて処理する工程と、前記処理槽内で処理する工程と、の両方を備え、
前記処理ユニットを用いて処理する工程は、前記リンス装置内で基板をリンス処理する工程の後に実施される
ことを特徴とする請求項２０乃至２２のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項２４】
前記処理ユニットを用いて処理する工程は、
前記リンス装置内でリンス処理を行われた一つの基板を処理ユニットによって保持する工程と、
前記処理ユニットによって保持された一つの基板を乾燥させる工程と、を有する
ことを特徴とする請求項２３に記載の基板処理方法。
【請求項２５】
前記処理ユニットを用いて処理する工程は、
前記リンス装置内でリンス処理を行われた一つの基板を処理ユニットによって保持する工程と、
前記処理槽内で処理する工程において用いられた処理液とは異なる処理液を供給し、処理ユニットによって保持された一つの基板を処理する工程と、
前記処理ユニットによって保持された一つの基板に水を供給しリンス処理する工程と、
前記処理ユニットによって保持され前記リンス処理を施された一つの基板を乾燥させる工程と、を有する
ことを特徴とする請求項２３に記載の基板処理方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２００８−２１８９０６（Ｐ２００８−２１８９０６Ａ）
【公開日】平成２０年９月１８日（２００８．９．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−５７５４６（Ｐ２００７−５７５４６）
【出願日】平成１９年３月７日（２００７．３．７）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年９月１８日（２００８．９．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年３月７日（２００７．３．７）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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